Professional Documents
Culture Documents
Elektronika I PDF
Elektronika I PDF
NIKA I
Elektronika I
Ispitna
pitanja
TUZLA
I Dio pitanja sa ispitnih rokova
2. ta je to koncentracija elektrona?
1
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
7. Gdje se primjenjuju varikap diode?
Velike koncentracije primjesa uzrokovat e pomijeranje ferijevog nivoa koji se nalazi blizu Z.Z pa prei u Z.Z.
isto vai i za fermijev nivo koji se nalazi u blizini slobodne zone.
2
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
14. Skicirajte primjenu Zener dioda za dobijanje pravougaonih impulsa
15. Skicirajte statiku karakteristiku tunelske diode i oznaite podruije negativne provodnosti.
Prikljuenjem inverznog napona doi e do razdvajanja fermievih nivoa tako da moe proticati struja kroz
spoj pa e vei broj elektrona iz tipa prei u tip, nego obratno. Podruije negativne provodnosti.
Dobija se kada se na kristal Ge pritisne opruga od volframa i propusti jak impuls struje, i ica se praktiki zavari
za Ge te nastaje zaporni sloj i formira barijera.
Ukoliko se poluprovodnicima dodaju primjese, njihova specifina otpornost znaajno se mijenja npr ako se
istom Ge doda samo nekog elementa njegova provodnost se povea za 10 000 puta, dok se kod
provodnika ne mijenja ili se neznatno mijenja.
19. Izvedite izraz za Fermijev nivo tip, tip i za tip poluprovodnika! ELEKTRONIKA I
3
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
20. Koliko iznosi proizvod koncentracija elektrona i upljina u bilo kojem tipu poluprovodnika?
21. Dali se potencijalna barijera iri ili suava ukoliko se poveava napon direktne polarizacije diode?
Koncentracija primjesa u varikap diodi sa linearnom barijerom se mijenja po linearnom zakonu a iznosi
odnosno
Amorfna vrsta tijela imaju osobinu izotropije, to znai da imaju iste fizike osobine u svim smjerovima. Atomi i
molekule su haotino rasporeeni u prostoru.
ELEKTRONIKA I
25. Dali se potencijalna barijera iri ili suava ukoliko se poveava po apsolutnoj vrijednosti inverzni
napon diode?
Ukoliko se poveava po apsolutnoj vrijednosti inverzni napon diode, potencijalna barijera se iri.
4
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
26. Skicirajte karakteristiku inverzne diode.
Ova dioda se dobije kada se dodaje manja koncentracija primjesa u odnosu na tunelsku diodu a vea
koncentracija primjesa u odnosu na obinu diodu.
27. Zbog ega razne vrste zraenja jae utiu na poluprovodnike nego na izolatore?
Razne vrste zraenja jae utiu na poluprovodnike zato to mogu predati elektronima dovoljno energije da oni
preu iz valentne u slobodnu zonu, a ime se bitno mijenja specifina provodnost poluprovodnika. Ona se
poveava!
To je potencijalna razlika koja moe zaustaviti naelektrisanu esticu sa prosjenom kinetikom energijom.
Vrijeme koje protekne od iskljuenja termistora sa napajanja do trenutka kada mu se temperatura smanji za e
puta naziva se vremenska konstant atermistora.
30. Nacrtajte emu dvostranog ispravljaa. U paraleli sa otporom optereenja nema spojenog
kondenzatora. Skicirajte talasni oblik izlaznog napona
5
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
32. Gdje se primjenjuju varistori?
Varistori se primjenjuju kao mnoai, za zatitu kontakata, kao stabilizatori napona, kao katodni odvodnici, itd.
33. Kako se definie temperaturni koeficijent otpora varistora?
34. ta je fonon?
Fononi su hipotetike estice koje kre oko atoma. Koncentracija fonona zavisi od temperature tj. to je vea
temperature vea gustoa fonona.
36. Skicirajte promjenu dinamikog Zenerovog otpora za razliite vrijednosti Zenerovog napona
37. Koje su prednosti takaste diode u odnosu na ostale klasine polupprovodnike diode?
Prednost im je u odnosu na ostale diode to imaju veoma mali kapacitet znaajan na visokim frekvencijama.
