Elektronika Zadaci 1

UVOD U TEORIJU POLUPROVODNIKA
Poluprovodnici su materijali ija elektronska svojstva zavise od koncentracije primesa i

irine energetskog procepa. Sopstveni poluprovodnici su oni kod kojih svojstva zavise od
elektronske strukture samog poluprovodnika a primesni ili dopirani poluprovodnici su oni ija
svojstva zavise od vrste i koncentracije primesa. Poluprovodnike karakterie zonska struktura:
Ec
Provodna zona
Ec - dno provodne zone
Ev vrh valentne zone
Eg
Eg - energetski procep
(zabranjena zona)
Eg = Ec - Ev
Ev
Valentna zona
Valentna zona odgovara elektronskim stanjima valentnih elektrona koji u estvuju u

formiranju kovalentne veze. Na apsolutnoj nuli ova stanja su popunjena. Provodna zona
odgovara energetskim stanjima vika energije i na apsolutnoj nuli su ova stanja nepopunjena.
Valentna i provodna zona su razdvojene zabranjenom zonom.
U koliko elektron iz valentne zone dobije energiju E Eg, on moe da savlada energetsku
barijeru i da pre!e u provodnu zonu osloba!aju"i za sobom upljinu u valentnoj zoni. Stvaranje
para elektron-upljina moe se posti"i termi kom energijom kT Eg, ozra ivanjem
poluprovodnika energijom h! Eg, dopiranjem i jonizacijom primesa na viim temperaturama.
Elektroni u provodnoj zoni kao i upljine u valentnoj zoni predstavljaju dva osnovna tipa
nosilaca naelektrisanja koji doprinose protoku struje u poluprovodnicima pod dejstvom
spoljanjeg polja. Koncentracija elektrona u provodnoj zoni ozna ava se sa n, a koncentracija
upljina u valentnoj zoni p.
Uvo!enjem primesa ija se valentnost razlikuje od osnovne valentnosti poluprovodnika
moe se dobiti n-tip (donorske primese) ili p-tip (akceptorske primese) poluprovodnika.
Donorski tip poluprovodnika za Si koji je etvorovalentan donorske primese su petovalentni
elementi kao to su P, As ili Sb.
Poloaj donorskog nivoa dat je na slici
Ec
Donorski nivo
Jonizacijom primesa elektroni sa donorskog
nivoa prelaze u provodnu zonu i time
Ed
pove"avaju
koncentraciju
provodnih
Eg
elektrona. Ve"inski nosioci naelektrisanja su
elektroni.
Ev
Akceptorski tip poluprovodnika za Si koji je etvorovalentan akceptorske primese su
trovalentni elementi B, Ge, Al ili In.
Jonizacijom primesa elektroni iz valentne
zone prelaze na akceptorski nivo i time se
Ec
pove"ava koncentracija upljina u valentnoj
zoni. Ve"inski nosioci naelektrisanja su
Eg
upljine.
Ea
Akceptorski nivo
Ev
JEDNA INA ELEKTRONEUTRALNOSTI

U poluprovodniku mora da je ispunjen uslov elektri ne neutralnosti tako da vai jedna!ina
elektroneutralnosti:
n " N A# $ p " N D" ,
gde je N+D koncentracija jonizovanih donorskih primesa, a N-A koncentracija jonizovanih
akceptorskih primesa
Na sobnoj i viim temperaturama smatra se da su sve primese jonizovane N+D = ND i N-A = NA,
tako da se jedna ina elektroneutralnosti svodi na
n " NA $ p " ND
Sopstveni poluprovodnik:
Za sopstveni poluprovodnik ND = NA = 0, i iz jedna ine elektroneutralnosti sledi da je:
n = p = ni ,
gde je ni sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja.
Za poluprovodnike vai zakon o dejstvu masa
n % p $ ni2
n - tip poluprovodnika:
Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se napisati da je n & N D
Koncentracija upljina se izra unava na osnovu zakona o dejstvu masa
ni2
p$
ND
p - tip poluprovodnika:
Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se smatrati da je p & NA
Koncentracija elektrona se izra unava na osnovu zakona o dejstvu masa
n$
ni2
NA
Koncentracija elektrona u provodnoj zoni data je izrazom:

, Ec # E f )
',
n $ N c exp** #
kT '(
+
gde se efektivni broj stanja sveden na dno provodne zone izra unava na osnovu izraza:
, T )
N c $ 2.8 % 1019 *
'
+ 300 (
3/ 2
cm # 3 .
Koncentracija upljina u valentnoj zoni data je izrazom:

, E f # Ev )
',
p $ N v exp** #
kT '(
+
gde se efektivni broj stanja sveden na vrh valentne zone izra unava na osnovu izraza:
T )
N v $ 1.08 % 10 *
'
+ 300 (
19 ,
Ef Fermijev nivo
T apsolutna temperatura
k Boltzmannova konstanta
3/ 2
cm #3 .
Zakon o dejstvu masa se sada moe napisati na slede"i na in:

, E )
ni $ N c N v exp** # g ''
+ 2kT (
, Eg )
''
ni $ A % T 3 / 2 exp** #
kT
2
+
(
Poloaj Fermijevog nivoa:
E " Ev Eg
Ef $ c
$
2
2
Ec
n-tip poluprovodnika:
p-tip poluprovodnika:
Ec
Ec
Ef
Ef
Ev
Ef
Ev
Ev
ELEKTRI NA PROVODNOST POLUPROVODNIKA
Pod dejstvom elektri nog polja K elektroni i upljine se kre"u driftovskom brzinom (vn, vp):
vn $ - n % K
vp $ - p % K
gde su -n i -p pokretljivosti elektrona i upljina, respektivno.
S obzirom da su nosioci naelektrisanja i elektroni i upljine, gustina struje je data izrazom:

j $ jn " j p $ . % K ,
a specifi na provodnost poluprovodnika je:
. $ qn- n " qp- p .
Specifi na otpornost poluprovodnika je:
/$
1
qn- n " qp- p
n $ p $ ni ,
pa je specifi na elektri na provodnost:
. i $ qni 0- n " - p 1
n - tip poluprovodnika (n 22 p):
. n $ qn- n
p - tip poluprovodnika (p 22 n):
. p $ qp- p
KONCENTRACIJA NOSILACA NAELEKTRISANJA PRI TERMODINAMI KOJ

RAVNOTEI; FERMIJEV NIVO
Koncentracija slobodnih nosilaca naelektrisanja, odnosno koncentracija slobodnih elektrona,

proporcionalna je verovatno"i da energetski nivo E u provodnoj zoni bude zauzet na temperaturi
T; naime, raspodela elektrona i upljina po energetskim nivoima podlee Fermi-Dirakovoj
funkciji raspodele, koja glasi:
f (E, T ) $
1
, E # EF
1 " exp*
+ kT
)
'
(
Ovde je:
k - Boltzmannova konstanta,
EF - energija Fermijevog nivoa.
Energija kT na sobnoj temperaturi (T = 300K) priblino iznosi kT # 0,026 eV i predstavlja veoma
vanu konstantu u fizi koj elektronici poluprovodnika.
Treba napomenuti da je Fermijev nivo, koji je konstanta u Fermi-Dirakovoj funkciji raspodele,
energetski nivo sa odre!enim fizi kim zna enjem samo kod metala, kada, kao to je
napomenuto, predstavlja maksimalni nivo elektrona na temperaturi apsolutne nule. Iako se
Fermijev nivo kod poluprovodnika ne moe ta no da definie, odnosno ne moe mu se dati
odre!ena fizi ka interpretacija, ipak je njegovo uvo!enje od izuzetne koristi pri prou avanju
provo!enja struje u poluprovodnicima i poluprovodni kim komponentama. Poloaj Fermijevog
nivoa se odre!uje na osnovu uslova da u kristalu poluprovodnika postoji ravnotea pozitivnog i
negativnog naelektrisanja i moe se smatrati da je EF integraciona konstanta koja ne zavisi od
raspodele energije me!u esticama, ve" samo od njihovog ukupnog broja. Po analogiji sa
metalima, gde Fermijev nivo odraava termodinami ku energiju sistema, i kod poluprovodnika
Fermijev nivo mora biti kontinualan na mestu spoja dva poluprovodnika, odnosno
poluprovodnika i metala.
U poluprovodniku mora da je ispunjen uslov elektri ne neutralnosti tako da (pod uslovom da su

sve primese jonizovane) vai jedna!ina elektroneutralnosti:
n " N A $ p " N D ..(1)
Za poluprovodnike vai zakon o dejstvu masa
n % p $ ni2 ...(2)
I)
Ukoliko se u poluprovodnik dodaju i petovalentne primese (koncentracije ND) i trovalentne

primese (koncentracije NA) koncentracije elektrona i upljina se odre uju reavanjem
sistema jedna!ina (1) i (2):
a) Ako je NA > ND odre!ujemo p
b) Ako je ND > NA odre!ujemo n
ni2
# p " N A # ND $ 0
p
ni2
" NA # ND $ 0
n#
n
p 2 # ( N A # N D ) % p # ni2 $ 0
n 2 # ( N D # N A ) % n # ni2 $ 0
p$
(N A # N D ) "
0 N A # N D 12 " 4ni2
2
n$
(N D # N A ) "
0 N D # N A 12 " 4ni2
2
II) Ukoliko se u poluprovodnik dodaju samo petovalentne primese (koncentracije ND)

koncentracije elektrona i upljina se odre uju:
a) Ako je ND >> ni (minimum 10 puta)

n $ ND
b) Ako je ND & ni
(reavamo sistema jedna!ina (1) i (2))
n2
n # i # ND $ 0
n
n 2 # N D % n # ni2 $ 0
n$
N D " N D 2 " 4ni2

2
III) Ukoliko se u poluprovodnik dodaju samo trovalentne primese (koncentracije NA)

koncentracije elektrona i upljina se odre uju:
a) Ako je NA >> ni (minimum 10 puta)
p $ NA
b) Ako je NA & ni
(reavamo sistema jedna!ina (1) i (2))
ni2
# p " NA $ 0
p
p 2 # N A % p # ni2 $ 0
p$
N A " N A 2 " 4ni2

2
ZADATAK 1: U besprimesnom silicijumu Fermijev nivo se nalazi na sredini zabranjene

zone. Izra unati verovatno"u da se elektron na!e na dnu provodne zone (E = Ec) na tri
razli ite temperature: 0 K; 20 oC; 100 oC. Poznato je: Eg (Si) = 1.12 eV (za sve tri
temperature) i k = 8.62%10#5 eV/K.
Reenje:
1
f (E) $
E#E f
1" e
f ( EC ) $
kT
1
EC # E f
1" e
kT
U besprimesnom silicijumu Ef je na sredini zabranjene zone '
Sada se razlika Ec-Ef moe izraziti na slede"i na in:

E " Ev Ec # Ev E g
Ec # E f $ Ec # c
$
$
2
2
2
1
f ( EC ) $
E
g
1 " e 2 kT
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

T=0K
'
T = 20 oC = 293 K
'
1
$0
1 " e3
f ( EC ) $ 2.35 % 10#10
T = 100 oC = 373 K
'
f ( EC ) $ 2.73 % 10#8
f ( EC ) $
Ef $
Ec " Ev
2
ZADATAK 2: Ravnotene koncentracije nosilaca naelektrisanja u nekom

poluprovodniku na nekoj temperaturi iznose n = 1017 cm#3 i p = 105 cm#3. Efektivni
brojevi kvantnih stanja dna provodne i vrha valentne zone na toj temperaturi iznose
Nc = Nv = 1020 cm#3, a Fermijev nivo je od dna provodne zone udaljen 0.22 eV. Izra unati
temperaturu datog poluprovodnika (u oC) i irinu zabranjene zone poluprovodnika na toj
temperaturi. Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K.
Reenje:
Koncentracija elektrona u provodnoj zoni data je izrazom:
, Ec # E f )
'
n $ N c exp** #
kT '(
+
Transformacijom ovog izraza dobija se:
Ec # E f
kT $
N
ln c
n
kT $ 0.03185 eV
Odavde se dobija temperatura poluprovodnika:
T $ 369.5 K
T $ 96.5 o C
Kori"enjem zakona o dejstvu masa moe se do"i do slede"e jedna ine:
, Eg )
''
n i2 $ n % p $ N c N v exp** #
kT
(
+
Transformacijom ovog izraza dobija se:
N N
E g $ kT ln c v
n% p
E g $ 1.32 eV
ZADATAK 3: Odrediti koncentraciju donorskih primesa kojom mora biti dopiran

silicijum da bi na 300 K imao koncentraciju elektrona dvostruko ve"u od koncentracije
upljina. Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je
ni = 1.13%1010 cm#3.
Reenje:
Za poluprovodnike vai zakon o dejstvu masa:
n % p $ ni2
Dato je da je koncentracija elektrona dvostruko ve"a od koncentracije upljina:
n $ 2p
Zamenom u prethodni izraz dobija se:
2 p % p $ ni2
2 p 2 $ ni2
Odavde se zamenom brojnih vrednosti dobija:
n
1.13 % 1010
p$ i $
$ 0.8 % 1010 cm # 3
2
2
Kori"enjem zakona o dejstvu masa dobija se:
ni2 1.13 % 1010

$
n$
p
8 % 109
$ 1.6 % 1010 cm # 3
Kako su na sobnoj temperaturi sve primese jonizovane onda vai:

n " N A $ p " ND
Nema akceptorskih primesa, pa vai:
NA $ 0
N D & n # p $ 0.8 % 1010 cm # 3
ZADATAK 4: Izra unati poloaj Fermijevog nivoa u odnosu na odgovaraju"u zonu na

350 K za silicijum koji je:
a) dopiran donorskim primesama koncentracije ND = 1016 cm#3,
b) dopiran akceptorskim primesama koncentracije NA = 1016 cm#3.
Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je
ni = 1.13%1010 cm#3, a Eg (300 K)=1.12 eV i Eg (350 K)=1.1 eV. Sopstvena koncentracija
nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu
3
2
, E g (T ) ) . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K.

