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TEMA 4.- SEMICONDUCTORES
INDICE
1.- GENERALIDADES
1.1.- MATERIALES
1.1.1.-Conductores
1.1.2.- Semiconductores
1.2.- Cristales de silicio
1.3.- Tipos de semiconductores.
1.3.1.- Semiconductor intrínseco
1.3.2.- Semiconductor extrínseco
1.4.- Cristal semiconductor.
1.4.1.- Cristal tipo N
1.4.2.- Cristal tipo P
1.5.- Bandas de energía
1.6.- El diodo no polarizado
1.6.1.- Capa de AGOTAMIENTO
1.6.2.- Barrera de potencial
1.6.3.- Polarización directa
1.6.4.- Polarización inversa
1.6.6.- Efecto Avalancha
1.6.6.- Efecto Zener
2.- - El diodo como dispositivo no lineal
2.1.- APROXIMACIONES del diodo.
2.2.- Recta de Carga
2.3.- Diferentes tipos de DIODOS.
2.4.- CÓDIGO de DESIGNACIÓN de los DIODOS (sistema EUROPEO)
2.5.- Comprobación y detección de averías
2.6.- Cómo calcular la resistencia interna rB
3.- EJEMPLO: DIODO 1N4001
3.1.- Modelos equivalentes lineales aproximados del diodo
3.2.- Resistencia con polarización directa
3.3.- Resistencia con polarización inversa
4.-.Problemas

1.- GENERALIDADES
Antes de ver el funcionamiento de Diodos, Transistores y circuitos integrados,
estudiaremos los materiales Semiconductores. Estos, que no son ni conductores ni
aislantes, tienen electrones libres, pero lo que les caracteriza especialmente son los
huecos.
En este tema, veremos los conceptos y propiedades más importantes de los

Semiconductores.
Los objetivos de este tema son:
 Conocer las características de los semiconductores y conductores a nivel atómico.

 Ser capaz de describir la estructura de un cristal de Silicio.
 Saber cuales son y como se comportan los dos tipos de portadores y sus
impurezas.
 Ser capaz de explicar las condiciones que se dan en la unión pn sin polarizar,
polarizada en directa y polarizada en inversa.
 Conocer los dos tipos de corrientes de ruptura provocados por la aplicación sobre
un diodo de gran voltaje en inversa.

1.1.- MATERIALES.
1.1.1.-Conductores
Un conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el calor y la
electricidad. Son buenos conductores los metales y malos, el vidrio, la madera, la lana y
el aire.
NOTA: Definimos la unidad de carga +1 como +1,6·10 -19 culombios. Así un electrón tiene
una carga -1 equivalente a -1,6·10-19culombios.

El conductor más utilizado y el que ahora analizaremos es el Cobre, que es un buen

conductor. Su estructura atómica la vemos en la siguiente figura.
Su número atómico es 29. Esto significa que en el núcleo hay 29 protones (cargas
positivas) y girando alrededor de él hay 29 electrones girando en diferentes órbitas.
En cada órbita caben 2n2 siendo n un número entero n = 1, 2, 3, ... Así en la primera
órbita (n = 1) caben 212 = 2 electrones. En la segunda órbita 2·2 2 = 8 electrones. En la
tercera órbita 2·32 = 18 electrones. Y la cuarta órbita solo tiene 1 electrón aunque en ella
caben 2·42 = 32 electrones.
Lo que interesa en electrónica es la órbita exterior, que es la que determina las

propiedades del átomo. Como hay + 29 y - 28, queda con + 1.
Por ello vamos a agrupar el núcleo y las órbitas internas, y le llamaremos parte interna.
En el átomo de cobre la parte interna es el núcleo (+ 29) y las tres primeras órbitas (-
28), con lo que nos queda la parte interna con una carga neta de +1.
Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la parte interna, una fuerza
externa puede liberarlo fácilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese
electrón de valencia, como electrón libre.
Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de

valencia (valencia 1).
Así, tenemos que:
 A 0 ºK (-273 ºC) un metal no conduce.
 A Temperatura ambiente 300 ºK ya hay electrones libres debidos a la energía

térmica.
- Si no tenemos un campo eléctrico aplicado los electrones libres se mueven en todas

direcciones. Como el movimiento es al azar, es posible que muchos electrones pasen por

unidad de área en una determinada dirección y a la vez en la dirección opuesta. Por lo

tanto la corriente media es cero.
- Veamos ahora como cambia la situación, si se aplica al metal un campo eléctrico.

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En la figura puede observarse como el movimiento de los ELECTRONES es hacia la

izquierda, mientras que los HUECOS se desplazan hacia la derecha; es decir tienen
sentidos opuestos.
Los electrones libres se mueven ahora en una dirección concreta. Y por lo tanto ya hay
carga (en culombios) que cruza la sección del metal en un segundo, o sea ya existe una
corriente.
$ Aveces la órbita de CONDUCCIÓN en un átomo
se cruza con la de VALENCIA, dando lugar a la

RECOMBINACIÓN (unión electrón-hueco).
$
Como ya conocemos, el electrón tiene una carga negativa (-1,619-19 culombios) y por
tanto el convenio tomado para definir la corriente (contrario al movimiento de las cargas
negativas) nos indica que la corriente toma el sentido indicado en la figura.
El electrón se mueve dentro de la red cristalina del metal con una velocidad media.
1.1.2.- Semiconductores
Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes.
Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinadas
impurezas resulta posible su conducción. Su importancia en electrónica es inmensa en la
fabricación de transistores, circuitos integrados, etc...
Una sustancia semiconductora es aquella cuya resistividad se halla comprendida entre la

de los metales y la de los aislantes. Ahora bien, esta propiedad no es suficiente para
definir un semiconductor, ya que la resistividad de estos materiales está ligada
íntimamente a la temperatura. Para temperaturas altas, al contrario que en los
conductores, la resistividad disminuye, de ahí que se diga que el coeficiente de
temperatura de la resistividad de los semiconductores es negativo. Para temperaturas
muy bajas se comportan como sustancias aislantes.
El material semiconductor más empleado en la actualidad es el silicio, pero los primeros

componentes electrónicos se construyeron con germanio.

También se utilizan en el presente, y previsiblemente en el futuro con mayor intensidad,

sustancias compuestas tales como el arseniuro de galio (GaAs). Aunque a temperatura
ambiente la resistividad del germanio es menor, el silicio tiene unas propiedades térmicas
superiores, ya que es más estable que aquél ante las variaciones de temperatura.
Además, la temperatura máxima de trabajo para los elementos construidos con germanio
es de 80*C, mientras que para los de silicio es de 150 o 200’C, según el tipo de
encapsulado.
Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de

valencia. Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y los
aislantes 8 electrones de valencia.
Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con carga
+ 4 y 4 electrones de valencia.
1.2.- Cristales de silicio

Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las
uniones entre átomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que
se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los átomos de Silicio.
Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:
Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los átomos vecinos, de
tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia, como se ve en la figura.

La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan (
aunque sean compartidos ) con cada átomo, gracias a esta característica los enlaces
covalentes son de una gran solidez.
Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos en
los átomos.
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La estructura (CRISTAL) del SILICIO es cúbica Generación térmica de pares ELECTRÓN-HUECOS

centrada en las caras. Cada átomo de silicio Cuando un ELECTRÓN salta a un nivel de. energía
comparte con sus vecinos los cuatro electrones superior, éste queda libre de cualquier núcleo
de su última capa (capa de VALENCIA). y forma una corriente de electrones
El aumento de la temperatura hace que los átomos en un cristal de silicio vibren dentro
de él, a mayor temperatura mayor será la vibración. Con lo que un electrón se puede
liberar de su órbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraerá otro electrón, etc...
La estructura (CRISTAL) del SILICIO es cúbica centrada en las caras. Cada átomo de
silicio comparte con sus vecinos los cuatro electrones de su última capa (capa de
VALENCIA).
A 0 ºK, todos los electrones son ligados. A 300 ºK o más, aparecen electrones libres.
Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo entre la

creación y desaparición de un electrón libre se denomina "tiempo de vida".
Según un convenio ampliamente aceptado tomaremos la dirección de la corriente como

contraria a la dirección de los electrones libres.

Semiconductores: Conducen los electrones (electrones libres) y los huecos (electrones

ligados).
Conductores: Conducen los electrones libres.
Resumiendo: Dentro de un cristal en todo momento ocurre esto:
 Por la energía térmica se están creando electrones libres y huecos.
 Se recombinan otros electrones libres y huecos.
 Quedan algunos electrones libres y huecos en un estado intermedio, en el que han

sido creados y todavía no se han recombinado.
1.3.- Tipos de semiconductores.-

1.3.1.- Semiconductor intrínseco
Se denomina semiconductor intrínseco a la estructura cristalina que contiene
exclusivamente un tipo de átomos. El átomo de este elemento, situado en el grupo 4 del
sistema periódico, posee un núcleo formado por catorce partículas positivas (protones) y
está rodeado por catorce electrones de los cuales cuatro se encuentran en la última capa.
El átomo es eléctricamente neutro, pero si se libera un electrón, se transforma en un ion
positivo.
El silicio, así como el germanio, cristaliza en el sistema tetraédrico, por tanto su

estructura cristalina puede representarse con figuras espaciales en tres dimensiones, o
más simplemente en un plano, tal como se muestra en la Figura A.5. En adelante, sólo
representaremos los cuatro electrones de valencia, los otros diez y el núcleo quedan
incluidos dentro de un círculo.
* 1 eV = 1,6 x 10-19 Culombios Voltios = 1,6 x 10-19julios.

La conexión de unos átomos con otros se realiza mediante enlaces covalentes, esto es,
cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con otros tantos átomos vecinos,
de manera que cada uno de ellos completa su última capa, consiguiendo hasta un total
de ocho. Esta configuración mantiene a los electrones fuertemente ligados al núcleo,
dando origen a una estructura muy estable, con muy pocos electrones libres a
temperatura ambiente. En el cero absoluto (-273’C) el silicio se comporta como un
aislante perfecto.
A temperatura normal algunos electrones adquieren la energía necesaria para liberarse

de la influencia del núcleo, originándose una pequeña conducción dentro del material.
Este fenómeno se produce de la siguiente manera:
a) Cuando un electrón alcanza la energía suficiente, se libera quedando en estado libre.

Estos electrones, de la misma manera que en un conductor, se mueven
desordenadamente. Sin embargo, cuando se aplica una ddp entre los extremos de un
semiconductor, los electrones se mueven en sentido contrario al campo eléctrico
aplicado, esto es, del polo negativo al polo positivo del generador.
b) El vacío que deja un electrón que escapa de un enlace se denomina hueco. El átomo
que pierde un electrón queda inestable, de forma que puede atraer a otro electrón de un
átomo vecino, tal como se muestra en la Figura A.6. Si así ocurre, el primer hueco queda
relleno, pero aparece uno nuevo en el átomo vecino.
El movimiento de los huecos es contrario al de los electrones, de manera que al aplicar

una ddp al semiconductor aquéllos se moverán del polo positivo al polo negativo.

1.3.2.- Semiconductor extrínseco

Si se introducen pequeñas cantidades de impurezas en un semiconductor intrínseco, el
número de huecos o de electrones libres aumenta considerablemente y, por tanto, su
resistividad disminuye. Un cristal que ha sido contaminado se transforma en un
semiconductor extrínseco.
Para obtener una sustancia de estas características es necesario añadir una partícula de
impureza por cada 10 de silicio. Los materiales que se emplean para construir
semiconductores extrínsecos son elementos del grupo 3 y del grupo 5 del sistema
periódico, dando lugar a dos tipos diferentes de cristales: cristal tipo n y cristal tipo p.
1.4.- Cristal semiconductor.

1.4.1.- Cristal tipo N
Para aumentar la conductividad (que sea más conductor) de un SC (Semiconductor), se
le suele dopar o añadir átomos de impurezas a un SC intrínseco, un SC dopado es un SC
extrínseco.
Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio

dopado con átomos de valencia 5.
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Se ha introducido en la estructura del SILICIO un átomo de ANTIMONIO que tiene en su capa de
valencia un total de cinco electrones, dando lugar a un CRISTAL tipo “N”. Como átomos donadores
se usan además del mencionado: FOSFORO y ARSÉNICO.
Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy
elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto
es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo
pentavalente suelta un electrón que será libre.
Siguen dándose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 átomos de impurezas

tendremos 1000 electrones más los que se hagan libres por generación térmica (muy
pocos).
Cuando al silicio puro se le añaden algunos átomos de elementos del grupo 5, como por
ejemplo arsénico, se convierte en un semiconductor extrínseco de tipo n.

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas

pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,
reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.
Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito
externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.
El átomo de impureza comparte cuatro de sus electrones de la última capa con los cuatro
átomos de silicio vecinos, pero el quinto electrón, tal como aparece en la Figura A.7, no
puede ser compartido, quedando menos fuertemente ligado a la estructura que los otros
cuatro. De esta manera es mucho menor la energía necesaria para que este electrón pase
al estado de conducción.
Cuando el quinto electrón se libera (Fig. A.8), se transforma en una carga móvil negativa,
que representaremos con el signo -. El átomo de arsénico que pierde el electrón se
convierte en un ion positivo, que representaremos con el signo (D. El arsénico es un
elemento donador porque cede electrones. El cristal resultante de la mezcla es del tipo n.
En la Figura A.9 se muestra un cristal de tipo n con sus correspondientes cargas. Las
cargas móviles, que en este caso son electrones, se denominan portadores mayoritarios y
su número es igual al de átomos de arsénico que quedan ionizados. Los huecos de los
pares electrón-hueco debidos al semiconductor intrínseco son los portadores minoritarios.
Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas

pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,

reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les

denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.
Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito
externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.
1.4.2.- Cristal tipo P

Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con
átomos de valencia 3.

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Se ha introducido en la estructura del SILICIO un átomo de INDIO que tiene en su capa de valencia
un total de tres electrones, dando lugar a un CRISTAL tipo “P”. Como átomos aceptadores se usan
además del mencionado: BORO y GALIO.
Los átomo de valencia 3 tienen un electrón de menos, entonces como nos falta un
electrón tenemos un hueco. Esto es, ese átomo trivalente tiene 3 electrones en la orbita
de valencia. Al átomo de valencia 3 se le llama "átomo trivalente" o "Aceptor".
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.
Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes.
Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los
portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo
hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal
se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres

dentro del s
Si el elemento que se emplea para dopar el silicio es del grupo 3 (indio o galio), cada
átomo de impureza solamente podrá compartir sus tres electrones de la última capa con
los átomos vecinos de silicio. Se producirá, pues, un exceso de huecos, tal como se
muestra en la Fig A 10
En este caso las cargas móviles son los huecos (+) y los átomos de indio que adquieren
un electrón se convierten en iones negativos ( - ) (Fig. A. 1 1).
El indio es un elemento aceptador porque recibe electrones. La estructura así obtenida

recibe el nombre de cristal tipo p (Fig. A.12). Los huecos, en este caso, son los
portadores mayoritarios. Los electrones de los pares electrón-huecos son los portadores
minoritarios.

1.5.- Bandas de energía

Los electrones que orbitan alrededor de los núcleos de los átomos que componen una
sustancia pueden ser agrupados en función de la energía que poseen y que no es igual
para todos ellos. Existen tres niveles distintos de energía y, en consecuencia, se pueden
establecer tres bandas de energía distintas: banda saturada, banda de valencia y banda
de conducción. Entre cada dos de estas bandas puede existir otra denominada prohibida,
donde no se encuentra ningún electrón. Figura A.I.
En la banda saturada se encuentra el número máximo de electrones, y son aquellos que

están más próximos al núcleo. En la banda de valencia están los electrones semilibres, es
decir, aquellos que se encuentran sometidos a la influencia de más de un núcleo. En la
banda de conducción se encuentran aquellos electrones de valencia que han adquirido la
energía suficiente como para circular libremente por la estructura.
Los materiales aislantes se caracterizan por poseer una banda prohibida muy grande
entre la de valencia y la de conducción, tal como se muestra en la Figura A.2. A
temperatura ambiente ningún electrón de valencia puede pasar a la banda de
conducción. Para que esto ocurra es necesario aportar una gran cantidad de energía a la
sustancia.
En los materiales conductores, tal como aparece en la Figura A.3, las bandas de
conducción y de valencia tienen una zona común. Esto quiere decir que a temperatura
ambiente hay electrones de valencia que están circulando libremente por la sustancia.
Las sustancias semiconductoras son aquellas que tienen una banda prohibida muy
pequeña (aproximadamente un electrón-voltio*, Figura, A.4). Por tanto, se encuentran
entre los aislantes y los conductores. A temperatura ambiente hay muy pocos electrones
en la banda de conducción.
Las ideas y los conceptos vistos anteriormente los analizaremos ahora desde un punto de
vista energético.

Existen diversas maneras de darle energía a un electrón, por:
 Energía Térmica.
 Energía Luminosa (fotón E = h x f).
 Campo Eléctrico.
 etc...
Si se le da energía a un electrón para que pase de E1 a E2, este electrón puede pasar de
una orbita a otra.
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Las ÓRBITAS de los ELECTRONES representan realmente

NIVELES de ENERGÍA.
Ese electrón vuelve enseguida, al volver tiene que ceder o soltar la energía. Puede
hacerlo de 2 formas:
 Al volver sale un fotón de luz:
E2 - E1 = h x f
Una aplicación de esta característica se ve en los Diodos Led, que dependiendo de las
energías tendrán diferentes colores, y también pueden soltar fotones invisibles a
frecuencias en las que la vista no puede captarlas.
1.6.- El diodo no polarizado
Un diodo es la unión de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y la otra de

tipo P, entre las dos se forma una zona llamada de agotamiento (Z.A.) donde es mínima
o nula la presencia de portadores de carga. Tanto en la zona P como en la zona N existen
portadores de carga minoritarios del signo contrario.
A la zona P se le llama ánodo (A) y a la zona N se le llama cátodo (K).

1.6.1.- Capa de AGOTAMIENTO
En esta zona de la unión hay una recombinación de pares ELECTRÓN_HUECOS resultando

ésta una zona libre de electrones.
fig. 1. En la figura de la izquierda aparece la UNIÓN P_N. A la derecha de la imagen

puede observarse la formación de la capa de AGOTAMIENTO.
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal
se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unión pn
tiene unas propiedades muy útiles y entre otras cosas forman los "Diodos".
Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unión" o "Unión pn".
1.6.2.- Barrera de potencial
La BARRERA de POTENCIAL es comparable a la aparición en el interior de la unión P-N

de una pequeña pila (Ep), cuya polarización es inversa a y que por tanto habrá que
vencer para que sea posible la circulacion de una pequeña corriente
Polaridad de la BARRERA de POTENCIAL. El valor de la barrera de potencial está en torno
a los 0’7V para los diodos de silicio, mientras que para los de germanio está en los 0’3V.

