UNIVERSITETI ISMAIL QEMALI VLOR

FAKULTETI I SHKENCAVE TEKNIKE

DEPARTAMENTI I INXHINIERIS ELEKTRIKE

TEM DIPLOME
PROGRAMI I STUDIMIT: BACHELOR N INXHINIERI ELEKTRIKE

TEMA: FAZAT E PRODHIMIT T NJ QELIZE FOTOVOLTAIKE N SILIC

MONOKRISTALIN DHE POLIKRISTALIN

DIPLOMANTI:

PEDAGOGU UDHHEQS:

Elidjon SALAJ

MSc.Ing. Alketa HASANAJ

Vlor, 2016

Pasqyra e lnds:
Abstrakt...................................................................................................................... 4
KAPITULLI 1................................................................................................................ 5
PARIMET FIZIKE TE FUNKSIONIMIT TE NJE QELIZE FOTOVOLTAIKE..............................5
1.1Efekti fotovoltaik................................................................................................ 5
1.2Silici.................................................................................................................... 6
1.3 Kryqzimi p-n.................................................................................................... 8
1.4Ndriimi i kryqzimit........................................................................................ 10
1.5 Qarku ekuivalent............................................................................................. 11
1.6 Rendimenti...................................................................................................... 14
KAPITULLI 2.............................................................................................................. 16
PASTRIMI (PURIFIKIMI) I SILIKONIT............................................................................16
2.1 Reduktimi i karbonizimit..................................................................................16
2.2 Pastrimi kimik.................................................................................................. 16
2.2.1 Faza e pare: Formimi i triklorurit t silanit.................................................16
2.2.2 Faza e dyt: Procesi Siemens....................................................................17
2.3 Pastrimi n rrug fizike: zona e rafinimit.........................................................19
KAPITULLI 3.............................................................................................................. 21
RRITJA E KRISTALIT................................................................................................... 21
3.1 Rritja e silicit polikristaline.............................................................................. 21
3.1.1 Hedhja....................................................................................................... 21
3.1.2 Metoda Bridgman...................................................................................... 23
3.1.3 Defekte t kristaleve................................................................................23
3.2 Rritja e silicit monokristalin...........................................................................24
3.2.1 Metoda Czochralski................................................................................... 24
3.2.2 Metoda Float-Zone.................................................................................... 25
KAPITULLI 4.............................................................................................................. 27
PRERJA (SHARRIMI)................................................................................................... 27
4.1 Grupi i prerjes.................................................................................................. 27
4.2 Prerja kabllore (e telave paralele)...................................................................28
4.2.1 Telat srruly based................................................................................... 29
3

4.2.2 Telat Diamante.......................................................................................... 29

4.2.3 Tela t strukturuar..................................................................................... 31
4.3 Korrigjimi i defekteve t prerjes......................................................................32
4.4 Riciklimi i silikonit............................................................................................ 33
KAPITULLI 5.............................................................................................................. 33
HEQJA E DO SIPRFAQE DHE CILSIA (TEXTURING)................................................33
5.1 Gravura........................................................................................................... 34
5.1.1 Gravura e that......................................................................................... 34
5.1.2 Gravura e lagsht...................................................................................... 34
5.2 Procedura pr heqjen e siprfaqes s dmtuar...............................................35
5.3 Influenca (ndikimi) n efikasitet......................................................................35
5.4 Cilsia (Texturing)............................................................................................ 36
5.5 Drita e incidentit.............................................................................................. 37
5.6 Pastrimi........................................................................................................... 41
KAPITULLI 6.............................................................................................................. 42
DOPING..................................................................................................................... 42
6.1 Difuzioni (Prhapja)......................................................................................... 42
6.1.1 Pre Depozitimi....................................................................................... 44
6.1.2 Difuzioni (Drive in).................................................................................. 44
6.1.3 Koncentrimi i prqendrimit t atomeve Dopant........................................45
6.2 Implantimi jonik............................................................................................... 49
6.2.1 Kanalizimi.................................................................................................. 51
KAPITULLI 7.............................................................................................................. 52
MBULIMI VERBUES ANTI-SHKLQIM..........................................................................52
KAPITULLI 8.............................................................................................................. 57
KONTAKTET METALIKE............................................................................................... 57
8.1 Teknikat pr t reduktuar ndikimin e rikombinimit n siprfaqe.....................57
8.1.1 Rikombinimit n siprfaqen e prparme...................................................57
8.1.2 Siprfaqja e pasme................................................................................... 58
8.2 Formimi (trajnimi) i kontakteve.......................................................................59
8.2.1 Materialet e prdorura.............................................................................. 61
8.3 Teknologjia lazer e kontakteve t vdekura......................................................62
KAPITULLI 9.............................................................................................................. 64
4

IZOLIMI I BORDIT ELEKTRIK....................................................................................... 64

9.1 Gravura e plazms......................................................................................... 64
9.2 Gravura kimike................................................................................................ 64
9.3 Shkruesi Lazer................................................................................................. 65
KAPITULLI 10............................................................................................................ 68
KARAKTERISTIKAT E NJ QELIZE FOTOVOLTAIKE.......................................................68
Referencat:............................................................................................................... 70

Abstrakt
Qllimi i tezs sht pr t prshkruar fazat e prodhimit q ojn n realizimin e nj qeliz
fotovoltaike, duke filluar nga materialet e paprpunuara me t cilat sht prodhuar. Ato do t
analizohen ne prodhimin e qelizave diellore t bra me silikonin monokristalin dhe
polikristalin. S pari ajo do t prcaktoj konceptin e efektit fotovoltaik, duke br referencn
n aspektet fizike q lejojn funksionimin e pajisjes. Pastaj pr t analizuar procesin e pastrimit
t silikonit prdoren teknikat pr formimin e shufrave t silikonit. Nga kjo pik procesi i
prodhimit vazhdon me prerjen e shufrave pr t prodhuar nje mesh silici, prerja e siprfaqes pr
t kufizuar fenomenet refleksive dhe dopingu i pajisjes me krijimin e kryqzimit p-n. Nj
vazhdim me aplikimin e nj shtrese antireflektive (ARC) dhe me formimin e kontakteve metalike
t nevojshme pr t transferuar rrymn e prodhuar n nj ngarkes t aplikuar. Si hap
prfundimtar sht elektrikisht e izoluar buza e qelizave fotovoltaike me an t tekniks s
lazerit.

KAPITULLI 1
PARIMET FIZIKE TE FUNKSIONIMIT TE NJE QELIZE
FOTOVOLTAIKE

1.1Efekti fotovoltaik
Fjala 'fotovoltaike' sht shkurtim i fjals greke 'phos', t lehta dhe 'volt' njsia e matjes s
diferencs potenciale. N t vrtet, nj sistem pr prodhimin e energjise fotovoltaike sht
aplikimi i kombinuar i efektit fotoelektrik, e cila sht spontane dhe konsiston n emetimin e
elektroneve nga nj siprfaqe t goditur nga rrezatimi elektromagnetik dhe efekti Volta, sipas t
cilit, nse dy metale jan t vendosur n kontakt, sht krijuar mes tyre nj ndryshim i potencialit
dhe, mundsia pr t gjeneruar lidhjen elektrike. Nj qelize diellore sht nj pajisje elektronike
n gjendje pr t kthyer rrezet e diellit n energji elektrike, duke shfrytzuar vetit e
prueshmrise nn ndriimin e disa materialeve si jan gjysm peruesit.
Nprmjet nj qarku sht e mundur transferimi i gjendjes aktuale t nj ngarkes t aplikuar, me
qllim pr t shfrytzuar energjin e prodhuar nga qeliza. Efektin fotoelektrik, Ajnshtajni e dha
n vitin 1905 me nj interpretim te famshm t quajtur 'Quantum', sipas s cils energjia e
prgjithshme e rrezatimit elektromagnetik sht ndar n pjes diskrete ( t 'kuanteve' t drits).
Duke shfrytzuar edhe efektin fotoelektrik si efekti Volta, n 1954 shkenctart amerikan
Paerson, Fuller dhe Chapin zhvilluan qelizat e para fotovoltaike me silic t kristalt. Mekanizmi
me t cilin qelizat fotovoltaike gjenerojn energji elektrike nga konvertimi i rrezatimit diellor,
sht e bazuar kryesisht n efektin fotoelektrik. Pr t kuptuar kt dukuri, pra mnyrn n t
ciln drita e rrezatimit ndrvepron me qelizat fotovoltaike, do t analizojn sjelljen elektrike t
gjysm peruesve dhe n veanti t silikonit, gjysmpruesi m i prdorur n industrin
fotovoltaike.

1.2Silici
sht e njohur se materialet ekzistuese n natyr mund t klasifikohen sipas vetive elektrike t
prueshmris, n dy kategorit e pruesve dhe izolatorve. Pr kto dy kategori ajo shton nj
t tret, ate t gjysm pruesit, qe posedojn pjest e ndrmjetme elektrike n t dy kategorit e
mparshme. Gjysm pruesit tani jan baza e t gjitha pajisjeve t mdha elektronike dhe
mikroelektronike si gjendja e ngurt e transistorve dhe diods s saj, aftsin pr t ndryshuar
karakteristikat e tyre elektrike nga 'dopingu' i cili prbhet nga futjet e papastrtive n materiale
t pastr (gjysmprues t brendshm). Duhet t mbahet mend se gjysmpruesit jan struktura
kristalore tetrahedrale, n t cilin do atom sht i lidhur tek katr fqinj t saj me an t lidhjes
dyshe kovalente, e cila mbetet e pandryshuar n kufijt e energjis prej rreth 1 eV. Silikoni sht
nj element kimik q ka katr elektrone valenc (elektronet q i prkasin skeletit t jashtem t nj
atomi q jan angazhuar pr t formuar lidhjet). N nj kristal silikoni, 4 elektronet valenc jan
vendosur midis atomeve t ngjitura n kristal. N kt mnyr, secili atom plotson orbitn e
jashtme (me 8 elektrone).

Fig 1.1 a) Kristali i silikonit (T= 0 K)

Fig 1.1 b) Grupi (Banda) e valencs, grupi i prueshmris dhe boshllku i energjis
Si sht e njohur n brezin gjysmpruesve valenca dhe kryerja e bands jan ndar nga nj
gam e ndaluar e energjis (Energy Gap), e cila n silic sht e barabart me 1,124 eV. N brezin
e valencs, ka elektrone q kan nj nivel t ult t energjis, q mbetet n afrsi t atomit t
antarsimit. N brezin e kryerjes n vend q elektronet t cilat kan fituar energji t
mjaftueshme pr t ln atomet e prkatsis dhe pr kt arsye mund t japin rritje t nj
prueshmrie elektrike. Obligacionet kovalente si zero absolute (T = 0 K) jan t qndrueshme
dhe elektronet jan lidhur fort me atomet. N kt mnyr popullsia elektronike i do t gjitha n
bandn e valencs, dhe nuk do t jet kusht pr ngjarjen e elektroneve. Pr nj temperatur mbi
zero absolute se ka nj jo-zero, pra mundsin q nj elektron fiton energji t mjaftueshme pr t
thyer lidhjen kovalente, e cila v ata n bandn e prueshmrise. Elektroni i l atomit pjesen qe
i takon (e cila bhet jon i ngarkuar pozitivisht) duke ln pas nj lidhje jo t plot, (t cilat
ngarkohen pozitivisht, i kundrt me negativin t nj elektroni q sht dhn). Pr t thyer kt
lidhje kovalente dhe pastaj t rritet n nj elektron/boshllk, ajo ka nevoj pr nj sasi minimale
t energjis t barabart me Energjin Gap.

1.3 Kryqzimi p-n

Si u prmend m par, nj mnyr pr t ndryshuar karakteristikat elektrike t nj
gjysmpruesi sht pr t futur papastrtit nprmjet nj teknike t quajtur doping. Nse pr
shembull, ne zvendsojn n kristal gril t silikonit, atomet e origjins me nj atom ka 5
elektrone valenc, n kristal ne do t kemi nj elektron praktikisht t pashfrytzuar, duke qn
vetm katr t nevojshme pr formimin e nj lidhje. Energjia pr lirimin n kt elektron sht
veanrisht e ult, kshtu q n temperatur t dhoms vetm energjin pr ngrohje sht e
mjaftueshme pr ata t gjith mund t konsiderohen t lira. do atom i dhuron nj papastrti
elektronit kshtu duke marr rolin e 'donatorit' dhe duke kontribuar n prueshmri. Atomi i
humbjes s nj donatori t elektronit mbetet jonizues, ku mbetjet e ngarkuara t atomeve Dopant
pozitive bllokohen n gril. Numri i elektroneve t teprta do t shtohen deri n at t
elektroneve ekzistuese pr t cilat ne do t kemi m shum elektronet q (tarifat e pakicave t
boshllqeve), shtimi i elektroneve me an t futjes s atomeve pentavalente (t tilla si Fosfori)
sht treguar si tip dopingu N.
N qoft se ne kemi prezantuar papastrtit trivalente (t tilla si Bor), q sht, me vetm tre
elektronet e jashtme t syrit, ekziston nj munges e nj elektroni n gril, pasi sht e pamundur
pr t prfunduar oktet. do atom papastrtit mund ti 't pranoj' nj elektron nga nj fqinj,
duke u br 'Pranues' (Akceptor). Ajo do t jet edhe n atomit pr t krijuar nj boshllk q ka
dhn nj elektron, dhe nj ngarkes negative te lokalizuar n pranuesi atomike. N kt rast ajo
quhet lloji i doping P. Shumica do t ngarkohet boshllqet p, ndrsa ngarkesa e elektroneve te
pakicave do t jet n.
Vendosja n kontakt t ngusht nj gjysmprues te tipit p me gjysmprues doped n-type
sht marr nj kryqzim p-n. Vini re kto fjal nga afr. Ajo do t thot se vazhdimsia e
kristalt duhet t jet e garantuar. N praktik, nj qeliz diellore sht e formuar nga nje pjate
silikoni e tipit p me nj shtres t holl silikoni e tipit n. Shtresa e tipit n duhet t ket nj
trashsi t till q t lejoj rrezatimin dhe n t deprtojn n kristalin e siprfaqes s qelizs pr
nj thellsi t mjaftueshme pr te krijuar ifte boshllqe-elektron n afrsi t kryqzimit p-n. Pr
shkak t gradientit t ndryshm te prqendrimit n dy gjysem peruesit elektronet do t tentojn
t prhapen nga zona N, t cilat jan shumica, zona P, ku ata jan m pak.
N mnyr t ngjashme boshllqet do t priren pr t prhapur nga zona P n zonn N. N kt
mnyr elektronet t cilat kan kaluar npr kryqzim me prhapjen I ln joneve fikse pozitive
pr shkak t humbjes s migruar elektronike, ndrsa ne zonen P boshllqet q kan marr pjes
n fenomenin difuzionit l zonen e pasur me jone negative. Ajo krijon nj shtres grumbulli t
dyfisht n kthesn e kryqzimit, me formimin e nj fush elektrike (dhe kshtu nj potencial) t
drejtprdrejt nga zona e N tek zona P, e cila sht kundrejt prhapur. Kshtu q ajo formon nj
rajon sosje q shtrihet nga t dyja ant e udhkryqit e karakterizuar nga mungesa e
transportuesve t lir (Fig1.2). N terren ekuilibri shoqrohet nga potencialet elektrike qe
prodhon nj ngarkese drift q kompenson domethnien e tanishme ngarkesen e difuzionit.
10

