9

Elektronika e fuqis

KAPITULLI I

NOCIONE T PRGJITHSHME

10

Aleksandr Xhuvani

11

Elektronika e fuqis

KAPITULLI I
1. Elementet e elektroniks s fuqis
Funksionimi i shndrruesve statik elektronik (shkurt shndrrues statik)
mbshtetet n komutimin e prsritur ndrmjet degve fqinj n skemat e
tyre, si tregohet n figurn 1.1.1:
Dega I
I1
I2
Dega II

FIGURA 1.1.1

Ic

Pra, elementi baz do t jet elsi i prgjithsuar:

+ Vac i pranuar nn konvencionin konsumator, i paracaktuar
t siguroj kyjen ose shkyjen e degs apo t pjess s qarkut.
Pr shtje rendimenti, t prvetsuarit, karakteristika ideale e elsit t
prgjithsuar duhet t sillet si nj pjes apo trsisht e asaj t treguar n
figurn 1.1.2.
elsat e prgjithsuar n
I (A)
elektronikn e fuqis realizohen pa
kontakte, d.m.th. me komponent
elektronik, t cilt, prve realizimit
t tyre teknologjik (p.sh. diod,
V (V )
transistor, tiristor etj.), dallohen
edhe nga funksionimi n regjimin
els, q ata marrin prsipr sipas
ktyre kritereve:

karakteristiks s tyre statike V(I)

t idealizuar q, sipas llojit t
komponentit elektronik, mund t
prfshij 2, 3 ose 4 deg t
karakteristiks s figurs 1.1.2 .
FIGURA 1.1.2

12

Aleksandr Xhuvani

Mnyrs dhe mundsis s komandimit n kyje dhe shkyje

apo karakteristiks dinamike.
Pr prftimin e nj funksioni t dshiruar els mund t prdoret edhe
bashkimi apo lidhja e disa komponentve elektronik.
N tabeln e mposhtme jepet lista e komponentve t komandueshm q
prdoren n elektronikn e fuqis, duke mbajtur parasysh se n kt paragraf
do t bjm nj prmbledhje t shkurtr t parimeve t tyre t funksionimit si
edhe t karakteristikave t tyre statike t idealizuara dhe dinamike dhe jo nj
paraqitje t detajuar, pasi kjo gj bhet n kurse t tjera, si elektronika industriale,
elektronika lineare etj., t cilat doemeos duhet, t paraprijn kt kurs.
Emrtimi i shkurtuar
S.C.R.
A.S.C.R.
B.J.T.
F.E.T.
I.G.T.B
G.A.T.A.S.C.R.

G.A.T.O.
G.T.O.
I.T.R.
R.C.T.
TRIAC
M.O.S. Thyristors

Emrtimi n gjuhn angleze dhe shqipe

Silicon Controlled Rectifier (Tiristor)
Asymmetrical S.C.R. (Tiristor asimetrik, i shpejt)
Bipolar Junction Transistors (Transistort dypolar)
Field Effect Transistor (Transistor me efekt fushe)
Insulated Gate Bipolar Transistors
(Transistor dypolar me port t izoluar)
Gate Assisted Turn Off A.S.C.R.
(Tiristor antisimetrik me shkyje t asistuar nga
grila)
Gate Assisted Turn Off
(Tiristor i shpejt i asistuar n shkyje nga grila)
Gate Turn Off (Tiristor i bllokueshm nga grilja)
Integrated Thyristor Rectifier
(Drejtues tensioni i integruar me tiristor)
Reverse Conducting Thyristor
(Tiristor me nj diod lidhur n antiparalel)
Triac
(dy tiristor, lidhur n antiparalel)
Metal Oxide Semiconductor Thyristor
(Tiristort MOS, t cilt jan elementet m t fundit
n gamn e komponentve t fuqis)

Simbolika e shnimit t komponentve elektronik do t pranohet si tregohet n vijim

dhe do t mbetet e till pr gjith tekstin.