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Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un par de iones, en el lado n con
carga positiva y en el p con carga negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la
región cerca de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexión".
O difusión
El valor de esta "Barrera de Potencial" que a 25 ºC vale:

0.3 V para diodos de Ge.
0.7 V para diodos de Si.
Polarizar: Poner una pila.
No polarizado: No tiene pila, circuito abierto o en vacío.
z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de deplexión o difusión (W).
1.6.3.- Polarización directa
La unión pn consiste en unir (consiguiendo contacto eléctrico) un cristal del tipo p y otro
del tipo n. Este conjunto se comporta de manera distinta a como lo hacen los cristales p y
n por separado. Tanto una estructura tipo p como tipo n conducen en ambos sentidos al
aplicarles una ddp entre sus extremos. Por el contrario, una unión pn conduce en un solo
sentido, como más adelante tendremos ocasión de comprobar.
Analicemos qué fenómenos se originan cuando se efectúa la unión de los dos cristales.
El cristal p tiene el mismo número de huecos libres que de iones negativos. Por otra
parte, el cristal n tiene electrones libres y el mismo número de iones positivos. En la zona
próxima a la unión, los átomos de arsénico ceden el quinto electrón a los átomos
cercanos de indio, originándose un proceso de recombinación. En esta zona
denominada de difusión desaparecen las cargas móviles o portadores de carga de
ambos signos, tal como se muestra en la Figura A. 13.

Cabría pensar que la zona de difusión se extendiese a toda la estructura. Sin embargo,
esto no es así, ya que según van desapareciendo las cargas móviles en la zona próxima a
la unión, se va acumulando una carga negativa en el cristal p y una carga positiva en el
cristal n. Cuando esta carga alcanza un determinado valor, se frena el proceso de
recombinación, ya que la carga negativa repele los huecos o cargas móviles del cristal p y
la carga positiva repele los electrones del cristal n.
La zona de recombinación crea una barrera interna de potencial de aproximadamente

un voltio que impide que las cargas libres pasen de un cristal a otro.
Cuando se aplica a la unión una ddp en sentido directo, conectando el polo positivo de la
pila al cristal p y el polo negativo al cristal n, tal como se muestra en la Figura A. 14, la
tensión de la pila contrarresta la barrera interna de potencial y los portadores
mayoritarios de ambos cristales adquieren la energía suficiente como para pasar de un
cristal a otro atravesando la unión, produciéndose una corriente de electrones que va del
polo negativo al positivo. Los huecos se moverán en sentido contrario. Para no destruir
el cristal, si la ddp aplicada es superior a 1 V (barrera interna de potencial), la corriente
debe limitarse conectando una resistencia entre la pila y la unión pn.
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el terminal

negativo de la fuente está conectado al material tipo n, diremos que estamos en
"Polarización Directa".
La conexión en polarización directa tendría esta forma:
En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente
obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los
electrones libres hacia la unión, se crean iones positivos en el extremo derecho de la
unión que atraerán a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.

Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia
el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario
al del electrón.
Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por
el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón libre.
En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se

desplaza a través de la zona p como electrón de valencia. Tras abandonar el extremo
izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
1.6.4.- Polarización inversa
Cuando la unión se polariza inversamente, la recombinación se extiende, aumentando la

zona despoblada de carga, tal como se muestra en la Figura A. 15. En efecto, el polo
negativo atraerá a los electrones o portadores mayoritarios del cristal n, y el polo positivo
a los huecos o portadores mayoritarios del cristal p. Las únicas cargas que atravesarán la
unión son los portadores minoritarios del semiconductor intrínseco, dando lugar a una
pequeña intensidad inversa denominada corriente de fugas. Cuando la tensión inversa
aplicada es muy elevada, los pares electrón-huecos adquieren una gran energía y en su
desplazamiento a través del cristal destruyen la estructura, quedando el semiconductor
inutilizado.
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La polarización inversa aumenta el valor de la BARRERA de POTENCIAL, impidiendo la circulación

de una fuerte corriente del cristal N al P.

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La polarización INVERSA impide el paso de la corriente eléctrica (sólo circula una pequeña
corriente térmica inversa y una pequeñísima corriente superficial).
1.6.5.- Efecto Avalancha
Aumenta la tensión inversa y con ella la z.c.e..

Ocurre lo siguiente dentro del diodo:
Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos
electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el
electrón y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la E C es tan grande
que al chocar cede energía al electrón ligado y lo convierte en libre. El electrón incidente
sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrón libre obtenemos
dos electrones libres.
Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón de un enlace
covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una Multiplicación por
Avalancha.
Y ahora IR ha aumentado muchísimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-

100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no está preparado para
trabajar a esa IR.
1.6.6.- Efecto Zener
Este es otro efecto que puede estropear el diodo, y es muy parecido al anterior. Se suele
dar en diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas.
Al tener la z.c.e. muy pequeña y seguimos teniendo la misma tensión (0.7 V), tenemos
muy juntos los átomos de impurezas teniendo así más carga en menos espacio.

En esta situación se crea un campo eléctrico muy intenso. Y el efecto es como la carga de
un condensador.
Si se polariza en inversa se ensancha la z.c.e.
A aumentado mucho El(Campo Eléctrico), por ejemplo para los 3 V llega a 300.000 V/cm
y se da el "Efecto Zener": Ahora la F, fuerza debida al campo eléctrico, es capaz de
arrancar el electrón y lo hace libre. Este campo eléctrico intenso arranca muchos
electrones de esta f orma dando lugar a una corriente grande que destruye el Diodo.
Veamos en que diodos se dan estos 2 efectos:
 Efecto Avalancha (Ruptura por avalancha)

Diodo Rectificador VR = - 50 V (tensiones grandes).
Diodo de Avalancha VR = - 6 V, - 7 V, - 8 V... A veces le llama Diodo
Zener aunque no sea un Zener en si.
 Efecto Zener (Ruptura Zener)
Diodo Zener VR = - 4 V, - 3 V, - 2 V... A veces puede ocurrir este efecto
en otro tipo de diodos que no sean Zener, pero tienen que estar muy
impurificados. Los Diodos Zener están especialmente preparados para no
estropearse.
Entre - 4 V y - 6 V se pueden dar los 2 fenómenos a la vez (Avalancha y Zener).
2.- El diodo como dispositivo no lineal
Esta es la curva característica del diodo (un diodo se comporta de esa forma). Como no
es una línea recta, al diodo se le llama "Elemento No Lineal" ó "Dispositivo No Lineal", y
este es el gran problema de los diodos, que es muy difícil trabajar en las mallas con ellos
debido a que sus ecuaciones son bastante complicadas.
La ecuación matemática de esta curva es:
’
En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el diodo y las
corrientes son muy grandes. Debido a estas corrientes grandes el diodo podría romperse,
por eso hay que tener cuidado con eso (como máximo se tomará 0.8 V ó 0.9 V).
En inversa tenemos corrientes negativas y pequeñas.

A partir de -1 V se puede despreciar la y queda aproximadamente I = -IS, que es muy

pequeña aunque no se ha tenido en cuenta la corriente de fugas, con ella sería:
I = -( IS + If )
A partir de -1 V si no hubiera If tendríamos una corriente pequeña y horizontal pero como
hay fugas que son proporcionales a la tensión inversa, bajando poco a poco.
2.1.- APROXIMACIONES del diodo.
En la primera aproximación el diodo se considera totalmente ideal, con lo cual puede ser
sustituido por un contacto CERRADO.
'
En la segunda aproximación el diodo puede ser sustituido por un contacto CERRADO en

serie con una batería que toma el valor de la BARRERA de POTENCIAL (EP = 0’7 V).
Este método suele utilizarse cuando se desea una mayor precisión en la resolución de los
ejercicios o planteamientos técnicos que se nos hagan.
'
En esta tercera aproximación el diodo ha sido sustituido por el contacto CERRADO en

serie con la batería que representa la BARRERA de POTENCIAL (EP = 0’7 V) y en serie con
todo lo anterior la resistencia interna del propio diodo RESISTENCIA MACROSCÓPICA.
Con éste tercer método de sustitución del diodo por estos tres elementos se consigue una resolución
de los planteamientos técnicos con mayor precisión.
2.2.- Recta de Carga
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y
la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para los transistores,
por lo que más adelante se dará una explicación más detallada acerca de ellas.

EXACTA POR TANTEO: Ecuación del diodo exponencial y ecuación de la malla.

MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1ª aproximación, 2ª aproximación
y 3ª aproximación.
DE FORMA GRÁFICA: Recta de carga.
Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de forma
gráfica, esto es calculando su recta de carga.
Si de la ecuación de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuación de una

recta, que en forma de gráfica sería:
A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.

El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solución, el punto Q,
también llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se
controla variando VS y RS.
Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le
llama "Saturación".

Ecuación del circuito:


Condiciones de SATURACIÓN:

 



Condiciones del CORTE:



2.3.- Diferentes tipos de DIODOS.
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2.4.- CÓDIGO de DESIGNACIÓN de los DIODOS (sistema EUROPEO):
Letra Letra Número Número Número

La cifra puede estar formada por tres números, en cuyo caso el
USO es GENERAL.
Si por el contrario aparece una tercera letra seguida de una cifra de
dos números, estamos ante un elemento de USO PROFESIONAL,
en donde la letra indica su aplicación. Así:
T: CONMUTACIÓ.
F: ULTRARÁPIDOS.
La segunda letra hace referencia a la APLICACIÓN más adecuada para el diodo en
cuestión.
La primera letra indica el material semiconductor del cual está constituido el diodo. Típicamente B
para el SILICIO y A para el GERMANIO.

2.5.- Comprobación y detección de averías
Con el uso del polímetro en la opcion de diodo y continuidad, se coloca la pinza roja o
positiva en el anodo del diodo, el valor que nos indica comprendida entre 0,5 y 0,8 V
indica la caida de tensión del diodo en polarizacion directa para un determinado valor de
intensidad.
Si invertimos los terminales, es decir colocalos la pinza roja del polimetro en el catodo y
la pinza negra en el anodo, el diodo lo estamos polarizando de forma inversa por lo que
dara un valor de resistencia alta indicado en el displays como 1
En el uso del óhmetro con un polímetro analógico, para probar diodos lo único que se
desea saber es se el diodo tiene una resistencia pequeña con polarización directa y
grande con polarización inversa. Los problemas que pueden surgir son:
 Resistencia muy pequeña en ambas direcciones: diodo en cortocircuito.
 Resistencia muy grande en ambas direcciones: diodo en circuito abierto.
 Resistencia pequeña en inversa: diodo con fugas.
2.6.- Cómo calcular la resistencia interna rB

Para analizar con precisión un circuito con diodos se necesita saber la resistencia interna
del diodo. Este valor generalmente no viene dada por separado en las hojas de
características, pero traen información suficiente para calcularla. La formula para calcular
la resistencia interna es:
El punto 1 puede ser el punto umbral.
3.- EJEMPLO: DIODO 1N4001
En la hoja de características indica una corriente máxima con polarización directa Io de 1

A. Siempre que la corriente máxima con polarización directa sea menor que 1 A, el diodo
no se quemará.

La potencia que se disipa en el diodo en forma de calor.

Como ya se ha dicho no se debe pasar de ese valor de potencia.
La zona inversa
En polarización inversa teníamos un corriente que estaba formada por la suma de los
valores de la corriente IS y la corriente de fugas If:
Hay que tener cuidado, no hay que llegar a V R porque el diodo se rompe por avalancha
(excepto si es un Zener).
Modos de resolución de circuitos con diodos

Modelo Exacto
Los modelos de resolución de circuitos con diodos más usados son 4:

Modelo exacto
1ª Aproximación
2ª Aproximación
3ª Aproximación

Primeramente analizaremos la resolución de forma exacta y en el siguiente apartado se
verán los tres tipos de aproximaciones.
Modelo Exacto
El circuito que queremos resolver es el siguiente.

Primeramente y mirando la temperatura en la que estamos trabajando tomamos del

catálogo los siguientes valores para Tª = 27 ºC (temperatura ambiente):
Con esto podremos continuar calculando:
De la ecuación exacta del diodo:
Tenemos 2 incógnitas y una ecuación, necesitamos otra ecuación que será la ecuación de
la malla:
Y ahora tenemos 2 incógnitas y 2 ecuaciones, resolvemos:
Nos queda que es imposible despejar la V, es una "ecuación trascendente". Para resolver
este tipo de ecuaciones hay que usar otro tipo de métodos, aquí lo resolveremos por
"tanteo", que consiste en ir dándole valores a una de las incógnitas hasta que los valores
se igualen.
En este ejemplo hemos usado una malla, pero si tuviéramos más diodos, tendríamos más
exponenciales, más mallas, etc... Esto es muy largo, por eso no se usa (a no ser que
dispongamos de un ordenador y un programa matemático para resolver este tipo de
ecuaciones).
Para poder hacerlo a mano, vamos a basarnos en unos modelos aproximados más o
menos equivalentes del diodo. Estos modelos equivalentes aproximados son lineales, al
ser aproximados cometeremos errores.

3.1.- Modelos equivalentes lineales aproximados del diodo

1ª Aproximación (el diodo ideal)
Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada una de ellas es
útil en ciertas condiciones.
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de
coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es
ideal.
Como se ha visto, el diodo actúa como un interruptor abriéndose o cerrándose

dependiendo si esta en inversa o en directa. Para ver los diferentes errores que
cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada aproximación.
EJEMPLO:
En polarización directa:
2ª Aproximación
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este
valor es el valor de la tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de
silicio, si fuera de germanio se tomaría el valor de 0,2 V).

El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización directa, pero como a
efectos prácticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximación el
error es menor que en la aproximación anterior.
Polarización directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.
Polarización inversa: Es un interruptor abierto.
EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda

aproximación que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en
polarización directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximación, esta segunda
aproximación es menos ideal que la anterior, por lo tanto es más exacta, esto es, se
parece más al valor que tendría en la práctica ese circuito.
3ª Aproximación
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente
cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.
El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la

polarización directa:
EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3ª aproximación, tomamos 0,23 Oh como

valor de la resistencia interna.

Esta tercera aproximación no merece la pena usarla porque el error que se comete, con
respecto a la segunda aproximación, es mínimo. Por ello se usará la segunda
aproximación en lugar de la tercera excepto en algún caso especial.
EJEMPLO:1N4001
De la hoja de características conseguimos los valores de la tensión con polarización
directa (0,93 V) para un valor de la corriente de 1 A y la tensión umbral es de 0,7 V para
una corriente aproximadamente cero.
Resistencia en continua de un diodo

Siempre que se habla de continua, se quiere decir que es estática, que nunca cambia, es
una "Resistencia Estática". En la zona de polarización directa se simboliza con R F y en la
zona de polarización inversa con RR.
Lo estudiaremos para el diodo 1N914:
Resistencia con polarización directa
En cada punto tenemos una resistencia distinta, esa resistencia es el equivalente del
diodo en polarización directa para esos valores concretos de intensidad y tensión.

Si comparamos este valor de resistencia con la resistencia interna:
Como los 3 puntos tiene la misma pendiente quiere decir que para los 3 puntos el modelo
es el mismo. Entonces la RF anterior no es útil porque varía, pero la rB no varía y por eso
esta es la resistencia que se utiliza.
Resistencia con polarización inversa

Exageramos la curva de la gráfica para verlo mejor:
Como en el caso anterior en cada punto tenemos una recta, por lo tanto un R R (R =
Reverse, inversa) para cada punto.

Como es un valor muy grande, más o menos se puede considerar infinito (idealmente
circuito abierto).
Este valor no es útil, no se utiliza para hacer modelos o mallas, pero de forma práctica en
el laboratorio puede ser útil (el polímetro marca la resistencia estática y se puede utilizar
para detectar averías).
3.-.Problemas
Un diodo está en serie con una resistencia de 220 Oh. Si la tensión en la resistencia es de
4 V, ¿cuál es la corriente por el diodo? Si hemos aplicado la 2ª aproximación, ¿cuál es la
potencia disipada en el diodo?
Solución:
Al tomar la 2ª aproximación el diodo es una pila de 0,7 V.
Problema 3.2
Calcular la corriente, la tensión y la potencia en la carga, así como la potencia del diodo y
la potencia total para el circuito de la figura. Hacerlo utilizando los tres tipos de
aproximaciones que existen.
Solución:
1ª aproximación
En esta aproximación el diodo es ideal, por lo tanto lo podemos sustituir por un
cortocircuito, con lo que obtenemos las siguientes ecuaciones:

2ª aproximación
Aquí es diodo se sustituye por una pila de 0,7 V.
3ª aproximación
El diodo se sustituye por una pila de 0,7 V en serie con una resistencia de 0,23 Oh.

4.- 3.- Problemas resueltos
Problema .1
¿Cuál es la barrera de potencial en un diodo de silicio cuando la temperatura de

la unión es de 100º C?
Si la temperatura de la unión aumenta a 100º C, la barrera de potencial disminuye en
(100 - 25)·2 mV = 150 mV = 0,15 V
con lo que el valor de la barrera de potencial es
VB = 0,7 V - 0,15 V = 0,55 V
Problema 2.
Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturación de 5 nA a 25 C.
Calcule la corriente inversa de saturación a 100º C.
Solución:
La corriente inversa de saturación se duplica por cada aumento de 10º C. Por tanto, es
igual a 10 nA a 35 C, 20 nA a 45 C, 40 nA a 55 C, 80 nA a 65 C, 160 nA a 75 C, 320 nA a
85 C, 640nA a 95 C, 1,28 nA a 100 C.
Recuerde que la regla sólo es una aproximación. Para obtener mayor precisión se puede
emplear la regla del incremento del 7 por 100 por cada grado de aumento de
temperatura. En este caso,
IS = 1,07·1,07·1,07·1,07·1,07·640 nA = 1,07 5·5 nA = 799 nA.
Problema 3.
Calcular la corriente, la tensión y la potencia en la carga, así como la potencia del diodo y
la potencia total para el circuito de la figura. Hacerlo utilizando los tres tipos de
Solución:
1ª aproximación
En esta aproximación el diodo es ideal, por lo tanto lo podemos sustituir por un

cortocircuito, con lo que obtenemos las siguientes ecuaciones:

2ª aproximación
Aquí es diodo se sustituye por una pila de 0,7 V.
3ª aproximación
El diodo se sustituye por una pila de 0,7 V en serie con una resistencia de 0,23 Oh.
Problema 4.-
Un diodo está en serie con una resistencia de 220 Oh. Si la tensión en la resistencia es de
4 V, ¿cuál es la corriente por el diodo? Si hemos aplicado la 2ª aproximación, ¿cuál es la
potencia disipada en el diodo?
Solución:
Al tomar la 2ª aproximación el diodo es una pila de 0,7 V.

5.- Ejercicios.
1.- Suponiendo ideal el comportamiento del diodo, determinar la intensidad que circula
por el mismo si está conectado en serie con una resistencia de 4K7 y sometido a una
tensión de 10V.
Al ser ideal la caída de tensión del diodo es de 0v;
Solución; I = V/R = 10 / 4,7 = 2,12 mA.
2. Resuelve el ejercicio anterior suponiendo ahora que el comportamiento del diodo es

real, con lo cual su caída de tensión es de 0’6V y su resistencia interna de 6.
Solución: I = V-(vr+rd*I)/R = 10 – ( 0,6 + 0,006*I) /R = 1,99 mA.
#
3. Suponiendo el diodo de la figura de la derecha
real con resistencia interna de 4 y caida de tension de 0,6V

Determinar:
b. Caída de tensión en el diodo.
c. Potencia consumida por el diodo.
d. Potencia cedida por la fuente de tensión.
Solución:I = V – ( vd+rd*I)/R = 15 – ( 0,6 + 0,004*I)/5 = 0,347mA fig. 10.

Polarización DIRECTA
Vd = 0,6 + rd*I = 0,6 + 0,004*0,347 = 0,6014 V

P = Vd * Id = 0,6014*0,347 = 0,208 mW
P = V * I = 15 * 0,347 = 5,205 mW. #
4. Referente al circuito de la derecha (fig. 11), calcúlese la corriente que

circula por el diodo BY127. Si la resistencia R2 es de 1 K, ¿Es estable el
divisor de voltaje?.

