E2 2009 01 0

1
E2 2009 01 0 KAKO JE ?
.

Pan-ku
Yin
Yang 2
E2 2009 01 0
.

,
:
,
624-528 KAK ?
,
KAK ?

(, )

KAK
() ?

3
elementum, ,
E2 2009 01 0
.

(V ),
(. a tomos, )

.
1808
John Dalton,
1766-1844

: 1028 1030 m3.

4
E2 2009 01 0
. mper (1825)

J.J.Thompson (1897 )
J.J.Thompson (1898)

Nagaoka
1904
Ernest Rutherford
,
1911

nucleus

: 0,5 10-10 m 2,5 10-10 m

: 2 10-15 m 8 10-15 m
5
E2 2009 01 0
.

6
E2 2009 01 0
.

e .

,

:
W = nh , n = 1, 2, 3, ... Max Planck

h = 6,6210 34 Js
7
E2 2009 01 0
.

0
-0.87 4
-1.53 3
-3.41 2

(eV)

n
n=1

n=2

-13.60 1 n=3 Niels Bohr

n=2

Arnold
. Sommerfeld
8
E2 2009 01 0
.

.
n=2

(n)

.

(l) ()
,
. l = 0... n - 1.
() ( )
.
(s)
. 9
E2 2009 01 0
.

(, ),
K, L, M, N, O, P Q.

Wolfgang Pauli
.

. N = 2n 2
n

1 2 2
n=1
n=2
2 L 8 2, 6
3 18 2, 6, 10
n=3

4 N 32 2, 6,10, 14
10
E2 2009 01 0
.

.
n

1
2

L
2
8
2
2, 6
+1 +8 3 18 2, 6, 10
K K 4 N 32 2, 6,10, 14
L

2 NaCl
valentia V 1 7
, , A 11 17 11
E2 2009 01 0
.

n 1 2 3 4
K L M N
Z 2 8 18 32
C 6 2 2,2
Si 14 2 2,6 2,2
Ge 32 2 2,6 2,6,10 2,2

+6qe +14qe +32qe

C Si Ge

12
E2 2009 01 0
.

III IV V

B (5) C (6) N (7)

Al (13) Si (14) P (15)

Ga (31) Ge (32) As (33)

In (49) Sn (50) Sb (51)

109 28 ,

1,54 10-10 m

13
E2 2009 01 0
.

SOLID-STATE
SOLID-STATE ELECTRONICS

4 4 4

4 4 4

4 4 4

14

E2 2009 01 0
.
SEMICONDUCTORS
4 4 4

4 4 4 +14qe +32qe

4 4 4
Si Ge

4 4 4


4 4 4
hole


4 4 4

15
E2 2009 01 0
.

1 2 3

+ + + +
+ +

1 2 3

16
E2 2009 01 0
.

N-

+4 +4 +4
Si Si Si


+4 +5 +4
Si As Si

+4 +4 +4
Si Si Si

"" ,

17
E2 2009 01 0
.

P-

+4 +4 +4
Si Si Si


+4 +3 +4
Si B Si

+4 +4 +4
Si Si Si

,

18
E2 2009 01 0
.

N-


(nN>>pN).

P-


(pP>>nP).

19
E2 2009 01 0
. PN-

,

P-,
(N-
).

20
E2 2009 01 0
.

P- N-

NA ND

, PN-

P- N-
21
E2 2009 01 0
.
PN-

P- N-


p>>n n>>p

,

;
,

,
.
22
E2 2009 01 0
.
PN-

P- N -

pP>>nP nN>>pN
E

depletion leyer
()
( 23
E2 2009 01 0
p n
. NA

ND
P- N -
x
nq
qND
E

x
qNA

E

x
E0

V

U0
N AN D
U 0 = UT ln
ni2 x
L0 24
E2 2009 01 0
.

P N

P- N -

PN-


25
E2 2009 01 0 V
.
V P N
P N

P- N -


E

P-
(=
) N-
(=

)
V

P
N


26
E2 2009 01 0
.

V
P N V
P
N

27
E2 2009 01 0
P- N -
.
E

PN-
U, P-

N-,

.
.
N- P-,

, nP0,
P-, nP,
.
28
E2 2009 01 0
.
PN-

U PN > 0 U PN < 0
pP pP nN
nN
P- P- N-
N-
nP pN
nP pN
+
+ U
U

29
E2 2009 01 0
.
PN-

PN-

j j

dp dn
J p = qe D p J n = qe Dn
dx dx
U PN
2 Dp D UT
J = J p + J n = qe ni + n ( e
1 )
L
p DN L N
n A
kT UT - ,
UT =
qe
U T 26mV @ T = 300 K 30
E2 2009 01 0
. JPN PN-
S
P N

UPN

JPN/JS

7
U 6
PN
U 5

J PN = J s (e T 1) UPN< 0 4
3


2 UPN > 0
1 UPN/UT
-3 -2 -1
0 1 2
-1
31
E2 2009 01 0
. U PN-
PN
U
J PN = J s (e T 1)
Is = Js S
U
PN
U IPN/IS

I PN = I s (e T 1) 7
6
5
UPN< 0 4
Is - 3
2 UPN > 0
1 UPN/UT
-3 -2 -1
0 1 2
-1
32
E2 2009 01 0
. PN-

I
U mA, A
Si
UT Ge
I = I s (e 1)
U
0

-Is
P N
A, mA
A K

33
E2 2009 01 0
. PN-

lim I PN (U PN )
Is =
U PN U-I .
.
I (breakdown)
Si
U(BR)
U

Ge

,
. 34
E2 2009 01 0
.

a U(BR)

PN-,
( )

( ).

35
E2 2009 01 0
.

.

,
-
(
).


-
. 36
E2 2009 01 0
.

,



.

.

6 V ( ).

,
37
.
E2 2009 01 0
.

U-I ,

, .
U
I .

.
I
U(BR)
U
N
U
P
38
E2 2009 01 0
.
PN-
PN-

U
U UT I UT
R= = ln1 + I
I = I s (e 1)
I I IS UQ
rQ = tg RQ =
IQ Q IQ
U
r = UQ
I U

dU PN-
r=
dI U-I

39
E2 2009 01 0 PN-
.
dU 1
r= =
dI dI
U
UT dU
I = I s (e 1)
UT UT
r= ; I >> I s
I + Is I

r 26 @ T = 300 K ; I = 1 mA

R U
; I >> I s
r UT PN-
40
E2 2009 01 0
.
PN-
PN-
CT

PN-

S ,

w E

(transition capacitance).

S
CT =
w
41
E2 2009 01 0
. CT

CT n
U

, n
,

42
E2 2009 01 0 PN-
.
, CD

n0 (difussion capacitance)
t
n(t ) = n0e
t Q = I

- ,
dQ dI
CD = = = r - PN-
dU dU r
I
CD =
UT
rC D =
43
E2 2009 01 0
. , CD

U
UT
C D = C D 0e

CD nF.

CD
CT.

44
E2 2009 01 0
.
PN-

Is
.
WG

m qeUT
I s = AT e
A je
WG je .
m 1 0.5 .

, Is
7,5%/K ,
10%/K 45
E2 2009 01 0
. PN-

PN-

I,
PN- ,

PN-.

dU mV
PN- 2,2
dT C

46
E2 2009 01 0
.
PN-

PN-

.

.

47
E2 2009 01 0
.
PN-

PN-




.
(THERMAL BREAKDOWN).

150 C
200 C 75 C 120 C
.

48