el. ing. i dipl.

Natasha Bozhinovska

ELEKTRONIKA
ANALOGE
pr vitin II
profili arsimor
elektroteknik pr elektronik
dhe telekomunikacion

drejtimi i elektrotekniks

Shkup, 2013

Botues:
MINISTRIA E ARSIMIT DHE SHKENCS
E REPUBLIKS S MAQEDONIS
Rr. Mito Haxhivasilev Jasmin, p.n.
Shkup

Recensent:
Prof. e jasht. dr. Vesna eshelkoska,
Fakulteti teknik - Manastir
Tatjana Malenko, el. ing. i dipl,
Profesor n shkolln e mesme Mihajllo Pupin Shkup
Petre Nikollovski, el. ing. i dipl,
Profesor n shkolln e mesme Vllado Tasevski Shkup



Prkthyes: el.Ing.Idipl. Riza ETEMI
Lektore: Arjeta AJLANI


Shtypi: Graficki centar dooel, Shkup

Tirazhi: 31

. 22-4329/1 29.07.2010
.

Me vendim t Ministrit t Arsimit dhe Shkencs t Republiks s Maqedonis
numr 22-4329/1 t dats 29.07.2010, lejohet prdorimi i ktij libri.

CIP -
". " ,

621.3.037.33(075.3)
004.387(075.3)
,
II :
:
/ . - :
, 2010. - 286 . : . ; 30
ISBN 978-608-226-024-2
COBISS.MK-ID 84235786

PARATHNIE
Libri ELEKTRONIKA ANALOGE pr vitin II t drejtimit t elektrotekniks sht rezultat i
ndryshimeve n programet arsimore t shkollave t drejtimit t elektrotekniks pr profilin
elektroteknik t elektroniks dhe telekomunikacionit. Teksti sht shkruar n prputhje me
programin pr lndn ELEKTRONIKA ANALOGE pr vitin II t prpunuar n vitin 2006. Gjat
prgatitjes s tekstit sht prdorur doracaku "Koncepti pr libr pr arsimin fillor dhe t
mesm" botuar nga Byroja pr zhvillimin e arsimit.
Pr zotrim t suksesshm t prmbajtjeve t lnds krkohen njohuri paraprake nga lndt:
fizik, matematik, elektroteknik, materiale dhe elemente elektroteknike dhe vizatim teknik. N
prputhje me programi arsimor, teksti i librit sht i ndar n 8 njsi tematike.
1. Diodat gjysmpruese. Fillimisht jan dhn bazat e fiziks s gjysmpruesve, struktura
kristalore e gjysmpruesve, formimi i kalimit-PN dhe karakteristikat e tij, me theks t veant n
gjysmpruesin e silicit dhe llojet e ndryshme t diodave gjysmpruese.
2. Transistort. N kt kapitull shpjegohet krijimi i transistorve njpolar dhe bipolar duke
prdorur kalimin-PN, karakteristikat dhe parametrat e tyre, metoda e polarizimit dhe roli i tyre si
komutator.
3. Prforcuesit (amplifikatort). Pjesa m e madhe e prmbajtjes s librit i sht prkushtuar
rolit, ndarjes, parametrave dhe konfiguracioneve t amplifikatorve me transistor bipolar dhe
njpolar dhe amplifikatorve operacional.
4. Qarqet e integruara. Shfaqja e qarqeve t integruara fut dimensione t reja n zhvillimin e
qarqeve elektronike. N kt kapitull jan sqaruar disa procedura n prgatitjen e qarqeve t
integruara.
5. Prforcuesit-amplifikatort operacional. Lnd e analizs jan roli, ndarja, parametrat,
lidhja e kundrt, konfiguracioni dhe zbatimi i amplifikatorve operacional. N kt kapitull sht
br nj analiz e veant e amplifikatorit operacional real PA741.
6. Burimet e tensionit t vazhduar-DC. Mnyra e puns s burimeve t energjis sht treguar
prmes drejtimit t vals s plot dhe gjysmvalor t tensionit alternativ dhe stabilizimin e tensionit
me theks t veant t stabilizatorve t integruar.
7. Tiristort. Tiristort jan elemente komutuese-switching me zbatim t gjer. Ktu sht dhn
ndarja dhe karakteristikat e tyre.
8. Elementet specifike elektronike. Fotorezistencat, fotogjeneratort, varistort, ekranet me
dioda LED dhe kristale t lngta jan elemente t veanta elektronike t prpunuara n kt
kapitull.

Pas zhvillimit t prmbajtjeve msimore, kemi prmbledhje t cilat nxjerrin n pah momentet m t
rndsishme t materialit t ekspozuar m par.
N fund t do njsie tematike jan dhn pyetje pr vlersimin tematik t s njjts. Gjithashtu,
n fund t librit jan dhn shembuj t zgjidhur dhe detyra pr zgjidhje. N paraqitjen e
prmbajtjeve jan prdorur operacione t thjeshtzuara matematikore dhe nj numr i madh i
imazheve dhe prezantimeve grafike, t cilat duhet t mundsojn msimin m t leht t
materialeve. Kujdes i kushtohet futjes graduale t definicioneve t reja, pyetje pr verifikimin e
njohurive dhe detyra, me ka knaqen udhzimet e nevojshme didaktike.
Autori shpreson se libri do tu prgjigjet nevojave t msimdhnsve t msimit lndor dhe
nevojave t nxnsve pr prfitimin dhe pr konsolidimin e materialit. Do t doja t`u shpreh
mirnjohjen time recensentve pr sugjerimet dhe propozimet n formsimin final t librit.
Dhe n fund, por jo pr t fundit her, do t doja t falnderoj babait tim Zoran Tasiq pr ndihmn
e tij t madhe dhe bujare n prgatitjen e ktij libri, i cili me prvojn e tij shumvjeare si profesor
universitar dhe autor i disa punimeve shkencore dhe librave n fushn e elektroniks, dha nj
kontribut t madh pr cilsin dhe pamjen e ktij libri.
Autori

Dy fjal nga prkthyesi

Duke pasur parasysh specifikn e lnds Elektronika analoge, mungesn e literaturs n gjuhn
shqipe te ne, jam munduar t jem sa m i sakt n prkthimin, gjegjsisht prshtatjen e termave
shkencor n gjuhn shqipe. Disa terma jan unifikuar me termat q prdoren n universitet
shqiptare, t cilat kan drejtime t elektrotekniks, gjegjsisht elektroniks. Paraprakisht ju krkoj
ndjes pr ndonj lshim gjat prkthimit. Shpresoj se prkthimi do t jet i qart dhe do t
ndihmoj msimdhnsit dhe nxnsit n prvetsimin e lnds Elektronika analoge.

Diodatgjysmpruese

5


DIODAT GJYSMPRUESE
Duke studiuar prmbajtjet

e ksaj teme ti do t msosh

"alfabetin" e

elektroniks, do t fitosh njohuri themelore pr diodat gjysmprues dhe do

t mund:
t njohsh objektin e studimit t elektroniks analoge;
t shpjegosh ndarjen e elektroniks;
t prshkruash vetit elektrike t materialeve gjysmprues;
t shpjegosh krijimin e nj kalimi-PN;
t sqarosh polarizimin e kalimit-PN;
t njohsh parametrat dhe karakteristikat e diods gjysmprues;
t dallosh llojet e diodave gjysmprues;
t sqarosh principin e puns t llojeve t ndryshme t diodave gjysmprues;
t analizosh karakteristikn volt-amper (tension-rrym) t diods;
t njohsh zbatimin praktik t diodave gjysmprues.

Diodatgjysmpruese

7


1.1.LndadhendarjaeELEKTRONIKS
Termit "elektronik" i jan dhn tre kuptime themelore:
a) Elektronika sht shkenc e cila, si pjes e fiziks, merret me lvizjen e elektroneve n hapsir
boshe (gypa elektronik n vakum) dhe n materialet gjysmprues.
b) Si pjes e elektrotekniks, elektronike merret me analizn, zhvillimin dhe prodhimin e
elementeve, komponentve, pajisjeve dhe sistemeve elektronike.
c) Elektronika, si term, prdoret pr t treguar pjes t pajisjes, t prodhuar nga komponent
elektronik.
Komponent elektronike sht bllok i ndrtuar i pandashm i qarkut elektronik, i cili sht
vendosur n shtpizn e tij, me t paktn dy dalje-sockets pr lidhje me komponentt tjera
elektronike. Me lidhjen e t paktn dy komponentve elektronike fitohet qark elektronik. T gjith
komponentt elektronik ndahen n aktiv dhe pasiv. Komponentt aktive kryejn prforcim t
sinjalit elektrik d.m.th. ndryshim i vogl i tensionit ose rryms s hyrjes shkakton ndryshim t madh
n tensionin e daljes. N komponent

aktiv prfshihen: transistort bipolar, fet-t, mosfet-t,

prforcuesit-amplifikatort operacional, mikroprocesort, dhe t tjer. Komponent pasiv jan:

rezistencat, bobinat, kondensatort, diodat, varistort, termistort NTC, dhe PTC dhe rezistencatVDR dhe t tjert.
Pajisjet elektronike kan zbatim shum t madh, duke filluar nga pllakat kompjuterike deri tek
sistemet instrumentale, nga pacemakeri elektronik deri tek komandimi elektronik me makina t
ndryshme, nga antenat radio dhe TV deri tek sistemet komplekse t radarve dhe shum zbatime
tjera. Tensioni ose rryma, e cila ndryshon n nj mnyr t caktuar me kalimin e kohs pr t
koduar apo pr t bartur informacion quhet sinjal. Sinjali mund t jet analog, n qoft se ndryshon
n vazhdimsi (kontinuitet) me kalimin e kohs (figura 1.1a), apo digjital nse ndryshon mes dy
niveleve diskrete (figura 1.1b), t shnuar si t lart apo t ult ose 1 dhe 0.

Figura 1.1: Grafiku i sinjalit analog dhe digjital.

N sinjalin analog, amplituda e sinjalit u(t) paraqet informacion n do moment t kohs. Pr
sinjalin digjital, informacioni shprehet prmes pranis ose mungess s impulsit.
Elektronika mund t ndahet, sipas llojit t sinjalit, n elektronik analoge dhe digjitale.
Elektronika Analoge operon me sinjale t vazhdueshme, t cilt n do moment t kohs kan
amplitud Um me njfar vlere. Elektronika Digjitale operon me sinjale diskrete.

8Elektronikaanaloge
Qarqet elektronike mund t jen: analog, digjital dhe hibrid. N qarqet analoge punohet me sinjale
analoge, n digjitale me sinjale digjitale, kurse n hibridt edhe me njrin edhe me tjetrin. N
qarqet hibride bhet edhe kalimi nga sinjali analog n digjital dhe anasjelltas.
N qarqet analoge prfshihen: amplifikatort, oshilatort, modulatort, detektort, prziersit, filtrat
dhe t tjer. N qarqet

digjitale prfshihen: qarqet themelore logjike,

rrjetat kombinatorike,

mikroprocesort, memoriet dhe t tjera, t gjitha t realizuara n teknologji t ndryshme: TTL, ECL,
NMOS, PMOS, CMOS, etj.
Elektronike sht e pranishme n shum deg, si pr shembull, n pajisjet llogaritse (pjesa
harduerike), automatik (kontrollim dhe komandim me procese, robotik), telekomunikacione, mikroelektronik (qarqet e integruara), elektronik energjetike, optoelektronika, elektronika mikrovalore
etj.
N tekst prdoret mnyra e mposhtme pr shnimin e tensionit dhe rryms:
U, I - vlera konstante e vazhduar (DC);
u (t), i (t) vlerat momentale t komponentve t ndryshueshme n koh;
Um, Im - amplituda ose vlera maksimale e tensionit ose rryms s ndryshueshme sinusoidale.

1.2.Strukturaatomikeemateries
Atomi sht elementi baz i ndrtimit t t gjitha materialeve. Ai sht i prbr nga nj
brtham, n t ciln jan vendosur grimca m t vogla, protonet dhe neutronet, kurse rreth
brthams sillen grimca tjera t quajtura elektrone (figura 1.2). Strukturn e atomit i pari e paraqiti
fizikani danez Niels Bohr, qysh n vitin 1913.

Figura 1.2: Struktura e atomit.

do element n natyr ka nj struktur t veant t atomeve t tij. Brthama e atomit e prcakton
masn e tij. Protonet e elektrizuara pozitivisht dhe neutronet me elektricitet neutrale kan mas
shum m t madhe se elektronet

e elektrizuar negativisht. Ata jan t lidhur fuqishm me



Diodatgjysmpruese

9


brthamn me forca t forta brthamore dhe n kushte normale nuk mund t lirohen dhe t lvizin
jasht brthams. Numri i protoneve n brthamn e atomit prcakton strukturn kimike t
materies, dhe me at edhe llojin e materies. Me ndryshimin e numrit t protoneve ndryshohet lloji i
atomit. Kshtu, pr shembull, atomi i silicit ka 14, kurse atomi i germaniumit ka 32 protonet.
Neutronet kan ndikim shum m t vogl n natyrn kimike t materies nga protonet. Ata,
gjithashtu, jan t lidhur fort me brthamn baz dhe pr t ndryshuar numrin e tyre sht e
nevojshme nj energji shum e madhe. Me nxjerrjen ose shtimin e neutroneve n brtham, atomit
akoma do t mund t ruan t njjtin identitet kimik, vetm do t ndryshonte masa e tij. Nj ndryshim
i till mund t shkaktoj disa aktivitete t tjera brthamore, si sht radioaktiviteti.
Elektronet jan barts m t vegjl t ngarkess elektrike me polaritet negativ, i cili sht

1,6 10 19 C , aq sa kan edhe protonet, vetm me polaritet pozitiv. Numri i elektroneve n atom

sht i barabart me numrin e protoneve dhe ata s bashku prcaktojn sjelljen elektrike t atomit.
Elektronet jan t shprndar n nivele t ndryshme energjetike. Ndryshe nga protonet dhe
neutronet, elektronet kan dukshm m shum liri pr t lvizur rreth brthams s atomit. Nj
numr i elektroneve lviz afr brthams dhe me t krijon nj trsi t pandashme. Nj numr i
vogl prej tyre, q quhen elektrone valente, jan t lidhur leht me brthamn, dhe mund edhe ta
lshojn atomin. Ata ndodhen n orbitn e fundit, m t largta nga brthama dhe nivelin m t
lart t energjis. Pr largimin e elektronit valent nga orbita e tij krkohet shum m pak energji.
Nse ndodh kjo, atomi nuk do t ndryshoj identitetin, vetm q do t ndryshoj gjendja elektrike
neutrale n t ciln ndodhet atomi. Nse nj elektron lshon atomin, krijohet nj boshllk-vrim
dhe atomi bhet i ngarkuar pozitivisht (jon pozitiv). Kur n atom do t futet elektron shtes, ai krijon
tepric elektronesh n atom dhe atomi bhet me ngarkes negative (jon negativ).
Modeli i atomit t silicit dhe modeli i tij i thjeshtuar jan dhn n figurn 1.3.

Figura 1.3: Atomi i silicit dhe modeli i tij i thjeshtuar.

Ai sht i prbr nga brthama dhe nga t gjitha elektronet e lidhura fort, prve elektroneve
valente, t gjith t treguar me rreth m t madh n qendr dhe nga elektronet valente rreth bazs.
T gjitha efektet reciproke mes atomeve realizohen prmes elektroneve valente. N figurn 1.4

10Elektronikaanaloge
tregohet lidhja mes dy atomeve t silicit. Pasi q atomi i silicit ka elektrone katrvalente, ai mund t
lidhet me katr atome tjera t silicit dhe t gjith do t jen t larguar njlloj njri prej tjetrit.

Figura 1.4: Lidhja valente mes atomeve t silicit.

MBAJ MEND!!!
Elektronika merret me analizn, zhvillimin dhe prodhimin e elementeve, komponentve, pajisjeve
dhe sistemeve elektronike.
Komponentt elektronik ndahen n aktiv dhe pasiv. Komponentt aktiv kryejn prforcimin e
sinjalit elektrik q d.t.th. ndryshim i vogl i tensionit ose rryms s hyrjes shkakton ndryshim t
madh n tensionin e daljes.
Sipas llojit t sinjalit i cili prpunohet, elektronika ndahet n analoge dhe digjitale.
Atomi, si element baz i strukturs s t gjitha materieve, prbhet nga brthama me protone
dhe neutrone dhe elektronet q lvizin rreth brthams.
Elektroni sht barts m i vogl i ngarkess elektrike me polarizim negativ.
Elektroni, i cili e lshon atomin, bhet elektron i lir, dhe n vend t tij krijohet vrim-zbraztir.
Vrima sht ekuivalente me elektronin me ngarkesn elektrike por me polaritet pozitiv.

KONTROLLO NSE DIN

1. Defino termin ,,ELEKTRONIKA,,?
2. ka paraqet qarku elektronik?
3. Cilt jan komponentt aktiv elektronik?
4. Cilt jan komponentt pasiv elektronik?
5. Si ndahet elektronika?
6. far mund t jen qarqet elektronike?
7. Vizato strukturn e atomit!
8. Sa sht ngarkesa e elektronit dhe me far polarizimi?
9. Cilat elektrone jan valente?
10. Cili atom quhet jon negativ?
11. Si fitohet joni pozitiv?

Diodatgjysmpruese

11


1.3.Materialetgjysmpruese

Elektronet e llojeve t ndryshme t atomeve nuk kan mundsi t barabarta q ti shkpusin
lidhjet valente dhe t bhen elektrone t lira. Materiale t caktuara, si jan metalet, kan elektrone
valente t lidhur shum lirshm. Pr t gjeneruar elektrone t lir n materiale t tilla sht e
mjaftueshme nj sasi mjaft e vogl e energjis s nxehtsis, drits ose ndonj lloji tjetr. Pr
materiale t tilla sht e mjaftueshme t ndodhen n nj mjedis me temperatur dhome, q t
ndodh shkputja e elektroneve valente dhe krijimi i elektroneve t lira. Elektronet e lira ktu leht
lvizin n mes t atomeve, kurse shkalla e liris s lvizjes varet nga lloji i materialit.
N lloje tjera t materialesh, t tilla si qelqi, elektronet valente jan t lidhur m fort, krijohet nj
numr i vogl i elektroneve t lira, me liri t vogl t lvizjes. Aftsia e lvizjes s lir t elektroneve
t lira n material quhet prueshmri, kurse kundrshtimi i lvizje quhet rezistenc. Materialet me
numr t madh t elektroneve quhen prues, kurse ata me pak ose pa elektrone t lira quhet
izolues. Grupi i materialeve t cilat ndodhen mes pruesve dhe izoluesve quhen gjysmprues.
N kt grup mund t numrohen germaniumi dhe silici. Gjysmpruesit dallohen nga pruesit
dhe izolatort sipas disa vetive.
Rezistenca specifike e pruesve sht shum e vogl dhe ndodhet n kufijt nga 10-6 deri
n 10-5 :cm, tek izoluesit sht jashtzakonisht e madhe dhe sht nga 106 deri n 108 :cm, kurse
rezistenca specifike tek gjysmpruesit sillet mes ktyre vlerave edhe at nga 10-3 deri n 107
:cm.
Rezistenca e pruesve rritet gradualisht me rritjen e temperaturs edhe at n mnyr
lineare. Rezistenca e gjysmpruesve bie n mnyr eksponenciale kur rritet temperatura (figura
1.5).

Figura 1.5: Ndryshimi i rezistencs me ndryshimin e temperaturs.

Me ndryshimin e ndriimit, rezistenca e pruesve nuk ndryshon, kurse rezistenca e gjysmpruesve bie n mnyr eksponenciale (figura 1.6).

12Elektronikaanaloge


Figura 1.6: Ndryshimi i rezistencs me ndryshimin e ndriimit.

1.3.1.Vetitelektriketmaterialevegjysmpruese
Nse bhet shprndarje e vazhdueshme e atomeve sipas nj modeli t rregullt
tredimensional fitohet struktur kristalore e materialit. N nj struktur t till jan realizuar t gjitha
lidhjet valente t mundshme t dy elektroneve. N figurn 1.7 tregohet modeli i nj kristali t silicit.
Ajo ka formn e nj kubi, kurse atomi themelor qndron n qendr
t kubit. Atomet tjera t lidhjeve valente t atomit qendror jan t
shprndar n katr kulmet, ashtu q nuk prekin njri-tjetrin. Tregimi i
lidhjeve valente i m tepr atomeve n kt mnyr sht shum e
komplikuar. N vend t tregimit hapsinor, m e thjesht sht shfaqja n
nj rrafsh, si tregohet n figurn 1.8.
Figura 1.7: Modeli i
kristalit t silicit.
N kt foto brthamat e modeleve t thjeshtuara t atomeve
jan treguar si m t mdha, kurse elektronet valente si rrethe m t
vogla. Lidhjet valente mes atomeve jan dhn prmes dy
elektroneve t lidhur mes veti. Kshtu i paraqitur, kristali i silicit ose
germaniumit sht izolator ideal, n t nuk ka elektrone t lira. Por,
kjo vlen vetm n temperatura afr zeros absolute (-273oC = 0K).
Figura 1.8: Lidhjet valente t
numrit m t madh t atomeve.
N temperaturn e dhoms nga 18 deri n 200 C (300K) krijohen elektrone t lira dhe struktura
kristalore nuk sht m e prkryer. Struktura kristalore jo e prkryer sht baz pr krijimin e
materialeve gjysmpruese.

Diodatgjysmpruese

13


Kjo mosprsosmri mund t ket: karakter strukturor,

energjik ose kimik.
Mosprsosmria strukturore u referohet atomeve

siprfaqes s materialit, kur atomeve nuk mund ti realizojn

t gjitha lidhjet valente.
Mosprsosmrit energjetike kryesisht jan pr shkak t
energjis termike. Tashm n temperaturn e dhoms,
atomet n rrjetn kristalore fillojn t dridhen, duke lvizur
n mnyr alternative njri kah tjetri. Gjat ksaj mund t
vij deri tek ndrprerja e lidhjeve valente dhe krijimi i
elektroneve t lira. Pr shkputjen e nj elektroni nga vendi
i tij sht e nevojshme energji minimale prej 0,75eV

eV

1,6 10 19 J pr germaniumin dhe 1,2 eV pr silicin.

Elektronet e liruar pas nj kohe t shkurtr gjejn vend

tjetr t boshatisur, duke ia dorzuar energjin e tij nj
elektroni tjetr. N do moment n kristal ka nj numr t
caktuar t elektroneve t lira. Me lirimin e elektronit lidhja
prkatse valente mbetet e paplotsuar dhe n at vend
paraqitet nj ngarkes pozitive. do elektronike, duke e
lshuar atomin, pas vete len nj ngarkes pozitive. N
teknikn e gjysmpruesve ajo quhet boshllk (vrim).
Edhe vrimat lvizin ngjashm sikurse elektronet. Kjo sht
e ilustruar n figurn 1.9.
N pikn a (figura 1.9a) sht krijuar nj vrim me
prezencn e atomit trevalent kurse n pikn b, me
shkputjen e lidhjes valente lirohet elektron. Elektroni i lir
lviz drejt vrims n pikn a dhe e mbush, kurse n pikn b
krijohet vrim e re (figura 1.9b). Procesi i rivendosjes s
lidhjes valente quhet rikombinim. N t njjtn mnyr
krijohet edhe nj vrim e re n pikn c (figura 1.9c) dhe
m tutje n pikn d (figura 1.9d). Efekti prfundimtar sht:
vrima nga pika a sht zhvendosur n pikn d. Nga kjo
rrjedh se drejtimi i lvizjes s vrimave sht i kundrt me
drejtimin e lvizjes s elektroneve.
Figura 1.9: Lvizja e vrimave.

14Elektronikaanaloge

Me rritjen e temperaturs rritet numri i elektroneve t lira, por n t njjtn mas edhe i vrimave.
Prueshmria e gjysmpruesve rritet, por kristali edhe m tutje mbetet neutral.
Mosprsosmrit energjetike mund t ndodhin edhe nn ndikimin e energjis s drits, me ka
ndodh efekti fotoelektrik. Nn efektin fotoelektrik nnkuptohet ndr-veprimi i fotoneve (kuantet e
drits) dhe elektroneve t atomit t gjysmpruesit. Kur fotonet e drits dhe elektroni bjn
shkmbimin e energjis me t ciln disponoj, elektroni e ndryshon nivelin energjetik t tij. Nse
energjia, q ia jep fotoni elektronit sht e mjaftueshme, elektroni do t largohet nga shtegu i tij dhe
do t kaloj n nj shteg me nivel energjetik m t lart, ose do ta shkput lidhjen valente dhe do t
ngel i lir. Proces i kundrt ndodh kur nj elektroni kalon n shtegun me nivel energjetik m t ult
nse kthehet n lidhjen valente. Nj kalim i till shoqrohet me emetimin e nj kuanti t energjis
s drits - foton.
Gjysmpruesit me kt lloj t mosprsosmris quhen t papastrt (pa primesa), ndryshe nga t
ata t pastr tek t cilt mosprsosmria krijohet prmes rrugs kimike. Deri tek mosprsosmria
kimike arrihet kur n kristal futen numr i caktuar i primesave (papastrtive) kimike, t prfaqsuar
nga dy grupe t elementeve atomet e t cilave integrohen n strukturn kristalore t
gjysmpruesit. Elementet nga njri grup kan atome me elektrone pes valente dhe kto jan,
fosfori, arseni dhe antimoni. Elementet nga grupi tjetr kan atome me elektrone tre valente. Ktu
prfshihen bori, alumini, galiumi dhe indiumi.

MBAJ MEND!!!

Lidhur me lvizjen e elektroneve, materialet ndahen n prues, izolator dhe gjysmprues.

Elemente baz t gjysmpruesve jan germaniumi dhe silici n struktur kristalore.

Materialet fitojn karakteristika gjysmpruese kur struktura kristalore bhet jo e rregullt.

Mosprsosmria e strukturs kristalore mund t ket natyr strukturore, energjetike ose kimike.

Gjysmpruesit me Primesat- papastrti fitohen me futjen n atome t primesave kimike n

struktur kristalore t gjysmpruesve.

Diodatgjysmpruese

15


1.3.2.GjysmpruesiillojitN
Atomi i fosforit (figura 1.10) sht me elektrone pes valente dhe ka dimensione t njjta me
dimensionet e atomit t silicit. Ai leht mund t integrohet n strukturn kristalore t silicit. Nse
shtohet atom fosfori n masn e shkrir t silicit, ai n nj vend q do t zvendsoj atomin e
silicit dhe do t formojn lidhje valente me atomet prreth. Gjat ksaj, nj elektron nga atomi i
fosforit mbetet i teprt. Ai nuk mund t hyj n lidhjen valente, sepse t gjitha jan t mbushura.
Elektroni sht i lidhur leht n atomin e fosforit dhe n temperaturn e dhoms bhet i lir. Pr
lirimin e tij sht e mjaftueshme energji prej 0,05 eV.

Figura 1.10: Atomi i fosforit.

Figura: 1.11: Atomi i fosforit n rrjetn

kristalore t germaniumit

Integrimi i atomit t fosforit n rrjetn kristalore t silicit sht paraqitur n figurn 1.11.
Me futjen e atomeve pes valente n rrjetn kristalore t germaniumit ose silicit fitohet
gjysmprues i llojit N (negativ), i cili ka tepric t elektroneve t lira dhe n t

cilin

prueshmria sht rezultat i lvizjes s lir t elektroneve. Elektronet e lira n gjysmpruesin e

llojit N prfitohen n dy mnyra: njri, duke futur atome pes valente t primesave kimike dhe t
tjert me shkputje termike t lidhjeve valente mes atomeve. Atomet pes valente "japin" elektrone
t lira, dhe sipas gjuhs latine quhen donor. Donort kur lshojn elektron, mbeten jone pozitive,
nuk jan t lvizshm dhe nuk marrin pjes s n krijimin e rryms prbrenda gjysmpruesit.
Me shkputjen termike t lidhjeve valente, prkrah elektroneve t lira krijohen edhe vrima.
Prqendrimi i tyre sht shum m i ult se prqendrimi i elektroneve. Prandaj, elektronet
jan barts kryesor, kurse vrimat barts dytsor t ngarkess elektrike. Pamja skematike e
gjysmpruesit t llojit N sht dhn n figurn 1.12.

16Elektronikaanaloge


Figura 1.12: Pamja skematike e gjysmpruesit t tipit N.

Elektronet e lira dhe vrima n gjysmprues n temperatur m t lart se zero absolute jan n
lvizje t vazhdueshme kaotike, pr shkak t energjis s tyre termike. Pa marr parasysh se far
sht ndikimi i jashtm, lvizja e bartsve t ngarkess nuk ka asnj drejtim t caktuar.

Figura 1.13: Gjysmpruesi i tipit N n fushn elektrike.

Nse e kyim gjysmpruesin n burimin e tensionit t vazhduar, si n figurn 1.13, n
gjysmprues do t krijohet fush me intensitet E, e drejtuar nga lidhja pozitive kah ajo negative e
burimit. Fuqia F, e cila paraqitet si rezultat i veprimit t fushs E, i drejton elektronet e lira n drejtim
t kundrt nga drejtimi i fushs. Vrimat do t lvizin n drejtim t fushs E. Kshtu npr qark do t
rrjedh rryma elektrike nga poli negativ kah ai pozitiv i burimit prmes gjysmpruesit. N t gjitha
analizat e mtejshme t situatave n gjysmprues do t prdoret e ashtuquajtura drejtimin
elektronik i rryms, i cili prkon me drejtimin e lvizjes s elektroneve.
Nse ndryshohet polarizimi i burimit, ndryshohet drejtimi i fushs elektrike dhe elektronet e
lira dhe vrimat do t lvizin n drejtim t kundrt nga i mparshmi, gjegjsisht ndryshohet edhe
drejtimi i rryms. Nuk ka asnj arsye t veant q intensiteti i rryms t mos jet i njjt n t dy
shembujt, q do t thot se nuk ka ndonj orientim.

Diodatgjysmpruese

17


1.3.3.GjysmpruesiillojitP

Atomi i borit, i paraqitur n figurn 1.14, ka prmasa t njjtat me atomin e silicit, q do t thot se
mund t integrohet n rrjetn e tyre kristalore.

Figura 1.14: Atomi i borit.

Ai sht tre valent dhe realizon lidhje trevalene me atomet prreth. N prpjekje pr t krijuar edhe
lidhjen e katrt valente, ai "prvetson" nj elektron nga atomet fqinje, t liruar me shkputje termike
t lidhjeve valente. N vendin e elektronit t "prvetsuar" krijohet nj vrim (figura 1.15).

Figura 1.15: Atomi i borit n rrjetn kristalore t germaniumit.

Atomet e primesave trevalente t cilat ,,prvetsojn" elektrone quhen akceptor, ata jan me
ngarkes elektrike negative dhe jan t palvizshm. Duke futur atome akceptorsh n strukturn
kristalore t germaniumit apo silicit krijohen vrima si barts kryesor t ngarkesave elektrike pozitive.
N kt mnyr fitohet gjysmprues i llojit P, i paraqitur n figurn 1.16.

Figura 1.16: Pamja skematike e gjysmpruesit t llojit-P.



18Elektronikaanaloge

Vrimat n kt lloj gjysmpruesi krijohen n dy mnyra: duke futur atome akceptor dhe shkputje
termike t lidhjeve valente. Si barts dytsor ktu paraqiten elektronet e krijuara nga shkputja
termike e lidhjeve valente.

Figura 1.17: Gjysmpruesi i tipit P n fushn elektrike.

Me ndihmn e figurs 1.17 do t shohim se far ndodh n gjysmpruesin e llojit P nn ndikimin
e fushs elektrike t jashtme. Me kyje t burimit t tensionit

t vazhduar n skajet e

gjysmpruesit, n t krijohet fush elektrike me intensitet E dhe me drejtim nga poli pozitiv n at
negativ t burimit. Fuqia F, e cila sht rezultat i fushs E, i drejton vrimat t lvizin n drejtimin n
t cilin vepron fusha elektrike, kurse elektronet n drejtimin e kundrt. Me lvizje t tilla t drejtuara
krijohet rrym me intensitet I.
Lvizja e vrimave, si pam me ndihmn e figurs 1.9, sht e dukshme. Fizikisht zhvendosen
elektronet valente, dhe efekti i asaj lvizje sht shfaqja e vrims n nj vend tjetr, q sht
ekuivalente me lvizjen e vrimave. N vendin e kontaktit t gjysmpruesit me telin sjells, vrimat
trheqin elektrone nga metali dhe rikombinohen, kurse n kontaktin e kundrt krijohet nj vrim e re
me kalimin t numrit t till t elektroneve valente n kontaktin e metalit aq sa sht numri i vrimave
t rikombinuara. Duke e kthyer polaritetin e burimit ndryshohet drejtimi i fushs dhe vrimat lvizin n
drejtimin e kundrt nga i mparshmi. Kjo do t thot se edhe n gjysmpruesin e llojit P nuk ka
paraqitje t orientimit.
MBAJ MEND!!!

Gjysmpruesi i llojit N ka tepric elektronesh t lira, t krijuar me procesin e futjes s

primesave pes valente. Pr shkak t teprics s elektroneve

t lira, barts kryesor n

gjysmpruesin e llojit N jan elektronet kurse dytsor vrimat.

Gjysmpruesi i llojit P ka tepric vrimash, t krijuar me procesin e futjes s primesave tre

valente. Pr shkak t teprics s vrimave, barts kryesor n gjysmpruesin e llojit P jan vrimat
kurse dytsor elektronet.
Numri i bartsve kryesor sht shum m i madh se i bartsve dytsor dhe varet nga numri i
atomeve t primesave t futura dhe temperatura e gjysmpruesit. 

Diodatgjysmpruese

19


1.4.Kalimi(bashkimi)PN

Gjysmpruesit e llojit N dhe P n formn e treguar nuk jan me prfitim t madh. Efekt
shum m interesant fitohet kur t dy llojet e gjysmpruesve kombinohen mes veti n nj kristal
n m shum mnyra. Sigurisht q bashkimi i zakonshm fizik i t dy llojeve t kristaleve nuk sht
i mundshm, por t shkrir, n kristalin e pastr nga njra an shtohen akceptor, kurse n ann
tjetr atome t donorve. N kt mnyr fitohet kristal i vetm me bashkim (kalim)- PN. Ai n
njrn an ka bllok t gjysmpruesit t llojit P, ndrsa n ann tjetr bllok t gjysmpruesit t
llojit N (figura 1.18). Vendi i bashkimit paraqet zon me trashsi t vogl.

Figura 1.18: Kalimi -PN i prbr nga dy kristale n momentin e krijimit.

- N zonn N numri i elektroneve t lira sht shum m i madh se numri i vrimave, kurse n zonn
P numri i vrimave sht shum m i madh se numri i elektroneve. Gjendja, e paraqitur n figurn
1.18, ekziston vetm n momentin e krijimit n kalimit, pastaj ndryshon menjher. Prqendrimi i
till i elektroneve dhe vrimave shkakton lvizjen e elektroneve nga zona N dhe ata futen n zonn
P. Vrimat nga zona P lvizin n drejtim t kundrt kah zona N. Kjo lvizje sht difuze, ka
nnkupton parimi fizik sipas t cilit grimcat nga zona me prqendrim m t lart zhvendosen n
zonn me prqendrim m t ult deri n baraspeshimin e prqendrimit, pa marr parasysh ndikimin
nga jasht.
N t dy rajonet vjen deri te rikombinimi: elektronet e ardhura nga zona N rikombinohen me vrimat e
zons P dhe vrimat q vijn nga zona P rikombinohen me elektronet e zons N.
Elektronet nuk mund t deprtojn thell n zonn P. Ata shpejt rikombinohen dhe n zonn P
pran kalimit mbeten vetm atomet e akceptorve. E njjta gj ndodh edhe me vrimat, dhe n
zonn N, pran kalimit, ngelin vetm atomet e donorve. Atomet e akceptorve dhe donorve nuk
mund t ndryshojn pozicionin e tyre. Ata jan t palvizshm. N zonn P, atomet negative t

20Elektronikaanaloge
akceptorve formojn ngarkes hapsinore negative dhe prqendrimi i saj bie me largimin nga
kalimi. N zonn N, atomet e donorve formojn ngarkes hapsinore pozitive dhe prqendrimi i
saj bie me largimin nga kalimi.

Figura 1.19: Shprndarja e densitetit t ngarkesave.

N figurn 1.19 sht dhn diagramin i shprndarjes s densitetit t ngarkess Q prgjat kalimit
PN. N pjesn e largt t zons P nuk mund t deprtojn elektronet e zons N. Atje mbisundon
baraspesha e ngarkesave elektrike sikurse n gjysmpruesin standard t llojit P dhe ajo sht
pjesa AB e funksionit. Me afrimin kah kalimi rritet densiteti i ngarkesave negative. Nj numr i
caktuar i elektroneve, t ardhur nga zona N, rikombinohen me vrimat, dhe mbetet numr i njjt i
atomeve akceptor dhe ata e risin densitetin e ngarkesave negative (pjesa BC e funksionit). N
zonn paraprake, densiteti i ngarkesave negative sht maksimal, sepse ktu m nuk ka vrima.
E njjta gj ndodh edhe n zonn N. Atje ekziston pjesa e baraspeshs (pjesa FE), pastaj rritje
t densitetit t ngarkesave pozitive t prfaqsuara nga atomet e donorve (pjesa DE) dhe
prfundimisht densiteti maksimal i ngarkesave pozitive n pikn D.
Mes pikave C dhe D kemi nj ndryshim shum t madh nga densiteti maksimal negativ n
densitetin maksimal pozitiv t ngarkesave. N kalim paraqitet ndryshim potencial, e quajtur barrier
potenciale. Ajo i prcakton t dy karakteristikat e kalimit PN: fushn e brendshme elektrike E1 dhe
kapacitetin vetjak t kalimit.

1.4.1.PolarizimiikalimitPN

Pas prfundimit t procesit t formimit t kalimit PN dhe prfundimit t lvizjes difuzive t bartsve
kryesor prmes kalimit, fitohet gjendja si n figurn 1.20.

Diodatgjysmpruese

21


Figura 1.20: Barriera potenciale e kalimit PN.

Fusha e brendshme elektrike E1 sht e drejtuar nga zona N n zonn P t kalimit PN. Me veprimin
e ksaj fush ndrpritet lvizja difuzive e bartsve kryesor nprmjet kalimit. Fusha vepron n at
mnyr q i lviz elektronet nga kalimi kah brendsia e zons N, kurse vrimat kah brendsia e
zons P. N vet kalimin sht formuar zona e pengimit- barriers, n t ciln nuk ka barts t lir
t ngarkess, as nuk ekziston mundsia e kalimit t tyre npr zon. Gjersia e zons s barriers
sht rreth 1 Pm. Barriera potenciale mund t paraqitet me burim t paramenduar t tensionit t
vazhduar UB, si shihet n figurn 1.20. Ekzistenca e barriers potenciale e bn kalimin izolator. N
prani t fushs s brendshme elektrike kalimi fiton veti t kapacitetit. Kapaciteti i kalimit prcaktohet
sipas:

ku S paraqet siprfaqen e kalimit, d

gjersin

e zons s barriers, kurse H karakteristikn

dielektrike.
Sa u takon bartsve dytsor, fusha e brendshme elektrike e mundson kalimin e tyre prmes kalimit
dhe formohet rryma e elektroneve dytsor dhe rryma e vrimave dytsore. T dy rrymat kan
drejtime t kundrta, kshtu q si rezultat prfundimtar fitohet se n kalim PN pa polarizim t
jashtm, n ciln do prerje trthore t pllaks s kristalit, densiteti mesatar i rryms sht zero.

1.4.2.KalimiPNnfushnejashtmeelektrike
Nse vendosim pika lidhse metalike n skajet e kristal t kalimit PN dhe n to pika kyet burim
i tensionit t vazhduar, n brendsi t kristalit do t krijohet fush elektrike E, t ciln m tutje do ta
quajm t jashtme. Nn ndikimin e saj, n kalimin PN do t ndodhin nj sr ndryshimesh, n
varsi se si sht i lidhur burimi.


22Elektronikaanaloge


Polarizimi i drejt (direkt) i kalimit PN


Nse lidhet poli pozitiv i burimit me kontaktin e zons P, kurse poli negativ me kontaktin e zons N
(figura 1.21), fusha e jashtme elektrike E do t ket drejtim t kundrt nga fushn e brendshme E1.
Pasi q fusha e jashtme ka forc m t madhe, fusha rezultante do t jet e drejtuar nga zona P
drejt zons N.

Figura 1.21: Kalimi PN i polarizuar n drejtim prues

Nn ndikimin e fushs rezultante, vrimat nga zona P do t kalojn n zonn N, kurse elektronet nga
zona N kalojn n zonn P. Barriera potenciale zvoglohet ose humbet n varsi t madhsis s
tensionit t burimit dhe rrjedh rryma ID. Kalimi PN bhet i prueshm, gjegjsisht bhet i polarizuar
n drejtimin prues.
Q kalimi PN t bhet i prueshm, sht e nevojshme q rryma ID t ket intensitet s paku prej 1
PA. Tensioni, gjat t cilit do t rrjedh kjo rrym quhet tension i kyjes dhe vlera e tij varet nga
materiali i gjysmpruesit. Pr germaniumin ai sht 0,3 V, kurse pr silicin 0,7 V.

Polarizimiikundrt(invers)ikalimitPN
Nse ndryshohet polariteti i burimit, ndryshohet edhe drejtimi i fushs s jashtme E (figura 1.22)
dhe drejtimi i saj prkon me drejtimin e fushs s brendshme E1. Tani barriera potenciale bhet m
e madhe, zona e pengess m e gjer, kshtu q elektronet dhe vrimat do ta ken m vshtir pr
ta kaluar.

Diodatgjysmpruese

23


Figura 1.22:Kalimi PN i polarizuar n drejtimin jo prues.

N kt gjendje, kalimi PN sht i polarizuar n drejtimin jo prues. N kalimin PN me polarizim jo
prues, megjithat, rrjedh nj rrym e vogl. Ajo sht rrym e bartsve dytsor t ngarkesave,
vrimat n zonn N dhe elektronet n zonn P. Kjo rrym ka vler shum t vogl, sepse sht i
vogl numri i bartsve dytsor n krahasim me bartsit kryesor t ngarkesave. Ajo rritet me rritjen e
temperaturs.

MBAJ MEND!!!

N vendin e kalimit- bashkimit t gjysmpruesve P dhe N krijohet zon e pengess, e

boshatisur nga elektronet dhe vrimat e lira, barriera potenciale dhe fush e brendshme elektrike.

Kalimi PN i polarizuar direkt-drejt fitohet me kyje t polit pozitiv t burimit n llojin P, kurse

poli negativ n llojin N dhe ai pron rrym.

Kalim PN me polarizim t kundrt- invers fitohet me kyje t polit pozitiv t burimit t furnizimit

n N, kurse poli negativ n llojin P dhe ai nuk pron rrym.

N kalimin me polarizim t kundrt rrjedh vetm rryma e bartsve dytsor, ajo sht rryma

inverse e kundrt e kalimit.

KONTROLLO NSE DIN

1. Si ndahen materialet?
2. Nga ka varen vetit elektrike t materialeve?
3. Si sillet gjysmpruesi n temperaturn e dhoms, dhe si n zero absolute?
4. Si krijohet vrima?
5. Cilt gjysmprues jan gjysmprues me primesa-papastrti?
6. Si fitohet gjysmpruesi i tipit N?
7. Cilt atome quhen donor?
8. Vizato gjysmprues t llojit N t lidhur me burim t jashtm dhe sqaro se far ndodh!


24Elektronikaanaloge


9. Si fitohet gjysmprues i llojit P?

10. Cilat atome quhen akceptor?
11. Vizato gjysmprues t llojit P t lidhur me nj burim t jashtm dhe shpjegoj se far
ndodh!
12. Cilt barts jan kryesor, dhe cilt dytsor n gjysmpruesin e llojit N?
13. Cilt jan barts kryesore, dhe cilt dytsor n gjysmpruesin e llojit P?
14. ka parqet kalimi PN?
15. Si mund t polarizohet kalimi PN?

1.5.Diodatgjysmpruese
Prfaqsuesi i par dhe kryesor i kalimit PN n mesin e elementeve elektronike sht dioda
gjysmpruese. Struktura dhe simboli elektrik i diods jan dhn n figurn 1.23.

Figura 1.23: Struktura dhe simboli elektrik i diods.

Metali lidhs i seksionit P sht anod dhe shnohet me A, kurse n seksionin N sht katoda e
shnuar me K. Karakteristika kryesore e diods sht e njjt si tek kalimi PN, q t lshoj rrymn
elektrike vetm n nj drejtim prej anoda drejt katods.
Dioda sht e polarizuar n drejtim prues ose direkt, kur poli pozitiv i burimit t furnizimit sht i
lidhur me katodn, kurse negativi me anodn e diods.

Diodatgjysmpruese

25


1.5.1.Karakteristikastatike
Karakteristika statike e diods (figura 1.24) m s miri e prshkruan situatn gjat polarizimit t
drejt dhe t kundrt t diods. Ajo sht karakteristika rrym-tension e cila e paraqet varsin e
rryms s diods nga tensioni i vazhduar n skajet e tij, gjat nj temperature konstante t
ambientit.

Figura 1.24: Karakteristika statike e diods.

Karakteristika e diods s polarizuar drejt sht treguar n kuadratin e par. Ajo mund ndahet n
tre zona (figura 1.25).
Zona e par, nga origjina e koordinatave deri n pikn A, sht zon e tensioneve shum t
vogla. Ktu bhet fjal pr tensione prej disa dhjetra mV, ku rryma arrin vlern e disa dhjetra mA.
Afr origjins s koordinatave ajo sht nj vij e drejt, pastaj transformohet n nj parabol.
N zonn e dyt forma e karakteristiks m tepr i prgjigjet procesit t detektimit. Ajo shtrihet
nga pika A deri n pikn e tensionit t kyjes s diods (B), i cili, t prsrisim, pr germaniumin
sht 0,3V, kurse pr silicin 0,7V.
Zona e tret, nga pika B deri n pikn C, paraqet zon t rrymave t mdha. Ktu tensioni n
skajet e diods nuk ndryshon dukshm n nj brez t gjer t ndryshimit t rryms.

Figura 1.25: Karakteristikat e

e diods s polarizuar n drejtim prues

Figura 1.26: Karakteristika e

diods s polarizuar kundrt


26Elektronikaanaloge

Rezistenca e diods ndryshon me ndryshimin e tensionit direkt. , t prur n diod. Ajo sht e
prcaktuar nga tangjenta e kndit D q prfshin tangjenten e karakteristiks n at pik.
Karakteristika e diods me polarizim t kundrt sht treguar n kuadratin e tret t sistemit
koordinativ. Edhe ajo mund t ndahet n disa zona (figura 1.26).
Zona numr 4, nga 0 deri n pikn D, sht identike me zonn numr 1, bashkimi i t dy zonave
sillet n mnyr simetrike dhe pr kt arsye n tensione t ulta nuk ka paraqitje t
drejtueshmris.
N Zonn numr 5, nga pika D n pikn E, rryma inverse i afrohet nj vlere konstante, e quajtur
rrym inverse e ngopjes. Rezistenca e diods n kt zon sht shum e madhe, por kurr nuk
bhet infinite (e pafundme).
Zona e 6-t, nga pika E n pikn F, sht zona e lakimit t karakteristiks. Ktu pr rritje t
vogl t tensionit t kundrt, rryma inverse rritet shum. N diodat e silicit kjo zon sht shum e
ngusht, kurse n diodat e germaniumit sht m e gjer. Vlera e tensionit t kundrt maksimal Up
ndodhet n fillimin e lakimit t karakteristiks.
N Zonn 7 fillon shpimi i kalimit PN t diods, me ka rryma e kundrt (inverse) zmadhohet
shum.



1.5.2.Shpimiikalimittdiods
Deri te shpimi vjen pr shkaqe termike dhe elektrike. Shpimi termik ndodh kur prishet
baraspesha termike e kalimit PN. Gjat intensitetit t madh t rryms n rezistencn e brendshme
t diods krijohet nxehtsi, t ciln pllaka e kristalit e bart n mjedis. Temperatura m e madhe e
lejueshme e puns varet nga materiali gjysmprues nga i cili sht i ndrtuar. Pr germaniumin
ajo shkon nga +70 deri n +90 0C, ndrsa pr silicin nga +120 deri n +150 0C. Kur zhvillohen
nxehtsia n pllak, m e madhe nga ajo q mund ta bart n mjedis, pllaka nxehet dhe ajo mund t
shkrihet, gjegjsisht dioda t shkatrrohet. N lidhje me kt, prodhuesi prshkruan intensitetin
maksimal t rryms, Imax, i cili gjat puns nuk duhet t tejkalohet.
Shpimi elektrik mund t ket efekt ortek dhe tunel apo efekt zener.
Efekti ortek ndodh n kalime me gjersi m t mdha t shtress s kontaktit. N tensione t larta
t kundrta n shtresn e kontaktit krijohet fush e fort elektrike, e cila elektroneve q lvizin
npr kt shtres u jep energji t madhe kinetike dhe nxitim. Kur kjo energji arrin nj kufi t
caktuar, vjen deri tek shkputja e lidhjeve t reja valente, numri i elektroneve t lira zmadhohet dhe
krijohet ortek i elektroneve t lira (ngjashm si orteku i bors). Rryma e kundrt mund t arrij vler
t madhe dhe t vij deri te shpimi i diods. Q t mos vij deri te dmtimi, pr secilin lloj t diods
prodhuesi e jep tensionin e kundrt t shpimit (Up) i cili nuk duhet t tejkalohet.

Diodatgjysmpruese

27


Efekti tunel ose zener mund t paraqitet edhe n dioda me nj gjersi t vogl t kalimit t
barrierave dhe koncentrik t madh t primesave kimike. Me rritjen e tensionit t kundrt n kalim t
till mbi vlern e tensionit t kundrt t shpimit Up, elektronet nn ndikimin e fushs s krijuar i
shkpusin lidhjet valente, rritet numri i elektroneve t lira

dhe rryma e kundrt rritet shum.

Zvoglohet rezistenca e brendshme e diods dhe ai nuk lejon rritjen e mtejshme t tensionit t
kundrt. Ka ardhur deri te shpimi i kalimit, por jo edhe shkatrrimi i tij. Tensioni i kundrt ngelet i
njjt.
Karakteristika rrym-tension nga figura 1.24 i referohet diods reale fizikisht.
Pr analizn e qarqeve t shumta elektronike prdoret modeli i nj diode ideale, e cila n drejtimin
direkt ka rezistenc zero dhe sht nj prues i prsosur, kurse n drejtimin e kundrt rryma e saj
sht zero dhe ka rezistenc infinite. Karakteristika e saj sht dhn n figurn 1.27. Dioda ideale
vepron si nj els i mbyllur, kur sht e polarizuar drejt, dhe si els i hapur, kur sht me
polarizim t kundrt.

Figura 1.27: Karakteristikat e

diods ideale

Figura 1.28: Karakteristikat e

diods pjesrisht lineare.

Modeli i tret q sht n prdorim sht dioda pjesrisht lineare me ka thjeshtohen llogaritjet n
qarkun me dioda. Karakteristika e saj (figura 1.28) sht e prbhet nga dy linja: njra fillon diku
n pjesn inverse dhe mbaron n pikn e tensionit t kyje s diods (UKY), Kurse tjetra vazhdon
nga ajo pik n zonn e polarizimit direkt me knd t caktuar. Me at knd sht prcaktuar
rezistenca e diods n drejtimin e drejt.
MBAJ MEND!!!

Dioda gjysmpruese sht element elektronik me kalim PN dhe me dy dalje: anod dhe
katod.

Diodashtepolarizuardrejtdirektnqoftseanodashtelidhurmepotencialinpozitiv,
kursekatodanegativ,osekuranodashtelidhurnpotencialmtlartsekatoda.

28Elektronikaanaloge


Dioda sht me polarizim t kundrt, nse katoda sht e lidhur n potencial m t lart se
anoda.

Gjendjaediodsmepolarizimtdrejtdhetkundrtshtdhnmekarakteristiknstatike
tsaj.

Shpimiidiodsmundtndodhngatemperaturaelartekalimit.
EfektiZenerndodhnpolariziminekundrtmekatensioniikundrtmbetetkonstant.
Efektiortekndodhkurtejkalohettensioniikundrtilejuarishpimit.

KONTROLLO NSE DIN

1. Defino termin diod gjysmpruese?

2. Vizato simbolin e diods gjysmpruese dhe shnoje at!
3. Shpjego polarizimin e diods!
4. Defino karakteristikn statike t diods!
5. Vizato karakteristikn statike t diods!
6. Kur ndodh shpimi termik i diods?
7. Si mund t jet shpimi elektrik?
8. Sqaro konceptin diod ideale dhe vizato karakteristikn statike t saj!

1.6.Llojetdhezbatimiidiodavegjysmpruese
Sot jemi n kontakt me shum lloje t diodave, varsisht nga materiali me t cilin jan ndrtuar
dhe nga qllimi i tyre. N zhvillimin e tyre, pr gjysmpruesit e par sht shfrytzuar germaniumi
si material gjysmprues. Por, pastaj silic sht dshmuar m i mir n aspektin e prpunimit, si
dhe n aspektin e stabilitetit n temperatur. Silic bhet zgjedhja e par n mesin e
gjysmpruesve, por mjaft jan t prfaqsuar disa prbrs t galiumit, si sht arsenid-galiumi.
Sipas qllimit dallojm: drejtues, demodulues, kufizues, impulsiv, ndrprers (komutator), kapacitiv,
fotodioda, LED dhe t tjer. Sipas konstruksionit dallojm dy lloje, edhe at dioda me kalim piksor
(pik) dhe dioda me kalim siprfaqsor.

Diodatgjysmpruese

29


1.6.1.Diodatmekalimpik
Germaniumi, megjithat, nuk sht i mnjanuar plotsisht. Ai zbatohet pr prodhimin e diods
me kalim pik. Shkurtimisht n lidhje me prpunimin e tyre: germanium i pastr merret prmes
ngrohjes graduale, kshtu gjat temperaturave t ndryshme largohen papastrtit kimike. Pastrimi
bhet derisa rezistenca specifike e germaniumit nuk arrin disa dhjetra :cm. Pastaj, derisa sht
n gjendje t lngshme, shtohen primesa t elementeve pes valente (arsen, antimon) n at
raport q nj atom i primess t jet pr nj milion deri pr nj miliard atome t germaniumit. Me
procesin e nxjerrjes fitohet struktur kristalore e llojit N. Kristali pastaj pritet n pjes t holla, t cilat
pastaj edhe pas nj pastrimi nga papastrtit, t futura gjat prpunimit, ngjitet n substrat-shtres
metalike. Kristali i prgatitur n kt mnyr vendoset n shtpiz, vendoset tel n form spirale
nga volframi, platini ose ari, me trashsi rreth 6 Pm q ta prek pllakn kristalore (figura 1.29). Maja
metalike ngjitet n pllak prmes rrugs elektrike dhe dioda ngarkohet me intensitet normal t
rryms. Pastaj lshohen impulse me rrym 10 her m t fort nga maksimalja e lejuar. N vendin e
prekjes zhvillohet ngrohtsi dhe formohet krater n pllak. Elektronet trhiqen nga krateri dhe
kshtu formohet kalim PN.

Figura 1.29: Konstruksioni i diods pik.

Karakteristika rrym-tension e diods s germaniumit OA90 sht dhn n figurn 1.30. Duhet ti
kushtohet vmendje rangut t madhsis s rryms: n drejtimin direkt ajo sht e dhn n mA,
kurse n inverse n PA.

Figura 1.30: Karakteristika rrym-tension e diods s germaniumit OA90.



30Elektronikaanaloge

Tensioni i diods s polarizuar direkt sht 0,3 V, ka e bn diodn m efikase pr sinjale t
vogla me m pak humbje t energjis, veanrisht pr zbulimin e sinjaleve t moduluar n
amplitud dhe frekuenc, ose n qarqet logjike me nivel t ult logjik. Rezistenca e diods me
polarizim t dejt , gjat tensionit prej 1V sillet n kufijt 50-200 :, kurse te dioda me polarizim t
kundrt n tensionin prej -10 V sillet rreth 0,5-10 M:.
Me siprfaqe t vogl t kontaktit fitohet edhe kapacitet vetjak i vogl. m i vogl se 1pF, q lejon
q dioda t prdoret gjat frekuencave t larta me shkall t lart t efektit t dobishm. Sot
prdoren dioda me kalim pik n radioteknik pr stade detektuese.
Dobsi e diods OA90 sht varsia e karakteristiks s saj nga temperatura dhe vlera m e madh
e rryms s kundrt n krahasim me diodat e silicit.

1.6.2.Diodatmekalimsiprfaqsor
Dioda me kalim siprfaqsor prbhet nga dy pllaka kristali, njra e llojit P, dhe tjera e llojit N.
Prmes kontakteve t metalit ata jan t lidhura me dalje t jashtme me anod dhe katod, kurse
kalimi sht i mbyllur n shtpiz metalike ose plastike.

1.6.2.1.Diodatdrejtuese
Diodat drejtuese jan dioda me kalim siprfaqsor, dhe prdoren pr prfitimin e rryms
s vazhduar nga burimi i rryms alternative. Kto dioda kan nj zon relativisht t madhe t
kalimit, kshtu q prmes saj mund t rrjedhin rryma me intensitet m t madh dhe tensione inverse
relativisht t larta. Aplikimi i tyre pr frekuencat e larta sht i kufizuar nga kapacitetet vetjake t
mdha.
Si material pr t prodhuar dioda drejtuese prdoret silici, germaniumi dhe sot shum rrall seleni.
Pr zgjedhjen e diods drejtuese t rndsishme jan kto parametra t dhn nga prodhuesi:
- rryma maksimale e lejuar n drejtimin e drejt IDmax;
- tensioni invers maksimal i lejuar Uimax (rreth 70% e vlers s tensionit t shpimit Ush);
- fuqia maksimale e lejuar e shthurjes PDmax (fuqia e konvertuar n nxehtsi brenda diods).
Sipas fuqis, diodat drejtuese ndahen n:
- dioda me fuqi t vogl deri n 3W;
- dioda me fuqi t mesme deri n 10W;
- dioda me fuqi t madhe deri n disa KW.

Diodatgjysmpruese

31


1.6.2.2.DiodatZener
Dioda Zener sht nj diod silici me kalim siprfaqsor, e dedikuar pr stabilizimin e
tensionit t vazhduar. Pr dallim nga dioda drejtuese standarde, dioda zener ka nj prqindje t
shtuar t primesave kimike, si n zonn N ashtu edhe n zonn P. Me at sht prmirsuar
karakteristika e saj rrym-tension n fushn e tensionit t kundrt ku edhe sht zona e puns.
Prmirsimi vrehet n pjerrtsin n rritje n pjesn e karakteristiks dhe kthesn m t ashpr
pas piks s tensionit shpimit. Karakteristika rrym-tension tipike sht dhn n figurn 1.31.

Figura 1.31: Karakteristika rrym-tension e diods zener.

Pr t stabilizuar tensionin prdoret pjesa mes pikave A dhe B, e njohur si zon e efektit zener. Pr
ndryshim t madh t rryms 'I fitohet relativisht ndryshim i vogl i tensionit t kundrt 'U n skajet
e diods, q sht karakteristike pr pajisjet q kryejn stabilizimin e tensionit. N qarkun ku bhet
stabilizimi, pika M e puns (vlera e tensionit q stabilizohet) vendoset n mes ndrmjet pikave A
dhe B.
Simboli elektrik i diods zener sht dhn n figurn 1.32.

Figura 1.32: Simboli elektrik i diods zener.

32Elektronikaanaloge
Diodat zener prodhohen pr tensione t stabilizimit nga 3V deri n 75V, por jan t mundshm
edhe tensione jasht ktij brezi (deri n 200V). Pr tensione m t vogla se 3V sht e vshtir t
prodhohen dioda zener me veti stabilizimi t mira. Pr kto tensione prdoren dioda silici t lidhur
n mnyr serike me kalim siprfaqsor, t polarizuar n drejtimin prues (t drejt) (n x 0,7V).
Parametrat baz pr zgjedhjen e diodave zener jan:
- tensioni zener n brezin nga 3,3V deri 75V;
- toleranca e tensionit t specifikuar, i cili mund t jet 5% ose 10%, por n dispozicion jan edhe
toleranca m precize si sht 0,05% pr qllime t veanta;
- fuqia e diods, e cila mund t jen , , 1, 5, 10 dhe 50W.
Diodat zener prdoren pr prpunimin e stabilizatorve t tensionit, si burime t tensionit
referent dhe n kufizuesit e tensionit.

1.6.2.3.Diodatpulsive(impulsive)
Karakteristik e operacioneve logjike n qarqet digjitale sht puna me impulse ku ne kemi
ndryshime t shpejta nga niveli logjik i ult n nivel logjik t lart. Nj operacion t till duhet ta kryej
nj lloj elementi komutues, i cili n gjendjen i hapur ka rezistenc pafundsisht t madhe, kurse n
gjendjen i mbyllur ka rezistenc pafundsisht t vogl.
Dioda gjysmpruese

sillet ngjashm, por nuk i prmbush plotsisht kto krkesa. Pengesa

kryesore sht ajo q nuk mund t siguroj kalim t mjaftueshm t shpejt nga gjendja pruese
n at jopruese. Arsyeja qndron n paraqitjen e bartsve t lir t ngarkess t akumuluar n
shtresn pr pengim.
Kur dioda sht me polarizim direkt nj koh t gjat, n zonn kufitare t kalimit PN t diods,
n ann P vjen deri te akumulimi i elektroneve barts sekondar, kurse n ann N vrimave. Nse
kalimi zhvendoset n gjendjen e polarizimit t kundrt, shprndarja e bartsve sekondar do t
ndryshoj pr momentin, pr shkak se lvizja e tyre sht difuze dhe prqendrimi i tyre bie
relativisht ngadal. Kalimi mbetet i prueshm pr nj periudh n t ciln prqendrimi i bartsve
sekondar nuk ndryshon n nivelin q e ka kur dioda nuk sht e polarizuar. Kjo periudh definohet
si periudh e shkarkimit t diods.
Rnia e prqendrimit t bartsve kryesor vazhdon edhe m tutje, derisa rryma e kundrt e kalimit
nuk arrin vlern e ngopjes. Kjo sht periudha e rnies s rryms s diods. E gjith kjo mund t
kuptohet edhe si pasoj e ekzistimit t kapacitetit difuziv t kalimit PN. Kohzgjatja e prgjithshme e
kalimit nga gjendja e polarizimit direkt n invers sht 2-50 ns.
N diodat impulsive ose komutuese, t destinuara pr operacione t tilla, aplikohen procedura
teknologjike t shtimit t primesave t arit n pllakn e silicit t diods, me qllim q t ndalohet
krijimi i prqendrimit t madh t bartsve sekondar.

Diodatgjysmpruese

33


Sipas kohs s komutimit, diodat impulsive ndahen n mikrosekondare (tr>0,1Ps) dhe

nanosekondare (tr<0,1 Ps).
Diodat impulsive prdoren n qarqet komutuese digjitale pr ekzekutimin e operacioneve
logjike me sinjale elektrike t forms impulsive.

1.6.2.4.DiodaLED
Dioda LED ose e drits (emri vjen nga shkurtesa e shprehjes n anglisht Light Emitting Diodedioda q emeton drit) paraqet burim t drits. Parimi i funksionimit t diods LED sht i bazuar n
vetin e elektronit t emetoj energji n zon t caktuar n spektrin e dukshm, kur kalon nga nj
nivel energjetik m i lart n nivel m t ult t energjis. Pr kt shkak sht i nevojshm burim i
jashtm i energjis. Ngjyra e rrezatimit nuk varet nga intensiteti i rryms s diods, por nga lloji i
materialit gjysmprues nga i cili sht prodhuar.
do element kimik ka emisionin e tij t energjis s rrezatimit. Kshtu, pr shembull, dioda e
prbr nga kombinimi i galiumit, arseni dhe fosforit jep drit t kuqe. Me ndryshimin e kombinimit
kimik t kalimit PN mund t fitohen lloje t ndryshme t ngjyrave t spektrit t dukshm, si e kuqe, e
gjelbr, e kaltr, e verdh, apo infra e kuqe (IR) dhe ultravjollce (UV), nga pjesa e padukshme e
spektrit. Ngjyrat tjera mund t merret si kombinim i dy apo m shum ngjyrave primare (e kuqe, e
kaltr, e gjelbr) t diodave t vendosura n t njjtn shtpiz dhe duke prdorur shirit optik t
prbashkt.
Simboli elektrik dhe pamja e diods LED sht dhn n figurn 1.33.

Figura 1.33: Simboli elektrik dhe pamja e diods LED.

Pr funksionimin normal, dioda LEd prdor polarizim direkt, kurse tensioni n skajet e diods sillet
mes 1,6V dhe 3V, n varsi t ngjyrs. Rryma tipike e puns e diods LED me madhsi standarde
sht rreth 20mA, kurse tensioni invers maksimal deri n 5V. Prve diodave standarde, ekzistojn
edhe dioda LED me efikasitet t lart me nj rrym pune prej 2 deri n 8mA. Dioda LED ka
shpejtsi t kyjes dhe shkyjes m t madhe, q mundson t prdoret pr bartjen e
informacioneve digjitale prmes fibrave optike me shpejtsi t madhe (deri n 10 impulse pr
sekond).


34Elektronikaanaloge
Diodat Laser jan nj lloj i diodave t drits dhe prdoren n pajisjet optike (n lexuesit e CD dhe
DVD) dhe n komunikimet me kapacitete t mdha (fibra optike dhe komunikimet optike).
OLED (Organic Light-Emitting Dioda) dioda prfaqson diod drite e prbr nga gjysmprues
organik. Shtresa e saj emetuese, baza dhe lidhja e anods dhe katods jan br nga molekula
organike t cilat prcjellin rrym elektrike. Diodat OLED prdoren n ekranet televizive,
monitort e kompjuterve, telefonat celular, ort,

n reklamat e ndritshme dhe

informacione n aplikacionet informative dhe shenjat rrugore, e t ngjashme.

Me zhvillimin e materialeve t reja rritet edhe efikasiteti i diodave LED dhe se ato jan br burim i
vrtet i drits i cili zvendson llambat elektrik standarde. Fuqia e diodave me efikasitet t madh
arrin vlern deri n SW me 18-20 Im / W, e cila sht m e madhe se vlera qe e jep llamba
standarde me spiral ngrohse prej 60 deri 100W.