''
ni $ A % T exp** #
+ 2kT (
Poznato je da je koncentracija elektrona u provodnoj zoni data izrazom:

, Ec # E f
n $ N c exp** #
kT
+
)
'' ,
(
gde se efektivni broj stanja sveden na dno provodne zone izra unava na osnovu izraza:
3/ 2
#3
19 , T )
N c $ 2.8 % 10 *
' cm ,
+ 300 (
a koncentracija upljina u valentnoj zoni data je izrazom:
, E f # Ev
p $ N v exp** #
kT
+
)
'' ,
(
gde se efektivni broj stanja sveden na vrh valentne zone izra unava na osnovu izraza:
3/ 2
19 , T )
#3
N v $ 1.08 % 10 *
' cm .
+ 300 (
Reenje:
Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu
3
, E g (T ) )
................(1)
''
ni $ A % T 2 exp** #
+ 2kT (
Moemo odrediti konstantu A na osnovu podataka za 300 K:
3
Iz (1) se dobija: A $ n (300) % 300 # 2 exp,* E g (300) ') $ 5.5216912 % 1015 cm # 3 K # 3 / 2
i
'
*
+ 2k % 300 (
Sada moemo da odredimo ni na temperaturi 350 K:
3
1 .1
)
,
11
#3
ni (350) $ 5.5216912 % 1015 % 350 2 exp* #
' $ 4.375 % 10 cm
#5
+ 2 % 8.62 % 10 % 350 (
a) silicijum dopiran donorskim primesama koncentracije ND = 1016 cm#3

ni $ 4.375 % 1011 cm # 3
n&ND = 1016 cm#3
, Ec # E f )
' , odavde moe da se izrazi E # E :
n $ N c exp** #
c
f
kT '(
+
,N )
,N )
Ec # E f $ kT ln* c ' $ kT ln** c '' ................(2)
+ n (
+ ND (
Treba prora unati NC na 350 K:

19 , 350 )
N c 0350 K 1 $ 2.8 % 10 *
'
+ 300 (
3/ 2
$ 3.53 % 1019 cm # 3
Zamenom brojnih vrednosti u (2) dobijamo:

, 3.53 %1019 )
' $ 0.246 eV
Ec # E f $ 8.62 %10 #5 % 350 ln**
16
'
(
+ 10
b) silicijum dopiran akceptorskim primesama koncentracije NA = 1016 cm#3

ni $ 4.375 % 1011 cm # 3
p&NA = 1016 cm#3
, E f # Ev )
' , odavde moe da se izrazi E # E :
p $ N v exp** #
f
v
kT '(
+
,N )
,N )
E f # Ev $ kT ln** v '' $ kT ln** v '' ................(3)
+ p (
+ NA (
Treba prora unati Nv na 350 K:
, 350 )
N v 0350 K 1 $ 1.08 % 1019 *
'
+ 300 (
3/ 2
$ 1.36 % 1019 cm # 3

, 1.36 %1019 )
' $ 0.218 eV
E f # Ev $ 8.62 %10 #5 % 350 ln**
16
'
10
+
(
ZADATAK 5: Na T = 300 K koncentracije donorskih i akceptorskih primesa u

germanijumu su ND = 2%1014 cm#3 i NA = 3%1014 cm#3. Odrediti tip ovako dopiranog
poluprovodnika na T = 400 K. Kako se ponaa silicijum pri istim uslovima i istim
koncentracijama primesa? Poznato je:
- irina zabranjene zone na 300 K: EgSi (300 K) = 1.12 eV i EgGe (300 K) = 0.66 eV,
- irina zabranjene zone na 400 K: EgSi (400 K) = 1.09 eV i EgGe (400 K) = 0.62 eV ,
- sopstvene koncentracije nosilaca na 300 K: niGe = 2.5%1013 cm#3 i niSi = 1.13%1010 cm#3,
- sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po
3
zakonu n $ A % T 2 exp,* # E g (T ) )' . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K.

i
*
'
+
2kT (
Reenje:
p " N D" $ n " N A#
- jedna ina elektroneutralnosti
"
#
N D & N D ; N A & N A - na sobnoj temperaturi se sve primese mogu smatrati jonizovanim
n # p " N A # N D $ 0 ................(1)
................(2)
p % n $ ni2
Iz (1) i (2) dobijamo:
ni2
# p " NA # ND $ 0
p
p 2 # ( N A # N D ) % p # ni2 $ 0
p$
(N A # ND ) "
0 N A # N D 12 " 4ni2 ................(3)
2
Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu
3
, E g (T ) )
................(4)
''
ni $ A % T 2 exp** #
kT
2
+
(
Na 300 K:
3
Si: iz (4) se dobija A $ n (300) % 300 # 2 exp,* E gSi (300) ') $ 5.5216912 % 1015 cm # 3 K # 3 / 2
Si
i Si
'
*
+ 2k % 300 (
3
Ge: iz (4) se dobija A $ n (300) % 300 # 2 exp,* E gGe (300) )' $ 1.6763054 % 1015 cm # 3 K # 3 / 2
Ge
i Ge
* 2k % 300 '
(
+
Na 400 K:
Si:
Ge
iz (4) se dobija n (400) $ A % 400 2 exp,* # E gSi (400) )' $ 6.0337 % 1012 cm # 3
i Si
Si
* 2k % 400 '
(
+
iz (3) se dobija pSi (400) = 1%1014 cm#3
iz (2) se dobija nSi (400) = 3.627%1011 cm#3
Na 400 K je nSi << pSi , pa se silicijum ponaa kao p-tip poluprovodnika
3
: iz (4) se dobija n (400) $ A % 400 2 exp,* # E gGe (400) )' $ 1.67 % 1015 cm # 3
i Ge
Ge
'
*
+ 2k % 400 (
iz (3) se dobija pGe (400) = 1.72%1015 cm#3
iz (2) se dobija nGe (400) = 1.62%1015 cm#3
Na 400 K je nGe # pGe # niGe, pa se germanijum ponaa kao sopstveni poluprovodnik
ZADATAK 6: Uzorak silicijuma dopiran je akceptorskim primesama koncentracije

NA = 1014 cm#3. Izra unati koncentracije elektrona i upljina na temperaturama:
a) 0 oC (moe se smatrati da su na ovoj temperaturi sve primese jonizovane)
b) 27 oC
c) 450 K
Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po
zakonu ni (T ) $ A % T 3 / 2 exp(# E g / 2kT ) . irina zabranjene zone silicijuma na datim
temperaturama iznosi: Eg (0 oC) = 1.13 eV; Eg (27 oC) = 1.12 eV i Eg (450 K) = 1.08 eV.
Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja na sobnoj temperaturi (300 K) iznosi
ni = 1.13%1010 cm-3. Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K.
Reenje:
Na ovim temperaturama moemo smatrati da su sve primese jonizovane, pa je koncentracija
jonizovanih primesa jednaka koncentraciji akceptorskih primesa:
p " N D" $ n " N A#
- jedna ina elektroneutralnosti
#
"
N A & N A ; ND $ 0
Jedna"ina elektroneutralnosti sada postaje:
p $ n " N A ................(1)
a) Na 0 oC:
Da bi smo odredili koncentraciju elektrona i upljina potrebno je da odredimo ni na 0 oC.
Poznato je:
Eg (27 oC) = 1.12 eV
ni = 1.13%1010 cm-3
ni (T ) $ A % T 3 / 2 exp(# E g / 2kT ) ................(2)
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo da je konstanta:
3
#
, E g (300) )
'' $ 5.5216912 % 1015 cm # 3 K # 3 / 2
A $ ni (300) % 300 2 exp**
2
300
k
%
(
+
Sada moemo da odredimo ni na temperaturi 0 oC (273 K).
ni (273K ) $ 5.5216912 % 1015 % (273)3 / 2 exp(#1.13 / 2 % 8.62 % 10 # 5 % 273) $ 0.932 % 109 cm # 3

Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se smatrati da je p & NA=1014 cm#3
Kako je p >> ni koncentracija manjinskih elektrona se moe izra unati na osnovu zakona o
dejstvu masa:
p % n $ ni2
................(3)
2
Zamenom brojnih vrednosti u (3) dobija se n $ ni $ 8686.24 cm # 3
p
o
b) Na 27 C:
Eg (27 oC) = 1.12 eV
ni = 1.13%1010 cm-3
Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se smatrati da je p & NA=1014 cm#3
Kako je p >> ni koncentracija manjinskih elektrona se moe izra unati na osnovu zakona o
dejstvu masa.
2
Zamenom brojnih vrednosti u (3) dobija se n $ ni $ 1.277 % 10 6 cm # 3
p
c) Na 450 K:
Eg (450 K) = 1.08 eV
Moemo da odredimo ni na temperaturi 450 K.
ni (450 K ) $ 5.5216912 % 1015 % (450)3 / 2 exp(#1.08 / 2 % 8.62 % 10 # 5 % 450) $ 4.7427 % 1013 cm # 3

Vidimo da je koncentracija sopstvenih nosilaca naelektrisnja uporediva sa koncentracijom
primesa.
Koristimo jedna ine (1) i (3):
p $ n " N A ................(1)
ni2
................(3)
p
Njihovim kombinovanjem se dobija:
n2
p # i # NA $ 0
p
2
p # N A % p # ni2 $ 0
n$
p$
NA "
0N A 12 " 4ni2
2
p = 1.189%1014 cm#3
Onda se za n dobija:
n2
n $ i $ 1.892 % 1013 cm # 3 .
p
U tabeli su prikazani rezultati dobijeni za tri razli ite temperature koje su kori"ene u zadatku:
Temperatura [K]
273
300
450
ni (cm#3)
9.32%108
1.13%1010
4.74%1013
n(cm#3)
8.69%103
1.28%106
1.89%1013
p(cm#3)
1014
1014
1.19%1014
Upore!ivanjem rezultata prikazanih u tabeli moe se uo iti da sa porastom temperature raste i

sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja. Osim toga rastu i koncentracije ve"inskih i
manjinskih nosilaca naelektrisanja. Do porasta koncentracija dolazi zbog porasta broja termi ki
generisanih parova elektron-upljina.
ZADATAK 7: Odrediti tip i koncentraciju primesa kojom mora biti dopiran silicijum da
bi na 400 K sadrao 2%1012 slobodnih elektrona/cm3. Koncentracija sopstvenih nosilaca u
silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je ni = 1.13%1010 cm#3. Sopstvena koncentracija
nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu
ni $
3
A %T 2
, E (T ) ) . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K. Poznato je

''
exp** # g
+ 2kT (
Eg (300 K) = 1.12 eV i Eg (400 K) = 1.09 eV.

Reenje:
Da bi smo odredili tip i koncentraciju primesa potrebno je da odredimo ni na 400 K.
Poznato je:
Eg (300 K) = 1.12 eV
ni (300 K)= 1.13%1010 cm-3
ni (T ) $ A % T 3 / 2 exp(# E g / 2kT ) ................(1)
Zamenom brojnih vrednosti u (1) dobijamo da je konstanta A:
3
#
, E g (300) )
'' $ 5.5216912 % 1015 cm # 3 K # 3 / 2
A $ ni (300) % 300 2 exp**
+ 2k % 300 (
Sada moemo da odredimo ni na temperaturi 400 K:
ni (400 K ) $ 5.5216912 % 1015 % (400)3 / 2 exp(#1.09 / 2 % 8.62 % 10 # 5 % 400) $ 6.03 % 1012 cm # 3

Poznato je:
n = 2%1012 cm#3
Koncentracija upljina se moe izra unati na osnovu zakona o dejstvu masa:
p % n $ ni2
n 2 6.03 % 1012
p$ i $
n
2 % 1012
$ 1.82 % 1013 & 2 % 1013 cm #3
Kako je p >> n moemo zaklju iti da se radi o p-tipu poluprovodnika (akceptorske primese)
Iz jedna ine elektroneautralnosti:
n " N A# $ p " N D"
dobijamo:
n " NA $ p
Odavde se zamenom brojnih vrednosti dobija:
N A $ p # n $ 1.62 % 1013 cm # 3
ZADATAK 14: Broj atoma u silicijumu je Nat = 5%1022 atoma/cm3. Ako se silicijumu
dodaju donorske primese u odnosu 1 atom primesa na 108 atoma silicijuma, na"i
promenu specifi ne elektri ne otpornosti u odnosu na sopstveni (besprimesni)
poluprovodnik na sobnoj temperaturi.
Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je
ni = 1.13%1010 cm#3, a pokretljivosti elektrona i upljina su -n = 1450 cm2/Vs i
-p = 500 cm2/Vs.
Reenje:
Kada je poznata pokretljivost upljina i elektrona, kao i njihova koncentracija u poluprovodniku,
specifi na provodnost se izra unava prema izrazu:
. $ q(n- n " p- p )
Specifi na otpornost je onda:

1
1
/$ $
. q ( n- n " p- p )
U istom (sopstvenom) poluprovodniku koncentracija slobodnih elektrona je jednaka
koncentraciji upljina:
n = p = ni
Sada jedna ina za specifi nu otpornost postaje:
1
$ 2.83 % 10 5 4cm
/i $
qni ( - n " - p )
Koncentracija donorskih primesa izra unava se na slede"i na in:
N
N d $ at8 $ 5 %1014 at / cm 3 $ 5 %1014 cm #3
10
S obzirom da su sve primese jonizovane na sobnoj temperaturi, onda je:
n " Nd = 5%1014 cm#3
Koncentracija upljina se onda ra una na slede"i na in:
n2
p $ i $ 3.38 % 105 cm#3
n
Specifi na otpornost poluprovodnika se izra unava na slede"i na in:
1
.......(1)
/$
q ( n- n " p- p )
Za poluprovodnik n-tipa vai:
p55 n
.......(2)
Iz (1) i (2) sledi:
1
/n $
$ 8.62 4cm
qn- n
Odnos specifi ne otpornosti pre i posle dopiranja je:
/i
$ 32830
/n
Dodavanjem primesa specifi na elektri na otpornost silicijuma se smanjila 3.3%104 puta.
ZADATAK 15: Otpornost nekog poluprovodnika po jedinici duine iznosi R =2 4/cm.

