INCHANGE Semiconductor  isc Product Specification 

isc Silicon PNP Power Transistor  2SA908 

DESCRIPTION 
·High Power Dissipation­ 
: PC= 150W(Max.)@TC=25℃
·Collector­Emitter Breakdown Voltage­ 
: V(BR)CEO= ­150V(Min.) 
·Complement to Type 2SC1585 

APPLICATIONS 
·Designed for amplifier and general purpose applications. 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 

SYMBOL  PARAMETER  VALUE  UNIT 

VCBO  Collector­Base Voltage  ­150  V 

VCEO  Collector­Emitter Voltage  ­150  V 

VEBO  Emitter­Base Voltage  ­6  V 

IC  Collector Current­Continuous  ­15  A 

IB  Base Current­Continuous  ­5  A 

Collector Power Dissipation 
PC  150  W 
@TC=25℃ 

Tj  Junction Temperature  150  ℃ 

Tstg  Storage Temperature  ­65~150  ℃

isc website：www.iscsemi.cn  1 
 INCHANGE Semiconductor  isc Product Specification 

isc Silicon PNP Power Transistor  2SA908 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS 
Tj=25℃  unless otherwise specified 

SYMBOL  PARAMETER  CONDITIONS  MIN  TYP.  MAX  UNIT 

V(BR)CEO  Collector­Emitter Breakdown Voltage  IC= ­50mA; IB= 0  ­150  V 

VCE(sat)  Collector­Emitter Saturation Voltage  IC= ­10A; IB= ­1A  ­3.0  V 

ICBO  Collector Cutoff Current  VCB= ­150V; IE= 0  ­1.0  mA 

IEBO  Emitter Cutoff Current  VEB= ­6V; IC= 0  ­1.0  mA 

hFE  DC Current Gain  IC= ­5A; VCE= ­4V  30 

fT  Current­Gain—Bandwidth Product  IE= 0.5A; VCE= ­12V  10  MHz

isc website：www.iscsemi.cn  2