Fundamentos Fisicos de La Informaticas PDF

Apuntes de apoyo a la asignatura
FUNDAMENTOS FSICOS DE
LA INFORMTICA
E.T.S. de Ingeniera Informtica
UNIVERSIDAD DE SEVILLA
Francisco L. Mesa Ledesma
ii
Copyright 2002 by Francisco L. Mesa Ledesma; esta informacin puede ser copiada, distribuida y/o modificada bajo ciertas condiciones, pero
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END OF TERMS AND CONDITIONS
2
Apuntes de FFI
FLML
ndice general
1. Campos elctrico y magntico
1.1. Introduccin
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Campo elctrico de una distribucin de cargas . . . . . . . .
1.2.1. Ley de Coulomb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2. Principio de superposicin . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.3. Campo elctrico de cargas puntuales . . . . . . . . . .
1.2.4. Campo elctrico de distribuciones continuas de carga
1.3. Potencial elctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.1. Energa potencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4. Conductores en un campo electrosttico . . . . . . . . . . . .
11
1.4.1. Campo elctrico de un conductor cargado en equilibrio electrosttico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12
1.4.2. Conductor neutro en un campo elctrico externo . . .
13
1.5. Condensadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
13
1.5.1. Capacidad de un conductor . . . . . . . . . . . . . . . .
13
1.5.2. Influencia entre conductores . . . . . . . . . . . . . . .
14
1.6. Energa Electrosttica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
1.6.1. Energa en un condensador de placas paralelas . . . .
15
1.6.2. Densidad de energa electrosttica . . . . . . . . . . . .
16
1.7. Dielctricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
1.8. Interaccin magntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19
1.9. Fuerza de Lorentz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20
1.9.1. Movimiento de una carga puntual en presencia de un

campo magntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
1.10.Fuerzas magnticas sobre conductores . . . . . . . . . . . . .
24
1.10.1. Fuerza magntica sobre un hilo . . . . . . . . . . . . .
24
1.10.2. Momento de la fuerza sobre una espira de corriente .
25
III
iv
NDICE GENERAL
1.11.Ley de Biot-Savart
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
1.12.Induccin electromagntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
28
1.13.Ley de Faraday . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
1.13.1. Fuerza electromotriz de movimiento . . . . . . . . . .
29
1.13.2. Fuerza electromotriz inducida . . . . . . . . . . . . . .
30
1.14.Inductancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
1.14.1. Inductancia mutua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
1.14.2. Autoinduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
36
1.14.3. Caso general
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
1.15.Energa magntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
38
1.16.(*) Ecuaciones de Maxwell
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
1.17.Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
2. Circuitos de Corriente Continua y Alterna
Apuntes de FFI
47
2.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
47
2.2. Vector densidad de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
48
2.3. Conductividad, Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50
2.3.1. Conductividad elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50
2.3.2. Ley de Ohm circuital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
52
2.3.3. Efecto Joule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
2.4. Fuerza electromotriz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
54
2.4.1. Potencia suministrada por el generador . . . . . . . .
56
2.5. Reglas de Kirchhoff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
57
2.5.1. Regla de Kirchhoff de las tensiones . . . . . . . . . . .
57
2.5.2. Regla de Kirchhoff de las intensidades . . . . . . . . . .
58
2.6. Resolucin de circuitos de corriente continua . . . . . . . . .
59
2.6.1. (*) Mtodo de las corrientes de malla . . . . . . . . . .
60
2.6.2. (*) Teorema de superposicin . . . . . . . . . . . . . . .
61
2.6.3. (*) Teorema de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . . .
62
2.6.4. Balance de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
2.7. Circuito RC. Carga y descarga de un condensador . . . . . . .
64
2.7.1. Descarga de un condensador . . . . . . . . . . . . . . .
64
2.7.2. Carga de un condensador . . . . . . . . . . . . . . . . .
65
2.8. Transitorios en circuitos RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
67
2.9. Corriente alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
69
FLML
NDICE GENERAL
2.9.1. Generador de fem alterna . . . . . . . . . . . . . . . . .
69
2.9.2. Relacin I V para Resistencia, Condensador y Bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
70
2.10. Anlisis fasorial de circuitos de CA . . . . . . . . . . . . . . . .
71
2.10.1. Expresiones fasoriales para resitencia, condensador

y bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
72
2.10.2. Reglas de Kirchhoff en circuitos de CA . . . . . . . . . .
73
2.10.3. Circuito RLC serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
74
2.10.4. Resonancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
76
2.10.5. (*) Anlisis de mallas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
76
2.11. Potencia en circuitos de CA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
79
2.11.1. Potencia media . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
79
2.11.2. Factor de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
80
2.11.3. Balance de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
81
2.12.Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
84
3. Ondas Electromagnticas
3.1. Introduccin
89
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
89
3.2. Nociones generales de ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
90
3.2.1. (*) Ecuacin de ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
92
3.2.2. Ondas armnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
93
3.3. (*) Ecuacin de Ondas Electromagnticas . . . . . . . . . . . .
95
3.4. Ondas electromagnticas planas armnicas . . . . . . . . . .
97
3.5. Intensidad de la onda electromagntica . . . . . . . . . . . . .
99
3.6. Interferencia de Ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101

3.6.1.
Superposicin de dos ondas electromagnticas planas armnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
3.6.2. Focos incoherentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103

3.6.3. Focos coherentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.7. (*) Difraccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
3.8. Ondas estacionarias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.9. Espectro electromagntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
3.10. Fuentes de las Ondas Electromagnticas . . . . . . . . . . . . 116
3.11.Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
4. Semiconductores
FLML
119
Apuntes de FFI
vi
NDICE GENERAL
4.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

4.2. Conductivad elctrica en metales . . . . . . . . . . . . . . . . 120
4.3. Estructura cristalina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
4.4. Bandas de energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
4.5. Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . . . . . 126
4.6. Masa efectiva. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
4.6.1. Masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
4.6.2. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
4.6.3. Generacin y recombinacin de electrones y huecos . 132
4.7. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
4.8. Semiconductores Extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
4.8.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
4.8.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
4.8.3. Ley de accin masas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
4.8.4. Compensacin y Neutralidad de la carga espacial . . . 137
4.8.5. Clculo aproximado de n y p . . . . . . . . . . . . . . . 138
4.9. Corrientes de Arrastre y Difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
4.9.1. Proceso de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
4.9.2. Corriente de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.9.3. Corriente total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.9.4. Campo elctrico interno . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
4.10.Uniones p-n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
4.11.Unin p-n en equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.11.1. Potencial de Contacto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.11.2. Regin de carga espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
4.12.Unin p-n polarizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
4.12.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin . 150
4.13.Ecuacin del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
4.14.Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
A. Anlisis vectorial
159
A.1. Vectores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159

A.1.1. Notacin vectorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
A.1.2. Suma de vectores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
A.1.3. Producto escalar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
Apuntes de FFI
FLML
vii
NDICE GENERAL
A.1.4. Producto vectorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161

A.1.5. Productos triples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
A.1.6. Diferencial y derivada de funciones de una sola variable163
A.1.7. Teorema fundamental del clculo . . . . . . . . . . . . 163
A.1.8. Diferencial y derivada parcial de una funcin de varias
variables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
A.1.9. Operador gradiente
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
A.1.10.Integral de camino . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165

A.1.11. Teorema fundamental del gradiente . . . . . . . . . . 166
A.2. Integral de flujo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
A.3. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
B. Ley de Gauss
169
C. Aspectos generales de funciones armnicas
173
C.0.1. Valores eficaces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173

D. Anlisis fasorial
175
E. Constantes fundamentales
177
F. Promedios estadsticos
179
F.1. Sistemas Discretos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179

F.2. Sistemas Continuos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
G. Propiedades de algunos materiales semiconductores
FLML
181
Apuntes de FFI
Prefacio
La presente coleccin de notas sobre Electromagnetismo, Circuitos, Ondas
y Fundamentos de Semiconductores pretende ser una ayuda al estudiante en la
asignatura cuatrimestral Fundamentos Fsicos de la Informtica de la E.T.S. de Ingeniera Informtica de la Universidad de Sevilla. Aunque estas notas han sido
inspiradas por diversas fuentes (permtaseme destacar y agradecer la importante
contribucin de los profesores de la ETS de Ingeniera Informtica del Departamento de Fsica Aplicada 1 de la Universidad de Sevilla y, en especial, al Prof. Gonzalo Plaza) cualquier defecto o error slo es atribuible al autor de estos apuntes.
Es importante resaltar que estas notas no pueden ni deben sustituir a otros textos
ms elaborados sobre la materia.
El propsito principal de la materia aqu presentada es dotar al alumno de
algunos de los fundamentos fsicos elementales en los que se basa el funcionamiento de los dispositivos y sistemas usados en Informtica. Gran parte de la
tecnologa actual de los computadores se basa en la Electrnica y, puesto que la
Electrnica consiste bsicamente en el control del flujo de los electrones en materiales conductores y semiconductores, es evidente la necesidad de estudiar en
primer lugar el comportamiento general de las cargas y corrientes elctricas. Este
estudio se llevar a cabo mediante una serie de temas dedicados al Electromagnetismo bsico y a la Teora de Circuitos de corriente continua y alterna. Por otra
parte, dada la relevancia de las ondas electromagnticas en las comunicaciones
actuales, y en particular la transmisin de datos en las redes de ordenadores, se
llevar a cabo un estudio general de las ondas para acabar con una descripcin y
anlisis elemental de las ondas electromagnticas. En la ltima parte de la asignatura veremos algunos aspectos bsicos del funcionamiento de los dispositivos
semiconductores, fundamentalmente la unin pn.
Por ltimo me gustara acabar estas lneas recordando una mxima muy antigua atribuida a Confucio, y que creo que resume con mucha precisin la naturaleza del proceso de aprendizaje.
Lo escuch y lo olvid...
Lo vi y lo record...
Lo hice y lo aprend.
Con estas palabras solo deseo motivar a los posibles lectores de estos apuntes con
la idea de que nicamente su esforzada labor personal podr guiarles adecuadamente por el camino de un aprendizaje provechoso.
F RANCISCO L. M ESA L EDESMA
Sevilla, junio de 2012
IX
Apuntes de FFI
NDICE GENERAL
FLML
T EMA 1
Campos elctrico y magntico

1.1. Introduccin
Dado que uno de los objetivos de esta asignatura ser el estudio bsico de los principales fenmenos electromagnticos y buena parte de estos
fenmenos estn relacionados con la interaccin entre cargas elctricas,
empezaremos este tema con el estudio de las interacciones de cargas elctricas en reposo. La parte del Electromagnetismo que aborda esta materia
se denomina Electrosttica.
La carga elctrica es una propiedad fundamental e intrnseca de la materia (al igual que la masa) que tiene las siguientes propiedades:
Presenta dos polaridades: positiva y negativa. Cantidades iguales de
ambas polaridades se anulan entre s.
La carga total del universo (suma algebraica de todas las cargas existentes) se conserva, esto es, la carga no se puede crear ni destruir. No
obstante, debe notarse que esto no imposibilita que cargas positivas y
negativas se anulen entre s.
Adems de esta propiedad de conservacin global, la carga tambin se
conserva localmente. Esto quiere decir que si cierta materia cargada
desaparece en un sitio y esta misma materia cargada aparece en otro,
esto es porque dicha materia ha viajado de un punto a otro.
La carga esta cuantizada: cualquier carga que existe en la naturaleza
es un mltiplo entero de una carga elemental q e . Esta carga elemental
corresponde a la carga del protn.
La unidad de carga en el Sistema Internacional es el culombio (C) y equivale a la carga de 6,2414959 1018 protones, o lo que es lo mismo, la carga
del protn es q e = 1,60218 1019 C.
Es interesante hacer notar que de las cuatro interacciones fundamentales de la naturaleza: nuclear fuerte, electromagntica, nuclear dbil y gravitatoria, la interaccin electromagntica (o electrosttica cuando es entre
Unidad de carga elctrica:

1 culombio (C)
Tema 1.
cargas en reposo) es la segunda ms fuerte. De hecho la interaccin elctrica entre dos electrones (de carga e igual a q e ) es aproximadamente 1042
veces ms fuerte que su correspondiente interaccin gravitatoria. Esto da
una idea de la magnitud tan importante de las fuerzas elctricas. No obstante, en la naturaleza hay muchas situaciones en las que la interaccin
elctrica no se manifiesta debido a la compensacin tan precisa que ocurre en la materia entre cargas positivas y negativas. De hecho los agregados
de materia se presentan generalmente en forma neutra y por ello las interacciones entre grandes cantidades de materia (planetas, estrellas, etc)
es fundamentalmente de carcter gravitatorio. No obstante, esto no implica que la interaccin entre cargas elctricas sea irrelevante sino que por el
contrario, estas interacciones estn en la base de multitud de fenmenos
fundamentales, por ejemplo: la formacin y estabilidad de los tomos, las
fuerzas moleculares, las fuerzas de rozamiento, las tensiones mecnicas,
las fuerzas de contacto, etc.
1.2. Campo elctrico de una distribucin de cargas

1.2.1. Ley de Coulomb
Q
r
q
El estudio de la Electrosttica se iniciar mediante la ley de Coulomb,

ley experimental que describe la interaccin entre dos cargas puntuales
en reposo en el vaco (esto es, no existe ningn medio material entre ellas).
El concepto de carga puntual es una idealizacin por la que se considerar que cierta carga est localizada estrictamente en un punto. Aunque en
principio, esta idealizacin pudiera parecer poco realista, la experiencia
demuestra que es una aproximacin muy precisa en mltiples situaciones. De hecho, la carga uniformemente distribuida de cuerpos esfricos o
incluso cuerpos cargados considerados a distancias lejanas se comportan
muy aproximadamente como cargas puntuales.
~ , que ejerce una
La ley de Coulomb ( 1785) establece que la fuerza, F
carga fuente q sobre una carga prueba Q, viene dada por la siguiente expresin:
1 qQ
1 qQ
~=
~
r
r ,
(1.1)
F
2
40 |~
r|
40 |~
r |3
donde 0 es una constante llamada permitivad del vaco cuyo valor en el
S.I. es
2
C2
1
9 Nm
0 = 8,85 1012
=
9
10
.
(1.2)
40
Nm2
C2
y
~
r = |~
r |r
(r |~
r |)
es el vector que va desde la posicin de la carga fuente,~
r q , hasta la posicin
de la carga prueba ~
rQ (notemos que ~
r =~
rQ ~
r q ), siendo r |~
r | su mdulo
y r = ~
r /|~
r | su vector unitario asociado. Es muy importante que tenga en
cuenta que, en general, la posicin de la carga fuente no coincide con el
origen de coordenadas.
Apuntes de FFI
FLML
Vea el Apndice A para un breve repaso de vectores y tenga en cuenta

que en las guras del presente texto usaremos tipo de letra negrita para
denotar a los vectores, de modo que
~
u u.
Adems los vectores unita-
rios se denotarn en letra negrita con el signo
encima,
u
~
u . Asimiscomo |~
u | o bien
de modo que
debe leerse como vector unitario en la direccin y sentido de

mo el mdulo del vector
simplemente como
~
u
se denotar indistintamente
u.
Algunas propiedades destacables de la ley de Coulomb son [ver expresin (1.1)]:

La fuerza va dirigida segn la lnea que une las dos cargas (fuerza central), estando su sentido determinado por el signo del producto qQ.
Por tanto, la fuerza entre dos cargas ser atractiva para cargas de signo
opuesto o bien repulsiva para cargas del mismo signo.
La fuerza decrece con el cuadrado de la distancia. No obstante, a distancias cortas esta interaccin crece extraordinariamente.
~
La fuerza que ejercera la carga prueba sobre la carga fuente sera F
(principio de accin y reaccin).
+Q
+q
F
+q
F
-F
+Q
+q
E JEMPLO 1.1 Calcule la fuerza que una carga de 3 C situada en el punto (1, 2, 3)
ejerce sobre una carga de 4 C situada en el punto (2, 4, 1) (distancias en cm).
Segn nos dice el enunciado del problema tendremos que ~
r q = x 2y + 3z
y~
rQ = 2x + 4y z , por lo que
-Q
~
r =~
rQ ~
r q = {2 1}x + {4 (2)}y + {(1) 3}z = x + 6y 4z cm
siendo su mdulo
|~
r|=
12 + 62 + (4)2 102 =
p
53 102 m
y su vector unitario asociado

r =
x + 6y 4z
.
p
53
La fuerza, segn (1.1), ser entonces

(3 106 ) (4 106 ) x + 6y 4z
p
p
( 53 102 )2
53
108 103 x + 6y 4z 1080 x 6y + 4z
=
=
N.
p
p
53 104
53
53
53
~ = 9 109
F
~ |, es justamente 1080/53 N.
Notemos que el mdulo de la fuerza, |F
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
1.2.2. Principio de superposicin
F
FN
Q
r1
q1
F2
F1
r2
La ley de Coulomb describe el efecto de una nica carga puntual fuente, q, sobre la carga prueba, Q. El efecto de un conjunto de cargas sobre
cierta carga prueba viene determinado por el principio de superposicin.
Este principio de superposicin establece que
La interaccin entre dos cargas es completamente independiente de la presencia de otras cargas.
rN
q2
qN
Esto significa que para calcular el efecto de un conjunto de cargas fuente sobre cierta carga prueba, se puede proceder calculando el efecto de cada una de las cargas fuentes sobre la carga prueba para obtener el efecto
~ =F
~1 + F
~2 + ).
total como la suma de los efectos parciales (esto es, F
De este modo, la fuerza que produce el conjunto de cargas fuentes,
{q 1 , q 2 , , q N }, sobre la carga prueba Q situada en el punto P puede calcularse como
~ (P ) =
F
N
X
i =1
~i =
F
N q Q
1 X
i
ri
40 i =1 |~
r i |2
N q
Q X
i
ri .
40 i =1 |~
r i |2
(1.3)
(1.4)
1.2.3. Campo elctrico de cargas puntuales

En la expresin de la fuerza dada por (1.4) puede apreciarse que el sumatorio depende exclusivamente de la configuracin de cargas fuente, por
lo que podemos escribir
~ (P ) = Q E
~ (P ) ,
F
(1.5)
~ (P ) se denomina campo elctrico producido por las cardonde el vector E
gas fuente en el punto P , viniendo ste dado por
Campo elctrico de una
distribucin de cargas puntuales
Unidad de campo elctrico:

1 N/C
Apuntes de FFI
~ (P ) =
E
N q
N q
1 X
1 X
i
i
~
r
ri .
i
2
40 i =1 |~
ri |
40 i =1 |~
r i |3
(1.6)
~ permite definir una magnitud vecLa introduccin de este vector E

torial que vara punto a punto y que slo depende de las cargas fuentes.
De este modo se consigue dotar a cada punto del espacio de una propiedad vectorial tal que el producto del valor de una carga prueba situada en
ese punto por el valor de dicho vector en ese punto proporciona la fuerza
que ejercer la configuracin de cargas fuentes sobre dicha carga prueba.
~ , puede, por tanto, definirse como la
En este sentido, el campo elctrico, E
fuerza por unidad de carga y sus unidades son consecuentemente N/C. Es
interesante observar que el campo elctrico recoge de alguna manera la
informacin sobre las cargas fuentes, escondiendo la disposicin particular de esta configuracin y mostrando nicamente su efecto global.
FLML
Tal y como se ha introducido el campo elctrico podra pensarse que

este campo es nicamente un ente matemtico til para calcular la fuerza
pero sin significado fsico concreto. No obstante, tal y como se ver pos~ posee por s mismo una realidad fsica clara y, por tanto,
teriorermente, E
desde este momento es conveniente considerar al campo elctrico como
un ente real (con el mismo grado de realidad fsica que la fuerza o el momento lineal) independiente de la presencia o no de carga prueba.
A partir de la expresin (1.6), el campo producido por una carga pun~q , en el punto P (OP ~
tual, E
r ) vendr dado por
Campo
1 q
~q (P ) =
E
r .
40 |~
r |2
(1.7)
~ en ciertos
Una forma de visualizar dicho campo es dibujando el vector E
puntos del espacio. No obstante, es ms conveniente describir el campo
mediante las lneas de campo, que son aquellas lneas tangentes en cada
uno de sus puntos al vector campo. Para un sistema de dos cargas idnticas
en magnitud, una positiva y otra negativa, las lneas de campo salen de la
carga positiva y acaban en la carga negativa segn el patrn que se muestra
en la figura. Este hecho particular es una propiedad del campo electrosttico, esto es, las lneas de campo salen de las cargas positivas y acaban en
las negativas o van al infinito. Dado que las cargas elctricas son las nicas fuentes del campo electrosttico, siempre que existan cargas elctricas
descompensadas espacialmente (cuando no se anulen unas a otras en cada punto), existir campo electrosttico.
elctrico
producido
por
una carga puntual
E JEMPLO 1.2 Calcule el campo en el punto P (1/2, 1/2) debido al efecto global
de una carga q situada en el punto (0, 0), una carga 2q situada en el punto (0, 1)
y una carga 3q situada en el punto (0, 1) (distancias en m y q = 12C ). Indique
asimismo el valor del mdulo del campo.
Para calcular el campo elctrico en el punto P aplicaremos el principio de superposicin, por lo que primero debemos obtener el campo producido por cada
una de las cargas. Antes de calcular este campo, debemos identificar el vector que
va desde cada una de las cargas hasta el punto de observacin P . Segn el dibujo
adjunto tendremos que
1
1
1
1
1
1
~
r 2 = x y , ~
r 3 = x + y ,
r 1 = x + y , ~
2
2
2
2
2
2
siendo el mdulo de los tres anteriores vectores idntico y de valor
|~
ri | D =
p
1/2 .
El campo en P viene dado por

~ (P ) =
E
FLML
3
X
1 qi
~
ri ,
4
r i |3
0 |~
i =1
Apuntes de FFI
Tema 1.
por lo que tras sustituir el valor de ~

r i obtenido anteriormente tenemos que
1
1
1
1
1
1
1 q
~ (P ) =
(
x
+
y
)
+
2(
x
y
)
3(
x
+
y
)
E
40 D 3 2
2
2
2
2
2
p
1 q
2 2q
=
(3x 2y) =
(3x 2y)
40 D 3
40
p
p
= 9 109 2 2 12(3x 2y) = 216 2 109 (3x 2y)
p
3x 2y N
= 216 26 109 p
.
13 C
p
El mdulo del campo es entonces 216 26 109 N/C.
1.2.4.
Campo elctrico de distribuciones continuas de carga
Aunque el carcter discreto de la materia (naturaleza atmica) es bien

conocido, en multitud de situaciones prcticas, este carcter discreto puede obviarse y considerar que la materia puede describirse como un continuo. Desde un punto de vista matemtico, esto implica que la materia
se describir como una superposicin de elementos diferenciales infinitesiR
males, por ejemplo para calcular su masa: m = d m (en vez de describir la
P
materia como un agregado de partculas individuales, donde: m = iN m i ).
Esta consideracin del continuo para la masa de la materia tambin es extensible a su carga, de modo que en mltiples situaciones la carga se considerar como una distribucin continua. En este caso, la carga total q de
una distribucin de carga se obtendr como
Z
q = dq .
(1.8)
dE
x
Para obtener el campo elctrico producido por la anterior distribucin

de carga en un punto P , se considerar que la contribucin de cada ele~ (P ), puede asimento diferencial de carga, dq, al campo elctrico en P , dE
milarse al campo elctrico producido por una carga puntual de valor dq,
cuya expresin vendr dada por
~ (P ) =
dE
1 dq
r ,
40 |~
r |2
(1.9)
donde el vector ~
r ( r) va desde la posicin de la carga dq hasta el punto P .
dq
r
dq
dE
El campo total producido por toda la distribucin de carga se obtendr usando el principio de superposicin, tal y como se hizo para cargas
discretas en (1.6), al sumar las distintas contribuciones infinitesimales:
Z
Z
Z
1
dq
1
dq
~
~
~
E (P ) = dE (P ) =
r
r.
(1.10)
40 |~
r |2
40 |~
r |3
En la prctica, para calcular el campo producido por las distribuciones
de carga se introduce el concepto de densidad de carga, que relaciona la
cantidad de carga existente en cada elemento diferencial con el volumen,
Apuntes de FFI
FLML
superficie o longitud de dicho elemento. Solo en casos muy particulares

y sencillos es posible que la integral (1.10) pueda hacerse de forma analtica (es decir, encontrando la primitiva correspondiente). En general, la
integral anterior siempre puede obtenerse mediante procedimientos numricos en el ordenador. No obstante, en muchas situaciones de inters
prctico, nos encontramos con que la geometra del problema es muy sencilla (por ejemplo, simetra cilndrica, esfrica, o plana). En estos casos es
posible encontrar una expresin analtica del campo elctrico mediante la
aplicacin de la ley de Gauss.
La ley de Gauss ( 1867) nos dice que el flujo del campo elctrico (ver
Apndice A.2) debido a una distribucin de carga a travs una superficie
S es igual a 1/0 veces la carga total, Q int , encerrada en el interior de la
superficie S, esto es,
I
Q int
~ d~
.
(1.11)
E
S=
0
S
Ley de Gauss
l
S
Mediante la aplicacin de esta ley podemos encontrar la expresin del

campo para las siguientes situaciones de alta simetra:
(*) Campo de un hilo recto infinito cargado.
Si la carga del hilo est repartida uniformemente de modo que la carga por unidad de longitud (densidad lineal de carga, ) es constante,
encontramos que la expresin del campo es
~ (R) =
E
~
20 |R|
.
R
dS
SL
S
(1.12)
(*) Campo de una distribucin uniforme esfrica de carga

Sea una esfera de radio R con una distribucin uniforme de carga (su
densidad volumtrica constante es ). Dado que en esta situacin el
campo elctrico presenta simetra esfrica, podemos escribir que
~ = |E
~ (r )|r (r |~
E
r |), y finalmente obtenemos que
~=
E
|~
r |r
30
Q
r
40 |~
r |2
si |~
r|<R
(1.13)
si |~
r|R .
Campo de un plano infinito cargado uniformemente

Un plano infinito con una densidad de carga superficial uniforme
~ = |E
~ (y)|y, y en particular
provoca un campo elctrico del tipo E
~=
E
sign(y)y .
20
(1.14)
Es interesante notar que el campo no depende de la altura sobre el

plano y por tanto es constante en todos los puntos.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
dl
r
1.3. Potencial elctrico

Si se realiza la integral de camino (ver Apndice A.1.10) del campo elctrico producido por una carga puntual, q, entre dos puntos A y B , a travs
de una curva , se obtiene que
G
A
q
C AB
B
A,
~ d~
E
l=
1 q
q
r d~
l=
2
r|
40
A, 40 |~
r d~
l
.
2
r|
A, |~
B
(1.15)
El numerador de la integral anterior puede expresarse como

r d~
l = dl cos = dr
y por tanto se encuentra que (por simplicidad escribiremos |~
r | simplemente como r )
Z rB
dr
q
1
1
q
B
=
.
(1.16)
CA =
40 r A r 2 40 r A r B
B
Es interesante observar en (1.16) que la integral de camino es independiente del camino tomado para ir desde el punto A hasta el punto B ,
Z
B
A,
~ d~
E
l=
B
A,
~ d~
E
l.
(1.17)
Esta propiedad implica que la integral de camino a travs de cualquier

curva cerrada (tambin denominada circulacin) es nula,
I
~ d~
E
l =0 .
(1.18)
Para una distribucin discreta/continua de carga, aplicando el principio de superposicin, encontramos que la integral de camino del campo
de una distribucin arbitraria de cargas presentar las propiedades (1.17)
y (1.18) expuestas anteriormente. En particular la propiedad (1.18) (la circulacin del campo es nula) nos dice que, en general,
el campo electrosttico es conservativo.
Esta propiedad, cuya forma matemtica viene descrita en (1.18), implica
que necesariamente la integral de camino de cualquier campo electrosttico entre un punto A y otro B a lo largo de una curva arbitraria pueda
escribirse como
Z B
~ d~
E
l = V (A) V (B ) ,
(1.19)
A
Unidad de potencial elctrico:
donde la funcin V es cierta funcin escalar que se denomina potencial

elctrico. Las unidades del potencial elctrico sern el producto de la unidad de campo elctrico por la de longitud, esto es: Nm/C en el SI. Esta
unidad de potencial recibe el nombre de voltio (V). Usualmente, la unidad
de campo elctrico se expresa como V/m.
1 voltio (V)
Apuntes de FFI
FLML
1.3. Potencial elctrico
Introduciendo en (1.19) la expresin para el campo elctrico de una

carga puntual y observando (1.15) podemos concluir que el potencial producido por una carga puntual, Vq en el punto P , siendo ~
r el vector que va
desde la posicin de la carga hasta el punto P , vendr dado por
1 q
.
Vq (P ) =
40 |~
r|
Potencial producido por una carga
(1.20)
puntual
Si tenemos un conjunto de N cargas puntuales y aplicamos el principio

de superposicin del campo elctrico, la expresin anterior puede generalizarse para obtener el potencial en el punto P como
V (P ) =
N
X
1 qi
.
ri |
i =1 40 |~
(1.21)
Para una distribucin continua de carga, siguiendo el mismo procedimiento que ya hicimos para el campo, se tendr que
Z
Z
1
dq
1
V (P ) =
=
dV .
(1.22)
40
|~
r | 40
|~
r|
Potencial producido por una distribucin de cargas
regin
de cargas
E JEMPLO 1.3 Calculo del potencial elctrico producido por un plano cargado innito e indicar las supercies equipotenciales.
Teniendo en cuenta la expresin (1.14) para el campo producido por un plano
infinito con densidad de carga , encontramos al aplicar (1.19) que esta expresin
se reduce a
Z y
V (y) V (0) =
sign(y) dy =
sign(y) y =
|y| .
2
2
2
0
0
0
0
Segn nos muestra la expresin anterior, el lugar geomtrico de los puntos
donde el potencial es constante (es decir, las superficies equipotenciales) vendr
dado por la ecuacin
y = Cte .
es decir, la ecuacin de los planos paralelos al plano cargado de carga. En general
tendremos que las superficies equipotenciales son siempre perpendiculares a los
vectores campo elctrico.
1.3.1. Energa potencial

~ , creado
En una regin del espacio existe un campo elctrosttico, E
por una distribucin cualquiera de cargas. El trabajo, WE , que realiza dicho campo electrosttico para mover una carga prueba puntual Q desde el
punto A hasta el punto B , viene dado por la siguiente expresin:
Z B
Z B
~
~
~ d~
WE =
F dl = Q
E
l.
(1.23)
A,
FLML
A,
Apuntes de FFI
Tema 1.
10
Aplicando los resultados de la seccin anterior podemos ver que la integral (1.23) no depende del camino y, por tanto, la fuerza es conservativa.
Para fuerzas conservativas es sabido que el trabajo realizado por dichas
fuerzas puede escribirse como la variacin (con signo negativo) de la energa potencial, esto es,
WE = E p = E p (B ) E p (A) .
(1.24)
Este hecho queda patente al escribir el trabajo en (1.23) en trminos del
potencial segn (1.19) para obtener
Z B
~ d~
WE = Q
E
l = Q[V (A) V (B )] = QV (A) QV (B )
(1.25)
A,
e identificar la energa potencial de la carga Q, en el punto P como

Energa potencial elctrica de una
E p (P ) = QV (P ) .
carga puntual
(1.26)
Es interesante observar que la expresin (1.26) ofrece la posibilidad de

identificar
el potencial elctrico como la energa potencial
por unidad de carga.
Segn el teorema de las fuerzas vivas: el trabajo total realizado sobre
un sistema es igual al incremento de la energa cintica del sistema (esto
es, W = E c ). Dado que en nuestro caso consideramos que la nica fuerza que acta sobre el sistema es la producida por el campo electrosttico,
tendremos que WE = E c y, al igualar E c con (1.24), podemos escribir que
E c + E p = (E c + E p ) = 0 .
(1.27)
Dado que la energa mecnica, E m , del sistema se define como

Em = Ec + E p ,
entonces podemos establecer que la energa mecnica de la carga Q se conserva cuando sobre ella solo acta el campo electrosttico.
E JEMPLO 1.4 Energa potencial y cintica de una carga q en el interior de un

condensador plano sometido a una diferencia de potencial V0 entre sus placas
~ = E 0 y .
supuesto que el campo elctico es uniforme entre las placas, E
V=0
V=V0
Si entre las placas de un condensador plano situadas en y = 0 e y = d respectivamente se establece una diferencia de potencial V0 (ver figura adjunta), tendremos que
Z d
~ d~
E
l = V (0) V (d ) = V0 0 = V0 .
0
Si consideramos ahora que el campo es uniforme entre las placas y que d~

l = dy y ,
la integral anterior nos dice que
Z d
Z d
Z d
~ d~
E
l=
E 0 y dy y =
E 0 dy = E 0 d .
0
Apuntes de FFI
FLML
1.4. Conductores en un campo electrosttico
11
Encontramos entonces que el campo en el interior del condensador ser

~=
E
V0
y .
d
Para calcular el ptencial en un punto arbitrario de coordenada y debemos tener

en cuenta que
Z y
~ d~
E
l = V (0) V (y)
0
y como V (0) = V0 , se tiene que

y
Z
V (y) = V0
y
.
E (y)dy = V0 1
d
La energa potencial, E p (y), de una carga q en el interior del condensador ser por
tanto
y
E p (y) = qV0 1
.
d
Una partcula de carga positiva que parta del reposo (E c = 0) en la placa del
condensador a potencial V0 , se desplazar hacia zonas de menor energa potencial a la vez que ir aumentando su energa cintica. Debido a la conservacin de
su energa mecnica, la energa cintica al llegar a la otra placa, segn (1.27), toma
un valor de
1
E c (d ) = mv 2 = qV0 ,
2
V=V0
a)
por lo que la partcula adquirir una velocidad al llegar a dicha placa dada por
s
v=
2qV0
.
m
U(0)=qV0
Ec(0)=0
(1.28)
b)
El hecho de que una diferencia de potencial entre dos electrodos aumente la
energa cintica de las cargas es usado muy a menudo para acelerar partculas
cargadas. En la prctica, la placa final puede ser sustituida por una rejilla metlica
que deje pasar las partculas.
1.4.
V=0
U(d)=0
2
Ec(d)=1/2mv
Conductores en un campo electrosttico
Es bien conocido que la materia est formada por partculas elementales cargadas y neutras. Las partculas de carga positiva (protones) forman
parte de los ncleos de los tomos y por consiguiente estn fijas en promedio en los slidos. En ciertos materiales llamados dielctricos, las cargas
negativas (electrones) pueden considerarse igualmente fijas. No obstante,
en otros materiales denominados conductores, algunos de los electrones
no estn ligados a tomos en particular sino que forman una especie de
gas de electrones que vaga por todo el slido. En esta seccin consideraremos un modelo ideal de conductor en el cual dichos electrones son
cargas mviles que pueden desplazarse libremente (cargas libres). Dicho
modelo se denominar conductor perfecto.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
12
1.4.1. Campo elctrico de un conductor cargado en equilibrio electrosttico

En general, los conductores aparecen de forma natural como sistemas
neutros (igual nmero de cargas negativas que positivas). No obstante,
aadiendo o quitando cargas libres al conductor, ste quedar cargado. Si
se define equilibrio electrosttico como aquella situacin en la que todas
las cargas libres estn en reposo, y se tiene en cuenta la definicin de conductor perfecto dada anteriormente, podemos derivar las siguientes caractersticas acerca del campo elctrico:
El campo elctrico es nulo en el interior del conductor.
Si el campo elctrico no fuese nulo en el interior del conductor dara lugar a movimientos de las cargas libres, lo cual estara en contradiccin
con la condicin de equilibrio electrosttico.
Si el campo elctrico es nulo en el interior del conductor, al calcular la
integral de camino del campo entre dos puntos A y B en el interior del
conductor obtenemos que
Z
B
A
Conductor es equipotencial
SG
Qin =t 0
E
A dl
~int d~
E
l = V (A) V (B ) = 0 V Cte ,
(1.29)
esto es, el conductor es equipotencial y en particular la superficie del

mismo es una superficie equipotencial.
La carga en exceso se localiza en la superficie del conductor.
Si el campo en todos los puntos del interior del conductor cargado es
nulo es porque no existe carga neta en el interior.1
El campo elctrico en la superficie es normal a sta y de valor /0 .
Dado que el potencial es constante en todo el conductor, para dos puntos cualesquiera A y B sobre la superficie del conductor se verificar
que V (A) V (B ) = 0. En particular, si estos puntos estn infinitesimalmente prximos, tendremos que
~ d~
V (A) V (B ) = dV = E
l
donde d~
l es el vector desplazamiento infinitesimal que une A con B .
~ d~
~S deEsto implica que E
l = 0, por lo que el campo en la superficie, E
~
~
be ser perpendicular a dl y, puesto que dl es tangente a la superficie,
~S = E n,
siendo n
el vector unitario normal a la
podemos concluir que E
superficie del conductor. Aplicando la ley de Gauss encontramos que
~S =
E
.
n
0
(1.30)
1 Este hecho puede justificarse utilizando la ley de Gauss. Si existiese carga neta en el in-
terior, eligiendo una superficie de Gauss que la envolviese, el flujo del campo elctrico a
travs de la misma sera proporcional a la carga encerrada. Esto estara en contradiccin
con el hecho de que el flujo debe ser cero puesto que el campo en el interior es nulo. Por
tanto, la carga en exceso debe localizarse en la superficie.
Apuntes de FFI
FLML
1.5. Condensadores
13
1.4.2. Conductor neutro en un campo elctrico externo

Si un conductor inicialmente descargado (esto es, con una compensacin perfecta de cargas elctricas positivas y negativas) se somete al efecto
de un campo elctrico externo, la carga mvil del conductor se redistribuye de manera que se establezca la condicin de equilibrio electrostti~int = 0. (Este proceso ocurre tpicamente en un tiempo del orden de
co E
14
10 s para un conductor de cobre.) La redistribucin de la carga provoca
la aparicin de una densidad superficial inhomognea de carga que a su
vez da lugar a un campo en el interior del conductor que anula justamente
al campo externo, provocando as la anulacin punto a punto del campo
total en el interior.
Es interesante observar que el proceso de redistribucin de carga fruto
del equilibrio electrosttico puede considerarse como si ocurriese nicamente en la superficie, sin que eso implicase cambio alguno en el interior
del conductor. Es ms, si parte del material conductor del interior es extrado, con la consiguiente aparicin de un hueco, se dara la misma redistribucin de carga en la superficie exterior del conductor y, por tanto, el
campo seguira siendo nulo en todo el interior del conductor, incluyendo
al hueco.Esto quiere decir que para un conductor con un hueco, el interior
est completamente aislado del exterior y, en consecuencia, los campos
del exterior no afectaran a un dispositivo sensible al campo elctrico (por
ejemplo, circuitos electrnicos) situado en el interior del conductor. Este
fenmeno se usa para disear jaulas de Faraday que aslen los sistemas
elctricos. Una simple carcasa metlica (o un plstico conductor) aislara,
por ejemplo, los sistemas electrnicos del interior de un ordenador con
respecto a posibles influencias elctricas externas.
Eext
-
Eext
- +
+
+
+
Eint=0 +
+
- + +
- -
- +
+
+
Eint=0 +
+
- + +
1.5. Condensadores
1.5.1. Capacidad de un conductor
Si se aade cierta carga Q a un conductor inicialmente descargado, esta carga se redistribuye en la superficie del conductor creando un campo
en el exterior de dicho conductor e igualmente un potencial. En esta situacin encontramos que el cociente entre la carga y el potencial en la superficie, V , es constante y nicamente depende de la geometra del conductor
implicado. Este cociente se conoce como capacidad, C , del conductor y se
define como
Q
(1.31)
C= .
V
Capacidad de un conductor
La capacidad del conductor determina entonces la carga que adquiere

este conductor para un potencial dado, o equivalente, el potencial que adquiere el conductor para una carga dada. Notemos nuevamente que la
capacidad C es un parmetro puramente geomtrico y que, por tanto, solo
depende de la forma del conductor.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
14
Unidad de capacidad:
La unidad de capacidad es el faradio (F), definida en el sistema internacional como 1 F = 1 C/V.
1 faradio(F)
+
+
+
+
1.5.2. Influencia entre conductores
+
+
+
+
+
++-
+-
++ +
+
+
- +
+
+
+
- +
++
- +
+-
Condensador: sistema de dos

conductores en inuencia total
Si un conductor cargado con una carga Q, que suponemos positiva, se

introduce en el hueco interior de otro conductor inicialmente descargado, esto origina una redistribucin de cargas en el conductor inicialmente neutro (ver figura). Esta redistribucin es consecuencia del establecimiento de la condicin de equilibrio electrosttico en ambos conductores
~int = 0). Si la superficie exterior del conductor neutro se conecta a tierra
(E
(almacn infinito de cargas libres), suben tantos electrones desde tierra como sean necesarios para compensar las cargas positivas, dando lugar todo
este proceso a la aparicin de una carga neta Q en dicho conductor.
La situacin anterior se conoce como influencia total dado que los dos
conductores tienen la misma carga pero de signo contrario. Todas las lneas de campo que parten de un conductor acaban en el otro. Dos conductores en influencia total forman un sistema que se conoce como condensador, definindose la capacidad de un condensador como
C=
Q
,
V
(1.32)
donde Q es el valor de la carga en valor absoluto de cualquiera de los dos

conductores y V es la diferencia de potencial en valor absoluto existente
entre los dos conductores.
-Q
E(Q)
E(-Q)
y
E(Q)
E(-Q)
E(Q)
E(-Q)
Como ejemplo tpico de condensador consideraremos a continuacin

el condensador de placas paralelas. Para calcular la diferencia de potencial entre las placas paralelas, este condensador se tratar suponiendo que
las dimensiones de dichas placas son mucho mayores que la distancia entre ellas y, por tanto, stas se modelarn por dos planos infinitos cargados.
Teniendo en cuenta la expresin (1.14) para el campo producido por un
plano cargado uniformemente, en el caso de dos planos infinitos cargados
con distinta polaridad, por superposicin se tiene que
y , si 0 < y < d
~ = 0
E
(1.33)
0 ,
en otro caso .
Obsrvese que el campo elctrico es uniforme en el interior del condensador y nulo fuera de ste. El condensador plano suele usarse generalmente
para producir campos uniformes e intensos.
-Q
y
Para calcular la diferencia de potencial entre las placas del condensador, se procede realizando la integral de camino del campo elctrico dado
por (1.33) entre una y otra placa. Dado que el campo elctrico es uniforme,
puede escribirse que
V =
Apuntes de FFI
Z
0
~ d~
~ |d = d .
E
l = |E
0
(1.34)
FLML
1.6. Energa Electrosttica
15
Puesto que la carga de cada uno de las placas finitas viene dada por
Q = S, la capacidad del condensador de placas paralelas ser muy aproximadamente
S
S
C = = 0 .
(1.35)
d
d
0
Capacidad de un condensador de
placas paralelas
1.6. Energa Electrosttica

1.6.1. Energa en un condensador de placas paralelas
Para obtener una expresin general de la energa electrosttica de un
sistema arbitrario de cargas se analizar el caso particular del proceso de
carga de un condensador de placas paralelas para despus generalizar (sin
demostracin) las expresiones que se obtengan a cualquier sistema.
En el proceso de carga de un condensador plano (inicialmente los dos
conductores son neutros), el efecto de la batera conectada a las placas del
condensador ser el de extraer carga negativa de una de las placas y transferirla a la otra, de modo que ambas placas se van cargando dando lugar a
la aparicin de un campo elctrico entre las placas y, consecuentemente, a
una diferencia de potencial, V (q) = q/C , que va creciendo en el proceso.
+q
Bateria
V(q)
E
-q
Para aumentar en un dq la carga sobre el condensador, la batera debe

realizar un trabajo diferencial que se oponga justamente a la fuerza creada
sobre dq por el campo electrosttico.2 De este modo, adaptando la expresin (1.36) [vlida para cargas puntuales] a cargas diferenciales, podemos
expresar este trabajo diferencial como
dW = dqV .
(1.37)
En el presente caso podemos identificar V V (q), por lo que el trabajo

diferencial puede expresarse como
dW =
qdq
.
C
(1.38)
Para cargar el condensador con una carga final Q, el trabajo total realizado
(o equivalentemente el aumento total de la energa potencial del sistema)
se obtendr al integrar la expresin (1.38), de modo que
Z Q
Z Q
q
1 Q2
W E p =
dW =
dq =
.
(1.39)
2 C
0
0 C
2 En general, el trabajo mnimo que debe realizar un agente externo para desplazar una
carga q en una regin donde existe un potencial elctrico V (P ) desde el punto A hasta el
punto B debe ser producido por una fuerza externa que contrarreste a la fuerza electros~ext = q E
~ (si hiciramos una fuerza mayor aumentariamos la energa
ttica; esto es, F
cintica de la carga, lo cual no es necesario para trasladar la carga de A B ). Por tanto,
este trabajo ser
Z B
~ d~
W = q
E
l = q [V (B ) V (A)] = qV = E p .
(1.36)
A
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
16
Dado que el aumento de la energa potencial del sistema es precisamente

la energa almacenada en el condensador, podemos identificar esta ganancia de energa potencial con la energa electrosttica del sistema, UE , por
lo que podemos escribir que
UE =
1 Q2 1
1
= CV 2 = QV .
2 C
2
2
(1.40)
1.6.2. Densidad de energa electrosttica

En el caso particular del condensador plano, se encontr que
~ |d y C = 0
V = |E
S
,
d
por lo que al introducir estas expresiones en (1.40) obtendremos

UE
=
=
1
1 S
~ |2 d 2
CV 2 = 0 |E
2
2 d
1
1
~ |2 Sd = 0 |E
~ |2 V .
0 |E
2
2
(1.41)
Si se define la densidad de energa en un campo electrosttico, u E ,

como la energa elctrica por unidad de volumen; es decir,
dUE = u E dV ,
(1.42)
de la expresin (1.41) se deduce que la densidad de energa elctrica en el

condensador plano viene dada por
1
~ |2 .
u E = 0 |E
2
(1.43)
Es interesante observar que la energa electrosttica del condensador

plano puede expresarse tanto en trminos de la carga, expresin (1.40), como del campo elctrico, expresin (1.41). Estas dos expresiones dan cuenta
de la posible ambigedad que encontramos al definir dnde se almacena
la energa potencial del sistema. Segn la expresin (1.40), esta energa estara almacenada en las cargas y segn la expresin (1.41) estara asociada
al campo elctrico. Aunque considerar que la energa est en el campo pudiera parecer artificial, esta concepcin es la ms conveniente para situaciones ms generales.3 Antes de que existiera campo elctrico entre las placas, la energa electrosttica en esa regin del espacio era cero y despus,
cuando se ha establecido un campo elctrico, la energa alcanza cierto valor. Por tanto, parece congruente asociar la energa potencial electrosttica
con la presencia del campo elctrico.
Debemos notar que los clculos anteriores que nos han conducido a
la expresin (1.43) se han obtenido para un caso particular. No obstante,
3 Por ejemplo, al estudiar la energa asociada a una onda electromagntica tal y como ve-
remos en el Tema 3.
Apuntes de FFI
FLML
1.7. Dielctricos
17
clculos ms elaborados (que quedan fuera de nuestro propsito) demuestran que este mismo resultado coincide con la expresin general vlida para la densidad de energa electrosttica de cualquier sistema cargado. En
consecuencia, la energa electrosttica de un sistema puede escribirse como
Z
~ |2
0 |E
dV .
(1.44)
UE =
2
Energa electrosttica
todo el
espacio
1.7. Dielctricos
Hasta ahora slo hemos venido estudiando los diferentes fenmenos
electrostticos en el vaco o bien en conductores perfectos. En este sentido, al estudiar, por ejemplo, el campo creado por una carga puntual en
el Apartado 1.2.3 suponamos que no exista medio material alguno en el
espacio que rodeada a la carga puntual. Para introducir el efecto de un posible medio material no conductor en esta ley, debemos considerar que estos medios denominados dielctricos (ver Apartado 1.4) estn formados for
tomos/molculas neutros elctricamente donde el centro de las cargas
positivas (protones) coincide con el de las cargas negativas (electrones).
No obstante, bajo la influencia de un campo elctrico externo, el centro de
las cargas negativas puede desplazarse con respecto al de las positivas, es
decir los tomos/molculas constitutivos del medio material pueden polarizarse. Este fenmeno de polarizacin dar lugar a un nuevo campo elctrico de polarizacin que se opondr al campo original, manifestndose
este efecto globalmente en que el campo original queda parcialmente reducido, como si fuese originado por una carga puntual de menor cuanta.
Eex t=0
-+tomo
neutro
E ext
tomo
polarizado
El mismo efecto global anterior se producira igualmente en un condensador plano, donde se observa experimentalmente que la introduccin
de un material dielctrico homogneo e istropo entre sus placas aumenta la capacidad de dicho condensador en cierta constante que depende
exclusivamente del material. Para entender este efecto observemos el condensador descargado de la Fig. 1.1(a), entre cuyas placas se ha colocado
cierto material dielctrico (madera, papel, agua, plstico,...). Si ahora este
condensador es cargado con una carga Q 0 en una placa (y Q 0 en la otra),
~0 entre las placas del condensador.
entonces aparecer un cierto campo E
Este campo elctrico provocar la polarizacin de los tomos del material
dielctrico dando lugar a una situacin microscpica tal como la descrita en la Fig. 1.1(b). Observemos que en el interior del material dielctrico
las cargas positivas y negativas se compensarn mutuamente, quedando
sin embargo una carga descompensada de valor Q p justamente en los extremos del material adyacentes a las placas del condensador. Esta carga
~p que al superponerse al campo original E
~0
originar un campo elctrico E
~ , cuyo modulo puede expresarse como
da lugar a un nuevo campo E
~| =
|E
FLML
E0
,
r
(1.45)
Apuntes de FFI
Tema 1.
-Qp
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-Q0
Ep
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Q0
E0
(b)
(a)
18
Qp
F IGURA 1.1: (a) Condensador descargado entre cuyas placas existe un material
dielctrico. (Las esferas representan los tomos neutros constituyentes del
dielctrico.) (b) Condensador cargado con una carga Q 0 que es contrarrestada
por una carga Q p proveniente de la polarizacin de los tomos constituyentes
del dielctrico.
donde r es una constante adimensional positiva mayor que la unidad

(r 1) que depender del material y que denominaremos permitividad
relativa del material.
Si la capacidad del condensador de placas paralelas en vaco (es decir,
sin material dielctrico entre sus placas) vena dada por
C0 =
S
Q0
= 0 ,
V0
d
(siendo V0 = E 0 d la diferencia de potencial entre las placas), podemos observar que al introducir el material dielctrico se reduce el valor del campo
entre las placas del condensador y, en consecuencia, tambin se reducir
la diferencia de potencial entre las mismas, que vendr ahora dada por
~ |d =
V = |E
V0
.
r
(1.46)
Dado que la introduccin del dielctrico no modifica la cantidad de carga inicial depositada en las cargas (la carga en el dielctrico aparece en los
bordes de ste, no en las placas), tenemos que la capacidad del condensador con dielctrico ser
C=
Q0
Q0
S
=
= r C 0 = 0 r ,
V
V0 /r
d
(1.47)
explicndose as el aumento de capacidad del condensador observado experimentalmente.

