:

8-1

1FET
1
2
3
2.BJT
1BJT IB IC ICIB
2FET VGS ID gm
3FET .BJT
3FET
1 Ri RO
2 AV1
Ri RO
3 Ri RO
4
1 AV
2 Ri
3 RO
5
1FET FET

I D K VGS Vt
2

I D I DSS

V
1 GS
VP

I
K DSS2 Vt V P
VP

8-2

1FET VGS ID gm
2
FET (G)
3
1 gmvgs
2 ro rd

NOTE IEEE lable

( B )

IB

ib

: ()

iB

: I B ib

Ib

: ()

4ro rd
1(Q-) VDS ID
VDS V A

2 ro
I D
ID
VA
3 D-S ro ()

4
5X
VA VA
4gm

gm

I D
VGS

1 n-ch JFET
2gm Q
Q

5gm
V
1 GS
VP

1 I D I DSS

Q- ID VGS

dI D
d
I DSS

dVGS dVGS

V
2 I DSS 1 GS
VP

V
1 GS
VP

2 I DSS

V
1 GS
VP

V
2I
1
(0 ) DSS 1 GS
VP
(VP )
VP

dVGS

VGS
1
VP

n-ch.JFETVP

V
2I
dI D
DSS 1 GS
dVGS (VP ) VP

p-ch.JFETVP

V
2I
dI D
DSS 1 GS
dVGS (VP ) VP

gm n-ch p-ch (VP) VP

g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

: ms

VGS =0 gm gmo g mo

2 I DSS
VP

2 I D K VGS Vt

dI D
d
d

K (VGS Vt ) 2 2 K (VGS Vt )
(VGS Vt )
dVGS dVGS
dVGS
2 K (VGS Vt )(1 0) 2 K (VGS Vt )
g m 2 K (VGS Vt )

8-3

12
1 AV2 Ri3 RO

1
1 C1 C2
2 VGG VDD
3FET

(1) gmVgs
(2)
2
1 AV
ViVgs
VogmVgs(RDro)
AVgm (RDro)

2 Ri
RiRG
3 RO
V
R O O Vi0 RL
IO
R O RD // ro

1 IDSS = 10mA VP = -8V

VA=140V1 AV2 Ri 3 RO

1 VGS = -2V
2 I D I DSS

V
1 GS
VP

2
I D 10 1
5.625mA
8
2

1 rO

VA
140

25k
I D 5.625

2 g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

2 10 2

1
1.88ms
8
8

1 AV

AV

Vo
g m ( RD // ro ) 1.88 (2 // 25) 1.88 1.85 3.478
Vi

2 Ri
Ri RG 1M
3 RO
RO RD // rO 2 // 25 1.85k

8-4

CS
CS ro
CS ro

CS
1

2
1 AV

AV

Vo
g m ( RD // ro )
Vi

2 Ri
Ri RG
3 RO
RO RD // rO
1. JFET IDSS= 8mAVp=4VVA=100V
1 AV 2 Ri 3 RO

Solution
()
(1) VGS I D RS I D 1
(2)
8

I D I DSS

V
1 GS
VP

1 2
1 2
ID
1
8 1
8 1 I D I D 8 4 I D I D
4
16
2
2

1 2
I D 5I D 8 0 I D 2mA8mA()
2

(3) VGS I D 1 2V
(4) VDS VDD I D ( RD RS ) 20 2 (4 1) 10V
(5) VDS ( sat ) VP VGS (4) (2) 2V
()
V
100
50k
(1) rO A
ID
2
(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

