PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 1

OBJEKTIF

Objektif am :
Mengetahui dan memahami peranti separuh pengalir iaitu
diod kuasa dan transistor kuasa serta aplikasi peranti
tersebut.

Objektif khusus :
Di akhir unit ini anda sepatutnya dapat :

Mengenal struktur dan simbol bagi diod dan transistor

kuasa

Menerangkan struktur binaan serta ciri-ciri diod dan

transistor kuasa

Membezakan ciri-ciri diod dan transistor kuasa

Melakarkan lengkuk ciri bagi peranti diod dan transistor

kuasa

Mengaplikasikan peranti diod dan transistor kuasa

PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 2

INPUT

14.0 Pengenalan

Komponen elektronik yang paling asas ialah diod dan transistor kuasa. Melalui
kedua-dua komponen ini, komponen yang lebih kompleks di bina.

14.1 Diod kuasa

14.1 .1 Struktur dan simbol diod kuasa

Diod ini berbentuk tegap dan tahan panas. Rekabentuknya juga mempunyai
berbagai-bagai iaitu arus sederhana, arus tinggi, voltan sederhan dan voltan
tinggi.Diod kuasa merupakan peranti separa pengalir dua lapis p-n ataupun
mempunyai satu simpang iaitu simpang pn. Ia mempunyai masukan daripada
anod (+) dan keluaran terdiri dari katod (-) seperti mana yang ditunjukkan dalam
rajah 14.1.

A K
A K
P N

Rajah 14.1 : Struktur binaan dan simbol diod kuasa

PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 3

14.1.2 Ciri-ciri diod kuasa

Rajah 14.2 menunjukkan lengkuk ciri-ciri I-V bagi Diod Kuasa

IF

Arus hadapan

10 mA

Voltan Pecah Tebat

VF
VR VK = 0.7 V
Arus balikan

IR

Rajah 14.2 : Lengkuk Ciri I-V bagi Diod Kuasa

Terdiri daripada dua keadaan iaitu pincang depan “forward bias” dan
pincang balikan “reverse bias”. Dalam keadaan pincang depan, voltan
bekalan disetkan kepada sifar (0 volt), nilai IF dan VF juga sifar. Jika
voltan bekalan bertambah, IF dan VF turut bertambah tetapi arus tidak
akan mengalir melalui diod sehingga ia mencapai voltan sawar
(knee voltage). Nilai voltan ini berbeza bergantung kepada jenis bahan
diod seperti silikon – 0.7 V, germanium – 0.3V dan LED – 1.6V.

Apabila diod diberikan pincang balikan, IR akan mengalir dalam jumlah

yang kecil. Arus ini dipanggil arus bocor. Jika V R bertambah sehingga
nilai tertentu , IR akan bertambah. Keadaan ini dipanggil voltan pecah
tebat balikan dan ini boleh merosakkan simpang pn jika nilai arus I R akan
terus bertambah tetapi diod zener berfungsi dalam keadaan voltan pecah
balikan.

14.1.3 Kegunaan diod kuasa

Digunakan dalam litar seperti litar penerus dan pengatur voltan tinggi.
Contohnya diod zener yang mempunyai ciri-ciri kerja terbalik iaitu ia
mengatur voltan yang melampaui voltan pecah tebat balikan. Nilai voltan
pecah tebat ini dibuat khas oleh pengilang agar ia boleh mengatur berbagai
jenis voltan.

14.2 Transisor kuasa

PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 4

C
Collector C
Collector
IC
B
N Base +
P B
Base VCE
IB
N
IE

E E
Emmiter Emmiter

Rajah 14.3 : Struktur binaan dan simbol transistor kuasa

14.2.1 Struktur dan simbol transistor kuasa

Transistor kuasa merupakan peranti separa pengalir 3 lapis p-n-p

dan mempunyai dua simpang seperti yang ditunjukkan oleh rajah
14.3. Terdapat tiga terminal yang dipanggil pemungut (collector),
tapak (base) dan pengeluar (emmiter). Terminal pemungut dan
pengeluar di sambung kepada bekalan kuasa manakala terminal
tapak disambung kepada isyarat picuan.

14.2.2 Ciri-ciri transistor kuasa

Pemungut - tapak

Rajah 14.4 : Ciri IE lawan VEB

Dalam rajah ciri IE lawan VEB di rajah 14.4, nilai awal arus ( 0 V sehingga
–0.6 V ) adalah sifar walaupun terdapat pertambahan V EB di dalam
transistor. Bilamana nilai VEB mencapai tahap tertentu ( -0.6 V ) kadar
PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 5

arus, IE mula bertambah secara mengejut seperti dalam rajah. Nilai VCB
dalam rajah menunjukkan parameter di dalam transistor tersebut.

Kawasan aktif

Kawasan
tepu

Kawasan potong

Rajah 14.5 : Ciri IC lawan VCB

Merujuk rajah 14.5 ciri IC lawan VCB di atas, terdapat tiga kawasan yang
boleh ditakrifkan untuk menerangkan ciri bagi transistor iaitu kawasan
aktif, kawasan tepu dan kawasan potong. Dalam kawasan tepu, transistor
mula mengalami pertambahan voltan VCB dan seterusnya akan
meningkatkan arus IC ke tahap tertentu . Selepas itu, transistor mula
berfungsi dalam kawasan aktif. Ia mula berkeadaan tetap walaupun
terdapat pertambahan VCB sehingga melebihi tahap kawasan aktif yang
dikenali sebagai kawasan potong. Di dalam kawasan potong, pertambahan
nilai VCB yang melampau boleh menyebabkan transistor mengalami
kerosakan.

AKTIVITI 14a

Uji kefahaman anda sebelum meneruskan input selanjutnya. Sila semak jawapan
anda pada maklumbalas di halaman berikutnya.

14.1 Lakarkan simbol bagi diod kuasa

14.2 Lukiskan ciri i-v bagi diod kuasa

14.3 Terangkan apa yang berlaku dalam pincang depan dan pincang balikan.
PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 6

AKTIVITI 14b

Uji kefahaman anda sebelum meneruskan input selanjutnya. Sila semak jawapan
anda pada maklum balas di halaman berikutnya.

14.1 Lukiskan struktur binaan dan simbol bagi transistor npn.

14.2 Berikan nama tiga terminal yang diwujudkan dalam pembinaan transistor.
PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 7

MAKLUM BALAS 14a

14.1 Rujuk input rajah 14.1.

14.2 Rujuk input rajah 14.2.

14.3 Rujuk input 14.1.2.

PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 8

MAKLUM BALAS 14b

14.1 Rujuk input 14.3

14.2
a) Pemungut ( Collector )
b) Pengeluar ( Emmiter )
c) Tapak ( Base )

PENILAIAN KENDIRI

14.1 Lukiskan ciri i-v bagi transistor.

14.2 Nyatakan tiga kawasan yang wujud untuk sebarang operasi transistor.
PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 9

MAKLUM BALAS PENILAIAN KENDIRI

14.1 Rujuk input gambarajah 14.4 dan 14.5

14.2
a) Kawasan tepu
b) Kawasan potong
c) Kawasan aktif
PERANTI ELEKTRONIK KUASA E 3042 / UNIT 14/ 10