G Elektronii

Ders 03
Ders Notlar Ege niversitesi retim yesi Yrd.Do.Dr. Mehmet Necdet YILDIZa aittir.

zer ENYURT Ekim 15 1

zer ENYURT Ekim 15 2
 ift Ynl Tristr (Triyak), Temel Yaps ve almas;
ift ynl tristrler (Triac- Triyak), Triyak, her alandaki endstriyel
aslnda aadaki ekilde elektronik uygulamalarnda, AC
grld gibi birbirine ters gerilimin anahtarlamas ve kontrol
paralel balanm iki adet tristr edilmesi amacyla ok youn olarak
gibi dnlebilmektedir. kullanlan bir g yariletken elemandr.

Yapsndan da anlalabilecei gibi

tristr (SCR) ile ayn zellikleri
gstermektedir. Tristrden tek fark, her
iki ynde de rahatlkla iletime
geebilmesidir.

Triyak, tpk SCR gibi sadece iletime

gemesi kontrol edilebilen bir
anahtardr.

zer ENYURT Ekim 15 3

Triyakn yaltma geebilmesi iin ise
iinden gemekte olan akmn sfra
dmesi veya drlmesi
gerekmektedir.
Triyak, iletimde olduunda tam iletim,
yaltmda olduunda ise tam yaltm
durumunda bulunur, gei an
dnda herhangi ara durumu yoktur.
Triyakn, genel amal tristrler
(SCR) gibi en nemli zellii dk
frekanslarda almak iin imal
edilmi olmalardr ki ideal alma
frekanslar 50-60Hz, max. frekanslar
ise 1kHzdir.
zer ENYURT Ekim 15
Triyaklar, ift ynl olmalar nedeniyle,
genel amal tristrler gibi, ok yksek
akm ve gerilimlerde kullanlamamaktadr.
Ancak 1200V-300A civarna kadar olanlar
bulunmaktadr.
Ayrca triyaklarn iletim i direnleri de
SCRler gibi ok dk deildir. Bu
nedenle ok yksek akml
uygulamalarda genellikle triyak yerine
birbirine ters paralel balanm olan
SCRler tercih edilmektedir.
Bu zellikleri ile triyaklar, ebeke
geriliminde kontroll anahtar ve ebeke
deitirici olarak alabilen ok kullanl
yariletken elemanlardr.
4
ift Ynl Tristrn (Triyak) altrlmas;
ekilde triyakn alstrlmas Triyakn almasn grebilmek iin ekilde
yariletken yap zerinde grlen balant yaplr. Butona baslmad
grlmektedir. Burada Vac srece triyak, doru ve ters ynde blokaj
kayna, yk beslemekle grevli (yaltm) durumunda kalacaktr.
olan ana kaynaktr. VG ise tristr
uyarmada kullanlan kaynaktr. Triyak iletime geirebilmek iin butona
basldnda triyakn G-A1 terminalleri
arasndan ok ksa bir sre iin IGK akm
dolar.

Bu durumda G-K arasndaki P-N maddeleri

iletken haline gelir ve A2-A1 arasnda sadece tek
P-N birleimi kalaca iin triyak iletim on
durumuna geer ve yk zerinden IA akm akar.

Triyak iletime getikten sonra alternans

deiiminde susaca iin butona srekli
basmaldr.

zer ENYURT Ekim 15 5

Triyakn Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde triyakn temel Aadaki ekilde ise triyakn temel
karakteristik erisinin karld temel karakteristik erilerinden akm-gerilim
test devresi grlmektedir. (Ia-Va1a2) erisi (k karakteristik
Aadaki balant ekli ile Triyakn erisi) grlmektedir.
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
alsmas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 6

Karakteristik eriden grld gibi
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra
kendiliinden iletime geerken, triyak
ancak Vmax. gerilimine ulasldnda
kendiliinden iletime gemektedir.
Bu sekilde iletime geme istenmeyen
bir durumdur. Triyakn her iki ynde de
normal olarak iletime geebilmesi iin
uyarlmas gerekmektedir.
Triyakn uyarlmas G-A1 terminalleri
arasndan yaplr.
Ters ynde ise triyak yine Vmax. gerilim
deerine kadar gvenle yaltmda
kalacak (blokaj yapacak), bu deer
aslrsa ise iletime geecektir. Tabii ki bu
ekilde iletime geme asla istenmez.
zer ENYURT Ekim 15
Bu durumda, triyakn, doru ynl (A2+,
A1-) gerilimde uyarlmaz ise blokaj
yapan, uyarld taktirde ise tam iletime
geen, doru ynl gerilim altnda kontrol
edilebilen,
Ters ynl (A2-, A1+) gerilimde ise yine
uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld
taktirde ise tam iletime geen, hem doru
hem de ters ynl gerilim altnda kontrol
edilebilen, bir yariletken g anahtar
olduu grlmektedir.
Triyak, bu zellikleriyle ACde
altrlmak iin uygun bir anahtar
durumundadr.
Fakat, triyak da SCR gibi iinden geen
akm sfra dmedike yaltma
geememektedir.
7
Triyakn uyarlma yntemleri;
Triyakn G-A1 arasndan uyarlmas srasnda 4 farkl
durum bulunmaktadr.
1- A2(+) A1(-) olmas durumunda, G(+) A1(-).
2- A2(-) A1(+) olmas durumunda, G(-) A1(+).
3- A2(+) A1(-) olmas durumunda, G(-) A1(+).
4- A2(-) A1(+) olmas durumunda, G(+) A1(-).
olmas durumlardr.