28 2

1
2ms
4 4

()
1 AV

AV

Vo
4 50
200
g m ( RD // ro ) 2 (4 // 50) 2
2
2 3.7 7.4
Vi
4 50
54

2 Ri
Ri RG 1M

3 RO
RO RD // rO 4 // 50 3.7k

2. IDSS = 4mA
VP = 2V VA=100V1 AV2 Ri
3 RO

:
()
(1) VGS I D RS I D 1
(2) I D I DSS

V
1 GS
VP

1 2
ID

2
4 1
4 1 I D I D 4 4 I D I D
2
4

I D 5I D 4 0 I D 1mA4mA()
2

(3) VGS I D 1 1V
(4) VD VDD I D RD 15 1 3 12V
(5) VDS VDD I D ( RD RS ) 15 1 (3 1) 11V

V
(1) rO A 100k
ID
(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

2 4
1

1
2ms
2
2

(1)=0

10

(2) C

(3)FET

( RL RD )
1 AV

AV

Vo
g m ( RD // RL // ro ) 2 (3 // 3 // 100) 3
Vi

NOTE RLRL R D // rO
2 Ri
Ri RG 1M
3 RO
RO RD // rO 3 // 1 0 0 3k
NOTE RO RL
FET ( AV )( BJT
)
AnsFET 3
AV
AV

Vo
g m ( RD // RL // ro ) g m ( RD // RL ) 2 (3 // 3) 3
Vi

(1) g m ms BJT 100200

g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

2 4
1

1
2ms
2
2

(2) RD FET ()
NOTEFET V DS VDS (sat )

11

 CS ro
( FET JFET)

1( D )

2
(1) AV
[ KVL]

Vi=VgsVRS =VgsIDRS

Vgs=ViIDRS
[ KCL] ID=gmVgsI =gmVgs(VoVRS)/rd
=gm(ViIDRS)(IDRDIDRS)/rd
ID [1RS gm(RDRS)/rd]= gmVi
ID

g mVi
R RD
1 g m RS S
rd

12

VO -I D R D -

AV

Vo

Vi

g mVi
RD
RS R D
1 g m RS
rd

g m RD
R RD
1 g m RS S
rd

------------()

Vi Vo 180
(2) Ri
Ri RG
(3) RO

Vi=0V VG=0V() VRG=0V()

[KVL]

VgsVRS =0 Vgs=VRS =(IoID)RS

[KCL]

Io=gmVgsIID I=(VOVRS)/rd

Io =gmVgs(VO(Vgs))/rdID
=(gm1/rd)Vgs1/rd (IDRD)ID
=(IoID)RS(gm1/rd)(RD /rd1)ID
Io(1RS gmRS /rd)=ID(RS gmRS /rdRD /rd1)
RS
)
rd
ID
R RD
1 g m RS S
rd
I O (1 g m RS

VO I D R D

13

RS
)
rd
RD
RS R D
1 g m RS
VO
rd
RO

IO
IO
I O (1 g m RS

RS
) RD
rd
RO
R RD
1 g m RS S
rd
(1 g m RS

-------------()

3. JFET IDSS= 8mAVp=4VVA=100V(1)ID (2) VGS

(3) VDS (4 ) VDS(sat)

Solution
(1) VGS I D RS I D 1
(2)
I D I DSS

V
1 GS
VP

1 2
1 2
ID
1
8 1
8 1 I D I D 8 4 I D I D
4
16
2
2

1 2
I D 5I D 8 0 I D 2mA8mA()
2

(3) VGS I D 1 2V
(4) VDS VDD I D ( RD RS ) 20 2 (4 1) 10V
(5) VDS ( sat ) VP VGS (4) (2) 2V
NOTE1 V DS VDS (sat ) FET
NOTE2 I D 8mA => VGS I D 1 8V VP (=4V) OFF
I D 8mA
4. ( 3) VA=100V (1)ro (2) gm (3) RO (4) AV (5) Ri

14

(1) rO

V A 100

50k
ID
2

2 I DSS VGS
1
VP
VP

(2) g m

28 2

1
2ms
4 4

RS
) RD (1 2 1 ) 4
rd
50
3 RO

4k
RS R D
5
1 2
1 g m RS
50
rd
(1 g m RS

4 AV

Vo

Vi

g m RD
2 4
8

2.58
RS R D
5
3.1
1 2
1 g m RS
50
rd

5 Ri RG 1M

5. D-NMOS VP 3V I DSS 6mAVA=155V

1 VGS 2 I D 3 V DS 4 VDS (sat ) 5 AV 6 Ri

Solution
()
(1) VG VDD

R2
10
18
1.5V
R1 R2
110 10

(2) VS I D RS I D 0.75
(3) VGS VG VS 1.5 0.75I D
(4)
15

7 RO

V
1.5 0.75I D
3 1
2
I D I DSS 1 GS 6 1
6 1.5 0.25I D 6 I D
VP
3
2 4

1 2 27 9
3 2
9 3
2
6 ID ID
I D I D 8 I D 108 36I D 3I D
16
8
4 4
2 2
2

3I D 44I D 108 0
2

I D 3.1mA11.55mA()

