1

IIN DEDEKTRLER

Enstrmantal Analiz, yon Dedektrleri, Kromatografi

Dedektrleri

Dedektr, geni bir dalga boyu aralndaki n enerjisine kar duyarl ve dk

seviyelerdeki n glerine kar hassas olmaldr. In hzla alglayabilmeli, kuv-
vetlendirilebilecek bir elektrik sinyali retebilmeli, grlt seviyesi dk olmal ve
rettii sinyal, demetin P gc ile doru orantl olmaldr.
G = K P + K
G: Dedektrn elektrik responsu (tepkisi) dur, akm, diren, veya emk birimleriyle
verilir.
K: Dedektrn, elektrik responsu/n gc cinsinden hassasiyetini belirten sabit.

K: Kara akmdr; dedektr yzeyine hi n gelmedii halde kk ve sabit bir

respons gsterir.

Dalga
100 200 400 700 103 2x103 4x103 7x103 104 2x104 4x104
boyu, nm
Spektral VAC UV Grnr Yakn IR IR Uzak IR
blge

(d) Dedektrler fotoraf levhas

fotomultiplier tp
fototp
Foton
fotosel
dedektrleri
silikon diod
yk transferi
fotoiletken

termokupl (voltaj) veya bolometre (diren)

Termal
golay pnmatik hcre
dedektrler
piroelektrik hcre (kapasitans)

http://www2.fiu.edu/~cai/index_files/Chapter%207%20Components%20of%20Optical%20Instruments.ppt
2

ki tip n dedektr bulunur; bunlar:

Foton dedektrleri; fotonlar alglar

Is dedektrleri; sy alglar

Tm foton dedektrleri, nn reaktif bir yzeyle etkileerek elektronlar retmesi-

ne (fotoemisyon) veya elektronlar elektrik iletebilecei enerji hallerine ykseltme-
sine (fotoiletim) dayanr. Bu ilemler sadece ultraviyole, grnr, ve yakn-infrared
n enerjileriyle gerekleebilir.

Fotoelektrik dedektrlerde elektrik sinyali bir seri tek tek olaylarn (bir fotonun
absorbsiyonu) sonucudur. Tersine infrared n alglayan s transduserleri
kuvantize olmayan alglayclardr.

Foton dedektrlerini vurma grlts, s dedektrlerini Johnson grlts snrla-

dndan iki dedektrle ilgili saptanamayan hatalar birbirinden farkldr.
ekilde ultraviole, grnr, ve infrared spektroskopide kullanlan eitli
dedektrlerin kyaslamal spektral responslar gsterilmitir. Ordinat fonksiyonu
dedektr grltsyle ters, dedektr yzey alan ile doru orantldr. ki s
transduserinin (H ve I) relatif hassasiyetinin dalga boyuna bal olmadn, fakat
hassasiyetlerinin de fotoelektrik dedektrlerden nemli derecede dk olduunu
belirtmek gerekir. Dier taraftan, foton dedektrleri sabit respons-dalga boyu ili-
kisi bakmndan ideallikten olduka uzaktr.
 3

Fotoelektrik Dedektrler
A: Fotomultiplier tp
B: CdS fotoiletken hcre
C: GaAs fotovoltaik hcre
D: CdSe fotoiletken hcre
E: Se/SeO fotovoltaik hcre
F: Silikon fotodiod
Spektral respons

G: PbS fotoiletken hcre

Termal Dedektrler
H: Termokupl
I :Golay hcresi

Dalga boyu, nm
https://sharepoint.cisat.jmu.edu/isat/isat253/
Slides/Transducers%20and%20Sensors%20I.ppt

eitli fotoelektrik ve termal dedektrlerin spektral responslar

4

I. FOTON DEDEKTRLER

Foton dedektrleri birka tiptir

1. Fotoraf Levhas
2. Fototpler (Vakumlu Fototpler)
3. Photomultiplier Tpler
4. Fotovoltaik Hcreler
5. Fotoiletkenler (Fotokondktivite)
6. Silikon Fotodiodlar
7. ok Kanall Foton Dedektrleri

Fotodiod dizileri (Photodiode arrays, PDA)

Charge transfer aletleri (Charge-trasfer devices, CTD
Vidikonlar
Farkl dalga boylarnda almalarda farkl dedektrlere gereksinim vardr.

