Professional Documents
Culture Documents
Yüksek Gerilim Tekniği - Erciyes Üniversitesi - Dielektrik Kayıplar Ve Kapasite Ölçümü
Yüksek Gerilim Tekniği - Erciyes Üniversitesi - Dielektrik Kayıplar Ve Kapasite Ölçümü
KAYIPLARI VE
KAPASTE LME
YRD.DO. DR.
CABBAR VEYSEL BAYSAL
ELEKTRIK & ELEKTRONIK YK. MH.
19.01.2011
19.01.2011
( )P
(a)
Paralel
l l edeer
d ddevre
(b) Seri
S i edeer
d ddevre
Gerek kondansatrn edeer devreleri
Gerek kondansatrde kayp asnn meydana gelmesine neden
olarak yukarda da sz edildii gibi bir omik direncin varl
gsterilir. Buna ilikin seri ve paralel edeer devre ekilde
ggsterilmitir.
deal bir dielektrikte g
g faktr deeri
sfr olacaktr.
deal
olmayanda ise bu deer sfr olmaz. Paralel edeer devreyi gz
nne alarak kayp g bantsn bulalm: C kapasitesine sahip bir
dielektrie U gerilimi uygulandnda vektr (fazr) diyagram
aadaki ekildeki gibi olur.
olur
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Dielektrik
Di
l kt ik kayp
k
g
paralel
l l devrede
d
d ayn
zamanda,
biiminde
19.01.2011
orantl olup nemli bir bilgi vermektedir. Kayp faktrnn (tan) bilinmesi
veya llmesi yksek gerilimde kullanlan elemanlar veya yksek gerilimdeki
dielektrik malzemesinin alma koullarnda iyi bir performans gsterip
gsteremeyecei hakknda bize bir bilgi verir, tan 'nn mutlak deeri, gerilim
veya akm ile artma miktar,
miktar kullanlan dielektriin zellii ve alma
performansnn deerlendirilebilmesi bakmndan ilgilenilen
parametrelerdendir.
y Dielektrik kayp,
ka p drt tr kaybn
ka bn toplamndan oluur.
ol r B
Bu ka
kayplar
plar ksaca
yle
le
aklanabilir:
y letim kayb (PR): Kaak akmlarn iyon veya elektron iletiminin yol at
k
kayplardr.
l d Yaltkan
Y l k malzemenin
l
i direncinden
di
i d ve zerinden
i d geen akmdan
k d
kaynaklanr.
y Histerezis kayb (PH): Birbirine komu birden fazla dielektriin, elektrik alan
altnda kaldklarnda, ara kesit yzeylerinde dielektrikler aras yk dengesi
kurulana kadar gerekleen yk hareketlerinden ortaya kan kayplardr. Bu
kayplar, dielektriklerin elektriksel iletkenliklerine ve dielektrik sabitlerine
b l d
baldr.
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
y Yukarda belirtildii
zere dielektrik kayp,
yp
19.01.2011
B malzemelerin
Baz
l
l i kayp
k
faktr
f kt
Malzeme
tan
0,006
0,015
0,01
0,005
Yeni yalar
0,5 (A ve B snf)
10-50
19.01.2011
Bu yntemler yledir:
y Sistem dielektrik kayp faktrn (tan) lmek ve kapasitesini lmek. Uygulanan
gerilimin fonksiyonu olarak llen bu deerler yaltkann ierisindeki i ksmi
boalmalar hakknda bilgi verir.
y Uygulanan gerilime bal olarak i ksmi boalmalarn yaltkan ierisinde meydana
getirdii sznt akmlarn lmektir. Bu yntemle yaltkann kalitesi hakknda bilgi
sahibi olabiliriz.
Fakat ilk yntem btn dnyada sayl standart kurulular tarafndan kabul edilmi
en geerli yntemdir. Bu nedenle dielektrik iin deerlendirmede kayp faktr ile
birlikte bal dielektrik sabiti de etkili olur.
olur Dzlemsel elektrotlu iki sistemdeki
yaltkan maddenin dielektrik kaybnn karlatrlmasnda r.tan deeri incelenir.
Bu deer kayp indisi olarak adlandrlr.
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Schering Kprs
11
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Schering Kprs
12
Rx ve Cx: Deney cisminin
(numunenin) omik direnci ve
kapasitesi.
kapasitesi
C2: Deeri hassas olarak
bilinen ve deeri deimeyen
etalon (standart) kondansatr.
R3, C4: Denge hali iin deeri
ayarlanabilen omik diren ve
kondansatr.
R4: Sabit deerli diren.
P: Deney cisminin delinmesi
durumunda R3, R4 ve C4
elemanlarnn yksek gerilime
kar korunmas amacyla
kullanlan parafudr.
Rk: Koruma direnci.
Cy, Ca: Kapasitif gerilim blc
T: Yksek gerilim elde edilen
transformatr.
f
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Schering Kprs
13
y Gerilimlerin eitliinden denge koulu, empedans arpm olarak belirlenir. Her koldaki
empedanslarn
d l
gerell (reel)
( l) ve sanall (imajiner)
(i ji ) bileenleri
bil
l i yazlr
l ve reell ksmlarla
k
l l
imajiner ksmlarn eitliinden deney cisminin kapasitesi ve omik direnci iin,
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011
Yrd.Do.Dr. C.V.Baysal
19.01.2011