Zona N e qelizs diellore sht quajtur shpesh emiter, ndrsa zona sht P baz. Rajoni N sht
e holl se ajo e P, dhe gjithashtu sht ajo q sht stimuluar m rnd. N lidhje me
pozicionimin e kryqzimin p-n brenda qelizs, ajo duhet t mbahet mend se silikoni ka nj
ndryshueshmri t madhe n thithjen e rrezatimit.
N fushn e gjatsi vale t spektrit diellor,ngarkesat jan t krijuara shum afr n siprfaqe t
qelizs n rajonin ultravjollc, ndrsa ata jan n nj thellsi m t madhe n rajonin infra t
kuqe. Nj zgjidhje kompromisi ofron nj kryqzim te vendosur shum n afrsi t siprfaqes s
qelizs (zakonisht n nj thellsi prej 0.1 - 0.2 m) dhe nj material shum i pastr themelor pr
t rritur gjatsin e t difuzionit dhe gjithashtu t prfitojn nga ngarkesat e krijuara n rajon, ku
gjatsia e vales sht e lart.

Fig 1.2 Prfaqsimi i dendsis se pagess, fushs elektrike dhe potencialit relativ te kryqzimi
p-n n ekuilibrin. W1 dhe W2 respektivisht tregojn zgjerimin e rajonit dhe sosjen n zonn P
dhe N n zon (nderfaqja mes dy fusha sht marr si origjina).

11

1.4Ndriimi i kryqzimit
Ne kemi par se si nj qeliz fotovoltaike, kur nuk sht ndriuar, ka nj sjellje t ngjashme me
at t nj diod. Tani mendojme se ne nj foton vjen nj energji e caktuar pr t deprtuar n
qeliz deri n arritjen n kryqzim. Thirrja f frekuenca e fotonit incident, ajo ka nj energji t
lidhur E=kf ku k sht konstantja e Plankut.
Nse foton ka nj E > Eg ; p.sh., e cila ka nj energji m e lart se bandgap Eg e silikonit, nj
elektron sht hequr nga lidhjen midis dy atomeve fqinje t kristalit dhe kshtu bhet i lir pr t
lvizur brenda kristalit si nj elektron prueshmrie (niveli i energjis ne elektron ka lvizur n
brezin e prueshmris).
Energjia e fotonit E mund t shprehet si funksion i gjatesis s vales t rrezatimit
c
E= h

Q nga Energjia Gap e silikonit =1.12 eV

E>

pastaj

max=

ku jane:

hc 6.610343108
=
= max 1.11106 m=1.11 m
19

1.121.610

Ku:
c=

3108 m
shpejtsia e drits
s

h=6.61034 Js konstantja e Plankut

19

1 eV 1.610

Rrezatimi me nj gjatsi vale m t madhe se max nuk prodhon efekt fotovoltaike q nga
energjia e fotoneve, anasjelltas n proporcion me , ajo nuk sht e mjaftueshme pr tejkalimin e
Gap Energjis te silikonit. Kur qeliza sht e ndriuar, kryqzimi pastaj bhet nj burim iftesh
elektron/boshllk, duke supozuar nj sjellje t ngjashme me at t nj diode e lidhur paralel me
nj gjenerator. Grafikisht karakteristika e tensionit aktual i nj qelize t ndezur sht ekuivalente
me at t nj diode, e zhvendosur vertikalisht posht me nj shum t barabart me fotonin e
gjeneruar, n mnyr proporcionale me intensitetin e drits.

12

1.5 Qarku ekuivalent

Qeliza diellore mund t prfaqsohet nga nj qark ekuivalent duke prfshir vetm rrymn Fig
1.3. Foto e gjeneruar IPK aktuale sht prfaqsuar nga nj gjenerator t drejtprdrejt.
Paralelisht me gjeneratorin kjo sht nj prfaqsues i kryqezimit p-n te diods; Id sht aktual
q kalon. N mnyr pr qarkun prafron sjellja e nj qeliz t vrtet diellore sht e
prshtatshme pr t futur dy elemente t tjera t rezistencs seri Rs, dhe rezistencn paralele Rp
(ose devijim).
Rs prfshin rezistencn parazite te qelizs qe prfaqsohet nga dy shtresa silikoni dhe rezistenca
e kontakteve ohmike. Rp prfaqson humbjet pr shkak t rrymave rrjedhese aktuale brenda
qelizs diellore (rrymave rrjedhese).

Fig 1.3 a) Qarku ekuivalent me qelize fotovoltaike

13

b)Karakteristika e tensionit/rryms s qelizes

Shprehja e rrymes I e aplikuar ne lidhjen e ngarkeses sht formuluar:

I =I pk I sat

( e

q ( V +RsI )
NKT

Rryma e diodes sht dhn:

V + Rs+ I
Rp

I d=I sat (e

q ( V + RsI )
NKT

1)

Isat paraqitja e rrymes se diodes

q ngarkesa e elektronit
N faktori ideal
K konstantja e Boltzmann

Fig 1.4 Qeliza fotovoltaike

14

Duke pasur parasysh prfaqsimin e nj qeliz fotovoltaike n Fig1.4, ne mund t prmbledhim

proceset q ndodhin n nj qeliz fotovoltaike qe prkasin fotone ndaj rrezatimit diellor, q vijn
n afrsi t kryqzimit dhe q kan nj numer m i madh i energjis sesa Gap Energjis t
silikonit t lejoj formimin e ngarkuar pozitive (vrima) dhe tarifat negative (Electron).
Mbushse t tilla jan t ndara nga fusha elektrike e formuar n kryqzim, para se t mbledhim
nga kontaktet metalike n pjesn e prparme dhe t pasme t qelizs. Nprmjet nj qarku aktual
mund t qarkullohet dhe furnizimi me nj pesh t lidhur me sistemin.
Shpesh pr t prfaqsuar karakteristiken e tensionit/rrymes duke prdorur tiparet e treguara n
Fig 1.5.

Fig 1.5 Karakteristika e tensionit/rryms te nj qelize fotovoltaike te ndricuar.

Kthesa ne figurn me siper tregon 3 pika t pjesve t rndsishme:
1- ISC sht qark t shkurtr aktuale, pra kur ajo sht aplikuar me nj pesh te rezistences
2- VOC paraqet tensionin e qelizes diellore kur qarku eshte i hapur. N kt situate I=0 dhe
ngarkohet nje rezistence infinit.
3- MPP kjo pike sht maksimalja e prodhimit te tensionit/rrymes maksimale.

15

1.6 Rendimenti
Rendimenti i nj qeliz fotovoltaike sht prcaktuar si raporti midis fuqise se dorzuar nga
qeliza dhe fuqin e rrezatimit incidentit n t:
=

Pout Pout
=
P AEe

ku:

rendimenti i qelizes
Pout(W) fuqia elektrike e qelizes
Pin (W) fuqia e rrezatimit te ndricuar
A(mq) hapsira e dobishme e qelizs
Ee(W/m2) intesiteti i rrezatimit

Efikasiteti maksimal i nj qeliz diellore varet nga shum faktor, duke prfshir:

Vetite e materialeve
Karakteristika e kryqezimit
Permasat e qelizes
Hapesira e dobishme e zones se prekur nga rrezatimi diellor
Temperatura e qelizes
Veshje antireflektimi
Struktura e siperfaqes (ashpersia)
Vetmbrojtja nga drita per shkak te griles metalike e perparme e projektuar per te
mbledhur transportuesit e ngarkuar.

Nj faktor tjeter i rendsishm per vendosjen e rendimentit te nje qelize diellore eshte
konsideruar Fill Factor (FF Faktori i Mbushjes). Percaktohet si raporti midis fuqise maksimale
dhe produktit te ngarkeses per qarkun e shkurtr.

16

FF=

Impp Vmpp
Voc Isc

Impp dhe Vmpp prfaqsojn prkatsisht vlerat maksimale t rryms dhe tensionit pr t ciln
kjo ndodh, transferimin maksimal t fuqis, dhe jan treguar n fig.1.5.
Faktori Mbushjes prcakton formn e kurbs karakteristiks s I-V t qelizs. N prgjithsi nj
qeliz t mir diellore ka vlerat e FF lart se 0.75; sa me e larte aq m e madhe sht vlera e
performancs.

Ndrsa qelizat diellore t prodhuara n silikon, materiali m i prdorur n industrin e

fotovoltaikeve, japin ndryshime n varsi t faktit nse qeliza sht ndrtuar n silikon
monokristaline, polikrisstaline, apo silic amorf. Japin pr secilin lloj sht prcaktuar m posht:
Silic monokristalin: eficenca rreth 17%
Silic polikristaline: eficenca rreth 13%
Silic amorf: eficenca rreth 8%
Ne duhet t konsiderojm se dy llojet e para t qelizave t krkojn rrezet e diellit pr nj
operacion t mir. Pr m tepr, qelizat n silikonit multicrystalline, n kushte t lehta prhapur
dhe pak koh e mir, t punoj m mir se qelizat diellore silic monokristaline, t cilat arrijn
performanc t lart n kushte t lehta drejtprdrejt (t lehta pingul dhe mungesa e re). Qelizat
silic amorf n vend t ksaj, pavarsisht nga nj efikasitet shum t ult, ata mund t punojn me
do burim t ndritshm (disa makina llogaritse diellore t punojn edhe me drit artificiale).

17

KAPITULLI 2
PASTRIMI (PURIFIKIMI) I SILIKONIT
Kshtu qe silikoni mund t prdoret pr prodhimin e qelizave fotovoltaike Ju duhet t kalojn
npr disa hapa pastrimit. Pr pajisje elektronike dhe t pr qelizat diellore sht e nevojshme q
silikoni ka karakteristikat e pastrtis kimike dhe prsosmria lart kristalografike (klasa
elektronike) arritshm me proceset industriale. Silici, pas oksigjenit, sht elementi m i
bollshm n koren e Tokes. Ajo sht e vendosur n balta, granit, kuarc, kryesisht n formn e
dioksid silikoni (SiO2 ose silic), silikate dhe aluminosilikatet (komponimet prmban silic,
oksigjen dhe metale).

2.1 Reduktimi i karbonizimit

Pr t marr pjes silici nga shkmbinj silicore te rrs dhe kuarci. Teknika pr marrjen e silicit
nga silic sht quajtur reduktimi i karboizimit. SiO2 ka reaguar me karbonin n nj temperatur
prej 2000 C sipas reaksionit vijues:
SiO2 + 2C ----> Si + 2CO
Rra dhe kristalet jan vendosur n nj vask, e cila sht futur n nj dhome ku brenda jan
zhytur dy elektroda grafiti. Gjat operacionit krijohet nj hark t zhytur elektrik q prodhon silic
t lngshm. Ajo pastaj tendoset prmes nj hundze n tok ku ngurtsohet.
Kshtu q t marrim silic klasn metalurgjike me nj pastrti t rendit t 98%. Shkalla e
pastrtis s arritur sht ende e pamjaftueshme pr prdorimin n fushn e gjysmpruesve dhe
fushn fotovoltaike. Prodhimi i silikonit t klass elektronike sht e ndar n dy procese t
ndara, njri pr ta pastruar nga kimikatet dhe nj tjetr pr ann fizike.

2.2 Pastrimi kimik

Pastrimi me mjete kimike sht n dy faza.
18

2.2.1 Faza e pare: Formimi i triklorurit t silanit

Duke filluar nga silicet komerciale, e pasur me papastrtit, t tilla si hekuri dhe alumini, prmes
nj procesi t quajtur hidroklorination arrihet Silan Trichloride (SiHCl3 ose TCS) sipas
reaksionit vijues:
Si + 3 HCl ===> SiHCl3 + H2 (n 300 C)
TCS sht nnshtruar nj procesi t pastrimit (distilim). Ne fund, te faza trikloride e silanit
prmban nj prqendrim t papastrtive e dy pjesve pr miliard.