1.6.2.5.DiodaPIN

Diodat PIN jan t prbra nga tre zona gjysmpruese. Mes zonave t llojit P dhe N gjendet zon
me gjysmprues t pastr (I). Gjat polarizimit t drejt, prueshmria e zons I ndryshon me
intensitetin e rryms. Rezistenca e zons I sht e madhe pr vlera t vogla t rryms s vazhduar,
kurse e vogl pr t mdha. Ky tipar i diods PIN, formimi i rezistencs e cila mund t ndryshoj me
ndihmn e rryms s vazhduar, gjegjsisht tensionit, bn q dioda PIN t prdoret si nj element
komutues, si nj modulator ose si nj rezistenc e ndryshueshme n qarqet elektrike me kontroll
automatik t prforcimit.
Struktura dhe simboli elektrik i diods PIN jan dhn n figurn 1.34.

Figura 1.34: Struktura dhe simboli elektrik i diods PIN.

1.6.2.6.Diodatunel
Diodat tunel prodhohen nga germaniumi me nj prqendrim t madh t papastrtive-primesave.
Gjersia e zons s barriers n kalimin PN n diodn tunel sht proporcionalisht e kundrt me
prqendrimin e bartsve t lir, kshtu q diodat tunel, pr shkak t prqindjes s rritur t
primesave, kan nj gjersi shum t vogl t zons. N figurn 1.35 jan dhn karakteristika
rrym-tension e diods tunel dhe simbol elektrik i saj. Pjesa e karakteristike nga pika A n pikn B
sht quhet ,,zona e prueshmris negative", sepse me rritjen e tensionit n skajet e diods


Diodatgjysmpruese

35


zvolet rryma npr t. Diodat tunel prdoren n qarqet komutuese dhe qarqet prforcuese, dhe m
shpesh n oshilatort. Dioda tunel sht diod me shpejtsi t madhe dhe ka zbatim n
prforcuesit n sfern e mikrovalve.

Figura 1.35: Karakteristika rrym-tension dhe simbol elektrik i diods tunel.

1.6.2.7.Diodavarikap
Varikap diodat kapacitive jan diodat gjysmpruese kapaciteti i t cilave ndryshon me ndryshimin
e tensionit t lidhur n skajet e tij. Varsia e kapacitetit nga tensioni i lidhur dhe simboli elektrik i
diods varikap jan dhn n figurn 1.36.

Figura 1.36: Varsia e kapacitetit nga tensioni i lidhur dhe simboli elektrik i varikap diods.
Diodat kapacitative prdoren n qarqet e oshilatorve n radio dhe pajisjet televizive n
fushn e frekuencave t larta, n qarqet pr rregullimin automatik t frekuencs, si
kondensator t ndryshueshm me rregullim elektrik. N fushn e mikrovalve aplikohet nj
lloj i veant i diods varikap, e ashtuquajtura dioda varaktor, e cila shrben pr shumimin e
frekuencave.


1.6.2.8.DiodaGUN
Dioda GUN sht nj diod e cila prmban gjysmprues t llojit N. Ajo ka tri zona, nga t cilat, dy
me densitet t lart t primesave n skaje, dhe nj me densitet t vogl t primesave e cila ndodhet
mes tyre. Dioda GUN ka rezistenc negative dhe prdoret n oshilator n brezin e frekuencave prej
10GHz.

36Elektronikaanaloge

MBAJ MEND!!!
Dioda pik ndrtohet nga germaniumi, tensioni i diods s polarizuar drejt sht 0,3V,

kapacitetivetjakisajshtmivoglse1pF,prdoretnqarqeprfrekuencatlarta.
Diodadrejtueseshtdiodmekalimsiprfaqsor,mundtprballojrrymameintensitett

madhdhetensiontkundrtrelativishttlart,prdoretnqarqetdrejtuesedhendrprers.
Dioda zener punon n fushn e shpimit me tensione inverse, prdoret pr stabilizimin e

tensionit.
Dioda impulsive ka kalim t shpejt nga gjendja e joprueshmris n gjendjen e

prueshmris,prdoretprqarqeimpulsivedhelogjike.
Dioda LED ose e drits jep drit nn ndikimin e burimit t jashtm t furnizimit, punon me

polarizimdirekt.


KONTROLLONSEDIN

1. far lloje t diodave gjysmpruese dallojm sipas konstruksionit?
2. Shpjegoje prodhimin e diods me kalim pik?
3. Ku gjejn zbatim diodat me kalim pik?
4. Ku gjejn zbatim diodat drejtuese?
5. Cilat kufizime i kan diodat drejtuese?
6. Si ndahen diodat drejtuese?
7. Shpjego veprimet stabilizuese t diods zener prmes karakteristiks statike!
8. Vizato paraqitjen skematike t diods zener!
9. Pr far tensioni t stabilizimit prodhohen diodat zener?
10. Cilat jan parametrat baz pr zgjedhjen e diods zener?
11. Ku gjejn zbatim diodat impulsive?
12. Vizato shnimin skematik t diods LED, PIN, varikap dhe tunel.
13. Ku gjejn zbatim diodat LED, GUN, PIN, OLED, varikap, tunel dhe dioda laser?

Diodatgjysmpruese

37


VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Komponente aktive jan:
a) rezistencat
b) diodat
c) tiristort
d) kondensatort
2. N qarqe analoge bjn pjes:
a) memoriet
b) mikroprocesort
c) oshilatort
d) prforcuesit
e) filtrat.
3. Materialet me numr t madh t elektroneve t lira jan:
a) gjysmprues
b) prues
c) izolues
4. Gjysmprues i llojit P fitohet duke futur:
a) atome tre valente
b) atome katr valente
c) atome pes valente
N rrjetn kristalore t germaniumit ose silicit.
5. Kur poli pozitiv i burimit lidhet me zonn N t kalimit PN, ather ai:
a) sht me polarizim t drejt
b) nuk sht i polarizuar
c) sht me polarizim t kundrt

38Elektronikaanaloge


II Pyetje me lidhshmri
6. Lidh simbolet skematike me diodat prkatse:

a)

b)

c)

d)

e)

1. Dioda zener ___________

2. Dioda drejtuese ___________
3. Dioda LED ___________
4. Dioda varikap ___________.
7. Lidh grupin e materialeve me rezistencn e tyre specifike:
1. Gjysmpruesit

a) nga 10-6 deri n 10-5 :cm_______________

2. Izoluesit

b) nga 106 deri n 108 :cm_______________

3. Pruesit

c) nga 10-3 deri n 107 :cm_______________


8. Lidh llojin e gjysmpruesit me bartsit kryesor:
1. Lloji P

a) elektronet______________

2. Lloji N

b)vrimat _________________

9. Lidh veprimin e diods ideale me polarizimin:

1. els i mbyllur

a) polarizim t drejt _________

2. els i hapur

b) polarizim t kundrt________

10. Lidh diodn me zbatimin e saj:

1. Qark pr rregullimin automatik t frekuencs

a) dioda tunel________

2. Oshilator

b) varikap ___________

3. Modulator

c) dioda zener _______

4. Stabilizator t tensionit

d) dioda PIN _________

Diodatgjysmpruese

39


III Pyetje me plotsim

11. N temperatur t zeros absolute (-273oC=0K) gjysmpruesi sillet si
____________________________.
12. Duke futur atome pes valente n rrjetn kristalore t germaniumit dhe silic fitohet
gjysmprues i llojit ____________.
13. Gjysmprues i llojit N fitohet duke futur atome _______valente n rrjetn kristalore t
germaniumit apo silicit.
14. Nse lidhet poli pozitiv i burimit me bashkimin e zons P t kalimit PN, kurse poli negativ me
bashkimin

zons

kalimit

PN,

ather

kalimi

PN

do

jet

me

polaritet

___________________.
15. Karakteristika rrym-tension e diods paraqet varsi t ______________ t diods nga
___________________, pr vler t caktuar konstante t ___________________.

40Elektronikaanaloge


Hulumto dhe mso m tepr:

-

Prpiqu t zbulosh n cilat pajisje shtpiake tuaja

gjejn zbatim diodat.
- Hulumto n internet pr llojet dhe zbatimin m t gjer t diodave nga ajo q
sht paraqitur n tekst dhe n baz t hulumtimit prpuno projekt.
- N ort e msimit praktik vzhgo veprimin drejtues t diods drejtuese
gjysmpruese me ndihmn e oshiloskopit.

Transistort41


TRANSISTORT
Duke studiuar prmbajtjen e ksaj teme, do t fitosh njohuri pr
transistort dhe do t mund:

t interpretosh krijimin fizik t transistorit me ndihmn e kalimit PN;

t dallosh llojet e transistorve;

t shpjegosh mnyrn e polarizimit tek transistort;

t kuptosh ndryshim n polarizim dhe mnyrn e puns mes transistorve PNP dhe

NPN;

t shpjegosh paraqitjen grafike t karakteristikave statike t transistorit;

t shpjegosh rndsin e koeficientit t prforcimit t rryms t transistorit;

t prezantosh transistorin prmes qarkut ekuivalent me parametra h;

t shpjegosh rolin e transistorit si element amplifikues- prforcues;

t llogarissh prforcimin;

t kuptosh ndryshim e sjelljes s transistorit n frekuenca t larta dhe t ulta;

t shpjegosh rolin e transistorit si nj element komutues-ndrprers;

t krahasosh regjimet e ndryshme t puns tek transistori kur ai punon n regjimin

komutues;

t shpjegosh parimin e funksionimit t FET-it;

t krahasosh mnyrn e puns s transistorit bipolar dhe FET-it;

t shpjegosh parimin e funksionimit t MOSFET-it;

t kuptosh dallimin mes FET-it dhe MOSFET-it;

t analizosh FET-in dhe MOSFET-in n regjimin statik t puns;

t prezantosh FET-in dhe MOSFET-in me qark ekuivalente pr regjimin linear t puns

(me P dhe g m );

t shpjegosh rolin e FET-it dhe MOSFET-it si elemente amplifikuese;

t shpjegosh rolin e MOSFET-it si nj element komutues- ndrprers;

t njohsh zbatimin e transistorve.

42Elektronikaanaloge


Elementi gjysmprues me dy kalime PN dhe tre elektroda paraqet transistor. Emri

transistor rrjedh nga fjalt angleze TRANSfer resISTOR, q do t rezistenc bartse, ose m
sakt, rezistenc q mundet t menaxhohet.

Transistort43

Transistort mund t ndahen n dy grupe kryesore: transistor bipolar dhe
transistor me efekt fushe (FET - Field Effect Tranzitor). T dy grupet jan me konstruksion
t ngjashm duke prdorur kalim PN, por me parim pune t ndryshm. N transistorve
bipolar, n rrymn totale q rrjedh prmes transistorit, marrin pjes dy lloje t bartsve t
ngarkess- kryesor dhe sekondar, pr dallim nga transistort me efekt fushe, tek t cilt
rryma formohet vetm nga njri lloj i bartsve t ngarkess. N analizimin e efekteve n
brendsi t gjysmpruesve, do t prdoret kahja elektronike e rryms.
Sipas regjimit t puns, transistort e t dy grupeve mund t ndahet n prforcuesamplifikator dhe komutator-elsa.

2. Transistort
Struktura e tranzitorit bipolar sht e prbr nga dy dioda PN

me kalim siprfaqsor, t

vendosura n procesin e prodhimit shum afr me njra tjetrn, kshtu q e ndajn zonn e njjt.
Sipas ksaj, transistori bipolar prfaqson bashkim t dy gjysmpruesve t llojit t njjt,
mes t cilve sht futur gjysmprues i llojit tjetr. Nj shprndarje e till sht e mundur n
dy variante t shnuar me NPN dhe PNP.

2.1. Transistori NPN

Transistori NPN sht i prbr nga dy kalime PN, q preken me zonn P. Struktura e tij dhe
shenja skematike jan dhn n figurn 2.1.

Figura 2.1: Struktura dhe shenja skematike e transistorit NPN.

Zona e mesme e transistorit quhet baz (B) dhe n ndrtimin e transistorve krkohet t jet sa
m e holl. Gjersia e saj, pr disa lloje t transistorve, mund t ket vler rreth 50 Pm (pr
krahasim, trashsia e kalimit sht 1Pm). Njri skaj i zons N quhet emiter (E) dhe ka detyr
themelore t emetoj barts t ngarkess- elektrone, t cilat barten nprmjet bazs (B) dhe
mblidhen n ann e kundrt t transistorit, t quajtur kolektor (C). Prqindja e primesave n
zonn N sht m i madh se ai i zons P.


44Elektronikaanaloge


Figura 2.2: Paraqitja grafike e transistorit NPN.

Pr t kuptuar m mir proceset do t shrbehemi me paraqitjen grafike t transistorit NPN, t
dhn n figurn 2.2. Nga figura shihet se n procesin prfundimtar t formimit t kristalit t
vetm, krijohen dy barriera potenciale dhe dy zona t pengimit n fushat e brendshme E1 dhe E2
n drejtime t kundrta. Njra sht n kalimin emiter baz, e cila quhet emetuese, kurse tjera n
kalimin mes bazs dhe kolektorit dhe quhet e kolektorit. Mnyrn e formimit t barrierave sht e
ngjashme me at tashm t prshkruar n kapitullin 1.4 pr gjysmpruesit dhe pr diodat.

Figura 2.3: Polarizimi i transistorit NPN.

Pr polarizimin e lidhjeve jan t nevojshme dy burime t vazhduara (figura 2.3). Burimi UB sht
e lidhur n mes t bazs dhe emiterit, dhe burimi UC n mes t kolektorit dhe emiterit.
Kur ndrprersi P1 sht mbyllur, kurse P2 i hapur, burimi UC formon fush t jashtme EC, e
orientuar nga kolektori drejt emiterit. Drejtimi i saj prputhet me drejtimin e fushs s brendshme
E2, dhe efekti i tij sht pr t rritur veprimin e fushs E2, zgjerohet zona e barriers n kalimin e
kolektorit dhe rryma IC nuk mund t rrjedh.
Situata ndryshon n mnyr drastike duke e mbyllur ndrprersin P2. Burimi UB krijon fush t
jashtme Eb n mes t bazs dhe emiterit, e orientuar nga baza drejt emiterit. Pr vlera t madhe t
mjaftueshme t tensionit t burimit, fusha e jashtme Eb i kundrvihet fushs s brendshme E1 dhe
e bn kalimin e emiterin me polarizim t drejt. Elektronet e lira n nj numr t madh lvizin nga
zona e emiterit prmes kalimit t emiterit dhe futen n zonn e bazs. Por, pasi q zona e bazs
sht shum e vogl dhe ka numr t vogl t vrimave, mundsia e rikombinimit t elektroneve


Transistort45

dhe vrimave sht shum e vogl. Vetm ata elektrone q rikombinohen me vrimat marrin pjes
n formimin e rryms s bazs IB. Numri i mbetur i elektroneve nuk mund t drejtohet pr n
kalimin e bazs, ata prmes rrugs s difuzionit vendosen n kufirin e zons s pengess mes
bazs dhe kolektorit. Ktu, ata bien nn ndikimin e fushs EC dhe E2, e kalojn kalimin e kolektorit
dhe kalojn n zonn e kolektorit. Si rezultat, n qarkun emiter kolektor do t kaloj rryma IC.
Intensiteti i asaj rryme do t varet nga numri i elektroneve t lira t cilt kan kaluar prmes kalimit
t emiterit, gjegjsisht nga shkalla e polarizimit t kalimit t emiterit. Do me thn, tek transistori
NPN do t rrjedh rryma mes emiterit dhe kolektorit, vetm nse rrjedh rrym n qarkun emiter
baze, kurse kjo ndodh kur kolektori sht me potencial m t lart se potenciali i bazs ndaj
emiterit.

Figura 2.4: Shprndarja fizike e zonave

gjysmpruese t transistorit NPN.
Nga figura e shprndarjes reale fizike t gjysmpruesve t transistorit NPN (figura 2.4), fitohet
nj pasqyr m e qart e procesit t formimit t rryms s kolektorit IC. Gjersia e bazs midis
emiterit dhe kolektorit pr disa lloje t transistorve sht deri n 50 Pm, kurse vet kalimi mes
gjysmpruesve P dhe N sht rreth 1 Pm. Siprfaqja e kalimeve baz-kolektor dhe baz-emiter
nuk jan t njjta. Siprfaqja e kalimit t kolektorit sht tre her m e madhe se siprfaqja e
kalimit t emiterit. Kjo sht e nevojshme q t mund kolektori t mbledh t gjitha elektronet q
vijn nga emiteri.
Polariteti i burimeve UC dhe UB sht shum i rndsishm pr funksionimin e transistorit. ka do
t ndodh nse ndryshohet polariteti i njrit apo t dy burimeve? Le t ndryshojm vetm polaritetin
e burimit UC, elsi P2 t jet i hapur, kurse t mbyllim elsi P1 (figura 2.3). S pari, kthehet
drejtimi i fushs EC dhe ajo prputhet me drejtimin e fushs E1. Barriera potenciale e kalimit t
emiterit rritet, zgjerohet zona e bllokimit dhe transistori bhet i bllokuar.


46Elektronikaanaloge
Nse e mbyllim tash edhe ndrprersin P2, kalimi i emiterit tash bhet me polarizim t drejt dhe
rrjedh rryma IB nga emiteri drejt bazs. Por, n t njjtn koh rrjedh edhe rrym e madhe nga
emiteri, prmes zons s bazs kah kolektori prmes kalimit t kolektorit n t cilin nuk ka asnj
lloj barriere potenciale. Barriera sht shkatrruar nn ndikimin e fushs EC dhe nuk ka asnj
veprim q do t kishte ndaluar kalimin e elektroneve npr kalimin e kolektorit, q mund t
shkaktoj shkatrrimin e transistorit. Nga ana tjetr, t dy burimet, n raport me qarkun baz
kolektor jan t lidhur n seri dhe tensioni i tyre, si shum, e polarizon drejt kalimin e kolektorit,
q kontribuon n rritjen e rryms.
Nse e kthejm polaritetin edhe n burimin UB, t dy burimet edhe m tej jan t lidhur n seri mes
bazs dhe kolektorit, por tensionet e tyre zbriten. Tensioni baz kolektor sht: UBC=UB-UC. Ky
tension do t jet pozitiv, d.t.th. baza do t jet n potencial m t lart nga kolektorit dhe kalimi do
t jet me polarizim pozitiv vetm kur

UB.! UC.

N kt rast do t vij deri tek dmtimi i

transistorit.
Nse e kthejm polaritetin e burimit UB, fusha Eb do t ndryshoj drejtimin dhe kalimi i emiterit do
t jet me polarizim t kundrt. Por, n qoft se tensioni i burimit UC sht m i madh se tensioni i
burimit UB, fusha EC do t eliminoj veprimin e fushs Eb dhe kalimi i emiterit do t jet i polarizuar
drejt, ka shkakton dmtimin e transistorit. Vetm nse tensioni i burimit UB sht i barabart ose
m i madh se tensioni i burimit UC, transistori do t jet i mbrojtur.
Rryma mund t kufizohet edhe me shtimin e rezistencave n qarkun e jashtm.

KONTROLLONSEDIN
1.

Defino termin transistor.

2.

far lloje t transistorve ekzistojn?

3.

Vizato shenjn skematike t transistorit NPN.

4.

Sa elektroda ka transistori dhe si quhen?

5.

Si krijohet rryma gjat polarizimit t transistorit NPN?

2.2. Transistori-PNP
Transistori PNP sht i prbr nga dy kalime PN, q takohen me zonn N. Struktura e saj dhe
shenja skematike jan dhn n figurn 2.5.

Transistort47


Figura 2.5: Struktura dhe shenja skematike e transistorit PNP.

I gjith ndrtimi i tij sht i njjt me ndrtimin e transistorit NPN, me at dallim q
gjysmpruesit P dhe N i ndrrojn vendet. Ktu, emiteri dhe kolektori jan t llojit P, kurse baza
e llojit N. Kalimet PN jan t vendosur n at mnyr q tash fushat e brendshme E1 dhe E2 jan
orientuara njra kundrejt tjetrs dhe me drejtim t kundrt nga ajo e transistorit NPN. Prqindja e
primesave sht m e lart n zonn P nga ai n zonn N, q do t thot se ktu rrym kryesore
sht rryma e vrimave.
Pr sqarimin e proceseve q ndodhin n transistorin PNP do t shrbehemi me skemn, e dhn
n figurn 2.6. Vrehet se burimet UC dhe UB jan t vendosur n t kundrt n lidhje me skemn
e ngjashme n figurn 2.3.

Figura 2.6: Paraqitja grafike e transistorit PNP.

Me mbylljen e ndrprersit P1, n brendsi t transistorit formohet fush EC me veprimin e burimit
UC. Kjo fush sht e drejtuar nga emiteri drejt kolektorit dhe e ndihmon veprimin e fushs E2, me
ka rritet barriera potenciale dhe zgjerohet zona e pengimit n mes t bazs dhe kolektorit dhe
transistori mbetet i bllokuar.
Me mbylljen e ndrprersit P2, kalimi i emiterit polarizohet drejt. Kalimi i barriers i kalimit t
emiterit ngushtohet dhe eliminohet, numr i madh i vrimave futen n zonn e bazs. Prmes
rrugs s difuzionit lvizin drejt skajit t zons s barriers t kalimit t kolektorit, ku bien nn
ndikimin e fushs rezultante EC dhe E2, e kalojn zonn e barriers dhe drejtohen kah kolektori
dhe lidhja e tij metalike, ku trheqin elektrone nga burimi UC prmes pruesit q sht i lidhur me
kolektorin. Kjo analiz e shpejt prkujton vetm se kemi t bjm me procesin e njjt i cili
tashm sht analizuar n transistorin NPN.


48Elektronikaanaloge
T njjtat rreziqe t shkatrrimit t transistorit ekzistojn edhe tek transistori PNP n qoft se
ndodh ndryshimi i polarizimit t burimeve t furnizimit.

KONTROLLONSEDIN
1. Vizato shenjn skematike t transistorit PNP..
2. far drejtimi kan fushat e brendshme E1 dhe E2 n transistorin PNP n krahasim me
transistorin NPN?
3. Cili kalim quhet emiter e cili kolektor?
4. N far polarizimi mund t vijn deri n shkatrrimin e transistorit?

2.3. Rryma e kundrt-inverse

Le t kthehemi tani n figurn 2.3 dhe n gjendjen kur sht i mbyllur vetm ndrprersi P1. N
transistor nuk rrjedh rrym, prfundimi deri tek i cili vijm duke ndjekur lvizjen e bartsve kryesor
t ngarkess- elektronet. Nse merret parasysh edhe ekzistenca e bartsve dytsor t ngarkess,
gjendja do t ndryshoj.
Vrimat, bartsit dytsor n zonn e kolektorit, nn ndikimin e fushs EC lvizin drejt zons s
bazs, leht kalojn prmes kalimit t kolektorit dhe futen n zonn shum t ngusht t bazs.
Duke pasur parasysh dallimin n gjersin e zons dhe bazs, numri i vrimave t ardhura n
zonn e bazs sht shum m i madh nga numri i elektroneve-barts dytsor t krijuar n zonn
e bazs. Numr i vogl i vrimave rikombinohen me elektronet e bazs. Pjesa tjetr m e madhe e
vrimave t mbetura, akoma nn ndikimin e fushs EC, kalojn dhe prmes kalimit t emiterit, duke
mposhtur barriern potenciale t kalimit dhe shkojn drejt lidhjes metalike t emiterit, ku trheqin
elektrone nga burimi i furnizimit prmes pruesit q sht i lidhur burimi me emiterin. N kt
mnyr formohet rryma inverse-kundrt e cila rrjedh nga kolektori drejt emiterit. Kt rrym do ta
shnojm me ICEO si rrym e kundrt nga kolektori drejt emiterit me qark t hapur t bazs.
Intensiteti i ksaj rryme varet nga numri i lidhjeve valente t shkputura, ka do t thot nga
temperatura e transistorit.
E njjta ndodh edhe n transistorin PNP, vetm se rryma ICE0 n t vjen nga elektronet si barts
dytsor t ngarkess n zonn P t kolektorit. Ajo ka drejtim t kundrt nga ajo e transistorit NPN
edhe at nga emiteri drejt kolektorit.

Transistort49

MBAJ MEND !!!

Transistori bipolar sht element elektronik i kontrolluar prmes rryms me tre dalje: kolektor,
baz dhe emiter, n t cilin rryma kalon prmes dy kalimeve PN.

Sipas renditjes s kalimeve, transistori mund t jet i llojit NPN ose PNP. 
Transistori NPN sht i prbr nga dy gjysmprues N me gjysmprues P t ngulitur mes
tyre. Barts kryesor t ngarkess elektrike jan elektronet.

Transistori PNP sht i prbr nga dy gjysmprues P me gjysmprues N t ngulitur mes

tyre. Barts kryesor t ngarkess jan vrimat.

N qarkun e kolektorit t transistorit rrjedh rrym vetm nse rrjedh edhe rryma e bazs. 
Rryma inverse- e kundrt e transistorit sht rryma e bartsve dytsor t ngarkess, ajo rrjedh
nga kolektori drejt emiterit tek transistori NPN dhe nga emiteri drejt kolektorit pr transistorin PNP,
gjat qarkut t hapur t bazs. 

Me polarizimin e transistorit NPN, kolektori sht me potencial m t lart nga baza kurse baza
nga emiteri. 
Me polarizimin e transistorit PNP, emiteri sht me potencial m t lart nga baza kurse baza
nga kolektori.

KONTROLLONSEDIN
1. Cilt barts e krijojn rrymn n transistorin NPN?
2. Cilt barts e krijojn rrymn n transistorin PNP?
3. Si krijohet rryma ICE0 n transistor?
4. Nga ka varet intensiteti i rryms ICE0?

2.4. Karakteristika t transistorit

Tek transistori ekzistojn dy regjime pune: statik dhe dinamik. Regjim statik t puns kemi kur n
qarkun e transistorit ekzistojn vetm tensione dhe rryma t vazhduara me t cilat polarizohet
transistori. Transistori polarizohet ashtu q kalimi i emiterit do t jet me polarizim t drejt, kurse
kolektori me t kundrt. N regjimin dinamik t puns, prkrah tensionit dhe rryms s vazhduar,
kemi edhe tension dhe rrym t sinjalit alternativ, i cili duhet t prforcohet.

2.4.1. Regjimi statik i puns

Qarku i transistorit n regjimin statik t puns sht paraqitur n figurn 2.7. Pr analiz e
prdorim qarkun me transistor NPN, i cili vlen edhe pr qarkun me transistor PNP, vetm me

50Elektronikaanaloge
drejtime t kundrta t rrymave dhe tensioneve. N qarkun e kolektorit dhe bazs jan vendosur

rezistencat RB, me t ciln prcaktohet rryma e bazs dhe rezistenca RC, me t ciln prcaktohet
rryma e kolektorit.

Figura 2.7: Qarku i transistorit n regjimin statik t puns.

N analiz do t prdorim emrtimet e mposhtme:
UCE tensioni kolektor-emiter
UBE tensioni baz-emiter
UCC - tensioni i burimit t ushqimit t kolektorit
UBB tensioni i burimit t ushqimit t bazs
IC rryma e kolektorit
IB rryma e bazs
IE rryma e emiterit
N analizn e parimit t puns s transistorve sht prdorur metoda e drejtimi elektronik t
rrymave. N llogaritjet, megjithat, sht e zakonshme t prdoret metoda e drejtimit teknik, me
ka do t thot vetm ndryshohen shenjat e rrymave n raport me ato t drejtimit elektronik.

2.4.2. Karakteristikat statike

Nga t lart prmendurat, katr madhsi jan me varsi reciproke t shprehura qart. Kto jan:
rryma e bazs IB dhe tensioni baz emiter UBE, si madhsi hyrse, dhe rryma e kolektorit IC dhe
tensioni kolektor emiter UCE, si madhsi dalse. Varsit e tyre mund t paraqiten grafikisht
prmes karakteristikave statike t transistorit. Numri i ktyre karakteristika sht mjaft i madh, por
nuk ka nevoj pr t gjitha pr llogaritjen e qarkut t transistorit me metod grafike.
Karakteristikat e plota i jep prodhuesi i transistorit, ose fitohen me qark t thjesht pr matje.
Nj qark i till sht paraqitur n figurn 2.8.


Transistort51


Figura 2.8: Qarku pr matje e karakteristikave statike t

transistorit NPN n lidhje me emiter t prbashkt.
N figurn 2.9 tregohen karakteristikat e ndryshimit t rryms s kolektorit n raport me
ndryshimin e tensionit UCE pr vlera t ndryshme t rryms s bazs IB, n baz t funksionit:

Kjo karakteristik quhet dalse dhe mund t fitohet

me qarkun nga figura 2.8. Tensioni UCE matet me
voltmetr, t lidhur n mes t kolektorit dhe emiterit,
kurse rryma e kolektorit IC me miliampermetr, t
lidhur n seri me qarkun e kolektorit. Duhet t matet
edhe rryma e bazs IB me miliampermetr, t lidhur
n seri n qarkun e bazs.
Karakteristika

par

matet

ashtu

me

potenciometrin P2 rregullohet rryma IB t jet 0,

kurse me potenciometrin P1 ndryshohet tensioni UCE
Figura 2.9: Karakteristika dalse

me hapa nga 1V, duke filluar nga 0 deri n 10V dhe

pr do hap shnohet vlera e rryms IC, gjat s

cilt kujdesemi q rryma IB t mos ndryshohet.

Rezultatet e fituara vendosen n sistemin koordinativ IC UCE dhe me bashkimin e pikave fitohet
lakorja IC=f(UCE) pr IB=0.
Pastaj vjen regjistrimi i lakores tjetr, ashtu q me P2 rregullohet t fitohet rrym IB prej 10mA,
kurse e gjith procedura prsritet si m par. Me ndryshim t mtejshm t rryms IB n vlerat
20, 40, 60, 80, 100,120 dhe 140 PA fitohen t gjitha lakoret tjera t diagramit.
Karakteristika:
IC=f(IB) pr UCE=const. .................................................................................................................(2.2)
i jep ndryshimet e rryms s kolektorit IC n varsi t ndryshimeve t rryms s bazs IB pr vlera
t ndryshme t tensionit UCE. Ajo sht dhn n figurn 2.10 dhe quhet karakteristik kalimtare.
Kjo karakteristik prcakton se si ndryshon rryma dalse me ndryshimin e rryms s hyrjes, kurse
kjo do t thot se si sht ndikimi i hyrjes n daljen.

52Elektronikaanaloge

Matja edhe e ktyre karakteristikave mund t bhet me
qarkun mats t njjt nga figura 2.8. Tensioni UCE prshtatet
me potenciometrin P1 n nj vler, pr shembull 1V, pastaj
me P2 ndryshohet rryma e bazs me hapa nga 20 PA dhe n
miliampermetr lexohen vlerat e rryms s kolektorit. Gjat
ksaj, merret parasysh q vlera e tensionit UCE t mos
ndryshohet.
Figura 2.10: Karakteristika kalimtare.
N qoft se ndryshohet, bhen korrigjime t atij tensioni me P1, dhe pastaj bhet leximi i vlerave t
rryms IC. Matja e ardhshme sht me vler m t madhe t UCE, si, pr shembull, 10V, tjetra 15V,
etj. Me futjen e rezultateve, fitohen karakteristikat si n figurn 2.10.
Karakteristika:
IB=f(UBE) pr UCE=const. .............................................................................................................. (2,3)
prfaqson ndryshimin e rryms s bazs IB n raport me ndryshimin e tensionit baz emiter UBE
pr vlera t ndryshme t tensionit kolektor- baz UCE dhe sht e njohur si karakteristik hyrse.
Matja sht br n qarkun n figurn 2.8, n t cilin tensioni baz emiter rregullohet me
potenciometrin P2, kurse tensioni UCE me potenciometrin P1. Me ndryshimin e tensionit UBE
ndryshon rryma, me ka duhet t kujdesemi q tensioni UCE t ket vler t njjt. Matja e
ardhshme bhet me vler konstante m t madhe t UCE etj. Nse futen rezultatet e matura n
boshtet e sistemit koordinativ IB - UBE, fitohet rezultat si n figurn 2.11.

Figura 2.11: Karakteristika hyrse.

Karakteristika e fundit me interes sht karakteristika:
UBE = f(UCE) pr IB = const. ..........................................................................................................(2.4)
Ajo e prfaqson ndryshimin e tensionit baz emiter UBE n varsi t ndryshimit t tensionit
kolektor emiter UCE pr vlera t ndryshme t rryms s bazs IB. Me t prcaktohet reagimi i

Transistort53

qarkut dals ndaj qarkut hyrs t transistorit. Matja bhet qarkun e njjt mats si edhe deri tani.
Rezultatet e matjes e japin figurn 2.12.

Figura 2.12: Varsia e tensionit UBE nga tensioni UCE.

2.4.3 Parametra t transistorit

Karakteristikat statike t transistorit japin mundsi pr prcaktimin dhe studimin e parametrave
statik t transistorve. Ata quhen statik, sepse definohen n kushtet kur ekzistojn vetm tensione
dhe rryma t vazhduara n qarkun e transistorit.
Karakteristika dalse IC = f(UCE) pr IB=const. , jep mundsin e studimit t tre parametrave t
rndsishm t transistorit:
- rezistencs dalse,
- prforcimit t rryms,
- drejtzs s puns,

2.4.3.1 Rezistenca dalse e transistorit

Pika statike e puns s transistorit sht e definuar me tre

madhsi: tensioni UCE, rrymn IC dhe rryms IB dhe ajo
shtrihet n njrn nga karakteristikat. Karakteristika dalse e
transistorit jep mundsin t prcaktohet rezistenca dalse
Rout n pikn e puns, si sht treguar n figurn 2.13.
Figura 2.13: Prcaktimi i rezistencs
dalse t transistorit

54Elektronikaanaloge

Pr shembull, pr tensionin UCE=5V dhe rrymn e bazs IB =40PA fitohet pika e puns A, kshtu q
nga pika 5V n boshtin e abshiss ngrihet vertikale deri n prerjen me karakteristikn e rryms s
bazs prej 40PA. Asaj pike i prgjigjet rryma e kolektorit prej 4,5mA. Nse nga pika A trheqim vij
horizontale, ajo me karakteristikn krijon knd D. Ky knd definohet prmes tangjentes s tij si:

tgD

CB
CA

', C
'U C

1
.(n pikn ).............(2.5)
Riz

Tangjenta e kndit D e prcakton rezistencn dalse Rout t transistorit n pikn A. Ndryshimi i

tensionit t kolektorit prej 2V do t jap ndryshimin e rryms s kolektorit prej 0,2 mA, e cila sht
e prcaktuar nga karakteristika. Rezistenca dalse n kt shembull do t jet:

Rdal  A

'U CE
'I C

2
2 10 4

10000: .

Nse rritet vlera e rryms s bazs n 80PA, pr tension t njjt UCE prej 5V, fitohet pika D. Kndi
i karakteristiks me horizontalen e prcakton rezistencn dalse t transistorit n pikn D:

tgG

EF
DE

'I C
'U C

1
. (n pikn D)..........(2.6)
Riz

Tash ndryshimi i rryms s kolektorit 'IC sht 0,3mA, kurse rezistenca dalse qo t jet:

Rdal D 

'U CE
'I C

2
0,3 10 3

6666: .

Prkufizimi i sakt sht se vlera reciproke e tangenss s kndit t tangjentes pr pik t caktuar
paraqet rezistencn dalse t transistorit n at pik, por pr shkak t pjess lineare t
karakteristiks, ai prputhet me kndin e vet karakteristiks. Kjo rezistenc zvoglohet me
zmadhimin e rryms s kolektorit.

2.4.3.2. Koeficienti i prforcimit t rryms t transistorit

Prforcimi i rryms definohet si raport i ndryshimit t rryms s kolektorit 'IC, i shkaktuar nga
ndryshimi i rryms s bazs 'IB, shnohet me E ose hFE dhe paraqet numr t panjohur:

hFE

'I C
. ........(2.7)
'I B

Kur ndryshimet n rrymn e bazs dhe kolektorit jan t njjta, gjegjsisht kur karakteristika sht
lineare, shprehja pr prforcimin e rryms mund t shkruhet si:

hFE

IC
. ..........(2.8)
IB

Transistort55

Nse zgjedhim nj vler t tensionit UCE n boshtin e abshiss t karakteristiks dalse (p.sh., 5V)
dhe trheqim vij vertikale, ajo vij do t ket m tepr pika prerse me karakteristikn pr vlera t
ndryshme t rryms s bazs (figura 2.14).
Me bartjen e ktyre pikave n horizontale n boshtin e koordinats do t fitojm ndryshime t
rryms s kolektorit, t shkaktuar nga ndryshimi i rryms s bazs.

Figura 2.14: Prcaktimi i prforcimit t rryms.

Nse zhvendoset pika statike e puns nga pika B, n t ciln ka rrym t bazs prej 10mA, n
pikn C me rrym t bazs prej 20mA, rryma e kolektorit do t zmadhohet nga 1200mA n
1800mA, kshtu q pr prforcimin e rryms fitojm:

Ndryshimi i prforcimit t rryms varet nga lloji i transistorve. Pr transistorve me fuqi t ult,
distanca mes karakteristikave, pr ndryshim t njjt t rryms s bazs sht konstante, ka do
t thot se prforcimi i tyre i rryms nuk varet nga intensiteti i rryms s kolektorit. Prforcimi i
rryms tek transistort me fuqi t madhe ka vler m t vogl dhe bie me rritjen e rryms s
kolektorit.

2.4.3.3. Drejtza e puns

N praktik, kolektori i transistorit shum rrall lidhet direkt me burimin e furnizimit. N mes t
kolektorit dhe burimit shpesh vendoset rezistenc RC (si n figurn 2.7), me t ciln rregullohet
vlera e tensionit UCE dhe shrben si nj ngarkes e qarkut t kolektorit. Kjo rezistenc mund t
prfaqsohet me nj drejtz n karakteristikat dalse t transistorit. Pozita e drejtzs varet nga
vlera e tensionit t burimit dhe vlera e rezistencs s ngarkess, dhe mund t prcaktohet prmes
rrugs matematikore.
Pr prcaktimin matematikor prdoret shprehja e drejtzs s puns, e fituar me zbatimin e Ligjit
t II t Kirkofit pr qarkun dals t transistorit:


56Elektronikaanaloge

U CC  RC I C  U CE

0 . ............(2.9)

ose n form tjetr, si:

UCE = UCC RCIC . .......................................................................................................................(2.10)
Tash duhet t prcaktojm dy pika edhe at si m posht: pr IC = 0, UCE = UCC dhe pr UCE=0,
IC=UCC/RC, ti vendosim n sistemin e karakteristikave dalse IC-UCE dhe ti lidhim. Kshtu, pr
shembull, nse jan dhn vlerat pr UCC = 10V dhe RC =1K:, koordinatat e pikave do t jen:
IC=0, UCE=10V, pr pikn A

UCE=0, IC=10/1000=10mA , , pr pikn B.

Situata e fituar shihet n figurn 2.15. drejtza e puns formon knd D me boshtin e abshiss,
dhe sht:

tgD

UC
RC
UC

1
. .....................................................................(2.11)
RC

Pika e puns statike M e transistorit mund t

gjendet

vetm

drejtzn

puns.

Me

zvoglimin e rezistencs, kndi ritet dhe fitohet

vlera maksimale prej 900, kur rezistenca e hyrjes
sht 0. Ashtu si zmadhohet rezistenca, ashtu
zvoglohet edhe kndi dhe ai prputhet me
boshtin

abshiss

kur

rezistenca

sht

pafundsisht e madhe, gjegjsisht kur qarku i

kolektorit sht i hapur dhe nuk rrjedh rryma e
kolektorit.
Figura 2.15: Pozita e drejtzs s puns.
Drejtza m e mpreht e puns
Por, t kthehemi pr nj moment n figurn 2.7 dhe t analizojm qarkun e bazs. Sipas ligjit t II
t Kirkofit mund ta shkruajm relacionin e ktij qarku si:
UBB RBIB UBE = 0....................................................................................................................(2.12)
ose:
UBE = UBB - RBIB...........................................................................................................................(2.13)
Nga ku rrjedh:

IB

U BB  U BE  .......................................................................................................................(2.14)
RB

e cila paraqet ekuacionin e drejtzs m t mpreht t puns. Sipas ktij ekuacioni mund t
vizatohet drejtza e puns m e mpreht n karakteristikat hyrse t transistorit. Prcaktohen dy

Transistort57

pikat C pr IB=0, UBE=UBB dhe D pr UBE=0, IB=UBB/RB dhe me bashkimin e tyre fitohet drejtza e
puns m e mpreht (figura 2.16).

Figura 2.16: Pozita e drejtzs s puns m t mpreht.

Pr transistort e germaniumit, tensioni UBE nuk mund t tejkaloj vlern prej 0,34 dhe ai mund t
mos merret parasysh n krahasim me vlern e tensionit UBB. Sipas ksaj, vlera e prafrt e rryms
s vazhduar t bazs IB do t jet:

IB |

U BB
. ..................................................................................................................................(2.15)
RB

2.4.4 Kufizimet gjat puns s transistorit

Pr funksionimin e drejt dhe t sigurt t qarqeve elektronike me transistor duhet t merren
parasysh vlerat maksimale t lejuara t tensionit, rryms dhe fuqis s transistorit.
Kalimi i kolektorit n mnyrn normale t puns sht me polarizim t kundrt. N tension m t
lart t kundrt ndodh efekti zener, kurse pastaj edhe efekti ortek, me ka vjen deri tek shpimi
termik dhe dmtimi i transistorit. N figurn 2.17. jan dhn karakteristikat dalse t transistorit
n lidhjen me emiter t prbashkt, t vazhduar deri tek zona e shpimit t kalimit t kolektorit. N
diagram tregohet se si prcaktohet tensioni maksimal i lejuar mes kolektorit dhe emiterit UCEmax.
Ai duhet t jet m i ult se tensioni i shpimit dhe gjithmon caktohet nga prodhuesi i transistorit.
N regjimin normal t puns, n transistor pr nj tension t dhn UCE rrjedh edhe rryma e
caktuar e kolektorit IC, q do t thot se n brendsi t transistorit harxhohet energji:
PCD = UCE IC ................................................................................................................................(2.16)

58Elektronikaanaloge


Figura 2.17: Kufizime t zons s puns s transistorit.

Kjo sht nj energji nga e cila nuk ka asnj dobi, por ajo kthehet n nxehtsi nga e cila transistori
duhet t lirohet. Kjo nxehtsi krijohet n kolektor dhe quhet energji e disipacionit- shprndarjes.
Energjia maksimale e lejuar e disipacionit PCDmax ka vler konstante dhe n fushn e
karakteristikave dalse sht paraqitur si nj hiperbol. Drejtza e puns dhe pika e puns t
transistorit patjetr t vendosen n zonn nn lakoren e PCDmax, n t ciln t gjitha pikat
korrespondojn me energji m t vogl se energjia maksimale e disipacionit. N diagramin e
karakteristikave t daljes jan shnuar kufijt e regjimit t puns s transistorit me rrym t
kolektorit maksimale t lejuar ICmax, Tensioni maksimal i lejuar i kolektorit UCEmax dhe disipacioni
maksimal i lejuar PCDmax .
Pr transistort me fuqi m t vogl, largimi i nxehtsis bhet prmes rrugs s rrezatimit n
ambient. Transistort me fuqi t mesme dhe t lart kan t ngulitur pllaka metalike n kolektor,
me ka rritet rrezatimi i nxehtsis. N praktike n prpunimin e stadeve t transistorve me fuqi
m t madhe, nxjerrja e nxehtsis prmirsohet me montimin e transistorit n ftohs-radiator
metalik me siprfaqe m t madhe.

MBAJ MEND !!!

N regjimin statik t puns, n qarkun e transistorit jan t pranishm vetm vlera t rryms
dhe tensionit t vazhduar.

Me polarizimin e transistorit, kalimi i emiterit sht i polarizuar drejt, kurse i kolektorit me

polarizim t kundrt. 

Pozita e piks s puns prcaktohet me tensionin UCE dhe rrymat IC dhe IB, n mnyr q t
gjendet n drejtzn e puns. 

Faktori i prforcimit t rryms E ose hFE tregon sa her rryma e kolektorit sht m e madhe se
rryma e bazs. 

Disipacioni-shprndarja sht energjia e cila shndrrohet n nxehtsi n transistor. Pr

mbrojtje nga ngrohja e teprt, n transistor ndrtohen trupa ftohs. 




Transistort59


KONTROLLONSEDIN
1. Defino regjimin statik t puns s transistorit.
2. Cilat madhsi jan hyrse, dhe cilat dalse tek transistori me lidhe me emiter t prbashkt?
3. Si definohet karakteristika dalse, hyrse, kalimtare dhe direkte kalimtare?
4. Cilt jan parametrat m t rndsishm t transistorit?
5. ka prfaqson E.
6. Nga ka varet pozita e drejtzs s puns s transistorit dhe si prcaktohet?
7. Pse duhet t kemi kujdes n vlerat maksimale t lejuara t tensionit, rryms dhe fuqis t
transistorit?

2.5 Regjimi dinamik i puns

T gjitha prpjekjet q i bjm, pr t vendosur transistorin n regjimin statik t puns jan
vetm prgatitje q ai t mund t kryej funksionin e prforcuesit. Me sjelljen e sinjalit t rryms
dhe tensionit alternativ n hyrje t transistorit, pika e tij e puns tashm nuk sht statike, por lviz
prgjat drejtzs n ritmin e sinjalit dhe transistori kalon n regjimin dinamik t puns.
Regjimi dinamik i puns nnkupton funksionimin e transistorit si nj prforcues. N regjimin
dinamik, prve rrymave dhe tensioneve t vazhduara, me t cilat polarizohet transistori dhe i
prcaktohet pika statike e puns, ekziston edhe sinjal i rryms dhe tensionit alternativ, i cili duhet
t prforcohet.

Figura 2.18: Transistori n regjimin dinamik.

Ky sinjal sillet n hyrjen e stadit prforcuese t transistorit (figura 2.18) dhe merret i prforcuar n
daljen nga ai stad pr prpunimin t mtutjeshm (prforcim t mtejshm ose pr t aktivizuar
pajisje t caktuar).


60Elektronikaanaloge


2.5.1. Skema ekuivalente e transistorit me parametra-h

Tranzitor sht nj element jolinear, por mund t bhet modeli i tij si nj element linear, si nj rast i
veant i rrjetit t prgjithshm linear me dy porta. Porta prkufizohet si dy lidhje pr hyrjen dhe dy
lidhje pr daljen (figura 2.19).

Figura 2.19: Transistori si katrpolar aktiv.

Analiza matematikore e rrjetave t tilla realizohet me parametrat - z (impedancat), me
parametrat -y (admitancat) ose me parametrat-h (hibridet). Me kto dy parametra formohen nga dy
ekuacione me t cilt prcaktohet marrdhnia mes tensionit hyrs dhe rryms hyrse ndaj
tensionit dals dhe rryms dalse.
Raportet mes tensioneve dhe rrymave t hyrjes dhe daljes definohen prmes tre sistemeve t
ekuacioneve:

u1
u
2

z11i1  z12i2
z21i1  z22i2

i1
i
2

y11u1  y12u2
y21u1  y22u2

u1 h11i1  h12u2
i h i  h u .............................................................................................................................(2
21 1
22 2
2
.17)
N sistemin e par figurojn parametrat z, ata sillen si impedanca sipas mnyrs s mposhtme:
z11-impedanca hyrse, z22 impedanca dalse, z12 dhe z21 impedancat kalimtare, me ka
antart z21i1 dhe z12i2 prfaqsojn burimet t tensionit t brendshm t varur.
N funksionin e dyt figurojn parametrat y, t cilt prfaqsojn admitanca n mnyrn e
mposhtme: y11 - admitanca hyrse, y22 - admitanca dalse, y12 dhe y21 admitanca kalimtare, me
ka antart y12u2 dhe y21u1 paraqesin burime t rryms s brendshme t varur.
N sistemin e tret jan parametrat h, t cilt kan natyr t ndryshme. Sistemi i tret i
ekuacioneve quhet sistem i ekuacioneve hibride ose parametra-h.

Transistort61

Parametrat e njrit sistemi mund t llogariten, me manipulime t vogla algjebrike, nga vlerat e
parametrave t dy sistemeve t tjera.
Pr analizn e transistorit kur punon me sinjale t frekuencave t ulta me amplituda t
vogla m t prshtatshm jan parametrat-h. Tensionet dhe rrymat alternative, n at rast, mund
t paraqiten si ndryshime t vogla t vlerave t vazhdueshme dhe sistemi i ekuacioneve me
parametrat-h mund t shkruhet si:
' U 1 h11 ' I 1  h12 ' U 2
'I
.............................................................................................................(2.18)
2 h21 ' I 1  h22 ' U 2
Nga lidhje t shkurtr t qarkut t daljes t transistorit n raport me rrymn alternative, ndryshimi i

tensionit dals 'U2 bhet zero. Nga ekuacioni i par i sistemit fitohet:

h11

hi

'U1
pr 'U2 = 0 . ....................................................................................................(2.19)
'I1

Ky parametr paraqet rezistenc hyrse t transistorit gjat lidhjes s shkurtr t daljes.

Kur qarku hyrs sht i hapur, nuk rrjedh rryma e hyrjes, kshtu q kemi 'I1=0, kurse nga
ekuacioni fitohet:

h12

hr

'U1
; pr 'I1 = 0 . ....................................................................................................(2.20)
'U 2

Ky parametr paraqet koeficient t tensionit t lidhjes s kundrt pr qark t hyrjes t hapur dhe ai
sht numr i panjohur.
Pr lidhje t shkurtr t qarkut dals, nga ekuacioni i dyt fitojm:

h21

hf

'I 2
; pr 'U2 = 0. ....................................................................................................(2.21)
'I1

Ky parametr paraqet koeficientin e prforcimit t rryms t transistorit pr lidhje t shkurtr t

qarkut dals.
Pr qark t hapur hyrs, nga ekuacioni i dyt fitohet:

h22

ho

'I 2
; pr 'I1 = 0. ....................................................................................................(2.22)
'U 2

Ky parametr ka dimensione t prueshmris dhe paraqet prueshmri dalse t transistorit

me qark dals t hapur.
Vlerat e parametrave hibrid leht mund t prcaktohen me matjen e rrymave dhe tensioneve t
burimit t transistorit, sipas kushteve t specifikuara n prkufizimet e tyre. N praktik, ata maten
direkt me pajisje t komanduara nga kompjuteri.
Me ndihmn e ktyre ekuacioneve formohen qarqet prkatse ekuivalente t transistorve me
parametra-z, parametra-y dhe parametra-h, si tregohet n figurn 2.20.

62Elektronikaanaloge


Figura 2.20: Qarku ekuivalent i transistorit.

N rastin e prgjithshm, t gjitha parametrat, e dhna n ekuacione, jan vlera komplekse
me pjesn reale dhe imagjinare. Nse kufizohet regjimi i puns s transistorit n sinjale me
frekuenc t ult, pjest imagjinare mund t mos merren parasysh dhe t ngelin vetm pjest reale
t vlerave t parametrave. N nj situat t till impedancat bhet rezistenca, kurse admitancat
vlera inverse t rezistencave, gjegjsisht prueshmri.
Nga ana tjetr, pr regjimin e puns me sinjale t vogla nuk ka nevoj t prdoren t gjith
katr parametrat q t merret model i pranueshm i mir i transistorit. Tregohet q parametrat e
h12=hr dhe h22=h0 kan vlera aq t vogla sa q mund t eliminohen. Skema ekuivalente e
transistorit me parametra-h tani merr pamjen si n figurn 2.21.

Figura 2.21: Skema e ekuivalente e transistorit me parametra-h.

N skemn, me h12u2 sht treguar gjeneratori i tensionit, kurse me h21i1 gjeneratori i rryms.
Varsisht nga lloji i lidhjes s transistorit n qark, ndryshohen edhe vlerat e parametrave-h. Q t
mund t dallohen, ata n indeks bartin edhe shenja pr ciln lidhje bhet fjal. Kshtu parametrat
h11b, h12b, h21b, h22b kan t bjn me qarkun me baz t prbashkt, parametrat h11e h12e, h21e, h22e
n qarkun me emiter t prbashkta dhe parametra h11c, h12c, h21c, h22c me qarkun me kolektor t
prbashkt.
Pr ilustrim, n tabeln 1 jan dhn vlerat mesatare t parametrave-h pr transistorin BFY
67 pr pikn e puns t prcaktuar me UCE = 5V dhe IC = 1,3 mA.

Transistort63

Tabela 1
Baza e prbashkt

Emiteri i prbashkt

Kolektori i prbashkt

h11 (:)

21,6

1100

1100

h12

2,9x10-4

2,5x10-4

h21

-0,980

50

50

h22 (S)

0,49x10

-6

24x10

-6

25x10-6

Nse jan t njohur njri lloj i parametrave, si, pr shembull, parametrat-h, mund t llogariten llojet
tjera t parametrave, si y dhe z. Po ashtu, me ndihmn e vlerave t parametrave pr nj lloj t
lidhjes mund t llogariten parametrat e ndonj lidhje tjetr.

MBAJ MEND!!!

N regjimin dinamik t puns, jan t pranishm edhe komponent alternativ t sinjalit t

tensionit dhe rryms.

Transistori sht nj element jolinear, por pr skema ekuivalente bhet modeli i tij n form

lineare me parametra-h.

Parametrat-h prdoren pr t analizuar qarkun e transistorit pr sinjale t vogla me frekuenca

t ulta.

Me parametrat paraqitet rezistenca hyrse dhe dalse, lidhja e kundrt prej daljes kah hyrja

dhe prforcimi i rryms.

KONTROLLO NSE DIN
1. N far regjimi t puns transistori funksionon si prforcues?
2. Shkruaj sistemin me parametrat-h t transistorit dhe defino do parametr ve e ve.
3. Vizato skemn ekuivalente t transistorit me parametra-h.

2.6.Transistorisielementprforcues
Transistori sht nj element elektronike aktiv me hyrje dhe dalje. N qarkun elektrik ai sillet si
katr-polar. Por pasi q ka vetm tre prfundime, njra prej tyre do t jet e prbashkt pr hyrjen
dhe daljen. N varsi t asaj se cili prfundim sht e prbashkt pr hyrjen dhe daljen, dallojm
tre lloje t lidhjeve t transistorve (figura 2.22):
- transistor me lidhje me emiter t prbashkt, ku hyrja sht n mes t bazs dhe emiterit, kurse
dalja mes kolektorit dhe emiterit.


64Elektronikaanaloge
- transistor me lidhje me baz t prbashkt, ku hyrja sht mes emiterit dhe baz, kurse dalja
mes kolektorit dhe baz;
- transistor me lidhje me kolektor t prbashkt, ku hyrja sht n mes t bazs dhe kolektorit,
kurse dalja mes emiterit dhe kolektorit.

Figura 2.22: Llojet t lidhjeve t transistorit.

Lidhje me emiter t prbashkt sht lidhja m e prdorur. Prfundimi i prbashkt zakonisht
lidhet me tokzimin, prandaj prdoret edhe shprehja: lidhje me emiter t tokzuar, baz t
tokzuar ose kolektor t tokzuar.

2.6.1.Vetittransistoritnfrekuencatlarta
Parametrat e transistorit, t cilt n frekuenca t ulta (deri n 1KHz) jan dhn si numra reale,
n frekuenca t larta fitojn karakter kompleks. Qarku i transistorit si katrpolar n frekuenca t
larta sht dhn n figurn 2.23. Elemente shtes n raport me qarkun e figurs 2.19 jan
kapacitetet mes bazs dhe emiterit CBE dhe n mes t kolektorit dhe baz CBC. Kapaciteti mes
kolektorit dhe emiterit sht i vogl dhe zakonisht nuk merret parasysh (eliminohet).

Figura 2.23: Qarku i transistorit n frekuenca t larta.

Transistort65

N frekuenca t larta ulet vlera e prforcimit t rryms, tensionit dhe fuqis. Arsye pr kt jan
kapacitetet t cilat krijohen n kalimin e bazs dhe kolektorit. Pr secili lloj t transistorit jepet kufiri
i frekuencs n t ciln mund t prdoret transistori.
Koeficienti i prforcimit t rryms t transistorit, po ashtu, bie n zonn e frekuencave t larta.
Rnia e vlers s prforcimit t rryms sht m e madhe pr lidhjen me emiter t prbashkt n
krahasim me lidhjen me baz t prbashkt.

MBAJ MEND!!!

Transistori si element prforcues mund t punoj n lidhjen me emiter t prbashkt, baz t

prbashkt dhe kolektor t prbashkt.

M tepr prdoret lidhja me emiter t prbashkt.

N frekuenca t larta, parametrat e transistorit bhen madhsi komplekse.

KONTROLLO NSE DIN

1. Vizato t tre llojet e lidhjeve t transistorve.
2.

ka ndodh me prforcimin e transistorit n frekuenca t larta?

3.

Cili sht ndryshimi n parametrat n frekuenca t ulta dhe n frekuenca t larta?

2.7.Transistorisielementkomutues(els)
Duke ndjekur parimin e puns s diods, mund t konsiderohet se ajo funksionon edhe si
komutator-els, i hapur kur dioda sht me polarizim t kundrt, kurse i mbyllur kur sht e
polarizuar drejt. Kjo sht pr shkak t karakteristikave t kalimit PN. Megjithat, ajo nuk mund t
kryej njrin nga funksionet e domosdoshm n qarqet digjitale, e ajo sht konvertimi i sinjalit,
d.t.th. ndryshim nga 0 n 1 ose nga 1 n 0.
Transistori, i cili n strukturn e vet prmban dy kalime PN, gjithashtu, mund t sillet n kushte t
puns si komutator me mundsi t konvertimit t sinjalit. Transistori si nj komutator gjen prdorim
t gjer n prpunimin e qarqeve digjitale t integruara, pajisje t ndryshme pr automatik dhe n
qarqet e tekniks impulsive.
Transistori si komutator mund t gjendet n tre regjime t puns: regjimi i joprueshmrisbllokimit, ngopjes dhe regjimi kalimtar.
Transistori bipolar ka dy kalime PN: kalimin emiterial dhe kolektorial. Secili nga ata mund t
polarizohet drejt-direkt ose invers-t kundrt. Sipas ksaj, ekzistojn katr kushte t mundshme t

66Elektronikaanaloge
polarizimit me t cilat transistori mund t vihet nn regjimin e ngopjes, n regjimin aktiv ose n

regjimin e bllokimit.

Figura 2.24: Prfaqsimi skematike e llojeve t operacionit.

N figurn 2.24 tregohet n mnyr skematike definomi i regjimeve t puns. Zona e barriersjprueshmris definohet me polarizimin e kundrt t kalimit t emiterit dhe kolektorit. N kt
rast transistori sillet si els i hapur. Zona aktive definohet me polarizimin e drejt t kalimit t
emiterit dhe polarizim t kundrt t kalimit t kolektorit, q prputhet me definimin e dhn pr
transistorin si nj prforcues. Zona e ngopjes sht e prcaktuar me polarizimin e drejt t dy
kalimeve, kurse transistori sillet si els i mbyllur. Zona e fundit sht e kundrt me zonn aktive
dhe definohet me polarizimin e kundrt t kalimit emiterial dhe polarizim t drejt t kalimit t
kolektorit.
Zonat e ndrprerjes dhe ngopjes jan me rndsi parsore pr transistorin si nj komutator-els.
Kur sht n gjendjen e ndrprerjes, rryma dalse ka nj intensitet shum n vogl, kurse
rezistenca mes skajeve dalse ka nj vler t madhe. N gjendjen e ngopjes, rryma e daljes ka
intensitet t madh, kurse rezistenca e daljes vler t vogl. Pr t kaluar nga gjendja e ndrprerjes
n gjendjen e ngopjes, transistori kalon npr zonn aktive. N at periudh transistori sht n
regjimin kalimtar n t cilin parametrat e tij i ndryshojn vlerat e tyre.

2.7.1Qarkukomutuesmetransistornlidhjemeemitertprbashkt


N qarqet komutuese prdoret zakonisht transistori n lidhje me emiter t prbashkt (figura

2.25).

Figura 2.25: Transistori si komutator

Figura 2.26: Diagrami i zonave t puns.



Transistort67

N qarkun e bazs sht vendosur nj gjenerator i impulsit drejtkndsh G, me t cilin
ndryshohet polarizimi i bazs dhe regjimi i puns s transistorit.
Diagrami i karakteristikave dalse me drejtzn hyrse t puns sht dhn n figurn 2.26.
N diagram jan shnuar pjes t drejtzs s puns, t cilat u takojn tre zonave:
1 - Zona e ngopjes, 2 - zona e joprueshmris (bllokimit) dhe 3 - zona e regjimit aktiv.

2.7.1.1. Regjimi i bllokimit-joprueshmris

Pjesa e rrafsht e impulsit hyrs me vler negative t tensionit e bn bazn negative kundrejt
emiterit, me ka e polarizon me polarizim t kundrt kalimin e emiterit. N qarkun e bazs do t
rrjedh rryma e kundrt, e cila do ta vendos pikn e puns nn karakteristikn IB=0. (figura 2.27).

Figura 2.27: Zona e bllokimit.

E dim se kur qarku i bazs sht i hapur (IB = 0) n qarkun e kolektorit rrjedh rryma ICE0.
Transistori do t jet n zonn e bllokimit kur rryma e kundrt e bazs do t bhet m e vogl se
rryma ICE0.
N t njjtn koh, qarku i kolektorit sht me polarizim t kundrt, kolektori sht me potencial
m t lart nga baza dhe n qarkun kolektor baz do t rrjedh rryma e kundrt ICB0, e cila ka nj
intensitet shum t vogl (pr transistorin e germaniumit sht e rendit prej disa PA, kurse pr
silicin disa nA).
N praktik, pr kalimin n regjimin e bllokimit, pr transistorin e silicit pr t cilin llogaritet se
rryma ICE0 sht prafrsisht e barabart me ICB0, sht e mjaftueshme q impulsi m eksitues t
bie n zero, ndrsa pr transistort e germaniumit (pr llojin NPN) duhet t kaloj n zonn
negative pr t paktn 0,1V.

2.7.1.2. Regjimi i ngopjes-saturimit


Kushtet pr vendosjen e regjimit t ngopjes jan pak m komplekse dhe krkojn q t dy kalimet
e transistorit z jen me polarizim t drejt. Transistori sillet n gjendjen e elsit t mbyllur,

68Elektronikaanaloge
gjegjsisht n gjendjen e ngopur me pjesn e rrafsht t sinjalit rrits me vler pozitive t tensionit.

N qarkun baz emiter rrjedh rryma IBES, kurse n qarkun kolektor emiter rrjedh rryma ICES.. Pika e
puns zhvendoset n zonn e ngopjes (figura 2.28).

Figura 2.28: Zona e ngopjes.

Gjendja e ngopjes karakterizohet me tensione t vogla UCES t kolektorit, gjat s cils t gjitha
karakteristikat dalse futen n nj vij t lakuar, t quajtur vija e ngopjes s tensionit. Tensioni mes
kolektorit dhe emiterit, i cili korrespondon me vlern maksimale t lejuar t rryms s kolektorit
ICES, shnohet si UCES. Vlera e saj pr transistorin e silicit sht rreth 0,6V, kurse pr transistorin e
germaniumit 0,25V.
Rryma e kolektorit llogaritet sipas:

I CES

U CC  U CES 
RC

..................................................................................................................(2.23)

Kurse rryma e bazs duhet t plotsoj kushtin:

I BES

I CES
................................................................................................................................(2.24)
hFE

Rezistenca dalse e transistorit n regjimin e ngopjes llogaritet nga:

Rdal

U CES
................................................................................................................................(2.25)
I CES

dhe ka vler t vogl (disa dhjetra om). Me kt knaqen krkesat e elsit t mbyllur: t lshoj
rrym t mjaftueshme t madhe pr aktivizimin e qarkut t jashtm, t ket rnie t vogl t
tensionit dhe rezistenc t vogl n skajet e komutatorit, kurse humbjet e komutatorit t jen t
vogla.

2.7.1.3 Regjimi kalimtar

Tranzitor sillet n gjendjen e prueshmris me paraardhsin, skaji rrits i impulsit hyrs. Sjellja e
rryms s kolektorit pr kt gjendje sht treguar n figurn 2.29. Si shihet nga figura, rryma e
kolektorit e arrin vlern maksimale ICES, me vones tky. Kjo vones sht pr shkak t kohs s

Transistort69

nevojshme pr t zvogluar gjersin e kalimeve pr pengim me lvizjen difuzive t bartsve t
ngarkess. Ndikim pak m t vogl kan edhe kapacitetet vetjake t kalimeve t transistorit.

Figura 2.29: Raporti n mes t impulsit rrits

dhe rryms s kolektorit.
Kjo koh sht e definuar si koh e kyjes dhe duhet t jet sa m e shkurtr. Kjo arrihet me
zgjedhjen e transistorit me frekuenc kufitare m t lart dhe me kapacitete vetjake m t vogla.
Derisa transistori sht n gjendjen e ngopjes, n afrsi t kalimi t emiterit dhe kolektorit
grumbullohen barts t ngarkess. Pas prfundimit t procesit t shkarkimit t bazs nga bartsit e
ngarkess t grumbulluar, vjen deri tek rnia e rryms s kolektorit n vlern minimale. Koha e
rnies s rryms s kolektorit tshky quhet koha e shkyjes. Kto koh kan ndikim n shpejtsin e
veprimit komutues t transistorit. Koha e formimit t impulsit dals nuk mund t jet m e vogl se
shuma e kohs s kyjes dhe koha e shkyjes s transistorit komutues.

MBAJ MEND!!!

Transistori si komutator, mund t gjenden n regjimin e bllokimit- si els i hapur, n regjimin e

ngopjes- si els i mbyllur, dhe n regjimin kalimtar.

Si komutator transistori prdoret n lidhjen me emiter t prbashkt.

Me polarizimin e kalimit t emiterit dhe kolektorit, transistori mund t sillet n regjimin e

ngopjes, apo n regjimin e puns aktive.

Regjimi i ndrprerjes ndodh kur emiteri sht n potencial m t lart se sa baza.

Regjimi i ngopjes ndodh kur t dy kalimet jan me polarizim t drejt.

70Elektronikaanaloge


KONTROLLO NSE DIN

1. N cilat regjime t puns mund t gjenden transistori si komutator?
2. far sht polarizimi i kalimit t emiterit dhe kolektorit t transistorit kur sht n ngopje?
3. Sa sht rryma e daljes kur transistori sht n ndrprerje?
4. Shno zonn e bllokimit n karakteristikn dalse t transistorit.
5. N cilin regjim t puns transistori sillet si els i mbyllur?

