Jednostepeni MOSFET Pojacavaci

Osnovne osobine MOS tranzistora
MOSFET transkonduktansni pojaava:

Napon
p vGS kontrolie iD=ggmvGS
iD ne zavisi od RD
iG=00, Ru =>
>
Tranzistor radi u oblasti zasienja:
vGS>Vt; vDS>v
> GS-V
Vt
Jednostepeni
p
MOSFET p
pojaavai
j
Laka realizacija u IC
15. novembar 2011.
Jednostepeni MOSFET pojaavai
Poreenje MOSFET BJT
Poreenje MOSFET BJT:

karakteristike
iD =
v
v
1
W
W
nCox (vGS Vt ) 2 (1 + DS ) = k n (vGS Vt ) 2 (1 + DS )
2
L
VA
L
VA
malosignalni model
v BE
iC = I S e VT (1 +
vCE
)
VA
iB = iC /
iG = 0
ID
xmA
x 10 [mA/V]
1
0
.1V
(vGS Vt )
2
75V
V
10k < ro = A
< 1M
ID
ID
gm =
15. novembar 2011.
15. novembar 2011.
I
x mA
gm = C
x 40 [mA/V]
[ A/V]
VT 0.025V
V
100V
10k < ro = A
< 1M
IC
IC
Poreenje MOSFET BJT
Poreenje MOSFET BJT
Osnovna konfiguracija
VF
fT =
gm
x 10 [GHz]
2 (C gs + C gd )
15. novembar 2011.
fT =
gm
x 10 [G
[GHz]] < fTMOS
2 (C + C )
15. novembar 2011.
Jednostepeni pojaavai sa MOST
Poreenje MOSFET BJT
Prenosna karakteristika
pojaanje
1. Pojaava sa zajednikim sorsom

2. Pojaava sa zajednikim gejtom
3. Pojaava sa zajednikim drejnom
4. Kaskodni pojaavai
5. Pojaava sa CMOS parom
A0 MOS
15. novembar 2011.
A0 BJT
100
15. novembar 2011.
Pojaava sa zajednikim sorsom

a.
b.
c.
d.
Princip rada
DC polarizacija
p
j
Odnosi snaga (slino kao ZE)
Stabilnost ((T stabilniji
j od
BJT - NTC)
Analiza za male signale
g
e.
i.
ii.
iii
iii.
a. Princip rada
b. DC polarizacija
p
j
c. Analiza za male signale
i.
ii.
iii.
Ulazna otpornost
Pojaanje
Izlazna otpornost
d Analiza
d.
A li u frekvencijskom
f k
ij k
d
domenu
Ulazna otpornost
Pojaanje
I l
Izlazna
otpornost
t
t
f. Analiza u frekvencijskom domenu

15. novembar 2011.
15. novembar 2011.
a) Princip rada:
Tranzistor radi u konfiguraciji
g
j ZS
b) DC polarizacija
Ulaz vGS pobuda u kolu gejta

potroa u kolu drejna
j
Izlaz iD, vDS p
iD= iS
M
IDM
Tranzistor radi u oblasti zasienja

j
Pojaava male signale (u okolini radne take)
iD
vGD
Obre fazu
iG=0
Pojaava napona
vDS
Obezbediti rad u oblasti

zasienja:
vGS>Vt; vDS>vGS-Vt
vGS
15. novembar 2011.
10
11
15. novembar 2011.
Nagib
g -1/RD
VDSM
VDSmin= vGS-V
t
VDSmax= VDD
Dinamiki opseg
izlaznog napona
vDS
V /2
Jednostepeni
MOSFET pojaavai
DSM=
DD
12
b) DC polarizacija
l i ij - otpornik
ik GD
b) DC polarizacija
Uzorak 2
Uzorak 1
VGS = VDS ,
Nagib -1/RS
Zato?
ta to znai?
ID2
Tranzistor uvek u zasienju,