GaN
mavi
Relatif hassasiyet

silikon
S-1
fotomultiplier silikon
S-20
fotomultiplier

Dalga boyu, nm
http://www2.fiu.edu/~cai/index_files/
Chapter%207%20Components%20of%20Optical%20Instruments.ppt

Baz dedektrlerin dalga boylarna kar hassasiyetleri

 5

1. Fotoraf Levhas
Fotoraf levhalar 1900l yllarda astronomide kullanlmaya balamtr. Digital
bigisayarlar ve digital grntlerin kefinden nce radyografik almalarda da
grntnn cam levhalara kaydedildii fotoraf levhalar kullanlrd.
Fotoraf Levhalar, cam zerine ince bir gm halojen (rnein AgBr) kaplana-
rak hazrlanr. Mikron byklnde AgBr kristalleri bir jelatin emlsiyon iinde
datlarak cam zerine yaylr. Levhaya bir foton arptnda gm iyonu elekt-
ronla birleerek gm atomuna dnr ve gizli grnt (veya resim) meydana
gelir. Gizli grnt develope ilemiyle amplifiye edildiinde film zerinde gm
tortusu nedeniyle karanlk bir alan oluur.
Fotoraf levhalarnada, poz sresi ve kelen gm miktar arasnda batan
sona kadar dorusal bir iliki olmaz; ekilde grld gibi dorusallk eik ve
omuz olarak tanmlanan blgelerin arasnda bulunur.

2.5 4
3
2.0
(ken gm)

< 1: minimum younluk

Younluk

1.5 1 - 2: eik
2 - 3: dorusal ksm
3 - 4: omuz
1.0 > 4: maksimum younluk

0.5 2

0.5 1.0 2.0 3.0 4.0

Poz sresi (logatitmik skala)
http://www.physics.hku.hk/~phys2022/
Chapter4_notes.ppt#12 AGFA 1999

Fotoraf levhasnn dorusalllktan sapmas

6

2. Fototpler (Vakumlu Fototpler)

Fototpler elektronlarn bir fotohassas kat maddeden emisyonuna gre alr.
Fototp, havasz bir tpn i kenarlarna yaptrlm yar-silindirik bir katot ile tel
bir anoddan oluur. Elektrodun konkav yzeyinde, nlandrld zaman elektron
emitleyen bir fotoemissif tabaka bulunur. Elektrotlar arasna bir potansiyel uygu-
landnda, emitlenen elektronlar tel anoda akarak bir fotoakm yaratr. retilen
akmlar, bir n iddeti iin fotovoltaik bir hcreden alnan akmlarn onda biri
kadardr. Tersine, fototpn elektrik direnci yksek olduundan sinyalin
amplifikasyonu kolay ve yeterli olur.
ekilde, bir fototp ve aksesuar devresi grlmektedir. Inn yaratt fotoakm R
boyunca bir potansiyel dmesine neden olur, bu kuvvetlendirilerek bir kaydedici-
yi hareket ettirir

elektronlar tel anot DC

amplifikatr
ve okuma
foton demeti
katot
I
Chapter%207%20Components%20of
vakumlu cam R http://www2.fiu.edu/~cai/index_files/
veya kuvartz
%20Optical%20Instruments.ppt

- +
90 V DC g
kayna

Bir fototp ve aksesuar devresi

Bir fotoemissif yzeyden karlan elektronlarn says, bu yzeye arpan demetin

n gc ile doru orantldr. ki elektrot arasna uygulanan potansiyel artrld-
nda, anoda ulaan elektronlarn miktar da hzla artar; doygunluk potansiyeline
eriildii zaman anotta elektron toplanmas maksimum olur. Bu durumda akm,
uygulanan potansiyelden bamsz, n gc ile doru orantl hale gelir.
Fototpler ~90 V potansiyelde altrlr, bu deer doygunluk blgesi iindedir.
 7

Ticari fototplerde deiik fotoemissif yzeyler kullanlr. Kullanc ynnden

fotoemissif yzeyler drt grupta toplanr:

Yksek hassasiyetli yzeyler; En hassas katotlar ekilde 1,2 kod ile gs-
terilen bialkali tiplerdir; bunlar potasyum, sezyum ve antimondan yaplr.
Krmz hassas yzeyler; Krmz hassas yzeyler ok alkali tipli
(Na/K/CS/Sb gibi) veya Ag/O/Cs yapl malzemelerdir (3). Ga/In/As bile-
imi krmz blgeyi 1.1 mye kadar geniletir
Ultraviole hassas yzeyler; Ultraviyole hassas formlasyonlarda tp effaf
pencereler iine konulur.
Dz responslu yzeyler: Dz responslar Ga/As bileimi ile elde edilir (4).
In olmad halde de fototpler kk bir akm retirler; bu "kara akm" sl olarak
karlan elektronlardan oluur.

