CH1 總電流密度 𝐽=𝐽𝑝+𝐽𝑛=𝑞(𝑝𝜇𝑝+𝑛𝜇𝑛)𝐸=𝜎𝐸=𝐸/𝜌 (A/cm^2)

𝐽𝑝=-𝑞𝐷𝑝 (𝑑𝑝(𝑥)/𝑑𝑥) (A/cm^2) (𝐷𝑝=12 cm2/𝑠)

𝐽n=𝑞𝐷n (𝑑n(𝑥)/𝑑𝑥) (A/cm^2) (𝐷n=35 cm2/𝑠)

熱電壓 𝑉𝑇 =𝐷𝑛/𝜇𝑛=𝐷𝑝/𝜇𝑝= kT/q (k=1.38*10^-23) ,when T=300K, VT=25.9mV

2-4

空乏區（depletion region）V0 障蔽電壓，阻止擴散

飄移電流 IS 取決於溫度，與電壓無關 。開路時無電流 ID=IS

εs=1.04*10-12 W=0.1um~1um，在兩邊的電量 W=weigth

|Q+|=|Q-|=qAxnND=qAxpNA (A 空乏區截面積 xn/p 的空乏區寬度)

YΔ ΔY 2-5

傅立葉：方波 4V/pi*((sinωt)+(1/3sin3ωt)+(1/5sin5ωt)+…) Reverse Bias 逆向 ID=0 IS 因熱產生。

週期 Period

2-1

三價 Boron Aluminum Gallium Indium 受體雜質(acceptor impurities) Pp Forward Bias 順向 I=ID-IS。

四價 Silicon Germanium CH 3

五價 Phosphorus Arsenic Antimony 施體雜質(donor impurities) Nn

Anode = 陽極(P) Cathode=陰極(N)

本質半導體 Intrinsic Semiconductor

外質半導體 Extrinsic Semiconductor

Vav(sin)=Vp/π VT= kT/q (k=1.38*10^-23) = 25mV
Si 原子數: 14，其原子結構的最外層有 4 個價電子(Valence electron)
V=VT * ln(i/Is) ΔV= VT * ln(I2/I1) (( ))
2-2 順向 Is doubles every 5 度 C ；逆向 Is doubles every 10 度 C

本質濃度 intrinsic concentration (顆/cm^3) ID=Is*e^(Vd/VT)=(VDD-VD)/R

1eV=1.6*10^-19J V2-V1=2.3VTlog(I2/I1) (V1=0.7 , I1=二極體電流,I2=算出來電流)

-3 -3/2
B = 7.3×10^15 cm K rd=VT/Id → Vd=V*(rd/(R+rd))

EG =1.12 eV Vz=Vz0+rz*Iz Iz=(V-VzO)/(R+rz)

k = 8.62×10^-5 eV/K

T=溫度(K) C=K−273.15 C=(F-32)*5/9

When T=300K，ni=1.5*10^10 /cm^3

nn=ND；pp=NA n=電子數 p=電洞數

nn*pn=ni2 → p=ni2/n → n= ni2/p

2-3

飄移速度 vp=µpE cm/s；電洞移動率 µp=480 cm2/Vs； E=V/l (電壓/長 cm)

𝐼𝑝=𝐴𝑞𝑝𝑣𝑝−drift ； 𝐽𝑝=𝑞𝑝𝑣𝑝−drift=𝑞𝑝𝜇𝑝𝐸 (A 截面積 q 電子數)

飄移速度 vn=-µnE (cm/s) ； 電子移動 µn=1350cm2/Vs

𝐼n=-𝐴𝑞𝑝𝑣n−drift=JA (A) ； 𝐽n=-𝑞𝑝𝑣n−drift=𝑞𝑝𝜇n𝐸

𝜎=q(pµp+nµn) 𝜌=1/ 𝜎 (resistivity 𝜌電阻率 Ω*cm) q=1.6*10^-19