Solucion: para que sea estable la tensión en R2 debe ser superior a 0,7 V
#
¿ Para R2 = 1K la tensión en R2 vale: VR2 = Vcc*r2/R1+R2 = 15/31 = 0,48 V
No circula corriente por el diodo, el circuito no es estable, para que sea estable,
el valor minimo de R2 debe ser:
VR2 = 0,7 = V * R2/R1+R2 = 15*R2/30+R2 = 1,46K
Fig. 11
5. Supóngase que el diodo del ejercicio anterior tiene una resistencia interna de 6.
Determinar haciendo uso de los resultados anteriores el valor de la potencia disipada por
el diodo.suponiendo R2 = 2k5

Solucion: VR2 = V*R2 / R1+R2 = 15*2,5/30+2,5 = 1,61V
Id = VR2-(0,6+0,006*Id)/R = (1,61 – 0,6 -0,006Id)/5 ; Id = 0,20 mA.
P = Vd* Id = 0,606*0,20 = 0,12 mW
#
6. ¿Cuál deberá ser el voltaje en la resistencia R (100K) para que por el diodo
circule una corriente de 10mA?. fig. 12
V = R * I = 100 K * 10 mA = 1000 V

7. Si el diodo BA128 tiene como características de resistencia macroscópica 0’5 y una

caída de tensión directa de 0’5V aproximadamente. Determina ahora nuevamente lo
pedido en el ejercicio anterior. ¿Cuál será ahora la potencia disipada por el diodo?.
Solucion: Vd = vd+rd*id = 0,5 + 0,5 * 0,01 = 0,505 V
P = Vd * Id = 0,505 * 0,01 = 0,05 ,W.
8. El diodo se supone sometido a un voltaje de 8 V a través de una resistencia limitadora

de 100. Hallar:
a. Corriente en el extremo superior de la recta de carga
(saturación).
b. Tensión en el punto inferior de la recta de carga
(corte).
c. Tensión y corriente en el punto de funcionamiento.
d. ¿Cual es la disipación de potencia en el diodo?.
Punto de saturación: Limite superior I = V/R = 8/=0,1 = 80mA.
Punto de corte = 8 V.
Suponiendo una caída de tensión de 0,7 V al no dar resistencia
macroscópica la tensión en el Punto de funcionamiento =0,7 V
La intensidad en ese punto I = V-Vd / R = 8 – 0,7/0,1 = 73 mA.
Potencia disipada = Vd * Id = 0,7 * 73 = 51,1 mW.
9. Un diodo de silicio tiene de corriente directa 50mA con un voltaje de 1V., si la caída de
tensión del diodo es de 0,5V. Determina el valor de la resistencia macroscópica del diodo.
Solucion: Vd = vd + rd Id
1 = 0,5 + rd*50mA rd = 10 Ohmios
10. Referente al ejercicio anterior, determina igualmente el valor de la potencia disipada

por dicho diodo en las condiciones mencionadas con anterioridad.
Solucion P = vd * id = 1 * 50 = 50 mW
11. Para el montaje de la figura de la izquierda (fig. 14) calcular y dibujar con el mayor
detalle posible la curva de transferencia Vo/Vi (suponer el diodo ideal Vf= 0V). Supón la
#
tensión de entrada VI alterna de onda triangular de valor 12V. " &
Para V1 = 0v V0 = 0V al estará el diodo polarizado de forma

Inversa. Para valor de Vi entre 0 y 7V la tensión de salida es #
variable el punto de valor máximo V0 = Vi*R0/Ri+Ro =

7 * 5 / 1 + 5 = 5,8 V
El valor al cual se estabiliza la salida es para una tensión de
salida es 5,7 V
Siendo el valor de entrada 5,7 = Vi*R0/Ri+R0 = Vi*5 / 1 + 5 = 6,84 V., fig. 14
partir de esta tensión de entrada la salida permanece constante en 5,7 V
En el semiciclo negativo, el diodo circuito abierto, por lo que la tensión se salida será
variable en un valor negativo proporcional a la tensión, divisor de tensión de 1 y 5 K

12. Referente al ejercicio anterior determina la corriente circulante por en cada uno de
los casos analizados.
Solucion: para Vi = 0 v I = = 0 mA.

Para Vi = 7 v: I = 7/1 +5 = 1,16 mA.Para Vi = 6,84 v ; I = 1,14mA.
Para Vi = 10 V; Vo = 5,7 V; I = 5,7V/5K = 1,14 mA
13. Para el diodo del circuito de la figura (fig. 14) determinar el valor de la potencia de
pico (máxima PMX) consumida por el diodo en el momento en que está conduciendo.
Para V1 = 12 V , la intensidad en Ro = 5,7 / 5 = 1,14 mA
La intensidad total = 12 – 5,7 /1 = 6,3 mA
El pico en el diodo 6,3 mA – 1,14 mA = 5,16 mA , la potencia de pico Pmax = Vd * Id =
0,7 *5,16 mA = 3,61 mW.
14. Referente al ejercicio de la figura (fig. 15) calcular y dibujar la curva de transferencia
Vs/Ve
" &

Fig.15
15. En la gráfica hallada en el ejercicio anterior, transponer los valores si los datos de
partida son: fig. 15
0 V  Vi  10 V.
E= 5 V.
R1= 10 K.R2= 20 K. (supóngase que la caída de tensión en el diodo es de 0’5V).
Para V1 = 0v V0 = 0V al estará el diodo polarizado de forma inversa
Para valor de Vi entre 0 y 10V la tensión de salida es variable
El valor al cual se estabiliza la salida es para una tensión de salida de 5,7 V
Siendo el valor de entrada 5,7 = Vi*R0/Ri+R0 = Vi*20 / 10 + 20 = 8,55 V.,
16. En el circuito de la figura de la izquierda (fig.16) calcular y dibujar la función de

transferencia estática (suponer en los diodos una caída de tensión de 0’7V). Considerar
que la señal de entrada Ve es una señal alterna senoidal de valor eficaz 220V.

" &
# #

Fig. 16
17. Determinar la potencia consumida por cada uno de los diodos según los casos
analizados.

18. Hallar la potencia consumida por el diodo del circuito de la derecha fig. 13,
suponiendo que se trata de un diodo cuya caída de tensión es de 0’6V. Repetir
nuevamente el ejercicio suponiendo ahora que la resistencia interna del diodo es de 100
.
#
Rt = 68 + 15*33/15+33 = 68 + 10,31K
VR2 = V*R2/R1 + R2 = 15 * 10,31 / 68 + 10,31 = 1,97 v.

IR3 = VR2 – Vd / R3 = 1,97 – 0,6 / 33 = 0,041 mA.
Pd = Vd * Id = 0,6 * 0,041 = 0,0246 mW. #
Pd = Vd *Id = ( 0,6 + 0,1* 0,041) *0,041 = 0,247 mW #
Fig.13
19. Un diodo de pequeña señal (la potencia total medida en laboratorio entre sus
extremos de 0’5 W) y una caída de tensión en sus extremos de 0’62V. ¿Cuánto vale la
corriente máxima que circula por él?.
Solución: P = vd * Id ; 0,5 = 0,62 * Id; Id = 0,5/0,62 = 0,80 A
20. Referente al ejercicio anterior (19), el valor de la barrera de potencial del diodo
medida en laboratorio es de 0’54V. ¿Cuál es el valor de la resistencia interna del diodo?.
Solución: Vd = vd + rd*id ; 0,62 = 0,54 + rd *0,8 ; rd = 0,62 – 0,54 / 0,8 =
0,1 Ohmio
21. Para el circuito de la figura de la derecha hallar la forma y valor de la tensión de

salida (Vo), sabiendo que la señal de entrada es triangular de valor 10V (la señal de
entrada varía entre 0 y +10V, y desde éste valor nuevamente a 0V). Suponer que el
diodo tiene una caída de tensión de 0’45V.
#
" & Solución; Para

# V1=0 Vo = 0V
Vi = 5 V; V0 = (5 – 0,45)*5/2,6 + 5 = 2,99V
Fig.18 Vi = 10 V; Vo = (10 – 0,45)*5 / 2,6 + 5 = 6,28 V
22. Referente al ejercicio anterior determinar el valor de corriente máxima y mínima que
circula por el diodo. Hallar igualmente el valor de la potencia máxima consumida por el
diodo.
Solución: Imax = Vimax – Vd / R1 + R2 = 10 -0,45 / 2,6 + 5 = 1,25 mA.
Imin = 0 mA.
23. En el circuito de la izquierda figura (fig.19), halla el valor de la corriente circulante

por cada una de las ramas del mismo. El valor de la tensión Vi= 15V, y la caída de
tensión directa en el diodo es de 0’6V. Hallar así mismo el valor de la potencia cedida por
la fuente de tensión Vi.
Solución:

"
. It = V-Vd/R = 15 – 0,6 /2k2 + 1 k = 4,5 mA
#
IR1 = Vd / R1 = 0,6/2,6 = 0,23 mA

Id1 = It – Id1 = 4,5 – 0,23 = 4,27 mA
IR2 = It = 4,5 mA.
#
Ir3 = It = 4,5 mA.
Id2 = 0 mA diodo polarizado inversamente
Fig. 19 #

24. Determina el valor de la potencia generada por la fuente de tensión (referente al

ejercicio 23).
Solución: Pf = V * It * 15 * 4,5 mA = 67,5 mA.
25. Referente al ejercicio de la figura (fig.20), Hallar la forma de la curva de

transferencia. Supóngase que la señal de entrada tiene una forma de diente de sierra,
que varía desde +E hasta –E pasando por cero, y que E>V.
Nota: supóngase que el diodo es ideal en un primer momento y después es real con una
caída de tensión de 0’5 V.
" &

Fig.20
26. Para el circuito de la figura fig.21 (circuito lógico AND con diodos de lógica positiva),
determinar si se trata realmente de un circuito AND.
Solucion: Si A =B=C=O los diodos D1, D2 Y D3 estan polarizados directamente, por lo
que la tensión de salida da un nivel bajo es decir 0v, si una de las entradas se pone a
nivel alto, ese diodo queda polarizado inversamente, pero al estar polarizado
directamente los otros diodos el nivel de salida es nivel bajo 0v, si a las tres entradas se
le aplica un nivel alto los tres diodos quedan polarizados de forma inversa, por lo que la
salida da valor cero, SI ES PUERTA AND
A B C S
0 0 0 0

0 0 1 0

0 1 0 0

0 1 1 0

& 1 0 0 0

1 0 1 0

1 1 0 0
fig. 21. Puerta lógica NAND 1 1 1 1

EJERCICIOS PROPUESTOS
1.- En el circuito de la figura de la derecha

) &
(fig.16) aparece un recortador positivo.
Determinar la forma y valor y valor de la señal

de salida (VO) suponiendo que la señal de "%
entrada es alterna senoidal de valor de pico
7V. Suponer igualmente que los diodos tienen
una caída de tensión directa entre sus
extremos de 0’5V.
2.- En el recortador de la izquierda se pide forma y valor de la señal

de salida (VSAL) cuando la señal de entrada (VENT) tiene forma cuadrada de valores 0V y
10V.
3.- Resuélvase el ejercicio suponiendo en un primer caso que el diodo es ideal y en un

segundo caso que tiene una caída de tensión de 0’5V.
)
)$

"%

4.- Un diodo está en serie con una resistencia de 220

de 4 V, ¿cuál es la corriente por el diodo? Si hemos aplicado la 2ª aproximación, ¿cuál es
la potencia disipada en el diodo?
5.- Calcular la corriente, la tensión y la potencia en la carga, así como la potencia del
diodo y la potencia total para el circuito de la figura. Hacerlo utilizando los tres tipos de

6.- Encuentre la corriente en la resistencia de 500  en el siguiente circuito. Suponga

que el diodo es ideal.
7.- Encuentre el valor de la corriente en el diodo ideal del siguiente circuito
8.- Dibuje la forma de onda que aparece en las terminales AB del siguiente circuito
9.- Calcule la potencia disipada en la resistencia si el voltaje de la fuente es de 100 volts

y la frecuencia es de 60 HZ

10.- ¿En qué posición del conmutador brilla más el foco, en “A” o en “B”? Demuestre su
respuesta.
11.- Dibuje la forma de onda del voltaje V0 en el siguiente circuito

TEMA 5 .- DIODOS ESPECIALES Y FOTOSENSIBLES
INDICE
1.- DIODOS ESPECIALES

1.1.-El diodo Schottky
1.1.1.- Funcionamiento
1.1.2.- Características
1.2.- Diodo Varicap
1.3.- Diodo Tunel
1.4.- Diodo Escalón
1.5.- Diodo Gunn: Efecto Gunn
1.6.- Varistor
2.- ELEMENTOS FOTOSENSIBLES
2.1.- LDR - Fotorresistencia
2.2.- Fotodiodo.
2.2.1.- Diodo detector de luz
2.2.3.- Principio de operación
2.3.-Fotodiodos de avalancha
2.4.- Diodo LED
3.- OPTOACOPLADOR
3.1.- Funcionamiento
3.1.1.- Tipos
3.2. - Otros tipos de optoacopladores
3.3.- Fototransistor Fotodiodo + Transistor
3.3.1.- Caracteristicas.-
3.4.- Sensor CNY70
3.4.1.- Introducción
3.4.2.-Manejo del sensor
3.4.3.- Conclusiones
4.- Diodo Láser. Luz Láser
4.1.- Diodo láser. Luz monocromática coherente.
5.- Display de 7 segmentos
6.- LCD: Display de Cristal Líquido (Liquid Crystal Display)
6.1.- ¿Cómo funciona un LCD?
6.2.- Modos de visualización del LCD (Liquid Crystal Display)
7.- Lámparas de descarga.-
7.1.- Lámpara de tubo fluorescente
7.1.1.- Ventajas de la lámpara fluorescente.
7.1.2.- Constitución de una lámpara fluorescente
7.1.3.- Tubo fluorescente de precalentamiento

1.- DIODOS ESPECIALES

1.1.-El diodo Schottky
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la
polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el
tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el
dispositivo.
El diodo Schottky es la solución ya que puede conmutar más rápido que un diodo
normal. El diodo Schottky con polarización directa tiene 0,25 V de barrera de
potencial frente a los 0,7 V de un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a
frecuencias superiores a 300 MHz.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico
alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos
de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral
(también conocidas como tensiones de codo). La tensión de codo es la diferencia de
potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de
circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien
existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de
estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo
haría regularmente.
Recombinación pares ELECTRÓN-HUECOS
El diodo se encuentra polarizado directamente permitiendo el paso de la corriente

eléctrica. A veces el tiempo que tardan los electrones en recombinarse con los
huecos es más largo que el periodo de la frecuencia de la señal eléctrica, con lo cual
éstos se almacenan temporalmente
Efecto de la alta frecuencia en la RECTIFICACIÓN.
Como puede observarse cuando el diodo es polarizado inversamente

aún quedan portadores minoritarios en los cristales, por lo que aparece una
corriente inversa en el diodo que distorsiona la señal rectificada.

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la
polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el
tiempo de conmutación puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el
dispositivo.
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor, en lugar de la

unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos
normales.
Se ha sustituido el silicio de una parte del diodo por metal (ORO, PLATINO o PLATA).
Elementos del diodo SCHOTTKY
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y
eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral de
0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a
0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con
baterías de plomo ácido.
La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir

resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades
de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL. Por ejemplo
los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores
sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que
se da una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor
potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de
velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
1.2.- Diodo Varicap
Todos los diodos cuando están polarizados en sentido inverso tienen una capacidad
que aparece entre sus terminales.
Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su
funcionamiento sea similar al de un condensador y tengan una característica
capacidad-tensión dentro de límites razonables

El Varicap (capacidad controlada por tensión o diodo de sintonía) es un diodo que se

comporta como un condensador donde la capacidad esta controlada por la tensión.
Las regiones p y n se comportan como las placas de un condensador y la zona de

deflexión es como el dieléctrico.
En inversa la anchura de la "Zona de deflexión" aumenta con la tensión inversa y la

capacidad disminuye.
P N P N
La capa de agotamiento (zona libre de portadores) se comporta igual a como lo

hace el dieléctrico de un condensador. Su tamaño varía en función de la polarización
inversa aplicada.
El circuito equivalente de un VARICAP, es una resistencia inversa muy alta en paralelo
con la capacidad de transición La CT se controla con la tensión inversa aplicada al
diodo.
En un diodo normal la contaminación de portadores tiene igual densidad a ambos
lados de la UNIÓN
El diodo de capacidad variable o (Varicap) es un tipo de diodo que basa su
funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en
una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos.
Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la
capacidad del diodo.
De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensión. Los valores
de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que
ser de 1 V.
La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintonía de TV,

modulación de frecuencia en circuitos resonantes en transmisiones de FM y radio y en
los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensión).

1.3.- Diodo Tunel

El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un
cierto intervalo de la característica corriente-tensión.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como

componente activo (amplificador/oscilador).
Respuesta I-V del diodo TUNEL. SÍMBOLO del TUNEL. Su uso más habitual es en la
conversión de señales de potencia de CC a CA; es decir, crea una señal senoidal donde
ante no existía
El diodo TUNEL conduce se obtiene aumentando el nivel de contaminación del

diodo INVERSO. Tanto en polarización directa como inversa conduce
inmediatamente. A la zona entre Vp y Vv se la denomina región de resistenciaI
negativa
También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que
una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los
portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión.
Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un

determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es
negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo
túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que
involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.
Los diodos de efecto túnel. Son dispositivos muy versátiles que pueden operar como
detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una región de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes
de polarización directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente
disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado
1.4.- Diodo Escalón
Durante el periodo de polarización directa el diodo conduce, pero cuando se polariza

inversamente la conducción continúa durante un breve tiempo hasta que IR cae
bruscamente a cero. Gracias a este comportamiento los diodos ESCALÓN son muy
usados como multiplicadores de la onda de frecuencia.

Distribución de la contaminación. Respuesta de un diodo ESCALÓN. Símbolo del

diodo ESCALÓN. Este tipo de diodos son muy utilizados en los circuitos
MULTIPLICADORES de FRECUENCIA, cuya frecuencia de salida es múltiplo de la
frecuencia de entrada.
1.5.- Diodo Gunn: Efecto Gunn
El D i o d o fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es eficaz para la

generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales
semiconductores.
Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una plaquita delgada de
Arseniuro de Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia negativa.
Este efecto Gunn sólo se da en materiales
tipo N (material con exceso de electrones)
y las oscilaciones se dan sólo cuando
existe un campo eléctrico.
Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones

necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando e aplica el voltaje
en continua.
Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fósforo
de Indio (InP)
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no
depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de
voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos.
Resistencia negativa en el diodo Gunn
El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que en

una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energía vacía más alta que la
más elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente.
Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje a la plaquita

(tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el material tiene en exceso,
circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensión, la
velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento típico y el gráfico tensión-
corriente es similar al que dicta la ley de Ohm.

Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue

aumentando el voltaje, se les comunica a los electrones una mayor energía, pero en
lugar de moverse más rápido, los electrones saltan a una banda de energía más
elevada, que normalmente esta vacía, disminuyen su velocidad y por ende la
corriente.
Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de

la banda de mayor energía y menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de
nuevo con el voltaje.
La característica voltaje contra corriente se parece mucho a la del diodo Tunnel.