13

Elektronika e fuqis

elsat e prgjithsuar n elektronikn e fuqis realizohen me ann e

komponentve elektronik, t cilt ndahen si vijon:
1. Dioda, t cilat nuk komandohen as pr kalimin n gjendje t kyur (ON
state ose, shkurt, ON) dhe as n kalimin n gjendje t shkyur (OFF state ose
OFF).
2. Tiristor, t cilt komandohen n kalimin n gjendjen ON dhe nuk
komandohen n kalimin n gjendjen OFF.
3. Komponent elektronik t komandueshm n t dyja kalimet n gjendjet
ON dhe OFF.
1-1. Dioda

sht nj komponent elektronik i pakomandueshm.

ID

Simboli i diods :
VD

Karakteristika volt-ampere statike

statike reale :
ID

e idealizuar :
ID

IF
VD

VD

VF

Tensioni
i
kundrt VR

Madhsit karakteristike t diods

Shembull: Dioda 1N1190
IF
- rryma e drejtprdrejt e vazhduar maksimale
:
42 A
I0
- rryma mesatare e drejtuar maksimale
:
35 A
:
120 A
IFRM - rryma e pikut maksimal t prsritur
IFSH - rryma e pikut maksimal aksidental
:
500 A
- tensioni i kundrt i vazhduar
:
600 V
VR

14
VREH
VRRM
VF
IR

Aleksandr Xhuvani
- tensioni i kundrt i pikut
- tensioni i kundrt i pikut t prsritur
- rnia e tensionit t drejt
- rryma e kundrt

:
:
:
:

600 V
600 V
1.5 V
20 mA

Karakteristika dinamike
a) n kyje: aplikimi i nj tensioni t drejt n borna, n mnyr t idealizuar
do t themi se mjafton t zbatohet nj tension pozitiv, pra VD > 0;
b) n shkyje:
Kur rryma kalon npr zero, dioda shkyet kur pas ktij momenti n bornat e
saja aplikohet nj tension i kundrt t paktn gjat kohs t0FF, i cili ndryshon
sipas tipit t diods. Ai shkon nga disa s deri n 100 ns pr disa dioda q
quhen t shpejta.
Gjat studimeve cilsore t0FF duhet t merret parasysh, figura 1.3 :
ID
tOFF

t
IRM
FIGURA 1.1.3

N varsi nga skemat, ku diodat gjejn zbatim, sot ekzistojn disa lloje
diodash, si m posht :
1. Diodat Schottky, t cilat karakterizohen nga nj rnie e dobt e tensionit n
borna n gjendjen ON : 0.3 V, por ato durojn tensione t kundrta, po
ashtu t ulta 50 - 100 V.
2. Dioda t shpejta, t cilat prdoren n skema t frekuencave t larta, t afta
t durojn tesione t kundrta prej disa qindra volt dhe rryma prej disa
dhjetra amper. Kto dioda karakterizohen prej nj tOFF zakonisht prej disa
mikrosekondash.
3. Dioda t zakonshme fuqie, t cilat kan tOFF t madhe n krahasim me
diodat e shpejta, por durojn tensione t kundrta disa kilovolt dhe rryma
disa kiloamper.

15

Elektronika e fuqis
1-2. Tiristori

Nga pikpamja mikroskopike, nj tiristor ka pamjen si m posht:

Gril (G)

J3

n+ 1019 cm-3

17

Katod

n+ 1019 cm-3

-3

10 m

p 10 cm

30 -100 m

J2
n- 1013 5 x 1014 cm-3
J1

50 -1000 m

p 1017 cm-3
+

19

30 -50 m

-3

p 10 cm

Anod (A)
N qoft se tiristorin do ta paraqesim n form shtresore (t thjeshtuar),
athere ai do t kishte pamjen e mposhtme, e cila mund t modelizohej me
dy transistor, si tregohet n figurn bashkangjitur me t:
Ia

Ia

p1

J2

p2

J3

n2
Ik

pnp

J1

n1

Ig

=
Ig
npn
Ik

G
K

Duke qen se tiristori nuk studiohet si element gjysmprues n kurset e elektroniks lineare po e
zgjerojm pakz shqyrtimin e tij, me shum se pr elementet e tjera.