Observemos adems que, globalmente, el efecto de introducir el material dielctrico homogneo e istropo ha quedado reflejado en la sustitucin de
0 r r
(1.48)
Apuntes de FFI
FLML
1.8. Interaccin magntica
19
en la expresin de la capacidad. De este modo podemos escribir que la

capacidad de un condensador de placas paralelas viene dada por
C =
S
,
d
(1.49)
donde
= 0 r ,
(1.50)
Permitividad dielctrica
es la permitividad dielctrica del material.

Evidentemente tendremos que 0 , siendo la permitividad de algunos materiales usuales la siguiente:
Material
Permitividad
relativa (r )
Vaco
Aire
Agua (200 C)
Papel
Porcelana
Vidrio
Neopreno
Poliestireno
1
1.00059
80
3.7
7
5.6
6.9
2.55
Podemos observar que, a efectos prcticos, el aire se comporta como el

vaco puesto que tiene una permitividad relativa muy prxima a la unidad.
La anterior discusin sobre la inclusin de dielctricos homogneos e
istropos podra extenderse al estudio de otras magnitudes y situaciones,
obtenindose siempre que las expresiones obtenidas anteriormente para
el vaco quedan simplemente modificadas por la sustitucin de la permitividad dielctrica del vaco por la correspondiente permitividad dielctrica
del material. As obtendramos, por ejemplo, que la densidad de energa
elctrica de una regin del espacio donde hay un material dielctrico de
permitividad vendr dada por
Z
UE =
~ |2
|E
dV .
2
Energa electrosttica en un medio
(1.51)
material
regin de
dielctrico
1.8. Interaccin magntica

Anteriormente se han estudiado las interacciones entre distribuciones
de carga elctrica invariantes en el tiempo, cuyas interacciones y fenmenos pudieron ser descritos en funcin de campos y potenciales elctricos.
Desde muy antiguo es tambin conocido que existe en la naturaleza una
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
20
interaccin cuyo origen no est ligado a las cargas elctricas estticas pero que sin embargo tiene efectos sobre las cargas elctricas en movimiento.
Esta nueva interaccin es conocida con el nombre de interaccin magntica y se manifiesta, por ejemplo, en las fuerzas de atraccin y repulsin entre imanes y/o cabes que transportan corrientes, en la atraccin de trozos
de hierro (y otros metales) por imanes o bien en la orientacin permanente de una aguja imantada hacia el Norte magntico de la Tierra. El estudio
de esta nueva interaccin (tal como se hizo en el caso de la Electrosttica)
se llevar a cabo mediante la introduccin de un campo vectorial llamado
~ . Esto nos permitir estudiar la interaccin magnticampo magntico B
ca obviando las fuentes que la producen. A continuacin estudiaremos los
campos magnticos que no varan en el tiempo, es decir, los campos magnetostticos.
1.9.
B
v
q
Fm
Fuerza de Lorentz
Empezamos el estudio de la interaccin magntica suponiendo que en

~ . Experimentalmente
una regin del espacio existe un campo magntico B
se encuentra que sobre una carga prueba, q, que se mueve a una velocidad
~ ) acta
~
v (medida en el mismo sistema de referencia donde se ha medido B
~m , con la siguientes caractersticas:
una fuerza, F
La fuerza es proporcional al producto q|~
v |. Esto implica que esta fuerza
no acta sobre partculas neutras o bien sobre partculas cargadas en
reposo.
~ |.
La fuerza tambin es proporcional al mdulo del campo magntico |B
La direccin de la fuerza es normal al plano formado por los vectores ~
v
~ , siendo nulo su mdulo cuando ~
~ y mximo cuando ~
~.
yB
v B
v B
Los anteriores resultados experimentales pueden ser descritos en forma
matemtica por la siguiente expresin:
~m = q~
~.
F
v B
(1.52)
~ determina completamenEl producto vectorial (ver Apndice) de q~

v por B
te la fuerza magntica sobre una carga mvil. A partir de la anterior expresin puede deducirse que las unidades de campo magntico en el SI,
llamadas teslas (T), vendrn dadas por
Unidad de campo magntico
1 tesla (T)
1T = 1
N/C
.
m/s
(1.53)
La unidad de campo magntico es una unidad relativamente grande, esto

es, es difcil conseguir campos magnticos del orden de los teslas o mayores. De hecho, el campo magntico terrestre es del orden de 104 T. Por
esta razn suele usarse como unidad de campo magntico el gauss (G), de
modo que
1 T = 104 G .
(1.54)
Apuntes de FFI
FLML
1.9. Fuerza de Lorentz
21
~ , existe
Si en una regin del espacio, adems del campo magntico B
~
un campo elctrico E , el fsico H.A. Lorentz (1853-1928) propuso que la
fuerza total sobre una carga puntual q, o fuerza de Lorentz , poda escri~e = q E
~ , ms la fuerza
birse como la superposicin de la fuerza elctrica, F
~m = q~
~ , esto es,
magntica, F
v B
~=q E
~ +~
~ .
F
v B
Fe
E
v
q
(1.55)
Fm
1.9.1. Movimiento de una carga puntual en presencia de un campo magntico
Antes de tratar la fuerza magntica, es importante recordar que la reP

~= F
~ext , que acta sobre una partcula
sultante de las fuerza externas, F
~ , y
puede descomponerse en dos partes, una tangente al movimiento, F
~
otra normal, F n :
~ =F
~ + F
~n = F
+ Fn n
.
F
Fn
Ft
F
En consecuencia, la ecuacin de movimiento

m
d~
v X
~ext
= F
dt
como
puede reescribirse (teniendo en cuenta que ~
v = |~
v |)
m
d|~
v|
d
d
=m
+ m|~
(|~
v |)
v|
dt
dt
dt
d|~
v|
|~
v |2
+m
n
=m
dt
r
+ Fn n
,
= F
o equivalentemente,
d|~
v|
dt
|~
v |2
Fn = m
,
r
F = m
(1.56)
(1.57)
siendo r el radio de curvatura de la trayectoria.

Una vez que hemos visto las anteriores caractersticas generales de la
ecuacin de movimiento, centrmonos en el caso de una partcula de masa
~.
m y carga q en el seno de una regin donde existe un campo magntico B
En esta caso, la ecuacin de movimiento viene dada por
d~
v
~m = q~
~
m
=F
v B
dt
Fuerza magntica es una fuerza

normal
(1.58)
donde podemos observar que la fuerza magntica es una fuerza normal,

~m es perpendicular a ~
dado que F
v (debido a la presencia del producto vectorial). Consecuentemente, podemos deducir que
~m es nula (F = 0), segn (1.56) teComo la componente tangencial de F
nemos que d|~
v |/dt = 0; es decir, la fuerza magntica no cambia el mdulo de la velocidad sino simplemente su direccin (|~
v | = cte).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
22
La fuerza magntica no realiza trabajo sobre la partcula con velocidad

~
v . Si tenemos en cuenta que el diferencial de trabajo a lo largo de la
~m d~
trayectoria de la partcula, dado por el producto escalar F
l , puede
~
~
reescribirse como F m ~
v dt (dl = ~
v dt ), entonces comprobamos que es
~m ~
nulo al ser F
v.
~m |, (1.57) y (1.58) nos dicen que
Puesto que F n = |F
m
|~
v |2
~ | sen ,
= q|~
v ||B
r
(1.59)
~ ) por lo que el mdulo de la velo(siendo el ngulo formado por ~

v yB
cidad ser
~ |r
q|B
|~
v| =
sen .
(1.60)
m
Por otra parte, notemos que si el vector velocidad se expresa como su~ y otra perpendicular:
ma de dos componentes, una paralela a B
~
v =~
v + ~
v ,
la fuerza magntica puede expresarse como
~m = q~
~ = q~
~.
F
v B
v B
~m carece de proyeccin a lo largo de B
~ , podemos escribir las
Dado que F
siguientes ecuaciones para las velocidades ~
v y ~
v:
m
d~
v
dt
d~
v
m
dt
= 0
(1.61)
~m = q~
~.
= F
v B
(1.62)
Estas ecuaciones nos dicen que la componente de la velocidad paralela

~ no cambia por efecto del campo magntico (~
aB
v = Cte), y que la com~
ponente perpendicular, v , es afectada por una fuerza normal a sta que
nicamente cambia su sentido. Estos hechos dan lugar a que el movimiento de la partcula pueda descomponerse en un movimiento uniforme a lo
~ (supuesto que ~
largo de la direccin marcada por B
v 6= 0) junto con un
movimiento circular en un plano perpendicular, es decir, la trayectoria de
~.
la partcula es de tipo helicoidal a lo largo de un eje dirigido segn B
En el caso particular de que la velocidad inicial de la partcula no tuviese componente paralela al campo magntico, ~
v = 0, el movimiento de
~ ser un movimiento circular puro. El radio
sta en la regin donde existe B
R del crculo recorrido por la partcula puede deducirse a partir de (1.59)
( = /2):
|~
v |2
~| ,
= q|~
v ||B
m
R
esto es,
m|~
v|
R=
.
(1.63)
~|
q|B
Apuntes de FFI
FLML
1.9. Fuerza de Lorentz
23
Recordando la relacin entre la velocidad angular ~

y la velociad lineal ~
v,
tenemos que |~
| = |~
v |/R = 2/T y, por tanto, el periodo de este movimiento
vendr dado por
m
T = 2
.
(1.64)
~|
q|B
E JEMPLO 1.5 Determinar la masa de una partcula de carga q = 1,6 1019 C que
al penetrar en una regin con un campo |B~ | = 4000 G describe un crculo de radio
R = 21 cm, habiendo sido previamente seleccionada su velocidad con una disposi~ | = 3,2 105 V/m.
cin como muestra la gura con |E
En el selector de velocidades, se cumplir que slo aquellas partculas para

las que se verifique
~e | = |F
~m | |E
~ | = |~
~0 |
|F
v ||B
pasarn a la regin II. En consecuencia las partculas que llegan a esta regin tendrn una velocidad:
|~
v| =
~|
|E
3,2 105
=
m/s = 8,05 106 m/s .
~0 |
0,4
|B
Una vez en la regin II, las partculas por efecto de la fuerza magntica normal a
la trayectoria describirn un crculo de radio:
R=
m|~
v|
~
q|B |
y por tanto su masa ser

m=
~ | 1,6 1019 0,21 0,4

qR|B
=
= 1,67 1027 kg .
|~
v|
8,05 106
Dada la carga y masa de la partcula, se puede concluir que sta es un protn.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
24
1.10. Fuerzas magnticas sobre conductores

1.10.1. Fuerza magntica sobre un hilo
La expresin (1.52) describa la fuerza que ejerca un campo magntico
~ sobre una carga prueba q con una velocidad ~
B
v respecto al campo magntico. A partir de esta expresin puede obtenerse fcilmente la fuerza que
ejerce el campo magntico sobre un hilo conductor recorrido por una corriente de intensidad I .4 Para ello consideremos que sobre cada elemento
diferencial de carga mvil del hilo conductor, dq, se ejercer una fuerza de
valor
~m = dq~
~.
dF
v B
(1.65)
Dado que el elemento diferencial de carga mvil forma parte de la corriente I , ste puede expresarse como dq = I dt y, por tanto, escribir
dq~
v = I~
v dt = I d~
l,
donde d~
l =~
v dt es un vector cuyo mdulo es un diferencial de longitud
a lo largo del hilo y su sentido es el de recorrido de la corriente elctrica.
Sustituyendo ahora dq~
v en (1.65) tenemos que
~m = I d~
~
dF
l B
(1.66)
y, consecuentemente, la fuerza total sobre un hilo recorrido por una intensidad I vendr dada por la siguiente expresin:
~m =
F
~m =
dF
Fuerza magntica sobre un hilo
~.
I d~
l B
(1.67)
hilo
~ no varen a lo largo de
En aquellas situaciones en las que tanto I como B
todo el hilo, la expresin anterior puede reescribirse como
~m = I
F
~ = I~
~,
d~
lB
l B
(1.68)
hilo
donde ~
l es un vector que va desde el inicio hasta el final del hilo (si el hilo
es recto, su mdulo coincide con la longitud total del hilo y su sentido con
el de la corriente elctrica).
4
Apuntes de FFI
En este punto el lector debe recordar que la magnitud denotada como intensidad de
corriente, I = dq/dt , nos informa de la cantidad de carga por unidad de tiempo que
atraviesa la seccin transversal del hilo conductor. Para ms detalles sobre esta magnitud
vase el Apartado 2.2.
FLML
1.10. Fuerzas magnticas sobre conductores
1.10.2.
25
Momento de la fuerza sobre una espira de corriente
En el caso de una espira de corriente (conductor filiforme cerrado sobre s mismo) recorrida por una intensidad I , la fuerza magntica sobre
sta, de acuerdo a la expresin (1.67), viene dada por
I
~
~.
Fm = I
d~
l B
(1.69)
B
I
espira
~ es
Si se considera ahora el caso particular y usual en el cual el campo B
uniforme en la regin donde est inmersa la espira, entonces dado que
I
I
~
~
~
Fm = I
dl B
siendo
d~
l =0,
espira
dl
espira
observamos que no se ejerce fuerza magntica neta sobre la espira. No obstante, el hecho de que no haya fuerza total resultante no implica que la
espira no se mueva, sino simplemente que la espira no tendr movimiento de traslacin. La espira podra moverse realizando un movimiento de
rotacin supuesto que el momento de la fuerza en la espira fuese no nulo.
~ , enSi procedemos a calcular el momento dinmico de la fuerza, M
contramos que dicha magnitud puede expresarse como
donde
~ =m
~ ,
~ B
M
(1.70)
~ = N I~
m
S
(1.71)
B
I
es un vector que se conoce como momento dipolar magntico (o simple~ = N I |~

mente momento magntico), cuyo mdulo es |m|
S| (N numero de
arrollamientos de la espira) y su direccin y sentido coinciden con las de la
~ viene determinado por
normal a la superficie de la espira (el sentido de m
el sentido de recorrido de la corriente siguiendo la regla de la mano derecha). Es importante notar que la expresin (1.70) es vlida para cualquier
~ sea uniforme.
tipo de espira supuesto que B
El momento de la fuerza sobre la espira recorrida por una corriente
elctrica provoca entonces un giro de la espira sobre su eje tratando de ali~ . La aparicin de este momento de la fuerza de origen mag~ con B
near m
ntico constituye el fundamento fsico del funcionamiento de los motores
elctricos. Un esquema elemental de un motor elctrico es precisamente
una espira recorrida por una intensidad que, en presencia de un campo
magntico, sufre un par de fuerzas que da lugar a un movimiento de rotacin. Dado que la espira tratada anteriormente no girara de forma continua (el momento del par de fuerzas tendera ms bien a hacer oscilar la
espira), habra que disear un dispositivo que hiciera cambiar el sentido
del par de fuerzas en el momento adecuado. Si la espira es fijada a algn
rotor, se conseguira transformar energa elctrica/magntica en energa
cintica de rotacin, que posteriormente puede transformarse mediante
los mecanismos adecuados en energa asociada a cualquier otro tipo de
movimiento.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
26
1.11. Ley de Biot-Savart

~
Hasta ahora se han discutido algunos efectos del campo magntico B
sin referirnos a las posibles fuentes de este campo. Una posible fuente de
campo magntico conocida desde muy antiguo son los imanes permanentes. Estos imanes son trozos de ciertos materiales (por ejemplo, la magnetita) que tienen entre sus propiedades ms aparentes la de atraer fragmentos de hierro. Una carga prueba mvil en presencia de un imn sufre
igualmente el efecto de una fuerza magntica que est perfectamente definida por la expresin (1.52). A pesar de que los imanes son conocidos y
usados desde hace mucho tiempo, un estudio realista del origen del campo magntico producido por estos imanes slo puede ser llevado a cabo
en el marco de la Fsica Cuntica y, por tanto, no se abordar esta tarea en
el presente tema.
Los experimentos de H. C. Oersted ( 1820) demostraron que los efectos sobre cargas mviles e hilos de corriente (recogidos en las expresiones
(1.52) y (1.67)) producidos por campos magnticos originados por imanes
eran perfectamente reproducidos cuando estos imanes son sustituidos por
cargas en movimiento o bien hilos de corriente. Esto implica que, en general, las cargas elctricas en movimiento son fuentes del campo magntico.
Dado que en el presente tema slo estamos interesados en campos magnetostticos, en este apartado estudiaremos nicamente las fuentes que producen este tipo de campos constantes en el tiempo. Experimentalmente se
encuentra por tanto que
las fuentes del campo magnetosttico son las
corrientes elctricas invariantes en el tiempo.
La forma concreta en que estas corrientes estacionarias crean campos
magnticos viene dada por la ley de Biot y Savart ( 1830) que establece
que el campo magntico en el punto de observacin, P , producido por un
elemento diferencial de corriente, I d~
l , que forma parte de una corriente
continua viene dado por
~ (P ) =
dB
0 I d~
l r 0 I d~
l ~
r
,
2
3
4 |~
r|
4 |~
r|
(1.72)
donde~
r es el vector que va desde el elemento diferencial de corriente hasta
el punto P donde se evala el campo y 0 es una constante conocida como
permeabilidad del vaco de valor
0 = 4 107
Tm
.
A
(1.73)
Obsrvese que la expresin (1.72) es similar a la obtenida en (1.9) que

nos daba el campo electrosttico producido por un elemento diferencial
de carga. Ambas expresiones muestran la misma dependencia respecto a
r , esto es, r 2 . No obstante, una importante diferencia entre ambas expresiones es que la direccin del campo es distinta en una y otra. Si, para
Apuntes de FFI
FLML
1.11. Ley de Biot-Savart
27
el caso electrosttico, la direccin del campo elctrico vena determinada

por el radiovector que una el punto fuente con el punto de observacin,
~ viene determinada por el
para el campo magnetosttico la direccin de dB
producto vectorial
I d~
l r ,
~ en el punto de observacin siempre ser perpor lo que la direccin de dB
~ r). Esta direccin puependicular a su radiovector asociado (esto es, dB
de obtenerse por la regla de la mano derecha haciendo apuntar el dedo
pulgar derecho en la direccin del elemento de corriente, el dedo ndice
coincidiendo con ~
r y el dedo corazn marcando la direccin del campo.
As, por ejemplo, las lneas de campo producidas por un elemento diferencial de corriente seran circunferencias concntricas a un eje dirigido segn
~
el elemento de corriente. La discusin anterior indica que las lneas de B
no tienen principio ni fin, pudiendo ser, como en este caso, lneas cerradas.
El campo total producido por la corriente continua que circula en una
espira podr, por tanto, escribirse como la integral de (1.72) a lo largo de
los diferentes elementos diferenciales de corriente,
~ (P ) = 0
B
4
I
espira
I d~
l ~
r
.
3
|~
r|
Campo magntico debido a una
(1.74)
espira de corriente continua
Al igual que ocurra con la expresin para el campo electrosttico dada en (1.10), la expresin (1.74) para obtener el campo magnetosttico es
difcil de resolver de forma analtica en la inmensa mayora de las situaciones. No obstante, siempre podemos resolverla con el auxilio de un procedimiento numrico en un ordenador. En situaciones de alta simetra podemos usar una ley conocida como ley de Ampre ( 1830) que nos permite
obtener de forma analtica el valor del campo magntico en dichas situaciones. Esta ley nos dice que
I
~ d~
B
l = 0 I ,
(1.75)
~ , a lo largo de una
esto es, que la circulacin del campo magnetosttico, B
curva arbitraria es 0 veces el valor de la corriente, I , que atraviesa la
superficie S(). La aplicacin de esta ley nos permite encontrar el valor del
campo en las siguientes situaciones de alta simetra:
Campo magntico producido por un hilo infinito y rectilneo recorrido por una intensidad I
Dado que, por simetra, encontramos que el campo ser de la forma
~ = |B
~ ()|
(
es el vector unitario tangente a la circunferencia centrada
B
en el hilo), encontramos finalmente que
~ (P ) =
B
FLML
0 I
.
(1.76)
Apuntes de FFI
Tema 1.
28
Campo magntico en un solenoide

Un solenoide es bsicamente un cable arrollado de manera compacta
en forma de hlice o, equivalentemente, una superposicin de espiras
muy juntas. Un solenoide esbelto (ms largo que ancho) se usa generalmente para crear campos magnticos intensos y uniformes dado que
el campo magntico en el interior de los solenoides tiene estas caractersticas. En este sentido, el solenoide juega el mismo papel respecto al
campo magntico que el condensador plano para el campo elctrico.
Dado que una deduccin terica de la forma de las lneas del campo
~ producido por un solenoide es relativamente complicado, usaremos
B
argumentos experimentales para determinar la forma de estas lneas.
Los experimentos demuestran que las lneas de campo son aproximadamente lneas rectas paralelas al eje del solenoide en el interior de ste
cerrndose por el exterior de modo que la magnitud del campo magntico exterior se reduce a medida que el solenoide se hace ms esbelto.
Para el caso de un solenoide infinitamente largo, que puede servir como un modelo aproximado de un solenoide esbelto, el campo magntico ser nulo en el exterior.
Al aplicar la ley de Ampre encontramos finalmente que
~ (P ) =
B
(
en el interior del solenoide
0 nI u
en el exterior del solenoide ,
(1.77)
siendo n = N /l el nmero de espiras por unidad de longitud en el sole el vector unitario en la direccin del eje del solenoide.
noide y u
1.12. Induccin electromagntica

Acabamos de ver que las corrientes elctricas son fuentes de campos
magnticos, en concreto sobre 1820 H.C. Oersted comprob que un cable recorrido por una intensidad de corriente continua produce un campo magnetosttico en su entorno (detectado por ejemplo por el efecto que
tiene sobre una aguja imantada). Dado que las corrientes elctricas producen campos magnticos, cabe plantearse igualmente si se produce el fenmeno inverso; es decir, si campos magnticos pueden producir corrientes
elctricas. En este sentido se llev a cabo una intensa labor experimental
que pareca negar esa posibilidad. No obstante, los experimentos elaborados por M. Faraday (1791-1867) alrededor de 1830 permitieron establecer
que la generacin de corriente elctrica en un circuito estaba relacionada con la variacin en el tiempo del flujo magntico que atravesaba dicho
circuito. En consecuencia, campos magnetostticos nunca produciran corrientes elctricas en circuitos fijos.
Debemos considerear que siempre existir una disipacin de energa
en todos los circuitos reales, lo que implica que para mantener una corriente elctrica en el circuito es necesario un aporte continuado de energa.
La prdida de energa de los portadores de carga mviles en los choques
Apuntes de FFI
FLML
1.13. Ley de Faraday
29
con los tomos del material constitutivo del circuito debe ser compensada
por una fuerza externa impulsora sobre estos mismos portadores.5 Para
dar cuenta de este hecho empleamos una magnitud conocida como fuerza
electromotriz (fem), , que definimos como la fuerza tangencial por unidad de carga en el cable integrada sobre la longitud del circuito completo,
esto es,
I
= ~
f d~
l.
(1.78)
En consecuencia, la presencia de una intensidad de corriente elctrica en
un circuito estar relacionada con la existencia de una fuente de fem que
la mantenga. El origen de la fem puede ser diverso, de origen qumico en
bateras y pilas, de origen mecnico en el generador de Van der Graff, de
orgien ptico en las clulas fotovoltacas, etc. De forma general podemos
decir que el efecto de un generador de fem es transformar algn tipo de
energa en energa elctrica. En el caso de los experimentos realizados por
Faraday, el mecanismo de generacin de fem est directamente involucrado con las variaciones del flujo del campo magntico. Esta fem inducida
por el campo magntico tendr unas consecuencias importantsimas, tanto conceptuales como tecnolgicas, estando en la base de la generacin de
energa elctrica en las centrales elctricas, en el funcionamiento de los
circuitos de corriente alterna y en la generacin de las ondas electromagnticas.

1.13.1.
Fuerza electromotriz de movimiento
Una forma posible de generar una fem en un circuito sera hacer uso de
la aparicin de una fuerza magntica sobre los portadores de carga mviles
~ . Por ejemplo, el movimiento de un
en una regin donde exista un campo B
conductor en el seno de un campo magntico dar lugar a lo que se conoce
como fem de movimiento. En particular, considrese la situacin mostrada
en la figura adjunta donde la regin sombreada indica la presencia de un
~ uniforme (producido, por ejemplo, por un imn) diricampo magntico B
gido hacia el papel y un circuito movindose con velocidad ~
v = |~
v |x hacia
la derecha. En esta situacin, las cargas mviles del segmento ab experimentarn la siguiente fuerza de Lorentz por unidad de carga:
~
f mag =
~mag
F
q
~,
=~
v B
(1.79)
cuyo efecto global es justamente impulsar las cargas desde a hasta b. Este
impulso dar lugar a una corriente en el circuito (en el mismo sentido que
esta fuerza) debida a la aparicin de una fem de valor
I
~ d~
= ~
v B
l,
(1.80)
5 Estas cuestiones se estudiarn con detalle en los Apartados 2.3.3 y 2.4.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
30
~ es paralelo a d~
que, dado que ~
v B
l , puede reducirse en el presente caso a
=
b
a
~ d~
~
v B
l=
b
a
~ |dl = |~
~|
|~
v ||B
v ||B
b
a
~ |l ,
dl = |~
v ||B
(1.81)
donde l es la longitud del segmento ab, siendo nulas las contribuciones

a la fem de los segmentos paralelos al desplazamiento dado que la fuerza
impulsora es aqu perpendicular al hilo ( ~
f mag d~
l ). La intensidad, I , que
circula por el circuito de resistencia R ser por tanto
I=
~ |l
|~
v ||B
=
.
R
R
(1.82)
Aunque la fem de movimiento ha podido deducirse a partir de la fuerza

de Lorentz sobre los portadores de carga mviles, es interesante notar que
el valor de la fem de movimiento tambin se habra podido obtener como
menos la variacin temporal del flujo del campo magntico, m , que atraviesa el rea del circuito; esto es, mediante la expresin
=
dm
.
dt
(1.83)
Para comprobar este hecho, tengamos en cuenta que el flujo magntico se

obtiene como
Z
~ d~
m = B
S;
(1.84)
S
representa el vector diferencial de superficie, siendo dS

donde d~
S = dS n
el vector
su mdulo (es decir, el rea de un diferencial de superficie) y n
unitario normal a la superficie. Dado que en el presente caso tenemos que
~ es paralelo a d~
~ d~
~ |dS), podremos escribir que
B
S (y, por tanto, B
S = |B
Z
Z
~ |S = |B
~ |l s ,
~ |dS = |B
~ | dS = |B
(1.85)
m = |B
S
siendo l s el rea del circuito situada en la regin donde el campo magntico no es nulo. La variaciones temporales de flujo magntico vendrn
entonces dadas por
dm
d
~ |ls = |B
~ |l|~
=
|B
v| ,
dt
dt
ya que |~
v | = ds/dt (esto es, el mdulo de la velocidad es positivo cuando
s decrece), lo que da lugar a la misma fem que la obtenida en (1.80) cuando
se integra directamente la fuerza de Lorentz por unidad de carga.
1.13.2. Fuerza electromotriz inducida

La discusin de la situacin analizada en la seccin 1.13.1 ha mostrado que la aparicin de una fuerza electromotriz en el circuito mvil poda
atribuirse a la existencia de una fuerza de Lorentz. Ahora bien, si consideramos que el circuito permanece quieto y es el agente que crea el campo
Apuntes de FFI
FLML
31
magntico (por ejemplo, un imn) el que se mueve hacia la izquierda, es

razonable suponer que tambin aparecer una fem de igual magnitud y
sentido que en el caso anterior puesto que lo que debe importar, segn el
~ y el
principio de relatividad, es el movimiento relativo entre el campo B
circuito y no cul de ellos se mueve.
Los experimentos muestran que efectivamente la suposicin anterior
es cierta. No obstante, si analizamos el caso del circuito fijo y el imn movindose segn nuestra teora, dado que las cargas mviles en el circuito
estarn ahora en reposo, no existir fuerza de Lorentz que impulse a las cargas. Por tanto, si no hay fuerza de Lorentz actuando sobre las cargas, de
dnde proviene la fem inducida en el circuito?. Podemos responder que la
causa que crea ahora la fem debe ser la aparicin de un campo elctrico,
que evidentemente no puede ser un campo electrosttico (ver discusin
en el Apartado 2.4) sino un nuevo tipo de campo elctrico que debe estar
relacionado con las variaciones temporales del campo magntico.
El punto en comn de los dos fenmenos equivalentes descritos anteriormente se encuentra en que en ambos casos existen variaciones temporales del flujo magntico que atraviesa el circuito. Este hecho no es una
coincidencia sino que M. Faraday encontr experimentalmente ( 1830)
que
La fuerza electromotriz inducida ind inducida en un
circuito viene dada por la variacin temporal del flujo
magntico, , que atraviesa dicho circuito.
En forma matemtica, esta ley puede expresarse como
ind =
d
,
dt
(1.86)
Ley de Faraday
donde el signo menos est relacionado con el sentido de la fem inducida.

Teniendo en cuenta que el origen de la fem es la aparicin de un campo
~ no electrosttico, la ley de Faraday puede tambin expresarse en forma
E
integral como
I
Z
d
~ d~
~ d~
E
l =
B
S,
(1.87)
dt S()
donde la curva es precisamente el recorrido del circuito. El signo menos

de la ley de Faraday queda ahora completamente determinado ya que el
sentido de recorrido de la integral de camino a la largo de est relacionado con el sentido de d~
S segn la regla de la mano derecha. La expresin
(1.87) pone claramente de manifiesto que la fem inducida est, en general,
distribuida a lo largo de todo el circuito.6
Una manera muy til y sencilla de determinar a veces el sentido de
la fem y de la intensidad inducida lo proporciona la ley de Lenz. Esta ley
establece que
6 Al contrario de lo que ocurre, por ejemplo, en una pila, donde la fuerza electromotriz (y
por tanto el campo electromotor) est confinada exclusivamente a la regin interior de

la batera.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
32
La fem y la corriente inducida poseen una direccin y sentido

tal que tienden a oponerse a la variacin que las produce.
La ley de Lenz no hace referencia a la causa (o causas) concreta que
provoca la variacin y que da lugar a la aparicin de la fem inducida sino
simplemente sugiere que la reaccin del sistema genera una fem y corriente inducidas que siempre actuar en contra de la variacin que las provoca.
Este hecho parece congruente pues de lo contrario el circuito favorecera
la causa que provoca la corriente inducida, intensificando su efecto indefinidamente.
A efectos prcticos, la deduccin del sentido de la fem y corriente inducidas puede hacerse considerando el carcter de la variacin (creciente
o decreciente) del flujo magntico con respecto al tiempo (este carcter lo
da el signo de su derivada temporal). Si, por ejemplo, el flujo es creciente
en cierto instante de tiempo, entonces la fem y corriente inducidas deben
tener un sentido tal que originen un campo magntico que contrarreste la
variacin (esto es, el crecimiento) del flujo; lo contrario debe ocurrir si el
flujo es decreciente.
Fmag
Veamos el efecto de la ley de Lenz en el circuito mvil mostrado en la

figura. En este ejemplo, la barra mvil se desplaza hacia la derecha con una
velocidad ~
v debido a la accin de un agente externo. Segn se ha discutido
en el apartado 1.13.1 y de acuerdo a ley de Lenz, el sentido de la corriente
inducida en el circuito es tal que la fuerza magntica que acta sobre la ba~mag = I l B
~ , se oponga al movimiento impuesto externamente.
rra mvil, F
Si la corriente inducida fuese en sentido opuesto al mostrado en la figura,
la fuerza magntica sobre la barra mvil favorecera el movimiento hacia
la derecha de la barra de modo que sta se acelerara continuamente, causando un aumento incesante de energa cintica que obviamente no tiene
sentido.
Hemos encontrado, por tanto, que siempre que exista una variacin de
flujo magntico en un circuito aparecer una fem inducida en dicho circuito. En consecuencia, algunas de las causas que provocaran la aparicin de
una fem inducida son:
Movimiento de un circuito o deformacin de su rea en una regin donde existe un campo magntico constante en el tiempo.
Movimiento del agente que produce el campo magntico (por ejemplo
un imn) de modo que un circuito fijo intercepte un flujo magntico
variable en el tiempo. Por ejemplo, el movimiento de aproximacin y
alejamiento de un imn dara lugar a una fem inducida en el circuito.
I(t)
V
Variacin de la corriente que pasa por un circuito primario de modo

que el flujo interceptado por un circuito secundario prximo vare en
el tiempo.
Combinacin simultnea de algunas de las causas anteriores.
Apuntes de FFI
FLML
33
En el caso de una corriente variable en un circuito primario que induce una corriente en un circuito secundario, es importante observar que
esta corriente inducida se ha generado sin que exista contacto elctrico entre los circuitos. Desde un punto de vista energtico, la energa asociada a
la corriente inducida en el circuito secundario debe ser obviamente suministrada por la fuente de fem del primario. Dado que no ha habido contacto fsico entre ambos circuitos, la nica explicacin de la aparicin de
una energa en el secundario es que sta haya sido transmitida desde el
primario hasta el secundario por el campo electromagntico a travs del
espacio. Esto indica que el campo es un agente capaz de transmitir energa
y por tanto debe ser considerado como un ente con realidad fsica propia.
E JEMPLO 1.6 Obtener el sentido y el valor de la intensidad inducida en el dispositivo mostrado en la gura. Datos. Barra mvil: = 108 (m)1 , b = 10 cm,
r = 2 mm, v = 5 m/s; i = 200 mA, a = 20cm.
En la situacin mostrada en la figura, dado que la barra vertical se mueve,
el flujo magntico que atraviesa el circuito (debido al campo magntico del hilo
recto infinito) vara en el tiempo, por lo que se inducir una ind en el circuito.
Dado que el circuito muestra una resistencia, R (debida a la conductividad finita
de la barra mvil), la intensidad que circula por l vendr dada por
I ind =
ind
.
R
(1.88)
Segn los datos que nos da el problema, la resistencia de la barra mvil ser
R=
b
0,1
103
= 8
=
.
S 10 (2 103 )2
4
Antes de calcular la ind inducida notemos que, en el plano z = 0 donde se sita

el circuito mvil, el valor del campo magntico creado por el hilo recto e infinito
viene dado por
i
~ (x) = 0 z .
B
(1.89)
2x
Puesto que al moverse la barra mvil hacia la derecha, el flujo magntico del circuito crece, aplicando la ley de Lenz, tenemos que la reaccin del circuito generando una corriente inducida debe ser la de contrarrestar la accin que la produce.
En consecuencia, la corriente inducida, I ind , en el circuito debe ser tal que genere
~ind que contrarreste el campo externo. Esta corriente debe
un campo magntico, B
ir dirigida, por tanto, segn el sentido mostrado en la figura de modo que el senti~ind sea el opuesto al de (1.89). Dado que hemos determinado el sentido de
do de B
la corriente, nos preocuparemos a continuacin nicamente por el mdulo de la
fem y de la intensidad inducidas.
La fem inducida puede calcularse en este caso por dos procedimientos:
Fuerza de Lorentz.
Dado que las cargas de la barra vertical se mueven en una regin donde existe un campo magntico, encontraremos una fuerza magntica por unidad de
~ , sobre las cargas mviles. Al aplicar la expresin (1.80), esta
carga, ~
fm = ~
v B
fuerza magntica provoca la aparicin de una en el circuito dada por
Z 2
Z 2
~ d~
~ |dy = |~
~ |b .
~
ind =
v B
l=
|~
v ||B
v ||B
1
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
34
Teniendo en cuenta la expresin (1.89) del campo magntico, y admitiendo

que la posicin de la barra mvil viene dada por
x(t ) = a + v t ,
(1.90)
tenemos que la ind puede escribirse como

ind (t ) =
0 i vb
.
2(a + v t )
(1.91)
Ley de Faraday.
Para aplicar la ley de Faraday dada por la expresin (1.86) debemos calcular
primero el flujo magntico .
Dado que el diferencial de superficie puede escribirse como d~
S = dxdy z , el
diferencial de flujo magntico, d, a travs la superficie del circuito ser
~ d~
~ |dS =
d = B
S = |B
0 i
dxdy .
2x
Para calcular el flujo hay que integrar la expresin anterior en la superficie

total del circuito, de modo que
Z b
x
0 i
0 i
dx dy =
ln
dy
=
2
a
0
a 2x
0
Z b
0 i b x
0 i
x
dy =
=
ln
ln .
2
a 0
2
a
Z
b Z x
(1.92)
Como la ind es la derivada temporal del flujo magntico, debemos derivar con
respecto al tiempo (1.92). Si hacemos esto tenemos que
d 0 i b d x 0 i b dx/dt 0 i b v
=
ln
=
=
.
dt
2 dt
a
2 x(t )
2 x(t )
Para aplicar la ley de Lenz observamos que el signo de d/dt en la expresin
anterior es siempre positivo, por lo que la corriente inducida debe generar un
campo magntico que se oponga a este crecimiento. Este campo debe tener
direccin z y, consecuentemente, debe estar generado por una corriente dirigida en sentido horario (tal como se dedujo anteriormente).
Teniendo en cuenta la forma de x(t ) el mdulo de la ind podr escribirse como
0 i b v
ind (t ) =
,
(1.93)
2 a + v t
expresin que coincide con la obtenida previamente en (1.91).
Finalmente el valor de la intensidad inducida ser I ind = ind /R, es decir,
I ind (t ) = ind (t )
S 0 i S v
=
.
b
2 a + v t
(1.94)
Tras un minuto de movimiento, la intensidad inducida toma el siguiente valor:

I ind (60) =
Apuntes de FFI
5
4 107 0,2 108 42 106
2,6A .
2
0,2 + 5 60
FLML
1.14. Inductancia
35
1.14. Inductancia
1.14.1. Inductancia mutua
Si calculamos el flujo magntico, 21 , que atraviesa la superficie del cir~1 , generado
cuito 2 (vase la figura adjunta), debido al campo magntico, B
por la corriente, I 1 , que circula a travs del circuito 1, encontraramos que
I1
21 I 1 ,
esto es, el flujo magntico es proporcional a la intensidad. Al factor de

proporcionalidad entre el flujo magntico en un circuito debido a la intensidad que recorre otro se le denomina inductancia mutua y se denota
como M . En nuestro caso tendramos que
21 = M I 1 .
B1
(1.95)
Las unidades de inductancia en el SI se denominan henrios (H), de modo

que
Tm2
1H=1
.
(1.96)
A
Unidad de inductancia
1 henrio (H)
Usando razonamientos que no sern discutidos aqu encontraramos

que la relacin entre el flujo 12 que atraviesa el circuito 1 debido a un
~2 producido por una intensidad I 2 que recorriese el circuito 2 vencampo B
dra dada por la misma razn de proporcionalidad, esto es,
12 = M I 2 .
(1.97)
y
c
E JEMPLO 1.7 Flujo magntico que atraviesa una espira rectangular debido al campo de un hilo recto e innito recorrido por una intensidad I .
I
En el plano z = 0 donde se sita la espira rectangular, el valor del campo magntico creado por el hilo recto e infinito viene dado por
~ (x) =
B
0 I
z .
2x
dS
b
x
En el presente caso, el diferencial de superficie puede expresarse como d~

S = dxdy z ,
por lo que el diferencial de flujo magntico, d, a travs de esta superficie es
0 I
dxdy .
2x
El clculo del flujo total requiere la integracin de la expresin anterior en la superficie de la espira rectangular, de modo que
Z b Z a+c
Z b
0 I
0 I
a +c
=
dx dy =
ln
dy
2x
2
a
0
a
0
Z b
0 I
a +c
0 I b a + c
=
ln
dy =
ln
.
2
a
2
a
0
~ d~
~ |dS =
d = B
S = |B
La expresin anterior muestra que la inductancia mutua en el presente caso es

M=
FLML
0 b a + c
=
ln
.
I
2
a
Apuntes de FFI
Tema 1.
36
1.14.2. Autoinduccin
Si consideramos ahora el caso en el que tenemos un solo circuito alimentado por una batera de fem B por el que circula una intensidad i , un
clculo similar al del apartado anterior nos muestra que el flujo magntico,
, que atraviesa este circuito es igualmente proporcional a la intensidad
que lo recorre:
i .
Cuando el flujo magntico que atraviesa un circuito se debe nicamente a la corriente que circula por el propio circuito, este flujo se conoce
como autoflujo y el parmetro de proporcionalidad entre el autoflujo y la
intensidad se conoce como autoinduccin y se denota como L (las unidades de esta inductancia son obviamente henrios). En consecuencia podemos escribir
= Li .
(1.98)
Si ahora consideramos la situacin en la que la B vara en el tiempo y
el circuito permanace inmvil, entonces tambin lo hara el flujo magntico (1.98) (notemos que L es constante). En este caso aparecer una fuerza
electromotriz inducida en el circuito que vendr dada por
ind = L
di
.
dt
(1.99)
Dado que en todo circuito real aparecer cierta resistencia, R, y consecuentemente una cada de potencia V = Ri , la ecuacin del circuito podr escribirse como
B + ind = Ri
(1.100)
o equivalentemente,
B L
di
= Ri .
dt
(1.101)
Si ahora reescribimos (1.101) como

di
dt
= VR + VL .
B = Ri + L
(1.103)
podemos interpretar que la fem generada por la batera es igual a la cada

de tensin en la resistencia, VR = Ri , ms una cada de tensin, VL , debida
a la autoinduccin L. El efecto distribuido de la fem inducida en el circuito
puede modelarse, por tanto, como una cada de potencial en un elemento de circuito, denominado genricamente inductor, caracterizado por la
inductancia L (ver figura adjunta):
i(t)
L
(1.102)
VL
VL = L
di
.
dt
(1.104)
De este modo, los efectos de induccin electromagntica relacionados con

el campo magntico variable se supone que estn localizados en los inductores. Estos inductores son comnmente elementos puestos a propsito
Apuntes de FFI
FLML
1.14. Inductancia
37
en los circuitos para aumentar los efectos de induccin electromagntica,

por ejemplo, solenoides o bobinas. Dado el alto valor del campo magntico en el interior de los solenoides y la posibilidad de miniaturizarlos, estos
elementos son parte fundamental de los circuitos elctricos y electrnicos.
E JEMPLO 1.8 Clculo de la autoinduccin de un solenoide esbelto de N = 100

vueltas, longitud l = 1cm y r = 1mm.
Para un solenoide esbelto de N vueltas y longitud l , el campo magntico en el
interior del solenoide puede escribirse segn (1.77) como
~ = 0 n i u
,
B
dS
es el vector unitario segn el eje

donde n = N /l es la densidad lineal de espiras y u
del solenoide. Dado que el diferencial de superficie de las espiras viene dado por
el flujo que atraviesa las N espiras del solenoide ser
d~
S = dS u,
=N
Z
S
~ d~
B
S=N
Z
S
~ |dS = N |B
~|
|B
Z
S
dS = 0
N2
B
i
iS ,
de donde se deduce que la autoinduccin L es

L = 0
N2
S = 0 n 2 lS .
Sustituyendo ahora los datos del problema tenemos que

L = 4 107
104
106 3,95 H; .
102
1.14.3. Caso general

En el caso general de que circule corriente tanto por el circuito 1 como
por el circuito 2, el flujo total, tot , que atraviesa la superficie del circuito 2
puede expresarse como
tot
i
B2
= 21 + 22
= ext + aut ,
(1.105)
B1
donde ext es el flujo que atraviesa el circuito 2 debido a los agentes externos, en este caso, el campo generado por la intensidad, I , que recorre el
circuito 1 y aut es el autoflujo del circuito 2. Dadas las relaciones de proporcionalidad entre los flujos y las intensidades vistas en las expresiones
(1.95) y (1.98), el flujo total puede escribirse como
tot = M I + Li .
(1.106)
Segn la ley de Faraday y teniendo en cuenta (1.105), la fem inducida

en el circuito 2 vendr dada por
=
FLML
d
(ext + aut ) .
dt
(1.107)
Apuntes de FFI
Tema 1.
38
En el caso frecuente de que la autoinduccin y la induccin mutua no varen en el tiempo (esto es, si la forma de los circuitos no cambia en el tiempo), puede escribirse como
= M
di
dI
L
.
dt
dt
(1.108)
El clculo de la fem inducida en el circuito 2 segn (1.108) no es trivial

dado que esta fem depende de las variaciones temporales de i , pero esta
misma intensidad depende a su vez del valor de la fem inducida. Afortunadamente, existen muchas situaciones prcticas en las que las variaciones
temporales del autoflujo son mucho menores que las correspondientes al
flujo externo, por lo que la fem inducida en el circuito puede obtenerse
muy aproximadamente como
Valor de la
si autoujo es
despreciable
dext
.
dt
No obstante, existen otras situaciones donde el autoflujo no puede despreciarse. Un caso particularmente importante se encuentra cuando cuando
las variaciones del flujo externo son nulas (por ejemplo cuando I = 0). En
este caso la fem inducida debe calcularse como
Valor de la
si ujo externo nulo
daut
.
dt
1.15. Energa magntica

Segn hemos visto en el Apartado 1.14.2, la evolucin de un circuito
serie RL tal como el mostrado en la figura adjunta est regido por la ecuacin
di
= Ri + L
.
(1.109)
dt
Multiplicando ambos trminos de la ecuacin por la intensidad, i , obtenemos
i = Ri 2 + Li
di
,
dt
(1.110)
donde el primer miembro de (1.110) nos da, segn (2.27), la potencia suministrada por el generador de fem y el segundo miembro debe ser, por tanto, la potencia consumida en el circuito. Dado que el primer trmino del
segundo miembro, Ri 2 , es la potencia disipada en la resistencia por efecto Joule [ver expresin (2.21)], podemos concluir que el segundo trmino,
Li di /dt , estar exclusivamente asociado a la autoinduccin. Este trmino
puede entonces interpretarse como la energa por unidad de tiempo que
se almacena en el campo magntico del inductor (recurdese que en el
circuito se ha supuesto que los efectos del campo magntico estn localizados en este elemento). Si designamos por UB a la energa magntica
almacenada en el inductor, entonces la razn con la que se almacena esta
energa puede escribirse como
dUB
di
d 1 2
= Li
=
Li .
(1.111)
dt
dt dt 2
Apuntes de FFI
FLML
1.16. (*) Ecuaciones de Maxwell
39
En consecuencia, la energa magntica almacenada en el inductor vendr

dada por
1
UB = Li 2 .
(1.112)
2
Energa almacenada en el inductor
La energa almacenada en el inductor podemos decir que est contenida en el campo magntico presente en este elemento y, consecuentemente, UB puede identificarse como la energa del campo magntico. Para
hacer este hecho ms evidente, consideremos que el inductor es un solenoide esbelto (cuya autoinduccin fue obtenida en el Ejemplo 1.8), por lo
que podemos escribir que
1
1 2 2 2
UB = 0 n 2 lSi 2 =
n i Sl .
2
20 0
(1.113)
Dado que el mdulo del campo magntico en el interior de un solenoide se

~ | = 0 ni , la expresin anterior puede reescribirse como
encontr que era |B
UB =
~ |2
|B
V ,
20
(1.114)
siendo V = S l el volumen del solenoide.

Finalmente podemos deducir que en este inductor la densidad volumtrica de energa magntica, u B , viene dada por
~ |2
|B
uB =
.
20
Densidad de energa magntica
(1.115)
Aunque el resultado anterior se ha obtenido para un caso particular, clculos ms rigurosos demostraran que este resultado es vlido en general.
1.16. (*) Ecuaciones de Maxwell

Tanto en el presente tema como en los temas anteriores se han visto
una serie de leyes (la mayora extradas directamente de la experimentacin) que determinan el comportamiento de los campos elctrico y magntico. Entre las mltiples leyes y expresiones que se han visto, puede escogerse un conjunto de cuatro de ellas que forman la base del Electromagnetismo y de donde se pueden derivar todos los fenmenos electromagnticos. Estas leyes fueron recogidas por James C. Maxwell ( 1860) en una labor que ha sido reconocida como una de las sntesis ms fructferas de toda la historia de la Fsica. Adems de esta labor recopilatoria, Maxwell not
adems una inconsistencia en la ley de Ampre que solucion aadiendo
a esta ecuacin un trmino adicional relacionado con un nuevo tipo de
corriente que denomin corriente de desplazamiento. Las ecuaciones de
Maxwell son cuatro ecuaciones diferenciales o integro-diferenciales (aqu
se optar por presentarlas en forma integro-diferencial) que compendian
toda la informacin que hemos adquirido sobre los campos elctricos y
magnticos y su relacin con las fuentes que los producen.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
40
Maxwell realiza una revisin de las leyes del campo elctrico y el magntico, extendindolas a campos elctricos y magnticos variables en el
tiempo. Sus aportaciones pueden resumirse tal como sigue.
Ley de Gauss para
~ (~
E
r ,t)
Ley de Gauss para el campo elctrico

Maxwell extendi la validez de la ley de Gauss (que en su forma inicial
(1.11) slo era aplicable a campos elctricos constantes en el tiempo;
es decir, a campos electrostticos) a campos elctricos que varan en el
~=E
~ (~
tiempo, E
r , t ). De este modo, la ley de Gauss para el campo elctrico puede escribirse, en general, como
I
S
~ (~
E
r , t ) d~
S=
Q S (t )
,
0
(1.116)
donde Q S (t ) es la carga total (que ahora puede variar en el tiempo) encerrada en el interior de la superficie S y 0 = 8,85 1012 F/m.
Ley de Gauss para el campo magntico
Dado que experimentalmente se encuentra que las lneas de campo
magntico no divergen ni convergen en ningn punto del espacio (es
decir, no existen cargas magnticas), Maxwell propuso la siguiente ley
~=B
~ (~
para campos magnticos variables en el tiempo, B
r , t ):
Ley de Gauss para
~ (~
B
r ,t)
~ (~
B
r , t ) d~
S =0 .
(1.117)
El flujo del campo magntico a travs de cualquier superficie cerrada

es siempre nulo.
Ley de Faraday-Maxwell
La ley de induccin electromagntica segn fue establecida por Faraday estaba directamente ligada a la presencia de conductores, de modo
que en la expresin (1.87), la curva coincida estrictamente con el recorrido del circuito. Maxwell not que la identidad matemtica expresada por (1.87) no tena por qu ligarse a la existencia de conductores;
esto es, no hay nada en (1.87) que exija que la curva deba coincidir
con el recorrido del circuito. Con esta concepcin en mente, la ley de
Faraday-Maxwell:
I
Ley de Faraday-Maxwell
~ (~
E
r , t ) d~
l =
~ (~
B
r ,t)
d~
S
t
S()
(1.118)
establece que la circulacin del campo elctrico a travs de una curva arbitraria, , es igual a menos la variacin del flujo magntico que
atraviesa una superficie S() cuyo contorno se apoya en . Esta reinterpretacin de la ley de Faraday dice mucho ms que la ley original pues
establece
la existencia de un campo elctrico en cualquier punto del espacio donde exista un campo magntico variable en el tiempo.
Apuntes de FFI
FLML
1.17. Problemas propuestos
41
Ecuacin de Ampre-Maxwell
La ley de mpere debe generalizarse al caso de campos y corrientes variables en el tiempo de la siguiente forma:
I
~ (~
B
r , t ) d~
l = 0
#
~ (~
E
r ,t)
~
J (~
r , t ) + 0
d~
S
t
"
S()
(1.119)
Ley de Ampre-Maxwell
Una de las ms importantes consecuencias que puede extraerse de las

anteriores ecuaciones surge al combinar la ecuaciones de Faraday-Maxwell
con la ecuacin (1.119) de mpere-Maxwell para el caso del vaco (es decir,
en ausencia de cargas y corrientes elctricas),
I
~ (~
E
r , t ) d~
l =
~ (~
B
r ,t)
d~
S
t
S()
(1.118)
y
I
~ (~
B
r , t ) d~
l = 0 0
~ (~
E
r ,t)
d~
S.
t
S()
(1.119)
Una lectura de dichas ecuaciones sugiere la existencia de una perturbacin electromagntica que puede autosustentarse en el vaco. La ecuacin
(1.118) nos dice que la presencia de un campo magntico variable en el
tiempo provoca la aparicin de un campo elctrico, pero a su vez la ecuacin (1.119) establece que la presencia de un campo elctrico variable en
el tiempo da lugar a la aparicin de un campo magntico. En consecuencia, la existencia de una campo magntico variable en el tiempo generara
otro campo magntico que a su vez generara otro.... (igualmente ocurrira
con campos elctricos variables en el tiempo). Tenemos, por tanto, una situacin en la que los campos electromagnticos se autosustentan ya que
seran ellos mismos su propia causa y efecto. En el prximo tema sobre
ondas veremos que este fenmeno es precisamente el origen de las ondas
electromagnticas.