La aplicación más común es la del oscilador Gunn
1.6.- Varistor
Un varistor (variable resistor) es un componente electrónico cuya resistencia óhmica

disminuye cuando el voltaje que se le aplica aumenta; tienen un tiempo de respuesta
rápido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados básicamente con
óxido de zinc y dependiendo del fabricante se le añaden otros materiales para
agregarle las características no lineales deseables. El material se comprime para
formar discos de diferente tamaño y se le agrega un contacto metálico a cada lado
para su conexión eléctrica. Se utiliza para proteger los componentes más sensibles de
los circuitos contra variaciones bruscas de voltaje o picos de corriente que pueden ser
originados, entre otros, por relámpagos conmutaciones y ruido eléctrico.
1. El tiempo de respuesta está en el orden de los 5 a 25 nanosegundos.

2. El voltaje de actuación es de 14V a 550V.
3. Tiene buena disipación de energía indeseable.
4. La confiabilidad es limitada ya que se degrada con el uso.
5. El costo del dispositivo es bajo comparado con otros
El varistor protege el circuito de variaciones y picos bruscos de tensión. Se coloca en

paralelo al circuito a proteger y absorbe todos los picos mayores a su tensión
nominal. El varistor sólo suprime picos transitorios; si lo sometemos a una tensión
elevada constante, se quema. Esto sucede, por ejemplo, cuando sometemos un
varistor de 110V ac a 220V AC, o al colocar el selector de tensión de una fuente de
alimentación de un PC en posición incorrecta. Es aconsejable colocar el varistor
después de un fusible. EAV*
El varistor esta construido a base de materiales semiconductores al igual que como el

termistor. Por lo tanto, al aplicar un potencial en sus extremos de pequeñas
magnitudes ofrece resistencia muy elevada, en tanto que si su potencial aplicado es
muy elevado, su resistencia disminuye permitiendo el paso de la corriente

2.- ELEMENTOS FOTOSENSIBLES

2.1.- LDR - Fotorresistencia
Una LDR o Fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia
disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado
fotorresistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuya
siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor. Su cuerpo
está formado por una célula o celda y dos patillas.
El valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él

(puede descender hasta 50 ohms) y muy alto cuando está a oscuras (varios
megaohmios).
2.1.1.- Características.
Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un fotorresistor está hecho de
un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que
incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por las
elasticidades del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para
saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta, y su hueco asociado,
conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores típicos
varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz brillante.
Las células de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su
resistencia según la cantidad de luz que incide en la célula. Cuanto más luz incide,
más baja es la resistencia. Las células son también capaces de reaccionar a una
amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV).
Fotocelda o fotorresistencia, cambia su valor resistivo (Ohms) conforme a la

intensidad de luz. Mayor luz, menor resistencia y viceversa..
La variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de

oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en
aplicaciones en las que la señal luminosa varía con rapidez. El tiempo de respuesta
típico de un LDR está en el orden de una décima de segundo. Esta lentitud da ventaja
en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rápidas de iluminación que
podrían hacer inestable un sensor (ej. tubo fluorescente alimentado por corriente
alterna). En otras aplicaciones (saber si es de día o es de noche) la lentitud de la
detección no es importante.
Se fabrican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artículos de consumo,

como por ejemplo en cámaras, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de
seguridad o sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles.

También se fabrican fotoconductores de Ge:Cu que funcionan dentro de la gama más

baja "radiación infrarroja"
El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no varía de forma instantánea cuando se

pasa de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que se dura en este proceso no
siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a oscuro.
Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones, especialmente

aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de
estado (oscuridad a iluminación o iluminación a oscuridad) y a exactitud de los valores
de la fotorresistencia al estar en los mismos estados anteriores.
Su tiempo de respuesta típico es de aproximadamente 0.1 segundos.
Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy útil. En casos
en que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos:
- Luz nocturna de encendido automático, que utiliza una fotorresistencia para
activar una o mas luces al llegar la noche.
- Relé controlado por luz, donde el estado de iluminación de la fotorresistencia,
activa o desactiva un Relay (relé), que puede tener un gran número de aplicaciones
2.1.2.- Fabricación
Los materiales semiconductores más empleados en la fabricación de resistencias LDR
son el sulfuro de cadmio, el selenio y el sulfuro de plomo. Los dos primeros, sensibles
a las radiaciones visibles; y el tercero, a las radiaciones infrarrojas.
Estas tabletas se sinterizan y, después se deposita sobre su superficie un material de

baja resistencia, para formar electrodos, por medio de los cuales se puede aplicar
determinada tensión a través de la célula.
Los electrodos se disponen generalmente en forma de peines entrecruzados, que

aseguran una mayor superficie de contacto.
2.2.- Fotodiodo.
2.2.1.- Diodo detector de luz
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan
como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión
muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente
presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad

El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor común, pero tiene una

característica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad
de corriente eléctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).
Luz incidente
Sentido de la corriente generada
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz
en electricidad y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que
hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo.
Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por él circule la corriente en el
sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendría
efecto sobre él y se comportaría como un diodo semiconductor normal.
La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la
cantidad de luz que lo incide, de manera que su reacción a la luz sea más evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.
Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre
el colector y la base del transistor (con el cátodo del diodo apuntado al colector del
transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.
2.2.3.- Principio de operación
Un fotodiodo es una unión PN. Cuando una luz de suficiente energía llega al diodo,
excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la
absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión
de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente
Cuando se coloca una pila en inversa, el negativo atrae a los huecos y los saca de la
unión con el ión ( lo mismo con el positivo y los electrones). Pero se llega a un
equilibrio, un equilibrio con una W (anchura de z.c.e.) concreta.
Y no tenemos ni huecos ni electrones en la z.c.e. (W) y esa unión me la pueden pasar
los portadores (h y e) (solo quedan los iones en la W).

Hay una pequeña generación térmica y los pares h-e que se crean se recombinan
antes de llegar a W... No sirve para nada, se recombinan pero los que se generan
cerca de la unión pueden cruzar y los minoritarios sirven para cruzar y tenemos e
hacia la izquierda y h hacia la derecha. Tenemos así una corriente inversa de
saturación que es muy pequeña. Otra corriente que tenemos es la If que es también
pequeña.
Se suele coger la corriente de p hacia n, en la realidad es al revés, por eso I = -IS - If,
es negativa.
En un fotodiodo además de la generación térmica se le suma la "Generación por

energía luminosa", que la crean los fotones que atacan cerca de la unión formando
más pares h-e y por lo tanto más corriente. Entonces tenemos:
Y la corriente es mayor:
2.3.-Fotodiodos de avalancha
Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto
permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona de
avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta
del dispositivo.
El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para

definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible
(longitud de onda de hasta 1μm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda
hasta aprox. 1,8 μm ); o de cualquier otro material semiconductor.
Material Longitud de onda (nm)
Silicio 190–1100
Germanio 800–1700
Indio galio arsénico (InGaAs) 800–2600
sulfuro de plomo <1000-3500
Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el surco del Cd

transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos eléctricos para
ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Usados
en fibra óptica

2.4.- Diodo LED

Diodo LED. Diodo emisor de luz. Light-Emitting Diode
Si alguna vez ha visto, unas pequeñas luces de diferentes colores que se encienden y
apagan, en algún circuito electrónico, ha visto los diodo LED en funcionamiento.
Símbolo del diodo LED

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo común, pero que al
ser atravesado por la corriente eléctrica, emite luz.
"#! $' %" ! ! $ % " "# "
!&# Por debajo de la luz visible se encuentran los infrarrojos,
mientras que por encima están los ultravioletas. A medida que la longitud (λ) de onda
es más corta la señal luminosa es más energética. algunos diodos LEDs están
diseñados para la emisión de luz infrarroja.
Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, ámbar, infrarrojo, entre otros.
Eléctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio.
Si se pasa una corriente a través del diodo semiconductor, se inyectan electrones y
huecos en las regiones P y N, respectivamente.
El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores, un
electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia, pierde energía. El que
esa energía perdida cuando pasa un electrón de la banda de conducción a la de
valencia se manifieste como un fotón desprendido o como otra forma de energía
(calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor.
Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se
mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los

electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse, es decir, los
electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energético
superior a otro inferior más estable, sin embargo, estas emisiones son mucho más
probables en los semiconductores de banda prohibida directa (como el Nitruro de
Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta (como el Silicio).
Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinación de los portadores de

carga (electrones y huecos).

Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aquí la

emisión de luz). La relación entre las recombinaciones radiantes y el total de
recombinaciones depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP)
Dependiendo del material de que está hecho el LED, será la emisión de la longitud de
onda y por ende el color.
El LED tiene un voltaje de operación que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente

y la gama de corrientes que debe circular por él está entre los 10 y 20 miliamperios
(mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros
LEDs. Los diodos LED tiene enormes ventajas sobre las lámparas indicadoras
comunes, como su bajo consumo de energía, su mantenimiento casi nulo y con una
vida aproximada de 100,000 horas.
El diodo LED debe ser protegido. Una pequeña cantidad de corriente en sentido
inverso no lo dañará, pero si hay picos inesperados puede dañarse.
Una forma de protegerlo es colocar en paralelo con el diodo LED pero apuntando en
sentido opuesto un diodo de silicio común.
Aplicaciones tiene el diodo LED. Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales,

como indicadoras de cierta situación específica de funcionamiento.
Ejemplos
- Se utilizan para desplegar contadores

- Para indicar la polaridad de una fuente de alimentación de corriente continua.
- Para indicar la actividad de una fuente de alimentación de corriente alterna.
- En dispositivos de alarma, etc.
Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminación es tan baja, que
su luz es invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ángulo de visibilidad está
entre los 30° y 60°. Este último problema se corrige con cubiertas difusoras de luz.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el LED; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de operación va
desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que está relacionado con el material
de fabricación y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe
circular por él varía según su aplicación. Valores típicos de corriente directa de
polarización de un LED corriente están comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En
general, los LEDs suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que
circula por ellos, (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos

Compuestos empleados en la construcción de LED.
Compuesto Color Long. de onda
Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940nm
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) Rojo e infrarrojo 890nm
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) Rojo, naranja y amarillo 630nm
Fosfuro de galio (GaP) Verde 555nm
Nitruro de galio (GaN) Verde 525nm
Seleniuro de zinc (ZnSe) Azul
Nitruro de galio e indio (InGaN) Azul 450nm
Carburo de silicio (SiC) Azul 480nm
Diamante (C) Ultravioleta
Silicio (Si) En desarrollo
Xenon Blanco
Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnológico posterior la construcción de diodos para
longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron
desarrollados a finales de los 90. El diodo de seleniuro de zinc puede emitir también
luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada por
fotoluminiscencia. La más reciente innovación en el ámbito de la tecnología LED son
los diodos ultravioletas, que se han empleado con éxito en la producción de luz blanca
al emplearse para iluminar materiales fluorescentes
Tanto los diodos azules como los ultravioletas son caros respecto de los más comunes
(rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las
aplicaciones comerciales.

Los LEDs comerciales típicos están diseñados para potencias del orden de los 30 a 60
mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar con
potencias de 1 W para uso continuo; estos diodos tienen matrices semiconductoras de
dimensiones mucho mayores para poder soportar tales potencias.
Hoy en día, se están desarrollando y empezando a comercializar LEDs con

prestaciones muy superiores a las de unos años atrás y con un futuro prometedor en
diversos campos, incluso en aplicaciones generales de iluminación. Como ejemplo,
Nichia Corporation ha desarrollado LEDs de luz blanca con una eficiencia luminosa de
150 lm/W, utilizando para ello una corriente de polarización directa de 20 mA. Esta
eficiencia, comparada con otras fuentes de luz en términos de eficiencia sólo, es
aproximadamente 1,7 veces superior a la de la lámpara fluorescente con prestaciones
de color altas (90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces la de una lámpara
incandescente (13 lm/W). Su eficiencia es incluso más alta que la de la lámpara de
vapor de sodio de alta presión (132 lm/W), que está considerada como una de las
fuentes de luz más eficientes.
El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (LED orgánicos),
fabricados con materiales polímeros orgánicos semiconductores. Aunque la eficiencia
lograda con estos dispositivos está lejos de la de los diodos inorgánicos, su fabricación
promete ser considerablemente más barata que la de aquellos, siendo además posible
depositar gran cantidad de diodos sobre cualquier superficie empleando técnicas de
pintado para crear pantallas a color.
El uso de diodos LED en el ámbito de la iluminación (incluyendo la señalización de

tráfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus
prestaciones son superiores a las de la lámpara incandescente y la lámpara
fluorescente, desde diversos puntos de vista. La iluminación con LEDs presenta
indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energética, mayor resistencia a las
vibraciones, mejor visión ante diversas circunstancias de iluminación, menor
disipación de energía, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para operar
de forma intermitente de modo continuo, respuesta rápida, etc.
En la actualidad se dispone de tecnología que consume un 92% menos que las

bombillas incandescentes de uso doméstico común y un 30% menos que la mayoría
de los sistemas de iluminación fluorescentes; además, estos LEDs pueden durar hasta
20 años y suponer un 200% menos de costes totales de propiedad si se comparan
con las bombillas o tubos fluorescentes convencionales.

3.- OPTOACOPLADOR
El Optoacoplador es un dispositivo que se compone de un diodo LED y un
fototransistor, de manera de que cuando el diodo LED emite luz, ilumine el
fototransistor y conduzca.
Dispositivo Dispositivo
EMISOR de RECEPTOR
la señal de la señal
luminosa. Señal luminosa.
de LUZ. Señal de salida del

Señal de entrada dispositivo OPTO
al dispositivo
OPTO ACOPLADO
ACOPLA
Esquema del OPTOACOPLADOR.
Estos dos elementos están acoplados de la forma más eficiente posible.

La corriente de salida IC del optocoplador (corriente de colector del fototransistor)
es proporcional a la corriente de entrada IF (corriente en el diodo LED).
La relación entre estas dos corrientes se llama razón de transferencia de corriente
(CTR) y depende de la temperatura ambiente.
A mayor temperatura ambiente, la corriente de colector en el
fototransistor es mayor para la misma corriente IF
(la corriente por el diodo LED)
La entrada (circuito del diodo) y la salida
(circuito del fototransistor) están 100% aislados y la impedancia de entrada es muy
13
grande (10 ohms típico)
3.1.- Funcionamiento
El optoacoplador combina un LED y un fotodiodo.
La figura muestra un optoacoplador 4N35 formado por un LED y un fototransistor. La

tensión de la fuente de la izquierda y la resistencia en serie establecen una corriente
en el LED emisor cuando se cierra el interruptor S1. Si dicha corriente proporciona un
nivel de luz adecuado, al incidir sobre el fototransistor lo saturará, generando una
corriente en R2. De este modo la tensión de salida será igual a cero con S1 cerrado y
a V2 con S1 abierto. Si la tensión de entrada varía, la cantidad de luz también lo hará,
lo que significa que la tensión de salida cámbia de acuerdo con la tensión de entrada.
De este modo el dispositivo puede acoplar una señal de entrada con el circuito de
salida.

La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre los

circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el único contacto entre
ambos circuitos es un haz de luz.
Esto se traduce en una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de
miles de MΩ. Estos aislamientos son útiles en aplicaciones de alta tensión en las que
los potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de voltios.
3.1.1.- Tipos
En general, los diferentes tipos de optoacopladores se distinguen por su diferente
etapa de salida. Entre los principales caben destacar el fototransistor, ya mencionado,
el fototriac y el fototriac de paso por cero. En este último, su etapa de salida es un
triac de cruce por cero, que posee un circuito interno que conmuta al triac sólo en los
cruce por cero de la fuente.
3.2. - Otros tipos de optoacopladores
Optoacoplador con Fotodiodo - Optoacoplador con Darlington
3.3.- Fototransistor Fotodiodo + Transistor

Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
- Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común) - Como
fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente
de base. (IP) (modo de iluminación).
Se pueden utilizar las dos en forma simultánea, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0)
La corriente de base total es igual a corriente de base (modo común) + corriente de
base (por iluminación): IBT = IB + IP
Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja iluminación,
se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarización externa
El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor común con un fotodiodo
conectado entre la base y el colector, con el cátodo del fotodiodo conectado al colector
del transistor y el ánodo a la base.

El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la

detección de iluminación es muy importante. Como el
fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su
entrega de corriente eléctrica es mucho mayor.
3.3.1.- Caracteristicas.-
Transistor, sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la
región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al
estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto
de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero

puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
3. Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el

fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n.
También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte
de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando

interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un
objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica
β veces, y es la corriente que puede entregar el fototransistor.
3.4.- Sensor CNY70

3.4.1.- Introducción
El CNY70 es un sensor de infrarrojos de corto alcance basado en un emisor de luz y
un receptor, ambos apuntando en la misma dirección, y cuyo funcionamiento se basa
en la capacidad de reflexión del objeto, y la detección del rayo reflectado por el
receptor.

El CNY70 tiene cuatro pines de conexión. Dos de ellos se corresponden con el ánodo y
cátodo del emisor, y las otras dos se corresponde con el colector y el emisor del
receptor. Los valores de las resistencias son típicamente 10K ohmios para el receptor
y 220 ohmios para el emisor.
Diferentes posibilidades de montaje del CNY70
Es importante fijarse bien en el lateral donde aparece el nombre del sensor, para
identificar correctamente cada uno de los pines.
Patillaje del CNY70
3.4.2.-Manejo del sensor

El CNY70 devuelve por la pata de salida correspondiente, según el montaje, un voltaje
relacionado con la cantidad de rayo reflectado por el objeto. Para el montaje A, se
leerá del emisor un ’1’ cuando se refleje luz y un ’0’ cuando no se refleje. Para el
montaje B los valores se leen del colector, y son los contrarios al montaje A.

Si conectamos la salida a una entrada digital del microcontrolador, entonces

obtendremos un ’1’ o un ’0’ en función del nivel al que el microcontrolador establece
la distinción entre ambos niveles lógicos. Este nivel se puede controlar introduciendo
un buffer trigger-schmitt (por ejemplo el 74HC14) entre la salida del CNY70 y la
entrada del microcontrolador. Este sistema es el que se emplea para distinguir entre
blanco y negro, en la conocida aplicación del robot seguidor de línea.
Esto permite la detección dinámica de blanco y negro. Pero también, si empleamos el

sensor con objetos de distintos color, establecer un mecanismo para la detección de
los distintos colores, determinando los valores marginales que separan unos colores
de otros. Esto permite emplear el sensor para alguna aplicación donde la detección
del color sea necesaria.
3.4.3.- Conclusiones
El único inconveniente del sensor es la necesidad de tener que situarlo muy próximo
al objeto para detectar correctamente la reflexión. Por lo demás, es una solución muy
buena para la detección de línea e incluso para emplearlo como encoder para la
medición de las vueltas dadas por las ruedas del robot.
4.- Diodo Láser. Luz Láser

4.1.- Diodo láser. Luz monocromática coherente.
El diodo láser se obtuvo como resultado de la investigación en el desarrollo del diodo
LED.
La palabra LASER proviene de las siglas en inglés: Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation que significa:
Lo anterior se refiere a un extraño proceso cuántico, donde la luz característica
emitida por electrones cuando pasan de un estado de alta energía a un estado de
menor energía, estimulan a otros electrones para crear "saltos" similares.
El resultado es una luz sincronizada que sale del material.
Otra característica importante es que la luz
emitida no sólo tiene la misma frecuencia
(color), sino también la misma fase.
(también está sincronizada).
Este es el motivo por el cual luz láser se mantiene
enfocada aún a grandes distancias.
En el caso de una fuente de luz blanca común, esta genera todos los diferentes colores
(a sus respectivas frecuencias) en forma de rayos dispersos (van en diferentes
direcciones) y no están en fase.
En el caso de una fuente de luz láser todos

los rayos son del mismo color
(monocromáticos) o lo que es lo mismo, tienen la misma frecuencia y están en fase
Los diodos LED comunes, irradian una sola luz (son monocromáticos), una sola
frecuencia, pero no están en fase y se propagan en forma dispersa. En cambio los
diodos LASER, producen una luz coherente.