(5) VGS VG VS 1.5 0.75I D 1.5 0.75 3.1 0.825V

(6) VDS VDD I D ( RD RS ) 18 3.1 (1.8 0.75) 10.095V
(7) VDS ( sat ) VP VGS (3) (0.825) 2.175V
NOTE1 V DS VDS (sat ) FET
NOTE2 I D 11.55mA
=> VGS VG VS 1.5 0.75I D 1.5 0.75 11.55 7.1625V
VP (=3V) OFF I D 11.55mA
()
V
155
50k
(1) rO A
I D 3.1
(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

2 6 0.825

1
2.9ms
3
3

()
3
RS
) RD (1 2.9 0.75 0.75 ) 1.8
rd
(1 2.175 0.015) 1.8
50
RO

R RD
0.75 1.8
1 2.175 0.051
1 2.9 0.75
1 g m RS S
50
rd
(1 g m RS

3.19 1.8
1.78k
3.226

16

AV

Vo

Vi

g m RD
2.9 1.8
5.22

1.6
RS R D
0.75 1.8
3.26
1 2.9 0.75
1 g m RS
50
rd

5 Ri R1 // R2 110 // 10

110 10 1100

9.17M
110 10 120

6. IDSS = 8mA VP = 4V
VA=100V1 AV2 Ri3 RO

Solution
()
(1) VGS I D RS I D 1
(2)
I D I DSS

V
1 GS
VP

1 2
1 2
ID
1
8 1
8 1 I D I D 8 4 I D I D
4
16
2
2

1 2
I D 5I D 8 0 I D 2mA8mA()
2

(3) VGS I D 1 2V
(4) VDS VDD I D ( RD RS ) 20 2 (3.3 1) 11.4V
(5) VDS ( sat ) VP VGS (4) (2) 2V
()
V
100
50k
(1) rO A
ID
2
(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

28 2

1
2ms
4 4

17

()
RS
) RD (1 2 1 ) 3.3
rd
50
3 RO

3.2k
RS R D
4.3
1 2
1 g m RS
50
rd
(1 g m RS

4 AV

Vo

Vi

g m RD
2 3.3
6.6

2.14
RS R D
4.3
3.086
1 2
1 g m RS
50
rd

5 Ri RG 1M

CS ro

1
2 CS ro ro=

1 AV

AV

Vo

Vi

g m RD
V
g R
ro= AV o m D
R RD
Vi
1 g m RS
1 g m RS S
rd

2 R i
Ri RG
Ri R1 // R2
3 RO
RS
) RD
rd
RO
ro=
RS R D
1 g m RS
rd
(1 g m RS

RO RD

18

 8-5

( CS)

1
1 C1 C2
2 CS
3 VDD
4FET

2
JFET D-MOS E-MOS( 8-10)

1 AV

AV

Vo
g m ( RD // ro )
Vi

2 Ri
Ri R1 // R2
3 RO
RO RD // rO
19

 1. JFET IDSS=8mAVp=4V
(1)ID (2) VGS (3) VDS (4) VDS (sat)

Solution
(1) VG VDD

R2
0.4
12
2V
R1 R2
2 0.4

(2) VS I D RS I D 1
(3) VGS VG VS 2 I D
(4)
2

V
1 2
2 ID
3 1
9 3
I D I DSS 1 GS 8 1
8 ID 8 ID ID
4
16
2 4
4 4

VP
1 2
1 2
18 6 I D I D I D 7 I D 18 0
2
2
2

I D 3.4mA10.6mA()
(5) VGS VG VS 2 I D 1 2 3.4 1.4V
(6) VDS VDD I D ( RD RS ) 12 3.4 (1 1) 5.2V
(7) VDS ( sat ) VP VGS (4) (1.4) 2.6V
NOTE1 V DS VDS (sat ) FET
NOTE2 I D 10.6mA => VGS VG VS 2 I D 1 2 10.6 8.6V
VP (=4V) OFF I D 10.6mA

