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VLSI概論 Introduction to Very Large Scale Integrated Circuits
VLSI概論 Introduction to Very Large Scale Integrated Circuits
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簡 介
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VLSI 概論
全研究所,1999。
電子材料,五南圖書公司,1999。2008改寫四版。
工程倫理,高立圖書公司,2000。
半導體製程設備,五南圖書公司,2000。2008改寫四版。
工業電子學,五南圖書公司,2001。
電子電機工程英漢對照詞典,五南圖書公司,2007。
物理英漢對照詞典,五南圖書公司,2008。
整譯著作(除*為高立,其餘均為五南圖書公司出版)
奈米時代,2002。
奈米材料,2002。
智慧材料,2003。
材料物理學概論,2003。
奈米陶瓷,2003。
奈米材料技術,2003。
奈米複合材料,2004。
奈米纖維,2004。
奈米碳管,2004。
奈米建材,2004。
奈米催化技術,2004。
量子力學基礎,2004。
奈米薄膜技術與應用,2005。
自然科學概論,2005。
電路與電子學,2005。
清晰的奈米世界,初探電子顯微鏡,2006。
奈米生醫材料,2006。
*近代物理(Concepts of Modern Physics, Arthur Beiser原著,McGraw Hill叢書)
家庭:
內人王全靜自中學教師退休。
長子張綱在美國;長女張絢清華大學物理研究所博士,現服務於台積電;次女張
綾於東海大學美術系畢業。
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序
摩爾定律(Moore's law)預測半導體積體電路每18∼24個月,就會提高積集度一
倍,元件的特徵尺寸日趨縮小。矽積體電路很快地進入深次微米(deep submicron)
世代,微影照像(photolithography)製程是首先受到影響的,提高解析度的要件是利
用步進照像(stepper)或步進掃描(step and scan)設備、X射線或電子束為光源,
阻劑材料影像反轉(image reversal)、抗反射層(ARC)等新開發的製程技術。閘極
(gate)結構改變,多晶矽矽化物(polycide)、自行對齊矽化物(salicide)、防止天
線效應(antenna effect)等。
動態隨機存取記憶體(DRAM)由64M、256M到1 G位元,甚或到4G、16G位
元。為保持電容值而有鈦酸鍶鋇(BST)系列的高介電常數(high K)材料。配合多
層金屬導線及降低阻容延遲(RC delay)的低介電常數(low k)材料、銅製程、金屬
擴散阻障層(diffusion barrier)、鎢栓塞(W-plug)、鋁栓塞(Al-plug)等等。
元件結構方面,DRAM有溝渠式電容(trench capacitor)、堆疊式電容(stacked
capacitor),DRAM和邏輯電路做在同一晶片的內嵌式(embeded)結構,快閃記憶
體(flash memory)、鐵電記憶體(FeRAM)。12吋晶圓是為配合元件積集度提高、
降低成本的主要手段,晶圓自動傳輸、潔淨室(clean room),廠務設施也有多處
隨之改變。當矽製程提升到70奈米的極限,奈米元件單電子電晶體(single electron
transistor,SET)更使計算機進入量子時代,功能提升千萬倍。
本書可作為大學、技術學院高年級或研究所教科書。供電子、電機、自控、材
料、化工、機械、物理、化學等相關領域的使用。也可供半導體製造相關的工程師、
教授、老師們參考。工程公司、翻譯社、專利公司、投資顧問公司同仁們也可以此書
為參考。
編著者於1999年推出電子材料,2000年推出半導體製程設備、2001年推出工業電
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VLSI 概論
子學,均獲得各界好評。本人又精心研讀國內著名學術期刊,如電子月刊、毫微米通
訊、真空科技、科儀新知等,整理編著此本VLSI概論。衷心感謝五南圖書公司楊榮川
董事長、穆文娟副總編輯、蔡曉雯編輯等的支持。逢甲電腦打字行的鄧鈴鈴小姐、何
麗玫小姐協助打字、製圖、排版。
編著者才疏學淺,雖已竭盡全力,然而匆忙之中,難免有錯,尚祈前輩先進、好
友、同學們不吝指教。
張 勁 燕
中華民國九十七年冬改寫
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目 錄(Contents)
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作者簡介
序
第 1 章 微影照像. ...................... 1
1.1 緒 論/2
1.2 ULSI微影技術的延伸與極限/6
1.3 提升光學微影製程的技術/12
1.4 深次微米微影照像/19
1.5 電子束微影技術/30
1.6 光罩和圖規/35
1.7 阻劑和抗反射覆蓋/42
1.8 參考文獻/55
1.9 習 題/58
第 2 章 低介電常數材料及其製程. ....... 59
2.1 緒 論/60
2.2 低介電常數材料用於ULSI/64
2.3 材料種類和演進/69
2.4 金屬前介電質/73
2.5 含二氧化矽的介電質/75
2.5.1 摻氟的二氧化矽(SiOF) 75
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VLSI 概論
2.5.2 超微孔矽土 79
2.5.3 摻碳的二氧化矽 80
2.6 其他的無機低介電常數材料/80
2.6.1 含氫的矽酸鹽(HSQ) 81
2.6.2 含甲基的矽酸鹽(MSQ) 82
2.6.3 黑鑽石 83
2.6.4 混成有機矽氧烷高分子(HOSP) 84
2.6.5 氮化硼系 84
2.7 有機低介電常數材料/85
2.7.1 芳香族碳氫化合物(SiLK) 85
2.7.2 摻氟的聚對二甲苯醚(FLARE) 87
2.7.3 苯并環丁烯(BCB) 88
2.7.4 氟化的非晶相碳(a-C:F) 88
2.7.5 含氟的聚對二甲苯(parylene-F,AF-4) 91
2.7.6 聚四氟乙烯(PTFE) 92
2.7.7 聚亞醯胺(polyimide) 92
2.7.8 聚芳烯醚(PAE) 94
2.8 特性量測、蝕刻/96
2.9 參考文獻/98
2.10 習 題/100
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目 錄
3.5.1 氧化鉭薄膜的製作 115
3.5.2 鉭酸鉍鍶薄膜的製作 116
3.5.3 鐵電薄膜製作 117
3.6 鐵電薄膜的可靠度和特性分析/119
3.7 蝕刻製程/121
3.8 參考文獻/122
3.9 習 題/124
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VLSI 概論
4.9 電漿製程損傷/166
4.10 未來展望/168
4.11 參考文獻/170
4.12 習 題/171
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目 錄
6.3 銅製程應用於ULSI/208
6.4 擴散阻障層及其製作/216
6.4.1 離子化金屬電漿 219
6.4.2 磁控濺鍍 222
6.4.3 金屬有機化學氣相沉積 223
6.5 銅晶種層及其製作/224
6.5.1 離子化金屬電漿 224
6.5.2 金屬有機化學氣相沉積 225
6.5.3 無電極電鍍 226
6.6 電鍍銅/231
6.7 其他沉積銅的方法/237
6.7.1 金屬有機化學氣相沉積 237
6.7.2 選擇性沉積 239
6.7.3 指向性濺鍍 242
6.7.4 乾式填洞法 245
6.7.5 電子迴旋共振電漿/濺鍍混合法 246
6.7.6 雷射退火回流法 246
6.7.7 銅合金化製程 247
6.8 銅的蝕刻/249
6.8.1 濕式蝕刻 249
6.8.2 乾式蝕刻 249
6.8.3 化學機械研磨 250
6.9 製程難題和化學機械研磨/251
6.10 環保對策/255
6.11 參考文獻/262
6.12 習 題/264
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VLSI 概論
第 7 章 高密度電漿乾蝕刻������������� 267
7.1 緒 論/268
7.2 高密度電漿源/269
7.3 電子迴旋共振(ECR)蝕刻/276
7.3.1 物理機制 278
7.3.2 微波系統 281
7.3.3 蝕刻機系統 287
7.4 感應耦合式電漿(ICP)蝕刻/296
7.4.1 蝕刻機系統 298
7.4.2 靜電吸盤 302
7.4.3 電腦模擬和控制 303
7.5 電漿特性檢測/306
7.5.1 蘭牟爾探針 306
7.5.2 毫米波干涉儀 309
7.5.3 離子能量分析儀 309
7.5.4 光譜量測與分析 309
7.5.5 溫度量測 319
7.6 製程監督和終點偵測/310
7.6.1 雷射干涉儀和雷射反射 311
7.6.2 光發射光譜術 311
7.6.3 質譜儀 313
7.7 晶圓電漿洗淨/314
7.8 參考文獻/317
7.9 習 題/319
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目 錄
