2009/3/12

離子感測元件之製備及其應用

江榮隆
中州技術學院電子工程系

中 華 民 國 98 年 3 月 11 日

2009/3/11

個 人 簡 介

職稱：電子系副教授兼系主任
專長：
1、離子感測元件
2、半導體物理與元件
3、薄膜製程
4、電子材料

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學 經 歷

學 歷
86.9-91.5 國立中山大學 電機工程學系博士班
84.9-86.6 國立雲林技術學院(現改為雲科大) 電子與資訊工程研究所
80.9-84.6 國立雲林技術學院(現改為雲科大) 電子工程學系
經 歷
93.8~迄今 中州技術學院兼任電子系主任。
94.8 ~迄今 中州技術學院電子系專任副教授。
95.8~迄今 台灣嵌入式暨單晶片系統發展協會『單晶片技能檢定丙級監評委員』。
90.8~95.12 經濟部智慧財產局兼任專利審查委員 。
92.9~93.7 中州技術學院兼任進修部副主任。
91.10~92.8 中州技術學院兼任進修部註冊組組長。
91.8~94.7 中州技術學院電子系專任助理教授。
88.8~91.7 中州技術學院電子系專任講師。
86.9~88.7 高雄市勞工局博愛職訓中心兼任電腦講師。
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成果與產出
SCI期刊論文6篇，國內期刊論文3篇 國際研討會論文3篇，國內研討會論文12篇
國際研討會論文11篇，國內研討會論文13篇 計畫6件
專利1件
國際研討會論文1篇，國內研討會論
SCI期刊論文3篇 ，國際研討會論文2篇 文10篇，專利2件，計畫7件
專利1件，雲科大傑出校友獎
國內期刊論文1篇，國際研
進修部 升等副教授 討會論文7篇，國內研討會
進修部
副主任 系主任 論文6篇，計畫9件
註冊組長

2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009

博 SCI期刊論文2篇，國際研 系評鑑一等
士 討會論文3篇，國內研討會
班 論文15篇，計畫4件
畢
業
國際研討會論文2篇 SCI期刊論文3篇
國內研討會論文6篇 國內期刊論文1篇
專利1件，計畫2件 國際研討會論文2篇
國內研討會論文1篇
SCI期刊論文1篇 ，國內研討會論文3篇 專利1件 4
專利1件，計畫3件

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成果與產出
期刊論文 研討會論文
國際 專利 計畫 獲獎
國內 國際 國內
(SCI)
2001(含
6 3 11 13 1 -- --
以前)

2002 3 -- 2 -- 1 -- 1

2003 1 -- -- 3 1 3 --

2004 -- -- 2 6 1 2 --

2005 2 -- 3 15 -- 4 2

2006 -- -- 3 12 -- 6 1

2007 -- -- 1 10 2 7 2

2008 -- 1 7 6 -- 9 4

5
2009 3 1 2 1 1 -- 1

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2006-2008最大產出
„ 專心做人

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Outline
₪ 離子感測結構之演進
₪ 離子感測器工作原理
₪ ISFET離子感測元件
₪ EGFET離子感測元件
₪ 氯離子、鹽酸普魯卡因感測元件
₪ 結論
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離子感測結構之演進

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商品化pH-Meter

演
進
趨
勢

微小化
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離子感測場效電晶體之演進
Metal Gate Sensitive Membrane

n+ n+ n+ n+
p-Substrate
p-Substrate

MOSFET ISFET

Enzyme
Metal Gate Metal Gate Sensitive Membrane
Sensitive Membrane
Substrate Substrate
n+ n+ n+ n+

p-Substrate p-Substrate

ENFET EGFET
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離子感測場效電晶體之演進

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離子感測元件之結構
金屬-氧化物-半導體場效電晶體
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)
首先被發表於50年代，而隨著科技不斷地進步，MOSFET亦被
大量運用於超大型積體電路與記憶體中。
隨著MOSFET技術之進步，以MOSFET技術延伸而發展出之感
測器亦漸漸地被人們發明與改進，如光感測器，氣體感測器
等。
G
S D

Al
SiO2 SiO2
n+ n+

P-Si
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N通道MOSFET結構圖

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離子感測元件之結構
離子感測場效電晶體
(Ion-Sensitive Field-Effect Transistor, ISFET)
最早係由Bergveld Piet於1970年提出。
Bergveld 首先發現將一般MOSFET 的金屬閘極去除後，
再將其浸入溶液時，元件之通道電流會隨H+濃度不同而
變化，稱其為離子場效電晶體(ISFET)。
Reference Electrode

Buffer Solution Epoxy

Al Al
SiO2
Sensing n+ n+
Membrane p-Si
Al
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離子感測場效電晶體之架構圖

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離子感測場效電晶體之優點

而ISFET至今三十餘年得以被廣泛應用，係由於其具有：
微小型化與可進行微量溶液測量。
輸入阻抗高。
輸出阻抗低。
響應時間快。
低價位。
製程與MOSFET技術相容。
同時，若將元件結合生物酵素技術，則可應用於相當
多之檢 測，以形成生醫感測器(Biosensor) 。
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離子感測元件之結構
延伸式閘極感測場效電晶體
(Extended-Gate Field-Effect Transistor, EGFET)
係由Jan Van Der Spiegel 等人於1983年提出。
EGFET 保 留 MOSFET 之 金 屬 閘 極 ， 並 將 感 測 區 域 自
MOSFET之閘極分離，二者之間藉由一導體連接，故稱
之為EGFET，下圖為EGFET之結構示意圖。

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延伸式閘極場效電晶體之架構圖

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EGFET與ISFET之差異及優點

ISFET：
需阻抗值較高、高介電常數之絕緣膜。
EGFET：
需阻抗值低、導電率高之導電膜。
EGFET之優點：
化學感測區與電性區分離。
較不易受光之影響。
較ISFET容易封裝。
易改變感測區之感測膜。
易改變感測膜之形狀。 15

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離子感測器之工作原理

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pH-ISFET工作原理
„ 由於pH-ISFET工作時感測膜區域直接浸泡於溶液
中。顯然地，與待測溶液相接觸的感測膜是離子
感測元件將化學量轉換成電學量的關鍵。關於對
溶液中離子活度的響應機制是根據吸附鍵結模型
(Site-binding model)，於電解質與感測膜之介面處
將形成界面勢(Surface potential)，該界面勢隨電解
質溶液的離子活度而改變，並對ISFET的通道電流
起調制作用，進而引起汲源電流的變化，此即為
氫離子感測場效應電晶體的基本工作原理。

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pH-ISFET基本公式
[
I DS = g m 2(VGS − VT )VDS − VDS
2
] (1)

ΦM
VT (ISFET) = VT (MOSFET) − + E Ref + χSol − ψ0 (2)
q

2.303RT 2.303RT (3)

ψo = Eo + log a H + = E o − pH
F F

⎡ ⎛ 2 .303 RT ⎞ 2 ⎤ (4)
I DS = g m ⎢ 2⎜ VGS − pH − VT* ⎟ VDS − VDS ⎥
⎣ ⎝ F ⎠ ⎦
其中， Ψ 0為感測膜表面電位， R為氣體常數，F為法拉第常
數，E 為常數， a H + 為氫離子活性。 χsol 為電解液-絕緣層界面
o

之偶極電位， ΦM為金屬之功函數， ERef為參考電極電位。 18

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吸附鍵結(Site-Binding)模型
Yates等人提出Site-Binding模型，解釋pH-ISFET響應機理。
提出在感測膜表面存在著羥基(Si-OH, Al-OH, Ta-OH)，當
pH-ISFET浸入電解質溶液中時，界面處將發生多種化學過
程。
其中最重要的是下述解離反應：

M − OH ⇔ MO − + H +
M − OH + H + ⇔ MOH 2+
其中M代表金屬

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Site-Binding模型
Insulator Liquid
A OH Neutral
O
Donor
A O－
O
Acceptor
A OH2＋
O
Surface

當一無機離子感測膜被置入水溶液中，其表面會形成如
上圖表面中三個基本表面吸附基態，這些吸附基態會吸
附溶液中的氫離子， 從而改變表面電位。
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Site-Binging模型

當溶液中存在大量H+ 離子時，這些表面MO－ 基與溶液一

側的水合陽離子之間形成電雙層。

MO－ 基團的電荷密度隨溶液中H+ 離子活度而變化。顯

然，H+離子活度越大，界面勢也越大。

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能斯特響應

由電化學理論可知，具有能斯特響應的感測膜其界面
勢E與溶液中一價離子活度有如下關係：

2.303RT
E = Eo + lg aH +
F
式中，R為氣體常數，F為法拉第常數，Eo為常數。

根據定義， pH = − lg a H + 在固定的溫度下，界
面勢E將隨著pH值的
變化而改變。
RT
ΔE = −2.303 ΔpH bulk
F 22

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離子感測器工作原理

由MOSFET理論分析，其起始電壓Vt可由下式求得：

⎛ Q ⎞ QSD
Vt = ⎜⎜ Φ ms − ox ⎟⎟ + + 2ϕ F
⎝ C ox ⎠ C ox

其中，φms 為金屬-半導體接觸電勢，Qox為氧化層有效正
電荷面密度，Cox為單位面積閘電容。

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離子感測器工作原理

ISFET體系中增加了參考電極與溶液間的界電勢Eref 和
感測膜與溶液間的界面勢 ψ 。

此時金-半接觸電勢也被化學膜-半導體功函數電勢差
所代替。
φ ms 被取代為
Qox QSD
VT = Eref −ψ + x sol − + + 2ϕ F
Cox Cox