16

Aleksandr Xhuvani

Q tiristori t ky qarkun duhet zbatuar nj tension pozitiv n bornat e tija

(VAK >0.0) dhe njkohsisht duhet drguar nj impuls pozitiv rryme n gril).
Pr sa koh tensioni anod-katod sht negativ, tiristori nuk ky qarkun
edhe n qoft se n gril zbatohet nj impuls pozitiv rryme. N se tensioni
pozitiv n borna kalon nj kufi t caktuar (t dhn nga prodhuesi), ather
tiristori ky qarkun si pasoj e fenomenit ortek. N t gjitha skemat
elektronike, tiristori kyet me an t drgimit t nj impulsi n gril. Tiristori
nuk mund t komandohet n shkyje.
IA

Simbolikisht, tiristori paraqitet si vijon :

K
VAK

Karakteristika volt-ampere
statike reale :

Karakteristika volt-ampere statike

e idealizuar :
IA

IA

ON

Tensioni i
drejt kufi

IF

OFF

IM

VAK
VF

V AK

IG1 > IG2

Tensioni
i
kundrt VR
Disa madhsi karakteristike t tiristorit
IAeff
IF
IARM
)

- rryma efektive e drejtprdrejt

- rryma mesatare e vazhduar
- rryma e pikut t prsritur

n mjaft tekste quhet edhe elektrod komandimi

Shembull: 2N692
:
:
:

25 A
16 A
150 A

17

Elektronika e fuqis
IASM
VDM
VREM
VRSM
IGT
IM
VTM

- rryma e pikut aksidental

- vlera maksimale e tensionit t drejt
n gjendjen e shkyur
- vlera maksimale e tensionit t kundrt
n gjendjen e shkyur (e prsritur)
- vlera maksimale e tensionit t
kundrt (aksidental)
- rryma e pritjes
- rryma e vetmbajtjes
- rnia e tensionit n bornat e tiristorit
n gjendjen e kyur

Karakteristikat dinamike
a) N kyje (figura 1.1.4)

IG

10%IG
VG
FIGURA 1.1.4

300 A

800 V

800 V

:
:
:

900 V
50 mA
20 mA

2.2 V

t
td

tr

90%VG
10%VG
t

Me dhnien e komands nga grila, kur VGT>0.0, tiristori kyet pr kohn

IA
tON =td+tr, ku:
td - koha e voness s rritjes s
tQ
komanduar nga grila
trq
tr
tr - koha e rritjes s komanduar
nga grila.
tON mund t ndryshoj nga 1 s
deri n 5 s pr tiristort e
fuqishm.
tINV
VAK
Parametrat kryesore q ndikojn
n tON jan:
- amplituda dhe gradienti i
impulsit n gril,

FIGURA 1.1.5

18

Aleksandr Xhuvani

- gradienti i rryms n anod: dIA/dt.

