Senzori Tecnosti I Gasova DR Mladen Popovic (Full Permission) PDF

DR MLADEN POPOVI]
SENZORI TE^NOSTI I GASOVA
ZAVOD ZA UD@BENIKE
I NASTAVNA SREDSTVA
SRPSKO SARAJEVO, 2003
Recenzenti: prof. dr Ljubi{a Draganovi}
prof. dr Vukota Babovi}
Izdava~: Zavod za ud`benike i nastavna sredstva

71123, Srpsko Sarajevo, Nikole Tesle bb
tel. 057/340-058
Tehni~ka obrada: autor

Korice: Darko Raubal
Lektor: dr Mirjana Popovi}
[tampa: Grafomark, Lakta{i
Tira`: 300
CIP − Каталогизација у публикацији

Народна и универзитетска библиотека
Република Српска, Бања Лука
681.586(075.8)
543.559(075.8)
ПОПОВИЋ Младен
Сензори течности и гасова / Младен Поповић. [1. изд.]
Српско Сарајево : Завод за уџбенике и наставна средства, - 2002
(Лакташи : Графомарк)
Тираж 300 – Регистар
ISBN 99938 − 0 − 066 − X
П.О. : МЈЕРНИ ИНСТРУМЕНТИ, сензорски
MFN=001059
Winisis Библио
PREDGOVOR
Sa prethodne dve objavljene knjige, „Senzori i merenja“ (opisani
standardni merni senzori) i „Senzori u robotici“ (opisani principi rada,
konstrukcija i obrada signala senzora u robotici), knjiga „Senzori te~nosti i
gasova“ predstavlja trilogiju kojom je autor zaokruìo svoj vi{egodi{nji rad u
prou~avanju savremene tehnike senzora i merenja.
U knjizi je dat pregled dana{njeg stanja u tehnologiji izrade i
perspektive razvoja senzora za kvantitativnu i kvalitativnu analizu te~nosti i
gasova. Kao {to je poznato, senzor je ure|aj koji pretvara merenu veli~inu
u elektri~ni signal, odlikuje se malim dimenzijama, izuzetnim tehni~kim
karakteristikama i sposobno{}u obrade informacija. Ove osobine dolaze do
punog izraàja u realnom vremenu, pri automatskoj analizi sirovina,
poluproizvoda, finalnih proizvoda i otpada. U prvom delu knjige opisani su
klasi~ni analizatori sa izlaznim signalom u realnom vremenu. U drugom
delu obra|eni su poluprovodni~ki senzori te~nosti i gasova, uklju~uju}i i
biosenzore.
Knjiga je namenjena stru~njacima koji se bave specijalnim procesnim
merenjima, kontrolom kvaliteta i za{titom okoline, studentima elektrotehnike,
tehnologije, farmacije i (bio)hemije koji izu~avaju merenja i upravljanje
tehnolo{kih procesa, te studentima postdiplomskih i specijalisti~kih studija.
Zahvalnost za niz korisnih sugestija autor duguje recenzentima
prof. dr Ljubi{i Draganovi}u i prof. dr Vukoti Babovi}u, kao i svim kolegama
koji su pokazali interesovanje za izdavanje ove knjige.
Beograd, april 2002. Autor

SADR@AJ
I DEO: ANALIZATORI
1. UVOD ................................................................................................................11
1.1. PRINCIPI RADA ANALIZATORA .........................................................11
1.1.1. Merenje i kvalitet.....................................................................................11
1.1.2. Analizatori za upravljanje u realnom vremenu....................................12
1.2. KLASIFIKACIJA ANALIZATORA..........................................................15
1.3. STRUKTURA AUTOMATSKIH ANALIZATORA .................................17
1.4. PRIKLJUÎVANJE ANALIZATORA......................................................19
1.5. SISTEM ZA UZORKOVANJE ................................................................22
LITERATURA...........................................................................................29
2. ANALIZATORI BINARNIH SMESA............................................................30
2.1. BINARNE SMESE ..................................................................................30
2.1.1. Koli~inski sastav.......................................................................................30
2.1.2. Principi analize binarnih smesa .............................................................32
2.1.3. Principi analize pseudobinarnih smesa..................................................35
2.2. TERMOPROVODNI ANALIZATORI......................................................36
2.2.1. Fizi~ka osnova ..........................................................................................36
2.2.2. Standardni termoprovodni analizatori ...................................................37
2.2.3. Termoprovodni analizatori difuzionog tipa ..........................................42
2.3. MAGNETSKI SENZORI GASOVA .......................................................44
2.3.1. Fizi~ka osnova ..........................................................................................44
2.3.2. Magnetodinami~ki O2 senzor ..................................................................45
2.3.3. Termomagnetski O2 senzor .....................................................................47
2.3.4. Tehni~ke karakteristike ........................................................................... 48
2.4. SPEKTRALNI ANALIZATORI ..............................................................49
2.4.1. Uvod ..........................................................................................................49
2.4.2. Apsorpcioni analizatori ............................................................................49
2.4.3. Disperzioni analizatori .............................................................................56
2.4.4. Refraktometri............................................................................................58
2.4.5. Polarimetri ................................................................................................61
2.4.6. Kolorimetri ................................................................................................63
2.5. SPECIJALNI SPEKTROMETRI ...........................................................65
2.5.1. Maseni spektrometar ..............................................................................65
2.5.2. Rendgenski spektrometri .........................................................................68
2.6. HEMILUMINISCENTNI ANALIZATORI ............................................70
2.7. JONIZACIONI ANALIZATORI .............................................................72
2.8. TERMOHEMIJSKI ANALIZATORI .......................................................74
LITERATURA...........................................................................................75
3. ANALIZATORI VI[EKOMPONENTNIH SMESA.....................................76

3.1. MERENJE RAZLIÎTIH SVOJSTAVA SMESE ...................................76
3.2. MERENJE U RAZLIÎTIM USLOVIMA ..............................................77
3.3. MERENJE SA TRANSFORMACIJOM SMESE ....................................79
3.4. HROMATOGRAFIJA................................................................................80
3.4.1. Princip rada hromatografa ...................................................................... 80
3.4.2. Struktura...................................................................................................82
3.4.3. Interpretacija hromatograma................................................................... 86
LITERATURA...........................................................................................87
4. ELEKTROHEMIJSKI ANALIZATORI ........................................................88

4.1. KONDUKTOMETRIJSKI ANALIZATORI .............................................88
4.1.1. Princip rada ..............................................................................................88
4.1.2. Konstrukcija ..............................................................................................92
4.2. POTENCIOMETRIJSKI ANALIZATORI ...............................................97
4.2.1. Potencijal elektrode prve vrste...............................................................97
4.2.2. Redoks-potencijal .................................................................................... 101
4.2.3 Potencijal difuzije ................................................................................... 101
4.2.4. Potencijal jon-selektivne membrane ..................................................... 104
4.2.5. Koncentracijska }elija ............................................................................ 106
4.3. KONSTRUKCIJA ELEKTRODA .......................................................... 108
4.3.1. Referentne elektrode.............................................................................. 108
4.3.2. Jon-selektivne elektrode ........................................................................ 112
4.4. MERENJE pH ........................................................................................ 115
4.4.1. Faktor pH ............................................................................................... 115
4.4.2. Tehnike merenja pH.............................................................................. 117
4.4.3. pH-mikroelektrode .................................................................................. 120
4.4.4. Kalibracija i odràvanje elektroda........................................................ 122
4.4.5. Merne {eme ............................................................................................ 123
4.5. MERENJE p CO2 .................................................................................... 124
4.6. AMPEROMETRIJSKE TEHNIKE ........................................................ 126
4.6.1. Amperometrija ........................................................................................ 126
4.6.2. Merenje p O2............................................................................................ 126
4.6.3. Polarografi............................................................................................... 128
4.7. TANKOSLOJNE ELEKTRODE ............................................................ 132
LITERATURA......................................................................................... 134
II DEO: HEMIJSKI I BIOHEMIJSKI SENZORI
5. OSNOVI HEMIJSKE DETEKCIJE............................................................ 137

5.1. UVOD ...................................................................................................... 137
5.1.1. Hemijski senzor ...................................................................................... 137
5.1.2. Struktura................................................................................................. 140
5.1.3. Klasifikacija............................................................................................. 141
5.2. PRINCIPI RADA.................................................................................... 143
5.2.1. Katalizatori i hemijska detekcija.......................................................... 143
5.2.2. Hemijska adsorpcija ............................................................................... 147
5.3. ELEKTRONSKA PROVODNOST I DETEKCIJA .............................. 151
5.3.1. Povr{inska provodnost ......................................................................... 151
5.3.2. Promena izlaznog rada poluprovodnika ............................................. 156
5.3.3. Unutra{nja provodnost .......................................................................... 159
5.4. JONSKA PROVODNOST ...................................................................... 161
5.4.1. Poluprovodni~ki elektroliti .................................................................... 161
5.4.2. Poluprovodni~ki elektroliti u tehnici senzora ..................................... 163
5.5. ME[OVITA PROVODNOST ................................................................. 165
LITERATURA......................................................................................... 167
6. OTPORNI^KI SENZORI GASOVA ........................................................... 169
6.1. SENZORI KISEONIKA.......................................................................... 169
6.1.1. Niskotemperaturni senzori. ................................................................... 169
6.1.2. Visokotemperaturni senzori ................................................................. 173
6.1.3. Geometrija kontakata............................................................................. 176
6.2. SENZORI REDUKCIONIH GASOVA .................................................. 177
6.2.1. Princip detekcije..................................................................................... 177
6.2.2. SnO2 senzor ugljen-monoksida.............................................................. 180
6.2.3. Senzori od kompozitne keramike ......................................................... 183
6.2.4. Senzori sa vi{e elektroda ...................................................................... 184
6.3. SPECIJALNI SENZORI......................................................................... 185
6.3.1. Senzori sagorevanja goriva.................................................................... 185
6.3.2. Senzori vla`nosti .................................................................................... 187
6.4. PRIMENA ORGANSKIH MATERIJALA............................................. 194
LITERATURA......................................................................................... 196
7. ELEKTROLITI^KI SENZORI GASOVA .................................................. 198

7.1. UVOD ...................................................................................................... 198
7.2. POTENCIOMETRIJSKI SENZORI ...................................................... 199
7.2.1. Princip rada ............................................................................................ 199
7.2.2. Tehnika potenciometrijskih senzora..................................................... 203
7.3. AMPEROMETRIJSKI SENZORI .......................................................... 207
7.3.1. Princip rada ............................................................................................ 207
7.3.2. Tehnika amperometrijskih senzora ...................................................... 209
7.4. KOMBINOVANI SENZORI ................................................................... 213
LITERATURA......................................................................................... 214
8. SENZORI SA EFEKTOM POLJA.............................................................. 216

8.1. PRINCIP RADA ..................................................................................... 216
8.2. TEHNIKA MOSFET SENZ ORA........................................................... 220
8.2.1. MOSFET senzor gasa ............................................................................ 220
8.2.2. Specijalne konstrukcije .......................................................................... 222
8.3. TEHNIKA MOS KONDENZATORA .................................................... 225
8.3.1. MOS kondenzator kao senzor gasa...................................................... 225
8.3.2. Specijalne izvedbe................................................................................... 226
8.4. MOS SENZORI SA VEOMA TANKIM SLOJEM OKSIDA............... 228
8.4.1. Princip rada ............................................................................................ 228
8.4.2. Senzori bez oksidnog sloja .................................................................... 230
6.4.3. Senzori sa otvorenim gejtom ................................................................ 232
LITERATURA......................................................................................... 234
9. SPECIJALNI SENZORI ............................................................................... 236

9.1. MASENI SENZORI ................................................................................ 236
9.1.1. Princip rada ............................................................................................ 236
9.1.2. Pijezoelektri~ni........................................................................................ 236
9.1.3. Ultrazvu~ni.............................................................................................. 240
9.2. OPTOELEKTRONSKI SENZORI ......................................................... 243
9.2.1. Uvod ........................................................................................................ 243
9.2.2. Apsorpcioni senzori ................................................................................ 245
9.2.3. Fluorescentni senzori ............................................................................. 247
LITERATURA......................................................................................... 248
10. BIOSENZORI ................................................................................................ 249

10.1. PRINCIPI I FUNKCIONISANJE ........................................................ 249
10.1.1.Op{ti pojmovi ......................................................................................... 249
10.1.2.Klasifikacija biosenzora ......................................................................... 251
10.1.3.Funkcionalne karakteristike ................................................................. 254
10.2. TEHNIKE MOLEKULARNOG PREPOZNAVANJA .......................... 256
10.2.1.Bioafinitet ............................................................................................... 256
10.2.2.Enzimsko (biokataliti~ko) prepoznavanje ............................................ 257
10.2.3.Transmembransko prepoznavanje ........................................................ 261
10.2.4.]elije i organizmi .................................................................................. 262
10.3. ENZIMSKI BIOSENZORI ..................................................................... 263
10.3.1.Osobine enzima...................................................................................... 263
10.3.2.Tehnike imobilizacije enzima ............................................................... 266
10.3.3.Principi rada .......................................................................................... 268
10.3.4.Potenciometrijski enzimski senzor....................................................... 270
10.3.5.Amperometrijski enzimski senzori....................................................... 275
10.4. SENZORI SA KATALITI^KIM GEJTOM........................................... 283
10.4.1.Princip rada ........................................................................................... 283
10.4.2.ISFET sa klasi~nom membranom ....................................................... 286
10.4.3.ISFET sa dielektri~nom membranom ................................................. 287
10.4.4.ISFET sa hemijski modifikovanom membranom ............................... 289
10.4.5.ISFET sa polimerskom membranom................................................... 290
10.4.6.ENFET.................................................................................................... 292
10.4.7.Merne {eme sa ISFET senzorima ....................................................... 293
10.4.8.Senzori sa minimalnim slojem oksida. ............................................... 294
10.5. MIKROBIOLO[KI SENZORI ............................................................... 295
10.5.1.Uvod........................................................................................................ 295
10.5.2.Tehnika bakteriolo{kih senzora ........................................................... 296
10.6. IMUNOSENZORI................................................................................... 297
10.6.1.Uvod........................................................................................................ 297
10.6.2.Tehnika imunosenzora .......................................................................... 299
LITERATURA ........................................................................................ 305
INDEKS POJMOVA .............................................................................. 307

I
ANALIZATORI
1
UVOD
1.1. PRINCIPI RADA

ANALIZATORA
1.1.1. Merenje i kvalitet
Kvalitet proizvoda podrazumeva skup fizi~kih i hemijskih
svojstava koja se manifestuju tokom izrade i upotrebe proizvoda. Iz
prakti~nih razloga kvalitet se uè defini{e kao kvantitativna
karakteristika jednog ili nekoliko svojstava. Pokazatelji kvaliteta
dobijaju se merenjem, prora~unom ili ekspertnim postupkom. Za
savremene proizvode traì se visok kvalitet, sa karakteristikama koje
su zbog jedinstvenosti i ispravnosti u me|unarodnim razmerama
strogo standardizovane, pa merne metode kao najegzaktnije imaju
poseban zna~aj.
Kontrola kvaliteta ranije se prete`no obavljala u labora-
torijama, izvan procesa proizvodnje (off-line), tako da su informacije
o kvalitetu stizale u diskontinuitetu i sa izvesnim ka{njenjem u
odnosu na stvarno stanje. Ovaj klasi~ni na~in jo{ uvek se provodi.
Me|utim, za automatizovanu proizvodnju ve}i zna~aj ima kontinu-
alna kontrola kvaliteta sirovina, poluproizvoda i finalnih proizvoda, a
tako|e i otpadnog materijala radi za{tite ljudi, opreme i prirodne
sredine. Kod takve kontrole sistem za indikaciju, registraciju i upra-
vljanje kvalitetom sastavni je deo sistema automatskog upravljanja
proizvodnjom i informacije stiù u realnom vremenu (on-line). @eljeni
efekti na kvalitet postiù se:
• neposredno, tj. automatskim upravljanjem parametara ma-
terijala od kojeg je sa~injen proizvod (gustina, vla`nost,
viskoznost, koncentracija, sastav);
• posredno, tj. automatskim upravljanjem tehnolo{kih varijabli
relevantnih za kvalitet (pomeraj, brzina, ubrzanje, sila,
pritisak, nivo, protok, temperatura).
12 SENZORI TE^NOSTI I GASOVA
Upravljanje kvalitetom se u obadva slu~aja odvija po principu

negativne povratne sprege i zato su{tinski zavisi od karakteristika
mernog ure|aja u povratnoj grani. To zna~i da ta~nost i rezolucija
upravljanja pokazateljima kvaliteta ne mogu biti ve}i od ta~nosti i
rezolucije upotrebljenih mernih ure|aja.
1.1.2. Analizatori za upravljanje u realnom vremenu

Automatski analizatori. Merenje fizi~kih varijabli kao
posrednih pokazatelja kvaliteta {iroko je zastupljeno u tehni~koj
praksi. O standardnim mernim senzorima op{te namene autor je
detaljnije pisao u svojoj knjizi „Senzori i merenja“. Predmet ove
knjige su senzori koji sluè za automatsko merenje fizi~kih
parametara kao neposrednih pokazatelja kvaliteta proizvoda. U
osnovi rada ovih senzora je kvantitativna i kvalitativna analiza
materijala, pa se zato tradicionalno nazivaju (automatskim)
analizatorima.
Automatski analizatori kao merni ure|aji imaju sve osobine
senzora fizi~kih veli~ina, ali se od njih zna~ajno razlikuju po
specifi~nim principima rada, na~inu gradnje, sloènosti strukture,
ve}em tehnolo{kom nivou izrade i po znatno ve}oj ceni.
Principi rada automatskih analizatora temelje se na
primeni razli~itih fizi~kih efekata, hemijskih reakcija i kombinovanih
fizi~ko-hemijskih pojava.
Fizi~ki principi analize zasnivaju se na merenju veli~ina
odre|enih fizi~kih pojava karakteristi~nih za mikrostrukturu ispi-
tivanog materijala, na primer: apsorpcija, disperzija ili difuzija
elektromagnetskog zra~enja, relativna masa ~estica i drugo. Za
izazivanje i kontrolisanje ovih pojava potrebni su sloèniji merni
ure|aji u pore|enju sa standardnim senzorima ~iji je izlaz pro-
porcionalan fizi~kim veli~inama koje reprezentuju makrostrukturu
materijala.
Hemijske reakcije kao osnova analize sastoje se u izazivanju i
pra}enju promene agregatnog stanja, boje, indeksa prelamanja svet-
losti ili neke druge pojave karakteristi~ne za ispitivanu komponentu.
Kvalitativna analiza anorganskih supstanci, tj. odre|ivanje njihovog
elementarnog hemijskog sastava, naj~e{}e se provodi pomo}u
reakcije jona jer ve}ina takvih supstanci sadrì jonske spojeve lako
1. U V O D 13
rastvorljive u vodi. Za kvalitativnu analizu organskih supstanci

va`nije je odre|ivanje jedinjenja od elementarnog sastava. Izdvajanje
~istih jedinjenja postiè se hemijskim reakcijama separacije. One su
dosta sloène i primenljive uglavnom u laboratorijkim uslovima, pa
fizi~ke metode, na primer spektrohemijske, imaju ve}i zna~aj za
automatske analizatore. Hemijske reakcije primenjuju se i za
dobijanje produkata ~iji se kvantitativni udeo moè odrediti gravi-
metrijskim metodama, vaganjem.
Za automatsku kvantitativnu analizu veliki zna~aj ima ti-
trimetrija, kontrolisano i mereno dodavanje reagensa analiziranoj
supstanci sve dok se ne zavr{i odre|ena hemijska reakcija. Na
primer, u rastvor u kome se nalazi komponenta ~ija se koli~ina meri
dodaje se rastvor poznate koncentracije i ta~no odre|ene koli~ine iz
merne cev~ice, tzv. birete. Dodati rastvor hemijski reaguje sa
merenom komponentom, a zavr{etak reakcije utvr|uje se
odgovaraju}im indikatorom. Na osnovu koli~ine i koncentracije
dodatog rastvora ra~una se nepoznata koli~ina ispitivane kompo-
nente.
Kada se radi o ta~nom merenju koncentracije binarnih gasnih
smesa u opsegu 0,1−99%, primenjuje se poseban manometarski
ure|aj sa balonom u koji se pri konstantnoj temperaturi prvo ubacuje
analizirani gas do pritiska p1, onda dodaje referentni gas do pritiska
p2 i na kraju ra~una koncentracija pomo}u relacije
p1
c = ⋅ 100%. (1.1)
p1 + p2
Kombinacija hemijskih reakcija i fizi~kih principa ~esto se
primenjuje kao osnova analize. Obi~no se analizirani materijal
podvrgava odre|enoj hemijskoj reakciji, a veli~ine koje karakteri{u
produkt reakcije mere se na osnovu fizi~kih principa. Tipi~an primer
su analizatori za merenje malih koncentracija zapaljivih gasova.
Tehni~ke karakteristike. Stati~ke i dinami~ke karakteris-
tike, pouzdanost, pove}anje ta~nosti mernih rezultata i drugi
parametri metrolo{kog kvaliteta za analizatore se defini{u na isti
na~in kao i za ostale merne ure|aje i senzore. U popratnoj do-
kumentaciji naj~e{}e su specificirani slede}i parametri:
• Prag detekcije − najmanja vrednost merenog svojstva

izazvanog odre|enom komponentom smese koja daje vidljivu
promenu izlaznog signala (indikacije);
• Merni opseg − promena merenog svojstva od praga detekcije
do maksimalne vrednosti;
• Priroda izlaznog signala − kontinualna ili diskretna;
• Vreme odziva T90 − vreme od trenutka kada se desi skokovita
promena 0−100% merenog svojstva do trenutka kada indi-
kacija dostigne 90% od krajnje stacionarne vrednosti;
• Vreme ka{njenja T10 − vreme od trenutka skokovite promene
0−100% merenog svojstva do trenutka kada indikacija dostigne
10% od krajnje stacionarne vrednosti.
• Vreme porasta Tr − razlika izme|u vremena odziva i vremena
ka{njenja pri pozitivnoj promeni merenog svojstva (slika 1.1a);
• Vreme opadanja Tf − razlika izme|u vremena odziva i vremena
ka{njenja pri negativnoj promeni merenog svojstva (slika
1.1b);
• Ponovljivost − bliskost izme|u odre|enog broja (5−10) sukce-
sivnih rezultata merenja dobijenih na identi~nom materijalu
pod istim uslovima u kratkom vremenskom intervalu,
izraèna u procentima mernog opsega.
Za analizatore sa hemijskim reakcijama proizvo|a~i u po-
pratnoj dokumentaciji ~esto daju dodatne podatke kao {to su vreme u
toku kojeg se moè o~uvati stabilan izlaz, vreme potrebno za
dovo|enje analizatora u radno stanje nakon uklju~ivanja, vreme
zagrevanja, vrsta i kvalitet reagenata i drugo.
INDIKACIJA [%] INDIKACIJA [%]
SKOKOVITA PROMENA
SKOKOVITA PROMENA
100 100
90 90
10 t 10 t
T10 Tr T10 Tf
T90 T90
a) b)
Slika 1.1. Odziv analizatora na skokovitu promenu merenog svojstva: a) odziv
na pozitivnu promenu, b) odziv na negativnu promenu
1. U V O D 15
1.2. KLASIFIKACIJA
ANALIZATORA
Analizatori imaju izvanredan kvalitet tehni~kih karakteris-
tika (linearnost, osetljivost, brzina odziva, odnos signal/{um),
visoku pouzdanost (mali intenzitet otkaza, dugove~nost, neosetlji-
vost na vanjske uticaje) i prave se uz primenu novih materijala i
tehnologija. Razvoj analizatora odvija se u nekoliko dominantnih
pravaca:
• minijaturizacija i ve}i stepen integracije delova;
• realizacija vi{estrukog delovanja (na primer, istovremena
detekcija razli~itih komponenata);
• pro{irivanje funkcionalnih mogu}nosti na bazi povezivanja sa
mikroprocesorom;
• pove}anje stepena automatizacije, odnosno sposobnosti za
obradu mernih informacija.
U tehni~koj praksi danas se primenjuje veliki broj razli~itih
automatskih analizatora. U tabeli 1.1 data je klasifikacija analizatora
na osnovu slede}ih kriterijuma: vrsta izvora eksterne energije kojom
se deluje na ispitivani materijal, princip rada, na~in uzimanja uzorka,
vrsta mernog medijuma, namena i primena. Treba ista}i da navedeni
kriterijumi omogu}avaju da se napravi podela analizatora u odnosu
na jedno odre|eno svojstvo, dok podela na bazi pojava koje nastaju
kao rezultat interakcije vanjskog izvora energije i ispitivanog mate-
rijala ima sveobuhvatniji, sistemski karakter.
Elektromagnetsko zra~enje. Interakcija elektromagnetskog
zra~enja sa ispitivanim materijalom javlja se zbog apsorpcije zra~enja
i emitovanja fotona prilikom promene kvantizovanih stanja elektrona
u atomima i molekulima materijala.
Elektromagnetsko zra~enje lak{e prodire u materijal kada ima
ve}u energiju E, tj. ve}u frekvenciju ν a manju talasnu duìnu λ
(E = hν = h c / λ). Najmanju talasnu duìnu ima γ-zra~enje
−13 −11
( λ =10 −10 m) koje prodire do atomskog jezgra, x-zra~enje
(λ =10−11−10−8 m) reaguje sa elektronima nièg energetskog nivoa,
ultraljubi~asto (λ =0,1−0,38 µm) i vidljivo zra~enje ( λ =0,38−0,76 µm)
reaguju sa valentnim elektronima i jakim (kovalentnim) me|u-
atomskim vezama, infracrveno ( λ =0,76−50 µm) i mikrotalasno

zra~enje ( λ =50 µm−0,3 m) reaguju sa slabim (jonskim) me|u-
atomskim vezama i sa vibracionim i rotacionim kretanjem molekula.
Analiza materijala provodi se merenjem parametara emito-
vanog, reflektovanog, transmitovanog ili difrakcionog zra~enja.
KRITERIJUM TIP
OSNOVNE OSOBINE
KLASIFIKACIJE ANALIZATORA
IZVOR VANJSKE ELEKTROMAG- Interakcija elektromagnetskog zra~enja i uzorka.

ENERGIJE NETSKO Mere se parametri emisije, apsorpcije, refleksije i
ZRAÊNJE difrakcije zra~enja.
HEMIJSKI Interakcija uzorka i drugih materijala (reagensa)

AFINITET putem hemijskih reakcija. Mere se parametri pro-
dukta, potro{nja uzorka i reagensa, oslobo|ena
toplota ili elektri~ni potencijal rastvora.
ELEKTRI^NO ILI Interakcija elektri~nog ili magnetskog polja sa
MAGNETSKO uzorkom. Mere se parametri elektri~nog kola u koje
POLJE je uklju~en uzorak.
TERMI^KA ILI Interakcija uzorka i dovedene termi~ke ili
MEHANI^KA mehani~ke energije. Meri se u~injeni rad,
ENERGIJA razmenjena energija ili promena fizi~kog stanja.
PRINCIP RADA FIZI^KI Princip delovanja: mehani~ki, difuzioni, akusti~ki,
termi~ki, aerosolni, apsorpcioni, magnetski,
jonizacioni, radioaktivni, spektrometarski (opti~ki,
infracrveni, ultraljubi~asti, rendgenski).
HEMIJSKO-FIZI^KI Princip delovanja: elektrohemijski, termohemijski,
emisioni, jonizacioni, hemiluminiscentni.
HEMIJSKI Princip delovanja: volumetrijski, titrimetrijski,
manometarski, termi~ki.
NAÎN KONTINUALNI On-line analiza.
UZIMANJA
CIKLI^KI Instrument je neprekidno uklju~en na instalaciju, ali
UZORKA
je uzorkovanje materijala povremeno.
MERNI MEDIJ TE^NI Analizatori te~nosti.
GASNI Analizatori gasova (gasoanalizatori).
NAMENA PARAMETARSKI Merenje fizi~kih svojstava (parametara) uzorka:
gustina, vla`nost, viskoznost.
ANALIZATORI Merenje koncentracije binarnih i pseudobinarnih
KONCENTRACIJE smesa.
ANALIZATORI Merenje sastava vi{ekomponentnih smesa metodama
SASTAVA razdvajanja (hromatografija, masena spektrometrija,
rektifikacija) i vi{eparametarskim metodama.
PRIMENA INDUSTRIJSKI Standardne konstrukcije, sa varijacijama u skladu sa
specifi~nim zahtevima pojedinih oblasti primene.
LABORATORIJSKI Specijalne konstrukcije sa pobolj{anim metrolo{kim
karakteristikama.
Tabela 1.1. Klasifikacija automatskih analizatora

1. U V O D 17
Hemijski afinitet ozna~ava silu sa kojom se spajaju hemijski

elementi, odnosno silu sa kojom se atomi drè zajedno u molekulu.
Dve supstance sa poznatim odnosom i termodinami~kim stanjima
stupaju u odnose, zavisno od uzajamnog afiniteta.
Analizator se pravi tako da se meri rezultat reakcije u odnosu
na uzorak, potro{eni reagens, koli~inu produkta, oslobo|enu termi~ku
energiju ili u odnosu na dostignuto stanje ravnoteè.
Energija elektri~nog ili magnetskog polja. Interakcijom
elektri~nog ili magnetskog polja sa ispitivanim materijalom nastaje
jonizacija ili polarizacija. Da bi do{lo do interakcije neophodno je da
uzorak bude deo elektri~nog (magnetskog) kola.
Analiza uzorka provodi se merenjem struje, napona ili promene
fluksa kola.
Termi~ka ili mehani~ka energija. Interakcija ovih oblika
energije i analiziranog materijala manifestuje se na makro planu.
Termodinami~ko stanje uzorka zavisi od fizi~kog stanja i koli~ine
energije, {to omogu}ava identifikaciju na osnovu merenja tempera-
ture klju~anja ili zamrzavanja, na osnovu kvantitativnih svojstava
izdvojenih frakcija ili na osnovu razli~itog termi~kog kretanja
molekula (promene toplotne provodnosti). Interakcijom mehani~ke
energije i uzorka nastaje rad, ~ijim se merenjem mogu odrediti
odre|ena svojstva uzorka, na primer viskoznost.
1.3. STRUKTURA AUTOMATSKIH

ANALIZATORA
Uzorak nije deo analizatora u doslovnom smislu, ali je bitan za
njegov rad. Na osnovu rezultata analize uzorka donosi se zaklju~ak o
sastavu ispitivanog materijala, pa je zato neophodno obezbediti
reprezentativan uzorak. Uslovi koji se pri tome postavljaju odraàvaju
se na na~in gradnje, stati~ke i dinami~ke karakteristike i celokupan
rad analizatora.
Za ~vrste materijale uzorak se uzima u tankom sloju dovoljne

debljine da sloj zadrì gustinu, vla`nost i druge karakteristike
ispitivanog materijala.
Za te~nosti i gasove uzorak moè da se uzima kontinualno samo

ako je vremenska konstanta analizatora manja od vremenske
konstante koja se odnosi na dinamiku merenih parametara. U
suprotnom slu~aju uzorak se uzima cikli~ki, kao odre|ena porcija
volumena ili (retko) mase.
Na mestu uzorkovanja materijal treba da bude dobro izme{an
da mereni parametri ne bi zavisili od prostornih koordinata. êsto je
neophodno da se uzorak o~isti od nepoèljnih primesa koje mogu da
uti~u na rezultate analize, ili da se dovede na odre|eni pritisak,
temperaturu, protok, ili da se doda izvestan reagens. Uzorak se do
mesta gde se vr{i analiza naj~e{}e vodi pomo}u cevi male duìne da
bi se smanjilo vreme transportnog ka{njenja, a time i ukupno vreme
analize.
Struktura automatskih analizatora. Osnovne celine od
kojih je sastavljen automatski analizator su sistem za uzorkovanje,
linija za transport, analiti~ka }elija i formator izlaza (slika 1.2).
SONDA ZA PRIMARNA LINIJA ZA

UZORKOVANJE OBRADA UZORKA TRANSPORT UZORKA
SISTEM ZA UZORKOVANJE
ANALIZIRANI
MATERIJAL
VIŠAK
ANALIZIRANOG DOZATOR
MATERIJALA
ISPUST PROCESIRANJE
ANALIZIRANOG UZORKA
MATERIJALA
SENZORI
ANALITI^KA
REZULTAT
]ELIJA
ANALIZE
OBRADA
PRINTER
IZLAZNOG SIGNALA
REAGENSI
FORMATOR IZLAZA ENERGIJA
UPRAVLJANJE
Slika 1.2. Strukturna blok-{ema automatskog analizatora

1. U V O D 19
Sistem za uzorkovanje sastoji se od cevaste sonde za

uzorkovanje i ure|aja za primarnu obradu kao {to su filter, reduktor
pritiska, izmenjiva~ toplote, kondenzator, protokometar.
Linija za transport sluì za prenos uzorka od sonde do
analizatora.
Analiti~ka }elija je analizator u uèm smislu jer se tu vr{i
analiza. Ako je analizator cikli~kog tipa, na njegovom ulazu nalazi se
dozator, ure|aj koji u odre|enim vremenskim intervalima iz toka
analiziranog materijala propu{ta uzorak uvek istog volumena ili
mase. Kontinualni analizatori umesto dozatora imaju sistem za
regulaciju kojim se stabili{e potrebno proticanje uzorka.
U ure|aju za procesiranje deluje se na uzorak vanjskom
energijom i reagensima radi stvaranja i odràvanja fizi~kih i
hemijskih procesa neophodnih za analizu. Prema tipu procesa
odre|uju se princip rada i naziv analizatora. Vrednosti veli~ina i
parametara karakteristi~nih za analizirani proces detektuju se
odgovaraju}im senzorima sa elektri~nim izlaznim signalom.
Formator izlaza je ure|aj za zavr{nu obradu signala koji dolaze
iz senzora. Obim prora~una i oblik prikaza izlaznog dokumenta
zavise od sloènosti informacionih parametara (amplituda signala,
frekventni spektar, broj komponenata i drugo). Za ove namene
pogodno sredstvo je programabilni mikroprocesorski kontroler koji
osim prora~una i formiranja zavr{nog dokumenta upravlja radom
analizatora.
1.4. PRIKLJUÎVANJE
ANALIZATORA
Na~in priklju~ivanja analizatora na merno mesto u tehno-
lo{kom procesu zavisi od mnogih faktora od kojih su najva`niji:
• agregatno stanje analiziranog materijala (gas, te~nost);
• karakteristike tehnolo{kog procesa (temperatura, pritisak,
prisustvo pra{ine i vodene pare);
• konstrukcija sonde;
• princip rada analizatora.
Beskontaktni na~in je najprostiji − analizirani materijal ne
uvodi se u analizator, pa sonda i cevi za transport nisu potrebni.
Analiza se provodi na osnovu apsorpcije ili refleksije elektroma-
gnetskog zra~enja, pri ~emu zra~enje moè da poti~e bilo od
analiziranog materijala bilo od posebnog izvora (slika 1.3.a,b).
ANALIZATOR ANALIZATOR ANALIZATOR
SENZOR
IZVOR
ZRAÊNJA
a) b) c)
Slika 1.3. Jednostavni na~ini priklju~ivanja: a) beskontaktni sa materijalom koji
zra~i, b) beskontaktni sa posebnim izvorom zra~enja, c) direktni
Direktno priklju~ivanje podrazumeva da je senzor anali-

zatora postavljen neposredno u tok analiziranog materijala, tako da
nije potreban sistem za uzorkovanje (slika 1.3.c). Ovaj elegantni
na~in ima ograni~enu primenu jer je jo{ uvek mali broj senzora sa
kojima je mogu}e direktno meriti fizi~ko-hemijske parametre
materijala. Kao primer moè se navesti automatski analizator
sastava binarnih i pseudobinarnih smesa sa kapacitivnim ili
otporni~kim senzorom, odnosno analizator sadràja vode u benzinu
ili u vazduhu. Veliki istraìva~ki napori ulaù se u razvoj biosenzora,
poluprovodni~kih i optoelektronskih senzora koji omogu}avaju
direktna merenja.
Priklju~ivanje sa povratnim vodom primenjuje se za
otrovne i zapaljive gasove i te~nosti koji se ne smeju ispu{tati u
okolinu. Povratni vod omogu}ava da se uzorak nakon analize vrati
nazad u proces. Stalni protok fluida kroz povratni vod smanjuje
transportno ka{njenje i spre~ava za~epljenje instalacije.
Kada je fluid pod pritiskom (p>p a ), protok kroz povratni vod
omogu}ava se ugradnjom merne prigu{nice u glavni cevovod (slika
1.4.a). Analizator je sme{ten u neposrednoj blizini cevovoda jer je
1. U V O D 21
diferencijalni pritisak na prigu{nici mali i ne bi mogao da odrì

protok u duèm povratnom priklju~nom vodu. Me|utim, procesni
pritisak moè da bude visok i na pozitivnom i na negativnom kraju
priklju~ka, pa je zbog sigurnosti celokupna merna instalacija
(povratni vod, filter, regulator protoka) dimenzionisana na vrednost
pritiska ve}u od procesnog. Odràvanjem konstantnog protoka i
odstranjivanjem nepoèljnih ~estica postiè se stabilniji rad i ta~niji
rezultat.
Kada je pritisak fluida manji od atmosferskog (p<p a ), za
uzimanje uzorka i odràvanje protoka neophodna je pumpa ili
aspirator (slika 1.4.b).
p> pa p< pa
FILTER ANALIZATOR FILTER ANALIZATOR
REGULATOR REGULATOR
PROTOKA PROTOKA
PUMPA
a) b)
Slika 1.4. Priklju~ivanje sa povratnim vodom: a) procesni pritisak ve}i od
atmosferskog, b) procesni pritisak manji od atmosferskog
Priklju~ivanje sa vanjskim ispustom primenjuje se kada je

dozvoljeno da se materijal iza analizatora ispusti u atmosferu,
kanalizaciju ili poseban rezervoar. Tipi~na merna instalacija za fluid
na pritisku p>p a sastoji se od filtera, reduktora pritiska, regulatora
protoka i analizatora sa ispustom (slika 1.5.a).
Prilikom redukcije pritiska gasovi ekspandiraju i hlade se, te
dolazi do delimi~ne kondenzacije prisutnih para. Zato se u mernu
instalaciju ugra|uje rezervoar u kome se sakuplja kondenzat.
Za gas sa p<p a postavlja se pumpa ili aspirator, sli~no kao na
odgovaraju}oj {emi sa povratnim vodom.
Kombinovano priklju~ivanje ~esto se susre}e u praksi jer
omogu}ava da se iskoriste dobre strane {ema sa povratnim vodom i
{ema sa vanjskim ispustom (slika 1.5.b).
p> pa p> pa
FILTER
FILTER
REDUKTOR REGULATOR ANALIZATOR

PRITISKA PRITISKA IZLAZ ANALIZATOR
IZLAZ
KONDEN-
ZATOR ISPUST
ISPUST
a) b)
Slika 1.5. Priklju~ivanje analizatora: a) sa vanjskim ispustom, b) kombinovano
1.5. SISTEM ZA UZORKOVANJE

Sonda za uzorkovanje pravi se kao cev jer se to pokazalo
najprikladnije za dobijanje reprezentativnih uzoraka te~nosti i
gasova. Cev je u stalnom kontaktu sa procesom, pa se zato pravi od
materijala koji omogu}avaju dugove~an rad u uslovima mehani~kog i
toplotnog naprezanja, a ~esto i jakog hemijskog delovanja. Preporuke
proizvo|a~a su dragocene za pravilan izbor cevi.
Cevi se naj~e{}e prave od metala. Metalne nehla|ene cevi
(d≈25 mm) od èleza ili ~elika pogodne su za temperature do
350 °C, a zbog oksidacije na vi{im temperaturama (350−1100 °C) cevi
se prave od specijalnih ner|aju}ih ~elika. Metalne cevi sa vodenim
hla|enjem spre~avaju hemijske reakcije izme|u komponenata uzorka
u toku prolaska kroz cev. Tipi~na sonda ovog tipa pravi se kao cevni
izmenjiva~ toplote duìne 1−4 m i vanjskog pre~nika do 40 mm.
Hemijski izdr`ljive cevi na vi{im temperaturama obi~no imaju
manju mehani~ku ~vrstinu od metalnih. Prave se od borsilikatnog
stakla (do 450 °C), silikatnog stakla (do 950 °C), keramike (do
1400 °C) i rekristalizovanog aluminijuma (do 1 900 °C).
Filter kao deo sistema za uzorkovanje moè da ima raznoliku
konstrukciju, ali je bitno da li je postavljen u tehnolo{kom procesu
ili izvan njega.
1. U V O D 23
Unutra{nji filter se ugra|uje na ulaznom delu sonde ~ime se

spre~ava njeno za~epljavanje i omogu}ava povremeno izgaranje nata-
loènih ~estica, naro~ito na vi{im temperaturama kada je oksidacija
izraènija. Sonda treba da je dovoljno duga~ka da se filter moè
postaviti na mesto sa stacionarnim protokom gasa. Vertikalna
ugradnja sonde i filtera se ne preporu~uje zbog kondenzata.
Uobi~ajena je horizontalna ugradnja, zapravo ugradnja pod malim
uglom koji omogu}ava da se kondenzat lako odvoji od uzorka (slika
1.6.a). Sa vanjske strane sonde skoro uvek postoji rezervni izlaz,
odakle se po potrebi uzima uzorak za laboratorijska ispitivanja ili ~isti
cev. Patrone filtera su od poroznih materijala kao {to su kompozitni
aluminijum, keramika ili silicijum-karbid.
MERNA
P R O C E S ZID INSTALACIJA
FILTER
PATRONA
FILTERA
REZERVNI
IZLAZ
KONDENZAT POKLOPAC
a) b)
Slika 1.6. Filter: a) vanjski, b) unutra{nji
Vanjski filteri prave se od papira, drvene pilotine, azbesta,

staklene i terilenske vune, PVC granula i drugog (1.6.b). Izbor
materijala zavisi od temperature, pritiska i vla`nosti uzorka, veli~ine
~estica koje treba odstraniti i radnih uslova. Prednosti vanjskih
filtera su jednostavnost kontrole, ~i{}enja i zamene.
Vremenom se na filteru nataloè ~estice i uzorak sve teè
prolazi kroz filter. Zato je neophodna redovna kontrola ispravnosti
filtera, ~i{}enje ili zamena. Pad pritiska na filteru usled taloga moè
da posluì kao informacija za indikaciju o njegovoj zasi}enosti.
Izmenjiva~ toplote sluì za grejanje ili hla|enje uzorka.
Najpogodniji su cevni izmenjiva~i toplote, pri ~emu se za hla|enje
obi~no upotrebljava voda, a za grejanje topla voda ili vodena para

(slika 1.7.a). Duìna izmenjiva~a je do 400 mm da bi se dobila
potrebna povr{ina za razmenu toplote, vanjski pre~nik je 20−60 mm,
debljina zidova cevi je oko 1 mm i radni pritisak do 10−15 bar.
Izmenjiva~i sa elektri~nim greja~ima imaju manje dimenzije i manju
vremensku konstantu.
PREMA ANALIZATORU
VODA
UZORAK
ULAZ
TOPLE/HLADNE
VODE
VANJSKA
CEV FILTER
ANALIZATOR
UNUTRA[NJA
CEV
IZLAZ
TOPLE/HLADNE
VODE
UZORAK ASPIRATOR
a) b)
Slika 1.7. Pomo}ni elementi sistema za uzorkovanje: a) cevni izmenjiva~ toplote,
b) aspirator
Aspiratori i vakuum pumpe sluè za usisavanje gasa koji je

na potpritisku. Ugradnja pumpi je jednostavna, ali rad motora moè
da stvori nepoèljne pulsacije koje se otklanjaju posebnim prigu{i-
va~ima.
Hidrauli~ki aspiratori su povoljniji jer kod njih nema motora.
Tipi~an aspirator je Venturijeva sisaljka sa dovoljno velikom
redukcijom pritiska da omogu}i isisavanje uzorka i prolaz kroz filter i
analizator. Voda te~e niz gornju cev, prolazi kroz suènje i izlazi kroz
donju cev u atmosferu. Pogodnim odnosom povr{ina popre~nog
preseka suènja i izlaza moè se na mestu priklju~enja merne
instalacije dobiti potpritisak u odnosu na mesto odakle se uzima
uzorak, koji je dovoljan za obezbe|ivanje potrebnog protoka kroz
filter i analizator (slika 1.7.b).
1. U V O D 25
Umesto vode mogu da se upotrebe komprimirani vazduh ili

vodena para. Kada je radni pritisak analizatora ve}i od atmosferskog,
aspirator se ugra|uje ispred analizatora. U tom slu~aju neophodan je
separator gasa i napojne vode.
Separatori (dehidratori) odstranjuju kondenzat ili vodenu
paru radi dobijanja suhog gasa. Konstrukcija separatora zavisi od
pritiska i temperature uzorka i koli~ine vlage koju treba odstraniti.
Separacija se obavlja hemijskim postupcima, adsorpcijom, kondenza-
cijom i difuzijom.
Hemijska separacija je postupak izdvajanja vode iz uzorka
pomo}u spojeva koji u kontaktu sa vodom formiraju produkt koji ne
deluje na uzorak. Najvi{e se upotrebljavaju dehidrirani fosfor-oksid
P2O5, kalcijum-hidroksid KOH, magnezijum-perhlorat Mg(ClO4)2,
sumporna kiselina H2SO4, kalcijum-sulfat CaSO4, granulasti kalcijum-
-hlorid CaCl2. Efikasnost hemijskih separatora izraàva se
koncentracijom zaostale vode u suvom zraku i kre}e se u intervalu
0,02−1500 mg/m3. Efikasnost se smanjuje {to god je zasi}enost
separatora vodom ve}a, pa tako maksimalna apsorpcija za CaSO4
iznosi 3−4%.
PREMA GAS + GAS GAS

FILTERU VODENA
p pa PARA
∆p
SONDA
GAS +
VODENA
PARA
KONDENZAT
KONDENZAT
a) b) c)
Slika 1.8. Separacija vodene pare: a) U-cev, b) zatvorena posuda,
c) centrifugalni separator
Adsorpcija je fizi~ki postupak vezivanja vode na povr{ini

materijala, tzv. adsorbenata. To su prete`no tvrdi materijali koji su
hemijski inertni, sa izraènom {upljikavo{}u, tj. velikom specifi~nom
povr{inom. Regeneracija se obavlja zagrejavanjem. Najpoznatiji
adsorbenti su amorfni silicijum silika-gel sa potencijalom adsorpcije

vode 20−25%, aktivni aluminijum, ugljen i porozni kerami~ki
materijali sa porama do 3 nm.
Kondenzacija vodene pare je tehni~ki najstariji na~in njenog
izdvajanja. Provodi se pomo}u kondenzatora koji je ohla|en na
temperaturu od nekoliko stepeni iznad 0 °C. Za uzorak na malom
relativnom natpritisku do 10 kPa kondenzat se vrlo efikasno otklanja
pomo}u obi~ne U-cevi (slika 1.8.a). Za ve}e pritiske U-cev je
neprakti~na zvog velike duìne krakova, pa se upotrebljava zatvorena
posuda sa otvorom za povremeno ispu{tanje kondenzata (slika 1.8.b).
Za hromatografe, infracrvene i paramagnetske analizatore
potreban je potpuno suv gas. On se dobija centrifugalnom separa-
cijom pomo}u centrifuge u koju se ubacuje vla`ni gas pod pritiskom
do 4 bara. Raspr{ena te~nost i ~estice pra{ine zahva}ene rotacionim
kretanjem deponuju se na unutra{njem zidu centrifuge, cede se na
re{etkasto dno i izlaze na ispust, a suvi gas odlazi u analizator (slika
1.8.c).
METODA
SELEKCIJE
INSPEKCIJA POSEBNI ZAHTEVI FILTRACIJA
METODA
SEPARACIJE
HEMIJSKI DA ODSTRANJIVANJE POSLE SEPARACAIJE

PRODUKTA
ADSORPCIJA DA REGENERACIJA POSLE SEPARACAIJE

ADSORBENTA
T > 0 °C   
KONDENZACIJA
T < 0 °C DA ODSTRANJIVANJE LEDA 
DIFUZIJA   PRE SEPARACIJE
Tabela 1.2. Metode separacije
Difuzija je postupak separacije pomo}u polupropusnih mem-

brana, koje odvajaju vodenu paru kada se ona kre}e iz podru~ja sa
ve}im ka podru~ju sa manjim parcijalnim pritiskom.
U tabeli 1.2 prikazan je sumarni pregled metoda separacije i
kriterijumi njihove selekcije.
Linija za transport uzorka sastoji se od cevi, ventila, ure|aja
ze regulaciju protoka ili pritiska i pumpe. Zastupljenost pojedinih
1. U V O D 27
elemenata i na~in izrade zavisi od konkretnih uslova primene. S tim

u vezi postoji nekoliko osnovnih zahteva:
• Na celoj liniji ne sme biti curenja uzorka u okolinu niti
prodiranje vanjskog zraka;
• Materijali od kojih se pravi linija treba da su hemijski
neutralni u odnosu na uzorak (u tabeli 1.3 navedeni su
materijali koji se preporu~uju za odre|ene gasove);
• Ventili i spojna mesta treba da imaju {to manje dèpove u
kojima se zadràva vlaga ili zrak;
• î{}enje linije provodi se produvavanjem gasa za ~i{}enje,
prema uputstvu proizvo|a~a.
UZORAK RETKI O2 SO2 UGLJOVO- CO Cl2 NO H2S

GASOVI DONICI CO2 (SUVI) NO2
MATERIJAL
BAKAR / BRONZA + + − • + + − −
NER\AJU]I ÊLIK + + + + + • • +
STAKLO + + + + + + + +
PRIRODNA GUMA − − − − − − − −
POLIMERI + • + • • • • •
ALUMINIJUM + + • + + • • •
+ preporu~uje se; − ne preporu~uje se; • moè se upotrebiti pod odre|enim uslovima

Tabela 1.3. Materijali za cevi za transport uzorka
Uzorkovanje u vi{e ta~aka primenjuje se kada se zbog

ekonomi~nosti pomo}u jednog analizatora nadgleda vi{e ta~aka
procesa. Programator postavljen u komandnoj prostoriji otvara
odgovaraju}i elektromagnetski ventil u skladu sa programom. Obi~no
postoji mogu}nost da se preklju~ivanje pored automatskog odvija i
ru~no (slika 1.9).
Efikasnost uzorkovanja u vi{e ta~aka jako zavisi od tipa pisa~a
koji je povezan sa analizatorom. Na primer, ako su brzina kretanja
papirne trake 5−10 cm/h i minimalna duìna zapisa zbog ~itljivosti
1 cm, tada se preklju~ivanjem moè nadgledati najvi{e 5−10 ta~aka
(12−5 minuta po jednom intervalu). Pomo}u pumpe moè se obezbe-
diti ve}i protok uzorka i time smanjiti vreme izme|u dva sukcesivna
preklju~ivanja na svega 5 s. Ovaj na~in primenjuje se kod brzih
automatskih analizatora (slika 1.10).
PROCES KOMANDNA PROSTORIJA KOMANDNI PULT
A6
A5
A4
A3
A2
A1
3 4 3 4
2 5 2 5
1 A 6 1 6
RU^NO
R BIRANJE
PRIKLJUÎVANJE KANALA
ODABRANOG KANALA NA PISA^
Slika 1.9. Priklju~ivanje analizatora na vi{ekanalni pisač
SONDE
2 4 6 8 10 12
PROCES PROCES
1 3 5 7 9 11
PUMPA
RAZVODNIK ISPUST
ISU[IVA^
ELEKTRO-
MAGNETSKI
VENTIL
ANALIZATOR REZULTAT
Slika 1.10. Uzorkovanje u vi{e ta~aka pomo}u razvodnika i pumpe

1. U V O D 29
LITERATURA
1. D.H.Considine: „Process instruments and controls handbook“, McGraw Hill,

New York, 1974.
2. „Gas analysis − vocabulary“, ISO 6712, 1982.
3. E.B.Jones: „Instrument technology“, Vol.2, On-line analysis measurements,
Newnes−Butterworths. London, 1976.
4. H.E.Soisson: „Instrumentation in industry“, John Wiley & Sons, New York,
1975.
5. H.N.Norton: „Handbook of transducers“, Prentice Hall, Englewood Cliffs,
1989.
6. M.Medenica, D. Male{ev: „Eksperimentalna fizi~ka hemija i instrumentalne

metode“, BIGZ, Beograd, 1994.
7. N.G.Farzane, L.V.Iljasov, A.J.Azim-zade: „Tehnologi~eskie izmerenija i

pribory“, Vys{aja {kola, Moskva, 1989.
8. D.A.Skog, F.J.Holler, T.A.Neiman: „Instrumental Analysis“, (5th ed), Sanders

College Publishing, 1998.
9. „Cole-Parmer Instrument Company 97−98“, catalog, Vernon Hills, Il., USA,

1997.
10. Laboratorijski instrumenti: http://www.techlabservices.com/

2
ANALIZATORI
BINARNIH SMESA
2.1. BINARNE SMESE

2.1.1. Koli~inski sastav
Koncentracija c je parametar za izraàvanje koli~inskog
sastava smese. Odre|uje se kao koli~ina jedne komponente u odnosu
na ukupni volumen V analizirane smese. Zavisno od toga {ta se
posmatra kao koli~ina razlikuju se:
[ mol m3 ] ,
ni
• molarna koncentracija: cni = (2.1)
V
mi
• masena koncentracija: c mi =
V
[ kg m3 ] , (2.2)
Vi
• volumenska koncentracija: cVi = m3 m3 , (2.3)
V
gde su ni [mol], mi [kg] i Vi [m3] koli~ina, masa i volumen posmatrane
komponente na temperaturi od 20 ° C i atmosferskom pritisku od
101,3 kPa.
Samo su molarna koncentracija i njena jedinica mol/m3 u
skladu sa Me|unarodnim sistemom jedinica SI, ali se u praksi jo{
uvek upotrebljavaju masena i volumenska koncentracija. Imaju}i u
vidu da su ρ = m / V i M = m / n nije te{ko pokazati da izme|u pojedinih
oblika izraàvanja koncentracije (2.1)−(2.3) postoje slede}e relacije:
cmi = ρ i ⋅ cVi = M i ⋅ cni , (2.4)
gde su ρ i [kg/m3] gustina i Mi molarnna masa [kg/kmol] kompo-
nente i.
2. ANALIZATORI BINARNIH SMESA 31
Osim osnovnih jedinica u praksi se upotrebljavaju i njihovi

decimalni delovi, na primer: mg/m3, µg/m3, mg/cm3, mol/dm3 (mol/l),
mg/dm3 (mg/l) i dr. Za dvokomponentne smese sastav se izraàva i
odnosom koli~ine komponente koja se rastvara prema koli~ini
komponente koja je rastvara~ − naj~e{}e se izraàva pomo}u
molaliteta [mol/m3], [mol/l] ili molariteta [mol/kg].
Udeo komponente u ukupnoj koli~ini smese predstavlja
relativni odnos, koji se tako|e naziva koncentracijom i ima bezdi-
menzionalnu jedinicu. Izraàvanje koncentracije pomo}u udela pri-
menjuje se za smese ~ije se komponente posmatraju na jednak na~in.
Razlikuju se:
ni
• molarni odnos: cνi =
n
[ mol mol] , (2.5)
mi
• maseni odnos: cµi =
m
[ kg kg ] , (2.6)
Vi
• volumenski odnos: cVi = m3 m3 . (2.7)
V
Navedeni odnosi izraàvaju se u obliku decimalnog broja
0≤c ν i ≤1, 0≤c µ i ≤1 i 0≤c V i ≤1, u stotim delovima − procentima [%], u
hiljaditim delovima − promilima [%o ], u milionitim delovima − part
per million [ppm] i dr.
Izme|u navedenih oblika izraàvanja udela komponente u
ukupnoj koli~ini smese postoje slede}e relacije:
ρi M
c i = cVi ⋅ = cνi ⋅ i . (2.8)
ρ M
Dvostrani odnosi jedinica. Za pretvaranje jedne u drugu
jedinicu koncentracije koriste se tabele sa dvostranim odnosima. U
tabeli 2.1 prikazani su dvostrani odnosi za prera~unavanje
koncentracije gasova i para. Sa M je u tabeli ozna~ena molekulska
masa, sa T termodinami~ka temperatura i sa p apsolutni pritisak.
Faktori korekcije. Na ta~nost merenja koncentracije najvi{e
uti~u curenje uzorka, isparavanje vodene pare, temperatura, pritisak
i dr.
Curenje uzorka iz merne instalacije ili prodiranje vanjskog
zraka u instalaciju menja koncentraciju [ mol/m3 ] . Izmerenu kon-
centraciju uzorka cm potrebno je tada korigovati na slede}i na~in:
JEDINICA OZNAKA % V/V ppm V / V mol/m3 mol/dm3 g/m3 mg/m3
PROCENAT 16 ⋅ 10−2 p
% V/V 1 10 4 16 ⋅ 10−5 p 16 ⋅ 10−2 Mp 16 ⋅ 10 1 Mp
VOLUMENA T T T T
MILIONITI DEO
ppm V / V 10−4 1 16 ⋅ 10−6 p 16 ⋅ 10−9 p 16 ⋅ 10−6 Mp 16 ⋅ 10−3 Mp
VOLUMENA T T T T
MOL PO KUBNOM
mol/m3 62,5 ⋅ 10−1 T 62 ,5 ⋅ 10 3 T 1 10 −3 M 10 3 M
METRU p p
MOL PO KUBNOM 3 62 ,5 ⋅ 10 2 T 62 ,5 ⋅ 10 6 T
mol/dm 10 3 1 10 3 M 10 6 M
DECIMETRU p p
GRAM PO 62 ,5 ⋅ 10 −1 T 62 ,5 ⋅ 10 3 T 10 −3
g/m3 1 1 10 3
KUBNOM METRU Mp Mp M M
MILIGRAM PO 62 ,5 ⋅ 10 −4 T 10 −3 10 −6
mg/m3 62,5T
10−3 1
KUBNOM METRU Mp Mp M M
Primer upotrebe tabele: 1 ppm = 10−4 %.
Tabela 2.1. Dvostrani odnosi me|u naj~e{}im jedinicama koncentracije
 Q 
c′m = 1 + i  ⋅ c m = kQ ⋅ cm , (2.9)
 Qn 
gde su: c′m korigovana vrednost koncentracije, Qi neèljeno isticanje
i Qn nominalni protok uzorka. Faktor kQ predstavlja multiplikativnu
gre{ku, odnosno drift osetljivosti analizatora i odre|uje se kali-
bracijom.
U toku primarne obrade analizirani uzorak moè da promeni
koncentraciju, naj~e{}e zbog isparavanja vodene pare. U tom
slu~aju izmerena koncentracija uzorka cm mora se korigovati da bi
se dobila ta~na vrednost c′m:
1 − cr
c ′m = ⋅ c m = kr ⋅ c m , (2.10)
1 − c ′r
gde su cr i c′r koncentracija vodene pare u uzorku pre i posle obrade
uzorka, a kr korekcioni faktor koji se odre|uje kalibracijom.
2.1.2. Principi analize binarnih smesa

Binarna smesa sastoji se od dve komponente ~ije su kon-
centracije povezane relacijom
c1 + c2 = 1 . (2.11)
Upravljanje kvalitetom hemijsko-tehnolo{kih procesa na osnovu
merenja koncentracije jedne komponente binarne smese ra{irena
je metoda u praksi. Koncentracija c1 je merena veli~ina, a kon-
centracija c2 jednostavno se ra~una: c2 =1− c1. Pri tome se c1 meri

posredno − preko fizi~ke veli~ine xsm, koja predstavlja neko
svojstvo smese, na primer: toplotnu provodnost, elektri~nu otpornost,
apsorpciju zra~enja i dr.
Direktno merena veli~ina xsm je funkcija nepoznatih kon-
centracija c1 i c2 :
y = k ⋅ xsm ( c1 , c2 ) , (2.12)
gde je y izlazni signal iz analizatora i k koeficijent pretvaranja xsm
u y. Kako je c2 =1− c1, izlazni signal y moè se napisati samo u funkciji
merene koncentracije c1:
y = k ⋅ xsm ( c1 , 1 − c1 ) . (2.13)
Dobijena jedna~ina opisuje nelinearnu stati~ku karakteristiku

analizatora koja je nepoèljna za prakti~na merenja. Me|utim,
mnoge smese su aditivne u odnosu na odre|eno fizi~ko svojstvo x, tj.
fizi~ka veli~ina smese xsm je linearna kombinacija te veli~ine xi za
komponente:
n
xsm = ∑x i ⋅ ci . (2.14)
i =1
Relativni udeo xi komponente i uzet je u obzir pomo}u koefici-

jenata, koncentracija ci. Zahvaljuju}i aditivnosti fizi~kog svojstva
stati~ka karakteristika analizatora postaje linearna.
Neselektivna analiza. Za binarnu smesu sa aditivnim
svojstvom x op{ta jedna~ina (2.12) ima slede}i oblik:
y = k ⋅ ( x1 c1 + x2 c2 ) , (2.15)
tako da stati~ka karakteristika linearno zavisi od c1:
[ ]
y = k ⋅ x1 c1 + x2 ( 1 − c1 ) = k ⋅ ( x1 − x2 ) c1 + k ⋅ x2 =
= K ⋅ c1 + y0 . (2.16)
Koeficijent stati~kog prenosa (osetljivost) analizatora je
K=k(x1− x2), {to zna~i da merenje ima smisla samo kada komponente
imaju razli~ite vrednosti merene fizi~ke veli~ine, tj. kada je x1 ≠ x2.
Osetljivost je ve}a {to je razlika x1− x2 ve}a. Drift nule odre|uje se kao
po~etna vrednost izlaza y=y 0=k⋅x2. Tada je prisutna samo nemerena
komponenta (c1 =0, c2 =1) i analizator radi kao senzor veli~ine x2.
Nedostatak ove metode merenja je {to izlaz ne zavisi samo od x1

ve} od razlike x1− x2. Zato je neophodno osigurati da bude x2 =const.
Drift nule koji se tada javlja lako se kompenzuje kao sistematska
gre{ka.
Selektivna analiza binarnih smesa temelji se na merenju

fizi~ke veli~ine ~ija vrednost zavisi samo od merene komponente. U
nemerenoj komponenti ta veli~ina jednaka je nuli: x2 = 0. Kada je
navedeni uslov ispunjen, stati~ka karakteristika analizatora (2.16)
dobija jednostavniji oblik:
y = k ⋅ x1 = K1 ⋅ c1 . (2.17)
Osetljivost selektivnog merenja K1 = k⋅x1 ve}a je nego osetljivost

neselektivnog merenja K = k⋅(x1− x2) za vrednost k⋅x2.
Diferencijalna analiza binarnih smesa zasniva se na istovre-

menom merenju u dva identi~na kanala. Prvi kanal je merni i u
njemu se nalazi analizirani materijal, a drugi kanal je referentni i
sadrì materijal ~ija su fizi~ka svojstva relevantna za merenje
poznata i konstantna. Analizator koji radi na ovom principu ima
izlaz jednak razlici izlaza mernog i referentnog kanala:
∆y = ym − yr = km ⋅ xsm − kr ⋅ xr . (2.18)
Konstrukcija oba kanala je identi~na, pa su njihovi koeficijenti

stati~kog prenosa jednaki: km =kr =k. Izlazni signal diferencijalnog
analizatora binarne smese moè se napisati u obliku:
∆y = k ⋅ ( x1 c1 + x2 c2 ) − k ⋅ xr =
= k ⋅ x1 c1 + k ⋅ x2 ( 1 − c1 ) − k ⋅ xr =
(2.19)
= k ⋅ ( x1 − x2 ) c1 + k ⋅ ( x2 − xr ) =
= K 2 ⋅ c1 + ∆y0 .
Osetljivost diferencijalnog analizatora je K2 =k ⋅ (x1− x2), a drift

nule ∆y0 = k⋅(x2 − xr). Kada se za referentni materijal uzme nemerena
komponenta ( xr = x2), tada nema drifta nule (∆y0 = 0), a osetljivost K2
ostaje nepromenjena i zavisna od razlike x1− x2.
2.1.3. Principi analize pseudobinarnih smesa

Pseudobinarna smesa sastoji se od n komponenata, ali se
pod odre|enim uslovima moè tretirati kao binarna − odatle i poti~e
njen naziv. U op{tem slu~aju izlazni signal iz analizatora aditivne
smese od n komponenata ima oblik:
 
 n

y = k ⋅ xsm = k ⋅  xi ci + ∑ x jc j  , (2.20)
 j=1 
 j≠ i 
pri ~emu je:
n
ci + ∑c j = 1. (2.21)
j=1
j≠ i
Smesa sa n komponenata moè se tretirati kao binarna u

odnosu na odre|eno fizi~ko svojstvo x u slede}im slu~ajevima:
• Sve komponente ~ije se koncentracije ne mere imaju pribli`no
jednaku vrednost fizi~ke veli~ine x, ali razli~itu od vrednosti te
veli~ine xi koju ima komponenta i ~ija se koncentracija meri,
odnosno:
x1 = x2 = ⋅ ⋅ ⋅ = x j = ⋅ ⋅ ⋅ = xn = x , x j ≠ xi . (2.22)
Zato se nemerene komponente mogu tretirati kao jedna, tako

da jedna~ina (2.20) tada postaje:
n
y = x i ci + x ∑ c j = xi ci + xc , (2.23)
j=1, j ≠ i
{to odgovara binarnoj smesi i moè se primeniti neselektivni

analizator koncentracije (2.16).
• Sve komponente osim merene komponente i ~ine smesu
postojanog sastava, a svojstvo x analizirane smese menja se
zbog promene odnosa koncentracija merene komponente i
smese ostalih komponenata.
• Nemerene komponente imaju znatno manju koncentraciju
od merene komponente i ili je njihova koncentracija jednaka
nuli.
2.2. TERMOPROVODNI
ANALIZATORI
2.2.1. Fizi~ka osnova
Princip rada termoprovodnih analizatora zasniva se na
provo|enju (kondukciji) toplote kroz gasove pod delovanjem gra-
dijenta temperature.
Uticaj pritiska. Prema kineti~koj teoriji gasova provo|enje
toplote proporcionalno je proizvodu broja molekula i srednje duìne
slobodnog puta molekula. Za jako razre|en gas, tj. pri malim
vrednostima pritiska ( p<1 000 Pa), srednja duìna puta srazmerna je
dimenzijama prostora u kome je gas zatvoren. Tada je provo|enje
toplote proporcionalno pritisku, {to je osnova za gradnju Piranijevog
vakuummetra. Za ve}e vrednosti pritiska provo|enje toplote ima
odre|enu konstantnu vrednost koja ne zavisi od pritiska.
Uticaj temperature na provo|enje toplote kroz gasove je
jako izraèn. Sa porastom temperature kineti~ka energija molekula
postaje ve}a i molekuli se brè kre}u − tim brè {to je gas re|i. To
zna~i da je gas sa manjom gustinom bolji provodnik toplote.
Zavisnost koeficijenta toplotne provodnosti λ od temperature je
sloèna funkcija koja u intervalu od − 80 °C do + 100 °C ima oblik:
3
 273   T 2
λ T = λ 0⋅  b + +T ⋅  , (2.24)
 b   273 
gde je λ0 koeficijent toplotne provodnosti na temperaturi T=273 K,
a b je konstanta specifi~na za dati gas.
Vrednosti koeficijenta toplotne provodnosti za gasove u litera-
turi se obi~no daju u odnosu na suvi vazduh (λv=390,8 J/s⋅m2⋅m⋅°C)
na atmosferskom pritisku 101,3 kPa, (tabela 2.2).
RELATIVNI KOEFICIJENT RELATIVNI KOEFICIJENT

GAS TOPLOTNE PROVODNOSTI GAS TOPLOTNE PROVODNOSTI
0 °C 100 °C 0 °C 100 °C
KISEONIK O2 1,045 1,053 UGLJEN-MONOKSID CO 0,964 0,962
AZOT N2 1,022 1,015 UGLJEN-DIOKSID CO2 0,614 0,725
METAN CH4 1,318 1,45 ETAN C2H6 0,807 0,970
VODONIK H2 7,130 7,018 SUMPOR-DIOKSID SO2 0,344 0,377
HLOR Cl2 0,322 0.381 VODENA PARA H2O  0,760
Tabela 2.2. Termi~ka provodnost gasova u odnosu na suvi zrak

Binarne smese. Veza izme|u provo|enja toplote i koli~ine

komponenata u smesi te{ko se moè opisati jer bi trebalo uzeti u
obzir molekulske i fizi~ke konstante svake komponente kao i sudare
izme|u istih i razli~itih molekala. Ta~na kalibraciona kriva
toplotna provodnost smese − toplotna provodnost komponente moè se
ustanoviti eksperimentom. Ve}ina binarnih i pseudobinarnih smesa,
me|utim, aditivna je u odnosu na toplotnu otpornost, veli~inu
inverznu provo|enju toplote, tako da jedna~ina (2.14) u ovom slu~aju
ima oblik:
n
1 1
λ sm
= ∑λ
i =1 i
⋅ ci . (2.25)
2.2.2. Standardni termoprovodni analizatori

Konstrukcija. Termoprovodni analizator naj~e{}e se sastoji od
metalnog termostatiranog ku}i{ta u kome se nalaze ~etiri identi~ne
cilindri~ne }elije (slika 2.1.a). Kroz dve merne }elije proti~e anali-
zirani gas, a kroz druge dve referentni. Referentne }elije mogu biti
i kaptirane. U svakoj }eliji postavljeni su elektri~ni otpornici
jednakih termi~kih i elektri~nih karakteristika.
U
REGULATOR
R R P2
PROTOKA
B
Pt-@ICA
UZORAK
Rr
Rm
A P1
C
Rr
Rm
KU ] I[ TE REFERENTNI
GAS
D
MERNE REFERENTNE
UZORAK ]ELIJE ]ELIJE REFERENTNI
GAS INDIKACIJA [%V/V]
a) b)
Slika 2.1. Termoprovodni analizator sa ~etiri }elije: a) konstrukcija, b) }elije
spojene u Vitstonov most
Otpornici se prave od platinske ili volframove ìce pre~nika

0,02 − 0,05 mm i imaju otpornost 5 − 60 Ω. Treba napomenuti da se
termistori i pored malih dimenzija ovde retko koriste jer se prave od
materijala osetljivih na hemijsko delovanje gasova {to unosi drift u
merenje. Otpornici su spojeni u Vitstonov most, koji se napaja iz
stabilnog jednosmernog naponskog izvora U (slika 2.1.b). Napon
napajanja treba da omogu}i da kroz grane mosta te~e dovoljno jaka
struja (100 − 200 mA) da zagreje otpornike na temperaturu
50 − 400 °C. Nula mosta pode{ava se pomo}u potenciometra P1, a
osetljivost mosta pomo}u potenciometra P2.
Konstrukcija analizatora moè da ima samo dve }elije, jednu
mernu i jednu referentnu (slika 2.2.a). Za formiranje mosta dodaju se
jo{ dva jednaka eksterna otpornika. Poèljno je da su to otpornici na
bazi manganina, koji su temperaturno invarijantni jer imaju mali
temperaturni koeficijent otpornosti.
U B
R R
REAKTOR
Ui C
A B
MODIFIKO-
UZORAK REFERENTNA
]ELIJA VANI GAS
Mr
MERNA D REFERENTNA
]ELIJA ]ELIJA
MERNA
A Ui ]ELIJA C
Mm
R R
U
R
UZORAK
a) b)
Slika 2.2. Termoprovodni analizator sa dve }elije: a) tipi~na konstrukcija,
b) analizator sa dvostrukim prolazom
Posebna konstrukcija sa dve }elije naziva se analizator sa
dvostrukim prolazom. Uzorak analiziranog gasa prvo prolazi kroz
}eliju Mr, zatim se na odre|en na~in modifikuje u reaktoru i onda
prolazi kroz }eliju Mm u susednoj grani mosta (slika 2.2.b). U ovom
slu~aju nemodifikovani gas u Mr tretira se kao referentni jer se u
odnosu na njega vr{i pore|enje gasa u Mm. Analizator sa dvostrukim

prolazom primenjuje se, na primer, za merenje koncentracije CO u
zapaljivim gasovima ili vazduhu, pri ~emu se uzorkovana smesa u
reaktoru podvrgava sagorevanju (oksidaciji) CO u CO2.
Na~in rada za sve standardne termoprovodne analizatore je
sli~an. Kada se uzorak ne razlikuje od referentnog gasa, tada je
Vitstonov most u ravnoteì i izlazni signal jednak je nuli. Prelaz
toplote sa otpornika do zidova }elije ostvaruje se skoro u celosti
kondukcijom, zanemarljivo malo konvekcijom i radijacijom.
Ako je u referentnim }elijama vazduh, a u mernim smesa
vazduha i SO2, naru{i}e se ravnoteà mosta zato {to se otpornik Rm
sporije hladi od otpornika Rr zbog prisustva SO2 ~iji je koeficijent
toplotne provodnosti tri puta manji nego kod vazduha. Otpornik Rm
bi}e na ve}oj temperaturi nego Rr i ima}e ve}u otpornost (Rm >Rr ),
pad napona na Rm bi}e ve}i nego na Rr, a potencijal UB ve}i od
potencijala UD. Na izlaznoj dijagonali mosta tada nastaje napon
UBD =UB−UD proporcionalan razlici u provo|enju toplote merne i
referentne }elije. Ako je analizirana smesa binarna, tada se izlazni
signal saglasno sa jedna~inom (2.23) moè kalibrisati srazmerno
koncentraciji SO2 u vazduhu.
Stati~ka karakteristika. Dùlova toplota sa otpornika Rm
prelazi do zidova }elije skoro u celosti kondukcijom jer je smesa
homogena, pa je
I 2 Rm ≈ kλsm ∆T , (2.26)
gde su: λsm koeficijent toplotne provodnosti smese [W/mK], k
koeficijent proporcionalnosti koji zavisi od unutra{njih dimenzija
}elije (geometrije gasnog konduktora), I=E/(Rm+Rr) struja kroz
polumost ABC i ∆T=T−T0 razlika izme|u temperature otpornika
T i temperature termostatiranog ku}i{ta T0.
Razliku temperature ∆T lako je odrediti iz temperaturne
zavisnosti otpornika Rm:
Rm = R0 ⋅ ( 1 + α∆T ), (2.27)
odnosno:
Rm − R0
∆T = , (2.28)
R0α
pri ~emu je α linearni temperaturni koeficijent otpornosti [1/°C], a R0
vrednost otpornosti Rm na temperaturi T0.
Kada se dobijeni rezultat za ∆T uvrsti u jedna~inu toplotne

ravnoteè (2.26), ona dobija oblik:
I 2 Rm R0α = kλsm ( Rm − R0 ) . (2.29)
Odavde se sada ra~una vrednost Rm:
kλsm R0 kλsm R0 I 2 R02α

Rm = = ± R0 = R0 + . (2.30)
kλsm − I 2 R0α kλsm − I 2 R0α kλsm − I 2 R0α
Razlika otpornosti Rm−R0 je mala. Zbog toga faktor kλsm na

desnoj strani jedna~ine (2.29) mora biti mnogo ve}i od I2RmR0α, a tim
prije od proizvoda I2R0α u nazivniku jedna~ine (2.30), tako da se
dobijeni rezultat za Rm pojednostavljuje na oblik:
I 2 R02α
Rm = R0 + . (2.31)
kλ sm
Analizom prelaza toplote sa otpornika u referentnoj }eliji dolazi
se do sli~nog izraza za prora~un otpornosti Rr:
I 2 R02α
Rr = R0 + , (2.32)
kλ r
gde je λr koeficijent toplotne provodnosti referentnog gasa.
Sa izra~unatim vrednostima Rm i Rr izlazni napon sa Vit-
stonovog mosta je:
 1 1 I
U i = U  Rm −  = ⋅ (Rm − Rr ) =
 Rm + Rr 2 2
(2.33)
I 2 R02α  1 1   1 1 
= ⋅  −  = k1 ⋅  − .
2k  λ sm λ r   λ sm λ r 
Za konkretni slu~aj smesa je vazduh+SO2, referentni gas je

vazduh, a SO2 je gas ~ija se koncentracija meri. Ova smesa je binarna
u odnosu na termi~ku otpornost, pa se razlika 1/λsm−1/λr moè
napisati na slede}i na~in:
1 1  1 1  1  1 1 
− =  cm + cr  − = cm ⋅  − , (2.34)
λ sm λ r  λ m λ r  λ r  λm λ r 
 
odnosno, izlazni napon mosta (2.33) dobija krajnji oblik koji je

proporcionalan merenoj koncentraciji:
U i = K ⋅ cm (2.35)
gde je K=(I2R0α/2k)/(1/λm−1/λr)=k1 ⋅ (1/λm−1/λr) osetljivost analizatora.
Drifta nule nema jer je u pitanju diferencijalna analiza u kojoj
nemerena komponenta ima ulogu referentne vrednosti.
Tehni~ke karakteristike. Termoprovodni analizatori osetljivi
su na svaki gas ~ija se termoprovodnost razlikuje od termo-
provodnosti referentnog gasa. Pove}anje osetljivosti K mogu}e je
ostvariti:
• Izborom otpornika koji ima va}u otpornost R0 na referentnoj
temperaturi. Ova mogu}nost je za metalne otpornike ogra-
ni~ena, ali se mogu upotrebiti termistori, poluprovodni~ki NTC
ili PTC otpornici koji imaju R0=2−3 kΩ;
• Pove}anjem struje I, {to je ograni~eno zbog prekomernog
zagrevanja otpornika. Ve}a struja zna~i ve}e ∆T i opasnosti od
eksplozije u slu~aju zapaljivih gasova;
• Smanjivanjem koeficijenta k, tj. adekvatnim projektovanjem
unutra{njih dimenzija }elije, {to je ograni~eno zbog istovre-
menog smanjivanja kondukcije;
• Pove}avanjem razlike 1/λm−1/λr, {to se postiè adekvatnim
izborom referentnog gasa.
Termoprovodni analizatori primenjuju se za merenje malih
(0−1% V/V, 0−5% V/V), ali i ve}ih koncentracija (0−50% V/V). U tabeli
2.3 dati su podaci o vrednostima opsega za binarne smese koje se
naj~e{}e analiziraju termporovodnim analizatorom. Za vazduh kao
referentni gas smatra se da je ~ist i da mu je sastav fiksiran.
Temperatura uzorka je 2−50 °C na atmosferskom pritisku.
Tipi~na ta~nost je ±2−5%, s tim {to je bolja pri ve}im opsezima.