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VLSI 概論
索 引������������������������������ 463
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1
第 章
微影照像
1.1. 緒 論
1.2. ULSI微影技術的延伸與極限
1.3. 提升光學微影製程的技術
1.4. 深次微米微影照像
1.5. 電子束微影技術
1.6. 光罩或圖規
1.7. 阻劑和抗反射覆蓋
1.8. 參考文獻
1.9. 習 題
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VLSI 概論
1.1 緒 論
ULSI設計
圖案產生器
直寫幕罩 光罩或圖規
光 離子 電子 電子 離子 X射線 光
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第1章 微影照像
曝光輻射(紫外光)
石英光罩
鉻(Cr)
負光阻
元件基座多層
顯影
圖1.2 光複製製程
(資料來源:Chang and Sze, ULSI Technology)
曝光時,依光罩和晶圓的放置、遠近和照射方式,又分為接觸(contact)、近
接(proximity)和投影(projection)、掃描(scan)等數種。光罩上的圖案以1:1
成像的稱為mask,縮小後成像的稱為reticle。
微影照像製作圖案的主要步驟為:
1. 烘烤矽基座以除去表面揮發性污染物如水,稱為去水烘烤(dehydration
bake),然後塗底(priming)用六甲基二矽氮烷(hexa methyl
disilazane,HMDS,(CH 3 ) 6 Si 2 NH或Me 6 Si 2 NH),含CH 3 端與阻劑中
的 C 、 H 、 O 原 子 產 生 凡 得 瓦 力 ( v a n d e r Wa a l s f o r c e , 分 子 間 的 微 弱
吸引力),可以提升光阻的附著力(adhesion promoter)。矽基座
上可能已成長二氧化矽、多晶矽或金屬,如圖1.3所示。Me為甲基
( m e t h y l ) 即 C H 3。 D H F 為 稀 釋 的 氫 氟 酸 ( d i l u t e d H F ) 。 B O E 為 緩
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VLSI 概論
(a)
六甲基二矽氮烷(HMDS)
(b)
矽晶圓 (DHF,BOE,超純水)
矽醇基
(silanol)
圖1.3 底材HMDS作用,(a)去水,(b)提升晶圓與阻劑間附著力
(資料來源:龍文安,積體電路微影製程)
衝 氧 化 物 蝕 刻 ( b u ff e r o x i d e e t c h ) , 成 份 為 氟 化 氫 + 氟 化 銨 ( H F +
NH4F)。反應後生成矽醇基(silanol, SiOH)。
2. 上光阻,旋轉使其均勻,並控制光阻厚度,烘烤除去光阻中的殘餘溶劑,此
步驟稱為軟烘烤(soft bake)。
3. 曝光(exposure)用光罩對準儀(mask aligner)或步進照像機(stepper)。
前者一次曝光一整片晶圓(wafer),後者以步進重覆方式,一次曝光數個晶
片(chip)。更進步的用步進掃描(step and scan)。
4. 曝光後烘烤(post exposure bake, PEB),亦稱硬烘烤(hard bake),以消除
阻劑膜的駐波(standing wave)。在深紫外光(deep ultra-violet)製程,硬烤
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第1章 微影照像
是必須的製程,否則阻劑化學無法工作。
5. 顯影(development),正光阻以氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)或
四甲基氫氧化銨(tetra methyl ammonium hydroxide,TMAH,(CH3)4NOH)
顯影,曝光的部分被除去。負光阻以二甲苯(xylene,C6H4(CH3)2)顯影,
未曝光的部分被除去。
6. 光阻結構可供離子植入(ion implantation)的幕罩用以植入摻質。或以濕蝕
刻或乾蝕刻除去沒有光阻保護的底層二氧化矽(SiO2)、多晶矽或金屬,以
形成絕緣層、閘極或接線等結構。
以上製程的簡單流程,如圖1.4所示。
(a) HMDS
SiO2
矽基座
(b)
光阻(正型)
HMDS
SiO2
矽基座
(c) UV
光罩
光阻(正型)
HMDS
SiO2
矽基座
顯影液或蝕刻劑
(d)
曝光顯影後
的光阻
SiO2
矽基座
(e) 離子
SiO2
(蝕刻、去除光阻之後)
矽基座
圖1.4 微影顯像複製圖案流程
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VLSI 概論
(a)烘烤、塗底(priming)。
(b)旋塗光阻(此例為正型)、軟烤。
(c)曝光、硬烤。
(d)顯影。蝕刻。
(e)去除阻劑,離子植入(也可以在(d)以光阻做幕罩進行離子植入)。
1.2 ULSI微影技術的延伸與極限
微影技術製程,其資訊傳遞的流程,如圖1.5所示。由設計開始,到晶圓上完成
元件圖案結束。每一步驟都受製程穩定性及外在和內在的影響,情形如下:
寫光罩
設計 (電子束或雷射)
光 罩
微影工具解析度
和像差
空間影像
(aerial image)
晶圓反射薄膜效應
真實的影像
光化學
曝光後烘烤擴散
潛在的影像
(latent image)
顯 影
光阻影像
圖案移轉
元件上圖案 反應離子蝕刻
離子植入等
圖1.5 微影技術資訊流程
(資料來源:廖明吉,電子月刊)
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第1章 微影照像
1. 光罩製作,受限於各種缺陷,如圖案角落圓化、圖案位移錯誤等。
2. 曝光工具繞射(diffraction)、鏡片色差(achromatic aberration)和其它光學
缺失。
3. 晶圓薄膜會引起反射(reflection)、駐波(standing wave)、干擾等,使圖
形影像變形。
4. 光阻:光酸化學分子擴散使潛在影像(latent image)的靈敏度降低。
5. 顯影:表面張力效應、濕式顯影限制了最後光阻應用的深寬比(aspect ratio)
。
6. 蝕刻:濕式蝕刻會造成底切(undercut),乾式蝕刻也有深寬比限制。
ULSI元件量產用的微影製程技術,必備條件為:
1. 能曝出的解析度(resolution):
在線寬控制規格範圍內,曝出所想要的圖案的能力。製程窗(process
window)即製程參數允許的變化值要夠大,以包含製程中發生的曝光和焦距
(focus)變動。由前一層所造成在晶圓表面的變化,也能適當曝光下一層圖
案的真實性。
2. 疊對(overlay)能力:
最小可印出的線寬稱為光點(pixel,或稱像素),在0.3光點範圍內將本
層疊對到前一界定層的能力。並補償由製造產生的大小改變。
3. 量產能力(throughput),高度準確圖案,合理的設備成本、設備可靠度、
合理的罩幕(mask或reticle)和阻劑成本。
目前半導體製程製作動態隨機存取記憶體(DRAM),64M位元或256M位元,
需要極小特徵尺寸0.35μm甚或0.25μm,必須使用250奈米(nano meter, nm)或
更短波長的深紫外光(deep UV, DUV)。主要的技術挑戰為低強度光源和高吸收
光阻、高吸收透鏡材料。光阻需要新的樹脂(resin)、新的感光劑(sensitizer),
即化學放大光阻(chemically amplified resist, CAR)。CAR有感光劑,在感光後
轉為酸,作催化劑(catalyst),在曝光和後烘烤,使共聚高分子樹脂溶於顯影劑
(developer),使光阻靈敏度提高。
透鏡材料的石英(quartz)必須用體積大、無缺陷,以避免散射損失(scattering
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VLSI 概論
R=k1λ/NA (1.1)
上式R表示最小線寬(解析度),k1為常數,和製程條件、光阻有關,典型值
大約為0.5。λ為曝光波長,NA為投影鏡片的數值孔徑(numerical aperture),
聚焦景深(DOF)=±k2×λ/(NA)2 (1.2)
k2是另一個常數,可能相依k1。為提高解析度,可以用短波長的光源,但曝光
機器昂貴或無量產型機器。提高數值孔徑則會降低景深,使製程不穩定。提高鏡頭
的數值孔徑的同時更要減少像差。幾個對光學微影技術的重要波長、解析度和聚焦
景深,如表1.1所列。假設NA=0.7,k1=0.5,△λ/λ代表從一個波長跳到特定波長
的趨動力。
焦距深度或稱景深(depth of focus, DOF),定義為焦距的範圍,使一已知
特徵的光阻輪廓保持在規格之內,如線寬、側牆角、光阻損失等,在一特定的
曝光範圍。焦距深度是高解析度照像最重要的參數之一,因為圖案薄膜的地形
(topography)和場區不平坦,已經和焦距窗(focus window)差不多了,平坦化
(planarization)製程是必須的,而且可提高產率。解析度(resolution)的定義即為
以一特定的焦距深度,可以印製的最小特徵尺寸。
深紫外光唯一可用的透鏡材料是石英(quartz),需要大體積,做大透鏡,
沒有缺陷以避免在操作時有散射損失或輻射傷害。要有大的數值孔徑使透鏡製