100
80 %10
60
40 1: bialkali katot (K, Cs ve Sbden
Fotokatot responsu, mA / w

yaplr); safir pencereli

20 2: bialkali katot; kire cam
4
3 pencereli
10 2
1 3: ok alkalili katot (Na/K/CS/Sb
8
gibi); kire cam pencereli
6
4 4: Ga/As katot; zel cam pencereli
%1
%1 ve %10 erileri belirtilen
2 kuvantum verimindeki responsun
deerini gsterir
1
200 400 600 800
Dalga boyu, nm

Baz fotoemissiv yzeylerin spektral responslar

8

3. Fotomultiplier Tpler (PMT)

Fotomultilier tpler UV ve grnr blgelerde ok hassastr ve cevaplamas
(respons) ok hzldr.
Fotomultiplier tp bir dizi fotokatotdan (dinodlar) yaplr. Fotokatotlar, sezyum-
antimon intermetalik bileiklerden retilen fotohassas malzemelerdir.
Katot yzeyi nla karlatnda elektronlar karr. Birinci dinod, katottan 90V
daha pozitif bir potansiyelde tutulur, ve bu nedenle de elektronlar kendisine doru
akar. Dynode'a arpan her elektron ilave birka elektron karr; bunlar, birinci
dinoddan 90 V daha pozitif olan ikinci dinoda doru hzlandrlrlar. Burada da
yzeye arpan her elektron yeni birka elektron karr. lemin ayni ekilde tm
dinodlarda tekrarlanmasyla herbir foton 106 107 elektron karr; bu elektron
elalesi, anotta toplanr. Sonuta oluan akm elektronik olarak kuvvetlendirilir ve
llr.

dinodlar
fotoelektron

http://www.chemistry.adelaide.edu.au/
external/soc-rel/content/pmt.htm
radyasyon h ikincil
elektronlar

fotoemissif katot anot

akm-voltaj
yksek voltaj (-) amplifiyerine
500-2000 V

Bir fotomultiplier tpn ematik grnm

Sintilasyon Sayclar
Sintilasyon sayclarda iyonlar nce bir dinoda arpar, elektron emisyonu meyda-
na gelir. Bu elektronlar sonra bir fosfor ekrana (veya levhaya) arparlar ve fotonlar
karrlar. Fotonlar multipliere giderler, oalrlar ve amplifiye edilirler.
 9

dnm
dinodu

sintilatr http://saf.bio.caltech.edu/bi170b/
iyon demeti (fosfor ekran) BMB170b_2011_LECTURE13.pdf

Sintilasyon sayc

4. Fotovoltaik Hcreler
Fotovoltaik dedektrlerde akm, bir yar-iletken tabakada yaratlr.
Fotovoltaik hcreler, esas olarak, grnr blgedeki n saptamak ve lmekte
kullanlr. Hcre en yksek hassasiyeti 550 nm'de gsterir; 350 ve 750 nm'de
alglama yetenei, maksimum deerin %10' una kadar debilir. Kullanm aral
insan gznn alglayabilecei seviyeye yaklar.
Fotovoltaik hcrede, zerine selenyum veya bakr(1) oksit gibi yar-iletken bir
madde ktrlm dz bir bakr veya demir elektrot bulunur (ekil). kinci (veya
toplayc) elektrot yar-iletkenin d yznn ince geirgen bir altn, gm, veya
kurun filmi ile kaplanmasyla hazrlanr; tm sistem effaf bir zarf iine alnarak
korunur. Yeterli enerjideki n yar-iletkene ulatnda kovalent balar kopararak
iletici elektronlar ve boluklarn olumasna yol aar. Elektronlar metalik filme
doru, boluklar ise yar iletkenin ktrld tabana doru g ederler. Serbest
elektronlar d devreden akarak bu boluklarla etkileirler. Sonuta bir elektrik
akm oluur, bykl yar-iletken yzeye arpan fotonlarn says ile orantldr.
Bir fotovoltaik hcrenin rettii akmlar bir galvanometre veya mikroampermetre
ile llebilecek kadar byktr; d devrenin direnci kkse, fotoakmn byk-
l, hcreye arpan nn gc ile doru orantldr. Akmlar tipik olarak 10-100
A seviyelerindedir.
10

