Professional Documents
Culture Documents
109 Analogna Elektronika II ALB PRINT
109 Analogna Elektronika II ALB PRINT
Natasha Bozhinovska
ELEKTRONIKA
ANALOGE
pr vitin II
profili arsimor
elektroteknik pr elektronik
dhe telekomunikacion
drejtimi i elektrotekniks
Shkup, 2013
Botues:
MINISTRIA E ARSIMIT DHE SHKENCS
E REPUBLIKS S MAQEDONIS
Rr. Mito Haxhivasilev Jasmin, p.n.
Shkup
Recensent:
Prof. e jasht. dr. Vesna eshelkoska,
Fakulteti teknik - Manastir
Tatjana Malenko, el. ing. i dipl,
Profesor n shkolln e mesme Mihajllo Pupin Shkup
Petre Nikollovski, el. ing. i dipl,
Profesor n shkolln e mesme Vllado Tasevski Shkup
Prkthyes: el.Ing.Idipl. Riza ETEMI
Lektore: Arjeta AJLANI
. 22-4329/1 29.07.2010
.
Me vendim t Ministrit t Arsimit dhe Shkencs t Republiks s Maqedonis
numr 22-4329/1 t dats 29.07.2010, lejohet prdorimi i ktij libri.
CIP -
". " ,
621.3.037.33(075.3)
004.387(075.3)
,
II :
:
/ . - :
, 2010. - 286 . : . ; 30
ISBN 978-608-226-024-2
COBISS.MK-ID 84235786
PARATHNIE
Libri ELEKTRONIKA ANALOGE pr vitin II t drejtimit t elektrotekniks sht rezultat i
ndryshimeve n programet arsimore t shkollave t drejtimit t elektrotekniks pr profilin
elektroteknik t elektroniks dhe telekomunikacionit. Teksti sht shkruar n prputhje me
programin pr lndn ELEKTRONIKA ANALOGE pr vitin II t prpunuar n vitin 2006. Gjat
prgatitjes s tekstit sht prdorur doracaku "Koncepti pr libr pr arsimin fillor dhe t
mesm" botuar nga Byroja pr zhvillimin e arsimit.
Pr zotrim t suksesshm t prmbajtjeve t lnds krkohen njohuri paraprake nga lndt:
fizik, matematik, elektroteknik, materiale dhe elemente elektroteknike dhe vizatim teknik. N
prputhje me programi arsimor, teksti i librit sht i ndar n 8 njsi tematike.
1. Diodat gjysmpruese. Fillimisht jan dhn bazat e fiziks s gjysmpruesve, struktura
kristalore e gjysmpruesve, formimi i kalimit-PN dhe karakteristikat e tij, me theks t veant n
gjysmpruesin e silicit dhe llojet e ndryshme t diodave gjysmpruese.
2. Transistort. N kt kapitull shpjegohet krijimi i transistorve njpolar dhe bipolar duke
prdorur kalimin-PN, karakteristikat dhe parametrat e tyre, metoda e polarizimit dhe roli i tyre si
komutator.
3. Prforcuesit (amplifikatort). Pjesa m e madhe e prmbajtjes s librit i sht prkushtuar
rolit, ndarjes, parametrave dhe konfiguracioneve t amplifikatorve me transistor bipolar dhe
njpolar dhe amplifikatorve operacional.
4. Qarqet e integruara. Shfaqja e qarqeve t integruara fut dimensione t reja n zhvillimin e
qarqeve elektronike. N kt kapitull jan sqaruar disa procedura n prgatitjen e qarqeve t
integruara.
5. Prforcuesit-amplifikatort operacional. Lnd e analizs jan roli, ndarja, parametrat,
lidhja e kundrt, konfiguracioni dhe zbatimi i amplifikatorve operacional. N kt kapitull sht
br nj analiz e veant e amplifikatorit operacional real PA741.
6. Burimet e tensionit t vazhduar-DC. Mnyra e puns s burimeve t energjis sht treguar
prmes drejtimit t vals s plot dhe gjysmvalor t tensionit alternativ dhe stabilizimin e tensionit
me theks t veant t stabilizatorve t integruar.
7. Tiristort. Tiristort jan elemente komutuese-switching me zbatim t gjer. Ktu sht dhn
ndarja dhe karakteristikat e tyre.
8. Elementet specifike elektronike. Fotorezistencat, fotogjeneratort, varistort, ekranet me
dioda LED dhe kristale t lngta jan elemente t veanta elektronike t prpunuara n kt
kapitull.
Pas zhvillimit t prmbajtjeve msimore, kemi prmbledhje t cilat nxjerrin n pah momentet m t
rndsishme t materialit t ekspozuar m par.
N fund t do njsie tematike jan dhn pyetje pr vlersimin tematik t s njjts. Gjithashtu,
n fund t librit jan dhn shembuj t zgjidhur dhe detyra pr zgjidhje. N paraqitjen e
prmbajtjeve jan prdorur operacione t thjeshtzuara matematikore dhe nj numr i madh i
imazheve dhe prezantimeve grafike, t cilat duhet t mundsojn msimin m t leht t
materialeve. Kujdes i kushtohet futjes graduale t definicioneve t reja, pyetje pr verifikimin e
njohurive dhe detyra, me ka knaqen udhzimet e nevojshme didaktike.
Autori shpreson se libri do tu prgjigjet nevojave t msimdhnsve t msimit lndor dhe
nevojave t nxnsve pr prfitimin dhe pr konsolidimin e materialit. Do t doja t`u shpreh
mirnjohjen time recensentve pr sugjerimet dhe propozimet n formsimin final t librit.
Dhe n fund, por jo pr t fundit her, do t doja t falnderoj babait tim Zoran Tasiq pr ndihmn
e tij t madhe dhe bujare n prgatitjen e ktij libri, i cili me prvojn e tij shumvjeare si profesor
universitar dhe autor i disa punimeve shkencore dhe librave n fushn e elektroniks, dha nj
kontribut t madh pr cilsin dhe pamjen e ktij libri.
Autori
Diodatgjysmpruese
5
DIODAT GJYSMPRUESE
Duke studiuar prmbajtjet
"alfabetin" e
Diodatgjysmpruese
7
1.1.LndadhendarjaeELEKTRONIKS
Termit "elektronik" i jan dhn tre kuptime themelore:
a) Elektronika sht shkenc e cila, si pjes e fiziks, merret me lvizjen e elektroneve n hapsir
boshe (gypa elektronik n vakum) dhe n materialet gjysmprues.
b) Si pjes e elektrotekniks, elektronike merret me analizn, zhvillimin dhe prodhimin e
elementeve, komponentve, pajisjeve dhe sistemeve elektronike.
c) Elektronika, si term, prdoret pr t treguar pjes t pajisjes, t prodhuar nga komponent
elektronik.
Komponent elektronike sht bllok i ndrtuar i pandashm i qarkut elektronik, i cili sht
vendosur n shtpizn e tij, me t paktn dy dalje-sockets pr lidhje me komponentt tjera
elektronike. Me lidhjen e t paktn dy komponentve elektronike fitohet qark elektronik. T gjith
komponentt elektronik ndahen n aktiv dhe pasiv. Komponentt aktive kryejn prforcim t
sinjalit elektrik d.m.th. ndryshim i vogl i tensionit ose rryms s hyrjes shkakton ndryshim t madh
n tensionin e daljes. N komponent
8Elektronikaanaloge
Qarqet elektronike mund t jen: analog, digjital dhe hibrid. N qarqet analoge punohet me sinjale
analoge, n digjitale me sinjale digjitale, kurse n hibridt edhe me njrin edhe me tjetrin. N
qarqet hibride bhet edhe kalimi nga sinjali analog n digjital dhe anasjelltas.
N qarqet analoge prfshihen: amplifikatort, oshilatort, modulatort, detektort, prziersit, filtrat
dhe t tjer. N qarqet
rrjetat kombinatorike,
mikroprocesort, memoriet dhe t tjera, t gjitha t realizuara n teknologji t ndryshme: TTL, ECL,
NMOS, PMOS, CMOS, etj.
Elektronike sht e pranishme n shum deg, si pr shembull, n pajisjet llogaritse (pjesa
harduerike), automatik (kontrollim dhe komandim me procese, robotik), telekomunikacione, mikroelektronik (qarqet e integruara), elektronik energjetike, optoelektronika, elektronika mikrovalore
etj.
N tekst prdoret mnyra e mposhtme pr shnimin e tensionit dhe rryms:
U, I - vlera konstante e vazhduar (DC);
u (t), i (t) vlerat momentale t komponentve t ndryshueshme n koh;
Um, Im - amplituda ose vlera maksimale e tensionit ose rryms s ndryshueshme sinusoidale.
1.2.Strukturaatomikeemateries
Atomi sht elementi baz i ndrtimit t t gjitha materialeve. Ai sht i prbr nga nj
brtham, n t ciln jan vendosur grimca m t vogla, protonet dhe neutronet, kurse rreth
brthams sillen grimca tjera t quajtura elektrone (figura 1.2). Strukturn e atomit i pari e paraqiti
fizikani danez Niels Bohr, qysh n vitin 1913.
Diodatgjysmpruese
9
brthamn me forca t forta brthamore dhe n kushte normale nuk mund t lirohen dhe t lvizin
jasht brthams. Numri i protoneve n brthamn e atomit prcakton strukturn kimike t
materies, dhe me at edhe llojin e materies. Me ndryshimin e numrit t protoneve ndryshohet lloji i
atomit. Kshtu, pr shembull, atomi i silicit ka 14, kurse atomi i germaniumit ka 32 protonet.
Neutronet kan ndikim shum m t vogl n natyrn kimike t materies nga protonet. Ata,
gjithashtu, jan t lidhur fort me brthamn baz dhe pr t ndryshuar numrin e tyre sht e
nevojshme nj energji shum e madhe. Me nxjerrjen ose shtimin e neutroneve n brtham, atomit
akoma do t mund t ruan t njjtin identitet kimik, vetm do t ndryshonte masa e tij. Nj ndryshim
i till mund t shkaktoj disa aktivitete t tjera brthamore, si sht radioaktiviteti.
Elektronet jan barts m t vegjl t ngarkess elektrike me polaritet negativ, i cili sht
1,6 10 19 C , aq sa kan edhe protonet, vetm me polaritet pozitiv. Numri i elektroneve n atom
sht i barabart me numrin e protoneve dhe ata s bashku prcaktojn sjelljen elektrike t atomit.
Elektronet jan t shprndar n nivele t ndryshme energjetike. Ndryshe nga protonet dhe
neutronet, elektronet kan dukshm m shum liri pr t lvizur rreth brthams s atomit. Nj
numr i elektroneve lviz afr brthams dhe me t krijon nj trsi t pandashme. Nj numr i
vogl prej tyre, q quhen elektrone valente, jan t lidhur leht me brthamn, dhe mund edhe ta
lshojn atomin. Ata ndodhen n orbitn e fundit, m t largta nga brthama dhe nivelin m t
lart t energjis. Pr largimin e elektronit valent nga orbita e tij krkohet shum m pak energji.
Nse ndodh kjo, atomi nuk do t ndryshoj identitetin, vetm q do t ndryshoj gjendja elektrike
neutrale n t ciln ndodhet atomi. Nse nj elektron lshon atomin, krijohet nj boshllk-vrim
dhe atomi bhet i ngarkuar pozitivisht (jon pozitiv). Kur n atom do t futet elektron shtes, ai krijon
tepric elektronesh n atom dhe atomi bhet me ngarkes negative (jon negativ).
Modeli i atomit t silicit dhe modeli i tij i thjeshtuar jan dhn n figurn 1.3.
10Elektronikaanaloge
tregohet lidhja mes dy atomeve t silicit. Pasi q atomi i silicit ka elektrone katrvalente, ai mund t
lidhet me katr atome tjera t silicit dhe t gjith do t jen t larguar njlloj njri prej tjetrit.
Diodatgjysmpruese
11
1.3.Materialetgjysmpruese
Elektronet e llojeve t ndryshme t atomeve nuk kan mundsi t barabarta q ti shkpusin
lidhjet valente dhe t bhen elektrone t lira. Materiale t caktuara, si jan metalet, kan elektrone
valente t lidhur shum lirshm. Pr t gjeneruar elektrone t lir n materiale t tilla sht e
mjaftueshme nj sasi mjaft e vogl e energjis s nxehtsis, drits ose ndonj lloji tjetr. Pr
materiale t tilla sht e mjaftueshme t ndodhen n nj mjedis me temperatur dhome, q t
ndodh shkputja e elektroneve valente dhe krijimi i elektroneve t lira. Elektronet e lira ktu leht
lvizin n mes t atomeve, kurse shkalla e liris s lvizjes varet nga lloji i materialit.
N lloje tjera t materialesh, t tilla si qelqi, elektronet valente jan t lidhur m fort, krijohet nj
numr i vogl i elektroneve t lira, me liri t vogl t lvizjes. Aftsia e lvizjes s lir t elektroneve
t lira n material quhet prueshmri, kurse kundrshtimi i lvizje quhet rezistenc. Materialet me
numr t madh t elektroneve quhen prues, kurse ata me pak ose pa elektrone t lira quhet
izolues. Grupi i materialeve t cilat ndodhen mes pruesve dhe izoluesve quhen gjysmprues.
N kt grup mund t numrohen germaniumi dhe silici. Gjysmpruesit dallohen nga pruesit
dhe izolatort sipas disa vetive.
Rezistenca specifike e pruesve sht shum e vogl dhe ndodhet n kufijt nga 10-6 deri
n 10-5 :cm, tek izoluesit sht jashtzakonisht e madhe dhe sht nga 106 deri n 108 :cm, kurse
rezistenca specifike tek gjysmpruesit sillet mes ktyre vlerave edhe at nga 10-3 deri n 107
:cm.
Rezistenca e pruesve rritet gradualisht me rritjen e temperaturs edhe at n mnyr
lineare. Rezistenca e gjysmpruesve bie n mnyr eksponenciale kur rritet temperatura (figura
1.5).
12Elektronikaanaloge
1.3.1.Vetitelektriketmaterialevegjysmpruese
Nse bhet shprndarje e vazhdueshme e atomeve sipas nj modeli t rregullt
tredimensional fitohet struktur kristalore e materialit. N nj struktur t till jan realizuar t gjitha
lidhjet valente t mundshme t dy elektroneve. N figurn 1.7 tregohet modeli i nj kristali t silicit.
Ajo ka formn e nj kubi, kurse atomi themelor qndron n qendr
t kubit. Atomet tjera t lidhjeve valente t atomit qendror jan t
shprndar n katr kulmet, ashtu q nuk prekin njri-tjetrin. Tregimi i
lidhjeve valente i m tepr atomeve n kt mnyr sht shum e
komplikuar. N vend t tregimit hapsinor, m e thjesht sht shfaqja n
nj rrafsh, si tregohet n figurn 1.8.
Figura 1.7: Modeli i
kristalit t silicit.
N kt foto brthamat e modeleve t thjeshtuara t atomeve
jan treguar si m t mdha, kurse elektronet valente si rrethe m t
vogla. Lidhjet valente mes atomeve jan dhn prmes dy
elektroneve t lidhur mes veti. Kshtu i paraqitur, kristali i silicit ose
germaniumit sht izolator ideal, n t nuk ka elektrone t lira. Por,
kjo vlen vetm n temperatura afr zeros absolute (-273oC = 0K).
Figura 1.8: Lidhjet valente t
numrit m t madh t atomeve.
N temperaturn e dhoms nga 18 deri n 200 C (300K) krijohen elektrone t lira dhe struktura
kristalore nuk sht m e prkryer. Struktura kristalore jo e prkryer sht baz pr krijimin e
materialeve gjysmpruese.
Diodatgjysmpruese
13
eV
14Elektronikaanaloge
Me rritjen e temperaturs rritet numri i elektroneve t lira, por n t njjtn mas edhe i vrimave.
Prueshmria e gjysmpruesve rritet, por kristali edhe m tutje mbetet neutral.
Mosprsosmrit energjetike mund t ndodhin edhe nn ndikimin e energjis s drits, me ka
ndodh efekti fotoelektrik. Nn efektin fotoelektrik nnkuptohet ndr-veprimi i fotoneve (kuantet e
drits) dhe elektroneve t atomit t gjysmpruesit. Kur fotonet e drits dhe elektroni bjn
shkmbimin e energjis me t ciln disponoj, elektroni e ndryshon nivelin energjetik t tij. Nse
energjia, q ia jep fotoni elektronit sht e mjaftueshme, elektroni do t largohet nga shtegu i tij dhe
do t kaloj n nj shteg me nivel energjetik m t lart, ose do ta shkput lidhjen valente dhe do t
ngel i lir. Proces i kundrt ndodh kur nj elektroni kalon n shtegun me nivel energjetik m t ult
nse kthehet n lidhjen valente. Nj kalim i till shoqrohet me emetimin e nj kuanti t energjis
s drits - foton.
Gjysmpruesit me kt lloj t mosprsosmris quhen t papastrt (pa primesa), ndryshe nga t
ata t pastr tek t cilt mosprsosmria krijohet prmes rrugs kimike. Deri tek mosprsosmria
kimike arrihet kur n kristal futen numr i caktuar i primesave (papastrtive) kimike, t prfaqsuar
nga dy grupe t elementeve atomet e t cilave integrohen n strukturn kristalore t
gjysmpruesit. Elementet nga njri grup kan atome me elektrone pes valente dhe kto jan,
fosfori, arseni dhe antimoni. Elementet nga grupi tjetr kan atome me elektrone tre valente. Ktu
prfshihen bori, alumini, galiumi dhe indiumi.
MBAJ MEND!!!
Mosprsosmria e strukturs kristalore mund t ket natyr strukturore, energjetike ose kimike.
Diodatgjysmpruese
15
1.3.2.GjysmpruesiillojitN
Atomi i fosforit (figura 1.10) sht me elektrone pes valente dhe ka dimensione t njjta me
dimensionet e atomit t silicit. Ai leht mund t integrohet n strukturn kristalore t silicit. Nse
shtohet atom fosfori n masn e shkrir t silicit, ai n nj vend q do t zvendsoj atomin e
silicit dhe do t formojn lidhje valente me atomet prreth. Gjat ksaj, nj elektron nga atomi i
fosforit mbetet i teprt. Ai nuk mund t hyj n lidhjen valente, sepse t gjitha jan t mbushura.
Elektroni sht i lidhur leht n atomin e fosforit dhe n temperaturn e dhoms bhet i lir. Pr
lirimin e tij sht e mjaftueshme energji prej 0,05 eV.
Integrimi i atomit t fosforit n rrjetn kristalore t silicit sht paraqitur n figurn 1.11.
Me futjen e atomeve pes valente n rrjetn kristalore t germaniumit ose silicit fitohet
gjysmprues i llojit N (negativ), i cili ka tepric t elektroneve t lira dhe n t
cilin
16Elektronikaanaloge
Diodatgjysmpruese
17
1.3.3.GjysmpruesiillojitP
Atomi i borit, i paraqitur n figurn 1.14, ka prmasa t njjtat me atomin e silicit, q do t thot se
mund t integrohet n rrjetn e tyre kristalore.
18Elektronikaanaloge
Vrimat n kt lloj gjysmpruesi krijohen n dy mnyra: duke futur atome akceptor dhe shkputje
termike t lidhjeve valente. Si barts dytsor ktu paraqiten elektronet e krijuara nga shkputja
termike e lidhjeve valente.
t vazhduar n skajet e
gjysmpruesit, n t krijohet fush elektrike me intensitet E dhe me drejtim nga poli pozitiv n at
negativ t burimit. Fuqia F, e cila sht rezultat i fushs E, i drejton vrimat t lvizin n drejtimin n
t cilin vepron fusha elektrike, kurse elektronet n drejtimin e kundrt. Me lvizje t tilla t drejtuara
krijohet rrym me intensitet I.
Lvizja e vrimave, si pam me ndihmn e figurs 1.9, sht e dukshme. Fizikisht zhvendosen
elektronet valente, dhe efekti i asaj lvizje sht shfaqja e vrims n nj vend tjetr, q sht
ekuivalente me lvizjen e vrimave. N vendin e kontaktit t gjysmpruesit me telin sjells, vrimat
trheqin elektrone nga metali dhe rikombinohen, kurse n kontaktin e kundrt krijohet nj vrim e re
me kalimin t numrit t till t elektroneve valente n kontaktin e metalit aq sa sht numri i vrimave
t rikombinuara. Duke e kthyer polaritetin e burimit ndryshohet drejtimi i fushs dhe vrimat lvizin n
drejtimin e kundrt nga i mparshmi. Kjo do t thot se edhe n gjysmpruesin e llojit P nuk ka
paraqitje t orientimit.
MBAJ MEND!!!
valente. Pr shkak t teprics s vrimave, barts kryesor n gjysmpruesin e llojit P jan vrimat
kurse dytsor elektronet.
Numri i bartsve kryesor sht shum m i madh se i bartsve dytsor dhe varet nga numri i
atomeve t primesave t futura dhe temperatura e gjysmpruesit.
Diodatgjysmpruese
19
1.4.Kalimi(bashkimi)PN
Gjysmpruesit e llojit N dhe P n formn e treguar nuk jan me prfitim t madh. Efekt
shum m interesant fitohet kur t dy llojet e gjysmpruesve kombinohen mes veti n nj kristal
n m shum mnyra. Sigurisht q bashkimi i zakonshm fizik i t dy llojeve t kristaleve nuk sht
i mundshm, por t shkrir, n kristalin e pastr nga njra an shtohen akceptor, kurse n ann
tjetr atome t donorve. N kt mnyr fitohet kristal i vetm me bashkim (kalim)- PN. Ai n
njrn an ka bllok t gjysmpruesit t llojit P, ndrsa n ann tjetr bllok t gjysmpruesit t
llojit N (figura 1.18). Vendi i bashkimit paraqet zon me trashsi t vogl.
20Elektronikaanaloge
akceptorve formojn ngarkes hapsinore negative dhe prqendrimi i saj bie me largimin nga
kalimi. N zonn N, atomet e donorve formojn ngarkes hapsinore pozitive dhe prqendrimi i
saj bie me largimin nga kalimi.
1.4.1.PolarizimiikalimitPN
Pas prfundimit t procesit t formimit t kalimit PN dhe prfundimit t lvizjes difuzive t bartsve
kryesor prmes kalimit, fitohet gjendja si n figurn 1.20.
Diodatgjysmpruese
21
gjersin
dielektrike.
Sa u takon bartsve dytsor, fusha e brendshme elektrike e mundson kalimin e tyre prmes kalimit
dhe formohet rryma e elektroneve dytsor dhe rryma e vrimave dytsore. T dy rrymat kan
drejtime t kundrta, kshtu q si rezultat prfundimtar fitohet se n kalim PN pa polarizim t
jashtm, n ciln do prerje trthore t pllaks s kristalit, densiteti mesatar i rryms sht zero.
1.4.2.KalimiPNnfushnejashtmeelektrike
Nse vendosim pika lidhse metalike n skajet e kristal t kalimit PN dhe n to pika kyet burim
i tensionit t vazhduar, n brendsi t kristalit do t krijohet fush elektrike E, t ciln m tutje do ta
quajm t jashtme. Nn ndikimin e saj, n kalimin PN do t ndodhin nj sr ndryshimesh, n
varsi se si sht i lidhur burimi.
22Elektronikaanaloge
Polarizimiikundrt(invers)ikalimitPN
Nse ndryshohet polariteti i burimit, ndryshohet edhe drejtimi i fushs s jashtme E (figura 1.22)
dhe drejtimi i saj prkon me drejtimin e fushs s brendshme E1. Tani barriera potenciale bhet m
e madhe, zona e pengess m e gjer, kshtu q elektronet dhe vrimat do ta ken m vshtir pr
ta kaluar.
Diodatgjysmpruese
23
MBAJ MEND!!!
boshatisur nga elektronet dhe vrimat e lira, barriera potenciale dhe fush e brendshme elektrike.
Kalimi PN i polarizuar direkt-drejt fitohet me kyje t polit pozitiv t burimit n llojin P, kurse
Kalim PN me polarizim t kundrt- invers fitohet me kyje t polit pozitiv t burimit t furnizimit
N kalimin me polarizim t kundrt rrjedh vetm rryma e bartsve dytsor, ajo sht rryma
1. Si ndahen materialet?
2. Nga ka varen vetit elektrike t materialeve?
3. Si sillet gjysmpruesi n temperaturn e dhoms, dhe si n zero absolute?
4. Si krijohet vrima?
5. Cilt gjysmprues jan gjysmprues me primesa-papastrti?
6. Si fitohet gjysmpruesi i tipit N?
7. Cilt atome quhen donor?
8. Vizato gjysmprues t llojit N t lidhur me burim t jashtm dhe sqaro se far ndodh!
24Elektronikaanaloge
1.5.Diodatgjysmpruese
Prfaqsuesi i par dhe kryesor i kalimit PN n mesin e elementeve elektronike sht dioda
gjysmpruese. Struktura dhe simboli elektrik i diods jan dhn n figurn 1.23.
Diodatgjysmpruese
25
1.5.1.Karakteristikastatike
Karakteristika statike e diods (figura 1.24) m s miri e prshkruan situatn gjat polarizimit t
drejt dhe t kundrt t diods. Ajo sht karakteristika rrym-tension e cila e paraqet varsin e
rryms s diods nga tensioni i vazhduar n skajet e tij, gjat nj temperature konstante t
ambientit.
26Elektronikaanaloge
Rezistenca e diods ndryshon me ndryshimin e tensionit direkt. , t prur n diod. Ajo sht e
prcaktuar nga tangjenta e kndit D q prfshin tangjenten e karakteristiks n at pik.
Karakteristika e diods me polarizim t kundrt sht treguar n kuadratin e tret t sistemit
koordinativ. Edhe ajo mund t ndahet n disa zona (figura 1.26).
Zona numr 4, nga 0 deri n pikn D, sht identike me zonn numr 1, bashkimi i t dy zonave
sillet n mnyr simetrike dhe pr kt arsye n tensione t ulta nuk ka paraqitje t
drejtueshmris.
N Zonn numr 5, nga pika D n pikn E, rryma inverse i afrohet nj vlere konstante, e quajtur
rrym inverse e ngopjes. Rezistenca e diods n kt zon sht shum e madhe, por kurr nuk
bhet infinite (e pafundme).
Zona e 6-t, nga pika E n pikn F, sht zona e lakimit t karakteristiks. Ktu pr rritje t
vogl t tensionit t kundrt, rryma inverse rritet shum. N diodat e silicit kjo zon sht shum e
ngusht, kurse n diodat e germaniumit sht m e gjer. Vlera e tensionit t kundrt maksimal Up
ndodhet n fillimin e lakimit t karakteristiks.
N Zonn 7 fillon shpimi i kalimit PN t diods, me ka rryma e kundrt (inverse) zmadhohet
shum.
1.5.2.Shpimiikalimittdiods
Deri te shpimi vjen pr shkaqe termike dhe elektrike. Shpimi termik ndodh kur prishet
baraspesha termike e kalimit PN. Gjat intensitetit t madh t rryms n rezistencn e brendshme
t diods krijohet nxehtsi, t ciln pllaka e kristalit e bart n mjedis. Temperatura m e madhe e
lejueshme e puns varet nga materiali gjysmprues nga i cili sht i ndrtuar. Pr germaniumin
ajo shkon nga +70 deri n +90 0C, ndrsa pr silicin nga +120 deri n +150 0C. Kur zhvillohen
nxehtsia n pllak, m e madhe nga ajo q mund ta bart n mjedis, pllaka nxehet dhe ajo mund t
shkrihet, gjegjsisht dioda t shkatrrohet. N lidhje me kt, prodhuesi prshkruan intensitetin
maksimal t rryms, Imax, i cili gjat puns nuk duhet t tejkalohet.
Shpimi elektrik mund t ket efekt ortek dhe tunel apo efekt zener.
Efekti ortek ndodh n kalime me gjersi m t mdha t shtress s kontaktit. N tensione t larta
t kundrta n shtresn e kontaktit krijohet fush e fort elektrike, e cila elektroneve q lvizin
npr kt shtres u jep energji t madhe kinetike dhe nxitim. Kur kjo energji arrin nj kufi t
caktuar, vjen deri tek shkputja e lidhjeve t reja valente, numri i elektroneve t lira zmadhohet dhe
krijohet ortek i elektroneve t lira (ngjashm si orteku i bors). Rryma e kundrt mund t arrij vler
t madhe dhe t vij deri te shpimi i diods. Q t mos vij deri te dmtimi, pr secilin lloj t diods
prodhuesi e jep tensionin e kundrt t shpimit (Up) i cili nuk duhet t tejkalohet.
Diodatgjysmpruese
27
Efekti tunel ose zener mund t paraqitet edhe n dioda me nj gjersi t vogl t kalimit t
barrierave dhe koncentrik t madh t primesave kimike. Me rritjen e tensionit t kundrt n kalim t
till mbi vlern e tensionit t kundrt t shpimit Up, elektronet nn ndikimin e fushs s krijuar i
shkpusin lidhjet valente, rritet numri i elektroneve t lira
Zvoglohet rezistenca e brendshme e diods dhe ai nuk lejon rritjen e mtejshme t tensionit t
kundrt. Ka ardhur deri te shpimi i kalimit, por jo edhe shkatrrimi i tij. Tensioni i kundrt ngelet i
njjt.
Karakteristika rrym-tension nga figura 1.24 i referohet diods reale fizikisht.
Pr analizn e qarqeve t shumta elektronike prdoret modeli i nj diode ideale, e cila n drejtimin
direkt ka rezistenc zero dhe sht nj prues i prsosur, kurse n drejtimin e kundrt rryma e saj
sht zero dhe ka rezistenc infinite. Karakteristika e saj sht dhn n figurn 1.27. Dioda ideale
vepron si nj els i mbyllur, kur sht e polarizuar drejt, dhe si els i hapur, kur sht me
polarizim t kundrt.
Modeli i tret q sht n prdorim sht dioda pjesrisht lineare me ka thjeshtohen llogaritjet n
qarkun me dioda. Karakteristika e saj (figura 1.28) sht e prbhet nga dy linja: njra fillon diku
n pjesn inverse dhe mbaron n pikn e tensionit t kyje s diods (UKY), Kurse tjetra vazhdon
nga ajo pik n zonn e polarizimit direkt me knd t caktuar. Me at knd sht prcaktuar
rezistenca e diods n drejtimin e drejt.
MBAJ MEND!!!
Dioda gjysmpruese sht element elektronik me kalim PN dhe me dy dalje: anod dhe
katod.
Diodashtepolarizuardrejtdirektnqoftseanodashtelidhurmepotencialinpozitiv,
kursekatodanegativ,osekuranodashtelidhurnpotencialmtlartsekatoda.