Esta luz no sólo es monocromática (un solo color), sino que es monofásica (están en
fase), resultando en un rayo de luz muy preciso.
Los diodos LASER tienen una gran cantidad de aplicaciones, lectura y escritura de
discos ópticos, donde sólo un rayo de luz muy angosto puede ver un área
microscópica en la superficie de un disco.
Algunos diodos láser requieren de circuitos que generen pulsos de alta potencia,
para entregar grandes cantidades de voltaje y corriente en pequeños instantes de
tiempo.
Otros diodos láser necesitan de un funcionamiento continuo pero a menor potencia.
Con el envejecimiento los diodos láser podrían necesitar mas corriente para generar
la misma potencia entregada. Pero no hay que olvidarse que estos elementos tienen
una vida muy larga.
5.- Display de 7 segmentos

El displays de 7 segmentos, es un componente que se utiliza para la representación
de números en muchos dispositivos electrónicos.
Cada vez es más frecuente encontrar LCD´s en estos equipos (debido a su bajísima
demanda de energía), todavía hay muchos que utilizan el display de 7 segmentos
por su simplicidad.
Este elemento se ensambla o arma de manera que se pueda activar cada segmento
(diodo LED) por separado logrando de esta manera combinar los elementos y
representar todos los números en el display (del 0 al 9).
El display de 7 segmentos más común es el de color rojo, por su facilidad de

visualización.
Cada elemento del display tiene asignado una letra que identifica su posición en el
arreglo del display. Ver el gráfico
- Si se activan o encienden todos los segmentos se forma el número "8"

- Si se activan solo los segmentos: "a,b,c,d,f," se forma el número "0"
- Si se activan solo los segmentos: "a,b,g,e,d," se forma el número "2"
- Si se activan solo los segmentos: "b,c,f,g," se forma el número "4"
p.d. representa el punto decimal

El display ánodo común
En el display ánodo común, todos los ánodos de los diodos LED unidos y
conectados a la fuente de alimentación. En este caso para activar cualquier elemento
hay que poner el cátodo del elemento a tierra a través de una resistencia para limitar
la corriente que pasa por el elemento
El display cátodo común
El display cátodo común tiene todos los ánodos de los diodos LED unidos y
conectados a tierra. Para activar un segmento de estos hay que poner el ánodo del
segmento a encender a Vcc (tensión de la fuente) a través de una resistencia para
limitar el paso de la corriente
6.- LCD: Display de Cristal Líquido (Liquid Crystal Display)

Los LCD son visualizadores pasivos, esto significa que no emiten luz como el
visualizador o display alfanumérico hecho a base de un arreglo de diodos LEDs. Es
por esa razón que, algunas veces, cuando intentamos ver la hora en un reloj que
utiliza esta tecnología, es necesario una fuente de luz adicional.
El LCD tiene muy bajo consumo de energía si se lo compara con el display o

visualizador alfanumérico y son compatibles con la tecnología CMOS, característica
que permite que se utilice en equipos portátiles (ejemplo: los relojes de pulsera,
calculadoras, etc.).
Tiene una vida aproximada de 50,000 horas. Hay diferentes tipos de presentaciones y
son muy fáciles de configurar. Hay desde visualizadores comunes de 7 segmentos,
hasta una matriz de puntos, todos ellos muy delgados.
6.1.- ¿Cómo funciona un LCD?

El LCD modifica la luz que lo incide. Dependiendo de la polarización que se esté
aplicando, el LCD reflejará o absorberá más o menos luz.
Cuando un segmento recibe la tensión de polarización adecuada no reflejará la luz y

aparecerá en la pantalla del dispositivo como un segmento oscuro.

El líquido de un LCD está entre dos placas de vidrio paralelas con una separación de
unos micrones. Cuando se aplica la polarización adecuada entre los electrodos,
aparece un campo eléctrico entre estos electrodos y esto causa que las moléculas del
liquido se agrupen en sentido paralelo a este y cause que aparezca una zona oscura
sobre un fondo claro. De esta manera aparece la información que se desea mostrar.
6.2.- Modos de visualización del LCD (Liquid Crystal Display)

Modos de visualización:
Modo reflector: Modo transmisor: Modo transflector:
En esta modo el sistema En este modo el Este modo es un híbrido de
LCD utiliza un reflector visualizador LCD es los dos modos antes
de difusión (una lámina iluminado desde atrás en mencionados y se utiliza
forma artificial. Se utiliza para desplegar la
reflectora), que refleja la
mucho para información bajo cualquier
luz ambiente a través del
visualizaciones negativas condición de iluminación.
visualizador.
(segmentos claros sobre
Excelente para áreas
fondo oscuro).
donde siempre hay luz En este modo el display
disponible y como no LCD refleja tanto la luz
requiere de una fuente ambiente como la luz
de energía se puede artificial de fondo difusa
utilizar con baterías. Este para uso nocturno.
modo ofrece un alto
contraste.
Se puede introducir color en los visualizadores LCD de las siguientes maneras:

- Polarizadores selectivos de color.
Estos producen segmentos de color sobre un fondo brillante o segmentos brillantes
sobre un fondo de color.
- Filtros de color.
Pueden ser una lámina o estar impresos en el visualizador. Estos filtros trabajan
mejor con iluminación trasera.
- Luz trasera de color.
Cuando los segmentos no han sido energizados, aparecen oscuros, pero cuando se
energizan permiten el paso de la luz de color.

7.- Lámparas de descarga.-
La unidad de control excita a la reactancia con corriente alterna, adaptando

la tensión y la frecuencia de tal modo que durante las diferentes fases de
funcionamiento siempre se genere un correcto arco voltaico en la lámpara. Se
deben diferenciar tres fases durante el funcionamiento de la lámpara de
descarga de gas:
· La fase de encendido está limitada aproximadamente a 500 ms. La unidad
durante esta fase alimenta a la reactancia con un valor de tensión de
aproximadamente 500v. El valor de tensión de salida de la reactancia en el
momento del encendido llega a alcanzar los 28 Kv.
· El calentamiento permanece activo durante aproximadamente los 5 segundos
siguientes al encendido de la lámpara. La unidad alimenta a la
reactancia con una tensión aproximada de 30v y 400Hz. El consumo
aproximado de la lámpara durante esta fase es de 17A.
· Tras la fase de calentamiento comienza la alimentación de servicio. El valor de
tensión variará entre 68 y 112v a una frecuencia de 400Hz. En esta fase la unidad
alimenta a la reactancia con una tensión regulada, que varía principalmente
en función de la intensidad absorbida por la lámpara, o sea, de su resistencia.
7.1.- Lámpara de tubo fluorescente

7.1.1.- Ventajas de la lámpara fluorescente.
La lámpara fluorescente tiene mucha ventajas si se la compara con la lámpara
incandescente.
Las más importante son:

- Un consumo de corriente que puede ser hasta tres veces menor que la de una
lámpara incandescente

- La emisión de luz es de 4 a 6 veces mayor que la de una lámpara incandescente

de la misma potencia
- Provee una luz más uniforme y menos deslumbrante, porque el área de
iluminación es mayor
- Calentamiento reducido
- La duración promedio de vida es de 7500 horas en condiciones normales.
Las lámparas fluorescentes son de descarga, de baja presión. Se pueden elegir
entre diferentes clases de luz y se construyen de varias formas y tamaños. Hay de un
pin y de 2 pines
La lámpara fluorescente está compuesta de un tubo de vidrio que está revestido por
su parte interior con una sustancia fluorescente.
Dentro del tubo hay gases y vapor de mercurio a baja presión. Este tubo tiene, en sus
dos extremos, un filamento y un electrodo sensor. Ver el diagrama.
7.1.2.- Constitución de una lámpara fluorescente

- Pines de contacto
- Filamentos de wolframio
- Revestimiento (sustancia fosforada)
- Gas, que puede ser: argón, neón, et. y gotas de mercurio
7.1.3.- Tubo fluorescente de precalentamiento

Cuando circula una corriente eléctrica por los filamentos de un tubo fluorescente,
éstos se vuelven incandescentes. Ver el gráfico B
Como los filamentos tienen un revestimiento de bario (emisivo), emiten electrones
que ionizan el gas argón, volatilizan el mercurio y convierten el gas en conductor.
Ver el primer gráfico.
La corriente eléctrica puede entonces circular a través del tubo fluorescente.
El gas se vuelve conductor debido al sobrevoltaje provocado por el balastro cuando la
corriente circula por el arrancador. Ver gráfico A
El arrancador abre y cierra el circuito mediante una lámina bimetálica y esto hace
que las bobinas del balastro, mediante el fenómeno de inducción, provoquen un
sobrevoltaje instantáneo que convierte el gas en conductor.

Al chocar los electrones dentro del tubo fluorescente con el gas de mercurio y
el gas argón o neón, producen una luz ultravioleta.
Esta luz al incidir sobre la capa fosforada que reviste el tubo, produce la luz
fluorescente característica de estas lámparas.
Una vez que el tubo fluorescente haya arrancado el arrancador (la lámina
bimetálica) no trabaja más y no permite el paso de la corriente a través de él,
quedando sólo el balastro. Ver gráfico C.

EJERCICIOS
1. En el circuito de la fig. la tensión V2 es de 20V, la resistencia R2 vale 47K.

Si I2 varía desde 2 a 10uA, ¿cual es el cambio de voltaje en el fotodiodo?.
R1 R2
V1 V2
2. Un inductor (bobina) tiene una inductancia de 20mHr. Un varicap tiene una

capacidad de 30pF con un límite de sintonización de 3/1. Si el inductor y el
varicap están en paralelo, ¿cual es la frecuencia mínima de resonancia?, ¿Cuál es
la frecuencia máxima de resonancia?.
3. Un diodo de corriente constante tiene una corriente de 1’5mA sobre un límite

de voltaje de 2 a 150V. ¿Cual es su máxima excursión?.
4. Un diodo de recuperación en escalón se utiliza en un multiplicador de

frecuencia. El periodo de la señal rectificada de salida es de 0’04ms. ¿Cuál es la
frecuencia de la quinta armónica?.
5. Un TIL312 es un indicador numérico de siete segmentos, cada segmento tiene

una caída de tensión entre 1’5 y 2V, a 20mA; se puede seleccionar el uso de un
voltaje de 5V o una alimentación de 12V. Diséñese un circuito par un indicador
numérico de siete segmentos controlado por interruptores que tienen una
capacidad máxima de corriente de 140mA.

TEMA 6.- APLICACIONES DE LOS DIODOS RECTIFICADORES

FUENTES DE ALIMENTACION
INDICE
1.- FUENTES DE ALIMENTACION

1.1.- CIRCUITOS CON DIODOS
1.2.- Fuentes de alimentación
1.3.- Transformadores reales
1.3.1.- El transformador de entrada
1.3.2.- Transformador elevador
1.3.3.- Transformador reductor
2.- Rectificadores
2.1.- Rectificador de media onda
2.2.- Rectificador de onda completa con 2 diodos
2.3.- Rectificador de onda completa en puente
2.4.- Filtro por condensador
2.4.1.- Carga de un condensador a través de una resistencia
2.4.2.- Descarga de un condensador a través de una
resistencia
2.4.3.- Rectificador de media onda con filtro por condensador
2.4.4.- Rectificador de onda completa con 2 diodos con filtro
por condensador
2.4.5.- Rectificador de onda completa en puente con filtro por
condensador
2.4.6.- Valor Condensador de filtro
2.6.- Aproximaciones
3.- DIODO ZENER
3.1.- Fabricación de diodos zener
3.2.- El diodo Zener Característica
3.3.- Aproximaciones del zener
3.4.- Cuando estabiliza el zener Voltaje THEVENIN
3.4.1.- Valor de la RESISTENCIA LIMITADORA (RS)
3.5.- El Regulador Zener
3.5.1.- Regulador de tensión en vacío (sin carga)
3.5.2.- Regulador de tensión con carga
3.5.3.- Coeficiente de temperatura
3.5.4.- Hoja de características de un zener
3.6.- CÓDIGO de DESIGNACIÓN de los diodos ZENER (sistema
EUROPEO)
3.7.- Ejemplos

4.- FUENTE DE ALIMENTACIÓN CON CIRCUITO INTEGRADO

4.1.- Elementos básicos de una fuente de alimentación.
4.2. Reguladores de tensión fija positiva (serie 78XX).
4.2.2.- F.A. regulable estabilizada
4.2.3. Reguladores de tensión fija negativa.
4.2.4.-Reguladores de tensión variables.
4.2.4.1.-LM 317, 338 y 350.
4.2.5. Fuente simétrica.
5.- Aplicaciones de los diodos
5.1.- Multiplicadores de tensión
5.1.1.- Doblador de tensión
5.1.2.- Doblador de tensión de onda completa
5.1.3.- Triplicador
5.2.- Limitadores
5.2.1.- Descripción básica
5.2.2.- Limitador serie
5.2.4.- Limitador paralelo polarizado
5.2.5.- Limitador paralelo doble polarizado
5.2.6.- Aplicación:
5.3.- Fijadores de nivel
5.3.1.- Fijador positivo.
5.3.2.- Fijador negativo.
5.3.3.- Fijador positivo polarizado.
5.3.4.- Fijador negativo polarizado.
5.4.- El cambiador de nivel de continua
5.4.1.- Cambiador de nivel positivo
5.4.2.- Cambiador de nivel negativo
5.5.- Detector de pico a pico
.

1.- FUENTES DE ALIMENTACION

1.1.- CIRCUITOS CON DIODOS
Un diodo rectificador, idealmente hablando, es un interruptor cerrado cuando se polariza

en directa y una interruptor abierto cuando se polariza en inversa. Por ello, es muy útil
para convertir corriente alterna en continua.
Una vez estudiado el tema, debería ser capaz de:
 Saber cual es la función del transformador de entrada en las fuentes de alimentación.
 Ser capaz de dibujar el esquema de un circuito rectificador de media onda y explicar su
funcionamiento.
 Ser capaz de dibujar el esquema de un circuito rectificador de onda completa y explicar
su funcionamiento.
 Ser capaz de dibujar el esquema de un puente rectificador y explicar su funcionamiento.
 Saber como funciona y para que sirve un condensador de entrada como filtro dentro de
la fuente de corriente.
 Ser capaz de encontrar las tres características principales de un diodo rectificador en una
hoja de especificaciones de un catálogo.

1.2.- Fuentes de alimentación
¿ Que ocurre cuando se quiere alimentar un aparato cualquiera ?
Lo más fácil sería alimentar con pilas, pero esto es caro por esa razón hay que construir
algo que nos de energía más barata, esto es, una Fuente de Alimentación que coge 220 V
del enchufe y transforma la alterna en continua a la salida.
Tenemos que diseñar la Fuente de Alimentación. Partimos de una senoidal del enchufe.

El periodo T, si tenemos 220 V y 50 Hz:
1º tenemos que reducir de 311 V a 12 V en continua, esto es, primero necesitamos un

transformador que reduzca la tensión.
1.3.- Transformadores reales

Los transformadores están compuesto por una estructura de chapas de hierro colocados
uno tras otro y arrollados por un hilo de cobre barnizado (aislado), tanto en el primario
como en el secundario.
Los transformadores reales no son ideales, el conductor del bobinado (cobre) tiene una
resistencia que produce pérdidas de potencia. Son perdidas de potencia debidas al
calentamiento en el hilo, son las "Pérdidas en el Cobre".
El flujo magnético en las chapas crean unas "Pérdidas en el Hierro", que suelen ser
perdidas por Histéresis y por Foucault.
Entonces de la red no se aprovecha todo. Lo ideal sería el 100 % de la red a la carga,
pero existen esas pérdidas.

EJEMPLO: Transformador F25X: V1 = 115 V V2 = 12.6 V I1 = 1.5 A
Si se quita la carga, aumenta la tensión en el secundario, y no hay pérdidas en el

secundario. Al final si se quiere conocer la corriente del primario se usa la ecuación:
Y para calcular la corriente del primario se usa la ecuación:
1.3.1.- El transformador de entrada

La tensión de la red es demasiado elevada para la mayor parte de los dispositivos
empleados en circuitos electrónicos, por ello generalmente se usan un transformador en
casi todos circuitos electrónicos. Este transformador reduce la tensión a niveles inferiores,
más adecuados para su uso en dispositivos como diodos y transistores.
Un transformador es un conjunto de chapas de hierro muy juntas que tienen dos

arrollamientos, uno a cada lado del conglomerado de chapas de hierro.
simbología:
La bobina izquierda se llama "Arrollamiento Primario" y la derecha se llama "arrollamiento

secundario". El número de vueltas en el arrollamiento primario es N 1 y el del arrollamiento
secundario N2.Las rayas verticales entre los arrollamientos primario y secundario indican
que el conductor está enrollado alrededor de un núcleo de hierro.
La relación entre el número de vueltas y la tensión es:

1.3.2.- Transformador elevador
Cuando el arrollamiento secundario tiene más vueltas que el arrollamiento primario (N 2 >
N1), la tensión del secundario es superior a la del primario (V2>V1), es decir, N2 : N1 es
mayor que 1 (N2 : N1 > 1). Por lo tanto si N2 tiene el triple de vueltas que N1, la tensión en
el secundario será el triple que la tensión en el primario.
A la vez que elevador de tensión este transformador es "Reductor de Corriente".
1.3.3.- Transformador reductor

Cuando el arrollamiento secundario tiene menos vueltas que el arrollamiento primario (N 2
< N1), se induce una tensión menor en el secundario de la que hay en el primario. En este
caso N2 : N1 sería menor que 1 (N2 : N1 < 1).
EJEMPLO:
Por cada 9 espiras en N1 hay 1 espira en N2.
Esta formula se cumple para V1 y V2 eficaces. Como se ha visto, ha habido una reducción
muy grande.
A este tipo de transformador se le llama "Transformador Reductor" (de tensión se

entiende). A la vez que reductor es elevador de corriente también.