2.2.2 Faza e dyt: Procesi Siemens

Procesi Siemens sht nj proces i prdorur pr pastrimin e silikonit multikristaline, e cila lejon
q t marr silic n klasn elektronike. Teknologjia bazohet n teknikn e depozitave t avullit
kimik (CVD) dhe sht emruar pas kompanis q ka zhvilluar kt metod. N reaktort
Siemens, dukuri e procesit te pastrimit, kmbanat jan prdorur pr kontrollin dhe vendosen n
nj platform. Brenda ktyre kmbanat jan paraqitur disa shufra silici t larta t pastrtis me
nj trashsi prej rreth 10 mm. Ata jan t lidhur dy nga dy n krye dhe jan vendosur vertikalisht
brenda ziles. Pr t filluar procesin, baret elektrike jan t nxeht mes 1100 dhe 1200 C. M pas
nj przierje e trikloridit te silanit me hidrogjen e purifikuar sht transportuar prmes reaktorit
ku sht tretur dhe vjen n kontakt me shufra t nxehta silikoni.
Si rezultat sht silici polikristalin i depozituar n bare, rritjen e trashsis. Kur baret jan rritur
me diametr t krkuar procedura sht ndrprer, shufrat jan t shkputura, dhe procesi sht
gati pr t filluar futjen e shufrave te reja silici (te ftoht) me trashsi rreth 1 cm.
N fund t procesit q jan marr shufra silici polikristailine me diametr deri n 20 cm me nj
shkall t papastrtive t rreth 0.2 pjes pr miliard. Hapat vendimtare t procesit t pastrimit me
metodn Siemens jan ngarkomi nga filamentet e silikonit, t kontrollit t temperaturs dhe
kontrollin e procesit t gazit t energjis. Gjat ngarkimit t filamenteve, baret duhet t jen duke
prdorur doreza te pastrtise t lart pr t parandaluar kontaminimin me palt grafit te prdorur
n kt proces dhe me do ndotje t tjera q mund t oj n ndryshimet n morfologjin e
bareve n kt mnyr dhe uljen e cilsis s produktit te perfunduar.
Para ngrohjes se shufrave te silicit n temperatura t larta, baret jan pa ngrohur. Kjo sht pr
shkak se, n temperatura t ulta, silic n form t pastr nuk do t kryejn energji elektrike, dhe
kjo do t thot se furnizimi me energji elektrike nuk sht n gjendje pr t ngrohur baret. Pas
para-ngrohje shufrat e silicit jan nnshtruar nj temperature m t madhe t ngrohjes deri n
1100 C. Temperaturat duke u monitoruar nga nj sistem kontrolli i cili rregullon fuqine e dhn
n bare pr t gjith procesin. N fakt, variacionet e gjera te temperaturs mund t ojn n
19

shkrirjen e bareve. Kjo sht arsyeja pr t cilat sistemi i kontrollit sht nj nga komponentt
m t rndsishm t reaktorve CVD Siemens.

Fig 2.1 a) Skema e procesit t pastrimit duke prdorur metodn e Siemens. Nj prekursor n
form t gazt sht futur n reaktor dhe q vijn n kontakt me shufra silici.

20

Fig 2.1 b) Shembull i reaktorve real

2.3 Pastrimi n rrug fizike: zona e rafinimit

Silici polikristaline e marre nga procesi Siemens ka nj pastrti jo te mjaftueshme. Pr t ulur
prmbajtjen e papastrtive sht prdorur nj proces i rafinimit me mjete fizike qe do t thot
zona e rafinimit. Metoda sht e bazuar n fenomenin sipas t cilit papastrtit n silikon kan
tendenc t shkrihen m leht n silic. Duke prdorur nj pajisje t veant (shiko fig 2.2) shufra
e silicit sht e shoqruar vertikalisht n nj furr radio frekuenc, n t ciln silikoni eshte
ndezur me an t valve elektromagnetike, e emetuar nga nj spirale rrethon furrn. Kto val t
krijuara, rrymat brenda shufres me ngrohje silica kane efekt nxehetesie. Lngu rrjedh npr
siprfaqet e shufrave te silikonit dhe akumulon posht. Duke pasur silicon ne siprfaqe t lart
tensioni, silici i lngshm mbetet i lidhur me kallp. Kur silici ftohet ajo ka nje zgjatim te shufra
me papastrti t vendosura n fund t shufres. Ky i fundit sht sharruar pr t eliminuar skajet
papastrtive. Pr t marr nj shkall m t lart pastrtia procedura prsritet tre ose katr her.

21

Fig 2.2 Skema e prfaqsuesit te instrumentit me t cilin sht kryer n zonen e rafinimit

22

KAPITULLI 3
RRITJA E KRISTALIT
N saj t hapave te shumta te pastrimit n t cilin materiali i sht nnshtruar, ne tani ne
dispozicion t silikonit polikristaline t prshtatshm pr prodhimin e qelizave fotovoltaike. N
fazat e mvonshme t zinxhirit t prodhimit t silikonit polikristaline shufra e prodhimit nga
reaktort jan ulur pr t'i br ato n dispozicion pr procesin e ardhshm t rritjes se kristalit.
Pebblesat e silicit jan shkrir te part dhe silici, ka br shkrirje t lngshme, sht u rritet
marrja mono ose polikristaline, pas ngurtsimit, dhe ingotave te madhsis se dshiruar. N
varsi t llojit t qelizs qe merren jan prdorur teknikat e mposhtme pr rritjen e kristalit.
Silici polikristaline metoda e Bridgman
Silici monokristaline metoda e Czochralsky dhe metoda Float-Zone

3.1 Rritja e silicit polikristaline

3.1.1 Hedhja

Metoda e hedhjes prdoret pr prodhimin e silikonit polikristaline. Prodhimi fillon duke filluar
nga fshirja e silic nga prodhuesit e industrive te gjysmpruesve. N fazat e hershme t procesit
materiali sht i fragmentuar, pastaj t kaloj npr nj faz helmuese, e cila konsiston ne nje
procedure pastrimi nga papastrtit siprfaqsore. Silici sht shkrir m pas n vatrn e furrs s
madhe kuarci ose grafiti n nj furr t radio frekuencave. Faza e rritjes sht zhvilluar nga nj
proces kristalizimi, per shkak te ftohjes graduale faza e lngshme e silikonit te shkrir. Problemi
q lind sht se pr nevojn pr t minimizuar normn e papastrtive te pranishme n materiale,
n mnyr q t marrin efikasitetit t mir t mundshm n konvertimin fotovoltaik.
Pr kt arsye proceset e prfshira n prodhimin e e blloqeve te silicit polikristaline, deri m sot,
nuk lejojn bashkimin e masave, silici kalon 100 kg n nj koh, me kohzgjatje jo m pak se 24
or. Pas procesit te kristalizimit vazhdojme n squaring t bllokut t prftuar pr heqjen e pjeseve
mekanike, dhe pr t hequr papastrtit q proceset e mparshme kan mbetur n siprfaqen e
materialit. Nga kjo mas jan marr lingota t ndryshme, q do t jen feta n fazat e
mvonshme pr t prodhuar nje mesh silic.

23

Fig 3.1 a) Kutia n grafit

Fig 3.1 b) Dhoma n t ciln zhvillohet shkrirja e silikonit.

24

3.1.2 Metoda Bridgman

Metoda Bridgman sht nj metod q prdoret pr rritjen e silicit polikristaline n prodhimin e

qelizave diellore te silikonit multikristaline. Silici sht ngarkuar n nj po te kuarcit te veshura
me nitride silici dhe pastaj t jet i nxeht, derisa i gjith material nuk sht shkrir. M pas
ngrohjes sht nxjerr nga ena e poshtme duke lvizur n zonn e ndezur lart n lidhje me enn,
ose nga ftohja e poshtme t ens. Shpesh, poci sht ulur dhe larguar nga zona e nxeht dhe pjesa
e poshtme e ekspozuar njkohsisht nga burimi i ftohjes. Kjo procedur krijon nj gradient
temperature n zonen e shkrir me procesin e ngurtsimit q fillon nga posht, dmth fundin m
shum te ftoht. Kristalet rriten lart dhe kufijt e grurit nga ana e tyre rriten paralelisht me
drejtimin e ngurtsimit. Pr t marr nj ngrohje t drejtuar ngurtsimi duhet t transportohet n
shtresa t ngurta silici q vazhdimisht rritet. Eshte gjithashtu e nevojshme pr t mbajtur nj
ndrfaqe t rrjedhs t nxehtsis se silikonit solid/lngshme me temperaturn duhet te ulet n
pjesn e poshtme te pocit n prputhje me rritjen e trashsis se silikonit solid, n mnyr q t
mbaj nj norm t qndrueshme t rritjes. Norma e rritjes sht proporcionale me gradientin e
temperatures q ekziston n mes t silikonit t ngurte dhe silikonit t lngshm.

3.1.3 Defekte t kristaleve

N materialin polikristalin ndodh q gjat hapit t ngurtsimit nga silikoni i shkrir, fenomeni i
ndarjes s papastrtive t ndarjes s ndrfaqeve mes kristaleve dhe kjo prodhon nj efekt t
prqendrimit t ktyre atomeve prgjat kufijve t kokrrizave. Ndarja sht fenomeni kimikofizik ku n nj zgjidhje t qndrueshme e cila sht formuar gjat procesit t ngurtsimit dhe nj
zgjidhje t lngshme AB, prbrsin e lngshm e cila ngurtsohet me nj temperatur t lart t
shkrirjes ngurtsohet me struktura amtare pa ndjer efektin e prbrsve t tjer t zgjidhjes (B).
Kur niveli prqendrimit i papastrtive t caktuara elektrike aktive (bori n veanti) sht i lart,
fenomeni segregacionit prodhon efekte t dmshme mbi operimin e qelizs e br me materialin
polikristalin. Nj kristal sht q prbhet nga kokrra t shumta kristalesh t vogla t quajtura
rrjeta, i prbr nga rrjetat dhe secili ka nj orientim tjetr prve ngjitjes. Formimi i kokrrave
ndodh gjat ngurtsimit t silikonit. Ndrfaqja midis rrjetave kristalore t marra nga emri i
kufijve t kokrrizave, ku nj mnyr e kristalt mungon. Efekti i ndarjes n kristalizimin e fazes
s silikonit n formn e kolonave t polikristaleve atomet e papastrtive prgjat siprfaqeve t
kufijve t kokrrizave. Kur t vazhdojm pr prerjen e materialit n feta dhe do t kuptojm
qelizn, skajet e kokrrizave q prbjn shtigjet e prueshmris s lart elektrike duke
shkurtuar n kryqzimin p-n te qelizs me reduktim konsekuent t efikasitetit. Kjo sht arsyeja
pse qeliza diellore e silicit polikristaline zakonisht ka nj t qasje m t ult se me ato n silic
monokristalin.

25

3.2 Rritja e silicit monokristalin

3.2.1 Metoda Czochralski

Procesi Czochralski sht nj teknik e futur n sistemet e prodhimit industrial duke filluar nga
vitet '50 e cila lejon pr t marr rritjen ekstreme t pastrtis s monokristaleve. Duke pasur
parasysh se silikoni ka nj dendsi atomike prej 5 * 1022 cm -3, niveli i pastrtis i arritur sht
nj pjes pr miliard, dmth nj dendsi prej papastrtive t rreth 1013 cm -3. Ky proces industrial
sht i punsuar kryesisht n rritjen e blloqeve t silikonit, t cilat jan t prftuara me forma
procesi Ajo mban emrin e studiuesit polak Jan Czochralski cili zhvilloi at n 1916 n at koh ai
ishte duke studiuar kristalizimin e metaleve. S pari, fragmente t pastrimit t silicit jan
vendosur n nj po grafit me veshje silica n form cilindrike. Poja sht futur m pas n nj
dhom q prmban Argon, nj gaz inert sht prdorur pr t parandaluar do lloj ndotje, dhe
sht sjell n nj temperatur m t lart se ai i shkrirjes s silikonit (1420C). Procesi prbhet
n zhvendosje vertikale dhe njkohsisht n nj rrotullim kundr-orar i renditur te milimetra pr
minut, t nj silici monokristalin t futur n silic t shkrir. Poja dhe brthama jan br n
mnyr q t rrotullohen ngadal n drejtime t kundrta. Pjesa e brthams s 'zhytur' shkrihet
n silicon t lngshm, por pjesn e mbetur t siprfaqes mbetet i pandryshuar. Gjat procesit
heqjes/rrotullimit nj ngurtsim progresiv zhvillohet n kufirin mes brthams s kristalit dhe
silikoni shkrin duke gjeneruar nj kristal t madh t vetm. Atomet e shkrira t silikonit
kontaktojn me brthamn e monokristalines ngrijn shum shpejt nga respektimi i berthames
dhe orientohen sipas nj grile atomike e strukturs silic, duke formuar edhe ato nj rrjet teli
monokristaline. Kontrolli rigoroz nga temperatura e materialit t shkrir, atmosfera n dhomn
dhe shpejtsia e nxjerrjes dhe rrotullimit, si dhe mungesa absolute e dridhjes, lejon prodhimin e
prkryer cilindrik dhe shum t pastr. Procesi i prshkruar zgjat disa dit dhe on n formimin e
lingotave monokristaline edhe nj meter gjat, me nj diametr deri n 30 cm.

26

Fig 3.2 N t majt t skems puller i prdorur n procesin e Czochralski. N pjesn e djatht
Faza e rritjes s monokristalit.

3.2.2 Metoda Float-Zone

Si pr procesin Czochralski, me metodn e Float-Zon sht e mundur pr t marr rritjen e nj

kristali t cilsis t lart. Metoda parashikon q nj barr silikoni polikristaline sht mbajtur n
nj pozicion vertikal dhe ndrrohet ndrsa nj zone prej metali t shkrir ajo ka kaluar ngadal
nga pjesa e poshtme drejt pjess s siprme t barrs. Rajoni i shkrir ngrohet me an t ngrohjes
s induksionit t radio frekuencs (RF). Ky rajon sht zhvendosur npr barr, duke filluar nga
nj brtham kristali q i jep duke filluar pr t kristalizuar. Papastrtit priren t veohen n
zonn e shkrire, dhe n kt n mnyr sht pastruar q t ngurtsohet silici. Duke prsritur
kt disa here gjat gjith gjatsis, barra sht pastruar pr marrjen e nj prbrjeje shufre
trsisht nga nj kristal i vetm i silikonit.

27

Fig 3.3 Rritja skematike duke luajtur nj shufr monokristaline nprmjet procesit Float-Zone

28

KAPITULLI 4
PRERJA (SHARRIMI)
Pas formimit t silikonit polikristaline ose monokristaline dhe lingotave, faza tjetr sht ajo e
prerjes (rrethore) e shufrs pr t marr feta silici. Operacioni i pare i cili sht kryer sht pr t
prer n krye dhe n fund t shufres n mnyr q t marr nj siprfaqe t shesht. M von,
shufra sht e prer pr t marr blloqe katrore (squaring). Pjesa e fundit e procesit t prerjes
konsiston n prodhimin e wafers (meshs). Shufrat e silicit polikristaline jan t prer n blloqe
katrore t prmendura m lart, ndrsa ato n blloqe monokristaline me qoshe t rrumbullakosura.
Ka shum mjete dhe teknika t ndryshme pr t kryer prerjen e lingotave (shufrave).