Na ta~nost jako uti~e promena struje I zbog nestabilnosti napona
napajanja − promena struje od 1% menja ta~nost za 3%. Na ta~nost
uti~e i varijacija R0 zbog nestabilnosti referentne temperature T0 −
promena R0 za 1% menja ta~nost za 2%. Iz ovih razloga Vitstonov
most napaja se iz stabilisanog izvora, a armatura temperaturno
stabili{e.
2.2.3. Termoprovodni analizatori difuzionog tipa

Difuzioni analizatori (katarometri) razlikuju se od stan-
dardnih termoprovodnih analizatora po tome {to analizirani gas u
mernu komoru ne ulazi direktno ve} difundira kroz membranu
zahvaljuju}i razlici koncentracije gasa sa jedne i druge strane
membrane. Prenos mase difuzijom u vezi je sa haoti~nim kretanjem
molekula u smeru manje koncentracije, pri ~emu se prolaz kroz
~vrstu membranu tuma~i postojanjem diskontinuiteta u kristalnoj
re{etki materijala od kojeg je membrana napravljena, pojavom
pukotina i pora u makrostrukturi tog materijala ili rastvaranjem
gasa u njemu. Membrane za difuzione analizatore naj~e{}e se prave
od kvarca, stakla, metala ili polimera.
Konstrukcija. Difuzioni analizatori imaju specijalno kon-
struisane merne }elije iz dva dela (slika 2.3.a). Prvi deo uvek je
identi~an referentnoj }eliji, tu su Pt-otpornici koji formiraju polumost
i preko kojih prelazi referentni gas, na primer vazduh. Drugi deo
merne }elije je tako profilisan da se iz toka uzorka, na primer
vazduh+vodonik, izdvoji dèp sa mirnijim tokom usmerenim prema
membrani. Kroz membranu debljine d=10−20 µm difundiraju samo
molekuli vodonika, komponente ~ija se koncentracija meri. Brzina
difuzije obrnuto je proprcionalna kvadratnom korenu gustine
vodonika. Difundirani molekuli me{aju se sa referentnim gasom
pove}avaju}i njegov koeficijent prelaza toplote, temperatura i otpor-
nost otpornika Rm postaju manji nego kod otpornika Rr, pa dolazi do
naru{avanja ravnoteè mosta. Kada je izlazni napon mosta pozitivan,
koncentracija vodonika ve}a je od referentne, a kada je izlazni napon
negativan, tada je koncentracija vodonika manja od referentne.
Stati~ka karakteristika difuzionog analizatora dobija se
korekcijom jedna~ine toplotne ravnoteè (2.26):
Qd ⋅ I 2 Rm = kλsm ∆T ⋅ Qr , (2.36)
gde su Qd protok difundiranih ~estica i Qr protok referentnog gasa.
Izlazni signal mosta bi}e isti kao u jedna~ini (2.35) samo pomnoèn
faktorom Qd/Qr. Protok Qd je proporcionalan povr{ini membrane S i
obrnuto proporcionalan njenoj debljini d, pa se izlazni napon mosta
moè napisati u obliku:
kd S
Ui = ⋅ Kcm , (2.37)
d ⋅ Qr
gde je kd koeficijent difuzije merene komponente kroz membranu.
Konstrukcija minijaturne }elije sa staklenom membranom

prikazana je na slici 2.3.b. Membrana je napravljena tako {to je
Pt−ìca provu~ena kroz staklenu kapilaru, koja je onda stopljena na
ìci i savijena u èljeni oblik. Gas se {iri difuzijom kroz membranu i
menja njen koeficijent toplotne provodnosti, a time i odvo|enje
toplote sa Pt-otpornika. Membrana sa otpornikom stavljena je u
ne{to {iru staklenu cev ~ije je dno stopljeno. Kroz dno prolaze
bakarne ìce za spajanje otpornika. Oko staklene cevi je za{titna
metalna cev, a me|uprostor je ispunjen metalom niske ta~ke
topljenja. ]elija se na kraju ugra|uje u termostatirano ku}i{te
analizatora. Referentna }elija razlikuje se od merne samo po tome
{to je sa gornje zatvorena i {to je u njoj kaptiran referentni gas.
U UZORAK
B STAKLO
METALNA
ISPUNA
R . R
A Ui . C
ZA[TITNI
OKLOP
. D
MEMBRANA
. [UPLJINA
Pt− @ICA
Rr Rm
Pt/Cu SPOJ
MEMBRANA Cu−@ICA
STOPLJENO
DNO
REFERENTNI UZORAK
GAS
a) b)
Slika 2.3. Difuzioni analizator: a) konstrukcija, b) minijaturna }elija
Pore|enje. Difuziono-termoprovodni analizatori bolji su nego

obi~ni termoprovodni. Za difuziju je bitan gradijent koncentracije
uzorka a ne njegov protok, {to omogu}ava male dimenzije }elije
(zapremina 3−50 mm3, duìna 2−20 mm), mali protok analiziranog

gasa (do 200 cm3/min). Ta~nost je ±1−2%, u boljem slu~aju i manje od
± 1%, opseg od 0−10% V/V ili 0−100% V/V, vreme reakcije je 10−15 s
(5−10 s je vremenska konstanta i oko 5 s vreme uzorkovanja).
2.3. MAGNETSKI SENZORI

GASOVA
2.3.1. Fizi~ka osnova
Magnetska svojstva. Svi materijali se magnetizuju kada se
nalaze u magnetskom polju. Feromagnetici (gvo`|e, feronikl legure,
tvrdi „alnico“ ~elici i dr.) reaguju i u slabom magnetskom polju, dok
dijamagnetici i paramagnetici reaguju samo u jakom magnetskom
polju. Haoti~no raspore|eni magnetski dipoli dijamagnetskih materi-
jala postavljaju se suprotno smeru polja koje indukuje magnetizaciju,
pa nastaje mala odbojna sila koja pomera materijal od ja~eg prema
slabijem delu polja. Kod paramagnetika dipoli se orijenti{u u smeru
polja, isto kao kod gvo`|a, a zahvaljuju}i privla~noj reakciji materijal
se kre}e od slabijeg ka ja~em delu polja. U paramagnetske materijale
spadaju metali od titana do nikla, od platine do paladijuma, oksidi
azota (NO, NO2) i kiseonik (O2, O3), a u dijamagnetske spadaju bakar,
bizmut, gasovi i dr.
Kvantitativna svojstva magnetizovanja materijala procenjuju se
pomo}u magnetske susceptanse κ koja je jednaka odnosu magnetiza-
cije M [A⋅m−1] materijala i primenjenog magnetskog polja H [A⋅m−1],
koje je izazvalo magnetizaciju. Vrednost susceptanse za dijamagne-
tike je mala i negativna (od −10−6 do −10−3) i nezavisna od
temperature, za paramagnetike je mala i pozitivna (10−6−10−3) i
obrnuto proporcionalna temperaturi, a za feromagnetike je pozitivna
(100−106) i zavisna od ja~ine i frekvencije magnetskog polja i
temperature. Iznad Kirijeve temperature TC materijal gubi
feromagnetska svojstva i postaje paramagnetik. Sa daljim porastom
temperature susceptansa po jedinici zapremine κp opada po Kiri-
-Vajsovom zakonu:
C⋅ ρ
κp = , (2.38)
T − θp
gde su C Kirijeva konstanta, θp Vajsova konstanta i ρ gustina za dati

paramagnetik.
Ako se posmatraju samo paramagnetski gasovi, tada ρ moè
da se izrazi pomo}u jedna~ine gasnog stanja (iz pV=mRT i
R0 = µR dobija se ρ =µ p/R0T ), pa Kiri-Vajsov zakon za T>>θp ima
slede}i oblik:
C µp Cµ p
κ p= ⋅ ≈ , (2.39)
T −θ p R0T R0T 2
gde su: µ molarna masa [g/mol], p apsolutni pritisak [Pa], i R0 = 8,314

J/(mol⋅K) univerzalna gasna konstanta.
Kiseonik kao paramagnetik. Prisustvo kiseonika se kon-
troli{e: u gorivima jer smanjuje sadràj gorivih elemenata sa kojima je
sjedinjen, u barokomorama jer moè dovesti do eksplozije, u
tehnolo{kim procesima jer stvara jedinjena koja smanjuju vrednost
osnovnog proizvoda, u biolo{kim ispitivanjima i dr. Merenje sadràja
kiseonika provodi se u binarnim smesama zahvaljuju}i aditivnom
svojstvu magnetske susceptanse. Skoro svi gasovi su dijamagnetici,
mali broj su paramagnetici, pri ~emu samo kiseonik, azot-monoksid i
azot-dioksid imaju ve}u vrednost susceptanse (tabela 2.3).
GAS % κO2 GAS % κO2 GAS % κO2
IZOBUTAN −1,30 HLOROVODONIK −0,30 ARGON −0,22

n-BUTAN −1,30 UGLJEN-DIOKSID −0,27 METAN −0,20
PROPAN −0,86 ETILEN −0,26 UGLJEN-MONOKSID +0,01
HLOR −0,77 AMONIJAK −0,26 VODONIK +0,24
BUTADIEN −0,65 ACETILEN −0,24 AZOT-DIOKSID +43
ETAN −0,46 AZOT-MONOKSID −0,20 KISEONIK +100
Tabela 2.3. Magnetska susceptansa gasova u odnosu na kiseonik

κO2 = 133,6 ⋅ 10−8
2.3.2. Magnetodinami~ki O2 senzor

Ovaj senzor predstavlja prakti~nu primenu Faradejeve metode
merenja magnetske susceptanse pomo}u sile koja deluje na
dijamagnetsko telo u nehomogenom magnetskom polju. Telo je

napravljeno u obliku {upljih kugli od kvarca (dijamagnetik) ispunjenih
azotom (paramagnetik κ N 2 = 0,43κ O 2 ). Kugle su spojene osovinom
kroz ~iji centar prolazi vertikalna torziona nit upeta na krajevim za
armaturu. Ovaj zakretni sistem sme{ten je izme|u polova magneta
profilisanih tako da daju nehomogeno magnetsko polje. Zakretanje je
proporcionalno magnetskoj susceptansi gasne smese koja proti~e
oko kugli, odnosno zakretanje }e biti ve}e {to je ve}a koncentracija
kiseonika u smesi (slika 2.4).
TORZIONA
NIT
SPECIJALNO
OBLIKOVANI S
MAGNETI
S
SVITAK
OGLEDALO
UZORAK
IZVOR N
SVETLOSTI
. .
%O2 Ui
FOTODIODE I Ri
A . .
Slika 2.4. Magnetodinami~ki O2 senzor kompenzacionog tipa
Savremeni magnetodinami~ki O2 senzori zatvoreni su u ku}i{tu

kroz koji proti~e binarna smesa sa kiseonikom. Zakretanje kugli
meri se optoelektronski, direktnom ili kompenzacionom metodom.
Kod direktnog merenja svetlosni zrak iz vanjskog izvora odbija se od
laganog ogledala u~vr{}enog na sredini zakretnog sistema do dveju
fotodioda u diferencijalnom spoju. Diode su postavljene simetri~no u
odnosu na nulti poloàj, tako da je diferencijalni izlazni napon
proporcionalan zakretanju.
Na slici 2.4 je magnetodinami~ki O2 senzor kompenzacionog

tipa. Diferencijalni napon sa fotodioda vodi se na poja~ava~ ~ija
izlazna struja I zakre}e svitak od Pt-ìce sve dok se kugle ne vrate u
nulti poloàj. Struja I=4−20 mA je signal povratne sprege, ali
istovremeno i izlazni signal. Otpornik Ri sluì za konverziju strujnog
u naponski signal Ui =IRi, obi~no se nalazi u ulaznom kolu pisa~a ili
pokaznog instrumenta na bazi voltmetra. Minimalni opseg je
0 − 0,1%O2, maksimalni do 100%O2, ta~nost je ± 1−2% opsega. Para-
magnetska svojstva uzorka moraju biti konstantna u toku analize jer
u protivnom nastaje drift.
2.3.3. Termomagnetski O2 senzor

Rad ovog senzora temelji se na osobinama kiseonika kao
paramagnetika: njegova magnetska susceptansa opada sa porastom
temperature, a u nehomogenom magnetskom polju teì da se kre}e
iz oblasti sa slabijim ka oblasti sa ja~im magnetskim poljem.
Ui [% O2]
S R1 R2 P1
N
R
U
STALNI
MAGNET
P2
UZORAK
Slika 2.5. Termomagnetski O 2 senzor
Senzor se sastoji od prstenaste komore sa popre~nom cevi od

stakla oko koje su simetri~no namotani navoji otpornika R1 i R2
(slika 2.5). Dva eksterna otpornika kompletiraju Vitstonov most,
koji je zapravo termokonvekcioni senzor protoka. Kada analizirana
smesa ne sadrì kiseonik, nema protoka kroz cev i izlazni napon

jednak je nuli. Me|utim, kada ima kiseonika, magnetsko polje
jakog magneta na levom kraju cevi privla~i kiseonik jer se on kao
paramagnetik kre}e od slabijeg ka ja~em delu polja. Toplota sa
otpornika R1 zagreva kiseonik na temperaturu iznad Kirijeve
(75−80 °C). Zbog toga kiseonik gubi paramagnetska svojstva,
postaje dijamagnetik te se dalje kre}e udesno u pravcu slabljenja
polja. Ova pojava naziva se magnetski vetar.
Konvekcioni prelaz toplote sa otpornika R1 na hladni kiseonik
vi{e je izraèn nego prelaz toplote sa otpornika R2 na prethodno
zagrejan kiseonik. Zato su temperatura i otpornost za R1 manji nego
za R2, odnosno debalans mosta proporcionalan je udelu kiseonika u
analiziranoj smesi: U i = k ⋅ cO2 . Osetljivost k zavisi od konstrukci-
onih parametara i vrste nose}eg gasa sa kojim kiseonik ~ini binarnu
smesu. Pode{avanje nule obavlja se pomo}u potenciometra P1, a
pode{avanje osetljivosti pomo}u potenciometra P2.
Osnovne tehni~ke karakteristike ovog analizatora su slede}e:
minimalni opseg je 0−2%O2, maksimalni do 100%O2, ta~nost ± 1−2%
opsega, protok uzorka 10 l/h.
2.3.4. Tehni~ke karakteristike

Magnetski senzori danas se retko primenjuju kao samostalni
ure|aji. Njihova najve}a primena je u hromatografima gde sluè za
detekciju odre|enih gasnih komponenata. Tipi~ne vrednosti tehni~kih
parametara za termomagnetske senzore su slede}i:
• opseg 0−1% V/V ili 0−100% V/V;
• ta~nost ± 2−5%;
• rezolucija 0,01 − 0,05 %O2;
• vremenska konstanta 7−15 s;
• temperatura termostatiranja 45 °C;
• napon napajanja 12 V;
• protok uzorka 100 cm3/min;
• dozvoljeno odstupanje pritiska u odnosu na po~etni pri nultoj
koncentraciji kiseonika je ± 5 kPa.
2.4. SPEKTRALNI ANALIZATORI

2.4.1. Uvod
Spektar se nalazi kao prefiks u imenu ve}eg broja instrumenata:
spektroskop, spektrofotometar, spektrometar, spektrograf, i dr.
Spektar (lat. spectrus) je prvobitno ozna~avao kontinualnu distribuciju
boja pri prelamanju kroz prizmu: od ljubi~aste sa najmanjom talasnom
duìnom do plave, zelene, ùte, narandàste i crvene koja ima
najve}u talasnu duìnu. U {irem zna~enju spektar ozna~ava sve
vrednosti koje jedna veli~ina moè da poprimi, a u uèm smislu
predstavlja distribuciju:
• elektromagnetskog zra~enja (γ, kosmi~kog, x, UV, vidljivog,
IC, mikrotalasnog i radiotalasnog);
• energije ~estica (elektrona, protona, neutrona, mase);
• specijalnih fenomena (radioaktivnog zra~enja, efekat Mos-
bauera).
Uz re~ spektar dodaju se sufiksi skop, metar, fotometar, graf,
heliograf i drugi da se ozna~i vrsta ili namena instrumenta. Na
primer, spektroskop ozna~ava instrument za posmatranje vidljivog
dela spektra, spektrograf je ure|aj za razlaganje i registrovanje
spektra, a spektrometar ozna~ava instrument za odre|ivanje poloàja
pojedinih linija spektra. Pridevi apsorpcioni, disperzioni, emisioni ili
difrakcioni ozna~avaju odre|eno svojstvo merenog zra~enja ili na~ina
merenja.
2.4.2. Apsorpcioni analizatori

Apsorpcija elektromagnetskog zra~enja. Merenje kon-
centracije te~nosti i gasova na osnovu apsorpcije vidljivog, infracrvenog
(IC) ili ultraljubi~astog (UV) zra~enja spada u spektrometarske
metode. Analizatori koji rade na ovom principu nazivaju se
apsorpcioni spektrometri.
Apsorpciju zra~enja opisuje jedna~ina Lamber-Bugera:
I t (λ ) = I 0 (λ ) ⋅ e -αa (λ )⋅L , (2.40)
gde su: I0(λ) i It(λ) intenzitet zra~enja na talasnoj duìni λ pre i posle
prolaska kroz analizirani uzorak [ lm/sr ] , α a(λ) linearni koeficijent
apsorpcije i L debljina uzorka [ cm ] . Razlika Ia = I0 − It predstavlja

apsorbovano zra~enje od strane uzorka.
Koeficijent apsorpcije α a [ 1/m ] je na osnovu Berovog zakona
proporcionalan koncentraciji c [mol/l]:
α a (λ ) = ε a (λ ) ⋅ c , (2.41)
gde je ε a ( λ ) molarna apsorptivnost, molarni linearni koeficijent
apsorpcije uzorka [ l⋅mol−1 ⋅ m−1 ] na talasnoj duìni λ. Prema tome,
dobija se da je zavisnost transmitovanog zra~enja od koncentracije
eksponencijalna:
-ε a ( λ ) ⋅ L⋅c
I t ( λ) = I 0 ( λ) ⋅ e , (2.42)
Iz prethodne jedna~ine mogu se izvesti slede}i pokazatelji
apsorpcije analita:
• opti~ka gustina (slabljenje, ekstinkcija)
D(λ ) = ln[I 0 (λ ) I t (λ )] = ε a (λ ) ⋅ L ⋅ c ; (2.43)
• prozra~nost (transparentnost), koja ima suprotan predznak
od opti~ke gustine
T (λ ) = ln[I t (λ ) I 0 (λ )] = −ε a (λ ) ⋅ L ⋅ c . (2.44)
Opti~ka gustina i prozra~nost na talasnoj duìni λ imaju
svojstvo aditivnosti, odnosno za smesu od n komponentni moè se
napisati:
n
Dsm (λ ) = L ∑ ε (λ ) ⋅ c ;
i =1
ai i (2.45)
n
Tsm ( λ) = − L ∑ε ai
( λ) ⋅ ci . (2.46)
i =1
Apsorbansa i transmitansa. Umesto opti~ke gustine u

praksi se ~esto koristi njen ekvivalent sa dekadnim algoritmom,
apsorbansa
I0 ε
A = log = L ai ⋅ c . (2.47)
It 2,303
Odnos izme|u zra~enja It nakon prolaska kroz uzorak i
zra~enja izvora I0 je propu{tanje, transmitansa Tr tako da je:
I 1
A = log 0 = log . (2.48)
It Tr
Linearnost i osetljivost apsorpcionih analizatora. Najmanja

koncentracija cmin koja se moè detektovati kao promena izlaznog
signala je prag osetljivosti analizatora. Za dva sukcesivna merenja
koji se razlikuju za vrednost praga relativna promena zra~enja moè
se izra~unati pomo}u jedna~ine (2.42):
I t1 − I t2 - ε ⋅ L ⋅c
= 1 − e a min ≈ ε a ⋅ L ⋅ cmin , (2.49)
I t1
odakle se zaklju~uje da }e cmin biti manje {to god je:

• promena zra~enja manja (ograni~ena osetljivo{}u senzora
zra~enja);
• koeficijent molarne apsorpcije ε a ve}i (konstanta uzorka);
• duìna }elije L ve}a (konstrukcioni parametar).
Me|utim, apsorpcija je nelinearan proces, {to je posebno
izraèno kada je odnos apsorbovanog i upadnog zra~enja ve}i od 25%.
Zato se prilikom konstrukcije duìna }elije L odre|uje tako da bude
I t / I 0 < 0,25, pa je smanjenje praga osetljivosti pomo}u pove}anja L
ograni~eno.
Opti~ki apsorpcioni analizator (spektrometar, spektrofo-
tometar) sluì za merenje koncentracije gasova u nedisperzivnim
smesama na osnovu merenja apsorpcije vidljivog (opti~kog) zra~enja,
λ = 0,38 − 0,76 µm.
Tipi~na konstrukcija ovakvog analizatora je dvokanalna, tj.
diferencijalna (slika 2.6). Svetlost iz izvora prolazi kroz monohromatski
filter, tako da se dobija svetlost odre|ene boje: plava, crvena ili ùta.
Nakon toga svetlost se deli na dva zraka koji dalje prolaze jednakim i
nezavisnim kanalima. Kanali se razlikuju jedino po sadràju }elija: u
mernoj }eliji proti~e analizirana binarna smesa, a u referentnoj je
kaptiran referentni gas (koji moè da sadrì i merenu komponentu u
poznatom odnosu). Fotoprijemnici kao senzori opti~kog zra~enja spo-
jeni su na logaritamske poja~ava~e, a njihovi izlazi na diferencijalni
poja~ava~ koji daje napon proporcionalan koncentraciji merene
komponente: Ui =k⋅c.
Te~nosti kao {to su rastvor {e}era, fosfati i kiseline, te rastvori
gasova u vodi slabo apsorbuju vidljivu svetlost. Zato im se dodaje
poznat obojeni reagens radi pove}anja apsorpcije i tek onda propu{ta
kroz analizator.
MERNA ]ELIJA
OGLEDALO
FOTO− LOG
PRIJEMNIK
SOÎVO
−lnI t
+ U i= kc
A
−lnI0 -
OPTI^KI
IZVOR
DELITELJ
SVETLOSTI
FILTER
FOTO- LOG
PRIJEMNIK
REFERENTNA ]ELIJA
Slika 2.6. Dvokanalni opti~ki apsorpcioni analizator direktnog tipa
Tipi~na ta~nost je ±1% za te~nosti i ±2% za gasove. Apsorpcija

je nelinearan proces, {to je posebno izraèno kada je odnos
apsorbovanog i upadnog zra~enja ve}i od 25%. Zato se prilikom
konstrukcije duìna }elije L odre|uje tako da je It /I 0 < 0,25. Radna
temperatura je 0−95 °C, a radni pritisak 1−15 bara.
Ultraljubi~asti apsorpcioni analizatori primenjuju se za
merenje koncentracije gasova i para koji apsorbuju ultraljubi~asto
zra~enje. Izraziti apsorberi ovog zra~enja su aromati~ni i hetero-
cikli~ni spojevi (antracin C6H4(CH2)C6H4, naftalin C10H8), aditivi koji
menjaju kiselost proizvoda (fenol C6H5(OH), aditivi za bojenje
prozirnih rastvora (tereftalatna kiselina C6H4(COOH)2), spojevi sa
sumporom (sumpor-vodonik H2S), polutanti (azotni oksidi NOx,
fosgen COCl2), lako zapaljivi gasovi (toluen C6H5CH2, benzen C6H6,
aceton CH3COCH3) i dr. Na slici 2.7.a prikazani su karakteristi~ni
apsorpcioni UV spektri za benzen, aceton i fenol.
Konstrukcija UV apsorpcionih analizatora sli~na je konstrukciji
opti~kih. Razlika je u druga~ijim izvorima i prijemnicima zra~enja
(λ=0,1−0,38 µm). Kao izvori sluè sijalice punjene parama ìve, cinka,
kadmijuma ili talijuma. Talasna duìna koja je potrebna izdvaja se
pomo}u odgovaraju}eg filtera. Ve}a osetljvost postiè se kada je
talasna duìna bliè apsorpcionom vrhu UV spektra merene kompo-
nente. Kao prijemnici UV zra~enja upotrebljavaju se fotonaponski
elementi, vakuumske fotocevi i fotomultiplikatorske cevi. Pomo}ni
opti~ki elementi − so~ivo, filter, prizma i ogledala − napravljeni su
od kvarca za UV spektar.
% 100 % 100 % 100

PROPUŠTANJE, Tr
PROPUŠTANJE, Tr
PROPUŠTANJE, Tr
50 50 50
BENZEN ACETON FENOL
0 0 0
0,2 0,4 0,2 0,4 0,2 0,4
TALASNA DUŽINA, λ µm TALASNA DUŽINA, λ µm TALASNA DUŽINA, λ µm
a)
Ui=kc
SENZOR
POMERAJA
MERNA ĆELIJA ZASTOR

OGLEDALO
SENZOR
UV ZRAČENJA
-lnIt
SOČIVO
A
OPTIČKI
IZVOR UV DELITELJ
ZRAČENJA FILTER
-LnI0
SENZOR
UV ZRAČENJA
REFERENTNA ĆELIJA
b)
Slika 2.7. UV apsorpcioni analizator: a) karakteristi~ni apsorpcioni spektri,

b) konstrukcija dvokanalnog UV analizatora kompenzacionog tipa
Na slici 2.7.b prikazan je dvokanalni UV analazitor kom-

penzacionog tipa. Napon sa izlaznog poja~ava~a vodi se na jed-
nosmerni motor sa nezavisnom pobudom. Osovina motora zakre}e se
proporcionalno pobudi pomeraju}i istovremeno zastor kojim se
moduli{e intenzitet zra~enja kroz mernu komoru. Kada se uspostavi
jednakost signala sa fotoprijemnika, motor miruje i poloàj njegove
osovine proporcionalan je merenoj koncentraciji. Pomeraj se detektuje
odgovaraju}im senzorom i izlaz {alje na indikator, pamti u memoriji ili
obra|uje u mikroprocesoru. Pomo}u UV apsorpcionih analizatora
meri se koncentracija kako u veoma malom opsegu 0 −10− 7 % V/V tako
i u velikom opsegu 0 −100% V/V, sa ta~no{}u ± 1%.
Standardna duìna }elije je 5−50 mm, duìna minijaturnih je

0,05 − 5 mm, a postoje i }elije sa ve}im duìnama namenjenim za
ta~nija merenja koncentracije gasova. Ne~isto}e i pra{ina u uzorku
moraju se otkloniti pre merenja da bi se spre~ila pojava drifta.
IC apsorpcioni analizatori. Sposobnost apsorpcije IC zra~enja
imaju svi materijali ~iji se molekuli sastoje od razli~itih atoma, dok su
sve elementarne supstance dobri provodnici tog zra~enja. Apsorpcija
IC zra~enja je izrazito selektivna i jako zavisi od vrste materijala i
talasne duìne zra~enja. Na primer, etan ima maksimalnu
apsorbansu A na talasnoj duìni λ =7 µm, a metan na λ = 8 µm (slika
2.8). Postoje specijalni katalozi sa detaljnim IC spektrima za vi{e
stotina gasova i te~nosti. Rad infracrvenih apsorpcionih analizatora
temelji se na ~injenici da prilikom apsorpcije IC zra~enja na talasnoj
duìni koja je karakteristi~na za dati gas, dolazi do njegovog
zagrevanja, pove}anja temperature i pritiska.
% 100
METAN
ETAN
CO
CO2
50
APSORBANSA, A
0
1 5 10
TALASNA DU@INA, λ µm
Slika 2.8. Tipi~ni dijagrami slabljenja pri IC apsorpciji
Kao prijemnici IC zra~enja, tj. za formiranje elektri~nog izlaza

upotrebljavaju se optoelektronski elementi i to kvantni (fotodiode,
fotoopornici, fotoelementi) i termi~ki (termoelementi, termistori). Za
specijalne konstrukcije koriste se poluprovodni~ke termobaterije.
Osim optoelektronskih elemenata tradicionalno se primenjuje apsor-
pciona }elija sa diferencijalnim senzorom pritiska koja se jo{ naziva
termi~kim ili pneumatskim mikrofonom (slika 2.9). Kod takvih
analizatora zra~enje iz IC izvora prolazi kroz kanale naizmeni~no u
impulsima. Frekvencija impulsa zavisi od brzine modulatora sa
perforiranim diskom, ali nije ve}a od 10 Hz zbog inercije u
zagrevanju gasa. Apsorpciona }elija ima dve komore razdvojene

elasti~nom metalnom membranom debljine 5−10 µm. Obe komore
napunjene su gasom koji apsorbuje IC zra~enje. Naj~e{}e je to gas
~ija se koncentracija u smesi meri, ali se dodaju i gasovi ~iji se
spektri delimi~no prekrivaju sa spektrom merene komponente. Na
taj na~in smanjuje se njihov uticaj na ta~nost merenja. Selektivnost
apsorpcije i osetljivost pove}avaju se dodavanjem inertnog gasa pod
pritiskom.
MERNA ]ELIJA APSORPCIONA ]ELIJA
MEMBRANA
M
FIKSNA
ELEKTRODA
IC
IZVOR
REFERENTNA ]ELIJA
MODULATOR xC SIMETRI^NE xC NESIMETRI^NE

OSCILACIJE OSCILACIJE
t t
U i =kc ELEKTRONSKO
IZLAZNO KOLO
Slika 2.9. Apsorpcioni IC analizator sa pneumatskim mikrofonom
Zbog apsorpcije IC zra~enja u komorama se pove}ava energija,

rastu temperatura i pritisak kaptiranog gasa. Kako u referentnom
kanalu nema apsorpcije zra~enja vi{e energije dobija gornja komora,
tu se gas vi{e zagreva i {iri. Promena pritiska pomera membranu, {to
se detektuje kapacitivnim senzorom. Membrana je pokretna elektro-
da, a njoj nasuprot je fiksna elektroda kondenzatora. S obzirom na to
da modulator naizmeni~no propu{ta zra~enje, do}i }e do oscilacija
pritiska, koje su simetri~ne sve dok je zra~enje u oba kanala jednako.
Kada se u analiziranoj smesi promeni koncentracija merene kompo-
nente u odnosu na referentno stanje, oscilacije membrane postaju
asimetri~ne. Stepen asimetri~nosti, tj. jednosmerna komponenta
signala, odgovara merenoj koncentraciji.
IC apsorpcionim analizatorima mere se koncentracije ugljen-
-monoksida (CO), ugljen-dioksida (CO2), metana (CH4), etilena
(C2H2), amonijaka (NH3), propena (C3H3), butena (C4H8), vodene

pare i dr. Tipi~na ta~nost je ± 2%, opseg 0−0,1% V/V, drift do ± 1%
na dan, duìna }elije je oko 0,5 mm za te~nosti i 1000 mm za gasove.
Neki tipovi IC analizatora rade sa dva izvora zra~enja bliskih
talasnih duìna. Takva konstrukcija omogu}ava da se smanje gre{ke
zbog promene u intenzitetu zra~enja kada se primenjuje samo jedan
izvor, da se smanje gre{ke opti~kih elemenata i da se pove}a
osetljivost apsorpcionih komora. Za takve analizatore ta~nost je
± 0,5−1% opsega.
2.4.3. Disperzioni analizatori

Disperzija je rasejavanje, raspr{avanje elektromagnetskog
zra~enja prilikom prolaska kroz koloidne rastvore. To su rastvori
supstanci u gasovima i te~nostima sa veli~inom ~estica 1−500 nm.
Razlikuju se aerosoli, raspr{ene ~estice ~vrstih supstanci i te~nosti u
gasovima (dim, pra{ina, magla) i akvasoli, ~vrste i te~ne supstance
rastvorene u vodi (mleko, sokovi, telesne te~nosti). Intenzitet
raspr{enog zra~enja zavisi od talasne duìne zra~enja, te veli~ine,
boje i oblika ~estica. Disperzija je izraènija u smeru zra~enja kada su
veli~ine ~estica pribli`no jednake talasnoj duìni, a sa smanjivanjem
~estica disperzija postaje ravnomerna u svim pravcima. Ovo se odnosi
na okrugle ~estice, druga~iji oblici daju nepredvidljivu distribuciju
disperzije. Boja ~estica uti~e na refleksiju i apsorpciju zra~enja, a
time i na rasejavanje. Merenje disperzije radi analize najvi{e se
provodi u domenu vidljive svetlosti.
Intenzitet zra~enja Iτ koje je pro{lo kroz rastvor daje se u odnosu
na intenzitet zra~enja izvora I0:
-α d ( λ )⋅ L -ε d ( λ ) ⋅ L ⋅ c
Iτ ( λ) = I0 ( λ) ⋅ e = I0 ( λ) ⋅ e , (2.50)
gde linearni koeficijent disperzije α d( λ) za datu talasnu duìnu zavisi

od veli~ine ~estica, koncentracije ~estica, indeksa prelamanja svetlosti
~estica i indeksa prelamanja svetlosti rastvara~a. Na osnovu Berovog
zakona koeficijent disperzije proporcionalan je koncentraciji: α d = ε d⋅c,
gde je ε d molarna disperzija [ l/mol ⋅ m ] . Razlika I0 −Iτ predstavlja
ukupno rasejanu svetlost: Id = I0 −Iτ.
Pozitivna vrednost eksponenta u jedna~ini disperzije (2.50) je

mutno}a τ (turbiditet):
τ ( λ ) = ln I0 ( λ ) Iτ ( λ ) = ε a ( λ ) ⋅ L ⋅ c . (2.51)
Disperzija je sli~no kao i apsorpcija nelinearan proces. Da bi se
smanjila nelinearnost, duìna }elije L projektuje se tako da je
Iτ /I0 < 0,25.
Disperzioni analizatori − turbidimetri sluè za merenje
koli~ine ~vrstih, nerastvorenih ~estica u rastvoru. Imaju relativno
jednostavnu konstrukciju i pristupa~nu cenu, mogu biti napravljeni
kao jednokanalni ili dvokanalni, kao direktni ili kompenzacioni. Izvor
svetlosti usmerava se opti~kim sistemom kroz disperzionu te~nost sa
promenljivom mutno}om ili kroz dimne gasove sa nesagorelim
~esticama (slika 2.10.a). U smeru zra~enja, iza analiziranog rastvora,
postavljen je fotoelement kao prijemnik disperzione svetlosti. Pri
konstantnom protoku, gustini i veli~ini ~estica, izlaz je funkcija
koncentracije. Indikacioni instrument ba`daren je u jedinicima
masene ili volumenske koncentracije. Ta~nost je ±1−2% mernog
opsega koji se kre}e od 0−0,5 ppm do 0−100 ppm, radna temperatura
je do 120 °C, pritisak do 30 bara.
SOÎVO FILTER FOTOSENZOR FOTOSENZOR
TINDALOV
PROZOR
IZVOR
SVETLOSTI MERNA ]ELIJA KOLO ZA U =kc
i
OBRADU
UZORAK SIGNALA
Ui=kc A FOTOSENZOR A
a) b)
Slika 2.10. Disperzioni analizatori: a) turbidimetar, b) nefelometar
Disperzioni analizatori − nefelometri. êstice rastvora se

u smeru zra~enja ne vide bez obzira na intenzitet zra~enja. One
postaju vidljive kada se posmatraju pod nekim uglom u odnosu na
smer zra~enja (Tindalov efekat). [to je broj ~estica ve}i, to se vi{e
svetla rasejava i smesa izgleda sve mutnija. Odatle i naziv ovih
analizatora: od gr~kog nefele (oblak, magla). Primenjuju se za
odre|ivanje malih koncentracija bakterija, holesterola, nepoèljnih

sastojaka u otpadnim vodama i dr.
Izvor i prijemnik svetlosti nalaze se sa iste strane koloidnog
uzorka, naj~e{}e pod uglom od 90 ° . Svetlost ulazi kroz prozor na
kiveti, raspr{ava se i reflektuje od ~estica i kroz Tindalove prozore
pada na fotoprijemnik. Dvostruka detekcija difuzne svetlosti
potrebna je radi korekcije drifta i osetljivosti koji se menjaju zbog
deponovanja ~estica na prozorima i prisutnosti boje u merenom
rastvoru. Elektronsko kolo formira izlazni signal, sa ta~no{}u od ±1%
za opseg od 0 −10−4 % V/V (slika 2.8.b). Zapremina merne }elije je
5−10 ml.
Turbidimetri i nefelometri ba`dare se pomo}u poznatog
rastvora. Naj~e{}e se koristi formazin ~ija se suspenzija moè
reprodukovati sa ta~no{}u ±1%. Kao apsolutni standard sluè
specijalne staklene kivete sa rastvorima ~estica ~iji je turbiditet
poznat, konstantan i nezavisan od temperature.
2.4.4. Refraktometri
Princip rada refraktometra za procesnu analizu temelji se na
merenju promene indeksa prelamanja svetlosti pri prelazu izme|u
dva medijuma.
Indeks prelamanja svetlosti n posmatranog materijala je odnos
brzine svetlosti u vakuumu i brzine svetlosti u tom materijalu
n=vv /vm. Promena pravca prostiranja svetlosti na granici dva
medijuma prikazana je slici 2.11.a. Prema Snelovom zakonu promena
indeksa na granici je
sin α v n
= 1 = 2. (2.52)
sin β v2 n1
Kada svetlosni zrak prelazi iz opti~ki re|e u opti~ku gu{}u
sredinu (n1 < n2 ), on se prelama prema normali, tj. uvek je α >β ,
odnosno sin α > sin β , za sve vrednosti upadnog ugla α =0−π/2.
Uobi~ajeno je da se indeks prelamanja svetlosti daje u odnosu na
vazduh kao standard: n= n2 = sinα /sinβ . Za laboratorijska merenja
moè se izvr{iti korekcija: nvak = 1,00027nvaz. Sva merenja odnose se
na standardnu temperaturu od 20 °C, ina~e je potrebno uzeti u obzir
njen uticaj na indeks prelamanja sa faktorom korekcije 0,0006/°C.
PROLAZ
BEZ LOMA g/100 ml
14
v1 UPADNI
UGAO PROLAZ 12
KROZ
VODU LINEARNO
10
PODRU^JE
n1< n2
8
PROLAZ
KONCENTRACIJA, c
BEZ LOMA
6
4
RASTVOR
KONCENT-
n2 RACIJE c 2
UGAO
LOMA v2 0
1,30 1,35 1,4 1,45 1,5
INDEKS LOMA, n
a) b)
FOTODIODA
SENZOR
IZLAZ
POMERAJA
REFERENTNA ]ELIJA
Up +
M A
-
IZVOR OPTI^KI
SVETLOSTI MERNA ]ELIJA DELITELJ
FOTODIODA
c)
Slika 2.11. Prelamanje svetlosti: a) princip, b) koncentracija i indeks
prelamanja, c) diferencijalni refraktometar
Indeks prelamanja nije specifi~no svojstvo, ali veoma mali broj

spojeva ima jednak indeks prelamanja pri istoj temperaturi i talasnoj
duìni zra~enja. Izme|u indeksa prelamanja i koncentracije postoji
linearan odnos u odre|enom opsegu i on se utvr|uje kalibracijom
(slika 2.11.b). Za ve}inu te~nih spojeva indeks prelamanja je u inter-
valu 1,3−1,8, a za ~vrste spojeve 1,3−2,5 ili vi{e.
Indeks prelamanja svetlosti smese je nsm =Σ ci ni, gde su ci
koncentracije i ni indeksi prelamanja komponenata. Refraktometrija
se primenjuje kao analiti~ka metoda ako se smesa moè tretirati kao
binarna u odnosu na indeks prelamanja.
Diferencijalni refraktometar sastoji se od izvora svetlosti
(sijalica sa volframovom niti), referentne }elije (kapsula sa mate-
rijalom ~iji je indeks prelamanja poznat i jednak srednjoj vrednosti
indeksa prelamanja analizirane te~nosti), opti~kog detektora (opti~ki

delitelj i dve fotodiode u diferencijalnom spoju) i servosistema za
pomeranje delitelja (slika 2.11.c). Referentna }elija ima dva prozora.
Prvi je normalan na pravac prostiranja svetlosti i kroz njega svetlost
prolazi bez prelamanja. Drugi je zako{en i tu dolazi do prelamanja −
zavisno od razlike izme|u indeksa prelamanja referentne te~nosti nr i
indeksa prelamanja analizirane te~nosti nm. Kada je nr = nm, svetlost
prolazi bez prelamanja do opti~kog delitelja koji se nalazi u srednjem
(nultom) poloàju, diode su jednako osvetljene, izlaz iz poja~ava~a
jednak je nuli i servomotor miruje. Kada je nr ≠ nm, svetlost se
prelama i na delitelju razdvaja u dva nejednaka snopa, izlaz iz
poja~ava~a up proporcionalan je razlici nr − nm, osovina servomotora
se zakre}e i pomera opti~ki delitelj gore ili dole sve dok diode ne
budu jednako osvetljene. Tada je up =0, motor miruje, a pozicija
delitelja proporcionalna trenutnoj vrednosti indeksa prelamanja
analizirane te~nosti, odnosno njenoj koncentraciji. Osetljivost i opseg
merenja zavise od ugla pod kojim je postavljen zako{eni prozor, te od
udaljenosti izme|u }elije i detektora. Protok kroz mernu }eliju je
2−10 cm3 /min, opseg merenja je od 0−0,00005 do 0−0,1, ta~nost je
±0,1−0,2% ili ±1,5−4% opsega.
Refraktometar sa totalnom refleksijom. Prilikom prelaska
iz re|e u gu{}u sredinu uvek }e do}i do prelamanja svetlosti bez
obzira na veli~inu upadnog ugla. Pri prelazu iz gu{}e u re|u sredinu
(n1 > n2 ), zrak se uvek prelama od normale. Kada je upadni ugao ve}i
od kriti~nog α c, svetlost se vi{e ne prelama ve} se u celosti reflektuje
po zakonima geometrijske optike (slika 2.12.a).
Refraktometri koji mere promenu kriti~nog ugla totalne
releksije pogodni su za analizu prljavih, slabo providnih i viskoznih
te~nosti, temperature 0−150 °C i pritiska do 20 bara. Tipi~na
konstrukcija takvog refraktometra ima negativnu povratnu spregu, a
svi elementi su sa vanjske strane cevovoda (slika 2.12.b). Svetlost iz
izvora pada na prizmati~ni prozor koji je tako profilisan da
omogu}ava rastu}i upadni ugao po {irini svetlosnog zraka. Jedan deo
svetlosti prelazi u cevovod (za α <α c ), a drugi deo, za α >α c,
reflektuje se do dve fotodiode u opoziciji. Sistem je uravnoteèn za
vrednost α =α c z koja odgovara zadanoj koncentraciji te~nosti. Kada
se promeni indeks prelamanja te~nosti, α c odstupa od α c z , pa }e se
vi{e ili manje svetlosti reflektovati, odnosno menja}e se {irina
reflektovanog zraka. Promena sa refrakcije na refleksiju proporci-

onalna je razlici napona sa dveju dioda. Ovaj napon se poja~ava i
pobu|uje servomotor kojim se pomera filtersko staklo za
uspostavljanje nule. Opseg refraktometra zavisi od stakla prizme i
debljine filtera.
n2
PRIZMA
FOTODIODA
αc DELITELJ
SOÎVO
FILTER +
M A
-
n1> n2 FOTODIODA
IZVOR
SVETLOSTI
a) b)
Slika 2.12. Refraktometar sa totalnom refleksijom: a) totalna refleksija,

b) konstrukcija
2.4.5. Polarimetri
Polarimetrija je analiti~ka metoda zasnovana na merenju
zakretanja ravni polarizovane svetlosti koja se javlja pri prolazu kroz
anizotropni, opti~ki aktivan analit, kao {to su: kvarc, nikotin, rastvor
{e}era u vodi, rastvor vinske kiseline i dr. Anizotropno svojstvo
karakteristi~no je za materijale sa nesimetri~nom molekulskom
gra|om. Kao {to je poznato, linearno polarizovana svetlost moè se
predstaviti kao rezultanta levo i desno kru`no polarizovane kompo-
nente. Zbog anizotropije analita levi i desni polarizovani talas ne {ire
se du` opti~ke ose jednakim brzinama. Na izlazu iz analita ponovo
nastaje linearno polarizovani talas, ali je usled razlike faza nastale u
analitu njegova ravan polarizacije zakrenuta za neki ugao u odnosu
na ulazni zrak:
π
θ =
λ
(nL − nD ) , (2.53)
gde je θ [rad/m], λ talasna duìna monohromatske svetlosti, a nL i nD

indeksi prelamanja levo i desno kru`no polarizovane komponente
(slika 2.13.a).
Za binarne smese postoji linearna zavisnost izme|u koncentracije
i opti~kog zakretanja:
θ
c= , (2.54)
l ⋅ r0
gde je θ izmereno zakretanje, l duìna merne }elije i r0 specifi~no

opti~ko zakretanje − karakteristi~no za svaki opti~ki materijal i
izmereno na 20 °C za svetlost talasne duìne λ =0,405 µm.
Polarizator za automatsku analizu sastoji se od izvora
monohromatske svetlosti, polarizatora, proto~ne }elije sa uzorkom,
analizatorom polarizovane svetlosti, fotodetektorom i povratne
sprege sa servomotorom za dovo|enje polarizatora u nulti poloàj
(slika 2.13.b).
UGAO
ZAKRETANJA
POLARIZATOR UZORAK ANALIZATOR
θ
ULAZNI FOTO−
ZRAK DIODA
IZLAZNI
ZRAK
λ
RAVAN UZORAK RAVAN M
POLARIZACIJE POLARIZACIJE A
ULAZNOG ZRAKA IZLAZNOG ZRAKA IZLAZ
a) b)
Slika 2.13. Polarizator: a) princip rada, b) konstrukcija
Kao polarizator i analizator naj~e{}e sluì Nikolova prizma.

Ona je napravljena od dva komada kalcita se~enim i zalepljenim po
dijagonali kanadskim balzamom, ~iji je indeks prelamanja no<nb<ne,
pa dolazi do dvojnog prelamanja ulazne svetlosti. Upadni ugao ulazne
svetlosti tako je odabran da obi~ni zrak napu{ta prizmu, a neobi~ni
(polarizovani) prolazi kroz prizmu. Nikolova prizma koja sluì kao
analizator pode{ena je u nultom poloàju tako da na izlazu bude
najmanji intenzitet svetlosti. Me|utim, kada zrak prolazi kroz mernu
}eliju dolazi do zakretanja polarizacione ravni proporcionalno
koncentraciji merene komponente. Intenzitet svetlosti iza analiza-
tora tada je ve}i, {to se detektuje pomo}u fotodiode, a servomotor
automatski zakre}e analizator sve dok se ne uspostavi nulti poloàj.
Zakretanje analizatora detektuje se senzorom poloàja na ~ijem

izlazu je pokazni instrument ba`daren u jedinicima koncentracije
merene komponente.
2.4.6. Kolorimetri
Boja je vaàn paramatar kvaliteta za mnoge proizvode.
Klasi~na kolorimetrija, tj. odre|ivanje koncentracije ispitivanog
rastvora vizuelnim pore|enjem boje ispitivanog rastvora i stan-
dardnog rastvora potisnuta je posebno konstruisanim fotometrima i
spektrofotometrima koji se nazivaju kolorimetri. U vidljivom delu
spektra poznata je veza izme|u talasne duìne i boje. Me|utim, boja
nije svojstvo svetlosti ve} subjektivni ose}aj nastao delovanjem
fizi~kog stimulusa, tj. vidljive svetlosti − elektromagnetskog zra~enja
talasne duìne 0,38−0,76 µm. Kolorimetrija je analiti~ka metoda
zasnovana na merenju boje, a cilj je da se subjektivnom ose}aju boje
pridruè parametri potrebni za jednozna~nu karakterizaciju.
Ispitivanjima je utvr|ena i me|unarodno standardizovana kriva
spektralne osetljivosti prose~nog oka, koja ima maksimum za
λ=0,555 µm (slika 2.14.a).
Klasi~ni spektrofotometarski analizatori boje naj~e{}e su jedno-
dimenzionalni, tj. pore|enje reflektovane ili transmitovane svetlosti
vr{i se za odre|enu talasnu duìnu (boju) vidljive svetlosti: ljubi~asta
0,400−0,450 µm, plava 0,450−0,500 µm, zelena 0,500−0,570 µm, ùta
0,570−0,590 µm, naran~asta 0,590−0,610 µm, crvena 0,610−0,700 µm.
Kao standardi boja za pore|enje sluè spektralne krive poznatih
rastvora na bazi platine i kobalta. Konstrukcija takvih kolorimetara
veoma je sli~na opti~kim spektrometrima, razlika je jedino {to su
izvori svetla, filteri i referentne te~nosti odabrani za odre|enu
talasnu duìnu (boju).
Tristimulusni kolorimetri. Spektar svetlosti moè se
oblikovati me{anjem primarnih boja: crvene R (Red, λ =0,700 µm),
zelene G (Green, λ =0,546 µm) i plave B (Blue, λ =0,435,8 µm).
Relativna osetljivost prose~nog oka na osnovne boje, tj. na tri
stimulusa, tako|e je standardizovana od strane Me|unarodne ko-
misije za svetlo CIE, Commission international d′éclairage (slika
2.14.b). Na dijagramu se mogu o~itati relativne vrednosti triju
stimulusa rλ ,g λ , i b λ , koje treba sabrati da bi standardni posmatra~
imao ose}aj boje jednak monohromatskom svetlu na toj talasnoj
duìni. Za svaku boju karakteristi~na je sjajnost i hrominentnost (ton
i zasi}enost).
BELO
OSETLJIVOST OKA
A
1
*ab
L*
∆E
λ[µm]
A PLAVO
0,4 0,5 0,6 0,7
B +b*
a)
O
O
N
N
LE
-a * +a* RVE
ZE
OSETLJIVOST OKA C
-b*
4 @UTO
bλ rλ
2 A - REFERENTNA BOJA
gλ λ[µm]
A - REFERENTNA BOJA
ISTE SJAJNOSTI
KAO BOJA UZORKA
0,4 0,5 0,6 0,7 B - BOJA UZORKA
b) CRNO c)
KONTROLNA VLAKNA
RGB
SENZORI
STABILIZACIJA PRORAÛN
IZVOR SVETLOSTI IZLAZ
IZVORA L*a*b*, ∆(L*a*b*), ∆E*ab
RGB
MERNA SENZORI
VLAKNA
UZORAK
d)
Slika 2.14. Kolorimetrija: a) osetljivost oka na opti~ko zra~enje, b) relativna
osetljivost oka na osnovne boje, c) telo boja, d) tristimulusni kolorimetar
Sjajnost rezultantne boje ra~una se na slede}i na~in:

Y=0,30R+0,59G+0,11B, (2.55)
gde su R, G i B koeficijenti ~ije su vrednosti u intervalu 0−1.
Rezultantna svetlost je crna kada su R=G=B=0, odnosno bela kada
je R=G=B=1. Hrominentnost se ra~una iz razlika:
R−Y = 0,70R−0,59G −0,11B, (2.56)
B−Y = −0,30R−0,59G +0,89B. (2.57)
Tristimulusni sistem RGB prihva}en je 1931. od strane CIE kao
op{ti model x∗y∗z na osnovu kojeg su generisani mnogi drugi modeli
za prikazivanje boje. Noviji modeli, dijagram boja Yxy ili telo boja
L∗a∗b∗ ta~nije opisuju ljudsku percepciju boja (slika 2.14.c).
Konstrukcija savremenih tristimulusnih kolorimetara zasniva

se na razlaganju svetlosti na osnovne boje. Kao standardni izvor
dnevnog svetla sluì fluorescentna cev punjena ksenonom. Svetlo
pada na uzorak ~ija se boja analizira. Opti~kim vlaknima reflekto-
vana svetlost dovodi se do specijalnih fotodioda, senzora osnovnih
boja, a njihovi signali se obra|uju radi izra~unavanja sjajnosti, tona i
zasi}enosti. Na izlazu se daju podaci o boji uzorka La∗b∗ ili odstupanje
∆La∗b∗ (ili ∆E∗ab) u odnosu na referentnu boju (slika 2.14.d). Pored
mernog sistema postoji i referentni senzorski sistem pomo}u kojeg se
prate i otklanjaju nestabilnosti izvora.
2.5. SPECIJALNI SPEKTROMETRI

2.5.1. Maseni spektrometar
Namena. Maseni spektrometar je analizator za kvantitativnu
i kvalitativnu analizu ~vrstih, te~nih i gasnih uzoraka u {irokom
opsegu od 10−7 −100%, sa ta~no{}u do ±1%. Jednostavnije konstrukcije
primenjuju se u industriji, a sloènije i za vrhunska nau~na istraìva-
nja. Spektrometri elektromagnetskog zra~enja odvajaju komponente
na osnovu njihovog svojstva pri odre|enim talasnim duìnama, a
maseni spektrometar razlaè snop ~estica (pozitivnih jona) prema
odnosu mase m i naelektrisanja jona e, tj. prema masama kada svim
jonima nedostaje samo po jedan elektron.
Konstrukcija i princip rada. Uzorak se u maseni spektro-

metar prvo uvodi u vakuumsku komoru ( p ≈ 10−5 Pa), a zatim se
~estice uzorka jonizuju (slika 2.15). Jonizovanje se vr{i na razli~ite
na~ine, naj~e{}e bombardovanjem elektronima dobijenim termo-
elektronskom emisijom sa zagrejane ìce. Joni mase m i pozitivnog
naelektrisanja e ubrzavaju se elektrostati~kim poljem potencijalne
razlike V do brzine v. Na taj na~in joni dobijaju energiju eV,
odnosno kineti~ku energiju mv2/2:
mv2
= eV . (2.58)
2
UZORAK
V
USMERIVA^
JONA
KONTROLNO KOLO
IZVORA JONA
IZVOR
JONA
ELEKTROSTATI^KO
VAKUUM POLJE
PUMPA
r
DETEKTOR
JONA
U i =kc
POJAÂVA^ I SKENER
Slika 2.15. Maseni spektrometar
Posle toga joni prolaze kroz stalno magnetsko polje indukcije B,

koja deluje u pravcu normalnom na ravan slike i zakre}e jone po po-
lukru`noj putanji polupre~nika r. Zato se ovaj tip masenog spektro-
metra naziva i magnetski. Elektromagnetska sila kojom polje deluje
na jone uravnoteèna je njihovom centrifugalnom silom:
mv2
= eB . (2.59)
r
Eliminacijom brzine v iz dveju prethodnih jedna~ina zaklju~uje
se da }e joni koji imaju isti odnos mase i naelektrisanja m/e imati
jednaku putanju polupre~nika r:
m B2 r 2
= , (2.60)
e 2V
pa }e padati na isto mesto na kolektoru (detektoru) jona.
Mlaz jona skenira se du` kolektora, tj. katode fotomultipli-
katora sastavljene od niza plo~ica. Dobijeni signal obra|uje se na
ra~unaru. Izlazni dijagram sastoji se od linija odre|enog poloàja i
intenzteta. Iz poloàja linije ra~una se masa jer izme|u m/e i
polupre~nika putanje postoji direktna proporcionalnost. Ta~nost
odre|ivanja mase je bolja od 1:104, {to je bez premca u odnosu na sve
druge analizatore. Intenzitet (vrh) linije zavisi od relativnog udela
jona sa istim odnosom m/e. Za kvantitativnu analizu smese
neophodna je prethodna kalibracija na komponente smese.
Princip ciklotrona. Kao {to je re~eno, pozitivni joni u

magnetskom polju indukcije B kre}u se po polukru`noj putanji. Kada
ne bi bilo prepreke da ih zadrì, putanja bi bila puni krug 2rπ.
Vreme preleta punog kruga
2 rπ 2 rπ 2π m
T= = = ⋅ (2.61)
v Br (e m) B e
ne zavisi od polupre~nika putanje ve} od mase jona. Joni se emituju u

kontrolisanim impulsima, a vreme preleta meri se nakon vi{e obrtaja
u spiralnom kretanju. To je tzv. princip ciklotrona. Prednost ovog
na~ina je u pove}anju ta~nosti do ± 0,1%, koje se dobija zahvaljuju}i
posrednom merenju mase preko vremena.
Impulsni maseni spektrometar vr{i selekciju komponenata
smese samo pomo}u elektri~nog polja. Na elektrode izme|u kojih je
rastojanje d dovode se naponski impulsi Vx = 200 V trajanja 0,1 µs.
Kretanje jona naelektrisanja e i mase m u takvom elektri~nom polju
opisuje se dinami~kom jedna~inom:
d2 x V
m 2
= e. (2.62)
dt d
Odavde se lako dobija da je brzina tih jona v = dx/dt:
e V
v = ⋅ t, (2.63)
m d
Kako je t = d / ( v/ 2), brzina jona na izlazu izme|u elektroda bi}e
2 eV
v = . (2.64)
m
Joni koji imaju ve}i odnos e/m brè stiù do kolektora, pa se na
osnovu razli~itog vremena preleta od izvora do detektora jona vr{i
njihovo razlikovanje i detekcija. Ovaj tip spektrometra ima brì odziv
u odnosu na magnetski, ali manju ta~nost: ± 3−5%.
Minijaturni maseni spektrometri ubrzano se razvijaju pos-
lednjih godina. Njihova veli~ina je ve} tolika da sluè kao stoni
instrumenti. Kao detektori jona u takvim izvedbama koriste se
minijaturni poluprovodni~ki senzori poredani u niz. Dalja mini-
jaturizacija predvi|a se do nivoa ~ipa koji treba da sadrì ulazni
modul za uvo|enje uzorka, jonizacionu komoru, elektrode za
ubrzavanje jona, komoru za razdvajanje jona sa integrisanim nizom

detektora jona na suprotnom kraju. U drugom ~ipu je vakuumska
pumpa dobijena mikromehani~kom obradom poluprovodnika. Mikro-
procesor, tj. sva elektronska kola potrebna za obradu signala
sme{teni su u podlozi ~ipova.
2.5.2. Rendgenski spektrometri