Efecto sobre la corriente
En la figura siguiente se puede ver una resistencia de carga conectada al arrollamiento

secundario, esto es, el transformador en carga
A causa de la tensión inducida en el arrollamiento secundario, a través de la carga circula

una corriente. Si el transformador es ideal (K = 1 y no hay perdidas de potencia en el
arrollamiento y en el núcleo), la potencia de entrada es igual a la potencia de salida:
Si aplicamos esta ecuación:
Por lo tanto nos quedaría:
Y al final tenemos esta ecuación:
2.- Rectificadores
2.1.- Rectificador de media onda
Este es el circuito más simple que puede convertir corriente alterna en corriente continua.
Este rectificador lo podemos ver representado en la siguiente figura:
Las gráficas que más nos interesan son:

Durante el semiciclo positivo de la tensión del primario,

el bobinado secundario tiene una media onda positiva
de tensión entre sus extremos. Este aspecto supone
que el diodo se encuentra en polarización directa. Sin
embargo durante el semiciclo negativo de la tensión en
el primario, el arrollamiento secundario presenta una
onda sinusoidal negativa. Por tanto, el diodo se
encuentra polarizado en inversa.
La onda que más interesa es VL, que es la que alimenta

a RL. Pero es una tensión que no tiene partes
negativas, es una "Tensión Continua Pulsante", y
nosotros necesitamos una "Tensión Continua
Constante". Analizaremos las diferencias de lo que
tenemos con lo que queremos conseguir
Lo ideal sería que solo tuviésemos la componente

continua, esto es, solo la primera componente de la
onda que tenemos.
El valor medio de esa onda lo calcularíamos colocando

un voltímetro en la RL, si lo calculamos
matemáticamente sería:
Y este sería el valor medio que marcaría el voltímetro. En estos caso hemos usaremos la
1ª aproximación o la 2ª aproximación.
Por último diremos que este circuito es un rectificador porque "Rectifica" o corta la onda
que teníamos antes, la recorta en este caso dejándonos solo con la parte positiva de la
onda de entrada.

2.2.- Rectificador de onda completa con 2 diodos

La siguiente figura muestra un rectificador de onda completa con 2 diodos:
Debido a la conexión en el centro del devanado secundario, el circuito es equivalente a

dos rectificadores de media onda.
El rectificador superior funciona con el semiciclo

positivo de la tensión en el secundario, mientras que el
rectificador inferior funciona con el semiciclo negativo
de tensión en el secundario.
Es decir, D1 conduce durante el semiciclo positivo y D2

conduce durante el semiciclo negativo.
Así pues la corriente en la carga rectificada circula

durante los dos semiciclos.
En este circuito la tensión de carga VL, como en el caso

anterior, se medirá en la resistencia RL.
Ahora la frecuencia es el doble que la de antes y el

pico la mitad del anterior caso. Así la frecuencia de la
onda de salida es 2 veces la frecuencia de entrada.
Y el valor medio sale:

2.3.- Rectificador de onda completa en puente

En la figura siguiente podemos ver un rectificador de onda completa en puente:
Mediante el uso de 4 diodos en vez de 2, este diseño elimina la necesidad de la conexión

intermedia del secundario del transformador. La ventaja de no usar dicha conexión es que
la tensión en la carga rectificada es el doble que la que se obtendría con el rectificador de
onda completa con 2 diodos.
Las gráficas tienen esta forma:

Durante el semiciclo positivo de la tensión de la red, los diodos D1 y D3 conducen, esto da

lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de carga.
Los diodos D2 y D4 conducen durante el semiciclo negativo, lo que produce otro semiciclo
positivo en la resistencia de carga.
El resultado es una señal de onda completa en la resistencia de carga.
Hemos obtenido la misma onda de salida VL que en el caso anterior.
La diferencia más importante es que la tensión inversa que tienen que soportar los
diodos es la mitad de la que tienen que soportar los diodos en un rectificador de onda
completa con 2 diodos, con lo que se reduce el coste del circuito.
2.4.- Filtro por condensador

La misión de los rectificadores es conseguir transformar la tensión alterna en tensión
continua, pero solamente con los rectificadores no obtenemos la tensión continua
deseada. En este instante entra en juego el filtro por condensador.
Conociendo las características de un Condensador, y viendo su capacidad de

almacenamiento de energía, lo podemos utilizar como filtro para alisar la señal que
obtenemos en la salida
Condensador
Como se ha dicho el condensador es un

elemento que almacena energía. Este elemento
se opone a las variaciones bruscas de la tensión
que se le aplica. Se representa con la letra C y
su unidad es el Faradio (F).
Una capacidad (o condensador) pura adelanta la

intensidad 90º con respecto a la tensión
aplicada entre sus bornes.
Cuando la tensión aplicada entre los bornes del

condensador aumenta en el condensador se
crea una diferencia de potencial de signo
contrario a la aplicada entre los bornes
oponiéndose así a la variación brusca de la
tensión.

2.4.1.- Carga de un condensador a través de una resistencia

El circuito y las ecuaciones resultantes de él son estas:
La constante de tiempo t es el tiempo necesario para que el condensador se cargue

aproximadamente al 63 % de la tensión de la fuente. A efectos prácticos, el condensador
se supone cargado al cabo de 5t. Las gráficas son las siguientes:
2.4.2.- Descarga de un condensador a través de una resistencia
El circuito con sus ecuaciones:
Y las gráficas:

2.4.3.- Rectificador de media onda con filtro por condensador
Primeramente vamos a ver ese circuito sin C. En este caso la forma de onda de la
intensidad es igual a la tensión en la resistencia.
El objetivo del C es desviar parte de la corriente por él, para que sólo vaya por la R L la
componente continua de Fourier y el resto se cortocircuite a masa a través del
condensador.
Para que esto ocurra tenemos que ver la impedancia equivalente del condensador, y ver
así como afectan los diferentes valores de la frecuencia a esta impedancia.
Como se ve, el valor de frecuencia más problemático es el de 50 Hz, ya que es el que

más depende de la capacidad, y por lo tanto el que tiene un mayor valor de la
impedancia. Si se consigue que a la frecuencia de 50 Hz tengamos un valor aceptable de
la impedancia, para el resto de las frecuencias funcionará bien.

Al añadir el C hay modificaciones en el comportamiento del circuito.

Inicialmente el C es un cortocircuito, y al enchufar el circuito a la red el Condensador C
se carga de 0 a VP2. Se cargará la ritmo del transformador porque el diodo es ideal, con
lo que es un cortocircuito.
 Cuando el C se ha cargado del todo a V P2, a partir del valor máximo, el D entra en
inversa y deja de conducir (D conduce hasta VP2), con lo que empieza a disminuir el valor
de la tensión de salida.
 Ahora se descargará el C a través de R L.
El C se va descargando hasta igualarse al valor de V L, entonces el D pasa a ON con lo que

se vuelve a cargar hasta VP2 y se repite el proceso.
Mientras el C se carga D conduce (D ON) y mientras C se descarga D no conduce (D

OFF).
Ahora el D está en ON en menos tiempo que antes y las corrientes son muy grandes
porque el C se carga en poco tiempo.

En poco tiempo necesita mucha energía, por lo tanto

la intensidad es grandísima, y el resto del tiempo el D
no conduce.
La tensión en el D se da cuando está en OFF. El valor

máximo de esa tensión es:
A ese valor máximo de tensión en inversa se le llama

"Tensión Inversa de Pico del Diodo".
El cálculo de IPD("Intensidad de Pico del Diodo") es

muy difícil de calcular, hay que resolverlo por
iteraciones y esto es muy largo por ello lo haremos
con aproximaciones.
2.4.4.- Rectificador de onda completa con 2 diodos con filtro por

condensador
El D1 conduce en el semiciclo positivo y sólo cuando se carga el C. El D 2 conduce en el

semiciclo negativo y sólo cuando se carga el C. La deducción de esa formula (V CCL) es
como antes, aproximar a una triangular, y sale la misma fórmula.

Intensidades
Como en el caso anterior la intensidad media por el condensador es cero: ICCA = ICCL
En este caso la intensidad que tienen que aguantar los diodos es la mitad que en el caso
anterior.
2.4.5.- Rectificador de onda completa en puente con filtro por

condensador
El C siempre se pone en paralelo con la RL. El circuito y las gráficas son las siguientes:

Es parecido al anterior, cambia el valor de i T.

Conducen D1 y D3 en positivo y conducen D2
y D4 en el semiciclo negativo. En el
transformador el mismo bobinado sufre la
intensidad, entonces tiene que soportar toda
la intensidad, pero a veces hacia arriba y
otras hacia abajo. Hay que diseñar el
arrollamiento del hilo del secundario para
que aguanten esos picos positivos y
negativos.
Para el condensador sigue sirviendo lo visto

anteriormente:
La única diferencia está en la i T y la VIP

(tensión inversa de pico).
La tensión inversa de pico (VIP) solo tiene

que aguantar VP2 y no el doble de este valor
como en el caso anterior.
2.4.6.- Valor Condensador de filtro

¿ Qué nos conviene ? ¿ C (capacidades) grandes o C pequeñas ?
Si la C (capacidad) es grande el condensador se descarga más lentamente y tenemos

menos tiempo para cargar el condensador, por lo tanto la intensidad de pico del
condensador es muy grande.
Conclusión: Lo mejor es un C grande pero hay que tener cuidado con el D porque tiene
que sufrir valores de pico mayores.
Resumiendo:

Intensidades
En la gráfica del diodo se ve que el área de arriba y el de abajo son iguales, por lo tanto.
el valor medio de la intensidad es cero, entonces: ICCD = ICCL
Con esto el pico de intensidad que tiene que aguantar el diodo es grandísimo, el diodo
sufre mucho
Corriente inicial
En el instante en que se conecta el circuito a la red, el condensador del filtro, que

inicialmente está descargado, actúa como un cortocircuito; por lo tanto, la corriente inicial
de carga del condensador puede llegar a ser muy grande. A esta corriente se le llama
"Corriente Inicial".

Al conectar el circuito a la red puede tomarse cualquier valor de la onda senoidal, siendo
los peores casos los valores máximos y mínimos. Si por ejemplo se coge el valor máximo
que es 311 V entonces en VP2 = 18 V (311 / 17,28) y tenemos una pila en el secundario
de 18 V. Conducen D1 y D3.
Es como una pila que esta cortocircuitada, así hay una intensidad muy grande que podría
quemar el hilo, pero no es así, ahora hay que ver cosas que hemos despreciado
anteriormente como las resistencias internas de los diodos r B (1N4001 (rB = 0.23 Ohm.).
Además el hilo de cobre del bobinado del secundario del transformador es como una
resistencia que hay que poner también. Habría que poner también la resistencia del hilo
de cobre del circuito. Al final habría una intensidad de pico transitoria de valor:
Esta es una intensidad muy grande. Recordar que antes había un valor medio de
intensidad que era:
Ahora el pico es 1000 veces mayor que antes, se puede quemar el hilo de cobre, los
diodos, etc... Para que esto no ocurra hay que hacer algo, vamos a analizarlo:
Anteriormente se había visto que en un diodo lo normal es que saliese esta forma de
onda:

Teníamos que el valor de VL estaba entre 16,6 y 16,4.

Inicialmente está a cero. El C poco a poco se irá cargando, mediante una exponencial, y al
cabo de un tiempo cuando entra en rizado se dice que está en "Régimen Permanente", y
cuando se está cargando el C primeramente se lo llama "Régimen Transitorio". El
transitorio es complicado de analizar.
La capacidad (C) del condensador influye mucho
 C grande: El intervalo de tiempo que dura el transitorio es grande, tarda en cargarse.
 C pequeña: Se carga rápidamente.
Picos con la misma altura en el régimen permanente. En el transitorio los picos de

intensidad son variables.
Para C < 1000 μF le da tiempo a cargarse al diodo con el primer pico. Con capacidades
pequeñas en los primeros 20 mseg se ha cargado el C.
Para capacidades mayores: C > 1000 μF.

No le da tiempo a cargarse del todo al condensador en el primer pico, si en el segundo

tampoco, sino uno tercero y si ya se carga viene el régimen permanente.
La constante de tiempo del circuito que esté cargando al condensador es:
Al llegar a 5 = 5 mseg se ha cargado casi todo (96 %), y suponemos que se ha cargado
todo el condensador.
2.5.- EJEMPLO:
Calculamos todo lo que hemos visto en la teoría:
Kirchoff se cumple para valores medios, con valores eficaces no se cumple (con ondas
senoidales).
El valor medio de la corriente en la carga será:
El valor del rizado es:

El condensador se descargará hasta ese valor mínimo.
El valor medio del diodo es:
2.6.- Aproximaciones
 1ª Aproximación (diodo ideal)
Como se ve en el dibujo se aproxima a rectas, lo convertimos en lineal.
Para calcular el valor del rizado, vemos la descarga del condensador que es una
exponencial hasta t1 (ese valor de t1 lo hemos calculado anteriormente por iteraciones), y
al final después de hacer integrales tomando la intensidad constante se llega a una valor
del rizado de:
Recordar:
 2ª Aproximación
 3ª Aproximación
Normalmente usaremos la 1ª aproximación (ideal) o la 2ª aproximación.

3.- DIODO ZENER
El diodo Zener, que recibe un nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener, es
un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas.
Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte
esencial de los reguladores de tensión casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y
temperatura.
3.1.- Fabricación de diodos zener

El método de ALEACIÓN consiste en sobre una base de cristal de silicio tipo N, colocar
una pequeña cantidad de material silicio tipo P. El conjunto es introducido en un horno a
una temperatura de unos 650ºC, produciéndose la aleación de ambos cuerpos. Este
método se usa para diodos cuya tensión de ruptura es inferior a los 9 V.
fig. 1. Métodos de obtención de los diodos ZENER.
El proceso de DIFUSIÓN consiste en tomar una lámina de silicio y depositar en una de

sus caras boro (P), mientras que por la otra depositar fósforo (N). Este proceso se
produce en un horno a una temperatura superior a los 1200ºC, lo que provoca que
ambos elementos penetren en la superficie del silicio.
3.2.- El diodo Zener Característica

La aplicación de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensión y actúa como
dispositivo de tensión constante.Símbolo: Su gráfica es de la siguiente forma:
Un diodo normal también tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en él, con el
Zener si se puede trabajar en esa zona.

Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus

terminales un voltaje constante.

Para este voltaje, la corriente que atraviesa el
diodo zener, puede variar en un gran rango de
" valores. A esta región se le llama la zona
operativa.
Esta es la característica del diodo zener que

se aprovecha para que funcione como
regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene prácticamente constante para una
gran variación de corriente.
La potencia máxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):
En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" ó "Efecto Zener", esto es, la

corriente aumenta bruscamente.
Para fabricar diodos con un valor determinado de tensión de ruptura (VZ) hay que ver la
impurificación porque V Z es función de la impurificación (NA ó ND), depende de las
impurezas.
REGULACIÓN de VOLTAJE



Mediante esta expresión y las curvas características de cualquier diodo zener pude
observarse la variación de la corriente IS a través del diodo, mientras la tensión en sus
extremos VZ permanece prácticamente constante.
3.3.- Aproximaciones del zener
El diodo IDEAL puede ser sustituido por una fuente de tensión de valor igual a la tensión
de RUPTURA.
El diodo REAL puede ser sustituido por una fuente de tensión de valor la tensión de
RUPTURA en serie con la RESISTENCIA ZENER
El cambio de voltaje en los extremos del diodo zener es proporcional al cambio de
corriente zener por la resistencia interna del propio diodo.

"
"
"
"
3.4.- Cuando estabiliza el zener Voltaje THEVENIN

("'2"  Mediante el cálculo de la tensión Thevenin
/*""
 en los extremos del

diodo puede determinarse si es posible alcanzar la tensión zener en los extremos del
diodo.

Corriente en la CARGA #&&"($#& &  

Corriente en el ZENER #&&"($#& ,"&  
RIZADO en la resistencia de CARGA
!  
!#&&"( !(#& !0"!  
  !
  !  +$&'2" %) $) $#"&'


#&&"( !(#& !-+!  


  .

    Δ
 $&!" #"'("( "(#"'    #" # )
 .
    Δ
3.4.1.- Valor de la RESISTENCIA LIMITADORA (RS)
El peor de los casos se obtiene cuando la tensión en la fuente es mínima y la corriente de

carga máxima. Con lo cual el valor de la resistencia limitadora vale:
!("'2")"(!0"!
!-+!&''(" !(#&  .
#&&"(&!0"!

$#(","&!+! ("'#","&"("' ,"&!+!
IZM. Es la intensidad máxima admisible por el

diodo zener sin llegar a la ruptura del mismo.
VZ. Es la tensión zener (codo o ruptura). Es

un valor que permanece prácticamente
PZM. Es la potencia de disipación máxima del

zener, a partir de la cual el diodo se carboniza.
IZK. Es la intensidad mínima de mantenimiento. Por debajo de la cual el diodo no trabaja
bajo el efecto zener
La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinación debida a RZ:
Modelo ideal (1ª aproximación)
Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensión V Z.

Esto solo es válido entre IZmín y IZmáx.
2ª aproximación
Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente:

3.5.- El Regulador Zener
Primeramente supondremos que están conectados directamente, por lo tanto

vC = vL entonces:
Problemas que podemos tener:

 RL variable (variaciones de carga).
 Variaciones de tensión de red (variaciones de red).
Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar entre dos
valores y como nuestro objetivo es obtener una tensión constante a la salida tendremos
que hacer algo. Para resolver este problema ponemos un regulador de tensión basado en
el diodo zener.
Ahora vamos a analizar este regulador de tensión.
2.5.1.- Regulador de tensión en vacío (sin carga)
vS estará entre un mínimo y un máximo, y

el regulador tiene que funcionar bien entre
esos 2 valores (VSmáx y VSmín).En este caso VS
lo pondremos como una pila variable.
Además para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la zona de
ruptura.

Para que esté en ruptura se tiene que cumplir:
EJEMPLO: Comprobar si funciona bien el siguiente circuito:
Hay que ver si en la característica los valores se encuentran entre IZmín y IZmáx para
comprobar si funciona bien.
Funciona bien porque se encuentra entre los dos valores (máximo y mínimo). La salida es
constante, lo que absorbe la tensión que sobra es la R (que es la resistencia limitadora).

3.5.2.- Regulador de tensión con carga
Para comprobar que estamos en ruptura calculamos el equivalente de Thevenin desde las
bornas de la tensión VZ:
Como en el anterior caso los valores del circuito tienen que estar entre un máximo y un
mínimo:
El zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y la resistencia (R) la tensión

sobrante. Entonces a la salida la forma de la onda es la siguiente:

 2ª aproximación
El circuito equivalente sería de la siguiente forma:
A ese circuito se le aplica la superposición:
Como la superposición es la suma de estos 2 circuitos la solución será esta:
Con esto se ve que lo que hace el zener es "Amortiguar el rizado".:

3.5.4.- Hoja de características de un zener
Vamos a ver el calculo de los valores a partir de la hoja de características con un ejemplo.
EJEMPLO: 1N759 VZ = 12 V IZT = 20 mA
El fabricante suele dar un valor intermedio de V Z y IZT.(corriente de prueba, valor al que el

fabricante a hecho esa prueba).
Al ser una curva, su pendiente varía y su RZ también, entonces el fabricante suele dar el
valor en ese punto:
RZ = ZZT = 30 W a IZT = 20 mA
IZmáx = 30 ÷ 35 mA (esta variación entre diodos iguales es debida a la tolerancia).
Haciendo algunos cálculos:
PZ = VZ·IZ = 12 X·30 = 360 mW = 12·35 = 420 mW
Tolerancia: En cuanto a la tensión zener (VZ):
Serie 1N746 (1N746 al 1N759) ± 10 %
Serie 1N746A (1N746A al 1N759A) ±5%
EJEMPLO: 1N759 VZ = 12 V ± 10 % (13,2 V y 10,8 V) 1N759A VZ = 12 V ± 5 % (12,6 V

y 11,4 V)

3.6.- CÓDIGO de DESIGNACIÓN de los diodos ZENER (sistema EUROPEO)
Letra Letra Letra Número Número Letra Número
La combinación de un número-V-número
representa el valor en voltios de la
TENSIÓN ZENER del diodo en cuestión.
Esta letra representa la TOLERANCIA del

diodo. Puede ser una de las siguientes:
A: 1%
B: 2%
C: 5%
D: 10%
E: 15%
Esta letra forma un código junto a la cifra formada por los dos números siguientes. La
letra puede ser una X o una Y, mientras que la cifra estará comprendida entre el 00 y el
99.
La segunda
La primera letraletra es B,
es una unae Z, e indica
indica que se del
el material trata deestá
cual un diodo ZENER.
hecho el diodo.
Los diodos zener exteriormente son idénticos a los diodos rectificadores. Como puede
apreciarse en la foto superior el kátodo está referenciado mediante un anillo de color
negro. Estos diodos en concreto son diodo de pequeña señal (potencia); es decir de
potencia inferior a 1W.
En esta otra foto aparece un diodo zener de potencia. Puede observarse perfectamente
como el cuerpo del diodo es metálico y como el terminal kátodo tiene una rosca exterior
al objeto de poderle acoplar un radiador.