1. Durum 2.Durum 3.Durum 4.Durum

ekillerden grld gibi 1. ve 2. durumlarda triyakn gate (Ig) ve anot (Ia) akmlar ayn ynl
olarak, 3. ve 4. durumlarda ise bu akmlar birbirlerine ters hareket etmektedir.
Her durumda da triyakn uyarlmas mmkn olmaktadr. Fakat, triyak 1. ve 2. durumlarda daha
dk uyarma akmyla ve daha kolaylkla uyarlabilirken, 3. ve 4. durumlarda ise daha yksek
uyarma akmyla (yaklak 2 kat) uyarlabilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 8

 Bu durumda triyakn AC kaynakta
altrlrken uyarlabilmesi iin farkl
farkl uyarma yntemi kullanlmasna
imkan tanmaktadr. Buna gre
triyakn uyarlmas ekilden grld
gibi,

1- ift ynl ine pals kullanlarak

uyarma,
2- Tek ynl ine pals kullanlarak
uyarma,
3- Dk frekansl kare dalga
kullanarak uyarma,

olmak zere 3 farkl ekilde

yaplabilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 9

Uygulamada, yukarda belirtilen
uyarma yntemlerinin hepsi de triyak
uyarmak iin kullanlabilmesine
ramen, triyakn kullanld yere ve
yapaca ise gre en uygun yntem
seilerek kullanlmaktadr.
Bu yntemlerden birincisi, triyak
uyarmak iin, daha sonra ayrntsyla
tantlacak, zel olarak retilmi olan
Diyak isimli uyarma eleman ile
oluturulmakta ve basit
uygulamalarda kullanlmaktadr.
zer ENYURT Ekim 15
kinci uyarma yntemi zel uyarma
entegreleri veya analog-lojik devre
elemanlar yardmyla oluturulup
profesyonel uygulamalarda
kullanlmaktadr.
nc yntem ise kare dalga
reteleri veya mikroilemci
yardmyla oluturulmakta ve hem
basit hem de profesyonel
uygulamalarda kullanlmaktadr.
Bu uyarma sinyallerinin retilmesi ve
triyaka uygulanmas daha sonra
ayrntsyla aklanacaktr.
10
Triyakn alma Dalga ekilleri;
Yariletken g anahtarlarnn alma
durumlarnn grlmesi iin aktif
alma srasndaki akm-gerilim dalga
ekillerinin incelenmesi gerekmektedir.
ekilde ise triyak devresinin AC kaynakta
almas srasndaki dalga ekilleri
grlmektedir.

Triyakn doru ve ters polarmada

davranlarn inceleyebilmek iin
ekildeki balant yaplabilir.

zer ENYURT Ekim 15 11

ekilden grld gibi 0-180 Triyaklarn Seri Balanmas;
aralnda triyak istenirse uyarlarak
zellikle yksek gerilim altnda
iletime (on) geirilebilir, k gerilimi
altrlacak olan triyaklarda
triyak iletime gemesinden itibaren
triyak, uyarlmadnda zerine gelen ok
grnmeye baslar. Bu srada triyak
yksek doru ve ters gerilimleri bloke
zerindeki gerilim sfr (iletim gerilim
etmesi gerekir.
dm ihmal ediliyor), triyak zerinden
geen akm ise kaynak veya yk akm
Bu durumda retici tarafnda belirtilen
ile ayndr.
triyakn alma gerilimi, uygulamada
zerine gelecek olan gerilimden en az
180-360 aralnda ise triyak istenirse
%30 daha fazla olmas gerekmektedir ki
uyarlarak iletime (on) geirilebilir, k
salkl bir alma salanabilsin.
gerilimi triyak iletime gemesinden
itibaren grnmeye baslar. Bu srada
Uygulama srasnda mevcut triyaklarn bu
triyak zerindeki gerilim sfr (iletim
art salayamamas durumunda daha
gerilim dm ihmal ediliyor), triyak
nce aklanan kurallara uygun olarak
zerinden geen akm ise kaynak veya
seri balama yoluna gidilir ve istenilen
yk akm ile ayndr.
alma gerilimine ulalabilir.

zer ENYURT Ekim 15 12

Triyaklarn Paralel Balanmas;
zellikle yksek akm altnda
altrlacak olan triyaklarda, triyakn
zerinden gemesi gereken ok
yksek seviyeli akma dayanabilmesi
gerekir.
Bu durumda retici tarafnda belirtilen
triyak alma akm, uygulamada
zerinden geecek olan akmdan en az
%30 daha fazla olmas gerekmektedir
ki salkl bir alma salanabilsin.
Uygulama srasnda mevcut triyaklarn
bu art salayamamas durumunda
daha nceden akland gibi paralel
balama yoluna gidilir ve bu sayede
istenilen alma akmna ulalabilir.
zer ENYURT
Triyaklarda dv/dt ve di/dt korumasnn
salanmas;
Bilindii gibi ani deien akm ve
gerilimde yariletken g anahtarlar
istenmedii halde zerlerinden akm
geirmekte ve yanmaktadrlar.
Triyak iin de bu olay tamamen geerlidir
ve bu i iin mutlaka nlem alnmaldr.
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
paralel olarak uygun bir R-C devresinin
balanmasdr.
di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
seri olarak uygun bir endktansn (L)
balanmasdr.
Ekim 15 13
Triyakn Kontrol D letime Gemesi;
Triyaklarn kontrol d olarak iletime
gemesine, dolaysyla da bozulmasna
neden olan 4 durum vardr. Bu
durumlar;
1- Yksek scaklk,
2- Yksek voltaj,
3- Hzl gerilim deiimi,
4- Hzl akm deiimidir.
Triyakn bu durumlarda kontrol d
olarak iletime gemesini engellemek
iin genel amal tristrde (SCR)
akland gibi alnan tm nlemlerin
ayn ekilde alnmas
gerekmektedir.
zer ENYURT Ekim 15
Triyakn Yaltma Geirilmesi;
Triyak, genel amal tristr (SCR)
gibi iletime gemesi kontrol
edilebilen fakat yaltma gemesi
kontrol edilemeyen bir yariletken
g anahtardr.
Triyakn yaltma geebilmesi iin
diyotlarda olduu gibi ters polarma
altna girmesi yeterli deildir.
Triyakn yaltma geebilmesinin tek
art, A2-A1 arasndan akmakta olan
akmn ok ksa bir sre iin sfra
ekilmesidir. ACde alma
srasnda bu olay kendiliinden
gerekleir.
14
Kapsndan Tkanabilen Tristr (GTO), Yaps ve almas;

Bilindii gibi genel amal tristrler te GTO bu eksiklii gidermek

ve triyaklarda sadece iletime amacyla yaplan almalar sonrasnda
geme isi kontrol terminalleri ortaya kan bir g anahtardr. Sekil-
zerinden kontrol edilebilmekte, 2.42de sembol grlen GTO, gate
yaltma gemeleri ise kontrol (kap) terminali ile katod terminali
terminalleri zerinden kontrol arasndan, pozitif pals ile uyarldnda
edilememektedir. iletime, negatif pals ile uyarldnda ise
yaltma gemektedir.
Bu olay zellikle DC kaynakta
alma srasnda bu ok kt bir
zellik ve eksiklik olarak karsmza
kmakta ve eleman yk altnda
susturabilmek iin baka ilemler
gerekmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 15

