‫ﺟﻬﺎد داﻧﺸﮕﺎﻫﯽ ﺻﻨﻌﺘﯽ ﺷﺮﯾﻒ‬ ‫ﻣﺮﮐﺰ ﺗﺤﻘﯿﻘﺎت ﻣﺨﺎﺑﺮات اﯾﺮان‬

‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫)وﯾﺮاﯾﺶ ﭼﻬﺎرم(‬

‫)ﭘﺮوژه ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ راﻫﺒﺮدی ادوات ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری(‬

‫ﮐﺎرﻓﺮﻣﺎ‬

‫ﻣﺮﮐﺰ ﺗﺤﻘﯿﻘﺎت ﻣﺨﺎﺑﺮات اﯾﺮان‬

‫ﺟﻬﺎد داﻧﺸﮕﺎﻫﯽ ﺻﻨﻌﺘﯽ ﺷﺮﯾﻒ‬

‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬
‫ﻣﻬﺮ ‪1382‬‬
 ‫ﺷﻨﺎﺳﻨﺎﻣﻪ ﮔﺰارش ﻓﻨﯽ‬

‫ﭘﺮوژه ‪ :‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ راﻫﺒﺮدی ادوات ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری‬

‫ﻋﻨﻮان ﻓﺎرﺳﯽ ﮔﺰارش ‪ :‬آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ‪ -‬وﯾﺮاﯾﺶ ﭼﻬﺎرم‬
‫‪Optical Detectors -4th Edition‬‬ ‫ﻋﻨﻮان اﻧﮕﻠﯿﺴﯽ ﮔﺰارش ‪:‬‬
‫ﮐﺪ ﮔﺰارش ‪EL-81SSOCD-TRP205-4 :‬‬
‫ﺗﺎرﯾﺦ ﺗﮑﻤﯿﻞ ﮔﺰارش ‪ :‬ﻣﻬﺮ ‪1382‬‬
‫ﺷﻤﺎرۀ وﯾﺮاﯾﺶ ‪ :‬ﭼﻬﺎرم‬
‫ﺳﻄﺢ دﺳﺘﺮﺳﯽ ﺑﻪ ﮔﺰارش ‪ :‬ﻧﺎﻣﺤﺪود‬
‫ﮐﺎرﻓﺮﻣﺎ ‪ :‬ﻣﺮﮐﺰ ﺗﺤﻘﯿﻘﺎت ﻣﺨﺎﺑﺮات اﯾﺮان‬
‫ﻣﺠﺮی ‪ :‬ﺟﻬﺎد داﻧﺸﮕﺎﻫﯽ ﺻﻨﻌﺘﯽ ﺷﺮﯾﻒ‬
‫ﺗﺎﻟﯿﻒ ﮐﻨﻨﺪﮔﺎن ‪:‬ﻋﺒﺎس ﻇﺮﯾﻔﮑﺎر‪ ،‬اﺑﺮاﻫﯿﻢ ﻣﺮﺗﺎﺿﯽ )ﻣﺤﻞ ﺧﺪﻣﺖ‪ :‬ﻣﺮﮐﺰ ﺗﺤﻘﯿﻘﺎت ﻣﺨﺎﺑﺮات اﯾﺮان(‬
‫‪ ،‬ﻏﻼﻣﺮﺿﺎ ﻋﺒﺎﯾﺎﻧﯽ ‪ ،‬وﺣﯿﺪ اﺣﻤﺪی )ﻣﺤﻞ ﺧﺪﻣﺖ‪ :‬ﺳﺎزﻣﺎن اﻧﺮژی اﺗﻤﯽ اﯾﺮان(‬
‫ﮐﻨﺘﺮل ﮐﻨﻨﺪﮔﺎن ‪ :‬وﺣﯿﺪ اﺣﻤﺪی ‪،‬ﮐﻮروسﺣﻤﺰه‪ ،‬اﻓﺮوز ﺳﻠﻄﺎنﺑﺎﯾﺰﯾﺪی )ﻣﺤﻞ ﺧﺪﻣﺖ‪ :‬ﺟﻬﺎد‬
‫داﻧﺸﮕﺎﻫﯽ ﺻﻨﻌﺘﯽ ﺷﺮﯾﻒ(‬
‫ﺗﻌﺪاد ﺑﺮگﻫﺎ‪ 54 :‬ﺑﺮگ‬
‫ﻣﻠﺤﻘﺎت ‪:‬‬

‫ﻧﺸﺎﻧﯽ ‪ :‬ﺗﻬﺮان‪ ،‬ﺧﯿﺎﺑﺎن آزادی‪ ،‬ﺧﯿﺎﺑﺎن ﺷﻬﯿﺪ وﻟﯽاﷲ ﺻﺎدﻗﯽ)ﺿﻠﻊ ﺷﻤﺎﻟﯽ داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﯽ ﺷﺮﯾﻒ(‪،‬‬
‫ﭘﻼک ‪ ،79‬ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺟﻬﺎد داﻧﺸﮕﺎﻫﯽ ﺻﻨﻌﺘﯽ ﺷﺮﯾﻒ‪.‬‬
‫‪Email :research@jdsharif.ac.ir‬‬ ‫ﺗﻠﻔﻦ‪ ،6005937 ،6024544:‬ﻧﻤﺎﺑﺮ‪،6012497:‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﭼﮑﯿﺪه‬
‫در اﯾﻦ ﮔﺰارش ﭘﺲ از ﺑﯿﺎن ﻣﻘﺪﻣﻪای در ﻣﻮرد آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ‪ ،‬اﻧﻮاع آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﺑﺮرﺳﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫اﯾﻦ اﻧﻮاع ﺷﺎﻣﻞ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ ،PIN‬دﯾﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ‪ ،‬ﻓﻠﺰ‪-‬ﻧﯿﻤﻪﻫﺎدی‪-‬ﻓﻠﺰ‪ ،‬آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر‬
‫ﭼﻨﺪﮔﺎﻧﻪ‪ ،‬ﻣﻮج روﻧﺪه‪ ،‬آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﺑﺎ ﮐﺎواک ﺗﺸﺪﯾﺪ و آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه داﺧﻠﯽ‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﭘﺲ از ﺑﯿﺎن اﻧﻮاع آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ‪ ،‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎی آﻧﻬﺎ ﻧﻈﯿﺮ ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ‪ ،‬ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ‪ ،‬ﺳﺮﻋﺖ‬
‫ﭘﺎﺳﺦ‪ ،‬ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ‪ ،‬ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ‪ ،‬ﻣﺤﺪوده ﻃﻮل ﻣﻮج و ﻧﻮﯾﺰ اراﺋﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬در اداﻣﻪ‬
‫ﻣﻘﺎﯾﺴﻪای ﺑﯿﻦ اﻧﻮاع آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﺻﻮرت ﮔﺮﻓﺘﻪ و ﺗﮑﻨﻮﻟﻮژی ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات‬
‫ﻧﻮری ﻧﻈﯿﺮ ﻣﺮاﺣﻞ ﻋﻤﻮﻣﯽ ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎرﺳﺎز و ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻨﺪی و ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪول آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ذﮐﺮ ﺷﺪه و‬
‫در اﻧﺘﻬﺎ ﺑﺎزار ﻓﺮوش وﺗﺠﻬﯿﺰات ﺗﺴﺖ و اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﺑﺮرﺳﯽ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪I‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﭘﯿﺸﮕﻔﺘﺎر‬
‫اﯾﻦ ﮔﺰارش در راﺳﺘﺎی اﺟﺮای ﭘﺮوژه "ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ راﻫﺒﺮدی ادوات ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری" ﺗﻬﯿﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ‬
‫ﺑﻪ ﺗﺎرﯾﺦ ‪ 81/4/15‬از ﻃﺮف ﻣﺮﮐﺰ ﺗﺤﻘﯿﻘﺎت ﻣﺨﺎﺑﺮات ﺑﻪ ﺟﻬﺎد‬ ‫ﻃﯽ ﻗﺮارداد ﺷﻤﺎره ‪3487/500‬‬
‫داﻧﺸﮕﺎﻫﯽ ﺷﺮﯾﻒ واﮔﺬار ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﯾﮑﯽ از اﺟﺰای ﺿﺮوری ﺷﺒﮑﻪﻫﺎی ﻧﻮری ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز‪ ،‬ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎی‬
‫ورودی را ﺑﻪ اﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮوﻧﯽ ﺣﺎﺻﻠﻪ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﺷﺪه و از ﯾﮏ ﻗﻄﻌﻪ ﮐﻪ‬
‫ﺗﻌﯿﯿﻦ ﮐﻨﻨﺪه ﺻﻔﺮ ﯾﺎ ﯾﮏ ﺑﻮدن ﻫﺮ ﺑﯿﺖ اﺳﺖ‪ ،‬ﻋﺒﻮر ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺻﻔﺮ ﯾﺎ ﯾﮏ ﺑﻮدن ﻫﺮ ﺑﯿﺖ ﺑﻪ ﭘﺎﯾﯿﻦ ﺗﺮ ﯾﺎ‬
‫ﺑﺎﻻﺗﺮ ﺑﻮدن ﺟﺮﯾﺎن از ﺟﺮﯾﺎن آﺳﺘﺎﻧﻪ ﺑﺮای ﻣﺪت زﻣﺎﻧﯽ ﺧﺎص ﺑﺴﺘﮕﯽ دارد‪ .‬ﺑﻪ ﺑﯿﺎن دﯾﮕﺮ‪ ،‬در ﺑﺎزه‬
‫زﻣﺎﻧﯽ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻫﺮ ﺑﯿﺖ‪ ،‬ﺗﺼﻤﯿﻢﮔﯿﺮی ﺑﺮ اﺳﺎس وﺟﻮد ﻧﻮر و ﯾﺎ ﻋﺪم ﺣﻀﻮر ﻧﻮر اﻧﺠﺎم ﻣﯽﮔﯿﺮد‪.‬‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﺑﺮاﺳﺎس ﻣﮑﺎﻧﯿﺰﻣﯽ ﮐﻪ ﺑﻪ ﻧﻮرﺗﺎﺑﺸﯽ ﭘﺎﺳﺦ ﻣﯽ دﻫﻨﺪ ﺑﻪ ﺳﻪ ﮔﺮوه ﻋﻤﺪه آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی‬
‫ﻧﯿﻤﻪﻫﺎدی‪ ،‬آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻓﻮﺗﻮن ﮔﺴﯿﻞ و آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﺣﺮارﺗﯽ ﺗﻘﺴﯿﻢ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺮﺧﯽ از اﻧﻮاع راﯾﺞ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﺷﺎﻣﻞ ﻓﺘﻮﮐﺎﻧﺪاﮐﺘﻮر‪ ،‬دﯾﻮد ﻧﻮری ‪ ، PN‬دﯾﻮد ﻧﻮری ‪PIN‬‬
‫‪ ،‬دﯾﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ)‪ ، (APD‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻓﻠﺰ‪-‬ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی‪-‬ﻓﻠﺰ)‪ (MSM‬و ﻓﺘﻮﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻫﺴﺘﻨﺪ‬
‫ﮐﻪ در اﯾﻦ ﮔﺰارش ﺑﻪ آﻧﻬﺎ ﭘﺮداﺧﺘﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫از ﻧﺎﻇﺮ ﻣﺤﺘﺮم ﭘﺮوژه آﻗﺎی ﮐﺘﺮ ﻣﺤﻤﺪ ﮐﺎﻇﻢ ﻣﺮوج ﻓﺮﺷﯽ ﻋﻀﻮ ﻫﯿﺎت ﻋﻠﻤﯽ و اﺳﺘﺎد داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺮﺑﯿﺖ‬
‫ﻣﺪرس و ﻫﻤﮑﺎراﻧﺸﺎن ﮐﻪ ﺑﺎ اراﺋﻪ ﻧﻈﺮات اﺻﻼﺣﯽ ﺧﻮد ﻣﺎ را در رﻓﻊ ﻧﻮاﻗﺺ و اراﺋﻪ ﻫﺮﭼﻪ ﺑﻬﺘﺮ اﯾﻦ‬
‫ﮔﺰارش ﯾﺎری ﻓﺮﻣﻮده اﻧﺪ ﻗﺪرداﻧﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻋﺒﺎس ﻇﺮﯾﻔﮑﺎر‪ -‬اﺑﺮاﻫﯿﻢ ﻣﺮﺗﺎﺿﯽ‪-‬ﻏﻼﻣﺮﺿﺎ ﻋﺒﺎﯾﺎﻧﯽ‬

‫ﻣﻬﺮ ‪1382‬‬

‫‪II‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﻄﺎﻟﺐ‬

‫ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫ﻋﻨﻮان‬

‫‪ .1‬ﻣﻘﺪﻣﻪ ‪1 .............................................................................................‬‬
‫‪ .2‬اﻧﻮاع آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ‪2 .....................................................................‬‬
‫‪ .1,2‬آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ‪2 .........................................................................PIN‬‬
‫‪ .2,2‬دﯾﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ ‪3 ........................................................................‬‬
‫‪ .3,2‬آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻓﻠﺰ‪-‬ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی‪-‬ﻓﻠﺰ ‪8 .........................................................‬‬
‫‪ .4,2‬آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭼﻨﺪ ﮔﺎﻧﻪ ‪9 ....................................................‬‬
‫‪ .5,2‬آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻣﻮج روﻧﺪه ‪9 .............................................................‬‬
‫‪ .6,2‬آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﺑﺎ ﮐﺎواک ﺗﺸﺪﯾﺪ ‪10 ...........................................................‬‬
‫‪ .7,2‬آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه داﺧﻠﯽ ‪10 .............................................‬‬
‫‪ .3‬ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﻫﺎی ﮐﺎرآﯾﯽ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ‪11 ...................................................‬‬
‫‪ .1,3‬ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ‪11 ...........................................................................‬‬
‫‪ .2,3‬ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ ‪12 .................................................................................‬‬
‫‪ .3,3‬ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ ‪13 ..............................................................................‬‬
‫‪ .4,3‬ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ ‪14 ........................................................................‬‬
‫‪ .5,3‬ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ ‪14 ............................................................................‬‬
‫‪ .6,3‬ﻣﺤﺪوده ﻃﻮل ﻣﻮج ‪15 .......................................................................‬‬
‫‪ .7,3‬ﻧﻮﯾﺰ ‪15 ........................................................................................‬‬
‫‪ .4‬ﻣﻮاد ﺑﮑﺎر رﻓﺘﻪ در آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی ‪16 .........................................‬‬
‫‪ .5‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ‪17 .............................................................................‬‬
‫‪ .1,5‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﭼﻨﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری ﺗﺠﺎری ‪19 ............................................‬‬
‫‪ .6‬ﺗﮑﻨﻮﻟﻮژی ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ‪20 ..........................................‬‬
‫‪ .1,6‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻋﻤﻮﻣﯽ ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪21 ......................................................‬‬
‫‪ .2,6‬ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻨﺪی و ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪول آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ‪29 .................................................‬‬

‫‪III‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫ﻋﻨﻮان‬

‫‪ .7‬ﺑﺎزار ﻓﺮوش آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ‪37 ............................................................‬‬

‫‪ .8‬ﺗﺠﻬﯿﺰات ﺗﺴﺖ و اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ‪40 ........................................‬‬
‫‪ .9‬ﻣﺮاﺟﻊ‪41 .............................................................................................‬‬
‫واژه ﻧﺎﻣﻪ ‪44 ...............................................................................................‬‬

‫‪IV‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﺷﮑﻞﻫﺎ‬
‫ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫ﻋﻨﻮان ﺷﮑﻞ‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ :(1‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪2 ................................................................. PN‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ :(2‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪3 ................................................................ PIN‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(3‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ APD‬و ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ در ﻧﻮاﺣﯽ ﻣﺨﺘﻠﻒ آن ‪4 ...........................‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(4‬ﻧﺮﺧﻬﺎی ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن اﻟﮑﺘﺮون و ﺣﻔﺮه ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﺮای ﻣﻮاد ﻣﺨﺘﻠﻒ ‪5‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(5‬ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس ﺑﻪ ازای ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﻣﺨﺘﻠﻒ ‪6 ....................‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(6‬ﻧﻮار اﻧﺮژی ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪7 ..................................................... SSL-APD‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(7‬ﻧﻮار اﻧﺮژی ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪8 ................................................................ GSL‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(8‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪8 ............................................................. MSM‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(9‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪9 .......................................................................... TWP‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(10‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪10 ..................................................................... RECAP‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(11‬ﻣﻨﺤﻨﯽﻫﺎی ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ ‪ R0‬ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﺮای ﭼﻨﺪ ﻧﻮع ﻣﺎده ‪13 ...............‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(12‬ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪14 .........................................................‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(13‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻋﻤﻮﻣﯽ ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﻮری ﺑﺎ ﺗﺰوﯾﺞ ﻓﯿﺒﺮ ﻧﻮری ‪21 .....................‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(14‬ﻃﺮﺣﻮاره ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎی روﻧﺸﺴﺘﯽ ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﺳﻪ ﮔﺎﻧﻪ ‪ MSM ، PIN‬و ‪23 .... APD‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(15‬ﺗﺼﻮﯾﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ای از ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ InGaAs/InP‬ﮐﻪ ﺑﺎ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮی ﻣﺎﺳﮏ ‪ SiO2‬ﺑﻪ روش‬
‫رﺷﺪ اﻧﺘﺨﺎﺑﯽ ﺗﻬﯿﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ‪23 .........................................................................‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(16‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ای ﺗﺒﺪﯾﻞ وﯾﻔﺮ ﺑﻪ ﺗﻌﺪاد زﯾﺎدی ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﻤﮕﻮن را ﺑﺮای آﺷﮑﺎر ﺳﺎز‬
‫ﻧﻮری ‪25 ..................................................................................... WG-PIN‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(17‬ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﯾﯽ از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﺎی ﻏﯿﺮﻫﻤﺠﻨﺲ و ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﻣﺠﺘﻤﻊ ‪26 ......................‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(18‬ﮐﺎراﯾﯽ ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻫﺎی ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻧﻮری از ﻧﻈﺮ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ وﺑﻬﺮه ﺗﺒﺪﯾﻞ آﻧﻬﺎ ‪26 .......‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(19‬ﻃﺮﺣﻮاره ﻧﻤﻮﻧﻪ ای ﺳﯿﺴﺘﻢ ﺗﺴﺖ اوﻟﯿﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﺳﺮﯾﻊ ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری‪27 .....‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(20‬ﻃﺮﺣﻮاره وﺗﺼﻮﯾﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﯾﯽ از آﺷﮑﺎر ﻫﺎی ﻣﻮج روﻧﺪه ‪28 ...........................‬‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ :(21‬ﻃﺮﺣﻮاره ﻣﺤﻔﻈﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز واﺟﺰائ اﺻﻠﯽ ‪30 .........................................‬‬

‫‪V‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ :(22‬ﺗﺼﻮﯾﺮ اﻧﻮاع ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺪوﻟﻬﺎی آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ‪30 ..........................................‬‬

‫ﺷﮑﻞ)‪) :(23‬اﻟﻒ(ﻃﺮﺣﻮاره ﺳﺎده ﺗﺮﯾﻦ ﻣﺪول آﺷﮑﺎرﺳﺎز‪) ،‬ب( ﺗﺼﻮﯾﺮﭼﯿﻨﺶ و اﺗﺼﺎﻻت‬
‫اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ داﺧﻠﯽ آن ‪32 .................................................................................‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(24‬ﭼﯿﻨﺶ داﺧﻠﯽ اﺟﺰاء دو ﻣﺪول دﻧﺒﺎﻟﻪ دار ‪33 ..............................................‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(25‬ﻣﺪول ﭘﺮواﻧﻪ ای ﺑﺎ ﭘﻬﻨﺎی ﺑﺎﻧﺪ ‪ 10‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ‪34 ...........................................‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(26‬ﻧﻤﻮدار اﺟﺰاء داﺧﻠﯽ )اﻟﻒ( ﻣﺪول ‪ 10‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ و )ب( ﻣﺪول ‪ 40‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ ‪35 ....‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(27‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد از ﻧﻈﺮ ﺗﻌﺪاد ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪37 ................... BCC‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(28‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪38 ................................... BCC‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(29‬ﺑﺎزار ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد از ﻧﻈﺮ ﺗﻌﺪاد در اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪38 ........ BCC‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(30‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد در اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪39 ............... BCC‬‬
‫ﺷﮑﻞ)‪ :(31‬ﻧﻤﻮﻧﻪ از اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰر ﻣﺪل ‪ 8560EC‬ﺳﺎﺧﺖ ﺷﺮﮐﺖ‪40 ......... HP / Agilent‬‬