Electrosttica
1.1: Calcule la fuerza de repulsin electrosttica entre dos partculas separadas una distancia de 2 nm (cada partcula est compuesta por dos protones y dos neutrones) y comprela con la fuerza de atraccin gravitatoria entre ellas.
Sol. F elect = 2,30 1010 N; F grav = 7,51 1046 N.
1.2: Cul es el valor del mdulo del campo elctrico en un punto situado a 30 cm de una
carga puntual de 10 C.
Sol. E = 106 N/C.
1.3: Dos cargas puntuales iguales de valor q estn situadas en los puntos (a, 0, 0) y (a, 0, 0).
Calcular el potencial y el campo elctrico debido a dichas cargas en los puntos del eje Y .
~ (0, y, 0) = [q/(20 )]y(y 2 + a 2 )3/2 y .
Sol.: V (0, y, 0) = [q/(20 )](y 2 + a 2 )1/2 , E
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
42
y
q
(0, h)
(-l/2,0)
(l/2,0)
Y
-q
q
L
L
X
-q
1.4: Tres cargas puntuales de igual valor, q, se encuentran dispuestas en los vrtices de
un tringulo, como se indica en la figura. Calclese: a) el campo elctrico y el potencial
generado por las tres cargas en puntos del segmento que une los puntos (0, 0) y (0, h); b) la
fuerza ejercida por las dos cargas que se encuentran sobre el eje X sobre la carga situada
en (0, h).
~ (0, y) = K q[2y((l /2)2 + y 2 )3/2 (h
Sol.: a) V (0, y) = K q[2((l /2)2 + y 2 )1/2 + (h y)1 ], E
~ = K q 2 2h[(l /2)2 + h 2 ]3/2 y .
y)2 ] y . b) F
1.5: Las cuatro cargas del dibujo estn dispuestas en los vrtices de un cuadrado de lado L.
a) Hallar el valor, sentido y direccin de la fuerza ejercida sobre la carga situada sobre el
vrtice inferior izquierdo por las cargas restantes. b) Demostrar que el campo elctrico total
en el punto medio de cualquiera de los lados del cuadrado es paralelo al lado considerado,
est dirigido hacia la carga negativa vrtice de dicho lado y su valor es E = [2q/(0 L 2 )](1
p
5/25) N/C.
p
~ = [q 2 /(40 L 2 )](1 1/ 8)(x + y ) N.
Sol.: a) F
1.6: El potencial electrosttico en cierta regin del espacio est dado por V = 2x 2 y 2 +z 2 ,
donde x, y, z se expresan en metros y V en voltios. Determinar el trabajo que realizara el
campo sobre una carga puntual q = 2 C que se desplazase desde el punto (1, 2, 3) hasta el
punto (3, 3, 3).
Sol.: 22 J.
1.7: Sobre los planos x = 0 y x = 4 existen densidades de carga de valor 1 = 108 C/m2
y 2 = 108 C/m2 respectivamente. Determinar: a) la fuerza que acta sobre una carga
puntual q = 1 pC situada en el punto (1,0,0); b) el trabajo realizado por el campo para transportar dicha carga hasta el punto (3,2,0); c) la d.d.p. entre los puntos (1,0,0) y (8,0,0).
Sol.: a) 36 1011 x N; b) 72 1011 J; c) 1080 V.
1.8: Una gota de aceite cargada de masa 2,5 104 g est situada en el interior de un condensador de placas plano-paralelas de rea 175 cm2 . Cuando la placa superior tiene una
carga de 4,5 107 C, la gota de aceite permanece estacionaria. Qu carga tiene esta gota?
Sol. Q = 8,43 1013 C.
~ = E 0 y ( E 0 > 0). (a) Indique cmo son
1.9: Sea un campo elctrico uniforme de valor E
las lneas de campos (dibjelas en el plano x y) y las superficies equipotenciales. Escriba
la expresin que permite conocer, para este campo, la diferencia de potencial entre dos
puntos A y B , esto es V A VB , conocidas las coordenadas de dichos puntos,(x A , y A , z A ) y
(x B , y B , z B ). (b) Si desde el punto (x 0 , y 0 ) del plano x y en el instante inicial, t = 0, se lanza
una partcula positiva de carga q y masa m con velocidad inicial, ~
v 0 = v 0x x , cul ser
su posicin en un instante t posterior? cunto ser y cmo habrn variado (indique si
aumentan o disminuyen) su energa potencial y cintica en dicho intervalo? y la suma de
ambas?
Sol. (a): V (A) V (B ) = E 0 (y A y B ). (b): x(t ) = x 0 + v 0x t , y(t ) = y 0 + 1/2(qE 0 /m)t 2 .
1.10: Considere un condensador inicialmente descargado que se carga mediante un proceso en el que se lleva carga de una placa a la otra. En un determinado momento del proceso las placas del condensador estn cargadas con q y +q. (a) Qu trabajo debemos
realizar para aumentar en una pequea cantidad, dq, la carga del condensador en ese momento del proceso? A la vista de la expresin obtenida, el trabajo para llevar dq de una
placa a la otra es siempre el mismo o depende de la carga ya acumulada? (b) Mediante un
proceso de integracin, determine la energa total que debemos aportar si, partiendo del
condensador descargado, lo cargamos hasta alcanzar un valor final de carga Q.
1.11: a) Cul es la capacidad de un sistema de dos placas plano-paralelas de rea 1 mm2
separadas 1 mm?. b) Cunto trabajo realizaramos para carga el anterior condensador con
una carga de 103 C ?. c) Cul sera la fuerza entre las placas?.
Sol.: a) C = 8,05 nF; b) W = 62,1 J; c) F = 5,65 104 N.
1.12: a) Qu cantidad de carga ser necesario aadir a una esfera conductora aislada de
radio R 1 = 10 cm para que sta alcance un potencial de 500 V?. b) Si la anterior carga es
Apuntes de FFI
FLML
43
compartida con otra esfera conductora aislada de radio R 2 = 5 cm de radio (ambas son
conectadas mediante un fino hilo conductor), cul ser la carga y el potencial final en
cada esfera conductora?.
Sol.: a) Q = 5,6 109 C; b) Q 1 = 3,74 nC, Q 2 = 1,86 nC, V1 = V2 336,6V.
1.13: Cinco condensadores idnticos de capacidad C 0 estn conectados en un circuito
puente tal como indica la figura. a) Cul es la capacidad equivalente entre los puntos a
y b?. b) Calcular la capacidad equivalente si el condensador central que une a y b cambia
ahora a 10C 0 .
Sol.: a) C equiv = 2C 0 ; b) C equiv = 11C 0 ;
C0
b
C0
C0
C0
1.14: Un condensador de 1 F se ha cargado a 10 V. Determnese: a) la carga acumulada y

el trabajo que fue necesario realizar; b) la densidad de energa elctrica en el interior del
condensador sabiendo que puede asimilarse a un condensador ideal de placas plano paralelas separadas una distancia de 10 cm; c) el trabajo necesario para aumentar la carga del
condensador al doble de la que posee. Comprese con el trabajo calculado en el apartado
a) (Dato: 0 = 8,854 1012 F/m).
Sol.: a) Q = 10 C, W = 5 105 J; b) E = 4,427 108 J/m3 ; c) W = 15 105 J.
a)
er1
1.15: (*) Se consideran los condensadores planos esquematizados en la figura. Determinar

la capacidad de cada uno de ellos.
Sol.: a) C = C 0 (r,1 +r,2 )/2; b) C = C 0 r,1 r,2 /(r,1 +r,2 ), siendo en ambos casos C 0 = 0 S/d .
Magnetosttica
C0
er2
S/2
S/2
er1
er2
b)
d
d
1.16: Cul es el radio de la rbita de un protn de energa 1 MeV en el seno de un campo

magntico de 104 G.
Sol. R = 14,4 cm.
Regin
de
campo
1.17: Una partcula de carga q entra a velocidad ~

v en una regin donde existe un campo
magntico uniforme (dirigido hacia el interior de la pgina). El campo desva a la partcula
una distancia d de su trayectoria original al atravesar la regin del campo, como se muestra
en la figura. Indicar si la carga es positiva o negativa y calcular el valor de su momentum de
la partcula, p, en trminos de a, d , B y q.
Sol.: es positiva; p = qB (a 2 + d 2 )/(2d ).
B
d
v
a
1.18: Un alambre conductor paralelo al eje y se mueve con una velocidad ~

v = 20 x m/s en
~ = 0,5 z T. a) Determinar la magnitud y la direccin de la fuerza magun campo magntico B
ntica que acta sobre un electrn en el conductor. b) Debido a esta fuerza magntica, los
electrones se mueven a un extremo del conductor, dejando el otro extremo positivamente
cargado hasta que el campo elctrico debido a esta separacin de carga ejerce una fuerza
sobre los electrones que equilibra la fuerza magntica. Calcular la magnitud y direccin de
este campo elctrico en estado estacionario. c) Si el cable tiene 2 m de longitud, cul es la
diferencia de potencial entre sus dos extremos debido a este campo elctrico?.
~ = 1,6 1018 N y ; b) E
~ = 10 V/m y ; c) V = 20 V.;
Sol.: a) F
1.19: Dos conductores filiformes rectos y paralelos entre s de longitud 90 cm estn separados una distancia de 1 mm. Si ambos conductores son recorridos por una corriente de
5 A en sentidos opuestos, cul es la magnitud y el sentido de las fuerzas entre ambas corrientes?.
Sol.: 4,5 mN, siendo una fuerza repulsiva.
20 A
1.20: Por un conductor rectilneo de longitud infinita circula una corriente de 20 A, segn
se indica en la figura. Junto al conductor anterior se ha dispuesto una espira rectangular
cuyos lados miden 5 cm y 10 cm. Por dicha espira circula una corriente de 5 A en el sentido
indicado en la figura. a) Determinar la fuerza sobre cada lado de la espira rectangular as
~
como la fuerza neta sobre la espira; b) calcular el flujo a travs de la espira del campo B
creado por el conductor rectilneo.
Sol. a) lado AB: 2,5 105 N y , lado BC: 104 N x , lado CD: 2,5 105 N y , lado DA: 2,85
~neta = 7,15 105 N x ; b) = 5,01 107 Tm2 .
105 N x , F
FLML
5A
10 cm
2 cm
C
Y
5 cm
X
Apuntes de FFI
Tema 1.
44
1.21: Un solenoide esbelto de n 1 vueltas por unidad de longitud est circulado por una
intensidad I 1 y tiene una seccin transversal circular de radio R 1 . En su interior, y coaxial
con l, se ha colocado un segundo solenoide de n 2 vueltas por unidad de longitud y de
seccin transversal circular de radio R 2 (R 2 < R 1 ). Si este segundo solenoide est circulado
por una intensidad I 2 , determinar: a) el campo magntico en todos los puntos del espacio;
b) la magnitud y sentido que debera tener I 2 para que, fijada I 1 , el campo en el interior del
segundo solenoide sea nulo.
0 n 1 I 1 n 2 I 2 si r < R 2
R1
I1
I2
R2
Sol.: a) B (r ) =
0 n 1 I 1
si R 2 < r < R 1
si r > R 1
donde r es la distancia al eje de los solenoides y el signo ms/menos se toma si ambas

intensidades circulan en igual/opuesto sentido; b) I 2 = n 1 I 1 /n 2 .
1.22: (*) Dos conductores filiformes, rectilneos y de longitud infinita son perpendiculares
al plano X Y y cortan a dicho plano en los puntos (0, a, 0) y (0, a, 0). Por dichos conductores
circulan las intensidades I 1 e I 2 respectivamente. Calcular el campo magntico generado
por ambas corrientes en cualquier punto del espacio (nota: la solucin del problema debe
ser vlida para cualquier sentido de las intensidades por los conductores).
Sol.:
(a + y)I 2
x I2
(a y)I 1
x I1
~ (P ) = 0
+
B
x
+
y ,
2 x 2 + (a y)2 x 2 + (a + y)2
x 2 + (a y)2 x 2 + (a + y)2 ]
donde las intensidades se consideran positivas si van en el sentido positivo del eje z y negativas en el caso contrario.
1.23: Un alambre de longitud l se arrolla en una bobina circular de N espiras. Demostrar que cuando esta bobina transporta una corriente I , su momento magntico tiene por
magnitud I l 2 /(4N ).
v0
R
V0
Va b
1.24: Se considera un dispositivo acelerador de electrones y un condensador cilndrico de

radio R y distancia entre armaduras h R, de forma que el campo elctrico entre las armaduras es radial y prcticamente de mdulo constante. En direccin al eje del condensador
~ . El dispositivo acelerador inyecta
acta un campo magntico estacionario y uniforme B
electrones en el condensador tangencialmente a la circunferencia de radio R, como se indica en la figura. Sabiendo que la diferencia de potencial aceleradora es V0 , determinar: a)
la velocidad, v 0 , con que los electrones de masa m e y carga e son inyectados; b) la tensin
Vab que debe aplicarse entre las armaduras para que los electrones describan una rbita
circular de radio R cuando el campo magntico aplicado sea nulo; c) repetir el apartado
~ , no sea nulo.
anterior suponiendo
ahora que el campo aplicado, B
s
Sol.: a) v 0 =
2qV0
2V0 h
2V0 h
hB
; b) Vab =
; c) Vab =
+p
.
me
R
R
2qV0 /m e
Induccin Electromagntica
1.25: En el interior de un solenoide de 600 vueltas, el flujo magntico cae de 8,0 105 Wb
a 3,0 105 Wb en 15 ms. Cul es la fem media inducida? (1 Wb = 1 Tm2 .)
Sol.: = 2 V.
1.26: Una barra metlica se desplaza a velocidad constante, v, sobre dos varillas conductoras unidas por una resistencia R en sus extremos izquierdos. Se establece una campo
~ , como se indica en la figura. a) Calclese la fem inducida
magntico uniforme y esttico, B
en el circuito as como la corriente inducida indicado su sentido; b) Qu fuerza est siendo
aplicada a la barra para que se mueva a velocidad constante?; c) Realzese un balance entre
la potencia aplicada y la energa consumida. Nota: Despreciar el autoflujo del circuito.
~ |l |~
~a = I l |B
~ |x; c) Pot. aplicada=F a v = Pot. consumida=I 2 R.
Sol.: a) = |B
v |; b) F
Apuntes de FFI
1.27: Determinar el coeficiente de induccin mutua entre le circuito rectangular de la figura y el conductor
recto
infinito.
0 c
a +b
Sol: M =
ln
.
2
a
FLML
45
1.28: Un conductor rectilneo e infinitamente largo est recorrido por una intensidad I (t ).
Una espira rectangular de lados a y b y resistencia R es coplanaria con dicho conductor y
vara su posicin de acuerdo con una ley de movimiento x(t ) conocida. Calclese: a) el
flujo magntico, (t ), que atraviesa la espira; b) la fem inducida en la espira, indicando
que parte de la misma se debe al movimiento y cul a la variacin temporal del campo
magntico; c) el valor de la corriente inducida en el instante t si I (t ) = I 0 y x(t ) = v t (v > 0).
Nota: Despreciar el autoflujo
del circuito.
0 bI (t )
a + x(t )
Sol.: a) (t ) =
;
ln
2
x(t )
0 b dI (t )
aI (t )v
a + x(t )
b) (t ) =
;
ln
2
dt
x(t )
x(t )(a + x(t ))
ab0 I 0
c) I ind =
en sentido horario.
2R(at + v t 2 )
a
I(t)
b
x(t)
Z
v
1.29: Un circuito rectangular de 2 de resistencia se desplaza en el plano Y Z en una zo~ = (6 y)x T. Las dimensiones del circuito son de
na donde existe un campo magntico B
0,5 m de altura por 0,2 m de anchura. Suponiendo que en el instante inicial (t = 0) el lado
izquierdo del circuito coincida con el eje Z (segn puede verse en el dibujo), calcular la
intensidad inducida en el circuito en los casos siguientes: a) se desplaza a velocidad uniforme de 2 m/s hacia la derecha; b) transcurridos 100 segundos, si se mueve aceleradamente
hacia la derecha con a = 2 m/s2 (supngase que el circuito parti del reposo). c) Repetir los
apartados anteriores suponiendo que el movimiento es ahora paralelo al eje Z . Nota: en
todos los casos considrese despreciable el autoflujo.
Sol.: a) 0.1 A; b) 10 A; c) 0 A en los dos casos, ya que no hay variacin del flujo magntico.
Y
X
I
1.30: Un conductor rectilneo infinito est recorrido por una intensidad I . Otro conductor
en forma de U es coplanario con el primero, su base es una resistencia, R, y mediante un
puente mvil, que se mueve a velocidad v, forma una espira rectangular de rea variable
(vase figura). Se consideran los casos en que R es paralela o perpendicular al conductor
rectilneo infinito (casos a) y b) en la figura respectivamente). Determinar en cada caso la
intensidad de corriente inducida y la fuerza que es necesario aplicar al puente mvil para
que se mueva a velocidad v. Nota: en ambos casos considrese despreciable el autoflujo
del circuito en U.
2
0 I l v
v
I 0 l
Sol.: a) I ind =
,F =
;
2R(a + v t )
R 2(a + v t )
a +l
a +l 2
0 I v
v 0 I
ln
ln
b) I ind =
,F =
.
2R
a
R 2
a
~ (t ) = (2 +
1.31: En la figura se muestra un campo magntico uniforme y no estacionario, B
2
0,5t ) z T (t en segundos). En el seno de dicho campo se ha dispuesto un circuito formado
por un conductor en forma de U, que contiene una resistencia R = 10 , y que junto con la
barra conductora mvil AC , de longitud l = 1 m y masa m kg, forma una espira rectangular
de rea variable. Si la ley de movimiento de la barra AC es y(t ) = 3t 2 m, calcular: a) el flujo
magntico a travs del circuito; b) la fem inducida en el circuito; c) la intensidad inducida,
indicando su sentido; d) la fuerza debida al campo magntico que acta sobre la barra
en direccin y; e) la fuerza que hemos de aplicar a la barra mvil para que satisfaga la
mencionada ley de movimiento. Nota: Considere despreciable el autoflujo en el circuito.
Sol.: a) (t ) = 6t 2 + 1,5t 4 weber; b) (t ) = (12t + 6t 3 ) V; c) I ind (t ) = 1,2t + 0,6t 3 sentido
~mag (t ) = (2,4t + 1,8t 3 + 0,3t 5 ) y ; e) F
~aplic (t ) = (6m + 2,4t + 1,8t 3 + 0,3t 5 ) y .
horario; d) F
puente
mvil
a)
l
v
a
b)
Z
B(t)
C
v
R
X
1.32: A travs de un hilo conductor rectilneo muy largo circula una corriente que vara
con el tiempo segn la expresin I (t ) = at , donde a = 0,7 A/s. En las proximidades del hilo,
y en un plano que contiene a ste, se encuentra una espira de radio b = 5 mm y resistencia
R = 0,2 m. Esta espira se aleja del hilo con una velocidad constante v, estando situada
en el instante inicial (t = 0) a una distancia r 0 del hilo. Obtener a) la expresin del flujo
magntico que atraviesa la espira; b) la expresin de la fuerza electromotriz inducida; c) la
intensidad inducida en la espira en el instante inicial, indicando su sentido. Nota: debido
al pequeo tamao de la espira, podemos considerar a efecto de clculo que el campo
magntico creado por el hilo es uniforme en el interior de la espira e igual a su valor en el
centro de sta).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
46
b 2 at
b 2 ar
0
Sol: a) (t ) = 2(r0 +v t ) ; b) (t ) = 0
; c) I (0) = 4,39 A, sentido antihorario.
2(r 0 +v t )2
0
1.33: En la figura se muestra un solenoide esbelto de longitud l 1 y un total de N1 espiras.

Dentro del mismo y coaxial con el se ha dispuesto una bobina de radio R 2 y un total de N2
espiras. Calcular: a) el coeficiente de induccin mutua entra ambos bobinados; b) la fem
inducida entre los extremos de la bobina pequea cuando por el solenoide esbelto circula
una intensidad I 1 (t ) = I 0 cos(t ). c) Reptanse los dos apartados anteriores suponiendo
ahora que el eje de la bobina pequea forma un ngulo con el del solenoide.
0 R 22 N1 N2
Sol.: a) M =
; b) = M I 0 sen(t ); c) en este caso, los resultados anteriores se
l1
multiplican por cos().
N1
N2
I1
Corte para
ver el interior
N2
N1
I1
Apuntes de FFI
1.34: Determinar la fem autoinducida en un solenoide de inductancia L = 23 mH cuando: a) la corriente es de 25 mA en el instante inicial y aumenta con una rapidez de 37
mA/s; b) la corriente es cero en el instante inicial y aumenta con una rapidez de 37 mA/s;
c) la corriente es de 125 mA en el instante inicial y disminuye con una rapidez de 37 mA/s;
d) la corriente es de 125 mA y no vara.
Sol.: en los tres casos a), b) y c), = 851 106 V, salvo que la polaridad es diferentes. As,
dado que la polaridad de fem autoinducida es tal que se opone a las variaciones de la intensidad, en los apartados a) y b) la polaridad es la misma (ya que en ambos casos la intensidad aumenta), siendo en c) contraria a los apartados anteriores (ya que en este caso
disminuye); d) = 0.
1.35: En la figura se ha representado un solenoide esbelto de longitud l y rea de seccin
transversal S, que posee un total de N1 espiras. Por dicho solenoide circula un intensidad
i (t ) = I 0 sen(t ). Rodeando dicho solenoide se ha colocado una bobina rectangular de N2
espiras. Calcular: a) el campo magntico, B (t ), en el interior del solenoide; b) el coeficiente
de autoinduccin, L, del solenoide; c) la diferencia de potencial, V1 (t ), entre los extremos
del solenoide; d) el flujo magntico que atraviesa la bobina rectangular, 2 (t ), as como la
fuerza electromotriz inducida, V2 (t ), entre los bornes de dicha bobina.
0 N12 S
0 N1 I 0
Sol.: a) B (t ) =
; c) V1 (t ) = LI 0 cos(t );
sen(t ); b) L =
l
l
d) 2 (t ) = 0 I 0 N1 N2 Ssen(t )/l, V2 (t ) = 0 I 0 N1 N2 Scos(t )/l.
FLML
T EMA 2
Circuitos de Corriente
Continua y Alterna
2.1. Introduccin
En el tema anterior se han estudiado los campos elctrico y magntico.
En este tema estudiaremos el flujo de partculas cargadas en los circuitos.
En funcin del tipo de movimiento que posean las cargas, la corriente elctrica se clasifica en corriente continua y corriente variable en el tiempo. La
corriente continua es aqulla en la que el flujo de cargas permanece invariable en el tiempo (por ejemplo, cuando los electrones en un cable se
mueven a velocidad constante).1 Cuando el flujo de cargas que vara en el
tiempo lo hace de forma armnica (es decir con una variacin temporal de
tipo seno o coseno), entonces se denomina corriente alterna.
El objetivo final del presente tema ser el anlisis de los circuitos de corriente continua y alterna, tanto por su propia importancia en la tecnologa
actual como por ser un primer paso para el estudio y comprensin de los
circuitos electrnicos ms complejos. Los circuitos de corriente continua
se resuelven a partir de las reglas de Kirchhoff, que sern deducidas en este
tema como una consecuencia de las leyes de la Electrosttica y de la ley de
conservacin de la carga. Tras la deduccin de estas reglas, se hablar de
las fuentes de alimentacin de estos circuitos y, en particular, se discutir el concepto de fuerza electromotriz. Posteriormente se mostarn algunos ejemplos y procedimientos para la resolucin de circuitos de corriente
continua y discutiremos los transitorios en circuitos RC y RL. Finalmente
abordaremos los circuitos de corriente alterna.
1 Es interesante notar que si el flujo de cargas permanece invariable en el tiempo (corrien-
te continua), entonces la carga por unidad de tiempo que atraviesa cualquier superficie
no aumenta ni disminuye y, por tanto, la distribucin de cargas permanece invariable
en el tiempo. Esto implica que, a pesar de que las cargas se muevan, todava se puede seguir aplicando la Electrosttica. No obstante, las cargas del interior del conductor
generalmente no generan campo elctrico dado que existe una compensacin precisa
entre cargas positivas y negativas.
47
Tema 2.
48
2.2.
Circuitos de Corriente Continua y Alterna
Vector densidad de corriente
Una medida de la corriente elctrica es proporcionada por la intensidad de la corriente, I . Esta magnitud se define como
I=
Intensidad de la corriente
dQ
,
dt
(2.1)
esto es, la carga total por unidad de tiempo, Q, que atraviesa cierta superficie S. La unidad de intensidad de la corriente elctrica es el amperio (A)
definido como
Unidad de intensidad:
1 amperio (A)
J
dS
1amperio =
1 culombio
1 segundo
1 A = 1 C/s .
La definicin de la intensidad de corriente como el ritmo temporal con

que la carga atraviesa cierta superficie S establece una dependencia de esta
magnitud con el flujo de carga a travs de cierta superficie que debe especificarse. Este hecho sugiere la conveniencia de expresar la intensidad como el flujo de cierto vector (ver Apndice A.2), que se denominar vector
densidad de corriente ~
J , a travs de la superficie S:
Z
I= ~
J d~
S .
(2.2)
S
Vector densidad de corriente
Evidentemente las unidades de ~

J son de intensidad por superficie, esto es:
A/m2 ; representando el mdulo de esta magnitud la cantidad de carga que
pasa por unidad de superficie y por unidad de tiempo a travs de un elemento de superficie perpendicular al flujo. As para un flujo de cargas compuesto por n partculas por unidad de volumen de carga q que se mueven
a una velocidad ~
v a tenemos que su vector densidad de corriente asociado
viene dado por
~
J = nq~
va .
(2.3)
En aquellas situaciones en las que haya ms de un tipo de portadores, la
expresin (2.3) puede generalizarse y escribirse como
X
~
J = ni qi ~
v a,i .
(2.4)
vd
J
Es interesante observar (segn muestra la figura adjunta) que si tenemos

cargas positivas y negativas fluyendo en el mismo sentido, la corriente respectiva estar dirigida en sentidos opuestos.
E JEMPLO 2.1 Clculo de la velocidad de arrastre de los electrones en un cable de

Cu (densidad = 8,93 g/cm3 y masa atmica A = 63,55 g) de radio 0.8 mm que
transporta una corriente de intensidad 20 mA.
Es interesante primero notar que para el caso de corriente continua en un cable (que generalmente presenta una seccin transversal invariante), la expresin
de la intensidad se reduce a
Z
Z
Z
I= ~
J d~
S = |~
J |dS = |~
J | dS = |~
J |S ,
(2.5)
S
Apuntes de FFI
FLML
2.2. Vector densidad de corriente
49
donde se ha supuesto que ~

J d~
S y que |~
J | permanece constante en toda la seccin
transversal (n no vara en la seccin y la velocidad de las cargas es la misma en
toda la seccin).
Puesto que |~
J | = nq|~
v a |, de la expresin (2.5) se deduce que la velocidad de
arrastre de las cargas mviles puede escribirse como
|~
va | =
I
.
nqS
Dado que la intensidad, la carga elemental q y la seccin transversal pueden

calcularse a partir de los datos del problema, |~
v a | quedar determinada si conocemos el valor de n. Para calcular el nmero de electrones libres por m3 en el cobre,
supondremos que cada tomo de cobre aporta un electrn libre al metal, por lo
que el nmero de stos coincidir con el nmero de tomos de Cu por m3 , n a . Para obtener n a puede calcularse el nmero de moles por m3 , , y multiplicar este
nmero por el nmero de tomos en un mol, N A = 6,02 1023 , esto es: n a = N A .
A su vez, el nmero de moles por m3 puede obtenerse como
=
masa de 1m3
= ,
masa de un mol A
por lo que n puede obtenerse a partir de la siguiente expresin:

n = NA
.
A
Para el caso del Cu, A = 63,55g y = 8,93 g/cm3 , por lo que

n = 6,02 1023
8,93 106
= 8,46 1028 electrones/m3 .
63,55
La velocidad de arrastre ser por tanto:

|~
va | =
20 103
= 7,43 107 m/s .
8,46 1028 1,6 1019 (0,8 103 )2
Obsrvese el valor tan pequeo de velocidad que se obtiene para el desplazamiento de los electrones en el interior del cable, aunque esta velocidad de desplazamiento tan pequea no implica que haya que esperar un largo tiempo para que
se inicie la corriente elctrica. Algo similar ocurre en una columna de soldados
respondiendo a la voz de marcha, aunque la velocidad de desplazamiento de los
soldados pueda ser pequea, la columna se pone en marcha de forma casi instantnea.
Ecuacin de continuidad de la carga

El principio de conservacin local de la carga (ver Apartado 1.1) exiga
que si cierta materia cargada desapareca de un lugar y esta misma materia
cargada deba haber viajado y aparecer posteriormente en otro lugar. Dado que la carga viajando constituye una corriente elctrica, este principio
puede expresarse en trminos de dicha corriente elctrica como
La intensidad de corriente que atraviesa la superficie cerrada de un recinto es igual a menos la variacin temporal de la carga mvil en su interior.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
50
Esta ley simplemente dice que si en cierto recinto entran, por ejemplo,
5 cargas por segundo y salen 2 cargas por segundo, entonces la carga en el
interior del recinto aumenta a un ritmo de 3 cargas por segundo. En forma
matemtica, el principio anterior se conoce como ecuacin de continuidad para la carga y puede expresarse como
I
-dQ/dt
~
J d~
S =
dQ
,
dt
(2.6)
donde el signo menos delante del segundo miembro slo indica que un
flujo positivo (es decir, carga saliendo del recinto) est relacionado con una
disminucin de la carga en su interior.
En el caso de corriente continua tenemos que no puede existir acumulacin o disminucin de carga en un recinto cerrado (pues de otra forma
no sera corriente continua). Esto implica que
dQ
=0,
dt
por lo que la ecuacin de continuidad establece que
Ecuacin de continuidad en
rgimen estacionario
~
J d~
S =0 ,
(2.7)
esto es, el flujo de corriente a travs de un recinto cerrado es nulo; o lo que

es lo mismo, la misma cantidad de carga que entra en el recinto sale de l.
2.3. Conductividad, Ley de Ohm

2.3.1.
+
Conductividad elctrica
El modelo ms elemental de lo que sucede en un conductor real 2 supone que las cargas mviles del conductor responden a la aplicacin de un
campo elctrico externo acelerndose, pero que esta ganancia continua de
energa cintica es compensada por una prdida equivalente de energa
debida a las continuas colisiones que sufren las cargas mviles (electrones) con los restos atmicos fijos (iones cargados positivamente) del material conductor. Este proceso simultneo de aceleracin debido al campo
elctrico y desaceleracin debido a las continuas colisiones es estadsticamente equivalente a un movimiento promedio en el que la velocidad de
los portadores de carga permanece constante. 3
2 Es muy importante distinguir el presente caso de un conductor real con el caso de un
conductor perfecto que ya estudiamos en el Apartado 1.4. Debe recordarse que en el caso
de un conductor perfecto no exista campo elctrico en el interior del conductor. En el
presente caso de un conductor real s existir campo en el interior de dicho conductor.
3 Una situacin anloga la encontramos en la cada de las gotas de agua de la lluvia. Ca-
da gota de agua es acelerada por el campo gravitatorio y, a su vez, desacelerada en los

choques que sufre con las molculas de aire que se encuentra en su cada. El resultado
global es que las gotas de agua caen a velocidad aproximadamente constante.
Apuntes de FFI
FLML
51
El complicado proceso interno puede simularse globalmente considerando que el resultado de las colisiones puede modelarse mediante el efec~d = ~
to de una fuerza disipativa del tipo F
v a que se opone al movimiento.
Segn este sencillo modelo, la ley de movimiento de una de las partculas
cargadas en el interior de un conductor real vendra dada por
m
d~
va
~ ~
= qE
va .
dt
(2.8)
En la situacin estacionaria en la que la velocidad de desplazamiento de

las cargas permanece constante (esto es: d~
v a /dt = 0), sta podr expresarse, segn (2.8), como
q
~,
~
va = E
o equivalentemente como
~,
~
v a = E
(2.9)
donde se pone de evidencia la relacin lineal que existe entre la velocidad

de arrastre y el campo elctrico aplicado mediante el parmetro conocido como movilidad [sus unidades en el S.I. son m2 /(Vs)]. Este parmetro
depende del tipo de cargas y del material en el que stas se mueven.
Teniendo ahora en cuantq que ~
J = nq~
v a , el vector densidad de corriente puede escribirse como
~
~,
J = nqE
(2.10)
o bien
~
J=
nq 2
~.
E
(2.11)
La anterior expresin manifiesta la existencia de una relacin lineal entre

el vector densidad de corriente y el campo elctrico aplicado que puede
expresarse como
~
~ ,
J = E
(2.12)
Ley de Ohm para
~
J
~
E
siendo un parmetro asociado al material que se conoce como conductividad elctrica y que vendr dado por
Conductividad elctrica
nq
(2.13)
o bien por
= qn .
(2.14)
La conductividad elctrica mide el grado de conduccin elctrica de

los materiales, siendo mayor para aquellos materiales en los que la corriente elctrica fluye con ms facilidad (ntese que es inversamente proporcional al parmetro ).
E
vd
Es interesante notar que independientemente del signo de la carga,

dado que sta aparece al cuadrado en (2.13), el sentido de la corriente es
siempre el mismo que el del campo elctrico aplicado.
+
vd
FLML
J
J
Apuntes de FFI
Tema 2.
52
2.3.2.
Ley de Ohm circuital
Si un conductor filiforme (en forma de hilo) de conductividad se si~ , este campo elctrita en una regin donde existe un campo elctrico E
co penetra en el conductor (a diferencia de un conductor perfecto don~int = 0) y afectar a las cargas mviles dando lugar a una corriente
de E
elctrica. Segn (1.19), la integral de camino del campo elctrico entre dos
puntos del conductor ser justamente la diferencia de potencial entre esos
dos puntos, esto es,
Z 2
~ d~
E
l = V (1) V (2) V12 .
1
Esta diferencia de potencial entre dos puntos es usualmente denominada tensin elctrica, o simplemente tensin. Dado que el campo elctrico
puede relacionarse con la densidad de corriente mediante la ley de Ohm
(2.12), se tiene que
Z 2~
J ~
V12 =
dl .
(2.15)
1
E
J
l
Supuesto que en el conductor filiforme de seccin transversal S, el vector

densidad de corriente pueda escribirse como
~
J=
u
S
(2.16)
el vector unitario en la direccin del conductor), el clculo de la

(siendo u
integral de camino (2.15) ser entonces
2
V12 =
Z 2
Z 2
~
J ~
I
l
I
d~
u
l=
dl =
dl =
I,
S 1
S 1
S
(2.17)
donde l es distancia entre los puntos 1 y 2.
Ley de Ohm circuital
Resistencia de un conductor
liforme
Obsrvese que se ha obtenido una relacin lineal entre la diferencia de

potencial entre dos puntos del conductor y la intensidad de la corriente
elctrica que circula por l. Esta relacin se puede escribir de forma genrica como
V = RI
(2.18)
que se conoce como ley de Ohm circuital (enunciada por G.S. Ohm en
1827), donde el parmetro R, denominado resistencia del material, es para
el conductor filiforme
l
.
(2.19)
R=
S
La resistencia es una caracterstica de cada conductor que depende de
su constitucin material (a travs de ) y de su geometra. La unidad de
resistencia en el SI es el ohmio (), siendo
Unidad de Resistencia:
1 ohmio ()
1 ohmio =
1 voltio
1 amperio
1 = 1 V/A .
A diferencia de lo que ocurre en un conductor perfecto, que es equipotencial, la presencia de una resistencia (esto es, la existencia de una prdida de
Apuntes de FFI
FLML
53
energa de los portadores de carga mviles debido a las colisiones con los
restos atmicos fijos) se manifiesta en una cada de potencial, o tensin, a
lo largo del conductor real si ste es recorrido por una corriente.
A partir de (2.19) podemos deducir que las unidades de conductividad
son inversamente proporcional a la resistencia y longitud, por lo que
las unidades de conductividad suelen darse en (m)1 . La conductividad
elctrica es una de las magnitudes que ms varan de un material a otro:
desde 1015 (m)1 para materiales muy poco conductores (dielctricos)
hasta 108 (m)1 en metales muy buenos conductores como el cobre o
la plata. Puesto que la conductividad de los metales suele ser muy alta y,
por tanto, su resistencia muy baja, en mltiples situaciones prcticas (por
ejemplo, en la mayora de los circuitos) se considera que no hay cada de
potencial en los conductores metlicos sino que toda la cada de potencial
se da en unos elementos especficos de menor conductividad llamados resistencias.
2.3.3.
Unidad conductividad elctrica:
1 (m)1
A R
V12=VAB
Efecto Joule
En los apartados anteriores se ha discutido que la presencia de corriente elctrica en un conductor real lleva aparejado un proceso disipativo de
energa fruto de las continuas colisiones de los portadores mviles con los
restos atmicos fijos. Este proceso disipativo implica una prdida de energa cintica de los portadores de carga en forma de calor que se transmite al
material conductor y a su entorno. La presencia de una cada de potencial
en un conductor real (cuando ste es recorrido por una corriente elctrica) provoca que para desplazar un diferencial de carga, dq, desde el punto
de potencial V1 al punto de potencial V2 , el campo elctrico externo deba
realizar un trabajo. Si la diferencia de potencial entre estos dos puntos se
expresa de forma general como V = V1 V2 , este trabajo viene dado, segn
(1.37), por
V1
V2
E
dq
dW = dq(V1 V2 ) = dqV .
Teniendo ahora en cuenta que el elemento de carga, dq, es parte de una
corriente I que circula por el conductor, podremos escribir que: dq = I dt ;
por lo que el diferencial de trabajo realizado por el campo podr expresarse
como
dW = I V dt .
(2.20)
En consecuencia, el ritmo temporal con el que se realiza este trabajo, que

coincidir con la potencia, P = dW /dt , disipada en forma de calor en la
resistencia, vendr dado por
P = I V = I 2 R = V 2 /R .
(2.21)
Ley de Joule
Esta ley para la potencia disipada en una resistencia fue deducida experimentalmente por J.P. Joule sobre 1841.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
54
E JEMPLO 2.2 Dos conductores de la misma longitud y el mismo radio se conectan

a travs de la misma diferencia de potencial. Si uno de los conductores tiene el doble de resistencia que el otro, cul de los dos conductores disipar ms potencia?
Si la resistencia del conductor 1 es R 1 = R y la del conductor 2 es R 2 = 2R, entonces, de acuerdo con la expresin (2.21), las potencias disipadas en cada conductor son:
P1
V2 V2
=
R1
R
P2
V2 V2
=
,
R 2 2R
por lo que:
P 1 = 2P 2 .
Esto quiere decir que, supuesta igual la diferencia de potencial en los conductores, aquel conductor con menor resistencia es el que disipa mayor cantidad de
potencia.
Qu ocurrira si los conductores anteriores fuesen recorridos por la misma
intensidad?
2.4.
Fuerza electromotriz
Antes de analizar cmo puede mantenerse en la prctica una corriente

elctrica continua, detengmonos un momento en el anlisis de una corriente continua de masa. En el dibujo adjunto se muestras bolitas que
se mueven en el interior de un tubo cerrado sobre s mismo. La cuestin
es: puede existir un flujo constante de masa en la situacin anterior?. Obviamente, bajo el efecto nico del campo gravitatorio, una bolita que sale
de la parte superior no podr llegar a un punto ms alto que aqul desde
el cual ha partido y, por tanto, no puede producir un movimiento circular
continuo (es decir, la bolita no puede alcanzar un punto de potencial gravitatorio mayor que el de partida). No obstante, si adems consideramos la
presencia inevitable de rozamiento, habr una perdida adicional de energa cintica transformada en calor que provocar que la bolita no alcance
el punto terico de mxima altura sino uno de menor altura. En resumen,
la bolita en el dispositivo anterior no podr realizar un movimiento circular
mantenido sino que realizar un movimiento oscilatorio que desaparecer
tras unas cuantas oscilaciones. Por tanto, podemos afirmar que el campo
gravitatorio, que es conservativo, no es capaz de mantener por s mismo
una corriente continua de masa. Para conseguir una corriente continua de
masa debe aadirse al sistema anterior un elemento que proporcione el
empuje adicional necesario a las bolitas para que puedan continuar su
movimiento. Claramente, este elemento adicional debe producir un campo de naturaleza distinta al gravitatorio (esto es, no conservativo).
Apuntes de FFI
FLML
2.4. Fuerza electromotriz
55
La misma cuestin puede ahora plantearse respecto a si un campo

electrosttico puede mantener una corriente continua de cargas elctricas. En este caso, y debido a la naturaleza conservativa del campo electrosttico, la respuesta sigue siendo NO, por razones anlogas a las del caso
anterior. En otras palabras, el trabajo por unidad de carga que realiza el
~s , en un recorrido circular de la carga es nulo,
campo electrosttico, E
I
W
~s d~
= E
l =0,
q
~s (ver la expresin (1.18)). Dado que
debido al carcter conservativo de E
en cualquier situacin real siempre existe una prdida de energa debido
al efecto Joule, para mantener un flujo continuo de cargas debemos introducir un elemento externo que proporcione a las cargas mviles el impulso externo necesario para compensar esta perdida constante de energa.
El agente de este impulso externo a las cargas no puede ser claramente un
campo electrosttico pues ste proporcionara siempre una energa nula
por ciclo.
Puesto que el impulso sobre los portadores mviles puede estar localizado en una parte concreta del circuito o bien distribuido a lo largo de ste,
lo que importa es la integral a lo largo de todo el circuito de la fuerza por
unidad de carga, ~
f , que origina este impulso. La circulacin de esta fuerza
por unidad de carga se conoce como fuerza electromotriz, , (denotada
usualmente como fem):
I
~
=
f d~
l,
(2.22)
Fuerza electromotriz (fem)
circuito
esto es, la fuerza tangencial por unidad de carga integrada sobre la longitud del circuito completo (esta cantidad es igual a la energa por unidad
de carga suministrada en cada ciclo por el agente externo). Debe notarse
que la denominacin de fuerza electromotriz es un poco desafortunada,
dado que no tiene unidades de fuerza sino de fuerza por unidad de carga
(o sea, de campo elctrico) y por longitud, que son precisamente unidades
de potencial elctrico (recurdese que, segn (1.19), la diferencia de potencial se define como la integral de camino del campo electrosttico). Por
consiguiente, las unidades de fuerza electromotriz son voltios. No obstante, es importante aclarar que la fuerza electromotriz NO es una diferencia
de potencial,
6= V ,
~s
puesto que el agente de fem no puede ser un campo electrosttico, E
Unidad de fem : 1 voltio (V)
(campo de circulacin nula), sino un campo de naturaleza no electrostti~m . El agente fsico concreto resca que llamaremos campo electromotor, E
ponsable de este campo electromotor puede ser muy diverso, por ejemplo:
fuerzas de origen qumico en una batera, fuerza mecnica en un generador de Van der Graaff, la luz en una clula fotoelctrica, la presin mecnica en un cristal piezoelctrico, etc...
Podemos, por tanto, establecer que la existencia de una corriente elctrica continua en un circuito requiere la accin de un agente externo, usualmente denominado generador de fem (o tambin, fuente de tensin), que
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
56
F IGURA 2.1: (a) Esquema fsico de la accin de un generador de fuerza

electromotriz. (b) Representacin circuital del esquema anterior
proporcione el campo electromotor necesario para empujar las cargas

positivas/negativas hacia potenciales crecientes/decrecientes en contra del
efecto del campo electrosttico. Este hecho queda de manifiesto en la Fig. 2.1(a),
donde al realizar la circulacin del campo elctrico total,
~T = E
~s + E
~m ,
E
(2.23)
suma del campo electrosttico ms el electromotor, obtenemos

=
=
~T d~
E
l=
2
1
~s d~
E
l+
~m d~
E
l
~m d~
E
l,
(2.24)
esto es, la fuerza electromotriz es justamente la integral de camino del

campo electromotor entre los puntos 1 y 2 (recurdese que la circulacin
del campo electrosttico es nula). En trminos circuitales, la representacin de la situacin anterior se muestra en la Fig. 2.1(b).
2.4.1.
Potencia suministrada por el generador
El trabajo que realiza el generador (en concreto, el campo electromo~m ) para mover un diferencial de carga dq vendr dado por
tor, E
I
dW = dq
~m d~
E
l = dq .
(2.25)
Puesto que este diferencial de carga forma parte de una corriente, tendremos que dq = I dt y por tanto
dW = I dt .
Potencia suministrada por el

generador de fem
Apuntes de FFI
(2.26)
De la expresin anterior podemos deducir que la potencia, P , suministrada

por el generador es
P = I .
(2.27)
FLML
2.5. Reglas de Kirchho
57
2.5. Reglas de Kirchhoff

2.5.1. Regla de Kirchhoff de las tensiones
~T = E
~ s +E
~m , entre
Si calculamos la integral de camino del campo total, E
los puntos 1 y 2 de la rama (asociacin de elementos en serie recorridos por
la misma intensidad) mostrada en la figura adjunta, tendremos que
2
Z
1
~T d~
E
l=
Z
1
~s d~
E
l+
Z
1
~m d~
E
l.
(2.28)
Ahora bien, segn la expresin (2.12), el primer miembro de la expresin

anterior se puede reescribir como
2
Z
1
~T d~
E
l=
Z
1
~
J ~
dl .
(2.29)
Suponiendo vlida la expresin (2.16) y operando obtenemos que

2
Z
1
~T d~
E
l=
Z
1
Z 2
~
J ~
I
dl =
dl = I R .
1 S
(2.30)
El sentido de la intensidad se supone inicialmente fluyendo en el sentido de

recorrido del punto 1 al punto 2.
El primer trmino del segundo miembro en (2.28) es justamente la integral de camino del campo electrosttico entre los puntos 1 y 2; esto es, la
diferencia de potencial entre ambos puntos (o tensin):
2
Z
1
~s d~
E
l = V12 .
Dado que el segundo trmino es, por definicin, la fuerza electromotriz del
generador, la expresin (2.28) puede reescribirse como
I R = V12 + ,
(2.31)
V12 = I R .
(2.32)
o bien:
Es interesante notar que si entre los puntos 1 y 2 slo existiese el generador de fuerza electromotriz (R = 0), de acuerdo con la ecuacin anterior, la
cada de tensin V21 sera numricamente igual al valor de la fuerza electromotriz del generador (V21 = ). Esta misma igualdad se dara tambin si
no circulase intensidad por la rama aunque R 6= 0.
Si en vez de una sola resistencia y generador tenemos una rama con
varios de ellos, entonces, la aplicacin del anterior razonamiento nos dice
que
V12 = I (R 1 + R 2 + R 3 ) (1 + 2 ) ,
que de forma general se puede escribir como
X
X
V12 = I R j i ,
(2.33)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
58
donde el signo de la correspondiente i se toma segn el siguiente criterio:

(
~m = sentido recorrido 1 2
+ si sentido E
sign() =
~m 6= sentido recorrido 1 2 .
si sentido E
En un caso todava ms general como el que se muestra en la Fig. 2.2,
donde tenemos varias ramas recorridas por diferentes corrientes, el clcu-
F IGURA 2.2: Diversas ramas recorridas por distintas intensidades.
lo de la integral de camino entre los puntos 1 y 2 nos dice que

V12 = [I 1 R 1 I 2 R 2 + I 3 (R 3 + R 4 )] (1 + 2 ) ,
donde el signo de la intensidad, I j , se toma de acuerdo al siguiente criterio:
sign(I j ) =
(
+ si sentido I j = sentido recorrido 1 2
si sentido I j 6= sentido recorrido 1 2 .
En general, la expresin anterior se puede expresar como

Regla de Kirchho para
V12 =
la tensin.
X
j
IjRj
i ,
(2.34)
(donde R j es la resistencia total de la rama j recorrida por la intensidad I j )

y se conoce como regla de Kirchhoff para la tensin.
2.5.2. Regla de Kirchhoff de las intensidades
dS1
dS2
Si la expresin (2.7) se aplica a un trozo de un cable tal como se muestra

en la figura adjunto, sta dice que
I
Z
Z
~
~
~
~
~
J dS =
J dS +
J d~
S
S
S1
S2
=~
J ~
S1 + ~
J ~
S 2 = I + I = 0 .
dS2
J2
dS1
J1
S1
S2
S3
=~
J1 ~
S1 + ~
J2 ~
S2 + ~
J3 ~
S 3 = I 1 + I 2 + I 3 = 0 ,
J3
dS3
Apuntes de FFI
Para el caso de tres ramas de un circuito que confluyen en un nodo, al

aplicar (2.7) obtenemos:
I
Z
Z
Z
~
~
~
~
~
~
~
J dS =
J dS +
J dS +
J d~
S
donde los valores de las distintas intensidades sern negativos (si la carga
entra en el recinto) o positivos (si la carga sale del recinto).
FLML
2.6. Resolucin de circuitos de corriente continua
59
Si la expresin anterior se generaliza para un nodo con N ramas, se

obtiene la regla de Kirchhoff para las intensidades:
N
X
Ii = 0 ,
(2.35)
i =1
Regla de Kirchho para

las intensidades
que establece que

la suma de todas las intensidades en un nodo es nula.