28Elektronikaanaloge
Dioda sht me polarizim t kundrt, nse katoda sht e lidhur n potencial m t lart se
anoda.
Gjendjaediodsmepolarizimtdrejtdhetkundrtshtdhnmekarakteristiknstatike
tsaj.
Shpimiidiodsmundtndodhngatemperaturaelartekalimit.
EfektiZenerndodhnpolariziminekundrtmekatensioniikundrtmbetetkonstant.
Efektiortekndodhkurtejkalohettensioniikundrtilejuarishpimit.
1.6.Llojetdhezbatimiidiodavegjysmpruese
Sot jemi n kontakt me shum lloje t diodave, varsisht nga materiali me t cilin jan ndrtuar
dhe nga qllimi i tyre. N zhvillimin e tyre, pr gjysmpruesit e par sht shfrytzuar germaniumi
si material gjysmprues. Por, pastaj silic sht dshmuar m i mir n aspektin e prpunimit, si
dhe n aspektin e stabilitetit n temperatur. Silic bhet zgjedhja e par n mesin e
gjysmpruesve, por mjaft jan t prfaqsuar disa prbrs t galiumit, si sht arsenid-galiumi.
Sipas qllimit dallojm: drejtues, demodulues, kufizues, impulsiv, ndrprers (komutator), kapacitiv,
fotodioda, LED dhe t tjer. Sipas konstruksionit dallojm dy lloje, edhe at dioda me kalim piksor
(pik) dhe dioda me kalim siprfaqsor.
Diodatgjysmpruese
29
1.6.1.Diodatmekalimpik
Germaniumi, megjithat, nuk sht i mnjanuar plotsisht. Ai zbatohet pr prodhimin e diods
me kalim pik. Shkurtimisht n lidhje me prpunimin e tyre: germanium i pastr merret prmes
ngrohjes graduale, kshtu gjat temperaturave t ndryshme largohen papastrtit kimike. Pastrimi
bhet derisa rezistenca specifike e germaniumit nuk arrin disa dhjetra :cm. Pastaj, derisa sht
n gjendje t lngshme, shtohen primesa t elementeve pes valente (arsen, antimon) n at
raport q nj atom i primess t jet pr nj milion deri pr nj miliard atome t germaniumit. Me
procesin e nxjerrjes fitohet struktur kristalore e llojit N. Kristali pastaj pritet n pjes t holla, t cilat
pastaj edhe pas nj pastrimi nga papastrtit, t futura gjat prpunimit, ngjitet n substrat-shtres
metalike. Kristali i prgatitur n kt mnyr vendoset n shtpiz, vendoset tel n form spirale
nga volframi, platini ose ari, me trashsi rreth 6 Pm q ta prek pllakn kristalore (figura 1.29). Maja
metalike ngjitet n pllak prmes rrugs elektrike dhe dioda ngarkohet me intensitet normal t
rryms. Pastaj lshohen impulse me rrym 10 her m t fort nga maksimalja e lejuar. N vendin e
prekjes zhvillohet ngrohtsi dhe formohet krater n pllak. Elektronet trhiqen nga krateri dhe
kshtu formohet kalim PN.
30Elektronikaanaloge
Tensioni i diods s polarizuar direkt sht 0,3 V, ka e bn diodn m efikase pr sinjale t
vogla me m pak humbje t energjis, veanrisht pr zbulimin e sinjaleve t moduluar n
amplitud dhe frekuenc, ose n qarqet logjike me nivel t ult logjik. Rezistenca e diods me
polarizim t dejt , gjat tensionit prej 1V sillet n kufijt 50-200 :, kurse te dioda me polarizim t
kundrt n tensionin prej -10 V sillet rreth 0,5-10 M:.
Me siprfaqe t vogl t kontaktit fitohet edhe kapacitet vetjak i vogl. m i vogl se 1pF, q lejon
q dioda t prdoret gjat frekuencave t larta me shkall t lart t efektit t dobishm. Sot
prdoren dioda me kalim pik n radioteknik pr stade detektuese.
Dobsi e diods OA90 sht varsia e karakteristiks s saj nga temperatura dhe vlera m e madh
e rryms s kundrt n krahasim me diodat e silicit.
1.6.2.Diodatmekalimsiprfaqsor
Dioda me kalim siprfaqsor prbhet nga dy pllaka kristali, njra e llojit P, dhe tjera e llojit N.
Prmes kontakteve t metalit ata jan t lidhura me dalje t jashtme me anod dhe katod, kurse
kalimi sht i mbyllur n shtpiz metalike ose plastike.
1.6.2.1.Diodatdrejtuese
Diodat drejtuese jan dioda me kalim siprfaqsor, dhe prdoren pr prfitimin e rryms
s vazhduar nga burimi i rryms alternative. Kto dioda kan nj zon relativisht t madhe t
kalimit, kshtu q prmes saj mund t rrjedhin rryma me intensitet m t madh dhe tensione inverse
relativisht t larta. Aplikimi i tyre pr frekuencat e larta sht i kufizuar nga kapacitetet vetjake t
mdha.
Si material pr t prodhuar dioda drejtuese prdoret silici, germaniumi dhe sot shum rrall seleni.
Pr zgjedhjen e diods drejtuese t rndsishme jan kto parametra t dhn nga prodhuesi:
- rryma maksimale e lejuar n drejtimin e drejt IDmax;
- tensioni invers maksimal i lejuar Uimax (rreth 70% e vlers s tensionit t shpimit Ush);
- fuqia maksimale e lejuar e shthurjes PDmax (fuqia e konvertuar n nxehtsi brenda diods).
Sipas fuqis, diodat drejtuese ndahen n:
- dioda me fuqi t vogl deri n 3W;
- dioda me fuqi t mesme deri n 10W;
- dioda me fuqi t madhe deri n disa KW.
Diodatgjysmpruese
31
1.6.2.2.DiodatZener
Dioda Zener sht nj diod silici me kalim siprfaqsor, e dedikuar pr stabilizimin e
tensionit t vazhduar. Pr dallim nga dioda drejtuese standarde, dioda zener ka nj prqindje t
shtuar t primesave kimike, si n zonn N ashtu edhe n zonn P. Me at sht prmirsuar
karakteristika e saj rrym-tension n fushn e tensionit t kundrt ku edhe sht zona e puns.
Prmirsimi vrehet n pjerrtsin n rritje n pjesn e karakteristiks dhe kthesn m t ashpr
pas piks s tensionit shpimit. Karakteristika rrym-tension tipike sht dhn n figurn 1.31.
32Elektronikaanaloge
Diodat zener prodhohen pr tensione t stabilizimit nga 3V deri n 75V, por jan t mundshm
edhe tensione jasht ktij brezi (deri n 200V). Pr tensione m t vogla se 3V sht e vshtir t
prodhohen dioda zener me veti stabilizimi t mira. Pr kto tensione prdoren dioda silici t lidhur
n mnyr serike me kalim siprfaqsor, t polarizuar n drejtimin prues (t drejt) (n x 0,7V).
Parametrat baz pr zgjedhjen e diodave zener jan:
- tensioni zener n brezin nga 3,3V deri 75V;
- toleranca e tensionit t specifikuar, i cili mund t jet 5% ose 10%, por n dispozicion jan edhe
toleranca m precize si sht 0,05% pr qllime t veanta;
- fuqia e diods, e cila mund t jen , , 1, 5, 10 dhe 50W.
Diodat zener prdoren pr prpunimin e stabilizatorve t tensionit, si burime t tensionit
referent dhe n kufizuesit e tensionit.
1.6.2.3.Diodatpulsive(impulsive)
Karakteristik e operacioneve logjike n qarqet digjitale sht puna me impulse ku ne kemi
ndryshime t shpejta nga niveli logjik i ult n nivel logjik t lart. Nj operacion t till duhet ta kryej
nj lloj elementi komutues, i cili n gjendjen i hapur ka rezistenc pafundsisht t madhe, kurse n
gjendjen i mbyllur ka rezistenc pafundsisht t vogl.
Dioda gjysmpruese
kryesore sht ajo q nuk mund t siguroj kalim t mjaftueshm t shpejt nga gjendja pruese
n at jopruese. Arsyeja qndron n paraqitjen e bartsve t lir t ngarkess t akumuluar n
shtresn pr pengim.
Kur dioda sht me polarizim direkt nj koh t gjat, n zonn kufitare t kalimit PN t diods,
n ann P vjen deri te akumulimi i elektroneve barts sekondar, kurse n ann N vrimave. Nse
kalimi zhvendoset n gjendjen e polarizimit t kundrt, shprndarja e bartsve sekondar do t
ndryshoj pr momentin, pr shkak se lvizja e tyre sht difuze dhe prqendrimi i tyre bie
relativisht ngadal. Kalimi mbetet i prueshm pr nj periudh n t ciln prqendrimi i bartsve
sekondar nuk ndryshon n nivelin q e ka kur dioda nuk sht e polarizuar. Kjo periudh definohet
si periudh e shkarkimit t diods.
Rnia e prqendrimit t bartsve kryesor vazhdon edhe m tutje, derisa rryma e kundrt e kalimit
nuk arrin vlern e ngopjes. Kjo sht periudha e rnies s rryms s diods. E gjith kjo mund t
kuptohet edhe si pasoj e ekzistimit t kapacitetit difuziv t kalimit PN. Kohzgjatja e prgjithshme e
kalimit nga gjendja e polarizimit direkt n invers sht 2-50 ns.
N diodat impulsive ose komutuese, t destinuara pr operacione t tilla, aplikohen procedura
teknologjike t shtimit t primesave t arit n pllakn e silicit t diods, me qllim q t ndalohet
krijimi i prqendrimit t madh t bartsve sekondar.
Diodatgjysmpruese
33
1.6.2.4.DiodaLED
Dioda LED ose e drits (emri vjen nga shkurtesa e shprehjes n anglisht Light Emitting Diodedioda q emeton drit) paraqet burim t drits. Parimi i funksionimit t diods LED sht i bazuar n
vetin e elektronit t emetoj energji n zon t caktuar n spektrin e dukshm, kur kalon nga nj
nivel energjetik m i lart n nivel m t ult t energjis. Pr kt shkak sht i nevojshm burim i
jashtm i energjis. Ngjyra e rrezatimit nuk varet nga intensiteti i rryms s diods, por nga lloji i
materialit gjysmprues nga i cili sht prodhuar.
do element kimik ka emisionin e tij t energjis s rrezatimit. Kshtu, pr shembull, dioda e
prbr nga kombinimi i galiumit, arseni dhe fosforit jep drit t kuqe. Me ndryshimin e kombinimit
kimik t kalimit PN mund t fitohen lloje t ndryshme t ngjyrave t spektrit t dukshm, si e kuqe, e
gjelbr, e kaltr, e verdh, apo infra e kuqe (IR) dhe ultravjollce (UV), nga pjesa e padukshme e
spektrit. Ngjyrat tjera mund t merret si kombinim i dy apo m shum ngjyrave primare (e kuqe, e
kaltr, e gjelbr) t diodave t vendosura n t njjtn shtpiz dhe duke prdorur shirit optik t
prbashkt.
Simboli elektrik dhe pamja e diods LED sht dhn n figurn 1.33.
34Elektronikaanaloge
Diodat Laser jan nj lloj i diodave t drits dhe prdoren n pajisjet optike (n lexuesit e CD dhe
DVD) dhe n komunikimet me kapacitete t mdha (fibra optike dhe komunikimet optike).
OLED (Organic Light-Emitting Dioda) dioda prfaqson diod drite e prbr nga gjysmprues
organik. Shtresa e saj emetuese, baza dhe lidhja e anods dhe katods jan br nga molekula
organike t cilat prcjellin rrym elektrike. Diodat OLED prdoren n ekranet televizive,
monitort e kompjuterve, telefonat celular, ort,
1.6.2.5.DiodaPIN
Diodat PIN jan t prbra nga tre zona gjysmpruese. Mes zonave t llojit P dhe N gjendet zon
me gjysmprues t pastr (I). Gjat polarizimit t drejt, prueshmria e zons I ndryshon me
intensitetin e rryms. Rezistenca e zons I sht e madhe pr vlera t vogla t rryms s vazhduar,
kurse e vogl pr t mdha. Ky tipar i diods PIN, formimi i rezistencs e cila mund t ndryshoj me
ndihmn e rryms s vazhduar, gjegjsisht tensionit, bn q dioda PIN t prdoret si nj element
komutues, si nj modulator ose si nj rezistenc e ndryshueshme n qarqet elektrike me kontroll
automatik t prforcimit.
Struktura dhe simboli elektrik i diods PIN jan dhn n figurn 1.34.
1.6.2.6.Diodatunel
Diodat tunel prodhohen nga germaniumi me nj prqendrim t madh t papastrtive-primesave.
Gjersia e zons s barriers n kalimin PN n diodn tunel sht proporcionalisht e kundrt me
prqendrimin e bartsve t lir, kshtu q diodat tunel, pr shkak t prqindjes s rritur t
primesave, kan nj gjersi shum t vogl t zons. N figurn 1.35 jan dhn karakteristika
rrym-tension e diods tunel dhe simbol elektrik i saj. Pjesa e karakteristike nga pika A n pikn B
sht quhet ,,zona e prueshmris negative", sepse me rritjen e tensionit n skajet e diods
Diodatgjysmpruese
35
zvolet rryma npr t. Diodat tunel prdoren n qarqet komutuese dhe qarqet prforcuese, dhe m
shpesh n oshilatort. Dioda tunel sht diod me shpejtsi t madhe dhe ka zbatim n
prforcuesit n sfern e mikrovalve.
1.6.2.7.Diodavarikap
Varikap diodat kapacitive jan diodat gjysmpruese kapaciteti i t cilave ndryshon me ndryshimin
e tensionit t lidhur n skajet e tij. Varsia e kapacitetit nga tensioni i lidhur dhe simboli elektrik i
diods varikap jan dhn n figurn 1.36.
Figura 1.36: Varsia e kapacitetit nga tensioni i lidhur dhe simboli elektrik i varikap diods.
Diodat kapacitative prdoren n qarqet e oshilatorve n radio dhe pajisjet televizive n
fushn e frekuencave t larta, n qarqet pr rregullimin automatik t frekuencs, si
kondensator t ndryshueshm me rregullim elektrik. N fushn e mikrovalve aplikohet nj
lloj i veant i diods varikap, e ashtuquajtura dioda varaktor, e cila shrben pr shumimin e
frekuencave.
1.6.2.8.DiodaGUN
Dioda GUN sht nj diod e cila prmban gjysmprues t llojit N. Ajo ka tri zona, nga t cilat, dy
me densitet t lart t primesave n skaje, dhe nj me densitet t vogl t primesave e cila ndodhet
mes tyre. Dioda GUN ka rezistenc negative dhe prdoret n oshilator n brezin e frekuencave prej
10GHz.
36Elektronikaanaloge
MBAJ MEND!!!
Dioda pik ndrtohet nga germaniumi, tensioni i diods s polarizuar drejt sht 0,3V,
kapacitetivetjakisajshtmivoglse1pF,prdoretnqarqeprfrekuencatlarta.
Diodadrejtueseshtdiodmekalimsiprfaqsor,mundtprballojrrymameintensitett
madhdhetensiontkundrtrelativishttlart,prdoretnqarqetdrejtuesedhendrprers.
Dioda zener punon n fushn e shpimit me tensione inverse, prdoret pr stabilizimin e
tensionit.
Dioda impulsive ka kalim t shpejt nga gjendja e joprueshmris n gjendjen e
prueshmris,prdoretprqarqeimpulsivedhelogjike.
Dioda LED ose e drits jep drit nn ndikimin e burimit t jashtm t furnizimit, punon me
polarizimdirekt.
KONTROLLONSEDIN
1. far lloje t diodave gjysmpruese dallojm sipas konstruksionit?
2. Shpjegoje prodhimin e diods me kalim pik?
3. Ku gjejn zbatim diodat me kalim pik?
4. Ku gjejn zbatim diodat drejtuese?
5. Cilat kufizime i kan diodat drejtuese?
6. Si ndahen diodat drejtuese?
7. Shpjego veprimet stabilizuese t diods zener prmes karakteristiks statike!
8. Vizato paraqitjen skematike t diods zener!
9. Pr far tensioni t stabilizimit prodhohen diodat zener?
10. Cilat jan parametrat baz pr zgjedhjen e diods zener?
11. Ku gjejn zbatim diodat impulsive?
12. Vizato shnimin skematik t diods LED, PIN, varikap dhe tunel.
13. Ku gjejn zbatim diodat LED, GUN, PIN, OLED, varikap, tunel dhe dioda laser?
Diodatgjysmpruese
37
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Komponente aktive jan:
a) rezistencat
b) diodat
c) tiristort
d) kondensatort
2. N qarqe analoge bjn pjes:
a) memoriet
b) mikroprocesort
c) oshilatort
d) prforcuesit
e) filtrat.
3. Materialet me numr t madh t elektroneve t lira jan:
a) gjysmprues
b) prues
c) izolues
4. Gjysmprues i llojit P fitohet duke futur:
a) atome tre valente
b) atome katr valente
c) atome pes valente
N rrjetn kristalore t germaniumit ose silicit.
5. Kur poli pozitiv i burimit lidhet me zonn N t kalimit PN, ather ai:
a) sht me polarizim t drejt
b) nuk sht i polarizuar
c) sht me polarizim t kundrt
38Elektronikaanaloge
II Pyetje me lidhshmri
6. Lidh simbolet skematike me diodat prkatse:
a)
b)
c)
d)
e)
2. Izoluesit
3. Pruesit
8. Lidh llojin e gjysmpruesit me bartsit kryesor:
1. Lloji P
a) elektronet______________
2. Lloji N
b)vrimat _________________
2. els i hapur
b) polarizim t kundrt________
a) dioda tunel________
2. Oshilator
b) varikap ___________
3. Modulator
4. Stabilizator t tensionit
Diodatgjysmpruese
39
zons
kalimit
PN,
ather
kalimi
PN
do
jet
me
polaritet
___________________.
15. Karakteristika rrym-tension e diods paraqet varsi t ______________ t diods nga
___________________, pr vler t caktuar konstante t ___________________.
40Elektronikaanaloge
Transistort41
TRANSISTORT
Duke studiuar prmbajtjen e ksaj teme, do t fitosh njohuri pr
transistort dhe do t mund:
t kuptosh ndryshim n polarizim dhe mnyrn e puns mes transistorve PNP dhe
NPN;
t llogarissh prforcimin;
komutues;
(me P dhe g m );
42Elektronikaanaloge
Transistort43
Transistort mund t ndahen n dy grupe kryesore: transistor bipolar dhe
transistor me efekt fushe (FET - Field Effect Tranzitor). T dy grupet jan me konstruksion
t ngjashm duke prdorur kalim PN, por me parim pune t ndryshm. N transistorve
bipolar, n rrymn totale q rrjedh prmes transistorit, marrin pjes dy lloje t bartsve t
ngarkess- kryesor dhe sekondar, pr dallim nga transistort me efekt fushe, tek t cilt
rryma formohet vetm nga njri lloj i bartsve t ngarkess. N analizimin e efekteve n
brendsi t gjysmpruesve, do t prdoret kahja elektronike e rryms.
Sipas regjimit t puns, transistort e t dy grupeve mund t ndahet n prforcuesamplifikator dhe komutator-elsa.
2. Transistort
Struktura e tranzitorit bipolar sht e prbr nga dy dioda PN
me kalim siprfaqsor, t
vendosura n procesin e prodhimit shum afr me njra tjetrn, kshtu q e ndajn zonn e njjt.
Sipas ksaj, transistori bipolar prfaqson bashkim t dy gjysmpruesve t llojit t njjt,
mes t cilve sht futur gjysmprues i llojit tjetr. Nj shprndarje e till sht e mundur n
dy variante t shnuar me NPN dhe PNP.
44Elektronikaanaloge
Transistort45
dhe vrimave sht shum e vogl. Vetm ata elektrone q rikombinohen me vrimat marrin pjes
n formimin e rryms s bazs IB. Numri i mbetur i elektroneve nuk mund t drejtohet pr n
kalimin e bazs, ata prmes rrugs s difuzionit vendosen n kufirin e zons s pengess mes
bazs dhe kolektorit. Ktu, ata bien nn ndikimin e fushs EC dhe E2, e kalojn kalimin e kolektorit
dhe kalojn n zonn e kolektorit. Si rezultat, n qarkun emiter kolektor do t kaloj rryma IC.
Intensiteti i asaj rryme do t varet nga numri i elektroneve t lira t cilt kan kaluar prmes kalimit
t emiterit, gjegjsisht nga shkalla e polarizimit t kalimit t emiterit. Do me thn, tek transistori
NPN do t rrjedh rryma mes emiterit dhe kolektorit, vetm nse rrjedh rrym n qarkun emiter
baze, kurse kjo ndodh kur kolektori sht me potencial m t lart se potenciali i bazs ndaj
emiterit.
46Elektronikaanaloge
Nse e mbyllim tash edhe ndrprersin P2, kalimi i emiterit tash bhet me polarizim t drejt dhe
rrjedh rryma IB nga emiteri drejt bazs. Por, n t njjtn koh rrjedh edhe rrym e madhe nga
emiteri, prmes zons s bazs kah kolektori prmes kalimit t kolektorit n t cilin nuk ka asnj
lloj barriere potenciale. Barriera sht shkatrruar nn ndikimin e fushs EC dhe nuk ka asnj
veprim q do t kishte ndaluar kalimin e elektroneve npr kalimin e kolektorit, q mund t
shkaktoj shkatrrimin e transistorit. Nga ana tjetr, t dy burimet, n raport me qarkun baz
kolektor jan t lidhur n seri dhe tensioni i tyre, si shum, e polarizon drejt kalimin e kolektorit,
q kontribuon n rritjen e rryms.
Nse e kthejm polaritetin edhe n burimin UB, t dy burimet edhe m tej jan t lidhur n seri mes
bazs dhe kolektorit, por tensionet e tyre zbriten. Tensioni baz kolektor sht: UBC=UB-UC. Ky
tension do t jet pozitiv, d.t.th. baza do t jet n potencial m t lart nga kolektorit dhe kalimi do
t jet me polarizim pozitiv vetm kur
UB.! UC.
transistorit.
Nse e kthejm polaritetin e burimit UB, fusha Eb do t ndryshoj drejtimin dhe kalimi i emiterit do
t jet me polarizim t kundrt. Por, n qoft se tensioni i burimit UC sht m i madh se tensioni i
burimit UB, fusha EC do t eliminoj veprimin e fushs Eb dhe kalimi i emiterit do t jet i polarizuar
drejt, ka shkakton dmtimin e transistorit. Vetm nse tensioni i burimit UB sht i barabart ose
m i madh se tensioni i burimit UC, transistori do t jet i mbrojtur.
Rryma mund t kufizohet edhe me shtimin e rezistencave n qarkun e jashtm.
KONTROLLONSEDIN
1.
2.
3.
4.
5.
2.2. Transistori-PNP
Transistori PNP sht i prbr nga dy kalime PN, q takohen me zonn N. Struktura e saj dhe
shenja skematike jan dhn n figurn 2.5.
Transistort47
48Elektronikaanaloge
T njjtat rreziqe t shkatrrimit t transistorit ekzistojn edhe tek transistori PNP n qoft se
ndodh ndryshimi i polarizimit t burimeve t furnizimit.
KONTROLLONSEDIN
1. Vizato shenjn skematike t transistorit PNP..
2. far drejtimi kan fushat e brendshme E1 dhe E2 n transistorin PNP n krahasim me
transistorin NPN?
3. Cili kalim quhet emiter e cili kolektor?
4. N far polarizimi mund t vijn deri n shkatrrimin e transistorit?
Transistort49
MBAJ MEND !!!
Transistori bipolar sht element elektronik i kontrolluar prmes rryms me tre dalje: kolektor,
baz dhe emiter, n t cilin rryma kalon prmes dy kalimeve PN.
Sipas renditjes s kalimeve, transistori mund t jet i llojit NPN ose PNP.
Transistori NPN sht i prbr nga dy gjysmprues N me gjysmprues P t ngulitur mes
tyre. Barts kryesor t ngarkess elektrike jan elektronet.
N qarkun e kolektorit t transistorit rrjedh rrym vetm nse rrjedh edhe rryma e bazs.
Rryma inverse- e kundrt e transistorit sht rryma e bartsve dytsor t ngarkess, ajo rrjedh
nga kolektori drejt emiterit tek transistori NPN dhe nga emiteri drejt kolektorit pr transistorin PNP,
gjat qarkut t hapur t bazs.
Me polarizimin e transistorit NPN, kolektori sht me potencial m t lart nga baza kurse baza
nga emiteri.
Me polarizimin e transistorit PNP, emiteri sht me potencial m t lart nga baza kurse baza
nga kolektori.
KONTROLLONSEDIN
1. Cilt barts e krijojn rrymn n transistorin NPN?
2. Cilt barts e krijojn rrymn n transistorin PNP?
3. Si krijohet rryma ICE0 n transistor?
4. Nga ka varet intensiteti i rryms ICE0?
50Elektronikaanaloge
drejtime t kundrta t rrymave dhe tensioneve. N qarkun e kolektorit dhe bazs jan vendosur
rezistencat RB, me t ciln prcaktohet rryma e bazs dhe rezistenca RC, me t ciln prcaktohet
rryma e kolektorit.
Transistort51
par
matet
ashtu
me
52Elektronikaanaloge
Matja edhe e ktyre karakteristikave mund t bhet me
qarkun mats t njjt nga figura 2.8. Tensioni UCE prshtatet
me potenciometrin P1 n nj vler, pr shembull 1V, pastaj
me P2 ndryshohet rryma e bazs me hapa nga 20 PA dhe n
miliampermetr lexohen vlerat e rryms s kolektorit. Gjat
ksaj, merret parasysh q vlera e tensionit UCE t mos
ndryshohet.
Figura 2.10: Karakteristika kalimtare.
N qoft se ndryshohet, bhen korrigjime t atij tensioni me P1, dhe pastaj bhet leximi i vlerave t
rryms IC. Matja e ardhshme sht me vler m t madhe t UCE, si, pr shembull, 10V, tjetra 15V,
etj. Me futjen e rezultateve, fitohen karakteristikat si n figurn 2.10.
Karakteristika:
IB=f(UBE) pr UCE=const. .............................................................................................................. (2,3)
prfaqson ndryshimin e rryms s bazs IB n raport me ndryshimin e tensionit baz emiter UBE
pr vlera t ndryshme t tensionit kolektor- baz UCE dhe sht e njohur si karakteristik hyrse.
Matja sht br n qarkun n figurn 2.8, n t cilin tensioni baz emiter rregullohet me
potenciometrin P2, kurse tensioni UCE me potenciometrin P1. Me ndryshimin e tensionit UBE
ndryshon rryma, me ka duhet t kujdesemi q tensioni UCE t ket vler t njjt. Matja e
ardhshme bhet me vler konstante m t madhe t UCE etj. Nse futen rezultatet e matura n
boshtet e sistemit koordinativ IB - UBE, fitohet rezultat si n figurn 2.11.
Transistort53
qarkut dals ndaj qarkut hyrs t transistorit. Matja bhet qarkun e njjt mats si edhe deri tani.
Rezultatet e matjes e japin figurn 2.12.
54Elektronikaanaloge
Pr shembull, pr tensionin UCE=5V dhe rrymn e bazs IB =40PA fitohet pika e puns A, kshtu q
nga pika 5V n boshtin e abshiss ngrihet vertikale deri n prerjen me karakteristikn e rryms s
bazs prej 40PA. Asaj pike i prgjigjet rryma e kolektorit prej 4,5mA. Nse nga pika A trheqim vij
horizontale, ajo me karakteristikn krijon knd D. Ky knd definohet prmes tangjentes s tij si:
tgD
CB
CA
', C
'U C
1
.(n pikn ).............(2.5)
Riz
Rdal A
'U CE
'I C
2
2 10 4
10000: .
Nse rritet vlera e rryms s bazs n 80PA, pr tension t njjt UCE prej 5V, fitohet pika D. Kndi
i karakteristiks me horizontalen e prcakton rezistencn dalse t transistorit n pikn D:
tgG
EF
DE
'I C
'U C
1
. (n pikn D)..........(2.6)
Riz
Tash ndryshimi i rryms s kolektorit 'IC sht 0,3mA, kurse rezistenca dalse qo t jet:
Rdal D
'U CE
'I C
2
0,3 10 3
6666: .
Prkufizimi i sakt sht se vlera reciproke e tangenss s kndit t tangjentes pr pik t caktuar
paraqet rezistencn dalse t transistorit n at pik, por pr shkak t pjess lineare t
karakteristiks, ai prputhet me kndin e vet karakteristiks. Kjo rezistenc zvoglohet me
zmadhimin e rryms s kolektorit.
hFE
'I C
. ........(2.7)
'I B
Kur ndryshimet n rrymn e bazs dhe kolektorit jan t njjta, gjegjsisht kur karakteristika sht
lineare, shprehja pr prforcimin e rryms mund t shkruhet si:
hFE
IC
. ..........(2.8)
IB
Transistort55
Nse zgjedhim nj vler t tensionit UCE n boshtin e abshiss t karakteristiks dalse (p.sh., 5V)
dhe trheqim vij vertikale, ajo vij do t ket m tepr pika prerse me karakteristikn pr vlera t
ndryshme t rryms s bazs (figura 2.14).
Me bartjen e ktyre pikave n horizontale n boshtin e koordinats do t fitojm ndryshime t
rryms s kolektorit, t shkaktuar nga ndryshimi i rryms s bazs.
Ndryshimi i prforcimit t rryms varet nga lloji i transistorve. Pr transistorve me fuqi t ult,
distanca mes karakteristikave, pr ndryshim t njjt t rryms s bazs sht konstante, ka do
t thot se prforcimi i tyre i rryms nuk varet nga intensiteti i rryms s kolektorit. Prforcimi i
rryms tek transistort me fuqi t madhe ka vler m t vogl dhe bie me rritjen e rryms s
kolektorit.
56Elektronikaanaloge
U CC RC I C U CE
0 . ............(2.9)
Situata e fituar shihet n figurn 2.15. drejtza e puns formon knd D me boshtin e abshiss,
dhe sht:
tgD
UC
RC
UC
1
. .....................................................................(2.11)
RC
vetm
drejtzn
puns.
Me
abshiss
kur
rezistenca
sht
IB
U BB U BE .......................................................................................................................(2.14)
RB
e cila paraqet ekuacionin e drejtzs m t mpreht t puns. Sipas ktij ekuacioni mund t
vizatohet drejtza e puns m e mpreht n karakteristikat hyrse t transistorit. Prcaktohen dy
Transistort57
pikat C pr IB=0, UBE=UBB dhe D pr UBE=0, IB=UBB/RB dhe me bashkimin e tyre fitohet drejtza e
puns m e mpreht (figura 2.16).