Koncentracija elektrona u poluprovodniku iznosi n = 1.25%1017 cm#3. Ako struja kroz
uzorak krunog popre nog preseka pre nika d = 1 mm iznosi I = 157 mA na"i
pokretljivost elektrona, specifi nu provodnost i driftovsku brzinu elektrona.
Reenje:
Zavisnost brzine nosilaca (driftovska brzina) od elektri nog polja moe se izraziti na slede"i
na in:
! n $ -n % K
Otpornost poluprovodnika je:

l
R$/
S
Otpornost po jedinici duine je:
R' $
/
S
R
l
S obzirom da se radi o poluprovodniku n-tipa ( . $ qn- n ) otpornost po jedinici duine moe se

izraziti na slede"i na in:
1
1
$
R' $
.S qn- n S
Odavde se za pokretljivost elektrona dobija:
1
-n $
qnR ' S
S obzirom da je poluprovodnik krunog popre nog preseka njegova povrina je:
S $ (d / 2) 2 6 $ 7.85 %10 #3 cm 2
cm 2
Vs
Specifi na provodnost je sada:
. $ qn- n
- n $ 3184.7
. $ 63.69 (4cm) #1
Gustina struje kroz uzorak iznosi:
I
A
J $ $ 20
S
cm 2
'K$J
J $. %K
V
K $ 0.314
cm
Na osnovu ovoga za driftovsku brzinu se dobija:
! n $ -n % E
! n $ 1000
cm
s
ZADATAK 16: Koncentracije donorskih primesa u silicijumu n-tipa u dva razli ita
uzorka iznose ND1 = 1016 cm#3 i ND2 = 1019 cm#3. Ako su popre ni preseci oba uzorka isti
i iznose S = 1 mm2, izra unati duine tih uzoraka u slu aju da kroz njih proti e ista struja
I = 100 mA pri priklju enom naponu od U = 0.2 V. Zavisnost pokretljivosti od
koncentracije primesa na T = 300 K data je ozrazom:
- # - min
- $ - min " max
7
1 " ( N / N ref )
pri emu je:

-min = 92 cm2/Vs, -max = 1360 cm2/Vs, Nref = 1.3%1017 cm#3 i 7 = 0.91.
Reenje:
Zamenom vrednosti u opti izraz za pokretljivost za -n1 i - n2 se dobijaju slede"e vrednosti:
- n1 = 1248 cm2/Vs
- n2 = 115.9 cm2/Vs
Struje kroz uzorke mogu se izraziti na sede"i na in:
U
U
I1 $
$ I2 $
' I1 $ I 2 $ I
R1
R2
Moe se zaklju iti da oba uzorka imaju jednake otpornosti:
U
R1 $ R2 $ $ 2 4
I
Otpornosi uzoraka mogu se izraziti na slede"i na in:
l
l
R1 $ /1 1 ; R2 $ / 2 2 ;
S1
S2
Poznato je:
S1 $ S 2 $ S ; R1 $ R2 $ R
Na osnovu ovoga duine ovih uzoraka mogu se izraziti na slede"i na in:
R%S
l1 $
$ R % S. 1 $ R % Sqn1 - n1 ;
n1=ND1 (sve primese su jonizovane na 300 K)
/1
l2 $
R%S
/2
$ R % S. 2 $ R % Sqn2 - n 2 ;
to zamenom brojnih vrednosti daje:

l1 $ 0.04 cm
l 2 $ 3.70 cm
n2=ND2 (sve primese su jonizovane na 300 K)
ZADATAK 17: Silicijumska plo ica je specifi ne elektri ne otpornosti / $ 100 4cm .
Ako su na sobnoj temperaturi (300 K) pokretljivosti elektrona i upljina
-n = 1450 cm2/Vs -p = 500 cm2/Vs, a ni = 1.13%1010 cm#3, izra unati koncentraciju
elektrona i upljina pri termodinami koj ravnotei za slu aj da je silicijum n-tipa odnosno
p-tipa.
Reenje:
/$
1
q(n- n " p- p )
p % n $ ni2
...............(1)
...............(2)
Kombinovanjem izraza (1) i (2) dobija se:

n2
1
n- n " i - p $
n
q/
n2 #
1
q/- n
n"
-p 2
ni $ 0
-n
2
, 1 )
'' # 4 p ni2
8 **
q/- n
-n
+ q/- n (
n$
2
1
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:

n1 $ 4.31%1013 cm #3
n2 $ 1.5 % 106 cm #3
a)
n1 2 ni
n tip poluprovodnika
n1 $ 4.31%10 cm #3
13
p1 $
ni2
$ 2.96 % 106 cm#3
n1
b)
n2 5 ni
p tip poluprovodnika
n2 $ 1.5 % 10 cm #3
6
p2 $
ni2
$ 8.51 % 1013 cm#3
n2
ZADATAK 19: Specifi na elektri na otpornost silicijuma p-tipa na sobnoj temperaturi je

0.5 4cm. Pod uticajem svetlosti u poluprovodniku se generie 2%1016 dodatnih parova
elektron-upljina po cm3. Odrediti procentualnu promenu specifi ne elektri ne otpornosti
uzrokovanu dejstvom izvora svetlosti. Poznato je da je na sobnoj temperaturi (300 K):
-n = 1450 cm2/Vs, -p = 500 cm2/Vs, i ni = 1.13%1010 cm#3.
Reenje:
Poluprovodnik p-tipa
1
/$
q ( n- n " p - p )
n 55 p
.......(1)
.......(2)
Iz (1) i (2) sledi da je specifi na otpornost poluprovodnika p-tipa:

1
/$
qp- p
Iz prethodnog izraza moemo izra unati koncentraciju upljina:
1
p$
$ 2.5 % 1016 cm #3
q/- p
Koncentracija elektrona se onda ra una na slede"i na in:
n2
n $ i $ 5107.6 cm #3
p
Pod dejstvom svetlosti generiu se parovi elektron-upljina
9n $ 9p $ 2 % 1016 cm #3
Koncentracije elektrona i upljina sada iznose:
p1 $ p " 9p
n1 $ n " 9n
p1 $ 4.5 %1016 cm #3
n1 $ 2 %1016 cm #3
Na osnovu izraza (1) za specifi nu elektri nu otpornost se dobija:
1
/1 $
q (n1 - n " p1 - p )
/1 $ 0.12 4cm
9/ $ / # /1
9/ $ 0.38 4cm
9/
$ 76 %
/
Procentualna promena specifi ne elektri ne otpornosti uzrokovana dejstvom izvora svetlosti
iznosi 76%.
ZADATAK 21: Posle dopiranja istog silicijuma donorskim primesama njegova

elektri na provodnost je porasla 1660 puta. Za koliko se pomerio Fermijev nivo u
pore!enju sa istim silicijumom, ako je temperatura kristala T = 300 K, pokretljivost
elektrona i upljina su -n = 1450 cm2/Vs i -p = 500 cm2/Vs, koncentracija sopstvenih
nosilaca u silicijumu je ni = 1.13%1010 cm#3, a Boltzmannova konstanta
k = 8.62%10#5 eV/K.
Reenje:
. i $ qni ( - n " - p ) $ 3.52 %10 #6 (4cm) #1
Dopirani poluprovodnik:
. $ 1660 % . i $ 5.85 % 10 # 3 (4cm) #1
. & qn- n
'
.
$ 2.52 % 1013 cm # 3
q- n
ni2
p$
$ 5.06 % 10 6 cm # 3
n
n$
, E # EF )
n $ N C % exp* # C
'
kT (
+
, E # EV )
p $ NV % exp* # F
'
kT (
+
.............................(1)
.............................(2)
Iz (1) i (2) se dobija:
n NC
, 2 E # ( Ec " Ev ) )
$
% exp* F
'
p NV
kT
+
(
,N n)
2 EF # ( Ec " Ev )
$ ln** V % ''
kT
+ NC p (
kT n
E " EV kT NV kT n
EF $ c
"
ln
"
ln $ E Fi "
ln $ EFi " 9EF
p
NC
p
2
2
2
2
Gde je:
9E F $
kT n
ln $ 0.2 eV
2
p
DIODE
Rad poluprovodni kih dioda zasniva se na usmera kim osobinama p-n spojeva. p-n spoj
se sastoji od intimnog spoja poluprovodnika p-tipa i poluprovodnika n-tipa. Mesto na kome se
prelazi sa jednog na drugi tip poluprovodnika zove se metalurki spoj.
p-n spoj sa izvodima bez polarizacije prikazan je na slici.
Oblast sa nekompenzovanim primesama (sa prostornim naelektrisanjem vrsto vezanim

za kristalnu reetku) zove se prelazna oblast p-n spoja. Zbog postojanja naelektrisanja, prelazna
oblast p-n spoja zove se i barijerna oblast ili oblast prostornog naelektrisanja.
U prelaznoj oblasti, usled prostornog naelektrisanja postoji elektri no polje K, odnosno
potencijalna razlika Vbi.
irina prelazne oblasti, ili barijera, moe se menjati priklju enjem spoljanjeg napona.
Smanjenje irine barijere postie se kada se na p-oblast priklju i pozitivan, a na n-oblast
negativan pol spoljanjeg napona. Takav napon V zove se direktan napon. U suprotnom
slu aju, tj. priklju enjem inverznog napona VR, irina prelazne oblasti se pove"ava.
Ako se na p-n spoj dovede napon tako da se barijera smanji kroz diodu "e proticati struja.
p-n spoj zove se i usmera!ki spoj, jer on u jednom smeru proputa, a u drugom ne
proputa elektri nu struju.
RAVNOTENO STANJE NA p-n SPOJU
Raspodela koncentracije primesa u okolini metalurskog spoja moe biti takva da je prelaz
sa p- na n-tip poluprovodnika skokovit, linearan, eksponencijalan, ili po nekoj drugoj funkciji
(erfc, Gausovoj, itd.). Skokovitim prelazom se moe smatrati onaj prelaz kod kojeg postoji nagla
promena koncentracije sa jedne i druge strane metalurkog spoja.
Nadalje "e se analizirati samo skokoviti p-n spoj.
Skokoviti p-n (n-p) spoj:

Kontaktna razlika potencijala p-n (n -p) spoja moe se izraziti na slede"i na in:
N N
Vbip # n : Vbin # p : Vbi $ U T ln A 2 D
ni
U prelaznoj oblasti postoji prostorno naelektrisanje od jonizovanih primesa. Ako je re o
p-n spoju u p-oblasti irine xp postoja"e negativno naelektrisanje Qp = - qSxpNA (S je povrina pn spoja), a u n-oblasti irine xn pozitivno nalektrisanje Qn = qSxnND. S obzirom da poluprovodnik
ima ta no definisanu vrednost dielektri ne konstante ;s = ;0;rs (;0 - dielektri na konstanta
vakuuma), to se naelektrisanja Qp i Qn mogu smatrati kao naelektrisanja na oblogama jednog
kondenzatora, pri emu je rastojanje izme!u tih "obloga" w = xp + xn. Kapacitivnost takvog
"kondenzatora" zove se kapacitivnost prostornog naelektrisanja ili barijerna kapacitivnost.
S
C $ ;s
w
Kako u ravnotei p-n spoj mora biti elektroneutralan ( " Q $ # Q ), to je broj nekompenzovanih
donora sa jedne strane jednak broju nekompenzovanih akceptora sa druge strane.
Dobija se:
qSxpNA = qSxnND,
xpNA = xnND.
Prema tome prelazna oblast "e biti ira sa one strane sa koje je koncentracija primesa manja.
Za slu aj skokovitog p-n (n-p) spoja:
Ako je NA >> ND (p-n spoj) vai:
, 2; V p #n 8 V
w < x n < ** s bi
ND
+ q
)
'
'
(
1/ 2
a kada je ND >> NA (n-p spoj) dobija se:

1/ 2
, 2; V n # p 8 V )
' ,
w < x p < ** s bi
N A '(
+ q
pri emu se znak "-" odnosi na direktnu, a znak "+" na inverznu polarizaciu p-n spoja, a V je
apsolutna vrednost napona.
Kada se poznaje povrina p-n spoja S, moe se odrediti kapacitivnost prelazne oblasti p-n
spoja (kapacitivnost prostornog naelektrisanja ili barijerna kapacitivnost):
1/ 2
)
, q;
N
S
$ ;s
$ S ** s p # n D '' ,
C
xn
+ 2 Vbi 8 V (
a kapacitivnost prostornog naelektrisanja skokovitog n-p spoja je:
p#n
n# p
, q;
N
S
$ ;s
$ S ** s n # p A
xp
+ 2 Vbi 8 V
)
'
'
(
1/ 2
STRUJA DIODE
Direktna polarizacija:
Difuziona struja (Id) se moe izraziti na slede"i na in:
,
)
V
# 1''
I d $ I s ** exp
UT
+
(
IS-inverzna struja zasi"enja
Ovaj izraz se koristi pri izra unavanju vrednosti struje za napone koji su ve"i od 0.4 V
Rekombinaciona struja (Irec) se moe izraziti na slede"i na in:
I rec $ I r exp
V
2U T
Ir- rekombinaciona struja pri naponu V = 0

Ovaj izraz se koristi pri izra unavanju vrednosti struje za napone koji su manji od 0.3 V
Ukupna struja diode (I) pri direktnoj polarizaciji jednaka je zbiru difuzione i rekombinacione
struje:
,
)
V
V
# 1'' " I r exp
I $ I d " I rec $ I s ** exp
UT
2U T
+
(
Gde je U $ kT (U T $ 0.026 V na sobnoj temperaturi T=300 K)
T
q
10
-1
-2
I~I
D ~e
xp
10
-3
10
ID(A), Irec(A), I(A)
(V/
U
10
-4
10
)
2U T
/
V
p(
x
~e
-5
10
-6
10
I ec
I~ r
-7
10
-8
10
-9
10
Ir
-10
10
-11
10
0.0
Is
0.2
0.4
0.6
0.8
V(V)
Inverzna polarizacija:
Pri inverznoj polarizaciji diode kroz nju proti e generaciona struja (Igen).
Ona je pri malim inverznim naponima veoma priblino jednaka rekombinacionoj struji Ir.
Kod skokovitog p-n spoja struja generacije je proporcionalna Vinv 2 , tj.:
I gen $ Agen % Vinv
ZADATAK PN1: Izvesti izraz za ugra!eni potencijal skokovitog n-p spoja u zavisnosti
od koncentracije donorskih i akceptorskih primesa.
Reenje:
Na slici je prikazan n-p spoj i dijagram zona za ravnoteno stanje na n-p spoju bez priklju enog
spoljanjeg napona.
Sa slike se moe videti da je
qVbi $ Eip # Ein