In gcnn saptanmasnda kullanlan engel-tabakal hcrede bir d elektrik

enerjisi kaynana gereksinim yoktur. Dier yandan hcrenin i direncinin dk
olmas, hcre knn yeterli derecede kuvvetlendirilmesini engeller. Bu durum-
da, engel-tabakal hcre yksek seviyeli aydnlatmalarda tam bir alglama yapa-
bildii halde dk seviyelerde hassasiyetini kaybeder.
Engel-tabakal hcrenin dier bir dezavantaj da eskimesidir; akm k, srekli
aydnlatma sonucu kademe kademe zayflar; zel devre dizaynlar ve deney ko-
ullar seilerek bu etki en aza indirilebilir.

metalik bir film ile cam

pencere h h
kaplanm ok ince bir
selenyum tabakas

http://chemtech.org/cn/
gm

cn212/212-5.htm
_
_
selenyum
demir +
+ demir taban
levha
st tabaka ile temas
_
salayan sprey metal halka +

Tipik iki engel tabakal hcre emas

5. Fotoiletken (Fotokondktivite) Dedektrler

Elektronlar ve boluklar bir yar-iletkende retilir.
Yakn-infrared blgedeki (0.75-3 m) n en hassas izleyebilen dedektrler, bu
aralktaki n absorblandnda direnci den fotoiletkenlerdir.
Fotoiletken n dedektrleri, genellikle kurun ve kadmiyum slfrler veya se-
lenrlerden hazrlanan yar-iletken maddelerden yaplr. Gelen n iletkenlii
deitirir ve farkl fotoakm doar. ekilde byle bir yar-iletken ve balant devresi
grlmektedir.
 11

fotoakm, i bias voltaj

Fotoiletken n
yzey

gelen yerel osilatr

ve sinyal alan
A (alan) amplifier
k
R

http://metrology.tkk.fi/courses/S-
108.4010/2006/S- 0 Volt
108.4010_Lecture_15.3.2006.ppt

Fotoiletken dedektr ve balant devresi

Fotonlar yeteri kadar enerjiye sahipse, yani,

Efoton= h

ise, kimyasal balardan elektrolar kar; serbeste dolaan elektronlar yar-

iletkenin direncini drr.
En ok kullanlan fotoiletken madde kurun slfr, 0.8-2 m blgesinde hassastr.
Hcrenin yapld cam veya kuvartz levhalar zerine bu maddeden ince bir taba-
ka ktrlr. Sonra tm sistem, yar-iletkenin atmosferle reaksiyona girmemesi
iin, havas boaltlm bir kap iine yerletirilir.

6. Silikon Fotodiodlar
Siklon fotodiodlarda letim bir ters-bias balant boyuncadr. Bir silikon diod
dedektr, bir silikon ip zerinde oluturulmu ters bias bir pn balantsdr. Ters-
bias, balantnn iletkenliini sfra kadar dren bir tketme tabakas yaratr. In
n blgesine arptrlrsa, yine de boluklar ve elektronlar oluur. Boluklar tketme
tabakasndan p blgesine difzlenerek orada yok edilirler; yani, n gcyle oran-
tl olarak iletkenlikte bir art olur.
Negatif voltaj tketme blgesindeki elektrik alann artrr. Bu durumda bariyer
voltaj ok byktr; dolaysyla, balantda difizyon olmaz; yani, difzyon akm,
ID = 0 olur.
12

Bir silikon fotodiod dedektr basit bir vakum fototpnden daha fazla, bir
fotomultiplier tpten daha az hassastr; spektral aral 250-1100 nm'dir.