GTOnun kontroll olarak iletime
geirilebilmesi iin SCR ve triyakta
olduu gibi ok ksa sreli (1-2ms)
bir pozitif pals uygulanmas ve
Gden Kya doru kk bir uyarma
akmnn aktlmas yeterli
olmaktadr.
Yine GTOnun kontrollu olarak
yaltma geirilebilmesi iin ise ok
ksa sreli fakat bu defa GK arasna
negatif bir palsin uygulanmas ve
Kdan Gye doru daha byk
negatif bir susturma akmnn
aktlmas gerekmektedir.
zer ENYURT Ekim 15
Bu zellikleri nedeniyle kapsndan
tkanabilen tristr(GTO), DCde
altrlan bir SCRye gre aadaki
avantajlara sahip olunmaktadr.
1- Tristr susturma dzeneklerinden
kurtulma,
2- Daha temiz, kk, ucuz dzenekler
elde edilmesi,
3- Hzl susturulabildii iin yksek
frekansta alma,
4- Devre veriminin artmasdr.
Bu durumda zellikle yksek gl DC
devrelerde uygundur.
16
1200V-500A seviyelerine kadar
versiyonlar olan GTOlar zellikle ok
yksek gl DCDC dntrclerde
ve yksek gl dk frekansl
invertr uygulamalarnda tercih
edilmektedirler.
Aadaki ekilde bir GTOnun yariletken
katman yaps grlmektedir. ekilden
grld gibi tek gate (kap) terminali
olduu halde ama ve kapatma isi farkl
tabakalardan yaplmaktadr.

zellikle metro, elektrikli tren gibi toplu

tasm aralarnda DC motor
kullanlmas durumunda GTOlar ok
yksek gl olan bu motorlarn
kontrolnde vazgeilmez hale
gelmektedir.

rnek olarak, 750Vdc ile alsan zmir

metrosunun aralardr.

zer ENYURT Ekim 15 17

Kapsndan Tkanabilen Tristrn altrlmas;

Aadaki ekilde GTOnun altrlmas ekilden grld gibi GTO pozitif

grlmektedir. Burada Vs kayna, yk akmla (gateden katota) veya negatif
beslemekle grevli olan ana kaynaktr. VG akmla (katottan gate) uyarlabilmekte
ise GTOyu uyarmada kullanlan kaynaktr. fakat yk akm olarak (IA) sadece
pozitif ynde (anottan katota doru)
akabilmektedir.

GTO iletime geirilmek istendiinde

ok ksa bir sre iin butona
baslarak G-K arasndan dz (pozitif)
bir akm akmas salanr.

GTO yaltma geirilmek istendiinde

ise G-K arasndan ters (negatif) akm
aktlr.

zer ENYURT Ekim 15 18

GTOnun Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde GTOnun temel Aadaki ekilde ise GTOnun temel
karakteristik erisinin karld karakteristik erilerinden akm-gerilim (Ia-Vak)
temel test devresi grlmektedir. erisi (k karakteristik erisi)
ekilde verilen balant ile grlmektedir.
GTOnun doru yn almas,
devredeki Vs bataryas ters
evrilerek de ters yn almas
test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 19

Karakteristik eriden grld gibi
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra
kendiliinden iletime geerken, GTO
ancak Vmax. gerilimine ulaldnda
kendiliinden iletime gemektedir.
Bu ekilde iletime geme istenmeyen
bir durumdur. GTOnun doru ynde de
normal olarak iletime geebilmesi iin
pozitif akmla, yaltma geirilebilmesi
iinse negatif akmla uyarlmas
gerekmektedir.
Ters ynde ise GTO yine Vmax. gerilim
deerine kadar gvenle yaltmda
kalacak (blokaj yapacak), bu deer
aslrsa ise iletime geecektir. Tabii ki bu
ekilde iletime geme asla istenmez.
zer ENYURT Ekim 15
Bu durumda GTOnun, doru ynl (A+, K-
) gerilimde uyarlmaz ise blokaj yapan,
uyarld taktirde ise tam iletime geen,
doru ynl gerilim altnda iletimi ve
yaltm kontrol edilebilen,
Ters ynl (A-, K+) gerilimde ise yine
uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld
taktirde ise bozulma ihtimali yksek olan
tek ynl akm aktan bir yariletken g
anahtar olduu grlmektedir.
GTO, bu zellikleriyle DCde altrlmak
iin ok uygun bir anahtar durumundadr.
GTOnun bu zellii sayesinde SCRde
kullanlan zorla susturma dzenekleri
kullanlmaz.
20
Aadaki ekilde GTOnun DC
almasn izleyebilmek iin
kurulan devre grlmektedir.

Yandaki ekilde ise GTOnun DC

kaynak altnda iletim ve yaltmnn
kontrol edilmesi, devrenin alma
dalga ekilleriyle birlikte verilmitir.