zasienju
VDS>VGS-Vt
VDS-V
VGS= 0 >-Vt
> Vt
Stabilnost: zavisnost ID od
uzorka tranzistora
15. novembar 2011.
0 < Vt
13
( )
1
kn W
(V Vt ) 2 ,
L 1 GS
2
14
b) DC polarizacija
l i ij - izvor
i
konstantne
k
struje
j
I REF = I D1 =
15. novembar 2011.
I = I D2 =
b) DC polarizacija
l i ij + mali
li pobudni
b d i signal
i
l vgs
( )
1
(V Vt ) 2 ,
kn W
L 2 GS
2
ID+ id
I = I REF
(W L)
(W L)
VGS+ vgs
Rp
15. novembar 2011.
15
15. novembar 2011.
16
b) DC polarizacija
l i ij + mali
li pobudni
b d i signal
i
l vgs
b) DC polarizacija
l i ij + mali
li pobudni
b d i signal
i
l vgs
Da li obre fazu?
vGS
iD
vDS
Da li i kako A zavisi od RD ?
Obre fazu
RD
v.s A
A= vDS/vGS
15. novembar 2011.
17
15. novembar 2011.
c) Analiza za male signale:
c) Analiza za male signale: CS i CS1,2 kratak spoj
VDD i VEE kratak spoj; I otvorena grana
Rg
Rg
Rp
Rp
vg
15. novembar 2011.
18
vg
19
15. novembar 2011.
20
c) Analiza za male signale
Pobuda
vi
iu
Rg
id
iu
4
4.
vg
Rp
vgs
vgs
vu
vg
Rg
Potroa
P j
Pojaava
gmvgs
Ri
Rp
vd
Ru
Ri
Ru
15. novembar 2011.
21
Ao=?
?
Ru=RG
iu
ig=0
Ao=??
Rg
Ri=?
Ru=?
22
Ri=?
15. novembar 2011.
id
Rg
iu
ig=0
id
vi
vg
vu
vgs
gmvgs
Ru
vg
Rp
vd
vu
vds
vi
gmvgs
Ri
Ru
Ri
vi = vds = g m v gs (ro RD ) g m v gs RD
Ru = RG
R
v15.u novembar
v g =MOSFET
v gs pojaavai
= 2011.G v g Jednostepeni
za RG >> Rg
RG + Rg
vgs
23
15. novembar 2011.
Obre fazu
24
Ri=?
1
Ao=?
Ru=R
RG
ig=0
iu
Rg
vu
vg
id
vgs
Rg
vds
vu
vg
vi
iu
ig=0
id
vgs
gmvgs
Ru
Ri
15. novembar 2011.
vds
vi
gmvgs
Ru
A0 - gmRD za ro >>RD
v
A0 = i
= gm (ro RD )
v u R
p
Ao=-gmRD
Ru=R
RG
Ri=?
v
Ri = i
ii
25
v =0
u
15. novembar 2011.
Ri RD
za ro >> RD
26
Ru=R
RG
Ao=-gmRD
= (ro RD )
Ri=RD
Ri
Dinamika radna prava
iu
Rg
2
Ri
ii
1
vu
Ru
Aovu
vi
Vg
1
Rp
15. novembar 2011.
Nagib
1
Rp
vi vi vu
Ru
A0
=
=
v g vu v g R p + Ri
Ru + Rg
Rp
RG
Au =
g m RD
R p + RD
RG + Rg
Au =
RD
Nagib
(R
Rp )
Au g m (RD R p )
27
15. novembar 2011.
28

Pojaanje
P
j j e
biti vee
ukoliko
k lik
je RD vee.
Nagib
1
RD
Idealna statika
Idealno bi bilo RD
(samo Rp odreuje pojaanje) .
Nagib
1
(R
Nagib
1/ Rp
Meutim tada je u kolu prekid i

nee tei DC struja.
struja
Rp )
Koji je to element koji

proputa DC a ima beskonanu
dinamiku otpornost?
15. novembar 2011.
29
30
c) Analiza za male signale aktivno optereenje

Koji je to element koji
proputa DC a ima beskonanu
p
dinamiku otpornost?
15. novembar 2011.

Ovo se lako implementira u CMOS tehnologiji preko pMOS
tranzistora Q2 koji predstavlja dinamiko optereenje tranzistoru
Q1 koji
j radi u konfiguraciji
g
j ZS
Triodna
Idealna statika
1/ ro
Nagib=1/r
o
Nagib
Zasienje
ID2
IREF
1/ Rp
VDS2=VGS2
V GS 2 V t
VDS2=VD2-VDD
DC
15. novembar 2011.
AC
31
15. novembar 2011.
32
c) Analiza za male signale RS degeneracija u sorsu
pMOS kao aktivno optereenje

iD1
St tik radna
Statika
d kriva
ki
vi
IREF
Rg
Rp
vu
vg
VGS3=VDS2
=VGS2
V GS 2 = V DS 2 = V D 2 V DD
vgs
Ri
Ru
V DD
V GS 2 V t = V G 2 V DD V t
Male promene struje iD => velike promene napona vDS

Znai i male promene struje vGS => velike promene napona vDS
15. novembar 2011.
15. novembar 2011.
33
vi
vi
Rp
Rg
vg
Ru = RG
vu =
vgs
v gs =
Ru
RG
vg
RG + Rg
1/ gm
vu
1 / g m + RS
Ru = RG
vu =
gm
vu
1 + g m RS
Ri
vu
vg
1/ gm
id = g m v gs = g m
vu
1 / g m + RS
id =
35
Ru
RG
vg
RG + Rg
15. novembar 2011.
vi =
vgs
Koliko je A0 za RS=0?
15. novembar 2011.
vi = id (RD R p )
Rp
Rg
Ri
vu
34
vi
gm
(RD R p )
=
vu
1 + g m RS
A=
A0 =
vi
vu
gm
vu (RD R p )
1 + g m RS
=
Rp
g m RD
1 + g m RS
36
d) A
Analiza
li u ffrekvencijskom
k
ij k
d
domenu
d) Analiza u frekvencijskom domenu
Realno kolo:
Prethodna analiza:
Reaktanse kondenzatora konane