Prethodni izraz moemo proiriti 8EF, pa se nakon sre!ivanja dobija:
qVbi $ Eip # E F " E F # Ein
Da bi odredili Vbi potrebno je odrediti Eip # E F i E F # Ein

Odre ivanje E F # Ein :
Krenimo od izraza za koncentraciju elektrona u provodnoj zoni:
, E # EF
n $ N c exp* # c
kT
+
) .........................(1)
'
(
Ako uzmemo da je:

n $ ND ,
onda izraz (1) postaje:
, E # EF
N D $ N c exp* # c
kT
+
Sa druge strane, ako uzmemo da je
) ....................(2)
'
(
n $ ni ,
, E # Ein ) ......................(3)
ni $ N c exp* # c
'
kT (
+
Deljenjem (2) sa (3) dobija se:
ND
, E # Ein ) ,
$ exp* F
'
ni
+ kT (
odakle se nakon sre!ivanja dobija
,N )
E F # Ein $ kT ln** D ''
+ ni (
Odre ivanje Eip # E F :
Krenimo od izraza za koncentraciju upljina u valentnoj zoni:
, E # Ev ) .........................(4)
p $ N v exp* # F
'
kT (
+
Ako uzmemo da je:
p $ NA,
, E # Ev ) ....................(5)
N A $ N v exp* # F
'
kT (
+
Sa druge strane, ako uzmemo da je
p $ ni ,
, Eip # Ev ) ......................(6)
'
ni $ N v exp** #
kT '(
+
, Eip # E F
NA
$ exp**
ni
+ kT
),
''
(
odakle se nakon sre!ivanja dobija
,N )
Eip # E F $ kT ln** A ''
+ ni (
Sada se zamenom izaraza dobijenih za Eip # E F i E F # Ein
qVbi $ Eip # EF " EF # Ein $ kT ln

Vbi $
kT N A N D
ln
q
ni2
N N
N
NA
" kT ln D $ kT ln A 2 D
ni
ni
ni
ZADATAK PN2: Kapacitivnost prostornog naelektrisanja skokovitog p-n spoja pri

naponu polarizacije V1 = #5 V je C1 = 20 pF, a pri V2 = #6 V je C2 = 18.5 pF. Odrediti
ovu kapacitivnost pri polarizaciji V3 = #8 V.
Reenje:
Kapacitivnost prelazne oblasti (kapacitivnost prostornog naelektrisanja
kapacitivnost) skokovitog p-n spoja (NA >> ND) moe se izraziti na slede"i na in:
ili
barijerna
1/ 2
, q;
N D ) ..(1)
''
C $ S ** s
+ 2 Vbi 8 V (
pri emu se znak "-" odnosi na direktnu, a znak "+" na inverznu polarizaciu p-n spoja, a V je
apsolutna vrednost napona.
Poznato je:
Ako je V1 = #5 V, onda je C1 = 20 pF
Ako je V2 = #6 V, onda je C2 = 18.5 pF
Kako se radi o inverznim naponima V1 i V2 onda u izrazu (1) uzimamo pozitivan predznak i
apsolutne vrednosti napona V1 i V2.
1/ 2
, q;
ND )
''
C1 $ S ** s
+ 2 Vbi " V1 (
.....(2)
1/ 2
, q;
ND )
''
C 2 $ S ** s
+ 2 Vbi " V2 (
....(3)

1/ 2
C1 , Vbi " V2 )
'
$*
C2 *+ Vbi " V1 '(
Daljim sre!ivanjem dobija se:

2
, C1 ) Vbi " V2
** '' $
+ C2 ( Vbi " V1
2
, C1 )
** '' 0Vbi " V1 1 $ Vbi " V2
+ C2 (
2
B, C )2 ?
, C1 )
1
Vbi @** '' # 1= $ #** '' V1 " V2
@A+ C2 (
=>
+ C2 (
2
Vbi
'C $
V2 ! %% 1 "" V1
& C2 #
2
' C1 $
%% "" ! 1
& C2 #
' 20 $
6!%
" (5
& 18.5 #
2
' 20 $
" !1
%
& 18.5 #
Treba odrediti:
C3 = ? ako je V3 = !8 V.
Izraz (1) sada postaje
0.9264 V
1/ 2
' q*
ND $
""
C3 S %% s
& 2 Vbi ) V3 #
Deljenjem (4) i (2) dobija se:
..(4)
1/ 2
C3 ' Vbi ) V1 $
"
%
C1 %& Vbi ) V3 "#
Odavde se za C3 dobija:
1/ 2
' V ) V1 $
""
C1 ( %% bi
& Vbi ) V3 #
1/ 2
!12 ' 0.9264 ) 5 $
C3 20 ( 10 ( %
"
& 0.9264 ) 8 #
C3
16.3 pF
ZADATAK PN4: Pri naponu V1=0.2 V struja kroz silicijumsku diodu iznosi I1=50 nA.
Ako je rekombinaciona struja pri naponu V=0 hiljadu puta ve a od inverzne struje
zasi enja (Ir=1000(IS), izra!unati vrednost struje diode I2 pri naponu na njoj od
V2=0.68 V. Poznato je UT = 0.026 V.
Reenje:
Poznato je:
V1=0.2 V, I1=50 nA
Ir=1000(IS
V2=0. 68 V, I2=?
Ukupna struja diode, !iji je grafik u funkciji
direktnog napona prikazan na slici, pri
direktnoj polarizaciji jednaka je zbiru
difuzione i rekombinacione struje:
I d ) I rec
'
$
V
V
! 1"" ) I r exp
I s %% exp
UT
2UT
&
#
Rekombinaciona struja Irec je pri naponima

manjim od 0,3 V u silicijumskim diodama
moe biti i nekoliko redova veli!ine ve a od
difuzione struje.
Pri naponu od 0.2 V dominantna je
rekombinaciona struja, pa se moe napisati:
I1
I rec
I r exp
V1
2U T
Odavde se dobija:
Ir
' V
I rec exp%% ! 1
& 2U T
$
""
#
' V
I1 exp%% ! 1
& 2U T
$
""
#
Ir
1.05 ( 10! 9 A
Znamo da vai Ir=1000(IS, odakle se za IS dobija:
Is
10! 3 I r
1.05 (10!12 A
Pri naponu od 0.68 V dominantna je difuziona struja, pa se moe napisati:
I2
Id
$
'
V
I s %% exp 2 ! 1""
UT
#
&
I s exp
V2
UT
Zamenom brojnih vrednosti za struju I2 se dobija:

I2 = 265.5 mA
ZADATAK PN5: a) Odrediti temperaturu (u Celzijusovim stepenima) silicijumske diode

ako pri naponu na njoj VD = 0.6 V struja kroz diodu iznosi ID = 1 mA. Inverzna struja
zasi enja diode na toj temperaturi je IS = 10!11 A.
b) Odrediti inverznu struju zasi enja IS pri istim vrednostima napona i struje (VD = 0.6 V,
ID = 1 mA) ako temperatura diode opadne za 50 oC u odnosu na temperaturu izra!unatu
pod (a). Poznato je k=8.62(10!5 eV/K.
Reenje:
a) Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi !lan u zagradi (exp(VD/UT) >> 1) jer je
napon na diodi 0.6 V.
' VD
$
%
UT
I D I S ( e ! 1"
%
"
&
#
Kako je U
kT izraz za struju diode sada postaje:

q
IS ( e
ID
qVD
kT
Odavde moemo da izra!unamo temperaturu silicijumske diode:
ID
IS
ln
T
qVD
kT
ID
IS
qVD
kT
qVD
0.6
ID
10 !3
!5
k ln
8.62 ( 10 ln !11
IS
10
377.866 K
T= 104.866 oC
b) Kada temperatura diode opadne za 50 oC dobijamo:
T1= T-50 oC = 104.866-50= 54.866 oC
VD= 0.6 V
ID= 1 mA
IS1= ?
qVD
I D I S 1 ( e kT1
Zamenom brojnih vrednosti dobija se vrednost inverzne struje zasi enja IS1:
!
qVD
I S1 I D ( e kT1
IS1 = 6(10!13 A
10 !3 ( e
0.6
8.62(10 !5 (327.866
ZADATAK PN6: Na slici je prikazano

osnovno ispravlja!ko kolo. Ako je
Vin = 1 V a inverzna struja zasi enja
silicijumske diode IS = 10!14 A, odrediti
Vout ako je:
a) R=R1 = 0.5 k+
b) R=R2 = 200 +
Reenje:
Struja diode pri direktnoj polarizaciji moe se izraziti na slede i na!in:
ID
'
$
V
I s %% exp D ! 1"" ...............(1)
UT
&
#
Za kolo na slici vai:
Vin
VD ) Vout
VD ) R ( I D
Odavde se dobija:
VD
Vin ! R ( I D
...............(2)
Zbog eksponencijalne zavisnosti u (1) reenje sistema (1) i (2) se nalazi grafi!kim putem kao
presek zavisnosti I D f ,VD - i radne prave VD Vin ! R ( I D .
Kori enjem izraza (1) moemo da izra!unamo struju ID za razli!ite vrednosti napona VD.
Rezultati su prikazani u tabeli, a kriva I D f ,VD - je prikazana na grafiku.
VD (V)
ID (mA)
VD (V)
0.6
0.10524
0.05
5.84198E-11
0.625
0.27528
0.1
4.58127E-10
0.64
0.49015
0.15
3.19291E-9
0.65
0.72005
0.2
2.19043E-8
0.66
1.05779
0.25
1.49927E-7
0.665
1.28208
0.3
1.02585E-6
0.675
1.88344
0.35
7.01894E-6
0.68
2.28282
0.4
4.80235E-5
0.685
2.76687
0.45
3.28576E-4
0.69
3.35357
0.5
0.00225
0.695
4.06467
0.55
0.01538
0.7
4.92656
ID (mA)
T4
ID=f(VD)
ID(mA)
R2
3
T2
R1
1
0.673V
0.65V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
T1=T3
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
VD(V)
Na grafiku su prikazane i dve radne prave.

a) R1 = 0.5 k+
Izraz (2) sada postaje:
Vin ! R1 ( I D
Za ID = 0 dobija se VD Vin 1 V
Vin
1
Za VD = 0 dobija se I
D
R1 0.5 (103
VD
; dobijamo ta!ku T1= (1 V, 0 A)
2 mA
; dobijamo ta!ku T2 = (0 V, 2 mA)
Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu.

Iz preseka radne prave i karakteristike diode (to je prikazano na grafiku) odre"ujemo napon na
diodi VD 0.65 V
Odavde se dobija Vout Vin ! VD 0.35 V
b) R2 = 200 +
Izraz (2) sada postaje:
Vin ! R2 ( I D
Za ID = 0 dobija se VD Vin 1 V
Vin
1
Za VD = 0 dobija se I
5 mA
D
R2 200
VD
; dobijamo ta!ku T3=T1= (1 V, 0 A)

; dobijamo ta!ku T4 = (0 V, 5 mA)

Iz preseka radne prave i karakteristike diode (to je prikazano na grafiku) odre"ujemo napon na
diodi VD 0.673 V
Odavde se dobija Vout Vin ! VD 0.327 V
Na osnovu dobijenih vrednosti zaklju!ujemo da vrednost otpornosti u ispravlja!kom kolu ne
uti!e zna!ajno na vrednost Vout usled eksponencijalne zavisnosti I D f ,VD - .
ZADATAK PN7: Kroz kolo na slici proti!e struja

I = 10 mA. Ako je otpornost otpornika R = 230 + i napon
napajanja E = 3 V, izra!unati inverznu struju zasi enja
silicijumske diode Is na sobnoj temperaturi. Poznato je
UT = 0.026 V.
Reenje:
Odredimo koliko iznosi pad napona na diodi:
E
VD
R ( I ) VD
E ! R(I
3 ! 230 ( 10 ( 10 !3
3 ! 2.3
0.7 V
Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi !lan u zagradi. Dioda je direktno
polarisana, pa je exp(VD/UT) >> 1.
' VD
$
%
UT
I I S ( e ! 1"
%
"
&
#
Izraz za struju diode sada postaje:
IS (e
VD
UT
Moemo izraziti inverznu struju zasi enja diode:

!
VD
UT
IS I ( e
IS
10 ( 10 !3 ( e
0.7
0.026
2 ( 10 !14 A
ZADATAK PN8: Dato je kolo na slici, pri !emu su

upotrebljene identi!ne silicijumske diode. Izmerena struja
kroz diodu D1 iznosi I1 = 10 mA, a izmereni napon na diodi
D2 je V2 = 0.68 V. Izra!unati vrednost otpornosti otpornika
R1. Dato je: R2 = 1 k+, E = 3 V i UT = 0.026 V.
Reenje:
Napon na diodi D2 je V2, a struju kroz ovu diodu ozna!i emo sa I2.
Za tu granu kola vai:
E
R2 ( I 2 ) V2
Iz prethodne jedna!ine moemo da izra!unamo struju I2:

I2
E ! V2
R2
3 ! 0.68
1000
2.32 mA
Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi !lan u zagradi jer su diode direktno
polarisane (exp(VD/UT) >> 1).
' VD
$
I I S ( % eU T ! 1"
%
"
&
#
Izraz za struju diode D2 sada postaje:
I2
IS ( e
V2
UT
Moemo izraziti inverznu struju zasi enja diode:
IS
I2 ( e
V
! 2
UT
2.32 ( 10
!3
(e
0.68
0.026
1.016 ( 10!14 A
Struja kroz diodu D1 je I1, a napon na ovoj diodi ozna!i emo sa V1.
Za tu granu kola vai:
E
R1 ( I1 ) V1
Iz prethodne jedna!ine moemo da izra!unamo vrednost otpornika R1:

R1
E ! V1 .................(1)
I1
Nepoznat nam je pad napona na diodi D1:

Iz izraza za struju diode D1: I1
V1
'I $
U T ( ln%% 1 ""
& IS #
IS ( e
V1
UT
moemo da odredimo V1:
' 10 ( 10 ! 3 $
"
0.026 ( ln%%
!14 "
& 1.016 ( 10 #
Sada iz (1) dobijamo:

E ! V1 3 ! 0.718
R1
I1
10 ( 10 ! 3
228 +
0.718 V
ZADATAK PN11: Za date ulazne napone (Vin) prikazane na slikama 1 i 2 nacrtati oblike
napona (Vout) na izlazima ispravlja!a.
Slika 1
Slika 2
Reenje:
Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 1 iznosi:
Vmax out Vmax in ! 0.7V 5V ! 0.7V 4.30V
Maksimalna vrednost je smanjena za 14%
Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 3.
Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 2 iznosi:

Vmax out Vmax in ! 0.7V 100V ! 0.7V 99.30V
Maksimalna vrednost je smanjena za 0.7%
Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 4.
BIPOLARNI TRANZISTORI
Bipolarni tranzistori su komponente sa tri izvoda (kao to je prikazano na slici). Ti izvodi

su kontaktirani za tri oblasti: oblast tranzistora iz koje se injektuju nosioci naelektrisanja zove se
emitor, oblast u koju se injektuju ti nosioci je baza, a oblast u koju ekstrakcijom iz baze dolaze
nosioci zove se kolektor.
Bipolarni tranzistor se sastoji od dva p-n spoja, kao to je prikazano na slici. Me"utim,
naglaava se da ti p-n spojevi moraju da budu u jednoj poluprovodni!koj komponenti; tranzistor
se ne moe, dakle, dobiti jednostavnim spajanjem dva p-n spoja (dve diode); osnovno svojstvo
tranzistora sastoji se ba u tome da izme"u tih p-n spojeva postoji uzajamno dejstvo; strujom
jednog spoja moe se upravljati struja drugog p-n spoja. U zavisnosti od toga koga je tipa srednja
oblast, koja se, kao to je re!eno, zove baza, razlikuju se p-n-p (PNP) i n-p-n (NPN) tranzistori.
Na prethodnoj slici je prikazan NPN tranzistor.
NA IN RADA TRANZISTORA
U normalnom radnom reimu (aktivnom

reimu) jedan p-n spoj tranzistora je direktno, a
drugi inverzno polarisan; direktno polarisan
spoj jeste emitor-bazni (ili, kratko, emitorski)
spoj, a inverzno polarisan spoj je kolektorbazni (kolektorski) spoj.
Polarizacija
tranzistora
u
ostalim
oblastima rada prikazana je na slici.
Prema tome, u normalnom radnom

reimu (aktivnom reimu) kod PNP tranzistora
(slika a) pozitivan pol izvora priklju!en je za
emitor preko metalnog kontakta, a negativan za
bazu; pozitivan pol kolektorskog izvora
priklju!en je na bazu, a negativan na kolektor.
Kod NPN tranzistora (slika b) je obrnuto.
Za tranzistore vai:
IE
I B ) IC
Osnovna karateristika bipolarnog tranzistora jeste da je to komponenta koja ima

poja!ava!ka svojstva, tj. da signal koji se dovodi na ulaz tranzistora biva poja!an na njegovom
izlazu. Kako tranzistor ima tri izvoda, to se on moe uklju!iti na 6 razli!itih na!ina u dva
elektri!na kola, pri !emu je jedan kraj zajedni!ki za oba kola. Me"utim, u praksi se koriste samo
3 na!ina vezivanja; Na primeru PNP tranzistora- spoj sa uzemljenom (zajedni!kom) bazom, spoj
sa uzemljenim emitorom i spoj sa uzemljenim kolektorom.
KOEFICIJENT STRUJNOG POJA ANJA
Odnos izlazne i ulazne struje zove se koeficijent strujnog poja!anja. Tako, kod tranzistora
sa uzemljenom bazom, koeficijent strujnog poja!anja je:
IC
.
za VEB = const.
IE
Ovde, zapravo, nije re! o strujnom poja!anju, s obzirom da je . < 1; ovaj termin "koeficijent strujnog poja!anja" ima pravo zna!enje kod tranzistora sa uzemljenim emitorom, gde
predstavlja odnos kolektorske (izlazne) i bazne (ulazne) struje:
IC
/
za VBE = const.
IB
Veza izme"u koeficijenata strujnih poja!anja tranzistora sa uzemljenim emitorom i
uzemljenom bazom:
IC
IC
IC / I E
. .
/
I B I E ! IC 1 ! IC / I E 1 ! .
Iz poslednjeg izraza, tako"e, sledi:
/
.
.
1) /
STATI KE STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE NPN TRANZISTORA SA

UZEMLJENIM EMITOROM
Izlazne karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom predstavljaju zavisnost
izlazne struje IC od izlaznog napona VCE pri konstantnoj ulaznoj struji IB. Vidi se da i kada je
bazna struja jednaka nuli, izme"u kolektora i emitora proti!e struja ICE0; Sa slike se, tako"e, vidi
da su, desno od isprekidane krive (aktivna oblast emitorski spoj direktno a kolektorski spoj
inverzno polarisan), izlazne karakteristike paralelne (to je samo teorijski, dok su u praksi one
nagnute sa pozitivnim koeficijentom nagiba); isprekidana kriva ozna!ava granicu oblasti
zasi!enja (saturacije) i njome je odre"en napon zasi enja VCEsat izme"u emitora i kolektora
nakon kojeg je kolektorska struja prakti!no konstantna i jednaka ICsat. Levo od isprekidane krive
(za napone 0 < VCE # VCEsat i struje 0 < IC < ICsat) je i kolektorski p-n spoj direkno polarisan i ta
oblast se ne koristi u poja!ava!ke svrhe.
NPN tranzistor
Normalna aktivna oblast:
Naponski uslovi:
VBE > 0
VBC < 0
Strujni uslov:
I C /I B
BE spoj direktno polarisan

BC spoj inverzno polarisan
Oblast zasi enja:

Naponski uslovi:
VBE > 0
VBC > 0
Strujni uslov:
I C 0 /I B

BC spoj direktno polarisan
ZADATAK BJT1: Odrediti reim rada NPN bipolarnog tranzistora !ije je strujno
poja!anje / = 450, ako je poznato:
a) VBE = 0.7 V, VCE = 5.2 V
b) VBE = 0.7 V, VCE = 0.2 V
c) VBE = 0.8 V, VBC = 0.8 V
d) VBE = 0.8 V, VBC = !0.7 V
e) VBE = !0.8 V, VBC = 0.7 V
f) VBE = 0.1 V, VBC = !10 V
g) IC = 455 mA, IB = 1 mA
h) IC = 455 mA, IE = 502 mA
Reenje:
a)
VBE = 0.7 V > 0

VBC = VBE ! VCE = !4.5 V < 0

Tranzistor je u normalnom aktivnom reimu
b)
VBE = 0.7 V > 0

VBC = VBE ! VCE = 0.5 V > 0

Tranzistor je u zasi enju
c)
VBE = 0.8 V > 0

VBC = 0.8 V > 0

d)
VBE = 0.8 V > 0

VBC = !0.7 V < 0

e)
VBE = !0.8 V < 0

VBC = 0.7 V > 0
BE spoj inverzno polarisan

Tranzistor je u inverznom reimu
VBE = 0.1 V > 0

VBC = !10 V < 0

Teorijski tranzistor je u normalnom aktivnom
reimu, ali VBE = 0.1 V je ispod nivoa direktno polarisanog PN spoja " prekid
f)
g)
U normalnom aktivnom reimu

I C /I B
/ = 450
I B 1 mA
I C 450 ( 1 mA 450 mA 1 455 mA
h)
I C 455 mA , I E 502 mA "

/ = 450
/I B 450 ( 47 mA 21.15 A
I C 0 /I B

IB
I E ! IC
47 mA
ZADATAK BJT2: Poja!anje bipolarnog tranzistora sa zajedni!kim emitorom koji radi

kao naponom kontrolisani strujni izvor je / = 450. Ako je kolektorska struja IC = 1 mA,
izra!unati baznu i emitorsku struju. Izra!unati strujno poja!anje . tranzistora sa
zajedni!kom bazom.
Reenje:
Poja!anje tranzistora sa zajedni!kim emitorom:
IC
IB
"
IB
IC
1 mA
450
2.22 2A
S obzirom da je:
IE
IC ) I B
"
IE
1 mA ) 0.00222 mA 1.00222 mA
Poja!anje tranzistora sa zajedni!kom bazom:
IC
IE
IC
IE
IC / I B
IE / IB
IC
IB
IC ) I B
IB
IC
IB
IC I B
)
IB IB
/
/ )1
450
450 ) 1
0.9978
/
/ )1
ZADATAK BJT3: NPN bipolarni tranzistor u kolu sa slike

ima strujno poja anje = 550, dok je RC = 1 k! i V + = 5 V.
Odrediti minimalnu struju baze IB pri kojoj !e se tranzistor
na!i u zasi!enju. Pretpostaviti da je VBE = 0.7 V.
Reenje:
Tranzistor !e biti u zasi!enju ukoliko su ispunjeni slede!i uslovi:
Oba spoja direktno polarisana: VBE " 0 , V BC " 0 .....................( I )
.....................( II )
IC # I B
Iz (I) se dobija
VBC
VBE
VBE
VBE
"0
$ VEC " 0
" %VEC
" VCE
VBE " V $ % I C RC
Iz ovog uslova se dobija:
I C RC $ VBE " V $
V $ % VBE
RC
5 % 0.7
IC "
& 4.3 mA
1000
IC "
S druge strane iz uslova ( II ) je:

IC # I B
IB "
'
4.3 mA
& 7.82 (A
550
IB "
IC
ZADATAK BJT4: Na
slici su prikazane izlazne
karakteristike bipolarnog
tranzistora
u
kolu
poja ava a sa zajedni kim
emitorom za slu ajeve
razli itih baznih struja.
Odrediti radnu ta ku i
reim rada tranzistora za
date razli ite struje baze
ako je vrednost otpornika
koji se vezuje u kolo
kolektora:
a) RC1 ! 2k ;
b) RC 2 ! 5k .
Poznato je VCC ! 3V .
Reenje:
a) RC1=2 k
VCE=VCC"RC1IC
Za IC = 0 dobija se VCE ! VCC ! 3 V
dobijamo ta ku T1= (3 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I ! VCC !
C
RC1
3
! 1.5 mA
2 # 103
dobijamo ta ku T2 = (0 V, 1.5 mA)

b) RC2=5 k
VCE=VCC"RC2IC
dobijamo ta ku T3=T1= (3 V, 0 A)
C
RC 2
3
! 0.6 mA
5 #103
dobijamo ta ku T4 = (0 V, 0.6 mA)
a) Za IB=2.5 $A, IB=7.5 $A, IB=12.5 $A

Za IB=17.5 $A
tranzistor je u aktivnom reimu

tranzistor je u zasi!enju
b) Za IB=2.5 $A
Za IB=7.5 $A, IB=12.5 $A, IB=17.5 $A
tranzistor je u aktivnom reimu

Radna ta ka:
a)
b)
IB=2.5 $A
VCE=2.48V
IC=0.26mA
VCE=1.73V
IC=0.26mA
IB=7.5 $A
VCE=1.47V
IC=0.76mA
VCE=0.04V
IC=0.59mA
IB=12.5 $A
VCE=0.46V
IC=1.26mA
VCE=0.01V
IC=0.59mA
IB=17.5 $A
VCE=0.04V
IC=1.47mA
VCE=0.01V
IC=0.59mA
ZADATAK BJT5: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog tranzistora u

kolu poja ava a sa zajedni kim
emitorom za slu ajeve razli itih
baznih struja. Prikazana je i radna
ta ka M za slu aj kada je struja
baze IB=10 A.
a) Odrediti vrednost otpornosti
otpornika koji je vezan u kolo
kolektora RC1.
b) Ako se otpornik RC1 zameni
otpornikom RC2 koji ima 4 puta
ve!u otpornost odrediti u kom
reimu radi tranzistor ako je struja
baze IB=10 A?
Poznato je VCC ! 6 V .
Reenje:
a) Treba odrediti vrednost otpornosti otpornika RC1.

U radnoj ta tki M vai:
VCEM=VCC"RC1ICM.................................(1)
Odavde se dobija:
V " VCEM
6"3
RC1 ! CC
!
! 1.5 k#
I CM
2 $ 10 " 3
b) Ako se RC1 zameni otpornikom RC2= 4$RC1=6 k#
VCE=VCC"RC2IC.................................(2)
C
RC 2
6
! 1 mA
6 $ 103
dobijamo ta ku T2 = (0 V, 1 mA)
Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu za slu aj RC2 =6 k#.
Sa slike moemo videti gde je radna ta ka M1 (za slu aj kada je struja baze 10 A).
Tranzistor je u zasi!enju.
ZADATAK BJT6: Na
slici su prikazane izlazne
karakteristike bipolarnog
tranzistora
u
kolu
emitorom za slu ajeve
razli itih baznih struja.
Prikazane su i radne ta ke
M1 i M2 za slu aj kada su
struje baze 30 A i 20 A,
respektivno.
Odrediti
vrednost
otpornosti otpornika koji
se vezuje u kolo kolektora
RC i vrednost napona
napajanja VCC.
Reenje:
Treba nacrtati radnu pravu.

RC=? VCC=?
VCE=VCC"RCIC.................................(1)
Kroz ta ke M1 i M2 provu emo radnu pravu.
Gde se radna prava prese e sa VCE osom dobijamo ta ku T1
Gde se ta prava prese e sa IC osom dobijamo ta ku T2
U ta ki T1= (5 V, 0 A) vai da je IC=0.
Iz izraza (1) se onda dobija:
VCE ! VCC ! 5 V
Treba uzeti VCC=5 V.
U ta ki T2= (0 V, 10 mA) vai da je VCE=0.
Iz izraza (1) se onda dobija:
5"0
V " VCE
RC ! CC
!
! 0.5 k#
IC
10 $ 10"3
Treba uzeti RC=0.5 k#.
ZADATAK BJT8: Na slici su

prikazane izlazne karakteristike
bipolarnog tranzistora u kolu
emitorom za slu ajeve razli itih
baznih struja.
Odrediti vrednost otpornosti
otpornika RC koji treba da se
vee u kolo kolektora, tako da
pri struji baze od 10 A radna
ta ka tranzistora bude u
aktivnoj oblasti.
Na raspolaganju su otpornici
slede!ih vrednosti otpornosti:
6.8 k#, 3.3 k# i 1.5 k#.
Poznato je VCC ! 6 V .
Reenje:
Treba nacrtati radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC.

