4 Predavanje

Ovaj tekst je radni materijal namjenjen studentima prve godine Elektrotehnikog fakulteta u Sarajevu, kao dio materijala za
praenje nastave i pripremu ispita iz predmeta Elektroniki elementi i sklopovi.

Materijal je nerecenziran i kao takav moe

sadravati greke. Njegovo umnoavanje i distribucija je strogo zabranjena.

4.1 Uvod

IJA
L

U praksi se susree nekoliko specini dioda. Njihove osnovne osobine i primjena su prezentirane
u ovom predavanju.

AT
ER

4.2 otkijeva dioda

RA
DN

IM

Ovaj tip diode se formira spajanjem posebno odabranog metala i n-tipa poluprovodnika. Na slici 4.1 je prikazan popreni
presjek diode i njen simbol. Metalna katoda je u omskom kontaktu sa jako dopiranim n-tipom silicijuma. Ovaj sloj niske otpornosti prelazi u sloj silicijuma istog tipa
koji je slabije dopiran.

Slika 4.1: Popreni presjek i simbol otkijeve diode

Metalna anoda je naneena preko epitaksijalnog sloja i s njim formira otkijevu1 barijeru po
emu je dioda i dobila ime.
Materijali (poluprovodnik i metal) se biraju tako da je energija slobodnih elektrona poluprovodnika vea od energije slobodnih elektrona u metalu, tako da elektroni iz poluprovodnika
prelaze u metal. Elektroni iz metala ne mogu prei u poluprovodnik jer imaju malu energiju.
Na ovaj nain se u poluprovodniku u blizini kontakta s metalom formira oblast nekompenziranih pozitivnih donorskih naelektrisanja stvarajui tako osiromaenu oblast, dok se na strani
metala javlja viak elektrona pa metal postaje negativno naelektrisan. Ovim se formira potencijalna barijera koja ne dozvoljava dalji prelazak elektrona iz poluprovodnika u metal. Zbog
naglog prelaska iz sloja metala u sloj poluprovodnika formirani spoj nema omski kontakt ve
usmjerivako svojstvo slino kao diode sa strmim pn spojem.
Kada se otkijeva dioda polarie tako da joj je anoda na veem potencijalu od katode, dioda
je provodna, potencijalna barijera se smanjuje, a elektroni prelaze iz poluprovnika u metal.
Obrnuto, kod inverzne polarizacije, potencijalna barijera se poveava i elektroni ne mogu da
prelaze iz metala u poluprovodnik. Samo pojedini elektroni, koji dobiju dovoljno termike
energije, prelaze iz metala u poluprovodnik i tako formiraju inverzu struju diode. Vidi se da
1 Walter

Hermann Schottky (1886.  1976.)

4 Predavanje

u oba smjera polarizacije samo elektroni uestvuju u provoenju struje, pri emu nema uea
sporednih nosilaca naelektrisanja niti njihovog gomilanja.
Kako u radu otkijeve diode nema uee sporednih nosilaca naelektrisanja, nema ni efekta
gomilanja, vrijeme iskljuenja diode je krae u odnosu na obinu pn diodu. Takoe, zbog toga
mala je difuziona kapacitivnost pa i vrijeme ukljuenja diode. Slijedi da je otkijeva dioda bra
od obine pn diode.
Najvanija osobina ovog tipa diode je da ima mali pad napona pri voenju i veu inverznu
struju u odnosu na obinu pn diodu. Pad napona i inverzna struja diode su odreeni vrstom
metala. Tako npr. hrom daje mali pad napona i veliku inverznu struju, dok volfram obrnuto.
Probojni napon otkijeve diode je odreen koliinom primjesa u epitaksijalnom sloju (otpornost sloja). to je sloj siromaniji, probojni napon je vei, ali se dobija i smanjenje ispravljakog
dejstva diode zbog opadanja direktne struje, to je nepovoljno.
4.3 Cenerova dioda

RA
DN

IM

AT
ER

IJA
L

Statika karateristika i simbol Cener diode su prikazani na slici 4.2. Karakteristino za ovu
diodu je da radi u podruju inverzne polarizacije i u oblasti proboja. Za razliku od obine
pn diode, Cener dioda se formira od poluprovodnika s velikim koncentracijama primjesa. Pri
velikoj koncentraciji primjesa irina osiromaene oblasti je manja i pri niskim naponima inverzne
polarizacije javlja se snano elektrino polje koje e uzrokovati proboj. Pojavu da ovakav proboj
nastaje u poluprovodniku prvi je otkrio Cener po emu je i proboj dobio ime, a inverzni napon
pri kojem taj proboj nastupa Cenerov napon.

