Elektronik 2

Klaus Beuth

Bauelemente
18., überarbeitete Auflage

unter Mitarbeit von O laf Beuth

V ogel Buchverlag

Der Lizenzgeber (Vogel Industrie Medien) überträgt dem Lizenznehmer (Higher Educational
and Vocational Book JSC Hanoi) das ausshliesstiche Recht zur Veröffentlichung in Buch
form dis Verkes in Vietnam.

Cuốn sách được xuất bản theo hợp đồng chuyển nhượng bản quyền giữa Công ty cổ phần
Sách Đại học - Dạy nghề, Nhà xuất bản Giáo dục và Nhà xuất bản Vogeỉ Bucheverlag
Würzburg.

© Bản quyền tiếng Việt thuộc HEVOBCO - Nhà xuất bản Giáo dục

183-2008/CXB/l5-363/GD Mã số: 7K755Y 8 - DAI

 LỜI G l ớ l THIỆU

Cùng với cuô"n *'Mạch điện tử’’, cuôn "Linh kiện điện tử" hỢp thành hai
trong bộ sách quan trọng nhất phục vụ cho lĩnh vực đào tạo ngành điện tử
tin học - điện tử viễn thông đã được NXB ’’Vogel Buchverlag" - Cộng hoà
Liên bang Đức xuât bản.
CuôVi "Linh kiện điộn tử” được chúng tôi lựa chọn mua bản quyền và
dịch sang tiếng Việt vì đây là cuô"n sách có nội dung tốt, đã được xuất bản đô"n
lần thứ 18 và đã được nhiều nước như: Trung Quốc, Ân Độ... mua bản quyền.
Cuôn ”Linh kiện điện tử" gồm 14 chương, nội dung xuyên suô"t của 14
chương là những vấn đề râ't cơ bản về cấc linh kiện điện tử, từ cấu tạo, đặc
diểm công nghệ chế tạo, nguyên lý làm việc, phạm vi ứng dụng đã được
các tác giả trình bày một cách ngắn gọn, dễ hiểu và súc tích. Kết thúc mỗi
chương đều có câu hỏi, bài tập giúp người học ôn tập và kiểm tra những
nội dung đã học. Sách sỗ là giáo trình, tài liộu tham khảo bổ ích cho nhiều
đối tưỢng và trình độ khác nhau trong lĩnh vực điện tử viễn thông, đo
lường điổu khiển, tự động hoá...
Viộc chuyển đổi ngôn ngữ từ tiếng Đức sang tiếng Việt cũng như lựa
chọn một hệ thông ký hiệu đã được chuẩn hoá sao cho phù hỢp và truyền
tải trung thành những nội dưng của bản gôc sang tiếng Việt một cách đơn
giản, dỗ hiểu gặp không ít khó khăn, nhưng người dịch là nhà giáo đã có
nhiều kinh nghiệm giảng dạy môn "Linh kiộn điện tử” và đã được đào tạo
ỏ Cộng hoà Liên bang Đức nên nhiểư vấn đề phức tạp gặp phải trong quá
trình dịch đã đưỢc khắc phục.
Mặc dù người dịch đã có nhiều cô" gắng, nhưng chắc chắn không tránh
khỏi còn những sai sót, mong bạn đọc thông cảm và mọi ý kiến đóng góp
xin gửi về Công ty Sách Đại học - Dạy nghề, Nhà xuất bản Giáo dục “ 25,
Hàn Thuyên, Hà Nội.
Chúng tôi hy vọng cuôn "Linh kiện điện tử” sỗ là tài liệu bổ ích đốì với
ĩihững ai học tập và quan tâm đô"n lĩnh vực kỹ thuật điện tử.
Chúng tôi sẽ tiô"p tục tim kiếm các giáo trình, sách tham khảo có nội
dung tô"t đã được xuất bản ỏ các quốc gia có nền giáo dục truyền thống, tiên
tiên khác nhau để chuyển sang tiếng Việt giúp cho nguồn tài liệu phục vụ
Dạy và Học thêm phong phú, tiếp cận trình độ Dạy và Học tiên tiến, đáp
ứng các yẻư cầu ngày càng nâng cao của sự nghiệp đổi mới giáo dục.
Nhân dịp xuất bản lần đầu cuốh ”Linh kiện điện tử" được dịch từ tiếng
Đức sang tiêng Việt, chúng tôi xin gửi lòi cảm ơn đến Nhà xuất bản Vogel
Buchverlag —Cộng hoà Liên bang Đức, tới các dịch giả về sự chia sẻ trong quá
trình hỢp tác cũng như lời cảm ơn chân thành tới sự quan tâm, đón nhận và
những đóng góp của bạn đọc gần xa. Mong rằng sự hỢp tác sẽ đưỢc tiếp tục.
NHÀ XUẤT BẤN GIÁO DỤC
 LÒI MỞ ĐẦU

Cuôn "Linh kiện điện tử” đưỢc tái bản lần thứ 18 vào năm 2006 nằm
trong bộ sách của Nhà xuất bản "Vogel ßuchverlag” do nhiều tác giả biên
soạn. Bộ sách gồm 8 cuốn:
• Điện tử 1 : Cơ sở kỹ thuật điện - Heinz Meister.
• Điện tử 2 : Linh kiện điộn lử - Klaus Beuth.
• Điện tử 3: Mạch điện tử - Klaus Beulh và Wolfgang Schinusch.
• Điện tử 4: Kỷ thuật sô"- Klaus Beuth.
Điện tử 5: Kỹ thuật vi xử Iv - Helmut Miller và Lothar Wolz.
• Điện tu G: Kỹ Ihuật đo lường - Wolfgang Schmusch.
• Điện tử 7: Kỹ thuật thông tin viễn thông - Klaus Beuth và Günther Kurz.
• Điện tử 8 : Kỹ thưậl Sensor ” Wolfgang Schmusch,
Cuôn ’’Linh kiộn điộn tử" cùng cuôn "Mạch điộn tử" cung cấp cho bạn dọc
cấc kiôn Ihức cơ sở làm nền tảng trong ngành kỹ thuật điộn tử viễn thồng.
Trong quá trình biôn soạn, các tác giả đã cô" gắng thể hiộn nội dung rõ
ràng, hộ thông hoá kiôn thức và kêt hỢp với các đồ thi,hình vẽvói nhiều chi
tiet có tính sư phạm cao, cộp ĩìhộp kiôn thức mới thổ hiộn dưói dạng ngôn
ngữ kỹ thuật đơn giản, dỗ tiôp cận và dễ nhớ không đòi hỏi người đọc phải
có kiến thức toán cao cấp. Nội dung có chứa nhiều ví dụ và bài tập có lính
thực tiễn đế người đọc củng cô" kic"n thức và có hứng thú vận dụng trong
thực tế kỹ thuật.
ĐỐI tượng bạn đọc mà các tác giả muôn hướng tới để cung cấp tài liệu
học tập hoặc tham khảo bổ ích thiết thực là tương đôi rộng rãi: Sinh viên,
kỹ sư, kỹ thuật viên hay công nhân kỹ thuật. Các đổi tưỢng muôn tự học đổ
nâng cao kiôn thức cơ sỏ của chuyên ngành cũng sẽ tìm được ở bộ sách này
những thông tin hữu ích.

KLAUS BEUTH

4
 Chương 1

KỸ THỈlệT ĐO DÙNG MÁY HIỆN SÓNG (OXYLO)

1.1. KHÁI NIỆM CHUNG

Máy hiện sóng (oxylo) là một thiết bị thông dụng và đa năng
dùng để quan sát và tiến hành đo lường dạng tín hiệu, có thể lưu kết
quả nhò cơ cấu nhớ. Tên gọi “Oszillograph” bắt nguồn từ gôc La tinh
“Oscillare - dao động” và từ gốc Hy Lạp “grafein - ghi”. Như vậy
Oxylogiaf t;ó tìiể dịch nghĩa là bộ ghi lại dac động gồm £ chức năng
chính: giữ lại dao động, hiển thị và ghi lại nó. Ngoài ra tên gọi
Oxyloscop có ý nghĩa chỉ gồm chức năng quan sát dao động.
Nhờ Oxy/oscop có thể quan sàt một dao động điện áp biến thiên theo
thời gian thông qua đồ thị thời gian của nó trên màn ảnh: u = f(t).

\
Jr %>
ơ=:/llf) /
/ \ { \
/ V
\ / \ /

\ \ y
U2
Hình 1.1. Đổ thị thòỉ gian Hình 1.2. Đồ thị quan hệ phụ thuộc
của một điện áp. của vào Uj.

\
r - i / f— V
\\ / = t) i
*'Ỷi'/" /
ỉ \ /
f N /
VV f t
/ \ ~Ti'~
i t _ i ệ
—
— ---
V </
Hinh 1.3. Biên đoi dòng điện I thành một điện áp tưdng đưđng,
đổ thị thòi gian của dòng diện.

Tiếp theo có thể hiển thị môl quan hộ hàm sô" giữa hai điện áp
Ui = f(Uọ) (hình 1 .2 ). Với các dòng điện I(t), không thể biểu diễn trực
tiếp mà cho I chảy qua một điện trở II để nhận được điện áp Ur
tương đương (tỷ lệ) có cùng quy luật với I(t) và việc hiển thị I(t) được
thực hiện gián tiếp qua ƯR(t) (hình 1.3).
Tương tự vói việc biểu diễn các đại lượng khác như đường sức từ
B(t), cưòng độ từ trường H(t) hay tần số f(t), trước tiên cần biến đổi
chúng về một diện áp tương đương có cùng quy luật biến thiôn, sau đó
hiển thị điện áp tương dương này. Mọi phép quan sát hoặc đo lường
dưỢc thực hiện một cách gián tiếp qua điện áp tương đương,

1.2. CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MÁY HIỆN SÓNG
Nhờ một chùm tia điện tử đưỢc tạo ra từ một “súng điện tử” của ôVig
tia điện tử (xem chưđng 14), các dạng diện áp u = f(t) hay Ui = f(U 2)
được hiển thị trên màn ảnh của ô"ng tia (hình 1.4). Các tia điện tử được
gia tốc chuyển động nhanh dọc theo trục ô"ng tia và được lái lộch quỹ đạo
tạo thành các đường quét phát sáng trên màn hình từ trên xuông dưới
và từ phải qua trái nhờ một hệ thông lái tia đặt trong lòng ống tia (loai
diều khiển lái tia bằng điện trường - hình 1.5 và hình 1.6).

fVi I

------------ỆĐiểm sáng

Súng điện tử ^ Ỹ2

Hình 1.4. Cấu tạo cơ bàn của Hình 1.5. Nguyên lý làm lệch
một ống tia điện tử. (lái) tia điện tử theo chiểu dọc.

Một cặp phiến điện cực điều khiển tia lệch theo phương thẳng đứng nhờ
điện áp đặt vào chúng gọi là cặp phiến Y.
Tương tự, một cặp phiến làm lệch tia theo phương nằm ngang gọi là cặp
phiến X.
Nhờ hệ thông lái tia này, một tia điện tử có thể quét đến mỗi
điểm trên màn hiện thị. Trong oxylo loại 2 tia, ông tia điện tử có 2
súng điện tử tạo ra hai tia và do đó có hai hệ thốhg hội tụ và làm lệch
tia độc lập nhau, thông thường do nhu cầu sử dụng loại 2 tia, cặp
phiôn lệch đứng độc lập còn cặp phiến lệch ngang được sử dụng chung
và do dó hai tín hiệu được hiển thị đồng thời trên màn và có thổ được
so sánh với nhau nhờ việc quét ngang chung.
 Độ lệch tia trên màn (hiệu quả của việc lái tia bằng điện áp trên
các phiến lệch) đượe đánh giá nhò hệ số lái tia hay độ nhậy lái tia
tính theo v/cm . Đơn vị v/cm được định nghĩa là cần bao nhiêu volt để
làm lệch tia đi được 1 cm theo chiều ngang hoặc theo chiều đứng.
Khi điện áp tác động vào phiến có giá trị nhỏ (hơn IV) cần dùng
các mạch khuếch đại điện áp trước khi đưa tới các cặp phiến làm lệch
(hình 1.7 và 1.8) - được gọi tương ứng là bộ khuếch đại X (cho điện áp
làm lệch ngang) và bộ khuếch đại Y (cho điện áp làm lệch đứng).
Các bộ khuếch đại X và khuếch đại Y có thể thay đổi hệ số
khuếch đại, theo từng thang (từng bậc) và thay đổi liên tục trong 1
thang đà chọn. Khi diện áp vào khá lớn, thưòng có bộ suy giảm (làm
yếu tín hiệu cần quan sát) đưỢc sử dụng tại lổì vào như hình 1.9.
Hình 1.10 thể hiện sơ đồ khối tổng quát của một máy hiện sóng, bao
gồm các khôi cơ bản nhất. Các lôì vào X và lôi vào Y là không đốl
xứng luôn có một cực tiếp đất (OV) và có điện trở vào khoảng vài MQ.
Tín hiệu Y đặt tói lối vào Y, qua bộ suy giảm Y, qua bộ khuếch đại Y, đặt
tói cặp phiến lệch Y.

Hình 1.7. Bộ khuếch đại Y có thể điểu Hình 1.8. Bộ khuếch đại X, có thể điểu
chỉnh hệ số khuếch đại liên tục hay chỉnh hệ số khuếch đại liên tục hay
từng nấc. từng nấc.

Bộ khuêch đại Y thưòng là bộ khuếch đại một chiều (xem chương

4), nó khuếch đại cả thành phần một chiều của tín hiệu Y. Khi không
mucm biểu diễn thành phần một chiều này, có thể nối một tụ điện
phía trước nhò một chuyển mạch có ghi rõ “chuyển mạch AC/DC”.
AC; dòng điện hoặc điện áp xoay
chiểu (biến thiên theo thời gian).
DC: dòng điện hoặc điện áp
một chiều (không đổi theo thòi Đầu vào
gian), khi ở vị trí AC thì tụ c được -o
~o
nôl vào. -o Đầu ra

Tín hiệu X đặt tới lối vào X, qua

bộ suy giảm X, qua bộ khuếch — r*
Hình 1.9. Cấu tạo bộ suy giảm
đại X đặt tới phiến làm lệch X.
đầu vào X hoặc đầu vào Y.

7
 Tín hiệu trên màn ảnh có thể đưỢc dịch chuyển theo hai chiều:
thẳng đứng và dịch ngang theo ý muôn của ngưòi sử dụng (đang quan
sát tín hiệu). Khi đó cần bổ sung vào tín hiệu Y (cho dịch chiều đứng
tại phiến làm lộch Y) hoặc vào tín hiệu X (cho dịch chiềư ngang, tại
phiến làm lệch X) các giá trị điện áp một chiều thích hỢp. Các chức
năng trên do tầng “dịch T ’ hay tầng '‘dịch X” thực hiện. Khi đó tia
điện tử được dịch tịnh tiến theo chiều tương ứng tùy giá trị và cực
tính của các điện áp một chiều này.
Chuyển mạch AC-DC

Hình 1.10. Cấu trúc khối của một Oxylo.

/ \ \
c:'-

V y
Hình 1.11. Đổ thị điện áp Hình 1.12. Đồ thị điện áp
khi dịch đứng (lên). khi dịch ngang (phải).

Khi muôn thể hiện sự phụ thuộc hàm sô" của điện áp theo thời
gian, cần duy trì tôc độ quót cửa tia điện tử (từ trái qua phải) không
đổi. Nghĩa là thời gian làm lệch tia cố định theo một dòng quét (ví dụ
thòi gian quét (chu kỳ quét) một dòng từ tráiqua phải là 1/50 giây).
Điện áp thực hiện việc lái tia đưỢc gọi là diện áp quét, códạng răng
cưa (hình 1.13) được tạo ra từ một bộ phát xung răng cưa:
Tần số của điện áp răng cưa có thể
thay đổi theo nhiều thang và thay đổi
liên tục trong mỗi thang. Tần sô" nàv
càng lớn thì tốc độ quét của tia điện tử
càng nhanh.
Khi muốn hiển thị một chu kỳ điện
.Chu kỳ
áp hình sin, tín hiệu này cần đưa tới lối ■ lặp ĩ
vào Y; điện áp ràng cưa đưỢc đưa tồi lôi Hỉnh 1,13. Điện áp quét dạng
vào X. Chu kỳ của hai điện áp này phải răng cưa.

bằng nhau (hình 1.14, Tx = Tv).

Hinh 1.14. Quan hệ giữa chu kỳ của tín hiệu Y và chu kỳ của điện áp răng cưa.

Nếu Ty hình trên màn sẽ không đứng vững (bị trôi đi)
Nếu Tx = 2 Ty trên màn sẽ xuất hiện hai chu kỳ tín hiệu hình sin.
Ta chỉ nhận được hình vũng trên màn khi bằng bội sổ nguyên của Ty.
Ta nói tín hiệu cần quan sát Uy và tín hiệu quét ngang Ux được
đồng bộ nhau về tần sô". Có thể thực hiện việc đồng bộ bằng điều
chỉnh tay nhưng khá khó khăn, các oxylo ngày nay được đặt ỏ chế độ
tự động bám đồng bộ nhờ khối đồng bộ trong cấu trúc hình 1 . 1 0 .
Tầng đồng bộ có thể hoạt động ở các chê”độ khác nhau như;
• Đồng bộ theo lưới điện 50Hz.
 • Đồng bộ theo các điện áp ngoài đặt vào để điều khiển.
• Chế độ tự đồng bộ khi tín hiệu Y trực tiếp đưỢc sử dụng (bằng
cách trích ra) để điều khiển đồng bộ tín hiệu X.
ở chô’ độ tự đồng bộ, chuyển mạch chọn chế độ đồng bộ ỏ vỊ trí “+”
là chọn phần dưđng của tín hiệu Y; còn ở vị trí ” là chọn phần âm
của tín hiệu Y.
Khôi nguồn nuôi cung cấp các mức điện áp khác nhau cho oxylo.
Khối nguồn cao áp điều khiển cường độ dòng tia điện tử và do vậy
điều khiển dộ sáng của hình ảnh trên màn. Ngoài ra việc điều chỉnh
các giá trị điện áp một chiều vào các điện cực của ông tia điện tử có
thể thay đổi độ hội tụ (độ nét) của tia điện tử. Các chiết áp điều chỉnh
độ sáng hay độ nét đều được đặt ở phía ngoài mặt trước oxylo cho
người sử dụng thao tác khi cần hình ảnh rõ nét theo ý muôVi.

1.3. SỬ DỤNG MÁY HIỆN SÓNG

Có rết nhiều chuyển mạch và các núm điều chỉnh trên mặt trưốc
oxylo. Thường chúng được ghi ký hiệu và thông tin cần thiết cho
người sử dụng, do nguồn gô"c sản xuất rất đa dạng nên không có quy
tắc chung cho việc ký hiệu này. Do sử dụng ô"ng tia điện tử, việc khởi
động oxylo cần có thời gian vài chục giây tối vài phút để tạo tia cho
tới khi có tia quét ngang trên màn ảnh. Điều chỉnh độ sáng của tia
Ihích hỢp; điều chỉnh các núm dịch X và dịch Y cho tia nằm chính
giữa màn hình. Chọn thồi gian làm lệch (thời gian quét) thích hỢp.
Chọn độ nét tia phù hỢp.
r

>
......

\
ị1

¡Oms

Hình 1.15. Chuẩn thang Hình 1.16. Biểu diễn đường hình sin
cho lệch Y. có biên độ 20mV và tẩn số 6,67kHz.

Tùy theo tín hiệu Y cần quan sát (về tần sô" và về biên độ) cần
chọn các chế độ của oxylo cho phù hỢp, đưỢc gọi là chuẩn thang chia
chiều đứng (V/cm) và chiều ngang (ms/1 thang chia). Ví dụ trên hình 1.15
có chuẩn thang chiểu đứng là 0 ,lV/cm (khi điện áp đặt tới phiến lệch
Y thay đổi 0 , 1V thì tia dịch đi Icm theo chiều đứng).

10
 Giá trị chuẩn theo trục ngang là lOms/1 thang chia (tia quét ngang
đưỢc 1 đơn vị thang chia cần 1 thời gian là lOms).
Việc chuẩn thang chia là quan trọng nhất trong việc đo đạc các
tham sô"của tín hiệu Y đang quan sát.
V i du: Bộ làm lệch Y của một oxylo đưỢc đặt ở lOmV/1 đơn vị
thang chia và độ lệch thời gian đặt là 25m s/l đơn vị thang chia.
Như trên hình 1.16 xuất hiện điện áp hình sin trên màn ảnh.
Hãy tính giá trị biên độ đỉnh và tần sô của dao động đang quan sát.
Thoo trục thời gian: 1 chu kỳ hình ảnh chiếm khoảng 6 ô (6 đơn vị
cl' Ì£. ngar g) v ậ y chu kỳ T = 6 25|L,S = loCfis.
Theo trục thẳng đứng biôn độ hình ảnh từ đỉnh tới đỉnh chiếm 4Ô
(4 đơn vị chia dọc), vậy biên độ đĩnh - đỉnh của hình ảnh là:
4.10mV = 40mV
Biên độ đỉnh; ù = 20mV

Tần sô"của tín hiệu f = ^ = — ỉ— « 6,67 kHz

T 1 5 0 Ị.IS

Có loại oxylo không có chuẩn thang chia bên trong, khi đó cần
chuẩn từ các điện áp Uy và biết trước đặt vào đầu vàotương ứng
để chuẩn từ ngoài, sau đó mới đưa tín hiệu cần đo vào để so sánh với
các mẫu dơn vị chia vừa có, nếu chưa phù hỢp cần chuẩn lại. Tuy
nhiôn các thế hệ oxylo sau này được chuẩn thang một cách tự động và
đa dạng.

CÂU HỎI ÔN TẬP

1. Việc điều khiổn tia điện tử lệch ngang và lệch đứng xảy ra trong
ông tia diện tử như thế nào?
2. Nhiệm vụ của bộ khuếch đại Y.
3. Bộ tạo điện áp răng cưa dùng vào việc gì?
4. Cần hiểu “sự đồng bộ” trong oxylo như thế nào?
5. Chuyển mạch AC - DC trong mỗi oxylo có ý nghĩa gì?
6. Trục thời gian trên màn hình oxylo đưỢc tạo ra như thế nào?
7. Việc chuẩn độ lệch ngang có ý nghĩa gì?
8. Nhiệm vụ của tầng Trigơ trong cấu trúc khối của oxylo hình 1 . 1 0 .

11
 Chương 2

ĐIỆN TRỞ TUYỂN TÍNH VÀ ĐIỆN TRỞ PHI TaYẾN

2.1. CÁC TÍNH CHẤT CHUNG

Điện áp và dòng điện là hai thông sô xác định trạng thái về điện của
một phần tử trong mạch điện. Quan hệ giữa 2 đại lượng này là không
độc lập, phụ thuộc lẫn nhau. Nếu coi điện áp tác động lên phần tử là
biến số thì dòng đi qua phần tử là hàm sô", ta có quan hệ hàm 1 = f(u). ở
đây quan hộ hàm f đưỢc định nghĩa là trỏ kháng hay điện trở của phần
tử đang xét.
Điện trở tuyến tính là các phần tử điện trỏ có đặc tuyến i = f(u) là môt
đường thẳng (hình 2.1).
Trường hỢp điển hình
là tồn lại môi quan hộ

tuyến tính I = — u với hệ số’

R
u
R = được định nghĩa là
I
điện trở thuần của một Hình 2.1. Điện tuyến I - u tuyến tính
của một diện trỏ thuần.
phần tử và quan hộ hàm số
này là định luật ôm cho
một điện trở thuần.
Đặc tuyến I - u đôi với
một sô điện trỏ đưỢc cho
trôn hình 2.2. Mức độ dốc
hay tga đưỢc định nghĩa là
diện dẫn của phân tử.
AI 1
tga = — - = „ = G
AU R
Điện trở tuyên tính còn
được gọi là điện trỏ Omíc,
Hình 2.2. Điện tuyến tuyến tính
nó tuân theo định luật Om. vổi các giá trị diện trỏ khác nhau.

Điện trở phi tuyển là các điện trở có đặc tuyến I - u dạng phi tuyến.

12
 Hình 2.3 là đặc tính I - u của một điện trở phi tuyến, ở đây quan
hệ dòng điện và điện áp trên phần tử không là tỷ lệ, không áp dụng
đưỢc định luật Ôm cho phần tử loại này. Nếu ta chỉ chú ý tói một
đoạn nhỏ trên đặc tuyến hình 2-4, có thể coi trong phạm vi hẹp này
(từ P) tới Pv) phần tử được tuyến tính hóa, quan hệ dòng điện và điện
áp trong vùng hẹp gần như đưòng thẳng. Điện trở vi phân của phần
tử theo định nghĩa là tỷ sô" các vi phân điện áp và dòng điện:
AU
r=
AI

Hình 2.3. Đặc tuyến I - U của một Hinh 2.4. Tuyến tính hoá trong đoạn p, - P2
điện trở phi tuyến tính. của một đặc tuyến phi tuyến tính.

Điện trỏ vi phân r, thể hiện sự biến thiên nhỏ của I và u trong một vùng
đủ hẹp của đặc tuyến đang quan tâm.
Các phần tử có diện trở phi tuyến chiêm số lượng và chủng loại đa
sô" như diot bán dẫn, transito, thyristo, ôVig tia diện tử, các loại nhiệt
diện trở, áp điộn trở,...
Các diện trỏ đưỢc phân thành 2 nhóm: nhóm có giá trị điện trở cố
định và nhóm có giá trị thay dổi dược, chúng dểu có tham sô" đánh giá
khả năng chịu tải là lượng công sutít diện biến đổi thành công suất
nhiệt tỏa trên diện trở. Khả năng chịu tải phụ thuộc dạng điện trở,
nhiệt độ môi trường và nhiệt độ tổì đa cho phép trôn điện trở được
đánh giá qua tham sô" diện trở nhiệt Ru,u-

R niU

ở đây p là khả năng chịu tải của điện trở tính bằng Watt (W)
là nhiệt độ tôl đa cho phép trên điộn trở.
là nhiệt độ môi trường không khí.
Giữa giá trị điện trở thực và giá trị điện trở do nhà sản xuất

13
muốn có luôn có sự khác biệt gọi là dung sai (sai sô) của điện trở.
Thường dung sai được tính theo phần trăm tỷ sô" giữa độ lệch và giá
trị muôn có; 0 , 1% vối loại có độ chính xác cao hoặc 2 0 % vối loại kém
chính xác.

2.2. ĐiỆN TRỎ CÓ GIÁ TRỊ cố ĐỊNH

2,2.1. Các tính chất
Píhi chế tạo, chúng là các điện trỏ có giá trị cô" định sẵn xác định
qua giá trị danh định, công suất (khà năng chịu tải_, sai số tương đôi,
thời hạn sử dụng hay mức già hóa.
Các giá trị d an h địn h của điện trở đưỢc s ả n x u ấ t th e o seri các sô"
liệu chuẩn thổ hiện trên bảng hình 2.5.

; | | ía |; ìỆ 6,8
E 12
ị'";.!!
(iio*/.) m 'i 1.2 1,8 2.2 2,7 3,3 3,9 5.6 6:8 8,2

E 2-4 1,1 ị 1.2 1.3

( í 5V.) 1.5 1.6 1.8 2.0 2A 2,7 3.0 3,3 3,6 3.9 «,3 5.1 5.6 6.2 6fi 7,5 0.2 9,1

Hình 2.5. Giá trị tiêu chuẩn IBC của điện trỏ Seri E6, E12 và E24

Khi muôn một giá trị cụ thể nào đó, cần chọn giá trị điện trở có
giá trị chuẩn gần giá trị muôn có nhất hoặc phải dùng loại điện trở có
thổ thay dổi đưỢc giá trị (biến trở).
Các loại mẫu ký hiệu seri E 6 E 12 E24 được dùng phổ biến. Giá trị
điện trở đưỢc ký h iệ u theo m ã m àu quô"c t ế là các v ò n g m à u k h ác
nhau bô" trí trên thân điện trở. Giá trị sai sô" cũng được thề’ hiện bằng
vòng màu hoặc chữ cái ký hiệu cuôl cùng trên thân điện trở (xem
bảng màu quy ước).
Các loạt điện trở mã ký hiệu E6 có sai số ± 2 0 % với các giá trị
danh đinh là:

1Q 1.5Q 2.2Q 3 ,3fì 4,7Q 6.8Í1 8.1Q

10Q 15Q 220 33Q 47Q 6 8 fỉ 81Q

100Q 150Q 220Q 330Q 470Q 680Q 810Q

1kQ 1,5kQ 2,2kQ 3,3kQ 4,7kQ 6,8kQ 8,1kQ

10kQ 15kQ 22kQ 33kQ 47kQ 68kQ 81kr2...v.v...

14
 Laại E 12 có sai sô ±10%, E24: ±5%; E48: ±2 %; E96; ± 1% và E192: ±0,5%.
Dải thăng giáng giá trị xung quanh trị danh định cho loại E 6 cho
trên hình 2 .6 với các giá trị điện trở từ l f ì đến 6 , 8 Í^-

Công suất cho trong dải đanh định: 0,05W; 0,1W; 0,25W; 0,5W;
1 W; 2W; 3W; 6 W; 10W; 20W xét ở nhiệt độ môi trường, ví dụ 50°c,
khi nhiệt độ môi trường cao hơn, giá trị công suất danh định đã cho
của diện trỏ bị giảm.

BẢNG MÃ MÀU QUY ĐỊNH QUỐC TỂ CHO LOẠI 4 VÒNG MÀU

(E6, E12, E24)

Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3

Vòng 4
Màu giá trị số giá trị số giá trị hệ số
sai sô'
thứ nhất thứ hai thập phân
Không màu — — ± 20%
Bạc nhũ — — 10-^Q ± 10%
Vàng đồng — —
10-’ Q ±5%
Đen 0 0 10° Q
Nâu 1 1 10^ Q ± 1%
Đỏ 2 2 10^Q ±2%
Da cam 3 3 10^Q
Vàng 4 4 lO-'Q
Xanh lá 5 5 10®Q 0,5%
Xanh da trời 6 6 10®Q
Tím 7 7 10^Q
Xám 8 8 10®Q
Trắng 9 9 10®Q

15
 Vỉ dụ:
Vàng Tím Đỏ Vàng đồng
4 7 10^Q ± 5% = 4700Q ± 5%
Xanh da trời Xám Xanh da trời
6 8 10® Q ± 20% = 68MQ ± 20%
Nâu Xanh lá Da cam Bạc
1 5 lO^Q + 10% = 15kQ ± 10%

BẢNG MÃ MÀU QUỐC TỂ CHO LOẠI ĐIỆN TRỞ có 5 VẠCH MÀU

(E48, E96, E142)

Màu Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4 Vòng 5

giá trị số giá trị sô giá trị số hệ số sai số
thứ nhất thứ hai thứ ba lũy thừa
Không màu — — —
1 + 20%
Bạc — — — 10-^ Q ± 10%
Vàng đồng — — — 1 0 -'Q ± 5%
Đen 0 0 0 10°Q
Nâu 1 1 1 10’ Q ± 1%
Đỏ 2 2 2 10^Q ±2%
Da cam 3 3 3
Vàng 4 4 4 lO^Q
Xanh lá 5 5 5 0,5%
Xanh da trời 6 6 6 10® Q
Tím 7 7 7 10' í ì
Xám 8 8 8 10®Q
1 Trắng 9 9 9 10®Q
V í dư:
Nâu Xám Tím Da cam Đỏ
1 8 7 10^Q ± 2% = 187KQ ± 2%
Cam Xám Xanh lá Vàng đồng Nâu
3 8 5 1 0 -'Q ± 1% = 38,5 n ± 1%
Trắng Tím Xanh da trời Bac Xanh lá
9 7 6 10-^ Q ± 5% = 9,76 Q ± 0,5%
Hệ S ố thập phân Số giá trị 3
Số giá trị 2^ \ / Sai số Số giá trị 2 H ệ số thập phân
Số giá trị 1' / Sai số
r
------- \

1 E i

'I -<\Jơ) ưì
CTJ roOí ơì cn
'T- C\J co
CTJCJ) Ợ) OD c cc c c
'O 'O'O 'O 'P
cccc
-o -o > >> > >
> > > 'O
>
Hình 2.6a. Phân bô vòng màu Hình 2.6b. Phân bố vòng màu loại 5 vòng
quốc tế (loại 4 vòng). theo quy định quốc tế.

16
 BẢNG CÁC GIÁ TRỊ CHUẨN c ủ a đ iệ n t r ở n h ó m E48 (±2%) VÀ E96 (±1%)

E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96 E48 E96
100 100 133 133 178 178 237 237 316 316 422 422 562 562 750 750
102 137 182 243 324 432 576 768
105 105 140 140 187 187 249 249 332 332 442 442 590 590 787 787
107 143 191 255 340 453 604 806
11Q 110 147 147 196 196 261 261 348 348 464 464 619 619 825 825
113 150 200 267 357 475 634 845
115 '|15 154 154 205 205 274 274 365 365 487 487 649 649 866 866
118 158 210 280 374 499 665 887
121 121 162 162 215 215 287 287 383 383 511 511 681 681 909 909
124 165 221 294 392 523 698 931
127 127 169 169 226 226 301 301 402 402 536 536 715 715 953 953
130 174 232 309 412 549 732 976

2.2.2. Các dạng câu tạo của điện trỏ

2.2.2.1. Điện trở lớp
Trên thân lõi ô"ng bằng gô"m sứ hay thủy tinh, trong chân không,
một lớp mỏng (từ 0 ,0 0 1 p,m đến 2 0 |.im) vật liệu dẫn điện được phủ lên
nhò phương pháp công nghệ nhúng hay khuếch tán hdi. Các loại vật
liệu làm lớp điện trở thường dùng là than, kim loại (kể cả kim loại
hiếm) hay oxyt kim loại. Giá trị điện trỏ phụ thuộc vào vật liệu được
chọn, vào thòi gian bám phủ (hay độ dầy lớp bám phủ). Các hình dạng
lớp phủ kiểu bốc bay trong chân không được cho trên hình 2.7 hoặc 2.8.
Cấu hình lớp điện trỏ cho trên hình 2.9. Bên ngoài phần đưa chân ra
thường dùng nồi kim loại chụp hai đầu, phủ các hỢp chất chông cháy,
chông xâm thực của môi trường và ổn định về cơ học. Gần đây các
điện trở đưỢc chế tạo cấu hình đưa chân ra về một phía (hình 2.11).
Thân trụ gốm được thay bằng một bề mặt gôm trên đó đã cho lớp vật
liệu bô"c bay bám trên bề mặt. Hiện nay công nghệ chê tạo điện trở
thực hiện lắp ráp ngay vối các phân tử liên quan theo một mặt phẳng
xác định (gọi là công nghệ lắp ráp bề mặt SMD - Surface Mounted
Device). Hình 2 . 1 2 d chỉ ra cấu tạo điển hình của một điện trở SMD
trên bề mặt một phiến dẫn điện.

2-LKĐIỆNTỬ 17
 C B H H Ĩ

Điện trở không có nồi nắp và mặt cắt của nó

7
Hình 2.7. Điện trỏ với các Idp uốn lượn

ĩi[ĩifỉiní]n " từ các đường díc dắc

\Điện trở nồi nắp kim ioạị

Hình 2.8. Điện trở với các lớp gấp khúc Hình 2.9. Các dạng câ'u tạo điện trỏ lốp

A Ẳ
r
Hình 2.10. Một dạng điện trả Hình 2.11. Điện trở lớp chế tạo về một phía

Hình 2.12. Điện trỏ lớp chế tạo theo công nghệ SMD

2.2.2.2. Điện trở trong công nghệ vimodun (vi điện tủ)
Trong công nghệ vi điện tử, điện trở cùng mọi linh kiện khác được
chế tạo đồng thòi theo một quy trình công nghệ chuẩn và đã được
ghép nốì sẵn thành một hoặc nhiều mạch hoàn chỉnh (gọi là một hoặc
nhiều modun). c ầ n phân biệt hai loại công nghệ: Công nghệ lớp dầy
và công nghệ màng mỏng. Thân điện trở trong hai loại công nghệ này
được vẽ trên các hình 2.13a (với công nghệ lốp dày) và hình 2.13b (vói
công nghệ màng mỏng), ở công nghệ lốp, trên đế (là 1 tấm oxyde
nhôm) nhò phương pháp nóng chảy có nén, một lớp bột kim loại (kim

18
loại quý, oxyde h a y m ộ t hỢp c h ấ t dẫn điộn) được g ắn lê n (để). Còn
lí'ong công nghệ màng mỏng điện trở cũng như các linh kiện khác
dược chê tạo theo phương pháp bô"c bay ở pha hơi kim loại cho bám
lên một đế gô"m sứ trong môi trường chân không qua một mặt nạ với
các cửa sổ khác nhau. Theo đó các linh kiện trong đó có điện trở được
lạo ra với kích thước hình học chính xác nhò các tia laze cắt, giá trị
điện trở có sai số có thể đạt tới ± 0 , 1 %.

Điện trở
Oữĩtiũí
Đường d?n

y
Hỉnh 2.13a. Thân điện trở Hình 2.13b. Thân điện trỏ
trong kỹ thuật lớp dày trong kỹ thuật màng mỏng

2.2.2.3. Các điện trở loại dây quấn

Các d ây đ iện trở đưỢc q u ấ n trên một th â n đ ế loại gô"m sứ ch ịu
n h iệ t tạo th à n h n h ó m đ iệ n trở dây quấn.
Các điện trở dây quấn có điện cảm riêng khá lớn vì các vòng dây
của nó đã tự tạo ra điện cảm ký sinh. Đe giảm nhỏ điện cảm không
mong muôn này, cần d ù n g công nghệ quấn dây đôi, kiểu đôl ngẫu
(hình 2.14). Sợi dây điện trở được lấy điểm giữa và tạo ra một cặp dây
song song đế quấn. Như vậy một cặp vòng dây luôn có chiều dòng
diện là ngược nhau (hình 2.14) và từ trường bị triệt tiêu. Tuy nhiên
do Lính k h ô n g đôi x ứ n g lý tưởng, vẫn còn đ iện cảm nhỏ và do đó h ạ n
chế tần sô" làm việc của loại điện trở này dưới 2 Ọ0 kHz. Các vòng dây
q u ấn đưỢc cách đ iệ n (th ư ờ n g d ù n g sơn cách đ iện p h ủ lê n hoặc nhờ lớp
diộn môi oxyde bề m ặt).

Hinh 2.14. Điện trỏ dây cuốn, nguyên lý cuốn kép.

19
 Khi dòi hỏi công
suTìt rất lc)n (hàng - -.............................
chục vv hay lìốn nữa),
các điộn irỏ dây quấn y
dạng chữ nhật đưỢc sử <> o
dụng. Các áạng diện Nối kiểu kẹp

trở dây quấn thông

It
dụng dược cho trên
hinh 2.15, dược bảo vộ Nối kiểu hàn
chông ẩm. clìông chấy,
chông xâm thực của
môi trường hay bổn về Nổi k'm loại ohép nối
cơ học. Hình 2.15. Các dạng cảu tạo điện trỏ đảy cuốn.

2.3. ĐIỆN TRỎ THAY Đổl GIÁ TRỊ (BIỂN TRỞ)

Các diện trỏ thuộc nhóm
này có giá trị thay đổi được
Á
trong một dải nliất dịnh và
được câ"u tạo có vị Irí dộng để
chọn mức giá Irị cần có nhò
một cơ cấu dịch chuyển quay
hay tịnh tiến (hình 2.16 và Hình 2.16. Điện trd điều chỉnh được
nhò con chạy.
hình 2.17).
Trên hình 2.16, giá trị điện trở thay đổi đưỢc nhờ một tiô”p điểm
trượt trên một đường ray, qua đó chọu đoạn làm việc cho điện trỏ.
Đường ray điện trỏ có thể là hình tròn hay đoạn thẳng. Đặc tính
biến đổi của điện trở tính theo độ dài làm việc có th ể là tuyến tính
(tô"t nhâ't theo mong muôn) liay phi tuyến tính đưỢc biểu diỗn trôn
hình 2.18, hình 2.19 hay hình 2.20. ở các đặc tính tuyến tính, với
gia số mộl góc quay cô" dinh hay gia số’ mộl độ dài đường ray cô" dịnh
luôn nhận dược một giá trị diộn trở không đổi. Các dạng biến đổi
phi Luvên tính (hàm exp, logarit, chữ s...) được cho trên các hình
2.19 và 2.20.

20
 Ký hiệu

Hình 2.17. Các dạng điện trở biên đổi.

^Imax' ^2max

^Imin» ^2min

Ị Đường rãnh đièn trở

Con chạy

-Ro
R=
Hình 2.18. Đường cong giá trị điện trỏ phụ thuộc vào vị trí con chạy.

21
 Hình 2.20. Đường cong giá tri điên trỏ
2.3.1. Biên trơ loại lớp theo vị trí con chạy.

Các đường ray diện trở loại này đưỢc c h ế tạo g iô n g n h ư loại điện
trở lớp cô" định.
Điểm khác biệt là tiôp điểm tiếp xúc với đường raj' cần có độ cứng bề
mặt đổ tiếp xúc tô"t, tránh nhiễu điện áp xuất hiện khi dịch vị trí.
Do đặc điểm cấu tạo, loại điện trở lớp có công suất nhỏ (từ 0,25W
đến 2 W) và có diện dung riông lớn cần đặc biệt chú ý khi dùng ở tần
số cao. Khi sử dụng cần quay góc của đường ray diện trở, loại này
còn được gọi là c h iế t áp khi đường ray đ iệ n trỏ đưỢc c h ế tạo từ loại
chất, dỏo dẫn điện, chiết áp loại này làm việc bền vững trong thòi
gian dài.