Princip rada. Rendgenski spektrometri su analizatori
x−zra~enja ~ija je talasna duìna λ =10−11−10−13 m sa energijom
100−106 eV. Ovi analizatori rade na principu fluorescencije, emisije,
apsorpcije ili difrakcije, a upotrebljavaju se za kvalitativnu i kvanti-
tativnu analizu smesa i strukture kristalnih materijala.
IZVOR IZLAZ
STAKLENI ANODA OKLOP
IZOLATOR
SENZOR
KOEFICIJENT MASENE
APSORPCIJE, µ
KATODA
θ
θ
x-ZRACI VODA ZA
HLA\ENJE UZORAK
TALASNA DU@INA, λ nm
a) b) c)
Slika 2.16. Spektrometar x-zra~enja: a) izvor x-zra~enja, b) zavisnost masenog
koeficijenta apsorpcije olova od talasne duìne x-zra~enja, c) kristalni
monohromator
Kao izvor x-zra~enja upotrebljava se specijalna vakuumska cev

sa katodom na visokom negativnom potencijalu 20 −200 kV (slika
2.16). Sa zagrejane katode emituju se elektroni i ubrzavaju prema
anodi koja je uzemljena i ohla|ena. Elektroni prodiru u materijal
anode i postepeno usporavaju sudaraju}i se sa elektronima u
vanjskim ljuskama, gube deo svoje kineti~ke energije usled ~ega
nastaje x-zra~enje sa {irokim opsegom energije i kontinuiranog
spektra talasnih duìna. Kada elektroni sa katode imaju ve}u
energiju, oni prodiru do jezgra atoma na povr{ini anode, izbijaju
elektron u unutra{njoj K-ljusci (ili L-ljusci), njegovo mesto zauzima
elektron iz vanjskih ljuski, {to rezultuje emisijom diskretnog
x−zra~enja sa karakteristi~nim linijskim spektrom. Kakvo }e
x−zra~enje biti zavisi od napona katode i materijala od kojih su

napravljene katoda i anoda. Anoda je postavljena pod odre|enim
uglom da bi se zra~enje usmerilo prema uzorku.
Analizator fluorescentnog zra~enja sastoji se od ge-
neratora primarnog x-zra~enja kojim se bombarduje uzorak
materijala i pobu|uje na polihromatsko fluorescentno x-zra~enje.
Svaki element uzorka ima svoju karakteristi~nu talasnu duìnu
fluorescencije, sa intenzitetom proporcionalnim koncentraciji ele-
menta. Za elemente manjeg atomskog broja upotrebljavaju se cevi za
generisanje x-zra~enja sa anodom od hroma, za elemente ve}eg
atomskog broja anode su od volframa ili platine, a za eksitaciju
raznovrsnih elemenata anoda je od rodijuma.
Ure|aj za detekciju sekundarnog zra~enja moè da ima vi{e
kanala sa monohromatskom optikom koji se aktiviraju pomo}u
skenera. Problemi merenja fluorescencije x-zraka nastaju zbog
nehomogenosti uzorka, hrapavosti povr{ine i veli~ine ~estica, a
prednosti su visoka osetljivost merenja i kompaktnost analizatora.
Apsorpcioni analizatori -zra~enja razlikuju se od
opti~kih apsorpcionih spektrometara po tome {to apsorpcija
x-zra~enja zavisi od mase, a ne od stanja materijala kroz koje
zra~enje prolazi. Zato se koeficijent apsorpcije α a u jedna~ini
(2.40) za transmitovano x-zra~enje izraàva pomo}u koeficijenta
masene apsorpcije α a =ρ µ :
I t = I 0 ⋅ e- µ ⋅ ρ ⋅ L , (2.65)
pri ~emu je koeficijent masene apsorpcije µ kubna funkcija talasne
duìne:
µ = aλ3 + a1 , (2.66)
koja ima diskontinuitete pri K, L, M... emisiji, specifi~ne za svaki
element (slika 2.16.b).
Tehnike analize zasnivaju se na ukupnoj apsorpciji, tj. za sve
talasne duìne x-zra~enja ili samo za talasnu duìnu na kojoj kriva
µ ( λ) ima lom. Naime, razlika apsorpcije za dve talasne duìne, od
kojih je jedna malo manja a druga malo ve}a od talasne duìne
prelamanja svojstvene za dati element, proporcionalna je
koncentraciji tog elementa. Apsorpcioni spektrometar se u tom
slu~aju sastoji od izvora x-zra~enja, kristalnog monohromatora i

prijemnika x-zra~enja (slika 2.16.c). Kristalni monohromator sluì za
izdvajanje uskog spektra sa obe strane ta~ke prelamanja krive µ ( λ).
Njegov glavni deo je posebno obra|en kristal uzorka na kome dolazi
do difrakcije upadnih x-zraka: nλ = 2d⋅sinθ (n red difrakcije, θ upadni
ugao na kristalnu re{etku {irine d). Pomeranjem ravni kristala i/ili
ravni prijemnika postiè se maksimalna osetljivost. Kalibracijom su
utvr|eni poloàji (kanali) koji odgovaraju ta~no odre|enoj vrednosti λ
− tako je nastao naziv monohromator. Pomeranje difrakcionih linija
na prijemniku u odnosu na referentni apsorber zavisi od elemenata
smese, a intenzitet linija od njihove koncentracije. Kao prijemnici
x-zra~enja sluì Gajger-Milerov broja~, scintilacioni broja~, proporci-
onalni broja~ ili fotografske plo~e.
Difrakcioni analizatori -zra~enja sli~ni su po konstrukciji

prethodnim. Razlika je u tome {to je talasna duìna zra~enja
poznata, a {irina kristalne re{etke nepoznata. Da bi se na ovaj na~in
ispitivala struktura kristalnih materijala, potrebni su ~isti kristali sa
ta~no orijentisanom difrakcionom povr{inom.
Emisioni analizatori -zra~enja sluè za kvalitativnu anali-

zu materijala. Uzorak se postavlja na povr{inu anode u cevi za gene-
risanje x-zra~enja, a polihromatsko x-zra~enja koje nastaje odgovara
sastavu uzorka.
2.6. HEMILUMINISCENTNI
ANALIZATORI
Princip rada. Pojedine hemijske reakcije, obi~no oksidacije,
imaju svojstvo da su pra}ene zra~enjem energije u vidljivoj ili IC
oblasti spektra. Takva pojava naziva se hemiluminiscencija. Na toj
osnovi rade analizatori mikrokoncentracije oksida azota, ugljovo-
donika, ukupne biomase u rastvoru i dr. Tipi~ni opsezi su od 0 −10−6
V/V do 0,05% V/V, sa ta~no{}u merenja ± 1% punog opsega.
Analizirana gasna smesa i reagens nakon odre|ene pripreme, tj.
postizanja potrebne ~isto}e, protoka, temperature i pritiska ulaze u
reaktorsku komoru gde dolazi do hemijske reakcije izme|u merene
komponente i reagensa (slika 2.17). Na primer, reakcijom izme|u

oksida azota i ozona
NO + O3 → NO 2 ∗ + O 2 (2.67)
∗
nastaje pobu|eni azotdioksid NO 2 koji emituje kvant svetlosti
NO 2 ∗ → NO 2 + hν (2.68)
talasne duìne λ = 0,6−3 µm. Intenzitet ove svetlosti proporcionalan je
koncentraciji merene komponente. Zbog izrazito slabog intenziteta
luminiscencija se detektuje pomo}u fotomultiplikatora, vakuumske
cevi u kojoj se kombinuju konverzija svetlosti u elektrone i multipli-
kacija broja elektrona. Svetlost luminiscencije pada na fotokatodu,
pri ~emu 10 − 20 fotona proizvodi jedan fotoelektron.
PRIPREMA
UZORKA FOTOMULTIPLIKTOR
UZORAK
50 V 150V 250V 350V
REAKTIVNA 500V
KOMORA U i =kc
POJAÂVA^ I
FORMATOR IZLAZA
0 100V 200V RL
300V 450V
REAGENS
PRIPREMA − IZVOR VISOKOG +
REAGENSA NAPONA
Slika 2.17. Luminiscentni analizator
Multiplikacija broja elektrona vr{i se pomo}u sukcesivnih

elektroda, dinoda. Izme|u katode i dinoda uspostavljena je potenci-
jalna razlika za ubrzavanje elektrona − prva dinoda je na pozitivni-
jem potencijalu od katode, a svaka naredna na pozitivnijem od
prethodne. Kada fotoelektron sa katode padne na prvu dinodu,
osloba|aju se 3 − 4 nova elektrona. Sekundarnom emisijom na
n = 10−14 dinoda oslobodi se ukupno 4n elektrona i dobija poja~anje
katodne struje 105−108.
Plameni fotometar je instrument koji meri intenzitet
zra~enja emitovane svetlosti, nakon eksitacije odre|enog elementa u
plamenu. Rastvor analita raspr{ava se smesom zapaljivog gasa
(acetilen) i oksidacionog gasa (vazduha) u plamen, gde isparava i
jonizuje. Element prelazi u pobu|eno stanje i emituje zra~enje
talasne duìne karakteristi~ne za taj element. Intenzitet zra~enja
proporcionalan je koncentraciji binarne smese I=kc, a meri se u
odnosu na odre|eni standard ili na osnovu kalibracione krive.
2.7. JONIZACIONI ANALIZATORI

Osnova rada ovih analizatora je u jonizaciji gasne smese i
merenju struje jona koja je proporcionalna merenoj komponenti.
Prema na~inu nastanka jona razlikuju se fotojonizacioni, radioaktivni
i plameni jonizacioni analizatori.
Radioaktivni jonizacioni analizator sastoji se od cilindri~ne
jonizacione komore kroz koju proti~e analizirana binarna smesa
(slika 2.18.a). Molekuli gasa se jonizuju delovanjem α -zra~enja
(jezgra atoma helijuma), β -zra~enja (elektroni i pozitroni) ili
x-zra~enja. Koji }e tip zra~enja biti upotrebljen zavisi od merene
komponente, intenziteta i talasne duìne zra~enja. U industrijskim
analizatorima najvi{e je zastupljeno β -zra~enje izotopa vodonika
3
H, kriptona 85Kr, ugljenika 14C, stroncijuma 90Sr, nikla 63Ni ili
prometijuma 147Pm.
Vanjski cilindar analizatora sluì kao jedna elektroda, naj~e{}e
kao katoda koja je priklju~ena na negativni potencijal, a anoda na
pozitivni potencijal. Negativni joni gasa sakupljaju se na anodi.
Jonska struja je mala, pa anoda mora biti izolovana od uzemljenja
visokoomskim izolatorom (Riz > 1 PΩ), kao {to su teflon, kvarc,
poliester i dr. Izolacija katode ne mora biti tako kvalitetna kao za
anodu. Pribli`na vrednost jonske struje ra~una se na slede}i
na~in:
I = 0,94 ⋅ kpVR ⋅ 10 −8 [ A ] , (2.69)

gde su: p pritisak smese gasa 1 −10 kPa, V zapremina [cm3], R
intenzitet jonizacije u rendgenima na sat [r/h] i k koeficijent
jonizacije.
Koeficijent jonizacije ima aditivno svojstvo, a za vazduh je
k=1. Kada su pritisak, zapremina i intenzitet jonizacije konstante na
radnoj temperaturi, jonska struja I proporcionalna je koncentraciji
merene komponente: I=k⋅c.
Plameni jonizacioni analizator meri razliku izme|u jonske
struje u ~istom plamenu vodonika i kiseonika i jonske struje kada su
u plamenu prisutne sagorljive komponente na bazi ugljenika. Kada
ima ugljenika ili njegovih spojeva, broj jona je ve}i nego u ~istom
H2 −O2 plamenu.
IZLAZ
IZLAZ
IZOLATOR
ELEKTROSTATI^KI IZOLATOR
Ui
IZVOR OKLOP
ZRAÊNJA ANODE A
GORIONIK
ANODA
MLAZNICA R
Ui
A
VODONIK UZORAK
R
(H2)
VAZDUH
(O2)
UZORAK
a) b)
Slika 2.18. Jonizacioni analizator: a) radioaktivni, b) plameni
Konstrukcija analizatora je relativno jednostavna. Nad plamenom

se nalazi elektroda − sakuplja~ jona (slika 2.18.b). Uzorak sa proto-
kom 3 − 5 ml/min me{a se sa vodonikom i sagoreva sa vazduhom
(O2) na temperaturi 2 000−2 200 °C. Protok vazduha je oko osam
puta ve}i od protoka vodonika. Plamenik je sme{ten izme|u
elektroda. Sakuplja~ jona priklju~en je na pozitivni potencijal
100−300 V u odnosu na mlaznicu Negativni joni koji nastaju
sagorevanjem idu prema sakuplja~u formiraju}i jonsku struju. [to je
koli~ina ugljovodonika u analiziranoj smesi ve}a, struja }e biti ve}a.
Stati~ka karakteristika analizatora I=k ⋅ c odre|uje se kalibracijom.
Koncentracija c ne odnosi se na pojedine ugljikove spojeve ve} na sve
sagorljive komponente u smesi u odnosu na vodonik. Kada se uz
vodonikov plamen stave alkalne soli, izlaz postaje selektivno osetljiv
na spojeve sa fosforom i azotom.
Izlazna struja je izrazito mala (≈1 pA), pa opteretni otpornik

mora biti veliki (R ≈1011 Ω), tj. neophodni su kvalitetni poja~ava~i sa
ulaznom otporno{}u ≈1 PΩ. Opseg merenja je 0 − 0,1 mg/m3 do
0 −100 mg/m3, sa ta~no{}u ± 5−10% punog opsega i vremenskom
konstantom 10 −20 s.
2.8. TERMOHEMIJSKI
ANALIZATORI
Princip rada termohemijskih analizatora binarnih smesa
temelji se na merenju temperature ~ija je vrednost proporcionalna
termi~kom efektu odre|ene hemijske reakcije. Pri analizi gasova to
su hemijske reakcije sagorevanja na kataliti~ki aktivnoj povr{ini,
sagorevanje u plamenu ili u toku gasa. Za analizu te~nosti
primenjuju se razdvajanje, neutralizacija, me{anje ili reakcije sa
reagensima.
Termohemijski analizator gasova najvi{e se koristi kao
signalizator kriti~ne granice koncentracije eksplozivnih gasova CO,
H2 i CH4 u vazduhu. Ova granica utvr|ena je i propisana za svaki gas
saglasno temperaturi smese gasa i vazduha koja moè dovesti do
nezgode ili saglasno energiji elektri~ne varnice. Koja }e se granica
primeniti zavisi od uslova primene jer korelacija izme|u zapaljivosti
zbog temperature okoline i energije varnice ne postoji. Na primer,
vodonik se pali na visokoj temperaturi od 560 °C ili varnicom od
20 µWs, dok se acetaldehid moè zapaliti na temperaturi od 140 °C ili
varnicom 150 µWs.
Analizator se sastoji od
U termostatiranog ku}i{ta sa dve }elije
R R kroz koje prolazi analizirana smesa
ili smesa sa poznatim dodatkom
Ui vazduha (slika 2.19). U referentnoj
}eliji je klasi~ni Pt-termootpornik
prekriven za{titnim oklopom, a u
REFERENTNA MERNA mernoj }eliji je otpornik od Pt-ìce
]ELIJA ]ELIJA
pre~nika 0,030−0,5 mm zaliven
aluminijevim oksidom na ~ijoj je
povr{ini katalizator − sloj aktivne
platine ili paladijuma. Struja
neuravnoteènog mosta zagreva
taj otpornik na temperaturu
200−500 °C, tako da dolazi do
KU]I[TE TERMOSTATIRANO NA 200 oC sagorevanja zapaljive komponente.
Otpornik se zbog toga dodatno
Slika 2.19. Termohemijski zagreva za prirast
analizator gasova
∆ t = k1 Qs c V , (2.70)
gde je k1 konstanta koja zavisi od konstrukcionih parametara i
analizirane komponente, Qs specifi~na zapreminska konstanta
sagorevanja i cV volumenska koncentracija komponente. Promena
temperature menja otpornost otpornika, {to se detektuje na izlazu
mosta:
U i = k2 k1 Qs c V = kc V . (2.71)
Termohemijski analizatori te~nih smesa upotrebljavaju se

za merenje koncentracije neorganskih kiselina, koncentracije
nearomatskih ugljenovodonika ili vode u nafti. Konstrukcija je
relativno jednostavna. U poznatom odnosu dovode se analizirana i
referentna te~nost u komoru za sagorevanje. Temperatura sago-
revanja proporcionalna je merenom sadràju {to se detektuje pomo}u
termoelementa. Merni opseg je od 0−0,1 %V/V do 0−100 %V/V,
ta~nost ±2−5% opsega, vremenska konstanta do 100 s.
LITERATURA
1. E.B.Jones: „Instrument technology“, Vol.2. On-line analysis instruments,

Newnes−Butterworths, London, 1976.
2. R.S.C.Cobbold: „Transducers for biomedical measurements: principles and
applications“, John Wiley & Sons, NY, 1974.L.A.Geddes, L.E.
3. Baker: „Applied biomedical instrumentation in industry“, John Wiley &
Sons, NY, 1975.
4. K.Biemann: „Some recent application of mass spectrometry to bioche-
mistry“, Biomedical Society Transactions, Vol.17, No.1 (237−243), 1989.
5. K.Peterson: „From microsensors to microinstruments“, Sensors & Actuators,
Vol.56, Nos.1&2 (143−149), 1996.
7. S.Stojiljkovi}, Lj.@ivkovi}: „Fizika materijala za elektroniku“, Nau~na
knjiga, Beograd, 1992.
8. J.Slavinski: „Luminiscence research and its relation to ultraweak cell
radiation“, Analyitical Chemistry, Vol.68, No.4 (708−711), 1996.
9. J.R.Troost: „Gas chromatographic/mass spectrometric calibration bias“,
Experientia, Vol.44, No.7 (559−571), 1988.
10. „Minolta chroma meters“, catalogue, 1996.
11. Osnove elektrohemije: http://www.processanalyzers.net/
12. Laboratorijski instrumenti: http://www.hnu.co.uk/downloads_hp.htm
3
ANALIZATORI
VI[EKOMPONENTNIH
SMESA
3.1. MERENJE RAZLIÎTIH

SVOJSTAVA SMESE
Princip rada. Analizatori smesa sa n komponenata u na~elu
su sloèniji od analizatora smesa koje se mogu tretirati kao binarne.
U~e{}e pojedinih komponenata u smesi moè se odrediti na osnovu
direktnog merenja n−1 razli~itih svojstava smese, fizi~kih veli~ina
xi sm , pri ~emu se sva merenja realizuju u identi~nim radnim
uslovima. Svojstvo i smese xi sm ( i=1,2,…,n) ima aditivne
karakteristike u odnosu na ista svojstva komponenata xi j
( j=1,2,…,n), pa se za smesu moè napisati slede}i sistem linearnih
jedna~ina:
n
y1 = k1 x1sm = k1 ⋅ ∑x
j =1
1j ⋅ cj
n
y2 = k2 x2sm = k2 ⋅ ∑x
j =1
2j ⋅ cj
.......... .......... .......... (3.1)
n
yn −1 = kn −1 xn -1,sm = kn −1 ⋅ ∑x
j =1
n − 1, j ⋅ cj
c1 + c2 + L + cn = 1.
gde su: xij svojstvo i komponente j poznato iz literature ili odre|eno

eksperimentalno (indeks prelamanja, provo|enje toplote), yi izlaz
senzora koji meri svojstvo i smese xi sm i ki koeficijent prenosa
3. VI[EKOMPONENTNI ANALIZATORI 77
senzora. Iz sistema jedna~ina (3.1) ra~unski se odre|uju vrednosti

koncentracije pojedinih komponenata kao ci =Di /D, gde je D determi-
nanta sistema, a Di determinanta koja se dobija kada se kolona i
zameni kolonom koju ~ine nehomogeni ~lanovi yi.
A N A L I Z I R A N A S M E S A
x1sm x2sm xn-1,sm
SENZOR 1 SENZOR 2 SENZOR n-1
y1 y2 yn-1
FORMIRANJE I RE[AVANJE SISTEMA JEDNAÎNA 3.1
c1 , c2 , ... ,c n
Slika 3.1. Blok-{ema sa direktnim merenjem razli~itih svojstava smese
Struktura analizatora sa direktnim merenjem n−1 razli~itih

svojstava smese sadrì isto toliko razli~itih senzora (slika 3.1). Ovaj
na~in se u klasi~nim analizatorima primenjuje za smese sa najvi{e
3−4 komponente uz ta~nost merenja ±3−5%. Minijaturizacija
poluprovodni~kih senzora danas omogu}ava da se ovaj na~in vi{e
primenjuje.
3.2. MERENJE U RAZLIÎTIM

USLOVIMA
Princip merenja. Merenje udela pojedinih komponenata moè
se ~esto provesti pomo}u analizatora koji meri samo jedno odre|eno
svojstvo smese xsm , ali u razli~itim uslovima. Takvi analizatori su u
na~elu jednostavniji jer se za njihov rad koriste senzori jednog tipa.
Za takvo merenje dobija se slede}i sistem algebarskih jedna~ina:
y1 = k1 ( xsm )1 = k1 ⋅ ∑ (x ) ⋅ c
j 1 j
y2 = k 2 ( xsm )2 = k 2 ⋅ ∑ (x ) ⋅ c
j 2 j
..............................
∑ (x )
(3.2)
yn -1 = k n -1 ( xsm )n -1 = k n −1 ⋅ j n -1 ⋅cj
c1 + c2 + L + cn = 1
gde su (xsm ) i i (xj )i svojstvo merene smese i istoimeno svojstvo

komponenata pri istom uslovu merenja i.
ANALIZIRANA
TROKOMPONENTNA
SMESA
TERMOSTATIRANO KU]I[TE
REGULACIJA I
INDIKACIJA
PROTOKA
MEMBRANA MEMBRANA
Rr1 Rr2 Rm1 Rm2 REGULACIJA I

INDIKACIJA
PROTOKA
REFERENTNI
GAS
VITSTONOV VITSTONOV IZLAZ
MOST 1 U1 U2
MOST 2
MIKROPROCESOR
c1 c2 c3
Slika 3.2. Trokomponenti analizator sa merenjem termoprovodnosti u razli~itim

uslovima
Realizacija analizatora sa merenjem odabranog parametra u

razli~itim uslovima zasniva se na primeni senzora nejednake
osetljivosti u odnosu na mereni parametar. Kao primer moè da
posluì termoprovodni analizator trokomponentne smese (slika 3.2).
Razli~ita selektivnost je ostvarena pomo}u dve membrane napra-
vljene od razli~itih materijala. Zbog toga analizirana smesa difundira
razli~itim brzinama u merne komore, pa dolazi do selektivne
promene provo|enja toplote gasa uz termootpornik Rm1 i Rm2.
Varijacije otpornosti ovih otpornika detektuju se pomo}u dva
nezavisna Vitstonova mosta, pri ~emu su referentni otpornici Rr1 i

Rr2 u struji referentnog gasa. Izlazni naponi U1 i U2 sa ova dva mosta
vode se u ra~unarsku jedinicu gde se re{ava sistem jedna~ina (3.2) i
odre|uju koncentracije c1, c2 i c3. Dodavanjem novih komora mogao bi
se napraviti analizator za smesu sa vi{e komponenata, ali se zbog
pove}anja vremenske konstante odziva i transportnog ka{njenja
ovakvi analizatori prave najvi{e za smese sa 3−5 komponenata.
3.3. MERENJE SA
TRANSFORMACIJOM SMESE
Princip rada analizatora sa transformacijom smese je u
primeni odre|enih hemijskih reakcija nad smesom, tako da se dobije
produkt ~ije se fizi~ke osobine mogu lak{e meriti. Analizatori takvog
tipa u pravilu se primenjuju u laboratorijskim uslovima.
Kao najpogodniji tip reakcije prirodno se name}e sukcesivno
izdvajanje komponenata. Na svakoj etapi isklju~uje se jedna kompo-
nenta i za ostatak meri vrednost odabranog svojstva. Navedenom
postupku odgovara sistem jedna~ina:
y0 = k 0 xsm = k 0 ⋅ ( x1c1 + x2 c2 + L + xn cn )
y1 = k1 ( xsm − x1c1 ) =
= k1 ⋅ (x2 c2 + x3c3 + L + xn cn )
.............................. (3.3)
yn -2 = k n -2 ( xsm − x1c1 − x2 c2 − L − xn -2 cn -2 ) =
= k n -2 ( xn -1cn -1 + xn cn )
yn -1 = k n -1 ( xsm − x1c1 − x2 c2 − L − xn -1cn -1 ) =
= k n -1 ( xn cn )
gde je yi izmerena vrednost fizi~kog svojstva smese nakon isklju-

~ivanja komponente xi, a ki osetljivost senzora koji meri to svojstvo na
etapi i.
Re{enjem sistema jedna~ina (3.3) lako se odre|uju traène

koncentracije komponenata:
yn − 1
cn =
kn − 1 x n
1  yn − 2 y 
cn −1 =  − n −1 
xn − 1  kn − 2 kn − 1  (3.4)
....................
1  y0 y 
c1 =  − 1 .
x1  k0 k1 
Postupak izdvajanja ~esto je neprakti~an, ali je bitno da se sva
merenja mogu obaviti pomo}u jednog senzora sa promenljivom
osetljivo{}u.
3.4. HROMATOGRAFIJA
3.4.1. Princip rada hromatografa
Hromatograf je sloèn merni ure|aj koji se upotrebljava za
on−line merenja kao deo merno−regulacionog kola, ali i kao labora-
torijski instrument za kontrolu kvaliteta. Osnov rada hromatografa je
razdvajanje komponenata smese i merenje njihove koncentracije.
Ta~nost razdvajanja komponenata ne zavisi od njihovog broja
ve} od ta~nosti sa kojom se meri sadràj svake komponente.
Hromatograf se primenjuje za analizu gasnih i te~nih smesa sa ve}im
brojem komponenata, koje mogu biti ~ak i bliskih karakteristika.
Hromatograf je dobio ime po tome {to je na tom principu iz
hlorofilnog pigmenta lista izdvojena zelena komponenta hlorofilin i
ùta komponenta ksantofilin (M.Cvet, 1906). Iako se razdvajanje
danas ne vr{i po boji, naziv je ostao.
Razdvajanje komponenata u hromatografu nastaje zbog
razli~ite brzine vi kojom one prolaze kroz kolonu, cev napunjenu
odre|enim materijalom (slika 3.3.a). Pokretnu fazu ~ini ispitivana
smesa sa dodatkom pomo}nog neutralnog fluida koji sluì kao
nosilac. Izme|u pokretne i nepokretne faze dolazi do povr{inskog
vezivanja i/ili upijanja, sorpcije. Pokretna faza kre}e se preko
nepokretne. Tom prilikom molekule smese neprestano se akumu-
liraju u tankom sloju na povr{ini nepokretne faze (adsorpcija) ili

prodiru u nju (apsorpcija). Ovi procesi su reverzibilni, tj. istovremeno
se de{avaju adsorpcija/desorpcija i apsorpcija/resorpcija. Osim toga,
intenzitet im je ve}i {to su molarne mase komponenata ve}e.
KOLONA
NOSILAC DETEKTORI
NEPOKRETNA FAZA BINARNIH
ANALIT SMESA
a)
SMESA A+B+C Ui
0
A+B+C 1
C B+C A+B+C A+B A

2
C B+C B A 3
C B A 4
C B A 5
C B 6
C 7
b) t
Slika 3.3. Princip rada hromatografa: a) merna kolona, b) proces razdvajanja
Prime}eno je da se komponenta koja se lak{e adsorbuje teè

desorbuje. Takva }e komponenta istisnuti prethodno adsorbovanu,
koja ima svojstvo da se teè adsorbuje ali lak{e desorbuje. Kada se u
analiziranu smesu doda fluid nosilac koji se adsorbuje lak{e od svih
komponenata smese, nosilac sukcesivno istiskuje (ispira, eluira)
komponente zavisno od brzine sa kojom desorbuju.
Selektivnost razdvajanja. Za rad hromatografa je bitno da
se zbog razli~ite brzine sorpcionih procesa nepokretna faza i nosilac
odaberu tako da je zadràvanje molekula selektivno. Zbog toga
razli~ite komponente putuju razli~itim brzinama vi i ako kolona ima
dovoljnu duìnu l, do}i }e do potpunog razdvajanja komponenata. Na

kraju kolone sukcesivno stiù binarne smese sastavljene od nosioca i
pojedinih komponenata − poredanih od manje prema ve}oj molarnoj
masi. Vreme zadràvanja u koloni, tzv. retenciono vreme ti = l/vi
karakteristi~no je za svaku komponentu. Na slici 3.3.b prikazano je
razdvajanje trokomponentne smese A+B+C, pri ~emu nosilac i
nepokretna faza nisu nazna~eni zbog jednostavnosti.
Na kraju kolone nalaze se senzori, analizatori binarnih smesa.
Izlazni signal senzora proporcionalan je koncentraciji te komponente,
a oblik signala blizak je normalnoj raspodeli. Sa smanjivanjem
pre~nika kolone raste efikasnost, dobijeni dijagrami su uì i {iljatiji,
ve}a je brzina izdvajanja (eluiranja, ispiranja) i vremenska konstanta
celokupne analize moè biti svega desetak sekundi.
3.4.2. Struktura
Tipovi hromatografa. U zavisnosti od agregatnog stanja
nosioca pokretne faze razlikuju se gasni i te~ni hromatografi.
Nepokretna faza moè biti ~vrsti granulasti materijal ili te~nost koja
je disperzirana u porama ~vrstog materijala. Prema tome, hroma-
tograf je:
• gasno-adsorpcioni (pokretna faza je gas, a nepokretna je ~vrsti
adsorbent);
• gasno-te~ni (pokretna faza je gas, a nepokretna je apsorpciona
te~nost);
• te~no-adsorpcioni (pokretna faza je te~nost, a nepokretna je
~vrsti adsorbent);
• te~no-te~ni (pokretna faza je te~nost, a nepokretna je
apsorpciona te~nost).
Prva dva tipa hromatografa namenjena su za analizu gasnih, a
druga dva za analizu te~nih smesa.
Struktura hromatografa. Gasni hromatograf radi u dva
reìma. U reìmu pripreme i uzorkovanja analizirana gasna smesa se
u ure|aju za pripremu o~isti i dovede na radnu vrednost pritiska,
temperature i protoka, a zatim propu{ta kroz dozator u kome se
uzima uzorak odre|enog volumena (slika 3.4.). Ukoliko uzorak sadrì
te~ne primese, one se u ispariva~u prevode u gasnu fazu. Gas nosilac

dodaje se analiziranoj gasnoj smesi u mernom kanalu i istovremeno
uvodi u referentni kanal. Temperatura nosioca odràva se na zadanoj
vrednosti pomo}u cevnih izmenjiva~a toplote. Priprema i uzorkovanje
traju 1−2 min, a nakon toga po~inje proces analize koji traje do
20 min. Celi ciklus se zatim ponavlja, pri ~emu je tipi~no vreme
trajanja jednog ciklusa 1−20 min.
ANALIZIRANA
SMESA
URE\AJ ZA ISPARIVA^ I
DOZATOR KOLONA
PRIPREMU INJEKTOR
MIKRO-
PROCESOR
GREJA^
URE\AJ ZA
PRIPREMU GREJA^
IZLAZ
GAS
NOSILAC
Slika 3.4. Strukturna blok−{ema hromatografa

Struktura te~nih hromatografa veoma je sli~na gasnim; osnov-
na razlika je u odsustvu greja~a za odràvanje relativno visoke
temperature radi spre~avanja kondenzacije. Razdvajanje te~nosti
mnogo je brè nego razdvajanje gasova, pa je duìna kolone najvi{e
1 m. Nepokretnu fazu ~ine fine granule pre~nika 5 − 50 µm, ali je zato
potreban visok pritisak 10 − 30 MPa za proticanje referentne te~nosti.
Nosilac sluì kao referenca i zato njegova svojstva, npr.
termoprovodnost ili indeks prelamanja svetlosti, treba da se {to vi{e
razlikuju od istoimenih svojstava komponenata analita. Na taj na~in
postiè se ve}a osetljivost izlaznog signala.
Najvi{e se upotrebljavaju neutralni gasovi helijum i argon,
zatim azot i retko vodonik zbog zapaljivosti. Gas nosilac drì se u
standardizovanim bocama. Protok se odràva na odre|enoj vrednosti
jer njegove varijacije uti~u na amplitudu izlaznog signala i vreme
razdvajanja. Tipi~ne vrednosti protoka za kolone pre~nika 2 − 5 mm je
1−200 cm3/min, a za kapilarne kolone pre~nika 0,1−0,5 mm protok je
0,2−10 cm3/min.
Kod te~nih hromatografa nosilac je naj~e{}e organski rastvara~:

benzen, hloroform, eter, metanol i dr.
Dozator treba da omogu}i uvek istu zapreminu uzorka.
Poèljno je da bude napravljen od materijala koji ne reaguje sa
analitom niti sa nosiocem, da ima {to manje pokretnih delova i da
nema curenja. Na slici 3.5 prikazan je dozator sa klipom koji se
pomera horizontalno, mada postoje verzije sa rotacionim kretanjem.
Klip se pomera pomo}u membranskog dvopozicionog pozicionera
upravljanog diferencijalnim pritiskom ∆p, a signal za preklju~ivanje
dolazi iz mikroprocesora. Kada je analizator u reìmu pripreme, klip
je u krajnjem levom poloàju, analizirana smesa prolazi kroz komoru
dozatora, a gas nosilac kroz kolonu i ~isti je od ostataka uzorka iz
prethodnog ciklusa (slika 3.5.a). Reìm analize po~inje prebacivanjem
klipa u krajnji desni poloàj u kojem se uzorak iz komore potiskuje
kroz kolonu u smesi sa nosiocem (slika 3.5.b).
ANALIZIRANA GAS ANALIZIRANA GAS

SMESA NOSILAC SMESA NOSILAC
KOMORA
DOZATORA KOLONA NOSILAC+UZORAK
p1 p2 p1 p2
a) b)
Slika 3.5. Klipni dozator: a) u reìmu pripreme, b) u reìmu analize
Kolona hromatografa je ravna ili spiralna cev, prosta ili vi{e-

struka U-cev, napravljena od stakla ili ner|aju}eg ~elika, pre~nika
2−6 mm i ukupne duìne 0,5−20 m. U koloni se nalazi nepokretna
faza, tj. granulasti materijal pre~nika 5−50 µm, sa sitnim porama
pre~nika manjim od 20 nm i velikom specifi~nom povr{inom
100−1 000 m2/g {to omogu}ava veliki intenzitet adsorpcije. Najpozna-
tiji materijali za ove namene su amorfni oksidi silikagel i alumogel
kao univerzalni adsorbenti, zatim aktivni ugalj, kalcijum-karbonat,
sinteti~ki zeoliti i mnogi drugi.
Senzori binarnih smesa mere termoprovodnost, indeks

prelamanja svetlosti ili neko drugo fizi~ko svojstvo. Ovi senzori
detaljno su obra|eni u poglavlju o analizatorima binarnih smesa.
Glavni kriterijum prilikom izbora odre|enog senzora su selektivnost
i osetljivost merenja.
Izlazni signal hromatografa je kontinualna kriva, hroma-
togram (slika 3.6.a). Kada kroz mernu komoru analizatora binarne
smese prolazi samo gas nosilac, izlazni signal ima konstantnu
vrednost U0, koja se kao drift nule moè jednostavno kompenzirati i
izlaz svesti na pravu nulu. Kada se u koloni hromatografa razdvoje
komponente i stignu do senzora binarne smese, na izlazu se
sukcesivno javljaju promene koje podse}aju na normalnu raspodelu.
Redosled pojavljivanja ovih dijagrama odraàva kvalitativnu razliku
izme|u komponenata, a povr{ina ispod dijagrama proporcionalna je
kvantitativnom udelu te komponente u analiziranoj smesi.
Ui VODONIK ETILEN
H2 ETAN
C2H4
C2H6 H2
CH4
METAN
∆U1 CH4
C2H6
C2H4
U0
t1 t2 t3 t4 t
t
w4
t4 t4
ANALIZA
PRIPREMA NOVI CIKLUS

a) b)
Slika 3.6. Hromatogram: a) kontinualni dijagram, b) dijagram trenda
U sistemima automatskog upravljanja interesantnije su promene

koncentracije komponenata od jednog do drugog ciklusa, odnosno
promene u odnosu na zadanu vrednost. Za svaku komponentu meri
se koncentracija koja je proporcionalna odgovaraju}em vrhu na
kontinualnom hromatogramu. Rezultat se zapisuje na pripadnom
kanalu pisa~a, odnosno pamti u memoriji. Postupak se ponavlja u
narednom ciklusu i tako za svaku komponentu dobija stepeni~asti
dijagram trenda (slika 3.6.b).
Kalibracija hromatografa. Postupak dobijanja hromato-
grama ponavlja se cikli~ki. Svakoj komponenti pri nepromenjenim
uslovima rada analizatora (konstantan protok i pritisak gasa nosioca,
konstantna temperatura i drugo), odgovara karakteristi~no vreme

zadràvanja na nepokretnoj fazi, tj. vreme izdvajanja ti iz smese koje
se ustanovljava kalibracijom. Kalibracija hromatografa provodi se
pomo}u standardizovanih binarnih smesa ili vi{ekomponentnih smesa
poznatog sastava i koncentracije.
Razlikovanje dvaju susednih vrhova, na primer vrhova
(C2H6)max i (C2H4)max na hromatogramu 3.6.a odre|eno je rezolucijom
t 4 − t3
R = 2 , (3.5)
w4 − w3
gde su t4 i t3 vreme izdvajanja, a w4 i w3 ukupno vreme zadràvanja

tih komponenata.
Tehni~ke karakteristike hromatografa zavise od namene.
Tipi~ne vrednosti za hromatografe namenjene procesnim merenjima
su: ta~nost ±1− 2%, ponovljivost ±0,1%, opseg od 0,1%V/V do 1%V/V
pa do 0 −100%V/V, temperatura okoline 5 − 50 °C, temperatura uzorka
do 150 °C, cena 3 −15 000 dolara.
3.4.3. Interpretacija hromatograma

Promena izlaznog signala moè se zapisati u obliku
∆ U i = U i ( t ) − U 0 = kx ( x i − x r ) ⋅ a i ( t ) , (3.6)
gde su xi i xr fizi~ko svojstvo merene i referentne komponente koje
senzor detektuje sa osetljivo{}u kx.
Odre|ivanje vrhova je najprostiji na~in kvantitativne in-
terpretacije hromatograma:
∆U imax = U i (ti ) − U 0 = k x ( xi − xr ) ⋅ ai (ti ) =
= k x (xi − xr ) ⋅ aimax = ki ci .
(3.7)
gde je koeficijent proporcionalnosti ki sa koncentracijom ci utvr|en
kalibracijom. Nedostatak ovog jednostavnog postupka je uzak opseg
linearne zavisnosti izme|u veli~ine vrha i merene koncentracije.
Odre|ivanje povr{ina. Sloèniji na~in kvantitativne in-
terpretacije hromatograma je izraàvanje koncentracije kao odnosa
izme|u volumena izdvojene komponente i volumena uzorka, pri
~emu se odnos ra~una kao koli~nik povr{ine ispod odre|enog vrha i

ukupne povr{ine ispod dijagrama:
ti″
∫ ∆U (t )dt i
ti′ ki Si
ci = = , (3.8)
ti″ n
∑ kS
n
∑ ∫ ∆U (t )dt i
i =1
i i
ti′
i =1
gde su koeficijenti 0≤ ki≤ 1 ustanovljeni kalibracijom, a ti′ i ti″ po~etak

i kraj ukupnog vremena zadràvanja komponente na intervalu wi.
U hromatografu su senzori binarnih smesa naj~e{}e istog tipa,
pa jedna~ina (3.8) dobija jednostavniji oblik:
Si
ci = . (3.9)
∑S i
Ra~unanje povr{ine pomo}u integrala automatizovano je za-

hvaljuju}i odgovaraju}oj ra~unarskoj podr{ci.
LITERATURA
New York, 1974.
2. E.B.Jones: „Instrument technology, Vol.2, On−line analysis measurements“,
Newnes−Butterworths. London, 1976.
1975.
4. M.Medenica, D. Male{ev: „Eksperimentalna fizi~ka hemija i instrumentalne
metode“, BIGZ, Beograd, 1994.
5. I.Fowlis: „Gas chromentography“,Wiley, 1995.
6. Principi hromatorafije i analiti~ke hemije:

http://home.att.net/~GCresource/GCmain.html
http://www.gaschromatography.net
http://www.processanalyzers.net/
4
ELEKTROHEMIJSKI
ANALIZATORI
4.1. KONDUKTOMETRIJSKI
ANALIZATORI
4.1.1. Princip rada
Elektrolit. Rastvaranjem soli, kiselina i baza u vodi dolazi
do elektroliti~ke disocijacije, tj. do razlaganja njihovih molekula na
elektropozitivne i elektronegativne delove − katjone i anjone.
Ovakvi rastvori nazivaju se elektrolitima. Odnos broja disosovanih
molekula Ndis i ukupnog broja rastvorenih molekula Nuk je stepen
disocijacije α :
N
α = dis , (4.1)
N uk
gde je 0 ≤ α ≤ 1.
Kada nema disocijacije, tada je α = 0, a kada su svi molekuli di-
sosovani na jone, tada je α =1. Stepen disocijacije zavisi od elektrolita
i njegove koncentracije, prirode rastvara~a i temperature (tabela 4.1).
Pri maloj koncentraciji skoro svi molekuli disosuju, ali je broj jona po
jedinici zapremine mali.
ELEKTROLIT c = 1 mol/dm3 c = 0,1 mol/dm3 c = 0,01 mol/dm3 c = 0,001 mol/dm3
HNO3 0,85 0,92 0,99 1,00

HCL 0,80 0,92 0,998 1,00
KOH 0,82 0,91 0,999 1,00
NaOH 0,76 0,91 0,993 1,00
KCl 0,71 0,86 0,99 1,00
CuSO4 0,22 0,40 0,62 0,83
CH3COOH 0,0017 0,013 0,042 0,13
NH3 0,0042 0,013 0,042 0,13
Tabela 4.1. Stepen disocijacije tipi~nih elektrolita na temperaturi od 18 °C

4. ELEKTROHEMIJSKI ANALIZATORI 89
Vodeni rastvor elektrolita je neutralan u elektri~nom smislu

jer disocijacijom nastaje jednak broj pozitivnih i negativnih jona.
Molekul barijum-hlorida BaCl, na primer, disosuje na jon barijuma
sa dva pozitivna naelektrisanja Ba+ + i dva jona hlora sa po jednim
negativnim naelektrisanjem Cl − :
BaCl2 Ba + + + 2Cl - , (4.2)
pri ~emu jon ima druga~ija svojstva od istoimenog atoma − atom

barijuma Ba reaguje u vodi, a jon Ba+ + uop{te ne reaguje.
Gubitak elektri~ne ravnoteè elektrolita nastaje delovanjem
razli~itih elektrohemijskih procesa, koji predstavljaju osnovu za
on−line merenje koncentracije binarnih smesa. Ove pojave izu~avaju se
u okviru elektrohemije, ~ije je temelje postavio M.Faradej otkriv{i
osnovne zakone elektrohemije 1834. Faradej je uveo i termine:
elektroliza, elektrolit, elektroda, anoda, katoda i jon.
Elektri~na provodnost elektrolita. Elektroliti su provodnici
elektri~ne struje zahvaljuju}i pokretljivosti jona. Kada se elektrolit
priklju~i na vanjski izvor jednosmernog napona, pozitivni katjoni
kre}u se prema negativnoj elektrodi (katodi), a negativni anjoni
prema pozitivnoj elektrodi (anodi). Pokretljivost jona u vezi je sa
koncentracijom, {to zna~i da je merenjem elektri~ne provodnosti
mogu}e odrediti koncentraciju elektrolita. Na ovoj osnovi grade se
konduktometrijski analizatori.
Elektrolit se u elektri~nom kolu pona{a kao otpornik sa ot-
porno{}u:
l
R = ρ
S
[ Ω] , (4.3)
gde su: R [Ω] otpornost, ρ [Ωm] specifi~na otpornost, S [m2] povr{ina

elektroda i l [m] rastojanje izme|u elektroda.
Hemijski efekti u elektrolitu i na elektrodama imaju klju~nu
ulogu u prenosu elektriciteta i obja{njavaju se pomo}u provodnosti
G [S], veli~ine koja je recipro~na otpornosti:
S
G =κ ⋅ [S] , (4.4)
l
gde je κ specifi~na provodnost izraèna u S/m ili u S/cm.
Specifi~na provodnost jednokomponentnog rastvora odre|uje

se pomo}u Kolrau{eve jedna~ine:
κ = c z F (u + + u - ) , (4.5)
gde su:
• c molarna koncentracija rastvora;
• z broj ekvivalenata u molu, valenca jona ili ukupan broj
elementarnih naelektrisanja za dati anjon i katjon;
• F=96494 C /mol Faradejeva konstanta koja odgovara koli~ini
elektriciteta potrebnoj za izdvajanje i prenos jednog ekviva-
lenta bilo kojih jona prilikom elektrolize;
• u+, u− elektrohemijska pokretljivost jona, brzina jona
postignuta pod delovanjem jedini~nog polja [m2/s⋅V]. U li-
teraturi iz elektrohemije mogu se na}i eksperimentalno
odre|ene vrednosti za pokretljivosti tipi~nih jona, na
primer: u+(H+)=0,326⋅10−6 m2/s⋅V, u+(Na+)=0,045⋅10−6 m2/s⋅V,
1/2u+(Cu++)=0,053⋅10−6 m2/s⋅V, u−(Cl−)=0,068⋅10−6 m2/s⋅V,
u−(Br−)=0,070⋅10−6 m2/s⋅V i dr.
êsto se proizvod Fu ozna~ava jonskom provodno{}u
λ [S⋅m2/mol] ili jonskom pokretljivo{}u l. Kolrau{eva jedna~ina tada
ima oblik κ = c z (λ + + λ - ) , odnosno κ = c z (l + + l - ) .
Elektri~na provodnost i koncentracija elektrolita.
Merenje elektri~ne provodnosti na osnovu jedna~ine (4.4) u cilju
posrednog merenja koncentracije zastupljen je u tehni~koj praksi
zbog jednostavne i jeftine instrumentacije.
Voda kao rastvara~ je slab provodnik, ali prisustvo minerala
jako menja provodnost:
• ~ista destilovana voda ...................................... 0 − 0,4 µS/cm
• kondenzat, voda za parni kotao .................... 0 − 5 µS/cm
• cirkulaciona voda ............................................. 0 − 20 µS/cm
• voda za kotlove sa visokim pritiskom ......... 0 −1000 µS/cm
• voda za kotlove sa niskim pritiskom ........... 0 − 20000 µS/cm
• meka voda ........................................................... 0 −1500 µS/cm
• obi~na voda ......................................................... 300 − 600 µS/cm.
Kada se u vodu dodaju soli, baze ili kiseline, provodnost se

pove}ava. Vodeni rastvori soli, tj. supstanci sa jonskom vezom,
imaju izraènu provodnost. To su jaki elektroliti, sa stepenom
disocijacije α > 0,3 u rastvoru koncentracije 0,1 mol/dm3. Vodeni
rastvori supstanci sa kovalentnom vezom i delimi~no jonskim
karakterom imaju slabu provodnost. To su slabi elektroliti sa ste-
penom disocijacije α < 0,3 u rastvoru koncentracije 0,1 mol/dm3.
Zavisnost specifi~ne provodnosti κ od koncentracije (4.5) line-
arna je samo za male vrednosti koncentracije, do 100 mg/l (slika
4.1.a). Sa porastom koncentracije opada stepen disocijacije,
pokretljivost jona se smanjuje, pa se kao rezultat javlja nelinearna
i nejednozna~na zavisnost κ ( c) (slika 4.1.b). Kao {to se vidi, mak-
simalna vrednost specifi~ne provodnosti ve}ine elektrolita je pri
masenoj koncentraciji 20 − 30%, a posle toga opada.
HCl H2SO4
µS/cm 200 S/cm 1
Ca(OH)2
NaOH CaCl2 HCl HNO3

0,8
150 NaCl
SPECIFI^NA PROVODNOST,
SPECIFI^NA PROVODNOST,
KCl
CaSO4
Na2SO4 0,6
100 KNO3
KOH
0,4
50 H2SO4
KCl NaOH
0,2
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
KONCENTRACIJA, cm mg/l KONCENTRACIJA, cm %
a) b)
Slika 4.1. Specifi~na provodnost elektrolita u funkciji koncentracije na 18 °C:
a) podru~je linearne zavisnosti, b) nelinearna zavisnost
Temperaturne varijacije provodnosti. Pokretljivost jona

jako zavisi od temperature, {to se odraàva na provodnost elektrolita.
Specifi~na provodnost κ t na temperaturi t ra~una se pomo}u izraza
[
κ t = κ t0 ⋅ 1 + α ( t − t0 ) + β ( t − t0 ) ,
2
] (4.6)
gde su κ to specifi~na provodnost na referentnoj temperaturi t0

(18 °C ili 25 °C), a α [1/°C] i β [1/°C2] temperaturni koeficijenti u
kojima su sadràne i temperaturne varijacije viskoznosti i dielek-
tri~ne konstante elektrolita.
Za ve}inu elektrolita u intervalu 0 −100 °C moè se smatrati

da je β ≈ 0, da je za soli i baze α = 0,02 − 0,025 1/°C, odnosno da je za
kiseline α =0,01−0,016 1/°C. Najve}u promenu sa temperaturom ima
provodnost ~iste vode (slika 4.2).
Kompenzacja temperaturnih
promena provodnosti realizuje se u 3
25oC
ÎSTA DA
savremenim analizatorima pomo}u VODA VO
A
N
I^ OH
t
softverskog programa, pri ~emu su OB 5%
Na
SPECIFI^NA OTPORNOST,
koeficijenti α i β odre|eni eksperi-
2
mentalno ili preuzeti iz literature, a

5%H2SO4
stvarne vrednosti temperature mere
1
se odgovaraju}im senzorom. Klasi~ni
na~in kompenzacije zasniva se na
primeni termistora sa temperaturnim 0
0 20 40 60 80 100
koeficijentom otpornosti koji je jednak o
TEMPERATURA, Tm C
po vrednosti a suprotan po predznaku
od temperaturnog koeficijenta otpo- Slika 4.2. Promena provodnosti
rnosti elektrolita. sa temperaturom
4.1.2. Konstrukcija
Konduktivna merna }elija napravljena je kao sonda sa
{upljinama kroz koje proti~e analizirani elektrolit. Telo se pravi od
stakla, plastike, keramike i drugih izolacionih materijala koji ne
deluju na elektrolit niti se deformi{u pod delovanjem procesnog
pritiska i temperature.
Elektrode su razli~itih oblika i napravljene su od platine,
legure titanijuma i platine, ner|aju}eg ~elika ili od grafita. Obloga
je perforirana da se omogu}i strujanje rastvora. êsto je jedna
elektroda napravljena kao {ipka, a oko nje je druga u obliku perfo-
riranog cilindra. Sonda koja moè da se postavi horizontalno,
vertikalno ili u bilo kojem drugom poloàju ima prstenaste elek-
trode ugra|ene sa unutra{nje strane tela }elije. êsto se prave
konstrukcije sa tri elektrode, pri ~emu su dve vanjske eksterno
kratko spojene i priklju~ene na masu radi smanjenja vanjskih
elektromagnetskih uticaja. Cela konstrukcija prilago|ena je za
uranjanje u elektrolit ili za ugradnju u zid procesnog ure|aja
(slika 4.3).
Priklju~ivanje konduktivne }elije u merni most. Kada

se na uronjene elektrode priklju~i jednosmerni napon, do}i }e do
redistribucije jona u rastvoru. Pod delovanjem ems izvora joni
metala dolaze do elektroda, predaju elektrone anodi ili ih primaju
na katodi, postaju elektri~no neutralni i deponuju se na elektrodi.
Zbog dobitka/gubitka elektrona elektrode postaju dodatno polari-
zovane, tj. na kontaktnoj povr{ini izme|u elektrode i elektrolita
nastaje povr{inski potencijal ~ija vrednost zavisi od vrste depono-
vanog metala, odnosno oslobo|enog gasa. Elektromotorna sila
ekvivalentnog naponskog izvora na kontaktu elektrode i elektrolita
ozna~ava se kao ems polarizacije i ima suprotan smer od eksternog
izvora napajanja. Zbog delovanja ems polarizacije zavisnost izme|u
jednosmernog napona napajanja i struje izme|u elektroda ne
podvrgava se Omovom zakonu ve} je jedna nelinearna funkcija.
ZID
OTVORI
PRIKLJU^NI
KABL
ZA[TITNA ELEKTRODA ZAPTIVNA IZOLATOR

OBLOGA MASA
Slika 4.3. Konstrukcija konduktivne sonde za ugradnju u zid
Provodnost G konduktivne }elije je recipro~na vrednost ot-

pornosti R=1/G=ρ⋅(l/S)=k⋅ρ, gde je k=l/S [cm−1] konstrukciona
konstanta }elije. Poèljno je da k bude {to ve}e, ali je u praksi
k=0,01−100 da bi se kompromisno ispunili zahtevi za malim di-
menzijama elektroda (mali l i S), malom gre{kom zbog polarizacije
(malo S) i malom duìnom provodnog puta (malo l). Konstanta
k=1 podrazumeva da su elektrode sa povr{inom 1 cm2 na rastojanju
od 1 cm. Vrednost k treba da je prilago|ena mernom opsegu za
dati analizator. Na primer, }elija ~ija je konstrukciona konstanta
k=1 u ~istoj vodi provodnosti 1 µS/cm ima}e otpornost od 1 MΩ, a
u morskoj vodi svega 30 Ω. Konstrukciona konstanta bira se tako
da otpornost }elije u ispitivanom rastvoru bude oko 10 kΩ, jer se
ta vrednost relativno lako meri.
Za merenje otpornosti R primenjuje se nebalansirani ili

balansirani Vitstonov most. Napon napajanja je jednosmeran
1−10 V ili naizmeni~ni sa frekvencijom do 1 kHz. Najprostija {ema
nebalansiranog mosta u jednoj grani ima konduktivnu }eliju, a os-
tale grane ~ine fiksni eksterni otpornici (slika 4.4.a). U slu~aju
nebalansiranog mosta potenciometrom R5 podesi se nula za
referentnu vrednost provodnosti analita, a trenutne vrednosti
otpornosti ~itaju se na instrumentu ~ija je skala ba`darena u
jedinicima koncentracije.
R3 R1 R3 R1
r r
R2
. . Rx R2
. . Rx
R5 R5
SONDA SONDA SONDA
Rt
Rx
a) b) c)
Slika 4.4. Merne {eme sa konduktivnom }elijom: a) prosti Vitstonov most,
b) Vitstonov most sa temperaturnom kompenzacijom, c) direktna metoda
U slu~aju balansiranog mosta kliza~ potenciometra R5 postavi

se prvo u krajnji levi poloàj koji odgovara normiranoj provodnosti
ispitivanog elektrolita (odnosno otpornosti Rx ) i tada je
R1 R2 = R3 ( Rx + R5 ) . (4.7)
Kada se promeni otpornost za ∆Rx , kliza~ potenciometra pomera
se udesno u poloàj r, ru~no ili pomo}u automatskog servomeha-
nizma koji na slici nije prikazan, sve dok se ponovo ne uspostavi
ravnoteà:
R1 ( R2 + r ) = R3 ⋅ (Rx + ∆Rx + R5 − r ) . (4.8)
Kombinacijom dveju prethodnih jedna~ina dobija se rezultat da
je poloàj kliza~a r proporcionalan promeni otpornosti elektrolita:
R3
r= ⋅ ∆Rx . (4.9)
R1 + R3
Poloàj kliza~a izba`daren je u odgovaraju}im jedinicama

koncentracije. Po~etni poloàj moè biti i na sredini potenciometra
R5, {to se primenjuje kada se javljaju i pozitivne i negativne vari-
jacije u odnosu na odre|enu zadatu vrednost provodnosti.
Sloènije varijante Vitstonovog mosta neophodne su radi
temperaturne kompenzacije (slika 4.4.b). Kompenzacija se realizuje
pomo}u mosta koji u paralelnoj grani sa mernom ima termistor.
Termistor je odabran tako da temperaturne varijacije otpornosti u
tim granama budu jednake i suprotnog znaka, tako da je merenje
otpornosti Rx elektrolita invarijantno temperaturi.
Tehni~ki podaci koji se odnose na merenje provodnosti elektrolita
pomo}u mernog mosta su slede}i: merni opseg je u intervalu
10− 8−1 S/cm (10 −105 Ω), ta~nost ± 0,5 − 2%, radna temperatura
5 − 150 °C (sa opsegom do 70 °C), radni pritisak do 10 bara.
Direktno merenje ostvaruje se I-metodom, tj. serijskim
spojem merne }elije, ampermetra i sekundara transformatora (slika
4.4.c). Skala na instrumentu ba`darena je u jedinicama otpornosti,
provodnosti ili koncentracije. [ema na bazi I-metode primenjuje se
samo za male varijacije merene otpornosti jer pri velikim promenama
dolazi do izraàja nelinearnost funkcije I = f (Re ). Na ta~nost jako
uti~e nestabilnost napona na sekundaru, pa je neophodna njegova
stabilizacija ili kompenzacija.
Beskontaktni konduktometri primenjuju se za merenje
koncentracije koloidnih elektrolita. Osnovnu {emu sa direktnim
na~inom merenja ~ine dva transformatora, pobudni i merni, sa
odvojenim navojima N1 i N2 (slika 4.5.a).
Cev kroz koju prolazi analizirana te~nost provu~ena je kroz
jezgro oba transformatora i tako je profilisana da elektrolit formira
jedan zatvoreni namotaj koji povezuje flukseve navoja N1 i N2. Na
taj na~in ovaj jednostruki navoj istovremeno je sekundar pobudnog i
primar mernog transformatora. Navoji N1 priklju~eni su na oscilator
koji daje napon up frekvencije 3 −16 kHz, tako da se u jednostrukom
navoju indukuje struja i proporcionalna merenoj provodnosti. Ova
struja indukuje u sekundaru mernog transformatora izlazni napon
ui, koji se dalje ispravlja, poja~ava i obra|uje radi dobijanja krajnjeg
rezultata.
Elektroprovodni beskontaktni analizatori mogu biti i kom-
penzacionog tipa (slika 4.5.b). Konstrukcija je sloènija nego kod
direktnih, ali je zato anuliran drift nule koji se javlja zbog nesta-
bilnosti poja~ava~a i napona napajanja. Na opto~nom delu cevovoda
dodat je jo{ jedan par transformatora sa navojima N1′ i N2′ spo-
jenim u opoziciju preko potenciometra P.
Up . Ui .
N2
N1
a)
a=kc
N1
Up M
N2
N1 N2
b)
Slika 4.5. Beskontaktni konduktometri: a) direktni, b) kompenzacioni
Sistem je uravnoteèn za zadatu vrednost provodnosti. Kada

do|e do promene provodnosti, menja se izlazni signal, tj. ugaoni
poloàj osovine servomotora. Zakretanje osovine istovremeno se kao

povratna sprega prenosi na kliza~ potenciometra P, koji se pomera
sve dok se ne uspostavi po~etno ravnote`no stanje. Pomeranjem
kliza~a, naime, razlika napona na namotajima N1′ i N2′ induko-
vanih strujom i jednostrukog namotaja deluje kao dodatna pobuda
koja nadokna|uje debalans struje i u odnosu na po~etno stanje −
bez obzira da li je debalans nastao zbog promene provodnosti,
nestabilnosti oscilatora, poja~ava~a, temperature i dr.
4.2. POTENCIOMETRIJSKI
ANALIZATORI
4.2.1. Potencijal elektrode prve vrste
Nastanak potencijala. Metal M valence z uronjen u elektrolit
koji sadrì jone tog metala Mz + je redukciono-oksidacioni sistem
koji se naziva elektrodom prve vrste, polu}elijom ili poluelementom.
Karakteristi~no je da u takvom sistemu dolazi do redistribucije jona.
Na povr{ini elektrode metal oksiduje, obrazuju se i odvajaju pozitivni
joni ostavljaju}i povr{inu metala sa vi{kom elektrona, tj. na
negativnom potencijalu. Istovremeno se odvija i suprotan proces:
pozitivni joni metala iz elektrolita adsorbuju se i taloè na elektrodi
pove}avaju}i joj pozitivni potencijal. Posle izvesnog vremena na
povr{ini metala uspostavlja se elektri~ni dvojni sloj i ravnoteà izme|u
odvajanja i taloènja jona metala:
M M z+ + ze − (4.10)
Neposredno uz povr{inu metala je Helmholcov ili Sternov sloj
jona za koje je karakteristi~no da se drè uz povr{inu adsorpcionim
(tj. molekularnim Van der Valsovim) i elektrostati~kim silama.
Debljina sloja jednaka je pre~niku adsorbovanih jona. Na ovaj sloj
nadovezuje se Gej-âpmenov sloj u kome preovla|uju elektrostati~ke
sile i termi~ko kretanje molekula i jona, sa neto naelektrisanjem koje
je jednako po iznosu ali suprotnog predznaka od neto naelektrisanja u
Helmholcovom sloju. Iznos i smer ukupne ems, tj. elektrodnog
potencijala ili potencijala elektrode, zavisi od koncentracije jona
metala u elektrolitu i vrste metala. Na slici 4.6.a Helmholcov sloj
ima negativno neto naelektrisanje zbog preovla|uju}eg negativnog
naelektrisanja na ~vrstoj granici (povr{ini metala), a Gej-âpmenov
sloj ima pozitivno neto naelektrisanje. Sa udaljavanjem od povr{ine

potencijal Gej-âpmenovog sloja usled difuzije eksponencijalno opada
na vrednost koja postoji u elektrolitu. Proces otpu{tanja elektrona je
oksidacija, a redukcija je proces primanja elektrona. Zato se opisani
elektrohemijski sistem ozna~ava kao redukciono-oksidacioni, ili
kratko redoks.
Pojedina~ni potencijal elektrode izraàva se u odnosu na
standardnu vodoni~nu elektrodu kojoj je pridruèna vrednost po-
tencijala nula: EH+ H = 0. Elektroda je napravljena od porozne
2
platine na koju se dovodi vodonik pod pritiskom od 101 325 Pa na

temperaturi 25 °C i uronjena je u rastvor sumporne kiseline H2SO4
sa normalnom koncentracijom jona vodonika c (H+) =1 mol/dm3 (slika
4.6.b). Potencijal merne elektrode Em, meren u odnosu na vodoni~nu
pri normalnoj koncentraciji merenog rastvora c =1 mol/dm3 na 25 °C,
naziva se standardnim.
ems
GEJ-ČAPMENOV Pt-ŽICA
SLOJ
H2
UDALJENOST
p=101,3 kPa
HELMHOLCOV
SLOJ
Pt-ELEKTRODA
Cu
ANJON
KATJON
c (H+ ) =1 mol/dm 3
Cu 2+ + 2e- Cu aq
a) b)
Slika 4.6. Potencijal elektrode: a) elektri~ni dvojni sloj, b) standardna vodoni~na
elektroda
U literaturi se mogu na}i podaci o pojedina~nim potencijalima,

tj. standardnim elektrodnim redoks-potencijalima elemenata od
interesa za tehni~ku praksu (tabela 4.2). Odgovaraju}a ravnote`na
redoks-reakcija je reduktant oksidant+ ze−, pri ~emu je sleva nadesno
oksidacija, a u suprotnom smeru je redukcija).
Nernstova jedna~ina. Kada standardni uslovi nisu ispunjeni
(c ≠1 mol/dm3, p ≠101 325 Pa ili t ≠ 25 °C), elektrodni potencijal
polu}elije Ee odstupa od standardnog E0. Odstupanje se ra~una na
osnovu Nernstove teorije termodinami~ke ravnoteè za redoks-

reakcije.
STANDARDNI STANDARDNI
Br. POLU]ELIJA ELEKTRODNA POTENCIJAL Br. POLU]ELIJA ELEKTRODNA POTENCIJAL
REAKCIJA E 0 [ V] REAKCIJA E 0 [ V]
1 Al3+ | Al Al Al3 + + 3e− − 1,66 10 Hg | Hg2Cl2 2Hg+2Cl− Hg2Cl2 + 2e− 0,268

2+ 2+ − 2+ 2+ −
2 Zn |Zn Zn Zn + 2e − 0,763 11 Cu |Cu Cu Cu + 2e + 0,337
2+ 2+ − + + −
3 Fe | Fe Fe Fe + 2e − 0,440 12 Cu |Cu Cu Cu + e + 0,521
4 Cr3 + | Cr Cr2 + Cr3 + + e− − 0,40 13 Fe3 + | Fe2+ Fe3 + Fe2 + + e− + 0,7701
5 Ni2 + | Ni Ni Ni2 + +2e− − 0,250 14 Hg22 + | Hg 2Hg Hg22 + + 2e− + 0,797

2+ 2+ − + + −
6 Pb | Pb Pb Pb +2e − 0,126 15 Ag | Ag Ag Ag + e + 0,799
+ + − − − −
7 H | H2 H2 2H +2e 0,000 (std.) 16 Cl | Cl2 2Cl Cl2 + 2e + 1,358
2+ 2+ − 3+ 3+ −
8 Cu |Cu +
Cu +
Cu +e + 0,153 17 Au | Au Au Au + 3e + 1,50
− − + + −
9 Ag | AgCl Ag + Cl AgCl + e + 0,222 18 Au | Au Au Au + e + 1,68
Tabela 4.2. Standardni potencijali polu}elija prema vodoni~noj elektrodi na 25 °C
Op{ti oblik elektrohemijske reakcije na elektrodi ima oblik:

αA+ βB γ C + δ D + ze − . (4.11)
Termodinami~ka ravnoteà koja se uspostavlja zbog reakcije
(4.11), tj. izme|u oksidacije (prelazu metala u rastvor zbog formiranja
jona gubitkom elektrona) i redukcije kao suprotne reakcije (taloènja
metala iz rastvora na elektrodi primanjem elektrona) opisuje se
pomo}u Nernstove jedna~ine:
γ δ
RT (a C ) (a D )
Ee = E 0 + ln , (4.12)
zF (a A )α (aB )β
gde su: Ee elektrodni potencijal (ems na prelazu metal−elektrolit) i E0

njegova standardna vrednost (tabela 4.2), z valenca jona, F=96 494 C/mol
Faradejeva konstanta, R=8,314 J/mol⋅K univerzalna gasna konstanta,
T [K] apsolutna temperatura. U brojniku logaritamskog razlomka
su aktiviteti jona produkata aC i aD, u nazivniku aktiviteti jona
reaktanata aA i aB, dok su α, β, γ i δ koeficijenti u elektrohemijskoj
jedna~ini (4.11). Za radnu temperaturu T=298 K (25 °C) i valencu
z=1 vrednost faktora RT/F=0,0256 V ozna~ava se kao Nernstova
konstanta.
Aktivitet jona. Prilikom razmatranja elektri~ne provodnosti
elektrolita nagla{eno je da u jako razre|enom rastvoru (c <<1) svi
molekuli disosuju, tj. da je stepen diosocijacije α =1. To su tzv.

slabi, idealni rastvori. Kod jakih rastvora porastom koncentracije
opada α iako je broj jona ve}i, {to je rezultat delovanja uzajamnih
elektrostati~kih sila izme|u jona. Zato je uveden aktivitet jona a,
veli~ina koja ima {ire zna~enje od stepena disocijacije. Aktivitet
jona obi~no se tuma~i kao efektivna koncentracija jona koja je
manja od stvarne jer izraàva ~injenicu da sa porastom koncen-
tracije svi joni usled me|udelovanja ne u~estvuju u stvaranju elek-
trodnog potencijala:
a = f ⋅ c, (4.13)
gde je f koeficijent aktiviteta jona (0 ≤ f ≤1). Za idealne rastvore je f=1

i tada je a = c. U realnom rastvoru, na primer kuhinjske soli, je f =0,966
za koncentraciju c =0,001, f =0,903 za c =0,01 i f =0,656 za c =1.
Primena. Za ilustraciju primene Nernstove jedna~ine moè se
navesti bakrena elektroda data na slici 4.6.a. Pore|enjem elektrodne
reakcije za bakrenu elektrodu
Cu Cu 2 + + 2e − (4.14)
sa op{tom hemijskom reakcijom (4.11) vidi se da su α =1, A = Cu, β =0,
γ =1, C =Cu2+, δ =0 i z =2, tj. Nernstova jedna~ina za ovu elektrodu ima
oblik:
RT a 2+
ECu 2 + Cu = E 0 + ln Cu , (4.15)
2F a Cu
gde je E0=0,337 V standardni potencijal za elektrodu Cu2+ |Cu (br. 11
u tabeli 4.2) i aCu 2+ aktivitet jona Cu2+. Aktivitet za ~vrste supstance
jednaka je jedinici, odnosno u konkretnom primeru aktivitet bakra je
aCu=1, pa se potencijal za Cu2+ |Cu na kraju moè napisati u obliku:
RT
ECu 2 + Cu = E 0 + ln aCu 2+ , (4.16)
2F
Kada je aktivitet jona aCu 2+ >1, tada je ems elektrode ve}a od
standardne E > E0 = 0,337 V, odnosno kada je aCu 2+ <1, tada je
E <E0 = 0,337 V.
Aktivitet gasova jednak je njihovom parcijalnom pritisku. Tako,
za vodoni~nu elektrodu ~ija je karakteristi~na reakcija H2 2H++2e−
pomo}u Nernstove jedna~ine termodinami~ke ravnoteè dobija se
potencijal u obliku:
EH+ H = E 0
+
RT (a + )
ln H
2
=
RT
ln a H+ , (4.17)
2
2F pH 2 F
jer je standardna ems vodoni~ne elektrode E0 = 0, valenca vodoni~nih

jona z=1 i parcijalni pritisak pH 2 =1 bar, tj. 0,1 MPa.
4.2.2. Redoks-potencijal
U uèm smislu redoks-potencijal nastaje u elektrodnoj reakciji
u kojoj u~estvuju joni, tako da dolazi do promene njihove valence
(naelektrisanja). Na primer, kada se elektroda od platine uroni u
rastvor sa jonima Fe3+ i Fe2+, nastaje reakcija Fe3+ Fe2+ + e− u kojoj
Fe3+ dalje oksiduje (gubi elektron), a Fe2+ redukuje (dobija elek-
tron). Platina ne u~estvuje u elektrodnom procesu ve} samo u
prenosu elektrona. Ravnote`ni redoks-potencijal (u uèm smislu) je:
RT a 3+
EFe 3+ Fe 2+ = E 0 + ln Fe , (4.18)
F aFe 2+
gde je E0 standardni redoks-potencijal u odnosu na vodoni~nu

elektrodu (tabela 4.2).
U op{tem slu~aju redoks-potencijal jednak je ravnote`nom
potencijalu izme|u oksidanata sa aktivitetom jona ao i reduktanata
sa aktivitetom jona ar :
RT a
Eo r = E 0 + ln o . (4.19)
zF ar
4.2.3. Potencijal difuzije

Nastanak. Ako u elektroliti~koj }eliji sa dva rastvora stoji
pregrada i ako se u jednom trenutku ta pregrada ukloni, tada }e
zbog gradijenta koncentracije jona do}i do njihove difuzije u smeru
smanjenja koncentracije. Pri tome se joni sa ve}im koeficijentom
difuzije D [cm3/cm2s] kre}u brè. Na primer, ako je D+>D−, tada
}e pozitivni joni i}i ispred negativnih i nasta}e elektri~no polje
izme|u razdvojenih naelektrisanja koje postepeno ograni~ava dalje
kretanje jona. Ems koja se uspostavlja u stacionarnom stanju na
granici izme|u dva elektrolita je potencijal difuzije.
Neka je pregrada izme|u polu}elija polupropusna membrana

koja spre~ava slobodno me{anje dvaju rastvora, ali omogu}ava
kretanje jona iz jednog rastvora u drugi. U tom slu~aju moè se
smatrati da su koncentracije rastvora sa obe strane porozne
membrane ravnomerne, pa se proces difuzije svodi na usku {irinu
membrane − nastali potencijal difuzije ozna~ava se kao potencijal
te~ne granice. Tipi~an primer je Denijelova }elija sa elektrodom od
cinka uronjenom u cink-sulfat i elektrodom od bakra uronjenom u
bakar-sulfat (slika 4.7.a). Elektrode mogu biti uronjene u dva
razli~ita elektrolita ili u jedan sa dvema razli~itim koncentracijama.
Op{ta {ema takve }elije data linijskom notacijom ima oblik:
RASTVOR SOLI RASTVOR SOLI (4.20)

METAL 1 METAL 2
METALA 1 METALA 2
gde isprekidana uspravna crtica ozna~ava polupropusnu membranu.