作困難。以單一透鏡材料,在完全折射的透鏡設計,無法做色像修正(chromatic
correction),唯一可行的辦法是「全場區照像」,即一個晶片以一次曝光完成。為
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第1章 微影照像
解決此難題,光源必須是單色光(monochromatic light),其造成的色像誤差是可容
許的,對應於這種透鏡的設計,光學頻譜寬大約一皮米(picometer, 10-12m),光源
的唯一選擇是雷射。
表1.1 各種微影技術之比較
波長 △λ/λ 最小線寬 聚焦景深
備 註
λnm % Rmin,nm (DOF),nm
G-line 436 311 850
I-line 365 19 260 730
KrF 248 47 175 500 鏡片材料,以熔融石英(fused quartz)為主,
雷射以2000赫的重覆率,產生10mJ的脈
衝,掃描曝光。
ArF 193 28 140 400 鏡片材料以熔融石英為主,學習以改善氟
化鈣(CaF 2 )消色差材質和製造技術、折
射投影光學。
F2雷射 157 23 112 320 鏡片材料:氟化鈣、高穿透力,但大塊
CaF 2 尚未可得,有機材料有大的吸收。開
發雙層光阻或光阻矽化(silyation)製程。
Ar雷射 126 25 90 257 Ar光源對步進機太弱、穩定度不好,鏡片
設備必須是反射性、高難度的曲率表面,
NA可能限制在0.55。
(資料來源:廖明吉,電子月刊)DOF: depth of focus NA: numerical aperture
透鏡材料要有以下條件:
1. 折射率(refractive index)均勻。
2. 低應力、雙折射(birefringence, double refraction),即物質對光的折射率隨
偏振(polarization)而改變。
3. 能長時間承受輻照、不改變特性、不收縮。
4. 直徑大。
5. 機械化學特性適於加工製作。
6. 尺寸和表面公差(tolerance)嚴謹。
熔合矽石(fused silica)和氟化鈣(CaF2)適於193 nm,氟化鈣是唯一適用於
157 nm的透鏡材料。在193奈米,融合矽石的吸收係數(absorption coefficient)為
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10 VLSI 概論
聚焦透鏡
劑量感測器
分光鏡
(beam splitter)
準分子雷射 光罩
(reticle)
在步進機側
投影透鏡
遮罩
在雷射側
面鏡 蒼蠅眼
透鏡
傳輸光學
劑量控制
單元 移轉單元 面鏡
束成形單元 晶圓
稜鏡單元
圖1.6 準分子雷射曝光系統
(資料來源:龍文安,積體電路微影製程)
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第1章 微影照像 11
I線
0.6 0.5
365 nm
0.44 0.36
KrF 0.6
248 nm
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12 VLSI 概論
光源 短波長
光闌(stop)
偏軸照射(OAI)
準直鏡
光學微影近接修正(OPC)
光罩
相移光罩(PSM)
光瞳(pupil)
投影機 高數值孔徑透鏡
聚焦寬容強化照射(FLEX)
晶圓 高解像度化學放大型阻劑(CAR)
表層成像(TSI)
低壓高密度電漿蝕刻
圖1.8 光學微影改善品質方法示意圖
(資料來源:龍文安,積體電路微影製程)
1.3 提升光學微影製程的技術
在微影系統的光學設計最佳化,解析度已達系統極限之後,使用特別設計處
理的光罩,可將解析度再提高一些,目前使用最廣的方法為光學近接修正(optical
proximity correction, OPC)和相移光罩(phase shift mask, PSM)。光學近接修正是
針對晶片中細微的線條和間距,在光罩上修正,以減少曝光後的失真。相移光罩是
在光罩中某些地方加上一層相移層(phase shift layer),以提高曝光的明暗對比。
光學近接效用(optical proximity effect, OPE)發生,當圖案的線寬小於曝光光
源的波長,如以248奈米氟化氪(KrF)製作180奈米的線寬時。例如微細的長方型
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第1章 微影照像 13
圖案中,圖案的四個角落因光線的繞射(diffraction),發生了圓角的現象,如圖
1.9(a)所示。更嚴重的是,有兩個圖案靠近時,因為從左右圖案來的光,其光強度的
二次波峰重疊,光線的強度增加了,使兩個圖案結合起來了,如圖1.9(b)所示。避
免這種情形發生,需要光學近接修正的技術(optical proximity correction, OPC)。
在150 nm世代以下,邏輯電路和記憶體都有很多地方會用到光學近接修正。
設計圖案
光強度分布
光阻劑形狀
(a) (b)
圖1.9 光學近接效用,(a)單一圖案,(b)兩個圖案靠近
(資料來源:金子謙一郎,電子月刊)
在以上第一種情況,可以加入輔助圖案以修正。在第二種情形,可以把圖案的
線條變細來修正。圖案中線寬和間距不同,使修正困難。修正曝光裝置的方法是加
大照明的同源因數(coherent factor, σ),使其頻譜的相位一致性提高,例如由0.75
加大為0.85,附帶著景深也可以加大。改良的方法有以下幾種:
1. 在關鍵尺寸(critical dimension, CD)使用4x(晶圓成像的尺寸為光罩圖案尺
寸的四分之一),248 nm的氟化氪(KrF)掃描機(scanner),其他區域使
用365 nm的5x步進機(stepper)。
2. 以步進機I line 365 nm 5x 和掃描機KrF 248 nm 4x配合使用。
3. 使用二個步進機。
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14 VLSI 概論
電場振幅E1 E2
石英
相移層
振進方向
兩光束產生π(或λ/2)相位移
圖1.10 相移光罩使二光束產生二分之一波長相位移
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第1章 微影照像 15
(a) 照射光束
光罩構造 石英
不透光鉻膜
透光相移層
(b)
光罩上空間影像
0 x
的電場振幅
光瞳
繞射級數 0
(c)
-1 +1
晶圓上空間影像
的電場振幅 0 x
(干涉前) 假設此區相位相反
大小相等
假設此區相位相反
大小不等
(d)
(干涉後) 0 x
干涉後
此區電場強度歸零
(e)
光強度皆為正值
晶圓上空間
0 x
影像的光強度
干涉後
此區光強度歸零
圖1.11 相移光罩成像原理
(資料來源:龍文安,積體電路微影製程)
(a)光罩上斜線部分為新增加的透光相移層。
(b)光罩上空間影像(aerial image)的電場振幅 E(x),有相移層部分差了π弧度
而反相。
(c)干涉前,晶圓上空間影像的電場振幅,有相移層部分以虛線表示,繞射級數
(diffraction order)0,±1均顯示出來。其中繞射級數為±1的,來自有/無
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16 VLSI 概論
相移層的電場大小相等、相位相反。
(d)干涉後的晶圓上空間影像的電場振幅,繞射級數為±1的部分抵消,電場振
幅歸零。
(e)晶圓上的光強度 I(x),解析度明顯地加強了。
電場強度 (1.3)
光強度 (1.4)
上式x為距離,p為光瞳函數(pupil function),瞳孔對入射光通量的變化。
嵌附式減光型相移光罩加入環形鉻(Cr)膜,製程及流程如圖1.12所示。
(a)側視及俯視圖。
(b)以電子束定義正型阻劑圖案。
(c)正型阻劑顯影,電漿蝕刻鉻膜。
(d)電漿蝕刻,轉移圖案至嵌附層。
(e)除去正型阻劑,旋塗負型阻劑,以電子束定義遮光環圖案。
(f)負型阻劑顯影,電漿蝕刻鉻膜。
(g)清除負型阻劑。
偏軸照射(off axis illumination, OAI)是另一種加強解析度和景深的方法。基
本原理是把照明傾斜一角度,使未繞射的光和一階繞射的光對稱穿透,如圖1.13(a)
所示。一傳統的穿過透鏡(through the lens, TTL)方法,如圖1.13(b)所示,作為比
較。光束穿透偏軸口孔,以一特定的入射角φ照射光罩,fsinφ=x。x 是光軸和孔口
穿透部分的距離,f 是聚焦透鏡的焦距(focus)。光束被光罩圖案繞射,高階繞射
光無法進入投影透鏡,因為圖案的間距小,繞射角(diffraction angle)(sinθ)大
於投影透鏡的數值口孔。結果只有零階(未繞射的)和一階繞射光會在晶圓表面干
涉,且對影像形成有貢獻。此方法可使線和空間解析度達0.27微米,景深2.8微米。
理論上,當同源因數(coherent factor)大於或等於1,解析度,聚焦深度可達無窮
大。
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第1章 微影照像 17
石英 石英
(c)
環形
鉻膜
嵌附層 (d)
(e) 電子束
負型
阻劑
(a)
石英
(f)
嵌附層
正光阻(曝光顯影後)
(g)
負光阻
負光阻(曝光顯影後)
圖1.12 嵌附式減光型相移光罩,(a)側視和俯視圖,(b)~(g)製程及流程
(資料來源:龍文安,積體電路微影製程)
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18 VLSI 概論
照明系統
偏軸口孔 傳統口孔
x
聚焦透鏡
Ф
f 光罩