b) N shkyje (figura 1.1.5) :
si edhe dioda, tiristori shkyet vetvetiu kur IA 0.0 (m sakt kur IA < IM) dhe
kur n bornat e tija aplikohet nj tension i kundrt pr nj kohzgjatje t INV.
Koha e shkyjes s tiristorit tQ=tr+trg, ku:
tr - koha e mbulimit t kundrt (e rikuperimit, rreth 1 s),
trq - koha e mbulimit t griljes (10-400 s).
tQ varet nga:
- IA dhe dIA/dt,
- nga tensioni i kundrt i aplikuar,
- nga dV/dt e tensionit t riaplikuar,
- nga temperatura,
dhe ai sht nj parametr shum i rndsishm, sidomos n qarqet e
komandimit t detyruar, ku tINV (koha e aplikimit t tensionit t kundrt)
duhet t jet gjithmon qartsisht m e madhe se tQ (ose tOFF), n mnyr q
tiristori t gjej me do kusht dhe n do rast t ashtuquajturn mundsi ose
forc t bllokimit. N kohn e sotme, n baz t konstruktit t tyre, ata mund
t klasifikohen si m posht:
1. Tiristor ventila (phase-control thyristors), t cilt prdoren kryesisht n
skemat e shdrruesve statik alternativ-vazhduar (AC-DC converters). Kta
tipa tiristorsh prodhohen me diametr q arrin deri n 10 cm dhe t aft t
bllokojn tensione 4-7 kV dhe t prcjellin rryma mesatare deri n 4kA. Rnia e
tensionit n borna n gjendjen ON ndryshon nga 1.5 deri n 3.0 V pr tiristort
q bllokojn tensione nga 1 deri 7 kV.
2. Tiristort e shpejt (Inverter-grade thyristors), t cilt projektohen pr t
pasur koh komutimi tQ t ulta (nga disa s deri n 100 s) si edhe rnie t
vogla tensioni n borna n gjendjen ON. Ata arrijn t bllokojn tensione deri
n 2500 V dhe t prcjellin rryma q kapin vlern e 1500 A.
3. Fototiristor (Light-activated thyristors), t cilt komandohen me an t nj
impulsi drite, i cili drgohet me an t nj fibre optike n nj zon t posame
t tiristorit. Kto lloje tiristorsh bllokojn tensione deri n 4 kV dhe prcjellin
rryma deri n 3 kA.
1-3. Komponentt e komandueshm n kalimin ON dhe OFF
Kur kta komponent shihen si ideale (elsa t prkryer), ather ata jan t
aft t mbajn tensione t larta, pa lejuar kalim rrym npr ta dhe anasjelltas,

19

Elektronika e fuqis

t lejojn kalim rryme, pa mbajtur ndonj tension n bornat e tyre. Kta

komponent jan t komandueshm n t dyja kalimet ON dhe OFF
nprmjet sinjaleve q u drgohen n elektrodn komanduese.
Ic

I-3-1. Transistori dypolar

B.J.T. [Bipolar Junction
Transistor]

Vce
IB

Simboli i BJT, p.sh., i tipit n-p-n :

Karakteristika volt-ampere
statike reale:

Karakteristika volt-ampere statike

e idealizuar :

IC
Ic

IB = 7 mA

Ngopje - ON

IB = 4 mA

ON

IB = 6 mA
IB = 5 mA

OFF

VCE

Vce

Prerje - OFF

Karakteristika dinamike
IB

t
IC
FIGURA 1.1.6

t
tr

ts

tf

20

Aleksandr Xhuvani

a) N kyje
Konstruktort e transistorve japin koht e komutimit kur ngarkesa sht
rezistive dhe jepet rrym pozitive n baz, e till q: IB > IC / hFE (hFE sht
koeficienti i amplifikimit sipas rryms s BJT),
tr - koha e vendosjes s rryms n kolektor (rreth 1 s), figura 1.1.6 :
b) N shkyje
Jepet rrym e kundrt n baz, figura 1.1.6.
ts - koha e grumbullimit t ngarkesave (disa s),
tf - koha e rnies s rryms n kolektor (rreth 1 s),
Shnim: Transistori pr funksionimin n regjim elsi krkon rrym pozitive
ose negative n baz n mnyr t pandrprer.
Parametrat kryesor t transistorit jan:
IC(ng) - rryma e kolektorit pr t ciln tensioni i ngopjes (VCEng) garantohet
nga konstruktori;
IB(ng) - rryma e bazs, e nevojshme pr ngopjen e transistorit pr nj rrym t
dhn kolektoriale;
VCE(ng) - tensioni i ngopjes pr iC dhe iB t dhna.
D

ID

I-4. M.O.S. dhe

F.E.T.