Na NF CS i CC predstavljaju
konane impedanse
CC blokiraju (oslabe) NF signal
Reaktanse svih kondenzatora

zanemarene
Rezultat:
Pojaanje
P j j ne zavisi
i i od
d frekvencije
f k
ij Ravna amplitudska karakteristika
Prihvatljivo samo za frekvencije

u propusnom opsegu
15. novembar 2011.
37
CS ponaa se kao impedansa u

sorsu smanjuje pojaanje
Na VF Cgd i Cgs dolaze do izraaja

Cgd kratkospaja G i D
tranzistora
Cgs kratkospaja G za S (masu)
15. novembar 2011.
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
NF
u AC modelu
d l uticaj
i j Cgd i Cgs je
j zanemariv
i prii NF (reaktanse
( k
velike);
Utiu CC1, CS i CC2;

posmatramo uticaj
i j
svakog posebno
CC1
NF
vi
[dB]
vg
gmvgs
vi
gmvgs
Rgen
f p1 =
Rp
vgen
1/gm
39
15. novembar 2011.
2 CC1
p1 =
vg
15. novembar 2011.
38
CC 1
1
RG + Rgen
1
RG + Rgen
S
Jednostepeni
MOSFET pojaavai
40
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
NF
vi
[dB]
vg
Utiu CC1, CS i CC2;

posmatramo uticaj
i j
svakog posebno
Utiu CC1, CS i CC2;

posmatramo uticaj
i j
svakog posebno
CS
CC2
vi
vi
gmvgs
Rgen
f p2 =
Rp
vgen
vg
15. novembar 2011.
gm
2 CS
p2 =
1/gm
gmvgs
Rgen
vgen
gm
CC 1
15. novembar 2011.
41
1
CC 2 ( RD + R p )
S
Jednostepeni
MOSFET pojaavai
42
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
VF
vi
[dB]
vg
VF CC1, CC2 i CS predstavljaju kratak spoj

T
Tranzistor
i
se zamenjuje
j j hibridnim
hib id i modelom
d l
Cgd kratkospaja G i D
Cgs kratkospaja G za S (masu)
Rgen
Vgen
vgs
1
2 CC 2 ( RD + R p )
p3 =
vg
Cgd i Cgs dolaze do izraaja
f p3 =
Rp
1/gm
vS
Jednostepeni
MOSFET pojaavai
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
NF
vi
[dB]
vg
Igd Cgd
gmVgs
ro
RD
Rp
vi
gmvgs
Vgen =
RG
Vgen
RG + Rgen
Rp
R p = ro RD R p
Rgen = Rgen RG
15. novembar 2011.
43
15. novembar 2011.
44
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
VF Zamena Tevenenovim generatorom na ulazu

i primena
i
Mil
Milerove
teoreme, za Ao= -gmRp
VF
Igd
Rgen
Vgs
Vgen
Vi
Ceq
Cgs
Vgs
Vgen
Cgs
Ceq
Cu = C gs + Ceq = C gs + C gd (1 + g m R p )
R p = ro RC R p
Vgs =
45
1 / sCu
RG
1
1
Vgen
V gen =
V gen =
1 + sCu Rgen
1 + sCu Rgen RG + Rgen
Rgen +1 / sCu
15. novembar 2011.
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
VF Ukupno pojaanje na VF
VF Gornja granina frekvencija
Vgen
Igd
Vgs
Vi
A
=
Vg 1+ s / o
Vi
Ceq
Cgs
o = v =
Rp
gmVgs
Vi
(dB)
Vg
1
Cu Rgen
RG
ro RD R p V gen
1 + sC u Rgen RG RG + Rgen
RG
V
1
A
ro RD R p =
Au = i = gm
1 + s / o
V gen
1 + sC u R gen RG RG + Rgen
Vi = gmV gs R p = gm
15. novembar 2011.
46
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
Rgen
Rp
gmVgs
R p = ro RC R p
I gdd = sCeqVgs
15. novembar 2011.
Vi
Rp
gmVgs
Ceq = C gdd (1 + g m R p ))
Igd
Rgen
R
Z
Z =
1 1 A
fv =
47
15. novembar 2011.
1
2 Cu Rgen
48
d) A
Analiza
k
ij k
d
domenu
Domai 1.6:
U kolu sa slike upotrebljen je tranzistor
sa Vt=1V, knW/L=1mA/V2, =0.
Poznato jje VDD=15V .
VF Rezime
Gornja granina frekvencija odreena je
vremenskom konstantom Rgen||||RG i Cu.
Rgen utie na fv .
U Cu dominira
d i i Ceq , zapravo deo
d Cgs koji
k ji se preslikava
lik
na ulaz.
Iako je Cgs malo, preslikava se kao (1+gmRp) puta
vea kapacitivnost i sniava fv.
Postoji nain da se smanji uticaj Milerovog efekta;
o tome kasnije
j ((kaskodni p
pojaavai)
j
)
15. novembar 2011.
a) Odrediti vrednosti ostalih elemenata kola pod uslovom da je