Slika 4.2: Statika karakteristika i simbol Cener diode

Radna taka Cener diode se uglavnom postavlja u inverznu oblast rada i to u oblast proboja.
Unutranja otpornost diode u ovom dijelu statike karakteristike je jako mala, to znai da
napon na diodi ostaje konstantan pri promjeni inverzne struje. Zbog toga se ova dioda koristi
za stabilizaciju napona i dobijenje referentnih jednosmjernih napona.
Donja granica inverzne struje diode IDmin se odreuje iz statike karakterisitke diode i
predstavlja minimalnu struju diode za koju e karatieristika diode biti linearna, dok se gornja granica inverzne struje diode IDmax odreuje na osnovu dozvoljene snage disipacije diode
Pmax = VDZ IDmax . U oblasti proboja ne vrijedi jednaina (2.3) statike karakteristike, pa se
Cenerova dioda za ovu oblast modelira linarnom jednainom:

4 Predavanje

(4.1)

vD = VDZ + RDZ (iD IDmin )

IJA
L

gdje RZ predstavlja statiku otpornost odreenu u oblasti proboja. Slijedi da se u analizi

sklopova s Cener diodama, dioda u oblasti proboja zamjenjuje serijskom vezom otpornosti RZ
i konstantnog izvora napona koji je jednak Cenerovom naponu VZ . Ako se zanemari otpornost
RZ , onda je dioda u oblasti proboja ekvivalnenta idelanom modelu koje predstavlja samo
konstantni izvor napona VZ . Na slici 4.3 su prikazani ekvivalentni modeli Cener diode u oblasti
proboja.

(a) Realni mode

(b) Idealni model

RA
DN

IM

AT
ER

Slika 4.3: Ekvivalentni model Cener diode

4 Predavanje

Na donjoj slici je prkazan sklop s Cener diodom koja ima zadatak da stabilizira
max
napon na potroau. Za prikazani sklop poznato je sljedee: VDZ = 5.1V , PDZ
= 500mW i
RL = 200. Odrediti:
Example 4.1.

(a) Maksimalnu vrijednost otpora Ro pri kojem e za ulazni napon Vin = 10V napon na
potroau iznosit VDZ .
(b) Maksimalni dozovljeni ulazni napon Vin za izraunati otpor Ro .
(c) Disipaciju diode za maksimalni ulazni napon Vin i maksimalni otpor Ro kada je otpor
potroaa RL odspojen.

IJA
L

Rjeenje:

IM

AT
ER

(a) U prikazanom sklopu dioda je postavljena tako da vodi pri inverznoj polarizaciji. U ovom
sluaju, ekvivalentno kolo s idelanim modelom diode je prikazano na sljedeoj slici.

RA
DN

Maksimalna vrijednost otpora Ro se odreuje iz uslova da struja kroz Cener diodu u stanju
voenja mora biti vea od nule. Struja kroz potroa kada dioda vodi iznosi IL = VRDZ
=
L
25.5mA. U ovom sluaju za struju kroz otpornik Ro mora vrijediti:
IDZ =

Vin VDZ
VDZ
Vin VDZ

0 Ro
RL .
Ro
RL
VDZ

Iz posljednje nejednakosti slijedi da maksimalna vrijednost otpora pri kojoj e stabilizator

korektno raditi iznosi Romax = 192.
(b) Maksimalni napon na ulazu se odreuje iz sulova da struja kroz diodu ne smije biti vea od
P max
max
maksimalne dozvoljene. Ova struja se dobija iz snage disipacije i iznosi IDZ
= VDZ
= 98mA.
DZ
Koritenjem gornje jednaine vrijedi:
Vin VDZ
VDZ
VDZ VDZ
max
max
=