Aada bir silikon fotodiodun yaps ve fotodiod spektrumu verilmitir. Fotodiodun

responsivitesi dalga boyuna baldr.

yansma yapmayan anot (metal)

kaplama

p-tip silikon

p-n balants
n-tip silikon

katot (metal)
https://sharepoint.cisat.jmu.edu/isat/isat253/
Slides/Transducers%20and%20Sensors%20I.ppt

Bie silikon diyodun yaps

Photodiode Spectral Responsivity

0.7
(A/W)

0.6
Responsivite

0.5
Responsivity

0.4
0.3
0.2
0.1
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
Dalga boyu, nm(nm)
Wavelength

https://sharepoint.cisat.jmu.edu/isat/isat253/Slides/Transducers%20and%20Sensors%20I.ppt

Fotodiod spektral responsivitesi

 13

7. ok Kanall Foton Dedektrleri

ok kanall foton dedektrleri optik grnty bir video elektrik sinyaline evirebi-
len bir dizi ince fotoduyar malzeme ieren dedektrlerdir. Bu tip grnt alglayc-
lar nceleri televizyon iin gelitirilmi, daha sonralar spektroskopik cihazlarda
kullanlmaya balanmtr.
Grnt alglayc bir monokromatrn odak dzlemi zerine yerletirilir. Datlan
n ok kanall dedektre arptnda odak dzlemi boyunca, nn iddetine
bal bir yk paterni oluur. Bu yk paterni saptanr ve bir spektruma evrilmek
zere saklanr. Spektrumun tm birimlerl sra ile deil "annda" alglanr. Yani bir
ok kanall dedektr bir fotoraf levhas gibi alr, her biri farkl bir dalga boyunu
karlayan ok saydaki giri yarklarnn grntlerini alglar. Bir spektrumun tm
birimlerinin annda kaydedilmesi ok nemli bir olaydr.
ok kanall foton dedektrler, bir ip zerinde belli bi ekilde dzenlenmi kk
fotoelektrik hassas elementler dizisinden oluur. eitli tipte ok kanall
dedektrler bulunur. Spektroskopik uygulamalarda kullanlan en nemlileri:
Fotodiod dizileri (Photodiode arrays, PDA)
Yk Transferi Aletleri (Charge Transfer Device, CTD)

Vidikonlar

Fotodiod dizileri (Photodiode arrays, PDA)

Silikon diod dizileri ok sayda fotoduyar silikon diod iftlerinden yaplr, depolama
kapasitrleri bir silikon ip zerinde bulunur. Tek bir ip zerindeki diod-kapasitr
iftlerinin says reticiye gre deiir; bunlar 211, 256, 512, 1024, 2048, 4096 gibi
saylar olabilir. Diodlarn genilikleri 15-50 m, ykseklikleri 500 m dolayndadr .
ipin uzunluu 1-6 cm arasndadr.
Fotodiod ve kapasitr iftlerinden baka ipte, bilgisayar ilemlemesi iin bir k
sinyali veren bir integre devre bulunur.
PDAlar, basit fotovoltaik dedektrlerlerle ayn prensibe gre alr.
14

k
SiO2 koruyucu tabaka
p-tip Si

boalma
blgesi

n-tip Si

Bir fotodiod array yapsnn ematik grnm

PDA dedektr

Chapter%207%20Components%20of
ttp://www2.fiu.edu/~cai/index_files/
%20Optical%20Instruments.ppt
ayna
eliptik
ayna rnek

k
kayna garating polikromatr

Fotodiod dizisi (PDA) dedektrn bir sistemde yerleim ekli

Kk silikon fotodiodlar ters-bias pn balants ierirler. Fotomultiplier tplerden

daha az hassas olmasna karn tarama hz ve sinyal/grlt oran yksektir.
Silikon fotodiod dizileri oklu dalga boyu lmelerini annda gerekletirir; rne-
in, didmiyum zeltisinin (S-3150, SCINCO) spektrumunu 1 saniye iinde ler
(ekil).
 15

1.0

0.8 S-3150, SCINCO

Absorbans
0.6

0.4

0.2

0.0
300 400 500 600 700 800 900 1000
Dalga boyu, nm

Didmiyum zeltisinin (S-3150, SCINCO) spektrumu

arj Transferi Aletleri (Charge Transfer Device, CTD)

arj transfer aletlerinin performanslar fotomultiplier tplere yakndr. Ayrca ok-
kanall lme yapabilme avantajna sahiptirler.
arj transfer aleti bir metal oksit yar-iletken (MOS) malzeme yapsndadr; ok
sayda bamsz piksellerden oluur; piksellerde yk o ekilde depolanr ki yk
paternleri n paternlerini karlar.