ID=0.5mA
=0 5mA i da su padovi napona na RD i RS isti i iznose VDD/3.
/3
(RD=RS =10k, RG1=8M, RG2 =7M)
b) Izraunati
au at za
a koliko
o o e se promeniti
p o e t ID u
ukoliko
o o se ttranzistor
a sto
zameni drugim kod koga je Vt=1.5V. (I = 0.45mA, I = -0.05mA,I /I =-10% )
c) Ponoviti postupak pod a i b) u sluaju da se zadri ista vrednost
za ID i RD a da je RS =0. (R =13M, R =2M, I = -0.375mA, I /I =-75% )
d) Izraunati naponsko pojaanje ulaznu i izlaznu otpornost u
15. novembar 2011.
MOSFET pojaavai
50
sluaju
a) i c). (A =-10/11,Jednostepeni
R =3.73M, R =10k, A =10, R =1.73M, R =10k)
D
G1
49
Pojaava sa zajednikim gejtom
uc
ic
Ulazna otpornost
Pojaanje
Izlazna otpornost
Ulaz

Ne obre fazu
iD
iS
vDS
P j
Pojaava
napona
vSG
Izlaz
Ulaz vS pobuda u kolu sorsa

Izlaz iD, vD p
potroa u kolu drejna
j
d Analiza
d.
f k
ij k
d
domenu
15. novembar 2011.
a) Princip rada:
g
j ZG
Princip rada
DC p
polarizacija
j kao za ZS
i.
ii.
iii.
ic
2. Pojaava sa zajednikim gejtom

a.
b.
c.
ua
G2
51
15. novembar 2011.
vGD
52
b) DC polarizacija
l i ij - izvor
i
konstantne
k
struje
j
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
VDD zamenjen dinamikom
otpornou =0; kratak spoj
vd
vi
ii=gmvu
Rp
Gejt direktno vezan za masu
vg
vu
53
vu
15. novembar 2011.
id=i
id=i
vd
Ru = 1 / g m < 100
15. novembar 2011.
Ao =
Ri=R
RD
iu
vu
Ru=1/gm
vi
vi = g m vu ( RD R p )
Rp
Ru
v gen
Ru + Rgen
vd
vi = ( g m vu )( RD R p )
vi
vgen
54
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
Reaktanse Cgs i Cgd velike na SF - prekid
vu << v gen
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
Rgen
Ri=R
RD
Ru
1
vu =
v gen
1 + g m Rgen
Rp
iu
vg
vu =
vi
ii=gmvu
Rg
Ru
15. novembar 2011.
vd
R kt
Reaktanse
CC1 i CC2 male
l na SF
Ri=R
RD
iu
Rg
I zamenjen dinamikom otpornou

prekid
v
iu = u = g m vu
1/ gm
vi
vu
Rp
= g m RD
Rp
Ri=R
RD
Rgen
iu
vgen
i = iu = g m vu
Au =
vu
vi
v v
= i u
v gen vu v gen
Au = g m (RD R p )
Ru=1/gm
vo = id ( RD R p )
55
Veoma mala
V
l ulazna
l
otpornost
t
t degradira
d
di ukupno
k
naponsko
k
15. novembarkod
2011. ZG
pojaanje
1
1 + g m Rgen
56
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
Poreenje
ZS
1/ gm
gmRD
Ao
Ri
gmRD
iu =
RD
RD
RG
g m (RD R p )
RG + Rg
Veoma mala ulazna otpornost

p
degradira
g
ukupno naponsko pojaanje ali
predstavlja odlino prilagoenje za
pojaava
struje
ZG
RG
Ru
Au
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
g m (RD R p )
1
1 + g m Rggen
iu =
Rggen
Rgen + Ru
57
Rp
Rgen + 1 / g m
igen
igen
Rggen
vu
Ru=1/gm
15. novembar 2011.
58
c)) Analiza za male signale aktivno optereenje (IC)
Balk i ggejt
j su uzemljeni
j
vG=vB=0
ro + R p
Ru =
Sors i balk nisu na istom potencijalu

vBS0; vGS=vvBS
1 + ( g m + g mb )ro
A0 = 1 + ( g m + g mb )ro
vi
id = g m v ggs + g mb vbs
1
g m + g mb
vi
i=(( gm+ggmb))vu
Rit = ro
id = ( g m + g mb )v gs
iu
U prethodnim izrazima treba

zameniti:
i. gm sa gm+gmb
vgen
Rs
vgs
vbs
Ru =
ro + R p
Ao
Ri = ro + Ao Rs
vu
Rp
1
+
g m + g mb Ao
iu=0
Rs
vgen
ii. RD sa ro tranzistora koji predstavlja aktivno optereenje