zer ENYURT Ekim 15 21

ekilden grld gibi 0-t1 aralnda
herhangi bir uyar verilmedii iin GTO
yaltmda bulunmaktadr.
t1 annda GTOnun G-K arasna pozitif bir
uyarma (tetikleme) palsi uygulandnda
eleman hemen iletime gemektedir.
t1-t2 aralnda iletimde kalan GTOya t2
annda daha byk ve negatif bir tetikleme
palsi uygulandnda eleman hemen
yaltma gemektedir.
t3 annda eleman tekrar pozitif pals ile
uyarldnda yine iletime gemektedir.
Ksacas hem iletime hem de yaltma
gemesi G-K arasndan rahatlkla kontrol
edilebilir ve bu islem istenilen sklkta yaplr.
zer ENYURT Ekim 15
GTOlarn Seri ve Paralel Balanmas;
GTOlar zellikle DCde yksek
akm ve gerilimlerde almak iin
imal edilmi yariletken g
anahtarlar olduu iin pek fazla
seri ve paralel balamaya ihtiya
olmaz.
Buna ramen ok daha yksek
akm ve gerilimlerde allmas
gerektiinde tpk tristrlerde olduu
gibi seri veya paralel balanma
prosedr uygulanr.
Tabii ki kontrol devresi de tm
elemanlar iin yaplandrlr.
22
GTOlarda dv/dt ve di/dt korumasnn
salanmas;
Bilindii gibi ani deisen akm ve
gerilimde yariletken g anahtarlar
istenmedii halde zerlerinden akm
geirmekte ve yanmaktadrlar.
GTO iin de bu olay tamamen geerlidir
ve bu is iin mutlaka nlem alnmaldr.
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
paralel olarak uygun bir R-C devresinin
balanmasdr.
di/dt iin alnmas gereken nlem ise
yine diyot ve tristrde olduu gibi,
elemana seri olarak uygun bir
endktansn (L) balanmasdr.
zer ENYURT Ekim 15
GTOnun Kontrol D letime Gemesi;
GTOnun kontrol d olarak iletime
gemesine, dolaysyla da bozulmasna
neden olan 4 durum vardr. Bu durumlar;
1) Yksek scaklk,
2) Yksek voltaj,
3) Hzl gerilim deiimi,
4) Hzl akm deiimi.
GTOnun bu durumlarda kontrol d
olarak iletime gemesini engellemek iin
diyotlarda ve genel amal tristrde
(SCR) akland gibi alnan tm
nlemlerin ayn ekilde alnmas
gerekmektedir.
23
G TRANSSTRLER:
G transistrleri, kontroll g
anahtarlardr. temel yapda
bulunan bu transistrler;
1- ift polariteli, genel amal
transistr (BJT),
2- Metal oksitli, alan etkili
transistrler (MOSFET),
3- Yaltlm kapl transistrler
(IGBT),
Bu trlerin kendilerine ait
zellikleri ve buna bal olarak da
kullanm alanlar bulunmaktadr.
Simdi bu trleri ayrntsyla
inceleyelim.
zer ENYURT
ift Polariteli Transistr (BJT), Temel Yaps ve
almas:
Elektronik alannda ilk gelitirilen ve ok
kullanlan elemanlardan birisi olan BJT, bu
gne kadar pek ok alanda youn bir
ekilde kullanlm ve kullanlmaktadr. Bu
alanlardan bazlar;
Ykselte olarak,
Sinyal reteci (osilatr) olarak,
Alc-verici olarak,
Mantk ilemcisi olarak,
Anahtarlama eleman vb. olarak.
Ekim 15 24
Bu kadar fazla is iin kullanlan BJT, Grld ve nceden de bilindii gibi
g elektronii devrelerinde ve yariletken katmanlarn sralansna gre
endstriyel elektronikte de anahtar NPN ve PNP olmak zere iki tr
olarak kullanlmaktadr. transistr (BJT) bulunmaktadr.

ekilde temel taransistr (BJT)nin Transistr (BJT), su ana kadar tantlan

yariletken yaps ve sembolleri elemanlarn aksine, sadece on ve off
grlmektedir. olmak zere iki durumu olan bir
yariletken anahtar deildir.

BJTnin on ve off arasnda bir de

amplifikasyon (ykseltme) durumu
(blgesi) bulunmaktadr.

zer ENYURT Ekim 15 25

BJT bu sayede ok farkl
uygulamalarda kullanlabilmektedir.
Fakat g elektronii uygulamalarnda
transistrn (BJT) bir anahtar gibi
almas ve sadece on ve off
durumlarnda olmas istenmektedir.
Bu nedenle g elektroniinde
transistrn (BJT) kullanlmas
srasnda anahtar olarak alacak
ekilde kontrol edilir.
Ayrca g elektronii uygulamalarnda
daha ok NPN transistr tercih edilir.
G elektronii uygulamalarnda
daha ok DC-DC dntrc (DC
kyc) ve DC-AC dntrc
(nvertr) devrelerinde tercih edilen
transistr (BJT), ok dk
frekanslardan (1-2Hz), yksek
frekanslara (20-30kHz) kadar
kontroll anahtar olarak
kullanlabilmektedir.
BJT, tpk tristr, triyak ve GTO gibi
akm kontroll bir yariletken
anahtardr. Fark ise uyarld
srece iletimde olmas uyar
kesildiinde ise yaltma gemesidir.

zer ENYURT Ekim 15 26

ift Polariteli Transistrn (BJT) altrlmas;
Aadaki ekilde ift polariteli
transistrn altrlmas yariletken butonuna baslmad srece BJT,
yap zerinde grlmektedir. Burada
Vs kayna yk beslemekle grevli
olan ana kaynaktr. VB ise transistr
uyarmada kullanlan kaynaktr.
zer ENYURT Ekim 15
ekilden grld gibi, uyarma
kollektr ile emiteri arasna gelen
doru ynl gerilime blokaj
yapacak ve yaltmda kalacaktr.
BJT iletime geirilmek istendiinde
ise uyarma butonuna baslarak
beyz (base)den emitere doru bir
uyarma akm (IBE) akmas
salanr ve bu sayede BJT iletime
geerek kollektrden emitere
doru yk akmn (IC) aktmaya
baslar. IBE akm kesildiinde BJT
susar.
27
Yalnz burada ok nemli bir ayrnt
vardr. BJTnin sadece on ve off
durumlar olmad ve ara
durumlarda da yar geirgen olarak
alabildii iin, g elektronii
uygulamalarnda BJTyi uyaracak
olan akmn (IBE), eleman tam olarak
iletime geirebilecek akm
seviyesinde olmas gerekmektedir.
G elektronii uygulamalarnda
transistr tek olarak kullanlabildii gibi,
yksek akm seviyelerine kabilmek iin
genellikle retici tarafndan veya
kullanc tarafndan aadaki ekilde
grld gibi darlington balanarak
kullanlmaktadr.