(reticle)
-1階
θ
投影透鏡
0階
晶圓
(a) (b)
圖1.13 (a)偏軸照射式(OAI),(b)傳統照明,穿過透鏡(TTL)式
(資料來源:N. Shiraishi et al., 國際光學工程學會(International Society of Optical Engineering)研討
會論文 (Proc. SPIE), 1674.741、1992)
常用的偏軸照射,光柵開口有環形、狹縫、二孔和四孔等數種,和傳統照射的
比較,如圖1.14所示。
聚焦寬容強化照射(FLEX, focus latitude enhancement exposure)是以計算機模
擬分析影響影像特性的重要參數,如靠近數位聚焦平面距離、照明同源因數。模擬
結果用I-line步進機驗證。結果使景深增加10倍。應用此法需用高對比阻劑製程。
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第1章 微影照像 19
σ
比傳統差
皆比傳統佳
比傳統佳
傳統
σo
σi
四孔 環形
比傳統差 比傳統差
比傳統佳 比傳統佳
二孔 狹縫
圖1.14 幾種偏軸照射和改善方向性示意圖
(資料來源:龍文安,積體電路微影製程)
1.4 深次微米微影照像
微影照像(lithography)的解析度,大致上和曝光光源的波長相依,波長愈
短解析度愈好。汞燈(mercury lamp)用於光罩對準儀和步進照像的 G 線、I 線,
屬於紫外光(ultraviolet, UV)。準分子雷射(excimer laser)的氟化氪(KrF)、
氟化氬(ArF)屬於深紫外光(deep UV,DUV)。更進步的還有深紫外光 F 2 雷
射、極遠紫外光(extremely UV, EUV)、真空紫外光(vacuum UV, VUV)、
X 射線(x-ray)等,如圖1.15所示,nm為奈米(nano meter),1奈米=10埃
(angstrom),(1 nm=10Å)。
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20
中紫外光(MUV)
軟X射線 (300∼350 nm)
真空紫外光(VUV) 深紫外光(DUV)
(soft x-ray)
(10∼180 nm) (100∼300 nm)
(1∼25 nm)
VLSI 概論
硬X射線
極遠紫外光(EUV) 近紫外光(NUV)
(hard x-ray)
(10∼100 nm) (350∼450 nm)
(0.01∼1 nm)
可見光
(450∼800 nm)
氟化氪
(KrF)
248 nm
氟化氬
SR x-ray (ArF)
0.8 nm 193 nm
汞一弧燈
SR: 雷射激發
G線
的X射線
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synchrotron 汞一弧燈 436 nm
radiation 13 nm
I線
同步加速器 365 nm
UV:ultra-
輻射 violet
氟(F2) V:vacuum
157 nm E:extreme
D:deep
M:middle
N:near
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圖1.15 光學相關波長範圍分類參考圖,橫軸未按刻度
索 引 463
索 引(Index)
2,2-dipyridyl 聯 ˋ 啶 基 227
ˋ
achromatic 消色差 29
2 DEG, 2dimensional electron gas 二維電子 achromatic aberration 色差 7
氣 414 acid catcher 酸捕捉劑 46
2-ethylhexanoic acid 2-乙基己醣酸 116 acrylic 丙烯酸 45, 47
3M, Minnesota Minning and Manufacturing activation 活化 93, 130, 141, 339
Co. 明尼蘇打採礦及製造公司 96, active 活性 282
227 active carbon 活性碳 122
active region 主動區 156
A
additive 添加劑 46, 232, 233
abrupt impurity profile 陡峭的摻質分佈 adhesion 附著力 3, 69, 87, 95, 187, 218
161 adhesion layer 附著層 218
absorber 吸收劑 40, 41 adhesion promoter 黏著促進層;黏著提升
absorption 吸收 285 劑;附著力提升劑 3, 69, 87, 95
absorption coefficient 吸收係數 9, 154 admittance 導納 281
accelerator 促進劑 230, 231 ADP, atmospheric downstream plasma 大氣
access speed 存取速度 375 下吹電漿 384
accumuluation 累積 33 adsorption 吸附 187
accuracy 精確度 447 aerial image 空間影像 6, 15
acetal ketal 縮醛縮酮 44 aerogel 氣凝膠 71, 79
acetic acid 乙酸、醋酸 114 AES, Auger electron spectroscope 歐傑電子
acetone 丙酮,CH3COCH3 226, 249 光譜儀 121
a-C:F, fluorinated amorphous carbon 含氟 AF 1600 一種鐵氟龍註冊商品名 95
非晶質碳 72, 85, 86, 88, 89, 90, 91, 95 AF-4, parylene-F 含氟的聚對二甲苯 72,
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464 VLSI 概論
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索 引 465
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466 VLSI 概論
︵ㄎㄥ︶
羥 基甲苯 437
barometer 壓力計 240
bias power supply 偏壓電源 268
barrier 阻障(層) 84, 259
bilayer 雙層 247
barrier layer 阻障層 67, 68, 103, 148, 186,
bilayer resist, BL 雙層光阻 11
332
binding energy 束縛能 96
base-centered orthorohombic 斜方底心 132
BiNOR, bi-directional tunneling NOR 雙向穿
BASF 巴斯夫(公司名) 27, 230
隧反或型三維快閃記憶體 357, 358
batch 批式 388
biology 生物學 410
battery 電池 204
BIOS, basic input-output system 基本輸入-
bay 區域,小間無塵室 392, 430
輸出系統 349, 361, 364
bay area 小潔淨區 441
bio-technology 生物科技 401
BCB, benzo cyclo butene 苯并環丁烯 72,
bird beak 鳥喙(嘴) 156
82, 85, 86, 88
birefringence 雙折射 9
BCB-F, fluorinated benzo cyclo butene 摻氟
bit 位元 325, 418
的苯并環丁烯 72
bit line 位元線 324, 325, 326, 328, 333,
BCC, body center cubic 體心立方 145, 219,
342, 358, 362, 364, 373, 375, 376
223
black diamond 黑鑽石 72, 80, 83, 86
beam expander 束增大器 29
blanket 毯覆式 198
beam splitter 分光鏡 10
blanket CVD (chemical vapor deposition) 氈
bell jar 鐘罩 271
覆式化學氣相沉積 190
Bell Laboratory 貝爾實驗室 103
BOD, biochemical oxygen demand 生化需氧
benzyl alcohol derivative 苯甲基醇衍生物
量 256, 257
43
BOE, buffer oxide etch 緩衝氧化物蝕刻 3,
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索 引 467
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468 VLSI 概論
︵ ㄠ︶
catalytic surface 催化表面 229 chelating agent 螯 ˊ
合劑 227, 229, 230,
cathode 陰極 226, 232, 451 261
cation 陽離子 104, 436, 449, 451 Chemat 一科技公司 86
cation exchange 陽離子交換 258 chemical contaminant 化學污染物 428
cation exchange membrane 陽離子交換膜 chemical contamination 化學污染 429
450 chemical filter 化學過濾器 429, 432
cation tower 陽離子塔 449 chip 晶片 2, 4, 25, 178, 380