2. 1 VA=136V(1)ro (2) gm (3) AV (4) RO (5) Ri

Solution
20

(1) rO

V A 136

40k
I D 3.4

(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

2 8 1.4

1
2.6ms
4
4

(3) AV

AV

Vo
g m ( RD // ro ) 2.6 (1 // 40) 2.6
Vi

(4) Ri

Ri R1 // R2 2 // 0.4

0.8 1
M
2.4 3

(5) RO
RO RD // rO 1 // 40 1k

8-6

()

1 S
2 BJT
3 RD

1
1 C1 C2
2 VDD
3FET
21

2
1 AV

AV

Vo
g m ( RS // ro )

Vi 1 g m ( RS // ro )

2 Ri
Ri R G
3 RO
RO

1
// RS // rO
gm

RO RO Vi=0V RO

VO
IO

1. Vi=0V VG=0V() Vo=Vgs

2.[KCL]
I O g mV gs I rO I RS g mVO

RO

VO

IO

VO VO
1
1

VO ( g m
)
rO RS
rO RS

1
1

// RS // rO
1
1
gm
gm

RS ro

- - - - - ()

22

 1. JFET IDSS= 8mAVp=4VVA=100V

1 AV 2 Ri 3 RO

Solution
()
(1) VGS I D RS I D 1
(2)
I D I DSS

V
1 GS
VP

1 2
1 2
ID
1
8 1
8 1 I D I D 8 4 I D I D
4
16
2
2

1 2
I D 5I D 8 0 I D 2mA8mA()
2

(3) VGS I D 1 2V
(4) VDS VDD I D RS 20 2 1 18V
(5) VDS ( sat ) VP VGS (4) (2) 2V
()
V
100
50k
(1) rO A
ID
2
(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

28 2

1
2ms
4 4

()
1 AV

AV

Vo
g m ( RS // ro )
2 (1 // 50)
2

Vi 1 g m ( RS // ro ) 1 2 (1 // 50) 3

23

2 Ri
Ri RG 1M
3 RO
RO

8-7

1
1
1
1
// RS // rO // 1 // 50 // 1 k
gm
2
2
3

1 BJT
2FET G D-S
3 S D G FET

1
1 C1 C2
2 VDD
3FET

24

(1) Ri

R S Ri (S ) Ri RS // Ri ( S )
I g m v gs I rd
,

I , (1

vi I , RD
g m (vi )
rd

RD
1
) vi ( g m )
rd
rd

RD
v
rd
R
1
i,
(1 D )(
// rd )
1
rd g m
I
gm
rd
1

Ri ( S )

Ri RS // Ri ( S )

----------()

rd RD Ri RS // Ri ( S ) RS //
rd Ri RS // Ri ( S ) RS //

(2) RO
RO R D // rO

-----------()

1
// rd RO
gm

1
gm

-----------()

Vi 0 Vi vsg 0 g m v gs 0 RO R D // rO

(3) AV AV

Vo
Vi

25

1. Vi =Vgs Vo= IRD I=Vo / RD

2.[KCL]

I , I rd g mV gs

Vi VO
g mVi
rd

VO I , RD

VO
V
1
1
1
1
Vi ( g m ) O VO (
) Vi ( g m )
RD
rd
rd
RD rd
rd

1
V
rd
1
AV o
( g m )(RD // rd )
1
1
Vi
rd

RD rd
gm

rd AV

-----------()

Vo
g m ( R D // rd )
Vi

NOTE() AV

Vo
g m ( R D // rd )
Vi

1. JFET IDSS= 8mAVp=4VVA=100V

1 AV 2 Ri 3 RO

26

Solution
()
(1) VGS I D RS I D 1
(2)
I D I DSS

V
1 GS
VP

1 2
1 2
ID
1
8 1
8 1 I D I D 8 4 I D I D
4
16
2
2

1 2
I D 5I D 8 0 I D 2mA8mA()
2

(3) VGS I D 1 2V
(4) VDS VDD I D ( RD RS ) 20 2 (4 1) 10V
(5) VDS ( sat ) VP VGS (4) (2) 2V
()
V
100
50k
(1) rO A
ID
2
(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