‫‪VI‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﺟﺪولﻫﺎ‬
‫ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫ﻋﻨﻮان ﺟﺪول‬

‫ﺟﺪول )‪ :(1‬ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﺑﺎ ﻣﻮاد ﻣﺨﺘﻠﻒ‪15 .......................................‬‬

‫ﺟﺪول )‪ :(2‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ اﻧﻮاع آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ‪19 ....................................................‬‬
‫ﺟﺪول )‪ :(3‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﭼﻨﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻧﻮری ‪20 .......................................................‬‬
‫ﺟﺪول )‪ :(4‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ و ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎی ﺧﺮوﺟﯽ ﺑﺮای دو آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺟﻨﺲ‬
‫‪ InGaAsP‬و ‪29 ........................................................................... InGaAlAs‬‬
‫ﺟﺪول )‪ :(5‬ﻗﯿﻤﺖ ﭼﻨﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ‪39 ..........................................................‬‬
‫ﺟﺪول )‪ :(6‬ﻣﺤﺪوده ﻃﻮل ﻣﻮج ﻋﻤﻠﮑﺮد و ﺑﺮﺧﯽ از ﻗﯿﻤﺘﻬﺎی اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰر ﻣﺪل ‪41 .. 8560EC‬‬

‫‪VII‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪ -1‬ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫در ﯾـﮏ ﺧـﻂ اﻧـﺘﻘﺎل ﻧـﻮری وﻇﯿﻔﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری ﮐﻪ اوﻟﯿﻦ ﺑﻠﻮک ﮔﯿﺮﻧﺪه اﺳﺖ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﺳﯿﮕﻨﺎل ﻧﻮری‬
‫ﺣﺎوی اﻃﻼﻋﺎت ﺑﻪ ﺳﯿﮕﻨﺎل اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ اﺳﺖ‪.‬‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﺑﺮاﺳﺎس ﻣﮑﺎﻧﯿﺰﻣﯽ ﮐﻪ ﺑﻪ ﻧﻮرﺗﺎﺑﺸﯽ ﭘﺎﺳﺦ ﻣﯽ دﻫﻨﺪ ﺑﻪ ﺳﻪ ﮔﺮوه ﻋﻤﺪه ﺗﻘﺴﯿﻢ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪:‬‬
‫‪ -‬آﺷﮑﺎرﺳـﺎزﻫﺎی ﻧـﯿﻤﻪ ﻫـﺎدی ﮐـﻪ در آﻧﻬﺎ ﺑﺎ ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮر ﺑﻪ ﻣﺎده ‪ ،‬اﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎ از ﺑﺎﻧﺪ ﻇﺮﻓﯿﺖ ﺑﻪ ﺑﺎﻧﺪ ﻫﺪاﯾﺖ‬
‫ﺑﺮاﻧﮕﯿﺨﺘﻪ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫‪ -‬آﺷﮑﺎرﺳـﺎزﻫﺎی ﻓﻮﺗـﻮن ﮔﺴـﯿﻞ‪ 1‬ﻣﺜﻞ ﻻﻣﭙﻬﺎی ﭼﻨﺪ ﺑﺮاﺑﺮﮐﻨﻨﺪه ﻧﻮر‪ 2‬ﮐﻪ درآﻧﻬﺎ اﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎ ﺑﺎ ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮر ﺑﻪ‬
‫ﯾﮏ ﻣﺎده ﺣﺴﺎس ﺑﻪ ﻧﻮر از آن ﺧﺎرج ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫‪ -‬آﺷﮑﺎرﺳـﺎزﻫﺎی ﺣﺮارﺗـﯽ ﮐـﻪ در ﻧﺘـﯿﺠﻪ اﺛـﺮ ﺣﺮارﺗـﯽ ﻧـﻮر ‪ ،‬دﻣـﺎی ﻣﺎده ﺗﺎﺑﺶ دﯾﺪه اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ و‬
‫ﺧﻮاص اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ آن ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪.‬‬
‫آﺷﮑﺎرﺳـﺎزﻫﺎی ﻧـﻮری ﻧـﯿﻤﻪ ﻫـﺎدی ﺑـﻪ دﻟﯿﻞ ﻗﯿﻤﺖ ﮐﻢ ‪ ،‬اﻧﺪازه ﮐﻮﭼﮏ ‪ ،‬اﺳﺘﺤﮑﺎم ‪ ،‬ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﯽ ﮐﻢ‪،‬‬
‫ﻣﺤـﺪوده ﻃﯿﻔـﯽ وﺳـﯿﻊ‪ ،‬ﺣﺴﺎﺳـﯿﺖ ﺧـﻮب و ﭘﺎﺳـﺦ ﺳـﺮﯾﻊ‪ ،‬ﻣﻨﺎﺳـﺒﺘﺮﯾﻦ اﻧﺘﺨﺎب ﺑﺮای ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری اﻧﺪ‪.‬‬
‫ﻓﺘﻮﮐﺎﻧﺪاﮐـﺘﻮر‪ ،‬دﯾـﻮد ﻧـﻮری ‪ ، PN‬دﯾـﻮد ﻧﻮری ‪ ، PIN‬دﯾﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ)‪ ، (APD‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻓﻠﺰ‪-‬ﻧﯿﻤﻪ‬
‫ﻫـﺎدی‪-‬ﻓﻠﺰ)‪ (MSM‬و ﻓﺘﻮﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‪ ،‬اﻧﻮاع ﻣﺨﺘﻠﻒ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی اﻧﺪ‪ .‬از آﻧﺠﺎ ﮐﻪ در‬
‫ﺷـﺒﮑﻪ ﻫـﺎی ﻧـﻮری از ‪ APD ، PIN‬و ‪ MSM‬ﺑـﻪ ﻋـﻨﻮان آﺷﮑﺎرﺳـﺎز اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد در اﯾﻦ ﮔﺰارش ﺑﻪ‬
‫ﺷﺮح ﻋﻤﻠﮑﺮد آﻧﻬﺎ ﻣﯽ ﭘﺮدازﯾﻢ ]‪.[1‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Photoemissive Detectors‬‬
‫‪2‬‬
‫)‪Photomultiplier Tubes (PMT‬‬

‫‪1‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪ -2‬اﻧﻮاع آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪ -1-2‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪PIN‬‬
‫ﺑﺮای ﺗﻮﺿﯿﺢ ﻋﻤﻠﮑﺮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ PIN‬اﺑﺘﺪا در ﺧﺼﻮص آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ PN‬ﺻﺤﺒﺖ ﻣﯽ ﮐﻨﯿﻢ ‪.‬ﺳﺎﺧﺘﺎر‬
‫ﯾﮏ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ PN‬در ﺷﮑﻞ )‪ (1‬رﺳﻢ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در ﺣﻘﯿﻘﺖ اﯾﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﯾﮏ ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪ PN‬ﺑﺎﯾﺎس‬
‫ﻣﻌﮑﻮس اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮر ﺑﻪ اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ ،‬ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎ ﺟﺬب ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در ازای ﺟﺬب ﻫﺮ ﻓﻮﺗﻮن ﯾﮏ‬
‫اﻟﮑﺘﺮون از ﻧﻮار ﻇﺮﻓﯿﺖ ﺑﻪ ﻧﻮار ﻫﺪاﯾﺖ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﯽ ﺷﻮد و ﺑﻪ اﯾﻦ ﺗﺮﺗﯿﺐ زوﺟﻬﺎی اﻟﮑﺘﺮون – ﺣﻔﺮه ﺗﻮﻟﯿﺪ‬
‫ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻨﮑﻪ در ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪ PN‬ﺑﺎر آزاد وﺟﻮد ﻧﺪارد ﻣﻘﺎوﻣﺖ آن زﯾﺎد اﺳﺖ و ﺗﻘﺮﯾﺒﺎً‬
‫ﮐﻞ وﻟﺘﺎژ اﻋﻤﺎﻟﯽ ﺑﻪ دو ﺳﺮ دﯾﻮد در دو ﺳﺮ آن ﻇﺎﻫﺮ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﻧﻮرﺣﺎﻣﻠﻬﺎی‪ 1‬ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه در ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ‬
‫ﺗﺤﺖ ﺗﺄﺛﯿﺮ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﻪ ﻃﺮف ﻗﻄﺒﻬﺎی ﻣﺨﺎﻟﻒ ﺣﺮﮐﺖ ﻣﯽ ﮐﻨﻨﺪ ﯾﻌﻨﯽ اﻟﮑﺘﺮون ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻗﻄﺐ‬
‫ﻣﺜﺒﺖ و ﺣﻔﺮه ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻗﻄﺐ ﻣﻨﻔﯽ راﻧﺪه ﻣﯽ ﺷﻮد و ﺑﻪ اﯾﻦ ﺗﺮﺗﯿﺐ ﺟﺮﯾﺎن ﻧﻮری‪ 2‬ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﻧﻮرﺣﺎﻣﻠﻬﺎﯾﯽ ﮐﻪ در ﻓﺎﺻﻠﻪ ﯾﮏ ﻃﻮل ﻧﻔﻮذ از ﻟﺒﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ ﻧﯿﺰ ﺑﻪ داﺧﻞ اﯾﻦ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻧﻔﻮذ‬
‫ﮐﺮده و در ﺟﺮﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺷﺮﮐﺖ ﻣﯽ ﮐﻨﻨﺪ‪ .‬زوﺟﻬﺎی اﻟﮑﺘﺮون‪ -‬ﺣﻔﺮه ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه در ﻓﺎﺻﻠﻪ ای ﺑﯿﺸﺘﺮ‬
‫از ﯾﮏ ﻃﻮل ﻧﻔﻮذ از ﻟﺒﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ در ﺟﻬﺎت ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺣﺮﮐﺖ ﮐﺮده و ﻣﺠﺪداً ﺑﺎ ﻫﻢ ﺗﺮﮐﯿﺐ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ و‬
‫در ﺟﺮﯾﺎن ﻧﻮری ﺷﺮﮐﺖ ﻧﻤﯽ ﺟﻮﯾﻨﺪ]‪.[2‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :1‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪.PN‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻮﺿﯿﺤﺎت اراﺋﻪ ﺷﺪه ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ ﺑﺮای آﺷﮑﺎرﺳﺎزی ﻧﻮر ‪ ،‬ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ﻧﻘﺶ اﺳﺎﺳﯽ را‬
‫ﺑﻪ ﻋﻬﺪه دارد اﻣﺎ در آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ PN‬ﻋﺮض ﮐﻢ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺳﺒﺐ ﻣﯽ ﺷﻮد ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎی ﮐﻤﺘﺮی ﺟﺬب‬

‫‪1‬‬
‫‪photocarrier‬‬
‫‪2‬‬
‫‪photocurrent‬‬

‫‪2‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﻮﻧﺪ ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺟﺮﯾﺎن دﯾﻮد ‪ ،‬ﮐﻢ ﺑﻮده وﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻣﻄﻠﻮب ﻧﯿﺴﺖ‪ .‬از ﻃﺮﻓﯽ ﭼﻮن ﻋﺮض ﻧﺎﺣﯿﻪ‬
‫ﺗﻬﯽ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس واﺑﺴﺘﻪ اﺳﺖ ﻟﺬا ﺑﺎ ﺗﻐﯿﯿﺮ وﻟﺘﺎژ ‪ ،‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ و در ﻧﺘﯿﺠﻪ ﻣﯿﺰان ﺟﺬب‬
‫ﻓﻮﺗﻮن ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ ‪ ،‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﮐﻪ اﯾﻦ واﺑﺴﺘﮕﯽ ﻣﻄﻠﻮب ﻣﺎ ﻧﯿﺴﺖ‪.‬‬
‫ﺑﺮای رﻓﻊ ﻣﺸﮑﻼت ﻓﻮق ‪ ،‬دﯾﻮد ‪ PIN‬ﭘﯿﺸﻨﻬﺎد ﻣﯽ ﺷﻮد]‪ .[2]-[1‬در اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ ،‬ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ‪ ،‬ﻣﺴﺘﻘﻞ از‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس وﺑﺼﻮرت ﻧﺎﺣﯿﻪ ای ﺑﺎ ﻏﻠﻈﺖ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﯽ ﮐﻢ اﺳﺖ‪ .‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ PIN‬ﺑﺪﻟﯿﻞ ﻧﻮﯾﺰﮐﻢ و ﺳﺮﻋﺖ‬
‫ﺑﺎﻻ ﺑﺼﻮرت ﮔﺴﺘﺮده ای در ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ﺑﮑﺎرﻣﯽ رود‪ .‬اﯾﻦ دﯾﻮد ﻓﺎﻗﺪ ﺑﻬﺮه اﺳﺖ ﯾﻌﻨﯽ ﺑﻪ ازای ﺟﺬب‬
‫ﻫﺮ ﻓﻮﺗﻮن ﺑﺪون ﺗﺮﮐﯿﺐ ﻣﺠﺪد ‪ ،‬ﺗﻨﻬﺎ ﯾﮏ زوج اﻟﮑﺘﺮون ﺣﻔﺮه ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ )‪ ، (2‬اﯾﻦ‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎز از ﺳﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ i ، p‬و‪ n‬ﺗﺸﮑﯿﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ]‪.[2‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :2‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪. PIN‬‬

‫ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ i‬ﯾﺎ ﻧﺎﺣﯿﻪ ذاﺗﯽ دارای ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﯽ ﮐﻤﯽ اﺳﺖ و ﻫﻤﯿﻦ اﻣﺮ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﯽ ﺷﻮدﮐﻪ اﯾﻦ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
‫ﻧﻮاﺣﯽ ‪ n‬و‪ p‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ زﯾﺎدی داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺪﯾﻦ ﺗﺮﺗﯿﺐ درﺻﺪ زﯾﺎدی از وﻟﺘﺎژ اﻋﻤﺎﻟﯽ روی دو ﺳﺮدﯾﻮد‬
‫در ﻧﺎﺣﯿﻪ ذاﺗﯽ اﻓﺖ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﻣﯿﺪان ﻗﻮی اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ در ﻧﺎﺣﯿﻪ ذاﺗﯽ ﻋﺎﻣﻞ اﺻﻠﯽ ﺗﻔﮑﯿﮏ ﺣﺎﻣﻠﻬﺎی ﻧﻮری‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪ -2-2‬دﯾﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ )‪(APD‬‬
‫‪ APD‬در واﻗﻊ ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪ PN‬ی اﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﺰدﯾﮏ ﻧﻘﻄﻪ ﺷﮑﺴﺘﺶ ‪ ،‬ﺑﺎﯾﺎس ﻣﻌﮑﻮس ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ دﯾﻮد‬
‫دارای ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن اﺳﺖ‪ .‬ﺗﺤﺖ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﺴﯿﺎر ﻗﻮی ‪ ،‬ﻓﺘﻮاﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎ و ﻓﺘﻮﺣﻔﺮهﻫﺎ ‪ ،‬در ﻓﺮاﯾﻨﺪ‬

‫‪1‬‬
‫‪Avalanche PhotoDiode‬‬

‫‪3‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن ﺑﺮﺧﻮردی‪ 1‬ﺷﺮﮐﺖ ﻣﯽ ﮐﻨﻨﺪ و ﻫﻤﯿﻦ اﻣﺮ ﺑﺎﻋﺚ ﺑﺎﻻ رﻓﺘﻦ ﺗﻌﺪاد ﺣﺎﻣﻞ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت‬
‫دﯾﮕﺮ ﯾﮏ اﻟﮑﺘﺮون ﭘﺮ اﻧﺮژی ﻣﯽﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎ ﯾﮏ اﻟﮑﺘﺮون ﺑﺎﻧﺪ ﻇﺮﻓﯿﺖ ﺑﺮﺧﻮرد ﮐﻨﺪ و ﺑﺎ اﻧﺘﻘﺎل اﻧﺮژی ﺑﻪ آن ‪،‬‬
‫ﺑﺎﻋﺚ ﺗﺤﺮﯾﮏ آن اﻟﮑﺘﺮون ﺑﻪ ﺑﺎﻧﺪ ﻫﺪاﯾﺖ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ اﯾﻦ ﺗﺮﺗﯿﺐ دو اﻟﮑﺘﺮون آزاد در ﺑﺎﻧﺪ ﻫﺪاﯾﺖ و ﯾﮏ‬
‫ﺣﻔﺮه آزاد در ﺑﺎﻧﺪ ﻇﺮﻓﯿﺖ ﺧﻮاﻫﯿﻢ داﺷﺖ‪ .‬ﺣﺎﻣﻠﻬﺎی اﺿﺎﻓﻪ ﺷﺪه ﺑﺎ درﯾﺎﻓﺖ ﺑﺨﺸﯽ از اﻧﺮژی ﺑﺮﺧﻮرد و‬
‫ﺗﺤﺖ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﻗﻮی ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺣﺎﻣﻠﻬﺎی دﯾﮕﺮی ﭘﺪﯾﺪ آورﻧﺪ‪ .‬اﻓﺰاﯾﺶ ﺗﻌﺪاد ﺣﺎﻣﻞ ‪ ،‬ﺑﺎﻋﺚ‬
‫ﺑﺰرﮔﺘﺮ ﺷﺪن ﺟﺮﯾﺎن ﺧﺮوﺟﯽ و در ﻧﺘﯿﺠﻪ اﻓﺰاﯾﺶ ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﯾﮏ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ APD‬در ﺷﮑﻞ )‪ (3‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻧﻮر از ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ p+‬وارد دﯾﻮد ﻣﯽﺷﻮد و‬
‫درﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ i‬ﺟﺬب ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﮑﻮس ﺑﻘﺪری اﺳﺖ ﮐﻪ ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ در ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪PN+‬‬
‫ﺣﺪود ‪ 5‬ﺗﺎ ‪ %10‬ﮐﻤﺘﺮ از ﻣﻘﺪار ﻻزم ﺑﺮای ﺷﮑﺴﺖ ﺑﻬﻤﻨﯽ اﺳﺖ و ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ﺗﻘﺮﯾﺒﺎً ﺑﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ i‬ﻣﯽرﺳﺪ‪.‬‬
‫ﺑﻬﻤﯿﻦ دﻟﯿﻞ اﯾﻦ دﯾﻮد را ‪ 2 RAPD‬ﻧﯿﺰ ﻣﯽﻧﺎﻣﻨﺪ]‪.[2‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :3‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ APD‬و ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ در ﻧﻮاﺣﯽ ﻣﺨﺘﻠﻒ آن‪.‬‬

‫ﻓﺘﻮاﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎی ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه ﺑﺴﻤﺖ ﭘﯿﻮﻧﺪ ‪ PN+‬ﻣﯽروﻧﺪ و ﺑﺪﻟﯿﻞ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﻗﻮی ‪ ،‬ﺗﮑﺜﯿﺮ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺗﻌﺪاد زوج اﻟﮑﺘﺮون ﺣﻔﺮهﻫﺎی ﺑﻮﺟﻮد آﻣﺪه ﺑﻮﺳﯿﻠﻪ ﺣﺎﻣﻞ در واﺣﺪ ﻃﻮل را ﻧﺮخ ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن‬
‫ﮔﻮﯾﻨﺪ‪ .‬ﻣﻮاد ﻣﺨﺘﻠﻒ دارای ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﻣﺘﻔﺎوت ﻧﺮخ ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن اﻟﮑﺘﺮون ) ‪ ( α‬و ﻧﺮخ ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن ﺣﻔﺮه) ‪( β‬‬

‫‪1‬‬
‫‪impact ionization‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Reach Through Avalanche Photodiode‬‬