VCE=VCC"RCxIC.................................(1)
Za VCE = 0 dobija se I ! VCC
C
RCx
- Ako je RC=6.8 k# dobijamo IC=0.882 mA. Ozna i!emo ovu ta ku sa T2 = (0 V, 0.882 mA)
- Ako je RC=3.3 k# dobijamo IC=1.818 mA. Ozna i!emo ovu ta ku sa T3 = (0 V, 1.818 mA)
- Ako je RC=1.5 k# dobijamo IC=4 mA.
Ozna i!emo ovu ta ku sa T4 = (0 V, 4 mA)
Sada moemo da nacrtamo radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC. Moe se videti da se za
otpornike otpornosti 6.8 k# i 3.3 k# tranzistor pri struji baze od 10 A nalazi u zasi!enju. Ako
je otpornost otpornika 1.5 k# tranzistor se pri struji baze od 10 A nalazi u normalnoj aktivnoj
oblasti.
Treba uzeti RC=1.5 k#.
ZADATAK BJT9: Pri baznoj struji IB = 1 A, napon

izme u emitora i kolektora NPN tranzistora sa uzemljenim
emitorom (kao na slici), koji ima koeficijent strujnog
poja!anja ! = 200, iznosi VCE1 = 5 V. Kada kroz tranzistor
proti!e kolektorska struja IC = 1 mA, napon izme u
emitora i kolektora tada iznosi VCE2 = 1 V. Izra!unati
koliko iznose vrednosti napona napajanja VCC i otpornost
otpornika RC. Poznato je da VCES tranzistora iznosi 0.2V.
Reenje:
IB = 1 A
IC = 1 mA
VCE1 = 5 V
VCE2 = 1 V
VCE = VCC - IC"RC

...................(1)
Tranzistor je u normalnoj radnoj oblasti, pa vai:
IC= !"IB
Zamenom u (1) dobija se:
VCE1 = VCC - !"IB1"RC
VCE2 = VCC IC2"RC =VCC - !"IB2"RC
...................(2)
5=VCC # 200"1"10#6 "RC
#3
1=VCC # 1"10 "RC
...................(3)
Oduzimanjem (2) # (3) dobijamo:
800"10#6 "RC = 4
Odavde se dobija:
RC = 5 k$
Iz (2) se onda dobija:
VCC = 6 V
ZADATAK BJT11: Za kolo sa slike odrediti da li je tranzistor u zasi enju. Poznato je: VBB=3V,
VCC=10V, RB=10k!, RC=1k!, VBE=0,7V, VCE(sat)=0,2V, "=50.
REENJE:
Na osnovu kola baze moe se napisati:

VBB = RB I B +VBE
(1)
V BB V BE
= 0,23 mA
RB
(2)
odakle se za struju baze dobija:

I B=
tako da je:
I B = 11,5mA
(3)
S druge strane, kada je tranzistor u zasi enju, na osnovu kola kolektora je:
I C sat ! =
VCC VCE sat !

RC
= 9,8mA
(4)
Poto je:
I C ! sat " < I B
zaklju uje se da je tranzistor u zasi!enju.
(5)
Zadatak 1. Tranzistor u kolu pojacavaca sa zajednickim emitorom sa slike ima sledece teh
nicke specifikacije: maksimalna snaga disipacije PD(max) = 800 mW, maksimalni napon izmedu
kolektora i emitora VCE(max) = 15 V i maksimalna struja kolektrora IC(max) = 100 mA. Odrediti
maksimalnu vrednost napajanja VCC za koju c e tranzistor raditi u okviru specificiranih vrednosti. Poznato je: VBB = 5 V, RB = 22 k, RC = 1 k, VBE = 0.7 V, = 100.
RC
+
RB
+
VBE
+
VBB
+
VCC
VCE
kolektora i emitora i struje

Reenje. Maksimalne vrednosti snage disipacije, napona izmedu
kolektora se definiu za aktivni reim rada tranzistora.
IC
RC
+
RB
+
VBB
IB
+
VBE
VCE
+
VCC
Kolo baze zadovoljava relaciju:

VBB = VBE + RB IB ,
(1)
iz koje se za struju baze dobija:

IB =
VBB VBE 5V 0.7V

= 195 A.
=
RB
22 k
(2)
U aktivnom reimu rada struja kolektora je odredena

vrednocu struje baze i iznosi:
IC = IB
IC = 100 195A = 19.5 mA.
Ova vrednosti je manja od maksimalne struje kolektora (IC < IC(max) ).
Za kolo kolektora vai relacija:
VCC = VCE + RC IC .
(3)
(4)
Vrednosti RC i IC su poznate tako da je maksimalna vrednost VCC :

VCC(max) = VCE(max) + RC IC
VCC(max) = 15 V + 1k 19.5 mA = 34.5 V.
(5)
kolektora i emitora disipacija na tranzistoru

Za ove vrednosti struje kolektora i napona izmedu
je:
(6)
PD = VCE(max) IC = 293 mW,
koto je ispod maksimalne dozvoljene vrednosti. Zakljucuje se da maksimalni napon izmedu
lektora i emitora predstavlja ogranicavajuci faktor, tako da je maksimalna dozvoljena vrednost
napona napajanja VCC(max) = 34.5 V.
Zadatak 2. Za kolo na slici u kome tranzistor radi kao prekidac odrediti:

a) Napon VOUT kada je VIN = 0 V.
b) Najmanju vrednost struje baze za koju c e tranzistor uci u zasicenje, ako je = 125 i
VCE(sat) = 0.2 V.
uslov zasicenja ako je VIN = 5 V.
c) Maksimalnu vrednost RB za koju je obezbeden
Poznato je: VCC = 10 V, RC = 1 k, VBE = 0.7 V.
+
VCC
RC
VOUT
+
RB
VCE
+
VBE
VIN
Reenje. Kroz kolo proticu struje naznacene na slici:

+
VCC
IC
RC
VOUT
+
RB
VIN
IB
+
VBE
VCE
Napon na izlazu kola je:

VOUT = VCE = VCC RC IC .
(1)
a) Kada je VIN = 0 V bazni spoj je zakocen tako da je IB = 0, a samim tim i IC 0. Odatle sledi
da je:
(2)
VOUT = VCC = 10V.
b) Naponski uslov za tranzistor u zasicenju je VCE = VCE(sat) . Za kolektorsko kolo vai relacija:
VCC = VCE(sat) + RC IC ,
(3)
odnosno u zasicenju struja kolektora iznosi:

VCC VCE(sat)
RC
10 V 0.2 V
= 9.8 mA.
=
1k
IC =
IC
(4)
Strujni uslov zasicenja je IC < IB odnosno:

IB >
IC
.
(5)
Odavde se za najmanju vrednost struje baze koja obezbeduje

zasicenje tranzistora dobija:
IB(min) =
9.8 mA
= 78.4 A.
125
c) Kolo baze zadovoljava relaciju:

VIN = VBE + RB IB .
(6)
Maksimalna dozvoljena vrednost RB za uslov zasicenja se dobija pri minimalnoj vrednosti struje
baze:
VIN VBE 5 V 0.7 V
RB(max) =
= 54.85 k.
(7)
=
IB(min)
78.4 A
Zadatak 3. Odrediti radnu tacku (VCE , IC ) za tranzistorsko kolo napajano preko naponskog
razdelnika prikazano na slici. Poznato je: VCC = 10 V, RE = 560 , RC = 1 k, R1 = 10 k,
R2 = 5.6 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+
VCC
RC
R1
+
VCE
+
VBE
R2
RE

+
VCC
IC
RC
IB+I2
R1
+
IB
+
VBE
I2
R2
RE
VCE
IE
Napon na bazi tranzistora je:

VB = R2 I2 .
(1)
VCC = R1 (IB + I2 ) + R2 I2 .
(2)
Istovremeno vai relacija:

Kola napajana preko naponskog razdelnika se realizuju tako da je struja baze mnogo manja od
struje koja protice kroz otpornik R2 (IB I2 ). Time se relacija (2) moe pojednostaviti:
VCC (R1 + R2 )I2 .
(3)
Za struju I2 se dobija:
I2
VCC
,
R1 + R2
(4)
odnosno za napon na bazi tranzistora:

VB
R2
5.6 k
10 V = 3.59 V.
VCC =
R1 + R2
10 k + 5.6 k
(5)
Napon na emitoru tranzistora je:

VE = VB VBE
VE = 3.59 V 0.7 V = 2.89 V,
(6)
a na osnovu njega struja emitora:

IE =
VE 2.89 V
=
= 5.16 mA.
RE
560
Struja kolektora je:

IC = IE IB = IE =
IC =
IE
+1
(7)
100
5.16 mA = 5.11 mA.
100 + 1
Naponska relacija za kolo kolektora je:

VCC = RC IC + VCE + VE ,
(8)
kolektora i emitora daje:

to za napon izmedu
VCE = VCC RC IC VE
VCE = 10V 1 k 5.11 mA 2.89 V = 2 V.
Radna tacka je odredena

vrednostima VCE = 2 V, IC = 5.11 mA.
(9)
Zadatak 4. Odrediti radnu tacku (VCE , IC ) za tranzistorsko kolo prikazano na slici. Poznato je:
VCC = 12 V, RC = 560 , RB = 330 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+
VCC
RC
+
RB
VCE
+
VBE

+
VCC
IC
RC
+
RB
IB
+
VBE
VCE
Za kolo baze vai naponska relacija:

VCC = RB IB + VBE ,
(1)
na osnovu koje se struja baze odreduje

kao:
VCC VBE
RB
12 V 0.7 V
=
= 34.2 A.
330 k
IB =
IB
(2)

IC = IB = 100 34.2 A = 3.42 mA,
(3)
kolektora i emitora dobija:

dok se za napon izmedu
VCE = VCC RC IC
VCE = 12V 560 3.42 mA = 10.1 V.

vrednostima VCE = 10.1 V, IC = 3.42 mA.
(4)
VCC = 12 V, RC = 560 , RB = 330 k, RE = 1 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+
VCC
RC
+
RB
VCE
+
VBE
RE

+
VCC
IC
RC
+
RB
IB
+
VBE
RE
VCE
IE

VCC = RB IB + VBE + RE IE .
(1)
struje emitora i struje baze je:

Veza izmedu
IE = IC + IB = IB + IB = ( + 1)IB .
(2)
VCC = RB IB + VBE + RE ( + 1)IB ,
(3)
Zamenom IE u (1) dobija se:
odnosno struja baze se odreduje

kao:
VCC VBE
RB + RE ( + 1)
12 V 0.7 V
= 26.2 A.
=
330 k + 1 k(100 + 1)
IB =
IB
(4)

IC = IB = 100 26.2 A = 2.62 mA,
(5)
a struja emitora:
IE = ( + 1)IB = (100 + 1) 26.2 A = 2.65 mA.
(6)
Za kolo kolektora vai naponska relacija:

VCC = RC IC + VCE + RE IE .
(7)
kolektora i emitora dobija:

dok se za napon izmedu
VCE = VCC RC IC RE IE
VCE = 12V 560 2.62 mA 1k 2.65 mA = 7.88 V.

vrednostima VCE = 7.88 V, IC = 2.62 mA.
(8)
VCC = 10 V, RC = 10 k, RB = 180 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+
VCC
RC
+
RB
VCE
+
VBE

+
IB+IC
VCC
RC
IC
+
RB
IB
+
VBE
VCE

VCC = RC (IC + IB ) + RB IB + VBE .
(1)
IC = IB .
(2)
VCC = ( + 1)RC IB + RB IB + VBE ,
(3)

Zamenom IC u (1) dobija se:
odnosno struja baze se odreduje

kao:
VCC VBE
RB + ( + 1)RC
10 V 0.7 V
= 7.82 A.
=
180 k + (100 + 1)10 k
IB =
IB
(4)
Za struju kolektora se dobija:

IC = IB = 100 7.82 A = 782 A,
(5)
kolektora i emitora:
a za napon izmedu
VCE = VCC RC (IC + IB )
VCE = 10 V 10 k(782 A + 7.82 A) = 2.1 V.

vrednostima VCE = 2.1 V, IC = 782 A.
(6)
MOS TRANZISTORI
MOS tranzistori su komponente sa tri izvoda: sors, drejn i gejt. MOS (Metal-OxideSemicoductor) tranzistori spadaju u grupu tranzistora sa efektom polja, takozvane FET (FieldEffect Transistor), tako da se mogu sresti i pod nazivom MOSFET.
Najve a prednost MOS tranzistora je u tome to su to naponski kontrolisane

komponente, za razliku od strujno kontrolisanih (strujom baze) bipolarnih tranzistora.
Poznato je da kod bipolarnih tranzistora u procesu provo!enja elektri"ne struje u"estvuju
obe vrste nosilaca naelektrisanja (i elektroni i upljine). Za razliku od bipolarnih, MOS
tranzistori su unipolarne komponente kod kojih u provo!enju elektri"ne struje u normalnom
radnom reimu u"estvuje samo jedna vrsta nosilaca naelektrisanja. U zavisnosti od toga koja
vrsta nosilaca u"estvuje u provo!enju, MOS tranzistori se dele na n-kanalne i p-kanalne.
NA IN RADA MOS TRANZISTORA