15. novembar 2011.
vi
iu
Rgen
vd
igen
iu igen
15. novembar 2011.
Ri=RD
vu
Ru
59
15. novembar 2011.
60
d) Frekvencijska analiza aktivno optereenje (IC)

VF
ZG Konvertor impedanse
Rp
strujni bafer
Ri = ro + Ao Rs
Ru =
ro + R p
Ao
Vi
Milerov efekat nije

dominantan jer su Cgdd
i Cgs uzemljeni jednim
krajem.
Rp
Cds ne dominira jer je

naponsko
p
p
pojaanje
j
j
malo
V
1
+
g m + g mb Ao
Rp
gen
Cp
Vu
A0 = 1 + ( g m + g mb )ro g m ro
15. novembar 2011.
61
15. novembar 2011.
Rp
Vu
Ulaz
f P1 =
Domai 2.6:
U kolu sa slike upotrebljen je
tranzistor sa Vt=1.5V,
(gm+gmb)vu
Vgen
knW/L=1mA/V2, VA=75V.
Cp+Cgd
2 C ggs Rs
g
+
g
m
mb
>
f P2 =
1
2 (C gd + C p )R p
Rg
a) Odrediti vrednosti jednosmernih napona VD i VS. (VD=2.5V,

VS=-2.5V)
b) Odrediti A0, Ru, Ri i Av ukoliko je RP=15k, Rg=50. (A =15V/V,

0
Ru =1k, Ri=15k, Av =7.5V/V)
fv = fP2 mnogo vea nego kod ZS

15. novembar 2011.
RP
Poznato je VDD= VSS=10V,

ID=0.5mA,
0.5mA, RD=15k
15k.
Izlaz
62
d) Frekvencijska analiza aktivno optereenje (IC)

VF
63
c) Odrediti ukupno naponsko pojaanje ukoliko je Rg=1k,

=1k
15. novembar
2011.(3.75V/V, 0.68V/V,
Jednostepeni
0.07V/V ) MOSFET pojaavai
10k,
100k.
64
Pojaava sa zajednikim drejnom
Ulaz
a) Princip rada:
g
j ZD
3. Pojaava sa zajednikim drejnom

a.
b.
c.
Princip rada
DC polarizacija
p
j
i.
ii.
iii.
Izlaz
Ulaz vG pobuda u kolu gejta

Izlaz vS p
potroa u kolu sorsa
Ulazna otpornost
Pojaanje
Izlazna otpornost
d Analiza
d.
f k
ij k
d
domenu

Ne obre fazu
iS
P j
Pojaava
napona
vSD
vGD
iD
15. novembar 2011.
65
15. novembar 2011.
66
b) DC polarizacija
l i ij - izvor
i
konstantne
k
struje
j
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
I i VDD zamenjeni dinamikim
otpornostima;
i
Rgen
D kratkospojen za masu.
vi
vu
vgen
Rgen
Rp
Ru
vgen
Ri
vi
vu
Rp
Ru
Reaktanse CC1 i CC2 male na SF

15. novembar 2011.
67
15. novembar 2011.
Ri
68
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
Reaktanse Cgs i Cgd velike na SF
Ru = RG
vu =
SF
Rgen
Ru
vu =
v gen
Ru + Rgen
vgen
vu
Ru=R
RG
Ru=R
RG
Rp
15. novembar 2011.
69
Au =
SF
Au =
Ru=R
RG
Rp
1
Rp +
gm
vi
Rp
15. novembar 2011.
ro
1
R p ro +
gm
ro
Ao =
< 1
1
ro +
vi
gm
Rp
Rp
v
A= i =
<1
vu R + 1
p
gm
70
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
vi
v ggen
v v
Au = i u
v u v gen
Rgen
vu
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
vgen
v
1 u
(ro R p ) +
gm
v
Ao = i
vu
vu
vu v gen
15. novembar 2011.
ro R p
Rggen
vgen
RG
v gen
RG + Rgen
vi =
Rgen
g
RG
RG + R gen
vgen
vu
Ru=RG
Au 1
vi
za RG >> R gen , ro >> 1 /g m i ro >> R p
71
Rp
15. novembar 2011.
Ri =
1
1
Rp
gm
gm
72
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
Poreenje
ZS
Ao
Ri
Sors i balk nisu na istom potencijalu

vds
vbs
d =v
b 0;
RG
gmRD
ro
< 1
ro + 1 / g m
RD
1 / g m (malo x10 - 100)
g m (RD R p )
Drejn
j i balk su uzemljeni
j
vd=vb=0
ZD
RG
Ru
Au
c)) Analiza za male signale aktivno optereenje
RG
RG + Rg
Rp
Rp + 1/ gm
To je ekvivalentno
paralelnoj vezi 1/gmb sa
Rp i r o
15. novembar 2011.
74