CDE, chemical downstream etching 化學下 chip alignment mark 晶片對準記號 31
游蝕刻 276 chip array 晶片陣列 25
cell 晶胞 325 chip size 晶片尺寸 322
cell plate, CP 單元電板 108, 109 chloride 氯化物 336
cell projection 胞元投影 31 chloro trimethyl silane, TMS-Cl 氯-三甲基
cell size 胞尺寸 322 矽甲烷 239
cement 水泥 257 chromatic aberration 色像差 8, 10
centrifugal force 離心力 386 chromatic correction 色像修正 8
centrifugal spin 離心力旋乾 315 chuck 吸盤 155
CFC, chloro-fluoro-carbon 氯氟碳 446 circulator 順通器 282, 287, 289
chamber 製程室 284, 285, 287 city water 市水 450
channel effect 通道效應 394 class 1 一級 30, 441, 443
channel stop 通道阻止 74 class 1000 1000級 393
channeling mask 通道式圖罩 37, 38 clean room 潔淨室,無塵室 27, 428, 429
charge coupled device, CCD 電荷耦合元件 clean technology 潔淨技術 428, 432
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索 引 469
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470 VLSI 概論
︵ㄇ ㄟ︶
contract rate 收縮率 90 cresol novolac 甲酚 ˊ 酚醛 43
contrast 對比 31 critical dimension, CD 關鍵尺寸 13, 36, 49,
control gate 控制閘 350, 355, 357, 359, 50, 133, 447
360, 362 critical voltage 臨界電壓 107, 413
control grid 控制柵 309 cross linking, cross link 交聯 87, 93, 95
control valve 控制閥 448 cross talk noise 交談噪音 60
Convac 康維克(公司名) 27 crosslinking agent 鍵結劑 43
cooling coil 冷卻管 434, 442 crosstalk 交互干擾 202
COP, crystal originated particle 晶體造成的 crown 皇冠 329, 330
粒子 326, 327 crucible 坩堝 181
copier 複製機 30 cryogenic gas purifier 冷凍氣體淨化器 29
co-polymer 共聚高分子 86 cryptography 密碼學 410
copolymerization 共聚合 94 crystal growth 長晶鑄棒 380, 382
copper alloying 銅合金化 247 crystal phase 晶相 219
copper contaminant 銅污染 253 crystalline 結晶 336
copper formate 蟻酸銅 238 Cu damascene 銅大馬士革,銅鑲嵌 68,
copper halide 銅的鹵化物 249 69, 176
copper seed 銅晶種 259 Cu-CMP 以化學機械研磨法做銅製程
corrosion 腐蝕 255 254, 255, 256
Coulomb blocking effect 庫倫阻斷效應 Cu-CVD 以化學氣相沉積法製銅 255, 256
412 Cu-plug 銅栓塞 214
Coulomb charging effect 庫倫電荷效應 Curie temperature 居里溫度 115
411 curing 固化,熟化 80, 81, 84
Coulomb oscillation 庫倫振盪 417 current meter 電流計 419
Coulomb scattering 庫倫散射 164 custom tailor 客戶特訂 430
coupling 耦合 283 customer 客戶 205
coupling medium 偶合媒介質 11 C-V analyzer 電容-電壓分析器 96
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索 引 471
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472 VLSI 概論
︵ㄉㄠ︶
deuterium 重氫;氘 54 136, 174, 178, 190, 203, 206, 208, 210,
developer 顯影劑 7, 417 216
development 顯影 2, 5 diffusivity 擴散率 88, 141, 178, 202, 406
DHBT, double heterostructure BJT 雙異質結 digital camera 數位相機 323, 350
構雙接面電晶體 143 digital computer 數位電腦 418
DHF, diluted HF 稀釋的氫氟酸 3, 4, 315, digital system 數位系統 448
387, 388 digital television 數位電視 323
diagnosis 診斷 304, 310 digitalize 數位化 35
︵ㄊㄨ ㄥ︶
diamond 鑽石 88, 383 diketonate 二酮 ˊ(化合物) 237, 250
diaphragm 隔膜 448 dilute 稀釋的 450
︵ㄎㄨㄅ︶
︵ㄋ ㄅ︶
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索 引 473
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474 VLSI 概論
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476 VLSI 概論
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索 引 477
F Fermi level 費米能階 130
ferrite 亞鐵鹽,肥粒鐵 287
fab layout 工廠佈局 393
ferro fluid 磁性流體 406
face-centered orthorhomic 斜方面心 132
ferroelectric 鐵電的 102, 104
facility 廠房 429
ferroelectric capacitor 鐵電電容 119, 373,
facsimile, FAX 傳真機 361, 364
375
Fairchild Semiconductor 快捷半導體(公
ferro-electric dielectric 鐵電介電質 375
司) 403
ferroelectric memory 鐵電記憶體 369, 374
Fantastic Voyage 聯合縮小軍(電影名)
ferro-electric phase 鐵電相 107
400
ferromagnetic 鐵磁 406
Faraday's low of electrolysis 法拉第電解定
fF, femo Faraday 飛(10 - 15 )法拉 102,
律 234
325, 334, 349
fare collect 儲值卡 370
FFU, fan filter unit 風扇-風機濾網機組
fatique 疲勞 107, 113, 120
434, 435, 441, 442
FATS, fluoro alkoxy silane 氟烷基氧矽甲烷
field emission e-gun 場發射電子槍 30
77
field oxide 場氧化層 357
fatty acid 脂肪酸 437
figure of merit 功能指數 291
fault zone 斷電帶 453
filter 過濾器,濾波器 112, 432
FCC, face center cubic 面心立方體 203
filtration 過濾 386
FD SOI, full depletion silicon on insulator 完
fin 鰭狀 330
全空乏型矽在絕緣體上 139
final rinse 最後清洗 387
feature size 特徵尺寸 326, 408
fine crystal 細晶 216
feedback control 回授控制 309
finesonic 超音波 388
femto 毫微微,飛(10-15) 40, 102, 325
fire door 防火門 445
femto faraday, fF 飛法拉 102, 319, 334
fire protection 防火 390
femto second laser 飛秒雷射 40
fire sensor 火災感測器 446
FEOL, front end of line 前段製程 428
firing 鍛燒 116
FeRAM, ferroelectric RAM 鐵電記憶體
FLAC, fluorinated amorphous carbon, a-C:F