‫‪4‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺗﺠﺮﺑﯽ ‪ α‬و ‪ β‬ﺑﺮای ﭼﻨﺪ ﻣﺎده ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی در ﺷﮑﻞ )‪ (4‬آﻣﺪه اﺳﺖ‬
‫]‪.[2‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :4‬ﻧﺮﺧﻬﺎی ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن اﻟﮑﺘﺮون و ﺣﻔﺮه ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﺮای ﻣﻮاد ﻣﺨﺘﻠﻒ‪.‬‬

‫‪β‬‬
‫= ‪ ( k‬ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﻨﺪ و ﺑﺮای ﺳﻨﺠﺶ ﻋﻤﻠﮑﺮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری‬ ‫ﻧﺴﺒﺖ ﻧﺮﺧﻬﺎی ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن را ﺑﺎ ‪) k‬‬
‫‪α‬‬
‫ﺑﮑﺎر ﻣﯽرود ‪.‬‬
‫در ‪ APD‬ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن ) ‪( M‬ﺑﺎ راﺑﻄﻪ ذﯾﻞ ﺑﯿﺎن ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫‪M=IM /IP‬‬

‫‪5‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﮐﻪ ‪ Ι M‬ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻮﺳﻂ ﮐﻞ ﺟﺮﯾﺎن اﻓﺰوده ﺷﺪه ﺧﺮوﺟﯽ و ‪ Ι P‬ﻧﻮرﺟﺮﯾﺎن ﻏﯿﺮ اﻓﺰاﯾﺸﯽ اوﻟﯿﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﺷﮑﻞ‬
‫)‪ (5‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﯾﯽ از ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن را ﺑﻪ ازای ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس ‪ RAPD‬ﻧﺸﺎن‬
‫ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺎ زﯾﺎد ﺷﺪن وﻟﺘﺎژ ‪ ،‬ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﺰرﮔﺘﺮ ﺷﺪه ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺗﮑﺜﯿﺮ ﺣﺎﻣﻞ ﺑﯿﺸﺘﺮ‬
‫ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ زﯾﺎد ﺷﺪن ﻃﻮل ﻣﻮج ‪ ،‬ﻧﻮر ﺗﺎﺑﯿﺪه ﺷﺪه در ﻋﻤﻖ ﺑﯿﺸﺘﺮی از دﯾﻮد ﯾﻌﻨﯽ ﻧﺰدﯾﮑﺘﺮ ﺑﻪ ‪ PN+‬ﺟﺬب‬
‫ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬در اﯾﻨﺠﺎ ﻣﯿﺪان ﻗﻮﯾﺘﺮی دارﯾﻢ ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﻫﻤﺎﻧﮕﻮﻧﻪ ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﻣﻘﺪار ‪M‬‬
‫ﺑﺰرﮔﺘﺮ ﻣﯽﺷﻮد]‪.[2‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :5‬ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن ﺑﺮﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس ﺑﻪ ازای ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﻣﺨﺘﻠﻒ‪.‬‬

‫اﮔﺮ ﭼﻪ ‪ APD‬ﻫﺎ دارای ﺑﻬﺮه داﺧﻠﯽ اﻧﺪ اﻣﺎ اﯾﻦ وﯾﮋﮔﯽ ﻣﻔﯿﺪ ﺑﺎ اﺷﮑﺎﻻت زﯾﺮ ﺗﻮام اﺳﺖ ‪:‬‬
‫‪ -‬ﺑﻪ دﻟﯿﻞ ﺳﺎﺧﺘﻤﺎن ﭘﯿﭽﯿﺪه ﺗﺮ ﺳﺎﺧﺖ آن ﺑﻪ ﻣﺮاﺗﺐ ﻣﺸﮑﻞ ﺗﺮ و ﻗﯿﻤﺖ آن ﺑﯿﺸﺘﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ -‬ﻣﺎﻫﯿﺖ ﺗﺼﺎدﻓﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﺰم اﯾﺠﺎد ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻋﺚ ﺑﺮوز ﻧﻮﯾﺰ اﺿﺎﻓﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫‪ -‬ﺑﺮای راه اﻧﺪازی دﯾﻮدﻫﺎی ﻧﻮری وﻟﺘﺎژﻫﺎی ﺑﺎﯾﺎس ﺑﺰرﮔﯽ ﻻزم اﺳﺖ ‪.‬‬

‫‪6‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪ -‬ﺗﻐﯿـﯿﺮ ﺑﻬـﺮه و ﺿـﺮﯾﺐ ﺗﮑﺜـﯿﺮ ﺑـﺎ دﻣـﺎ ﺟﺒﺮانﺳﺎزی ﺣﺮارﺗﯽ را ﺑﺮای ﻋﻤﻠﮑﺮد ﭘﺎﯾﺪار ﻗﻄﻌﻪ اﺟﺘﻨﺎب ﻧﺎﭘﺬﯾﺮ‬
‫ﻣﯽﮐﻨﺪ‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪α‬‬
‫و در ﻧﺘﯿﺠﻪ ﮐﺎﻫﺶ ﻧﻮﯾﺰ ‪ ،‬اﯾﺪهﻫﺎی ﻣﺘﻔﺎوﺗﯽ اراﺋﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺳﺎﺧﺘﺎر‪SL-APD‬‬ ‫ﺑﺮای اﻓﺰاﯾﺶ ﻧﺴﺒﺖ‬
‫‪β‬‬
‫از ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎﯾﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﻧﺮﺧﻬﺎی ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن را ﺑﺎﻻ ﻣﯽﺑﺮد‪ .‬ﻧﻮار اﻧﺮژی در اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻄﺎﺑﻖ‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ (6‬اﺳﺖ ﮐﻪ در آن ﺑﺪﻟﯿﻞ ﺷﯿﺐ ﻧﻮار اﻧﺮژی‪ ،‬ﺣﺎﻣﻞ‪ ،‬اﻧﺮژی زﯾﺎدی ﭘﯿﺪا ﻣﯽﮐﻨﺪ و ﻗﺪرت ﺑﺮﺧﻮرد‬
‫آن ﺑﺎﻻ ﻣﯽرود‪ .‬اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر را ﺷﺒﮑﻪ ﺑﺎ ﻧﻮار اﻧﺮژی ﭘﻠﻪای ﻣﺘﻮاﻟﯽ‪ 2‬ﻣﯽﻧﺎﻣﻨﺪ]‪. [1‬‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻨﺎﺳﺐ دﯾﮕﺮ‪ ،‬ﺳﺎﺧﺘﺎری ﺑﺎ ﻧﻮار اﻧﺮژی ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه در ﺷﮑﻞ )‪ (7‬اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر را ﺷﺒﮑﻪ ﺑﺎ‬
‫ﻧﻮار اﻧﺮژی ﺗﺪرﯾﺠﯽ ﻣﺘﻮاﻟﯽ‪ (GSL)3‬ﻣﯽ ﮔﻮﯾﻨﺪ]‪ .[1‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ای ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﻠﻪای دارای ﺑﻬﺮه‬
‫ﺑﺰرﮔﺘﺮ و ﻧﻮﯾﺰ ﮐﻤﺘﺮی اﺳﺖ ]‪.[3‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :6‬ﻧﻮار اﻧﺮژی ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪SSL-APD‬‬

‫‪1‬‬
‫)‪Super Lattice(SL‬‬
‫‪2‬‬
‫)‪Sequence Super Lattice (SSL‬‬
‫‪3‬‬
‫‪Graded Super Lattice‬‬

‫‪7‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :7‬ﻧﻮار اﻧﺮژی ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪GSL‬‬

‫‪1‬‬
‫‪ -3-2‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻓﻠﺰ‪ -‬ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی‪-‬ﻓﻠﺰ )‪(MSM‬‬
‫‪ MSM‬ﯾﮑﯽ دﯾﮕﺮ از آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری اﺳﺖ ﮐﻪ ﺿﻤﻦ داﺷﺘﻦ ﺿﺮﯾﺐ ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ﺑﺰرگ و ﺳﺮﻋﺖ‬
‫زﯾﺎد‪ ،‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ PIN‬و‪ APD‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﺎده ﺗﺮی دارد‪ .‬اﯾﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎز دارای دو ﮐﻨﺘﺎﮐﺖ ﺷﺎﺗﮑﯽ و‬
‫روزﻧﻪﻫﺎﯾﯽ ﺑﺮای ﺟﺬب ﻓﻮﺗﻮن اﺳﺖ‪ .‬ﺷﮑﻞ)‪ (8‬ﻧﻤﻮﻧﻪ ای از ‪ MSM‬را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪.‬اﯾﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪،‬‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮏ ﮐﻤﺘﺮی ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ PIN‬دارد ﭼﻮن ﻫﻤﯿﺸﻪ ﯾﮑﯽ ازﮐﻨﺘﺎﮐﺘﻬﺎ ﺑﺼﻮرت ﻣﻌﮑﻮس ﺑﺎﯾﺎس‬
‫ﻣﯽﺷﻮد]‪.[5]-[4‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :8‬ﺳﺎﺧﺘﺎر آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪MSM‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Metal-Semiconductor-Metal‬‬

‫‪8‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪1‬‬
‫‪ -4-2‬آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭼﻨﺪﮔﺎﻧﻪ‬
‫دﯾﻮدﻫﺎی آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮع ‪ APD‬ﮐﻪ ﺑﺎ ﺳﯿﻠﯿﮑﻦ ﺳﺎﺧﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﺑﻬﺘﺮﯾﻦ ﭘﺎﺳﺦ دﻫﯽ ﺷﺎﻣﻞ ﮔﯿﻦ ﺑﺎﻻ و ﻧﻮﯾﺰ‬
‫ﮐﻢ را دارﻧﺪ‪ .‬اﻣﺎ ﺳﯿﻠﯿﮑﻦ ﺑﻪ دﻟﯿﻞ ﻣﻘﺪار ﺷﮑﺎف اﻧﺮژﯾﺶ ﻧﻤﯽ ﺗﻮاﻧﺪ ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺑﻠﻨﺪﺗﺮ از ‪ 1 µm‬را‬
‫آﺷﮑﺎر ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮای رﻓﻊ اﯾﻦ ﻣﺸﮑﻞ ﻣﯽﺑﺎﯾﺴﺖ ﻻﯾﻪ ‪ P‬ﺳﯿﻠﯿﮑﻦ را ﺑﺎ ﻣﻮادی ﮐﻪ ﺑﺎﻧﺪ ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺑﻠﻨﺪ را‬
‫ﺟﺬب ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ‪ ،‬ﺟﺎﯾﮕﺰﯾﻦ ﮐﺮد‪ InGaAs .‬ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ از اﯾﻦ ﻣﻮاد اﺳﺖ‪ .‬در اﯾﻦ ﺻﻮرت ﻻﯾﻪ ﺗﮑﺜﯿﺮ‬
‫ﮐﻤﺎﮐﺎن ﻻﯾﻪ ‪ I‬ﺳﯿﻠﯿﮑﻨﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺣﺪاﻗﻞ ﻧﻮﯾﺰ را دارد‪ .‬ﺑﻪ اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ 2 SHIP‬ﮔﻔﺘﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬اﯾﻦ‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﯿﺰان ﮔﯿﻦ‪ -‬ﭘﻬﻨﺎی ﺑﺎﻧﺪ ﺑﯿﺸﺘﺮ را ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﻧﻮﯾﺰ ﮐﻤﺘﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ APD‬ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬در ﺣﺎل‬
‫ﺣﺎﺿﺮ اﯾﻦ ادوات در ﻣﺮاﺣﻞ ﺗﺤﻘﯿﻘﺎﺗﯽ ﻣﯽﺑﺎﺷﻨﺪ وﻟﯽ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺠﺎری آن ﺑﻪ زودی ﻋﺮﺿﻪ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ ]‪.[6‬‬

‫‪3‬‬
‫‪ -5-2‬آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻣﻮج روﻧﺪه‬
‫ﺳﺎﺧﺖ دﯾﻮدﻫﺎی ‪ PIN‬ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ ﯾﮏ ﻣﺸﮑﻞ ﺟﺪی دارد و آن ﻫﻢ ﻣﺪت زﻣﺎن راﻧﺶ‪ /‬ﻧﻔﻮذ اﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎ‬
‫از ﻧﺎﺣﯿﻪ ‪ I‬اﺳﺖ‪ ،‬اﮔﺮ ﻋﺮض اﯾﻦ ﻻﯾﻪ ﮐﻢ ﺷﻮد‪ ،‬ﻇﺮﻓﯿﺖ ﺧﺎزﻧﯽ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﮐﺎﻫﺶ اﺑﻌﺎد ﻗﻄﻌﻪ ﻧﯿﺰ‬
‫ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﭼﺎره ﮐﺎر اﺳﺘﻔﺎده از ﭼﻨﺪﯾﻦ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز در ﻣﺴﯿﺮ ﻣﻮﺟﺒﺮ ﻧﻮری اﺳﺖ‪.‬‬
‫اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر در ﺷﮑﻞ )‪ (9‬آﻣﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ ﻧﻮر ورودی از ﺳﻤﺖ ﭼﭗ وارد ﺷﺪه و ﺑﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز‬
‫اول ﻣﯽرﺳﺪ‪ .‬ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎﯾﯽ ﮐﻪ ﺟﺬب ﻧﻤﯽﺷﻮﻧﺪ ﺑﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﺑﻌﺪی ﻣﯽرﺳﻨﺪ ﺗﺎ ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﺑﺎزده‬
‫ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ را داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﯿﻢ]‪.[6‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ : 9‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪TWP‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Hetro-Interface‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Silicon Hetero-Interface Photodetector‬‬
‫‪3‬‬
‫‪Travelling-Wave Photodetector‬‬

‫‪9‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪1‬‬
‫‪ -6-2‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺑﺎﮐﺎواک ﺗﺸﺪﯾﺪ ‪RECAP‬‬
‫ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ)‪ (10‬ﻧﻮع دﯾﮕﺮی از ﺳﺎﺧﺘﺎر ادوات ﻣﻮج روﻧﺪه ﺑﺮای داﺷﺘﻦ ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ و‬
‫ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ RECAP‬اﺳﺖ]‪.[6‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :10‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪RECAP‬‬

‫اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر از ﯾﮏ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ‪ PIN‬ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ‪ I‬ﺧﯿﻠﯽ ﻧﺎزک و ﯾﮏ ﮐﺎواک ﺗﺸﺪﯾﺪ ﻓﺎﺑﺮی ﭘﺮو ﺗﺸﮑﯿﻞ‬
‫ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬اﻧﮕﯿﺰه اﺳﺘﻔﺎده از اﯾﻦ ﻻﯾﻪ ﻧﺎزک ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ دﻫﯽ ﺳﺮﯾﻊ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﮐﺎواک ﺗﺸﺪﯾﺪ‬
‫ﺷﺎﻧﺲ ﺑﯿﺸﺘﺮی را ﺑﺮای ﺟﺬب ﻧﻮر ﺑﺎ ﭼﻨﺪﯾﻦ ﺑﺎر ﮔﺬر از ﻻﯾﻪ ‪ I‬اﯾﺠﺎد ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ در اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻃﻮل‬
‫ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺧﺎﺻﯽ ﻣﯽﺗﻮاﻧﻨﺪ از ﻗﻄﻌﻪ ﺧﺎرج ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬از اﯾﻦ رو ﯾﮏ آﺷﮑﺎرﺳﺎز اﯾﺪهآل ﺑﺮای ﮐﻞ ﻣﺤﺪوده‬
‫ﻃﯿﻔﯽ ﻣﻄﻠﻮب ﻧﯿﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ -7-2‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه داﺧﻠﯽ‬

‫در ﺳﯿﺴﺘﻤﻬﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ﻋﻤﻮﻣﺎً از آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ‪ APD‬ﯾﺎ ‪ PIN‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮای ﺑﺎﻻﺑﺮدن‬
‫ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ اﻃﻤﯿﻨﺎن‪ ،‬ﮐﺎﻫﺶ ﻧﻮﯾﺰ ﭘﺬﯾﺮی و ﻗﯿﻤﺖ ﺗﻤﺎم ﺷﺪه ﮐﻤﺘﺮ ﻣﯽﺗﻮان آﺷﮑﺎرﺳﺎز ‪ APD‬ﯾﺎ ‪ PIN‬را ﺑﻪ‬
‫ﻫﻤﺮاه ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه در داﺧﻞ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺳﺎﺧﺖ‪ .‬ﺑﻪ اﯾﻦ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ اﺻﻄﻼﺣﺎً ‪ PIN/Preamp‬و‬
‫‪ APD/Preamp‬ﮔﻔﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮد]‪.[7‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Resonant-Cavity Photodetectors‬‬

‫‪10‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪ -3‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎی ﮐﺎرآﯾﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری]‪ [1‬و]‪[7]- [5‬‬

‫‪ -1-3‬ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ‬
‫ﺑـﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣـﯽ ﺑﻪ ﻃﻮر ﺳﺎده ﺑﺮاﺑﺮ ﺗﻌﺪاد اﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎی ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه در ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﻪ ازای ﺗﻌﺪاد ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎی ﺗﺎﺑﯿﺪه‬
‫ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ .‬اﮔـﺮ ﻓـﺮض ﮐﻨﯿﻢ ﮐﻪ ﻫﺮ ﻓﻮﺗﻮن در ﺣﺎﻟﺖ اﯾﺪه آل ﯾﮏ زوج اﻟﮑﺘﺮون‪ -‬ﺣﻔﺮه ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‬
‫‪ η‬ﺑﺮاﺑـﺮ ‪ %100‬ﻣـﯽ ﺷـﻮد‪ .‬اﻣـﺎ در ﻋﻤـﻞ ﺑـﻪ ﻋﻠﺖ اﺗﻼﻓﻬﺎﯾﯽ ﮐﻪ رخ ﻣﯽ دﻫﺪ ‪ η ،‬ﮐﻤﺘﺮ از ‪ %100‬اﺳﺖ‪ .‬در‬
‫آﺷﮑﺎرﺳـﺎز ‪ APD‬ﻫﺮ ﻓﻮﺗﻮن ﭘﺲ از ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﭼﻨﺪﯾﻦ زوج اﻟﮑﺘﺮون‪ -‬ﺣﻔﺮه ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‬
‫در ﻧﺘـﯿﺠﻪ در ‪ APD‬ﯾﮏ ﺑﻬﺮه وﺟﻮد دارد و ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ از ‪ %100‬ﺑﺰرﮔﺘﺮ اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ ﮐﻤﯿﺖ ﺗﺎﺑﻊ ﻃﻮل‬
‫ﻣﻮج ﻧﻮر اﻋﻤﺎﻟﯽ ﺑﻪ ﻗﻄﻌﻪ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ﺗﻮﺳﻂ راﺑﻄﻪ زﯾﺮ ﺑﯿﺎن ﻣﯽﺷﻮد‪:‬‬
‫‪Number of electron − hole pairs generated / sec‬‬
‫=‪η‬‬
‫‪Number of incident photons / sec‬‬

‫در ﻣﻮاد ﻧﯿﻤﻪﻫﺎدی‪ ،‬ﺟﺬب ﻧﻮر ﺗﺎﺑﯿﺪه ﺷﺪه ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ راﺑﻄﻪ زﯾﺮ اﺳﺖ‪:‬‬
‫) ‪P( x ) = Pr (1 − e −α s ( λ ) x‬‬
‫ﮐﻪ ) ‪ α s (λ‬ﺛﺎﺑﺖ ﺟﺬب ﻣﺎده ﻧﯿﻤﻪﻫﺎدی در ﻃﻮل ﻣﻮج ‪ λ‬و )‪ P(x‬ﺗﻮان ﺟﺬب ﺷﺪه در ﻓﺎﺻﻠﻪ ‪ x‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫اﮔﺮ ﭘﻬﻨﺎی ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ‪ w‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﮐﻞ ﺗﻮان ﺟﺬب ﺷﺪه در ﻣﻨﻄﻘﻪ ‪ w‬ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫(‬
‫‪P(w) = Pr 1 − e −α s w‬‬ ‫)‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺟﺮﯾﺎن ﻧﻮری ﺑﺮاﺑﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ ﺑﺎ‪:‬‬