Struja
j koja
j utie u S
gmbvbs =gmbvds predstavlja
struju kroz otpornost
1/gmb kada je na njenim
i
krajevima napon vds=vbs.
vgs
vi
To je ekvivalentno
paralelnoj vezi 1/gmb sa
Rp i r o
Rp
v gs = vu vi
vi = g m v gs R p
15. novembar 2011.
vi
RG
<1
RG + Rgen
vbs
vbs
Rp
vu
vgs
id = g m vggs + g mb vbs
73
Struja
j koja
j utie u S
gmbvbs =gmbvds predstavlja
struju kroz otpornost
1/gmb kada je na njenim
i
krajevima napon vds=vbs.
vu
75
15. novembar 2011.
vu
vgs
vi
Rp
vi
R p = 1 / g mbb ro R p
gm R p
v
A= i =
<1
v u 1 + gm R p
76

R
gen

v
Ao = i
vu
Ao =
Ao
vu
Rp
Domai 3.6:
vgen
U kolu sa slike
upotrebljen je tranzistor sa
Vt=1.5V,, knW/L=1mA/V2,
VA=75V.
vgs
vi
g m ro
<1
1 + ( g m + g mb )ro
Rp
vi
b) Odrediti A0, Ru, Ri i Av ukoliko je Rg=1M.

(A0=0.993V/V, Ru =4.7M, Ri=0.993k, Av =0.768V/V)
77
15. novembar 2011.
Kaskodni pojaava
4. Kaskodni pojaava
78
Izlaz
a) Princip rada:
Dva tranzistora:
ZS, a kaskadno ZG kao optereenje
Ulaz
Ulaz vG pobuda u kolu gejta ZS
Izlaz vD potroa u kolu drejna ZG
Tranzistori rade u oblasti zasienja
Obre fazu
Pojaava napona
Princip rada
DC polarizacija
p
j
i.
ii.
iii.
Ri
(VG=0V, VS=-2.5V)
Kaskodni pojaava
a.
b.
c.
Ru
a) Odrediti vrednosti jednosmernih napona VG i VS.
1
Ri =
ro
( gm + gmbb )
15. novembar 2011.
Rp
Poznato je VDD= VSS=10V,

10V,
ID=0.5mA, RG=4.7M, RP=15k.
R p = 1 / g mbb ro R p
gm
<1
( gm + gmb )
vu
Ulazna otpornost
Pojaanje
Izlazna otpornost
d Analiza
d.
f k
ij k
d
domenu
(Naziv istorijski: Kaskadno katoda = kaskoda)

15. novembar 2011.
79
15. novembar 2011.
80
Kaskodni pojaava
Kaskodni pojaava
b) DC polarizacija
l i ij
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
SF
VDD, VGG i I zamenjeni

j dinamikim
otpornostima:
rDD =0,
0, D - vezan za masu
vi
vi
rGG=0, G - vezan za masu
VGG
VGG
rI D - prekid
vu
vu
15. novembar 2011.
vu
81
15. novembar 2011.
d) F
Frekvencijska
k
ij k analiza
li
Ri
v
vi
Ao = i
vu
Rp
vu
VF
Vi
Rp
Ao = ( gm1ro1 )( gm 2 ro 2 )
Ru
82
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
vi1
Rp
Cp
Ao = ( gm1ro1 ) 2
zza gm1 = gm 2 , ro1 = ro 2
Rgen
Ri ( gm 2 ro 2 )ro1 = gm r 2
Vgen
Ru
15. novembar 2011.
83
15. novembar 2011.
84
d) F
Frekvencijska
k
ij k analiza
li
Pojaava sa CMOS parom
VF
a.
b.
c.
Princip rada
DC polarizacija
p
j
i.
ii.
iii.
Ulazna otpornost
Pojaanje
Izlazna otpornost
d Analiza
d.
f k
ij k
d
domenu
15. novembar 2011.
85
15. novembar 2011.
a) Princip rada:
Dva komplementarna tranzistora
Ulaz
(CMOS Invertor - digitalna NE
funkcija)
2xZS vezana paralelno
pobuda u kolu ggejta
j
Ulaz vG p
Izlaz vd potroa u kolu drejna
Tranzistori rade u oblasti zasienja
Pojaava male signale (u okolini
radne take)
Obre fazu
Pojaava
P j
napona
15. novembar 2011.
86