103, 104, 106, 114, 324, 369, 370, 371,
摻氟的非晶型碳 71, 72
372, 373, 374, 375, 406
FLARE, fluorinated poly arylene ether 摻氟
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478 VLSI 概論
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索 引 479
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索 引 481
︵ㄒㄧ︶
hfac, hexa fluoro acetyl acetone 六氟乙醯 HPM, HCl+H2O2 混合液 387, 388
丙酮 225, 226, 237, 240, 256 HRe, high density reflected electron 高密度
HFC, hydro fluoro carbon 氫氟碳 255 反射電子 273, 275
Higashi-Hiroshima 東廣島(地名) 457 HSG, hemispherical grain 半球晶粒 103,
high blood pressure 高血壓 401 329, 330, 336, 349, 357
high K, high dielectric constant 高介電常數 HSQ, hydrogen silsesquioxane 氫倍半矽氮
102, 104, 142, 148, 149, 322 烷,含氫的矽酸鹽 60, 72, 76, 80, 81,
high temperature and reflow 高溫再回流 82, 83, 87, 97, 254
184, 206 HT, high temperature 高溫 67
hillock 小突起,小丘 67, 190 HTO, high temperature oxidation 高溫氧化
Hiroshima 廣島(地名) 457 353
Hitachi 日立(公司) 223, 275, 277, 293, Hu, Chenming 胡正明(教授) 11
323, 365 human immune system 人類免疫系統 410
HMDS, hexa methyl disilazane 六甲基二矽 HWP, helicon wave plasma 螺旋波電漿
氮烷,(CH 3 ) 6 Si 2 NH 3, 4, 5, 47, 190, 271
191, 192, 239, 240, 436 hydrophilic 親水的,親水性 87, 91, 437
HMDSO, hexamethyl disiloxane, (Me3Si)2O, hydrophobic 疏水的,疏水性 87, 91, 437
︵ㄎㄥ︶
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482 VLSI 概論
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索 引 483
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484 VLSI 概論
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索 引 485
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486 VLSI 概論
M 爾—波爾茲曼分布 284
Mb, mega bit 百萬位元 23, 104, 108, 157,
m torr (m: milli) 毫托爾 268, 269, 273, 275,
322, 325, 327, 328, 333, 334, 335, 336,
277, 281, 289
342, 350, 354, 369, 370
macro 巨觀 401, 405
MBE, molecular beam epitaxy 分子束磊晶
macroscopy 巨觀學 405
290, 407
magnetic beach 磁灘 283, 284
MCC 一種洗淨用藥液 253, 254
magnetic bucket 磁桶 272
MCM, multi chip module 多晶片模組 341
magnetic lens 磁透鏡 395
MCM assembly, multi chip module assembly
magnetic mioror 磁鏡 295, 296
多晶粒模組組裝 88
magnetic probe 磁探針 299
MCP, magnetically coupled plasma 磁場耦合
magnetron 磁電管 47, 183, 287
電漿 271
magnetron sputtering 磁控濺鍍 117, 182,
MCR, magnetically confined reactor 磁場限
222, 407
制反應器 272
Marangoni dryer 馬爾根尼乾燥機 388
mean free path 平均自由路徑 187, 268
mask 光罩、遮罩、圖罩 3, 7, 32, 35, 36,
megasonic 超音波 314, 388
381
melamine 密胺,三聚氰胺,蛋白精 43
mask aligner 光罩對準儀 4
melamine derivative 密胺衍生物 43
masked ROM 遮(幕)罩式只讀記憶體
melting point 熔點 178, 255
349, 367
memory 記憶體,儲存器 410
mass spectrometer 質譜儀 313
memory card 記憶卡 350
mass/charge ratio 質量/電量比 313
memory cell 記憶胞 324, 328
master photomask 母光罩 2
MEMS, micro electromechanical system 微機
matching network 匹配網路 287, 300, 318
電系統 249, 400, 423, 448
matrix resin 母體樹脂 43
mercaptan 硫醇 408
Matsuhida 松下(公司) 323, 457
mercury lamp 汞燈 19
Maxwell 馬克斯威爾,馬氏(人名) 423
mercury probe 汞探針 96, 155
Maxwell electromagnetic theory 馬克斯威爾
mercury probe CV map 92A 汞探針測量系
電磁理論 303
統 155
Maxwell-Boltzmann distribution 馬克斯威
MERIE, magnetically enhanced reactive ion
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索 引 487
etch 磁場加強的反應離子蝕刻 122 混成矽酸鹽 84
meso 介觀 405 MHz 百萬赫 295, 296, 298, 300, 302, 306,
mesoporous silica 中間(內消旋)孔矽土 314
73 Michelson interfeometer 麥可生干涉儀 78
mesoscopy 介觀學 405 Micralign 一機型名 23, 24
metal barrier 金屬阻障層 186 micro 微觀 405
metal clip 金屬夾 302 micro balance 微天平 228
metal contaminant 金屬污染物 316 micro environment 微環境 430, 431
metal gate 金屬閘極 129 micro meter 微米 400
metal hydride battery 金屬氫化物電池 406 micro porous PTFE 微孔質聚四氟乙烯 92
metal organic 金屬有機的 237 Micro Technology 美光科技(公司) 146,
metal organic thermal decomposition 金屬有 323
機熱分解 407 micro-electronic device 微電子元件 411
metal silicide 金屬矽化物 131 micro-electronics 微電子學 411
metallization 金屬化 174 microfiltration 微過濾 258, 448
metallurgical reaction 金相反應 138 microloading 微負載 176
metallurgy 冶金 247 microloading effect 微負載效用 167, 268,
metastable phase 介穩態相 223 339
methyl 甲基 3 microphotonic device 微光電子元件 407
methyl silane 甲基矽烷 80, 82, 83 microprocessor 微處理器 76, 202, 204, 370
methyl siloxane 甲基矽氧烷 81 microroughnes 微粗糙度 383
MeV 百萬電子伏特 49 microscopy 微觀學 405
MFC, mass flow controller 質流控制器 Microsoft 微軟(公司) 410
92, 152, 222, 239, 240, 287, 288, 289, 446, microwave 微波 47, 193, 194, 271, 277,