‫= ‪Ip‬‬
‫‪e‬‬
‫‪hν‬‬
‫(‬ ‫)‬
‫) ‪Pr 1 − e −α s w (1 − R f‬‬

‫ﮐﻪ ‪ Rf‬ﺿﺮﯾﺐ اﻧﻌﮑﺎس در وﺟﻪ ورودی دﯾﻮد ﻧﻮری اﺳﺖ‪η .‬ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫(‬ ‫)‬
‫) ‪η = 1 − e −α s w (1 − R f‬‬
‫اﯾﻦ ﺑﺪﯾﻦ ﻣﻌﻨﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺮای دﺳﺘﯿﺎﺑﯽ ﺑﻪ ‪ η‬ﺑﺰرگ ﺑﺨﺶ اﻋﻈﻢ ﻧﻮر ﺗﺎﺑﯿﺪه ﺷﺪه ﺑﺎﯾﺪ ﺟﺬب ﺷﻮد‪ ،‬ﭘﺲ‬
‫ﻻﯾﻪ ﺗﻬﯽ ﺑﺎﯾﺴﺘﯽ ﺑﺎﻧﺪازه ﮐﺎﻓﯽ ﺑﺰرگ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬وﻗﺘﯽ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ ﺿﺨﯿﻢﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺣﺎﻣﻠﻬﺎی ﻧﻮری ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه‬
‫زﻣﺎن ﺑﯿﺸﺘﺮی را ﺑﺮای ﻧﻔﻮذ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﺎﯾﺎس ﻣﻌﮑﻮس ﻧﯿﺎز دارﻧﺪ‪ ،‬و اﯾﻦ ﺑﺎﻋﺚ ﮐﺎﻫﺶ ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ‬
‫دﯾﻮد ﻣﯽﺷﻮد‪.‬‬

‫‪11‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪1‬‬
‫‪ -2-3‬ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ‬
‫ﯾﮑﯽ از ﻣﻬﻤﺘﺮﯾﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎی دﯾﻮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ ) ‪ ( R0‬آن اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮﯾﺎن‬
‫آﺷﮑﺎر ﺷﺪه ﺑﺮﺣﺴﺐ آﻣﭙﺮ ﺗﻘﺴﯿﻢ ﺑﺮ ﺗﻮان ﻧﻮری ورودی ﺑﺮ ﺣﺴﺐ وات اﺳﺖ‪ .‬ﮐﻪ در ﻧﺘﯿﺠﻪ واﺣﺪ آن‬
‫‪ A/W‬ﯾﺎ ‪ µA/ µW‬اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪ ﭘﺎﺳـﺨﺪﻫـﯽ ﺑﺮای ﻓﺘﻮ دﯾﻮد ﺳﯿﻠﯿﮑﻨﯽ در ﻃﻮل ﻣﻮج ‪900 nm‬‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ‪ 0/44 A/W‬اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺎﺳﺦدﻫﯽ ﺑﺎ راﺑﻄﻪ زﯾﺮ ﺑﯿﺎن ﻣﯽ ﺷﻮد‪:‬‬
‫‪Ip‬‬ ‫‪ηe‬‬
‫= ‪R0‬‬ ‫=‬
‫‪Pi‬‬ ‫‪hν‬‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ دارﯾﻢ‪:‬‬
‫‪ηeλ ηλ × 106 A‬‬
‫= ‪R0‬‬ ‫=‬
‫‪hc‬‬ ‫‪1.24 W‬‬
‫ﺷﺎﯾﺎن ذﮐﺮ اﺳﺖ ﮐﻪ ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ‪ ،‬ﺗﺎﺑﻌﯽ از ‪ λ‬و ﻣﻮاد ﺳﺎزﻧﺪه دﯾﻮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻐﯿﯿﺮات ‪ R0‬ﺑﺎ ‪λ‬‬
‫ﺑﺮای ﭼﻬﺎر ﻣﺎده در ﺷﮑﻞ)‪ (11‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺧﻄﻮط ﺧﻂ ﭼﯿﻦ ﺑﻪ ازای ‪ η‬ﺛﺎﺑﺖ اﺳﺖ‪ .‬ﻧﺰول در‬
‫ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺑﻠﻨﺪ ﻧﺎﺷﯽ از ﮐﻤﺒﻮد اﻧﺮژی ﻓﻮﺗﻮن اﺳﺖ‪ .‬در ﺣﺎﻟﯿﮑﻪ در ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﮐﻮﺗﺎه ﻧﺎﺷﯽ از‬
‫اﻓﺰاﯾﺶ اﺛﺮ ﺟﺬب اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻠﺖ اﯾﻨﮑﻪ اﻧﺮژی ﻓﻮﺗﻮن ﺑﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ ،‬ﻣﻨﺤﻨﯽ ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ‬
‫ﺑﺎ ﻣﻨﺤﻨﯽ ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ ﻣﺘﻔﺎوت اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺎﺳﺦ دﻫﯽ ﺑﺮای آﺷﮑﺎر ﮐﻨﻨﺪهﻫﺎی ‪ APD‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس و‬
‫ﺧﯿﻠﯽ ﺑﯿﺸﺘﺮ از ‪ PIN‬اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮای ‪ APD‬دارﯾﻢ‪:‬‬
‫‪ηe‬‬
‫= ‪RAPD‬‬ ‫‪M = R0 M‬‬
‫‪hν‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Responsivity‬‬

‫‪12‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :11‬ﻣﻨﺤﻨﯽﻫﺎی ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ ‪ R0‬ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﺮای ﭼﻨﺪ ﻧﻮع ﻣﺎده‬

‫‪1‬‬
‫‪ -3-3‬ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ‬
‫ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ دﯾﻮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز از ﺷﯿﺐ زﻣﺎن ﺻﻌﻮد‪ 2‬ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻً زﻣﺎن ﺻﻌﻮد ﺑﺼﻮرت زﻣﺎن‬
‫ﻣﻮرد ﻧﯿﺎز ﺑﺮای اﯾﻨﮑﻪ ﺳﯿﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﯽ از ‪ 10%‬ﺑﻪ ‪ 90%‬ﻣﻘﺪار ﻧﻬﺎﯾﯽ ﺧﻮد در ﭘﺎﺳﺦ ﺑﻪ ﯾﮏ ﺗﺎﺑﻊ ﭘﻠﻪ‬
‫ورودی ﻧﻮری ﺑﺮﺳﺪ‪ ،‬ﺗﻌﺮﯾﻒ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦدﻫﯽ دﯾﻮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز اﺳﺎﺳﺎً واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺳﻪ ﻋﺎﻣﻞ‬
‫اﺳﺖ‪:‬‬
‫زﻣﺎن ﮔﺬر ﺣﺎﻣﻠﻬﺎ از ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ‬
‫زﻣﺎن ﻧﻔﻮذ ﺣﺎﻣﻠﻬﺎی ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه در ﺧﺎرج از ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺗﻬﯽ‬
‫ﺛﺎﺑﺖ زﻣﺎﻧﯽ)‪ (RC‬دﯾﻮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز‬
‫در ‪APD‬ﻫﺎ زﻣﺎن ﻻزم ﺑﺮای رﺧﺪاد اﺛﺮ ﺑﻬﻤﻨﯽ ﻣﺤﺪود ﮐﻨﻨﺪه ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﺳﺮﻋﺖ ﮐﺎر ‪APD‬ﻫﺎ اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Speed of Response‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Rise Time‬‬

‫‪13‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪1‬‬
‫‪ -4-3‬ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ‬
‫ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ)‪ (12‬ﻣﺤﺪوده ﺗﻮان ﻧﻮری ﮐﻪ ﺟﺮﯾﺎن دﯾﻮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺗﻐﯿﯿﺮات ﺧﻄﯽ ﺑﺎ ﻣﯿﺰان ﺗﻮان ﻧﻮری‬
‫ورودی دارد‪ ،‬ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ ﻓﺘﻮ دﯾﻮد ﻧﺎﻣﯿﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن ﻋﺒﻮری از دﯾﻮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﻪ‬
‫ﺷﮑﻞ ﺧﻄﯽ ﺑﺎ ﺗﻮان ورودی ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ]‪ .[8‬اﮔﺮ ﺳﯿﮕﻨﺎل ﻧﻮری از ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ ﺧﺎرج ﺷﻮد‪،‬‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ﺑﻄﻮر ﺧﻄﯽ ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﺗﻮان ﻧﻮر ورودی ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻧﻤﯽﮐﻨﺪ‪ ،‬و رﻓﺘﺎری ﻏﯿﺮ ﺧﻄﯽ ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :12‬ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎز‬

‫‪2‬‬
‫‪ -5-3‬ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ‬
‫ﻣﯿﺰان ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ ﮐﻪ در ﺑﺎﯾﺎس ﻣﻌﮑﻮس از آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری ﺑﺪون اﻋﻤﺎل ﺳﯿﮕﻨﺎل ﻧﻮری ﻋﺒﻮر ﻣﯽﮐﻨﺪ را‬
‫ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ ‪ Idark‬ﮔﻮﯾﻨﺪ‪ .‬در آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی دﯾﻮدی اﯾﻦ ﺟﺮﯾﺎن ﻫﻤﺎن ﺟﺮﯾﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﮑﻮس دﯾﻮد‬
‫ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﯾﻦ ﺟﺮﯾﺎن ﯾﮏ ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺎﺧﻮاﺳﺘﻪ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻧﻮﯾﺰ ﺑﻪ ﺳﯿﺴﺘﻢ اﺿﺎﻓﻪ ﻣﯽﺷﻮد و ﺗﺎﺑﻊ ﻣﻮاد‬
‫ﺳﺎزﻧﺪه دﯾﻮد و دﻣﺎ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﯿﺎﻧﮕﯿﻦ ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺟﺪول ‪ 1‬اﺳﺖ‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Dynamic Range‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Dark Current‬‬

‫‪14‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺟﺪول‪ : 1‬ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﺑﺎ ﻣﻮاد ﻣﺨﺘﻠﻒ‬

‫‪Type‬‬ ‫)‪Id (nA‬‬

‫‪Ge‬‬ ‫‪100‬‬
‫‪PIN‬‬ ‫‪Si‬‬ ‫‪1-10‬‬
‫‪InGaAs‬‬ ‫‪0.1-3‬‬
‫‪Ge‬‬ ‫‪400‬‬
‫‪APD‬‬ ‫‪Si‬‬ ‫‪10-250‬‬
‫‪InGaAs‬‬ ‫‪6-160‬‬

‫‪ -6-3‬ﻣﺤﺪوده ﻃﻮل ﻣﻮج‬

‫ﺑﻪ ﻣﺤﺪوده ﻃﻮل ﻣﻮﺟﯽ ﮐﻪ در آن ﻣﺤﺪوده آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺑﺨﻮﺑﯽ ﻋﻤﻞ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ ،‬ﻣﺤﺪوده ﮐﺎری ﮔﻔﺘﻪ‬
‫ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎز در اﯾﻦ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺧﻄﯽ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ -7-3‬ﻧﻮﯾﺰ‬
‫در ﯾـﮏ آﺷﮑﺎرﺳـﺎز ﻧـﻮری ﻣﻨﺎﺑﻊ اﺻﻠﯽ ﻧﻮﯾﺰ ‪ ،‬ﻧﻮﯾﺰ ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮏ‪ ،‬ﺷﺎت ﻧﻮﯾﺰ و ﻧﻮﯾﺰ ﺣﺮارﺗﯽ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ‪.‬‬
‫در ﯾـﮏ دﯾـﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ ﯾﮏ ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮﯾﺰ اﺿﺎﻓﯽ ﻧﯿﺰ در ﻧﺘﯿﺠﻪ ﺗﺼﺎدﻓﯽ ﺑﻮدن اﺛﺮ ﺑﻬﻤﻨﯽ وﺟﻮد دارد ‪ .‬در‬
‫اداﻣﻪ ﺑﻪ ﺷﺮح اﻧﻮاع ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ﻧﻮﯾﺰ ﻣﯽ ﭘﺮدازﯾﻢ]‪.[9‬‬
‫ﻧﻮﯾـﺰ ﺟـﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮏ ‪ :‬ﻧﻮﯾﺰ ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮏ ﻧﺎﺷﯽ از ﺑﻮﺟﻮد آﻣﺪن ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ در ﻫﻨﮕﺎم ﻗﺮار‬
‫ﮔﺮﻓﺘـﻦ دﯾﻮد ﻧﻮری در ﻣﺤﯿﻂ ﺧﺎﻣﻮش ﺗﺤﺖ ﺷﺮاﯾﻂ ﺑﺎﯾﺎس ﺑﻮﺟﻮد ﻣﯽ آﯾﺪ‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮏ‪ ،‬ﺟﺮﯾﺎن دﯾﻮد‬
‫ﻧـﻮری در ﺷـﺮاﯾﻂ ﻣﻌﮑـﻮس اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻘﺪار اﯾﻦ ﺟﺮﯾﺎن ﺷﺪﯾﺪاً ﺑﻪ دﻣﺎ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس و ﻧﻮع آﺷﮑﺎر ﺳﺎز واﺑﺴﺘﻪ‬
‫اﺳﺖ ‪.‬‬
‫ﺟـﺮﯾﺎن ﺗـﺎرﯾﮏ در ﯾـﮏ دﯾـﻮد ﻧـﻮری ‪ PIN‬ﺳﯿﻠﯿﺴـﯿﻢ در ﺣﺪود ‪ 100‬ﭘﯿﮑﻮ آﻣﭙﺮ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻟﯿﮑﻪ در‬
‫دﯾـﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ ﺳﯿﻠﯿﺴﯿﻢ‪،‬ﺑﻪ ‪ 10‬ﭘﯿﮑﻮ آﻣﭙﺮ ﻣﯽ رﺳﺪ‪ .‬در دﯾﻮد ﻫﺎی ﻧﻮری ‪ InGaAs -PIN‬و دﯾﻮدﻫﺎی‬

‫‪15‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻧـﻮری ﺑﻬﻤﻨـﯽ ‪ InGaAs‬ﺟـﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑـﯽ در ﺣـﺪود ‪ 2-5‬ﻧـﺎﻧﻮ آﻣـﭙﺮ اﺳـﺖ و در دﯾﻮدﻫـﺎی ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ‬
‫ژرﻣﺎﻧﯿﻢ ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ ‪ 100‬ﻧﺎﻧﻮ آﻣﭙﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻧﻮﯾـﺰ ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣـﯽ ‪ :‬اﯾـﻦ ﻧﻮﯾـﺰ ﻧﺎﺷـﯽ از ﻣﺎﻫﯿـﺖ اﺗﻔﺎﻗـﯽ ﺗﻮﻟـﯿﺪ و درﯾﺎﻓﺖ ﻓﺘﻮاﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎ در زﻣﺎن وﺟﻮد ﯾﮏ‬
‫ﺳﯿﮕﻨﺎل ﻧﻮری روی دﯾﻮد ﻧﻮری ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﯾﻦ ﭘﺪﯾﺪه ﻫﺎی اﺗﻔﺎﻗﯽ از ﻓﺮآﯾﻨﺪ ﭘﻮاﺳﻦ ﭘﯿﺮوی ﻣﯽ ﮐﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫ﻧﻮﯾﺰ ﺣﺮارﺗﯽ ‪ :‬ﻧﻮﯾﺰ ﺣﺮارﺗﯽ ﯾﺎ ﻧﻮﯾﺰ ﺟﺎﻧﺴﻮن ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﮐﻪ از ﻧﺎﻣﺶ ﭘﯿﺪاﺳﺖ ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺮ اﺛﺮ ﺗﻮﻟﯿﺪ‬
‫ﺣﺎﻣﻞ در اﺛﺮ دﻣﺎ اﯾﺠﺎد ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﻧﻮﯾﺰ اﺿﺎﻓﯽ‪ :‬ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺗﮑﺜﯿﺮ در ‪ APD‬ﮐﻪ ﻣﻨﺸﺄ ﺑﻬﺮه داﺧﻠﯽ در آن اﺳﺖ ﻓﺮاﯾﻨﺪی ﺗﺼﺎدﻓﯽ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ و ﺳﺒﺐ‬
‫ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻧﻮﯾﺰ اﺿﺎﻓﯽ در اﯾﻦ ﻧﻮع آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪ -4‬ﻣﻮاد ﺑﮑﺎر رﻓﺘﻪ در آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی ]‪[1‬‬

‫ﭘﺎﺳﺨﮕﻮﯾﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری ﺑﻮﺳﯿﻠﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﻧﻮع ﻣﺎده ﺳﺎزﻧﺪه آن ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮای ﯾﮏ دﯾﻮد‬
‫ﻧﻮری ‪ ،‬ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﻣﻨﺎﺳﺐ و ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ﺑﺰرگ ‪ ،‬در ﻣﺎده ای ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ ﮐﻪ در ﺑﻠﻨﺪﺗﺮﯾﻦ ﻃﻮل‬
‫ﻣﻮج ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ دارای ﺷﮑﺎف اﻧﺮژی ﮐﻤﺘﺮ از اﻧﺮژی ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﯾﻦ ﺷﺮط ‪ ،‬ﻋﻼوه ﺑﺮ دﺳﺘﯿﺎﺑﯽ ﺑﻪ ﯾﮏ‬
‫ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ﺑﺰرگ و ﭘﺎﺳﺦ ﺳﺮﯾﻊ‪ ،‬ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮏ را ﻧﯿﺰ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽ دﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺮای آﺷﮑﺎرﺳﺎزی ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻃﯿﻔﯽ ﺑﯿﻦ ‪ 800 nm‬ﺗﺎ ‪ ،900nm‬ﻣﻮاد ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ ﻣﺜﻞ‪،InGaAs ، GaAs،Ge ،Si‬‬
‫‪ InGaAsP‬ﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﻔﺎده اﻧﺪ‪ .‬ﺳﯿﻠﯿﮑﻮن ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺗﮑﻨﻮﻟﻮژی ﺑﺴﯿﺎر ﭘﯿﺸﺮﻓﺘﻪ اش ﺑﺪﻟﯿﻞ اﯾﻨﮑﻪ ﮐﻤﺘﺮﯾﻦ‬
‫اﻓﺰاﯾﺶ ﻧﻮﯾﺰ ﺑﻬﻤﻨﯽ را دارد ﺑﻪ ﻃﻮرﮔﺴﺘﺮده ای ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﯽ ﮔﯿﺮد‪.‬‬
‫در ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺑﺎﻻﺗﺮ از ‪ ، 1 µm‬ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ‪ ، Si‬ﺧﯿﻠﯽ ﮐﻢ اﺳﺖ زﯾﺮا ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎ ‪ ،‬اﻧﺮژی ﮐﺎﻓﯽ ﺑﺮای‬
‫ﺗﺤﺮﯾﮏ اﻟﮑﺘﺮون از ﺑﺎﻧﺪ ﻇﺮﻓﯿﺖ ﺑﻪ ﺑﺎﻧﺪ ﻫﺪاﯾﺖ را ﻧﺪارﻧﺪ‪ .‬از اﯾﻦ رو ﻣﻮاد دﯾﮕﺮی ﺑﺎ ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ زﯾﺎد ‪،‬‬
‫ﺑﺮای ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ‪ 1-1/65 µm‬ﻋﺮﺿﻪ ﺷﺪه اﻧﺪ ﮐﻪ از اﯾﻦ ﻣﯿﺎن ﻣﯽ ﺗﻮان ﺑﻪ ‪،InGaAsP، InP ، Ge‬‬
‫‪ HgCdTe ،GaAlAsSb ،GaAlSb ،GaAlSb‬و ‪ InGaAs‬اﺷﺎره ﮐﺮد‪ .‬ژرﻣﺎﻧﯿﻢ در ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ‪ 1‬ﺗﺎ‬
‫‪ 1/55‬ﻣﯿﮑﺮوﻣﺘﺮ دارای ﺿﺮﯾﺐ ﺟﺬب ﺑﺰرگ )ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ" ﺑﺮاﺑﺮ ‪ (104cm-1‬اﺳﺖ و ﺑﺮای آﺷﮑﺎرﺳﺎزی ﻃﻮل‬
‫ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺑﻠﻨﺪ‪ ،‬اﯾﺪه آل اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻫﺮﭼﻨﺪ دﯾﻮدﻫﺎی ﻧﻮری ژرﻣﺎﻧﯿﻮﻣﯽ ﺣﺴﺎس و ﺳﺮﯾﻊ ﻫﺴﺘﻨﺪ اﻣﺎ ﺑﺪﻟﯿﻞ داﺷﺘﻦ ﻧﺴﺒﺖ ﻧﺮخ ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن ﺣﺎﻣﻞ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ‪ ، 2‬ﺿﺮﯾﺐ اﺿﺎﻓﯽ ﻧﻮﯾﺰ ﺑﺰرﮔﯽ در اﻓﺰاﯾﺶ ﺑﻬﻤﻨﯽ دارﻧﺪ‪ .‬ﺷﮑﺎف ﺑﺎﻧﺪ ﮐﻮﭼﮑﺘﺮ ‪ Ge‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ Si‬و‬