2.8. Transistort njpolar- unipolar

Transistort me efekt fushe
Teoria e transistorve me efekt fushe ose FET (Field Effect Tranzitor) sht prpunuar mes
viteve 1920 dhe 1930, q sht shum prpara zbulimit t transistorve bipolar. Modeli i parorigjinal i FET kishte nj pllak alumini n t ciln ishin vendosur dy pllaka gjysmpruesish. N
ann tjetr t pllakave jan vendosur kontaktet metalike. N mesin e pllaks s aluminit dhe
kontaktit vendoset tension i cili formon fush elektrike n siprfaqen e gjysmpruesit. Me kt
tension mundsohet kontrollimi i rrjedhs s rryms elektrike mes kontakteve metalike. Teknologjia
jo shum e zhvilluar e pastrimit t materialeve gjysmpruese pamundsoi q ideja t realizohet
deri n fund.
Vetm n vitin 1952 fizikani amerikan Uilliam Shokli (William Shockley)

prezanton FET t

bashkuar (JFET Junction Field Effect), n t ciln pllaka e aluminit sht zvendsuar me
kalimin-PN. Karakteristika kryesore e ktij transistori sht rryma, e cila sht e formuar vetm nga
nj lloj i bartsve t ngarkess. Prandaj, edhe pr dallim nga transistort bipolar, ato jan quajtur
unipolar. Nj ndryshim tjetr nga transistort bipolar sht edhe mnyra e kontrollimit t rryms.
Rryma dalse n transistorin bipolar kontrollohet me rrymn hyrse, kurse n transistort unipolar
me fush elektrike, t krijuar me tensionin hyrs. Gjat ksaj, rryma hyrse ka intensitet shum t
vogl. Rezistenca hyrse e transistorit unipolar sht shum e madhe, q do t thot se ai krkon
fuqi shum t vogl nga stadi i mparshm.
Ekzistojn dy lloje t transistorve unipolar: FET me kalim (JFET) dhe MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET).
Transistorve me efekt fushe (JFET) kan disa veti q i bjn ato m superior ndaj transistorve
bipolar. Kto jan: rezistenc hyrse m t madhe, zhurma vetjake m t vogla, dimensione m t
vogla dhe procedura t thjeshta t prodhimit. Transistorve bipolar kan prparsi n shpejtsin,
si qarqe komutuese, dhe prforcim t tensionit m t madh, si stade dalse.
Transistort me efekt fushe zbatohen n qarqet komutuese ku nuk krkohen shpejtsi speciale t
mdha, pastaj n qarqet me frekuenca t larta dhe n qarqet digjitale komplekse me numr t
madh t komponentve.


Transistort71


2.8.1. Struktura dhe parimi i funksionimit t FET-it

Struktura e FET-it sht treguar n mnyr skematike n figurn 2.30. Ajo sht e prbr nga
nj pllak e holl baza me seksion knddrejt nga gjysmpruesi i silicit i llojit N ose P. N t dy
siprfaqet e kundrta (n figur n t kundrt sipas vertikales) t bazs sht vendosur
gjysmpruesi, i kundrt nga ai prej t cils sht ndrtuar baza dhe formohen dy kalime PN.
Kto dy zona mes veti jan t lidhura prmes lidhjeve metalike dhe paraqesin elektrod hyrse, t
quajtur Gate-( gejt-port) (G).

Figura 2.30: Struktura e FET-it.

N skajet e kundrta t bazs jan t vendosura lidhjet metalike t Drain-(drejn-derdhjes) (D)
dhe Source-(sorsit-burimit) (B). Pjesa e ngusht e pllaks mes burimit dhe derdhjes quhet kanal.
N varsi t llojit t gjysmpruesit t bazs, dallojm FET t llojit N, me gjysmprues-N t
bazs dhe FET t llojit P me lloj P, gjysmprues t pllaks. Simbolet grafike t dy llojeve t
FET-ve jepet n figurn 2.31.

Figura 2.31: Simboli skematik i FET-it t llojit N dhe P.

Nse trheqim paralele me transistorin bipolar, elektroda e gejtit-ports korrespondon me bazn,
soursit-burimit me emiterin, kurse drejnit-derdhjes me kolektorin. Burimi i tensionit t vazhduar UG,
i lidhur mes gejtit dhe burimit, i polarizon invers t dy kalimet PN t gejtit dhe t kanalit. Burimi UD
e polarizon drejnin n at mnyr q t ket shenj t kundrt prej gejtit n raport me burimin.


72Elektronikaanaloge
Burimi zakonisht ndodhet n potencial 0. Transistort me efekt fushe mund t punojn n lidhje me

burim t prbashkt, n lidhje me gejt t prbashkt dhe n lidhje me drejn t prbashkt.

Megjithat, m tepr prdoret lidhja me burim t prbashkt.
Parimi i funksionimit t FET-it N dhe i FET-it P sht i njjt, vetm se tensionet e elektrodave jan
me polaritete t kundrta, kurse rrymat me drejtime t kundrta. N analizn e mtejshme do t
kufizohemi vetm n FET-in N.
Kur nuk ka tension n mes t burimit dhe gejtit, ose kur gejti sht i lidhur shkurt me burimin,
kanali sht rrug e hapur pr elektronet q t rrjedhin nga burimi n drejtim t drejnit nn ndikim e
burimit UD. Intensiteti i rryms s drejnit ID ather varet vetm nga burimi i tensionit UD dhe
rezistenca e kanalit t gjysmpruesit.
Me lidhjen e burimit UG, si n figurn 2.30, t dy kalimet PN jan t polarizuar invers dhe prgjat
gjersis s kalimeve krijohet zona e bllokimit. Gjysmpruesi n kanal sht i formuar nga nj
prqindje e vogl e donorve, kurse zona e gejtit sht me nj prqindje m t madhe t
akceptorve, zona e bllokimit m tepr prhapet n rajonin e kanalit se sa n gejt. Elektronet n
kanal largohen nga kufiri i zons s bllokimit kah mesi i kanalit. Kanali bhet m i ngushtuar me
zgjerimin e zons s bllokimit, kurse si pasoj zvoglohet prueshmria e tij dhe intensiteti i
rryms s drejnit. Me ndryshimin e tensionit mes gejtit dhe burimit UGS ndryshohet edhe intensiteti i
rryms s drejnit, gjegjsisht rryma dalse e transistorit.
Gjersia e kanalit nuk sht e barabart prgjat gjith pllaks. Kanali sht m i gjr n afrsi t
burimit, kurse m i ngusht n afrsi t drejnit. Arsyeja qndron n faktin se tensioni midis gejtit
dhe drejnit ka vler m t madhe dhe sht UD + UG, kurse duke shkuar drejt burimit bie n vlern
UG. N kanal ka nj rritje gjatsore t tensionit ose gradient t tensionit.
Struktura e vrtet e FET-it N sht dhn n figurn 2.32. N bazn ose substratin shtohen
primesa me t cilat krijohet zona-n e kanalit me trashsi t vogl (rreth 1 mikron), pastaj me
shtimin e ardhshm t primesave akceptor formohet zona-p e gejtit. N siprfaqe vendosen
kontakte metalike n daljet e gejtit, burimit dhe drejnit.

Figura 2.32: Struktura e FET-it N.

Transistort73


2.8.2. Karakteristikat statike t FET-it

Nga karakteristikat statike t FET, t rndsishme jan karakteristikat ID-UDS dhe ID-UGS, ku me ID
sht shnuar rryma e daljes ose e drejnit, me UDS tensioni mes drejnit dhe burimit dhe UGS
tensionit mes gejtit dhe burimit. Ata mund t regjistrohen me qarkun e dhn n figurn 2.33.

Figura 2.33: Qarku elektrik pr regjistrimin e karakteristikave statike t FET-it.

Tashm me mnyrn e njohur mund t regjistrohen karakteristikat e daljes ID = f (UDS) pr
UGS=const. Me mbylljen e elsit n qarkun e gejtit, gejti do t jet i tokzuar, tensioni UGS do t
jet 0, kurse karakteristika dalse ID=f(UDS) pr UGS=0 do t ket pamjen si n figurn 2.34.
Pr tensione t vogla UDS kanali sillet si rezistenc, ka kontribuon q karakteristika t ket pamje
lineare.

Figura 2.34: Karakteristika statike e FET-it.

Kjo pjes e karakteristike e prcakton rajonin e rezistencs aktive (t shnuar me 1 n figur). Me
rritjen e mtejme t tensionit UDS rritet polarizimi invers i kalimit PN gejt-drejn dhe zgjerohet zona e
bllokimit. Pr vlern UT t tensionit UDS kanali sht ngushtuar maksimalisht, kurse rezistenca e tij
sht maksimale.
N karakteristik ajo sht pika So dhe ajo e definon tensionin gjat t cilit t dy zonat e bllokimit
thuajse takohen. Rryma ID n kanal ka vlern IDS dhe nuk ndryshon me rritjen e mtejme t
tensionit UDS. N karakteristik kjo sht pjesa e shnuar me 2 dhe quhet rajoni i ngopjes.
Pjesa e tret e karakteristiks, shnuar me 3, sht zona e shpimit dhe fillon nga pika P. N kt
pik tensioni UDS e tejkalon vlern e tensionit t shpimit t kalimit dhe rryma e drejnit rritet


74Elektronikaanaloge
ndjeshm. Shpimi sht nga zona e efektit zener, q do t thot reversibil- i kthyeshm dhe mund
t kthehen n gjendjen e mparshme, n qoft se kufizohet rryma me rezistenc n qarkun e
jashtm t drejnit.
N figurn 2.35 jan dhn karakteristikat e plota ID = f (UDS) pr UGS=const. Rajoni aktiv i
karakteristiks sht i veuar nga rajoni i ngopjes me lakoren e ngopjes, e vizatuar me vij t
ndrprer.

Figura 2.35: Familja e karakteristikave

Rrym-tension (volt-amper)

Figura 2.36: Karakteristika kalimtare

e FET-it.

Karakteristika kalimtare ID = f (UGS) pr UDS=const. sht dhn n figurn 2.36. N pjesn m t

madhe t karakteristiks nga figura 2.37, rryma ID pak varet nga tensioni UDS. Pr kt arsye, t
gjitha karakteristikat kalimtare jan n distanc t vogl dhe zakonisht paraqiten me nj lakore.
Ndr karakteristikat statike m t rndsishme t FET-it prfshihen rezistenca dalse:

Rdal

U DS
, ...............................................................................................................................(2.26)
ID

e cila ka nj vler prej 100: deri 100 k :, dhe rezistenca hyrse:

Rhyr

U GS
, ..............................................................................................................................(2.27)
IG

e cila sht shum m e madhe dhe arin vlern deri n 109:.

2.8.3. FET-i n regjimin dinamik t puns

Skema elektrike e figurs 2.37 e paraqet qarkun t FET-it n regjimin dinamik t puns. Transistori
sht n lidhje me burim t prbashkt. Burimi i sinjalit sht i vendosur n qarkun e gejtit, kurse
n qarkun dals sht vendosur ngarkesa e rezistencs Rp. Rrymat dhe tensionet alternative t
sinjalit edhe ktu trajtohen si ndryshime t vogla t vlerave t vazhduara.

Transistort75


Figura 2.37: Skema elektrike e qarkut t

FET-it n regjimin dinamik t puns.
Rezistenca hyrse dinamike e FET-it sht definuar si:

rhyr

'U GS
'I G

pr 'UDS = 0. ...................................................................................................(2.28)

Ajo sht me vler shum t madhe, t rendit prej disa mega omve, pr shkak t polarizimit
invers t lidhjes gejt-burim.
Prueshmria kalimtare ose konduktanca sht:

gm

'I D
'U GS

pr 'UDS = 0. ...................................................................................................(2.29)

Ajo definohet me pjerrsin e karakteristiks kalimtare dhe vlerat e saj sillen mes 0,1 dhe 10 mA/V.
Rezistenca dalse dinamike definohet pr zonn e ngopjes me:

rdal

'U DS
'I D

pr 'UGS = 0. ..................................................................................................(2.30)

dhe ka vler prej disa dhjetra deri n disa qindra kiloom.

Kapacitetet mes elektrodave kan nj ndikim t rndsishm n karakteristikat e FET-it gjat
frekuencave t larta. Ata jan paraqitur n figurn 2.38. Kapaciteti mes gejtit dhe burimit Cgs
sht i lidhur n paralel n hyrje dhe e zvoglon impedansn e FET-it n frekuenca t larta. Vlera
e saj sht rreth 1pF. Paralelisht me ngarkimin e daljes vepron kapaciteti Cds dhe e zvoglon
prforcimin n frekuenca t larta. Kapaciteti i tij sht shum i vogl dhe shpesh nuk merret
parasysh. Kapaciteti Cdg mes drejnit dhe gejtit mer pjes n kthimin e nj pjes t sinjalit nga dalja
n hyrje. Kjo mund t shkaktoj jostabilitet n pun dhe vet oshilim t prforcuesit, dhe vlera e tij
sht e vogl, rreth 0,1pF.

76Elektronikaanaloge


Figura 2.38: Shprndarja e kapaciteteve mes elektrodave t FET-it.

2.8.3.1 Skema ekuivalente e FET-it

Figura 2.39: Skema komplete e ekuivalente e FET-it.

Skema e plot ekuivalente e FET-it sht dhn n figurn 2.39. N qark jan vendosur t gjitha
parametrat e prcaktuar m par. N dalje sht treguar gjenerator ekuivalent i rryms i cili n
dalje jep rrym proporcionale me prueshmrin kalimtare dhe tensionin e sinjalit hyrs:

i= gmuhyr.
Kur prforcuesi punon n frekuenca t ulta, qarku i saj ekuivalent thjeshtohet me largimin
e t gjith kondensatorve q prfaqsojn kapacitetet mes elektrodave, si edhe rezistencat e
mdha paralele hyr dhe rdal. Kshtu, skema e fituar sht paraqitur n figurn 2.40.

Figura 2.40: Skema ekuivalente e FET-it pr frekuenca t ulta.

Transistort77

MBAJ MEND!!!
Transistort bipolar jan elemente t komanduar nga rryma, kurse unipolart nga tensioni.
FET sht i kontrolluar nga tensioni, element elektronik unipolar me tre dalje: drejn, gejt dhe
burim, n t cilit rrjedh rryma prmes kanalit me lloj t vetm t gjysmpruesit.
Sipas llojit t gjysmpruesit t kanalit dallojm FET-N dhe FET-P.
Kur nuk kemi tension n gejt, ose kur gejti sht i lidhur shkurt me burimin, prmes FET-it nuk
rrjedh rryma e drejnit.
Gjat polarizimit t transistorit FET-N, burimi sht n potencial m t lart nga gejti, kurse
drejni nga burimi.

Gjat polarizimit t transistorit FET-P, gejti sht me potencial m t lart nga burimi kurse

burimi nga drejni.

KONTROLLO NSE DIN
1. Cili sht dallimi me transistorve bipolar dhe unipolar?
2. far lloje t transistorve unipolar ekzistojn?
3. Vizato simbolet e FET-it me n-kanal dhe p-kanal dhe shno daljet.
4. Shpjegoj se far ndodh n kanal gjat polarizimit t FET-it.
5. Vizato karakteristikn statike t daljes s FET-it dhe sqaroj zonat e tij.
6. Defino prueshmrin kalimtare t FET-it.
7. Vizato skemn ekuivalente t FET-it n frekuenca t ulta.

2.9. MOSFET-i
Modeli m tepr i prdorur i transistorit me efekt fushe n sfern e qarqeve elektronike digjitale
moderne ka struktur t prbr nga nj lidhje metalike n fillim, dioksid silici n mes dhe
gjysmprues, zakonisht silic, n pjesn e poshtme, prej nga edhe e merr emrin MOSFET (Metal
- Oxide Semiconductor FET). Kshtu ishte n fillim, kurse n strukturn moderne me teknologjit
e reja n vend t metalit n pjesn e siprme aplikohet shtres nga polisilici. Megjithat, shenja e
vjetr MOS vazhdon t prdoret edhe m tutje.
MOSFET-t mund t jet me kanal-N ose me kanal-P dhe ata mund t jen me kanal t
induktuar ose inkorporuar, q do t shpjegohet m tej. N analiza do t thirremi n llojin me kanalN me kanal t induktuar, i cili sht m i prdorshm n praktik. Llojet tjera dhe strukturat e tyre
do t kuptohen leht prmes rrugs s analogjis.

78Elektronikaanaloge


2.9.1. Struktura dhe parimi i puns

s MOSFET-it me kanal t induktuar
Si duket struktura e nj MOSFET-i me kanal-N
me kanal t induktuar sht treguar n figurn
2.41. Baza ose trupi sht nga gjysmprues i
silicit i llojit P, me numr t vogl t primesave
akceptor

me

trashsi

prej

disa

qindra

mikronsh. Me procesin teknologjik, t quajtur

trheqje, n siprfaqen e siprme t bazs
formohet shtres e holl izoluesit nga dioksinsilici (qelq) me trashsi prej rreth 0,1 mikron. Pa
marr parasysh trashsin e vogl, vetit
izoluese t dioksidsilicit jan shum t mira dhe
rezistenca e ktij kalimi sht e madhe.

Figura 2.41: Struktura e MOSFET-it

me kanal-n

Me procedurn e mtejme, n siprfaqen e

siprme t bazs, t mbuluar me kalim izolues, hapen dy ,,dritare,, n nj distanc rreth 10 mikron
dhe n to futen primesa t donorve. N kt mnyr formohen dy rajone t llojit-n me koncentrim
t madh t donorve n thellsi prej disa mikronve, t caktuar pr burimin dhe drejnin. Mbi kto
zona vendoset nj shtres e holl prej metali pr lidhjet elektrike t burim dhe drejnit.
N siprfaqen e shtress izoluese, duke mbuluar hapsirn n mes t burimit dhe drejnit,
vendoset shtres metalike pr daljen e gejtit. Baza, gjithashtu, ka kontaktin e saj elektrik, t
shnuar me B. Pr shumicn e qarqeve digjitale, kjo dalje sht e lidhur pr burimin dhe detyra e
saj sht t izoloj njrin transistor nga tjetri kur jan n t njjtin ip t silicit. Prve ktij lloji t tre
daljeve, hasen edhe transistor me katr dalje, ku dalja B shrben si gejt i dyt.
N kt struktur nuk ka t ndrtuar asnj kanal mes burimit dhe drejnit. N rrugn mes tyre
qndrojn dy kalime PN, t kthyer n drejtime t kundrta njri kah tjetri. Njri kalim PN sht mes
burimit dhe bazs, kurse tjetri mes bazs dhe drenit.
Si shihet nga figura 2.41, sht formuar struktura e kondensatorit, e prbr nga lidhja e gejtit
dhe bazs, si pllaka, dhe shtresa e oksidit, di dielektrik.
Tani do t vendosim strukturn e figurs 2.41 n qarkun e figurs 2.42 n prpjekje pr t
zhvendosur elektronet nga burimi drejt drejnit. Tensioni mes gejtit dhe burimit sht vendosur n
zero me lidhje t shkurtr t gejtit dhe burimit. N kt gjendje nuk ekziston mnyr pr t rrjedhur
rryma mes drejnit dhe burimit pr shkak t ekzistimit t dy kalimeve PN, t cilt veprojn si dy
dioda me drejtime t kundrta t lidhura n seri. Kur drejni sht me potencial pozitiv n raport me

Transistort79

burimin, mes tyre rrjedh vetm rryma inverse e njrit kalim PN dhe ajo sht m e vogl se 1nA.
Ky lloj i MOSFET-it sht quajtur joprues normal.

Figura 2.42: Sjellja e MOSFET-it me kanal-n n UGS = 0

Megjithat, n qoft se vendoset tension pozitiv i madh i mjaftueshm n gejt (figura 2.43), rryma
do t rrjedh n qarkun mes drejnit dhe burimit. Asnj lloj rryme nuk do t rrjedh prmes daljes s
gejtit pasi q ai sht totalisht elektrikisht i izoluar nga pjesa tjetr.

Figura 2.43: Formimi i kanalit t induktuar.

Q t kuptohet se far ndodh, do t thirremi n strukturn e prshkruar m par t

kondensatorit. Tensioni pozitiv i vendosur n gejt do t shkaktoj mbushjen e atij kondensatori, e
cila sht ekuivalente me grumbullonin e ngarkesave pozitive n gejt dhe trheqja e po ashtu aq,
por me shenj t kundrt ngarkesa elektrike n pllakn kundrejt, gjegjsisht n zonn e bazs mes
drejnit dhe burimit. Ajo zon pasurohet me elektrone, boshatiset nga vrimat dhe nga
gjysmprues i llojit P kalon n gjysmprues t llojit N dhe kshtu formohet kanali. Ky parim i
puns e prcakton MOSFET-in me kanal t induktuar me procedurn e ,,pasurimit,,. Simboli
elektrik i ktij lloji MOSFET sht treguar n figurn 2.44 (a).
MOSFET me kanal-P sht komplement i sakt i MOSFET me kanal-N, i cili tashm sht
analizuar. Ai formohet me futjen e dy zonave t llojit-P n bazn e llojit-N dhe me shtres izoluese
okside prball gejtit. Simboli elektrik i tij sht treguar n figurn 2:44 (b). T gjitha rrymat dhe


80Elektronikaanaloge
tensionet jan me polaritet t kundrt n krahasim me MOSFET me kanal-N, kurse analiza mbetet

e pandryshuar, me at q barts t ngarkess jan vrimat.

Figura 2.44: Simbolet elektrike t MOSFET me

kanal t induktuar n regjimin e pasurimit.

2.9.2. Karakteristikat statike

Nga karakteristikat statike t MOSFET-it me kanal t induktuar n regjimin e ,,pasurimit,,, m t
rndsishme jan vetm karakteristika kalimtare dhe dalse, njlloj sikur tek FET-i.
Varsia e rryms s drejnit ID nga tensioni mes gejtit dhe ports sht dhn me karakteristikn
kalimtare n figurn 2.45. Pr tensionin UGS=0, nuk ka rrym n qarkun drejn-burim. Me zmadhimin e
tensionit UGS sht e nevojshme t arrij vler t caktuar, q rryma ID t mund t filloj t rrjedh. Ajo rritet
linearisht me rritjen e tensionit pozitiv t gejtit, sepse kanali gjithnj e m tepr pasurohet me barts
shumic t ngarkess dhe rezistenca e tij zvoglohet. Ky tension quhet tensioni i pragut (UT) dhe pr
MOSFET-t e kohs s sotme t ktij lloji lviz n zonn 0,3 deri 0,8 V.

Figura 2.45: Karakteristika kalimtare

statike e MOSFET-it

Figura 2.46: Karakteristika dalse statike e

MOSFET-it me kanal t induktuar

Transistort81

Karakteristika dalse ID= f (UDS) pr UGS=const, me drejtz pune t futur sht paraqitur n figurn
2.46. Vrehet se lakorja pr UGS = 0 nuk sht futur, ajo prputhet me boshtin e abshiss.
MOSFET-i me kanal t induktuar pron rrym vetm kur UGS>UT.

2.9.3. MOSFET me kanal t ndrtuar

Struktura e ktij lloji t MOSFET-it ndryshon me at q rajoni i kanalit prues ndrtohet me
shtimin e primesave n zonn nn gejt gjat kohs s ndrtimit t tij. Kanali i lidh rajonet e burimit
dhe drejnit dhe ekziston pa marr parasysh se far sht polarizimi i transistorit (figura 2.47).

Figura 2.47: MOSFET me kanal t ndrtuar.

Kur ky transistor vendoset n qark, si n figurn 2.43, n qark do t rrjedh rryma edhe n tensionin
UGS = 0. Intensiteti i asaj rryme varet nga tensioni UDS dhe nga rezistenca e kanalit. Pr tensione
pozitive t gejtit n raport me burimin, n qark krijohen kushte t tilla q t rrjedh rryma, ashtu si
sht prshkruar tashm tek MOSFET-i me kanal t induktuar. Me rritjen e tensionit pozitiv UGS,
pasurohet kanali me elektrone t lira, rritet prueshmria e kanalit dhe me kt edhe intensiteti i
rryms s drejnit ID. N kt rast, MOSFET-i punon n regjimin e ,,pasurimit,,.
Pr vlera negative t tensionit t gejtit, sipas parimit t mbushjes s kondensatorit, n kanal
grumbullohen vrima, q sht ekuivalente me zbrazjen e kanalit nga elektronet. Me kt
zvoglohet prueshmria e kanalit dhe rryma e drejnit ID. N vlera m t larta t tensionit negativ
n gejt kanali boshatiset nga elektronet me ka rryma ndalon t rrjedh.
Karakteristika dalse e MOSFET-it me kanal t ndrtuar sht dhn n figurn 2.48, kurse
kalimtare n figurn 2.49. Nga karakteristika mund t shihet se pr UGS=0 rrjedh rrym e
konsiderueshme ID dhe se ky transistor punon sikurse n regjimin e "pasurimit", ashtu edhe n
regjimin e ,,varfrimit ".

82Elektronikaanaloge


Ky

lloj i

Figura 2.48: Karakteristika dalse e

MOSFET me kanal t ndrtuar

Figura 2.49: Karakteristika kalimtare e

MOSFET me kanal t ndrtuar

MOSFET-it sht m i komplikuar pr tu prpunuar, pr shkak t hapave shtes pr formimin e

rajonit t kanalit. Kjo e bn at m t shtrenjt dhe prdorimi i tij sht i kufizuar n disa qarqe t
veanta.
Simboli elektrik i MOSFET-ve me kanal n dhe p me kanal t ndrtuar jan dhn n figurn 2.50.

Figura 2.50: Simbolet elektrike t MOSFET-ve me kanal t ndtuar.

2.9.4. MOSFET-i si element komutues- els

Karakteristika kalimtare e MOSFET-it me kanal t induktuar tregon se pr t gjitha tensionet UGS
m t vogla se tensioni UT, mes burimit dhe drejnit nuk rrjedh rrym. N cilindo drejtim pengon
zona e diods me polarizim invers. N kt regjim t puns, MOSFET-i sillet si nj els i hapur
mes drejnit dhe burimit.

Transistort83


Figura 2:51: Skema ekuivalente e MOSFET-it

n regjimin omik dhe aktiv t puns.
Megjithat, duke vendosur tension pozitiv n gejt UGS, i cili sht m i madhe se tensioni UT, vjen
deri tek induktimi i kanalit prues dhe rrjedhje t rryms mes drejnit dhe burimit. Sjellja e
MOSFET-it n kt gjendje mund t tregohet n dy mnyra, prmes dy qarqeve ekuivalent (figura
2.51):
a) puna n zonn aktive;
b) puna n zonn "omike".
MOSFET punon n zonn ,,omike,, kur sht UDS < (UGS - UT). Qarku ekuivalent i MOSFET
pr kt rajon sht i prbr nga nj els i mbyllur ne seri me rezistenc t brendshme t
MOSFET-it t prueshm rDSon. Vlera e rryms ID varet nga tensioni i burimit UDD. Ky regjim
prdoret si ,,els i mbyllur,, q qarqet digjitale.
Pr pun n zonn e "aktive" sht e nevojshme t plotsohet kushti UDS > (UGS - UT).
Rryma ID tash sht funksion vetm i UGS dhe nuk varet nga tensioni UDS, kshtu q n
qarkun ekuivalent kemi els t mbyllur n seri me rrymn e burimit. MOSFET ndodhet n zonn
,,aktive,,, prdoret si prforcues n qarqet analoge.
Pr qarqet komutuese impulsive MOSFET-ti duhet t gjendet n kushtet zons ,,omike,, me
prcaktimin e tensionit UDS:
UDS = UDD RDID. .......................................................................................................................(2.31)
Kushti q transistori t gjendet n zonn "omike" merret duke zgjedhur nj vler mjaft t madhe
pr RD. Nga ana tjetr, impulsi eksitues duhet t jet i till q, pr gjendjen e bllokimit e elsit t
hapur, t jet UGS<<UT, kurse pr gjendjen e elsit t mbyllur, t jet UGS >> UT.
N karakteristikn e figurs 2.52 jan qart t prkufizuara zonat "omike" dhe "aktive" t puns s
MOSFET-it.

84Elektronikaanaloge


Figura 2.52: Zona aktive dhe omike n karakteristikat dalse t MOSFET-it.

MBAJ MEND!!!!

MOSFET-i sht nj FET teknologjikisht i avancuar me zbatim t dyoksidit metal-silic.

Pr MOSFET me kanal t induktuar, kanali n t cilin rrjedh rryma formohet me polarizim t

MOSFET-it.

Tek MOSFET-i me kanal t ndrtuar, kanali formohet gjat kohs s prodhimit t

MOSFET-it.

N qarkun e gejtit nuk rrjedh rryma, rezistenca hyrs sht pafundsisht e madhe.

FET dhe MOSFET mund t punojn si prforcues n lidhje me burim t prbashkt, gejt t

prbashkt dhe drejn t prbashkt.

MOSFET punon si nj els i mbyllur n rajonin ,,omik,, pr qarqe digjitale, kurse n rajonin

aktiv si prforcues pr qarqet analoge.

KONTROLLO NSE DIN

1. Cilt lloje t MOSFET-ve ekzistojn?
2. Sqaro procesin e formimit t kanalit t induktuar me procedurn e pasurimit n MOSFET.
3. Vizato shenjat skematike t llojeve t MOSFET-ve.
4. Cilat jan karakteristikat statike m t rndsishme t MOSFET-ve?
5. N far tensione UGS, MOSFET me kanal t induktuar pron rrym?
6. Cili sht dallimi mes MOSFET dhe kanal t induktuar dhe kanal t ndrtuar?
7. A rrjedh rryma npr MOSFET me kanal t ndrtuar pr UGS = 0 ?

Transistort85


2.10. Zbatimi i transistorve

Transistort prdoren n t gjitha degt e elektroniks dhe elektrotekniks - n
prpunimin e prforcuesve- amplifikatorve, oshilatorve, pajisjeve transmetuese dhe strukturave
pr rregullim. Prve n elektronik dhe elektroteknik, transistort sot prdoren thuajse n t
gjitha degt e industris. Suksesi i madh dhe zhvillimi i shpejt jan pasoj e prmasave t vogla,
t prodhimit t thjesht dhe me shumic dhe konsumit shum t ult t energjis.
Transistort

bipolar jan prforcues t komanduar nga rryma, kurse unipolart jan

prforcues t komanduar nga tensioni. Nga koha e zbulimit e deri tani, ata jan prsosur dhe
aftsuar pr prdorim t prgjithshm ose pr funksione specifike. Si prforcues ata prpunohen
pr prforcim n frekuenca t ulta deri n 1MHz, n frekuenca t mesme deri n 100MHz dhe n
frekuenca t larta mbi 100MHz. Sipas fuqis, mund t jen pr fuqi t vogla deri n 0,2 W, pr fuqi
t vogla deri n 1W dhe pr fuqi t mdha mbi 1W.
Si elemente komutuese, prve funksioneve standarde t komutimit, transistort prdoren n
teknologjin digjitale pr prodhimin e portave logjike si komponent prbrs t sistemeve
komplekse digjitale. Kshtu, pr shembull, nj ip gjysmprues mund t prmbaj edhe disa
miliona elemente transistor komutues.
Transistori si element prdoret n pothuajse t gjitha pajisjet elektronike. Prjashtim jan vetm
filtrat VF dhe NF, t cilt kryesisht prbhen nga kondensatort dhe bobinat dhe ndonj
rezistenc. Megjithse n pajisjet e sotme m tepr prdoren qarqet e integruara, pr shkak t
avantazheve t shumta: dimensione t vogla, instalim dhe servisim i thjesht, transistort nuk jan
eliminuar nga prdorimi. Nuk jan t dukshm si elemente t pavarura, ata jan t integruar me
elemente tjera dhe ndrtojn qarqe t integruara. Transistort kombinohen me rezistenca,
kondensator, dioda, bobina dhe me transistor tjer. Ajo q mundet shum mir t integrohen,
prova jan procesort e sotshm t kompjuterve.

86Elektronikaanaloge


VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Barts kryesor t ngarkess elektrike n transistorin -PNP jan:
a) elektronet
b) vrimat
c) donort
d) akceptort
2. Njsia matse e parametrit hFE sht:
a) numr i paidentifikuar
b) A
c) V.
3. Barts dytsor t ngarkess elektrike n transistorin-PNP jan:
a) elektronet
b) vrimat
c) donort
d) akceptort
4. Varsia e rryms IC nga UCE pr rrym IB konstante tek transistori n lidhje me emiter t
prbashkt paraqitet me:
a) karakteristikn kalimtare
b) karakteristikn hyrse
c) karakteristikn dalse
5. Tek transistori me lidhje baze t prbashkt rryma e hyrjes sht:
a) IC
b) IB
c) IE.

Transistort87

6. Karakteristika dalse e transistorit

n lidhje me emiter t prbashkt zakonisht sht e

prfaqsuar nga:
a) IC = f (UCE) pr IB = const.
b) IB = f (UBE) pr UCE =const.
c) UBE = f (UCE) pr IB = const.

II Pyetje me lidhshmri
7. Lidh simbolet elektrike me llojet e transistorve:

a)

b)

c)

d)

e)

f)

g)

h)
1. Transistor - NPN ___________
2. Transistor -PNP ___________
3. FET i llojit - N

___________

4. FET i llojit - P

___________

5. MOSFET me kanal-N me kanal t induktuar ___________

6. MOSFET me kanal-P me kanal t induktuar ___________
7. MOSFET me kanal-N me kanal t ndrtuar ___________
8. MOSFET me kanal-P me kanal t ndrtuar ___________
8. Lidh parametrat me relacionet:
1. Prueshmria dalse
2. Koeficienti i tensionit n lidhje t kundrt.
3. Koeficienti i prforcimit t rryms.
4. Rezistenca hyrse.

88Elektronikaanaloge


9. Lidh gjendjen e MOSFET-it me kushtin:

1. els i mbyllur
2. els i hapur

III Pyetje me plotsim

10. Me raportin e ndryshimit t rryms s kolektorit 'IC, dhe ndryshimin e rryms s bazs 'IB
definohet ________________________________________.
11. Kur transistori sht n regjimin e ngopjes,rryma dalse ka intensitet _______________, kurse
rezistenca dalse vlern _________________.
12. Kur lidhja e emiterit dhe kolektorit jan me polarizim invers, transistori sht n regjimin e
________________________________.
13. Transistori polarizohet ashtu q kalimi i emiterit do t jet i polarizuar ___________________,
kurse i kolektorit i polarizuar ________________________.
14. N UDS ! (UGS - UT) MOSFET-ti punon n regjimin _________________________.
15. Me relacionin ID = f (UDS) pr UGS=const. sht e definuar karakteristika __________________
e MOSFET-it n lidhje me burim t prbashkt.

Hulumto dhe mso m tepr:

- Krijo tabeln n t ciln do t fussh karakteristikat e
llojeve t transistorve dhe analizoje at.
- Hulumto n internet pr transistort- skema t
realizimit praktik.
- Prpuno projekt pr llojet e transistorve.
- Prpuno projekt pr prdorimin e transistorve.

Prforcuesit

89

PRFORCUESIT- AMPLIFIKATORT
Duke studiuar prmbajtjen e ksaj teme, do t fitosh njohuri
baz pr prforcuesit dhe do t mund:

t definosh termin prforcim;

t kuptosh rolin e prforcuesit;
t dallosh ndarjet baz t prforcuesve;
t njohsh prcaktimin e parametrave baz t nj prforcuesi;
t sqarosh prforcuesin si element katrpolar aktiv;
t njohsh konfiguracionet e ndryshme t prforcuesve me transistor bipolar dhe
unipolar;

t llogarissh prforcim tensioni dhe rryme, rezistenc hyrse dhe dalse;

t krahasosh karakteristika t konfiguracioneve t lidhjeve t ndryshme ;
t llogarissh parametrat e lidhjes-qarkut t Darlingtonit n konfiguracione t
ndryshme;

t llogarissh parametra t lidhjeve t prforcuesve baz me FET dhe MOSFET;

t shpjegosh lidhjen e prforcuesve t lidhur n kaskad;
t interpretosh prforcimin e rryms dhe tensionit n lidhjen kaskad t prforcuesve;
t shpjegosh parimin e funksionimit t prforcuesit diferencial;
t interpretosh karakteristikn kalimtare t nj prforcuesi diferencial ideal;
t prshkruash konfiguracionin real t prforcuesit diferencial;
t kuptosh llojet e deformimeve;
t kuptosh lidhjen e kundrt tek prforcuesit;
t njohsh parametrat e prforcuesve me lidhje t kundrt;
t shpjegosh ndikimin e lidhjes negative mbi prforcuesit;
T kuptosh efektin korrektues t lidhjes s kundrt mbi punn e prforcuesit;
t analizosh varsin mes llojit t lidhjes s kundrt dhe parametrave t prforcuesit;
t analizosh skema t prforcuesve t lidhur direkt me rrym t vazhdueshme;
t njohsh prforcuesit e fuqis;
t definosh faktor t efektit t dobishm tek prforcuesit e fuqis;
t kuptosh skemn baz dhe parimore t prforcuesit n klasn A dhe n klasn B/AB
me ift transistorsh komplementar;

Prforcuesit

91

3.1. Prforcimi dhe roli i prforcuesit

Shpesh her sht e nevojshme t forcohet amplituda apo fuqia e sinjaleve elektrike.
Prforcuesi sht nj struktur elektronike e cila ka pr detyr t prforcoj sinjalin q
lidhet n hyrjen e tij dhe n daljen e tij t fitohet sinjal i cili ka t njjtn form si sinjali
hyrs, por me amplitud m t madhe. Me prforcuesit prforcohet tensioni, rryma apo fuqia.
Prforcuesi sht i ndrtuar nga elemente aktive dhe pasive, kshtu q duhet t ekzistoj nj
burim shtes i energjis elektrike.
Thelbi i prforcimit sht n at q nuk kemi rritur rrymn hyrse dhe tensionin hyrs, por
ndryshim i vogl i tensionit dhe rryms hyrse shkakton ndryshim t madh t tensionit dals, q
interpretohet si tension ose rrym e prforcuar hyrse. Prforcuesi nga transistori nuk prodhon
energji elektrike t re, energjin e burimit t ushqimit t vazhduar ai e shndrron n energji t
sinjalit t prforcuar t daljes.
N rastin e prgjithshm, prforcuesit tregohen me trekndsh, si n figurn 3.1, kur konstruksioni
i tyre nuk ka rndsi pr t treguar funksionimin e gjith qarkut.

Figura 3.1: Shenja skematike e prgjithshme e prforcuesit.

N t hyrje t prforcuesit vendoset sinjali hyrs Uhyr, kurse n dalje fitohet sinjal Udal me form
t njjt, por me vler t zmadhuar. Ata jan t prcaktuar n raport me nj pik t prbashkt n
qark -

masn. Njri pol i burimit t ushqimit shpesh lidhet n mas. Funksioni i qarkut sht t

prforcoj sinjalin hyrs dhe t bartet n ngarkesn q ka rezistenc RL.

Gjithsesi se nj prforcim kaq i madh, q sht i nevojshm n shembullin e prmendur t
fotodiods, nuk mund t realizohet me nj prforcues, por jan t nevojshme m tepr stade
prforcuese, t lidhur n kaskad (figura 3.2). Prforcuesit n kaskad nuk jan t barabart mes
veti.

Figura 3.2: Lidhja kaskad e prforcuesve.



92 

Elektronikaanaloge

3.2. Ndarja e prforcuesve

N kryerjen e nj detyre t caktuar marrin pjes m shum qarqe prforcuese, t cilat mes
veti ndryshojn sipas mundsive t tyre ose sipas karakteristikave t tyre. Prforcuesit mund t
ndahen n disa grupe: sipas llojit t prforcimit, sipas brezit t frekuencave apo sipas regjimit t
puns.
Ndarja e par sht n prforcues t sinjaleve t vogla dhe prforcues t sinjaleve t mdha.
Sinjalet e vogla jan m shpesh n fillim t kaskads prforcuese, kurse t mdhenjt n fund.
Sipas llojit t prforcimit kemi prforcues t tensionit, prforcues t rryms dhe
prforcues t fuqis. N nj zinxhir t prforcuesve, si sht e nevojshme, pr shembull, pr
prforcimin e tensionit t fotodiods, prforcuesi i tensionit ose rryms gjendet n vet fillimin, kurse
n fund gjendet prforcuesi i fuqis.
Sipas gjersis s brezit t frekuencs dhe sipas pozits s KAF (karakteristiks
amplitud-frekuenc) n boshtin e frekuencs, jan dy ndarje t veanta, prforcuesit ndahen n:
prforcues t brezit t gjer, brezit t ngusht ose selektiv, t frekuencave t ulta, t frekuencave
t larta dhe n prforcues t sinjalit t vazhduar. Karakteristikat ideale t frekuencave t tyre, sa
pr krahasim, jan dhn n figurn 3.3.

Figura 3.3: Karakteristikat ideale amplitud-frekuenc t prforcuesve t ndryshm

Prforcuesit e brezit t gjer mund t prforcojn sinjal me brez frekuence t gjer, si jan sinjalet
video n televizion apo pr prforcimin e impulseve (pr kt arsye edhe quhen video prforcues
ose prforcues impulsiv).
Prforcuesit selektiv prforcojn sinjal me brez t ngusht t frekuencs rreth frekuencs bartse
f0. Prdoren zakonisht n pajisjet e telekomunikacionit dhe radio pajisjet, kur duhet t bhet
selektimi i nj sinjali nga m shum sinjale me frekuenca bartse t ndryshme.
Prforcuesit e frekuencave t ulta (FU) prforcojn sinjalet me frekuenca t ulta. Burimet e
frekuencave t ulta jan t ndryshme. Fuqia maksimale e ktyre burimeve sillet mes 10-10 W deri
10-6 W. Kshtu, pr shembull, mikrofoni me shirit mund t jep rreth 10-6W, ndrsa mikrofoni me

Prforcuesit

93

karbon jep deri n 10-6 W. Pr sinjalet e zrit (n telefoni), brezi i frekuencave shkon nga 300 Hz
deri n 3400 Hz, kurse pr sinjalet muzikore nga 20 Hz deri n 20000 Hz.
Prforcuesit e frekuencave t larta (FL) i prforcojn sinjalet q zn pjesn e siprme t spektrit
t frekuencave dhe ata jan t ngjashm me prforcuesit selektiv, vetm se me brez frekuence m
t gjer. Ata prdoren n pajisje t ndryshme radio, radar, pajisje satelitore dhe pajisje tjera.
Prforcuesit e sinjaleve t vazhduar shrbejn pr prforcimin e

sinjaleve me ndryshim t

ngadalshm me frekuenc kufitare t poshtme t barabart me zero. Prdorimi i tyre m i

shpesht sht n teknikn e matjeve.
Regjimi i puns s prforcuesit sht e prcaktuar me pozitn e piks s puns t tij. Sipas ksaj,
prforcuesit ndahen n prforcues n klasn A, klasn AB, klasn B dhe klasn C. Vendi i piks
s puns n drejtzn e puns n karakteristikn dalse, n karakteristikn rrym-tension t
transistorit sht paraqitur n figurn 3.4. Nga figura shihet se drejtza e puns, nga pika B e tutje
shtrihet n boshtin e abshiss.

Figura 3.4: Pika e puns e prforcuesit n regjime t ndryshme t puns.

Prforcues n klasn A ka pik t puns, t vendosur n mes t drejtzs s puns, me ka
fitohen deformime m t vogla jolineare t cilat krijohen nga jolineariteti i karakteristiks rrymtension t transistorit. N kt regjim pune ndodhen prforcuesit e tensionit dhe rryms.
Pika e puns e prforcuesit n klasn B ndodhet n fillimin drejtzs s puns. Prforcuesi m
shpesh ndrtohet me dy transistor.
Prforcuesi me klas AB ka pik t puns e cila sht e vendosur ndrmjet pikave A dhe B. Me
pik pune t vendosur n kt mnyr merren m pak deformime n krahasim me pikn B.
Pika e puns e prforcuesit n klasn C sht e vendosur n rajonin e polarizimit t kundrtinvers. Kjo do t thot se prforcuesi nuk do t reagoj n sinjal deri sa ai nuk do ta sjell n
regjimin n pikn B. N kt regjim punon prforcuesi i fuqis n brez t ngusht t frekuencs, si,
pr shembull, prforcuesi dals i radioantenave.

KONTROLLO NSE DIN

1. far lloje t prforcuesve ekzistojn sipas llojit t prforcimit?
2. Si ndahen prforcuesit sipas gjersis s brezit t frekuencave?
3. Ku prdoren prforcuesit e brezit t gjer?

94 

Elektronikaanaloge

4. Ku prdoren prforcuesit selektiv?

5. Ku aplikohen prforcuesit e frekuencave t ulta e ku ata t frekuencave t larta?
6. Ku ndodhet pika e puns e prforcuesit n klasn A, B, AB dhe C n karakteristikn dalse t
prforcuesit?

3.3. Prforcuesi si nj katrpolar aktiv

Prforcuesi mund t trajtohet si nj katrpolar, i prbr nga nj ose m shum celula
prforcuese. Celula prforcuese baz ndrtohet me transistor bipolar dhe unipolar, prforcues
operacional, rezistenca, kondensator dhe bobina. Bllok-skema e tij me lidhjet hyrse dhe dalse
dhe lidhjen e burimit t ushqimit sht dhn n figurn 3.5.

Figura 3.5: Bllok-skema e prforcuesit baz.

N hyrje t prforcuesit lidhet burimi i sinjalit US me rezistenc vetjake RS, kurse n dalje
rezistenca e ngarkess RL.

Figura 3.6: Forma komplekse e sinjalit

analog

Figura 3.7: Forma sinusoidale e

sinjalit

Sinjali me ndryshim t vazhdueshm n koh quhet sinjal analog (figura 3.6), kurse
qarqet pr prpunimin e tyre quhen qarqe analoge. Sinjali analog mund t ket nj form valore
komplekse si n figurn 3.6 ose t jet i prsritshm ose periodik, si sht sinjali sinusoidal nga
figura 3.7. Duke u bazuar n sinjalin sinusoidal prcaktohen karakteristikat e shum qarqeve
elektronike dhe sistemeve.
Tensioni i cili ndryshon n mnyr sinusoidale me kalimin e kohs mund t prezantohet me
funksionin:

u t  U sin(Zt  M ) ......................................................................................................................(3.1)


Prforcuesit

95

N kt funksion ka tre parametra q t cilt mund t ndryshohen: amplituda U, frekuenca kndore

Z dhe kndi i fazs M. Raporti n mes t frekuenc kndore Z , t dhn n radian pr sekond,
kundrejt frekuencs f, t shprehur n Hz, prcaktohet me relacionin:

2Sf ......................................................................................................................................(3.2)
KONTROLLO NSE DIN

1.

Vizato bllok-skemn e prforcuesit si nj katrpolar.

2.

Cilt parametra t sinjalit sinusoidal mund t ndryshohen?

3.4. Prcaktimi i parametrave t prforcuesit

Amplituda sht njri nga parametrat m t rndsishm. Prforcuesi sht nj struktur
elektronike e cila duhet t rris amplitud e sinjalit. Nse sinjali sht prfaqsuar si nj tension,
ather definohet prforcimi i tensionit i prforcuesit si raport i tensionit t daljes kundrejt tensionit
n hyrje t sinjalit.
Kur prforcimi i tensionit sht pozitiv, tensioni hyrs dhe dals jan n faz, por kur sht negativ,
ata jan t zhvendosur n faz pr 1800.

AU

U dal
...................................................................................................................................(3.3)
U dal

Pr sinjalin e rryms kemi prforcim t rryms si raport t rryms dalse kundrejt asaj hyrse:

AI

I dal
I hyr

....................................................................................................................................(3.4)

kurse pr prforcimin e fuqis kemi hers t fuqive t sinjalit alternativ n dalje Pdal dhe n hyrje
Phyr t prforcuesit:
AP

Pdal
Phyr

U dal I dal
U hyr I hyr

AU AI .........................................................................................................(3.5)

Prforcimi mund t shprehet me njsi logaritmike n decibel (dB) si:

AU dB  20 log

U dal
,
U hyr

AI dB  20 log

I dal
,
I hyr

AP dB  10 log

Pdal
......................................(3.6)
Phyr

Koeficienti i prforcimit K definohet si raport i fuqis s mesme t sinjalit alternativ, q i jepet

konsumatorit dhe fuqis q merret nga burimi i ushqimit, e shprehur n prqindje si:
K

Psig
Pbur

100%  ..............................................................................................................................(3.7)

Rezistenca hyrse definohet si raport i tensionit hyrs dhe rryms hyrse:



96 

Rhyr

Elektronikaanaloge

U hyr
I hyr

:  ..............................................................................................................................(3.8)

kurse dalse me:

Rdal

U dal
: . .............................................................................................................................(3.9)
I dal

N kt definicion Udal sht tension dals kur konsumatori nuk sht i lidhur, kurse Idal rryma
dalse kur dalja sht e lidhur shkurt. Nga rezistenca hyrse krkohet q t ket vler m t
madhe, me ka m pak do t ngarkoj gjeneratorin e sinjalit ose prforcuesin e stadit paraprak.
Rezistenca dalse, megjithat, duhet t ket vler m t vogl, q t mos vij deri te dobsimi i
sinjalit dals.
KONTROLLO NSE DIN
1.

Si definohet prforcimi i rryms s prforcuesit?

2.

Shkruaj ekuacionin me t cilin do t prezantosh prforcimin e tensionit t prforcuesit.

3.

Defino koeficientin e prforcimit t prforcuesit.

4.

Shkruaj relacionet me t cilat prcaktohet rezistenca hyrse dhe dalse.

3.5. Karakteristika e frekuencs dhe fazore e prforcuesit

Edhe nj karakteristik tjetr e rndsishme e prforcuesit sht karakteristika e
frekuencs dhe fazore. Karakteristika e frekuencs (figura 3.8) tregon se si ndryshon prforcimi i
prforcuesit kur amplituda e tensionit sinusoidal n hyrje sht konstant, kurse ndryshon frekuenca
e tij.

Figura 3.8: Karakteristika e frekuencs e prforcuesit.

Asnj prforcues real nuk mund t prforcoj sinjalin hyrs n brezin e pafund t frekuencave. N
qarkun e prforcuesit, prve transistorit, i cili ka kufizime n raport me frekuencat t cilat mund ti
prforcoj, ekzistojn edhe kapacitete edhe induktivitete, t cilat e bjn prforcimin t varur nga

Prforcuesit

97

frekuenca. N disa frekuenca t larta, prforcuesi m nuk do t mund t jet n gjendje t jap
amplitud t njjt t sinjalit dals, si n frekuencat e mesme.
Pr frekuenc kufitare t siprme fH t prforcuesit llogaritet frekuenca pr t ciln prforcimi bie
pr 3 dB, gjegjsisht pr faktor 0.707, n raport me prforcimin n frekuenca t mesme. Deri n
rnien e prforcimit vjen edhe n frekuenca t ulta, kurse n mnyr t njjt definohet edhe
frekuenca kufitare e poshtme fL.

Dallimi n mes t frekuencs kufitare t siprme dhe t

poshtme:
B = fH - fL .......................................................................................... .....................................( 03:10)
quhet brezi i lshimit i prforcuesit. Sinjalet me frekuenca n kt brez do t prforcohen pa
shtrembrime. Shtrembrimi manifestohet n dallimin n form mes sinjalit dals dhe sinjalit hyrs
dhe paraqitet n sinjalet jasht brezit t lshimit.

Figura 3.9: Karakteristika fazore e prforcuesit.

Karakteristika e fazs (figura 3.9) tregon se si ndryshohet zhvendosja fazore e sinjalit dals n
krahasim me sinjalin hyrs me ndryshimin e frekuencs. Vrehet zvoglim i ndryshimit fazor pr
frekuenca t larta dhe rritje e frekuencave t ulta. Pr frekuencn kufitare t siprme ndryshimi
fazor zvoglohet pr 450, kurse pr t poshtmen rritet pr 450. Me zvoglimin dhe rritjen e
ndryshimit fazor n raport pr 1800 paraqiten shtrembrime fazore t sinjalit.

MBAJ MEND!!!

Prforcuesi e prforcon tensioni, rrymn ose fuqin e sinjalit analog ose digjital.

Thelbi i prforcimit sht: ndryshimi i vogl i tensionit ose rryms s hyrjes shkakton
ndryshim t madh n tensionin e daljes.

Prforcuesit ndahen n disa grupe sipas:

a) llojit t prforcimit (prforcues tensioni, rryme ose fuqie);

98 

Elektronikaanaloge

b) Brezit t frekuencave (brez t gjer, selektiv, prforcues t frekuencave t

ulta, prforcues t frekuencave t larta dhe t vazhduar);
c) Regjimit t puns, kjo do t thot sipas pozits s piks s puns (klasa
A, klasa AB, klasa B dhe klasa C).

Karakteristika e frekuencs s prforcuesit tregon se si ndryshon prforcimi, kurse

e fazs si ndryshon faza e sinjalit me ndryshimin e frekuencs s sinjalit.

Parametrat baz tprforcuesit jan prforcimi i tensioni, rryms dhe fuqis,

koeficienti i prforcimit, rezistenca hyrse dhe dalse.

Frekuenca kufitare e siprme dhe e poshtme sht frekuenca pr t ciln prforcimi

i prforcuesit bie pr 3dB n krahasim me prforcimin n frekuenca t mesme.

Brezi i lshimit sht brezi mes frekuencs kufitare t siprme dhe t poshtme t
prforcuesit.

KONTROLLO NSE DIN

1.

Defino karakteristikn e frekuencs s prforcuesit.

2.

Vizato karakteristikn fazore t prforcuesit dhe defino frekuencn kufitare t siprme dhe
t poshtme.

3.

Si prcaktohet brezi i lshimit t prforcuesit?

3.6. Analiza grafike e puns s

prforcuesit me transistor
Analiza grafike zbatohet kur kemi sinjale hyrse me amplitud t madhe. Me kt metod
merret parasysh jolineariteti i karakteristikave. E gjith analiza grafike sht br n prforcuesin
me transistor me lidhje me emiter t prbashkt.
Nn ndikimin e ndryshimit t sinjalit n qarkun hyrs, vjen deri te ndryshimi i tensionit n dalje UCE.
Ajo do t thot se pika e puns, e treguar n karakteristikat hyrse dhe kalimtare krcen nga njra
n tjetrn karakteristik, me ka e prshkruan karakteristikn hyrse dinamike
N figurn 3.10 paraqiten karakteristikat statike dalse, kalimtare dhe hyrse t transistorit, t
vendosura ashtu q mund t shihet fitimi i karakteristiks dinamike kalimtare dhe hyrse. Diagrami
i karakteristikave dinamike t hyrjes dhe drejtza dinamike e puns nuk dallohen nga diagrami i
karakteristikave statike dhe drejtza statike e puns. Karakteristika dinamike kalimtare dhe hyrse


Prforcuesit

99

fitohen me zhvendosjen e pikave t prerjes a1, a2, a3, a4 dhe M t drejtzs s puns me
karakteristika dalse pr IB=const. n sistemin e karakteristikave statike kalimtare dhe t hyrjes.

Figura 3.10: Formimi i karakteristiks dinamike kalimtare dhe hyrse.

N figura 3.11 jepen diagramet e karakteristikave dinamike t prforcuesit, t bartur nga figura
3.10. N hyrje t prforcuesit sht lidhur tension alternativ:

uhur

U hyrm sin Zt , ......................................................................................................................(3.11)

ku jan: uhyr -vlera momentale e tensionit, Uhyrm amplituda, kurse Z - frekuenca rrethore.

Figura 3.11: Prcaktimi grafik i prforcimit.

100

Elektronikaanaloge

Ky tension alternativ i shtohet tensionit t vazhduar t polarizimit t bazs UBE, si tregohet n

karakteristikn hyrse (figura 3.11c). Rryma e bazs, gjithashtu, prmban komponent t
vazhduara dhe alternative dhe ka form t dhn me :

ib

I B ( M )  I bm sin Zt ...................................................................................................................(3.12)

ku me IB(M) sht treguar rryma e vazhduar e polarizimit t bazs n pikn M, kurse me Ibm
amplituda e rryms s sinjalit hyrs.
Ndryshimet e rryms s bazs shkaktojn ndryshime t rryms s kolektorit dhe ajo fiton formn:

ic

I C ( M )  I cm sin Zt ..................................................................................................................(3.13)

ku me IC(M) sht shnuar komponenti i vazhduar i piks s puns, kurse me Icm amplituda e
komponentit alternativ t rryms s kolektorit (figura 3.11a).
Gjat transferimit t pikave nga karakteristika kalimtare n at dalse vrehet se zhvendosja e
piks s puns M kah B1 shkakton zmadhimin e rryms s kolektorit, por edhe zvoglimin e
tensionit t kolektorit. Me fjal tjera, gjysm-perioda pozitive e tensionit t bazs dhe rryms s
bazs krijon nj gjysm-period t tensionit t kolektorit, kurse kjo do t thot se mes tensionit t
bazs dhe tensionit t kolektorit ekziston ndryshimi fazor prej 1800.
Tensioni i daljes i transistorit me lidhje me emiter t prbashkt sht:

udal

uce

 I C ( M ) RC  I cm RC sin Zt ..........................................................................................(3.14)

ose

udal

U CE ( M )  U cem sin Zt .........................................................................................................(3.15)

ku UCE(M) sht komponenti i vazhduar i tensionit t kolektorit n piln M, dhe Ucem amplituda e
komponentit alternativ t tensionit t kolektorit.
Prforcimi i tensionit, i fituar me stadin e prforcimit, definohet si:

Au

U dalm
U hyrm

U cem
....................................................................................................................(3.16)
U bem

kurse prforcimi i rryms si:

Ai

I dalm
I hyrm

I cm
. ........................................................................................................................(3.17)
I bm

Dhe n fund, prforcimi i fuqis si:

AP

Pdal
Phyr

Au Ai . ...................................................................................................................(3.18)

MBAJ MEND!!!

Analiza grafike sht metod pr prcaktimin e parametrave nga karakteristika dinamike e

elementit aktiv pr sinjale hyrse t dhn me amplitud t madhe.

Sinjali n dalje prmban komponent t vazhduar dhe alternative.

Prforcuesit

101

KONTROLLO NSE DIN

1. Pr far sinjale hyrse prdoret metoda grafike pr prcaktimin e prforcimit?
2. Shpjego fitimin e karakteristiks dinamike kalimtare dhe hyrse me ndihmn e figurs 3.10.

3.7. Lloje t konfiguracioneve t prforcuesve

Prforcuesi i sinjaleve t vogla sht prforcues linear n t cilin ndryshimet e sinjal rreth piks
s puns jan mjaft t vogla q t mund t neglizhohen deformimet jolineare dhe t thjeshtohen
llogaritjet e parametrave. N praktik kjo do t thot, ndryshimi i tensionit t sinjalit t mos kaloj
brezin prej disa qindra milivoltsh.
N analizn konsiderohet se prforcuesi punon n pjesn e mesme t brezit t lshimit t
frekuencave pr t cilat sht caktuar. Ky brez i frekuencave t sinjalit sht mjaftueshm i lart,
kshtu q t gjith kondensatort pr bashkim kan impedanc t vogl dhe llogariten si lidhje e
shkurtr pr komponentin alternativ t sinjalit. Prve ksaj, impedanca e t gjitha kapaciteteve
parazitare t lidhjeve t transistorit sht mjaftueshm e lart, kshtu q ata paraqesin qark t
hapur dhe nuk merren parasysh.
N pjesn e mesme t brezit t lshimit, numri m i madh prforcuesve kan prforcim konstant
me vler maksimale. Prforcimi bie n skajet e zons s brezit t lshimit.

3.7.1. Prforcues me konfiguracion - emiter t prbashkt

Ky konfiguracion paraqet lidhje m t prdorshme t prforcuesit. Skema elektrike e prforcuesit
sht dhn n figurn 3.12.

Figura 3.12: Prforcues me transistor bipolar me konfiguracion emiter t prbashkt.



102

Elektronikaanaloge

Polarizimi
Transistori do t funksionoj si nj prforcues kur kalimet e tij PN jan t polarizuar n
mnyr t rregullt edhe at kalimi i emiterit t jet drejt kurse i kolektorit me polarizim t
kundrt. Me ndarsin e tensionit, t prbr nga dy rezistenca R1 dhe R2, polarizohet drejt kalimi
PN i emiterit t transistorit, gjegjsisht prcaktohet rryma e bazs, ashtu q pika e puns e
transistorit t gjendet n zonn aktive dhe ai t punoj si nj prforcues. Me rezistencn RC
prcaktohet pozita e piks s puns, kurse me rezistencn RE sigurohet stabiliteti nga temperatura
e piks s puns.
Kondensatori elektrolitik CE dhe rezistenca RE e lidhur paralelisht krijon lidhje t shkurtr pr
sinjalin alternativ dhe e eliminon ndikimin e ksaj rezistence mbi prforcimin. Kondensatort pr
bashkim C1 dhe C2, gjithashtu paraqesin lidhje t shkurtr pr sinjalin alternativ. Nga ana tjetr,
kto kondensator e bllokojn rrymn e vazhduar dhe gjithka q sht majtas kondensatorit C1
dhe djathtas nga kondensatori C2 nuk ka ndikim mbi polarizimin e transistorit.
Me pranimin e kushtit IC ! !IB, vlen relacioni:

U CC

U CE  RC  RE I C . .........................................................................................................(3.19)

Ky sht ekuacioni i drejtzs statike t puns. N karakteristikat dalse t transistorve, pr

drejtzn e puns zgjidhet pozita m e prshtatshme, dhe kjo sht t jet nn hiperboln fuqis
maksimale t lejuar t disipacionit-shprndarjes dhe t siguroj brez m t gjer t lvizjes s
piks s puns n pjesn lineare t karakteristiks (figura 3.13). Nga pika prerse e drejtzs s
puns me boshtin e abshiss prcaktohet vlera e duhur e tensionit t vazhduar t burimit UCC.
N drejtzn e puns prcaktohet vendi i piks t puns, kurse me at prcaktohen edhe vlerat e
rryms s bazs IB, tensionit UCE dhe rryms IC.

Figura 3.13: Prcaktimi grafik i piks statike t puns s transistorit.

Prforcuesit

103

Rryma e ndarsit t tension R1-R2 sht shum m e madhe se sa rryma e bazs IB

U CC
!! I B ......................................................................................................................(3.20)
R1  R 2

Nse nuk merret parasysh rryma e bazs, rryma e ndarsit do t jet:

I R1 | I R2 |

U CC
, ..................................................................................................................(3.21)
R1  R2

kurse tensioni i bazs:

UB

U CC

R2
. ....................................................................................................................(3.22)
R1  R 2

Tensioni i emiterit UE sht:

UE = UB UBE = RE IE= RE(IC + IB) .............................................................................................(3.23)
dhe kshtu vijm n vlern e RE:
RE

UE
IC  I B

U E .................................................................................................................(3.24)
.
IC

Tani zgjidhet vlera e sakt e rezistencs RC prmes tensionit t kolektorit sht:

UC = UCE + UE ...........................................................................................................................(3.25)
RC

U CC  U c ........................................................................................................................(3.26)
.
IC

Me vlerat e ktilla t zgjedhura pr RE dhe RC vendoset pika e puns, kshtu q ti knaq kushtet
specifike t polarizimit.
Drejtza statike e puns ka t bj vetm pr kushtet statike t puns me rezistencn e kolektorit
dhe emiterit. Pr rrymn alternative rezistenca e kolektorit sht e lidhur n paralel me rezistencn
e konsumatorit, kurse rezistenca RE sht e lidhur shkurt me kondensatorin CE, kshtu q drejtza
e puns dinamike e ndryshon kndin kundrejt boshtit t abshiss.
Nse nuk zbatohet supozimi 3.20, qarku pr polarizim mund t transformohet sipas teorems s
Tevenenit (figura 3.14), q t bhet llogaritja e rryms IB.

Figura 3.14: Qarku elektrik i prforcuesit pr prcaktimin e piks statike t puns.



104

Elektronikaanaloge

R2
.....................................................................................................................(3.27)
R1  R 2

U BT

U cc

R BT

R1 R 2
. ...........................................................................................................................(3.28)
R1  R 2

Pr konturn e qarkut baz-emiter vlen ekuacioni:

U BT  RBT I B  U BE  I E RE

0 ................................................................................................(3.29)

Kurse pr rrymn IB fitohet:

IB

IE
. ................................................................................................................................(3.30)
E 1
Stabilizimi i piks s puns n ndryshimet e temperaturs me rezistencn RE kryhet si m

posht. Ndryshimet termike n transistor ndodhin ngadal, ndryshimet e tensionit t emiterit jan
t ngadalshme, kurse ndikimi i kondensatorit CE sht i paprfillshm. N qarkun e emiterit,
kondensatori si do q t jet nuk ekziston. Me ndryshimin e temperaturs mund t vij deri te
ndryshimi i ndonj parametri t transistorit dhe t shkaktoj zhvendosjen e piks s puns. Nse,
pr shembull, vjen deri te zhvendosja e piks s puns lart, n drejtimin e rryms shumic t
kolektorit, rritet edhe rnia e tensionit t rezistencs RE dhe zvoglohet tensioni baz-emiter, pasi
q tensioni i bazs nuk ndryshon, ai varet vetm nga tensioni i burimit t ushqimit dhe nga
rezistencat R1 dhe R2. Zvoglimi i tensionit UBE shkakton zvoglimin e rryms IB, kurse me t
zvoglohet edhe rryma IC. Rezultati prfundimtar sht se rryma IC kthehet n vlern e
mparshme. Nj korrigjim i ngjashm ndodh edhe nse zhvendoset pika e puns posht n
drejtzn e puns. N kt mnyr rezistenca RE e mban pikn e puns prafrsisht n t njjtin
vend, gjegjsisht e stabilizon.

MBAJ MEND!!!

Transistori punon si prforcues kur kalimi i emiterit sht i polarizuar drejt, kurse i kolektorit

invers (pr transistorin NPN UC > UB > UE, pr transistorin PNP UC <UB < UE).

Pr sinjale t vogla konsiderohen sinjalet q shkaktojn pak ndryshime n pozitn e piks s

puns, ashtu q t mos futet n pjesn jolineare t karakteristiks.

N brezin e lshimit t prforcuesit,kondensatort pr bashkim dhe burimet e ushqimit

konsiderohen si lidhje e shkurtr n raport me komponentin alternativ t sinjalit.

Drejtza e puns vendoset ashtu q t jet nn hiperboln e dispacioni- shprndarjes.

Me caktimin e pozits spiks s puns, prcaktohen vlerat e rryms s bazs, tensionit t

kolektorit, tensioni kolektor-emiter dhe rryma e kolektorit.

Me rezistencn RE, n qarkun e emiterit arrihet stabilizimi i piks s puns gjat ndryshimit t

temperaturs.