3.7.- Ejemplos
Ejercicio 1.-
Queremos construir un circuito estabilizador (Regulador) que entregue a la

salida una tensión de 5,1 V, sabiendo que la carga consume una ILmáx = 100 mA,
siendo ILmín = 0 y que dispone de una alimentación que varía entre 9 V y 10 V.
Los diodos zener de que se dispone son:
Elegir el componente que corresponda y diseñar el circuito.
Solución:
Hay que elegir el más barato que se pueda. Si cogemos el Z1:
Si se abre la carga por el zener irían 105 mA y como IZmáx = 78 mA no podría funcionar,
se quemaría y se estropearía no la resistiría. Si probamos con Z 2:

Veamos si es suficiente esa corriente, la peor suposición es ILmáx = 100 mA.
Si abrimos la carga los 150 mA van por el zener y como soporta hasta 294 mA si valdría,
el Z2 es el adecuado. Ahora elegiremos la resistencia (R).
Tenemos dos puntos importantes para analizarlos:
 Peligro de que el zener se quede sin corriente
Suposiciones críticas para ese punto:
El peor caso para que el zener se quede sin corriente es que vaya el máximo valor por R L
o que vaya el mínimo de tensión por R L (9 V).
Si varío esa R por ejemplo a 30 Ohm:
Disminuye la IZ al aumentar la R. Por lo tanto no puedo poner resistencias mayores que

26 Ohm.. Si ponemos resistencias menores que 26 Ohm. la intensidad zener aumenta y
por lo tanto si se pueden poner.
En el otro punto peligroso.
Peligro de que el zener se queme

Entonces la resistencia esta entre estos dos valores:
Cualquier valor entre estos dos valores valdría, tomamos por

ejemplo: R = 22 Ohm. Vemos que ocurre en los 2 casos extremos:
Ahora que sabemos en que zona trabaja el zener tenemos que calcular de que potencia
elegimos esa resistencia.
Peor caso: IZ = 222 mA P = (10-5,1)·222·10-3 = 1,08 W
Se coge una valor normalizado de 2 W.
Ahora vamos a ver el rango de valores de la resistencia de carga (RL):

Calculo de la Recta de carga: Tomaremos el convenio de la figura con lo que nos saldrán
la intensidad y la tensión negativas (en el tercer cuadrante).
 Punto A
 Punto B
Finalmente la representación gráfica de esas ecuaciones queda de la siguiente manera:

Las dos rectas de carga son paralelas. Los demás puntos están entre esas dos rectas
paralelas.
Ejercicio 2.
a) Un diodo zener que disipa una Pmáx = 0.2 W, regula a 5 V desde una I Zmín = 5
mA. Se pretende construir un regulador de 5 V que regule desde I L = 0 hasta el
valor máximo de IL. Suponiendo una vi = 20 V. Determinar el valor de la
Resistencia, su potencia y la ILmáx.
Solución:
Primeramente calcularemos los puntos límite de ruptura del diodo zener:
Si la RL está en vacío, por la R va el máximo valor de la intensidad por el zener (I Zmáx = 40

mA). Para calcular el valor máximo de la intensidad por la carga, vemos que por el zener
la ILmín = 5 mA y como hemos dicho que el valor máximo por R son 40 mA, entonces por
la carga el máximo valor que irá será: ILmáx = 35 mA. Ahora calcularemos los valores de la
resistencia (R), la tensión por la resistencia (VR) y la potencia por la resistencia (PR).

b) Suponiendo que se mantiene la R del apartado a) y que la R L es cte y de valor

200 Ohm, hallar el valor máximo y mínimo de la tensión de entrada para que el
circuito regule bien.
Para calcular los valores máximo y mínimo de la tensión de entrada tengo que estar en
los puntos límite del circuito.
Con lo que tenemos un rizado a la entrada entre esos 2 valores.
Ejercicio 3.

En circuito estabilizador de la figura, los valores nominales son:
a) Calcular la Rlimitadora usando los valores nominales. Usar este valor para los
siguientes apartados.
Solución:
Aplicamos la 2ª aproximación y sustituimos por el modelo de esa 2ª aproximación.
b) Se desea que la carga esté alimentada a una tensión de 5 V, con variaciones

de corriente de 10 mA a 20 mA, si bien la nominal es de 20 mA. Si la ve tiene un
rizado de + 12 % y -11 % con respecto al valor nominal de 10V, calcular el tanto
por cien de la variación de IS entre 10 mA y 20 mA. Calcular la máxima potencia
disipada por el diodo zener.
Solución:

 Peligro de que el zener se quede sin corriente
La variación de este valor con respecto al ideal es de:
Peligro de que el zener se queme (aunque halla un margen de seguridad)
La variación respecto al ideal:
El zener sufre más en el caso 2 y su potencia será la máxima en este caso.
PZ = 5,2 50 = 260 mW
No se quemará con esta potencia porque el máximo valor el P Zmáx = 400 Mw
c) Variación en % de la tensión de salida para una variación de la intensidad de

carga de ±55 % con respecto al valor nominal, con v e = cte.
Solución:

Ahora veremos lo que ocurre con un aumento de un 55 % de la intensidad en la carga:
Y si disminuimos un 55 % de la intensidad de la carga con respecto al valor nominal:
Si lo representamos gráficamente nos quedaría algo como esto:
El caso más ideal es el que tiene la curva de regulación más horizontal.

4.- FUENTE DE ALIMENTACIÓN CON CIRCUITO INTEGRADO
Se denominan así a los circuitos electrónicos que realizan la función de pasar una señal
alterna a continua. La mayor parte de los equipos electrónicos funcionan con c.c. por lo
que la fuente de alimentación es imprescindible ( excepto si puede ser alimentado con
pilas ó baterías pues éstas también proporcionan continua como las fuentes ).
Las fuentes de alimentación lineales tienen un rendimiento bajo ya que en caso de
que a la salida se consuma poca potencia, la potencia total absorbida de la red la
consumen en su mayor parte los componentes de la fuente. Sin embargo las fuentes
de alimentación conmutadas, como su nombre indica, trabajan con sus componentes
en conmutación por lo que éstos consumen muy poca potencia,
siendo, por tanto más eficientes pues la potencia absorbida de la red es la que consume
el equipo que se esté alimentando. En este tema se verán sólo las fuentes lineales
dejando las conmutadas para el tema de electrónica de potencia.
En general las tensiones de alimentación suelen ser de pocos voltios, por lo que se
precisa en principio un transformador que reduzca la tensión de red a otra menor. A la
salida de un transformador la señal sigue siendo alterna por lo que se precisa de un
rectificador con diodos, para conseguir una señal pulsatoria. A la salida del rectificador
irá un filtro con el fin de que la señal pulsatoria sea más parecida a la continua. Y a la
salida del filtro irá un regulador que permite reducir el rizado y estabilizar la señal
dejándola prácticamente continua.
Son muchos los reguladores existentes en el mercado, pero vamos a limitar el objeto de
esta práctica a la familia L78XX, los cuales están disponibles en dos tipos de encapsulado
según la potencia máxima que vaya a disipar el elemento. Remitirnos al lector interesado
al Apartado «Información adicional» para una referencia a sus características.
No se verá el esquema interno del dispositivo, aunque sí estudiaremos su diagrama de

bloques.

A continuación se representa el patillaje para el encapsulado tipo TO-220, hasta 1 A y el

patillaje del encapsulado TO-3. Hasta 5 A
4.1.- Elementos básicos de una fuente de alimentación.
Veamos la función de cada bloque para hacernos una idea general del comportamiento
del regulador:
Circuito de arranque: Es un circuito de protección que inhibe la salida del regulador
cuando la tensión vi no supera en cierta cantidad (típicamente 2 V) a la tensión nominal
de salida.
Generador de corriente: Proporciona una corriente constante al elemento de

referencia, independientemente de la entrada y la salida.
Elemento de referencia: Mantiene una tensión constante entre sus extremos y la envía
al amplificador de error.
Amplifícador de error: Compara la tensión del elemento de referencia con una porción
de la tensión de salida, obtenida del divisor de tensión formado por R,-R2. El resultado es
amplificado y enviado al elemento de control.
Elemento de control: Recibe la señal proveniente del amplificador de error y varía su

caída de tensión interna en función de dicha señal. Es el elemento que soporta la
diferencia de tensión entre vi y vo nominal.
• Protección térmica: Circuito de protección contra cortocircuitos; si la intensidad de

salida supera cierto nivel desconecta al elemento de control, interrumpiendo la corriente
de salida.
• Protección de sobrecarga: Protege al elemento de control cuando el regulador se

desconecta, permitiendo el paso de la corriente inversa que de otra forma dañaría a
dicho elemento.

Lo visto anteriormente nos da una idea básica del comportamiento del regulador, falta
añadir únicamente que la familia L78XX está compuesta por una serie de reguladores
positivos con tensión de salida fija, correspondientes a 5, 6, 8, 12, 15, 18, 20 y 24 V,
siendo este valor el nombre comercial del elemento:
L7805 regulador de 5 V
L7812 regulador de 12 V, etc.
4.2. Reguladores de tensión fija positiva (serie 78XX).

Son dispositivos de tres terminales (E=entrada; S=salida y C=común, siendo su

patillaje repectivamente: E,C,S). Entre las patillas S y C mantienen la tensión indicada
por XX. Existen unas tensiones normalizadas: 5, 6, 8, 12, 15, 18 y 24V. Todos disponen
de protección frente a cortocircuitos en la salida.
Existen cuatro tipos: los de baja corriente que proporcionan hasta 100mA y se
identifican con la letra L colocada en medio: por ej. 78L05. Los de mediana corriente,
hasta 500mA, con una M. Los de 1 Amperio que no llevan letra intermedia. Y los de
alta corriente, que proporcionan hasta cinco Amperios, pero sólo disponibles para 5, 12
y 18 V.
La intensidad que entra por el terminal E es casi la misma que sale por S, puesto que
sólo se derivan unos 4 mA por el terminal común.
Para un correcto funcionamiento del regulador la tensión de entrada al mismo tiene que
ser, al menos, tres Voltios mayor que a la salida, siendo como máximo de 35V.
El esquema de este tipo de F.A. se representa en la Figura, se ve que el L7806 sustituye
a todos los componentes que formaban aquella F.A. simple, mejorando notablemente su
comportamiento. El condensador C2 no es necesario como estabilizador; es una simple
protección contra transitorios, de manera que no afecten a la carga.
El conjunto formado por TR1, PR1, y C1, proporciona una corriente pulsatoria filtrada al
regulador, el cual mantiene la tensión en su termina] de salida prácticamente constante
para variaciones de la vi entre 7 y 35 V. Igualmente, las variaciones de la corriente de
salida producidas por la resistencia de carga son internamente compensadas por el
regulador, siempre que no se supere la Itot que es de 1 A, en cuyo momento se
desconecta el circuito interrumpiendo el paso de corriente.

4.2.2.- F.A. regulable estabilizada
El esquema de este tipo de F.A. se muestra en la Figura, en el cual se observa la amplia

reducción de componentes comparándolo con su equivalente con componentes discretos.
Veamos la función de cada componente:

• El condensador C1, es el condensador de filtro de la F.A. simple.
• C2 y C3 actúan como supresores de transitorios que puedan afectar a la entrada del
regulador o a la carga.
• R1-R2 forman un divisor de tensión que actúa como elemento de muestreo de la F.A.
regulable.
Analizando el circuito obtenemos que

V0 = VR2 + VR1 = IR2 . R2 + IR1 . R1
Por otra parte,
IR1 =Id + IR2
y como Id << IR2 por aproximación tenemos que IR1 ~ IR2, luego
Vo = IR2. (R 1 + R2)
Como sabemos que entre las patillas 2 y 3 del regulador tenemos una tensión constante
igual a Vxx, entonces
IR2 = Vxx/IR2
e igualando en [11]
VX X = vo vo = VXX ( R1 + R2/ R2)
Ecuación que nos da con bastante aproximación la tensión de salida en función de los
valores del divisor de tensión y de la tensión nominal del regulador, en la cual se observa
claramente que haciendo variable R1, obtenemos también una Vo variable.
4.2.3. Reguladores de tensión fija negativa.

Todo lo anterior es válido para estos reguladores, con la diferencias de que estos se
identifican por el 79, su patillaje es E, S, C y la tensión entre S y C tiene polaridad
contraria al anterior.

4.2.4.-Reguladores de tensión variables.
Se fabrican reguladores de tensión pensados para hacer fuentes variables, al contrario

de las dos series estudiadas, pensadas para hacer fuentes fijas. Existe una gran variedad
de reguladores variables, sin embargo vamos a centrarnos en los más populares.
4.2.4.1.-LM 317, 338 y 350.
Estos reguladores tienen también tres patillas tan sólo, diferenciándose entre ellos
por la corriente que son capaces de proporcionar. Todos ellos llevan protección
frente a cortocircuitos.
El más empleado es el 317. La tensión entre la patilla de salida y la común es de

1,2V. La corriente que se deriva por la patilla común es de 50μA.
La forma de realizar la fuente consiste en colocar un divisor de tensión formado por

dos resistencias: una conectada entre la salida y el común y otra entre el común y
masa (el modo de funcionamiento vemos que es siempre en masa flotante ya que el
común no va directamente a masa).
4.2.5. Fuente simétrica.
Las fuentes simétricas son muy útiles para alimentar circuitos que contengan
operacionales, ya que éstos requieren para muchas de sus aplicaciones, tensiones
simétricas, es decir positiva y negativa respecto de un punto (masa).
Para diseñar estas fuentes tan sólo habrá que colocar dos reguladores: uno de la serie
78 y otro de la serie 79, pero será imprescindible utilizar un transformador con toma
intermedia, y a la salida del rectificador dos condensadores de filtro, uno para cada
condensador teniendo precaución con la polaridad de los mismos.

5.- Aplicaciones de los diodos

5.1.- Multiplicadores de tensión
A veces hay cargas que necesitan una tensión muy alta y que absorben una corriente
pequeña
EJEMPLO: Tubo de rayos catódicos (TV, monitor de ordenador, osciloscopio).
Entonces hay que elevar la tensión de la red. Primero se pone un transformador

elevador con todos los diodos y condensadores que necesite.
Y tenemos un rizado casi nulo.
El mayor problema es que el transformador elevador sería muy voluminoso porque

necesitaría muchas espiras, además el campo eléctrico sería grande, VIP del diodo
también (VIP = 2Vpico = 2·933 = 1833 V en inversa), mucha tensión en el C, etc...
Por eso no se usa un transformador elevador sino que se utiliza un multiplicador de
tensión. Hay varios tipos de multiplicadores de tensión, nosotros analizaremos estos
cuatro:
 El Doblador de tensión
 El Doblador de tensión de onda completa
 El Triplicador
 El Cuadriplicador
239

5.1.1.- Doblador de tensión
Para comenzar a analizar este tipo de circuitos es interesante tener en cuenta:
Truco: Empezar en el semiciclo (malla) donde se cargue un solo condensador.
Semiciclo negativo de la señal de entrada, se carga el condensador a su valor máximo

Vo = Vef x = 220 x 1,41 = 311 V
Segundo semiciclo, se descarga C1 con su valor máximo y carga C2, a su vez que se le
suma el valor de pico o máximo de la señal de entrada, con lo que C2, se carga a 622
V., Y como se ve, si se conectan las bornas a C2, un polímetro, esto es un doblador de
tensión. 2 x 331. Como la corriente de descarga es pequeña, el C2 se descarga despacio
con una constante de tiempo de valor:
Entonces nos queda de esta forma si ponemos la carga en C2:Resumiendo tenemos:
240

Como es de 50 Hz se puede decir que es un "Doblador de tensión de media onda". Si

cambiamos un poco el circuito tendremos otro ejemplo:
5.1.2.- Doblador de tensión de onda completa

Quitamos la carga para analizarlo. Pulsar doblemente el la imagen para ver su
comportamiento:
Como ya se ha dicho antes empezamos por donde halla un solo condensador.
241

Si representamos VL en función del tiempo.
Primero uno luego el otro, se van turnando los 2 condensadores, como cada uno es de
50 Hz los 2 a la vez son 100 Hz.
Este circuito tiene una ventaja respecto al anterior: El rizado es más pequeño. La
desventaja radica en que no sabemos donde colocar la masa, en el caso anterior lo
teníamos fácil, pero ahora si ponemos debajo de R L no hay ninguna borna de la red a
masa.
Si conectamos una carga también a masa puede haber un cortocircuito. Hay que andar
con cuidado al usar ese circuito.
5.1.3.- Triplicador
Al de media onda se le añade algo.
El principio es idéntico: Semiciclo negativo se carga C1,a valor de pico 311V, semiciclo
positivo se carga C2 a 622 V, ( descarga de C1 mas el valor de pico positiva),semiciclo
242

negativo se carga C1 a valor de pico y se descarga C2 sobre C3 a valor , por lo que en

los extremos de C1 y C3 tendremos 3 V pico .= 3 311 = 933 V
Ahora elegimos las bornas para sacar:
Con esto se puede hacer un doblador y un triplicador dependiendo de donde se colocan

las bornas. Y tenemos 933 V a la salida.
El truco consiste en que la cte de tiempo de descarga sea:
Y si a este circuito se le añade una etapa más (diodo y condensador) se convierte en un

cuadriplicador.
Cuadriplicador
Es como los anteriores, y la tensión se toma como se ve en la figura, donde obtenemos

en C1 V pico, C2 2 Vpico, C3 2 Vpico ( C1, C3 ) 3 V pico, ( C2, C4 ) 4 V pico :
Aplicación: Estos circuitos que hemos visto sirven para conseguir unas tensiones
grandes y por ello se pueden usar en los "Tubos de Rayos Catódicos".
Los electrones deben ser acelerados para chocar con la pantalla a una velocidad muy
grande, se excita un electrón de fósforo y al volver cede energía en forma de luz. Para
acelerar los electrones hace falta una tensión muy grande para que cojan velocidad.
243

cojan velocidad.
244

5.2.- Limitadores
5.2.1.- Descripción básica
Un limitador, como su nombre indica, limita una tensión alterna a unos valores
predeterminados; esto puede realizarse:
• Eliminando uno de sus semiciclos.