IB |
U BB
. ..................................................................................................................................(2.15)
RB
58Elektronikaanaloge
N regjimin statik t puns, n qarkun e transistorit jan t pranishm vetm vlera t rryms
dhe tensionit t vazhduar.
Pozita e piks s puns prcaktohet me tensionin UCE dhe rrymat IC dhe IB, n mnyr q t
gjendet n drejtzn e puns.
Faktori i prforcimit t rryms E ose hFE tregon sa her rryma e kolektorit sht m e madhe se
rryma e bazs.
Transistort59
KONTROLLONSEDIN
1. Defino regjimin statik t puns s transistorit.
2. Cilat madhsi jan hyrse, dhe cilat dalse tek transistori me lidhe me emiter t prbashkt?
3. Si definohet karakteristika dalse, hyrse, kalimtare dhe direkte kalimtare?
4. Cilt jan parametrat m t rndsishm t transistorit?
5. ka prfaqson E.
6. Nga ka varet pozita e drejtzs s puns s transistorit dhe si prcaktohet?
7. Pse duhet t kemi kujdes n vlerat maksimale t lejuara t tensionit, rryms dhe fuqis t
transistorit?
60Elektronikaanaloge
u1
u
2
z11i1 z12i2
z21i1 z22i2
i1
i
2
y11u1 y12u2
y21u1 y22u2
u1 h11i1 h12u2
i h i h u .............................................................................................................................(2
21 1
22 2
2
.17)
N sistemin e par figurojn parametrat z, ata sillen si impedanca sipas mnyrs s mposhtme:
z11-impedanca hyrse, z22 impedanca dalse, z12 dhe z21 impedancat kalimtare, me ka
antart z21i1 dhe z12i2 prfaqsojn burimet t tensionit t brendshm t varur.
N funksionin e dyt figurojn parametrat y, t cilt prfaqsojn admitanca n mnyrn e
mposhtme: y11 - admitanca hyrse, y22 - admitanca dalse, y12 dhe y21 admitanca kalimtare, me
ka antart y12u2 dhe y21u1 paraqesin burime t rryms s brendshme t varur.
N sistemin e tret jan parametrat h, t cilt kan natyr t ndryshme. Sistemi i tret i
ekuacioneve quhet sistem i ekuacioneve hibride ose parametra-h.
Transistort61
Parametrat e njrit sistemi mund t llogariten, me manipulime t vogla algjebrike, nga vlerat e
parametrave t dy sistemeve t tjera.
Pr analizn e transistorit kur punon me sinjale t frekuencave t ulta me amplituda t
vogla m t prshtatshm jan parametrat-h. Tensionet dhe rrymat alternative, n at rast, mund
t paraqiten si ndryshime t vogla t vlerave t vazhdueshme dhe sistemi i ekuacioneve me
parametrat-h mund t shkruhet si:
' U 1 h11 ' I 1 h12 ' U 2
'I
.............................................................................................................(2.18)
2 h21 ' I 1 h22 ' U 2
Nga lidhje t shkurtr t qarkut t daljes t transistorit n raport me rrymn alternative, ndryshimi i
tensionit dals 'U2 bhet zero. Nga ekuacioni i par i sistemit fitohet:
h11
hi
'U1
pr 'U2 = 0 . ....................................................................................................(2.19)
'I1
Kur qarku hyrs sht i hapur, nuk rrjedh rryma e hyrjes, kshtu q kemi 'I1=0, kurse nga
ekuacioni fitohet:
h12
hr
'U1
; pr 'I1 = 0 . ....................................................................................................(2.20)
'U 2
Ky parametr paraqet koeficient t tensionit t lidhjes s kundrt pr qark t hyrjes t hapur dhe ai
sht numr i panjohur.
Pr lidhje t shkurtr t qarkut dals, nga ekuacioni i dyt fitojm:
h21
hf
'I 2
; pr 'U2 = 0. ....................................................................................................(2.21)
'I1
h22
ho
'I 2
; pr 'I1 = 0. ....................................................................................................(2.22)
'U 2
62Elektronikaanaloge
Transistort63
Tabela 1
Baza e prbashkt
Emiteri i prbashkt
Kolektori i prbashkt
h11 (:)
21,6
1100
1100
h12
2,9x10-4
2,5x10-4
h21
-0,980
50
50
h22 (S)
0,49x10
-6
24x10
-6
25x10-6
Nse jan t njohur njri lloj i parametrave, si, pr shembull, parametrat-h, mund t llogariten llojet
tjera t parametrave, si y dhe z. Po ashtu, me ndihmn e vlerave t parametrave pr nj lloj t
lidhjes mund t llogariten parametrat e ndonj lidhje tjetr.
MBAJ MEND!!!
Transistori sht nj element jolinear, por pr skema ekuivalente bhet modeli i tij n form
lineare me parametra-h.
t ulta.
Me parametrat paraqitet rezistenca hyrse dhe dalse, lidhja e kundrt prej daljes kah hyrja
2.6.Transistorisielementprforcues
Transistori sht nj element elektronike aktiv me hyrje dhe dalje. N qarkun elektrik ai sillet si
katr-polar. Por pasi q ka vetm tre prfundime, njra prej tyre do t jet e prbashkt pr hyrjen
dhe daljen. N varsi t asaj se cili prfundim sht e prbashkt pr hyrjen dhe daljen, dallojm
tre lloje t lidhjeve t transistorve (figura 2.22):
- transistor me lidhje me emiter t prbashkt, ku hyrja sht n mes t bazs dhe emiterit, kurse
dalja mes kolektorit dhe emiterit.
64Elektronikaanaloge
- transistor me lidhje me baz t prbashkt, ku hyrja sht mes emiterit dhe baz, kurse dalja
mes kolektorit dhe baz;
- transistor me lidhje me kolektor t prbashkt, ku hyrja sht n mes t bazs dhe kolektorit,
kurse dalja mes emiterit dhe kolektorit.
2.6.1.Vetittransistoritnfrekuencatlarta
Parametrat e transistorit, t cilt n frekuenca t ulta (deri n 1KHz) jan dhn si numra reale,
n frekuenca t larta fitojn karakter kompleks. Qarku i transistorit si katrpolar n frekuenca t
larta sht dhn n figurn 2.23. Elemente shtes n raport me qarkun e figurs 2.19 jan
kapacitetet mes bazs dhe emiterit CBE dhe n mes t kolektorit dhe baz CBC. Kapaciteti mes
kolektorit dhe emiterit sht i vogl dhe zakonisht nuk merret parasysh (eliminohet).
Transistort65
N frekuenca t larta ulet vlera e prforcimit t rryms, tensionit dhe fuqis. Arsye pr kt jan
kapacitetet t cilat krijohen n kalimin e bazs dhe kolektorit. Pr secili lloj t transistorit jepet kufiri
i frekuencs n t ciln mund t prdoret transistori.
Koeficienti i prforcimit t rryms t transistorit, po ashtu, bie n zonn e frekuencave t larta.
Rnia e vlers s prforcimit t rryms sht m e madhe pr lidhjen me emiter t prbashkt n
krahasim me lidhjen me baz t prbashkt.
MBAJ MEND!!!
3.
2.7.Transistorisielementkomutues(els)
Duke ndjekur parimin e puns s diods, mund t konsiderohet se ajo funksionon edhe si
komutator-els, i hapur kur dioda sht me polarizim t kundrt, kurse i mbyllur kur sht e
polarizuar drejt. Kjo sht pr shkak t karakteristikave t kalimit PN. Megjithat, ajo nuk mund t
kryej njrin nga funksionet e domosdoshm n qarqet digjitale, e ajo sht konvertimi i sinjalit,
d.t.th. ndryshim nga 0 n 1 ose nga 1 n 0.
Transistori, i cili n strukturn e vet prmban dy kalime PN, gjithashtu, mund t sillet n kushte t
puns si komutator me mundsi t konvertimit t sinjalit. Transistori si nj komutator gjen prdorim
t gjer n prpunimin e qarqeve digjitale t integruara, pajisje t ndryshme pr automatik dhe n
qarqet e tekniks impulsive.
Transistori si komutator mund t gjendet n tre regjime t puns: regjimi i joprueshmrisbllokimit, ngopjes dhe regjimi kalimtar.
Transistori bipolar ka dy kalime PN: kalimin emiterial dhe kolektorial. Secili nga ata mund t
polarizohet drejt-direkt ose invers-t kundrt. Sipas ksaj, ekzistojn katr kushte t mundshme t
66Elektronikaanaloge
polarizimit me t cilat transistori mund t vihet nn regjimin e ngopjes, n regjimin aktiv ose n
regjimin e bllokimit.
2.7.1Qarkukomutuesmetransistornlidhjemeemitertprbashkt
Transistort67
N qarkun e bazs sht vendosur nj gjenerator i impulsit drejtkndsh G, me t cilin
ndryshohet polarizimi i bazs dhe regjimi i puns s transistorit.
Diagrami i karakteristikave dalse me drejtzn hyrse t puns sht dhn n figurn 2.26.
N diagram jan shnuar pjes t drejtzs s puns, t cilat u takojn tre zonave:
1 - Zona e ngopjes, 2 - zona e joprueshmris (bllokimit) dhe 3 - zona e regjimit aktiv.
68Elektronikaanaloge
gjegjsisht n gjendjen e ngopur me pjesn e rrafsht t sinjalit rrits me vler pozitive t tensionit.
N qarkun baz emiter rrjedh rryma IBES, kurse n qarkun kolektor emiter rrjedh rryma ICES.. Pika e
puns zhvendoset n zonn e ngopjes (figura 2.28).
I CES
U CC U CES
RC
..................................................................................................................(2.23)
I BES
I CES
................................................................................................................................(2.24)
hFE
Rdal
U CES
................................................................................................................................(2.25)
I CES
dhe ka vler t vogl (disa dhjetra om). Me kt knaqen krkesat e elsit t mbyllur: t lshoj
rrym t mjaftueshme t madhe pr aktivizimin e qarkut t jashtm, t ket rnie t vogl t
tensionit dhe rezistenc t vogl n skajet e komutatorit, kurse humbjet e komutatorit t jen t
vogla.
Transistort69
nevojshme pr t zvogluar gjersin e kalimeve pr pengim me lvizjen difuzive t bartsve t
ngarkess. Ndikim pak m t vogl kan edhe kapacitetet vetjake t kalimeve t transistorit.
MBAJ MEND!!!
70Elektronikaanaloge
prezanton FET t
bashkuar (JFET Junction Field Effect), n t ciln pllaka e aluminit sht zvendsuar me
kalimin-PN. Karakteristika kryesore e ktij transistori sht rryma, e cila sht e formuar vetm nga
nj lloj i bartsve t ngarkess. Prandaj, edhe pr dallim nga transistort bipolar, ato jan quajtur
unipolar. Nj ndryshim tjetr nga transistort bipolar sht edhe mnyra e kontrollimit t rryms.
Rryma dalse n transistorin bipolar kontrollohet me rrymn hyrse, kurse n transistort unipolar
me fush elektrike, t krijuar me tensionin hyrs. Gjat ksaj, rryma hyrse ka intensitet shum t
vogl. Rezistenca hyrse e transistorit unipolar sht shum e madhe, q do t thot se ai krkon
fuqi shum t vogl nga stadi i mparshm.
Ekzistojn dy lloje t transistorve unipolar: FET me kalim (JFET) dhe MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET).
Transistorve me efekt fushe (JFET) kan disa veti q i bjn ato m superior ndaj transistorve
bipolar. Kto jan: rezistenc hyrse m t madhe, zhurma vetjake m t vogla, dimensione m t
vogla dhe procedura t thjeshta t prodhimit. Transistorve bipolar kan prparsi n shpejtsin,
si qarqe komutuese, dhe prforcim t tensionit m t madh, si stade dalse.
Transistort me efekt fushe zbatohen n qarqet komutuese ku nuk krkohen shpejtsi speciale t
mdha, pastaj n qarqet me frekuenca t larta dhe n qarqet digjitale komplekse me numr t
madh t komponentve.
Transistort71
72Elektronikaanaloge
Burimi zakonisht ndodhet n potencial 0. Transistort me efekt fushe mund t punojn n lidhje me
Transistort73
74Elektronikaanaloge
ndjeshm. Shpimi sht nga zona e efektit zener, q do t thot reversibil- i kthyeshm dhe mund
t kthehen n gjendjen e mparshme, n qoft se kufizohet rryma me rezistenc n qarkun e
jashtm t drejnit.
N figurn 2.35 jan dhn karakteristikat e plota ID = f (UDS) pr UGS=const. Rajoni aktiv i
karakteristiks sht i veuar nga rajoni i ngopjes me lakoren e ngopjes, e vizatuar me vij t
ndrprer.
Rdal
U DS
, ...............................................................................................................................(2.26)
ID
Rhyr
U GS
, ..............................................................................................................................(2.27)
IG
Transistort75
rhyr
'U GS
'I G
pr 'UDS = 0. ...................................................................................................(2.28)
Ajo sht me vler shum t madhe, t rendit prej disa mega omve, pr shkak t polarizimit
invers t lidhjes gejt-burim.
Prueshmria kalimtare ose konduktanca sht:
gm
'I D
'U GS
pr 'UDS = 0. ...................................................................................................(2.29)
Ajo definohet me pjerrsin e karakteristiks kalimtare dhe vlerat e saj sillen mes 0,1 dhe 10 mA/V.
Rezistenca dalse dinamike definohet pr zonn e ngopjes me:
rdal
'U DS
'I D
pr 'UGS = 0. ..................................................................................................(2.30)
76Elektronikaanaloge
i= gmuhyr.
Kur prforcuesi punon n frekuenca t ulta, qarku i saj ekuivalent thjeshtohet me largimin
e t gjith kondensatorve q prfaqsojn kapacitetet mes elektrodave, si edhe rezistencat e
mdha paralele hyr dhe rdal. Kshtu, skema e fituar sht paraqitur n figurn 2.40.
Transistort77
MBAJ MEND!!!
Transistort bipolar jan elemente t komanduar nga rryma, kurse unipolart nga tensioni.
FET sht i kontrolluar nga tensioni, element elektronik unipolar me tre dalje: drejn, gejt dhe
burim, n t cilit rrjedh rryma prmes kanalit me lloj t vetm t gjysmpruesit.
Sipas llojit t gjysmpruesit t kanalit dallojm FET-N dhe FET-P.
Kur nuk kemi tension n gejt, ose kur gejti sht i lidhur shkurt me burimin, prmes FET-it nuk
rrjedh rryma e drejnit.
Gjat polarizimit t transistorit FET-N, burimi sht n potencial m t lart nga gejti, kurse
drejni nga burimi.
Gjat polarizimit t transistorit FET-P, gejti sht me potencial m t lart nga burimi kurse
2.9. MOSFET-i
Modeli m tepr i prdorur i transistorit me efekt fushe n sfern e qarqeve elektronike digjitale
moderne ka struktur t prbr nga nj lidhje metalike n fillim, dioksid silici n mes dhe
gjysmprues, zakonisht silic, n pjesn e poshtme, prej nga edhe e merr emrin MOSFET (Metal
- Oxide Semiconductor FET). Kshtu ishte n fillim, kurse n strukturn moderne me teknologjit
e reja n vend t metalit n pjesn e siprme aplikohet shtres nga polisilici. Megjithat, shenja e
vjetr MOS vazhdon t prdoret edhe m tutje.
MOSFET-t mund t jet me kanal-N ose me kanal-P dhe ata mund t jen me kanal t
induktuar ose inkorporuar, q do t shpjegohet m tej. N analiza do t thirremi n llojin me kanalN me kanal t induktuar, i cili sht m i prdorshm n praktik. Llojet tjera dhe strukturat e tyre
do t kuptohen leht prmes rrugs s analogjis.
78Elektronikaanaloge
me
trashsi
prej
disa
qindra
Transistort79
burimin, mes tyre rrjedh vetm rryma inverse e njrit kalim PN dhe ajo sht m e vogl se 1nA.
Ky lloj i MOSFET-it sht quajtur joprues normal.
Megjithat, n qoft se vendoset tension pozitiv i madh i mjaftueshm n gejt (figura 2.43), rryma
do t rrjedh n qarkun mes drejnit dhe burimit. Asnj lloj rryme nuk do t rrjedh prmes daljes s
gejtit pasi q ai sht totalisht elektrikisht i izoluar nga pjesa tjetr.
80Elektronikaanaloge
tensionet jan me polaritet t kundrt n krahasim me MOSFET me kanal-N, kurse analiza mbetet
Transistort81
Karakteristika dalse ID= f (UDS) pr UGS=const, me drejtz pune t futur sht paraqitur n figurn
2.46. Vrehet se lakorja pr UGS = 0 nuk sht futur, ajo prputhet me boshtin e abshiss.
MOSFET-i me kanal t induktuar pron rrym vetm kur UGS>UT.
82Elektronikaanaloge
Ky
lloj i
Transistort83
84Elektronikaanaloge
MBAJ MEND!!!!
MOSFET-it.
MOSFET-it.
N qarkun e gejtit nuk rrjedh rryma, rezistenca hyrs sht pafundsisht e madhe.
FET dhe MOSFET mund t punojn si prforcues n lidhje me burim t prbashkt, gejt t
MOSFET punon si nj els i mbyllur n rajonin ,,omik,, pr qarqe digjitale, kurse n rajonin
Transistort85
prforcues t komanduar nga tensioni. Nga koha e zbulimit e deri tani, ata jan prsosur dhe
aftsuar pr prdorim t prgjithshm ose pr funksione specifike. Si prforcues ata prpunohen
pr prforcim n frekuenca t ulta deri n 1MHz, n frekuenca t mesme deri n 100MHz dhe n
frekuenca t larta mbi 100MHz. Sipas fuqis, mund t jen pr fuqi t vogla deri n 0,2 W, pr fuqi
t vogla deri n 1W dhe pr fuqi t mdha mbi 1W.
Si elemente komutuese, prve funksioneve standarde t komutimit, transistort prdoren n
teknologjin digjitale pr prodhimin e portave logjike si komponent prbrs t sistemeve
komplekse digjitale. Kshtu, pr shembull, nj ip gjysmprues mund t prmbaj edhe disa
miliona elemente transistor komutues.
Transistori si element prdoret n pothuajse t gjitha pajisjet elektronike. Prjashtim jan vetm
filtrat VF dhe NF, t cilt kryesisht prbhen nga kondensatort dhe bobinat dhe ndonj
rezistenc. Megjithse n pajisjet e sotme m tepr prdoren qarqet e integruara, pr shkak t
avantazheve t shumta: dimensione t vogla, instalim dhe servisim i thjesht, transistort nuk jan
eliminuar nga prdorimi. Nuk jan t dukshm si elemente t pavarura, ata jan t integruar me
elemente tjera dhe ndrtojn qarqe t integruara. Transistort kombinohen me rezistenca,
kondensator, dioda, bobina dhe me transistor tjer. Ajo q mundet shum mir t integrohen,
prova jan procesort e sotshm t kompjuterve.
86Elektronikaanaloge
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Barts kryesor t ngarkess elektrike n transistorin -PNP jan:
a) elektronet
b) vrimat
c) donort
d) akceptort
2. Njsia matse e parametrit hFE sht:
a) numr i paidentifikuar
b) A
c) V.
3. Barts dytsor t ngarkess elektrike n transistorin-PNP jan:
a) elektronet
b) vrimat
c) donort
d) akceptort
4. Varsia e rryms IC nga UCE pr rrym IB konstante tek transistori n lidhje me emiter t
prbashkt paraqitet me:
a) karakteristikn kalimtare
b) karakteristikn hyrse
c) karakteristikn dalse
5. Tek transistori me lidhje baze t prbashkt rryma e hyrjes sht:
a) IC
b) IB
c) IE.
Transistort87
6. Karakteristika dalse e transistorit
prfaqsuar nga:
a) IC = f (UCE) pr IB = const.
b) IB = f (UBE) pr UCE =const.
c) UBE = f (UCE) pr IB = const.
II Pyetje me lidhshmri
7. Lidh simbolet elektrike me llojet e transistorve:
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
1. Transistor - NPN ___________
2. Transistor -PNP ___________
3. FET i llojit - N
___________
4. FET i llojit - P
___________
88Elektronikaanaloge
Prforcuesit
89
PRFORCUESIT- AMPLIFIKATORT
Duke studiuar prmbajtjen e ksaj teme, do t fitosh njohuri
baz pr prforcuesit dhe do t mund:
Prforcuesit
91
masn. Njri pol i burimit t ushqimit shpesh lidhet n mas. Funksioni i qarkut sht t
92
Elektronikaanaloge
Prforcuesit
93
karbon jep deri n 10-6 W. Pr sinjalet e zrit (n telefoni), brezi i frekuencave shkon nga 300 Hz
deri n 3400 Hz, kurse pr sinjalet muzikore nga 20 Hz deri n 20000 Hz.
Prforcuesit e frekuencave t larta (FL) i prforcojn sinjalet q zn pjesn e siprme t spektrit
t frekuencave dhe ata jan t ngjashm me prforcuesit selektiv, vetm se me brez frekuence m
t gjer. Ata prdoren n pajisje t ndryshme radio, radar, pajisje satelitore dhe pajisje tjera.
Prforcuesit e sinjaleve t vazhduar shrbejn pr prforcimin e
sinjaleve me ndryshim t
94
Elektronikaanaloge
Sinjali me ndryshim t vazhdueshm n koh quhet sinjal analog (figura 3.6), kurse
qarqet pr prpunimin e tyre quhen qarqe analoge. Sinjali analog mund t ket nj form valore
komplekse si n figurn 3.6 ose t jet i prsritshm ose periodik, si sht sinjali sinusoidal nga
figura 3.7. Duke u bazuar n sinjalin sinusoidal prcaktohen karakteristikat e shum qarqeve
elektronike dhe sistemeve.
Tensioni i cili ndryshon n mnyr sinusoidale me kalimin e kohs mund t prezantohet me
funksionin:
u t U sin(Zt M ) ......................................................................................................................(3.1)
Prforcuesit
95
2Sf ......................................................................................................................................(3.2)
KONTROLLO NSE DIN
1.
2.
AU
U dal
...................................................................................................................................(3.3)
U dal
Pr sinjalin e rryms kemi prforcim t rryms si raport t rryms dalse kundrejt asaj hyrse:
AI
I dal
I hyr
....................................................................................................................................(3.4)
kurse pr prforcimin e fuqis kemi hers t fuqive t sinjalit alternativ n dalje Pdal dhe n hyrje
Phyr t prforcuesit:
AP
Pdal
Phyr
U dal I dal
U hyr I hyr
AU AI .........................................................................................................(3.5)
AU dB 20 log
U dal
,
U hyr
AI dB 20 log
I dal
,
I hyr
AP dB 10 log
Pdal
......................................(3.6)
Phyr
Psig
Pbur
100% ..............................................................................................................................(3.7)
96
Rhyr
Elektronikaanaloge
U hyr
I hyr
: ..............................................................................................................................(3.8)
Rdal
U dal
: . .............................................................................................................................(3.9)
I dal
N kt definicion Udal sht tension dals kur konsumatori nuk sht i lidhur, kurse Idal rryma
dalse kur dalja sht e lidhur shkurt. Nga rezistenca hyrse krkohet q t ket vler m t
madhe, me ka m pak do t ngarkoj gjeneratorin e sinjalit ose prforcuesin e stadit paraprak.
Rezistenca dalse, megjithat, duhet t ket vler m t vogl, q t mos vij deri te dobsimi i
sinjalit dals.
KONTROLLO NSE DIN
1.
2.
3.
4.
Prforcuesit
97
frekuenca. N disa frekuenca t larta, prforcuesi m nuk do t mund t jet n gjendje t jap
amplitud t njjt t sinjalit dals, si n frekuencat e mesme.
Pr frekuenc kufitare t siprme fH t prforcuesit llogaritet frekuenca pr t ciln prforcimi bie
pr 3 dB, gjegjsisht pr faktor 0.707, n raport me prforcimin n frekuenca t mesme. Deri n
rnien e prforcimit vjen edhe n frekuenca t ulta, kurse n mnyr t njjt definohet edhe
frekuenca kufitare e poshtme fL.
poshtme:
B = fH - fL .......................................................................................... .....................................( 03:10)
quhet brezi i lshimit i prforcuesit. Sinjalet me frekuenca n kt brez do t prforcohen pa
shtrembrime. Shtrembrimi manifestohet n dallimin n form mes sinjalit dals dhe sinjalit hyrs
dhe paraqitet n sinjalet jasht brezit t lshimit.
MBAJ MEND!!!
Prforcuesi e prforcon tensioni, rrymn ose fuqin e sinjalit analog ose digjital.
Thelbi i prforcimit sht: ndryshimi i vogl i tensionit ose rryms s hyrjes shkakton
ndryshim t madh n tensionin e daljes.
98
Elektronikaanaloge
Brezi i lshimit sht brezi mes frekuencs kufitare t siprme dhe t poshtme t
prforcuesit.
2.
Vizato karakteristikn fazore t prforcuesit dhe defino frekuencn kufitare t siprme dhe
t poshtme.
3.
Prforcuesit
99
fitohen me zhvendosjen e pikave t prerjes a1, a2, a3, a4 dhe M t drejtzs s puns me
karakteristika dalse pr IB=const. n sistemin e karakteristikave statike kalimtare dhe t hyrjes.
uhur
ku jan: uhyr -vlera momentale e tensionit, Uhyrm amplituda, kurse Z - frekuenca rrethore.
100
Elektronikaanaloge
ib
I B ( M ) I bm sin Zt ...................................................................................................................(3.12)
ku me IB(M) sht treguar rryma e vazhduar e polarizimit t bazs n pikn M, kurse me Ibm
amplituda e rryms s sinjalit hyrs.
Ndryshimet e rryms s bazs shkaktojn ndryshime t rryms s kolektorit dhe ajo fiton formn:
ic
I C ( M ) I cm sin Zt ..................................................................................................................(3.13)
ku me IC(M) sht shnuar komponenti i vazhduar i piks s puns, kurse me Icm amplituda e
komponentit alternativ t rryms s kolektorit (figura 3.11a).
Gjat transferimit t pikave nga karakteristika kalimtare n at dalse vrehet se zhvendosja e
piks s puns M kah B1 shkakton zmadhimin e rryms s kolektorit, por edhe zvoglimin e
tensionit t kolektorit. Me fjal tjera, gjysm-perioda pozitive e tensionit t bazs dhe rryms s
bazs krijon nj gjysm-period t tensionit t kolektorit, kurse kjo do t thot se mes tensionit t
bazs dhe tensionit t kolektorit ekziston ndryshimi fazor prej 1800.
Tensioni i daljes i transistorit me lidhje me emiter t prbashkt sht:
udal
uce
I C ( M ) RC I cm RC sin Zt ..........................................................................................(3.14)
ose
udal
ku UCE(M) sht komponenti i vazhduar i tensionit t kolektorit n piln M, dhe Ucem amplituda e
komponentit alternativ t tensionit t kolektorit.
Prforcimi i tensionit, i fituar me stadin e prforcimit, definohet si:
Au
U dalm
U hyrm
U cem
....................................................................................................................(3.16)
U bem
Ai
I dalm
I hyrm
I cm
. ........................................................................................................................(3.17)
I bm
AP
Pdal
Phyr
Au Ai . ...................................................................................................................(3.18)
MBAJ MEND!!!
Prforcuesit
101
102
Elektronikaanaloge
Polarizimi
Transistori do t funksionoj si nj prforcues kur kalimet e tij PN jan t polarizuar n
mnyr t rregullt edhe at kalimi i emiterit t jet drejt kurse i kolektorit me polarizim t
kundrt. Me ndarsin e tensionit, t prbr nga dy rezistenca R1 dhe R2, polarizohet drejt kalimi
PN i emiterit t transistorit, gjegjsisht prcaktohet rryma e bazs, ashtu q pika e puns e
transistorit t gjendet n zonn aktive dhe ai t punoj si nj prforcues. Me rezistencn RC
prcaktohet pozita e piks s puns, kurse me rezistencn RE sigurohet stabiliteti nga temperatura
e piks s puns.
Kondensatori elektrolitik CE dhe rezistenca RE e lidhur paralelisht krijon lidhje t shkurtr pr
sinjalin alternativ dhe e eliminon ndikimin e ksaj rezistence mbi prforcimin. Kondensatort pr
bashkim C1 dhe C2, gjithashtu paraqesin lidhje t shkurtr pr sinjalin alternativ. Nga ana tjetr,
kto kondensator e bllokojn rrymn e vazhduar dhe gjithka q sht majtas kondensatorit C1
dhe djathtas nga kondensatori C2 nuk ka ndikim mbi polarizimin e transistorit.
Me pranimin e kushtit IC ! !IB, vlen relacioni:
U CC
U CE RC RE I C . .........................................................................................................(3.19)
Prforcuesit
103
I R1 | I R2 |
U CC
, ..................................................................................................................(3.21)
R1 R2
U CC
R2
. ....................................................................................................................(3.22)
R1 R 2
UE
IC I B
U E .................................................................................................................(3.24)
.
IC
U CC U c ........................................................................................................................(3.26)
.
IC
Me vlerat e ktilla t zgjedhura pr RE dhe RC vendoset pika e puns, kshtu q ti knaq kushtet
specifike t polarizimit.
Drejtza statike e puns ka t bj vetm pr kushtet statike t puns me rezistencn e kolektorit
dhe emiterit. Pr rrymn alternative rezistenca e kolektorit sht e lidhur n paralel me rezistencn
e konsumatorit, kurse rezistenca RE sht e lidhur shkurt me kondensatorin CE, kshtu q drejtza
e puns dinamike e ndryshon kndin kundrejt boshtit t abshiss.
Nse nuk zbatohet supozimi 3.20, qarku pr polarizim mund t transformohet sipas teorems s
Tevenenit (figura 3.14), q t bhet llogaritja e rryms IB.
104
Elektronikaanaloge
R2
.....................................................................................................................(3.27)
R1 R 2
U BT
U cc
R BT
R1 R 2
. ...........................................................................................................................(3.28)
R1 R 2
U BT RBT I B U BE I E RE
0 ................................................................................................(3.29)
IB
IE
. ................................................................................................................................(3.30)
E 1
Stabilizimi i piks s puns n ndryshimet e temperaturs me rezistencn RE kryhet si m
posht. Ndryshimet termike n transistor ndodhin ngadal, ndryshimet e tensionit t emiterit jan
t ngadalshme, kurse ndikimi i kondensatorit CE sht i paprfillshm. N qarkun e emiterit,
kondensatori si do q t jet nuk ekziston. Me ndryshimin e temperaturs mund t vij deri te
ndryshimi i ndonj parametri t transistorit dhe t shkaktoj zhvendosjen e piks s puns. Nse,
pr shembull, vjen deri te zhvendosja e piks s puns lart, n drejtimin e rryms shumic t
kolektorit, rritet edhe rnia e tensionit t rezistencs RE dhe zvoglohet tensioni baz-emiter, pasi
q tensioni i bazs nuk ndryshon, ai varet vetm nga tensioni i burimit t ushqimit dhe nga
rezistencat R1 dhe R2. Zvoglimi i tensionit UBE shkakton zvoglimin e rryms IB, kurse me t
zvoglohet edhe rryma IC. Rezultati prfundimtar sht se rryma IC kthehet n vlern e
mparshme. Nj korrigjim i ngjashm ndodh edhe nse zhvendoset pika e puns posht n
drejtzn e puns. N kt mnyr rezistenca RE e mban pikn e puns prafrsisht n t njjtin
vend, gjegjsisht e stabilizon.
MBAJ MEND!!!
Transistori punon si prforcues kur kalimi i emiterit sht i polarizuar drejt, kurse i kolektorit
invers (pr transistorin NPN UC > UB > UE, pr transistorin PNP UC <UB < UE).
Me rezistencn RE, n qarkun e emiterit arrihet stabilizimi i piks s puns gjat ndryshimit t
temperaturs.
Prforcuesit
105
I2
U 2 ...............................................................................................................................(3.33)
.
RC
Duke futur shprehjen (3.33) n ekuacionin e dyt t sistemi (3.31) dhe zgjidhje t ekuacionit sipas
I1 fitohet:
106
I1
Elektronikaanaloge
U2 1
h22 e .
h21e RC
U 2
U dal
U hyr
U2
U1
h 21 e R C
, .............................................................................................(3.36)
h11 e R C ' h e
Shenja negative n shprehjen e prforcimit t tensionit tregon se tensioni i daljes dhe i hyrjes jan
zhvendosur pr 1800.
Me zvendsimin e shprehjes (3.27) n ekuacionin e dyt t sistemit t ekuacioneve (3.26) dhe
operacione matematikore t prsritura si m par, fitohet shprehja pr rrymn I2:
I2
h 21 e I 1
. ......................................................................................................................(3.37)
1 h 22 e R C
I dal
I hyr
I2
I1
h 21 e
. ......................................................................................................(3.38)
1 h 22 e R C
Prforcimi i fuqis sht produkt i prforcimit t tensionit dhe rryms, kshtu q kemi:
AP
Au Ai
h11 e
h212 e RC
. ..................................................................................(3.39)
RC ' he 1 h22 e RC
h22eRC 1.
h21 e
RC
h11 e
Ai | h21e
AP |
h212 e RC
h11 e
h fe
hie
RC ............................................................................................................(3.40)
h fe .........................................................................................................................(3.41)
h 2fe RC .................................................................................................................. (3.42)
hie
Prforcuesit
107
Rezistenca hyrse e prforcuesit prcaktohet nn kushtin q tensioni dals Udal t jet i barabart
me zero, me ka zvoglohet gjeneratori i tensionit n hyrje, kshtu q kemi:
R hyr
U hyr
I hyr
h11 e
hie . ................................................................................................................(3.43)
Rezistenca dalse prcaktohet nn kushtin q qarku i hyrjes t jet i hapur, me ka bie gjeneratori
i rryms, kshtu q kemi:
Rdal
U dal
I dal
1
h22 e
1 .............................................................................................................(3.43)
.
hoe
Prforcimi i tensionit sht linearisht i varur nga vlera e rezistencs s ngarkess dhe zakonisht ka
vler t madhe. Prforcimi i rryms i prforcuesit sht i barabart me prforcim e rryms t
transistorit, rezistenca hyrse e prforcuesit sht e barabart me rezistencn e hyrjes s
transistorit, kurse ai dals n proporcion t kundrt me prueshmrin dalse t transistorit.
108
Elektronikaanaloge
Pr rrymn dalse, e cila rrjedh n lidhjen paralele RL", sipas ligjit t II t Kirkofit pr pikn E vlen:
I dal
h fe I B I B
fe
1I B .......................................................................................................(3.45)
I dal
I hyr
AI
1I B
fe
IB
h fe 1. ..................................................................................................(3.46)
Kjo shprehje tregon, duke marr parasysh q hfe>>1, se prforcimi i rryms sht shum m i
madh se 1.
Rezistenca hyrse Rhyr prcaktohet sipas ligjit t I t Kirkofit:
Rhyr
U hyr
IB
hie I B U CE
. ......................................................................................................(3.47)
IB
U CE
RL'' I dal
RL'' 1 h fe I B ........................................................................................................(3.48)
Rhyr
hie I B RL" 1 h fe I B
IB
AU
U dal
U hyr
U CE
Rhyr I B
RL'' 1 h fe I B
hie I B RL" 1 h fe I B
RL'' 1 h fe
hie RL" 1 h fe
. ...................................................(3.50)
I2
I B h fe I B
1 h fe I B ....................................................................................................(3.51)
U2
Rdal
Prforcuesit
109
I B RS hie .....................................................................................................................(3.52)
U2
I2
RS hie
. .................................................................................................................(3.53)
1 h fe
Rezistenca e daljes sht shum e vogl, ajo sht me vler prej disa dhjetra :.
Prforcuesi n lidhje me kolektor t prbashkt (i njohur edhe si ndjeks emiterial) e prforcon
vetm rrymn, kurse prforcimi i tensionit sht afr 1. Ai ka rezistenc hyrse t madhe dhe
rezistenc dalse t vogl.
I dal
h fe I B
dhe
I hyr
I B hf e I B
1 h fe I B .
110
Elektronikaanaloge
AI
I dal
I hyr
h fe I B
h fe
1 h fe I B
1 h fe
| 1 .......................................................................................(3.54)
Rhyr
U hyr
I hur
hie I B
1 h fe I B
hie
. .......................................................................................(3.55)
1 h fe
AU
U dal
U hyr
h fe I B RL''
h fe RL''
hie I B
hie
. ............................................................................................(3.56)
Prforcimi i tensionit sht i madh dhe sht prafrsisht i barabart me prforcimin e tensionit n
stadin me emiter t prbashkt.
Rezistenca dalse sht shum e madhe Rdalov.
N tabeln 1 sht dhn krahasimi i vlerave t parametrave t caktuara pr t tre konfiguracionet
e prforcuesve.
Tabela 1
Lidhja
Emiter i prbashkt
Kolektort i prbashkt
Prforcimi i
i madh
i madh
h fe
1 h fe
rryms
AI
Rezistenca
hyrse
Rhyr
Prforcimi i
h fe
e madhe
hie
hie RL " 1 h fe
i madh
i vogl
h fe RL''
RL'' 1 h fe
Rezistenca
e madhe
dalse
hie R 1 h fe
''
L
e vogl
hie
1 h fe
i madh
#1
h fe RL''
hie
e madhe
f
hie RS
1 h fe
#1
e vogl
mesatare e madhe
hie
Rdal
i vogl
1 h fe
tensionit
AU
Baz e prbashkt
Prforcuesit
111
112
Elektronikaanaloge
Rryma e bazs e transistorit TR1 sht IB1, kurse rryma e kolektorit t tij do t jet:
I C1
Kjo sht n t njjtn koh edhe rryma e bazs IB2 e transistorit TR2, kurse rryma e kolektorit t tij
do t llogaritet sipas;
IC 2
h21e I B1
h21e
MBAJ MEND!!!
transistorit;
-Prforcim t madh t fuqis;
-Rezistenc hyrse t barabart me rezistencn hyrse t transistorit hie;
-Ka zhvendosje fazore t sinjalit n dalje n krahasim me sinjalin n hyrje pr 1800;
-Rezistenc dalse n proporcional t kundrt me prueshmrin dalse t
transistorit 1/hoe.
Prforcuesit
113
y21U hyr
g mU gs ........................................................................................................................ (3.59)
y22
go
1
. ...........................................................................................................................(3.60)
ro
114
Elektronikaanaloge
Duke pasur parasysh faktin se rryma e gejtit sht zero, qarku hyrs bhet i hapur dhe skema
fiton form akoma m t thjesht (figura 3.25).
Tensioni i polarizimit t gejtit prcaktohet sipas:
U GS
U DD
R2
. .................................................................................................................(3.61)
R1 R2
UD
U DD RD I D ...................................................................................................................... (3.62)
gm |
'I D
/ 'U DS
'U GS
dhe
g0
'I D
1
/ 'U GS
|
r0 'U DS
U dal
AU
g mU gs RLe ...............................................................................................................(3.63)
U dal
U hyr
g mU gs RLe
U gs
g m RLe . .........................................................................................(3.64)
Rhyr
R1 R2
. ......................................................................................................................(3.65)
R1 R2
Rezistenca dalse e prforcuesit Rdal sht rezistenca e prgjithshme e shikuar prapa n skajet
dalse t prforcuesit, duke mos marr parasysh asnj lloj rezistence t jashtme:
Rdal
Prforcuesit
115
r0 RD
. ..........................................................................................................................(3.66)
r0 RD
U RS
I D RSS ................................................................................................................................(3.67)
U GS
U GG U R SS . ....................................................................................................................(3.68)
116
Elektronikaanaloge
tensioni UGG mund t fitohet me ndarsin e tensionit R1, R2 nga tensioni UDD si:
U GG
U DD
R2
, ...................................................................................................................(3.69)
R1 R2
U DS
U DD RD RSS I D
U hyr
U gs dhe U dal
g mU gs RLe , .........................................................................................(3.70)
me ka:
RLe
RD RL
...........................................................................................................................(3.71)
RD RL
AU
U dal
U hyr
g m RLe . ...................................................................................................................(3.72)
Rezistenca hyrse n kt konfiguracion nuk sht e pafundme. Nga prkufizimi i burimit t varur
t rryms gmUgs rrjedh se ndryshimi i tensionit t hyrjes Uhyr=Ugs shkakton ndryshim t rryms s
hyrjes t shprehur me gmUgs. Raporti i tensionit t hyrjes dhe rryms s hyrjes e jep rezistencn e
hyrjes t MOSFET-it si:
Rmosfet
U gs
g mU gs
1 ............................................................................................................(3.73)
.
gm
1
gm
. .......................................................................................................................(3.74)
1
RSS
gm
RSS
Rhyr
Prforcuesit
117
Pr prforcuesin n lidhje me gejt t prbashkt, prforcimi sht pozitiv, domethn nuk fut
zhvendosje fazore prej 1800 dhe ka nj rezistenc t vogl t hyrjes. Qarku i prforcuesit mund t
prdoret pr t prshtat ndonj stad me rezistenc t vogl t hyrjes me ndonj stad tjetr me
rezistenc t daljes t madhe, nse vendoset mes tyre.
U dal
U hyr
AU
g m RLe
.
1 g m RLe
..................................................................................................................(3.75)
Ky prforcues ka rezistenc hyrse t madhe dhe rezistenc t vogl t daljes dhe nuk e inverton
sinjalin (nuk fut zhvendosje n faz).
MBAJ MEND!!!
tensionit i cili varet nga vlera e rezistencs s ngarkess, rezistenca hyrse ka vler t madhe,
kurse rezistenca dalse varet nga vlera e rezistencs dalse t MOSFET-it dhe e zhvendos n
faz sinjalin dals pr 1800.
118
Elektronikaanaloge
Prforcuesit
119
AU TOT
AU 1 AU 2 AU 3 .... AU n , .........................................................................................................(3.76)
AI TOT
U dal
= 20log~AU~ .
U hyr
ATOT
AU 1 dB AU 2 dB AU 3 dB .... AU n dB . ......................................................................(3.78)
KONTROLLO NSE DIN
1. far konfiguracioni shfrytzohet kur sistemi krkon prforcim m t madh nga prforcimi q e
jep nj stad prforcues?
2. ka duhet t siguroj stadi i par i kaskads?
3. far prforcuesi duhet t jet prforcuesi i fundit n kaskad dhe ka duhet t siguroj?
120
Elektronikaanaloge
Bashkimi kapacitiv realizohet me kondensator t lidhur mes daljes s stadit paraprak dhe
hyrjes s stadit t ardhshm. N figurn 3.31 sht treguar bashkimi kapacitiv me kondensatorin
C2 mes stadit me baz t prbashkt me transistorin T1 dhe stadit me emtiter t prbashkt me
transistorin T2. Prve q siguron transmetimit t sinjalit alternativ nga stadi me T1 n stadin me
T2, kondensatori C2 mundson pikat e puns t stadeve prforcuese t vendosen pavarsisht
njra prej tjetrs.
N brezin e frekuencave t larta dhe t mesme t prforcuesve, kondensatori pr lidhje ka
impedanc shum t vogl dhe i lshon sinjalet pa i dobsuar. Impedanca e saj zmadhohet pr
frekuencat e ulta dhe ai do ti lshoj sinjalet vetm deri n kufirin e caktuar kur prforcimi i sinjalit
do t zvoglohet pr m tepr se gjysma.
N formn e karakteristiks s frekuencs ndikim m t madh kan antart RC t pranishm n
hyrje, n dalje dhe n vendet tjera n prforcues. Secili nga kto antar vepron si filtr lshues i
lart n frekuenca t ulta. Frekuenca e kufirit t poshtm e filtrit t till sht e prcaktuar nga
vlerat e kapaciteteve dhe t gjith rezistencave t lidhura paralel sipas:
fL
1
2SRekvCekv
. ........................................................................................................................(3.79)
Pr prforcuesit me m shum antar RC, si n figurn 3.31, frekuenca kufitare e ult prcaktohet
me frekuencn kufitare m t lart t njrit prej tyre.
Analiza e njjt vlen edhe pr prforcuesin me MOSFET.
Pr bashkimin me transformator vet emri tregon se sinjali mes dy stadeve prforcuese
fqinje transmetohet me transformator (figura 3.32).
Prforcuesit
121
122
Elektronikaanaloge
AU
U dal
U hyr
h fe RLekv
hie
. .............................................................................................................(3.80)
Frekuenca kufitare e siprme sht prcaktuar nga frekuenca kufitare e siprme m e ult e njrit
prej antarve RC t qarkut. Roli dominant ktu ka kapaciteti Cbc, i cili luan rolin e lidhjes s
kundrt.
Prforcues me baz t prbashkt
Karakteristika e prforcuesit n sinjale t vogla me lidhje me baz t prbashkt sht m e
shtrir n frekuencat e larta n krahasim me karakteristikn e lidhjes me emiter t prbashkt.
Prforcuesi me lidhje me baz t prbashkt nuk e zhvendos fazn e sinjalit dhe nuk ka
kapacitet i cili krijon lidhje t kundrt. Rezistenca e hyrjes sht relativisht e vogl, re sht m
e vogl se rb pr faktorin 1+hfe. Ajo e bn konstantn hyrse reCbe m t vogl, kurse frekuencn
kufitare t siprme m lart.
Qarku ekuivalent i prforcuesit n lidhje me baz t prbashkt sht dhn n figurn 3.35.
Prforcuesit
123
AU
g m RLekv . .........................................................................................................................(3.81)
124
Elektronikaanaloge
MBAJ MEND!!!
Lidhja kaskad prmban m shum stade prforcuese duke prshtatur sinjalin e hyrjes, n dalje
kah ngarkesa dhe prshtatjen mes veti t stadeve prforcuese.
Stadet prforcuese n kaskad mes veti lidhen n mnyr: kapacitive, drejtprdrejt ose me
lidhje t transformatorit.
Prforcuesit
125
Ud
U 2 U1 , ...........................................................................................................................(3.82)
Ad
U dal ................................................................................................................................(3.83)
.
Ud
UC
U1 U 2
, ..........................................................................................................................(3.84)
2
Ac
U dal .................................................................................................................................(3.85)
.
Uc
Tensioni i daljes i prforcuesit diferencial Udal varet nga dy t llojet e sinjaleve t hyrjes sipas
relacionit:
U dal
U d Ad U c Ac . .................................................................................................................(3.86)
126
Elektronikaanaloge
Secili nga sinjalet hyrse ka ndikim t kundrt mbi daljen. N figurn 3.39 jan paraqitur n
mnyr grafike sinjalet hyrse dhe dalse t prforcuesit diferencial.
Pr shkak t ndryshimit t fazs, hyrja (-) quhet invertuese, kurse hyrja (+) joinverutes. Analiza
mund t prmblidhet n mnyrn si vijon: kur polariteti i tensionit diferencial prputhet me shenjat
hyrse, dalja do t jet pozitive, kurse kur sht i kundrt, dalja sht negative.
Detyra e prforcuesit diferencial sht t forcoj diferencn- ndryshimin e tensioneve t sinjaleve
hyrse dhe t mos reagoj n ndryshimet e tensionit t cilat paraqiten n drejtim t njjt n t dy
hyrjet. Pr nj prforcues diferencial ideal, prforcimi i n faz sht zero, tensioni i daljes nuk
varet nga sinjali n faz. Prforcuesi i mir real duhet t ket prforcim njfazor shum t vogl,
kurse faktori i shtypjes i sinjali n faz, i shprehur prmes:
Ad
. ...................................................................................................................................(3.87)
Ac
U (dB) 20 log
Ad
...................................................................................................................(3.88)
Ac
ose
U (dB)
Prforcuesit
127
128
Elektronikaanaloge
Kalimet e emiterit jan t polarizuara direkt, kurse emitert jan n tension -0,7 V. Rryma prmes
rezistencs RE prcaktohet sipas:
I RE
I E1
IE2
1
I R . ......................................................................................................................(3.91)
2 E
Ud
dhe U 2
2
U2
2
Prforcuesit
129
Tani analiza thjeshtohet, kshtu q gjysma e prforcuesit diferencial bhet prforcues emiterial
normal, i paraqitur n figurn 3.42. Prforcimi i tij sht i madh, ai sht prforcim diferencial i
gjith prforcuesit:
Ad |
RC
. ................................................................................................................................(3.92)
2hie
Pr qllime t caktuara, dalja mund t jet e lidhur me dy kolektor, si tregohet n figurn 3.43.
Me kt qark fitohet tension diferencial dals, i definuar si:
Udal=Udal1-Udal2..........................................................................................................................(3.93)
dhe ai sht dy her m i madh se shembulli i mparshm. Prforcimi i ktij qarku sht:
Ad |
RC
. .................................................................................................................................(3.94)
hie
130
Elektronikaanaloge
Prsri, secila gjysm e qarkut sht prforcues me emiter t prbashkt, kurse me kushtin q
vlera e RE t jet shum m e madhe se hie, prforcimi n faz do t jet:
AC |
RC ................................................................................................................................(3.95)
.
2 RE
Pr vler m t madhe t faktorit t shtypjes duhet t rritet Ad duke rritur hfe dhe Rc, ose t
zvoglohet Ac duke zmadhuar rezistencn RE.
Rezistenca RE nuk mund t zmadhohet pakufi, me at zvoglohet rryma npr transistor dhe
prforcimi diferencial. Zgjidhje m e mir fitohet n qoft se n vendin e RE dhe Rc ndrtohet
gjenerator rryme, si n figurn 3.45. Ky konfiguracion shpesh prdoret n prforcuesit diferencial
t integruar modern ose n prforcuesit operacional.
Prforcuesit
131
IR
U CC U EE U BE . ...........................................................................................................(3.96)
R
IR
2 I B I C ............................................................................................................................(3.97)
IC
IR
1
I 0 . ......................................................................................................................(3.98)
132
Elektronikaanaloge
t quajtur tension i korrigjimit (tension offset). Ky tension ka nj vler t vogl dhe fitohet me
element shtes jasht prforcuesit diferencial.
Prforcuesi diferencial paraqet njrin nga konfiguracionet e rndsishme me zbatim shum t
madh. Ai paraqet qark prforcues n hyrjen e prforcuesit operacional, pastaj n shum
instrumente prforcuese dhe komparator (krahasues).
MBAJ MEND!!!
tensioneve t sinjaleve hyrse dhe nuk reagon n ndryshimet e tensionit n faz t cilt
paraqiten njkohsisht n t dy hyrjet e tij.
kundrta.
Prforcuesi diferencial ideal ka vetm prforcim diferencial, kurse ndryshimi n faz sht
zero.
Prforcuesit
133
U dal ..............................................................................................................................(3.100)
.
U hyr
U dal ..............................................................................................................................(3.102)
.
A
134
Elektronikaanaloge
U r ...............................................................................................................................(3.103)
,
U dal
Ur
EU dal . ............................................................................................................................(3.104)
Koeficienti i lidhjes s kundrt E sht m i vogl se 1, sepse tensioni Ur sht pjes e tensionit t
daljes. N praktik, vlera e koeficientit t lidhjes s kundrt negative E sillet n kufijt 0,05 deri n
0,2.
Me zvendsimin e shprehjeve pr tensioni Up (93.94) dhe Ur (3.96) n (3.92) fitohet:
U dal
A
U hyr EU dal
ose
U hyr
U dal
EU dal
A
E U dal
A
1 AE
U dal , .................................................................(3.105)
A
Ar
U dal
U hyr
A
. .............................................................................................................(3.106)
1 AE
Ar
A
, ........................................................................................................................(3.108)
1 AE
AE
Prforcuesit
U dal U r
U p U dal
135
Ur
. ............................................................................................................(3.109)
Up
Sinjali ekzistues Up, i cili vepron n lidhjet hyrse t prforcuesit, prforcohet A her n vet
prforcuesin. Pastaj, ai transmetohet prmes qarkut t lidhjes s kundrt duke u shumzuar me
koeficientin e reagimit E. N kt mnyr sht br nj shteg rrethor, kurse prodhimi AE sht
quajtur prforcim rrethor.
Shpesh, fuqia e lidhjes s kundrt shprehet n dB si:
N
20 log
Ar
dB . .................................................................................................................(3.110)
A
20 log
1
0,
1 AE
kurse pr pozitiven:
20 log
1
! 0.
1 AE
Kshtu, pr shembull, nse fuqia e lidhjes s kundrt sht shprehur me numrin -20, kemi t
bjm pr lidhje t kundrt negative dhe prforcimi sht zvogluar pr 20 dB n raport me t
njjtin prforcues pa zbatimin e lidhjes s kundrt.
tensionin e daljes (figura 3.48a). Impedanca hyrse e qarkut pr lidhje t kundrt duhet t jet m
e madhe nga impedanca e ngarkess (RL), q t mos e ngarkoj daljen e prforcuesit. Lidhje t
kundrt t rryms kemi kur tensioni i lidhjes s kundrt sht proporcional me rrymn e daljes
(figura 3.48b). Impedanca e hyrjes e qarkut pr lidhje t kundrt duhet t jet m e vogl se
136
Elektronikaanaloge
U DAL
R1 R2 I .
..................................................................................................................(3.111)
Ur
R2 I . ............................................................................................................................... (3.112)
Ktu supozohet se rryma e ndarsit I nuk rrjedh npr qarkun e hyrjes, pr shkak t rezistencs s
tij hyrse t madhe. Koeficienti i lidhjes s kundrt sht:
E
Prforcuesit
Ur
U dal
R2 I
R1 R 2 I
137
R2
. ...........................................................................................(3.113)
R1 R 2
N figurn 3.51, qarku pr lidhje t kundrt sht i lidhur n paralel n raport me hyrjen, q do t
Rr I dal
RL I dal
Rr ................................................................................................................(3.114)
.
RL
Ur
U R 2 U Rr . ......................................................................................................................(3.115)
U R2
R2
U dal , ..............................................................................................................(3.116)
R1 R2
138
Elektronikaanaloge
U Rr
Rr I dal
Rr
U dal
RL
Rr
U dal . ............................................................................................(3.117)
RL
Ur
U dal
R2
R
r . ........................................................................................................(3.118)
R1 R2 RL
Ar=Udal/Uhyr tensioni Uhyr bhet i barabart me zero, q do t thot se prforcuesi jep dalje edhe pa
pasur sinjal n hyrje. Kjo sht karakteristik pr punn e oshilatorit.
Si sht e njohur, sinjali i daljes s nj prforcuesi sht i zhvendosur n faz pr S (1800) n
krahasim me sinjalin e hyrjes. Varsia fazore mes tensionit t daljes dhe tensionit t hyrjes, e
dhn n figurn 3.9. tregon se pr frekuencat e ulta dhe t larta t brezit t lshimit, vjen deri tek
devijimi m i madh n faz pr dallim
Ar
Prforcuesit
A
AE
139
. .........................................................................................................................(3.119)
Prforcimi Ar, n kt rast, bhet i pavarur nga prforcimi i t njjtit prforcues pa lidhje t kundrt
negative A. Kjo do t thot se prforcimi i prforcuesit me lidhje t kundrt negative nuk do t varet
nga parametrat dhe elementet e ndryshueshm t prforcuesit, por vetm nga vetit e qarkut pr
lidhje t kundrt.
Ky sht nj avantazh i rndsishm, i arritur me lidhjen e kundrt negative, sepse
amortizimi, temperatura, zvendsimi i elementeve aktive dhe pasive mund t shkaktoj ndryshim
n prforcimin e prforcuesit pa lidhje t kundrt negative. Prforcimi tani varet vetm nga
karakteristikat e qarkut pr lidhje t kundrt, dhe kjo zakonisht realizohet me elementet pasive t
cilat mund t jen me karakteristika t qndrueshme.
140
Elektronikaanaloge
Ue f
. ...........................................................................................................(3.122)
Ndikim m t madh mbi faktorin K ka tensioni i harmonikut t dyt, tensionet e harmonikve tjer
m t lart mund t mos merren parasysh. Nse mbshtetemi vetm n harmonikun e dyt , pr
shkak t thjeshtimit, pr faktorin K t harmonikut t dyt K2 fitojm:
K2
U 2m
. .............................................................................................................................(3.123)
U1m
Tensioni i harmonikut t dyt ekziston vetm n dalje, kurse n hyrje nuk e kemi. Amplituda e tij
nuk varet nga prforcimi, por vetm nga jolineariteti i karakteristiks s prforcuesit.
Prforcuesit
141
U 2 mr
U 2m
. .......................................................................................................................(3.125)
1 AE
I dyti, si edhe do harmonik tjetr tek prforcuesit me lidhje t kundrt zvoglohet n raport me
harmonikun e dyt t prforcuesit pa lidhje t kundrt, ashtu si zvoglohet edhe prforcimi.
Nse ndahet ekuacioni 3.109 me U1m fitohet faktori K i harmonikut t dyt:
K2r
K2
.......................................................................................................................(3.126)
1 AE
K nr
Kn
. .......................................................................................................................(3.127)
1 AE
ku me K2 sht shnuar faktori klir i harmonikut t dyt pa lidhje t kundrt, kurse me K2r faktori klir
me lidhje t kundrt negative.
U Sdal
U N dal
U Shyr
U N hyr
. ...................................................................................................................... (3.128)
142
Elektronikaanaloge
e cila tregon se kjo marrdhnie edhe me aplikimin e lidhjes s kundrt negative nuk ndryshon.
Megjithat, i njjti prfundim nuk vlen pr zhurmat e krijuara n vet prforcuesin. Ata do t jen
sinjalet t cilt nuk ekzistojn n hyrje, kurse paraqiten n dalje. Pr ata do t vlej i njjti
prfundim, si edhe pr shtrembrimet jolineare.
Tek prforcuesi pa lidhje t kundrt negative, pr nj vler t caktuar t sinjalit hyrs, n
dalje do t ekzistoj A-her sinjal m i madh, por do t ekzistoj edhe nj vler e zhurms, e cila n
hyrje nuk ekzistonte. N kto kushte n dalje ekziston vler e caktuar e raportit sinjal-zhurm
USDAL/UN. Me futjen e lidhjes s kundrt negative, sinjali i daljes zvoglohet (1+AE)- her, kshtu q
pr raportin sinjal-zhurm marrim:
Prforcuesit
143
Impedanca e hyrjes e prforcuesit me lidhje t kundrt nga figura 3.53, Yhyrr, definohet si:
Z hyrr
U hyr
I hyr
Ur
I hyr
EU dal
I hyr
AEU p U p
I
I hyr
hyr
1 AE . ...........................(3.129)
Z hyr
Up
I hyr
Z hyrr
U hyr
I hyr
Z hyr
1 AE
. ........................................................................................................(3.131)
Z dalr
Z dal
. .....................................................................................................................(3.132)
1 AE
Z dalr
Z dal 1 AE . ..............................................................................................................(3.133)
MBAJ MEND!!!
Lidhja e kundrt paraqet transferimin e nj pjese t sinjalit t daljes t prforcuesit n hyrjen e
tij.
0
Kur sinjali i hyrjes dhe sinjali i kthyer jan t zhvendosur n faz pr 180 fitohet lidhje e kundrt
negative.
Kur sinjali i hyrjes dhe sinjali i kthyer jan n faz fitohet lidhje e kundrt pozitive.
144
Elektronikaanaloge
Prforcuesit
145
Prforcuesi i fuqis punon n regjimin e sinjaleve t mdha dhe analiza e tij bhet me metodat
grafike-analitike duke prdorur karakteristikat statike t transistorit.
Para prforcuesit parashtrohen krkesat e mposhtme baz:
a) t siguroj fuqi t dobishme pr konsumatorin. Pr prforcuesit e sinjaleve tonike fuqia e
dobishme sillet n kufijt prej disa qindra mW deri n disa qindra W.
b) fuqia maksimale e prforcuesit lidhet me koeficient t caktuar t shtrembrimeve jolineare. N
nj prforcues me shum stade, shtrembrimet m t mdha jolineare i jep stadi dals. Kshtu,
pr shembull, pr radiomarrsit e lvizshm shtrembrimet jolineare arrijn deri n 10%,
radiomarrsit m kualitativ dhe prforcuesit e zrimit nga 2 deri n 6%, kurse prforcuesit e
kualitetit t lart (Hi - Fi High Fidelity) deri n 1% e m pak.
c) t siguroj karakteristike adekuate t frekuencave. N prforcuesin me m shum stade,
prforcuesi dals n mas t madhe i kufizon frekuencat e larta. Prandaj, n prforcuesit kualitativ
zbatohet lidhja e kundrt negative.
d) t siguroj kosto t leverdishme n raport me harxhimin e energjis elektrike nga burimi i
ushqimit. Kostoja definohet me faktorin e veprimit t dobishm (rendimenti i prforcuesit):
Pk ,
P0
ku me Pd shnohet fuqia dalse, kurse me P0 fuqia e konsumuar nga burimi i rryms s vazhduar.
e) t ofroj pun t sigurt dhe t qndrueshme n nj interval t paracaktuar t temperaturs s
mjedisit.
Stadi dals mund t punoj n klasn A, klasn B dhe klasn AB dhe n t gjitha tre llojet e
lidhjeve, me emiter t prbashkt, baz t prbashkt, kolektor t prbashkt, gjegjsisht me
burim t prbashkt, gejt t prbashkt dhe drejn t prbashkt. M shum sht n prdorim
lidhja me emiter t prbashkt, gjegjsisht me burim t prbashkt, sepse ka prforcim m t
madh n krahasim me dy llojet tjera t lidhjeve.
146
Elektronikaanaloge
'
L
RL n p
n
RL 1 , ....................................................................................................(3.134)
n2
Prforcuesit
147
Me rezistencn ekuivalente t ngarkess RL' definohet kndi i piks dinamike t puns. Kndi m i
prshtatshm prfaqsohet me vijn me t ciln fitohen gjysm-perioda simetrike t ndryshimit
sinusoidal t tensionit t kolektorit (figura 3.57).
N kt rast kemi fuqi t dobishme maksimale pa shtrembrime pr pikn e dhn t puns M.
Fuqia e dobishme llogaritet sipas:
Pk
1
I cm U cm , ...................................................................................................................(3.135)
2
P0
U CC I CM . ........................................................................................................................(3.136)
Pk
100
P0
1
I cm U cm
2
100 0,5 100 50% . .................................................................(3.137)
I CM U CC
Vlera teorike maksimale e faktorit t efektit t dobishm (rendimentit) sht 50%, q do t thot
fuqia e zhvilluar n transistor si nxehtsis (disipacion) sht e barabart me fuqin e dobishme t
krijuar n ngarkes.
Kur amplituda a rryms s bazs sht dy her m e vogl, fitohen edhe amplituda dy her m t
vogla t tensionit t kolektorit dhe t rryms s kolektorit. N kt rast, fuqia e dobishme Pd do t
jet katr her m e vogl, kurse me kt edhe rendimenti do t jet katr her m i vogl, sepse
fuqia e konsumuar P0 mbetet e njjt.
148
Elektronikaanaloge
Dallimi n mes t fuqis totale t konsumuar nga burimi dhe fuqis s dobishme konvertohet n
nxehtsi n lidhjet e transistorit. Pjesa m e madhe shprndahet n kalimin e kolektorit dhe pr
disipacionin e kolektorit mund t shkruhet:
PD
PO PK . ..........................................................................................................................(3.138)
Disipacion (shprndarje) maksimal kemi kur fuqia e dobishme sht e barabart me zero. Kjo
sht nj nga t metat thelbsore t stadit dals n klasn A. Pr kt stad jan t nevojshm
transistor me fuqi t madhe, por efikasiteti sht i keq.
Prforcuesit
149
150
Elektronikaanaloge
Prforcuesit
151
152
Elektronikaanaloge
Prforcuesit
153
Termi simetriko-komplementar vjen nga nevoja pr transistor t llojeve t ndryshme, PNP dhe llojit
NPN por me karakteristika t njjta. Prndryshe, gjysmperioda pozitive dhe negative e sinjalit
dals nuk do t jen me karakteristika t njjta. Pr realizimin e qarkun jan t nevojshm katr
burime. Numri i burimeve mund t reduktohet n dy nse pr furnizimin e R1' prdoret burimi
+UCC1, kurse pr furnizimin e R1 prdoret burimi -UCC2.
Parimi i funksionimit t prforcuesit sht i njjt me prforcuesin themelor n klasn B. N
gjysmperiodat pozitive t tensionit hyrs do t proj transistori T1 dhe n ngarkesn RL do t
realizohet gjysmperioda pozitive e tensionit t daljes. N gjysmperiodn negative, do t proj
transistori T1, kshtu q n ngarkes do t realizohet gjysmperioda negative e tensionit t daljes.
sht e mundur edhe shfaqja e prforcuesve simetrik-komplementar edhe me nj burim ushqimi.
N kt rast, pr sigurimin e njrs nga gjysmperiodat e tensionit t daljes prdoret burimi, kurse
pr realizimin e gjysmperiods tjetr kondensatori q sht i lidhur n seri mes prforcuesit dhe
ngarkess, si tregohet n figurn 3.64.
154
Elektronikaanaloge
MBAJ MEND!!!
shtrembrime, por edhe shkall m t vogl t veprimit t dobishm (rendiment) (deri n 50%).
Prforcuesit
155
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Vler m t madhe t prforcimit t rryms dhe tensionit ka prforcuesi n lidhje me:
a)
emiter t prbashkt
b)
baz t prbashkt
c)
kolektor t prbashkt
2. Tensioni i hyrjes dhe daljes jan t zhvendosur n faz pr 1800 n prforcuesin me lidhje me:
a)
Gejt t prbashkt
b)
Drejn t prbashkt
c)
Burim t prbashkt
156
Elektronikaanaloge
II Pyetje me lidhshmri
5. Lidh madhsin e prforcimit me konfiguracionin e prforcuesit:
1. i vogl
______
2. i madh
______
______
Prforcuesit
1. paralele- e tensionit
___________
2. serike- e tensionit
___________
3. serike- e rryms
___________.
157
a) nuk ka ______
b) 1800
______
8. Kur prforcimi i tensionit sht negative, tensioni i daljes dhe hyrjes jan t zhvendosur n faz
pr ________.
9. Dallimi n mes t frekuencs kufitare t siprme dhe t poshtme quhet ________________ dhe
shnohet me ___________.
10. Frekuencn n t ciln prforcimi bie pr 3dB n raport me prforcimin n frekuenca t mesme
quhet ____________________________________________.
158
Elektronikaanaloge
13. Nse fazat e sinjalit t hyrjes dhe e sinjalit t kthyer prputhen, lidhja e kundrt sht
_________________ , kurse nse dallohen pr 1800 ather lidhja e kundrt sht
__________________.
Qarqeteintegruara159
QARQET E INTEGRUARA
Qarqeteintegruara161
162Elektronikaanaloge
TTL - familja sht e njohur si seria 74, t cilat prfaqsojn dy shifrat e para n shnimin e tyre,
me ka vijn dy ose tre numra. Karakteristika themelore e saj sht t punoj n tension t
ushqimit (furnizimit) prej 5V. Seria e par mban shenjn 74xx, por ajo shpejt mbetet e vjetruar dhe
sht zvendsuar me familjen tjetr TTL - me dy shkronja t shtuara LS, kshtu q fitojm qark
me shenjn 74LSxx. Me shkronjat LS shnohen qarqet Shotki me fuqi t vogl, q karakterizohen
me shpejtsi t madhe t vendosjes s skajit prpara dhe t fundit t sinjalit. Kshtu, pr shembull,
qarku origjinal 7432 gjendet si 74LS32.
Seria e par e qarqeve CMOS mban shenjn 40xx dhe ajo punon me tension t ushqimit prej 3
deri n 15V. Nga seria 74 me HC shnohen qarqet CMOS me shpejtsi t lart dhe me HCT qarku
CMOS i cili punon me nivele-TTL normale. Seria e qarkut 74 CMOS ka shpejtsi m t madhe nga
seria 40xx, kurse dalja e tyre mund t jap rrym edhe deri n 25mA, e cila, pr shembull, sht e
mjaftueshme pr t aktivizuar nj LED. Megjithat, qarqet 74HC mund t punojn me tension t
ushqimit vetm prej 2 deri n 6V. Qarqet 74HC dhe 74HCT kan shprndarje t barabart t
gjilprave (kontakteve) si qarku nga seria 74LS.
Nj nga karakteristikat e qarqeve t integruara CMOS sht mundsia e dmtimit t tyre me
veprimin e elektricitetit statik. Kur jemi n lvizje, trupi dhe rrobat tona vazhdimisht ngarkohen me
elektricitet statike. Intensiteti i rryms s shkarkimit t ktij elektriciteti nuk sht aq i madh q t
nxis dmtimin, por tensioni mund t arrij edhe deri n disa qindra volt.
Kur komandojm me komponete normale, si jan rezistencat dhe transistort bipolar, mundsia
sht shum e vogl q ata t dmtohen me kt tension. Por, qarqet CMOS jan t ndrtuar me
FET t cilt u nnshtrohen dmtimeve nga tensione t tilla. Pr kt arsye, kur komandohet nj
qark CMOS, paraprakisht duhet t shkarkohet elektriciteti statik, kshtu q me dor t preket
ndonj objekt metalik i tokzuar.
Kur bhet fjal pr qarqe t integruara t shtrenjta, rekomandohet q n dor t mbahen shirita pr
tokzim. Ata kan rezistenc t madhe e cila e kufizon rrymn e shkarkimit dhe mundson q
tensionet e larta statike t sigurta t largohen nga trupi n tokzim.
Numr i madh i qarqeve t integruara, t cilt nuk u takojn ktyre dy serive, si jan mikrokontrolluesit, mikroprocesort dhe qarqe t ndryshme interface, jan t renditur n dy ose tre
nnkategori. N kategorin e qarqe t integruara lineare prfshihen qarqe t ndryshme audio,
video-qarqe, qarqe radio dhe t komunikacionit, tajmer, oshilator dhe numr i madh i pajisjeve
me destinacion t veant.
Qarqeteintegruara163
filmit t holl. Kjo sht nj teknik e vendosjes s materialit prues n substrat qeramike, n t
ciln sht e vendosur maska me vrima n ato vende ku duhet t jen lidhjet, ose elementet
pasive. Materiali prues gjendet n gjendjen e metalit t vluar dhe vendoset n shtpiz t nxeht
pr depozitimin. Trashsia e filmit t depozituar sillet rreth 1 Pm.
Elementet aktive prpunohen n teknikn planare difuzive ose epitaksiale dhe inkorporohen n
pllakn e qeramiks tashm t prgatitur. N fund, e gjith kjo mbyllet n nj shtpiz plastike ose
qeramike.
Qarqet e integruara hibride kan karakteristika m t mira nga qarqet elektronike prkatse me
elemente diskrete. Dendsia e paketimit t elementeve sillet mes 30 dhe 100 elemente pr 1cm2
dhe zakonisht prdoren si stade dalse me fuqi dalse m t madhe.
KONTROLLO NSE DIN
1.
2.
3.
4.
5.
164Elektronikaanaloge
silicit jan dyoksid germaniumi dhe dyoksid silici. Ata pastrohen deri n at shkall q n 1010
atome germaniumi ose silici kemi vetm nj atom t primess (papastrtis).
Procedura e pastrimit realizohet me gjysmprues t shkrir q gradualisht ftohet, kurse
papastrtit mblidhen n pjesn e tretur-shkrir. N kt mnyr, n materialin e ftohur prqindja e
primesave mbetet shum e vogl. Monokristalet formohen me procedurn e nxjerrjes. N pajisjen
pr nxjerrje, gjysmpruesi i pastruar prsri shkrihet n ambient t mbushur me gaz inert, me
copz t kristalit preket siprfaqja e mass s shkrir dhe ngadal rrotullohet dhe trhiqet lart dhe
kshtu rritet monokristali i gjysmpruesit n form cilindri.
N procesin e krijimit t qarqeve t integruara, cilindrat e monokristalit prehen n disqe t holla me
prerje trthore prej rreth 50-70 mm dhe trashsi prej 250 deri 400 Pm. N siprfaqen e diskut
formohet rrjet nga kuadrate me dimensione 2x2 mm (figura 4.1).
Qarqeteintegruara165
4.3.2. Fotolitografia
T akomodohen miliona transistor n hapsir t vogl, mes veti t lidhen n qark
kompleks, pr t funksionuar si ip memorie ose mikroprocesor, sht i nevojshm proces
special, i quajtur fotolitografi.
Struktura e qarkut t integruar sht e prbr nga m shum shtresa, do shtres vendoset n
vend t caktuar me hap t veant n procesin e prodhimit t qarkut. Shprndarja e ktyre
shtresave prcaktohet me t ashtuquajturat maska. Maska sht analoge me negativin fotografik
dhe prmban pamjen e shprndarjes s fushave pr aplikimin e shtresave. Ajo zakonisht bhet n
pllak qelqi, dhe pastaj zvoglohet n siprfaqen prej 2x2mm dhe prsritet q t fitohet e njjta
shprndarje si n figurn 4.1.
Procesi fotolitografik sht shum i ngjashm me procesin e prpunimit t fotografive bardh e zi.
Nj shembull i masks tipike pr formimin e nj shtrese sht paraqitur n figurn 4.3.
166Elektronikaanaloge
Foto-rezistenti sht polimer organik, i cili mund t jet pozitiv ose negativ. Me foto-rezistentin
negativ zonat e ekspozuara n drit bhen t polimerizuara dhe t forta. Pas zhvillimit, kto zona
mbetet n siprfaqen e diskut, kurse pjest e pa ekspozuara largohen. Me kt procedur, n disk
fitohet shprndarje e kundrt nga ajo e masks. Fotorezisti pozitiv reagon n mnyr t kundrt.
Ekspozimin i fotorzistit n drit mund t bhet prmes masks s vendosur direkt n kontakt me
diskun, ose maska t vendoset n largsi n nj distanc, me ka mbrohet nga grvishtjet. N
kohn
sotme
zbatohet
ekspozimi
me
par
largohen
pjest
nga
Qarqeteintegruara167
4.3.3. Difuzioni
Procesi i difuzionit paraqet procesin e futjes s primesave- papastrtive n siprfaqen e
diskut. Disku nxehet n temperatur t lart, 8000C pr germaniumit dhe 12000C pr silicin, kurse
primesat n gjendje t lngt ose n form t avullit, sillen n siprfaqen e diskut. Prmes rrugs
s difuzionit, atomet e primesave deprtojn n shtresn siprfaqsore prmes hapjeve t
prgatitura n disk dhe formojn kalim-PN. Thellsia n t ciln prhapen primesat definohet me
temperaturn dhe kohn pr t ciln disku sht i ln n furrn pr difuzionit. Me prsritje t
procesit disa her fitohet struktura gjysmpruese shum-shtresore. Difuzioni prmes shtress
okside nuk sht i mundshm.
Paraqitja skematike e difuzionit sht treguar n figurn 4.5. Pas prfundimit t difuzionit, n
bazn e llojit-p formohet zon e llojit-n. Pas ktij difuzioni t par, pason i dyti, i treti pr fitimin e
qarkut t integruar kompleks.
168Elektronikaanaloge
treten, kurse silici me primesat e llojit p ose t llojit n depozitohet n siprfaqen e diskut. Shtresa e
depozituar e silicit ka struktur kristalore t njjt si baza dhe me t paraqet monokristal unik. Me
kt procedur mundet saktsisht t kontrollohet trashsia dhe prbrja e shtress epitaksiale
(figura 4.6).
Figura 4.6: Prerja trthore e diskut pas prfundimit t procedurs s rritjes epitaksiale
Lidhjet mes elementeve t qarkut t integruar jan br duke aplikuar nj plast-film t holl nga
materiali prues. Procedura e vendosjes quhet depozitim dhe realizohet n dhom me vakum t
lart. N dhom futet alumin, i nxehur deri n avullim, s bashku me gaz inert dhe me rrjedhjen e
gazit alumini shprndahet npr disk dhe depozitohet n hapje t prgatitura n siprfaqen e
diskut, duke krijuar lidhje t prueshme mes elementeve.
N mnyr t ngjashme bhen edhe
Qarqeteintegruara169
qarqe me shkall t ult t integrimit (SSI), n kt grup bien qarqet me deri n 100
qarqet me nj shkall t lart t integrimit (LSI) nga 3000 deri n 100.000 komponente
qarqe me shkall shum t lart t integrimit (VLSI) ipe me memorie RAM prej 1 Mbit
170Elektronikaanaloge
NE 555, timer-i dhe multivibrator-i, prforcuesi operacional UA741, seria logjike TTL 7400,
Seria CMOS 4000 (ktu bjn pjes edhe seria 74HC00), mikroprocesori i par INTEL 4004,
paraardhsi i 8080CPU e tjer, mikroprocesori n teknologjin MOS 6502 dhe 380,
mikroprocesort motorola seria 6800, paraardhsit e 68000 dhe 88000. Pr rndsin e
qarqeve t integruara mund t shrbej informacioni se kompjuteri i par i ndrtuar me 18000
gypa elektronik vakumi, i njohur me emrin ENIAC, kishte pesh prej 30 tonsh dhe konsum prej
200KW.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
MBAJ MEND!!!
Qarqet e integruar prmbajn nj numr t madh t elementeve elektronike t cilat n
mes veti jan t lidhura dhe t vendosura n nj shtpiz t prbashkt dhe kryejn
funksion t veant.
Qarqet e integruara, sipasfunksioneve t tyre, mund t ndahet n: analoge dhe
digjitale.
Qarqet e integruara, nbaz t prbrjes, mund t ndahet n: hibride dhe monolite.
Qarqet e integruara hibrideprpunohen me elemente mikro-elektronike aktive dhe
pasive.
Operacionet themelore gjat ndrtimit t qarqeve t integruara monolite jan:
prgatitja dhe oksidimi i bazs, fotolitografia, difuzioni, ritja epitaksiale dhe
operacionet prfundimtare.
Qarqeteintegruara171
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
Qarqet CMOS
b)
Qarqet TTL
c)
Qarqet RTL.
II Pyetje me lidhshmri
2. Lidh shnimet me llojet e familjeve t qarqeve logjike:
1. RTL
_____
2. DTL
_____
3. TTL
c) Logjik me transistor-transistor
_____
4. ECL
d) Logjik me diod-transistor
_____
5. IIL
e) Logjik i integruar-injektim
_____
6. MOS
f) Logjik transistor-rezistiv
_____
7. CMOS
______
______
b) m tepr se 10
______
d) deri n100.
______.
172Elektronikaanaloge
Prforcuesit operacional
173
PRFORCUESIT OPERACIONAL
Duke studiuar prmbajtjen e ksaj teme do t fitosh njohuri baz pr
prforcuesit operacional dhe do t mund:
prforcuesve operacional;
Prforcuesit operacional
175
5. PRFORCUESIT OPERACIONAL
Prforcuesi operacional sht njri nga elementet kryesore q mund t plotsoj numr
t madh t krkesave pr ndrtimin e sistemeve elektronike analoge. N kombinim me elemente
t ndryshme t jashtme, prforcuesi operacional mund t kryejn numr t madh t funksioneve
analoge, t tilla si prforcimi, mbledhja, integrimi, diferencimi dhe t tjera. Prdorimi i gjer i
prforcuesit operacional mundsohet me integrimin e tij n nj ip.
Prforcuesi operacional sht nj prforcues tensioni me shum stade me lidhje t
drejt-direkte, me hyrje diferenciale dhe me prforcim shumt madh.
Simboli elektrik i tij sht dhn n figurn 5.1, kurse skema ekuivalente n figurn 5.2.
Skema ekuivalente sht e prbr nga nj prforcues tensioni ideal dhe vlera t fundit t
rezistencs s hyrjes dhe daljes s prforcuesit.
Hyrjet e prforcuesit opracional jan dy lidhje t shnuara me "+", si hyrje jo-konvertues, dhe me
"-",
si hyrje invertuese dhe tensioni i daljes Udal sht n raport t drejt me diferencn e
U dal
AU U 1 U 2
AU U U , .........................................................................................(5.1)
176Elektronikaanaloge
Prforcuesit operacional
177
178Elektronikaanaloge
Pr llogaritjen e prforcimit t tensionit t qarkut, jan t nevojshme dy supozime:
1. Rezistenca e hyrjes e prforcuesit operacional sht e pafundme dhe asnj lloj rryme nuk
rrjedh n hyrjet e tij.
2. Prforcimi i prforcuesit operacional sht i pafund dhe me lidhjen e kundrt tensionet U+
dhe U- bhen t barabart.
Kto supozime do t prdoren n zgjidhjen e t gjitha problemeve n t cilat zbatohet prforcues
operacional ideal.
KONTROLLO NSE DIN
1. Defino prforcuesin operacional.
2. Cila hyrje quhet invertuese dhe cila joinvertuese?
3. Cilat karakteristika i ka prforcuesi operacional ideal?
Ainv
U dal
.
U hyr
Prforcuesit operacional
179
Duke zvendsuar prforcuesin operacional me skemn e tij ekuivalente, fitohet konfiguracion si
n figurn 5.6.b. Qarku analizohet duke supozuar nj vler prfundimtare t prforcimit AU t
prforcuesit operacional, dhe pastaj rezultati shprehet pr vlern e pafundme t AU (AUo v).
Pr rrymn e lidhjes s kundrt t rezistencs R2 mund t shkruhet ekuacioni:
I R2
U dal U hyr
R1 R2
, ....................................................................................................................(5.2)
U
U hyr R1 I R 2 . ..................................................................................................................(5.3)
U
U hyr R1
U dal U hyr
R1 R2
.....................................................................................................(5.4)
U+=0 dhe Udal=-AUU-, ose U-=-Udal/AU dhe me zvendsimin e ksaj shprehje n 5.4. fitojm:
U dal
U dal U hyr
AU U hyr R1
R1 R2
. ...........................................................................................(5.5)
Ainv
U dal
U hyr
R1
R1 R2
. ...................................................................................................(5.6)
R1
1
Au R1 R2
1
Ainv
R2
. ..............................................................................................................................(5.7)
R1
180Elektronikaanaloge
Duke zvendsuar rezultatin
U dal
U hzr
R2
R1
invertues U- (3.134) fitohet rezultat interesant: U-=0. Tensioni i hyrjes invertuese, n kto kushte,
mbetet i barabart me tensionin e hyrjes joinvertuese, n kt rast zero. N kt mnyr, n
skajet e hyrjes t prforcuesit operacional sikur ekziston lidhje e shkurt e quajtur lidhje e
shkurtr virtuale.
Tash leht mund t prcaktohet rezistenca hyrse Rhyr e qarkut, si rezistenc e shikuar kah qarku
n vendin e tensionit t hyrjes Uhyr:
U
U
U hyr
R1
U dal , .................................................................................................(5.8)
R1 R2
Prforcuesit operacional
Anoninv
U dal
U hyr
1
181
R2
. ...............................................................................................................(5.9)
R1
Edhe ktu prforcimi i tensionit Anoninv prcaktohet nga raporti i vlerave t rezistencave t qarkut,
eliminohen ndryshimet e rezistencave nga ndryshimi i temperaturs s ambientit, e me kt edhe i
prforcimit. Vlera minimale e prforcimit sht 1, q fitohet kur R2=0, pr dallim nga prforcuesi
invertues, i cili mund t ket prforcim edhe m t vogl se 1, e cila nuk praktikohet shpesh.
182Elektronikaanaloge
Me prforcuesin operacional ekzekutohen nj numr i madh i funksioneve analoge, si
zhvendosje fazore.
Prforcuesit operacional
IA
U1 A
,
R1 A
IB
U1B
R1B
I R2
183
U dal
. ..............................................................................(5.10)
R2
I A IB
I R2 , ......(5.11)
U 1 A U 1B
R1 A R1B
U dal
,
R2
dhe m tej:
U dal
R
2 U 1 A 2 U 1B . .(5.12)
R1B
R1 A
U
R3
U1 A . ......(5.13)
R1 A R3
184Elektronikaanaloge
Rryma n lidhjen e bashkuar rrjedh prmes rezistencave R1B dhe R2 dhe ajo sht:
I R2
U 1B U
R1 B
U U dal ....(5.14)
.
R2
R2
R1 B
R R R2
U 1B 3 1B
U 1 A .
R 2 R1 A R 3
.....(5.15)
R1 A . ........(5.16)
R3
R2
U 1 B U 1 A . ......(5.17)
R1 B
U dal
I hyr R2 . ..........................................................................................................................(5.18)
Pr kt qark nuk mund t definohet "prforcim tensioni" ose "prforcim rryme", sepse n hyrje
kemi rrym, kurse n dalje tension. Parametri me t cilin prshkruhet sa do t ndryshoj tensioni i
Prforcuesit operacional
185
daljes me ndryshimin e rryms s hyrjes do t mund t definohet si rezistenc transferuese
(bartse), me ka "transferimi" do t thot se tensioni dhe rryma nuk maten n t njjtin vend. Nj
shembull praktik i zbatimit t ktij prforcuesi sht n matsin elektronik t ndriimit. Fotodioda e
lidhur n hyrje t konvertuesit t rryms n tension (figura 5.12) jep rrym proporcionale me
intensitetin e drits q bie n objektivin e saj. Kjo rrym me konvertuesin shndrrohet n tension,
proporcional me dritn e rn, e cila matet me instrument adekuat.
I dal
U hyr
R1
. ............................................................................................................................(5.19)
Rryma e daljes sht proporcionale me tensionin e hyrjes dhe nuk varet nga vlera e rezistencs
R2, e cila ktu e ka rolin e ngarkess.
186Elektronikaanaloge
arctg
AIM
.........................................................................................................................(5.20)
ARE
ku:
AIM -sht pjesa imagjinare e prforcimit,
ARE -sht pjesa reale e prforcimit.
Skema e zhvendossit t fazs sht treguar n figurn 5.14.
5.3.9. Integratori
N qarkun e kontrollit automatik sht e nevojshme q t realizohet funksioni i integrimit t nj
tension alternativ.
Me termin integrim nnkuptohet ndryshimi i forms s tensionit t daljes n raport me tensionin e
hyrjes n baz t operacionit matematikor integralit.
Skema e qarkut t thjesht pr integrim sht paraqitur n figurn 5.15.
Prforcuesit operacional
187
Tensionet dhe rrymat jan shnuar si funksione t kohs t, me qllim q t potencohet se ata jan
t ndryshueshme n koh. Tensioni i daljes udal(t) sht i barabart me tensionin n skajet e
kondensatorit C, por me shenj t kundrt, shikuar n raport me rrymn e cila rrjedh npr
kondensator. Me rrjedhjen e rryms npr kondensator, ndryshohet ngarkimi elektrik i
kondensatorit, dhe me t ndryshohet edhe tensioni n skajet e tij.
N figurn 5.16 jan dhn disa shembuj q tregojn se si ndryshon tensioni i daljes t
integruesit pr tensione t ndryshme t hyrjes.
188Elektronikaanaloge
Nse n hyrje t integruesit lidhet tension sinusoidal si n figurn 5.16a, n dalje do t fitohet e
njjta form valore si edhe tensioni i hyrjes vetm se sht i zhvendosur n faz.
N figurn 5.16b sht treguar nj shembull kur tensioni i hyrjes ka form shkall. Derisa tensioni i
hyrjes sht zero edhe tensioni i daljes sht zero. Kur do t vij n krcimin t tensionit t hyrjes,
tensioni i daljes nuk do t ndryshoj menjher.
N figurn 5.16c dhe 5.16d sht dhn shembull kur tensioni i hyrjes ka form t vals
knddrejt, pr dy konstantat kohore t ndryshme t integralit W n raport me periodn e tensionit
knddrejt W > T (figura 5.16c), dhe W < T (figura 5.16d).
Me prodhimin W = RC definohet konstanta kohore e integralit e cila e prcakton faktorin e
proporcioanlitetit t integruesit.
Diferenciatori
Skema e diferenciatorit (bllokut diferencial) sht dhn n figurn 5.17. Tensioni i hyrjes sht i
lidhur n mes t hyrjes invertuese t prforcuesit operacional dhe mass prmes kondensatorit C.
N degn e lidhjes s kundrt sht lidhur rezistenca R. Pr shkak t ekzistencs t lidhjes s
shkurtr virtuale (U+=U-, i(t)=0) n hyrjen e prforcuesit operacional, rryma e cila rrjedh npr
kondensatorin C, do t jet e njjt me rrymn npr rezistorin R.
Prforcuesit operacional
189
zero. N figurat 5.18c dhe 5.18d, jan dhn shembuj kur tensioni i hyrjes ka form valore
knddrejt. N qoft se konstanta kohore e diferenciatorit sht m e madhe se perioda e
tensionit knddrejt W > T(figura 5.18c), n dalje do t paraqiten shkall t tensionit t cilat me
kalimin e kohs bien gradualisht, por jo n vlern zero. N qoft se konstanta kohore W < T (figura
5.18d), n dalje do t paraqiten maja t holla n momentin kur tensioni i hyrjes ndryshon shpejt
dhe ata bien n vlern zero. Qarku sht diferencues i mir nse ka konstant kohore t vogl n
krahasim me kohn e ndryshimit t tensionit t hyrjes. (figura 5.18d).
190Elektronikaanaloge
Tensioni i hyrjes sht i lidhur n mes t hyrjes invertuese dhe masa prmes rezistencs R. Me
diodn D, e cila sht e lidhur n mes daljes dhe hyrjes invertuese, sht krijuar lidhje e kundrt
negative tek prforcuesi operacional.
Nga kushti pr lidhje t shkurtr virtuale n hyrje t prforcuesit operacional (U+=U-, i(t)=0), rrymat
npr rezistencn R dhe prmes diods D jan t barabarta.
Rryma npr rezistencn R sht dhn nga ekuacioni:
i (t )
u hyr t
R
...........................................................................................................................(5.21)
i (t )
udU(t )
I S e T 1 ; ...............................................................................................................(5.22)
ud (t ) U T ln
i (t )
. ...................................................................................................................(5.23)
IS
Pr shkak t lidhjes s shkurtr virtuale, tensioni i daljes udal(t) sht i barabart me tensionin e
diods D, por me shenj t kundrt:
u dal (t ) u d (t ) . ......................................................................................................................(5.24)
Duke zvendsuar ekuacionet (5.25) dhe (5.23) n ekuacionin (5.26) fitohet:
u dal (t ) U T ln
u hyr (t )
RI S
. ..........................................................................................................(5.25)
Prforcuesit operacional
191
i (t )
ud ( t )
udU ( t )
T
1 | I S e U T . ...............................................................................................(5.26)
IS e
192Elektronikaanaloge
u hyr (t ) u d (t ) . .......................................................................................................................(5.27)
Gjithashtu, rryma e cila rrjedh npr diodn D rrjedh edhe npr rezistencn R. Tensioni i daljes
sht i barabart me rnien e tensionit n rezistencn R por me shenj t kundrt:
u dal (t )
Ri (t ) . ....................................................................................................................(5.28)
Tensioni i daljes eksponencialisht varet nga tensioni i hyrjes kshtu q ky qark duhet edhe
prforcues eksponencial.
Tensioni i daljes nga prforcuesi eksponencial sht i varur nga temperatura prmes parametrave
IS dhe UT. Pr t eliminuar kt varsi, prdoret skema e prforcuesit operacional e realizuar me
transistor bipolar si n figurn 5.20.
Prforcuesit operacional
193
7. Cili prforcues operacional prdoret n teknikn e matjeve gjat bartjes s sinjalit t matur n
largsi?
8. Paraqite varsin e tensionit t daljes nga tensioni i hyrjes tek prforcuesi eksponencial.
9. Cili prforcues operacional prdoret n qarqet pr prpunimin e sinjaleve?
10. T vizatohet skema e integratorit dhe t prshkruhet principi i puns.
11. Cila sht mangsia e prforcuesit logaritmik dhe eksponencial dhe si eliminohet?
MBAJ MEND!!!
tensioneve t hyrjes.
kondensator.
Tek prforcuesit operacional tensioni i daljes varet n mnyr eksponenciale nga tensioni i
hyrjes. .
194Elektronikaanaloge
2) Karakteristika kalimtare nuk sht plotsisht lineare (nuk sht drejtz), dhe si pasoj e ksaj
Prforcuesit operacional
195
Prfaqson koeficient t ndryshimit t ofsetit t rryms s hyrjes dhe ndryshimit t temperaturs.
Pr prforcuesin operacional A 741 ai sht 0,1 nA/0C.
9) Mosprshtatja e tensioni t hyrjes- ofset i tensionit (input offset voltage)
Definohet si tension diferencial q duhet t lidhet mes dy hyrjeve (pr hyrje simetrike), ose n mes
t hyrjeve dhe mass (pr hyrje asimetrike), t prforcuesit operacional ashtu q tensioni i daljes
t pranoj vler zero. Quhet edhe trheqje e tensionit t hyrjes kurse varet edhe nga temperatura.
Zakonisht, tek strukturat bipolare sillet nga 0,1 deri n 2nV, ndrsa te qarqet-MOS nga 1 deri n
20mV.
10) Shtypja e ndryshimit t tensionit t ushqimit
(PSRR- power supply rejection ratio)
Pr shkak t varsis s parametrave t elementeve aktiv nga tensioni i ushqimit, sidomos nse
ndryshohet tensioni i vetm njrit prej burimeve, gjat ndryshimit t tensionit t ushqimit do t
ndryshohet edhe tensioni i daljes. Pr t kompensuar kt ndryshim t tensionit t daljes,
zakonisht sht e nevojshme t bhet ndryshimi i duhur i tensionit t hyrjes. Marrdhnia n mes
t ndryshimit t njrit prej burimeve t ushqimit dhe ndryshimit prkats t tensionit t hyrjes q
tensioni i daljes t mos ndryshohet quhet faktori i shtypjen i ndryshimit t tensionit t ushqimit.
Vler tipike sht 20V/V.
11) Shpejtsia e ndryshimit t tensionit t daljes (Slew rate)
Pr shkak t ekzistencs s kapaciteteve parazitare n elementet aktive dhe lidhjet n qark,
tensioni i daljes nuk sht n gjendje pr momentin t ndjek ndryshimet e tensionit t hyrjes.
Shkalla e rritjes s tensionit t daljes (slew rate) definohet si raport i ndryshimit t tensionit daljes
n kohn njsi gjat eksitimit t hyrjes me impuls drejtkndor. Vlera tipike sht nga 1V/s deri n
15V/s. Nse prforcuesi ka nj shpejtsi t vogl t ndryshimit t tensionit t daljes leht mundet
impulset drejtkndore t hyrjes, n dalje t paraqiten me form trapezi, kurse sinjali sinusoidal i
frekuencave t larat t shtrembrohet dhe n dalje t fitoj form t prafrt trekndshi.
12) Kompensimi i mosprshtatjes s prforcuesit operacional
Kompensimi i mosprshtatjes n hyrje (prputhje n "zero") m leht bhet nse prforcuesi
operacional, me vet konstruksionin, ka t parapar mundsin pr operacion t till. Pr
shembull, prforcuesi operacional i llojit 741 ka t ndrtuar mundsin pr prshtatje me zero. N
t jan t ndrtuar lidhje pr kompensim. sht e parapar q mes ktyre lidhjeve t vendoset
potenciometr, me ka treguesi-shigjeta i tij lidhet me masn. Duke rregulluar pozicionin e
treguesit mund t realizohet q tensioni i daljes t ket vlern zero kur n hyrje nuk ka sinjal.
Nse prforcuesi operacional nuk ka t ndrtuar mundsi pr prshtatje n zero ajo mund t
arrihet me lidhjen e elementeve t veanta pr kt qllim. Gjat ksaj sht e nevojshme t
sigurohet burim plotsues pr krijimin e tensionit, gjegjsisht rryms, pr kompensim.
196Elektronikaanaloge
14) Tensioni i hyrjes s zhurms dhe rryma e zhurms (Input noise voltage, Input noise
current)
Ato jan vlerat efektive t burimeve t tensionit dhe rryms s zhurms t prforcuesit, me ka
kufizohet niveli m i vogl i tensionit t hyrjes q mund t prforcohet. Vlera tipike pr
tensionin e zhurms sht ,
minimal dhe
Prforcuesit operacional
197
198Elektronikaanaloge
MBAJ MEND!!!
Rezistenca e hyrjes tek prforcuesit operacional real zakonisht sillet mes 100K: dhe 1M:.
Ofseti i rryms definohet si ndryshim i rrymave t hyrjes t polarizimit me kusht tensioni i
daljes t jet zero.
Drejf i ofsetit t rryms s hyrjes paraqet hers t ndryshimit t ofsetit t rryms s hyrjes
dhe ndryshimit t temperaturs.
Mosprshtatja e tensionit n hyrje definohet si tension diferencial i cili duhet t lidhet mes
dy hyrjeve (pr hyrjen simetrike), ose mes hyrjeve dhe mass (pr hyrje asimetrike), t
prforcuesit operacional q tensioni i daljes t pranoj vler zero.
Raporti mes ndryshimit t njrit prej burimeve t ushqimit dhe ndryshimit prkats t
tensionit t hyrjes q tensioni i daljes t mos ndryshoj quhet faktor i shtypjes i ndryshimit
t tensionit t ushqimit.
Shpejtsia e rritjes s tensionit t daljes (slew rate) definohet si raport i ndryshimit t
tensionit t daljes n kohn njsi gjat eksitimit t hyrjes me impuls knddrejt.
Blloqet themelore nga t cilt sht ndrtuar nj prforcuesi operacional jan:
Prforcuesi diferencial n hyrje, prforcuesi i tensionit dhe prforcuesi i fuqis n dalje.
KONTROLLO NSE DIN
1. Defino parametrat fizik t prforcuesit real,
2. Cilat jan blloqet themelore nga t cilat sht ndrtuar nj prforcues operacional real?
3. Analizo skemn elektrike t prforcuesit operacional real (PA741).
4. N ciln klas punon ifti komplementar i transistorve T5 dhe T6 n skemn e thjeshtuar
t prforcuesit operacional 741?
5. Cili sht roli i kondensatorit C n skemn e thjeshtuar t prforcuesit operacional 741?
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Parametra t prforcuesit operacional me vler pafundsisht t madhe jan:
a) prforcimi i tensionit
b) rezistenca e daljes
c) rezistenca e hyrjes.
Prforcuesit operacional
199
II pyetje me lidhshmri
6. Lidh skemat e prforcuesve operacional me llojet e prforcuesve operacional:
___________
___________
___________.
200Elektronikaanaloge
7. Lidh renditjen e stadeve n prforcuesin operacional real:
1. Stadi I
a) Prforcues tensioni
___________
2. Stadi II
b) Prforcues diferencial
___________
3. Stadi III
c) Prforcues fuqie
___________.
operacional________________________.
12. ______________ sht nj numr i cili tregon se sa her prforcimi i tensionit diferencial t
hyrjes sht m i madh se prforcimi i tensionit t hyrjes n-faz.
13. Prforcuesi ________________________ prdoret n qarqet pr prpunimin e sinjaleve.
SHTOJCA
202Elektronikaanaloge
Burimettensionittvazhduar203
BURIME T TENSIONIT T
VAZHDUAR-DC
Duke studiuar prmbajtjet e ksaj teme do t fitosh njohuri baz pr
burimet e ushqimit (furnizimit) dhe do t mund:
Burimettensionittvazhduar205
Pr funksionimin e pajisjeve elektronike jan t nevojshme tensione t vazhduara t
ushqimit. Tensionet e vazhduara fitohen nga pajisje t quajtura burime t ushqimit
(furnizimit). Dallojm tre lloje t burimeve t ushqimit, t cilt jan n prdorim masiv n t
gjitha pajisjet elektronike:
a) bateri dhe akumulator;
b) pajisje t ushqimit nga rrjeta e tensionit alternativ me transformator rrjete;
c) pajisje me sisteme komutimi t ushqimit;
d) pajisje pr dyfishim ose shumfishim t tensionit.
Furnizimi nga baterit apo akumulatort prdoret kryesisht pr pajisjet portative dhe pr
pajisjet pr t cilat nuk lejohet asnj lloj ndrprerje e furnizimit.
Pajisjet me sistem komutimi t ushqimit (SMPS - Switch Mode Power Supply) zbatohen pr
furnizimin e aparateve t ndryshme duke filluar diku nga mesi i shekullit t kaluar dhe me
kalimin e kohs gjejn zbatim gjithnj e m t gjer.
206Elektronikaanaloge
Transformatori ka edhe nj detyr, e ajo sht t bj ndarjen galvanike mes pajisjes q furnizohet
dhe rrjetit. Tensioni sekondar sht alternativ dhe ai me bllokun e drejtimit drejtohet dhe bhet i
vazhduar. Kshtu tensioni i vazhduar i marr nuk mundet menjher t prdoret si tension pr
furnizim, ai paraprakisht duhet t filtrohet me qark filtrues. Ky tension quhet tension i pa stabilizuar
i furnizimit. Shum pajisje elektronike krkojn q tensioni i furnizimit t ket vler konstante dhe
pr kt qllim prdoret qark pr stabilizim.
Burimettensionittvazhduar207
I MES
Im
0.32 I m , ................................................................................................................(6.1)
U VAZH
Um
; .......................................................................................................................... ..(6.2)
208Elektronikaanaloge
I mes
2I m
0,64 I m . .....................................................................................................................(6.3)
Kjo rrym sht dy her m e madhe se rryma mesatare e drejtuesit gjysmvalor, q do t thot
se ka edhe koeficient valor m t mir, i cili sht 0,48.
Kto karakteristika tregojn se drejtuesi i vals s plot sht shum m i mir nga ai gjysmvalor,
me at dallim q prdor sekondar di m t shtrenjt me burim t mesm. Por, prsri,
transformatori nuk ka "rrjedhje-t kot", n sekondarin e transformatorit rrjedh rryma n t dy
gjysmperiodat edhe at n kahe t kundrta, me ka brthama e transformatorit magnetizohet
me njrn dhe magnetizohet n drejtimin e kundrt me rrymn e kundrt gjat secils period t
tensionit. N kt mnyr zvoglohen humbjet n hekurin dhe pr fuqi t njjt ky transformator ka
dimensione m t vogla dhe pesh n krahasim me transformatorin e drejtuesit gjysmmalor.
Burimettensionittvazhduar209
Varianti i dyt i drejtuesit t vals s plot me 4 dioda sht treguar n figurn 6.5.
210Elektronikaanaloge
Filtrat pr drejtim realizohen me komponent reaktiv: kondensator dhe bobina. Kto elemente
kan veti t akumulojn energji, dhe pastaj ta kthejn n qark n momentin e caktuar.
Filtri m shpesh i prdorur pr drejtim sht filtri-RC, prfaqsuar me nj kondensator me
kapacitet t madh (kondensator elektrolitik), i lidhur n paralel n rezistencn e ngarkess RL.
Skema elektrike e drejtuesit gjysmmalor me filtr kapacitiv sht treguar n figurn 6.6.
Gjat kohs s gjysmperiods pozitive t tensioni UAB, dioda pron dhe e mbush kondensatorin
n vlern prafrsisht t barabart me Um (intervali 1 n grafikon). Rezistenca R1 sht me vler
relative t vogl dhe ka detyr ta mbroj diodn nga rryma m t mdha t cilat rrjedhin n
momentin e kyjes, sepse n at moment kondensatori sht i zbrazt dhe paraqet lidhje t
shkurtr. N analizn e mtejshme ai nuk do t merret parasysh.
Nga momenti kur kondensatori C sht i ngarkuar deri n vlern e tensioni Um, ai e mban
tensionin e daljes t lart deri n gjysmperiodn tjetr pozitive dhe ciklin e ardhshm t ngarkimit.
Kur tensioni UAB do t bie nn vlern e tensionit t kondensatorit, dioda bhet me polarizim invers
dhe shkyet nga qarku deri n ciklin e ardhshm, ku tensioni UAB prsri do ta tejkaloj tensionin e
kondensatorit. N kt period, rrymn npr ngarkes e jep kondensatori dhe ai, pr shkak t
vlers s fundme t rezistencs s RL, ngadal shkarkohet. Tensioni i kondensatorit ngadal bie
n mes t dy cikleve t ngarkimit (intervali 2 n grafikon). Zbrazja ndodh praktikisht n nj vij t
drejt, ndrsa shpejtsia e zbrazjes sht e prcaktuar me konstantn kohore W:
RLC . .....................................................................................................................................(6.4)
FB
0,0058
. ..........................................................................................................................(6.5)
CRL
Burimettensionittvazhduar211
Pr t marr nj koeficient valor m t madh, sht e nevojshme q t zmadhohet kapaciteti i C.
Por, edhe ktu ekzistojn kufizime, pasi q rritet rryma e ngarkimit t kondensatorit dhe mundsia
e djegies s diods sht m e madhe.
Pr filtrin kapacitiv tek drejtuesit e vals s plot vlen e njjta analiz me at q intervali 2 sht
m i shkurtr dy her dhe koeficienti valor sht m e mir n krahasim me at tek drejtuesi pa
filtr.
MBAJ MEND!!!
Furnizimi i pajisjeve elektronike mund t bhet ngabaterit dhe akumulatort, nga rrjeti i
tensionit alternativ me transformator dhe nga rrjeti me sistem komutimi;
Drejtimi gjysmvalor bhet me nj diod drejtuese;
Drejtimi i vals s plot bhet me dy ose katr dioda drejtuese n lidhjen e Grecit;
Me drejtimin e vals s plot fitohet shfrytzim m i mir i transformatorit dhe koeficient
valor m i vogl;
Me zbatimin e filtrit kapacitiv pr drejtim prmirsohet karakteristika valore, zvoglohet
prania e komponentve alternative t tensionit n dalje t drejtuesit.
212Elektronikaanaloge
U RL
U BUR RN I . .....................................................................................................................(6.6)
I RS I RL .
..........................................................................................................................(6.7)
Burimettensionittvazhduar213
I Z I RL , .............................................................................................................................(6.8)
US
RL I RL , .............................................................................................................................(6.9)
214Elektronikaanaloge
US
U Z U BE , ........................................................................................................................(6.10)
US
Burimettensionittvazhduar215
U RL U ns U CE , .............................................................................................................(6.11)
tensioni i daljes URL mbetet i pandryshuar. Pr tension t madh Uns, veprimi sht i njjt, vetm
me drejtim t kundrt. Transistori serik n kt stabilizues ka kushte m t rnda pune kur nuk ka
ngarkes, kur sht i ekspozuar n tension maksimal dhe n rryma t mdha t ngarkess, kur ka
disipacion t madh. N kt rast zbatohen masa pr ftohje shtes me ndrtimin e ftohsve n
shtpizn e transistorit.
Pr stabilizator me rrym m t madhe t transistorit serik prdoret lidhja e Darlingtonit, si
tregohet n figurn 6.10. Pa lidhjen e ngarkess, rrjedh vetm rryma e diods zener.
Duke lidhur potenciometr paralelisht me diodn zener, si n figurn 6.11, mund t fitohet tension i
stabilizuar me rregullim.
216Elektronikaanaloge
Me ndarsin e tensionit R3 - R4 fitohet e dhna pr madhsin e tensionit t daljes dhe nuk bartet
n bazn e transistorit T2. Emiteri i T2 mbahet n tension fiks dhe t stabilizuar, t fituar me
diodn zener. Si do q t jet, ndryshimi i tensionit t stabilizuar Us shkakton ndryshim t tensionit
U1. Nj ndryshim i till quhet tension i gabimit dhe bartet n hyrjen e transistorit T2, i cili punon si
prforcues i tensionit t vazhduar. Tensioni i gabimit i prforcuar n hyrje t stadit pr rregullim t
stabilitetit vjen n bazn e transistorit serik dhe e ndryshon rrymn e tij, n pajtim me tensionin e
gabimit. Kjo do t thot, nse gabimi sht n drejtimin negativ (zvoglim i tensionit Us)
zvoglohet rryma IC2, zvoglohet rnia e tensionit t rezistencs R1, tensioni n pikn B,
gjegjsisht tensioni i bazs s T1 rritet, e me t edhe rryma e transistorit serik, me ka
kompensohet zvoglimi i tensionit Us. E njjta gj vlen edhe pr gabimin n drejtimin pozitiv, kur
vjen deri te zvoglimi i rryms s transistorit serik dhe kthimin e tensionit t stabilizuar n vlern e
mparshme.
Ky lloj i stabilizatorit quhet stabilizator kompensues i tensionit t vazhduar. N praktik ky
qark jep prmirsim n stabilizimit deri edhe n 10 her m t madh se qarku i mparshm.
Burimettensionittvazhduar217
218Elektronikaanaloge
US
U REF R1 R 2
. .............................................................................................................(6.12)
R1
Nga t dhnat, e cekura n figurn 6.15, shihet se n vet stabilizatorin (n rregullatorin serik t tij)
ekziston rnie e caktuar e tensionit, e caktuar si rnie mes tensionit t hyrjes t pa stabilizuar dhe
tensionit t daljes t stabilizuar. Ekziston nj vler minimale n kt rnie t tensionit, nn t ciln
rregullatori nuk mund t kryej funksionin e stabilizimit dhe t rregullimit.
Vlera e rnies minimale t tensionit varet nga konfiguracioni i rregullatorit serik n
stabilizator, kshtu q sipas saj dallojm:
- stabilizator standard (me transistor n lidhjen e Darlingtonit si rregullator serik) dhe
- stabilizator baterie (me nj transistor-PNP pr rregullator serik).
Pr stabilizatorin standard, rnia minimale e tensionit sht 2,5 V - 3V, q do t thot se pr
stabilizator pr +5V, tensioni i hyrjes duhet t jet m i madh se +8V. Sa m i madh t jet rnia e
tensionit, m e madhe sht disipacioni i brendshm n stabilizator, gj q krkon masa shtes
pr t ftohur trupin e stabilizatorit. Stabilizatori standard sht m i mir pr prdorim me burime
furnizimi t rrjetave.
Stabilizatori i baterive ka nj rnie m t ult t tensionit me nj vler minimale prej 0,7V deri n
0,8V dhe ai varet drejtprdrejt nga rryma e ngarkess. Pr vlera t vogla t rryms mund t arrij
deri n 50mV. Prdoren zakonisht pr mbushjen e baterive.
Burimettensionittvazhduar219
220Elektronikaanaloge
Burimettensionittvazhduar221
Tensioni n dalje sht pak m i madh se tensioni nominal i diods zener dhe mund t
bhet rregullim i sakt i tensionit t daljes me potenciometrin P n kufijt prej 0,5 deri n 1 V.
Kshtu, pr shembull, pr diodn zener me nj tension nominal prej 5,6 V n dalje mund t fitohet
tension prej 6V.
Tensioni n hyrje mund t sillet deri n 30V, me kusht q pr 5V t jet m i madh se ai dals,
kurse rryma maksimale q e jep ky burim i tensionit sht 20 mA.
udal
uhyr 2ua
uhyr 2uhyr
uhyr .
222Elektronikaanaloge
udal
uhyr .
udal
uhyr .
MBAJ MEND!!!
Pajisja pr furnizim (ushqim), e prbr nga transformatori,drejtuesi, filtri dhe stabilizatori
paraqet burim t stabilizuar t ushqimit.
Me ndryshimin e rezistencss ngarkess ndryshohet tensioni i daljes ose rryma e daljes
s drejtuesit.
Stabilizatori i tensionit bhet me diod zener me transistor t lidhur n seri dhe me
stabilizator linear t tensionit.
Stabilizator i rryms sht burim i rryms konstante e cila nuk ndryshohet me ndryshimin
e ngarkess.
KONTROLLO NS DIN
1.
duhet t kufizohet?
2.
prforcues operacional.
Burimettensionittvazhduar223
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. N dalje t stabilizatorit t integruar t tensionit me shenj 7905 fitohet tension i stabilizuar me
vler:
a) 79V
b) 5V
c) 7905V.
2. N dalje t stabilizatorit t integruar t tensionit me shenj 78xx fitohet:
a) tension pozitiv
b) tension negativ
c) tension alternativ.
II Pyetje me lidhshmri
3. Lidh drejtuesin me madhsin e faktorit valor :
1. Drejtues gjysmvalor ______
a) 1,21
b) 0,48
a) Filtr ____
2. Stadi II
b) Drejtues ____
3. Stadi III
a) Zero ___
224Elektronikaanaloge
TIRISTORT
Tiristort227
7.1. Dinistori
Elementi me struktur si n figurn 7.1 sht quajtur dinistor ose diod Shokli. Daljet e saj jan
t shnuara me A-anoda dhe K-katoda.
primesave. Gjersi m t madhe ka shtresa N1, kurse prqendrim m t madh t primesave kan
shtresat n skaje P1 dhe N2.
228Elektronikaanalaoge
7.2. Tiristori
M shtimin edhe t nj dalje, t lidhur n shtresn e mesme-P n strukturn nga figura 7.1,
fitohet elementi tiristor me tre dalje, i njohur si SCR (Silicon Controlled Rectifier- radrizator)drejtues silici i komandueshm ose thjesht tiristor, si haset zakonisht n praktik. Lidhjet e tij jan
t shnuara si A-anoda, K-katoda dhe G Gejt ose porta (figura 7.3). Anoda dhe katoda kan t
njjtin rol si edhe te dinistori, kurse gejti ka rolin e elektrods komanduese pr kyje t tiristorit.
Tiristort229
Rryma e gejtit duhet t ket vler t caktuar dhe kohzgjatje q t mund t ky tiristorin gjat nj
tensioni t caktuar UAK. Me rritjen e rryms t gejtit zvoglohet tensioni i kyjes s tiristorit UBO, e
kjo do t thot se tiristori do t kyet edhe n tension m t vogl se UAK.
Shkyja e tiristorit, ndodh vetm kur rryma e tiristorit do t zvoglohet nn vlern e rryms s
mbajtjes IH. Kjo do t thot q duhet t ndalet qarku i rryms s anods, ose t zvoglohet
tensioni UAK q rryma t bie nn vlern IH.
madh n
karakteristikat e qarqeve hyrse dhe pr kt ata tregohen si n figurn 7.6. Lakoret kufitare u
prgjigjen shembujve me rezistenc minimale dhe maksimale t gejtit pr llojin e dhn t tiristorit.
230Elektronikaanalaoge
MBAJ MEND!!!
Tiristort jan nj grup i elementeve me konfiguracion prej katr ose m tepr kalimeve
gjysmpruese.
Dinistori sht element tiristorsh katrshtresor me tre kalime PN dhe me dy dalje (anod dhe
katod).
Tiristori ose drejtuesi i kontrollueshm i silicit sht element me tre dalje: anod, katod dhe gejt.
Tiristori eksitohet me tension pozitiv n gejt.
Tiristori mund t shkyet nse ndrpritet qarku i anods, ose nse zvoglohet tensioni anodkatod nn vlern e tensionit t kyje s tiristorit.
KONTROLLO NSE DIN
1. Si fitohet struktura e tiristorit?
2. Si shkyet tiristori?
3. Defino gjendjet e bllokimit direkt, prueshmris direkte dhe bllokimit invers t tiristorit.
4. Si eksitohet tiristori?
7.4. Diaku
Me lidhjen paralele t dy dinistorve, t vendosur n drejtime t kundrta, fitohet
njri prej elementeve t familjes s tiristorve, i quajtur diak. Qarku ekuivalent (i
barasvlershm) dhe simboli elektrik i diakut sht dhn n figurn 7.7. I br n nj pllak silici,
diaku paraqet element me struktur pes-shtresore NPNPN.
Tiristort231
Kur sht e lidhur n tension t vazhduar, diaku sillet si dinistor standard, ai do t proj n njrin
drejtim nga skaji pozitiv drejt skajit negativ t tensionit t burimit. Nse ndryshohen skajet e diakut,
ai prsri do t proj, q do t thot se skajet e tij nuk sillen si anod dhe katod. Pasi q diaku
pron n t dy drejtimet skajet e tij shnohen me A1 dhe A2 ose me MT1 dhe MT2.
Si edhe t gjith tiristort, diaku do t filloj t proj kur tensioni i skajeve t tij do t arrij
vlern e tensionit t eksitimit. Sipas ksaj vlere ai dallohet nga diodat standarde, t cilat bhen
pruese n vlern e tensionit prej rreth 0,6V, kurse pr diakun kjo vler sht rreth 30-35V.
Karakteristika rrym-tension e diakut sht dhn n figurn 7.8.
Diaku rrall prdoret i vetm, zakonisht sht i shoqruar me elemente tjera tiristorsh.
7.5. Triaku
Me lidhje e dy tiristorve n paralel, ngjashm me lidhjen e dy dinistorve, fitohet
element i ri i tiristorve, i njohur si triak. Triaku mund t definohet si tiristor dy drejtimesh i cili
pron n t dy drejtimet. Qarku i tij ekuivalent dhe simboli elektrik jan dhn n figurn 7.9.
Triaku pron n t dy drejtimet dhe daljet e triakut jan t shnuara si anoda 1, anoda 2, dhe
gejti. Sinjali komandues i gejtit mund t jet edhe pozitiv edhe negativ n raport me A1. Po ashtu,
edhe tensioni mes A1 dhe A2 mund t jet pozitiv ose negativ.
Edhe triaku sillet n gjendjen e prueshmris nse mundsohet rrjedhja e rryms n gejt.
Rryma e gejtit mund t ket drejtim t njjt ose t kundrt me rrymn kryesore. Rryma kryesore
llogaritet pr pozitive nse rrjedh nga anoda 2 kah anoda 1, kurse negative nse rrjedh nga anoda
1 kah anoda 2.
232Elektronikaanalaoge
Tiristort233
MBAJ MEND!!!
*
*
*
*
*
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjet e sakta)
1. Tiristori sht n gjendjen e shkyur kur gjendet n:
a) Prueshmri direkte
b) Bllokim direkt
c) Bllokim invers.
2. Pr rregullimin e motorve njkahsh t fuqishm n industri prdoret:
a) Tiristori
b) Diaku
c) Triaku.
II Pyetje me lidhshmri
3. Lidh simbolet skematike me elementet:
a)
1. Tiristor
2. Diak
3. Triak
b)
c)
___________
___________
___________.
234Elektronikaanalaoge
III Pyetje me plotsimin
4. Elementet elektronike me konfiguracion prej katr ose m tepr materialeve gjysmpruese, t
renditur ashtu q t krijojn s paku tre kalime PN dhe kan s paku dy dalje quhen
_____________________.
5. Karakteristikat t cilat tregojn varsin e rryms s gejtit nga tensioni mes gejtit dhe katods
UGK jan karakteristika _______________________.
6. Tiristori dydrejtimsh q pron n t dy drejtimet quhet _____________________.
Elementetspecifikeelektronike235
ELEMENTET SPECIFIKE
ELEKTRONIKE
Me studimin e prmbajtjeve t ksaj teme do t fitosh njohuri themelore pr
ndrtimin, karakteristikat dhe zbatimin e llojeve t ndryshme t elementeve
elektronike dhe do t mund:
Elementetspecifikeelektronike237
8.1. Termistort
Termistort paraqesin grup t elementeve me rezistenc (rezistiv) t ndjeshme ndaj
temperaturs, prej nga ajo edhe rrjedh emri i tyre, i prbr nga shkurtesat e fjalve ,,termik
(thermal)" dhe ,,rezistiv "(resistor),,. Ekzistojn dy lloje t termistorve: NTC dhe PTC. NTC
(Negativ Temperatura Coeficient) jan termistor me koeficient temperature negativ, q do t thot
se rezistenca e tyre zvoglohet me rritjen e temperaturs. Prandaj, ato prdoren si sensor t
temperaturs. PTC (Pozitiv Temperatura Coeficient) jan termistor me koeficient temperature
pozitiv, me ka rezistenca e tyre ritet me rritjen e temperaturs. Kjo karakteristik mundson
zbatimin e tyre n qarqe pr rregullimin e rryms elektrike.
Varsia mes rezistencs s termistorit dhe temperaturs ka karakter linear dhe mund t shprehet
si:
'R
k'T ; ..............................................................................................................................(8.1)
ku jan:
R - ndryshimi i rezistencs
T - ndryshimi i temperaturs
k koeficienti i temperaturs s rezistencs.
Simboli elektrik i termistorit sht dhn n figurn 8.1.
238Elektronikaanaloge
Elementetspecifikeelektronike239
Karakteristika e varsis s rezistencs nga temperatura, deri n 1000C sht dhn n figurn 8.3.
240Elektronikaanaloge
n qarkun n t cilin sht i lidhur termistori dhe kshtu e regjistrojn nxehtsin e krijuar nga
rryma elektrike. Termistort kan rezistenc t madhe pr ndryshime t vogla t temperaturs dhe
numri m i madh i tyre jan t br prej oksideve t manganit, kobaltit, nikelit dhe bakrit . Prve
prej ktyre materialeve, pr prodhimin e termistorve prdoret edhe silici dhe germaniumi.
Termistort prdoren pr t mbrojtur qarqet elektronike nga mbingarkesa deri te e cila vjen kur
pajisje e "ftoht" vendoset q t arrihet ngrohje graduale.
Si sensor t temperaturs, ata punojn me saktsi t madhe n nj brez temperature relativisht
t vogl, n krahasim me sensort tjer t temperaturs. Sensort e termistorve hasen n
termometrat digjital, telefoni, automjete, pajisjet TV dhe stereo. Dimensionet e vogla t tyre
mundsojn zbatimin e tyre n shum pajisje tjera pr kontrollin automatik dhe komandimin n
shkenc dhe industri.
MBANI MEND!!!
Termistort paraqesin elemente t ndjeshm reziston n temperatur.
Tek termistort -NTC (Negativ Temperatura Coeficient)rezistenca zvoglohet me
rritjen e temperaturs.
Tek termistort me koeficient temperature pozitiv rezistenca rritet me rritjen e
temperaturs.
Koeficienti i temperaturs k t termistorit paraqet ndryshimin relativ t rezistencs
gjat ndryshimit t temperaturs pr 1K.
Elementetspecifikeelektronike241
8.2.1. Fotorezistort
Fotorezistort jan elemente elektronike t ndrtuar nga materiale gjysmpruese. Karakteristika
kryesore e fotorezistorve sht ndryshimi rezistencs elektrike gjat ndryshimit t fluksit t
ndriimit i cili bie n siprfaqen e tyre.
242Elektronikaanaloge
pllak e till e fituar vendoset n shtpiz plastike ose metalike me pjes t tejdukshme t
ndrtuar nga qelqi ose plastika e cila e lshon dritn t bie n siprfaqen fotorezistive.
Fotorezistort bhen nga disa lloje t materialeve gjysmprues, secili me karakteristik
spektrale vetjake. Fotorezistor nga sulfid-zinku kan ndjeshmri m t madhe n fushn e
rrezatimit ultraviolet, ato nga germaniumi dhe sulfit- bakrit n fushn e rrezatimit infrared, t silicit
pr rrezatim prej rreth 1000nm, kurse sulfitet-e kadmiumit n rrezatimin e dukshm (figura 8.6).
s fotorezistorit.
Fotorezistort zbatohen n instrumente t thjeshta pr matjen e ndriimit, t ashtuquajturit
dritmats (figura 8.8), dhe si detektor t drits n alarme t ndryshme dhe pajisje komanduese.
Elementetspecifikeelektronike243
KONTROLLO NSE DIN
1. ka ndodh n fotorezistorin i cili sht i lidhur n qarkun elektrik me burim ushqimi, kur n
siprfaqen e tij bie drita?
2. Kur npr fotorezistor rrjedh ,,rryma e errsirs,,?
3. Shpjegoje procedurn e prodhimit t fotorezistorit.
4. Cilt fotorezistor kan ndjeshmri m t madhe n fushn e rrezatimit t dukshm?
5. Ku zbatohen fotorezistort?
6. Sqaro ndrtimin e karakteristikave t fotorezistorve.
8.2.2. Fotodiodat
Fotodioda, si edhe fotodetektort tjer, kan detyr t shndrrojn rrezatimin e drits n
sinjal elektrik. N rastin ideal, sinjali elektrik duhet t jet proporcional me intensitetin e drits e
cila bie n diod. Njri prej prdorimeve kryesore sht celulat solare (diellore).
Si materiale pr prpunimin e fotodiodave zakonisht prdoret silici ose arsenid galiumi (GaAs),
indiumantimonidi (InSb), indiumarsenidi (InAs), selenidi i plumbit (PbSe) dhe sulfati i plumbit
(PbS). Kto materiale absorbojn dritn e nj brezi t caktuar t gjatsis valore, pr shembull,
nga 250 nm dri n 1100nm pr silicin, prej 800nm deri n 2Pm pr galiumarsenidin. Modeli dhe
simboli pr skemn elektrike t fotodiods jan dhn n figurn 8.9.
244Elektronikaanaloge
Fotodioda pa polarizim t jashtm
N fotodiodat pa polarizim t jashtm drita futet n element prmes nj shtrese t holl t llojit-P.
Ashtu si futet m thell n material intensiteti i saj zvoglohet edhe at sipas ligjit eksponencial.
Fotoni i drits, i cili sht futur n barrier, krijon elektron t lir dhe vrim. Elektroni dhe vrima
bien nn ndikimin e fushs t brendshme elektrike t kalimit dhe kalojn npr kalim. Elektronet
dhe vrimat e krijuara jasht barriers lvizin n mnyr kaotike, shum prej tyre hyjn n barrier,
ndrsa t tjerat rikombinohen dhe humben pa arritur n t. Sa m i madh t jet numri i
elektroneve dhe vrimave n barrier, e kjo do t thot se intensiteti i drits q bie mbi diod sht
m i madh, aq m e madhe sht edhe fotorryma.
Gjersia e barriers mund t rritet me nivelin e primesave t futura n gjysmprues. Dioda e
ktij lloji punon n regjimin e fototensionit, ajo paraqet burim t fototensionit dhe fotorryms pa
ndihmn e burimit t jashtm t ushqimit. Dioda t tilla prdoren n fotoaparate pr matjen e
ndriimit t objektit q incizohet dhe n celula solare (diellore).
Fotodiodat me burim t jashtm pr polarizim
Megjithat, mnyr m e leht pr zgjerimin e zons sht duke zbatuar polarizim t jashtm.
Ktu dioda punon n regjimin e fotoprueshmris me ndihmn e burimit t jashtm t ushqimit.
Fotodioda punon n regjimin me polarizim invers. Kur fotodioda nuk sht e ndriuar, n qark
rrjedh vetm rryma inverse e diods, e quajtur rryma n ersir. Fotorryma e diods ndryshon nga
vlera e rryms n ersir (dioda e pandriuar) deri n vlern e ndriimit maksimal. Karakteristika e
saj e varsis s rryms nga tensioni i polarizimit pr nivele t ndryshme t ndriimit sht dhn
n figurn 8.10.
Fotodiodat zakonisht hasen n sistemet e alarmeve.
Elementetspecifikeelektronike245
8.2.3. Fototransistort
Fototransistori sht nj transistor bipolar me rrym kolektori proporcionale me
fluksin e drits, i cili bie n siprfaqen e kalimit t kolektorit. Specifika e saj sht n at se
n ann e siprme ka shtres dritlshuese (transparente), n t ciln mund t ndrtohet edhe
thjerrz (lent) me qllim t rritjes s ndjeshmris.
Karakteristika e ndjeshmris relative t fototransistorit, e definuar si raport i fotorryms I pr
fardo lloj t gjatsis valore t drits kundrejt vlers maksimale Imax sht dhn n figurn
8.11. Ajo tregon se si fototransistori reagon n dritn me gjatsi t ndryshme valore.
246Elektronikaanaloge
Kolektori sht i lidhur n skajin pozitiv t burimit UCC, emiteri prmes rezistorit RE n skajin
negativ, kurse baza sht e lidhur n qarkun e jashtm, ajo sht i lir. Pr kt mnyr t
polarizimit, zona e bllokimit e kalimit t kolektorit sht shum m e gjer se ajo e kalimit t
emiterit. Me dritn, iftet e krijuara elektron-vrim n zonn e bllokimit n kalimin e kolektorit
ndahen, elektronet drejtohen kah kolektori, kurse vrimat kah emiteri. Lvizja e tyre paraqet
fotorrymn, e cila n rezistencn RE krijon fototension dals. Fotorryma I sht e prbr nga dy
komonente: njra sht rezultat i drits q bie n fototransistor, kurse tjetra sht rryma inverse
ICE nga kolektori drejt emiterit. Kur transistori nuk sht i ndriuar, do t rrjedh vetm rryma
inverse dhe ajo e paraqet rrymn e ,,errsirs,,. Vlerat tipike t saj sillen rreth 10nA dhe ajo rritet
me rritjen e temperaturs.
Lidhja fizike e bazs mund t mbetet e lir, por mund t shfrytzohet edhe pr polarizim q t
fitohet nivel stabil i sinjalit.
Fototransistort zakonisht prdoren n qarqet komutuese, ku jolineariteti i tyre nuk krijon
probleme.
MBAJ MEND!!!
Fototransistori sht transistor bipolar me rrym t kolektorit proporcionale n fluksin e
drits.
Qarku i bazs s transistorit sht i hapur, kurse fotorryma krijohet n zonn e bllokimit n
kalimin e kolektorit.
8.2.4. Fotogjeneratort
Elementet gjysmprues me aftsin pr t shndrruar energjin e rrezatimit t drits
drejtprdrejt n energji elektrike quhen fotogjenerator. T prbr nga nj kalim -PN dhe kan
dy dalje. Prerja trthore e fotogjeneratorit sht paraqitur n figurn 8.13. Shtresa e bllokimit ka
gjersi shum t vogl (rreth 20nm), ndrsa siprfaqja e kalimit-PN sht zmadhuar, me qllim t
Elementetspecifikeelektronike247
absorbimit m t madh t fotoneve nga rezet e drits. Rajonet P dhe N jan me koncentrik m t
madh t bartsve t lir t ngarkesave elektrike.
248Elektronikaanaloge
KONTROLLO NSE DIN
1. Cilat elemente gjysmpruese quhen fotogjenerator?
2. Shpjego parimin e funksionimit t fotogjeneratorit.
3. Defino karakteristikat e drits t fotogjeneratorit dhe vizato diagramin.
4. Ku zbatohen fotogjeneratort?
5. Vizato simbolin elektrik t fotodiods!
6. Sqaro karakteristikat e fotogjeneratorve.
MBAJ MEND!!!
Fotorezistort jan elemente fotoelektrike rezistenca elektrike e t cilve ndrron me
ndryshimin e fluksit t drits q bie n siprfaqen e tyre.
Fotorezistort prdoren n instrumente t thjeshta pr matjen e ndriimit, t ashtuquajturit
mats drite dhe si detektor t drits n alarme t ndryshme dhe pajisje komanduese.
Fotodioda e shndrron rrezatimin e drits n sinjal elektrik, proporcional me intensitetin e
drits e cila bie n diod. Ajo punon n regjimin e polarizimit invers.
Fotogjeneratort jan elemente fotoelektrike me aftsi q energjin e rrezatimit t drits ta
shndrrojn drejtprdrejt n elektrike.
Fotogjeneratort quhen celula solare pasi q energjin e rrezatimit t diellit e shndrrojn
n energji elektrike.
Elementetspecifikeelektronike249
Ekrani mund t jet me karaktere t errta n sfondin e ndritshm ose me karaktere t ndritshme
n sfond t errt (figura 8.15), gjegjsisht me parimin e dispersionit dinamik t drits ose me
parimin e efektit t fushs elektrike.
250Elektronikaanaloge
tejdukshme (segment), polarizuesi horizontal dhe reflektori. Rrezet e drits q vijn n
polarizuesin vertikal, oshilojn n t gjitha drejtimet. Prmes polarizuesit kalojn vetm ato q
oshilojn n drejtimin vertikal. Kjo rreze drit e polarizuar vertikalisht kalon npr elektrodn e
par transparente dhe hyn n vargun spiral t molekulave t vendosura t kristalit t lngshm.
N do shtres t kristalit t lngt ajo rrotullohen n t djatht deri n shtresn e fundit, prej ku
del me polarizim horizontal dhe kalon prmes elektrods s dyt transparente dhe polarizuesi
horizontal e deri n reflektor. Rrezja e kthyer nga reflektori kthehet prmes rrugs s njjt, kalon
prmes polarizuesit horizontal, rrotullohet me shtresat e kristalit t lngt deri n pozitn vertikale.,
kalon prmes polarizuesit vertikal dhe del n t njjtn an me rrezen hyrse t drits. N kt
mnyr, kur n rrugn e drits nuk ka asnj penges, fitohet sfond i ndritshm.
Kur n segmentet metalike lidhet tension i vogl prej 3 deri n 5V, mes tyre krijohet fush elektrike
dhe molekulat e kristalit t lngshm renditen n drejtimin e ksaj fushe. Kshtu t renditur, ata
m nuk e kthejn rrezen e drits, nuk ia ndryshojn planin e polarizimit dhe ai me polarizim vertikal
vjen deri te polarizuesi horizontal. Rrezja e drits me polarizim vertikal nuk mund t kaloj npr
polarizuesin horizontal dhe ai humbi n kristalin e lngt si n vrim. N vendin e segmentit nuk
ka rreze drite t kthyer dhe mbetet i errt.
Ekrani me kristal t lngt punon n tension alternativ n frekuenc prej 30 deri n 300Hz. Ai ka
nj form impulsive me amplitud n mes t 1 dhe 18V dhe bhet me qarqe digjitale. Tensioni i
vazhduar mund t bj elektrolizn e kristalit t lngshm dhe ta shkurtoj afatin e prdorimit t
ekranit. Dendsia e rryms s ekranit sht shum e vogl, rreth 1nA/cm2 , q do t thot
konsumim i ult i energjis. Kjo e bn ekranin me kristale t lngta t prdorshm pr pajisje n
miniatur, si jan ort e dors, pr t cilt nuk ka vend pr bateri me kapacitet t madh. M
shum prdoret pr kalkulator portabl, ort digjitale, instrumente matse digjitale dhe ekrane pr
monitor dhe pajisjet TV.
MBAJ MEND!!!
Ekrani LED parqet indikator, i prbr prej shtat segmenteve, i ndriuar me LED dioda.
Nj segment i kristalit t lngt sht i prbr nganj polarizues vertikal, elektroda e par
transparente (segment), m tepr shtresa t kristaleve t lngta, elektroda e dyt
transparente (segment), polarizues horizontal dhe reflektor.
Ekrani me kristale t lngta prdoret pr kalkulator portabl, or digjitale, instrumente
matse digjitale dhe ekrane pr monitor dhe pajise TV.
Elementetspecifikeelektronike251
KONTROLLO NSE DIN
1. Cilat jan karakteristikat m t rndsishme t kristaleve t lngta?
2. Shpjego konstruksionin e ekranit me kristal t lngt.
3. Nga ka sht i prbr nj segment i kristalit t lngt?
4. Pse ekrani me kristal t lngt nuk lidhet n tensionin e vazhduar?
5. Ku zbatohet ekrani me kristal t lngt?
8.3. Relet
Rele sht nj ndrprers (komutator-els) elektrik i cili
prdoret pr shkyjen ose kyjen (komutimin) e qarkut elektrik. Nse
shkyja bhet me elektromagnet, bhet fjal pr rele me elektromagnet.
Por, ekzistojn edhe rele elektronike, n t cilat hapjen dhe mbylljen e
kontakteve t rryms e bjn elemente gjysmpruese. Relet
mundsojn q qarqe elektrike me rrym t vogl t komandojn me
rrjedhjen e rrymave t mdha.
252Elektronikaanaloge
Releja sht e shkyur kur ndalon t rrjedh rryma n qarkun komandues mes daljeve 1 dhe 3,
fusha magnetike m nuk ekziston dhe kontaktet e elsit hapen.
Relet jan NH-normale t hapura, NM-normale t mbyllura dhe ka nj fund t prbashkt-P
pr elsin. N relet normale t hapura, kontaktet komutuese jan t hapura deri sa releja mos
t eksitohet. Releja normale e mbyllur ka kontakte t mbyllura kur releja nuk sht e eksituar. N
skemat elektrike releja tregohet n gjendjen kur nuk sht e eksituar (figura 8.18.).
Elementetspecifikeelektronike253
kondensator, t lidhur n paralel me bobinn (figura 8.21). Pr shuarjen me diod, si n figurn
8.19, dioda lidhet n drejtimin invers, ashtu q t mos lshoj rrym kur releja sht n gjendjen e
eksituar, kurse bhet pruese n momentin e krijimit t krcimit t tensionit. Rezultate m t mira
n shuarje tregon dioda dhe ajo zakonisht prdoret pr kt qllim.
254Elektronikaanaloge
ndryshueshme nga vlera minimale deri n vlern maksimale n fillimin e kyjes, ndryshimi i
rrotullimit tek motort si konsumator etj.) Pjesa komanduese mund t ket tension t shkputur t
ushqimit nga pjesa komutuese.
Pjesa komutuese i prmban elementet gjysmpruese t cilat funksionojn si elsa. Pr nj
kontakt elsi prdoret nj element. Pjesa komutuese e reles elektronike mund t lidhet n
tension t vazhduar, ose rrjet t tensionit alternativ monofazor ose trefazor. Kur bhet fjal pr
lidhje trefazore pjesa komutuese prmban tre elemente gjysmprues. Parimi i funksionimit t
reles elektronike sht paraqitur n figurn 8.23. Me tensionin e komandimit eksitohet dioda
LED e optokaplerit, kurse me fototransistorin hapet triaku i cili bhet i prueshm. Optokapleri
sht element i prbr nga dioda e drits dhe fototransistori. Ata jan t vendosur n nj
shtpiz n form t qarkut t integruar. Kur dioda sht e kyur, ai emeton drit kah
fototransistori dhe e aktivizon (e ky). Komanda pr komandim me transistorin transmetohet
prmes rrugs s drits. Duke zbatuar oktokaplerin fitohet shkputje elektrike e pjess komutuese
nga pjesa komanduese e reles.
Elementetspecifikeelektronike255
MBAJ MEND!!!
Releja sht els (komutator) elektrik i cili prdoret pr shkyjen ose kyjen e qarkut t
rryms.
N relen normale t hapur, kontaktet komutuese jan t hapura deri sa releja nuk sht e
eksituar.
Releja normalisht e mbyllur ka kontakte t mbyllura kur releja nuk sht e eksituar.
Relet prdoren atje ku ka nevoj t komandohet me sinjale me fuqi t vogl ose kur
komandohet me m shum qarqe me nj sinjal.
256Elektronikaanaloge
VERIFIKIMI TEMATIK
I Pyetje me rrethim
(Rretho prgjigjen e sakt)
1. Elementet tek t cilat me ndryshimin e temperaturs ndryshon rezistenca e tyre jan:
a) fotorezistenca
b) fotodioda
c) termistor.
2. Elementet q prdoren si sensor t temperaturs jan:
a) fotogjeneratort
b) termistort
c) fotodiodat.
3. Elementet q prdoren si instrumente pr matjen e ndriimit jan:
a) fotodiodat
b) fotorezistencat
c) fototransistort
d) fotogjeneratort.
4. Elementet gjysmpruese me aftsin pr t konvertuar energjin e rrezatimit t drits direkt
n energji elektrike quhen:
a) fotogjenerator
b) fotorezistenca
c) fototransistor
d) termistor.
5. Si pjes prbrse e invertorve prdoren:
a) fotodiodat
b) relet
c) termistort
d) fotorezistencat.
Elementetspecifikeelektronike257
II Pyetje me lidhshmri
6. Lidh simbolet skematike me elementet:
a)
b)
1. Fotodioda
___________
2. Fototransistori
___________
3. Termistori
___________.
c)
a) Dritmats________
2. Fotogjeneratort
b) Sensor temperature________
3. Fotorezistencat
c) Celula solare________
258Elektronikaanaloge
SHTOJC
DETYRA
ME SHEMBUJ T ZGJIDHUR
260Elektronikaanaloge
PRMBAJTJA
Faqja
285.
Detyrameshembujtzgjidhur261
Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga diodat gjysmpruese
(N detyra prdoret drejtimi teknik i rryms)
1. Llogarit rrymn n qarkun me rezistenc dhe diod ideale, t dhn n figur.
Zgjidhja:
S pari definohet polarizimi i diods. Anoda e diods sht e lidhur me polin pozitiv t burimit,
dioda sht e polarizuar drejt. Duke marr parasysh se dioda sht ideale, n qark do ta
zvendsojm me els t mbyllur. Tash qarku e ka pamjen e mposhtme:
2. Llogarit rrymn npr diodn e qarkut t dhn, duke e marr diodn si ideale
Zgjidhja: Dioda sht me polarizim t kundrt (invers), ajo zvendsohet me els t hapur.
262Elektronikaanaloge
Rryma n qark I1 = 0
3. N qarkun me gjenerator rryme I = 10mA dhe nj diod ideal D t llogaritet:
a) tensioni i rezistencs R1;
b) rryma e diods D.
(Zgjidhja: UR1 = 12V, ID1 = 6mA)
4. Pr U1 = 10V llogarit:
a) rrymn n diodn ideale D;
b) tensionin n R2.
(Zgjidhja: ID = 0,8 mA, UR2 = 8V)
5. T lidhet nj LED e kuqe e cila ka rnie t tensionit prej 1,6 V dhe rrym prej 20mA, n burim t
vazhduar prej 6V.
Zgjidhja:
Rnia e tensionit n rezistenc duhet t jet:
UR = 6V - 1,6 V = 4,4 V,
Detyrameshembujtzgjidhur263
Vlera e rezistencs s saj sht:
7. T llogaritet rryma e cila rrjedh npr rezistencn R pr secilin prej tre qarqeve, me ka duhet t
supozohet se diodat D1 dhe D2 jan ideale.
(Zgjidhja: I1 = 0, I2 = 0, I3 = 10mA)
264Elektronikaanaloge
Zgjidhja:
S pari analizohet qarku kur n hyrjen e tij do t sillen tensione negative (Uhyr <0). N kt rast,
dioda sht me polarizim t kundr, ekuivalentohet me els t hapur, me ka qarku do t marr
pamjen e mposhtme:
Skajet e diods jan t lidhur shkurt, kshtu q tensioni n skajet e tij sht 0V (Udal = 0V).
Karakteristika kalimtare e qarkut do t ket formn e mposhtme:
Detyrameshembujtzgjidhur265
Zgjidhja:
T supozojm se dioda sht e shkyur (me polarizim t kundrt). N kt rast qarku do t ket
pamjen e mposhtme:
Ky potencial gjendet n katodn e diods. Ndryshim t polarizimit do t ket kur tensioni i hyrjes
do t jet m i lart se 7,5 V (kur potenciali i anods do t jet m i lart se potenciali i katods).
N kt moment dioda do t kyet, gjegjsisht do t jet me polarizim t drejt. Qarku do t ket
pamjen e mposhtme:
266Elektronikaanaloge
11. Pr qarkun e figurs t vizatohet karakteristika kalimtare.
UR = 10V
Zgjidhja:
Pr Uhyr <0, dioda D2 sht e kyur, pasi q n skajet e anods ka nj potencial t 10V. N kt
moment katoda e diods D1 do t gjendet n t njjtin potencial, me ka D1 do t jet e shkyur.
Tensioni i daljes do t jet Udal=10V.
Dioda D1 do t kyet kur Uhyr> 10V, me ka dioda D2 do t shkyet. N kt rast Udal = Uhyr..
Detyrameshembujtzgjidhur267
268Elektronikaanaloge
18 *). Pr qarkun e figurs jan dhn R1=20K:, R2 =20K:, UR1=2,5V, UR2=10V. T vizatohet
Karakteristika kalimtare e qarkut. (Zgjidhja)
19. Pr qarkun e figurs t vizatohet varsia e tensionit t daljes nga tensioni i hyrjes
(karakteristika kalimtare) dhe forma e tensionit t daljes Udal pr tension t dhn t hyrjes Uhyr.
Zgjidhja:
S pari analizohet qarku kur n hyrjen e tij do t sillet pjesa negative e tensionit t hyrjes (Uhyr <0).
N kt rast dioda sht me polarizim t kundrt, ekuivalentohet me els t hapur, me `rast
qarku e fiton pamjen e mposhtme:
Pasi q n qark nuk rrjedh rrym, nuk do t ket rnie t tensionit n skajet e rezistencs dhe
tensioni i daljes sht i barabart me 0. (Udal = 0).
Detyrameshembujtzgjidhur269
Deri n ndryshimin e qarkut do t vij kur tensioni i hyrjes do t bhet pozitiv. N kt rast anoda e
diods do t jet n potencial m t lart se katoda i cili sht 0V. Tash dioda sht polarizuar
drejt dhe qarku do t ket pamjen e mposhtme:
20 *). Nse tensioni i hyrjes sht uhyr = 5sint (V), i sjell n hyrjen e qarkut me dioda ideale nga
figura, t vizatohet grafiku i t tensionit t daljes udal (t).
270Elektronikaanaloge
Zgjidhja:
N kushtet e prueshmris:
nga UD1+1V-uhyr= 0 fitohet kufiri i prueshmris: UD1=1V-uhyr
nga UD2+4V+uhyr =0 fitohet kufiri i prueshmris: UD2=-4V-uhyr.
S pari do t shohim rastin kur dioda D1 sht e polarizuar drejt, kurse D2 kundrt;
UD1>0, uhyr>1V,
UD2<0,-uhyr-4V<0,> uhyr>-4V,
nga ku fitohet pr uhyr>1V se udal=1V.
Pastaj do t shohim rastin kur D1 sht me polarizim t kundrt kurse D2 me polarizim t drejt;
UD1<0, uhyr<1V,
UD2>0, -uhyr-4V>0, uhyr<-4V,
nga ku fitohet pr uhyr<-4V se udal=-4V.
Detyrameshembujtzgjidhur271
Forma e tensionit t daljes, si edhe karakteristika kalimtare jan dhn n figurn e mposhtme:
Mund t prfundojm se ky qark kryen kufizimin e tensionit edhe nga ,,lart,, edhe nga ,,posht,,.
Kufizimi nga lart sht prej 1V kurse nga posht n -4V.
*) Njohuri t zgjeruara
272Elektronikaanaloge
Detyra dhe shembuj t zgjidhur nga transistort
21. Transistori n qarkun nga figura ka =100. Lidhja e emiterit sht me polarizim t drejt me
burimin UBB=2V dhe ka tension UBE|0,7V.
T caktohet:
a)
rryma e bazs;
b)
rryma e kolektorit;
c)
tensioni i kolektorit.
Zgjidhja:
a) Rryma e bazs caktohet nga qarku baz-emiter:
UBB - R1IB - UBE = 0
Pjek ku pr IB fitohet:
IB
U BB U BE
R1
2 0,7
20 103
65PA .
IC
E I B 100 65 10 6
6,5mA .
U CE
U CC RC I C
12 1 103 6,5 10 3
5,5V
I CS
U CC U CES
RC
5 0,2
4,8 103
1mA .
Detyrameshembujtzgjidhur273
E IB
I CS
IB
prej ku
I CS
1 103
50
0,02mA.
U HYR
RB I B U BE
10 10 3 0,02 10 3 0,6
0,2 0,6
0,8V
U CE
U CC RC I C
fitohet:
IC
U CC U CE
RC
6 0,2
2 103
2,4mA
N qark sht dhn vlera e rryms s bazs IB kshtu q me zbatimin e relacionit mes rrymave:
pr IC do t fitohej vler:
IC
IB E
0,05 10 3 400
20mA
e cila paraqet gjendje t pamundur n t ciln pr tensionin Uce do t fitohej vler negative. Kjo na
tregon se, kur transistori sht n ngopje, rryma e kolektorit nuk kontrollohet nga rryma e bazs.
Prandaj n rajonin e ngopjes, rrymn e kolektorit patjetr ta llogarisim nga qarku i kolektorit.
274Elektronikaanaloge
24. N figurn me transistorin n qark kyet dhe shkyet poi i cili ka
IC
E IB
50 40 10 6
5V RL I C
U CE
2mA ,
5V 2mA 1K:
5V 2V
3V
Tensioni UR=5-UCE=5-3=2V.
Lidhja e kolektorit akoma sht me polarizim t kundrt:
UCB = UCE - UBE = 3 - 0,7 = 2,3 V dhe transistori sht n zonn aktive.
Pr IB=100PA
IC
E IB
50 100 10 6
5V RL I C
U CE
5mA ,
5V 5mA 1K:
5V 5V
0,
IC
5V
1K:
I C max
I B NGOP
IC
5mA
5 10 3
50
100PA .
IC
IB
5 10 3
200 10 6
25 .
sat- faktori i prforcuar i ngopjes s rryms gjithmon sht m i vogl se n zonn normale
aktive.
Detyrameshembujtzgjidhur275
25. T llogaritet vlera e rezistencs RE pr qarkun e dhn.
UCC=6V; URE=2,4V; UBE=0.6V; E=100; RB= 300K:.
Zgjidhja:
IB
U CC U BE U RE
RB
IC
IB E
RE
U RE
IC I B
6 2,4 0,6
300 103
100 10 10 6
0,01mA 10 PA
1mA
2,4
1 10 0,01 10 3
3
2,38 K:
Zgjidhja:
Nse n hyrjen e MOSFET-it me kanal-N sillet nivel i ult:
UHYR=UGS=0V,
transistori ndodhet n zonn e bllokimit, rryma npr drejn do t jet ID|0, q do t thot se edhe
tensioni i rezistencs RD do t jet 0V.
Nga ekuacioni i tensionit t daljes fitohet
U DAL
U DD U RD
U DD
5V .
276Elektronikaanaloge
Nse t hyrje e MOSFET-it me kanal-N sillet nivel i lart:
UHYR=UGS=5V,
transistori ndodhet n zonn omike (UDS<UGS-UT), rryma npr drejn do t jet maksimale, q do
t thot se edhe tensioni i rezistencs RD do t jet maksimal.
Pr tensioni e daljes fitohet rrym pozitive, por minimale prafrsisht e barabart me zero.
Zgjidhjen mund ta tregojm n tabeln e mposhtme:
UHYR
UDAL
0V
5V
5V
0V
b) IB= 20PA,
c) IB=60P A
d) IB=100 PA
(Zgjidhja:
a) Ic = 0, UCE = 4V bllokim,
b) Ic = 0,8mA, UCE = 2,4V zona e bllokimit,
c) Ic = 2,4mA, UCE = 0,2V n kufirin e ngopjes,
d) Ic = 4mA, UCE = 0,2V n ngopje t thell)
28. Transistori PNP n qarkun e figurs ka karakteristikat e
mposhtme = 75 dhe t supozojm vler pr UCE(ZAS)=- 0,1V.
a) Sa rrym e kolektorit rrjedh kur transistori sht n
ngopje?
b) N qoft se UBE = -0,6V, far vler sht e nevojshme
pr
U1
transistori
futet
ngopje?
sht
polarizuar
drejt
me
UBE=0,6V.
Detyrameshembujtzgjidhur277
30. Figura tregon transistorin NPN t lidhur ashtu q t duket is diod.
Transistori punon n regjimin aktiv. Pr verat e dhna UBE=0,7V dhe
E=49, llogarit rrymn e bazs dhe kolektorit.
(Zgjidhja: IB=0,1PA, IC = 5 PA).
31. Pr qarkun e dhn n figur, E=100 dhe UBE=0,7V,
a)Gjej UDAL pr UHYR=0,8 ; 1,5; 2,0 dhe 2,5 V.
b) Pr ciln vler t prafrt t UHYR rryma e kolektorit do t prcaktohet m tepr me qarkun e
polarizimit se sa me relacioni pr E. Cili sht ky regjim i puns?
c) Pr UHYR=2,5V t prcaktohet raporti mes rryms s kolektorit dhe
bazs (Esat) dhe t krahasohet me vlern e dhn t rajonit normal aktiv.
(Zgjidhja: a) pr UHYR=0,8V, UDAL=0,86V,
pr UHYR=1,5V, UDAL=3,12V,
pr UHYR=2V, UDAL=0,2V,
pr UHYR=2,5V, UDAL=0,2V,
b) UHYR>0,8V
c) Esat
50 <100).
33. N qarkun, e treguar n figur, tensioni i kyjes s lidhjes baz emiter UBE sht 0,7V, UCES
sht 0,1V, kurse E sht 200. Gjej vlern e tensionit t daljes pr UHYR=0,8V dhe 1,0V dhe
krahaso raportin e ndryshimit t tensioneve t daljes me raportin e ndryshimit t tensioneve t
hyrjes.
278Elektronikaanaloge
(Zgjidhja: pr UHYR = 0,8 V, UDAL = 4V, dhe pr UHYR = 1V, UDAL = 3,5 V,
'UHYR
0,2
'UDAL
).
Zgjidhja:
Drejtza e puns vizatohet n karakteristikn e daljes,
pika e prerjes me boshtin UCE sht n 0,5V. Kurse me
boshtin e rryms n UCC/RC=5mA.
Nga:
UCC=UBE + RBIB
rryma e bazs IB sht:
IB
U CC U BE
RB
5 0,7
430 K
10PA.
Pika e puns shtrihet n drejtzn e puns dhe karakteristikn pr IB=10PA. Pr pikn e puns
fitohet UCE = 3V dhe IC = 2mA.
Detyrameshembujtzgjidhur279
Kur kapaciteti i kondensatorit sht shum i madh (C ), e ekuivalentojm me ndrprerje t
qarkut.