BJTyi tam iletime geirecek olan

uyarma akm (IBE) seviyesi, retici
tarafndan elemann bilgi
yapraklarnda ayrntl olarak
verilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 28

BJTnin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde BJTnin temel Aadaki ekilde BJTnin temel
karakteristik erisinin karld karakteristik erilerinden akm-gerilim
temel test devresi grlmektedir. (IC-VCE) erisi (k karakteristik
erisi) farkl bir ekilde grlmektedir.
ekildeki balant sekli ile BJTnin
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
almas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 29

 Karakteristik eriden grld
gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan
sonra iletime geerken, BJT ancak
Vmax. gerilimine ulaldnda
iletime geer fakat bu ekilde
iletime geme istenmeyen bir
durumdur. BJTnin doru ynde de
normal olarak iletime geebilmesi
iin uyar verilmesi, yaltma
geirilebilmesi iinse uyarnn
ekilmesi gerekmektedir.
Ters ynde ise BJT asla
alamaz, yani BJTnin ters
gerilim blokaj kabiliyeti yoktur.
zer ENYURT
Bu durumda BJTnin, doru ynl (C+, E-)
gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan, tam
uyarld taktirde ise tam iletime geen,
doru ynl gerilim altnda iletimi ve
yaltm kontrol edilebilen,
Ters ynl (C-, E+) gerilimde ise asla
alamayan, altrld taktirde bozulan,
tek (+) ynl akm aktan bir yariletken g
anahtar olduu grlmektedir.
BJT, bu zellikleriyle DCde altrlmak
iin uygun bir anahtar durumundadr.
BJTnin bu zellii sayesinde SCRde
kullanlan zorla susturma dzenekleri
kullanlmaz.
Ekim 15 30
BJTlerde elemann hangi durumlarda
tam iletim veya tam yaltm, hangi
durumlarda da amplifikasyon
(ykseltme) modunda olduunu
gsteren ok nemli bir karakteristik
eri daha vardr, bu eri aada
ekilde grlmektedir.
zer ENYURT Ekim 15
ekilden grld gibi BJTnin kollektr
akmnn (IC) miktar, tamamen B-E
arasndan aktlan akmn (IB) deerine
baldr.
Bu balant retici tarafndan bir
parametreyle () verilmekte olup,
aadaki gibi gsterilir;
rnek, = 150 (= Ic / IB)
Ic= .IB veya IB= Ic /
Grld gibi kollektr akm beyz
akmnn katdr.
Anahtarlama uygulamalarnda beyz
akm (IB), ya max. yada 0 seilerek
kontrol yaplr.
31
Aadaki ekilde BJTnin DCde
almasn izleyebilmek iin kurulan devre
grlmektedir.

Yandaki ekilde ise BJTnin dc kaynak

altnda iletim ve yaltmnn kontrol
edilmesi, devrenin alma dalga
ekilleriyle birlikte verilmitir.

Zaten BJT, AC kaynakta asla altrlamaz

nk ters gerilimi bloke edemez ve yanar.

zer ENYURT Ekim 15 32

ekilden grld gibi 0-t1 aralnda BJTlerin Seri ve Paralel Balanmas;
BJT yaltmda bulunmaktadr. t1 annda BJTler, sadece DCde alabilen
BJTnin B-E arasna pozitif bir uyarma yariletken elemanlar olduu iin daha
gerilimi uygulandnda IB akarak ok dc-dc dntrc ve
eleman hemen iletime gemektedir. invertrlerde eskiden youn olarak
kullanlmak idi.
t1-t2 aralnda iletimde kalan BJTnin t2
annda uyarma gerilimi dolaysyla da IB Gnmzde pek fazla
akm kesildiinde, eleman hemen kullanlmamasna ramen yksek
yaltma gemektedir. akm ve gerilimlerde allmas
gerektiinde darlington balant
t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile yaplr veya dier elemanlarda olduu
uyarldnda yine iletime gemektedir. gibi seri veya paralel balanma
prosedr uygulanabilir.
Ksacas hem iletime hem de yaltma
gemesi B-E arasndan rahatlkla kontrol
edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 33

BJTlerde dv/dt ve di/dt korumasnn BJTnin Kontrol D letime Gemesi;
salanmas;
BJTnin kontrol d olarak iletime
Bilindii gibi ani deien akm ve gerilimde
gemesine, dolaysyla da
yariletken g anahtarlar istenmedii
bozulmasna neden olan 4 durum
halde zerlerinden akm geirmekte ve
vardr. Bu durumlar yine;
yanmaktadrlar.
1) Yksek scaklk,
BJT iin de bu olay tamamen geerlidir ve
2) Yksek voltaj,
bu is iin mutlaka nlem alnmaldr.
3) Hzl gerilim deiimi,
4) Hzl akm deiimi.
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
BJTnin bu durumlarda kontrol d
paralel olarak uygun bir R-C devresinin
olarak iletime gemesini engellemek
balanmasdr.
iin diyotlarda ve dier g
elemanlarnda ayrntsyla akland
di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine
gibi alnan tm nlemlerin ayn
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri
ekilde alnmas
olarak uygun bir endktansn (L)
gerekmektedir.
balanmasdr.
zer ENYURT Ekim 15 34
Metal Oksitli Alan Etkili Transistr (Mosfet) Temel Yaps ve almas;
Elektronik alannda ok kullanlan
elemanlardan birisi olan Mosfet, bu
gne kadar pek ok alanda youn
bir ekilde kullanlm ve
kullanlmaktadr. Bu alanlar;
Ykselte olarak,
Sinyal reteci (osilatr) olarak,
Reglatr olarak,
Alc-verici olarak,
Mantk ilemcisi olarak,
Anahtarlama eleman olarak.
zer ENYURT
Mosfetin temeli alan etkili transistre
(FET) dayanmaktadr. Alan etkili
transistrler analog elektroniin temel
elemanlarndan birisi olup zellikle
ykseltme ve osilasyon retme islerinde
youn olarak kullanlmaktadr.
Mosfetler FETin bir ileri versiyonu olup,
transistr gibi kontrol edilebilme zelliine
sahip elemanlardr.
Mosfetler D ve E-Mosfet olarak ikiye
ayrlmaktadr.
Ekim 15 35
 Bunlardan arttrmal Mosfet olarak bilinen ekilden grld gibi yariletken
E-Mosfetler g elektronii devrelerinde katmanlarn sralanna gre
yar iletken anahtar olarak Nkanal ve P-Kanal olmak zere iki
kullanlmaktadr. tr E-Mosfet bulunmaktadr.

Aadaki ekilde E-Mosfetin yariletken E-Mosfet, tpk transistr (BJT) gibi,

yaps ve sembolleri grlmektedir. sadece on ve off olmak zere iki
durumu olmayan, ara durumlara da
sahip olan bir yariletken anahtardr.