Fig 4.1 Blloqet e silicit gjat procesit t prerjes

4.1 Grupi i prerjes

Grupi i prerjes sht i prbr nga nj rrip eliku t veshura me grimca diamante t mbshtjell
n form t nje unaze. Rripi shkon mbi dy rrota alumini te drejtuara nga nj motor. Blloku
silikonit sht vendosur n nj tavolin dhe sht transportuar nga drejtimi i kasets n lvizje.
Gjat procesit uji sht futur dhe ajri ka pastruar kasetn nga mbeturinat dhe t freskoj at. N
t kaluarn kjo metod ka qen dominante n procesin e prerjes s shufrs. Dobsia e ktij
procesi sht, megjithat, shuma e lart e silikonit humbet n procesin e prerjes (1 deri 1.5 mm e
humbur) dhe shpejtsia e ult e prerjes n krahasim me teknikat e tjera t prdorura. Arsyeja pr
kt n ditt e sotme sht prdorimi i grupit t prerjes sht i kufizuar vetm pr disa
aplikacione n t ciln kjo sht e nevojshme n nj proces relativisht t thjesht operativ.

29

4.2 Prerja kabllore (e telave paralele)

U paraqit makina e par pr prerjen e shufrave n industrin fotovoltaike n 80, dhe u bazua n
punn e Dr Charles Hauser, themelues i HCT pr Formimin e Sistemeve, n Zvicr, e cila tani
sht nj kompani e ndarjeve t Materialeve t Aplikuara. Prerja e telave paralele jan tani n
ball n industrin q merret me prerjet e silikonit pr qelizat diellore. Makina q kujdeset per
procedure e prerjes prfshin nj tel shum t qndrueshm t holl prej metali t mbyllur rrethor
dhe udhzon pr t formuar nj rrjet horizontal t prbr nga disa (deri n 1000) tela paralele.
Nj motor rrotullohet dhe udhzon duke shkaktuar t gjith rrjetin duke lvizur me nj shpejtsi
midis 5 deri n 25 m/s. Shpejtsia e telave dhe prapa saj lvizja lineare dhe me radh jan t
rregulluara gjat prerjes. Blloqet e silicit jan ngritur mbi pllakat q jan transportuar vertikalisht
me rrjetin e telave n lvizje, prerjen e blloqeve n wafers. Edhe pse parimi i procesit t prerjes
sht i thjesht, vshtirsia sht ekzekutimi i saj. Sharrimi i telave te tabels duhet saktsisht t
jete i balancuar me shpejtsin dhe gjatsia e bllokut te ngarkuar pr t arritur nj produktivitet
m t lart dhe n t njjtn kohe e minimizuar nga ndryshimet n trashsin e meshave (wafers)
dhe pr t shmangur dmtimin e telave. Vshtirsia sigurisht rritet me uljen e telit dhe trashsis
s meshes. N varsi t karakteristikave t telit t prdorur n procesin e prerjes, ne mund t
ndajm prerjen e telit n tre grupe telash, tela diamant, tela te strukturuar dhe tela slurry-based.

Fig 4.2 a) Struktura e nj makine, prerja e prbr nga nj rrjet t telave metalike paralele.

30

Fig 4.2 b) Faza e prerjes

4.2.1 Telat srruly based

N kt proces nj slurry i prbr nga nj przierje e silicit karabit (SIC) dhe glikol polietileni
(PEG) transportohet nprmjet hundes nga telat n lvizje. Silici karabit i transportuar me tela
lviz dhe shkon n mes telave dhe ul siprfaqen e silicit dhe kryerjen e procesit t prerjes. N
vitet e fundit trashsia e wafer ka mbetur i qndrueshm, n midis 180 dhe 200m, pasi q
ndrtuesit e qelizave preferojn t ken feta t trasha pr t mbajtur posht shkalln e kputjes.
N t njjtn koh, prodhuesit kan pasur pr t prdorur tela t holl dhe kokrrat e silicit te
karabit te vogl duke kryer riciklimin e slurry pr t reduktuar humbjet pr shkak t prerjes, dhe
duke kontribuar pr nj prdorim m efikas t silikonit pr prodhimin e qelizave diellore.

4.2.2 Telat Diamante

N fillim t operacionit telat diamant nuk tregojn dallime nga telat konvencionale dhe sht
shpartalluar me zakonin e udhzuesit te formojn nj rrjet, q m pas do t rivendoset n nj
shtjell bosh. Rrotulluesit e rradhs lvizin rrjetin pr t prer bllokun e silikonit, i cili sht
montuar n nj tabel dhe i afrohet rrjetit. Dallimi qndron n faktin se me prdorimin e telave te
veshura me diamant nuk sht nj sistem, por sht e nevojshme pr t siguruar nj substanc t
jashtme grryese (slurry), duke prdorur thjesht ujin si substanc ftohese. Veprimi grryes kryhet
nga siprfaqja e diamantit te telit dhe kjo zvoglon kompleksitetin n hartimin e makins. Ana e
poshteme sht se sistemi krkon nj menaxhim t avancuar te telit, duke prfshir sistemet e
duhura dredha-dredha dhe nj saktesi m e madhe n prafrimin e rrotulles, q nga telat diamant
sht shum e ndjeshme ndaj lakimit dhe dridhjes gjarpruese.
Kto kufizime jan t shkaktuara nga struktura e fijes. Edhe n qoft se struktura e brendshme
sht e njjt me nj tel t zakonshm q prdoret n proceset e prerjes, n siprfaqen e grimcave
31

te diamantit jan ngulitur me an t nj material binder. Kjo shtres shtes n siprfaqen e telit e
bn at shum t vshtir kur ajo i nnshtrohet bending. Megjithat, avantazh i madh pr t
prdorur tel diamanti sht n hapjen e shpejtsise deri n 3 mm pr minut kundr 1.4 mm pr
minut n sistemet e bazuar n gerryerje (slurry). Kjo on n nj rritje t madhe t produktivitetit
duke reduktuar kostot operative. Prve ksaj t prodhimit te wafers duke prdorur teknologjine
e diamantit kan nj dendsi t ult t mikro frakturave ndaj wafers e prodhuara duke prdorur
gerryerjen si substanc grryese (fig4.4).

Fig 4.3 Paraqitja skematike e procesit t prerjes duke prdorur tela diamanti dhe tela
slurry(gerryerje). N rastin e nj teli diamanti, prdorimi i nj siprfaqe t caktuar grryese
kufizon formimin e zonave te thyerjes.

32

Fig 4.4 N pjesn e majt t figurs, prfaqsohet nj tel diamanti. Grafiket tregojn anesoret si
wafers duke prdorur nj tel diamanti (grafiku mbetur), ata kan nj dendsi shum t ult t
lezioneve mikro se ato te prer duke prdorur nj fije (thread ) q prdor slurry (grafik t drejt).

4.2.3 Tela t strukturuar

Si nj alternativ pr tela diamante te kompanis se Materialeve t Aplikuara sht promovuar

nj lloj i ri i telave i quajtur tela t strukturuar. N qasjen tradicionale, roli kryesor i telit t
prdorur n procesin e prerjes sht q t sjell nj substanc grryese (Slurry) drejt bllokut te
silikonit t prer, duke shfrytzuar veprimin e grimcave t silicit karabit. Nprmjet prdorimit t
nj teli te strukturuar sht e mundur pr t rritur efikasitetin e transportit te substancave t tilla
grryese. Tipari m i rndsishm i ktij lloji t telit prfaqsohet nga paraqitja e shufrave. Ata
jan t organizuar ose n nj aeroplan lehtsues vertikal dhe horizontal, transporti me m shum
tela me material grryes, krahasuar me nj tel standard dhe duke lejuar kshtu nj prerje me
shpejtsi madhe. Pr shum vite, kjo teknologji sht prdorur pr procesin e prodhimin e
blloqeve katrore te silicit (squaring); tani ajo sht zgjeruar edhe teknologjia e procesit te prerjes
se meshes (wafering). Teknologjia sht shprndar nga kompania Arecelor Mittal Wire
Solutions, nj furnizues i telave t prdorura n procesin e prerjes, me baz n Luksemburg, n
prgjigje t nj krkese t HCT formimi i sistemeve SA. Si u prmend m par, ajo ishte bler
n vitin 2007 nga Materialet e Aplikuara dhe u quajt Materiale t Aplikuara Zvicra SA.

Fig 4.5 a) Krahasimi i nj teli t strukturuar me nj fije tradicionale. N saj t saj struktura
'Wave'(dallge), nj tel i strukturuar mund t bartin gerryerje te thell n silic.

33

Fig 4.5 b) Vizioni i nj teli t strukturuar nn nj mikroskop optik.

4.3 Korrigjimi i defekteve t prerjes

Pavarsisht nga metoda e prdorur pr prodhimin e blloqeve katrore te silicit duke filluar nga
shufrat, procesi i shkakton dme siprfaqes n materialin q ndikon n performancen, ne hapat
pasuese, t tilla si prodhimin e pllakave. Pr kt arsye, blloqet e prodhimit te silicit nga procesi i
kuadratizimit duhet t'i nnshtrohet trajtimit te grryerjes se siprfaqes. Bluarja dhe lustrimi jan
teknikat qe jane prdorur pr t korrigjuar kt dm te siprfaqes. Ato gjithashtu lejojn pr t
rritur forcn mekanike t nj mesh, pr kt arsye ata jan prdorur edhe n operacionet e
mvonshme pr prerjen ne feta (Wafering). Duke marr parasysh prodhimin e blloqeve te
silikonit nga procesi squaring, prerjet kndore te blloqeve t tilla jan zbutur n nj proces t
quajtur Chamfering (reduktimit te pjeseve te teperta), kryesisht pr transportimin e leht te tyre.
N kapitullin e ardhshm t ksaj teze do te trajtojme shtjen e heqjes s demit te siprfaqes me
gravur kimike.

34

4.4 Riciklimi i silikonit

Pothuajse 50% e silikonit te prdorur n t gjith procesin sht humbur n funksionimin e
prerjes (prqindja bazohet n mesh q ka nj trashsi prej 200m, duke perdorur nje trashesi
prej 140m tela t trash), dhe humbjet-rritjet me rnien trashsi me t cilat fetat jan prer.
Prandaj riciklimi i silikonit sht prioritet ky pr uljen e kostove t prodhimit. Deri m tani ka
qen e pamundur pr t marr kt, e pr proceset e punuar si slurry(gerryerja), si nj material
grryes prerje, q nga pluhuri I silicit te karabit (SIC) sht plotsisht i przier me mbeturina
silikoni q dalin nga prpunimet. N mbeturinat e prodhuara nga operacioni I prerjes shpesh
ndodh oksidimi dhe tjetra, prbrjet kimike te silikonit, t tilla si prania e papastrtive shumta
metalike q dalin nga telat. Uji duket qe t jet zgjidhja m e mir sa i prket per prpjekjen e
riciklimit te silicit. Megjithat, n kt koh nuk ka zgjidhje reale pr t zgjidhur problemin. Disa
grupe krkimore, t tilla si Universiteti i Tokios, kan arritur rezultate positive t paktn pr sa i
prket krkimeve n laborator. Procesi i riciklimit fillon me nj proces pastrimi nga prdorimi i
ujit pr t ndar aditivt e prdorura gjat fazes se prerjes, e pasuar nga nj trajtim me trets
alkooli me baz pr t reduktuar m shum prmbajtje organike. seanca t shumfishta te
pastrimit jan kryer n nj mnyr t sakt. Przierja e rezultuar sht thar n temperatur t
ult, por e mjaftueshme t zhduke t gjitha gjurmt e ujit. Deri n kt pike ndotja organike eshte
ulur n m pak se 10%. N nj trajtim t mvonshm te ngrohjes, me temperature qe nuk i
kalojne 850C, t inkluzioneve n lidhje me komponentet e karbonit jan hequr. N varsi n
shkalln e oksidimit t silikonit n siprfaqe, ajo vazhdon pr nj trajtim t bazuar n acid
hidrofluorik (HF), ose n fazn e lngshme ose n fazn e gazit. Pas ktyre fazave silici ende ka
papastrti metalike t tilla si hekuri dhe nikeli, me origjin nga humbja e pjess s materialit te
telit. Ata do t ndahen n procesin e drejtuar nga ngurtsimi qe jane prdorur n formimin e
shufrave polikristaline.

KAPITULLI 5
HEQJA E DO SIPRFAQE DHE CILSIA (TEXTURING)
Pr shkak t procesit t prerjes, n siprfaqen e meshs jan frakturat vogla me nj thellsi prej
rreth 10m. Dmet e siprfaqes duhet t hiqen nga siprfaqja sepse ato shkaktojn uljen e forcs
mekanike t meshs dhe rritjen e rikombinimit elektronik n rajonin e siprfaqes. Kto dme te
siprfaqes mund t hiqen me an t gravurs kimike.

35

5.1 Gravura
Ne prodhimin e pllakave, termi gravur i referohet procesit t heqjes s materialit nga mesh. Ka
dy lloje kryesore t gravures: gravur e that dhe gravur e lagsht.

5.1.1 Gravura e that

Gravur e that ('gravur e that') sht nj proces q nuk prdor kimikate ose reagjente te
lngshm pr t hequr materialin, duke gjeneruar vetm paqndrueshmerine e produkteve gjat
procesit. Ajo mund t shoqrohet me reaksionet kimike q konsumojn material, me an t
gazrave reaktive ose t plazms, ose nga largimet fizike t materialit, nga transferimi i momentit.
Plazma e gravurs (plazma gravur) sht nj shembull i nj lloji t tekniks se gravures se that.
N te kjo teknik sht fillimisht e vazhduar me gjenerimin e specieve reaktive t oksigjenit n
nj plazma, e cila do t shprndahet mbi siprfaqe pr t sulmuar. Nj plazma sht nj gaz
jonizues cili prmban pr t njjtn sasi t joneve pozitive dhe negative t joneve, te cilat mund
t'i nnshtrohen ndikimit te nj fush magnetike ose nje fushe elektrike. Plazma e prdorur n
gravurn e that sht zakonisht shum pak jonizuese. N nj gravur plazma ato jan t krijuara
n plazmn e specieve kimike neutrale, e cila u prhap deri n substrate, duke reaguar me
siprfaqen dhe gjenerimin e produkteve t paqndrueshme. Roli plazmes prandaj, sht, q tu
siguroj specieve reaktive t gazta.

5.1.2 Gravura e lagsht

Gravur lagsht ( 'gravur lagsht') sht nj proces q prdor lnd kimike ose reagents
lngshme pr t hequr materiale nga mesh, n prgjithsi duke prdorur t veant skemat e
prcaktuara me maska t vendosura n mesh. Materialet q nuk mbulohen nga kto maska jan
hequr nga kimikatet, ndrsa ato t mbuluara kan mbetur pothuajse e paprekur.
Kto maska jan prodhuar nprmjet nj procesi litografike. N prgjithsi, procesi konsiston n
shprbrjen e materialit q do t hiqen n nj trets t lngshme, pa ndryshuar natyrn kimike t
materialit t tretur. Jan zakonisht prodhuar nj ose m shum reaksione kimike q konsumojn
reagents origjinale prodhuar lloje t reja. Procesi fillon substanca prhapur q prodhojn sulmi n
drejtim t siprfaqes pr t hequr. M pas, nj reagim ndodh n mes t kto substanca dhe
materiale t hiqet me lirimin e nnprodukteve reaksioni nga siprfaqja. Gravur lagsht sht
prgjithsisht isotropic, dmth t ardhurat t gjitha drejtimet me t njjtn shpejtsi.

36

5.2 Procedura pr heqjen e siprfaqes s dmtuar

N procedurn e heqjes s dmtimit siprfaqsor jan prdorur dy lloje t zgjidhjeve kimike:

SULMET KIMIKE: prdoret nj przierje e acidit nitrik (HNO3), acidit fluorid (HF) dhe
acidit acetik (CH3COOH)
SULMET ALKALINE: prdoret nj przierje e hidroksidit t kaliumit (KOH) ose
Hidroksidit t sodium (NaOH) me uj.

Reaksioni q lejon sulmin kimik mund t formulohet n kt mnyr:

Si + 2H2 O + HO- --- > HSiO3 + H2
Kjo ndodh n tre hapa:
1- Oksidimi i silikonit;
2- Formimi i krips s tretshme;
3- Shprbrja e krips n uj
Siprfaqja e gravurs mund t jet izotropike ose anizotropike n varsi t kushteve. Nj gravur
izotropike on n heqjen uniforme t siprfaqes, ndrsa nj gravur anizotropike prfshin nj
sulm t parregullt t ndryshmeve t orientimeve kristalografike. N rastin e nj mesh n
silikonin monokristalin, kjo anisotropi on n formimin e katrorve bazuar piramidave t vogla
t shprndara n mnyr rastsore n siprfaqen e meshs me orientimin e siprfaqes <100>;
(orientimi kristalografik prcaktohet sipas treguesit Miller). Pr t prmirsuar uniformitetin
lateral dhe anisotropin e proesit t gravurs sht shtuar n zgjidhje kimike alkool izopropili.

5.3 Influenca (ndikimi) n efikasitet

Efikasiteti i nj qeliz diellore varet fuqimisht n thellsin e siprfaqes s arritur n fazn e
gravurs. Nse nuk kemi arritur nj thellsi t prshtatshme, defektet e kristaleve, duke rezultuar
n uljen e tensionit, eliminohen n qark t hapur dhe qark t shkurtr. N qoft se n t kundrtn
thellsia e arritur sht shum e lart, vrazhdsia e siprfaqes rrit rikombinimin e siprfaqes.
Performanca m e mir pr nj qeliz diellore sht gjetur n thellsit midis 4 m dhe 5 m.

37

5.4 Cilsia (Texturing)

Procesi i prshkruar, i cili on n formimin e nj siprfaqe t prafrt, i prbr nga piramidat e
vendosura rastsisht mbi t, ajo sht quajtur texturing (cilsia). Nprmjet operacionit t
texturing (cilsis) sht zvogluar n mas t madhe reflektimi i qelizs diellore, nga 35% deri
12%. Sa m i madh t jet rrezatimi diellor q deprton n qeliz q t pasqyrohet, dhe
probabiliteti i lart sesi nj foton n siprfaqen e qelizs mund t marri pjes n procesin e
fotonit t gjenerats. Nj tjetr lloj i texturing (cilsis), siprfaqja e prdorur sht 'texturing e
nj piramid t kundrt.' Duke prdorur kt teknik, piramidat tipike q jan formuar gjat
sulmit kan siprfaqen e treguar drejt n pjesn e brendshme t qelizs. N fig.5.1 ju mund t
vreni dallimin n mes ktyre dy llojeve t texturing (cilsis).

Fig 5.1 a) Texturing me nj katror t bazuar n piramida;

38

Fig 5.1 b) Texturing pr piramidat e prmbysura

Wafers e silikonit polikristalin nuk mund t prdorim metodat e prshkruara m par, ajo sht
dhn q morfologjia karakteristike e siprfaqes mund t arrihet vetm kur siprfaqja jep
orientim t kristalt t tipit <111>. Pr waferet e silicit polikristalin vetm nj pjes e vogl e
ka siprfaqen q krkojn orientimin dhe si pasoj me teknikat e msiprme nuk mund t bhet.
N prgjithsi wafers e silicit polikristaline trajtohen me an t teknikave t fotolitografie ose t
gravurs s siprfaqes me an t prerjeve t veanta mekanike ose formsimin me lazer t
siprfaqes n nj form t prshtatshme. N fig 5.2 sht treguar nj siprfaqe, ku n t cilin nj
proces fotolitografik i texturing (cilsis) sht prdorur.

Fig 5.2 Texturing duke prdorur procesin e fotolitografik. Procesi prfshin nj morfologji pr
kubet.

5.5 Drita e incidentit

N nj qeliz diellore, t gjith dritn e incidentit, vetm pjesa refraktuar mund t absorbohet nga
materiali pr prodhimin e nj pal elektrone-vrim. Pr t ulur pasqyrimin e drits pam proesin
e texturing duke e kryer n siprfaqen e qelizs. Prve shmangies pr reflektimin e drits, duhet
t mbajm mend se n qoft se rrezatimi i incidentit nuk sht zhytur n nj gjatsi prej
difuzionit t kryqzimit, transportuesit foto-gjeneruese jan t humbur pr tu rikombinuar. Nj
qeliz e mire diellore duhet t ket nj sistem 'drit t bllokuar' (kostume solemne t lehta trapping) me an t t cilit sht e mundur pr t marr nj gjatsi optike n rrugn e drits,
shum m t mdha se sa trashsia e pajisjes. Gjatsia n rrugn optike i sht referuar distancs
q nj foton absorbohet, mund t mbaj n brendsi t pajisjes para daljes nga pajisja e vet. Nje
qelize diellore pa nj sistem drite ka nj rrug optike q krahasohet me trashsin e pajisjes, gjat
39

prdorimit t sistemit t paraqitur n gjatsin e rrugs optike sht barabarte me 50 her t

trashsis s pajisjes. N rastin e fundit do t thot se drita, para se t shkoj jasht, krcen
mbrapa dhe me radh disa her brenda qelizs. Drita e zn arrihet duke ndryshuar kndin n t
ciln nj rreze drit udhton brenda qelizs, duke e br rreze t incidentit n nj siprfaqe
anglede. Pr kt arsye, proesi texturing mundson jo vetm pr t reduktuar reflektimin e
rrezatimeve aksidentale t qelizave, por edhe pr animin e rrezeve t cilat deprtojn n pajisje
n mnyr t till si pr t rritur gjatsin optike dhe rrugn e vet rrezeve.
Kjo prfshin nj probabilitet m t madh t gjeneruar nga nj pal elektron-vrim t cilt jan n
gjendje t marrin pjes n proesin fotovoltaik. Kndi n t ciln drita e incidentit sht
refraktuar n gjysmprues varet nga ligji i Snell:
n1 sen1 = n2 sen2 Ligji i Snell

Fig 5.3 a) Thyerja e drits sipas ligjit t Snell;

40

Fig 5.3 b) Thyerja dhe reflektimi i drits n nj siprfaqe n t ciln ka ndodhur proesi
texturing.
1 dhe 2 tregojn kndet q format e lehta t rrezeve normale n siprfaqen e ndarjes s dy
mediave q kan tregues t ndryshm t thyerjes. N rastin ton n1 tregon indeks refraktiv nga
ajri, nga e cila vjen rreze, ndrsa n2 referohet si indeksi i thyerjes s silikonit.
N Fig 5.3 a) sht paraqitur n mnyr skematike fenomeni i thyerjes s drits n kufirin mes dy
mediave me indeks thyes t ndryshme. Rishkrimi i ligjit t Snell, ne mund t llogarisim kndin
me t cilat drita sht e refraktuar n gjysmprues:
2=sen1 (

n2
sen1 )
n1

N Fig 5.3 b) sht treguar fenomeni i thyerjes dhe pasqyrimi i nj rreze i incidentit t drits n
nj siprfaqe n t ciln proesi texturing ka ndodhur. Nse drita kalon nga nj medium i dendur
pr m pak t dendura (ose n qoft se n1 > n2), Ligji i Snell bhet i pakuptimt pr vlerat 1 mbi
nj vler e cila quhet kndi kritik (crit):
crit =arcsen(

n2
)
n1

Kur kndi i incidencs 1 > crit nuk duket asnj drit e rrezeve refraktar, aksidenti i nnshtrohet
pasqyrimit t prgjithshm t brendshm, sepse operon ndrfaqen. Duke prdorur dukurin e
reflektimit t prgjithshm t brendshm, lehtsisht mund t jen t bllokuar brenda qelizs, duke
qen n gjendje pr t mbajtur nj nivel t lart t gjatsis t rrugs optike.

41

Fig 5.4 a) Reflektimi i brendshm i drits n nj qeliz diellore ku siprfaqja e par dhe ajo e
pasme t cilat q i jan nnshtruar nj procesi texturing.

42

Fig 5.4 b) Rasti ku siprfaqet nuk jan trajtuar n mnyr

q t rris rrugn optike t drits brenda qelizs.

Me qllim pr t shfrytzuar fenomenin e reflektimit total t

brendshm sht e nevojshme q pjesa e pasme e nj qeliz
diellore sht pasqyruese, n mnyr q t kthehen drita n brendsi t pajisjes. Nse gjithashtu
kryhet edhe texturing pr pjesn e pasme t qelizs, sht rritur gjatsia e rrugs optik t drits, i
cili, para daljes s qelizs, kryen krcime t shumta. N fig 5.4 b) sht paraqitur n form
skematike, rasti i nj qeliz diellore nse nuk ka nj siprfaqe texturing, me pjesn e pasme t
qelizs jo-reflektuese. N n kt mnyr drita kalon npr qeliza t bra nj rrug t vogl
optike t rndsishme. N fig 5.4 a) n vend t ksaj sht e prfaqsuar nj qeliz n t ciln t
dy parat dhe e pasmja jan trajtuar me nj procedur texturing, me reflektimin n fund t
qelizs. Me kt struktur, ne mund t prfitojn nga fenomeni i prgjithshm i brendshm i
reflektimit, q zn dritn brenda qelizs fotovoltaike.

5.6 Pastrimi
Pasi procesi i texturing t wafers jan pastruar dhe trajtohen me agjent t veant n nj proces
t pastrimit kimik. N kt faz, wafers duhet t lahen n uj t dejonizuar, pastrohen me acid
klorhidrik (HCl), shplahet prsri n uj t dejonizuar, pastrohen me acid hidrofluorik (HF),
shplahen prsri n uj t dejonizuar dhe n fund thahen me ajr t nxeht. Veprimi i acidit
klorhidrik largon papastrtit metalike nga siprfaqja e meshs. Acidi hidrofluorik largon
dioksidin e silicit dhe lejon formimin e nj siprfaqe t ujit. Procesi i largimit t demit t
siprfaqes, texturing dhe pastrimi jan kryer sipas nj standardi t automatizuar. Wafers jan t
rregulluar n kontejner q lejojn kimikatet pr t sulmuar gjith siprfaqen. Ata jan t
zhvendosur nga kto en automatikisht nga nj tank n nj tjetr, t cilat jan t mbushura me
43

kimikate dhe uj pr procesin e gravurs, pastrimit, shplarjes dhe tharjes. Pr t kontrolluar

procesin, kontejnert jan t peshuar para dhe pas sulmit kimik duke prcaktuar thellsin e
sulmit t deprtimit nga nj pesh dallimi.

KAPITULLI 6
DOPING
Doping nga nj qeliz diellore sht proces me t cilin papastrtit (atomet) jan futur n silikon.
Papastrtit mund t jen ose atomet pranuese (t tilla si bor), t dyja atome donatore (si sht
fosfor). Rezultati prfundimtar sht disponueshmria e transportuesit falas. Pr realizimin e
qelizave apo qarqeve t integruara diellore, teknologjia m e prhapur prdor si material fillestar
silikonin t tipit p ose tipit n. Silici i shkrir sht pasuruar me dopants, t tilla si bor trivalent
(silic i tipit p), para shtimit t cilindrit dhe formimin e shufrs. N prgjithsi substrate sht
stimuluar me tipin p, kshtu pr t formuar kryqzimin P-N e nj qeliz fotovoltaike, sht e
nevojshme pr t futur papastrtit pentavalente (donatorve t atomeve) sipas specifikimeve
teknike.
Teknikat m t prdorura gjersisht pr doping e silicit jan:

Implantimi i joneve
Difuzioni

44

6.1 Difuzioni (Prhapja)

Prhapja sht sigurisht teknika m e prdorur gjersisht pr doping e silicit n industrin e PV.
Proesi sht kryesisht i varur nga temperatura dhe sht aktivizuar termikisht. Me rritjen e
temperaturs (q sht, me rritjen e vibracioneve termike) atomet brenda materialit lvizin me
lvizje thjesht rastsore.
Varsia e difuzionit t temperaturs sht shprehur nga ekuacioni Arrhenius:
D=D0e

Q
RT

Ku:

D koeficienti i difuzionit ekspres n cm2/s

D0 konstante
Q energjia e aktivizimit
R konstante universal e gazit
T temperature e shprehur n Kelvin

Doping nga difuzioni zakonisht ndodh n nj gaz t rrjedhshm n furrat analoge me ato q
prdoren n procesin e oksidimit termik. Pr shkak t varsis n mnyr eksponenciale n
temperaturn e koeficientit t difuzionit, sht e nevojshme pr t kontrolluar temperatura t
sakta n vetvete; disa shkall t gabimit mund t ojn n ndryshime t ndjeshme n vlern e D,
dhe pastaj t profilit doping q ka pr qllim t arrij. Papastrtit e futura t jen active dhe t
veprojn si nj donator apo atomet si pranuesi duhet t jen n pozitn e grils kristalore, e thn
si qndrimi zvendsues.