2.3.2. Biến trỏ dây quấn

Loại biến trở dây quấn dùng cho các mạch điện công suất trung
bình hoặc công suất lớn (đến lkW), đưỢc quấn trên lõi sứ (hình 2.21),
thường không dùng lớp- bảo vộ hoặc một lớp chịu nhiệt trừ phần
đường ray di chuyển điểm tiếp xúc của con chạy. Quan hệ biến thiên
điện trở với đoạn làm viộc của biến trở là tuyến tính nhưng thực chất
là nhẩy bậc (không liôn Lục).

22
 Hình 2.21. Biến trở dây quấn trên lõi sứ.

2.4. Sự PHỤ THUỘC NHIỆT ĐỘ CỦA ĐIỆN TRỎ

Các giá LrỊ điện trở cố định hay giá trị đã cho (của loại biên dổi đưỢc)
xác định thường ở 20"c. Khi nhiệt độ thay đổi, giá trị của điện trở thay
dổi theo. Mức độ biến thiên được xác định qua hệ số nhiột a.
AR. R20. a . Au

ở dây: AR là sự biến thiên giá trị diện trở vì nhiệt độ

R^o là giấ^ trị điện trở tính tại 20 ®c.
¿\v là lượng biến thiên nhiộL độ tác dộng lên điện trở.
a là hệ sô" nhiệt.
ỠR ^
1
a tính theo đơn vị
'c
0 /
Khi tăng nhiệt độ. íĩiá trị điện trỏ đang xét có thể tăng hay giảm
Lưđng ứng. Khi đó tại nhiệt độ đang xét, điện trồ có giá trị:
Rvv ~ + AR
hoặc R],; = R2I) —AR
Rvv gọi líi điện trở nóng, R« - diện trở lạnh
Thay giá trị AR đã có vào biểu thức của R \v và R k, có:

Rvv = R 2Ũ (1 + aA u )
hoặc Rk= r^2() (1 - OtAu)

23
2.5. NHIỆT ĐIỆN TRỞ NÓNG VÀ NHIỆT ĐIỆN TRỞ LẠNH
2.5.1. Nhiệt điện trở nóng
2.5.1.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Nếu điện trỏ đưỢc chế tạo
từ các loại vật liệu có hệ sô" a
lớn. khi đó ch ú n g đưỢc gọi là
các nhiệt điện trở. Khi Au > 0
(nhiệt độ Lăng), AR < 0 (điện
trở giảm) thì n h iệt điện trỏ
được gọi là loại nóng (nhiệt
diộn trở nóng NTC). Còn khi
Au > 0 thì > 0 gọi là nhiệt
điện trỏ lạnh PTC.
Như vậy loại điện trở 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 i
“C
NTC (Negative Temperature
Coefficitent) có hệ sô a < 0 Hình 2.22. Quan hệ điện trci nhiệt độ
của loại NTC điện trả.
(hình 2 .2 2 ).
Giá trị của nhiệt điện trỏ nóng (NTC) giảm khi nhiệt độ tăng, hệ số a có
độ lón (modun) phụ thuộc vào loại vật liệu sử dụng và vào nhiệt độ.
Vối các loại NTC, a thường có giá trị - 2 %/°C đến -10%/”c các vật liệu
sử dụng đồ c h ế Lạo điện trố NTC thường là hỢp chất bán dẫn đa tinh thể
như oxyde sắL, oxyde niken, oxyde cacbon h ay các hỢp ch ất có titan.

2.5.1.2. Gỉá trị định múc và giá trị giói hạn

Các tham sô định mức và tham số giới hạn do nhà sản xuất đưa
I'a hỗ trỢ người sử d ụ n g n h ữ n g th ô n g tin q u a n trọ n g ở c h ế độ làm việc
và ở chê' độ tới h ạ n (sức ch ịu đựng) củ a lin h k iệ n tr o n g đ iều k iệ n k h ắ t
khe nhất. Đôi với điện trở NTC có các tham sô" sau:
R20 điện trở ở trạng thái lạnh (ở 2 0 °C);
có khi cho ở các nhiệt độ lạnh khác như: / kí
R25 điện trỏ ở trạng thái lạnh (ở 25°C).
ỉ
hoặc R.,0 diện trở ở trạng thái lạnh Hình 2.23. Ký hiệu
(ở ếO^^C). nhiệt điện trở nóng.

t thòi gian nguội: tín h từ lúc đ ạ t tới (sa u k h i n g ừ n g tá c động

n h iệt) đến khi giá trị điện trở tă n g gấp đôi k h i n h iệ t độ giảm .

24
 Tol: Dung sai của R 20 (hay R25, R40)
P^ox: Công suất cho phép lớn nhất.
©
'j|nax0- Nhiệt độ làm việc cực đại cho
phép khi không tải.
'->maxP^ N h i ệ t độ là m v iệ c cực đ ạ i Hình 2.24. Dùng nhiệt điện trở nóng
cho phép khi p = làm cảm biến nhiệt.

Hình 2.23 là ký hiệu quy ước điện trở NTC trong mạch điện, ký
hiệu 2 mũi tên ngưỢc chiều nhau thể hiện quan hệ nhiệt độ tăng thì
điện trỏ g iả m và ngưỢc lai

2.5.1.3. ứng dụng

Phần lớn ứng dụng của điện trỏ NTC là để ổn định nhiệt cho các
mạch bán dẫn (xem mục 7.11). Khi cung cấp cho nhiệt điện trở NTC
một dòng điện ổn định, có thể dùng nó như một cảm biến nhiệt độ
(sensor nhiệt) để đo hay điều chỉnh nhiệt độ trong một hệ thông đo
lường điều khiển.
2.5.2. Nhiệt điện trở lạnh
2.5.2.1. Cấu tạo và hoạt động
Nhiệt điện trỏ lạnh (điện trở PTC: Positive Temperature Coefficient)
có giá trị đ iệ n trở n h ỏ n h ấ t ở tr ạ n g thái lạnh và tà n g giá trị khi n h iệ t
độ tăng lên (đồ thị hình 2.25).
Giá trị điện trỏ của loại điện trỏ PTC tàng lên khi tăng nhiệt độ.
Trên đồ thị hình 2.25. Bắt đầu Ẵ
từ nhiệt độ Ua (nhiệt độ khỏi động) 10'

giá trị điện trở tăng khi nhiệt độ

tăng, đoạn Ua < u < Un có tín h c h ấ t 10*
phi tuyến mạnh; đoạn Ujvj < u < UịỊ
10^
quan hệ tuyến tính và là vùng làm
việc chủ yếu của nhiệt điện trở PTC,
10-
giá trị R của điện trở tăng mạnh
(nhiều cấp thập phân) theo nhiệt độ
10^
tăng do hình thành các lớp khóa có
điện trở lớn trong tinh thể vật liệu. 10 ' 20 100 200
Hệ sô" a trong khoảng từ 20“c đến u,\
có giá trị âm. Khi o > U;V, a có dấu
Hình 2.25. Quan hệ điện trỏi nhiệt độ
dương và rất lớn trong đoạn Ujvj đến Ug. của loại PTC.

25
 Độ lớn của a do loại vật liệu sử dụng và do nhiệt độ quyết định.
Giá trị thông thường của a từ 7%/'^C đến ÔO^/’C.
Ký hiệu quy ước loại nhiệt
điện trở lạnh (PTC) cho trên hình
^3- -à i> -
2.26. Loại diện trở nhiệt PTC 1^. »f
được làm từ loại gô"m Titanat đa
T
tinh thổ cho pha tạp vài chất lạ có
chọn lọc.
2.5.2.2. Thông sô của nhiệt điện trở PTC
Ya nhiệt độ khởi động
Ra = R (i^a)
Ron = R (25"C)
U.NJ nhiệt độ danh định

R n ~ ('->n )

ttu hệ số nhiệt (độ dôc đặc tính R - V))

Ur nhiệt độ cuôì của dải làm việc
R,.: = R (u,.;)
u,„„¡, điện áp làm việc tôi đa cho phép.
2.5.2.3. ứng dụng
NhiộL điện trở lạnh PTC có thổ làm việc ở chế dộ làm nóng từ
ngoài hay chế độ tự làm nóng.
ở c h ế độ làm n ó n g từ n goài, đ iệ n trở đưỢc cấp m ột đ iện áp thâ'p
cỡ IV và do đó nó không thay đổi trị sô". N hiệt độ của điện trơ lúc
này do nhiệt độ môi trường quyết định. Khi đó điện trỏ được dùng
làm cảm biến đổ đo nhiệt độ môi trường (ví dụ nhiệt độ của các cuộn
dây môtơ). Nếu nhiệt độ trong thiết bị quá cao, cầu chì bảo vệ sẽ
hoạt động.
ở chế độ tự làm nóng điện áp cấp cho điện trở lớn (lOV đến 60V),
nhò dó dòng điện chảy qua diện trở làm nóng nó lên, giá trị điện trở
tăng và làm dòng qua nó giảm. Trạng thái ổn định được thiêt lập khi
việc làm mát hệ thông xác lập ổn định.
Nhiệt độ của điện trở PTC xác định qua điện áp làm việc đặt lên
nó và qua sự làm mát nó quyết định.

26
Hình 2.27. Nhiột điện trở lạnh !àm phần tử Hình 2.23. Đặc luyến lĩnh
bá^ mức châ"t lỏng khi đầy. của một điện trở lạnh.

Hình 2.27 nôu một ứng dụng của điện trở nhiệt PTC thông báo
trạng thai dẩy mức chất lỏng trong bình: khi mức chất lỏng trong
bình dầy làm ngập điện trở, nó đưỢc làm nguội nhanh và do đó giá trị
điện trơ giảm mạnh, dòng điện qua rơle tăng (mạch nối tiếp vói điện
Irở) hút nạch tự động cắt quá trình làm
đầy bình. Đặc tuyến Von-Am pe I-U ở
chế độ t:nh của điện trở cho trên hình
2.28, vùr.g ư nhỏ lương ứng với chế độ
làm nónr n^oài, còn vùng u lớn ứng với
chể* độ tự làm nóng, ở chô" độ làm nóng
ngoài, đặc tuyôn có dạng gần tuyến tínli
(hình 2.29), tức là điộn trỏ có giá trị gán
như k h ô r g dổi. ở chô độ tự làm nóng, đặc Hình 2.29. Đặc tuyến Von Ampe
tuyến có dạng phi tu y en tính m ạ n h do quá vùng u thâp cua hình 2.28.
trình tự tạo nhiệt (dòng lớn) và làm mất diện trở quyôt định, khi đó
giá trị diẹn trở thay dổi theo từng điểm làm việc.

2.6. CÁC ĐIỆN TRỎ c ó GIÁ TRỊ PHỤ THUỘC ĐIỆN ÁP

2.6.1. Câu tạo và hoạt động
Khi giá trị của điện trở phụ thuộc vào điện áp đặt trên nó, điện trỏ
đưỢc gọi là VDR (Voltage Dependent Resistor) vật liệu thường dùng là
sỢi Cacbua Silic đưỢc thiêu kô"t ở một nhiột độ nhất định trong một thòi
gian xác định. Sợi Cácbua Silic là loại vật liệu bán dẫn điện đa tinh thể
có cấu tao từ nhiều tinh thể bán dẫn nhỏ hơn có tính dẫn điện khác

27
nhau. Giữa các vùng bán dẫn này xuất hiện các lớp chắn giống như
trong diot bán dẫn. Việc phân cực các lớp chắn là hoàn toàn không đều
nhau. Dưới tác động của điện ti’ường ngoài, các lốp chắn được phân cực
khác nhau tạo ra các vùng có điện trở suất khác nhau. Khi cường độ
điện trường cà n g lổn càng nhiều lớp chắn đưỢc p h â n cực.
Giá trị điện trở của phần tử VDR luôn giảm khi điện áp đặt vào tăng
lên. Cực tính của điện áp không có vai trò quyết định. Đặc tuyến cho
thổ hiện sự thay đổi của điện trở của VDR theo điện áp đặt trôn nó cho ở
hình 2.30a. Còn đặc tuyến Von-Ampe I-U của VDR cho ỏ hình 2.30b.

Hình 2.30a. Đặc tuyến của một áp trở. Hình 2.30b. Đặc tuyến Von-Am pe
của một áp trỏ.

2.6.2. Các tham số định mức và tham số giói hạn của VDR
Các tính chất quan trọng nhất của VDR đưỢc thể hiện qua đặc
tính Von-Am pe hình 2.30b. Quan hệ I(U) là phương trình dạng:

hay I=

p; Hệ sô' điều chỉnh

C: Hằng số’phụ thuộc vào kích thưốc hình học của VDR.
Hằng số c có g iá trị từ 15 đ ến 5000 đưỢc xác đ ịn h khi cho dòng
điện bằng lA chảy qua VDR.
Hệ sô' hiệu chỉnh p quyết định độ dốc của đặc tuyên (nằm trong
dải từ 0,15 đến 0,40).

28
 Tham sổ giới hạn có
1’míix- Công suất tôl đa cho phép.
Umax-: N hiệt độ tối đa cho phép.
Các tham sô' định mức dược xác định khi tác động W/H
điện áp một chiểu lên VDR và đặc tính Von-Ampe -c z ± l-
cũng xác dịnh với điện áp một chiều, ơ chế độ xoay
Hình 2.31.
chiêu đường đặc tính có lệch một chút. Ký hiệu quy Ký hiệu áp trỏ.
ước của VDR được cho trên hình 2.31. Các mũi tên ngưỢc
chiều nhau thể hiện khi tăng điện áp tác động lên VDR thì điện trở
của nó gií.in hoặc ngược lại.
Ví dụ: Cho VDR có c = 1 0 0 ; ß = 0 ,2 .
Hãy tính giá trị điện trở của VDR tại các điện áp:
a) lOV; b) 25V; c) 50V; d) 75V: e) lOOV?

/
Ap dụng hệ thức đã cho: I =
vC y

10 Vũ
a) 1= •A = 0 , 1'’' . A
.100
ư lOV
R= = IMQ
I lOịiA

25
b) 1= . A = 0,25'l A = 0,977mA.
100,
25V
R= = 25,59kQ
0,977mA

50
c) 1= A = 0,5^ A = 31,25mA.
, 100, ì-

50V
R= = l,6 k Q
31,25mA

d) 1=
Ic ;
ß
Í
lio o j
] ÍI.2
. A = 0,75" . A = 237,5mA.

75V
R= = 316Q
237,5mA

29
 100 0,2
c) A = l l A = lA.
100^
lOOV
R= = lOOQ
lA
Khi sử dụng VDK chú ý công suất trên VDR luôn phụ thuộc vào
điện áp tác dộng nên cần xác định với mọi giá trị điện áp trong dải
làm việc, từ hộ thức p - U.I hãy tính p nếu yêu cầu khi p < p,tn a x •

2.6.3. ứng dụng của VDR

Một, ứng dụng phổ biến và quan trọng của VDR là hạn chế diện
áp khi VDR dược coi là một điện trở bảo vệ Iiô"i song song vói phần tử
cần đưỢc bảo vộ chôVig quá áp (h ìn h 2.32). Vâi m ộ t đ iệ n áp h ìn h sin
tác động lên VDR, đáp ứng dòng điện không còn dạng sin và được thế’
hiện trẽn hình 2,33. Trường hỢp ngược lại cũng tương tự nếu dòng tác
động qua VDR là hình sin thì điện áp trên nó không còn dạng sin.
Việc sửa (làm méo dạng) diện áp hay dòng điện như trên được sử
dụng trong kỹ thuật xung, kỹ thuật truyền hình và kỹ thuật điều
khiển hoặc điều chỉnh.

Ub

II

Hình 2.32. Dùng áp trỏ

bảo vệ chống quá áp Hình 2.33. Biến đổi dòng trên một VDR
cho coỉectơ - emỉtơ. khỉ tác động điện áp hỉnh sỉn.

30
 CÂU HỎI ÔN TẬP - BÀI TẬP
1. Hãy định nghĩa điện trở tuyến
tính và điện trở phi tuyến.
2. Điện trở vi phân r của một linh kiện
cho biết thông tin gì về linh kiện?
3. Loạt điện trở chuẩn theo quy ưốc
quốc tố là gì?
4. Hãy liệt kê các giá trị điện trở
chuẩn theo loạt mẫu E 12 nằm
giũa 2 giá ti'ị 400Q vá lOki”}.
5. Trong loạt mẫu E96, với dải giá trị
từ 100fì đến lOOOQ có bao nhiêu
giá trị chuẩn? Sai số’ của loạt E96?
6. ĐỐI với công suất tốì đa cho phép, hãy Hình 2.34. Đặc tuyên của một
liệt kô các giá trị chuẩn cho tới 20 W. nhiệt điện trỏ lạnh.

7. Với quy ưốc mã vạch màu quô"c tế, cóhailoại được sửdụng là 4
vạch và 5 vạch. Hãy nêu ý nghĩa các vòng màu trong mỗiloại
chuẩn đang sử dụng.
8. Hãy xác định trị sô" các diện trở và sai số tương ứng của nó vối các
mã m àu đọc đưỢc n h ư sau:
Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4
a) Nâu Đen Cam Vàng
b) Xám Đỏ Nâu Bạc
c) Đỏ Đỏ Vàng Vàng
d) Vàng Tím Da trời Không màu
e) Nâu Lá cây Bạc Bạc

Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4 Vòng 5

f) Lá cây Cam Da trời Bạc Đỏ

g) Xám Xám Tím Da trời Nâu
h) Đỏ Tím Vàng Đen Đỏ
i) Nâu Cam Xám Vàng Nâu
k) Vàng Cam Đỏ Nâu Nâu
9. Hãy nêu mã màu tương ứng của các điện trở sau:
a) 3,740 ± 1%: b) 681kQ ± 2%; c) 114kQ ± 0,5%
d) 2,46MQ ± 0,5%; e) 46,4kQ ± 1 %; í) 7150Q ± 2%

31
1 0 . Vật liệu được sử dụng để chế tạo điện trỏ lóp?
11. Phân biệt hai dạng câ'u tạo điện trở lớp?
1 2 - Giải thích khái niệm công nghệ SMD? Điện trỏSMD có cấu tạo
như thế nào?
13. Hãy mô tả công nghệ chê tạo điện trở trong kỹ thuật lốp dầy và
kỹ th u ậ t m à n g mỏng.
14. Đặc diểm cấu tạo của điện trở dây quấn?
15. Hãy nêu biện pháp kỹ thuật làm giảm nhỏ điện cảm riêng của
đ iện trở dây quấn?
16. Chiết áp có đặc tính biên đổi logarit dương. Hãy phác họa quan hệ
giữa sự biến thiên diện trở với đường ray dịch chuyển hay góc
dịch c h u y ể n của con chạy của ch iết áp.
17. Nhiễu khi quay vói loại chiết áp được hiểu như th ế nào?
18. ưu nhược điểm của điện trở dây quấn đối với điện trở ìớp.
19. Hãy định nghĩa hộ sô" nhiệt a của điện trở nhiệt hay của một vật
liệu làm đ iện trở.
20 . Một điện trở dây quấn làm từ dây điện trở Niken có R20 = 400Q. Nung
nóng nó tới nhiệt độ 110°c. Hãy tính điện trỏ của nó tại nhiệt độ làm

vìôc, biết rằng hê sô a của Niken là a = +0,15.10”^. .

2 1 . Quan hộ giữa nhiệt độ và giá trị điện trở của loại điện trở NTC?
2 2 . Hãy phân biệt thời gian làm mát của một điện trỏ nóng được xác
định như t h ế nào?
23. Hãy vẽ sơ lược đặc tính điển hình của điện trỏ PTC (quan hộ R-u).
24. Hãy giải thích chế độ tự làm nóng và chế độ làm nóng từ ngoài
của n h iệ t đ iện trỏ lạnh.
25. Giá trị điện trở của VDR thay đổi như th ế nào khi tăng điện áp
tác động lên nó.
26. Hãy vẽ phác thảo đặc tính I-U của một VDR.
27. Một VDR có c =120 và ß = 0,3.
Hãy tính giá trị của VDR tại các điện áp làm việc,
a) 2 0 V b) lOOV.
28. Đặt một điện áp dạng hình sin vào VDR. Hãy vẽ dòng điện chảy
qua VDR và giải thích dạng đã VC.
29. Với một điện trở nhiệt PTC có đặc tính R—u choở hình 3.34. Hãy
n ê u các th ô n g tin quan trọng v ề th a m sô" v à c h ế dộ của p h ần tử
th ô n g qua d ạ n g đặc tín h đã có.

32
 Chương 3

TỤ ĐIỆN Và CGỘN DàỴ

3.1. ĐIỆN DUNG

Một vật thể có nhiều điện tử hơn proton sẽ tích điện âm. Lượng
điện tích âm chính là tổng các điện tích nguyên tô" của số lượng các
điện tử dư ra. NgưỢc lại vật thể sẽ tích điện dươngkhi sô" lượng
electron ít hơn sô' proton và lượng điệntích dương của nó được xác
định bằng lổng các điện tích nguyên to của lỉố pr&ton dư thừa.
Không gian xung quanh vật Điện trường
thể tích điện là một trạng thái đặc Vùng nghèo Vùng thừa
biệt gọi là trường điện. Trường điện tử điện tử
điện được tạo từ các đường sức
dược sắp xếp có trật tự bắt đầu
xuất phát từ điện tích dương và
kô"t thúc ndi điện tích âm. Nếu hai
vật thể dẫn điện dưỢc bô" trí cách
ly nhau và được đặt vào một điện
Hình 3.1. Điện trưòng phân bố giữa
áp, khi đó hai vật thể này được
các vật tích điện.
nạp điện (hình 3.1).
Vật thế được nôì tới cực âm của nguồn áp sỗ nhận được một lượng
điện tử dư thừa và phía đôl diện vật thổ thứ hai sẽ thiếu hụt một
lượng electron tương iương khi nó nô"i tới cực dương của nguồn áp.
Giữa hai vật thể đã xuất hiện một trường điện.
Số lượng điện tích Q hai vật thể đang xét nhận đưỢc phụ thuộc vào
kê't cấu hai vật thể, hình dạng của chúng và độ lốn của trưòng điện.
Trường diện xuất hiện phụ thuộc giá trị điện áp đặt vào, vào kích
thưốc vật thổ và khoảng cách giữa chúng. Điện dung của hộ thông hai
vật thể đang xét là đại lượng đặc trưng cho sự kết hỢp các yếu tô" đã
nêu trên (kích thưốc vật thể, cưòng độ, điện áp đặt vào...). Theo định
nghĩa điện dung c là tỷ số giữa điện tích Q và điện áp u.

Q = c .u

Q: điện tích của hệ hai vật thể đang xét

C: điện dung của hệ
U: Điện áp đặt vào chúng

33
3-LK OIỆNTỬ
 Do đơn vị đo lường của Q là Ampe giây (As) = Culón, của điện áp
u là Volt (V), nên đơn vị đo của điện dung là; = Ss = Siemens
V
Sekunde đưỢc gọi là Fara (F) 1F = iS s.
Theo đó; lm F = 10 "^F ; l(aF = 10‘®F
ln F = 10 '®F và lp F = 10 ''"F
Là các đơn vị nhỏ hơn của Fara.
Một phần tử có điện dung 1 Fara khi vối một điện áp IV đặt lên,
vật thể sỗ nhận đưỢc một điện tích 1 Culon.
Điện dung chỉ hình thành giữa 2 vật thể dẫn điện nằm cách ly
nhau về điện. Hai vật thể có thể rất lớn như 1 vệ tinh và quả đất hay
rất nhỏ như hai sỢi dây dẫn song song cạnh nhau.
Điên dung là một thuộc tinh dưới tác động của một điên áp, càc điện tích
sẽ được nạp.
Một tụ điện gồm 2 bản kim loại (hình 3.2) có điện dung:

íì,, .e .A
c = - í) r
a
ở đây C: điện dung của tụ
e„: hằng số’ điện môi Eo = 8,85. 10“'^F/m
8,.: hệ sô" điện môi
A: diện tích hai bẳn kim loại song song đôi diện,
a: khoảng cách giữa hai bản kim loại.
Để có c lớn thường dùng hai lá kim loại cách ly nhau bằng một
lớp cách điện mỏng và được quấn lại song song nhau.

MặtphẳngA Lap điện môi

Hình 3.2. Tụ điện phẳng.

3.2. TỤ ĐIỆN
3.2.1. Vấn để chung
Tụ đ iện là loại lin h k iện có điện d u n g đưỢc xác đ ịn h trước, gọi là
giá trị d an h định, có sa i sô" (độ lệch giữ a g iá trị thực và giá trị m u ôn
có) và có p hụ thuộc n h iệ t độ.

34
 Do lớp điện môi có điện trở không phải vô cùng lớn (có giá trị hữu
h ạn) n ên k h i đã đưỢc nạp điện tích (từ n gu ồn áp ngoài) tụ sẽ tự
phóng điện qua điện trở của lớp điện môi. Ngoài ra khi làm việc lớp
điện môi bị làm nóng và gây ra tổn hao (nhiệt) cho tụ điện, tổn hao ở
chế độ một chiều khi chịu tải và ở chế độ xoay chiều.
Cần phân biệt hai dạng tụ điện: Tụ một chiều và tụ xoay chiều.
Tụ một chiều được chế tạo để chỉ làm việc vói điện áp một chiều
khi đó vật liệu điện môi có tính chất tổn hao rất lớn ở chế độ xoay
chiều. Tụ một chiều luôn có điện áp danh định và không thể làm việc
với điện áp xoay chiều có trị biên độ oằng giá trị danh định này.
Trong một sô trưòng hỢp đặc biệt chúng có thể làm việc với các điện
áp xoay chiều vối biên độ rất nhỏ (trên nền giá trị một chiểu lốn - tụ
lọc trong nguồn chỉnh lưu) tụ xoay chiều chỉ làm việc với tín hiệu
xoay chiều. Các tụ điện có kích thước hình dạng và chủng loại rất
khác nhau.
Tham sô" danh định và tham sô" giới hạn thể hiện các tính chất
của tụ điện:
Tham sô' danh định:
* Điện dung danh định * Dải nhiệt độ làm việc
* Độ lệch (dung sai) * Thời gian sử dụng
* Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện dung * Độ tin cậy khi làm việc
* Sự phụ thuộc đp ẩm của diện dung * Hệ số’ tổn hao
* Hằng sô" thòi gian tự phóng điện
Tham số giới hạn:
* Điện áp giới hạn (danh định)
* Điện áp giới hạn tác dộng lâu
* Điện áp giới hạn hay đỉnh (tác động nhanh)
* Điện áp xoay chiều tôì đa
Các giá trị của tụ điện (giá trị điện dung của tụ) đưỢc quy định biểu
diễn theo mã m àu với các màu cơ bản giông như quy định quốc t ế vổi
điện trở. Dùng loại mã màu 5 vòng, quy định tuân theo bảng sau;
Chú ý tụ điện có điện dung danh định theo tiêu chuẩn lEC - loạt
chuẩn tương tự cho loạt E6 , E 12 , E24, sai số tuân theo loạt E48 E96
và E192. Ngoài ra với các tụ điện bọc kim chú ý chân nối o v và phân
biệt nó vói các chân nốì ra mạch ngoài.

35
 Chân nối ra mạch ngoài
\ Ị
\ ■-4

\ \ = ( I) /
\ \
Số giá trị thứ 1 \ Điện áp danh định

Số giá trị thứ 2 Sai số iỊl

Hệ số thập phân Chân nối ra mạch ngoài

Hình 3.3. Ký hỉệu quy ưóc vạch Hình 3.4. Các loại tụ SMD
màu của tụ điện.

Sự phụ thuộc của điện dung vào nhiệt độ được xác định qua hệ số
nhiệt ttc-
AC = C . ơc . Av

Vòng 3 Vòng 5
Vòng 1 Vòng 2 V òn g 4
Màu Sô thứ 3 hệ Điện áp
S ố thứ 1 S ố thứ 2 Sai số
số nhân danh định

Khòng màu — - - ± 20% 5000V

Bạc — — 10*^ ± 10% 2000V
Vàng - - 10*^ ± 5% 1000V

Đen — 0 10"pF
Nâu 1 1 10' pF ± 1% 100V
Đỏ 2 2 10'pF ± 2% 200V
Cam 3 3 10"pF 300V
Vàng 4 4 10"pF 400V

Xanh lá 5 5 10"pF ± 0.5% 500V

Xanh da trời 6 6 10"pF 600V
Tím 7 7 10'pF 700V
Xám 8 8 10®pF 800V
Trắng 9 9 10"pF 900V

Vối AC sự thay đổi điện dung do nhiệt độ gây ra.

c giá trị điện dung của tụ điện tại 20°c (hay tại 40®C)
(trị danh định)
ttc hệ sô nhiệt của tụ đo bằng l/”c
Av Sự biến thiên của nhiệt độ tác động trực tiếp lên tụ c.

36
 Thời gian phóng điện ĩs là tích số của điện trỏ cách điện Rịs và điện
dung c của tụ = R/s-C
Tụ điện có Ts càng lốn thì chất lượng càng tô^t, giá trị của ts
thường trong khoảng lOOOs đến lO.OOOs (s: giây)
Dải nhiệt độ làm việc, thòi gian sử dụng (ví dụ từ 8 đến 15 năm).
Độ tin cậy khi làm việc (ví dụ lOO.OOOgiờ/3%), hệ sô" tổn hao ô là các
tham số khác nhà sản xuất cung cấp thông tin cho người sử dụng.
Chú ý hệ sô" tổn hao 5 tăng theo sự tăng của tần số. Khi nhiệt độ tăng
cao điện áp danh định giảm (ví dụ ở 40”c điện áp danh định là lOOV
thì ỏ 80‘'C giá trị này chỉ còn lại 60V). Khi làm việc ở chê độ xung, cần
quan tám tới giá trị điện áp đỉnh danh định cho biết khả năng chịu
điện áp trong một thòi gian ngắn của tụ.
3.2.2. Câu tạo tụ điện
3.2.2.1. Tụ giấy và tụ mica
Tụ giấy (hình 3.5) gồm 2 tò
kim loại m ỏng th ư ờ n g là giấy
nhôm được cách ly n h ò một tấm Lớp màng kim loại
giấy mỏng. Hộ thôVig trên đưỢc
cuộn tròn c h ặ t lạ i s a u đó đưỢc
tạo 2 cực ra từ h a i tò giấy kim
loại và đưỢc bọc k ín bằng vậL
liệu ch ôn g ẩm, có độ cứng bảo Lớp điện môi
vệ, chông cháy.
Ngày nay lớp cách điện
Hinh 3.5. Cảu tạo tụ giấy hoặc tụ mica.
thường được dùng là lớp vật liệu
nhân lạo (mica, polyme) có nhiều ưu diểin hdn giấy: kích thước gọn
hớn, giá trị điện dung c và diện áp chịu đựng ổn định hơn. Đặc biệt
vật liệu polystyrol có nhiều ưu diổm về tổn hao điện môi thấp, hệ số
n h iệt ttc âm giá trị n h ỏ thích hỢp cho việc sử d ụ n g ỏ tầ n số cao ví dụ
trong mạch tạo dao động tần sổ cao.
3.2.2.2. Tụ kim loại - giấy (tụ MP)
Bề dầy của phiến kim loại không ảnh hưởng tới giá trị điộn dung
của tụ. Khi muôn có một giấi trị điện dung lốn (trên một đơn vị thể
tích với một điện áp nạp xác định), cần giảm bề dầy phiến kim loại tối
mức tôi thiểu. Tụ kim loại - giấy được chê tạo để đạt được mục đích

37
trôn. Kim loại được bốc bay dưối dạng một lớp mỏng trên bề mặt giấy
cách điện. Bề dày lớp kim loại cỡ 0,05 Ị-im. Bề dày lớp giấy được chọn
tuỳ điện áp danh định cần có, các lớp kim loại mỏng có điện trở tương
đôi lớn là nhưỢc điểm củ a loại VỊ trí đảnh thủng Lớp klm loại
tụ MP. Các chần tụ (các cực) Lớp điện môi
được lấy ra trên 2 mặt đó đã Ế 1"
đưỢc mài nhọn ở đầu cuộn về 2
phía của lớp kim loại. Việc câ'u
tạo này làm giảm điện cảm
Vùng có mật độ
riêng của cuộn. dỏng điện lớn
Nếu thực hiện đục một lỗ
'•r Lớp kim loại bị bóc đl
thủng (hình 3.6), tại vùng
xung quanh lỗ sẽ xuất hiện
trong thòi gian ngắn rnột mật Hình 3.6, Tự hồi phục của tụ MP và tụ MK.
độ dòng điện khá lớn. Đây là
điểm đặc biệt của các lớp kim Hi©
loại được bô"c bay phủ thành
màng mỏng. Lớp điện môi nhò
đó không bị phá huỷ. Điểm
thủng lỗ là cách ly về điện. Lỗ
thủng có tính chất tự lành lại
(tự hồi phục).
Chất điện môi
(điện cực thứ
Lớp kim ioại
hai cùa tụ)
(điện cực thứ
nhất cùa tụ) Lớp điện môi

Hình 3.7. Cấu tạo tụ điện hoá (theo mặt cắt). Hình 3.8. cấu tạo một tụ điện hoá.

Tính chất tự hổi phục là một ưu điểm quan trọng của tụ MP.
Quá trình tự hồi phục xảy ra trong thời gian lO^s đến 50|.IS.
Trong thời gian này, điện áp của tụ giảm dẫn tới khả năng gây nhiễu
ở dạng xung cho các mạch điện tử. Sau mỗi quá trình tự hồi phục,
điện dung của tụ bị giảm một chút (ví dụ sau lOOOlần, giá trị điện
dung sẽ giảm đi 1 %).
3.2.2.3. Tụ kim loại - hợp chất nhăn tạo (tụ MK)
Cấu tạo của tụ MK về nguyên tắc giông tụ MP, lớp điện môi ở đây
không dùng giấy mà là loại vật liệu nhân tạo dưới dạng màng mỏng

38
được phủ 2 lớp kim loại mỏng (0 ,0 2 |.im đôn 0,05^rr^ trên 2 mặt của
lớp điện môi. Việc chế tạo cần đảm bảo điện cảm riêng nhỏ và điện trở
riêng của các tấm kim loại làm điện cực thấp. Tụ loại MK cũng có khả
năng tự hồi phục như loại tụ MP.
Tụ MK được chia nhỏ thành các nhóm.
Tụ MKT vật liệu điện môi là polyetylen (loại ký hiệu phổ biến MKH).
Tụ MKC vật liệu điện môi là polycacbonat Goại ký hiệu phổ biến MKM).
Tụ MKU vật liệu sử dụng là xenluloasetat (loại phổ biến MKL).
Tụ MKS vật liệu điện môi là polystyrol (loại ký hiệu MKY).
3.2.2.4. Tụ gốm
Tụ gô"m sử dụng gốm làm lớp điện môi, gồm 2 nhóm:
Nhóm 1 : sử dụng các loại gô"m có hệ số" điện môi thấp (e,. từ 6 đến
450) có tổn hao điện môi nhỏ, ít phụ thuộc vào nhiệt độ.
Nhóm 2 : sử dụng các loại gô"m đặc biệt có hệ sô" điện môi lớn (e,. từ
700 đến 50.000), tuy nhiên phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ, tổn hao
diện môi tương đôi lớn.
Vật liệu gô"m sứ thuộc nhóm 1 sử dụng tốt trong các mạch cần tần
sô" ổn định, thường là các mạch tạo dao động. Khi đó cần gia công kích
thước tụ điện tương đốì chính xác, giá trị điộn dung chính xác và ít
phụ thuộc nhiệt độ. Tổn hao điện môi ở tần số rất cao vẫn đủ nhỏ. Vật
liệu thuộc nhóm 2 có thể chế tạo đưỢc các tụ kích thưâc rất nhỏ
nhưng có giá trị điện dung lớn (ví dụ c = 10 |J.F, u =: 30V) các tụ thuộc
nhóm 2 có hệ s ố nhiệt độ lớn, tổn hao điện môi cũng khá lớn chỉ dùng
ỏ n h ữ n g v iệ c y êu cầu độ ch ín h xác không cao.

3.2.2.5. Tụ điện hoá

Các tụ điện hoá dùng dung dịch điện hoá làm 1 trong hai điện cực
của tụ, điện cực kia là kim loại cấu tạo dạng màng (hình 3.7 và 3.8),
ngăn cách 2 điện cực này với lớp điện môi. Dung dịch điện hoá là một
loại c h ấ t lỏn g dẫn điện, m ột sô" trường hỢp dùng v ậ t liệu bán dẫn điện
làm cực điện hoá, điện cực kia là nhôm. Bản cực nhôm luôn tồn tại 1
lớp oxyde nhôm được sử dụng làm môi trường điện môi để cách ly bản
cực nhôm với cực điện hoá. Vói tụ hoá chịu điện áp lOOV, lớp oxyde
nhôm chỉ dày cỡ 0,15(.im, khoảng cách giữa 2 điện cực như vậy là rất
hẹp trong khi diện tích hai bản cực lại rất lớn nên loại tụ điện hoá

39
thường có giá trị điện dung lớn (hình 3.8) khi cùng một giá trị tổn hao,
điện dung có thể tăng gấp 8 lần. Hệ số điện môi của ôxyt nhôm khoảng
7 đô"n 8 . Cấu tạo của tụ hoá luôn phân biệt điện cực kim loại (nhôm) là
cực dương, cực điện hoá còn lại luôn là cực âm (hình 3.8). Với điện áp
đặt vào cỡ 2 V, tụ điện hoá đã được phân cực và hình thành lớp oxyt.
Chất điện hoá đưỢc nung nóng nhanh tạo khí có khả năng gây nổ. Việc
phân cực nhanh cho tụ chỉ thực hiện với điện áp thấp cỡ 2 V. Đổ tránh
làm nổ tụ cần chú ý ngắn mạch dòng điện cho tụ trước khi đưa tụ vào
mạch bằng cách nối tắt 2 cực của tụ.
Ký hiệu quy ước của tụ điện hoá được cho trên hình 3.9. Một vài
dạng tụ điện hoá có hai lá nhôm không có lớp oxyt, loại này có điện trở
thấp, 1 lá nhôm làm cực ầm (gọi là lá katot), còn lá kia đảm nhiệm vai
trò lớp oxyt gọi là anot. Giữa 2 lá katol và anot đổ dung dịch điện hoá
và v ậ t liệu giữ ch ú n g (giấy hay sỢi dệt). Nếu tại lá k a to t tạo th êm 1 lớp
oxyt sẽ nhận được hai tụ điện hoá nối đôl nhau kiểu nôi tiếp - đây là
loại tụ điện hoá không có cực tính (hình 3.10) và ký hiệu cho trêii hình
3.11. Điện dung loại tụ hình 3.10 còn giá trị một nửa và làm việc được
ở mạch điện xoay chiều. Nếu cùng giá trị điện dung và điện áp danh
định thì kích thước của tụ không phân cực gấp đôi tụ có phân cực.

Hình 3.9. Ký hiệu tụ điện có Hình 3.10. Nối hai ty phân Hình 3.11. Ký hiệu
phân cực. cực đối nhau dể tạo ra tụ tụ điện hoá không
điện hoá không phân cực. phân cực.

Tụ điện loại điện hoá - Tantal có lớp điện môi là oxyttantal đặc biệt
bền vững chống đánh thủng. Hệ số điện môi của Tantal 8,. » 27 cho phép
sản xuất tụ Tantal có điện dung lớn, tuy nhiên loại này có giá thành
cao khi thay thế lóp màng nhôm bằng lớp màng Tantal và lớp oxyt
nhôm sẽ là lốp oxyt Tantal có cấu tạo tương tự. Tụ Tantal cũng có hai
loại phân cực và không phân cực.
Hình 3.12 trình bày cấu tạo của một tụ Tantal - điện hoá (loại S)
và hình 3.13 là cấu tạo loại SF. Vói tụ điện hoá Tantal loại SF, chất
điện hoá là mangandioxít (Mn0 2 ) có cấu trúc đặc biệt mang tính chất
của chất bán dẫn tạp chất loại n dùng làm cực katot và anot là khôi
Tantal thiêu kết. Đây là loại tụ có cấu tạo đặc biệt chắc chắn.

40
 \
Lớp điện mòl Lớp điện môi rắn

Hình 3,12, Câu tạo một loại tụ điện Hỉnh 3.13. Cấu tạo một loại tụ điện
hoá Tatal (loại S). hoá Tantal (loại SF).

3.2.2.6, Các loại tụ thay đôi được trị số điện dung

Để thay đổi đưỢc giá trị điộn dung, các tụ xoay có cấu tạo gồm
nhiều phiên điện cực song song dôi diộn nhau từng cặp và chỉ 1 nhóm
phiến điện cực có thổ di chuyển (qưay) cùng 1 trục (ví dụ nhóm phiến
sc> lẻ). Còn nhóm sô" chẵn giữ cô" định (hình 3.14). về nguyên tắc, cấu
tạo tụ xoay như thể hiện ở hình 3.lõ gồm 2 nhóm phiến phẩng song
song đối diện nhau, như vậy diộn tích các bản cực của tụ là rất lón.
Lõi đ iện môi tro n g trường hỢp này thư ờng là k h ô n g khí. Giá trị điện
dung có thổ thay đổi từ vài pF (lúc phần roto và phần stato không đốì
diện nhau) đến khoảng vài trăm pF (lúc hai phần tĩnh và động đối
diện nhau toàn bộ).
Phần động

Phần động
Phần tĩnh

Hình 3.14. Câu tạo tụ xoay 2 ngăn.