‫‪16‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮏ ﺑﺴﯿﺎر ﺑﺰرﮔﺘﺮ آن ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺑﻬﻤﻨﯽ را ﻣﺤﺪود ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﻫﻤﻪ اﯾﻦ ﻣﺤﺪودﯾﺘﻬﺎ ‪ ،‬دﯾﻮدﻫﺎی‬
‫ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ ‪ ، Ge‬ﮐﺎرﮐﺮد ﻣﻮﻓﻘﯽ در ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺑﻠﻨﺪ داﺷﺘﻪ اﻧﺪ‪.‬‬
‫ﻋﻼوه ﺑﺮ ‪ ، Ge‬اﻧﻮاع دﯾﮕﺮی از آﻟﯿﺎژﻫﺎی ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی ‪ V-III‬ﻧﻈﯿﺮ ‪،InGaAs ، GaAsSb ، InGaAsP‬‬
‫‪ GaSb‬و ‪ GaAsSb‬ﺑﺮای ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﺑﻠﻨﺪ ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﻧﺪ‪ .‬دﻻﯾﻞ ﻣﺘﻌﺪدی ﺑﺮای ﺑﺮرﺳﯽ‬
‫اﯾﻦ آﻟﯿﺎژﻫﺎ وﺟﻮد دارد‪ :‬ﭼﻮن ﺷﮑﺎف اﻧﺮژی اﯾﻦ آﻟﯿﺎژﻫﺎ ﺑﻪ ﺗﺮﮐﯿﺐ ﻣﻮﻟﮑﻮﻟﯽ آﻧﻬﺎ واﺑﺴﺘﻪ اﺳﺖ ﻟﺬا ﺑﺎ ﺗﻐﯿﯿﺮ‬
‫ﻏﻠﻈﺘﻬﺎی ﻣﻮﻟﮑﻮﻟﯽ اﺟﺰای ﻣﺘﺸﮑﻞ آﻧﻬﺎ ﻣﯽ ﺗﻮان ﺿﺮﯾﺐ ﺟﺬب ﻧﻮر را در ﺑﻠﻨﺪﺗﺮﯾﻦ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﻮرد ﻧﯿﺎز‬
‫اﻧﺘﺨﺎب ﮐﺮد‪ .‬ﺑﺪﯾﻦ ﺗﺮﺗﯿﺐ آﺷﮑﺎرﺳﺎزی ﺑﺎ ﺑﺎزده ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ﺑﺰرگ ‪ ،‬ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ دﻫﯽ ﻣﻨﺎﺳﺐ و ﺟﺮﯾﺎن‬
‫ﺗﺎرﯾﮏ ﮐﻢ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ‪ .‬دﻟﯿﻞ دﯾﮕﺮ ﺑﺮای ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﭼﻨﯿﻦ آﻟﯿﺎژﻫﺎﯾﯽ ﭘﯿﺪا ﮐﺮدن ﻣﺎده ای اﺳﺖ ﮐﻪ‬
‫ﻧﺮﺧﻬﺎی ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن اﻟﮑﺘﺮون وﺣﻔﺮه اش ‪ ،‬ﺗﻔﺎوت ﺑﺰرﮔﯽ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﻣﺘﺎﺳﻔﺎﻧﻪ ﻧﺴﺒﺘﻬﺎی ﺗﻮزﯾﻦ ﺷﺪه‬
‫ﻧﺮخ ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن در ﮐﻠﯿﻪ ﻣﻮاد ‪ V-III‬ﮐﻤﺘﺮ از ﺳﯿﻠﯿﮑﻮن اﺳﺖ ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺑﻬﺮه ﺑﻬﻤﻨﯽ ﻣﺤﺪودی ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽ‬
‫آﯾﺪ]‪.[2‬‬
‫اﻧﻌﮑـﺎس ﻧﻮر از ﺳﻄﺢ ﻣﺸﺘﺮک ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی و ﻫﻮا ﭘﺪﯾﺪه ﻧﺎﻣﻄﻠﻮﺑﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﮐﺎﻫﺶ ﺟﺬب ﻧﻮر و در‬
‫ﻧﺘـﯿﺠﻪ ﮐـﺎﻫﺶ ﺟـﺮﯾﺎن ﺧﺮوﺟـﯽ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل در ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻌﻤﻮﻟﯽ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ‪ GaAs‬ﺣﺪود ‪30‬‬
‫درﺻـﺪ ﻧـﻮر ﺗﺎﺑـﯿﺪه ﺷـﺪه اﻧﻌﮑـﺎس ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﺑﺮای ﮐﺎﻫﺶ اﻧﻌﮑﺎس ﻧﻮر ‪ ،‬ﯾﮏ ﻻﯾﻪ ﺿﺪ اﻧﻌﮑﺎس )‪ (AR‬ﺑﺮ‬
‫روی ﺳـﻄﺢ ﻧـﯿﻤﻪ ﻫـﺎدی ﻧﺸﺎﻧﺪه ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬راﯾﺞ ﺗﺮﯾﻦ ﭘﻮﺷﺶ ‪ SiO2 ، AR‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ اﻧﻌﮑﺎس ﻧﻮر را ﺗﺎ‬
‫ﺣﺪود ‪ 6‬درﺻﺪ ﻧﻮر ﺗﺎﺑﯿﺪه ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽ دﻫﺪ]‪.[7‬‬

‫‪ -5‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی وﯾﮋه ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ﻋﻤﺪﺗﺎً آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی ﻣﯽ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬از ﻣﯿﺎن اﯾﻦ‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ‪ APD ،‬ﮐﺎرﺑﺮد وﺳﯿﻌﺘﺮی دارد‪ .‬ﻣﻬﻤﺘﺮﯾﻦ ﻣﺰﯾﺖ ‪ APD‬داﺷﺘﻦ ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن اﺳﺖ ‪ ،‬وﺟﻮد‬
‫ﺑﻬﺮه ﺳﺒﺐ ﻣﯽ ﺷﻮد ﺗﺎ در ﺧﺮوﺟﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺟﺮﯾﺎن ﺑﯿﺸﺘﺮی از ﺣﺎﻣﻞ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﯿﻢ ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ‬
‫ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻧﻮری ﺑﺎﻻ ﻣﯽ رود ﮐﻪ اﯾﻦ اﻣﺮ ‪ ،‬ﻣﻄﻠﻮب ﻣﺎﺳﺖ‪ APD .‬از ﻟﺤﺎظ ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺨﮕﻮﯾﯽ وﺑﺎﻧﺪ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﻧﯿﺰ وﺿﻌﯿﺖ ﻣﻄﻠﻮﺑﯽ دارد ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﯾﮕﺮ ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺨﮕﻮﯾﯽ اﯾﻦ دﯾﻮد ﺑﻪ ﭘﺎﻟﺲ ﻧﻮری‬
‫ﺑﺎﻻﺳﺖ‪ .‬ﻣﺸﮑﻠﯽ ﮐﻪ ﺷﺎﯾﺪ ﺑﺮای ‪ APD‬ﺗﺼﻮر ﺷﻮد ﻧﻮﯾﺰ زﯾﺎد ﻧﺎﺷﯽ از ﺿﺮب ﺑﻬﻤﻨﯽ دﯾﻮد اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪17‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎی ﺟﺪﯾﺪی ﻣﺜﻞ‪ SL-APD‬اﯾﻦ ﻣﺸﮑﻞ را ﺑﺮﻃﺮف ﮐﺮده اﻧﺪ ‪ ،‬اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻪ دﻟﯿﻞ ﺷﯿﺐ زﯾﺎد‬
‫ﻧﻮار اﻧﺮژی در ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺎﯾﺎس ‪ ،‬ﻗﺪرت ﺗﮑﺜﯿﺮ ﯾﮏ ﻧﻮع ﺣﺎﻣﻞ )اﻟﮑﺘﺮون( را زﯾﺎد ﻣﯽ ﮐﻨﺪ و ﺟﺮﯾﺎﻧﯽ ﮐﻪ از‬
‫ﯾﮏ ﻧﻮع ﺣﺎﻣﻞ ﻏﺎﻟﺐ ﺗﺸﮑﯿﻞ ﺷﻮد ﻧﻮﯾﺰ ﮐﻤﺘﺮی ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺘﺸﮑﻞ از دو ﻧﻮع ﺣﺎﻣﻞ دارد‪ .‬وﻟﺘﺎژ‬
‫ﺑﺎﯾﺎس ﺑﺎﻻی اﯾﻦ دﯾﻮد ﻣﻬﻤﺘﺮﯾﻦ ﻣﺸﮑﻞ آن اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮای داﺷﺘﻦ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﻗﻮی ﮐﻪ ﺑﺘﻮاﻧﺪ ﺗﮑﺜﯿﺮ‬
‫ﺑﻬﻤﻨﯽ را ﺑﺎﻋﺚ ﺷﻮد وﻟﺘﺎژ ﺑﺰرﮔﯽ ﻧﯿﺎز اﺳﺖ ﻟﺬا ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﯽ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ اﺳﺖ وﮐﺎر ﺑﺎ اﯾﻦ دﯾﻮد ﻣﺴﺘﻠﺰم‬
‫اﺣﺘﯿﺎط ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﭽﯿﺪه ‪ APD‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﯾﺮ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی ﻣﺜﻞ ‪ PIN‬و ‪ MSM‬از ﻣﻌﺎﯾﺐ اﯾﻦ‬
‫دﯾﻮد ﺑﻪ ﺷﻤﺎر ﻣﯽ رود‪ .‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻫﺮﭼﻪ ﺳﺎﺧﺖ ﯾﮏ ﻗﻄﻌﻪ ﺳﺎده ﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ ‪ ،‬ﻗﯿﻤﺖ آن ﮐﻤﺘﺮ اﺳﺖ‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﻗﯿﻤﺖ ﺑﯿﺸﺘﺮ ‪ ، APD‬ﯾﮏ ﻋﯿﺐ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ اﯾﻦ ﺣﺎل ﮐﺎرﺑﺮدیﺗﺮﯾﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻫﻨﻮز‬
‫‪ APD‬اﺳﺖ و ﻣﺰاﯾﺎی آن ﺑﺎﻋﺚ ﺷﺪه ﮐﻪ ﻣﻌﺎﯾﺒﺶ ﮐﻢ رﻧﮓ ﺟﻠﻮه ﮐﻨﺪ و ﺑﺼﻮرت ﮔﺴﺘﺮده ای ﺑﮑﺎر رود‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﭘﯿﺸﺮﻓﺘﻬﺎﯾﯽ ﮐﻪ در ﺳﺎﻟﻬﺎی اﺧﯿﺮ ﺑﻮﺟﻮد آﻣﺪه ﭘﯿﺶ ﺑﯿﻨﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد در آﯾﻨﺪه ﻧﯿﺰ ﮐﺎرﺑﺮد اﯾﻦ‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎز وﺳﯿﻊ و ﻓﺮاﮔﯿﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫دﯾﻮد ‪ PIN‬اﻧﺘﺨﺎب ﺑﻌﺪی اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺑﻬﺮه داﺧﻠﯽ ﻧﺪارد ﻟﺬا ﻣﯽ ﺗﻮان ﭘﯿﺶ ﺑﯿﻨﯽ ﮐﺮد ﮐﻪ‬
‫ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﮔﯿﺮﻧﺪه ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه ﺑﺎ ‪ PIN‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ APD‬ﮐﻤﺘﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻧﻮﯾﺰ اﯾﻦ دﯾﻮد ﺑﺠﺰ ‪ MSM‬از ﺑﻘﯿﻪ‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﮐﻤﺘﺮ اﺳﺖ ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﮔﺮﭼﻪ ‪ PIN‬ﺑﻬﺮه داﺧﻠﯽ ﻧﺪارد اﻣﺎ ﻧﻮﯾﺰ آن ﮐﻢ اﺳﺖ وﻫﻤﯿﻦ اﻣﺮ ﮐﺎرﺑﺮد‬
‫آن را ﻣﻄﻠﻮب ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺨﮕﻮﯾﯽ اﯾﻦ دﯾﻮد زﯾﺎد اﺳﺖ‪.‬‬
‫از ﻟﺤﺎظ ﺑﺎﻧﺪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ وﺿﻌﯿﺖ دﯾﻮد ‪ PIN‬ﺑﻬﺘﺮ اﺳﺖ ﭼﻮن در ‪ APD‬ﺑﻪ دﻟﯿﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﭽﯿﺪه ﺗﺮ‪،‬‬
‫ﺧﺎزﻧﻬﺎی ﺑﯿﺸﺘﺮ وﺑﺰرﮔﺘﺮی ﺧﻮاﻫﯿﻢ داﺷﺖ وﻫﻤﯿﻦ اﻣﺮ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﯽ ﺷﻮد ﺑﺎﻧﺪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ‪ APD‬ﮐﻤﺘﺮ از ‪PIN‬‬
‫ﺷﻮد‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﯾﺎس ‪ PIN‬ﮐﻮﭼﮏ اﺳﺖ ﮐﻪ اﯾﻦ ﻣﺰﯾﺘﯽ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ APD‬ﻣﺤﺴﻮب ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬در ﺿﻤﻦ‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ PIN‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ APD‬ﺳﺎده ﺗﺮ ﺑﻮده و ﻗﯿﻤﺖ آن ﮐﻤﺘﺮ اﺳﺖ ‪.‬‬
‫آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ‪ MSM‬دارای ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﺎده ﺗﺮی ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ PIN‬و ‪ APD‬اﺳﺖ ‪ ،‬درواﻗﻊ اﯾﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎز‬
‫ازﯾﮏ ﻗﻄﻌﻪ ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی و دو ﮐﻨﺘﺎﮐﺖ ﺷﺎﺗﮑﯽ ﺗﺸﮑﯿﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ دﻟﯿﻞ اﯾﻨﮑﻪ ﻫﻤﻮاره ﯾﮑﯽ از ﮐﻨﺘﺎﮐﺘﻬﺎ‬
‫ﺑﺼﻮرت ﻣﻌﮑﻮس ﺑﺎﯾﺎس ﻣﯽ ﺷﻮد ﻧﻮﯾﺰ ‪ MSM‬ﮐﻢ اﺳﺖ ﺣﺘﯽ در ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﺎ ‪ PIN‬ﻧﻮﯾﺰ ﮐﻤﺘﺮی دارد‪،‬‬
‫ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺨﮕﻮﯾﯽ آن ﺑﺎﻻﺳﺖ وﭘﻬﻨﺎی ﺑﺎﻧﺪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﺧﻮﺑﯽ دارد ﭼﺮا ﮐﻪ ﺧﺎزﻧﻬﺎی ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﯿﻦ ﻓﻠﺰ وﻧﯿﻤﻪ‬

‫‪18‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻫﺎدی ﺑﻪ دﻟﯿﻞ ﻏﻠﻈﺖ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﯽ ﮐﻢ ‪ ،‬ﮐﻮﭼﮏ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ MSM .‬ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ‪ PIN‬ﺑﻬﺮه داﺧﻠﯽ ﻧﺪارد وﺣﺴﺎﺳﯿﺖ‬
‫ﮔﯿﺮﻧﺪه آن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ APD‬ﮐﻤﺘﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫در ﺟﺪول ‪ 2‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ اﻧﻮاع آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﺑﻪ اﺧﺘﺼﺎر آﻣﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺟﺪول‪ :2‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ اﻧﻮاع آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪MSM‬‬ ‫‪PIN‬‬ ‫‪PIN-Pre AMP‬‬ ‫‪APD‬‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﺴﯿﺎر ﺳﺎده‪،‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﮐﺎر ﮐﻢ‪،‬‬ ‫وﻟﺘﺎژ ﮐﺎر ﮐﻢ‪،‬‬ ‫ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن‪،‬‬ ‫ﻣﺰاﯾﺎ‬
‫ﻧﻮﯾﺰ ﮐﻤﺘﺮ از ‪ APD‬و‬ ‫ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ ﮐﻢ‪،‬‬ ‫ﻧﻮﯾﺰ ﮐﻢ‪،‬‬ ‫ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﺑﯿﺸﺘﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
‫ﻧﻮﯾﺰ ﮐﻢ‪،PIN ،‬‬ ‫ﺗﻘﻮﯾﺖ ﺳﯿﮕﻨﺎل‬ ‫‪،PIN‬‬
‫ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ و ﺑﺎﻧﺪ‬ ‫ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ و ﺑﺎﻧﺪ‬ ‫ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ و ﺑﺎﻧﺪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ زﯾﺎد‬ ‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﺑﻬﺘﺮ از‪، APD‬‬ ‫ﻣﻨﺎﺳﺐ‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﺎده ﺗﺮ و ﻗﯿﻤﺖ‬
‫ﮐﻤﺘﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪APD‬‬
‫ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﮐﻢ‪،‬‬ ‫ﭘﯿﭽﯿﺪﮔﯽ ﺳﺎﺧﺖ )ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﮐﻢ‪،‬‬ ‫ﻧﻮﯾﺰ زﯾﺎد‪،‬‬ ‫ﻣﻌﺎﯾﺐ‬
‫ﺑﺪون ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن‬ ‫ﺑﺪون ﺑﻬﺮه ﺟﺮﯾﺎن‪،‬‬ ‫ﺳﺎزی ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﺗﻘﻮﯾﺖ‬ ‫ﺟﺮﯾﺎن ﻧﺸﺘﯽ زﯾﺎد‪،‬‬
‫ﮐﻨﻨﺪه(‬ ‫ﻧﯿﺎز ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﮐﺎر زﯾﺎد‪،‬‬
‫ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ زﯾﺎد ﺑﻪ دﻣﺎ‪،‬‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﭽﯿﺪه‪ ،‬ﻗﯿﻤﺖ زﯾﺎد‬

‫‪ -1-5‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﭼﻨﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری ﺗﺠﺎری]‪ [8‬و ]‪[10‬‬

‫در ﺟﺪول ‪ 3‬ﻣﺸﺨﺼﺎت ﭼﻨﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺠﺎری ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻧﻮری ﺳﺎﺧﺖ ﺷﺮﮐﺘﻬﺎی ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺎ ﻫﻢ ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺷﺪه‬
‫اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪19‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺟﺪول‪ :3‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﭼﻨﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻧﻮری‬

‫‪Agere‬‬ ‫‪Agere‬‬ ‫‪JDS‬‬ ‫‪Alcatel‬‬ ‫‪Fujitsu‬‬

‫‪R768‬‬ ‫‪R2860D‬‬ ‫‪ERM 598‬‬ ‫‪1915DMO‬‬ ‫‪FRM5J143DS‬‬
‫‪Type‬‬ ‫‪Receiver with‬‬ ‫‪PIN with HBT‬‬ ‫‪InGaAs APD‬‬ ‫‪InGaAs PIN‬‬ ‫‪InGaAs‬‬
‫‪PIN‬‬ ‫‪Preamplifier‬‬ ‫‪with AGC‬‬ ‫‪with SiGe Pre-‬‬ ‫‪PIN/Preamp‬‬
‫‪Amp‬‬
‫‪Voltage‬‬ ‫‪5V‬‬ ‫‪8.0 V‬‬ ‫‪20~40V, -7 V‬‬ ‫‪-5 V‬‬ ‫‪-5 V‬‬
‫‪Supply‬‬
‫‪Current‬‬ ‫‪70 mA‬‬ ‫‪110 mA‬‬ ‫‪173 mA‬‬ ‫‪90 mA‬‬ ‫‪110 mA‬‬
‫‪Supply‬‬
‫‪Bit rate‬‬ ‫‪40 Gbps‬‬ ‫‪10 Gbps‬‬ ‫‪10 Gbps‬‬ ‫‪10 Gbps‬‬ ‫‪10 Gbps‬‬
‫‪Optical‬‬
‫‪Wavelength‬‬ ‫‪1480~1617nm‬‬ ‫‪1280~1580nm‬‬ ‫‪1300~1575nm‬‬ ‫‪1260~1580nm‬‬ ‫‪1310~1550nm‬‬
‫‪Range‬‬