45

Fig 6.1 N figur tregohen pozicionet aktive (pozicionet zvendsues) dhe ato joaktive
(pozicione intersticiale)
Atomet e future, n vend q t zn nj pozicion t ndryshm nuk jan aktive, si atomet n
pozicionin intersticiale, si tregohet n fig 6.1. Pas fazs s par t depozitimit dhe difuzionit
krkohet nj faz e dyt n nj temperatur t lart, por t lejoj t gjitha papastrtit e futura n
gjysmprues pr t zn poste zvendsuese, duke u br aktive.
Procesi i difuzionit sht kryer n dy operacione t njpasnjshme:
1- Pre Depozitimi
2- Difuzioni (Drive in)

6.1.1 Pre Depozitimi

N kt faz sasia e dshiruar t atomeve dopant sht futur n nj film trash disa mijra
angstrom (10-10 m). Pr t futur sasi t caktuar t atomeve, t wafers ata jan t vendosur brenda
nj reaktori prej kuarci, prmes t cilit rrjedh dhe gazi mbarts (zakonisht azot, me shtimin e nj
46

prqindje t vogl t oksigjenit) i pasuruar nga avujt q prmbajn elementin doping q duam t
fusim n silikon. Temperaturat tipike para depozitimit jan 900-1000C, por gjithashtu mund t
rritet n 1200-1250C pr pre-depozitimi 't rnda', si pr difuzionin e izolimit ose pr formimin
e shtresave t varrosura. Her mund t ndryshojn nga disa minuta deri n disa dhjetra minuta.
Pranuesi kryesor pr silicin sht bori (tipi i dopingut p), ndrsa sa i prket donatorve kryesore,
jan fosfor (P), arsenic (As) dhe antimon (Sb) t tipit t dopingut p (n-type doping). Burimet
Dopant jan t prbr nga komponimet kimike n t ngurta, t lngshme apo t gazt donator si
element apo pranuesi. Disa shembuj t burimeve t gjendjeve t gazt jan diborane (B2H6) pr
pranuesin dhe phosphine (PH3), arsine (AsH3) dhe stibine (SbH3) pr dhuruesit. N fazn e
predeposition kto komponime t gazta jan futur n furrn, aty ku reagimet kimike jan
shkaktuar nga temperaturat e larta dhe shkaktojn formimin e oksideve t cilat, nga ana e tyre,
reagojn me silicin pa elementin e dopingut. fardo burim dopingu i prdorur, duhet t
zgjedhim parametrat e procesit, t tilla si temperatura dhe prbrja e atmosfers s gazit n
reaktor, n mnyr q t marrim konstanten e prqendrimit t dopant n siprfaqen e silikonit,
pr nj kohzgjatje pre-depozitimit. N kt mnyr, procesi sht i ngjashm me prhapjen nga
nj burim n nj koncentrim t vazhdueshm t nj zgjerimi shum t madh sesa kristali i
stimuluar (burim i pafund). Pr kt arsye, pre-depozitimit sht thn gjithashtu hapja e nj
burimi pafund.

6.1.2 Difuzioni (Drive in)

Pas hapit t meshs s silicit pre-depozitimit jan vn prsri n furr n mnyr q dopants, e
futur n fazn e mparshme, t prhapen n brendsi t gjysmpruesve. Temperaturat me t
cilat sht kryer procesi jan duke filluar nga 1000-1200C, me kohn q variojn nga disa
dhjetra minuta, deri n disa or. Ky operacion, i quajtur Drive-in, sht br zakonisht n nj
atmosfer oksidimi t that ose avulli, n mnyr q t formohet n gjysmprues siprfaqe e
nj shtres e oksidimit, shpesh disa mijra angstrom, i cili nuk lejon arratisjen drejt pjess e
jashtme t Dopant dhe siguron maskimin e oksidit pr fazat e mvonshme t fotoengraving.

47

Fig 6.2 Skema paraqet nj sistem tipik n prdorimin e dopingut pr difuzionin

6.1.3 Koncentrimi i prqendrimit t atomeve Dopant

Ne mund t shprehim rrjedhn e atomeve dopant n nj rajon nprmjet raportit t rendit t par:
F=D

C
x

(Ek 6.1)

D sht difuzitiviteti dhe shpreh lehtsin me t ciln atomet doping lvizin n gril.
C tregon prqndrimin e atomeve doping
X shpreh thellsin e arritur n siprfaqe, duke e konsideruar n nj-dimensionale t
difuzionit

Konsiderojm tani marrdhnien e mposhtme:

C ( x) F
=
t
x
C
2 C
=D 2
t
x

; kombinojm ekuacionin 6.1 me nj t vetm, ku gjendet:

(Ek 6.2)

Ekuacioni 6.2 sht gjithashtu e thn se ligji i dyt Fick; t sht koha. Pr thjeshtsi, supozojm
se koeficienti difuzionit D sht i pavarur nga x dhe nga prqndrimi C.

48

Zgjidhjet e ekuacionit 6.2 jan marr n raste t veanta, duke marr parasysh t ashtuquajturat
kushtet kufitare:

C(x,t0) = 0
C(0,t) = CS
C(, t) = 0

Cs sht tretshmria, dhe tregon se koncentrimi maksimal q Dopant mund t ket n siprfaqen
e silikonit.
Me kto kushte t gjitha zgjidhjet e ek. 6.2 mund t shkruhen n kt form:

x
2 Cs
C ( x ,t )=Cs erfc
=
dv

2 Dt
x/ 2 Dt

v 2

Ek. 6.3

2
erfc ( ) =1erf ( )=1 ev dv
0
2

erf (*) prcaktohet si funksion gabim. Termi 2

Dt tregon gjatsin e prhapur L, i cili

prshkruan thellsin e lvizjes t Dopantit.

Ekuacioni 6.2 tregon se, n baz t kushteve t prshtatshme kufitare, atomet doping kan nj
shprndarje q prafron funksionin plotsues t gabimit (t prcaktuar si 1 - erf (*)).
Integrimi C(x, t) n lidhje me x ne marrim densitetin total N t atomeve doping t prezantuar nga
difuzioni:
C ( x ,t ) dx= 2

Dt
C
S

N ' =
0

49

Fig 6.3 Trendi i prqendrimit t atomeve doping n funksion t thellsis x nga siprfaqja. Kjo
mund t shihet sesi prqendrimi sht shprndar pas fazs s drive-in, t cilat deprtojn n nj
thellsi m t madhe.

50

Fig 6.4 N figur shihet se rritja e kohs s difuzionit t lists dhe prqendrimi i atomeve t
paraqitura sht e sheshuar, prafrimi i nj metode Gaussian.

Fig 6.5 Figura tregon trendin e prqendrimit gjat hapit t pre-depozitimit dhe pas fazs s
Drive-In. Dhe modeli aktual i prshkruar te prqendrimi i atomeve doping (kurba e thyer e
gjelbrt).
51

Shuma e C treguar n fig 6.5 sht gabimi q n mnyr t pashmangshme penalizon n fazn e
projektimit dhe n vlersimin e prqendrimit e futjes s Dopant. Si rezultat i ksaj, modeli aktual
i prqendrimit C pas hapit t drive-in sht shprehur nga kurba n fig 6.5 me ngjyr t gjelbr,
me nj lvizje m t madhe Dopant n silikonin se sa pritej n fazn e projektimit. Zgjidhjet pr
kt problem mund t gjenden n baz t prvojs s mparshme dhe duke u prpjekur pr t
vlersuar t ojm prpara gabimin x.

6.2 Implantimi jonik

Implantimi jonik sht nj proces n t cilin jonet jan futur n nj gjysmprues, duke
ndryshuar vetit fizike. Kjo teknik sht m e prdorura n procesin e gjysmpruesve doping,
n prodhimin e qarqeve t integruara. Atomet doping jan jonizues t futur t par dhe pastaj t
prshpejtuara nga nj fush elektrike duke bler energji t lart (zakonisht n mes t 25 dhe 200
KeV). Nj rreze e prbr prej ktyre joneve t larta t energjis n siprfaqen e
gjysmpruesve, jan deprtuar n zonat e ekspozuara t meshs. Materiali me t cilin sht
formuar maska mbrojtse mund t jet nj oksidim ose nj tjetr shtres e prdorur n njjtn
struktur n qarkun e integruar. N mnyr tipike jonet deprtojn n nj thellsi prej m pak se
1 m nn siprfaqe, duke shkaktuar dme t konsiderueshme me strukturn kristaline gjat hapit
t implantimit. Pr t mundsuar rrjetin e strukturn e saj kristalore, sht e nevojshme pr t
sjell materiale t temperaturave t larta, ngrohjen e meshs. Ky proces quhet pjekja. Kalitja n
form prbhet nga nj pjekje me kohzgjatje t shkurtr (me lazer ose furr) t materialeve
gjysmprues. Si u tha, gjat implementimit t nnshtrohet kristali, dmi i shkaktuar nga
transferimi i energjis nga joni n gril, rritja e mundsis pr t pasur jonet Dopant t vendosura
n pozicion intersticiale dhe pr kt arsye nuk sht aktive. Pjekja n kt mnyr duket si
trajtim termik synon riparimin e demit t grils dhe aktivizimi i joneve dopant, t cilat do t zn
zonat aktive t gril (pozitn zvendsuese). Nse e dshirojm, pas s cils jonet ishin futur, ato
mund t rishprndahen prmes nj pasuesi t difuzionit.

52

Fig 6.6 Paraqitja skematike e sistemit t prdorur n nj proces t implementimit jonik.

Teknika e implantimit t joneve lejon kontrollin e sakt mbi dendsin e dopants (atomet/cm 2) q
t hyj n mesh. Q nga futja e atomeve jan transportuar si jone t ngarkuara elektrikisht, ato
mund t numrohen gjat implantimit nga nj aparat i ndjeshm ndaj shtyllave, i pozicionuar n
afrsi t rrugs s rrezes s incidentit. Rrezja mund t ndalet kur arrin nj numr i mjaftueshm i
joneve pr procesin e implantimit. Dozat e paraqitura zakonisht duke filluar n mes t 10 11 t m
shum se 1016 atomeve/cm2. Nj doping i lart mund t ofroj prqndrimin e atomeve dopant t
nevojshme pr t krijuar nj kontakt t ult rezistence ohmike n silikon. Vlerat tipike t rrymave
t joneve jan t rendit t 1mA, kjo korrespondon me nj rrjedh prej 6.25 * 10 15 t joneve pr
sekond. Prve nj shum t kontrollit dozs s sakt totale t futur, procesi i lejon futjen e
specieve doping. Kjo pastrti sht arritur duke prdorur nj spektromats masiv afr me burimin
e atomeve t futura, n mnyr q t klasifikoj specie jonike dhe t lejojn vetm speciet e
dshiruara pr t arritur n siprfaqen e meshs.

53

Fig 6.7 Shprndarja e prqendrimit (logaritmit t prqendrimit) e papastrtive n hapat e

implantimit t jonit dhe rikristalizimi. N abshis, X prfaqson thellsin nga siprfaqja.
N fig 6.7 kjo tregon shprndarjen e prqendrimit t papastrtive t futura me an t implantimit.
N fazat e mvonshme t rikristalizimit, n t ciln kristali rimkmbet, cilsit retikulare q ai
zotronte para bombardimeve t joneve, kthesa shkatrrohej gjithnj e m shum me rritjen e
kohs, n baz t nj shprndarje Gaussiane. Procesi pjekjes pastaj shkakton nj pjes t madhe
t rishprndarjes s prqendrimit Dopant.

6.2.1 Kanalizimi

Kanalizimi sht nj fenomen q ndodh gjat procesit t ngulitjeve t joneve n substrate

monokristalin. Kjo ndodh kur jonet e incidentit hyjn n gril me drejtime q lejojn ata pr tu
kanalizuar prgjat rrugve q nuk ndrveprojn me griln kristalore. N kt mnyr jonet jan
n gjendje t deprtojn shum m tepr n thellsin se n modelin e dshiruar. N shumicn e
rasteve kjo sht nj dukuri e padshiruar, dhe sht n marrdhnie t ngusht me kendin e
incidencs t rrezes t forms jonike me siprfaqen e meshs. Nj mnyr pr t zbutur efektet e
kanalizimit sht pr animin e meshs deri n rrezen jonike dhe bushtit t kristalt, forma
kryesore sht nj knd prej rreth 7 gjat procedures s implantimit. Prndryshe, ne mund t
korrigjojm problemin duke u prpjekur t parashikojm trendin e shprndarjeve t joneve dhe
kryerjen e implantimit n nj substrate silici t mbuluar nga nj shtres e oksidimit, n t ciln do
jen jonet e implantuar q do t formojn shprndarjen e padshiruar.