Roto
Phiến stato
Hỉnh 3.15. Tụ xoay gổm 2 nhóm Phần tĩnh (không nhinthấy)
phiến song song vói nhau. Roto
SÌQtO
Để thay đổi điện dung
của tụ trong 1 giới hạn Phần động
nhỏ (vi điều chỉnh) nhóm
tụ xoay dạng Trimơ hình Hình 3.16. Một dạng của tụ bán chuẩn (Trlmơ).
3.16 được sử dụng.

41
3.3. TỤ• ĐIỆN
• TRONG MẠCH
• ĐIỆN
• 1 CHIỂU

3.3.1. Nạp điện cho tụ

Rv
Tụ điện c trong mạch hình
3.17 chưa được nạp điện. Thoạt Uh-*-
tiên, ngay sau khi nôl mạch
khoá s, dòng điộn chỉ tác động
ĩ
tối R„ và R;.
Tụ chưa nạp điện có trỏ kháng bằng 0
Như vậy chưa có điện áp trên tụ (U^ = 0) hay không có điện tích
trên các bản cực của tụ. Dòng điện trong mạch có giá trị;

“ (R = Rv’’’ Ri là điên trở chung của mach)

R^+R. R '
Tụ c bắt đầu được nạp, Uc tăng, trở kháng của tụ tăng theo Uc-

Rc - —— , dòng điện trong mạch bị giảm dần. Hình 3.18 thể hiện

quan hệ dòng I và áp ưc theo thòi gian từ sau lúc s nối mạch (t = 0).
Thời gian cần thiết cho việc nạp điện của tụ phụ thuộc vào dòng
điện, tức là phụ thuộc vào R và c. Tích sô" R .c quyết định tới tô"c độ
nạp đ iện của tụ và được gọi là h ằ n g sô" thòi g ia n T.

t= R.c

63
(chính xác 63,2*/,) 60 /•
37 •Ạ .xov.
(chính xác 36,8*/.)
20V.

5r t

Hình 3.18. Đổ thị Uc(t) lc(t) khi 1 tụ nạp điện.

Theo đồ thị hình 3.18, sau thời gian t = X điện áp trên tu đạt tới
63% giá trị lốn nhất và sau t = 5t thì Uc = Ucmax- Như vậy tụ nạp đầy
sau 5x. Lúc đó U c (5t) = Uo; 1 = 0.

42
 Ktìì được naß đầy, trở kháng của tụ là vô cùng lớn. Tụ có tinh chất chặn
dòng 1 chiều.
V í du: Khi cho c = 1 0 0 f4.F và R = 2kQ (mạch hình 3.18)
Tính hằng sô" thòi gian X và thòi gian nạp cho tụ.
T= RC = 2.10®fì . 100 . 10-"F = 200ms
Thời gian nạp 5t: = 5.200ms = Is
3.3.2. Năng lượng của tụ
Khi được nạp đầy, tụ tích trữ n ăn g lượng đ iện w đưỢc xác định bởi

w = - c .
2
ở đây W: điện năng trữ trong tụ
C: điện dung của tụ
U: điện áp trên tụ
3.3.3. Sự phóng điện của tụ
Khi được nạp đầy, tụ như một nguồn điện áp có điện trở trong rất
nhỏ. Nếu khi đưỢc nạp đầy, nốì n gắn m ạch hai cực củ a tụ, tụ phóng
điện với dòng điện phóng rất lớn và dễ phá hỏng tụ nên để thực hiện
quá trình phóng điện cho tụ cần sử dụng điện trỏ phóng ỏ mạch ngoài
để hạn chế dòng điện phóng (hình 3.19).

__0^-o--------

ưc HUc [
i

Hỉnh 3.19. Đưòng phóng của tụ c.

Khi khoá s nốì mạch, tụ (nguồn điện áp) cấp dòng cho R (cấp
năng lượng cho mạch ngoài), tụ phóng điện và điện áp trên tụ giảm

dần (hình 3.19). Tại mỗi thời điểm, do I = dòng điện giảm theo
R
cùng quy luật vối điện áp Uc;.

43
 Sau một khoảng T = RC điện áp trên tụ và dòng trong mạch giảm
còn 37% so với giá trị dỉnh và sau khoảng t = 5x, điện áptrôn tụ
U(> (t > 5 t) = 0; I = 0: Tụ đã phóng hết năng lượng.

3.4. TỤ ĐIỆN TRONG MẠCH XOAY CHIỀU

3.4.1. Dẩn dòng xoay chiểu
Neư dặt điộn áp xoay u
chiổư lên tụ. nó sẽ được
nạp và phóng điện liên u c4=
V
tie"p. Ví dụ điện áp xoav
ơ
vy
C) C
chiều là hình sin, trong Q_
03- 'Q
.c Q-
Q.
TO-
CL
1/4 chu kỳ đầu, tụ đưỢc
nạp, ở phần tư tiôp sau Hình 3.20. Nạp phóng cho tụ c
VÓI một điện áp xoay chiểu.
nó phóng điện. Sang bán
kỳ âm, tại phần tư thứ 3
tụ lại đưỢc nạp theo
chiều ngược lại và phóng
điện ỏ phần tư cuô"i cùng Hình 3.21. Dao động của điện tử trong hộp dẫn
trong một chu kỳ điện áp khi có dòng xoay chiếu.
tác động (hình 3.20).
Như vậy trong mạch xoay chiều các điện tử chuyển dộng kiểu dao động
giữa hai điện cực của tụ diện (hình 3.21) và tụ điện có tính chất dẫn điện
dôì vói dòng xoay chiều (nhò điện trường ghép giữa hai bản cực của tụ).
3.4.2. Điện kháng của tụ (dung kháng)
Trong mạch xoay chiều, điện trở của tụ càng nhỏ khi tần sô" càng
cao và điộn dung của tụ càng lốn. Điện kháng của lụ được tính bởi:

1
Xc =
27i.f . c
1
Xc =
tó .c

X(’: dung kháng (điện kháng của tụ)

C: diộn dung
f; tần s ô tín hiệu
03: tầ n s ố góc (o) = 27tf)

44
 Chú ý trong điện kháng X(. không có tổn hao công suất nhiệt khi lý
tưởng. Hình
liii 3.22 thể
Lut: hiện quan hệ
IIIVU quíUi Xc theo 1,f, Ví
lit: yvc vu, tụ c = 2 , 2 nF; ở
dụ: Với
VI uụ.

[Hz điện kháng của tụ là:

tại f = lMHz
1 1
_________________________ _________________________ ^ 1000
x .= Q = 72,3Q
271.f . c 6 , 2 8 . 10 “ ( - ) . 2 , 2 . 1 0 “®(Ss) 6 >2 8 . 2,2
s

Hình 3.22. Quan hệ phụ thuộc điện kháng Xc vào tần số.

3.4.3. Sự dịch pha và đồ thị vectờ

Khi dược nạp đến trạng thái Uc lớn nhất, dòng 1 = 0 . Khi phóng
điện hết J(. = 0 dòng I lớn nhất. Nghĩa là giữa dòng điện và điện áp
trên tụ có sự dịch pha 90'X khi tụ không có tổn hao).
Khi không có tổn hao dòng điện trên tụ nhanh pha hơn điện áp 1 góc Qơ’.
Đồ th, thời gian Uc(t) và I{t) cho trên hình 3.23, đồ thị vectơ Uc, I
cho trên lình 3.24.
Uç

/1 > Uc
\ t
\ X y *

HìnP 3.23. Đồ thị Uc (t) lc(t) của Hình 3.24. Quan hê vectd dòng và
1 tụ không tổn hao. áp trên 1 tụ điện không có tổn hao.

3.4.4. Hệ số tốn hao và góc tổn hao

Các ti điện thực tế luôn có tổn hao. Nếu biểu thị qua điện trỏ tổn
hao R troag mạch (hình 3.25), tụ không tổn hao (lý tưởng) c nối tiếp vổi
R. Từ mạ;h hình 3.25 nhận đưỢc đồ thị véctđ hình 3.26. Góc dịch pha

45
giữa dòng và áp thực tế nhỏ hơn 90“, so với tụ lý tưởng bị dịch đi 1 lượng s
đưỢc định nghĩa là góc tổn hao. Hệ sô" tổn hao theo định nghĩa là tang
của 5.
/
-------p

R
Ù ^ t ^ V'
c= = Uc Uc' u
f ỉ

Hĩnh 3.25. Mạch tương dưdng Hình 3.26. Đổ thị véc tơ dòng và
thay thê' 1 tụ điện có tổn hao. áp trên 1 tụ diện có tổn hao.

tg 5: hệ số’ tổn hao.

. _ ư« I.R
Uc I.x ^
Tụ càng tô"t khi tổn hao càng nhỏ hay tgS càng nhỏ, R « Xc. Hệ
sô" phẩm ch ấ t của tụ đ iện Q dưỢc định nghĩa:

hay

3.5. MẮC NỐI TIẾP VÀ MẮC SONG SONG CÁC TỤ ĐIỆN

3.5.1. Mạch nối tiếp
Mạch điện hình 3.27 có 3 tụ Ci, C2 và C3 mắc nôl tiếp nhau. Trở
kháng tổng cộng:
^Ctd ~ ^C1 ^C2 ^C3 Ci =ì :.,
1 1 1 1 ơ C2-h)Cc2
Hay: — -— = — l _ + - _ l _ + _ l _
coC,J coC, coCt coC, C3=hxc3
1 1 J_r 1 + -----h
1 1
(0 c Id co Hình 3.27. Mắc nối tiếp 3 tụ điện.

Tổng quát khi nốì tiếp n tụ điện Ci, C2 •••Cn.

Điện dung tương đương được xác định bởi:

46
 Áp dụng cho trưòng hơp có 2 tu Ci và C2 nôl tiếp; - ^ = — + —
'Id c , C,
Hay

C,=47nF
Ví dụ; Hãy tính C(,a khi nốì tiếp c , = 47nF
với C2 = lOnF (hình 3.28).
C2=10nF
c, .c , 47nF.10nF 470
nF - 8,25nF 3 2 8 . Mắc nối
c ,+ c , 47nF + 10nF 57 tiếp 2; tụ điện.

3.5.2. Mạch song song

Mạch điện hình 3.29 có 3 tụ Ci, Cọ và
C.3 mắc song song nhau. Khi đó:
1 I l 1
X C,J Cj Cj X,

Hay co.C«! - co.(Ci + c <2 + C3) Hình 3.29. Mắc song song
3 tụ điện.
Ctd ~ C1+C2 + C3
Trường hỢp có n tụ Ci, C2, c„ mắc song song:

C,u = C, + C2 + ... + C„=

i=l

Ví dụ; Mắc song song 2 tụ Ci và C2, biết

Ci = lOOf^F (hình 3.30) va: U 4 Cg= C2--7
Ctd = 430 |.iF hãy tính C2 lOOpF
JL , ..
c l i - c . + c^hay C, = C a - C ,
Hình 3.30. Mắc song
C2 = 430 |i F - IOO1.1F = 330 |.iF song 2 tụ diện.

3.6. CUỘN DÂY

3.6.1. Điện cảm

I
Khi trong cuộn dây hình 3.31 có một dòng
điện xoay chiều chảy qua, xung quanh nó sẽ xuất
hiện một từ trường biến thiên theo thời gian. Từ
trường này cảm ứng lên cuộn dây một điện áp Hình 3.31. Ký hiệu
theo định luật tự cảm. cuộn dây.

47
 U q! điện áp cảm ứng
N: sô" vòng dây của cuộn dây
Aộ: Sự biến thiên của từ thông
At: thời gian xảy ra biến thiên A(Ị)

Uo

a) Đồ thị dòng điện và điện áp cảm ứng b) Đổ thị dòng điện và điện áp cảm ứng
trên cuộn dây khi nối mạch dòng điện trên cuộn dây khi ngắt mạch dòng điện

Hinh 3.32.

Dấu trong hệ thức thể hiện điện áp cảm ứng có chiều ngược với
tác động là nguyên nhân sinh ra nó (là biến thiên dòng diện trong cuộn
dây) (hình 3.32a và hình 3.32b). Khi dòng I tăng thì Uo ngược chiều I,
còn khi I giảm thì Uo cùng chiều vối I. Điện áp tự cảm có giá trị phụ
thuộc cấu tạo của cuộn dây (vật liệu làm lõi, số vòng, chiều dài quấn
dây) và phụ Ihuộc tốc độ biến ihiên của dòng điện trên cuộn dây.

U l: Điện áp tự cảm
AI: sự biên thiên của dòng điện
At: thời gian biến thiên của dòng điện
L: điện cảm của cuộn dây
Vs
Đơn vị điện cảm đo bằng Henry [L] = =as =H

48
 Cuộn dây có điện cảm là 1 Henry khi với dòng điện biến thiên 1A trong
1s sẽ sinh ra sức điện động (điện áp) tự cảm trên nó là 1V.
Các đơn vị nhỏ hơn của H là;
ImH (milihenry) = 10 '^H; InH (nano Henry) = 10 ~®H
1 |aH (microHenry) = IpH (picoHenry) =
Các đơn vỊ lớn hơn là IkH (kiloHenry) = ít dùng.
Điện cảm của cuộn dây xác định bởi;

L: điện cảm.
N: sô" vòng dây
í-Iq: hằng sô" từ trường
hệ số từ thẩm.
A; thiết diện vòng dây.
1,„: độ dài đưồng sức trung bình
a : đ ộ dẫn t ừ .

Điện cảm của một cuộn dây luôn tỷ lệ với sô vòng dây bình
phương (việc xác định hệ sô" từ thẩm )LI,, thường khó khăn với các vật
liệu lõi sắt từ và chỉ tính gần đúng, giá trị 1„, thường phân bô" không
rõ rệt để tính chính xác đưỢc).
3.6.2. Câu tạo cuộn dãy
3.6.2.1. Cuộn dây lõi không khí
ĩiOại cuộn d âv lõi không khí thường có dạng
trụ (hình 3.33) hay dạng thiôt diện chữ nhật
(hình 3.34) dạng xuyến (hình 3.35) hay dạng xoắn Hình 3.33. Cuộn
dây dạng hỉnh trụ.
Ốc (hình 3.36).
I

P
Hỉnh 3.34. Cuộn dây Hình 3.35. Cuộn dây Hình 3.36. Cuộn dây
dạng chữ nhật. dạng lõi xuyến. dạng xoắn ốc.

49
4-LK ĐIỆN ĩử
3,6,2,2, Cuộn dây lõi sắt
Cuộn dây có lõi sắt làm từ vật liệu sắt từ mềm (hình 3.37) hay
vật liệu Ferit từ (hình 3.38).
Các vật liệu sắt từ (hình 3.37) làm lõi đưỢc cách ly với dây quấn
nhò vật liệu cách điện và loại cuộn dây này chỉ làm việc với các tần sô"
thấp (tới 2 0 kHz) do tổn hao tăng nhanh khi tăng tần sô".
Nhóm lõi Ferit từ hình 3.38 có tính chất tôt hơn ỏ tần sô" cao do
tổn hao thấp; cu ộn d â y loại n à y đưỢc d ù n g với tầ n so» cao tối vài
chục MHz. Các dạng lõi sắt hay lõi Ferit khác nhau đưỢc cho trên
hình 3.39.

Hình 3.37. Lõi cuộn dây xoắn từ. Hình 3.38. LÕI cuộn dây Ferit từ.

Lõi chữ u Lõi chữ E LÔI chữ M

Lõi chữ I Lõi tròn Lõi trụ xoay

Hình 3.39. Các lõi sắt hay sắt từ Ferit.

3.7. CUỘN DÂY TRONG MẠCH ĐIỆN 1 CHIỀU

• II •

3.7.1. Quá trình nối mạch - tạo từ trường

Mạch hình 3.40 cho một cuộn dây s
chịu tác động của một nguồn 1 chiều.
Điện trở R trong mạch có tính tổng
quát bao gồm cả điện trở riêng của II
cuộn dây, tức là khi đó coi cuộn dây
thuần kháng (không tổn hao).
Khi cho khoá s nối mạch, dòng trong Hình 3.40. Cuộn dây trong mạch
mạch tăng dần. Ngay lúc nối mạch, điện áp điện 1 chiểu (khi nối mạch).

50
tự cảm U l trên cuộn dầy lớn tới giá trị u tác động. Sức điện động tự cảm
chốíag lại sự tăng trưởng của dòng (hãm dòng) làm dòng trong mạch tăng
chậm. Đồ thị hình 3.41 minh hoạ sự biến thiên của U l và I theo thời gian.
Quá trình thiết lập tạo từ trường càng chậm khi giá trị L càng lớn và R
càng nhỏ. Hằng s ố thời gian X được định nghĩa

Sau khoảng thời gian nôl mạch là T điện áp trên cuộn dây giảm
còn 37% giá trị u và dòng tăng tới 63% trị = — (hình 3.41) đến
R
thời gian 5t thì U l (5 x ) 0 và I(5t) =

\\.

-------I--- V-

© IK

Hình 3.41. Đố thị U(t) l(t) trên cuộn dây

'I
khi tạo từ trưòng (nối mạch). 3 ^2. Cuộn dây trong mạch
điện 1 chiểu (khi ngắt mạch).

Từ trường của cuộn dày sau khi nổi mạch một thời gian 5 r = 5 .— sẽ

được thiết lập hoàn toàn.

Vi du: Một cuộn dâv có điện cảm L = 0 , 2 H, đặt vào nó điện áp
một chiều lOOV với điện trở cửa mạch R = 50Q.
a) Tính thời gian thiết lập từ trường của cuộn dây.
b) Tính dòng cực đại I,,,,,, khi từ trường đã được thiết lập hoàn toàn.
_ L 0 , 2 H0 , 2 Q s_ ^
a) X = — = -r-— = —;—— = 4m s
R 50 Q 50 Q
Như vậy thòi gian thiết lập từ trường là 5x = 5.4m s = 20m s (tức là
sau 2 0 ms từ trường được thiết lập hoàn toàn).
, _ u lOOV ^ ,
b) I,naK = = ----- - = 2 A
R 50 Q

51
3.7.2. Nằng lượng của cuộn dây
Năng lưỢng từ trường chứa trong cuộn dây khi được nạp xác định bởi;

W: năng lượng từ trường trong cuộn dây

L: điện cảm của cuộn dây
I; dòng điện chảy qua nó
Ví du: Cuộn dâ 3' có L = 0.5H có dòng I = 3A chảy qua. Tính năng
lượng của cuộn dây ở tr ạ n g th á i này.

w = - L P = -0,Õ(H).3(A)"= 2,25Ws (Watt giây).

2 2
3.7.3. Quá trình ngắt mạch - giải phóng năng lượng từ trường
Mạch hình 3.42 thể hiện quá trình ngắt mạch khi khoá s hở
mạch. Do dột nhiên m ất dòng cấp tại lúc s ngắt, năng lượng từ
trường tron g cuộn d ây đưỢc tự do, x u ấ t h iệ n đ iện áp tự cả m r ấ t lớn có
cực tính ngược với chiều u hay cùng chiều với hướng giảm của dòng
điện trên cuộn dây.
Độ lớn của điện áp tự cảm phụ thuộc vào nảng lượng đã tích luỹ và vào
tốc độ biến thiên của việc ngắt mạch (của dòng điện).
Giá trị điện áp tự cảm có thể đạt tói
vài kV (đây cũng là nguyên lý khởi động
mồi cho động cơ ô tô chỉ dùng bình ắc
quy) khi nguồn cấp dòng cho cuộn dây
(gọi là cuộn mồi) bị ngừng đột ngột.
Đồ thị hình 3.43 thổ hiện dòng và
áp trôn cuộn dây khi có tác động dãy
xung vuông góc vào mạch. Tronfí khi
dòng I(t) chỉ thay dổi trong phần trên
trục 0 thì U l thường xuyên bị đảo cực
sau mỗi nhịp nối (cực tính dương) và
ngắt (cực tính âm). Đồ thị hình 3.43
cũng tuân theo quy luật như vối một
xung đột biên đơn trước đây, nghĩa là Hình 3.43. Quá trình nối và ngắt
sau: X = L/R điện áp U l giảm 37% trị mạch ò cuộn dây khỉ tác động
1 xung điện áp dạng chữ nhật.
ƯL„,„X và I tăng 63% = U/R).
Sau õx = 5I7R n ăng lượng trong cuộn dây đưỢc giải phóng hoàn toàn.

52
3.8. CUỘN DÂY TRONG MẠCH ĐIỆN XOAY CHlỂU
3.8.1. Sựtkĩh luỹ và giải phóng năng lượng từ trường trên cuộn dây
Khi đãt diện áp xoay chiều lên cuộn dây, dòng xoay chiều chảy
qua cuộn dây tạo nôn quá trình liên tục tạo và giải phóng năng lượng
từ Irường (hình 3.44). Đồ thị hình 3.45 mô tả quá trình nạp và phóng
năng lượnỉ cho cuộn dây trong một chu kỳ của dòng điện hình sin với
4 nhịp làir. việc khác nhau trong mỗi phần tư chu kỳ.

s R I

ì
u II ƯL

±
Hình 3.44. Cuộn dây trong
mạch xoay chiều. Hình 3.45. Quá trình thiết lập và giải phóng
(năng lượng) từtrưòng trong cuộn dây.

3.8.2. Sự dịch pha và đồ thị vectơ

Điện áp ưị trên cuộn dầy dạt giá trị lón nhất khi dòng điện I trên
nó qua giá trị 0 và ngược lại Uị, =0 lúc dòng I đạt cực đại. Như vậy U l
và l dịch pha nhau 90” và điện áp nhanh pha hơn dòng điện 90^ đối
với cuộn dây lý tưởng.

ở cuộn dây không có tổn hao, điện àp sớm pha hơn dòng điện 90°.
Hình 3.46 là đồ thị thời gian của ư|, và I minh hoạ kết luận trên
và đồ thị vectơ tương ứng thổ hiện trên hình 3.47.

Ui /

Hình 3.46. Đồ thị U(t) và l(t) khi tác Hỉnh 3.47. Quan hệ véc tơ ỏ cuộn
động điện áp xoay chiều hinh sin lên dây không tổn hao.
cuộn dây không có tổn hao.

53
3.8.3. Điện kháng thuẩn (cảm kháng) của cuộn dây
Thành phần điện kháng thuần của cuộn dây là thành phần không
làm tổn h ao n ă n g lượng điện k h i kh ôn g biến đổi n ă n g lượng th à n h
công s u ấ t n h iệ t trên cuộn dây và đưỢc xác định bởi tỷ sô" ư l /I.

Xl; Cảm kháng

f: Tần sô"
I
L: điện cảm.
X l = 2nfL = coL
co: 2nf tần số’ góc.

Đồ thị hình 3.48 biểu diễn

quan hệ X lvà tần sô" f,
Ví dụ: Hãy tính cảm kháng của
cuộn dây có điện cảm L = 10 mH ỏ tần
sỐf=2MHz.
27ifL = 6,28.2.10"l/s.10.10-'Qs
Hình 3.48. Sự phụ thuộc của điện
125600 Q = 125,6kQ kháng thuần của cuộn dây vào tần số.

3.8.4. Hệ số tổn hao và phẩm chất

Thường cuộn dây thực tế
có tôn hao và không thể bỏ
qua đưỢc. Có th ể đặc trưng
cho tổn hao trên cuộn dây
bằng điện trở R trong mạch
hình 3.49 được mắc nổi tiếp
vối cuộn dây lý tưởng không
tổn hao, Với mạch hình 3.49
Hình 3.49. Mạch Hỉnh 3.50. Đồ thị véc
có đồ thị vectd hình 3.50. Khi thay thê cuộn dày tơ của 1 cuộn dây có
có tổn hao điện áp u trên cuộn có ton hao. tôn hao khi có dòng
dây sớm pha hơn dòng điện 1 và áp qua nó.
góc (90*^-ô) nhỏ hơn 90*^.
5 đưỢc định nghĩa là góc tổn hao, cuộn dây không tổn hao có s ~ 0.
Hệ sô" tổn hao được định nghĩa là tg ô

Igô =
u, IX,

Hệ sô"phẩm chất của cuộn dây được định nghĩa là nghịch đảo của tgS

54
 Q: hệ số phẩm chất của cuộn dây
Q= Xị! cảm kháng của cuộn dây
tgỗ R
R: điện trở tổn hao của cuộn dây
3.8.5. Cách quấn cuộn dây
Khi sử dụng cuộn dây, do yêu cầu rất khác nhau nên phần lốn
chúng đưỢc quấn trên các lõi khác nhau và không có sự chuẩn hoá
như với các điện trở hoặc tụ điện.
Điển hình nhất là cuộn dây quấn trên lõi không khí nhờ một cuộn
ÔTg hì.ih trụ híiy xuyến hình tròn (hìr.h 3.50a vè. lù.ih 3.õCbỳ. Điện
cám của cuộn dây quấn trên các lõi này đưỢc xác định theo công thức
gần đúng với lõi trụ hình 3.50a.

■I

-X
a) Cuộn dây dạng hình trụ b) Cuộn dây dạngvòng xuyến c) Lõi terit từ m ềm

Hình 3.50a, b, c.

ở đây:
L; điện cảm (nH)
D: đường kính lõi (cm)
L’: chiều dài lõi (cm)
L(3D + 9Í + 10W)
hay N= W: bề dầy cuộn (cm)
78 D-
N; aố vòng dây
Với lõi hình 3.50b
ở đây:
L: điộn cảm (nH)
D: đưòng kính lớn (cm)
d: đường kính nhỏ (cm)
Ld
hay N= N; số vòng dây
7i D

Vi dụ:
Vổi lõi hình 3.õOa có chiều dài 1 = 2 cm, đường kính D = l , 5 cm và
bổ dầy cuộn dây w = 4mm được quấn 100 vòng. Tính điện cảm L.

55
 78D- 78(1,5)-
L = N \- = 100- nH
3D + 9.L’ + 10W 31,5 + 9.2 + 10.0,4
= 66226nH = 66,226nH
Vối loại lõi sắt từ chủ yếu là lõi Ferit đưỢc sản xuất công nghiệp
vối nhiều loại mẫu mã hình dạng khác nhau. Tuy nhiên vật liệu làm
lõi chủ yếu là loại Ferit từ mềm có hệ số’ điện cảm Al xác định.
Giá trị A ị_của một lõi cuộn dày là giá trị độ dẫn từ của lõi.
Khi sử dụng lõi sắt từ, điện cảm của cuộn dây được tính theo:
L= A, A l: hệ số điện cảm (nH)
L: điện cảm (nH)
L
hay N-
V a ,

V í dụ: Lõi dạng hình 3.50c được dùng phổ biến tối tần số 50MHz
dùng để quấn một cuộn dây có L = 360)aH; biết A l = 60nH. Khi dó cần
sô" vòng dây quấn trên lõi là:

N= E , V65Õ5
VAl V 60(nH)
N = 77,5 vòng dây.

3.9. MẮC NỐI TIẾP VÀ MẮC SONG SONG CÁC CUỘN DÂY
3.9.1. Mạch nối tiếp
Trên hình 3.51 thực hiện mắc nô"i tiếp 3 Li I Xli
cuộn dây Lj, L2 và L3. Khi đó điện cảm tương
đường: u I-ĩ Ểxlĩ
^Ltci “ Xli + Xl 2 L3I Xlỉ
H ay coLtj = co (Lj + L 2 +L3)
Từ đó vối n cuộn dây có điện cảm Li, L2... L„
mắc nỐì tiếp nhau, điện cảm tương đưđng của Hình 3.51. Nối tiếp
3 cuộn dây.
chúng là:

(Chú ý hệ thức trên chỉ đúng khi các cuộn dây không ghép từ
với nhau).

56
3.9.2. Mạch song song
Trên hình 3.52, 3 cuộn dây Li, Lj và L, mắc song song vổi nhau.
Khi các cuộn dây này không ghép từ trường vối nhau (không ghép hỗ
cảm) thì:
1 1 1 1
Xud x„ x ,3 x ,3 u ¿'II x^jr ¿ỉii’
—
1 1
:— = +
1 +
1
íoL,j coLj (oL, C0L 3
Hỉnh 3 52. Nối song sonọi
J_ Ị_ 3 cuộn dây.
haỵ
Lịj L| Lt L,
Khi có n cuộn nốì song song nhau, không ghép từ với nhau thì:

Trưòng hỢp r iê n g khi chỉ có 2 cuộn dây Lj và m ắc so n g so n g

_ LịLị (/ L,| 1 MI

" L, + L,

V i dụ: Cho mạch hình 3.54 với 3 cuộn Hình 3.53. Nối song song
2 cuộn đây.
dây có điện cảm LIJ Lo và L3 tương ứng là
Lj = SOOmH; L2 = lõOmH; L3 = lOOmH.
Tính diện cảm tương đương. | L2 =
300 ờ« llléOmH
L ^ 300.150 (mH)^ 45.000mH
“ L, +Lj ” 300+150 (mH) ” 450
Lu - Lj 2 + L3 = lOOmH + lOOMH = 2 0 0 mH
lOOnH
ỉ L3=100mH

Hình 3.54. Mắc hỗn hđp

3 cuộn dây.

CÂU Hỏí ÔN TẬP VÀ BÀI TẬP

1. Hây giải thích khái niệm “điện dung”. Nêu rõ điện dung của dây dẫn
đién, điện dung của cáp hay điện dung của một hộp thiết bị là gì?
2 . Hảy nêu môi liên hệ giữa điện tích Q, điện áp u và điện dung c?

57
3. Giá trị các tụ điện đưỢc thể hiện qua mã màu 5 vạch như thế
nào? Ý nghĩa của các vạch màu quy ước?
4. Mỗi tụ điện có một thời gian hằng số tự phóng Tg, giá trị Ts phụ
thuộc vào những đại lượng nào?
5. Một tụ điện có giá trị danh định là 2 ,2 nF ở 20°c và có hệ số nhiệt
ttc = - 2 ,Õ.10 ”^1/‘^K. Hãy tính giá trị điện dung của tụ ở nhiệt độ 95"c?
6. Điện áp giới hạn lâu dài của tụ có ý nghĩa gì?
7. Hãy giải thích đặc điểm cấu tạo của tụ mica và tụ giấy.
8. Phân biệt tụ MP và tụ mica. Khả năng hồi phục của tụ MP là gì?
9. Cấu tạo của tụ MK?
1 0 . Tụ điện hoá có điểm đặc biệt gì? Các điện cực 1 , điện cực 2 và lốp
điện môi của tụ làm từ loại vật liệu nào?
1 1 . Tại sao tụ điện hoá có phân cực?
12. Tại sao sử dụng các điện cực thô nhám đốì với tụ điện hoá?
13. Các tụ điện hoá không phân cực có cấu tạo như th ế nào?
14. Tụ điện hoá T a n ta l d ù n g ch ất điện p h â n lỏn g và c h ấ t điện phân
rắn. Hãy trình bày cấu tạo của hai loại tụ này.
15. Tụ xoay và Trimơ có đặc điểm gì giông và khác nhau?
16. Hằng sô" thời gian nạp cho tụ điện (trong một mạch điện một chiều)
là gì? Ý nghĩa?
17. Một tụ diện có điện dung c = 2200).iF đưỢc nạp bởi diện áp một
chiều 450V. Tính năng lượng nạp cho tụ.
18. Tụ có c = 6800)J,F làm nguồn điện áp cho điện trỏ tải R = lOMQ.
Tính thòi gian phóng điện của tụ (lúc bắt đầu phóng tụ đã được
nạp đầy).
19. Tụ c = 4 7 nF tại tần số f = 1 0 kHz có hệ số tổn hao là 0 , 0 2 . Tính
điện trở tổn hao nôi tiếp vói c? Tính phẩm chất Q của tụ.
20. 3 tụ điện c , = lOOnF; C2 = 22nF và C3 = 47nF được mắc nối tiô’p
nhau. Tính Ctj.
21. Một tụ có Ci = l|.iF đưỢc nôì tiếp với tụ C2 để tạo ra Cia = 359nF.
Tính C2.
2 2 . Giải thích ý nghĩa điện cảm của 1 cuộn dây? Khi nào 1 cuộn dây
có giá trị điện cảm là 1 Henry.
23. Hằng số thời gian của cuộn dây trong mạch điện 1 chiều là gì?

58
24. Một cuộn dây không tổn hao có dòng xoay chiểu chảy qua. Góc
dịch pha giữa diện áp trên cuộn dây ƯL và dòng I qua nó bằng
bao nhiêu? Vẽ đồ thị véc tơ minh hoạ?
25. Sự phụ thuộc của cảm kháng X|^ của một cuộn dây vào tần sô" như
thế nào? Vẽ đồ thị minh hoạ.
26. Hộ số tổn hao và phẩm chất của 1 cuộn dây thực là gì? ý nghĩa.
27. 3 cuộn dây Lj = 20mH; Lg^lOOmH và Lj = IH đưỢc nối song song
nhau (không có ghép từ trưồng với nhau). Tính Li,).
28. Hãy xác định giá trị của tụ Ct,i trong mạch hình 3.55.
C ,= 2nF Ca^lOOnF
C 3 = 2 |.iF C ,= 4 ^iF C5=6mF.

2 pF 100 nF

Ct
= ì ỊjF
C3
2ụF' ci
6 pF

Hình 3.55. Mắc hồn hợp 5 tụ điện.

59
 Chưdng 4

M6NCĨ Mfĩl cực VA M6NQ 4 cực

PHỤ THUỘC TẬN SỐ

4.1. TÍNH CHẤT CHUNG

4.1.1. Mạng hai cực
o —■
Một mạch điện có hai đầu nối ra ngoài được
mô tả là 1 mạng 2 cực, có thể biểu diễn như một
cái “hộp” ở hình 4.1. Cấu tạo bên trong “hộp” có ZP

thể rất khác nhau, ta chỉ chú ý đến một số

trường hợp là các linh kiện đã để cập túi như
điện trở, tụ điộn hay cuộn dây và chúng có ý
Hình 4.1. Mạch điện có
nghĩa đặc biệt trong kỹ thuật điện tử.
hai đầu nối ra ngoài
(mạch 2 cực).
4.1.2. Mạng 4 cực
Mạch điện có 2 đầu nối ỏ lối vào và hai đầu
nốì ở lôi ra đưỢc định nghĩa là 1 m ạng 4 cực và
có thể mô tả chúng như một hộp dạng hình 4.2.
Lối ra
Có nhiều dạng mạng 4 cực rất khác nhau về cấu
tạo và tính chất. Trong phần này chỉ đề cập tới
một vài dạng cơ bản nhất có cấu tạo từ các phần Hình 4.2. Mạch 4 cực.
tử R, L, c thường gặp và quan trọng nhất trong
kỹ thuật điện tử.

4.2. MẠCH RC Nốl TIẾP

Tác động một điện áp xoay chiều vào mạch RC nổi tiếp thể hiện ở
hình 4.3 (có dạng 1 mạng 2 cực). Đồ thị véctđ các điện áp ƯR, U(J và
dòng điện I trên mạch được cho trên hình 4.4; đồ thị véc tơ các thành
phần trở kháng của mạch cho trên hình 4.5.

Mạng hai cực

u ỉ

Hình 4.3. Mạch 2 cực nối tiếp R và c.

60
 Hỉnh 4.4. Đổ thị véc tơ dòng Hình 4.5. Đồ thị véc tơ trỏ
và áp trẽn mạch RC nôi tiếp. kháng của mạch nối tiếp RC.

Do Uk cùng oha I và I nhanh pha hơD Uc 1 góc 90^(khônp tổn hao

trôn tụ C). Ta có:
u
^ - Xc Vậy z =
I

Z=y]ìV+Xị

Ọ là góc dịch pha giữa u và I

4.3. MẠCH RL NỐI TIẾP

Tác động điện áp xoay chiều u vào mạch gồm R và L nốì tiếp hình
4.6, U kcùng pha với dòng điện I, U l nhanh pha 90” so với I (cuộn dây
không có tốn hao). Đồ thị vectơ các điện áp cho trên hình 4.6 và quan
hệ diện kháng cho trên hình 4.7. Từ các dồ thị này, ta có;

I I

Z = ^R'+xị

_ ^1, _
tg(p =

o đây (p là góc dịch pha giữa dòng điện I và điện áp u trong mạch.

61
 ỚR
Mạng
î hai cực

L|| II
1
Hình 4.6. Mạch nối tiếp R và L Hình 4.7. Đồ thị véc tơ điện áp
(mạng 2 cực). và trả kháng mạch RL nối tiếp.

4.4. KHÂU RC
Chuyển mạch nốì tiếp RC hai cực hình 4.3 theo cách biểu diễn của
một mạch 4 cực hình 4.8 vối Uị là điện áp lốì vào, Ư 2 là điện áp lôì ra.
Hãy xét tính chất của khâu RC hình 4.8 khi Ui là điện áp có dạng hình
sin và tần sô" của Ui thay đổi.
ở vùng tần sô" thấp, tụ c có trở kháng rất lốn, khi đó Ư2 - Uj. ờ
vÙDg tần sỏ" cao, trở kháng của tụ c đủ nhỏ, khi đó Uo « 0 .
Trên hình 4.8 cho sự phụ thuộc của điện áp ra Ư2 vào tần sô" lôi vào.
Tính chất cho qua tần thấp và nén tần sô"cao gọi là tính lọc tần thấp.
Mạch lọc tần thấp chỉ cho các tín hiệu vào có tần số thấp đi qua.

Tần số’ tại đó U 2 giảm còn 0,707Ui (giảm y[2 lần) được định nghĩa
là tần sò' giới hạn trên của dải tần cho qua và ký hiệu fg.
R
Ỹ —' '—

Lối vào U] Ơ2 Lối ra

i- 4 cực

Hình 4.8. Mắt RC như một mạng 4 cực đồ thị phụ thuộc điện áp ra U 2 vào tần số f.

Từ đồ thị vectơ của mạch điện cho trên hình 4.9, có Ư 2 = xảy

ra khi Uk= U c = Ư22 hay^ J = ^I

62
 R = Xe, từ điểu kiện này
1
R= hay
2ní.c
U 27tRC 2 tit

Tích sô" X = RC được định nghĩa là hằng sô" thòi gian của khâu RC,
tại tần số giới hạn fg, U 2 dịch pha so với Ui 1 góc 45°.
Ví dụ: Khâu RC có R = lOkQ; c = lOOnF.
Tính của bộ lọc thâ"p?
1 1
í, = — ^— = ------------- r --------- ^----
° 2rtRC 6 .2 8 . 10 . 1 0 \ 100 . 10 '".s,

= 159Hz

Hình 4.9. ĐỒ thị véc td điện áp và điện trd của mắt RC ỏ tần sô' giói hạn.

4.5. KHÂU CR
Mạch CR (hình 4.10
với mô hình một mạng 4 <> i ■' <

cực) có được nhò đảo vỊ -U c -^

LỐI vào u^ > u ì
Lrí giữa 2 phần tử R và
c trong mạch nối tiếp /
4 cực
hình 4.3 hay hình 4.8
Các tính chất của khâu
Hình 4.10. Mắt CR như một mạng 4 cực.
CR ngược lại rất khác
so với khâu RC đã xét:
ở các tần sô' thấp, do trở kháng của c rất lốn nên Ư2 » 0.
ở các tần số cao, do trở kháng của c rất nhỏ nên Ư 2 » U).
Đồ thị Ư 2 (f) được cho trên hình 4.11 và quan hệ vectơ giữa điện áp
và dòng điện trong mạch cho trên hình 4.12.
Khâu mạch CR chỉ cho qua các tín hiệu tần số cao và nén các tín hiệu
tần số thấp, đây là tính chất của một bộ lọc tần số cao.

63
 Bộ lọc tần số cao là một mạch chỉ cho qua các tần số cao.

Hình 4.11. Đồ thị phụ thuộc điện áp ra U2 Hình 4.12. Đồ thị véc td tại tẩn số
vảo tần số f của mắt CR. giói hạn của mắt CR.

Tương tự, tần số tại đó u., giảm giá trị còn được tính nghĩa là
V2
tần m cắt (tần sô" giới han dưới fg) của dải tần cho qua.
Tại ĩg U|í = Uo và do đó;

(C=72.3nF)

R=2^kn
Tại fg u., dịch pha 45 so với U].
V i du: Một bộ lọc cao CR hình 4.13
có = 1kHz. Biết R = 2,2kQ hãy chọn Hình 4.13. Bộ lọc cao vói tần số
giói hạti là 1KHz.
tụ c thích hỢp.

c = --------------ỉ------ ^ - nF
6 ,2 8 .2 ,2 (k Q ).1 0 -(H z ) 6 ,2 8 .2 ,2

c = 72,3 nF.

4.6. KHÂU RL
Một mạch điện gồm điện trở R mắc nối tiếp vói 1 cuộn dây L (hình
4.14) được mô tả dưới dạng một mạng 4 cực và đ ư ợ c gọi là một khâu
RL. Cuộn dây có điện cảm L được coi là lý tưỏng (không có tổn hao).
Xét quan hệ Ư2 (f) tại lốì ra (hình 4.15), khâu RL đang xét có tính

64
chất của bộ lọc tần số cao: ỏ vùng tần số cao, điện kháng Xl giá trị lốn
nên U l » Ur hay Uọ ~ u ,. ở vùng tần sô thấp, do Xl nhỏ nên U l « Ur
hay Uị a 0. Tần số tại đó Ư2 giảm V2 lần so với trị lớn nhất (bằng Uj)
được định nghĩa là tần sô" giới hạn dưới hay tần sô" cắt fg!
U,
u , (L) =

Kbi đó: Ư2 = U l = Ur hay Xl = R

Ta có 27tf,.L = R.

