Τα τρανζίστορ επίδρασης

πεδίου (FET)
Σπύρος Νικολαΐδης
Καθηγητής
Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ
Τμήμα Φυσικής
 Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου
• Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
• Οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος για τα FET είναι μόνο ενός
είδους, δηλ. ηλεκτρόνια ή οπές (μονοφυούς αγωγιμότητας)
• Έλεγχος μέσω επίδρασης ήλεκτρικού πεδίου που δημιουργείται
με αντίστοιχη τάση στην πύλη
• Χρησιμοποιούνται ευρύτατα κυρίως στα ψηφιακά κυκλώματα
(τεχνολογία CMOS)
• Πλεονεκτήματα
• Πυκνή δόμηση σε ολοκληρωμένα κυκλώματα
• Υψηλή αντίσταση εισόδου
• Μικρή ευαισθησία στο θόρυβο
• Δύο τύπου FET: JFET (αντίσταση εισόδου: 10ΜΩ), MOSFET
(αντιστ. εισ. 10GΩ)
 Το FET επαφής (JFET)

κανάλι

n p

• Δεν υπάρχει φυσική διαφορά μεταξύ πηγής – απαγωγού

• Η φορά του ρεύματος μέσα στο δίαυλο καθορίζει τα S και D
• Το άκρο από όπου φαίνεται να πηγάζουν οι φορείς αποτελεί τον
ακροδέκτη της πηγής
• Όταν υπάρχει εναλλαγή πολικότητας της πηγής τροφοδοσίας τα
S και D θα εναλλάσσονται
• Η πόλωση μεταξύ S και G πρέπει να διατηρεί την επαφή pn σε
ανάστροφη πόλωση
 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ

πύλη
p
πηγή απαγωγός
n

πύλη
 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ

VGS
πύλη

p
πηγή απαγωγός
n ------------ > ΡΟΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ

πύλη
ID

Vp = ΤΑΣΗ ΦΡΑΓΗΣ
VDS
 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ

VGS
πύλη

p
πηγή απαγωγός
n

πύλη
ID

VDS
 Αρχή λειτουργίας του JFET και
χαρακτηριστικές καμπύλες

Δυναμικό εκφόρευσης Vp=uGSp εκείνο

για το οποίο το κανάλι κλείνει (έχει
απομακρυνθεί όλο το κινητό φορτίο)

Περιοχή
κατάρευσης

Προοδευτική αύξηση δυναμικού Γραμμική περιοχή Περιοχή κόρου

Κίνηση φορέων
Η χαρακτηριστική μεταφοράς

Σχέση ρεύματος iD και τάσης uGS

2
 uGS 
iD  I DSS 1  
 V
 p 

Υπάρχει μια μικρή αύξηση του ρεύματος

με την uDS
2
 uGS 
iD  I DSS 1 
 V  1  uDS 
 p 
 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor FET

Πηγή Πύλη Απαγωγός

Υπόστρωμα (σώμα)
 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ MOSFET

Κανάλι
Υπόστρωμα Διάχυση

Κάτοψη
Πολυκρυσταλλικό πυρίτιο
Ενεργός περιοχή
Μέταλλο
Επαφές
 Τα FET μονωμένης πύλης (MOSFET)

Στα MOSFET η πύλη διαχωρίζεται από

το δίαυλο μέσω ενός μονωτικού
στρώματος SiO2 μεγάλης αντίστασης

Τρανζίστορ διακένωσης ή αραίωσης

Σύμβολα για το nMOS διακένωσης

 Τρανζίστορ διακένωσης

n+ n+

P-τύπου

• Το κανάλι είναι προκατασκευασμένο με ιοντική εμφύτευση.

• Η τάση κατωφλίου είναι αρνητική.

•Για Vgs=0 υπάρχει ροή ρεύματος εφόσον Vds>0

 Το MOSFET προσαύξησης

• Δεν υπάρχει πρόσμιξη μεταξύ της πηγής και του απαγωγού

για τη δημιουργία του διαύλου
• Ο δίαυλος σχηματίζεται επαγωγικά με την επίδραση
ηλεκτρικού πεδίου

Το δυναμικό στο δίαυλο αυξάνεται καθώς

προχωρούμε προς τον απαγωγό
Το εύρος του διαύλου μηδενίζεται για uDS=uGS-VT
 ΑΝΑΣΤΡΟΦΗ

• Τουπόστρωμα πρέπει να βρίσκεται

στο χαμηλότερο δυναμικό (P-τύπου)
για να εξασφαλίζεται η ανάστροφη
πόλωση μεταξύ των επαφών
n+ n+ πηγής/απαγωγού και υποστρώματος.

P-τύπου • Vsb=0 όλες οι τάσεις θα

σχετίζονται με την τάση πηγής.
• όταν Vgs>VT δημιουργία καναλιού (μπλε περιοχή μεταξύ πηγής και απαγωγού)
• Λευκή περιοχή περιοχή αραίωσης

• Δυνατότητα ροής φορέων από την πηγή προς τον απαγωγό εάν Vds>0
Δυναμικό απαγωγής θετικότερο από δυναμικό πηγής (συμμετρία !!!)
 ΓΡΑΜΜΙΚΗ ΠΕΡΙΟΧΗ

• Κοντά στον απαγωγό η τάση που είναι υπεύθυνη για την αναστροφή
είναι Vgd =Vgs–Vds και κατά συνέπεια μικρότερη από ότι κοντά στην πηγή.
• Το κανάλι έχει τη συμπεριφορά γραμμικής αντίστασης – εξ ου και η
ονομασία γραμμική ή ωμική περιοχή.
ΣΤΕΝΕΜΑ ΤΟΥ ΚΑΝΑΛΙΟΥ
Pinch - off

• Εάν η Vds αυξηθεί μέχρι του σημείου

που Vds = Vgs–VΤ τότε δεν υπάρχει τάση
κοντά στον απαγωγό ικανή για τη δημιουργία
στρώσης αναστροφής.

• Το κανάλι στενεύει στην περιοχή του απαγωγού

ΠΕΡΙΟΧΗ ΚΟΡΟΥ

• Εάν η Vds αυξηθεί επί πλέον προκαλεί

επιβράχυνση του καναλιού με μετακίνηση
του σημείου pinch-off προς την πηγή.
• Η τάση στο σημείο pinch-off είναι
πάντοτε Vds = Vgs–VΤ .

• Όταν τα ηλεκτρόνια φθάνουν από την πηγή

στο σημείο pinch-off, εγχύονται στην
περιοχή αραίωσης και το ηλεκτρικό πεδίο
στην περιοχή αυτή έλκει τα ηλεκτρόνια
προς τον απαγωγό.
 Το MOSFET προσαύξησης

• Για μικρές τιμές της uDS , το ρεύμα είναι ανάλογο της uDS ,
ενώ για τιμές uDS>uGS-VT όπου κλείνει ο δίαυλος, το ρεύμα
του απαγωγού iD παμένει σχεδόν σταθερό (περιοχή κόρου)

Σύμβολα για το nMOS προσαύξησης

Όταν uGS≤VT τότε iD=0, όπου VT η τάση κατωφλίου
Χαρακτηριστικές εξόδου MOSFET προσαύξησης

Γραμμική Περιοχή

Σημείο pinch-off

Περιοχή κόρου

Περιοχή αποκοπής
Χαρακτηριστικές εξόδου-Λειτουργία του
MOSFET προσαύξησης
 Εξισώσεις του ρεύματος

• Οι μαθηματικές εκφράσεις που μοντελοποιούν τη λειτουργία

των FET είναι για όλα τα τρανζίστορ αυτά παρόμοιες
• Για το MOSFET προσαύξησης στο κόρο έχουμε
Cox  W 
iD  K  uGS  VT 
2
K  
2 L
• Λαμβάνοντας υπόψη την επίδραση της uDS στο ρεύμα, έχουμε
iD  K  uGS  VT  1  uDS 
2

• Για τη γραμμική περιοχή το ρεύμα είναι ανάλογο

της τάσης uDS για μικρές τιμές της τάσης αυτής
Για uDS=uGS-VT
• Για μεγαλύτερες τιμές ισχύει
iD  KuDS
2

iD  K 2  uGS  VT  uDS  uDS

2
 Διαχωρίζει τη γραμμική
περιοχή από τον κόρο
Φαινόμενο διαμόρφωσης καναλιού
 Χαρακτηριστική μεταφοράς