+10V
foton
kap
++++++
SiO 2 (izolasyon)

+
tkenme blgesi
(elektron kovas)

p-tip slikon

http://www.cs.princeton.edu/courses/archive/fall01/
cs597d/slides/cs597d_fall01_lect2_imaging.ppt#21

MOS (Metal oksit yariletken): Kapya voltaj uygulandnda yar-iletkende pozitif

boluklar oluur. Protonun malzemeye arpmasyla elektron-boluk ifti yaratlr.
16

0 10 0 0 volt 0 10 10 0 volt 0 10 0 0 volt

(a) (b) (c)

0 5 10 0 volt 0 0 10 0 volt

(d) (e)
http://www.cs.princeton.edu/courses/archive/fall01/
cs597d/slides/cs597d_fall01_lect2_imaging.ppt#21

Yk transferi: Voltaj uygulandnda yk bir kovadan dierine hareket eder

Bu aletler dorusal veya iki boyutlu olabilir. Yk paternini saptamada kullanlan

metoda gre iki tip yk transfer aleti kullanlmaktadr; bunlar arj-kapld (CCD) ve
arj-injeksiyon (CID) alatleridir.

Vidiconlar
Vidiconlar grnt alglayan vakum tpleridir ve televizyon grntlerinde ok
kullanlrlar. ekilde bir vidicon tpnn ematik diyagram verilmitir. Yaps bir
televizyon tpne benzer, burada bir hedef alan pepee bir seri yatay sprme
ilemi ile taranr, taramada bir elektron akm kullanlr.
 17

++++
elektron
tabancas
tarayc
elektron demeti

mercek
fotoiletken levha sistemi
http://www.cs.princeton.edu/courses/archive/fall01/
cs597d/slides/cs597d_fall01_lect2_imaging.ppt#21

Bir vidicon tpn ematik grnm

Bir monokromatr, vidicon tp, ve bilgisayar bulunan bir cihaza "optik ok-kanall
analizr" denir. Byle bir cihaz, spektrumun tamamn (veya bir ksmn) annda
kaydedebilmesi bakmndan ok nemlidir. Dedektrn kkl ya dalga boyu-
nu veya rezolusyonu snrlayan bir dezavantajdr.
18

II. TERMAL DEDEKTRLER

(Is Dedektrleri)

Termal dedektrlerde aktif element, scaklk deiiminin en yksek derecede ol-

mas iin mmkn olduu kadar kk tutulan bir malzemedir. In gelii kesildi-
inde element ortam scaklna geri dner.
Termal dedektrler eitlidir; bunlar balca drt grup altnda toplanabilir.
1. Termokupllar ve Termopiller
2. Bolometreler (Diren Termometreleri)
3. Golay ve Pnmatik Dedektrler

4. Piroelektrik Dedektrler
nfrared nn llmesi, kaynak iddetlerinin ve infrared fotonun enerjisinin d-
k olmas nedeniyle, zordur. Bu zellikler, bir infrared dedektrden alnan sinya-
lin kk olmasna yol aar, ve lmn yaplabilmesi iin byk kuvvetlendirme-
ye gereksinim olur. Bir infrared cihazn hassasiyeti ve doruluu dedektr siste-
mine baldr.
Daha nce anlatlan fototpler infrared iin uygun deildir, nk bu blgedeki
fotonlar enerji kaybederek elektronlarn fotoemisyonuna yol aarlar. Bu nedenle
sl dedektrler ve fotoiletkenlie dayanan tayin yntemleri uygun olur.

ok ksa dalga boylar dndaki tm infrared blgede, nn stma etkisiyle tepki

veren sl dedektrler kullanlabilir. Bu cihazlarla, n kk bir siyah cisim tara-
fndan absorblanr ve oluan s art llr. Bir spektrofotometreden gelen n
demetinin gc ok azdr (107 109 W), saptanabilir bir scaklk ykselmesi retil-
diinde, absorblayc elementin s kapasitesinin olabildiince kk olmas gere-
kir. Absorblayc elementin boyutunu ve kalnln kltmek ve tm infrared de-
meti element yzeyi zerinde younlatrmak iin pek ok alma yaplmtr. En
iyi koullarda, binde birka derecelik (0C) s ykselmeleri alglanabilmektedir.
nfrared nn sl yntemle llmesinde evreden gelen sl etkiler sorun yaratr.
Absorblayc element bir vakumlu ortamda ve bir koruyucu iinde tutularak evre
slarndan korunur. stenmeyen s kaynaklarn en aza indirmek iin infrared ci-
hazlarda daima kesilmi (chopped) n kullanlr. Bylece istenilen analit sinyali
 19

chopperin frekans olur; Bu sinyal, uygun devrelerle istenmeyen n sinyallerin-

den tamamen ayrlr.