Denominaremos circuito de corriente continua (cc) a la interconexin
de un nmero arbitrario de resistencias y generadores de cc. La interconexin puede tener cualquier topologa, siendo la ms simple la mostrada
en la figura adjunta. La aplicacin de las dos reglas de Kirchhoff anteriores
conducir, en general, a un sistema de ecuaciones, cuya resolucin nos dar los valores de las magnitudes buscadas. Para el caso simple de la figura
adjunta, tendremos que solo existe una intensidad, I , que recorre el circuito. La aplicacin de la regla de Kirchhoff (2.32) para la tensin al anterior
circuito (recorrido en el sentido horario desde el punto 1 hasta l mismo)
dice que
V11 = 0 = I R ,
por lo que la intensidad ser
I = /R .
Para un circuito ms complejo como el mostrado en la Fig. 2.3, tomamos
F IGURA 2.3: Circuito de corriente continua con dos mallas.
como incgnitas las intensidades que recorren cada rama: I a , I b e I c . Las

reglas de Kirchhoff dan lugar al siguiente sistema lineal de tres ecuaciones:
I a R a + I b R b = a b
(2.36a)
I c R c + I b R b = c b
(2.36b)
Ib = I a + Ic ,
(2.36c)
que tras sustituir I b queda como
FLML
I a (R a + R b ) + I c R b = a b
(2.37a)
I a R a + I c (R b + R c ) = c b .
(2.37b)
Apuntes de FFI
Tema 2.
60
La resolucin del anterior sistema por cualquiera de los mtodos conocidos permitir obtener las intensidades en cada una de las ramas.
2.6.1. (*) Mtodo de las corrientes de malla

Existen algunas mtodos que permiten resolver los circuitos lineales
(circuitos cuyos componentes muestran una relacin lineal entre la intensidad y la tensin) planteando de forma sistemtica un sistema de ecuaciones para ciertas variables auxiliares. Uno de estos mtodos es el conocido
como mtodo de las corrientes de malla. Este mtodo simplemente reorganiza las expresiones resultantes de la aplicacin de las reglas de Kirchhoff, de modo que las variables incgnitas son las denominadas intensidades de malla. Antes de presentar el mtodo, es conveniente determinar
con precisin el significado de ciertas denominaciones:
Rama: Conexin en serie de componentes.
Nodo: Punto en el que concurren tres o ms ramas.
Red: Conjunto de nodos y ramas.
Malla: Recorrido de una red, tal que partiendo de un punto se vuelve a
l sin pasar dos veces por un mismo nodo.
En la aplicacin del mtodo, se debe empezar identificando un nmero mnimo de mallas que recubra completamente el circuito. En el caso del
circuito de la Figura 2.3, podemos comprobar que el circuito es recubierto por al menos dos mallas, siendo su eleccin ms trivial, la malla de la
izquierda (malla 1) y la de la derecha (malla 2). Para cada una de estas mallas definiremos su intensidad de malla respectiva (con su sentido) como
aquella intensidad que recorre la malla: I 1 e I 2 ; de modo que I 1 es la intensidad que recorre la rama a y parcialmente la rama b. Por su parte, la
intensidad de la rama b vendr dada por
Ib = I1 + I2 .
En general, el sistema planteado para las intensidades de malla, I j , es
el siguiente:
N
X
i =
Ri j I j
(i = 1, . . . , N ) ,
(2.38)
j =1
donde
N es el nmero de mallas;
i es la fem total de la malla, tomando el signo de cada f.e.m. parcial
positivo si el campo electromotor va en el mismo sentido que la intensidad de malla, y negativo en otro caso;
Apuntes de FFI
FLML
61
R i j es la resistencia total comn de la malla i y j , cuyo signo ser

sign(R i j ) =
(
+ si sentido I i = sentido I j
si sentido I i 6= sentido I j .
Si aplicamos la tcnica anterior al circuito de la Figura 2.3, obtendremos el siguiente sistema en forma matricial:

a b
R a + Rb
=
c b
Rb
Rb
Rb + Rc

I1
I2
(2.39)
E JEMPLO 2.3 Obtenga el sistema de ecuaciones para las intensidades de malla del
siguiente circuito de tres mallas
En el circuito de la figura adjunta definimos una intensidad para cada una de
las mallas sealadas, tomando el sentido de esta intensidad tal y como se muestra
en la figura. Siguiendo los criterios de signos ya sealados para las resistencias
y fuerzas electromotrices, encontramos que el sistema de ecuaciones escrito en
forma matricial que caracteriza al circuito es el siguiente:

1 4
R1 + R2 + R8
3 + 4 =
R 8
2
R 2
R 8
R5 + R6 + R7 + R8
R 5

R 2
I1
I 2
R 5
R2 + R3 + R4 + R5
I3
2.6.2. (*) Teorema de superposicin

En aquellos circuitos en los que existe ms de una fuente es a menudo
til el teorema de superposicin, que dice
La respuesta en cualquier elemento de un circuito lineal que
contenga dos o ms fuentes es la suma de las respuestas obtenidas para cada una de las fuentes actuando separadamente y
con todas las dems fuentes anuladas.
Para demostrar este teorema podemos partir del sistema de ecuaciones
que nos da el mtodo de anlisis de mallas,
[] = [R][I ] ,
(2.40)
[I ] = [R]1 [] .
(2.41)
o, equivalentemente,
Si ahora consideramos una descomposicin de las fuentes, de manera que
[] = []1 + []2 ,
FLML
(2.42)
Apuntes de FFI
62
Tema 2.
tendremos entonces que existe una descomposicin anloga para la intensidad,

[I ] = [R]1 [] = [R]1 []1 + [R]1 []2
= [I ]1 + [I ]2 .
(2.43)
La ecuacin anterior muestra que toda combinacin lineal de fem corresponde

a una combinacin lineal de intensidades.
E JEMPLO 2.4 Aplicar el teorema de superposicin para calcular la intensidad I b

en el circuito de la parte (a) de la gura.
El clculo de la corriente I b mediante la aplicacin del teorema de superposicin requiere la descomposicin de la excitacin provocada por las dos fuentes
en dos excitaciones distintas debidas a cada una de las fuentes actuando por separado. De esta manera
I b = I b,1 + I b,2 ,
y, por tanto, debemos resolver dos problemas ms simples segn muestra la parte
(b) de la figura. Para calcular I b,1 , tenemos que resolver el siguiente sistema:
a = I a R a + I b,1 R b
I b,1 R b = I c R c
I a = I b,1 + I c .
Asimismo para calcular I b,2 , se resolver
c = I c R c + I b,2 R b
I b,2 R b = I a R a
I c = I b,2 + I a .
Aunque el ejemplo anterior no muestra ninguna ventaja de clculo en

la resolucin del circuito, existen mltiples situaciones en las que la aplicacin de este teorema puede ser muy beneficioso para simplificar los clculos. Una situacin en la que este teorema muestra su utilidad se encuentra
cuando tengamos en un mismo circuito fuentes de corriente continua y de
corriente alterna. Algn ejemplo de esta situacin se mostrar en el tema
de corriente alterna.
2.6.3. (*) Teorema de Thevenin

Este teorema puede enunciarse de la siguiente manera:
En un circuito de CC que contenga resistencias y fuentes de fem
del cual salen dos terminales, stos pueden ser considerados a
efectos de clculo como los terminales de un circuito que contiene una nica fuente de tensin, TH , de valor igual a la diferencia de potencial que aparece entre los terminales, y una nica
resistencia, R TH , equivalente a la que aparece entre los terminales cuando se anulan todas las fuentes de fem del circuito.
Apuntes de FFI
FLML
63
F IGURA 2.4: Red compuesta por mltiples fuentes de fem y resistencias junto
con su circuito equivalente Thevenin.
El contenido del teorema puede interpretarse diciendo que todo circuito lineal activo con terminales de salida A y B puede sustituirse por una
fuente de tensin en serie con una resistencia (ver Fig. 2.4). Los valores
concretos de esta fuente de tensin y de la resistencia se determinan segn el procedimiento descrito por el propio teorema.
E JEMPLO 2.5 Calcular el equivalente Thevenin del circuito de la gura

Para aplicar el teorema de Thevenin, debemos calcular el valor de la resistencia y de la fuente de tensin de Thevenin.
En primer lugar calcularemos R TH , para lo cual debe obtenerse la resistencia
equivalente cuando se anula (cortocircuita) la fuente. En primer lugar obtenemos
la resistencia paralelo, R , debido a las resistencias de 60 y 40:
1
1
1
=
+
,
R 40 60
de donde R = 24. La resistencia Thevenin ser simplemente
26W
A
60W
40W
R TH = R + 26 = 50 .
Para obtener la fuente de tensin Thevenin, obtendremos la diferencia de potencial entre los terminales A y B dado que TH = V AB . La intensidad, I , que recorre el circuito ser
200 V
I=
=2A.
60 + 40
Teniendo en cuenta que por las ramas A o B no circula intensidad, tenemos
que: V AB = V A 0 B 0 y por tanto
TH = 40I = 80 V .
2.6.4. Balance de potencia

En los apartados 2.3.3 y 2.4.1 se ha discutido la potencia disipada en
una resistencia y la proporcionada por una fuente de tensin. En un circuito compuesto de varias fuentes de tensin y resistencias resulta evidente,
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
64
a partir del principio de conservacin de la energa, que la potencia total (energa por unidad de tiempo) disipada en todas las resistencias debe
coincidir con la potencia suministrada por el conjunto de todas las fuentes. En otras palabras, si tenemos N fuentes de tensin, cada una de ellas
suministrando una potencia dada por
P (n ) = I n n
(siendo I n la intensidad de la corriente que circula por la fuente n ) y M
resistencias, disipando cada una de ellas una potencia
P (R m ) = I m Vm
Potencia suministrada por todas
(siendo Vm e I m respectivamente la cada de tensin y la intensidad en la

resistencia R m ), entonces debe cumplirse que
las fuentes de tensin debe ser

igual a potencia consumida en
N
X
todas las resistencias
n=1
P (n ) =
M
X
P (R m ) ,
(2.44)
m=1
o equivalentemente,
N
X
n=1
I n n =
M
X
m=1
I m Vm =
M
X
2
Im
Rm =
m=1
M
X
Vm2 /R m .
(2.45)
m=1
2.7. Circuito RC. Carga y descarga de un condensador

Un circuito RC ser aquel formado por resistencias, condensadores y
generadores de fuerza electromotriz. La principal diferencia con los circuitos con generadores y resistencias que hemos visto hasta ahora reside
en el hecho de que el condensador sufre procesos temporales de carga y
descarga, lo que hace que la corriente que fluya por el circuito sufra una
variacin temporal, denominada transitorios, hasta que se alcanza finalmente un rgimen estacionario.
2.7.1. Descarga de un condensador

Veamos lo anteriormente expuesto en el proceso de descarga de un
condensador. Supongamos que el condensador de capacidad C ha sido
cargado previamente, adquiriendo una carga final Q 0 . Si como muestra la
Fig. 2.5 el interruptor se cierra en el instante t = 0, entonces empezar a
fluir carga desde una placa a otra del condensador a travs del circuito con
la resistencia R. Ciertamente este proceso continuar hasta que se anule
la carga en las placas del condensador (y consecuentemente la diferencia
de potencial entre dichas placas). La ecuacin que rige el anterior proceso
viene dada por la regla de Kirchhoff de las tensiones, que nos dice que
VC = VR .
Apuntes de FFI
(2.46)
FLML
2.7. Circuito RC. Carga y descarga de un condensador
65
F IGURA 2.5: Esquema de la descarga de un condensador a traves de un circuito

con una resistencia.
Teniendo en cuenta que VC = Q/C y que VR = R I = RdQ/dt ,4 la ecuacin

anterior puede reescribirse como
dQ
Q
= R
C
dt
dQ
Q
+
=0.
dt RC
(2.47)
Notemos que la anterior ecuacin es una ecuacin diferencial, lo que significa que los distintos trminos de la ecuacin relacionan cierta funcin con
sus derivadas. En otras palabras debemos encontrar la funcin Q(t ) cuya
derivada sea igual a ella misma multiplicada por 1/RC . Es fcil reconocer
que la nica funcin cuya derivada es proporcional a ella misma es la funcin exponencial. En este sentido podemos comprobar que la solucin a la
ecuacin (2.47) es
Q(t ) = Q 0 et /RC ,
(2.48)
donde Q 0 es precisamente el valor de la carga en el condensador en el instante t = 0 (Q(0) = Q 0 ).
La expresion anterior nos dice que la carga en el condensador va decreciendo de forma exponencial, siendo el factor = RC , denominado constante de tiempo, el que rige el ritmo de decrecimiento. Podemos comprobar que para tiempos t & 4 la carga del condensador es prcticamente
despreciable y podemos considerar, a efectos prcticos, que el condensador ya se ha descargado.
Para calcular la intensidad de la corriente que fluye en el proceso de
descarga simplemente debemos derivar la expresin (2.48) para obtener
I (t ) = I 0 et /RC ,
(2.49)
donde I 0 es el valor de la intensidad de la corriente en el instante t = 0,

I (0) = I 0 = Q 0 /RC .
2.7.2. Carga de un condensador

El proceso contrario a la descarga del condensador ser precisamente
la carga de dicho condensador. En este proceso debemos contar con un
4 Tngase en cuenta que, en este caso, debemos escribir I = dQ/dt para que est de
acuerdo con el hecho de que si disminuye la carga en la placa (+) del condensador, entonces la intensidad de la corriente sale del condensador (es decir, que tendr el mismo
sentido que el que hemos supuesto inicialmente en nuestro esquema del circuito).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
66
generador de fuerza electromotriz, , que nos proporcione la energa suficiente para llevar a cabo este proceso. Consideremos el circuito mostrado
en la Fig. 2.6. Si en el instante t = 0 cerramos el interruptor del circuito y su-
- Q(t )
+ Q(t )
I (t )
C
F IGURA 2.6: Esquema de la carga de un condensador a traves de un circuito con

una resistencia R y un generador de fuerza electromotriz .
ponemos el condensador inicialmente descargado Q(t = 0) = 0, entonces

a partir de dicho momento el generador provoca un movimiento de cargas
entre las placas del condensador que slo cesar cuando la diferencial de
potencial entre las placas del mismo se iguale al valor de la fuerza electromotriz. Aplicando la regla de Kirchooff de las tensiones al circuito tenemos
que
= VC + VR ,
(2.50)
ecuacin que podemos reescribir como

=
dQ
Q
+R
C
dt
dQ
Q
+
= .
dt RC R
(2.51)
Esta ecuacin diferencial es muy similar a (2.47) excepto en el miembro

no nulo de la derecha. La solucin es similar a la de (2.47) aunque ahora
debemos aadir un trmino ms, y as obtendremos que
Q(t ) = C +Q 0 et /RC .
(2.52)
El coeficiente Q 0 podemos obtenerlo a partir de la condicin inicial para

la carga, que nos deca que Q(t = 0) = 0. Aplicando esta condicin a (2.52)
obtenemos que
C +Q = 0
Q 0 = C ,
lo que nos permite escribir finalmente que
Q(t ) = C 1 et /RC .
(2.53)
Notemos que el proceso de carga viene caracterizado por una funcin

montonamente creciente, de manera que el trnsito de carga dura aproximadamente un tiempo t 4. Dependiendo de los valores de R y C este
intervalo de carga (y tambin el de descarga) puede durar desde tiempos
casi infinitesimales hasta tiempos del orden de segundos.
Apuntes de FFI
FLML
2.8. Transitorios en circuitos
RL
67
2.8. Transitorios en circuitos RL

Una situacin anloga a la estudiada en la seccin anterior se dara
tambin en un circuito como el mostrado en la figura adjunta, donde tenemos una batera de fem B que mediante un conmutador alimenta una
bombilla (o cualquier otro dispositivo). Desde un punto de vista circuital,
la bombilla puede considerarse como una resistencia de valor R. En esta
situacin encontramos que el nico flujo magntico que atraviesa el circuito es el autoflujo (ver Apartado 1.14.2). Aplicando la ley de Kirchhoff de
las tensiones a la configuracin anterior tendremos que la suma de las fem
existentes en el circuito debe ser igual a la cada de tensin en la resistencia. Dado que existen dos fuentes de fem, una debida a la batera, B , y otra
fem inducida, ind , debida a las variaciones temporales del autoflujo, la ley
de Kirchhoff dice que
B + ind = Ri .
(2.54)
Segn se discuti en el Apartado 1.14.2, el efecto de la fem inducida
poda incorporarse mediante la inclusin de un nuevo elemento de circuito (un inductor) que diese cuenta del parmetro L de autoinduccin del
circuito y donde hubiese una cada de potencial dada por
VL = L
di
.
dt
Desde un punto de vista circuital, el circuito que debemos resolver ser

el que se muestra en la figura adjunta con el conmutador en la posicin (1),
donde la intensidad i (t ) que circula por este circuito ser la solucin de
B = Ri + L
(1)
(2)
di
dt
di R
B
+ i=
.
dt L
L
(2.55)
La solucin de esta ecuacin diferencial viene dada por

R
i (t ) = I 0 e L t +
B
,
R
donde la constante I 0 se determina en funcin del valor de i (t ) en t = 0. En

el presente caso dado que i (0) = 0 [esto es, la intensidad era nula antes de
conmutar a la posicin (1)], se encuentra que I 0 = B /R y por tanto
i (t ) =
R
B
1 e L t .
R
(2.56)
La forma de i (t ) claramente muestra que esta intensidad no cambia bruscamente sino que el valor final B /R se alcanza aproximadamente tras un
tiempo t s 4L/R. Si L tiene un valor alto (esto es, si los efectos de induccin electromagntica son importantes) el valor final de la corriente tarda
ms tiempo en alcanzarse.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
68
Si ahora consideramos la situacin opuesta a la anterior, haciendo que

el conmutador pase a la posicin (2) en un instante que denominaremos
t = 0, la corriente que circula por el circuito en t = 0 ser entonces i (0) =
B /R. Dado que el segundo miembro de la ecuacin (2.55) desaparece, la
solucin para i (t ) en este caso ser
R
i (t ) = i (0)e L t
B R t
=
e L .
R
(2.57)
(2.58)
Podemos observar que, en este caso, la corriente no desciende a cero bruscamente sino que tardara aproximadamente un tiempo t s en alcanzar este
valor.
E JEMPLO 2.6 Calcular el calor disipado en la resistencia R 2 cuando el conmutador

pasa de la posicin 1 a la 2.
Supuesto que en t = 0 se realiza el cambio del conmutador de la posicin 1 a
la 2, podemos afirmar que el valor de la intensidad en este instante era
I0 =
,
R1 + R2
supuesto que el conmutador estuvo en la posicin 1 por un tiempo considerable

ver expresin (2.56). Para t > 0, la intensidad que recorre el circuito R 2 L ser,
segn (2.57),
i (t ) = I 0 e
R2
L
Dado que el calor disipado en la resistencia R 2 por unidad de tiempo viene dado
por
dW
P R2 =
= i 2 R2 ,
dt
el calor total disipado en esta resistencia, W , puede calcularse como
Z
W=
Z
P R2 dt =
i R 2 dt =
I 02 e
Z
= I 02 R 2
2R 2
L
2R 2
L
R 2 dt
t
dt .
Si en la integral anterior se introduce el siguiente cambio de variable:

t=
2R 2
se tiene que
W = I 02 R 2
L
2R 2
Z
0
1
e d = LI 02 .
2
El calor disipado en la resistencia es justamente la energa magntica que estaba

almacenada en el inductor [ver expresin (1.112)].
Apuntes de FFI
FLML
2.9. Corriente alterna
69
2.9. Corriente alterna

Entre las posibles dependencias temporales de la corriente I (t ) en los
circuitos, en este tema estudiaremos nicamente aqulla cuya variacin es
armnica, esto es, del tipo
I (t ) = I 0 cos(t + )
(2.59)
(ver Apndice C para una descripcin de las funciones armnicas). Las razones fundamentales para estudiar este tipo de corriente variable en el
tiempo, denominada de forma genrica corriente alterna, son dos:
1. Relevancia tecnolgica.
Desde un punto de vista tecnolgico, el uso de la corriente alterna es
muy conveniente debido a que sta es muy fcil de generar y su transporte puede realizarse fcilmente a altas tensiones (y pequeas intensidades) minimizando as las prdidas por efecto Joule (posteriormente,
por induccin electromagntica, la corriente alterna puede fcilmente
transformarse a las tensiones usuales de trabajo). Estas caractersticas
junto con su fcil aplicacin para motores elctricos hizo que, a partir de finales del siglo XIX, la corriente alterna se impusiera para uso
domstico e industrial y que, por tanto, la tecnologa elctrica se haya
desarrollado en torno a esta forma de corriente (en Europa la frecuencia de la corriente alterna es de 50 Hz). Una caracterstica adicional de
esta corriente es que su forma armnica se conserva cuando la corriente es modificada por el efecto de elementos lineales, a saber: resistencias, condensadores, bobinas, transformadores, etc.
2. Relevancia matemtica.
Debido a que cualquier funcin peridica puede expresarse como la
suma de diferentes armnicos (teorema de Fourier), el estudio de la corriente alterna constituye la base para el anlisis de seales variables en
el tiempo en redes lineales.
2.9.1. Generador de fem alterna

Anteriormente se ha sealado que una de las propiedades ms destacadas y que hacen ms tiles el uso de la corriente alterna es su fcil generacin. El generador de fem alterna basa su funcionamiento en la ley de induccin electromagntica de Faraday (ver Apartado 1.13.2), transformando energa mecnica en energa electromagntica (en una forma opuesta
a lo que hace el motor elctrico, ver Apartado 1.10.2). Un esquema bsico
de un generador de fem alterna se muestra en la figura 2.7, donde podemos observar que el flujo magntico que atraviesa la espira giratoria viene
dado por
Z
~ d~
~ |S cos ,
= B
S = |B
(2.60)
S
donde se ha supuesto que el campo magntico es uniforme en la regin

R
donde se mueve la espira y que S = S |d~
S| es el rea de la espira.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
70
F IGURA 2.7: Esquema bsico de un generador de fuerza electromotriz alterna.
Si el movimiento que se le imprime a la espira es un movimiento angular uniforme caracterizado por una velocidad angular constante (como
por ejemplo el que producira un chorro de vapor constante dirigido a unas
aspas conectadas con la espira), dado que = t + 0 , el flujo magntico
que atraviesa la espira puede expresarse como
~ |S cos(t + 0 ) .
(t ) = |B
(2.61)
Haciendo uso de la ley de induccin de Faraday (1.86), la fem (t ) inducida

en un conjunto de N espiras similares a la de la figura anterior ser
(t ) = N
d
~ |S sen(t + 0 ) ,
= N |B
dt
(2.62)
esto es, se ha generado una fem alterna que puede expresarse en general
como
(t ) = 0 cos(t + ) ,
(2.63)
~ |S y = 0 /2.
donde, en el presente caso, 0 = N |B
2.9.2.
I(t)
Relacin I V para Resistencia, Condensador y Bobina
Resistencia.
Segn se discuti en el Apartado 2.3.2, en corriente continua la relacin que exista entre la tension V y la intensidad I en una resistencia
caracterizada por R vena dada por la ley de Ohm, esto es: V = R I . Experimentalmente puede verificarse que la ley de Ohm sigue siendo vlida
para corrientes alternas y, por tanto, puede escribirse que5
V(t)
I (t ) =
V (t )
.
R
(2.64)
Condensador.
En la expresin (1.32) se defini la capacidad C de un condensador como la relacin entre la carga Q de las placas y la diferencia de potencial
5 Los signos ms y menos en la resistencia y en otros elementos en los circuitos de co-
rriente alterna indican los puntos de potencial ms alto y ms bajo en dichos elementos
cuando la corriente tiene el sentido supuesto en la correspondiente figura.
Apuntes de FFI
FLML
2.10.
Anlisis fasorial de circuitos de CA
71
V entre stas, esto es,
Q
.
(2.65)
V
Esta relacin se cumple igualmente para corriente alterna, de donde
puede deducirse que la carga variable en el tiempo, Q(t ), puede escribirse como
Q(t ) = CV (t ) .
(2.66)
C=
Al derivar la expresin anterior respecto al tiempo obtenemos la siguiente relacin entre la intensidad I (t ) y la tensin entre las placas
V (t ):
dV (t )
.
(2.67)
I (t ) = C
dt
I(t)
V(t)
Esta relacin indica que la derivada temporal de la diferencia de potencial entre las placas est relacionada linealmente mediante el parmetro C con la intensidad que llega al condensador.
Bobina.
Tal y como se expres en (1.104), el efecto de autoinduccin electromagntica de una bobina caracterizada por una inductancia L y recorrida por una intensidad I (t ) poda considerarse como una cada de
tensin en la bobina, V (t ), dada por
+
-
I(t)
+
L
V(t)
dI (t )
V (t ) = L
.
dt
(2.68)
La bobina puede considerarse, por tanto, como un elemento de circuito

que relaciona linealmente, mediante el parmetro L, la derivada temporal de la intensidad que circula por ella con la cada de tensin en la
misma.
2.10.
Dado que el estudio de la corriente alterna implica el tratamiento de

funciones con una dependencia temporal de tipo armnica, la introduccin de los fasores asociados a estas funciones simplificar enormemente
el clculo matemtico necesario. Tal y como se explica en el Apndice D,
a una funcin armnica I (t ) = I 0 cos(t + ) se le hace corresponder un
fasor I:
I (t ) I ,
que viene dado por
I = I 0 ej ,
(2.69)
I (t ) = Re Iejt
(2.70)
dI (t )
j I .
dt
(2.71)
de modo que
I asociado a
I (t ) = I 0 cos(t + )
Fasor
e igualmente
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
72
2.10.1.
Expresiones fasoriales para resitencia, condensador

y bobina
Haciendo uso de las relaciones fasoriales apropiadas es posible expresar las relaciones fundamentales para resistencias, condensadores y bobinas en la siguiente forma:
Resistencia.
La relacin (2.64) puede expresarse en forma fasorial como
I =
V
,
R
(2.72)
o bien
V = R I .
(2.73)
Condensador.
Para el condensador, haciendo uso de la propiedad (2.71), la relacin
(2.67) puede expresarse como
I = jC V ,
(2.74)
o equivalentemente
V =
1
I .
jC
(2.75)
La expresin anterior suele tambin escribirse como

V = jX C I ,
donde
XC =
1
C
(2.76)
(2.77)
se denomina reactancia capacitiva y se expresa en ohmios (). Esta

magnitud depende de la frecuencia tendiendo a cero para frecuencias
muy altas y a infinito para frecuencias muy bajas. Esto se manifiesta
en el hecho de que para frecuencias bajas el condensador se comporta
como un elemento que apenas deja fluir la corriente mientras que a
frecuencias altas casi no impide la circulacin de la corriente.
Bobina.
La relacin (2.71) para la bobina puede expresarse en forma fasorial como
V = jL I .
(2.78)
Si se define la reactancia inductiva, X L , como
X L = L ,
(2.79)
la expresin fasorial (2.78) puede tambin escribirse como

V = jX L I .
Apuntes de FFI
(2.80)
FLML
2.10.
73
La reactancia inductiva viene dada en ohmios y es un parmetro que

depende linealmente con la frecuencia, de modo que tiende a cero para
frecuencias bajas y a infinito para frecuencias altas. Podemos afirmar
entonces que la bobina se comporta como un elemento que se opondra al paso de la corriente a medida que la frecuencia de sta aumenta.
Es interesante observar que las relaciones tensin/intensidad para el
condensador y la bobina fueron expresadas en el Apartado 2.9.2 mediante expresiones diferenciales han podido ser ahora reescritas como simples
expresiones algebraicas mediante el uso de sus fasores asociados. Es ms,
se ha encontrado que el fasor V siempre puede relacionarse linealmente
con el fasor I mediante un parmetro genrico Z ,
V = Z I ,
(2.81)
que denominaremos impedancia y que, en general, es un nmero complejo (notar que NO es un fasor):
Z=
Resistencia
Condensador
jX C
jX
L
(2.82)
Impedancia
de
una
resistencia,
condensador y bobina
Bobina .
2.10.2. Reglas de Kirchhoff en circuitos de CA

Las reglas de Kirchhoff junto con las relaciones tensin/intensidad en
los distintos elementos que constituyen los circuitos nos permitirn determinar el comportamiento de las magnitudes elctricas en corriente alterna. Las reglas de Kirchhoff fueron introducidas en el Apartado 2.5 para los
circuitos de corriente continua, donde suponamos que se haba establecido una situacin estacionaria (es decir, las magnitudes no variaban en el
tiempo). En los circuitos de corriente alterna supondremos que las reglas
de Kirchhoff siguen siendo vlidas para cada instante de tiempo. En consecuencia podemos expresar las reglas de Kirchhoff de la siguiente manera:
I R EGLA DE K IRCHHOFF PARA LA TENSIN

V12 (t ) =
X
j
V j (t )
i (t ) ,
(2.83)
donde V j (t ) es la cada de potencial en el elemento j -simo y i (t ) es la

i -esima fem del recorrido.
En el ejemplo mostrado en la figura adjunta, la regla (2.83) nos dice que
V12 (t ) = [V1 (t ) V2 (t ) + V3 (t ) + V4 (t )] [1 (t ) + 2 (t )] .
FLML
Apuntes de FFI
74
Tema 2.
I R EGLA DE K IRCHHOFF PARA LAS INTENSIDADES

N
X
I i (t ) = 0 ,
(2.84)
i =1
esto es, en cada instante de tiempo, la suma de todas las intensidades

que llegan y salen de un nudo es cero.
Las anteriores reglas pueden tambin expresarse en forma fasorial, adoptando entonces la siguiente forma:
Regla de Kirchhoff fasorial para la tensin
V12 =
V j
i ,
(2.85)
V12 =
Z j Ij
i ,
(2.86)
donde Z j es la impedancia del elemento j -simo recorrido por la intensidad fasorial Ij . En el ejemplo de la figura (siguiendo los criterios de
signos ya explicados para los circuitos de corriente continua), al aplicar
(2.86) obtenemos
V12 = Z1 I1 Z2 I2 + (Z3 + Z4 ) I3 1 + 2 .
Regla de Kirchhoff fasorial para las intensidades

N
X
Ii = 0 ,
(2.87)
i =1
es decir, la suma de todas las intensidades fasoriales que llegan y salen

de un nudo es cero.
2.10.3. Circuito RLC serie

Debemos observar que las reglas de Kirchhoff tal como han sido establecidas en (2.86) y (2.87) son idnticas a las reglas (2.34) y (2.35) establecidas para corriente continua, considerando que ahora tenemos fasores e
impedancias en vez de nmeros reales y resistencias. Como un ejemplo
sencillo de aplicacin de las leyes de Kirchhoff fasoriales consideraremos
a continuacin un circuito RLC serie en corriente alterna.
Si el generador de fem alterna proporciona una dada por
(t ) = 0 cos(t + ) ,
(2.88)
= 0 e j ,
(2.89)
cuyo fasor asociado es
Apuntes de FFI
FLML
2.10.
75
al aplicar la ley de Kirchhoff de las tensiones (2.83) al circuito de la figura

tendremos que
(t ) = VR (t ) + VC (t ) + VL (t ) ,
(2.90)
o bien en forma fasorial:

= VR + VC + VL .
(2.91)
Teniendo ahora en cuenta las expresiones fasoriales (2.73),(2.76) y (2.80),

se tiene que
=
R + j(X L X C ) I
= Z I ,
(2.92)
(2.93)
donde la impedancia, Z , del circuito RLC serie ser

Impedancia de un circuito
Z = R + j(X L X C ) ,
(2.94)
serie RLC
esto es, la suma de las impedancias de cada uno de los elementos del circuito. Esta impedancia puede tambin expresarse en forma mdulo y argumento como
Z = |Z |ej
(2.95)
donde
q
R 2 + (X L X C )2
(2.96)
X L XC
= arctan
.
R
(2.97)
|Z | =
y
Despejando en la expresin (2.93), el fasor intensidad puede calcularse

como
I = I 0 ej = .
(2.98)
Z
Sustituyendo ahora (2.89) y (2.95) en la expresin anterior, I puede reescribirse como
0 j()
I =
e
,
|Z |
de donde concluimos que la amplitud y fase del fasor intensidad vienen
dados por
0
I0 = p
(2.99)
2
R + (X L X C )2
y
X L XC
.
= arctan
R
(2.100)
Obviamente, la expresin temporal de la intensidad puede obtenerse al

sustituir las expresiones anteriores para I 0 y en I (t ) = I 0 cos(t + ).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
76
2.10.4. Resonancia
Si la amplitud de la intensidad para el circuito serie RLC, segn se ha
obtenido en (2.99), se expresa explcitamente como una funcin de la frecuencia, obtendramos que
0
1 2
R 2 + L
C
I 0 () = s
(2.101)
I 0 () = s
2 .
1
L
R 2 + 2 2
LC
(2.102)
Definiendo la frecuencia 0 como

20 =
1
,
LC
(2.103)
podemos reescribir (2.102) como

I 0 () = q
,
2 2
2
2
2
2
R + L 0
(2.104)
donde puede observarse que la amplitud de la intensidad en el circuito

serie RLC depende claramente de la frecuencia y presenta un mximo absoluto para un valor de frecuencia = 0 . Este fenmeno se conoce en
general como resonancia y aparece en mltiples situaciones prcticas (por
ejemplo, en los osciladores forzados). La frecuencia, r , a la que aparece el mximo de amplitud recibe el nombre de frecuencia de resonancia,
siendo para el circuito serie RLC: r = 0 ; cumplindose adems a esta frecuencia que X L = X C , por lo que, segn (2.97), la impedancia es puramente
real. Los fenmenos de resonancia tienen mltiples aplicaciones prcticas;
por ejemplo, si el circuito serie RLC se utiliza como el circuito de sintona
de una radio, la capacidad del condensador puede variarse de modo que
la frecuencia de resonancia vaya cambiando, sintonizndose as las diferentes emisoras (esto es, la emisora que emita con frecuencia igual a la de
resonancia es la que se recibira con ms intensidad).
2.10.5. (*) Anlisis de mallas

La resolucin del circuito RLC serie en corriente alterna ha puesto de
manifiesto que mediante el uso de los fasores y de la impedancia asociada
a cada elemento, la resolucin de un circuito de corriente alterna es equivalente a la de uno de corriente continua en la que las magnitudes intensidad y tensin son ahora fasores y las impedancias juegan el papel de resistencias. De este modo, todas las tcnicas introducidas en el Tema 2 para
Apuntes de FFI
FLML
2.10.
77
la resolucin de circuitos de corriente continua pueden ser ahora aplicadas a la resolucin de circuitos de corriente alterna, teniendo en cuenta las
equivalencias antes mencionadas.
Como ejemplo, un circuito como el mostrado en la Figura 2.8 puede
F IGURA 2.8: Circuito de tres mallas
resolverse mediante la aplicacin del mtodo de las corrientes de mallas.

Definiendo los fasores intensidades de malla en cada una de las tres mallas
del circuito segn se muestra en la figura y teniendo en cuenta el valor
de las impedancias de cada uno de los elementos implicados, la ecuacin
para las intensidades de malla puede escribirse como

1

0 = Zi j
0
I1
I2 ,
I3
donde la matriz de impedancias viene dada por
j (X L1 X C 1 )
0
j XC 1
.
0
R 1 + j(X L2 X C 2 )
jX L2
=
j XC 1
jX L2
R 2 + j(X L2 X C 1 )
Zi j
Para los clculos en los ejercicios es siempre conveniente trabajar con

nmeros sustituyendo las expresiones algebraicas por sus valores numricos concretos antes de resolver el correspondiente sistema de ecuaciones.
E JEMPLO 2.7 En el circuito de la gura, determine las intensidades fasoriales,

I1 , I2 e I3 y las instantneas, i 1 (t ), i 2 (t ) e i 3 (t ).
Datos: (t ) = 20 sen(4 104 t )V, R1 = 8, R2 = 4, L = 0,2mH y C = 3,125F .
Lo primero que debemos hacer es obtener los fasores fuerza electromotriz y
las impedancias de cada elemento. Dado que la fuente proporciona una fem de
valor
(t ) = 20 sen(4 104 t ) V = 20 cos(4 104 t /2) V ,
de aqu obtenemos que la frecuencia angular, , de la fuente es
= 4 104 rad/s
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
78
y su correspondiente fasor asociadao es

= 20e j/2 = j20 V .
Para obtener las impedancias de la bobina y los condensadores, debemos calcular primero las reactancias inductivas y capacitivas, esto es,
X L = L = 4 104 2 104 = 8
1
1
XC =
= 8 ,
=
C 4 104 3,125 106
por lo que el circuito equivalente que debemos resolver es el mostrado en la figura
adjunta.
Las ecuaciones para las intensidades fasoriales de malla, I1 e I2 , son

j20
8 j8 j8 I1
=
,
0
j8
4
I2
o bien simplificando al dividir por 4:

j5
2 j2
=
0
j2
j2
1

I1
.
I2
Las intensidades de mallas pueden ahora calcularse usando, por ejemplo, el mtodo de sustitucin. As de la segunda ecuacin obtenemos
I2 = 2 j I1 ,
que al sustituir en la primera ecuacin, nos lleva a que
j5 = (2 j2) I1 j2 j 2 I1 = (2 j2 + 4) I1 = (6 j2) I1 .
Despejando tenemos que
I1
j5
6 j2
j5(6 + j2)
(6 j2)(6 + j2)
j5(6 + j2)
58
j6 + 2
8
1 j3
4
y sustituyendo ahora este valor para obtener I2 , obtenemos

I2 =
2 j (1 j3) 3 + j
=
.
22
2
Para calcular ahora el fasor I3 , asociado a i 3 (t ), debemos tener en cuenta que

I3 = I1 I2 ,
por lo que
I3 =
1 j3 3 + j 1 j3 6 j2 5 j5
=
=
.
4
2
4
4
Antes de obtener las expresiones de las intensidades instantneas es conveniente expresar los fasores anteriores en forma mdulo y argumento:
p
p
10 j arctan(3)
10 j1,249
I1 =
e
=
e
4
4
p
p
10 j arctan(1/3)
10 j0,291
I2 =
e
=
e
2
2
p
p
5 2 j arctan(1/1) 5 2 j5/4
I3 =
e
=
e
.
4
4
Apuntes de FFI
FLML
2.11.
Potencia en circuitos de CA
79
(Notar que I3 se encuentra en el tercer cuadrante, por lo que su fase ser +/4 =
5/4).
Finalmente las intensidades instantneas vienen dadas por
p
10
cos(4 104 t 1,249) A
i 1 (t ) =
4
p
10
cos(4 104 t + 0,291) A
i 2 (t ) =
2
p
5 2
i 3 (t ) =
cos(4 104 t + 5/4) A .
4
2.11.
I(t)
2.11.1.
Potencia media
Consideremos una rama de un circuito de CA caracterizada por una

impedancia Z que puede representar un solo elemento o bien una red de
resistencias, condensadores y bobinas dispuestas de forma arbitraria. Si
dicha impedancia viene dada por
V(t)
Z = |Z |ej ,
entonces, imponiendo que el fasor tensin, V , tenga fase nula (este hecho
no afecta a las conclusiones y resultados del presente apartado),
V = V0 ,
(2.105)
encontramos que
I =
V
V0 j
V0
=
=
e
j
Z |Z |e
|Z |
= I 0 ej ,
(2.106)
de donde obtenemos que la amplitud del fasor intensidad viene dada

I0 =
V0
|Z |
(2.107)
y su fase ser .
En esta situacin tendremos las siguientes tensin e intensidad instantneas:
V (t ) = V0 cos(t )
I (t ) = I 0 cos(t ) ,
lo que nos dice que la potencia instantnea, P (t ), consumida en dicha rama vendr dada por la siguiente expresin:
P (t ) = I (t )V (t ) = I 0V0 cos(t ) cos(t ) ,
FLML
(2.108)
Apuntes de FFI
Tema 2.
80
donde debemos observar que dicha potencia es una funcin variable y peridica en el tiempo (T = 2/). Debido al carcter variable y peridico de
esta magnitud, la idea de potencia consumida en el sistema puede relacionarse ms convenientemente con la potencia media en un periodo (o,
equivalentemente, en varios de ellos), P med , cuya expresin ser
1
P med = P (t ) =
T
P (t )dt .
(2.109)
Esta potencia media es el valor que usualmente se proporciona al referirnos al consumo de cualquier aparato elctrico en corriente alterna. Esta
magnitud nos da una idea clara de cmo se comporta el sistema puesto y
nos calcular la energa, E , consumida en el sistema durante un intervalo
de tiempo t T como
E ' P med t .
Usando (2.108) en (2.109) para obtener la potencia media tenemos que
Z T
1
I 0 V0
cos(t ) cos(t ) dt
T
0
Z T
Z T
1
= I 0V0 cos
cos(t ) sen(t ) dt
cos2 (t ) dt + sen
T
0
0
P med =
y dado que la segunda integral se anula mientras que la primera es 21 T ,

podemos concluir que
Potencia media consumida
P med =
1
I 0V0 cos = I efVef cos .
2
(2.110)
Es interesante observar que, desde un punto de vista operativo, la potencia media podra haberse calculado igualmente mediante la siguiente
expresin
1
1
P med = Re V I = Re V I .
(2.111)
2
2
2.11.2.
Factor de potencia
En la expresin (2.110) de la potencia media podemos apreciar que

junto al producto de las amplitudes de la tensin e intensidad aparece el
factor cos denominado factor de potencia y que podemos fcilmente relacionar con la impedancia mediante la expresin
cos =
Re (Z )
.
|Z |
(2.112)
Este factor de mxima importancia prctica es determinante en el consumo de potencia en el sistema puesto que su valor est comprendido en el
intervalo [0, 1] (debido a que la parte real de la impedancia no puede ser
negativa, esto impide la existencia de valores negativos para el factor de
potencia). Por ejemplo en redes compuestas nicamente de resistencias
Apuntes de FFI
FLML
2.11.
81
(o bien, en la resonancia), donde el desfase entre la tensin y la intensidad

es nulo, el factor de potencia es uno y consecuentemente el consumo de
potencia es mximo. Por el contrario si el desfase entre la tensin y la intensidad fuese de /2 el consumo de potencia sera nulo. Esto se dara en elementos reactivos (bobinas y/o condensadores) puesto que en los mismos
no se produce efecto Joule y no hay consumo de potencia (recordemos que
son elementos donde se almacena la energa magntica/elctrica).
No hay consumo de potencia en

bobinas y condensadores
Teniendo en cuenta (2.112), la potencia media puede tambin expresarse como

P med = I efVef cos = I ef |Z |I ef
Re (Z )
2
= I ef
Re (Z )
|Z |
(2.113)
o expresiones equivalentes (en funcin de Vef ).
2.11.3.
Balance de potencia
La expresin (2.113) indica que la potencia media consumida est directamente relacionada con la parte real de la impedancia. Si el sistema
bajo estudio fuese un circuito serie, entonces la parte real de la impedancia vendra dada simplemente por la suma de las resistencias pero si el
circuito fuese de otro tipo, la presencia de las partes reactivas del circuito
(condensadores y bobinas) aparecern explcitamente en la parte real de la
impedancia. Ya hemos discutido que el consumo de potencia slo se lleva
a cabo en las resistencias y NO en las bobinas y condensadores. No obstante, esto no quiere decir que estos ltimos elementos no influyan en el
consumo de potencia, ms bien habra que decir que la potencia se disipa
en las resistencias pero que la presencia y disposicin de bobinas y condensadores determina ciertamente cunta potencia es disipada en estas
resistencias.
En el caso de un circuito alimentado por una fuente de tensin (ver
figura adjunta), un anlisis similar al del Apartado 2.11.1 nos dice que la
potencia instantnea suministrada por el generador de fuerza electromotriz (t ), que proporciona una corriente I (t ), viene dada por
P (t ) = (t )I (t ) ,
(2.114)
por lo que la potencia media suministrada por dicho generador ser

gen
P med
1
=
T
Z
0
1
(t )I (t )dt = Re I .
2
Potencia media suministrada por
(2.115)
un generador de fem
Dado que las potencias medias (2.115) y (2.110) representan fsicamente la energa por periodo proporcionada por la fuente y la consumida en el
circuito respectivamente, debe cumplirse que
la suma de las potencias medias suministrada por los generadores debe ser igual a la suma de las potencias medias
disipadas en las resistencias.
FLML
Apuntes de FFI
82
Tema 2.
E JEMPLO 2.8 En el circuito de la gura, comprobar que la potencia media suministrada por la fuente es igual a la suma de las potencias medias consumidas en
las resistencias.
Teniendo en cuenta que 1 = 8 y 2 = 4, tras resolver el circuito para obtener

las intensidades fasoriales de rama obtendramos que
p j/4
2e
mA
p j/4
I 2 = 1 j mA = 2 e
mA
I 3 = 2 mA .
I1 = 1 + j mA =
Los fasores tensin en las resistencias se obtienen simplemente multiplicando los

correspondientes fasores intensidad por el valor de la resistencia, de modo que
p
V2k = 2 2 ej/4 V
p
V4k = 4 2 ej/4 V .
La potencia media, P med , consumida en cada una de las respectivas resistencias
puede obtenerse segn (2.111) resultando
P med (R = 2k) = 2 mW
P med (R = 4k) = 4 mW .
Anlogamente la potencia media suministrada por cada una de las fuentes de

fem ser
1
P med (1 ) = Re I1 1 = 4 mW
2
1
P med (2 ) = Re I2 2 = 2 mW .
2
Obtenemos que la potencial media total suministrada por las fuentes coincide con la potencia media total consumida en las resistencias.
Apuntes de FFI
FLML
2.11.
83
E JEMPLO 2.9 En el circuito de la gura, calcular: (1) la intensidad (instantnea y

ecaz) que circula por la fuente; (2) la potencia media consumida por el circuito;
(3) el equivalente Thevenin entre los puntos A y B ; y (4) la energa almacenada
por la bobina de reactancia inductiva X L = 1,6 en un instante t .
1. Para calcular el fasor intensidad, I, que circula por la fuente, podemos calcular
en primer lugar la impedancia, Z , en serie con dicha fuente. Para ello notemos
que
1
1
1
=
+
= 0,18 + j0,08 = 0,2 ej0,418 ,
Z AB 6 + j8 3 j4
por lo que
Z AB = 4,6 j2 = 5 ej0,418
y, por consiguiente, encontramos que
Z = (1,2 + j1,6) + (4,6 j2) = 5,8 j0,4 = 5,8 ej0,069 .
Ahora podremos calcular el fasor intensidad a partir de
I =
10
=
= 1,72 ej0,069 ,
Z 5,8 ej0,069
de donde finalmente obtenemos que

I e = 1,72 A
I (t ) = 2,43 cos(100t + 0,069) A ,
recordando
que la amplitud de la intensidad instantnea, I 0 , vendr dada por
p
I 0 = I e 2.
2. Teniendo en cuenta que la potencia media consumida en el circuito ser idntica a la proporcionada por la fuente de fem, usando la expresin (2.115), tenemos que
1
P med = Re I = 10 1,72 cos(0,069) = 17,16 W .
2
3. Para calcular el equivalente es quizs conveniente dibujar el circuito original
en la forma mostrada en la figura adjunta. As para calcular la impedancia Thevenin, ZTH , tendremos que calcular la impedancia equivalente a las tres ramas
en paralelo resultantes tras cortocircuitar la fuente de fem, esto es,
1
1
1
=
+
,
ZTH 4,6 j2 1,2 + j1,6
que tras operar nos da
ZTH = 1,43 + j0,95 = 1,72 ej0,588 .
Para obtener el fasor de tensin Thevenin, VTH , notemos que debido a que las
tres ramas estn en paralelo
VTH = VAB = Z AB I = 8,6 ej0,349
resultado que tambin podra haberse obtenido si consideramos que
VTH = (1,2 + j1,6) I .
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
84
4. Para calcular la energa instantnea almacenada en la bobina debemos usar la

siguiente expresin:
1
Um (t ) = LI 2 (t ) ,
2
que al operar nos da
p
1 1,6
[1,72 2 cos(100t + 0,069)]2
2 100
= 0,015 cos2 (100t + 0,069) J .
Um (t ) =

Corriente continua
2.1: En un tubo fluorescente de 3 cm de dimetro pasan por un punto y por cada segundo
2 1018 electrones y 0,5 1018 iones positivos (con una carga +q e ) Cul es la intensidad
de la corriente en el tubo?.
Sol. 0,4 A.
2.2: Para saber la longitud del cable que ha sido arrollado en una bobina se mide la resistencia de este cable, encontrndose un valor de 5,18 . Si la resistencia de una longitud de
200 cm de este mismo cable es de 0,35 , cul era la longitud inicial del cable en la bobina?.
Sol.: l = 2960 cm.
2.3: a) Cul es el valor del mdulo del campo elctrico en el interior de un conductor de
cobre de resistividad = 1,72 108 m si ste est recorrido por una corriente elctrica de
densidad de corriente |~
J | = 2,54 106 A/m2 . b) Cul sera la diferencia de potencial entre
dos puntos separados 100 m?.
~ | = 43,7 mV/m; b) V = 4,37 V.
Sol.: a) |E
2.4: Cierto dispositivo mueve una carga de 1.5 C una distancia de 20 cm en una regin del
~ | = 2 103 N/C. Qu fuerza
espacio sometida a un campo elctrico uniforme de mdulo |E
electromotriz desarrolla el dispositivo?.
Sol.: = 400 V.
2.5: Cunto calor produce en 5 minutos una resistencia elctrica de hierro recorrida por
una intensidad de 5 A y sometida a una diferencia de potencial de 120 V?.
Sol. Calor 2,23 105 J.
2.6: Dos conductores de la misma longitud pero distinta rea de seccin transversal se
conectan en serie y en paralelo. Qu conductor de la combinacin disipar ms calor si
ambas son sometidas a la misma diferencia de potencial?.
Sol. Serie: el conductor con menor rea; Paralelo: el conductor con mayor rea.
2.7: En el circuito de la figura, determine: a) la corriente en cada resistencia; b) la diferencia de potencial entre los puntos a y b; y c) la potencia suministrada por cada batera.
Sol.: a) I 4 = 2/3 A, I 3 = 8 A, I 6 = 14/9 A; b) Vb Va = 28/3 V; c) 8 W suministradas por la
batera de la izquierda, 32/3 W suministrados por la otra.
2.8: Se dispone de dos bateras, una con 1 = 9 V, r 1 = 0,8 y otra con 2 = 3 V, r 2 = 0,4 .
a) Cmo deberan conectarse para dar la mxima corriente a travs de una resistencia R?.
b) Calcular la corriente para R = 0,2 y R = 1,5 .
Sol.: a) En paralelo para R pequeo, en serie para R grande; b) I 0,2 = 10,7 A, I 1,5 = 4,44 A.
Apuntes de FFI
FLML
85
2.9: Los condensadores del circuito de la figura estn inicialmente descargados. a) Cul
es el valor inicial de la corriente suministrada por la batera cuando se cierra el interruptor
S? b) Cul es la intensidad de la corriente de la batera despus de un tiempo largo? c)
Cules son las cargas finales en los condensadores?
Sol.: a) 3,42 A; b) 0,962 A; c) Q 10 = 260 C, Q 5 = 130 C.
2.10: En el circuito de la figura se conecta entre los puntos A y B una batera de 10 V y de

resistencia interna 1 . Determnese: a) la corriente por la batera; b) la resistencia equivalente entre A y B; c) la diferencia de potencial entre las placas de un condensador que se
conectase entre los nodos C y D.
Sol.: a) 32/7 A; b) 1,18 ; c) 4/7 V.
2.11: En el circuito de la figura, determinar: a) la intensidad en cada rama, b) la d.d.p. entre

a y b por todos los caminos posibles, c) la carga del condensador d) la potencia suministrada por las fuentes y la consumida por las resistencias.
Sol.: a) 0 A, 4/3 A, 4/3 A; b) 4 V; c) 12 C; d) suministradas: P ( = 4V ) = 0 W, P ( = 8V ) =
10,67 W; consumidas: P = 10,76 W.
2.12: Determnense las corrientes en el circuito de la figura.