Potencijal difuzije ra~una se pomo}u modifikovane Nernstove
jedna~ine:
u+ − u− RT a
Ed = ⋅ ln 2 , (4.21)
u+ + u− zF a1
gde su u+ i u− pokretljivost pozitivnih i negativnih jona. Pokretljivost

jona u proporcionalna je koeficijentu difuzije D, pa se u moè
zameniti sa D. Zbog jednostavnijeg oblika uobi~ajeno je da se
jedna~ina (4.21) napi{e pomo}u transportnih brojeva t+=u+/(u−+u+) i
t−=u−/(u−+u+) kojima se uzima u obzir relativni udeo pozitivnih,
odnosno negativnih jona u stvaranju potencijala difuzije:
RT a RT a
Ed = ( t+ − t− ) ⋅ ln 2 = (2 t+ − 1) ⋅ ln 2 . (4.22)
zF a1 zF a1
Ako su poznate vrednosti transportnog broja t i pokretljivost

jona a, pomo}u ove jedna~ine moè se izra~unati potencijal difuzije
Ed − njegova vrednost je od nekoliko milivolti do nekoliko desetaka
milivolti.
Eliminacija potencijala difuzije. Ako galvanska }elija sluì
kao konvertor hemijske u elektri~nu energiju, tada potencijal Ed
predstavlja nepoèljnu veli~inu. Eliminacija Ed postiè se pomo}u
elektroliti~kog mosta (slika (4.7.b). Polu}elije su potpuno odvojene,

a elektri~na veza izme|u njih je most u obliku cevi sa zasi}enom
ili jako koncentrovanom solju dobre elektri~ne provodnosti. So je
slabo rastvorljiva u vodi, pa se tako osig urava trajnost mosta.
Krajevi mosta uronjeni su u rastvore polu}elija. Su{tina je da se na
taj na~in omogu}i zatvaranje elektri~nog kola bez neèljenog me{anja
jona dva rastvora uz zanemarljivo mali potencijal difuzije koji se javlja
na kontaktu mosta i rastvora.
E + E
- - +
Zn Cu Zn ZASI]ENI KCl Cu
(ELEKTROLITI^KI
POLUPROPUSNA MOST)
MEMBRANA
ZnSO4 CuSO4 ZnSO4

ZnSO CuSO4
4
a) b)
Slika 4.7. Galvanska }elija: a) galvanska }elija sa polupropusnom membranom,
b) galvanska }elija sa elektroliti~kim klju~em
Ukupna ems u kolu sa elektroliti~kim mostom je:

RT a
E = E10 − E20 + ln 1 , (4.23)
zF a2
gde su: E0 konstanta jednaka razlici standardnih potencijala za

elektrodu od metala 1 i elektrodu od metala 2, z valenca jona, a1
i a2 aktiviteti jona dvaju rastvora. Kada su aktiviteti jona jednaki,
a1 =a2 =1, tada se ukupna ems dobija kao razlika standardnih
elektrodnih potencijala tih elektroda: E = E10 − E20 .
Op{ta {ema galvanske }elije sa elektroliti~kim mostom ima
isti oblik kao u (4.20), s tom razlikom {to umesto isprekidane crtice
izme|u dva rastvora stoji dvostruka uspravna crta kao oznaka mosta,
tj. eliminacije potencijala difuzije:
RASTVOR SOLI RASTVOR SOLI (4.24)
METAL 1 METAL 2
METALA 1 METALA 2
4.2.4. Potencijal jon-selektivne membrane

Potencijal elektrode druge vrste. Osim elektroda prve vrste
(metal uronjen u rastvor svojih jona) postoje i elektrode druge vrste.
One su napravljene od metala sa slojem neke svoje te{ko rastvorljive
soli i potopljene su u zasi}eni rastvor koji sadrì iste anjone kao {to
su anjoni te soli.
Elektrodna reakcija, izmena elektrona, ista je kao i kod elektrode
prve vrste: M Mz + + ze−. Me|utim, kako je rastvor zasi}en sa jonima
metala Mz + svi takvi joni koji nastaju oksidacijom na elektrodi
odvajaju se odmah u obliku slabo rastvorljive soli, odnosno svi joni
Mz + iz rastvora koji se redukuju (neutrali{u) na elektrodi nadokna|uju
se odmah rastvaranjem te soli. Prema zakonima hemijske ravnoteè
proizvod rastvorljivosti KMA je konstantan:
a M⋅ a A = K MA , (4.25)
gde su aM i aA aktiviteti metalnih katjona i anjona soli.
Saglasno Nernstovoj jedna~ini (4.11) potencijal za elektrodu bez
sloja soli je:
RT
EM = EM
0
+ ln aM . (4.26)
zF
Ako se iz prethodnih dveju jedna~ina elimini{e aM , dobija se
potencijal elektrode u obliku:
RT RT
EM = EM
0
+ ln K MA − ln a A . (4.27)
zF zF
Prva dva ~lana predstavljaju standardni potencijal elektrode
druge vrste, a tre}i zavisnost potencijala od koncentracije anjona soli
aA. Taj ~lan, zapravo, ekvivalentan je potencijalu elektrode prve
vrste koja bi bila napravljena od nemetala A. Osobine elektroda
druge vrste su: velika promena aA uz ispunjavanje uslova KMA = const,
mali potencijal difuzije zbog ~ega nije potreban elektroliti~ki most,
mali prenapon (odstupanje ems od ravnote`nog stanja kada kroz nju
te~e struja). Zbog ovih osobina elektrode druge vrste upotrebljavaju
se u mernoj tehnici kao izvanredne referentne elektrode.
Jon-selektivne membrane. Membrana ima svojstvo da
propu{ta odre|ene jone u smeru manje koncentracije sve dok potencijal
na membrani ne poprimi iznos dovoljan da zaustavi to kretanje.

Tuma~enje nastanka potencijala membrane je komplikovano.
Membrana se danas naj~e{}e tretira kao selektivni izmenjiva~ jona.
Materijal od kojeg je membrana napravljena ima odre|enu ~vrstu
strukturu kao matricu u koju se posebnim tehnolo{kim postupcima
ubacuju dodaci. Njihovom hidratacijom dolazi do razlaganja na
nepokretne anjone i pokretne katjone (protujone) koji odràvaju
elektri~nu neutralnost. Pokretni katjoni zamenjuju se jonima istog
naelektrisanja iz rastvora istovremenim delovanjem difuzije i
povr{inskog kontakta izme|u rastvora i membrane. Membrane se
prave od raznovrsnih materijala velike poroznosti, sa dodacima koji
omogu}avaju anjonsku ili katjonsku izmenu selektivno prema
odre|enim jonima rastvora.
Selektivnost membrane u pogledu vezivanja odre|enih jona iz
rastvora
• raste sa pove}anjem naelektrisanja katjona: Na+ < Mg2+ < Al3+ <
< Th4+;
• opada sa porastom veli~ine jona istog naelektrisanja: Li+ <
< H+ < NH4+ < K+ < Rb+ < Cs+.
Razlika potencijala na membrani koja razdvaja dva rastvora
sa aktivitetima jona a1 i a2 opisuje se Nernstovom jedna~inom:
RT a
E = ln 1 . (4.28)
zF a2
Za merenje koncentracije od posebne va`nosti je slu~aj kada

je jedan rastvor promenljiv (a1 = ai ), drugi konstantan (a2 =aconst ), a
membrana polupropusna samo za jone aktiviteta ai . Potencijal
membrane tada se moè napisati u obliku:
RT ai RT
E = ln = Em
0
+ ln ai , (4.29)
zF a const zF
gde je Em0 konstantni potencijal membrane.

Realna membrana, me|utim, nije idealno selektivna. Kroz nju
prolaze i drugi joni j, pa je potencijal:
E = Em
0
+
RT
zF
(
⋅ ln a i + ∑ K a ),
ij j (4.30)
gde koeficijent selektivnosti Kij predstavlja relativnu meru (0 ≤ K i j ≤ 1)

za osetljivost potencijala na jone j u odnosu na jone i. Vrednost Kij
ra~una se iz odnosa aktiviteta jona a i /a j u rastvoru i unutar
membrane:
(a a )
i j r
K ij =
(a a )
i j m
. (4.31)
Kada je Kij =0, membrana je idealno selektivna za i jone.

Vrednosti Kij =0,1 ozna~ava da je delovanje jona j na potencijal E
deset puta slabije od delovanja jona i. Zavisnost potencijala membrane
od pojedinih jona j, odnosno vrednost Kij ( j = 1 , 2 , ...) utvr|uje se
eksperimentalno pri odre|enoj koncentraciji tih jona.
4.2.5. Koncentracijska }elija

Galvanska }elija za merenje koncentracije, koncentra-
cijska }elija, sastoji se od dveju elektroda uronjenih u analizirani
rastvor, tako da izmereni potencijal zavisi od koncentracije odre|enih
jona u tom rastvoru (slika 4.8.a). U praksi je galvanska }elija sloènija
zbog specifi~ne konstrukcije elektroda (slika 4.8.b).
Merna, indikatorska elektroda napravljena je od metalnog
kontakta (Ag, Sb, Pt, Rh, Au) potopljenog u interni rastvor M, a
veza sa mernim elektrolitom ostvarena je kroz jon-selektivnu
membranu. Referentna elektroda ima tako|e metalni kontakt, koji
je potopljen u zasi}eni referentni rastvor soli R od tog istog
metala, a veza sa mernim elektrolitom ostvaruje se difuzijom. Zbog
takve konstrukcije merne i referentne elektrode ukupna ems na
vanjskim priklju~cima je:
E = E1 + E2 + E3 + E4 − E5 , (4.32)
gde su:
• E1 − potencijal na kontaktu metala i internog rastvora merne
elektrode, ~ija je vrednost konstantna za odre|enu tempera-
turu i koncentraciju rastvora i data u tabeli 4.2;
• E2 − potencijal izme|u internog rastvora i membrane;
• E3 − potencijal izme|u membrane i mernog rastvora;
• E4 − potencijal difuzije, koji nastaje kao rezultat nejednakih

aktiviteta jona na granici izme|u mernog i internog rastvora
referentne elektrode. Za odre|enu temperaturu i stepen
difuzije ovaj potencijal ima konstantnu vrednost 1−5 mV;
• E5 − potencijal izme|u internog rastvora i metalnog kontakta
referentne elektrode, ~ija je vrednost konstantna za odre|enu
temperaturu i koncentraciju rastvora data u tabeli 4.2.
+ E - + E -
MERNI
RASTVOR
MERNA REFERENTNA
KONTAKTNI
ELEKTRODA ELEKTRODA
POLUE-
LEMENT
INTERNI INTERNI
RASTVOR RASTVOR
M M
Em Er E1
E5
MEMBRANA E2
DIFUZNI
KONTAK
E3 E4
a) b)
Slika 4.8. Galvanski sistem za merenje koncentracije rastvora: a) principijelna
{ema, b) realna {ema
Za merenje koncentracije veoma je va`no da bude

E1+E2+E4−E5=const. Tada se merena ems menja samo u zavisnosti
od potencijala membrane E3, tj. u funkciji merene koncentracije:
E = Euk
0
+
RT
zF
(
ln a i + ∑ K a ), ij j (4.33)
gde ukupni konstantni potencijal elektrohemijske }elije za merenje

0 0
koncentracije E uk = Em + E1 + E2 + E4 − E5 zavisi od kon-
strukcionih osobina merne i referentne elektrode.
Treba napomenuti da u literaturi ~esto u prethodnim
jedna~inama umesto jonske aktivnosti a stoji koncentracija c, {to je
manje egzaktno i vredi samo za jako razre|ene, idealne rastvore.
4.3. KONSTRUKCIJA ELEKTRODA

4.3.1. Referentne elektrode
Referentne elektrode su polu}elije poznatog i stabilnog po-
tencijala, a sluè za zatvaranje elektri~nog kola u galvanskoj }eliji.
Vodoni~na elektroda H+ |H2 sa elektrodnom reakcijom

H2 2H+ + 2e− ima standardni potencijal jednak nuli (tebela 4.2).
Njena osnovna konstrukcija data je na slici 4.6.b. Za razliku od ostalih
referentnih elektroda, potencijal vodoni~ne nije nastao reakcijom
metala i njegovih jona. Platinski kontakt sluì kao katalizator,
adsorbent vodonika, na kome je elektroliti~kim postupkom nanet
porozni sloj platine koji pove}ava povr{inu vezivanja i do 2 000
puta. Kada se platina sa adsorbovanim vodonikom potopi u rastvor
sa jonima vodonika H+, nastaje potencijal dat jedna~inom (4.17):
EH+ H = ( RT F ) ln aH + . Platina je potopljena u rastvor samo do
2
polovine, a gornji deo je u struji vodonika. Kada je aktivitet jona

vodonika u rastvoru aH+ =1, tada je EH+ H = E0= 0 V.
2
Prednosti vodoni~ne elektrode su visoka ponovljivost i ta~nost,

a nedostaci su osetljivost na deponovanje razli~itih agenasa na
platini i nu`nost stalnog dovoda vodonika. Zato se retko primenjuje
u inènjerskim merenjima ve} za laboratorijsko testiranje drugih
elektroda i merenje koncentracije vodonika standardnih rastvora.
Srebrohloridna referentna elektroda Ag|AgCl spada u
elektrode druge vrste. Telo elektrode napravljeno je od stakla ili
plastike. Na Pt-podlogu elektroliti~kim postupkom nanosi se Ag, a
preko njega tanki sloj slabo rastvorljive soli AgCl (slika 4.9.a).
Tako pripremljena elektroda Ag|AgCl stavljena je u staklenu
cev~icu (patronu) koja je na vrhu spojena Pt-ìcom na oklopljeni
koaksijalni vod. Na dnu je porozna zaptivka od staklene vune,
azbestnih vlakana ili keramike preko koje se ostvaruje kontakt sa
referentnim rastvorom. Kada se patrona stavi u referentni rastvor
koji sadrì anjone Cl−, na primer rastvor KCl, tada }e u blizini
elektrode postojati ravnoteà izme|u disocijacije soli AgCl na jone
Ag+ i Cl− i asocijacije tih jona u istu so:
AgCl (NERASTVOREN) Ag + + Cl − . (4.34)

OKLOPLJENI KABL
KAPICA
OTVOR ZA
DOSIPANJE
RASTVORA KCl
PATRONA
Pt-@ICA
Pt-@ICA
@IVA Hg
ZASI]ENI ZASI]ENI
RASTVOR KCl RASTVOR KCl
ELEKTRODA Ag AgCl PASTA Hg Hg2Cl2
STAKLENA PAMU^NI
VUNA ZAPTIVA^
POROZNI POROZNI
ÊP ÊP
a) b)
Slika 4.9. Konstrukcija referentnih elektroda: a) srebrena, b) kalomelova
Prisustvo nerastvorenog AgCl u blizini elektrode potvr|uje

da je tu rastvor zasi}en jonima Ag+ i Cl−, odnosno da je proces
(4.34) zaista u ravnoteì. Zato je proizvod rastvorljivosti konstantan:
a Ag + ⋅ aCl- = K Ag + ⋅ Cl- = const , (4.35)
gde su a Ag+ i aCl- aktiviteti katjona metala i anjona soli.
Potencijal za srebrenu elektrodu bez sloja soli i valencu z=1

na osnovu Nernstove jedna~ine (4.24) ima oblik:
RT
E = EAg
0
Ag+
+ ln a Ag+ , (4.36)
F
Ako se iz prethodnih dveju jedna~ina elimini{e a Ag+ , dobija
se potencijal elektrode druge vrste u obliku:
RT RT
E = EAg
0
Ag
+ + ln K Ag + ⋅ Cl- − ln aCl- . (4.37)
F zF
Prvi ~lan predstavlja standardni potencijal polu}elije od srebra
koji prema tabeli 4.2 ima vrednost 0,799 V. Eksperimentalno je
utvr|eno da je na temperaturi 25 °C proizvod rastvorljivosti jona
srebra i hlora K Ag+ ⋅ Cl- =1,78⋅10−10 mol/dm3, pa je vrednost drugog ~lana

−0,5766 V. Ako se jo{ uvrste i vrednosti konstati R i T, prethodna
jedna~ina za potencijal srebrohloridne elektrode dobija oblik:
E = 0,2224 − 0,0256 ln a
Cl-
[V ] . (4.38)
Potencijal referentne srebrohloridne elektrode menja se u

zavisnosti od aktiviteta anjona hlora aCl- . Ako je aCl- =1 mol/dm3,
tada je zbog konstantnog proizvoda rastvorljivosti K Ag+ ⋅ Cl- = const
aktivitet katjona sebra a Ag+ =1,78⋅10−5 mol/dm3, pa je potencijal
elektrode jednak standardnoj vrednosti E= 0,2224 V. Vrednosti za
aCl- zavise od referentnog rastvora u kojem se nalazi elektroda.
Obi~no je to rastvor hlorovodonika KCl poznate molarnosti: od
0,01M KCl do zasi}enog. Najbolje je da to bude zasi}eni KCl jer se
time osigurava da se AgCl sloj ne rastvori u celosti. U tabeli 4.3
date su vrednosti potencijala elektrode Ag|AgCl pri razli~itim
koncentracijama KCl.
ELEKTRODA REFERENTNI POTENCIJAL TEMPERATURNI TEMPERATURNI

RASTVOR ELEKTRODE KOEFICIJENT KOEFICIJENT
(∆E/∆)th (∆E/∆T)iso
[V]
[mV/°C] [mV/°C]
SREBROHLORID 0,01M KCL + 0,343 + 0,617 − 0,25

Ag | AgCl 0,1M KCL + 0,288 + 0,431 − 0,44
1M KCL + 0,235 + 0,250 − 0,62
3,5M KCL + 0,205 + 0,14 − 0,73
KALOMEL 0,01M KCL + 0,388 + 0,94 + 0,07
Hg | Hg 2Cl 2 0,1M KCL + 0,333 + 0,79 − 0,08
1M KCL + 0,280 + 0,59 − 0,28
3,5M KCL + 0.247 + 0,47 − 0,40
Tabela 4. 3. Potencijali i temperaturni koeficijenti za srebrohloridnu i kalomelovu

referentnu elektrodu
Referentna elektroda zatvara elektri~no kolo tako {to daje

stabilan potencijal na spoju sa mernim rastvorom koji ne zavisi od
njegove koncentracije. Referentna polu}elija i merni rastvor spajaju
se pomo}u elektroliti~kog mosta. To je zasi}eni rastvor soli ~iji
katjoni imaju skoro istu brzinu difuzije na kontaktu sa mernim
rastvorom, pa je zbog toga potencijal difuzije mali − manji od 1 mV.
Prema tome, zasi}eniji rastvor KCl ujedno ima ulogu elektroliti~kog
mosta. Na mestu difuzije ugra|uje se ~ep od keramike, azbesta ili

nekog drugog materijala ~ija poroznost odre|uje odnos difuzije jona
u jednom i u drugom smeru. Kada je protok 1−2 cm3/dan, kroz
poseban priklju~ak na telu elektrode povremeno se dosipa rastvor
KCl. Za protok manji od 0,01 cm3/dan takvo odràvanje nije potrebno
ve} se posle odre|enog vremena istro{ena sonda zamenjuje novom.
Referentna elektroda Ag|AgCl ima odli~ne osobine: stabilan i
ponovljiv potencijal, visoku pouzdanost, jednostavnu konstrukciju i
male dimenzije. Kao i kod svih elektroda, potencijal zavisi od
temperature. Maksimalna radna temperatura je do 80 °C. Tempe-
raturna zavisnost potencijala naj~e{}e se prikazuje pomo}u koe-
ficijenta (∆E/∆T)th, pri ~emu se merenje obavlja u odnosu na
referentnu vodoni~nu elektrodu koja je na 25 °C. Za mernu praksu
va`niji je izotemperaturni koeficijent (∆E/∆T)iso koji pokazuje promenu
potencijala ∆E kada i vodoni~na elektroda, tj. cela }elija promeni
temperaturu za ∆T. Relacija koja povezuje ova dva koeficijenta
ima oblik:
 ∆E   ∆E 
  =   − 0,87 [ mV/ o C] . (4.39)
 ∆T iso  ∆T th
Kalomel referentna elektroda Hg|Hg2Cl2 ima malo

sloèniju konstrukciju od srebrohloridne i niù radnu temperaturu
(slika 4.9.b). U staklenoj patroni elektroda od ìve leì na sloju
kalomela debljine 5 mm. Kalomel je slabo rastvorljiva so (pasta)
ìva(I)-hlorid Hg2Cl2. Elektroda je sa gornje strane spojena sa
oklopljenim koaksijalnim vodom, a na njenom dnu je pamu~ni
zaptiva~. Kada se elektroda stavi u referentni rastvor KCl, tada }e u
njenoj blizini postojati ravnoteà izme|u razlaganja Hg2Cl2 na jone
Hg 2+
2 i Cl− i spajanja jona u so:
Hg 2 Cl 2 Hg 22+ + 2Cl - 2 , (4.40)

pa je proizvod rastvorljivosti konstantan:
aHg 2+ ⋅ ( aCl- ) = 1 ⋅ 10− 8 mol / dm3 .

2
= K (4.41)
( )
2
2 ⋅ Cl
Hg 2+ -
2
Elektroda se stavlja u rastvor KCl u kome aktivitet jona Cl−

moè birati u {irokom rasponu zavisno od koncentracije KCl. Po{to
proizvod rastvorljivosti (4.41) ostaje nepromenjen, potencijal ìvine
elektrode (prve vrste) moè se izraziti pomo}u aktiviteta anjona Cl−.

Potencijal ìvine elektrode pi{e se prema jedna~ini ravnoteè:
2Hg ' Hg 22+ + 2e − , (4.42)

odnosno, na osnovu Nernstove jedna~ine:
0 RT
E = E Hg Hg 2+ + ln a Hg 2 + =
2 F 2
= E Hg0
Hg 22 +
+
RT
F
( )
ln 1 ⋅ 10 − 8 −
2 RT
F
ln a Cl -
2 RT 2 RT
= 0 , 797 − 0 , 529 − ln a Cl − = 0 , 268 − ln a Cl - [V ]. (4.43)
F F
Zavisno od aktiviteta jona Cl−, koji je odre|en koncentra-

cijom rastvora KCl, dobi}e se razli~ite vrednosti referentnog
potencijala kalomelove elektrode (tabela 4.3).
4.3.2. Jon-selektivne elektrode

Merne elektrode su u principu elektrode druge vrste koje
su potopljene u referentni rastvor, a od mernog rastvora razdvojene
mebranom. Na taj na~in njihov potencijal zavisi samo od potencijala
membrane, tj. od aktiviteta odre|ene vrste jona mernog rastvora. Sa
idealno selektivnom membranom dobila bi se idealna jon-selektivna
merna elektroda.
Postoje ~etiri osnovna tipa jon-selektivnih elektroda: sa
membranom od stakla, homogenih kristala, heterogenih kristala ili
te~nosti.
Elektroda sa staklenom membranom namenjena je
prvenstveno za merenje koncentracije jona vodonika H+, re|e jona
natrijuma Na+, kalijuma K+ i drugih jednovalentnih jona. Potencijal
membrane proporcionalan je koncentraciji merenih jona u skladu
sa jedna~inom (4.29) i ne zavisi od koncentracije drugih oksidanata
i reduktanata.
Telo elektrode je od stakla i ima oblik cev~ice na ~ijem je dnu
kuglasta, konusna ili ravna membrana debljine 0,05 − 0,1 mm (slika
4.10.a). Membrana je od specijalnog silikatnog stakla sa dodatkom
oksida Li ili Na koji daju potrebnu poroznost i mikrostrukturu za

selektivnost prema merenim jednovalentnim jonima. Povr{inski sloj
membrane pona{a se kao izmenjiva~ jona izme|u stakla i rastvora.
Naime, hidratacijom se na unutra{njoj i vanjskoj povr{ini stakla
stvara sloj koloidnog gela kao izmenjiva~ jona. Silikatni anjoni
oksidnih dodataka fiksirani su ~vrstim vezama za kristalnu re{etku i
ostaju u unutra{njosti membrane, a katjoni Li + ili Na+ vezani su za
kristalnu re{etku slabim elektrostati~kim vezama i slobodno se kre}u
kroz pore stakla prema kontaktu sa rastvorom ne napu{taju}i
membranu. Tu dolazi do razmene: zbog difuzije i manjih dimenzija
joni vodonika H+ prodiru kroz pore u membranu vezuju}i se za
re{etku na mestima koja su ostala upra`njena odlaskom metalnih
katjona. Razmena traje sve dok se na sloju ne uspostavi elektri~na
ravnoteà izme|u vodonikovih katjona u rastvoru i fiksiranih anjona
u staklu.
Kao rezultat nastaje negativni potencijal na unutra{njoj strani
sloja, ispod povr{ine staklene membrane, a na vanjskoj strani nastaje
pozitivni potencijal. Skokovi potencijala na posmatranim granicama
~ine razliku koja je proporcionalna logaritmu jonskog aktiviteta
vodonika u rastvoru. Unutra{nja povr{ina membrane je u kontaktu
sa internim, referentnim rastvorom poznate molarnosti, pa su
skokovi potencijala tu konstantni, odnosno ukupna razlika potenci-
jala na unutra{njoj i vanjskoj povr{ini membrane zavisi samo od
aktiviteta vodonikovih jona iz rastvora ~ija se koncentracija meri.
Ag @ICA
STAKLO
Ag-@ICA
STAKLO Ag-@ICA
INTERNI
Ag AgCl RASTVOR
ELEKTRODA SLOJ AgCl SLOJ AgCl
INTERNI INTERNI ORGANSKI

RASTVOR RASTVOR RASTVOR
KRISTALNA CELULOZNA
STAKLENA MEMBRANA MEMBRANA
MEMBRANA
a) b) c)
Slika 4.10. Jon-selektivne elektrode: a) elektroda sa staklenom membranom,
b) elektroda sa homogenom, c) elektroda sa te~nom membranom
Unutra{nja otpornost staklene elektrode je velika, od 10 MΩ do

1 GΩ, pa se stoga ne sme opteretiti. Da bi se spre~ila struja kroz
elektrodu, njeno priklju~ivanje na pokazni instrument mora biti
preko poja~ava~a velike ulazne otpornosti (>10 TΩ) i kablova sa
{to ve}om otporno{}u izolacije (0,1 TΩ). Radna temperatura je od
0−130 °C.
Treba napomenuti da kada se staklena membrana presvu~e
permeabilnim hidrofobnim slojem, tada se postiè osetljivost na
gasove koji se nalaze u mernom rastvoru. Prolazom gasa, na primer
CO2 ili NH3, kroz hidrofobni sloj dolazi do reakcije sa internim
rastvorom i promene koncentracije jona H+ proporcionalno sadràju
merenog gasa.
Elektroda sa homogenom membranom ima sli~nu kons-

trukciju staklenoj (slika 4.10.b). Telo elektrode je od izolacionog
materijala, a membrana od homogenog kristala ili polimera. Meha-
nizam jonske selektivnosti tako|e se zasniva na izmeni jona i
stvaranju dvojnog elektri~nog sloja na povr{ini pora membrane. Na
primer, kristalna membrana od lantan-fluorida LaF3 propu{ta jone
fluora F − , membrana od srebro-sulfida AgS propu{ta jone sumpora
S + i dr. Postoje elektrode sa kristalnom membranom osetljive na
jone Cl −, Br −, I −, Cu ++, Ag +, Pb ++, Cd++ i N−. Dobre osobine homogenih
~vrstih membrana su niska cena, mala vremenska konstanta i
otpornost kako u kiselim tako i baznim analitima.
U novije vreme sve vi{e se prave homogene membrane od
polimera koji sluì kao trodimenzionalna matrica u kojima se
nalaze fiksirane funkcionalne grupe. Njihovom jonizacijom nastaju
nepokretni joni na koje se veù pokretni joni. Funkcionalne grupe
su katjonske (sulfonska SO3H, karboksilna COOH) ili anjonske
(amino spojevi).
Elektrode sa heteregonom membranom od kristala ili
polimera imaju identi~nu konstrukciju kao elektrode sa homogenom
membranom, ali se dobijaju sloènijim postupcima. Kao neaktivna,
hemijski neutralna i hidrofobna matrica obi~no sluè parafin,
polistirol i polivinilhlorid, a posebnim hemijskim reakcijama
raspore|uju se aktivni dodaci (kalcijum-stearat, barijum-sulfat,
srebro-halogenid, kalcijum-oksalat) radi jonske selekcije: K+, Na++,
Ca++, Ba++, Ni++, Cd++, F−, Cl−, Br−, I−, NO3−, CN−, ClO4−, NO4− i dr.
Elektrode sa te~nom membranom imaju druga~iju kon-

strukciju od prethodnih: osim internog rastvora imaju i organski
rastvor (slika 4.10.c). Molekuli organske supstance imaju veliku
masu, njeni joni zato ne mogu da pro|u kroz tanki porozni disk i
ne me{aju se sa mernim elektrolitom. Me|utim, ti joni imaju istu
funkciju kao fiksirani joni u staklenoj membrani, tj. uzajamno
deluju sa suprotno polarisanim jonima iz elektrolita sve dok se na
disku ne uspostavi elektri~na ravnoteà. Porozni disk sluì kao
struktura u kojoj se formira te~na membrana, tj. te~ni izmenjiva~
jona, a organski rastvor je rezervoar jona neophodnih za transport
mernih jona prilikom uspostavljanja ravnoteè.
Selektivnost te~ne membrane ogleda se u osobinama jona
organskog rastvora. Joni istog polariteta kao merni joni iz elektrolita
su hidrofilni i zato prolaze kroz membranu u merni elektrolit sve
dok postoji razlika u koncentraciji. Joni u organskom rastvoru sa
suprotnim znakom u odnosu na merene su hidrofobni i ne prolaze
kroz membranu. Kao rezultat nastaje potencijalna razlika na
te~noj membrani koja je proporcionalna koncentraciji merenih
jona. Elektrode sa te~nom membranom primenjuju se za merenje
koncentracije Ca++, Mg++, Cu++, Pb++, Cl−, ClO4−, NO3−, BF4−, i dr.
4.4. MERENJE pH
4.4.1. Faktor pH
Merenje koncentracije jona vodonika H+ sluì za posredno
odre|ivanje koncentracije vodenih rastvora. Iako je voda dielektrik,
~ak i ~ista destilovana voda provodi struju, {to zna~i da voda disosuje
na jone:
H 2O H + + OH − . (4.44)
Na 25 °C u 1 mol/dm3 vode ima 10 −7 jona H+ i isto toliko
hidroksilnih jona OH−. Ako se u 1 mol/dm3 vode doda 1 mol hloro-
vodoni~ne kiseline HCl i ako svi njeni molekuli disosuju
(HCl H++Cl−), u takvom rastvoru bi}e 10 −14 jona H+ u 1 mol/dm3.
Na sli~an na~in, potpunom disocijacijom natrijumove baze
(NaOH Na+ + OH−) u 1 mol/dm3 bi}e 10−14 jona OH−. Prema tome,
aktivne koncentracije H+ i OH− kre}u se u rasponu od 14 dekada,

pri ~emu je proizvod aktiviteta jona za vodu konstantan:
K v = aH+ ⋅ aOH- = 1,008 ⋅ 10 −14 mol / dm3 . (4.45)
Faktor pH, potencija vodonika, je mera za aktivitet jona

aH+ , odnosno koncentraciju cH+ :
pH = − log a H+ , (4.46)
Pomo}u pH, ~ija je vrednost 0−14 bezdimenzinalnih jedinica,

jednostavno se izraàvaju kiselost i baznost rastvora:
• pH<7 rastvor kiseo;
• pH = 7 neutralna te~nost: aH+ = aOH- = 1 ⋅ 10 −7 mol/dm3;
• pH>7 rastvor bazni.
[to god je aktivitet jona aH+ ve}a, vrednost faktora pH je

manja i rastvor je kiseliji, odnosno {to god je koncentracija jona
vodonika manja rastvor je vi{e bazni (slika 4.11.a).
pH
E
OH
Na H REFERENTNA REFERENTNA
m ol NaO
l VODONI^NA VODONI^NA
10 o O3
16 1 m a 2C ELEKTRODA ELEKTRODA
o l N
14 m
0,1
12 o
C) H2 H2
(22 0o C)
10 O OH
H 2 O (10 CO
8 H2 l CH 3 ELEKTROLITI^KI
o MOST
6 1 m
0,0 HC
l
4 m ol
0,1 Cl
2 l H
0 mo
0 1
-2 a + [mol/l]
H
-16 -10 -6 -2 2 MERENI pH cH + = 1m o l d m 3
10 10 10 10 1 10
a) b)
Slika 4.11. Merenje pH: a) zavisnost faktora pH od koncentracije jona H+, b) }elija
za merenje pH pomo}u dve vodoni~ne elektrode
Molarni koncept. Prema zakonu o delovanju masa u rav-

note`nom stanju izme|u koncentracije komponenata A i B u
reverzibilnoj reakciji disocijacije binarnog elektrolita AB, AB A−+B+,
postoji pri malim koncentracijama (jako razre|eni rastvori)
relacija:
[A ][B ] =
- +
Kc , (4.47)
[AB]
gde su [A−] i [B+] ravnote`ne koncentracije komponenata i Kc
ravnote`na konstanta koja se naziva konstantom disocijacije
binarnog rastvora AB.
Kao {to je poznato, jedan mol neke supstance sadrì Avogadrov
broj (6,02⋅1023) molekula koji pribli`no imaju masu jednaku molarnoj
masi izraènoj u gramima. Na primer, NaOH ima molarnu masu
23+16+1=40, odnosno 40 g/mol. Kako je atomska masa jona vodonika
H+ jednaka 1, u jednom molu vodonika bi}e 1 gram jona vodonika.
Rastvor sa pH=10 ima}e 1⋅10−10 molova jona vodonika ili 10−10 grama
na jedan litar rastvora.
Zna~aj pH. Uvo|enje faktora pH je veoma va`no jer omogu}ava
da se Nernstova jedna~ina za potencijal vodoni~ne elektrode (4.17)
napi{e u linearnom obliku:
RT a + RT
EH + H = ln H = 2,3 log aH + =
2 F PH 2 F (4.48)
= −0,1984TpH = − 59,1pH T = 298 K mV.
4.4.2. Tehnike merenja pH

Merna }elija. Da bi se merio faktor pH, neophodno je for-
mirati elelektrohemijsku }eliju sa mernom i referentnom elektro-
dom. U principu to mogu biti dve vodoni~ne elektrode spojene
elektroliti~kim mostom (slika 4.11.b). Ukupna ems ove }elije je:
E = 2,3
RT
F
(
log aH+ − log aH+ .
0
) (4.49)
Po{to je u desnoj polu}eliji aH+ = 1 mol/dm3, tj. normalni rastvor

0
neke kiseline, ukupna ems direktno je proporcionalna pH-vrednosti

ispitivanog rastvora:
E = −59,1 ⋅ log a = 59,1pH [mV ] . (4.50)
H+
Osetljivost elektrode je mala: dE/dpH=59,1 mV. Prema tome,

ako se èli meriti vrednost pH sa rezolucijom 0,01 pH, proizilazi da je
neophodno meriti napon od svega 0,591 mV. Ovde treba napomenuti
da opsegu od 14 jedinica pH odgovara raspon koncentracije od 100

do 10−14 mol/dm3. Kada se vrednost pH=7 promeni za 0,01 pH,
koncentracija vodonikovih jona od 10−7 mol /dm3 promeni}e se za
svega 2,3⋅10−9 mol /dm3.
Ukoliko je temperatura razli~ita od pretpostavljene T=298 K
(25 °C), njen uticaj na mereni napon moè se lako prora~unati pomo}u
faktora temperaturne osetljivosti dE/dT=0,1984T pH [mV/°C] .
Opisani na~in merenja pH ima samo principijelni zna~aj jer za
vodoni~ne elektrode treba obezbediti dovod ~istog vodonika pod
odre|enim parcijalnom pritiskom. Kao {to je nagla{eno, to se pri-
menjuje samo za standardne vodoni~ne elektrode u laboratorijskim
merenjima. U praksi se primenjuju druge, znatno pogodnije elek-
trode za merenje pH.
Antimonska elektroda za merenje pH (Sb|Sb2O3) spada
u grupu elektroda koje se prave od metala presvu~enog slojem
oksida tog metala. U principu za ove namene bi mogao da
posluì bilo koji metal. Zbog zahteva da metal reaguje sa rastvorom,
da je njegov oksid stabilan i rastvorljiv tek toliko da se omogu}i
ravnote`na reakcija sa jonima vodonika, u praksi se primenjuju
kombinacije PtPtO, PdPdO, IrIrO i druge, ali zahvaljuju}i
jeftinoj i razra|enoj tehnologiji najpoznatija je Sb|Sb2O3. Elektroda je
napravljena od levanog antimona, ~e{}e od drugog metala
elektroliti~ki presvu~enog antimonom, na ~ijoj povr{ini oksidovanjem
nastaje antimon-trioksid Sb2O3. Takva elektroda direktno se potapa
u merni elektrolit (slika 4.12.a). U novije vreme kao osnova sluì
staklo na koje se nanosi tanki sloj Sb, odnosno Sb2O3 (slika 4.12.b).
IZOLATOR 10 µm
TELO
KABL STAKLO
KAPICA 10 mm
ANTIMON
100 mm
a) b)
Slika 4.12. Antimonska elektroda: a) standardna konstrukcija, b) mikroelektroda
Merenje pH pomo}u metal-metaloksidnih elektroda zasniva

se na reverzibilnoj reakciji sa jonima vodonika u kojoj se joni
metala redukuju u ~isti metal. Za elektrodu Sb|Sb2O3 ta redoks-
-reakcija ima oblik:
2Sb + 3H 2O Sb 2 O3 + 6H + + 6e − , (4.51)
pa je elektrodni potencijal u skladu sa Nernstovom jedna~inom

(4.12):
RT (
a Sb 2O 3 a H+ 6)( )
E=E + 0
ln . (4.52)
6F ( )
a H 2 O 3 (a Sb )2
Kako su Sb i Sb2O3 u ~vrstom stanju, njihovi aktiviteti jed-

naki su jedinici. Za vodu je po definiciji aktivitet tako|e jednak
jedinici, pa elektrodni potencijal dobija jednostavan oblik:
RT RT
E = E 0 + 2,3 log a + = E 0 − 2,3 ⋅ pH , (4.53)
F H F
gde je E 0= − 0,250 V standardni potencijal Sb|Sb2O3 elektrode koji se
dobija pri jedini~nom aktivitetu antimona, antimon−trioksida i
vode, tj. za pH=0. Promena potencijala po jedinici pH na 25 °C
ista je kao i kod vodoni~ne elektrode: 59,1 mV. Temperaturna
osetljivost je tako|e ista: dE/dT=0,1984T pH [mV/°C]. Antimonska
elektroda sme{tena je u plasti~nom ku}i{tu, merni opseg je
4−12 pH (za tankoslojne 5−10 pH), ta~nost ± 0,2 pH i radi na
temperaturi manjoj od 60 °C. Pogodna je za abrazivne i prljave
rastvore, ima malu elektri~nu otpornost, mehani~ki je izdr`ljiva,
ali je osetljiva na rastvore gasova, na jake oksidante i reduktante,
na pojedine metale (Ag, Hg, Pb, Cu) i u odnosu na druge elektrode
ima najve}u vremensku konstantu.
Staklene elektrode za merenje pH pogodne su za {irok
opseg vrednosti pH (0 −13), temperaturni interval 0 −100 °C i pritisak
0,1 − 0,5 MPa. Tipi~ne dimenzije su: pre~nik sferne membrane 5 mm,
vanjski pre~nik cevi 10−12 mm, duìna 100 mm. Staklene elektrode
razlikuju se po metalnom kontaktu koji je pokriven solju tog metala. U
praksi naj{iru primenu imaju dve elektrode:
• Srebrohloridna elektroda Ag|AgCl napravljena je od Ag-ìce
koja je elektroliti~kim delovanjem presvu~ena sa AgCl i
potopljena u interni rastvor koji ima konstantnu vrednost pH.
Stakleno telo je na dnu stanjeno u membranu i ona razdvaja
elektrodu od mernog rastvora (slika 4.13.a);
• Kalomel elektroda Hg|Hg2Cl2 napravljena je od ìve koja leì
na sloju paste Hg2Cl2 i potopljena je u interni rastvor kon-
stantne vrednosti pH.
OKLOPLJENI MERNA REFERENTNA

KABL ELEKTRODA ELEKTRODA
KAPICA
STAKLO
PLUTANI
ÊP
AgCl
INTERNI
RASTVOR
MEMBRANA
a) b)
Slika 4.13. Merenje pH: a) staklena merna elektroda Ag/AgCl, b) pH-}elija sa
mernom Ag/AgCl i referentnom Hg/Hg2Cl2 elektrodom
Interni rastvor staklene pH-elektrode karakteristi~an je po

konstantnoj vrednost pH. To su standardizovani, tzv. pufer ili tampon
rastvori, kod kojih se pH veoma malo menja pri razre|enju, pri
delovanuju ne~isto}a iz okoline ili pri dodatku manjih koli~ina
~ak i jakih kiselina i baza. Tamponski rastvor je smesa slabe kiseline
ili baze i njhove soli u poznatom odnosu. Kada u takav rastvor prodru
joni H+, oni reaguju sa anjonima soli formiraju}i kiselinu, odnosno
sve dok ima tih anjona pufer se odupire promeni svoje pH-vrednosti.
Promenom odnosa kiselina/so dobija se rastvor sa èljenom
vredno{}u pH.
Ako je koncentracija jona H+ u mernom rastvoru druga~ija
nego u internom, oni difundiraju u pore membrane i menjaju mesta
sa pokretnim katjonima, te na ve} opisani na~in u ravnote`nom
stanju nastaje potencijal membrane (4.26) proporcionalan razlici
vrednosti pH dvaju rastvora.
4.4.3. pH-mikroelektrode
Primena. Mikroelektrode za merenje faktora pH potrebne
su u medicini i biologiji. Od standardnih se razlikuju po znatno
manjim dimenzijama. Na primer, pre~nik tela je 10 µm, pre~nik
vrha 1 µm, a brzina odziva do 0,5 s, {to omogu}ava da se vr{e
merenja na ìvom tkivu do }elijskih razmera.
Mikroelektroda sa zatvorenim vrhom. Tipi~na konstrukcija

ima unutra{nju kapilaru od stakla osetljivog na jone vodonika, sa
stanjenim {picastim vrhom duìne 10−20 µm (slika 4.14.a).
PIREKS STAKLO pH−STAKLO
ZAPTIVNA
MASA
Ag AgCl
INTERNI RASTVOR HCl
ZAPTIVNA MASA 10−20 µm
a)
3M KCl ZA[TITNO STAKLO PUFER pH=7 ÊP

KALOMEL
ZAPTIVNA MASA
POTPRITISAK
pH− STAKLO
Ag AgCl
b)
REFERENTNA ELEKTRODA
KALOMEL
<1µm
Ag AgCl
TE^NA MEMBRANA
MERNA ELEKTRODA
c)
Slika 4.14. pH-mikroelektrode: a) staklena elektroda sa zatvorenim vrhom, b)
sonda sa elektrodama kapilarnog tipa, c) sonda sa mernom elektrodom sa
te~nom membranom
Ovaj vrh ima ulogu membrane na kojoj se uspostavlja skok

potencijala proporcionalan merenoj koncentraciji. U kapilari je
srebrohloridna elektroda u internom rastvoru konstantne vrednosti
pH. Sa vanjske strane je za{titni omota~ od pireks stakla ili plastike.
Otpornost ovakve elektrode je 109−1012 Ω.
Minijaturne sonde. Za prakti~na merenja razvijene su
minijaturne kompaktne sonde koje sadrè referentnu i mernu
elektrodu (slika 4.14.b). U staklenoj cevi koja je na vrhu suèna na
pre~nik veli~ine 5 µm nalazi se standardni pufer rastvor pH=7. U cevi
se nalazi kapilara od stakla osetljivog na jone vodonika. Pomo}u
pipete ili aspiratora stvara se potpritisak za uzimanje uzorka

zapremine od svega 0,05 ml. Zidovi kapilare imaju ulogu membrane.
Merna elektroda je srebrohloridna. Referentna je kalomelova i
sme{tena je u posebnoj staklenoj cev~ici neosetljivoj na H+ sa vrhom
koji je otvoren za difuzni kontakt sa mernim rastvorom.
Sonde sa mikroelektrodama i te~nom membranom primenjuju
se za unutar}elijska merenja koncentracije Ca++, Mg++, Cl− i K+.
Konstrukcije se odlikuju jednostavno{}u, malim dimenzijama vrha
(oko 1 µm) i velikom otporno{}u (1−1 000 MΩ). Referentna elektroda
ugra|ena je u mikropipeti koja sa mernom ~ini jedinstvenu sondu
(slika. 4.14.c).
4.4.4. Kalibracija i odràvanje elektroda

Kalibracija. Elektri~na otpornost membrana nije uvek ista,
starenje i temperatura tako|e uti~u na njenu vrednost, {to se
odraàva na mereni skok potencijala na membrani. Zato se elektrode
moraju ba`dariti pomo}u pufer rastvora. Obi~no su to puferi sa
pH=4, pH=7 i pH=10. Ba`darenje se provodi u jednoj ili dve ta~ke, tj.
sa jednim ili dva pufera.
Prilikom ba`darenja u jednoj ta~ki prvo se pomo}u elektrode
koja se ba`dari izmeri napon pufera Ep=E0−59,1pHp, a zatim napon
nepoznatog (mernog) rastvora Ex=E0−59,1pHx. S obzirom da E0 zavisi
samo od karakteristika ba`darene i upotrebljene referentne
elektrode, vrednost E0 je konstantna, pa je
E x − Ep
pH x = pH p − . (4.54)
59,1
Dobijena jedna~ina podrazumeva linearnu vezu izme|u pH i
ems }elije. [to god je pHp pufera blià nepoznatoj vrednosti pHx,
ta~nost odre|ivanja pHx pomo}u jedna~ine (4.54) bi}e ve}a i
nelinearnost manja.
Kod kalibracije u dve ta~ke obavezno se po~inje sa neutralnim
puferom pH=7 kome se na mV-skali pridruùje izlaz elektrode od
0 mV. Na taj na~in vrednosti pH=8 odgovara 59,1 mV, vrednosti
pH=6 odgovara −59,1 mV, itd. Nakon {to je sa neutralnim puferom
izmeren ofset nule, procedura se ponavlja sa drugim puferom radi
utvr|ivanja drifta osetljivosti. Ba`darna karakteristika pi{e se u

obliku:
pH x − pH1 E − E1
= x . (4.55)
pH 2 − pH1 E2 − E1
Temperaturna kompen- mV
zacija. Ems svih elektroda na 600
100 C (−74,04 mV/pH)
o
isti na~in zavisi od temperature:

25 C (−59,1 mV/pH)
E=E0−0,1984T pHx [mV]. Kada je
o
400
0 C (−54,2 mV/pH)
o
temperatura razli~ita od stan-

dardne 25 °C, njen uticaj na 200
mereni napon lako je izra~unati 0

7 14
pH
pomo}u koeficijenta temperaturne
osetljivosti dE/dT = − 0,1984 pH −200
mV/°C. Stati~ka karakteristika
−400
je strmija za T>25 °C (slika
4.15). Korekcija se obi~no vr{i −600
automatski, a postoje i nomo-
grami prilago|eni za ru~nu Slika 4.15. Karakteristike
elektrode za temperaturu kao parametar
kompenzaciju.
Odràvanje. pH-elektrode moraju se ~uvati u vla`noj sredini,

najbolje u puferu pH=4 ili pH=7. U takvim uslovima interni rastvor
merne elektrode moè se sa~uvati izme|u {est meseci i jedne godine.
Pre upotrebe preporu~uje se kalibracija.
4.4.5. Merne {eme

Male vrednosti merenog napona i velika otpornost elektroda
glavni su problemi koje treba re{iti prilikom gradnje elektronskog
dela pH-metra, odnosno redoksmetra.
Za niskoomske elektrode (0,02−40 MΩ) primenjuje se jednos-
tavna kompenzaciona merna {ema sa standardnim operacionim
poja~ava~em (slika 4.16.a).
Za elektrode sa otporno{}u 100−1 000 MΩ primenjuju se {eme sa
pretvara~em mV/I (slika 4.16.b). Milivoltni pretvara~ napravljen je
na bazi operacionog poja~ava~a ~ija ulazna otpornost u najnepo-
voljnijem slu~aju treba da je 1012 Ω, {to se postiè sa MOSFET
ulaznim stepenom. Struja u izlaznom kolu je EPS /RPS =(E−ε)/RPS. Zbog

velikog poja~anja poja~ava~a u otvorenom: A→∞, moè se smatrati da
je ε ≈0, tako da je I=E/RPS, odnosno izlazna struja I proporcionalna je
merenom naponu E.
EREF
ϕ =k . pH I
M ϕ =k . pH RPS
A A
+
-
+
EPS
+ - + -
a) b)
Slika 4.16. Merenje faktora pH: a) {ema sa servomotorom, b) {ema sa mV/I
pretvara~em
Merni opseg analizatora sa merenjem potencijala je od 0 −1 pH

do 0 −14 pH, ta~nost ±0,5 −10%, vreme odziva 15 −30 s do nekoliko
minuta.
4.5. MERENJE pCO

2
Princip rada. Elektrohemijski metod merenja koncentracije
ugljendioksida primenjuje se u analizi krvi, ~esto u kombinaciji sa
merenjem pO2 . Za te namene razvijena je posebna elektroda. Njena
generi~ka konstrukcija sastoji se od pH-elektrode presvu~ene
gumenom membranom kroz koju CO2 difundira iz mernog
rastvora. Izme|u membrane i pH-elektrode je tanki sloj vode sa

kojom difundirani CO2 reaguje i formira ugljenu kiselinu H2CO3.
Koncentracija H2CO3 je proporcionalna sadràju CO2, tj. parcijalnom
pritisku: H2CO3 = k⋅ pCO2 . Naime, ugljena kiselina disosuje:
H2CO3 H+ +HCO3−, pa se njena koncentracija meri posredno −
pomoću pH-elektrode, ili pomoću elektrode koja meri koncentraciju
jona HCO3−.
Novije konstrukcije CO2 -elektrode naj~e{}e imaju membranu
od teflona debljine 6 − 50 µm (slika 4.17). Izme|u membrane i pH-
stakla stavlja se sloj REFERENTNA
ELEKTRODA
celofana u kome je pH OSETLJIVO Ag AgCl
ravnomerno upijen vode- OKLOP STAKLO MERNA
ELEKTRODA
ni rastvor 0,1M KCl.
CELOFAN
Kada se rastvor uravno-
teì sa difundiranim CO2,
nastaje H2CO3 odre|ene
0,01M NaHCO3
koncentracije, {to se
0,1M KCl
detektuje pomo}u stak- GUMENI
PRSTENOVI
lene pH-elektrode. Pove- INTERNI RASTVOR
}anju brzine odziva,

osetljivosti i stabilnosti
doprinosi dodatak male TEFLON
koli~ine natrijum-bikar-
bonata (0,01M NaHCO3).
RASTVOR CO2
Tipi~ni merni opseg je
0 −10 kPa (0 − 100 mmHg), Slika 4.17. Elektroda za merenje pCO
vremenska konstanta 2
45 − 60 s, ta~nost ± 1%, debljina vrha 1 −2 mm. Treba uo~iti da je

elektri~no kolo zatvoreno unutar CO2 -elektrode jer je u istom
ku}i{tu i referentna elektroda.
Ovaj tip elektrode poznat je kao Soveringhausova elektroda. To
je generi~ki tip elektrode jer su na istom principu razvijene elektrode
za merenje NH3, SO2, H2S, HCN, HF, Cl2, X2 i dr. Za sve njih je
zajedni~ko da rastvoreni gas najpre difundira kroz hidrofobnu
membranu, zatim disosuje sve dok se ne uspostavi ravnoteà i onda
se meri koncentracija odre|enih jona, naj~e{}e vodonikovih. Na sli~an
na~in mogu se meriti i koncentracije te~nosti. Soveringhausove elek-
trode imaju veliku primenu u medicini jer su malih dimenzija.
4.6. AMPEROMETRIJSKE
TEHNIKE
4.6.1. Amperometrija
Amperometrija je odre|ivanje ja~ine struje kroz elektrohemijsku
}eliju koja je priklju~ena na izvor konstantnog jednosmernog napona
E. Ova struja je funkcija koncentracije elektroaktivnih ~estica koje
oksiduju ili redukuju na radnoj elektrodi. Druga elektroda je
referentna. U odnosu na potenciometrijsku }eliju postoji zna~ajna
razlika jer dolazi do izdvajanja produkata na radnoj elektrodi.
4.6.2. Merenje p O 2
Zna~aj. Kiseonik ima su{tinsku ulogu u odràvanju biolo{kih
procesa. U biomedicinskim istraìvanjima koncentracija kiseonika u
telesnim te~nostima i tkivima meri se potenciometrijskom metodom,
pomo}u kiseoni~ne elektrode malih dimezija da se ne bi menjalo
stanje na mestu merenja. Ova metoda primenjuje se i za kontrolu
otpadnih voda ili pra}enje kvaliteta vode za odre|ene procese.
Slobodni kiseonik se nalazi u nekoj gasnoj smesi ili je zajedno s
tom smesom rastvoren u nekoj te~nosti, pa se njegova koncentracija
~e{}e izraàva kao parcijalni pritisak pO 2 [Pa] a re|e kao sadràj u
jedinici zapremine mg/dm3. Odnos izme|u koncentracije i parcijalnog
pritiska kiseonika je linearan u smesama, a nelinearan u reverzi-
bilnim hemijskim kombinacijama. Merenje koncentracije kiseonika
naziva se oksimetrija.
Princip rada kiseoni~ne elektrode. Generi~ka konstruk-
cija kiseoni~ne elektrode sastoji se od staklenog izolatora kroz
koji je provu~ena Pt-ìca tako da joj je kraj u direktnom kon-
taktu sa rastvorom kiseonika (slika 4.18.a). Drugi kraj platine
priklju~en je na negativni pol baterije E. Elektri~no kolo zat-
voreno je preko referentne elektrode i elektroliti~kog mosta.
Eksperimentalno je ustanovljeno da pri konstantnoj vrednosti napona
E u granicama 0,4 −0,9 V u kolu te~e struja I [µA] proporcionalna
koncentraciji kiseonika i nezavisna od primenjenog napona E.
Nastanak struje tuma~i se dvostepenim redoks-procesom. Najpre
se od kiseonika, vode i elektrona sa Pt-elektrode (katode) stvaraju

vodikov peroksid i hidroksilni joni:
O 2 + 2H 2 O + 2e - → H 2 O 2 + 2OH - , (4.56)
a zatim dolazi do potpune redukcije vodonik−peroksida:
H 2 O 2 + 2e- → 2OH- . (4.57)
GAS+O2
ELEKTROLITI^KI 3M KCL
MOST Ag AgC
ANODAl
E MEMBRANA
REFERENTNA
ELEKTRODA
Ag AgCl
GUMENI
PRSTEN
RASTVOR O2
Pt−KATODA
a) b)
Slika 4.18. Kiseoni~na elektroda: a) osnovna konstrukcija, b) Klarkova elektroda
Prema tome, kada se kiseoni~na elektroda stavi u rastvor i

formira opisano kolo, kiseonik }e da difundira prema katodi koja se
pona{a kao ponor kiseonika. Struja difuzije koja nastaje na katodi je
mala, svega nekoliko µA. Njena vrednost za sfernu elektrodu
pre~nika a=10 −100 µm moè se prora~unati pomo}u jedna~ine:
I = 16π Fα 0 D0 a p0 , (4.58)
gde su: F Faradejeva konstanta, α0 = 0,0308 O2/cm3 konstanta

rastvorljivosti kiseonika, D0 =3,2⋅10−5 cm2/s brzina difuzije kiseonika u
vodi na 25 °C i p0 parcijalni pritisak kiseonika u neporeme}enom delu
procesa, tj. daleko od elektrode. Osetljivost je 5 −10 pA/100PaO2,
vremenska konstanta τ 90% ve}ine elektroda je 30 −60 s, vrh elektrode
oko 5 µm.
Klarkov tip kiseoni~ne elektrode. Kiseoni~na elektroda
osetljiva je na deponovanje stranih ~estica i starenje. Klarkov tip
elektrode zna~ajno smanjuje ove probleme. Su{tina je da se preko
vrha Pt-elektrode stavlja hidrofobna, polietilenska ili teflonska
membrana koja propu{ta kiseonik, a sa unutra{nje strane rastvor
koji podràva transport kiseonika do katode (slika 4.18.b). Takva
membrana sluì kao barijera za sve druge elektroaktivne ~estice, tj.
onemogu}ava njihov kontakt sa elektrodom i uticaj na merenje.

Kiseonik na katodi redukuje se i zato njegova koncentracija opada u
prostoru izme|u membrane i katode. U mernom elektrolitu
koncentracija kiseonika je konstantna, te se kroz membranu formira
gradijent koncentracije koji podràva difuziono proticanje kiseonika
prema katodi. Proticanje je proporcionalno gradijentu koncentracije,
a to zna~i i parcijalnom pritisku kiseonika u analitu.
Zbog difuzionog karaktera prenosa vremenska konstanta je oko
60 s i moè se smanjiti jedino primenom tanje i propustljivije
membrane. Propustljivija membrana omogu}ava ujedno merenje
manjih koncentracija. Koli~ina kiseonika u transferu ne sme biti
velika, jer bi moglo do}i do naru{avanja procesa koji se meri. Zato je
potrebno da katoda bude {to manja, obi~no je to Pt-ìca pre~nika
10 −25 µm.
Rastvor 0,1M KCl izme|u membrane i katode podràva
transport kiseonika. U taj rastvor moè da se stavi i referentna
elektroda Ag|AgCl, pa se tako dobija kompaktna sonda. Elektri~ni
kontakt izme|u katode i referentne elektrode ostvaren je unutar
sonde, {to omogu}ava merenje koncentracije kiseonika u nepro-
vodnim rastvorima.
Tipi~na ta~nost mikropocesorskog oksimetra, tj. sonde za
merenje koncentracije kiseonika sa Klarkovom elektrodom je ± 1−2%
za stopostotnu zasi}enost rastvora kiseonikom (0−10 mg/dm3 ili
0 −10 ppm), rezolucija ± 0,01−0,1% (± 0,01−0,1 ppm) ponovljivost ± 1%
pri konstantnoj temperaturi ± 0,1−1 °C, napajanje baterijom 9 V,
displej LCD, masa 100−500 g, cena 500 −1500 dolara.
4.6.3. Polarografi
Polarografija je elektrohemijska analiti~ka metoda ampe-
rometrijskog tipa koja se temelji na pojavama polarizacije i de-
polarizacije. Sluì za kvalitativnu i kvantitativnu analizu organskih i
anorganskih sastojaka u mnogim materijalima. Pomo}u ove metode
odre|uje se koncentracija metalnih jona, odnosno primesa u
legurama, staklu, vodi i zemlji{tu, koncentracija aditiva u organskim
jedinjenjima, monomera u plasti~nim masama, prisustvo enzima,
vitamina i drugih jedinjenja. Polarografija omogu}ava brzo merenje
malih koncentracija 10−3−10−6 mol/dm3.
Elektrohemijska }elija tipa reaktor, elektrolizer, razlikuje

se od galvanske }elije po tome {to u vanjskom delu kola ima izvor
elektri~ne energije. îm se priklju~i izvor dovoljnog napona da kroz
elektrolit proti~e odre|ena ja~ina jednosmerne struje, dolazi do
elektroliti~ke reakcije na elektrodama.
Na elektrodi koja je priklju~ena na negativni pol izvora nastaje
redukcija pozitivnih jona metala iz elektrolita, oni primaju elektrone
iz vanjskog kola i taloè se na elektrodi kao neutralni atomi ili
obrazuju nova jedinjenja. Pove}avanje negativnog, tj. smanjivanje
pozitivnog naelektrisanja je redukcija i to je karakteristika katode,
bez obzira na na~in formiranja vanjskog dela kola. Ravnote`ni
potencijal koji nastaje na ovaj na~in za elektrodu od metala M
potopljenu u elektrolitu S moè se izra~unati pomo}u Nernstove
jedna~ine
RT α
E1 = EM
0
S + ln A , (4.59)
nF αB
0
gde su: EM S standardni elektrodni potencijal za redukciju MS,
αA i αB aktiviteti jona akceptora i jona donora elektrona.

Na elektrodi koja je priklju~ena na pozitivni pol izvora nega-
tivni joni (akceptori) otpu{taju elektrone, postaju neutralni atomi ili
formiraju nova jedinjenja. Ovaj proces smanjivanja negativnog, tj.
pove}avanja pozitivnog potencijala je oksidacija i on je uvek
karakteristi~an za elektrodu koja }e se zvati anoda. Nernstova
jedna~ina za ravnote`ni potencijal anode od metala M′ koja je
potopljena u elektrolit S′ ima}e oblik:
RT α
E2 = EM
0
′ S′ + ln A ′ , (4.60)
nF αB′
Razlika E=E1−E2 naziva se napon razlaganja elektrolita.
Eksperimentalno je ustanovljeno da je ta razlika vi{a u odnosu na
ra~unski odre|enu vrednost. Razlog je u tome {to se Nernstove
jedna~ine odnose na ravnote`ni slu~aj kada kroz elektrolit ne te~e
struja. îm protekne struja I bilo zbog toga {to su u vanjskom krugu
elektrode spojene pomo}u provodnika kao u galvanskom elementu ili
je izme|u elektroda izvor energije kao u reaktoru, elektrode dobivaju
prenapon η1 i η2, vi{ak potencijala iznad ravnote`nog potencijala:
E = ( E1 + η1 ) − ( E2 + η2 ) + IR . (4.61)
Otpornost }elije je mala, manja od 5 Ω, pa se proizvod IR moè

zanemariti, tako da je napon razlaganja elektrolita
E = ( E1 + η1 ) − ( E2 + η2 ) . Merenje mase nataloène komponente
nastale razlaganjem poznat je kao elektrogravimetrija i primenjuje se
u laboratorijskim analizama. Pode{avanjem napona u vanjskom kolu
postiè se izdvajanje odre|ene komponente.
Princip rada polarografa. Dobivanje prenapona, tj. pove}a-
vanje vi{ka potencijala Ux iznad ravnote`nog potencijala zbog
priklju~ivanja na vanjski izvor ozna~ava se polarizacijom, a
smanjivanje prenapona depolarizacijom. Kada se polarografskoj }eliji
linearno pove}ava napon izme|u elektroda U, struja kroz elektrolit
ostaje konstantna sve dok napon ne dostigne vrednost potrebnu za
razlaganje odre|ene komponente, a tada struja skokovito raste na
novu konstantnu vrednost. Sa daljim pove}avanjem napona struja
ostaje na toj vrednosti sve dok napon ne dostigne iznos potreban za
razlaganje naredne komponente. Dijagram zavisnosti struje od
polarizacionog napona je polarogram koji se zapisuje pomo}u xy-pisa~a
ili oscilografa.
Napon pri kome se de{ava razlaganje, polutalasni napon,
karakteristi~an je za odre|enu komponetu, a skok struje propor-
cionalan je njenoj koncentraciji. Na primer, polutalasni napon za jone
Pb2+ je −0,45 V, za Zn2+ je −1,0 V i za K+ −1,85 V (slika 4.19.a).
Polutalasni napon nezavisan je od koncentracije ispitivanih jona,
vrste rastvara~a i osnovnog elektrolita, ali zavisi od pH vrednosti
rastvora i prisustva ne~isto}a.
Konstrukcija polarografa moè biti razli~ita, ali je su{tina
da se dobije {to brà polarizacija na samo jednoj elektrodi. Skokovi
struje tada su strmiji i osetljivost merenja ve}a. Generi~ka konstruk-
cija ima mikroelektrodu sa kapaju}om ìvom, nizom kapljica ìve
pre~nika 0,5−1 mm (slika 4.19.b).
Kapljice ìve (katoda) padaju kroz mereni rastvor na dno
posude gde se formira kontakt od ìve (anoda) ve}eg popre~nog
preseka koji se zbog toga prakti~no ne polarizuje. Potencijal kapaju}e
mikroelektrode meri se u odnosu na referentnu kalomelovu elektrodu.
Zahvaljuju}i malim dimenzijama kapljica elektrodni procesi se brzo
odvijaju. Joni iz grani~nog sloja uz kapljice se izdvajaju i tu je njihova
koncentracija sve manja u odnosu na koncentraciju u elektrolitu.
Zbog razlike koncentracija joni iz elektrolita difuzijom se kre}u
prema grani~nom sloju i formiraju struju difuzije Id srazmernu toj
razlici. Kada je napon Ux na mikroelektrodi dovoljno velik, ja~ina

struje Id dobija maksimalnu vrednost proporcionalnu koncentraciji
komponente koja je razlagana u tom ciklusu:
Id = 607 nD1 2 m2 3 t1 6 ( c − c0 ) , (4.62)
gde je z broj izmenjenih elektrona po jonu, D koeficijent difuzije jona,
m brzina isticanja ìve, t vreme kapanja c koncentracija jona u
rastvoru i c0 koncentracija jona u grani~nom sloju.
GENERATOR
Up PILASTOG
NAPONA
Id REFE−
RENTNA
ELEKTRODA
Id
Hg
cZn++
ANALIT
cPb++
Ux
U Pb++ U Zn++
a) b)
Slika 4.19. Polarograf: a) polarogram za rastvor 10-3mol/dm3Pb2++,
10-3mol/dm3Zn2++ i 1mol/dm3KCL, b) konstrukcija polarografa
Ukupna struja u kolu jednaka je sumi struje Id i struje I kroz

osnovni elektrolit. Treba napomenuti da je struja Id svega nekoliko
µA i zato ne remeti koncentraciju komponente u elektrolitu. Sredina
porasta struje Id na polarogramu odgovara polutalasnom naponu, pa
je zato potrebno da promena struje bude {to brà kako bi se mogli
razlikovati bliski polutalasni naponi. Polarograf sa kapaju}om
ìvinom elektrodom omogu}ava odre|ivanje komponenata ~iji se
polutalasni naponi razlikuju najmanje 120 mV. Stabilnost radne
temperature tokom merenja ne sme da odstupa vi{e od ±5°C.
Derivativni polarograf tako|e ima mikroelektrodu sa kapa-
ju}om ìvom, ali se razlikuje po dodatku, elektronskom ure|aju za
odre|ivanje derivacije did /dUx. Pomo}u maksimuma derivacije ta~nije
se moè odrediti polutalasni napon, odnosno sadràj odgovaraju}e

komponente: do 10−7 mol /dm3.
Amperometrijska titracija je metod za laboratorijsko odre-
|ivanje organskih jedinjenja alkaloida i narkotika. Kao {to je re~eno,
titracija je kontrolisano i mereno dodavanje reagensa sve dok se ne
zavr{i odre|ena reakcija, tj. dok se ne registruje ta~ka ekvivalencije.
Ova ta~ka se u amperometrijskoj titraciji registruje pomo}u polaro-
grafa. Ure|aj se sastoji od posude sa dobro izme{anim rastvorom, te
jednom ili ~ak dve mikroelektrode. Zatim se meri struja difuzije u
funkciji volumena dodatog titranta koji omogu}ava redukciju ili
oksidaciju analizirane komponente. Ta~ka ekvivalencije pojavljuje se
u trenutku kada struja ima nagli porast od nule.
4.7. TANKOSLOJNE ELEKTRODE

Tehnika tankih slojeva, odnosno fotolitografija, razvijena je
inicijalno za proizvodnju mikrooelektronskih kola. Pokazalo se da ova
tehnika omogu}ava proizvodnju razli~itih senzora, uklju~uju}i i
mikroelektrode izvanrednih karakteristika. Prednost ovih elektroda
u odnosu na klasi~ne staklene elektrode je u ve}oj mehani~koj
~vrsto}i i boljoj stabilnosti.
Referentna srebrena elektroda u tehnici tankih slojeva
pravi se na kerami~kom supstratu na koji se najpre deponuje sloj
srebra koji sluì kao kontakt (slika 4.20). Kontakt je najve}im
delom za{ti}en dielektri~nim slojem da se spre~i elektri~ni spoj
kontakta i analita. Na povr{inu odre|enu za aktivni deo elektrode
nanosi se sloj srebrohlorida i preko
njega za{titni sloj od silikonske
gume, èlatina ili celuloznog
acetata u kome je imobiliziran DIELEKTRIK
kalijumhlorid. Takav za{titni sloj

Ag
omogu}ava selektivnu difuziju
vode prema sloju AgAgCl uz
veoma slabo rastvaranje imobi- SUPSTRAT
liziranog KCl. Na taj na~in AgCl

dobija se „rastvor“ sa konstant- IMOBILIZIRANI KCl
nom aktivno{}u jona, odnosno

stabilan referentni potencijal. Slika 4.20. Referentna srebrena elektroda
O~igledne su prednosti ovakve konstrukcije referentne elek-

trode u odnosu na lomljivu staklenu elektrodu sa internim rastvorom.
Me|utim, materijal u kome je imobiliziran KCl treba da je
nerastvorljiv kako u baznoj tako i u kiseloj sredini, da omogu}ava
laganu difuziju vode, da moè da se zalepi za supstrat, da je izdr`ljiv
u {irokom temperaturnom podru~ju, te da je mehani~ki ~vrst. Ovi
zahtevi mogu se ispuniti samo kompromisno, obi~no se navedeni
parametri projektuju prema odre|enoj aplikaciji.
Tankoslojna pH-elektroda je u po~etku bila pravljena kao
pojednostavljena staklena elektroda (slika 4.21.a). Interni rastvor i
elektrodni kontakt zamenjeni su slojem plemenitog metala preko
kojeg je na aktivnom delu stavljen sloj pH-stakla, a ostali deo je
presvu~en dielektri~nim izolatorskim slojem. Linearni odziv bio je
sasvim dobar u podru~ju pH od 2 do 10, ali su se javljale pukotine u
staklu zbog nejednakih temperaturnih koeficijenata {irenja stakla i
kerami~kog supstrata. Dodatni problem bila je ekstremno velika
otpornost, znatno ve}a nego kod konvencionalne staklene pH-
elektrode.
Savremena realizacija tankoslojne pH-elektrode bazira se na
primeni metal−metaloksidnih slojeva (slika 4.21.b). Na supstratu se
prvo nanosi tankoslojni metalni kontakt. Njegov aktivni deo se zatim
modifikuje elektrohemijski da bi se dobio oksid metala ili se na metal
direktno nanosi sloj paste od oksida metala.
DIELEKTRIK DIELEKTRIK
METALNI METALNI
KONTAKT KONTAKT
SUPSTRAT SUPSTRAT
OKSID
STAKLO
METALA
a) b)
Slika 4.21. Tankoslojna pH-elektroda: a) staklena, b) sa kombinacijom metal-
metaloksid
LITERATURA
New York, 1974.

