22.05.

2013

T.C.
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ

MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ

Doç. Dr. Serdar KÜÇÜK

ELEKTRONİK DEVRELER

Kaynak

• Electronic Devices And Circuit Theory,

Robert BOYLESTAD, Louis NASHELSKY

• Electronic Devices And Circuits,

Jr. Theodore F. BOGART

https://www.dropbox.com/sh/sawi5yqb516pu57/MnvkGIkOFb?m
http://goo.gl/kWRdv
2

1
 22.05.2013

MOSFETLER

İçerik (1)

• MOSFET’lerin yapısı ve çalışması

• BJT’lerin alçak ve yüksek kesim frekansı
• FET’lerin alçak ve yüksek kesim frekansı
• Çalışma soruları

MOSFETLER

MOSFET’lerin yapısı ve karakteristiği:

 JFET’ler gibi üç terminali bulunan MOSFET’ler Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistör kelimelerinin baş harflerinden
oluşur.

 MOSFET’ler bir çok yönden JFET’lere benzemektedir. Her ikisinde de

gate, source ve drain olmak üzere üç terminal vardır.

 Her ikisinin de kanal iletkenlikleri VGS gerilimi tarafından kontrol edilir.

 MOSFET’lerde gate terminalinin kanaldan yalıtılmış olması FET’lerle

MOSFET’leri bir birinden ayıran en temel özelliktir. Bundan dolayı
MOSFET’ler gate’i yalıtılmış FET olarak da ifade edilmektedirler.

 MOSFET’ler azaltan (depletion) kısaca D-MOSFET ve artıran

(enhancement) kısaca E-MOSFET 4olmak üzere iki farklı yapıya sahiptir.
SK-2013

2
 22.05.2013

MOSFETLER

MOSFET’lerin yapısı ve karakteristiği:

 Eğer negatif bir gerilim gate terminaline uygulanırsa kanal küçülmeye
başlar. Negatif gerilim artırıldıkça kanal bölgesi daha fazla daralır.


 Bir MOSFET’in negatif gerilim altında çalıştırtmasıyla oluşan yapıya

azaltan (depletion) mod çalışma denir.

 Pozitif bir gerilim gate terminaline uygulanırsa kanal genişlemeye

başlar. Pozitif gerilim artırıldıkça kanal bölgesi daha fazla genişler.

 Bir MOSFET’in pozitif gerilim altında çalıştırtmasıyla oluşan bu yapıya

ise artıran (enhancement) mod çalışma denir.
SK-2013 5

MOSFETLER

a)Azaltan D-MOSFET’in yapısı:

 Şekilde D-MOSFET’in yapısı ve sembolü görülmektedir. Sembol
üzerindeki ok yönü D-MOSFET’in N veya P kanal olmasına göre değişir.

 Aynı şekilde, D ile S terminalleri G terminalinden ayrı çizilmiştir. Bu

durum G terminalinin S ve D terminallerinden yalıtıldığını
göstermektedir.
Silikon dioksit
Gate D D

Source Drain
G G
N-Kanal S S

P-Substrat N-Kanal D-MOSFET P-Kanal D-MOSFET

SK-2013 N-Kanal D-MOSFET’in yapısı 6 N-Kanal ve P-Kanal D-MOSFET’in Sembolü

3
 22.05.2013

MOSFETLER

a) Azaltan D-MOSFET’in yapısı (devam):

 MOSFET’in source terminali kanalın bir ucuna drain terminali ise diğer
ucuna tutturulur.

 Gate ise silikon dioksitten yapılmış ince bir yalıtkan tabaka ile kanal
bölgesinden yalıtılmıştır.

 Silikon dioksit mega ohmlar seviyesinde yüksek direnç gösteren bir

yalıtıcı olduğundan MOSFET’lerin giriş direnci binlerce Mega ohmlar
seviyesindedir.

 Gate ucuna uygulanan gerilim, gate terminalinin kanaldan yalıtılmış

olmasına rağmen kanalın genişliğini
SK-2013 7
kontrol eder.

MOSFETLER

a)Azaltan D-MOSFET’in yapısı (devam):

 D-MOSFET’ler hem artıran hem de azaltan modda çalışabilmelerinden
dolayı azaltan-artıran (depletion-enhancement) MOSFET olarak da
isimlendirilirler.

 Şekilde bir N kanal D-MOSFET’in transkondüktans eğrisi görülmektedir

 Gate terminaline negatif bir gerilim uygulanırsa

drain akımı IDSS akımından aşağıya doğru azalır.

 Tam tersine gate terminaline pozitif

bir gerilim uygulanırsa drain akımı
IDSS akımından yukarı doğru artar.
SK-2013 8

4
 22.05.2013

MOSFETLER

b)Artıran E-MOSFET’in yapısı:

 Şekilde N-Kanal bir artıran E-MOSFET’in yapısı ve sembolü görülmektedir.


 D-MOSFET’lerin aksine E-MOSFET’lerde source ile drain terminalleri arasında

herhangi bir kanal yoktur. Öyleki, E-MOSFET’e pozitif bir gerilim
uygulanıncaya kadar drain ile source arası açık devre gibi davranır.

 Uygulanan bu pozitif gerilim bir kanal oluşmasını sağlar. Gate terminali

yeterince pozitif olup, altındaki kanalın bütünleşmesini sağladığında E-
MOSFET’te bir drain akımı akmaya başlar.
Silikon dioksit

Gate

Source Drain

N-Kanal N-Kanal E-MOSFET P-Kanal E-MOSFET

P-Substrat N-Kanal ve P-kanal E-MOSFET’in sembolü
SK-2013 9

N-Kanal bir arttıran E-MOSFET’in yapısı

MOSFETLER

b) Artıran E-MOSFET’in yapısı:

 Şekilde bir E-MOSFET’in transkondüktans eğrisi görülmektedir.

 E-MOSFET’ lerde drain akımı akabilmesi için gate terminaline uygulanan

gerilimin belli bir pozitif değerin üzerinde olması gerekmektedir. İşte bu
değere eşik gerilimi (treshold voltage) VT denir. Eşik geriliminin aşılmasıyla E-
MOSFET iletime geçer ve drain akımı akmaya başlar.

 Genellikle silikon MOSFET’lerin eşik gerilimi 1 ile 3 volt arasında değişir.

 Şekildeki parabolden yararlanarak ID akımı ID(mA)

için aşağıdaki denklem yazılabilir.

ID  0.5  K  VGS  VT 
2
(VGS  VT )

 Eşitlikte K sabit bir ifadedir ve genellikle

VGS(TH)
değeri elemanın fiziki yapısına bağlıdır.
SK-2013 10
VGS(Volt)
0 1 3 6

5
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KARAKTERİSTİĞİ VE PARAMETRELERİ

a)Azaltan D-MOSFET:
 Şekilde N-Kanal bir D-MOSFET’in drain karakteristiği görülmektedir.

 Şekilde VDS gerilimi VP kritik gerilime ulaşıncaya kadar ID akımı keskin bir
şekilde artmaktadır. VP gerilimi aşıldıktan sonra ID akımı neredeyse sabit
kalmaktadır.
ID(mA)

 Aynı zamanda, VGS geriliminin IDSS=30 VGS=+3V

negatifliği arttıkça ID akımının

değeri IDSS akımından aşağıya VGS=+2V

doğru azalmaktadır. VGS=+1V

IDSS(Sat)=10 VGS=0V
VGS=-1V
VGS=-2V
VGS=-3V
SK-2013 11 VDS(V)
VP=4
VGS(kesim)=-4V

MOSFET’LERİN KARAKTERİSTİĞİ VE PARAMETRELERİ

a)Azaltan D-MOSFET:
 VGS gerilimi belli bir negatif değere ID(mA)

ulaştığında ise drain akımı ID=0

IDSS=30 VGS=+3V
olur. Bu durumda VGS(kesim)=VP kritik
gerilim değerine eşittir.
VGS=+2V

 VGS=0V ve VDS=-VP olduğunda ise D- VGS=+1V

MOSFET ID=IDSS akımıyla çalışır.
IDSS(Sat)=10 VGS=0V
VGS=-1V
 VGS gerilimi pozitifleştiğinde drain VGS=-2V
akımı ID doyum akımı IDSS akımının VGS=-3V
VDS(V)
yukarı doğru artar. VP=4
VGS(kesim)=-4V

SK-2013
N-Kanal bir D-MOSFET’in drain karakteristiği.
12

6
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KARAKTERİSTİĞİ VE PARAMETRELERİ

Örnek:
 N-Kanal azaltan bir D-MOSFET’te IDSS=18mA, VP=-5V’tur. Buna göre,
 a) VGS=-3V, b) VGS=2 için ID akımını bulunuz.

Çözüm:
 a) Drain akımı eşitliğini yazıp verilenleri yerine koyalım.
2
 V   3V 
2

I D  I DSS 1  GS   18mA 1    2.88mA

 V P   5V 

 b) Şimdide VGS=2V için ID akımını bulalım.

2
 V 
2
 2V 
I D  I DSS 1  GS   18mA 1    35.28mA
SK-2013  V P  13  5V 

MOSFET’LERİN KARAKTERİSTİĞİ VE PARAMETRELERİ

b)Artıran E-MOSFET:
ID(mA)
 Artıran E-MOSFET’ler özellikle
anahtarlama devrelerinde kullanılır. IDSS=16 VGS=+10V

 Şekilde bir N-Kanal E-MOSFET’in

drain karakteristiği görülmektedir. VGS=+9V

VGS=+8V
 Şekilden görüldüğü gibi sadece
VGS’nin pozitif değerleri için drain VGS=+7V

karakteristiği çizilmiştir. VGS=+6V

VGS=+5V
VGS=+4V
 VGS gerilimi, eşik gerilimi VT=2V
VGS=+3V
değerine eşit olduğu zaman VDS’nin VDS(V)
bütün değerleri için ID drain akımı VGS=VT= +2V
da sıfıra eşit olur.
SK-2013 14 N-Kanal bir E-MOSFET’in drain karakteristiği

7
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

a)Artıran E-MOSFET (Gerilim bölücü dirençli kutuplama):

 Şekilde artıran (enhancement) tip N-kanal E-MOSFET’in gerilim bölücü
dirençli kutuplama devresi görülmektedir.

 Devrede R1 ve R2 dirençleri gerilim bölücü dirençlerdir.

 R2 
 VG gerilimi: VG     VDD
 R1  R2  VDD

 Devredeki VGS gerilimi: VGS  VG  I D RS

R1 ID RD
 Kaynaktan şaseye doğru aşağıdaki
denklemler yazabiliriz. VDS

VGS
VDD  I D RD  VDS  I D RS ise VDD  I D ( RD  RS )  VDS RS
VG R2 ID IDRS

SK-2013 VDS  VDD  I D ( RD  RS )

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Örnek:
 Şekildeki N-Kanal E-MOSFET devresinde 𝐾 = 0.5 ∙ 10−3 ve VT=2V olarak
verildiğine göre
 a) ID akımını, VGS ve VDS gerilimlerini bulunuz.
 b) Drain transfer karakteristiğini çiziniz. VDD=18V

R1 RD
Çözüm: 2.2K
47M
 a) Cebirsel Çözüm: ID akımını bulalım.
Bunun için öncelikle VG değerini bulalım.
R2 RS
 R2   22 M   22M 500 
VG     VDD    18V  5.74V
 1
R  R2   47 M   22 M  

SK-2013 16
Gerilim bölücü dirençli
kutuplama örnek devresi

8
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm(Devam):
 I. Denklem: VG  VGS  I D RS ise 5.74V  VGS  I D 0.5K
 I D  2  10 3 VGS  11.48  10 3

 II. Denklem: I D  0.5  K (VGS  VT ) 2 ise I D  0.25 103 (VGS  2) 2

 I ve II denklemler bir birine eşitlenirse: 0.25VGS2  VGS  10.48  0

Denklemin iki çözümü vardır: VGS1  8.78V ve VGS 2  4.78V

 N-Kanal için sadece pozitif çözüm doğru olduğundan VGS  VGS 2  4.78V

 VGS=4.78V değeri için: 5.74V  4.78V  I D 0.5K ise I D  1.92mA

SK-2013 17

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm(Devam):
 b) VDS gerilimi: VDS  VDD  I D ( RD  RS )  18V  1.9mA(2.2 K   0.5K )  12.87V

 c) Grafiksel yöntem: Çalışma doğrusunun ID eksenini kestiği nokta

VG  VGS  I D RS

VG 5.74V
 VGS=0 için ID  
RS 500
 11.4mA

 ID=0 için VG  VGS  0  RS ise VGS  VG  5.74V

SK-2013 18

9
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm(Devam):
 Transfer karakteristik akım formülünü yazalım.
I D  0.5  K (VGS  VT ) 2  0.5  0.5 103 (VGS  2V ) 2  0.25 10 3 (VGS  2) 2

 Bu eşitlikten faydalanarak transfer ID(mA)

karakteristiği Şekildeki gibi çizilir.

11.4 ID= 0.25 10-3(VGS-2)2

 Bu MOSFET VDS  VGS  VT ve 12.87V  2.78V

(12.87V  4.78V  2V) eşitliği sağlandığından
Q
çalışma bölgesindedir. 1.9

VGS(V)
2 4.78 5.74

SK-2013 19 N-Kanal E-MOSFET’in drain

transfer karakteristiği

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

a)Artıran E-MOSFET (Drain geri beslemeli kutuplama):

 Bilindiği gibi artıran MOSFET’lerin çalışabilmesi için VGS>VT olması
gereklidir. Şekilde E-MOSFET’in drain geri besleme polarması
görülmektedir.

 Devrede RG direnci gate’i sürebilmek

için yeteri kadar büyük seçilir.

 Devredeki drain akımı: I D  0.5K (VGS  VT ) 2

 Denklemde VT E-MOSFET’in eşik gerilimini,

K ise sabit bir değeri göstermektedir.
SK-2013 20 E-MOSFET’in drain geri
besleme kutuplaması

10
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

a)Artıran E-MOSFET (Drain geri beslemeli kutuplama):

 VDD kaynağından şaseye doğru aşağıdaki eşitlikler yazılabilir.

VDD  I D RD  VDS ise VDS  VDD  I D RD

 Ayrıca devrede RG çok büyük bir direnç

seçildiğinden üzerinden herhangi bir
akım akmaz ve ayrıca VS=0V olduğundan
aşağıdaki eşitlik söz konusudur.

VGS  VDS
SK-2013 21

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Örnek:
 Şekildeki devrede VT=3V ve K=0.6 10-3 mA/V2 olarak verildiğine göre VDS
gerilimini ve ID akımını bulunuz.

Çözüm:
 I. Denklem:VDD  I D RD  VDS ise VDS  VDD  I D RD
VDS  12V  I D 2K

 II. Denklem: Devrede VGS=VDS olduğundan

I D  0.5K (VGS  VT ) 2

ifadesi aşağıdaki gibi olur:

Drain geri besleme
SK-2013 I D  0.3  10 3 (VDS  3) 2
kutuplaması için örnek devre

11
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm:
 II. denklemi I. denklemde yerine yazalım.

VDS  12V   0.3 103 (VDS  3) 2  2 K ise 0.6VDS

2
 2.6VDS  6.6  0

 Bu denklem çözüldüğünde VDS1=6.13V ve VDS2=-1.79V elde edilir.

 N-Kanal E-MOSFET’te VDS pozitif olduğundan VDS =VDS1 = 6.13V olur.

 Bu durumda ID akımı: I D  0.5K (VDS  VT )2  0.3 103 (6.13V  3) 2  2. 936mA

SK-2013 23

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

b)Azaltan D-MOSFET (Gerilim Bölücü Dirençli Polarma):

 Azaltan (depletion) tip MOSFET’ler ( D-MOSFET) VGS’nin
hem negatif hem de pozitif değerleri için
kutuplanabilmektedir. Bir D-MOSFET’in
gerilim bölücü kutuplama
devresini örnek olarak
inceleyelim.

Örnek 1:
 Şekildeki devrede
VGS, VDS ve ID
ifadelerini bulunuz.
SK-2013 24
N-Kanal D-MOSFET

12
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm:
1.Grafiksel yöntem:
 a) VG değerini gerilim bölücüden bulalım.
 R2   10 M  
VG     VDD    18V  1.5V
 1
R  R2   110 M   10 M  

 Devrede 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆 ise 1.5𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 + 750Ω𝐼𝐷 olur.

 𝑉𝐺𝑆 = 1.5𝑉 − 750Ω𝐼𝐷 doğru denkleminin eksenleri kestiği noktayı bulalım

1.5V
 I- VGS=0 iken ID   2mA
750
 II- ID=0 iken VGS  1.5V
25

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm (devam):
 Ayrıca bu MOSFET’in doyum akımı IDSS=6mA ve Kritik gerilim VP=-3V
𝑉𝐺𝑆 2
verildiğine göre bu iki noktadan I𝐷 = I𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉P
denklemini
sağlayacak şekilde 2. dereceden bir eğri geçer.
10

 Bu eğri ile 𝑉𝐺𝑆 = 1.5𝑉 − 750Ω𝐼𝐷 doğrusunun 9

8

kesim noktası çalışma noktasıdır. 7

6
𝑉𝐺𝑆Q = −0.8𝑉, I𝐷𝑄 = 3.1𝑚𝐴 5
4
Bu koşulları sağlayan grafik yanda 3 I DQ  3.1mA
2
verilmiştir. 1
4 3 2 1 0 1 2
VDS gerilimi: VGSQ  0.8V

VDS  VDD  I D ( RD  RS )  18V  3.1mA(1.8K   750)  10.1V

13
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI
Çözüm (devam):
2.Cebirsel yöntem:
𝑉𝐺𝑆 2 𝑉𝐺𝑆 2
 I. Denklem: I𝐷 = I𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑖𝑠𝑒 I𝐷 = 6𝑚𝐴 1 −
𝑉P −3𝑉

 II. Denklem: 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆 ise 𝑉𝐺𝑆 = 1.5𝑉 − 750Ω𝐼𝐷

1.5𝑉−750Ω𝐼𝐷 2
 VGS değerini I. denklemde yerine yazalım: I𝐷 = 6𝑚𝐴 1 −
−3𝑉

 İkinci dereceden denklem elde edilir: 375I D2  5.5I D  0.0135  0

 Denklemin kökleri: 𝐼𝐷1 = 11.5𝑚𝐴, 𝐼𝐷2 = 3.12𝑚𝐴. Doğrusu 𝐼𝐷2 = 3.12𝑚𝐴.

 VGS gerilimi: 𝑉𝐺𝑆 = 1.5𝑉 − 750Ω𝐼𝐷 = 1.5𝑉 − 750Ω ∙ 3.117𝑚𝐴 = −0.83𝑉

 Her iki yöntem (grafiksel, cebirsel) de aynı sonucu üretmiştir.

 VDS  VP  VGS ise 10.1  2.17V sağlandığından MOSFET çalışma bölgesindedir

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Örnek 2:
 Örnek 1’deki devrede RS=150Ω alıp aynı işlemeleri tekrarlayalım.

Çözüm (Grafiksel yöntem):

 Devrede yeni durumda 𝑉𝐺𝑆 = 1.5𝑉 − 150Ω𝐼𝐷 olur.
Doğru denkleminin eksenleri kestiği noktayı bulalım.
10
1.5V
ID   10mA
9
I. VGS=0 iken
150 8
7
I DQ  7.6 mA

II. ID=0 iken VGS  VG  1.5V 6

5
4

 Grafikten 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎. 𝟑𝟓𝑽 ve 𝐈𝐃𝐐 = 𝟕. 𝟔𝒎𝑨 3

2

tespit edilir. 1
3 2 1 0 1 2

 VDS gerilimi: VDS  18V  7.6mA(1.8K 28150)  3.18V VGSQ  0.35V

SK-2013

14
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm (Cebirsel yöntem):

𝑉𝐺𝑆 2 𝑉 2
 I. Denklem: I𝐷 = I𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉P
𝑖𝑠𝑒 𝐺𝑆
I𝐷 = 6𝑚𝐴 1 − −3𝑉

 II. Denklem: 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆 ise 𝑉𝐺𝑆 = 1.5𝑉 − 150Ω𝐼𝐷

1.5𝑉−150Ω𝐼𝐷 2
VGS değerini I. denklemde yerine yazalım: I𝐷 = 6𝑚𝐴 1 −
−3𝑉

İkinci dereceden denklem elde edilir: 15𝐼𝐷2 − 1.9𝐼𝐷 − 0.0135 = 0

Denklemin kökleri: 𝐼𝐷1 = 119.11𝑚𝐴 ve 𝐼𝐷2 = 7.55𝑚𝐴. Doğrusu 𝑰𝑫𝟐 = 𝟕. 𝟓𝟓𝒎𝑨.

VGS gerilimi: 𝑉𝐺𝑆 = 1.5𝑉 − 150Ω ∙ 7.55𝑚𝐴 ise 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎. 𝟑𝟔𝑽

Hem grafiksel hemde cebirsel yöntem aynı sonucu üretmiştir.

29

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm (Cebirsel yöntem):

𝑉D𝑆 > 𝑉P − 𝑉G𝑆 ise 3.18 > 3𝑉 − 0.36𝑉 ise 3.18 > 2.64𝑉
sağlandığından MOSFET çalışma bölgesindedir.

Burada üzerinde durulması gereken nokta azaltan MOSFET’in 𝑉G𝑆 ’nin

hem pozitif hem de negatif olduğu bölgede çalışmasıdır.

30

15
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Örnek (Azaltan D-MOSFET’in kendinden kutuplanması-self bias):

 Şekildeki azaltan D-MOSFET’in kendinden kutuplama devresinde 𝑉G𝑆 ,
𝑉D𝑆 ve I𝐷 ifadelerini bulunuz.

Çözüm (gradiksel yöntem):

 MOSFET’lerin giriş direnci çok büyük
olduğundan VG=0 olur. Bu durumda
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 ise 𝑉𝐺𝑆 = −2400𝐼𝐷

Doğru denkleminin eksenleri kestiği

noktayı bulalım.

I. 𝑉𝐺𝑆 = 0 iken 𝐼𝐷 = 0𝑚𝐴

Kendinden Kutuplama
II. 𝑉𝐺𝑆 = −3𝑉 iken 𝐼𝐷 = 1.25𝑚𝐴 31 D-MOSFET

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm (gradiksel yöntem):

 Ayrıca bu MOSFET’in doyum akımı IDSS=8mA ve kritik gerilim VP=-8V
verildiğine göre çalışma noktası aşağıdaki şekilden IDQ=1.7mA ve
VGSQ=-4.3V tespit edilir.

10
9
8
7
6
5
4
3
2
I DQ  1.7 mA
1
8 7 6 5 4 3 2 1 0 1 2 3 4 5 6 7

SK-2013 VGSQ  4.3V 32

16
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm (Cebirsel yöntem):

𝑉𝐺𝑆 2 𝐺𝑆 𝑉 2
I. Denklem: I𝐷 = I𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉P
𝑖𝑠𝑒 I𝐷 = 8𝑚𝐴 1 − −8𝑉

II. Denklem: 𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 ise 𝑉𝐺𝑆 = −2400Ω𝐼𝐷

−2400Ω𝐼𝐷 2
VGS değerini I. denklemde yerine yazalım: I𝐷 = 8𝑚𝐴 1 −
−8𝑉

İkinci dereceden denklem elde edilir: 720𝐼𝐷2 − 5.8𝐼𝐷 − 0.008 = 0

Denklemin kökleri: 𝐼𝐷1 = 6.28𝑚𝐴 ve 𝐼𝐷2 = 1.76𝑚𝐴. Doğrusu 𝑰𝑫𝟐 = 𝟏. 𝟕𝟔𝒎𝑨

VGS gerilimi: 𝑉𝐺𝑆 = −2400Ω ∙ 1.76mA ise 𝑽𝑮𝑺 = −𝟒. 𝟐𝟒𝑽

VDS gerilimi: VDS  VDD  I D ( RD  RS )VDS  20V  1.76mA(6.2 K   2.4 K )  4. 86V

SK-2013 33

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Çözüm (Cebirsel yöntem):

Görüldüğü gibi hem grafiksel hem de cebirsel yaklaşımdan elde edilen
sonuçlar çok yakın çıkmıştır.

𝑉D𝑆 > 𝑉P − 𝑉G𝑆 ise 4.86 > 8𝑉 − 4.24𝑉 ise 4.86 > 3.76𝑉
sağlandığından MOSFET çalışma bölgesindedir.

SK-2013 34

17
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KUTUPLANDIRIMASI

Örnek (Azaltan D-MOSFET’in kendinden kutuplanması-self bias):

Şekildeki görülen kendinden kutuplama devresinde VGS, VDS ve ID
ifadelerini bulunuz.

Çözüm:
 Gate ile source doğrudan kutuplandığı
için 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 olur.

 VGS=0 ise ID aşağıdaki gibi bulunur.

2
 V 
2
 0 
I D  I DSS 1  GS   10mA 1    10mA
 VP   4V 

VD  VDD  I D RD  20V  10mA1.5K  5V

SK-2013 35 Kendinden Kutuplama
D-MOSFET

MOSFET’LERİN EVİRİCİ KULLANILMASI

MOSFET eviriciler:
Şekilde görüldüğü gibi Complementary MOS
(CMOS) devreleri içlerinde hem PMOS (P-Kanal
E-MOSFET) hem de NMOS (N-Kanal E-
MOSFET) içerir.

Günümüzde CMOS tasarlanmış devreler PMOS

ve NMOS devrelerinden daha hızlı anahtarlama
kabiliyetine sahip olmalarından dolayı entegre
devrelerde sıklıkla kullanılmaktadır.

CMOS eviriciler CMOS lojik ailesinin temel

devre elemanlarıdır.

Şekildeki devrede Q1 ve Q2 aynı giriş gerilimine

bağlanmıştır.
SK-2013 36

18
 22.05.2013

MOSFET’LERİN EVİRİCİ KULLANILMASI

MOSFET eviriciler:
I. Giriş yüksek seviyede (+VDD) olduğunda Q1 çalışırken Q2 kesimdedir.
Çıkış Q1’in şasesine bağlanır ve çıkış girişin tam tersi 0V olur.
II. Giriş düşük seviyede (0V) olduğunda Q2 çalışırken Q1 kesimdedir. Çıkış
doğrudan kaynak gerilimine bağlı olduğundan +VDD olur. Böylece çıkış
girişin tam tersini takip ederek evirici işlevi gerçekleşir.

VGS1=+VDD ise Q1= ON VGS1=0V ise Q1= OFF

VGS2=0V ise Q2= OFF, VGS2=-VDD ise Q2= ON

SK-2013 37

MOSFET’LERİN EVİRİCİ KULLANILMASI

Örnek:
Şekildeki CMOS eviricide 𝑉𝑇1 = 2𝑉 (NMOS) ve 𝑉𝑇2 = −2𝑉 (PMOS)
olduğuna göre çıkışın dalga şeklini çiziniz.

SK-2013 38

19
 22.05.2013

MOSFET’LERİN EVİRİCİ KULLANILMASI

Çözüm:
 Girişe 𝑣𝑖𝑛 = 0𝑉 uygulandığında Q1 çalışmaz ve

𝑉𝐺𝑆2 = 𝑣𝑖𝑛 − 𝑉𝐷𝐷 = 0 − 10𝑉 = −10𝑉

𝑉𝐺𝑆2 = −10, 𝑉𝑇2 = −2𝑉 eşik geriliminden daha fazla negatif olduğundan
Q2 çalışır. Q2 çalıştığında çıkış 𝑣𝑜 = +𝑉𝐷𝐷 = 10𝑉 olur.

𝑉D𝑆 > 𝑉G𝑆 − 𝑉𝑇 ise 10𝑉 > −10𝑉 − (−2𝑉) ise 10V > 8𝑉

sağlandığından Q2 aktif bölgede çalışmaktadır.

SONUÇ: 𝑣𝑖𝑛 = 0𝑉 iken 𝑣𝑜 = 10𝑉

SK-2013

MOSFET’LERİN EVİRİCİ KULLANILMASI

Çözüm(devam):
 Girişe 𝑣𝑖𝑛 = 10𝑉 uygulandığında Q2 çalışmaz ve

𝑉𝐺𝑆1 = 𝑣𝑖𝑛 − 0𝑉 = 10𝑉

𝑉𝐺𝑆1 = 10, 𝑉𝑇2 = 2𝑉 eşik geriliminden daha fazla pozitif olduğundan Q1

çalışır. Q1 çalıştığında çıkış 𝑣𝑜 = 0𝑉 olur.

𝑉D𝑆 > 𝑉G𝑆 − 𝑉𝑇 ise 10𝑉 > 10𝑉 − 2𝑉 ise 10V > 8𝑉𝑉

sağlandığından Q1 aktif bölgede çalışmaktadır.

SONUÇ: 𝑣𝑖𝑛 = 10𝑉 iken 𝑣𝑜 = 0𝑉

Devrede 𝒗𝒊𝒏 = 𝟎𝑽 iken 𝒗𝒐 = 𝟏𝟎𝑽 ve 𝒗𝒊𝒏 = 𝟏𝟎𝑽 iken 𝒗𝒐 = 𝟎𝑽

olduğundan devre tam bir evirici gibi çalışmaktadır.

20
 22.05.2013

MOSFET’LERİN EVİRİCİ KULLANILMASI

MOSFET eviriciler:
 CMOS eviricilerin daha hızlı anahtarlama yapması hem şarj hem de
deşarj işleminin MOSFET’lerin ON olduğu durumda gerçekleşmesinden
kaynaklanmaktadır. Çıkış düşük seviyeden (0V) yüksek seviyeye (+VDD)
çıkarken Q2 ON olur ve paralel kapasite düşük direnç üzerinden kısa
sürede şarj olur. Çıkış yüksek seviyeden (+VDD) düşük seviyeye (0V)
çıkarken Q1 ON olur ve paralel kapasite düşük direnç üzerinden kısa
sürede deşarj olur. Böylece şarj ve deşarj süreleri aynı gerçekleşir.

MOSFET’lerin Küçük Sinyal Analizi:

 Azaltan MOSFET’lerin küçük sinyal analizi FET’lerle aynıdır. Yalnızca
artıran MOSFET’lerin transconductansı aşağıdaki gibi bulunur.

gm  K VGS  VT 

MOSFET’LERİN KÜÇÜK SİNYAL ANALİZİ

Artıran MOSFET’lerde Gerilim Bölücü devre:

Şekilde artıran bir MOSFET yükselteç görülmektedir.

vL
rs

vs

21
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KÜÇÜK SİNYAL ANALİZİ

Artıran MOSFET’lerde Gerilim Bölücü devre:

Şekilde artıran MOSFET yükseltecin küçük sinyal modeli görülmektedir.
rin
rs id
G
D

vs v gs R1 // R2  g m v gs rd RD RL vL

Gerilim kazancı:
vL v gs vds vL v R1 // R2 RL
 ise L  (  gm rd // RD )
vs vs v gs vds vs R1 // R2  rs RL  rd // RD

Bilindiği gibi olduğundan 𝑅𝐷 ∥ 𝑟𝑑 ≅ 𝑅𝐷 olduğundan gerilim kazancı:

vL R1 // R2 RL
 (  g m RD )
vs R1 // R2  rs RL  rd // RD

MOSFET’LERİN KÜÇÜK SİNYAL ANALİZİ

Örnek:
Şekilde MOSFET devresinde 𝑉𝑇 = 2𝑉, 𝐾 = 0.5 ∙ 10−3 , r𝑑 = 75𝐾,
I𝐷𝑄 = 1.9𝑚𝐴olduğuna göre, devrenin küçük sinyal modelini çizip 𝑣𝐿 𝑣𝑠
oranını bulunuz.

vL

vs

22
 22.05.2013

MOSFET’LERİN KÜÇÜK SİNYAL ANALİZİ

Çözüm:
Öncelikle bu MOSFET’in aktif bölgede çalışıp çalışmadığına bakalım.

VDD  I D ( RD  RS )  VDS ise 18V  1.9mA( 2.2 K  0.5K )  VDS ise VDS  12.87V

R2 R2 22 M
VG  VDD ise VG  VDD  18V  5.74V
R1  R 2 R1  R 2 22 M  47 M

VG  VGS  VRS ise 5.74V  VGS  1.9mA  0.5K ise VGS  2.79V

𝑉D𝑆 > 𝑉G𝑆 − 𝑉𝑇 ise 12.87𝑉 > 5.74𝑉 − 2𝑉 ise 12.87𝑉 > 3.74𝑉

Koşul sağlandığından MOSFET aktif bölgededir.

MOSFET’LERİN KÜÇÜK SİNYAL ANALİZİ

Çözüm (devam):
Devrenin küçük sinyalini çizip gerilim kazancını bulalım.
10 K rin id
G
D

vs v gs 15 M  1.4mSvgs 75 K 2 .2 K 100 K v
L

gm  K VGS  VT  ise gm  0.5  10 3 4.79V  2V   1.4  10 3 S

rin  R1 // R2 ise rin  47 M // 22 M  15 M

vL R1 // R2 RL
 (  gm rd // RD )
vs R1 // R2  rs RL  rd // RD

vL 15 M 100K
 ( 1.4  10  3  75K // 2.2 K )  2.92
vs 15 M  10K 100K  75K // 2.2 K

23
 22.05.2013

IGBT’lER

IGBT’lerin yapısı ve çalışması:

 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mosfet giriş karaketeristiğine
BJT çıkış karakteristiğine sahip bir elektronik devre elemanlıdır.
 IGBT sürme açısından MOSFET gibi davranırken güç iletimi açısından
bipolar tranzistör gibi davranır. Başka bir ifadeyle IGBT’ler mosfetler
gibi gerilim kontrollü iletime geçerken bipolar transistörler gibi yüksek
akımla çalışabilirler.
 Giriş empedansları çok yüksek olan IGBT’leri, açıp kapatabileceğiniz
bir diyot gibi, gate ucu ile kontrol edebileceğiniz triak gibi ya da yine
gate ile kontrol edebileceğiniz bir mosfet transistor gibi
kullanabilirsiniz.
 Mosfet ve BJT'lerin üstün özelliklerini bir arada barındıran en son yarı
iletken teknolojisi olan IGBT’ler düşük anahtarlama güç kaybı ve
47
SK-2013
yüksek anahtarlama hızlarıyla sistem performansını arttırmaktadır.

IGBT’lER

IGBT’lerin yapısı ve çalışması:

 IGBT’lerin MOSFET ve BJT’lere karşı üstünlükleri:
1. Kolayca düşük bir güçle sürülebilirler (iletime geçirilebilirler). Yüksek
akım ve gerilim uygulamalarında daha kolay kontrol edilebilirler.

2. Bir periyod boyunca yüzlerce kez tetiklenebilen IGBT’ler, sistemde

PWM kontrol tekniğinin uygulanmasına olanak sağlamaktadır.

3. Çok yüksek akım iletim kapasitesine sahiptirler.

 BJT’lere göre IGBT’lerin en büyük dezavntajı uzun kesime gitme

süresidir.

 Tipik olarak 600V, 1200V, 1800V ve 6500V’lık IGBT’ler üretilmektedir.

48
SK-2013

24
 22.05.2013

IGBT’lER

IGBT’lerin yapısı ve çalışması:

 Bir IGBT’in basit eşdeğer devresi aşağıda gösterilmiştir.
 Bu devre MOSFET, JFET, NPN ve PNP transistörler ihtiva etmektedir.

 BJT ve MOSFET gibi üç terminali bulunan IGBT’in sembolü aşağıda

gösterilmiştir. Bu üç terminal Gate (G), Collector (C) ve emiter (E)’dir.

49
SK-2013

IGBT’lER

IGBT’lerin yapısı ve çalışması:

 NPT (Non Punch Through) and PT (Punch Through) olmak üzere iki
farklı IGBT üretilmektedir. NPT-IGBT’ler (a) 1200V ve üzeri gerilimlerde
iyi çalışırken PT-IGBT (b) 1200 Volttan düşük gerilimlerde iyi
çalışmaktadır.

 NPT daha güvenli operasyon bölgesine (SOA-safe operating area) ve

daha iyi kısa devre dayanıklılığına sahiptir.
Yüksek sızıntı akımına, büyük pozitif
ısı katsayısına (on state voltage) sahiptir.

 PT-IGBT’ler düşük ileri yön gerilimine

düşük sızıntı akımına, iyi operasyon
bölgesine, küçük negatif ısı katsayısına
50
SK-2013 sahiptir (on state voltage). a)NPT-IGBT’in yapısı b)PT-IGBT’in yapısı

25
 22.05.2013

IGBT’lER

IGBT’lerin yapısı ve çalışması:

 IGBT’in iletime geçirme gerilimi (Turn on voltage-VON): IGBT’in
collector emiter arsını iletime geçirmek için belli bir maximum değeri
geçmemek üzere pozitif bir gerilimin gate terminaline uygulanması
gerekir. Bu gerilim genellikle IGBT’lerin data kitaplarında verilir.
Örneğin Powerex H ve F-serisi IGBT’lerde VON gerilimi 20Volttur.
Eğer 20Voltluk gerilim aşılırsa eleman
bozulabilir. Bu gerilimin aşılması
durumunda IGBT’in korunması
isteniyorsa bir kısa devre koruması
devreye eklenebilir. IGBT’in akım
gerilim karekteristiği
(çıkış karakteristiği) yanda
görülmektedir.
51
SK-2013
1200V F-Serisi IGBT

IGBT’lER

IGBT’lerin yapısı ve çalışması:

 Bir önceki slyatta akım gerilim karaktersitiği verilen IGBT’ten maximum
akım geçirmek için VGE=9.5Voltun yeterli olduğu gözükmektedir.

 İletime geçirmek için belli bir gerilime ihtiyaç duyulurken kesime

götürmek içinde belli bir aralıkta gerilime ihtiyaç duyulur. Powerex ‘in
ürettiği H ve F-serisi IGBT’lerde VOFF gerilimi -5 ile -15 Volt arasındadır.

 Şekilde IGBT’e kare dalga bir

sinyal uygulanmaktadır. Sinyalin
genliği +VGE1 ve –VGE2 arasında
değişmektedir.
 +VGE1 IGBT’i iletime sokarken
 –VGE2 ise kesime götürür.
52
SK-2013

26