Sol.: 1.1 A, 0.87 A, 0.73 A, 0.36 A, 0.15 A y 0.22 A.
2.13: En el circuito de la figura: a) determnense las corrientes; b) hgase el balance de

potencia.
Sol.: a) 7 A, 2 A y 5 A; b) suministrada: 560 W; consumidas: P (R = 10) = 490 W, P (R = 5) = 20
W, P (R = 2) = 50 W.
2.14: Determinar la corriente por R = 6 por dos mtodos: a) utilizando las leyes de
Kirchhoff; b) mediante el equivalente de Thvenin.
Sol.: a) i R=6 = 1 A ; b) VT h = 22/3 V y R T h = 4/3 , i R=6 = 1 A.
2.15: En el circuito de la figura determinar la potencia consumida en la resistencia de carga R y encontrar el valor de dicha resistencia para el cual la potencia antes calculada es
mxima. Compltese el estudio anterior representando grficamente la funcin potencia
consumida en R en funcin del valor de R.
Sol.: P (R) = 2 R(R + R g )2 ; P (R) es mxima si R = R g .
2.16: En el circuito de la figura calclese la intensidad que circula por la resistencia R =

3 utilizando dos tcnicas diferentes: a) leyes de Kirchhoff; b) aplicando sucesivamente el
equivalentes de Thvenin, primero entre los puntos A y B y seguidamente entre los puntos
C y D.
Sol.: a)=b) i R=3 = 21/29 A.
2.17: Plantear las ecuaciones de Kirchhoff para el circuito de la figura. Una vez planteadas,
considrese ahora que R 5 = R 3 y bajo esta hiptesis eljase un posible conjunto de valores
para las fuentes de tensin de forma que la intensidad que circula por la fuente 1 sea nula.
Sol.: Una posible solucin sera 1 = 1 V, 2 = 0 V y 3 = 2 V. Obsrvese que existen infinitas
soluciones.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
86
2.18: En el circuito de la figura encuntrese la relacin entre las resistencias R 1 , R 2 , R 3 y

R 4 para que la intensidad por la resistencia R sea nula.
Sol.: R 1 R 4 = R 2 R 3 .
Transitorios
2.19: Se dispone de un condensador de capacidad C asociado en serie a una resistencia R.
a) Determinar el tiempo necesario para que la carga alcance el 50 % de su valor final al
conectar la serie R-C a una fuente de tensin continua. b) Si una vez cargado con una carga
final Q 0 se procede a su descarga sustituyendo la fuente por un cortocircuito, encontrar el
valor de la energa cedida por el condensador en dicho proceso durante un tiempo t . En
qu se transforma dicha energa?
i
Q2 h
Sol.: a) t = RC ln 2; b) U = 0 1 e2t /(RC ) , la energa se transforma en calor disipado
2C
en la resistencia.
2.20: Teniendo en cuenta cmo se comporta un condensador en el instante inicial de un
proceso de carga (t = 0) y una vez que alcanza su carga final, a) determinar la intensidad
que circula por la fuente de la figura en el instante inicial de conexin y una vez que el
condensador ha alcanzado su carga final y obtener el valor de dicha carga. b) Si se repite
el proceso de carga en el circuito pero utilizando ahora una fuente de diferente valor de
forma que la carga final en condensador es ahora de 9 C, calcule la fuerza electromotriz
de la nueva fuente, la intensidad que la circula en el momento inicial del proceso de carga
y la que la circula una vez alcanzada la carga final.
Sol.: a) 50 mA, 30 mA, 3 C; b) 4, 5 V, 150 mA; 90 mA.
2.21: La intensidad que circula una bobina de inductancia L vara de acuerdo con la expresin i (t ) = I 0 (1 et / ), donde es una constante. Determnese: a) la corriente inicial
(t = 0) y final (t = ) en la bobina; b) las expresiones temporales de la energa magntica
en la bobina y de la potencia recibida por la misma; c) el instante de tiempo, t , en el cual
la potencia recibida es mxima; d) la energa final almacenada en la bobina (esto es, para
t = ).
LI 2
LI 0 et / i (t )
Li 2 (t )
, P (t ) =
; c) t = ln2; d) Um = 0 .
Sol.: a) i (0) = 0, i () = I 0 ; b) Um (t ) =
2
2
Corriente alterna
2.22: Una bobina de 200 vueltas posee un rea de 4 cm2 y gira dentro de un campo magntico. Cul debe ser el valor del mdulo de este campo magntico para que genera un
fem mxima de 10 V a 60 Hz?
Sol. 0,332 T.
2.23: Calcular el valor eficaz y la amplitud de la corriente de un secador elctrico de una
lavandera que proporciona 5,0 kW eficaces cuando se conecta a una red de a) 240 V eficaces y b) 120 V eficaces.
Sol.: a) I ef = 20,8 A, I 0 = 29,5 A ; b) I ef = 41,7 A, I 0 = 58,9 A.
2.24: Un determinado dispositivo elctrico consume 10 A eficaces y tiene una potencia
media de 720 W cuando se conecta a una lnea de 120 V eficaces y 60 Hz. a) Cul es el mdulo de la impedancia del aparato? b) A qu combinacin en serie de resistencia y reactancia es equivalente este aparato? c) Si la corriente se adelanta a la fem, es inductiva o
capacitiva la reactancia?
Sol.: a) |Z | = 12 ; b) R = 7, 2 , X = 9,6 ;c) Capacitiva.
2.25: Determine la amplitud, periodo y fase inicial de la funcin armnica f (t ) = 7,32 cos(3,8t +
/6) y represntela grficamente.
2.26: Obtenga la expresin dual de los siguientes nmeros complejos: z 1 = 3 + j4, z 2 =
4,6ej/3 .
Apuntes de FFI
FLML
87
2.27: Para los nmeros complejos del problema anterior, realice las siguientes operacioz
nes: z 1 + z 2 , z 1 z 2 , z 1 /z 2 , z 23 , ez1 , z 1 2 .
2.28: Usando fasores, calcule la funcin resultante u(t ) = u 1 (t )+u 2 (t ) si u 1 (t ) = 3 sen(2t )
y u 2 (t ) = 2 cos(2t ).
2.29: Obtenga el fasor asociado a la derivada de la funcin f (t ) = 3,2 cos(2,5t + /4).
2.30: En un nudo de una red concurren cuatro ramas. Las intensidades que recorren tres
de ellas son: i 1 (t ) = 3 cos(t ) A, i 2 (t ) = 4 cos(t + /4) A e i 3 (t ) = 2 cos(t + 5/4) A. Utilizando la tcnica de fasores, determinar la intensidad, i 4 (t ), en la cuarta rama.
Sol.: i 4 (t ) = 4,414 cos(t + 0,31) A.
i1(t)
i2(t)
i4(t)
i3(t)
2.31: En el circuito de la figura, determinar la d.d.p. entre los extremos de R 2 cuando se

conecta entre los terminales a y b: a) una fuente de continua de 100 V; b) una fuente de
alterna de valor eficaz 100 Vpy frecuencia f = 400/ Hz.
Sol.: a) 50 V; b) V (t ) = 79,05 2 cos(800t 0,3217) V.
2.32: En el circuito de la figura, se conecta entre los terminales A y B una fuente de alterna
de valor eficaz 500 V y frecuencia 50 Hz. Determinar: a) la impedancia total entre A y B ; b) la
intensidad, i (t ), que circula por la fuente; c) la capacidad del condensador y la inductancia
de la bobina; d) la potencia media consumida en el circuito.
Sol.: a) Z AB = (100/41)(121 + 18 j ) ; b) i (t ) = 2,37 cos(100t 0,1477) A;
c) C = 12,73 F, L = 1,273 H; d) P = 828,8 W.
2.33: En el circuito de la figura determinar: a) la impedancia de cada elemento y la admitancia del conjunto; b) la intensidad i (t ) que circula por la fuente; c) las intensidades
complejas por las ramas de la resistencia y de la bobina, dibujando, adems, el diagrama
fasorial de intensidades; d) el valor de la capacidad, C , que conectada en serie en el punto
M hace que la intensidad que circula por la
pfuente est en fase con la tensin de la misma.
2 cos(t 1,3734) A;
Sol.: a) R =
20
,
Z
=
4
j
;
b)
i
(t
)
=
56,09
L
p
p
c) IeR = 11 2 A, IeL = 55 2 j A; d) C = 650 F.
2.34: Una bobina de 0.1 H est conectada en serie con una resistencia de 10 y con un
condensador. El condensador se elige de forma que el circuito est en resonancia al conectarlo a una fuente de alterna de 100 V (voltaje mximo) y 60 Hz . Calcular el valor del
condensador utilizado as como la d.d.p. entre los extremos del condensador (VC (t )) y de
la bobina (VL (t )).
Sol.: C = 70,4 F, VC (t ) = 120 cos(120t + /2)V, VL (t ) = 120 cos(120t /2)V.
2.35: Un receptor de radio se sintoniza para detectar la seal emitida por una estacin de
radio. El circuito de sintona que puede esquematizarse como un circuito RLC serie utiliza un condensador de 32.3 pF y una bobina de 0.25 mH. Calcular la frecuencia de emisin
de la estacin de radio.
Sol.: 1.77 MHz.
2.36: Un mtodo para medir autoinducciones consiste en conectar la bobina en serie con
una capacidad y una resistencia conocidas, un ampermetro de ca y un generador de seales de frecuencia variable. La frecuencia del generador se vara y se mantiene constante la
fem hasta que la corriente es mxima. Si C = 10 F, max = 10 V, R = 100 , siendo la intensidad mxima para = 5000 rad/s, calcular cunto vale L e I max .
Sol. L = 4 mH, I max = 100 mA.
2.37: En el circuito de la figura determinar: a) la impedancia Z ab ; b) la intensidad, i (t ),
que atraviesa la fuente; c) la potencia activa suministrada y la potencia media consumida
(verificar el balance de las mismas); d) el elemento que debe conectarse entre los puntos a
y b para que la intensidad y tensin en la fuente estn en fase.
Sol.: a) Z ab = 5 + 5 j ; b) i (t ) = 44 cos(400t /4) A; c) P act = P R = 4840W; d) un condensador de 250 F.
FLML
Apuntes de FFI
88
Tema 2.
2.38: En el circuito que se muestra en la figura, calcular: a) las intensidades (expresiones

temporales y fasoriales) y representar el diagrama fasorial de las mismas; b) la potencia
media suministrada y consumida.
p
Sol.: Ie1 = 10(1+j)/3 A, Ie2 = 5 A, i 1 (t ) = 10 2/3 cos(t 3/4) A, i 2 (t ) = 5cos(t ) A; b) fuente(1) consume 50/3 W, fuente(2) suministra 50 W, resistencia consume 100/3 W.
2.39: Se desea disear un dispositivo RLC serie destinado a funcionar conectado a una
fuente de frecuencia angular y resistencia de salida R s . Determinar los valores de R, L y C
(en funcin de y R s ) para que el dispositivo cumpla las tres especificaciones siguientes:
1) la tensin eficaz entre los bornes de R debe ser igual a la que exista entre los bornes de L;
2) el dispositivo debe ser globalmente resistivo, esto es, debe equivaler a una resistencia; 3)
la potencia consumida en la resistencia de salida de la fuente debe ser igual a la consumida
en el dispositivo. Determinar tambin la intensidad que circulara en el circuito si la fuente
utilizada tuviese amplitud mxima V0 .
V0
Sol.: R = R s , L = R s / y C = 1/(R s ); i (t ) =
cos(t )
2R s
2.40: En el circuito de la figura: a) obtener las intensidades fasoriales y temporales en las
ramas, representado el diagrama fasorial; b) calcular las potencias medias suministradas y
consumidas; c) encontrar el equivalente Thvenin entre los terminales A y B , obteniendo,
adems, la intensidad que circulara entre dichos terminales al conectar entre ellos un condensador de 50 nF.
Sol.: a)p
Ie1 = 2 + 6 j mA, Ie2 = 2 mA, Ie3 = 4 + 6 j mA,
i 1 (t ) = p40cos(104 t + arctan(3)) mA, i 2 (t ) = 2cos(104 t ) mA,
i 3 (t ) = 52cos(104 t + arctan(3/2)) mA;
b) Suministradas fuentes: P 1 = 8 mW, P 2 = 16 mW, consumida resistencias: P R1 = 20 mW,
P R2 = 4 mW; c) VeTh = 8 j , ZTh = (2 + 2 j ) k, i C (t ) = 4 cos(104 t /2) mA.
Apuntes de FFI
FLML
T EMA 3
Ondas Electromagnticas
3.1. Introduccin
Una de las caractersticas fundamentales de una onda es que es capaz
de transmitir energa sin que ello implique un transporte neto de materia.
Usualmente, las ondas consisten en la propagacin de alguna perturbacin fsica a travs de algn medio material, por ejemplo: olas en el agua,
variaciones de presin en el aire (sonido), etc. No obstante, existe un tipo
de fenmeno ondulatorio que no requiere la presencia de medios materiales para su propagacin (esto es, la perturbacin se puede propagar en el
vaco o espacio libre) aunque ciertamente tambin puede propagarse en
presencia de medios materiales. Estas ondas son las ondas electromagnticas (OEM), que consisten en la transmisin de campos elctricos y magnticos a una velocidad v c; siendo c la velocidad de propagacin en el
vaco. El origen de estas ondas puede entenderse como una consecuencia
~1 (x, t ), puede ser la
de que un campo magntico variable en el tiempo, B
~
fuente de un campo elctrico variable en el tiempo, E 1 (x, t ), y ste a su vez
~2 (x, t ),
puede ser la fuente de un campo magntico variable en el tiempo, B
y as sucesivamente:
~1 (x, t ) E
~1 (x, t ) B
~2 (x, t ) E
~2 (x, t ) B
~3 (x, t )
B
De este modo, los campos elctrico y magntico se generan mutuamente
dando lugar a una onda electromagntica que se propaga en el espacio lip
bre a una velocidad c = 1/ 0 0 3 108 m/s. (Evidentemente si el campo
primario fuese uno elctrico, en vez de uno magntico, tambin se producira una onda electromagntica). Esta hiptesis terica deducida por James C. Maxwell ( 1860) fue confirmada experimentalmente por H. Hertz
en 1888. Adicionalmente, el hecho de que la velocidad de propagacin de
las OEM fuese justamente la velocidad medida experimentalmente para la
propagacin de la luz fue el primer indicio claro de que la luz no era otra
cosa que una onda electromagntica.
Las ondas electromagnticas, adems de constituir uno de los fenmenos fsicos ms predominantes en la naturaleza, tienen una importan-
89
90
Tema 3.
cia tecnolgica fundamental en el campo de las comunicaciones. Podra

decirse que la mayora de las comunicaciones actuales se sustentan en la
transmisin de ondas electromagnticas, ya sea a travs del espacio libre:
radio, televisin, telfonos mviles, redes inalmbricas, satlites,... o bien
a travs de medios materiales: telefona convencional, televisin por cable, transmisin por fibra ptica, redes locales de ordenadores, etc. Existen
muchas razones para justificar este extendido uso pero, entre otras, cabe
destacar:
la posibilidad de que las ondas electromagnticas se propaguen en el
vaco;
el desarrollo de antenas (emisoras y receptoras) que permiten la transmisin y recepcin de estas ondas involucrando muy poca energa;
la posibilidad de guiar estas ondas mediante diversos sistemas de transmisin: linea bifilar, cable coaxial, guas de ondas metlicas, fibras pticas, etc;
el hecho de poder usar seales portadoras de muy alta frecuencia que
permiten grandes anchos de banda;
la facilidad de tratamiento de las seales electromagnticas, por ejemplo su modulacin/demodulacin en fase, amplitud o frecuencia, que
permite usar estas seales como soporte de informacin tanto analgica como digital; y
la fcil integracin de los equipos de generacin/recepcin con la circuitera electrnica.
3.2. Nociones generales de ondas

En la naturaleza existen muchos fenmenos fsicos en los que una perturbacin fsica viaja sin que ello lleve aparejado un desplazamiento neto
de materia. Un ejemplo de esto puede ser la ola que se produce en el agua
tras arrojar una piedra. En este fenmeno se observa el desplazamiento de
una ondulacin en la superficie del agua con la particularidad de que las
partculas individuales de agua no se trasladan sino que realizan un simple
movimiento de vaivn vertical (movimiento oscilatorio). Otro ejemplo, es
la propagacin del sonido, que bsicamente es un desplazamiento de un
cambio de presin en el aire pero sin que ello implique que las partculas
de aire viajen desde el lugar donde se origin el sonido hasta el receptor;
ms bien cada partcula transmite su movimiento oscilatorio a la siguiente
antes de volver a su posicin original. Otro ejemplo bastante visual de este
tipo de fenmenos se produce al agitar una cuerda por uno de sus extremos. En este caso se observara claramente el desplazamiento de un pulso
en la cuerda, siendo tambin evidente que cada segmento de cuerda no
viaja junto a este pulso.
Apuntes de FFI
FLML
91
En todos los ejemplos anteriores una perturbacin fsica se desplaza a

travs de un medio (agua, aire y cuerda, respectivamente) sin que las partculas de este medio hayan sufrido un desplazamiento neto.1 Estos ejemplos son casos concretos de un tipo general de fenmenos fsicos denominados ondas, las cuales pueden definirse como
Propagacin de una perturbacin fsica sin que exista un transporte neto de materia.
Debe notarse que la propagacin de la perturbacin en la onda implica el
transporte de cierta energa y momento lineal (y/o angular). En este sentido, el comportamiento ondulatorio debe discernirse claramente del comportamiento de las partculas, puesto que estas ltimas siempre transportan energa y momento asociado a un transporte neto de materia.
Entre las posibles formas de clasificar a las ondas, a continuacin se
presentan dos de ellas:
Naturaleza fsica de la perturbacin
O NDAS MECNICAS: cuando la perturbacin fsica involucrada es de
naturaleza mecnica, por ejemplo: desplazamiento, velocidad, presin, torsin, etc.
O NDAS ELECTROMAGNTICAS: cuando la perturbacin es un campo
electromagntico.
Direccin relativa de la perturbacin y el desplazamiento ondulatorio
O NDAS LONGITUDINALES: cuando la direccin de la perturbacin fsica y de la propagacin ondulatoria coinciden, por ejemplo: onda
de sonido.
O NDAS TRANSVERSALES: cuando la perturbacin fsica se realiza en
un plano transversal a la direccin de propagacin de la onda; por
ejemplo: el desplazamiento de un pulso en una cuerda, ondas electromagnticas planas en el espacio libre, etc.
perturbacin
propagacin
perturbacin
propagacin
Cuando se trata de caracterizar una onda, algunos conceptos usuales son:

Foco: es el recinto donde se produce la perturbacin inicial.
Superficie/Frente de Onda: es el lugar geomtrico de los puntos en que
han sido alcanzados simultneamente por la perturbacin.
Velocidad de Fase: velocidad con la que se propagan las superficies de
onda.
1 Debe notarse que la ausencia de un desplazamiento neto no implica la existencia de
movimiento nulo. El movimiento oscilatorio de una partcula en torno a un punto fijo es

un claro ejemplo de movimiento en el cual no existe traslacin neta.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
92
Los conceptos anteriores pueden clarificarse si los concretamos en el caso

de la propagacin del sonido. En este caso, el foco sera el lugar donde se
emiten los sonidos (por ejemplo la boca de alguien), la superficie de onda
seran superficies aproximadamente esfricas centradas en el foco, y la velocidad de fase sera la velocidad a la que se viaja el frente de ondas, esto
es, la velocidad del sonido 340 m/s.
3.2.1.
(*) Ecuacin de ondas
Del mismo modo que existe una ecuacin diferencial general que de~, de una partcula (o conjunto de ellas) en
termina el momento lineal, p
~,
funcin de la fuerza externa, F
~=
F
d~
p
dt
(3.1)
(o bien F = md2 x/dt 2 para el caso de movimiento monodimensional), existe tambin una ecuacin diferencial, denominada ecuacin de ondas, que
se aplica a todos los fenmenos ondulatorios. La ecuacin que describe
el comportamiento ondulatorio de una perturbacin fsica, descrita matemticamente por la funcin u(x, t ), que se propaga con velocidad constante v sin distorsin (onda no-dispersiva) a lo largo del eje x viene dada
por
Ecuacin de ondas no dispersiva
monodimensional
2 u
1 2 u
=0 .
x 2 v 2 t 2
(3.2)
Para mostrar que, desde un punto de vista matemtico, la ecuacin anterior describe apropiadamente el fenmeno ondulatorio analizaremos la
propagacin de un pulso en una cuerda (dado que este ejemplo ofrece una
imagen visual muy clara). En este caso, la perturbacin que se propaga,
u(x, t ), es justamente el desplazamiento vertical de cada trocito de cuerda.
La forma del pulso para un instante arbitrario, que podemos tomar como
t = 0, se muestra en la Figura 3.1(a), esto es, la forma matemtica de la
onda en ese instante de tiempo viene completamente descrita por la funcin f (x). Si tras un tiempo t , el pulso viaja sin distorsin hacia la derecha
una distancia a, el perfil de la cuerda ser como el mostrado en la Figura 3.1(b), pudindose describir matemticamente por la funcin f (x a).
Ahora bien, si el pulso est viajando a una velocidad v, entonces la distancia recorrida por el pulso puede escribirse como a = v t y, consecuentemente, la expresin matemtica de la onda en el instante t ser
u(x, t ) = f (x v t ) .
(3.3)
Evidentemente, el pulso podra haber viajado igualmente hacia la izquierda, en cuyo caso, la expresin matemtica de la onda viajera en la cuerda
sera
u(x, t ) = f (x + v t ) ,
(3.4)
de modo que, en general, un movimiento ondulatorio sin distorsin en la
cuerda podra ser descrito por la funcin
u(x, t ) = f () siendo = x v t ,
Apuntes de FFI
(3.5)
FLML
93
F IGURA 3.1: Evolucin del pulso en una cuerda en dos instantes
que representara una onda que puede viajar tanto hacia la izquierda como
hacia la derecha.
Una propiedad muy importante de la ecuacin general de ondas es que
sta es lineal, lo que implica que si u 1 (x, t ) y u 2 (x, t ) son soluciones individuales de la ecuacin de ondas, entonces la superposicin lineal de ambas, u(x, t ) = u 1 (x, t ) + u 2 (x, t ), tambin lo es. Esta propiedad de linealidad de la ecuacin de ondas simplemente expresa en forma matemtica
el siguiente principio fsico conocido como principio de superposicin de
ondas:
la perturbacin ondulatoria resultante es igual a la suma
de las perturbaciones coincidentes.
3.2.2.
Principio de superposicin
de ondas
Ondas armnicas
Segn se ha explicado en el apartado anterior, la expresin matemtica

general de una onda monodimensional no-dispersiva vena dada por (3.5).
De entre las posibles formas matemticas que puede tener este tipo de ondas, hay una especialmente interesante conocida como onda armnica.
La forma de una onda armnica es una curva tipo senoidal (seno/coseno),
cuya instantnea en t = 0 puede venir dada por la siguiente expresin matemtica:
2
u(x, 0) = A cos
x .
(3.6)
La constante A es la amplitud de la onda y representa el valor mximo

de la perturbacin, es la longitud de onda o periodo espacial, esto es,
la distancia en la que se repite la perturbacin (por ejemplo, la distancia
entre dos mnimos sucesivos). Si la onda se mueve hacia la derecha con
cierta velocidad v, la funcin de onda en cualquier instante de tiempo t
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
94
posterior vendr dada por
2
(x v t ) .
u(x, t ) = A cos
(3.7)
El tiempo que tarda la onda en recorrer una longitud de onda se conoce

como periodo T , por lo que
v=
o = v T .
T
(3.8)
El periodo T corresponde igualmente al tiempo empleado por la perturbacin en realizar una oscilacin completa en un punto fijo.
vt
Teniendo en cuenta que v/ = 1/T , u(x, t ) puede escribirse como

x t
u(x, t ) = A cos 2
.
T
(3.9)
La expresin anterior indica claramente que la onda armnica muestra

una doble periodicidad, tanto en el espacio como en el tiempo:
u(x, t ) = u(x + n, t + mT ) .
(3.10)
Esta doble periodicidad es una consecuencia de la periodicidad temporal

de la perturbacin en el foco (x = 0), que se refleja en una periodicidad
espacial.2
La funcin de onda armnica puede expresarse en una forma ms conveniente si se definen las dos siguientes cantidades:
k = 2/
(3.11)
= 2/T ,
(3.12)
donde k corresponde a la frecuencia espacial o nmero de ondas y a

la frecuencia angular. Combinando las expresiones (3.11) y (3.12) junto
con (3.8), obtenemos la siguiente relacin para la frecuencia angular y el
nmero de ondas de una onda armnica:
= vk .
(3.13)
La frecuencia angular suele expresarse comnmente en trminos de la

frecuencia temporal, f (siendo sta la inversa del periodo: f = 1/T ) mediante
= 2 f .
(3.14)
Unidad de frecuencia:
1 hercio (Hz
s1 )
La frecuencia temporal representa por tanto el nmero de oscilaciones

realizadas por unidad de tiempo, siendo su unidad el hercio (Hz).
2 De manera anloga a como un pastelero soltando pasteles cada tiempo T en un extremo
de una cinta transportadora (periodicidad temporal en el foco) que se mueve con velocidad v da lugar a una periodicidad espacial en dicha cinta; esto es, los pasteles aparecen
distanciados una distancia que equivaldra a la longitud de onda.
Apuntes de FFI
FLML
3.3. (*) Ecuacin de Ondas Electromagnticas
95
Teniendo en cuenta las definiciones dadas en (3.11) y (3.12), la funcin

de onda armnica que viaja en el sentido positivo de las x puede reescribirse como
u(x, t ) = A cos(kx t ) = A cos(t kx) .
(3.15)
La expresin anterior es un caso particular que impone que la perturbacin en el origen e instante inicial sea justamente u(x = 0, t = 0) = A. En
general, tendremos la siguiente expresin:
Expresin matemtica de la on-
u(x, t ) = A cos(t kx ) ,
(3.16)
da armnica viajando en el sentido

positivo de las
donde el argumento completo del coseno se conoce como fase de la onda

y la constante como fase inicial (que se introduce para posibilitar que
en t = 0 la perturbacin en el foco, x = 0, pueda tomar un valor arbitrario:
u(0, 0) = A cos ). Una onda armnica viajando en el sentido negativo de
las x tendr la siguiente forma general:
u(x, t ) = A cos(t + kx ) .
(3.17)
Es importante notar que el carcter viajero de la onda en sentido positivo/negativo del eje x lo determina la desigualdad/igualdad entre los signos
que acompaan a t y kx en la fase.
Para facilitar las operaciones con ondas armnicas, stas suelen expresarse en forma de exponencial compleja, de manera que la onda armnica
dada en (3.16) se escribir usualmente como
u(x, t ) = Aej(kx+) ejt
(3.18)
Expresin
matemtica
compleja
de la onda armnica
(ver Apartado D para un repaso de los fasores). Debemos considerar que

u(x, t ), tal como se ha expresado en (3.16), es solamente la parte real de
(3.18); esto es,
u(x, t ) = A cos(t kx ) = Re Aej(kx+) ejt .

(3.19)
No obstante, en lo que sigue del tema, cuando tratemos con ondas armnicas usaremos por simplicidad la notacin compleja dada en (3.18), debindose sobreentender que la expresin matemtica correcta sera la parte real de la expresin compleja correspondiente.
3.3. (*) Ecuacin de Ondas Electromagnticas

Segn se discuti en el Apartado 3.2.1, la expresin matemtica de cualquier magnitud fsica que represente a una onda debe satisfacer la ecuacin de ondas (3.2). En este sentido, aparte de la idea cualitativa obtenida
en el anterior apartado acerca de que
FLML
Variaciones temporales
~
del campo elctrico E
Variaciones temporales
~
del campo magntico B
Apuntes de FFI
Tema 3.
96
~yB
~ en el vaco satisfacen la
es fundamental comprobar si los campos E
ecuacin de ondas para verificar as que efectivamente estos campos son
ondas. Por simplicidad en nuestro tratamiento, supondremos campos elctricos/magnticos del tipo
~ =E
~ (x, t ) ; B
~=B
~ (x, t ) ,
E
(3.20)
es decir, campos variables en el tiempo cuya dependencia espacial es nicamente a lo largo de la direccin x. Si estos campos representaran a una
onda electromagntica (OEM), sta sera una onda electromagntica pla~ yB
~ ) tomara los mismos
na, dado que la perturbacin fsica (campos E
valores en los planos definidos por x = Cte; es decir, su frente de ondas
seran planos normales al eje x.
Si operamos a partir de las ecuaciones de Maxwell (var Apartado 1.16)

podramos demostrar que , efectivamente, se satisfacen las siguientes ecuaciones de onda monodimensionales para campos elctricos y magnticos
~ = 0, E y (x, t ), E z (x, t ) y B
~ = 0, B y (x, t ), B z (x, t ) :
del tipo E
Ecuaciones de onda
monodimensionales para los
~
2 E
campos elctrico y magntico
x 2
~
1 2 E
=0
2
c t 2
(3.21)
~
1 2 B
=0 .
c 2 t 2
(3.22)
y
~
2 B
x 2
La solucin de estas ecuaciones de onda son precisamente OEM planas

que se propagan en la direccin x a velocidad c y cuyos campos asociados
tienen direcciones normales a la direccin de propagacin. En consecuencia puede establecerse que
las ondas electromagnticas planas en el
vaco son ondas transversales.
Tambin puede demostrarse que el campo elctrico y el magntico se
propagan en el vaco conjuntamente a una velocidad c v cuyo valor viene
dado por
1
.
(3.23)
c=p
0 0
Al sustituir los valores numricos de 0 y de 0 en la expresin anterior se
obtiene que
c = 2,99792 108 m/s .
Dado que la velocidad a la que se propaga el campo electromagntico en
el vaco (obtenida de forma terica mediante manipulaciones en las ecuaciones de Maxwell) era muy prxima a la velocidad medida experimentalmente para la luz, esta sorprendente coincidencia sugera que la luz era
simplemente una onda electromagntica. Debe notarse que en el momento en que se dedujo tericamente la velocidad de propagacin del campo
electromagntico se admita que la luz era una onda pero se discuta sobre la naturaleza de esta onda. As, por ejemplo, se postulaba que la luz,
Apuntes de FFI
FLML
3.4. Ondas electromagnticas planas armnicas
97
en analoga con las ondas mecnicas, poda ser una vibracin de las partculas de un medio que impregnaba todo el universo denominado ter.
Esta y otras teoras fueron desechadas a la vista de los trabajos tericos de
Maxwell y a la verificacin experimental de las ondas electromagnticas
realizada por Hertz. Por ltimo cabe sealar que si la onda electromagntica se propaga en un medio homogneo material de constante dielctrica
relativa, r , entonces la velocidad de propagacin de la onda electromagntica (es decir, de la luz) en ese medio ser
1
c
v=p
= ,
0 0 r n
(3.24)
p
donde n = r es un parmetro del medio material que se denomina ndice de refraccin.
3.4. Ondas electromagnticas planas armnicas

Ya se indic en el Apartado 3.2.2 que una solucin particularmente importante de la ecuacin de ondas era la solucin armnica. Para el caso
~ (x, t ) de tipo arde ondas electromagnticas planas, un campo elctrico E
mnico que satisfaga la ecuacin de ondas (3.21) puede ser descrito por la
siguiente expresin:
~ (x, t ) = E 0 cos(t kx )y .
E
(3.25)
El campo magntico asociado a este campo elctrico armnico en la onda

electromagntica puede calcularse a partir de las ecuaciones de Maxwell,
lo que nos dira que dicho campo campo viene dado por
~ (x, t ) = B 0 cos(t kx )z ,
B
donde
B0 =
E0
.
c
(3.26)
(3.27)
~yB
~ dados en (3.25) y (3.26) poA la vista de la forma de los campos E
demos establecer para la onda electromagntica plana armnica mostrada
en la Fig.3.2 que
los campos elctrico y magntico estn en fase (es decir, su fase es la
misma); y
~, B
~ y~
E
c (siendo ~
c el vector velocidad de la onda; en el presente caso ~
c=
c x ) forman un triedro rectngulo, es decir, cada uno de estos vectores
es perpendicular a los otros dos.
Las dos anteriores conclusiones junto con la relacin (3.27) pueden ser
expresadas matemticamente mediante la siguiente relacin vectorial que
cumplen los campos elctrico y magntico de una onda electromagntica
plana armnica:
~ =B
~ ~
E
c .
(3.28)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
98
B
F IGURA 3.2
E JEMPLO 3.1 Una onda electromagntica plana armnica de frecuencia f = 3 GHz

viaja en el espacio libre en la direccin x . El valor mximo del campo elctrico es
de 300 mV/m y est dirigido segn el eje y . Calcular la longitud de onda de esta onda as como las expresiones temporales de sus campos elctrico y magntico.
Dado que f = 3 GHz, la longitud de onda asociada a esta frecuencia ser
=
c
3 108
=
= 10 cm .
f
3 109
Asimismo, el nmero de ondas, k, y la frecuencia angular, , de esta onda sern

= 2 f = 6 109 rad/s y k =
6 109
=
= 20 m1 .
c
3 108
~ , de la onda plana armnica que viaja segn x est

Si el campo elctrico, E
dirigido segn y, este campo vendr dado por la siguiente expresin:
~ (x, t ) = E 0 cos(kx t )y ,
E
donde E 0 representa la amplitud del campo que coincide con el valor mximo de
ste, luego E 0 = 0,3 V/m. Dado que no nos han especificado nada acerca de la fase
inicial, por simplicidad tomamos sta de valor nulo ( = 0). Segn se ha visto en
el presente apartado, la expresin correspondiente para el campo magntico de
esta onda ser entonces
~ (x, t ) = B 0 cos(kx t )z ,
B
siendo, segn la expresin (3.27):
B0 =
E 0 3 101
=
= 109 T .
c
3 108
~ yB
~ de esta onda
Finalmente, las expresiones temporales de los campos E
electromagntica sern
~ (x, t ) = 0,3 cos(20x 6 109 t ) y V/m
E
~ (x, t ) = 109 cos(20x 6 109 t ) z T .
B
Apuntes de FFI
FLML
3.5. Intensidad de la onda electromagntica
99
3.5. Intensidad de la onda electromagntica

Una de las propiedades ms significativas de la OEM es que transporta
energa a travs del espacio libre. As, la onda electromagntica que transmite la luz de una estrella (que ha viajado durante muchos millones de kilmetros antes de llegar a la Tierra) tiene todava suficiente energa como
para hacer reaccionar a los receptores de nuestros ojos. Cuando estamos
tratando con ondas, la magnitud relevante para caracterizar el contenido
energtico de las mismas es su intensidad, I (no confundir con la intensidad, I , de una corriente elctrica, que aunque tiene el mismo nombre es
una magnitud completamente diferente).
La intensidad de una onda se define como la energa que fluye por unidad de tiempo a travs de una superficie de rea unidad situada perpendicularmente a la direccin de propagacin. Si u es la densidad volumtrica
de energa de la onda (esto es, la energa por unidad de volumen contenida
en la regin donde se propaga la onda) y c la velocidad de propagacin de
la onda, la intensidad I de la onda puede escribirse como
Intensidad de la onda
I = uc ,
(3.29)
cuyas unidades son (ms1 )(Jm3 )=Js1 m2 =Wm2 ; es decir, potencia por
unidad de rea.
A la vista de la anterior expresin, para calcular la intensidad de la onda
electromagntica debemos obtener en primer lugar la densidad volumtrica de energa asociada con esta onda. La energa del campo elctrico y del
magntico ya se discuti en en el Tema 1, donde se obtuvieron las expresiones (1.43) y (1.115) respectivamente. Concretamente se obtuvo que
1
~ |2
u E = 0 |E
2
~ |2
|B
uB =
20
densidad de energa elctrica
(3.30)
densidad de energa magntica ,
(3.31)
por lo que la intensidad (tambin denominada intensidad instantnea:

Iinst ) de la onda electromagntica vendr dada por
Intensidad instantnea de una

onda electromagntica
Iinst = (u E + u B )c .
(3.32)
Para OEM planas armnicas, encontramos que la relacin entre los

mdulos de los campos elctrico y magntico de la onda verificaban que
~ | = c|B
~ |. Esto nos permite escribir la densidad volumtrica de energa al|E
macenada en el campo magntico como
uB =
~ |2
~ |2
|B
|E
1
~ |2 ,
=
= 0 |E
2
20 20 c
2
(3.33)
donde se ha tenido en cuenta que c 2 = 1/0 0 .
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
100
Igualdad de las densidades de
Hemos obtenido, por tanto, que para una onda plana electromagntica
armnica, la densidad de energa almacenada en el campo magntico es
idntica a la almacenada en el campo elctrico, esto es,
energa elctrica y magntica en

una OEM plana armnica
uE = uB .
(3.34)
La anterior igualdad nos permite escribir las siguientes expresiones para la

densidad de energa de dicha onda electromagntica, u E B :
~ |2 |E
~ ||B
~|
1
|B
1
~ |2 + 0 |E
~ | 2 = 0 | E
~ |2 =
=
,
u E B = u E + u B = 0 |E
2
2
0
0 c
(3.35)
y, consecuentemente, podemos expresar la intensidad instantnea de dicha onda como

~ |2 = c
Iinst = u E B c = c0 |E
Vector de Poynting
~ |2 |E
~ ||B
~|
|B
=
.
0
0
(3.36)
En el espacio libre, la energa de la OEM plana armnica viaja en la direccin de propagacin de la onda, esto es, en una direccin perpendicular
~ como B
~ . Por otra parte, para este tipo de ondas, la intensidad de
tanto a E
la onda se puede expresar, segn (3.36), en funcin de los mdulos de los
campos elctrico y magntico de la onda. Todo ello nos sugiere la introduccin de un vector ~
S, denominado vector de Poynting, que caracterice
energticamente a la onda electromagntica y que tendr por direccin la
direccin de propagacin de la energa y por mdulo la intensidad instantnea de la OEM. A la vista de las expresiones anteriores, para una onda
electromagntica plana armnica, este vector vendr dado por el siguiente producto vectorial:
~ B
~
E
~
S(~
r ,t) =
.
(3.37)
0
Aunque la expresin anterior del vector de Poynting se ha obtenido para
el caso concreto de una onda plana armnica, clculos ms elaborados
muestran que la expresin (3.37) tiene validez general para cualquier tipo
de onda electromagntica.
Para la onda plana armnica discutida en el apartado anterior, el vector
de Poynting puede escribirse como
~
S(x, t ) = c0 E 02 cos2 (t kx )x = cu E B x ,
(3.38)
por lo que la intensidad instantnea de esta onda ser

Iinst (x, t ) = c0 E 02 cos2 (t kx ) .
(3.39)
Tal y como se coment en el Apartado 2.11, los valores instantneos de

magnitudes energticas armnicas no tienen mucho inters prctico dado que estas magnitudes suelen variar muy rpidamente (por ejemplo, del
orden de 1015 veces en un segundo para la luz). Es, por tanto, ms significativo obtener el promedio de la intensidad, Imed , en un periodo de tiempo,
Apuntes de FFI
FLML
3.6. Interferencia de Ondas
101
para lo cual debemos promediar temporalmente (3.39):

Imed = Iinst (x, t ) = c0 E 02
=
c0 E 02
2
1
T
Z
0
cos2 (t kx ) dt
1 E0B0
=
.
2 0
Intensidad promedio de una onda
(3.40)
electromagntica armnica
E JEMPLO 3.2 Sabiendo que la amplitud del campo elctrico de la radiacin solar
que llega a la supercie terrestre es de aproximadamente E 0 = 850 V/m, calcule
la potencia total que incidira sobre una azotea de 100 m2 .
Para calcular la potencia promedio que incide en una superficie S debemos
primero obtener el valor de la intensidad promedio, Imed , de la OEM. En este caso
dado que conocemos el valor de la amplitud del campo elctrico, esta intensidad
vendr dada por
3 108 8,85 1012
1
(850)2 959 W/m2 .
Imed = c0 E 02 =
2
2
Una vez calculada la intensidad promedio, la potencia promedio, P med , que
incide sobre la superficie ser simplemente
P med = Imed S = 959 100 9,6 104 W .
Aunque esta potencia es realmente alta, debe tenerse en cuenta que est distribuida en una rea grande y que su aprovechamiento total es imposible. De hecho con placas solares tpicas se podra transformar en potencia elctrica aproximadamente el 10 % de la radiacin solar, debindose tener en cuenta adems
que los datos dados en el problema se refieren a las horas de iluminacin de das
soleados.
3.6.
Interferencia de Ondas
Cuando dos o ms ondas coinciden en el espacio en el mismo instante de tiempo se produce un fenmeno que se conoce como interferencia.
El principio de superposicin de ondas establece que cuando dos o ms
ondas coinciden en un punto y en un instante de tiempo, la perturbacin
resultante es simplemente la suma de las perturbaciones individuales (este principio ya fue relacionado en el Apartado 3.2.1 con la linealidad de
la ecuacin de ondas). En consecuencia, la perturbacin resultante en un
punto P y en un instante de tiempo t , u(P, t ), debido a la coincidencia de
N ondas u i (x, t ) se obtendr mediante la siguiente expresin:
u(P, t ) =
N
X
u i (P, t ) .
(3.41)
i =1
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
102
3.6.1.
r1
F1
Superposicin de dos ondas electromagnticas planas armnicas
Para estudiar los aspectos cuantitativos de la interferencia consideraremos la superposicin de dos ondas electromagnticas planas armnicas
de la misma frecuencia pero distinta amplitud y fase inicial en cierto punto P , cuyos campos elctricos vienen dados por
~1 (~
E
r , t ) = E 0,1 cos(t kr 1 )y
r2
y
~2 (~
E
r , t ) = E 0,2 cos(t kr 2 )y .
F2
Si r 1 y r 2 son las distancias desde los focos respectivos (F 1 y F 2 ) al punto P ,

usando el principio de superposicin, la componente y del campo elctrico resultante vendr dada por
E y (P, t ) = E y1 (r 1 , t ) + E y2 (r 2 , t ) .
(3.42)
Si hacemos uso de la notacin compleja introducida en (3.18), la perturbacin total en el punto P puede obtenerse como la siguiente suma:
E y (P, t ) = E 0,1 ej(kr 1 t +1 ) + E 0,2 ej(kr 2 t +2 ) ,
que puede reescribirse tras definir
i = kr i + i
(3.43)
como
E y (P, t ) = E 0,1 ej1 + E 0,2 ej2 ejt
=E 0 (P )ej(P ) ejt ,
(3.44)
donde E 0 (P ) y (P ) representan respectivamente la amplitud y la fase de la

componente y del campo elctrico resultante en el punto P . Operando en
(3.44) encontramos que
E 0 (P )ej(P ) =E 0,1 ej1 + E 0,2 ej2
= E 0,1 cos 1 jE 0,1 sen 1 + E 0,2 cos 2 jE 0,2 sen 2
= E 0,1 cos 1 + E 0,2 cos 2 j E 0,1 sen 1 + E 0,2 sen 2 , (3.45)

de donde obtenemos que la amplitud puede ser calculada como sigue:
2
2
E 02 (P ) = E 0,1
cos2 1 + E 0,2
cos2 2 + 2E 0,1 E 0,2 cos 1 cos 2 +
2
2
E 0,1
sen2 1 + E 0,2
sen2 2 + 2E 0,1 E 0,2 sen 1 sen 2
2
2
= E 0,1
+ E 0,2
+ 2E 0,1 E 0,2 cos(1 2 ) ,
esto es,
Amplitud de la interferencia de 2
ondas armn. de igual frecuencia
Apuntes de FFI
E 0 (P ) =
q
2
2
E 0,1
+ E 0,2
+ 2E 0,1 E 0,2 cos (P ) ,
(3.46)
FLML
103
siendo
(P ) = kr 1 kr 2 + 1 2
= kr + .
(3.47)
En la expresin anterior, (P ) se denomina diferencia de fase, r = r 1 r 2

se conoce como diferencia de camino entre el recorrido de las dos ondas
al propagarse desde los focos respectivos hasta el punto P y = 1 2
es la diferencia de fase inicial entre las dos ondas. El ltimo trmino de la
expresin anterior,
2E 0,1 E 0,2 cos (P ) ,
se denomina usualmente trmino de interferencia puesto que es el responsable de que la amplitud de la interferencia dependa de la diferencia
de camino hasta el punto P . En concreto, si notamos que
1 cos (P ) 1
encontraremos que la amplitud en un punto podr tomar en general valores comprendidos entre
(E 0,1 E 0,2 ) E 0 (P ) (E 0,1 + E 0,2 ) .
(3.48)
Para obtener la intensidad resultante de la superposicin de las dos ondas electromagnticas planas armnicas de igual frecuencia en el punto P ,
debemos tener en cuenta que, segn (3.39), la intensidad de dichas ondas
depende del cuadrado de la amplitud (I E 02 ). En consecuencia, a partir
de (3.46), podemos deducir que la intensidad resultante ser
I (P ) = I1 + I2 + 2
I1 I2 cos (P ) .
(3.49)
3.6.2. Focos incoherentes

En el apartado anterior observamos que la amplitud resultante en el
punto P oscilaba entre dos valores dependiendo del valor concreto de
en dicho punto. No obstante, en la prctica ocurre frecuentemente que la
diferencia de fase no es constante en el tiempo sino que = (t ). Esto puede ser causado por una posible variacin temporal de las condiciones de
emisin de los focos (usualmente en tiempos caractersticos menores que
1010 s) debida, por ejemplo, a que
1. La frecuencia de los focos no es estrictamente constante sino que presenta pequeas fluctuaciones arbitrarias que provocan que el nmero
de ondas (y equivalentemente la longitud de onda) oscile ligeramente
en torno a cierto valor promedio, k
k(t ) = k + k(t ) .
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
104
2. Las fases iniciales de los dos focos presentan fluctuaciones al azar de

modo que las funciones 1 (t ) y 2 (t ) no estn correlacionadas de ninguna manera, dando lugar a que la diferencia de fase inicial sea una
funcin del tiempo,
= 1 (t ) 2 (t ) = f (t ) ,
que vara igualmente al azar.
Cuando nos encontramos con alguna de las condiciones anteriores decimos que los focos son incoherentes. Debido a esta rpida variacin arbitraria en el tiempo de la diferencia de fase, el trmino de interferencia se
anula en promedio durante el intervalo de observacin debido a que el valor medio del coseno de un argumento que varia al azar es cero:
1
cos (t ) =
T
Z
0
cos (t ) dt = 0 .
Esto hecho implica que la intensidad promedio en el punto P , I (P ) =

Imed , venga dada por
Imed = Imed,1 + Imed,2
focos incoherentes.
(3.50)
Notemos que en el presente caso de focos incoherentes, la anulacin en

promedio del trmino de interferencia hace que la intensidad de la perturbacin NO dependa de la posicin del punto de observacin. Este hecho
provoca que aunque podamos, en un sentido estricto, hablar de interferencia, sta no ser observable y usualmente diremos que no existe interferencia.
A menudo cuando se habla de un nico foco tambin podemos decir que este foco es incoherente. En este caso, en realidad estamos queriendo decir que este nico foco tiene cierta extensin espacial, y que las
distintas partes del foco (asimilables a diversos focos puntuales) no son
coherentes entre s.
3.6.3. Focos coherentes