MOS tranzistori koriste efekat popre"nog polja, kojim se ostvaruje inverzija tipa
provodnosti povrinskog sloja poluprovodnika ispod gejta i na taj na"in formira kanal izme!u
sorsa i drejna. Ako se, na primer, kod n-kanalnog MOS tranzistora gejt priklju"i na pozitivan
napon u odnosu na p-supstrat, pri "emu su i sors i drejn uzemljeni, u supstratu e se neposredno
ispod oksida na njegovoj povri, indukovati negativno naelektrisanje i to tako to e se upljine
iz povrinskog sloja udaljiti i ostaviti nekompenzovane negativno naelektrisane akceptorske
jone. Pove avanjem pozitivnog napona na gejtu sve vie se udaljavaju upljine, a iz
zapreminskog dela supstrata ka povini kre u manjinski elektroni sve dok, pri odre!enom
naponu na gejtu, ne nastupi inverzija tipa provodnosti supstrata. Drugim re"ima, pri jednoj
vrednosti napona na gejtu, koji se zove napon praga i obeleava sa VT, povrinski sloj psupstrata ispod oksida gejta, a izme!u sorsa i drejna, ponaa se kao n-tip poluprovodnika. Stoga
se ta oblast ponaa kao kanal od sorsa do drejna (sors i drejn su istog tipa provodnosti kao
indukovani kanal). Ako se u tim uslovima dovede pozitivan napon na drejn u odnosu na sors,
elektroni iz sorsa kroz kanal mogu driftovski da do!u do drejna, odnosno u tom slu"aju izme!u
sorsa i drejna e proticati struja drejna. Ukoliko je napon na gejtu ve i, utoliko je ja"a inverzija
tipa, odnosno utoliko je ve i broj elektrona u kanalu.
Kada je re" o p-kanalnom MOS tranzistoru inverzija tipa n-supstrata ostvaruje se
negativnim naponom na gejtu u odnosu na supstrat, a u indukovanom kanalu se skupljaju
upljine.
IZLAZNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA
Uspostavljanje kanala izme!u sorsa i drejna omogu uje proticanje struje od sorsa do
drejna kada se priklju"i odgovaraju i napon na drejn. Izlazne karakteristike MOS tranzistora
predstavljaju zavisnosti struje drejna ID od napona na drejnu VD.
Pri veoma malim naponina na drejnu kanal se moe predstaviti kao otpornik, tako da je
struja drejna u jednom delu strujno-naponske (ID-VD) karakteristike priblino linearno proporcionalna naponu na drejnu; to je tzv. linearna oblast rada MOS tranzistora.
Nakon linearne oblasti, a pri naponima VD < VG ! VT , struja drejna sporije raste sa
pove avanjem napona na drejnu. To je, stoga, to se kanal u okolini drejna suava, kao posledica
pove avnja irine prelazne oblasti p-n spoja drejn-supstrat, koji je inverzno polarisan. Ta oblast,
zajedno sa linearnom obla u, sve do napona na drejnu VD = VG ! VT zove se triodna oblast,
(zato to podse a na sli"nu oblast na strujno-naponskoj karateristici triode).
Kada u ta"ki y = L debljina kanala postane jednaka nuli, dolazi do prekida kanala i to se
deava pri naponu na drejnu VD = VG ! VT . Napon drejna pri kome nastaje prekid kanala zove
se napon zasi!enja (saturacije) VDsat. Sa daljim pove anjem napona na drejnu ( VD > VG ! VT ),
duina kanala se smanjuje sa L na L'. Struja, me!utim, i dalje proti"e i sa pove anjem napona na
drejnu ostaje konstantna. Zbog toga se oblast rada MOS tranzistora pri naponima VD " VDsat zove
oblast zasi!enja.
Triodna oblast:
ID &
( n' oxW
2tox L
#2(V
GS
$ #
2
2 ................... (1)
! VT ) % VDS ! VDS
& k 2(VGS ! VT ) % VDS ! VDS
' ox & ' o % ' rox

'o = 8.85%10!14 F/cm
'rox = 3.9
L - duina kanala
W - irina kanala
n - pokretljivost elektrona u kanalu
tox - debljina oksida gejta
Linearna oblast (pri malim naponima na drejnu moe se zanemariti drugi lan u zagradi u izrazu
(1)):
.................... (2)
I D " 2k (VGS ! VT ) VDS
Otpornost kanala pri malim naponima na drejnu moe se izra unati na slede!i na in:
R"
VDS
1
"
I D 2k (VGS ! VT )
Oblast zasi!enja:
I Dsat " k (VGS ! VT ) 2
.................... (3)
ZADATAK MOS1: Polaze!i od izraza za struju drejna NMOS tranzistora u triodnoj

oblasti:
ID "
& n% oxW
2tox L
#2(V
GS
2 ,
! VT ) VDS ! VDS
izvesti izraz za struju drejna u oblasti zasi!enja. U polju izlaznih karakteristika skicirati
krivu koja razdvaja triodnu oblast od oblasti zasi!enja.
Reenje:
Po"imo od uslova za odre"ivanje napona zasi!enja (saturacije) dI D " 0 .
dVDS
ID "
& n% oxW
2tox L
#2(V
2
! VT ) VDS ! VDS
GS
...............................................................(1)
&% W
dI D
" n ox #2(VGS ! VT ) ! 2VDS $ " 0 '
dVDS
2tox L
VDSsat " VGS ! VT .......................(2)
Kako bi smo odredili struju drejna u oblasti zasi!enja I Dsat zamenimo (2) u (1).
I D sat "
& n% oxW
2tox L
#2(V
GS
2
! VT ) VDSsat ! VDSsat
"
2
I D sat " k (VGS ! VT ) 2 " kVDSsat
Izlazne karakteristike NMOS tranzistora:
& n% oxW
2tox L
#2V
DSsat
2
2
VDSsat ! VDSsat
" kVDSsat
...............................................................(3)
Izlazne karakteristike NMOS tranzistora:
Grafi ki prikaz realnih karakteristika NMOS tranzistora:

3.5
NMOS
3.0
VGS=5V
2.5
ID(mA)
2.0
VGS=4V
1.5
1.0
VGS=3V
0.5
VGS=2V
0.0
0
10
VDS(V)
Grafi ki prikaz realnih karakteristika PMOS tranzistora:

4.5
PMOS
4.0
VGS=-5V
3.5
-ID(mA)
3.0
2.5
VGS=-4V
2.0
1.5
1.0
VGS=-3V
0.5
VGS=-2V
0.0
0
-VDS(V)
10
ZADATAK MOS2: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga VT = 1 V,

duina kanala 5 &m, irina kanala 50 &m, pokretljivost elektrona u kanalu
&n = 800 cm2/Vs i debljina oksida gejta 40 nm. Izra unati:
a) Kolika !e biti struja drejna pri VDS = 4 V i VGS = 4.8 V?
b) Za koliko !e se promeniti struja drejna ako se pri istom naponu na drejnu (4 V)
napon na gejtu pove!a na vrednost 5.8 V?
Poznato je: %o = 8.85 10!14 F/cm i %rox = 3.9.
Reenje:
a)
VDS = 4 V
VDSsat " VGS ! VT " 4.8 ! 1 " 3.8 V
VGS = 4.8 V
VDS ( VDSsat '
Struja drejna u oblasti zasi!enja I Dsat moe se izraziti na slede!i na in:

2
,
Gde je:
k"
& n% oxW
2tox L
A
800 8.85 10 !14 3.9 50 10 ! 4
" 3.4515 10! 4 2
!7
!4
V
2 40 10 5 10
"
2
I D sat " kVDSsat
" 3.4515 10 ! 43.82 " 4.984 mA
b)
VDS = 4 V
VDSsat " VGS ! VT " 5.8 ! 1 " 4.8 V
VGS = 5.8 V
VDS ) VDSsat '
tranzistor je u triodnoj oblasti
Struja drejna u triodnoj oblasti I D moe se izraziti na slede!i na in:
$ #
#2(5.8 ! 1) 4 ! 4 $ " 7.731mA
2
2
" k 2(VGS ! VT ) VDS ! VDS
"
I D " k 2(VGS ! VT ) VDS ! VDS
" 3.4515 10 ! 4
Struja drejna se promenila za:
*I D " 7.731 ! 4.984 " 2.747 mA

Grafi ki prikaz:
ZADATAK MOS5: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga 1 V,

duina kanala L = 5 &m, irina kanala W = 50 &m, pokretljivost elektrona u kanalu
2
n = 800 cm /Vs i debljina oksida gejta 40 nm.
Odrediti otpornost kanala:
a) pri malim naponima na drejnu, ako je napon na gejtu 5 V.
b) kada tranzistor ulazi u zasi!enje, ako je napon na gejtu 5 V.
Poznato je: %o = 8.85 10!14 F/cm, %rox = 3.9.
Reenje:
a) Pri malim naponima na drejnu (linearna oblast) zanemaruje se kvadratni lan u zagradi:
$ #
"
800 8.85 10 !14 3.9 50 10 ! 4

!4 A
"
3
.
4515
10
2 40 10 ! 7 5 10 ! 4
V2
& n% oxW
2
2
2(VGS ! VT ) VDS ! VDS
" k 2(VGS ! VT ) VDS ! VDS
2tox L
Ovo je po etni deo triodne oblasti i naziva se linearna oblast
I D + 2k (VGS ! VT )VDS
ID "
k"
& n% oxW
2tox L
Otpornost kanal pri malim naponima na drejnu:
R"
U VDS
1
1
"
"
"
" 362 ,
I
I D 2k (VGS ! VT ) 2 3.4515 10 ! 4 (5 ! 1)
b) Kada tranzistor ulazi u zasi!enje on upravo izlazi iz triodne oblasti, pa vai

2
'
I Dsat " kVDSsat
Grafi ki prikaz:
R"
U VDSsat
1
1
"
"
"
" 724 ,
I
I Dsat
kVDSsat 3.4515 10 ! 4 4
ZADATAK MOS8: Odrediti radnu ta ku (VDS, ID) za

tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 3 V. Merenjem je utvr"eno da je napon
VGS = 8.5 V.
Poznato je: VDD = 15 V, R1 = 10 M, i RD = 4.7 k,.
Reenje:
Kroz kolo proti u struje nazna ene na slici:
Struja IG = 0, pa kroz otpornik R1 ne proti e struja. Onda VG = VD. Odavde se dobija da je:
VGS = VDS = 8.5 V

Za napon VGS " 8.5 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:
VDSsat " VGS ! VT " 8.5 ! 3 " 5.5 V

Kako je VDS ( VDSsat zaklju ujemo da je tranzistor u zasi!enju.
Kako je IG = 0, kroz otpornik RD proti e samo struja ID.
Za kolo drejna onda vai relacija:
VDD = VDS +RDID
Odavde se dobija struja ID:
ID "
VDD ! VDS
RD
I D " 1.383 mA
Radna ta ka je odre"ena vrednostima: VDS " 8.5 V i I D " 1.383 mA .
ZADATAK MOS9: Za kolo prikazano na slici, napajano preko

naponskog razdelnika, uzeti su slede!i otpornici: R1 = 10 M, i
R2 = 4.7 M,. Ako je napon praga ovog tranzistora VT = 5 V, a
k = 2 10!4 A/V2 da li je ovakvim izborom otpornika R1 i R2
obezbe"en rad tranzistora u zasi!enju?
Poznato je: VDD = 10 V i RD = 1 k,.
Reenje:
Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 te e ista struja I1:
I1 "
VDD
R1 - R2
Napon VGS se onda moe izraziti:
VGS " R2 I1 "
R2
VDD
R1 - R2
VGS " 3.197 V

Kako je VGS < VT zaklju ujemo da je tranzistor zako en.
ZADATAK MOS10: Odrediti radnu ta ku (VDS, ID) za

tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 2 V, dok pri naponu na gejtu VGS = 4 V struja
drejna u zasi!enju iznosi IDsat = 200 mA.
Poznato je: VDD = 24 V, R1 = 100 k,, R2 = 15 k, i RD = 200 ,.
Reenje:
Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 te e ista struja I1:
I1 "
VDD
R1 - R2
Napon VGS se onda moe izraziti:
VGS " R2 I1 "
R2
VDD
R1 - R2
VGS " 3.13 V

Kako je VGS > VT zaklju ujemo da tranzistor nije zako en.
Pretpostavimo da je pri naponu VGS " 3.13 V tranzistor u zasi!enju. Tada vai:
2
......................................(1)
Potrebno je odrediti vrednost parametra k. Poznato je da pri naponu na gejtu VGS2 = 4 V struja
drejna u zasi!enju iznosi IDsat2 = 200 mA. Odavde moemo da izra unamo vrednost parametra k.
k"
I D sat 2
(VGS 2 ! VT ) 2
"
200 10 ! 3
!2 A
"
5
10
(4 ! 2) 2
V2
I D sat " 5 10 ! 2 (3.13 ! 2) 2 " 63.845mA

Za kolo drejna vai relacija:
VDD = VDS +RDID
Odavde se za napon VDS dobija:
VDS=VDD!RDID
VDS " 24 ! 200 63.845 10 ! 3 " 11.231 V

VDSsat " VGS ! VT " 3.13 ! 2 " 1.13 V

Kako je VDS ( VDSsat zaklju ujemo da je tranzistor u zasi!enju. Polazna pretpostavka je u redu.
Radna ta ka je odre"ena vrednostima: VDS " 11.231 V i I D " 63.845mA .
ZADATAK MOS12: Za kolo napajano preko naponskog

razdelnika sa slike odrediti vrednost otpornosti ako je
poznato: napon i struja u radnoj ta ki VDS = 4 V,
ID = 0.25 mA; napon na otporniku RS je VRs = 1 V; struja kroz
otpornike napajanja IR = 20&A; VDD = 5 V, VSS = !5 V,
VT = 1.2 V i k = 0.16 mA/V2.
Reenje:
Napon na otporniku RS moe se izraziti na slede!i na in:
VRS " RS I D
Odavde moe da se izra una vrednost otpornosti otpornika RS.
RS "
VR S
ID
"
1
" 4 k,
0.25 10 ! 3
Za kolo drejna vai naponska relacija:
VDD " RD I D - VDS - RS I D - VSS

Odavde moe da se izra una vrednost otpornosti otpornika RD.
RD "
VDD ! VDS ! RS I D ! VSS 5 ! 4 ! 1 - 5

"
" 20 k,
ID
0.25 10 ! 3
Za kolo gejta vai naponska relacija:
VDD " R1 I R - R2 I R - VSS " ( R1 - R2 ) I R - VSS

Odavde moe da se izra una zbir otpornosti otpornika R1 + R2.
R1 - R2 "
VDD ! VSS
5-5
"
" 500 k,
IR
0.02 10 ! 3
Pretpostavimo da je tranzistor u zasi!enju. Tada vai:

2
Odavde moemo da izra unamo VGS:
I D sat
0.25 10 ! 3
- VT "
- 1.2 " 2.45 V
k
0.16 10 ! 3
VDSsat " VGS ! VT " 2.45 ! 1.2 " 1.25 V
VGS "
Iz naponske jedna ine:
VGS " R2 I R ! RS I D ,
Moemo da izra unamo R2:
R2 "
VGS - RS I D VGS - VRs

2.45 - 1
"
"
" 172.5 k,
IR
IR
0.02 10 ! 3
Za R1 se onda dobija:
R1 " 500 k, ! R2 " 327.5 k,
ZADATAK MOS13: Za tranzistor sa slike odrediti VGS, ID i