ELEKTRONIKA I
6
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
39. Skicirajte karakteristiku termistora i napiite analitiki izraz koji opisuje datu
karakteristiku?
40. Sa poveanjem koncentracije primjesa Zenerov proboj se... (poveava ili smanjuje)
Vjerovatnoa da e doi do Zenerovog proboja se poveava to je barijera tanja, a ona je tanja ukoliko imamo
vie primjesa.
41. Zbog ega je debljina potencijalne barijere tunelske diode tanja od klasine ispravljake diode?
Tunelske diode izraene su na bazi degenerisanih poluporvodnika p-n tipa i zato imaju usku potencijalnu
barijeru. (Degenerisani poluprovodnik ima veliku koncentraciju primjesa)
42. Skicirajte poloaj Fermijevih nivoa kod PN spoja tunelske diode pri maksimalnoj tunelskoj struji
43. Nacrtati elektrinu emu u kojoj je Zenerova dioda upotrijebljena za stabilizaciju napona
ELEKTRONIKA I
Maksimalno dozvoljena snaga Zener diode ne smije biti prekoraen, jer bi tada nastupilo pretjerano
zagrijavanje diode, to bi dovelo do toplotnog proboja i unitenja diode.
7
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
DODATAK
Postoje etiri tipa veza izmeu estica i kristala: Jonska, Kovalentna, Molekularna, Metalna
Jonska veza
Opaa se kod jonskih kristala kod i izmeu njih djeluju elektrostatike sile koje obezbjeuju da
imamo pravilan raspored unutar kristalne reetke.
Metalna veza
Metalna veza je karakteristina za kristale metala i daje dobre mehanike osobine metalima. Kod metala su
valentni elektroni najslabije vezani za jezgro, tako da i pri T=0K valentni elektroni prelaze u slobodnu zonu.
Djeluju jake elektrostatike sile i na taj nain dolazi do formiranja metalne veze.
- za isti poluprovodnik
ELEKTRONIKA I
8
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
Teorija rada dioda
Slika 2. Odnosi u p-n-kristalu (a): (b) koncentracija elektrona i upljina (c) gustina elektriciteta (d)
jaina elektrinog polja i (e) kontaktni napon
Sapajanjem p i n tipa poluprovodnika dolazi do izjednaavanja Fermievih nivoa tako da energetski dijagram za
P N spoj ima slijedeci oblik.
ELEKTRONIKA I
9
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
Kontaktni napon izmeu i tipa poluprovodnika je dat slijedeim relacijama:
Da bi electron ili upljina prela sa jednog nivoa na drugi mora savladati odreeni napon koji je vezan za razliku
energija.Ovo je bila analiza spoja kada nema vanjskog napajanja.
Parametri diode
Statiki i dinamiki otpor - Statiki i dinamiki otpor se odreuje u radnoj taki.
10
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
Temperatura dolazi do poveanja inverzne struje zasienja.
Zenerov proboj
Nastaje zbog tunelskog efekta koji je poznat u kvantnoj mehanici. Obzirom da elektron ima i talasne i
korpuskularne osobine moe se dogoditi da elektron prolazi kroz potencijalnu barijeru iako nema dovoljnu
energiju po zakonima.
I vjerovatnoa je utoliko vea to je barijera manja to znai ako se doda vea koncentracija primjesa dobija se
tanja barijera.
Lavinski proboj
Ima struju elektrona koja pod uticajem inverznog (napona) polja ulazi u potencijalnu barijeru i bombarduje jone te
ih izbija, a joni pod uticajem polja bivaju ubrzani te na taj nain imamo uticaj lavinskog proboja i protok struje.
Fiziki postoji samo lavina elektrona.
Toplotni proboj
Poveanjem temperature dolazi do vee koncentracije elektrona (upljina) te do proticanja velike inverzne struje i
proboja. Temperaturni proboj ima eksponencijalnu zavisnost.