(Metal-Oxyde-Semiconducteur)
G
(Field Effect Transistors )

VDS

Simboli i nj MOS FET kanal N :

S
Karakteristika volt-ampere statike
e idealizuar :

Karakteristika volt-ampere
statike reale :

ID

ID
VGS = 8 V
VGS = 6 V
VGS = 5 V

Ngopje - ON

VGS = 4 V

VDS
Prerje - OFF

ON
OFF

VDS

21

Elektronika e fuqis

Pr sa i prket karakteristiks dinamike, ato jan t njllojta si pr transistort e

zakonshm, dhe diodat e ngadalta n komutim. Sot MOSFET-et mbajn
tension deri n 1000 V dhe rryma deri n 100 A. Parametrat m t rndsishm
t MOSFET-eve jan VDS, RDS (rezistenca n kalimin derdhje-burim (DrainSource n anglisht), e llogaritur n temperaturn 25 C ). Koha e komutimit
t tyre sht e rendit nga disa dhjetra deri n disa qindra nanosekonda.
Shnim: - Komanda pr kyje dhe shkyje e F.E.T. krkon m pak energji se
pr transistort e zakonshm, pasi kjo komand krkon vetm aplikimin e
tensionit VGS . MOSFET krkon sistem ftohjeje t studiuar mir.
I-5. Tiristori
i bllokueshm G.T.O.

IG

IA

Simboli i GTO :

K
VAK

Karakteristika volt-ampere
statike reale :

Karakteristika volt-ampere statike

e idealizuar :

IA

IA
Turn-ON

ON
OFF

Turn-OFF

VAK

V AK

Karakteristika dinamike
a) n kyje
kryhet njlloj si pr tiristorin e zakonshm duke dhn nj impuls rryme n
gril me nj kohzgjatje disa s;
b) n shkyje
kryhet si pr nj transistor, duke dhn n gril nj rrym t kundrt me
ndihmn e aplikimit t nj tensioni negativ ndrmjet grils dhe katods (nga 10 v deri -15 v). Pr nj bllokim (shkyje) sa m efikas, rryma e kundrt n gril

22

Aleksandr Xhuvani

duhet t jet sa 20 % deri n 100 % t rryms anodike iA. Kohzgjatja e rryms

s kundrt mund t shkoj deri n disa dhjetra s (zakonisht ajo ndryshon
nga 5 deri n 20 s).

I-6. Tiristori R.C.T.

(Reverse Conducting Thyristor)

Karakteristika volt-ampere statike e idealizuar dhe

Simboli i RCT:

IA
IA
VAK
VAK

N familjen e komponentve aktiv, q ka gjetur zbatim t gjer tek

shndrruesit statik, sht edhe tiristori R.C.V. Ai prftohet si bashkim i
nj tiristori me nj diod t lidhur n antiparalel. Karakteristika e tij
dinamike sht:
a) kyje e komanduar
b) shkyje spontane.
Nqoft se dioda dhe tiristori invertohen (bornat e lidhjes), ather
karakteristika dinamike e ktij komponenti, kshtu t formuar,do t ishte me:
a) kyje spontane
b) kyje t komanduar.
Nj komponent elektronik i till mban edhe emrin tiristor dual .
I-7. Triaku
Karakteristika volt-ampere statike e idealizuar dhe simboli i triakut :

A1

V
A2

23

Elektronika e fuqis

Triaku sht nj komponent i njvlershm me dy tiristor t lidhur n

antiparalel. Kyja e secilit tiristor prbrs realizohet me drgimin e nj
impulsi rryme prkatsisht pozitiv dhe negativ n gril. Ai sht i paracaktuar
t funksionoj n qarqet e rryms alternative, n shndrruesit statik t
quajtur gradator t tensionit.
I-8. Transistori dypolar me port
t izoluar (IGBT)
Simboli i IGTB :
IC

Karakteristika V- I statike e reale :

IC

VGE = 8 V
VGE = 6 V

VGEV=GE5=V4 V

Ngopje - ON

VCE

VCE
Prerje - OFF
E

Karakteristika statike V- I e idealizuar :

IC

ON
OFF
VCE

IGTB sht nj ndr

komponentt
e
rinj
n
q
elektronikn e fuqis,
prmban disa prej prparsive t
BJT-s, GTO-s dhe MOSFET-it
Kshtu,
n
njkohsisht.