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離子感測器工作原理

藉由感測膜感應一表面電位，利用導線將表面電位傳至
後端MOSFET之閘極端，改變起始電壓(Threshold Voltage,
V T) 。

pH值愈高，VT 愈大，即I-V曲線將往右移動，藉由檢測
VT(或VG)得知待測溶液之酸鹼值。

Δ ψ0 ΔVT ΔV GS
Sensitivity ≡ = =
ΔpH ΔpH ΔpH

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ISFET離子感測元件

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實 驗 步 驟
Experimental

Devices Fabrication
↓
Package Processes
↓
Measurements

pH Sensitivity Hysteresis Drift Temperature Effect

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感測膜之製備

ISFET離子感測膜之備製方法有很多種。
真空濺鍍系統(RF Sputtering）備製：Ta2O5、a-
WO3、SnO2與AlN離子感測膜。
以電漿輔助低壓氣相沈積系統(Plasma Enhanced
Low Pressure Chemical Vapor Deposition , PE-
LPCVD)備製：a-Si:H離子感測膜。
以溶膠-凝膠系統（Sol-Gel）備製：PbTiO3離子
感測膜。
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不同感測膜之製程條件

感測膜 AlN a-WO3 Ta2O5 SnO2 a-Si:H PbTiO3

RF RF RF Sputter RF PE- Sol-gel

製程系統
Sputter Sputter Sputter LPCVD
反應壓力 4 -
－3 －3 －3 －3
(torr) 20×10 30×10 10×10 20×10 0.7
淨功率 80 90 90 50 30 -
(W)
氣體流量 20 50 20 20 108 -
(sccm)
反應氣體 Ar:N2 Ar:02 Ar:02 Ar:02 SiH4:H2 -
（9:1） （19:1） （9:1） （9:1） （1:9）
厚度(Å)
750~1300 900~2300 1200~1500 1500~2000 ~2000 4000~5000

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以Sputtering為例

Holder

30 cm
Sputtering target

Chamber

40 cm

„ 三氧化鎢(WO3)、氧化鉭(Ta2O5) 、二氧化錫
(SnO2) 、二氧化鈦(TiO2) 、氮化鋁(AlN)……. 30

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ISFET元件之製作
pH-ISFET元件之製作
¾ Substrate: p-type Si (100) wafer 8-12 Ω-cm. 四道
¾ Channel width: 1000μm. 光罩
¾ Channel length: 50μm.
¾ Thickness of the gate oxide (SiO2): 1000Å.
¾ After SiO2 gate ISFETs were completed, sensing materials were
formed onto the SiO2 gate by rf sputtering or other methods.

Sensing/SiO2

Drain Source

未包裝前之pH-ISFET 31

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元件的封裝流程

利用銀膠將銀線固定於元 利用環氧樹脂將元件面之連接
件之源極與汲極區 點初步固定，烘烤30分鐘

放進120℃烤箱中烘烤30分 將三條導線穿入滴管中，用環
鐘 氧樹脂塗封元件之邊緣及四週

利用環氧樹脂將銀線固定
於元件之汲極與源極區 ， 塗佈環氧樹脂後，放進120℃
烘烤30分鐘 烤箱中，烘烤30分鐘

利用銀膠將導線固定於元 是
件之背面 有無孔洞

否
放進120℃烤箱中烘烤30分
鐘 完成

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Drain

Gate Base
Wire
Ceramic Source
Substrate ISFET
(a)

Epoxy Drain

Base
ISFET Wire
Source
Sensor Head Glass
Tube
(b)

封裝後之pH-ISFET元件示意圖(a)感測頭區域 (b)元件外觀

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量 測 系 統

¾ C-V量測系統
¾ I -V量測系統
¾ 時漂與遲滯量測系統
¾ 照光量測系統
¾ 酸鹼讀出電路與量測系統

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C-V量測系統

HP 4284A
C-V System
Reference
Sample electrode

Dark box

Tube Computer
Buffer
Thermocouple
solution
Heater

PID Controller

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C-V曲線之量測
開啟電腦及C-V
量測系統之電源

量測後將元件與電極 ¾量測 C-V曲線係利用

準備待測pH緩衝液， 放入去離子水中清洗 電感-電容-電阻參數分
並將其放置量測暗箱 。之後，再用拭紙擦 析 儀 ( HP4284A)。 而 其
中 乾
C-V之量測系統如圖所
示。C-V特性曲線可以
再將元件與參考電極 分別於水溶液(EIS結構)
設定溫度與量測參數 放入另一個待測緩衝
使電腦與C-V量測系統 及空氣中(MIS結構)進
液中進行量測
連結 行量測。

將元件與參考電極放 重複量測之動作，直 ¾ 量測環境設定

入待測緩衝液中，並 至完成所有待測液之 溫度控制於25 ℃
與系統導線連接，等 量測 pH= 1, 3, 5, 7, 9, 11
待30秒後開始量測 暗箱中

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I-V量測系統
MOSFET Thermocouple
Keithley 4200 Ion Sensor

PID
Controller

Reference Electrode

Bark Box Heater

Solution
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I-V曲線之量測流程
開啟量測系統與
恆溫系統
更換緩衝液從新再
進行量測之動作
設定溫度與量測系統
之各個參數 待量測完成時，將檔
案儲存並繪圖，以求
取元件之各個參數值
將元件與參考電極放
入待測緩衝液30秒後
，進行量測， ¾ 以Keithley 236 量測系統測
量 pH-ISFET 之 IDS-VGS 與
IDS-VDS曲線。
量測後，放入去離子
水中清洗，並用擦拭 ¾ 量測環境設定
紙將元件與參考電極 溫度控制於 25 ℃
擦乾 pH= 1, 3, 5, 7, 9, 11
VDS = 0.2 V
暗箱中
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溫度效應之量測

¾ 利用I-V量測系統及量測流程進行實驗

¾ 量測條件:
溫度 = 5, 15, 25, 35, 45, 55, 65℃
1. pH = 1, 3, 5, 7, 9, 11 緩衝液
2. VDS = 0.2 V
3. 暗箱中

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時漂與遲滯量測系統

V-T
Recorder Reference
Electrode Thermocouple

pH-ISFET
B/S
Read Out Circuit D
G PID
Temperature
Controller

Multi-Meter

Dark Box
Buffer Solution
Heat and Cooling
Unit

40

20
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時漂與遲滯之量測
時漂量測條件

ISFET A1 R1
15K IDS = 60 μA
9V
D1 3V VDS = 0.2 V
100K
Reference IDS Time = 0 – 12 h
D2 2V
A
R2 9V pH = 1, 3, 5, 7, 9, 11
15K
100K
VG VO
A2 27K
遲滯量測條件
IDS = 60 μA
VDS = 0.2 V
恆壓恆流讀出電路 Time = 960s, 1920s,
3840s
pH = 7→3→7→11→7
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照光量測系統與量測條件
¾ 利用照光量測系統及
Lamp DC power supply I-V 量 測 流 程 進 行量
5cm 測
I-V 20cm
system
¾ 量測條件:
1. 溫度 = 25℃
Glass 2. 照光強度 = 0 ~ 4000
Reference electrode
Lux
Buffer solution
Dark box
3. pH = 1, 3, 5, 7, 9, 11
緩衝液
ISFET
4. VDS = 0.2 V
照光量測系統 5. 暗箱中
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酸鹼讀出電路與量測系統
™酸鹼感測計之完整系統方塊電路如下圖所示，主要可分為：
1.前置類比訊號處理模組：包含訊號檢測電路、訊號準位調整電路。
2.類比/數位轉換模組：包含類比/數位轉換電路。
3.數位輸出訊號處理模組：包含單晶片8051、LCD顯示器 。

酸鹼感測計之系統方塊圖 43

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pH酸鹼讀出電路與量測系統
開始

系統初始化

讀取pH4之數位
Load pH= 4 計算pH1~pH13
資料 之數位值

Load pH= 7 讀取pH7之數位

資料 LCD 顯示OK

讀取待測溶液之
數位值

確認待測pH值
之範圍

計算小數點下一
位之pH值

將計算之結果送
到LCD上

圖十五 檢測酸鹼值數據之操作流程圖
Yes 詢問是否重新進 No
行兩點校正
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結果與討論
以AlN氮化鋁感測膜為例
¾ C-V 曲線
¾ I-V 曲線
¾ 感測度之定義與萃取
¾ 響應時間
¾ 穩定性與重現性
¾ 遲滯與時漂
¾ 溫度效應
¾ 照光響應
¾ 熱處理之元件特性分析
¾ pH酸鹼值之讀出

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氮化鋁薄膜之特性

氮化鋁為III/V族之材料，亦係一種人工陶瓷材料，為六
方晶系之纖鋅礦型(Hexagonal Wurtzite)結構 。

(a) (b)
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氮化鋁結構： (a)單位晶胞圖(b)纖鋅礦結構立體圖

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氮化鋁薄膜之優點

無色且透光
具有高熱傳導率
高硬度、抗高溫
抗化學腐蝕性佳
良好的壓電性質
生物親合性佳
與Si相近之熱膨脹係數，因此被認定為IC封裝之
良好材料

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氮化鋁特性之應用
燒結助劑 窗材
酸鹼離子感測器 性 性
蝕 光
耐 透

生醫感測器 表面波元件
性
合 鋁 性
親 化 電
物 氮 壓
生
氯離子感測器
性 體
導 緣
傳 性 絕
熱
高 耐熱 電
氣
耐熱冶具、耐火物 及 封裝基板
48
放熱板、放熱品 IC、LSI基板

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電容電壓(C-V)曲線之量測
開啟電腦及C-V
量測系統之電源
¾量測 C-V曲線係利用
量測後將元件與電極放 電感-電容-電阻參數分
準備待測pH緩衝液，並 入去離子水中清洗。之 析 儀 ( HP4284A)。 而 其
將其放置量測暗箱中 後，再用拭紙擦乾
C-V之量測系統如圖所
示。C-V特性曲線可以
分別於水溶液(EIS結構)
再將元件與參考電極放
設定溫度與量測參數使 入另一個待測緩衝液中 及空氣中(MIS結構)進
電腦與C-V量測系統連 進行量測 行量測。
結
¾ 量測環境設定
將元件與參考電極放入 重複量測之動作，直至
完成所有待測液之量測
溫度控制於25 ℃
待測緩衝液中，並與系 pH= 1, 3, 5, 7, 9, 11
統導線連接，等待30秒
後開始量測
暗箱中

C-V量測流程 49

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EIS與MIS結構圖

Al
0.6㎝
0.6㎝

AlN AlN
SiO2(1000 Å) SiO2(1000 Å)
p-Si p-Si
Al(1500 Å) Al(1500 Å)
(a) (b)
EIS結構 MIS結構

50

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MIS--C-V 曲線

1.0
Normalized Capacitance(C/C0)

0.9
1KHz
5KHz
0.8 10KHz

0.7 50KHz
100KHz

0.6 1000KHz

-6 -4 -2 0 2 4

Gate Voltage(V)

在不同頻率下量測之電容-電壓曲線
51

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EIS--C-V 曲線
Normalized Capacitance (C/C0)

1.0

0.9 pH 12
pH 2
-0.4

0.8
Gate Voltage (V)

-0.6

56.7 mV/pH
-0.8
0.7

-1.0

0.6 2 4 6 8 10 12

pH Value

-5 -4 -3 -2 -1 0 1
Gate Voltage(V)

在10KHz頻率下，於不同pH值水溶液中之電容-電壓曲線
52

26
 2009/3/12

2009/3/11

電流電壓(I-V)曲線之量測
開啟量測系統與
恆溫系統
更換緩衝液從新再
進行量測之動作
設定溫度與量測系統
之各個參數 待量測完成時，將檔
案儲存並繪圖，以求
取元件之各個參數值
將元件與參考電極放
入待測緩衝液30秒後 ¾ 以Keithley 4200 量
，進行量測， 測 系 統 測 量 pH-
ISFET 之 IDS-VGS 與
IDS-VDS曲線。
量測後，放入去離子
水中清洗，並用擦拭 ¾ 量測環境設定
紙將元件與參考電極 溫度控制於 25 ℃
擦乾 pH= 1, 3, 5, 7, 9, 11
VDS = 0.2 V
暗箱中
ISFET元件I-V量測流程
53

2009/3/11

I-V 曲線
300 AlN/SiO 2 Gate ISFET
1.2
pH=1,3,5,7,9,11
1.1 o
Threshold voltage (V)

Slope ~ 55 mV/pH Temperature=25 C

250 1.0

0.9
Drain current, IDS (μΑ)

0.8
200
0.7

0.6
0 2 4 6 8 10 12
150 pH value

100 pH=1

pH=11
50
Δ Threshold Voltage ( Δ V T)
0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

Gate voltage, V GS (V)

AlN--pH-ISFET之IDS-VGS曲線
54

27
 2009/3/12

2009/3/11

I-V 曲線
100
pH=1
Linear Region
80 pH=3
Drain Current, IDS (μΑ)

pH=5

60 pH=7
pH=9
pH=11
40

Saturation Region
20
AlN/SiO2 Gate ISFET
VGS=3V
0
0 1 2 3 4 5
Drain to Source Voltage, VDS (V)

AlN--pH-ISFET之IDS-VDS曲線
55

2009/3/11

感測度之定義

Δ ψ0 Δ VT Δ V GS
Sensitivit y ≡ = =
Δ pH Δ pH Δ pH

表面電位隨酸鹼值改變

元件起始電壓隨酸鹼值改變

元件之閘源極電壓隨酸鹼值改變 56

28
 2009/3/12

2009/3/11

感測度之萃取
80

pH sensitivity (mV/pH)
60

40
V DS = 0.2 V
IDS = 60 μΑ
o
T = 25 C

20
0 5 10 15 20 25

Number

pH-ISFET恆壓恆流讀出電路之感測度輸出值

57

2009/3/11

感測度之比較

Ta 2O 5 /SiO 2 ISFET, 57.1 mV/pH [12,73,85]

a-WO 3 /SiO 2 ISFET, 51.5 mV/pH [53,81]
Threshold voltage (V)

2 a-Si:H/SiO 2 ISFET, 53 mV/pH [30,84]

AlN/SiO 2 ISFET, 54 mV/pH [58,59,72]
PbTiO 3 /SiO 2 ISFET, 58.8 mV/pH [88]
SnO 2 /SiO 2 ISFET, 57.3 mV/pH [15, 31,63]
1 Al2 O 3 /SiO 2 ISFET, 53.1 mV/pH [13,34, 87]
Si3 N 4 /SiO 2 ISFET, 54.5 mV/pH [12,32,86]

-1
0 2 4 6 8 10 12 14
pH value

不同感測材料於酸鹼溶液中起始電位的變化情形與量測範圍之比較

58

29
 2009/3/12

2009/3/11

感測度之比較
不同感測材料之感測度變化情形與量測範圍之比較

Membrane SiO2 Si3N4 Al2O3 SnO2

[2] [12,32,86] [13,34, 87] [15, 31,63]
Test range 4 ~ 10 1 ~ 13 1 ~ 13 2 ~ 10

Sensitivity 25 ~ 48 46 ~ 56 53 ~ 57 55~58
(mV/pH)
Membrane a-Si:H Ta2O5 AlN a-WO3
[30,84] [12,73,85] [58,59,72] [53,81]
Test range 1~7 2 ~ 12 1~11 1~7

Sensitivity 51~58 57~58 50~58 50~57

(mV/pH)

59

2009/3/11

響應時間

58

56
Sensitivity (mV/pH)

54

52

50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Exposure time (min)

AlN pH-ISFET之感測度與響應時間之關係曲線

60

30
 2009/3/12

2009/3/11

響應時間
AlN pH-ISFET之感測度與時間之響應速率關係

Exposure time (min) Sensitivity (mV/pH) Response degree* (%)

0.5 54.33 90.85

1 54.83 91.69

2 55.58 92.30

4 56.06 93.75

8 56.45 94.40

16 56.73 94.87

*Corresponding to the percentage of the Nernstian response

61

2009/3/11

響應時間
反應時間(Response time)

1.6
alkaline

1.5
Output voltage (V)

1.4
Response tim e < 0.5 sec

1.3 Injecting
acid buffer solution

1.2

acid
1.1

4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Tim e (Sec)

AlN pH-ISFET之反應時間曲線
62

31
 2009/3/12

2009/3/11

穩定性與重現性

80
Drain current, IDS (μΑ)

60 AlN/SiO2 Gate ISFET

Testing in the pH=1
First testing
40 Testing after 30 min

20

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

Gate voltage, VGS (V)

AlN pH-ISFET之I-V量測曲線
63

2009/3/11

穩定性與重現性

1.2

First
1.1
Secondary
Threshold voltage (V)

1.0

0.9

0.8

0.7
AlN/SiO 2 Gate ISFET

0.6

0 2 4 6 8 10 12
pH value

AlN pH-ISFET之感測度反應

64

32
 2009/3/12

2009/3/11

穩定性與重現性
70

60
pH sensitivity (mV/pH)

50

40

30
AlN pH-ISFET
Average pH Sensitivity=56mV/pH

20
0 5 10 15 20 25 30
Time (Day)
可維持一個月以上
AlN pH-ISFET之穩定度反應情形

65

2009/3/11

時漂效應
1. 時漂的起因，乃是感測膜表面水化層(Hydrated layer)形成，導致臨界電壓改
變，且水化層厚度隨著時間增加而增加，如此造成輸出漂移的現象。
2. 另外，在恆溫條件下，時漂會貫穿整個量測過程，與元件界面反應無關。但其
輸出則與時間、量測電路、參考電極和元件本身有關，
3. 故對元件作長時間的觀察量測，當元件界面反應平衡後，閘極電壓對時間的變
化率dVGS/dt即為元件的時漂輸出，此時漂輸出亦可經由dVT/dt的測量獲得。
1.5

1.4
Gate voltage (V)

1.3

1.2 Drift rate = 2.428 m V/h

pH = 7

1.1
AlN pH-ISFET之時漂曲線
1.0
0 2 4 6 8 10 12
66
Time (Hour)

33
 2009/3/12

2009/3/11

時漂效應

4
pH Drift
value rate
(mV/h)
3
1 0.143
Drift rate (mV/h)

2 3 0.187

1
5 0.721

7 2.428
0

0 2 4 6 8 10 12
9 3.626
pH value
11 3.871
AlN pH-ISFET於不同緩衝液之時漂趨勢

67

2009/3/11

時漂效應

不同感測材料於pH=7水溶液之輸出漂移變化情形之比較

Sensing
AlN a-WO3[81] a-Si:H[89] Si3N4[90] Ta2O5[85] SnO2[91]
material
Drift
rate 2.43 15.6 6.53 0.83 0.72 1.65
(mV/h)

68

34
 2009/3/12

2009/3/11

遲 滯 現 象
所謂遲滯，係指當溶液之pH 值突然改變後，又再次回至原來的pH值
時，元件之輸出電壓會與原先pH值未改變前之輸出電壓有所不同，
即量測順序pHx→pHy→pHx→pHz→pHx 的情況下，其前後兩次pHx 所
測量的輸出值並不會相同，此電壓輸出之差值即為遲滯。

V2 pHy
Gate Voltage, mV

0 H pHx

V1 pHz

0 5 10 15 20
Time(min)

遲滯效應量測示意圖 69

2009/3/11

遲 滯 現 象
Testing route:
pH 7 →6 →5 →4 →3 →4 →5 →6 →7
→8 →9 →10 →11 →10 →9 →8 →7
20

10 Start
Residual of response (mV)

Testing route

-10

-20
Hysteresis = 1 mV, loop time = 960s
Hysteresis = 1.5 mV, loop time = 1920s
Hysteresis = 4.5 mV, loop time = 3840s
-30
2 4 6 8 10 12

pH value

AlN pH-ISFET之遲滯寬度殘值圖
70

35
 2009/3/12

2009/3/11

遲 滯 現 象
不同感測材料之遲滯寬度變化情形之比較
Sensing materials
(route) Hysteresis (mV) Loop time (min)

[84]
a-Si:H
2.2 52
(pH 4-1-4-7-4)
Al2O3[87]
2 16
(pH 8-3-8-11-8)
[5]
Al2O3
4.2 155
(pH 8-3-8-11-8)
[12]
Si3N4
7.1 92
(pH7-3-7-11-7)
Ta2O5[85]
3.4 64
(pH 7-3-7-11-7)
Ta2O5[12]
4.0 160
(pH 7-3-7-11-7)
[15,63]
SnO2
2.5 12
(pH 7-4-7-10-7)
1 16
AlN
1.5 32
(pH 7-3-7-11-7) 71
4.5 64

2009/3/11

遲 滯 現 象

„ pH-ISFET元件的慢響應係造成遲滯的主要原因

„ 離子由接近表面的絕緣體中的buried site擴散至感
測膜表面的速率非常慢，故會形成慢響應。

„ 由於H+和OH-離子的大小不同，H+離子擴散的速率高
於OH- 離子，故於酸性溶液中遲滯量較小，而鹼性溶
液中遲滯量較大，造成遲滯曲線的不對稱。

72

36
 2009/3/12

2009/3/11

溫度效應

™所謂溫度效應即溫度發生改變時，ISFET的相關感測特性將會出
現變化。

™其中影響ISFET測量的溫度因素共分：（1）參考電極之溫度效
應。（2）待測液之溫度效應。（3）臨界電壓之溫度效應。（4）
表面電位之溫度效應。

™ 由於各種因素，造成感測度隨著溫度變化，而感測度之溫度係數
(Temperature Coefficient of Sensitivity, TCS)，即是研究之重點。

73

2009/3/11

溫度效應
200
AlN/SiO 2 Gate ISFET
pH=1, VDS= 0.2 V 25 C
o

o
150 15 C o
35 C
Drain current, IDS (μΑ)

o
5C o
45 C
o
55 C
100 o
Isothermal point 65 C

50 o
65 C

o
5C
0

0.5 1.0 1.5 2.0

Gate voltage, VGS (V)

AlN pH-ISFET之溫度效應量測曲線
74

37
 2009/3/12

2009/3/11

溫度效應

50
pH=1

40
Drain current, IDS (μA)

Isothermal point
at pH=1,3,5,7,9,11
30
pH=3

20
pH=5
pH=7

10 pH=9
pH=11

0
1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
Gate voltage, V GS (V)

AlN pH-ISFET之零點溫度係數趨勢
75

2009/3/11

溫度效應

1.2

1.1

1.0
Threshold voltage (V)

0.9

0.8

0.7 AlN/SiO2 Gate ISFET

o
- - T=5 C, Slope=48.38 mV/pH
0.6 - -
o
T=15 C, Slope=52.50 mV/pH
o
- - T=25 C, Slope=53.83 mV/pH
0.5 o
- - T=35 C, Slope=54.46 mV/pH
o
0.4 - - T=45 C, Slope=56.0 mV/pH
o
- - T=55 C, Slope=56.36 mV/pH
o
0.3 - - T=65 C, Slope=57.25 mV/pH

0.2
0 2 4 6 8 10 12
pH value

AlN pH-ISFET感測度與溫度之關係 76

38
 2009/3/12

2009/3/11

溫度效應
58

56
Sensitivity (mV/pH)

54

52

Sensitivity
o
50 Slope=0.130m V/pH C

48

0 10 20 30 40 50 60 70
o
Temperature ( C )

AlN pH-ISFET感測度之溫度係數
77

2009/3/11

溫度效應
58

56
Sensitivity (mV/pH)

54

52

50
o
IV measurement, slope=0.130mV/pH C
o
48
CVCC measurement, slope=0.117mV/pH C

0 10 20 30 40 50 60 70
o
Temperature ( C)

不同量測方式之 AlN pH-ISFET感測度之溫度係數

78

39
 2009/3/12

2009/3/11

溫度效應

70
Si3N 4 [32]
Al2O 3 [87]
65
SnO 2 [15]
a-W O 3 [81]
a-Si:H [30]
Sensitivity (mV/pH)

60 Ta 2 O 5 [73]
AlN [72]
PbTiO 3 [92]
55

50

45

40
0 10 20 30 40 50 60 70
O
Temperature ( C )

不同感測材料 pH-ISFET感測度與溫度之變化情形

79

2009/3/11

溫度效應
不同感測材料之感測度溫度係數之比較
Membrane Si3N4 Al2O3 SnO2 a-WO3
[32] [87] [15] [81]
Test range 2 ~ 10 1 ~ 13 2 ~ 10 1~7

Temperature 0.307 0.315 0.166 0.268

coefficient of
sensitivity
(mV/pH℃)
Membrane a-Si:H Ta2O5 AlN PbTiO3
[30] [73] [72] [92]
Test range 1~7 2 ~ 12 1~11 2 ~ 12

Temperature 0.246 0.134 0.130(I-V) 0.101

coefficient of
sensitivity 0.117(CCCV)
(mV/pH℃) 80

40
 2009/3/12

2009/3/11

照光響應
200

160 Light-induced variation = 36.2 μA/1000lux

Drain current , IDS (μA)

120

80

40

0
0 1000 2000 3000 4000
Light intensity (lux)

不同照光強度下AlN pH-ISFET汲極電流變化情形
81

2009/3/11

照光響應

60
pH sensitivity (mV/pH)

40

AlN pH-ISFET placed in pH=1~11

20 under variaous light intensity

0 200 400 600 800 1000

Light intensity ( lux )

不同照光強度下AlN pH-ISFET感測度變化情形
82

41
 2009/3/12

2009/3/11

熱處理之元件特性分析

1
Gate voltage (V)

-1

-2 non-annealed, Slope=54.5 mV/pH

o
200 C, Slope=55.4 mV/pH
o
300 C, Slope=57.7 mV/pH
-3 o
400 C, Slope=52.4 mV/pH
o
500 C, Slope=52.8 mV/pH
-4
0 2 4 6 8 10 12 14
pH value

不同溫度進行熱處理AlN pH-ISFET感測度之變化情形
83

2009/3/11

酸鹼感測器之讀出電路

為了使ISFET成為商品化且可作為攜帶式檢測工具，我們針對
酸鹼感測計設計一套完整電路系統，主要可分為前置類比訊
號處理模組、類比/數位轉換模組、數位輸出訊號處理模組，
其中類比訊號處理模組可分為訊號檢測電路及訊號準位調整
電路，此係為了配合後段之A/D轉換電路使用，將ISFET對不
同酸鹼度溶液所造成之不同界面電勢，經訊號檢測電路將化
學訊號轉換成電位訊號後，再經由電位準位調整電路將電位
訊號調至適當之電位值，以利於A/D轉換器將類比電壓訊號轉
換成數位訊號，最後訊號即可經由微處理器計算並顯示結果
於LCD上，告知量測者現在未知溶液之酸鹼度為多少。

84

42
 2009/3/12

2009/3/11

pH感測計

„ 系統之量測
„ 使用pH 4與pH 7溶液校正。

„ 準備pH 1到pH11的標準溶液各一瓶，以AlN pH-ISFET

酸鹼感測計測量溶液之pH值，另外並使用商品化之玻璃
電極酸鹼感測計量測其pH值。
85

2009/3/11

AlN pH-ISFET與玻璃電極pH計之讀出數據與誤差值

Standard buffer
pH 1 pH 2 pH 3 pH 4 pH 5 pH 6 pH 7 pH 8 pH 9 pH 10 pH11
solution

pH meter with glass

1.03 2.09 3.05 4.04 5.05 6.02 7.03 7.97 8.94 9.86 11.02
electrode

pH meter with AlN

1.2 2.1 3.3 4.0 5.1 6.1 6.9 7.9 8.9 9.8 11.0
pH-ISFET

Deviation of AlN pH-

ISFET ±0.085 ±0.005 ±0.125 ±0.02 ±0.025 ±0.04 ±0.065 ±0.035 ±0.02 ±0.03 ±0.01

pH meter with glass electrode − pH meter with AlN pH - ISFET

Deviation = ±
2

－0.13 pH ~ ＋0.25 pH
86

43
 2009/3/12

2009/3/11

不同感測材料之pH-ISFET元件操作規格
Sensitive gate
a-Si:H[93,94] SnO2[93] a-C:H [94] AlN a-WO3
material

Drain voltage,
0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
VDS (V)

Drain current,
50 50 50 60 60
IDS (µA)

Sensitivity
(mV/pH) 50.62 57.36 50.62 50~58 50~57
(at 25℃)

Temperature
coefficients of
0.24 0.173 0.203 0.130 0.268
sensitivity
(mV/pH℃)

Drift (mV/h)
3.42 6.73 1.56 2.428 15.6
(at pH 7)

Hysteresis
Magnitude is dependent on measuring cycle and route
(mV)

pH meter power
±
DC 9V, DC 5V
supply

Calibration Two point calibration

pH value of
pH 4, pH 7
calibration

Operation
temperature 15℃~45℃ 15℃~45℃ 5℃~55℃ 5℃~65℃ 25℃~65℃
(℃)

Testing range pH 1 ~ 7 pH 1 ~ 9 pH 1 ~ 10 pH 1 ~ 11 pH 1 ~ 7
87

2009/3/11

Summary-1
以氮化鋁薄膜作為酸鹼離子感測膜其結果歸納如下：
1. 在濃度為pH=1~11範圍，量測溫度為25℃中，其AlN pH-ISFET元件
的感測度範圍分佈於50~58 mV/pH之間。
2. AlN pH-ISFET元件時漂值在 pH 1，3，5，7 ，9 ，11中的量測值為
0.143，0.187，0.721，2.428 ，3.626 ，3.871 mV/h 。此結果證實時
漂值會隨著pH值的增加而增加，亦證實了OH－離子對於時漂量的影
響，當OH－離子濃度越大，則水化層厚度隨時間之增加而變大，故
時漂值會增加。
3. 在測量時間為960、1920、3840秒中經由pH=7→3→7→11→7的量測
路徑所獲得的遲滯寬度分別為1.0、1.5和4.5 mV。測量時間越長所造
成的遲滯量越大。
4. 在溫度效應量測中，元件可操作於5~65 ℃的環境溫度範圍中，且感
測度隨量測溫度之上升而增加，其感測度隨溫度變化之係數約為
0.13 mV/pH℃。
88

44
 2009/3/12

2009/3/11

Summary-2
5. 在穩定度的實驗中發現 AlN pH-ISFET元件的量測穩定度可達30天以上。
6. 藉由恆壓恆流讀出電路量取AlN pH-ISFET元件的閘極輸出電位，對於線
性度、穩定性與重現性之量測皆有良好的輸出表現。所測得酸鹼誤差值
範圍在－0.13 pH ~ ＋0.25 pH 。
7. 在與其他感測膜特性分析比較結果中，發現以氮化鋁薄膜作為酸鹼離子
感測材料，其線性度高、反應快速且穩定，快響應時間短且有90%以上
的響應輸出。對於溫度效應與化學特性亦有良好的穩定性。對往後之應
用及商品化有極大的發展空間。
8. 本 研 究 群 所 研 究 之 感 測 膜 材 料 ， 如 Si3N4、Al2O3、SnO2、a-WO3、a-
Si:H、Ta2O5、AlN、PbTiO3 等皆有高感測度（大於50mV/pH）、好的感
測特性（線性響應）及響應時間快（小於0.5秒）。除此之外，時漂、遲
滯係影響ISFET元件之主要特性且為時間之主要因素。換句話說，時漂與
遲滯係時間之相依變數。此外，時漂亦會隨pH值之增加而增加，遲滯寬
度會隨遲滯迴路之路徑及時間之增加而增加。而溫度效應亦係影響元件
及限制元件之特性。 89

2009/3/11

EGFET離子感測元件

90

45
 2009/3/12

2009/3/11

EGFET--以ITO Glass為例
₤ ITO薄膜之優點與應用
₤ ITO Glass 氫離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 氯離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 鹽酸普魯卡因感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 非理想效應
₤ 結論

91

2009/3/11

ITO之優點及應用
於可見光範圍內(波長380~760 nm)具有80%以上之高穿透性。
紅外線反射率大及紫外線吸收率強 。
擁有良好導電性 。
具有特別之光學及電特性 。
作為透明電極(尤以LCD最為廣泛應用) 。
抗反射層。
熱反射鏡。
除霜器。
抗靜電薄膜及太陽能收集器。
其特殊之光學特性可應用於節省能源之防反光塗佈及熱反射膜。
92

46
 2009/3/12

2009/3/11

₤ ITO薄膜之特性
₤ ITO Glass 氫離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 氯離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 鹽酸普魯卡因感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 非理想效應
₤ 結論

93

2009/3/11

氫離子感測元件之備製
Epoxy Sensing Window

MOSFET
ITO
Glass
Conducting wire
圖6 ITO Glass延伸式閘極場效電晶體之架構圖

元件封裝後之外觀 94

47
 2009/3/12

2009/3/11

封裝後之外觀

95

2009/3/11

I-V 量 測 架 構

96

48
 2009/3/12

2009/3/11

I-V量測系統架構

MOSFET Thermocouple
Keithley 4200 Ion Sensor

PID
Controller

Reference Electrode

Bark Box Heater

Solution
97

2009/3/11

ITO Glass氫離子感測器之應用
1.4 0.5
ITO Glass
Transconductance, Gm (μA V )

1.2
-1

o
Drain Source Current, IDS (mA)

Temperature=25 C
0.4
1.0
pH=1,3,5,7,9,11
Sensitivity=60.12 mV/pH
0.8
pH1 pH11 pH1 pH11 0.3
Regression=0.99589
0.6
0.2

0.4
2.1
0.1 ITO Glass
0.2 Drain Current (IDS)=0.2 mA
2.0 Sensitivity=60.12 mV/ pH
Output Voltage (V)

0.0 0.0 Regression=0.99589

1.9
0 1 2 3 4 5 6
Gate-Source Voltage, VGS (V) 1.8

商品化ITO Glass應用於檢測氫離子之感測 1.7

特性曲線 1.6

1.5

1.4
0 2 4 6 8 10 12
pH Value
98
商品化ITO Glass感測趨勢

49
 2009/3/12

2009/3/11

溫度效應之量測

65 1.5
1.0 pH=7 Sensitivity
o
Temperature=10,20,30,40,50 C Temperature coefficient
1.4
Drain-Source Current,lDS(mA)

0.8 60

Sensitivity (mV/pH)
1.3

Linear Regression
0.6
o
55 0.307mV/pH C 1.2
0.4
o
10 C 1.1
0.2 o
50 Linear Regression
50 C
1.0
0.0

45 0.9
0 1 2 3 4 5 6 10 20 30 40 50
o
Gate-Source Voltage,VGS(V) Temperature ( C)

ITO pH-EGFET置於pH7緩衝溶液中，於 不同溫度環境下之感測度與線性響應趨勢

不同溫度環境之IDS-VGS響應特性曲線
99

2009/3/11

₤ ITO薄膜之特性
₤ ITO Glass 氫離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 氯離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 鹽酸普魯卡因感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 非理想效應
₤ 結論

100

50
 2009/3/12

2009/3/11

氯離子檢測方式
試劑法 感測器檢測法
使用化學試劑或試紙檢測氯離子 利用感測器將氯離子之濃
之成分，進而用光度法等技術進 度轉換為電量進行測量。
行定量之檢測 。

定量性佳，適合大量樣品之檢查 優 點
於自動生化分析儀中廣泛被應用 • 量測簡便
為目前臨床上生理研究最主要之 • 裝置小型
生化檢測方法 • 速度快
缺點是設備複雜 • 易實現即時與多參數同時
不能進行即時和動態量測 測量
試劑對環境有污染 • 無試劑污染
操作較複雜、成本亦較為昂貴 101

2009/3/11

氯離子感測膜之備製
四氫呋喃(Tetrahydrofuran，THF)
聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride，PVC)高分子材料
癸二酸二辛酯(Bis(2-ethylhe-xyl)sebacat， DOS)塑化劑
汞有機離子載體({u-[4,5-Dim-ethyl-3,6-bis(dodecyloxy)-1,2-
phenylene]}bis(mercury chloride), ETH9033)
陰離子交換劑((Tridode- cylmethylammonium Chloride, TDDMACl)
PVC +DOS +THF (1號溶液)
ETH9033 + THF (2號溶液)
TDDMACl +THF (3號溶液)

PVC
+ MOSFET
DOS ETH9033 TDDMACl
+
+ + Ionophores 102
THF THF THF

51
 2009/3/12

2009/3/11

I-V量測結果
5

4
Chloride Ion-Sensor Chloride Ion-Sensor

Drain-Source Current, IDS (mA)

o
Drain-Source Current, IDS (mA)

o
Temperature=25 C Temperature=25 C
-5 4 -5
NaCl Solution=1 mol/L ~ 10 mol/L KCl Solution=1 mol/L ~ 10 mol/L
3 V GS=3 V VGS=3 V
-5
-5
3 10 mol/L
10 mol/L
2
2
1 mol/L
1
1 mol/L
1
Drain Sensitivity=14.89 mA/pCl Drain Sensitivity=14.4 mA/pCl
Regression=0.99883 Regression=0.99718
0
0
0 1 2 3 4 5
0 1 2 3 4 5
Drain-Source Voltage, V DS (V)
Drain-Source Voltage, VDS (V)

(b) (a)
氯離子感測元件分別於1 mol/L ~ 1×10-5 mol/L濃度之汲極電壓對汲
極電流之反應趨勢。(a) 於氯化鉀(KCl)溶液之響應趨勢。(b)於氯
化鈉(NaCl)溶液之響應趨勢。
103

2009/3/11

I-V量測結果
1.6 0.6
Chlorine Ion-Sensor
Transconductance, Gm (μA V )
-1
Drain-Source Current, IDS (mA)

1.4 o
Temperature=25 C 0.5
-5
Gate Voltage Sensitivity=100.65 mV/pCl
1.2 KCl Solution=1 mol/L ~ 10 mol/L Regression=0.99803
0.4
1.0 -5
10 mol/L 1.4 0.5
-5
10 mol/L 1 mol/L
0.8 1 mol/L 0.3 Chlorine Ion-Sensor
Drain-Source Current, IDS (mA)

Transconductance, Gm (μA V )

o
-1

1.2 Temperature=25 C
0.6 -5 0.4
0.2
NaCl Solution=1 mol/L ~ 10 mol/L
1.0
0.4 -5
10 mol/L 1 mol/L
-5
10 mol/L 0.3
0.1 0.8
0.2
0.6 1 mol/L
0.0 0.0 0.2

0 2 4 6 0.4
0.1
Gate-Source Voltage, VGS (V) 0.2

(a) 0.0 0.0

0 2 4 6
Gate Voltage Sensitivity=91.58 mV/pCl
Gate-Source Voltage, VGS (V)
Regression=0.99714
(b)
氯離子感測元件分別於1 mol/L ~ 1×10-5 mol/L濃度之閘極電壓對汲極電流之
反應趨勢。(a)元件於氯化鉀(KCl)溶液之響應趨勢。(b)元件於氯化鈉(NaCl)
溶液之響應趨勢。 104

52
 2009/3/12

2009/3/11

Sensitivity
NaCl Solution
2.0 Sensitivity=100.65 mV/pCl
Regression=0.99803 2.8 KCl Solution
Drain Sensitivity=14.4 mA/pCl
Regression=0.99718
Output Voltage (V)

1.8
2.4

Drain Current, IDS (mA)

1.6
2.0

1.4 1.6
KCl Solution
Sensitivity=91.58 mV/pCl
Regression=0.99714 NaCl Solution
1.2 1.2
Drain Sensitivity=14.89 mA/pCl
1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 Regression=0.99883
Concentration (mol/L) 0.8
1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10
Concentration (mol/L)
(a)
(b)
氯離子感測元件之感測趨勢。(a)工作電流 IDS= 0.2 mA 之閘極電位
感測趨勢。(b)汲極電流對溶液之濃度感測變化趨勢。
105

2009/3/11

量 測 結 果
不同氯離子感測元件於KCl及NaCl溶液中之閘極電壓及汲極電流之感測輸出響應

氯化鉀 氯 化 鉀 氯化鈉溶 氯 化 鈉 氯 化 鈉
氯化鉀溶液 氯化鉀溶液 氯化鈉溶液
溶液之 溶 液 之 液之閘極 溶 液 之 溶 液 之
元 之閘極電壓 之汲極電流 之汲極電流
閘極電 汲 極 電 電壓感測 閘 極 電 汲 極 電
件 感 測 度 感 測 度 感 測 度
壓線性 流 線 性 度 壓 線 性 流 線 性
(mV/pCl) (mA/pCl) (mA/pCl)
度 度 (mV/pCl) 度 度

1 91.58 0.99714 14.4 0.99718 100.65 0.99803 14.89 0.99883

2 97.61 0.99828 15.66 0.99869 90.01 0.9995 14.89 0.99951

3 91.98 0.99297 14.4 0.99392 79.68 0.99543 12.43 0.99823

4 100.21 0.99732 15.8 0.99763 93.66 0.98343 13.2 0.9905

5 136.54 0.99725 20.49 0.99706 109.82 0.9986 16.94 0.99763

106
6 84.34 0.99945 14.06 0.99953 151.17 0.98646 20.8 0.97605

53
 2009/3/12

2009/3/11

V-T 量 測 架 構

107

2009/3/11

量 測 架 構

Voltage Meter
HP34401A

(Reference Electrode)
Device Solution

108
恆壓恆流(CVCC)量測系統架構圖

54
 2009/3/12

2009/3/11

量 測 結 果
2.6

2.5
Temperature=25 C
-4
KCl Solution=1mol/L~1x10 mol/L Sensitivity=58.24 mV/pH
Time=300 s
Regression=0.0.99931
Output Voltage (V)

CVCC Current
2.4
VDS=0.2 V, IDS=0.2 mA
1mol/L
2.35
2.3
KCl
2.30 Sensitivity=58.24 mV/pCl
2.2 Linear Regression=0.99931

2.25

Output Voltage (V)

2.1
-4
1x10 mol/L
2.20
2.0
0 50 100 150 200 250 300
Time (sec) 2.15

2.10

2.05
1E-4 1E-3 0.01 0.1 1
Concentartion (mol/L)

109
氯離子選擇膜於KCl溶液之V-T響應趨勢。

2009/3/11

₤ ITO薄膜之特性
₤ ITO Glass 氫離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 氯離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 鹽酸普魯卡因感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 非理想效應
₤ 結論

110

55
 2009/3/12

2009/3/11

鹽酸普魯卡因藥物感測元件之備製

PVC+DOS+THF Phosphotungstic Acid

Sensing Window
Procaine Hydrochloride Film
Epoxy

MOSFET
ITO Glass
Conducting Wire

鹽酸普魯卡因藥物感測膜之備製
111

2009/3/11

鹽酸普魯卡因待測溶液之調配
依其鹽酸普魯卡因之分子量及D. I. Water進行離子莫耳濃度1
mol/L ~ 10-6 mol/L待測溶液之調配，其公式如下：
W
分子量 1000 VmL
1M = ×
100 mL 1 VL

1 mol/L 10-1 mol/L 10-2 mol/L 10-3 mol/L

10-4 mol/L 10-5 mol/L 10-6 mol/L

112

56
 2009/3/12

2009/3/11

I-V量測結果
1.0

Transconductance, Gm(μA V )
Drain-Source Current, IDS (mA)

0.25

-1
-6

Sensitivity=139 mV/pH
1X10 M
-2
0.8 1X10 M -2
1X10 M

Regression=0.98597
0.20

0.6
0.15
-6
1X10 M
0.4
0.10 2.1
Procaine Hydrochloride Sensor
0.2
0.05 2.0 ITO Glass
Procaine Hydrochloride Sensor
ITO Glass Sensitivity=139 mV / pC
0
0.0
Temperature=25 C Regression=0.98597
-2 -6
Concentration=1x10 ~ 10 mol/L 0.00 1.9

Output Voltage (V)

0 1 2 3 4 5 6
Gate-Source Voltage, VGS (V) 1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 0.01

Concentration (mol/L)

鹽酸普魯卡因藥物感測元件無活化時的電流-電壓響應趨勢113

2009/3/11

I-V量測結果
1.1 0.35

1.0
0.30 Sensitivity=77 mV/pH
Transconductance, Gm(μA V )
-1

0.9
Drain-Source Current, IDS (mA)

-6

Regression=0.98769
1X10 M
0.8 -2 0.25
1X10 M
0.7
0.20
0.6 -2
-6
1X10 M
0.5 1X10 M
0.15
0.4
2.35 Procaine Hydrochloride Sensor
0.3 0.10
ITO Glass
0.2 2.30 Sensitivity=77 mV / pC
Procaine Hydrochloride Sensor 0.05
0.1 ITO Glass
Regression=0.98769
0
0.0 Temperature=25 C 2.25
0.00
Output Voltage (V)

-2 -6
Concentration=1X10 mol/L ~ 10 mol/L
-0.1
0 2 4 6 2.20
Gate-Source Voltage, VGS (V)
2.15

2.10

2.05

2.00

1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 0.01

Concentration (mol/L)

114
鹽酸普魯卡因藥物感測元件活化12 hr的電流-電壓響應趨勢

57
 2009/3/12

2009/3/11

I-V量測結果
0.35

1.0
-6
0.30 Sensitivity=40 mV/pH
Regression=0.99398
1X10 M

Transconductance, Gm(μA V-1)

-2
1X10 M
Drain-Source Current, IDS (mA)

0.8 0.25

-6 -2 0.20
0.6 1X10 M 1X10 M
2.20
0.15 Procaine Hydrochloride Sensor
0.4 2.18
ITO Glass
0.10 Sensitivity=40.4 mV / pCl
2.16
Regression=0.99398
0.2
Procaine Hydrochloride Sensor 0.05 2.14

Output Voltage (V)

ITO Glass
0
Temperature=25 C 2.12
0.0 -2 -6 0.00
Concentration=1X10 ~ 10 mol/L
2.10
0 1 2 3 4 5 6
2.08
Gate-Source Voltage, VGS (V)
2.06

2.04

2.02

1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 0.01

Concentration (mol/L)

115
鹽酸普魯卡因藥物感測元件活化24 hr的電流-電壓響應趨勢

2009/3/11

量 測 結 果

鹽酸普魯卡因無活化、活化12小時及24小時之比較

無活化 活化12小時 活化24小時

感測範圍 1×10-2 ~ 1×10-6 mol/L
感測度 139 mV/pC 77 mV/pC 40 mV/pC
線性度 0.98597 0.98769 0.99398
穩定狀態 差 可 佳

116

58
 2009/3/12

2009/3/11

₤ ITO薄膜之特性
₤ ITO Glass 氫離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 氯離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 鹽酸普魯卡因感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 非理想效應
₤ 結論

117

2009/3/11

非理想效應

遲滯效應之定義

所謂遲滯效應，係指當溶液之pH值突然改變後
又再回到原來pH值時，元件之輸出電壓與原先pH值
未改變前之輸出電壓有所不同，即測量順序如
pHX→pHY→pHX →pHZ→pHX情況下，其遲滯效應殘
值計算方式如公式所示。

⎡ ( pH X − pH Y ) ⎤
⎢⎣ + Slope ⎥⎦ 2
2
氯離子遲滯效應暨為pCl 118

59
 2009/3/12

2009/3/11

遲滯效應之定義
V2 pHy
Gate Voltage, (mV)

H
0 pHx

V1 pHz

0 5 10 15 20
Time (min)

遲滯效應之系統與V-T量測系統相同。

119

2009/3/11

量 測 結 果
2.7 o
Temperature=25 C
-4
2.6
KCl Solution=1 mol/L~ 1x10 mol/L
Time=300 s
CVCC Current
Output Voltage (V)

2.5
VDS=0.2 V, IDS=0.2 mA
2.4 1M
1M
-1 -1
2.3
1x10 M 1x10 M -1
-2
1x10 M -2 1x10 M
1x10 M -2
1x10 M
2.2 -3 -3
1x10 M 1x10 M
-3
-4 1x10 M -4
2.1 1x10 M 1x10 M

2.0

-500 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500
Time (sec)

ITO氯離子感測元件分別於1 mol/L ~ 1×10-4 mol/L氯化鉀

(KCl)待測液之量測響應曲線 120

60
 2009/3/12

2009/3/11

量 測 結 果
2.7
o
Temperature=25 C
2.6 -4
KCl Solution=1 mol/L~ 1x10 mol/L
CVCC Current
2.5 Time=300 s
Output Voltage (V)

VDS=0.2 V, IDS=0.2 mA
2.4
1M
-1
1x10 M
2.3 -2
1x10 M 1M
-1
1x10 M
-3 1x10 M
2.2 -2
-4 1x10 M
1x10 M
-3
2.1 1x10 M
first Cycle
-4 third Cycle
1x10 M
2.0

-200 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

Time (sec)

氯離子感測元件於KCl溶液1 mol/L ~ 1×10-4 mol/L量測

121
第一次及第三次之電位差比較圖

2009/3/11

量 測 結 果
10
17.735 mV
11.625 mV
8 10.64 mV
Residual of Regression (mV)

1E-4 1E-3 0.01 0.1 1

Concentration (mol/L)
122
ITO氯離子感測元件之遲滯曲線殘值圖

61
 2009/3/12

2009/3/11

量 測 結 果

氯離子感測元件之感測度、線性度及遲滯量之比較

迴圈數 感測度 線性度 遲滯量

第一次迴圈 63.77 mV 0.9989 17.735 mV
第二次迴圈 51.55 mV 0.99478 11.625 mV
第三次迴圈 49.58 mV 0.99866 10.64 mV

123

2009/3/11

₤ ITO薄膜之特性
₤ ITO Glass 氫離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 氯離子感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 鹽酸普魯卡因感測元件之備製及其應用
₤ ITO Glass 非理想效應
₤ Summary

124

62
 2009/3/12

2009/3/11

Summary
量測範圍 感測度 線性度
氫離子 pH 1 ~11 60.12 mV/pH 0.99589
氯離子 1~ 10-5 mol/L 79.68 ~ 151.17 mV/pCl 趨近於1
無活化 10-2 ~10-6 mol/L 139 mV/pC 0.98597
普魯
活化12H 10-2 ~10-6 mol/L 77 mV/pC 0.98769
卡因
活化24H 10-2 ~10-6 mol/L 40.4 mV/pC 0.99398

以ITO Glass備製成離子感測元件，應用於氫、氯及普魯卡銦
藥物感測，擁有良好之感測能力。

ITO Glass對於感測元件之非理效應之量測，亦擁有低遲滯殘
值效應，故應用於離子之監測時對元件之干擾小。
125

2009/3/11

以IZO薄膜為EGFET離子感測元件為例

₪ 氧化銦鋅薄膜之特性
₪ 氧化銦鋅薄膜之備製
₪ 氧化銦鋅薄膜表面結構分析
₪ 氧化銦鋅氫離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜氯離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜非理想效應
₪ Summary

126

63
 2009/3/12

2009/3/11

₪ 氧化銦鋅薄膜之特性
₪ 氧化銦鋅薄膜之備製
₪ 氧化銦鋅薄膜表面結構分析
₪ 氧化銦氫離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜氯離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜非理想效應
₪ 結論

127

2009/3/11

氧化銦鋅薄膜之特性
氧化銦鋅(Indium-Zinc-Oxide (In2O3-ZnO, IZO))薄膜係近年來被廣
為研究之透明導電氧化物。

於文獻中發現其具有
良好之導電率。
高可見光穿透率。
高電傳導性。
低沉積成長溫度。
高薄膜沉積速率。

128

64
 2009/3/12

2009/3/11

₪ 氧化銦鋅薄膜之特性
₪ 氧化銦鋅薄膜之備製
₪ 氧化銦鋅薄膜表面結構分析
₪ 氧化銦氫離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜氯離子感測元件之備製及其應用
₪ Summary

129

2009/3/11

氧化銦鋅感測膜之備製
利用射頻濺鍍系統於矽基板上濺鍍氧化銦鋅。
靶材係以90：10 wt%之氧化銦(In2O3)與氧化鋅(ZnO)而組成。
控制氬氣/氧氣流量比為20：1。
射頻功率為60 W。
濺鍍壓力(10, 20, 30 mTorr)。
薄膜厚度約為200 nm至320 nm. 備製氧化銦鋅薄膜之條件
Indium-Zinc-Oxide
靶材
(In2O3-ZnO, 90：10 wt%)
Ar：O2 20：1
濺鍍壓力 10 mTor 20 mTorr 30 mTorr
濺鍍功率 60 W
薄膜厚度 200 nm ~ 320 nm 130

65
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2009/3/11

氧化銦鋅感測膜之備製

Holder

30 cm
Sputtering target

40 cm

濺鍍腔體結構圖 131

2009/3/11

氧化銦鋅感測膜之備製

IZO

Si ITO Glass SiO2/Si

132

66
 2009/3/12

2009/3/11

₪ 氧化銦鋅薄膜之特性
₪ 氧化銦鋅薄膜之備製
₪ 氧化銦鋅薄膜表面結構分析
₪ 氧化銦氫離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜氯離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜遲滯效應
₪ 結論

133

2009/3/11

IZO 表面結構分析
2000
IZO/Si
1500

1000

500
dN(E)/dE

-500 Zn
-1000
In O
-1500

-2000
500 1000 1500 2000
Kinetic Energy (eV)
134
IZO/Si薄膜之歐傑電子能譜表面元素分析

67
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2009/3/11

IZO表面結構分析
6
1.8x10
IZO/Si
6
1.6x10
6
1.4x10 In MN1
6
Counts/eV/sec

1.2x10
6
1.0x10 Si KL1
5
8.0x10 O KL1
5
6.0x10
5
4.0x10

2.0x10
5 Zn LM2

0.0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
Time (Seconds)

IZO/Si 薄膜之AES縱深分析圖 135

2009/3/11

IZO表面結構分析
3000
IZO/Si Zn2In2O5
(100)(101)
(008)

2000
Intensity (a.u.)

1000
ZnO
In2O3 In2O3
(002)
(211) In2O3 (533)
(400) (433)

0
20 30 40 50 60
2θ (deg)
136
IZO/Si薄膜之XRD晶向分析圖

68
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2009/3/11

₪ 氧化銦鋅薄膜之特性
₪ 氧化銦鋅薄膜之備製
₪ 氧化銦鋅薄膜表面結構分析
₪ 氧化銦鋅氫離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜氯離子感測元件之備製及其應用
₪ Summary

137

2009/3/11

IZO氫離子感測元件之備製
Epoxy Sensing Window

MOSFET
IZO
Substrate
Conducting wire
IZO延伸式閘極場效電晶體之架構圖

元件封裝後之外觀 138

69
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2009/3/11

I-V 量 測 架 構

139

2009/3/11

MOSFET Thermocouple
Keithley 4200 Ion Sensor

PID
Controller

Reference Electrode

Bark Box Heater

Solution
140

70
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2009/3/11

量 測 結 果
0.8
0.8 0.8
IZO/Si IZO/SiO2/Si IZO/ITO Glass
pH=1,3,5,7,9,11 0.7 pH=1,3,5,7,9,11
0.7 0.7 pH=1,3,5,7,9,11

Drain Current (mA)

sensitivity=42.77 mV/pH
Drain Current (mA)

Sensitivity=57.4 mV/pH
sensitivity=48.2 mV/pH 0.6
0.6

Drain Current (mA)

0.6
0.5
0.5 0.5 pH1
pH1 pH1 0.4
0.4 0.4
pH11
0.3
0.3 0.3
pH11 pH11
0.2
0.2 0.2
0.1
0.1 0.1

0.0 0.0
0.0
-0.1 -0.1
-0.1 1 2 3 4 5 6
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6

Gate Voltage (V) Gate Voltage (V) Gate Voltage (V)

不同IZO EGFET之感測基板結構之I-V曲線
不同IZO EGFET之感測基板結構之感測度與線性度
Sensing Structure IZO/Si IZO/SiO2/Si IZO/ITO Glass
Sensitivity (S) 57.4 mV/pH 48.2 mV/pH 42.77 mV/pH

Linear Regression (R) 0.9999 0.98859 0.95459

141

2009/3/11

IZO感測膜與其他感測膜感測度之比較

Sensitivity
Membrane Test Range
(mV/pH)
IZO 1~11 52~58
ITO 1~11 54~60
ITO/Plastic 1~11 43.29
SnO2 1~11 56~58
TiN 2~12 53~60
AlN 1~11 52~58
Al2O3 1~13 53~57
Si3N4 1~13 46~56
142

71
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2009/3/11

量 測 結 果
不同退火溫度與感測度之探討 IZO EGFET於不同退火溫度之
90
IZO/Si
pressure:10 mTorr
感測度變化情形
80 Ar:O2=50:2.5

Annealing Sensitivity
Sensitivity (mV/pH)

Annealing 200 oC - 500 oC

70 Temperature (℃) (mV/pH)

60 200 58.96
50
300 66.3
400 66.5
40
200 300 400 500
500 65.9
Annealing Teamperature (oC)

退火200 ℃至500 ℃之感測度變化

143

2009/3/11

V-T 量 測 架 構

144

72
 2009/3/12

2009/3/11

Voltage Meter
HP34401A

(Reference Electrode)
Device Solution

145

2009/3/11

V-T量測結果
IZO EGFET感測元件之電壓-時間特性曲線探討
3.15
IZO/Si 2.8 IZO/Si
3.00 CVCC circuit Sensitivity=52.06 mV/pH
Output Voltage (V)

Linear Regression=0.99533
Output Voltage (V)

2.85
pH11
2.6
2.70
pH9
pH7 52.06 mV/pH
2.55
pH5 2.4
2.40
pH3
pH1
2.25
2.2
0 20 40 60 80 100 120 140 0 2 4 6 8 10 12

Time (s) pH Value

IZO EGFET元件利用恆壓恆流電 IZO EGFET元件利用恆壓恆流電

路量測之V-T曲線圖 路量測之感測度 146

73
 2009/3/12

2009/3/11

量 測 結 果
IZO EGFET元件之生命週期
120
IZO/Si
CVCC circuite
100
Sensitivity (mV/pH)