Povrinski proboj
Nastaje zbog uprljanosti povrine poluprovodnika. U toku proizvodnje on se ne moe kontrolisati.
Dinamiki otpor Pri naponima priblino 6 V ovaj otpor ima najmanju vrijednost.
Max i min struja da bi dioda radila moramo imati rad diode u odreenom diapazonu . Radno
podruije mora biti u ovom diapazonu.
Disipacija - proizvod struje i napona ne smije prei odreenu vrijednost snage. Ukoliko se preskoi dolazi do
toplotnog proboja. 11
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
Varikap dioda sa stepenastom potencijalnom barijerom
ELEKTRONIKA I
12
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
Gustinu naelektrisanja moemo prikazati sa linearnom kombinacijom
Vrijeme prebacivanja To je vrijeme dok dioda ne pree iz take P u taku Q. Znaajno je u kolima za dobijanje
vrlo kratkih impulsa.
Disipacija
ELEKTRONIKA I
13
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
II Dio pitanja sa ispitnih rokova
1. Zbog ega se bipolarni tranzsitor ne ponaa isto u direktnom i inverznom reimu rada?
Inverzan reim rada bio bi isti kao i aktivan ako su K i E isti (-isto). Zamijene se E i K.
Inverzno aktivno podruje rada (kada je emiterski spoj zaporno polariziran, a kolektorski propusno) identino je
normalnom aktivnom podruju, samo to su kolektor i emiter zamijenili uloge (kolektor injektira nosioce u bazu, a
emiter ih sakuplja.
Sa poveanjem frekvencije moemo da smanjimo parazitni kapacitet. Upotrebom silicija na izolatoru (silicon on
insulator SOI) mogu se smanjiti parazitni kapaciteti tranzistora
Usljed razliite irine dolazi do potencijalnih jama izmeu P i N spoja i tu se elektroni nagomilavaju.
Heteroprijelazi se mogu formirati i kao P-P tip i kao N-N tip samo razliitih materijala i nazivaju se izotipni
termoprijelazi.
6. Skicirajte zonski dijagram poluprovodnika kod kojeg moe nastati Ganov efekat?
14
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
7. Navedite oblast primjene amorfnih poluprovodnika.
Kapacitet B-C puno vie utie na gr.frekv. nego kapacitet B-E. Trebalo bi smanjiti povrinu izmeu B .
Dodamo drugu elektrodu na bazu. Dobijamo uu povrinu. Smanjen je kapacitet , ali je povean otpor
Baze. Ugradimo E i C tako da je baza veoma kratka i vrijeme difuzije je smanjeno.
9. Skicirajte ekvivalentnu emu Fotogeneratora (na emi oznaite napone i struje koje teku unutar
modela)
ELEKTRONIKA I
15
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
11. Skicirajte energetski dijagram heteroprelaza?
12. Skicirajte Ebers Molov model tranzistora (napiite izraze za sruje koje oznaite na modelu
tranzistora)
16
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
15. Skicirajte strukturu DIAKA i odgovarajuu statiku karakteristiku.
Pod uticajem svjetlosti struja kroz emiterski spoj e protei ukoliko je osvijetljen i dio izmeu emitera i baze.
Inverzna struja zasienja Baza Colector.
Struja difuzije E B je vea od struje difuzije B E tj efikasnost emitera je vea, bolji koeficijent strujnog
pojaanja, smanjen kapacitet E B, vie granine frekvencija.
17
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
21. Zbog ega je ulazni otpor unipolarnog tranzistora vei nego kod bipolarnog tranzistora?
Ulazni otpor bipolarnog tranzistora predstavlja inverzni otpor diode koju obrazuju i tip i iznosi
oko . I to je velika prednost u odnosu na bipolarne tranzistore.
I porast struje usljed napona ; II proboj ; III nagli porast usljed lavinske jonizacije
IV zasienje ; V inverzno polarisan
Za kolo moe proticati struja samo ako je frekvencija svjetlosti koja pada na katodu vea od neke granine
frekvencija koja zavisi od vrste materijala.