Cuando la frecuencia de los focos es constante y sus fases iniciales estn completamente correlacionadas, de modo que
= 1 (t ) 2 (t ) 6= f (t ) ,
manteniendo una diferencia de fase inicial constante, se dice que los dos
focos son coherentes. En el caso de que = 0, slo depender de la
diferencia de camino (en general r ),
= kr = 2r / ,
(3.51)
dando lugar as a una interferencia que S podra ser observable debido a

que el trmino de interferencia no se anula ahora en promedio.
Apuntes de FFI
FLML
105
En las circunstancias anteriores, podemos distinguir dos casos de inters, dependiendo de si cos es 1 o -1, esto es, si E 0 (P ) adquiere su valor
mximo (interferencia constructiva) o bien su valor mnimo (interferencia
destructiva). Por tanto, si
(
2n
E 0 (P ) = E 0,1 + E 0,2 Interferencia Constructiva
=
(3.52)
(2n + 1) E 0 (P ) = E 0,1 E 0,2 Interferencia Destructiva.
Teniendo en cuenta (3.51), la condicin de interferencia constructiva o
destructiva para r en P vendr dada por
r =
(2n + 1)
2
Interferencia Constructiva
Interferencia Destructiva ;
(3.53)
es decir, si la diferencia de camino es un mltiplo entero/semientero de la

longitud de onda, entonces tendremos interferencia constructiva/destructiva.
Desde un punto de vista prctico, una forma usual de producir focos
coherentes es generar dos focos secundarios a partir de la misma fuente primaria, asegurando as que la diferencia de fase inicial en los dos focos secundarios es una constante. Uno de los primeros experimentos que
mostr el fenmeno de interferencia con luz es el experimento de la doble
rendija de Young mostrado en la Figura 3.3(a), constatando as de forma
convincente que la luz tena naturaleza ondulatoria. En este experimento
F IGURA 3.3: Experimento de la doble rendija de Young
la luz (u otra perturbacin ondulatoria) proveniente de un foco primario S

se hace pasar por una pantalla en la que se han realizado dos ranuras S 1 y
S 2 separadas una distancia d . Las rendijas se comportan como dos focos
coherentes de luz cuyas ondas interfieren en el semiespacio derecho. Este fenmeno provoca un patrn de interferencias en la pantalla S D donde
aparecen regiones sombreadas (dibujadas en negro) junto a regiones ms
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
106
F IGURA 3.4: Patrn de interferencia resultante en el experimento de la doble

rendija de Young
iluminadas tal y como se muestra en la Figura 3.4. En este experimento

tenemos que la amplitud de las ondas que interfieren es idntica, esto es,
E 0,1 = E 0,2 .
Si adems consideramos que la pantalla S D se coloca a una distancia de
las rendijas tal que D d y admitimos que es muy pequeo, entonces,
segn muestra la Fig. 3.3(b), encontramos que la diferencia de camino en
un punto de la pantalla de coordenada y viene dada por
r = d sen d tan d
y
.
D
(3.54)
En consecuencia, el patrn de interferencia obtenido en la pantalla S D

mostrar franjas de interferencia constructiva o bien destructiva segn se
cumplan las siguientes condiciones:
Interferencia constructiva, y = y M :
kr = 2n
2 y M
d
= 2n ,
(3.55)
de donde se deduce que las franjas y = y M de interferencia constructiva

verifican
D
yM = n ,
(3.56)
d
siendo la intensidad media de la onda en estas franjas: Imed = 4Imed,1 .
Interferencia destructiva, y = y m :
kr = (2n + 1)
Apuntes de FFI
2 y m
d
= (2n + 1) ,
(3.57)
FLML
3.7.
(*) Difraccin
107
de donde se deduce que las franjas y = y m de interferencia destructiva

verifican
2n + 1 D
,
(3.58)
ym =
2
d
siendo la intensidad de la onda en estas franjas Imed = 0.
Ntese que la diferencia y entre un mximo y un mnimo consecutivo es
D
.
(3.59)
d 2
Esta expresin nos proporciona adicionalmente un procedimiento muy
sencillo para determinar el valor de la longitud de onda a partir de la medida de la distancia entre franjas de interferencia constructiva y destructiva.
y =
Es interesante notar que en las franjas de interferencia constructiva se

ha obtenido que la intensidad media es cuatro veces (y no dos) el valor de
la intensidad media proporcionada por cada uno de los focos. Esto parece violar el principio de conservacin de la energa, aunque tal hecho no
se produce puesto que la energa de la onda no se distribuye homogneamente en la pantalla S D sino que, debido a la interferencia, existen puntos
donde la energa es mayor que la suma de las energas provenientes de los
focos pero tambin existen otros puntos donde la energa es menor (incluso cero) que la proveniente de los focos.
E JEMPLO 3.3 Un foco de luz amarilla ( = 600 nm) incide sobre dos rendijas separadas una distancia d , observndose la interferencia de la luz proveniente de estas
rendijas en una pantalla situada a una distancia de 3 m. Obtener la separacin
d entre las rendijas para que la distancia entre mximos y mnimos consecutivos
del patrn de interferencia luminoso sea mayor que 5 mm.
Segn la teora expuesta anteriormente, la distancia entre mximos y mnimos consecutivos en el experimento de la doble rendija de Young viene dado por
D
.
d 2
Al despejar en la expresin anterior d encontramos que
y >
d<
D
3 6 107
=
= 1,8 104 m = 180 m .
2y 2 5 103
El resultado anterior nos muestra que la separacin entre rendijas debe ser
muy pequea (y an menor si y se quiere mayor) por lo que en la prctica no es
fcil llevar a cabo este experimento.
3.7.
(*) Difraccin
Uno de los fenmenos ondulatorios ms caractersticos es el conocido como difraccin. Este fenmeno se produce cuando una onda es distorsionada en su propagacin por un obstculo, aunque tambin se llama difraccin a la interferencia producida por muchos focos coherentes
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
108
elementales. Desde el punto de vista fsico, la difraccin no se diferencia

bsicamente de la interferencia puesto que ambos fenmenos son fruto
de la superposicin de ondas. La difraccin es, por ejemplo, la causa de
la desviacin de la luz de una trayectoria recta, explicando as por qu la
luz llega a puntos que, en principio, no debera alcanzar si su propagacin fuese estrictamente rectilnea. Un ejemplo de difraccin puede verse
en la Fig. 3.5(b), que muestra el patrn de sombras cuando una fuente de
luz coherente ilumina una esquina recta. En la Fig. 3.5(a) se muestra esta
misma sombra cuando no se produce difraccin (por ejemplo, cuando la
fuente de luz es incoherente).
b)
a)
Intensidad
Intensidad
Sombra
geomtrica
Borde
Distancia
Borde
Distancia
F IGURA 3.5: Sombra producida por una esquina recta iluminada por una fuente
de luz cuando: (a) NO se produce difraccin, (b) S se produce difraccin
En el presente estudio de la difraccin, consideraremos nicamente la

denominada difraccin de Fraunhofer, que se presenta cuando las ondas
incidentes pueden considerarse planas y el patrn de difraccin es observado a una distancia lo suficientemente lejana como para que solo se reciban los rayos difractados paralelamente. Por ello consideraremos que la
onda incidente es una onda electromagntica plana armnica cuyo campo elctrico est dirigido en la direccin y (de forma similar a como hemos
hecho en apartados anteriores). Para obtener la perturbacin resultante
haremos uso del principio de Huygens, que explica la propagacin ondulatoria suponiendo que
cada punto de un frente de ondas primario se comporta
como un foco de ondas esfricas elementales secundarias que avanzan con una velocidad y frecuencia igual
a la onda primaria. La posicin del frente de ondas primario al cabo de un cierto tiempo es la envolvente de
dichas ondas elementales.
Siguiendo este principio, cuando un frente de onda alcanza una pantalla en la que existe una rendija de anchura b, tal y como se muestra en
la Figura 3.6, slo aquellos puntos del frente de ondas coincidentes con la
Apuntes de FFI
FLML
3.7.
(*) Difraccin
109
(b)
(a)
Px
r
S1
S2
SN
Intensidad
b
r
1)D
( N-
SD
F IGURA 3.6: (a) Difraccin de Fraunhofer de una rendija rectangular; (b) Cada
punto de la rendija se comporta como un foco puntual emisor de ondas
secundarias.
rendija se convierten en focos emisores secundarios, de modo que la perturbacin ondulatoria en cualquier punto a la derecha de la rendija puede
calcularse como la superposicin de las ondas originadas en cada uno de
estos focos secundarios (ver Figura 3.6b).
En este sentido, y a efectos de clculo, supondremos que existen N focos puntuales equiespaciados en la rendija. El camo elctrico de la onda
electromagntica resultante, E y (r, t ), en cierto punto P de una pantalla S D
(situada a una distancia D d ) ser fruto de la interferencia de un gran
nmero de fuentes equiespaciadas de igual amplitud y fase inicial, esto es,
E y (P, t ) =
N
X
E 0 ej(kr n t ) ,
(3.60)
n=1
donde r n es la distancia desde el foco secundario n-simo hasta el punto

P y E 0 la amplitud constante de cada onda elemental. Notemos que, bajo la presente aproximacin, todos los rayos que llegan a P se consideran
paralelos. Si llamamos r a la distancia desde el foco 1 hasta P y r a la diferencia de camino entre la perturbacin que llega a P desde un foco y el
siguiente, r n puede escribirse como
r n = r + (n 1)r .
La perturbacin en P segn (3.60) puede entonces expresarse como
h
i
E y (P, t ) = E 0 ejkr + ejk(r +r ) + ejk(r +2r ) + . . . ejt
= E 0 1 + ej + e2j + . . . + e(N 1)j ej(kr t ) ,

(3.61)
donde = kr , lo que nos lleva a identificar la suma entre corchetes como una serie geomtrica, S g , de razn q = ej . Dado que la suma de la
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
110
siguiente serie geomtrica viene dada por

1 + q + q 2 + . . . + q N 1 =
1 qN
,
1q
el resultado de la serie geomtrica en (3.61) puede expresarse como

Sg
=
=
1 ejN
ejN /2 ejN /2 ejN /2
1 ej
ej/2 ej/2 ej/2
sen(N /2) j(N 1)/2
e
,
sen(/2)
por lo que
sen(kN r /2) j[k(r + N 1 r )t ]

2
e
.
sen(kr /2)
La expresin anterior puede reescribirse como
E y (P, t ) = E 0
E y (P, t ) = E P ej(kRt ) ,
(3.62)
(3.63)
donde
N 1
r
2
es la distancia desde el centro de la rendija al punto P y
R =r +
EP = E0
sen(kN r /2)
sen(kr /2)
(3.64)
es la amplitud resultante de la componente y del campo elctrico en P .

Dado que esta amplitud vara en cada punto de la pantalla, tambin lo har
la intensidad de la onda, formando lo que se conoce como un patrn de
difraccin:
Imed () sen2 (N kr /2)
.
(3.65)
max =
Imed
sen2 (kr /2)
Claramente existe un mnimo en la intensidad de la perturbacin cuando E P 0, esto es, cuando el numerador de (3.64) sea cero,
sen(kN r /2) = 0 ,
es decir, cuando el argumento verifica que
kN r /2 = m .
(3.66)
Segn se puede deducir de la Fig. 3.6(b) (si N ):

N r (N 1)r = b sen ,
por lo que la condicin de mnimo (3.66) para E P puede reescribirse como
2 b sen
= m ,
(3.67)
o equivalentemente
Condicin de intensidad nula en
b sen m = m
m = 1, 2, . . .
(3.68)
la difraccin por una rendija
Apuntes de FFI
FLML
3.8. Ondas estacionarias
111
El primer mnimo (o mnimo de primer orden) ocurre para m = 1, verificndose entonces que
(3.69)
sen 1 = .
b
Puede observarse que si b, 1 0, por lo que apenas se observar patrn de difraccin, es decir, la zona de sombra aparece bien definida tal
como ocurrira si la onda se propagase en lnea recta. A medida que el cociente /b crece, el ngulo 1 aumenta, hacindose, por tanto, ms evidente el fenmeno de difraccin. En general, los fenmenos de difraccin son
ms apreciables cuando las dimensiones de la rendija son del orden de la
longitud de onda de la perturbacin ondulatoria (no obstante, debe tenerse en cuenta que el anlisis efectuado para obtener la expresin (3.68) es
slo vlido si < b, puesto que de otro modo el seno sera mayor que uno
para todo valor de m).
E JEMPLO 3.4 Hallar la anchura de la franja central del patrn de difraccin producido en una pantalla situada a una distancia de 5 m de una rendija de anchura
0.3 mm por la que se ha hecho pasar una luz laser de 600 nm.
La anchura de la franja central puede obtenerse a partir del ngulo 1 que nos
da el primer mnimo en el patrn de difraccin. Segn la expresin (3.69), este
ngulo viene dado por
sen 1 =
6 107 m
=
= 2 103 .
b 3 104 m
Dado que sen 1 , tenemos que

sen 1 tan 1
y, por tanto, la anchura de la franja central ser
2a = 2D tan 1 2 5 2 103 = 20 mm .

Observemos que cuando una perturbacin viaja hacia la izquierda por
una cuerda, al llegar al extremo, sta se refleja de la forma mostrada en
la figura adjunta. Este fenmeno ondulatorio tambin se dar para ondas
electromagnticas cuando dichas ondas son reflejadas por espejos. Consideremos entonces una onda electromagntica plana armnica viajando
hacia la izquierda con un campo elctrico dado por (suponemos, por simplicidad, que la fase inicial de la onda es nula, = 0)
u1(x,t)
onda incidente
u2(x,t)
onda reflejada
x= 0
~1 (x, t ) = E 0,1 cos(t + kx)y .

E
Al llegar al punto x = 0, la onda se refleja en un espejo dando lugar a otra
onda armnica viajando hacia la derecha cuyo campo elctrico vendr dado por
~2 (x, t ) = E 0,2 cos(t kx)y .
E
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
112
Dado que las dos ondas viajeras anteriores se encuentran en una misma
regin del espacio darn lugar a un fenmeno tpico de superposicin o
interferencia.
Puesto que en el punto x = 0 la amplitud del campo electromagntico debe ser nula para cualquier instante de tiempo (por hiptesis sta es
la condicin de reflexin ideal en un espejo), tendremos que la componente y del campo resultante en este punto cumlir
E y (0, t ) = E 0,1 cos(t ) + E 0,2 cos(t )
= (E 0,1 + E 0,2 ) cos t = 0 ,
(3.70)
de donde se deduce que E 0,1 = E 0,2 .

Como las dos ondas electromagnticas anteriores coinciden simultneamente en la misma regin del espacio, la superposicin de ambas (usando notacin compleja) har que la componente y del campo elctrico de
la onda electromagntica resultante venga dada por
E y (x, t ) = E 0,2 ej(t +kx) + E 0,2 ej(t kx) = E 0,2 (ejkx + ejkx ) ejt
= E 0 sen(kx)ej(t /2)
(3.71)
(donde E 0 = 2E 0,2 y j se ha escrito como ej/2 ), cuya parte real puede

finalmente escribirse como
E y (x, t ) = E 0 sen kx sen t .
(3.72)
Ntese que en la expresin (3.72) no aparecen explcitamente expresiones

del tipo f (t kx), lo que indica que esta perturbacin no puede identificarse ya simplemente con una onda viajera, sino que constituye un nuevo
tipo de onda conocido como onda estacionaria. En este tipo de perturbacin ya no podemos decir que la energa viaja de un punto a otro sino que,
como muestra la Fig. 3.7, esta onda estacionaria corresponde a una situa-
F IGURA 3.7: Instantnea de la onda estacionaria en t = t 0 . Los nodos estn

separados una distancia /2.
cin en la que cada punto del espacio est sometido a un campo elctrico
caracterizado por una oscilacin armnica simple cuya amplitud es una
funcin de x, E 0 (x), pudindose escribir entonces que
E y (x, t ) = E 0 (x) sen t ,
Apuntes de FFI
(3.73)
FLML
113
siendo
E 0 (x) = E 0 sen kx .
(3.74)
Observemos que en la situacin anterior podemos encontrar puntos denominados nodos donde el campo elctrico es nulo para todo instante de
tiempo. Estos puntos son aquellos que verifican que E 0 (x) es cero, es decir,
aquellos que satisfacen la siguiente condicin:
kx = n x nodo = n
,
2
(3.75)
siendo la distancia entre dos nodos sucesivos una semilongitud de onda

(recurdese que la longitud de onda est determinada por la frecuencia y
la velocidad de propagacin de la onda: = c/ f ).
Si ahora imponemos al problema anterior una segunda condicin consistente en colocar un segundo espejo en el punto x = L, entonces ha de
verificarse igualmente que
E y (L, t ) = 0 ,
lo cual requiere que
sen kL = 0 kL = n .
(3.76)
La condicin anterior implica que tanto el nmero de ondas como la longitud de onda de la onda electromagntica estacionaria resultante slo pueden tomar ciertos valores discretos (fenmeno conocido como cuantizacin) dados por
2 3
= ,
,
,...
L L L L
2L
2L 2L
= 2L, , , . . .
n
2 3
kn
= n
(3.77)
(3.78)
Vemos entonces que la imposicin de (3.76) ha limitado los valores de las

longitudes de onda de la onda electromagntica en la regin del espacio limitada por los dos espejos a aquellos valores que cumplan la condicin
(3.78). De forma anloga, las frecuencias permitidas sern aqullas que
cumplan
n
n = ck n = c
.
(3.79)
L
En consecuencia podemos concluir que tanto las longitudes de onda como las frecuencias permitidas estn cuantizadas y que esta cuantizacin
es fruto de la imposicin de condiciones de contorno en las fronteras de
cierta regin del espacio.
E JEMPLO 3.5 En el montaje de la gura se genera una onda estacionaria en la

regin entre la bocina emisora y la pantalla metlica (espejo). Supuesto que el
detector de campo elctrico nos dice que la distancia mnima entre los mnimos
de amplitud de campo estn situados a 15 cm, determine la frecuencia de la onda
emitida por la bocina.
Detector
Bocina
Generador
de microondas
Osciloscopio
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
114
Teniendo en cuenta que la distancia entre mnimos de amplitud de campo

elctrico viene determina por la expresin (3.75), y que la distancia entre dos nodos sucesivos es = /2, tenemos entonces que la longitud de onda ser
= 2 = 2 0,15 = 0,3 m .
Considerando ahora la relacin existente entre la frecuencia y la longitud de
onda ( = c f ) tendremos que la frecuencia emitida es
f =
0,3
=
= 1 GHz .
c 3 108
Finalmente observemos que en la regin limitada por los espejos, cada una de las ondas electromagnticas estacionarias permitidas posee un
campo elctrico cuya componente y responde a la siguiente expresin:
E y,n (x, t ) = E 0,n sen(k n x) sen(n t + n ) ,
que se denominan genricamente como armnicos. Estos armnicos presentan la importante propiedad de que cualquier perturbacin electromagntica queen pueda existir en dicha regin puede expresarse como
una superposicin de ellos, esto es,
E y (x, t ) =
=
X
n=1
E 0,n sen(k n x) sen(n t + n )

E 0,n sen(nk 1 x) sen(n1 t + n ) ,
(3.80)
n=1
siendo
k1 =
1 = v
y E 0,n la amplitud del n-simo armnico (esta amplitud ser distinta en

cada caso particular). El resultado anterior puede considerarse como una
conclusin particular de un teorema ms general, llamado teorema de Fourier, que bsicamente dice que una funcin peridica puede expresarse
como la suma de senos/cosenos cuyas frecuencias son un nmero entero
de veces la frecuencia original del problema (un tratamiento detallado de
este teorema puede encontrarse en cualquier libro de Clculo).
3.9. Espectro electromagntico

Uno de los aspectos ms interesantes de las ondas electromagnticas
es que distintos fenmenos ondulatorios aparentemente inconexos como
la luz, las ondas de radio, las microondas, los rayos X, los rayos gamma, etc,
son todos ellos ondas electromagnticas que se diferencian simplemente
por su distinta frecuencia y longitud de onda. Todos los fenmenos anteriores son bsicamente campos elctricos y magnticos oscilantes a determinada frecuencia. En el espacio libre, la relacin entre la frecuencia f y la
Apuntes de FFI
FLML
3.9. Espectro electromagntico
115
longitud de onda viene dada por

=
c
.
f
(3.81)
El conjunto de todas las radiaciones electromagnticas se conoce espectro

electromagntico, distinguindose en l las distintas denominaciones que
toman las ondas electromagnticas en funcin de la frecuencia, tal como
se muestra en la Fig. 3.8.
Longitud de
onda (m)
Frecuencia
( Hz)
10
10
21
18
Rayos Gamma
Rayos X
10
-12
-1A
-9
10 - 1 nm
Ultravioleta
10
15
Visible
10
-6
10
-3
- 1 mm
Infrarrojo
1 THz - 1012
- 1 cm
Microondas
1 GHz - 10
TV, FM
1 MHz - 106
Ondas de Radio
0
10 - 1 m
10
- 1 km
Radiofrecuencia
1 kHz - 103
F IGURA 3.8: Espectro electromagntico
A lo largo de este tema hemos visto cmo la longitud de onda y la frecuencia determinan fundamentalmente las propiedades de la onda. En este sentido se vio en el Apartado 3.7 que los fenmenos de difraccin dependan bsicamente de la relacin entre la longitud de onda y el tamao fsico de los objetos donde se produca la difraccin. Esto justificaba
que los efectos de difraccin de la luz sean apenas perceptibles debido a
la corta longitud de onda de la luz visible (400 . (nm) . 700) y que, por
tanto, la luz pueda ser considerada en muchas situaciones prcticas como un rayo. La misma explicacin sirve para entender por qu grandes
obstculos como edificios o montes no afectan drsticamente a la propagacin de ondas de radio largas (107 . (m) . 102 ). La interaccin de la
onda electromagntica con la materia tambin depende bsicamente de
la longitud de la onda y as, la pequea longitud de onda de los rayos X
(1012 . (m) . 108 ) es la que explica por qu estos rayos pueden atravesar fcilmente muchos materiales que son opacos para radiaciones de
mayor longitud de onda. Igualmente, al estar la longitud de onda de las
ondas generadas en los hornos de microondas ( 15 cm) dentro del espectro de absorcin de las molculas de agua se explica que esta radiacin
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
116
sea considerablemente absorbida por las molculas de agua que contienen

los alimentos y, consecuentemente, se calienten.
3.10.
Fuentes de las Ondas Electromagnticas
Hasta ahora hemos estado estudiando algunas de las caractersticas de

las ondas electromagnticas pero todava no sabemos dnde y cmo se
originan estas ondas. Dado que las ondas electromagnticas son simplemente campos elctricos y magnticos oscilantes y las fuentes de estos
campos son las cargas elctricas estticas y/o en movimiento, es razonable suponer que estas cargas sern las fuentes de las ondas electromagnticas. No obstante, debemos notar que estamos hablando de las fuentes de
los campos primarios puesto que, como se ha discutido anteriormente,
una vez que se han generado estos campos primarios, son precisamente
los propios campos los responsables de la generacin de los subsiguientes
campos. Ahora bien, para que los campos primarios generen otros campos, stos deban ser campos variables en el tiempo por lo que ni cargas
estticas ni las cargas en movimiento uniforme de una corriente estacionaria puede producir ondas electromagnticas.3 Consecuentemente solo las
cargas elctricas aceleradas (nico estado de movimiento no considerado hasta ahora) originarn estos campos primarios y, por tanto, podemos
concluir que
las cargas elctricas aceleradas son fuentes de las ondas
electromagnticas.
Cargas elctricas oscilando a una determinada frecuencia sern los focos
de ondas electromagnticas de esa misma frecuencia y con una longitud
de onda en el espacio libre dada por: = 2c/.
Normalmente la oscilacin de una nica carga produce una onda cuya
intensidad es prcticamente indetectable, por ello las ondas electromagnticas suelen originarse en la prctica cuando un nmero importante de
cargas estn oscilando conjuntamente. Este hecho se produce, por ejemplo, en las antenas, que no son, en su forma bsica, ms que dos varillas
conductoras alimentadas mediante un generador de corriente alterna. El
generador de corriente alterna provoca que los electrones de las varillas
conductoras viajen desde un extremo a otro de las varillas realizando un
movimiento oscilatorio que viene determinado por la frecuencia del generador. Este tipo de antenas es el comnmente usado para generar ondas
de radio y TV (MHz . f . GHz). Las ondas de la luz visible que oscilan a
una f 1015 Hz son originadas por el movimiento oscilatorio de las cargas
atmicas y las radiaciones de mayor frecuencia por rpidas oscilaciones
electrnicas y nucleares.
3 Recordemos que las cargas estticas son las fuentes de campos elctricos estticos y las
cargas en movimiento uniforme en un conductor (esto es, las corrientes elctricas continuas) son las fuentes de los campos magnticos estticos.
Apuntes de FFI
FLML
117
El mismo mecanismo que justifica que los electrones en movimiento en un conductor originan ondas electromagnticas, esto es, forman una
antena emisora, tambin explica por qu este mismo dispositivo (sin el generador) sera una antena receptora. Los campos elctricos que llegan a la
antena ejercen una fuerza sobre las cargas mviles del conductor (electrones) que las hacen oscilar a la misma frecuencia que la onda electromagntica incidente. Claramente, el movimiento de estas cargas, que simplemente sigue el patrn de la radiacin incidente, produce una corriente elctrica
oscilante que puede ser detectada por algn dispositivo adecuado. De esta
manera el patrn de variacin temporal que se produjo en el generador de
la antena emisora es ahora recogido en el detector de la antena receptora. (Los electrones de la antena receptora se mueven tal como lo hacan los
electrones de la antena emisora, slo que cierto intervalo de tiempo despus; justamente el necesario para que la onda recorra la distancia entre
las dos antenas). De esta manera se ha transmitido informacin desde un
sitio a otro del espacio usando como intermediario a la onda electromagntica. Esta manera de transmitir informacin es muy eficaz ya que pone
en juego muy poca energa y permite transmitir informacin entre puntos
muy lejanos entre s (incluyendo comunicaciones con satlites y vehculos
espaciales).

3.1: Demostrar por sustitucin directa que la siguiente expresin:
E y (x, t ) = E 0 sen(kx t ) = E 0 sen k(x ct ) ,
donde c = /k, satisface la ecuacin de ondas.
3.2: Hallar la longitud de onda de a) una onda de radio de AM tpica con una frecuencia de
100 kHz, b) una onda de radio de FM tpica de 100 MHz; c) la frecuencia de una microonda
de 3 cm y d) la frecuencia de unos rayos X con una longitud de onda de 0,1 nm.
Sol. a) = 3 km ; b) = 3 m ; c) f = 10 GHz; d) f = 3 1018 Hz. ;
3.3: Una onda electromagntica (OEM) plana se propaga en el vaco. Sabiendo que su frecuencia es de 98.4 MHz y su amplitud de campo elctrico es de 20 mV/m, calclese: a) la
amplitud del campo magntico; b) la intensidad de onda (potencia media por unidad de
rea).
Sol.: a) B 0 = 0,661010 T; b) I = 0,53 W/m2 .
3.4: Una OEM plana se propaga a lo largo del eje X con una longitud de onda de 3 cm,
transportando una potencia media por unidad de rea de 6 W/m2 . Determnense las ex~yB
~ sabiendo que el campo elctrico est dirigido
presiones completas de los campos E
segn el eje Y .
~ (x, t ) = 67,26103 cos(21010 t 200x/3 + ) y V/m,
Sol.: E
~ (x, t ) = 22,421011 cos(21010 t 200x/3 + ) z T.
B
3.5: Cierto pulso de campo electromagntico puede asimilarse a una onda plana cuyos
2
~ (x, t ) = E 0 e(xct ) y (V/m) y B

~ (x, t ) = B 0 e(xc t ) z (T). Demostrar que amcampos son E
bos campos verifican la ecuacin de onda y obtener la relacin entre E 0 y B 0 sabiendo que
de acuerdo con la ley de Faraday debe cumplirse que E y (x, t )/x = B z (x, t )/t .
Sol.: E 0 = cB 0 .
FLML
Apuntes de FFI
118
Tema 3.
3.6: La antena de un receptor radioelctrico es equivalente a una barra conductora de

2 m de altura y est orientada paralelamente al campo elctrico de la OEM que se desea
sintonizar. Si la tensin eficaz entre los extremos de la antena al recibir la onda es de 4 mV,
determnense las amplitudes de los campos elctrico y magntico de la onda sintonizada,
as como la potencia media por unidad de rea transportada por la onda.
Sol.: E e = 2103 V/m; B e = 0,6661011 T, I = 108 W/m2 .
3.7: En la superficie de la Tierra,el flujo solar medio aproximado es de 0,75 kW/m2 . Se
desea disear un sistema de conversin de energa solar a elctrica para que proporcione una potencia elctrica de 25 kW que permita cubrir las necesidades de una casa. Si el
sistema tiene una eficacia del 30 %, cul ser el rea necesaria de los colectores solares,
supuestos que son absorbentes perfectos?.
Sol. 111 m2 .
3.8: Un pulso de lser tiene una energa de 20 J y un radio de haz de 2 mm. La duracin
del pulso es de 10 ns y la densidad de energa es constante dentro del pulso. a) Cul es la
longitud espacial del pulso? b) Cul es la densidad de energa dentro del mismo? c) Hallar
los valores de la amplitud de los campos elctrico y magntico.
Sol.: a) 3 m; b) 5,31 105 J/m3 ; c) E 0 = 3,46 108 V/m, B 0 = 1,15 T.
3.9: El campo elctrico de una onda electromagntica oscila en la direccin z, viniendo su
vector de Poynting dado por
~
S(x, t ) = 100 cos2 [10x + (3 109 )t ] x W/m2
donde x est en metros y t en segundos. a) En qu direccin se propaga la onda? b) Calcular la longitud de onda y la frecuencia. c) Hallar los campos elctrico y magntico.
Sol.: a) sentido negativo de x ;b) = 0,620 m, f = 4,77 108 Hz ;
~ = 194 cos[10x + (3 109 )t ]z V/m, B
~ = 0,647 106 cos[10x + (3 109 )t ]y T.
c) E
3.10: El campo elctrico de una onda electromagntica armnica plana tiene la expresin
~ (z, t ) = 3103 cos(kz 2108 t )y (V/m). Determnese: a) la longitud de onda, frecuencia,
E
~ , as como el vector de Poynting, ~
periodo y nmero de onda; b) el campo magntico, B
S, y
la intensidad de onda, I .
Sol.: a) = 3 m, f=100 MHz, T=10 ns, k = 2/3 m1 ;
~ (z, t ) = 0,01 cos(2z/3 2108 t )x nT,
b) B
~
S(z, t ) = 0,0239 cos2 (2z/3 2108 t )z W/m2 , I = S = 0,01195 W/m2 .
3.11: Una OEM armnica plana de longitud de onda = 6 m se propaga en el sentido ne~ (x, t ) = 21010 cos(t + kx + /4)y T.
gativo del eje de las X siendo su campo magntico B
Determnese: a) el nmero de ondas, la frecuencia y el periodo de la onda; b) las expresio~ , y del vector de Poynting, ~
nes del campo elctrico, E
S, as como la intensidad de onda, I .
1
Sol.: a) k = /3 m , f = 50 MHz, T = 20 ns;
~ (x, t ) = 60103 cos(108 t + kx + /4)z V/m,
b) E
~
S(x, t ) = (30/) cos2 (108 t + kx + /4)x W/m2 , I = S = 15/ W/m2 .
Constantes: c = 3108 m/s, 0 = 4107 H/m, 0 = 8,8541012 F/m.
Apuntes de FFI
FLML
T EMA 4
Semiconductores
4.1. Introduccin
Este tema mostrar de una forma ms bien cualitativa los fundamentos fsicos de la conduccin elctrica en los semiconductores, aunque tambin consideraremos algunos aspectos de los conductores (metales). Este
estudio tiene un alto inters prctico dado que los metales (Cu,Al,Ag,...) y
los semiconductores (Si,Ge,...) son los materiales constituyentes bsicos de
los circuitos electrnicos y optoelectrnicos actuales. En el Apartado 2.3.1
ya discutimos algunas cuestiones relativas a la conductividad elctrica ()
y que ahora discutiremos con mucho ms detalle. Una posible clasificacin de los slidos en funcin del valor de la conductividad a temperatura
ambiente los divide en: conductores, semiconductores y aislantes.
Conductores
I > 104 (m)1 , [Cu,Ag 107 (m)1 ]

I
d
< 0, la conductividad disminuye con la temperatura. En concredT
to se encuentra que
0
=
(4.1)
1 + (T T0 )
I decrece con las imperfecciones y/o impurezas de la red.

I n 1028 m3 . La concentracin de electrones libres apenas vara con
la temperatura.
Semiconductores
I 108 (m)1 104 ,

[Si 4 104 (m)1 , Ge 4 104 (m)1 ]
d
> 0, la conductividad aumenta al aumentar la temperatura. ExI
dT
perimentalmente se encuentra que la dependencia de la conductividad con la temperatura es del tipo
= 0 e/T
119
(4.2)
Tema 4.
120
Semiconductores
I crece con las impurezas de la red.

I n 1017 m3 . La concentracin de electrones libres vara enormemente (de hecho de forma exponencial) con la temperatura.
Aislantes
I < 108 (m)1 ,

[Vidrio 1011 (m)1 , Poliuretano 1020 (m)1
d
I
> 0. El comportamiento trmico de los aislantes es idntico al
dT
de los semiconductores. Por este motivo los aislantes y los semiconductores a veces se consideran el mismo tipo de materiales en
cuanto a su comportamiento respecto a la conductividad elctrica.
Su nica diferencia consiste en el valor de dicha conductividad a
temperatura ambiente.
4.2. Conductivad elctrica en metales

Antes de estudiar los semiconductores recordaremos algunas cuestiones importantes en relacin a la conduccin elctrica en los metales (buenos conductores). Para ello partiremos de un modelo que considera que
muchos metales presentan estructuras reticulares y que las fuerzas de cohesin en estos slidos se deben al tipo particular de enlace que presentan,
esto es, el enlace metlico. En los slidos que presentan este tipo de enlace
se supone, en principio, que los portadores de carga de la corriente sern
los electrones libres que provienen de que cada tomo del metal cede uno
o varios de sus electrones de sus ltimas capas (electrones de valencia)
para formar una especie de gas de electrones comn a todo el slido. La
cohesin del slido se debe precisamente a la interaccin entre los iones
positivos y el gas de electrones libres que los rodea.
Partiendo de las ideas anteriores, proponemos que los metales estn
constituidos por
Un resto de iones positivos esencialmente estticos que estn
regularmente distribuidos
+
Un posible conjunto de electrones de valencia que vagan libremente
por el metal. Estos electrones forman un gas clsico.
Aplicando las ideas de la Teora Cintica de los Gases, se supone que
los electrones de este gas estn en constante agitacin trmica (con un
movimiento de desplazamiento neto nulo). La interaccin entre el gas de
electrones y los restos inicos se realiza mediante choques elsticos continuos debido al movimiento trmico catico de los electrones. A temperatura ambiente, la velocidad tpica de los electrones debido a esta agitacin
trmica es v T 105 m/s.
Apuntes de FFI
FLML
4.3. Estructura cristalina
121
Tal y como ya discutimos en el Apartado 2.3.1, al aplicar un campo

~ , los electrones libres adquiriran una aceleracin daelctrico externo, E
~ /m e , siendo e el valor absoluto de la carga del electrn
da por ~
a = e E
19
(e = 1, 6 10
m/s), m e la masa del electrn (m e = 9, 1 1031 kg). No
obstante, estos electrones sufrirn continuos choques con los restos inicos, lo que provocar una desaceleracin continuada. El efecto combinado
del campo externo junto con estos choques da lugar a un movimiento de
desplazamiento que en promedio es uniforme y que viene caracterizado
por cierta velocidad de arrastre, ~
v a (de mucho menor valor y superpuesta
a la anterior velocidad trmica; es decir, |~
v a | v T ). Un clculo estimativo
de esta velocidad de arrastre de los electrones libres nos permitir escribir
~
va = ~
a =
~
eE
,
me
(4.3)
donde es el denominado tiempo promedio entre colisiones. Dado que la

densidad de corriente, ~
J , puede escribirse como [ver Eq. (2.3)]
~
J = n(e)~
va =
ne 2
~,
E
me
(4.4)
se encuentra que esta magnitud es proporcional al campo aplicado, anlogamente a la expresin (2.12) para la ley de Ohm. El coeficiente de propor~ nos da la siguiente expresin para la conductividad
cionalidad entre ~
J yE
elctrica:
ne 2
=
.
(4.5)
me
4.3.
Conductividad elctrica en metales
Estructura cristalina
Recordemos que uno de los objetivos finales de este tema ser proporcionar los fundamentos fsicos que nos permitan entender el funcionamiento de los dispositivos electrnicos usados en la actual tecnologa
de los computadores. Dado que este funcionamiento se basa en las propiedades del transporte de carga en metales y semiconductores, debemos
considerar que dicho transporte de carga no slo depender de las propiedades intrnsecas de los electrones susceptibles de moverse sino tambin
de la disposicin de los tomos en los slidos. El estudio de la disposicin
de los tomos en metales y semiconductores se realizar mediante un modelo simple y representativo del slido, conocido como cristal ideal.
El cristal ideal se define como un medio material discreto e infinito con
una ordenacin espacial regular y peridica de sus componentes, caracterizado bsicamente por su
homogeneidad,
~ en el interior
simetra de traslacin (ciertas traslaciones de vectores T
del cristal dejan a ste invariante),
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
122
Semiconductores
anisotropa.
Una de las caractersticas ms ideales y simplificadoras del modelo anterior lo constituye su carcter infinito. A pesar de la aparente irrealidad de
esta caracterstica, el cristal ideal es un modelo muy vlido para el estudio
de aquellas propiedades del cristal en las que los efectos de superficie no
sean muy significativos. Dado que las propiedades en las que estaremos
interesados (fundamentalmente las relacionadas con el transporte de carga) son propiedades que muy aproximadamente son independientes de la
forma de la superficie del material, el cristal ideal ser un buen modelo
para nuestro propsito.
En el estudio del cristal ideal aparece hay un concepto bsico fundamental que nos informa sobre la geometra subyacente. Dicho concepto
es la red cristalina, que puede definirse como
Red cristalina es un conjunto infinito y discreto de puntos
con una disposicin y orientacin que aparece exactamente la misma desde cualquier punto del conjunto.
Tal como muestra la Fig. 4.1, la red cristalina es una estructura puramente geomtrica que se forma mediante la traslacin peridica (de perio~ ) de una malla o celdilla elemental.
do T
+ T=
a
Celdilla
elemental
Red cristalina
F IGURA 4.1: Formacin de una red cristalina bidimensional a partir de la
~ = n1~
repeticin peridica, con periodo T
a + n 2~
b, de la celdilla elemental.
Una de las caractersticas esenciales de esta red cristalina es que pone de manifiesto la importancia que tiene la disposicin geomtrica de la
estructura espacial peridica del cristal con independencia de las unidades reales o motivos que la compongan. Este hecho puede observarse en
la construccin de la Fig. 4.2, donde se evidencia el hecho de que subyacente a la estructura reticular aparece la composicin de la red cristalina
con cierto motivo (tomo o grupo de tomos).
Adems de la simetra de traslacin presente en la red cristalina, esta
red posee otras simetras (por ejemplo, simetras puntuales), que son usadas para clasificar los distintos tipos de redes que existen.
Apuntes de FFI
FLML
4.3. Estructura cristalina
Red cristalina
123
Estructura reticular
Motivo
F IGURA 4.2: Estructura reticular vista como producto de la composicin de la red

cristalina ycon cierto motivo.
El estudio detallado de las distintas simetras nos permite concluir que

todas las posibles redes cristalinas tridimensionales pueden clasificarse en
14 tipos distintos de redes, conocidas genricamente como redes de Bravais. Como ejemplo, la Fig. 4.3 muestra las 3 redes que pertenecen al sistema cbico.
Cbica
[P]
Cbica centrada
en el interior (bcc)
[Ba,Cr,Cs,Fe,K,..]
Cbica centrada
en las caras (fcc)
[Ag,Al,Au,Cu,..]
F IGURA 4.3: Redes cristalinas pertenecientes al sistema cbico.
Una estructura de especial inters prctico (y que no es en s una red

de Bravais) es la denominada estructura tipo diamante, que se muestra
en la Fig. 4.4(a). Una gran nmero de las sustancias formadas por tomos
(a)
(b)
F IGURA 4.4: (a) Estructura tipo diamante formada por la interpenetracin de dos
redes cbicas centradas en las caras y desplazadas una respecto a la otra 1/4 a lo
largo de la diagonal del cubo. (b) Detalle que muestra la disposicin tetradrica
de los tomos de las sustancias que cristalizan en esta red cristalina.
del grupo IV (C, Si, Ge, ...), o bien aqullas formadas por tomos del grupo
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
124
Semiconductores
III y V, cristalizan en este tipo de red. Dado que la mayora de los materiales semiconductores estn formados por tomos de los grupos anteriores,
los semiconductores suelen presentar una estructura tipo diamante. Segn
muestra la Fig. 4.4(a), la estructura tipo diamante puede visualizarse como
dos redes cbicas fcc interpenetradas y desplazadas una sobre la otra 1/4
sobre la diagonal del cubo, dando as lugar a una disposicin tetradrica
(ver Fig. 4.4b) en la que cada tomo puede considerarse localizado en el
centro de un tetraedro y formando un enlace con cada uno de sus cuatro vecinos ms prximos. Segn veremos en apartados posteriores, esta
disposicin tetradrica determina alguna de las propiedades ms caractersticas de los semiconductores.
4.4.
Bandas de energa
En los slidos monocristalinos existe una disposicin regular de sus

componentes bsicos (tomos o molculas) que da lugar a que sus electrones presenten una distribucin energtica en forma de bandas de energa.
Aunque un estudio riguroso de esta cuestin requerira un conocimiento extenso de Fsica Cuntica, a continuacin expondremos unos razonamientos cualitativos que nos permitirn hacernos una idea de la razn de
la aparicin de estas bandas de energa. En este sentido empezaremos considerando lo que ocurre al estudiar la evolucin de los niveles energticos
individuales de dos tomos. Debemos recordar que los niveles energticos
de los electrones en un tomo individual estn cuantizados.1 En el caso de
un sistema formado por dos tomos muy alejados uno del otro encontramos que los niveles energticos de dicho sistema diatmico es el mismo
que el de cada tomo por separado, con la diferencia de que cada uno de
los niveles del tomo individual aparece ahora por duplicado en el sistema de dos tomos (decimos entonces que cada nivel atmico presenta un
degeneracin de orden 2; es decir, cada nivel energtico presenta dos estados). La cuestin clave ahora es que
Al acercar dos tomos idnticos se rompe la degeneracin de los dos estados correspondientes a estos
tomos y aparecen dos niveles de energa diferente.
A partir de este principio bsico podemos analizar los cambios que
sufren los niveles de energa del electrn en este sistema de dos tomos.
Tal como muestra la Fig. 4.5, en este caso, se observara que los niveles de
energa de los electrones ms internos (nivel E 1 ) apenas sufriran cambios
mientras que los niveles de energa de los electrones de las capas ms externas (nivel E 2 ) s que sufriran un desdoblamiento. Este hecho se debe a
que los electrones ms internos apenas seran afectados por la presencia
1 Es muy conveniente repasar todo lo relativo a la configuracin electrnica de los to-
mos y a la forma en que se distribuyen los electrones en las distintos niveles energticos
(1s2 2s2 2p6 ...)
Apuntes de FFI
FLML
4.4. Bandas de energa
125
distancia
interatmica
F IGURA 4.5: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones

externos de un sistema de 2 tomos
del otro tomo dado que su entorno energtico apenas vara con respecto a la situacin en la que se encontraban en cada tomo individual. Por el
contrario, el entorno energtico de los electrones externos en el sistema
de dos tomos prximos es sustancialmente distinto al que haba en un
nico tomo.
El fenmeno de desdoblamiento observado para dos tomos puede
claramente extenderse a un sistema de ms tomos (por ejemplo 6, tal como muestra la Fig. 4.6). En este caso encontraremos que por cada nivel
original de las capas del tomo individual aparecern ahora tantos niveles
como tomos haya en el sistema multiatmico. Igualmente observamos
cmo los niveles de las capas ms externas (nivel E 2 ) sufre un desdoblamiento ms amplio que el correspondiente a las capas ms internas (nivel E 1 ).
distancia
interatmica
F IGURA 4.6: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones

externos de un sistema monodimensional de N tomos
Si este modelo se sigue extendiendo hasta completar el nmero total

de tomos del slido (n 1028 m3 ), los niveles discretos de energas (correspondientes al despliegue de los niveles originales de los tomos individuales) apareceran ahora tan cerca que daran lugar a una configuracin
cuasicontinua de niveles energticos. Debido a esta naturaleza cuasicontinua de la energa, se dice que la configuracin energtica del slido muestra bandas de energa (ver Fig. 4.7).
Debido a que las propiedades fsicas de los slidos dependen bsicamente de la configuracin de las ltimas bandas de energa, stas sern las
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
126
Semiconductores
3s
2N
3s
6N
2p
2p
2N
2s
2s
2N
Banda 1s
1s
F IGURA 4.7: Aparicin de bandas de energa fruto de la prdida de degeneracin

de los niveles energticos asociados a los electrones de un slido
de mayor inters para la conductividad elctrica. La denominacin usual

para estas ltimas bandas es la siguiente:
Banda de Valencia (BV): es la banda de energa ms alta conteniendo
electrones.
Bandas Prohibidas (BP): corresponden a aquellos valores de energa en
los cuales no hay niveles permitidos.
Banda de Conduccin (BC): Si la BV est parcialmente llena, esta banda se denomina banda de conduccin y si la BV est totalmente llena
(a T = 0 K) entonces la BC ser aquella banda inocupada inmediatamente superior a la BV.
Debe notarse que la anterior discusin sobre la formacin de bandas
se basa en un modelo simplificado monodimensional que no ha tenido en
cuenta las caractersticas tridimensionales del cristal. Cuando stas se tienen en cuenta, la formacin de bandas de energa puede presentar algunas
variaciones importantes respecto al modelo simple presentado anteriormente. En concreto cabe destacar el fenmeno de hibridacin de bandas,
que consiste en la existencia de bandas de energa formadas combinando
niveles de energa procedentes de diferentes niveles originales, como se
ver posteriormente para el caso del C, Si, y Ge.
4.5.
Aislantes, Semiconductores y Conductores
El modelo de bandas expuesto anteriormente podr explicar satisfactoriamente la existencia de conductores y semiconductores/aislantes. Debe notarse que para que los electrones respondan al campo elctrico externo (y por tanto contribuyan a la corriente elctrica), stos deben poder ganar energa y situarse en estados energticos superiores. En consecuencia, slo aquellos electrones que posean estados superiores prximos
Apuntes de FFI
FLML
4.5. Aislantes, Semiconductores y Conductores
T=0 K
127
BC
BC
BV
Aislante
BV
BV
(BC)
C onductor
Semiconductor
F IGURA 4.8: Situacin de las bandas energticas ms externas para Aislante,

Semiconductor y Conductor
disponibles vacos y permitidos respondern a la accin del campo elctrico externo. Siguiendo este mismo razonamiento podemos igualmente
concluir que aquellos electrones cuyas energas correspondan a las de una
banda completamente llena NO contribuirn a la corriente elctrica; es decir, su densidad de corriente es nula (para recordar el significado de esta
magnitud, ver Apartado 2.2 del tema de corriente continua) :
~
J banda llena = 0 .
(4.6)
Esto implica que los nicos electrones que podran participar en el proceso
de conduccin elctrica sern aqullos situados en las bandas superiores
(dado que las bandas inferiores estarn totalmente llenas).
Para explicar el comportamiento elctrico de los slidos distinguiremos dos situaciones en funcin de la temperatura: T = 0 K y T > 0 K.
A T = 0 K, un slido que tenga la BV llena ser un aislante debido a que
los electrones en dicha BV no pueden desplazarse hacia niveles ms
altos de energa en dicha banda bajo la accin de un campo elctrico
externo. La existencia de la BP, en principio, impedira que estos electrones pudieran desplazarse hacia la BC. Por el contrario, si la BV est
parcialmente llena, entonces los electrones pueden desplazarse hacia
niveles ms altos de energa en el interior de dicha banda y el slido se
comportar como un conductor. Un aislante cuya BP sea relativamente pequea se denominar semiconductor, aunque a T = 0 K, tanto el
aislante como el semiconductor se comportan como aislantes perfectos. Las situaciones descritas anteriormente se muestran en la Fig. 4.8.
A T > 0 K es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos electrones de la BV sean excitados trmicamente a la BC y, por tanto, que
haya algunos portadores disponibles para la corriente elctrica. La probabilidad de salto de electrones de BV a BC ser directamente proporcional a la temperatura e inversamente proporcional a la anchura energtica, E g , de la BP. En consecuencia, a mayor E g menor concentracin de electrones en BC y menor valor de conductividad elctrica. Esto
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
128
Semiconductores
explica el diferente valor a temperatura ambiente de la conductividad

elctrica, , dando as lugar a la diferenciacin entre aislantes y semiconductores. Por otra parte, dado que para estos materiales, la concentracin de electrones en BC aumenta con T , la conductividad crecer a
medida que la temperatura crezca.
En los conductores, la situacin energtica de los electrones ligados en
la BV parcialmente llena (o BC) es muy similar a la electrones libres.
Esto explica que el comportamiento de la conductividad con la temperatura para los conductores segn el modelo de bandas sea, en este
caso, T 1 .
En este punto es importante aclarar que la conduccin elctrica NO involucra un salto de electrones entre bandas. Este salto est relacionado
nicamenconte la excitacin trmica pero NO con la existencia de un
campo elctrico externo. La presencia de dicho campo ser obviamente la causante ltima del movimiento de los portadores de carga y, por
tanto, de la corriente elctrica.
3s
1N
2p
6N
2s
2N
1s
2N
tomo de Na
Slido de Na
2N
de 8N
Banda 3s3p
6N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin para Mg
2N
de 4N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin aparente para C
2p
g
2s
Siguiendo los razonamientos anteriores, se podra ahora predecir el carcter elctrico de los slidos formados por distintos elementos. As para
un cristal formado por tomos de Na, cuyo nmero atmico es Z = 11 y de
configuracin 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 , es de esperar que su estructura de bandas sea
la mostrada en la figura adjunta. En principio, es de esperar que la banda
3s estuviese parcialmente llena y, por tanto, que esta banda constituyese
una Banda de Conduccin. En esta situacin, esperaramos que este solido fuese un conductor; suposicin que es plenamente confirmada por los
hechos experimentales.
Usando un razonamiento similar es de esperar igualmente que un slido cristalino de Mg (elemento de Z = 12 y configuracin electrnica
1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 ) sea un aislante al tener su ltima banda con electrones totalmente llena. No obstante, experimentalmente se encuentra que el Mg
es un buen conductor. Para explicar esta importante discrepancia hay que
considerar que el modelo de formacin de bandas que se ha seguido es un
modelo monodimensional y, tal como se seal anteriormente, este modelo slo nos proporciona las guas bsicas para explicar la formacin de
bandas en los slidos tridimensionales. Los detalles especficos de las bandas de muchos slidos slo pueden explicarse a partir de un modelo que
tuviese en cuenta el carcter tridimensional del slido. En este sentido, ha
de tenerse en cuenta que tanto el Na como el Mg presentan una hibridacin de las bandas 3s y 3p para formar una nica banda hbrida 3s3p que
tendr en total 8N estados energticos y, en consecuencia, tanto para el Na
como para el Mg esta ltima banda con electrones est parcialmente llena
y ambos slidos sern conductores.
Una discusin anloga puede hacerse para el caso del carbono cristalizado (diamante). El carbono tiene una configuracin electrnica 1s 2 2s 2 2p 2 ,
de modo que siguiendo el modelo monodimensional debera ser un buen
conductor. No obstante, el hecho de que el diamante sea un aislante excelente puede explicarse de nuevo a partir de la formacin de una banda
1s
Apuntes de FFI
ro
S eparacin
interatm ica
FLML
4.6. Masa efectiva. Huecos
129
hbrida 2s2p con 8N estados. Tal como se puede ver en la figura, tras la
formacin de esta nica banda hbrida ocurre una posterior separacin de
esta banda en dos bandas que podemos llamar banda 2s2p inferior y banda 2s2p superior, cada una de ellas con 4N estados energticos. Cuando
se forma el diamante los 6N electrones del slido se situarn de manera
que 2N van a la banda 1s y los restantes 4N a la banda 2s2p inferior, dando lugar a que la ltima banda con electrones est totalmente llena. Dado
que la separacin entre la BV y BC en el diamante es grande (E g 6 eV), el
diamante sera muy buen aislante de acuerdo con el modelo de bandas.
Es importante notar que el Si y el Ge tienen la misma configuracin
electrnica en sus ltimas capas que el C, por lo que igualmente se producir el mismo tipo de hibridacin de bandas (banda 3s3p para Si y banda 4s4p para Ge) y, en consencuencia, los monocristales de Si y Ge sern
igualmente aislantes a T = 0 K. No obstante, la anchura de la banda prohibida entre BV y BC es menor en estos slidos que en el diamante, por lo
que de acuerdo con las discusiones al inicio de esta seccin, ambos slidos sern semiconductores a T > 0 K.
4.6.
Masa efectiva. Huecos
4.6.1.
Masa efectiva
Una de las consecuencias ms importantes de la existencia de bandas

en los slidos se manifiesta en la respuesta que presentan los electrones
~ . La distinta respuesta de los elecligados a un campo elctrico externo, E
trones en funcin de su situacin en las bandas de energa ser recogida
por la magnitud masa efectiva, m . En concreto, esta magnitud nos relacionar directamente la aceleracin, ~
a , del electrn con la fuerza externa
aplicada, esto es,
~ext
F
~
a= .
(4.7)
m
Es importante notar lo que la ley de Newton nos dice es que la suma vectorial de todas las fuerzas que actan sobre el electrn (externas ms internas) es igual a su masa real (m e ) por su vector aceleracin,
X
~int + F
~ext = m e ~
(todas las fuerzas) = F
a.
(4.8)
Esta expresin nos permite deducir que en aquellos casos en los que acten fuerzas internas no existir una relacin lineal trivial entre la aceleracin y las fuerzas externas dado que ser precisamente la masa efectiva
(m ) la que recoger el efecto global de las fuerzas internas.
Para el caso monodimensional, un estudio riguroso sobre la definicin
de esta masa efectiva del electrn en una banda nos permitira concluir
que
1. m no presenta el mismo valor que m e .
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
130
Semiconductores
2. m puede ser mayor que m e e incluso llegar a ser infinita.