‫‪Responsivity‬‬ ‫‪0.65 A/W‬‬ ‫‪0.8 A/W‬‬ ‫‪0.7 A/W‬‬ ‫‪0.85 A/W‬‬ ‫‪0.85 A/W‬‬

‫‪Dark Current‬‬ ‫‪10 nA‬‬ ‫‪1.0 nA‬‬ ‫‪5nA at M=9,25°C‬‬ ‫‪1.0 nA‬‬ ‫‪1.0 nA‬‬
‫‪150nA at M=9,70°C‬‬
‫‪Optical‬‬ ‫‪-30 dB‬‬ ‫‪-27 dB‬‬ ‫‪-27 dB‬‬ ‫‪-35 dB‬‬ ‫‪-27 dB‬‬
‫‪Return Loss‬‬

‫‪ -6‬ﺗﮑﻨﻮﻟﻮژی ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری‬

‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮری دارای ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻏﯿﺮﻫﻤﺠﻨﺲ دﯾﻮدی ﻣﯽ ﺑﺎﺷﻨﺪ ﮐﻪ ﺗﻌﺪاد‪ ،‬ﻧﺤﻮه‬
‫ﭼﯿﻨﺶ ﻻﯾﻪ ﻫﺎ و ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎی ﻓﯿﺰﯾﮑﯽ و اﺑﻌﺎد آﻧﻬﺎ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻋﻤﻠﮑﺮد ﻣﻄﻠﻮب‪ ،‬ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‬
‫ﻫﺮﭼﻨﺪ ﻋﻤﻠﮑﺮد و ﻣﺒﺎﻧﯽ ﻓﯿﺰﯾﮑﯽ رﻓﺘﺎرآﻧﻬﺎ ﻣﺘﻔﺎوت ﻣﯽ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬ﺗﮑﻨﻮﻟﻮژی ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎ و ﻣﻨﺎﺑﻊ‬
‫ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ازﻧﻈﺮ ﻣﺮاﺣﻞ و ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﻫﺎی ﺳﺎﺧﺖ ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎ وﺟﻮد اﯾﻦ‪ ،‬ﺑﺮﺧﯽ ﺗﻔﺎوت‬
‫ﻫﺎ در ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ آﻧﻬﺎ ﻧﺎﺷﯽ از ﺗﻔﺎوت ﻧﺎﺣﯿﻪ ﮐﺎرﮐﺮد ﻗﻄﻌﻪ )ﮐﺎرﮐﺮد ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮری در ﺑﺎﯾﺎس ﻣﺘﻘﯿﻢ و‬
‫ﺗﺰرﯾﻖ ﺷﺪﯾﺪ و ﮐﺎرﮐﺮد آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﻮری در ﺑﺎﯾﺎس ﻣﻌﮑﻮس و ﺗﺰرﯾﻖ ﺿﻌﯿﻒ( و ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎی ﺧﺮوﺟﯽ‬
‫ﻣﺘﻔﺎوت )ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎی ﺧﺮوﺟﯽ ﻧﻮری در ﻣﻨﺒﻊ ﻧﻮر و ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎی ﺧﺮوﺟﯽ اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ در آﺷﮑﺎرﺳﺎز‬
‫ﻧﻮری( ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺮای ﻧﻤﻮﻧﻪ رﺷﺪ ﻻﯾﻪ ﻫﺎی ﻓﻌﺎل ﻋﺎری از ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﯽ‪ ،‬اﺑﻌﺎد ﮐﻮﭼﮏ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻓﻌﺎل و‬
‫ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮی ﻻﯾﻪ ﻫﺎی ﻋﺎﯾﻖ ﻋﺎری از ﺟﺮﯾﺎن ﻫﺎی ﻧﺸﺘﯽ ﺑﻄﻮر ﻧﺴﺒﯽ ﻣﻮﺟﺐ ﺣﺴﺎﺳﺘﺮ ﺷﺪن ﮐﻨﺘﺮل ﻓﺮاﯾﻨﺪ‬
‫ﺳﺎﺧﺖ وﯾﻔﺮ و ﺗﺮاﺷﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﻮری ﻣﯽ ﺷﻮد و ﺣﺬف واﺑﺴﺘﮕﯿﻬﺎی ﺣﺮارﺗﯽ ﻋﻤﻠﮑﺮد و ﻣﺸﺨﺼﻪ‬
‫ﻫﺎی ﺧﺮوﺟﯽ آﻧﻬﺎ ﻣﻮﺟﺐ ﺳﻬﻮﻟﺖ ﻧﺴﺒﯽ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪول آﻧﻬﺎ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪.‬‬

‫‪20‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ وﯾﮋﮔﯿﻬﺎی ﻋﻤﻠﮑﺮدی آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ‪ ،‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﮐﻮاﻧﺘﻤﯽ و‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﺳﯿﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﯾﺰ ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺗﺮاﺷﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﻮری دارای ﺳﻪ ﻧﻮع ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﺎﯾﻪ ‪ MSM ، PIN‬و‬
‫‪ APD‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻫﺎی ﻣﻌﻤﻮﻟﯽ ‪ ،‬ﮐﺎواک ﻧﻮﺳﺎﻧﮕﺮ‪ ) 1‬ﮐﻪ در آﻧﻬﺎ ﺳﯿﮕﻨﺎل ورودی ﻋﻤﻮد ﺑﺮ‬
‫ﺳﻄﺢ ﻓﻌﺎل ﺗﺎﺑﯿﺪه ﻣﯽ ﺷﻮد( و ﻣﻮج روﻧﺪه‪ ) 2‬ﮐﻪ در آن ﺳﯿﮕﻨﺎل ورودی ﻣﻮازی ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻓﻌﺎل ﺗﺎﺑﯿﺪه ﻣﯽ‬
‫ﺷﻮد( ﺳﺎﺧﺘﻪ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺗﺮ ﮐﯿﺐ و ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺪون ﺑﻬﺮه ‪ PIN‬و ‪ MSM‬ﺑﺎ‬
‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرﻫﺎی ﺳﺮﯾﻊ ‪ HEMT‬و ‪ HBT‬ﻧﯿﺰ از ﻧﻈﺮ ﻓﻨﯽ ﺑﻪ ﺳﻬﻮﻟﺖ اﻣﮑﺎن ﭘﺬﯾﺮ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺗﻨﻮع اﯾﻦ ﻗﻄﻌﺎت‬
‫ﺑﺎ در ﻧﻈﺮﮔﺮﻓﺘﻦ روﺷﻬﺎی ﻣﺘﻨﻮع ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻨﺪی آﻧﻬﺎ دو ﭼﻨﺪان ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬از آﻧﺠﺎ ﮐﻪ ﺻﺮﻓﻨﻈﺮ از ﺗﻨﻮع آﺷﮑﺎر‬
‫ﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ آﻧﻬﺎ ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬اﯾﻦ ﮔﺰارش روﻧﺪ ﻋﻤﻮﻣﯽ ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز‬
‫ﻧﻮری ﺑﺎ ﺑﺮرﺳﯽ ﻧﻤﻮﻧﻪ ای اﯾﻦ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ﺑﺮﺧﯽ از آﻧﻬﺎ ﺑﺮرﺳﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﻣﺒﺎﻧﯽ ﻓﻨﯽ و ﻋﻠﻤﯽ روﺷﻬﺎی‬
‫ﺳﺎﺧﺖ در ﮔﺰارش " ﻣﻨﺎﺑﻊ ﻧﻮر در ﺳﯿﺴﺘﻤﻬﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری" ﺑﺎ ﮐﺪ” ‪“EL 81SSOCD TRP201‬‬
‫ﺑﺮرﺳﯽ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ -1-6‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻋﻤﻮﻣﯽ ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎرﺳﺎز‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (13‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻋﻤﻮﻣﯽ ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﻮری ﺑﺎ ﺗﺰوﯾﺞ ﻓﯿﺒﺮ ﻧﻮری راﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪ .‬در ﻣﺮﺣﻠﻪ‬
‫رﺷﺪ وﯾﻔﺮ ﺳﺎﺧﺘﺎر روﻧﺸﺴﺘﯽ ﻏﯿﺮﻫﻤﺠﻨﺲ ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ آﻧﻬﺎ ﺑﻪ روش ﻫﺎی رﺷﺪ روﻧﺸﺴﺘﯽ ﺑﺎ اﺷﻌﻪ‬
‫ﻣﻮﻟﮑﻮﻟﯽ‪ 3‬و رﺷﺪ روﻧﺸﺴﺘﯽ از ﮔﺎزﻫﺎی آﻟﯽ‪-‬ﻓﻠﺰی‪ 4‬ﺗﻬﯿﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪- Resonant Cavity‬‬
‫‪2‬‬
‫‪- Traveling Wave‬‬
‫‪3‬‬
‫‪- Molecular Beam Epitaxy‬‬
‫‪4‬‬
‫‪- Metal Organic Chemical Vapour Epitaxy‬‬

‫‪21‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :13‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻋﻤﻮﻣﯽ ﺳﺎﺧﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﻮری ﺑﺎ ﺗﺰوﯾﺞ ﻓﯿﺒﺮ ﻧﻮری‬

‫ﻃـﺮﺣﻮاره ﺳـﺎﺧﺘﺎرﻫﺎی روﻧﺸﺴﺘﯽ ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﺳﻪ ﮔﺎﻧﻪ ‪ MSM ، PIN‬و ‪ APD‬در ﺷﮑﻞ)‪ (14‬ﻧﺸﺎن داده‬
‫ﺷـﺪه اﺳـﺖ ]‪ .[11‬ازآﻧﺠـﺎ ﮐﻪ ﺗﻌﯿﯿﻦ ﺳﻄﺢ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻓﻌﺎل ﺑﻪ روش ﺳﻮﻧﺶ‪ 1‬ﻣﻮﺟﺐ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﺮاﮐﺰ ﺑﺎزﺗﺮﮐﯿﺐ‬
‫ﺳـﻄﺤﯽ ودر ﻧﺘﯿﺠﻪ اﻓﺰاﯾﺶ ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ‪ 2‬آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻣﯽ ﮔﺮدد‪ ،‬در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﺎی ﭘﯿﺸﺮﻓﺘﻪ ﺑﺮای ﺳﺎﺧﺖ‬
‫ﺳـﺎﺧﺘﺎر روﻧﺸﺴﺘﯽ از روﺷﻬﺎی رﺷﺪ روﻧﺸﺴﺘﯽ اﻧﺘﺨﺎﺑﯽ‪ 3‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺷﮑﻞ)‪ (15‬ﺗﺼﻮﯾﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ای از‬
‫ﺳـﺎﺧﺘﺎر‪ InGaAs/InP‬ﮐﻪ ﺑﺎ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮی ﻣﺎﺳﮏ ‪ SiO2‬ﺑﻪ روش رﺷﺪ اﻧﺘﺨﺎﺑﯽ ﺗﻬﯿﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ‬
‫دﻫـﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ )‪ (16‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ای ﺗﺒﺪﯾﻞ وﯾﻔﺮ ﺑﻪ ﺗﻌﺪاد زﯾﺎدی ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﻤﮕﻮن را ﺑﺮای آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﻮری‬
‫‪ WG-PIN‬ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ ]‪.[12‬‬

‫‪1‬‬
‫‪- Etching‬‬
‫‪2‬‬
‫‪- Dark Current‬‬
‫‪3‬‬
‫‪- Selective Epitaxy Growth‬‬

‫‪22‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ب( ‪MSM‬‬ ‫اﻟﻒ( ‪PIN‬‬

‫ج( ‪APD‬‬
‫ﺷﮑﻞ‪ :14‬ﻃﺮﺣﻮاره ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎی روﻧﺸﺴﺘﯽ ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﺳﻪ ﮔﺎﻧﻪ ‪ MSM ، PIN‬و ‪[11 ] APD‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :15‬ﺗﺼﻮﯾﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ای از ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ InGaAs/InP‬ﮐﻪ ﺑﺎ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮی ﻣﺎﺳﮏ ‪ SiO2‬ﺑﻪ روش رﺷﺪ اﻧﺘﺨﺎﺑﯽ ﺗﻬﯿﻪ ﺷﺪه‬

‫اﺳﺖ ] ‪[12‬‬

‫‪23‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺑﺮاﯾﻦ اﺳﺎس‪ ،‬ﭘﺲ از ﺳﺎﺧﺖ وﯾﻔﺮ‪ ،‬در ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻓﺮآوری وﯾﻔﺮ‪] 1‬ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ)‪ (13‬ﻧﻮاﺣﯽ ﻓﻌﺎل اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ و‬
‫ﻧﻮری ﻃﯽ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﻫﺎی ﮐﺎﻣﻼ ﻣﻌﯿﻦ وﮐﻨﺘﺮل ﺷﺪه ﺑﺎ روﺷﻬﺎی ﻟﯿﺘﻮﮔﺮاﻓﯽ و ﺳﻮﻧﺶ‪ ،‬ﺷﮑﻞ دﻫﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺳﭙﺲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻻﯾﻪ ﻫﺎی ﻋﺎﯾﻖ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻻﯾﻪ ﺳﯿﻠﯿﮑﻦ ﻧﯿﺘﺮاﯾﺪ و ﭘﻠﯽ آﻣﯿﺪ ﻣﺴﯿﺮﻫﺎی اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﺮ‬
‫ﺳﻄﻮح ﺧﺎرﺟﯽ وﯾﻔﺮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪ .‬در اﯾﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻻﯾﻪ ﭘﻠﯽ آﻣﯿﺪ ﻋﻼوه ﺑﺮ ﻧﻘﺶ ﻋﺎﯾﻘﯽ ﻣﻮﺟﺐ‬
‫ﺗﺴﻄﯿﺢ ﻧﺎﻫﻤﻮارﯾﻬﺎی ﺑﻮﺟﻮد آﻣﺪه در ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺷﮑﻞ دﻫﯽ ﺗﺮاﺷﻪ ﻧﯿﺰ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺑﺮای ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی‬
‫ﻣﻌﻤﻮﻟﯽ و ﮐﺎواک ﻧﻮﺳﺎﻧﮕﺮ ﮐﻪ در آﻧﻬﺎ ﺳﯿﮕﻨﺎل ورودی ﺑﺮ ﺳﻄﺢ ﻻﯾﻪ ﻫﺎی روﻧﺸﺴﺘﯽ ﺗﺎﺑﯿﺪه ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ در‬
‫اﯾﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻻﯾﻪ ﻫﺎی ﺿﺪ ﺑﺎزﺗﺎب ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻻﯾﻪ ﻫﺎی رﺑﻊ ﻃﻮل ﻣﻮج آﻟﻮﻣﻨﯿﻢ ﻧﯿﺘﺮاﯾﺪ ﺑﺮ ﺳﻄﺢ ورودی‬
‫ﺗﺮاﺷﻪ ﻧﺸﺎﻧﺪه ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺪﻟﯿﻞ اﻓﺰاﯾﺶ ﺗﻘﺎﺿﺎ ﺑﺮای آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻫﺎی ﻧﻮری ﺑﺴﯿﺎر ﺳﺮﯾﻊ و ﺑﺴﯿﺎر ﺣﺴﺎس ﺟﻬﺖ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮی در ﺷﺒﮑﻪ‬
‫ﻫﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮ اﺗﯽ راه دور و ﻋﺪم ﮐﺎراﯾﯽ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﺗﮏ ﻋﻨﺼﺮی‪ ،‬ﻣﺠﺘﻤﻊ ﺳﺎزی آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻫﺎی‬
‫ﺳﺮﯾﻊ ‪ PIN‬و ‪ MSM‬و ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرﻫﺎی ﺳﺮﯾﻊ ‪ HEMT‬و ‪ HBT‬ﯾﮑﯽ ﻣﺒﺎﺣﺚ ﻣﻬﻢ در ﺗﮑﻨﻮﻟﻮژی‬
‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﻗﻄﻌﺎت ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﭘﺎﯾﻪ ﯾﺎ ﺑﺮ روی ﻫﻢ و ﯾﺎ در ﮐﻨﺎر‬
‫ﺳﺎﺧﺘﻪ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪- Wafer Processing‬‬

‫‪24‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :16‬ﻣﺮاﺣﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ای ﺗﺒﺪﯾﻞ وﯾﻔﺮ ﺑﻪ ﺗﻌﺪاد زﯾﺎدی ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﻤﮕﻮن را ﺑﺮای آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﻮری ‪[12 ] WG-PIN‬‬

‫ﺷﮑﻞ)‪ (17‬ﻃﺮﺣﻮاره ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﯾﯽ از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﺎی ﻏﯿﺮﻫﻤﺠﻨﺲ وﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﻣﺠﺘﻤﻊ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ ]‪[11‬‬
‫‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﮐﺎراﯾﯽ اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ ازﻧﻈﺮ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﺑﻬﺮه ﺗﺒﺪﯾﻞ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﺮﮐﺖ ﻫﺎی ﺳﺎزﻧﺪه و‬
‫ﺳﺎل ﮔﺰارش در ﺷﮑﻞ)‪ (18‬اراﺋﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ]‪.[11‬‬

‫‪25‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :17‬ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﯾﯽ از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﺎی ﻏﯿﺮﻫﻤﺠﻨﺲ و ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﻣﺠﺘﻤﻊ ] ‪[11‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :18‬ﮐﺎراﯾﯽ ﮔﯿﺮﻧﺪه ﻫﺎی ﻣﺠﺘﻤﻊ ﻧﻮری از ﻧﻈﺮ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ وﺑﻬﺮه ﺗﺒﺪﯾﻞ آﻧﻬﺎ ] ‪.[11‬‬

‫‪26‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ازآﻧﺠﺎ ﮐﻪ ﻣﻌﻤﻮﻻ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪول ﻗﻄﻌﺎت اﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﮏ ﻧﻮری اﺗﻮﻣﺎﺗﯿﮏ ﻧﻤﯽ ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ اﯾﻦ‬
‫ﻓﺮاﯾﻨﺪ زﻣﺎﻧﺒﺮ و ﭘﺮﻫﺰﯾﻨﻪ اﺳﺖ‪ ،‬ﭘﺲ از اﻧﺠﺎم ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻓﺮآوری وﯾﻔﺮ‪ ،‬ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﺳﺎﻟﻢ ﻃﯽ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺗﺴﺖ‬
‫اوﻟﯿﻪ ﻣﺸﺨﺺ وﻋﻼﻣﺖ ﮔﺬاری ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ )‪ (19‬ﻃﺮﺣﻮاره ﻧﻤﻮﻧﻪ ای از ﺳﯿﺴﺘﻢ ﺗﺴﺖ اوﻟﯿﻪ آﺷﮑﺎر‬
‫ﺳﺎزﻫﺎی ﺳﺮﯾﻊ ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ ]‪.[12‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :19‬ﻃﺮﺣﻮاره ﻧﻤﻮﻧﻪ ای ﺳﯿﺴﺘﻢ ﺗﺴﺖ اوﻟﯿﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﺳﺮﯾﻊ ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ] ‪.[12‬‬

