Professional Documents
Culture Documents
detector nhấp nháy và tiền khuếch đại
detector nhấp nháy và tiền khuếch đại
- Ng c Tn
- ng Quc Triu
I.
Phn m u.
Hin nay, cc thit b ghi nhn gamma s dng u d nhp nhy kt hp vi ng
L thuyt
Khi nghin cu ch to tin khuch i nhy in tch, ta cn lu n mt s
a.
Tinh th nhp
nhy CsI(Tl)
PIN
Photodiode
Tin khuch
i
To dng
(shaping)
u d
Lc nhiu (noise
discriminator)
discriminator)
Hnh 1: S nguyn l hot ng chung ca thit b ghi nhn
bc x ht nhn.
PIN Photodiode
i. Cu to v nguyn l hot ng ca PIN photodiode
PIN PD l mt loi cht bn dn, cu to gm cht bn dn loi p, cht bn dn
Trong :
0 : in dn sut chn khng
s : in dn sut ring trong Si
S : din tch ca lp P
W : b dy vng ngho.
Tc p ng: l thi gian x l mt tn hiu bc x ti ca PIN photodiode, c
hai yu t nh hng trc tip n tc p ng ca PIN photodiode l thi gian bin
i tn hiu v thi gian truyn tn hiu.
Ph c trng: Ph c trng th hin di bc sng ca photon pht ra t mt s
vt liu nhp nhy khi c kch thch v kh nng ghi nhn photon ti ca photodiode.
Da vo ph c trng ny ta c th xc nh c kh nng tng thch ca mt s cht
nhp nhy (NaI(Tl), CsI(Tl), BGO) v Si PIN photodiode.
Tin khuch i
i. Gii thiu
Tin khuch i l mch x l tn hiu u tin sau khi tn hiu i ra khi u
d. Tin khuch i c chia thnh 3 loi: tin khuch i nhy th (Voltage Sensitive
Preamplifier), tin khuch i nhy in tch (Charge Sensitive Preamplifier) v tin
khuch i nhy dng (Current Sensitive Preamplifier).
Tin khuch i nhy in th: c tr khng li vo cao (~5M), dng to ra trong
mch ph thuc kh nhiu vo in dung k sinh ca u d. Tn hiu qua tin khuch i
nhy th ny t l vi tn hiu in th li vo. Kiu tin khuch i ny khng th s
dng vi cc loi u d bn dn do tn hiu ra t l vi in dung, m 1 phn in dung
k sinh ca detector li t l vi in th ngc p vo detector. Do , s thay i nh
trong cp ni cng c th thay i in dung ti vi chc pico fara (pF), nh hng ln
n kh nng ghi nhn ca detector. Do , tin khuch i nhy th thng c s dng
vi cc detector nhp nhy.
Tin khuch i nhy in tch: Tin khuch i nhy in tch thng c s
dng cho cc loi detector bn dn hoc bung ion ho. Tn hiu ra t detector l xung
in c rng khong 10-9 n 10-5s, tu thuc vo loi detector v kch thc detector.
Tin khuch i nhy in tch c tc dng tch phn cc tn hiu in tch ny v bin i
chng thnh xung in th ti li ra t l vi tn hiu in tch li vo m khng ph thuc
vo in dung k sinh ca detector.
Tin khuch i nhy dng in: thng dng cho cc mch to dng nhanh s b,
cc mch trng phng trong cc mch c tr khng li vo thp.
Nhim v chnh ca tin khuch i:
Phi hp tr khng,
Tng t l S/N,
Khuch i xung,
Bin i cc dng xung in trn li ra detector thnh in th.
Do u d s dng l loi s dng tinh th nhp nhy ghp ni vi Si PIN
photodiode, cho tn hiu di dng in tch t l tuyn tnh tt vi nng lng bc x ti,
yu cu mt b tin khuch i bin i cc tn hiu in tch ny thnh tn hiu xung
in th ph hp vi vic ghi nhn cc tng sau, ng thi phi n nh theo nhit ,
do ta s dng b tin khuch i nhy in tch m bo cc yu cu trn.
ii. Cc loi nhiu trong tin khuch i nhy in tch.
-
iii. Nguyn l hot ng ca mch tin khuch i nhy in tch thc hin.
VC C
VC C
VC C
R 14
10k
C 5
L1
C 6
0 .1 u
1u
1500
7
3
10u
L T1 0 7 7 /L T
+
V+
O U T
Q 1
2SK1062
C 12
10u
O U T
L T 1 0 7 7 /L T
6
o u tp u t
D 2
U 1
C 11
V-
C 2
C 1
0 .1 u
U 2
3
V+
R 11
47M
C 10
0 .1 u
R 7
10M
V-
B a tt
R 1
4
C 3
2 .7 k
EA60
R 6
10M
C 4
EA60
0
C 9
1p
V
C 7
2p
R 9
100k
C 8
10u
R 4
R 3
9 .1 k
100M
0
R 10
51
Test
ngn nht gim nhiu, tit kim khng gian cho bo mch; ngoi ra cn phi ch n
vic b tr cc t lc sao cho hp l.
tch, cho nn cn phi bin i xung t my pht thnh xung in tch bng hp t chnh
xc vi gi tr ph hp theo s sau:
Hnh 6: S mch kim tra hot ng ca mch tin khuch i s dng FET li vo
Tuy nhin do iu kin thc hnh khng cho php nn nhm chng ti ch c th
kim tra kh nng lm vic ca mch tin khuch i trc bng cch cp thng xung
in th t my pht vo mch tin khuch i.
2.2.1. Kim tra hot ng ca tin khuch i lm vic vi my pht xung
Vi mc ch kim tra cc tng khuch i ca tin khuch i c hot ng tt
khng, chng ta tin hnh cp mt xung gi xung ht nhn vi bin khong 15mV.
Xung a vo cng input ca tin khuch i c ly t my pht xung thy ngn
(mercury pulser RACRI). Xung pht ra t my pht c th la chn cc gi tr Rise Time
v Decay Time sau:
Rise time
0.1
0.5
5 (us)
Decay time
10
20
50 (us)
Hnh 7: Hnh dng xung sau khi qua tu truyn C2 (trn) v hnh dng
xung pht ra t my pht xung thy ngn (di)
Da vo hnh dng v bin xung thu nhn c qua oscilloscope cho ta thy
dng xung sau khi qua t truyn C2 v dng xung pht ra t my pht xung thy ngn c
bin gn bng nhau, tuy nhin xung li ra ca t C2 b bin dng v nhe. Nguyn
nhn c s bin dng xung l do nh hng ca vic tch v phng in ca t C2 trong
qu trnh truyn tn hiu v tn hiu sau khi qua t C2 b nhe l do nhiu ca mch tin
khuch i.
- Tn hiu sau khi qua JFET 2SK1062: Sau khi qua JFET, tn hiu b o chiu
v khuch i ln da vo th cp cho li vo ca JFET .
Tn hiu sau khi qua OpAmp LT1077: bin ca xung tn hiu ti y hon
ton ging bin tn hiu ti li ra ca JFET v c th iu chnh c
bin xung bng cch thay i gi tr ca bin tr R14: qua vic thay i
gi tr bin tr R14 ta c th thay i h s khuch i ca mch tin khuch
i, khi bin tr R14 c gi tr 6.6k th bin tn hiu sau tng khuch i
th nht khong 55mV (gp khong 4 ln bin tn hiu li vo).
Hnh 10: Hnh dng xung tn hiu sau khi qua tng khuch i th 2.