3. m puede ser menor que m e e incluso ser negativa.
En particular usaremos el hecho de que la masa efectiva es
positiva en el borde inferior de la banda y
negativa en el borde superior.
La variacin de los valores y signo de la masa efectiva del electrn bajo
el efecto conjunto y opuesto del campo elctrico externo y del potencial
peridico de la red puede interpretarse como un balance entre la accin
de las fuerzas provenientes del campo externo (a favor del movimiento) y
las fuerzas internas de la red (opuestas al movimiento). Cuando m > 0, el
electrn gana energa globalmente dado que la accin del campo externo
es superior a la de las fuerzas internas. El punto en el que m indicara que el electrn no cambiara su velocidad (como si no respondiese a
~ ) ya que la accin del campo externo es perfectamente conla accin de E
trarrestada por la accin de las fuerzas internas de la red. La situacin en
la que m < 0 podra interpretarse como que en esa zona las fuerzas internas de la red superan a la accin del campo elctrico externo; es decir, el
electrn se acelerara en direccin opuesta a la fuerza externa.
4.6.2. Huecos
BC
BV
El hecho de que la masa efectiva de los electrones en el borde superior de la banda sea negativa tiene unos efectos trascendentales sobre el
fenmeno de conductividad elctrica en el slido. En este sentido estudiaremos la contribucin a la corriente elctrica de los electrones de una
banda cuasillena. Esta situacin se encuentra tpicamente para un semiconductor intrnseco en el que algunos electrones del borde superior de la
BV migran hacia la BC por excitacin trmica. Como ya hemos discutido,
los electrones que han migrado a la BC contribuirn a la corriente elctrica
del modo usual a como lo hacen los electrones libres en los metales. Para
tratar la contribucin a la corriente elctrica de los electrones que permanecen en la BV (que se denominar ~
J resto ), analizaremos en primer lugar
una situacin que involucra a todos los electrones de la BV menos a uno
en el borde superior de la banda. Tal como ya se seal en el apartado 4.5,
debemos notar que la corriente elctrica de una banda totalmente llena es
nula:
~
J llena = 0 .
Esta corriente puede a su vez descomponerse en la corriente, ~
J i , producida por un nico electrn i situado en el borde superior de la BV ms
la producida por el resto de electrones de dicha banda, ~
J resto . Es claro que
esta ltima corriente describe la contribucin de los electrones de la banda
de valencia cuasillena, pudindose escribir como
~
J resto = ~
J llena ~
J i = ~
Ji ,
Apuntes de FFI
FLML
4.6. Masa efectiva. Huecos
131
es decir, la corriente debida a todos los electrones de la BV menos el electrn i es equivalente a menos la corriente del electrn i situado en el borde
superior de la BV. Dado que
~
J i = e~
vi
y teniendo en cuenta que la velocidad promedio, ~
v i , puede escribirse en
funcin del tiempo de vuelo (i ) como
~
vi = ~
a i i ,
encontramos que
~
J resto = e~
a i i .
(4.9)
Para obtener una idea ms clara de la naturaleza de la corriente a la que

es equivalente ~
J resto debe analizarse el sentido del vector aceleracin ~
a i . La
aceleracin podr obtenerse a partir de la aplicacin de la ley de Newton
para el electrn ligado i , esto es,
~
ai =
~ext e E
~
F
=
.
mi
mi
Ahora bien, dado que el electrn i estaba en el borde superior de la BV, su

masa efectiva es negativa, m i = |m i | < 0, por lo que encontramos que
~
ai =
~
eE
.
|m i |
(4.10)
La expresin anterior nos indica que la aceleracin del electrn i del

borde superior de la BV es equivalente a la de una pseudopartcula, que
se llamar hueco, que tuviese carga positiva, e, y masa positiva |m i |. El
razonamiento anterior puede extenderse similarmente al caso de ms de
un electrn del borde superior de la BV. De acuerdo a esta consideracin y
a la expresin (4.9), se puede concluir que
la contribucin a la corriente de todos los electrones de la BV
menos un numero pequeo de ellos que migraron a BC es equivalente a la corriente del mismo nmero de huecos (pseudopartculas con carga y masa positiva)
Bsicamente, lo que se ha conseguido con la anterior interpretacin es
encontrar una equivalencia entre la corriente de muchos electrones (obviamente con carga negativa) de una BV cuasillena con la corriente de unos
pocos huecos de carga positiva. No obstante, debemos tener en cuenta que
la corriente en el slido est sostenida fsicamente solo por electrones y
que los huecos se han introducido con el nico objetivo de simplificar el
anlisis. En este sentido, el tratamiento de la corriente debido a los huecos
en BV se har de una forma anloga al de los electrones en la BC.
Hemos encontrado entonces que la corriente en un semiconductor a
~ , est sostenida por
T > 0 K en respuesta a un campo elctrico externo, E
dos tipos de portadores:
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
132
Semiconductores
electrones en la Banda de Conduccin, y

huecos en la Banda de Valencia.
En consecuencia, la densidad de corriente total, ~
J , puede expresarse como
la superposicin de la corriente debida a los electrones en BC, ~
J n , ms la
~
corriente debida a los huecos en BV, J p ,
~
J =~
Jn + ~
Jp .
(4.11)
La distribucin de estos dos tipos de portadores ser por tanto lo que determinar las propiedades elctricas de los semiconductores. Por este motivo, los temas siguientes dedicados al estudio de los semiconductores se
centrarn en analizar el comportamiento de los electrones en la BC y los
huecos en la BV.
4.6.3.
Generacin y recombinacin de electrones y huecos
Como ya se ha comentado anteriormente, la existencia de electrones

en BC y huecos en BV es la caracterstica fsica ms determinante de las
propiedades elctricas de los semiconductores. En concreto, la existencia
de estos electrones en BC y/o huecos en BV puede explicarse a partir de los
siguientes procesos:
Generacin trmica
BC
Generacin/recombinacin trmica de pares e /h+ .

Debido a los aportes energticos de origen trmico (T > 0 K) existe cierta probabilidad de que, fruto de la excitacin trmica, algunos electrones de BV pasen a la BC a travs de la BP, generando as pares de e /h+ .
BV
Generacin ptica de pares e /h+ .

La posible interaccin luz semiconductor se producir cuando un fotn de energa h > E g incida sobre el material. Un electrn de BV puede absorber entonces la energa suficiente para pasar a BC generando
simultneamente un hueco en la BV.
Cuando se aaden impurezas
no
se generan directamente pares de
/h+ sino
o h
Adicin de impurezas.
Si se aaden tomos de elementos que no estn en la columna IV (usualmente llamados impurezas substitutorias), se produce un incremento
de la concentracin de electrones en BC y/o huecos en BV. La seleccin
del tipo de impureza que se aade provocar un aumento considerable
del nmero de e o bien de h+ . Es interesante notar que este proceso de generacin, al contrario que los anteriores, no genera pares de
e /h+ sino que slo genera un tipo de portadores.
Debemos observar que simultneamente a la generacin de e y h+ ocurre un fenmeno de recombinacin de pares e /h+ . Este proceso de recombinacin puede verse como un proceso inverso al de generacin de
pares e /h+ ; es decir, existe cierta probabilidad de que un electrn de la
BC pase a la BV, liberando as cierta energa en este trnsito en forma de
Apuntes de FFI
FLML
4.7. Semiconductores Intrnsecos
133
calor que absorbe la red o bien en forma de luz (fotones). Si los agentes
externos permanecen invariables en el tiempo, la actuacin conjunta de
la generacin y la recombinacin de electrones y huecos provoca que sus
concentraciones permanezcan constantes en un equilibrio dinmico.
Un estudio de las causas que intervienen en la generacin y recombinacin de pares e /h+ nos permitira concluir que la velocidad de generacin de pares e /h+ , G, depende de la temperatura de operacin y del
proceso concreto que origina dicha generacin, mientras que la velocidad
de recombinacin de estos pares, R, se encuentra que es proporcional a la
concentracin existente tanto de electrones en BC, n, como de huecos en
BV, p, es decir,
R = r np ,
(4.12)
donde el factor r es una constante de proporcionalidad que depende del
material y del mecanismo particular de recombinacin.
4.7.
Velocidad de recombinacin de pares e
/h+
Semiconductores Intrnsecos
Cuando las propiedades elctricas de un semiconductor vienen determinadas exclusivamente por la estructura de bandas del cristal decimos
que este semiconductor es intrnseco (en la prctica, diremos que un semiconductor es intrnseco cuando la concentracin de impurezas sea tan
pequea que no afecte a sus propiedades elctricas). Una propiedad importante de estos semiconductores es que sus portadores de carga, pares
e /h+ , se generan nicamente por excitacin trmica a travs de la banda
prohibida.
En funcin de un modelo bidimensional de enlaces covalentes y de la
estructura de bandas, los semiconductores intrnsecos pueden describirse
de la siguiente manera:
A T = 0 K.
Dado que la estructura reticular tpica de los semiconductores es la estructura tipo diamante (ver Apartado 4.3), cada uno de los tomos del
cristal aparece rodeado de cuatro vecinos prximos de manera que forma un doble enlace covalente con cada uno de ellos (cada tomo proporciona cuatro electrones) para obtener la configuracin del octete.
Esta configuracin no deja ningn electrn fuera de los enlaces covalentes, por lo que el material se comporta como un aislante.
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la anterior configuracin
se traduce en la presencia de una Banda de Valencia completamente
llena (relacionada con los electrones en los citados enlaces covalentes)
y una Banda de Conduccin completamente vaca separadas por una
banda prohibida de anchura E g .
BC
BV
A T > 0 K.
Debido a la agitacin trmica, existe cierta probabilidad de que alguno
de los enlaces covalentes del cristal pueda romperse dando lugar a un
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
134
electrn que no est localizado en las inmediaciones de un tomo particular (est deslocalizado y extendido por la red por lo puede funcionar como un portador de carga para conducir una corriente a travs
del cristal). A su vez, queda un enlace roto que puede ser ocupado por
alguno de los electrones adyacentes provocando de esta manera otro
posible movimiento adicional de cargas que puede identificarse con la
aparicin de un hueco.2
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la aparicin del par

e /h+ es simplemente fruto de la posible transicin trmica de un electrn de BV a BC.
BC
Dado que los electrones y huecos son generados trmicamente por parejas, la concentracin de electrones en BC debe ser igual a la concentracin de huecos en BV:
n = p ni .
(4.13)
BV
Concentracin de e
Semiconductores
y h
es la
misma en un semiconductor
intrnseco
Por otra parte, dado que en equilibrio la concentracin de electrones y/o

huecos permanece constante, esto implica que la generacin trmica de
pares e /h+ es compensada por continuas transiciones (directas o indirectas) de electrones de BC a BV, es decir, por una continua recombinacin. El
equilibrio requiere, por tanto, que en el semiconductor intrnseco la velocidad de generacin trmica, G i , de pares e /h+ sea igual a la velocidad de
recombinacin, R i , de estos pares y por tanto tendremos que
Ri = G i .
(4.14)
4.8. Semiconductores Extrnsecos

Adems de los portadores intrnsecos generados trmicamente, es posible crear nuevos portadores en los semiconductores mediante la adicin
de impurezas en el cristal. Este proceso, llamado dopaje, es una tcnica
2 Tal como muestra la figura adjunta, la aparicin de un par e /h+ en la red podra tam-
bin considerarse teniendo en cuenta que, en dicha red, un tomo con un enlace roto
sera equivalente a un tomo normal ms un par e /h+ . Para visualizar esto, consideremos que cada tomo de la red contribuye a los enlaces con cuatro de sus electrones y,
en este sentido, caractericemos cada tomo por sus cuatro electrones de valencia junto
con sus correspondientes cuatro protones que den cuenta de la neutralidad de la carga
en el tomo. En este sentido, un tomo normal ms un par e /h+ , tras la posible recombinacin de uno de los electrones ligados al tomo con el hueco, sera equivalente
al tomo con uno de sus enlaces rotos.
4
-
tomo normal +
+
par e / h
Apuntes de FFI
e y h que
se recombinan
tomo con un
enlace roto
FLML
135
muy comn para variar la conductividad de los semiconductores. Si el nmero de tomos de impurezas que se aaden es una fraccin pequea del
nmero total de tomos originarios en el cristal, entonces puede suponerse que la accin de la adicin de estas impurezas ser la de sustituir a algunos tomos originales pero SIN cambiar la estructura reticular del cristal, es
decir, sin modificar apreciablemente la estructura de bandas del semiconductor. Segn el tipo de impurezas que se aadan al cristal, se distinguirn
dos tipos de semiconductores extrnsecos.
4.8.1. Semiconductor tipo n
Si ;
Si las impurezas que se aaden al cristal semiconductor pertenecen

a elementos de la columna V (N, P, As, Sb), entonces, segn la visin bidimensional de enlaces del cristal, algunas posiciones ocupadas por tomos originales aparecern ahora ocupadas por los ND tomos de impurezas aadidas, que debido a sus cinco electrones de valencia posibilitarn
el que uno de esos electrones no est ubicado en alguno de los enlaces
covalentes. Dado que este electrn est ligado al tomo de impureza por
fuerzas electrostticas dbiles (con energas de ligadura del orden de centsimas de eV), dicho tomo puede fcilmente ionizarse y el e liberado
podr contribuir a la corriente elctrica en el cristal. A las impurezas del
grupo V se las llamar impurezas donadoras.
T=0 K
Desde el punto de vista del modelo de bandas, y tal como muestra la

Fig. 4.9, la situacin anterior se traduce en la aparicin en la BP de un nueT>0K
+
P=>P + e
portadores
mayoritarios
portadores
minoritarios
F IGURA 4.9: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas

donadoras. A bajas temperaturas, el nmero de transiciones de electrones ala BC
se debe principalmente a la presencia de los tomos donadores (ocurren pocas
transiciones de origen trmico). Ntese que E g = EC E V 1 eV mientras que
EC E D 0, 01 eV.
vo nivel de energa, E D , (con 2ND estados posibles) correspondiente a los

electrones deslocalizados de los tomos de impurezas donadoras. Este nivel de energa aparecer cercano al borde inferior de la BC y as, por excitacin trmica, existir una alta probabilidad de que los electrones de este
estado pasen a la BC y, por tanto, incrementen la concentracin de electrones en dicha banda. Debe notarse que el aumento de electrones en esta
banda no va acompaado de un incremento anlogo de huecos en BV dado que la correspondiente carga positiva corresponde al ion de la impureza
donadora permanecer fijo en el cristal.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
136
Si
Semiconductores
Al
4.8.2. Semiconductor tipo p

De manera similar a lo que sucede para el semiconductor tipo n, la adicin de tomos de elementos correspondientes a la columna III (Ga, In, B,
Al) con slo tres electrones de valencia provoca que al sustituir a alguno
de los tomos originales del cristal semiconductor, uno de los enlaces covalentes quede incompleto. Este enlace incompleto puede ser fcilmente
completado por uno de los electrones de los enlaces adyacentes provocando de este modo que el enlace incompleto pueda vagar por el cristal
y contribuya a la corriente elctrica como un hueco.
T=0K
Tal como muestra la Fig. 4.10, la adicin de un tomo de Al a la red del

Si podra visualizarse como una red tpica de Si ms una carga negativa
fija en la posicin del tomo de Al y una carga positiva (hueco) dbilmente
ligada a la carga negativa. Una dbil excitacin trmica puede liberar a
esta carga positiva creando as un portador mvil de carga.
T>0K
Al=>Al + h
-
3
-
e y h que
se recombinan
tomo Si +
+
carga neg. fija + h
tomo Al
F IGURA 4.10
Dado que los tomos de impurezas (en nmero igual a N A ) pueden

aceptar electrones de tomos adyacentes, stas se denominan impurezas
aceptoras.
La situacin que el modelo de bandas (ver Fig. 4.11) predice para el
presente caso consiste en la aparicin de un nuevo nivel de energa, E A en
la BP (con 2N A estados electrnicos posibles) correspondiente a los electrones que pueden ser aceptados por las impurezas. Este nivel de energa
estar situado cerca del borde superior de la BV, indicando que este nivel
ser fcilmente alcanzado por los electrones del borde superior de la BV
p>>n
-
portadores
minoritarios
portadores
mayoritarios
h
T=0K
T > 0 K (~50 K)
F IGURA 4.11: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas

aceptoras. Ntese que E g = EC E V 1 eV mientras que E A E V 0, 01 eV.
dejando de este modo un nmero igual de huecos en la BV.
Apuntes de FFI
FLML
137
4.8.3. Ley de accin masas

Un resultado muy interesante que se obtiene de la observacin experimental (aunque tambin puede derivarse tericamente) nos dice que al
realizar el producto de los valores de la concentracin de electrones en BC
por la concentracin de huecos en BV tenemos que
np = Cte(T ) ,
(4.15)
esto es, el producto np slo depende de la temperatura y de ciertos parmetros del semiconductor (masas efectivas de electrones/huecos y anchura de la BP). El resultado (4.15) nos dice entonces que a una temperatura
fija, en un mismo semiconductor, el producto de la concentracin de e en
BC por la de h+ en BV permanece constante independientemente del tipo
y grado de dopaje del material. En el caso particular de que no hay adicin
de impureza tendremos que n n i y p n i , lo que nos permite identificar
la Cte en la expresin (4.15) como Cte = n i2 y escribir la ley de accin de
msas como
np = n i2 .
(4.16)
Esta ley conocida como ley de accin de masas muestra que el producto
de la concentracin de electrones en BC por huecos en BV para cualquier
semiconductor es siempre igual al cuadrado de la concentracin intrnseca
de electrones y/o huecos.
Ley de accin de masas
4.8.4. Compensacin y Neutralidad de la carga espacial

Segn se ha discutido en el Apartado 4.7, en un semiconductor aparecen dos tipos distintos de cargas en funcin de su estado de movimiento, a
saber,
Portadores mviles de carga: las cargas mviles compuestas por los
electrones de BC, n, y los huecos de BV, p.
Cargas fijas: provenientes de la ionizacin de las impurezas sustitutorias tanto donadoras, ND + , como aceptoras, N A .
Dado que ni la generacin de pares e /h+ ni la adicin de impurezas provoca la aparicin de carga neta y supuesto que el semiconductor era originalmente neutro, de acuerdo al principio de conservacin de la carga,
debemos tener que
Nmero de cargas positivas = Nmero de cargas negativas.
En otras palabras, la concentracin de e en BC ms la concentracin
de impurezas aceptoras ionizadas negativamente debe ser igual a la concentracin de h+ en BV ms la concentracin de impurezas donadoras ionizadas positivamente, es decir,
n + N A = p + ND + .
FLML
(4.17)
Ecuacin de neutralidad
de la carga
Apuntes de FFI
Tema 4.
138
Semiconductores
Si la temperatura de operacin es tal que las impurezas se han ionizado

completamente (lo cual puede considerarse que ocurre aproximadamente
a temperatura ambiente), esto es, si N A N A y ND + ND , entonces la
ecuacin de neutralidad de la carga espacial en el semiconductor puede
escribirse como
n + N A = p + ND .
(4.18)
Esta ley junto con la ley de accin de masas (4.16) nos permitir calcular las concentraciones de e y h+ en funcin de las concentraciones de
impurezas donadoras/aceptoras y la concentracin intrnseca. Para ello,
partiendo de p = n i2 /n y sustituyndolo en (4.18), obtenemos que
n + NA =
n i2
n
+ ND
n 2 (ND N A )n n i2 = 0 .
Al despejar en la ecuacin anterior encontramos finalmente que
4.8.5.
ND N A
+
2
n i2
n
ND N A
2
+ n i2
(4.19)
(4.20)
Clculo aproximado de n y p
Las expresiones anteriores se pueden simplificar en las siguientes condiciones:

Semiconductor tipo n
Si se cumple estrictamente que N A = 0, la ecuacin de neutralidad de
la carga dice que
n = p + ND .
Si la generacin de electrones por excitacin trmica (recurdese que
se excitan pares e /h+ ) puede despreciarse frente a la generacin de
electrones debido a la ionizacin de las impurezas donadoras, es decir,
si
ND n i ,
entonces el trmino n i2 puede despreciarse en la raz de (4.19), dando
lugar a que
n ND
p
n i2
ND
(4.21)
.
(4.22)
Semiconductor tipo p
Si en este caso ND = 0, la ecuacin de neutralidad de la carga queda
como
n + NA = p .
Apuntes de FFI
FLML
4.9. Corrientes de Arrastre y Difusin
139
Suponiendo de nuevo que la generacin de huecos por excitacin trmica puede despreciarse frente a la generacin de huecos debido a la
ionizacin de las impurezas aceptoras, esto es, cuando
N A ni ,
entonces se cumplir que N A n y por tanto
p NA
n
n i2
NA
(4.23)
.
(4.24)
E JEMPLO 4.1 Calcular la concentracin de electrones y huecos en una muestra de

Si dopada con 1019 tomos de Al.
Dado que el Al es una impureza aceptora, tenemos que
N A = 1019 m3
ND = 0 .
Por otra parte, segn el dato para n i en el Apndice G, tenemos que

N A ni ,
por lo que podemos usar las aproximaciones (4.23) y (4.24) para obtener finalmente que
p 1019 m3
n
(1,42 1015 )2
2 1011 m3 .
1019

Hasta ahora, la nica corriente que se ha estudiado es la relacionada
con el movimiento de cargas provocado por la presencia de un campo
elctrico externo E .3 Esta corriente se denomin corriente de arrastre y,
teniendo en cuenta la expresin (2.10), su forma para electrones y huecos
ser
J p,arr = qp pE
(4.25a)
J n,arr = qn nE ,
(4.25b)
E
Movimiento
corriente
siendo q la carga elemental de los portadores de carga en el proceso,4 y

3
Por simplicidad, en este apartado consideraremos que el movimiento de las cargas es

modonodimensional (por ejemplo, nicamente a lo largo del eje x), y por ello prescindiremos del caracter vectorial de aquellas magnitudes que lo poseen. Por ello, el mdulo
de dichas magnitudes se denotar simplemente como el valor de esta magnitud eliminndole la flecha. Por ejemplo, el campo elctrico ser simplemente E .
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
140
Semiconductores
donde p y n son las movilidades para electrones y huecos respectivamente. Ntese que la corriente de huecos y electrones tiene el mismo sentido que el campo aplicado, pero solo el movimiento de los huecos tiene
el mismo sentido que el campo aplicado. Teniendo en cuenta la expresin
(2.14), la conductividad para un semiconductor ser
= p + n
= q pp + qnn .
(4.26)
En este apartado se ver que adems de este tipo de corriente existe otro tipo, denominado corriente de difusin, que aparece siempre que
exista una distribucin no uniforme de portadores de carga.
4.9.1. Proceso de difusin

Algunos ejemplos comunes en los que encontramos procesos de difusin son:
Proceso por el que las partculas de un gas inicialmente situado en cierta regin de un recinto se expande por todo el recinto.
Proceso por el que una gota de tinta en un lquido va diluyndose hasta
que todo el lquido se colorea.
Proceso por el que el perfume que inicialmente estaba en un rincn de
una habitacin cerrada se va extendiendo hasta que toda la habitacin
queda perfumada.
El origen de los procesos de difusin anteriores hay que buscarlo en
el movimiento errtico de agitacin trmica que muestran las partculas.
Este movimiento junto con los consiguientes choques con otras partculas
y con las paredes del recinto hace que las partculas traten de extenderse
por todo el recinto que las contiene. Tras cada choque, las partculas tienen
igual probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que da lugar a
que exista una transferencia neta o flujo de partculas desde las zonas ms
pobladas a las menos pobladas. Este proceso de difusin dura hasta que se
homogeniza la concentracin, , de partculas en el recinto (la permanente
agitacin trmica ya no provocara una transferencia neta de partculas).
Por consiguiente, podemos decir que
La causa del proceso de difusin es la existencia de concentraciones no uniformes de partculas, = (x).
Dado que una concentracin inhomognea implica que
d(x)
6= 0 ,
dx
4 En el presente caso, dicha carga corresponde precisamente a la carga del electron, de
modo que q e = 1,60218 1019 C. En lo que sigue del tema usaremos q en vez de e
para evitar confusiones con el nmero e.
Apuntes de FFI
FLML
141
podemos decir que el proceso de difusin ocurre mientras exista un gradiente de concentracin (en una dimensin, el gradiente de una funcin
f (x) es precisamente su derivada respecto a x). En este sentido podemos
establecer que el flujo de partculas (nmero de partculas por unidad de
rea) por unidad de tiempo en la posicin x, (x), ser proporcional al gradiente de la concentracin,
(x)
d(x)
,
dx
lo que nos permite escribir que

(x) = D
d(x)
,
dx
(4.27)
donde D es el coeficiente de difusin caracterstico de cada tipo de proceso.

El signo menos en la expresin anterior indica que el movimiento de las
partculas se producir desde donde hay ms concentracin hasta donde
hay menos, es decir, en el sentido decreciente de la concentracin.
4.9.2.
Corriente de difusin
En un semiconductor donde tenemos portadores libres de carga (esto

es, gases de electrones y de huecos) tambin pueden darse procesos de
difusin si la concentracin de portadores no es homognea. No obstante,
dado que los portadores son partculas cargadas, existen algunas diferencias importantes con las situaciones descritas en el proceso anterior (que
slo implicaban a partculas elctricamente neutras).
En primer lugar un flujo de partculas cargadas originar obviamente una corriente elctrica, que se conoce como corriente de difusin. Por
otra parte, si el origen de las inhomogeneidades de portadores libres proviene de una distribucin no uniforme de impurezas, debemos tener en
cuenta que stas se ionizan y permanecen bsicamente inmviles mientras que los electrones o huecos asociados a stas son prcticamente libres. En este caso, los procesos de difusin de portadores libres darn lugar a una descompensacin espacial de la carga elctrica que provocar la
aparicin de un campo elctrico interno, E i , que tiende a oponerse al propio proceso de difusin (es decir, el proceso de difusin acaba antes de que
se haya homogenizado la concentracin de carga).
Si las concentraciones de electrones y huecos en el semiconductor son
no uniformes, los flujos de difusin vendrn entonces dados por
dp(x)
dx
dn(x)
n (x) = D n
,
dx
p (x) = D p
(4.28a)
(4.28b)
siendo D n y D p los coeficientes de difusin para e y h+ respectivamente.

La densidad de corriente de difusin para electrones y huecos se obtendr
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
142
p(x)
Movimiento
n(x)
corriente
Semiconductores
simplemente multiplicando la carga por el flujo de difusin de partculas

por unidad de tiempo, por lo que
dp(x)
dp(x)
= qD p
J p,dif (x) = (+q) D p
(4.29a)
dx
dx
dn(x)
dn(x)
= qD n
.
(4.29b)
J n,dif (x) = (q) D n
dx
dx
Electrones y huecos se mueven en el mismo sentido si sus respectivas concentraciones varan del mismo modo. En este caso, sus corrientes de difusin resultan en sentidos opuestos.
4.9.3. Corriente total

Si adems del proceso de difusin, el semiconductor est sometido a
un campo elctrico externo, E (x), entonces la densidad de corriente de
electrones, J n (x), y la de huecos, J p (x), debern incluir trminos correspondientes a los dos procesos simultneos de movimiento de cargas que
ocurren en el semiconductor, a saber, arrastre y difusin:
dp(x)
dx
dn(x)
J n (x) = J n,arr (x) + J n,dif (x) = qn n(x)E (x) + qD n
.
dx
J p (x) = J p,arr (x) + J p,dif (x) = qp p(x)E (x) qD p
(4.30)
(4.31)
Es importante notar que existe una relacin entre los coeficientes de difusin y movilidad, que se conoce como relacin de Einstein, que establece
la siguiente relacin:
D n,p kT
=
,
(4.32)
n,p
q
donde k es una constante que se conoce con el nombre de constante de
Boltzmann y cuyo valor es k = 1,381 1023 J/K = 8,620 105 eV/K.
La densidad de corriente total en el semiconductor, J total (x), ser obviamente la suma de las correspondientes a electrones y huecos, esto es,
J total (x) = J n (x) + J p (x) ,
(4.33)
cuyos sentidos se muestran en la Fig. 4.12.

Es importante sealar que la corriente de arrastre es proporcional a la
concentracin de portadores, por lo que los portadores minoritarios apenas contribuiran a esta corriente de arrastre. Por otra parte, dado que la
corriente de difusin es proporcional al gradiente de la concentracin, entonces aunque la concentracin de minoritarios pudiera ser rdenes de
magnitud ms pequea que la de mayoritarios, su gradiente s puede ser
del mismo orden o incluso mayor y, en consecuencia, contribuir muy significativamente a la corriente de difusin y, por ende, a la corriente total.
Este importante resultado puede resumirse como
los portadores minoritarios pueden contribuir significativamente a la corriente total mediante procesos de difusin.
Apuntes de FFI
FLML
143
MOVIMIENTO
CORRIENTE
ARRASTRE
DIFUSIN
F IGURA 4.12: Sentido de las corrientes de difusin y de arrastre para electrones y

huecos.
4.9.4.
Campo elctrico interno
En un semiconductor con un dopaje no uniforme de impurezas (esto

es, con una concentracin inhomognea de portadores), en ausencia de
campo externo aplicado y en condiciones de equilibrio, la corriente total,
tanto de electrones como de huecos, debe ser cero:5
J n (x) J p (x) = 0 .
Por ejemplo si consideramos el caso de un semiconductor tipo p dopado inhomogneamente, p = p(x) (en la figura se representan los portadores de carga mviles), es claro que inicialmente existir una corriente de
difusin de huecos debido a la existencia de un gradiente no nulo en la
concentracin de huecos, J p,dif 6= 0. Dado que en el equilibrio la corriente
total de huecos es nula, esta corriente de difusin de huecos debe verse
compensada por una corriente de arrastre de huecos en sentido contrario.
Claramente, esta corriente de arrastre debe estar originada por la aparicin de un campo elctrico interno, E i , que sea responsable de la creacin
de dicha corriente.
Tal como se ha discutido en al Apartado 4.9.2, el origen de este campo
elctrico interno puede entenderse partiendo del hecho de que la muestra
era originalmente neutra. Podemos ver que existen dos tendencias contrapuestas en el semiconductor dopado no uniformemente. Por una parte
existe una tendencia hacia la inhomogeneidad de los portadores libres debido a la atraccin elctrica de las impurezas ionizadas que, buscando la
neutralidad local de la carga, tiende a igualar la distribucin de impurezas
ionizadas con la de portadores libres. Por otra parte, a causa de la difusin
(que solo afecta a las cargas mviles), existe una tendencia a la homogenizacin de la concentracin de portadores. Ambas tendencias tienden a
contrarrestarse, dando lugar a una distribucin final de portadores intermedia entre la distribucin inicial de impurezas y la homogenizacin total.
Semicond
Inhomog
I=0
A
Jp=Jp,dif +Jp,arr
Jp,dif
Ei
5 Ntese que si la corriente fuese distinta de cero se estara generando energa de la nada
dado que al paso de la corriente hay resistencia.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
144
Semiconductores
En este sentido, el proceso de difusin genera un movimiento neto de los

portadores de carga que provoca la aparicin de una densidad de carga
neta, (x), en la muestra. A su vez, la aparicin de esta densidad de carga
neta dar lugar a un campo electrosttico (que se opone a la difusin) y,
consecuentemente, a un potencial electrosttico, V (x).
Teniendo en cuenta que
dp(x)
=0,
J p (x) = q p p(x)E i (x) D p
dx
podemos obtener, tras despejar, la siguiente expresin para el campo elctrico interno:
D p 1 dp(x) kT 1 dp(x) kT d
Ei =
=
=
lnp(x) ,
(4.34)
p p(x) dx
q p(x) dx
q dx
donde se ha hecho uso de (4.32).
1
Jp,dif(x)
Jp,arr
Ei(x)
V1
2
Potencial debido a una
concentracin de portadores
no uniforme
Dado que el campo E i es electrosttico (proviene nicamente de las

cargas elctricas), de acuerdo a (1.19), podemos escribir que
Z 2
E i dx
V12 =
1
Z 2
Z
kT d
kT 2
=
d lnp(x) ,
(4.35)
lnp(x) dx =
dx
q 1
1 q
por lo que encontramos finalmente que
V21 =
kT
p2
ln
,
q
p1
(4.36)
donde V21 = V2 V1 y p 1 , p 2 son las concentraciones de huecos en los puntos 1 y 2 respectivamente. Es interesante notar que la expresin anterior
nos dice que
la diferencia de potencial que se establece entre dos
puntos de una muestra de semiconductor no homogneo slo depende de la relacin entre las concentraciones en estos puntos y no de la distancia entre los puntos
o de la forma de la concentracin entre estos puntos.
A partir de (4.36), encontramos la siguiente relacin entre las concentraciones en funcin de la diferencia de potencial:
p2
= eqV21 /kT .
p1
(4.37)
Si el proceso anterior se hubiese hecho para la corriente de electrones,6

procediendo de una forma anloga se hubiese llegado igualmente a que
n2
= eqV21 /kT .
n1
(4.38)
6 Notar que si p = p(x), esto implica que n = n(x), dado que donde hay mayor concentra-
cin de huecos habr mayor recombinacin y, por tanto, esto afectar a la concentracin
de electrones.
Apuntes de FFI
FLML
4.10. Uniones p-n
145
Combinando ahora las expresiones (4.37) con (4.38) obtenemos que

p 2 n1
=
p 1 n2
n1 p 1 = n2 p 2 .
Dado que los puntos 1 y 2 son puntos arbitrarios y el producto de la concentracin de huecos por electrones viene fijado por la ley de accin de
masas (4.16), encontramos la siguiente expresin general de la ley de accin de masas:
n(x)p(x) = n i2 .
(4.39)
Ley
de
accin
de
masas
para
un semiconductor inhomogneo en
equilibrio
E JEMPLO 4.2 Una muestra de Si es dopada con tomos donadores de tal manera
que Nd (x) = N0 exp(ax). (a) Encuentre una expresin para el campo interno
supuesto que Nd ni . (b) Calcule el valor del campo si a = 1 (m)1 .
(a) Partiendo de que J n (x) = 0 y siguiendo un proceso anlogo al realizado en la

seccin anterior, llegamos a que
Ei =
kT d
ln n(x) ,
q dx
que en nuestro caso, admitiendo que n(x) ' Nd (x), se convierte en

Ei =
kT
a.
q
(b) Sustituyendo los valores oportunos tenemos que

E i = 0,0259 106 = 259 V/m .
4.10. Uniones p-n

Las aplicaciones elctricas y pticas ms interesantes de los semiconductores surgen cuando se dopan regiones vecinas con distintos tipos de
impurezas. En este sentido, la mayora de los dispositivos semiconductores usados en Electrnica contienen al menos una unin entre un material
tipo p y uno tipo n. Las uniones p-n son fundamentales para la realizacin
de funciones tales como la rectificacin, amplificacin y conmutacin tanto de seales electrnicas como optoelectrnicas. En consecuencia, podemos considerar a la unin p-n como el elemento bsico operativo de diversos componentes electrnicos y optoelectrnicos como diodo rectificador,
diodo Zener, diodo tnel, transistor bipolar, fotodiodo, LDR, clula fotovoltaica, diodo LED, lser de inyeccin, etc.
Para el estudio de la unin p-n se usar un modelo simplificado que es
la unin abrupta. Esta unin no es en sentido estricto la que se encuentra en los diversos dispositivos pero es suficientemente simple como para
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
146
Semiconductores
poder ser tratada cualitativa y cuantitativamente y, por otro parte, es suficientemente realista como para ofrecer un comportamiento fsico muy
prximo al que ocurre en las uniones difusas.
En principio estudiaremos la unin p-n en equilibrio (esto es, sin accin externa) para despus analizar el efecto de una polarizacin externa
sobre la unin. En primer lugar estudiaremos este efecto desde un punto de vista cualitativo para posteriormente obtener las expresiones de las
diversas corrientes. Es interesante sealar el enorme cambio que se observa en la caracterstica I V de una unin p-n respecto a la caracterstica
de una muestra homognea de semiconductor dopado (que se comporta
como una simple resistencia). Aparecen nuevos efectos fsicos relacionados con la unin que abren muchas posibilidades al diseo de nuevos y
eficaces dispositivos.
4.11. Unin p-n en equilibrio

ND
NA
S
Semiconductor
Intrnseco
Tal como se ha comentado anteriormente, el estudio de la unin p-n en

equilibrio se realizar usando el modelo de la unin abrupta sin excitacin
externa y, por tanto, sin corriente neta en la unin. Esta unin abrupta estar constituida por una muestra original de semiconductor intrnseco de
seccin S constante que es dopada uniformemente en un lado de la unin
por impurezas aceptoras (de concentracin N A ) y en el otro lado por impurezas donadoras (cuya concentracin ser ND ).
n
4.11.1. Potencial de Contacto
Segn se discuti en el Apartado 4.9.2, al poner en contacto los dos lados de la unin p-n comenzar un proceso de difusin debido a la diferencia de concentracin de portadores en ambos lados de la unin. Se inicia
un flujo de huecos de p n y simultneamente un flujo de electrones de
p n . Este proceso de difusin (que intenta igualar las concentraciones
en ambos lados de la unin) contina hasta establecimiento de un campo
electrosttico interno suficientemente intenso como para oponerse al movimiento de las cargas (ver Apartado 4.9.4). La ausencia de corriente neta
en el equilibrio implica que
|~
J arrastre | = |~
J difusin | .
Los h+ que viajan desde p n provienen mayoritariamente de la ionizacin de las impurezas aceptoras en el lado p y, anlogamente, los e desde
p n , de la ionizacin de las impurezas donadoras en el lado n. Tal como
muestra la Fig. 4.13, este desplazamiento de portadores de carga, dejando
tras de s un defecto de carga fija, provoca la aparicin de una regin de
carga neta en las proximidades de la unin. Esta regin de carga neta, o
regin de carga espacial/regin de transicin, est compuesta por cierta
cantidad de cargas negativas fijas en el lado p y la misma cantidad de car-
Apuntes de FFI
FLML
147
F IGURA 4.13: Propiedades de la unin p-n en equilibrio
gas positivas en el lado n. El campo electrosttico interno se genera debido

a la aparicin de estas cargas y es importante sealar que
el campo electrosttico est bsicamente localizado en
la regin de carga espacial,
dado que fuera de esta regin el resto de la muestra es neutro dando as lugar a que el campo apenas se extienda ms all de la zona de transicin. La
existencia de dicho campo electrosttico viene lgicamente acompaado
de la aparicin de una diferencia de potencial correspondiente, de tal modo que el potencial toma un valor Vn en la zona neutra n y Vp en la zona
neutra p; siendo su diferencia V0 = Vn Vp conocida como potencial de
contacto.7
El clculo del potencial de contacto puede realizarse, por ejemplo, siguiendo la expresin (4.36), que nos deca que
V21 =
kT
p2
ln
q
p1
donde hemos hecho uso ahora de una notacin ligeramente diferente al

llamar q al mdulo de la carga del electrn y k (la constante de Boltzmann).
7 Un voltmetro no podra medir este potencial de contacto puesto que el campo que lo
crea slo existe en el interior de la muestra, no extendindose por el exterior.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
148
Semiconductores
Teniendo en cuenta adems la siguiente nomenclatura:

V2 Vn , V1 V p ,
p 1 p p0
V21 Vn Vp = V0
y
p 2 p n0 ,
donde el subndice n o p indica la regin de la unin y el subndice 0 que

se est en situacin de equilibrio, la expresin anterior puede reescribirse
como
p p0
kT
ln
.
(4.40)
V0 =
q
p n0
En aquellas situaciones comunes en la prctica en las que podamos escribir que
n2
p p0 N A
y
p n0 i ,
ND
la expresin para el potencial de contacto vendr dada por
Potencial de contacto en una
unin p-n.
Desplazamiento de las bandas

de energa en una unin p-n
en equilibrio
V0 =
kT
N A ND
ln
.
q
n i2
(4.41)
Para obtener el diagrama de bandas de energa de la unin p-n mostrado en la Fig. 4.13 se ha tenido en cuenta que existe un desplazamiento de
las bandas de energa de modo que se iguala el nivel de la energa de Fermi en toda la muestra homognea en equilibrio trmico y sin otra accin
externa:
EC p EC n = E V p E V n = qV0 .
(4.42)
Tal como muestra la Fig. 4.13, la expresin (4.42) indica que las bandas
de energa en cada lado de la unin estn separadas una cantidad igual al
valor del potencial de contacto por el de la carga electrnica q.
4.11.2. Regin de carga espacial

En la regin de carga espacial tanto los electrones como los huecos estn en trnsito debido a la accin del campo electrosttico E . Este hecho
provoca que existan, en un instante dado, muy pocos electrones o huecos
en esta regin. En consecuencia,
la carga espacial de la regin de transicin puede considerarse
debida nicamente a las impurezas donadoras/aceptoras fijas
ionizadas.
Consideraremos, por tanto, que no hay portadores de carga libres en
esta regin. El clculo de la carga neta en ambos lados de la regin de transicin debe tener slo en cuenta la concentracin de impurezas ionizadas,
esto es,
Q (+) = q ND Sx n0
y
Q () = q N A Sx p0 ,
Apuntes de FFI
FLML
149
donde S era el rea transversal del semiconductor y x p0 y x n0 son los lmites de la regin de carga espacial, tal como muestra la figura adjunta.
Dado que el semiconductor era originalmente neutro, debe verificarse que
Q (+) = |Q () |, lo que implica que
q ND Sx n0 = q N A Sx p0
(4.43)
ND x n0 = N A x p0 .
(4.44)
y por tanto
Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga espacial
positiva y negativa son las mismas nicamente si ND = N A . A medida que
la concentracin de impurezas en una de estas zonas aumente, la longitud
de esta zona disminuye.
w
Zona
Neutra
Zona
Neutra
n
-xp0
x
xn0
Si la anchura de la zona de carga espacial se denomina

w = x n0 + x p0 ,
(4.45)
la resolucin de la ecuacin de Poisson para el potencial electrosttico nos

proporcionara la siguiente expresin:
1/2
2V0 1
1
w=
+
.
(4.46)
q
N A ND
E JEMPLO 4.3 En una muestra de Si dopada para formar una unin abrupta p-n
con N A = 4 1018 cm3 , ND = 1016 cm3 y = 120 calcule a) el potencial de contacto, b) la anchura de la regin de carga espacial en cada lado de la unin, y
c) el valor promedio del campo interno.
a) Usando la expresin (4.41) obtenemos que el potencial de contacto ser

V0 =
kT
N A ND
ln
0,85 V .
q
n i2
b) Para calcular la anchura de la regin de carga espacial hacemos uso de (4.46),

lo que nos dice que
w=
1/2
2(12 8,85 1012 )(0,85)
1
1
+
0,334 m .
1,6 1019
4 1024 1022
Combinando ahora (4.44) con (4.45) obtendremos finalmente que

x n0 = 0,333 m ,
x p0 = 8,3 .
c) Para calcular el valor promedio del campo interno (es decir, suponenos que
existe un campo uniforme de valor E 0 ) usamos la expresin (1.34) que nos relacionaba la diferencia de potencial (V V0 en nuestro caso) con el valor del
mdulo del campo elctrico uniforme y con la distancia en la cual se produca la diferencia de potencial que originaba dicho campo. Dicha expresin nos
permite escribir que V0 = E 0 w, de donce se deduce que
E0 =
FLML
0,85
V0
=
= 2,55 106 V/m .
w
0,334 106
Apuntes de FFI
Tema 4.
150
Semiconductores
4.12. Unin p-n polarizada

Una de las conclusiones ms importantes que obtendremos en este
apartado es el comportamiento asimtrico que presenta la union p-n cuando sta es polarizada directamente (cuando la zona p est sometida a un
potencial externo positivo respecto a la zona n) o bien inversamente. Esta asimetra en el comportamiento de la caracterstica I V implica que
la corriente puede fluir casi libremente cuando la unin se polariza directamente y apenas fluye en polarizacin inversa. Tal como muestra la
Fig. 4.14, una muestra de semiconductor dopado homogneamente mostrara un comportamiento claramente recproco mientras que la unin p-n
muestra un evidente comportamiento no recproco.
Semiconductor
dopado
(a)
(b)
F IGURA 4.14: Caracterstica I V para (a): una muestra de semiconductor

dopado homogneamente; y (b): una unin p-n.
El anlisis del efecto de la aplicacin de un potencial externo a la unin

se realizar, en primer lugar, mediante una descripcin cualitativa para ver
cmo varan las corrientes en la unin y posteriormente se har un clculo
explcito de estas corrientes.
4.12.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin

En el siguiente estudio de la accin externa del campo elctrico aplicado sobre la unin p-n supondremos que
Se ha llegado a una situacin estacionaria.
Todo el voltaje aplicado al sistema aparece nicamente en la regin de
carga espacial asociada a la unin.
Las cadas de voltaje y los campos elctricos en el material que se encuentra fuera de la regin de la unin (esto es, las zonas neutras) son
despreciables.
Apuntes de FFI
FLML
151
La suposicin de que el efecto del voltaje externo aplicado a la unin aparezca nicamente en la regin de transicin es una aproximacin puesto
que, en sentido estricto, debe existir una cada de potencial en las zonas
neutras si hay un flujo de carga a travs de dichas regiones. No obstante,
la resistencia de estas regiones neutras ser muy pequea en comparacin
con la resistencia de la regin de carga espacial debido a la enorme diferencia en la concentracin de portadores de carga existentes en ambas
zonas (la zona de transicin se ha supuesto despoblada de portadores de
carga, es decir, con muy bajos valores de n o p, lo que hace que la conductividad de esta zona sea mucho menor que la de las zonas neutras). Este
hecho provoca que la diferencia de potencial en las zonas neutras pueda
despreciarse en la prctica respecto a la diferencia de potencial en la zona
de transicin.
El voltaje externo aplicado afectar a la barrera de potencial en la unin
y, en consecuencia, al campo elctrico en el interior de la regin de transicin. Debido a ello es de esperar cambios en las diversas componentes de
los flujos de corriente en la unin. Evidentemente, estos cambios se reflejarn en una distinta configuracin de bandas para la unin y en un cambio
en la anchura de zona de carga espacial (ver Fig. 4.15).
A continuacin analizaremos los cambios en las diversas magnitudes
debido a una polarizacin externa:
Altura de la barrera de potencial.
El potencial de contacto de equilibrio se ver afectado por la diferencia de potencial aplicada externamente de manera que la altura de la
barrera de potencial resultante
en polarizacin directa, V = V f , disminuye para tomar el valor
V0 V f ,
en polarizacin inversa, V = Vr , aumenta y se hace V0 + Vr .
Campo elctrico en la regin de transicin.
En concordancia con los cambios en la altura de la barrera de potencial,
el campo elctrico en la regin de transicin
disminuye en polarizacin directa,
aumenta en polarizacin inversa.
Anchura de la regin de transicin.
Dado que el campo elctrico proviene de las cargas fijas descompesadas que aparecen en la regin de transicin y puesto que las concentraciones de impurezas no cambian en cada lado de la unin, los cambios
en la magnitud del campo elctrico deben ir acompaados de cambios
en la anchura de la regin de transicin de modo que sta
disminuye en polarizacin directa,
aumenta en polarizacin inversa.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
152
(a)
(b)
Equilibrio
(c)
Polarizacin directa
Polarizacin inversa
(V=Vf )
(V=0)
Semiconductores
( V=-Vr )
Vr
Vf
w
p
(V0 -Vf )
Vn
V0
(V+V
0
r)
Vp
q(V0-Vf )
p
qV0
q(V+V
0
r)
qVf
n
p
Flujo de
partculas
Corriente
Flujo de
partculas
Corriente
Flujo de
partculas
(1)
(2)
(3)
(4)
Corriente
(1) Difusin huecos

(2) Arrastre huecos
(3) Difusin electrones
(4) Arrastre electrones
F IGURA 4.15: Efecto de la polarizacin externa sobre la unin p-n.
Separacin de las bandas de energa.