447 287
MFM, magnetic force microscopy 磁力顯微 microwave coupling coefficient 微波耦合係
術 423 數 291
MFS, metal ferroelectric semiconductor 金屬 microwave device 微波元件 112
鐵電半導體 114, 115 microwave engineer 微波工程師 281
MHSQ, methyl hybrido silsesquioxane 甲基 microwave oscillator 微波振盪器 281
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488 VLSI 概論
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索 引 489
︵ㄒㄧ︶
428 nanofoam polyimide 多孔隙泡沫聚亞醯 胺
multi media 多媒體 370 73, 94
multiplicatin 倍(累)增 181 nanoglass 超微孔玻璃 73
multipolar cavity 多極腔 289 nano-indentation system 奈米壓痕機 96
mutagenicity 變異原性 256 nanoporous silica 超微孔矽土 79, 86
MUV, middle ultraviolet 中紫外光 20 narrow linewidth 窄線寬 10
marrow linewidth effect 微細線幅效應 131
N
narrow width effect 窄通道效應 127, 158
nA 奈安培 422 National Technology Roadmap of Semicon-
NA, not available 還沒有 385 ductor, NTRS 國家半導技術藍圖 128
Nagaokakyo 長岡京(地名) 457 native oxide 天生的氧化物 136, 151, 152,
NAND 反及 361, 363, 364, 365, 366 252, 336, 343, 390
nano cable 奈米同軸電纜 409 near field image 近場影像 40
nano ceramics 奈米陶瓷 409 near infrared 近紅外線 418
nano circuit 奈米電路 408 near infrared spectrometer 近紅外線譜儀
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490 VLSI 概論
Nishiwaki 西 (地名) 457
ˊ NovaTube 雷射管 27
nitridation 氮化 150 novolak 酚醛樹脂 42
nitride 氮化物 61, 178, 331 NS, no standard 沒有標準 382
n-k analyzer n & k分析器,折射率-介電常 NTT, Nippon Telegraph and Telephone 日本
數分析儀 97 電報電話(公司) 293
nMOS 負型金氧半 126, 127, 139, 140, nucleation 成核 198
141, 143, 144, 150, 166, 209, 332, 395, nucleation and growth 成核與成長 187
437 nucleation layer 晶核生成層(成核層)
︵ㄍ ㄛ︶
︵ㄅ ㄧ︶
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索 引 491
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492 VLSI 概論
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索 引 493
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494 VLSI 概論
140, 141, 143, 144, 166, 209, 332, 333, poly-plug 多晶(矽)栓塞 333, 336, 344
395, 437 polyquinoline 聚奎林 73
PMT, Plasma Material Technology 電漿材料 poly-Si plug 多晶矽栓塞 109, 162, 348
科技(一公司名) 272, 275 polysilicon 多晶矽 126, 304
PNT-F, poly fluorinated naphthalene 摻氟的 polysiloxane 聚矽氧烷 73, 80
︵ㄋ ㄞ︶
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索 引 495
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496 VLSI 概論
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索 引 497
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498 VLSI 概論
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索 引 499
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500 VLSI 概論
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索 引 501
離子質譜儀 121 掃描馬氏應力顯微術 423
Sing Ti Technology 新台科技(公司) 35 SN, storage node 儲存節點 107, 108, 109,
single atom switch 單原子開關 408 111, 112, 332, 343
single crystal 單晶 203 SNOM, scanning near field optical microscopy
single electron effect 單電子效應 412 掃描近場光學微影術 423
single electron tunneling 單電子穿隧 411 SOC, system on chip 完整系統在一晶片之
single pass 單循環 439 上 340
single poly Si gate 單一多晶矽閘極 126 SOD, spin on deposition 旋轉塗佈沉積 69,
sinter, sintering 燒,燒結 112, 116, 137, 72, 73
138, 333, 406 soft bake 軟烘烤 4, 47
sintering temperature 燒結溫度 405 soft error 軟性錯誤 333
SiOC 摻碳的二氧化矽 80 soft x-ray 軟X射線 20
SiOF 摻氟的二氧化矽 75, 76, 77, 78 software 軟體 392, 448
Si-plug 矽栓塞 371 SOI, silicon on insulator 矽在絕緣物上
size 尺寸 325 139, 140, 143, 145, 326, 417
skin depth 集膚深度 296 solar cell 太陽電池 407
SKPM, scanning Kelvin probe microscopy 掃 solenoidal 螺線形的 294
描凱氏探針顯微術 423 sol-gel 溶膠-凝膠 79, 116, 119, 407
slicing 切片 382, 383 solid particle 固體粒子 187
slot antenna 溝槽天線 290 solid solubility 固體溶解度 161, 395, 396
sludge 污泥 257, 261 solid solution 固體溶液 107, 113, 247, 248
slurry 研磨材料,研漿,研磨液 69, 211, solid state detector 固態偵測器 389
250, 252, 260, 383, 406 Solid State Technology 固態科技(期刊)
small size effect 小尺寸效應 403 40, 74, 75, 221, 225
smart card 智慧卡 370 solubility 溶解度 42
smart media 聰敏型媒體 350 solute 溶質 247
smartphone 聰敏型電話 350, 370 solvent 溶劑 46
SMIF, standard mechanical interface 標準機 sonar 聲納 402
械介面 30, 431, 440, 441, 443 source 源極 355
SMM, scanning Maxwell stress microscopy source line, SL 源極線 361, 362, 363
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502 VLSI 概論
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索 引 503
︵ㄐㄧ ㄤ︶
step coverage 梯楷覆蓋 69, 138, 174, 181, S-triazine derivative S-三 ˇ
衍生物 43