Hay

ƯR
Ư1

Hình 4.14. MắtRL. Hinh 4.15, Đồ thị quan hệ Uj lối ra của một
mắt RL với tần số vảo f.

Đồ thị quan hệ vectơ giữa dòng điện

và các điộn áp trong mạch cho trên hình
4.16. Tại tần sô" giối hạn, Uọ dịch pha 45 ”
so với Ü,.
L
H ằìg sô" thòi gian của mạch T =
R
V í du: mộL khâu RL có hằng sồ thời
Hình 4.16. Đổ thị véc tơ
gian T = 0,5ms, biết R = lOOQ (hình 4.17) điện áp tại tần số giổi hạn
hãy tính tần số giới hạn của bộ lọc và xác của mắt RL.

định gii trị điện cảm L của khâu RL. L 50mH .......... 0
0 - wm
f =_L = 1 _ 1000 -----ƠL—^
' " 2 tit " 6,28.0,5.10-\s ~ 6,28.0,5 ^ Uy JR U2
fg=318Hz. 100Q
L
T= -> L = t .R
R
Hình 4.17. Bộ lọc cao RL
= 0,5.10-'s.l00Q = 50mH. vói tần sô giổi tiạn 318Hz.

65
S-tKĐlẠnr
4.7. KHÂU LR
Đối vị trí giữa điện trở R và cuộn dây L trên hình 4.14 sõ có khâu
LR hình 4.18. Mạch có tính chất của một bộ lọc tần số thấp.
ở vùng tần số thấp, do Xj, rất nhỏ nên U]Ị»ƯL hay Ư2 » Uj ở vùng
tần sô" cao, do Xl rất lớn, ưj^»U r hay ưc» 0.
Hình 4.19 đưa ra đặc tính U 2(f) thể hiện tính chất lọc tần thấp của
khâu LR. ở tần số giới hạn trên của dải tần số cho qua, U|Ị - Uị hay từ

đó suy ra với u, (fg) = tại fg, Ư2 dịch pha 45° so với Uj.
V2

4.8. MẠCH CỘNG HƯỞNG

4.8.1. Mạch RLC nối tiếp
Xét mạch hình 4.20 gồm 3 phần tử R, L và c mắc nối tiếp nhau.
Khi đặt lên mạch 1 điện áp u , xuất hiện dòng điện I trong mạch. Điện
áp trên R là Ur cùng pha với I (Ur = IR). Điện áp trên cuộn dây L
nhanh pha hơn dòng điện 1 góc 90° (Uj, = I . Xl). Điện áp trên tụ c
chậm pha hơn dòng điện 1 góc 90” (Uc = I. Xc). Các quan hệ vể pha ở
trên đưỢc thể hiện trên dồ thị vectơ hình 4.21.

R1 Úr
1
u
•-I 1 1

c=í
*

Hỉnh 4.20. Mạch nối tiếp R, L, c. Hình 4.21. Đồ thị véc tđ mạch nối tiếp
R, L và c ỏ một tần sô xác định.

66
 Tại một tần số nhất định, có thể tính toán theo quan hệ vectơ các
điện áp trong mạch như hình 4.22 và quan hệ vectơ các điện kháng
trong mạch như hình 4.23. Từ hình 4.22 suy ra:

Từ đồ thị hình 4.23 suy ra:

Hinh 4.22. Đồ thị điện áp của Hình 4.23. Đồ thị tính trỏ
mạch nối tiếp RLC ồ một kháng mạch RLC nôi tiếp tại
tẩn số xác dinh. môt tần số xác định.

ở tần số' cao, do Xl lớn nên z khá lớn. ở

tần số tha"p z cũng khá lốn do Xc lớn. Trở
kháng nhỏ nhất xảy ra lúc Xl = Xc và có tính
thuẳn trở z = R (hình 4.24). Tần sô" f,, tại đó
các điện kháng bằng nhau và ngược dấu gọi là
tần sô' cộng hưởng của mạch. Ta có Xj = Xç.
1
(oL =
0)C Hình 4.24. Quan hệ trỏ
1 kháng theo tẩn số z(f) của
co = = 2nf mạch nối tiếp R, L và c.
VEc

Hệ thức trên cho xác định tần sô" cộng hưởng fr gọi là công thức
Thomson.

67
4.8.2. Mạch cộng hưỏng nối tiếp
Mạch nôl tiếp RLC hình 4.20 khi chọn R đủ nhỏ được gọi là mạch
cộng hưởng nôl tiếp, ở đây R được coi là điện trở tổng cộng của mạch
nốì tiếp, nghĩa là tính cả các điện trỏ tổn hao của cuộn dây và tụ điện
trong thực tế (trường hỢp thường gặp R chỉ là các điện trở tổn hao của
L và C). Tại cộng hưởng z = R, hình 4.25 chỉ ra đồ thị tính điện trỏ tại
cộng hưởng của mạch.
Mạch cộng hưởng nối tiếp có điện trỏ nhỏ nhất tại tần số cộng hưởng.

Do Xị^ = Xc nên Ui^ = Uc- Đồ thị vectơ tính các điện áp tại tần số f,,
đưỢc cho trên hình 4.26. Các điện áp trên cuộn dây ƯL và trên tụ điện
Uc là bằng nhau về biên độ và ngưỢc pha nhau (hình 4.27). Sự trao đổi
năng lượng từ trường của cuộn dây và năng lượng điện trưòng của tụ
điện là cân bằng nhau kiểu con lắc và khi đó ta nói rằng đã có sự cộng
hưởng cùng nhau. Tại có cộng hưởng điện áp khi đó U l và U(- có giá
trị lốn hơn điện áp u tác động vào mạch.

Ui

>c ục
R Ur
ỈHẼl
Hình 4.25. Đồ thị trỏ Hình 4.26. Tính điện Hình 4.27. Đồ thị (t), Uc(t)
kháng mạch nối tiếp RLC áp trèn mạch RLC nối trên mạch cộng hưỏng nối
tại tần số cộng hưỏng. tiếp tại cộng hưởng. tiếp (lúc cộng hưỏng).

(Xem dạng U l và U(; ở hình 4.27 và giá

/ ^
trị tương ứng ở hình 4.28) Để đặc trưng
, 1
hiện tượng cộng hưởng, sử dụng hệ sô" Rf ƯR=1V
phẩm chất Q. 1

Hệ số phẩm chất Q của một mạch cộng

Liv ỊỊ ƯI*10V

hưởng nối tiếp là tỷ số độ vượt trội của Ui

c « = ƠC=10V
hay U c so với điện àp đặt vào mạch tại tần
t
số cộng hưởng.

Hình 4.28. Các điện áp

phân bò trên các phần tử
của mạch R, L và c nối tiếp.

68
 Nếu thay U l = IXl ; U c = IXc và u = IR (tại Q thì

Hệ số tổn hao (hệ sô' nén) được định nghĩa là nghịch đảo giá trị
của Q.

<£>
Khi giữ cho điện áp vào u không đổi, R
quan sát dòng I trong mạch khi thay đổi ơ=hẳng số
f có thể biến đổiN-^ ^IỊ
tần sô" của u sẽ nhận được đặc tính cộng
c=|=
hưởng (hình 4.29) của mạch cộng hưởng
nốì tiếp. Hình 4.30 thể hiện 3 đường đặc
Hình 4.29. Mạch đo đặc tuyến
tính cộng hưởng ứng với 3 giá trị d (hay R) cộng hưỏng của RLC nôì tiếp.
khác nhau.
Mạch cộng hưỏng nổì
tiếp có bản chất là một
mạch chọn lọc tần số
(mạch lọc) ở tần sô" và
lân cận đủ hẹp xung
quanh f,„ Dải tần sô" bộ lọc
cho qua (dải tần làm việc)
được gọi là độ rộng băng
tần ký hiệu là b. Hình
4.31 thể hiện cách xác
định độ rộng băng tần
nhò xác định 2 tần sô" Hình 4.30. Đặc tuyến cộng hưỏng của mạch RLC
biên fgi và fg2 sao cho: nối tiếp VỚI các tổn hao khác nhau.

I max
I(f„) = I ( y
Vỉ

b = fg2 - fgi = d .

Độ rộng bàng tần càng lớn khi d càng lớn

69
 Hình 4.31. Xác dịnh độ rộng băng tần của mạch cộng hưỏng RLC.

Vi dụ: Cần chọn 1 mạch cộng hưỏng nốì tiếp có tần sô f,. = lMHz
khi đã có tụ c = 20pF. Hãy tính giá trị L
X, = Xc
1 , I
coL =
cùC (ù \c
1
H
3 9 ,4 .1 0 " .2 0 .1 0\-12
(27Ĩ.10'' i ) ' . 20 . 10’ " Ss

1000
mH = l,27mH
39,4.20

4.8.3. Mạch song song R, L, c

Đặt một điện áp u vào mạch hình 4.32 gồm 3 phần tử R, L, c mắc
song song nhau. Dòng ỉ do u gây ra gồm 3 thành phần 1l, Ir và Ic được
biểu diễn trên đồ thị vectơ hình 4.33. Dòng Ir cùng pha u , Ic nhanh
pha hơn 90° và II chậm pha hơn 90'* so với u (giả thiết cuộn dây và tụ
điện là các phần tử không có tổn hao). Thực hiện tính trên đồ thị véctơ
hình 4.34 có;

= Y

70
 i Jc

II

Hìiih 4.32. Mạch cộng hưỏng RLC Hinli 4.33. Đổ thị ựéc lơ các dòng difri
mắc song song. trên mạch cộng hưỏng song song.

Ta có đồ thị véc tơ các thành phần điện dẫn ở hình 4.35

Y = Ậ: độ dẫn điện của mạch

z

= G : độ dẫn thuần
R
1
= Bl : độ dẫn cảm kháng
X,
1
= Bp : độ dẫn dung kháng
Xc
Khi Bọ ” thì Y có giá trị nhỏ nhất Y = G.
Đồ thị biểu diễn Y(f) cho trên hình 4.36.

Hình 4.34. Biểu diễn đồ thị Hình 4.35. Đồ thị véc tơ Hình 4.36. Quan hệ độ dẫn
véc tơ dòng điện trên độ dẫn đỉện của một theo tần số Y(f) của mạch
mạch RLC song song. mạch RLC song song. RLC song song.

71
 Tần sô" tại đó gọi là tần sô" cộng hưởng fr được tính theo:
B l “ Bc
1
toL
2 _= 1
CO (2 0 ^
LC

(công thức Thomson)

4.8.4. Mạch cộng hưởng song song

Mạch hình 4.32 với ba phần tử R, L, c mắc song song khi có R đủ
lốn được gọi là mạch cộng hưỏng song song, ở đây R là điện ti’ở tổng
cộng của mạch song song kể cả các điện trở tổn hao của cuộn dây và tụ
điện, điện trở lắp ráp mạch... ỏ tần sô" cộng hưởng, mạch cộng hưởng
song song có điện dẫn nhỏ nhất hay trở kháng là lón nhất và thuần trỏ.
Hình 4.37 thể hiện đặc tính Z (f) của mạch cộng hưỗng song song.
Mạch cộng hưởng song song có điện trỏ lớn nhất tại cộng hưởng

Hình 4.37. Trỏ kháng của mạch song song Hình 4.38. Đồ thị véc td các
phụ thuộc tần số. dồng điện khi ỏ cộng hưỏng.

Tại do B l = Bc nên Ij = Ic và có giá trị lớn nhất. Đồ thị tính toán

véctớ các quan hệ dòng tại f,, được cho trên hình 4.38. Dòng II và Ic là
đối pha nhau và có biên độ vượt trội hơn dòng I. Khi cộng hưởng ta
nhận được sự trao đổi kiểu con lắc dòng điện trên cuộn dây II và dòng
trên tụ Ic với độ lớn vượt trội hơn nhiều so với dòng I cung cấp cho

72
mạch. Đã xảy ra cộng hưởng kiểu dòng điện trong mạch dao động song
song (hình 4.39 và hình 4.40). Mức độ vượt trội của II và Ic so với I
được định nghĩa là hệ sô" phẩm chất Q của mạch.
Rv
<z>
í không đổi
f có thể thay đổi
L|| r(Ị C U ®

Hình 4.39. Quá trình trao đổi năng lượng giữa cuộn dây
và tụ điện trong mạch cộng hưởng song song.

Phẩm chất Q của một mạch dao động cộng hưởng song song là sổ lần
vượt trội của dòng ¡c hay ¡L so với dòng I cung cấp cho mạch khi xảy ra
cộng hưởng.

Thay thế bằng các độ dẫn tương ứng:

U.B, _U B c
U.G “ U.G
Bl _ Bc _
Q =
G G

Hệ sô tổn hao

Mạch dao động song song

được biểu thị tính chất qua
đường cong cộng hưởng cho
quan hệ điện áp u trên mạch và
tần số f: U(f) hình 4.40. Các
dạng đường cong cộng hưởng với
3 giá trị tổn hao khác nhau đ ư ợ c
cho trên hình 4.41. Khi d càng
lớn thì đường cong càng rộng ra. Hình 4.4Ó. Điện áp trên mạch song song
Độ rộng băng tần b được xác theo tần sô' f của tín hiệu vào.

định theo đồ thị hình 4.42.

73
 u

Hình 4.41. Đặc tính cộng hưởng song song với các mức tổn hao d khác nhau.

Hình 4.42. Đồ thị xác định bề rộng băng tần của mạch cộng hưởng.

u .max
b = f,2 - fgi = d.ĩ. vói u (f,0 = U ( U —=
Vĩ
Bề rộng băng tần càng lởn khi hệ số tổn hao càng lớn hay Q càng nhỏ

V í du: Mạch cộng hưởng song

song hình 4.43 chỉ gồm 2 phần tử /, = 10 MHz
b =00 kHz
cuộn dây L và tụ điện c có tần sô" cộng L^IOOpHl

hưỏng là f,. = 10MHz. Hãy tính điện

trở tổn hao R của khung dao động này
biô"t độ rộng băng b = 100kHz.
b = d.L -> d = — = ---- _ Q
f 10MHz
Hình 4.43. Mạch cộng hưỏng
song song (R thể hiện cả tổn
hao của L và c trong nó).

74
 = 100
d 0,01
R
Q=^ R = Q.X,=Q.co.L

= 100.6,28.10.1 O'' - . 1 0 0 . 1 = 628kQ

Hình 4.44 một dạng mạch cộng hưởng song song, nếu tách điện trở
tổn hao của mạch R,. = Rri + R,-2 (Rri = Rra). ta cổ:

L _ L
R=
C.R^ ~ C(R,., +R^,)

ở đây R,. R,.J và R ,2 là các điện trd nôl tiếf) trong mạch. Khi đó điện
trở song song đưỢc tính bởi các hệ thức trên theo các giá trị R,. hoặc R,,1
và R,2 đã biết.

I — — r i
R,| JRr 1JR,1 jRr2

Í IK L !•- [ JR4kc
- 1
=c
' .

Hình 4.44. Mạch cộng hưỏng song song có điện trỏ mắc nối tiếp.

4.9. KHÂU RC LÀM MẠCH TÍCH PHÂN

4.9.1, Vân đề chung
Tác động tói lổì vào của một mắt RC hình 4.45 điện áp ư, có dạng
dãy xung vuông góc có độ rộng (t2 ~ tị) = tị
Tại lúc t = tj, c chưa được nạp điện nên điện áp ra có giá trị U 2(ti) = 0.
Ngay sau t|, c được nạp điện làm Uc = Ư2 tăng dần.' Tốc độ nạp của c
(hay tô"c độ tăng của Uọ) phụ thuộc hằng số thồi gian X = RC. Sau
khoảng thòi gian t = 5x, c được nạp đầy Ư2 w U). Các hình 4.45a tới
4.45c cho quan hệ Ư 2(t) ứng vối các giá trị X khác nhau (so với tị). Lúc

75
t = t,, Ui = 0, tụ c bắt đầu phóng điện (hình 4.46) tốíc độ phóng do
t = RC quyết định. Quá trình phóng điện của c càng chậm khi Xcàng
lớn. Sau khoảng 5 T thì kết thúc quá trình phóng điện U2(5x) « 0.

Hinh 4.45. Mạch RC tác động bồi điện áp vuông góc vòi các giá trị X khác nhau.

R
ị Uj

(a)
Hình 4.46. Dòng điện khi c Hình 4.47. Đáp ứng ra ỏ mạch tích phân (b)
phóng điện. khí tác đông vào có dạng vuông góc (a).

76
4.9.2. Quá trình tích phân
Có thể dùng mạch hình 4.48 thực hiện (mô tả) một phép tích phân
theo thời gian đại lượng vào. Quan hệ tích phân, thể hiện là U 2 tỷ lệ
với jU](t)dt, càng chính xác khi chọn T = RC càng lớn so vối độ rộng tj
của xung vào.

ư,
Ri

Hình 4.48. Nội t r ồ nguồn nạp có ảnh hưỏng mạnh tới X của mạch nạp cho c .

Khâu RC thực hiện tich phân theo thời gian điện áp vuông góc tác động
tại lối vào khi hằng sổ thời gian của nó T= RC khả lớn hơn độ rộng tị của
xung vào.

4.9.3. Ảnh hưởng của nguồn cấp

Nguồn cấp cho mạch tích phân có ảnh hưởng tới khả năng tích
phân của mạch RC do nguồn có nội trở Rị tham gia vào điện trở tích
phân và làm tăng X, khi đó T = (Rị + Rv)C.

4.10. KHÂU CR LÀM MẠCH VI PHÂN

4,10.1. Vấn để chung
Tác động tới lôi vào một mắt CR hình 4.49 điện áp U) có dạng dãy
xung vuông góc có độ rộng tị = L, “ ^1- Tại lúc t = tj, c chưa nạp điện,
ngay lúc này X(; = 0 và Uọ = Uịị « u , (hình 4.49a). Sau đó Xc tăng dần do
tụ nạp làm ƯK giảm dần cho tối khi c nạp đầy (khoảng thòi gian 5t = 5RC)
U]i œ 0 = Ư2 (hình 4.50). Khi đó điện áp nạp đưỢc trên tụ bằng điện áp
vào khoảng lOV (hình 4.51). Lúc t = Í2, Uiítọ) = 0, điện áp trên tụ đã nạp
có vai trò như một nguồn điện áp, lúc đó U.p(t9) = -lOV (hình 4.51). Sau
t, tụ phóng điện đến lúc Í20 tụ phóng hết điện tích làm Ư2(t2o) = 0.
Thòi gian nạp và thời gian phóng của tj do hằng sô" thời gian
T = RC quyôt định, thường sau 5 t quá trình nạp và phóng kê”t thúc. Các
hình 4.49a đôn 4.49d thể hiện quan hệ Uv(t) vối T khác nhau so với tị.

77
 Hình 4.49. Mạch CR khi có tác động xung vuông góc,
đồ thị VỚI các giá trị T = RC khác nhau.

Hình 4.50. Tụ điện của mắt CR Hình 4.51. Khi 3P ra

phóng điện từ giá trị được nạp ià 10V. tại lúc này bằng -10V .

78
4.10.2. Quá trình vi phân
Xét quá trình thực Hình 4.52.
Đồ thị Z(t).
hiện phép tính vi phân đôl
vối hàm Z(t) hình 4.52. khi
dz
đó kết quả Z' = được

cho trên hình 4.53, Z' càng

lớn khi tô"c độ biến thiên
của z theo t càng nhanh, Hinh 4.53.

nếu z tăng thì Z' có giá trị dz

Quan hệ Z' = —
dương, còn khi z giảm thì dt

Z' có dấu âm.

Khâu mạch CR có thể thực hiện được chức nàng một phép vi phân
(hình 4.49c).
Khâu CR thực hiện vi phân theo thời gian điện áp vào vuông góc
khi hằng số thời gian của mạch T = RC đủ nhỏ so với độ rộng xung vào
T « tị.

Mạch CR chỉ thực hiện được phép gần đúng và càng chính xác khi
X càng nhỏ.

4.10.3. Ảnh hưỏng của nguồn cấp

Điện trở trong R, cũng như điện cảm, R >'—■ ......... <
điện dung của nguồn nuôi có ảnh hưởng tới 100 n
Uy c u.
các kết quả vi phân của khâu CR do có sự 10V ¿.7nF
ì <
tham gia của chúng vào làm tăng hằng s ố X
của mạch. Khi tính toán chi tiết cần để ý
Hình 4.54. Mắt RC.
tới các tham sô" này.

CÂU HỎI ÔN TẬP

• - BÀI TẬP
«

1. Định nghĩa mạng 2 cực và mạng 4 cực?

2. Khâu mạch RC hình 4.54 có tần sô" giới hạn là fg.Hãy vẽđồ thị
phác thảo UaCO của mạch.
3. Giải thích khái niệm “lọc tần thấp” và “lọc tần cao”.
4. Cần thực hiện 1 khâu lọc tần cao có tần số giới hạn fg =8kHzvà tụ
chọn là c = 20nF. Hãy xác định R?

79
5. Một loa tần thấp (loa trầm) có R = 8Q _
chĩ lọc thấp đến tần số giới hạn 300Hz.
Hãy chọn cuộn dây có L thích hđp để ơ, R Ü7
thực hiện đưỢc nhiệm vụ (mạch hình 4.55) 8fl
bỏ qua điện cảm riêng của loa.
6. Mạch cộng hưởng nối tiếp có cấu tạo
Hình 4.55. Mạch lọc tần thấp.
như th ế nào? Hãy vẽ đồ thị cộng hưởng
Z(í) của mạch.
7. Hãy giải thích hiện tượng cộng hưởng của mạch cộng hưởng nốì tiếp.
8. Một mạch cộng hưởng nôi tiếp có f,. = 19kHz, dùng cuộn dây có
L = 2mH, tính giá trị c phù hỢp.
9. G iải th ích ý n g h ĩa h ệ SQ Q và d của m ạch cộng hưởng nôi tiếp.
10. Hãy võ đồ thị ĩ(f) của mạch cộng hương nối tiếp khi tác động một
điện áp có giá trị không đổi và tần sô" thay đổi lên mạch.
11. Bề rộng băng tần là gì? cách xác định bề rộng băng tần b của mạch
cộng hưỏng nôi tiếp.
12. Cấu tạo mạch cộng hưỏng song song như thế nào? Hãy vẽ một
mạch cộng hưởng song song.
13. Hãy viết hệ thức Thomson cho xác định
tần sô" cộng hưởng f,..
14. Cộng hưởng dòng điện xảy ra trong mạch hon J22n
dao động song song như thế nào? ị L c
M O pH 47 pF
15. Hãy xác định các tham sô": tần số cộng
hưởng f,., hệ số phẩm chất Q, hệ sô" suy
giảm d và độ rộng băng tần b của mạch
dao động song song cho trên hình 4.56. Hình 4.56. Vlạch cộng
hưỏng scng song.
16. Sử dụng một mắt RC làm mạch tích phân.
Điện áp vào là một xung vuông góc. cần
ư,
chọn t = RC lớn hay nhỏ? Vì sao?
17. Ảnh hưởng của nội trở Rj của nguồn cấp
tới T tích p h ân .
18. Khâu CR thực hiện phép vi phân như thế nào?
19. Trên hình 4.57, Ui được vi phân. Hãy vẽ
phác thảo đồ thị điện áp ra của mạch vi Hỉnh 4.57 Điện áp
vuôriỊ góc.
phân Ư2 theo thời gian tại lối ra của mạch.

80
 Chương 5

DIOT BéN DáN

5.1. VẬT LIỆU BÁN DẪN ĐIỆN

Các vật liệu bán dẫn điện có tính dẫn điện nằm trung gian giữa
chất dẫn điện (nhóm kim loại) và chất cách điện (nhóm điện môi). Thông
dụng và quan trọng nhất là Silic, tic"p sau là Gemani, Selen, Asenit Gali,
phôphorit Indi, Antimonit Indi. Chúng đều có cấu trúc dạng tinh thể,
trong khi Si va Ge và phẩn lón các loại vật liệu bán dẫn khác có cấu trúc
dơn tinh thê thì có một số vật liệu có cấu trúc dạng đa tinh thể như
Selen, các vật liệu thuộc nhóm A 3 B 5 có cấu trúc đơn tinh hỗn hỢp.
Vật liệu bán dẫn ban đầu đưỢc làm sạch ở mức độ tinh khiết (10*°: 1)
tức là 10"’ nguyên tử Si mới lẫn 1 nguyên tử tạp chất chưa làm sạch
đưỢc. Nếu so sánh với 1 phép đo lường thì đo khoảng cách lO.OOOkm mới
phạm phải sai sô" là Imm. Đây là một đòi hỏi rất cao đốì với công nghệ
làm sạch. Như vậy với các vật liệu bán dẫn điện để chuẩn bị cho việc chế
tạo các linh kiện bán dẫn, có hai yêu cầu đặc biệt;
1. Độ thuần khiết (độ sạch) là cao nhất.
2. Có cấu trúc đơn tinh thể.
Trữ lượng Si và Ge trên trái đất là khá lớn cho yêu cầu công nghệ
bán dẫn.

5.2. CẤU TRÚC CHẤT BÁN DẪN t in h THỂ

Hình 5.1. Mô hình nguyên tửsilic.

Hãy phân tích cấu trúc tinh thể của Silic làm ví dụ (tinh thể
Gemani hay một sô" vật liệu bán dẫn khác có cấu trúc tương tự).
Nguyên tử Silic có 14 điện tử đưỢc phân bô ở 3 quỹ đạo (hình 5.1) tại

81
6-LK ĐIỆN TỬ
lốp ngoài cùng (lớp M) có 4 điện tử gọi là các điện tử hoá trị (quyêt
định Si thuộc nhóm 4 bảng tuần hoàn Mendeleep). Chúng có khả năng
thực hiện các liên kết hoá trị ghép đôi điện tử với 4 điện tử hoá trị
khác của 4 nguyên tử nằm kề 4 phía. Đây là kiểu cấu trúc mạng tinh
thể điển hình của nhóm vật liêu bán dẫn quan trọng nhất (hình 5.2).

i I i 1
II i ỉ
II II
:i:is ir :iz is
I

o <I
>11

1i
:;:ís

Hình 5.2. Cấu tạo tinh thể Si Hình 5.3. Cấu tạo mạng tinh thế Si
(trên một mặt phang). (1 đường nét đứt là 1 điện tử hoá trị).

Hình 5.4. Mạng tinh thể Si khối lãp phưdng.

Như vậy mỗi điện tử hoá trị được dùng cho 2 nguyên tử kề nhau trong
mạng tinh thể và mỗi nguyên tử Silic có chung liên kết với 4 nguyên tử kề
nó nhờ có 4 điện tử chung của chúng.
Các hình 5.3 và 5.4 mô tả cấu trúc tinh thể vói các nguyên tử Si ở
nút mạng.

5.3. TÍNH CHẤT DẪN đ iệ n

Sô" điện tử (hay số hạt dẫn) tự do quyết định tính dẫn điện của vật
liệu. Các điện tử tự do chính là các điện tử vành ngoài sau khi thoát
khỏi liên kết với hạt nhân của nó (gọi là quá trình ion hoá nguyèn tử).

82
ở chất bán dẫn sạch, đổ có được điện tử tự do (trong mô hình vùng
năng lượng) xuất hiện ở vùng dẫn cần tác dộng một năng lượng đủ lớn
để điện tử từ vùng hoá trị (điện tử liên kết) nhảy mức năng lượng đến
vùng dẫn trở thành điện tử tự do và để lại 1 ion dương (Si^). Như vậy ở
0“K các châ^t này là không dẫn điện được.
Khả năng dẫn điện của vật liệu bán dẫn thuần khiết do 3 yếu tô"
quyết định:
1. Dẫn điện nhờ tạp chất còn lại chưa làm sạch hết.
2. Dẫn điện nhờ sai hỏng của mạng tinh thể (ví dụ do dao động
nhiệt) khi nhiệt độ tăng khả năng này tărig nhanh.
3. Dẫn điện do các hiệu ứng xảy ra trên bề mặt tinh thể (khuyết
tật của mạng tại bề mặt).
Các vật liệu bán dẫn thuần khiết có độ dẫn điện riêng (dẫn điện loại I).
Độ dẫn riêng của chất bàn dẫn tinh khiết phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ.
ở nhiệt độ phòng (20°C) độ dẫn điện riêng của các vật liệu bán dẫn
điển hình là:

Silic là X;= --------------

2 .1 0 -Q.cm
1
Gemani là X, = - _ _
40.Q.cm
Độ dẫn điện riêng của tinh thể Si chỉ bằng độ dẫn điện riêng
5000
của tinh thể Ge.

5.4. CHẤT BÁN DẪN SILIC l o ạ i N

Pha tap chất loại thừa điện tử vào mạng
tinh thề Si đã làm sạch. Ví dụ nguyên tử thuộc
nhóm 5 bảng tuần hoàn Mendeleep có 5 điện
tử vành ngoài (Photpho, Arsen hay Antimoan)
4 diện tử hoá trị tham gia liên kết ghép đôi còn
thừa một điện tử dễ có khả năng trở thành
điện tử tự do do liên kết yếu với hạt nhân
nguyên tử tạp chất (gọi là tạp chất Donor - tạp Hình 5.5. Một nguyên tử
chất cho). Quá trình ion hoá nguyên tử tạp phot pho (thừa điên tử)
trong mạng tinh thể Si.
chất xảy ra dễ dàng, tạo ra một ion dương tạp
chất Donor và 1 điện tử tự do (hình 5.5).
Mỗi nguyên tử tạp chất cho giải phóng 1 điện tử tự do khi bị ion hoà.

83
 Khi pha càng nhiều tạp chất cho, độ dẫn điện của vật liệu càiig cao.
Càng pha nhiều tạp chất, tinh thể bàn dẫn càng có điện trỏ thấp.
Tinh thể Si khi pha tạp chất cho trở thành Silic loại n.
Si - n là vật liệu bán dẫn đơn tính thể có các hạt dẫn điện tự do là điện tử
và không tích điện. Tinh thể Siiic-n

Nếu đặt vào phiến Si-n một điện

áp, các điện tử tự do chuyển động về
phía cực dương của nguồn tác động
tạo nên dòng điện như trong vật dẫn
kim loại - Đây là quá trình dẫn điện
bằng điện tử (hình 5.6).
Hình 5.6. Dòng điện tử trong
tinh the Si-n.
5.5. CHẤT BÁN DẪN SILIC LOẠI p
Pha tạp chất loại Axeptor (loại
nhận điện tử) vào mạng tinh thể Si
(ví dụ nhôm hay các nguyên tô" nhóm
Một liên kết bị
3 bảng Mendeleep với 3 điện tử vành
khuyết (lỗ trống)
ngoài). Xuất hiện 3 liên kết ghép đôi
hoá trị và 1 liên kết bị khuyết (hay
lă 1 lỗ trống). Mỗi nguyên tử tạp
chất Axeptor dỗ dàng nhận điện tử
để tạo thành một ion âm tạp chất Hình 5.7. Câu tạo mò hình
nhận và 1 lỗ trông tự do trong vùng nguyên tử AI trong mạng tinh the Si.

hoá trị (hình Õ.7). Các nguyên tô"

thường dùng làm tạp chất là Galium
(Ga) Indium (In), Nhôm (Al).
Mỗi nguyên tử tạp chất nhận giải phóng 1 lỗ trống khi bị iôn hoá.
Tinh thể Si khi pha tạp chất nhận trỏ thành Si-p.
Các lỗ trống có khả năng dịch chuyển trong mạng tinh thể Si-p (hình 5.8
và 5.9) Tinh thể Si-P

<rv / o ¿lí
o
LỖ trống ốV o <f% <rv
<r%

u
Hình 5.8. Sự dịch chuyển của lỗ trống Hình 5.9. Sự dịch chuyển có hưòng
(liên kết khuyết) trong mạng tinh thê. của lỗ trống trong điện trường ngoài.

84
 Khi có điện áp ngoài, lỗ trông Tinh thể Si-p
...... 'r
chuyển động về phía cực âm nguồn
«»o —0 -«•-o
tạo thành dòng điện - Bán dẫn Si-p •-»-o
4—
0 -*»-o -«-o -•“O
dẫn điện bằng lỗ trông là chii yếu
(hình 5.10). Dòng lỗ trống

s/-p là loại vật liệu bàn dẫn đơn

tinh thể có hạt dẫn điện tự do là
lỗ trổng (điện tích dương) và Hình 5.10. Dòng lỗ trống trong
tinh thể Sì-p.
không tích điện.

5.6. CHUYỂN TIẾP PN

Vùng ranh giới giữa bán dẫn loại p và bán dẫn loại n trong 1 tinh
thế gọi là vùng chuyển tiôp pn (hình 5.11).
Tại vùng biên giới phía bôn n xuất hiộn các ion tạp chất dương
(của nguyên tử tạp chấl cho), phía bên p xuất hiện các ion tạp châ't
âm của nguyên tử (tạp chất nhận) các hạt dẫn tự do khuếch tán (điện
tử từ vùng n sang vùng p).
Nguyên tử photpho X

Hinh 5.11. Điện tử trong vùng n do

ảnh hưởng của dao động nhiệt dịch về Hình 5.12. Sự lon hoá nguyên tử
biên giới với vùng p. photpho X và nguyên tử nhôm Y.

Hai bẽn vùng tiôp xúc xuất hiện Vùng điện tích khòng gian

một vùng điện tích không gian (hình

5.13) hệ quả là xuất hiộn một điện
trường tiôp xúc hưống lừ bẽn n sang
bên p (hình 5.14). Khi tàng nhiột độ, Ị Q = điện tích
vùng điện tích không gian mở rộng ra. không gian
I = khoảng cách tới
Xuất hiện 1 điện áp do hiộn tượng biên giởi

khuếch tán sinh ra gọi là diộn áp

khuếch tán (hình 5.15). Điộn áp khuôch
tấn ở 20°c đôì với Silic có giá trị 0,6V Hình 5.13. Vùng điện tích
đến 0,7V, đốì vói Geinani cỡ 0,3V. khòng gian hai bên biên giới-

85
 ♦
p ♦I n
♦♦
♦I
I-
♦♦
♦♦

[
\ i i
i 1
1_ _ 1
1
*Q6V-
Vùng p Điện trường Vùng n l
trung hoà trung hoà
r

Hình 5.14. Điện trường trong vùng Hlnh 5.15. Khuếch tán hạt đẫn
đỉện tích không gian. tàm xuất hiện điện áp khuếch tán.

Điện áp khuếch tán không đủ tạo dòng điện. Nếu nốì 2 điểm A và
B trên hình 5.16 với nhau sẽ tạo ra hai vùng điện tích không gian mỏi.
Có thể thể hiện như miếng tinh thể hình vành khăn như hình 5.17
không có dòng chảy qua vùng chuyển tiếp khi ở trạng thái cân bằng.
^ — u.' k h u ế c h tán 1
4
z~- :: n
p •
-1 B
♦*
-1 ♦♦
: Ị
ị 1
u

1 :1

Hỉnh 5.16. Vùng điện tích khòng gian của Hinh 5.17. Mô hình dạng vòng: 2 điện
tinh thể Si xuâ't hiện 2 bên vùng p và N. áp khuếch tán đối nhau và cân bằng.

5.6.2. Chuyên tiếp pn khi có điện áp ngoài tác động

5.6.2.1. Trường hỢp thứ nhất: điện áp ngoài có cực âm đặt vào vùng p
và cực dương đặt vào vùng n (hình 5.18) - trưòng hỢp phân cực ngược.
Khi khoá s hở mạch, chuyển tiếp pn chưa có điện áp ngoài. Nhò
quá trình khuếch tán các hạt đa sô", xuất hiện vùng điện tính không
gian tại vùng tiếp xúc.
Khi s nôl mạch đưa cực âm của nguồn ngoài vào vùng p, vùng điện
tích khốĩ mở rộng ra vê hai phía (hình 5.19) do điện trưòng gây ảnh
hưởng trực tiếp tói vùng chuyển tiếp, xếp chồng lên điện trường nội bộ,
kết quả là:

86
 1. Điện áp ngoài đặt vào càng lốn, vùng điện tích khốỉ càng được
mở rộng.
2. Trong vùng điện tích không gian không có hạt mang điện, do đó
điện trở vùng này rất lớn,
3. Khi cực âm đặt tới vùng p, tiếp xúc pn bị khoá.
4. Tồn tại các hạt thiểu sô" (điện tử bên p và lỗ trông bên n) được
đ iện trường n g o à i gia tô"c tạo th àn h dòng điộn ngưỢc có giá trị nhỏ
ch u y ển qua tiếp xúc pn: điện tử từ p sa n g n và lỗ trốn g từ n sa n g p.
Dòng các hạt thiểu sô có chiều từ n sang p và có giá trị nhỏ (hình 5.20).
5. Mỗi vùng điện tích không gian (hay còn gọi là một lớn chắn)
hình thành 1 tụ điện có điện dung c (hình 5.21).-
- +

-
- -
n p n
p : -
_“ ♦ *
♦ ♦
♦ ♦
-1 ♦ ♦
* -
* *
li. *
ỉ

Hinh 5.18. Chuyển tiếp pn khi khoá s hỏ Hỉnh 5.19. Chuyển tiếp pn với điện áp
xuất hiện vùng điện tích khối. ngoài phân cực ngược *'âm vào vùng P'

p n
•
♦
© 0 © © ~o

-Q ♦Q

điện trường
thiểu số)

Hình 5.20. Hạt dẫn thỉểu số Hinh 5.21. Hình thành tụ điện
chuyển động gia tốc qua lóp chắn. của tiếp xúc pn.

5.6.2.2. Trường hỢp thứ hai điện áp ngoài có cực dương đặt lên vùng p
tiô"p xúc pn đ ư ợ c phân cực thuận (hình 5.22).

87
 Khi s hở mạch, chuyển tiếp pn Ị-------------------------------------
về lại trường hỢp k h ôn g có đ iện áp
ngoài, x u ấ t h iện vù n g đ iện tích khôi
p I n
do quá trìn h khuôch tá n các h ạt dẫn Dòng ♦ Dòng
đa sô". Khi s nôi mạch, nguồn ngoài lỗ trống 1 điện từ
có cực âm đặt tới v ù n g n.
1. Vùng điện tích khôi thu hẹp 1
i ,
lại, các hạt dẫn phun qua vùng tiếp 1 r i1
i i
ị L- -
xúc pn với một cường độ lớn. 1 ______

ii / - .
2. Điện trở vùng lớp chắn giảm /
Biên độ điện áp
nhỏ làm dòng điện qua chuyến tiếp pn
khuếch tán
rất lớn hơn trường hỢp phân áp ngược
đã xót, cần dùng điộn trở R ở mạch Hinh 5.22. Tiếp xúc pn vối điện áp
ngoài hạn chế dòng này (hình 5.22). phân cực thuận "dương vào vùng p*'.

3. Điện áp rơi trên vùng lóp chắn nhỏ.

5.7. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA DIOT BÁN DẪN

5.7.1. Diot bán dẫn đơn tinh thể
Bản chất câ'u tạo của một diot p n
/
bán dẫn là một chuyển tiếp pn vối
2 tiếp xúc tuyến tính để có hai cực Ký hiéu quy ước

ra đưỢc gọi là an ot (ký h iệu A) và Anot Katot

katot (ký hiệu K) thể hiện trôn Hinh 5.23. Câu tạo và ký hièu của
hình 5.23. diot bán dẫn.

A
Nếu được phân cụ: thuận
<ĩ> (đặt điện áp dương vìo anot)
u/ diot dẫn điện với dong lớn,
^ .. .. điện áp trên diot nhỏ và
Nguồn cấp
thay đổi được
B điện trở của diot tkấp. Còn
điện áp khi phân cực n g ư ợ c 'đặt âm
Hình 5.24. Mạch điện để đo đặc tuyến
vào anot) diot chắn dcng điện,
Von Ampe của diot.
điện áp trên diot lón và
điện trở cao. Hiện tưmg trên
gọi là hiệu ứng van của diot đốì với dòng điện xoay chiều. Dcng điện
thuận hướng từ anot tối katot. Quan hệ chính xác giữa u - I ;ủa diot
đưỢc thể hiện qua đặc tính Von Ampe thu được qua mạch đo h.nh 5.24
vối kết quả thu được ở hình 5.25. Các kết luận và nhận xé', từ đặc
tuyến Von Ampe hình 5.25 (chú ý chỉ xét với diot loại silic).

88
 mA^
80
70
60 - S i ‘ Diode
Ge-Diode
50
40
30 Vùng dẫn
điện
20
10
50
502 04 as 0.8 1.0 12 ai 06 0.8 1,0 ư
ị5 V 03
li
20
Vùng khoá 25
(không dẫn iị
điện
fjA
Hỉnh 5.26. Xác định
Hình 5.25. Đặc tuyến Von Ampe
điện áp ngưỡng.
của diot Ge và Si.