Puesto que el valor de la altura de la barrera de energa para los electrones es simplemente su carga multiplicada por la altura de la barrera
de potencial electrosttico, tendremos que la separacin entre bandas
viene dada por
en polarizacin directa: q(V0 V f ),
en polarizacin inversa: q(V0 + Vr ).
Los efectos de la polarizacin se localizan bsicamente en la regin de
transicin y sus proximidades, por lo que en el interior de cada regin
neutra la posicin relativa del nivel de Fermi en el diagrama de bandas se mantiene igual que en el equilibrio. En consecuencia, el desplazamiento de las bandas de energas por efecto del potencial externo
Apuntes de FFI
FLML
153
aplicado provocar una separacin equivalente en los niveles de Fermi

para cada lado de la unin, es decir
E F n E F p = qV .
(4.47)
Corrientes de difusin.
En equilibrio, el campo elctrico interno se estableca de modo que su
efecto contrarrestaba exactamente la corriente de difusin. En la situacin de no equilibrio impuesta por la polarizacin externa encontramos que
Polarizacin directa:
al disminuir el campo elctrico en la regin de transicin, este campo ya no puede contrarrestar totalmente las corrientes de difusin,
de modo que se iniciar un flujo de h+ de p n y otro anlogo
de e de p n . (Estas corrientes de difusin se mantendrn en el
tiempo debido al efecto de la batera).
Polarizacin inversa:
el campo en la regin de transicin aumentaba por lo que las corrientes de difusin sern en este caso aminoradas.
Corrientes de arrastre.
Aunque pudiera parecer un poco sorprendente,
las corrientes de arrastre son relativamente insensibles
a las variaciones en la altura de la barrera de potencial.
El hecho de que la corriente de arrastre en la unin sea despreciable
respecto a la difusin en la unin puede entenderse si notamos que dicha corriente de arrastre proviene de los portadores minoritarios que
llegan a la regin de transicin y que son barridos por el campo en esta
regin. En concreto, esta corriente estar mantenida por e que viajan desde p n y por h+ de p n (por ejemplo, electrones del lado
p que por difusin aparecen en la regin de transicin y son barridos
por el campo llegando a la zona n). Dado que la concentracin de portadores minoritarios proviene de la generacin de pares e /h+ (en el
presente caso nicamente por efecto de la excitacin trmica) y sta no
se ve afectada por el potencial externo aplicado, puede deducirse que
esta corriente de minoritarios depende bsicamente de la velocidad de
generacin de pares e /h+ en las zonas respectivas y apenas del voltaje exterior.8 Por este motivo, esta corriente de arrastre de minoritarios
tambin se conoce como corriente de generacin.
Corriente Total.
La Fig. 4.15 muestra que la corriente total es la suma de las corrientes de
8 Este hecho tambin puede verse como que el campo es capaz de barrer todos los por-
tadores minoritarios que llegan a la unin y el ritmo de aparicin de estos portadores

en la unin apenas se ve afectado por V . Ciertamente, clculos ms rigurosos demuestran que, en la regin de transicin, la corriente de arrastre es mucho menor que la de
difusin para valores de polarizacin directa no demasiado elevados.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
154
Semiconductores
difusin, que se producen desde p n , ms las de arrastre, cuyo sentido es desde p n . Dado que ambas corrientes han sido analizadas
anteriormente, tendremos para la corriente total que
Polarizacin inversa:
Corriente de difusin disminuye considerablemente (se hace prcticamente despreciable). La nica corriente que queda es la relativamente pequea corriente de generacin en el sentido p n .
Polarizacin directa:
La corriente de difusin (p n ) es ahora claramente favorecida
mientras que la corriente de arrastre (p n ) apenas vara. Esto da
lugar a un incremento considerable de la corriente total en el sentido p n .
Ntese que la corriente de difusin en polarizacin directa puede crecer indefinidamente mientras que esta corriente en polarizacin inversa slo puede disminuir hasta hacerse nula.
4.13. Ecuacin del diodo

En este apartado llevaremos a cabo un clculo simplificado de la ecuacin del diodo a partir de ciertos razonamientos cualitativos. Para ello notemos en primer lugar que la concentracin de minoritarios en cada lado
de la unin p-n variar con el voltaje aplicado debido al efecto de ste en la
difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin. En el equilibrio, la
relacin entre las concentraciones de h+ a ambos lados de la unin puede
deducirse de (4.40) para escribir
p p0
p n0
= eqV0 /kT .
(4.48)
Al aplicar una tensin externa, V , la altura de la barrera de potencial vara

desde V0 V0 V . Considerando que el efecto de este potencial externo
no vara la relacin anterior para cada tipo de portadores en las regiones
neutras, todava podemos escribir para las concentraciones, justo en los
lmites de las zonas neutras con la zona de transicin, que
p p (x p0 )
p n (x n0 )
= eq(V0 V )/kT .
(4.49)
Admitiendo que estamos en una situacin de inyeccin dbil (es decir, cuando la concentracin de mayoritarios apenas variar con el voltaje aplicado:
p p (x p0 ) p p0 ), la expresin (4.49) puede reescribirse como
p p (x p0 )
p n (x n0 )
p p0
p n (x n0 )
= eqV0 /kT eqV /kT ,
que, teniendo en cuenta (4.48), al agrupar trminos encontramos que

Concentracin de minoritarios en
el borde de la regin de transicin
del lado
Apuntes de FFI
p n (x n0 ) = p n0 eqV /kT .
(4.50)
n
FLML
155
La expresin anterior nos indica que la concentracin de minoritarios

sufre un fuerte incremento (exponencial) en polarizacin directa respecto
a la que exista en equilibrio. En polarizacin inversa (V < 0), la concentracin sufrira igualmente una disminucin muy considerable. Dado que
hemos comprobado que un voltaje aplicado, V , incrementa la probabilidad de que un portador se pueda difundir a travs de la unin en un factor
dado por exp(qV /kT ), esto nos permite suponer que la corriente de difusin presentar similarmente una dependencia con respecto al voltaje
aplicado del tipo
I dif = I 0,dif eqV /kT
(4.51)
(lo que en ltima instancia provoca que el diodo presente un comportamiento claramente no recproco en su caracterstica I V , tal como
muestra la Fig. 4.14).
Puesto que en equilibrio (V = 0) la corriente total es nula, y adicionalmente encontramos que la corriente de difusin (I 0,dif ) y la de generacin
(I gen ) se cancelan, tendremos que
I (V = 0) = I 0,dif |I gen | = 0 ,
(4.52)
lo que nos permite escribir que

I 0,dif = |I gen | I 0 .
(4.53)
Al expresar la corriente en la unin p-n polarizada (V 6= 0) como

I = I dif |I gen | ,
(4.54)
y hacer uso de (4.51) y (4.53), obtenemos finalmente que

Ecuacin del diodo
I = I0 e
qV /kT
1 ,
(4.55)
expresin que se conoce como ecuacin caracterstica del diodo.

Semiconductores
4.1: Las bandas prohibidas para el Si y el Ge son respectivamente 1.1 eV y 0.7 eV. Calcular
la frecuencia mnima que debe tener una radiacin electromagntica para poder producir
conductividad en estos semiconductores.
Sol. Si = 2,66 1014 Hz. Ge = 1,69 1014 Hz.
4.2: Cuando un fotn de energa E E g penetra en un semiconductor produce pares
electrn/hueco (e/h), esto es, se excitan electrones desde el borde de la BV hasta el fondo
de la BC. Un cristal de Ge (E g = 0,67 eV) se usa como detector de rayos (fotones de alta
energa). Determinar: a) cul es el nmero mximo, N , de pares e/h que puede producir
una radiacin de 1.5 MeV?; b) si la resolucin del detector es de 4 103 pares e/h, cul
es la resolucin de la energa ptima del detector?
Sol. (a) N = 2,238 106 , (b) E = 2,68 103 eV.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
156
Semiconductores
4.3: La luz visible del espectro est compuesta por fotones con longitudes de onda comprendidas entre 4000 y 7000 (equivalente a energas entre 1.8 y 3.1 eV). Para el diamante el ancho de la BP es de 6 eV. Explicar por qu el diamante es transparente. Asimismo,
explicar por qu el Si cuya BP es de 1.1 eV es transparente al infrarrojo (IR) de frecuencia
comprendida entre 1012 y 1014 Hz y no lo es a la radiacin visible.
4.4: El GaAs es un semiconductor con una banda prohibida (BP), E g = 1,43 eV. Dentro de
esta BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a la BV estos
niveles estn a 0.05 eV para el Al y 1.38 para el P. Cul de estas impurezas acta como
donadora y cul como aceptora?. Razone la respuesta.
4.5: En el tema se ha visto que la introduccin de tomos donadores puede incrementar
fuertemente la concentracin de electrones en BC. Por otra parte, la ley de accin de masas
nos dice que este incremento implica una disminucin igualmente fuerte en la concentracin de huecos en BV. Explique las razones fsicas de esta importante disminucin de
huecos.
4.6: Cunto tiempo tardar un electrn en recorrer 1 m en Si puro sometido a un campo
elctrico de 100 V/cm?. Repita el clculo para un campo de 105 V/cm.
4.7: Se utiliza como resistencia de una zona de un circuito integrado una barra de silicio tipo N de 2 mm de longitud y de 2,5 105 m2 de seccin. Sabiendo que la concentracin de tomos donadores es ND = 5 1013 cm3 y que la movilidad de electrones es
n = 1500 cm2 /Vs, determinar su resistencia a 300 K demostrando que la contribucin de
huecos es despreciable a la conductividad. Datos: p = 475 cm2 /(Vs); n i = 1,45 1016 m3
Sol. R 66 .
4.8: A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm2 de seccin se le aplica una d.d.p. de
10 V entre sus extremos. Conociendo como datos la concentracin intrnseca de portadores, n i = 2,36 1019 m3 , que n (300K) = 0,39 m2 /(Vs) y que p (300K) = 0,182 m2 /(Vs),
determinar : a) la resistividad del Ge; b) la resistencia de la barra; c) la velocidad de arrastre
de electrones y huecos; y d) la corriente que circula por la barra.
Sol. (a) = 0,462 m; (b) R = 231,2 ; (c) v n = 39 m/s, v p = 18 m/s.
4.9: (*) Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras dada
por ND = 1015 cm3 . Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500 K sabiendo
que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin
Eg
n i = C T 3/2 exp
,
2kT
siendo C = 1,91 1021 m3 K3/2 , E g = 0,67 eV.

Sol. p = 8,34 1021 m3 , n = 9,34 1021 m3
4.10: Una muestra de Si es dopada con 1017 tomos/cm3 de fsforo. a) Qu valor tendr
la resistividad del material?. b) Calcule la tensin Hall que se medira en una muestra de
100 m de espesos recorrida por una corriente de 1 mA y sometida a un campo magntico
de 1 kG.
Sol.: a) = 0,0893 cm; b) |V H | = 62,5m.
4.11: Una muestra de Si a 300 K presenta dos niveles independientes de donadores con
densidades ND1 = 1 1016 cm3 y ND2 = 2 1016 cm3 , localizados a 100 meV y 200 meV
por debajo del borde inferior de BC. Supuesta ionizacin total de los donadores, obtenga la
ecuacin de neutralidad de la carga para este caso y encuentre el valor de la concentracin
de electrones en BC. Cmo cambiar este valor si se aaden impurezas aceptoras con una
densidad de 0,9 1016 cm3 ?.
4.12: Una muestra pura de InP es dopada con impurezas aceptoras desde un lado de tal
modo que obtenemos un perfil dado por N A (z) = N A (0)ebz , donde z representa la coordenada en el interior de la muestra y N A (0) la concentracin en la superficie. a) Calcule el
Apuntes de FFI
FLML
157
perfil de dopado y encuentre una expresin para el campo elctrico que se instaurara en
equilibrio trmico si N A n i . b) Obtenga el valor del campo elctrico si b = (2m)1 .
Unin p-n
4.13: Una unin p-n abrupta presenta N A = 1017 cm3 en el lado p y Nd = 1016 cm3
en el lado n. A 300 K, (a) calcule los niveles de Fermi, dibuje el diagrama de bandas en
equilibrio y halle V0 a partir del anterior diagrama; (b) Compare el resultado anterior con
el que proporciona la expresin (4.41); (c) Calcule la anchura de la regin de carga espacial
y el valor del campo elctrico en esta regin.
4.14: Compare los valores del potencial de contacto del problema anterior para el Si con
los que se obtendran en uniones hechas en Ge y GaAs con los mismos niveles de dopaje.
4.15: La corriente a travs de una unin p-n a 300 K es 0.01 A para una polarizacin
inversa de 10 V. Calcule el valor de la corriente a travs de la unin para polarizaciones
directas de (a) 0.1 V, (b) 0.3 V, y (c) 0.5 V.
4.16: Teniendo en cuenta que la corriente de saturacin inversa debe ser lo ms pequea posible en una unin p-n ideal qu material es ms adecuado para la fabricacin de
uniones p-n?. E g (Si) = 1,1 eV.
4.17: La corriente de saturacin inversa para una unin p-n es I 0 = 5 109 A. Para una
polarizacin directa de 0.45 V, (a) calcule la corriente a travs de la unin a T = 27o C; (b) si
el voltaje a travs de la unin se supone constante e I 0 no cambia con la temperatura, cul
es la corriente a travs de la unin a T = 47o C?.
Sol. (a): 0.18 A, (b) 0.06 A.
4.18: Una unin p+ -n en Si est dopada con Nd = 1016 cm3 , siendo D p = 10 cm2 /s, p =
0,1 m y el rea de la unin S = 104 cm2 . Calcule la corriente de saturacin inversa y la
corriente directa cuando V = 0,6 V.
FLML
Apuntes de FFI
Apndice A
Anlisis vectorial
A.1. Vectores
En la naturaleza existen magnitudes fsicas que estn completamente
determinadas por su valor y sus unidades. De forma genrica puede decirse que estas magnitudes son escalares. Ejemplos de estas magnitudes
son la masa, la distancia, la temperatura, etc. Por el contrario, existen otras
magnitudes que adems de su valor y unidades estn dotadas de una
propiedad adicional: su direccin. Este tipo de magnitudes se conocen con
el nombre de magnitudes vectoriales e incluyen a magnitudes tales como
la posicin, la velocidad, la fuerza, el campo elctrico, etc. Para expresar
las magnitudes vectoriales se hace uso de los vectores y por tanto se hace
imprescindible el lgebra de vectores.
A.1.1. Notacin vectorial

Usualmente las magnitudes vectoriales suelen denotarse en los textos
~,
impresos mediante letras minsculas o maysculas en tipo negrita, ~
v,V
dejndose usualmente la notacin con una flecha/raya encima de dichas
~ , para la escritura manual de los mismos. No obstante en el texto
letras, ~
v,V
de estos apuntes y con la idea de evidenciar ms si cabe el caracter vectorial de las magnitudes usaremos la notacin con una flechita encima de las
variables. En las figuras aparecern sin embargo los vectores denotados en
tipo negrita.
Para especificar los vectores se usan frecuentemente varios tipos de notacin.
vz
v
Mediante una terna de nmeros que son las componentes del vector
en los ejes cartesianos x, y, z,
~
v = (v x , v y , v z ) .
(A.1)
Geomtricamente, las componentes del vector son las proyecciones de

este vector en los ejes cartesianos.
159
vy
vx
x
160
Apndice A. Anlisis vectorial
v^
Mdulo del vector
~
v
El vector ~
v puede tambin expresarse en funcin de su mdulo y de su
vector unitario. El mdulo del vector ~
u suele denotarse como v o bien
|~
v | y viene dado segn el teorema de Pitgoras por
q
|~
v | v = v x2 + v 2y + v z2 .
(A.2)
El vector unitario asociado con el vector ~
v se define como aquel vector
de mdulo unidad que tiene la misma direccin y sentido que ~
v . Dicho
vector se denotar de forma genrica como v o bien como ~
v , pudindose expresar como
Vector unitario de
v =
~
v
(v x , v y , v z )
~
v
.
=q
v
v x2 + v 2y + v z2
(A.3)
Obviamente el vector ~
v puede escribirse como: ~
v = v v .
y
x
Expresando el vector como suma de las componentes del vector por

los vectores unitarios a lo largo de los ejes coordenados. Los vectores
unitarios a lo largo de los ejes x, y, z se denotaran como x , y , z respectivamente. Otras notaciones frecuentes para estos vectores unitarios son
i, j, k o bien ex , e y , ez . Usando esta notacin, el vector ~
v se escribir como:
~
v = v x x + v y y + v z z .
(A.4)
A.1.2. Suma de vectores
La suma de vectores se realiza sumando sus componentes. De este modo si
a
~
a = a x x + a y y + a z z
~
b = b x x + b y y + b z z ,
el vector ~
c suma de los dos anteriores ser por tanto:
~
c =~
a +~
b
= (a x + b x )x + (a y + b y )y + (a z + b z )z .
(A.5)
A.1.3. Producto escalar

El producto escalar de dos vectores ~
a y~
b, denotado como ~
a ~
b es un
escalar fruto de la siguiente operacin:
~
a ~
b
ax bx + a y b y + az bz
(A.6)
ab cos ,
(A.7)
siendo el ngulo formado por los dos vectores (es independiente si este ngulo se mide en direccin horaria o antihoraria ya que cos( ) =
cos ). El producto escalar ~
a ~
b puede interpretarse geomtricamente co-
Apuntes de FFI
FLML
A.1. Vectores
161
mo la proyeccin de uno de los vectores sobre el otro (salvo factores numricos). Este hecho se manifiesta claramente en el producto escalar de ~
a
por uno de los vectores unitarios segn los ejes coordenados, esto es,
~
a x = a x ,
donde se ve claramente que ~
a x es justamente la proyeccin del vector ~
a
sobre el eje x.
Algunas de las propiedades del producto escalar son:
El producto escalar es conmutativo:
~
a ~
b =~
b ~
a.
(A.8)
El producto escalar es distributivo respecto a la suma de vectores:

~
a (~
b +~
c) = ~
a ~
b +~
a ~
c.
(A.9)
El producto escalar de dos vectores perpendiculares es nulo:

~
a ~
b=0 ~
a ~
b.
(A.10)
El producto escalar de un vector por s mismo es igual al cuadrado del

mdulo de dicho vector:
~
(A.11)
a ~
a = a2 .
A.1.4. Producto vectorial

El producto vectorial de dos vectores ~
a y~
b, denotado como ~
a ~
b, es un
vector definido como
~
a ~
b = ab sen ~
n ,
(A.12)
siendo el ngulo ms pequeo formado por los dos vectores y ~
n el vector
unitario normal exterior al plano que contiene a los vectores ~
a y~
b. Puesto
que el plano tiene dos normales (cada una con distinto sentido), el vector
~
n que aparece en (A.12) siempre se refiere a la normal que apunta segn
la regla de la mano derecha. Esta regla dice que usando la mano derecha y
apuntando el dedo ndice en la direccin de ~
a y el dedo corazn en la de
~
b, el dedo pulgar indicar la direccin de ~
n 1 . Geomtricamente, el mdulo
del producto vectorial, |~
a ~
b|, es igual al rea del paralelogramo generado
~
por los vectores ~
a y b.
A partir de la definicin del producto vectorial (A.12) pueden deducirse
las siguientes propiedades:
1 Esta regla tambin se conoce a veces como regla del tornillo cuando dice que conside-
rando el giro que va desde ~

a hasta ~
b por el camino ms corto, si este giro se aplica a
un tornillo, el sentido de avance o retroceso del tornillo indica hacia donde se dirige la
normal.
FLML
Apuntes de FFI
162
El producto vectorial es anticonmutativo:

~
a ~
b = ~
b ~
a.
(A.13)
El producto vectorial es distributivo respecto a la suma de vectores:

~
a (~
b +~
c) = ~
a ~
b +~
a ~
c.
(A.14)
El producto vectorial de dos vectores paralelos es nulo:

~
a ~
b=0 ~
a ~
b.
(A.15)
Multiplicacin por un escalar :

(~
a ~
b) = ~
a ~
b =~
a ~
b.
(A.16)
Teniendo en cuenta la definicin (A.12) y las propiedades (A.13)(A.15),

el producto vectorial de ~
a por ~
b puede obtenerse como
~
a ~
b = (a x x + a y y + a z z ) (b x x + b y y + b z z ) =
= (a y b z a z b y )x + (a z b x a x b z )y + (a x b y a y b x )z .
(A.17)
Usando la definicin del determinante, la expresin anterior puede escribirse como
x
y
z
~
(A.18)
a ~
b = a x a y a z .
b
x b y bz
A.1.5. Productos triples

Dado que el producto vectorial de dos vectores es otro vector, este vector puede a su vez multiplicarse escalar o vectorialmente para formar lo
que se conoce como productos triples.
Producto triple escalar: ~
a (~
b ~
c ).
Desde un punto de vista geomtrico, este producto triple escalar puede
interpretarse como el volumen del paraleleppedo generado por los tres
vectores ~
a, ~
b y~
c dado que segn la figura adjunta |~
b ~
c | es el rea de la
base y |a cos | es la altura ( es el ngulo entre ~
a y~
b ~
c ). Usando esta
interpretacin geomtrica es fcil deducir que
a
b
c
~
a (~
b ~
c) =~
b (~
c ~
a) = ~
c (~
a ~
b) .
(A.19)
Es interesante notar que en la expresin anterior se ha preservado el

orden alfabtico.
El productor triple escalar puede tambin obtenerse a partir del siguiente determinante:
ax a y az
~
a (~
b ~
c ) = b x b y b z .
(A.20)
c
c y cz
x
Apuntes de FFI
FLML
A.1. Vectores
163
Producto triple vectorial: ~

a (~
b ~
c ).
Este producto triple vectorial puede tambin obtenerse como
~
a (~
b ~
c) =~
b(~
a ~
c ) ~
c (~
a ~
b) .
(A.21)
(~
a ~
b) ~
c = ~
c (~
a ~
b) = ~
a (~
b ~
c ) +~
b(~
a ~
c)
(A.22)
Ntese que el vector
es un vector completamente diferente al definido en la expresin (A.21).
A.1.6. Diferencial y derivada de funciones de una sola variable

Dada una funcin de una sola variable f = f (x), se define la derivada
de la funcin f (x) con respecto a x como
d f (x)
f (x + x) f (x)
f
= lm
= lm
x0
x0 x
dx
x
(A.23)
y expresa geomtricamente el valor de la pendiente de la tangente a la curva f (x) en el punto x. El concepto de diferencial de f (x), denotado genricamente como d f , expresa la variacin infinitesimal de la funcin f (x)
entre x y x + dx, esto es,
d f (x) = f (x + dx) f (x) .
(A.24)
Desde un punto de vista matemtico, este diferencial viene dado por el

siguiente producto:
df
d f (x) =
dx .
(A.25)
dx
Debe notarse que d f /dx no expresa un cociente entre d f y dx sino que
por el contrario debe entenderse como la accin del operador d/dx sobre
la funcin f (x). Este hecho se pone de manifiesto con otras notaciones que
prefieren expresar la derivada de la funcin f (x) con respecto a x como
Dx f (x), donde Dx d/dx es precisamente el operador derivada.
A.1.7. Teorema fundamental del clculo

El teorema fundamental del clculo establece la siguiente relacin entre las operaciones de integracin y diferenciacin de la funcin f (x):
Z
b df
dx
dx = f (b) f (a) .
(A.26)
Una posible manera

de deducir la expresin anterior pasa por tener en
cuenta que d f (x) =
df
dx
dx, y por tanto

Z
b
a
FLML
d f (x) = f (b) f (a) .
(A.27)
Apuntes de FFI
164
A.1.8. Diferencial y derivada parcial de una funcin de varias variables

Es muy frecuente que en la naturaleza las magnitudes dependan de
ms de una variable, as la temperatura de una habitacin depende de la
posicin del punto donde se mide, esto es, de las tres coordenadas espaciales del punto. Este hecho se manifiesta matemticamente diciendo que
la temperatura es funcin de x, y y z y se denota como T = T (x, y, z).
Similarmente al concepto de derivada introducido en la seccin anterior para funciones de una sola variable, puede ahora definirse el concepto
de derivada parcial. Esta derivada hace referencia a la variacin de cierta
funcin con respecto a una sola de las variables cuando las dems permanecen constantes. As, se define la derivada parcial de la funcin f (x, y, z)
con respecto a x como
f
f (x + x, y, z) f (x, y, z)
= lm
x0
x
x
(A.28)
y anlogamente para las restantes variables. A partir del concepto de derivada parcial, puede deducirse que una variacin infinitesimal de la funcin f (x, y, z) cuando dicha funcin vara entre los puntos x y x +dx podr
expresarse como

df x =
dx .
(A.29)
x
La variacin infinitesimal de la funcin f (x, y, z) cuando sta vara entre
los puntos (x, y, z) y (x + dx, y + dy, z + dz) podra obtenerse, por tanto, sumando las variaciones parciales a lo largo de cada una de las coordenadas.
De este modo, puede escribirse que

f
f
f
df =
dx +
dy +
dz .
x
y
z
(A.30)
A.1.9. Operador gradiente

Es interesante notar en la expresin (A.30) que el diferencial de la funcin f (x, y, z), d f , puede expresarse como el siguiente producto escalar:
f f f
df =
,
,
(dx, dy, dz) .
x y z
(A.31)
Definiendo el operador vectorial ~

como
Operador
Apuntes de FFI

,
,
x y z
x
+ y
+ z
,
x
y
z
(A.32)
(A.33)
FLML
A.1. Vectores
165
al aplicarlo a la funcin f (x, y, z) se obtiene el gradiente de f , ~

f , que es
evidentemente una magnitud vectorial:
f f f
~
,
,
(A.34)
f (x, y, z) =
x y z
f
f
f
=
x +
y +
z .
(A.35)
x
y
z
Denicin de gradiente de
Esta definicin permite escribir el diferencial de la funcin f como el siguiente producto escalar:
df =~
f d~
r ,
(A.36)
donde d~
r = (dx, dy, dz).
Usando la definicin de producto escalar, d f tambin puede escribirse
como
d f = |~
f | |d~
r | cos ,
(A.37)
lo que permite deducir que la mxima variacin de la funcin f (x, y, z) se
produce cuando = 0, esto es, cuando d~
r es paralelo al gradiente de f ,
~
f . Consecuentemente, la direccin del vector ~
f marca la direccin de
mxima variacin de la funcin en el punto (x, y, z).
A.1.10. Integral de camino

~ (esto es, una magnitud vectorial cuyas comDado un campo vectorial F
~
ponentes dependen de la posicin espacial), la integral de camino de F
entre dos puntos A y B a lo largo de la curva se define como la siguiente
integral:
Z B
~ d~
C AB =
F
l
A,
X
~ (P i ) P i P i +1 .
F
= lm
(A.38)
P i +1 P i () i
La integral anterior puede interpretarse como la superposicin infinitesi~ d~

mal del producto escalar F
l para cada elemento diferencial de la curva
entre los puntos A y B (El vector d~
l es un vector que tiene por mdulo la
longitud de un elemento diferencial de la curva y por direccin la de la tangente a la curva en dicho punto). Las integrales de camino son muy usuales
en Fsica, definiendo, por ejemplo, el trabajo que realiza cierta fuerza entre
dos puntos a travs de cierta trayectoria. En general, la integral de camino
depende del camino que se elija para ir desde A hasta B .
dl
F
Algunas de las propiedades ms importantes de las integrales de camino son:

Z
B
A,
~ d~
F
l =
B,
~ d~
F
l.
Si A 0 es un punto intermedio de la curva entre A y B , se tiene que

Z B
Z A0
Z B
~ d~
~ d~
~ d~
F
l=
F
l+
F
l.
A,
FLML
A,
A 0 ,
Apuntes de FFI
166
A.1.11.
Teorema fundamental del gradiente
De forma similar a como se hizo para funciones de una sola variable en

(A.26), se verifica que
Z
B
A
~
f d~
l = f (B ) f (A) ,
(A.39)
donde la integral en la expresin anterior es una integral de camino.

La expresin (A.39) puede justificarse considerando la definicin del
diferencial de f dada por (A.36). A partir de esta definicin, la integral en
(A.39) puede verse como una superposicin infinitesimal de las variaciones de la funcin entre los puntos A y B , y esto es precisamente f (B ) f (A).
Dos importantes corolarios se pueden extraer de la expresin (A.39)
B
A,
~
f d~
l=
B
A,
~
f d~
l,
(A.40)
RB
esto es, A ~
f d~
l es independiente del camino tomado entre los puntos A y B . Debe notarse que, en general, la integral de camino C AB =
RB
~ d~
F
l s depende del camino (considrese, por ejemplo, el trabaA,
jo realizado por un coche para desplazarse entre dos puntos siguiendo

distintas carreteras).
~
f d~
l =0.
(A.41)
La integral de camino anterior a travs de cualquier curva cerrada, , es

nula.
A.2. Integral de flujo

Una integral muy til que aparece en Fsica es la integral de flujo. El
flujo de un campo vectorial ~
A a travs de una superficie S se define como
la siguiente integral de superficie:
=
Z
S
~
A d~
S,
(A.42)
donde S es una superficie arbitraria y d~

S es el vector diferencial de superficie, definido como
,
d~
S = dS n
(A.43)
que tiene por mdulo el rea del elemento diferencial y por direccin y
Por ejemplo,
sentido el del vector unitario normal exterior a la superficie, n.
para el caso del plano z = Cte, el diferencial de superficie ser d~
S = dxdy z .
Apuntes de FFI
FLML
A.3. Problemas propuestos
167
A.3. Problemas propuestos

1. Expresar el vector (9, 8) como combinacin lineal de los vectores (3, 1) y (1, 2) y representar grficamente el resultado.
Sol.: (9, 8)=2(3, 1)+ 3(1, 2).
2. Encontrar el unitario en la direccin dada por los puntos de coordenadas (3, 2, 0) y
(6, 8, 2).
Sol.: n=(3/7,
6/7, 2/7).
3. Calcular el vector unitario perpendicular al plano determinado por los puntos (0, 0, 0),
(1, 2, 3) y (3, 3, 1).p
Sol.: (7, 8, 3)/ 122
4. Encontrar el ngulo formado por los vectores (3, 6, 2) y (8, 6, 0) utilizando dos tcnicas
diferentes (producto escalar y vectorial).
Sol.: = 31,003o .
5. Utilizando el concepto de producto vectorial, determinar el rea del tringulo cuyos
vrtices son
plos puntos de coordenadas (1, 0, 0), (4, 5, 2) y (3, 1, 2).
Sol.: rea= 117/2.
6. Encontrar los vectores unitarios radial (r) y tangente (t) en los puntos (x, y) de una
circunferencia de radio R que se halla en el plano XY y tiene su centro en el origen
de coordenadas. Repetir lo anterior suponiendo ahora que la circunferencia tiene su
centro en el punto (3, 2).
Sol.: centro en (0, 0): r = (x/R, y/R), t = (y/R, x/R);
centro en (3, 2): r = ((x 3)/R, (y 2)/R), t = ((y 2)/R, (x 3)/R).
7. Indicar cuales de las siguientes expresiones tienen sentido y cuales no:
a) (~
a ~
b) ~
c ; b) ~
a (~
b ~
c ); c) ~
a (~
b ~
c ); d) (~
a ~
b) ~
c.
Sol.: correctas: b), c); incorrectas: a) y d) .
p
8. Utilizando el hecho de que |~
a| = ~
a ~
a , demostrar que
q
a |2 + |~
b|2 + 2~
a ~
b.
|~
a +~
b| = |~
9. Encontrar la componente del vector (7, 5, 2) en la direccin dada por la recta que une
los puntos (5, 4, 3) y (2, 1, 2).
Sol.: (6, 6, 2).
10. Descomponer el vector ~
A = (1, 5, 5) en sus componentes paralela y perpendicular a la
direccin dada por el unitario n=(0,

3/5, 4/5).
Sol.: ~
A=~
A + ~
A , siendo ~
A =(0, 3/5, 4/5) y ~
A =(1, 21/5, 28/5).
11. Las coordenadas de una partcula mvil de masa m = 2 kg en funcin del tiempo son
~
r (t ) = (3t , t 2 , t 3 ) m (t en segundos). Determinar: a) la velocidad y aceleracin de la
partcula; b) la fuerza que acta sobre la misma en el instante t = 1 s, as como las
componentes de dicha fuerza en la direccin perpendicular y tangente a la trayectoria.
~ = (0, 4, 12) N; F
~ = (6, 0, 6) N, y
Sol.: a) ~
v (t ) = (3, 2t , 3t 2 ) m/s, ~
a (t ) = (0, 2, 6t ) m/s2 ; b) F
~
F = (6, 4, 6) N.
q
12. Calcule el gradiente de la funcin (x, y, z) = 2x y/r , siendo r = x 2 + y 2 + z 2 .
Sol. ~
= r 3 2y(r 2 x 2 )x + 2x(r 2 y 2 )y 2x y z z
FLML
Apuntes de FFI
Apndice B
Ley de Gauss
La ley de Gauss ( 1867) dice que el flujo del campo elctrico debido a
una distribucin de carga a travs una superficie S es igual a 1/0 veces la
carga total, Q int , encerrada en el interior de la superficie S, esto es,
I
S
~ d~
E
S=
Q int
0
(B.1)
Ley de Gauss
Para justificar (que no demostrar) la ley de Gauss, considrese el campo

producido por una carga puntual:
~=
E
Es interesante notar que la expresin (1.7) dice que el campo en una

superficie esfrica de radio r centrada en la posicin de la carga q puede
expresarse como
~ = |E
~ (r )|r ,
E
(B.2)
esto es, el mdulo del campo slo depende del radio de dicha esfera y va
siempre dirigido segn la normal exterior a dicha esfera en cada punto (este campo presenta, por tanto, simetra esfrica).
Si se realiza la siguiente integral (ver seccin A.2):
~ d~
E
S,
(B.3)
superf.
que se conoce con el nombre de flujo del campo elctrico, , para el campo producido por la carga puntual en una superficie esfrica de radio r
centrada en la carga q se tiene que
=
~ d~
~ (r )|
E
S = |E
superf.
superf.
169
r
q
1 q
r .
40 r 2
r d~
S,
(B.4)
E
dS
r
q
170
Apndice B. Ley de Gauss
~ (r )| permanece constante al integrar sobre la superficie esfridado que |E

ca. Teniendo ahora en cuenta que
r d~
S = dS
(r d~
S) ,
la integral (B.3) puede escribirse para el presente caso como

~ (r )|
= |E
~ (r )| (Area esfera)
dS = |E
superf.
q
1 q
(4r 2 ) =
.
2
40 r
0
(B.5)
Es interesante notar que el flujo no depende del radio de la esfera

y es igual al valor de la carga encerrada en la esfera dividido por 0 . Si se
considera, por tanto, una esfera centrada en el mismo punto y de distinto
radio, se obtendr que el flujo seguir siendo el mismo. Parece entonces
razonable suponer que el flujo a travs de cualquier superficie cerrada que
incluya a la carga y comprendida entre ambas esferas concntricas venga
tambin dado por q/0 .
Dado que el nmero de lneas de campo que atraviesa cualquiera de las

anteriores superficies es el mismo, el flujo del campo elctrico a travs de
estas superficies podra interpretarse como una medida del nmero de
lneas de campo que las atraviesa. En este sentido, si el nmero de lneas
de campo que atraviesa una superficie cerrada es cero (esto es, entran tantas lneas como salen), parece razonable suponer que el flujo del campo
elctrico a travs de dicha superficie sea igualmente nulo. Podra por tanto
escribirse para una superficie cerrada arbitraria, S, que el flujo de un carga
puntual a travs de dicha superficie es
S
q
~ d~
= E
S = o
S
0
si q S
(B.6)
en otro caso .
En el caso de que se tenga una distribucin de cargas puntuales, por el

principio de superposicin, se obtiene que
=
I
S
~ d~
E
S=
I X
S
~i d~
E
S=
XI
i
~i d~
E
S=
i ,
(B.7)
esto es, el flujo de la distribucin a travs de la superficie S es igual a la

suma del flujo asociado a cada una de las cargas individualmente. Dado
que el flujo asociado a una sola carga ya fue obtenido en (B.6) se puede
concluir que
I
Q int
~ d~
,
E
S=
0
S
donde Q int representa la carga total encerrada en el interior de la superficie
S. La expresin anterior tambin se aplica en el caso de una distribucin
continua de carga.
Apuntes de FFI
FLML
171
S
~ que atraviesa S en la gura adjunta.
E JEMPLO B.1 Calcule el ujo de E
En la situacin mostrada en la figura, la carga en el interior de la superficie S es
justamente
Q int = q 1 + q 2 ,
q1
q2
q3
por lo que el flujo a travs de dicha superficie, segn (1.11), ser

I
~ d~
= E
S
S
q1 + q2
=
.
0
Aunque la ley de Gauss (1.11) es vlida para cualquier tipo de distribucin de carga y superficie, sta slo es til para obtener el campo en
situaciones de alta simetra. Estas situaciones se dan cuando exista una superficie de Gauss, SG , tal que, en aquellas partes donde el flujo sea distinto
0
), la integral del flujo se pueda
de cero (superficie que se denominar SG
realizar de modo que el mdulo del campo sea constante sobre dicha superficie, esto es, cuando se pueda proceder de la siguiente manera:
I
I
~ d~
~|
=
E
S = |E
dS .
(B.8)
SG
FLML
Ley de Gauss til en situaciones de

alta simetra
S G0
Apuntes de FFI
Apndice C
Aspectos generales de
funciones armnicas
Una funcin armnica f (t ) es aquella que vara en el tiempo de la forma genrica:
f (t ) = A cos(t + ) ,
(C.1)
donde A es la amplitud, la frecuencia angular y el desfase. La amplitud,
A, determina el rango de variacin de la seal, esto es
A f (t ) A .
La frecuencia angular est relacionada con la frecuencia f a travs de
= 2 f =
2
,
T
(C.2)
donde T el periodo de la seal, esto es, aquel valor tal que f (t ) = f (t + T ).

El desfase determina el origen del tiempo, esto es, cul es el valor de la
funcin en el instante t = 0:
f (0) = A cos .
Es interesante recordar algunas relaciones trigonomtricas de las funciones seno o coseno, a saber:
sen(a b) = sen a cos b cos a sen b
cos(a b) = cos a cos b sen a sen b ,
de donde puede deducirse, por ejemplo, que
cos(t + /2) = sen(t + ) .
(C.3)
C.0.1. Valores eficaces

El valor eficaz, I ef , de una corriente alterna dada por
I (t ) = I 0 cos(t + ) ,
173
(C.4)
174
Apndice C.
Aspectos generales de funciones armnicas
se define como la raz cuadrada del valor cuadrtico medio I 2 (t ) de la

corriente, es decir,
p
I ef = I 2 (t ) ,
(C.5)
donde el valor medio de una funcin peridica, F (t ), de periodo T se define como
Z
1 T
F (t ) =
F (t )dt .
(C.6)
T 0
El valor eficaz de la corriente, al igual que otras magnitudes circuitales
que varen armnicamente, tiene mucha importancia prctica dado que
es precisamente el valor que miden los polmetros analgicos. Siguiendo
la definicin (C.5) y teniendo en cuenta (C.6) se tiene que
2
I ef
= I 02 cos2 (t
1
+ ) = I 02
T
Z
0
cos (t + ) dt =
I 02
2
por lo que el valor eficaz se relaciona con la amplitud, I 0 , de la corriente

mediante la siguiente expresin:
Valor ecaz de la corriente alterna
I0
I ef = p .
2
(C.7)
Anlogamente, el valor eficaz de cualquier otra magnitud que vare armnicamente en

p el1 tiempo se define como la amplitud de dicha magnitud
dividida por 2.
1 Es interesante observar que el valor eficaz, I , de una corriente alterna, I (t ) = I cos(t +

0
ef
), que recorre una resistencia R es justamente el valor de la intensidad de la corriente

continua que produce el mismo efecto Joule durante un periodo de tiempo T . La energa
WCA disipada por efecto Joule en una resistencia R por una corriente alterna durante un
periodo de tiempo T puede calcularse como
Z T
WCA =
P (t )dt ,
(C.8)
donde P (t ) es la potencia instantnea disipada en la resistencia, que viene dada por el

producto de la intensidad por la tensin, esto es:
P (t ) = I (t )V (t ) .
(C.9)
Dado que segn (2.64) la cada de tensin en la resistencia es V (t ) = R I (t ), la energa

disipada por la corriente alterna en esta resistencia puede escribirse como
WCA = I 02 R
Z T
0
cos2 (t + )dt = I 02 R
T
2
= I ef
RT ,
2
(C.10)
que es precisamente el valor de la energa disipada por efecto Joule durante un periodo
de tiempo T en dicha resistencia R si esta fuese recorrida por una corriente continua de
valor I ef , esto es,
2
WCC = I ef
RT .
(C.11)
Apuntes de FFI
FLML
Apndice D
Anlisis fasorial
En la resolucin de ecuaciones de segundo grado, es frecuente encontrarse con soluciones que implican tomar la raz cuadrada de un negativo,
p
por ejemplo 9. No obstante, es fcil notar que no existe ningn nmero real (esto es, que pertenezca al conjunto R) tal que su cuadrado sea 9.
Para solucionar esta cuestin se introducen los nmeros imaginarios, que
pueden formarse a partir de la definicin de la unidad imaginaria, j:
p
j = 1 ,
(D.1)
de modo que
p
p
p
p
9 = 1 9 = 1 9 = j3 .
Los nmeros que tienen tanto parte real como imaginaria se conocen como nmeros complejos y pueden definirse como
z = a + jb ,
(D.2)
donde a = Re (z) se dice que es la parte real de z y b = Im (z) la parte imaginaria de z.

Usualmente los nmeros complejos se representan en un plano de modo que sobre el eje vertical se sita el eje imaginario y sobre el eje horizontal el eje real. De este modo, el nmero z queda caracterizado por un punto
(como se muestra en la figura adjunta) que est a una distancia |z| dada por
p
|z| = a 2 + b 2 ,
(D.3)
que se conoce como mdulo de z, y con un ngulo medido en sentido
antihorario a partir del eje real dado por

b
= arctan
,
(D.4)
a
que se denomina argumento de z.
Es fcil observar en la figura que z puede escribirse como
z = |z|(cos + j sen ) ,
175
176
Apndice D. Anlisis fasorial
y dado que la identidad de Euler dice que

ej = cos + j sen ,
(D.5)
se tiene que el nmero complejo z puede reescribirse como

z = |z|ej .
(D.6)
Teniendo en cuenta la identidad(D.5), es fcil notar que la funcin armnica

f (t ) = A cos(t + )
puede escribirse como
f (t ) = Re Aej(t +) = Re Aej ejt .
(D.7)
Si ahora definimos el fasor, f, de la funcin f (t ) como

f = Aej ,
(D.8)
f (t ) = Re fejt .
(D.9)
se tiene que
La identidad (D.9) permite establecer una relacin biunvoca entre las

funciones armnicas y sus fasores asociados, de modo que a toda funcin
armnica se le puede asociar un fasor, esto es,
f (t ) f .
(D.10)
Siguiendo las propiedades ms elementales del clculo de nmeros

complejos pueden demostrarse fcilmente las siguientes propiedades:
f1 + f2
f (t ) f ,
f 1 (t ) + f 2 (t )
(D.11)
(D.12)
siendo f i (t ) = A i cos(t + i ) y un nmero real.

Una propiedad adicional de fundamental importancia prctica es
d f (t )
j f .
dt
(D.13)
Esta ltima propiedad puede deducirse como sigue:

d f (t )
= A sen(t + ) = A cos(t + /2)
dt
=Re Aej(t +/2) = Re Aej e j/2 ejt
=Re jAej e jt = Re j fejt ,
(D.14)
de donde se deduce que el fasor asociado a d f /dt es precisamente j f.
Apuntes de FFI
FLML
Apndice E
Constantes fundamentales
Constante de Planck:
h=
6,626 1034 Js
4,136 1015 eVs
Velocidad de la luz:
c=
2,998 108 m/s
me =
9,109 1031 kg
Masa del electrn:
e=
Carga del electrn (sin signo):
1,602 1019 C
Masa del protn:
mp =
1,673 1027 kg
Nmero de Avogadro:
NA =
6,022 1023 partculas/mol
Constante de Boltzmann:
kB =
177
1,381 1023 J/K

8,620 105 eV/K
Apndice F
Promedios estadsticos
F.1.
Sistemas Discretos
Sea un sistema discreto compuesto de NTotal = 18 alumnos. Supngase

que la distribucin de notas ha sido la siguiente: un alumno ha obtenido
un uno, N1 = 1, un alumno ha obtenido un dos, N2 = 1, N3 = 2, N4 = 0,
N5 = 4, N6 = 2, N7 = 3, N8 = 1, N9 = 4, N10 = 0. Cada Ni puede reinterpretarse como una medida de la probabilidad de que un alumno de este
colectivo obtenga una determinada nota. Una representacin grfica de
esta distribucin se representa a continuacin
Nmero de Alumnos (Ni)
0
0
10
Calificacin (C)
P
Dado que 10
i =1 Ni = NTotal , la probabilidad de obtener una determinada nota vendr dada por
ni =
Ni
,
NTotal
(F.1)
P
obtenindose obviamente que 10
i =1 n i = 1. La funcin distribucin del sistema puede identificarse con n i .
179
180
Apndice F.
Promedios estadsticos
El valor de la calificacin promedio, C , de las notas obtenidas por el

colectivo de alumnos se obtiene mediante
P10
10
X
i =1 Ni C i
ni C i .
(F.2)
=
C = P
10
N
i
i
=1
i =1
Anlogamente, el valor promedio de cualquier magnitud (F (C i )) que dependa de las calificaciones se obtendr como
F =
10
X
n i F (C i ) .
(F.3)
i =1
F.2.
Sistemas Continuos
Las discusiones anteriores para casos discretos pueden fcilmente extenderse a sistemas continuos, para ello deben notarse dos cuestiones. La
primera es que el papel jugado por el sumatorio ser ahora asumido por el
proceso de integracin,
Z
X
dx
y segundo, la existencia de una determinada funcin de distribucin, (x),
que nos da la distribucin de los elementos que componen en suceso continuo en funcin de la variable de la que dependa (en nuestro caso x). De
este modo, dN = (x)dx nos dice el nmero (diferencial) de elementos que
tenemos en el intervalo comprendido entre x y x + dx.
A la vista de los anterior podemos deducir que
La probabilidad de que el sistema tome alguno de los valores x debe ser
igual a la unidad:
Z
(x) dx = 1 .
El valor promedio de la variable x se calcular como

Z
x = x(x) dx .
(F.4)
(F.5)
El valor promedio de una funcin de x, por ejemplo f (x), puede obtenerse a partir de la funcin distribucin como
Z
f (x) = f (x)(x) dx .
(F.6)
Apuntes de FFI
FLML
Apndice G
Propiedades de algunos
materiales semiconductores
Para el silicio (Si), germanio (Ge) y arsenuro de galio (GaAs) a
T = 300 K, encontramos que
Si
Ge
GaAs
Eg
(eV)
m e /m e
m h /m e
n
(cm2 /Vs)
p
(cm2 /Vs)
ni
(m3 )
1.11
0.67
1.43
1.1
0.55
0.067
0.56
0.37
048
1350
3900
8500
480
1900
400
1,5 1016
2,3 1019
Densidad efectiva de estados para Si en BC

NC = 4,39 1024 m3
Densidad efectiva de estados para Si en BV
NV = 5,95 1024 m3
181

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Apuntes de apoyo a la asignatura

Francisco L. Mesa Ledesma

DESIGN SCIENCE LICENSE

1.2. Campo elctrico de una distribucin de cargas . . . . . . . .

1.2.1. Ley de Coulomb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.2. Principio de superposicin . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.3. Campo elctrico de cargas puntuales . . . . . . . . . .

1.2.4. Campo elctrico de distribuciones continuas de carga

1.3. Potencial elctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1. Energa potencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4. Conductores en un campo electrosttico . . . . . . . . . . . .

1.4.1. Campo elctrico de un conductor cargado en equilibrio electrosttico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4.2. Conductor neutro en un campo elctrico externo . . .

1.5.1. Capacidad de un conductor . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5.2. Influencia entre conductores . . . . . . . . . . . . . . .

1.6. Energa Electrosttica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6.1. Energa en un condensador de placas paralelas . . . .

1.6.2. Densidad de energa electrosttica . . . . . . . . . . . .

1.8. Interaccin magntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.9. Fuerza de Lorentz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.9.1. Movimiento de una carga puntual en presencia de un

1.10.Fuerzas magnticas sobre conductores . . . . . . . . . . . . .

1.10.1. Fuerza magntica sobre un hilo . . . . . . . . . . . . .

1.10.2. Momento de la fuerza sobre una espira de corriente .

1.13.1. Fuerza electromotriz de movimiento . . . . . . . . . .

1.13.2. Fuerza electromotriz inducida . . . . . . . . . . . . . .

1.14.1. Inductancia mutua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.14.3. Caso general

1.16.(*) Ecuaciones de Maxwell

2. Circuitos de Corriente Continua y Alterna

2.2. Vector densidad de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3. Conductividad, Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3.1. Conductividad elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3.2. Ley de Ohm circuital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3.3. Efecto Joule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4. Fuerza electromotriz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4.1. Potencia suministrada por el generador . . . . . . . .

2.5. Reglas de Kirchhoff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.5.1. Regla de Kirchhoff de las tensiones . . . . . . . . . . .

2.5.2. Regla de Kirchhoff de las intensidades . . . . . . . . . .

2.6. Resolucin de circuitos de corriente continua . . . . . . . . .

2.6.1. (*) Mtodo de las corrientes de malla . . . . . . . . . .

2.6.2. (*) Teorema de superposicin . . . . . . . . . . . . . . .

2.6.3. (*) Teorema de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.6.4. Balance de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.7. Circuito RC. Carga y descarga de un condensador . . . . . . .

2.7.1. Descarga de un condensador . . . . . . . . . . . . . . .

2.7.2. Carga de un condensador . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.8. Transitorios en circuitos RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.9. Corriente alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.9.1. Generador de fem alterna . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.9.2. Relacin I V para Resistencia, Condensador y Bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.10. Anlisis fasorial de circuitos de CA . . . . . . . . . . . . . . . .

2.10.1. Expresiones fasoriales para resitencia, condensador

2.10.2. Reglas de Kirchhoff en circuitos de CA . . . . . . . . . .

2.10.3. Circuito RLC serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.10.5. (*) Anlisis de mallas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

debe leerse como vector unitario en la direccin y sentido de