Το ρεύμα του απαγωγού προσαύξησης

συναρτήσει της τάσης διακένωσης

πύλης-πηγής
 MOSFET καναλιού-p

p p
+ +
L

N-τύπου

Προσαύξησης
Διακένωσης
 Προστασία της πύλης των MOSFET

• Το στρώμα του SiO2 είναι πάρα πολύ λεπτό και είναι δυνατό
να διατρηθεί από τη διαφορά δυναμικού μεταξύ πύλης και
διαύλου όταν αυτή υπερβεί κάποια τιμή
• Η διαφορά δυναμικού μπορεί να προκύψει και από στατικά
φορτία όταν η πύλη είναι ελεύθερη
• Για προστασία του MOSFET κατασκευάζεται μέσα σε αυτό
δίοδος zener μεταξύ πύλης και υποστρώματος
• Έτσι το δυναμικό της πύλης δεν μπορεί να υπερβεί το
δυναμικό zener
• Η τοποθέτηση της zener μειώνει την αντίσταση πύλης του
MOSFET
Το αποτέλεσμα της πόλωσης του υποστρώματος
(Body Effect)
• Όταν υπάρχει διαφορά δυναμικού μεταξύ πηγής και
υποστρώματος αυξάνεται η τάση κατωφλίου
• Φαινόμενο body effect
• Όλες οι χαρακτηριστικές μετατοπίζονται
 Τεχνολογία CMOS

• Ύπαρξη n και p διαύλου τρανζίστορ στο ίδιο ολοκληρωμένο

κύκλωμα

• Τα δυναμικά –VSS και +VDD εξασφαλίζουν την ανάστροφη

πόλωση των pn επαφών
 Το VMOSFET

Μεγάλες τιμές λόγου W/L

• Χρησιμοποιείται ως στοιχείο ισχύος

 Παράμετροι των FET και ισοδύναμα
κυκλώματα
• Το ρεύμα iD είναι συνάρτηση των τάσεων uDS και uGS
iD  f (uGS , uDS )
• Αν θεωρήσουμε μεταβολές στις uDS και uGS , έχουμε:
iD iD
iD  uGS  uDS
uGS uDS
uDS uGS

• Θέτωντας
iD  id , uGS  ugs , uDS  uds Προκύπτει για το
i i uDS uDS ρεύμα
gm  D  D rd   1
iD iD
uGS uDS
uGS uDS
uGS uGS id  g mugs  uds
rd
Διαγωγιμότητα Δυναμική αντίσταση
απαγωγού
 Το ισοδύναμο κύκλωμα για τις χαμηλές
συχνότητες
• Είναι απλούστερο του αντίστοιχου για το BJT

Συντελεστής ενίσχυσης

uDS uDS uds

     g m rd
uGS uGS ugs
iD iD id  0

Υπολογισμός των παραμέτρων από

τις χαρακτηριστικές του FET
 Η διαγωγιμότητα gm

• Η διαγωγιμότητα gm είναι η κλίση της χαρακτηριστικής

μεταφοράς iD=f(uGS) και εξαρτάται από την uGS
• Για MOSFET διακένωσης ● Για MOSFET
προσαύξησης
iD  K  uGS  VT 
2 2
 u 
iD  I DSS 1  GS 
 V
 p 
diD 2I  uGS  gm 
diD
 2 K (VGS  VT )
  DSS 1   duGS
duGS Vp  Vp 
diD  VGS  gm  2K
ID
 2 KI D
gm   uGS  VGS  g m  g m 0 1  
duGS  V K
 p 
2 I DSS ID
gm0   g m  g m0
Vp I DSS
 Η αντίσταση του διαύλου rd

2
 uGS 
2
 uGS  diD iD
iD  I DSS 1 
 V  1  uDS   I DSS 1    
  duDS  V 1  uDS
p
 p 

1
 uDS  1   iD  I D rd 
ID

Το ρεύμα πόλωσης καθορίζει την αντίσταση του καναλιού

(για όλα τα MOSFET)
 Ισοδύναμο κύκλωμα του FET για τις υψηλές
συχνότητες
• Στις υψηλές συχνότητες παίζουν ρόλο και οι παρασιτικές
χωρητικότητες που περιορίζουν σημαντικά τις επιδόσεις

Cds≈0,1-1pF Cgd ,Cgs ≈1-10pF

uds
Χωρητικότητα εισόδου Ci  Cgs  (1  Ku )Cgd ό Ku 
ugs
(από θεώρημα Miller)