• Trong vùng dẫn điện (đặt vào A điện áp dương), khi ư f còn nhỏ
(cỡ 0,1V) dòng điện nhỏ, điện trở của diot còn lốn, chưa xảy ra quá
trình khuếch tán hạt đa số,
• Khi tăng Up đến khoảng 0,6V, dòng lị., táng mạnh, diot có điện trở
thấp. Giá trị Up = 0,7V được gọi là điện áp ngưỡng (điện áp mở) của
diot.
• Đôì với diot Ge điện áp mở xảy ra sớm hơn ở giá trị 0,3V,
Khi làm việc ỏ vùng trên điện àp ngưỡng, diot bán dẫn có điện trỏ thấp.
• 1'rong vùng không
dẫn điện (đảo cực điện
áp, cho cực âm vào anot)
dòng điện qua diot có
chiều từ K tói A và nhỏ
(10“®A với diot Silic và
10'^’A với diot Gemani).
• Khi tăng điện áp
ngưỢc U k quá lón (vượt
qua điện áp ngược cho
phép lớn nhất) diot bị
đánh thủng vì nhiệt
hay được đánh thủng

89
vì điện theo hiệu ứng mA *
Zener (hình 5.27). Hiện 70
tượng đánh thủng vì 60
nhiệt gây hư hỏng cho 50
diot làm m ất tín h ch ất ¿0
van, h iện tưỢng đánh 30
thủng theo hiệu ứng 20
Diện tích lớp chắn Imm
Zener không làm diot ÌO
200 1Ọ0
m ất đi tính chất van m à
CX2 OA Oí 0.8 1.0 12 u
còn đưỢc sử dụng làm Si 10
Z-diot có tác dụng ổn 20
định điện áp 1 chiều. 30

ỉliện tượng đánh h

pA
thủng vì nhiệt xảy ra
khi nhiệt độ trên chuyển Hình 5.28. Đặc tuyến 1- u của diot
chế tạo từ các loại vật liệu khác nhau.
tiếp pn vượt quá giá trị
cao nhất cho phóp.
(Vối diot Silic là khoảng 180^c, vói diot Ge là khoảng 80^C)
Hình 5.28 đưa ra
đặc tuyến Von Ampe
của m ột vài diot làm
từ các loại vật liệu
khác nhau.
Trẽn đặc tuyến Von
Ampe, có thê phân biệt
điện trở 1 chiều và điện
trở xoay chiều (điộn trở
vi phân) của diot,
Xét đặc tuyến hình
5.29 đối với 1 diot 0,1 0.2 ư, 0,3 Ư2 0.4 0,5 0.6 ơp
V
Gemani: Tại điện áp Hình 5.29. Điện trỏ thuận một chiều và điện trở vi phân.
Uị có dòng Ii qua diot.
Điện trở 1 chiều của diot được dịnh nghĩa (tại Pi)
u.
R
I,

Tại P.2 có

90
 Hay tổng quát

Điện trỏ 1 chiều của diot phụ thuộc vào vị trí điểm làm việc của nó.
Điện trỏ vi phân thổ hiện độ dốc vi phân của đặc tuyến Von Ampe,
theo định nghĩa:

Trên hình 5.30, khi đặ: Uf

= 0.2V có I].- = 2mA; khi tăng
Up lên một lượng AUi? sẽ nhận
được tưđng ứng 1 gia sô' Alp.
Vi d u: cho rp = lOQ vổi
AUp = 0,02V hãy tính Alp?

4 Ị =^ Hình 5.30. Giải thích ý nghĩa

AI, >F của điện trỏ vi phân.
0,02V
AIp 0 ,0 0 2 A -> AI,- = 2 m A .
lOQ
Bảng hình 5.31 đưa ra một vài tham sô"của diot
Ge Sj
Điện áp ngưỡng 0.3V 0,7V

R f 5 Q -^ 100Q 2Q -> 5 0 a

Rr 0 ,1 [.t0 —^ 10^0 1i-iQ —> 3000|.iQ

u„g,max tới 200V tới 3000V
T°max 90°c 200°c
Hiệu suất van 98% 99,5%

Bảng hình 5.31. Một số tham số gần đúng của diot.

5.7.2. Dỉot đa tinh thể

Khi dùng Selen làm vật liệu chế tạo diot sẽ nhận đ ư ợ c diot đa tinh
thể. Cấu tạo một diot Selen cho trên hình 5.32 và diot Oxyt đồng cho
trên hình 5.33.
ở hình 5.32, trên một đế làm điện cực anot bằng sắt (Fe) hoặc nhôm
(Al), một lớp Solen (Se) dẫn điện loại p pha tạp mạnh đ ư ợ c phủ lên bằng

91
phương pháp bôc bay trong chân không sau đó gia công nhiệit đổ tạo
dạng tinh thể cho Se. Tiếp tục tạo lớp kadimi ~ kẽm (Sn - Cd) Ị:.)hía trôn
hình thành cực katot. Lớp chắn hình thành giữa Se và Sn - Cd. Diot
Sclen có khả năng chịu quá dòng trong thời gian ngắn (chế độ xung) lôt
hơn loại diot Si ha}^ Ge. Chúng đặc biệt phù hỢp cho các bộ nắn điộn từ
xoay chiều sang 1 chiều có công suất lớn, dòng lớn nhưng áp ra thấp.
Trên hình 5,33a: Diot oxyt đồng có cấu tạo gồm 1 đế bằng đồng
làm cực anot, trên đó tạo lớp Oxyt đồng Cu^o, tiếp sau đó là 1 lóp
graphit, sau đó tạo điện cực thứ hai katot- Diot Cu - CU2O có điện áp
chịu đựng thấp (6V) và điộn áp mở nhỏ (0,2\0 vói đặc tính Von Ampc
gần như tuyến tính (hình 5.33b). Loại diot này rất phù hỢp với các bỗ
chỉnh lưu cho điện áp ra nhỏ.

K Lớp katot
Lớp katot
Graphit
Seỉen - p - -CU2O
Lớp niken Để làm anot Cu
(miếng đế ỉà p8) Cực đế làm anot
bằng đổng

Hình 5.32. cấu tạo dỉot Selen. Hình 5.33a. cấu tạo diot oxyde đồng.

Bảng hình 5.33b dưa ra một số tham sô" của diot đa tinh thể
Selen Đồng - Oxyt
Điện áp mở 0,6V 0,2V
Rp (điện trỏ thuận) 5Q -> 100Q 10Q -> 50Q
R r (điện trở ngược) 0.1MQ -»• 1MQ 50kíì -> 500kQ
Điện áp ngược Tới 40V Khoảng 6V
Nhiệt độ cho phép 85“c 50°c
Hiệu suất 90% 75%
Hình 5.33b. Một số tham sô' của diot đa tinh thể.

5.8. TÍNH CHẤT KHOÁ CHUYỂN m ạ c h c ủ a DIOT b á n DẪN

Khi hoạt động ở chế độ lật từ trạng thái điện trở cao (không dẫn -
ngắt mạch) sang trạng thái điện trỏ thấp (dẫn —nối mạch) hoặc n g ư ợ c
lại trong một thòi gian đủ ngắn, diot bán dẫn ở chế độ làm việc như
một khoá điện tử.
ở trạ n g th á i điện trở thấp, v ù n g ch u y ể n tiếp pn bị tràn n gập các
h ạ t dẫn, khi ch u yển sa n g trạng th á i đ iện trở cao, lớp ch ắn trỏ v ể trạ n g
th á i ph ân cực ngưỢc đưỢc mở rộng và đưỢc nạp đ iện tích.

92
 Khi diol trên hình 5.34 ngắt mạch (chuyển ĨR
mạch s ở vị trí bên phải), xuỉìí
hiộn dòng .1^. Nếu
Ri
chuyển mạch lật sang vị trí bôn trái, dòng Ip qua V R?
diot tăng theo hình 5.35, khoảng thời gian t|-, được
Ui
định nghĩa là thời gian nôi mạch. Khi chưyổn s về ^2
lại vỊ trí bên phải, diot chuyển về trạng thái ngắt,
thời gian đưỢc định nghĩa là thời gian ngắt mạch Hình 5.34.

(hình 5.36). Các giá trị tị-,, và tj., phụ thuộc độ lớn của dòng Ip, ỈỊI vào điện
áp tác động và vào các điện trở hạn chế Ri R2-
Các giá trị điển hình là:
= 0,5 tới õOnis
“ 2 đến 200ms

If
1
1
1
n
^ t
tfr

Hỉnh 5.35. Nối mạch dlot Hình 5.36. Ngắt mạch diot
(từ khoá sang dẫn). (từ dẫn sang khoá).

5.9. TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA DIOT BÁN DẪN

Khi tăng dần nhiệt độ, do sô" lượng hạt dẫn tăng, độ dẫn điện của
tinh thể bán dẫn tăng theo.
Dòng điện ngược của diot tăng (từ 7% đến 10%/^C) khi nhiệt độ làm việc
của diot tăng.
Hình 5.37 cho giá trị dòng ngược của diot Si ỏ 25^c và 125^c. Độ linh
dộng của hạl dẫn cũng phụ thuộc nhiột dộ và táng khi nhiệt độ tăng.

Hình 5.37. Sự phụ thuộc dòng ngược vào

nhiệt đò của diot khí T = 25®c và T = 125°c. Hình 5.38. Quan hệ nhiệt độ tác động
tới Up của diot.

93
 Khi nhiệt độ tăng tinh thể dẫn điện tô"t hdn. Hình 5.38 chỉ ra hai
đặc tuyến của diot Si ở vùng mỏ với nhiệt độ 25®c và 125°c.
Điện trỏ thuận của diot giảm (làm điện áp thuận trên diot giảm cd
2mV/’C) khi nhiệt độ tăng.

5.10. BỘ CHỈNH LƯU DÙNG DIOT BÁN DẪN

5.10.1. Mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ (Mi)
Sử dụng tính chất van của
diot bán dẫn đốì với dòng điện
xoay chiều, có thể thực hiện nắn
điện từ xoay chiều sang điện
1 chiều nhò các mạch chỉnh lưu.
Hình 5.39 là một mạch chỉnh
lưu đơn giản nhất. Điện áp xoay
chiều Uị = 220V (hiệu dụng) đưa
Hình 5.39. Mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ
tới 2 điểm A và B có dạng thể
tải điện trở.
hiện trên hình 5.40. Trong khoảng
tj < t < t,, Ua dương hơn, diot dẫn
điện cho dòng I chảy qua tải Rj^. Trên diot trong khoảng thòi gian này
có điện áp thuận cỡ 0,75V đến 0,9V, nếu coi là nhỏ có thể bỏ qua trong
khoảng này Ui = Ui)+ U 2 hay Ui « Ư2.

- • I — I

Hình 5.40. Điện áp trong mạch chỉnh lưu.

94
 Mạch chỉnh lưu dẫn nửa chu kỳ dương của điện ắp xoay chiều ra tải.
Trong khoảng tg < t < tg điện thế A âm hơn B, diot bị khoá. Điện
trở diot rất lớn mạch thực tế không có dòng.
u , = u„ u, * 0
Mạch chỉnh lưu chắn nửa chu kỳ âm của điện áp xoay chiều.
Trong khoảng thòi gian này nếu đo điện áp trên diot ta có U ak = Ui
có giá trị âm (hình 5.40).
Điện áp trên tải U[^ có dạng sóng 1 nửa hình sin (chỉ còn nửa.dương)
đây là dạng hỗn hỢp, nếu triển khai phân tích Ui nó sẽ chứa ngoài
thành phần 1 chiểu (không phụ thuộc thòi gian) còn các thành phần tần
số í'i, trong đó í'( là tần số của điện áp vào Ui, n là số nguyên.
Muốn chỉ nhận thành phần 1 chiều trên tải, phải dùng các mạch lọc tần
sô" thấp để loại bỏ các thành phần xoay chiều trong U l (hình 5.41).
R=220n

Hình 5.41. Mắt lọc hình 7t và đố thị diện áp.

Khi U[ > 0 Cl được nạp tới trị đỉnh của U lI khi khoá s nôl mạch U l
được chia áp qua khâu R = 220Q và Cg = 100)aF (hình 5.42). Đây là bộ
chia có hệ sô" chia phụ thuộc tần sô". Đốí với phần xoay chiểu trong U l,
X(S đủ nhỏ nên được coi là phần tử ngắn mạch. Đối vối thành phần
1 chiều của U l, Xes đủ lốn và do vậy Cs ehặn dòng 1 chiều (hỏ mạch).
Điện áp ra lấy trên tụ Cs chỉ còn lại thành phần một chiều. Tuy nhiên
do tính chất không lý tưởng của các linh kiện, còn 1 lượng vài % xoay
chiều còn sót lại trong thành phần điện áp lấy trên Cs chúng được gọi
là điện áp gỢn sóng (hay điộn áp đập mạch) thể hiện chất l ư ợ n g mạch
lọc (hình 5.43). Việc xác định điện áp đập mạch hay độ gỢn sóng cho
phép đánh giá chất lượng mạch lọc.
Khi chọn các giá trị Ci và Cs càng lớn, dòng điện tải qua tụ lọc càng nhỏ
và do đó độ gợn sóng càng nhỏ.
Hình 5.44 cho mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ (Mi) hoàn chỉnh,
dùng điện áp 1 chiều nắn từ điện 220V/50Hz với mạch lọc đã xét trên.

95
 1
ÌR =220a

ủ L
Cs=100^F ị

Hình 5.42. Mắt lọc tần thấp RCs (như một Hình 5.43. Đổ thị thòi gia n của
bộ chia áp phụ thuộc tẩn số). điện áp ra.

R=220n
C----------------- N ----------

ơl =220V^ U-,
CL=100fjF Cs=íOOpF

(>------------------------------- > — .. <\

Hình 5.44. Mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ có mắt lọc hình 71.

5.10.2. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ (M2 )

Ơ=220V.

Hình 5.45. Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ và đồ thị mô tả nguyên lý hoạt động.

Hình 5.45 là một mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ sử dụng 2 diot van
D), D 2. Đặc điểm của mạch là biến áp có hai cuộn thứ cấp đốĩ xứng với
điểm giữa ov và như vậy điện áp Ui tác động lên 2 diot có hai pha đôl
nhau (U| và -U i). Hai diot D) và D 9 làm việc như hai mạch chỉnh lưu Ml
đã xét trên và làm việc ở chế độ luân phiên nhau: Khi u,>0 thì D] dẫn
lúc đó —Ui <0 Dỵ khoá; khi U i <0 thì Di khoá, khi đó - U ,>0 và D, dẫn.

96
 Đồ thị điện áp và dòng
điện trong mạch cho trên
hình 5.45 thể hiện nguyên
lý hoạt động của mạch M2.
5.10.3. Mạch chỉnh lưu
cầu (B2 )
Mạch chỉnh lưu cầu
(hình 5.46) dùng 4 diot có
thể nắn trực tiếp từ điện
lưới 220V/50Hz nià không
cần dùng biến áp như
mạch M2. Mạch hình 5.46
có nguyên lý làm việc
giống như mạch M 2, ở đây
trong mỗi nửa chu kỳ của
Ư 1 luôn có 1 cặp diot làm
việc và cho dòng 1 chiều
qua tả i R^: khi u ,> 0 . Dj
và D 3 đồng thòi dẫn điện,
Dy và D 4 bị khoá. Trên R|,
xuất hiện dòng I, = I 3. Còn
khi u ,< 0 D 9 và D 4 dẫn
điện, Dj và D3 khoá; có
dòng I 2 = I.| qua (hình
5.47). Hình 5.48 đưa ra
một mạch chỉnh lưu cầu
có dùng mạch lọc để nâng
cao chất lượng điện áp 1
chiều trên tải. Hình 5.47. Đổ thị minh hoạ hoạt động của
mạch chỉnh lưu Bj.

97
7-LK ĐIỆHĩừ
5.11. KHOÁ DIOT TRONG KỸ THUẬT s ố
Hình Õ.49 là một cổng logic OR dùng khoá diot (công nghệ DTL)
các lổi vào A và B được tác động bởi các xung dương (trạng thái 1) hay
không có xung (trạng thái 0). Điện áp ra tại z cũng chỉ có hai trạng
thái tương tự. z = 1 khi chỉ cần ít nhất một trong hai lôì vào A = 1 hay
B = 1, z = 0 chỉ khi A = B = 0. Bảng trạng thái hoạt động của mạch
5.49 cho trên bảng 5.50 (gọi là bảng chân lý).
*5 V
Ao-
1
A o- Bo------- y Kv hiêu Trường hợp A Đ z
1 0 0 0
Ao------- 2:1 2 0 1 1
Ị-O ------oZ 3 1 0 1
8 « ------- Ký hiệu 4 \ 1 1
chuẩn hoá
Hình 5.50. Bảng chân
Hình 5.49. Mạch OR dùng diot làm phần tử hoá. lý của mạch logic OR.

Hình 5.51 điía ra một cổng logic x\ND dùng công nghệ DTL với bảng
chân lý mô tả hoạt động của rnạch cho trên hình 5.52. z ở điện th ế thấp
(Z = 0) khi có ít nhất 1 lốì vào ỏ điện thế thấp (A, B = 0). Còn khi các lốì
vào đồng thời ở điện thế cao (A = B = 1) thì z ở mức cao (Z = 1).
*sv

Ao-
----- o2
■44- Qo- 0 Ký hiệu
Trường hợp A B z
I 1 0 0 0
& 2 0 1 0
------ oZ 3 1 0 0
Ký hlêu ì 1 1
T chuẩn hoá
Hình 5.52. Bảng chân lý
Hinh 5.51. Mạch AND dùng diot (công nghệ DTL). của mạch AND.

5.12. CÁC DẠNG CẤU TẠO CỦA DỈOT BÁN DẪN

Thực tế phân biệt 2 nhóm diot van là; diot thưòng và diot nắn
điện. Diot nắn điện thưồng dùng cấp dòng lớn từ điện lưới, có điện áp
chịu đựng (điện áp ngưỢc) lốn, do đó có công suất lớn. Chúng đưỢc gọi
chung là loại diot công suất lớn.
Nhóm diot thứ hai có công suất nhỏ thường dùng trong các mạch điện
gia công biến đổi dạng tín hiệu trong kỹ thuật thông tin và xử lý tin.

98
5.12.1. Các diot tiếp mặt
Các diot tiếp xúc mặt có
diện tích chuyển tiếp pn lớn p n
A K
được chế tạo theo nhiều công
nghệ khác nhau, điển hình
là cồng nghệ khuếch tán Dioí tiếp mặt Diotplana
nóng chảy hay công nghệ
khuêch tán plana (hình 5.53). Hình 5.53. cấu tạo của diot bán đẵn.

Phần lớn các diot tiếp xúc mặt chế tạo từ Si có

dỏng lớn va áp ngưỢc lớn. Diot thuộc nhóm n ày có
điện dung tiếp xúc lớn (còn gọi là điện dung lớp
chắn mắc song song với diot như hình 5.54) và -'hàngrảo
hoàn toàn k h ô n g phù hỢp khi làm việc ở tầ n sô"
cao. Khi hoạt động ở chế độ chuyển mạch, điện Hình 5.54. Tụ hàng
rào nốỉ song song
dung này làm tăng thòi gian trễ của khoá diot khi ảnh hưỏng tói diot.
lật trạng thái.
5.12.2. Các diot tiếp điểm
Diot với tiếp xúc pn có diện tích rất nhỏ gọi là các diot tiếp điểm
(hình 5.55). Trên đế làm từ phiến tinh thể G e-n cấy 1 giọt (bán kính cỡ
50|j.m) loại bán dẫn tạp chất p (thường dùng là sỢi vàng). Diot loại này
có tụ cấu tạo của lớp khoá cõ 0,2pF = 2.10'’®F có thể làm việc rất tốt ở
tần số^ cao hoặc ở chế độ chuyển mạch nhanh.

>• J < >

Vùng p

Hình 5.55. cấu tạo diot tiếp điểm.

5.12.3. Các diot công suất

Các diot công suất chủ yếu làm từ Silic, một vài trường hỢp đặc
biệt còn dùng diot Selen. Đặc tuyến Von Ampe của diot Si tại vùng
điện áp ngưỡng rất dốc, chúng có điện trở dẫn điện rất nhỏ (khoảng
30mfì ở điện áp 220V). Điện áp ngược cho phép có thể đạt tới 3000V
nhiệt độ làm việc cho phép lên tới 200*^0. Các diot Si công suất có khả
năng cấp dòng 500A đến lOOOA với kích thước tương đối nhỏ (hình
5.57) được chế tạo dưói dạng viên Si.

99
 Hình 5.56. Tụ hàng rào nối
song song ảnh hưởng tới d io t

Hình 5.57. cấu íạo dlot Si công suấí lớn.

5.13. ĐO THỬ KIỂM TRA DIOT

Việc kiểm tra diot còn tôt hay không luôn
là công việc cần thiết của kỹ thuật viên. Đơn
giản nhâ^t là dùng cầu đo điện trở, cố"p nguồn
4,5V. NỐì diot vào một nhánh cầu, coi điện trở
của diot là Rx cần đo khi đã biết 3 điện trở
khác của cầu đo. Theo chiều thuận Rx = Rf của
diot có giá trị nhỏ, theo chiều ngược (khi đảo
đầu diot) Rx = Rr của diot nếu có giá trị lớn hơn
nhiều lần thì diot còn tốt.
Hình 5.58. Điện tuyến Ip
Việc xác định điện áp ngưỡng của diot (Up) thử diot.
(hình 5.58) có thể thực hiện thông qua việc đo
điện trở khi tăng dần điện áp thuận trên diot (trong khoảng giá trị vài
phần Volt) cho tới khi giá trị Rp thay đổi (giảm rất nhanh).
Nếu đo điện trỏ của dìot theo cả hai chiều đều có trị sổ nhỏ thì diot đã
bị hỏng.

Nếu đo điện trở của ơiot theo cả hai chiều đều rất lớn thi diot đã bị đứt.

5.14. THAM SỐ ĐỊNH MỨC VÀ THAM s ố GIỚI HẠN

Tham số giói hạn định ra các giá trị tôl đa cho phép mà người sử
dụng linh kiện không được dùng vượt quá, dẫn tối làm hỏng (phá huỷ)
linh kiện về dòng điện, điện áp, công suất, nhiệt độ hay tần sô'
Thain số định mức chỉ ra trạng thái đang hoạt động bình thường
của linh kiện. Nhóm tham số giới hạn quan trọng nhất gồm:
Điện áp ngưỢc đỉnh: điện áp ngược lổn nhất cho phép đặt trong
một thời gian ngắn lên diot. Dòng 1 chiều lo; giá trị dòng trung bình số
học qua diot.

100
 Dòng điện thuận qua diot Ip dòng lớn nhất qua diot theo chiều
thuận.
Công suất cho phép tôì đa Piot
Nhiệt độ cho phép tối đa Tj
Nhóm các tham sô" định mức;
Điện áp thuận Up ( với 1 dòng thuận xác định)
Dòng điện ngược Ir (với 1 điệOn áp ngược và nhiệt độ xác định).
Điện dung lốn chắn c (với một điện áp ngưỢc xác định)
Điện trở nhiệt (giữa lÓ D chắn và môi trường không khí) Rthu-

n IHTOO.inTT?
nA
IHTOO
10* ---- r—*—1---1— —1—*—1—I~n
5 ĩ ị »25 rj=250C s
s f *1 kHz 1.1 f - z
\ L_
I
»ỉ
z
s 1.0 s
s
L CtotlỡS
\
ỈR ị
? 10* i 09 ì K)2
k 5
1 ‘ s
\ 2
08
«ỉ
s
K)’
5
ĩ
N
0.7 /
L^=1SV
D 2 ^ (ỉ 1» ĩ KX) 200®c

mA mW
ITT 700 in700.ITT777
500
5 Ị
f
/Ị PuA 400
r ii
10
! í
/, ỉ
ĩ\ B 300
mox #2.7 -K 'Ci 25 «c — —

Ị \
200 V.
\
^ K ý hiệu \
r
cực katot K) j
100 \
¿0 3 \
2 \
0 \
2V 100 200®c
--►ru

Hình 5.59. Các đặc tính điển hình của díot bán dẫn.

101
 CÂU HỎI ÔN TẬP - BÀI TẬP
1. Hãy nêu một sô" vật liệu bán dẫn dùng để chế tạo diot
2. Cấu trúc đơn tinh thể là gì?
3. Độ sạch (thuần khiêt) của tinh thể bán dẫn dùng để chế tạo diot ở
mức độ nào?
4. Cấu tạo đơn tinh thề Silic, vai trò các diện tử hoá trị.
5. Độ dẫn điện riêng của chất bán dẫn là gì? Nguồn gốic dẫn điện riêng?
tí. Pha tạp chất và mức pha tạp chất có đặc điểm gì?
7. Làm th ế nào tạo ra đơn tinh Si-n?
8. Hạt dẫn tự do trong tinh thể S i-n là loại nào? Có thể nạp điện cho
tinh thể S i-n không? nếu đưỢc dương hay âm?
9. Tạo tinh thể S i-p như thế nào?
10. Nguyên tử tạp chất cho, tạp chất nhận là gì?
11. Loại hạt dẫn tự do trong Si-p? Tinh thể Si-p nạp điện như th ế nào?
12. Hãy giải thích sai hỏng điện tử hay sai hỏng lỗ trông là gì?
13. Phân biệt độ dẫn điện lỗ trông và độ dẫn điện điện tử.
14. Tiếp xúc pn khi chưa có điện áp ngoài có hiện tưỢng gì?
15. Vùng điện tích không gian là gì?
16. Trong vùng điện tích không gian có nhiều hay ít hạt dẫn?
17. Tại sao xuất hiện điện trường trong miền điện tích không gian?
18. Sự khuếch tán hạt dẫn là gì? Điện áp khuếch tán xuất hiện như
th ế nào?
19. Tiếp xúc pn sẽ như thế nào khi có điện áp ngoài (dưdng đặt vào
vùng n, âm vào vùng p).
20. Hạt dẫn thiểu số là gì?
21. Tiếp xúc pn được phân cực thuận bằng cách nào?
22. Hiện tượng xảy ra khi tiếp xúc pn phân cực thuận.
23. Tại sao xuất hiện điện dung ở vùng điện tích không gian?
24. Đặc tuyến I-U của Si-diot có dạng như thế nào?
25. Điện áp mỏ (ngưõng) của diot là gì? Giá trị điện áp mỏ với diot Si
và diot Ge?
26. Vì sao có dòng điện ngược của diot
27. Xác định giá trị Rp và rp của diot có đặc tính cho trên hình 5.60.
Tính tại điểm p.

102
 Hỉnh 5.60. Đặc tuyến Von Ampe của diot.

28. Mô tả cấu tạo diot đa tinh thể?

29. Lật trạng thái diot từ ngắt sang nôl mạch và ngược lại. Giải thích
ý nghĩa của các tham số tfr và t,,,..
30. Tính chất nhiệt của diot bán dẫn khi mở và khi khoá?
31. Hình 5.61 là một mạch chỉnh lưu đơn giản dùng diot. Hãy vẽ đồ thị
I(t) và Uo(t) khi Ui(t) có dạng hình sin.
32. Hình 5.62 là một mạch chỉnh lưu cầu dùng 4 diot. Giải thích hoạt động
của mạch? Hãy vẽ đồ thị I(t) và Ư2(t) khi ƯỊ (t) có dạng hình sin.

R 02
220 V

Hình 5.61. Mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ.

33. Hãy nêu 1 ví dụ sử dụng diot như một khoá điện tử.
34. Sự khác nhau giữa diot công suất (tiếp mặt) và diot cao tần (tiếp điểm).
35. Làm th ế nào để xác định một díot còn tốt hay đã bị hỏng?

103
 Chương 6

cổc DÌOT CÓ TÍNH CHẤT Đẻc BIỆT

6.1.Z -D I0T
6.1.1. VâVì đề chung
z Diot là loại diot silic được pha tạp đặc biệt để ở 1 điện áp Rgược
Uzo nhất định, điện trở của nó rất thấp và dẫn điện tôt như nhánh
thuận (hình 6.1). Giá trị Uzo được gọi là điện áp Zener.

b)
Hình 6.1. Đặc tuyến Von Ampe của diot z và kỷ hiệu chuẩn (a), kỷ hiệu thưòng dùng (b).

Diot Zener đạt điện trở thấp tại 1 điện áp Zener trong vùng ngược.

Trạng thái điện trở thấp đạt được trong vùng ngược do hai hiệu
ứng vật lý; hiệu ứng Zener và hiệu ứng thác.
6.1.2. Hiệu ứng Zener
Khi điện áp ngược tăng dần, cưòng dộ điện trường tại lốp khoá đủ
mạnh gia tổc cho điện tử (cường độ c5 20V/|im) phá vỡ liên kết ghép đôi
điện tử và trở thành hạt dẫn tự do tham gia vào dòng điện, do có một sô
lượng lốn hạt dẫn được tạo ra nên lớp chắn có điện trở giảm thấp và khả
năng dẫn điện trở nên tốt. Ta chú ý ỏ đây cường độ trường cõ 20V/|jm
nghĩa là 200kV/cm ồ tại giá trị Uzo- Giá trị Uzo phụ thuộc mức độ pha tạp
châ't và tính chất của tạp chất pha, thay đổi trong 1 khoảng rộng từ cỡ 2V
đến 600V. Hiệu ứng Zener là sự phát xạ điện tử trong điện trường mạnh.
Điện tử trong mạng tinh thể nhờ điện trường tác động mạnh được giải
phóng khỏi liên kết và trỏ thành hạt dẫn tự do và tham gia vào dòng điện,
đồng thời xuất hiện các lỗ trống tự do.

104
6.1.3. Hiệu ứng thác
Nhờ hiệu ứng Zener, các hạt dẫn do phát xạ sinh ra được chuyển
động gia tốc mạnh trong điện trường lớn gây va chạm với các nguyên
tử khác do vậy tiếp tục sinh hạt (hiện tưỢng ion hoá do va chạm). Các
hạt dẫn tự do tăng mạnh theo hiệu ứng thác; ion hoá do va chạm có
tính chất dây chuyền kiểu hiệu ứng thác lũ.
Các điện tử tự do có sẵn trong mạng tinh thể đưỢc gia tốc trong
điện trường mạnh va chạm với các điện tử liên kết và giải phóng chúng
theo hiệu ứng thác lũ vì ion hoá do va chạm.
6.1.4. Tính chất dẫn điện loại Zener
Do tại U^o điện trở diot giảm
đột ngột, cần thiết sử dụng một
điện trở hạn chế dòng điện ở
mạch ngoài để chổng quá dòng
là m h ỏ n g Z -d io t. M ỗi z d io t có 2
mox
tham sô" giới hạn là công suất tổn
hao cực đại cho phép Piôt và dòng
cực đại cho phép Izn,ox (hình 6.2).
CtlU y Ixmax ^tot^^ZO* Hình 6.2. Tại đoạn đánh thủng z. Diot
cần đước hạn chế dòng điện.
6.1.5. Sự tái sinh lớp chắn
Khi giảm dần điện áp ngưỢc đến giá trị thấp hơn u^o, quá trình
sinh hạt do hai hiệu ứng Zener và hiệu ứng thác kết thúc. Sau một thòi
gian hồi phục đủ ngắn, lôp chắn được phục hồi và giải phóng khỏi các
hạt dẫn tự do, điện trở tăng cao và diot về trạng thái không dẫn điện.
6.1.6. Đặc tuyến và tham số của Z-diot
Uz
Đặc tuyến I -ư của Z—diot cho
— Vùng chắn
trên hình 6.3 gồm 3 vùng khác nhau
Vùng quá độ
(tính với chiều điện áp U ak ^ 0).
Trong vùng chắn từ Pi tới P2
dòng điện ngược vô cùng bé (vùng
chắn ngược). Trong vùng quá độ P2
đến P3 bắt đầu xảy ra hiệu ứng Zener,
sau đó xảy ra tiếp hiệu ứng thác, diot
, __ ' „ 1 __ Hình 6.3. Các vùng đặc tuyến
chuyên sang vùng dân ngưỢc. ’ zd t

105
vài Z-diot cho trên hình 6.4,
vối điện áp Uzo càng cao, đoạn
P2-P3 càng hẹp.
Trên đặc tuyến hình 6.5a
có đưa ra điện áp Zener danh
định UzK và dòng danh định IzK
(phần lón cỡ 5mA) iTiang ý
nghĩa là điện áp Uzo nhỏ nhất
để xảy ra hiệu ứng Zener.
Dòng lón nhất cho phép qua z
diot là dòng nhỏ nhất ỏ
vùng dẫn ngược là lznừn'
Điện tx'ở vi phân của diot z trong vùng làm việc được định nghĩa
theo từng vị trí của điểm làm việc p trên đặc tuyến trong vùng làm việc.

Dải làm việc của Z-diot là dòng điện lz có giá trị *zmax

Điện trở vi phân rz xác định độ dốc vi phân của đặc tuyến Von Ampe
trong dải làm việc của Z“diot (độ dốc càng lốn thì rz càng nhỏ).

^ Uzo
5
10
5 (/7 k)
■^2min
!
Ịp 50
50
ị
[mo» ^Zma*
ị
h (27) inA
’ mA
a) Đặc tuyến của Z-diot với U^K = 5V b) Xác định điện trỏ vi phản tại điểm
p trên đặc tuyến của Z-diot
Hình 6.5.

106
 V i dụ: Một diot z có dòng Izi = 20mA
trong vùng làm việc và Uzi = 8,2V khi
dòng qua diot tăng tới - 70mA nhận
được Uz2 - 8,3V, khi đó điện trở vi phần
của diot tại vùng làm việc này là:
AUũ “ U72 ~ = 0, IV
Alz = Iz2 —Izi ~ 50mA
AU Z _ o ,iv
rz =
AL, 50mA
Trong vùng U^K = 6V -ỉ- 8V đặc tuyến
I —u của Z-Diot đặc biệt dốc, điện trở vi
phân Xz có giá trị trong dải IQ đến lOOQ.
Các diot z có UzK trên 8V hay dưới 6V có I'z Hinh 6.6. Quan hệ phụ thuộc
lón hơn. Hình 6.6 chỉ ra quan hệ Vi (ưz). và UzK ứng vối lj cố định.

Z-dìot có tính chất phụ thuộc nhiệt độ.

Hỉnh 6.7. Sự thay đổi đặc tính của z diot khi nhiệt độ tăng từ 25“c đến 125 ®c.

Hình 6.7 đưa ra các đặc tuyến I-U của Z-diot khác nhau do ảnh
hưởng của nhiệt độ (nhóm tưong ứng 25°c và nhóm ứng với 125°C). Giá
trị Uzo dịch theo nhiệt độ khoảng 1 đến 2%0 v / ’c. Tại vùng UzK » 6V ta có
ô U zk/ôt°~o.

Khi UzK > 6V >0 và có giá trị khoảng 1 đến 2%ÒV/°K

ÄI
ÔT
ÔUZK
U zK < 6 V <0
ÔT'

107
 Tỷ số được gọi là hệ số nhiệt Oz của Z-diot (tính hay )

Mức dịch của UzK khi đó được tính:

= UzK .«z-ATj
AUzk: lượng dịch của ƯZK
Uzk: tính tại 25°C, Iz= 5mA
az- hệ số nhiệt của Uz
ATji chênh lệch nhiệt độ so vối 25°c
Hệ số ơz cho biết già trị điện áp Zener dịch đi bao nhiêu khi nhiệt độ thay
đổi đì 1°c.
Vi dụ: ò 25°c m ộ t d io t z có U z = 30V . H ệ số n h iệ t của d i o t là;

10 . m v ^ h . Tính Uz tại Yö'^c.

^UzK —UzK.az.ATj
= 30V. 10-YC. 50°c
= 1,5V
Vậy tại 75“C điện áp Z-diot là UzK + AUzk = 31,5V
Công suất tổn hao trên Z-diot xác định bỏi;
p tot “ U z . I z

Các tham số quan trọng của Z-diot:

Tham số’ giối hạn:
Dòng làm việc lớn nhất cho phép Izmax
Công suất tổn hao lớn nhất cho phép Ptot
Nhiệt độ cực đại tại Idp chắn Tj
Dải nhiệt độ hoạt động Ts
Tham sô" định mức;
Điện trỗ vi phân rz
Điện áp làm việc Uz
Hệ sô' nhiệt độ az
Đ iện trở n h iệ t Rthu
(lớp khoá - không khO
6.1.7. Các ứng dụng
ứ n g dụng quan trọng nhất của Z-diot là dùng để ổn định điện áp
một chiều hay hạn chế biên độ điện áp ở 1 mức ngưỡng xác định, tạo

108
điện áp chuẩn cho các mạch điện khác trong kỹ thuật đo lường, điều
khiển hay điểu chỉnh.
Hình 6.8 cho ví dụ mạch ổn áp dùng Z-diot.
—ơv=K)V—
3 .
Rv=ioon 1^2max /l =0
J =1ỎOmA /
=18V í/z=8V 2h i ''l ị Ru
1____________ j ' '

1—ưv=10V-*-j
-oẲib.-.
Rv*ioon Ị sBOmA /L=50m A
ịV
Ư=18V $
ỤRL=160n
1------------------- !L
Hình 6.8. Mạch ổn áp đơn giản dùng z diot.
Điện áp vào u = 18V, muôn điện áp trên tải ổn định ở mức Uz = 8V
18V_gV
khi khoá s hơ mach = Irv = — — = lOOmA
lOOQ
U -ư ^
Iz.n ax = ( — — — ^) dòng I2 = 0

Khi s nôl mạch:

u = Uv + Uz
1 = 1. + 1.,
U -U -,
Rv -

Nếu tải càng lớn, dòng càng lớn và ngược lại. Giá trị tải nhỏ
nhất cần chọn để hiệu ứng ổn áp còn xảy ra:

= 80Q
lOOmA
V i du: với mạch hình 6.8, cho Rl = 50Q. Tìm Uv và Ul-
u 18V
1= = 120mA
Ry + R l 100Q + 5 0 Q

Uv= I.Rv = 120mA.100Q =12V

ui, = I.Rl= 120mA. 50Q = 6V
Vậy khi tải III = 50ÍÌ < = 80Q mạeh không^còn tính ehất ổn áp.

109
6.1.8. Bù nhiệt
Hệ sô" nhiệt í* 0 là nhược điểm của Z-diot, tuy nhiên nếu kết hỢp
được với một phần tử như diot Si thông thường có ao ngược dấu thì ảnh
hưởng của n h iệt độ được bù trừ đ áng kể. Hoặc n h ư trường hỢp hình
6.9. Nốì tiếp 2 diot có U jg- 8V và Uz4 = 4V, do hệ số nhiệt của chúng có
dấu khác nhau, hệ sô" nhiệt chung của mạch ổn áp mức 12V
(ưz= Uzs + Uz4 = 12V) được bù đến một giá trị vô cùng bé.
Hình 6.10 sử dụng cách bù giữa các phần tử có hệ số nhiệt ngược
dấu nhau là Z-diot có ttz > 0 và diot Si thông thường có aj) <0.
Z--diot có az>0

Z-diot có az>0 ^728'

ZÌ2 Dioỉ Siíic co ao<0
Z-diot có a^<0
\7

Hình 6.9. On nhiệt nhờ mác Hình 6.10. Ổn nhiệt nhờ mắc nối tiếp 2 dlot z
nối tiếp 2 diot z có hệ số (với hệ số nhiệt dương)
nhiệt đối nhau. và diot (vỏi hệ số nhiệt âm).

6.2. DIOT VARICAP (DIOT BIẾN DUNG)

6.2.1. Cấu tạo và hoạt động
Khi một diot bán dẫn
thông thường làm việc trong
miền phân cực ngược, lớp khoá
là 1 vùng điện tích không gian p III
♦ • ♦
«♦« n
é**
có điện trở rất cao tưđng đương • ♦ •
♦♦ ♦
như một tụ điện có điện dung ♦ ♦ *
: : ị:
c, giá trị điện dung phụ thuộc :
Ký hiệu
vào điện áp ngưỢc đặt lên Idp
Hình 6.11. Diot biến dung.
khoá (hình 6.11).
Diot biến dung là dạng diot có cấu tạo điện dung lớp ktìoá thay đổi được
trong một giới hạn rộng theo điện áp khoá đặt vào.
Lớp khoá hình thành không chứa hạt dẫn tự do, chỉ gồm các ion
dương và âm;
Các hạt nhắn tạp chất cho điện tử tích điện dương
Các hạt nhân tạp chất nhận điện tử tích điện âm.

110
 — &
-

-ư -

Hinh 6.12. Mạch tưong đưdng mô tả Hình 6.13. Mô hình tụ phẳng.

điện dung diot tại vùng điện tích khố'.

Giữa 2 vùng tích điện trên xuất hiện điện trưòng tiếp xúc (hình
6.12) giữa 2 ion tích điện trái dấu hình thành 1 tụ điện vô cùng bé. Khi
đó toàn bộ lớp khoá (vùng điện tích không gian) có thể biểu diễn tưđng
đương như hình 6.13 vôi điện dung được tính bởi;
£ ,.S ..A
c =
am

ở đây e„ là hằng sô' điện môi

8^; hệ sô" điện môi
A: diện tích mặt điện cực phẳng
a,n: khoảng cách 2 mặt điện cực
C: điện dung của tụ.
Trong diot biến dung, chỉ xác định được khoảng cách là trị
trung bình nếu biết được phân bô" điện thế và cường độ trường tác
động. Theo cách tính điện dung trên, áp dụng cho hình 6.14 với 1 diot
phân cực ngược:

am
a„ là bề dầy lớp chắn phụ thuộc trực tiếp vào cưồng độ điện áp
ngược đặt lên lớp chắn. Trên hình 6.15 khi đặt vào 2 mức Ui= 2V và
U 2= lOV ta nhận được 2 giá trị a„,i và a,„2- Do các tụ vô cùng bé (hình
thành giữa 2 ion trái dấu) được coi là song song nhau nên có thể tính
tụ tưđng đương Cd bằng tổng các tụ vô cùng bé này. Như vậy khi điện
áp phân cực tăng lên, khoảng cách rộng ra và Cd giảm đi.
Điện áp ngược càng lởn, lớp khoá càng rộng ra và khoảng cách tàng
lên làm già trị Co giảm.