VDS ako je poznato: VT = 1 V, k = 0.5 mA/V2, VDD = 5 V,
VSS = !5 V, RD = 2 k,, RS = 1 k,, R1 = 60 k, i R2 = 40 k,.
Reenje:
Za kolo gejta vai naponska relacija:
VDD " R1 I R - R2 I R - VSS " ( R1 - R2 ) I R - VSS

Odavde moe da se izra una struja IR:
IR "
VDD ! VSS
5-5
"
" 0.1 mA
R1 - R2
60 103 - 40 103
Napon VGS moe se izraziti na slede!i na in:

.............................(1)
VGS " R2 I R ! RS I D
U jedna ini (1) nepoznate veli ine su VGS i ID. Potrebna nam je jo jedna jedna ina.
Pretpostavimo da je tranzistor u zasi!enju. Tada vai:
.............................(2)
I D sat " k (VGS ! VT ) 2
Zamenom (2) u (1) dobijamo:
VGS " R2 I R ! RS k (VGS ! VT ) 2

Daljim sre"ivanjem dobija se:
2
VGS " R2 I R ! RS k (VGS
! 2VGS VT - VT2 )
2
RS kVGS
- VGS ! 2 RS kVGSVT - RS kVT2 ! R2 I R " 0 / : RS k
V
R I
2
VGS
- GS ! 2VGSVT - VT2 ! 2 R " 0
RS k
RS k
2 1
/
R I
2
VGS
- 00
! 2VT ''VGS - VT2 ! 2 R " 0 .............................(3)
RS k
1 RS k
.
1
1
! 2VT "
! 2 1" 2 ! 2 " 0V
3
RS k
1 10 0.5 10 ! 3
R2 I R
40 103 0.1 10 ! 3
2
2
1 ! 8 " !7 V 2
VT !
"1 !
3
!3
RS k
1 10 0.5 10
Jedna ina (3) sada postaje:
2
VGS
!7 " 0
VGS " 7 " 2.65 V

Iz jedna ine (2) moemo da izra unamo struju drejna IDsat:
I D sat " k (VGS ! VT ) 2 " 0.5 10 ! 3 (2.65 ! 1) 2 " 1.36 mA

Za kolo drejna vai naponska relacija:
VDD " RD I D - VDS - RS I D - VSS

Odavde moe da se izra una vrednost napona izme"u drejna i sorsa VDS.
VDS " VDD ! RD I D ! RS I D ! VSS " VDD ! ( RD - RS ) I D ! VSS
VDS " 5 ! (2 103 - 1 103 ) 1.36 10 ! 3 - 5 " 5.92 V

VDSsat " VGS ! VT " 2.65 ! 1 " 1.65 V

ID (mA)
ZADATAK MOS15: Za kolo prikazano na slici 1 odrediti oblik izlaznog napona VDS.
Poznato je: RD = 1 k,, VDD = 10 V, VGG = 8 V. Generator vin daje signal sinusnog oblika
ija se amplituda menja od -1 do +1 V. Napon praga ovog tranzisora iznosi VT = 3 V,
k=10!4 A/V2, a prenosna karakterisitka prikazana je na slici 2.
9
8
7
6
5
4
3.6
3
2.5
2
1.6
1
0
0
10
11
12
13
14
VGS (V)
Slika 1.
Slika 2.
Reenje:
Naponi i struje u kolu prikazani su na slici 3:
Izvorima napajanja VGG i VDD obezbe"uju se
potrebni naponi za rad tranzistora u zasi!enju;
izborom vrednosti otpornosti otpornika RD
definie se takozvana radna prava (radna
ta ka).
Radna ta ka Q (jednosmerni reim):
VGS = 8 V
I D sat " k (VGS ! VT ) 2 " 10 ! 4 (8 ! 3) 2 " 2.5 mA

Ova vrednost I Dsat moe da se o ita sa
prenosne karakteristike tranzistora.
VDS " VDD ! RD I D " 10 ! 103 2.5 10 ! 3 " 7.5 V

Za VGS = 8 V vrednost VDSsat iznosi:
Slika 3.
VDSsat " VGS ! VT " 8 ! 3 " 5 V

VDS ( VDSsat tranzistor je u zasi!enju
Kada se na gejt pored jednosmernog napona VGG dovede i naizmeni ni signal vin tada se napon
VGS menja kao to je prikazano na slici 4 (VGS = VGG + vin). Maksimalna vrednost napona VGS je
9 V, a minimalna 7 V. Za ove vrednosti napona na gejtu treba izra unati vrednost izlaznog
napona VDS.
i) Maksimalna vrednost napona VGS:

VGS = 9 V
Sa prenosne karakteristike o itavamo I Dsat
I D sat " 3.6 mA

VDS " VDD ! RD I D " 10 ! 103 3.6 10 ! 3 " 6.4 V
VDSsat " VGS ! VT " 9 ! 3 " 6 V

T1 (6.4 V, 3.6 mA)
Slika 4.
ii) Minimalna vrednost napona VGS:
VGS = 7 V
Sa prenosne karakteristike o itavamo I Dsat
I D sat " 1.6 mA

VDS " VDD ! RD I D " 10 ! 103 1.6 10 ! 3 " 8.4 V
VDSsat " VGS ! VT " 7 ! 3 " 4 V

T2 (8.4 V, 1.6 mA)
Slika 5.
ID (mA)
Oblik izlaznog napon VDS prikazan je na slici 5. Moe se uo iti da je izlazni signal izobli en.
Na slici 6., ta ke Q, T1 i T2 prikazane su u polju izlaznih karakterisitka.
5
T1
VGS =9V
VGS =8V
VGS =7V
T2
6.4
0
0
8.4
7.5
7
10
VDS (V)
Slika 6.
ZADATAK OPTO1: U kolu sa slike bipolarni

tranzistor (u ulozi prekida a) u sprezi sa LED-om radi
kao indikator stanja. Za VIN=VOFF =0V LED ne svetli,
dok za VIN=VON LED daje intenzivnu svetlost. Odrediti
vrednosti otpornika RC i RB za koje je obezbe!eno
funkcionisanje indikatora, ako je struja neophodna da
LED daje intenzivnu svetlost 30mA, pri emu je
napon na njemu VLED=1.6V.
Poznato je: VCC=9V, VBE=0.7V, VCE(sat)=0.2V, "=50,
VON=5V.
Reenje:
Kada je na ulazu napon VIN=VOFF =0V tranzistor je zako en

(stanje otvorenog prekida a) i kroz njega ne proti u struje. Ni
kroz LED ne te e struja i on ne emituje svetlost. Time je ovim
indikatorom definisano isklju eno stanje.
Kada je na ulazu VIN=VON=5V tranzistor ima ulogu zatvorenog
prekida a i kroz LED treba da te e struja od 30mA kojom je
obezbe!ena intenzivna svetlost. Time je ovim indikatorom
definisano uklju eno stanje.
Kada svetli, napon na LED-u je VLED= 1.6V dok je struja kroz
LED istovremeno i struja kolektora tranzistora IC. Kada
predstavlja prekida u zatvorenom stanju tranzistor radi u
zasi#enju i napon izme!u kolektora i emitora je VCE(sat).
Na osnovu datih podataka piemo naponsku relaciju za
kolektorsko kolo:
VCC " RC ! I C
VLED
VCE ( sat )
Poto struja IC treba da ima vrednost od 30mA za vrednost otpornika RC se dobija:

RC "
RC "
VCC # VLED # VCE ( sat )

IC
9V # 1.6V # 0.2V
" 240$ .
0.03A
Da bi tranzistor bio u zasi#enju mora da je ispunjena strujna relacija IC<%!IB odnosno da je:
I B min "
IC
"
0.03A
" 600$A .
50
%
Za bazno kolo tranzistora vai naponska relacija:
VIN " VON " RB ! I B VBE .

Odavde se za otpornost RB dobija:
RB max "
VON # VBE 5V # 0.7V

"
" 7.166k% .
I B min
6 !10#4 A
ZADATAK OPTO2: Kolo optokaplera sa slike

sadri LED i fototranzistor. Ako je koeficijent
sprege (odnos struje kolektora fototranzistora i
struje direktno polarisanog LED-a - CTR) 8%,
odrediti vrednost napona polarizacije LED-a za
koju #e na izlazu kola biti naponski nivo logi ke
nule.
Poznato je: VCC=5V, RC=50k , R1=5k ,
VCE(sat)=0.2V, VLED=1V.
Reenje:
Napon na izlazu kola jednak je naponu izme u
kolektora i emitora tranzistora VOUT=VCE. Za kolo
kolektora vai naponska relacija:
VCC ! RC " I C #VCE ,
odnosno:
VOUT ! VCE ! VCC $ RC " I C .

Kada nema svetlosnog signala sa LED-a
tranzistor ne vodi (IC=0) i na izlazu je nivo
logi!ke jedinice, odnosno VOUT=VCC.
Kada sa LED-a na bazno-kolektorski spoj
fototranzistora dolazi svetlosni signal, postoji
odre ena struja kolektora IC proporcionalna osvetljaju, odnosno struji kroz LED I1.
Da bi na izlazu kola bio naponski nivo logi!ke nule fototranzistor treba da je u zasi"enju
(VOUT=VCE(sat)) i njegova struja kolektora je tada:
IC !
IC !
VCC $ VCE ( sat )

RC
5V $ 0.2V
! 96#A .
5 "104
Koeficijent sprege je:

CTR !
IC
"100% ,
I1
tako da se za struju LED-a dobija:

IC
"100%
CTR
96#A
I1 !
"100% ! 1.2mA .
8%
I1 !
Za kolo LED-a vai naponska relacija:

V1 ! R1 " I 1 #VLED ,
i za napon polarizacije LED-a se dobija:
V1 ! 5k$ "1.2mA # 1V=7V .

Elektronika Zadaci 1

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

Elektronika Zadaci 1

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronika Zadaci 1

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

UVOD U TEORIJU POLUPROVODNIKA

Poluprovodnici su materijali ija elektronska svojstva zavise od koncentracije primesa i

Valentna zona odgovara elektronskim stanjima valentnih elektrona koji u estvuju u

JEDNA INA ELEKTRONEUTRALNOSTI

Koncentracija elektrona u provodnoj zoni data je izrazom:

Koncentracija upljina u valentnoj zoni data je izrazom:

Zakon o dejstvu masa se sada moe napisati na slede"i na in:

ELEKTRI NA PROVODNOST POLUPROVODNIKA

S obzirom da su nosioci naelektrisanja i elektroni i upljine, gustina struje je data izrazom:

n - tip poluprovodnika (n 22 p):

p - tip poluprovodnika (p 22 n):

KONCENTRACIJA NOSILACA NAELEKTRISANJA PRI TERMODINAMI KOJ

Koncentracija slobodnih nosilaca naelektrisanja, odnosno koncentracija slobodnih elektrona,

U poluprovodniku mora da je ispunjen uslov elektri ne neutralnosti tako da (pod uslovom da su

Ukoliko se u poluprovodnik dodaju i petovalentne primese (koncentracije ND) i trovalentne

a) Ako je NA > ND odre!ujemo p

b) Ako je ND > NA odre!ujemo n

II) Ukoliko se u poluprovodnik dodaju samo petovalentne primese (koncentracije ND)

a) Ako je ND >> ni (minimum 10 puta)

N D " N D 2 " 4ni2

III) Ukoliko se u poluprovodnik dodaju samo trovalentne primese (koncentracije NA)

a) Ako je NA >> ni (minimum 10 puta)

N A " N A 2 " 4ni2

ZADATAK 1: U besprimesnom silicijumu Fermijev nivo se nalazi na sredini zabranjene

U besprimesnom silicijumu Ef je na sredini zabranjene zone '

Sada se razlika Ec-Ef moe izraziti na slede"i na in:

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

ZADATAK 2: Ravnotene koncentracije nosilaca naelektrisanja u nekom

ZADATAK 3: Odrediti koncentraciju donorskih primesa kojom mora biti dopiran

ni2 1.13 % 1010

Kako su na sobnoj temperaturi sve primese jonizovane onda vai:

ZADATAK 4: Izra unati poloaj Fermijevog nivoa u odnosu na odgovaraju"u zonu na

, E g (T ) ) . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K.

Poznato je da je koncentracija elektrona u provodnoj zoni data izrazom:

a) silicijum dopiran donorskim primesama koncentracije ND = 1016 cm#3

Treba prora unati NC na 350 K:

Zamenom brojnih vrednosti u (2) dobijamo:

b) silicijum dopiran akceptorskim primesama koncentracije NA = 1016 cm#3

Zamenom brojnih vrednosti u (3) dobijamo:

ZADATAK 5: Na T = 300 K koncentracije donorskih i akceptorskih primesa u

zakonu n $ A % T 2 exp,* # E g (T ) )' . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K.

0 N A # N D 12 " 4ni2 ................(3)

ZADATAK 6: Uzorak silicijuma dopiran je akceptorskim primesama koncentracije

ni (273K ) $ 5.5216912 % 1015 % (273)3 / 2 exp(#1.13 / 2 % 8.62 % 10 # 5 % 273) $ 0.932 % 109 cm # 3

ni (450 K ) $ 5.5216912 % 1015 % (450)3 / 2 exp(#1.08 / 2 % 8.62 % 10 # 5 % 450) $ 4.7427 % 1013 cm # 3

Upore!ivanjem rezultata prikazanih u tabeli moe se uo iti da sa porastom temperature raste i

, E (T ) ) . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62%10#5 eV/K. Poznato je

Eg (300 K) = 1.12 eV i Eg (400 K) = 1.09 eV.

ni (400 K ) $ 5.5216912 % 1015 % (400)3 / 2 exp(#1.09 / 2 % 8.62 % 10 # 5 % 400) $ 6.03 % 1012 cm # 3

$ 1.82 % 1013 & 2 % 1013 cm #3

Specifi na otpornost je onda:

Dodavanjem primesa specifi na elektri na otpornost silicijuma se smanjila 3.3%104 puta.

ZADATAK 15: Otpornost nekog poluprovodnika po jedinici duine iznosi R =2 4/cm.

Otpornost poluprovodnika je:

S obzirom da se radi o poluprovodniku n-tipa ( . $ qn- n ) otpornost po jedinici duine moe se

pri emu je:

to zamenom brojnih vrednosti daje:

n2=ND2 (sve primese su jonizovane na 300 K)