IDZ
Vin Ro IDZ
+
+
Ro
RL
RL
Ro


IDZ

Iz posljednje nejednakosti slijedi da maksimalna vrijednost ulaznog napona pri kojoj e stabilizator korektno raditi iznosi Vinmax = 28.8V .
max

VDZ
(c) Pri odspojenom otporu potroaa, snaga disipacije diode je PDZ = VDZ VinRomax
= 0.61W .
Izraunata snaga disipacije vea je od maksimalne disipacije tako da e nastupiti proboj diode.

4 Predavanje
4.4 Svijetlea dioda

Osnovni rad svijetlee diode (eng.

Light-Emitting Diode) je u direktnoj
polarizaciji pn spoja kada elektroni
prelaze iz n-tipa poluprovodnik u ptip poluprovodnika gdje se rekombiniraju sa upljinama. U ovom sluaju
elektroni se nalaze u slobodnoj zoni,
dok su upljine u valentnoj zoni. Rekombinacijom elektrona sa upljinom
oslobaa se energija zraenja u obliku
fotona. Izgled i simbol za LED diodu
su prikazani na slici 4.4.

Slika 4.4: Izgled i simbol LED diode

RA
DN

IM

AT
ER

IJA
L

U zavisnosti od poloaja energetskih nivoa i rine zabranjene zone nastalo zraenje moe
pripadati ultraljubiastom, vidljivom ili infracrvenom dijelu spektra. Diode izraene od poluprovodnika kod kojih je irina zabranjene zone mala emitovat e zraenja u infracrvenom
dijelu spektra, dok diode izraene od poluprovodnika sa irokom zabranjenom zonom zrae u
vidljivom dijelu spektra.
Emitovana svijetlost se nalazi u odreenom rasponu valnih duina kao to je prikazano na slici
4.5 gdje su date spektralne karakteristike svjetlosti. Na slici 4.5(a) su predstavljene spektralne
krive za svijetlee diode koje emituju vidljivu svjetlost odgovarajue boje, dok slika 4.5(b)
prikazuje spektralnu liniju svijetlee diode koja emituje infracrvenu svjetlost.

(a) Vidljiva svjetlost

(b) Infracrvena svjetlost

Slika 4.5: Spektralne karakteristike svjetlosti

Prve svijetlee diode s emitovanom vidljivom crvenom svijetlou su proizvedene od GaAsP
na GaAs podlozi. Ekasnost ove diode je poveana koritenjem podloge od GaP , to je rezultiralo zraenjem blijedo crvene svjetlosti. Kasnije je GaP koriten za proizvodnju dioda
s emitovanom blijedo zelenom svjetlou, te utom nastalom kombinacijom crvene i zelene.

4 Predavanje

IM

AT
ER

IJA
L

Slika 4.6: Zavisnost jaine svjetlosti od temperature

RA
DN

Slika 4.7: Sedmosegmentni displeji

Jarko crvena, narnadasta, uta i zelena svijetlost je emitovanan svijetleim diodama proizvedenim na bazi GaAsAlP , odnosno InGaAlP . Za diode s plavom svijetlou se koriste SiC
ili GaN . Svjetlee diode koje proizvode zelenu i plavu svijetlost visokog intenzitat su izraene od InGaN . Svjetlost visokog intenziteta bijele boje emituje svijetlea dioda na bazi GaN
obloenog uorescentnih fosforom koji apsorbuju plavu svjetlost i reemituje je kao bijelo svjetlo.
Svijetlost koju emituje dioda dirktno je proporcionalna struji diode. Takoe, na jainu emitovane svjetlosti diode utie promjena temeprature kao to je prikazano na slici 4.6. Kontaktni
napon pn spoja svijetlee diode je vei nego kod obine diode i iznosi od 1.2V do 3.2V zavisno
od tipa materijala. Meutim, napon proboja diode je mnogo manji nego kod obine diode i
kree se u opsegu od 3V do maksimalno 10V.
Standardne LED diode se koriste kao indikatori na raznim instrumentima i ureajima. Za
prikazivanje decimalnih brojeva vrlo esto se koriste sedmo-segmentni displeji (slika 4.7). Svaki
segmet ini jedna LED dioda koja u zavisnosti od kombinacije njihovih stanja prikazuje se
jedna od 10 decimalnih cifri. Dva tipa 7-segmentnih displeja su dostupna: zajednika anoda i
zajednika katoda.
LED diode koje proizvode svjetlost visokog intenziteta primjenjuju se za semafore, automo-