28 2

1
2ms
4 4

()
1 AV

AV ( g m

1
1
)(RD // rd ) (2 ) (4 // 50) 2 3.7 7.4
rd
50

2 Ri
27

Ri ( S ) (1

RD 1
4
1
1
)(
// rd ) (1 ) ( // 50)
rd g m
50
2
2

Ri RS // Ri ( S ) 1 //

1 1
k
2 3

3 RO
RO RD // rO 4 // 50 3.7k

8-8

(D-MOSFET)

1 JFET
2 JFET n- p-VGS
3

1. IDSS = 8mA VP = 4V
VA=136V1 AV2 Ri3 RO

:( JFET )

28

Solution
()
(1) VG VDD

R2
0.4
12
2V
R1 R2
2 0.4

(2) VS I D RS I D 1
(3) VGS VG VS 2 I D
(4)
2

V
1 2
2 ID
3 1
9 3
I D I DSS 1 GS 8 1
8 ID 8 ID ID
4
16
2 4
4 4

VP
1 2
1 2
18 6 I D I D I D 7 I D 18 0
2
2
2

I D 3.4mA10.6mA()
(5) VGS VG VS 2 I D 1 2 3.4 1.4V
()
V
136
40k
(1) rO A
I D 3.4
(2) g m

2 I DSS VGS
1
VP
VP

2 8 1.4

1
2.6ms
4
4

()
(3) AV

AV

Vo
g m ( RD // ro ) 2.6 (1 // 40) 2.6
Vi

(4) Ri

Ri R1 // R2 2 // 0.4

0.8 1
M
2.4 3

(5) RO
RO RD // rO 1 // 40 1k
29

 8-9

(E-MOSFET)

ID VGS I D K VGS Vt

n-channel Vt

g m 2 K VGS Vt

8-10

E-NMOS

(E-MOSFET) 2

30

 2 8-10

2
1 AV

31

 ( R D // ro ) R I i g m v gs

Ii

V VO
VO
I i i
Vi v gs
RF
R

Vi VO
V
V VO
V
1
1
1
g m v gs O i
g m vi O VO (
) Vi ( g m
)
RF
R
RF
R
RF R
RF

1
V
RF
1
AV o
( g m
)(RD // ro // RF )
1
1
Vi
RF

RF R
gm

---------()

NOTEJFET D-MOS E-MOS

V
AV AV o g m ( RD // ro )
Vi
( R S
)RF g m
RF AV

1
()
RF

Vo
g m ( RD // ro ) 2.
Vi

2 Ri
Ii

Vi VO Vi Vi AV Vi (1 AV )

RF
RF
RF

Ri

Vi
RF

I i 1 AV

---------()

3 RO
Vi 0 v gs Vi 0 g m v gs 0 VO
RO RD // rO // RF

---------()

NOTEJFET D-MOS E-MOS

RO RO R D // rO

32

 1. E-NMOS K= 0.2mA/ V2Vt = 3 V

VA =135V

(1) ID (2)VGS (3)VDS (4) VDS(sa t)

Solution
1 VGS VDS VDD I D RD 12 2 I D

I D K VGS Vt 0.2(12 2 I D 3) 2
2

1
1
2
(9 2 I D ) 2 (81 36I D 4 I D )
5
5
2
4 I D 41I D 81 0
ax 2 bx c 0
x

ID

b b 2 4ac
2a

41 412 4 4 81
385
5.125
5.125 6 5.125 2.449
8
64

I D 2.676 2.7mA7.574 7.6mA()