111
 ưt= 2V
Ơ2=10V

p - - - n

- - -

Vùng p trung hoà Ơm1 Vùng n trung hoà

Om2
Hình 6.14. So sánh tụ diot với tụ phẳng. Hinh 6.15. Sự phụ thuộc khoảng cách (bể
rộng láp khoá) vào điện áp phãn cực.

Các vùng trung hoà điện 2 bên vùng p và n không ảnh hưởng tới
quá trình trên.
Diot biến dung có thể điều khiển được Cjj qua điện áp ngược đặt vào.

6.2.2. Đặc tuyến và tham sô của diot biến dung

100

80
IR b ^
60

¿0
Uc
20 >c"_
i
20 18 16 14 12 10 8 5 i 2
V
a) Đặc tuyến c = f (Uị,) của diot b) Mạch thay thế diot biến đung
biến dung và đổ thị vé c tơ
Hình 6.16.

Đặc tuyến quan trọng nhất của diot varicap là quan hệ c phụ
Ihuộc vào diện áp ưịị (hình 6.16a). ở dây c tính bằng pF và U r tính
bằng Volt. Quan hệ c (U r) là một quan hộ phi tuyến tính. Có thể thay
th ế diot varicap bằng mạch tương đương hình 6.16b vối điện trỏ Ri,
(điện trở tinh thể) nốì tiếp với c. Từ mạch thay thế, hệ sô" tổn hao của
diot biến dung xác định bởi:

tgô = và hệ sô" phẩm chất Q =

X, • ^ ^ tgô
ở đây Q là hệ số phẩm chất
Rß điện trỏ khối tinh thể
c điện dung lớp chắn
rtần sô" của tín hiệu.

112
 Do c phụ thuộc vào điện áp và nhiệt độ nên Q cũng có tính chất
này và yêu cầu chất lượng càng cao khi Q của 'diot càng lớn. Hệ số Q
của diot biến dung giảm khi nhiệt độ tăng và Q tăng khi điện áp Ur
tăng (hình 6.17).

^7
Hình 6.17. Sự phụ thuộc của hệ sô phẩm châ't Q và diện trỏ nối tiếp của khối tinh thể
Rg vào nhiệt độ: Q(Tj) và vào điện áp khoá Rb(U r).

Các giá trị thưòng gặp của diot biến dung là:
R q a 0,5Q đến 2Q Iu= lOOmA (dòng ngược)
Q =100 đến 500 U bh = 50V (áp ngược cho phép)
Ut' = 0,8V đến 0,9V (điện áp thuận)
c » 200pF đến 50pF; 50pF đên 20 pF và 10pF đến 3pF (các dải giá
trị biến đổi của C).

6.2.3. ứng dụng

Diot biến dung sử dụng làm tụ biến đổi theo điện áp tác động trong
các mạch tạo dao động do đó có thể làm biến đổi tần sô" của dao động
theo điện áp tác động (gọi là VFC-voltage to Frequency Converter).
Hình 6.18 là mạch điện nguyên lý bộ chọn kênh trong máy thu truyền
h ìn h . Các ch iết áp để đ iều ch ỉn h mức điện áp ph ân cực ngưỢc cho các
diot Varicap, qua đó làm biến đổi điện dung của m ạch cộng hưởng LC
chọn lọc tầ n số vào phù hỢp với són g m uôn có.
R

ị Ị Ị Ị Phím chọn kênh

/- 7- /- /-

ù.
21

Hình 6,18. Mạch chọn kênh đẩu vào trong mảy thu hình dùng diot biến dung.

113
8-LK OIỆNTỬ
6.3. DIOT TUNEN (DIOT ESAKI)
6.3.1. Cấu tạo và hoạt động
Diot Tunen là loại diot Gemani pha
tạp chất rấ t cao. Vùng bán dẫn loại p và Vùng n
Vùng p
loại n pha tạp tới mức suy biến dạng như Ký hiệu

2 mạng tinh thể Gcmani và tinh thể tạp

châ"! “lồng vào nhau”. Lớp chuyển tiếp
pn tron g trường hỢp n ày đặc b iệt m ỏng.
Hỉnh 6.19. Câu tạo và ký hiệt*
Đặc tuyến Von Ampe của diot cho trên của diot Tunen.
hình 6.20. Cấu tạo của diot Tunen và ký
hiệu quy ước cho trôn hình 6.19.

Hỉnh 6.20, Dòng Tunen và dòng diot Hình 6.21. Đặc tuyến I - U
phụ thuộc vào điện áp Up. của diot Tunen.

Khi có điện trường ngoài tác động, các điện tử nhận được năng
lượng đủ cao với một giá trị điện áp Up đủ nhỏ (cõ lOmV) và làm xuất
hiện dòng điện có bản chất là dòng xuyên hầm (hạt dẫn chui qua hàng
rào điện thế). Cơ chế xuyên hầm đạt cực đại khi xác suâ^t xuyên hầm
lón nhất (điểm p xảy ra lúc miền nhiều hạt bên n đôi diện trực tiêp với
miền bỏ trông (miền dẫn) bên p. Sau đó dòng Tunen giảm dần cho đến
giá trị Up= 300 đến 400mV thì kết thúc hiệu ứng Tunen, bắt đầu xuất
hiện dòng điện của cơ chế diot thông thường. Tổng hỢp 2 kết quả phân
tích sẽ n h ận đưỢc đặc tu y ến Von Ampe dạng h ìn h 6.21 với cặp điểm
cần chú ý là điểm đỉnh p (Ip, Up) và điểm đáy V(Iy, Uv). Vói mỗi điểm
làm việc bất kỳ, diot Tunen có một điện trở vi phân đặc trưng và trong

114
miền từ điểm p tới điểm V diot Tunen có điện trở vi phân “âm” (điện áp
tăng trong khi dòng điện giảm).
Diot Tunen có vùng làm việc với điện trỏ vi phân âm (từ p tới V)
Khi phân cực ngược diot Tunen, do hiệu ứng Tunen ngược, dòng đi
qua diot tăng mạnh (hưóng từ K tới A) ngay khi điện áp ngưỢc còn nhỏ
(vài chục mV) hình 6.22. Hình 6.23 là mạch tương đương thay thế của
diot Tunen.
Diot Tunen không có trạng thái chắn (trạng thái khoà).

Hình 6.22. Đặc tuyên của diot Tunen Hình 6.23. Mạch tương dương
theo hướng phân cực ngược. thay th ế của diot Tunen.

6.3.2. Các tham số định mức và tham số giới hạn

Nhóm tham số giới hạn:
Dòng cực đại:
Công suất: Pt„^
N hiệt dộ max: Tj
Nhóm các tham sô định mức
Dòng và áp đỉnh ]|„ Uj,
Dòng và áp đáy Iv, Uv
Điện dung c
Điện trở nôì tiêp Rs
Điện trở tại vùng P-V: Rm

Các giá ti'ị Rh- Rn và c có mặt trong mạch tương đương hình 6.23
(điện cảm Ls có thố bỏ qua).

il5
 Một số giá trị điển hình của các tham số:
u„ » 65mV đến llOmV Rn 120Q đến lOQ
Ip = 0,9mA đến 22mA C|) » l,5pF đến 20pF
Rs « 4Q đến 1,5Í2

6.3.3. ứng dụng của diot Tunen

Khi sử dụng diot Tunen vói vùng điện trỏ âm, diot hoạt động như
một phần tử khuếch đại hay tạo dao động. Mạch đ ư ợ c sử dụng ở tần sô"
cỡ 10®Hz =lGHz. Hình 6.24 là một mạch dao động dùng diot Tunen.
L và c tạo thành mạch cộng hưởng song song LC; R] Rọ để chia áp
chọn điểm làm việc cho diot ỏ đúng vùng điện trỗ âm trên đặc tuyến.
Diện áp dao động lấy ra trên tải Rl, tụ Cp nén điện áp dao dộng trên R,
Ổn định điểm làm việc 1 chiều cho diot. Diot Tunen cũng đ ư ợ c dùng
làm một phần tử chuyển mạch vối thòi gian nốì và ngắt mạch rất
nhanh (cõ Ins đến lOns).

Hình 6.24. Mạch dao động Hình 6.25. Đặc tuyến của diot ngược
dùng diot Tunen. mô tả kiểu diot Tunen.

6.4. DIOT NGƯỢC (BACKWARD)

Diot Backward thuộc nhóm diot Tunen-Gem ani đặc biệt. Nhò
biện pháp công nghệ đặc biệt đỉnh p của đặc tuyến Von Ampe rất
thấp (đồ thị hình 6.25). Dòng điện tại đỉnh (điểm p) có giá trị chỉ
khoảng IOOm-A và tại đáy (điểm V) Iv khoảng 60|iA. Đoạn đặc tuyến
Von Ampe từ p tới V khá phẳng, điện trở vi phân ở phần này cõ IkQ
không đoi và không thể dùng đoạn này ở chế độ tạo dao động như một

116
diot Tunen bình thường khác. Vùng đặc tuyến này kéo dài tới giá trị
500mV sử dụng như điện áp khoá. Nếu đẩo cực điện áp và dòng điện
trên diot Tunen đã có, đặc tuyến của diot Backward có dạng hình
6.26 và vùng dẫn đảo được sử dụng như chế độ làm việc thuận của
diot thường. Ký hiệu diot đảo cho trên hình 6.27.
Diot đảo có khả năng chỉnh lưu các điện áp xoay chiều có biên độ rất
nhỏ ỏ tần số làm việc rất cao.

-------K ------
Hình 6.27. Kỷ hiệu diot đảo.

6.5. DIOT PIN

6.5.1. Câu tạo và hoạt động
Diot PIN có cấu tạo cho trên hình 6.28 bao gồm 2 vùng bán dẫn
đơn tinh thể loại p (làm anot) và loại n (làm katot) pha tạp chất mạnh
và giữa 2 vùng này là 1 vùng dẫn điện, loại I (dẫn điện như bán dẫn
chưa pha tạp gọi là dẫn điện riêng). Thực tế vùng I không hoàn toàn
dẫn điện loại I mà có pha tạp yếu loại n nhưng điện trỏ vùng I rất lớn.
Vùng I trong diot PIN không có hạt dẫn tự do.
Khi hoạt động, lốp chắn hình thành giữa vùng p và vùng I (hình
6.29) và có bề rộng chủ yếu bên vùng I và điện tích dương bên I cân
bằng với điện tích âm bên p, hình thành một điện dung. Khi làm việc
theo hướng thuận lỗ trông từ vùng p và điện tử từ vùng n phun vào
vùng I (hình 6.30).
Vùng I trỏ nên có điện trỏ thấp khi phân cực thuận cho dìot, sổ hạt dẫn
phun vào càng nhiều thì điện trỏ vùng I càng thấp.

117
 ♦♦ ♦ ’ Lỗ trống
♦ ♦♦ ' Điện tử
IM
♦♦♦ /(n) P-.
oooooo
n
♦♦ ♦ OQOCtOO
«^OOOO
♦♦♦ 4- OCiứODO
^*í(ãr7
«BOOOOO
oo gn oo

u
Ký hiệu u

Hinh 6.28. Cã'u tao và Hình 6.29. Diot PIN Hình 6.30. Vùng I bi tràn ngâp
ký hiệu của diot PIN. khi khoá. điện tích khi phân cực thuận.

Khi phân cực ngược diot không dẫn dòng và diot PIN hoạt dộng
như mọt diot thông thường (với tiếp xúc pn) khi tần số’ làm việc dưới
10'Hz (10MHz).
ở tần sô" cao hơn 10MHz diot PIN dẫn dòng xoay chiều. Độ lớn
dòng điện xoay chiều phụ thuộc vào điện trở lốp I và do điện trở vùng I
rất Lhấp vì khi hoạt động các hạt dẫndượcphun liên tục vào vùng í.
Muôn vậy cần phân cực một chiều chodiotbằng cách đặt một điện áp
một chiều kết hỢp với tín hiệu tần số cao hơn 10MHz này.
Điện trỏ vùng I của diot PIN có thể điều khiển được nhờ điện àp một
chiều phân cực thuận cho diot.
Điện trở của diot PIN chủ
yếu do điện trở vùng I quyết
định, ĩiịỊoài ra cần bổ sung các
giá trị nhỏ điện trỏ vùng p và n
(pha tạp mạnh) và điện trở tiếp
xúc lấy ra các cực anot và katot
cũng như điện trở dây dẫn cực
ra. Đồ thị hình 6.31 cho xác định
quan hệ điện trỏ cao tần R||ir của
diot PIN ở cao tần phụ thuộc vào Hình 6.31. Điện trỏ ở tần số cao của diot
dòng điện p hân cực th u ậ n Ip. PIN phụ thuộc dòng điện Ip.

6.5.2. Tham số định mức và tham số giới hạn

Các tham sô" giói hạn quan trọng:
Điện áp ngưỢc ƯR « 30V đến 150V
Dòng điện thuận Ip » 20mA đến lOOmA
Công suất tổn hao « 1W đến 6W
Nhiệt độ lóp chắn T ,« 125°c
Dải nhiệt độ bảo quản Ts « -55°c đến +125°c

118
 Các tham số địnVi mức quan trọng:
Dòng điện ngưỢc Ỉ|( * 200nA
Điện trỏ thuận vi phân ~ õíi
(vối I f = lOmA, f = 100MHz)
Điện trồ thuận vi phân
(với Ip= 1(jA, f = 100MHz) Tị ~ 6kí2

6.5.3. ứng dụng

Diot PIN đưỢc dùng trong các bộ suy f'iam tín hiệu, điều khiển
dưỢc hệ số suy giảin bằng điện áp 1 chiều và không làm méo tín hiệu
cao tần, nhờ đó điều khiển được biên độ của điện áp tần sô" cao. Trong
các bộ chọn kênh của máy thu truyền hình hay máy thu UKW chất
lưỢng cao, bộ điều chỉnh biên độ tín hiệu cao tần dùng diot PIN
có khả năng thay đổi mức tín hiệu (ở tẩn số 100MHz) từ hệ sô" 1 đến
1/300.

6.6. DIOT ĐIỆN TỬ NÓNG (DIOT SCHOTTKY-DIOT S)

6.6.1. Cấu tạo và hoạt động
Diot s có cấu tạo là tiếp xúc kim loại-tinh thể bán dẫn đưỢc mô
tả trên hình 6.32. Vùng kim loại (làm anot) được tiếp xúc công nghệ
với vùng bán dẫn Si loại n (làm katot). Nếu đạt đưỢc trạng thái các
diện tử bên bán dẫn Si-n có trạng thái năng lượng cao hơn (các điện
tử “nóng”) so với các trạng thái năng lượng của điện tử bên kim loại
thì xuất hiện hàng rào điện thế hay vùng điện tích không gian (lốp
khoá) sau khi xảy ra sự khuếch tán các hạt dẫn từ vùng bán dẫn
sang vùng kim loại. Kết quả là xuất hiện 1 điện trường nộibộ hướng
từ bên vùng S i-n sang bên kim loại ngăn cản quá trình khuếch tán
tiếp tục cho tới khi cân bằng. Chỉ có rnột lượng nhỏ điện tử có năng
lượng đủ lớn bên kim loại có thể sang bên vùng n, phía bên kim loại
tích điện âm. Khi phân cực cho diot s theo hình 6.33, vùng điện tích
không gian mở rộng ra và diot bị khoá. Nếu đảo ngược cực tính
nguồn phân cực ngoài (hình 6.34) các điện tử phun từ vùng S i-n
sang kim loại tạo ra dòng điện thuận của diot.
Dòng điện qua Dìot s là dòng các hạt đa sổ (điện tử) của Si-n.

119
 Các điện tử trong vùng Si-n là các điện tử “nóng” có trạng thái năng
lượng cao fun vào vùng kim loại khi diot s ở trạng thái nối mạch. Khi đảo
cực nguồn ngoài, diot s về trạng thái ngắt rất nhanh do không có các hạt
thiểu sô' cản trỏ.
Diot s có thời gian chuyển trạng thái rất nhanh hay thời gian trễ rất nhỏ.

Giá trị thời gian trễ khi chuyển mạch của diot s khoảng vài
chục đến vài trăm ps (Ips = 10 "^"s), khi làm việc có Riức tạp âm và
nhiễu rất thấp.

Kim loại Si-n

♦♦♦
...ì ♦♦♦
♦♦♦
♦♦♦
1 ♦♦♦
Điện trường

— ---------------------------------------------

Ký hiệu
Hình 6.32. Câu tạo và Hình 6.33. Phân cực Hình 6.34. Phân cực
kỷ hiệu của dỉot Shotky ngược cho diot s. thuận cho diot s.
(diot S).

6.6.2. Các tham sô định mức và tham số giới hạn

Tham số giối hạn quan trọng
Điện áp ngược Ur « từ 5V đến 20 V
Dòng điện thuận Ip » lOmA đến lOOmA
Công suất tổn hao Ptất » lOOmW đến 2 0 0 mW
Tham số định mức:
Thòi gian nối mạch ttr » 50ps
Thòi gian ngắt mạch ts « lOOps
Điện dung của diot Cj » 0 ,2 pF
Dòng điện ngược Ir œ 25nA

6.6.3. ứng dụng

Diot s là loại diot chuyển mạch tốíc độ nhanh, được sử cựìng hầu
hết trong các mạch khoá tần sô cao, đặc biệt trong dải sóng cực ngắn.
Dùng trong bộ điều chế, bộ trộn hay bộ nắn dải sóng cực ngắn.

120
 CÂU HỎI ÔN TẬP - BÀI TẬP

1. Mô tả hiệu ứng Zener xảy ra trong diot z.

2. Cưòng độ trưòng bắt đầu xảy ra đánh thủng Zener là bao nhiêu?
3. Phân biệt 2 dạng đánh thủng diot vì nhiệt và vì hiệu ứng Zener.
4. Vì sao các diot chỉnh lưu để nắn điện không có hiệu ứng Zener?
5. Mô tả hiệu ứng thác gặp trong Z-diot.
6. Tính chất của diot z trong vùng dẫn thuận.
7. Vẽ đặc tuyến I - u của diot z với 3 vùng khác nhau: dẫn, chắn và
đánh thủng.
8. T ạ i sa o tr o n g v ù n g đ á n h th ủ n g d io t z đ ò i h ỏ i m ộ t g iố i h ạ n dòng
điộn xác định?
9. Hãy vẽ đặc tính của diot z điển hình tro n g vùng làm việc ở chế độ
Zener.
10. Điện trở vi phân rỵ của diot z xác định như thế nào?
1 1 . Hệ số nhiệt của diot z cho biết điều gì?
12 . Hãy giải thích tại sao az > 0 với z diot có UzK > 6 V và Ơ2 < 0 vói
nhóm z diot có UzK < 6 V.
13. Cách bù nhiệt dùng các diot z? Có thể bù nhiệt bằng cách nào?
14. Trên hình 6.35, hãy chọn Ri,min và Rtniax khi điện áp vào thay đổi
± 10 % giá trị (20 V ± 10 %) biết Rv = 10 Q; Zg có UzK = 8 V; Ptot = 8 W và
Izmin = 5 mA.

Ry
10 a
$Z8 R,
2Óvnov,

Hình 6.35. Mạch ổn áp dùng diot z mắc song song với tải.

15. So sánh điện dung của diot biến dung vối 1 tụ điện phẳng. Độ lớn
của điện dung lớp khoá phụ thuộc vào yếu tố^ nào?
16. Vẽ phác thảo đặc tuyến c (Ur) của diot biến dung.

121
17. Hệ sô" tổn hao và độ phẩm chất của diot varicap (diot biô"n dung)
là gì?
18. Diot biến dung đưỢc dùng để làm gì?
19. Hãy mô tả hiệu ứng Tunen.
2 0 . Hãy vẽ đặc tuyến I - u điển hình của diot Tunen.
2 1 . Diot Tunen làm việc ỏ trạng thái khoá như th ế nào?
22. Diot ngưỢc là loại diot gì? Nêu các đặc điểm để phân biệt diot Tunen
với diot ngược.
23. Mô tả hoạt động của diot PIN? Điều gì xảv ra trong vùng I của diol
PIN.
24. Điện trỏ' cao tần của diot PIN phụ thuộc dòng phân cực thuận L-
như thế nào?
25. Hãy giải thích cấu tạo và nguyên lý hoạt động của diot s. ư u điểm
quan trọng của diot s.

122
 Chương 7

TRfiNSITO iưỠNQ cục (B)T)

7.1. KHÁI NIỆM CHUNG

Cấu kiện điện tử có 3 lớp bán dẫn đơn tinh
thổ dạng npn hay pnp ghép xcn kẽ nhau tạo p n p
Lhành 2 tiếp xúc pn rấ t gần nhau đưỢc gọi là
transito lưỡng cực (BJT) để phân biệt với một <►
loỊÌ transito chỉ có một tiếp xúc pn gọi lí. nhóm
transito đơn cực hay transito hiệu ứng trường n p n
(FET) sẽ được xét tới ở chương 8 . Loại BJT làm
từ đơn tinh thê Gemani có nhiều nhưỢc điểm nên i»
n gày n ay chỉ còn d ù n g ở nhữ ng trường hỢp đặc Hình 7.1. cấu tạo
biệt, còn chủ yếu là loại transito làm từ đơn tinh cơ bản của transito.
thổ Silic. Loại transito đa tinh thê (ví dụ từ AsGa) còn đang ở giai
doạn nghiên cứu thử nghiệm và có tương lai hứa hẹn. Như vậy có 2
nhóm transito lưỡng cực là loại pnp và loại npn (hình 7.1).

7.2. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSITO LOẠI PNP

Transito loại pnp có cấu tạo như thổ <Ị

hiện ỏ hình 7.2 có thổ mô tả như 2 diot

p
mắc đôi đầu nhau, gồm 3 điện cực ra là
emitđ (E), bazơ (B) và colectơ (C) và được n o-

ký hiệu quy ước như ở hình 7.3. Tương p

ứng có 3 vùng bán dẫn tinh thể là vùng
<>
emitơ, vùng bazơ và vùng coleotri. v ề
nguyên tắc 2 vùng emitơ và colectđ có thể của transito pnp.

đổi lẫn cho nhau, nhưng do mức độ pha Colectơ

\ Qc
tạp chất khác nhau (vùng E thường rất \
giàu tạp chất-pha tạp mạnh), còn vùng c
Bazơ
pha tạp yếu nhất nên có điện trở lớn nhất,
Đ E |E
tổn hao nhiệt trên colectó là lớn nhất và
Ký hiệu quy ước
thường cần làm nguội (làm mát) bằng
biện pháp tự nhiên (diện tích vỏ kim loại / ẲE
Emittơ
rộng) hay biện pháp cưỡng bức (phiến toả
hình 7.3. Ký hiệu transito và
nhiệt hay quạt làm mát...). các cực của nó.

123
 ở chế độ hoạt động bình thường (còn gọi là chế độ khuếch đại) cần
đặt các điện áp phân cực 1 chiều;
U be = -0,7V (có th ể từ - 0 ,6 V đến -0,9V) cho loại tr a n sito Silic
UcE- -7 V (có thể từ -2V đến -300V) tuỳ loại transito
Bazơ và colecto luôn có già trị điện áp àm so vói emitơ (hình 7.4)

r0.7V
ũfcE*-7V B
Ơ 8 e« -0 ,7 V p n p
ov
7V

linh 7.4. Điện áp một chiều cấp cho transito pnp.

Hình

Như vậy Diot bazơ-emitơ dẫn

điện thuận (mở) còn diot bazơ- Đ
colectơ khoá.
n*
òo‘
Tiếp xúc pn giữa bazơ và emitơ
được phân cực thuận, tiếp xúc
pn giữa bazơ và colecta được
Lỗ
phân cực ngược.
trống
Nhò U be niở diot BE, dòng
hạt dẫn đa số phun qua tiếp xúc
ụ
pn (lỗ trống phun từ vùng E sang
vùng B) và tiếp tục khuếch tán
sâu vào B tới vùng pn thứ hai
giữa B-C. Dòng hạt này được điện
trưòng ở đây gia tốc cuô"n sang
vùng colectơ (hình 7.5). ở đây u
colectơ có vai trò như một bẫy thu
gom các hạt dẫn từ E tói. Như vậy
dòng điện trong transito pnp chủ
yếu là dòng lỗ trống xuất phát từ Đổ thị
điện thế
vùng E và tập kết về vùng C; phần tổng cộng
hao hụt trong vùng bazơ khoảng từ
vài % đến vài %0 tạo nên dòng Ib
(hình 7.6). Các thành phần dòng Hình 7.5. Đồ thị điện thế trong
transito pnp.
điện trong transito đưỢc minh hoạ

124
trên hình 7.7 (ỏ đây ImA = 6,24.10'® hạt dẫn chuyển động qua mặt
cắt vuông góc trong 1 giây). Trong transito có hiệu ứng khuếch đại
dòng 1 chiểu vối hệ sô" khuếch đại dòng điện 1 chiều B đưỢc định nghĩa
(hình 7.7). '
1 Dòng điện
I-
colecto 99%

Dòng điện
‘bazơ 1% B Ví dụ 99mA

Ví đụ 1mA 'Dòng
^gđiện
Ube ầ emitơ
I I 99%
n Vi dụ 100nr\A

Hình 7.6. Dòng điện trong transito pnp. Hình 7.7. Dòng điện qua transito pnp.

dòng điện colectơ _ 99%

B= =99
dòng điện bazơ 1%

Sự thay đổi nhỏ dòng bazơ tại lối vào đã tạo ra sự thay đổi lớn của dòng
colectó tại lối ra và qua 1 điện trỏ tại mạch colecta nhận được sự biến đổi
điện áp tương ứng.
Như vậy sự thay đổi nhỏ của điện ấp bazơ dẫn tới sự thay đổi lớn của
điện áp colectó.
Các hiệu ứng phụ liên quan tới các hạt dẫn thiểu sô" trong transito
đã được bỏ qua ở phần vừa phân tích.
Tuy nhiên tại vùng diot bazơ-colectơ, điện trường ngược tạo ra dòng
các hạt thiểu số (lỗ trông từ B sang c và điện tử từ c sang B). Dòng điện
này không phải dòng phun và sau đó khuếch tán từ cực E tới và được gọi
là dòng nhiệt tại colectơ có vai trò tương đôl quan trọng gây mất ổn định
(trôi) do nhiệt đôì với dòng colectó tổng thổ (khoảng +7%/°C). Tại vùng
bazơ (dẫn điện loại n) các h ạt dẫn tự do là electrón có khả n ă n g tái hỢp
với lỗ trống tự do từ E phun sang và từng cặp tái hỢp sẽ mất đi 1 cặp hạt
dẫn tự do. Muốn h iệ n tượng tá i hỢp yếu cần pha tạp v ù n g B yếu và kích
thước vùng B hẹp để quãng đường khuếch tán của lỗ trống trong vùng B
ngắn lại. Hiện tưỢng tái hỢp làm dòng I|3 tăn g chút ít.

7.3. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSITO NPN

Hình 7.8 mô tả cấu tạo của một transito npn và ký hiệu quy ưóc của
loại này. ớ đây vùng E (pha tạp mạnh) và vùng c (pha tạp yếu) là các
tinh thể bán dẫn loại n và xen giữa chúng là vùng bazơ dẫn điện loại p.

125
 Để transito hoạt động bình thường <' <í
yêu cầu diot B -E mở và diot B-C khoá
n
hay với transito npn loại Silic (hình 7.9),
cần có các giá trị điện áp ngoài đặt vào o ■■ p

sao cho:
n
U ịje= +0,7V (có thể từ +0 ,6 V đến 0,9V)
UcE ~ +7V (có thể từ + 2 V đến +300V (

do loại transito quyết định).

B
Bazơ và colectó có điện thê' phải dương
hơn emitơ
Ký hiệu quy ước
Vê nguyên tắc hoạt động, transito loại
Hỉnh 7.8. Các chuyển tiếp npn
npn có nguyên lý tương tự như transito của transito và ký hiệu quy ưỏc.
loại pnp và tóm tắt như sau:

B
►0.7V
n p n
ovi -- - . . . ♦7V ^BE*^0.7V
-- - . . . [
Hình 7.9. Phân cực cho các chuyển tiếp pn của transito npn.

Dòng điện tử từ vùng E đưỢc phun qua diot BE mở và tiẽp tục

khuếch tán qua vùng B được gia tô"c tại diot BC khoá và tuyệt đại đa sô"
hạt tới được vùng c tạo thành các dòng diện I|.;, Ih và Ic trong transito.
Do vùng B được chế tạo sao cho đủ mỏng (^rn) nén có thổ đạt đưỢc một
hiệu suất truyền đạt dông điện từ E tới dưỢc c ìà 99,9% hay transito có
hệ số khuếch đại dòng điện 1 chiểu B là:

B= = 999
Ib 1%
Cơ chế dòng các hạt thiểu sô" xảy ra tại diot B—c khoá tương tự như
transito loại pnp đã xét và cần chú ý ảnh hưởng của nhiệt độ tói dòng
điện này.

7.4. ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN TRÊN TRANSITO

Nêu chọn điộn th ế cực emitơ làm gốíc, gọi Ucu là điộn thê giữa
colectơ và bazơ thì

126
 CB + u
UcE - Upu

Chiều dòng điện tính theo hưống chu 3^'n động của lỗ trông (hạt
tích điện dương)

I e = I c + Io
♦7V

Ube
lOrnA?
jL
J.OV

Hình 7.10. Các dòng điện và Hình 7.11. Các dòng điện và Hình 7.12. Chiểu dòng
điện áp trên transito pnp. điện áp trên transito npn. emitơ.

ở đây chú ý đến cách quv ước chiều điện áp tính từ cực này tới cực
kia (hay quy ước chiều dòng điện) sao cho thông nhất vói trị sô" giá trị
dương hay âm của ^húng. Ví dụ khi Vc >Vk thi UcK - Vc " Vr > 0 hay
-V c = Uec < 0 . Nếu UcK = -7V thì Uị,:c ~ +7V. Nếu chiều dòng điện
cùng chiều điện thế thì dòng có giá trị dương hoặc ngược nhau thì dòng
có giá trị âm. Ví dụ hình 7.11: I|,:“ lOmA nôn ípc= — - l OmA (xem ví
dụ hình 7,13).
-7 V *7V

t
Jq

U b6 = - 0 .7 V
é
/ eỉ
J-ov

Lối ra Lối vào Lối ra

Lối vào

Mạch nguyên iý EC Mạch nguyên lý BC

Hình 7.13. Ví dụ cho các điện áp trên transito pnp và npn.

127
7.5. CÁC ĐẶC TUYẾN VÀ THAM số CỦA TRANSITO MẮC EMiTƠ CHUNG
Có 3 cách mắc transito theo cách phân tích của 1 m ạ n g 4 cực gồm 1
cửa vào và 1 cửa ra (hình 7.14). Các cách mắc tuỳ thuộc chọn cực nào
c ủ a t r a n s i t o l à m đ i ể m c ự c c h u n g c h o c ả lố ì v à o v à lố i r a : k i ể u m ắ c e m i t ơ
c h u n g (E C ), k iể u m ắ c b a z ơ c h u n g (B C ) h a y k iể u m ắ c c o le c tđ c h u n g (C C ).

Tương ứng có 4 họ đặc tuyến Von Ampe đưỢc quan tâm, trưốc tiên
x ét tro n g cách m ắc E C .

7.5.1. Họ đặc tuyến vào

--(7 ) C ) 4 = hằng số
© Ị
_ i

Hinh 7.14. Mạch mắc Hình 7.15. Mạch lấy đặc tuyến
colectd chung. vào của transito.

Trong cách mắc EC (hình 7.15), các đại lượng dòng và áp tại đầu vào
là Ijj và UniỊ. Đặc tuyến vào theo định nghĩa là đường biểu diễn quan hệ
I v à o - U v à o v à với c á c h m ắ c E C là I f Ị - UfjE, p h é p đ o n à y đ ư ợ c l ấ y t r o n g đ i ề u
kiện luôn giữ cho điện áp ra UcE = hằng số. Vôi các giá trị hằng số khác
nhau của UcE sẽ nhận được một họ đường đặc tuyến vào (hình 7.17).
Mạch đo đặc tuyến vào của cách mắc EC cho trên hình 7.15 và dạng thu
được ở hình 7.16. Dạng đặc tuyến Ib - Ube thực ra là dạng nhánh mở của
diot B-E vối loại Si có điện áp ngưỡng khoảng 0,7V và với loại Ge là 0,3V.

Hình 7.16. Cách xác định điện trở Hình 7.17. Họ đặc tuyến vào
vào vi phân rgg của mạch EC vói các giá trị UcE khác nhau,
trên đặc tuyến vào I b- U be-

Điện trỗ vào vi phân ÍBS là độ dốc đường đặc tuyến vào xác định tại điểm
(A) đang x é t- điểm A gọi là điểm làm việc tĩnh của iransito.

128
 Việc xác định giá trị của rijE tại A, thực hiện trên hình 7.16 bằng
cách kẻ tiếp tuyến với đưòng đặc tuyến tại A dựng tam giác vuông có 2
c ạ n h là AI|J và A U ịịk , k h i đó theo đ ịn h nghĩa (c h ú ý dUcE= 0).

ở đây AUbiì và AlịỊ là sự biến thiên nhỏ của điện áp và dòng điện tại
bazơ. Nô"u xét tran sito như 1 mạng 4 cực khi chọn hai đại lượng U v à o và
I,,, làm hàm số’ (vcii mạch rrắc EC là U ịuVÙ Ic) và chọn hai đại lưỢng còn
lại là dòng vào và áp ra làm biến sô" (với EC là I[J và U c e ) , sẽ nhận đưỢc
hệ 4 tham sô"hỗn hỢp h,j của transito gồm hj2e, hjie và h22e, khi đó:

=h„c

7.5,2. Họ đặc tuyến ra

Đặc tuyến ra theo định nghĩa là đường biểu diễn quan hệ
(trong cách mắc EC là Ic“Uci.:). Đặc tu 3'ến được lấy khi giữ cho dòng vào
I[Ị giá trị không đ ổ i. Khi chọn các giá t r ị I[Ị khác n h a u sỗ n h ậ n đưỢc họ
đặc tuyến ra gồm nhiều đưòng, mỗi đưòng ứng với 1 giá trị cố định của
I„ (hình 7,18).

Hình 7.18. Họ đặc tuyến ra của transito.

Điện trỏ vi phân lối ra CcE tại điểm làm việc A là độ dốc vi phân của đường
đặc tuyến ra xét tại điểm A với mạch EC là lc-UcE-

129
9-LKĐIỆN TỬ
 . A U ,,
ở đây A ư c e và A l c là lượng biến thiên của
r 2
^CE
AIc
điện áp và dòng điện tại lốì ra.

Tương tự như đã xét với mạng 4 cực theo tham số hịj, có:

Với h 22e là điện dẫn vi phân tại lối ra.

7.5.3. Họ đặc tuyến truyền đạt (đặc tuyến điều khiển dòng điện)
Đặc tuyến truyền đạt dòng điện
theo định nghĩa là đường biểu diễn
quan h ệ I,.„ - - (trong mạch Ec l à I c - I b)-
Hình 7.19 cho họ 2 đường Ic - I[J ứng
với Uc:ei = 16V và UcE2 = 7V. Với các
transito theo công nghệ hiện nay quan
hệ đường hình 7.19 gần tuyến tính. Tại
1 điểm A trèn đặc tuyến, hệ sô" khuếch
đại dòng điện B (1 chiều) đưỢc định
nghĩa (hình 7.20).

Hệ số khuếch đại dòng điện 1 chiều của transito cho biết độ lón của
dòng colectơ Ic so với dòng bazơ /g là bao nhiêu lần (B lần).
Do thực tế đường le —In có hơi
cong (hình 7.20) nêu định nghĩa
độ dốc vi phân của đường đặc
tuyến gọi là hệ sô" khuếch đại
dòng xoay chiểu.

3: hệ sô" khuếch đại dòng điện

xoay chiều
A lc , Aly: lượ ng biếnthiên Hình 7.20. Xác định hệ sô khuếch dại
tương ứng của dòng điện ra và dòng điện1 chiều B và hệ số khuếch đại
dòng điện vào (khi UcE = hằng) dòng xoay chiểu p tại điểm làm việc A.

130
 Theo lý thuyêt mạng 4 cực vói các tham sô" hịj, có

2 le

7.5.4. Họ đặc tuyến hồi tiếp (ghép ngược)

Việc tăng UcE sẽ làm tăng UcB và U|JE (do U c E = UcB + Ube hình
7.21). Việc nâng cao điện áp UcE cũng làm giảm ảnh hưởng của nó tới Ube-
Nhìn chung việc liên hệ (ghép) ngược giữa đầu ra
với đầu vào là điều không mong muôn (khi chỉ UCQ
xét nêng transito) nên nhà sản xuẩt tìm mọi
JL^ UcE
cách hạn chê ảnh hưởng của UcE tối UuE- Đưòng
biểu diễn quan hệ Ure - UcE được gọi là đặc UaE

tuyến ghép (đặc tuyến hồi tiếp) được cho trên JL.
hình 7.22. Hình 7.21.
Đốì với các transito có chất
lượng tốt, đặc tu y ến ghép ngưỢc
tương đôi b ằng phẳng, ngliĩa là \Â
1.2 ,/B=120pA
ảnh hưởng của UpE tối ƯRỊị; rất
1.0 ỵ^ìOOịiẠ
hạn chế. Mức độ ảnh hưỏng ỉ^eoĩiẠ
as
đưỢc xác định qua hệ sô" ghép ae ^ 20pA
ngưỢc vi phân D. 0.4 / b » 0

a2
10 20 /ơ c e /
V

Với hệ tham sô" hịj thì Hình 7.22, Đặc tuyến hồi tỉếp (ghép ngưđc).

D = hI2c

7.5.5. Bốn nhóm đặc tuyến của transito

Khi xây dựng cả bô"n họ đặc tuyến đã xét trên trong một hệ thống
đồ thị (mỗi đồ thị chỉ dùng góc phần tư thứ nhất trong toạ độ đề các),
sẽ n h ậ n đưỢc bức tra n h tổng q uát vể các họ đặc tu y ến qu an trọn g của
transito như thể hiện ở trên hình 7.23 với các thông tin chi tiết và đầy
đủ về một transito.

131
 Hình 7.23. Họ 4 đặc tuyến của transito mắc EC.

7.6. CHỌN ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSITO

Chế độ làm việc 1 chiều của transito được lựa chọn thông qua việc
xác định điểm làm việc nhờ 2 trong 4 tham sô" U c E , UuE, It: hay I ịị.

Thường chọn cặp giá trị UcE và Iu hay Ic- Các bước tiến hành chọn
điểm làm việc A trên hình 7.24 như sau:

»uv
—o

Rt=2kn
♦0.72V
/ 6V
€ )•

-LOV

Hình 7.24. Xác định điểm làm việc 1 chiều A.

132
 • Chọn nguồn 1 chiều cấp cho transito ƯB (ví dụ Ujj= + 12 V)
• Chọn điện trở tải colectơ Rl (v í dụ R]^= 2 kfì)
Giá trị R]^ quyết định độ nghiêng (độ dốc) tga của đường tải 1 chiều
nôl giữa 2 điểm cắt của đường tải với hai trục toạ độ ở chế độ ngắn
mạch UcE = 0 và ở chế độ hỏ mạch (Ic = 0) (Ico là dòng ngắn mạch và
U |5 là áp ở mạch trên transito).
12V
= 6 mA
Ico R, 2kQ

Chọn

'4^
m A

Hình 7.25. Xác định điểm A trên 4 đặc tuyến.

Trên nhóm hệ thông 4 đồ thị điểm làm việc 1 chiều A được xác
d ịn h ở đ iể m A (Ic = 3m A; Ijj = 30f.iA) trên đặc tu y ế n tru y ền đ ạ t Ic - Ib',
Nếu liên kết với đặc tu y ế n Uu(.;-UcE sẽ tìm đưỢc hệ số ghép ngược vi
phân D.
Từ giá trị Ijj = 30|aA, xác định trên đặc tuyến vào Ib —UịjE sẽ nhận
đưỢc giá trị tương ứng U be= 0,72V và A có toạ độ Ib = 30|i A; U be= 0,72V.

133
 Giá trị U[JK nhận được nhò chọn điện 02
—Õ
V
trở phân cực Rv (hình 7.26).
R(.
n,28V
ư BE

C)
0.72V

- ------ o
„ 1 2 V -0 ,7 2 V _11,28V -L ov
Rv = -----------------= - - — = 376kQ Hình 7.26.
30|^A 30ịiA
Muôn có được giá trị Ry đúng như tính
toán, cần chọn Rv gồm 1 phần cố định và
1 phần tha}’’ đổi: Rv = 330kí2 + 6 8 kQ, trong
đó điện trở 6 8 kfì là biến trỏ.
Cách khác để nhận được U ịịe = 0,72V là
dùng bộ chia áp gồm 2 điện trở Rj và R2 Ohình
7.27). ở cách này cần chọn dòng Iq qua bộ
chia khoảng 2 đến 3 lần Iij. Nếu chọn Iq lớn
thì Ri R.2 phải nhỏ và làm giảm điện trở vào Hình 7.27. Đặt điện áp cực B
của mạch, còn nếu chọn Iq < I|3 thì điện áp Ube nhờ bô chia áp R 1 R2 .
không ổn định. Chọn !(,» 2 Ijj, từ đó;

R. =

^ BE
R22 =
I

ở ví dụ đã cho L = 2 ljj = 60|iA

R , l ‘f - ° - ” Ỵ = i i g X , i 2 5 k n
' 30|iA + 60nA 90^A

60|^A
Tuỳ theo mục đích ngưòi sử dụng muốh hệ sổ khuếch đại lón nhất;
méo phi tuyến nhỏ nhất; công suất tổn hao nhỏ, hay nhiễu thấp nhất:
điểm làm việc được chọn theo một nhóm mục tiêu ưu tiên và thường
phải dung hoà vì tại điểm làm việc tham sô" này có thể sẽ gây thiệt cho
tham số khác.