4 Predavanje

bilsku rasvjetu, reklame, oglasne ploe i rasvjetu. Primjena LED dioda prua neograniene
mogunosti u podeavanju dinamike paljenja i gaenja svjetlosti, te niske potronje i dugog
vijeka trajanja.
Moderni dipleji se proizvode od miliona malih crvenih, zelenih i plavih LED dioda grupisanih
u piksel. Na taj nain formira se matrica RGB piksela od tri LED diode. Broj piksela zavisi od
dimenzije displeja. Crvena, zelena i plava su primarne boje i kada su pomijeane zajedno s razliitim intenzitetom mogue je dobiti bilo koju boju u vidljivom spektru. Intenzitet emitovane
svjetlosti svake od dioda mijenja se neovisno promjenom jaine struje diode.
Infracrvene LED diode se koriste u daljinskim upravljaima za TV, DVD, te elektronska vrata,
rampe i sl. Za svaku tipku na daljinskom upravljau postoji jedinstveni kod. Pritisnkom na
tipku generie se kodirani elektrini signal koji se dovodi na infracrvenu LED diodu koja generie
infracrveni svjetlosni signala. Infracrveni prijemnik prepoznaje kod i izvrava odgovarajuu
aktivnost. U industriji, infracrvene LED diode se koriste kod apsolutnih i inkrementalnih
enkodera, senzora udaljenosti, senzora pokreta, i sl.

IJA
L

4.5 TVS diode

RA
DN

IM

AT
ER

Poseban tip dioda koje su namijenjene zatiti elektronikih sklopova od prenapona nazivaju se
TVS (eng. Transient Voltage Suppresion) diode. Ove diode se proizvode kao silicijumski pn
spojevi s posebnim prolom primjesa i posebno optimiziranom geometrijom. TVS diode mogu
biti jednosmjerne ili dvosmjerne, a odgovarajue karakteristike i njihovi simboli su prikazani na
slici 4.8.

(a) Jednostrana TVS dioda

(b) Dvostrana TVS dioda

Slika 4.8: Statike karakteristike i simboli TVS dioda

Slijedi da TVS diode imaju slinu funkciju kao i Cener diode. Ipak, u odnosu na Cener
diode TVS diode moraju biti dosta bre i imati dosta veu maksimalnu snagu dispacije. Kod
sklopova koji se prikljuuju na naizmjenini napon zbog simetrine zatite potrebno je koristit dvosmjerne TVS diode koje e napon na ulazu sklopa ograniavati u granicama izmeu
vrijednosti probojnog napona dioda.

4 Predavanje

Koncept primjene TVS dioda ilustrovan je

na slici 4.9. Prenapon je okarakterisan
kao kratkotrajni porast napona od nominalne vrijednosti Vnom do neke maksimalne
vrijednosti Vmax i njegovo ponovno vraanje ispod nominalne vrijednost Vnom (slika
4.9(a)). Pojava prenapona je najee izazvana indukcijom ili elektrostatikim pranjenjem, a predstavlja opasnost za elektronske sklopove.
Uloga TVS diode (slika 4.9(b)) je da prilikom pojave prenapona dioda provede, sputajui napon na ulazu kola na vrijednost
napona proboja diode u inverznoj polarizaciji.