35. Pr transistorin nga detyra 1 t llogaritet E (hFE) , pr pikn e puns si n detyr.
Zgjidhja:
IC
pr UCE = const.
IB
2 103
10 10 6
200.
Koment: Transistort bipolar t prodhuara n nj seri kan vlera t ndryshme t E, t cilat mund t
arrijn dallime nga 50 deri n 100%. Nse E ndryshon nga 100 deri n 400, n kt shembull, pr
rrym t bazs prej 10PA, fitohet:
nse E=100, IC=100x10PA=1nA,
nse E= 400, IC= 400v10PA=4mA.
36. Pr qarkun e gopjes me emiter t prbashkt, t dhn n figur, t caktohet rryma e emiterit
nse sht dhn: R1 = 3K:, R2= 1K: ,RC=4K:, RE= 1,5K:.
Zgjidhja:
Me ndarsin e tensionit R1-R2 fitohet tension i bazs UB
(sipas shprehjes 3.22):
U CC
UB
R2
1K
10
R1 R 2
1K 3K
2,5V
UBE = O,7V.
Nga ekuacioni: UB=UBE+RE.IE fitohet:
2,5 0,7
1,5K
IE
I R1
I R2
1,2mA
U CC
R1 R 2
10
1K 3K
2,5mA.
Vrehet se n kto llogaritje nuk futet vlera e E. Arsyeja sht supozimi q tregon se rryma IB nuk
ndikon n vlern e UB. Nse supozojm vlern 100 pr E, fitojm:
IB
IE
E 1
1,2 10 3
100 1
0,012mA 2,5mA ,
280Elektronikaanaloge
37. Transistori n qarkun e detyrs 40 ka E= 25, kurse elementet tjera jan:
R1= 45K:, R2 =30K:, RC = 3K :, RE = 30K:. T caktohen vlerat e IC dhe UC.
Zgjidhja:
Me transformimin e br me zbatimin e teorems s Tevenenit fitohet:
R2
30 K
10
R1 R 2
30 K 45K
U BT
U CC
RBT
R1 R 2
R1 R 2
30 K 45 K
30 K 45K
4V
18K .
IE
IC
UC
1,23mA
E
E 1
IE
25
1,23 10 3 1,18mA
26
U CC RC I C
6,46V .
38. Pr qarkun e prforcuesit me baz t prbashkt t dhn n figur, vlerat e elementeve jan,
R1=6K:, R2=1K, RC=4,5K:, RE= 1,5K:. Faktori i prforcimit t rryms t transistorit E ka vler
t madhe. T caktohet vendi i piks s puns.
Zgjidhja:
Qarku i polarizimit ka form t njjt si edhe
n figurn 60, kshtu q kemi;
UB
1K
20
7K
IE
2,86 0,7
1,5 103
UC
2,86V
1,44mA
39. sht dhn prforcues me kolektor t prbashkt. T llogaritet vlera e rryms s kolektorit.
Jan dhn vlerat e mposhtme t elementeve t qarkut: R1=4K:, R2=2K:, RE=1K:.
Detyrameshembujtzgjidhur281
Zgjidhja:
2K
R2
10
4K 2K
R1 R 2
UB
U CC
UE
U B U BE
IE
UE
RE
2,63
1 103
3,33 0,7
3,33V .
2,63V
2,63mA
IC = IE = 2,63mA.
Koment: Ky prforcues sht i njohur si ndjeks emiterial, i cili ka prforcim tensioni m t vogl
se 1. Zakonisht prdoret pr transformimin e impedancs.
40. N figur sht dhn qarku me emiter t prbashkt dhe karakteristikat e tij. Pika e puns
sht zgjedhur t ket IC=30mA dhe UCE=5V. Pr tensionin UBE sht konsideruar t jet 0,7V.
a) t vizatohet drejtza statike e puns;
b) t llogaritet vlera e RC;
c) t llogaritet vlera e RB;
d) t llogaritet vlera E e transistorit;
e) t llogaritet vlera e prforcimit t rryms pr sinjal t madh.
282Elektronikaanaloge
41. N figur sht treguar qarku prforcues me emiter t prbashkt. Me vlera t supozuara IB
<<I1, E= 250 dhe UBE= 0,7V.
a) llogarit vlerat e rrymave IE, IC dhe IB;
b) llogarit vlern e UCE.
42. N figur sht dhn prforcuesi me transistor-PNP. Pr vlerat e UBE=-0,7v dhe E=120.
a) t llogaritet vlera e rezistencs R1 pr t ciln IE=-1,2
mA;
b) t llogaritet vlera e rezistencs RC pr t ciln UC =- 6V;
Zgjidhja: a) R1 = 12,45K:,
b) Rc=5k:)
Detyrameshembujtzgjidhur283
(Zgjidhja: IE=1,22mA)
Zgjidhja:
a) Nga grafiku pr UGS=2V vijon UDS=8,2 V
b) Nga grafiku pr UGS=4V fitohet UDS=1,9V.
Rezultatet nn a) dhe b) merren me prcaktimin e
prerjes s karakteristiks adekuate dhe drejtzs s
puns.
Pr amplituda t barabart rreth piks s puns dhe
me amplitud t barabart pozitive dhe negative t
tensionit t hyrjes, pika e puns duhet t vendoset n
vendin ku UGS=3V.
c) Me zbatimin e ekuacionit 3.61 fitohet:
Nse zgjedhim njrn vler, pr shembull, R2=10K:, pr R1 fitohet 23K:. Rezultati i prforcimit i
sinjalit t madh sht treguar n grafik. Kur tensioni i hyrjes UGS ndryshon n mnyr sinusoidale
prej 3V deri n 4V dhe prsri n 3V, pika e puns lviz prgjat drejtzs s puns dhe e
prcakton tensionin e daljes n kufijt prej 5V do 1,9V, gjat kohs s gjysms s dyt t
sinusoids tensioni i hyrjes ndryshon nga 3V n 2V, kurse ai dals ndryshon nga 5V deri n 8,2V.
Prforcimi sht:
AU
U dal
U hyr
6,3
2
3,15
284Elektronikaanaloge
46. Pr nj MOSFET me kanal t ndrtuar sht i nevojshm tension negativ UGS. Ai mund t
fitohet me rezistencn RSS n qarkun e burimit. Me kt rezistenc rritet tensioni i burimit, ashtu q
t jet m i madh se tensioni i gejtit. Jan dhn karakteristikat dalse t MOSFET-it. Pika e
puns duhet t shtrihet n karakteristikn UGS =-1V, n prerjen e drejtzs s puns pr
rezistenc 2K: n qarkun drejn-burim.
T prcaktohet vlera e rezistencs e RSS e cila duhet t vendoset n qarkun e burimit.
Zgjidhja:
Q t knaqet krkesa sht e nevojshme q rezistenca e qarkut drejn - burim t ndahet n RD
dhe RSS, me ka kemi RD + RSS = 2K:.
Tensioni i gejtit sht 0V sepse n RG nuk rrjedh rrym. Tensioni i rezistencs RSS sht dhn
me:
U RSS
I D RSS ,
U GS
I D RSS
1 .
U GS
RSS
U GS
ID
RD
1
1,75 10 3
571:
47. N figur sht dhn qarku i prforcuesit t MOSFET-it me kanal-N me kanal t induktuar. T
caktohet vlera e rezistencs R2 pr UGS=2V, nse R1 ka vler 150K:.
Detyrameshembujtzgjidhur285
(Zgjidhja:
R1
R2
3
, R2
2
100 K:. )
48. N grafik jan dhn karakteristikat dalse t MOSFET-it me kanal-N me kanal t induktuar.
Transistori sht vendosur n prforcues me burim t
prbashkt, t dhn n detyrn 47 me R1=100K:,
R2=30k: dhe RD=1,25K:.
a) T ndrtohet drejtza e puns pr kt qark.
b)
prcaktohet
pozita
piks
puns.
c)
mdha.
Zgjidhja: a) Pr ID=0, UDS=5V, pr UDS=0, ID=4mA,
b) do t shtrihet n UGS = 1,5 V,
c) AU=1,65.)
49. N qark prforcues me emiter t prbashkt sht prdor
transistor me hfe=50 dhe hie=2K:. Sa sht prforcimi i tensionit
pr sinjale t vogla?
(Zgjidhja: AU=-52,5.)
286Elektronikaanaloge
Zgjidhja:
'I D
gm |
'U GS
1,75 103
1
1,75mS .
Nga grafiku shihet se ndryshimi i UGS pr 0,5V ('UGS=1C), ndryshimi i rryms IDS sht 1,75mC.
Pr gm dhe g0 fitojm:
g0 |
'I D
'U DS
0,25 103
3
83,3PS .
RLeq
AU
1
RL
g0
1
RL
g0
Udal
Uhyr
1
8 103
83,3 10 6
1
8 103
6
83,3 10
U GS g m RLeq
U GS
4,8 K:
1 1,75 10 3 4,8 10 3
1
8,4.
US
I D RS
Uhyr
U GS
Udal
g m U GS RLeq
Detyrameshembujtzgjidhur287
AU
Udal
Uhyr
g m RLeq
8,33 .
MOSFET-i ka
(Zgjidhja: a) AU = 0,86,
b) AU = 0,98.)
*) Njohuri e zgjeruar
53. N lidhjen kaskad t dy stadeve prforcuese, stadi i par ka prforcim tensioni AU1=100,
kurse tjetri AU2=1000. T shprehet prforcimi i secilit stad n decibel, dhe pastaj t gjendet
prforcimi total.
Zgjidhja:
AU 1 100 ; 20 log(100)
AU 2
20 2
1000 ; 20 log(1000)
20 3 60dB
ATOT
40 60 100dB
ATOT
20 log(100000)
40dB
20 5 100dB.
288Elektronikaanaloge
53. N figur sht dhn qarku i prforcuesit diferencial.
55. T llogaritet prforcimi i tensionit pr qarkun e figurs, nse R1=200: dhe R2=4K:.
(Zgjidhja: Au = 41)
56. Pr qarkun me prforcues operacional ideal nga figura t llogaritet prforcimi i tensionit.
(Zgjidhja: Au = 28,5.)
Detyrameshembujtzgjidhur289
57. Pr qarkun me prforcues operacionale ideal nga figura t
llogaritet vlera e rezistencs R2 me t ciln qarku jep prforcim 30.
(Zgjidhja: R2 = 38K:.)
290Elektronikaanaloge
60. Sa sht fuqia e disipacionit (shprndarjes) s konsumatorit nga figura?
(Prgjigje 12V).
62. Pr qarkun e figurs sht dhn: Uz = 5,3 V, R3=R4=2K:. Sa sht tensioni i daljes?
(Prgjigje: 12V).
63. Pr qarkun e detyrs s mparshme, jan dhn R3=R4=2K:, dhe US=15V. Sa sht tensioni
i diods Zener? (Prgjigje: 6,8 V).
64. Pr qarkun e dhn n figur, njihen vlerat: UNS=16V dhe Us=12V. Sa mund t jet vlera
minimale e rezistencs RL, nse transistori mund t prballoj disipacion maksimal prej 10W.
FILLIMET E ELEKTRONIKS
Si filloi revolucioni i elektroniks?
Lirisht mund t themi se ai filloi n gjysmn e dyt t shekullit 19 me identifikimin e elektronit nga ana
e fizikanit anglez Tomson (Joseph John Thomson) dhe me matjen e ngarkess s tij elektrike n
vitin 1909, nga fizikani amerikan Miliken (Robert Andraws Milikan).
Zbulimi i Maksvellit (James
Clerk Maxwell), n
elektrik.
vitin
zhvillimin
radio
komunikimit.
Heinrich Herz
Alehander Graham Bell
N
James Clerk Maxwell
N
vitin
1875,
Tomson
vitin
(Thomas
1877,
Alva
Edison
e zbaton n oshiloskop.
Edison)
par
(John
pr
regjistrimin
dhe
riprodhim t zrit.
vitin
1904,
Fleming),
vitin
1883,
Edison
Tubat
q gjendet n potencial m
rezeve-X,
detektorve
lart
kah
tjetra
(Efekti
Edison).
elektronik
N
1876,
Bell
(Alehander Graham
Bell)
vitin
dhe
(transmetuesve).
(Heinrich
1888,
Herz)
bhen
radiosinjaleve,
duke
Fleming
Herc
eksperi-
antenave
Demonstrimet
para
Duke u bazuar n kt
(Lee
zbulon
1894.
prdoret
radio emetimet.
De
Forest)
pr
zbatime
ndryshme elektronike.
N
vitin
1920
paraqitet
Lee De Forest
Pr "Baba" t televizionit
megjithat
komunikimet.
e ndrron vendimin, me t
ktronik
komunikimeve
kamer
t tubave t vakumit n
elektronik. Prdorimi i tyre
mundsoi zhvillimin e radio
pajisjeve, telefonis n distanca t mdha, televizionit,
por edhe kompjutert e par.
Vlladimir Zvorikin
N
vitin
1912,
Majsner
Guglielmo Marconi
pr
Trioda
konsiderohet
modulimin
frekuenc, si prplotsim t
modulimit n amplitud t
marrsin
super-heterodin.
Shockley),
madhe
elektroniks n industrin e
ditt e sotme.
zhvillimin
ndryshme
elektronik
edhe
por
duhet
tubave
tutje
William B. Shockley
asaj kohe.
Gjat kohs s Lufts s
dyt botrore, n vitin 1940
sht zbuluar radari, pajisje
John Bardeen
mikrovalve.
zbuluan
triodn
gjysmpuese- transistorin
N
vitin
1946
sht
kompletuar kompjuteri m i
njohur me tuba elektronik
ENIAC (Electronic Numerical
prforcues
ri
Transistori
N
vitin
1952,
fizikani
dhe
iden
e,,revolucionit
gjysm-
paraqitjen
transis-
torve nn udhheqjen e
shkenctarve
Berdin,
Walter
Houser
William
B.
vitin
1951
fizikani
arritjeve m t mdha n
historin
elektroniks,
paraqitja
elementeve
elektronike gjysmpruese,
dimensionet,
ristika
me
precize
karaktedhe
me
si
rezultat
puns
elementet
gjysmpruese
makineris.
Kjo
konsiderohet
si
gjitha
pajisjet
elektro-
ngjarje
fillimi
e miniaturizimit, veanrisht
tek sistemet raketore, ojn
integruara,
hulumtimeve t pavarura t
vazhdueshm.
si
elektron-Ski
rezultat
tuba
pr
t-kafshoj
minijaturizacija, veanrisht
n sistemet e raketave, q
on n shfaqjen e leshit,
par.
qarqeve t integruara, si
rezultat
hulumtimit
Nga
qarqet
para
nga
transistor,
kompania
Teksas
vitin
1970
Instru-
chip.
Instrument
(Texas
Prmbajtja
faqe.
1.2. Struktura atomike e materies ........ ... ... ........................................... ................... ... ... ... ... ...
1.3. Materialet gjysmpruese .... ... ... ... ... ........................................... ............................. .. ... . 11
1.3.1. Vetit elektrike t materialeve gjysmpuese ................. ... ... .................................. .... ... 12
1.3.2. Gjysmpruesi i llojit -N... ... ... ... ............................................ .......................................... 15
1.3.3. Gjysmpruesi i llojit-P...... ... ... ... ... ... ....................................... ............................. ... .... 17
1.4. Kalimi -PN .. ... ... ... ... ... ... ... ...................................... .................................................. ....... 19
1.4.1. Polarizimi i kalimit-PN................. ... ........................................... ................... ... ... ... ... ... ... 20
1.4.2. Kalimi-PN n fushn e jashtme elektrike ........... ... ....................................... ... ... ... ... ... ... 21
1.5. Diodat gjysmpruese ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ....................................... ......................... ... 24
1.5.1. Karakteristika statike .......... ... ... ... ... ... .......................................... ................................ ... 25
1.5.2. Shpimi i kalimit t diods ................. ... ... ... ... ... ....................................... ............... ... ... . 26
1.6. Llojet dhe zbatimi i diodave gjysmpruese ............... ... ... ... ... .................................... ..... 27
1.6.1. Diodat me kalim pik ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................................... .......................... ... . 29
1.6.2. Diodat me kalim siprfaqsor .... ... ... ... ... ... ... ..................................... ............. ... ... ...... 30
1.6.2.1. Diodat drejtuese ....... ... ... ... ... ... ... ... ........................................ ...................................
30
1.6.2.2. Diodat zener ... .. ... ... ... ... ... ............................................. ............................ ... ... ... ...
31
1.6.2.3. Diodat pulsive ...... ... ... ... ... ... .......................................... .................................. ... ... ... 32
1.6.2.4. Diodat LED ... ... ... ... ... ... ... ........................................ ............................................ ... ... 33
1.6.2.5. Diodat PIN ................................................ .................................................. ....................... 34
1.6.2.6. Dioda tunel .................................................... .................................................. .................. 34
1.6.2.7. Dioda Varikap ................................................. .................................................. ................. 35
1.6.2.8. Dioda GUN ................................................. .................................................. ..................... 35
2. TRANSISTORT.. ... ... ... ... ............................................ ................................................ ... .... 41
2.1. Transistori NPN ... ... ... ... ........................................... ........................................... ... ... ... .... 43
2.2. Transistori PNP... ... ... ............................................ ................................... ... ... ... ... ... ... .... 46
2.3. Rryma e kundrt-inverse. ... ... .......................................... .............................................. ... ... 48
2.4. Karakteristika t transistorit ........... ... ............................................. ............. ... ... ... ... ... ... . 49
2.4.1. Regjimi statik i puns .......... ... ... ... ... ... ......................................... ..................... ... ... ... .. 49
2.4.2. Karakteristikat statike ........ ... ... ... ... ........................................... ........................... ... ... ... 50
2.4.3. Parametra t transistorit ... ........ ... ... ........................................... ......... ... ... ... ... ... ... ... .. 53
2.4.3.1. Rezistenca dalse e transistorit . ... ... ... ... ... ... ....................................... ....... ... ... ... ... 53
2.4.3.2. Koeficienti i prforcim t rryms t transistorit .................. ... ... .............................. ... ... . 54
2.4.3.3. Drejtza e puns . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................................... ................................ . 55
2.4.4. Kufizimet gjat puns s transistorit................... ... ... ... ....................................... ... ... ... ... 57
2.5. Regjimi dinamik i puns ............ ... ... ... ... ... ... ... ...................................... ........................ ... 59
2.5.1. Skema ekuivalente e transistorit me parametra-h ... ... ... ....................................... ... ... ... . 60
2.6. Transistori si element prforcues.............. ... ... ... ... ... ... ... ...................................... ......... ... 63
2.6.1. Veti t transistorit n frekuenca t larta ... ... ........................ ... ... ........................ ... ... ... ... 64
2.7. Transistori si element komutues (els) ..... ... ... ... ... ... ... ....................................... ......... ... 65
2.7.1. Qarku komutues me transistor n lidhje me emiter t prbashkt ....... ... .................... ... ... 66
2.7.1.1. Regjimi i bllokimit ...................... ... ... ... ........................................... ........................... ... . 67
2.7.1.2. Regjimi i ngopjes-saturimit.... ... ........................................... ................. ... ... ... ... ... ... ... 67
2.7.1.3. Regjimi kalimtar ...... ... ... ..... ... ......................................... ..................... ... ... ... ... ... ... . 68
2.8. Transistort njpolar- transistort me efekt fushe .................... ... ... .................. ... ... ... ... .... 70
2.8.1. Struktura dhe parimi i funksionimit t FET-it.. ... ... ... ... ... ... ................................. ... ... ... .. 71
2.8.2. Karakteristikat statike t FET-it ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................. ... ... ... .. 73
2.8.3. FET-i n regjimin dinamik t puns ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................... ... ... ... ... .. 74
2.8.3.1. Skema ekuivalente e FET-it... ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ................................... ............. ... 76
2,9 ... MOSFET-i ............................................... ................................................. ............................ 77
2.9.1. Struktura dhe parimin i puns s MOSFET-it me kanal t induktuar .. ... ... .. ... ... .. ... ... ... 78
2.9.2. Karakteristikat statike ....... ... ... ... ... ... ... ... ... ....................................... ...................... ... . 80
2.9.3. MOSFET me kanal t ndrtuar .. ... .. ... ... ... ... ... ................................... ..................... ... .. 81
2.9.4. MOSFET-i si element komutues ------... .. ... ... ... ... ... ... ... .................................... ... ... ... . 82
2.10. Zbatimi i transistorve ... ........... ... ... ... ... ... ... ....................................... ........................ ... 85
3. PRFORCUESIT-AMPLIFIKATORT ................................................................. ..................... 89
3.1. Prforcimi dhe roli i prforcuesit ............... ... ... ... ... ....................................... ............. ... ... . 91
3.2. Ndarja e prforcuesve ........ ... ... ... ... ... ... ... ....................................... .......................... ... ... 92
3.3. Prforcuesi si nj katrpolar aktiv ......... ... ... ... ... ... ... ....................................... ............. ... . 94
3.4. Prcaktimi i parametrave t prforcuesit .............. ... ... ... ... ... ... ..................................... ... . 95
3.5. Karakteristika e frekuencs dhe fazore e prforcuesit ........... ... ... ... ............................. ... ... 96
3.6. Analiza grafike e prforcuesit me transistor .................................... ... ... ............................. ... 98
3.7. Llojet e konfiguracioneve t prforcuesve .......... ... ... ... ........................................ ............... 101
3.7.1. Prforcuesi me konfiguracion-emiter t prbashkt ...... ... .................................. ... ... ... ... 101
3.7.2. Metoda analitike pr llogaritjen e parametrave t prforcuesve ........................... ............. .. 104
3.7.3. Prforcuesi me konfiguracion-kolektor t prbashkt ....... ... ... ... ... ... ... ........................ ... 107
3.7.4. Prforcuesi me konfiguracion- baz t prbashkt ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ .. 109
3.7.5. Lidhja e Darlingtonit ................... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............... ............... ... ... 111
3.7.6. Prforcues me konfiguracion burim (source) t prbashkt ... ... ... ... ... ... ............ ... ... ... 113
3.7.7. Prforcuesi me konfiguracion gejt (port) t prbashkt .. ... ... ... ........................... ... ... ... 115
3.7.8. Prforcuesi me konfiguracion drejn (derdhje) t prbashkt ... ... ....................... ... ... ... .... 117
3.8. Prforcues t lidhur n kaskad ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .............................. ... ... ... 118
3.9. Llojet t bashkimeve mes prforcuesve. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......................... ... ... .... 119
3.10. Prforcuesi n frekuenca t larta ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ....................... ... ... ... ... ... 121
3:11. Prforcuesit diferencial ....... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................. . ... ... 125
3.11.1. Karakteristika kalimtare e prforcuesit diferencial ................... ... ... ................... ... ... ... ... 127
3.11.2. Konfiguracioni real i prforcuesit diferenciale .................... ... ... ... ................. ... ... ... ... ... 127
3.11.3. Prforcimi diferencial .............. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ ... ... 128
3.11.4. Prforcimi n faz t njjt .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................... ... ... ... 129
3.11.5. Gjeneratori i rryms . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................. ...... ... .. 130
3.11.6. Tensioni i korrigjimit (offset) . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................... ... ... 131
3:12. Prforcuesit me lidhje t kundrt ..... ... ... ... ... ... ....................................... ....................... ... 132
3.12.1. Prforcimi me lidhje t kundrt ... ... ... ... .......................................... .. ... ... ... ... ... ... ... ... 133
3.12.2. Lloje t lidhjeve t kundrta negative .......... ... ... ... ... ... ... ................................ ... ... ... ... 135
3.12.3. Stabiliteti i prforcuesit me lidhje t kundrt .................................................. ....... ... ...... ... 137
3.12.4. Qndrueshmria e prforcimit t prforcuesit me lidhje t kundrt negative ....................... 138
3.12.5. Zgjerimi i brezit t lshimit .................... ... ... ... ... ... ... ... ...................................... ............ 139
3.12.6. Llojet e deformimeve ..... ....................................... ... ... ... ... .... .......................... ... ... ... .. 139
3.12.7. Reduktimi i shtrembrimeve jo-lineare ... ................. ... ... ... ......................... ... ... ... ... ... . 140
3.12.8. ndikimi i lidhjes s kundrt negative mbi zhurmat .......... ... ... ... ................................. ....... 141
3.12.9. Ndikimi i lidhjes s kundrt mbi impedancn hyrse dhe dalse t prforcuesit .............. .. 142
3:13. Prforcuesit e fuqis ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................................. .......... ... ... .... 144
3.13.1. Stadi dals n klasn A me transistor bipolar .................... ... ... ............. ... ... ... ... ... ... .... 145
3.13.2. Prforcuesi simetrik i fuqis ............... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ ... .... 147
3.13.3. Prforcuesi simetrik n klasn B ............ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................. ... 148
3.13.4. Prforcuesi simetrik n klasn AB .. ......... ... ... ... ... ... ... ... ... ................................... ... ... 150
3.13.5. Prforcuesi komplementar simetrik ................ ... ... ... ... ... ... ... ......................... ... ... ... .... 151
4. QARQET E INTEGRUARA............................................................................................................ 159
4.1. Karakteristika t llojeve t veanta t qarqeve t integruara ... ..... ... ....... ... .......... ... ... ... .... 161
4.2. Qarqet e integruara hibride ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................... 162
4.3. Qarqet e integruara monolite ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... .......................... ... ... 163
4.3.1. Prpunimi i bazs .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................. ... ... . 163
4.3.2. Fotolitografia .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............................ .... .... 164
4.3.3. Difuzioni .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......................... .. ... ... .... 167
4.3.4. Rritja Epitaksiale .............. ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ..................... .... ... ... .... 167
4.4. Zbatimi i qarqeve t integruara ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......................... ... ... ... 168
5. PRFORCUESIT OPERACIONAL.. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................ ... ... 173
5.1. Prforcuesi operacional ideal ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .......................... ... ... ... 176
5.2. Lidhja e kundrt e prforcuesit operacional ..... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................. ... ... ... ... .. 177
5.3. Konfiguracione t ndryshme t prforcuesve operacional ... ... ... ... ... .................... ... ... ... .... 178
5.3.1. Prforcuesi invertues ..... ... .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................... ... ... 178
5.3.2. Prforcuesi joinvertues .......... ... ... ... ... ... ... ... ... .... ... .. ... ... ... ... ... ... ............................ 180
5.3.3. Prforcuesi operacional me prforcim njsi .............. ... ... ... ... ... ... ... ........ ... ... ... ... ... .... 181
5.3.4. Qarku pr mbledhje ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .... ... ................................ ................... ... . 182
5.3.5. Prforcuesi operacional diferencial ....... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................. ... ... ... ... ... ... ... 183
5.3.6. Konvertuesi i rryms n tension .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............... ... ... ... ... ... ... ... 184
5.3.7. Konvertuesi i tensionit n rrym .................. ... ... ... .... ... ... ... ... .......................... ... ... ... ... 185
5.3.8. Zhvendossi i fazs ..... ... ... ... ... .... ... ... ... ... ... ......... ................... ....................... ... ... ... 186
5.3.9. Integratori ..................................................... .................................................. ....................... 186
5.3.10. Diferenciatori ......................................................... .................................................. ........... 188
5.3.11. Prforcuesi logaritmik ........................................................ .................................................. 189
5.3.12. Prforcuesi eksponencial ......................................................... ........................................... 191
5.4. Prforcuesi operacional real ....................................................... .............................................. 193
5.4.1. Bllok-skema e prforcuesit operacional real .................................................... ...................... 196
6. BURIME T TENSIONIT T VAZHDUAR-DC........................................ .................................... 203
6.1. Pajisje t ushqimit nga tensioni i rrjetit .......................... ... ... ... ... ... ... ................... ... ... ... .. 205
6.1.1. Drejtuesi (radrizatori) gjysmvalor .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........................ ... .... 206
6.1.2. Drejtuesi i vals s plot .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ..... .......................... ............ 207
6.1.3. Filtri kapacitiv pr drejtues ............................................................. ........................................ 209
6.2. Stabilizimi dhe rregullimi i tensionit ... ... ... ......... ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ........... ... ... ... ... ... 212
6.2.1. Stabilizimi i tensionit me diod zener ... ... ........ ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ..................... 213
6.2.2. Stabilizatori serik i tensionit me transistor ............ ... ... ... ... ... ... ... ... ..... ... ... ... ... ... ... ... 214
6.2.3. Stabilizatori serik i tensionit me lidhje t kundrt ........... ... ... ... ... ... ... ... ............... ... ... .... 215
6.3. Stabilizatort linear t integruar t tensionit ............ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ................. ... ... ... 216
6.4. Stabilizatori i rryms ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............. ... ... .... 219
6.5. Stabilizatori i tensionit me kufizim t rryms ..................... ... ... ... ... ... ... ... ... .............. ... .... 220
6.6. Stabilizatori i sakt me prforcues operacional ........................................................ ............... 221
6.7. Drejtuesi i sakt i vals s plot me prforcues operacional ..................................................... . 221
7. TIRISTORT................................................ .................................................. ............................. 225
7.1. Dinistori ... ... ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ................ ... ... 227
7.2. Tiristori .................. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... ... ... ................ ... ... .... 228
7.3. Karakteristikat statike t tiristorit ................. ... ... ........................................... ............... ... .... 229
7.4. Diaku ......... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ......... ... ... ... ... ... ... ... .................... ... ... ... 230
7.5. Triaku ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ... ... ..................... ........ ... 231
7.6. Zbatimi i tiristorve ........ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .............................. ... ... ... 232
8. ELEMENTET SPECIFIKE ELEKTRONIKE .................................................... ............................ 235
8.1. Termistort ................................................... .................................................. ......................... 237
8.1.1. Termistori-NTC ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .................... ............................. 238
8.1.2. Termistori-PTC .................................................... .................................................. ............... 238
8.2. Elementet fotoelektrike .......................................................... .................................................. . 241
8.2.1. Fotorezistort ............. ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..................... ... ... ... 241
8.2.2. Fotodiodat ................................................... .................................................. ........................ 243
8.2.3. Fototransistort ...................................................... .................................................. ............. 245
8.3.4. Fotogjeneratort .................................................... .................................................. ............. 246
8.2.5. Ekranet me kristale t lngta ............................................. .................................................. 248
8.3. Relet .................................................. .................................................. ................................... 251
8.3.1. Mnyra e puns s releve elektromagnetike ...................................................... ................... 251
8.3.2. Mnyra e puns s releve elektronike ....................................................... ............................ 253
LITERATURA E PRDORUR
1. David Irwin David Kerns: Introduction to Electrical Engineering, Prentice Hall International
Editions, 1995
2. : III , ,
1995
3. Milman Halkias: Integrated electronics: analog and digital circuits and systems, 1972
4. . , . -: ,
- Shkup, 2006
5. : , III
, 1993
6. : I II , 1972
7. : II , 1982
8. : I II ,
e
9. Artikuj dhe t dhna nga interneti.