Prforcuesit

105

3.7.2. Metoda analitike pr llogaritjen e

parametrave t prforcuesve
Pr llogaritje t prforcimit do t prdorim skemn ekuivalente t prforcuesit t transistorit pr
rrym dhe tension alternativ pr transistor t lidhur me emiter t prbashkt, nga fig. 3.12. Skema
ekuivalente sht dhn n figurn 3.15. N skem nuk sht futur burimi pr tension t vazhduar
UCC, i cili sht nj lidhje e shkurtr pr rrymn alternative. Gjithashtu, jan larguar rezistencat R1
dhe R2 sepse vlerat e tyre jan shum m t mdha se sa vlera e parametrit h11, rezistenca RE, e
cila sht e kompensuar me kondensatorin CE pr komponentin alternativ t sinjalit dhe
rezistenca RL q stadi i prforcimit t mos jet i ngarkuar dhe llogaritja t jet m e thjesht.
Shenjat + dhe t shigjetave q shnojn tensionin e paraqesin polarizimin e tensionit alternativ
n nj moment, n t cilin shihen tensionet alternative n qarkun q t dihet a jan reciprokisht n
faz apo n faz t kundrt.

Figura 3.15: Qarku ekuivalent i prforcuesit me emiter t prbashkt.

Sistemi i ekuacioneve me parametra hibrid pr qarkun nga figura 3.15 do t jet:
U1 = h11e I1 + h12e U2
I2 = h21e I1 + h22e U2 ................................................................................................................... (3.31)
Tensioni i daljes U2 sht:
U2 = - RC I2 , ..............................................................................................................................(3.32)
kshtu q rrjedh:

I2

U 2 ...............................................................................................................................(3.33)
.
RC

Duke futur shprehjen (3.33) n ekuacionin e dyt t sistemi (3.31) dhe zgjidhje t ekuacionit sipas
I1 fitohet:

106

I1

Elektronikaanaloge

U2 1

 h22 e .
h21e RC

Tash shprehjen pr I1 do ta zvendsojm ne ekuacionin e par t sistemit (3.31) dhe pas

zgjidhjes fitojm:
U1

h  R C h11 e h22 e  h12 e h21 e 

.
U 2 11 e
h21 e R C

Kjo shprehje thjeshtohet duke futur:

'he = h11eh22e h12eh21e ............................................................................................................(3.34)

dhe ather sht:
U1

U 2

h11  RC ' he ...............................................................................................................(3.35)

h21 e RC

Nga kjo shprehje leht mund t fitohet prforcimi i tensionit si:

Au

U dal
U hyr

U2
U1

h 21 e R C
, .............................................................................................(3.36)
h11 e  R C ' h e

Shenja negative n shprehjen e prforcimit t tensionit tregon se tensioni i daljes dhe i hyrjes jan
zhvendosur pr 1800.
Me zvendsimin e shprehjes (3.27) n ekuacionin e dyt t sistemit t ekuacioneve (3.26) dhe
operacione matematikore t prsritura si m par, fitohet shprehja pr rrymn I2:
I2

h 21 e I 1
. ......................................................................................................................(3.37)
1  h 22 e R C

Prforcimi i rryms do t jet:

Ai

I dal
I hyr

I2
I1

h 21 e
. ......................................................................................................(3.38)
1  h 22 e R C

Prforcimi i fuqis sht produkt i prforcimit t tensionit dhe rryms, kshtu q kemi:
AP

Au Ai

h11 e

h212 e RC
. ..................................................................................(3.39)
 RC ' he 1  h22 e RC 

Pr shumicn e qarqeve prforcuese me transistor vlejn prafrimet- aproksimacionet e

mposhtme:
h11e !! RC'he dhe

h22eRC 1.

Me kto prafrime shprehjet pr prforcimin e tensionit, rryms dhe fuqis bhen:

Au | 

h21 e
RC
h11 e

Ai | h21e
AP |

h212 e RC
h11 e

h fe
hie

RC ............................................................................................................(3.40)

h fe .........................................................................................................................(3.41)
h 2fe RC .................................................................................................................. (3.42)
hie

Prforcuesit

107

Rezistenca hyrse e prforcuesit prcaktohet nn kushtin q tensioni dals Udal t jet i barabart
me zero, me ka zvoglohet gjeneratori i tensionit n hyrje, kshtu q kemi:
R hyr

U hyr
I hyr

h11 e

hie . ................................................................................................................(3.43)

Rezistenca dalse prcaktohet nn kushtin q qarku i hyrjes t jet i hapur, me ka bie gjeneratori
i rryms, kshtu q kemi:

Rdal

U dal
I dal

1
h22 e

1 .............................................................................................................(3.43)
.
hoe

Prforcimi i tensionit sht linearisht i varur nga vlera e rezistencs s ngarkess dhe zakonisht ka
vler t madhe. Prforcimi i rryms i prforcuesit sht i barabart me prforcim e rryms t
transistorit, rezistenca hyrse e prforcuesit sht e barabart me rezistencn e hyrjes s
transistorit, kurse ai dals n proporcion t kundrt me prueshmrin dalse t transistorit.

3.7.3. Prforcuesi me konfiguracion- kolektor t prbashkt

N kt konfiguracion, sinjal vendoset n bazn e transistorit njlloj si n lidhjen me emiter t
prbashkt, kurse dalja fitohet nga emiteri (figura 3.16). Kolektori sht i lidhur direkt me burimin e
ushqimit UCC, i cili pr sinjalin alternativ paraqet lidhje t shkurtr. Kshtu, kolektori sht i lidhur
me masn dhe paraqet elektrod t prbashkt pr hyrjen dhe daljen. Me rezistencn RE
prcaktohet drejtza e puns dhe pika e puns s transistorit, n at mnyr q tashm sht
prshkruar n stadin me emiter t prbashkt.
Skema ekuivalente e stadit pr sinjalin alternativ sht dhn n figurn 3.16 b. N skem,
transistori sht treguar me parametrat - h pr lidhje me emitter t prbashkta, q t mund t
bhet krahasimi me stadin me emiter t prbashkt. Supozimet nga stadi pr lidhje me emiter t
prbashkt n raport t C1, C2, UCC dhe RB jan marr n konsiderat, kurse lidhja paralele e RE
dhe RL sht zvendsuar me RL".

Figura 3.16a: Prforcues n lidhje me

kolektor t prbashkt

Figura 3.16b: Skema ekuivalente pr

sinjalin alternativ

108

Elektronikaanaloge

Pr rrymn dalse, e cila rrjedh n lidhjen paralele RL", sipas ligjit t II t Kirkofit pr pikn E vlen:

I dal

h fe I B  I B

fe

 1I B .......................................................................................................(3.45)

Prforcimi i rryms llogaritet si:

I dal
I hyr

AI

 1I B

fe

IB

h fe  1. ..................................................................................................(3.46)

Kjo shprehje tregon, duke marr parasysh q hfe>>1, se prforcimi i rryms sht shum m i
madh se 1.
Rezistenca hyrse Rhyr prcaktohet sipas ligjit t I t Kirkofit:

Rhyr

U hyr
IB

hie I B  U CE
. ......................................................................................................(3.47)
IB

Me futjen e shprehjes 3.44 n ekuacionin pr UCE fitohet:

U CE

RL'' I dal

RL'' 1  h fe I B ........................................................................................................(3.48)

dhe tash me futjen e (3.48) n shprehjen (3.47) fitojm:

Rhyr

hie I B  RL" 1  h fe I B
IB

hie  RL'' 1  h fe . ............................................................................(3.49)

Vlera e madhe e hfe bn q rezistenca e hyrjes t ket vler t madhe.

Prforcimi i tensionit mund t prcaktohet nga:

AU

U dal
U hyr

U CE
Rhyr I B

RL'' 1  h fe I B

hie I B  RL" 1  h fe I B

RL'' 1  h fe 

hie  RL" 1  h fe 

. ...................................................(3.50)

N kt shprehje numruesi sht m i vogl se emruesi, q do t thot se prforcimi i tensionit

sht m i vogl se 1. Ky prforcues nuk sjell ndryshim fazor t sinjalit.
Q t prcaktohet rezistenca dalse, duhet shkurtimisht t lidhet burimi i sinjalit dhe t shkyet
lidhja paralele RL". Tash skema ekuivalente merr formn si n figurn 3.17.

Figura 3.17: Skema ekuivalente pr llogaritjen e

rezistencs dalse.

Prsri, prmes ligjeve t Kirkofit, vijm deri te ekuacionet:

I2


 I B  h fe I B

1  h fe I B ....................................................................................................(3.51)

U2
Rdal

Prforcuesit

109

 I B RS  hie  .....................................................................................................................(3.52)
U2
I2

RS  hie
. .................................................................................................................(3.53)
1  h fe

Rezistenca e daljes sht shum e vogl, ajo sht me vler prej disa dhjetra :.
Prforcuesi n lidhje me kolektor t prbashkt (i njohur edhe si ndjeks emiterial) e prforcon
vetm rrymn, kurse prforcimi i tensionit sht afr 1. Ai ka rezistenc hyrse t madhe dhe
rezistenc dalse t vogl.

3.7.4. Prforcuesi me konfiguracion- baz t prbashkt

N figurn 3.18 sht dhn skema e prforcuesit me transistor me lidhje me baz t
prbashkt. Duhet t theksohet se qarku do t ishte i barabart me gjendjen kur n prforcuesin
me emiter t prbashkt vendoset i njjti tension me faz t kundrt.

Figura 3.18: Skema e prforcuesit n lidhje me baz t prbashkt.

Rezultati prfundimtar sht se ky prforcues nuk fut ndryshim t fazs t sinjalit hyrs. Tensioni
hyrs kyet mes emiterit dhe bazs. Dalja fitohet nga lidhja e kolektorit. Baza sht e lidhur me
masn pr sinjalin alternativ prmes kondensatorit elektrolitik CB.

Figura 3.19: Skema ekuivalente e prforcuesit n lidhje me baz t prbashkt.

Skema ekuivalente e prforcuesit sht dhn n figurn 3.19. Rryma hyrse ktu sht rryma
q rrjedh n rezistencn RE, kurse dalse n rezistencat e lidhur paralele RC dhe RL.
Nga skema ekuivalente rrjedh:

I dal


h fe I B

dhe

I hyr

I B  hf e I B

1  h fe I B .

110

Elektronikaanaloge

Prforcimi i rryms llogaritet si:

AI

I dal
I hyr

h fe I B

h fe

 1  h fe I B

1  h fe

| 1 .......................................................................................(3.54)

dhe sht e barabart me 1.

Rezistenca hyrse sht:

Rhyr

U hyr
I hur

hie I B
 1  h fe I B

hie
. .......................................................................................(3.55)
1  h fe

Rezistenca e hyrjes sht shum e vogl, arrin n disa dhjetra ome.

Prforcimi i tensionit llogaritet si:

AU

U dal
U hyr

 h fe I B RL''

h fe RL''

 hie I B

hie

. ............................................................................................(3.56)

Prforcimi i tensionit sht i madh dhe sht prafrsisht i barabart me prforcimin e tensionit n
stadin me emiter t prbashkt.
Rezistenca dalse sht shum e madhe Rdalov.
N tabeln 1 sht dhn krahasimi i vlerave t parametrave t caktuara pr t tre konfiguracionet
e prforcuesve.
Tabela 1
Lidhja

Emiter i prbashkt

Kolektort i prbashkt

Prforcimi i

i madh

i madh

 h fe

1  h fe

rryms
AI
Rezistenca
hyrse
Rhyr
Prforcimi i

h fe

e madhe

hie

hie  RL " 1  h fe 

i madh

i vogl

 h fe RL''

RL'' 1  h fe 

Rezistenca

e madhe

dalse

hie  R 1  h fe 
''
L

e vogl

hie
1  h fe
i madh

#1

h fe RL''
hie
e madhe

f
hie  RS
1  h fe

#1

e vogl

mesatare e madhe

hie

Rdal

i vogl

1  h fe

tensionit
AU

Baz e prbashkt

Prforcuesit

111

3.7.5. Lidhja e Darlingtonit

Kur nga transistori n prforcues krkohet t ket koeficient t prforcimit t rryms hfe
(pr shembull, 10 000), mund t zbatohet lidhja speciale e dy transistorve, e quajtur lidhje e
Darlingtonit. Lidhje mund t bhet me transistor t llojit NPN ose PNP (figura 3.20). Kjo lidhje ka
tre dalje t cilat prfaqsojn kolektor, baz dhe emiter ekuivalent. Simboli elektrik i dy
transistorve bipolar n lidhjen e Darlingtonit sht dhn n figurn 3.21.

Figura 3.20: Struktura e dy transistorve bipolar n lidhjen e Darlingtonit.

Figura 3.21: Simbolet elektrike t dy transistorve bipolar n lidhjen e Darlingtonit.

Transistort e Darlingtonit mund t prdoret n t gjitha tre konfiguracionet, por m shpesh
prdoren n konfiguracion me emiter t prbashkt dhe kolektor t prbashkt.
Pr zbatimin e lidhjes s Darlingtonit t rndsishm jan parametrat e prgjithshm h11e dhe h21e.
Ata do t llogariten me ndihmn e figurs 3.22. Pr kt llogaritje supozohet se rrymat e kolektorit
dhe emiterit t njrit transistor n nj lidhje jan t barabarta.

Figura 3.22: Skema ekuivalente e dy transistorve bipolar n lidhjen e Darlingtonit.



112

Elektronikaanaloge

Rryma e bazs e transistorit TR1 sht IB1, kurse rryma e kolektorit t tij do t jet:

I C1

h21 ' I B1 . ..............................................................................................................................(3.57)

Kjo sht n t njjtn koh edhe rryma e bazs IB2 e transistorit TR2, kurse rryma e kolektorit t tij
do t llogaritet sipas;

IC 2

h21" h21 ' I B1

h21e I B1

h21e

h21 ' h21". ...........................................................................................................................(3.58)

Koeficienti ekuivalent h21e i lidhjes s Darlingtonit sht i barabart me prodhimin e koeficienteve

h21 t transistorve ndaras t lidhjes. Ai ka vler t madhe.
Rezistenca hyrse e lidhjes s Darlingtonit sht e madhe, m e madhe se rezistenca hyrse e
transistorit t par n lidhje.
Lidhja e Darlingtonit prdoret pr prforcues nga t cilt krkohet prforcim i madh (rryms dhe
tensionit) dhe rezistenc hyrse e madhe. Nga stabilizatort me transistor krkohet rrym m e
madhe dhe pr kt arsye prdoren dy transistor bipolar n lidhje t Darlingtonit.

MBAJ MEND!!!

Prforcuesi me lidhje me emiter t prbashkt ka:

-Prforcim t madh t tensionit;
-Prforcim t rryms t barabart me koeficientin e prforcimit t rryms s

transistorit;
-Prforcim t madh t fuqis;
-Rezistenc hyrse t barabart me rezistencn hyrse t transistorit hie;
-Ka zhvendosje fazore t sinjalit n dalje n krahasim me sinjalin n hyrje pr 1800;
-Rezistenc dalse n proporcional t kundrt me prueshmrin dalse t
transistorit 1/hoe.

Prforcuesi n lidhje me kolektor t prbashkt (i njohur edhe ndjeks emiterial) e

prforcon vetm rrymn, kurse prforcimi i tensionit sht i barabart me 1. Ai ka

rezistenc hyrse t madhe, kurse rezistenc dalse t vogl dhe nuk fut zhvendosje n
faz.

Prforcimi i tensionit i prforcuesit n lidhje me baz t prbashkt sht i madh dhe

prafrsisht sht i barabart prforcimin e tensionit t stadit me emiter t prbashkt.

Prforcimi i rryms sht 1, rezistenca hyrse shum e vogl, dalse shum e madhe dhe
nuk fut zhvendosje fazore.

Me lidhjen e Darlingtonit arrihet koeficient i madh i prforcimit t rryms hfe.

Prforcuesit

113

3.7.6. Prforcues me konfiguracion burim

(source) t prbashkt
Skema elektrike e nj prforcuesi me konfiguracion me burim t prbashkt me MOSFET me
kanal-N sht dhn n figurn 3.23. Sinjali hyrs sht i lidhur me gejtin, dalja merret nga drejni,
kurse burimi sht n potencialin e mass. Me rezistencat R1 dhe R2 polarizohet gejti, kurse me RD
drejni, kshtu q n pika e puns t gjenden n rajonin aktiv, n zonn e pjess lineare t
karakteristiks dalse. Me vendosje t ktill t piks s puns prcaktohen parametrat pr sinjale
t vogla.

Figura 3.23: Skema elektrike e prforcuesit me MOSFET me konfiguracion me burim t prbashkt.

Pr skemn ekuivalente t ktij prforcuesi m t prshtatshm jan parametrat y. Skema

ekuivalente e ka formn si n figurn 3.24.

Figura 3.24: Skema ekuivalente e prforcuesit n konfiguracion me burim t prbashkt.

Ajo sht vizatuar mbi bazn e sjelljeve tashm t njohura t kondensatorve elektrolitik C1 dhe C2
dhe burimit t tensionit t vazhduar UDD pr rrym alternative. MOSFET-ti sht prezantuar nga
modeli i tij pr sinjale t vogla, n t cilin figuron gjeneratori i varur i rryms:

y21U hyr

g mU gs ........................................................................................................................ (3.59)

dhe admitansa e daljes

y22

go

1
. ...........................................................................................................................(3.60)
ro

114

Elektronikaanaloge

Duke pasur parasysh faktin se rryma e gejtit sht zero, qarku hyrs bhet i hapur dhe skema
fiton form akoma m t thjesht (figura 3.25).
Tensioni i polarizimit t gejtit prcaktohet sipas:

U GS

U DD

R2
. .................................................................................................................(3.61)
R1  R2

Figura 3.25: Skema ekuivalente e thjeshtuar.

Pika e puns qndron diku n karakteristikn UGS, e prcaktuar me kt ekuacion dhe ajo e
prcakton vlern e rryms ID. Tash mund t caktohet tensioni i drejnit UD:

UD

U DD  RD I D ...................................................................................................................... (3.62)

me ka sakt sht prcaktuar pozita e piks s puns.

Parametrat gm dhe g0 t MOSFET-it pr sinjale t vogla mund t maten sipas definicioneve:

gm |

'I D
/ 'U DS
'U GS

dhe

g0

'I D
1
/ 'U GS
|
r0 'U DS

ose t nxirren nga katalogt e prodhuesit.

Nga skema ekuivalente rrjedh:

U dal
AU

 g mU gs RLe ...............................................................................................................(3.63)
U dal
U hyr

 g mU gs RLe
U gs

 g m RLe . .........................................................................................(3.64)

Me kt prforcues futet zhvendosje n faz prej 1800.

Rezistenca hyrse e prforcuesit Rhyr sht rezistenca ekuivalente totale e par n hyrje t
prforcuesit. Ajo sht:

Rhyr

R1 R2
. ......................................................................................................................(3.65)
R1  R2

Rezistenca dalse e prforcuesit Rdal sht rezistenca e prgjithshme e shikuar prapa n skajet
dalse t prforcuesit, duke mos marr parasysh asnj lloj rezistence t jashtme:

Rdal

Prforcuesit

115

r0 RD
. ..........................................................................................................................(3.66)
r0  RD

N qarkun e burimit mund t vendoset rezistenc n paralel me nj kondensator elektrolitik, me

detyr t kryej stabilizimin nga temperatura t piks s puns n at mnyr q tashm sht
prshkruar pr prforcuesin me emiter t prbashkt (figura 3.26). Kjo mnyr e polarizimit
zbatohet pr MOSFET me kanal t ndrtuar.

Figura 3.26: Skema elektrike me stabilizim t temperaturs t piks s puns.

3.7.7. Prforcues me konfiguracion gejt (port) t prbashkt

Skema kryesore e prforcuesit sht dhn n figurn 3.27. Prcaktimi i vendit t piks s puns
sht br njlloj si pr prforcuesin me lidhje me emiter t prbashkt, me at q tash gejti sht
n potencialin e mass. Hyrja sht mes burimit dhe gejtit, kurse dalja merret nga drejni.

Figura 3.27: Skema parimore e prforcuesit n lidhje me gejt t prbashkt.

Pikn e puns do t vendosim n karakteristikn dalse, duke zgjedhur vlern e rryms ID. Shtegu
i rryms ID sht nga burimi UDD, prmes RD, prmes pjess drejn - burim t MOSFET-it dhe
prmes RSS. Rnia e tensionit n RSS sht:

U RS

I D RSS ................................................................................................................................(3.67)

kurse tensioni i gejtit do t jet:

U GS


U GG  U R SS . ....................................................................................................................(3.68)

116

Elektronikaanaloge

tensioni UGG mund t fitohet me ndarsin e tensionit R1, R2 nga tensioni UDD si:

U GG

U DD

R2
, ...................................................................................................................(3.69)
R1  R2

kurse tensioni UDS si:

U DS

U DD  RD  RSS I D

Figura 3.28: Skema ekuivalente e prforcuesit n lidhje me gejt t prbashkt.

Me kt sht caktuar pika e puns dhe mund t prcaktohen parametrat pr sinjale t vogla t
prforcuesit me ndihmn e skems ekuivalente n figurn 3.28. Sinjali i hyrje Uhyr dhe i daljes Udal
caktohen sipas:

U hyr

U gs dhe U dal

 g mU gs RLe , .........................................................................................(3.70)

me ka:

RLe

RD RL
...........................................................................................................................(3.71)
RD  RL

Prforcimi i tensionit sht:

AU

U dal
U hyr

g m RLe . ...................................................................................................................(3.72)

Rezistenca hyrse n kt konfiguracion nuk sht e pafundme. Nga prkufizimi i burimit t varur
t rryms gmUgs rrjedh se ndryshimi i tensionit t hyrjes Uhyr=Ugs shkakton ndryshim t rryms s
hyrjes t shprehur me gmUgs. Raporti i tensionit t hyrjes dhe rryms s hyrjes e jep rezistencn e
hyrjes t MOSFET-it si:

Rmosfet

 U gs
 g mU gs

1 ............................................................................................................(3.73)
.
gm

Rezistenca e hyrjes e prforcuesit sht nj lidhje paralele e Rmosfet dhe RSS:

1
gm
. .......................................................................................................................(3.74)
1
RSS 
gm

RSS

Rhyr

Prforcuesit

117

Pr prforcuesin n lidhje me gejt t prbashkt, prforcimi sht pozitiv, domethn nuk fut
zhvendosje fazore prej 1800 dhe ka nj rezistenc t vogl t hyrjes. Qarku i prforcuesit mund t
prdoret pr t prshtat ndonj stad me rezistenc t vogl t hyrjes me ndonj stad tjetr me
rezistenc t daljes t madhe, nse vendoset mes tyre.

3.7.8. Prforcues n konfiguracion me drejn (derdhje) t prbashkt

Skema elektrike e prforcuesit me MOSFET me kanal-n sht dhn n figurn 3.29.
Prforcimi i tensionit t ktij qarku sht dika m e vogl se 1. Me vendosjen e modelit t
MOSFEt-it n skemn ekuivalente pr sinjale t vogla, si sht prshkruar tashm m par,
fitohet:

U dal
U hyr

AU

g m RLe
.
1  g m RLe

..................................................................................................................(3.75)
Ky prforcues ka rezistenc hyrse t madhe dhe rezistenc t vogl t daljes dhe nuk e inverton
sinjalin (nuk fut zhvendosje n faz).

Figura 3.29: Skema elektrike e prforcuesit me MOSFET me kanal-n.

MBAJ MEND!!!

Prforcuesi me MOSFET me konfiguracion me burim t prbashkt ka prforcim t

tensionit i cili varet nga vlera e rezistencs s ngarkess, rezistenca hyrse ka vler t madhe,
kurse rezistenca dalse varet nga vlera e rezistencs dalse t MOSFET-it dhe e zhvendos n
faz sinjalin dals pr 1800.

Prforcuesi MOSFET me konfiguracion gejt t prbashkt nuk fut zhvendosje fazore t

sinjalit dhe rezistenca hyrse ka vler t vogl.

Prforcuesi me drejn t prbashkt ka prforcim t tensionit 1, rezistenc hyrse t madhe

dhe rezistenc dalse t vogl, nuk fut zhvendosje fazore t sinjalit.

118

Elektronikaanaloge

KONTROLLO NSE DIN

1. Si duhet t jen t polarizuar kalimet PN t transistorit q ai t punoj si prforcues?
2. Me ciln rezistenc prcaktohet pozita e drejtzs s puns?
3. Me ciln rezistenc sigurohet stabiliteti nga temperatura i piks s puns?
4. Cili sht roli i kondensatorve C1 dhe C2?
5. Shkruaj ekuacionin e drejtzs statike t puns.
6. Sqaro stabilizimin e piks s puns me rezistencn RE gjat ndryshimit t temperaturave.
7. Nxire shprehjen analitike pr prforcimin e tensionit dhe rryms t transistorit me lidhje me
emiter t prbashkt, baz t prbashkt dhe kolektor t prbashkt.
8. Nxire shprehjen analitike pr prforcimin e tensionit t transistori me lidhje me burim t
prbashkt, gejt t prbashkt dhe drejn t prbashkt.

3.8. Prforcues t lidhur n kaskad

Nj stad prforcues definohet si qark prforcues i cili prdor nj transistor. Kur sistemi
krkon prforcim m t madh se nga prforcimi q e jep nj stad prforcues, sht e nevojshme t
prdoret prforcues me m shum stade. N prforcuesin me shum stade, sinjali dals nga stadi
paraprak lidhet n hyrjen e stadit n vazhdim. Sinjal kalon me radh npr do stad, me ka secili
stad kontribuon n rritjen e prforcimit.
Shembulli i prforcimit t sinjaleve n frekuenca t ulta n brezin prej 20 Hz deri n 20 KHz sht
dhn n figurn 3.30. Burimi i sinjalit U1, jep sinjal me fuqi 10-6W deri 10-10W.

Figura 3.30: Lidhje kaskad e prforcuesve.

Stadi i par i kaskads duhet t siguroj prshtatje t burimit t sinjalit me rezistencn hyrse t
kaskads. Sinjali pastaj prforcohet n stadet prforcuese 1 deri n t lidhur n kaskad.
Prforcuesi i fundit n kaskad duhet t prshtatet n rezistencn e ngarkess RL n form t
altoparlantit, koks pr incizim, reles etj. Stadet prforcuese n kt zinxhir, t cilt punojn me
sinjale me fuqi m t vogla quhen para-prforcues dhe detyra e tyre sht t fitohet prforcim i
tensionit me sa m pak shtrembrime t mundshme. Prforcuesit e daljes japin prforcim t fuqis.

Prforcuesit

119

Fuqia dalse mund t dallohet pr lloje t ndryshme t ngarkesave, si pr shembull, pr

altoparlant t vegjl prej 1W, deri n stacione prej disa qindra vatsh.
Nse shnohet prforcimi i tensionit t stadeve prforcuese me AU1, AU2, AU3, ... AUn, prforcimi i
prgjithshm i tensionit t kaskads do t jet:

AU TOT

AU 1 AU 2 AU 3 .... AU n , .........................................................................................................(3.76)

ku n paraqet numrin e prgjithshm t stadeve t prforcimit.

Pr prforcimin e rryms merret:

AI TOT

AI1 AI 2 AI 3 .... AI n ...............................................................................................................(3.77)

Prforcimi i prforcuesve shpesh paraqet numr t madh. N at rast, m e favorshme sht q

prforcimi i tensionit t shprehet n decibel sipas relacionit:
AU(dB) = 20log

U dal
= 20log~AU~ .
U hyr

Kur prforcimi i stadeve t caktuara sht shprehur n decibel, pr prforcimin e prgjithshm

merret:

ATOT

AU 1 dB   AU 2 dB   AU 3 dB   .... AU n dB . ......................................................................(3.78)
KONTROLLO NSE DIN

1. far konfiguracioni shfrytzohet kur sistemi krkon prforcim m t madh nga prforcimi q e
jep nj stad prforcues?
2. ka duhet t siguroj stadi i par i kaskads?
3. far prforcuesi duhet t jet prforcuesi i fundit n kaskad dhe ka duhet t siguroj?

3.9. Llojet t bashkimeve mes prforcuesve

Prforcuesit n kaskad mundet mes veti t lidhen n tre mnyra:
- me bashkim kapacitiv;
- me bashkim t drejtprdrejt;
- me bashkim me transformator.

Figura 3.31: Bashkimi-RC i dy

prforcuesve.


120

Elektronikaanaloge

Bashkimi kapacitiv realizohet me kondensator t lidhur mes daljes s stadit paraprak dhe
hyrjes s stadit t ardhshm. N figurn 3.31 sht treguar bashkimi kapacitiv me kondensatorin
C2 mes stadit me baz t prbashkt me transistorin T1 dhe stadit me emtiter t prbashkt me
transistorin T2. Prve q siguron transmetimit t sinjalit alternativ nga stadi me T1 n stadin me
T2, kondensatori C2 mundson pikat e puns t stadeve prforcuese t vendosen pavarsisht
njra prej tjetrs.
N brezin e frekuencave t larta dhe t mesme t prforcuesve, kondensatori pr lidhje ka
impedanc shum t vogl dhe i lshon sinjalet pa i dobsuar. Impedanca e saj zmadhohet pr
frekuencat e ulta dhe ai do ti lshoj sinjalet vetm deri n kufirin e caktuar kur prforcimi i sinjalit
do t zvoglohet pr m tepr se gjysma.
N formn e karakteristiks s frekuencs ndikim m t madh kan antart RC t pranishm n
hyrje, n dalje dhe n vendet tjera n prforcues. Secili nga kto antar vepron si filtr lshues i
lart n frekuenca t ulta. Frekuenca e kufirit t poshtm e filtrit t till sht e prcaktuar nga
vlerat e kapaciteteve dhe t gjith rezistencave t lidhura paralel sipas:

fL

1
2SRekvCekv

. ........................................................................................................................(3.79)

Pr prforcuesit me m shum antar RC, si n figurn 3.31, frekuenca kufitare e ult prcaktohet
me frekuencn kufitare m t lart t njrit prej tyre.
Analiza e njjt vlen edhe pr prforcuesin me MOSFET.
Pr bashkimin me transformator vet emri tregon se sinjali mes dy stadeve prforcuese
fqinje transmetohet me transformator (figura 3.32).

Figura 3.32: Bashkimi me transformator.

Bashkimi me transformator, njsoj si edhe kapacitiv, siguron vendosje t pavarur t pikave t
puns t prforcuesit, sepse nuk lejon transmetim t komponentit t vazhduar, kurse siguron
transmetim t komponentit alternativ t sinjalit. Me zgjedhjen e numrit t shprehjeve arrihet aftsimi
i rezistencs hyrse dhe dalse t prforcuesit.

Prforcuesit

121

Bashkimi i drejtprdrejt n mes t prforcuesve sigurohet me rezistenc ose diod zener

n vend t kondensatorit pr bashkim (figura 3.33). Me kt bashkim sht mundsuar
transmetimi i komponentit t vazhduar, si edhe i sinjaleve me frekuenc shum t ult.

Figura 3.33: Bashkimi i drejtprdrejt.

Rezistenca bashkuese fut rnie t tensionit t sinjalit dhe sinjali dobsohet para se t transmetohet
n stadin tjetr. Prve ksaj, ndryshimi i piks s puns sillet si sinjal i frekuencave t ulta i cili
transmetohet n stadin tjetr dhe prfaqson sinjal t pengess.
Mbrapsja e piks s puns mund t shkaktohet nga ndryshimi i temperaturs s transistorit, e
cila ndryshon sipas nj ligji, ose mbrapsje me karakter rasti, t shkaktuar nga ndryshimi i tensionit
t ushqimit, ose nga ndryshimi i parametrave t elementeve me kohn (amortizimi).
KONTROLLO NSE DIN
1. Cilat jan mnyrat e lidhjes mes veti t prforcuesve n kaskad?
2. Cili sht roli i kondensatorit pr bashkim n frekuenca t ndryshme?
3. Nga ka varet frekuenca kufitare e poshtme e prforcuesit me bashkim kapacitiv?
4. Si sigurohet bashkimi i drejtprdrejt?

3.10. Prforcuesi n frekuenca t larta

N pjesn e mesme dhe m t lart t brezit t frekuencave, reaktancat e bashkuesve dhe
kondensatorve pr tejkalim (t vshtirsive) jan t vogla dhe ata konsiderohen si lidhej e
shkurtr. Por, me rritje t mtejme t frekuencs, paraqiten kapacitete tjera t cilt kan ndikim
mbi karakteristikn e frekuencs. Kapacitetet t cilt e kufizojn punn gjat frekuencave t larta
jan kapacitetet e vogla t lidhjeve t transistorit ose MOSFET-it, si edhe kapacitetet tjera t vogla
parazitare. Vlerat e tyre zakonisht shprehen n pF, pr ndryshim nga bashkuesit, t cilt arrijn
edhe deri n disa PF.


122

Elektronikaanaloge

Prforcues me emiter t prbashkt

Figura 3.34: Skema ekuivalente e prforcuesit me emiter t prbashkt n frekuenca t larta.

Skema ekuivalente e qarkut prforcues me emiter t prbashkt pr frekuencave t larta sht
dhn n figurn 3.34. Prforcimi i tensionit n brezin e frekuencave t mesme sht:

AU

U dal
U hyr

 h fe RLekv
hie

. .............................................................................................................(3.80)

Frekuenca kufitare e siprme sht prcaktuar nga frekuenca kufitare e siprme m e ult e njrit
prej antarve RC t qarkut. Roli dominant ktu ka kapaciteti Cbc, i cili luan rolin e lidhjes s
kundrt.
Prforcues me baz t prbashkt
Karakteristika e prforcuesit n sinjale t vogla me lidhje me baz t prbashkt sht m e
shtrir n frekuencat e larta n krahasim me karakteristikn e lidhjes me emiter t prbashkt.
Prforcuesi me lidhje me baz t prbashkt nuk e zhvendos fazn e sinjalit dhe nuk ka
kapacitet i cili krijon lidhje t kundrt. Rezistenca e hyrjes sht relativisht e vogl, re sht m
e vogl se rb pr faktorin 1+hfe. Ajo e bn konstantn hyrse reCbe m t vogl, kurse frekuencn
kufitare t siprme m lart.
Qarku ekuivalent i prforcuesit n lidhje me baz t prbashkt sht dhn n figurn 3.35.

Figura 3.35: Skema ekuivalente e prforcuesit me baz t prbashkt n frekuenca t larta.

Prforcuesit

123

Prforcuesi me burim t prbashkt

Skema ekuivalente e qarkut t prforcuesit n sinjale t vogla me lidhje me burim t prbashkt
sht dhn n figurn 3.36. N skem sht futur modeli i MOSFET-it nga figura 2.42, kurse
prforcimi pr frekuenca t mesme sht:

AU

 g m RLekv . .........................................................................................................................(3.81)

Figura 3.36: Skema ekuivalente e prforcuesit me burim t prbashkt n frekuenca t larta.

N skem sht futur edhe kapaciteti i ngarkess CL n paralel me RL. Numr m t madh t
ngarkesave reale kan komponentt kapacitiv. Frekuenca kufitare e siprme sht prcaktuar me
qarkun e gejtit.
Prforcuesi me gejt t prbashkt
Qarku ekuivalent i prforcuesit me gejt t prbashkt sht dhn n figurn 3.37. N kt
konfiguracion nuk ka kapacitete n rolin e lidhjes s kundrt dhe qarku i drejnit e prcakton
frekuencn kufitare t siprme. Brezi i lshimit i ktij prforcuesi sht m i gjer se sa i
mparshmi me burim t prbashkt.

Figura 3.37: Skema ekuivalente e prforcuesit me gejt t prbashkt n frekuenca t larta.

124

Elektronikaanaloge

Prforcues me kolektor t prbashkt dhe me drejn t prbashkt

Karakteristik kryesore e ktyre konfiguracioneve sht rezistenca dalse e vogl dhe ato shpesh
quhen ndjeks t tensionit, sepse prforcimi i tyre i tensionit sht prafrsisht 1. Pjesa dalse e
ktyre qarqeve ka frekuenc kufitare t siprme shum t lart, pothuajse t barabart me
frekuencn kufitare t transistorit, gjegjsisht MOSFET-it. Pjesa hyrse mund t ket rezistenc
hyrse t madhe, por kapaciteti i hyrjes sht i vogl dhe ai mundson frekuenc kufitare t
siprme mjaft t madhe. Si prfundim, kto qarqe nuk e kufizojn karakteristikn e prgjithshme t
frekuencs pr frekuenca t larta n qarqe prforcuese me shum stade.

MBAJ MEND!!!
Lidhja kaskad prmban m shum stade prforcuese duke prshtatur sinjalin e hyrjes, n dalje
kah ngarkesa dhe prshtatjen mes veti t stadeve prforcuese.

Prforcimi i prgjithshm i kaskads sht produkt i prforcimeve individuale t stadeve

prforcuese. Nse maten n dB, prforcimi i prgjithshm sht shuma e prforcimeve individuale
t shprehur n dB.

Stadet prforcuese n kaskad mes veti lidhen n mnyr: kapacitive, drejtprdrejt ose me
lidhje t transformatorit.

Kapacitetet e kalimeve PN t transformatorit dhe MOSFET-it e prcaktojn frekuencn kufitare

t siprme t prforcuesve n frekuenca t larta.

KONTROLLO NSE DIN

1. Cili kapacitet ka rol dominant n transistorin me lidhje me emiter t prbashkt gjat
frekuencave t larta?
2. A ka transistori me lidhje me baz t prbashkt n frekuenca t larta kapacitete t cilt krijojn
lidhje t kundrt?
3. Cili qark e prcakton frekuencn e siprme kufitare n transistorin n lidhje me burim t
prbashkt, dhe cili n transistorin n lidhje me gejt t prbashkt?
4. Cilat konfiguracione quhen ndjeks t tensionit dhe pse?

Prforcuesit

125

3.11. Prforcuesit diferencial

Prforcuesi diferencial sht prforcues me dy hyrje, njra quhet invertuese dhe shnohet me "" dhe tjetra joinvertuese dhe shnohet "+". N t dy hyrjet barten dy sinjale t ndryshme, U1 dhe
U2. Prforcuesi ka vetm nj dalje.
Bllok-skema e prforcuesit diferencial sht dhn n figurn 3.38. Tensioni i ushqimit mund t
jet i vetm, si n figurn 3.1, apo i dyfisht, si n figurn 3.38b. Pika e mass n mnyr
"elektrike" caktohet mes vlerave +U dhe -U.

Figura 3.38: Bllok- skema e prforcuesit diferencial.

N t dy hyrjet lidhen dy sinjale hyrse dhe prforcuesi diferencial prforcon diferencn e tyre.
Dallimi i dy tensioneve hyrse quhet tension diferencial dhe shnohet me UD.
Sinjali diferencial hyrs sht:

Ud

U 2  U1 , ...........................................................................................................................(3.82)

kurse prforcimi diferencial Ad:

Ad

U dal ................................................................................................................................(3.83)
.
Ud

Sinjali n faz i UC definohet si vler mesatare e t dy tensioneve hyrse:

UC

U1  U 2
, ..........................................................................................................................(3.84)
2

kurse prforcimi i Ac n faz si:

Ac

U dal .................................................................................................................................(3.85)
.
Uc

Tensioni i daljes i prforcuesit diferencial Udal varet nga dy t llojet e sinjaleve t hyrjes sipas
relacionit:

U dal

U d Ad  U c Ac . .................................................................................................................(3.86)

126

Elektronikaanaloge

Secili nga sinjalet hyrse ka ndikim t kundrt mbi daljen. N figurn 3.39 jan paraqitur n
mnyr grafike sinjalet hyrse dhe dalse t prforcuesit diferencial.

Figura 3.39: Shfaqja grafike e sinjaleve hyrse dhe dalse.

Pr shkak t ndryshimit t fazs, hyrja (-) quhet invertuese, kurse hyrja (+) joinverutes. Analiza
mund t prmblidhet n mnyrn si vijon: kur polariteti i tensionit diferencial prputhet me shenjat
hyrse, dalja do t jet pozitive, kurse kur sht i kundrt, dalja sht negative.
Detyra e prforcuesit diferencial sht t forcoj diferencn- ndryshimin e tensioneve t sinjaleve
hyrse dhe t mos reagoj n ndryshimet e tensionit t cilat paraqiten n drejtim t njjt n t dy
hyrjet. Pr nj prforcues diferencial ideal, prforcimi i n faz sht zero, tensioni i daljes nuk
varet nga sinjali n faz. Prforcuesi i mir real duhet t ket prforcim njfazor shum t vogl,
kurse faktori i shtypjes i sinjali n faz, i shprehur prmes:

Ad
. ...................................................................................................................................(3.87)
Ac

duhet t jet sa m i madh q t jet e mundur.

Ky faktor mund t shprehet edhe n decibel si:

U (dB) 20 log

Ad
...................................................................................................................(3.88)
Ac

ose

U (dB)

Ad (dB)  Ac (dB). ........................................................................................................(3.89)

Veti e rndsishme e prforcues diferencial sht sepse eliminon sinjalet e padshiruara

dhe zhurmn. Kur sillet sinjal diferencial nga nj vend i largt, n t dy telat e furnizimit mund t
induktohet sinjali i padshiruar si sinjal n faz. Nse prforcimi n faz sht i vogl, ai do t
eliminohet dhe sinjali i krkuar diferencial do t prforcohet pr faktorin Ad.

Prforcuesit

127

3.11.1. Karakteristika kalimtare e prforcuesit diferencial

Karakteristika kalimtare e prforcuesit diferencial jepet n figurn 3.40.

Figura 3.40: Karakteristika kalimtare e prforcuesit diferencial.

Zona e puns, e prcaktuar nga pozita e piks s puns, sht e vendosur n pjesn e pjerrt t
karakteristiks. Pr rajonin jasht zons s puns, prforcuesi sht n zonn e ngopjes, q do t
thot sado q t rritet tensioni diferencial hyrs, tensioni i daljes nuk mund ta tejkaloj vlern e
tensionit t ushqimit n drejtimin negativ ose n drejtimin pozitiv.

3.11.2. Konfiguracioni real i prforcuesit diferencial

Qarku i prforcuesit diferencial themelore me transistor dypolar sht dhn n figurn 3.41.
Qarku sht simetrik ndaj vijs vertikale nprmjet mesit. I njjt sht edhe qarku i krijuar me
MOSFET.
Pr caktimin e pozits s piks s puns prdoren dy burime t ushqimit +UCC dhe -UEE. Nse nuk
ka sinjale n hyrje, U1 dhe U2 jan zero dhe bazat e t dy transistorve jan n potencial t mass.

Figura 3.41: Skema elektrike e prforcuesit diferencial.



128

Elektronikaanaloge

Kalimet e emiterit jan t polarizuara direkt, kurse emitert jan n tension -0,7 V. Rryma prmes
rezistencs RE prcaktohet sipas:

I RE

 0,7V  (U EE ) ............................................................................................................(3.90)

.
RE

Nse transistort jan simetrik (me karakteristika t barabarta), mund t shkruhet:

I E1

IE2

1
I R . ......................................................................................................................(3.91)
2 E

Kjo paraqet nj moment t rndsishm pr t kuptuar prforcuesin diferencial. Me tensionin -UEE

dhe rezistencn RE prcaktohet rryma e bazn n pikn e puns t secilit transistor, kurse me
tensionet dalse U1 dhe U2 prcaktohet se si rryma e bazs do t vendoset n mes t dy anve t
prforcuesit.

3.11.3. Prforcimi diferencial

Prforcuesi diferencial ka vetm prforcim diferencial, kurse prforcimi i sinjaleve n faz
sht e barabart me zero. N rastin e till kemi:
U1

Ud
dhe U 2
2

U2
2

Dhe me zmadhimin e sinjalit diferencial, U1 zmadhohet n drejtimin pozitiv, kurse U2 n drejtimin

negativ. Rryma e emiterit IE1 e njrit transistor do t rritet, kurse IE2 e transistorit tjetr do t
zvoglohet. Rryma e prgjithshme prmes RE nuk ndryshon, tensioni n pikn A nuk ndryshon,
sikur t jet i mass. Pr kt arsye, pika A quhet masa virtuale pr sinjal alternativ.

Figura 3.42: Gjysma e prforcuesit diferencial n lidhje me emiter t prbashkt.

Prforcuesit

129

Tani analiza thjeshtohet, kshtu q gjysma e prforcuesit diferencial bhet prforcues emiterial
normal, i paraqitur n figurn 3.42. Prforcimi i tij sht i madh, ai sht prforcim diferencial i
gjith prforcuesit:

Ad |

RC
. ................................................................................................................................(3.92)
2hie

Pr qllime t caktuara, dalja mund t jet e lidhur me dy kolektor, si tregohet n figurn 3.43.
Me kt qark fitohet tension diferencial dals, i definuar si:
Udal=Udal1-Udal2..........................................................................................................................(3.93)
dhe ai sht dy her m i madh se shembulli i mparshm. Prforcimi i ktij qarku sht:

Ad |

RC
. .................................................................................................................................(3.94)
hie

Figura 3.43: Prforcues diferencial me dalje n mes t dy kolektorve.

3.11.4. Prforcimi n faz t njjt

Pr analizn e prforcimit n faz rezistenca RE e skems nga figura 3.40 mund t ndahet n
dy pjes t barabarta, secila me nj vler 2RE, si sht dhn n figurn 3.44.

Figura 3.44: Prforcues diferencial pr llogaritjen e prforcimit n faz.

130

Elektronikaanaloge

Prsri, secila gjysm e qarkut sht prforcues me emiter t prbashkt, kurse me kushtin q
vlera e RE t jet shum m e madhe se hie, prforcimi n faz do t jet:

AC |

RC ................................................................................................................................(3.95)
.
2 RE

Pr vler m t madhe t faktorit t shtypjes duhet t rritet Ad duke rritur hfe dhe Rc, ose t
zvoglohet Ac duke zmadhuar rezistencn RE.
Rezistenca RE nuk mund t zmadhohet pakufi, me at zvoglohet rryma npr transistor dhe
prforcimi diferencial. Zgjidhje m e mir fitohet n qoft se n vendin e RE dhe Rc ndrtohet
gjenerator rryme, si n figurn 3.45. Ky konfiguracion shpesh prdoret n prforcuesit diferencial
t integruar modern ose n prforcuesit operacional.

Figura 3.45: Prforcues diferencial me gjenerator rryme.

3.11.5. Gjeneratori i rryms

Gjeneratori i rryms sht burim i rryms konstante. N sistemet analoge t integruara
moderne me prdorimin e gjeneratorit t rryms pr polarizimin e transistorit, arrihet stabilitet m i
madh i piks s puns statike, kurse me rezistencn e saj dinamike t madhe rritet faktori i
shtypjes U i prforcuesit diferencial.
Skema e gjeneratorit t rryms me transistor bipolar sht dhn n figurn 3.46.

Prforcuesit

131

Figura 3.46: Skema elektrike e gjeneratorit t rryms.

Transistort e prdorur T1 dhe T2 jan identik, q do t thot se ata kan t njjtat rryma,
IB1 = IB2 = IB, IC1 = IC2 = IC dhe UBE1 = UBE2 = UBE.
Rryma IR npr rezistencn R llogaritet sipas:

IR

U CC  U EE  U BE  . ...........................................................................................................(3.96)
R

Pr nyjn, t shnuar me K vlen:

IR

2 I B  I C ............................................................................................................................(3.97)

dhe nse merret se IC=EIB, pr rrymn IC fitohet:

IC

IR
1

I 0 . ......................................................................................................................(3.98)

Me zgjedhjen e transistorve me E t madhe, rryma IC mbetet e barabart me rrymn npr

rezistencn IR, gjegjsisht IC=IR. Nga t dy ant e vijave vertikale t ndrprera fitohen rryma
identike, me ka ky qark quhet pasqyr e rryms. Rryma IR ka nj vler konstante dhe mundet dhe
mund t prfundohet se transistori T2 sht burim i rryms konstante pr qarkun e prfshir me
vija t ndrprera. Skema ekuivalente e ktij qarku paraqitet si gjenerator i rryms me rezistenc
dinamike R0 t lidhur n paralel.

3.11.6. Tensioni i korrigjimit (tensioni offset)

Proceset e prodhimit t transistorve nuk mundsojn q t bhet qark i sakt i balancuar dhe
t fitohet tension n dalje 0, kur n hyrje vendosen sinjale t njjt, por n kundr faz. Prandaj,
krkohet tension i vazhduar i caktuar pr balancim plotsues t hyrjeve t prforcuesit diferencial,

132

Elektronikaanaloge

t quajtur tension i korrigjimit (tension offset). Ky tension ka nj vler t vogl dhe fitohet me
element shtes jasht prforcuesit diferencial.
Prforcuesi diferencial paraqet njrin nga konfiguracionet e rndsishme me zbatim shum t
madh. Ai paraqet qark prforcues n hyrjen e prforcuesit operacional, pastaj n shum
instrumente prforcuese dhe komparator (krahasues).

MBAJ MEND!!!

Prforcuesi diferencial sht qark prforcues me dy hyrje i cili e prforcon ndryshimin e

tensioneve t sinjaleve hyrse dhe nuk reagon n ndryshimet e tensionit n faz t cilt
paraqiten njkohsisht n t dy hyrjet e tij.

Sinjali i hyrjes sht diferencial kur t dy sinjalet e hyrjes ndryshojn n drejtime t

kundrta.

Sinjal n faz kemi kur t dy sinjalet hyrse ndryshojn n t njjtin drejtim.

Prforcuesi diferencial ideal ka vetm prforcim diferencial, kurse ndryshimi n faz sht

zero.

Me zbatimin e gjeneratorit t rryms prmirsohet faktori i shtypjes s prforcimit n faz.

KONTROLLO NSE DIN

1. Vizato bllok-skemn e prforcuesit diferencial dhe defino: sinjal diferencial hyrs, prforcim
diferencial, sinjal n faz dhe prforcim n faz.
2. Sa prforcimi n faz tek prforcuesit diferencial ideal?
3. Defino faktorin e shtypjes t sinjalit n faz?
4. Cilat burime prdoren pr prcaktimin e pozits s piks s puns?
5. Sa sht prforcimi n faz tek prforcuesit diferencial ideal?
6. ka arrihet me prdorimin e gjeneratorit t rryms pr polarizim t transistorit?

3.12. Prforcues me lidhje t kundrt

Me nocionin lidhje e kundrt nnkuptohet prcjellja e nj pjese t energjis dalse t
prforcuesit n hyrjen e tij. Kjo do t thot, nj pjes e tensionit t daljes ose rryms s daljes
kthehet nga dalja kah hyrja, ku s bashku me sinjalin hyrs eksitohet prforcuesi.
Lidhjet e kundrta mund t jen parazitare ose konstruktive. Lidhjet parazitare vendosen prmes
rrugve rezistive, kapacitive ose induktive, pavarsisht nga dshirat tona. Lidhjet konstruktive

Prforcuesit

133

realizohen n mnyr t vetdijshme, me qllim t prmirsimit kualitativ t disa vetive ose

parametrave t prforcuesit.
Bllok-skema kryesore e prforcuesit me lidhje t kundrt sht treguar n figurn 3.47.

Figura 3.47: Bllok-skema e prforcuesit me lidhje t kundrt.

Qarku i lidhjes s kundrt sht shnuar me E. Tensioni i lidhjes s kundrt Ur e shnon pjesn e
sinjalit dals, q kthehet n hyrje prmes qarkut t lidhjes s kundrt. Me Up sht shnuar sinjali
eksitus, i fituar si sinjal rezultante e veprimit t prbashkt t tensionit t hyrjes Uhyr dhe tensionit t
lidhjes s kundrt Ur.
N rastin e prgjithshm, prforcuesi A nuk sht e thn t jet prforcues me nj stad. Ai mund
t jet i prbr nga m tepr stade. Faza e sinjalit t kthyer mund t prputhet me fazn e sinjalit
hyrs Uhyr, ose mund t dallohet 1800. Nse faza e sinjalit t hyrjes dhe faza e sinjalit t kthyer
prputhen ather kemi lidhje t kundrt pozitive. Kur fazat e sinjalit hyrs dhe sinjalit t kthyer
dallojn pr 1800, lidhja e kundrt quhet lidhje e kundrt negative.
Lidhja e kundrt pozitive dhe negative kan ndikime t ndryshme n karakteristikat e prforcuesit.

3.12.1. Prforcimi me lidhje t kundrt

Pr prforcuesin me lidhje t kundrt negative, sinjali eksitues paraqet dallimin mes sinjalit hyrs
dhe sinjalit t reagimit-t kthyer:
Up = Uhyr Ur , ..........................................................................................................................(3.99)
kurse prforcimi me lidhje t kundrt sht:
Ar

U dal ..............................................................................................................................(3.100)
.
U hyr

Prforcimi i prforcuesit pa qarkun e lidhjes s kundrt sht:

U daL .............................................................................................................................(3.101)
,
Up

dhe nga kjo shprehje fitohet vlera e sinjalit eksitues si:

U

U dal ..............................................................................................................................(3.102)
.
A

134

Elektronikaanaloge

Qarku i lidhjes s kundrt definohet me koeficientin e reagimit (thellsis) E, si raport i sinjalit

dals dhe t kthyer:

U r ...............................................................................................................................(3.103)
,
U dal

kurse pr tensionin e kthyer Ur kemi:

Ur

EU dal . ............................................................................................................................(3.104)

Koeficienti i lidhjes s kundrt E sht m i vogl se 1, sepse tensioni Ur sht pjes e tensionit t
daljes. N praktik, vlera e koeficientit t lidhjes s kundrt negative E sillet n kufijt 0,05 deri n
0,2.
Me zvendsimin e shprehjeve pr tensioni Up (93.94) dhe Ur (3.96) n (3.92) fitohet:

U dal
A

U hyr  EU dal

ose

U hyr

U dal
 EU dal
A

 E U dal
A

1  AE
U dal , .................................................................(3.105)
A

dhe prfundimisht, shprehja pr prforcim i prforcuesit me lidhje t kundrt negative sht:

Ar

U dal
U hyr

A
. .............................................................................................................(3.106)
1  AE 

Emruesi i ksaj shprehje sht m i madh se 1, kshtu q kemi:

gjegjsisht prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt negative sht m i vogl se prforcimi i t

njjtit prforcues pa zbatimin e lidhjes s kundrt negative.
Prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt pozitive mund t llogaritet n mnyr pothuajse t
njjt, nse nisemi nga shprehja:
Up = Uhyr + Ur , .........................................................................................................................(3.107)
gjat s cils n fund fitohet:

Ar

A
, ........................................................................................................................(3.108)
1  AE 

dhe pasi q emruesi sht m i vogl se 1, rrjedh:

Prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt pozitive sht m i madh se prforcimi i t njjtit

prforcues por pa lidhjen e kundrt pozitive.
Emruesi n shprehjet pr prforcimin me lidhje t kundrt quhet funksion i lidhjes s kundrt.
Vlern e tij e prcakton prodhimi AE:

AE

Prforcuesit

U dal U r

U p U dal

135

Ur
. ............................................................................................................(3.109)
Up

Sinjali ekzistues Up, i cili vepron n lidhjet hyrse t prforcuesit, prforcohet A her n vet
prforcuesin. Pastaj, ai transmetohet prmes qarkut t lidhjes s kundrt duke u shumzuar me
koeficientin e reagimit E. N kt mnyr sht br nj shteg rrethor, kurse prodhimi AE sht
quajtur prforcim rrethor.
Shpesh, fuqia e lidhjes s kundrt shprehet n dB si:
N

20 log

Ar
dB . .................................................................................................................(3.110)
A

Pr lidhjen e kundrt negative kemi:

N

20 log

1
 0,
1  AE

kurse pr pozitiven:

20 log

1
! 0.
1  AE

Kshtu, pr shembull, nse fuqia e lidhjes s kundrt sht shprehur me numrin -20, kemi t
bjm pr lidhje t kundrt negative dhe prforcimi sht zvogluar pr 20 dB n raport me t
njjtin prforcues pa zbatimin e lidhjes s kundrt.

3.12.2. Llojet t lidhjeve t kundrta negative

Sipas mnyrs s lidhjes s qarkut pr lidhje t kundrt n dalje, dallojm lidhje t kundrt
negative t rryms dhe tensionit.

Figura 3.48: Voltage dhe elektrike reagime negative.

Lidhje t kundrt t tensionit kemi kur tensioni

i lidhjes s kundrt sht proporcional me

tensionin e daljes (figura 3.48a). Impedanca hyrse e qarkut pr lidhje t kundrt duhet t jet m
e madhe nga impedanca e ngarkess (RL), q t mos e ngarkoj daljen e prforcuesit. Lidhje t
kundrt t rryms kemi kur tensioni i lidhjes s kundrt sht proporcional me rrymn e daljes
(figura 3.48b). Impedanca e hyrjes e qarkut pr lidhje t kundrt duhet t jet m e vogl se


136

Elektronikaanaloge

impedanca e ngarkess, q mos ta zvogloj rrymn e daljes. Lidhje t kundrt negative

paralele kemi kur tensioni i lidhjes s kundrt Ur lidhet paralelisht n tensionin eksitues t hyrjes
(figura 3.49a).
Lidhje t kundrt negative serike kemi kur tensioni i lidhjes s kundrt Ur lidhet n mnyr serike
me sinjalin hyrs Uhyr (figura 3.49b).

Figura 3.49: Lidhja e kundrt negative paralele dhe serike.

Qarku pr lidhje t kundrt, nprmjet t cilit kthehet nj pjes e sinjalit t daljes n hyrje, mundet
t ket form t ndryshme dhe t jet i prbr nga elemente aktive dhe pasive. M shpesh hasen
qarqe pasive pr lidhje t kundrt.

Figura 3.50: Lidhja e kundrt serike e tensionit.

N figurn 3.50 tregohet lidhja e kundrt serike n raport me hyrjen, kurse e tensionit n raport
me daljen. Qarku pr lidhjen e kundrt sht i prbr nga ndarsit e tensionit R1, R2, kurse
tensioni n skajet e tij sht:

U DAL

R1  R2 I .

..................................................................................................................(3.111)

Tensioni i lidhjes s kundrt sht:

Ur

R2 I . ............................................................................................................................... (3.112)

Ktu supozohet se rryma e ndarsit I nuk rrjedh npr qarkun e hyrjes, pr shkak t rezistencs s
tij hyrse t madhe. Koeficienti i lidhjes s kundrt sht:


E

Prforcuesit
Ur
U dal

R2 I

 R1  R 2  I

137

R2
. ...........................................................................................(3.113)
R1  R 2

N figurn 3.51, qarku pr lidhje t kundrt sht i lidhur n paralel n raport me hyrjen, q do t

thot se kemi lidhje t kundrt negative t tensionit.

Figura 3.51: Lidhja e kundrt paralele
e tensionit

Figura 3.52: Lidhja e kundrt serike

e rryms

N figurn 3.52, qarku i lidhjes s kundrt prezantohet me rezistencn Rr t lidhur n seri me

ngarkesn RL. N t dy rezistencat rrjedh e njjta rrym dalse, q do t thot se n raport me
daljen kemi lidhje t kundrt t rryms. Koeficienti i lidhjes s kundrt sht:

Rr I dal
RL I dal

Rr ................................................................................................................(3.114)
.
RL

Figura 3.53: Lidhja e kundrt serike e kombinuar tension-rrym.

Figura 3.53 paraqet reagim t kombinuar n raport me daljen. Ktu ekziston lidhja e kundrt serike
tension-rrym. Tensioni i lidhjes s kundrt sht i prbr nga tensionet e skajeve t rezistencave
R2 dhe Rr:

Ur

U R 2  U Rr . ......................................................................................................................(3.115)

Pr tensioni UR2 kemi:

U R2

R2
U dal , ..............................................................................................................(3.116)
R1  R2

kurse pr URr kemi:

138

Elektronikaanaloge

U Rr

Rr I dal

Rr

U dal
RL

Rr
U dal . ............................................................................................(3.117)
RL

Me zvendsimin e (3.115) dhe (3.116) n (3.117) kemi:

kurse pr koeficientin e lidhjes s kundrt:

Ur
U dal

R2
R
 r . ........................................................................................................(3.118)
R1  R2 RL

3.12.3. Stabiliteti i prforcuesit me lidhje t kundrt

Me zbatimin e lidhjes s kundrt pozitive rritet prforcimi, i cila n shikim t par mund t
paraqet prparsi n krahasim me zbatimin e lidhjes s kundrt negative. Megjithat, rreziku i
fsheht

i lidhjes s kundrt pozitive qndron n mundsin e shfaqjes s vetoshilimeve t

prforcuesit, ka e bn t pa prshtatshm pr qllimin pr t cilin sht vendosur.

N qoft se emruesi n shprehjen pr prforcimin me lidhje t kundrt pozitive (1-AE) merr vlern
zero, kurse kjo ndodh kur AE=1, prforcimi bhet pafundsisht i madh. Shikuar nga shprehja 3.92:

Ar=Udal/Uhyr tensioni Uhyr bhet i barabart me zero, q do t thot se prforcuesi jep dalje edhe pa
pasur sinjal n hyrje. Kjo sht karakteristik pr punn e oshilatorit.
Si sht e njohur, sinjali i daljes s nj prforcuesi sht i zhvendosur n faz pr S (1800) n
krahasim me sinjalin e hyrjes. Varsia fazore mes tensionit t daljes dhe tensionit t hyrjes, e
dhn n figurn 3.9. tregon se pr frekuencat e ulta dhe t larta t brezit t lshimit, vjen deri tek
devijimi m i madh n faz pr dallim

nga frekuencat e mesme. Tek shumica e stadeve

prforcuesve, devijimet e dallimeve fazore pr do stad mblidhen, ka mund t sjell n gjendjen q

ata t arrijn 2S ose 4S e kshtu me radh. Pr prforcuesin me lidhje t kundrt negative kjo do t
thot kalim n regjimin me lidhje t kundrt pozitive dhe paraqitje t vet oshilimeve.
Prve zvoglimit t prforcimit, kjo sht edhe nj dobsi serioze e lidhjes s kundrt negative.

3.12.4. Qndrueshmria e prforcimit t prforcuesit me lidhje t

kundrt negative
Kur vlera e nj cikli prforcimi AE sht shum e madhe (AE>>1),prforcimi me lidhje t kundrt
bhet:

Ar

Prforcuesit

A
AE

139

. .........................................................................................................................(3.119)

Prforcimi Ar, n kt rast, bhet i pavarur nga prforcimi i t njjtit prforcues pa lidhje t kundrt
negative A. Kjo do t thot se prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt negative nuk do t varet
nga parametrat dhe elementet e ndryshueshm t prforcuesit, por vetm nga vetit e qarkut pr
lidhje t kundrt.
Ky sht nj avantazh i rndsishm, i arritur me lidhjen e kundrt negative, sepse
amortizimi, temperatura, zvendsimi i elementeve aktive dhe pasive mund t shkaktoj ndryshim
n prforcimin e prforcuesit pa lidhje t kundrt negative. Prforcimi tani varet vetm nga
karakteristikat e qarkut pr lidhje t kundrt, dhe kjo zakonisht realizohet me elementet pasive t
cilat mund t jen me karakteristika t qndrueshme.

3.12.5. Zgjerimi i brezit t lshimit

Karakteristika e amplituds e secilit prforcues, n rastin e prgjithshm, tregon se prforcimi
sht m i vogl pr frekuencat m t ulta se sa frekuenca kufitare e poshtme fp dhe pr
frekuenca m t larta se sa frekuenca kufitare e siprme fl (figura 3.54a). Sipas ksaj, nse n
hyrje vepron sinjal konstant pr far do lloj frekuence, n dalje do t fitohet sinjal q sht uniform
dhe m tepr i prforcuar n frekuenca t mesme, kurse n frekuenca t ulta dhe t larta
prforcimi do t jet m i vogl. Nse n kt prforcues lidhet qark pr lidhje t kundrt negative,
prmes ktij qarku kthehet nj pjes e sinjalit dals Ur, i cili ka faz t kundrt nga sinjali i hyrjes.
Amplituda e ktij sinjali zmadhohet pr frekuencat e ulta dhe t larta. Pas zbritjes s sinjalit t
hyrjes, fitohet sinjal eksitues si n figurn 3.54b. Rezultati prfundimtar, i paraqitur n figurn
3.54c tregon se ka ardhur deri tek devijimi i frekuencs kufitare t siprme dhe poshtme, ashtu q
fitohet brez lshimi i zgjeruar i prforcuesit.

Figura3.54: Zgjerimi i brezit t lshimit.

140

Elektronikaanaloge

3.12.6. Llojet e deformimeve

Shtrembrimi sht ndryshim i forms s sinjalit t daljes n raport me sinjalin e hyrjes.
Shtrembrimet mund t jen lineare dhe jolineare.
Shtrembrimet lineare paraqesin ndryshim t amplituds dhe fazs s sinjalit, q do t thot se
ekzistojn shtrembrime lineare n amplitud dhe faz. N brezin e lshimit prforcimi i
prforcuesit sht konstant dhe amplituda e sinjalit dals pr ciln do frekuenc n at brez
duhet t jet m e madhe A-her. Deri tek shtrembrimi linear i amplituds vjen tek sinjalet
frekuencat e t cilit jan jasht brezit t lshimit. Devijimi i fazs s sinjalit t daljes n krahasim
me sinjalin e hyrjes, i treguar me karakteristikn fazore n figurn 3.9, prfaqson shtrembrime
fazore lineare.
Shtrembrimet jolineare vijn n shprehje pr shkak t jolinearitetit t karakteristikave t
elementit prforcues aktiv. Ata manifestohen n prforcimin e pabarabart t gjysm periods
pozitive dhe negative t sinjalit. Kur nj prforcues pa lidhje t kundrt negative bashkohet me
sinjal t pastr sinusoidal, i cili hyn n pjesn jolineare t karakteristiks s prforcuesit, prve
lakores-harmoniks kryesore t sinjalit hyrs t prforcues, n dalje do t paraqiten edhe
komponent t tjer harmonik. Komponentt harmonik mund t jen m t mdhenj ose m t
vegjl, ka varet nga pjesa jolineare e karakteristiks.
Vlera momentale tensionit periodik kompleks ka formn:

u U1m sin Zt  M1   U 2 m sin 2Zt  M 2   U 3m sin 3Zt  M3   ... ...........................................(3.120)

ku :
U1m sht amplituda e tensionit e harmoniks s par me frekuenc f,
U2m sht amplituda e tensionit e harmoniks s dyt me frekuenc 2f e kshtu me radh. ,
Vlera efektive e tensionit periodik kompleks Uef sht:

Ue f

U 21ef  U 2 2 ef  U 2 3ef  ... ...........................................................................................(3.121)

Madhsia e shtrembrimeve jolineare shprehet me faktorin e prgjithshm t shtrembrimeve

jolineare ose faktori klir (faktori i vals bredhse) K si:

U 22ef  U 32ef  ...

U1ef

. ...........................................................................................................(3.122)

Ndikim m t madh mbi faktorin K ka tensioni i harmonikut t dyt, tensionet e harmonikve tjer
m t lart mund t mos merren parasysh. Nse mbshtetemi vetm n harmonikun e dyt , pr
shkak t thjeshtimit, pr faktorin K t harmonikut t dyt K2 fitojm:

K2

U 2m
. .............................................................................................................................(3.123)
U1m

Tensioni i harmonikut t dyt ekziston vetm n dalje, kurse n hyrje nuk e kemi. Amplituda e tij
nuk varet nga prforcimi, por vetm nga jolineariteti i karakteristiks s prforcuesit.


