KHOA KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

MÔN: CÔNG NGHỆ MICRO VÀ NANO

BÀI THU HOẠCH

Họ tên: Nguyễn Thị Mỹ Tiên

MSSV: 1519191

Lớp 15MM

Câu 1: Sự khác nhau của Negative với Positive?

Negative Positive

Khi chiếu tia UV Liên kết giữa các nguyên Các nguyên tử liên kết lại
tử bị cắt đứt với nhau
Phần bị che bởi MASK Bị remove Không bị remove

Độ bám dính với đế Tốt hơn

Silicon
Màng được ổn định trên Dung môi hữu cơ hoặc dung dịch aqueous basic
nền dung dịch dung dịch aqueous basic

Câu 2: Trình bày các bước thực hiện của quá trình photolithography:

Bước 1: Làm sạch và làm khô đế:

Đế được rửa bằng các dung môi hữu cơ (acetone, methanol,...) hoặc DI H2O

Được làm khô bằng máy sấy siêu âm

Bước 2: Phủ lớp lót lên đế

Nhằm tăng độ bám dính, hỗ trợ cho lớp phủ resist

Bước 3: Phủ lớp Photoresist

Phủ bằng kỹ thuật Spin-coating ( quay li tâm)

Có 2 loại:

Negative photo resist: Phần che bởi Mask sẽ bị remove

Positive photoresist: Phần không được che bởi Mask bị remove

Bước 4: Phủ lớp Photomask và chiếu sáng bằng tia UV

Lớp Photomask được định vị đúng vị trí theo yêu cầu

Bước 5: Tráng rửa lớp cản quang để thu ảnh => Sấy sơ bộ ảnh sau khi thu được
ảnh

Bước 6: Ổn định ảnh sau khi được tạo thành

Câu 3: Khi electrons năng lượng cao tới mẫu có các loại electrons khả di nào?
Trình bày?

 X-ray
Electron của tia tới đánh bật electron vỏ bên trong của nguyên tử ra bên
ngoài. Electron vỏ ngoài chuyển vào trong lấp đầy lỗ trống của vỏ bên trong.
Quá trình chuyển đổi đó đã phát xạ ra tia X.
Các tia X này có thể được sử dụng để mô tả vật liệu đích vì mọi phần tử đều
có các tia X đặc trưng riêng của nó.
 Auger electrons
Electron của tia tới đánh bật electron vỏ trong của nguyen tử. Electron vỏ
ngoài chuyển vào lấp đầy electron cho vỏ trống và đồng thời electron vỏ
ngoài cũng bị bật ra khỏi quỹ đạo.Quá trình phát xạ xuất phát từ mẫu.
Auger electrons được sử dụng để mô tả vật liệu đích.
 Cathodoluminescence
Xảy ra khi chùm electron thúc đẩy các electron từ dải hóa trị vào vùng dẫn,
để lại một lỗ trống. Khi một electron và một lỗ trống tái tổ hợp, có thể cho
một photon được phát ra (được gọi là cathodoluminescence)
Chỉ xảy ra với vật liệu phi kim loại.
 Backscattered Electrons
Electron sẽ tương tác với hạt nhân của nguyên tử
Năng lượng của BE cao hơn nhiều so với SEs →nhận thông tin từ các lớp
sâu hơn.
 Số lượng và hướng tán xạ của BE được xác định bằng số nguyên tử và góc
tới của chùm điện tử.
Có thể được sử dụng để phát hiện sự khác biệt về thành phần của vật liệu
 Secondary Electrons
Số lượng SE phụ thuộc rất lớn vào góc tới của chùm electron tới bề mặt mẫu
Các SE có năng lượng thấp -> chỉ phát ra từ bề mặt
Tạo tín hiệu thích hợp nhất để quan sát địa hình bề mặt.

Câu 4: Trình bày các bước E-beam lithography

Bước 1: phủ quay lớp electrons nhạy với lớp polymer resist (PMMA)

Bước 2: Phơi bày lớp polymer bằng chùm điện tử

Bước 3: Ăn mòn lớp polymer được phơi bày

Bước 4: Lắng đọng màng mỏng kim loại

Bước 5: Ăn mòn lớp cản quang còn lại

Câu 5: Sự khác nhau của e-beam lithography và photolithography

e-beam lithography photolithography

Tác nhân đến bề mặt Chùm điện tử Ánh sáng

Khả năng tạo chùm tia Hẹp Rộng

Các chi tiết được tạo bởi EBL có độ phân giải cao và kích thước nhỏ hơn rất nhiều
so với photolithography và tạo được các chi tiết phức tạp hơn.
Lớp Mask Không cần lớp Mask, có Cần lớp Mask để tạo hình
thể vẽ trực tiếp bằng cách
điều khiển chùm điện tử
Tốc độ tạo hình Chậm Nhanh
Câu 6: Phân biệt 4 phương pháp của Soft lithography:

Replica Micro-contact Micro-transfer Micro-

Molding printing (µCP) molding molding in
(REM) (µTM) capillaries
(MIMIC)
Khuôn mẫu Khuôn mẫu Khuôn mẫu Để khuôn mẫu
được tạo bản PDMS-stamp PDMS-stamp PDMS có các
sao bằng cách có các vị trí bề có các vị trí lỗ lỗ trống lên bề
đóng rắn mặt nổi được trống và được mặt đế. Các lỗ
PDMS pre- ngâm tiếp xúc lấp đầy bằng trống sẽ được
polymer bề mặt với pre-polymer. lấp đầy bằng
mực in, sau đó Khi polymer pre-polymer
bề mặt nổi có dư thừa bị loại lỏng và hóa
lớp mực in sẽ bỏ, lớp PDMS rắn
được in trực được đảo
tiếp lên đế ngược và tiếp
xúc với đế.
Có thể tái sử Khuôn được Khuôn được Khuôn mẫu là
dụng khuôn sử dụng 1 lần sử dụng nhiều bản sao
mẫu nhiều lần lần PDMS, được
sử dụng 1 lần
Kết thúc quá Kết thúc quá Kết thúc quá Kết thúc quá
trình sản phẩm trình là dạng trình lớp trình sản phẩm
được tạo là lớp hoa văn mực PDMS được là lớp polymer
plymer đóng in trên đế bóc tách cẩn đóng rắn trên
rắn được bóc thận, để lại bề mặt đế sau
tách ra khỏi một kết cấu khi loại bỏ
khuôn mẫu vững chắc với khuôn mẫu
PDMS kích thước µm PDMS
trên bề mặt đế

Câu 7: Ưu và nhược điểm của Soft lithography:

Ưu điểm:

Thực hiện dễ dàng, nhanh chóng, chi phí thấp

Tạo mẫu nhanh

Tạo được các mẫu phức tạp

Không có giới hạn nhiễu xạ quang học

Dùng được cho các bề mặt không phẳng hoặc cong

Tạo ra các cấu trúc 3D

Kiểm soát tốt các chất hóa học bề mặt

Ứng dụng cho nhiều loại vật liệu

Áp dụng cho sản xuất quy mô lớn

Nhược điểm :

Mẫu có thể bị biến dạng

Khó căn chỉnh

Khả năng tương thích với các quy trình IC

Khuyết tật và mật độ của μCP chỉ có thể được áp dụng cho một số bề mặt

MIMIC là một quá trình tương đối chậm

Câu 8: Dùng phương pháp softlithography để chế tạo gì?

Câu 10: Trình bày 2 phương pháp cơ bản của nano-imprint lithography:

UV-sensitive monomer
Lớp cản vật liệu Nhiệt dẻo
plus various additives

Độ phân giải Sub-5nm 2nm , tuy nhiên khối lượng bị co lại sau khi kết chéo liên kết

o
Nhiệt độ >30-100 C Tg Nhiệt dộ phòng

Áp suất Thường > 10 bar >= 1 bar

Resist application Phủ quay dễ dàng Phủ quay hoặc chảy nhỏ giọt

Lê đến vài m,

Typically < 100nm,
Độ dày lớp resist Dễ dàng chuyển
need an extra transfer layer
đổi

1-30 phút , diễn ra

Chu kì ~1 min
chậm

~100 m, Khó

Large features Tương đối dễ, độ nhớt thấp
xảy ra

~ 1 m, Khó định

Định hướng hướng. CTE 20nm
không khớp

Phạm vi rộng
Dễ thực hiện
Ứng dụng ứng dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn
Dùng được với
nhiều loại vật liệu
Câu 9: So sánh ưu nhược điểm softlithography với các phương pháp khác:
Câu 11: So sánh NIL với các phương pháp khác:
Photolithography E-beamlithography Softlithography Nanoimprint
lithography

Ưu điểm  Quá trình  Thực hiện  Quá trình chuẩn bị

chuẩn bị  In được trực dễ dàng, đơn giản
đơn giản tiếp các nhanh  Chi phí thấp
 Chi phí mẫu phức chóng, chi  Độ phân giải cao
thấp tạp lên đế phí thấp  Các thong lương
 Hiệu quả  Giải quyết  Tạo mẫu có độ chính xác
cao các vấn đề nhanh cao
 Chế tạo nhiễu xạ  Tạo được  Độ bám dính mẫu
được với  Độ phân các mẫu và nề đế tốt
các mask giải cao lên phức tạp  Tạo mẫu nhanh
phức tạp đến 20 nm  Không có  Không bị nhiễu xạ
 Đạt độ (quang khắc giới hạn
chính xác ~ 50nm) nhiễu xạ
cao  Kỹ thuật quang học
linh hoạt  Dùng được
cho các bề
mặt không
phẳng hoặc
cong
 Tạo ra các
cấu trúc 3D
 Kiểm soát
tốt các chất
hóa học bề
mặt
 Ứng dụng
cho nhiều
loại vật liệu
 Áp dụng
cho sản xuất
quy mô lớn
Nhược điểm  Đòi hỏi bề  Quá trình  Mẫu có thể  Gắn kết bề mặt
mặt đế diễn ra bị biến dạng chưa được hoàn
phẳng chậm  Khó căn thiện
 Điều kiện  Chi phí cao chỉnh  Các điều kiện đúc
môi trường và phức tạp  Khả năng chưa được tối ưu
phải sạch  Bị tán xạ tương thích hóa,
ngược với các quy  Hiệu quả của việc
 Sử dụng trình IC nâng nhiệt thông
nguồn điện  Khuyết tật qua quá trình này
tử thứ cấp và mật độ không được hoàn
của μCP chỉ thiện
có thể được
áp dụng cho
một số bề
mặt
 MIMIC là
một quá
trình tương
đối chậm

Câu 12: Etching là gì?

Là quá trình tẩy bỏ vật liệu ở những khu vực được lựa chon.

Câu 13: Các kỹ thuật ăn mòn? Cơ chế?

1.KỸ THUẬT ĂN MÕN HÓA HỌC :

Là kỹ thuật ăn mòn có quá trình ăn mòn được thực hiện trên cơ sở cơ chế hóa học
(quá trình ăn mòn gây bởi phản ứng hóa học ).Nó được chia làm 2 loại :

+ Kỹ thuật ăn mòn hóa học trong pha lỏng

+Kỹ thuật ăn mòn hóa học trong pha khí

1.1 KỸ THUẬT ĂN MÕN HÓA HỌC TRONG PHA LỎNG :

Qúa trình ăn mòn hóa học trong pha lỏng vật liệu bán dẫn thông thường xảy ra
theo hai giai đoạn : oxy hóa và hòa tan lớp oxide .

Xét ăn mòn hóa học trong pha lỏng đế silic :

 Dung dịch ăn mòn silic thông dụng nhất là hỗn hợp acid nitric (HNO3) và
acid hydrofluoric (HF) hòa tan trong nước hoặc trong acid acetic (CH3COOH).

Acid nitric oxy hóa silic tạo lớp SiO2 theo phản ứng :

Si + 4HNO3 → SiO2 + 2H2O + 4NO2

HF hòa tan lớp SiO2 theo phản ứng :

SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O

Có thể dùng nước để làm chất pha loãng cho hỗn hợp ăn mòn ,tuy nhiên ,người
ta thường hay dùng acid acetic vì acetic ít phân ly HNO3 hơn .

1.2 KỸ THUẬT ĂN MÕN HÓA HỌC TRONG PHA KHÍ :

Là kĩ thuật ăn mòn hóa học dựa trên cơ sở phản ứng hóa học của vật liệu đế cần ăn
mòn với gốc tự do của chất khí phản ứng .

Quá trình ăn mòn hóa học trong pha khí bao gồm 6 bước chính :

+Bước đầu tiên là quá trình tạo các gốc tự do trong pha khí

+Bước 2 là các gốc tự do khuếch tán về phía đế

+Bước 3 là các gốc tự do bị hấp phụ trên bề mặt đế

+Bước 4 là các gốc tự do đó khuếch tán trên bề mặt đế và tương tác phản ứng hóa
học với nguyên tử đế

+Bước 5 là các chất sản phẩm sau phản ứng được giải hấp

+Bước 6 là các phân tử đó chuyển vận tách khỏi bề mặt đế

2. KỸ THUẬT ĂN MÕN VẬT LÝ :

Là quá trình ăn mòn được thực hiện trên cơ sở cơ chế vật lý ( quá trình ăn
mòn gây bởi va đập của các ion dương dẫn tới làm phá vỡ liên kết nguyên tử và
tách chúng ra khỏi vật liệu cần ăn mòn).

Xét kỹ thuật ăn mòn chùm ion :

 Trong hệ khắc chùm ion,vùng tạo plasma được bố trí biệt lập tách khỏi vùng chứa
đế vật liệu cần khắc.Khi đó,ngoài điện cực catot và anot,một điện cực thứ 3 được
sử dụng để điều khiển năng lượng ion và dòng ion dương chuyển vận về phía đế
vật liệu cần khắc.Cấu hình của hệ khắc chùm ion dược xem như hệ ba điện cực
,khác với cấu hình hai cực của hệ phún xạ.Trong hệ này,mẫu khắc được trung hòa
nhờ dòng điệ được phát xạ từ catot bổ trợ.Hệ khắc chùm ion có thể được sử dụng
hiệu quả để khắc các vật liệu điện môi. Trong hệ khắc chùm ion,các khí trơ như Ar
được sử dụng, bởi chúng có hiệu xuất phún xạ hiệu dụng ca. Áp xuất khí Ar trong
buồng phản ứng thường thấp, cỡ 10-4 Torr dẫn đến quãng đường tự do trung bình
của ion có giá trị lớn.

Điện tử phát xạ từ catot được tăng tốc nhờ hiệu thế giữa catot và anot. Điện áp giữa
catot và anot thường có giá trị cỡ 40-50 V nhằm đảm bảo năng lượng cần thiết cho
quá trình ion hóa do va chạm (~15.7 eV đối với Ar). Điện cực lưới được sử dụng
để điều khiển dòng ion chuyển vận về phía mẫu được bố trí trong buồng riêng biệt.

Trong trường hợp năng lượng ion Ar bằng 1 keV và mật độ dòng ion là 1 mA/cm2,
tốc độ khắc đối với với phần lớn các vật liệu (Si, oxit, nitrix, cảm quang, kim
loại,…) có giá trị trong khoảng 100-3000 Amstrong/phút.

Trong kỹ thuật khắc chùm ion, độ phân giải có giá trị cao (<100 armstrong) .Tuy
nhiên trong kỹ thuật này, tỷ số cạnh (aspect ratio), được định nghĩa là tỷ số độ sâu
và bề rộng của hốc khắc, thường có giá trị ≤ 1.

Trong hệ khắc chùm ion, từ trường được sử dụng để điều khiển mật độ plasma
nhằm tăng cường quá trình ion hóa do va chạm.Khi đó, các điện tử không chuyển
dịch thẳng từ catot đến anot. Sự chuyển động của điện tử theo quỹ đạo xoắn ốc
giữa các va chạm làm tăng độ dài quãng đường truyền, dẫn tới hiệu suất ion hóa
tăng. Trong trường hợp điện tử có năng lượng 100 eV và cường độ từ trường cỡ
0.01 Tesla (100 Gaus), bán kính xyclotron có giá trị cỡ 3.2 mm. Mật độ plasma
tăng, khi cường độ từ trường giam giữ điện tử tăng. Hệ số ion hóa trong trường
hợp này có thể đạt giá trị trong khoảng 10-4 - 10-2 , lớn hơn rất nhiều so với
trường hợp phóng điện hào quang thông thường, 10-6-10-4.

Trong tường hợp ion khí trơ được thay thế bằng ion khí phản ứng, chúng ta có kĩ
thuật khắc chùm ion phản ứng (reactive ion beam etching). Khi đó, các nguyên tử
bị tách ra khỏi mẫu, không chỉ trên cơ sở hiệu ứng vật lý mà còn do quá trình phản
ứng hóa học.

Trường hợp kích thước chùm ion được thu siêu nhỏ, kỹ thuật khắc chùm ion có thể
được sử dụng để tạo các cấu hình kích thước cỡ nanomet. Khi đó,kỹ thuật này còn
gọi là kỹ thuật chùm ion tiêu thụ (focused ion beam—FIB technique).

3.KỸ THUẬT ĂN MÕN HÓA-LÝ :Là kỹ thuật ăn mòn vật liệu được thực
hiện trên cơ sở kết hợp giữa cơ chế hóa học và cơ chế vật lý .Kỹ thuật này thường
bao gồm :

+Kỹ thuật ăn mòn ion hoạt hóa ( reactive ion etching –RIE )

+Kỹ thuật ăn mòn chùm ion hoạt hóa ( reactive ion beam etching – RIBE )

+Kỹ thuật ăn mòn hóa học có ion hỗ trợ ( chemically assisted ion beam etching –
CAIBE)

3.1 KỸ THUẬT ĂN MÕN ION HOẠT HÓA (RIE)

Khí phản ứng + e → Gốc tự do và Ion dương

Gốc tự do thực hiện cơ chế hóa học

Ion dương thực hiện cơ chế vật lý

Xét trường hợp ăn mòn ion hoạt hóa đối với đế Si ,giả sử khí phản ứng được sử
dụng là CF4

Xét trường hợp ăn mòn ion hoạt hóa đối với đế Si. Giả sử khí phản ứng được sử
dụng là CF4.Trong môi trường plasma, do tương tác với điện tử ( năng lượng cỡ
14.8 eV), phản ứng đối với CF4 có thể xảy ra như sau:

e + CF4 → CF+ + F + 2e

Khi đó , gốc tự do F tương tác với nguyên tử Si tạo thành hợp chất SiF4 dễ bay
hơi.Hợp chất đó, sau khi gải hấp sẽ khuyếch tán vào thể thể tích khí phản ứng và
được đưa ra bên ngoài nhờ hệ thống bơm chân không.

Các ion dương CF3+ có vai trò giúp tăng cường phản ứng hóa học của F với
nguyên tử Si, cũng như giúp tẩy bỏ vật liệu sản phẩm của phản ứng. Trong thực tế,
một lượng nhỏ khí trơ Ar cũng được đưa vào buồng phản ứng nhằm duy trì ổn định
cúa quá trình plasma. Như vậy, ion dương Ar+ cũng đóng góp vào quá trình công
nghệ khắc ion hoạt hóa.

Tốc độ khắc trong kỹ thuật khắc ion hoạt hóa có giá rị lớn hơn nhiều tốc độ khắc
trong kỹ thuật khắc ion. Trong trường hợp đối với Si, tốc độ khắc ion Ar có giá trị
cỡ 100 Å /phút, Trong trường hợp sử dụng kỹ thuật khắc ion hoạt hóa , tốc độ khắc
Si trong phản ứng, chẳng hạn như CCl2F2 , có thể đạt giá trị cao cỡ 2000 Å /phút.

3.2 KỸ THUẬT ĂN MÕN CHÙM ION HOẠT HÓA (RIBE)

Ion khí phản ứng vừa thực hiện cơ chế vật lý vừa thực hiện cơ chế hóa học

Tương tự như kỹ thuật khắc hóa học có ion hỗ trợ, hệ thiết bị công nghệ khắc chùm
ion hoạt hóa có dạng cấu hình kiểu triôt, Tuy nhiên, trong kỹ thuật khắc chùm ion
hoạt hóa, các ion được đưa tới bề mặt đế sẽ tham gia phản ứng trực tiếp với các
nguyên tử bề mặt đế.

Các ion đó, khi va chạm với bề mặt đế, sẽ truyền xung lượng cho các nguyên tử đế,
làm cho nguyên tử đế bức ra theo cơ chế vật lý.

Như vậy, các ion trong trường hợp này không chỉ là tác nhân vật lý mà còn là tác
nhân hóa học.

3.3 KỸ THUẬT ĂN MÕN HÓA HỌC CÓ ION HỖ TRỢ (CAIBE)

Ion khí trơ thực hiện cơ chế vật lý

Khí phản ứng thực hiện cơ chế hóa học

Kỹ thuật khắc hóa học có ion hỗ trợ là kỹ thuật khắc vật liệu trên cơ sở phản ứng
hóa học của gố tự do và tương tác của ion dương với nguyên tử đế.

Hệ thiết bị công nghệ khắc hóa học có ion hỗ trợ có dạng cấu hình kiểu triot. Trong
hệ này, vùng plasma và vùng khắc vật liệu được bố trí riêng biệt. Các ion từ vùng
plasma được điều khiển vận chuyển tới bề mặt đế nhờ một điện cực lưới. Khi phản
ứng được đưa trực tiếp vào buồng phản ứng.

Tốc độ khắc của kỹ thuật hóa học có ion hỗ trợ có thể đạt giá trị trong khoảng 1000
÷ 10000 Å/phút.
 4.KỸ THUẬT ĂN MÕN ƯỚT VÀ KỸ THUẬT ĂN MÕN KHÔ

4.1 KỸ THUẬT ĂN MÕN ƯỚT :Là kỹ thuật ăn mòn vật rắn trong pha lỏng

Kỹ thuật ăn mòn hóa học trong pha lỏng là kỹ thuật ăn mòn ướt

4.2 KỸ THUẬT ĂN MÕN KHÔ :

Là kỹ thuật ăn mòn vật rắn trong pha khí

Kỹ thuật ăn mòn hóa học trong pha khí ,kỹ thuật ăn mòn vật lý ,kĩ thuật ăn mòn
hóa-lý đều thuộc kĩ thuật ăn mòn khô