• Eliminando parte de la cresta de un semiciclo.
• Eliminando parte de la cresta en ambos semiciclos.
Su funcionamiento se basa en el hecho de que un diodo no conduce hasta que no está

polarizado directamente. Existen diferentes tipos:
a) Según la forma de obtener la salida:

Limitador serie. La tensión de salida vo. se obtiene en serie con el
diodo limitador.
Limitador paralelo. vo,se obtiene en paralelo con el
diodo. b) Según sobre dónde se realice la limitación:
• Limitador positivo. Limita la alternancia positiva de la tensión de entrada vi.
• Limitador negativo. Igual al anterior con la alternancia negativa.
• Limitador parcial o polarizado. Limita sólo parte de una alternancia.
• Limitador parcial doble. Limita parte de ambas alternancias.

Si nos fijamos en la Figura, observamos que la disposición es idéntica a un rectificador
de media onda, por tanto su funcionamiento es conocido; se puede observar que la
salida v, está en serie con D y, en el diagrama de tensiones, que en v. no aparecen
semiciclos negativos, por lo cual es un limitador serie negativo.
Si invertimos D obtendremos en v, sólo semiciclos negativos, limitando, por tanto, los

positivos; tenemos en este caso un limitador serie positivo.
245

En la Figura se representa un limitador paralelo negativo ya que en v, sólo habrá

semiciclos positivos, debido al bloqueo de D, por estar polarizado inversamente
durante este semiperíodo.
Invirtiendo D obtenemos el limitador paralelo positivo.
5.2.4.- Limitador paralelo polarizado
Basa su funcionamiento en el hecho de conectar una batería VA ver Figura en

serie con D de tal forma que se polariza inversamente. Ocurre, entonces, que D sólo
conducirá cuando el semiciclo negativo de vi alcance un valor vj > 1 Vj, polarizando
directamente al diodo y colocando en la salida el valor fijo VA. Obsérvese que durante
el semiciclo positivo D permanece bloqueado y el diodo soporta una tensión inversa de
valor
5.2.5.- Limitador paralelo doble polarizado
En la primera rama del siguiente circuito y por lo explicado, obtenemos un diagrama

de v,, como el de la Figura anterior, y, por tanto, el circuito es un limitador paralelo
negativo polarizado.
Si invertimos la polaridad de D y de VA, obtenemos la misma acción, pero sobre el
semiciclo positivo, siendo en este caso un limitador paralelo positivo polarizado.
Si la Figura anterior modificamos combinando la acción de los dos limitadores siguiente
figura, obtenemos un limitador doble polarizado, que será simétrico si V, = V2 y D, =
D, pero en cualquiera de los casos actúa cada rama como limitador durante uno de los
semiciclos.
246

Si se mete una onda de pico muy grande a la entrada, aparece una onda prácticamente
cuadrada a la salida, que aunque no sea tan parecida se toma como si fuese una onda
cuadrada (es imposible hacer una onda cuadrada perfecta).
Primera aplicación: "Transformar una Senoidal a Cuadrada".
Si recorto en + 5 V y en 0 V.
Puedo aprovechar esto para electrónica digital
Si tenemos un circuito que da alterna a su salida que es variable y nosotros queremos

transmitir esa onda a la carga, podemos estropear la carga si conectamos directamente
la carga a ese circuito.
247

Por eso ponemos un recortador o limitador entre la carga y ese circuito para que no se
estropee la carga. Es para protección de la carga ( se puede limitar la parte positiva, la
negativa o las dos dependiendo del limitador que se utilice).
5.3.- Fijadores de nivel
Estos circuitos basan su funcionamiento en la acción del diodo, pero al contrario que
los limitadores no modifican la forma de onda de la entrada, sino que le añaden a ésta
un determinado nivel de c.c. Esto puede ser necesario cuando las variaciones de c.a.
deban producirse en torno a un nivel concreto de c.c. o cuando una determinada
señal ha «pasado» a través de un acoplamiento capacitivo, que ha desacoplado la
c.c. y que es necesario restaurar posteriormente.
Existen cuatro tipos básicos:
5.3.1.- Fijador positivo.

Hace que el menor nivel alcanzado por la señal sea 0, fijando el nivel de referencia a
un valor de referencia
5.3.2.- Fijador negativo.

El mayor nivel alcanzado es 0, en otras palabras desplaza el nivel de referencia
hacia un valor menor que 0 .
5.3.3.- Fijador positivo polarizado.
Añade el efecto de la polarización de una batería pudiendo ser de dos tipos, según
248

la disposición de la fuente de polarización:

1. Polarizado positivo. Desplaza la señal hacia niveles positivos, permaneciendo la
salida incluso en sus valores más bajos por encima de 0.
2. Polarizado negativo. Desplaza la señal hacia un nivel más positivo, pero

parte del semiciclo negativo de vi sigue teniendo valores negativos.
La Figura 5.3 aclara estas ideas.
5.3.4.- Fijador negativo polarizado.

Se diferencia del polarizado positivo en la inversión del diodo; existen dos tipos
igualmente, polarizado positivo y polarizado negativo. Ahora, en ambos casos el
desplazamiento es hacia valores negativos. En la Figura 5.4 se representa tal
situación.
Si se mete una onda de pico muy grande a la entrada, aparece una onda prácticamente
cuadrada a la salida, que aunque no sea tan parecida se toma como si fuese una onda
cuadrada (es imposible hacer una onda cuadrada perfecta).
Primera aplicación: "Transformar una Senoidal a Cuadrada".
Si recorto en + 5 V y en 0 V.
Puedo aprovechar esto para electrónica digital
249

Si tenemos un circuito que da alterna a su salida que es variable y nosotros queremos

transmitir esa onda a la carga, podemos estropear la carga si conectamos directamente
la carga a ese circuito.
Por eso ponemos un recortador o limitador entre la carga y ese circuito para que no se
estropee la carga. Es para protección de la carga ( se puede limitar la parte positiva, la
negativa o las dos dependiendo del limitador que se utilice).
5.4.- El cambiador de nivel de continua

Como en el caso anterior hay dos tipos de cambiadores de nivel positivo y negativo.
5.4.1.- Cambiador de nivel positivo

Lo veremos con un ejemplo:
250

NOTA 1: La carga no tiene porque ser solo una resistencia, puede ser el equivalente de
Thévenin de otro circuito, etc...
Nota 2: Se empieza por el semiciclo en el que conduce un diodo y se carga un

condensador.
Seguimos con el ejemplo. Semiciclo negativo.
Suponemos el diodo ideal. El condensador se carga en el semiciclo negativo. Una vez

cargado, el condensador se descarga en el semiciclo positivo:
Interesa que el condensador se descargue lo menos posible. Para que sea la descarga
sea prácticamente una horizontal se tiene que cumplir:
Si suponemos que el condensador se descarga muy poco, suponemos siempre cargado a

10 V el condensador.
Hemos subido 10 V el nivel de continua.
251

OFFSET = Nivel de continua
Este es el cambiador de nivel positivo. Si quisiera cambiar hacia abajo sería el cambiador
de nivel negativo que es igual cambiando el diodo de sentido.
5.4.2.- Cambiador de nivel negativo
Como antes, el condensador siempre a 10 V. Se le resta 10 a la entrada. Es un "OFFSET

Negativo".
Todo esto es cogiendo el diodo ideal. Si usamos 2ª aproximación, diodo a 0.7 V.
5.5.- Detector de pico a pico
252

Detector de pico a pico = Medidor de pico a pico = Doblador de tensión
Nos basamos en el cambiador de nivel y le vamos a añadir un rectificador de media onda

con filtro por condensador.
Es como un doblador de tensión físicamente pero cambia el concepto.
EJEMPLO: Tomamos una onda triangular:
Empezamos con 1 diodo y 1 condensador como siempre.
Se carga a 20 V. Suponemos que el C no se descarga nunca, entonces:
Y V1 es:
253

Recordar lo que hacía el condensador:
Si suponemos que no se descarga nada, VL sería:
Ponemos el voltímetro en DC (continua) para ver esa gráfica que nos marcaría 70.
Tenemos un pequeño error debido a la caídas en los diodos, nos daría 68 o algo menos.
Para que ese error sea menor se puede poner Germanio (0.3 V) en vez de Silicio (0.7 V)
para que halla un menor error.
254

EJERCICIOS
1.- Un rectificador monofásico de media onda se alimenta con una tensión alterna
senoidal de 110 V. de valor eficaz, siendo la resistencia de carga 200 Ohmios:
Calcular considerando el rectificador ideal:
a) Tensión media o continua de salida.
b) Intensidad media o continua en la carga
c) Tensión máxima en la carga. Vi = 110V Vout
d) Intensidad máxima o de pico en la carga.
e) Potencia continua en la carga.
f) Tensión inversa que debe soportar el diodo rectificador.
Solución: a) 49,5 V; b) 0,25 A; c) 155,56 V; d) 0,78 A; e) 12,37 W f) 155,56 V
2.- Se desea construir un rectificador monofásico de media onda para obtener un

tensión media de salida de 20 V. Considerando el diodo rectificador ideal, calcular:
a) Tensión eficaz alterna senoidal de alimentación.
b) Tensión inversa que debe poder soportar el diodo.
c) Intensidad media si la carga es de 100
Solución: a) 44,4 V; b) 62,8 V; c) 0,2 A
3.- Se quiere construir un rectificador monofásico de media onda con un diodo

de silicio, para una resistencia de carga de 30 Ohm., y tensión media en la carga
de 50 V. Considerando el diodo ideal, calcular:
a) Valor eficaz de la tensión allerna senoidal de alimentación.
b) Tensión inversa que debe soportar el diodo.
c) Intensidad media y potencia media o continua en la
carga. d) Intensidad máxima o de pico.
Solución: a) 111,11 V; b) 157,3 V: c)1,67 A; 83,5 W; d) 5,24 A.
4.- Un rectificador de media onda monofásico se alimenta con una tensión

alterna senoidal de 220 V, 50 Hz. La carga está formada por una resistencia de 100
Ohmios: calcular:
a) La tensión media o continua en
la carga considerando una caída
de tensión en el diodo de 0,7 V.
b) Intensidad media en la carga. Vi = 220 V Vc
Solución: a) 98,3 V; b) 0,983 A
5.- Calcular la intensidad media en la carga de un rectificador de media

onda monofásico, que alimenta a una carga de resistencia 10 y esta
alimentado por una tensión alterna senoidal de 30 V, 50 Hz. La caída de tensión en
el diodo es 0,7 V. Solución: 1,28 A.
255

6.- Un rectificador monofásico de onda completa se alimenta mediante un

transformador monofásico con secundario de toma intermedia, siendo la tensión
eficaz total del secundario 220 V, 50 Hz Si la carga es una resistencia de 40 , calcular
considerando el rectificador ideal:
a) Tensión media o continua en la carga.
b) Intensidad media o continua en la carga.
c) Potencia continua en la carga.
d) Tensión inversa que soporta cada diodo.
e) Intensidad media que circula por cada diodo.
Va V c R c = 40
220 V
Solución: a) 99 V ; b) 2,475 A ; c) 245 W; d) 311,1 V ; e) 1,237 A
7.- Se desea construir un rectificador monofásico de doble onda para obtener

una tensión continua de 46 V. Considerando el rectificador ideal, calcular:
a) Tensión eficaz total del secundario del transformador de alimentación, conectado
a una tensión alterna senoidal.
b) Tensión inversa que debe soportar cada diodo.
Solución: a) 102,2 V ; b) 144,56 V.
8.- Un rectificador monofásico puente se alimenta con una tensión alterna sinusoidal
de 112V, 50 Hz y tiene una resistencia de carga de 100 Ω. Considerando el rectificador
ideal, calcular:
a) Tensión media en la carga
b) Intensidad media en la carga
c) Intensidad media por cada diodo
d) Intensidad máxima en la carga
e) Tensión inversa que debe soportar cada diodo
f) Potencia media en la carga
g) Potencia aparente ideal del transformador que alimenta al rectificador
100 Ohmios
256

Solución: a) 100,83 V; b) 1 A; c) 0,5 A; d) 1,58 A, e) 158.39 V; f) 100,83 W;
g)124,02 VA
9.- Se desea construir un rectificador monofásico en puente para obtener una

tensión rectificada de 100 V. Considerando los diodos ideales, calcular:
a) Valor eficaz de la tensión alterna senoidal de alimentación.
b) Tensión inversa que debe soportar cada diodo.
e) Intensidad media en la carga, si esta es una resistencia de 1
kΩ. d) Intensidad máxima en la carga.
VA
VC=100V
100 Ohm
Solución: a) 111 V; b) 157 V; c) 0,1 A; d) 0,157 A.
10.- Se quiere construir un rectificador monofásico en puente con cuatro diodos

de silicio, de manera que la tensión rectificada sea 250 V. Considerando una caída
de tensión de 0,6 V por diodo cuando circula corriente con polarización en sentido
directo, calcular:
a) Tensión eficaz alterna senoidal de alimentación.
b) Intensidad media por la resistencia de carga, de valor 500
Ω. c) Intensidad media que circula por cada diodo.
d) Tensión inversa que debe soportar cada diodo.
Solución: a) 279,1V; b) 0,5A V; c) 0,25 A; d) 394,7 V.
11.- Un rectificador monofásico en puente alimenta una carga de resistencia 10

Ω. tensión de 26 V. Calcular, considerando una caída de tensión por diodo de 0,7 V
a) Intensidad continua o media en la
carga.
b) Valor eficaz de la tensión alterna senoidal

de alimentación.

Solución: a) 2,6 A; b) 30,44 V. "
12. Un diodo zener tiene aplicado 15 V y por

él circula una intensidad de 20 mA. ¿Cuál es
la potencia que disipa?.
257

13. Un diodo zener tiene una resistencia zener de 5 Oh. Si la corriente cambia de 10 a
20 mA, ¿cual es el cambio de voltaje en el diodo?.
14. Un cambio de corriente de 2mA a través de un diodo zener produce un cambio de

tensión en sus extremos de 15mA. ¿A que es igual su resistencia zener?.
15. En el diodo zener de la figura drcha, utilícese la aproximación del zener ideal para
obtener la corriente zener máxima y mínima.
16. Repetir el ejercicio anterior suponiendo que se trata de un diodo zener real, en el
cual la resistencia zener es de 7Ω.
17. Un regulador zener tiene un voltaje de entrada que varía 15V <Vi < 20V, y una
corriente de 5mA <Io <20mA. Si se tiene un voltaje zener de 6’8 V ¿de qué valor debe
ser la resistencia limitadora?.

18. La figura de la derecha muestra un circuito

!
llamado PRERREGULADOR (regulador de entrada,

excitando un regulador de salida). La fuente tiene
un rizado bastante grande que varía de 35 a 60V.
¿Cual es el voltaje de salida final y que valor tiene su rizado? (la resistencia de 2K es la
carga).
19. Selecciónese el valor de la resistencia en serie para un regulador zener que reúna
las siguientes especificaciones: una variación del voltaje de la fuente de 30 a 50V, una
variación de corriente de carga de 10 a 25mA y un voltaje de carga de 12 v.
20. Diséñese un regulador zener que reúna las siguientes especificaciones: voltaje en
carga 6’8V, fuente de voltaje 20V ± 20%, y corriente en la carga 30mA ± 50%.
~
- +
~ +

Fuente estabilizada con zener.
21. En el circuito de la fig. (fuente estabilizada con zener) determina el valor de las
resistencias limitadora RS y la de carga RL. El valor de la resistencia zener es de 3Ω.
22. Para el circuito de la fig. suponiendo que la fuente tiene un rizado de pico-a-pico de
4V, y la resistencia zener de 10Ω. Hallar el rizado de la tensión de salida (R L).
258

23. Para que valor de la resistencia de

carga (RL) deja de operar el estabilizador ,
+

zener de la FIG.
Estabilizador zener.
24. Determinar la forma y valor de la señal de salida del circuito de la figura ,en el que
aparecen dos diodos zener montados en oposición de fase.
La señal de entrada es alterna senoidal, de valor suficientemente alto como para
permitir el funcionamiento de los zener como tal dispositivo.
'
,

+

,
25.- En el circuito de la derecha (fig.20) determinar el valor y forma de la caída de

tensión en la resistencia R. Suponer el diodo ideal.

26,- En el recortador de la izquierda de la

página siguiente, determinar el valor de la
señal a la salida (RL1) en función de la señal
de entrada. Suponer que la señal es
senoidal y de su valor varía entre ±VP.
Suponer igualmente que los valores de las baterías son iguales y de menor valor en la
señal de entrada. Por último el valor de las caídas de tensiones en los diodos son
iguales y de valor 0’7V.
27.- Para el rectificador puente con filtro de la derecha (fig.18). Hallar los siguientes
valores:
a. Vcc
b. Icc.
c. Id1, Id2, Id3 e Id4. - +
d. VRZ.

e. PIV.
259

260

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 

   

TEMA 4.- SEMICONDUCTORES

En este tema, veremos los conceptos y propiedades más importantes de los

Los objetivos de este tema son:

 Conocer las características de los semiconductores y conductores a nivel atómico.

El conductor más utilizado y el que ahora analizaremos es el Cobre, que es un buen

Lo que interesa en electrónica es la órbita exterior, que es la que determina las

Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de

Así, tenemos que:

 A 0 ºK (-273 ºC) un metal no conduce.

 A Temperatura ambiente 300 ºK ya hay electrones libres debidos a la energía

- Si no tenemos un campo eléctrico aplicado los electrones libres se mueven en todas

unidad de área en una determinada dirección y a la vez en la dirección opuesta. Por lo

- Veamos ahora como cambia la situación, si se aplica al metal un campo eléctrico.

!(. % ) !&')0%'%!(. ) !&)- 

En la figura puede observarse como el movimiento de los ELECTRONES es hacia la

Una sustancia semiconductora es aquella cuya resistividad se halla comprendida entre la

El material semiconductor más empleado en la actualidad es el silicio, pero los primeros

También se utilizan en el presente, y previsiblemente en el futuro con mayor intensidad,

Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de

1.2.- Cristales de silicio

Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:

     

   ! "$ 

La estructura (CRISTAL) del SILICIO es cúbica Generación térmica de pares ELECTRÓN-HUECOS

Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo entre la

Según un convenio ampliamente aceptado tomaremos la dirección de la corriente como

Semiconductores: Conducen los electrones (electrones libres) y los huecos (electrones

Conductores: Conducen los electrones libres.

Resumiendo: Dentro de un cristal en todo momento ocurre esto:

 Por la energía térmica se están creando electrones libres y huecos.

 Se recombinan otros electrones libres y huecos.

 Quedan algunos electrones libres y huecos en un estado intermedio, en el que han

1.3.- Tipos de semiconductores.-

El silicio, así como el germanio, cristaliza en el sistema tetraédrico, por tanto su

* 1 eV = 1,6 x 10-19 Culombios Voltios = 1,6 x 10-19julios.

A temperatura normal algunos electrones adquieren la energía necesaria para liberarse

a) Cuando un electrón alcanza la energía suficiente, se libera quedando en estado libre.

El movimiento de los huecos es contrario al de los electrones, de manera que al aplicar

1.3.2.- Semiconductor extrínseco

1.4.- Cristal semiconductor.

Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio

Siguen dándose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 átomos de impurezas

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas

reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les

1.4.2.- Cristal tipo P

En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres

El indio es un elemento aceptador porque recibe electrones. La estructura así obtenida

1.5.- Bandas de energía

En la banda saturada se encuentra el número máximo de electrones, y son aquellos que

Existen diversas maneras de darle energía a un electrón, por:

 Energía Luminosa (fotón E = h x f).

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Las ÓRBITAS de los ELECTRONES representan realmente

 Al volver sale un fotón de luz:

1.6.- El diodo no polarizado

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