54

KAPITULLI 7
MBULIMI VERBUES ANTI-SHKLQIM
Pas krijimit t kryqzimit p-n prmes procesit t difuzionit termik, sht e nevojshme pr t
hequr oksidet siprfaqsore t formuara gjat operacionit t mparshm, nga sulmi acideve.
Oksidet fshihen n siprfaqe, faza e ardhshme e prodhimit e qelizave fotovoltaike sht e
fokusuar n krijimin e veshjeve t veanta, t cilat kan mnyr pr t kufizuar m tej reflektimin
e drits nga qeliza: sht fjala pr veshje anti-reflektive (ARC n anglisht, Coatings AntiReflection).
Veshjet anti-reflektive zbatohen pr qelizat diellore q jan t ngjashme me ato q prdoren n
fushn e optiks, si lentet n nj aparat fotografik. Parimi i tyre i operacionit sht i bazuar n
efektin e ndrhyrjes. Ato prbhen nga nj shtres e holl e materialeve dielektrike, me nj
trashsi t zgjedhur n mnyr q efektet e ndrhyrjes n veshje t bj valn t pasqyrohet nga
siprfaqja e siprme e shtress s anti-reflektimit jasht fazs n krahasim me valn q
reflektohet n ndrfaqen e ndarjes n midis shtress dhe gjysmpruesve.

55

Fig 7.1 Prfaqsimi i fenomeneve konstruktive dhe destruktive n ndrhyrjen e lidhjes n

trashsin e shtress s anti-reflektimit.
N fig7.1 sht paraqitur efekti i nj shtrese anti-llamburit. Respektivisht n0, n1, n2 tregojn
indekset e thyerjes s ajrit, shtresn anti-reflektive dhe gjysmpruesit. Drita reflektohet nga
ndrfaqja e dyt (ARC/silikon, n1/n2) kthen n drejtimin e ndrfaqes s par (aria/ARC, n0/n1)
180 nga faza e tij n lidhje me dritn q reflektohet nga ndrfaqja e par, e anulon at. Kur kjo
ndodh flitet pr ndrhyrje destruktive n mes t dy valve, me rezultat q sht transferuar
brenda qelizs. Efekti sht fort i varur nga trashsia e shtress s prdorur. N pjesn e djatht t
figurs 7.1 vihet re sesi prdorimi i nj shtres t trash ka shkaktuar reflektimin e drits t
incidentit, pr shkak t ndrhyrjes konstruktive n mes t valve t reflektuara.

56

Trashsia e nj ARC sht zgjedhur n mnyr q gjatsia e vals n material dielektrik sht nj
e katrta e gjatsis s vals s rrezatimit t incidentit. Ndrsa nj shtres anti-llamburite ka
indeks thyerje n1, dhe nj gjatsi vale 0 n vakum t drits s incidentit, d1 sht trashsia q
shkakton pasqyrimin ajo sht e vendosur n mnyr t till:
d 1=

0
4 n1

Reflektimi i drits q godet siprfaqen e qelizs mund t jet me ARC q reduktohet n qoft se
indeksi thyerjes sht mesatarja gjeometrike midis indekseve t thyerjes n0 dhe n2 (ather
mesatarja gjeometrike mes indeksit thyes t ajrit, n rastin ton, dhe t silikonit).
Kjo gjendje sht shprehur si:
n 1= n0 n2
Duke prdorur ekuacionet e shkruara m sipr, reflektimi mund t reduktohet n zero, duke e
vendosur n trashsi fikse ARC, indeksi thyerjes s veshjes dhe gjatsia e vals e rrezatimit t
incidentit. Megjithat, pasi indeksi thyerjes sht i varur n gjatsin e vals, ajo sht e mundur
pr t marr reflektimin vetm pr nj gjatsi vale t vetme. Q nj qeliz diellore, rrezatimi i
incidentit sht i prbr nga rrezatimi elektromagnetik, t cilat kan gjatesi vale n spektrin
duke filluar nga 100 deri n 800 nm, me nj trashsi dhe nj indeks thyerje pr aplikimet
fotovoltaike q zgjidhen nga materiali i anti-reflektimit, t tilla si pr t minimizuar reflektimin
pr nj gjatsi nj gjatsi vale 0.6 m. Kjo gjatsi vale sht zgjedhur pr shkak se ajo sht afr
t fuqis s spektrit diellor.

57

Fig 7.2 Siprfaqja e reflektimit (n prqindje) e nje qelize diellore silikoni, me ose pa nj shtres
anti-pasqyrimi, n funksion t gjatsis s vals (n m).
N fig 7.2 mund t shihet si rritet reflektimi i siprfaqes n nj qeliz n silikon q nuk prdorin
nj shtres anti-reflektive. Ajo sht gjithashtu prezantim i prirjes pr nj qeliz diellore q
prdor nj shtres anti-pasqyrimi optimale me nj indeks thyerje n=2.3. Kjo mund t vrehet n
rastin e fundit, si, n gjatsin e vals 0.6 m e cituar m par, reflektimi sht zero dhe gjith
rrezatimi sht zhytur nga qeliza.
Shtresa anti-pasqyruese sht br n prgjithsi nga nitridet e silicit (SiNx) nprmjet nj
teknik t quajtur sputtering. Sputtering sht nj operacion i prdorur pr t depozituar shtresat
e holla t materialit n nj siprfaqe. Faza e par e procesit t zhurmshm prbhet nga
bombardimet me nj rreze prej grimcave energjike (n prgjithsi e joneve) materialeve solide
objektive, e cila nxjerr nga atomet, joneve ose fragmenteve molekulare pr shkak t
bombardimeve t marra.
58

Futja e materialeve trajtohet n nj dhom t lart vakumi (q sht, e presionit t ult), grimcat e
emetuara nga objektivi jan depozituar n siprfaqen e formuar n nj shtres, pas nj koh t
mjaftueshme pr depozitimin. T ndryshme nga trashsit e shtress anti-reflektuese edhe ajo
ndryshon ngjyrn e veshjes,n t vrtet ajo ndryshon indeksin e thyerjes. Ka tavolina q ju
lejojn t prcaktojn trashsin e ktyre shtresave n lidhje me ngjyrn e tyre, pr filmat e
nitrideve t silikonit apo dioksidit t silikonit. Zakonisht filmat jan prodhuar sipas modeleve
standarde, n mnyr q do variacion n kushtet e procesit mund t jen zbuluar shpejt duke
krahasuar mostrat me standardin e miratuar. N prgjithsi ngjyra blu sht zgjedhur pr shtresn
anti-reflektuese, pr shkak t t mirave t vetive optike (thithjen m t lart t leht). Kjo i jep
ngjyrn tipike t nj qeliz fotovoltaike. sht gjithashtu e mundur q t prdorim m shum
shtresa ARC, reduktimin e mtejshm t reflektimit t nj spektri m t gjer. Megjithat, kjo
sht m e kushtueshme dhe nuk sht prdorur pr qelizat e prbashkta komerciale. DARC
(Double ARC) t vendosura n vendin e aplikimit n qelizat e larta t efikasitetit, pr shembull
pr aplikimet e hapsirs ose n prqndrim.

59

KAPITULLI 8
KONTAKTET METALIKE
Pr t prfituar energjin e absorbuar nga rrezatimi diellor, sht e nevojshme t mbledhim
akuzat elektrike n lvizje brenda pajisjes. N kt qllim sht e nevojshme pr t vendosur
kontaktet metalike n pjesn e prparme dhe t pasme t qelizs, se transportuesit e ngarkuar
mund t rrjedhin nga gjysmpruesit n nj qark t jashtm. Kontaktet metalike t nj qeliz
fotovoltaike jan t vendosura n pjesn e prparme dhe t pasme t qelizs dhe duhet t
projektohet n mnyr q t ofrohen rezistenca pak me silikon. Ata gjithashtu duhet t jen
selektiv, duke favorizuar kalimin e bartsve t ngarkuar t shumics dhe n vend t
kundrshtojn kalimin e pakics. Tre kontaktet n ann e pasme t qelizs, prkatsisht n ann e
qelizs nuk sht e ekspozuar n drit, sht nj operacion relativisht i thjesht. N fakt,
kontaktet mbrapa jan formuar nga nj siprfaqe t vazhdueshme e prbr nga nj shtres e
metalit t aluminit ose molibdenit. Trajnimi i kontakteve t para sht m tepr nj operacion m
kompleks. Nse kontaktet jan vendosur n skajet e qelizs, qeliza nuk punon n t mir t saj,
pr shkak t rezistencave elektrike t mdha t shtress s siprme t gjysmpruesve; n kt
situat vetm nj numr i vogl i elektroneve do t arrij kontaktet. Pr t marr nj rrym t
madhe kontaktet duhet t vendosen mbi gjith siprfaqen e qelizs. Kjo bhet duke krijuar nj
rrjet t shiritave metalik. Dobsit n dhnie sht se nj rrjet i gjer (i cili sht i errt) errson
pjesn aktive t qelizs, duke parandaluar shfrytzimin e burimit t drites t incidentit dhe duke
reduktuar dukshm efikasitetin e konvertimit. Pr t rritur rendimentin sht e nevojshme pr
kufizimin e hijeve t qelizs diellore. Ne duhet gjithashtu t minimizojm humbjet pr
rezistencn elektrike q ndodh n mes t kontakteve dhe materialeve gjysmpruese. Qasja e
zakonshme sht pr t hartuar nga rrjetet me shum pak gishtin e trash t prueshm, t
shprndar n t gjith siprfaqen e qelizs. Gishti duhet t jet i trashsis s mjaftueshme pr
t kryer n mnyr optimale rezistencn (duke pasur parasysh se rezistenca sht n prpjestim
me fushn e siprfaqes s prueshmris), por n t njjtn koh t ket nj trashsi t till q
t mos bllokoj dritn e incidentit q vjen n qeliz.

8.1 Teknikat pr t reduktuar ndikimin e rikombinimit n

siprfaqe
8.1.1 Rikombinimit n siprfaqen e prparme

Fenomeni rikombinimit t siprfaqes ka nj ndikim shum t dmshm n qark t shkurtr q n

pjesn e siprme t qelizs korrespondon rajoni n t ciln ekziston, sht norma m e lart e
brezit t transportuesit. Nj mnyr pr t kufizuar efektet negative t siprfaqes s rikombinimit
sht q t rritet n siprfaqen e qelizs t 'Passivating' (Pasivitetit) kjo shtres zakonisht e
formuar nga dioksidi i silikonit. Q nga kjo shtres sht n prgjithsi ajo sillet si nj izolant,
do rajon i cili ka nj kontakt metalik ohmik nuk mund t jet pasivitet.
60

Pr kt arsye, pr t kufizuar fenomenin e rikombinimit edhe n kto rajone, n kontakte jan

krijuar nga zonat e stimuluara m e lart n transmetues (teknika quhet emitter selektiv). N
mnyr tipike nj doping ka efekte negative n gjatsin e difuzionit, megjithat, n rajonet ku
ka kontakte impakti i cili ka nj doping t rnd n mbledhjen e transportuesit t ngarkuar nuk
sht e rndsishme, duke pasur parasysh se kto rajone nuk marrin pjes n procesin e
gjenerimit t transportuesve. N rastet kur sht e pranishme rikombinimet e larta t siprfaqes
n afrsi t kryqzimit, opsioni pr t reduktuar rikombinimet sht q t rris nivelin e doping.

8.1.2 Siprfaqja e pasme

Nj procedur e ngjashme me at sht prdorur n siprfaqen e pasme e qelizs pr t

minimizuar efektin e shpejtsis s rikombinimit, n rastin ku siprfaqja mbrapa sht m afr
nj gjatsie t difuzionit nga kryqzimi. Nj 'Field Surface Back' (BSF) konsiston n formimin e
nj rajoni m t stimuluar n afrsi t siprfaqes s pasme t qelizs. Ndrfaqja ndrmjet
rajoneve duke u stimuluar n mnyra t ndryshme (p/p ++ , shikoni fig 8.2) sillet si nj kryqzim
p-n, me formimin e nj fush elektrike n ndrfaqe, e cila paraqet nj penges pr transportuesit
e pakicave q rrjedhin n drejtim t siprfaqes s pasme. Prqendrimi i transportuesve t
pakicave sht ruajtur n kt mnyr n nivele m t larta n rajone q nuk kan psuar nj
doping t lart, duke krijuar nj efekt pasivativ n siprfaqen e pasme t qelizs. N kt mnyr
transportuesit e pakicave (elektroneve n substrate) mbahen larg nga siprfaqja, me reduktimin
pasues t shkalls s rikombinimit.

Fig 8.1 Skematika e kontakteve para/mbrapa me an t nj qeliz fotovoltaike.

61

Fig 8.2 N figur, ndryshimet e bra n qeliz jan paraqitur pr t reduktuar fenomenin e
rikombinimit t siprfaqes. Ju mund t shihni rajonet e stimuluar n afrsin e pasme t qelizs
dhe posht kontakteve n frontin e qelizs, pr heqjen e transportuesit e ngarkuar t pakicave.
Pr t reduktuar rikombinimin e siprfaqes ku kontaktet nuk jan t pranishme, siprfaqja sht
pasive nga aplikimi i nj shtres e dioksidit t silikonit (SiO2).

8.2 Formimi (trajnimi) i kontakteve

Nj teknik e prdorur pr t krijuar kontaktet metalike sht n ekranin e shtypjes. N kt
proces, nj mburoj e endur e montuar n nj korniz sht vendosur m lart n mesh q do t
trajtohet. Ekrani ngrin disa zona, duke i ln t tjert t hapur, ku nj pjes mund t deprtoj.
Distanca n mes t ekranit dhe meshs sht e kontrolluar sakt. Ekranet e prdorura pr
shtypjen n frontin e kontakteve n mnyr tipike kan nj rrjet finer n krahasim me ato t
prdorura pr kontaktet e ans s pasme, pr shkak t linjave metalike, hollues t nevojshm n
siprfaqen e par t qelizs. M pas nj pjes sht e prhapur n ekran n sasi t matur, e cila
sht shprndar n ekran, n mnyr pr t mbushur n mnyr uniforme hapjet n ekran.
Procesi duhet t kontrollohet n temperatur, presion, shpejtsi dhe n shum variabla t tjera.
Pasi shtypja sht prfunduar, mesha sht kryer n nj furr tharje kjo lejon fuqizimin e pjess
s aplikuar. Mesha sht kryer m pas drejt nj procesi tjetr shtypjeje t prezantuar si linja t
njpasnjshme t kontaktit me siprfaqen para dhe mbrapa.
Kur t gjitha punimet e shtypura jan t mbaruar, mesha i sht nnshtruar temperaturave t larta
brenda nj furre. Prueshmria n ann e prparme t qelizs jan shum m t ngusht dhe
62

delikate se ata n pjesn e prapme. Pr kt arsye, shpesh kontaktet e mbrapme jan t shtypura
s pari, pastaj invertimi i qelizave pr t formuar kontaktet e para; kshtu ajo ka minimizuar
rrezikun e thyerjes gjat trajtimit.

a)

b)
Fig 8.3 a) Ekrani prdoret n procesin e shtypjes, q prmban nj skem t hapsirs t hapura
dhe t mbyllura q t lejoj brumin t transferohet mbi mesh. b) permes veprimit presioni dhe
veshja n ekran, substanca kalon prmes hapsirave t hapura dhe arrin meshn.