24

Aleksandr Xhuvani

ngjashmri me MOSFET-in,
IGTB-ja ka rezistenc hyrjeje t
madhe, gj q mundson
komutimin e tij me nj sinjal, q
mbart energji relativisht t
vogl; si BJT-ja, n gjendjen ON
ai paraqet nj rnie t vogl
tensioni VCE n borna (2-3 Volt pr nj IGTB q mban 1000 V)
dhe, s fundi, n ngjashmri me GTO-s ai bllokon edhe tensione negative.
IGTB-ja ka nj koh komutimi n dy kalimet ON dhe OFF t rendit 1 s dhe
sot gjenden n treg me tensione bllokimi deri n 1700 V dhe rryma deri 1200 A.
Po projektohen IGTB q bllokojn tensione 2-3 kV.
I-9. Tiristori MOS (MCT)
Simboli i MCT :
Karakteristika V- I reale :
IA

IA
ON

OFF

VAK
VAK

MCT I TIPIT P
Karakteristika V- I e idealizuar :
IA

VAK

Tiristori MOS (TMC) sht ende

nj komponent i realizuar vetm
n laborator, por, s shpejti, ai
do t jet i pranishm n treg. Si
shihet edhe nga karakteristikat e

25

Elektronika e fuqis

tij volt-ampere, MCT-ja sht i

ngjashm me nj GTO, i
prmirsuar n pikpamjen e
energjizimit t ult t sinjalit
komandues (ashtu si IGTB). Ai ka koh t vogla komutimi deri n disa
mikrosekonda dhe mban tensione 2000-3000 V dhe rryma disa qindra amper.
Pra, n rrym, ai sht m i kufizuar se GTO.
1.10. Karakteristikat e elsave t kontrollueshm
elsat ideal t kontrollueshm (n kyje dhe n shkyje) duhet t ken kto
karakteristika :
t bllokojn (mbajn) tensione t drejta apo t kundrt t konsiderueshme
duke mos mbajtur rrym kur jan n gjendjen OFF;
t prcjellin rryma t konsiderueshme kur rnia e drejt e tensionit n
borna n gjendjen ON sht e paprfillshme;
t trigerohen (komutohen) nga ON n OFF dhe anasjelltas n mnyr t
menjhershme;
t krkojn konsum energjie t paprfillshm prej burimit t kontrollit t
trigerimit (komutimit) t elsit.
sht e imagjinueshme se n pajisjet reale nuk mund t prftohen kto
karakteristika ideale (teorike), q do t thot se n t vrtet elsat
konsumojn energji, dukuri q, n qoft se nuk kontrollohet, mund t oj n
dmtimin jo vetm t
elsave n fjal, por edhe t
komponentve t tjer t
DRL
skems. Le t paraqesim
Vh
Id
kt
konsum
energjie
npermjet skems s
vT
iT
FIGURA 1.1.7

mposhtme, si tregohet n figurn 1.1.7. Kemi zgjedhur kt skem, sepse ajo

sht e rndomt n zbatimet e elektroniks s fuqis. DRL (dioda e rrugs s
lir) pranohet ideale. Kshtu, kur elsi T sht n gjendjen ON, n t rrjedh