E-Mosfetin on ve off arasnda bir de

amplifikasyon (ykseltme) durumu
SiO2 (blgesi) bulunmaktadr.

zer ENYURT Ekim 15 36

E-Mosfet, bu sayede ok farkl
uygulamalarda kullanlabilmektedir.
Fakat g elektronii
uygulamalarnda E-Mosfetin bir
anahtar gibi almas ve sadece
on ve off durumlarnda olmas
istenmektedir.
Bu nedenle g elektroniinde E-
Mosfetin kullanlmas srasnda
anahtar olarak alacak ekilde
kontrol edilir.
Ayrca g elektronii
uygulamalarnda daha ok N Kanal
E-Mosfet tercih edilir.
zer ENYURT
G elektronii uygulamalarnda daha
ok DCDC dntrc (DC kyc) ve
DC-AC dntrc (nvertr)
devrelerinde tercih edilen EMosfetler,
ok dk frekanslardan (1-2Hz),
yksek frekanslara (80-100kHz) kadar
kontroll anahtar olarak
kullanlabilmektedir.
E-Mosfet, tpk MCT gibi gerilim
kontrollu bir yariletken anahtardr.
Fark ise uyarld srece iletimde
olmas uyar kesildiinde ise yaltma
gemesidir.
Ekim 15 37
Metal Oksitli Fet Transistrn (E-Mosfet) altrlmas;

Aadaki ekilde N-kanal E- Sekil-2.60dan grld gibi, uyarma

Mosfetin altrlmas yariletken
yap zerinde grlmektedir. Burada
Vs kayna yk beslemekle grevli
olan ana kaynaktr. VG ise transistr
uyarmada kullanlan kaynaktr.
butonuna baslmad srece E-
Mosfet, Drain ile Source arasna
gelen doru ynl gerilime blokaj
yapacak ve yaltmda kalacaktr.
E-Mosfet iletime geirilmek
istendiinde ise uyarma butonuna
baslarak Gate (kap) ile Source
arasnda bir uyarma geriliminin
olusmas salanr ve bu sayede E-
Mosfet iletime geerek Drainden
Sourcee doru yk akmn (ID)
aktmaya baslar. VGS gerilimi
kesildiinde E-Mosfet susar.

zer ENYURT Ekim 15 38

Yalnz burada ok nemli bir ayrnt
vardr. E-Mosfetin sadece on ve
off durumlar olmad ve ara
durumlarda da yar geirgen olarak
alsabildii iin, g
uygulamalarnda E-Mosfeti
uyaracak olan gerilimin (VGS),
eleman tam olarak iletime
geirebilecek gerilimin seviyesinde
olmas
gerekmektedir.
E-Mosfeti tam iletime geirecek
olan uyarma gerilimi (VGS) seviyesi,
retici tarafndan elemann bilgi
yapraklarnda verilmektedir.
zer ENYURT Ekim 15
Buraya kadar aklananlardan yola
karak E-Mosfet ile transistrn (BJT)
ayn mantkla altklar yani uyarld
srece iletimde olduklar, uyar
kesildiinde ise baka bir isleme gerek
kalmakszn yaltma getikleri
grlmektedir.
Peki ikisi arasndaki fark ne?
E-mosfet ile BJT arasndaki fark, BJTnin
akmla (IBE), EMosfetin ise gerilimle
(VGS) kontrol edilmesidir ki bu sayede E-
Mosfet BJTe gre daha hzl
anahtaranabilir.
39
E-Mosfetin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde EMosfetin temel Aadaki ekilde ise EMosfetin temel
karakteristik erisinin karld temel karakteristik erilerinden akm-gerilim
test devresi grlmektedir. (IDVDS) erisi (k karakteristik erisi)
Asadaki balant sekli ile EMosfetin grlmektedir.
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
alsmas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 40

Karakteristik eriden grld gibi
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra
kendiliinden iletime geerken, E-
Mosfet ancak Vmax. gerilimine
ulaldnda kendiliinden iletime
gemektedir.
Bu ekilde iletime geme istenmeyen
bir durumdur. EMosfetin doru ynde
de normal olarak iletime geebilmesi
iin uyar verilmesi, yaltma
geirilebilmesi iinse uyarnn ekilmesi
gerekmektedir.
Ters ynde ise E-Mosfet asla
alamaz, yani E-Mosfetin ters gerilim
blokaj kabiliyeti yoktur. Ters gerilim
verildiinde BJT blokaj yapamayarak
yanar.
zer ENYURT Ekim 15
Bu durumda E-Mosfetin, doru ynl (D+,
S-) gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan,
tam uyarld taktirde ise tam iletime
geen, doru ynl gerilim altnda iletimi ve
yaltm kontrol edilebilen,
Ters ynl (D-, S+) gerilimde ise asla
alamayan, altrld taktirde bozulan,
tek (+) ynl akm aktan bir yariletken g
anahtar olduu grlmektedir.
E-Mosfet, bu zellikleriyle DCde
altrlmak iin uygun bir anahtar
durumundadr.
E-Mosfetin bu zellii sayesinde SCRde
kullanlan zorla susturma dzenekleri
kullanlmaz.
41
 E-Mosfetlerde, elemann hangi
durumlarda tam iletim veya tam yaltm,
hangi durumlarda da amplifikasyon
(ykseltme) modunda olduunu
gsteren ok nemli bir karakteristik eri
daha vardr, bu eri aada ekilde
grlmektedir.
zer ENYURT Ekim 15
ekilden grld gibi E-Mosfetin Drain
akmnn (ID) miktar, tamamen G-S
arasndaki kontrol geriliminin deerine
baldr.
Bu balant retici tarafndan
parametreyle (gm) verilmekte olup,
aadaki gibi gsterilir;
rnek, gm= 50 (gm= ID / VGS)
ID= gm.VGS veya VGS= ID / gm
Grld gibi Drain akm VGS
geriliminin gm katdr.
Anahtarlama uygulamalarnda VGS
gerilimi ya max. yada 0 seilerek
kontrol yaplr.
42
Aadaki ekilde E-Mosfet DCde
almasn izleyebilmek iin kurulan
devre grlmektedir.

Yandaki ekilde ise E-Mosfetin DC

kaynak altnda iletim ve yaltmnn
kontrol edilmesi, devrenin alma dalga
ekilleriyle birlikte verilmitir.