IJA
L

(a)

(b)

AT
ER

Slika 4.9: Primjena TVS dioda

RA
DN

IM

Vrlo esto se TVS diode nazivaju i ESD diode zbog njihove primjene u zatiti elektronikih sklopova od uticaja elektrostatikog pranjenja (eng. Electrostatic Discharge Protection).
Najei uzrok pojave elektrostatikog pranjenja koje moe otetiti elektronika kola je dodir
korisnika sa nekim od prikljuaka. Naponi koji se mogu pojaviti prilikom pranjenja su reda
veliine kilovolta, a trajanje pranjenja je reda nanosekunde.
4.6 Varikap dioda

Varikap dioda uvijek radi pri inverznoj polarizaciji gdje promjenom napona mijenja se i kapacitet diode. Zbog ove osobine esto se naziva i kapacitivna dioda iji popreni presjek, simbol i
karakteristika su dati na slici 4.10. Diode su tehnoloki realizovane koritenjem poluprovodnika
jako dopiranih primjesama sa ciljem poveanja kapaciteta osiromaene oblasti. U ovom sluaju
osiromaena oblast, koja je neprovodna, se ponaa kao dielektrik kondenzatora koji je ogranien
vodljivim p i n tipom poluprovdnika kao kondenzatorskim ploama (slika 4.10a).
Kada se napon poveava irina osiromaene oblasti se iri zbog inverzne polarizacije, ime
se smanjuje kapacitivnost. Obrnuto, smanjenjem napona poveava se kapacitivnost. Ovisnost
kacitivnosti varikap diode s promjenom napona prikazan je na slici 4.10b. Nominalna vrijednost
kapacitivnosti varikap diode se kree od nekoliko pF pa do nekoliko nF , pri emu ona zavisi
od koncentracije primjesa, te veliine i geometrije same diode.
Najvaniji parametri kapacitivnih dioda potrebni za praktinu primjenu su: nominalna kapacitivnost, maksimalni inverzni napon, maksimalna snaga disipacije, te odnos kapacitivnosti
(odnos kapacitivnosti pri minimalnom i maksimalnom naponu inverzne polarizacije). Ove vrijednosti deklarie proizvoa u tehnikoj dokumentaciji.
Glavna primjena varikap dioda je u sklopovima za podeavanje frekvencije koji se koriste kod
odabira frekvencije radio, TV i satelitskih prijemnika, kao i kod mobilnih telefona. Frekvencije

4 Predavanje

(a) Simbol i popreni presjek

(b) Karakteristika

Slika 4.10: Varikap dioda

IJA
L

koje se podeavaju predstavljaju rezonantne frekvencije sklopa i na njima se vri prijem signala
od odreenog emitera.
4.7 Takasta dioda

RA
DN

IM

AT
ER

Takasta dioda se proizvodi od ploice n tipa poluprovodnika germanijuma, koja je u kontaktu

s vrhom tanke ice od volframa. Kroz icu se proputa struja impulsnog oblika ija amplituda
je oko 10 puta vea od nominalne struje budue diode. Proticanjem struje kroz ovaj spoj na
kontaktnom mjestu e doi do topljenja germanijuma tako da e se u n tipu poluprovdnika
neposredno ispod kontakta formirati p tip poluprovodnika. Na ovaj nain formiran je pn spoj
u obliku take po emu je dioda dobila ime.
Ove diode mogu da propuste struje od 0.5A. Otpor pri direktnoj polarizaciji iznosi nekoliko
desetina oma, dok u inverznoj polarizaciji nekoliko megaoma. Sve su ovo nedostaci takaste
diode u odnosu na obinu diodu.
Meutim postoji i prednost takaste diode u odnosu na ostale tipove diode, a to je mala
kapacitivnost osiromaenog sloja to im daje prednost u aplikacijama s visokim frekvencijama.
Povoljniji odnos otpora pri inverznoj i direktnoj polarizacij moe se dobiti kada se volframova
ica zamjeni icom od zlata. U ovom sluaju dioda e proputati jae struje i moe se koristit
pri jo veim frekvencijama.
4.8 Tunelska dioda