26

Aleksandr Xhuvani

intensiteti i rryms s burimit n dalje Id dhe kur ai sht n gjendjen OFF n

borna t tija zbatohet tensioni i hyrjes Vh, ndrkoh q burimi i rryms n dalje
mbyll qarkun nprmjet DRL-s.
Madhsit e ndryshme t skems n funksion t kohs (kronogramet n vijim
t tekstit) paraqiten n figurn 1.1.8, ku dallojm :
td(on) dhe td(off)-vonesat e pastra prkatsisht n kyje (ON) dhe shkyje (OFF);
tri - koha e rritjes s rryms n kyje ;
tfv - koha e rnies s tensionit n kyje ;
tfi - koha e rnies s rryms n shkyje ;
Sinjali i kontrollit

t
t ON

t OFF

uT , iT

TS
Vh

Id

Von
t
tri

tfv

td (on)

trv
td (off)

tc (on)
Vh Id

tfi

tc (off)

pT (t)

t
Wc(on) = 1/2 Vh Id tc(on)
FIGURA 1.1.8

Wc(off) = 1/2 Vh Id tc(off)

Elektronika e fuqis

27

trv - koha e rritjes s tensionit n shkyje ;

tc(on) dhe tc(off) - koht e plota t komutimit prkatsisht n kyje dhe n
shkyje.
Shnojm se, n kt figur, dy vijzat e ndrprera nnkuptojn faktin se
kohzgjatja e grafikve te sinjaleve mund t jet e ndryshme nga sa paraqitet.
N kt mnyr, energjia e konsumuar (humbur) nga komponenti elektronik,
q sintetizon elsin e kontrollueshm n kyje dhe shkyje ndahet si vijon n:
1
Wc(on) = Vh I d t c( on)
(1.1.1)
- energji e humbur n kyje
2
dhe
1
Wc(off ) = Vh I d t c( off )
(1.1.2)
- energji e humbur n shkyje.
2
Duke mbajtur parasysh relacionin e energjis me fuqin, mund t nxjerrim
fuqin e konsumuar nga komponenti elektronik gjat dy komutimeve ON dhe
OFF :
(tc (on) + tc(off ) )
1
Pon&off = Vh I d
(1.1.3)
2
Ts
si edhe fuqin e konsumuar (humbur) nga komponenti elektronik gjat
funksionimit n ON :
t
Pon = Von I on on
(1.1.4)
Ts
Fuqia e plot e konsumuar nga komponenti elektronik sht :
P = Pon&off + Pon
(1.1.5)
Duke br nj prmbledhje t karakteristikave t dshiruara t nj
komponenti elektronik t kontrollueshm n kyje dhe shkyje, ata duhet t
ken:
rrjedhje t vogla t rryms s kundrt n gjendjen OFF;
rnie t vogla tensioni n gjendjen ON;
koh t shkurtra tc(on) dhe tc(off), gj q do t onte n frekuenca t larta
pun t skemave;
tensione t larta bllokimi n gjendjet ON dhe OFF, gj q do t ulte
numrin e komponentve elektronik t lidhur n kaskad dhe, pr
pasoj, do t thjeshtsonte skemat e komandimit t tyre;

28

Aleksandr Xhuvani
rryma t larta n gjendjen ON, q do t ulte numrin e komponentve apo
t elementeve t lidhura n paralel pr t ndar rrymn e parashikuar t
puns;
koeficient pozitiv temperature pr rezistencn e gjendjes ON, q do t
sillte ndarjen e barabart t rrymave kur komponentt elektronik jan t
lidhur n paralel;
fuqi t ulta t skemave t komandimit dhe t kontrollit, q do t
thjeshtonte kto t fundit;
aftsi pr t mbajtur rryma dhe tensione t larta gjat komutimeve, n
mnyr q t mos lind nevoja e qarqeve n ndihm t komutimit
(snubbern gjuhn angleze) apo t mbrojtjes nga mbitensionet dhe
mbirrymat;
aftsi pr t mbajtur gradient dv/dt dhe di/dt t lart pr t minimizuar
kshtu nevojn e qarqeve t zbutjes s tyre pr t mos dmtuar skemn
ku kta elsa jan lidhur.