Prforcuesit

141

3.12.7. Reduktimi i shtrembrimeve jolineare

Nse vendoset lidhje e kundrt negative, sinjali i daljes do t zvoglohet, q do t thot se edhe
tensioni i harmonikut t dyt do t zvoglohet dhe do t bhet:
U2mr = U2m AEU2mr, ...............................................................................................................(3.124)
gjegjsisht:
ose

U 2 mr

U 2m
. .......................................................................................................................(3.125)
1  AE

I dyti, si edhe do harmonik tjetr tek prforcuesit me lidhje t kundrt zvoglohet n raport me
harmonikun e dyt t prforcuesit pa lidhje t kundrt, ashtu si zvoglohet edhe prforcimi.
Nse ndahet ekuacioni 3.109 me U1m fitohet faktori K i harmonikut t dyt:

K2r

K2
.......................................................................................................................(3.126)
1  AE 

ose pr harmonikun e n-t:

K nr

Kn
. .......................................................................................................................(3.127)
1  AE 

ku me K2 sht shnuar faktori klir i harmonikut t dyt pa lidhje t kundrt, kurse me K2r faktori klir
me lidhje t kundrt negative.

3.12.8. Ndikimi i lidhjes s kundrt negative mbi zhurmat

Zhurmat q paraqiten n dalje t prforcuesit, rrjedhin nga burimi i sinjal eksitues (nga
stadet paraprake) dhe nga elementet e vet prforcuesit.
Tensioni i zhurms UN, i cili shkon s bashku me tensionin e sinjalit t dobishm US, prforcohet
njlloj edhe si sinjali i dobishm. Duke supozuar se prforcuesi nuk fut asnj lloj zhurme, raporti
sinjal-zhurm US/UN, i cili ekziston n hyrje t prforcuesit do t mbetet i pandryshuar edhe n
dalje:

U Sdal
U N dal

U Shyr
U N hyr

. ...................................................................................................................... (3.128)

142

Elektronikaanaloge

Me futjen e lidhjes s kundrt negative zvoglohet sinjali i dobishm pr (1+AE)-her. E njjta do t

vlej edhe pr sinjalin e zhurms. Sipas ksaj, pr raportin sinjal-zhurm n dalje do t fitohet:

e cila tregon se kjo marrdhnie edhe me aplikimin e lidhjes s kundrt negative nuk ndryshon.
Megjithat, i njjti prfundim nuk vlen pr zhurmat e krijuara n vet prforcuesin. Ata do t jen
sinjalet t cilt nuk ekzistojn n hyrje, kurse paraqiten n dalje. Pr ata do t vlej i njjti
prfundim, si edhe pr shtrembrimet jolineare.
Tek prforcuesi pa lidhje t kundrt negative, pr nj vler t caktuar t sinjalit hyrs, n
dalje do t ekzistoj A-her sinjal m i madh, por do t ekzistoj edhe nj vler e zhurms, e cila n
hyrje nuk ekzistonte. N kto kushte n dalje ekziston vler e caktuar e raportit sinjal-zhurm
USDAL/UN. Me futjen e lidhjes s kundrt negative, sinjali i daljes zvoglohet (1+AE)- her, kshtu q
pr raportin sinjal-zhurm marrim:

q on n prfundimin se edhe ky raport mbetet i pandryshuar. Por, nuk duhet t harrohet se

sinjali i dobishm n hyrje mund t rritet n at vler q sht e nevojshme n dalje Udal me t
njjtn vler si pa lidhjen e kundrt. Pr m tepr, sinjali i zhurms bhet pr (1+AE)-her m i
vogl, kurse raporti sinjal-zhurm bhet m i madh.

3.12.9. Ndikimi i lidhjes s kundrt mbi impedancn

hyrse dhe dalse t prforcuesit
Qarku n lidhje t kundrt ka impedancn e tij hyrse dhe dalse. Ajo lidhet n mnyr
serike ose paralele n impedancn hyrse, gjegjsisht dalse t prforcuesit. Pr kt arsye,
ndryshon impedanca hyrse dhe dalse e prforcuesit. Si do t jet ai ndryshim, gjegjsisht
impedanca do t rritet apo zvoglohet, varet nga mnyra e lidhjes s qarkut t lidhjes s kundrt
n raport me hyrjen dhe me daljen.

Prforcuesit

143

Impedanca e hyrjes e prforcuesit me lidhje t kundrt nga figura 3.53, Yhyrr, definohet si:

Z hyrr

U hyr
I hyr

Ur 

I hyr

 EU dal 

I hyr

 AEU p  U p

I
I hyr
hyr

1  AE  . ...........................(3.129)

Impedanca hyrse e prforcuesit pa lidhjen e kundrt sht Zhyr:

Z hyr

Up
I hyr

kshtu q me zvendsim fitohet:

Z hyrr Z hyr 1  AE  . ...............................................................................................................(3.130)
Me zbatimin e lidhjes s kundrt serike impedanca rritet pr shumn e funksionit t lidhjes s
kundrt.
Pr nj shum t njjt rriten ose zvoglohen impedancat e hyrjes dhe daljes pr llojet tjera t
paraqitjes s lidhjeve t kundrta. Pr kt arsye, n shqyrtimin e mtutjeshm do t jet e
mjaftueshme vetm t prfundohet se impedanca adekuate rritet apo zvoglohet, e mandej
menjher t shkruhet shprehja e saj matematikore.
N rastin e lidhjes s kundrt negative paralele, vjen deri te zvoglimi i tensionit mes lidhjeve t
hyrjes dhe deri te zmadhimi i rryms s hyrjes, pasi q impedanca dalse e qarkut pr lidhje t
kundrt sht e lidhur n paralel. Si rezultat, zvoglohet impedanca hyrse e prforcuesit me lidhje
t kundrt n raport me impedancn e hyrjes t t njjtit prforcues kur nuk ka lidhje t kundrt:

Z hyrr

U hyr
I hyr

Z hyr

1  AE 

. ........................................................................................................(3.131)

Impedanca dalse e prforcuesit me lidhje t kundrt t tensionit zvoglohet n raport me

impedancn dalse pa lidhje t kundrt:

Z dalr

Z dal
. .....................................................................................................................(3.132)
1  AE 

Impedanca dalse e prforcuesit me lidhje t kundrt negative t rryms rritet n raport me

impedancn dalse pa lidhje t kundrt:

Z dalr

Z dal 1  AE  . ..............................................................................................................(3.133)

MBAJ MEND!!!
Lidhja e kundrt paraqet transferimin e nj pjese t sinjalit t daljes t prforcuesit n hyrjen e
tij.
0
Kur sinjali i hyrjes dhe sinjali i kthyer jan t zhvendosur n faz pr 180 fitohet lidhje e kundrt

negative.

Kur sinjali i hyrjes dhe sinjali i kthyer jan n faz fitohet lidhje e kundrt pozitive.


144

Elektronikaanaloge

Me zbatimin e lidhjes s kundrt negative:

-Zvoglohet prforcimi i prforcuesit,
-Prmirsohet qndrueshmria e prforcimit,
-Zgjerohet brezi i lshimit,
-Zvoglohen shtrembrimet jolineare,
-Zvoglohet zhurma q futet me prforcuesin.

Me zbatimin e lidhjes s kundrt negative serike zmadhohet impedanca hyrse e prforcuesit.

Me zbatimin e lidhjes s kundrt negative paralele zvoglohet impedanca hyrse e prforcuesit.
Me zbatimin e lidhjes s kundrt negative t tensionit zvoglohet impedanca dalse e
prforcuesit.

Me zbatimin e lidhjes s kundrt negative t rryms rritet impedanca dalse e prforcuesit.

KONTROLLO NSE DIN

1. ka nnkupton me termin lidhje e kundrt?
2. Kur lidhja e kundrt sht pozitive e kur negative?
3. Defino koeficientin e lidhjes s kundrt E?
4. far sht prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt negative n raport me prforcimin e t
njjtit prforcues pa zbatimin e lidhjes s kundrt negative?
5. Si quhet prodhimi AE?
6. Cili sht kushti q prforcimi me lidhje t kundrt t jet i pavarur nga prforcimi i t njjtit
prforcues pa lidhjen e kundrt negative?
7. Sqaro zgjerimin e brezit t lshimit t prforcuesit me lidhje t kundrt.
8. ka sht shtrembrimi dhe far lloje t shtrembrimeve ka?
9. far lloje t lidhjeve t kundrta negative ekzistojn sipas mnyrs s lidhjes s qarkut pr
lidhje t kundrt n dalje?
10. Si mund t jet lidhja e qarkut pr lidhje t kundrt n raport me hyrjen?
11. Si sht ndikimi i lidhjes s kundrt kthyese negative mbi impedancn e hyrjes dhe daljes.

3.13. Prforcuesit e fuqis

Prforcuesit e fuqis zakonisht jan stade dalse n prforcuesit e frekuencave t ulta. Ata duhet
t japin fuqi t dobishme pr ngacmimin e altoparlantit, koks s magnetofonit, reles
elektromagnetike dhe rezistencave t ngjashme t ngarkess.

Prforcuesit

145

Prforcuesi i fuqis punon n regjimin e sinjaleve t mdha dhe analiza e tij bhet me metodat
grafike-analitike duke prdorur karakteristikat statike t transistorit.
Para prforcuesit parashtrohen krkesat e mposhtme baz:
a) t siguroj fuqi t dobishme pr konsumatorin. Pr prforcuesit e sinjaleve tonike fuqia e
dobishme sillet n kufijt prej disa qindra mW deri n disa qindra W.
b) fuqia maksimale e prforcuesit lidhet me koeficient t caktuar t shtrembrimeve jolineare. N
nj prforcues me shum stade, shtrembrimet m t mdha jolineare i jep stadi dals. Kshtu,
pr shembull, pr radiomarrsit e lvizshm shtrembrimet jolineare arrijn deri n 10%,
radiomarrsit m kualitativ dhe prforcuesit e zrimit nga 2 deri n 6%, kurse prforcuesit e
kualitetit t lart (Hi - Fi High Fidelity) deri n 1% e m pak.
c) t siguroj karakteristike adekuate t frekuencave. N prforcuesin me m shum stade,
prforcuesi dals n mas t madhe i kufizon frekuencat e larta. Prandaj, n prforcuesit kualitativ
zbatohet lidhja e kundrt negative.
d) t siguroj kosto t leverdishme n raport me harxhimin e energjis elektrike nga burimi i
ushqimit. Kostoja definohet me faktorin e veprimit t dobishm (rendimenti i prforcuesit):

Pk ,
P0

ku me Pd shnohet fuqia dalse, kurse me P0 fuqia e konsumuar nga burimi i rryms s vazhduar.
e) t ofroj pun t sigurt dhe t qndrueshme n nj interval t paracaktuar t temperaturs s
mjedisit.
Stadi dals mund t punoj n klasn A, klasn B dhe klasn AB dhe n t gjitha tre llojet e
lidhjeve, me emiter t prbashkt, baz t prbashkt, kolektor t prbashkt, gjegjsisht me
burim t prbashkt, gejt t prbashkt dhe drejn t prbashkt. M shum sht n prdorim
lidhja me emiter t prbashkt, gjegjsisht me burim t prbashkt, sepse ka prforcim m t
madh n krahasim me dy llojet tjera t lidhjeve.

3.13.1. Stadi dals n klasn A me transistor bipolar

Stadi dals n klasn A zbatohet atje ku jan t lejuara shtrembrime t vogla. Megjithat, ky stad
me nj transistor n klasn A m rrall haset si stad dals, kurse m shpesh si stad eksitues ose
si stad paraprak q i paraprin stadit dals.
N raportin energjetik, ky stad karakterizohet me faktor t veprimit t dobishm (rendimet) m t
vogl, q do t thot shfrytzim minimal t transistorit n raport me fuqin e tij. Kushtet e puns
diktojn q npr transistor vazhdimisht t rrjedh rrym, pavarsisht nse n hyrjen e tij ka sinjal
eksitues.

146

Elektronikaanaloge

Skema themelore e prforcuesit n klasn A me transistor n lidhje me emiter t prbashkt sht

dhn n figurn 3.55. Pr analizn e ktij stadi mund t zbatohet komplet analiza e br n
kapitullin 3.6- Analiza grafike e prforcuesit me transistor.

Figura 3.55: Prforcues i fuqis n klasn A.

Figura 3.56: Prforcues i fuqis n klasn A

me transformator

N nj numr t caktuar t prforcuesve dals, lidhja me ngarkesn ose me stadin dals

prfundimtar vijues realizohet prmes transformatorit, si tregohet n figurn 3.56. Duke zbatuar
transformatorin arrihen kushte m t favorshme t puns. S pari, shmanget q rryma e vazhduar
t rrjedh nprmjet konsumatorit, me ka prmirsohet faktori i veprimit t dobishm t transistorit
(rendimenti). Rezistenca e mbshtjelljes s transformatorit pr komponentin e vazhduar t rryms
sht e vogl dhe humbjet e tensionit dhe fuqis s rryms s vazhduar jan t pa rndsishme.
S dyti, transformatori ofron mundsin e prshtatjes m t mir t ngarkess me daljen e
transistorit, q t mos prcillet fuqia e dobishme maksimale kah konsumatori. Kjo ka t bj me
sistemet e mdha pr zrim tek t cilt altoparlantt jan t shprndar n vende t largta
(stadiume, salla sportive, stacione hekurudhore dhe stacione t autobusve, etj).
Rezistenca e ngarkess RL pasqyrohet n ann primare t transformatorit, sipas formuls:
2

'
L

RL n p

n
RL 1 , ....................................................................................................(3.134)
n2

ku me n1 dhe n2 jan shnuar numrat e mbshtjellsve t primarit dhe sekondarit, kurse me np

raporti (rendimenti) i transformimit.

Prforcuesit

147

Figura 3.57: Pika e puns dhe drejtza e puns e prforcuesit n klasn A.

Me rezistencn ekuivalente t ngarkess RL' definohet kndi i piks dinamike t puns. Kndi m i
prshtatshm prfaqsohet me vijn me t ciln fitohen gjysm-perioda simetrike t ndryshimit
sinusoidal t tensionit t kolektorit (figura 3.57).
N kt rast kemi fuqi t dobishme maksimale pa shtrembrime pr pikn e dhn t puns M.
Fuqia e dobishme llogaritet sipas:

Pk

1
I cm U cm , ...................................................................................................................(3.135)
2

kurse fuqia e konsumuar nga burimi sht:

P0

U CC I CM . ........................................................................................................................(3.136)

Pr regjimin e zgjedhur t puns kemi:

Tani pr faktorin e veprimit t dobishm kemi:

Pk
100
P0

1
I cm U cm
2
100 0,5 100 50% . .................................................................(3.137)
I CM U CC

Vlera teorike maksimale e faktorit t efektit t dobishm (rendimentit) sht 50%, q do t thot
fuqia e zhvilluar n transistor si nxehtsis (disipacion) sht e barabart me fuqin e dobishme t
krijuar n ngarkes.
Kur amplituda a rryms s bazs sht dy her m e vogl, fitohen edhe amplituda dy her m t
vogla t tensionit t kolektorit dhe t rryms s kolektorit. N kt rast, fuqia e dobishme Pd do t
jet katr her m e vogl, kurse me kt edhe rendimenti do t jet katr her m i vogl, sepse
fuqia e konsumuar P0 mbetet e njjt.

148

Elektronikaanaloge

Dallimi n mes t fuqis totale t konsumuar nga burimi dhe fuqis s dobishme konvertohet n
nxehtsi n lidhjet e transistorit. Pjesa m e madhe shprndahet n kalimin e kolektorit dhe pr
disipacionin e kolektorit mund t shkruhet:

PD

PO  PK . ..........................................................................................................................(3.138)

Disipacion (shprndarje) maksimal kemi kur fuqia e dobishme sht e barabart me zero. Kjo
sht nj nga t metat thelbsore t stadit dals n klasn A. Pr kt stad jan t nevojshm
transistor me fuqi t madhe, por efikasiteti sht i keq.

3.13.2. Prforcues simetrik t fuqis

Duke i lidhur dy transistor mund t fitohet fuqi m e madhe n dalje me faktor m t
madh t veprimit t dobishm (rendimentit). Lidhja e transistorve mund t jet paralele ose
simetrike. Prforcuesit simetrik jan t njohur si kundr-aktiv ose push-poll prforcues.
Prforcuesit simetrik mund t punojn n klasn A, klasn B dhe klasn AB dhe n tre
konfiguracionet e mundshme: me lidhje me emiter t prbashkt, me baz t prbashkt dhe
kolektor t prbashkt. Eksitimi (ngacmimi) i transistorve bhet me tension, t kthyer n faz pr
1800. Nse sinjal eksitues ka form sinusoidale, n bazn e njrit transistor do t vij gjysmperioda pozitive, kurse n t njjtn koh n bazn e transistorit do t vij gjysm-perioda
negative. Faza kundrshtuese e sinjalit nxits mundsohet me transformator me sekondar t
ndar, me ka secila gjysm e sekondarit lidhet n bazn e secilit transistor ose me stad transistori
me rezistenc n qarkun e kolektorit dhe emiterit, me ka prdoret vetm njra dalje e kolektorit,
kurse tjetri, me faz t kundrt, nga emiteri.
Prforcuesi simetrik me transistor n lidhje me baz t prbashkt ka disa veti t mira. Ai
mund t jap nj fuqi dalse t caktuar me shtrembrime t vogla, me ka t ket faktor t veprimit
t dobishm m t madh nga prforcuesi me nj transistor n lidhje me emiter t prbashkt.
Prdorimi i transistorve me nj ndryshim t vogl t koeficientve h21b jep asimetri m t vogla
nga prdorimi i koeficientve h21e.
E met themelore a lidhjes me baz t prbashkt sht prforcim i vogl i fuqis, ajo sht h21e
her m e vogl se prforcimi n lidhjen me emiter t prbashkt. Kjo do t thot, pr t njjtn
fuqi dalse stadi n lidhje me baz t prbashkt krkon 20 deri n 100 her fuqi ensitues m t
madhe, n varsi t vlers s parametrit h21e.
Vetit e mira t cekura, n krahasim me t metat jan t parndsishme, kshtu q lidhja me baz
t prbashkt nuk ka zbatim praktik. E njjta vlen edhe pr lidhjen me kolektor t prbashkt. Me
lidhjen simetrike zvoglohen shtrembrimet jolineare n at mnyr q eliminohen komponentt
harmonik ift.

Prforcuesit

149

3.13.3. Prforcuesit simetrik n klas B

Kur stadi prforcues punon n klasn B, n qarkun e kolektorit rrjedh rryma vetm gjat kohs
njrs gjysm-period t sinjalit hyrs, gj q siguron fuqi dalse m t madhe dhe faktor t
veprimit t dobishm m t mir. Por, n klasn B shtrembrimet jan shum m t mdha se
n klasn A. Pr kt arsye, prforcuesit n klasn B bhen vetm n lidhje simetrike.
Skema themelore e prforcuesit simetrik n klasn B sht dhn n figurn 3.58. Skema sht
dhn me transistor-PNP, kurse pr skemn me transistor-NPN duhet t ndryshoj vetm
polarizimi i UCC dhe drejtimet e rrymave t kolektorit.
N munges t sinjalit n hyrje, n qarkun e kolektorit rrjedh rryma ICEO1, gjegjsisht ICEO2. Nse
transistort kan karakteristika t njjta, rrymat ICEO1 dhe ICEO2 npr rezistencn e ngarkess jan
t njjta.

Figura 3.58: Prforcuesi simetrik n klasn B.

Eksitimi bhet me tensione t barabarta me faz t kundrt pr hyrjet e t dy transistorve.
Funksionimi i ktij prforcuesi gjat kohs s njrs period t sinjalit sinusoidal eksitues rrjedh n
mnyrn e mposhtme: gjat kohs s gjysm-periods negative t sinjalit t hyrjes, pron
transistori T1. N qarkun e kolektorit t T1 rrjedh rryma IC1. N t njjtn koh, transistori T2 do t
jet i bllokuar.
Gjat kohs s gjysm-periods pozitive t tensionit eksitues, gjithka ndodh si edhe pr negative
por vetm me drejtim t kundrt: transistori T2 do t proj, kurse transistori T1 do t jet i
bllokuar. Rezultat prfundimtar sht tension i prforcuar, i njjt n form me tensioni e hyrjes.
Parimi i funksionimit t stadit simetrik n klasn B grafikisht sht treguar prmes karakteristikave
hyrse dhe dalse t bashkuara. Karakteristikat e hyrjes t bashkuara jan dhn n figurn
3.59a.

150

Elektronikaanaloge

Figura 3.59: Karakteristikat e bashkuara hyrse

Figura 3.60: Karakteristikat e bashkuara dalse

Karakteristika e hyrjes e transistorit T1 sht n sistemin koordinativ -IB1=f(-UBE1), kurse e

transistorit T2 -IB2=f(-UBE2). Origjina e koordinative e t dy sistemeve sht e prbashkt, kurse
vet sistemet vizatohen n drejtime t kundrta. Tensioni eksitues ube1 sht i barabart n
amplitud, kurse i kundrt n faz me tensionin eksitues ube2. Kto dy tensione mund t shfaqen
n sistemin e karakteristikave t bashkuara me periodn e plot.
Pr shkak t jolinearitetit t karakteristiks hyrse, rryma e bazs do t ket form t shtrembruar
(figura 3.59b). Rryma e kolektorit, gjithashtu, do t jet e shtrembruar, nse supozohet se
karakteristikat statike jan lineare. N figurn 3.60 tregohen karakteristikat dalse t bashkuara.
T njjtat shtrembrime paraqiten edhe n tensionin e daljes.

3.13.4. Prforcuesi simetrik n klas AB

Pr t reduktuar shtrembrimet, n prforcuesit simetrik pr z dhe muzik, n bazat vendoset
tension i vogl negativ, me ka transistort punojn n klasn AB.
Pika e puns n klasn AB vendoset n at mnyr q pr sinjale eksitues t vegjl n qarkun e
kolektorit t njrit transistor rrjedh rryma gjat kohs s periods s plot. Kur n hyrje do t vij
sinjal m i madh, rryma n kolektor do t rrjedh pr koh m t gjat se gjysm-perioda, por m
shkurt se nj period e plot. Kjo do t thot se, pr sinjale t vogla, prforcuesit punon n klasn
A, kurse pr t mdhenj n klasn B.

Prforcuesit

151

Figura 3.61: Skema e prforcuesit n klasn AB.

Skema e prforcuesit simetrik n klas AB (Figura 3.61) ndryshon nga skema e prforcuesit n
klasn B me at q n qarkun e emiterit jan vendosur t lidhur paralel rezistenca RE dhe
kondensatori CE. Me rezistencn ndars R1,R2, RT prcaktohet pozita e piks s puns, ashtu q
t gjendet n karakteristikn e dispacionit (shprndarjes) t lejuar.

3.13.5. Prforcuesit komplementar simetrik

Transformatori dals n prforcuesit simetrik ka karakteristika t tilla q fut shtrembrime
lineare dhe jolineare n sinjal, veanrisht n frekuenca t ulta. Prforcuesi simetrik mund t
ndrtohet edhe me transistor komplementar. Lidhja m e prdorur sht lidhja e ifteve t
prforcuesve dals komplementar.
ift i transistorve komplementar jan dy transistor me karakteristika identike. Njri sht i llojit
NPN, kurse tjetri i llojit PNP.
Skema themelore e prforcuesit t till n dy variante sht dhn n figurn 3.62. N
skemn e variantin t par nn a) shfrytzohen dy burime, njri me tension pozitiv, kurse tjetri me
tension negativ, ose burim i ushqimit me dalje t mesme. N skemn e variantit t par nn b)
shfrytzohet nj burim i ushqimit, kurse rezistenca e ngarkess lidhet prmes kondensatorit.
Gjat kohs s gjysm-periods pozitive t sinjalit eksitues, lidhja e emiterit t transistorit T2
polarizohet drejt dhe prmes rezistencs s ngarkess rrjedh rryma e kolektorit iC2. N t njjtn
koh, Transistori T1 sht i bllokuar, pasi q lidhja emiteriale e tij sht e polarizuar invers me
gjysm-periodn pozitive t sinjalit eksitues.

152

Elektronikaanaloge

Figura 3.62: Skema themelore e prforcuesve komplementar simetrik.

Gjat kohs s gjysm-periods negative, transistori T1 bhet i prueshm dhe rryma e tij e
kolektorit iC1 do t rrjedh prmes rezistencs s ngarkess. Gjat ksaj kohe, transistori T2 sht i
bllokuar.
Nse t dy transistort kan parametra t barabart, rrymat e kolektorit t tyre do t jen simetrike,
kurse shtrembrimet jolineare minimale. Me veprimin kundr-fazor t transistorve komplementar
bie nevoja pr konvertues t fazs.
Faktori i veprimit t dobishm i prforcuesve simetrik komplementar mund t jet edhe deri n
78%.
Stadet dalse prforcuese t transistorve sot prpunohen n form t integruar me numr t
vogl t elementeve t jashtme.
N figurn 3.63. tregohet prforcues n lidhje simetrike-komplementare q mund t punoj n
klasn B, gjegjsisht AB, varsisht nga zgjedhja e rezistencave R1 gjegjsisht R1' dhe R2'.

Figura 3.63: Prforcues n klasn B n lidhje simetrike-komplementare.



Prforcuesit

153

Termi simetriko-komplementar vjen nga nevoja pr transistor t llojeve t ndryshme, PNP dhe llojit
NPN por me karakteristika t njjta. Prndryshe, gjysmperioda pozitive dhe negative e sinjalit
dals nuk do t jen me karakteristika t njjta. Pr realizimin e qarkun jan t nevojshm katr
burime. Numri i burimeve mund t reduktohet n dy nse pr furnizimin e R1' prdoret burimi
+UCC1, kurse pr furnizimin e R1 prdoret burimi -UCC2.
Parimi i funksionimit t prforcuesit sht i njjt me prforcuesin themelor n klasn B. N
gjysmperiodat pozitive t tensionit hyrs do t proj transistori T1 dhe n ngarkesn RL do t
realizohet gjysmperioda pozitive e tensionit t daljes. N gjysmperiodn negative, do t proj
transistori T1, kshtu q n ngarkes do t realizohet gjysmperioda negative e tensionit t daljes.
sht e mundur edhe shfaqja e prforcuesve simetrik-komplementar edhe me nj burim ushqimi.
N kt rast, pr sigurimin e njrs nga gjysmperiodat e tensionit t daljes prdoret burimi, kurse
pr realizimin e gjysmperiods tjetr kondensatori q sht i lidhur n seri mes prforcuesit dhe
ngarkess, si tregohet n figurn 3.64.

Figura 3.64: Prforcues n lidhje simetrike-komplementare

me nj burim t ushqimit n klasn AB.
Ktu duhet t vn n dukje se, n vend t rezistencs R4, e cila siguron funksionimin e
prforcuesit n klasn B, mund t prdoren edhe dy dioda nga i njjti material si edhe transistort
T2 dhe T3 dhe me t njjtat karakteristika si lidhjet baz-emiter t ktyre transistorve. Prkundr
krijimit t tensioneve t nevojshme t polarizimit t transistorve dals, kto dioda kan edhe
detyr t sigurojn stabilitet n temperatur t rrymave t emiterit t transistorve dals. Prandaj
ata duhet t vendosen n t njjtin trup t ftohjes si edhe transistort me ka sigurohet q t gjith
ata t punojn n t njjtn temperatur. Kondensatori C duhet t ket kapacitet t madh t
mjaftueshm q t mund t siguroj energjin e duhur t gjysmperiods negative t tensionit,
gjegjsisht rryms s ngarkess.


154

Elektronikaanaloge

N figurn 3.65, sht treguar prforcues i fuqis me transistor-NPN n daljen e t

ashtuquajturs lidhje kuazi-komplementare (e ngjashme me komplementaren e klass B). N qark
sht prdorur nj lidhje e Darlingtonit t ciln e prbjn transistort T2 dhe T4 dhe nj lidhje
komplementare e Darlingtonit t ciln e prbjn transistort T3 dhe T5.

Figura 3.65: Prforcues me ift kvazi-komplementar t transistorve.

MBAJ MEND!!!

Prforcuesit e fuqis zakonisht jan stadet dalse n kaskadn prforcuese.

Prforcues n klasn A me nj transistor zakonisht punon si nj para-stad, ka m pak

shtrembrime, por edhe shkall m t vogl t veprimit t dobishm (rendiment) (deri n 50%).

Me prforcuesit simetrik t fuqis reduktohen shtrembrimet jolineare dhe fitohet fuqi m e

madhe me shkall m t madhe t veprimit t dobishm-rendimentit.

Prforcuesit simetrik prdorin dy transistor me karakteristika identike.

Prforcuesit simetrik n klasn AB pr sinjale hyrse t vogla punojn n klasn A, kurse

pr sinjale t mdhenj n klasn B.

Me prforcues simetrik komplementar mnjanohet prdorimi i transformatorit dals, kurse

shkalla e veprimit t dobishm sht 78%.

Prforcuesit

155

KONTROLLO NSE DIN

1. Cilat jan krkesat themelore para prforcuesit t fuqis?
2. Cilat jan t metat e stadit dals n klasn A?
3. Cili konfiguracion m s tepr prgjigjet pr prforcuesit simetrik t fuqis?
4. Pr far arsye prforcuesit n klasn B prpunohen n lidhje simetrike?
5. Shpjego parimin e funksionimit t stadit simetrik n klasn B?
6. N ka dallohet skema e prforcuesit simetrik n klasn AB nga skema e prforcuesit n
klasn B?

VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Vler m t madhe t prforcimit t rryms dhe tensionit ka prforcuesi n lidhje me:
a)

emiter t prbashkt

b)

baz t prbashkt

c)

kolektor t prbashkt
2. Tensioni i hyrjes dhe daljes jan t zhvendosur n faz pr 1800 n prforcuesin me lidhje me:

a)

Gejt t prbashkt

b)

Drejn t prbashkt

c)

Burim t prbashkt

156

Elektronikaanaloge

3. Prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt negative sht:

a) m i madh
b) i barabart
c) m i vogl
nga prforcimi i prforcuesit t njjt pa zbatimin e lidhjes s kundrt negative.

4. Prforcimi ciklik sht dhn me shprehjen:

a) E
b) EA
c) 1+EA.

II Pyetje me lidhshmri
5. Lidh madhsin e prforcimit me konfiguracionin e prforcuesit:
1. i vogl

a) Prforcues me lidhje me emiter t prbashkt

______

2. i madh

b) Prforcues me lidhje me baz t prbashkt

______

c) Prforcues me lidhje me kolektor t prbashkt

______

6. Lidh qarqet me lidhje t kundrt me llojet e lidhjeve t kundrta:

Prforcuesit

1. paralele- e tensionit

___________

2. serike- e tensionit

___________

3. serike- e rryms

___________.

157

7. Lidh konfiguracionin e prforcuesit me zhvendosje fazore t tensionit t daljes n krahasim me

hyrjen:
1. Prforcues n lidhje me burim t prbashkt

a) nuk ka ______

2. Prforcues n lidhje me drejn prbashkt

b) 1800

______

3. Prforcues n lidhje me gejt t prbashkt.

III Pyetje me plotsimin

8. Kur prforcimi i tensionit sht negative, tensioni i daljes dhe hyrjes jan t zhvendosur n faz
pr ________.

9. Dallimi n mes t frekuencs kufitare t siprme dhe t poshtme quhet ________________ dhe
shnohet me ___________.

10. Frekuencn n t ciln prforcimi bie pr 3dB n raport me prforcimin n frekuenca t mesme
quhet ____________________________________________.

11. Prforcuesi me lidhje me kolektor t prbashkt ka prforcim t tensionit me vler __________

kurse prforcimi i rryms me vler prej ______________.

12. Ndjeksi emiterial quhet prforcues me lidhje me _________________________ prbashkt.

158

Elektronikaanaloge

13. Nse fazat e sinjalit t hyrjes dhe e sinjalit t kthyer prputhen, lidhja e kundrt sht
_________________ , kurse nse dallohen pr 1800 ather lidhja e kundrt sht
__________________.

14. Me relacioni Ar=A/(1-AE) , definohet prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt

__________________.

Ushtrime pr msim aktiv:

- Ndrto tabel n t ciln do t vendossh vlerat e
parametrave t konfiguracioneve t ndryshme t prforcuesve dhe analizoje, prcaktoje
zbatimin.
- Hulumto n internet pr prforcuesit.
- Harto projekt n temn llojet e prforcuesve.
-Harto projekt pr zbatimin praktik t prforcuesve.

Qarqeteintegruara159

QARQET E INTEGRUARA

Gjithka q duhet t dish pr qarqet e integruara do ta msosh duke studiuar

prmbajtjet nga kjo tem e elektronik dhe do t mund :

t theksosh nevojn pr zhvillimin e qarqeve t integruara;

t shpjegosh karakteristikat e llojeve t ndryshme t qarqeve t integruara;

t dalluar procedurat themelore pr ndrtimin e qarqeve t integruara;

t njohsh prparsit e prdorimit masiv t qarqeve t integruara;

t njohsh zbatimin e qarqeve t integruara.

Qarqeteintegruara161

Nevoja e miniaturizimit, reduktimi i dimensioneve t qarqeve elektrike dhe elementeve

dhe prparimi n mikroelektronik, kan uar n shfaqjen e qarqeve t integruara, n t
cilat m shum elemente elektronike, mes veti t lidhur dhe t vendosur n shtpiz t
prbashkt, kryejn funksion t veant. Me paraqitjen e qarqeve t integruara dhe pllakave
me lidhje t shtypura, n mas t madhe sht ndryshuar mnyra e projektimin dhe
prpunimit t qarqeve elektronike.
N kt kapitull sht br prpjekje pr t sqaruar disa procedura n prpunimin e qarqeve
t integruara, me qllim q t fitohet nj pasqyr e prgjithshme far qarqesh t integruara
ka dhe ka prmban si trsi nj "ip", term n qarqet e integruara, i cili haset n
terminologjin profesionale.

4.1 Karakteristika t llojeve t veanta t qarqeve t integruara

Qarqet e integruara mund t ndahen, sipas funksioneve t tyre, n dy grupe t mdha: analoge
dhe digjitale. Sipas teknologjis s elementeve aktive t aplikuar n qark, kemi qarqe t
integruara me transistor bipolar dhe qarqe t integruara MOS.
Qarqet analoge n prgjithsi bhen me transistor bipolar. Qarqet analoge MOS jan relativisht
t kohve t fundit, m bashkkohor. Kshtu, pr shembull, qarqet e integruara t seris 7400
prdorin transistor bipolar. Qarku me transistor bipolar ka nj konsumim m t madh nga qarku
me MOS transitor dhe nuk i plotson krkesat e qarqeve digjitale t integruara komplekse. Pr
qarqe t tilla, n t cilt prfshihen mikroprocesort dhe memoriet e mdha dhe t cilat prmbajn
miliona elemente aktive, ekskluzivisht prdoret vetm teknologjia-MOS. Qarqet e integruara
ndahen n dy lloje themelore: digjitale dhe lineare. T gjitha qarqet e integruara, n t cilat
prfshihen qarqet digjitale, duke filluar nga portat logjike m t thjeshta e deti tek
mikroprocesort m kompleks, klasifikohen n digjital, kurse t gjith t tjert n qarqe
digjitale lineare.
Ekzistojn shum lloje t familjeve t qarqeve logjike:
- RTL (RESISTOR-TRANSISTOR LOGIC): logjike me rezistenc-transistor;
- DTL (DIODE-TRANSISTOR LOGIC): logjike me diod-transistor;
- TTL (TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGIC): logjike me transistor-trasistor;
- ECL (EMITTER COUPLED LOGIC): logjike me emiter t bashkuar:
- IIL (I2L) (INTEGRATED INJECTION LOGIC): logjike me injektim t integruar:
- MOS (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR LOGIC): logjike me transistor MOSFET:
- CMOS (COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR LOGIC): logjike me transistor
komplementar MOSFET.

162Elektronikaanaloge

TTL - familja sht e njohur si seria 74, t cilat prfaqsojn dy shifrat e para n shnimin e tyre,
me ka vijn dy ose tre numra. Karakteristika themelore e saj sht t punoj n tension t
ushqimit (furnizimit) prej 5V. Seria e par mban shenjn 74xx, por ajo shpejt mbetet e vjetruar dhe
sht zvendsuar me familjen tjetr TTL - me dy shkronja t shtuara LS, kshtu q fitojm qark
me shenjn 74LSxx. Me shkronjat LS shnohen qarqet Shotki me fuqi t vogl, q karakterizohen
me shpejtsi t madhe t vendosjes s skajit prpara dhe t fundit t sinjalit. Kshtu, pr shembull,
qarku origjinal 7432 gjendet si 74LS32.
Seria e par e qarqeve CMOS mban shenjn 40xx dhe ajo punon me tension t ushqimit prej 3
deri n 15V. Nga seria 74 me HC shnohen qarqet CMOS me shpejtsi t lart dhe me HCT qarku
CMOS i cili punon me nivele-TTL normale. Seria e qarkut 74 CMOS ka shpejtsi m t madhe nga
seria 40xx, kurse dalja e tyre mund t jap rrym edhe deri n 25mA, e cila, pr shembull, sht e
mjaftueshme pr t aktivizuar nj LED. Megjithat, qarqet 74HC mund t punojn me tension t
ushqimit vetm prej 2 deri n 6V. Qarqet 74HC dhe 74HCT kan shprndarje t barabart t
gjilprave (kontakteve) si qarku nga seria 74LS.
Nj nga karakteristikat e qarqeve t integruara CMOS sht mundsia e dmtimit t tyre me
veprimin e elektricitetit statik. Kur jemi n lvizje, trupi dhe rrobat tona vazhdimisht ngarkohen me
elektricitet statike. Intensiteti i rryms s shkarkimit t ktij elektriciteti nuk sht aq i madh q t
nxis dmtimin, por tensioni mund t arrij edhe deri n disa qindra volt.
Kur komandojm me komponete normale, si jan rezistencat dhe transistort bipolar, mundsia
sht shum e vogl q ata t dmtohen me kt tension. Por, qarqet CMOS jan t ndrtuar me
FET t cilt u nnshtrohen dmtimeve nga tensione t tilla. Pr kt arsye, kur komandohet nj
qark CMOS, paraprakisht duhet t shkarkohet elektriciteti statik, kshtu q me dor t preket
ndonj objekt metalik i tokzuar.
Kur bhet fjal pr qarqe t integruara t shtrenjta, rekomandohet q n dor t mbahen shirita pr
tokzim. Ata kan rezistenc t madhe e cila e kufizon rrymn e shkarkimit dhe mundson q
tensionet e larta statike t sigurta t largohen nga trupi n tokzim.
Numr i madh i qarqeve t integruara, t cilt nuk u takojn ktyre dy serive, si jan mikrokontrolluesit, mikroprocesort dhe qarqe t ndryshme interface, jan t renditur n dy ose tre
nnkategori. N kategorin e qarqe t integruara lineare prfshihen qarqe t ndryshme audio,
video-qarqe, qarqe radio dhe t komunikacionit, tajmer, oshilator dhe numr i madh i pajisjeve
me destinacion t veant.

4.2. Qarqet e integruara hibride

Ekzistojn dy lloje themelore t qarqeve t integruara: hibride dhe monolite.
Qarqet e integruara hibride prpunohen nga elementet mikroelektronike aktive dhe pasive, t
fiksuar n nj substrat-baz t prbashkt. Lidhjet mes elementeve prpunohen n teknikn e

Qarqeteintegruara163

filmit t holl. Kjo sht nj teknik e vendosjes s materialit prues n substrat qeramike, n t
ciln sht e vendosur maska me vrima n ato vende ku duhet t jen lidhjet, ose elementet
pasive. Materiali prues gjendet n gjendjen e metalit t vluar dhe vendoset n shtpiz t nxeht
pr depozitimin. Trashsia e filmit t depozituar sillet rreth 1 Pm.
Elementet aktive prpunohen n teknikn planare difuzive ose epitaksiale dhe inkorporohen n
pllakn e qeramiks tashm t prgatitur. N fund, e gjith kjo mbyllet n nj shtpiz plastike ose
qeramike.
Qarqet e integruara hibride kan karakteristika m t mira nga qarqet elektronike prkatse me
elemente diskrete. Dendsia e paketimit t elementeve sillet mes 30 dhe 100 elemente pr 1cm2
dhe zakonisht prdoren si stade dalse me fuqi dalse m t madhe.
KONTROLLO NSE DIN
1.

Si ndahen qarqet e integruara sipas funksioneve t tyre?

2.

far transistor prdoren pr prodhimin e qarqeve t integruara digjitale?

3.

N ciln teknik prpunohen elementet aktive n qarqet hibride?

4.

Sqaro nevojn pr zhvillimin e qarqeve t integruara.

5.

Shpjego karakteristikat e qarqeve t integruara analoge.

4.3. Qarqet e integruara monolite

Qarqet e integruara monolite prpunohen n material t kristalit t vetm ose monolit, me ka
arrihet densitet i madh i paketimit t pjesve prbrse. N prodhimin e ktyre qarqeve zbatohen
disa dhjetra operacione. Shumica e operacioneve ekzekutohet automatikisht n numrin m t
madh t qarqeve t integruar, numri i tyre arrin deri n 1000.
Prodhimi i qarqeve t integruara duhet t bhet n hapsir ideale t pastr, pa pranin e
grimcave t pluhurit, polenit ose primesave (papastrtive) tjera n ajr. Grimca e zakonshme nga
pluhuri, e pranishme n siprfaqen e prpunimit me dimensione m t vogla se 1 Pm, duket si
shkmb.

4.3.1. Prpunimi i bazs

N teknologjin e gjysmpruesve jan t nevojshme materiale gjysmpruesi shum t pastra
n form monokristali. E gjith pjesa e gjysmpruesit patjetr duhet t ket prejardhjen nga nj
kristal me struktur kristalore homogjene. Lnda e par themelore pr prfitimin e germaniumit dhe

164Elektronikaanaloge

silicit jan dyoksid germaniumi dhe dyoksid silici. Ata pastrohen deri n at shkall q n 1010
atome germaniumi ose silici kemi vetm nj atom t primess (papastrtis).
Procedura e pastrimit realizohet me gjysmprues t shkrir q gradualisht ftohet, kurse
papastrtit mblidhen n pjesn e tretur-shkrir. N kt mnyr, n materialin e ftohur prqindja e
primesave mbetet shum e vogl. Monokristalet formohen me procedurn e nxjerrjes. N pajisjen
pr nxjerrje, gjysmpruesi i pastruar prsri shkrihet n ambient t mbushur me gaz inert, me
copz t kristalit preket siprfaqja e mass s shkrir dhe ngadal rrotullohet dhe trhiqet lart dhe
kshtu rritet monokristali i gjysmpruesit n form cilindri.
N procesin e krijimit t qarqeve t integruara, cilindrat e monokristalit prehen n disqe t holla me
prerje trthore prej rreth 50-70 mm dhe trashsi prej 250 deri 400 Pm. N siprfaqen e diskut
formohet rrjet nga kuadrate me dimensione 2x2 mm (figura 4.1).

Figura 4.1: Disk i prer nga monokristali i silicit.

Secila nga kto kuadrate shrben si mbshtetje ose baz n t ciln formohen qarqe t integruara
identike, pasi q t gjitha operacionet ekzekutohen n t njjtn koh n t gjith diskun. Pastaj
bhet oksidimi i siprfaqes s diskut ke ka formohet shtres e holl e dioskid silicit. Kjo realizohet
n komor (dhomz) e cila nxehet n temperatur t lart prej 800 deri 12000C. Dioksidi i silicit, i
cili sht qelq, ka veti t izoluesit t mir elektrik, kurse shrben edhe si shtres mbrojtse nga
ndikimet kimike mbi diskun. Prerja trthore e diskut pas oksidimi sht paraqitur n figurn 4.2.

4.2: Prerja trthore e diskut pas oksidimi.

Qarqeteintegruara165

4.3.2. Fotolitografia
T akomodohen miliona transistor n hapsir t vogl, mes veti t lidhen n qark
kompleks, pr t funksionuar si ip memorie ose mikroprocesor, sht i nevojshm proces
special, i quajtur fotolitografi.
Struktura e qarkut t integruar sht e prbr nga m shum shtresa, do shtres vendoset n
vend t caktuar me hap t veant n procesin e prodhimit t qarkut. Shprndarja e ktyre
shtresave prcaktohet me t ashtuquajturat maska. Maska sht analoge me negativin fotografik
dhe prmban pamjen e shprndarjes s fushave pr aplikimin e shtresave. Ajo zakonisht bhet n
pllak qelqi, dhe pastaj zvoglohet n siprfaqen prej 2x2mm dhe prsritet q t fitohet e njjta
shprndarje si n figurn 4.1.
Procesi fotolitografik sht shum i ngjashm me procesin e prpunimit t fotografive bardh e zi.
Nj shembull i masks tipike pr formimin e nj shtrese sht paraqitur n figurn 4.3.

4.3: Maska pr formimin e nj shtrese t qarkut t integruar.

Procesi Fotolitografik fillon duke vendosur nj pik t materialit t ndjeshm-fotografik t
lngshm, t quajtur foto-rezistent n mesin e diskut. Pastaj, disku rrotullohet me shpejtsi t
madhe dhe emulsioni i ndjeshm-fotografik shprndahet n mnyr t njtrajtshme mbi siprfaqen
e diskut, me ka fitohet shtres me trashsi rreth 700 Pm. Kjo shtres m tutje thahet dhe piqet
para se t ekspozohet n drit.
Maska vendoset n disk, ashtu q fushat e masks dhe t diskut t prputhen. Drita me intensitet
t madh

lshohet prmes masks n shtresn e ndjeshme-fotografike t diskut. Me maskn

prcaktohet cilat pjes t diskut do t ndriohen dhe cilat do t ngelin n errsir.

166Elektronikaanaloge

Foto-rezistenti sht polimer organik, i cili mund t jet pozitiv ose negativ. Me foto-rezistentin
negativ zonat e ekspozuara n drit bhen t polimerizuara dhe t forta. Pas zhvillimit, kto zona
mbetet n siprfaqen e diskut, kurse pjest e pa ekspozuara largohen. Me kt procedur, n disk
fitohet shprndarje e kundrt nga ajo e masks. Fotorezisti pozitiv reagon n mnyr t kundrt.
Ekspozimin i fotorzistit n drit mund t bhet prmes masks s vendosur direkt n kontakt me
diskun, ose maska t vendoset n largsi n nj distanc, me ka mbrohet nga grvishtjet. N
kohn

sotme

zbatohet

ekspozimi

me

projeksion, me ka imazhi i masks projektohet

prmes sistemeve precize optike n siprfaqen
e diskut. N kt mnyr mund t arrihet
zvoglimi i mtejshm i dimensioneve t imazhit
nga maska prmes optiks pr projektim.
N projektimin e shprndarjes s elementeve t
masks shkohet kah zvoglimi maksimal i
distancs mes pjesve prbrse madje deri
atje sa dimensionet afrohen n gjatsin valore
t drits s dukshme, ka paraqet penges
kryesore. Pr kt arsye, sistemet fotolitografike
prdorin dritn ultravjollc, deri edhe rezet-X t
cilt kan gjatsi valore m t vogla.
Zhvillimi i fotorezistentit t ndriuar prmes
masks bhet me acide n disa her. Me
zhvillimin

par

largohen

pjest

nga

fotorezistenti q nuk ishin t ndriuara. Pastaj

disku zhytet n acid tjetr, i cili nuk reagon me
fotorzistentin e mbetur, por e tret shtresn e
dyoksidit t silicit, e cila sht zbuluar me
zhvillimin e mparshm. Me zhvillimin e tret
hiqet edhe pjesa e mbetur e fotorezistit.
Procedura litografike e formimit t ,,dritares,,,
vet si ilustrim sht treguar n figurn 4.4.
Figura 4.4: Proceduar litografike
E formimit t dritares

Qarqeteintegruara167

4.3.3. Difuzioni
Procesi i difuzionit paraqet procesin e futjes s primesave- papastrtive n siprfaqen e
diskut. Disku nxehet n temperatur t lart, 8000C pr germaniumit dhe 12000C pr silicin, kurse
primesat n gjendje t lngt ose n form t avullit, sillen n siprfaqen e diskut. Prmes rrugs
s difuzionit, atomet e primesave deprtojn n shtresn siprfaqsore prmes hapjeve t
prgatitura n disk dhe formojn kalim-PN. Thellsia n t ciln prhapen primesat definohet me
temperaturn dhe kohn pr t ciln disku sht i ln n furrn pr difuzionit. Me prsritje t
procesit disa her fitohet struktura gjysmpruese shum-shtresore. Difuzioni prmes shtress
okside nuk sht i mundshm.
Paraqitja skematike e difuzionit sht treguar n figurn 4.5. Pas prfundimit t difuzionit, n
bazn e llojit-p formohet zon e llojit-n. Pas ktij difuzioni t par, pason i dyti, i treti pr fitimin e
qarkut t integruar kompleks.

Figura 4.5: Paraqitja skematike e difuzionit.

Me procesin e difuzionit, prqendrimi m i madh i primesave sht gjithmon n siprfaqen e
diskut. Deprtimi n thellsi i kontrolluar i atomeve t primesave n diskun e silicit arrihet me
implantim jonik. Ai sht procesi i formimit t burimit t joneve t primesave t prshpejtuara dhe
orientim i tyre kah siprfaqja e diskut. Jonet e prshpejtuara godasin n siprfaqe si plumba dhe e
pasurojn shtresn e bazs me sasin e krkuar t primesave. N kt mnyr kontrollohet sasia
dhe deprtimi i primesave me precizitet t madh.

4.3.4. Rritja epitaksiale

Procesi i shtimit n bazn e silicit t diskut i shtress gjysmpruese plotsuese t llojit t
kundrt quhet rritje epitaksiale. Ajo bhet n nj furr epitaksiale t veant n t ciln nxehet
disku dhe lshohet gaz i cili prmban dy ose m shum kompozime t silicit me primesat. Ata

168Elektronikaanaloge

treten, kurse silici me primesat e llojit p ose t llojit n depozitohet n siprfaqen e diskut. Shtresa e
depozituar e silicit ka struktur kristalore t njjt si baza dhe me t paraqet monokristal unik. Me
kt procedur mundet saktsisht t kontrollohet trashsia dhe prbrja e shtress epitaksiale
(figura 4.6).

Figura 4.6: Prerja trthore e diskut pas prfundimit t procedurs s rritjes epitaksiale

Lidhjet mes elementeve t qarkut t integruar jan br duke aplikuar nj plast-film t holl nga
materiali prues. Procedura e vendosjes quhet depozitim dhe realizohet n dhom me vakum t
lart. N dhom futet alumin, i nxehur deri n avullim, s bashku me gaz inert dhe me rrjedhjen e
gazit alumini shprndahet npr disk dhe depozitohet n hapje t prgatitura n siprfaqen e
diskut, duke krijuar lidhje t prueshme mes elementeve.
N mnyr t ngjashme bhen edhe

shtresat e holla t rezistencave me vlera t mdha t

rezistencs. N vend t aluminit, si material pr depozitim prdoret nikel-kromi, krom-silici ose

molibden-silici.
Pas prfundimit t procesit t formimit t qarkut t integruar, kemi operacionet prfundimtare n t
cilat prfshihen: kontrollimi, ndarja dhe vendosja n shtpiz.
Gjat kohs s nj procesi teknologjik n nj disk prodhohen deri 150, por edhe m shum
qarqe t integruara monolite t ngjashme. Pas prfundimit t prpunimit t diskut, bhet
testimi i do qarku t integruar n veanti, kurse qarqet me t meta shnohen. Me prerse
diamanti prehen vijat ndarse t qarqeve t veanta dhe ata mund t ndahen duke i thyer,
ngjashm me prerjen e qelqit. Qarqet e integruara vendosen n substrat-pllak, kontaktet
metalike lidhen me daljet adekuate me prues t holl dhe e gjith kjo vendoset n shtpiz
metalike, qeramike apo plastike. Shtpizat mund t jen t formave t ndryshme dhe me
numr t ndryshm t daljeve.

Qarqeteintegruara169

4.4. Zbatimi i qarqeve t integruara

Qarku i integruar paraqet pajisje t vogl elektronike, e prbr nga materiali gjysmprues.
Qarku i par i integruar u shfaq n vitin 1950. Me qarqet e integruara nis epok e re n botn e
elektronike. Qarku i integruar paraqitet me nocionet: mikroqark, mikroip, ip silici ose
vetm ip.
Integrimi i nj numri t madh t transistorve n nj ip t vogl prfaqson nj progres t madh
n krahasim me prpunimin me dor t qarqeve elektronike me qarqe elektronike diskrete.
Prparsit e qarqeve t integruara n krahasim me qarqet me elemente diskrete jan mimi dhe
karakteristikat. ipet me t gjitha komponentet shtypen n nj substrat, me ka komponentet jan
n nj distanc m t afrt, kan koh t shkurtr t ndryshimit t regjimit t pruarjes dhe kan
konsumim m t vogl t energjis. Siprfaqja e ipit sillet nga disa dhjetra deri n 350 mm2, me
dendsi prej 106 transistorsh n nj mm2.
N baz t numrit t transistorve t integruar dhe komponenteve t tjera elektronike,
qarqet e integruara mund t ndahen n grupet e mposhtme:
-

qarqe me shkall t ult t integrimit (SSI), n kt grup bien qarqet me deri n 100

komponente n ip, q siguron, pr shembull, disa porta logjike;

-

qarqe me shkall t mesme t integrimit (MSI) prej 100-3000 komponente, me t cilat

sigurohet ndrtimi i sistemeve m komplekse pr nj mim dika pak m t lart, si pr

shembull t tilla si RAM memoriet prej 1Kb, ipet pr kalkulatort elektronike dhe
mikroprocesort e par me m pak se 4000 komponente ;
-

qarqet me nj shkall t lart t integrimit (LSI) nga 3000 deri n 100.000 komponente

ku bien memrojet themelore t kompjuterve me rreth 10 000 transistor dhe mikroprocesort

e gjenerats s tyre;
-

qarqe me shkall shum t lart t integrimit (VLSI) ipe me memorie RAM prej 1 Mbit

me m tepr se 1 milion transistor.

Prve ktyre grupeve, paraqiten edhe loje t reja, si sht ,, gjithka n nj ip,, n t cilat bjn
pjes t gjitha komponetet e nevojshme pr nj kompjuter, ose mikro-kontrollues, si edhe ,,qarqet
e integruara tre-dimensionale,, me dy ose m shum shtresa t komponenteve elektronike, t
integruar vertikalisht dhe horizontalisht n nj qark.
Qarqet e integruara ndrtohen pr aplikime standarde sipas standardeve specifike ose qllime t
veanta, si sht, pr shembull, telefoni celular. Qarqet sipas standardeve t caktuara zbatohen
n fushn e kompjuterve, komunikimeve, proceset prodhuese, sistemet e transportit dhe t tjera.
ipet e qarqeve t integruara paketohen n shtpiza qeramike ose plastike. Daljet mund t
renditen n nj radh n njrn an t shtpizs, n dy radh n dy an t kundrta ose si rrjet
prreth gjith anve t shtpizs. Form rrjete t daljeve kan qarqet nga grupi VLSI.
N mesin e qarqeve t integruara n t njohura mund t ceken:

170Elektronikaanaloge

NE 555, timer-i dhe multivibrator-i, prforcuesi operacional UA741, seria logjike TTL 7400,
Seria CMOS 4000 (ktu bjn pjes edhe seria 74HC00), mikroprocesori i par INTEL 4004,
paraardhsi i 8080CPU e tjer, mikroprocesori n teknologjin MOS 6502 dhe 380,
mikroprocesort motorola seria 6800, paraardhsit e 68000 dhe 88000. Pr rndsin e
qarqeve t integruara mund t shrbej informacioni se kompjuteri i par i ndrtuar me 18000
gypa elektronik vakumi, i njohur me emrin ENIAC, kishte pesh prej 30 tonsh dhe konsum prej
200KW.

KONTROLLO NSE DIN

1.

Cila sht vetia themelore e qarqeve t integruara monolite?

2.

Cila procedur prdoret pr t formuar monokristale?

3.

Si bhet oksidimi i siprfaqes s diskut?

4.

Si sht procedura e fotolitografis?

5.

ka paraqet procesi i difuzionit?

6.

far sht rritja epitaksiale?

7.

Cilat jan procedurat baz pr ndrtimin e qarqeve t integruar?

8.

Ku zbatohen qarqet e integruara?

9.

Si ndahen qarqet e integruara n baz t funksioneve t tyre?

MBAJ MEND!!!
Qarqet e integruar prmbajn nj numr t madh t elementeve elektronike t cilat n
mes veti jan t lidhura dhe t vendosura n nj shtpiz t prbashkt dhe kryejn
funksion t veant.
Qarqet e integruara, sipasfunksioneve t tyre, mund t ndahet n: analoge dhe
digjitale.
Qarqet e integruara, nbaz t prbrjes, mund t ndahet n: hibride dhe monolite.
Qarqet e integruara hibrideprpunohen me elemente mikro-elektronike aktive dhe
pasive.
Operacionet themelore gjat ndrtimit t qarqeve t integruara monolite jan:
prgatitja dhe oksidimi i bazs, fotolitografia, difuzioni, ritja epitaksiale dhe
operacionet prfundimtare.

Qarqeteintegruara171

VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)

1. Qarqet e integruara t ndjeshm ndaj elektricitetit statik jan:

a)

Qarqet CMOS

b)

Qarqet TTL

c)

Qarqet RTL.

II Pyetje me lidhshmri
2. Lidh shnimet me llojet e familjeve t qarqeve logjike:
1. RTL

a) Logjik me transistor MOSFET

_____

2. DTL

b) Logjik me emiter-t bashkuar

_____

3. TTL

c) Logjik me transistor-transistor

_____

4. ECL

d) Logjik me diod-transistor

_____

5. IIL

e) Logjik i integruar-injektim

_____

6. MOS

f) Logjik transistor-rezistiv

_____

7. CMOS

g) Logjik me transistor MOSFET komplementar _______.

3. Lidh shkalln e integrimit t qarqeve t integruara me numrin e transistorve t integruar:

1. Qarqe me shkall t ult t integrimit

a) nga 100 deri n 3000

6

______
______

2. Qarqe me shkall t mesme t integrimit

b) m tepr se 10

3. Qarqe me shkall shum t lart t integrimit

c) nga 3000 deri 1000000

______

4. Qarqe me nj shkall t lart t integrimit

d) deri n100.

______.

172Elektronikaanaloge

III Pyetje me plotsimin

4. Seria e par e familjes TTL ka shenjn _______.
5. Seria e par e familjes CMOS ka shenjn _______.
6. Procesi i futjes s primesave n siprfaqen e diskut quhet ___________________.
7. Procesi i shtimit n bazn e diskut t silicit t shtress gjysmpruese shtes t llojit t kundrt
quhet ________________.

Hulumto dhe mso m tepr:

-

Hulumto n internet pr llojet dhe karakteristikat e

qarqeve t integruara dhe n baz t hulumtimit prpuno projekt.

-

N katalogun e qarqeve t integruara gjej familjen e qarqeve t integruara

logjike TTL dhe analizo shenjat e tyre.

-

N katalogun e qarqeve t integruara gjej familjen e qarqeve t integruara

logjike CMOS dhe analizo shenjat e tyre.

Prforcuesit operacional

173


PRFORCUESIT OPERACIONAL
Duke studiuar prmbajtjen e ksaj teme do t fitosh njohuri baz pr
prforcuesit operacional dhe do t mund:

t kuptosh rolin e prforcuesit operacional;

t prshkruash karakteristikat themelore t prforcuesit operacional;

t dallosh prforcues operacional real dhe ideal;

t kuptosh termin lidhje e shkurtr virtuale;

t interpretosh bllok-diagramin e prforcuesit operacional real ;

t analizosh skemn elektrike t prforcuesit real (PA741);

t llogarissh parametrat n konfiguracione t ndryshme t

prforcuesve operacional;

t shpjegosh lidhjen e kundrt t prforcuesit operacional;

t njohsh zbatimin praktik t prforcuesve operacional.

Prforcuesit operacional

175


5. PRFORCUESIT OPERACIONAL
Prforcuesi operacional sht njri nga elementet kryesore q mund t plotsoj numr
t madh t krkesave pr ndrtimin e sistemeve elektronike analoge. N kombinim me elemente
t ndryshme t jashtme, prforcuesi operacional mund t kryejn numr t madh t funksioneve
analoge, t tilla si prforcimi, mbledhja, integrimi, diferencimi dhe t tjera. Prdorimi i gjer i
prforcuesit operacional mundsohet me integrimin e tij n nj ip.
Prforcuesi operacional sht nj prforcues tensioni me shum stade me lidhje t
drejt-direkte, me hyrje diferenciale dhe me prforcim shumt madh.
Simboli elektrik i tij sht dhn n figurn 5.1, kurse skema ekuivalente n figurn 5.2.
Skema ekuivalente sht e prbr nga nj prforcues tensioni ideal dhe vlera t fundit t
rezistencs s hyrjes dhe daljes s prforcuesit.

Figura 5.1: Simbol elektrik i

prforcuesit operacional

Figura 5.2: Skema ekuivalente

prforcuesit operacional real

Hyrjet e prforcuesit opracional jan dy lidhje t shnuara me "+", si hyrje jo-konvertues, dhe me
"-",

si hyrje invertuese dhe tensioni i daljes Udal sht n raport t drejt me diferencn e

tensioneve t hyrjes U- dhe U+ (njlloj si tek prforcuesit diferencial):

U dal

AU U 1  U 2 

AU U   U   , .........................................................................................(5.1)

ku me AU sht shnuar prforcimi i prforcuesit operacional me lak t hapur (pa lidhje t

kundrt). Tensioni i daljes sht i zhvendosur n faz pr 1800 n raport me tensionin U2- i cili vjen
n hyrjen "-" pr at ajo edhe quhet hyrje invertuese. Tensioni i hyrjes U1+ n hyrje me shenjn "+"
sht n faz me tensionin e daljes pr at arsye edhe quhet hyrje jo-invertuese.

176Elektronikaanaloge


5.1. Prforcuesi operacional ideal

Pr t thjeshtuar operacionet matematikore pr prcaktimin e shprehjes s prforcimit
prdoret prforcuesi operacional ideal. Nj prforcues operacional i ka karakteristikat e
mposhtme:
1. Prforcimi i tensionit pakufi i madh AU=f. Funksioni primar i prforcuesit sht q prforcimi t
jet sa m i madh q t jet e mundur. Prforcimi gjithmon mund t zvoglohet me qark t
jashtm me lidhje t kundrt.
2. Rezistenca hyrse pafundsisht e madhe, Rhyrov, q stadi eksitues t mos jet i mbingarkuar,
q do t thot rrymat e t dy hyrjeve t jen zero.
3. Rezistenca dalse sht zero, Rdal = 0, prforcuesi operacional ather mund t jap rrym t
till t madhe, aq sa sht e nevojshme pr ngarkesn.
4. Koha e voness mes hyrjes dhe daljes t jet zero, dalja t paraqitet n t njjtn koh me
hyrjen invertuese. Zhvendosja fazore t jet 1800. Karakteristika e frekuencs t jet e shesht,
kurse brezi i lshimit t jet i pafund, sinjali hyrs alternativ sht vetm nj nivel i vazhduar i
ndryshueshm.
5. Bilanc-Offset ideal (pr U+=U-, Udal=0). Dalja e prforcimit t jet zero kur mes hyrjes
invertuese dhe joinvertuese bartet sinjal zero.
Skema ekuivalente e prforcuesit operacional ideal sht dhn n figurn 5.3.

Figura 5.3: Skema ekuivalente e prforcuesit operacional ideal.

N praktik prforcimi i tensionit t prforcuesit operacional bhet t jet sa m i madh, ai
shkon n kufijt nga disa mijra n disa qindra mijra her. N analiza, gjithmon supozohet
prforcim pafundsisht i madh i prforcuesit operacional, kurse me komponent t jashtm pr
lidhje t kundrt arrihen karakteristikat e krkuara. Rezistenca e daljes sht zero, kshtu q
prforcuesi operacional mund t jap rrym t nevojshme pr ngarkesn, aq sa sht e nevojshme.
Prve prforcimit, tek prforcuesi operacional real edhe karakteristikat tjera devijojn n mas t
caktuar nga ato t prforcuesit operacional ideal, por me qllim q t thjeshtohet analiza e qarkut,
prforcuesi real konsiderohet sikur t jet prforcues operacional ideal.


Prforcuesit operacional

177


5.2. Lidhja e kundrt e prforcuesit operacional

Figura 5.4: Kontakti prforcues operacionale.

Nse lidhet dalja e prforcuesit operacional me hyrjen invertuese t tij, kurse n hyrjen joinvertuese lidhet sinjal tensioni (Figura 5.4), sinjali i daljes besnikrisht do t ndjek sinjalin e
hyrjes. Me zmadhimin e sinjalit t hyrjes zmadhohet edhe sinjali i daljes, n prputhje me
definicionin e prforcimit diferencial. Megjithat, n t njjtn koh zmadhohet edhe sinjali i kthyer
i hyrjes invertuese, kurse veprimi i saj sht zvoglim i dallimit diferencial mes hyrjeve, me ka
zvoglohet tensioni i hyrjes. Pr nj vler t dhn t tensionit t hyrjes Uhyr, tensioni n dalje do
t bhet shum i afrt n vler me Uhyr (principi i ndjeksit t tensionit), por m i vogl
mjaftueshm, kshtu q do t ekzistoj dallimi i tensionit mes Uhyr dhe hyrjes invertuese, e cila
prforcohet dhe fitohet tension dals. Qarku shpejt do t arrij pikn e stabilitetit, n t ciln
tensioni i daljes e fiton vlern e sakt me t ciln rruhet dallimi diferencial i hyrjes.
Pr shembull, n qoft se prforcuesi operacional ka nj prforcim prej 200 000 her dhe nse
sht Uhyr= 6V, tensioni i daljes do t jet 5,999970000149999V, kurse tensioni diferencial i hyrjes
do t jet: 6 - 5,999970000149999V = 29,99985 V. Pr llogaritjet praktike vlera e 29,99985V
nuk sht e madhe dhe mund t llogaritet se tensioni diferencial mes dy hyrjeve mbahet me
zbatimin e lidhjes s kundrt pikrisht n zero (figura 5.5).

Figura 3.5.5: Efekti i lidhjes s kundrt dhe i thjeshtimit.

178Elektronikaanaloge
Pr llogaritjen e prforcimit t tensionit t qarkut, jan t nevojshme dy supozime:

1. Rezistenca e hyrjes e prforcuesit operacional sht e pafundme dhe asnj lloj rryme nuk
rrjedh n hyrjet e tij.
2. Prforcimi i prforcuesit operacional sht i pafund dhe me lidhjen e kundrt tensionet U+
dhe U- bhen t barabart.
Kto supozime do t prdoren n zgjidhjen e t gjitha problemeve n t cilat zbatohet prforcues
operacional ideal.
KONTROLLO NSE DIN
1. Defino prforcuesin operacional.
2. Cila hyrje quhet invertuese dhe cila joinvertuese?
3. Cilat karakteristika i ka prforcuesi operacional ideal?

5.3. Konfiguracione t ndryshme t prforcuesve operacional

Njri nga zbatimet m t prdorura t prforcuesve operacional sht zbatimi si prforcues
invertues.

5.3.1. Prforcuesi invertues

Me lidhjen e dy rezistencave, si n figurn 5.6a, sht br nj qark prforcues me prforcim i cili
varet vetm nga raporti i vlerave t dy rezistencave. Me rezistencn R2 realizohet lidhja e kundrt
negative me t ciln kthehet pjes t tensionit t daljes n hyrjen invertuese. Hyrja jo-invertuese
sht e lidhur pr masn.

Figura 5.6: Prforcuesi investues dhe skema ekuivalente e tij.

Prforcimi i tensionit t qarkut sht:

Ainv

U dal
.
U hyr

Prforcuesit operacional

179

Duke zvendsuar prforcuesin operacional me skemn e tij ekuivalente, fitohet konfiguracion si
n figurn 5.6.b. Qarku analizohet duke supozuar nj vler prfundimtare t prforcimit AU t
prforcuesit operacional, dhe pastaj rezultati shprehet pr vlern e pafundme t AU (AUo v).
Pr rrymn e lidhjes s kundrt t rezistencs R2 mund t shkruhet ekuacioni:

I R2

U dal  U hyr
R1  R2

, ....................................................................................................................(5.2)

kurse pr tensionin e hyrjes invertuese:

U

U hyr  R1 I R 2 . ..................................................................................................................(5.3)

duke zvendsuar shprehjen pr IR2 (5.2) n (5.3) fitohet:

U

U hyr  R1

U dal  U hyr
R1  R2

.....................................................................................................(5.4)

hyrja joinvertues sht e lidhur pr masn, kshtu q kemi:

U+=0 dhe Udal=-AUU-, ose U-=-Udal/AU dhe me zvendsimin e ksaj shprehje n 5.4. fitojm:

U dal

U dal  U hyr

 AU U hyr  R1
R1  R2

. ...........................................................................................(5.5)

Tash pr prforcimin e tensionit t qarkut fitohet:

Ainv

U dal
U hyr

R1
R1  R2

. ...................................................................................................(5.6)
R1
1

Au R1  R2
1

N qoft se n kt shprehje futet supozimi pr AUo v, gjegjsisht 1/AU=0 fitohet shprehje e

thjesht:

Ainv

R2
. ..............................................................................................................................(5.7)
R1

Mund t vrehet se prforcimi i tensionit i qarkut t plot rregullohet me raportin e vlerave t dy

rezistencave n qark dhe se nuk varet nga prforcimi i prforcuesit operacional AU, me kusht q
AU t ket vler shum t madhe. Shenja "-" tregon se tensioni i daljes sht i zhvendosur n faz
pr 1800 n raport me tensionin e hyrjes dhe pr kt arsye ky prforcues quhet me invertues.
Prcaktimi i prforcimit t qarkut bhet me raportin e vlerave t rezistencave t dy rezistencave.
Ndikimi i t gjith faktorve t cilt shkaktojn ndryshime n rezistenc, si sht temperatura e
ambientit eliminohen, sepse ndryshimet ndodhin n t njjtn koh n t dy rezistencat
njkohsisht dhe jan proporcionalisht t barabart, me ka raporti mbetet i pandryshuar.

180Elektronikaanaloge

Duke zvendsuar rezultatin

U dal
U hzr

R2
R1

(5.7) n ekuacionin pr tensionin e hyrjes

invertues U- (3.134) fitohet rezultat interesant: U-=0. Tensioni i hyrjes invertuese, n kto kushte,
mbetet i barabart me tensionin e hyrjes joinvertuese, n kt rast zero. N kt mnyr, n
skajet e hyrjes t prforcuesit operacional sikur ekziston lidhje e shkurt e quajtur lidhje e
shkurtr virtuale.
Tash leht mund t prcaktohet rezistenca hyrse Rhyr e qarkut, si rezistenc e shikuar kah qarku
n vendin e tensionit t hyrjes Uhyr:

Lidhja e shkurtr virtuale n hyrjen e prforcuesit operacional ekziston vetm nse ai ka t

ndrtuar lidhje t kundrt. Nse realizohet lidhje e kundrt nga dalja me hyrjen invertuese, kemi
lidhje t kundrt negative, kurse nse bhet kjo me hyrjen joinvertuese lidhje t kundrt pozitive.

5.3.2. Prforcuesi joinvertues

Nse kombinohet prforcues operacional ideal me dy rezistenca, si tregohet n figurn 5.7
fitohet prforcues operacional joinvertues, n t cilin sinjali i daljes dhe i hyrjes jan n faz. Sinjali
i hyrjes lidhet n hyrjen joinvertuese t prforcuesit operacional.

Figura 5.7: Prforcuesi joinvertues.

Me kusht q t mos rrjedh rryma n hyrjen invertuese edhe gjat paraqitjes s lidhjes s shkurtr
virtuale pr shkak t ekzistimit t lidhjes s kundrt negative, shprehja pr tensionin hyrjes
investuese dhe joinvertuese do t jet:

U

U

U hyr

R1
U dal , .................................................................................................(5.8)
R1  R2

kurse prforcimi i qarkut:

Prforcuesit operacional

Anoninv

U dal
U hyr

1

181


R2
. ...............................................................................................................(5.9)
R1

Edhe ktu prforcimi i tensionit Anoninv prcaktohet nga raporti i vlerave t rezistencave t qarkut,
eliminohen ndryshimet e rezistencave nga ndryshimi i temperaturs s ambientit, e me kt edhe i
prforcimit. Vlera minimale e prforcimit sht 1, q fitohet kur R2=0, pr dallim nga prforcuesi
invertues, i cili mund t ket prforcim edhe m t vogl se 1, e cila nuk praktikohet shpesh.

5.3.3. Prforcuesi operacional me prforcim njsi

N sistemet analog ka situata kur sht i nevojshme stad-i mesm pr riaftsim ose ndarje
dhe nga ai nuk krkohet prforcim. Pr qllime t tilla mund t zbatohet prforcues operacional
me konfiguracion si n figurn 5.8.

Figura 5.8: Prforcues operacional me prforcim njsi.

Tensioni i daljes i ktij qarku sht i njjt me tensionin e hyrjes. Megjithat, n mes t hyrjes dhe
daljes t ktij qarku ekziston dallim shum i rndsishm. Rezistenca e hyrjes sht e madhe n
ekstrem, kurse dalse shum e vogl, ka mundson riaftsim t rezistencs dalse shum t
madhe t stadit paraprak n rezistenc hyrse shum t vogl t stadit n vijim.
Nga esenca e tij, prforcuesi operacional me prforcim njsi sht rast special i prforcuesit
operacional joinvertues n t cilin i gjith tensioni i daljes Udal kthehet n hyrjen investuese U-.
Funksioni i tij themelor sht t transformoj impedanc t madhe n impedanc t vogl,
gjegjsisht t pranoj sinjal nga burimi me impedanc t lart dhe n dalje t siguroj t njjtin
sinjal pr qarkun n vazhdim me impedanc hyrse t vogl. Ai jep prforcim rryme dhe zakonisht
prdoret si prforcues ,,linj,, i cili jep sinjal pr linja t gjata apo kabllo.
MBAJ MEND!!!

Prforcuesi operacional sht prforcues tensioni me m shum stade me lidhje

direkte, me hyrje diferenciale dhe me prforcim t madh.

182Elektronikaanaloge


Me prforcuesin operacional ekzekutohen nj numr i madh i funksioneve analoge, si

jan: prforcimi, mbledhja, integrimi, diferencimi dhe t tjer.

Prforcuesi operacional ideal ka: prforcimtensioni pafundsisht t madh, rezistenc

hyrse pafundsisht t madhe dhe rezistenc dalse t barabart me zero.

Prforcuesi operacional real fitohet me zbatimin e elementeve t jashtme pr lidhje t

kundrt n prforcuesin operacional ideal.

Me prforcuesin operacional invertues, n daljen e tij fitohet sinjal hyrs i prforcuar

me zhvendosje fazore prej 1800.

Me prforcues operacional joinvertues, n daljen e tij fitohet sinjal hyrs i prforcuar pa

zhvendosje fazore.

Prforcuesi operacional me prforcim njsi shrben si transformator i impedancs

hyrse t madhe t prforcuesit burimor n impedanc t vogl t ngarkess. Ai ka

prforcim rryme t madhe dhe prforcim tensioni njsi.

5.3.4. Qarku pr mbledhje

Qarku i paraqitur n figurn 5.9 sht i ngjashm me qarkun e prforcuesit operacional
invertues. Dallimi sht n at se ky qark ka dy tensione t hyrjes U1A dhe U1B me rezistenca
prkatse R1A dhe R1B. Qarku funksionon si sumator mbledhs dhe jep tension dals
proporcional me shumn e dy tensioneve t hyrjes.

Figura 5.9: Skema e qarkut pr mbledhje.

N analizn e qarkut supozojm prforcues operacional ideal me lidhje negative, q do t thot
ekzistenca e lidhjes s shkurtr virtuale mes hyrjeve t tij (U-=U+=0) . Shprehjet pr rrymat n
qark jan:


Prforcuesit operacional

IA

U1 A
,
R1 A

IB

U1B
R1B

I R2

183


U dal
. ..............................................................................(5.10)
R2

Pr nyjen e hyrjes investuese, sipas ligjit t II t Kirkofit, mund t shkruhet:

I A  IB

 I R2 , ......(5.11)

kurse me zvendsimin e (5.10) n (5.11) fitohet:

U 1 A U 1B

R1 A R1B

U dal
,
R2

dhe m tej:

U dal

R
 2 U 1 A  2 U 1B . .(5.12)
R1B
R1 A

Ky ekuacion e definon daljen e qarkut pr mbledhje me dy hyrje dhe dy rezistenca prkatse.

Qarku mbledhs i tre ose m tepr tensioneve t hyrjes dhe rezistencave mund t formohet me
zgjerimin direkt t ktij rezultati. Prforcimi relativ i secilit nga tensionet e hyrjes n shum
prcaktohet nga raporti i vlerave t rezistencave.

5.3.5. Prforcues operacional diferencial

Skema e prforcuesit operacional diferencial, me t cilin prforcohet dallimi i sinjaleve,
sht dhn n figurn 5.10. Njri tension i hyrjes U1A lidhet prmes rezistencs R1A n hyrjen
joinvertuese, kurse tjetri U1B prmes rezistencs R1B n hyrjen invertuese t prforcuesit
operacional. Prforcuesi operacional ideal ka nj lidhje t shkurtr virtuale n mes t hyrjeve.

Figura 5.10: Prforcuesi operacional diferencial.

Tensioni i hyrjes joinvertuese U+ prfaqson pjes t tensionit U1A, i fituar me ndarsin e tensionit
R1A dhe R3:

U

R3
U1 A . ......(5.13)
R1 A  R3


184Elektronikaanaloge
Rryma n lidhjen e bashkuar rrjedh prmes rezistencave R1B dhe R2 dhe ajo sht:
I R2

U 1B  U 
R1 B

U   U dal ....(5.14)
.
R2

Nga kto dy ekuacione llogaritet:

U dal

R2
R1 B

R R  R2
U 1B  3 1B
U 1 A .

R 2 R1 A  R 3

.....(5.15)

Vlerat e rezistencs s rezistorve mund t zgjidhen n mnyr q t jen:

R1 B
R2

R1 A . ........(5.16)
R3

dhe pr tensionin e daljes do t fitojm:

U dal

R2
U 1 B  U 1 A  . ......(5.17)
R1 B

Tensioni i daljes sht proporcional me dallimin e tensioneve t hyrjes, kurse faktori i

proporcionalitetit prcaktohet me raportin e rezistencs s reaksionit R2 ndaj burimit t sinjalit pr
hyrjen invertuese R1B.

5.3.6. Konvertuesi i rryms n tension

Qarku i konvertuesit t rryms n tension sht i njohur edhe me emrin konvertues
rrym-tension.
Ekzistojn disa zbatime pr t cilat sht i nevojshm qarku pr konvertim t rryms s hyrjes n
tension. Pr kt qllim mund t prdoret qark i thjesht me prforcues operacional me rezistenc
pr lidhjen e kundrt negative. (figura 5.11).

Figura 5.11: Konvertuesi i rryms n tension.

Rryma e hyrjes nuk rrjedh npr prforcuesin operacional pr shkak t rezistencs hyrse t tij t
pafundme, ajo rrjedh vetm npr rezistencn pr lidhje t kundrt R2. Tensioni i daljes sht:

U dal

I hyr R2 . ..........................................................................................................................(5.18)

Pr kt qark nuk mund t definohet "prforcim tensioni" ose "prforcim rryme", sepse n hyrje
kemi rrym, kurse n dalje tension. Parametri me t cilin prshkruhet sa do t ndryshoj tensioni i


Prforcuesit operacional

185

daljes me ndryshimin e rryms s hyrjes do t mund t definohet si rezistenc transferuese
(bartse), me ka "transferimi" do t thot se tensioni dhe rryma nuk maten n t njjtin vend. Nj
shembull praktik i zbatimit t ktij prforcuesi sht n matsin elektronik t ndriimit. Fotodioda e
lidhur n hyrje t konvertuesit t rryms n tension (figura 5.12) jep rrym proporcionale me
intensitetin e drits q bie n objektivin e saj. Kjo rrym me konvertuesin shndrrohet n tension,
proporcional me dritn e rn, e cila matet me instrument adekuat.

Figura 5.12: Mats i drits me konvertim t rryms n tensionit.

5.3.7. Konvertuesi i tensionit n rrym

Edhe ky, si edhe konvertuesi paraprak, zakonisht prdoret n teknikat e matjes gjat
bartjes s sinjalit t matur n largsi. Pr nj bartje t till, sinjali i cili bartet ka shtrembrime m
t vogla nse bartet si sinjal i rryms. Qarku i ktij konvertori (figura 5.13) sht i njohur edhe si
konvertor tension-rrym.
Tensioni i hyrjes lidhet n hyrjen joinvertuese t prforcuesit operacional kurse rryma e daljes
rrjedh n rezistencat R1 dhe R2. Lidhja e shkurtr virtuale edhe ktu sht e pranishme, e cila e
prcakton rrymn e daljes si:

I dal

U hyr
R1

. ............................................................................................................................(5.19)

Rryma e daljes sht proporcionale me tensionin e hyrjes dhe nuk varet nga vlera e rezistencs
R2, e cila ktu e ka rolin e ngarkess.

Figura 5.13: Konvertuesi i tensionit n rrym.



186Elektronikaanaloge


5.3.8. Zhvendossi i fazs

Nse n vend t rezistencave n prforcuesin operacional invertues vendosen impedanca, t cilt
prve komponentve aktiv prmbajn edhe komponent reaktiv, ather prforcimi do t jet
madhsi komplekse. Nse modulet e impedancave kan vler t njjt, Z1=Z2, ather moduli i
prforcimit do t jet njsi:

kurse dallimi n faz n mes t tensionit t daljes dhe hyrjes do t jet:

arctg

AIM
.........................................................................................................................(5.20)
ARE

ku:
AIM -sht pjesa imagjinare e prforcimit,
ARE -sht pjesa reale e prforcimit.
Skema e zhvendossit t fazs sht treguar n figurn 5.14.

Figura 5.14: Zhvendossi i fazs.

5.3.9. Integratori
N qarkun e kontrollit automatik sht e nevojshme q t realizohet funksioni i integrimit t nj
tension alternativ.
Me termin integrim nnkuptohet ndryshimi i forms s tensionit t daljes n raport me tensionin e
hyrjes n baz t operacionit matematikor integralit.
Skema e qarkut t thjesht pr integrim sht paraqitur n figurn 5.15.

Prforcuesit operacional

187


Figura 5.15: Integruesi.

Kondensatori C sht i lidhur n mes hyrjes invertuese dhe daljes dhe me t sht krijuar lidhja e
kundrt negative. Pr shkak t ekzistimit t lidhjes s shkurtr virtuale (U+=U-, i(t)=0) n hyrjen e
prforcuesit operacional, rryma npr rezistencn R dhe npr kondensatorin C do t jet e njjt.
Gjat ksaj, ajo nuk do t varet nga kapaciteti i kondensatorit C e as nga vlera e tensionit t
daljes. Ajo rrym sht e prcaktuar nga ekuacioni:

Tensionet dhe rrymat jan shnuar si funksione t kohs t, me qllim q t potencohet se ata jan
t ndryshueshme n koh. Tensioni i daljes udal(t) sht i barabart me tensionin n skajet e
kondensatorit C, por me shenj t kundrt, shikuar n raport me rrymn e cila rrjedh npr
kondensator. Me rrjedhjen e rryms npr kondensator, ndryshohet ngarkimi elektrik i
kondensatorit, dhe me t ndryshohet edhe tensioni n skajet e tij.
N figurn 5.16 jan dhn disa shembuj q tregojn se si ndryshon tensioni i daljes t
integruesit pr tensione t ndryshme t hyrjes.

Figura 5.16: Ndryshimi n koh i tensionit t daljes tek integruesi

pr tensione t ndryshme t hyrjes.


188Elektronikaanaloge

Nse n hyrje t integruesit lidhet tension sinusoidal si n figurn 5.16a, n dalje do t fitohet e
njjta form valore si edhe tensioni i hyrjes vetm se sht i zhvendosur n faz.
N figurn 5.16b sht treguar nj shembull kur tensioni i hyrjes ka form shkall. Derisa tensioni i
hyrjes sht zero edhe tensioni i daljes sht zero. Kur do t vij n krcimin t tensionit t hyrjes,
tensioni i daljes nuk do t ndryshoj menjher.
N figurn 5.16c dhe 5.16d sht dhn shembull kur tensioni i hyrjes ka form t vals
knddrejt, pr dy konstantat kohore t ndryshme t integralit W n raport me periodn e tensionit
knddrejt W > T (figura 5.16c), dhe W < T (figura 5.16d).
Me prodhimin W = RC definohet konstanta kohore e integralit e cila e prcakton faktorin e
proporcioanlitetit t integruesit.

Diferenciatori
Skema e diferenciatorit (bllokut diferencial) sht dhn n figurn 5.17. Tensioni i hyrjes sht i
lidhur n mes t hyrjes invertuese t prforcuesit operacional dhe mass prmes kondensatorit C.
N degn e lidhjes s kundrt sht lidhur rezistenca R. Pr shkak t ekzistencs t lidhjes s
shkurtr virtuale (U+=U-, i(t)=0) n hyrjen e prforcuesit operacional, rryma e cila rrjedh npr
kondensatorin C, do t jet e njjt me rrymn npr rezistorin R.

Figura 5.17: Diferenciatori.

Tensioni i daljes sht proporcional me shpejtsin e ndryshimit t tensionit t hyrjes. Me
prodhimin W = RC definohet konstanta kohore e diferenciatorit.
N figurn 5.18 tregohen ndryshimet e tensionit t daljes tek diferenciatori pr tensione t
ndryshme t hyrjes. Nse tensioni i hyrjes tek diferenciatori sht tension sinusoidal (figura 5.18a),
tensioni i daljes do t ket t njjtn form valore si sht tensioni i hyrjes, vetm se sht i
zhvendosur n faz. Nse tensioni i hyrjes ka form valore shkall (figura 5.18b), n momentin e
krcimit t sinjalit t hyrjes, n dalje do t paraqitet krcim me shenj t kundrt me amplitud t
njjt si edhe krcimi n hyrje. Pastaj tensioni i daljes bie n mnyr eksponenciale deri n vlern


Prforcuesit operacional

189

zero. N figurat 5.18c dhe 5.18d, jan dhn shembuj kur tensioni i hyrjes ka form valore
knddrejt. N qoft se konstanta kohore e diferenciatorit sht m e madhe se perioda e
tensionit knddrejt W > T(figura 5.18c), n dalje do t paraqiten shkall t tensionit t cilat me
kalimin e kohs bien gradualisht, por jo n vlern zero. N qoft se konstanta kohore W < T (figura
5.18d), n dalje do t paraqiten maja t holla n momentin kur tensioni i hyrjes ndryshon shpejt
dhe ata bien n vlern zero. Qarku sht diferencues i mir nse ka konstant kohore t vogl n
krahasim me kohn e ndryshimit t tensionit t hyrjes. (figura 5.18d).

Figura 5.18: Ndryshimi n koh i tensionit t daljes tek diferenciatori

pr tensione t ndryshme t hyrjes.

5.3.11. Prforcuesi logaritmik

Prforcuesi logaritmik sht nj qark n t cilin ekziston nj varsi logaritmike mes
tensionit t daljes dhe hyrjes. Nj prforcues i till fitohet kur n lidhjen e kundrt t nj
prforcuesi operacional do to vendoset element i cili ka karakteristik rrym-tension eksponenciale
si sht dioda gjysmpruese. Skema e prforcuesit logaritmik sht paraqitur n figurn 5.17.

Figura 5.17: Prforcuesi logaritmik.

190Elektronikaanaloge
Tensioni i hyrjes sht i lidhur n mes t hyrjes invertuese dhe masa prmes rezistencs R. Me

diodn D, e cila sht e lidhur n mes daljes dhe hyrjes invertuese, sht krijuar lidhje e kundrt
negative tek prforcuesi operacional.
Nga kushti pr lidhje t shkurtr virtuale n hyrje t prforcuesit operacional (U+=U-, i(t)=0), rrymat
npr rezistencn R dhe prmes diods D jan t barabarta.
Rryma npr rezistencn R sht dhn nga ekuacioni:

i (t )

u hyr t 
R

...........................................................................................................................(5.21)

kurse rryma npr diodn D me ekuacioni:

i (t )

udU(t )
I S e T  1 ; ...............................................................................................................(5.22)

ku: IS sht rryma inverse e ngopjes s diods,

ud(t) sht tensioni n skajet e diods,
UT sht tensioni ekuivalent me temperaturn (n temperaturn e dhoms UT = 26mV).
Nse tension i hyrjes sht pozitiv, dioda sht e polarizuar drejt-direkt, antari eud(t)/UT sht
shum her m i madh se njshi ndrsa njshi mund t mos merret parasysh. Pr rrymn npr
diodn D fitohet:

Nse ky ekuacion shprehet prmes tensionit ud, fitohet:

ud (t ) U T ln

i (t )
. ...................................................................................................................(5.23)
IS

Pr shkak t lidhjes s shkurtr virtuale, tensioni i daljes udal(t) sht i barabart me tensionin e
diods D, por me shenj t kundrt:

u dal (t ) u d (t ) . ......................................................................................................................(5.24)
Duke zvendsuar ekuacionet (5.25) dhe (5.23) n ekuacionin (5.26) fitohet:

u dal (t ) U T ln

u hyr (t )
RI S

. ..........................................................................................................(5.25)

Tensioni i daljes sht proporcional me logaritmin e tensionit t hyrjes pr kt arsye ky qark

sht quajtur prforcues logaritmik.
Tensioni i daljes s prforcuesit logaritmik sht i varur nga temperatura prmes parametrave IS
dhe UT. Me ndryshimin e temperaturs s diods ndryshohet tensioni i daljes edhe pa ndryshim t
tensionit t hyrjes. Pr t kompensuar kt varsi, shfrytzohet skema e prforcuesit eksponencial
e ndrtuar me transistor bipolar si n figurn 5.18.

Prforcuesit operacional

191


Figura 5.18: Prforcuesi logaritmik me kompensim temperature.

Prforcuesi A1 dhe transistori T1 kryej operacionin themelor logaritmin, kurse prforcuesi A2 dhe
transistori T2 shrbejn pr kompensim.
Prforcuesi logaritmik prdoret n qarqet pr prpunimin e sinjaleve.

5.3.12. Prforcuesi eksponencial

Prforcues eksponencial sht qarku n t cilin ka nj varsi eksponenciale mes tensionit t
daljes dhe hyrjes. Skema e prforcuesit eksponencial sht paraqitur n figurn 5.19.

Figura 5.19: Prforcuesi eksponencial.

Tensioni i hyrjes sht i lidhur mes hyrjes investuese dhe mass prmes diods D. Me
rezistencn R, q sht i lidhur mes daljes dhe hyrjes invertuese, sht realizuar lidhja e kundrt
negative tek prforcuesi operacional.
Nse tensioni i hyrjes sht pozitiv, dioda sht e polarizuar direkt dhe pr rrymn npr t vlen:

i (t )

ud ( t )
udU ( t )
T

 1 | I S e U T . ...............................................................................................(5.26)
IS e

Pr shkak t lidhjes s shkurtr virtuale n hyrjen e prforcuesit operacional, tensioni i hyrjes

uhyr(t) sht i barabart me tensionin e diods ud(t):


192Elektronikaanaloge

u hyr (t ) u d (t ) . .......................................................................................................................(5.27)

Gjithashtu, rryma e cila rrjedh npr diodn D rrjedh edhe npr rezistencn R. Tensioni i daljes
sht i barabart me rnien e tensionit n rezistencn R por me shenj t kundrt:

u dal (t )

 Ri (t ) . ....................................................................................................................(5.28)

Me zvendsimin e ekuacioneve (5.28) dhe (5.29) n ekuacionin (5.30) fitohet:

Tensioni i daljes eksponencialisht varet nga tensioni i hyrjes kshtu q ky qark duhet edhe
prforcues eksponencial.
Tensioni i daljes nga prforcuesi eksponencial sht i varur nga temperatura prmes parametrave
IS dhe UT. Pr t eliminuar kt varsi, prdoret skema e prforcuesit operacional e realizuar me
transistor bipolar si n figurn 5.20.

Figura 5.20: Prforcuesi eksponencial me kompensim temperature.

Funksionin kryesor t antilogaritmit e kryejn transistori T2 dhe prforcuesi A2, kurse prforcuesi
A1 dhe transistori T1 prdoret pr kompensim.

KONTROLLO NSE DIN

1. Vizato prforcues invertues dhe paraqit shprehjen pr prforcimin e tensionit me supozimin se
AUf.
2. Defino termin "lidhje e shkurtr virtuale".
3. Ku zbatohen prforcuesit operacional me prforcim njsi?
4. Shkruaj ekuacionin pr tensionin e daljes te qarku pr mbledhje.
5. Cili prforcues operacional prforcon ndryshim t sinjaleve?
6. Cili sht prdorimi praktik i konvertuesit t rryms n tension?

Prforcuesit operacional

193

7. Cili prforcues operacional prdoret n teknikn e matjeve gjat bartjes s sinjalit t matur n
largsi?
8. Paraqite varsin e tensionit t daljes nga tensioni i hyrjes tek prforcuesi eksponencial.
9. Cili prforcues operacional prdoret n qarqet pr prpunimin e sinjaleve?
10. T vizatohet skema e integratorit dhe t prshkruhet principi i puns.
11. Cila sht mangsia e prforcuesit logaritmik dhe eksponencial dhe si eliminohet?

MBAJ MEND!!!

Me prforcuesin operacional pr mbledhje fitohet dalje proporcionale me mbledhjen e

tensioneve t hyrjes.

Prforcuesi operacional diferencial e prforcon dallimin e sinjaleve t hyrje.

Konvertuesit e rryms n tension dhe tensionit n rrym jan prforcues operacional me

zbatim n teknikn e matjeve.

Integratori fitohet kur n lidhjen e kundrt t nj prforcuesi operacional do t vendoset nj

kondensator.

Prforcuesi logaritmik prfitohet kur n lidhjen e kundrt t nj prforcuesi operacional do t

vendoset element q do t ket karakteristik rrym-tension n form eksponenciale si sht

dioda gjysmpruese.

Tek prforcuesit operacional tensioni i daljes varet n mnyr eksponenciale nga tensioni i

hyrjes. .

5.4. Prforcuesi operacional real

Prforcuesi operacional real, sipas karakteristikave t tij devijon nga ideali. Nga ana tjetr ai ka nj
struktur komplekse t prbr nga disa stade dhe numr t madh t elementeve aktive.
Karakteristika m t rndsishme t prforcuesit operacional real jan:
1) Prforcim t sinjalit diferencial t hyrjes (Diferential open-loop voltage gain)
Prforcuesi operacional real ka nj prforcim q lviz brenda kufijve 105-106. Prforcimi
karakteristik pr njrin nga prforcuesit operacional m t njohur (741) sht Ad 200000
(106dB), ndrsa vlera minimale e prforcimit t sinjalit diferencial t hyrjes sht 5000 (74dB). Pr
kt shkak shpesh mund t konsiderohet se prforcimi karakteristik Ad .

194Elektronikaanaloge
2) Karakteristika kalimtare nuk sht plotsisht lineare (nuk sht drejtz), dhe si pasoj e ksaj

vjen deri tek shtrembrimet e sinjalit.

3) Kufizimet n karakteristikn e frekuencs
Brezi i frekuencs do t lviz nga fp=0, deri n nj frekuenc kufitare t siprme.
4) Faktori i shuarjes i sinjalit njfazsh (Common mode rejection ratio-CMRR)
Ky sht nj numr q tregon se sa her prforcimi i tensionit diferencial t hyrjes sht m i
madh nga prforcimi i tensionit njfazor t hyrjes. Tek prforcuesit real ai ka nj vler prej 70dB
deri n 100dB.
5) Rezistenca e hyrjes (Input resistance)
Rezistenca e hyrjes n prforcuesin operacional real nuk sht pafundsisht e madhe. Zakonisht
sillet mes 100k dhe 1M. Megjithat, pr shkak t ekzistencs s lidhjes s kundrt, rezistenca
e hyrjes mund t mos merret parasysh. Ktu m tepr duhet t kemi kujdes n raportin mes
rezistencs hyrse dhe rezistencs s lidhjes s kundrt. Gjegjsisht, nse rryma e hyrjes n vet
prforcuesin operacional, sht shum m e vogl nga rryma npr degn kthyese, gjegjsisht
nse rezistenca e hyrjes sht shum her m e madhe se rezistenca e degs kthyese (t paktn
10 her), mund t konsiderohet se rezistenca e hyrjes nuk ndikon n prforcim. Prforcuesit
operacional me MOS transistor, n prgjithsi, kan rezistenc hyrse pafundsisht t madhe.
Megjithat, n praktik, pr shkak t nevojs pr t mbrojtur gejtin e MOSFET-it n raport me
elektricitetin statik, q zakonisht bhet me an t diodave me polarizim invers, kjo rezistenc
mund t jet m e vogl.
6) Rezistenc dalse (Output resistance)
Rezistenca e hyrje do t ket ndikim m t vogl mbi prforcimin nse rezistenca e degs kthyese
sht shum her m e madhe se e hyrjes, q sht n kundrshtim me krkesn n krahasim
me rezistencn e hyrjes. Prandaj, gjat projektimit t prforcuesit rezistenca n degn kthyese
duhet t zgjidhet n at mnyr q t ket nj vler optimale, si n raport me rezistencn e hyrjes,
ashtu edhe n raport me rezistencn e daljes. Pr m tepr, vet prforcuesi i prdorur
operacional duhet t ket sa t jet e mundur rezistenc hyrse m t madhe dhe sa t jet e
mundur rezistenc dalse m t vogl. Prforcuesit operacional me transistor pr prdorim t
prgjithshm kan rezistenc dalse nga 40 deri 100:.
7) Mosprshtatja e rryms s hyrjes- ofset i rryms (input offset current)
Q t sigurohet q tensioni i daljes t jet zero kur n hyrje nuk kemi sinjal, q t kompensohen
asimetrit n karakteristikat e elementeve, zakonisht duhet t sigurohet rrym e ndryshme e
polarizimit n transistort e hyrjes. Ofseti i rryms definohet si ndryshim i rrymave t hyrjes t
polarizimit me kusht q tensioni i daljes t jet zero.
8) Drejf i ofsetit t rryms s hyrjes (Input offset current drift)

Prforcuesit operacional

195

Prfaqson koeficient t ndryshimit t ofsetit t rryms s hyrjes dhe ndryshimit t temperaturs.
Pr prforcuesin operacional A 741 ai sht 0,1 nA/0C.
9) Mosprshtatja e tensioni t hyrjes- ofset i tensionit (input offset voltage)
Definohet si tension diferencial q duhet t lidhet mes dy hyrjeve (pr hyrje simetrike), ose n mes
t hyrjeve dhe mass (pr hyrje asimetrike), t prforcuesit operacional ashtu q tensioni i daljes
t pranoj vler zero. Quhet edhe trheqje e tensionit t hyrjes kurse varet edhe nga temperatura.
Zakonisht, tek strukturat bipolare sillet nga 0,1 deri n 2nV, ndrsa te qarqet-MOS nga 1 deri n
20mV.
10) Shtypja e ndryshimit t tensionit t ushqimit
(PSRR- power supply rejection ratio)
Pr shkak t varsis s parametrave t elementeve aktiv nga tensioni i ushqimit, sidomos nse
ndryshohet tensioni i vetm njrit prej burimeve, gjat ndryshimit t tensionit t ushqimit do t
ndryshohet edhe tensioni i daljes. Pr t kompensuar kt ndryshim t tensionit t daljes,
zakonisht sht e nevojshme t bhet ndryshimi i duhur i tensionit t hyrjes. Marrdhnia n mes
t ndryshimit t njrit prej burimeve t ushqimit dhe ndryshimit prkats t tensionit t hyrjes q
tensioni i daljes t mos ndryshohet quhet faktori i shtypjen i ndryshimit t tensionit t ushqimit.
Vler tipike sht 20V/V.
11) Shpejtsia e ndryshimit t tensionit t daljes (Slew rate)
Pr shkak t ekzistencs s kapaciteteve parazitare n elementet aktive dhe lidhjet n qark,
tensioni i daljes nuk sht n gjendje pr momentin t ndjek ndryshimet e tensionit t hyrjes.
Shkalla e rritjes s tensionit t daljes (slew rate) definohet si raport i ndryshimit t tensionit daljes
n kohn njsi gjat eksitimit t hyrjes me impuls drejtkndor. Vlera tipike sht nga 1V/s deri n
15V/s. Nse prforcuesi ka nj shpejtsi t vogl t ndryshimit t tensionit t daljes leht mundet
impulset drejtkndore t hyrjes, n dalje t paraqiten me form trapezi, kurse sinjali sinusoidal i
frekuencave t larat t shtrembrohet dhe n dalje t fitoj form t prafrt trekndshi.
12) Kompensimi i mosprshtatjes s prforcuesit operacional
Kompensimi i mosprshtatjes n hyrje (prputhje n "zero") m leht bhet nse prforcuesi
operacional, me vet konstruksionin, ka t parapar mundsin pr operacion t till. Pr
shembull, prforcuesi operacional i llojit 741 ka t ndrtuar mundsin pr prshtatje me zero. N
t jan t ndrtuar lidhje pr kompensim. sht e parapar q mes ktyre lidhjeve t vendoset
potenciometr, me ka treguesi-shigjeta i tij lidhet me masn. Duke rregulluar pozicionin e
treguesit mund t realizohet q tensioni i daljes t ket vlern zero kur n hyrje nuk ka sinjal.
Nse prforcuesi operacional nuk ka t ndrtuar mundsi pr prshtatje n zero ajo mund t
arrihet me lidhjen e elementeve t veanta pr kt qllim. Gjat ksaj sht e nevojshme t
sigurohet burim plotsues pr krijimin e tensionit, gjegjsisht rryms, pr kompensim.

196Elektronikaanaloge


13) Brez maksimal i i ndryshimit t tensionit t hyrjes sinfazor

Brezi i ndryshimit t tensionit t hyrjes sinfazor sht i kufizuar nga gjendja e transistorve n
stadin e hyrjes t nj prforcuesit operacional. N t vrtet, t gjith transistort e stadit t hyrjes
patjetr t jen n zonn aktive normale ne brezin mes tensionit t hyrjes sinfazor minimal dhe
maksimal.

14) Tensioni i hyrjes s zhurms dhe rryma e zhurms (Input noise voltage, Input noise
current)
Ato jan vlerat efektive t burimeve t tensionit dhe rryms s zhurms t prforcuesit, me ka
kufizohet niveli m i vogl i tensionit t hyrjes q mund t prforcohet. Vlera tipike pr
tensionin e zhurms sht ,

kurse pr rrymn e zhurms sht

5.4.1. Bllok-skema e prforcuesit operacional real

Prforcuesit operacional kan struktur komplekse t brendshme t vendosur n nj qark t
integruar. Blloqet baz nga t cilt sht i ndrtuar nj prforcues operacional jan: prforcues
diferencial n hyrje, prforcues tensioni dhe prforcues fuqie n dalje. (figura 5.21). Kjo sht
baza mbi t ciln sht ndrtuar sot prforcuesi operacional m i njohur 741 (UA741 ose PA741).

Figura 5.21: Bllok-skema e prforcuesit operacional.

Prforcuesi diferencial ka dy hyrje dhe nj dalje, dhe sht realizuar n at mnyr q t arrij nj
faktor t madh t shtypjes t tensionit n faz t hyrjes, rrym t vogl t hyrjes dhe rezistenc t
hyrjes t madhe, prforcim t madh stabil t pavarur nga ndryshimi i temperaturs s mjedisit.
N bllokun e dyt sht nj prforcues tensioni me prforcim t tensionit t lart. N kt pjes
zbatohet edhe kompensimi i karakteristiks s frekuencs s prforcuesit.
Blloku i tret sht nj prforcues rryme n klasn AB. Ai siguron rrym dalse t nevojshme dhe
rezistenc dalse t ult pr t gjith prforcuesin operacional, shtrembrim

minimal dhe

disipacion t vogl deri n 300mW.

Skema e thjeshtuar e prforcuesit operacional 741 sht dhn n figurn 5.22.
Prforcuesi diferencial hyrs sht i prbr nga transistort T1 dhe T2. N qarkun e prbashkt t
emiterit dhe kolektorit jan vendosur gjeneratort e rrymave I1, I2 dhe I3.


Prforcuesit operacional

197


Figura 5.22: Skema e thjeshtuar e prforcuesit operacional 741

Me gjeneratorin e rryms sigurohet q rryma e bazs t jet shum e vogl e rendit nanometr,
ka siguron rezistenc hyrse t madhe t prforcuesit operacional. Gjeneratort e rrymave
sigurojn edhe stabilitet t madh nga temperatura.
Prforcuesi i tensionit sht i formuar me transistort T3, i cili punon n lidhje me kolektor t
prbashkt, dhe T4, i cili sht n lidhje me emiter t prbashkt. N vend t rezistencs s
kolektorit, transistori T4 n qarkun e kolektorit ka gjenerator rryme I4. Me kondensatorin C
realizohet lidhja e kundrt nga kolektori i transistorit T4 n bazn e transistorit T3. Me kt lidhje t
kundrt negative sht realizuar kompensimi i frekuencs, gjegjsisht zgjerimi i brezit t lshimit t
prforcuesit. Pasi q kemi t bjm me prforcues t vazhduar (njkahsh), frekuenca kufitare e
siprme e saj sht 10Hz. Mbetet edhe mundsia pr prfshirjen e lidhjes s kundrt t jashtme.
Prforcuesi i fuqis sht realizuar me ift transistorsh komplementar T5 dhe T6, n klasn B.
Prforcimi i tensionit i ktij stadi sht njsi, por ai siguron prforcim t rryms s daljes.
Skema e plot e prforcues operacional 741, e prbr nga 24 transistor bipolar, 11 rezistenca
dhe nj kondensator, t gjith t vendosur n pllak silici prej 1mm2, e vendosur n shtpiz
metalike cilindrike ose n ip standard t integruar, sht dhn n shtojcn 1 n fund t ktij
kapitulli.

198Elektronikaanaloge


MBAJ MEND!!!

Prforcuesi operacional real ka prforcim i cili sillet brenda kufijve 105-106.

Rezistenca e hyrjes tek prforcuesit operacional real zakonisht sillet mes 100K: dhe 1M:.
Ofseti i rryms definohet si ndryshim i rrymave t hyrjes t polarizimit me kusht tensioni i
daljes t jet zero.
Drejf i ofsetit t rryms s hyrjes paraqet hers t ndryshimit t ofsetit t rryms s hyrjes
dhe ndryshimit t temperaturs.
Mosprshtatja e tensionit n hyrje definohet si tension diferencial i cili duhet t lidhet mes
dy hyrjeve (pr hyrjen simetrike), ose mes hyrjeve dhe mass (pr hyrje asimetrike), t
prforcuesit operacional q tensioni i daljes t pranoj vler zero.
Raporti mes ndryshimit t njrit prej burimeve t ushqimit dhe ndryshimit prkats t
tensionit t hyrjes q tensioni i daljes t mos ndryshoj quhet faktor i shtypjes i ndryshimit
t tensionit t ushqimit.
Shpejtsia e rritjes s tensionit t daljes (slew rate) definohet si raport i ndryshimit t
tensionit t daljes n kohn njsi gjat eksitimit t hyrjes me impuls knddrejt.
Blloqet themelore nga t cilt sht ndrtuar nj prforcuesi operacional jan:
Prforcuesi diferencial n hyrje, prforcuesi i tensionit dhe prforcuesi i fuqis n dalje.
KONTROLLO NSE DIN
1. Defino parametrat fizik t prforcuesit real,
2. Cilat jan blloqet themelore nga t cilat sht ndrtuar nj prforcues operacional real?
3. Analizo skemn elektrike t prforcuesit operacional real (PA741).
4. N ciln klas punon ifti komplementar i transistorve T5 dhe T6 n skemn e thjeshtuar
t prforcuesit operacional 741?
5. Cili sht roli i kondensatorit C n skemn e thjeshtuar t prforcuesit operacional 741?

VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Parametra t prforcuesit operacional me vler pafundsisht t madhe jan:
a) prforcimi i tensionit
b) rezistenca e daljes
c) rezistenca e hyrjes.


Prforcuesit operacional

199


2. Pr riaftsimin e rezistencs dalse t madhe t stadit paraprak n rezistencn e hyrjes t

stadit n vazhdim prdoret:
a) prforcuesi operacional invertues
b) prforcuesi operacional joinvertues
c) prforcuesi operacional me prforcim njsi.
3. Tensioni i daljes sht proporcional me ndryshimin e tensioneve t hyrjes tek:
a) prforcuesi operacional invertues
b) prforcuesi operacional diferencial
c) prforcuesi operacional joinvertues.
4. N matsin elektronik t ndriimit prdoret:
a) konvertuesi i tensionit n rrym
b) konvertuesi i rryms n tension
c) prforcuesi operacional joinvertues.
5. Prforcuesi operacional joinvertues :
a) ka lidhje t kundrt pozitive
b) ka lidhje t kundrt negative
c) nuk ka lidhje t kundrt.

II pyetje me lidhshmri
6. Lidh skemat e prforcuesve operacional me llojet e prforcuesve operacional:

1. Prforcues operacional joinvertues

___________

2. Prforcues operacional logaritmik

___________

3. Prforcues operacional eksponencial

___________.

200Elektronikaanaloge
7. Lidh renditjen e stadeve n prforcuesin operacional real:
1. Stadi I

a) Prforcues tensioni

___________

2. Stadi II

b) Prforcues diferencial

___________

3. Stadi III

c) Prforcues fuqie

___________.

III Pyetje me plotsimin

8. Kur tensioni hyrjes invertuese sht i barabart me tensionin joinvertues ather n skajet e
hyrjes t prforcuesit operacional ekziston lidhje e shkurtr e quajtur
____________________________.
9. N prforcuesin operacional invertues tensioni i daljes sht i zhvendosur n faz pr
__________ n raport me tensionin e hyrjes.
10. Qarku n t cilin ekziston varsi logaritmike mes tensionit t daljes dhe tensionit t hyrjes
quhet ___________________________________.
11. Me shprehjen sht

dhn tensioni i daljes i prforcuesit

operacional________________________.
12. ______________ sht nj numr i cili tregon se sa her prforcimi i tensionit diferencial t
hyrjes sht m i madh se prforcimi i tensionit t hyrjes n-faz.
13. Prforcuesi ________________________ prdoret n qarqet pr prpunimin e sinjaleve.

Hulumto dhe mso m tepr:

- Hulumto n internet pr prforcuesit operacional.

-Prpuno projekt n temn prforcuesit operacional.
- Hulumto n internet pr skemat me prforcues operacional dhe pr prdorimin
praktik t tyre.

SHTOJCA

Skema e plot e prforcuesit operacional 741

202Elektronikaanaloge


Burimettensionittvazhduar203


BURIME T TENSIONIT T
VAZHDUAR-DC
Duke studiuar prmbajtjet e ksaj teme do t fitosh njohuri baz pr
burimet e ushqimit (furnizimit) dhe do t mund:

t njohsh struktura t ndryshme t burimeve t ushqimit;

t shpjegosh parimin e stabilizimit t tensionit;
t dallosh burime t ushqimit t stabilizuara dhe t pa stabilizuar;
t njohsh zbatimin e prforcuesit operacional si nj burim t tensionit
t vazhduar-DC;
t lexuar skema elektrike t burimeve t stabilizuar t ushqimit me
transistor, prforcues operacional dhe stabilizator t integruar;
t njohsh zbatimin e burimeve t tensionit t vazhduar.




Burimettensionittvazhduar205

Pr funksionimin e pajisjeve elektronike jan t nevojshme tensione t vazhduara t
ushqimit. Tensionet e vazhduara fitohen nga pajisje t quajtura burime t ushqimit
(furnizimit). Dallojm tre lloje t burimeve t ushqimit, t cilt jan n prdorim masiv n t
gjitha pajisjet elektronike:
a) bateri dhe akumulator;
b) pajisje t ushqimit nga rrjeta e tensionit alternativ me transformator rrjete;
c) pajisje me sisteme komutimi t ushqimit;
d) pajisje pr dyfishim ose shumfishim t tensionit.
Furnizimi nga baterit apo akumulatort prdoret kryesisht pr pajisjet portative dhe pr
pajisjet pr t cilat nuk lejohet asnj lloj ndrprerje e furnizimit.
Pajisjet me sistem komutimi t ushqimit (SMPS - Switch Mode Power Supply) zbatohen pr
furnizimin e aparateve t ndryshme duke filluar diku nga mesi i shekullit t kaluar dhe me
kalimin e kohs gjejn zbatim gjithnj e m t gjer.

6.1. Pajisje t ushqimit nga tensioni i rrjetit

Deri tani prdorim m masiv kan pajisjet e furnizimit nga rrjeti i qytetit i tensionit alternativ,
i cili sht n dispozicion pothuajse n do hap. Tensioni i rrjetit t qytetit, n rastin m t mir, tek
ne sht 220V - 240V.
N figurn 6.1 sht dhn bllok-skema e nj pajisje komplekse pr furnizim nga rrjeti i tensionit
alternativ me zbatim t transformatorit t rrjetit.

Figura 6.1: Skema Blloku i burimit t rrjetit t tensionit t energjis.

Me kt pajisje realizohen tre funksione kryesore: ndryshimi i tensionit t rrjetit me transformator,
drejtimi dhe stabilizimi i tensionit t daljes.
Pr sistemet m t thjeshta (t tilla si pajisjet pr furnizim t njohura si "adapter") mund t bier
blloku i fundit pr stabilizimin e tensionit.
Me transformator t rrjetit zvoglohet, kurse m rrall rritet, vlera e tensionit t rrjetit e cila i
prgjigjet vlers s duhur t tensionit n dalje. Transformatori ka nj dalje primare dhe nj ose m
shum dalje sekondare, nga t cilat fitohen tensione t ndryshme sekondare.
Tensionet sekondare fitohen si produkt i tensionit primar dhe n raportin e transformimit
K me N shnohet numri i daljeve.



206Elektronikaanaloge
Transformatori ka edhe nj detyr, e ajo sht t bj ndarjen galvanike mes pajisjes q furnizohet

dhe rrjetit. Tensioni sekondar sht alternativ dhe ai me bllokun e drejtimit drejtohet dhe bhet i
vazhduar. Kshtu tensioni i vazhduar i marr nuk mundet menjher t prdoret si tension pr
furnizim, ai paraprakisht duhet t filtrohet me qark filtrues. Ky tension quhet tension i pa stabilizuar
i furnizimit. Shum pajisje elektronike krkojn q tensioni i furnizimit t ket vler konstante dhe
pr kt qllim prdoret qark pr stabilizim.

6.1.1. Drejtuesi (radrizatori) gjysmvalor

Drejtimi gjysmvalor sht proces m i thjesht me t cilin tensioni alternativ shndrrohet n t
vazhduar.

Figura 6.2: Drejtues gjysm-valor.

Kjo realizohet me qark n t cilin nj diod drejtuese e lshon vetm njrn gjysmperiod t
tensionit alternativ, kurse gjysmperiodn tjetr e bllokon.
Qarku i drejtuesit gjysm-valor sht dhn n figurn 6.2. N kt skem tensioni i sekondarit
sht treguar me shenjn skematike t burimit t thjesht t tensionit alternativ. Pr qarkun nn
a), kur pika A sht n potencial m t lart nga pika B, e kjo sht gjat kohs s gjysmperiods pozitive t tensionit alternativ, dioda sht e polarizuar direkt dhe npr rezistencn R
rrjedh rryma n drejtimin, si sht treguar n skem.
Pr kt shembull, rryma e ka t njjtn form me tensionin udal. Gjat kohs s gjysm-periods
negative, pika A sht n potencial m t ult nga pika B (figura 6.2 b), kurse dioda sht e
polarizuar invers, dhe npr rezistencn R nuk rrjedh rrym. N qark, n kohzgjatjen e nj
periode, rrjedh njfar rryme e vazhduar me vler mesatare, e cila llogaritet sipas:

Burimettensionittvazhduar207


I MES

Im

0.32 I m , ................................................................................................................(6.1)

ku Im sht amplituda e rryms, kurse tensioni i vazhduar sipas:

U VAZH

Um

; .......................................................................................................................... ..(6.2)

ku Um sht amplituda e tensionit alternativ t sekondarit.

Kjo rrym mund t paraqiten sikur t jet e prbr nga nj komponent e vazhduar IMES dhe nga
m tepr komponent harmonik, nga t cilat e para ka amplitud m t madhe. Raporti i ktyre dy
komponentve e prcakton koeficientin valor (t pulsimit) si mas pr kualitetin t pajisjes pr
furnizim. Pr drejtues t mir, koeficienti valor duhet sa m vogl q t jet e mundur.
Drejtuesi gjysm-valor ka koeficient valor 1,21 dhe rrym mesatare t vogl gj q e bn drejtues
t klass m t ult dhe pr kt qllim shrben vetm pr ngarkues t akumulatorve me plumb.
Rryma mesatare, si komponent e vazhduar, e magnetizon brthamn e transformatorit dhe e bart
n ngopje me ka zmadhohen humbjet n hekur.

6.1.2. Drejtuesi i vals s plot

Drejtuesi i vals s plot mund t bhet n dy variante: me dy dioda drejtuese dhe me
katr dioda drejtues mes veti t lidhura n konfiguracionin e urs, t njohur si lidhja e Grecit.
N figurn 6.3 sht treguar drejtuesi i vals s plot me dy dioda. Pr kt konfiguracion
prdoret transformator me sekondar i cili ka burim t mesm B, t lidhur n masn.

Figura 6.3: Drejtuesi i vals s plot me dy dioda.




208Elektronikaanaloge


Tensionet sekondare UAB dhe UCB kan amplituda t

njjta dhe faza t kundrta, kshtu q kur
gjysmperioda pozitive sht n pikn A, kurse n
t njjtn koh, n pikn C kemi gjysmperiodn
negative t tensionit alternativ t sekondarit.
Gjat kohs s gjysmperiods pozitive t tensionit
UAB, dioda D1 sht e polarizuar direkt dhe pron
rrymn i1 prmes rezistencs RL. N t njjtn koh,
n pikn
tensionit

C sht gjysmperioda negative e

UCB, pr t ciln dioda D2 sht me

polarizim invers dhe rryma i2 sht zero. N

gjysmperiodn e ardhshme situata ndryshon,
kshtu q n pikn A kemi gjysmperiod negative
dhe diodn D1 me polarizim invers, kurse n pikn
C gjysmperiodn pozitive dhe diodn D2 me
polarizimi direkt me rrym i2 e cila rrjedh n
rezistencn RL. T dy rrymat i1 dhe i2 rrjedhin n
drejtimin e njjt, secila n do gjysmperiod
(figura 6.4).

Figura 6.4: Format valore t

drejtuesit t vals s plot.
Vlera mesatare e rryms npr ngarkes sht:

I mes

2I m

0,64 I m . .....................................................................................................................(6.3)

Kjo rrym sht dy her m e madhe se rryma mesatare e drejtuesit gjysmvalor, q do t thot
se ka edhe koeficient valor m t mir, i cili sht 0,48.
Kto karakteristika tregojn se drejtuesi i vals s plot sht shum m i mir nga ai gjysmvalor,
me at dallim q prdor sekondar di m t shtrenjt me burim t mesm. Por, prsri,
transformatori nuk ka "rrjedhje-t kot", n sekondarin e transformatorit rrjedh rryma n t dy
gjysmperiodat edhe at n kahe t kundrta, me ka brthama e transformatorit magnetizohet
me njrn dhe magnetizohet n drejtimin e kundrt me rrymn e kundrt gjat secils period t
tensionit. N kt mnyr zvoglohen humbjet n hekurin dhe pr fuqi t njjt ky transformator ka
dimensione m t vogla dhe pesh n krahasim me transformatorin e drejtuesit gjysmmalor.

Burimettensionittvazhduar209

Varianti i dyt i drejtuesit t vals s plot me 4 dioda sht treguar n figurn 6.5.

Figura 6.5: Drejtuesi i vals s plot me katr dioda.

Prparsia e ktij drejtuesi sht n at q ka vetm nj sekondar. Diodat jan t lidhura n nj
ur, me ka n njrn diagonale t urs lidhen skajet e sekondarit t transformatorit, kurse n
diagonalen tjetr rezistenca e ngarkess RL.
Gjat kohs s gjysmperiods pozitive n pikn A, dioda D1 sht e polarizuar direkt dhe pron
rrym i1 n njrin skaj t rezistenc RL. Qarku i rryms mbyllet prmes rezistencs RL dhe diods
D2, e cila gjithashtu, sht e polarizuar direkt. Dy diodat tjera jan me polarizim invers. Gjat
kohs s gjysmperiods negative n pikn A, diodat D3 dhe D4 jan me polarizim direkt dhe n
qark rrjedh rryma i2, kurse diodat D1 dhe D2 jan me polarizim invers.
Grafiku i rryms npr ngarkesn sht i njjt si n figurn 6.5, kurse e njjt sht edhe vlera
mesatare e saj dhe koeficienti valor, sikur tek drejtuesi me dy dioda.
Konfiguracioni i urs s diodave sht i njohur si lidhje e Grecit dhe ai vendoset n
shtpiz me katr dalje: dy t shnuara me shenjn ,,a,, , kurse dy t tjerat me ,,+,, dhe ,,-,,. N
daljet me shenjn ,,a,, lidhet tensioni alternativ, kurse mes daljeve me shenjat ,,+,, dhe ,,-,, fitohet
tensioni i vazhduar.

6.1.3. Filtri kapacitiv pr drejtues

Tensioni i daljes i drejtuesit gjysmvalor gjat gjysmperiods zmadhohet nga zero deri n Um dhe
pastaj bie n zero. Kjo gjendje prsritet 50 her n sekond. Kjo mund t jet e pranueshme pr
disa qarqe pr mbushje t baterive, por jo edhe pr shumicn e sistemeve elektronike. Pr
furnizimin e sistemeve elektronike sht i nevojshm tension i vazhduar, i ngjashm me tensionin
e bateris, e ai sht tension konstant i cili ka ndryshime t vogla me kalimin e kohs, ose nuk i ka
aspak.
Sistemet reale t furnizimit nuk japin plotsisht tension t barabart. Duke aplikuar qarqe filtruese,
tensioni i vazhduar mund tu afrohet krkesave t tilla.



210Elektronikaanaloge
Filtrat pr drejtim realizohen me komponent reaktiv: kondensator dhe bobina. Kto elemente

kan veti t akumulojn energji, dhe pastaj ta kthejn n qark n momentin e caktuar.
Filtri m shpesh i prdorur pr drejtim sht filtri-RC, prfaqsuar me nj kondensator me
kapacitet t madh (kondensator elektrolitik), i lidhur n paralel n rezistencn e ngarkess RL.
Skema elektrike e drejtuesit gjysmmalor me filtr kapacitiv sht treguar n figurn 6.6.

Figura 6.6: Drejtues gjysmvalor me filtr kapacitiv.

Gjat kohs s gjysmperiods pozitive t tensioni UAB, dioda pron dhe e mbush kondensatorin
n vlern prafrsisht t barabart me Um (intervali 1 n grafikon). Rezistenca R1 sht me vler
relative t vogl dhe ka detyr ta mbroj diodn nga rryma m t mdha t cilat rrjedhin n
momentin e kyjes, sepse n at moment kondensatori sht i zbrazt dhe paraqet lidhje t
shkurtr. N analizn e mtejshme ai nuk do t merret parasysh.
Nga momenti kur kondensatori C sht i ngarkuar deri n vlern e tensioni Um, ai e mban
tensionin e daljes t lart deri n gjysmperiodn tjetr pozitive dhe ciklin e ardhshm t ngarkimit.
Kur tensioni UAB do t bie nn vlern e tensionit t kondensatorit, dioda bhet me polarizim invers
dhe shkyet nga qarku deri n ciklin e ardhshm, ku tensioni UAB prsri do ta tejkaloj tensionin e
kondensatorit. N kt period, rrymn npr ngarkes e jep kondensatori dhe ai, pr shkak t
vlers s fundme t rezistencs s RL, ngadal shkarkohet. Tensioni i kondensatorit ngadal bie
n mes t dy cikleve t ngarkimit (intervali 2 n grafikon). Zbrazja ndodh praktikisht n nj vij t
drejt, ndrsa shpejtsia e zbrazjes sht e prcaktuar me konstantn kohore W:

RLC . .....................................................................................................................................(6.4)

Koeficienti valor i drejtuesit gjysmvalor me filtr kapacitiv llogaritet sipas:

FB

0,0058
. ..........................................................................................................................(6.5)
CRL

Burimettensionittvazhduar211

Pr t marr nj koeficient valor m t madh, sht e nevojshme q t zmadhohet kapaciteti i C.
Por, edhe ktu ekzistojn kufizime, pasi q rritet rryma e ngarkimit t kondensatorit dhe mundsia
e djegies s diods sht m e madhe.
Pr filtrin kapacitiv tek drejtuesit e vals s plot vlen e njjta analiz me at q intervali 2 sht
m i shkurtr dy her dhe koeficienti valor sht m e mir n krahasim me at tek drejtuesi pa
filtr.

MBAJ MEND!!!
Furnizimi i pajisjeve elektronike mund t bhet ngabaterit dhe akumulatort, nga rrjeti i
tensionit alternativ me transformator dhe nga rrjeti me sistem komutimi;
Drejtimi gjysmvalor bhet me nj diod drejtuese;
Drejtimi i vals s plot bhet me dy ose katr dioda drejtuese n lidhjen e Grecit;
Me drejtimin e vals s plot fitohet shfrytzim m i mir i transformatorit dhe koeficient
valor m i vogl;
Me zbatimin e filtrit kapacitiv pr drejtim prmirsohet karakteristika valore, zvoglohet
prania e komponentve alternative t tensionit n dalje t drejtuesit.

KONTROLLO NSE DIN

1. far lloje t burimeve t furnizimit (ushqimit) ekzistojn?
2. Cila jan funksionet kryesore t pajisjeve pr furnizim nga rrjeti me tension alternativ?
3. Cila sht detyra e transformatorit t rrjetit?
4. Vizato drejtues gjysmvalor dhe sqaro parimin e puns s tij.
5. Defino termin ,, koeficient valore (t pulsimit),,.
6. Sa sht vlera e koeficientit valor tek drejtuesi gjysmvalor, e sa tek ai i vals s plot.
7. Vizato lidhjen e Grecit dhe shpjegoje se si funksionon.
8. Cila sht prparsia e drejtuesit t vals s plot me katr dioda n krahasim me
drejtuesin e vals s plot me dy dioda?
9. Cili sht funksioni i filtrit kapacitiv pr drejtuesin?




212Elektronikaanaloge


6.2. Stabilizimi dhe rregullimi i tensionit

Pajisje e furnizimit (ushqimit), e prbr nga transformator, drejtuesi dhe filtri paraqesin
burim jostabil t furnizimit.
Pajisja ideale pr furnizim mund t ket rezistenc t brendshme zero (burimi ideal i tensionit),
ose rezistenc pafundsisht t madhe t brendshm (burim ideal i rryms). N burimin ideal t
furnizimit tensioni i daljes ose rryma e daljes nuk varen nga rezistenca e ngarkess.

Figura 6.7: Burim ideal furnizimi i tensionit dhe rryms.

Pajisja reale e furnizimit ka vler t fundme t rezistencs s brendshme dhe ai mund t
prfaqsohet me nj burim tensioni ideal dhe me rezistencn e brendshme RN (figura 6.7a).
Nse n ngarkes rrjedh rryma I, tensioni i ngarkess do t jet:

U RL

U BUR  RN I . .....................................................................................................................(6.6)

do ndryshim n rezistencn e ngarkess RL do t shkaktoj nj ndryshim n rrymn I, e me t

edhe t tensionit t ngarkess URL. N rastin e fundit n lidhjen e shkurtr t daljes, rryma I e fiton
vlern maksimale, ka mund t shkaktoj dmtim t ndonjrit element t pajisjes s furnizimit.
Nse pajisjen reale pr furnizim e paraqesim me nj burim rryme ideal, i cili jep rrym konstante
dhe rezistenc t brendshme t lidhur n paralel RS, e fitojm qarkun e paraqitur n figurn 6.7b.
Si do q t jet ndryshimi i rezistencs s ngarkess, ndryshon rrymn IRL pr llogari t rryms IRS
sipas shprehjes:

I RS  I RL .

..........................................................................................................................(6.7)

Burimet e rryms pr furnizim hasen m rrall n praktik.

Kjo tregon se tek burimi real pr furnizim tensioni i daljes ose rryma e daljes ndryshojn me
ndryshimin e rezistencs s ngarkess.
Si u tha, pothuajse do qark elektrik krkon tension konstant t furnizimit. Kjo do t thot se n
dalje t burimit t pa-stabilizuar pr furnizim duhet t vendoset qark pr stabilizimin dhe t fitohet
burim i stabilizuar pr furnizim.

Burimettensionittvazhduar213


6.2.1. Stabilizimi i tensionit me diod zener

Stabilizatori m i thjesht i tensionit prdor diod zener, si element i cili n karakteristikn n
zonn e ngopjes ka vetin q n skajet t mbaj tension konstant. Mnyra e lidhjes s saj sht
dhn n figurn 6.8.

Figura 6.8: Stabilizator i tensionit me diod zener.

N figur kemi burim jostabil t furnizimit, stabilizator t tensionit, t ndrtuar me rezistencn R1
dhe diodn zener ZD dhe rezistenc t ngarkess RL. Tensioni i pa stabilizuar Uns duhet t jet
m i madh se tensioni i stabilizimit t diods zener Uz. Nprmjet rezistencs R1 do t rrjedh rryma
I, kurse npr diodn zener rryma Iz, me ka

I Z  I RL , .............................................................................................................................(6.8)

kurse tensioni i stabilizuar sht:

US

RL I RL , .............................................................................................................................(6.9)

Deri n ndryshimin e tensionit Us mund t ndodh me ndryshimin e tensionit t pa stabilizuar Uns

ose pr shkak t ndryshimit t rryms IRL, t shkaktuar me ndryshimin e rezistencs s ngarkess
RL.
Nse vjen deri tek rritja e tensionit t pa stabilizuar Uns, do t rritet rryma I e rezistencs R1. Tash
vjen n shprehje veprimi i diods zener, ashtu q do t rritet rryma e saj Iz, kurse rryma IRL dh
tensioni Us ngelin t pandryshuar. N rastin e zvoglimit t tensionit t pa stabilizuar, procesi rrjedh
n drejtimin e kundrt, ashtu q zvoglohet rryma e diods zener.
Kur vjen deri te ndryshimi i rezistencs s ngarkess RL, tentimi pr ndryshimin e rryms IRL
kompensohet me ndryshimin e rryms s diods zener Iz. Nse zvoglohet RL, zvoglohet rryma
Iz, q rryma IRL t mbetet e pandryshuar dhe anasjelltas. N t dy shembujt tensioni Us ngelet i
pandryshuar, gjegjsisht ai sht stabilizuar.
Prdorimi i ktij stabilizatori sht i kufizuar me rrymn e lejueshme t diods zener, kurse
zakonisht pr rrym prej disa mA jep rezultate t mira. Pr sa i takon tensionit, diodat zener me t
njjtin intensitet t rryms lejuar mund t lidhen n seri dhe me kombinim t duhur t fitohet
tensioni i krkuar.



214Elektronikaanaloge


6.2.2. Stabilizatori serik i tensionit me transistor

N stabilizatorin me diod zener gjithmon ka nj rnie t tensionit t rezistencs R1 dhe fuqi e
cila shndrrohet n nxehtsi. Kufizimet e rryms mund t shmangen duke prdorur nj element
aktiv transistor, n seri me ngarkesn. Qarku i nj stabilizatori t till sht dhn n figurn 6.9.

Figura 6.9: Stabilizator serik i tensionit me transistor.