Zaten E-Mosfetler ac kaynakta asla

altrlamaz nk ters gerilimi bloke
edemez ve yanarlar.

zer ENYURT Ekim 15 43

 ekilden grld gibi 0-t1 aralnda E-Mosfetlerin Seri ve Paralel
E-Mosfet yaltmda bulunmaktadr. Balanmas;

t1 annda E-Mosfetin G-S arasna pozitif E-Mosfetler, sadece DCde

bir uyarma gerilimi uygulandnda
eleman hemen iletime gemektedir.
t1-t2 aralnda iletimde kalan E-
Mosfetin t2 annda uyarma gerilimi
kesildiinde (sfra dtnde), eleman
hemen yaltma gemektedir.
t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile
uyarldnda yine iletime gemektedir.
Ksacas hem iletime hem de yaltma
gemesi G-S arasndan rahatlkla
kontrol edilebilmektedir.
alabilen yariletken elemanlar
olduu iin daha ok DC-DC
dntrc ve invertrlerde youn
olarak kullanlmaktadr.
Gnmzde olduka fazla kullanlan
E-Mosfetlerin yksek akm ve
gerilimlerde allmas gerektiinde
diyot, tristr ve dier elemanlarda
olduu gibi seri veya paralel
balanma prosedr uygulanabilir.

zer ENYURT Ekim 15 44

 E-Mosfetlerde dv/dt ve di/dt korumasnn
salanmas;
Bilindii gibi ani deisen akm ve gerilimde
yariletken g anahtarlar istenmedii halde
zerlerinden akm geirmekte ve
yanmaktadrlar.
E-Mosfetin Kontrol D letime
Gemesi;
E-Mosfetin kontrol d olarak iletime
gemesine, dolaysyla da
bozulmasna neden olan 4 durum
vardr. Bu durumlar;

E-Mosfetler iin de bu olay tamamen geerlidir 1) Yksek scaklk,

ve bu is iin mutlaka nlem alnmaldr. 2) Yksek voltaj,
3) Hzl gerilim deiimi,
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk diyot ve 4) Hzl akm deisimi.
tristrde olduu gibi, elemana paralel olarak
uygun bir R-C devresinin balanmasdr. E-Mosfetin bu durumlarda kontrol d
olarak iletime gemesini engellemek
di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine diyot iin diyotlarda ve dier g
ve tristrde olduu gibi, elemana seri olarak elemanlarnda ayrntsyla akland
uygun bir endktansn (L) balanmasdr. gibi alnan tm nlemlerin ayn ekilde
alnmas gerekmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 45

Yaltlm Kapl Transistr (IGBT), Temel
Yaps ve almas;
Gnmzde g elektronii
uygulamalarnda en fazla
kullanlan elemanlardan birisi olan
IGBT, transistr (BJT) ile Emosfet
karm zel bir elemandr.
Bilindii gibi BJTnin iyi taraf iletim
i direncinin dolaysyla da iletim
kayplarnn dk olmasdr. Kt
taraf ise anahtarlama sresinin
uzun olmas dolaysyla da
anahtarlama kayplarnn yksek
olmasdr.
zer ENYURT
E-Mosfetlerde ise BJTye gre tam
tersi durum sz konusudur. Yani
Mosfetin kt taraf, iletim i direncinin
yksek dolaysyla da iletim kayplar
transistre gre daha fazla olmasdr.
yi taraf ise anahtarlama sresinin
dk, dolaysyla da anahtarlama
kayplarnn transistre gre daha az
olmasdr.
ste her iki elemann iyi zellikleri
alnarak yeni bir eleman gelitirilmitir.
Bu eleman girii mosfet gibi
yaplandrlm ks ise transistr gibi
yaplandrlm olan IGBTdir.
Ekim 15 46
IGBTer kontrol srasnda mosfet gibi
alma srasnda ise transistr gibi
davranan ve sadece anahtar olarak
kullanlan elemanlardr.

ekilde IGBTnin yariletken yaps ve

edeer devresi grlmektedir. Edeer
devreden grld gibi IGBT yaps,
giri terminalleri arasna N-Kanal E-
Mosfet balanm bir PNP transistr
gibidir. Bu sayede Mosfet gibi hzl
anahtarlanan, transistr (BJT) gibi iletim
i direnci dk olan yeni bir eleman
oluturulmutur.

zer ENYURT Ekim 15 47

IGBT, bu sayede son
zamanlarda daha nceden
transistr ve E-Mosfetin
kullanld tm anahtarlama
uygulamalarnda ok yaygn
olarak kullanlmaktadr.
Pratikte dk gerilimli
uygulamalarda daha ok
EMosfet, yksek gerilimli (400V
ve zeri) daha ok IGBT tercih
edilmekte olup sembol ekilde
grld gibidir.
zer ENYURT
G elektronii uygulamalarnda daha
ok DC-DC dntrc (DC kyc) ve
DC-AC dntrc (nvertr)
devrelerinde tercih edilen IGBTler, ok
dk frekanslardan (1-2Hz), orta
frekanslara (20kHz) kadar kontroll
anahtar olarak kullanlabilmekte olup,
1200V-400A seviyelerine kadar olan
versiyonlar bulunmaktadr.
IGBTler, tpk E-Mosfetler gibi gerilim
kontroll bir yariletken anahtardr ve
kontrolnde Emosfet prosedr
uygulanr.
Ekim 15 48
IGBTlerin altrlmas;
Aadaki ekilde IGBTnin altrlmas ekilden grld gibi, uyarma
sembol zerinde grlmektedir. Burada butonuna baslmad srece IGBT,
Vs kayna yk beslemekle grevli olan kollektr ile emiter arasna gelen
ana kaynaktr. VG ise transistr doru ynl gerilime blokaj yapacak
uyarmada kullanlan kaynaktr. ve yaltmda kalacaktr.