206, 215, 219, 224 stripping 去除(光阻),清除 64, 386
stepper 步進照像機,步進器 4, 13, 23, 24, strong electrolyte 強電解質 452
29, 420, 432, 457 structure coefficient 結構係數 330
stepping motor(或step motor, stepper motor) styrene 苯乙烯,C6H5(C2H3) 46
步進馬達 291 sub-atmospheric CVD 次大氣壓CVD 159
STG, surface tension gradient 表面張力梯度 substrate 基座,基板 166, 284, 292, 356
316 substrate bias 基板偏壓 90
STHM, scanning thermal microscopy 掃描熱 substrate engineering 基板工程 164
顯微術 423 subsurface 次表面 253
STI, shallow trench isolation 淺溝渠隔離 subthreshold swing 次臨限擺幅 127, 168
129, 130, 133, 139, 140, 156, 159, 168, Sumitomo 住友(公司) 275, 277
209, 210, 276, 327, 330, 332, 334, 335, super clean room 超潔淨室 432
337, 338, 339, 342, 348 super computer 超級電腦 410
STM, scanning transmission microscope super filling 超填充 233, 236
(microscopy) 掃描穿透顯微鏡(術) supermagnetic 超磁 406
408, 418, 420, 421, 422, 423 supersonic 超音波 388
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504 VLSI 概論
︵ㄊㄤ︶
surface and boundary effect 表面和界面效應 氧基羰 基氧 44, 45
403
t-butyl ester 叔(第三)丁基酯 44
surface channel 表面通道 126, 130, 139
TCP, transformer coupled plasma 變壓器偶
surface migration 表面遷移 184
合電漿 269, 271, 275, 297, 302
surface modification 表面改質 79
TDDB, time dependent dielectric breakdown
surface morphology 表面形貌 336
時效介電崩潰 120, 155
surface roughness 表面粗糙度 253
TDEAT, Ti[N(C 2H 5) 2] 4 四二乙烷基胺鈦
surface tension 表面張力 316
195, 197
surfactant 界面活性劑 227, 232, 233, 236
TDMAT, Ti[N(CH3)2]4 四二甲基胺鈦 195,
SVG, Silicon Valley Group 矽谷群(公司
197
名) 23
TDS, thermal desorption spectrometer 熱脫附
SVGL, Silicon Valley Group Lithography 矽
質譜儀 90, 97
谷群微影照像(公司名) 23
TEAA, tri ethyl amine aluminum 三乙基胺氫
swing effect 擺動效應 50, 52
化鋁 198, 199
switch 交換機 341
TEAl, (C2H5)3Al 三乙烷基鋁 198
Symposium on VLSI Technology VLSI科技
technology node 技術節點 393
研討會 151
TED, transient enhanced diffusion 暫態加強
synchrotron radiation x-ray 同步加速器輻
擴散 161, 162, 395
射X射線 20
teflon 鐵弗龍 72, 86, 88, 89, 92, 95
system LSI 系統大型積體電路 430
teflon-AF 摻氟的鐵弗龍 72, 92
T teflon-FEP, tetra fluoro ethylene-hexa fluoro
propylene copolymer 四氟乙烯-六氟
Tafel region 塔伏區 234
丙烯共聚高分子 92
Taiwan Mask 台灣光罩(公司) 35
teflon-PFA, tetra fluoro ethylene-per fluoro
TALK, Taiwan low k 臺灣低介電常數 79
methoxy ethylene copolymer 四氯乙
taper 錐形 121
烯-過氟甲氧乙烯共聚高分子 92
TARC, top anti-reflection coating 頂層抗反
TEFS, tri ethoxy fluoro silane 三乙烷基氧矽
射覆蓋 50, 52
甲烷 76, 77, 78
target 靶 116, 181
Tegal 德高(公司) 273, 275
t-BOC, t-butoxyl carbonyloxy 叔(第三)丁
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索 引 505
︵ㄋ ㄞ︶
︵ㄈㄨ︶
TEOS, tetra ethoxysilane, Si(OC2H5)4 四乙烷 THF, tetra hydrofuram, C4H8O 四氫 喃 ˊ
基氧矽甲烷,四乙烷基矽酸鹽,正矽酸
117, 119
乙酯 76, 77, 79, 159, 348
thickness 厚度 325
TEOS-O 3 四乙烷基氧矽甲烷-臭氧 77,
thin film thermocouples 薄膜熱電偶 310
78, 327, 339
thiol 硫醇 408
tera 太(1012) 446
threshold voltage 臨限電壓 73, 126, 166,
test wafer 測試晶圓 390
354, 360, 395
tetra methylsilane 四甲基矽烷 80
threshold voltage adjustment 臨限電壓調整
tetraglyme 四甘醇三甲醚 117
126, 169
texture 織構 217
threshold voltage drift 臨限電壓漂移 143,
THD, C11H19O 一種有機物團機 119
437
thermal anneal 熱退火 203
thrombosis 血栓 401
thermal budget 熱預算 83, 127, 141, 168,
throttle valve 調壓器,節流閥 287, 289
330
throughput 產率,量產能力 7, 278
thermal conductivity 熱導率 61, 79, 255
thyratron 閘流管 27
thermal CVD hydrocarbon 熱CVD碳氫 72
TI, Texas Instruments 德州儀器(公司)
thermal cycle 熱循環 74, 96
146, 157, 203, 323, 336, 337, 457
thermal disproportionation 熱裂解不對稱反
TIBA, triisobutylaluminum, (C4H9)3Al 三異
應 226
丁基鋁 198
thermal energy 熱能 413
time effect 時效 120
thermal expansion coefficient 熱膨脹係數
TMAA, trimethylamine alane 三甲基胺氫化
41, 85
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506 VLSI 概論
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索 引 507
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508 VLSI 概論
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索 引 509
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VLSI概論/張勁燕編著. --一版.--臺北
市:五南, 2008.12
面; 公分
含參考書目及索引
ISBN 978-957-11-5245-5 (平裝)
1.積體電路
448.62 97010412
5DA4
VLSI概論
作 者 ─ 張勁燕(214.1)
發 行 人 ─ 楊榮川
總 編 輯 ─ 龐君豪
主 編 ─ 穆文娟
責任編輯 ─ 蔡曉雯
封面設計 ─ 簡愷立
出 版 者 ─ 五南圖書出版股份有限公司
地 址:106台 北 市 大 安 區 和 平 東 路 二 段 3 3 9 號 4 樓
電 話:(02)2705-5066 傳 真:(02)2706-6100
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法律顧問 元貞聯合法律事務所 張澤平律師
出版日期 2 0 0 8 年 1 2 月 一 版 一 刷
定 價 新 臺 幣 6 5 0 元
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