134
7.7. ĐIỀU KHIỂN TRAblSITO
Sau khi xác định điểm làm việc, các giá trị dòng và áp 1 chiều trên
transito đưỢc xác định ký hiệu là U ' c E , I'c) I'b và U'be.

I/hI ----- ^ ------'-------1------ 1-------i----Itfccl

^pA— I—70I 60I 50—ioI—30^—20,
10 2 í é 8 10
,-------- 1-------1-------1-------1------- -------V
^

/b=ỊỌmẠ
gÕpẠ
-3ÕmA
— 40mẠ
ÌỏMẠ
60 pA

Hình 7.28. C hế độ xoay chiều xung quanh A trên 4 đặc tuyến.

Trên ví dụ hình 7.28 có U'cE 6 V = U 0,72V

' n E =

I'c = 3mA I’b = 30ụA

Đặc tuyến Ic - In và U [ ị E - In là các đặc tuyến động (được xây dựng
từ các đặc tuyến tĩnh và đường tải trên hệ thốhg 4 đồ thị hình 7.25).
Từ sau khi xác định điểm làm việc, có thể điều khiển transito nhờ một
dòng điện xoay chiều hình sin i|ị có biôn độ ví dụ Ì b = IOịiA

Như vậy, dòng bazơ tổng cộng gồm hai phần: dòng 1 chiều /'e = 30/^ và
dòng xoay chiều hình Sìn ¡B có biên độ 10/.ư\.

I'c + sẽ thay đổi trong phạm vi 2 0 )aA đến 40|0,A (thể hiện trên
hình 7.28) dẫn đến sự thay đổi dòng coỉectơ I'c + ic từ 2 mA đến 4mA.
Dòng colectơ gồm 2 phần hợp thành: thành phần 1 chiều (l'c = 3mA) và
thành phần xoay chiều ¡C (có biên độ 1 mA).
Dòng colectó tạo trên tải Rl một điện áp tưdng ứng. Điện áp tổng
cộng trên colecto của transito thay đổỉ từ 8 V đến 4V.

135
 Điện áp colectơ gồm hai phần hợp thành: thành phần 1 chiều U'cE= 6V
và thành phần xoay chiều UcE (có biên độ 2V).

Điện áp bazơ gồm hai phần: 1 chiều U'be~ 0,72V và phần xoay chiều i7g£
(có biên độ gần đúng bằng 0,05V).
Các hệ sô" khuếch đại nhận được từ đặc tuyến tổng hỢp (4 đặc
tu y ến k ế t hỢp)
Hệ số khuếch đại điện áp

(ở đây ũp|j,ùpp và L , ĩ„ là các trị biên độ tương ứng)

Hệ số khuếch đại dòng điện

Hệ số khuếch đại công suất Vp = Vy. Vị

Nếu ký hiệu công suất xoay chiểu lôl ra là Pí,, ở lôl vào là Pi thì:

7 2 ‘n/2 2

u BE.Ĩ,

Với mạch ví dụ đã tính có:

A
2V ImA
= 40 yi= T = = 100
ủ 3, 0,05V Ĩb lOị^A
Vp = Vu.Vị = 4 0 . 1 0 0 = 4 0 0 0
Chú ý quan hệ pha giữa 2 điện áp xoay chiều UcE và U»E là ngược
pha nhau và đây là đặc điểm khác biệt của mạch mắc transito kiểu EC.
Khi transito mắc kiểu mạch EC, điện áp xoay chiều lối ra dịch pha 18QP
(ngược pha) với điện àp xoay chiều ỏ lối vào.

Quá trình điều khiển bằng dòng điện hay điều khiển bằng điện áp
thể hiện trên hình 7.29 và 7.30. Do đặc tuyến Ib-U}3e c ó độ cong nên:

136
 Khi điều khiển bằng 1 dòng điện bazơ hình sin, điện àp U be c ó dạng
không sin hoặc nếu điều khiển bằng 1 điện áp U b e hình sin (hình 7.30) thì
dòng bazơ có dạng không sin.

IIbI ỈIqỊ
1

L / A,
. y . __u
VUbeI 1 /ơbe/
Hình 7.29. Điểu khiển kiểu dòng điện Hình 7.30. Điều khiển bằng điện áp.
(bằng dòng điện).

Điều này tương tự cho dạng dòng điện colectơ. Như vậy:
Nếu điều khiển transito bằng 1 dòng bazơ dạng hình sin thì dòng
và áp xoay chiều trên colectơ cũng có dạrig hình sin (xem đồ thị hình
7.28). Trong khi nếu điều khiển transito bằng 1 điện áp U|JK xoay chiều
hình sin thì dòng bazơ xoay chiểu, dòng và áp xoay chiều trên colectơ
có dạng không sin hay quá trình điều khiển đã bị méo tín hiệu.
Điện áp và dòng điện xoay chiều trên colectơ có dạng tương tự như quá
trình biến thiên theo thời gian của dòng điện bazơ.
Quá trình điều khiển trong transito I
do đó đưỢc gọi là điều khiển bằng dòng
điện. Muôn méo phi tuyến nhỏ cần chú ý Rz
quy luật biến thiên của dòng điện bazơ
chứ không phải quy luật biến thiên của
điện áp bazơ. Việc điều khiển bằng dòng
điện xảy ra khi nguồn áp điều khiển có
nội trở đủ lớn so với điện trở vào của Hình 7.31. Điểu khiển transito
transito, khi đó quá trình biến thiên của với dòng không đổi
(điểu khiển bằng dòng).
dòng điện vào hầu như không bị ảnh
hưởng bỏi điện trở vào của transito.
Điều khiển bằng dòng điện yêu cầu nội trỏ của nguồn điện áp điều khiển
đủ lôn hơn điện trỏ vào của transito (gọi là kiểu phối hợp dưới hay phối
hợp dòng điện).

137
 Khi nội trở của nguồn tín hiệu vào không đủ lớn, có thể bổ sung
thêm Rz tại lối vào như hình 7.31 để tăng nội trở của nguồn. Tuy nhiên
Rz làm giảm Vu và qua đó làm giảm Vp của mạch.
Nếu dùng điện áp xoay chiều trên bazơ để điều khiể i dòng điện và
điện áp xoay chiểu trên colectơ của transito thì đây là quá trình điều
khiển bằng điện áp.
Điều khiển bằng điện áp xảy ra khi nội trỏ nguồn tín hiệu vào nhỏ hơn
điện trỏ vào của transito (gọi là kiểu phổi hợp trên hay phối hợp điện àp).
Phần lớn các bộ khuếch đại dùng transito sử dụng cách điều khiển
bằng dòng' điện để giảm méo phi tuyến.

7.8. DÒNG ĐIỆN Dư, ĐIỆN ÁP NGƯỢC VÀ ĐIỆN ÁP ĐÁNH THỦNG

7.8.1. Dòng điện dư
Dòng các hạt thiểu số qua diot khi nó phân cực ngưỢc gọi là dòng
điện dư. Trường hỢp tổng quát dòng dư là dòng đặc trưng của transito
lúc các diot của nó bị khoá và chúng có giá trị nhỏ vì là dòng của các
hạt thiểu sô". Để đo dòng diện dư giữa 2 cực của transito cần để hỏ điện
cực thứ ba hay nốì nó qua 1 điện trở tối một trong hai cực kia. Các chỉ
sô" ký hiệu của các dòng điện dư gồm 3 chữ cái sau ký hiệu dòng điện I.
Chữ cái đầu: điện cực của transito được nốì tối cực dương của
nguồn cấp.
Chữ cái sau: điện cực của transito nối tới cực âm của nguồn cấp.
Chữ cái thứ 3: Cách nối điện cực thứ 3 (không nêu tên điện cực này)
O; Điện cực thứ 3 để hở (hình 7.32 và hình 7.34)
S; điện cực thứ 3 nối ngắn mạch (hình 7.33)
R: Có điện trỏ nôl giữa điện cực thứ 3 và điện cực thứ 2 (hình 7.37)
V: có nguồn phân cực phụ giữa điện cực thứ 3 và điện cực thứ 2
(hình 7.35).
Các dòng điện dư quan trọng nhất và cách đo được cho trên các
hình từ 7.32 đến hình 7.37, đó là:
D òn g dư colectơ—em itơ khi hở m ạch bazờ: IcEo (h ìn h 7.32)
D òn g dư co lectơ -em itơ khi n g ắ n m ạch bazơ: IcEs (h ìn h 7.33)
D òn g dư em itơ -b a zơ khi hở m ạch colectơ: I ebo (h ìn h 7.34)

138
 Dòng dư colectơ—emitơ khi khoá diot emitơ: Ic E v (hình 7.35)
Dòng dư colectơ—emitơ vối điện trỏ giữa P]B: IcER (hình 7.36)
Dòng dư colectơ—bazơ khi hở mạch emitơ: IcBo (hình 7.37)
I ces
feo Hở
colectơ

Hở bazơ
o ©
Uc£0 UCES

Hình 7.32. Xác định Hình 7.33. Xác định Hình 7.34. Xác định
dòng dưlcEo- dòng dư Ices- dòng dư Iebo-

•^CBO
-ÍCEV
rS- ụcBo

ƠCEV
Rb£
Hở emitơ

Hlnh 7.35. Xác định Hình 7.36. Xác định Hình 7.37. Xác định
dòng dư IcEv dòng dưicER. dòng dư IcBo-

7.8.2. Các điện áp ngược

Để đo dòng điện dư cần đặt các điện áp ngưỢc và chúng có cùng
ký hiệu 3 chữ cái như vói dòng điện dư. Ví dụ khi đo I c E v (hình 7.35)
điện áp cần th iết đặt vào để đo dòng này trong điều kiện khoá diot
emitd được ký hiệu là ƯCEV’- điện áp ngược giữa colectđ -emitơ khi diot
emitơ khoá. Mỗi điện áp khoá đểu có giá trị giới hạn cho phép (xem
phần 7.12.2.1).
7.8.3. Các điện áp đánh thủng
Khi điện áp ngược vượt quá giá trị lớn nhất cho phép, tiếp xúc pn
trong transito bị đánh thủng kiểu ion hoá vì va chạm (đánh thủng
thác), dòng điện ngược tăng mạnh. Nê”u không hạn chế được dòng điện
này, transitó sẽ bị phá hỏng. Điện áp đánh thủng luôn được cho với
một giá trị dòng điện nhất định.' Đó là giá trị dòng mà tới đó transito
chưa bị hỏng.

139
 Có nhiều điện áp đánh thủng khác z. B. /cE0” 2rnA
nhau tương tự như định nghĩa đôl với
dòng điện dư ở trên. Cách ký hiệu có bổ HỞ mạch
bazơ
sung thêm chữ cái “BR” có nghĩa là U[BR)CEo(m
“đánh thủng” trước 3 chữ cái ký hiệu.
Ví dụ: Điện áp đánh thủng colectơ-
emitơ khi hở mạch bazơ ký hiệu là
Hình 7.38. Xác định áp đánh thủng
U(UH)ci;o- Hình 7.38 đưa ra mạch đo giá colectơ-emitò u,
'(B R )C E O *
trị ư j 5R)ceo với dòng IcEo = 2mA.

7.9. TRẠNG THÁI ĐIỂU KHIEN QUÁ MỨC VÀ CÁC ĐIỆN ÁP BÃO HOÀ
V^iệc tăng điện áp U„K làm dòng bazơ táng và transito bị điều khiổn
mạnh hơn, điện trở đoạn colectơ-emitơ thấp xuống làm dòng colectơ
tăng, điện áp UcE xuôVig thấp cho đến 1 giới hạn. Điện trở colectơ-
emitơ nhỏ nhất ứng với khi đó điện áp UcE nhỏ nhất cỡ 0,2V (hình 7.39)
gọi là điện áp bão hoà (giữa colectơ và emitơ; UcE bão hoà). Tương ứng
lúc đó điện áf:> bazơ-emitơ cũng đạt bão hoà. Trạng thái bão hoà của
transitơ đạt đưỢc khi UcE = U|3E dẫn tới UcB = 0 (hình 7.40). Diot
colecLđ-bazơ không còn bị khoá. Khi tiếp tục tăng dòng ljị (tăng Uị5h),
UcK giảm nhỏ hơn Ui3£ làm Uen < 0 và diot B-C bắt đầu dẫn điện.

UcB~ 0
ơ c e = 0 ,8 V

ưbe=0.8V

Hìtíh 7.40. Chuyển tiếp pn bazơ-

colccto không có diện áp phân cực.
Hình 7.39. Tầng khoá transito với
trạng thái nối mạch.

Trạng thái điều khiển quá mức đối với transito »õãv
xảy ra khi cả hai diot colectơ-bazơ và emitơ-
n p n
bazơ đều dẫn điện (mỏ) (hình 7.41). —o
oy ♦7V
ở trạng thái này, trong transito bị tràn 0V ^a2v
ngập hạt dẫn và dòng bazơ vượt quá một giá
Hình 7.41. Transỉto ỏ trạng
trị ngưởng gọi là iB bãohoà- tháỉ bão hoà (nối mạch).

140
 Ị _ I,Cngíin mạch ư,
Bbỹo lioà
R, .B
với Un: nguồn cấp 1 chiều
R i,: điện trở tải trên colectơ (hình 7.42)
B; hệ sô" khuếch đại dòng điện (1 chiều)
Khi ở trạng thái bão hoà điện trở đoạn colectd-emitơ của transito
có giá trị nhỏ nhất gọi là điện trở bão hoà.

10 20 30 40

Hình 7.42. Hyperbol tổn hao công suất.

7.10. CÔNG SUẤT TỔN HAO TRÊN TRANSITO

7.10.1. Công suất tổn hao và Hyperbol tổn hao
Khi transito làm việc, năng lượng điện đưỢc biến đổi thành năng
l ư ợ n g nhiệt làm nó nóng lên. c ầ n phân biệt công suất tổn hao giữa
co lectơ -em itđ PcE v à giữa b a zơ -em itơ P|J|.;:
PcK= UcE.Ic
P i!k“ U uk . Iij
Công suất tổn hao chung:

lot

Do Ic » In và UcE > UtjE nên PcE » PnE, hay:

p lo t ~ U c E - I c

Tham số giới hạn đối với transito là công suất tổn hao cực đại cho
phép trong điều kiện được làm mát. Vối mỗi giá trị UcE có thể tính được
một giá trị dòng colectó lớn nhất: Icmox> cặp giá trị đã có xác định

141
đưỢc 1 điểm trên đặc tuyến Ic - UcE và kết quả sẽ thu được một đường
cong dạng Hyperbol gọi là Hyperbol công suất tổn hao (hình 7.42).
V í d ụ: Một transito có công suất tổn hao cực đại cho phép là
Plot = 5W trong điểu kiện được toả nhiệt. Vối một sô" giá trị UcK, có giá
trị Icmax tương ứng trên bảng sau:
^tot ^CE* ^Cmax U ce(V) Icmax(rnA) Ptot (W)
'.ot
10 500 5
^CiTiax
Ư C B 20 250 5
30 167 5
40 125 5
Khi đó Hyperbol tổn bao có dạng hình 7.43.
Điểm làm việc của 1 transito trong suốt thời gian làm việc luôn phải
nằm dưới Hyperbol tổn hao. Nếu nằm trên transito sẽ bị quá nhiệt và
bị phá huỷ.
//q l ị
rrÌA' t
500
500
400
300
200
100
10 20 30 (0 50 IUceI
V
Hình 7.43. Xác định Hyperbol công suất tổn hao.

7.10.2. Làm mát cho transito

Công suất tổn hao cực đại cho phép Ptot phụ thuộc vào nhiệt độ lớp
khoá, nghĩa là nhiệt lượng (tính trên 1 đđn vị diện tích) trong 1 đơn vỊ
thời gian.
Hệ số dẫn nhiệt G,h là nhiệt lượng toả ra trong 1 đơn vị thời giai trong
điều kiện có chênh lệch nhiệt độ nhất định giữa lớp khoá và môi trường
làm mát.
Nghịch đảo của hệ số’dẫn nhiệt được định nghĩa là điện trở nhiệt Rth-
Gia số nhiệt độ giữa lớp chắn và môi trường làm mát
R„. =
Nhiệt lượng toả ra trong 1 đơn vị thòi gian

142
 Khi nhiệt lượng toả ra trong 1 đơn vị thời gian cân bằng vối nhiệt
lượng sinh ra trong thời gian ấy thì nhiệt độ của transito không tăng
nữa. Nhiệt lượng sinh ra do Ptot quyết định.

(đơn vỊ đo của điện trở nhiệt °C/W)

Tj: nhiệt độ cao nhâ't cho phép của lồp khoá
T^: nhiệt độ của môi trường làm mát
Môi trường làm mát có thể là vỏ của transito, không khí bao quanh
transito hay các phiến làm mát gắn cùng vỏ transito. Từ đó có các loại
điện trở nhiệt khác nhau:
Điện trở nhiệt giữa lớp khoá và vỏ transito
RthGK^ Điện trở nhiệt giữa vỏ transito và các phiến làm mát.
Rihk: Điện trỏ nhiệt giữa phiến làm mát và không khí bao quanh.
Trong điều kiện có hệ thống toả nhiệt đầy đủ thì điện trở nhiệt
tổng cộng;

r^thg “ I^thG R th G K + f ^ th K

Riho thường xác định từ dữ liệu có sẵn của transito sử dụng

RihK là giá trị định mức của các phiến làm mát.
KthciK phụ thuộc điều kiện kết cấu lắp ráp và thường dùng loại vật
liệu dẫn nhiệt tô"t để có giá trị RthGK hỢp lý.
Transito càng được làm mát tốt thì công suất P lol càng lớn.

Vi du: Với transito công suất BD107 nhiệt độ cao nhất của lớp
k h o á l à 1 7 5 ° c . Đ i ệ n t r ở n h i ệ t R th G = 1 2 ° c / w .

Phiến toả nhiệt được sử dụng có Rti,K = 1,5°CAV được cách điện với
vỏ transito bằng các tấm mica. R t h G K ~ 0,5°c/w xác định công suất tổn
hao lớn nhất khi nhiệt độ môi trường tối đa là 35°c.
RthG ~ RthC RlhK RthGK
= 12“C/W + 1 ,5 “C/W + 0 ,5 “C/W = 1 4 °c/w

143
 p _ j “ 175" c - 3 5 "c 140
lol w
R. 14'’C /W 14

P,„,= 10 W
Nếu transito không đưỢc làm mát nhò lắp các phiến toả nhiệt, tức
là vỏ transito tiếp xúc trực tiếp vối không khí, sử dụng điện trờ nhiệt
Rthu sẽ tính được Ptot có giá trị thấp hơn:
Rthu = Điện trỏ nhiệt ỉớp khoá và môi trường không khí
Với BD107 có R,h„ = 40°c/w
T .-T „ 175" c - 3 5 '’c 140
p _ _ J____1! w
toi
R.^thu 4 0 " c /w 40
Ptot=3,5W

7.11. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ ổN ĐỊNH NHIỆT ĐlEM LẢM VIỆC
Phần lốn các tham số của transito bị phụ thuộc nhiệt độ. Các dường
đặc tuyến bị dịch theo nhiệt độ, đặc biệt đặc tuj'ến vào Ib-U be; (hình 7.44).
Với cùng 1 giá trị điện áp U be khi nhiệt độ tăng dòng bazơ tâng.
Nghĩa là khi bị nóng lên, dòng colectơ tăng và điểm làm việc A bị
trôi lên theo đường thang (đường tải 1 chiều - xem hình 7.24). Nhờ sử
dụng điện trở Re (hình 7.45) điểm làm việc đưỢc ổn định xung quanh A.
-<>♦12V

Hình 7.44. Đồ thị của đặc tuyến vào Hình 7.45. ổn định điểm làm việc
do ảnh hưởng của nhiệt độ. nhờ điện trở Rg.

U ,= U„, + U e
U,5K= Ư2 - Uk = 1,7V - IV = 0,7V
Do bị nóng Ie tăng tới 10,5mA. Khi đó Ure = 1,05V
U r , ; = I k . R,.; = 10,5mA.100Q = 1,050V

144
 Thực tế Ư9 khồng đổi khi đó ƯUE còn lại:
ƯBE = Ư2 - U e = 1,7V - 1,05V = 0,65V
Việc nhiệt độ tăng điều chỉnh lại (làm giảm) Ube nhò có Rg, do đó
ổn định được điểm làm việc của transito. Để tránh gây tác động ở chế
độ xoay chiều, cần nôl Ce có giá trị đủ lớn song song Rg để nén tín hiệu
xoay chiều trên Re (hình 7.46). Một cách khác để ổn định nhiệt là dùng
bộ chia áp phụ thuộc nhiệt độ (hình 7.47). Khi đó một điện trở nhiệt
loại NTC được nối song song với R2. Điện trở nhiệt NTC phải có cùng
nhiệt độ của vỏ transito tức là được gắn trực tiếp với colectơ của transito.
Khi nhiệt độ tăng lên, giá trị NTC giảm làm điện trở tương đương
Ro// Rntc giảm , d ẫn tới U|3E giảm .

Ri
Ri

€) C)
5
R2 Í,Í/b£
Re 4 = C e

Hình 7.46, Chống hổi tiếp xoay chiều Hình 7.47. ổn định điểm làm việc
trên Rg nhờ tụ thoát Cg. dùng nhiệt điện trỏ nóng (NTC).

7.12. TẠP ÂM CỦA TRANSITO

7.12.1. Nguyên nhân phát sinh tạp âm
Chuyển động của hạt dẫn điện trong mạng tinh thể chịu ảnh hưỏng
của dao động nhiệt của mạng tinh thể nên không ổn định. Nghĩa là
dòng đ iện lu ô n có m ột độ th ă n g giá n g nhỏ do n g u y ên n h â n n ày và đưỢc
gọi là d òn g tạp âm ,

Mọi dòng điện đều có 1 phần là dòng tạp âm.

Phần dòng tạp âm chảy qua 1 điện trở R gây ra điện áp tạp âm. Từ
đó côn g s u ấ t tạp âm đưỢc xác định bởi tích sô" h a i giá trị h iệu d ụng củ a
dòng v à áp tạp âm:

145
10'LKĐIỆNTử
 p, = u, .1,

p^; công suất tạp âm.

Uri điện áp tạp âm hiệu dụng.
1^: dòng điện tạp ầm hiệu dụng.

7.12.2. Điện trở tạp âm

Công suâ"t tạp âm trên 1 điện trỏ R luôn được tính trong 1 dải tần
số b cần quan tâm:

PrK - 4.k.T.b

P,.jị: công suất tạp âm của 1 điện trở.

_Ws_ Ws
k': hằng sô' Boltzmann k = 1,38.10'^'
Kelvin K
T; nhiệt độ tuyệt đôi (Kelvin),
b: dải tần số đang xét.____________
ở nhiệt độ phòng w 20°c 4kT=l,6.10 -2 0

Điện áp tap ầm (lúc h-ỏ mạch) đưỢc xác định trên điện trở Rị (nội
trđ của nguồn tín hiệu);
U , . = , / V Ĩ ^ = V4kT.b.R,

7,12.3. Hệ sô tạp âm và mút: tạp âm

Điện áp tạp âm xuất hiện trong nguồn tín hiệu được transito đón
nhận và khuếch đại lên bên cạnh công suất tạp âm của tinh thể làm
transito.
Nếu ký hiệu P ri là phần công suất tạp âm của nguồn tín hiệu.
Vp là hệ sô» khuếch đại công suất của transito
Prt là công suất tạp âm do transito gây ra,
th ì công su ấ t tạp âm tạ i lối ra của tr a n sito đưỢc xác đ ịn h bởi:
P rt2 “ P ri-Vp + P rx
Nếu ký hiệu Pr2= Pri Vp (là công suất tạp âm ở lôi ra không phải do
transito gây ra) thì hệ sô" tạp âm F đưỢc định nghĩa:

p _
p
^ RT2 _
p Vp ^-l-P
^ RT

R2

146
 Hệ số tạp âm F là tỷ số công suất tạp âm tổng cộng ở lối ra transito
với công suâ^t tạp âm có nguồn gôc không phải của transito

P,n-2 = F.Pr,
R2 = F. Pk,.V
Rl- '' 1>

RT
F= 1+

Nếu 1 transito lý tưởng không có tạp âm Prx = 0 ; F = 1

Transito thực tế luôn có F >1 (thường F = 1,4 tói 10 ). F có thể dùng
trong thang logarit:

(dB)

F* đưỢc định nghĩa là mức tạp âm tính theo đđn vị dexibel, giá trị
thường gặp F* = l,5dB đến lOdB.
Tạp âm của một transito càng nhỏ khi hệ số tạp âm F và mức tạp âm F*
của nó càng bé.
F và F* có giá trị phụ thuộc loại transito, vào điểm làm việc đã
chọn của transito. Với dòng ĩc nhỏ, F và F* nhỏ và tăng lên khi Ic tăng.
Khi tín hiệu tác động vào transito có cưồng độ nhỏ, tạp âm có vai trò
quan trọng tói mức có thể lấn át tín hiệu.
Giá trị của điện áp tạp âm xấc định mức tín hiệu có nghĩa nhỏ nhất (độ
nhậy) tại đầu vào của transito.
Giá trị của điện áp tạp âm có thể tính được từ công suất tạp âm.
Thường giả thiết transito là lý tưởng không có tạp âm, công suất tạp
âm của nguồn tín hiệu Pj{| đã biết (do nội trở của nguồn tín hiệu tạo ra
từ dòng tạp âm của nguồn) được thay thế thành Perj.

R2

p„
^ RT2 _ p pR2
'■

V.|) ■v„
’ [>

(P ru, là công suất tạp âm lốì vào tương đương khi coi transito là lý
tưởng tức là bỏ qua P|ỈT và thay P ki bằng P eri)-
Công suất tạp âm thay thế bằng tích sổ công suất tạp âm của nguồn tín
hiệu tác động transito với hệ số tạp âm.

147
Ví dụ: Với transito BSY 52 có mức tạp âm 6 dB và hệ số tạp âm F = 4 điện
trở trong (nội trở) của nguồn tín hiệu là lOkQ. Transito làm việc ở dải tần
sô' OHz đến 20 kHz với hệ số khuếch đại công suất Vp = 4000.
a) Tính công suất tạp âm và điện áp tạp âm hở mạch (tại nhiệt độ
phòng) của điện trở trong của nguồn tín hiệu.
b) Tính công suất tạp âm lôl vào biết điện trỏ vào rj3E= lOkQ.
c) Tính công suất tạp âm tại lối ra?
G iả i:

a) P,R = 4.kT.b = l , 6 . 10 -"“(Ws).2 0 .1 0 '-

s
= 32.10-"W = 320.10"'«w
U..K = VP,r .R; - -J320.10-'*.
U ,R = 17,89. IO.7V = l,789|aV
■' b) Đ iện áp tạp âm tạ i lốỉ vào của tran sito khi có phối hỢp trở k h á n g
(Ri= rtiE =10kn) Uri = 1/2U,r.
u .rR
u RI
0,8445|aV

1
Công suất tap âm tai lôi vào của trangto P ri bằng —P,.R
4

Pr, = [ ^ J
^
•— =
Ị
1 _ 1,789.10'M 1
--^ w
K ^ J l 2 j
Pri = 0 ,8 . 10"’®w = 80 . 10-'»w
c) p RT2 F.Pni-Vp = 4.80.10-'«w. 4000
= 1.280 .000 . 10-'®w
= 1,28.10-‘"W
Prt2 ~ l,28pW.

7.13. CÁC THÔNG số CỦA TRANSITO

7.13.1. Các tham số định mức
Tham số định mức thể hiện các tính chất khi làm việc của transito.
7.13.1.1. Thamsố định múc tín hiệu (xoay chiều)
(ở đây chỉ đưa ra các tham sổ xoay chiều trong cách mắc EC).

148
 Điện trở vào vi phân
1
Điện trở ra vi phân ^CE
‘ 22c

Hộ sô' khuếch đại dòng điện vi phân: p = hgie

Hệ số ghép ngưỢc (hệ số’ hồi tiếp) vi sai: D = hi 2e.
Các tham số xoay chiều chỉ xét ở lân cận 1 điểm làm việc xác định
của transito.
7.13.1.2. Quan hệ 1chiểu
Hệ sô" khuếch đại dòng điện 1 chiều là tỷ sô" dòng điện 1 chịều
' I
colectơ và bazơ B - ---
-Ln

Giá trị của B do điểm làm việc 1 chiểu của transito (tức là do UcE,
!(■) Quyết định và thay đổi theo vỊ trí điểm làm việc của transito.
7.13.1.3. Các dòng điện dưvà các điện áp đánh thủng
Nhóm tham số dòng điện dư và điện áp đánh thủng đã được định
n g h ĩa chi tiế t tron g p h ần 7.8 và được cho trong các dữ liệu v ề tra n sito
do nhà sản xuất cung cấp.
7.13.1.4. Điện dung lớp khoá
Điện dung lớp khoá được xác định tại 1 điện áp khoá nhất định. Ví
dụ: Điện dung colectơ-bazơ (khi E hở mạch, UcB= lOV).
CcBO“
Điện dung emitơ -bazơ
(Colectơ hở mạch, ƯEB= 0,5V) Cebo~ 25pF
7.13.1.5. Các tẩn sô'giói hạn
Các điện dung lóp khoá ảnh hưởng tói giới hạn tần số cao. Khi
transito làm việc, tần số tín hiệu vào tăng làm các hệ số (3 và a giảm
AI,
)
AIp ' Alg
• Tần số khuếch đại đơn vị là tầ n sô" tại đó p = 1
f(p - 1)
• Tần sô" quy đổi fp là một đại lượng dùng cho việc tính toán là tích
số của hệ số p và tần sô" tại đó đo p (tại fx đo được Px):

f.ị' = fx'. Px

149
 • Tần số giới hạn trôn: Theo định nghĩa các giá trị a„, p„ được đo
tại = 1kHz
p(fo = 10-^Hz) =
a(fo = 10'^Hz) = p„

Khi đó

í'(, và fp là các tần sô’ giới hạn cao nhất khi làm việc vối tín hiệu
xoay chiều đói vói transito
Chú ý rằng: |f„ = pf[Ị.
7.13.1.6. Các điện trở nhiệt (xem phần 7.10.2)
Rthu: điện trỏ nhiệt giữa lớp khoá - môi trưòng không khí
Rt„r.: điện trở n h iệ t giữa lớp khoá - vỏ tra n sito .

7.13.1.7. Mức tạp âm (xem phần 7.12)

Tạp âm của 1 transito được đánh giá qua mức tạp âm F* = lOlgF
và càng nhỏ càng tô"t.
7.13.1.8. Thời gian chuyển mạch của transito
Khi điều khiển transito từ trạng thái ngắt mạch sang nô: mạch,
cần có một thòi gian để hoàn thành (được xác định từ lúc giá trị
tham sô" ra - như điện áp ra chẳng hạn - thay đổi từ 90% đến 10% giá
trị tốì đa). Tương tự khi điểu khiển transito từ trạng thái nôl mạch đến
trạng thái ngắt mạch, thòi gian cần thiết để hoàn thành công việc lật
là tngát (tính từ lúc điện áp ra đạt 10% đến lúc đạt 90% giá trị cực đại).
Thời gian chuyển mạch của transito chính là thời gian trễ lúc được
điểu khiển để thay đổi trạng thái luôn gồm hai giá trị và tngáf Do
tính chất vật lý của chất bán dẫn tinh thể, thưồng tngít lớn hơn tng- vài
lần. Thời gian trễ đưỢc xác định là trung bình cộng của hai giá trị trên:

150
7.13.2. Các tham số giới hạn của transito
Các tham số giới hạn là càc giá trị tối đa cho phép và không được vượt
quà trong mọi tình huống làm việc của transito.

• Đ i ệ n á p n g ư ợ c c ự c đ ạ i c h o p h é p : U c B 0 > UcEO) Uebo> U c e s -

• Dòng cực đại cho phép:
Icmax- dòng colectơ cực đại cho phép ở chế độ làm việc lầu dài.
Icm: dòng đỉnh cho phép ở chế độ làm việc xung (thời gian
làm việc ngắn < lOms).
dòng bazơ lớn nhất cho phép ờ chế độ làm việc lâu dài.
• Cồng suất tổn hao cực đại cho phép:
PcE (giữa colectơ -em itơ )
• P be (giữa bazơ-emitơ)
P tot “ p C E + P b e ~ pC F ,-

Chú ý P(ó', phụ thuộc vào điều kiện làm mát (điều kiện toả nhiệt).
• Nhiệt độ lớn nhất cho phép
Vối loại transito có nguồn gốc Ge (còn ký hiệu Tj) ~ 90°c.
Với loại có nguồn gốc Si * 2 0 0 °c.
D ả i n h i ệ t đ ộ b ả o q u ả n - 6 0 ”c - 2 0 0 ° c v ớ i t r a n s i t o S i v à - 3 0 ° c đ ế n
+75°c vói transito Ge.
7.13.3. Dữ liệu của transito
Các thông sô", đặc tính của transito thường được cho dưới dạng các
bảng và đồ thị để người sử dụng tra cứu, tính toán hoặc truy cập thông
tin một cách tổng hỢp và đầy đủ.

7.14. MỘT VÀI ỨNG DỤNG CỦA TRANSITO

7.14.1. Tầng khoá chuyển mạch 12V

dùng transito (hình 7.48)

r
RL=2A0n

Transito trong hình 7.48 chỉ /* 0 .

/c *5 0 mA
có thể ở một trong 2 trạng thái; R,
Khi không có tín hiệu tác ưserOV ƠCE =
động tại lốì vào: Transito ở trạng Ư8E s 0.9 V

thái ngắt mạch (trạng thái 1):

Ijj = 0; U[JE = 0; 0
Hình 7.48. Tầng khoá dùng transito.
Rce « lOOMQ; UcE= Uj3= +12V

151
 Khi có 1 xung điện áp dương khoảng vài V tác động tại lối vào transito
ở trạng thái 2 là trạng thái nối mạch.
Vói Uvlo - 3,9V ; Rv = 3kQ thì:
ImA U|5E = 0,9V ; RcE 4Q UcE » 0,2V
12V
I = 50mA
R l 240Q
ở chế độ khoá chuyển mạch,
diểm làm việc của transito trên
đồ thị đặc tuyến Ic - UcE chỉ có
thể ở vị trí Pi (cho trạng thái 1)
hoặc vị trí Pọ (cho trạng thái 2 )
thể hiện trên hình 7.49. Thời
gian Pi -> ?2 là tng', và P2 -> Pi là
tngắt từ v à i |.IS đến v ài p hần ns.
Cần chọn Rl sao cho Rị, > RLm in-
Hình 7.49. Đặc tuyến ra của 1 transito khoá.
Khi đó Ụí- = < LLmax để đảm Các điểm làm việc đặc trưng p, hoặc p^.
R Lmin
bảo an toàn về dòng điện cho transito lúc nốì mạch.
Hình 7.50 là một mạch hạn chế ánh sáng dùng một khoá transito.
Điện trở quang Rp= l O M Q lúc không đ ư ợ c chiếu sáng (còn gọi là giá trị
điện trở lúc tốì) và bằng IkQ lúc đưỢc chiếu sáng vối cường độ thích
hỢp. Điện trở n h á n h tr ê n n h ư v ậ y có 2 tr ạ n g th á i: lú c tô l có g iá tr ị
Rj + Rf- = 47kQ + lOMQ rất lốn làm điện áp bazơ-emitơ U be *= 0 ,
transito ngắt mạch (không có dòng điện qua rơle).
Lúc được chiếu sáng: «♦18V
Rj + Rị, = 48kQ, điện áp cực bazơ- Rt»47kn
18V Rp
emitơ U,^ = 0,9V làm
(R,+Rp)+R, ^
transito nối mạch, có dòng điện qua R2=4.7l<n
rơle điều khiển công tắc chuyển mạch.
Hình 7.50. Tầng khoá transito
7.14.2. Bộ khuếch đại dùng transito điểu khiển nhờ ánh sáng.

Bộ khuếch đại có nhiệm vụ làm tăng tín hiệu vào (điện áp, dòng
điện hay công suất) đưỢc thực hiện nhồ một hoặc vài transito mắc liên
tiếp nhau (gọi là bộ khuếch đại 1 tầng hay khuếch đại nhiều tầng).

152
7.14.2.1. Hình 7.51 là mạch nguyên lý 1 bộ khuếch đại mắc EC gồm 1 tầng.
Rj và Rl giúp việc chọn điểm làm việc 1 chiều cho transito, ớ chế có tín
hiệu (chế độ xoay chiều) Rj tham gia vào điện trỏ vào xoay chiều và Rl
tham gia vào tải xoay chiều của bộ khuếch đại. Một sự thay đổi nhỏ
của dòng bazơ dẫn tới việc điều khiển và tạo ra một sự thay đổi lón của
dòng colectơ tạo ra hiệu ứng khuếch đại dòng điện của transito. Tương
ứng là các quan hệ điện áp xoay chiều bazơ và colectơ. Trong khi sự
biến thiên các dòng điện là đồng pha thì sự biến thiên các điện áp ở
colectó và ở bazđ là ngược pha nhau (hình 7.52). Điện trỏ vào vi phân
của mạch khuếch đại;

►12V

Rl
R|

Đầu ra U2 R
Đẩu vào)(J^

.ov

Hình 7.51. Tầng khuếch đại dùng translto (mắt EC).

ở đây ủ|Và ĩ|là biên độ điện áp và

dòng điện tại lối vào. Ù2 và ijlá biên độ
điện áp và dòng điện xoay chiều tại lối ra.
Điện trở ra vi phân của mạch
khuếch đại:

Coi tầng khuếch đại như 1 mạng

Hình 7.52. Đồ thị thòi gian điện
4 cực hình 7.53, các thông số quan
áp ra của tầng khuếch đại EC.
trọng của mạng là;

153
 Hệ số khuếch đại dòng điện Vj
Hệ sô" khuếch đại điện áp Vu
Điện trở vào xoay chiều
Điện trở ra xoay chiều r,,
Hình 7.53. Transito như một
Góc dịch pha (giữa Ư 2 và Ui) (p mạng 4 cực.

7.14,2.2, Bộ khuếch đại nhiều tầng

Khi cần inửc tín hiệu ra lớn, cần dùng nhiều transito mắc liên tiếp
nhau, khi đó; v„ = V„i.Vu2.V„3..........
V - v ñ . V . 2. V i3. . .......................

(Hình 7,54 và 7.55)

iJjV 100 hV lOmV IV

Hình 7.54. Mạch khuếch đại transito dùng 3 tầng.

Tầng 1 Tầng 2 Tầng 3

Hình 7.55. Bộ khuếch đại 3 tầng dùng transỉto.

Các tầng khuếch đại

được g h é p với n h a u q u a tụ
(hình 7.55) hay ghép trực
tiếp (hình 7.56). Khi ghép
theo hình 7.56 bộ khuếch
đại có thể làm việc với tín
hiệu vào có tần sô" bằng
OHz (gọi là bộ khuếch đại 1
chiều). Còn cách ghép dùng Hình 7.56. 3 tầng khuếch đại transito
ghép đặc tuyến.
tụ hình 7.55 hay dùng biến
áp, tần sô" làm việc không xuông đến OHz gọi chung là các bộ khuếch
đại xoay chiều.

154
7.14.3. Các cách mắc Tr trong bộ khuếch đại
Tồn tại 3 kiểu mắc transito trong mạch khuếch đại và do đó có 3
dạng mạch khuếch đại thường gặp là: ^ỊJ
• Mạch khuếch đại mắc emitơ
chung (mạch EC) như thể hiện ở Rl
hình 7.57. Khi đó cực E được dùng R ií Cí
r^ iiii ^0
Ci
chung cho lổì vào và lôl ra. n
® II1
1 i
^ (Y
)
• Mạch khuếch đại mắc bazơ Đầu ra
Đầu vào ) r2
chung (mạch BC) - hình 7.58.
• Mạch khuếch đại mắc colectơ
chung (mạch CC) —hình 7.59. Hình 7.57. u lạch khuếizh đại mắt EC.

C2 i Ic.
ỉil
c,
Đẩu vào Re C3 Đầu ra
^2
Đầu vào ^2
Đầu ra
— — — o

Hình 7.58. Mạch khuếch đại mắt BC. Hình 7.59. Mạch khuếch đại mắt c c .

Chú ý rằng các quan hệ dòng điện vào, dòng điện ra, điện áp vào
và liộn áp ra với mỗi kiểu mắc là khác nhau. Ví dụ trong kiểu mắc EC:
^v5o UvAo - U be

I..a = I c u ,.„ H UcE

Còn trong kiểu mắc J3C thì:
Ivào = I e Uvằo - ưeb

^ra u..„ ^ ƯCB

CÂU HỎI ÔN TẬP - BÀI TẬP

1 . Vẽ cấu tạo transito pnp. Nêu tên các cực và vùng bán dẫn tương ứng.
2. Vẽ cấu tạo transito npn - Vẽ chiều phân cực cho các tiếp xúc pn của
transito.
3. Giải thích nhiệm vụ lớp chắn giữa B và c trong transito npn?