Qark sht i prbr nga nj stabilizator i tensionit me diod zener, e cila trheq rrym prej disa
dhjetra miliampersh dhe me t cilin stabilizohet tensioni i bazs s transistorit T1. Transistori
punon si nj prforcues n lidhje me kolektor t prbashkt ose ndjeks emiterial dhe mund t
proj rrym edhe deri n disa amper. Me rrymn IB, transistori mbahet n gjendjen e
prueshmris dhe siguron rrymn IRL pr ngarkesn. Tensioni Uz dhe tensioni i lidhjes s
emiterit t transistorit UBE jan konstant, kshtu q pr tensionin e daljes Us mund t shkruhet:

US

U Z  U BE , ........................................................................................................................(6.10)

edhe ai sht konstant. Efekti i stabilizimit mund t analizohen pr ndryshimin e rezistencs s

ngarkess dhe pr ndryshimin e tensionit t pa stabilizuar.
Nse zvoglohet rezistenca e ngarkess RL, do t rritet rryma e bazs IB, e cila rrjedh
prmes ksaj rezistence dhe do t shkaktoj ndryshim pr (1+E) her t rryms s kolektorit.
Thjesht thn: edhe nj konsumator i lidhur n paralel krkon rrym m t madhe nga stabilizatori
dhe e fiton n mnyrn e prshkruar automatikisht. N rast t zmadhimit t rezistencs s
ngarkess (lidhje edhe t nj konsumatori), zvoglohet rryma e bazs, gjegjsisht e kolektorit dhe
fitohet i njjti tension i stabilizuar si edhe para saj.
Nse zvoglohet tensioni i pa stabilizuar Uns, me veprimin e stabilizatorit zener rryma IB mbetet e
pandryshuar, me ka fitohet rrym e kolektorit m e vogl dhe tension UCE m i vogl n sasi t
barabart me aq sa sht zvogluar tensioni i pa stabilizuar Uns. Pasi q :

US

Burimettensionittvazhduar215

U RL U ns  U CE , .............................................................................................................(6.11)

tensioni i daljes URL mbetet i pandryshuar. Pr tension t madh Uns, veprimi sht i njjt, vetm
me drejtim t kundrt. Transistori serik n kt stabilizues ka kushte m t rnda pune kur nuk ka
ngarkes, kur sht i ekspozuar n tension maksimal dhe n rryma t mdha t ngarkess, kur ka
disipacion t madh. N kt rast zbatohen masa pr ftohje shtes me ndrtimin e ftohsve n
shtpizn e transistorit.
Pr stabilizator me rrym m t madhe t transistorit serik prdoret lidhja e Darlingtonit, si
tregohet n figurn 6.10. Pa lidhjen e ngarkess, rrjedh vetm rryma e diods zener.

Figura 6.10: Stabilizator tensioni me

lidhje t Darlingtonit

Figura 6.11: Stabilizator me rregullim t

tensionit t daljes

Duke lidhur potenciometr paralelisht me diodn zener, si n figurn 6.11, mund t fitohet tension i
stabilizuar me rregullim.

6.2.3. Stabilizator serik i tensionit me lidhje t kundrt

Mangsi e stabilizatorit t prshkruar m par sht se qarku i stabilizatorit nuk ka asnj lloj
informacioni kthyes pr at si sht realizuar stabilizimi. Nj informacion i till mund t realizohet
me qarkun e lidhjes s kundrt, si n figurn 6.12.

Figura 6.12: Stabilizatori i tensionit me lidhje t kundrt.




216Elektronikaanaloge
Me ndarsin e tensionit R3 - R4 fitohet e dhna pr madhsin e tensionit t daljes dhe nuk bartet

n bazn e transistorit T2. Emiteri i T2 mbahet n tension fiks dhe t stabilizuar, t fituar me
diodn zener. Si do q t jet, ndryshimi i tensionit t stabilizuar Us shkakton ndryshim t tensionit
U1. Nj ndryshim i till quhet tension i gabimit dhe bartet n hyrjen e transistorit T2, i cili punon si
prforcues i tensionit t vazhduar. Tensioni i gabimit i prforcuar n hyrje t stadit pr rregullim t
stabilitetit vjen n bazn e transistorit serik dhe e ndryshon rrymn e tij, n pajtim me tensionin e
gabimit. Kjo do t thot, nse gabimi sht n drejtimin negativ (zvoglim i tensionit Us)
zvoglohet rryma IC2, zvoglohet rnia e tensionit t rezistencs R1, tensioni n pikn B,
gjegjsisht tensioni i bazs s T1 rritet, e me t edhe rryma e transistorit serik, me ka
kompensohet zvoglimi i tensionit Us. E njjta gj vlen edhe pr gabimin n drejtimin pozitiv, kur
vjen deri te zvoglimi i rryms s transistorit serik dhe kthimin e tensionit t stabilizuar n vlern e
mparshme.
Ky lloj i stabilizatorit quhet stabilizator kompensues i tensionit t vazhduar. N praktik ky
qark jep prmirsim n stabilizimit deri edhe n 10 her m t madh se qarku i mparshm.

KONTROLLO NSE DIN

1. Cilat jan elementet prbrse t burimit t pa stabilizuar t furnizimit?
2. far ndodh me tensioni e daljes dhe rrymn e daljes te burimi real i furnizimit?
3. Pse prdoret dioda zener n stabilizatort e tensionit?
4. Cila sht prparsia e stabilizatorit t tensionit me transistor n krahasim me stabilizatorin e
tensionit me diod zener?
5. Cila sht mangsia e stabilizatorit t tensionit me transistor q sht tejkaluar me stabilizatorin
serik t tensionit me lidhje t kundrt?
6. Cili stabilizator quhet stabilizator kompensues i tensionit t vazhduar?

6.3. Stabilizatort linear t integruar t tensionit

Stabilizatort linear t integruar t tensionit prmbajn rregullator serik t rryms dalse
dhe qark kontrollues me t cilin vzhgohet tensioni i daljes dhe kontrollohet me
rregullatorin serik q t mbaj tensionin e daljes n vlern e krkuar.
Skema e thjeshtuar e nj stabilizator t integruar t tensionit sht dhn n figurn 6.13.

Burimettensionittvazhduar217


Figura 6.13: Skema e thjeshtuar e stabilizatorit t integruar t tensionit.

Tensioni i daljes kontrollohet nga nj hyje e lidhjes s kundrt me stad t caktuar t kompensimit,
q t sigurohet stabilitet i nyjs (t mos paraqiten vet-oshilime). Shumica e stabilizatorve linear
kan t ndrtuar kompensim dhe jan plotsisht t stabilizuar pa zbatimin e komponentve t
jashtme. Kompensimi zakonisht bhet me kapacitet t lidhur n skajin dals kah masa.
Me T1 dhe lidhjet e ndrprera sht treguar rregullatori serik, i prbr nga dy transistor-NPN n
lidhjen e darlingtonit, i eksituar ne transistor PNP. Rryma n rregullatorin serik, e cila del nga
emiteri i transistorit n lidhjen e darlingtonit t transistorit, komandohet nga transistori T2 dhe me
prforcuesin e tensionit t gabimit. Rryma e ndarsit t tensionit R1-R2 sht shum m e vogl
se rryma e ngarkess IRL.
Nyja e lidhjes s kundrt, e cila komandon me lidhjen e kundrt, fillon me ndarsin e tensionit
R1-R2, i cili duhet ta ,,lexoj,, tensionin e daljes. Tensioni i ,,lexuar,, bartet n hyrjen invertuese t
prforcuesit t tensionit t gabimit. Hyrja joinvertuese sht e lidhur n tensionin referent, q do t
thot se prforcuesi i tensionit t gabimit vazhdimisht e prshtat daljen e tij (rrymn npr T1) q ti
bj tensionet e hyrjeve t tij t jen t barabart. N kt mnyr, me veprimin e nyjs s lidhjes
s kundrt mbahet tensioni i daljes n vler fikse, pa marr parasysh ndryshimet e rrymave t
ngarkess.
Stabilizatori linear i integruar i tensionit paketohet n shtpiz me tre dalje, kurse mnyra e lidhje
s sht dhn n figurn 6.14.

Figura 6.14: Lidhja e stabilizatorit t integruar t tensionit.

N figur sht treguar nj stabilizator konkret pr +5V, i cili bie n familjen e
stabilizatorve 78xx pr tension pozitiv dhe 79xx pr tension negativ (nn shenjn xx futen vlerat e
tensionit t stabilizuar pr t cilin sht destinuar stabilizatori, si pr shembull, 05).



218Elektronikaanaloge


Figura 6.15: Stabilizatori i tensionit me ndars tensioni.

N figurn 6.15 sht dhn skema si lidhet stabilizatori i tensionit q t merret vlera e tensionit t
daljes, e cila nuk sht n vlerat standarde t prodhuesve. Me nj ndars t jashtm tensioni R1,
R2 prcaktohet vlera e tensionit t daljes si:

US

U REF R1  R 2
. .............................................................................................................(6.12)
R1

Nga t dhnat, e cekura n figurn 6.15, shihet se n vet stabilizatorin (n rregullatorin serik t tij)
ekziston rnie e caktuar e tensionit, e caktuar si rnie mes tensionit t hyrjes t pa stabilizuar dhe
tensionit t daljes t stabilizuar. Ekziston nj vler minimale n kt rnie t tensionit, nn t ciln
rregullatori nuk mund t kryej funksionin e stabilizimit dhe t rregullimit.
Vlera e rnies minimale t tensionit varet nga konfiguracioni i rregullatorit serik n
stabilizator, kshtu q sipas saj dallojm:
- stabilizator standard (me transistor n lidhjen e Darlingtonit si rregullator serik) dhe
- stabilizator baterie (me nj transistor-PNP pr rregullator serik).
Pr stabilizatorin standard, rnia minimale e tensionit sht 2,5 V - 3V, q do t thot se pr
stabilizator pr +5V, tensioni i hyrjes duhet t jet m i madh se +8V. Sa m i madh t jet rnia e
tensionit, m e madhe sht disipacioni i brendshm n stabilizator, gj q krkon masa shtes
pr t ftohur trupin e stabilizatorit. Stabilizatori standard sht m i mir pr prdorim me burime
furnizimi t rrjetave.
Stabilizatori i baterive ka nj rnie m t ult t tensionit me nj vler minimale prej 0,7V deri n
0,8V dhe ai varet drejtprdrejt nga rryma e ngarkess. Pr vlera t vogla t rryms mund t arrij
deri n 50mV. Prdoren zakonisht pr mbushjen e baterive.

KONTROLLO NSE DIN

1. Si shnohet familja e stabilizatorve t integruar t tensionit pr tension pozitiv, dhe si pr
tension negativ?
2. ka paraqesin dy shifrat e fundit n etiket?
3. Cili stabilizator prdor transistor darlingtoni si rregullator serik?
4. Cili transistor prdor nj transistor-PNP pr rregullator serik?

Burimettensionittvazhduar219


6.4. Stabilizatori i rryms

Stabilizatori i rryms paraqet burim t rryms konstante npr ngarkes edhe gjat ndryshimit t
rezistencs s saj. Rregullimi sht i mundur pr ndryshimin e rezistencs s ngarkess brenda
kufijve t caktuar.

Figura 6.16: Burim i rryms konstante

- qarku i stabilizimit t rryms.
Qarku i thjesht i stabilizatorit t rryms sht dhn n figurn 6.16. Me ndihmn e diods zener
dhe rezistencs n qarkun e emiterit mbahet rryma konstante n kolektorin e transistorit. Rryma e
emiterit ndahet n dy komponent: rryma e kolektorit dhe rryma e bazs. Nse me ndryshimin e
rezistencs s ngarkess vjen deri te rritja e rryms s kolektorit, rritet edhe rnia e tensionit n
rezistencn e emiterit dhe deri te zvoglimi i tensionit baz-emiter, sepse tensioni i bazs mbahet
n nivel konstant me diodn zener. Me zvoglim t tensionit UBE zvoglohet edhe rryma e bazs, e
cila, megjithat, e zvoglon rrymn e kolektorit dhe e kthen n vlern paraprake.
Ky princip i stabilizimit t rryms gjersisht prdoret n qarqet e integruara, ku sht i nevojshm
burim i rryms me impedanc t lart.
Rregullatori i rryms me zbatim t qarkut t integruar n stabilizimin e tensionit sht treguar n
figurn 6.17.

Figura 6.17: Rregullator i rryms me stabilizator

t integruar t tensionit.

KONTROLLO NSE DIN

1. Sqaro procesin e stabilizimit t stabilizatorit t rryms.
2. Ku prdoret stabilizimi i rryms?




220Elektronikaanaloge


6.5. Stabilizatori i tensionit me kufizim t rryms

Nse vendoset, nga fardo lloj arsye, dalja e stabilizatorit t tensionit n lidhje t kundrt, npr
transistorin serik do t rrjedh rrym e madhe e cila mund ta shkatrroj transistorin. N kt rast,
sht e nevojshme q t kufizohet rryma e ngarkess n vler paraprakisht t prcaktuar, t ciln
transistori serik do t mund ta prballoj pa u dmtuar.

Figura 6,18: Stabilizatori i tensionit me kufizim t rryms.

N figurn 6.18 sht treguar skema elektrike e stabilizatorit t tensionit n t ciln jan
shtuar elemente pr kufizimin e rryms. Me diodat D2 dhe D3 fitohet tension stabil prej 1,4V pr
bazn e T1, q ky stad t punoj si kufizues i rryms. N qoft se rryma e ngarkess rritet aq sa
rnia e tensionit n R5 t bhet m e madhe se 0,7V, fillon qarku pr kufizim. Vlera e rezistencs e
R5 sht 0,7: pr kufizimin e rryms prej 1A, 0,35: pr rrymn prej 2A e kshtu me radh.
N figurn 6.19 tregohet prdorimi i prforcuesit operacional si stabilizator i tensionit,
bashk me qarkun pr kufizimin e rryms.

Figura 6.19: Stabilizator i tensionit me prforcues operacional.



Burimettensionittvazhduar221


6.6. Stabilizatori i sakt me prforcues operacional

Dioda zener si stabilizator nuk e jep plotsisht tensionin e stabilizuar n dalje, me
ndryshimin e rryms ndryshon edhe tensioni n lidhjet dalse t qarkut pr stabilizim.
Me kombinimin e diods zener dhe prforcuesit operacional (figura 6.20) fitohet burim i tensioni
shum m stabil.

Figura 6:20: Stabilizator i sakt i tensionit me prforcues operacional.

Kusht themelor sht q tensioni n hyrje t qarkut t jet pr 5V m i madh nga tensioni i
stabilizuar i daljes sht:

Tensioni n dalje sht pak m i madh se tensioni nominal i diods zener dhe mund t
bhet rregullim i sakt i tensionit t daljes me potenciometrin P n kufijt prej 0,5 deri n 1 V.
Kshtu, pr shembull, pr diodn zener me nj tension nominal prej 5,6 V n dalje mund t fitohet
tension prej 6V.
Tensioni n hyrje mund t sillet deri n 30V, me kusht q pr 5V t jet m i madh se ai dals,
kurse rryma maksimale q e jep ky burim i tensionit sht 20 mA.

6.7. Drejtues i sakt i vals s plot me prforcues operacional

Drejtues i sakt i vals s plot sht dhn n figurn 6.21.
Prforcuesi operacional A1 me diodat D1 dhe D2 paraqet drejtues t sakt t vals s plot, kurse
prforcuesi operacional A2 mbledhs t tensioneve uhyr dhe ua. Kur tensioni i hyrjes sht pozitiv,
tensioni i daljes s drejtuesit sht ua = udal. Tensioni i daljes nga mbledhsi A2 sht:

udal

uhyr  2ua

uhyr  2uhyr

uhyr .


222Elektronikaanaloge


Figura 6.21:Drejtuesi i sakt i vals s plot me prforcues operacional.

Derisa tensioni i hyrjes uhyr sht negativ, dalja e drejtuesit t sakt t vals s plot udal=0. Tash
tensioni i daljes nga mbledhsi A2 sht:

udal

uhyr .

Pasi q tensioni i hyrjes sht negativ, tensioni i daljes sht pozitiv.

Me kt tregohet se tensioni i daljes sht vler absolute e tensionit t hyrjes, ose

udal

uhyr .

MBAJ MEND!!!
Pajisja pr furnizim (ushqim), e prbr nga transformatori,drejtuesi, filtri dhe stabilizatori
paraqet burim t stabilizuar t ushqimit.
Me ndryshimin e rezistencss ngarkess ndryshohet tensioni i daljes ose rryma e daljes
s drejtuesit.
Stabilizatori i tensionit bhet me diod zener me transistor t lidhur n seri dhe me
stabilizator linear t tensionit.
Stabilizator i rryms sht burim i rryms konstante e cila nuk ndryshohet me ndryshimin
e ngarkess.

KONTROLLO NS DIN
1.

ka ndodh nse dalja e stabilizatorit t tensionit sht n lidhje t shkurtr dhe ka

duhet t kufizohet?
2.

Vizatoni nj stabilizator t tensionit me qark pr kufizimin e rryms i cili prmban

prforcues operacional.

Burimettensionittvazhduar223


VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. N dalje t stabilizatorit t integruar t tensionit me shenj 7905 fitohet tension i stabilizuar me
vler:
a) 79V
b) 5V
c) 7905V.
2. N dalje t stabilizatorit t integruar t tensionit me shenj 78xx fitohet:
a) tension pozitiv
b) tension negativ
c) tension alternativ.

II Pyetje me lidhshmri
3. Lidh drejtuesin me madhsin e faktorit valor :
1. Drejtues gjysmvalor ______

a) 1,21

2. Drejtues i vals s plot me dy dioda_____

b) 0,48

3. Lidhja e Grecit ______

4. Lidhu sipas renditjes stadet nga bllok skema e burimit t furnizimit:
1. Stadi I

a) Filtr ____

2. Stadi II

b) Drejtues ____

3. Stadi III

c) Stabilizator tensioni ____

5. Lidh burimet ideale me madhsin e rezistencave t tyre t brendshme:

1. Burim rryme ideal

a) Zero ___

2. Burim tensioni ideal

b) Pafundsisht e madhe ____




224Elektronikaanaloge

III Pyetje me plotsimin

6. Pr stabilizimin e tensionit prdoret dioda zener n zonn e _______________.

7. Transformatori i rrjets n burimet e furnizimit prve rolit t transformimit t tensionit kan edhe
rolin e _____________________.
8. Pajisje pr furnizim, e prbr nga transformatori, drejtuesi dhe filtri paraqet ______________.

Hulumto dhe mso m tepr:

- Ndrto drejtues gjysmvalor dhe t vals s plot n paketn
programore electronic workbench dhe t oshiloskopit, krahaso
tensionin e daljes me t hyrjes.
- Hulumto n internet pr drejtuesit dhe n baz t hulumtimit prpuno projekt.
- Ndrto burim t stabilizuar t tensionit n paketn programore electronic
workbench dhe t oshiloskopit, krahaso tensionin dals t fituar
nga burimi i pa stabilizuar i tensionit.




TIRISTORT

Njohuri themelore pr tiristort do t fitosh duke studiuar

prmbajtjet e ksaj teme nga elektronika dhe do t mund:

T prshkruash mnyrn e puns s tiristorve;

T njohsh karakteristikat themelore t tiristorve;
T dallosh ndarjen e tiristorve;
T njohsh zbatimin praktik t tiristorve.

Tiristort227

Tiristort jan nj grup elementesh me konfiguracion prej katr ose m shum

materialeve gjysmpruese, t renditur ashtu q t krijojn s paku tre kalime PN dhe

kan m s paku dy dalje (figura 7.1). Njri nga tjetri, tiristort dallohen sipas numrit t
daljeve, drejtimit t prueshmris dhe forms s karakteristikave statike.

Figura 7.1: Konfiguracioni baz i tiristorit.

7.1. Dinistori
Elementi me struktur si n figurn 7.1 sht quajtur dinistor ose diod Shokli. Daljet e saj jan
t shnuara me A-anoda dhe K-katoda.

Figura 7.2: Struktura e skems ekuivalente t dinistorit.

Kjo struktur mund t shfaqet edhe n nj mnyr tjetr, e ndar n dy struktura PNP dhe NPN, si
n figurn 7.2. Shtresat

gjysmpruese nuk jan t t njjts gjersi dhe prqendrim t

primesave. Gjersi m t madhe ka shtresa N1, kurse prqendrim m t madh t primesave kan
shtresat n skaje P1 dhe N2.


228Elektronikaanalaoge


7.2. Tiristori
M shtimin edhe t nj dalje, t lidhur n shtresn e mesme-P n strukturn nga figura 7.1,
fitohet elementi tiristor me tre dalje, i njohur si SCR (Silicon Controlled Rectifier- radrizator)drejtues silici i komandueshm ose thjesht tiristor, si haset zakonisht n praktik. Lidhjet e tij jan
t shnuara si A-anoda, K-katoda dhe G Gejt ose porta (figura 7.3). Anoda dhe katoda kan t
njjtin rol si edhe te dinistori, kurse gejti ka rolin e elektrods komanduese pr kyje t tiristorit.

Figura 7.3: Struktura dhe simboli

elektrike i tiristorit.

Figura 7.4: Skema ekuivalente e

tiristorit.

Pr analizn e puns s tirirstorit do t shrbehemi, me skemn ekuivalente me dy transistor

(figura 7.4).
Kur qarku i gejtit sht i hapur, tiristori sillet njlloj sikur dinistori.
T shohim se far sht ndikimi i gejtit kur tiristori sht n gjendjen e jopreshmris direkte.
Nse mundsohet rrjedhje e rryms n gejt, kjo rrym do t zmadhoj edhe rrymn e bazs t
transistorit t dyt IB2 dhe prmes shtegut t bashkimit pozitiv: IB2 e zmadhuar jep IB1 t zmadhuar,
ajo jep IC1 t zmadhuar e kshtu me radh., rritet edhe rryma e anods IA dhe rnie e tensionit t
tiristorit UAK, deri n momentin kur ky tension nuk e arrin vlern e tensionit t kyjes, tiristori
kthehet n gjendjen e prueshmris direkte. N kt gjendje, n tirirstor ka rnie t vogl t
tensionit (rreth 1V) dhe npr tiristor rrjedh rrym e madhe, e prcaktuar me tensionin e teristorit
UAK dhe rezistenca e ngarkess e lidhur n qarkun e anods.
Nga ky moment, qarku i gejtit nuk ka m asnj lloj ndikimi n rrymn e tiristorit. Rryma e gejtit
mund t ndrpritet, kurse rryma npr tiristor vazhdon t rrjedh. Kjo do t thot se rryma e gejtit ka
rolin vetm t shtyj procesin e reaksionit pozitiv dhe prueshmrin e tiristorit dhe ajo mund t
ket karakter impulsiv. Tiristori mund t kyet me impuls tensioni t shkurt pozitiv.

Tiristort229

Rryma e gejtit duhet t ket vler t caktuar dhe kohzgjatje q t mund t ky tiristorin gjat nj

tensioni t caktuar UAK. Me rritjen e rryms t gejtit zvoglohet tensioni i kyjes s tiristorit UBO, e
kjo do t thot se tiristori do t kyet edhe n tension m t vogl se UAK.
Shkyja e tiristorit, ndodh vetm kur rryma e tiristorit do t zvoglohet nn vlern e rryms s
mbajtjes IH. Kjo do t thot q duhet t ndalet qarku i rryms s anods, ose t zvoglohet
tensioni UAK q rryma t bie nn vlern IH.

7.3. Karakteristikat statike t tiristorit

Tiristort kan dy qarqe t rrymave: qarkun e rryms t hyrjes (komandues) dhe t
daljes (kryesor), dhe sipas ksaj dy karakteristika rrym-tension.
a) Karakteristikat statike dalse
Kto karakteristika tregojn varsin e rryms s anods IA nga tensionit mes anods dhe katods
UAK pr vlera t ndryshme t rryms s gejtit IG (figura 7.5).

Figura 7.5: Karakteristikat statike e daljes

e tiristorit

Figura 7.6: Karakteristika statike e hyrjes

e tiristorit

b) Karakteristikat statike hyrse

Kto karakteristika tregojn varsin e rryms s gejtit nga tensioni mes gejtit dhe katods UGK.
Kyja e gejtit sht e mundur vetm nse rryma e gejtit sht pozitive, gjegjsisht kur qarku u
hyrjes sht i polarizuar pozitivisht.
Karakteristika e hyrjes ka t njjtn form si karakteristika e diods s zakonshme. Por, t gjith
tiristort e llojit t njjt nuk kan karakteristik hyrse t njjt, ekziston dallim i

madh n

karakteristikat e qarqeve hyrse dhe pr kt ata tregohen si n figurn 7.6. Lakoret kufitare u
prgjigjen shembujve me rezistenc minimale dhe maksimale t gejtit pr llojin e dhn t tiristorit.


230Elektronikaanalaoge


MBAJ MEND!!!
Tiristort jan nj grup i elementeve me konfiguracion prej katr ose m tepr kalimeve
gjysmpruese.
Dinistori sht element tiristorsh katrshtresor me tre kalime PN dhe me dy dalje (anod dhe
katod).
Tiristori ose drejtuesi i kontrollueshm i silicit sht element me tre dalje: anod, katod dhe gejt.
Tiristori eksitohet me tension pozitiv n gejt.
Tiristori mund t shkyet nse ndrpritet qarku i anods, ose nse zvoglohet tensioni anodkatod nn vlern e tensionit t kyje s tiristorit.
KONTROLLO NSE DIN
1. Si fitohet struktura e tiristorit?
2. Si shkyet tiristori?
3. Defino gjendjet e bllokimit direkt, prueshmris direkte dhe bllokimit invers t tiristorit.
4. Si eksitohet tiristori?

7.4. Diaku
Me lidhjen paralele t dy dinistorve, t vendosur n drejtime t kundrta, fitohet
njri prej elementeve t familjes s tiristorve, i quajtur diak. Qarku ekuivalent (i
barasvlershm) dhe simboli elektrik i diakut sht dhn n figurn 7.7. I br n nj pllak silici,
diaku paraqet element me struktur pes-shtresore NPNPN.

Figura 7.7: Struktura dhe simboli elektrik

i diakut

Figura 7.8: Karakteristika rrym-tension

e diakut


Tiristort231

Kur sht e lidhur n tension t vazhduar, diaku sillet si dinistor standard, ai do t proj n njrin

drejtim nga skaji pozitiv drejt skajit negativ t tensionit t burimit. Nse ndryshohen skajet e diakut,
ai prsri do t proj, q do t thot se skajet e tij nuk sillen si anod dhe katod. Pasi q diaku
pron n t dy drejtimet skajet e tij shnohen me A1 dhe A2 ose me MT1 dhe MT2.
Si edhe t gjith tiristort, diaku do t filloj t proj kur tensioni i skajeve t tij do t arrij
vlern e tensionit t eksitimit. Sipas ksaj vlere ai dallohet nga diodat standarde, t cilat bhen
pruese n vlern e tensionit prej rreth 0,6V, kurse pr diakun kjo vler sht rreth 30-35V.
Karakteristika rrym-tension e diakut sht dhn n figurn 7.8.
Diaku rrall prdoret i vetm, zakonisht sht i shoqruar me elemente tjera tiristorsh.

7.5. Triaku
Me lidhje e dy tiristorve n paralel, ngjashm me lidhjen e dy dinistorve, fitohet
element i ri i tiristorve, i njohur si triak. Triaku mund t definohet si tiristor dy drejtimesh i cili
pron n t dy drejtimet. Qarku i tij ekuivalent dhe simboli elektrik jan dhn n figurn 7.9.
Triaku pron n t dy drejtimet dhe daljet e triakut jan t shnuara si anoda 1, anoda 2, dhe
gejti. Sinjali komandues i gejtit mund t jet edhe pozitiv edhe negativ n raport me A1. Po ashtu,
edhe tensioni mes A1 dhe A2 mund t jet pozitiv ose negativ.

Figura 7.9: Struktura dhe simboli elektrik i triakut.

Edhe triaku sillet n gjendjen e prueshmris nse mundsohet rrjedhja e rryms n gejt.
Rryma e gejtit mund t ket drejtim t njjt ose t kundrt me rrymn kryesore. Rryma kryesore
llogaritet pr pozitive nse rrjedh nga anoda 2 kah anoda 1, kurse negative nse rrjedh nga anoda
1 kah anoda 2.

232Elektronikaanalaoge


KONTROLLO NSE DIN

1. ka paraqet diaku?
2. N far dallohet diaku nga diodat standarde?
3. Si duket karakteristika rrym-tension e diakut?
4. Si mund t definohet triaku?
5. Cili sht dallimi n mes triakut dhe tiristorit?
6. Pse nuk mundet daljet anoda 1 dhe anoda 2 mes veti t zvendsohen?

7.6. Zbatimi i tiristorve

Funksioni kryesor i tiristorve sht q t komandoj me rrymn n dalje me intensitet t
madh me ndihmn e rryms s vogl n qarkun eksitues.
Rezistenca dhe rnia e vogl e tensionit, e me t edhe humbjet e vogla t fuqis n gjendjen e
prueshmris dhe rezistenca e madhe dhe qndrueshmria n tensione t mdha n gjendjen
e jo-prueshmris, i bjn tiristort t prshtatshm pr prdorim si komutues pakontakt n
qarqet pr rregullimin e rryms dhe fuqis, veanrisht pr konsumatort e mdhenj.
Prve pr komutues, kta komponent prdoren edhe pr rregullimin e vazhdueshm t
fuqis elektrike, m shpesh si drejtues, invertor (pr konvertimin e rryms s vazhduar n
rrym alternative) ose konvertues frekuence pr rregullim t vazhdueshm t shpejtsis
s elektromotorve.
Sa pr krahasim, lloje t caktuara t transistorve mund t punojn me fuqi mbi 500W, me rrym
m t madhe se 50A dhe tension m t madh 500V. Pr dallim nga ata, tiristort mund t punojn
me fuqi m t madhe se 250KW, me rrym mbi 1000A dhe me tension mbi 2500V. Karakteristike
sht se fuqia eksituese pr aktivizimin e transistorit sht m e madhe nga ajo q sht e
nevojshme pr tiristorin me t njjtn fuqi dalse. Disavantazh i tiristorve sht shpejtsia m e
vogl e komutimit dhe pr kt arsye ata nuk mund t shfrytzohen pr komutim dhe rregullim t
sinjaleve me frekuenca t larta.
Tiristort kan zbatim shum t madh n elektronikn industriale dhe automatik pr kontrollimin
e fuqis s konsumatorve t mdhenj, si jan elektromotort, pajisjeve pr ngrohje, reflektorve
elektrik, kurse n jetn e prditshme pr rregullimin e intensitetit t ndriimit n poet elektrike, pr
rregullimin e shpejtsis s motorve elektrik n pajisje t ndryshme shtpiake, pr rregullimin dhe
automatizimin e mbushjes s stacioneve akumuluese dhe shum zbatime tjera.
Triaku prdoret pr zbatime m t thjeshta me fuqi t vogl, kryesisht n pajisje pr amvisri,
pajisje t ndryshme elektrike pr rregullimin e shpejtsis, ndrsa tiristort gjejn zbatim kryesisht
pr rregullimin e motorve njkahsh t fuqishm n industri.


Tiristort233

MBAJ MEND!!!

*
*
*

Diaku sht element me struktur pes-shtresore dhe pron n t dy drejtimet.

*
*

Triaku sillet n gjendjen e prueshmris me rrymn e gejtit.

Tiristort kan zbatim m t madh pr kontrollimin e fuqis s elektromotorve, pajisjeve pr

Diaku prdoret zakonisht i shoqruar me elemente tjera tiristorsh.

Triaku sht tiristor dy drejtimesh i cili pron n t dy drejtimet dhe prdoret n qarqe me tension
alternativ.
Tiristort prdoren pr komandim me rrymn me intensitet t madh me ndihmn e rryms s vogl
t gejtit.
ngrohje dhe reflektorve elektrik, kurse triakt n pajisjet pr amvisri.

VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Tiristori sht n gjendjen e shkyur kur gjendet n:
a) Prueshmri direkte
b) Bllokim direkt
c) Bllokim invers.
2. Pr rregullimin e motorve njkahsh t fuqishm n industri prdoret:
a) Tiristori
b) Diaku
c) Triaku.

II Pyetje me lidhshmri
3. Lidh simbolet skematike me elementet:

a)
1. Tiristor
2. Diak
3. Triak

b)

c)

___________
___________
___________.

234Elektronikaanalaoge

III Pyetje me plotsimin
4. Elementet elektronike me konfiguracion prej katr ose m tepr materialeve gjysmpruese, t
renditur ashtu q t krijojn s paku tre kalime PN dhe kan s paku dy dalje quhen
_____________________.
5. Karakteristikat t cilat tregojn varsin e rryms s gejtit nga tensioni mes gejtit dhe katods
UGK jan karakteristika _______________________.
6. Tiristori dydrejtimsh q pron n t dy drejtimet quhet _____________________.

Hulumto dhe mso m tepr:

- Hulumto n internet pr llojet e tiristorve dhe bn krahasimin dhe analizn e

karakteristikave rrym-tension t tyre.
- Mso m tepr nga literatura tjetr dhe krko ndihm nga profesori pr
zbatimin praktik t tiristorve.



Elementetspecifikeelektronike235


ELEMENTET SPECIFIKE
ELEKTRONIKE
Me studimin e prmbajtjeve t ksaj teme do t fitosh njohuri themelore pr
ndrtimin, karakteristikat dhe zbatimin e llojeve t ndryshme t elementeve
elektronike dhe do t mund:

t shpjegosh mnyrn e puns s termistorve;

t shpjegosh rndsin e koeficientit t temperaturs s termistorit;
t dallosh rezistencat PTC dhe NTC;
t shpjegosh mnyrn e puns s elementeve fotoelektrike;
t dallosh elementet q i prkasin grupit t elementeve fotoelektrike dhe ti
prshkruash karakteristikat themelore;
t njohsh zbatimin praktik t elementeve fotoelektrike;
t kuptosh mnyrn e puns s releve;
t dallosh lloje t releve;
t njohsh zbatimin praktik t releve, sidomos n fushn e
telekomunikacionit si element komutues.

Elementetspecifikeelektronike237


8.1. Termistort
Termistort paraqesin grup t elementeve me rezistenc (rezistiv) t ndjeshme ndaj
temperaturs, prej nga ajo edhe rrjedh emri i tyre, i prbr nga shkurtesat e fjalve ,,termik
(thermal)" dhe ,,rezistiv "(resistor),,. Ekzistojn dy lloje t termistorve: NTC dhe PTC. NTC
(Negativ Temperatura Coeficient) jan termistor me koeficient temperature negativ, q do t thot
se rezistenca e tyre zvoglohet me rritjen e temperaturs. Prandaj, ato prdoren si sensor t
temperaturs. PTC (Pozitiv Temperatura Coeficient) jan termistor me koeficient temperature
pozitiv, me ka rezistenca e tyre ritet me rritjen e temperaturs. Kjo karakteristik mundson
zbatimin e tyre n qarqe pr rregullimin e rryms elektrike.
Varsia mes rezistencs s termistorit dhe temperaturs ka karakter linear dhe mund t shprehet
si:

'R

k'T ; ..............................................................................................................................(8.1)

ku jan:
R - ndryshimi i rezistencs
T - ndryshimi i temperaturs
k koeficienti i temperaturs s rezistencs.
Simboli elektrik i termistorit sht dhn n figurn 8.1.

Figura 8.1: Simboli elektrik i termistorit.

Koeficienti i temperaturs k i termistorit prfaqson nj ndryshim relativ t rezistencs gjat

ndryshimit t temperaturs pr 1K (Kelvin). Ky koeficient sht i varur nga koeficienti linear i
temperaturs . .
zistenca e termistorit definohet nga:
Re R T  R T0 1  D'T  . .........................................................................................................(8.2)
N kt formul me R sht paraqitur rezistenca e termistorit n temperaturn e matur T, To sht
temperatura referente, kurse T sht dallimi n mes temperaturave T dhe To. Me sht
paraqitur koeficienti linear i temperaturs.

238Elektronikaanaloge


8.1.1. Termistori - NTC

Termistort me koeficient temperature negativ arrijn zhvillimin m madh dhe zbatim n mesin e
shekullit t kaluar. Si shndrrues t temperaturs n informacion elektrik, karakterizohen me
ndjeshmri t madhe. Prdorimi m t madh gjejn n matjen elektrike t temperaturs, n
mjeksi, biologji, gjeologji dhe t tjert. Karakteristika e varsis s rezistencs nga temperatura
sht paraqitur n figurn 8.2.

Figura 8.2: Karakteristika e varsis s rezistencs nga temperatura e termistorit-NTC.

Me rritjen e temperaturs deri n vlern e treguar n grafik me Tc, rezistenca zvoglohet n nj
mas t paprfillshme. N zonn nga pika M deri n pikn N, rezistenca rritet sipas funksionit
eksponencal, kurse mbi pikn N ngadalsohet dhe arrin nj maksimum dhe prsri bie.
Termistort NTC prodhohen nga oksidet e metaleve, kromi, mangani, kobalti, nikeli, bakri e t
tjer. Me kombinimin e disa llojeve t oksideve krijohet nj przierje nga e cila me procesin e
shkrirjes n temperatur mbi 10000C formohen rezistencat me form t topit, diskut apo cilindrit.
Temperatura maksimale e puns sht nga 3000C deri n 3500C, kurse sot prpunohen termistor
edhe pr temperaturn nga 7000C deri n 10000C. N fushn e temperaturave t ulta, termistort
zbatohen deri n disa dhjetra shkall Kelvin.

8.1.2. Termistori - PTC

Termistort me koeficient temperature pozitiv nuk prdoren pr matjen e temperaturs.
Senzort me termistorPTC pr temperatur t caktuar japin sinjale diskrete. Brezi i matjeve t
termistorve-PTC sht i ngusht, kurse ndjeshmria sht dhjet her m e mdha n krahasim
me termistort-NTC. Material pr prodhimin e termistorvePTC sht barium-titanati, i cili bie n
materialet me veti feromagnetike. Barium-titanati sht nj izolues, kurse rezistenca e tij bie duke
futur primesa t donorve.


Elementetspecifikeelektronike239

Karakteristika e varsis s rezistencs nga temperatura, deri n 1000C sht dhn n figurn 8.3.

Figura 8.3: Karakteristika e varsis s rezistencs

nga temperatura e termistorit-NTC.
Sensort-PTC rezistiv t silicit kan brez mats relativisht t ngusht (nga -50 0C deri n 150 0C).
N kt brez punojn nj numr i madh i pajisjeve t industris ushqimoret, kondicionerve,
meteorologji, pajisje shtpiake, automobila dhe t tjer. Karakteristika e tyre sht dhn n
figurn 8.4.

Figura 8.4: Karakteristika e varsis s rezistencs nga

temperatura n sensort -PTC rezistiv.
Termistort prpunohen nga pjes t imta n materiale qeramike speciale (okside t ndryshme t
metaleve), kurse n koht e fundit pr prodhimin e tyre prdoret edhe silici dhe germaniumi.
Ndryshimi i rezistencs elektrike t termistorit mund t shkaktohet nga ndryshimi i temperaturs s
ambientit, ose pr shkak t rrjedhjes s rryms elektrike n termistor. Termistort si sensor t
temperaturs prdoren si elektroda t ndjeshme ndaj nxehtsis s mjedisit n t cilin ata jan t
vendosura. Ata e matin temperaturn e mjedisit nprmjet impulseve elektrike. Gjithashtu, ata
marrin pjes n kontrollimin e nxehtsis, kshtu bjn q pajisjet ku jan t lidhura t ngrohen
m ngadal. Sensort me termistor zakonisht jan t prbr nga m shum shtresa t
materialeve gjysmpruesish t lidhur n trupin e termistorit. Kto materiale paraqesin rezistenc

240Elektronikaanaloge
n qarkun n t cilin sht i lidhur termistori dhe kshtu e regjistrojn nxehtsin e krijuar nga

rryma elektrike. Termistort kan rezistenc t madhe pr ndryshime t vogla t temperaturs dhe
numri m i madh i tyre jan t br prej oksideve t manganit, kobaltit, nikelit dhe bakrit . Prve
prej ktyre materialeve, pr prodhimin e termistorve prdoret edhe silici dhe germaniumi.
Termistort prdoren pr t mbrojtur qarqet elektronike nga mbingarkesa deri te e cila vjen kur
pajisje e "ftoht" vendoset q t arrihet ngrohje graduale.
Si sensor t temperaturs, ata punojn me saktsi t madhe n nj brez temperature relativisht
t vogl, n krahasim me sensort tjer t temperaturs. Sensort e termistorve hasen n
termometrat digjital, telefoni, automjete, pajisjet TV dhe stereo. Dimensionet e vogla t tyre
mundsojn zbatimin e tyre n shum pajisje tjera pr kontrollin automatik dhe komandimin n
shkenc dhe industri.

MBANI MEND!!!
Termistort paraqesin elemente t ndjeshm reziston n temperatur.
Tek termistort -NTC (Negativ Temperatura Coeficient)rezistenca zvoglohet me
rritjen e temperaturs.
Tek termistort me koeficient temperature pozitiv rezistenca rritet me rritjen e
temperaturs.
Koeficienti i temperaturs k t termistorit paraqet ndryshimin relativ t rezistencs
gjat ndryshimit t temperaturs pr 1K.

KONTROLLO NSE DIN

1. Defino termin termistor.
2. far lloje t termistorve ekzistojn?
3. Si definohet koeficienti i temperaturs s termistorit?
4. Ku kan zbatim m t madh termistort -NTC?
5. Ku zbatohen termistort -PTC?
6. Si shprehet varsia mes rezistencs s termistorit dhe temperaturs?
7. Vizato karakteristikn e varsis s rezistencs nga temperatura n termistorin-NTC dhe
sqaroje at.
8. far lloje t termistorve ekzistojn?
9. ka ndodh n termistor gjat ndryshimit t temperaturs s mjedisit?

Elementetspecifikeelektronike241


8.2. Elementet fotoelektrike

Elementet fotoelektrike jan elemente vetit elektrike t t cilve varen nga ndryshimet e
energjis s rrezatimit t drits.

8.2.1. Fotorezistort
Fotorezistort jan elemente elektronike t ndrtuar nga materiale gjysmpruese. Karakteristika
kryesore e fotorezistorve sht ndryshimi rezistencs elektrike gjat ndryshimit t fluksit t
ndriimit i cili bie n siprfaqen e tyre.

Figura 8.5: Fotorezistor n qark elektrik me burim ushqimi.

Kur vendoset n qark elektrik me burim ushqimi, fotorezistori lshon rrym I proporcionale me
vlern e rezistencs s tij (figura 8.5). Nse fotorezistori nuk rrezatohet, n qarkun n t cilin
gjendet rrjedh rryma I0 "rryma e errsirs". Kur n siprfaqen e fotorezistorit bie drita, kuantet e
drits-fotonet ua dorzojn energjin e tyre atomeve t materialit gjysmprues nga i cili sht
ndrtuar rezistori dhe shkaktojn shkputjen e lidhjeve valente, duke krijuar numr t barabart t
elektroneve t lira dhe vrimave. Elektronet e lira dhe vrimat t bien nn ndikimin e fushs elektrike
t burimit t ushqimit, t krijuar n rezistor. Elektronet e lira trhiqen kah skaji pozitiv, kurse vrimat
kah ai negativ i tensionit t rezistorit, me ka krijohet rrym proporcionale n ndryshimin e fluksit t
drits. Kjo rrym i shtohet ,,rryms s errsirs,, dhe fitohet rryma totale e fotorezistorit. Kjo do t
thot se ndryshimi i fluksit t drits ka shkaktuar ndryshimin e rezistencs s fotorezistorit dhe
kshtu sht konvertuar n sinjal elektrik.
Procedura e prodhimit t fotorezistorit konsiston n futjen e materialit gjysmprues t ndjeshm
n nj substrat (shtres) t pllaks qeramike. Futja bhet me talogim t materialit t avullueshm
ose me sinterim t pluhurit gjysmprues n temperatur t lart. N skajet e pllaks vendosen
kontakte metalike dhe mbi to prforcohen daljet me t cilat rezistori lidhet me qarkun elektrik. Nj

242Elektronikaanaloge
pllak e till e fituar vendoset n shtpiz plastike ose metalike me pjes t tejdukshme t

ndrtuar nga qelqi ose plastika e cila e lshon dritn t bie n siprfaqen fotorezistive.
Fotorezistort bhen nga disa lloje t materialeve gjysmprues, secili me karakteristik
spektrale vetjake. Fotorezistor nga sulfid-zinku kan ndjeshmri m t madhe n fushn e
rrezatimit ultraviolet, ato nga germaniumi dhe sulfit- bakrit n fushn e rrezatimit infrared, t silicit
pr rrezatim prej rreth 1000nm, kurse sulfitet-e kadmiumit n rrezatimin e dukshm (figura 8.6).

Figura 8.6: Karakteristikat spektrale t fotorezistorit

pr materiale t ndryshme gjysmpruese.
Varsia e rryms I nga fluksi i drits pr vlera t ndryshme t tensionit t fotorezistorit sht
paraqitur n figurn 8.7. Kjo karakteristik nuk sht lineare, ajo tregon ngopje t rryms pr vlera
t mdha t fluksit t drits.

Figura 8.7: Diagrami i ndjeshmris

Figura 8.8: Skema elektrike e Dritmatsit.

s fotorezistorit.
Fotorezistort zbatohen n instrumente t thjeshta pr matjen e ndriimit, t ashtuquajturit
dritmats (figura 8.8), dhe si detektor t drits n alarme t ndryshme dhe pajisje komanduese.

Elementetspecifikeelektronike243

KONTROLLO NSE DIN
1. ka ndodh n fotorezistorin i cili sht i lidhur n qarkun elektrik me burim ushqimi, kur n
siprfaqen e tij bie drita?
2. Kur npr fotorezistor rrjedh ,,rryma e errsirs,,?
3. Shpjegoje procedurn e prodhimit t fotorezistorit.
4. Cilt fotorezistor kan ndjeshmri m t madhe n fushn e rrezatimit t dukshm?
5. Ku zbatohen fotorezistort?
6. Sqaro ndrtimin e karakteristikave t fotorezistorve.

8.2.2. Fotodiodat
Fotodioda, si edhe fotodetektort tjer, kan detyr t shndrrojn rrezatimin e drits n
sinjal elektrik. N rastin ideal, sinjali elektrik duhet t jet proporcional me intensitetin e drits e
cila bie n diod. Njri prej prdorimeve kryesore sht celulat solare (diellore).
Si materiale pr prpunimin e fotodiodave zakonisht prdoret silici ose arsenid galiumi (GaAs),
indiumantimonidi (InSb), indiumarsenidi (InAs), selenidi i plumbit (PbSe) dhe sulfati i plumbit
(PbS). Kto materiale absorbojn dritn e nj brezi t caktuar t gjatsis valore, pr shembull,
nga 250 nm dri n 1100nm pr silicin, prej 800nm deri n 2Pm pr galiumarsenidin. Modeli dhe
simboli pr skemn elektrike t fotodiods jan dhn n figurn 8.9.

Figura 8.9: Modeli dhe simboli elektrik pr skema elektrike i fotodiods.

E dim se nj foton i drits s absorbuar krijon nj elektron dhe nj vrim. N qoft se ata ndahen,
para se t ken mundsi t rikombinohen dhe t fillojn t lvizin n drejtime t kundrta, do t
fitohet rrym elektrike, e quajtur foto-rrym, kurse n lidhjet e jashtme tension, i quajtur fototension.

244Elektronikaanaloge

Fotodioda pa polarizim t jashtm
N fotodiodat pa polarizim t jashtm drita futet n element prmes nj shtrese t holl t llojit-P.
Ashtu si futet m thell n material intensiteti i saj zvoglohet edhe at sipas ligjit eksponencial.
Fotoni i drits, i cili sht futur n barrier, krijon elektron t lir dhe vrim. Elektroni dhe vrima
bien nn ndikimin e fushs t brendshme elektrike t kalimit dhe kalojn npr kalim. Elektronet
dhe vrimat e krijuara jasht barriers lvizin n mnyr kaotike, shum prej tyre hyjn n barrier,
ndrsa t tjerat rikombinohen dhe humben pa arritur n t. Sa m i madh t jet numri i
elektroneve dhe vrimave n barrier, e kjo do t thot se intensiteti i drits q bie mbi diod sht
m i madh, aq m e madhe sht edhe fotorryma.
Gjersia e barriers mund t rritet me nivelin e primesave t futura n gjysmprues. Dioda e
ktij lloji punon n regjimin e fototensionit, ajo paraqet burim t fototensionit dhe fotorryms pa
ndihmn e burimit t jashtm t ushqimit. Dioda t tilla prdoren n fotoaparate pr matjen e
ndriimit t objektit q incizohet dhe n celula solare (diellore).
Fotodiodat me burim t jashtm pr polarizim
Megjithat, mnyr m e leht pr zgjerimin e zons sht duke zbatuar polarizim t jashtm.
Ktu dioda punon n regjimin e fotoprueshmris me ndihmn e burimit t jashtm t ushqimit.
Fotodioda punon n regjimin me polarizim invers. Kur fotodioda nuk sht e ndriuar, n qark
rrjedh vetm rryma inverse e diods, e quajtur rryma n ersir. Fotorryma e diods ndryshon nga
vlera e rryms n ersir (dioda e pandriuar) deri n vlern e ndriimit maksimal. Karakteristika e
saj e varsis s rryms nga tensioni i polarizimit pr nivele t ndryshme t ndriimit sht dhn
n figurn 8.10.
Fotodiodat zakonisht hasen n sistemet e alarmeve.

Figura 8.10: Karakteristika rrym-tension e fotodiods.

Elementetspecifikeelektronike245


8.2.3. Fototransistort
Fototransistori sht nj transistor bipolar me rrym kolektori proporcionale me
fluksin e drits, i cili bie n siprfaqen e kalimit t kolektorit. Specifika e saj sht n at se
n ann e siprme ka shtres dritlshuese (transparente), n t ciln mund t ndrtohet edhe
thjerrz (lent) me qllim t rritjes s ndjeshmris.
Karakteristika e ndjeshmris relative t fototransistorit, e definuar si raport i fotorryms I pr
fardo lloj t gjatsis valore t drits kundrejt vlers maksimale Imax sht dhn n figurn
8.11. Ajo tregon se si fototransistori reagon n dritn me gjatsi t ndryshme valore.

Figura 8.11: Karakteristika e ndjeshmris relative t fototransistorit.

fardo lloj transistori i fuqishm bipolar me shtpiz metalike mund t bhet t jet fototransistor,
nse i prehet pjesa e siprme e shtpizs dhe ashtu i hapur i ekspozohet drits s diellit ose drits
s zjarrit t hapur. Drita bie n kalimin PN t kolektorit, i cili sht i polarizuar invers dhe ka gjersi
m t madhe.
Mnyra e lidhjes s fototransistorit n qarkun elektrik sht paraqitur n figurn 8.12.

Figura 8.12: Fototransistori n qarkun elektrik.

246Elektronikaanaloge

Kolektori sht i lidhur n skajin pozitiv t burimit UCC, emiteri prmes rezistorit RE n skajin
negativ, kurse baza sht e lidhur n qarkun e jashtm, ajo sht i lir. Pr kt mnyr t
polarizimit, zona e bllokimit e kalimit t kolektorit sht shum m e gjer se ajo e kalimit t
emiterit. Me dritn, iftet e krijuara elektron-vrim n zonn e bllokimit n kalimin e kolektorit
ndahen, elektronet drejtohen kah kolektori, kurse vrimat kah emiteri. Lvizja e tyre paraqet
fotorrymn, e cila n rezistencn RE krijon fototension dals. Fotorryma I sht e prbr nga dy
komonente: njra sht rezultat i drits q bie n fototransistor, kurse tjetra sht rryma inverse
ICE nga kolektori drejt emiterit. Kur transistori nuk sht i ndriuar, do t rrjedh vetm rryma
inverse dhe ajo e paraqet rrymn e ,,errsirs,,. Vlerat tipike t saj sillen rreth 10nA dhe ajo rritet
me rritjen e temperaturs.
Lidhja fizike e bazs mund t mbetet e lir, por mund t shfrytzohet edhe pr polarizim q t
fitohet nivel stabil i sinjalit.
Fototransistort zakonisht prdoren n qarqet komutuese, ku jolineariteti i tyre nuk krijon
probleme.

MBAJ MEND!!!
Fototransistori sht transistor bipolar me rrym t kolektorit proporcionale n fluksin e
drits.

Qarku i bazs s transistorit sht i hapur, kurse fotorryma krijohet n zonn e bllokimit n
kalimin e kolektorit.

N fototransistorin e pandriuar rrjedh rryma inverse, e quajtur ,, rryma e errsirs,,.

KONTROLLO NSE DIN
1. Me ka sht proporcionale rryma e kolektorit t fototransistorit?
2. Defino karakteristikn e ndjeshmris relative t fototransistorit?
3. Nga cilt komponent sht krijuar fotorryma?
4. Ku prdoren fototransistort?

8.2.4. Fotogjeneratort
Elementet gjysmprues me aftsin pr t shndrruar energjin e rrezatimit t drits
drejtprdrejt n energji elektrike quhen fotogjenerator. T prbr nga nj kalim -PN dhe kan
dy dalje. Prerja trthore e fotogjeneratorit sht paraqitur n figurn 8.13. Shtresa e bllokimit ka
gjersi shum t vogl (rreth 20nm), ndrsa siprfaqja e kalimit-PN sht zmadhuar, me qllim t

Elementetspecifikeelektronike247

absorbimit m t madh t fotoneve nga rezet e drits. Rajonet P dhe N jan me koncentrik m t
madh t bartsve t lir t ngarkesave elektrike.

Figura 8.13: Struktura e fotogjeneratorit.

Fotogjeneratort punojn pa burime t jashtme t ushqimit. Fotonet nga rezet e drits q bien n
siprfaqen e kalimit-PN t fotogjeneratorit, e dorzojn energjin e tyre elektroneve valente me
ka krijohen iftet elektron-vrim. Me rast zmadhohet numri i bartsve sekondar n shtresn e
bllokimit t kalimit PN. Dallimi potencial i kontaktit krijon fush elektrike e cila u mundson
bartsve sekondar lirisht t lvizin npr shtresn e bllokimit dhe e lshojn, ndrsa bartsit
kryesor ngelin n rajonet e tyre. Gjat ksaj n zonat P dhe N krijohet nj prqendrim shum i
madh i bartsve kryesor, i cili indukton fuqi elektromotore E e cila quhet tension n boshllk
derisa n daljet e fotogjeneratorit nuk sht lidhur rezistenc. Nse lidhet rezistenc, npr t do
t rrjedh rrym elektrike proporcionale me fluksin e drits i cili bie n siprfaqen e fotogjeneratorit.

Figura 8.14: Karakteristikat e drits t fotogjeneratorit.

N figurn 8.14 jan dhn karakteristikat e drits t fotogjeneratorit t cilat paraqesin varsi t
tensionit t puns n boshllk, E , dhe rryms s lidhjes s shkurtr, IK, nga fluksi i drits .
Fotogjeneratort jan burimi kryesor i energjis elektrike n fluturaket kozmike. Ata quhen celula
diellore (solare), pasi q energjin e rrezatimit t diellit e shndrrojn n elektrike.
I madh sht edhe prdorimi i celulave solare n siprfaqen e toks si burime alternative t
energjis elektrike.


248Elektronikaanaloge

KONTROLLO NSE DIN
1. Cilat elemente gjysmpruese quhen fotogjenerator?
2. Shpjego parimin e funksionimit t fotogjeneratorit.
3. Defino karakteristikat e drits t fotogjeneratorit dhe vizato diagramin.
4. Ku zbatohen fotogjeneratort?
5. Vizato simbolin elektrik t fotodiods!
6. Sqaro karakteristikat e fotogjeneratorve.

MBAJ MEND!!!
Fotorezistort jan elemente fotoelektrike rezistenca elektrike e t cilve ndrron me
ndryshimin e fluksit t drits q bie n siprfaqen e tyre.
Fotorezistort prdoren n instrumente t thjeshta pr matjen e ndriimit, t ashtuquajturit
mats drite dhe si detektor t drits n alarme t ndryshme dhe pajisje komanduese.
Fotodioda e shndrron rrezatimin e drits n sinjal elektrik, proporcional me intensitetin e
drits e cila bie n diod. Ajo punon n regjimin e polarizimit invers.
Fotogjeneratort jan elemente fotoelektrike me aftsi q energjin e rrezatimit t drits ta
shndrrojn drejtprdrejt n elektrike.
Fotogjeneratort quhen celula solare pasi q energjin e rrezatimit t diellit e shndrrojn
n energji elektrike.

8.2.5. Ekranet me kristale t lngta

Kristal i lngt - LCD (Liquid Crystal Display) paraqet material i cili
n temperatur t caktuar ka veti edhe t lngut edhe t kristalit. Ai mund
t rrjedh nga njri n vendin tjetr, kurse dritn e thyen n drejtime t ndryshme
njlloj si kristali. Nj veti t till kan disa materie kimike organike (grupi i
holesterineve). Molekulat e ktyre substancave jan n form t zgjatur t
shkopinjve. Njri fund i molekuls sht me ngarkes pozitive kurse tjetri me
ngarkes negative, kurse vet molekula sht neutrale. Prandaj, ato quhen molekula polare. Nse
gjenden n fushn elektrike, molekulat orientohen n drejtimin e fushs.
Kristalet e lngta punojn n principin e refuzimit dhe thyerjes jo t njjt t drits nga burimi i
jashtm. Ata jan burime aktive t drits.

Elementetspecifikeelektronike249

Ekrani mund t jet me karaktere t errta n sfondin e ndritshm ose me karaktere t ndritshme
n sfond t errt (figura 8.15), gjegjsisht me parimin e dispersionit dinamik t drits ose me
parimin e efektit t fushs elektrike.

Figura 8.15: Lloje t ekraneve LCD.

Konstruksioni i ekranit me kristal t lngt sht i prbr nga dy pllaka xhami dhe shtress s
holl t kristalit t lngt n mes tyre. Ana e jashtme e pllaks s poshtme t qelqit sht mbuluar
me shtres nga alumini ose nikeli dhe paraqet pasqyr. Ajo sht e lidhur me skajin negativ t
burimit. N pjest e brendshme t dy pllakave prej qelqi, n pozicion t njjt, jan br segmente
me t cilt krijohen karakteret e ekranit. Segmentet jan formuar nga materiali i tejdukshm i
prueshm, si sht oksidi i plumbit, dhe bashkohen me kontakte metalike prkatse n skajet
e pllakave.
Molekulat e kristalit t lngshm jan t renditur n shtresa (figura 8.16). T gjitha molekulat n
njrn shtres jan me orientim t njjt. Secila molekul fqinje e shtress tjetr sht e rrotulluar
pr knd t caktuar dhe kshtu fitohet varg molekulash me form t spirales.

Figura 8.16: Shprndarja e molekulave n kristalin e lngt.

Nj segment i kristalit t lngt sht i prbr nga nj polarizues vertikal, elektroda e par
e tejdukshme (segment), m tepr shtresave t kristaleve t lngta, elektroda e dyt e


250Elektronikaanaloge
tejdukshme (segment), polarizuesi horizontal dhe reflektori. Rrezet e drits q vijn n

polarizuesin vertikal, oshilojn n t gjitha drejtimet. Prmes polarizuesit kalojn vetm ato q
oshilojn n drejtimin vertikal. Kjo rreze drit e polarizuar vertikalisht kalon npr elektrodn e
par transparente dhe hyn n vargun spiral t molekulave t vendosura t kristalit t lngshm.
N do shtres t kristalit t lngt ajo rrotullohen n t djatht deri n shtresn e fundit, prej ku
del me polarizim horizontal dhe kalon prmes elektrods s dyt transparente dhe polarizuesi
horizontal e deri n reflektor. Rrezja e kthyer nga reflektori kthehet prmes rrugs s njjt, kalon
prmes polarizuesit horizontal, rrotullohet me shtresat e kristalit t lngt deri n pozitn vertikale.,
kalon prmes polarizuesit vertikal dhe del n t njjtn an me rrezen hyrse t drits. N kt
mnyr, kur n rrugn e drits nuk ka asnj penges, fitohet sfond i ndritshm.
Kur n segmentet metalike lidhet tension i vogl prej 3 deri n 5V, mes tyre krijohet fush elektrike
dhe molekulat e kristalit t lngshm renditen n drejtimin e ksaj fushe. Kshtu t renditur, ata
m nuk e kthejn rrezen e drits, nuk ia ndryshojn planin e polarizimit dhe ai me polarizim vertikal
vjen deri te polarizuesi horizontal. Rrezja e drits me polarizim vertikal nuk mund t kaloj npr
polarizuesin horizontal dhe ai humbi n kristalin e lngt si n vrim. N vendin e segmentit nuk
ka rreze drite t kthyer dhe mbetet i errt.
Ekrani me kristal t lngt punon n tension alternativ n frekuenc prej 30 deri n 300Hz. Ai ka
nj form impulsive me amplitud n mes t 1 dhe 18V dhe bhet me qarqe digjitale. Tensioni i
vazhduar mund t bj elektrolizn e kristalit t lngshm dhe ta shkurtoj afatin e prdorimit t
ekranit. Dendsia e rryms s ekranit sht shum e vogl, rreth 1nA/cm2 , q do t thot
konsumim i ult i energjis. Kjo e bn ekranin me kristale t lngta t prdorshm pr pajisje n
miniatur, si jan ort e dors, pr t cilt nuk ka vend pr bateri me kapacitet t madh. M
shum prdoret pr kalkulator portabl, ort digjitale, instrumente matse digjitale dhe ekrane pr
monitor dhe pajisjet TV.

MBAJ MEND!!!
Ekrani LED parqet indikator, i prbr prej shtat segmenteve, i ndriuar me LED dioda.
Nj segment i kristalit t lngt sht i prbr nganj polarizues vertikal, elektroda e par
transparente (segment), m tepr shtresa t kristaleve t lngta, elektroda e dyt
transparente (segment), polarizues horizontal dhe reflektor.
Ekrani me kristale t lngta prdoret pr kalkulator portabl, or digjitale, instrumente
matse digjitale dhe ekrane pr monitor dhe pajise TV.

Elementetspecifikeelektronike251

KONTROLLO NSE DIN
1. Cilat jan karakteristikat m t rndsishme t kristaleve t lngta?
2. Shpjego konstruksionin e ekranit me kristal t lngt.
3. Nga ka sht i prbr nj segment i kristalit t lngt?
4. Pse ekrani me kristal t lngt nuk lidhet n tensionin e vazhduar?
5. Ku zbatohet ekrani me kristal t lngt?

8.3. Relet
Rele sht nj ndrprers (komutator-els) elektrik i cili
prdoret pr shkyjen ose kyjen (komutimin) e qarkut elektrik. Nse
shkyja bhet me elektromagnet, bhet fjal pr rele me elektromagnet.
Por, ekzistojn edhe rele elektronike, n t cilat hapjen dhe mbylljen e
kontakteve t rryms e bjn elemente gjysmpruese. Relet
mundsojn q qarqe elektrike me rrym t vogl t komandojn me
rrjedhjen e rrymave t mdha.

8.3.1. Mnyra e puns s releve elektromagnetike

Ekzistojn shum lloje t konstruksioneve t releve me 3, 4, 5 dhe 6 dalje, me ndrprerje t
njfisht ose dyfisht.
T gjitha relet punojn n t njjtin parim. N rele ka dy qarqe: qarku komandues dhe ngarkesa.
N qarkun komandues ndodhet nj bobin e vogl me brtham hekuri, kurse n qarkun e
ngarkess jan kontaktet komutuese. Me elektromagnet komandohet hapja dhe mbyllja e
kontakteve pr ngarkesn.
Releja eksitohet kur rrjedh rryma n qarkun e elektromagnetit (daljet 1 dhe 3 n figurn 8.17), me
ka krijohet fush magnetike e caktuar me ka mbyllet elsi mes daljeve 2 dhe 4. elsi sht
pjes e qarkut t ngarkess, kshtu q n kt mnyr n qarkun e ngarkess do t rrjedh rryma
e ngarkess.

Figura 8.17: Rele elektromagnetike e pa eksituar

Figura 8.18: Rele elektromagnetike e eksituar .

252Elektronikaanaloge

Releja sht e shkyur kur ndalon t rrjedh rryma n qarkun komandues mes daljeve 1 dhe 3,
fusha magnetike m nuk ekziston dhe kontaktet e elsit hapen.
Relet jan NH-normale t hapura, NM-normale t mbyllura dhe ka nj fund t prbashkt-P
pr elsin. N relet normale t hapura, kontaktet komutuese jan t hapura deri sa releja mos
t eksitohet. Releja normale e mbyllur ka kontakte t mbyllura kur releja nuk sht e eksituar. N
skemat elektrike releja tregohet n gjendjen kur nuk sht e eksituar (figura 8.18.).

Figura 8.19: Konstruksioni skematik i reles.

Simboli elektrik i reces sht dhn n figur 8.19, kurse n figurn 8.20 jan dhn
simbolet elektrike t releve me 3, 4 dhe 5 dalje.

Figura 8.20: Simbolet elektrike t releve me 3, 4 dhe 5 dalje.

Kur qark komandues sht i mbyllur, prmes bobins s elektromagnetit rrjedh rryma dhe krijon
fush elektromagnetike. N momentin e shkyjes s elsit t qarkut kontrollues, ndalet s
vepruari fusha magnetike, kurse pr shkak t vetinduksionit n bobin n skajet e tij paraqitet
krcim i lart i tensionit i kundrt me polaritetin e tensionit t ushqimit t bobins. Pr bobin me
furnizim prej 12V n skajin e kundrt t bobins do t paraqitet krcim tensioni i cili mund ta
tejkaloj vlern prej 200V dhe rrjedh rryma n drejtimin e kundrt. Duke pasur parasysh se
kontrollimi i reles bhet prmes transistorit ose prmes qarkut t integruar, sht e nevojshme q
kto krcime tensioni t shuhen q t mos vij deri te dmtimi i elementeve komanduese. Pr
shuarjen e krcimeve t tensionit prdoren rezistenca me vler t madhe t rezistencs, dioda ose

Elementetspecifikeelektronike253

kondensator, t lidhur n paralel me bobinn (figura 8.21). Pr shuarjen me diod, si n figurn
8.19, dioda lidhet n drejtimin invers, ashtu q t mos lshoj rrym kur releja sht n gjendjen e
eksituar, kurse bhet pruese n momentin e krijimit t krcimit t tensionit. Rezultate m t mira
n shuarje tregon dioda dhe ajo zakonisht prdoret pr kt qllim.

Figura 8.21: Rele me shuarjen e krcimeve t tensionit.

Relet prdoren atje ku sht e nevojshme q t kontrollohet sinjal me fuqi t vogl ose kur
komandohet me m shum qarqe me nj sinjal.
N figurn 8.22. sht dhn konstruksioni i reles elektromagnetike.

Figura 8.22: Konstruksioni i reles elektromagnetike.

8.3.2. Mnyra e puns s releve elektronike

Karakteristikat komutuese t transistorve, tiristorve dhe triakve mund t
prdoren pr t kryer funksione ekuivalente t releve. Me zbatimin e ktyre elementeve
fitohet pajisje e quajtur rele elektronike. Kjo pajisje prmban pjesn e kontrollit, t prbr nga
elemente elektronike me fuqi t vogl dhe pjesa komutuese, e prbr nga elemente komutuese
gjysmpruese. T dy pjest jan t ndara fizikisht dhe elektrikisht nga njri-tjetri. Pjesa
komanduese mund t jet e thjesht por edhe shum kompleks, varsisht nga detyrat q duhet ti
kryej releja elektronike. Pr operacione m t ndrlikuara prdoren elemente elektronike m
komplekse, si jan mikroprocesort. Sipas ksaj, pjesa komanduese mund ti knaq krkesat pr
funksione mbrojtse (mbrojtje nga tensioni ose rryma e teprt e konsumatorit, tension ose rrym e

254Elektronikaanaloge
ndryshueshme nga vlera minimale deri n vlern maksimale n fillimin e kyjes, ndryshimi i

rrotullimit tek motort si konsumator etj.) Pjesa komanduese mund t ket tension t shkputur t
ushqimit nga pjesa komutuese.
Pjesa komutuese i prmban elementet gjysmpruese t cilat funksionojn si elsa. Pr nj
kontakt elsi prdoret nj element. Pjesa komutuese e reles elektronike mund t lidhet n
tension t vazhduar, ose rrjet t tensionit alternativ monofazor ose trefazor. Kur bhet fjal pr
lidhje trefazore pjesa komutuese prmban tre elemente gjysmprues. Parimi i funksionimit t
reles elektronike sht paraqitur n figurn 8.23. Me tensionin e komandimit eksitohet dioda
LED e optokaplerit, kurse me fototransistorin hapet triaku i cili bhet i prueshm. Optokapleri
sht element i prbr nga dioda e drits dhe fototransistori. Ata jan t vendosur n nj
shtpiz n form t qarkut t integruar. Kur dioda sht e kyur, ai emeton drit kah
fototransistori dhe e aktivizon (e ky). Komanda pr komandim me transistorin transmetohet
prmes rrugs s drits. Duke zbatuar oktokaplerin fitohet shkputje elektrike e pjess komutuese
nga pjesa komanduese e reles.

Figura 8.23: Skema elektrike e reles elektronike.

Releja elektronike mund t vendoset n shtpizn e saj, ose t jet pjes e nj pajisje
komplekse pr komandim me konsumator t fuqishm. Pajisje t tilla, pr kontrollimin e motorve
elektrik, quhen invertor ose konvertues frekuencash. Me invertort rregullohet shpejtsia drejtimi i
rrotullimit, momenti rrotullues i motorit, mnyra e nisjes, kurse jan t prfshira edhe t gjitha llojet
e mbrojtjes. Me zbatimin e invertorve shmangen komutatort e mdhenj- kontraktort, reduktohet
konsumimi i energjis, i shkaktuar nga trheqja e elektromagneteve dhe niveli i zhurmave t
kontakteve.
Avantazhi i releve elektronike n krahasim me ato elektromagnetike sht harxhimi m i vogl i
pjess komanduese, nuk ka amortizim t pjesve mekanike dhe shkrirje t kontakteve,
dimensione m t vogla pr rele me fuqi t madhe dhe mundsi m e madhe pr funksione
shtes. Disavantazhet e tij jan: rnie e caktuar e tensionit t elementit komutues dhe humbje e
energjis, numri i kufizuar i kontakteve pr element komutues dhe kyje e pa dshiruar gjat
paraqitjes s ndrhyrjes elektrike.
Simboli elektrik i reles elektronike sht paraqitur n figurn 8.24.

Elementetspecifikeelektronike255


Figura 8.24: Simboli elektrik i reles elektronike.

Ekzistojn m tepr lloje t releve: elektromagnetike me spiranc trheqse, rele me
kontakte n vakum ose n nj gaz inert, t njohur si REED- relet, relet me kontakte t zhytura
n merkur, rele t polarizuara, rele pr mjetet t makinave me shum kontakte, sot t
zvendsuar me kontrollort PLC , kontraktort pr motor elektrik, sot gjithnj e m shum
zvendsohen me pajisje tiristorsh dhe t tjera.

MBAJ MEND!!!
Releja sht els (komutator) elektrik i cili prdoret pr shkyjen ose kyjen e qarkut t
rryms.
N relen normale t hapur, kontaktet komutuese jan t hapura deri sa releja nuk sht e
eksituar.
Releja normalisht e mbyllur ka kontakte t mbyllura kur releja nuk sht e eksituar.
Relet prdoren atje ku ka nevoj t komandohet me sinjale me fuqi t vogl ose kur
komandohet me m shum qarqe me nj sinjal.

KONTROLLO NSE DIN

1. Defino termin rele.
2. Shpjego parimin e puns s reles elektromagnetike.
3. Kur relet jan t hapura normale dhe t mbyllura normale?
4. Vizato skematikisht konstruksionin e reles me 3, 4 dhe 5 dalje.
5. far lloje t releve ekzistojn?
6. Shpjegoje zbatimin e releve?
7. Pr far lloje t releve bhet fjal kur kyjen dhe shkyjen e kontakteve t rryms e bjn
elemente gjysmpruese?
8. Shpjego metodn e hapjes dhe mbylljes s reles elektromagnetike.

256Elektronikaanaloge


VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjen e sakt)
1. Elementet tek t cilat me ndryshimin e temperaturs ndryshon rezistenca e tyre jan:
a) fotorezistenca
b) fotodioda
c) termistor.
2. Elementet q prdoren si sensor t temperaturs jan:
a) fotogjeneratort
b) termistort
c) fotodiodat.
3. Elementet q prdoren si instrumente pr matjen e ndriimit jan:
a) fotodiodat
b) fotorezistencat
c) fototransistort
d) fotogjeneratort.
4. Elementet gjysmpruese me aftsin pr t konvertuar energjin e rrezatimit t drits direkt
n energji elektrike quhen:
a) fotogjenerator
b) fotorezistenca
c) fototransistor
d) termistor.
5. Si pjes prbrse e invertorve prdoren:
a) fotodiodat
b) relet
c) termistort
d) fotorezistencat.

Elementetspecifikeelektronike257

II Pyetje me lidhshmri
6. Lidh simbolet skematike me elementet:

a)

b)

1. Fotodioda

___________

2. Fototransistori

___________

3. Termistori

___________.

c)

7. Lidh elementet specifike elektronike me zbatimin e tyre si:

1. Termistort

a) Dritmats________

2. Fotogjeneratort

b) Sensor temperature________

3. Fotorezistencat

c) Celula solare________

III Pyetje me plotsim

8. Tek termistort NTC me zmadhimin e rezistencs temperatura e tyre ___________________.
9. Elementet specifike elektronike t cilt prdoren n sistemet e alarmeve jan ______________.
10. ____________________mundsojn q qarqet elektrike me rrym t vogl t komandojn me
rrjedhjen e rrymave t mdha.
11. Elementet elektronike vetit elektrike t t cilave varen nga ndryshimi i energjis s rrezatimit
t drits quhen _________________________________.
12. Releja normale e mbyllur ka _______________kontakte kur releja nuk sht e eksituar.

258Elektronikaanaloge


Hulumto dhe mso m tepr:

-

Hulumto n internet dhe mso m tepr pr lloje t

elementeve specifike elektronike.
- Gjej skema n literatur profesionale tjetr pr zbatimin e elementeve
fotoelektrike.
- Prpuno projekt pr zbatimin dhe mnyrn e puns t reles
elektromagnetike.

SHTOJC
DETYRA
ME SHEMBUJ T ZGJIDHUR

260Elektronikaanaloge


PRMBAJTJA

Faqja

Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga diodat gjysmpruese ........................................... 257-266.

Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga transistort ............................................................. 268-274.
Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga prforcuesit ............................................................ 274-285.
Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga prforcuesit operacional .......................................... 284-285.
Detyra nga burimet e tensionit t vazhduar .....................................................................

285.

Detyrameshembujtzgjidhur261

Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga diodat gjysmpruese
(N detyra prdoret drejtimi teknik i rryms)
1. Llogarit rrymn n qarkun me rezistenc dhe diod ideale, t dhn n figur.

Zgjidhja:
S pari definohet polarizimi i diods. Anoda e diods sht e lidhur me polin pozitiv t burimit,
dioda sht e polarizuar drejt. Duke marr parasysh se dioda sht ideale, n qark do ta
zvendsojm me els t mbyllur. Tash qarku e ka pamjen e mposhtme:

Rryma npr rezistenc mund t llogaritet sipas:

2. Llogarit rrymn npr diodn e qarkut t dhn, duke e marr diodn si ideale

Zgjidhja: Dioda sht me polarizim t kundrt (invers), ajo zvendsohet me els t hapur.

262Elektronikaanaloge


Rryma n qark I1 = 0
3. N qarkun me gjenerator rryme I = 10mA dhe nj diod ideal D t llogaritet:
a) tensioni i rezistencs R1;
b) rryma e diods D.
(Zgjidhja: UR1 = 12V, ID1 = 6mA)

4. Pr U1 = 10V llogarit:
a) rrymn n diodn ideale D;
b) tensionin n R2.
(Zgjidhja: ID = 0,8 mA, UR2 = 8V)

5. T lidhet nj LED e kuqe e cila ka rnie t tensionit prej 1,6 V dhe rrym prej 20mA, n burim t
vazhduar prej 6V.

Zgjidhja:
Rnia e tensionit n rezistenc duhet t jet:
UR = 6V - 1,6 V = 4,4 V,


Detyrameshembujtzgjidhur263
Vlera e rezistencs s saj sht:

Fuqia e rezistencs sht:

6. Pr qarkun e figurs t llogariten rrymat npr diodat ideale D1 dhe D2.

(Zgjidhja: ID1 = 1,7 mA, ID2 = 0)

7. T llogaritet rryma e cila rrjedh npr rezistencn R pr secilin prej tre qarqeve, me ka duhet t
supozohet se diodat D1 dhe D2 jan ideale.
(Zgjidhja: I1 = 0, I2 = 0, I3 = 10mA)

8. Pr qarkun e figurs me diod ideale:

a) t llogaritet tensioni n R2;
b) t prcaktohet se sa sht rryma e diods.
(Zgjidhja: 6V, 90mA)

9. Pr qarkun n figur t vizatohet karakteristika kalimtare (e transmetimit).

264Elektronikaanaloge


Zgjidhja:
S pari analizohet qarku kur n hyrjen e tij do t sillen tensione negative (Uhyr <0). N kt rast,
dioda sht me polarizim t kundr, ekuivalentohet me els t hapur, me ka qarku do t marr
pamjen e mposhtme:

Tensioni i daljes do t ndjek tensionin e hyrjes Udal = Uhyr.

Skajet e diods jan t lidhur shkurt, kshtu q tensioni n skajet e tij sht 0V (Udal = 0V).
Karakteristika kalimtare e qarkut do t ket formn e mposhtme:

10. Pr qarkun nga figura t vizatohet karakteristika kalimtare.

R1 = R2 = 6K:m UR= 15V

Detyrameshembujtzgjidhur265


Zgjidhja:
T supozojm se dioda sht e shkyur (me polarizim t kundrt). N kt rast qarku do t ket
pamjen e mposhtme:

Rryma n qark mund t shprehet si:

kurse tensioni i daljes:

Ky potencial gjendet n katodn e diods. Ndryshim t polarizimit do t ket kur tensioni i hyrjes
do t jet m i lart se 7,5 V (kur potenciali i anods do t jet m i lart se potenciali i katods).
N kt moment dioda do t kyet, gjegjsisht do t jet me polarizim t drejt. Qarku do t ket
pamjen e mposhtme:

N kt rast tensioni i daljes e ndjek tensionin e hyrjes Udal = Uhyr.

Karakteristika kalimtare do t ket formn e mposhtme:

266Elektronikaanaloge
11. Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare.

UR = 10V

Zgjidhja:
Pr Uhyr <0, dioda D2 sht e kyur, pasi q n skajet e anods ka nj potencial t 10V. N kt
moment katoda e diods D1 do t gjendet n t njjtin potencial, me ka D1 do t jet e shkyur.
Tensioni i daljes do t jet Udal=10V.

Dioda D1 do t kyet kur Uhyr> 10V, me ka dioda D2 do t shkyet. N kt rast Udal = Uhyr..

Karakteristika kalimtare do t ket formn e mposhtme:

12. Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare. (UR = 5V)

(Zgjidhja)

Detyrameshembujtzgjidhur267


13. Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare. (UR = 12V)

(Zgjidhja)

14. Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare. (UR = 12V)

(Zgjidhja)

15. Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare.

(Zgjidhja)

16. Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare.

(Zgjidhja)

17 *). Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare ku UR = 5V

(Zgjidhja)


268Elektronikaanaloge


18 *). Pr qarkun e figurs jan dhn R1=20K:, R2 =20K:, UR1=2,5V, UR2=10V. T vizatohet
Karakteristika kalimtare e qarkut. (Zgjidhja)

19. Pr qarkun e figurs t vizatohet varsia e tensionit t daljes nga tensioni i hyrjes
(karakteristika kalimtare) dhe forma e tensionit t daljes Udal pr tension t dhn t hyrjes Uhyr.

Zgjidhja:
S pari analizohet qarku kur n hyrjen e tij do t sillet pjesa negative e tensionit t hyrjes (Uhyr <0).
N kt rast dioda sht me polarizim t kundrt, ekuivalentohet me els t hapur, me `rast
qarku e fiton pamjen e mposhtme:

Pasi q n qark nuk rrjedh rrym, nuk do t ket rnie t tensionit n skajet e rezistencs dhe
tensioni i daljes sht i barabart me 0. (Udal = 0).

Detyrameshembujtzgjidhur269
Deri n ndryshimin e qarkut do t vij kur tensioni i hyrjes do t bhet pozitiv. N kt rast anoda e

diods do t jet n potencial m t lart se katoda i cili sht 0V. Tash dioda sht polarizuar
drejt dhe qarku do t ket pamjen e mposhtme:

Tensioni i daljes e ndjek tensionin e hyrjes Udal = Uhyr.

Karakteristika kalimtare do t ket formn e mposhtme:

Tensioni i daljes do t ket formn e mposhtme:

20 *). Nse tensioni i hyrjes sht uhyr = 5sint (V), i sjell n hyrjen e qarkut me dioda ideale nga
figura, t vizatohet grafiku i t tensionit t daljes udal (t).

270Elektronikaanaloge


Zgjidhja:
N kushtet e prueshmris:
nga UD1+1V-uhyr= 0 fitohet kufiri i prueshmris: UD1=1V-uhyr
nga UD2+4V+uhyr =0 fitohet kufiri i prueshmris: UD2=-4V-uhyr.
S pari do t shohim rastin kur dioda D1 sht e polarizuar drejt, kurse D2 kundrt;
UD1>0, uhyr>1V,
UD2<0,-uhyr-4V<0,> uhyr>-4V,
nga ku fitohet pr uhyr>1V se udal=1V.

Pastaj do t shohim rastin kur D1 dhe D2 jan me polarizim t kundrt;

UD1<0, uhyr<1V,
UD2<0, -uhyr-4V<0, uhyr>-4V,
nga ku fitohet pr -4 <uhyr<1V se udal=uhyr.

Pastaj do t shohim rastin kur D1 sht me polarizim t kundrt kurse D2 me polarizim t drejt;
UD1<0, uhyr<1V,
UD2>0, -uhyr-4V>0, uhyr<-4V,
nga ku fitohet pr uhyr<-4V se udal=-4V.


Detyrameshembujtzgjidhur271


Forma e tensionit t daljes, si edhe karakteristika kalimtare jan dhn n figurn e mposhtme:

Mund t prfundojm se ky qark kryen kufizimin e tensionit edhe nga ,,lart,, edhe nga ,,posht,,.
Kufizimi nga lart sht prej 1V kurse nga posht n -4V.
*) Njohuri t zgjeruara

272Elektronikaanaloge

Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga transistort
21. Transistori n qarkun nga figura ka =100. Lidhja e emiterit sht me polarizim t drejt me
burimin UBB=2V dhe ka tension UBE|0,7V.
T caktohet:
a)

rryma e bazs;

b)

rryma e kolektorit;

c)

tensioni i kolektorit.

Zgjidhja:
a) Rryma e bazs caktohet nga qarku baz-emiter:
UBB - R1IB - UBE = 0
Pjek ku pr IB fitohet:

IB

U BB  U BE
R1

2  0,7
20 103

65PA .

b) Rryma e kolektorit sht:

IC

E I B 100 65 10 6

6,5mA .

c) Tensioni i kolektorit prcaktohet nga qarku emiter-kolektor:

UCC-RCIC-UCE=0
prej ku pr UCE fitohet:

U CE

U CC  RC I C

12  1 103 6,5 10 3

5,5V

22. N figurn n qark, v t ciln transistori punon si els,

jan dhn vlerat n vijim pr transistorin: UCEC= 0,2V, UBE=
0,6V dhe E=50.
a) Prcakto vlern minimale t tensionit t hyrjes pr t cilin
transistori sillet n ngopje;
b) Cakto vlern e nevojshme t tensionit t hyrjes me t ciln
transistori sillet n gjendjen e bllokimit.
Zgjidhja:
a) Rryma e kolektorit t transistorit kur hyn n ngopje sht:

I CS

U CC  U CES
RC

5  0,2
4,8 103

1mA .

Rryma e bazs llogaritet sipas kushtit:



Detyrameshembujtzgjidhur273


E IB

I CS

IB

prej ku

I CS

1 103
50

0,02mA.

Vlern minimale t UHYR do ta prcaktojm nprmjet:

U HYR

RB I B  U BE

10 10 3 0,02 10 3  0,6

0,2  0,6

0,8V

Pr seciln vler t tensionit t hyrjes dhe rryms s bazs m t madhe se t llogariturat,

transistori do t jet n ngopje t thell. Me plotsimin e ktij kushti sigurohet zbatimi i secilit
transistor nga lloji i zgjedhur me toleranc t gjer t faktorit E. Niveli i tensionit t daljess prej 0,2V
llogaritet pr nivel tensioni t ult, kurse transistori si els i mbyllur.
b) Transistori do t jet n prag t bllokimit kur rryma e bazs sht zero, tensioni baz-kolektor
m i vogl se 0,7V. Vijon: tensioni i hyrjes sht Uhyr<0,6V, rryma e kolektorit sht IC|0, kurse pr
UCE=UCC|UDAL.

tensioni e kolektorit fitohet:

23. Llogarit rrymn npr rezistencn RC kur transistori sht n ngopje.

Zgjidhja:
sht e njohur se tek transistori i cili gjendet n regjimin e ngopjes,
tension UCE sht 0,2 V. Sipas ksaj, nga ekuacioni i qarkut t
kolektorit:

U CE

U CC  RC I C

fitohet:

IC

U CC  U CE
RC

6  0,2
2 103

2,4mA

N qark sht dhn vlera e rryms s bazs IB kshtu q me zbatimin e relacionit mes rrymave:

pr IC do t fitohej vler:

IC

IB E

0,05 10 3 400

20mA

e cila paraqet gjendje t pamundur n t ciln pr tensionin Uce do t fitohej vler negative. Kjo na
tregon se, kur transistori sht n ngopje, rryma e kolektorit nuk kontrollohet nga rryma e bazs.
Prandaj n rajonin e ngopjes, rrymn e kolektorit patjetr ta llogarisim nga qarku i kolektorit.

274Elektronikaanaloge
24. N figurn me transistorin n qark kyet dhe shkyet poi i cili ka

rezistenc t fijes pr ngrohje 1K: dhe prfaqsohet nga rezistenca

RL. Transistori ka E=50 dhe tension UBE=0,7V. T llogaritet regjimi i
puns s qarkut pr rrymn e bazs prej 0, 40, 100 dhe 200PA.
Zgjidhja:
Kur IB=0,
ather edhe IC=0, nuk ka rrym npr rezistencn RL, tensioni
UCE=5V dhe URL=0, transistori nuk pron.
Pr IB=40PA,
Rryma

IC

E IB

50 40 10 6

5V  RL I C

U CE

2mA ,

5V  2mA 1K:

5V  2V

3V

Tensioni UR=5-UCE=5-3=2V.
Lidhja e kolektorit akoma sht me polarizim t kundrt:
UCB = UCE - UBE = 3 - 0,7 = 2,3 V dhe transistori sht n zonn aktive.
Pr IB=100PA

IC

E IB

50 100 10 6

5V  RL I C

U CE

5mA ,

5V  5mA 1K:

5V  5V

0,

UCB=UCE UBE = 0 0,7V = - 0,7V.

Lidhja e kolektorit sht n kufirin e polarizimit t drejt, kurse transistori n kufijt e ngopjes.
N poin (rezistencn RL) ka tension prej 5V.

IC

5V
1K:

I C max

I B  NGOP 

IC

5mA

5 10 3
50

100PA .

Kjo sht vlera e IB q sht e nevojshme pr t sjell qarkun n kufirin e ngopjes.

Pr IB=200P A,
rryma e bazs e on transistorin n ngopjet thell, IC nuk mund t zadhohet mbi 5mA, transistori
punon si els i mbyllur.
IC = 5mA, IB = 200mA , E sat

IC
IB

5 10 3
200 10 6

25 .

sat- faktori i prforcuar i ngopjes s rryms gjithmon sht m i vogl se n zonn normale
aktive.

Detyrameshembujtzgjidhur275

25. T llogaritet vlera e rezistencs RE pr qarkun e dhn.
UCC=6V; URE=2,4V; UBE=0.6V; E=100; RB= 300K:.

Zgjidhja:

IB

U CC  U BE  U RE
RB

IC

IB E

RE

U RE
IC  I B

6  2,4  0,6
300 103

100 10 10 6

0,01mA 10 PA

1mA

2,4
1 10  0,01 10  3
3

2,38 K:

26. Si punon qarku i dhn me MOSFET me kanal t induktuar me karakteristika dalse t

dhna n figur, nse n hyrjen e tij sillet nivel i ult (UHYR=0V) dhe i lart (UDAL=UDD=5V).

Zgjidhja:
Nse n hyrjen e MOSFET-it me kanal-N sillet nivel i ult:
UHYR=UGS=0V,
transistori ndodhet n zonn e bllokimit, rryma npr drejn do t jet ID|0, q do t thot se edhe
tensioni i rezistencs RD do t jet 0V.
Nga ekuacioni i tensionit t daljes fitohet

U DAL

U DD  U RD

U DD

5V .


276Elektronikaanaloge
Nse t hyrje e MOSFET-it me kanal-N sillet nivel i lart:

UHYR=UGS=5V,
transistori ndodhet n zonn omike (UDS<UGS-UT), rryma npr drejn do t jet maksimale, q do
t thot se edhe tensioni i rezistencs RD do t jet maksimal.
Pr tensioni e daljes fitohet rrym pozitive, por minimale prafrsisht e barabart me zero.
Zgjidhjen mund ta tregojm n tabeln e mposhtme:
UHYR

UDAL

0V

5V

5V

0V

Prej ku mund t prfundojm se qarku i ktill punon si invertor.

27. Prcakto UCE dhe IC pr vlerat e dhna t IB dhe prcaktoje regjimin e puns s transistorit t
qarkut t figurs.
a) IB = 0,

b) IB= 20PA,

c) IB=60P A

d) IB=100 PA

(Zgjidhja:
a) Ic = 0, UCE = 4V bllokim,
b) Ic = 0,8mA, UCE = 2,4V zona e bllokimit,
c) Ic = 2,4mA, UCE = 0,2V n kufirin e ngopjes,
d) Ic = 4mA, UCE = 0,2V n ngopje t thell)
28. Transistori PNP n qarkun e figurs ka karakteristikat e
mposhtme = 75 dhe t supozojm vler pr UCE(ZAS)=- 0,1V.
a) Sa rrym e kolektorit rrjedh kur transistori sht n
ngopje?
b) N qoft se UBE = -0,6V, far vler sht e nevojshme
pr

U1

transistori

futet

ngopje?

(Zgjidhja: a) Ic=0,45mA, b) U1=0,9V).

29. Transistori NPN nga figura ka =100, kurse lidhja e
emiterit

sht

polarizuar

drejt

me

UBE=0,6V.

a) N cilin regjim punon transistori?

b) Llogarit rrymn e bazs, emiterit dhe kolektorit.
(Zgjidhja: a) UCE = 2,2 V, regjimi i prueshmris b) IB
= 28mA, IC = 2,8 mA, IE=2828mA).

Detyrameshembujtzgjidhur277

30. Figura tregon transistorin NPN t lidhur ashtu q t duket is diod.
Transistori punon n regjimin aktiv. Pr verat e dhna UBE=0,7V dhe
E=49, llogarit rrymn e bazs dhe kolektorit.
(Zgjidhja: IB=0,1PA, IC = 5 PA).
31. Pr qarkun e dhn n figur, E=100 dhe UBE=0,7V,
a)Gjej UDAL pr UHYR=0,8 ; 1,5; 2,0 dhe 2,5 V.
b) Pr ciln vler t prafrt t UHYR rryma e kolektorit do t prcaktohet m tepr me qarkun e
polarizimit se sa me relacioni pr E. Cili sht ky regjim i puns?
c) Pr UHYR=2,5V t prcaktohet raporti mes rryms s kolektorit dhe
bazs (Esat) dhe t krahasohet me vlern e dhn t rajonit normal aktiv.
(Zgjidhja: a) pr UHYR=0,8V, UDAL=0,86V,
pr UHYR=1,5V, UDAL=3,12V,
pr UHYR=2V, UDAL=0,2V,
pr UHYR=2,5V, UDAL=0,2V,
b) UHYR>0,8V
c) Esat

50 <100).

32. Nse UBE=0,7V, llogarit vlern e E pr transistorin n qarkun e

figurs.
(Zgjidhja: E=73).

33. N qarkun, e treguar n figur, tensioni i kyjes s lidhjes baz emiter UBE sht 0,7V, UCES
sht 0,1V, kurse E sht 200. Gjej vlern e tensionit t daljes pr UHYR=0,8V dhe 1,0V dhe
krahaso raportin e ndryshimit t tensioneve t daljes me raportin e ndryshimit t tensioneve t
hyrjes.

278Elektronikaanaloge


(Zgjidhja: pr UHYR = 0,8 V, UDAL = 4V, dhe pr UHYR = 1V, UDAL = 3,5 V,
'UHYR

0,2

'UDAL

).

Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga prforcuesit (amplifikatort)

34. Jan dhn karakteristikat e transistorit-NPN, n lidhje me emiter t prbashkt. T
prcaktohet vendi i piks s puns dhe i drejtzs s puns. Transistori sht n regjimin aktiv t
puns dhe ka tension UBE=0,7V.

Zgjidhja:
Drejtza e puns vizatohet n karakteristikn e daljes,
pika e prerjes me boshtin UCE sht n 0,5V. Kurse me
boshtin e rryms n UCC/RC=5mA.
Nga:
UCC=UBE + RBIB
rryma e bazs IB sht:

IB

U CC  U BE
RB

5  0,7
430 K

10PA.

Pika e puns shtrihet n drejtzn e puns dhe karakteristikn pr IB=10PA. Pr pikn e puns
fitohet UCE = 3V dhe IC = 2mA.


Detyrameshembujtzgjidhur279
Kur kapaciteti i kondensatorit sht shum i madh (C ), e ekuivalentojm me ndrprerje t

qarkut.
35. Pr transistorin nga detyra 1 t llogaritet E (hFE) , pr pikn e puns si n detyr.
Zgjidhja:

IC
pr UCE = const.
IB

2 103
10 10 6

200.

Koment: Transistort bipolar t prodhuara n nj seri kan vlera t ndryshme t E, t cilat mund t
arrijn dallime nga 50 deri n 100%. Nse E ndryshon nga 100 deri n 400, n kt shembull, pr
rrym t bazs prej 10PA, fitohet:
nse E=100, IC=100x10PA=1nA,
nse E= 400, IC= 400v10PA=4mA.
36. Pr qarkun e gopjes me emiter t prbashkt, t dhn n figur, t caktohet rryma e emiterit
nse sht dhn: R1 = 3K:, R2= 1K: ,RC=4K:, RE= 1,5K:.
Zgjidhja:
Me ndarsin e tensionit R1-R2 fitohet tension i bazs UB
(sipas shprehjes 3.22):

U CC

UB

R2
1K
10
R1  R 2
1K  3K

2,5V

UBE = O,7V.
Nga ekuacioni: UB=UBE+RE.IE fitohet:

2,5  0,7
1,5K

IE
 I R1

I R2

1,2mA

U CC
R1  R 2

10
1K  3K

2,5mA.

Vrehet se n kto llogaritje nuk futet vlera e E. Arsyeja sht supozimi q tregon se rryma IB nuk
ndikon n vlern e UB. Nse supozojm vlern 100 pr E, fitojm:

IB

IE
E 1

1,2 10 3
100  1

0,012mA  2,5mA ,

me ka tregohet vlefshmrin e supozimit t cekur.

280Elektronikaanaloge

37. Transistori n qarkun e detyrs 40 ka E= 25, kurse elementet tjera jan:
R1= 45K:, R2 =30K:, RC = 3K :, RE = 30K:. T caktohen vlerat e IC dhe UC.
Zgjidhja:
Me transformimin e br me zbatimin e teorems s Tevenenit fitohet:

R2
30 K
10
R1  R 2
30 K  45K

U BT

U CC

RBT

R1 R 2
R1  R 2

30 K 45 K
30 K  45K

4V

18K .

Nga ekuacioni: UBT-RBT.IB-UBE-RE.IE=0, me zvendsim pr

UBE=0,7V, fitohet

IE

IC

UC

1,23mA

E
E 1

IE

25
1,23 10 3 1,18mA
26

U CC  RC I C

10  3 103 1,18 103

6,46V .

38. Pr qarkun e prforcuesit me baz t prbashkt t dhn n figur, vlerat e elementeve jan,
R1=6K:, R2=1K, RC=4,5K:, RE= 1,5K:. Faktori i prforcimit t rryms t transistorit E ka vler
t madhe. T caktohet vendi i piks s puns.
Zgjidhja:
Qarku i polarizimit ka form t njjt si edhe
n figurn 60, kshtu q kemi;

UB

1K
20
7K

IE

2,86  0,7
1,5 103

UC

20  1,44 103 4,5 103 13,5V

2,86V
1,44mA

IC|IE kur E sht e madhe.

39. sht dhn prforcues me kolektor t prbashkt. T llogaritet vlera e rryms s kolektorit.
Jan dhn vlerat e mposhtme t elementeve t qarkut: R1=4K:, R2=2K:, RE=1K:.

Detyrameshembujtzgjidhur281


Zgjidhja:

2K
R2
10
4K  2K
R1  R 2

UB

U CC

UE

U B  U BE

IE

UE
RE

2,63
1 103

3,33  0,7

3,33V .

2,63V

2,63mA

IC = IE = 2,63mA.

Koment: Ky prforcues sht i njohur si ndjeks emiterial, i cili ka prforcim tensioni m t vogl
se 1. Zakonisht prdoret pr transformimin e impedancs.
40. N figur sht dhn qarku me emiter t prbashkt dhe karakteristikat e tij. Pika e puns
sht zgjedhur t ket IC=30mA dhe UCE=5V. Pr tensionin UBE sht konsideruar t jet 0,7V.
a) t vizatohet drejtza statike e puns;
b) t llogaritet vlera e RC;
c) t llogaritet vlera e RB;
d) t llogaritet vlera E e transistorit;
e) t llogaritet vlera e prforcimit t rryms pr sinjal t madh.

(Zgjidhja: a) pr IC=0A, UCE = 12V, pr UCE=0V, Ic=50mA,

b) nga grafiku Rc = 240:,
c) nga grafiku IB=200PA, RB=25K:
d) E=150,
e) Au = 1,44).

282Elektronikaanaloge

41. N figur sht treguar qarku prforcues me emiter t prbashkt. Me vlera t supozuara IB
<<I1, E= 250 dhe UBE= 0,7V.
a) llogarit vlerat e rrymave IE, IC dhe IB;
b) llogarit vlern e UCE.

(Zgjidhja: a) IC= 225mA, IB=3,58PA, IE|IC

b) UCE =- 1,57V.)

42. N figur sht dhn prforcuesi me transistor-PNP. Pr vlerat e UBE=-0,7v dhe E=120.
a) t llogaritet vlera e rezistencs R1 pr t ciln IE=-1,2
mA;
b) t llogaritet vlera e rezistencs RC pr t ciln UC =- 6V;

Zgjidhja: a) R1 = 12,45K:,
b) Rc=5k:)

43. Prforcuesi me baz t prbashkt, i dhn n figur,

sht polarizuar me UCC=20V, R1=R2=3K: dhe RE = 4K:.
Transistori ka E=100 dhe UBE=0,7V.
T prcaktohet vlera e IE dhe IC;
(Zgjidhja: Ic = 2,3 mA, IE|IC)

44. Qarku pr polarizimin e prforcuesit me kolektor t

prbashkt i dhn n figur sht i prbr nga R1=6K:,
R2=4K:, dhe RE=2,7K:. N qoft se UBE=0,7V dhe E me
vler t madhe, t llogaritet rryma e emiterit IE.

Detyrameshembujtzgjidhur283
(Zgjidhja: IE=1,22mA)

45. Pr qarkun e figurs jan dhn karakteristikat e transistorit. T prcaktohet:

a) vlera e UDS nse UGS=2V;
b) vendi m i mir i piks s puns;
c) vlerat e R1 dhe R2 pr vendin e zgjedhur t piks s puns.

Zgjidhja:
a) Nga grafiku pr UGS=2V vijon UDS=8,2 V
b) Nga grafiku pr UGS=4V fitohet UDS=1,9V.
Rezultatet nn a) dhe b) merren me prcaktimin e
prerjes s karakteristiks adekuate dhe drejtzs s
puns.
Pr amplituda t barabart rreth piks s puns dhe
me amplitud t barabart pozitive dhe negative t
tensionit t hyrjes, pika e puns duhet t vendoset n
vendin ku UGS=3V.
c) Me zbatimin e ekuacionit 3.61 fitohet:

Nse zgjedhim njrn vler, pr shembull, R2=10K:, pr R1 fitohet 23K:. Rezultati i prforcimit i
sinjalit t madh sht treguar n grafik. Kur tensioni i hyrjes UGS ndryshon n mnyr sinusoidale
prej 3V deri n 4V dhe prsri n 3V, pika e puns lviz prgjat drejtzs s puns dhe e
prcakton tensionin e daljes n kufijt prej 5V do 1,9V, gjat kohs s gjysms s dyt t
sinusoids tensioni i hyrjes ndryshon nga 3V n 2V, kurse ai dals ndryshon nga 5V deri n 8,2V.
Prforcimi sht:

AU

U dal
U hyr

 6,3
2

3,15

Shenja negative tregon se prforcuesi e inverton sinjalin e hyrjes.



284Elektronikaanaloge

46. Pr nj MOSFET me kanal t ndrtuar sht i nevojshm tension negativ UGS. Ai mund t
fitohet me rezistencn RSS n qarkun e burimit. Me kt rezistenc rritet tensioni i burimit, ashtu q
t jet m i madh se tensioni i gejtit. Jan dhn karakteristikat dalse t MOSFET-it. Pika e
puns duhet t shtrihet n karakteristikn UGS =-1V, n prerjen e drejtzs s puns pr
rezistenc 2K: n qarkun drejn-burim.
T prcaktohet vlera e rezistencs e RSS e cila duhet t vendoset n qarkun e burimit.

Zgjidhja:
Q t knaqet krkesa sht e nevojshme q rezistenca e qarkut drejn - burim t ndahet n RD
dhe RSS, me ka kemi RD + RSS = 2K:.
Tensioni i gejtit sht 0V sepse n RG nuk rrjedh rrym. Tensioni i rezistencs RSS sht dhn
me:

U RSS

I D RSS ,

kurse tensioni UGS tensionit me:

U GS

 I D RSS

1 .

Rryma ID pr pikn e puns sht ID = 1,75 mA

U GS

1  RSS 1,75 103

RSS

U GS
ID

RD

2 103  571 1429: .

1
1,75 10 3

571:

47. N figur sht dhn qarku i prforcuesit t MOSFET-it me kanal-N me kanal t induktuar. T
caktohet vlera e rezistencs R2 pr UGS=2V, nse R1 ka vler 150K:.

Detyrameshembujtzgjidhur285


(Zgjidhja:

R1
R2

3
, R2
2

100 K:. )

48. N grafik jan dhn karakteristikat dalse t MOSFET-it me kanal-N me kanal t induktuar.
Transistori sht vendosur n prforcues me burim t
prbashkt, t dhn n detyrn 47 me R1=100K:,
R2=30k: dhe RD=1,25K:.
a) T ndrtohet drejtza e puns pr kt qark.
b)

prcaktohet

pozita

piks

puns.

c)

T gjendet prforcimi i tensionit pr sinjale t

mdha.
Zgjidhja: a) Pr ID=0, UDS=5V, pr UDS=0, ID=4mA,
b) do t shtrihet n UGS = 1,5 V,
c) AU=1,65.)
49. N qark prforcues me emiter t prbashkt sht prdor
transistor me hfe=50 dhe hie=2K:. Sa sht prforcimi i tensionit
pr sinjale t vogla?
(Zgjidhja: AU=-52,5.)

50. N grafik jan dhn karakteristikat e daljes t

MOSFET-it, pr t cilin duhet t prcaktohen parametrat
pr sinjale t vogla gm dhe g0 dhe t llogaritet prforcimi i
tensionit t prforcuesit pr sinjale t vogla n lidhje me
emiter t prbashkt, gjat s cils prforcuesi sht
ngarkuar me rezistencn RL prej 8K.

286Elektronikaanaloge


Zgjidhja:

'I D
gm |
'U GS

1,75 103
1

1,75mS .

Nga grafiku shihet se ndryshimi i UGS pr 0,5V ('UGS=1C), ndryshimi i rryms IDS sht 1,75mC.
Pr gm dhe g0 fitojm:

g0 |

'I D
'U DS

0,25 103
3

83,3PS .

Pr llogaritjen e prforcimit t tensionit duhet t gjendet rezistenc ekuivalente RLeq , si kombinim

paralel i g0 dhe i ngarkess s jashtme prej 8K::

RLeq

AU

1
RL
g0
1
 RL
g0
Udal
Uhyr

1
8 103
83,3 10 6
1
 8 103
6
83,3 10
U GS g m RLeq
U GS

4,8 K:

1 1,75 10 3 4,8 10 3
1

8,4.

51*). N figur sht dhn qarku i MOSFET-it n

lidhje me gejt t prbashkt, pr t cilin sht matur
rryma e gejtit prej 1mA.
a) T prcaktohet vlera e tensionit UGG me t cilin
fitohet UG = 1 V.
b) T vizatohet qarku ekuivalent i prforcuesit.
c) T gjendet prforcimi i tensionit, nse jan dhn g0=0 dhe gm=5mS.
Zgjidhja:
a) Shtegu i komponets s vazhdueshme t rryms s drejnit kalon prmes UDD, RD, MOSFET
(drejn-burim) dhe RS, kshtu q kemi:

US

I D RS

1 103 1,5 103 1,5V ,

pasi q UGS duhet t jet 1V, marrim:

UGG = UG = UGS + US = 1 + 1,5 = 2,5V.
b) g0 sht 0 dhe nuk duket (paraqqitet) n skemn
ekuivalente.
d)N rezistencn RLeq rrjedh vetm komponenta
alternative e rryms dhe ajo sht gmUGS. Sipas ksaj:

Uhyr

U GS

Udal

 g m U GS RLeq


Detyrameshembujtzgjidhur287


AU

Udal
Uhyr

g m RLeq

8,33 .

52 *). N qarkun e prforcuesit me drejn t prbashkt, t dhn n figur,

MOSFET-i ka

gm=3mS kurse RS=3K:.

a) T llogaritet prforcimi i tensionit pr sinjale t vogla.
b) T llogaritet prforcimi i tensionit n qoft se vendosim MOSFET tjetr me gm = 30ms.

(Zgjidhja: a) AU = 0,86,
b) AU = 0,98.)
*) Njohuri e zgjeruar
53. N lidhjen kaskad t dy stadeve prforcuese, stadi i par ka prforcim tensioni AU1=100,
kurse tjetri AU2=1000. T shprehet prforcimi i secilit stad n decibel, dhe pastaj t gjendet
prforcimi total.

Zgjidhja:

AU 1 100 ; 20 log(100)

AU 2

20 2

1000 ; 20 log(1000)

20 3 60dB

ATOT

40  60 100dB

ATOT

100 1000 100000 ;

20 log(100000)

40dB

20 5 100dB.

54. Pr prforcues diferencial, i cili ka prforcim

diferencial 60dB dhe prforcim n faz -20dB, t
gjendet vlera e faktorit t shtypjes t sinjalit n faz U.
(Zgjidhja: 80dB.)

288Elektronikaanaloge
53. N figur sht dhn qarku i prforcuesit diferencial.

Transistort kan UBE=0,7V dhe hie=2K:.

Rryma e vazhdueshme RE sht 0,5 mA.
a) T gjendet prforcimi diferencial.
b) T gjendet prforcimi n faz t njjt.
c) T gjendet faktori i shtypjes.
(Zgjidhja: a) Ad = 10,
b) Ac =- 0,7
c)U=14,28)

Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga prforcuesit operacional

54. Pr qarkun me prforcues operacional ideal n
figur t llogaritet prforcimi i tensionit.
(Zgjidhja: Au = 6,2.)

55. T llogaritet prforcimi i tensionit pr qarkun e figurs, nse R1=200: dhe R2=4K:.

(Zgjidhja: Au = 41)

56. Pr qarkun me prforcues operacional ideal nga figura t llogaritet prforcimi i tensionit.

(Zgjidhja: Au = 28,5.)

Detyrameshembujtzgjidhur289

57. Pr qarkun me prforcues operacionale ideal nga figura t
llogaritet vlera e rezistencs R2 me t ciln qarku jep prforcim 30.
(Zgjidhja: R2 = 38K:.)

58. Qarku n figur paraqet konvertor tension-rrym. Me prforcues

operacional ideal t gjendet vlera e rryms s daljes.

(Zgjidhja: Idal =- 1mA (rrjedh n drejtimin e

kundrt nga ai i treguar).

Detyra nga burimet e tensionit t vazhdueshm

59. Sa sht vlera mesatare e tensionit t daljes t qarkut nga figura nse koeficienti i
transmetimit i transformatorit sht 10?

(Prgjigje 19,8 V).

290Elektronikaanaloge
60. Sa sht fuqia e disipacionit (shprndarjes) s konsumatorit nga figura?

(Prgjigje 2,88 W).

61. Sa sht tensioni i stabilizuar n qarkun e figurs?

(Prgjigje 12V).

62. Pr qarkun e figurs sht dhn: Uz = 5,3 V, R3=R4=2K:. Sa sht tensioni i daljes?

(Prgjigje: 12V).

63. Pr qarkun e detyrs s mparshme, jan dhn R3=R4=2K:, dhe US=15V. Sa sht tensioni
i diods Zener? (Prgjigje: 6,8 V).
64. Pr qarkun e dhn n figur, njihen vlerat: UNS=16V dhe Us=12V. Sa mund t jet vlera
minimale e rezistencs RL, nse transistori mund t prballoj disipacion maksimal prej 10W.

(Prgjigje: 4,8: ).

FILLIMET E ELEKTRONIKS
Si filloi revolucioni i elektroniks?
Lirisht mund t themi se ai filloi n gjysmn e dyt t shekullit 19 me identifikimin e elektronit nga ana
e fizikanit anglez Tomson (Joseph John Thomson) dhe me matjen e ngarkess s tij elektrike n
vitin 1909, nga fizikani amerikan Miliken (Robert Andraws Milikan).
Zbulimi i Maksvellit (James

shndrrimin e zrit n sinjal

Clerk Maxwell), n

elektrik.

vitin

1864 pr ekzistimin e valve

elektromagnetike sht baz
pr

zhvillimin

radio

komunikimit.
Heinrich Herz
Alehander Graham Bell

N vitin 1897, Braun e

ndrton tubin e katods dhe

N
James Clerk Maxwell
N

vitin

1875,

Tomson

emiton sinjalet e para pa tela.

vitin

(Thomas

1877,
Alva

Edison

e zbaton n oshiloskop.

Edison)

ndrton fonogramin, pajisje e

par

(John

pr

regjistrimin

dhe

riprodhim t zrit.

vitin

1904,

Fleming),

zbatuar efektin Edison ndr-

vitin

1883,

Edison

elemente dhe e quan diod.

zbulon lvizjen e elektroneve

Tubat

n vakum nga nj elektrod

pajisje themelore pr fitimin e

q gjendet n potencial m

rezeve-X,

detektorve

lart

kah

tjetra

(Efekti

Edison).

elektronik

N
1876,

Bell

(Alehander Graham

Bell)

ndrton telefonin e par dhe

vitin

dhe

(transmetuesve).

(Heinrich

1888,
Herz)

bhen

radiosinjaleve,

Joseph John Thomson

vitin

duke

ton gyp elektronik me dy

N

Fleming

Herc
eksperi-

mentalisht vrteton ekzistimin e radio valve.

e hap fushn pr bartjen dhe

Dioda

antenave

Demonstrimet

para

N vitin 1906, Le De Forest

Duke u bazuar n kt

komunikimeve pa tela (radio)

(Lee

zbulon

zbulim, nga viti 1920 vjen

i bri Nikolla Teslla n vitin

triodn, tub vakumi e cila

deri te zhvillimi i hovshm n

1894.

prdoret

radio emetimet.

De

Forest)
pr

zbatime

ndryshme elektronike.
N

vitin

1920

paraqitet

imazhi i par televiziv, por

televizioni nuk prdoret n
mas deri n vitin 1947.
Format e para t imazhit
Nikola Teslla

Lee De Forest

televiziv jan fituar me mjete

elektromekanike.

Zbatimi i par i gypave

Pr "Baba" t televizionit

elektronik sht n radio

megjithat

komunikimet.

Vlladimir Zvorikin, i cili n

Viti 1940, instituti pr licenca

vitin 1929 shpik tuba ele-

e ndrron vendimin, me t

ktronik

ciln Nikolla Teslls i njihej

dhe kt licenc ia njeh
Markonit (Guglielmo Marconi). Markoni konsiderohet
si pjesmarrs i par n
zhvillimin e telegrafit pa tela
m 1896 dhe n zhvillimin e
radio

komunikimeve

distanca t mdha n vitin

1901.

kamer

e laboratorit Bell promovojn

Gjysma e par e shekullit 20

paraqet epoka e prdorimit

tubin e katods pr pajisje

TV bardh-e zi.

t tubave t vakumit n
elektronik. Prdorimi i tyre
mundsoi zhvillimin e radio
pajisjeve, telefonis n distanca t mdha, televizionit,
por edhe kompjutert e par.
Vlladimir Zvorikin
N

vitin

1912,

Majsner

ndrton oscilator elektronik.

N vitin 1935, Armstrong

zbaton

Guglielmo Marconi

pr

ikonoskop, kurse inxhiniert

Trioda

licenca pr radio komunikim

konsiderohet

modulimin

N vitin 1918, Armstrong

frekuenc, si prplotsim t

(Edwin Armstrong) shpik

modulimit n amplitud t

marrsin

prdorur deri ather.

super-heterodin.

Lufta e par dhe lufta e dyt

Shockley),

botrore nxisin nj ngritje t

pranohet se tubat elektronik

madhe

nuk jan hedhur plotsisht

elektroniks n industrin e

nga prdorimi deri edhe n

lufts. Numr i madh i llojeve

ditt e sotme.

zhvillimin

ndryshme

elektronik

edhe

por

duhet

krijon transistorin me lidhjekalim siprfaqsor.

tubave

tutje

paraqesin pjes themelore

t sistemeve elektronike t

William B. Shockley

asaj kohe.
Gjat kohs s Lufts s
dyt botrore, n vitin 1940
sht zbuluar radari, pajisje
John Bardeen

pr matjen e distancs dhe

drejtimin e lvizjes duke u
bazuar n reflektimin e radio

N vitin 1948 Bretejn dhe

Berdin

mikrovalve.

zbuluan

triodn

gjysmpuese- transistorin
N

vitin

1946

sht

kompletuar kompjuteri m i
njohur me tuba elektronik
ENIAC (Electronic Numerical

(TRANSfer resISTOR), element

prforcues

ri

gjysmprues me tri elektroda dhe dy kalime-PN.

Transistori
N

vitin

1952,

fizikani

amerikan Shokli dha bazn

teorike

dhe

iden

transistorve me efekt fush

t cilt u prodhuan dhe

Integrator and Computer).

zbatuan disa vite m von.

Kufizimet dhe mangsit e

N vitin 1950 n SHBA u

tubave elektronik jan faktor

konstruktua kamera TV-ve

t cilt uan deri te paraqitja

dhe pajisje TV me ngjyra.

e,,revolucionit

gjysm-

pruesve,, n vitin 1947,

me

paraqitjen

transis-

torve nn udhheqjen e
shkenctarve

Berdin,

Brtein dhe Shokli (John

Bardeen,
Brattain,

Walter

Houser

William

B.

Bota bhet dshmitare e

Walter Houser Brattain
N

vitin

1951

fizikani

arritjeve m t mdha n
historin

elektroniks,

paraqitja

elementeve

amerikan Shokli prmirson

elektronike gjysmpruese,

vetit e transistorit dhe e

t bra nga germaniumi dhe

silici. T vegjl pr nga

N vitin 1971 sht pro-

dimensionet,

dhuar mikroprocesori i par,

ristika

me

precize

karaktedhe

me

si

rezultat

puns

mime t ulta t prodhimit,

vshtir t fizikanve, inxhi-

elementet

nierve t elektroniks dhe

gjysmpruese

nga viti 1960 i zvendsojn

makineris.

Kjo

tubat elektronik pothuajse n

konsiderohet

si

gjitha

pajisjet

elektro-

ngjarje
fillimi

kompjuterizimit dhe prodhiJack Kilby

nike.Ky fakt, si edhe nevojat

mit t elektroniks digjitale.

e miniaturizimit, veanrisht
tek sistemet raketore, ojn

Q nga vitet e shtatdhjeta

kah paraqitja e qarqeve t

t shekullit t kaluar e deri

integruara,

m sot, qarqet e integruara

hulumtimeve t pavarura t

digjitale jan n zhvillim t

Kilbit ( 960 pr t shtypur

vazhdueshm.

si

elektron-Ski

rezultat

tuba

pothuajse t gjitha pajisjet

Robert Noyce

elektronike. Ky fakt, dhe ka

nevoj

pr

t-kafshoj

minijaturizacija, veanrisht

N vitin 1962 u paraqit

n sistemet e raketave, q

sistemi elektronik laserik i

on n shfaqjen e leshit,

par.

qarqeve t integruara, si
rezultat

hulumtimit

Nga

qarqet

para

pavarur Kilbi (Jack Kilby)

integruara me disa dhjetra

nga

transistor,

kompania

Teksas

vitin

1970

Instru-

numri i transistorve rritet

ments) n vitin 1958, dhe i

edhe deri n 1000 n nj

Hernit dhe Nojsit (Jean

chip.

Instrument

(Texas

Hoerni, Robert Noyce) nga

kompania Ferajld Semikonduktor (Fairchild Semiconductor) n vitin 1959.

Prmbajtja

faqe.

1. DIODAT GJYSMPRUESE ..................................................... .............................................. 5

1.1. Lnda dhe ndarja e elektroniks .................. ... ........................................... ............ ... ... ... ...

1.2. Struktura atomike e materies ........ ... ... ........................................... ................... ... ... ... ... ...

1.3. Materialet gjysmpruese .... ... ... ... ... ........................................... ............................. .. ... . 11
1.3.1. Vetit elektrike t materialeve gjysmpuese ................. ... ... .................................. .... ... 12
1.3.2. Gjysmpruesi i llojit -N... ... ... ... ............................................ .......................................... 15
1.3.3. Gjysmpruesi i llojit-P...... ... ... ... ... ... ....................................... ............................. ... .... 17
1.4. Kalimi -PN .. ... ... ... ... ... ... ... ...................................... .................................................. ....... 19
1.4.1. Polarizimi i kalimit-PN................. ... ........................................... ................... ... ... ... ... ... ... 20
1.4.2. Kalimi-PN n fushn e jashtme elektrike ........... ... ....................................... ... ... ... ... ... ... 21
1.5. Diodat gjysmpruese ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ....................................... ......................... ... 24
1.5.1. Karakteristika statike .......... ... ... ... ... ... .......................................... ................................ ... 25
1.5.2. Shpimi i kalimit t diods ................. ... ... ... ... ... ....................................... ............... ... ... . 26
1.6. Llojet dhe zbatimi i diodave gjysmpruese ............... ... ... ... ... .................................... ..... 27
1.6.1. Diodat me kalim pik ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................................... .......................... ... . 29
1.6.2. Diodat me kalim siprfaqsor .... ... ... ... ... ... ... ..................................... ............. ... ... ...... 30
1.6.2.1. Diodat drejtuese ....... ... ... ... ... ... ... ... ........................................ ...................................

30

1.6.2.2. Diodat zener ... .. ... ... ... ... ... ............................................. ............................ ... ... ... ...

31

1.6.2.3. Diodat pulsive ...... ... ... ... ... ... .......................................... .................................. ... ... ... 32
1.6.2.4. Diodat LED ... ... ... ... ... ... ... ........................................ ............................................ ... ... 33
1.6.2.5. Diodat PIN ................................................ .................................................. ....................... 34
1.6.2.6. Dioda tunel .................................................... .................................................. .................. 34
1.6.2.7. Dioda Varikap ................................................. .................................................. ................. 35
1.6.2.8. Dioda GUN ................................................. .................................................. ..................... 35
2. TRANSISTORT.. ... ... ... ... ............................................ ................................................ ... .... 41
2.1. Transistori NPN ... ... ... ... ........................................... ........................................... ... ... ... .... 43
2.2. Transistori PNP... ... ... ............................................ ................................... ... ... ... ... ... ... .... 46
2.3. Rryma e kundrt-inverse. ... ... .......................................... .............................................. ... ... 48
2.4. Karakteristika t transistorit ........... ... ............................................. ............. ... ... ... ... ... ... . 49
2.4.1. Regjimi statik i puns .......... ... ... ... ... ... ......................................... ..................... ... ... ... .. 49
2.4.2. Karakteristikat statike ........ ... ... ... ... ........................................... ........................... ... ... ... 50
2.4.3. Parametra t transistorit ... ........ ... ... ........................................... ......... ... ... ... ... ... ... ... .. 53

2.4.3.1. Rezistenca dalse e transistorit . ... ... ... ... ... ... ....................................... ....... ... ... ... ... 53
2.4.3.2. Koeficienti i prforcim t rryms t transistorit .................. ... ... .............................. ... ... . 54
2.4.3.3. Drejtza e puns . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................................... ................................ . 55
2.4.4. Kufizimet gjat puns s transistorit................... ... ... ... ....................................... ... ... ... ... 57
2.5. Regjimi dinamik i puns ............ ... ... ... ... ... ... ... ...................................... ........................ ... 59
2.5.1. Skema ekuivalente e transistorit me parametra-h ... ... ... ....................................... ... ... ... . 60
2.6. Transistori si element prforcues.............. ... ... ... ... ... ... ... ...................................... ......... ... 63
2.6.1. Veti t transistorit n frekuenca t larta ... ... ........................ ... ... ........................ ... ... ... ... 64
2.7. Transistori si element komutues (els) ..... ... ... ... ... ... ... ....................................... ......... ... 65
2.7.1. Qarku komutues me transistor n lidhje me emiter t prbashkt ....... ... .................... ... ... 66
2.7.1.1. Regjimi i bllokimit ...................... ... ... ... ........................................... ........................... ... . 67
2.7.1.2. Regjimi i ngopjes-saturimit.... ... ........................................... ................. ... ... ... ... ... ... ... 67
2.7.1.3. Regjimi kalimtar ...... ... ... ..... ... ......................................... ..................... ... ... ... ... ... ... . 68
2.8. Transistort njpolar- transistort me efekt fushe .................... ... ... .................. ... ... ... ... .... 70
2.8.1. Struktura dhe parimi i funksionimit t FET-it.. ... ... ... ... ... ... ................................. ... ... ... .. 71
2.8.2. Karakteristikat statike t FET-it ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................. ... ... ... .. 73
2.8.3. FET-i n regjimin dinamik t puns ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................... ... ... ... ... .. 74
2.8.3.1. Skema ekuivalente e FET-it... ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ................................... ............. ... 76
2,9 ... MOSFET-i ............................................... ................................................. ............................ 77
2.9.1. Struktura dhe parimin i puns s MOSFET-it me kanal t induktuar .. ... ... .. ... ... .. ... ... ... 78
2.9.2. Karakteristikat statike ....... ... ... ... ... ... ... ... ... ....................................... ...................... ... . 80
2.9.3. MOSFET me kanal t ndrtuar .. ... .. ... ... ... ... ... ................................... ..................... ... .. 81
2.9.4. MOSFET-i si element komutues ------... .. ... ... ... ... ... ... ... .................................... ... ... ... . 82
2.10. Zbatimi i transistorve ... ........... ... ... ... ... ... ... ....................................... ........................ ... 85
3. PRFORCUESIT-AMPLIFIKATORT ................................................................. ..................... 89
3.1. Prforcimi dhe roli i prforcuesit ............... ... ... ... ... ....................................... ............. ... ... . 91
3.2. Ndarja e prforcuesve ........ ... ... ... ... ... ... ... ....................................... .......................... ... ... 92
3.3. Prforcuesi si nj katrpolar aktiv ......... ... ... ... ... ... ... ....................................... ............. ... . 94
3.4. Prcaktimi i parametrave t prforcuesit .............. ... ... ... ... ... ... ..................................... ... . 95
3.5. Karakteristika e frekuencs dhe fazore e prforcuesit ........... ... ... ... ............................. ... ... 96
3.6. Analiza grafike e prforcuesit me transistor .................................... ... ... ............................. ... 98
3.7. Llojet e konfiguracioneve t prforcuesve .......... ... ... ... ........................................ ............... 101
3.7.1. Prforcuesi me konfiguracion-emiter t prbashkt ...... ... .................................. ... ... ... ... 101
3.7.2. Metoda analitike pr llogaritjen e parametrave t prforcuesve ........................... ............. .. 104
3.7.3. Prforcuesi me konfiguracion-kolektor t prbashkt ....... ... ... ... ... ... ... ........................ ... 107

3.7.4. Prforcuesi me konfiguracion- baz t prbashkt ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ .. 109
3.7.5. Lidhja e Darlingtonit ................... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............... ............... ... ... 111
3.7.6. Prforcues me konfiguracion burim (source) t prbashkt ... ... ... ... ... ... ............ ... ... ... 113
3.7.7. Prforcuesi me konfiguracion gejt (port) t prbashkt .. ... ... ... ........................... ... ... ... 115
3.7.8. Prforcuesi me konfiguracion drejn (derdhje) t prbashkt ... ... ....................... ... ... ... .... 117
3.8. Prforcues t lidhur n kaskad ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .............................. ... ... ... 118
3.9. Llojet t bashkimeve mes prforcuesve. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......................... ... ... .... 119
3.10. Prforcuesi n frekuenca t larta ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ....................... ... ... ... ... ... 121
3:11. Prforcuesit diferencial ....... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................. . ... ... 125
3.11.1. Karakteristika kalimtare e prforcuesit diferencial ................... ... ... ................... ... ... ... ... 127
3.11.2. Konfiguracioni real i prforcuesit diferenciale .................... ... ... ... ................. ... ... ... ... ... 127
3.11.3. Prforcimi diferencial .............. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ ... ... 128
3.11.4. Prforcimi n faz t njjt .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................... ... ... ... 129
3.11.5. Gjeneratori i rryms . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................. ...... ... .. 130
3.11.6. Tensioni i korrigjimit (offset) . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................... ... ... 131
3:12. Prforcuesit me lidhje t kundrt ..... ... ... ... ... ... ....................................... ....................... ... 132
3.12.1. Prforcimi me lidhje t kundrt ... ... ... ... .......................................... .. ... ... ... ... ... ... ... ... 133
3.12.2. Lloje t lidhjeve t kundrta negative .......... ... ... ... ... ... ... ................................ ... ... ... ... 135
3.12.3. Stabiliteti i prforcuesit me lidhje t kundrt .................................................. ....... ... ...... ... 137
3.12.4. Qndrueshmria e prforcimit t prforcuesit me lidhje t kundrt negative ....................... 138
3.12.5. Zgjerimi i brezit t lshimit .................... ... ... ... ... ... ... ... ...................................... ............ 139
3.12.6. Llojet e deformimeve ..... ....................................... ... ... ... ... .... .......................... ... ... ... .. 139
3.12.7. Reduktimi i shtrembrimeve jo-lineare ... ................. ... ... ... ......................... ... ... ... ... ... . 140
3.12.8. ndikimi i lidhjes s kundrt negative mbi zhurmat .......... ... ... ... ................................. ....... 141
3.12.9. Ndikimi i lidhjes s kundrt mbi impedancn hyrse dhe dalse t prforcuesit .............. .. 142
3:13. Prforcuesit e fuqis ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................................. .......... ... ... .... 144
3.13.1. Stadi dals n klasn A me transistor bipolar .................... ... ... ............. ... ... ... ... ... ... .... 145
3.13.2. Prforcuesi simetrik i fuqis ............... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ ... .... 147
3.13.3. Prforcuesi simetrik n klasn B ............ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................. ... 148
3.13.4. Prforcuesi simetrik n klasn AB .. ......... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................... ... ... 150
3.13.5. Prforcuesi komplementar simetrik ................ ... ... ... ... ... ... ... ......................... ... ... ... .... 151
4. QARQET E INTEGRUARA............................................................................................................ 159
4.1. Karakteristika t llojeve t veanta t qarqeve t integruara ... ..... ... ....... ... .......... ... ... ... .... 161
4.2. Qarqet e integruara hibride ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................... 162
4.3. Qarqet e integruara monolite ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... .......................... ... ... 163

4.3.1. Prpunimi i bazs .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................. ... ... . 163
4.3.2. Fotolitografia .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ .... .... 164
4.3.3. Difuzioni .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......................... .. ... ... .... 167
4.3.4. Rritja Epitaksiale .............. ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ..................... .... ... ... .... 167
4.4. Zbatimi i qarqeve t integruara ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......................... ... ... ... 168
5. PRFORCUESIT OPERACIONAL.. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................ ... ... 173
5.1. Prforcuesi operacional ideal ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .......................... ... ... ... 176
5.2. Lidhja e kundrt e prforcuesit operacional ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................. ... ... ... ... .. 177
5.3. Konfiguracione t ndryshme t prforcuesve operacional ... ... ... ... ... .................... ... ... ... .... 178
5.3.1. Prforcuesi invertues ..... ... .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................... ... ... 178
5.3.2. Prforcuesi joinvertues .......... ... ... ... ... ... ... ... ... .... ... .. ... ... ... ... ... ... ............................ 180
5.3.3. Prforcuesi operacional me prforcim njsi .............. ... ... ... ... ... ... ... ........ ... ... ... ... ... .... 181
5.3.4. Qarku pr mbledhje ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .... ... ................................ ................... ... . 182
5.3.5. Prforcuesi operacional diferencial ....... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................. ... ... ... ... ... ... ... 183
5.3.6. Konvertuesi i rryms n tension .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............... ... ... ... ... ... ... ... 184
5.3.7. Konvertuesi i tensionit n rrym .................. ... ... ... .... ... ... ... ... .......................... ... ... ... ... 185
5.3.8. Zhvendossi i fazs ..... ... ... ... ... .... ... ... ... ... ... ......... ................... ....................... ... ... ... 186
5.3.9. Integratori ..................................................... .................................................. ....................... 186
5.3.10. Diferenciatori ......................................................... .................................................. ........... 188
5.3.11. Prforcuesi logaritmik ........................................................ .................................................. 189
5.3.12. Prforcuesi eksponencial ......................................................... ........................................... 191
5.4. Prforcuesi operacional real ....................................................... .............................................. 193
5.4.1. Bllok-skema e prforcuesit operacional real .................................................... ...................... 196
6. BURIME T TENSIONIT T VAZHDUAR-DC........................................ .................................... 203
6.1. Pajisje t ushqimit nga tensioni i rrjetit .......................... ... ... ... ... ... ... ................... ... ... ... .. 205
6.1.1. Drejtuesi (radrizatori) gjysmvalor .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................ ... .... 206
6.1.2. Drejtuesi i vals s plot .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ..... .......................... ............ 207
6.1.3. Filtri kapacitiv pr drejtues ............................................................. ........................................ 209
6.2. Stabilizimi dhe rregullimi i tensionit ... ... ... ......... ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ........... ... ... ... ... ... 212
6.2.1. Stabilizimi i tensionit me diod zener ... ... ........ ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ..................... 213
6.2.2. Stabilizatori serik i tensionit me transistor ............ ... ... ... ... ... ... ... ... ..... ... ... ... ... ... ... ... 214
6.2.3. Stabilizatori serik i tensionit me lidhje t kundrt ........... ... ... ... ... ... ... ... ............... ... ... .... 215
6.3. Stabilizatort linear t integruar t tensionit ............ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................. ... ... ... 216
6.4. Stabilizatori i rryms ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............. ... ... .... 219

6.5. Stabilizatori i tensionit me kufizim t rryms ..................... ... ... ... ... ... ... ... ... .............. ... .... 220
6.6. Stabilizatori i sakt me prforcues operacional ........................................................ ............... 221
6.7. Drejtuesi i sakt i vals s plot me prforcues operacional ..................................................... . 221
7. TIRISTORT................................................ .................................................. ............................. 225
7.1. Dinistori ... ... ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ................ ... ... 227
7.2. Tiristori .................. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... ... ... ................ ... ... .... 228
7.3. Karakteristikat statike t tiristorit ................. ... ... ........................................... ............... ... .... 229
7.4. Diaku ......... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......... ... ... ... ... ... ... ... .................... ... ... ... 230
7.5. Triaku ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ... ... ..................... ........ ... 231
7.6. Zbatimi i tiristorve ........ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .............................. ... ... ... 232
8. ELEMENTET SPECIFIKE ELEKTRONIKE .................................................... ............................ 235
8.1. Termistort ................................................... .................................................. ......................... 237
8.1.1. Termistori-NTC ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................... ............................. 238
8.1.2. Termistori-PTC .................................................... .................................................. ............... 238
8.2. Elementet fotoelektrike .......................................................... .................................................. . 241
8.2.1. Fotorezistort ............. ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..................... ... ... ... 241
8.2.2. Fotodiodat ................................................... .................................................. ........................ 243
8.2.3. Fototransistort ...................................................... .................................................. ............. 245
8.3.4. Fotogjeneratort .................................................... .................................................. ............. 246
8.2.5. Ekranet me kristale t lngta ............................................. .................................................. 248
8.3. Relet .................................................. .................................................. ................................... 251
8.3.1. Mnyra e puns s releve elektromagnetike ...................................................... ................... 251
8.3.2. Mnyra e puns s releve elektronike ....................................................... ............................ 253

LITERATURA E PRDORUR
1. David Irwin David Kerns: Introduction to Electrical Engineering, Prentice Hall International
Editions, 1995
2. : III , ,
1995
3. Milman Halkias: Integrated electronics: analog and digital circuits and systems, 1972
4. . , . -: ,
- Shkup, 2006
5. : , III
, 1993
6. : I II , 1972
7. : II , 1982
8. : I II ,
e
9. Artikuj dhe t dhna nga interneti.