1. Termokupllar ve Termopiller

terminal blok
metal A metal C

souk
scak balant balant +
Th voltmetre
_
s souk
kayna balant
metal B akm
TC www.omega.com

terminal blok iin

buz banyosu
http://www.razorrobotics.com/knowledge/?title=Thermocouple

Is kayna, souk balant ve lme sistemlerinin bulunduu

bir termokupl devesi

En basit tarifiyle bir termokupl, bir metalin iki ucunun, baka bir metalin (veya
yariletken bir metal almn) ularna kaynatlmasyla (ergitilerek) oluan balan-
tlardr. ki termokupl balants arasnda, balantlar arasndaki scaklk "fark" ile
deien, bir potansiyel doar. Uygulamalarn ounda balantlardan biri (refe-
rans balants) sabit tutulur (ounlukla bir buz banyosu iinde) ve ikinci balant
scakla-hassas dedektr olarak altrlr.
Termokupulun hassasiyeti termopiller kullanlarak ykseltilebilir. Termopiller,
termokupularn (rnein 6 adet) seri olarak balanmasyla hazrlanan bir tr termal
dedektrlerdir. Seri balanma nedeniyle k toplanabilir zelliktedir. Scak ba-
lantlar aktif element, souk balantlar referans gibi davranr. Bu tr dizaynlar
termal enerjiyi elektrik sinyaline evirebilen ok basit bir aygtlardr.
20

nfrared almada kullanlan dedektr balants ok ince tel halindeki Pt ve Ag

veya Sb ve Bi gibi metal sistemlerinden, veya metallerin iletken olmayan bir des-
tek malzemesi stnde buharlatrlmasyla hazrlanabilir. Hazrlanan balant,
ounlukla, karartlr (s absorblama kapasitesini dzenlemek iin) ve infrared
n geiren bir penceresi bulunan vakumlu bir odaca yerletirilir
Referans balant ise kapasitesi daha byk olacak ve gelen ndan zenle ko-
runacak ekilde dizayn edilir. Analit sinyali kesilmi olduunda, sadece iki balant
arasndaki scaklk fark nemlidir; bu nedenle, referans balantnn sabit bir s-
caklkta tutulmasna gereksinim olmaz.
yi dizayn edilmi bir termokupl dedektr 10-6 0C scaklk farkna tepki verebilir (6-
8 V/W aralnda bir potansiyel fark). Bir infrared dedektrn termokuplu bir
dk-impedans (zahiri diren) cihazdr; ounlukla, bir yksek-impedans
namplifikatre balanr.

2. Bolometreler (Diren Termometreleri)

Bolometreler elektrik direncinde, gelen ndan ald n miktaryla orantl bir
elektrik direnci reten aygtlardr. Gelen n absorbladklarnda nce scaklklar
ykselir, bu durum elektrik direncinin deimesine yol aar.
Hassas element platin veya nikel gibi metal eritlerden, veya bir yar iletkenden
(bunlara termistr de denir) yaplm olabilir; rnein, germanyumla doplanm
yar-iletkenleler gibi. Yar-iletken tiplerin kullanm alanlar metalik tiplerden daha
yaygndr. Bu malzemeler, scakla bal olarak nemli diren deiiklikleri gste-
rirler. Respons elementi kktr ve n ssn absorblamas iin karartlmtr.
Diren termometrelerinin IR cihazlarda kullanm dier infrared dedektrler kadar
yaygn deildir.
Bolometre, sabit scaklktaki bir s yutucuya balanm absorblayc bir element-
tir; Gelen elektromagnetik n malzeme tarafndan absorblandnda serbest
elektronlarn kinetik enerjileri artar. Serbest elektronlarn atomlarla arpmalar
sonucunda malzemenin dokusunda titreimler meydana gelir; bu durum scaklk
deiimi olarak gzlenir.
 21