I l
Izlaz
b) DC polarizacija
l i ij
VG = VU = VI = VD
vI
QN zas.
QP triod.
VG = VU = VI = VD
QN zas.
QP zas.
vI
vU
IG=0
QN triod.
QP zas.
U
VGSN = VG = V DSN = V D ; VGSN + VGSP = V DD
87
I DN = I DP ; za AN = AP , VGSN = V SGp ;
15. novembar 2011.
V SGP = V DD VG = V SDP = V DD V D = V DD / 2
88
b) DC polarizacija
l i ij
b) DC polarizacija
l i ij
I DN = I DP
I DN =
N CoxWN
2 LN
(VGSN VtN ) 2
= AN (VG VtN ) 2
R
VI
VU
= I DP =
IG=0
P CoxWP
2 LP
vI
(VSGP | VtP |) 2
vi
vu
R R1 + R2
R=R
= AP (VDD VG | VtP |) 2
R1
R2
Za VtN=-V
VtP; AN=A
AP
VG = VDD / 2
15. novembar 2011.
15. novembar 2011.
89
90
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
VDD, zamenjeni
j dinamikim
otpornostima:
Rgen
rDD =0,
0, vezan za masu
Reaktansa XC=0
vi
vu
R2
R1
vgen
R1
15. novembar 2011.
R2
91
15. novembar 2011.
92
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
Rgen
Rgen
vgen
R1
gmPvu
gmNvu
vgen
Rp
vu
R1
2gmvu
R2 || ro/2
R2 || roN ||r
|| oP
0
15. novembar 2011.
Rp
93
15. novembar 2011.
94
c)) Analiza
A li za male
l signale
i
l
Ru = R1
v
Ao = i
vu
Rezime:
Rgen
2gmvu
vu
vgen
Rp
Au =
ro
= g m ro
2
r
r
Ri o R2 o
2
2
15. novembar 2011.
R2 || ro/2
0
r
Ao = 2 gm ( o R2 )
2
Ao 2 g m
Tranzistori rade u zasienju:

VGS>Vt;
VDS>VGS-V
Vt
Za male signale
tranzistor se ponaa kao naponom kontrolisani
strujni izvor id=gmvgs.
Rp
R1
vi
v v
= i u
v gen
v u v ge
ge
gen
r
R1
Au = 2 g m ( o R2 R p )
2
R1 + R gen
r
Au 2 g m o = g m ro za R1 >> R gen
2
95
15. novembar 2011.
96
Rezime:
1.a Zajedniki sors sa otpornikom u sorsu
Rezime:
1. Zajedniki sors
vi
Ru = RG (reda M) veliko
Ru = RG
A0 = g m (ro R D )
Rg
Rp
vg
vu
Ri
Ru
Rg
A0 g m R D
vi
Rp
(reda x10 - x100V/V)
vg
vu
A g m ( RD R p )
15. novembar 2011.
Ru
Au
15. novembar 2011.
97
Rezime:
Konfiguracija sa zajednikim sorsom:
S jje na masii za naizmenini
i
i i signal;
i
l
Ulazni signal se dovodi na G;
Izlazni signal uzima se sa D;
Obre fazu;;
Veliko pojaanje napona;
Velika ulazna otpornost;
Relativno velika izlazna otpornost;
Ot
Otpornost
t RS stabilizuje
t bili j radnu
d taku
t k i
popravlja amplitudsku karakteristiku ali
smanjuje naponsko
pojaanje
15. novembar 2011.
1 + g m RS
( RD R p )
RG
gm
1 + g m RS
RG + Rg
Vea stabilnost
RG
gm (ro RD R p )
RG + Rg
( RD R p )
Ri RD
Ri
Ri = ro R D R D (reda x10k)
Au
A = gm
98
Rezime:
2. Zajedniki gejt
Ru = 1 / g m (reda x10 - 100)

malo!!!
A0 = g m (ro R D )
vi
Rp
Rg
Ri
vg
vu
A0 g m R D
reda x10 - 100V/V
A = g m ( RD R p )
Ri R D ((reda x10k)
Ru
Au g m
99
15. novembar 2011.
( RD R p )
1 + gm Rg
100
Rezime:
Konfiguracija sa zajednikim gejtom:
G je
j na masii za naizmenini
i
i i signal;
i
l
Ulazni signal se dovodi na S;
Ne obre fazu;;
Veliko pojaanje napona;
Veoma mala ulazna otpornost;
Relativno velika izlazna otpornost
( t j i bafer)
(strujni
b f )
15. novembar 2011.
Rezime:
3. Zajedniki drejn
Ru = RG (reda M ) veliko
Rgen
vgen
A=
15. novembar 2011.
ro R p
ro R p + 1 / g m
<1
Ri
1
(reda x10 - 100) malo!!!
gm
Au
ro R p
RG
<1
RG + R g ro R p + 1 / g m
102
Rezime:
Konfiguracija sa zajednikim drejnom:
D jje na masii za naizmenini
i
i i signal;
i
l
Izlazni signal uzima se sa S;
Ne obre fazu;;
Pojaanje napona 1
Mala izlazna otpornost
(
(naponski
ki bafer)
b f )
Rp
Ri
15. novembar 2011.
vu
Ru
101
ro
< 1
ro + 1 / g m
Ao =
Rezime:
4. Kaskodni pojaava
Ru
vi
VGG
Ao = ( g m1ro1 ) 2 (reda x1000)

Ri ( g m 2 ro 2 )ro1 = g m r 2
o
(reda M)
vu
103
15. novembar 2011.
104
Rezime:
Kaskodna konfiguracija
ZS sa ZG k
kao optereenjem;
t j
Ulazni signal se dovodi na G ZS;
Izlazni signal uzima se sa D ZG;
Obre fazu;;
Veoma veliko pojaanje napona
Velika izlazna otpornost
15. novembar 2011.
Rezime:
Ru = R1 (reda M)
Ao 2 g m
R
vI
vu
R1
15. novembar 2011.
105
R2
Ri
ro
= g m ro
2
ro
r
R2 o
2
2
(reda x10 100k)
106
Rezime:
CMOS par
2 ZS u paraleli;
2xZS
l li
Obre fazu;;
Pojaanje napona kao ZS;
Izlazna otpornost manja nego kod ZS;
Uk
Ukupno
naponsko
k pojaanje
j j vee
nego ZS
ta smo nauili?
Uporediti pojaavae sa ZS,

ZS ZG i ZD sa stanovita naponskog
pojaanja, ulazne otpornosti i izlazne otpornosti?
Elektrina ema,
ema princip rada pojaa
pojaavaa
aa sa ZS i
ekvivalentno kolo za male signale.
El k i ema,
Elektrina
princip
i i rada
d pojaavaa
j
sa ZD i
Elektrina ema, princip rada kaskodnog pojaavaa i

Na web adresi http://leda.elfak .ni.ac.rs
> EDUCATION > ELEKTRONIKA
15. novembar 2011.
107
15. novembar 2011.
slajdovi u pdf formatu

108
Ispitna pitanja?
1.
Sledeeg asa
U polju karakteristika (ID-VGS i ID-VDS) nMOS-a u konfiguraciji

pojaavaa sa ZS oznaiti i napisati izraze koji odreuju poloaj
karakteristinih taaka. Objasniti fazni stav izlaznog napona i uticaj
promene RD na naponsko pojaanje.
Viestepeni pojaavai
2
2.
U polju izlaznih karakteristika nMOS

nMOS-a
a u konfiguraciji pojaavaa sa ZS
i aktivnim optereenjem (pMOS) nacrtati statiku radnu krivu i objasniti
uticaj aktivnog optereenja na naponsko pojaanje.
3.
Uticaj RS na rad pojaavaa sa zajednikim sorsom.
4.
Uticaj izvora konstantne struje u kolu sorsa na rad pojaavaa sa ZS.
5
5.
Frekvencijske karakteristike pojaavaa sa ZS .
6.
Elektrina ema, karakteristike, frekvencijska analiza i primena

pojaavaa sa ZG.
7.
Pojaava sa ZD i aktivnim optereenjem u sorsu.
8.
Poreenje frekvencijskih karakteristika pojaavaa ZS i kaskodnog

pojaavaa.
j
2011. ema i karakteristike

Jednostepeni MOSFET
pojaavai sa CMOS parom.
9.15. novembar
Elektrina
pojaavaa
109
15. novembar 2011.
110

Jednostepeni MOSFET Pojacavaci

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Jednostepeni MOSFET Pojacavaci

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Osnovne osobine MOS tranzistora

MOSFET transkonduktansni pojaava:

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Poreenje MOSFET BJT

Poreenje MOSFET BJT:

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Poreenje MOSFET BJT

Poreenje MOSFET BJT

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Jednostepeni pojaavai sa MOST

Poreenje MOSFET BJT

1. Pojaava sa zajednikim sorsom

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Pojaava sa zajednikim sorsom

Pojaava sa zajednikim sorsom

1. Pojaava sa zajednikim sorsom

1. Pojaava sa zajednikim sorsom

f. Analiza u frekvencijskom domenu

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Pojaava sa zajednikim sorsom

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Pojaava sa zajednikim sorsom

Ulaz vGS pobuda u kolu gejta

Tranzistor radi u oblasti zasienja

Obezbediti rad u oblasti

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

15. novembar 2011.

Pojaava sa zajednikim sorsom

Pojaava sa zajednikim sorsom

Tranzistor uvek u zasienju,

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Pojaava sa zajednikim sorsom

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Pojaava sa zajednikim sorsom

15. novembar 2011.

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Pojaava sa zajednikim sorsom

Pojaava sa zajednikim sorsom

Jednostepeni MOSFET pojaavai

15. novembar 2011.

Pojaava sa zajednikim sorsom

Jednostepeni MOSFET pojaavai

Pojaava sa zajednikim sorsom

c) Analiza za male signale:

c) Analiza za male signale: CS i CS1,2 kratak spoj

VDD i VEE kratak spoj; I otvorena grana

15. novembar 2011.

Jednostepeni MOSFET pojaavai