1.11. Krahasimi i komponentve t komanduar n kyje dhe shkyje

Para s gjithash duhet thn se, n qoft se ka t dhna q japin mundsin e
krahasimit t parametrave m t rndsishm t komponentve elektronik,
kto t dhna duhet t merren gjithnj me rezervn e ndryshimit t tyre, si
rezultat i progresit teknologjik n prodhimin e komponentve, gj q on,
doemos, n prmirsimin, pra ndryshimin e ktyre parametrave. Ktu m
posht po japin nj tabel krahasuese pr vetit m t rndsishme t
komponentve t komandueshm pr komutimin n dy gjendjet ON dhe
OFF:
Komponenti
BJT
MOSFET
GTO
IGTB
MCT

Fuqia e lejuar
mesatare
e vogl
e madhe
mesatare
mesatare

Frekuenca e komutimit
mesatare
e larte
e ult
mesatare
mesatare

Evolucioni i teknologjis s gjysmpruesve do t oj pa dyshim n fuqi m

t mdha, frekuenca m t larta dhe kosto m t ult prodhimi. Ky evolucion,
pr pasoj, e bn prher dhe m aktuale pyetjen se cili komponent sht m i

29

Elektronika e fuqis

prshtatshm pr nj skem t dhn. N vend t prgjigjes, po paraplqejm

t japim kto paraqitje domethnse dhe krahasuese pr arritjet e
komponentve t fuqis deri n ditt e sotme:
5000
4000

[V]

3000
2000
1000
0
Tiristore

GTO

Tensioni
BJT

Tensioni i bllokuar

MCT

IGBT

MOSFET

3000
2500

[A]

2000
1500
1000
500
0
Tiristore

Rryma e lejuar

GTO

Rryma
BJT

MCT

IGBT

MOSFET

30

Aleksandr Xhuvani
1000

[kHz]

800
600
400
200
0
Tiristore

GTO

Frekuenca maksimale

Frekuence
BJT

MCT

IGBT

MOSFET

Sipas nevojs teknologjike dhe kostos bhet przgjedhja e komponentve

elektronik duke mbajtur parasysh dinamikn e dy t parave.
1.12. Qarqet n ndihm t komutimit (QNK)
Pr sintetizimin e nj elsi t prgjithsuar nprmjet nj komponenti
elektronik t dhn, rndsi t madhe kan shpejtsia e komutimit (frekuenca
e komutimit) dhe humbjet e fuqis gjat ktij proesi. Pr sa u prket dy
aspekteve t msiprme sht e logjikshme q sintetizimi i elsave t
prgjithsuar, t jet drejtprsdrejti i lidhur me cilsin e realizimit t vet
shndrruesit statik. Kshtu, n projektimin e shndrruesve statik, qarqet e
komandimt t komponentve elektronik zn nj vend t rndsishm.
Synimi i sotm i teknologjis s prodhimit t ktyre komponentve sht
integrimi gjithnj e m i madh i qarqeve t komands n kutin e zez t
komponentit. Pr nj komandim optimal t komponentve elektronik n
stadin aktual t teknologjis prdoren t ashuquajturat qarqe n ndihm t
komutimit (QNK ose snubber circuit n gjuhn angleze dhe circuit laide de
commutation ne gjuhn fanceze), tipat e ndryshm t t cilve mund t
prmblidhen si vijon:
1. QNK n kyje, q kan pr qllim t minimizojn mbirrymat n pajisje kur
kjo e fundit kalon n gjendjen ON.
2. QNK n shkyje, q kan pr qllim t minimizojn mbitensionet n pajisje
kur kjo e fundit kalon n gjendjen OFF.

Elektronika e fuqis

31

3. QNK, q kan pr qllim t modifikojn formn e sinjalit gjat

komutimeve, n mnyr q komponenti elektronik gjat ktyre asteve t
mos ndodhet njkohsisht nn tensione t larta dhe t prcjell rryma t
mdha.
N praktik hasen disa tipa QNK-sh, pr sa i prket topologjis s tyre, n
varsi edhe nga topologjia e vet shndrruesit statik.