‫ﭘﺲ از ﻓﺮاوری وﯾﻔﺮ و ﺗﻌﯿﯿﻦ ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﺳﺎﻟﻢ ‪ ،‬ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ)‪ (13‬ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺟﻬﺖ ﻧﺴﺒﯽ ﻣﯿﺴﺮ ﻧﻮر ورودی‬
‫و ﺟﻬﺖ ﭼﯿﻨﺶ ﻻﯾﻪ ﻫﺎ‪ ،‬ﻃﯽ ﻣﺮاﺣﻞ ﺧﻂ ﮔﺬاری‪ ، 1‬ﺑﺮش ﻃﺒﯿﻌﯽ‪ 2‬و ﺟﺪاﺳﺎزی‪ 3‬ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎ ازﻫﻢ ﺟﺪا ﻣﯽ‬
‫ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺟﺪاﺳﺎزی ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎی ﻣﻮج روﻧﺪه ﮐﻪ در آن ﺳﯿﮕﻨﺎل ورودی ﻣﻮازی ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻓﻌﺎل ﺗﺎﺑﯿﺪه ﻣﯽ ﺷﻮد‬
‫ﺑﻪ روش ﺑﺮش ﻃﺒﯿﻌﯽ ﺻﻮرت ﻣﯽ ﭘﺬﯾﺮد و ﻋﻼوه ﺑﺮاﯾﻦ در اﯾﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻻﯾﻪ ﻫﺎی ﺿﺪ ﺑﺎزﺗﺎب ﻧﻮری ﻧﯿﺰ ﺑﺮ‬
‫ﺳﻄﺢ ﻧﻮری ورودی ﻧﺸﺎﻧﺪه ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ)‪ (20‬ﻃﺮﺣﻮاره و ﺗﺼﻮﯾﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﯾﯽ از آﺷﮑﺎر ﻫﺎی ﻣﻮج‬
‫روﻧﺪه را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ)‪-20‬ب( ﺗﺼﻮﯾﺮ ﯾﮏ ﺟﻔﺖ ﺗﺮاﺷﻪ را ﻗﺒﻞ از ﺑﺮش ﻃﺒﯿﻌﯽ و ﺷﮑﻞ)‪-20‬ج(‬
‫ﻧﻤﺎی ﻧﺰدﯾﮏ ﯾﮑﯽ از اﯾﻦ ﺗﺮاﺷﻪ ﻫﺎ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺷﮑﻞ)‪-20‬د( ﺗﺮاﺷﻪ ﯾﮏ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﺑﺎ‬

‫‪1‬‬
‫‪- Scribing‬‬
‫‪2‬‬
‫‪- Cleaving‬‬
‫‪3‬‬
‫‪-Dicing‬‬

‫‪27‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ‪ 30‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ و ﺷﮑﻞ)‪-20‬ه( ﺗﺮاﺷﻪ ای ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ﻓﻌﺎل ‪ 10*4‬ﻣﯿﮑﺮﻣﺘﺮﻣﺮﺑﻊ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ‬
‫دﻫﻨﺪ‪.‬‬

‫)اﻟﻒ(‬

‫)ج(‬ ‫)ب(‬

‫)ه(‬ ‫)د (‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ : 20‬ﻃﺮﺣﻮاره وﺗﺼﻮﯾﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﯾﯽ از آﺷﮑﺎر ﻫﺎی ﻣﻮج روﻧﺪه] ‪.[12-13‬‬

‫‪28‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻋﻠﯿﺮﻏﻢ ﯾﮑﺴﺎن ﺑﻮدن ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﻫﺎی ﺳﺎﺧﺖ وﯾﻔﺮ و ﺗﺮاﺷﻪ‪ ،‬ﺟﺰﺋﯿﺎت اﯾﻦ ﻓﺮاﯾﻨﺪﻫﺎ و ﮐﺎراﯾﯽ و ﻋﻤﻠﮑﺮد‬
‫ﻗﻄﻌﺎت ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه ﺑﺴﺘﮕﯽ ﺑﻪ ﻧﻮع ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺟﻨﺲ ﻣﻮاد ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی دارد‪ .‬ﺑﺮای ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﺟﺪول)‪(4‬‬
‫ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ و ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎی ﺧﺮوﺟﯽ ﺑﺮای دو آﺷﮑﺎرﺳﺎز از ﺟﻨﺲ ‪ InGaAsP‬و ‪ InGaAlAs‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ‬
‫ﺷﺪه اﺳﺖ ]‪ .[12‬در اﯾﻦ ﺟﺪول ﻫﻤﺠﻨﯿﻦ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻫﺮﯾﮏ از ﻣﺮاﺣﻞ ﺳﺎﺧﺖ ﺑﺮ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺗﻮﻟﯿﺪ وﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎی‬
‫ﻋﻤﻠﮑﺮدی اﯾﻦ ﻗﻄﻌﺎت ﻧﯿﺰ اراﺋﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺟﺪول‪: 4‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ و ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎی ﺧﺮوﺟﯽ ﺑﺮای دو آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺟﻨﺲ ‪ InGaAsP‬و ‪[12 ] InGaAlAs‬‬

‫‪ -2-6‬ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻨﺪی و ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪول آﺷﮑﺎر ﺳﺎز‬

‫اﺳﺎﺳﯽ ﺗﺮﯾﻦ ﻧﻘﺶ ﻣﺤﻔﻈﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز اﯾﺠﺎد اﺗﺼﺎﻻت ﻧﻮری و اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﻪ ﺗﺮاﺷﻪ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺳﺎﺧﺖ‬
‫ﻣﺪول آﺷﮑﺎر ﺳﺎز در ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﺎ ﻣﺪول ﻟﯿﺰری‪ ،‬ﺗﻨﻬﺎ از ﻟﺤﺎظ اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ از ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﺑﯿﺸﺘﺮی‬
‫ﺑﺮﺧﻮردار اﺳﺖ زﯾﺮا ﺳﯿﮕﻨﺎل ﺧﺮوﺟﯽ اﻟﮑﺘﺮﯾﮏ ﺑﺴﯿﺎر ﺿﻌﯿﻒ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﻧﻮﯾﺰ ﻧﺎﺷﯽ از‬
‫ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺑﺎﯾﺪ ﺑﺴﯿﺎر ﮐﻢ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ)‪ (21‬ﻃﺮﺣﻮاره ﻣﺤﻔﻈﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز واﺟﺰائ اﺻﻠﯽ آن را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ‬
‫دﻫﺪ ]‪ .[14‬ﺗﺼﻮﯾﺮ اﻧﻮاع ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺪوﻟﻬﺎی آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﯿﺰ در ﺷﮑﻞ)‪ (22‬اراﺋﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪29‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :21‬ﻃﺮﺣﻮاره ﻣﺤﻔﻈﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز واﺟﺰائ اﺻﻠﯽ ] ‪.[14‬‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :22‬ﺗﺼﻮﯾﺮ اﻧﻮاع ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺪوﻟﻬﺎی آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ] ‪[14‬‬

‫‪30‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ازﻧﻈـﺮ ﺗـﺰوﯾﺞ ﻓﯿـﺒﺮ و ﺗﺮاﺷـﻪ ﻃﺮاﺣـﯿﻬﺎی ﻣﺨﺘﻠﻔـﯽ ازﻗﺒـﯿﻞ )‪ (1‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻋﺪﺳﯿﻬﺎ ﻣﺎﺑﯿﻦ ﻓﯿﺒﺮ و ﺗﺮاﺷﻪ‪(2) ،‬‬
‫ﻣﺠـﺘﻤﻊ ﺳـﺎزی ﻋﺪﺳـﯽ و ﺗﺮاﺷـﻪ و)‪ (3‬زاوﯾـﻪ دار ﮐـﺮدن ﺗﺮاﺷﻪ ﯾﺎ ﻓﯿﺒﺮ ﺑﺮای ﮐﺎﻫﺶ ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ وﺟﻮد دارد‪.‬‬
‫ﻋـﻼوه ﺑﺮاﯾـﻦ‪ ،‬اﺟـﺰائ دﯾﮕـﺮی ازﻗﺒـﯿﻞ ﻓﯿﻠـﺘﺮ ﺑـﺮای اﻧـﺘﺨﺎب ﻓـﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳـﯿﮕﻨﺎل ورودی و ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه‬
‫اﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﮑﯽ ﺑﺮای اﻓﺰاﯾﺶ درﺟﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎزی و ﺑﻬﺒﻮد ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻧﻮﯾﺰ ﻧﯿﺰ در درون ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺗﻌﺒﯿﻪ ﻣﯽ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬
‫ﺳـﻄﺢ ﻧﺎﺣـﯿﻪ ﻓﻌـﺎل ازﻣﺮﺗـﺒﻪ ﭼـﻨﺪ ده ﻣﯿﮑﺮوﻣـﺘﺮ ﻣـﺮﺑﻊ ﺗﺎ ﺟﻨﺪ ﺻﺪ ﻣﯿﮑﺮوﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ‬
‫واﺑﺴـﺘﮕﯽ ﭘﺎﺳـﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴـﯽ ﺑـﻪ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﺧﺎزﻧﯽ‪ ،‬در آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﺑﺴﯿﺎر ﺳﺮﯾﻊ ﺳﻄﺢ ﻓﻌﺎل ﺣﺘﯽ اﻻﻣﮑﺎن‬
‫ﮐﻮﭼـﮏ ﻣـﯽ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾـﻦ ﻃﺮاﺣـﯽ ﻧﻮری و ﻣﮑﺎﻧﯿﮑﯽ ﻣﺤﻔﻈﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﻧﺎﻇﺮ ﺑﻪ ﺟﻬﺖ دادن و اﻧﺘﻘﺎل‬
‫ﻫﺮﭼﻪ ﺑﯿﺸﺘﺮﻧﻮر از ﻓﯿﺒﺮ ﺑﻪ ﺗﺮاﺷﻪ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬از ﻃﺮف دﯾﮕﺮ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻨﮑﻪ ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺗﺎﺑﻊ ﻣﮑﺎن‬
‫ﺗـﺎﺑﺶ ﻧﻮر ﺑﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻓﻌﺎل ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ و ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﺑﻪ ﻧﻮرﻫﺎی ﺗﺎﺑﯿﺪه ﺷﺪه ﺑﺮ ﺧﺎرج ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻓﻌﺎل‪ ،‬در‬
‫آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﺳﺮﯾﻊ ﻣﺤﺪودﮐﺮدن ﺳﻄﺢ ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮر ﺑﻪ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻓﻌﺎل ﺿﺮوری اﺳﺖ‪.‬‬
‫از ﻃـﺮف دﯾﮕـﺮ ﺣﺬف ﻣﻮﻟﻔﻪ ﻫﺎی ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ ﺳﻄﺤﯽ ﺳﯿﮕﻨﺎل ورودی ﻣﻮﺟﺐ اﻓﺰاﯾﺶ ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ و ﮐﺎﻫﺶ‬
‫ﻧﻮﯾـﺰ آﺷـﮑﺎر ﺳﺎز ﻣﯽ ﮔﺮدد‪ .‬ﺑﺪﻟﯿﻞ ﺑﺰرگ ﺑﻮدن ﺿﺮﯾﺐ ﺷﮑﺴﺖ ﻣﺤﯿﻂ ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮر از ﺳﻄﺢ‬
‫آﻧﻬـﺎ زﯾـﺎد ﻣـﯽ ﺑﺎﺷـﺪ؛ ﺑﻄﻮرﻣـﺜﺎل ﻣﻮﻟﻔﻪ ﺑﺎزﺗﺎﺑﺸﯽ ﺑﺮای ﺳﯿﻠﯿﮑﻦ ‪ 35‬درﺻﺪ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ ﺑﺎ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮی ﻻﯾﻪ‬
‫ﻫﺎی ﺿﺪﺑﺎزﺗﺎب‪ ،‬ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ ﺳﻄﺤﯽ ﺑﻪ ﮐﻤﺘﺮ از ‪ 1‬درﺻﺪ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽ ﯾﺎﺑﺪ‪.‬در ﻣﻮاردی ﮐﻪ اﯾﻦ ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ ﯾﮏ‬
‫درﺻـﺪی ﻣﻮﺟـﺐ اﻓـﺰاﯾﺶ ﻧﻮﯾﺰ ﻣﯽ ﮔﺮدد ﺑﺎ زاوﯾﻪ دار ﮐﺮدن ﺳﻄﺢ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺟﻬﺖ ﺑﺮﮔﺸﺘﯽ‬
‫ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ اﯾﻦ اﺛﺮ ازﺑﯿﻦ ﻣﯽ رود‪.‬‬
‫ﻋـﻼوه ﺑﺮاﯾـﻦ‪ ،‬ﮐﯿﻔﯿـﺖ و ﻓﺮاﯾـﻨﺪ ﺗﻮﻟـﯿﺪ ﻣﺪوﻟﻬـﺎی آﺷﮑﺎرﺳـﺎز واﺑﺴـﺘﮕﯽ زﯾـﺎدی ﺑﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎی ﻣﮑﺎﻧﯿﮑﯽ‬
‫وﺣﺮارﺗـﯽ ﻣـﻮاد ﻧـﯿﻤﻪ ﻫـﺎدی ﺳـﺎزﻧﺪه ﺗﺮاﺷﻪ دارد‪ .‬ﻫﺮﭼﻪ ﺳﺨﺘﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮑﯽ و ﺿﺮﯾﺐ ﻫﺪاﯾﺖ ﺣﺮارﺗﯽ ﻣﻮاد‬
‫ﻧـﯿﻤﻪ ﻫـﺎدی ﺑﺰرﮔـﺘﺮ و ﺿﺮﯾﺐ اﻧﺒﺴﺎط ﺣﺮارﺗﯽ آﻧﻬﺎ ﮐﻮﭼﮑﺘﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺣﺴﺎﺳﯿﺖ ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ آﻧﻬﺎ ﮐﻤﺘﺮ و‬
‫ﺑﺎزده ﺗﻮﻟﯿﺪ آﻧﻬﺎ ﺑﯿﺸﺘﺮ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﻣﻄـﺎﺑﻖ ﺷـﮑﻞ)‪ (13‬در ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪول‪ ،‬اﺑﺘﺪا ﺗﺮاﺷﻪ ﺑﺮ روی ﭘﺎﯾﻪ ﮐﻤﮑﯽ ﻧﺼﺐ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﻧﺼﺐ ﺗﺮاﺷﻪ‬
‫ﺑــﺮ ﭘﺎﯾــﻪ ﮐﻤﮑــﯽ ﻣﻮﺟــﺐ ﺳــﻬﻮﻟﺖ ﻧﻘــﻞ واﻧــﺘﻘﺎل آن ﻣــﯽ ﮔــﺮدد و ﻫﻤﭽﻨﯿــﻦ اﻣﮑــﺎن ﺑﻬﯿــﻨﻪ ﺳــﺎزی اﻧﻄــﺒﺎق‬
‫ﭘﺎراﻣـﺘﺮﻫﺎی ﻣﮑﺎﻧﯿﮑـﯽ وﺣﺮارﺗـﯽ ﺗﺮاﺷـﻪ و ﺳـﺎﯾﺮ اﺟـﺰاء ﻣﺤﻔﻈـﻪ را ﻓـﺮاﻫﻢ ﻣـﯽ ﮐـﻨﺪ‪ .‬ﺷـﮑﻞ )‪-23‬اﻟﻒ(‬

‫‪31‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻃـﺮﺣﻮاره ﺳـﺎده ﺗﺮﯾـﻦ ﻣـﺪول آﺷﮑﺎرﺳـﺎز و ﺷـﮑﻞ)‪-23‬ب( ﺗﺼـﻮﯾﺮﭼﯿﻨﺶ و اﺗﺼﺎﻻت اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﭼﻨﯿﻦ‬
‫ﻣﺪوﻟﯽ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪ .‬ﭼﻨﯿﻦ ﻣﺪوﻟﻬﺎﯾﯽ اﺟﺰاء ﺳﺎزﻧﺪه ﻣﺪوﻟﻬﺎی ﭘﯿﺸﺮﻓﺘﻪ ﺗﺮ ﺑﺎ ﺗﺰوﯾﺞ ﻓﯿﺒﺮ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬

‫)ب(‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﮑﻞ‪) :23‬اﻟﻒ(ﻃﺮﺣﻮاره ﺳﺎده ﺗﺮﯾﻦ ﻣﺪول آﺷﮑﺎرﺳﺎز‪) ،‬ب( ﺗﺼﻮﯾﺮﭼﯿﻨﺶ و اﺗﺼﺎﻻت اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ داﺧﻠﯽ آن ] ‪[14‬‬

‫ﮐﺎرﺑﺮد آﺳﺎن وﻣﻄﻤﺌﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﻧﯿﺎزﻣﻨﺪ اﻧﺘﻘﺎل ﻫﺮﭼﻪ ﺑﯿﺸﺘﺮ ﺳﯿﮕﻨﺎل ورودی ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻓﻌﺎل‬
‫آﻧﻬﺎ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﭘﺲ از ﻧﺼﺐ ﺗﺮاﺷﻪ در ﻣﺤﻔﻈﻪ‪ ،‬ﺑﺎ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮی ﺷﯿﻮه ﻫﺎی ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻣﺤﻮرﻫﺎی ﻧﻮری‬
‫ﺗﺮاﺷﻪ و ﻓﯿﺒﺮ ﻧﻮری ﺑﺮﻫﻢ ﻣﻨﻄﺒﻖ ﻣﯽ ﮔﺮدد و اﺑﺰار وﯾﮋه ای ﺟﻬﺖ ﺣﻔﻆ داﺋﻤﯽ وﺿﻌﯿﺖ ﻧﺴﺒﯽ ﻓﯿﺒﺮ وﺗﺮاﺷﻪ‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد ﮐﻪ ﻣﺪول ﺣﺎﺻﻞ اﺻﻄﻼﺣﺎ ﻣﺪول دﻧﺒﺎﻟﻪ دار‪ 1‬ﻧﺎﻣﯿﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺷﮑﻞ)‪ (24‬ﻧﺤﻮه ﭼﯿﻨﺶ‬
‫اﺟﺰاء دو ﻣﺪول دﻧﺒﺎﻟﻪ دار را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ ]‪.[14‬‬

‫‪1‬‬
‫‪- Fiber pigtailed‬‬

‫‪32‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :24‬ﭼﯿﻨﺶ داﺧﻠﯽ اﺟﺰاء دو ﻣﺪول دﻧﺒﺎﻟﻪ دار ] ‪[14‬‬

‫ﻧﯿﺎز روزاﻓﺰون ﺑﻪ ﭘﻬﻨﺎی ﺑﺎﻧﺪ وﺳﯿﻌﺘﺮ ﻣﻮﺟﺐ ﭘﯿﺪاﯾﺶ ﺗﮑﻨﻮﻟﻮژﯾﻬﺎی ﭘﯿﺸﺮﻓﺘﻪ ﺗﺮ در ﺣﻮزه آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی‬
‫ﻧﻮری ﮔﺮدﯾﺪه اﺳﺖ ﺑﻄﻮرﯾﮑﻪ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪوﻟﻬﺎﯾﯿﯽ ﺑﺎ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ در ﻣﺤﺪوده ‪ 10‬ﺗﺎ ‪ 40‬ﮔﯿﮕﺎ ﻫﺮﺗﺰ ﯾﮑﯽ از‬
‫ﭼﺎﻟﺸﻬﺎی ﺻﻨﻌﺘﯽ در ﺣﻮزه آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ)‪ (25‬ﻣﺪول ﭘﺮواﻧﻪ ای‪ 1‬ﺑﺎ‬
‫ﭘﻬﻨﺎی ﺑﺎﻧﺪ ‪ 10‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﻧﻤﻮدار اﺟﺰاء داﺧﻠﯽ اﯾﻦ ﻣﺪول و ﻣﺪول ﻣﺸﺎﺑﻬﯽ ﺑﺎ‬
‫ﭘﻬﻨﺎی ﺑﺎﻧﺪ ‪ 40‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ در ﺷﮑﻞ)‪ (26‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ]‪.[12‬‬

‫‪1‬‬
‫‪-Butterfly‬‬

‫‪33‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺷﮑﻞ‪ : 25‬ﻣﺪول ﭘﺮواﻧﻪ ای ﺑﺎ ﭘﻬﻨﺎی ﺑﺎﻧﺪ ‪ 10‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ ] ‪[12‬‬

‫اﺑﻌﺎد ﮐﻠﯽ ﭘﺎﯾﻪ ﻧﻮری ‪ 1‬ﮔﯿﺮﻧﺪه ‪ 40‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰی ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه در ﺷﮑﻞ )‪-26‬ب( ‪1/3*1/1‬ﻣﯿﻠﯿﻤﺘﺮﻣﺮﺑﻊ ‪،‬‬
‫وﻟﺘﺎژ ﺗﻐﺬﯾﻪ آن ‪ 8‬وﻟﺖ و ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﯽ آن ‪ 500‬ﻣﯿﻠﯽ وات ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪-Optical Bench‬‬