63

8.2.1 Materialet e prdorura

Si u prmend m par, kontaktet n frontin e qelizs jan depozituar sipas nj modeli t rrjetit t
formuar nga shirita t shumta t holl, t cilat ojn foto-gjeneruar t energjis elektrike n linjat
m t gjera, zbarat e thirrjeve, dhe pastaj tr modulin fotovoltaik, i prbr nga qeliza t shumta
t lidhura. N prgjithsi, kontaktet e para jan krijuar duke prdorur pastat e argjendit. Argjendi
sht n fakt nj nga metalet m t prueshm n dispozicion, duke siguruar nj stabilitet
afatgjat, duke pasur parasysh se prueshmria e tij nuk ulet n mnyr t konsiderueshme mbi
jetn e nj qeliz fotovoltaike. Floriri sht gjithashtu nj metal shum rezistent ndaj korrozionit,
nj tipar shum t rndsishm pr module diellore n t ciln krkohet nj koh minimale 20
vjeare t jets. Megjithat, duke qen nj metal i muar, ka nj mim shum t lart. Krkesa
n rritje pr pastat e argjendit dhe luhatjet e mdha t mimeve n vitet e fundit ka uar n
krkimin e nj zgjidhje t re pr t zvogluar shpenzimet. T brezat e rinj sht e nevojshme
edhe rritja n drejtim t performancs dhe nj konsum m t ult argjendi, duke ruajtur
pandryshuar performancn e qelizs. Si pr ann e pasme e qelizave, si hap t par sht
depozituar shtresa e materialit t prbr prej alumini, t afta pr kryerjen e energjis elektrike
dhe e aft t pasqyrojn prsri dritn q nuk sht kapur nga qeliza. Kjo shtres ka gjithashtu
nj funksion pasiviteti, n gjendje pr t nnshkruar rrugt e padshiruara molekulare q ata
mund t kapin elektronet e qelizs. Si nj hap prfundimtar n procesin e shtypjes s kontakte t
mbrapme, busbars jan t dizajnuara pr ndrfaqe me elementet e modulit fotovoltaik.

Fig 8.4 Pjesa e prparme e nj qeliz diellore. Ju mund t shihni linjat e holla paralele me
kontaktet dhe busbars m t gjera.

64

8.3 Teknologjia lazer e kontakteve t vdekura

Nj teknik alternative me at t shtypjes n ekran pr formimin e kontakteve metalike sht
teknika lazer e kontaktit t varrosur (Laser Grooved Buried Contact, e shkurtuar LGBC).
Teknologjia sht zhvilluar nga Martin Green dhe Stuart Wenham n vitin 1984 n Universitetin
e New South Wales (UNWS), dhe nga viti 1992 sht aplikuar pr realizimin e qelizave
komerciale. Ideja sht e bazuar n aftsin pr t 'fshehur' kontaktet brenda qelizs, duke krijuar
lazer nprmjet brazdave n siprfaqe. Kshtu q mund t zvogloj mbrojtjen nga drita pr
shkak t kontakteve t ngjitura n siprfaqen e qelizs. Qelizat q prdorin kt teknologji
lejojn q t arrijn performancn deri n 25% m t lart se qelizat diellore komerciale n baz
t tekniks s shtypjes n ekran. Varrezat prodhohen n siprfaqen e meshs me lazer ose me
teknikn mekanike t prerjes; Thellsia e tyre sht rreth 80m, me nj gjersi 30m. Aftsia pr
t ndrtuar kontakte brenda brazdave t grmuara me an t tekniks lazer, ajo lejon pr t marr
nj raport shum t lart lartsi-to-gjersi. Kshtu mund t rris volumin e metalit t prdorur n
gisht, pr kt kan nj rrip t gjer t prueshm q zgjatet nga siprfaqja. Pr shembull,
ndrsa nj pajisje me vler t madhe, nj qeliz diellore q prdor teknikn e shtypjes s ekranit
mund t ket humbje pr mbrojtje nga drita nga 10 n 15%, ndrsa nj struktur q prdor
teknikn LGBC pr humbjet e mbrojtjes nga drita jan vetm 2-3%. Kto humbje t ulta pr
mbrojtjen nga drita lejojn pr t marr nj norm m t ult t reflektimit dhe pr kt arsye
rrymat e lart t qarqeve t shkurtr.

Fig 8.5 N figur tregohet paraqitja skematike e varrezave t krijuara n procedurn LGBC.

65

Fig 8.6 Seksioni kryqzimit e mbuluar pjesrisht.

66

KAPITULLI 9
IZOLIMI I BORDIT ELEKTRIK
Gjat formimit t kryqzimit p-n sht krijuar nj shtres e holl (rreth 200nm) n rajonin e tipit
n, prmes nj procesi pr prhapjen e atomeve t fosforit. Megjithat doping hap, jo vetm q
krijon nj rajon n mbi siprfaqen e prparme, por edhe nj shtres prej silikat qelqi, atomet e t
cils prmbajn fosfor (fosfor qelqi silikat ose PSG) mbi t gjitha fytyrat e ekspozuara, me nj
shtres t tipit n q formon n ant e pasme t qelizave (shih fig 9.1). Si rezultat, rajonet e
kontaktit n pjesn e prparme dhe pasme ato kan t ngjar t jen t lidhur elektrikisht nga
kufijt e qelizave, me formimin e nj qarku t shkurtr (ose devijim). Pr t shmangur kt
problem duhet t izolohen siprfaqet e qelizs. Ky proces sht thn ndryshe bordi i izolimit
elektrik. Ka disa mnyra pr t krijuar kt izolim, duke prfshir :
Gravura e Plazms Gravura Kimike Shkruesi Lazer.

9.1 Gravura e plazms

N kt proces, wafers jan br pirg me dor dhe jan vendosur brenda nj dhome si fui. Ata
jan ndrruar m pas n nj plazm reaktive, ajo prbhet nga nj przierje e gazrave, e krijuar
nga komponimet energjike te fluorit me mikroval ose nprmjet nj fush t radio frekuencave.
N kt mnyr sht hequr materiali nga skajet ekspozuara t meshs. Bordi izolimit me
gravure plazme sht procesi dominant deri n vitin 2007 pr shkak t kostos relativisht t ult
dhe pr rezultate t knaqshme.

9.2 Gravura kimike

Perdorimi i nje gravur kimike te formuar nga bordi izolimit sht nj proces i kohve t fundit.
N kt proces, wafers kan kaluar horizontalisht n t gjith siprfaqen dhe nj zgjidhje shum
agresive e prbr e acidit hidrofluorik dhe acidit nitrik, nga prdorimi i rul. Kontakti me dushin
e acidit, shkaqet do t sulmohen me materiale PSG n ant dhe mbrapa e qelizave, duke marr
kujdes t madh pr t mos derdhur reagentet n zonn e emiterit n mesh. Gravura pasohet nga
nj proces shplarjeje me uj t dejonizuar dhe tharje, pr parandaluar sulmet e mtejshme dhe
pr t hequr gjurmt e acidit t prdorur. Instalimi sistemit krkon para s gjithash nj sistem pr
trajtimin e mbeturinave kimike.

67

9.3 Shkruesi Lazer

Prdorimi i nj teknik me lazer pr t br izolimin e bordit u propozua n 80. N kohn q ata
tashm i dinin t mirat e procesit lazer me shpejtsi t lart, t cilat nuk prfshijn kontaktet me
materiale t nnshtruar trajtimit. N do rast laser klasn industriale sht e aft t kryej detyrn
e krkuar e cila nuk ishte ende n dispozicion. N ditt e sotme, megjithat, prdorimi i lazerit n
nivel industrial sht e mundur, n saj miratimit t ktyre mjeteve nga industrit
gjysmpruese pr proceset e prodhimit t silikonit (t tilla si gdhendje, uljen e blloqeve,
prerjes). Kjo teknologji lazer oi n jet aktualisht dhe sht m e prdorur gjersisht n
industrin fotovoltaike, n t gjitha krkesat pr bordin e izolimit elektrik t nj qelize diellore.
Izolimi sht arritur n mnyr tipike duke grmuar rreth perimetrit t qelizs diellore, sa m afr
n buz t qelizs. Pr t arritur nj rezultat m s miri, thellsia e kanalit duhet t jet mjaft e
madhe pr t shkuar prtej shtress ku difuzioni jon ndodh. Dimensionet tipike t ullukut jane
gjersia 20-40m dhe thellsia 10-20 m.

Fig 9.1 N figur mund t shihet n++ si rajoni i stimuluar shtrihet edhe n skajet e qelizs.
Formacionet e brazdat n siprfaqe pengojn formimin e devijimeve aktuale q mund t prballet
qarku i shkurtr me pjesn e pasme t qelizs.

68

Sistemet aktuale kan prdorur nj lazer (DPSS) ku pompohet dioda, gjendja solide, domethn
nj lazer pr gjendjen solide n t ciln nj medium aktiv sht derdhur, si nj kristal i itriumit
dhe alumini (YAG) i stimuluar me neodimium me an t nj lazer diod (e cila prdor si nj
medium aktiv gjysmpruesit). Kto lazer jan n gjendje pr t vepruar n nj nj gjatsi vale
532 ose 355 nm, shum m pak se ajo e prdorur n sistemet e mparshme lazer deri n1064 nm.

Fig 9.2 Marrdhnia midis thellsis s penetrimit n silikonin e kristalt n nj gjatsi vale
355nm dhe nj gjatsi 1064nm.

69

Si mund t shihni n fig 9.2, duke prdorur gjatsi vale m t shkurtr thithja n silikonin
kristalor sht katr/pes her m i lart se relativja tek nj gjatsi vale prej 1064 nm. Kjo i lejon
shum gdhendjet e lokalizuara n siprfaqen e par, e prdorur pr shembull nj Q-switched UV
diodepumped e gjendjes solide, lazer t gjendjes s fort. Prve nj thellsie t deprtimit m
pak se, gjatsia e vals n varg UV lejojn gravurn e varrezave t ngushta, duke minimizuar
zonat jo-aktive (zona e vdekur) rreth teheve, n mnyr q t maksimizoj efikasitetin e qelizave
diellore. Nj tjetr pike n favor t prdorimit t gjatesis s valve m t ulta, lidhur me uljen e
mikrofrakturn nn siprfaqe, e cila mund t rrezikoj seriozisht cilsin e produktit.

Fig 9.3 Mikroskopi optik, imazhi i nj gdhendje me lazer, me zmadhim.

70

KAPITULLI 10
KARAKTERISTIKAT E NJ QELIZE FOTOVOLTAIKE
Qelizat diellore q hyjn n treg jan t prodhuara sipas madhsis standarde. Duke marr
parasysh qelizat e silicit t kristalt, karakteristikat tipike t tyre jan m posht:
Qeliza n silicin monokristalin:

Trashsia: 200-300m
Dimensionet: 100x100mm; 125x125mm; 156x156mm
Ngjyra: blu e errt - e zez
Rritja e efikasitetit
Rritja e ndjeshmris ndaj temperatures

Qeliza n silicin polikristalin:

Trashsia: 230-350m
Dimensionet: 125x125mm; 156x156mm; 210x210mm
Ngjyra: blu
Efikasitet i mire
M pak ndjeshmri ndaj temperatures

Krahasuar me nj qeliz t br nga silici monokristaline, e cila paraqet nj m shum apo pr t'u
ngjyrosur m pak uniforme, nj qeliz diellore silici polikristaline ka hije t ndryshme
kaltroshe. N t vrtet, gjat fazs s ngurtsimit, kristalet jan rregulluar n mnyr rastsore
dhe sht pr kt q siprfaqja ka reflektimet karakteristike t ndryshme kur ndriohet.

71

Fig 10.1 a) Qeliza diellore n silicin monokristalin. Ngjyra e qelizs sht blu e errt ose e zez.

Fig 10.1 b) Qeliza diellore me silic polikristalin, karakterizohet nga refleksi ngjyre blu.

72

Referencat:
1 Shravan Kumar Chunduri, Diamonds the cutting edge ? , Photon International,
Maggio 2011, 222 257.
2 Shravan Kumar Chunduri, Diamond wire the die has been cast , Photon
International, Maggio 2011, 258-263
3 Joseph Berwind, PV manufacturing materials: Technological and process-related
options for cost reduction, Photovoltaics International, First Quarter February 2012,
36-49
4 Fabrice Coustier, Jean-Daniel Penot, Gerald Sanchez, Michel Ly, Diamond wire
sawing: State of the art and perspectives , Photovoltaics International, First Quarter
February 2012, 60-65
5 Richard S. Muller, Theodore I. Kamins, Mansun Chan, Device Electronics for
Integrated Circuits, Wiley, 2003
6 Shravan Kumar Chunduri, Harvesting silicon the traditional way , Photon
International, Aprile 2011, 170 177.
7 Ismail Kashkoush, David Jimenez, Examining cost of ownership of crystalline-silicon
solar-cell wet processing: texturization and cleaning , Photovoltaics International,
2010, 81 90
8 Chetan Singh Solanki , Solar Photovoltaics Fundamentals, Technologies and
Applications , PHI, 2011
9 Dirk Holger Neuhaus, Adolf Munzer, Industrial Silicon Wafer Solar Cells, Advances
in OptoElectronics, Article ID 24521, 2007, 15 pages
10 Finlay Colville, Laser scribing tools edge in front, Global Solar Technologies,
Marzo 2009, 4 pages
11 Finlay Colville, Laser support Emerging Solar Industry Needs, Photonics Spectra,
2008, 4 pages

73