23 VGS VDS VDD I D RD 12 2 I D 12 2 2.7 6.6V
4 VDS ( sat ) Vt VGS 3 6.6 3.6V
NOTE1.

V DS VDS (sat ) FET

NOTE2. I D 7.6mA => VGS VDS VDD I D RD 12 2 I D 12 2 7.6 3.2V

Vt (=3V) OFF I D 7.6mA
33

 2. 1 VA=135V (1)ro (2) gm (3) RO (4) AV (5) Ri

Solution
(1) rO

V A 135

50k
I D 2.7

(2) g m 2 K VGS Vt 2 0.2 (6.6 3) 1.44ms

(3) AV

AV

Vo
1
( g m
)( RD // ro // RF ) (1.44 0.0001)(2 // 50 // 10000)
Vi
RF

1.44(2 // 50)
1.44 1.92
2.76
(4) Ri
Ri

RF
10
10

2.66M
1 AV 1 (2.76) 3.76

(5) RO
RO RD // rO // RF 2 // 50 // 10000 2 // 50 1.92k
3. Vt 2V K 0.25 mA

V2

V A 160V

1 VGS 2 I D 3 V DS 4 VDS (sat ) 5 AV 6 Ri

34

7 RO

Solution

1 VGS VDS VDD I D RD 12 2 I D

2

I D K VGS Vt 0.25(12 2 I D 2) 2
2

1
1
2
(10 2 I D ) 2 (100 40I D 4 I D )
4
4
2
25 10I D I D

I D 11I D 25 0
2

ax 2 bx c 0
x

b b 2 4ac
2a

11 112 4 1 25
21
ID
5.5
5.5 2.3
2
4
I D 3.2mA7.8mA()

3 VGS VDS VDD I D RD 12 2 I D 12 2 3.2 5.6V

4 VDS ( sat ) Vt VGS 2 5.6 3.6V
NOTE1 V DS VDS (sat ) FET
NOTE2 I D 7.8mA
=> VGS VDS VDD I D RD 12 2 I D 12 2 7.8 3.6V Vt (=2V)
OFF I D 7.8mA

(1) rO

V A 160

50k
I D 3.2

(2) g m 2 K VGS Vt 2 0.25 (5.6 2) 1.8ms

35

(3) AV

AV

Vo
1
( g m
)( RD // ro // RF ) (1.8 0.0001)(2 // 50 // 10000)
Vi
RF

1.8(2 // 50)
1.8 1.92
3.456
(4) Ri
Ri

RF
10
10

2.24M
1 AV 1 (3.456) 4.456

(5) RO
RO RD // rO // RF 2 // 50 // 10000 2 // 50 1.92k

8-11

E-NMOS

1 JFET 3

2
1 AV
36

AV

Vo
g m ( RD // ro )
Vi

2 Ri
Ri R1 // R2
3 RO
RO RD // rO
1. Vt 2V K 0.2 mA

V2

V A 138V VDD 30V ,

1VGS 2 I D 3V DS
R1 100M , R2 50M , RD 3k , RS 2k ,
4 VDS (sat ) 5 AV 6 Ri

7 RO

Solution

(1) VG VDD

R2
50
30
10V
R1 R2
100 50

(2) VS I D RS I D 2
(3) VGS VG VS 10 2 I D
(4)

37

I D K VGS Vt 0.2 (10 2 I D 2) 2

2

1
2
0.2 (8 2 I D ) 2 (64 32I D 4 I D )
5
2
4 I D 37I D 64 0
ID

37 37 2 4 4 64
345
4.62
4.62 2.32
8
64

I D 2.3mA6.94mA()

(5) VGS VG VS 10 2 I D 10 2 2.3 5.4V

(6) VDS VDD I D ( RD RS ) 30 2.3 (3 2) 18.5V
(7) VDS ( sat ) Vt VGS 2 5.4 3.4V
NOTE1 V DS VDS (sat ) FET
NOTE2 I D 6.94mA => VGS VG VS 10 2 I D 10 2 6.94 3.88V
Vt (=2V) OFF I D 6.94mA

(1) rO

V A 138

60k
I D 2.3

(2) g m 2 K VGS Vt 2 0.2 (5.4 2) 1.36ms

(3) AV
AV

AV

Vo
g m RD 1.36 3 4.08
Vi

(4) Ri

Ri R1 // R2 100 // 50

5000
33.33M
150
38

(5) RO

RO RD // ro 3 // 60

180
2.86k
63

NOTE
(3) AV
AV

AV

Vo

Vi

g m RD
1.36 3
4.08

R RD
23
3.72 0.08
1 1.36 2
1 g m RS S
60
rd

4.08
1.07
3.8

(4) Ri

Ri R1 // R2 100 // 50

5000
33.33M
150

(5) RO
RS
) RD (1 1.36 2 2 ) 3
rd
60
RO

R RD
5
1 1.36 2
1 g m RS S
60
rd
(1 g m RS

(3.72 0.03) 3 3.75 3

2.96k
3.72 0.08
3.8

39