3. E.B.Jones: „Instrument technology, Vol.2, On-line analysis measurements“,
Newnes-Butterworths. London, 1976.
1975.
5. H.N.Norton: „Handbook of transducers“, Prentice Hall, Englewood Cliffs, 1989.
6. „Complete pH and conductivity measurement handbook and encyclopedia“,

Omega Engineering Inc., Stamford, 1986.
7. „The pH and conductivity handbook“, Vol.29, Omega Engineering Inc.,

Stamford, 1995.
8. P.J.Abatti, T.Moriizuni: „Development of a new geometrical form of mi-

cropipette: electrical characteristics and an application as a potassium ion
selektive electrode“, IEEE Trans. On Biomedical Engineering, Vol. 39,
No.1 (43−48), 1992.
9. O.L.R.Jacobs: „pH measurement“, in System&control encyclopedia (ed.
M.D.Singh), (3683−3691, Pergamon Press, 1987.
10. K.Atkins, A.W.J.Cranny, P.R.Siuda: „Organic materials for gas sensing and
construction of sensors for liquids“, Handbook of sensors & actuators − Thick
film sensors, Vol.1 (ed. M. Prudenzati), Elsevier, 1994.
11. Teorija i primena pH merenja: http://www.ph-measurement.co.uk/home.htm
II
ANALIZATORI
5
OSNOVI HEMIJSKE
DETEKCIJE
5.1. UVOD
5.1.1. Hemijski senzor
Definicija. Promene koje se de{avaju u poluprovodniku prilikom
adsorpcije molekula gasa ili te~nosti intenzivno se izu~avaju u nauci
o povr{inskom sloju, elektrohemiji, nauci o materijalima i fizici
poluprovodnika. Rezultati do kojih se do{lo omogu}avaju gradnju
hemijskih senzora, tj. senzora za detekciju gasova i te~nosti
napravljenih na bazi hemijski osetljivih elektronskih elemenata.
Primenom organskih materijala u izradi ovih elemenata dobija se
posebna klasa senzora − biosenzori.
Zadatak hemijskih senzora je da hemijsku ili biolo{ku in-
formaciju pretvore u elektri~ni signal. Pretvaranje je sloènije nego
kod senzora fizi~kih veli~ina. Zbog toga je i tehnologija izrade
komplikovanija, posebno kada se povezuju organski i neorganski
materijali ili kada se kombinuju hemijski, biolo{ki i fizi~ki principi
rada. Zahvati se vr{e do nivoa molekula i atoma i s tim u vezi razvile
su se molekularna elektronika, bioelektronika, molekularna mehanika
i druge oblasti bitne za formiranje nanostruktura.
U celini posmatrano, dana{nji poluprovodni~ki hemijski senzori
ipak su relativno ve}i u odnosu na odgovaraju}e standardne
elektronske elemente, njihove dimenzije su od nekoliko nanometara
do 100 µm. Naj~e{}e se prave u obliku ~ipa u kome se nalazi i
mikroelektronika potrebna za obradu signala. Na taj na~in omogu-
}eno je da se na malom prostoru postavi vi{e takvih senzora i
izgrade ve{ta~ka ~ula ukusa i mirisa okoline.
Materijali. Za rad hemijskih senzora od posebne je va`nosti

njihova mikrostruktura sastavljena iz dve celine. Prvu ~ine hemijski
sintetizovane odre|ene grupe atoma, molekula ili super molekula koje
mogu da uklju~uju aktivne biolo{ke centre ili prirodne biomolekularne
jedinice, a drugu celinu ~ini silicijumska osnova u kojoj su nalazi
potrebna mikroelektronika za obradu signala. Moè se re}i da je
tehnologija izrade elektronskih kola u silicijumskoj osnovi dovedena
skoro do savr{enstva, odnosno da se problemi vezani za izradu
hemijskih senzora javljaju prevashodno u prvoj celini gde se hemijski i
biolo{ki signali konvertuju u elektri~ni. Re{avanje ovih problema jako
zavisi od primene novih materijala sa odre|enim elektri~nim,
dielektri~nim, opti~kim, magnetskim, termi~kim i hemijskim
svojstvima. Tako su razvijeni potpuno novi materijali za mehani~ku i
hemijsku za{titu senzora, razli~ite vrste kompozita i keramike,
katalizatora i polimera, makromolekularnih i supermolekularnih
struktura.
U tabeli 5.1 dati su tipi~ni materijali koji se danas primenjuju u
izradi hemijskih senzora poredani prema rastu}oj sloènosti
geometrijske strukture.
BR. MATERIJAL TIPI^NI PREDSTAVNICI
1 METALI Pt, Pd, Ni, Ag, Au, Sb, Rh
2 POLUPROVODNICI Si, GaAs, InP
3 JONSKI Elektronski provodnici: SnO2, TiO2, Ta2O5, IrOx

POLUPROVODNICI Me{oviti provodnici: TiO2 , Ga2O3 , WO3 , SrTiO3 , perovskiti
Jonski provodnici: ZrO2 , LaF3 , CeO2, CaF2, β −alumina, nasikon
4 MOLEKULARNI Ftalocijanini: PbPc, LuPc2 , LiPc, (PcAIF)n , (PcGaF)n

KRISTALI
5 LANGMUIR− Ftalocijanini, polidiacetileni, Cd-arakidati

BLOD@ETOVI TANKI
SLOJEVI
6 KAVEZNI KRISTALI Zeoliti, kaliksareni, ciklodekstrini, krunski eteri, ciklofani
7 POLIMERI Poliesteri, poliuretani, polisiloksani, polipiroli, politiofeni,

polifluorokarbonati, poliolefini, politetrafluoretileni
8 KOMPONENTE Sinteti~ke: fosfolipidi

BIOMOLEKULARNIH Prirodne: glukoz-oksidaza, laktoz-permeaza, celulozne bakterije,
SISTEMA Op{te: enzimi, receptori (proteini), organele, mikroorganizmi,
ìvotinjske i biljne }elije
Tabela 5.1. Tipi~ni materijali za izradu hemijskih senzora

5. OSNOVI HEMIJSKE DETEKCIJE 139
Tehni~ke karakteristike. Koncentracija komponente ci u

gasnoj smesi obi~no se izraàva pomo}u parcijalnog pritiska te
komponente pi, pri ~emu je pi=ciRT. Prema Daltonovom zakonu
pritisak gasne smese jednak je sumi parcijalnih pritisaka pojedinih
komponenata: p=Σpi, gde se pod parcijalnim pritiskom pi podrazumeva
pritisak koji bi komponenta i imala kada bi zauzimala zapreminu
jednaku zapremini smese (pri T=const). Bez obzira kako je hemijski
senzor napravljen, jedine veli~ine koje bi trebalo da uti~u na izlaz
senzora su parcijalni pritisci pi i temperatura T, odnosno koncentracije
ci i temperatura T kada su u pitanju elektroliti. U op{tem slu~aju
promena svojstva Y=Y(p1,p2,...,pn,T) ra~una se kao totalni diferencijal:
 ∂Y   ∂Y  ∂Y 
dY =   dp1 + L +   dpn +   dT (5.1)
 ∂p1  p, T  ∂pn  p, T  ∂T  p,T
pri ~emu se u prakti~nim merenjima umesto diferencijala koriste

realno merljivi prira{taji ∆.
Zahtevi koji se postavljaju u vezi sa ovom promenom su
slede}i:
• Selektivnost senzora prema komponenti i. Ovaj zahtev podra-
zumeva da su na odre|enoj radnoj temperaturi T i ukupnom
pritisku p svi parcijalni izvodi osim po pi prakti~no jednaki
nuli, tako da izlaz zavisi samo od parcijalnog pritiska pi :
 ∂Y 
∆Y =   ∆pi , (5.2)
 ∂pi  p, T
• Osetljivost je odnos ∆Y i ∆pi. Ako je izvod ∂Y/∂pi funkcija pi, tada

je osetljivost nelinearna i njena vrednost menja se od jedne do
druge radne ta~ke. U tehnici senzora potrebna je linearna
zavisnost izme|u ∆Y i ∆pi, odnosno na mernom opsegu treba da
je ∂Y/∂pi =const, kao i da je vrednost te konstante {to ve}a;
• Kauzalnost, tj. zavisnost merenog svojstva Y od trenutnih
vrednosti pi i T, a ne od prethodnih vrednosti (istorije senzora).
Ovaj zahtev matemati~ki se izraàva integralom
∫ dY = 0 (5.3)
5.1.2. Struktura
Struktura hemijskih senzora u op{tem slu~aju sli~na je kao kod
klasi~nih analizatora. S obzirom da u jednom ure|aju moè biti vi{e
senzora koji zajedno daju kompleksnu informaciju o sastavu analita,
struktura se ~e{}e posmatra po funkcionalnoj analogiji sa ~ulima
mirisa i ukusa kod ~oveka. U tom smislu govori se o „elektronskom
nosu“ i „elektronskom jeziku“.
Uzorak gasa ili te~nosti prvo se pomo}u sonde sa odgovaraju}im
potpritiskom i regulacijom protoka propu{ta kroz filter radi izdvajanja
ne~isto}a i zatim se prilago|ava uslovima analize pomo}u razli~itih
katalizatora. Molekuli onda deluju na jedan ili vi{e senzora koji na
svojim izlazima daju elektri~ne signale. Ovi signali se dalje obra|uju
poznatim metodama, a krajnji cilj je da se dobije potpuna slika sastava
gasa ili te~nosti (slika 5.1). Izlaz senzorskog sistema se pre pu{tanja u
rad obavezno kalibri{e.
SENZORI KALIB-
RACIJA
x1
x1 x2
ci ci
...
xn
IZLAZ
xn
UZORAK UZIMANJE FILTER OBRADA KOLA ZA VEKTOR PREPOZNA-

(GAS, UZORKA ILI UZORKA PRIMARNU KARAKTE− VANJE
TE^NOST) (PRITISAK, MEMBRANA (KATALIZATOR, OBRADU RISTIKA MIRISA
PROTOK) ENZIM) PODATAKA MIRISA
Slika 5.1. Struktura senzorskog sistema za analizu gasa
Prepoznavanje se provodi na sli~an na~in kao kod taktilnih

senzora, senzora ultrazvu~ne ili senzora opti~ke vizije u robotici.
Tipi~na {ema sadrì n razli~itih senzora pomo}u kojih se detektuje
analizirana smesa sastavljena od n komponenata koje smesi daju
odre|eni miris, tj. sliku P( p1, p2, … , pn ) (slika 5.2).
U idealnom slu~aju svaki senzor osetljiv je samo na jednu
komponentu smese, sa koeficijentom osetljivosti aii. Kod realnih
senzora postoji izvesna interferencija merenih svojstava i izlaz si zavisi
od ostalih komponenata sa osetljivo{}u aij. Koeficijenti osetljivosti
odre|uju se kalibracijom, pamte u memoriji, tako da se na osnovu

izlaznih signala iz senzora S( s1, s2, … , sn ) moè izra~unati sastav
( c1, c2, … , cn ) i njemu pridruìti odre|ena slika, tj. miris. Mogu se
upotrebiti i senzori jednog tipa sa razli~itim katalizatorima ili
kombinacije razli~itih katalizatora, senzora i selektivnih membrana.
Ljudski nos, na primer, ima nekoliko receptora, ali zahvaljuju}i obradi
dobijenih signala u mozgu ~ovek razlikuje i pamti veliki broj mirisa.
S S S
E E E
N N N
Z Z Z
O O O
R R R
1 2 n
p1 a11 a12 . . . a1n
SMESA p2 a21 a22 . . . a2n

. . .
. . .
. . .
pn an1 an2 . . . ann
s1 s2 sn
PREPOZNAVANJE IZLAZ
Slika 5.2. Princip prepoznavanja mirisa (ukusa)
5.1.3. Klasifikacija
Kriterijumi klasifikacije hemijskih senzora nisu jednozna~ni.
Naj~e{}e se uzimaju u obzir princip rada (na~in promene karakte-
risti~nog svojstva), vrsta analita (te~nost ili gas), vrsta materijala od
kojeg je senzor napravljen (organski ili neorganski), veli~ina, na~in
izrade i dr. îni se da je najprihvatljivija klasifikacija izvedena pomo}u
analogije sa standardnim elektronskim elementima koji nisu hemijski
osetljivi, tj. na bazi struktura XYZ.
Principi rada. Tehni~ki zahtevi koji se postavljuju u vezi sa

gradnjom i funkcionisanjem hemijskih senzora sli~ni su kao i za druge
senzore, ali postoje odre|ene specifi~nosti koje nastaju zbog sloène
interakcije ispitivane smese i senzora. Promena karakteristi~nog
svojstva senzora, u op{tem slu~aju to je svojstvo Y, moè da posluì kao

kriterijum razlikovanja slede}ih tipova senzora:
• poluprovodni~ki elektroliti~ki senzori (napon V, struja I);
• senzori sa promenljivom elektronskom provodno{}u (pro-
vodnost σ );
• senzori sa efektom polja (potencijal φ );
• dielektri~ni senzori (kapacitivnost C);
• kalorimetrijski senzori (toplota adsorpcije qad ili toplota
reakcije qre );
• optohemijski senzori (promena opti~kih parametara u za-
visnosti od frekvencije zra~enja ν);
• maseni senzori (masa m adsorbovane supstance).
Podela na bazi strukture XYZ. U op{tem slu~aju hemijski
osetljivi element moè se predstaviti kao troslojna struktura XYZ. Sloj
X je provodnik, sloj Y je izolator i sloj Z je poluprovodnik. Zavisno od
vrste materijala sa kojom se realizuju pojedini slojevi, menja se i
njihova oznaka:
M metal
X(provodnik) = E elektrolit
G gas
O debljina sloja >5 nm (klasi~ni izolator)

Y(izolator) = i debljina sloja <5 nm (intrinsik sloj, pro-
vo|enje struje pra}eno tunelskim efektom)
− bez oznake, direktan kontakt sloja M i Z)
S silicijum p ili n tipa ili

Z(poluprovodnik) =
oksid metala: ZnO, TiO2, ZrO2
Kombinacijom navednih materijala dobijaju se raznovrsni

elementi. U tabeli 5.2 dat je pregled mogu}ih struktura sa nazivima
tipi~nih elemenata za svaku strukturu. Izolator je naj~e{}e oksid SiO2,
pa su osnovne strukture: MOS (metal−oksid−poluprovodnik), EOS
(elektrolit−oksid−poluprovodnik) i GOS (gas−oksid−poluprovodnik).
X-SLOJ METAL ELEKTROLIT GAS

(M) (E) (G)
Y-SLOJ
MOS STRUKTURE EOS STRUKTURE GOS STRUKTURE
KLASI^NI MOS: EOS: GOS:
IZOLATOR, d>5 nm •kondenzator MOS •kondenzator EOS •kondenzator GOS
•tranzistor MOSFET •tranzistor ISFET •tranzistori OGFET,
ADFET
SLOJ SA MiS: EiS: GiS:
TUNELSKIM •tunelska dioda •tunelska dioda •tunelska dioda
EFEKTOM, d< 5 nm
•[otkijeva dioda
IZOLATORSKI MS: ES: GS:
SLOJ •[otkijeva dioda MS •otpornik (direktan •otpornik (direktan
IZOSTAVLJEN, d=0 kontakt elektrolita i kontakt gasa i
•prekida~ka dioda
poluprovodnika) poluprovodnika)
•elektrohemijski
•povr{inski
ultrazvu~ni SAW
Tabela 5.2. Klasifikacija XYZ−struktura
5.2. PRINCIPI RADA

5.2.1. Katalizatori i hemijska detekcija
Katalizator je supstanca koja ubrzava hemijsku reakciju; pri
tome se ne tro{i i ne pojavljuje u jedna~ini pomo}u koje se ta reakcija
opisuje. Osim aktiviteta va`nu ulogu ima i selektivnost prema odre-
|enoj komponenti, reakciji ili produktu.
Homogene kataliti~ke reakcije odvijaju se u jednoj fazi, tj. u
molekularnim disperzijama gasova ili te~nosti. U tehnici senzora ve}i
zna~aj ima heterogena kataliza koja se odvija na granici dveju
razli~itih faza: fluidne faze koja pripada analitu i ~vrste faze koja
pripada senzoru. Na kontaktnoj povr{ini je katalizator od metala ili
poluprovodnika. Tu najpre dolazi do adsorpcije komponenata koje
u~estvuju u reakciji, zatim do me|usobne reakcije adsorbovanih ili
adsorbovanih i neadsorbovanih komponenata, a na kraju dolazi do
desorpcije produkata reakcije. Sitnjenjem, sinterovanjem ili nano-
{enjem katalizatora u tankom sloju na inertnu osnovu pove}ava se
povr{ina dodira sa reaktantima, a time i aktivitet katalizatora. Kako
katalizator pri tome deluje obja{njava se elektronskim svojstvima
metala i poluprovodnika.
Katalizatori i energija aktivacije. Sve hemijske reakcije

odvijaju se odre|enom brzinom, koja zavisi od koncentracije
reaktanata i temperature. Brzina v reakcije aA+bB+…+nN→P defini{e
se kao promena koncentracije odre|enog reaktanta, na primer [A], ili
kao promena koncentracije produkta [P] u toku odvijanja reakcije.
Brzina je proporcionalna potencijama trenutnih koncentracija
[A],[B],...,[N] reaktanata A,B,...,N:
d[A ] d[P]
v = − = = k[A ]a [B]b L [N]n (5.4)
dt dt
gde je suma stehiometrijskih koeficijenata a+b+…+n red reakcije (0,
1, 2 ili 3), a k je specifi~na, tj. konstantna brzina reakcije pri ustaljenoj
temperaturi.
Reverzibilna reakcija aA+bB ' cC+dD ima brzinu reakcije u
smeru sleva nadesno v1 = k1 [A]a[B]b, a u povratnom smeru brzinu
v2 = k2 [C]c[D]d. U ravnote`nom stanju je v1 = v2 i tada reakciju
aA+bB ' cC+dD karakteri{e konstanta reakcije K koja daje kvanti-
tativnu zavisnost hemijskog afiniteta od koncentracije reaktanata i
produkata:
K =
k2
=
[C]c [D]d . (5.5)
k1 [A ]a [B]b
Uticaj temperature na konstantnu brzinu reakcije ra~una se
pomo}u Arenijusove jedna~ine
K = k0 e − Ea / RT , (5.6)
u kojoj je Ea energija aktivacije reakcije, k0 faktor frekvencije (sudara

molekula), R univerzalna gasna konstanta i T apsolutna temperatura.
Vidi se da K postaje ve}e sa porastom temperature. Iz ove jedna~ine
proizilazi vaàn zaklju~ak da molekuli moraju da dostignu
potencijalnu barijeru, tj. kriti~nu energiju Ea da bi mogli reagovati, a
exp(−Ea /RT) ozna~ava deo molekula koji su postigli tu potrebnu
energiju. Drugim re~ima, visina potencijalne barijere odre|uje brzinu
reakcije: {to je vi{a energija aktivacije Ea to je sporija reakcija, a nià
energija aktivacije zna~i da je reakcija brà. Razlika izme|u energije
aktivacije polazne i povratne reakcije jednaka je toploti koja se razvija
u toku reakcije tipa:
REAKTANTI ' PRODUKT, (5.7)
gde smer strelice nadesno ozna~ava polaznu, a smer nalevo povratnu

reakciju (slika 5.3).
Kada je reakcija podràna katalizatorom, onda se ona opisuje
pomo}u relacije
PRELAZNO
REAKTANTI + KATALIZATOR → → PRODUKTI + KATALIZATOR (5.8)
STANJE
u kojoj je prelazno stanje sa niòm energije aktivacije Ea1 u odnosu na

reakciju bez katalizatora, pa je kataliti~ka reakcija brà.
POTENCIJALNA Ea ve}e, reakcija sporija

ENERGIJA
Ea manje, reakcija brà
Ea energija aktiviranja bez katalizatora
Ea PRELAZNO Ea1 energija aktiviranja sa katalizatorom
STANJE
Q=0 termodinami~ka ravnoteà
Q<0 osloba|ena energija (reakcija mogu}a)
Ea1
PRELAZNO
STANJE 1
REAKTANTI
TOPLOTNI
EFEKAT Q
REAKCIJE
PRODUKTI
REAKCIJSKA STAZA
Slika 5.3. Promena energije tokom hemijske reakcije
Spontanost reakcije. U termodinami~kim, detaljnim raz-

matranjima promena u kataliti~kim hemijskim reakcijama umesto
energije E treba uzeti u obzir da se ukupna energija (entalpija H)
sastoji od Gibzove (Gibss) slobodne energije G (energije koja se u
datim uslovima moè prevesti u rad) i energije koja se ne moè
prevesti u rad (proizvod apsolutne temperature i entropije TS). Na taj
na~in mogu da se prate odnosi izme|u entalpije H, entropije S i
unutra{nje energije U. Promena ukupne energija u hemijskoj reakciji
je ∆H=∆G+T∆S, a promena slobodne energije je ∆G=∆H−T∆S,
odnosno ∆G=∆(U+pV)−T∆S.
Na konstantnoj temperaturi i konstantnom pritisku sve reakcije
su spontane, odvijaju se bez dovo|enja vanjske energije. Pri tome se
smanjuje slobodna energija procesa, ∆G<0, odnosno reakcija osloba|a
energiju. Kada je ∆G>0, reakcija nije spontana i vr{i se samo uz

dovo|enje energije, odnosno kada je ∆G=0 proces se nalazi u stanju
termodinami~ke ravnoteè.
Poluprovodnici kao katalizatori. Smatra se da prilikom
adsorpcije elektroni sa katalizatora prelaze u adsorbovane molekule ili
obrnuto, pa nastaju joni gasa, odnosno te~nosti. Joni su raspore|eni na
kontaktnoj povr{ini naj~e{}e u monomolekularnom sloju koji je u
elektri~nom pogledu dvojno polarizovan. Zavisno od smera prelaza
elektrona pri adsorpciji hemijska reakcija u poluprovodni~kom
katalizatoru je anjonska (akceptorska) ili katjonska (donorska). Pri
anjonskoj reakciji na poluprovodniku n-tipa deluje sila jednaka razlici
elektronskog afiniteta komponenata koje reaguju i izlaznog rada
elektrona iz poluprovodnika. Deluju}a sila pri katjonskoj reakciji na
poluprodniku p-tipa jednaka je razlici izme|u izlaznog rada elektrona
iz poluprovodnika i jonizacionog potencijala komponente koja se
adsorbuje. Primese poluprovodnika su aktivne komponente katali-
zatoru – dodaju se u zavisnosti od potrebnih elektronskih svojstava i
reakcije za koju je katalizator namenjen. To su pre svega reakcije
oksidacije i redukcije u kojima su bitni elektronski faktori. Za ovu
namenu upotrebljavaju se poluprovodnici od binarnih oksida: ~isti
poluprovodnici (Fe3O4, Co3O4, CuO), poluprovodnici p-tipa (Cr2O3,
MnO, CoO, NiO i Cu2O) i poluprovodnici n−tipa (TiO2, V2O5, Nb2O5,
ZnO, As2O3, SnO2, Sb2O5). Radi ve}eg aktiviteta i selektivnosti
katalizator se pravi od vi{e oksidnih komponenata.
Reakcije supstitucije, adicije, eliminacije i pretvaranja (npr.
izomerizacije, dehidratacije) katalizuju se pomo}u jonskih poluprovo-
dnika − izolatora bez pokretljivih nosilaca elektriciteta, ali sa kiselim
ili baznim svojstvima na visokim temperaturama kada postaju jonski
provodljivi (zato se nazivaju jo{ poluprovodni~kim elektrolitima).
Najva`niji katalizatori ovoga tipa su oksidi elemenata tre}e periode:
Na2O, MgO, Al2O3, SiO2 i P2O5.
Organski izmenjiva~i jona tako|e se upotrebljavaju kao
katalizatori u hemijskim senzorima. Aktivitet i selektivnost organ-
skih izmenjiva~a jona zavisi od hemijske strukture koja odre|uje
aktivitet protujona, od vrste i rastvorljivosti reaktanata, te od
strukture pora. Va`nu ulogu pri tome ima difuzija u porama i
izme|u pora. Mreàsta vezivna osnova pravi se od polimera ~iji
lanci imaju pravilnu strukturu. Radi ve}e efikasnosti i selektivnosti
na ovu strukturu dodaju se odre|ene funkcionalne grupe i hetero-

geni kompleksi.
Enzimi (fermenti) su supstance koje deluju kataliti~ki na
procese u ìvim }elijama. Proizvode se i industrijski i primenjuju kao
biokatalizatori u mnogim procesima, a primenju se i u gradnji posebne
klase hemijskih senzora − biosenzora. Poznato je oko 2 000 enzima. Za
enzime je karakteristi~na velika molekulska teìna (>12 000), velika
aktivnost i selektivnost. Delovanje enzima na reakciju ostvaruje se
pomo}u ta~no odre|enog dela molekule, aktivnog centra, koji stupa u
vezu sa reaktantima. Za primenu enzima u biosenzorima klju~nu
ulogu ima imobilizacija, tj. u~vr{}ivanje enzima u supstratu radi
spre~avanja njihovog me{anja, rastvaranja i degradacije.
Metali kao katalizatori. Skoro svi metali imaju kataliti~ka

svojstva, a posebno prelazni metali koji se nalaze u B-grupama
periodnog sistema elemenata. Ovi metali su hemijski manje aktivni od
ostalih, a karakteristi~no je da im atomi imaju nepopunjene d-orbitale.
Kataliti~ko delovanje pri hemijskoj adsorpciji tuma~i se sparivanjem
elektrona d-orbitale i delokalizovanih elektrona supstance koja se
adsorbuje. Me|utim, oksidi metala koji se pri tome javljaju, zadràvaju
se na kontaktnoj povr{ini umanjuju}i efikasnost katalizatora. Zato
se skoro isklju~ivo upotrebljavaju plemeniti metali paladijum (Pd),
platina (Pt), iridijum (Ir) i srebro (Ag) ~iji su oksidi nestabilni, tj.
katalizator ostaje u metalnom stanju i u uslovima jake oksidacije. Kod
svih ovih metala toplota adsorpcije kiseonika je mala, pa je mala
energija oksidacije i brà reakcija. Mada je plemeniti metal, zlato slabo
reaguje sa kiseonikom i zato se ne upotrebljava kao katalizator
oksidacionih procesa. Zbog manje cene ponekad se jo{ koristi nikal
(Ni).
Potrebni kataliti~ki aktivitet dobija se legiranjem dvaju d-metala
u odre|enom odnosu, a selektivnost dodavanjem razli~itih modifikatora
(promotori, moderatori, inhibitori i aktivatori).
5.2.2. Hemijska adsorpcija

Adsorpcija nastaje jer atomi i joni na povr{ini ~vrste faze ne
mogu u potpunosti da ispune zahteve valentnosti i koordinacije. Kao
rezultat deluje sila prema unutra{njosti ~vrste faze, pa se ~estice gasa
ili te~nosti adsorbuju. To je egzotermi~an proces ~iji je toplotni efekat

Q (slika 5.3). [to je toplota adsorpcije ve}a, ~estice su ja~e
adsorbovane, ali tada energija aktivacije Ea1 moè biti suvi{e velika −
tolika da katalizator vi{e ne moè da vr{i svoju funkciju ubrzavanja.
Odavde se zaklju~uje da katalizator sa malom energijom aktivacije
daje veliko ubrzavanje procesa i malu toplotu adsorpcije (malo
zagrevanje senzora), ali je tada adsorbovan mali broj ~estica.
Kod fizi~ke adsorpcije izme|u faza deluju samo me|umole-

kularne, Van der Valsove sile. Tada se osloba|a mala toplota
adsorpcije (∼10 kJ/mol), ne stvaraju se hemijske veze (ne menjaju se
elektronska stanja molekula) i na povr{ini senzora prakti~no nema
kataliti~ke aktivnosti. Hemijska adsorpcija nastaje kada na povr{ini
senzora deluju jake povr{inske sile zbog neispunjenih valentnih
orbitala ili zbog jona sa nekompletnim koordinacionim nivoima, pa je
tada adsorpcija pra}ena razmenom elektrona i formiranjem hemijskih
veza. Veza je kovalentna kada atomi adsorbata imaju zajedni~ke
elektrone sa atomima adsorbensa koji je u ~vrstoj fazi, odnosno veza je
jonska kada elektroni ulaze ili izlaze iz ~vrste faze. Pri tome se
osloba|a ve}a energija od 10 kJ/mol. Novostvorene hemijske veze
omogu}avaju reakcione puteve sa manjom energijom aktivacije u
odnosu na reakcije bez katalizatora. Ovde treba napomenuti da fizi~ka
adsorpcija nije uslov za kataliti~ko delovanje, ali jeste preduslov za
hemijsku adsorpciju.
Ravnote`na adsorpcija. Adsorpcija ima fundamentalni zna~aj

za rad hromatografa, delovanje heterogenih katalizatora, a tako|e i za
procese na kontaktnoj povr{ini izme|u hemijskog senzora i analizi-
rane fluidne smese. Kada se postigne ravnoteà izme|u adsorpcije i
desorpcije, tada senzor kao adsorbens vezuje maksimalnu koli~inu
analita na kontaktnoj povr{ini. Ta koli~ina izraàva se po jedinici
povr{ine ili po jedinici mase adsorbensa. Njena vrednost zavisi od
prirode adsorbensa, te od temperature i pritiska gasnog, odnosno
temperature i koncentracije te~nog adsorbata.
Kako se menja ravnote`na koli~ina u funkciji temperature i

pritiska, odnosno u funkciji temperature i koncentracije, utvr|uje se
eksperimantalno. To se provodi tako da se ispituje promena pritiska
(koncentracije) smese u dodiru sa odre|enim adsorbensom i onda
menja temperatura. Rezultat se predstavlja u obliku krive,
adsorpcione izoterme. Izoterma ima odre|ena karakteristi~na

podru~ja zavisno od na~ina na koji se ostvaruje interakcija izme|u
analita i senzora. Ilustrativan je primer senzora od ZnO koji sluì za
detekciju kiseonika O2 (slika 5.4).
Na niìm temperaturama, p
100−250 K, izraèna je fizi~ka O2
POVR[INSKI UNUTRA[NJI
adsorpcija koja nema zna~aja za FIZI^KA DEFEKTI DEFEKTI
ADSORPCIJA
detekciju kiseonika jer se ne I KATALIZA
menjaju svojstva ZnO. Za detekciju HEMIJSKA

su bitna temperaturna podru~ja ADSORPCIJA
gde dolazi do merljive promene

otpornosti ZnO. Hemijska adsor-
pcija bez udela katalizatora T[K]
izraèna je na relativno visokim 100 300 500 700 900 1100
temperaturama 300−600 K, pa Slika 5.4. Termi~ki spektar adsorpcije

senzor mora da ima ugra|en
odgovaraju}i greja~. Na temperaturama u intervalu 700 −1 000 K
povr{inski defekti kristala ZnO i kataliti~ke reakcije imaju prima-
ran uticaj na adsorpciju, pri ~emu postoji histerezis u odnosu na
grejanje i hla|enje. U intervalu 1 000 −1 200 K adsorpcija primarno
zavisi od unutra{njih defekata poluprovodnika ZnO. Tehnologija
izrade, konstrukcija, karakteristike i primena senzora zavise od
temperaturnog podru~ja u kome rade.
Ravnote`na adsorpcija gasova. Eksperimentalno dobijena
izoterma opisuje se pomo}u polinoma odre|enih empirijski. Naj-
poznatija je Frojndlihova (Freundlich) adsorpciona izoterma koja ima
oblik:
V =kp1/n (5.9)
gde je V koli~ina adsorbovanog gasa u molovima ili jedinicama
volumena na 1 cm2 posmatrane povr{ine, p pritisak i k konstanta.
Vrednost eksponenta n je naj~e{}e oko 0,5. Frojndlihova izoterma
daje dobre rezultate samo za male vrednosti parcijalnog pritiska gasa.
U skladu sa jedna~inom (5.9) trebalo bi da koli~ina adsorbovanog gasa
raste sve dok raste parcijalni pritisak p. Ali ~im se povr{ina prekrije
monomolekularnim slojem gasa, adsorpcija prakti~no prestaje bez
obzira na dalje pove}anje p, tako da se pri ve}im koncentracijama
javljaju velika odstupanja u odnosu na jedna~inu (5.9).
Langmuirova adsorpciona izoterma je ta~nija od Frojndlihove i

~esto se primenjuje u opisivanju procesa kod hemijskih senzora. Ova
izoterma dobijena je pod pretpostavkom da je u ravnote`nim uslovima
brzina adsorpcije vad [mol/s] jednaka brzini desorpcije vde. Za gas
parcijalnog pritiska p brzina adsorpcije proporcionalna je nepokri-
venom delu povr{ine senzora:
vad = k1 F (Vm − V ) p , (5.10)
a brzina desorpcije proporcionalna je pokrivenom delu povr{ine:

vde = k2 FV , (5.11)
gde su k1 i k2 konstante adsorpcije i desorpcije, F povr{ina senzora

otvorena za adsorpciju i Vm maksimalna koli~ina adsorbovanog gasa
koji u monomolekularnom sloju potpuno prekriva kontaktnu povr{i-
nu. Kada se izjedna~e ove brzine, dobija se analiti~ki oblik Langmu-
irove izoterme:
V k1 p
= . (5.12)
Vm k1 p + k2
Odnos V/Vm je pokrivenost − veli~ina koja odgovara delu povr{ine

pokrivene reaktantom i ozna~ava se sa θ, pri ~emu je 0≤ θ ≤1. Ako se jo{
uvede koeficijent ravnoteè adsorpcije a=k1 /k2, dobija se Langmuirova
izoterma u obliku:
ap
θ = . (5.13)
1 + ap
Kada je ap<<1, tada je povr{ina pokrivena reaktantom

proporcionalna parcijalnom pritisku: θ ≈ap. Ovo je veoma va`no za
proces adsorpcije na poluprovodniku jer se tada proporcionalno menja
neka njegova osobina, na primer elektri~na provodnost σ. Merenjem
provodnosti, zna~i, moè se odrediti parcijalni pritisak nekog gasa, tj.
koncentracija. Me|utim, kada je ap>>1, tada je kontaktna povr{ina
senzora skoro u celosti pokrivena, θ≈1, i senzor postaje neosetljiv.
Ravnote`na adsorpcija te~nosti. Za adsorpciju te~nih

smesa na povr{ini senzora primenjuje se Frojndlihova formula:
x = kC n , (5.14)
gde je x koli~ina adsorbovane te~nosti po jedinici mase adsorbensa, k

konstanta i n=0,1−0,5 eksponent. Pri malim koncentracijama c
jedna~ina (5.14) dobro se slaè sa eksperimentalnim rezultatima.
5.3. ELEKTRONSKA PROVODNOST I

DETEKCIJA
5.3.1. Povr{inska provodnost
Elektronski poluprovodnici su poluprovodnici n ili p−tipa
kod kojih su ve}inski nosioci elektroni odnosno {upljine, zavisno od
toga da li su primese donorske ili akceptorske. Ovi poluprovodnici
primenjuju se za detekciju gasova sa oksidacionim ili redukcionim
svojstvima kao {to su O2, H2, CO, CO2, NO2 ili ugljenovodonici.
Detekcija se zasniva na hemijskoj adsorpciji, bez u~e{}a katalizatora.
Preduslov je da se postigne odre|ena radna temperatura u intervalu
300−600 K, tj. potrebna energija aktivacije.
Pri hemijskoj adsorpciji menja se elektri~na otpornost
poluprovodnika, u op{tem slu~aju impedansa, proporcionalno parci-
jalnom pritisku merenog gasa. Kao {to se vidi, to je bipolarni element
sa strukturom koja se sastoji od dveju metalnih elektroda izme|u kojih
je osetljivi sloj izgra|en na izolovanom supstratu (slika 5.5.a).
Promena otpornosti detektuje se priklju~ivanjem elementa u odgova-
raju}u mosnu {emu ili pomo}u struje, pri ~emu je element priklju~en
na jednosmerni ili naizmeni~ni naponski izvor. Ekvivalentna {ema
prikazana na slici 5.5.b sastoji se od:
• povr{inske otpornosti i kapacitivnosti Rp i Cp koji se odnose na
tanki senzorski sloj paralelan sa povr{inom u kontaktu sa
merenom atmosferom;
• otpornosti Ru i kapacitivnosti Cu unutra{njosti poluprovodnika;
• otpornosti Ri i kapacitivnosti Ci na dodiru, interfejsu izme|u
osetljivog i izolatorskog sloja;;
• otpornosti i kapacitivnosti kontakata Rk1,Ck1 i Rk2,Ck2.
Kod hemijske adsorpcije bez unutra{njih efekata dominantna je

promena povr{inske provodnosti Rp. Tada Ru i Ri ostaju prakti~no
konstantni jer koncentracija primesa u unutra{njosti ne zavisi od
koncentracije merenog gasa. Da bi se izdvojio mereni signal, tj.
lokalizovala otpornost Rp, potrebno je da povr{ina jednog kontakta i
senzorskog sloja bude manja od povr{ine tog sloja sa drugom
elektrodom.
Rp
NO2 CO CO2 O2 SLOBODNE
ÊSTICE GASA
Cp
- ADSORBOVANI
e -
e JONI
Cu
Ck1 Ck2
POVR[INSKA
PROVODNOST . . . .
Rk1 Ru Rk2
UNUTRA[NJA
POLUPROVODNIK PROVODNOST Ci
IZOLATOR
Ri
OSNOVA
a) b)
Slika 5.5. Senzor gasa sa hemijskom adsorpcijom: a) struktura,
b) ekvivalentna {ema
Napajanje senzora je jednosmerno ili naizmeni~no. Jedno-

smerno napajanje je jednostavnije jer se na taj na~in zanemaruju svi
kapacitivni elementi u ekvivalentnoj {emi 5.5.b. Efekti polarizacije na
elektrodama mogu zna~ajno da uti~u na ta~nost merenja otpornosti
senzora, pa se radi eliminacije tog uticaja tada primenjuje naizmeni~no
napajanje.
Hemijska adsorpcija pra}ena je prelazom elektrona, odnosno
prenosom naelektrisanja, zbog ~ega i dolazi do promene otpornosti.
Prenos naelektrisanja izme|u adsorpcionog kompleksa i poluprovod-
nika je donorski kada elektron ulazi u poluprovodnik, a u suprotnom
slu~aju je akceptorski. Pojave koje se pri tome de{avaju mogu se
objasniti pomo}u energetskog dijagrama. Poznato je da se Fermijev
nivo EF [eV] kod ~istog poluprovodnika nalazi na sredini zabranjene
zone EG =EC−EV, tj. izme|u provodne i valentne zone. Donorske
primese pomeraju EF bliè EC (n-tip poluprovodnika) dok ga
akceptorske pomeraju bliè EV (p-tip poluprovodnika). Na primer,

poluprovodnik SnO2 koji se veoma ~esto upotrebljava za izradu
senzora gasova je n-tipa i kod njega je poloàj Fermijevog nivoa
odre|en donorskim ED i akceptorskim nivoom EA , tj. defektima u
unutra{njosti poluprovodnika (slika 5.6.a). Energija potrebna da se
elektron sa Fermijevog nivoa premesti u vakuum gde }e da miruje je
izlazni rad Φ [eV] ~ija vrednost zavisi od primesa u poluprovodniku
kao i kontaminacije na povr{ini, a energija koja se adsorbuje ili otpu{ta
kada se elektron vezuje za neutralni atom ozna~ava se elektronski
afinitet χ [eV].
Evac
∆χ
Evac
χ
χ
EC gas
X
∆σ<0 −e∆Vp
EF
∆ >0
ENERGIJA ELEKTRONA
fiz −e
(X )
LD
EV
REDUKCIJA GUSTINE ELEKTRONA

U ODNOSU NA UNUTRA[NJOST
POLUPROVODNIKA
POLUPROVODNIK GAS POLUPROVODNIK

(AKCEPTOR)
a) b)
Slika 5.6. Energetski dijagram: a) neutralnog poluprovodnika,
b) poluprovodnika pri hemijskoj adsorpciji
Neutralno stanje na povr{ini poluprovodnika moè da traje samo

trenutno. Delovanjem fizi~ke adsorpcije molekuli gasne faze Xgas ~ija se
koncentracija meri dolaze u stanje Xfiz koje je preduslov za hemijsku
adsorpciju (slika 5.6.b). Molekuli gasa su tada toliko blizu povr{ine da
se energetski nivoi molekula gasa i poluprovodnika prekrivaju {to
omogu}ava hemijsku adsorpciju, tj. reakcije pra}ene razmenom
elektrona. Na povr{ini poluprovodnika uspostavlja se odre|ena
gustina adsorbovanih molekula koji su donori elektrona (redukcioni
agensi, npr. vodonik) ili akceptori elektrona (oksidacioni agensi, npr.
kiseonik). Adsorbovani molekuli predstavljaju povr{inske centre za

razmenu elektrona sa unutra{njo{}u poluprovodnika. Pozicija centra
na povr{ini poluprovodnika Epp u odnosu na EF zavisi od afiniteta
centra prema elektronima. Ako je afinitet slab, Epp je ispod EF i dava}e
elektrone, kao {to je slu~aj kod vodonika. Povr{inski centri kao
kiseonik imaju jak afinitet i izvla~e elektrone iz poluprovodnika jer je
Epp iznad EF (akceptorska razmena elektrona).
Promena povr{inske provodnosti. Kod akceptorske razmene
prikazane na slici 5.6.b elektron sa nivoa Epp vezuje se za neutralni
molekul koji tako postaje negativno naelektrisani jon (Xad)−e, a to zna~i
smanjenje povr{inske provodnosti poluprovodnika:
∆σ phem = ∆n eµ pe + ∆p eµ ph , (5.15)
gde su ∆n i ∆p broj razmenjenih elektrona i {upljina na jedinicu

povr{ine, µpe i µph pokretljivost elektrona i {upljina na povr{ini i e
naelektrisanje elektrona. Moè se smatrati da je pokretljivost nosilaca
naelektrisanja na povr{ini poznata jer je pribli`no ista kao u
unutra{njosti poluprovodnika: µpe≈µe i µph≈µh. Osim toga, doprinos
{upljina ∆p provodnosti ∆σphem zanemarljivo je mali jer je polupro-
vodnik SnO2 n−tipa. Pri smanjenju koncentracije merenog gasa na
povr{ini poluprovodnika odvija se reverzibilni proces i elektron sa jona
prelazi u poluprovodnik: Xad +e− ' (Xad) − e. U ravnote`nom stanju
promena povr{inske otpornosti zbog hemijske adsorpcije proporci-
onalna je broju elektrona ∆n koji su u~estvovali u razmeni, odnosno
broju adsorbovanih ~estica nad na jedinicu povr{ine:
∆σ phem = ∆n eµ e = k∆n = k1 nad , (5.16)
gde koeficijent proporcionalnosti k1 zavisi od gasa.

Za jonizaciju adsorbovanih ~estica, molekula, naj~e{}e treba r
elektrona: Xad +re− ' (Xad) − re, pa je ukupan broj razmenjenih elektrona
nelinearna funkcija adsorbovanih ~estica: ∆n=(nad)1/r. Kako broj
adsorbovanih ~estica zavisi od parcijalnog pritiska p, tj. od
koncentracije tog gasa c, kona~no se ima da je:
( )
∆σ = k n ad
1/r
≈ Kp1 / r , (5.17)
gde koeficijent proporcionalnosti K i eksponent r zavise od gasa.
-6 -1
∆ [10 Ω ] ∆ [meV]
−5 200
−4 VAN DER MOSFET

POOVA SONDA 150 SONDA
SnO2
−3 U I
100 D S
n n
−2 OKSID
p
OSNOVA
SnO2 50 ELEKTRODA
−1 OSNOVE
NO2 [ppm]
p [ppm] p
NO2
0 0
1 10 1 10
a) b)
Slika 5.7. Oksid SnO2 pri hemijskoj adsorpciji NO2 u vazduhu:
a) merenje povr{inske provodnosti, b) merenje izlaznog rada
Merenje povr{inske provodnosti (otpornosti) provodi se na

osnovu modifikovane UI-metode pomo}u Van der Poove sonde. Sonda
ima ~etiri omska priklju~ka radi smanjenja uticaja otpornosti
kontakata na ta~nost merenja. Oksid SnO2 je poluprovodnik n−tipa, pa
}e provodnost ∆σ da se smanjuje sa pove}anjem parcijalnog pritiska
gasa. Na primer, za pNO2 zavisnost ima oblik korenske funkcije:
∆σ =pNO21/2 (slika 5.7.a). Treba napomenuti da se ova merenja izvode u
mraku kako bi se izbegao uticaj fotootporni~kog efekta i na konstan-
tnoj temperaturi da bi se izbegle termootporni~ke promene.
Hemijska adsorpcija ograni~ena je na povr{inski sloj debljine oko

1 µm. Da bi promena povr{inske otpornisti bila merljiva u prakti~nom
smislu, potrebno je da poluprovodnik ima izrazitu poroznost (veliki
odnos izme|u povr{ine i zapremine).
Prakti~ni aspekti. Promena gustine naelektrisanja, tj. broja

elektrona ∆n koji je razmenjen hemisorpcijom u povr{inskom sloju
poluprovodnika ra~una se kao integral razlike:
z
∆n = ∫ [n( z) − n ]dz
2
u elektrona/cm
0
(5.18)
gde je nu [elektrona/cm3] gustina primesa u unutra{njosti polupro-
vodnika koja nije zahva}ena hemisorpcijom.
Pomo}u jedna~ine (5.15) za specifi~nu provodnost i jedna~ine

(5.18) za broj razmenjenih elektrona moè se izra~unati ukupna
promena povr{inske provodnosti za senzor {irine W i duìne L:
∆σ p W ∆neµ e W
∆Gp = = . (5.19)
L L
Za poluprovodnik n-tipa (SnO2) provodnost opada {to je
koncentracija akceptora elektrona (npr. kiseonika) ve}a, a raste sa
pove}anjem koncentracije donora (npr. vodonika). Suprotna je pojava
kod poluprovodnika p-tipa (CoO): provodnost raste kada se
koncentracija akceptora pove}ava, a opada sa pove}anjem kon-
centracije donora. Za prakti~na merenja potrebno je da osetljivost
∆Gp/Gu, promena provodnosti u odnosu na provodnost senzora koji nije
izloèn hemisorpciji, bude {to ve}a. Za hemijski neoptere}en tanko-
slojni senzor debljine d provodnost je:
nu eµ e Wd
Gu = , (5.20)
L
pa je osetljivost:
∆Gp ∆n
= . (5.21)
Gu nu d
Osetljivost je ve}a {to su nu i d manji. Za tipi~ne vrednosti

∆n=1012 elektrona/cm2, nu=1017 elektrona/cm3 i d=100 µm, dobija se da
je ∆Gp /Gu =10−3 − {to je relativno malo. Kada je ceo senzor zahva}en
hemisorpcijom, tada je ∆Gp /G u =1 i tome odgovara debljina senzorskog
sloja d=0,1 µm. Kao grani~na vrednost obi~no se uzima da je d=1 µm.
5.3.2. Promena izlaznog rada poluprovodnika

Najva`nije veli~ine pomo}u kojih se opisuje prenos naelektri-
sanja na povr{ini poluprovodnika su: povr{inska provodnost σphem,
izlazni rad Φ , afinitet χ, dipolni moment µ ad , broj adsorbovanih
~estica gasa nad, pokrivenost θ, aktivaciona energija qad i drugi.
Promena izlaznog rada. Zbog gubitka elektrona pri hemijskoj
adsorpciji energetski dijagram na povr{ini poluprovodnika se menja;
granice zabranjene zone se savijaju i izlazni rad na povr{ini je Φ′.

Promena izlaznog rada u odnosu na neutralno stanje Φ je
,
− + , (5.22)
gde je ∆χ promena elektronskog afiniteta zbog toga {to akceptori mogu

imati izvesni dipolni moment i −edVp savijanje zabranjene zone na
povr{ini. Vp je kontaktni potencijal koji }e se menjati zavisno od
ukupno razmenjenog naelektrisanja, tj. koncentracije odre|enog gasa.
Pri ravnoteì spoja poluprovodnik−gas izjedna~ena je potencijalna
energija molekula i energija elektrona u odnosu na nivo Vpp. Napon
izravnavanja spoja VFB (flat−band voltage) jednak je promeni izlaznog
rada: VFB =∆Φ.
Iz jedna~ine (5.22) vidi se da je elektrostati~ka sila kojom se jon

(Xad)−e drì za povr{inu jednak razlici elektronskog afiniteta
komponente koja reaguje i izlaznog rada elektrona. Promena izlaznog
rada meri se pomo}u sonde na bazi MOSFET tranzistora. Normalni
MOSFET ima integrisanu elektrodu gejt, a kod sonde njenu ulogu ima
povr{ina ispitivanog poluprovodnika. Kada se sonda prinese dovoljno
blizu (<0,5 mm), razlika potencijala izme|u povr{ine uzorka i sonde
stvara elektri~no polje koje moduli{e provodnost n-kanala. Sonda meri
izlazni rad uzorka u odnosu na izlazni rad sonde ΦU=E+ΦS, pa se zato
merenje najjednostavnije provodi nul-metodom promenom predna-
pona na uzorku E. Napon izme|u drejna i sorsa je mali (VDS<0,2V)
zbog linearnijeg odziva i zanemarljivih Dùlovih gubitaka. Na slici
5.7.b prikazana je zavisnost ∆Φ od pNO2 za poluprovodnik SnO2.
Promena afiniteta. Molekuli koji u~estvuju u hemijskoj

adsorpciji mogu da imaju odre|eni dipolni moment µ ad = Qr, koji se
ra~una na osnovu poznate gra|e molekula (Q − ukupno naelektrisanje
u molekulu, r − udaljenost izme|u teì{tâ naelektrisanja). Dipolni
moment se pripisuje hemijskom afinitetu tako da je:
n . (5.23)
Postojanje dipolnog momenta uve}ava izlazni rad elektrona na

povr{ini poluprovodnika, kao {to je prikazano na slici 5.6 i u jedna~ini
(5.22).
Adsorpciona izoterma nad (p)T = const opisuje broj adsorbovanih

~estica gasa na jedinicu povr{ine ili pokrivenost povr{ine θ. Odre|uje
se eksperimentalno pri ravnoteì adsorpcije i desorpcije odre|ene
komponente gasa na temperaturi T i parcijalnom pritisku p.
Aktivaciona energija adsorpcije Ea moè se odrediti kao

toplota adsorpcije pri izotermskoj promeni:
 ∂ ln p 
q ad = − R  . (5.24)
 ∂(1 / T )  nad
Primena katalizatora. Na poluprovodnik koji sluì kao senzor
odre|enog gasa dodaje se katalizator od plemenitog metala radi
pobolj{anja selektivnosti i osetljivosti, kao i radi smanjenja radne
temperature. Elektri~ni greja~ je sme{ten ispod osetljivog sloja i
odgovaraju}im sistemom regulacije odràva se konstantna vrednost
radne temperature da bi se spre~ile temperaturne promene otpornosti.
Na slici 5.8.a prikazana je zavisnost osetljivosti od temperature i
katalizatora Pt, Pd i Ir za SnO2 koji meri 100 ppmCH4. Osetljivost je
data kao relativna promena provodnosti senzora ∆G/G0%, gde je G0
provodnost na datoj temperaturi u referentnoj atmosferi koja ne
sadrì CH4, a ∆G promena zbog prisustva 100 ppmCH4. Sa porastom
temperature pove}ava se aktivnost katalizatora i osetljivost raste do
maksimalne vrednosti (∆G/G0%)max, a zatim opada jer katalizator zbog
pove}ane aktivnosti sve vi{e vezuje kiseonik smanjuju}i tako lokalni
pritisak redukcijskog gasa CH4 i ograni~avaju}i njegovu difuziju. Tem-
peratura na kojoj se javlja maksimalna osetljivost zavisi od vrste gasa,
senzora i katalizatora.
Vi{a radna temperatura doprinosi brèm odzivu senzora na
dinami~ke promene jer se tada ubrzavaju povr{inska difuzija i
kataliti~ke hemijske reakcije u kojima u~estvuje mereni gas. U tom
smislu dopiranje poluprovodnika kataliti~kim primesama deluje na
smanjivanje vremena odziva. Osim toga, vreme odziva na skokovitu
promenu koncentracije gasa eksponencijalno se smanjuje sa porastom
koncentracije, tj. sa brzinom difuzije. Iz ovih razloga ~esto se za
procenu vremena odziva uzima t1/2, vreme potrebno da izlaz dostigne
polovinu kona~ne stacionarne vrednosti nakon {to se koncentracija
merenog gasa promeni skokovito. Kao primer na slici 5.8.b prikazana
je promena t1/2 u zavisnosti od koncentracije c pare etanola koja se meri
senzorom od bizmut-gvo`|e-molibdata (Bi3FeMo2O12). Eksperi-

mentalno dobijena funkcija t1/2 =kca predstavljena je u log−log
koordinatnom sistemu. To je pravac sa nagibom a=−0,5 kada nema
katalizatora, odnosno sa nagibom a=−0,2 kada se poluprovodnik
dopira sa 21% Pt. To zna~i da katalizator povoljno deluje na
smanjivanje zavisnosti brzine odziva od koncentracije.
% 200 s 3
1%Pd
160 BEZ ADITIVA
140
2
RELATIVNA OSETLJIVOST, ∆G/G0
SA DODATKOM
120 21%Pt
VREME ODZIVA, logT1/2
80
1
BEZ ADITIVA
1%Pt
40
1%Ir
0
100 200 400 600 800 0 1 2 3 4
o
TEMPERATURA, T C KONCENTRACIJA, logc ppm
a) b)
Slika 5.8. Uticaj katalizatora: a) promena osetljivosti SnO2 pri merenju 100 ppmCH4,
b) vreme dostizanja 50% izlaza u funkciji koncentracije pare etanola na 500oC
Tipi~ni senzori na bazi povr{inske provodnosti poluprovodnika

n ili p-tipa prave se kao otpornici, kondenzatori i diode ~ije se UI-
-karakteristike menjaju zavisno od koncentracije merenog gasa.
5.3.3. Unutra{nja provodnost

Unutra{nji defekti. Na temperaturi iznad 700 oC elektro-
hemijske redoks-reakcije izme|u gasa i poluprovodnika odvijaju se
u sloju koji je znatno deblji od 1 µm. Provodnost na povr{ini
poluprovodnika tada se zanemarljivo malo menja u pore|enju sa
provodno{}u u unutra{njosti. Razlog je {to su elektrohemijske
reakcije na povr{ini pra}ene promenom stehiometrije u unutra{njosti.
Kakve }e te promene biti zavisi od prirode reakcije, radne
temperature i primesa koje uti~u na elektronske osobine i

mikrostrukturu poluprovodnika. Najpoznatiji poluprovodnik sa
ovakvim na~inom rada su SnO2, TiO2 i BaTiO3.
Sve dok se ne naru{i stehiometrija jednak je broj elektrona e i
{upljina h kao slobodnih nosilaca naelektrisanja. Ako mereni gas
reaguje sa primesama u unutra{njosti, stvara}e se novi slobodni
elektroni ili {upljine i provodnost }e poprimiti novu vrednost. Klju~nu
ulogu pri tome ima kiseonik jer se uticaj ve}ine drugih gasova na
provodnost senzora moè pratiti preko redoks-reakcija u kojima je
opet najva`nije pona{anje kiseonika.
Delovanje kiseonika na otpornost. Atomi kiseonika 1/2O2 iz
vazduha prodiru u poluprovodnik i reaguju sa donorskim defektima.
Kod poluprovodnika n−tipa kao {to je SnO2, pri malim vrednostima
parcijalnog pritiska kiseonika pO2 ova reakcija odvija se u dve etape; u
toku adsorpcije kiseonik se najpre jonizuje vezuju}i za sebe slobodne
elektrone: 1/2O2+2e−→O2−, a zatim se jon O2− rekombinuje sa donor-
skim defektom, tzv. kiseoni~nom {upljinom tako da se formira
kiseonik u kristalnoj re{etki OO: O2−+VO2+ ' OO. Treba primetiti da
ukupna reakcija izme|u kiseonika i {upljine deluje kao zamka koja
zadràva elektrone:
1 2 O 2 + 2e − + VO2 + ' O O , (5.25)
zbog ~ega nastaje elektronska vodljivost. Na osnovu jedna~ine (5.5)

ravnote`na konstanta reakcije je:
[ ]
K = pO 2
1/2
[ ] ⋅ [V ],
⋅ e−
2 2+
O (5.26)
gde je pO21/2 parcijalni pritisak kiseonika u ravnoteì sa datim

poluprovodnikom. Zbog elektri~ne ravnoteè odnos izme|u koncen-
tracije kiseoni~nih {upljina i koncentracije elektrona je [VO2+] =[2e−],
tako da se ravnote`na konstanta moè napisati u obliku
K=[pO2]1/2⋅[e−]2⋅[2e−]. Odavde se lako dobija da je koncentracija
slobodnih elektrona nelinearna funkcija parcijalnog pritiska kiseonika:
[e−]∼pO2−1/6, odnosno da je provodnost:
σ ∼ p-1/6
O2 . (5.27)
Sa porastom parcijalnog pritiska kiseonika od 10−20 bar

provodnost postepeno opada do minimalne vrednosti. Pri daljem
porastu pritiska nastaje reakcija u kojoj se generi{u slobodne {upljine
h+, ~ija je koncentracija W cm

-1 −1
po analogiji sa pre-
−1/6
thodnom jedna~inom −1
10 − 1/
4
[h+]∼pO2+1/6. Eksperimen- +1/4 1000 oC
−2
talno je ustanovljeno da 10
minimalna vrednost pro-

−3
vodnosti pri prelazu 10
s
PROVODNOST,
n−tipa poluprovodnika u − 1/
−4 4 600 oC
10
p−tip zavisi od radne
temperature i pO2, kao −5
10
−20 −10 0
{to je prikazano na slici 10 10 10
PARCIJALNI PRITISAK, pO bar
5.9 za poluprovodnik 2
BaTiO3. Slika 5.9. Ravnote`na provodnost

za BaTiO3
5.4. JONSKA PROVODNOST

5.4.1. Poluprovodni~ki elektroliti
Jonska provodnost karakteristi~na je za te~ne elektrolite, ali
se javlja i u poluprovodnicima amorfne kristalne strukture. Kod te~nih
elektrolita u prenosu naelektrisanja podjednako u~estvuju anjoni i
katjoni, a kod poluprovodni~kih elektrolita kre}u se samo nosioci
jednog polariteta dok su nosioci suprotnog polariteta fiksirani u
kristalnoj re{etki. Joni gasa se kre}u u poluprovodniku zahvaljuju}i
slobodnim centrima koji nastaju zbog strukturnih poreme}aja i
defekata kristalne re{etke. Elementarno kretanje jona odvija se ka
najbliìm slobodnim centrima u diskretnim skokovima kroz
energetsku barijeru, a progresivno kretanje odvija se difuzijom kao
posledica gradijenta koncentracije ili migracijom pod delovanjem
vanjskog elektri~nog polja.
Jonska provodnost poluprovodnika moè se zapisati na sli~an
na~in kao i provodnost koja je rezultat pokretljivosti elektrona ili
{upljina:
σ = czqµ , (5.28)
gde su: c koncentracija, z naelektrisanje i µ mobilnost jona, a q
jedini~no naelektrisanje.
Mobilnost µ i koeficijent difuzije D povezani su Nernst-

-Ajn{tajnovom relacijom:
µkT
D= , (5.29)
zq
gde je k Bolzmanova konstanta i T apsolutna temperatura.
Koeficijent difuzije D menja se u zavisnosti od temperature:
Ea
−
D = D0 e kT , (5.30)
pri ~emu je D0 faktor koji zavisi od frekvencije sudara, od kvadrata
rastojanja ekvivalentnog elementarnom skoku i od vrste defekta, a Ea
je energija aktivacije.
Eliminacijom koeficijenta difuzije D i mobilnosti jona µ iz
prethodne tri jedna~ine dobija se jonska provodnost poluprovodnika u
obliku:
cD0 (zq ) − kTa
2 E
σ = e . (5.31)
kT
Temperaturna zavisnost provodnosti tipi~nih polupro-
vodni~kih elektrolita prikazana je na slici 5.10.a. Radi pore|enja data
je i provodnost rastvora sumporne kiseline. Treba napomenuti da je u
prethodnim razmatranjima prenos naelektrisanja elektronima
prakti~no zanemarljiv, odnosno da je ukupna provodnost jonska:
σjon /σ total ≈1.
−1 −1 pO [bar]
σ[Ω cm ] 2
10
10 PROVODNOST
α−AgI Rb4Cu16I7Cl13
0
[UPLJINA
10
0
10
OBLAST
RbAg4I5
−10 JONSKE
−2 10 PROVODNOSTI
10
β−Na2O 11Al2O3
ThO2(75%Y2O3) −20
ZrO2(10%Y2O3) 10
−4
10 PROVODNOST
−30
10 ELEKTRONA
β−AgI ο ο
−6 T[ C] −40 2000 1000 600 T[ C]
10 10
1000 500 100 0 −1 −1 −1 −1
T 1000[K ] T 1000[K ]
1 2 3 4 0,4 0,6 0,8 1 1,2
a) b)
Slika 5.10. Poluprovodni~ki elektroliti: a) temperaturna zavisnost provodnosti,
b) kiseoni~na provodnost
5.4.2. Poluprovodni~ki elektroliti u tehnici senzora

Provodnici jona kiseonika O− ili O2− su ~vrsti rastvori oksida
sa karakteristi~nom strukturom fluorita. Najpoznatiji elektroliti ove
vrste su cirkonijum-dioksid (ZrO2), hafnijum-dioksid (HfO2), torijum-
dioksid (ThO2), cezijum-dioksid (CeO2). Samo ThO2 i CeO2 egzistiraju u
fluoritnoj fazi bez rastvara~a i to na visokoj temperaturi iznad 2300 oC.
Ve}ina oksida mora da se rastvori pomo}u oksida neke druge valencije
da bi njihova fluoritna faza bila stabilna. Na primer, stabilizovani
cirkonijum dobija se ve} na temperaturi iznad 500 oC rastvaranjem sa
CaO. Tom prilikom dvovalentni katjoni kalcijuma Ca zauzimaju mesto
~etverovalentnog cirkonijuma Zr u kristalnoj re{etki, ali zbog
nepopunjenih valentnih veza nastaju jonske {upljine, kiseoni~ne
{upljine VO2+, {to se opisuje jedna~inom:
CaO + ZrZr + 2OO = Ca Zr 2 + + VO 2 + + ZrO2 , (5.32)
gde ZrZr ozna~ava atom Zr na svom mestu u re{etki, a CaZr2+ ozna~ava

atom Ca na mestu Zr. Radi elektri~ne ravnoteè centra gde se smestio
kalcijum u jedna~ini mora da se napi{e oznaka za {upljinu VO2+. Ve}a
koncentracija ovako nastalih kiseoni~nih {upljina, tj. jona VO2+, kao i
porast temperature uti~u na pove}anje jonske provodnosti saglasno
jedna~ini (5.29). Na datoj temperaturi koncentracija kiseoni~nih
{upljina je konstantna: [ VO2+ ] = const. Zahvaljuju}i ovim {upljinama
omogu}eno je kretanje jona kiseonika kroz takav elektrolit. Naime,
joni O2− koji nastaju na kontaktu gasne faze, elektrode i elektrolita
rekombinuju se sa {upljinama i progresivno kre}u kroz elektrolit
difuzijom ili migracijom.
Treba naglasiti da jonska provodnost na bazi jona O2− postoji

samo u odre|enom podru~ju parcijalnog pritiska kiseonika,
karakteristi~nom za datu temperaturu (slika 5.10.b). To je zbog toga
{to kiseonik moè da difundira kroz poluprovodni~ki elektrolit. U
takvom poluprovodniku osim kiseoni~nih {upljina ima i slobodnih
nosilaca naelektrisanja, elektrona e i {upljina h, ~ija je koncentracija u
ravnote`nom, stehiometrijskom stanju jednaka. Ako pO2 ima malu
vrednost, kiseonik se u toku difuzije jonizuje vezuju}i za sebe slobodne
elektrone, 1/2O2+2e− ' O2−, a zatim se kao jon rekombinuje sa
kiseoni~nom {upljinom i formira kiseonik na svom normalnom mestu
u re{etki: O2−+VO2+ ' OO. Ukupna reakcija izme|u kiseonika i {upljine

deluje kao zamka koja zadràva elektrone:
1 2 O 2 + 2e − + VO2 + ' O O , (5.33)
zbog ~ega nastaje elektronska vodljivost. Na osnovu zakona o

odràvanju mase jedna~ina ima oblik:
[p ] ⋅ [V ]⋅ [e ]
O2
12 2+
O
− 2
' k1 , (5.34)
gde je pO21/2 parcijalni pritisak kiseonika u ravnoteì sa ZrO2 i k1

konstanta reakcije. Kako je koncentracija kiseoni~nih {upljina
konstantna, [VO2+] =const, dobija se da je koncentracija slobodnih
elektrona nelinearna funkcija parcijalnog pritiska kiseonika:
[e ] = k ⋅ p
− -1/4
O2 . (5.35)
Kada pO2 ima veliku vrednost, u interakciji kiseonika i

kiseoni~nih {upljina generi{u se slobodne {upljine h+, ~ija je kon-
centracija po analogiji sa jedna~inom (5.31):
[h ] =
+
k ⋅ p1/4
O2 . (5.36)
Prema tome, poluprovodnik ZrO2 je provodnik jona O2− na datoj

temperaturi samo unutar odre|enog opsega vrednosti pO2 (slika
5.10.b).
Provodnici jona natrijuma Na+. Najpoznatiji poluprovodni~ki
elektrolit ovoga tipa je β -alumina ~ija je formula od Na2⋅5Al2O3 do
Na2⋅9Al2O3, a primenjuje se na temperaturi 300−400 oC. Tako|e se
primenjuje i kompozit Na1+xZr2SixP3−xO12, gde x ima vrednost u
intervalu 0−3. Za x=3 dobija se kompozit poznat pod komercijalnim
nazivom nasikon (Natrium Super Ion Conductivity).
Elektroliti sa jonima Na+ imaju specifi~nu kristalografsku
strukturu u kojoj se javljaju dva razli~ita centra, Na1 i Na2, koji
omogu}avaju hemijsku interakciju mobilnih katjona ili njihovu
interakciju sa fiksiranim anjonima du` provodnih puteva Na2−Na2 ili
Na2−Na1−Na2.
Protonski provodnici su poluprovodnici u kojima se pro-
vodnost menja zahvaljuj}i protonima, jonima vodonika H+. U ovu
grupu spadaju oksidi tipa perovskit SrCe0,95M0,095O3−x (na mestu M stoji
Y, Yb ili Sc), poluprovodni~ki polimer tipa nafion, jon-izmenjiva~ka

keramika i dr.
Prenos jona kod protonskih poluprovodnika odvija se na razli~ite
na~ine. Naj~e{}e se protoni H+ transportuju kao hidratisani joni H3O+
zajedno sa vodom: H3O+/H2O, ili poliatomski protonski nosioci kao
H3O+ i NH4+ migriraju pod delovanjem vanjskog elektri~nog spolja, ili
dolazi do skokovitog prelaza protona na slobodne centre.
Provodnici jona kalijuma Na+, kibinskit K2ZrSi2O7 i vadeit

K2ZrSi3O9, rade na principu izmenjiva~a jona, lako se nanose u tankom
sloju koji je izdr`ljiv jer poprima mehani~ku ~vrstinu kerami~ke
podloge.
Tipi~ni senzori na bazi poluprovodni~kih elektrolita prave se

kao elektrohemijske }elije potenciometrijskog ili amperometrijskog
tipa. Kod potenciometrijskih senzora izlazni signal je elektromotorna
sila proporcionalna logaritmu parcijalnog pritiska merenog gasa i
nezavisna od veli~ine senzora, a kod amperometrijskih senzora izlazni
signal je struja proporcionalna parcijalnom pritisku gasa.
5.5. ME[OVITA PROVODNOST

Me{oviti elektroliti su oksidi ~ija je elektri~na provodnost
elektronska i jonska. Ova osobina je izrazita za senzore gasova koji
rade na temperaturi iznad 700 oC, a napravljeni su od oksida TiO2,
Ga2O3, SrTiO3, ZrO2 i dr.
Kada je temperatura manja od 700 oC, kao {to je obja{njeno, u
reakcijama hemijske adsorpcije gasa na povr{ini senzora u~estvuju
nosioci naelektrisanja − elektroni (e−) ili joni (O2−, Na+, H+). Uvek je
dominatna jedna vrsta nosilaca, pa je provodnost elektronska ili
jonska. Reakcija se prati kao promena provodnosti koja se meri
paralelno ili normalno u odnosu na kontaktnu povr{inu (slika 5.11.a).
Radi selektivnosti i ubrzavanja reakcije kontaktna elektroda je od
kataliti~kog metala. Metal je nanet u tankom sloju, bez difuzije ~estica
metala u poluprovodnik, pa je takav kontakt [otkijev.
Na temperaturi iznad 700 oC, me|utim, utvr|eno je da
koncentracija jona merenog gasa na povr{ini poluprovodnika ima ve}i
iznos nego {to se to moè obrazloìti prethodnim tuma~enjima.