Tunelska dioda ili Esakijeva2 dioda je poluprovodniki element na bazi germanija ili galijarsenida s vrlo tankim i jako dopiranim pn spojem. Zbog visoke koncentracije primjesa, irina
osiromaene oblasti je mnogo manja u odnosu na obinu pn diodu.
Pri inverznoj polarizaciji diode, tanka osiromaena oblast ne spreava prolazak sporednih
nosilaca naelektrisanja iz jednog tipa u drugi tip poluprovodnika. Iako se radi o inverznoj struji
diode, ona e rasti s porastom napona to nije sluaj kod obine diode (slici 4.11).
U direktnoj polarizaciji pri malim naponima polarizacije, struja kroz diodu e znaajno rasti
s porastom napona (dio krive od QDA do QDB na slici 4.11). Ovaj fenomen kada slobodni
nosioci naelektrisanja prolaze kroz barijeru je poznat kao tunelski efekat, tako da e kroz diodu
2 Leo

Esaki (1925.).

4 Predavanje

Slika 4.11: Statika karakteristika i simbol tunelske diode

RA
DN

IM

AT
ER

IJA
L

osim difuzione struje tei i tunelska dioda. Tunelska struja ima najveu vrijednost u taki QDB ,
jer je irina tunela pri ovom naponu polarizacije najvea. Daljim poveavanjem napona struja
e poeti da opada (dio krive od QDB do QDC na slici 4.11) to je u suprotnosti s Omovim
zakonom. Ovo je tzv. podruje negativnog otpora kada se irina tunela poinje smanjivati, a
difuzna struja je jednaka nuli. U taki QDC prestaje tunelski efekat. Od ove take tunelska
dioda se ponaa kao dirketno polarisana obina dioda.
Karakteristini parametri diode su radni taki QDB i QDC denisani kao napon i struja
vrha (engl. Peak Voltage/Current), te napon i struja kotline/doline/udubljenja/ (engl. Valley
Voltage/Current).
Tunelska dioda nalazi primjenu u visoko frekventnoj elektronici, ali ipak ogranienu zbog
nemogunosti upravljanja. Pogodnija je za koritenje u oscilatora na visokim frekvencijama
(nekoliko GHz).
4.9 PIN dioda

Dioda nazvan pin predstavlja silicijumsku diodu kod koje se izmeu jako dopiranog p i n tipa
poluprovodnika ugrauje i tip od istog poluprovodnika, kao to je prikazano na slici 4.12.

(a) Popreni presjek

(b) Ekvivalentni model

Slika 4.12: Popreni presjek i ekvivalentni model pin diode

U idealnom sluaju i sloj je potpuno bez primjesa, ali u praksi je to nemogue ostvariti pa je
on uvijek blago dopiran i moe biti p ili n tipa. U ovom sluaju, sloj i treba oistiti od slobodnih
nosilaca poveavanjem inverznog napona, tako da osiromaena oblast postaje sve ira dok se i

10

4 Predavanje

RA
DN

IM

AT
ER

IJA
L

sloj potpuno ne oisti. Tada je dioda inverzno polarizirana, a i sloj je potpuno oien i pin
dioda se ponaa kao kapacitet. Ovaj kapacitet je konstantan i zavisi samo od geometrije i sloja.
U dirketnoj polarizaciji, pin dioda se ponaa kao promjenljivi linearni otpornik. Poveanjem
vrijednosti napona na krajevima diode zapoinje injekcija nosilaca u i tip poluprovodnika.
Elektroni su injektirani iz n tipa poluprovodnika, a upljine iz p tipa poluprovodnika. Injekcija
rezultira koncentracijom nosilaca naelektrisanja veom od koncentracije u ravnotei. To ga ini
vrlo malim otporom koji se smanjuje poveanjem struje diode.
Najvaniji parametri diode su: otpronosti pri direktnoj i inverznoj polarizaciji, kapacitivnost
pri inverznoj polarizaciji, maksimalni DC napon u inverznoj polarizaciji i maksimalna snaga
disipacije. pin diode su iskljuivo koriste u RF, UHF i mikrotalasnim sklopovima. Za frekevncije na kojim ovi sklopvi rade, pin diode su osnovni prekidaki elementi ija impedansa je
kontrolisana DC naponom. Takoe, odreene vrste pin dioda koriste se kao fotodetektori kod
optikih sistema.

11