‫‪34‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫)اﻟﻒ(‬

‫)ب(‬

‫ﺷﮑﻞ‪ :26‬ﻧﻤﻮدار اﺟﺰاء داﺧﻠﯽ )اﻟﻒ( ﻣﺪول ‪ 10‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ و )ب( ﻣﺪول ‪ 40‬ﮔﯿﮕﺎﻫﺮﺗﺰ ] ‪[12‬‬

‫‪35‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ)‪ (13‬در اﻧﺘﻬﺎی ﻓﺮاﯾﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺪول‪ ،‬ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺧﺮوﺟﯽ آن ﻃﺒﻖ اﺳﺘﺎﻧﺪارﻫﺎی ﻣﺘﻌﺎرف‬
‫اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی ﻣﯽ ﮔﺮدد‪.‬‬

‫‪36‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪ -7‬ﺑﺎزار ﻓﺮوش آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫از ﻣﻬﻤﺘﺮﯾﻦ آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﮐﻪ در ﺳﯿﺴﺘﻤﻬﺎی ﻣﺨﺎﺑﺮات ﻧﻮری ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﯽ ﮔﯿﺮﻧﺪ‪،‬‬
‫ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﭘﺮﮐﺎرﺑﺮدﺗﺮﯾﻦ ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎی ‪ PIN‬و ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎی ﺑﻬﻤﻨﯽ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬در‬
‫ﺷﮑﻞ )‪ (27‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ از ﻧﻈﺮ ﺗﻌﺪاد ﺑﯿﻦ ﺳﺎﻟﻬﺎی ‪ 1994‬ﺗﺎ ‪ 2001‬آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻌﺪاد‬
‫ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ در ﺳﺎل ‪ 1994‬ﮐﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 647‬ﻫﺰار ﻋﺪد ﺑﻮده اﺳﺖ‪ ،‬در ﺳﺎل ‪ 2001‬ﺑﺎ ﻧﺮخ رﺷﺪ ﺳﺎﻟﯿﺎﻧﻪ ‪5‬‬
‫‪ 20/‬درﺻﺪ ﺑﻪ ﻣﯿﺰان ‪ 2392‬ﻫﺰار ﻋﺪد رﺳﯿﺪه اﺳﺖ ]‪.[15‬‬

‫‪2500‬‬

‫‪2000‬‬

‫‪1500‬‬

‫‪1000‬‬

‫‪500‬‬

‫‪0‬‬
‫‪1994‬‬ ‫‪1995‬‬ ‫‪1996‬‬ ‫‪1998‬‬ ‫‪2001‬‬
‫‪Photodiode(Thousand‬‬ ‫‪647‬‬ ‫‪780‬‬ ‫‪940‬‬ ‫‪1365‬‬ ‫‪2392‬‬
‫)‪Units‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :27‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد از ﻧﻈﺮ ﺗﻌﺪاد ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪[16] BCC‬‬
‫در ﺷﮑﻞ )‪ ( 28‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ ﺑﺮای ﺳﺎﻟﻬﺎی ‪ 1994‬ﺗﺎ ‪ 2001‬ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪ BCC‬آورده ﺷﺪه‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻣﯿﺰان ﻓﺮوش ﻓﺘﻮ دﯾﻮدﻫﺎ در ﺳﺎل ‪ 1994‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 385‬ﻣﯿﻠﯿﻮن دﻻر ﺑﻮده اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ ﺑﺎزار ﻓﺮوش در ﺳﺎل‬
‫‪ 2001‬ﺑﺎ ﻧﺮخ اﻓﺰاﯾﺶ ﺳﺎﻟﯿﺎﻧﻪ ‪ 27/2‬درﺻﺪ ﺑﻪ ﻣﯿﺰان ‪ 2076‬ﻣﯿﻠﯿﻮن دﻻر رﺳﯿﺪه اﺳﺖ‪[ 16].‬‬

‫‪37‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪2500‬‬

‫‪2000‬‬

‫‪1500‬‬

‫‪1000‬‬

‫‪500‬‬

‫‪0‬‬
‫‪1994‬‬ ‫‪1995‬‬ ‫‪1996‬‬ ‫‪1998‬‬ ‫‪2001‬‬
‫)‪Photodiode($Million‬‬ ‫‪385‬‬ ‫‪495‬‬ ‫‪632‬‬ ‫‪1020‬‬ ‫‪2076‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :28‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪BCC‬‬

‫در ﺷﮑﻞ )‪ (29‬ﺑﺎزار ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ از ﻧﻈﺮ ﺗﻌﺪاد ﺑﯿﻦ ﺳﺎﻟﻬﺎی ‪ 1994‬ﺗﺎ ‪ 2001‬ﺑﺮای اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه‬
‫آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻌﺪاد ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ در ﺳﺎل ‪ 1994‬ﮐﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 181‬ﻫﺰار ﻋﺪد ﺑﻮده اﺳﺖ‪ ،‬در ﺳﺎل‬
‫‪ 2001‬ﺑﺎ ﻧﺮخ رﺷﺪ ﺳﺎﻟﯿﺎﻧﻪ ‪ 22/7‬درﺻﺪ ﺑﻪ ﻣﯿﺰان ‪ 759‬ﻫﺰار ﻋﺪد رﺳﯿﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻧﺴﺒﺖ ﺗﻌﺪاد ﻓﺮوش‬
‫ﻓﺘﻮدﯾﻮد در اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه ﺑﻪ ﺳﺮاﺳﺮ ﺟﻬﺎن در ﺳﺎل ‪ 1994‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 27/9‬درﺻﺪ ﺑﻮده اﺳﺖ ﮐﻪ اﯾﻦ ﻧﺴﺒﺖ در‬
‫ﺳﺎل ‪ 2001‬ﺑﻪ ‪ 31/7‬درﺻﺪ رﺳﯿﺪه اﺳﺖ ]‪.[16‬‬

‫‪800‬‬

‫‪600‬‬

‫‪400‬‬

‫‪200‬‬

‫‪0‬‬
‫‪1994‬‬ ‫‪1995‬‬ ‫‪1996‬‬ ‫‪1998‬‬ ‫‪2001‬‬
‫‪Photodiode(Thousand‬‬ ‫‪181‬‬ ‫‪223‬‬ ‫‪273‬‬ ‫‪411‬‬ ‫‪759‬‬
‫)‪Units‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :29‬ﺑﺎزار ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد از ﻧﻈﺮ ﺗﻌﺪاد در اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪BCC‬‬

‫در ﺷﮑﻞ )‪ (30‬ﺑﺎزار ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ ﺑﯿﻦ ﺳﺎﻟﻬﺎی ‪ 1994‬ﺗﺎ ‪ 2001‬ﺑﺮای اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺗﻌﺪاد ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮدﻫﺎ در ﺳﺎل ‪ 1994‬ﮐﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 108‬ﻫﺰار دﻻر ﺑﻮده اﺳﺖ‪ ،‬در ﺳﺎل ‪ 2001‬ﺑﺎ ﻧﺮخ رﺷﺪ‬

‫‪38‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺳﺎﻟﯿﺎﻧﻪ ‪ 22/7‬درﺻﺪ ﺑﻪ ﻣﯿﺰان ‪ 759‬ﻫﺰار ﻋﺪد رﺳﯿﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻧﺴﺒﺖ ﺗﻌﺪاد ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد در اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه‬
‫ﺑﻪ ﺳﺮاﺳﺮ ﺟﻬﺎن درﺳﺎل ‪ 1994‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 28‬درﺻﺪ ﺑﻮده اﺳﺖ ﮐﻪ اﯾﻦ ﻧﺴﺒﺖ در ﺳﺎل ‪ 2001‬ﺑﻪ ‪ 31/7‬درﺻﺪ‬
‫رﺳﯿﺪه اﺳﺖ ]‪.[16‬‬

‫‪800‬‬

‫‪600‬‬

‫‪400‬‬

‫‪200‬‬

‫‪0‬‬
‫‪1994‬‬ ‫‪1995‬‬ ‫‪1996‬‬ ‫‪1998‬‬ ‫‪2001‬‬

‫)‪Photodiode($Million‬‬ ‫‪108‬‬ ‫‪140‬‬ ‫‪181‬‬ ‫‪304‬‬ ‫‪659‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :30‬ﺑﺎزار ﺟﻬﺎﻧﯽ ﻓﺮوش ﻓﺘﻮدﯾﻮد در اﯾﺎﻻت ﻣﺘﺤﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﺷﺮﮐﺖ ‪BCC‬‬

‫ﭘﺲ از ﯾﺮرﺳﯽ ﺑﺎزار ﻓﺮوش‪ ،‬در ﺟﺪول )‪ (5‬ﻗﯿﻤﺖ ﭼﻨﺪ ﻧﻮع آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺑﻪ ﻃﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﯿﺎن ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺟﺪول‪ :5‬ﻗﯿﻤﺖ ﭼﻨﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ]‪[10‬‬

‫‪PIN‬‬ ‫‪PIN Receiver‬‬ ‫‪APD‬‬ ‫ﻧﻮع آﺷﮑﺎرﺳﺎز‬
‫‪PDCM975‬‬ ‫‪RXMM942‬‬ ‫‪NR4270MU‬‬ ‫ﻣﺸﺨﺼﺎت‬
‫‪InGaAs‬‬ ‫‪1200 ~ 1600nm‬‬ ‫‪InGaAs‬‬
‫‪<2 GHz‬‬ ‫‪Data regeneratin,‬‬ ‫‪1310 ~ 1550 nm‬‬
‫‪1100 ~ 1650 nm‬‬ ‫‪clock recovery,‬‬ ‫‪10 Gbps‬‬
‫‪Res = 0.8 A/W‬‬ ‫‪PECL output‬‬ ‫‪Res = 0.7 A/W‬‬
‫‪Id = 5 nA‬‬ ‫‪ITU-T‬‬ ‫‪Id = 800 nA‬‬
‫)‪(G.957,G.958‬‬
‫‪$35‬‬ ‫‪$875 qty1-10‬‬ ‫‪$ 150‬‬ ‫ﻗﯿﻤﺖ‬

‫‪39‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫‪ -8‬ﺗﺠﻬﯿﺰات ﺗﺴﺖ و اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری ﮐﻪ ﻋﻤﻞ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﺳﯿﮕﻨﺎل ﻧﻮری ﺑﻪ اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ را اﻧﺠﺎم ﻣﯽ دﻫﻨﺪ‪ ،‬ﺟﺰء آن دﺳﺘﻪ از‬
‫ﻗﻄﻌﺎﺗﯽ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﮐﻪ ﺑﺮای اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی و ﺗﺴﺖ آﻧﻬﺎ ﺑﺮ ﺧﻼف اﻏﻠﺐ ﻗﻄﻌﺎت دﯾﮕﺮ ﻧﯿﺎز ﺑﻪ اﺳﺘﻔﺎده از‬
‫دﺳﺘﮕﺎﻫﻬﺎی اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی ﻧﻮری ﻧﯿﺴﺖ‪.‬‬
‫از آﻧﺠﺎ ﮐﻪ ﺑﻌﺪ از آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺳﯿﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﺻﻮرت اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ در آﻣﺪه اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ‬
‫ﯾﮏ اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰر ﻣﻌﻤﻮﻟﯽ ﻣﯽ ﺗﻮان ﺑﯿﺸﺘﺮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎی آﺷﮑﺎرﺳﺎز را اﻧﺪازه ﮔﯿﺮی ﮐﺮد‪.‬‬
‫ﺑﺮای ﺗﺴﺖ اﯾﻦ ﻣﺴﺌﻠﻪ ﻣﯽ ﺗﻮان ﻧﻮری ﺧﺮوﺟﯽ ﻟﯿﺰر را ﮐﻪ ﺑﺎ ﻓﺮﻣﺖ ﺧﺎﺻﯽ ﻣﺪوﻟﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﺑﻪ آﺷﮑﺎرﺳﺎز‬
‫داده و ﭘﺲ از آﺷﮑﺎرﺳﺎزی‪ ،‬ﺳﯿﮕﻨﺎل اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺣﺎﺻﻞ را روی اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰر ﻣﻌﻤﻮﻟﯽ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫ﺑﺎ ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﯿﻦ ﻃﯿﻒ ﻧﻮر ﺑﻌﺪ از ﻟﯿﺰر و ﺑﻌﺪ از آﺷﮑﺎرﺳﺎزی ﻣﯽ ﺗﻮان ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﺎی آﺷﮑﺎرﺳﺎز را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫در ﺷﮑﻞ )‪ (31‬ﯾﮏ ﻧﻤﻮﻧﻪ از اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰرﻫﺎی ﺳﺎﺧﺖ ﺷﺮﮐﺖ ‪ HP / Agilent‬آورده ﺷﺪه اﺳﺖ ]‬
‫‪ .[17‬در ﺟﺪول )‪ (6‬ﻧﯿﺰ ﻣﺤﺪوده ﻋﻤﻠﮑﺮد ﻫﺮ اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰر و ﻗﯿﻤﺘﻬﺎی آﻧﻬﺎ آورده ﺷﺪه اﺳﺖ ]‪.[17‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ :31‬ﻧﻤﻮﻧﻪ از اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰر ﻣﺪل ‪ 8560EC‬ﺳﺎﺧﺖ ﺷﺮﮐﺖ ‪HP / Agilent‬‬

‫‪40‬‬
‫‪EL 81SSOCD TRP205 4‬‬ ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ﺟﺪول ‪ :6‬ﻣﺤﺪوده ﻃﻮل ﻣﻮج ﻋﻤﻠﮑﺮد و ﺑﺮﺧﯽ از ﻗﯿﻤﺘﻬﺎی اﺳﭙﮑﺘﺮوم آﻧﺎﻟﯿﺰر ﻣﺪل ‪8560EC‬‬

‫‪41‬‬
EL 81SSOCD TRP205 4 ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫ ﻣﺮاﺟﻊ‬-9

[1] H . S . Nalwa , Photodetectors and Fiber Optics , Academic Press , 2001

[2] G . Keiser , Optical Fiber Communication , McGraw-Hill , 1999
[3] I . Watanabe , T . Torikai , and K .Taguchi , “Monte Carlo Simulation of Impact
Ionization Rates in InAlAs-InGaAs Square and Graded Barrier Superlattice” ,
IEEE J . Quantum . Electron. , vol .31, 1826-1834, 1995
[4] M . L . Riaziat, Introduction to High-Speed Electronics and Optoelectronics, John
Wiley & Sons , 1996
[5] P . Bhattacharya , Semiconductor Optoelectronic Device , Prentice-Hall , 1997
[6] H. J. R. Dutton, Understanding Optical Communications, IBM International
Technical Support Organization, 1998.
[7] D . J . Sterlin, Technician’s Guide to Fiber Optics, Delmar, 2000
[8] S. Hecht, “Photodetectors and Receivers”,
http://www.technology.niagarac.on.ca/courses /phtn1220/notes/phtn1220rx.pdf,
1998.
[9] V. Gavryushin, A. Zukauskas, “ Photonic detectors”, http://www.mtmi.vu.lt/ pfk/
fumkc_dariniai/diode/photonic_detectors.htm
[10] - , “Detectors”, http://www.chinafiberoptics.com/detectors.htm.
[11]www.ece.mcmaster.ca/faculty/deen/Conference_Presentations/
ECS02_Yasser.pdf
[12] www.iemn.univ-lille1.fr/recherche/ axes/theme5/op1/op53.pdf
[13] www.microswiss.ch/tld/2000/papers/highspeed1a.pdf
[14] A. R. Mickelson, et al, Optoelectronic Packaging, John Wiley & Sons, New
York, 1997.
[15] GB-150 OPTICALLY ACTIVE POLYMERS, ORGANOMETALLICS AND
BIOMOLECULAR MATERIALS/DEVICES:, http://www.buscom.com/archive/
GB150.html, 2001.

42
EL 81SSOCD TRP205 4 ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

[16] Business Communications Company, Inc., GB-256 Photonic Integrated Circuits:

New Directions, http://www.bccresearch.com.

[17] TESTEQUALITY, http://www.testequity.com/products/1138/.

43
EL 81SSOCD TRP205 4 ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

‫واژه ﻧﺎﻣﻪ‬

Photoemissive Detector ‫آﺷﮑﺎر ﺳﺎزﻫﺎی ﻓﺘﻮن ﮔﺴﯿﻞ‬

Avalanche PhotoDiode ‫دﯾﻮد ﻧﻮری ﺑﻬﻤﻨﯽ‬
Butterfly ‫ﭘﺮواﻧﻪ ای‬
Cleaving ‫ﺑﺮش ﻃﺒﯿﻌﯽ‬
Dark Current ‫ﺟﺮﯾﺎن ﺗﺎرﯾﮑﯽ‬
Dicing ‫ﺟﺪاﺳﺎزی‬
Dynamic Range ‫ﻣﺤﺪوده دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ‬
Etching ‫ﺳﻮﻧﺶ‬
Fiber Pigtailed ‫ﻣﺪول دﻧﺒﺎﻟﻪ دار‬
Graded Super Lattice ‫ﻧﻮار اﻧﺮژی ﺗﺪرﯾﺠﯽ ﻣﺘﻮاﻟﯽ‬
Hetro-Interface ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭼﻨﺪ ﮔﺎﻧﻪ‬
Impact Ionization ‫ﯾﻮﻧﯿﺰاﺳﯿﻮن ﺑﺮﺧﻮردی‬
Metal Organic Chemical Vapour
Epitaxy ‫ﻓﻠﺰی‬-‫رﺷﺪ روﻧﺸﺴﺘﯽ از ﮔﺎزﻫﺎی آﻟﯽ‬

Metal-Semiconductor-Metal ‫ﻓﻠﺰ‬-‫ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی‬-‫آﺷﮑﺎر ﺳﺎز ﻓﻠﺰ‬

Molecular Beam Epitaxy ‫رﺷﺪ روﻧﺸﺴﺘﯽ ﺑﺎ اﺷﻌﻪ ﻣﻮﻟﮑﻮﻟﯽ‬
Optical Bench ‫ﭘﺎﯾﻪ ﻧﻮری‬
Photocarrier ‫ﻧﻮر ﺣﺎﻣﻠﻬﺎی‬
Photocurrent ‫ﺟﺮﯾﺎن ﻧﻮری‬
Photomultiplier Tubes (PMT) ‫ﻻﻣﭙﻬﺎی ﭼﻨﺪ ﺑﺮاﺑﺮ ﮐﻨﻨﺪه ﻧﻮر‬
Reach Through Avalanche Photodiode RAPD ‫دﯾﻮد‬
Resonant Cavity ‫ﮐﺎواک ﻧﻮﺳﺎﻧﮕﺮ‬

44
EL 81SSOCD TRP205 4 ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻧﻮری‬

Resonant Cavity Photodetector ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺑﺎ ﮐﺎواک ﺗﺸﺪﯾﺪ‬

Responsivity ‫ﭘﺎﺳﺨﺪﻫﯽ‬
Rise Time ‫زﻣﺎن ﺻﻌﻮد‬
Scribing ‫ﺧﻂ ﮔﺬاری‬
Selective Epitaxy Growth ‫روﻧﺸﺴﺘﯽ اﻧﺘﺨﺎﺑﯽ‬
Sequence Super Lattice (SSL) ‫ﻧﻮار اﻧﺮژی ﭘﻠﻪ ای ﻣﺘﻮاﻟﯽ‬
Silicon Hetero-Interface Photodetector SHIP‫ﺳﺎﺧﺘﺎر‬
Speed of Response ‫ﺳﺮﻋﺖ ﭘﺎﺳﺦ‬
Super Lattice (SL) SL-APD ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر‬
Traveling Wave ‫ﻣﻮج روﻧﺪه‬
Traveling Wave Photodetector ‫آﺷﮑﺎرﺳﺎزﻫﺎی ﻣﻮج روﻧﺪه‬
Wafer Processing ‫ﻓﺮآوری وﯾﻔﺮ‬

45