IGBT iletime geirilmek istendiinde

ise uyarma butonuna baslarak Gate
(kap) ile Emiter arasnda bir uyarma
geriliminin olumas salanr ve bu
sayede IGBT iletime geerek
kollektrden emitere doru yk
akmn (IC) aktmaya baslar. VGE
gerilimi kesildiinde IGBT susar.

zer ENYURT Ekim 15 49

Yalnz burada ok nemli bir ayrnt
vardr. IGBTnin sadece on ve off
durumlar olmad ve ara durumlarda
da yar geirgen olarak alabildii
iin, g elektronii uygulamalarnda
IGBTyi uyaracak olan gerilimin (VGE),
eleman tam olarak iletime
geirebilecek gerilimin seviyesinde
olmas gerekmektedir.
IGBTyi tam iletime geirecek olan
uyarma gerilimi (VGE) seviyesi,
retici tarafndan elemann bilgi
yapraklarnda ayrntl olarak
verilmektedir.
zer ENYURT
Buraya kadar aklananlardan yola
karak IGBTi ile EMosfetin ayn
mantkla altklar yani uyarld
srece iletimde olduklar, uyar
kesildiinde ise baka bir isleme
gerek kalmakszn yaltma getikleri
grlmektedir.
Peki ikisi arasndaki fark ne?
IGBT, zellikle yksek gerilim ve akm
altnda hzl olarak anahtarlanabilecek
ekilde imal edildiinden, yksek
gerilim ve akmda E-Mosfete gre
avantajl durumdadr.
Ekim 15 50
IGBTnin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde IGBTnin temel Aadaki ekilde IGBTnin temel
karakteristik erisinin karld temel karakteristik erilerinden olan akm-
test devresi grlmektedir. gerilim (IC-VCE) erisi (k
karakteristik erisi) grlmektedir.
Aadaki balant sekli ile IGBTnin
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
almas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 51

Karakteristik eriden grld gibi
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra
kendiliinden iletime geerken, IGBT
ancak Vmax. gerilimine ulaldnda
kendiliinden iletime gemektedir.
Bu ekilde iletime geme istenmeyen
bir durumdur. IGBTnin doru ynde
de normal olarak iletime geebilmesi
iin uyar verilmesi, yaltma
geirilebilmesi iinse uyarnn
ekilmesi gerekmektedir.
Ters ynde ise IGBT asla alamaz,
yani IGBTnin ters gerilim blokaj
kabiliyeti yoktur. Ters gerilim
verildiinde IGBT blokaj yapamayarak
yanar.
zer ENYURT Ekim 15
Bu durumda IGBTnin, doru ynl (C+,
E-) gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan,
tam uyarld taktirde ise tam iletime
geen, doru ynl gerilim altnda iletimi
ve yaltm kontrol edilebilen,
Ters ynl (C-, E+) gerilimde ise asla
alamayan, altrld taktirde
bozulan, tek (+) ynl akm aktan bir
yariletken g anahtar olduu
grlmektedir.
IGBT, bu zellikleriyle DCde altrlmak
iin uygun bir anahtar durumundadr.
IGBTnin bu zellii sayesinde SCRde
kullanlan zorla susturma dzenekleri
kullanlmaz.
52
IGBTlerde, elemann hangi durumlarda
tam iletim veya tam yaltm, hangi
durumlarda da amplifikasyon
(ykseltme) modunda olduunu
gsteren ok nemli bir karakteristik eri
daha vardr, bu eri aada ekilde
grlmektedir.
zer ENYURT Ekim 15
ekilden grld gibi IGBTnin
Kollektr akmnn (IC) miktar,
tamamen C-E arasndaki kontrol
geriliminin deerine baldr.
Bu balant, retici tarafndan
parametreyle (gm) verilmekte olup,
aadaki gibi gsterilir;
rnek, gm= 50 (gm= IC / VGE)
IC= gm.VGE veya VGE= IC / gm
Grld gibi kollektr akm VGE
geriliminin gm katdr.
Anahtarlama uygulamalarnda VGE
gerilimi ya max. yada 0 seilerek
kontrol yaplr.
53
Asadaki ekilde IGBTnin dcde almasn
izleyebilmek iin kurulan devre grlmektedir.

Yandaki ekilde ise IGBTnin dc kaynak

altnda iletim ve yaltmnn kontrol edilmesi,
devrenin alma dalga ekilleriyle birlikte
verilmitir.

Zaten IGBTler ac kaynakta asla altrlamaz

nk ters gerilimi bloke edemez ve yanar.

zer ENYURT Ekim 15 54

ekilden grld gibi 0-t1 aralnda IGBTlerin Seri ve Paralel Balanmas;
IGBT yaltmda bulunmaktadr.
IGBTler, sadece DCde alabilen
t1 annda IGBTnin G-E arasna pozitif bir yariletken elemanlar olduu iin daha
uyarma gerilimi uygulandnda eleman ok DC-DC dntrc ve
hemen iletime gemektedir. invertrlerde ok youn olarak
kullanlmaktadr.
t1-t2 aralnda iletimde kalan IGBTnin t2
annda uyarma gerilimi kesildiinde (sfra Gnmzde olduka fazla kullanlan
dtnde), eleman hemen yaltma IGBTlerin yksek akm ve gerilimlerde
gemektedir. allmas gerektiinde diyot, tristr ve
dier elemanlarda olduu gibi seri
t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile veya paralel balanma prosedr
uyarldnda yine iletime gemektedir. uygulanabilir.

Ksacas hem iletime hem de yaltma

gemesi G-E arasndan rahatlkla kontrol
edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 55

IGBTlerde dv/dt ve di/dt korumasnn
salanmas;
Bilindii gibi ani deisen akm ve gerilimde
yariletken g anahtarlar istenmedii
halde zerlerinden akm geirmekte ve
yanmaktadrlar.
IGBTnin Kontrol D letime Gemesi;
IGBTnin kontrol d olarak iletime
gemesine, dolaysyla da
bozulmasna neden olan 4 durum
vardr. Bu durumlar;

IGBTler iin de bu olay tamamen geerlidir 1) Yksek scaklk,

ve bu is iin mutlaka nlem alnmaldr. 2) Yksek voltaj,
3) Hzl gerilim deiimi,
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk 4) Hzl akm deiimi.
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
paralel olarak uygun bir R-C devresinin IGBTnin bu durumlarda kontrol d
balanmasdr. olarak iletime gemesini engellemek
iin diyotlarda ve dier g
di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine elemanlarnda ayrntsyla akland
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri gibi alnan tm nlemlerin ayn ekilde
olarak uygun bir endktansn (L) alnmas gerekmektedir.
balanmasdr.
zer ENYURT Ekim 15 56
zer ENYURT Ekim 15 57