Karakteristi~ne pojave u ovom slu~aju mogu se ilustrovati na primeru
detekcije kiseonika O2 pomo}u titanijum-dioksida TiO2 (slika 5.11.b).
Kataliti~kom reakcijom na platini ubrzava se hemijska adsorpcija
kiseonika, tj. formiranje njegovih jona: O2+e− ' O2−. Joni O2− prelivaju
se sa platine u osnovu i tu se rekombinuju sa kiseoni~nim {upljinama
VO2+ i formiraju kiseonik OO na svom normalnom mestu u re{etki. TiO2
je ~isti poluprovodnik n-tipa i postavlja se pitanje kako nastaju
kiseoni~ne {upljine. One nastaju zbog transformacije [otkijevog
kontakta Pt/TiO2 u omski. Usled zagrevanja sa platine se odvajaju joni
Pt2+, prodiru ispod povr{ine TiO2 i stabilizuju kao joni Pt4+. Joni Pt4+ su
manji od atoma Pt0 i jona Pt2+; zato mogu da se na|u ispod povr{ine i
deluju kao donori izme|u povr{inskog i unutra{njeg sloja. Zbog
promene karaktera kontakta Pt/TiO2, prelaska sa [otkijevog na omski
kontakt, razmena naelektrisanja u povr{inskoj reakciji O2+e− ' O2−
manja je od razmene naelektrisanja u unutra{njosti poluprovodnika u
reakciji 1/2O2+VO2+ +2e− ' OO.
I I
[OTKIJEV OMSKI
KONTAKT KONTAKT
O2 O2
Pt 2+ O
O2 O2
4+
Pt
VO2+ VO2+
OMSKI OMSKI
U KONTAKT U KONTAKT
POVR[INSKA I REAKCIJA U I
REAKCIJA: UNUTRA[NJOSTI:
− 2+ −
O2+e O2 1/2O2+VO +2e OO
U U
a) b)
Slika 5.11. Senzori gasova: a) princip povr{inske reakcije, b) princip reakcije
unutar poluprovodnika
U skladu sa opisanom promenom dobija se druga~ija UI

karakteristika, odnosno zavisnost otpornosti od koncentracije
kiseonika. Me{oviti poluprovodnici primenjuju se za merenje
koncentracije gasova u {irokom opsegu. Pri malim vrednostima
parcijalnog pritiska dominatnu ulogu ima elektronska provodnost, a
pri ve}em parcijalnom pritisku jonska.
LITERATURA
1. D.K.Reinhard: „Introduction to integrated circuit engineering“, Houghton
Mifflin Company, Boston, 1995.
2. M.J.Cooke: „Semiconductor devices“, Prentice-Hall, New York, 1990.
3. J.Janata: „Principles of chemical sensors“, Plenum press, New York and
London, 1989.
4. A.A.Saaman, P.Bergveld: „A classification of chemically sensitive semi-
conductor device“, Sensors&Actuators, Vol.7, No.2 (75−87), 1985.
5. F.Winquist, I.Lundström: „Thin metal film−oxide−semiconductor struc-
tures with temperature-dependent sensitivity for unsaturated hydrocar-
bons“, Sensors&Actuators, Vol.12, No.3 (255−201), 1987.
6. A.Spetz, M.Armgarth, I.Lundström: „Optimization of amonia-sensitive
metal−oxide−semiconductor structures with platinum gates“, Sen-
sors&Actuators, Vol.11, No.4 (349−365), 1987.
7. A.Sibbald: „A chemical-sensitive integrated circuit: the operational
transducer“, Sensors&Actuators, Vol.7, No.1 (23−38), 1985.
8. K.S.Yoo, H.J.Jung: „Gas characteristics of semiconducting materials based on
In2O3 depending on composition changes“, Sensors&Actuators, Vol.12, No.3
(285−290), 1987.
9. S.Yasunaga, S.Sunahara, K.Ikohura: „Effects of tetraethyl orthosilicate
binder on the characteristics of an SnO2 ceramic-type semiconductor gas
sensors“, Sensors&Actuators, Vol.9, No.2 (133−145), 1986.
10. G.S.V.Coles, K.J.Gallagher: „Fabrication and preliminary tests on tin(IV)
oxide−based gas sensors“, Sensors&Actuators, Vol.7, No.2 (89−96), 1986.
11. G.Heiland, D.Kohl: „Problems and possibilities of oxidic and organic
semiconductor gas sensors“, Sensors&Actuators, Vol.8, No.3 (227−233), 1985.
12. M.Prudenzati, B.Morten: „Thick-film sensors: an overview“, Sensors &
Actuators, Vol.10, Nos.3&4 (65−83), 1986.
13. W.Göpel: „Chemisorption and charge transfer at ionic semiconductor
surfaces“, Ssurface Science, No.20 (9−103), 1996.
14. W.Göpel: „Ultimate limits in the miniaturization of chemical sensors“,

Sensors&Actuators, Vol.56, Nos.1&2 (83−105), 1996.
15. W.Göpel: „Solid-state chemical sensors: atomistic models and research
trends“, Sensors&Actuators, Vol.16, Nos.1&2 (167−193), 1989.
16. S.Mukode: „A semiconductor humidity sensor“, Sensors&Actuators, Vol.16,
Nos.1&2 (1−13), 1989.
17. S.R.Morrison: „Semiconductor gas sensors“, Sensors&Actuators, Vol.2, No.4
(329−341), 1982.
18. G.Heiland: „Homogeneus semiconducting gas sensor“, Sensors & Actuators,
No.2 (343−361), 1982.
19. P.K.Clifford: „Characteristics of semiconductor gas sensor“, Sensors &
Actuators, No.3 (233−254), 1982/83.
20. P.Bergveld: „Sensors and actuators, Twente“, Sensors&Actuators, Vol.17,
Nos.1&2 (203−208), 1989.
21. J.Watson: „The tin oxide gas sensor and its applications“, Sensors &
Actuators, No.5 (29−42), 1984.
22. J.Watson: „A new approach to selective detection of gas by an SnO2 solid state
sensor“, Sensors&Actuators, No.5 (55−63), 1984.
23. N.Yamazoe, Y.Kurokawa: „Effect of additives on semiconductor gas sensor“,
Sensors&Actuators, No.4 (283−289), 1983.
24. R.P.Buck: „Expanding technology for sensor design and fabrication“,
Electrohemica Acta, Vol.36, No.2 (243−251), 1991.
25. M.H.Wilson, S.Ichikawa: „Field−effecet probe for work function meas-
urement“, Journal of Physics E, Scientific Instrumentation, No.22 (886−887),
1989.
26. „HANDBOOK OF SENSORS AND ACTUATORS“ (series ed. S.Middelhoek),
Vol. 4: „Semiconductor Sensors in Physico-Chemical Studies“ (ed. L.Yu.
Kupriyanov), Elsevier, 1996.
27. Sensors and Actuatirs B: Chemical (referentni ~asopis za hemijsku
detekciju): http://www.elsevier.com/locate/sensorb
6
OTPORNI^KI
SENZORI GASOVA
6.1. SENZORI KISEONIKA

6.1.1. Niskotemperaturni senzori
Promena otpornosti poluprovodnih oksida kao {to su ZnO,
TiO2 i SnO2 usled adsorpcije molekula gasa i hemijskih reakcija odvija
se najpre na povr{inskom sloju debljine oko 1 µm. Ovaj proces ozna-
~ava se kao hemisorpcija i karakteristi~an je za niè temperature; na
primer, za ZnO to je interval 300 −600 K (slika 5.4). Na vi{oj
temperaturi reakcije na povr{ini pra}ene su promenom stehiometrije
u unutra{njosti poluprovodnika i tada se menja otpornost senzora po
celom volumenu.
Za hemisorpciju je karakteristi~na reakcija sa kiseonikom. U toj
reakciji molekuli kiseonika razmenjuju elektrone sa atomima na
povr{ini senzora moduli{u}i tako njegovu otpornost. Broj ad-
sorbovanih molekula kiseonika zavisi od njegove koncentracije u
atmosferi, zatim od broja slobodnih adsorpcionih centara na povr{ini,
od visine energetske barijere koja je odre|ena ve} adsorbovanim
molekulima i gustinom dopiranja, te od debljine i aktivne povr{ine.
Brzina hemisorpcije je proporcionalna koncentraciji kiseonika
a zatim opada pri ve}oj koncentraciji od nekoliko procenata. Zato se
vremenski odziv na skokovitu promenu koncentracije aproksimira
logaritamskom funkcijom:
  t 
R(t ) = Rs ln 1 +  + 1 , (6.1)
  T 
gde je T ≈1s vremenska konstanta na radnoj temperaturi 250−280 °C i

Rs otpornost senzora na radnoj temperaturi pre skokovite promene
koncentracije.
Detekcija kiseonika kao {to je istaknuto ima poseban zna~aj,
jer se detekcija ve}ine drugih gasova moè ostvariti zahvaljuju}i
hemijskim reakcijama izme|u tog gasa i kiseonika. U toku hemi-
sorpcije molekuli kiseonika iz okoline O2gas jonizuju se vezuju}i za sebe
elektrone sa povr{ine poluprovodnika:
−
O 2 gas + e − ' O 2 ads . (6.2)
Ravnote`na konstanta ove reakcije moè se napisati u

obliku:
−
[O2 ads ] O2 ads −
K = = , (6.3)
[O2 gas ][n] O2 gas n
gde je [O2 gas] = O2 gas koncentracija kiseonika u datoj atmosferi,

[O2 ads−] = O2 ads− koncentracija jona kiseonika na povr{ini senzora i
[e−]=n gustina elektrona. U povr{inskom sloju ispra`njenom elektro-
nima ostali su jonizovani donori. Naelektrisanje koje je potro{eno na
jonizaciju kiseonika jednako je naelektrisanju sloja:
−
O2 ads = wND , (6.4)
gde je w debljina potpuno ispra`njenog sloja i ND gustina dopiranja

donora (slika 6.1.a).
kΩ 400
AKTIVNI SLOJ 250 oC
300 15
OTPORNOST R
300oC
o
300 C 10
b 200
w 5
100
w0 0
ELEK− 0 0,5 1 1,5
20 40 60
TRODA KONCENTRACIJA
l KISEONIKA, cO %V/V
2
a) b)
Slika 6.1. Senzor sa povr{inskom hemisorpcijom: a) aktivna povr{ina, b) zavis-
nost otpornosti od koncentracije kiseonika u atmosferi azota
U delu senzora koji nije zahva}en procesom razmene

naelektrisanja broj elektrona je:
6. OTPORNI^KI SENZORI GASOVA 171
 w − w
n = ND  0  . (6.5)
 w0 
Otpornost tog dela duìne l i {irine b koji nije zahva}en
hemisorpcijom je:
l 1
R= ρ . (6.6)
b w0 − w
gde je w0 ukupna debljina oksidnog sloja i ρ specifi~na otpornost:

1
ρ = . (6.7)
µn eN D
Kombinovanjem jedna~ina (6.3), (6.4) i (6.5) dobija se da je
debljina aktivnog sloja u obliku:
O2 gas Kw0
w = , (6.8)
w0 + O2 gas K
Kada se ovaj izraz uvrsti u jedna~inu (6.6), dobija se kona~ni

oblik za promenu otpornosti u zavisnosti od koncentracije kiseonika:
 K 
R = R0  1 + O2 gas  . (6.9)
 w0 
gde je R0=(l/bw0)ρ nominalna otpornost neoptere}enog senzora.

Karakteristike. Stati~ka karakteristika, zavisnost otpornosti
od koncentracije kiseonika (6.9) je linearna. U toku projektovanja
i fabrikacije senzora biraju se debljina otporni~kog sloja w0 i
gustina dopiranja ND tako da se dobije optimalna osetljivost za
dati opseg koncentracije kiseonika.
Na slici 6.1.b prikazane su tipi~ne stati~ke karakteristike za
velike vrednosti koncentracije (do 60%V/V ) i za male koncentracije
kiseonika (do 1,5%V/V ) u referentnoj atmosferi od azota. Tako|e je
prikazan uticaj radne temperature na izbor izlaznog opsega.
Interesantno je da se ovakav senzor kiseonika moè sa uspehom
primeniti i u mirnoj vodenoj sredini, gde ina~e Klarkova kiseoni~na
elektroda daje slabe rezultate. Stati~ka karakteristika je tako|e
linearna; u intervalu 0−50 ppmO2V/V izlaz je 0−3,5 kΩ, odnosno
osetljivost je 70 Ω/ppmO2.
Tipi~na realizacija niskotemperaturnog senzora kiseonika

izvedena je tehnikom tankih slojeva pomo}u mikrolitografije (slika
6.2). Termi~kom oksidacijom najpre je na standardnu Si-osnovu niske
otpornosti (∼0,001 Ωcm) nanet sloj SiO2 debljine oko 1 µm, koji sluì
kao elektri~na i termi~ka izolacija izme|u osnove i Pt-greja~a. Greja~
je {tampan postupkom naparivanja u obliku meandra za koji je
karakteristi~no da ima pet puta ve}u otpornost od ekvivalentnog
pravougaonog otpornika iste povr{ine. Snaga je oko 1,5 W, a moè biti
manja kada je osnova od stakla, kvarca ili nekog drugog materijala
slabije toplotne provodnosti od SiO2. Veli~ina senzora je oko 3×3 mm i
upakovan je u standardni dvoredni ~ip.
Au−KONTAKTI
ZnO
Pt−SENZOR
TEMPERATURE
Pt−GREJA^
SnO2
Slika 6.2. Tankoslojni senzor kiseonika
U istom nivou, pored greja~a, naparivanjem je nanet Pt-senzor

temperature. Preko greja~a i senzora temperature je sloj SiO2 debljine
∼2 µm na kome su litografskim postupkom napravljeni otvori za
kontakte. Zatim su deponovani dvoslojni kontakti otporni~kog senzora
gasa Ti/Au (0,1 /0,4 µm) i litografijom formiran njihov oblik
dvostrukog ~e{lja. Na kraju je deponovan senzorski sloj ZnO
(1 − 1 ,5 µm).
Aktivni deo poluprovodnika ZnO je izme|u senzorskih kon-
takata i ima oblik meandra. Ta~no ispod njega je greja~ istog takvog
oblika ~ime se obezbe|uje manje rasipanje toplote. Topljenjem na

400 °C u atmosferi azota ZnO se po celom obodu aktivne povr{ine
spaja sa Au-kontaktima. Tipi~na otpornost senzorskog sloja je
0,1−1 GΩ, odnosno pri nultoj koncentraciji kiseonika na temperaturi
300 °C otpornost je 10−100 kΩ.
6.1.2. Visokotemperaturni senzori

Provodnost na radnoj temperaturi ve}oj od 600 °C rezultat je
ravnoteè izme|u odre|ene koncentracije kiseonika i stehiometrije u
unutra{njosti poluprovodnika i moè se, saglasno jedna~ini (5.27),
predstaviti u obliku:
σ = Ae- Ea kT
⋅ pO2
1/ N
, (6.10)
gde je A=D0(zq)2/kT konstanta, Ea energija aktivacije za provodnost, pO2

parcijalni pritisak kiseonika i N osetljivost na kiseonik − konstanta
odre|ena tipom dominatnih defekata u unutra{njosti poluprovodnika
koji u~estvuju u ravnoteì izme|u kiseonika i senzora. Na primer, ako
su defekti dvostruko naelektrisane kiseoni~ne {upljine VO2 + , tada je
N=−6, kao {to je to pokazano u jedna~ini (5.23).
Osetljivost merenja koncentracije kiseonika zavisi od tem-
perature. Na primer, na temperaturi 600 °C poluprovodnik TiO2
ima energiju aktivacije za provodnost Ea =1,5 eV {to zna~i da }e
se provodnost promeniti 100% kada se temperatura promeni za
40 °C. Ovaj problem re{ava se regulacijom radne temperature ili
primenom poluprovodnika koji su osetljivi na kiseonik ali je
energija aktivacije pribli`no jednaka nuli. Takvi poluprovodnici
imaju strukturu perovskita, na primer oksid BaFe0,8Ta0,2O3 (tabela
6.1).
PARA- OSETLJIVOST NA ENERGIJA KRISTALNA

METAR KISEONIK N AKTIVACIJE Ea STRUKTURA
POLU-
PROVODNIK
TiO2 −4, −6 1,5 RUTIL
BaFe0,8Ta0,2O3 +5 ∼0 PEROVSKIT
Tabela 6.1. Uporedne karakteristike tipi~nih poluprovodnika za senzore

kiseonika na 600 °C
Tehnika zelenih traka. Senzori kiseonika za rad na

temperaturi od 600 °C tako|e se prave u planarnoj tehnologiji, ali sa
izvesnim razlikama u odnosu na klasi~nu mikrolitografiju gde se vr{i
{tampanje pomo}u odgovaraju}ih maski i pe~enje dielektri~nih slojeva
na kerami~kom supstratu.
Na primer, kola mogu da se od{tampaju nezavisno na vi{e
odvojenih slojeva, na trakama zelene alumine debljine 100−150 µm.
Alumina je ina~e standardni supstrat u proizvodnji senzora, a sastoji
se od 96%Al2O3 i 4% oksida silicijiuma, magnezijuma i kalcijuma radi
pobolj{anja mehani~kih i elektri~nih karakteristika. Poseban tip
alumine priprema se uz dodatak organskog rastvara~a, lepka i
polimera tako da se dobije pasta koja se nanosi na glatki teflonski
materijal. Pomo}u skalpela uklanja se vi{ak paste i formira traka
potrebne debljine koja posle su{enja na vazduhu ima zelenu boju
odakle i poti~e njen naziv (green tape dielectrics). Tehnikom litografije
na svakoj traci {tampa se jedno kolo (greja~, senzor temperature,
senzorski kontakti), trake se onda poravnaju po vertikali, spoje u
sistem sa odgovaraju}im provodnim vezama, pritisnu i zapeku na
relativno niskoj temperaturi (850 − 1 000 °C).
Tehnika zelenih traka ima niz dobrih osobina: eliminisana je
pojava savijanja {tampanog sloja usled razli~itog temperaturnog
koeficijenta u odnosu na supstrat, postoji mogu}nost vizuelne kontrole
prekida veza i pojave rupica na svakoj traci, ostvarena je ve}a
VI[ESLOJNI SENZORSKI Pt-@ICE

ÎP METALIZACIJA
SENZORSKI
KROZ
SLOJ TiO2
RUPICE
ZELENA TANKOSL
GORNJI
TRAKA PROVOD
SLOJ
Al2O3
SREDNJI
SLOJ
PROVODNICI ZELEN
TRAKA
Al2O3
ELEKTRODE
ZA TiO2
KERAM
DONJI SLOJ SUPST
a) b)
Slika 6.3. Tehnika zelenih traka: a) trake, b) metalizacija
otpornost izolatora zahvaljuju}i ve}oj debljini traka pre pe~enja,

redukovana je veli~ina veza i dobijena ravnija podloga za {tampu.
Posebno je va`no da se termi~ka obrada provodi za sve trake
istovremeno, {to je zna~ajna u{teda u odnosu na klasi~nu
mikrolitografiju koja uklju~uje 20−35 nezavisnih pe~enja.
Na slici 6.3.a prikazan je titanijumski senzor kiseonika na-
pravljen od tri sloja zelene alumine. Trake sluè kao supstrat na
koji se nanose greja~, elektrode i osetljivi poluprovodni~ki sloj
TiO2. Trake se spajaju pod pritiskom, a zatim se zagrevaju tako
da omeknu i adhezijom ~vrsto prilepe. Zavr{na termi~ka obrada
na 1 500 °C daje potrebnu gustinu i mehani~ku ~vrstinu. Na slici
6.3.b prikazana je metalizacija provodnih veza izme|u traka.
Tehnika paste ~esto se primenjuje u gradnji senzora
gasova, na primer senzora kiseonika na bazi kalaj-dioksida SnO2
(slika 6.4.a). Pasta je smesa od najmanje dve komponente: rast-
vara~a sa nekim polimerom ili smolom i aktivnog sastojka koji
odre|uje elektri~ne, odnosno senzorske karakteristike. U pravilu
se dodaje jo{ staklo ili oksid kao tre}a komponenta koja sluì kao
vezuju}i agens izme|u zape~enog sloja paste i supstrata. Prilikom
proizvodnje paste najpre se komponente u odgovaraju}em teìn-
skom omeru grubo izme{aju da bi se pra{kasti oksid ovlaìo. U
drugoj fazi mikstura se vi{e puta propu{ta izme|u rotiraju}ih
to~ki}a mlina, tako {to se svaki put rastojanje izme|u to~ki}a
smanji sve dok se ne dobije èljena suspenzija.
SENZORSKI SLOJ SnO2 Pt

ELEKTRODE
ALUMINA
KONTAKTI
ALUMINA
Pt-GREJA^
a) b)
Slika 6.4. Tehnika paste: a) struktura senzora, b) greja~
Priprema paste SnO2 relativno je jednostavna. Najpre se

dodavanjem te~nog amonijaka kalaj-dioksid kalcinira u kalaj-
-tetrahlor, a zatim se isu{uje i melje. Pasta se stavlja u ne{to
debljem sloju (10−50 µm) na osnovu od alumine, na kojoj su
evaporacijom nanete platinske elektrode u obliku meandra. Taj
oblik je prakti~an jer optimizira otpornost u odnosu na veli~inu i

skoro uniformno zagreva povr{inu koju zauzima (slika 6.4.b). Sa
donje strane na osnovi su elektrode greja~a i senzora temperature.
6.1.3. Geometrija kontakata

Kontakti i detekcija. Hemijska adsorpcija i promena
povr{inske otpornosti najvi{e su izraèni kod tankoslojnih polu-
provodnika debljine od svega nekoliko nanometara jer je tada Debijeva
duìna LD (ekvivalentni radijus naelektrisanja) ve}a od radijusa
kristalnih ~estica oksida. Naj~e{}e je debljina sloja desetak µm, a
vremenska konstanta adsorpcije/desorpcije oko 30−60 s. Radi optimi-
zacije navedenih parametara, ali i cele strukture senzora, projektuje se
adekvatna geometrija kontakata.
Prvi senzori imali su greja~ od Pt-ìce na koju se direktno
nanosila pasta. Danas je greja~ obi~no unutar kerami~kog cilindra na
koji se onda nanosi povr{inski sloj poluprovodnika. U obe izvedbe sa
strane su stavljani prstenasti priklju~ci za merenje otpornosti senzora
(slika 6.5.a).
PRSTENASTE d d
ELEKTRODE
PASTA
GREJA^
l
POLUPROVODNIK POLUPROVODNIK
METAL
a) b) c)
I0
UOUT
d) e)
Slika 6.5. Elektrode: a) prstenaste, b) povr{inske, c) potpovr{inske,
d) spoj u ~etiri ta~ke, e) dvostruki ~e{alj
Na slici 6.5.b elektrode su izvedene planarno na tankosloj-

nom poluprovodniku, tako da je povr{ina A=d⋅l izme|u elektroda
aktivni deo senzora. Sli~no se pona{a senzor sa potpovr{inskim
elektrodama (slika 6.5.c). Spoj u ~etiri ta~ke, ~etveroì~no priklju-
~ivanje, primenjuje se za eliminaciju parazitnih otpornosti:
priklju~nih vodova, kontakata na senzoru i kontakata izme|u
kablova i mernog kola (slika 6.5.d). Ukupna parazitna otpornost
je mala (∼0,2 Ω), ali predstavlja gre{ku od 20% pri merenju ot-
pornosti od 1 Ω. Na jedan par kontakata priklju~eno je pomo}no
kolo sa konstantnom strujom I0, a na drugom paru kontakata
meri se napon UOUT na otporniku i pri tome zaobilaze parazitne
otpornosti.
Optimalna struktura elektroda u pogledu osetljivosti
merenja provodnosti ima oblik dvostrukog ~e{lja (slika 6.4.c).
Provodnost izme|u takvih elektroda je G=kA/2d2. Za tipi~nu {iri-
nu d=0,3 mm dobija se G≈k5A, {to je pet puta vi{e nego za sen-
zor sa pravougaonom povr{inom A izme|u dve ravne elektrode.
Drugim re~ima, senzor sa elektrodama u obliku dvostrukog ~e{lja
manji je pet puta u pore|enju sa senzorom iste provodnosti koji
ima ravne elektrode.
6.2. SENZORI REDUKCIONIH

GASOVA
6.2.1. Princip detekcije
Redukcioni gasovi u reakcijama hemisorpcije vezuju
kiseonik i na taj na~in menjaju otpornost poluprovodnika. Ova
pojava najbolje je obja{njena za sitnozrnasti, granulasti polupro-
vodnik dobijen sinterovanjem praha, kao {to je to na primer
kalaj-dioksid SnO2.
Granule se dodiruju stvaraju}i elektri~ni kontakt (slika 6.6).
Na povr{ini granula je adsorbovani kiseonik koji uz sebe veè
slobodne elektrone neposredno ispod povr{ine, pa na mestu
izvu~enih elektrona ostaju pozitivno naelektrisani donori. Na taj
na~in poluprovodnik je prekriven tankim izolatorskim slojem.
Slobodni elektroni unutar granula kre}u se haoti~no i tek pod
delovanjem vanjskog elektri~nog polja njihovo kretanje postaje
usmereno. Da bi do{lo do provo|enja, elektroni moraju da pro|u

neprovodni sloj na kontaktima granula, tj. da savladaju barijeru
koju ~ini elektri~no polje izme|u pozitivno naelektrisanih donora
i negativno naelektrisanih jona kiseonika O−, kao {to je prikazano
na energetskom dijagramu (slika 6.6). Gustina elektrona ns sa
dovoljnom energijom da pro|u kroz barijeru odre|ena je
jedna~inom
ns = N d e -qV0 / kT , (6.11)
gde je Nd gustina donora. Prema tome, elektri~na provodnost kroz
granule je proporcionalna gustini elektrona ns: {to god je vi{e
kiseonika na povr{ini, barijera je ve}a i manje elektrona prolazi kroz
poluprovodnik, odnosno elektri~na otpornost je ve}a.
RH2+Ο2 RH+H2Ο
− − −
ADSORBOVANI − − − O O O
KISEONIK O O O −
O
− −
O O
−
O
−
O
−
O
−
− O
−
O −
−
− O O O O
−
O O
−
KATALIZATOR
ISPRA@NJENA KONTAKT UNUTRA[NJOST
(NEPROVODNA) GRANULA GRANULE
ZONA
TOK
POTENCIJALNA POTENCIJALNA ELEKTRONA
BARIJERA U qVs BARIJERA U
VAZDUH+GAS VAZDUHU
ELEKTRONI U
VC PROVODNOJ ZONI
DONORI
VF
Slika 6.6. Adsorpcija gasa sitnozrnastog poluprovodnika n-tipa
Posle opisane jonizacije kiseonika (O2 + 2e− ' 2O−) na povr{ini

poluprovodnika }e u prisustvu redukcionog gasa RH2 do}i do
redukcije, procesa u kome se RH2 spaja sa kiseonikom i otpu{taju
elektroni:
RH 2 + 2O − ' RO + H 2 O + 2e − . (6.12)
Kada u atmosferi nema merenog redukcionog gasa RH2, tada je
velika koncentracija kiseonika O−, pa je velika elektri~na otpornost. Sa
porastom koncentracije RH2 opada koncentracija O−, raste broj
slobodnih elektrona i smanjuje se otpornost. îm se uspostavi
stacionarno stanje reakcije (6.12), otpornost poluprovodnika bi}e
proporcionalna merenoj koncentraciji RH2. Promena otpornosti u
zavisnosti od redukcionog gasa je suprotna kod poluprovodnika p-tipa
(tabela 6.2). Podrazumeva se da je merenje obavljeno u atmosferi sa
fiksnim parcijalnim pritiskom kiseonika.
POLUPROVODNIK REDUKCIONI GAS OKSIDACIONI GAS
n-TIP PROVODNOST OPADA PROVODNOST RASTE
p-TIP PROVODNOST RASTE PROVODNOST OPADA
Tabela 6.2. Otpornost u zavisnosti od tipa poluprovodnika i vrste gasa
Selektivnost poluprovodnika na pojedine gasove postiè se

adekvatnom radnom temperaturom ili dodavanjem materijala koji
deluju kao adsorbenti, filteri, katalizatori ili promotori.
Pri niskoj temperaturi reakcija O2 + 2e− ' 2O− je spora, pa je
osetljivost senzora mala. Sa porastom temperature brzina reakcije
raste i osetljivost postaje ve}a. Pri dovoljno visokoj temperaturi
reakcija jonizacije kiseonika postaje toliko brza da nedostaje
redukcionog gasa, jer je njegova koncentracija na povr{ini senzora
ograni~ena difuzijom, pa je osetljivost ponovo mala. Prema tome,
postoji temperatura za koju je osetljivost maksimalna za dati gas.
Ako se temperatura cikli~ki menja pomo}u programatora, jednim
senzorom moè se meriti koncentracija razli~itih gasova.
Deponovanjem materijala sa izrazito selektivnom adsorpcijom
pove}ava se koncentracija merenog gasa na povr{ini senzora, a
time i njegova osetljivost. Neki materijali propu{taju ili zadràvaju
odre|eni gas. Na primer, titanijum-dioksid TiO2 ima izraènu
selektivnost na amonijak CH4, metalizirani slojevi propu{taju
ugljen-dioksid CO2, slojevi od plemenitih metala Pt i Pd propu{taju
vodonik H, cirkonijum-oksid ZrO propu{ta kiseonik, a teflon
zadràva vodu.
Kataliti~ki metali deponovani na povr{ini senzora pove}avaju

brzinu reakcije na kojoj se zasniva merenje nekog gasa. Na
primer, plemeniti metali su odli~ni katalizatori oksidacije
O2 + 2e− ' 2O−. Na platini dolazi do disosovanja molekula kiseonika iz
atmosfere na atome 2Pt+O2 →2Pt−O, pri ~emu je jonska veza Pt−O
nestabilna, lako se kida, pa se stvaraju uslovi za oksidaciju. Efikasnosti
katalize doprinosi ve}a disperzija platine na dodiru izme|u granula
(slika 6.6).
Promotori su aditivi koji podràvaju selektivno delovanje
katalizatora. Vrsta i koli~ina aditiva odre|uju se eksperimentalno. Na
primer, dodatak mangana (2%Mn) za senzor vodonika na bazi SnO2
omogu}ava najve}u osetljivost na temperaturi 300 °C, pri ~emu je
odnos otpornosti pri maksimalnoj merenoj koncentraciji od 0,9%H2 i
otpornosti kada u atmosferi nema vodonika je R0,9%H2 /R0%H2=3.
Promotor od 0,5%Ag za isti senzor na 100 °C ima znatno ve}u
osetljivost: R0,9%H2 /R0%H2=650.
6.2.2. SnO2 senzor ugljen-monoksida

Ugljen-monoksid CO je kao ugljenovodonik tipi~ni redukcioni
gas. Njegovo sagorevanje na povr{ini poluprovodnika opisuje se
jedna~inom:
2CO + O -2 ' 2CO 2 + e − (6.13)
Sagorevanje moè da se pospe{uje odgovaraju}im katalizatorom.
Ve}a koncentracija CO zna~i smanjivanje otpornosti senzora koji je
napravljen od poluprovodnika n-tipa, odnosno pove}anje otpornosti
kada je senzor od poluprovodnika p-tipa.
Tankoslojni SnO2 senzor CO je tipi~ni hemisenzor strukture
GS (slika 6.7.a). Na Si osnovu 10×10 mm prvo je nanet izolatorski
sloj od SiO2, a onda je dodato vodeno staklo. To je gusti rastvor
natrijum-silikata (Na2OxSiO2) koji o~vrsne pe~enjem na temperaturi
400 °C u trajanju od tri sata, a sluì kao vezivna masa izme|u
oksida (SiO2) i senzorskog sloja kalaj-dioksida (SnO2). Pra{kasti
SnO2, granula veli~ine do 1 µm, dopiran je hidratisanim platina-
hloridom (H2PtCl6⋅6H2O). Sinterovanje ove paste provodi se pe~enjem
na temperaturi od 500−1 000 °C u trajanju od 10 sati. Na kraju se
nanose zlatne elektrode postupkom naparivanja u vakuumu.
Razmak izme|u elektroda je 1mm, odnosno aktivna povr{ina senzora
je 1×10 mm.
E 5
kΩ 10
3 mm
1 mm O2
RL EOUT C3H8
C4H10
4
10 H2
SnO2/5%Pt (100 µ m) Au (0,3 µm)
VODENO STAKLO (100 µ m) CO
SiO2 (0,5 µm)

3
10
Si
cCO ppm
a) b)
Slika 6.7. Tankoslojni senzor SnO2 : a) struktura, b) stati~ka karakteristika
Stati~ka karakteristika. Sa oksidacijom CO na povr{ini

senzora smanjuje se koncentracija kiseonika i otpornost senzora
opada. Stati~ka karakteristika otpornost−koncentracija CO je neli-
nearna, sa najve}om osetljivo{}u na strmom delu karakteristike
(slika 6.7.b). Radni deo karakteristike 0−1 000 ppm je pribli`no
linearan. Donja vrednost mernog podru~ja odre|ena je pragom
osetljivosti, a gornja porastom nelinearnosti. Karakteristika se ~esto
predstavlja u relativnom obliku RCO+V/RV, gde je RCO+V otpornost u
atmosferi vazduh+CO, a RV otpornost senzora u vazduhu. Zbog bolje
preglednosti karakteristika moè da se prikaè i kao zavisnost
provodnosti GCO+V/GV od koncentracije CO.
Radna temperatura. Sa porastom temperature osetljivost
senzora prvo opada, a zatim raste. To je zato {to poluprovodnik ima
negativni temperaturni koeficijent otpornosti za T<Tr, odnosno
pozitivni temperaturni koeficijent za T>Tr. Optimalna radna
temperatura je T=Tr jer je tu najmanja promena osetljivosti zbog
temperature. Tipi~na vrednost je Tr =100−500 °C i postiè se pomo}u
otporni~kog greja~a (1−1,5 W) koji je deponovan u bliku meandra sa
pole|ine senzora.
Eksperimentalno je ustanovljeno da se najve}a osetljivosti
merenja koncentracije CO dobija kada se doda 0,5%Pt u odnosu na
SnO2, kada je temperatura sinterovanja 600 °C i kada je radna

temperatura 100 °C. Treba ista}i da je senzor osetljiv i na druge
gasove: vodonik (H2), butan (C4H10), propan (C3H8) i O2. Osetljivost na
CO se smanjuje 5−10% u toku prva dva meseca posle proizvodnje da bi
onda ostala stabilna.
Kerami~ki SnO2 senzor. Senzor CO na bazi SnO2 vremenom
postaje sve osetljiviji na uticaj H2 i alkoholne pare, pa moè da
signalizira alarmnu vrednost koncentracije CO iako je koncentracija
realno manja. Za stabilizaciju osetljivosti merenja CO u pastu
SnO2+0,5%Pt stavljaju se razli~iti aditivi. Kada se, na primer, doda
smesa od monomera tetraetil-ortosilikat-hlorida Si(OC2H5)4, etil-
-alkohola C2H5OH i hlorovodonika HCl, posle sinterovanja dobija se
kerami~ki SnO2 odli~nih karakteristika.
Osetljivost RCO/RV, drift osetljivosti zbog temperature, vla`nosti i
starenja, vreme po~etne stabilizacije i mehani~ka ~vrsto}a senzora
jako zavise od stepena polimerizacije n. Eksperimentalno je
ustanovljeno da je optimalna vrednost n≈2,5.
ES EG
SENZOR
SnO2
RL EOUT
a) b)
Slika 6.8. Kerami~ki SnO2 senzor: a) struktura, b) elektri~na {ema
Kerami~ki senzor SnO2 ima veoma jednostavnu strukturu (slika

6.8.a). Sinterovani SnO2 je izme|u elektroda od Ir−Pd ìce pre~nika
90 µm. Od iste ìce napravljen je i greja~ (300 °C) sa pribli`no dva oma
po navoju. Senzor je spojen u jednostavno kolo, sa izlaznim signalom
VOUT koji se uzima sa opteretnog otpora RL (slika 6.8.b).
Komercijalno dostupni senzori SnO2 namenjeni su prevashodno

za merenje CO, SO2, H2, NOx, ali i mnogih drugih zapaljivih organskih
para (tabela 6.3).
GAS c [ppm] GAS c [ppm]
Vodonik H2 1 000 Etanol C2H5OH 10 000
Metan CH4 20 000 Propan C3H8 4 000
Etilen C2H4 4 000 Butan C4H10 20 000
Etan C2H6 20 000 Metil-mercaptan CH3SH 11
Ugljen-monoksid CO 4 400 Sumpor-dioksid SO2 10 000
Tabela 6.3. Odziv komercijalnih senzora SnO2 na organske pare u vazduhu
6.2.3. Senzori od kompozitne keramike

Kompozitni poluprovodnik pravi se kao vi{ekomponentna
keramika razli~itih oksida. Takav poluprovodnik ima bolje osobine
nego komponente od kojih je sastavljen. Na primer, Y2O i SnO2 dodaju
se radi pove}anja ina~e male otpornosti poluprovodnika In2O3 koji se
upotrebljava u gradnji senzora zapaljivih gasova.
Stati~ke karakteristike. Razvijena su tri osnovna tipa kom-
pozita: In2O3−Al2O3−PdCl2, In2O3−SnO2−Al2O3−PdCl2, In2O3−Y2O3−
−Al2O3−PdCl2, sa mnogobrojnim varijacijama u zavisnosti od sadràja
pojedinih komponenata. Odre|ene kombinacije imaju skoro dvoni-
vosku promenu otpornosti, {to je izvanredno za senzore alarmnih
koncentracija zapaljivih gasova n-butana (n-C4H10), propana (C3H8) i
metana (CH4). Na primer, kada koncentracija n-butana poraste do
0,1%, senzor od keramike In2O3(49,5%)−Al2O3(50%)−PdCl2(0,5) ima
otpornost koja je pet puta manja u odnosu na otpornost u ~istom
1,0
RELATIVNA OTPORNOST ∆R/R
CH4 KOMPOZITNI
SENZORSKI SLOJ
C3H8 PRSTENASTI
KONTAKTI
0,5
n−C4H10
GREJA^
KERAMI^KI
CILINDAR
0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
KONCENTRACIJA cGAS %
a) b)
Slika 6.9. Senzor sagorivih gasova: a) tipi~ne karakteristike, b) struktura
vazduhu temperature 20 °C i relativne vla`nosti 65% (slika 6.9.a).

Sli~ne dvonivoske promene zapaàju se i pri detekciji metana i
propana. U svim posmatranim slu~ajevima prag detekcije normiran je
da bude oko dvadeset puta manji od vrednosti koncentracije na kojoj
su ovi gasovi zapaljivi. Te kriti~ne vrednosti su 1,9% za butan, 2,2% za
propan i 5,3% za metan.
Konstrukcija senzora zapaljivih gasova na bazi In2O3 naj~e{}e
je u obliku {upljeg valjka od alumine ili nekog kerami~kog materijala
(slika 6.9.b). Unutar valjka je greja~ koji daje radnu temperaturu
manju od one koja moè izazvati eksploziju smese vazduh−gas
(<100 °C). Greja~ je od Ni−Cr ìce pre~nika 0,07 mm, ukupne
otpornosti 20−22 Ω. Na krajevima valjka, sa vanjske strane, nanete su
prstenaste elektrode od platine, a zatim osetljivi sloj kompozitnog
poluprovodnika od In2O3, SnO2, Y2O3 i Al2O3 sa dodatkom katalizatora
od PdCl2.
6.2.4. Senzori sa vi{e elektroda

Vi{eelektrodni koncept. Hemijski osetljivi otpornik priklju-
~en je izme|u dve elektrode. Bilo kakva varijacija u okviru ove
definicije ima odraza na kvantitet i kvalitet informacije o merenoj
atmosferi. Na primer, interesantne mogu}nosti u detekciji reduk-
cionih gasova omogu}ava primena vi{e elektroda.
Kada redukcioni gas reaguje na povr{ini poluprovodni~kog
hemirezistora koji je nanet u tankom sloju preko para elektroda, tada
se merljiv odziv dobija samo ako se dubina reakcije dR preklapa sa
visinom detekcije hD (slika 6.10.a). Dubina reakcije u hemirezistoru
zavisi od kinetike reakcije, poroznosti materijala i koeficijenta
difuzije, a visina detekcije od razmaka izme|u elektroda. Naravno,
koncentracija gasa najve}a je na povr{ini i onda opada prema
unutra{njosti senzora.
PROFIL OSETLJIVI
KONCENTRACIJE SLOJ
dR
hD
SiO2
Si ELEKTRODE
a) b)
Slika 6.10. Senzor sa vi{e elektroda: a) princip, b) konstrukcija
Konstrukcija. Na istoj temperaturi manje reaktivni gas kao

{to je metan prodire dublje nego reaktivniji gas, na primer ugljen-
-monoksid. Zato je mogu}e ispod jednog osetljivog sloja postaviti niz
elektroda sa razli~itim razmakom ili na razli~itim dubinama (slika
6.10.b).
6.3. SPECIJALNI SENZORI

6.3.1. Senzori sagorevanja goriva
Stehiometrijska koli~ina vazduha. Gorivna masa sastoji se
od goriva i vazduha. Potrebna koli~ina vazduha za sagorevanje 1 kg
~vrstog ili te~nog, odnosno 1 m3 gasnog goriva, odre|uje se jedna-
~inama sagorevanja. Ta se koli~ina vazduha naziva stehiometrijskom.
Na primer, stehiometrijska masa vazduha Z0 potrebna za sagore-
vanje 1 kg te~nog goriva ra~una se na slede}i na~in:
Z 0 = 11,5 c + 34,4 h + 4,31 s − 4,31o kg , (6.14)
gde su c, h, s i o maseni udeli ugljenika, vodonika, sumpora i

kiseonika. Za motore sa unutra{njim sagorevanjem upotrebljava se
gorivo sa stehiometrijskom koli~inom vazduha Z0 =14,6 kg.
Stehiometrijska koli~ina vazduha Z0 po jedinici mase goriva je
relativni broj koji se ozna~ava (A/F)0 i za motore sa unutra{njim
sagorevanjem je (A/F)0=14,6. Za dobro sagorevanje goriva u cilindru
motora potrebno je vi{e vazduha od stehiometrijske koli~ine, {to se
izraàva koeficijentom vi{ka vazduha λ:
Z A/F
λ= = . (6.15)
Z 0 (A/F)0
Zna~aj odnosa A/F i koeficijenta λ bitan je za minimizaciju

potro{nje goriva i emisije nepotpuno sagorelih gasova, tzv. polu-
tanata, kao {to su CO, NO i drugi. Promenljivo optere}enje motora
uti~e da se vrednost A/F pomera od stehiometrijske (A/F)0, odnosno
od λ =1, pa u smesi ima previ{e goriva ili premalo vazduha. U prvom
slu~aju je smesa slaba, A/F>(A/F)0, {to moè da se prati pomo}u
koncentracije glavnih produkata sagorevanja N2, H2O, CO i O2. U
drugom slu~aju smesa je bogata, A/F<(A/F)0, a glavni produkti

sagorevanja su N2, H2O, CO i CO2. Senzori koji prate vrednost
koeficijenta λ nazivaju se λ-senzori.
Tehni~ki zahtevi bitni za konstrukciju i rad senzora odnosa

A/F su:
• mogu}nost ugradnje u blizini mesta sagorevanja, {to ujedno
zna~i i izdr`ljivost na temperaturi ve}oj od 900 °C;
• veliko radno podru~je temperature, od −20 °C do 1 000 °C, {to
odgovara stanjima motora od mirovanja do punog optere}enja;
• stabilan rad na visokoj temperaturi u prisustvu kiseonika i
redukcionih gasova;
• brz i linearan odziv za {irok opseg promene A/F;
• kompaktna izrada i jeftina ugradnja.
Tehni~ki zahtevi i realizacija. Nije lako napraviti senzor
A/F prema navedenim zahtevima, mada se elektri~na otpornost
mnogih oksida menja sa promenom koncentracije kiseonika odnosno
redukcionih gasova. Razlozi su slede}i:
• ve}ina oksida ima ta~ku topljenja na temperaturi niòj od
900 °C;
• nestabilnost strukture u redukcionoj atmosferi (ZnO, NiO);
• oksid moè da ima ta~ku topljenja iznad 900 °C, ali je njegova
otpornost velika − iznad granice prakti~nih merenja (CaO,
BaO, MgO, BeO, Al2O3, SiO2);
• oksid moè da ima ta~ku topljenja iznad 900 °C i prihvatljivu
vrednost elektri~ne otpornosti, ali je promena otpornosti u
zavisnosti A/F skoro relejnog karaktera (ZrO2, 2 700 °C; TiO2,
1 640 °C; Ta2O5, 1 470 °C; Cr2O3, 1 990 °C; ThO2, 3 050 °C).
Konstrukcija. Eksperimentalno je ustanovljeno da galijum-
-arsenid (Ga2O3, 1 900 °C) najbolje odgovara zahtevima za gradnju
senzora kiseonika, koji se moè ba`dariti u jedinicama odnosa
A/F (slika 6.11.a). Stati~ka karakteristika R=R(A/F) ima dobru
rezoluciju u okolini optimalne vrednosti (A/F)0.
. ELEKTRODE GREJAÂ .
. ELEKTRODE .
ΜΩ 5 100 ΜΩ SENZORA
TiO2 Ga2O3
4 10
2 3
OTPORNOST RGa O
2
Ga2O3
OTPORNOST RTiO
3 1
2 0,1
STAKLO
1 0,01
DIFUZIONA KOMORA
13 14 15 16 17 SAGORELI SAGORELI
GASOVI GASOVI
ODNOS A/F
a) b)
Senzor A/F na bazi Ga2O3 sme{ten je na kuglici od visoko-

temperaturnog stakla (d=1 mm) i spojen dvema elektrodama od
Pt/10%Rh ìce (d=0,025 mm). U kuglici je sme{ten i greja~ od iste
ìce (d=0,05 mm). Senzor se ugra|uje u cilindri~nu {upljinu koja je
normalna na tok sagorelih gasova (slika 6.11.b).
6.3.2. Senzori vla`nosti

Vlagometrija je oblast merenja sadràja vlage (vode) u
~vrstim telima, a instrumenti sa kojima se sadràj meri nazivaju se
vlagomeri. Neki materijali imaju svojstvo da apsorbuju vlagu iz
vazduha i da ga isu{uju. Merenje i regulacija vla`nosti su posebno
zna~ajni u tekstilnoj, papirnoj i prehrambenoj industriji. Sadràj
vlage u ~vrstim, pra{kastim i zrnastim materijalima defini{e se kao
gubitak mase nastao su{enjem:
m1 − m2
SV = ⋅ 100% , (6.16)
m1
gde su m1 i m2 masa uzorka pre i posle su{enja. Ova definicija je

osnova gravimetrijske metode, pri ~emu su temperatura, vreme
su{enja i uslovi merenja propisani radi jedinstva i ispravnosti
ponovljenih merenja. Na primer, uzorak p{enice, mase ne manje od
5 g, su{i se 90 min na temperaturi 130±2 °C na normalnom atmos-
ferskom pritisku.
Higrometrija je oblast merenja vla`nosti gasova, a senzori

pomo}u kojih se to meri nazivaju se higrometri. Apsolutna vla`nost
D (sadràj vlage) u gasovima defini{e se kao masa pare mp u jedinici
volumena V:
mp
D = = ρ kg/m3. (6.17)
V
Apsolutna vla`nost moè da se izrazi u odnosu na masu suvog
zraka:
mp ρp
d = = g/kg ili x = 10− 3 d kg/kg . (6.18)
ms ρs
Na osnovu jedna~ine stanja gasa i Daltonovog zakona za
vazduh kao smesu suvog vazduha i vodene pare, zajedni~kog
volumena V i temperature T, moè se napisati: za suvi vazduh
psV=msRsT (Rs=0,287 kJ/kmolK), a za vodenu paru ppV=mpRpT
(Rp=0,461 kJ/kmolK), pa je sadràj vodene pare:
mp pp pp
d = = 622 g/kg ili x = 0,622 kg/kg . (6.19)
ms ps ps
Relativna vla`nost defini{e se u odnosu na zasi}eni vla`ni

vazduh, tj. u odnosu na gas koji na datoj temperaturi i normalnom
atmosferskom pritisku (ps=101,3 kPa) ima maksimalno mogu}i
sadràj vlage:
masa vodene pare m ρ
ϕ= = p = p . (6.20)
masa zasi}ene vodene pare mzp ρ zp
Maksimalnom sadràju vlage mzp, pri istim uslovima, odgovara

pritisak zasi}ene vodene pare pzp, pa se relativna vla`nost moè
definisati i na slede}i na~in:
pritisak vodene pare pp
ϕ = = . (6.21)
pritisak zasi} ene vodene pare pzp
Pritisak zasi}ene vodene pare pzp zavisi samo od temperature

t [°C]. To je nelinearna funkcija (slika 6.12), koja se daje tabelarno ili
pribli`nim analiti~kim oblikom:
pzp (t ) = 610,78e17,2694 t/(t + 238,3) . (6.22)
Ako se pri konstantnom p[kPa]

volumenu V i atmosferskom
pa=ps+pzp(tr) pa=ps+ppz(t)
pritisku pa smanjuje tem- 101,396
peratura t, na nekoj vrednosti ps ps
koja se ozna~ava temperaturom

rose tr do}i }e do kondenzacije. pzp(t)
Na dijagramu 6.12 ova tem-
peratura dobija se povla~enjem 0,611 pzp(tr) pp
t[oC]
paralelne linije sa osom t sve do tr t
preseka sa krivom zasi}ene
pare gde je pp(t)=pzp(tr). Prema Slika 6.12. Pritisak zasi}ene vodene
pare u funkciji temperature
tome, relativna vla`nost kao
odnos (6.21) u ta~ki rose je:
pzp ( t r )
ϕ = . (6.23)
pzp ( t)
odnosno, kada se pomo}u (6.22) uvrste odgovaraju}e vrednosti za

pzp(tr) i pzp(t), dobija se relativna vla`nost u obliku:
 tr t 
17,2694  − 
 t r + 238 ,3 t + 238 ,3 
ϕ = e . (6.24)
U tehni~koj praksi je uobi~ajeno da se relativna vla`nost

izraàva u procentima.
Karakteristike senzora vla`nosti. S obzirom na razno-
vrsnu primenu senzora vla`nosti, postoji dosta {iroka lista
tehni~kih zahteva za njihovu gradnju:
• dobra osetljivost u {to ve}em opsegu vla`nosti;
• brz odziv;
• dobra ponovljivost (reproducibilnost) sa malim histerezisom;
• otpornost na kontaminante;
• izdr`ljivost i dugove~nost;
• jednostavna konstrukcija i pristupa~na cena.
Odgovoriti na sve zahteve nije jednostavno. Vodena para i
vazduh ~ine binarnu smesu, pa se senzori vla`nosti mogu tretirati kao
analizatori posebne namene, koji se u tehnolo{kom pogledu mogu

svrstati u dve velike grupe:
• standardni industrijski senzori vla`nosti napravljeni na bazi
klasi~nih tehnologija;
• savremeni poluprovodni~ki mikrosenzori.
GRUPA METODA POJEDINE METODE MERNI PARAMETAR

SPEKTRALNE, zasnivaju se INFRACRVENA Apsorpcija IC-zra~eja
na apsorpciji Apsorpcija IC, UV ili
elektromagnetskog ili OPTI^KO-AKUSTI^KA
mikrotalasnog zra~enja sa
radioaktivnog zra~enja; modulacijom na akusti~nim
omogu}avaju merenje u frekvencijama.
{irokom dijapazonu sa
osetljivo{}u 0,01−2⋅10−5g/m3. ULTRALJUBIÂSTA Apsorpcija UV-zra~enja
RADIOAKTIVNA Apsorpcija β -zra~enja
SORPCIONE, zasnivaju se GRAVIMETRIJSKA Promena mase
na merenju parametara
sorbenta ~ija vrednost zavisi DEFORMACIONA Promena dimenzija
od mehani~kih, termi~kih, VOLUMENSKA Volumen
opti~kih ili elektri~nih
efekata u vezi sa sorpcijom TERMI^KA Temperatura
pare gasa. FREKVENTNA Frekvencija
OTPORNI^KA Elektri~na otpornost
KAPACITIVNA Elektri~na kapacitivnost
ELEKTRETNA Naelektrisanje
ELEKTROLITI^KE, ELEKTROLITI^KA Elektri~na provodnost elektrolita
zasnivaju se na promeni
koncentracije elektrolita. TERMOELEKTRI^NA Temperatura
AMPEROMETRIJSKA Ja~ina struje
HEMIJSKE, zasnivaju se na BOJA Promena boje
reakciji agensa sa parom, pri
~emu parametri produkta TURBIDOMETARSKA Providnost (mutno}a)
sluè kao mera vla`nosti. TITRACIONA Volumen rastvora produkta izme|u
pare gasa i reagensa poznatog
volumena
KONDENZACIONE, TA^KA ROSE Temperatura ta~ke rose
zasnivaju se na merenju
temperature ili pritiska ADIJABATSKA TA^KA Pritisak u ta~ki rose pri
zasi}enja. ROSE adijabatskom {irenju gasa
KOMPRESIONA Pritisak u ta~ki rose
TERMOELEKTRI^NA Temperatura u ta~ki rose
ISPARIVA^KO- PSIHROMETRIJSKA Razlika temperature suvog i
PSIHROMETRIJSKE, vla`nog termometra
zasnivaju se na promeni
temperature te~nosti pri
isparavanju.
OSTALE, zasnivaju se na AKUSTI^NA Brzina zvuka
specifi~nim efektima u
kojima u~estvuje merena DIFUZIONA Razlika pritiska
para. TERMOPROVODNA Termi~ka provodnost pare
KAPACITIVNA Dielektri~na konstanta dielektrika
BIOHEMIJSKA Parametar biohemijske reakcije
Tabela 6.4. Pregled merenja vla`nosti gasova

Metode merenja vla`nosti. Vodena para deluje na otporni~ki

senzor na sli~an na~in kao i mnogi drugi molekuli, pa je zato u tabeli
6.4 dat jedan uporedni pregled metoda merenja vla`nosti gasova.
Higrometar SnO2. Sve merne metode navedene u tabeli 6.4
primenju se u tehni~koj praksi sa ve}im ili manjim uspehom. Bez
obzira na kojoj metodi se temelji rad senzora, najve}i problem javlja se
u oblasti visoke vla`nosti kada se senzor pribliàva ta~ki rose.
Adsorpcijom vodene pare nastaje i jonska provodnost {to uti~e na
dugove~nost senzora. Velika pa`nja danas se poklanja polupro-
vodni~kim otporni~kim senzorima vla`nosti (humistor), kao {to je na
primer higrometar na bazi SnO2 (slika 6.13).
SUPSTRAT
5
Ω 10
o
10 C
OTPORNOST R
o
25 C
o
40 C
Au
KONTAKTI 4
10
0 20 40 60 80 100
RELATIVNA VLA@NOST %
a) b)
SENZOR SENZOR
KONTRO-
EG LISANI
ES RT ES
IZVOR
EG RT
EOUT EOUT
c) d)
Slika 6.13. Higrometar SnO2: a) struktura, b) karakteristika, c) kompenzaciona
mosna {ema, d) regulacija radne temperature
Osnova senzora je od alumine na koju se dodaje osetljivi sloj

SnO2 koji se ina~e upotrebljava za senzore zapaljivih, redukcionih
gasova. SnO2 je poluprovodnik n-tipa ~ija provodnost jako zavisi od
relativne vla`nosti vazduha (slika 6.13.a). Pra{kastom polupro-
vodniku SnO2 dodaje se 10% α-alumine radi stabilizacije, 5%
titanijum-dioksida radi pobolj{anja temperaturnih karakteristika i
izvesna koli~ina organske vezivne mase. Tako dobijena pasta nanosi

se u potrebnom obliku preko elektroda i sinteruje pe~enjem na
temperaturi od 700 °C.
Preko senzorskog sloja dodaje se filterski sloj koji spre~ava
osetljivost SnO2 na zapaljive gasove, a propu{ta vodenu paru. Filteri
se naj~e{}e prave od alumine Al2O3 sa dodatkom Pt i mangan-
-trioksida Mn2O3. Za poja~avanje filterskih svojstava stavlja se
dodatni sloj od alumine i SiO2, a zatim se oba sloja istovremeno
sinteruju na 650 °C.
Za svaki tip higrometra eksperimentalno se prvo odrede krive
adsorbcije i desorpcije H2O. Za senzor na bazi SnO2 optimalna radna
temperatura u tom smislu je oko 350 °C, a postiè se pomo}u Pt-
-greja~a od{tampanog na pole|ini osnove. Na taj na~in vla`nost moè
da se meri u uslovima kada je temperatura okoline ve}a od 100 °C, a da
ne do|e do oro{avanja.
Otpornost senzora R u funkciji relativne vla`nosti ϕ je
nelinearna funkcija, zavisna od temperature (slika 6.13.b). Za podru~je
ϕ = 20−100% i na temperaturi 25 °C to je eksponencijalna funkcija
oblika R=be-ϕ /100, koji se posle logaritmovanja moè predstaviti kao
pravac:
log R = −4 ⋅ 10 −3 ϕ + log b , (6.25)
gde je logb≈4,95 odse~ak na ordinati i −4⋅10−3 koeficijent nagiba
log−log karakteristike.
Sa porastom temperature vrednost otpornosti se smanjuje:
R=R0(1−α10−6∆t), pri ~emu je linearni koeficijent otpornosti
α ≈1 500 1/°C. Zbog toga je neophodna temperaturna kompenzacija.
Klasi~na mosna {ema sa kompenzacijskim termistorom je jednostavna,
ali nije uvek primenjiva (slika 6.13.c). Naime, u blizini ta~ke rose, pri
visokoj vla`nosti merne atmosfere, dolazi do kondenzovanja pare na
termistoru i njegovog hla|enja, a time i smanjenja ta~nosti. Osim toga,
termistor i senzor su dinami~ki neuravnoteèni jer je vremenska
konstanta senzora 30−120 s, zavisno od toga da li je skokovita
promena relativne vla`nosti pozitivna ili negativna. Zato se
preporu~uje modifikovana mosna {ema u kojoj se automatski reguli{e
napajanje greja~a, odnosno radna temperatura 350 °C na osnovu Pt-
termootpornika u blizini greja~a (slika 6.13.d).
Higrometri od oksidne keramike. Oksidna keramika kara-

kteri{e se velikom tvrdo}om, porozno{}u i otporo{}u na oksidaciju i
redukciju do visokih temperatura, a dobija se pe~enjem jednog ili vi{e
oksida. Higrometri kapacitivnog tipa na bazi Al2O3 odavno se
primenjuju. Vi{e pa`nje danas se posve}uje senzorima na bazi spinela,
sistema od dva metalna oksida: MgCr2O4−TiO4, TiO2−O5, MgAl2O4,
MgFe2O4 , ZnCr2O4−LiZnVO4 i dr. Spineli imaju izvanrednu poroznost
(∼20% u odnosu na ukupni volumen), ali je za higrometre va`no da
pre~nik pora bude isti (∼1,5 µm) kako bi promena otpornosti u
zavisnosti od relativne vla`nosti bila linearna. Eksperimentalno je
utvr|eno da dodatak grafitnog praha (10−20% teìnskih delova) u
smesu koja se sinteruje omogu}ava da se dobiju èljene karakteristike.
Higrometar od oksidne keramike moè da se posmatra kao
dvofazni sistem. Jedna faza je poluprovodni~ka keramika sa adsor-
bovanim molekulima vode, a druga faza je kondenzat − tzv. kvazite~na
voda koncentracije φ =ϕ n. Pri niskoj relativnoj vla`nosti dominantna je
prva faza za koju je karakteristi~na elektronska provodnost, a pri ve}oj
relativnoj vla`nosti preovla|uju druga faza i jonska provodnost. Model
koji opisuje promenu otpornosti u zavisnosti od relativne vla`nosti je
nelinearna funkcija oblika:
1 (1 + b / φ )
Rφ a
=   , (6.26)
R0 φ 
odnosno:
Rφ log a − log φ
log = , (6.27)
R0 1+ b/φ
gde su: Rφ i R0 otpornost na relativnoj vla`nosti ϕ i ϕ =0, a i b konstante

koje zavise od vrste keramike i veli~ine pora.
Kada je a>b, jedna~ina (6.27) se aproksimira oblikom
Rφ φ log a
log = , (6.28)
R0 b+φ
koji opisuje karakteristiku sa pozitivnom osetljivo{}u otpornosti u
odnosu na vla`nost, kao {to je slu~aj za Fe3O4 higrometar (slika
6.14.a).
Porozni senzori na bazi spinela kobalta i gvo`|a ili magnezijuma

i hroma imaju negativnu karakteristiku (slika 6.14.b). Za ovaj tip
porozne keramike je a<b i op{ti model (6.27) aproksimira se oblikom:
Rφ − φ log b
log = . (6.29)
R0 b+φ
0
2,0 10
RELATIVNA OTPORNOST Rφ/R0
RELATIVNA OTPORNOST Rφ/R0

IDEALNA −4
a=5 . 10
KRIVA, n=1
b=0,5
−2
1,5 10
a=5,0 .
IDEALNA
b=1,5 KRIVA, n=1
−4
1,0 10
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
RELATIVNA VLA@NOST % RELATIVNA VLA@NOST %
a) b)
Slika 6.14. Idealne i realne krive relativne promene otpornosti od vla`nosti:
a) keramika Fe3O4, b) spinel Mg-Cr
6.4. PRIMENA ORGANSKIH

MATERIJALA
Otpornici od polimera. Polimer je ~vrsti materijal koji se
sastoji od dugih molekulskih lanaca ili prostornih mreà. To su
organski materijali jer molekuli sadrè ugljenik. Struktura im je
nekristalna ili me{ano kristalno−nekristalna, te su zbog toga
ve}inom dobri izolatori. Od polimera se mogu praviti otpornici;
najpoznatiji otpornik takvog tipa napravljen je od silikonskog
elastomera, ve{ta~ke gume bazirane na silicijumu i kiseoniku u
glavnom lancu, uz dodatak ugljene pra{ine ili nekog drugog pro-
vodnog materijala.
Odre|eni organski polimeri pona{aju se sli~no polupro-
vodni~kim hemirezistorima: menjaju svoju otpornost u zavisnosti
od adsorpcije/desorpcije merenog gasa. Organski senzorski ma-
terijal nanosi se u tankom sloju preko elektroda, na sli~an na~in
kao i neorganski. Osnovne karakteristike su niska cena i visoka
ponovljivost fizi~kih karakteristika deponovanog sloja. Posebno je

va`no da postoje takvi organski materijali koji imaju izrazito
veliku promenu provodnosti zahvaljuju}i hemisorpciji, razmeni
naelektrisanja izme|u gasa i senzora. Promene su sli~ne polu-
provodniku n-tipa ili p-tipa, {to zavisi od vrste materijala i
primesa. U skladu s tim, kaè se da je organski materijal n-tipa
jer se adsorbovani kiseonik jonizuje smanjuju}i naelektrisanje na
povr{ini a time i provodnost. Suprotno, prilikom adsorpcije
redukcionog gasa dolazi do prelaska elektrona na povr{inu sen-
zora i porasta njegove provodnosti. Pokazalo se da su organski
materijali naro~ito osetljivi na jako reaktivne gasove kao {to je
ve}ina otrovnih gasova.
Kao osetljivi sloj u izradi senzora gasova najvi{e se pri-
menjuju slede}i organski polimeri: ftalocijanin, polipirol, tetra-acin,
β-karoten i dr.
Ftalocijanin (Pc) je organski pigment (C6H4C2N)4N4 za koji se
lako veù atomi metala M formiraju}i tako „organo−metalni“ polupro-
vodnik MPc (metal−ftalocijanin), kao {to su CuPc (bakar−ftalocijanin),
PbPc, FePc, SnPc, ZnPc i dr. Ftalocijanini omogu}avaju detekciju
razli~itih gasova: oksida azota NOX, oksida sumpora SOX, hidrogen-
sulfida H2S, amonijaka, hlora, vodonika, kiseonika i vodene pare.
Elektri~na otpornost ovih spojeva u mraku menja se zavisno od
koncentracije merenog gasa i odabranog MPc. Na slici 6.15.a prikazani
su odzivi tipi~nih MPc na skokovitu promenu od 100 ppbH2S u suvom
vazduhu.
% 100 Pt-SENZOR Pt-GREJA^ ELEKTRODE

CuPc
RELATIVNA OTPORNOST ∆R/R
SnPc
ZnPc
MPc
FePc
−100
0 60 120 RAZMAK IZOLATOR KONTAKTI
VREME t min
a) b)
Slika 6.15. Senzor gasa od polimera: a) krive odziva tipi~nih MPc otpornika na
skokovitu promenu od 100 ppbH2S u suvom vazduhu, b) faze izrade senzorskog niza
Osetljivost, selektivnost i reverzibilnost senzora jako zavise od

~isto}e Pc i izbora metala elektrode (Au, In, Ni, Ag) na koje je
deponovan osetljivi sloj. Povi{ena radna temperatura (60−150 °C)
ubrzava adsorpciju/desorpciju {to doprinosi ve}oj osetljivosti. Izboru
radne temperature posve}uje se posebna pa`nja jer se pove}anjem
radne temperature uvek gubi na selektivnosti senzora.
Senzorski niz za analizu smese gasova moè da se napravi
tehnikom tankog sloja, sa vi{e MPc otpornika na zajedni~kom
supstratu od alumine. Na primer, na slici 6.15.b je niz sa pet senzora.
Karakteristik svakog MPc projektuju se zavisno od smese gasova koja
se analizira.
Elementi senzorskog niza prave se sukcesivnim {tampanjem
pojedinih slojeva. U prvom sloju (10 µm) su Pt-senzori kojim se meri
radna temperatura ispod svakog pojedinog MPc otpornika. U drugom
sloju, iznad Pt-senzora, {tampaju se Pt-greja~i, na dovoljnom
rastojanju da se spre~i uzajamni uticaj na ta~nost regulacije tempera-
ture. Zatim se postavlja dielektrik kao elektri~na izolacija izme|u
donjih slojeva sa termootpornicima i greja~ima i gornjih slojeva gde se
formiraju MPc otpornici. Na izolator se najpre {tampaju zlatne
elektrode u obliku meandra, a zatim se preko njih deponuje
odgovaraju}i MPc. Zlato je izabrano jer daje najbolji omski kontakt sa
razli~tim organskim spojevima. U poslednjem sloju {tampaju se
elektrodni zavr{eci, kontakti na koje }e se dodati noìce prilikom
pakovanja senzorskog sistema u standardno dvoredno ku}i{te.
LITERATURA
1. M.Egashira, Y.Yoshida, S.Kawasumi: „Gas characteristics of tin oxide
whiskers“, Sensors&Actuators, Vol.9, No2 (147−155), 1986.
2. K.S.Yoo, H.J.Jung: „Gas characteristics of semiconducting materials based on
In2O3 depending on composition changes“, Sensors&Actuators, Vol.12, No.3
(285−290), 1987.
3. D.D.Iee, B.K.Sohn: „Low power thick film Co gas sensors“, Sensors&
Actuators, Vol.12, No.4 (441−447), 1987.
4. S.Yasunaga, S.Sunahara, K.Ikohura: „Effects of tetraethyl orthosilicate
binder on the characteristics of an SnO2 ceramic-type semiconductor gas
5. G.S.V.Coles, K.J.Gallagher: „Fabrication and preliminary tests on tin(IV)
oxide-based gas sensors“, Sensors&Actuators, Vol.7, No.2 (89−96), 1986.
6. G.Heiland, D.Kohl: „Problems and possibilities of oxidic and organic

semiconductor gas sensors“, Sensors&Actuators, Vol.8, No.3 (227−233), 1985.
7. M.Prudenzati, B.Morten: „Thick-film sensors: an overview“, Sensors&
8. S.Mukode, H.Futata: „A semiconductor humidity sensor“, Sensors&Actu-
ators, Vol.16, Nos.1&2 (1−13), 1989.
9. G.Heiland: „Homogeneus semiconducting gas sensor“, Sensors&Actuators,
No.2 (343−361), 1982.
10. P.K.Clifford: „Thin solid state electrochemical gas sensor“, Sensors&Actu-
ators, Vol.2, No.4 (371−384), 1982.
11. P.K.Clifford: „Characteristics of semiconductor gas sensor“, Sensors&Actu-
ators, No.3 (233−254), 1982/83.
12. J.Watson: „The tin oxide gas sensor and its applications“, Sensors& Actu-
ators, No.5 (29−42), 1984.
13. J.Watson: „A new approach to selective detection of gas by an SnO2 solid state
sensor“, Sensors&Actuators, No.5 (55−63), 1984.
14. T.Seyama, N.Yamazoe, H.Arai: „Ceramic humidity sensor“, Sensors& Actu-
ators, No.4 (85−96), 1983.
16. A.Yakada, N.Yamaga, K.Doi, T.Fujioka, S.Kusanagi: „A planar electro-
chemical carbon monoxide sensor“, Journal of the electrohemical society,
Vol.139, No.4 (1091−1095), 1992.
17. G.Martinelli, M.C.Carotta: „Thick-film gas sensors“, Sensors&Actuators,
Vol.23, No.2−3 (157−161), 1995.
18. M.Popovi}: „Semiconductor gas sensors − present state and trends in

development“, Proc. VI International SAUM Conference on Systems,
Automatic Control and Measurements, (102−107), Ni{, 1998.
19. M.H.Wesbrook: „Future developments in automotive sensors and their
systems“, Journal of Physics E, Scientific Instrumentation, No.22 (693−699),
1989.
20. Hemirezistori:
www.ssco.com.tw/Cyrano/technology.htm
www.oit.doe.gov/sens_cont/pdfs/psu_01.pdf
21. Senzori SnO2: http://www.tu-berlin.de/fb6/hri/pdf/h53.pdf.
22. Lambda senzori: www.astratech.co.uk/download/sensors.pdf
7
ELEKTROLITI^KI
SENZORI GASOVA
7.1. UVOD
Elektroliti~ki senzori gasova su u su{tini elektrohemijske
}elije napravljene od ~vrstog elektrolita kao provodnika jona i dveju
metalnih elektroda kao provodnika elektrona. Izme|u elektrolita i
jedne elektrode odvijaju se elektrohemijski procesi, tj. oksidacija ili
redukcija gasa. Ta elektroda se naziva senzorska, merna ili radna, a
druga je pomo}na jer sluì za zatvaranje elektri~nog kola. Zavisno od
toga da li je izlazni signal napon izme|u elektroda ili struja u kolu
razlikuju se potenciometrijski, odnosno amperometrijski senzori.
Trofazni kontakt gas−metal−elektrolit je granica na kojoj se
neutralni molekuli gasa pretvaraju u jone. Molekuli merenog gasa
prolaze kroz poroznu elektrodu i stiù kao joni u ~vrsti elektrolit.
Redoks-reakcije na trofaznom kontaktu karakteristi~an je po
transferu naelektrisanja:
X gas ± e −'( A) ± e , (7.1)
gde su Xgas reaktant i A jonizovani produkt redoks-reakcije.

Tipi~an primer je elektrohemijska }elija na bazi elektrolita ZrO2,
namenjena za merenje parcijalnog pritiska kiseonika (slika 7.1). Obe
elektrode su od porozne platine koja omogu}ava stvaranje trofaznog
kontakta. Zbog razmenjenog naelektrisanja na takvoj granici formira
se elektrodni potencijal proporcionalan parcijalnom pritisku kiseo-
nika, odnosno izme|u elektroda nastaje napon U proporcionalan
razlici parcijalnih pritisaka p′O2 i p″O2 na kontaktima. Ovaj napon
ra~una se pomo}u Nernstove jedna~ine:
7. ELEKTROLITI^KI SENZORI GASOVA 199
 p ′O 2  RT p ′O 2
E   = ln , (7.2)
 p ′′O 2  4F p ′′O 2
gde je F=96 494 C/mol Faradejeva konstanta a broj 4 predstavlja broj

elektrona po molekulu O2 pri formiranju jona O2-.
E=( pO /pO )
2 2
ELEKTROLIT GAS
O2
2
2O
ZrO2(+Y2O3)
GRANICA 4e
TRIJU
ELEKTROLIT FAZA METAL
Pt-ELEKTRODE
Slika 7.1. Trofazna granica gas−elektroda−elektrolit
Materijal od kojeg se pravi elektroda treba da ima malu

otpornost da se ne bi remetila kinematika procesa, da je hemijski i
strukturno stabilan u {irokom opsegu temperature i parcijalnog
pritiska merenog gasa, da je hemijski neutralan, da je temperaturni
koeficijent {irenja isti kao kod elektrolita i da je kataliti~ki aktivan u
odnosu na odre|enu redoks-reakciju. Najbolje osobine u tom smislu
imaju tankoslojne elektrode od plemenitih metala. Tehnologiji izrade
elektroda posve}uje se posebna pa`nja jer od morfologije sloja i radne
temperature zavisi kinematika elektrohemijskog procesa.
7.2. POTENCIOMETRIJSKI
SENZORI
7.2.1. Princip rada
Potenciometrijski na~in rada elektrohemijske }elije dobija se
kada kroz nju ne proti~e struja. Ravnote`ni potencijal senzorske
elektrode meri se u odnosu na potencijal referentne elektrode. Izme|u
200 SENZORI GASOVA I TE^NOSTI
elektroda je elektrolit koji provodi samo jone odre|enog tipa. Takva

}elija u op{tem slu~aju moè se predstaviti {emom:
Gasmereni,Me′elektrolitMe″,Gasreferentni (7.3)
gde su Me′ i Me″ metalne elektrode u kontaktu sa elektrolitom u kome
se moduli{e koncentracija odre|enih jona u zavisnosti od parcijalnog
pritiska merenog gasa. Naj~e{}e su elektrode od istog metala:
Me′=Me″=M.
Pri tome moraju biti ispunjena dva va`na uslova:
• Potencijal referentne elektrode je konstantan i nezavisan od
promena u sastavu merenog gasa. Ovaj uslov se ispunjava
relativno jednostavno, pomo}u konstrukcije koja obezbe|uje
da je parcijalni pritisak merenog gasa na referentnoj strani
}elije konstantan.
• Nema elektronske provodnosti kroz elektrolit jer bi u
protivnom kolo bilo u kratkom spoju.
Potenciometrijski senzor kiseonika na bazi cirkonijuma
stabilisanog pomo}u itrijuma: YSZ=ZrO2(+Y2O3), moè se posmatrati
kao generi~ki senzor ovoga tipa. Njegova op{ta {ema ima oblik:
O2 mereni,PtZrO2(+Y2O3)Pt,O2 referentni. (7.4)
Elektrohemijska reakcija jonizacije kiseonika na obema
elektrodama je identi~na:
1
O 2 + 2e ' O 2− . (7.5)
2
Napon }elije u ravnote`nom stanju dat je jedna~inom (7.2).
Elektrohemijska ravnoteà potenciometrijske }elije ozna~ava
stanje u kome nema struje, odnosno stanje kada nema promene
Gibzove slobodne (korisne) energije: ∆G=0. Slobodna energija G zavisi
od temperature, pritiska i sastava. Njena promena u zavisnosti od
komponente i defini{e se kao parcijalna slobodna energija, odnosno
hemijski potencijal te komponente µi:
 ∂G 
µ i =   , (7.6)
 ∂n i  T , P , j ≠ i
gde je ni broj molova komponente.
Kada je komponenta i naelektrisana, tj. kada se sastoji od

jona, tada se promena slobodne energije ozna~ava kao
elektrohemijski potencijal µ~ jer se uzima u obzir i elektri~ni
rad, pa jedna~ina (7.6) ima oblik:
µ~ = µ i + zFφ = µ i0 + RT ln pi + zFφ , (7.7)
gde je µ i0 hemijski potencijal jona gasa i u standardnom stanju, R

gasna konstanta, T apsolutna temperatura, pi parcijalni pritisak gasa,
zi broj elementarnih naelektrisanja po jednom jonu, F Faradejeva
konstanta i φ elektrostati~ki potencijal jonizovane faze.
U vanjskom kolu nije priklju~en izvor napajanja i nema
migracije jona, ali s obzirom na gradijent elektrohemijskog
potencijala prisutna je difuzija jona. Gustina struje usled difuzije
je:
J i = − z i u i c i (gradµ i + z i Fgradφ ) . (7.8)
U ravnote`nom stanju postignuta je elektri~na neutralnost u
svakoj ta~ki, tj. ukupna struja u vanjskom kolu jednaka je nuli:
Σ Ji = − Σ ziuici(grad µ i + zi F grad φ)=0 (7.9)
i i
Mobilnost jona na osnovu (5.24) moè da se napi{e u obliku

ui =σ/ciziq, tako da se iz jedna~ine ravnoteè (7.9) lako dobija izraz
za gradijent elektrostati~kog potencijala u obliku:
1 σi
gradφ = −
F
∑ z ∑ σ gradµ
i i i
i (7.10)
Relativna provodnost koja pripada posmatranim jonima

ozna~ava se kao prenosni broj ti =σi /Σσi, pa se gradijent
potencijala koji stvara difuziju jona sada moè napisati u obliku:
1 ti
grad φ = −
F
∑ z grad µ .
i i
i (7.11)
Moè se osnovano pretpostaviti da su gradijenti prisutni samo

du` ose x, na rastojanju od senzorske do referentne elektrode.
Analiti~ko re{avanje jedna~ine svodi se tako na dva odre|ena integrala
u granicama od x=sen do x=ref. Prema tome, tendencija naelektrisanih
~estica, jona i elektrona, da se kre}u difuzijom zbog razlike hemijskih
potencijala na krajevima elektrolita (desna strana jedna~ine 7.11) u
ravnote`nom stanju bi}e kompenzovana razlikom elektri~nog

potencijala, odnosno naponom E suprotnog predznaka (leva strana
jedna~ine 7.11):
x = ref
1 ti
E = φref − φsen =−
F ∫ ∑z
x = sen i i
dµi . (7.12)
Senzor kiseonika na bazi O2−-elektrolita. Ra~unanje

napona difuzije E (7.12) za konkretnu potenciometrijsku }eliju
provodi se prate}i {emu te }elije od senzorske do referentne
elektrode. Na primer, za potenciometrijski senzor kiseonika ~ija je
{ema O2 mereni,PtZrO2(+Y2O3)Pt,O2 referentni izlazni napon je:
1  te t 2- t t 2- 
E=− µ e,Pt + O µ 2- − e µ e,Pt − O µ 2-  . (7.13)
F  ze z 2- O ref ze z 2- O mer 
 O O 
Zbog velike koncentracije elektrona u elektrodama njihovi
hemijski potencijali su prakti~no jednaki. Dok se ne uspostavi
ravnoteà u elektrolitu se kre}u samo dvostruko jonizovani atomi
kiseonika O2−, pa je t 2- ≈ 1 i t 2- ≈ 1 , odnosno:
O O
1 1 1
E= ( µ 2- − µ 2- ) . (7.14)
F 2 O mer 2 O ref
Hemijski potencijal jona kiseonika kiseonika moè se izra~unati
na osnovu elektrohemijske jedna~ine 1/2O2+2e− ' O2−:
1
µ O = µ 2- − 2µ e , (7.15)
2 2 O
pa je izlazni napon:
1
E= ( µ O mer − µ O ref ) . (7.16)
4F
Hemijski potencijal µi idealnog gasa sa parcijalnim pritiskom pi
na apsolutnoj temperaturi T je µi = µi0+RTlnpi. Kiseonik se pona{a kao
idealni gas, tako da se iz (7.16) na kraju dobija da je naponski signal na
izlazu potenciometrijskog senzora kiseonika dat u obliku:
1 RT pO 2 mer
E= ( RT ln pO 2 mer − RT ln pO 2 ref ) = ln , (7.17)
F 4F pO 2 ref
koji je poznat kao Nernstova jedna~ina, i koji predstavlja funda-

mentalnu jedna~inu svih potenciometrijskih senzora.
7.2.2. Tehnika potenciometrijskih senzora

Op{te karakteristike. Potenciometrijski senzori primenjuju se
za merenje koncentracije velikog broja gasova: O2, H2−H2O, CO, CO2,
Cl2, SO2, SO3, Sx, H2−H2S, NO2, i dr. Radna temperatura je naj~e{}e
iznad 100 °C, a samo manji broj ovih senzora radi na sobnoj
temperaturi. Konstrukcije senzora su dosta sli~ne − saglasno op{toj
{emi (7.3). Merna elektroda je uvek od metala, a referentna moè biti
sloèna od metala i poluprovodni~kog jonskog mosta radi stabilnosti
referentnog potencijala.
U principu primenjuju se tri tipa elektrolita:
• elektrolit kod kojeg su pokretni joni isti kao joni merenog
gasa;
• elektrolit kod kojeg postoje joni merenog gasa ali nisu
pokretljivi;
• elektrolit kod kojeg uop{te nema jona merenog gasa.
Tipi~na ta~nost je ±2−3%, vremenska konstanta je oko 5 s pri
ve}im koncentracijama merenog gasa, odnosno nekoliko minuta pri
manjim koncentracijama.
Senzor kiseonika napravljen je od stabilisanog ZrO2, tj.
elektrolita u kome su pokretljivi joni kiseonika (slika 7.2.a). Sa vanjske
strane cilindri~nog elektrolita je mreàsta Pt-elektroda da bi se
omogu}io dobar kontakt sa vanjskim vazduhom kao referentnom
atmosferom ( p O 2 = const ). Sa unutra{nje strane je merni deo − dovod
merenog gasa i elektroda od porozne platine na elektrolitu u obliku
kupe. Konstrukcija elektrolita iz dva dela koji se dodiruju na vrlo maloj
povr{ini spre~ava prodor jona kiseonika do referentne elektrode i
kontaminaciju referentnog potencijala.
Konstantna vrednost parcijalnog pritiska kiseonika na refe-
rentnoj elektrodi od metala obi~no se dobija tako {to je ona otvo-
rena prema vazduhu kao referentnoj atmosferi. Ukoliko to nije
mogu}e, pO 2 ref = const moè se obezbediti kostrukcijom poluprovo-
dni~ke referentne elektrode napravljenom od metala i njegovog oksida:
Ni/NiO, Mn/MnO2, Cr/CrO2, Pd/PdO i dr. Parcijalni pritisak kiseonika

u takvoj binarnoj fazi je konstantan, pa je stoga elektroda kapsulirana
ili za{titnim slojevima odvojena od vazduha.
MERNA
UZORAK ELEKTRODA
Pt ZA[TITNI SLOJ
UZORAK ENAMEL
REFERENTNA
RADNA ELEKTRODA KONTAKT
ELEKTRODA
ZrO2 KONTAKT
ZrO2
SUPSTRAT Al2O3
Pt-MRE@ICA GREJA^
VAZDUH
a) b)
Slika 7.2. Konstrukcije senzora kiseonika: a) prosta, b) tankoslojna
Tankoslojni senzor kiseonika potenciometrijskog tipa koji se

ina~e primenjuje za merenje odnosa A/F prikazan je na slici 7.2.b. U
okolini stehiometrijskog odnosa (A/F)0 senzor ima naglu promenu
izlaznog signala oko 0,5 V. Elektrolit je ZrO2, radna elektroda je od
porozne platine, a referentna elektroda je od Ni/NiO ili Pd/PdO. Refe-
rentna elektroda je veoma dobro izolovana od merenog gasa pomo}u
enamela da bi se spre~ila kontaminacija referentnog napona. Na
pole|ini osnove od Al2O3 je tankoslojni Pt-greja~ koji daje radnu
temperaturu 500−800 °C.
Senzor kiseonika na bazi zelenih traka. Tehnika zelenih
traka detaljno je izloèna u {estom poglavlju na primeru TiO2 otpor-
ni~kog senzora kiseonika. Pokazalo se da je ova tehnika produktivna i
za elektroliti~ke senzore Na primer, kod kataliti~kih konvertora u
savremenim automobilima instalirani su senzori kiseonika ~iji signal
sluì za regulaciju odnosa A/F u stehiometrijskoj ta~ki λ=1. Senzor je
napravljen od tri sloja (slika 7.3). U prvom sloju je ugra|en Pt-greja~
za ravnomerno zagrevanje senzora. Drugi sloj je u obliku potkove ~ija
unutra{njost predstavlja kanal otvoren prema vazduhu kao
referentnoj atmosferi. Tre}i sloj je od cirkonijumovog elektrolita ZrO2.
Na njegovoj gornjoj strani deponovana je merna, a na donjoj
referentna elektroda. Sve tri trake na kraju se poravnavaju po
vertikali, presuju i zapeku u jedinstven senzorski ~ip.
MERNA ELEKTRODA REFERENTNA ELEKTRODA

Senzor vodonika pravi
ZrO2 se na bazi nekog protonskog
elektrolita, na primer hidro-
gen−uranil−fosfata HUP (HUO2⋅
⋅PO4⋅4H2O), koji omogu}ava rad
na sobnoj temperaturi od 20 °C
(slika 7.4.a). Osnovni problem
VAZDU[NI
kod elektroliti~kog senzora
KANAL
vodonika je osiguranje stabil-
nosti i reverzibilnosti referentne
elektrode. Plemeniti metali su
GREJA^ osetljivi na vodonik koji difundi-
ra kroz HUP i kontaminira
referentni potencijal. Referentna
Slika 7.3. Tehnika zelenih traka elektroda od binarne faze
Pd/PdH2 tako|e ne daje dobre
rezultate, jer nakon izvesnog vremena dolazi do njenog razlaganja.
Poku{alo se i sa referentnom elektrodom od WO3, ali je ona osetljiva
na vodonik koji difundira kroz oklop ili elektrolit HUP.
Principijelna konstrukcija potenciometrijskog senzora vodonika
je jednostavna (slika7.4.b). Protonski elektrolit HUP je debljine oko
1 mm, sa gornje strane je referentna elektroda, a sa donje strane
merna elektroda od Pt-praha. U cilindri~nom ku}i{tu od tufnola koji
ne propu{ta vodonik ova tri sloja se presuju pomo}u {tapa od
ner|aju}eg ~elika, koji ujedno sluì kao elektri~ni kontakt sa
referentnom elektrodom. [ema senzora kao elektroliti~ke }elije je:
M′, Gas mereni HUP RE, M′′ , (7.18)
gde je M′ platina ili paladijum. Ispitivanja su pokazala da refe-

rentna elektroda RE napravljena od kompozita tipa γ -MnO2/
/HUP/grafit (odnos 5:2:1) ili (α ili β )PbO2/HUP (odnos 1:1)
zadovoljava uslove stabilnosti i reverzibilnosti.
Zbog gradijenta u parcijalnom pritisku vodonika izme|u
merne i referentne elektrode nasta}e napon dat Nernstovom
jedna~inom:
RT p H 2 mer RT p H 2 mer
E= ln ili E = 2,303 log . (7.19)
2F p H 2 ref 2F p H 2 ref
PROTONSKI
E ELEKTROLIT
REFERENTNA Sb2O5 . 2H2O mV 300
ÊLI^NI ELEKTRODA CO
SENZORSKA REFERENTNA
NAPON, E
OKLOP [TAP +V
ELEKTRODA Au ELEKTRODA AZ
DU
(POROZNA Pt) H
200
100
H2
ALUMINA
+V
AZ
DU
ELEKTROLIT 0
H
HUP
E -100
2 3 4
10 10 10 10
MERNA
ÊLI^NI ÊLI^NA KONCENTRACIJA, p ppm
ELEKTRODA H2
POKLOPAC MRE@ICA
a) b) c)
Slika 7.4. Potenciometrijski senzor vodonika: a) prosti, b) tankoslojni,
c) karakteristika
Referentna vrednost parcijalnog pritiska pH 2 ref

moè se
izra~unati nakon {to se senzor priklju~i na pH 2 ref
= 1 bar i izmeri
odgovaraju}i napon E. Eksperimentalno je utvr|eno da dijagram
E(−log p H 2 mer ) ima nagib, tj. osetljivost od 28,9 mV/dekadi u opsegu
10−1 000 ppmH2 u odnosu na argon, te da je vremenska konstanta
nekoliko sekundi pri ve}im, odnosno desetak minuta pri manjim
koncentracijama.
Tankoslojna konstrukcija senzora vodonika prikazana
je na slici 7.4.b. Na Al2O3 supstrat (10×10×3 mm) nanet je tanki
sloj (∼10 µm) protonskog elektrolita Sb2O5⋅2H2O. Senzorska elektroda
je od platine (∼0,2 µm), a referentna od zlata (∼0,3 µm).
Senzor se koristi za merenje koncentracije vodonika u vazduhu.
Kada je koncentracija vodonika mnogo manja od koncentracije
kiseonika, tada je za formiranje izlaznog napona senzora E bitna
reakcija oksidacije vodonika H2 → 2H+ + 2e− . Eksperimentalno je
utvr|eno da je napon senzora tada proporcionalan logaritmu pH 2 ref
(slika 7.4.c). Osetljivost je −150 mV po dekadi.
Interesantno je da isti senzor pokazuje osetljivost na CO.
Ako je koncentracija CO u odnosu na kiseonik u vazduhu mnogo
manja, tada je za formiranje izlaznog napona bitna reakcija
CO + H2O → CO2 + 2H+ + 2e− i tada je izlazni napon tako|e
dat Nernstovom jedna~inom, odnosno proporcionalan je logaritmu

pH 2ref (slika 7.4.c). Osetljivost je −80 mV/dekadi.
7.3. AMPEROMETRIJSKI
SENZORI
7.3.1. Princip rada
Amperometrijski na~in rada. Kada se elektrohemijska }elija
koja se sastoji od manje radne elektrode, ~vrstog elektrolita i ve}e
pomo}ne elektrode priklju~i na jednosmerni izvor napona E, u prvom
trenutku u kolu nema struje. Me|utim, kako se na kontaktu elektroda
i elektrolita odvijaju elektrohemijski procesi, uspostavi}e se stalna
struja I proporcionalna koncentraciji te~nosti, odnosno parcijalnom
pritisku merenog gasa.
Radna elektroda mora da bude {to manja jer je tada njena
povr{ina A mala, a elektri~na otpornost elektrode kao strujnog izvora
velika. Zbog toga }e elektrohemijski proces na radnoj, tj. senzorskoj
elektrodi odre|ivati apsolutnu vrednost struje I u kolu. Pomo}na
elektroda na ovu vrednost ne uti~e jer je znatno ve}a. Na taj na~in
informacija o koncentraciji zavisi samo od karakteristika radne
elektrode i sasvim je nebitno na kom }e mestu i na kojoj udaljenosti
biti postavljena pomo}na elektroda. Ovaj uslov je lako ispuniti, daleko
lak{e nego uslov stabilnosti referentne elektrode kod potenci-
ometrijskog na~ina rada.
Struja ograni~ena difuzijom. Radna elektroda je katoda ili
anoda, {to zavisi od toga da li daje elektrone molekulima gasa ili ih
preuzima od njih. Na primer, radna elektroda kod senzora kiseonika je
katoda jer se na njoj molekuli kiseonika O2 redukuju u jone O2−. Zbog
ove razmene formira}e se gradijent koncentracije dci /dx merene
komponente i, odnosno maseni fluks koji je povezan Fikovim zakonom
difuzije:
dci
J i = − Dij , (7.20)
dx
gde je Di j koeficijent difuzije komponente i u elektrolitu j. Kada se
koncentracija gasa u smesi izraàva parcijalnim pritiskom pi = ci /RT,
tada Fikov zakon ima oblik: Ji = −(Di j /RT)(dpi /dx).
Ako se pretpostavi da je debljina difuzionog sloja δ, tada je:

 dc i  c (∞) − c i (0)
  = i , (7.21)
 dx  x = 0 δ
pri ~emu je ci(∞) koncentracija merene komponente u neporeme}enom

delu, tj. izvan difuzionog sloja, ci(0) koncentracija na povr{ini
elektrode i x udaljenost od povr{ine elektrode.
Kombinovanjem jedna~ina (7.20) i (7.21), a zatim mnoènjem sa
ziF (u skladu sa Faradejevim zakonom) umesto masenog fluksa dobija
se fluks naelektrisanja, odnosno gustina struje: Ji=I/A. Odatle je
difuziona struja I:
ci (∞) − ci (0)
I = − Dij zi FA . (7.22)
δ
Ako se pretpostavi da svi molekuli merene komponente trenutno
jonizuju kada stignu na povr{inu elektrode x=0, tada je ci(0)=0 ili je
ci(0)<<ci(∞), pa struja (7.22) ima grani~nu vrednost koja je direktno
proporcionalna koncentraciji merene komponente izvan difuzionog
sloja:
Dij zi AF
I lim = − ci (∞) . (7.22)
δ
Pumpanje gasa. Uslov da struja bude jednaka grani~noj
difuzionoj struji lak{e je ispuniti kod amperometrijskih senzora za
te~nosti nego za gasove. Razlog je u znatno ve}em koeficijentu difuzije
gasova u ~vrstim elektrolitima, pa molekuli stiù suvi{e brzo do
elektrode koja ne moè da redukuje svu pristiglu koli~inu. Na primer,
koeficijent difuzije kiseonika DO2 u vodi na 25 °C je 2,4⋅10−5 cm2s−1, a u
atmosferi azota na 25°C je 0,16 cm2s−1. Zbog toga je kod
amperometrijskih senzora sa ~vrstim elektrolitom neophodno smanjiti
konvekcioni pristup gasa pomo}u difuzione barijere koja se pravi u
obliku male kapilare ili tankog poroznog sloja. Difundiranje gasa kroz
kapilaru ili porozni sloj je bez konvekcije, pa tako izlazna struja ne
zavisi od brzine gasnog toka.
Napon koji je priklju~en izme|u elektroda omogu}ava da senzor
radi kao „pumpa“, (slika 7.5). Gas se jonizuje na radnoj elektrodi,
prolazi kroz elektrolit, depolarizuje se na pomo}noj elektrodi i napu{ta
senzor. Na taj na~in formira se gradijent u difuzionoj barijeri i
molekuli gasa pumpaju se kroz senzor, a struja u kolu je ograni~ena

dotokom gasa prema radnoj elektrodi. Treba dodati da transport gasa
kroz elektrolit tako|e ima difuzioni limit, da je struja koja nastaje u
kolu tako|e proporcionalna parcijalnom pritisku gasa, ali se senzori sa
ovakvim na~inom rada ne prave jer je tada tok gasa toliko veliki da
dolazi do o{te}enja elektrolita i nestabilnosti izlaza.
O2 O2
DIFUZIONA ^VRSTI
KATODA ANODA
BARIJERA ELEKTROLIT
PRIKLJUÊNI NAPON
Slika 7.5. Pumpanje gasa kod difuzionih senzora
7.3.2. Tehnika amperometrijskih senzora

Senzor kiseonika sa ograni~enom difuzijom je tipi~ni
predstavnik amperometrijskih senzora. Najprostija konstrukcija je sa
elektrolitom ZrO2 koji sa dve strane ima Pt-elektrode (slika 7.6.a). Sa
gornje strane je poklopac sa otvorom, kanalom koji predstavlja
difuzionu barijeru za dovod sagorelog gasa. Priklju~eni napon
omogu}ava pumpanje O2 kroz cirkonijumov elektrolit od katode na
kojoj se kiseonik redukuje do anode na kojoj oksiduje. Sa pove}anjem
napona struja dostiè zasi}enje jer je ograni~ena difuzijom O2 u
dovodnom kanalu. To je grani~na struja i ona je proporcionalna
koncentraciji merenog gasa u skladu sa jedna~inom (7.22).
Konstrukcija u kojoj je kanal zamenjen poroznom keramikom
omogu}ava brì odziv i bolju za{titu od {tetnih komponenti u
sagorelom gasu (slika 7.6.b).
Konstrukcija prikazana na slici 7.6.c veoma je sli~na
potenciometrijskoj verziji ovog senzora datoj na slici 7.2.a. Oba
senzora upotrebljavaju se za kontrolu odnosa A/F. Osnova senzora je
elektrolit ZrO2 u obliku cevi zatvorene na jednom kraju. Sa vanjske
i unutra{nje strane cevi su Pt-elektrode. Greja~ od Pt-ìce sluì za
odràvanja radne temperature. Struja izme|u katode i anode ogra-
ni~ena je porozno{}u sloja sa kojim je presvu~ena katoda. Sa vanjske
strane senzor je izloèn sagorelim gasovima, a sa unutra{nje je vazduh
kao referentna atmosfera. Radna temperatura je 700 °C. Senzor je
pogodan za merenje A/F u {irokom rasponu 13,4−23,4 ( λ =0,9−1,6).
Naravno, dana{nji automobilski motori koriste slabe sme{e (λ<1) jer
to omogu}ava manju potro{nju i ve}e u{tede.
POKLOPAC VAZDUH
x=0 c( ) SA OTVOROM
..
8
O2 A GREJA^
POROZNI ZrO2
SLOJ
x=d c(0) ZA[TITNI
OKLOP
Pt−KATODA ZrO2+Y2O3
ZrO2+ 2− SAGORELI
O GASOVI
Y2O3
O2 ZA[TITNA POROZNI
Pt−ANODA A KERAMIKA A SLOJ
a) b) c)
Slika 7.6. Amperometrijski (difuzioni) senzor kiseonika: a) sa rupicom, b) sa
poroznim slojem, c) za merenje odnosa A/F
Tankoslojne konstrukcije amperometrijskih senzora

kiseonika pristupa~ne su zbog niske cene i malih dimenzija. Tipi~an
senzor ovoga tipa prikazan je na slici 7.7.a. Kerami~ka osnova Al2O3 je
porozna i ujedno sluì kao difuziona barijera. Na osnovu je
deponovana katoda od porozne platine, zatim elektrolit ZrO2 i na kraju
anoda od platine. Sa donje strane osnove je greja~ snage od svega
nekoliko vati. Dimenzije ovoga senzora su 1,7×1,7×0,3 mm. Merno
podru~je je do 70%O2/N2 na temperaturi od 690 °C (slika 7.7.b).
0,4
ZrO2+Y2O3 µA
Pt− PRIKLJU^CI
KATODA 70%
60
50
Al2O3 0,2
40
30
STRUJA, I
20
ANODA 10
Pt−GREAJA^
0
0
0 2
NAPON, E V
a) b)
Slika 7.7. Tankoslojni amperometrijski senzor kiseonika: a) konstrukcija,
b) karakteristika
Niskotemperaturni O2-senzor od polimera, protonskog

elektrolita tipa nafion, ima mnoge dobre osobine: radi na sobnoj
temperaturi, ima kompaktnu strukturu, vremensku konstantu 1−2 s,
temperaturni koeficijent 0,3%/°C, linearnost stati~ke karakteristike

±0,3% za opseg od 0−23%O2/vazduh.
Sa gornje strane polimerskog elektrolita SPE (Solid Polymer
Electrolyte) su radna i referentna elektroda od porozne platine koja
propu{ta kiseonik ali ne i vlagu (slika 7.8.a). Radna elektroda WE
(working electrode) je ve}a (1 cm2), a referentna RE (reference
electrode) je manja i otvorena je prema vanjskom vazduhu kao
referentnoj atmosferi. Sa druge strane je hemijski deponovana
pomo}na Pt-elektroda CE (counter electrode) na koju je priklju~en
naponski izvor.
UZORAK UZORAK mV
20
(ULAZ) (IZLAZ) VAZDUH
15
. +
KAPILARA
10 RE PK
−
+ −
SPE 5
IZLAZ
+
CE WE
PREDNAPON
0
IZLAZ
SUPROTNA REFERENTNA 0 0,5 1
ELEKTRODA (CE) ELEKTRODA (RE) RELATIVNI
POTENCIJAL, −EWE/RE V
MERNA
ELEKTRODA (ME)
a) b) c)
Slika 7.8. Senzor kiseonika na bazi SPE: a) struktura, b) stati~ka
karakteristika, c) kolo za pode{avanje potencijala radne elektrode u odnosu na
referentnu
Struja u kolu raste i kod EWE/RE =−0,55 V dostiè grani~nu

vrednost. Struja se generi{e redukcijom kiseonika na radnoj elektrodi
(katodi) {to se odraàva na fluks kiseonika kroz kapilaru. Fluks je
odre|en razlikom u sastavu gasa na krajevima kapilare. Kada
koncentracija kiseonika na kraju kapilare (tj. na kontaktu sa radnom
elektrodom) opadne do nule pri dovoljno negativnom potencijalu, tada
fluks kiseonika i struja imaju grani~nu vrednost koja ostaje skoro
konstantna sa daljim pove}anjem negativnog potencijala.
Me|utim, za vrednosti ve}e od −0,8 V struja po~inje ponovo da
raste zbog razvoja reakcija sa vodonikom (slika 7.8.b). Ovde se vidi
uloga pomo}ne elektrode, ona obezbe|uje da referentna elektroda ne
vu~e struju, odnosno da njen potencijal bude stabilan. Potencijal
radne elektrode pode{ava se u odnosu na referentnu elektrodu
pomo}u vanjskog kola, tzv. potenciostatske {eme, a izlazni strujni
signal pretvoren je u naponski pomo}u U/I konvertera (slika 7.8.c).
Kalibracioni potenciometar PK podesi se tako da izlazni napon za
referentni gas (vazduh) ima odre|enu vrednost, na primer u

konkretnom slu~aju 20 mV.
Merenje vla`nosti pomo}u amperometrijskog O2 senzora
zasniva se na elektrohemijskom razlaganju vodene pare na
katodi:
H 2O + 2 e − → H 2 + O2- . (7.23)
Higrometar se u odnosu na senzor kiseonika neznatno razlikuje
(slika 7.9.a). Cirkonijumov elektrolit YSZ je u obliku diska pre~nika
6 mm i debljine 0,15 mm, Pt-elektrode su pre~nika 4 mm i debljine
5 µm, zapremina komore izme|u pore i katode je 0,75 mm3, a radna
temperatura je 150−250 °C. Pove}avanjem napona struja u kolu raste,
a zatim se uo~avaju dva platoa, oblasti u kojima je struja konstantna
jer je ograni~ena difuzijom kroz kapilaru (slika 7.9.b). Visina platoa IL1
(E<1,4 V) proporcionalna je koncentraciji kiseonika u vazduhu, a
visina drugog platoa IL2=IL1+∆IL (E>1,4 V) proporcionalna je
koncentraciji kiseonika iz vazduha i kiseonika koji je nastao
elektroliti~kim razlaganjem vodene pare. Prema tome, pri datom
parcijalnom pritisku kiseonika razlika ∆IL je mera vla`nosti vazduha.
Ostaje jo{ da se ba`darenjem utvrdi stati~ka karakteristika za radno
podru~je parcijalnog pritiska vodene pare pH 2O .
O2 H2O
GREJA^
µA
∆IL
H2
Pt
2−
STRUJA, I
ZrO2+Y2O 3 O IL1 IL2
Pt O2 V
NAPON, E V
A
a) b)
Sklika 7.9. Higrometar na bazi O2-senzora: a) konstrukcija, b) karakteristika
7.4. KOMBINOVANI SENZORI

Senzori sa dve elektrohemijske }elije koriste se zbog ve}e
osetljivosti i selektivnosti. Obi~no je jedna }elija amperometrijska, a
druga potenciometrijska. Tipi~an primer je cirkonijumski ZrO2 senzor
namenjen pra}enju odnosa vazduha i goriva A/F pri sagorevanju
benzina u savremenim automobilskim motorima.
Tankoslojna struktura kombinovanog senzora izgra|ena
je na Al2O3 supstratu (slika 7.10.a). Na donjoj strani je greja~, a na
gornjoj strani su amperometrijska pumpa kiseonika i potenciome-
trijski senzor. Za sagorevanje pri stehiometrijskoj vrednosti (A/F=14,6
ili λ=1) kiseonik prisutan u sagorelim gasovima difundira kroz
porozni kerami~ki sloj i na poroznoj Pt-elektrodi u celosti jonizuje, pa
bi struja u kolu trebalo da je Ilim. Me|utim, ukupna struja Ip u
amperometrijskom kolu jednaka je nuli jer je pomo}ni izvor
jednosmerne struje prethodno postavljen na vrednost −Ilim. U tom
trenutku na senzorskoj elektrodi koncentracija O2 jednaka je nuli kao i
na kapsuliranoj referentnoj elektrodi, pa je generisani napon Eizl=0.
O UZORAK POROZNA I =0µA 100µA 200µA

2 V 0,7 p
KERAMIKA
POROZNA 0,6
PLATINA
STEHIOMETRIJSKI ODNOS
ENAMEL PLATINA
0,5
Pt/PdO
0,4
ZrO ZrO
2 2
0,3
SUPSTRAT
0,2
i
IZLAZ, E
GREJA^
0,1
. .
E
i
+ 0
14 15 16
ODNOS A/F
a) b)
Slika 7.10. Kombinovani senzor A/F: a) tankoslojna struktura, b) karakteristika
Ukoliko sagorevanje odstupa od stehiometrijskog (λ<1),

uupna struja u kolu je ve}a od nule, kao i napon Eizl. Pri tome se
stati~ka karakteristika pomera udesno u skladu sa porastom Ip (slika
7.10.b). Izlazni napon je istovremeno i napon povratne sprege za koji
se umanjuje prednapon u amperometrijskom kolu − sve dok se ne
uspostavi struja Ip=0. Prema tome, radi se o merenju koncentracije
kiseonika pomo}u napona pri konstantnoj struji kao referentnoj
vrednosti, koja se moè podesiti i na neku drugu vrednost zavisno
od èljenog odnosa A/F. Kompenzacioni na~in rada je ta~niji u odnosu

na direktno merenje, a osim toga dobija se relativno veliki izlaz
(≈0,7 V).
LITERATURA
1. I.Lundström: „Potenciometric gas sensors based on fast solid electrolytes“,
Sensors&Actuators, Ns.12 (449 −453), 1987.
2. A.Sibbald: „A chemical−sensitive integrated circuit: the operational trans-
ducer“, Sensors&Actuators, Vol.7, No.1 (23 −38), 1985.
3. D.D.Iee, B.K.Sohn: „Low power thick film Co gas sensors“, Sensors &
Actuators, Vol.12, No.4 (441−447), 1987.
4. M.Prudenzati, B.Morten: „Thick-film sensors: an overview“, Sensors &
Actuators, Vol.10, Nos.3&4 (65 −83), 1986.
5. W.Göpel: „Chemisorption and charge transfer at ionic semiconductor
surfaces“, Surface Science, No.20 (9 −103), 1996.
6. S.Mukode: „A semiconductor humidity sensor“, Sensors&Actuators, Vol.16,
Nos.1&2 (1−13), 1989.
7. P.K.Clifford: „Thin solid state electrochemical gas sensor“, Sensors &
Actuators, Vol.2, No.4 (371−384), 1982.
8. N.Miura, S.Yao, Y.Shimizu, N.Yamazoe: „Carbon dioxide sensor using sodium
ion conductor and binary carbonate auxiliary electrode“, Journal of the
electrohemical society, Vol.139, No.5 (1 384 −1 389), 1992.
9. A.Yakada, N.Yamaga, K.Doi, T.Fujioka, S.Kusanagi: „A planar electrohemi-
cal carbon monoxide sensor“, Journal of the electrohemical society, Vol.139,
No.4 (1 091−1 095), 1992.
10. M.H.Wesbrook: „Future developments in automotive sensors and their
systems“, Journal of Physics E, Scientific Instrumentation, No.22 (693−699),
1989.
11. H.Huang, P.K.Dasgupta, Z.Genfa: „A pulse amperometric sensor for the
measurement of atmospheric hydrogen peroxide“, Analytical Chemistry, Vol.
68, No.13 (2 062−2 066), 1996.
12. T.Usui, Y.Kurumiya, K.Nuri, M.Nakazawa: „Gas-polarographic multi-
functional sensor: oxigen-humidity sensor“, Sensors&Actuators, Vol.16,
Nos.4(345 −358), 1989.
13. Handbook of sensors and actuators: Thick Film Sensors, (ed. M.Prudenzati),
Vol.1, Elsevier, 1994.
14. Y.He-Quing, L.Jun-Tao: „Solid polymer electrolyte-based electrochemical
oxigen sensor“, Sensors&Actuators, Vol.19, Nos.1(33 −40), 1989.
15. RV.Kumar, D.J.Fray: „Development of solid-state hydrogen sensors“,

Sensors&Actuators, Vol.15, Nos.2(185 −191), 1988.
16. T.Takeuchi: „Oxigen sensors“, Sensors&Actuators, Vol.14, Nos.2(109 −124),
1988.
17. S.S.M.Hassan, N.M.H.Rizk: „Miniaturized graphite sensors doped with
metal-bathophenanthroline complexes for the selective potenciometric
determination of uric acid in biological fluids“, Analyst, Vol.122 (815 −819),
1997.
18. „HANDBOOK OF SENSORS AND ACTUATORS“ (series ed. S.Middelhoek),
Vol.4: „Thick Film Sensors“ (ed. M.Prudenziati), Elsevier, 1994.
19. M.M.Meyerhoff, B.Fu, E.Bakker, J.H.Yun, V.C.Yang: „Polyion-sensitive
membrane“, Analytical Chemistry News & Features, (168 −175), 1996.
20. Principi rada i primena senzora kiseonika:
http://www.mastechnology.co.uk/sensors_explained.htm
http://gong.snu.ac.kr/~ceragas/potentio.htm
http://www.boschusa.com/AutoOrigEquip/Gasoline/ProdExhSensors/#
http://www.transportation.anl.gov/ttrdc/pdfs/S/182.pdf
8
SENZORI SA
EFEKTOM POLJA
8.1. PRINCIP RADA

Kataliti~ki gejt. Standardni MOS elementi, tj. elektronske
komponente sa strukturom metal−izolator−poluprovodnik imaju
metalni sloj od aluminijuma (Al). Uobi~ajeno je da se metalni sloj u
ovoj tehnici naziva gejt. Kada se aluminijum zameni sa kataliti~kim
metalom izrazitog hemijskog afiniteta kao {to su nikal (Ni), paladijum
(Pd), platina (Pt) ili iridijum (Ir), dolazi do adsorpcije molekula gasa i
reakcije na povr{ini metala. Adsorbovani molekuli postaju polari-
zovani i formiraju jedan dipolni sloj na spoju metala i izolatora koji
menja elektri~no polje u poluprovodniku.
Adsorpcija vodonika na kataliti~kom gejtu najbolje je
obja{njena, to je osnova za razumevanje detekcije svih
ugljenovodonika. Kao generi~ka struktura posmatra se senzor sa
gejtom od paladijuma, izolatorom od oksida SiO2 i osnovom od
silicijuma.
Paladijum deluje kao katalizator koji omogu}ava disocijaciju
adsorbovanog molekula, H2 ' 2Ha, na delu povr{ine koja nije
pokrivena adsorbovanim atomima. Atomi vodonika kre}u se po
povr{ini do najbliìh slobodnih adsorpcionih mesta. Adsorbovani
atomi Ha se zatim raspore|uju unutar paladijumskog sloja sve do
granice, interfejsa sa oksidom SiO2 i tu pozicioniraju kao adsorbovani
atomi Hi. Pretpostavlja se da atomi Ha na povr{ini metala mogu da
reaguju sa kiseonikom i formiraju grupe OH ili molekule vode:
2H + O 2 ' 2OH (8.1)
OH + H ' 2H 2 O . (8.2)
8. SENZORI SA EFEKTOM POLJA 217
Ovaj sloèni povratni proces {ematski je prikazan na slici 8.1.a.

Brzina ukupne reakcije jednaka je sumi brzina dveju reakcija drugog
reda:
dθ
= k1 pH 2 (1 − θ ) − θ 2 . (8.3)
2
dt
O2 ADSORBOVANI
H2 H2O ATOMI NA mV 400
POVR[INI
NAPON IZRAVNAVANJA ∆VFB

O O O O
Ha Ha Ha Ha Ha Ha
300
Pd
Hi Hi Hi Hi Hi Hi − 200
ADSORBOVANI + ∆VFB
ATOMI NA
SiO2 INTERFEJSU 100
Si 0
0 100 200 300 400 500
PARCIJALNI PRITISAK VODONIKA pH2 ppm
a) b)
Slika 8.1. Adsorpcija vodonika na Pd−SiO2−Si senzoru: a) hemijske reakcije, b)
tipi~na zavisnost ∆VFB od pH2
Postepeno se uspostavlja stacionarno stanje jer dalju adsorpciju

blokiraju ve} adsorbovani Ha, O i OH. Stacionarnom stanju odgovara
dθ/dt=0, pa se ravnote`na adsorpcija opisuje jedna~inom:
1/ 2
θ k 
=  1 pH 2  (8.4)
1 − θ  k2 
odnosno:
a pH 2
θ= , (8.5)
1 + a pH 2
gde vrednost parametra a=(k1/k2)1/2 zavisi od temperature i ambijenta,

tj. parcijalnog pritiska gasa u odnosu na koji se meri pH2 (naj~e{}e je to
kiseonik, odnosno vazduh).
Adsorbovani atomi vodonika na vanjskoj povr{ini paladijuma
prenose se na interfejs: θa ' θi. U stacionarnom stanju ovaj prenos
opisuje se jedna~inom:
θa θ
= Ki i , (8.6)
1−θa 1−θi
gde ravnote`na konstanta Ki ima vrednost jedan kada su centri
adsorpcije na povr{ini i na interfejsu iste prirode.
Napon izravnavanja. Opisani proces pra}en je polarizacijom
adsorbovanih atoma vodonika, pa se na taj na~in menja izlazni rad na
spoju Pd−SiO2 za iznos napona izravnavanja, flat-band voltage
∆VFB [V]. Ovaj pad napona na dipolnom sloju proporcionalan je
povr{ini θ i na kojoj je adsorbovan vodonik:
∆VFB = ∆VFB maxθ i . (8.7)
gde je sa ∆VFB max≈0,5 V ozna~ena maksimalna vrednost ∆VFB koja se

dobija pri najve}oj koncentraciji vodonika − obi~no je to oko
pH2=1 000 Pa u odnosu na vazduh kao referentni ambijent i radnu
temperaturu od 150 °C. Prag osetljivosti za ∆VFB je 25−50 mV i dobija
se za 1 ppmH2 (≈0,2 Pa) u vazduhu, odnosno 1 mV za 0,0001 ppbH2
(≈10−5Pa) u ambijentu od plemenitih gasova.
Ako se povr{ina θ i pokrivena vodonikom zameni jedna~inom
(8.5) dobija se da napon izravnavanja za male vrednosti pH2 ima oblik
korenske funkcije (slika 8.1.b):
1/ 2
∆VFB = kpH 2 . (8.8)
Energetski dijagram na
ENERGIJA
slici 8.2 prikazuje promene
energetskih nivoa vodonika. Kao
{to se vidi, centri adsorpcije H2
vodonika na vanjskoj povr{ini i

Eu
interfejsu imaju energiju Ea i Ei
koja je ve}a od energije
apsorpcionih centara Eu raspore-
Ei
|enih uniformno u unutra{njosti Ea
paladijumskog sloja. Eksperi- 2Ha 2Hi
mentalno je ustanovljeno da OKOLINA PALADIJUM OKSID
prilikom adsorpcije molekula
vodonika postoji tendencija da se Slika 8.2. Energetski dijagram
prvo zauzimaju centri sa vi{im adsorpcije vodonika
nivoima energije. Pri izrazito niskom parcijalnom pritisku, tj. pri
maloj koncentraciji vodonika ovi nivoi bi}e samo delimi~no zauzeti.
Atomi vodonika Ha sa povr{ine preko apsorpcionih centara u

unutra{njosti Pd stiù u skokovima do interfejsa Hi.
Sa porastom koncentracije vodonika raste i broj apsorpcionih
centara u Pd gde atomi vodonika deluju kao donori elektrona koji
popunjavaju slobodne nivoe i pomeraju navi{e Fermijev nivo, menja-
ju}i tako izlazni rad i provodnost spoja Pd−SiO2. Ukupno promena
energije usled dipolnog sloja na povr{ini i pomeranja Fermijevog nivoa
u unutra{njosti Pd jednaka je naponu izravnavanja ∆VFB koji je dat
jedna~inom (8.7). O~igledno je da debljina metalnog sloja ne sme da
bude velika (<100 nm), jer bi tada metal delovao kao oklop koji
spre~ava delovanje povr{inskog potencijala na poluprovodnik.
Efekat polja − rezime. Potencijal dipolnog sloja na

interfejsu Pd−SiO2, odnosno napon izravnavanja ∆V=∆VFBs uti~e na
elektri~no polje u poluprovodniku tako da se za iznos ∆V smanjuje:
• napon praga kod tranzistora;
• napon inverzno polarisanog sloja u prelaznoj (ispra`njenoj)
oblasti kondenzatora;
• visina energetske barijere kod tunelske i [otkijeve diode.
Opisani efekat na kraju se manifestuje kao pomeranje stati~ke
karakteristike tranzistora ID(VG), kondenzatora C(V), tj. stati~ke
karakteristike diode I(V) za navedeni iznos ∆V. Za kvantitativnu ana-
lizu veoma je va`no da je pomak ∆V funkcija koncentracije merenog
gasa sa kojima je element u kontaktu. To je osnov za gradnju
poluprovodni~kih hemijski osetljivih senzora minijaturnih dimenzija.
Prvi senzor na ovom principu napravljen je za merenje male
koncentracije vodonika (1975), {to je koincidiralo sa tada{njim
nedostatkom nafte i o~ekivanjima da }e je zameniti vodonik kao ~isto
gorivo. U vezi s tim bilo je potrebno da se razvije minijaturni senzor
vodonika radi spre~avanja nezgoda pri curenju. Ubrzo su razvijeni
senzori za amonijak, etilen, alkohole, ugljenovodonike i druge spojeve
koji sadrè molekule vodonika.
8.2. TEHNIKA MOSFET SENZORA

8.2.1. MOSFET senzor gasa
Struktura gasnog senzora tipa MOS sastoji se od tankoslojnog
gejta od kataliti~kog metala (Pd, Pt, Ir) debljine do 200 nm, jedno-
slojnog ili vi{eslojnog izolatora SiO2 ukupne debljine 5 −10 nm i
poluprovodni~ke osnove od silicijuma p-tipa. Struktura se realizuje
kao tranzistor MOSFET ili kao kondenzator MOSCAP. U stru~noj
literaturi ~esto se ovi senzori ozna~avaju sa MISFET, odnosno
MISCAP da bi se istaklo da se radi o izolacionom sloju SiO2 ve}e
debljine, d>5 nm.
Tranzistor MOSFET za merenje koncentracije vodonika u
vazduhu navodi se u literaturi kao prototip na osnovu kojeg su kasnije
napravljene mnogobrojne varijacije. Smatra se da molekuli vodonika
disosuju na kataliti~kom Pd-gejtu i da se onda adsorbuju na povr{ini
paladijuma menjaju}i njegov povr{inski potencijal. Potencijal dipolnog
sloja atoma vodonika na interfejsu Pd−SiO2 menja elektri~no polje u
poluprovodni~koj osnovi od p-Si. (slika 8.3.a). Ova promena pomera
karakteristiku ID(VG) jer se smanjuje napon praga FET-tranzistora VT
(treshold voltage),), koji se meri pri konstantnoj struji drejna ID i
konstantnoj radnoj temperaturi (slika 8.3.b).
H2 O2 H2O
VG
µA
GEJT
H H H
Pd
− H H H
∆V +
STRUJA DREJNA ID
SiO2
ID ∆Vt
SORS
VD
DREJN
Vt Vt
NAPON GEJTA VG V
a) b)
Slika 8.3. MOSFET senzor vodonika: a) generi~ka struktura, b) pomak
karakteristike I D( V G )
Zavisnost struje drejna ID od napona gejta VG i napona praga VT

za FET koji radi u zoni zasi}enja data je u obliku:
WC ox µ n
ID = (VG − VT )2 , (8.9)
2L
gde su W i L {irina i duìna kanala izme|u sorsa i drejna, µn mobilnost
elektrona i Cox kapacitivnost kondenzatora gejt−silicijum.
Iz jedna~ine (8.9) vidi se da }e pri konstantnoj vrednosti ID

promena napona gejta biti jednaka promeni napona praga ∆VT = ∆VG .
Pri tom su sors i osnova (supstrat) kratko spojeni, a gejt i drejn pri-
klju~eni na izvor konstantnog napona. Obi~no se ID bira u intervalu
100 −200 µA. Da bi odabrana vrednost struje ostala nepromenjena,
potrebno je pove}ati napon gejta za iznos ∆VT =VT′−VT″. Dinami~kom
opsegu koncentracije vodonika odgovara ∆VT ≈ 0,5 −1 V, sa osetljivo{}u
10 −30 mV/ppmH2. Kalibraciona kriva ∆VT =f (pH2) je nelinearna, ali se
moè predstaviti kao pravac u lin−log koordinatnom sistemu.
Radna temperatura je naj~e{}e 150−200 oC i postiè se

pomo}u elektrootpornog greja~a postavljenog u blizini MOSFET-a.
Dobro pode{ena radna temperatura va`na je zbog osetljivosti i
selektivnosti merenja. Rad senzora na~elno je mogu} i na sobnoj
temperaturi 25−75 oC, ali je funkcionisanje oteàno zbog:
• pojave kondenzata na povr{ini senzora usled ja~eg intenziteta
povratnih reakcija u reakcijama (8.1) i (8.2);
• ve}e vremenske konstante adsorpcije i desorpcije, tj. sporijeg
punjenja i pra`njenja dipolnog sloja;
• pove}ane apsorpcije koja moè dovesti i do trajnog o{te}enja u
metalu gejta.
Zbog navedenih razloga na sobnoj temperaturi neophodna je
posebna obrada signala i sloènija struktura MOSFETA-a. Na primer,
u strukturi Pd−Al2O3(300 nm)−SiO2(100 nm)−Si sloj Al2O3 doprinosi
brèm odzivu na niìm temperaturama jer spre~ava prodor
adsorbovanih atoma vodonika u izolator SiO2. Zahvaljuju}i tome
smanjen je histerezis, a pove}ani su stabilnost i pouzdanost. Na slici
8.4.a prikazani su slojna struktura i njegova karakteristika ∆VT =f(pH2).
Tipi~na realizacija MOSFET senzora gasa je ~ip dimenzija

0,5×0,7 mm (slika 8.4.b). Tranzistor je n-kanalni na supstratu p-tipa.
Osen~ena povr{ina ozna~ava gejt osetljiv na gas. Da bi se dobila ve}a
aktivna povr{ina, drejn i sors su napravljeni u obliku dvostrukog
~e{lja. Termootporni~ki greja~ sluì za odràvanje zadane radne

temperature koja se kontroli{e diodnim ili otporni~kim senzorom
temperature.
SENZOR KONTAKT SA
mV
TEMPERATURE SUPSTRATOM
400
NAPON IZRAVNAVANJA ∆VFB
SPOJ GREJA^ (p− )

300 GEJTA I SORS
Pt DREJNA
200 Al2O3
SiO2
100 Si
DREJN
−
GREJA^ (p )
100 200 300 400 500
PARCIJALNI PRIRTISAK VODONIKA pH ppm
2
a) b)
Slika 8.4. Tehnika MOSFET senzora: a) senzor za radnu temperaturu
o
od 75 C, b) senzorski ~ip
Vreme uspostavljanja. Stacionarna vrednost izlaznog

signala uspostavlja se, zavisno od strukture senzora, 100−300 s
posle skokovite promene koncentracije H2. Vreme uspostavljanja
je uvek ve}e pri smanjenju koncentracije jer je proces desorpcije
sporiji. Pomo}u MOSFET senzora meri se koncentracija H2 u
intervalu 0,0005 −1 000 ppmH2 u vazduhu.
8.2.2. Specijalne konstrukcije

Dehidrogenacija. Merenje koncentracije alkohola, hidrogen-
-sulfida, acetilena i etilena pomo}u MOSFET senzora zasniva se na
procesu dehidrogenacije – oduzimanju vodonika iz molekula merenog
gasa na kataliti~kom Pd-gejtu. Atomi vodonika koji su izdvojeni na
ovaj na~in prolaze kroz paladijum do interfejsa sa izolatorom SiO2 gde
formiraju polarizovni sloj. Dehidrogenacija je temperaturno zavisan
proces, pa je potrebno posti}i odre|enu temperaturu da bi se mogao
detektovati odre|eni gas. Ravnote`na adsorpcija u ovom slu~aju
opisuje se Temkinovom izotermom koja ima sloèniji oblik od
Langmuirove:
 1 pH 1−θ 
θ = k  ln + ln
2
,
 (8.10)
 2 p C θ 
gde su k i pC konstante zavisne od temperature. U prakti~nim me-

renjima dobija se da je povr{ina pokrivena molekulima merenog gasa
proporcionalna logaritmu parcijalnog pritiska vodonika θ ≈lnpH2, i to
na podru~ju od vi{e dekada.
NH3 O2 NOx
+∆VS + H2O
∆VA ∆VS −
− − ∆V
+ +
+∆VI SiO2
IZOLATOR SiO2
n n
p−Si
a) b)
CO O2 H2 O2 H2O
∆V − ∆V
. − +
+
SiO2 SiO2
. n
n n n
p−Si p−Si
c) d)
Slika 8.5. Porozni gejt: a) princip, b) MOSFET sa poroznim gejtom,

c) MOSFET sa poluotvorenim gejtom, d) MOSFET sa mreàstim gejtom
Diskontinuirani gejt. Merenje koncentracije amonijaka NH3,

sumpor-vodonika H2S, fosfina PH3, arsina A5H3, oksida azota NOx i
ugljenovodonika realizuje se pomo}u MOSFET senzora sa kataliti~kim
gejtom koji je nanet u diskontinuiranom tankom sloju 10−30 nm sa
velikim brojem pora i {upljina (slika 8.5.a). Interesantno je da i pored
toga tako nanet metal deluje kao elektroda. Ukupni potencijal
diplonog sloja ∆V je suma: potencijala ∆VS koji nastaje adsorpcijom i
reakcijom na povr{ini metalnih ostrva, potencijala ∆VA na prostoru
izme|u ostrva i potencijala ∆VI koji poti~e od adsorbovanog vodonika
na interfejsu. Teìnski doprinos pojedinih komponenti zavisi od
strukture diskontinuiteta gejta: veli~ine ostrva, veli~ine i distribucije
pora i dr.
Na slici 8.5.b prikazan je MOSFET sa tankoslojnim Pd-gejtom
(≈10 nm) u kome je dominantan povr{inski potencijal ∆VS na metalnim
ostrvima. Potencijal je kroz vazdu{ne pore i pukotine u metalu (do

1 nm) preko izolatora kapacitivno povezan sa poluprovodnikom.
MOSFET senzor sa poluotvorenim gejtom ({irina otvora je oko 1 µm)
reaguje na sli~an na~in kao i prethodni senzor, ali je kapacitivna veza
ne{to slabija zbog geometrije (slika 8.5.c). Osetljivost senzora je
izrazita na molekule koji dehidrogenacijom daju vodonik, ali je
primetna osetljivost prakti~no na sve molekule (CO, O2) koji hemijski
adsorbuju menjaju}i povr{inski potencijal. Fotolitografskim postup-
kom mogu se napraviti i druga~ije forme gejta, na primer u obliku
mreìce tako da se dobija sli~an efekat kao kod metalnih ostrva
(slika 8.5.d).
Senzorski niz/matrica za detekciju smese gasova i distribuciju
komponenata smese na odre|enoj povr{ini tehnolo{ki se lako pravi
pomo}u MOSFET senzora. Na primer, osnovni ~ip sa 4×4 senzora
pravi se tako da se najpre u p-silicijumskoj osnovi ugrade drejn i sors,
na mesta koja su odre|ena odgovaraju}om maskom. Zatim se vr{i
metalizacija sa ~etiri tanka sloja od razli~itih kataliti~kih metala:
iridijuma (10 nm), paladijuma (50 nm), platine (10 nm) i rutenijuma
(10 nm). Nano{enje slojeva ostvaruje se pomo}u dve jednostavne
2
SENZORSKA
MATRICA
SENZORSKI
ÎP 4 4
Ru
Pt
MOSFET Pd
SENZOR Ir
SiO2
3 4
a) b)
Slika 8.6. Distribuirani senzor: a) maske za izradu senzorskog ~ipa sa 16
MOSFET senzora, b) izgled matrice, ~ipa i jednog senzora
maske; mogu}e je ostvariti 16 razli~itih gejtova, svaki je osetljiv na

odre|enu komponentu gasne smese. Osnovni ~ip moè da se
multiplicira pomo}u posebne maske kojom se defini{e potrebni
geometrijski raspored koji obezbe|uje pra}enje distribucije gasa na
povr{ini koju pokriva senzorska matrica (slika 8.6).
8.3. TEHNIKA MOS

KONDENZATORA
8.3.1. MOS kondenzator kao senzor gasa
Osnovna konstrukcija. MOSCAP senzori gasova su MOS
kondenzatori sa metalnom elektrodom, gejtom od kataliti~kog metala.
Generi~ka struktura Pd−SiO2−p−Si osetljiva je na amonijak NH3 i
priklju~ena je na jednosmerni napon V [V] (slika 8.7.a). Kada je gejt na
negativnom potencijalnu (V <0), tada {upljine kao nosioci pozitivnog
naelektrisanja bivaju privu~ene od poluprovodnika prema metalu, tj.
akumuliraju se na granici poluprovodnik−oksid. Kada je prednapon
pozitivan (V >0), {upljine se odbijaju od te granice ostavljaju}i na tom
mestu ispra`njenu zonu, bez ve}inskih nosilaca naelektrisanja. Sa
pove}anjem pozitivnog potencijala (V >>0), pro{iruje se ispra`njena
zona i sledstveno tome smanjuje kapacitivnost kondenzatora.
Elektroni kao manjinski nosioci naelektrisanja teè ka ispra`njenoj
zoni i pri odre|enom naponu, naponu praga V=VT (treshold voltage),
postaju ve}inski nosioci, {to zna~i da je do{lo do inverzije tipa
poluprovodnika.
V
NH3 pF 1100
Pt
900
∆VFB
SiO2 C−V
700
500
−3 −2 −1 0 1 2 3 Vt
a) b)
Slika 8.7. MOSACAP: a) generi~ka struktura, b) pomak
karakteristike ID(VG)
Opisani rad senzora predstavlja se karakteristikom C(V)

snimljenom za vazduh kao referentnu atmosferu. Karakteristika
C(V) je zavisnost kapacitivnosti senzora C [pF] od jednosmernog
prednapona na gejtu V [V], a dobija se eksperimentalno tako {to
se na prednapon superponira mali naizmeni~ni signal napon

visokle frekvencije (f≈1 MHz).
Adsorpcijom molekula amonijaka dolazi do dehidro-
genizacije na granici metal−oksid i polarizacije vodonika. Time se
pove}ava razlika izme|u Fermijevih nivoa metala i poluprovodnika,
zbog ~ega se indukuje dodatno naelektrisanje u ispra`njenoj zoni.
Promena napona izravnavanja ∆VFB odraàva se kao pomeranje
karakteristike C(V) u odnosu na referentnu (slika 8.7.b). Pomak je
nelinearna funkcija parcijalnog pritiska (koncenteracije) amonijaka
∆VFB = f (pNH3), ali se u lin−log koordinatnom sistemu moè predstaviti
kao pravac ∆VFB = k pNH3, gde je k osetljivost izraèna u mV/dekadi.
Dinami~kom opsegu merene koncentracije odgovara ∆VFB ≈ 1 V .
Osetljivost. Eksperimentalnim postupcima odre|uje se debljina
kataliti~kog gejta za koju se dobija maksimalna osetljivost na pojedini
gas. Na primer, za amonijak je optimalna debljina paladijumskog sloja
10−30 nm.
Tako|e je utvr|eno da se osetljivost pove}ava kada je omski
kontakt sa vanjske strane napravljen od metala druga~ijeg nego gejt,
pri ~emu taj metal ne mora biti kataliti~ki. Na ovaj na~in grade se
MOSCAP senzori sa tzv. dvostrukim gejtom (slika 8.8.a).
Najpoznatije kombinacije su Pt/Pd, Pd/Al i Pt/Al, s tim da odnos
povr{ine kontaktnog i povr{ine kataliti~kog sloja A1 /A2 =3 daje
najve}u osetljivost.
8.3.2. Specijalne izvedbe