elektromagnetik
n absorber
akm, I

http://www.evilprofessor.co.uk/
termal diren

bolometer-theory/
termal balant

s yutucu, sabit scaklkta

Bir bolometrik dedektrn emas

.3. Golay (Pnmatik) Dedektrler

Golay dedektr performans karakteristikleri ok iyi olan hassas bir gaz termo-
metresidir
Silindirik bir odackta ksenon gaz bulunur. Silindirin bir ucuna bir infrared pencere
yaptrlmtr; dier ucunda, d yz gmlenmi esnek bir diyafram vardr.
Ik demeti gmlenmi bir yzeyden bir vakumlu fototpn katoduna yanstlr.
Hcreye IR n girdiinde karartlm membran snr, bu da iletkenlikle ksenonu
str. Basnta meydana gelen ykselme gmlenmi diyaframn bombeleme-
sine neden olur. Sonuta, fototpn aktif yzeyine arpan yanstlan k miktar
deiir; bylece, infrared demetin gc ile ilgili fotoakmda bir deime olur.

pnmatik odack

dedektr
kaynak
h

ayna
pencere

fotodiod
Gang%20Wang%20Instrumental_Week3_4_5_CH7-2010 dedektr

Bir golay hcresi

22

Golay hcresi dier s dedektrlerinden daha pahaldr ve yakn ve orta infrared

na kar ok hassastr; bu nedenle de bu spektral blgelerde ok nadiren kulla-
nlr. Dier taraftan, 50 m (200 cm-1 )den byk dalga boylarnda fevkalade so-
nu verir; bu nedenle, en ok uzak-infrared blgede kullanlr.

4. Piroelektrik Dedektrler

absorber kontakt
piroelektrik malzeme L
arka kontakt

sinyal

amplifier

http://www.eas.asu.edu/~vasilesk/
yanstc yzey EEE352/Lecture%2032.ppt#16

Piroelektrik dedektr ve amplifier devresi

En hassas termal dedektrlerdir. Lityum tantalat (LiTaO3), baryum titanat, ve

triglisin slfat (TGS) gibi baz kristallerin scakla-hassas dipol momentleri vardr.
Bu tr maddeler metal levhalar arasna konulduunda scakla-hassas bir
kapasitr oluur, bu da infrared nn gcn lmede kullanlr. Burada iletilen
sinyal kapasitanstr.
Dedektrn responsu, malzemenin elektrik polarizasyonunun scaklkla artmas
halinde ykselir. Polarizasyonun deimesi dielektrik sabitinin de deimesine
neden olur. Radyant enerji absorblanrken scaklk ykselir ve elektrik polarizas-
yon artar; dolaysyla malzemedeki akm yer deitireceinden d devrede bu
deiiklie edeer miktarda bir akm meydana gelir. Bu halde piroelektrik ele-
ment dorudan bir akm jeneratr gibi davranr.
 23

Piroelektrik etki: Baz malzemelere s uygulandnda pozitif ve negatif ykler

malzemenin zt ularna doru hareket ederler. Malzeme stlmaya devam edildi-
inde statik elektrik oluur. Bu zellikten ararlanlarak eitli aygtlardan elektrik
akm elde edilebilmektedir.

Yararlanlan Kaynaklar

Principles of Instrumental Analysis, D.A.Skoog, D.M. West, II. Ed. 1981

Gang%20Wang%20Instrumental_Week3_4_5_CH7-2010
http://chemtech.org/cn/cn212/212-5.htm
http://metrology.tkk.fi/courses/S-108.4010/2006/S-
108.4010_Lecture_15.3.2006.ppt
http://saf.bio.caltech.edu/bi170b/BMB170b_2011_LECTURE13.pdf

http://www.chemistry.adelaide.edu.au/external/soc-rel/content/pmt.htm
http://www.cs.princeton.edu/courses/archive/fall01/cs597d/slides/cs597d_fall01_l
ect2_imaging.ppt#21
http://www.eas.asu.edu/~vasilesk/EEE352/Lecture%2032.ppt#16
http://www.evilprofessor.co.uk/bolometer-theory/
http://www.physics.hku.hk/~phys2022/Chapter4_notes.ppt#12 AGFA 1999
http://www.razorrobotics.com/knowledge/?title=Thermocouple
http://www2.fiu.edu/~cai/index_files/Chapter%207%20Components%20of%20Opt
ical%20Instruments.ppt

https://sharepoint.cisat.jmu.edu/isat/isat253/Slides/Transducers%20and%20Sens
ors%20I.ppt