U reimu lavinskog proboja. ( u reimu inverzne polarizacije kako bi mogao da nastupi lavinski efekt)
26. ta je to heteroprelaz?
Imaju P N prijelazni sloj na bazi dvije vrste materijala provodnika. Npr P N prijelazni sloj je proizveden na
bazi P tipa i N tipa i obratno.
Kao materijali sa velikim promjerom otpora; kao materijali sa negativnim diferencijalnim otporom do ;
kao materijali sa dva upravljiva stanja provodnosti; kao materijali sa dva stabilna prekidaka stanja i
funkcionalni (imaju sve ove osobine).
18
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
28. Skicirajte strukturu TRIAKA i odgovarajuu statiku karakteristiku.
29. Kako otpor baze utie na gornju gornju graninu frekvenciju bipolarnog tranzistora?
Otpor baze treba da bude to manji da bi granina frekvencija bila via. Meutim, smanjenjeotpora baze veim
botiranjem primjesa ima za posljedicu i smanjenje efikasnosti emitera, to nije poeljno, tako da treba pronai
odgvarajui kompromis.
Karakteristike unipolarnih ne zavise od vremena ivota sporednih nosilaca elektriciteta, snienjem temprature
parametri se nee promijeniti. Ovi tranzistori mogu da se koriste i na temperaturi u kolu pojaavaa,
dok je kod bipolarnih to nemogue.
32. Da li kod MOSFET tranzistora sa indukovanim kanalom protie struja izmeu elektroda D i S kada je
elektroda G na istom potencijalu kao i elektroda S?
Odnos fotostruje i svjetlosnog fluksa pri odreenom naponu na fotoprovodniku, samo to se svjetlosni fluks uzima
iz odgovarajueg monohromatinog svjetlosnog izvora (sijalica od 100 ).
19
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
35. Skicirajte strukturu lavinsko proletne diode.
Kako tanka ploica generira visokofrekventne oscilacije kada se na nju prikljui jednosmjerni napon stvara
dovoljno veliko elektrinopolje i ovo se naziva Ganov efekat.
Kada se poluprovodnik izloi zraenju dolazi do skraenja vremena ivota sporednih nosilaca elektriciteta, zbog
stvaranja rekombinacionih centara u kristalnoj strukturi. S obzirom da u unipolarnim struju odreuju osnovni
nosioci elektriciteta, proticanje struje e daleko manje zavisiti od spoljanjih radijacija.
44. Skicirajte NPN bipolarni tranzistor i oznaite struje koje teku unutar struktura.
45. Kako sa statike karakteristike FET tranzistora odreujemo parametar strmina (skicirajte statiku
karakteristiku).
ELEKTRONIKA I
21
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
47. Nabrojte parametre fotootpornika.
Provodnost u tami
Maksimalno dozvoljen napona
Maksimalna disipacija snage
Vremnska konstanta
Integralna osjetljivost
Spektralna osjetljivost
Prag osjetljivosti
49. Skicirajte na zonskom dijagramu prelaze koji nastaju kod sopstvene apsorpcije?
50. Pri kojim prelazima nastaje emitovanje svjetlosti kod LED dioda?
Prvi prelazi (rekombinacija upljina i elektrona se odvija bez nastajanja fonona)
Nepravi prelaz (pri rekombinaciji se stvara fonon)
ELEKTRONIKA I
22
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO
DODATAK
Parametri bipolarnog tranzistora:
1. Efikasnost emitera
2. Koeficijent prijenosa
3. Efikasnost kolektora
c) Zasienje - oba spoja su direktno polarisana, tranzistor provodi struju i ponaa se kao zatvoren prekida.
d) Zakoenje oba spoja su inverzno polarisana i tranzistor se ponaa kao otvoren prekida.
ELEKTRONIKA I
Parametri dinistora:
1. Vrijednost struje kada je komp. Iskljuenja
2. U i I u takama A i B
3. Kapacitet komp. U stanju iskljuenja
4. Vrijeme iskljuenja (koriste se u kolima energetske elektrotehnike)
5. Vrijeme iskljuenja
6. Disipacija
ELEKTRONIKA I
24
FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO