半導體作業

半導體元件

班級：光電一甲
組員：499L0003 黃鈴芷

499L0008 李宛蓉

1. 種類：微波元件(Microwave Devices)
2. 名稱：轉移電子元件(Transferred-Electron Device)
3. 結構：
 圖(一)
4. 工作原理：當一個超過每公分幾千伏特臨界值得直流電場，外加一個短的
n 型 GaAs 或磷化砷(InP)的樣品上，就會有微波的輸出產生【1】。
一個 TED 的操作特性取決於下面 5 個因素：元件內的摻雜濃度摻雜均勻性、
主動區的長度、陰極接觸特性、電路的形式和操作的偏壓值【2】。
5. 應用：局部振盪器、功率放大器，偵測系統、遙控和微波測試儀器上所使用
的重要固態微波來源【3】。

張雅婷製作

1. 種類：量子效應元件(Quantum-Effect Device)
2. 名稱：共振穿隧二極體(Resonant Tunneling Diode)
3. 結構：
 圖(二)
4. 工作原理：當電子被限制在量子井中，產生分立的能階。在零偏壓時，位障
阻止電荷通過元件。隨著偏壓增加，井中能階不斷降低。
若井中一個未占據態的能量處於源區導帶占據態的能量範圍時，元件處於
共振態，電流通過。I-V 曲線出現負阻效應區。【4】
5. 應用：CMOS 電路應用

1. 種類：熱電子元件(Hot-Electron Device)
2. 名稱：熱電子異質接面雙載子電晶體(Hot-electron HBT)
3. 結構：

圖(三)
4. 工作原理： 同質結雙極管存在的主要問題：為提高電流增益，要求發射區
重摻雜、基區輕摻雜，與為提高頻率，又要求減小發射結電容、減少基區電
阻而互相矛盾。為了解決該矛盾的根本途徑是採用寬頻隙半導體材料作成發
射區，窄帶隙材料作基區。由於降低了電子從發射區注入到基區的勢壘，同
時提高了空穴由基區向發射區反注入的勢壘，提高了注入效率，進一步提
高了電流增益，使器件在保持較高電流增益的條件下，提高電晶體的速度
和工作頻率【5】。
5. 應用：微波、毫米波放大和震盪、移動通訊、化合物超高速數字電路、低溫電
路（Si/SiGe HBT），高溫電路（AlGaN/GaN HBT）、超高增益放大電路
（PET 和 MISTJET） 【6】
 張雅婷製作

1. 種類：熱電子元件(Hot-Electron Device)
2. 名稱：位置空間轉移電晶體(Real-Space-Transfer Transistor，RSTT)
3. 結構：

圖(四)
4. 工作原理：由摻雜的寬能隙 AlGaAs，和未摻雜的窄能隙 GaAs 層相互交替
而成的異質接面結構。在熱平衡時，可移動電子存在於未摻雜 GaAs 量子井
裡，且與位於 AlGaAs 層裡的母體施體在空間上被隔開。若輸入此結構的功
率超過系統對於晶格的能量損失率時，載子會被加熱，且部分可轉移進入
寬能隙層，而在此載子可能有不同的電子移動率【7】。
5. 應用：邏輯電路
 張雅婷製作

1. 種類：微波元件
2. 名稱：穿隧二極體(又稱透納二極體)( Tunnel Diode)
3. 結構：

圖(五)
4. 基本原理：透納二極體具有一種負電阻的特性，其特性使其在振盪器與微波
放大器內非常有用。透納二極體是由鍺或砷化鎵所組成，其 p 與 n 型區都比
一般二極體摻 雜較濃。因摻雜濃而使其空乏區變窄，同時也能在逆向偏壓時
導通，所以並無 一般二極體的崩潰效應。【8】
5. 應用：量子效應元件的基礎。超強功能，可大量減少元件數量。

李宛蓉製作

1. 種類：微波元件
2. 名稱：衝渡二極體 (IMPATT Diode)
3. 結構：

圖(六)
4. 基本原理：一種特殊的微波二極體，應用其引起累增崩潰所需的延遲 時間
或過度時間，來產生負電阻性。【9】
5. 應用：通常均用於微波振盪器內。

1. 種類：特殊半導體二極體
2. 名稱：變容二極體 Varactor Diodes
3. 結構：
 圖(七)
4. 基本原理：隨偏置電壓變化而顯著改變的一種特殊二極體。變容二極體平時
工作在反偏狀態，其偏置電壓的變化會改變耗盡層的厚度，從而影響結電
容的大小。【10】
5. 應用：電視接收器電路、調頻接收器及其他通信設備

李宛蓉製作

1. 種類：特殊半導體二極體
2. 名稱：蕭特基二極體( Schottky Diode)

3. 結構：

4. 基本原理：隨偏置電壓變化而顯著改變的一種特殊二極體。變容二極體平時
工作在反偏狀態，其偏置電壓的變化會改變耗盡層的厚度，從而影響結電
容的大小。【10】
5. 應用：電視接收器電路、調頻接收器及其他通信設備

1. 種類：特殊半導體二極體
2. 名稱：稽納二極體 Zener Diode
3. 結構：

圖(八)
4. 基本原理：它只能讓電流向一個方向流動，有些像"單行道"。
5. 應用：常被用來調整電壓

李宛蓉製作

參考文獻

【1】半導體元件物理與製作技術，施敏著，P399
【2】半導體元件物理與製作技術，施敏著，P404
【3】半導體元件物理與製作技術，施敏著，P399
【4】http://blog.ncue.edu.tw/sys/lib/read_attach.php?id=6918
【5】http://www.signalsky.com/design/wiki/hbt-knowledge.html
【6】http://www.signalsky.com/design/wiki/hbt-knowledge.html
【7】半導體元件物理與製作技術，施敏著，P415~P416
【8】ms06.dahan.edu.tw/~s9376004/1018.ppt
【9】http://www.wretch.cc/blog/nwo2002team/7843939
【10】http://sun.cis.scu.edu.tw/~lab/knowledge/s2.htm#topic1
【11】半導體元件物理與製作技術，施敏著
【12】http://www.eel.tsint.edu.tw/teacher/cthung/ED1_PT/Ch4.pdf
【13】http://www.shs.edu.tw/works/essay/2008/03/2008032823305591.pdf
【14】http://www.pida.org.tw/optolink/optolink_pdf/90073408.pdf
【15】http://www.eel.tsint.edu.tw/teacher/cthung/ED2_PT/Ch11.pdf
【16】http://www.shs.edu.tw/works/essay/2007/10/2007102821242895.pdf
【17】新光電元件應用技術 作者：谷善 平 譯：白中和
【18】http://bbs.dianyuan.com/bbs/u/53/1498541179891317.pdf
【19】cyr.idv.tw/~teach/cou_sen98/slide/ch3-5.ppt