155
4. Nêu tên các dòng điện và điện áp trên transito loại npn và loại pnp,
vẽ chiểu các dòng điện.
5. Giải thích nguyên lý hoạt động của transito npn. Việc khuếch đại
dòng điện và khuếch đại điện áp của transito thể hiện như th ế nào?
6. Các mốì liên hệ giữa 3 dòng điện và mối liên hệ giữa 3 điện áp của
transito.
7. Vẽ dạng đặc tuyến vào của transito npn (mắc EC), điện trở vào vi
phân Tqe tại 1 điểm làm việc A đưỢc xác định như thế nào?
8. Đ ặc tu y ến ra Ic — U(JE của 1 tra n sito npn? Cách xác đ ịn h đ iện trô
ra vi phân r^E tại một điểm làm việc A trên đặc tuyến?
9. Hệ số khuếch đại dòng điện vi phân p là gì?
10. Khi cho 1 transito có B = 120 tại 1 điểm làm việc nào đó có ý nghĩa gì?
11. Hệ số hồi tiếp (ghép ngược) vi sai D là gì? Ý nghĩa?
12. Hệ thông 4 đặc tuyến điển hình của 1 transito có dạng như thế nào?
13. Mạng 4 cực theo các tham số li là gì? p tương thích vối tham số h nào?
14. Điểm làm việc của 1 bộ khuếch đại transito được xác định như thế nào?
15. Cho mạch hình 7.60. Hãy tính Rj và R2 biết:
Ic = 6 mA; 6Ib; B = 20; Ube= 0 .72V
16. Vói mạch hình 7.61. Hãy tìm Rj, R2 và UcE khi biết:
U be~ 0,75V; Iq= 3I q; B = 60
Re = 200 Q; R c = I k Q ; C i = € 2 = 10^ F ; C3 = lOOfiF.
17. Các dòng điện dư của 1 transito xác định như thế nào?
Các chỉ sô" ký hiệu bằng chữ cái có ý nghĩa gì?
ỹ»ơb =18V
^ s 12V
|R ]R i (
Jik n
R, 1^2 iị C í
'lO ụ P 11 ^
0 r ĩ 1 ’
J
ì 7 hF
t
JRí r J rj J Ca
IR e Ce
j2 2 0 n H Re =
^70ụF

Hình 7.60. Mạch khuếch đại Hình 7.61. Mạch khuếch đại
dùng transito. dùng transito.

156
18. Phân biệt điện áp ngưỢc và điện áp đánh thủng?
19. Trạng thái quá tải của transito xảy ra từ lúc nào?
2 0 . Một transito không có phiến toả nhiệt có điện trở nhiệt Rthu = 80°CAV.
Nhiệt độ lớp khoá cao nhất là 170®c. Nhiệt độ môi trường là 50“c.
Hãy tính công suất tổn hao cho phép Pt„i.
21. Hãy nêu nguyên nhân gây tạp âm của transito tại đầu ra.
2 2 . Các biện pháp để ổn định điểm làm việc theo nhiệt độ đôi với
transito npn.
23. Hãy vẽ 3 mạch mắc transito cơ bản và nêu tên các dòng điện và
điện áp lối vào, lối ra của mỗi mạch.
24. Mạch hình 7.62 là kiểu mắc gì của transito?
♦ư«

Rc

R ĩ= rC j

Hình 7.62. Mạch khuếch đại dùng transito.

25. Một tầng khoá chuyển mạch dùng transito hoạt động như thế nào?
Hãy vẽ một transito npn ở chế độ của 1 tầng khoá chuyển mạch và
chỉ ra điểm làm việc có thể của transito trên đặc tuyến Iq—ư c e -

157
 Chương 8

TRANSITO ĐƠN cục

Nhóm transito đơn cực có đặc trưng cơ bản là dẫn điện chỉ bằng một
loại hạt dẫn là điện tử tự do (nhóm kênh dẫn điện loại n) hay bằng lỗ
trôVig (nhóm kênh dẫn điện loại p). v ề cấu tạo đặc điểm quan trọng là
loại transito đơn cực chỉ có 1 chuyển tiếp pn và được chia thành nhiều
nhóm nhỏ.

8.1. TRANSITO HIỆU ỨNG TRƯỜNG có cực CỬA LÀ 1 LỚP KHOÁ (JFET)
8.1.1. Câu tạo và nguyên lý hoạt động
Về cấu tạo JFET có hai dạng là loại kênh n
(JP^ETn) và loại kênh p (JFETp). Do tính đối
xứng và có nguyên lý giông nhau nên chỉ xét
loại kênh n có cấu tạo đưỢc cho trên bình 8.1
gồm một kênh có tính dẫn điện loại n nôi giữa
2 cực m á n g (Drain - D) và nguồn (Source - S)
được cách ly vối cực thứ 3 là cực cửa (Gate - G)
nhờ một chuyển tiếp pn. Nếu đặt giữa cực D
và s một điện áp u ví dụ +12V, sẽ xuất hiện
Hình 8.1. Câu tạo của
dòng điện tử chuyển động trên kênh dẫn từ s
JFET kênh n.
tới D (chiều dòng điện từ D tới S) với độ lớn do
giá trị của điện áp u và điện trở, kích thước D >
---------------
của kênh quyết định. Việc phân bô" điện áp
1
12 V trên kênh vẽ mô phỏng ở hình 8 .2 . Nếu n
ẹk

cực G (hình 8.3) dưỢc nôi ngắn mạch tới cực s P] p

(U gs = 0). tiếp xúc pn giữa GS và GD dểu bị q

khoá (vùng kênh dẫn n nhìn chung đều có

y
điện thế dương so với vùng p). Đã hình thành i
2 vùng tiếp xúc pn (liên thông nhau) hay hai
vùng điện tích không gian theo chiều từ s tới s »-------------- ov
D càng rộng dần ra do ảnh hưởng khác nhau Hình 8.2. Phân bố điện
của điện áp u . Vùng p luôn có điện thế ov và áp trên kênh n dọc theo
hướng từ D tói s.
do đó không có dòng điện chảy trong đó.
Giữa vùng tinh thể loại n và hai phía loại p hình thành hai lớp khoá.

158
 Trên hình 8 . 3 , tại vùng A điện thế. phân cực ngược là lOV nhưng
tại B điện thế này còn 6 V. Khi lấy 1 đoạn nhỏ của vùng tiếp xúc pn
phóng to lên ta được hình 8.4 mô tả cơ che" dẫn điện của kênh dẫn loại
n. Do điện trường nội bộ của lốp điện tích không gian hướng từ vùng n
sang vùng p nên lực của điện trường tác động ngưỢc chiều với điện tử
và đẩy các electron tách ra khỏi vùng lớp chắn.

Chiều điện trường

nội bộ của lớp khoá

Hình 8.4. Tiết diện lóp chắn

Hình 8.3. Lỏp chắn của JFET, thay đổi theo trục S-D .

Lớp chắn là vùng bị cấm vói các điện tử trên kênh dẫn vùng n
Các điện tử chỉ chuyển động dọc theo hướng từ s tới D trên 1 vùng n
trưng hoà điện được gọi là kênh dãn bằng điện tử - kênh dẫn n (hình 8.5).
o^12V

<^0V

Hình 8.5. Phản bố (kích thước) Hình 8.6. Phân cưc của điện áp
kênh phụ thuộc lớp chắn. điều khiển U gs-

159
 Nếu phân cực sao cho Uo < ưs hay U qs < 0 (tiếp xúc pn phân cực
ngược mạnh hơn, thiết diện của kênh dẫn sẽ hẹp lại. Khi kênh dẫn hẹp
nhất, điện trở kênh sẽ lốn nhất. Nếu vói cùng 1 điện áp đặt tới giữa D
và s , điện trở của kênh tăng khi Ucs âm hơn làm dòng cực máng Id
giảm. Sự biến thiên điện áp trên cực G dẫn tối sự thay đổi dòng điện
trên kênh (hình 8 .6 ).
Khi điện àp Ucs càng àm, vùng lớp chắn càng mỏ rộng và thiết diện kênh
dẫn càng hẹp lại, điện trỏ của kênh càng tăng lên và do đó dòng Ip càng
giảm nhỏ.
Dòng cực màng lo được điều khiển "không dây dẫn" nhờ Uas-
Tiếp tục cho điện thế cực G âm, đến một
giá trị nào đó, hai miền lớp chắn gặp nhau
(hình 8.7), thiết diện kênh lúc này bằng 0.
Dòng điện không còn trên kênh (Id = 0 ).
Transito bị khoá.
Ký hiệu và tên các điện cực của JFET
cho trên hình 8 .8 . ở đây cực cửa (G) ỉà cực
điều khiển tương đương với cực bazơ (B) của
BJT. Như vậy điều kiện làm việc thông
Hình 8.7. Lớp chắn ả trạng
thường của JFETn là U|5S> 0 và Ugs ^ 0 còn thái transito khoá
vối JF E T p là Uns < 0 và U gs ^ 0 (ký h iệu cho (khỉ Uds = 0).
trên hình 8 . 10 ).
9 0 : Drain ♦ 12V- 02V
U dg

■Q
G=Gate s
o— -ƠGS

OV' •ov
¿S = S ource

Hình 8.8. Cấu tạo, ký hiệu của JFETn. Hình 8.9. Điện áp phân bố cho JFETn.

90 -12V-|--------------------------- -12V
G ------- -Ùdo
.2 V - ị----------
•ơos
Uos

ov> — Lov

Hình 8.10. Câu tạo, ký hiệu của JFETp Hình 8.11. Điện áp phân bố cho JFETp
(kênh p).

160
8.1.2. Đặc tuyến và tham số của JFETn
Họ đặc tuyến ra In-U|xs ¡0
mẴ i p ƯM=OV .
(hình 8.12) đưỢc lấy trong điều 12 ----- ---------------------- Q
kiện giữ U(;s ở các giá trị khác 10 / __________ __ ________ _____ IV
nhau (ƯQS á 0) khi U qs 0, 8
r
kênh dẫn là rộng nhất và I]) 6
đạt giá trị lớn nhất, đường í, 3V
2r /w
lo - Uds cao nhất. Chú ý tới điểm ^ " 1
p tại đó có Uos (P) gọi là điện áp K) 20 Ư|
t^OS(P)
bão hoà, khi Uos > Ut)s(P) th ì Hình 8.12. Đặc tuyên Id - U ds của JFETn.
v iệc tă n g U os không làm
tăng dòng Ii3 nữa. Tại giá trị
Ui).s = ƯDa(P), vùng pn hai phía gặp nhau,
kênh dẫn bị thắt lại, đặc tuyến bằng phẳng
trong đoạn p - Q tại Q do Uus quálớn, lốp
chắn bị đánh thủng ở vùng sát cực D (cường
dộ trường ngiíỢc lớn nhất) và JFFT bị phá
huý ở vùng sau Q. Khi cho Ucs < 0 đặc tuyến
Ii) - U|XS thấp xuông, điểm p xảy ra sớm hơn Hình 8.13. Cấu tạo
Oiình 8.14). của JFET kênh n.

Hình 8.14. Đặc tuyến đầy đủ Hình 8.15. Đặc tuyến ỈD “ * U p s

của \q - U qs vói JFETn. của JFETn.

• Đặc tuyến Ij) - U g s xét với các giá trị U,)S > Ư0s(P) khác nhau là
họ đặc tuyến truyền đạt I|) - Uc,s (hình 8.15).
Khi Ucs = ưc.s(P) dòng lo = 0, JFET bị khoá.

161
11-LK ĐIỆN TỬ
 Độ dô"c của đặc tuyến truyền đạt Iu - Ucs trên hình 8.16 thể hiện
tính chất điển hình của FET, độ dốc (còn gọi là hỗ dẫn) s tại lân cận
điểm làm việc A được định nghĩa.

(giữ U ds = hằng số)

Alo: lượng biến thiên dòng cực máng.

AUgs: lượng biến thiên điện áp giữa các cực cửa - nguồn (giá trị
thương từ 3mA/V đến lOmA/V).
Hỗ dẫn s cho biết vổi AU gs = 1 (V) thì A lo sẽ bằng S(mA).
• Điện trở ra vi phân:

(khi cho U gs = hằng số)

Cách xác định đưỢc cho trên hinh 8.17; giá trị thường gặp
rps ~ 80kQ đến khoảng 2 0 0 kQ.

Hinh 8.16. Xác định độ dốc vi Hình 8.17. Xác định điện
phân của đặc tuyến truyền đạt. trỏ ra vi phân của FET.

• Điện trở vào vi phân là điện trở lốp khoá nằm giữa các cực G và s
do dòng điện ngược Is là vô cùng bé nên r^s » đến 1 0 ‘‘*Q.
Dòng điện vào là dòng các hạt thiểu sô" của diot khoá Is ~ 5nA đến
2 0 nA.
• Các tham sô" giới hạn của JFET
Điện áp máng - nguồn lớn nhất ƯDSmax
Điện áp cửa - nguồn lốn nhất Ư GSm ax

162
 Dòng cực máng lớn nhất ‘^Dmax

Công suâ”l tổn hao lớn nhất tot

Nhiệt độ cao nhất khi làm việc

9^20V

0
/g

i
Uos

Ư G S --2 V

Hình 8.18. JFETn mắc cực Hình 8.19. Tầng khuếch đại
nguổn chung. mắc cực nguồn chung.

Các giá trị cụ thổ làm ví dụ cho một JFETn công suất nhỏ
Unsmax ~ 30V = —8 V
Id.u. x= 20mA Pt„t = 200mW
Tj =
Công suâ^t tổn hao

1^1oi —^DS ■Id

8.1.3. ứng dụng

ưu điểm đặc biệt của JFET là có điện trỏ vào lởn nên việc điều khiển hầu
như không làm tổn hao công suất của tin hiệu tại lối vào.
Mạch khuếch đại rnếc cực nguồn chung (SC) được cho trên hình
8.19 với U g s - - 2 V và K| = IkQ, U o i) = + 12 V, Điểm làm việc được xác
định tại điểm A (hình 8 .2 0 ) trôn các đặc tuyến Ỉ 0 - U d s và Id - U g s - Giả
thiết điện áp tại lôi vào có biên độ IV, quá trình khuếch đại điện áp
được minh hoạ trên đồ thị hình 8 .2 0 .
Hệ số’khuếch đại điện áp:

ở đây s là hỗ dẫn (độ dốc) của JFET xét tại A

163
 (Với I |3 —I|50 và theo dinh nghĩa s =
U o s (P ) a u GS

21 DO
ta CÓ s = s. ;So =
U g s (p ) ^GS(P)
So là hỗ dẫn của JFET tính tại điểm U gs =0
s là hỗ dẫn của JFET tại điểm làm việc Ugs -2 V )

Điện trở vào của mạch;

Te là điện trở vi phân lối vào mạch.

Tqs điện trở vi phân lôl vào của JFET.
Rq điện trở cực Gate.

Điện trở ra vi phân:

Hinh 8.20. Giải thích quá trình khuếch dại trên các dặc tuyến của transito JFET.

Ví dụ: Mạch khuếch đại hình 8 .2 1 dùng JFET có r^s = lOOkQ;

s = 8 mA/V. T ính hệ sô" khuếch đại điện áp của mạch.

164
 mA lO k Q .lO O k Q
V u -S .
R , . r , DS
8 = 72,7
~ v lO k Q + lO O k Q

Hỉnh 8 .2 1. Tẩng khuếch đại điện áp xoay chiều mắc s c .

8.2. TRANSITO HIỆU ỨNG TRƯỜNG có cực CỬA CÁCH LY (IGFET

HAY MOSFET)
8.2.1. Câu tạo và nguyên lý hoạt động
8.2.1.1. Vấn đê Chung
Phần tích cực của transito là 1 đế tinh
Lhể dẫn điện ví dụ loại p (cho MOS kônh
dẫn điộn bằng điện tử). Trên đế tạo hai
vùng dẫn điện tốt loại n được phủ trên bề
mặt hai vùng này một lớp điện môi mỏng
SÌO2 có hai cửa sổ làm 2 điện cực ra là cực
máng (cực D) và cực nguồn (S). Trên bề mặt Hỉnh 8.22. c ấ u tạo MOS^
lớp SiO.) ở giữa hai cửa sổ phủ một lớp kênh có sau (EMOS^).
nhôm tạo điện cực thứ 3 là cực cửa (cực G)
như thổ hiện trôn hình 8 .2 2 .
Nếu đặt một điện áp dương vào giữa 2
cực m á n g và n gu ồ n Up.s» tra n sito không dẫn
điện; khi đảo cực nguồn cấp ngoài tình hình
không thay đổi. Transito (’■( trạng thái khoá
(ngắt mạch). Nếu đặt tiếp một điện áp
dương giữa hai cực cửa và nguồn U g s
(khoảng 4V), trong đó xuất hiện 1 điện Cầu dẫn điện loại n
trường giữa cực nguồn và đế. Điện trưòng
này cảm ứng lôi kéo điện tử (là các hạt thiểu Hình 8.23. Sự xuất hiện kênh
dẫn loại n.
số của đế) tụ tập về vùng đôl diện với cực

165
cửa hình thành 1 kênh dẫn điện bằng điện tử nốì liền vùng s và D; đã
xuất hiện 1 kênh cảm ứng dẫn điện loại n nằm cách ly vối cực G qua 1
lớp điện môi SiOo.
Nhờ nguồn điện thế dương đặt vào cực cửa so với cực nguồn và đế, xuất
hiện 1 cầu dẫn điện bằng điện tử giữa cực máng và cực nguồn.
Độ dẫn điện của cầu electron tăng lên khi tăng điện áp dương tới
cực cửa hoặc giảm đi nếu giảm điện áp này.
Độ dẫn diện của kênh dẫn có thể điều khiển được nhờ điện áp U q s-

Qua đó dòng cực màng được điều khiển nhò điện áp Uas f<iểu không
cần dây dẫn.

8.2.1.2. EMOSFET (ENHANCEMENT METAL OXIDE SEMICONDỤTER FIELD

EFFECT TRANSITO hay norm ally - o ff - type dạng MOS chê độ giẩu)
Cấu tạo và hoạt động loại MOS vừa kể trên được gọi là loại kênh
cảm ứng, cầu dẫn điện bằng điện tử chỉ xuất hiện sau khi có điện áp
cực cửa thích hỢp tác động. Như vậy, transito là thường khoá (thường
ngắt mạch) - kiểu Enhancement - type.
8.2.1.3. DMOSFET (DEPLETION M O SFE T- dạng MOS c h ế độ nghèo)
Nếu khi chế tạo đã tạo sẵn 1 cầu (kênh) 0
dẫn loại n (hay p) nốì trước thông từ cực s
sang cực D - sỗ nhận dược transito trường SÌO2
loại MOS kênh có trưóc. Transito tự dẫn rỂ íT
điện trước khi có điện áp cực cửa tác động -
— / ------------- 4-
loại Depeletion - type (hình 8.24). cầu nô'j Đé

DMOSFET có thể được điện áp Ucs Hình 8.24. cấu tạo MOS^ loại
dương hoặc âm điều khiển. Nếu là kênh kênh có trước (DMOSn).
n khi U g s > 0 DMOS ỏ chế độ giẩu dòng
lũ tàng, khi Ues < p DMOS ỏ chế độ
nghèo dòng lo giảm (chế độ nghèo ov 2V »10V
?s ?D
thường dùng hơn).
8.2.1.4. Hình thành lópkhoá vàkênh dẩn điện
Dòng điện chảy trên cầu dẫn điện n tạo ra
các sụt áp (hình 8.25). Đê" có điện thế ov, do cực O-
0Vi
máng có điện thế lOV, cực nguồn o v nên phân =*2V «♦9V
S46V
bô" điện thế tăng dần từ s tới D làm lớp tiếp xúc
p - n giữa kênh - đế có điện áp khoá tăng dần Hình 8.25. Phân bố điện
thế trên kênh dẫn n.
hình thành lớp điện tích không gian (lôp khoá) có

166
thiết diện thay đổi, hẹp dần lại từ D tói s (hình 8.26). Thiết diện kênh
dẫn do đó hẹp dần từ s tới D, Kênh dẫn bằng điện tử nằm cách ly với
đế qua 1 lớp chắn và có thể thay đổi điện trỏ của nó nhò âiện áp điều
khiển đặt vào cực G qua đó làm thay đổi dòng điện cực máng Ii). Do tính
đốì xứng, cấu tạo loại DMOSFET kênh p được cho trên hình 8.28.
ov ♦2V ♦lav

Hình 8.26. Tạo lốp chắn Hình 8.27. Chú ý nếu trở của
vói MOS^. đặc tuyến thay đổi theo U d s -
ov -3V -Ipy
s 96 ?D

Kénh p

Đế
Hình 8.28. Câu tạo MOSPETp có sẵn.

Như vậy có 4 loại MOSPET với các ký hiệu quy ưóc tương ứng như sau:
MOSFET kênh n cần U d s » ; U q s ^ 0 (hình 8.29)
MOSFET kênh p cẩn Uos ^<0 ; Ucs< 0 (hình 8.30)
MOSFET kênh n cần ; Ugs^^ 0 (hình 8.31)
MOSFET kênh p cần Uds « 0 ; Ugs^^ 0 (hình 8.32)
D
s

Hình 8,29. Ký hiệu EMOS^. Hình 8.30. Ký hiệu EMOSp.

Hỉnh 8.31. Ký hiệu DMOS^ Hình 8.32. Ký hiệu DMOSp

(cực đ ế để hở). (cực đế nôì VÓI S).

167
8.2.2. Đặc tuyến và tham số
Hai họ đặc tuyến quan trọng nhất của MOSFET là:
Họ đặc tuyến ra I0 - Uds với các giá trịU cs cô" định.
Họ đặc tuyến truyền đạt Id - Ugs vối U qs - hằng số.
ở đây ta chỉ quan tâm tới các
họ đặc tuyến loại MOS kênh n, đốì Uos*6V
với loại kênh p cần đổi cực tính
nguồn cấp (đổi chiều trục toạ độ).
Hình 8.33 thể hiện đặc tuyến
Ij, - U d s của EMOS kênh n. Việc
tạo kênh dẫn cần 1 điện áp
ngưõng tôi thiểu (cỡ IV đến 2 V gọi
là điện áp mở kênh Up). Điện áp Hình 8.33. Đặc tuyến ra - U qs

Ug càng thấp thì dòng In càng nhỏ. của EMOS ki

Khi U d s dủ lớn (vài V trở lên) dòng I ß ít phụ thuộc mà chỉ phụ
Ư Q S

thuộc mạnh vào U g s thể hiện tác dụng điều khiển của Ư G S tới Ij)).

Uos- 5V

20 Ựị ^
V
Hình 8.34. Đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt của EMOS^.

Điện trỏ ra vi phân ÍDS là độ dốc của đường ¡D - Uũs xét ỏ điểm làm việc
Của MOS.

AU DS
‘ DS
(khi giũ Uqs = hằng số)
AI D

Giá trị thông thường ros » lOkQ đến 50kQ.

Độ dốc của đặc tính Ij) - U g s tại điểm làm vịệc A gọi là hỗ dẫn s
của MOSFET thể hiện khả năng điều khiển dòng Id của điện áp Ucs-

168
 (U d s = hằng số).

Giá trị thường gặp của s«5-^^^đến

V V

Hỉnh 8.35. Đặc tuyến của DMOS n-

Đặc tuyến của DMOS kênh n cho trên hình 8.35. Chú ý ở đây khi
Ugs = 0 đã c ó kênh dẫn nên đường đặc tính nằm giữa. Khi U g s > 0 kênh
đưỢc làm gi ầu, lượng h ạ t dẫn tă n g lên và do vậy k ên h dẫn đ iện tô"t hơn,
dòng Id tăng (các đường nằm phía trên - ứng vối chế độ làm giầu). Khi
U c s < 0 MOS ở chế độ làm nghèo vói nhóm đường nằm thấp hơn ỏ phía

dưới. Hai tham sô quan trọng là r]3s và s đưỢc định nghĩa tương tự như
với loại EMOS.
Điện trở vào vi phân của MOS đặc biệt lớn Tqs * 1 0 ’*Q. Do tại
lôl vào cực G có lóp cách điện, cấu trúc MOS luôn có điện đung vào
C(ÌS ^ 2 pF đến 5pF. Điều này làm MOS nhạy cảm với việc nạp tĩnh điện
qua tụ C(;s hay giữa cực G với đế: Giả thiết tụ được nạp 1 lượng điện tích
nhỏ Q = 10"®As
_ 10 “"As
Q = c .u = 500V
c ~ 2 .1 0 '''F
Điện áp nạp trên tụ lớn đủ để đánh thủng lôp
điện môi SiO, và phá huỷ transito. Để tránh hiệu
ứng này, các lôi vào của MOS ngay sau khi sản
HÍnh 8.36. Vòng ngắn
x u ất các cực đưỢc nốì n gắn m ạch vối n h au cho an mach bảo vệ MOS.

169
toàn và khi sử dụng MOS cần thực hiện nốì chân
G, s, D vào mạch trước khi bỏ dây nốì ngắn mạch
của nhà sản xuất (hình 8.36). Trong mạch điện MOS
được bảo vệ nhò các z diot ở lôi vào (hình 8.37).
Một vài thông số điển hình của MOSFET
được cho dưới đây ; Hình 8.37. Bảo vệ MOS
* Nhóm các tham số giối hạn: ^
Điện áp máng - nguồn lớn nhất ƯDSmax ví dụ » 3õV
Đ i ệ n á p m á n g - đ ế lổ n n h ấ t Unnmax * 35V
Điện áp cửa - nguồn lốn nhất Ucsmax ® + 10 V
Dòng điện cực máng lớn nhất Inmox * 50mA
Công suất tổn hao lớn nhất P,otmax ** lõOmW
Nhiệt độ iốp khoá cao nhất Tj,n„x 1 Õ0 °C
* D òn g cực cửa đ ịn h mức (với U gs, U ds và T^xác định): I gss
giá trị điển hình Icss 0 ,lpA đến lOpA (IpA = 10“’'^A).
Dòng ngược Ĩd (ofí) ở trạng thái ngắt mạch (Ugs< Ü, ở xác định).
I„(ofO « lO p A đ ế n 5 0 0 p A ở T ,= 2 5 ° c ( h a y T, = 1 2 5 °C ).

Đ iện trỏ R ds(ũh) lúc nôi m ạch và Rosíofo n g ắ t m ạch.

Ví dụ: « 200Q (đo khi ƯGS = 0; ƯDS = 0; Tj = 2 5 °c với D M O S n)
RDS(of0 = 10 ^ (đo khi Ugs = -lOV; ƯDS - +1V với DMOSn).
8.2.3. Sự phụ thuộc nhiệt độ
Nhìn chung loại MOSFET có các tham số ít phụ thuộc nhiệt độ. Khi
nhiệt độ tăng, độ linh động của hạt dẫn giảm làm dòng Ijjgiam nhẹ, điện
áp chắn đối với dòng Id tại cực cửa tăng. Với cùng 1 giá trị điện áp cực
cửa, khi nhiệt dộ Lăng dộ dẫn điện của kênh giảm nhẹ. Thường có thể bỏ
qua các ảnh hưởng trên trong các điều kiện bình thường.
8.2.4. Công suât tổn hao
Có quá trình biến đổi điện năng thành nhiệt năng khi dòng I 0 chảy
trên kênh dẫn. Nhiệt độ transito tăng lên làm độ ổn định kém đi.
Công suất nhiệt tổn hao được định nghĩa:

Ptot ~ Uj)s • Id
Tính chất làm mát transito được đặc trưng bỏi điện trở nhiệt (xác
định hệ số dẫn nhiệt từ vật liệu nóng sang vật liệu nguội, đo bằng °CfW).

170
 là điện trở nhiệt kênh dẫn - môi trưòng không khí; giá trị điển
Rthu

hình R « 35(fC/W tới 600"C/W.

Khi đó

Tj; nhiột độ tối đa cho phép tại kênh dẫn.

T„; nhiệt độ môi trường.
Pt„t: công suất tổn hao lổn nhất cho phép,
ớ nhiệt độ T bất kỳ, công suất tổn hao được xác định là Pv

Điều kiện toả nhiệt kém, môi trường oó nhiệt độ cao luôn làm Pv và
tot thấp.

8.2.5. ứng dụng

Hai ứng dụng quan trọng của MOSFET là dùng trong mạch khuếch
đại điện áp và các mạch khoá chuyển mạch trạng thái, ưu thế quan trọng
của MOS là có khả năng điều khiển với tổn hao công suất rất thấp, thời
gian lật trạng thái khi chuyển mạch nhỏ, tạp âm của MOS nhỏ, đặc biệt ở
vùng tần sô"cao và vùng tần số âm thanh (10^ Hz đến 10’Hz).
Tương tự như BJT, vổi MOSPET cũng có 3 kiểu mắc: cực nguồn chung
(SC) cực máy chung (DC) và cực cửa chung (GC) thể hiện trên hình 8.38.

M,3ch EC Mạch sc

©
M;ạch BC Mạch GC

Mach cc Mạch DC

Hình 8.38. cổng vào và cổng ra VỚI 3 kiểu mắc transíto trong mạch khuếch đại.

171
8.2.5.1. Mạch mắc cực nguồn chung (SC)
Khi dùng cực nguồn (S) làm điểm «*18V
chung cho lôi vào và lối ra, ta có cách
mắc s c . Việc cung cấp 1 chiều cho
MOS kênh n dùng điện áp dương ví dụ
Ui3= +18V qua Rl cấp cho D, qua R] và
R g cấp cho G (hình 8.39) điểm làm việc
Lối vào
một chiều A được xác định theo các giá
trị Ucs = - 2V và In = 7,5mA (hình 8.40).
Khi điện áp cực cửa biến thiên vối biên
độ = 0 , 5 V, điện áp và dòng cực máng Hình 8.39. Một tầng khuếch đại
dùng MOSn mắc sc.
biến thiên tương ứng và ìp.

ẨSik
^mA mA^
30 30

25 25

20 20
15

10 10

15 18 20

Hinh 8.40. Biểu thị quá trình khuếch dại trên đặc tuyến.

Hệ sô" khuếch đại điện áp của mạch được định nghĩa

ở đây s là hỗ dẫn của đặc tuyến truyền đạt I]J —U c s tạ i A.

Rl là tải mắc tại cực D
Tds là điện trở ra vi phân của MOS xác định tại lân cận A.

172
 Đ iện trở vào vi p h ân tín h tạ i lân cận điểm làm việc A:

r. =

ở đây R ’ o là diện trở tương đương của bộ chia gồm Rj và R g (nếu

chỉ dùng R g, không có Rj, theo phương pháp tự cấp với việc có thêm
điện trở Rg ỏ tại cực s thì R*G = Rg)-
Điện trở ra vi phân:

8.2.5.2. Mạch mắc cực máng chung (DC)

Khi sử dụng cực D làm điểm chung cho lôl vào và lổì ra (về xoay
chiều) sẽ nhận dược cách mắc DC (hình 8.41). Mạch DC hình 8.41 dùng
DMOS kênh n dưỢc cấp nguồn +18V giữa hai điểm A và B; về xoay
chiều do có tụ diện dung lớn nôl mạch nên Umj« 0 . Cực cửa được phân
cực nhò bộ chia R, Re. và điện trở tải Rl mắc ở cực s sao cho Ucs = - 2 V.
Ban đầu Us = + 3 V; ƯQ = + 1V; U|J = +18V (hình 8.42) mạch DC không
khuếch đại điện áp v„ « 1.

Ri 17V

ưb=18V

Lốí vào IV
Rg

Hỉnh 8.41. Mạch mắc DC. Hinh 8.42. Mạch chia điện áp cực G.

173
 Mạch DC đưỢc dùng để biến đổi trở kháng (khuếch đại đệm), điện
trở vào của mạch lốn hơn mạch s c cỡ 10 lần.

Điện trở ra của mạch DC khá nhỏ.

ở đây r^: điện trớ vào vi phân cúa mạch.

R(;a; diộn trở vào vi phân của MOS.
R(ji diện trở bộ chia tại cực G.
r,,: điện trở vi phân của mạch.
Rị/ điện trở tải.
-o»18V
........ ............o
Ví dụ: một bộ khuếch đại dùng
DMOS kênh n mắc DC (hình 8.43) co jR,=80Mn
tải R] = Ikíì. tại điểm làm việc o^. _JL
o - ^1 _ ,1
VJ:7
MOSFET có s = 8 mA/V Rg = 4,7MQ
jRG=^.7Mn [jRL=1kn
và rcs = 5.10‘^Q.
Hãy tính điện trở T;, và r„ của -oOV
mạch đã cho.
Hình 8.43. Mạch khuếch đại mắc DC.

( mA 5.10'^Q.4.7.10*^Q
1+ 8 •IkQ = 9.47MQ
V 5.10"Q + 4,7.10"Q
= 42,3MQ
1 1 V
IkQ.
IV 1,125
ỉkfí +
8 mA

174
8.2.S.3. Mạch mắc cục của chung (GC) s 0
Mạch hình 8.44 chọn cực G chung cho lô"i
vào v à lốì ra nên được gọi là cách mắc GC. ©
Mạch GC có điện trở vào tưong đối nhỏ và
điện trở ra tương đôl lớn. Nhìn chung mạch
Hình 8.44. Mạch mắc GC.
không có nhiều ưu điểm đáng kể và lại hạn
chế các ư u thế của MOS nên ít đ ư ợ c dùng.

8.3. MOSFET có HAI cực CỬA

Một dạng đặc biệt của MOSFET là loại có hai cực cửa (hình 8.45).
MOS loại này có cấu tạo gồm 2 cực cửa với một kênh dẫn loại n gồm 2
phần đặt dưối 2 lớp kim loại khác nhau làm các cực Gi và G2. Mỗi cực
cửa điều khiển dòng cực máng độc lập nhau. Như vậy có thể sử dụng
loại MOS có hai cực cửa dưới dạng EMOS (kênh có sau) hay loại DMOS
(kênh có trước). Xét ở chế độ DMOS kênh n, dạng đặc tuyến và các
tham sô" được cho với 1 cực cửa tương tự như đã xét. Hình 8.46 cho ký
hiệu quy ước của loại MOS 2 cực cửa. Loại MOS 2 cực cửa đ ư ợ c dùng
trong các mạch trộn tần, mạch nhân hoặc một sô"ứng dụng khác.

s Q] G2 D
<»ov ‘LIV ‘L2V?
DMOSn D M O S.

EM O S n EM OSp

Hinh 8.45. cấu tạo MOs hai cực cửa. Hình 8.46. Kỷ hiệu MOS hai cực cửa.

8.4. TRANSITO 1 CHUYỂN TIẾP PN (UJT)

Cấu tạo transito 1 tiếp xúc pn đưỢc thể hiện trên hình 8.47. Trên
một thỏi bán dẫn tinh thể loại n pha tạp yê’u (điện trở lớn) lấy 2 điện
cực ra'là bazơ 1 (Bị) và bazơ 2 (B 2) và cấy lên một vùng bán dẫn loại p
pha tạp cao tạo diện cực emito (E). Vì có cấu tạo như trên UJT còn
được gọi là diot hai cực bazơ. Khi cung cấp hai điện áp tới UJT: Ub2bi
dương khoảng lOV đến 20 V; U ebi khoảng vài V (hình 8.48). Mô hình
tương đương cấu tạo của UJT cho trên hình 8.49. Cố’ định ƯB2B1 và tăng

175
dần giá trị của từ ov đến vài V sẽ nhận đưỢc đặc tuyến Ie -
Ư E 13 1 Ư K 13 ]

dạng hình 8.50 của UJT. Có thể giải thích đặc tuyến như sau;
Dưới tác động của U[52B1 điện thế tại điểm Q (hình 8.49) là:
u ,B.B,
Uq =

được gọi là hệ sô" chia của UJT (có giá trị

khoảng 0,3 đến 0,9 tuỳ cấu tạo của UJT).

>02

e ------;
r r ^ Q bí ■■y
p |Q
\ i p
\
-----\ ------ BÌ 1

Đế Ký hiệu 3V

Hình 8.47. cấu tạo UJT Hình 8.48. Giải thích hoạt động
kênh N và ký hiệu. của UJT.

ov lOV
■^82 B I---- 82
E<?
h
t

Rbi Rb2
Hình 8.49. Mạch thay thế của UJT.

Nếu r| = 0,3; =10V thì Ucị = 3V. Nghĩa là khi u,: còn thấp
hơn U q + U b = U z (Ud là điện áp ngưỡng mở diot ví dụ Un = 0,7V) diot
không dẫn điện, UJT ở trạng thái dòng thấp khi Uq+ ƯD = Ug + 0,7V < Uy,.
Giá trị U z gọi là điện áp mồi của UJT.

Uz —Uq + 0,7V — t |U [52 b i 0,7V

Khi Ue > Uy^, diot dẫn điện, các lỗ trông phun từ miền bán dẫn p (cực
E) vào vùng đê và hướng vê B, làm Rui giảm, quan hệ R|J , Rm hay hệ sô" 2

chia r| thay đổi theo hướng giảm làm diot dẫn điện mạnh hơn và theo đó R | Ị 1

176
càng giảm... Trên đặc tuyến xuất
hiện 1 vùng “(ỉiộn trở phân âm”
từ H(p) tói T(v) trên đồ thị hình
8.50. Hình 8.51 chỉ ra họ đặc
tuyến Iu - U|.;ni ứĩig với các giá trị
khác nhau của Ư|i9[,i> U 7, càng
thấp khi U,ị2Bi (hay càng thấp.
U q )

Trên đặc tuyến hình 8.50,

cần chú ý cặp tham số dòng
điện và điện áp tại điểm mồi
H(p) là Ư2, I|.;ii và tại điểm tắt
T(v) là Ut, phân ra ranh giới
Ĩ e t
Hình 8.50. Đặc tuyến Von Ampe của UJT.

giữa vùng khoá và vùng dẫn của ƯJT cách nhau bởi 1 vùng đệm có điện
trở vi phân “âm” có tính không ổn định (đột biến).

Hình 8.51. Họ đặc tuyến của UJT vối các giá trị U b2bi khác nhau.

Ngoài ra cần chú ý dòng giới hạn ĨK.nnx (có giá trị từ 2 tới 2,5 lần
I ct) ứng vối ta nhận được U eiị, bão hoà.
UJT đưỢc sử dụng trong mạch tự dao động tạo xung răng cưa hoặc
xung nhọn đặc biệt thuận lợi.

CÂU HỎI ÔN TẬP VÀ BÀI TẬP

1. Giải thích cấu tạo và sự hình thành lớp chắn trong JFET kênh n?
2. Tại sao lốp chắn lại là vùng cấm với các điện tử dẫn trên kênh dẫn?
3. Giải thích phương thức điều khiển điện trở kênh dẫn (hay thiết
diện của kênh dẫn) trong hoạt động của JFET?

177
12-LK ĐIỆN TỬ
4. Hãy vẽ và giải thích ý nghĩa đặc tuyến Iq - U [)s của JFETi?
5. Ý nghĩa của tham số s của JFET?
6. Giải thích hoạt động của mạch hình 8.52.

12V
h
Ikíl
---- ---------- 0
•22nF
. J l^ _ ^ .......
'lOnF
J U2
‘i Rg
liíư i

6
-2V

Hinh 8.52. Mạch mắc JFET kiểu sc.

7.' Mô tả cấu tạo của EMOSPET kênh n.

8. Cấu tạo kênh dẫn điện trong EMOSPET kênh p được hhh thành
như thế nào?
9. Phân biệt hai loại EMOSFET và DMOSFET.
10. Hãy vẽ và mô tả đặc tuyến Id - Ucscủa DMOS kênh n.
11. MOSFET tại sao lại đặc biệt nhạy cảm (dễ bị đánh thủnf) với việc
nạp tĩnh điện?
1 2 . Biện pháp bảo vệ chống đánh thủng tĩnh điện cho MOS?
13. Mạch điện hình 8.53 hoạt động như thế nào?
9ưb
-12 V

Rr

1 ^ 0'
II
1

Rg Í

Hình 8.53. Mạch mắc DMOS .

178
14. Hãy nêu 3 kiểu mắc MOSFET.
15. Mô tả cấu tạo và hoạt động của MOS có 2 cực cửa kênh p.
16. UJT hoạt động như thế nào?
17. Giải thích ý nghĩa tham sô" Ptot của MOSFET.
18. Cách xác định điện trở ra vi phân rns của MOSFET tại 1 điểm làm
việc A?
19. Nêu ý nghĩa của các chữ cái trong cụm từ MOSFET và IGFET?
20. Ý nghĩa của tham sô" s của một transito MOS?
21. Hãy nêu đặc điểm cấu tạo của UJT? Định nghĩa hệ sô"chia T| của UJT?
22. Vẽ đặc tuyến Ie-U(.;ri UJT và chỉ ra các tham số quan trọng tại hai
điểm H(P) và T(V) trên đặc tuyến. Nêu ý nghĩa của các tham số này.
23. Giải thích hoạt động của mạch điện hình 8.54 và vẽ dạng điện áp
biến thiên theo thời gian tại các điểm E và Q của mạch. Khi cho Ri
tăng hay giảm thì dạng điện áp đã vẽ có gì thay đổi?
+ Ư0 -
-0 o-

■^Q

Hình 8.54. Mạch tự dao động tạo xung tam giác Ue và xung hàm mũ ƯQ dùng UJT.

179