80

60

40

20

0
0 10 20 30 40 50
Time (Day)
147
利用恆壓恆流電路量測IZO EGFET元件之生命週期

2009/3/11

₪ 氧化銦鋅薄膜之特性
₪ 氧化銦鋅薄膜之備製
₪ 氧化銦鋅薄膜表面結構分析
₪ 氧化銦氫離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜氯離子感測元件之備製及其應用
₪ Summary

148

74
 2009/3/12

2009/3/11

氯離子感測膜之備製
四氫呋喃(Tetrahydrofuran，THF)
聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride，PVC)高分子材料
癸二酸二辛酯(Bis(2-ethylhe-xyl)sebacat， DOS)塑化劑
汞有機離子載體({u-[4,5-Dim-ethyl-3,6-bis(dodecyloxy)-1,2-
phenylene]}bis(mercury chloride), ETH9033)
陰離子交換劑((Tridode- cylmethylammonium Chloride, TDDMACl)
PVC +DOS +THF (1號溶液)
ETH9033 + THF (2號溶液)
TDDMACl +THF (3號溶液)

PVC
+ MOSFET
DOS ETH9033 TDDMACl
+
+ + Ionophores 149
THF THF THF

2009/3/11

V-T 量 測 架 構

150

75
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2009/3/11

量 測 架 構
Voltage Meter
HP34401A
-
儀錶放大器
+

Sensor

Reference
Electrode
151
儀錶放大電路量測架構

2009/3/11

量 測 結 果

氯離子感測元件置入氯離子溶液之不同氯離子濃度溶液之
感測度與線性度

Solution LiCl NaCl KCl MgCl2

Sensitivity
47.1 49.4 42 45
(mV/pCl)

Linear
0.99434 0.99821 0.99943 0.99908
Regression
152

76
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2009/3/11

量 測 結 果

不同氯離子感測元件之比較

*Sensitivity Detection
Structure Substrate ionophores
(mV/pCl) Limit

EGFET IZO/Glass ETH 9033 49.4 10-4 M

EGFET ITO Glass ETH 9033 79~151 10-5 M
EGFET SnO2/ITO Glass ETH 9033 52 10-3 M
ISEs - ETH 9033 56.9 10-5 M
ISEs - ETH 9033 56~58 10-4M
*為感測元件置於NaCl溶液中之感測度 153

2009/3/11

量 測 結 果
70
Linear Regression (R)
65
1.00
60

55
Linear Regression (R)
Sensitivity (mV/pCl)

Sensitivity (mV/pCl) 0.98

50

45

40
0.96
o
35 Temperature=25 C
Solution=KCl
30 Time=600s
Day: 1~6 0.94
25

20
1 2 3 4 5 6
Time (Day)
154
氯離子感測元件生命週期之量測

77
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2009/3/11

₪ 氧化銦鋅薄膜之特性
₪ 氧化銦鋅薄膜之備製
₪ 氧化銦鋅薄膜表面結構分析
₪ 氧化銦氫離子感測元件之備製及其應用
₪ 氧化銦鋅薄膜氯離子感測元件之備製及其應用
₪ Summary

155

2009/3/11

Summary
量測範圍 感測度
氫離子 pH 1 ~11 52~58 mV/pH
氯離子 1 ~ 10-5 mol/L 42~47 mV/pCl

以射頻濺鍍法備製而成之IZO薄膜，應用於氫及氯離子感測
元件，其擁有良好之感測能力。
不同濺鍍壓力備製而成之IZO薄膜，其表面粗糙度與濺鍍壓
力成正比，且感測度會隨之下降。
擁有良好導電能力之IZO薄膜，應用於離子感測，及非理想
效應之干擾，亦有高效益之表現。

156

78
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2009/3/11

結 論
以射頻濺鍍法備製而成之AlN離子感測元件，其應用於離子之監測
亦有良好之效益，其元件於長時間對離子進行監測，時漂之變化
量非常小，不足以影響元件對離子量測之準測性。
商品化ITO Glass應用於LCD之電極最為廣泛，其良好之導電性應
用於離子感測元件，對氫、氯及鹽酸普魯卡因藥物感測元件亦擁
有良好之成效。
以射頻濺鍍法備製而成之IZO薄膜，應用於氫及氯離子感測元件，
其擁有良好之感測能力，及對非理想效應之干擾亦非常小。
以不同之材料薄膜，備製而成之EGFET感測元件，對離子進行監
測，皆擁有良好之感測趨勢，感測頭與元件分離之設計可形成可
拋棄式元件，亦可應用於生物醫學感測元件之量測。

157

2009/3/11

參考文獻
1. L. T. Yin, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, S. K. Hsiung, “Study of indium tin oxide thin film for separative
extened gate ISFET”, Materials Chemistry and Physics, Vol. 70, pp. 12-16, (2001).
2. 江榮陲、黃安立， “備製ITO透明導電膜於塑膠基板及其應用於離子感測器之研究”，2007高應大第三屆全
國電子設計創意競賽，中華民國96年4月15日，國立高雄應用科技大學，高雄，台灣，pp.
3. H. K. Liao, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, S. K. Hsiung, “Study of amorphous tin oxide thin films for ISFET
applications”, Sensors and Actuators B, Vol.50, pp. 104–109, (1998).
4. 顏志先，氮化鈦離子感測場效電晶體應用於尿酸酵素之量測與積體化前端檢測電路之研究，國立雲林科技
大學電子工程研究所，碩士論文，(2004)。
5. J. L. Chiang, J. C. Chou, Y. C. Chen, G. S. Liau, C. C. Cheng, “Drift and hysteresis effects on AlN/SiO2 gate pH-
ISFET”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 42, pp. 4973-4977, (2003).
6. J. C. Chou, C.Y. Weng, “Sensitivity and hysteresis effect in Al2O3 gate pH-ISFET”, Materials Chemistry and
Physics, Vol. 71, pp.120-124, (2001).
7. C. M. Sue, H. K. Liao, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, S. K. Hsiung, “Study on Si3N4/SiO2 gate ion
sensitive field effect transistor”, Proceedings of 1997 Electron Devices and Materials Symposium (EDMS),
National Central University, Chung-Li, Taiwan, R.O.C., pp. 383-386, (1997).
8. 江榮隆、黃安立，“延伸式閘極場效電晶體氯離子感測特性之研究”，2006 年化學感測器科技研討會論文
集，中華民國95 年5 月27 日，北台科學技術學院，台北， P.144-147。
9. J. F. Cheng, J. C. Chou, T. P. Sun, S. K. Hsiung, “Study on the chloride ion selective electrode based on the
SnO2/ITO glass”, Proceedings of 2003 Electron Devices and Materials Symposia (EDMS 2003), Nov. 21-22,
National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan, R.O.C, pp. 577-560, (2003).
10. A. Bratov, N. Abramova, C. Dominguez, “Investigation of chloride sensitive ISFETs with different membrane
compositions suitable for medical applications”, Analytica Chimica Acta, Vol. 514, pp. 99-106, (2004).
11. L. T. Yin, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, S. K. Hsiung, “Study of indium tin oxide thin film for separative
extened gate ISFET”, Materials Chemistry and Physics, Vol. 70, pp. 12-16, (2001).
158

79
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2009/3/11

參考文獻
12. M. Rothmaier, U. Schaller, W. E. Morf, E. Pretsch, “Response mechanism of anion-selective electrodes based on
mercury organic compounds as ionophores”, Analytica Chimica Acta, Vol. 327, pp. 17-28, (1996).
13. 劉適意，釕濺鍍於生醫感測器之備製、量測及讀出電路之探討，國立雲林科技大學電子工程研究所，碩士
論文，(2004)。
14. 廖嵐彬，二氧化鈦酸鹼離子感測場效電晶體元件與積體化讀出電路之研究，國立雲林科技大學電子與資訊
工程研究所，碩士論文，(2003)。
15. C. M. Sue, H. K. Liao, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, S. K. Hsiung, “Study on Si3N4/SiO2 gate ion
sensitive field effect transistor”, Proceedings of 1997 Electron Devices and Materials Symposium (EDMS),
National Central University, Chung-Li, Taiwan, R.O.C., pp. 383-386, (1997).
16. 劉適意，釕濺鍍於生醫感測器之備製、量測及讀出電路之探討，國立雲林科技大學電子工程研究所，碩士
論文，(2004)。
17. P. Bergveld, Development of an ion sensitive solid state device for neurophysiological measurements, IEEE Trans.
on Biomed. Eng., BME-17 (1970) 70-71.
18. P. Bergveld, Development, operation, and application of the ion sensitive field effect transistor as a tool for
electrophysiology, IEEE Trans. Biomed. Enq., BME-19 (1972) 342-352.
19. D. E. Yates, S. Levine and T. W. Healy, Site-binding model of the electrical double layer at the oxide/wafer
interface, J. Chem. Soc. Faraday Trans. I, (1974) 1807-1818.
20. P. Bergveld, The operation of an ISFET as an electronic device, Sens. & Actuat. 1 (1981) 17-29.
21. Jung Lung Chiang, Ying Chung Chen, Jung Chuan Chou and Chien Chuan Cheng, “Temperature Effect on
AlN/SiO2 Gate pH-Ion-Sensitive Field-Effect Transistor Devices”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 41,
PP. 541-545, 2002.
22. Jung Lung Chiang, Jung Chuan Chou and Ying Chung Chen, “Study of the pH-ISFET and EnFET for Biosensor
Applications”, Journal of Medical and Biological Engineering, Vol. 21, No. 3, PP. 135-146, 2001.
23. Jung Lung Chiang, Ying Chung Chen and Jung Chuan Chou, “Simulation and Experimental Study of the pH
Sensing for AlN Thin Films”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 40, PP. 5900-5904, 2001. 159

2009/3/11

做任何事皆為自己的業績

160

80
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2009/3/11

Thank You For Your Attention

161

81