Senzori kiseonika. Pomo}u MOSCAP senzora u na~elu je
mogu}e meriti koncentraciju bilo kojeg gasa. Da bi se postigla èljena
osetljivost, struktura kondenzatora postaje sloènija, kao {to je to
slu~aj sa senzorom kiseonika (slika 8.8.b).
Gejt je napravljen od tankog sloja paladijuma (<0,1 nm) koji
deluje kataliti~ki na adsorpciju molekula O2. Molekuli dalje
difundiraju do sloja nestehiometrijskog oksida kalaja SnOx debljine
50−70 nm. Stehiometrija je ta~no onaj odnos elemenata u spoju koji
je nazna~en u formuli. U spoju SnOx x varira od 1,27 do 1,4 (x≠2 kao
u stehiometrijskom spoju SnO2), {to zna~i da je spoj deficitaran sa
atomima kiseonika. Elektri~na neutralnost SnOx postoji zahvaljuju}i
prisustvu jona Sn2+ na mestu Sn4+, odnosno joni Sn2+ deluju kao
donori elektrona, pa je SnOx poluprovodnik n-tipa. Adsorbovani
kiseonik O2 vezuje elektrone iz provodne zone i formira jone O2−, O− i

O2−. Tako nastaje promena jonskog naelektrisanja (>108 jon/cm3) u
SnOx koja se odraàva na ispra`njenu zonu u silicijumu, odnosno na
pomak karakteristike C(V) za iznos ∆VFB .
Slojevi Si3N4 (60 nm) i SiO2 (5 nm) doprinose brèm odzivu i
stabilnosti rada na sobnoj temperaturi. Omski kontakt sa gornje
strane je od zlata (Au, 100 nm), a sa donje strane je od aluminijuma
(Al, 1 µm). Poluprovodni~ka osnova je standardni p-Si otpornosti
5−10 Ωcm.
Al
Pt Au−KONTAKT
(GORNJI)
V 1
SiO2 Pd−GEJT
SnOx
25 nm
IZRAVNAVANJA ∆VFB
PROMENA NAPONA
Si3N4
0,5
4 nm SiO 2
p−Si
64 nm
Au KONTAKT
100 200 300 400 500
(DONJI)
KONCENTRACIJA AMONIJAKA cNH3 ppm
a) b)
Slika 8.8. Specijalne izvedbe MOSCAP senzora: a) struktura sa
dvostrukim gejtom, b) senzor kiseonika
MOSCAP za visoke temperature. Maksimalna radna

temperatura za senzore gasova sa silicijumskom osnovom je do
250 oC. Pri vi{oj radnoj temperaturi na kataliti~koj povr{ini odvijaju
se reakcije koje predstavljaju osnovu detekcije molekula gasa koji se
ina~e ne mogu detektovati na niòj temperaturi. Kao {to je poznato
za to su potrebni poluprovodnici sa ve}om {irinom zabranjene zone.
Za senzore sa efektom polja koristi se silicijum-karbid SiC. Kao
primer moè da se navede MOSCAP senzor sa strukturom
Pt−SiO2−SiC namenjen za pra}enje odnosa vazduh/gorivo na
temperaturi do 800 oC.
Zbog vi{e radne temperature odziv senzora je brì, na primer
za senzor na bazi SiC brzina odziva je oko 1 ms.
8.4. MOS SENZORI SA VEOMA

TANKIM SLOJEM OKSIDA
8.4.1. Princip rada
Struktura ovih senzora je tako|e metal−oksid−poluprovodnik,
ali je debljina izolatorskog sloja manja od 5 nm. êsto se ozna~avaju
kao senzori tipa MiS. Zbog male debljine izolatorskog sloja
karakteristi~na je pojava tunelskog efekta. Senzori se prave na
osnovi spoja n−p+ ili p−n+ (slika 8.9.a). Najpoznatiji predstavnik je
prekida~ki senzor kiseonika sa strukturom Pd−SiO2−n−p+.
Pd (10−20 nm)
STRUJA I
SiO2 2−4 nm 200 nm
n−Si
+ IH
p −Si
PREDNAPON V
Vt
a) b)
SiO2 p INVERZNI
SLOJ
−V + +V mA 20
Pd n−Si p −Si
STRUJA I
10
MI + VAZDUH+H2 [ppm]
Pd−SiO2−n−p
Ite 50 40 30 10 0
Ec (0) (10) (20) (30) (40) (50)
MS +
Pd−SiO2−p−n
EF
Ev
5 10
PREDNAPON V V
c) d)
Slika 8.9. Senzor sa veoma tankim slojem oksida: a) struktura, b)
karakteristika on-off, c) energetski dijagram, d) stati~ka karakteristika
I(V) sa koncentracijom vodonika kao parametrom
Prekida~ki reìm. Kada se senzor Pd−SiO2−n−p+ priklju~i na

jednosmerni napon tako da je supstrat p+ na pozitivnom a metal na
negativnom potencijalu, tada spoj p+−n postaje propusno polarizovan.
Na granici oksida SiO2 i poluprovodnika n-tipa indukuje se pozitivni
potencijal jer se elektroni udaljavaju od granice ostavljaju}i
nekompenzirane pozitivno naelektrisane donore. Sa pove}anjem
prednapona elektroni se sve vi{e udaljavaju, a zatim dolazi do

inverzije poluprovodnika zbog privla~enja {upljina. Sve dok ne
nastupi inverzija, struktura metal−oksid−poluprovodnik ne propu{ta
struju. Pri naponu praga V=VT (treshold voltage) naglo se menja
stanje senzora: struja I o{tro raste a napon pada na niù vrednost,
≈0,7 V. U obrnutom smeru, pri smanjenju struje, ~im je njena
vrednost manja od struje zatvaranja I<IH (holding current), senzor
se vra}a u stanje neprovo|enja sa visokom impedansom (slika 8.9.b).
Senzor obi~no radi sa odre|enim prednaponom V u stanju
bliskom provo|enju, kao {to je ilustrovano na energetskom dijagramu
(slika 8.9.c). Sa ΦMI ozna~ena je visina barijere metal−oksid, a sa ΦMS
visina barijere metal−poluprovodnik. Adsorpcija vodonika smanjuje
izlazni rad elektrona u metalu, barijera postaje manja i tok elektrona
od metala prema poluprovodniku, tj. tunelska struja kroz oksid
eksponencijalno raste. Napon praga pri kojem senzor provodi u
vazduhu kao referentnoj atmosferi je VT ≈10 V, a zatim opada u
zavisnosti od koncentracije vodonika da bi, na kraju, do{lo do
preklju~ivanja pri VT ≈1 V i cH2 =50 ppm.
Senzor sa strukturom Pd−SiO2−p−n+ koji je spojen na
jednosmerni prednapon V tako da je metal na pozitivnom a supstrat
n+ na negativnom potencijalu ima suprotnu karakteristiku: napon
praga VT ≈1 V pojavljuje se za vazduh i zatim postaje ve}i sa porastom
koncentracije vodonika.
Na stati~koj karakteristici odgovaraju}e vrednosti koncentracije
za ovaj senzor date su u zagradi (slika 8.9).
Parametri. Eksperimentalno je ustanovljeno da opisani
prekida~ki senzori sa strukturom Pd−SiO2−n−p+ ili Pd−SiO2−p−n+
najve}u osetljivost na vodonik imaju kada je debljina paladijuma
10−20 nm i oksida 3 nm.
Vreme odziva je oko 10 min za cH2 =20 ppm i opada sa porastom
koncentracije na 1 min za cH2 =100 ppm.
Prekida~ki senzor kao pnpn−struktura. Rad prekida~kog
senzora moè se objasniti i na drugi na~in. Naime, zbog pojave
inverznog sloja pi, senzor postaje ~etveroslojna struktura pnpn,
odnosno npnp, koja se moè predstaviti spregom dva bipolarna
tranzistora T1 i T2 (slika 8.10). Njihove kolektorske struje su:
Ic1 = −α MS I + Ic01 (8.11)

I c2 = α pn I + I c01 , (8.12)
gde su αMS i αpn strujna poja~anja MOS tranzistora T2 i T1 a Ic01 i Ic02

njihove inverzne kolektorske struje. Iz sume struja za tranzistor T1,
I+Ic1−Ic2 =0, dobija se poznata formula za ukupnu struju:
I c0
I= , (8.13)
1 - (α MS + α pn )
gde je Ic0=Ico2−Ic01. O~igledno je da struja I ima sve ve}u vrednost kako
se suma strujnih poja~anja αMS+αpn pribliàva jedinici. Porastu
αMS+αpn doprinosi injektiranje elektrona tunelskim efektom, kao i
njihovo umnoàvanje lavinskim efektom u blizini proboja. Zbog
adsorpcije vodonika smanjuje se izlazni rad elektrona u paladijumu,
αMS i αpn po~inju da rastu i pri manjem prednaponu, a krajnji efekat
je redukovanje napona praga VT ~ija je vrednost propocionalna
koncentraciji (slika 8.10).
MS
+V
E B C
I
M pi n T2 Ic2
T1
Ic1 Ic2
+ I +V
T1 pi n p
C B E Ic1
T2
pn
a) b)
Slika 8.10. Predstavljanje prekida~kog senzora sa dva tranzistora
8.4.2. Senzori bez oksidnog sloja

Struktura. Izostavljanjem oksidnog sloja dobijaju se senzori sa
strukturom metal−poluprovodnik. To su zapravo [otkijeve diode sa
kataliti~kim metalom. [otkijev kontakt je idealni spoj metala i
poluprovodnika, bez difundiranja molekula metala u poluprovodnik
kao u slu~aju omskog kontakta.
Energetski dijagram spoja metal-poluprovodnik. Na slici
8.11.a prikazan je energetski dijagram metala, a na slici 8.11.b
energetski dijagram poluprovodnika. Zbog adsorpcije molekula gasa
poluprovodnik na povr{ini ne moè biti neutralan kao u
unutra{njosti. Na povr{ini uvek ima vi{ka elektrona, a odmah ispod

nje su pozitivno jonizovani donori zbog ~ega se krajevi energetskih
nivoa EC i EV savijaju. Zbog naelektrisanja na povr{ini afinitet χ je
manji u odnosu na neutralno stanje (slika 8.11.c).
VAKUUM
∆
E
POVR[INA POLUPROVODNIKA
S M
M S
EC
POVR[INA METALA
MS EC
EF EF
EF
EV
EV
METAL POLUPROVODNIK
METAL POLUPROVODNIK
a) b) c)
Slika 8.11. Energetski dijagram: a) metala, b) poluprovodnika,
c) spoja metal-poluprovodnik
Izlazni rad ΦM, tj. energija potrebna da se elektron sa

Fermijevog nivoa EF premesti u vakuum gde miruje je konstantna
vrednost za ~isti metal. Kontaminacija povr{ine je jedini faktor koji
moè da promeni ΦM. Izlazni rad kod poluprovodnika ΦS menja se ne
samo usled kontaminacije povr{ine (savijanje EC) ve} zavisi od
poloàja Fermijevog nivoa FS i koncentracije primesa. Treba primetiti
da Fermijevi nivoi metala i poluprovodnika nisu jednaki, ne leè na
istoj liniji.
Kada se metal i poluprovodnik primaknu dovoljno blizu, na
rastojanje δ =0,05 −0,5 nm, tada se dobija [otkijev spoj metal-
-poluprovodnik na kome dolazi do izjedna~avanja Fermijevih nivoa i
savijanja granica provodne i konduktivne zone. Usled razlike izlaznih
radova ΦM −ΦS na spoju nastaje kontaktni potencijal (flat-band
voltage) VFB = ΦM S = ΦM −ΦS = ΦM −χ−∆, gde je ∆ promena potencijala na
kontaktu δ. Tipi~ne vrednosti kontaktnog potencijala su do 1 V, na
primer: ΦAl−Si = 0,67 V, ΦAu−Si = 0,81 V, ΦPt−Si = 0,85 V. Ako je polupro-
vodnik n-Si, tada }e zavisno od smera priklju~enog napona spoj
propu{tati struju (metal je polarisan pozitivno) ili }e biti zako~en
(metal je polarisan negativno), odnosno spoj radi kao dioda.
Senzor na bazi [otkijeve diode (slika 8.12.a,b) Molekuli

gasa se adsorbuju i postaju joni oduzimaju}i metalu elektrone, pa }e
se proporcionalno tome smanjiti izlazni rad metala i iznos
kontaktnog potencijala za ∆VFB, {to se manifestuje kao pomeranje
stati~ke karakteristike [otkijeve diode sa kataliti~kim metalom (slika
8.12.c). U praksi je senzor uvek polarisan direktno, tj. metal je
priklju~en na pozitivni potencijal, jer je napon praga VT tada manji.
[OTKIJEV mA 20
+ KONTAKT
∆VFB
STRUJA DIODE
Pd 10
I
U I
OMSKI
KONTAKT
U Vt 2 Vt 4
PREDNAPON U V
a) b) c)
Slika 8.12. [otkijeva dioda kao senzor: a) {ema, b) struktura, c) karakteristika
Osetljivost na pojedine gasove postiè se odgovaraju}om

debljinom i mikrostrukturom metalnog sloja. Skoro isklju~ivo se
upotrebljava paladijum, porozan ili neporozan. Poluprovodnik ne sme
da stvara me|uspojeve sa paladijumom jer oni smanjuju osetljivost,
kao {to je to slu~aj sa spojem Pd2Si. Osetljivost se smanjuje i zbog
toga {to se Fermijevi nivoi metala i poluprovodnika mestimi~no
izjedna~avaju. Upravo su nastojanja da se redukuje ovaj efekat kod
[otkijevih dioda i dovela do ubacivanja tankog sloja (d<5 nm) oksida
SiO2 i pojave MiS senzora.
Prakti~ne realizacije. Najpoznatiji dosad realizovani senzori
na bazi [otkijevih dioda su Pd−ZnO, Pd−CdS i Pd−TiO2 namenjeni za
detekciju vodonika. Strukture Pd−TiO2 sa poroznim paladijumom
osetljive su i na ugljen-monoksid CO, propen C3H6 i etanol C2H5OH.
8.4.3. Senzori sa otvorenim gejtom

Struktura. Kada se ukloni metalni gejt sa MOS elementa i
omogu}i kontakt sa gasom, dobija se senzor sa strukturom
gas−oksid−poluprovodnik GOS. Zavisno od debljine d oksidnog sloja
razlikuju se senzori tipa GIS (d>5 nm), odnosno GiS (d<5 nm).
Mogu}e je da se izolatorski sloj sasvim ukloni, tada se dobijaju
senzori sa strukturom gas−poluprovodnik GS, tj. otporni~ki i

elektroliti~ki senzori o kojima je ve} bilo re~i.
Princip rada. Senzori tipa GIS i GiS primenjuju se za
detekciju gasova ~iji su atomi u molekulima povezani polarnim
kovalentnim vezama: vodena para, alkoholi, benzen, ugljen-tetrahlor
i dr. Molekuli takvih gasova interaguju sa oksidom SiO2 stvaraju}i
jedan polarizovani sloj sa potencijalom koji zavisi od koncentracije
merenog gasa.
Realizacija. Za detekciju ovog potencijala primenjuje se
OGFET, tranzistor FET sa otvorenim gejtom (Open Gate FET) (slika
8.13.a). Karakteristi~no je da OGFET ima brz odziv pri adsorpciji, ali
veoma spor pri obrnutom procesu (slika 8.12.b).
H2 O2 H2O
µA 20 µA 20
VD
∆V SiO2
ID
STRUJA DREJNA ID
STRUJA DREJNA ID
+ + 10 10
UBACIVANJE UBACIVANJE
GASA GASA
1 2 3 4 1 2 3 4
VREME t h VREME t min
a) b) c)
Slika 8.13. Senzori sa otvorenim gejtom: a) struktura, b) odziv OGFET-a,
c) odziv ADFET-a
Senzor koji je napravljen kao FET sa otvorenim gejtom i veoma

tankim slojem izolatora (d<5 nm) ima izraènu adsorpciju po ~emu
je dobio ime ADFET (ADsorption FET). ADFET ima brz odziv u oba
smera, pri pove}avanju i pri smanjenju koncentracije merenog gasa
(slika 8.13.c).
Da bi se pove}ala ta~nost i ve}i uticaj elektri~nog polja na
izlazne karakteristike, senzorima OGFET i ADFET dodaje se
polisilicijumska elektroda postavljena na malom rastojanju od
oksidnog sloja.
LITERATURA
1. I.Lundström, M.Armgharth, A.Spetz, F.Winquist: „Gas sensors based on

catalytic field-efect devices“, Sensors&Actuators, Vol.10, Nos.3&4
(399−423), 1986.
2. I.Lundström: „Hydrogen-sensitive MOS-structures. PART I: Principles and
applications“, Sensors&Actuators, No.1 (403−420), 1981.
3. I.Lundström: „Why bother about gas-sensitive field-efect devices“,
4. I.Lundström, M.Armgarth, A.Spetz, F.Winquist: „Gas sensors based on
catalityc metal-gate field-efect devices“, Sensors&Actuators, Vol.10,
Nos.3&4 (399−422), 1986.
5. A.Spetz, M.Armgarth, I.Lundström: „Optimization of amonia-sensitive
metal−oxide−semiconductor structures with platinum gates“, Sensors&
Actuators, Vol.11, No.4 (349−365), 1987.
6. W.Mokwa, K.Dobos, G.Zimmer: „Palladium−gate MOS devices for arsine
detection“, Sensors&Actuators, Vol.12, No.4 (333−335), 1987.
7. A.A.Saaman, P.Bergveld: „A classification of chemically sensitive semi-
conductor device“, Sensors&Actuators, Vol.7, No.2 (75−87), 1985.
8. M.J.Evans, M.C.Petty, G.G.Roberts: „Interface state effects in Pd-gate MOS
hydrogen sensors“, Sensors&Actuators, Vol.9, No.2 (165−175), 1986.
9. W.P.Kang, J.F.Xu, B.Lalevi}, T.L.Pateat: „Sensing behavior of Pd−SnOx MIS
structure used for oxigen detection“, Sensors&Actuators, Vol.12, No.4
(349−366), 1987.
10. T.Matsuo, H.Nakajima: „Parylene-gate ISFET and chemical modification of
its surface with crown ether compounds“, Sensors&Actuators, Vol.9, No.2
(115−123), 1986.
11. E.J.R.Sudhölfer, P.D. van der Wall, M.Skowronska-Ptasinska, A. van der
Berg, D.N.Reinhoudt: „Ion-sensing field-effect transistor“, Sensors&
Actuators, Vol.17, No.1&2 (189−194), 1989.
12. P.BataiUard, P.Clechet, N.Jaffrezic-Renault, X.G.Kang: „The preparation of
CHEMFET selective gates by thin silica layer grafting and their behaviour“,
13. M.Klein: „Time effects of ion-sensitive field-effect“, Sensors&Actuators,
Vol.17, Nos.1&2 (203−208), 1989.
14. P.Bergveld: „Exploiting the dynamic properties of FET-based chemical
sensors“, Journal of Physics E, Scientific Instrumentation, No.22
(678−683), 1989.
15. D.Krey: „An integrated CO-sensitive MOS transistor“, Sensors&Actuators,

No.3 (169−177), 1983.
16. T.S.Laverghetta: „Modern microwave measurements and techniques“,
Artech House Inc., Norwood, MA, 1988.
17. Z.Weixin, Z.Lingjuan: „The ammonia sensitivity of Pd−Ir alloy-gate MOS
field-efect transistor“, Sensors&Actuators, No.19 (177−181), 1989.
18. Principi rada poluprovodni~kih senzora gasova:
http://www.microsens.ch/products/pdf/MSGS-3001.pdf
http://chemsens.mase.nagasaki-u.ac.jp/journal/eng/eng_j.htm
19. Osnovi teorije i animirani prikazi procesa u poluprovodnicima:
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/fab/NMOS/nmos.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_1.html
9
SPECIJALNI
SENZORI
9.1. MASENI SENZORI

9.1.1. Princip rada
Promena mase osetljivog sloja usled reakcije sa merenom
komponentom smese osnova je rada masenih senzora. Merenje malih
vrednosti mase spada u oblast mikrogravimetrije.
Hemijski osetljiv sloj pravi se od razli~itih materijala koji se
nanose na pijezoelektri~nu osnovu. Pijezoelektrik je sastavni deo
oscilatornog kola pomo}u kojeg se merenje mase transformi{e u
merenje frekvencije ili faze. Takav maseni senzor ima jednostavnu
kompaktnu konstrukciju u obliku sonde malih dimenzija i niske
potro{nje, te visoke osetljivosti u {irokom dijapazonu.
9.1.2. Pijezoelektri~ni
Pijezoelektri~ni senzor pravi se od kristala α-kvarca se~enog
pod uglom 35°15′ u odnosu na ravan yz, od kerami~kih materijala od
kojih su najpoznatiji barijum-titanat (BaTiO3), olovo-titanat (PbTiO3),
olovo-cirkonat (PbZrO3), te od polimera polivinil-difluorid PVF2.
Zajedni~ka osobina svih pijezokristala je da nemaju centralnu sime-
triju u pogledu naelektrisanja − na suprotnim stranama u odnosu na
centar kristalne re{etke stoje suprotno naelektrisane ~estice, joni ili
atomi.
Kada se na pijezoelektri~nu plo~icu primeni sila, plo~ica trpi
odre|enu deformaciju, zbog ~ega se naelektrisane ~estice pomeraju i
dolazi do polarizacije. Ovo je direktni pijezoelektri~ni efekat koji se
zapisuje u tenzorskom obliku:
9. SPECIJALNI SENZORI 237
Pi = dijkσ jk (9.1)
gde je Pi vektor polarizacije (dielektri~ni pomeraj C/m2) u smeru i-ose,

σjk naprezanje u jk-ravni (N/m2) i dijk pijezoelektri~ni koeficijent u ijk
smeru (C/N).
Obrnuti pijezoelektri~ni efekat manifestuje se kao deformacija
S usled primenjenog elektri~nog polja E:
S jk = dijk Ei . (9.2)
Ekvivalentno kolo. Pijezoelektrik se pona{a kao realni

kondenzator, pa se naelektrisanje nastalo pod delovanjem konstantne
sile postepeno prazni. Zato pijezoelektri~ni senzor uvek radi u
naizmeni~nom reìmu. U pogledu merenja to je odli~no jer se
frekvencija bez problema meri sa rezolucijom 1:1010. U fazi
projektovanja senzora uobi~ajeno je da se pijezoelektrik predstavi
ekvivalentnom elektri~nom RLC-{emom u kojoj je na osnovu
elektromehani~ke analogije L masa, R gubici usled trenja i C
elasti~nost. Dinami~ke karakteristike veoma se dobro mogu opisati
pomo}u frekventnih karakteristika tog kola. Na primer rezonatna
frekvencija normalno na delovanje elektri~nog polja E opisuje se
poznatim Tomsonovim obrascem:
1
f = . (9.3)
2π LC
Me|utim, iz ove formule te{ko je u eksplicitnom obliku izraziti
vezu izme|u prira{taja mase i promene rezonatne frekvencije.
Prira{taj mase i promena rezonatne frekvencija izraàva
se Sorbrijevom (Saurbrey) jedna~inom. Kod izvo|enja ove jedna~ine
posmatra se pijezoelektri~ni kristal mase M i debljine t koji osciluje
na rezonantnoj frekvenciji f (slika 9.1.a). Talasna duìna popre~nih
vibracija na rezonantnoj frekvenciji jednaka je dvostrukoj debljini
kristala: λ=2d, a brzina talasa je v=λf, pa je:
v
f = . (9.4)
2d
Ako se debljina kristala pove}a za mali iznos dd, rezonatna
frekvencija }e se promeniti za df, {to se moè predstaviti
diferencijalnom jedna~inom:
v
df = − dd . (9.5)
2d 2
Deljenjem jedna~ine (9.5) sa (9.4) dobija se relativna promena
rezonantne frekvencije:
df dd
= − , (9.6)
f d
Masa kristala M uniformno je raspore|ena na debljini d,
odnosno promeni mase dM odgovara dd, pa se jedna~ina (9.6) moè
napisati u obliku:
df dM
= − . (9.7)
f M
Ako se diferencijali zamene prira{tajima, realno merljivim
vrednostima, tada je prira{taj mase jednak masi filma deponovanog
u razmeni sa okolinom ∆M=MF, a ∆f=fc−f gde je fc rezonantna
frekvencija kristala kada je na njemu deponovan film. Iz prakti~nih
razloga pogodnije je masu izraziti po jedinici povr{ine, pa su
mF =MF /A i m=M/A= ρ d= ρ v/2f, te jedna~ina (9.7) dobija oblik:
2f 2
∆f = − mF = − KmF . (9.8)
vρ
gde je K=2f 2/vρ konstanta senzora.
TALAS U KRISTALU ∆d DEPONOVANI SLOJ ∆M
PIJEZOKRISTAL M, r PIJEZOKRISTAL M, r
a) b)
Slika 9.1. Oscilacije membrane: a) kristal kvarca, b) kristal sa inkrementom
debljine
Rezonantni senzor vla`nosti. Senzor se pravi u obliku

membrane od alumine koja je po obodu u~vr{}ena (slika 9.2.a). Na
osnovu se zatim deponuje pijezoelektrik u obliku dvostrukih
prstenova, tzv. aktuatora koji rade na obrnutom pijezoelektri~nom
efektu i sluè za aktiviranje mehani~kih oscilacija membrane na

rezonantnoj frekvenciji:
1 2,95 Y
f = , (9.9)
2π R2 ρ (1 − µ 2 )
gde je R polupre~nik membrane, ρ gustina materijala membrane, Y
modul elasti~nosti materijala, µ Poasonov koeficijent za odnos
radijalnih i popre~nih deformacija membrane.
PIJEZO-
PRETVARA^
ADSORBOVANI
MOLEKULI AKTUATORI
S1
IZLAZNI
POJAÂVAÎ
SUPSTRAT Al2O3
OSETLJIVI SLOJ
OSCILATOR SA
FAZNIM
KOMPARATOROM
PIJEZO-
PRETVARA^ ULAZNI
POJAÂVAÎ
S2
Slika 9.2. Rezonantni senzor relativne vla`nosti: a) membrana, b) struktura
Na centralnom delu membrane deponovan je pijezoelektri~ni

sloj koji sluì za detekciju oscilacija. Senzor je kompenzacionog tipa:
trenutna vrednost frekvencije oscilovanja upore|uje se sa rezonantnom
frekvencijom u kolu za faznu sinhronizaciju. Zavisno od predznaka i
intenziteta odstupanja koriguje se signal oscilatora S1 za pobu|ivanje
aktuatora. Fazni pomeraj od π/2 izme|u signala S1 i signala povratne
sprege S2 koji generi{e centralni pijezoelektri~ni sloj odgovara uslo-
vima rezonanse.
Sa vanjske strane membrane je osetljivi sloj na kome se vr{i
razmena molekula komponente koja se meri. Na primer, za merenje
vla`nosti to je higroskopni film celuloznog acetata debljine 9 µm koji

zavisno od vla`nosti vazduha apsorbuje molekule vode, pove}ava masu
membrane i smanjuje frekvenciju oscilovanja.
Temperaturna nestabilnost senzora posledica je termi~ke
ekspanzije alumine: ∆Y/Y∆T= −140⋅10−6 /°C. Pomo}u jedna~ine (9.9)
moè se izra~unati da je ∆f/f=5% pri porastu temperature od 20 °C na
100 °C. Tehni~ke karakteristike senzora su slede}e: rezonantna
frekvencija f =56 675 Hz (22 °C, ϕ =35%RV), ∆f=100 Hz za merno
podru~je ϕ =10−95%, osetljivost ∆f/∆ϕ = −1,4 Hz/%RV, gre{ka
linearnosti i histerezisa ±3% opsega, vreme odziva 30 s za promenu
ϕ = 10−40 %RV.
9.1.3. Ultrazvu~ni
Povr{inski zvu~ni talasi SAW (surface acoustic waves) su
Rejlijevi (1885) elasti~ni talasi koji se prostiru po povr{ini materijala,
na kontaktu sa te~nom ili gasnom fazom. Materijal je ~vrst − sa
odre|enim elasti~nim svojstvima. Ovaj efekat uspe{no se koristi za
merenje koncentracije NO2, SO2, H2S, NH3, H2 i drugih gasova.
Dobre osobine povr{inskih zvu~nih talasa su:
• jednostavna modulacija;
• kompatibilnost izrade senzora SAW sa tehnologijom planarnih
integrisanih kola;
• {irok frekventi opseg, 20 MHz−2 GHz.
Princip rada. SAW senzor napravljen je na pijezoelektri~noj
osnovi od litijum-niobata LiNbO3 (slika 9.3). Kada se na elektrode u
obliku dvostrukog ~e{lja priklju~i oscilator, generi{e se sinusni talas
visoke frekvencije koji se prostire po povr{ini hemijski osetljivog
sloja. Talas dolazi do prijemnika koji je napravljen na identi~an na~in
kao predajnik i tu se konvertuje u elektri~ni izlazni signal. Vreme koje
je potrebno da talas pre|e rastojanje od predajnika do prijemnika je
vreme ka{njenja, pa se zato to rastojanje naziva i linija ka{njenja.
Zbog delovanja temperature, pritiska, ubrzanja, ili kao u konkretnom
slu~aju zbog dodatne mase nakon adsorpcije molekula, menjaju se
amplituda A, frekvencija f ili faza talasa φ. Zvu~ni apsorberi od
silikonske gume sluè za spre~avanje refleksije.
- +
PREDAJNIKA
PRIJEMNIKA
KOLO
KOLO
LINIJA A
KA[NJENJA
+ -
p
APSORBER
+ + OSETLJIVI SLOJ
z
- - LiNbO3 y
+ +
- -
Slika 9.3. Principijelna struktura SAW senzora
Ultrazvu~ni predajnik sa elektrodama u obliku dvostrukog

~e{lja pona{a se kao niz izvora ultrazvuka. Kada se na elektrode
priklju~i sinusni napon, pojedina~ne vibracije }e interferirati ukoliko
je razmak izme|u susednih zubaca p/2 jednak polovini talasne duìne
SAW: p/2=λ/2. Frekvencija f0=v/λ=v/p koja odgovara tom kumula-
tivnom efektu je sinhrona, rezonatna frekvencija. Ultrazvu~ni talasi
{ire se du` linije ka{njenja u smeru z-ose po pijezoelektri~noj osnovi
od LiNbO3. Amplituda talasa je najve}a na povr{ini i eksponencijalno
opada sa dubinom, du` ose y, pa se zato ovi talasi i zovu povr{inski.
Linija ka{njenja je hemijski osetljiv sloj koji lako adsorbuje molekule
odre|enog gasa. Na primer, to je Pd debljine 300 nm kada je u
pitanju merenje koncentracije H2, odnosno to je olovoftalocijanin
PbPc debljine 150 nm i povr{ine 3×3 mm kada je u pitanju merenje
koncentracije NO2 i dr.
Sa pove}anjem mase usled adsorpcije menja se akusti~ni i
elektri~ni otpor linije ka{njenja duìne l, {to se odraàva na brzinu
talasa v=l/∆t. Vreme preleta ∆t harmonijskog signala od predajnika do

prijemnika ra~una se pomo}u odgovaraju}eg elektronskog kola.
Oscilatorni SAW senzor. Duìna linije ka{njenja l je mala, pa

je vremenski interval ∆t svega nekoliko nanosekundi, {to nije lako
izmeriti. Zato se vremenski interval meri posredno, merenjem faze
senzora koji se nalazi u povratnoj sprezi operacionog poja~ava~a.
Takva struktura pona{a se kao oscilator ~ija je rezonatna frekvencija
fc (jednaka sinhronoj frekvenciji predajnika) funkcija otpornosti linije
ka{njenja.
Uslov oscilovanja je da sinusna prenosna funkcija konture u
otvorenom bude Aβ ≥1 0° tj. da je poja~anje konture Aβ ≥1 a faza
φ = 0. Iz uslova da je φ=0 dobija se da je fazni pomeraj linije za
ka{njenje:
φlk = 2π f cτ = 2π n za n=1,2,... (9.10)
odnosno, frekvencija oscilacija fc je obrnuto proporcionalna ka{njenju
τ akusti~nog signala: fc =n/τ .
Iz jedna~ine (9.10) vidi se da postoji vi{e frekvencija fcn (za
n=1,2,...). Kako svakoj odgovaraju razli~iti gubici u liniji ka{njenja,
preferira se jednoj odre|enoj frekvenciji fcn. Konstrukcija tankoslojnih
predajnika i prijemnika sa ve}im brojem zubaca obezbe|uje odre|enu
frekvenciju fcn i potiskivanje neèljenih oscilacija harmonika. Radi
izbegavanja nelinearnih efekata i zasi}enja poja~anje konture
automatski se odràva ta~no na jedinici: Aβ =1. Konverzija
elektri~nog signala u zvu~ni, pa onda u elektri~ni pra}ena je
odre|enim gubicima koji se minimiziraju kada je {irina zvu~nog
talasa odre|ena aperturom predajnika i prijemnika A=100p.
Dvostruki oscilatorni SAW senzor sastoji se od dve

identi~ne strukture − merne i referentne (slika 9.4).
Fazni pomeraji referentne i merne (senzorske) linije su:
φ r = 2π f lr v r (9.11)
φs = 2π f ls v s , (9.12)
gde su lr i ls duìne referentne i senzorske linije, vr i vs brzine talasa.

ISPITIVANI
GAS
ZVU^NI
APSORBER
LiNbO3
fr fs
ME[A^ NF FILTER BROJA^
Slika 9.4. Dvostruki oscilatorni SAW senzor
Harmonijski signali senzorskog i referentnog oscilatora dovode

se u heterodinski me{a~ frekvencija. Pomo}u niskopropusnog filtera
iz niza frekventnih komponenti koje daje me{a~ izdvaja se signal ~ija
je frekvencija jednaka razlici φ r − φ s :
V0 = VM sin (φ r − φ s ) =
 l l 
= VM sin 2π f  r − s  . (9.13)
  vr vs 
Merenje frekvencije pomo}u frekvencmetra prvo se obavi u
referentnoj atmosferi i tada izlaz broja~a treba da pokazuje nulu.
Dobra osobina dvostrukog oscilatornog SAW senzora je anuliranje
smetnji, posebno temperature.
9.2. OPTOELEKTRONSKI SENZORI

9.2.1. Uvod
Interakcija elektromagnetskih talasa sa ispitivanim materi-
jalom mogu}a je u {irokom spektru frekvencija. Promene koje se pri
tom de{avaju, kao {to su apsorpcija, refleksija, refrakcija, polarizacija
i druge, principijelno su iste kod spektroskopskih analizatora i
optoelektronskih senzora. Me|utim, optoelektronski senzori imaju

nekoliko osobina bitnih za prakti~na merenja:
• predajnici i prijemnici zra~enja su minijaturizovani;
• optoelektronski zrak moè da se vodi pomo}u opti~kog kabla
do mesta interakcije i nazad do instrumenta, mesta gde }e se
obaviti primarna i/ili sekundarna obrada;
• selektivnost senzora u velikoj meri odre|ena je talasnom
duìnom, odnosno delom spektra u kome rade predajnik,
opti~ki kabl i prijemnik.
Hemijski osetljivi sloj, reagens, ima najva`niju ulogu u
pogledu selektivnosti, sli~no kao kod svih hemijskih senzora. Na kom
delu opti~kog kabla }e biti postavljen osetljivi sloj zavisi od namene
senzora i na~ina rada.
Najprostija struktura odnosi se na senzore sa apsorpcijom
opti~kog zra~enja (slika 9.5.a). Pomo}u dovodnog opti~kog vlakna
zrak talasne duìne λ dolazi od izvora i usmerava se na procep
ispunjen selektivnim slojem, a odvodnim vlaknom zrak odlazi do
prijemnika. [irina procepa odre|uje duìnu opti~kog puta na kome se
vr{i apsorpcija. Oba vlakna su jednakih karakteristika. Vlakna mogu
da se postave sa iste strane u odnosu na procep sa reagensom, ali je
tada neophodno ogledalo za refleksiju (ili difuzno raspr{avanje) i
opti~ki delitelj (slika 9.5.b). Iako je struktura sloènija u odnosu na
prethodnu, ona se ~esto primenjuje jer dvostruki prolaz zraka kroz
procep dozvoljava da se napravi dva puta manji procep, odnosno
minijaturna i kompaktna sonda.
Primena bifurkacione strukture, sa ra~vanjem, ima prednost jer
je na senzorskom kraju samo jedan spoj (slika 5.9.c). U prijemnom
vlaknu prisutan je dovodni i reflektovani zrak, pa je na mestu
prijema potreban sloèniji opti~ki hardver za izdvajanje korisnog
signala.
Poznato je da se opti~ki zrak kre}e kroz vlakno zahvaljuju}i
vi{estrukoj totalnoj refleksiji koja nastaje zbog ve}eg indeksa
prelamanja svetlosti u jezgru n1 nego u omota~u vlakna n2. Ako se
komad omota~a vlakna zameni hemijski osetljivim slojem, tada }e se
naru{iti uslovi totalne refleksije i jedan deo zraka }e se, zavisno od
interakcije sloja i merene komponente, probiti i raspr{avati u sloju
(slika 9.5.d). Dubina dp do koje prodire disperzija defini{e se kao

rastojanje na kome po~etni intenzitet oslabi na vrednost 1/e ≈ 0,37:
λ
dp = , (9.14)
2π (n12 sin θ1 − n22 )1 2
2
gde je θ1 ugao pod kojim zrak iz jezgra dolazi na kontaktnu povr{inu

sa hemijski osetljivim slojem. Tipi~na dubina prodiranja u vidljivom
delu spektra je 100−200 nm. Zbog opisane interakcije gubi se na
intenzitetu zraka, {to se detektuje na kraju vlakna.
OPTI^KI UZORAK
KABL
I R P I R
PREDAJNIK REAGENS PRIJEMNIK OPTI^KI

DELITELJ OGLEDALO
a) b)
P
R
R
I
c) d)
Slika 9.5. Sonde sa opti~kim kablom: a) prijemnik i predajnik na suprotnim

stranama, b) oba vlakna sa iste strane, c) bifurkaciono vlakno, d) sa difuzijom
9.2.2. Apsorpcioni senzori

Spektroskopski analizatori na bazi apsorpcije zra~enja
razmotreni su u prvom delu knjige. Primenom optoelektronskog
izvora i prijemnika u kombinaciji sa opti~kim vlaknom omogu}ava
gradnju kompaktnih minijaturnih sondi za merenje razli~itih gasova.
Tipi~na optoelektronska elektroda (optroda) zasniva se na
primeni Soveringhausove elektrode za merenje koncentracije CO2,
odnosno njenih varijacija koje sluè za merenje koncentracije
raznovrsnih gasova i te~nosti (slika 9.6.a). Hidrofobna membrana od
teflona propu{ta CO2 koji se zatim rastvara u vodi i formira ugljenu
kiselinu, a ona zatim disosuje na jon HCO3− i jon H+:
CO2+H2O ' H2CO3 ' HCO3−+H+. Koncentracija H2CO3 proporcionalna
je pCO2 , odnosno faktoru pH, a adekvatnim izborom internog

rastvora postiè se potrebna osetljivost i brzina odziva.
JON-SELEKTIVNA λ=404nm
ELEKTRODA E OPTI^KI
KABL
REFERENTNA
ELEKTRODA
GUMENI GUMENI
PRSTEN PRSTEN
TEFLONSKA TEFLONSKA
INTERNI MEMBRANA MEMBRANA
p-NITROFENOL
RASTVOR
ANALIT NH3
a) b)
Slika 9.6. Optoelektronski senzor: a) pojednostavljena {ema Soveringhausove
elektrode, b) optroda sa apsorpcijom svetlosti
Kod optoelektronske sonde bira se takav interni rastvor u kome

}e se zavisno od koncentracije merenog gasa pojaviti odre|eni joni.
Ovi joni na karakteristi~noj talasnoj duìni λ imaju intenzivnu boju
ili apsorpciju {to moè da posluì kao mera njihove koncentracije,
odnosno posredno kao mera koncentracije gasa. Promena boje koristi
se za prostu opti~ku indikaciju, a promena intenziteta opti~kog zraka
detektuje se fotoprijemnikom na kraju odvodnog opti~kog vlakna
(slika 9.5.b). Prva optroda bila je namenjena merenju koncentracije
NH3, ~iji molekuli nakon prolaska kroz membranu reaguju sa
vodenim rastvorom p-nitrofenola i stvaraju anjone p-nitroksifenolata.
Ovi anjoni imaju maksimum apsorpcije na talasnoj duìni λ = 404 nm.
Optoelektronski senzor vla`nosti ima tako|e strukturu
Soveringhausove elektrode. Umesto rastvora koriste se soli koje
hidrati{u/dehidrati{u zavisno od vla`nosti zraka. Pri tome se menjaju
boja i koncentracija metalnih jona tih soli Co2+, Cu2+ ili V5+. Na
primer, so CoCl2 pome{ana sa èlatinom ili polivinilpirolidonom
stavlja se kao tanki film oko jezgra opti~kog vlakna na njegovom
senzorskom kraju. Boja ovoga filma je plava u potpuno suvom vazdu-
hu, a ruì~asta u zasi}enom. Ovo se prati kao promena intenziteta
reflektovane svetlosti talasne duìne 680 nm.
9.2.3. Fluorescentni senzori

Zamena dela omota~a opti~kog kabla posebno je dobar metod
kod fluorescentnih senzora. Mogu}e su dve varijante. U prvoj se
koriste dva vlakna jedan do drugog (slika 9.7.a). Oko jezgra jednog
vlakna stavljena je fluorescentna senzorska obloga, a intenzitet
fluorescencije se registruje susednim vlaknom oko ~ijeg jezgra na
odre|enom delu nema omota~a. Na taj na~in postiè se dobro
razdvajanje pobudnog i fluorescentnog zra~enja. U drugoj varijanti
koristi se samo jedno opti~ko vlakno i za dovo|enje pobudnog i za
odvo|enje reflektuju}eg fluorescentnog zra~enja (slika 9.7.b). Talasna
duìna fluorescentnog zra~enja je manja od pobudnog za 50−70 nm,
{to omogu}ava detekciju fluorescencije sa visokim odnosom signala i
{uma.
OMOTA^
JEZGRO
HEMIJSKI
OSETLJIVI SLOJ LUMINIFOR
a) b)
Slika 9.7. Fluorescentni senzori: a) sa dva vlakna, b) sa jednim vlaknom
Fluorescentni senzor vla`nosti omogu}ava merenje ovog

va`nog parametra na sasvim nov na~in. Tanka plo~ica silica-gela
2x2 cm potopi se 30 min u perilendibutirat rasvoren u toluenu
(10mg/l rastvora), a zatim se su{i dva sata na 80 °C. Perilendibutirat
moè da fluorescira u dugotalasnom intervalu 450−490 nm, sa
maksimumom 468 nm. Zato se pobu|ivanje perilendibutirata na
fluorescentno zra~enje moè ostvariti pomo}u halogene sijalice sa
volframovom niti ili pomo}u plave LED diode (slika 9.8.a). Svetlost iz
izvora prvo prolazi kroz monohromator M1 i le}u za fokusiranje L1,
a zatim kroz dovodno opti~ko vlakno pobu|uje senzorski sloj
postavljen na cev kroz koji prolazi testirani vazduh. Povratnim
opti~kim kablom fluorescentna svetlost se dovodi na le}u L2,
monohromator M2, a onda na fotodiodu FD. U elektronskom kolu za
obradu signala vr{i se poja~anje, A/D konverzija i formiranje izlaza.
Na slici 9.8.b prikazana je zavisnost intenziteta fluorescencije od
relativne vla`nosti. U podru~ju 20 −100%RV dobijena je ta~nost ±1%

bez histerezisa. Pokazalo se da je senzor izvanredno stabilan.
% 100
IZVOR
SVETLOSTI M1 L1
UZORAK
FLUORESCENCIJA
PRIJEMNIK 50
SVETLOSTI M2 L2
RELATIVNA
POJAÂVA^ A/D DISPLEJ
0 50 100
RELATIVNA VLA@NOST, ϕ%
Slika 9.8. Fluorescentni senzor vla`nosti
Na sli~an na~in napravljeni su senzori za NH3 (osetljivi sloj

aksazin-4 perhlorat, zra~enje na 560 nm), za O2 (osetljivi sloj
dekaciklen, zra~enje na 510 nm) i dr.
LITERATURA
1. A.D′Amico: „SAW sensors“, Sensors&Actuators, Vol.17, Nos.1&2 (56−66),
1989.
2. A.J.Ricco, S.J.Martin, T.E.Zipperian: „Surface acoustic wave gas sensor
based on film conductivity changes“, Sensors&Actuators, Vol.8, No.4
(319−333), 1985.
3. A.Venema, E.Nieuwkoop, M.J.Vellekoop: „Design aspects of SAW gas
4. M.Prudenzati, B.Morten: „Thick−film sensors: an overview“, Sensors &
5. N.Miura, S.Yao, Y.Shimizu, N.Yamazoe: „Carbon dioxide sensor using
sodium ion conductor and binary carbonate auxiliary electrode“, Journal of
the electrohemical society, Vol.139, No.5 (1384−1389), 1992.
6. H.E.Posch, O.S.Wolfbeis: „Optical sensors, 13: fibre-optic humidity sensor
based on fluorescence quenching“, Sensors&Actuators, Vol.15, No.1 (77−83),
1988.
7. J.Janata: Principles of chemical sensing, Plenum Press, New York and
London, 1989.
8. S.Middelhoek, P.J.French, J.H.Huijsing, W.J.Lian: „Sensors with digital or
frequency output“, Sensors&Actuators, Vol.15, No.1 (119−133), 1988.
9. Tehnologija ultrazvu~nih SAW senzora:
www.sensorsmag.com/articles/1000/68/main.shtml
10. Princip rada i konstrukcija optrode:
http://esapub.esrin.esa.it/pff/pffv6n1/binv6n1.htm
10
BIOSENZORI
10.1. PRINCIPI I
FUNKCIONISANJE
10.1.1. Op{ti pojmovi
Definicija. U {irem smislu biosenzor je element koji pretvara
biolo{ki doga|aj u elektri~ni signal. U uèm, tehni~kom smislu,
biosenzor je element sa biolo{kim materijalom koji omogu}ava
pretvaranje koncentracije odre|ene, prirodne ili ve{ta~ke, (bio)hemijske
komponente u kompleksnom te~nom analitu u elektri~ni ili opti~ki
signal.
Istorijski razvoj. Biosenzori su napravljeni po analogiji sa
senzorima biolo{kih procesa u ìvim organizmima. Imitacija je zasad
slabija u odnosu na uzor jer prirodni procesi jo{ uvek nisu dovoljno
dobro izu~eni. Kopiranjem prirode i primenom enzima, proteina,
bakterija, ìvotinjskog i biljnog tkiva dobijena je nova klasa mernih
ure|aja za kontinualno pra}enje razli~itih parametara metabolizma
kao {to su: glukoza, urea, glutamin, holesterol, nistatin i dr.
Prvi biosenzor napravili su Klark (L.C.Clark) i Lajons
(C.Lyons) 1962. godine. Sluìo je za merenje koncentracije glukoze u
krvi. Namera je bila da se delovanjem enzima u membrani glukoza
transformi{e u produkt koji se moè detektovati pomo}u pH ili
kiseoni~ne elektrode. Dalji napredak ostvaren je 1967. godine
izgradnjom enzimske elektrode polimerizacijom gela na minijaturnoj
kiseoni~noj elektrodi. Klju~ni rezultat (1970) ostvario je R.Bergveld
kada je uspeo da integri{e enzimsku membranu na poluprovodni~koj
osnovi i napravi jon-osetljivi tranzistor ISFET (Ion Sensitive Field
Effect Transistor). Posle toga su na FET, termistor, pijezoelektrik,
opti~ki kabl i druge elektronske komponente dodavani biomole-
kularni slojevi sa ciljem integracije biosenzorskih ~ipova razli~ite

namene.
Upotreba biosenzora prisutna je u mnogim oblastima. Prvi
komercijalizovani senzori enzimskog tipa razvijeni su u biomedicini.
To su glukozni biosenzor za analizu {e}era i uree u krvi pri dijagno-
sticiranju dijabetesa, laktozni biosenzor za odre|ivanje napora mi{i}a
i biosenzor sa ureom i kreatinom za kontrolu funkcije bubrega.
Enzimski biosenzori imaju veliku primenu i u prehrambenoj industriji:
glukozni biosenzor koristi se u kontroli fermentacije, laktozni za
kontrolu kvaliteta vina i jogurta, a etanolski za odre|ivanje koli~ine
alkohola u alkoholnim pi}ima.
Biosenzori se koriste za dobijanje kontinualne informacije o
stanju ìvotne sredine, vode za pi}e, u detekciji organofosfornih
jedinjenja koji nastaju trovanjem bojnim otrovima, u detekciji virusa i
bakterija, toksi~nih agenasa i dr.
Struktura. Biosenzor se sastoji od dva osnovna funkcionalna
dela, bioreceptora i transdjusera (slika 10.1). Bioreceptor je biopri-
jemnik sa izrazito selektivnim centrima za identifikaciju analita koji
omogu}avaju molekularno prepoznavanje i odre|enu transformaciju
analita. Lokalne biohemijske modifikacije u pravilu se vr{e pomo}u
odabranog imobilisanog enzima tako {to se analit transformi{e u
produkt koji se onda detektuje transdjuserom. U literaturi se osim
termina bioreceptor ~esto sre}e selektor ili polimer. Selektor isti~e
na~in funkcionisanja, a biopolimer vrstu materijala od kojeg je
bioreceptor napravljen.
B I O S E N Z O R
HEMIJSKI
IZLAZ
TERMI^KI
OPTI^KI
ELEKTRI^NI OBRADA
REZULTATA
ANALIT (SUPSTRAT) BIORECEPTOR SPOJ B/T TRANSDJUSER
Slika 10.1. Struktura biosenzora

10. BIOSENZORI 251
Transdjuser (detektor, senzor) je drugi strukturni deo svakog

biosenzora. To je makroskopski pretvara~ jednog oblika energije u
drugi pomo}u kojeg se detektuje produkt biohemijske modifikacije i
konvertuje u elektri~ni signal. Da li }e transdjuser biti potenciome-
trijska ili amperometrijska }elija, tranzistor, termistor, ultrazvu~ni
SAW-senzor, kapacitivni ili opti~ki senzor zavisi od tipa biohemijske
modifikacije.
Spoj B/T, veza izme|u bioreceptora i transdjusera je kriti~na
ta~ka u mernom lancu. Nije uvek jednostavno napraviti niskoomsku
vezu i zato ona predstavlja mesto gde se superponiraju strana
elektri~na polja. Problem postaje izraèniji u situaciji kada se moraju
upotrebiti relativno duì kablovi za povezivanje sa udaljenim
poja~ava~em ili impedantnim rastavlja~em. Zato se prilikom projek-
tovanja biosenzora posebna pa`nja posve}uje integraciji receptora i
elektronskih kola senzora.
Elektronska kola su realizovana silicijumskom tehnologijom,
naj~e{}e tehnikom fotolitografije. Primena fotolitografije pokazala se
korisna ne samo zbog integracije potrebne elektronike ve} i zbog
mogu}nosti jednostavnog oblikovanja elektroda i deponovanja mem-
brana sa imobilisanim biomolekulima. Pomo}u tehnika nagrizanja
dodaju se potrebni kanali i {upljine. Kombinacijom ovih dveju tehnika
razvijen je veliki broj senzora za merenje u realnom vremenu, ali i
biosenzorskih sistema sa vi{e senzora u jednom ~ipu.
Kombinovanjem razli~itih bioreceptora i transdjusera mogu}e
je napraviti raznovrsne senzore. Strukturne komponente biosenzora
moraju biti kompatibilne da bi se na izlazu dobio adekvatan porast
elektri~nog signala. Na primer, nije mogu}e upotrebiti termometrijski
transdjuser ako je biohemijska modifikacija analita bez promene
entalpije. Pojedine kombinacije su produktivnije i jednostavnije za
realizaciju. Danas su u praksi najvi{e zastupljene potenciometrijske
ili amperometrijske }elije sa enzimima. Na trì{tu su tako|e prisutne
kombinacije enzima i poluprovodnika (tranzistor ISFET), dok se
ostale kombinacije primenjuju uglavnom u istraìva~kim laboratori-
jama (tabela 10.1).
10.1.2. Klasifikacija biosenzora

Bioreceptori se grade na odgovaraju}oj tankoslojnoj, mem-
branskoj podlozi u koju se ugra|uju prirodni mikroorganizmi, tanki
slojevi ìvotinjskog i biljnog tkiva ili biopolimeri. Biopolimeri su
sinteti~ki makromolekuli sa odli~nim selektivnim karakteristikama −

u tom pogledu to su danas najbolji materijali. Lo{a osobina
biopolimera je podlo`nost termi~koj i hemijskoj degradaciji. Klasi-
fiikacija biosenzora izvodi se prema tipu bioreceptora, a vrsta
upotrebljenog transdjusera sluì za klasifikaciju unutar tog tipa, kao
{to je to predstavljeno u tabeli 10.1. Osnovni tipovi bioreceptora su:
enzimi, mikroorganizmi, re`njevi i organele, antitela, jonofori i
hemireceptori.
BIORECEPTOR SPOJ B/T TRANSDJUSER STEPEN

RAZVOJA
ENZIMI HEMIJSKI: ELEKTROHEMIJSKI
generisanje produkta PIJEZOELEKTRI^NI
potro{nja supstrata PIROELEKTRI^NI
potro{nja kofaktora POLUPROVODNI^KI (ISFET)
TERMI^KI: TERMISTOR
razvijena toplota
OPTI^KI: OPTI^KI KABL
indeks loma svetlosti
apsorpcija
refleksija
ANTITELA SPAJANJE SA
ANTIGENIMA:
promena mase SAW-SENZORI
promena dielektri~ne KAPACITIVNI SENZOR
konstante
promena indeksa loma OPTI^KI SENZORI
promena temperature TERMISTOR
MARKIRANJE:
markiranje enzima POTENCIOMETRIJSKI, ISFET
(potro{nja supstrata,
generisanje produkta)
markiranje jonofora POTENCIOMETRIJSKI, ISFET
(promena povr{inskog
potencijala)
MIKROORGANIZMI METABOLI^KE POTENCIOMETRIJSKI

I ]ELIJE REAKCIJE (elektrode CO 2, NH 3, O 2)
RE@NJEVI TKIVA IZVORI ENZIMA POTENCIOMETRIJSKI

I ORGANELE (hemijske reakcije) (elektrode CO 2, NH 3, O 2)
ANTITELA HEMIJSKI ELEKTROHEMIJSKI
∗ istraìvanje, ∗∗ istraìvanje i razvoj, ∗∗∗ komercijalna primena

Tabela 10.1. Kombinovanje bioreceptora i transdjusera
Enzimski biosenzori su najrasprostranjeniji. Kada je biore-

ceptor enzimskog tipa, enzimi vezuju supstrat i svojim kataliti~kim
delovanjem pomaù njegovo pretvaranje u produkt. Kao mera ovog
procesa moè da se uzme koncentracija (potro{nja) supstrata,
generisanje produkta ili potro{nja kofaktora, koji se prate pomo}u
10. BIOSENZORI 253
elektrohemijskih transdjusera − potenciometrijskih ili amperome-

trijskih. Kao mera enzimske aktivnosti moè da posluì toplota koja
se osloba|a pri kataliti~koj reakciji (prati se kao temperatura pomo}u
termistora) ili promena indeksa loma svetlosti, apsorpcije ili
refleksije (prati se pomo}u opti~kih transdjusera).
Imunosenzori rade sa bioreceptorima na bazi imobiliziranih
antitela (antiagensi, imunoagensi, imunoreceptori). Antitelo Ab u
senzoru spaja se sa svojim supstratom koji se naziva antigen Ag u
jedan kompleks AbAg sa odre|enim fizi~kim osobinama:
Ab+Ag ' AbAg. Prilikom spajanja menja se masa, dielektri~na
konstanta ili indeks prelamanja {to se meri pomo}u SAW,
kapacitivnog ili opti~kog transdjusera. Odziv transdjusera moè da se
pobolj{a izazivanjem odre|ene hemijske reakcije. To se naj~e{}e radi
markiranjem antigena enzimom koji katalizuje produkciju spojeva
pogodnih za detekciju pomo}u elektrohemijskog transdjusera.
Umesto enzima kao medijatori, posrednici izme|u imunolo{kih i
elektrohemijskih reakcija koriste se i nosioci jona, tzv. jonofori.
Jonofor se hemijski spaja sa konjugatom antitelo−antigen i pri tome
dolazi do promene povr{inskog potencijala koji se detektuje potenci-
ometrijskim transdjuserom.
Mikroorganizmi i }elije (bakterije, gljivice, virusi, }elijski
organizmi) su prirodni bioreceptori za koje su karakteristi~ne
znatno sloènije reakcije sa supstratom. Tipi~an primer su bakte-
riolo{ki senzori kod kojih se gasovi CO2, NH3 ili O2 nastali kao
reazultat metaboli~kih reakcija izme|u ispitivanog supstrata i
odre|ene bakterije mere prigodnim transdjuserom − elektrodom pH,
pO2 , pNH 3 ili pNH 4 . Imobilizacija mikroorganizama obi~no se vr{i na
samom transdjuseru.
Re`njevi tkiva i organele sluè za gradnju vrlo stabilnih
bioreceptora. Naime, tanki slojevi ìvotinjskog ili biljnog tkiva su
dobri izvori enzima u prirodnom okruènju. Osetljivost ovakvih
bioreceptora pove}ava se ugradnjom antimikroorganizamskih agenasa
koji smanjuju uticaj mikroorganizama.
Organele kao lisozomi, hloroplasti, mitohondrie i mokrokozme
su biolo{ki materijali koji ne sadrè jedan enzim ve} ~itave enzimske
sisteme koji omogu}avaju direktno povezivanje sa amperometrijskim
transdjuserom.
Hemireceptori su }elijske membrane osetljive na hemijske

stimulanse. Promene koje nastaju su reverzibilne i mogu se pratiti
elektrohemijskim transdjuserima. Poseban tip hemireceptora su
neuroreceptori.
10.1.3. Funkcionalne karakteristike

Selektivnost (supstratna specifi~nost) je sposobnost biosenzora
da reaguje samo na odre|eni spoj u prisustvu drugih spojeva.
Uobi~ajeno je u biohemiji da se komponenta analita ~ija se koncentra-
cija meri naziva supstrat, jer sluì kao podloga za biohemijske
reakcije sa enzimima ili kao hranljiva sredina za mikroorganizme.
Postoji veliko mno{tvo razli~itih supstrata, pa je supstratna speci-
fi~nost senzora od fundamentalne va`nosti.
U biolo{kim sistemima selektivnost se tuma~i kao prepozna-
vanje oblika, tzv. biomolekularno prepoznavanje. Supstrat S ima
odre|enu prostornu konfiguraciju i prilikom spajanja, na primer, sa
enzimom E u kompleks ES mora da postoji podudardnost prostorne
strukture supstrata i enzima. Kaè se da molekuli supstrata
odgovaraju molekulima enzima kao „klju~ u bravu“ (slika 10.2.a). Na
primer, selektivnost enzima je izuzetno visoka i omogu}ava
diferencijaciju sloènih stereoskopskih spojeva kao {to su L i D-amino
kiseline i dr.
Situacija prikazana na slici 10.2.a {ematski prikazuje dve
molekule S i E u vakuumu. Realno biosenzor radi u te~noj sredini, a
to zna~i da }e molekule vode reagovati i povezati se sa S i E (slika
10.2.b). Ovaj proces poznat je kao hidratacija. Spajanjem S i E u
kompleks SE pove}ava se broj slobodnih molekula vode, odnosno u
termodinami~kom smislu pove}ava se entalpija ∆S>0 i smanjuje
slobodna energija sistema ∆G<0. To je osnova hidrofobne veze kojom
se obja{njava selektivnost, prepoznavanje odre|enog supstrata u
imunohemijskim i biokataliti~kim reakcijama. Treba uo~iti da bio-
senzori rade u vodenoj sredini i da hidrofobna veza ima klju~ni
zna~aj u procesu molekularnog prepoznavanja, te da je upravo zato
biosenzore veoma te{ko primeniti u nevodenim sredinama, na primer
u detekciji gasova.
Proporcionalnost je linearna promena amplitude izlaza ∆a u
zavisnosti od promene ulaza ∆m ili fizi~kog parametra indukovanog
prisustvom supstrata:
10. BIOSENZORI 255
PRE SPAJANJA PRE SPAJANJA

MEMBRANA
MEMBRANA
ENZIM SUPSTRAT ENZIM SUPSTRAT
VEZANI MOLEKULI
VODE
POSLE POSLE
SPAJANJA SPAJANJA
MEMBRANA
MEMBRANA
SUPSTRAT
KOMPLEKS ENZIM-SUPSTRAT
KOMPLEKS ENZIM-SUPSTRAT
SLOBODNI
MOLEKULI
VODE
a) b)
Slika 10.2 Princip biomolekularnog prepoznavanja: a) spajanje molekula u
vakuumu, b) hidrofobna veza
∆a = S∆m , (10.1)
gde je S=∆a/∆m osetljivost biosenzora u okolini merene vrednosti.
Ukoliko se veli~ina m meri posredno, jedna~ina (10.1) dobija
razli~ite oblike. Na primer, u slu~aju potenciometrijskog senzora
amplituda izlaza je saglasno Nernstovom zakonu proporcionalna
logaritmu koncentracije:
∆a = S∆(log c) . (10.2)
Proporcionalnost je svojstvo biosenzora koje zavisi od biore-
ceptora i od transdjusera.
Merljivost je sposobnost biosenzora da rezultat hemijske
reakcije u bioreceptoru moè da transformi{e pomo}u postoje}ih
transdjusera u odgovaraju}i elektri~ni ili opti~ki izlazni signal. U
tabeli 10.1 navedeni su tipi~ni transdjuseri koji se upotrebljavaju u
gradnji biosenzora, zavisno od tipa reakcije i supstanci koje se
osloba|aju ili utro{e.
10.2. TEHNIKE MOLEKULARNOG

PREPOZNAVANJA
10.2.1. Bioafinitet
Hemijska detekcija pomo}u organskih materijala po principu
„klju~ u bravu“ tipi~na je za imunogene reakcije atitelo−antigen.
Selektivnost antitela zasniva se na specifi~nom prostornom raspo-
redu njegovih molekula na mestu spajanja sa antigenom. Ova
geometrijska realizacija principa „klju~ u bravu“ poznata je kao
bioafinitet. Principijelna struktura imunosenzora i prepoznavanja
organskih molekula data je na slici 10.3.a. Inkorporiranje organskih
molekula prati se pomo}u transdjusera koji detektuju promenu mase,
kapacitivnosti ili temperature.
Prostorno modeliranje. Tipi~ni molekuli sa biofinitetom su
kaliksareni, aromati~ni ugljovodonici sa kaveznom (prstenastom,
cikli~nom) kristalnom strukturom koja se sastoji od vi{e spojenih
benzenovih prstenova. Kaliksareni inkorporiraju i vezuju za sebe
manje organske molekule. Na slici 10.3.b prikazana je supramole-
kularna struktura antitela t-bu-kaliks(4)aren u povr{inskoj reakciji
sa gasom perhloretilen C2Cl4.
Cl Cl
ANTIGEN
Cl Cl
ANALIT
Cl Cl
ANTITELO Cl Cl
(CENTAR
PREPOZNAVANJA)
OSNOVA
TRANSDJUSER OSNOVA
a) b)
Slika 10.3. Imunosenzor: a) struktura, b) bioafintet
10. BIOSENZORI 257
Kavezna struktura kaliksarena moè da se modifikuje tako {to

se atom u benzenovom prstenu zamenjuje nekim drugim atomom ili
radikalom R, ~ime se omogu}ava prepoznavanje sloènijih molekula.
Na slici 10.4 prikazani su tipi~ni radikali koji se dodaju kaliksare-
nima sa kaveznom strukturom od ~etiri, odnosno {est benzenovih
prstenova.
n=4 n=6
RO OR RO OR RO RO OR RO OR RO
R1=H, R2=CH 3, R3=CH2−COO−C2H2 R1=H, R2=CH3, R3=Si(CH)3
Slika 10.4. Sloèni kaliksareni i tipi~ni radikali
Kovalentne veze. Osim jednostavnog hemijskog modeliranja

prostornog rasporeda pomo}u kaliksarena, veliku primenu ima i
tehnika kovalentnog vezivanja kavezne grupe za zlatnu podlogu Au
preko atoma sumpora S kao mosta. Na slici 10.5 prikazan je
resorcin(4)aren spojen za Au preko S, struktura koja se stavlja kao
povr{inski sloj na senzore sa odli~nim selektivnim svojstvima prema
perhloretilenu C2Cl4.
10.2.2. Enzimsko (biokataliti~ko) prepoznavanje

Enzimi su makromolekule sa proteinskom strukturom velike
molekulske mase. Sastoje se od dve komponente: proteinske
(apoenzim) i neproteinske, prosteti~ke grupe (koenzim, aktivni centar).
Enzimi imaju izrazitu sposobnost molekularnog prepoznavanja
zahvaljuju}i tome {to kataliti~ki deluju samo na odre|enu reakciju,
odnosno na odre|eni supstrat koji u~estvuje u toj reakciji. Supstrat-
ska specifi~nost enzima zasniva se na prostornoj podudardnosti
enzima i supstrata po principu „klju~ u bravu“. Struktura supstrata
mora biti takva da atomi supstrata mogu da reaguju najmanje u tri
ta~ke sa funkcionalnim grupama enzima. Mesta interakcije na
enzimu nazivaju se centar, podru~je aktivnosti. Centar aktivnost je
uvek mnogo manji u odnosu na ukupni molekul enzima, a u
njegovom stvaranju glavnu ulogu imaju neproteinski delovi enzima:
niskomolekularne grupe (koenzimi) i jonski kofaktori (jonofori).
Selektivnim prepoznavanjem supstrata S na aktivnom

centru enzima E stvara se kompleks enzim−supstrat ES u kome se
odvija hemijska reakcija, odvaja produkt reakcije P i regeneri{e
enzim: S+E ' ES→P+E. Aktivni centar enzima naj~e{}e nije unapred
10. BIOSENZORI 259
fiksiran ve} se dinami~ki formira. Re~ je o dinami~kim, indukovanim

receptorskim vezama: supstrat se najpre slabo veè za enzim, a onda
se delovi enzima pomi~u i omogu}avaju reaktivnim grupama da se
pribliè odgovaraju}im atomima supstrata koji tek tada odgovaraju
enzimu po principu „klju~ u bravu“. Priprema tankoslojne osnove sa
bioreceptorskom strukturom visoke molekulske teìne je ozbiljan
tehnolo{ki problem. Mehanizam indukovanog prilago|avanja omogu-
}ava da se ovaj problem re{i sintezom potrebne biolo{ke funkcije
pomo}u strukture niè molekulske teìne koja predstavlja kopiju
centra prepoznavanja.
Medijatori i molekularno prepoznavanje. Kataliti~ko
delovanje aktivnih centara enzima detektuje se kao elektrohemijska
promena na odgovaraju}oj elektrodi. Podrazumeva se da postoji
odgovaraju}i put za prenos naelektrisanja od aktivnog centra do
elektrode. U pitanju je „molekulsko oì~enje“ pomo}u medijatora.
Medijatori su spojevi koji sluè za regeneraciju koenzima
uklju~enih u enzimsku kataliti~ku redoks-reakciju. Pokretljivost
koenzima je ~esto mala, naro~ito u pastama i gelovima koji se nanose
kao podloga na elektrodu, pa je tada neophodan medijator za transport
naelektrisanja. Medijator treba da ima slede}e osobine:
• brz i reverzibilan prenos naelektrisanja;
• stabilnost u oksidovanoj i redukovanoj formi;
• inertnost u odnosu na druge sadràje u rastvoru, naro~ito u
odnosu na kiseonik;
• nezavisnost od vrednosti pH rastvora;
• netoksi~nost u in-vivo aplikacijama.
Postoji veliki broj razli~itih na~ina da se pomo}u medijatora
prenese naelektrisanje od aktivnog centra kao unutra{nje elektrode
do makroskopske vanjske elektrode (slika 10.6).
Mobilni medijator.Najprostija varijanta prenosa naelektrisanja
odnosi se na mobilni, slobodni medijator kakvi se nalaze u rastvorima.
Medijatori u rastvoru mogu da budu sasvim nezavisne slobodne ~estice
koje u kontaktu sa aktivnim centrom enzima primaju naelektrisanje i
prenose ga do elektrode, ili da se vezuju za druge slobodne ~estice u
rastvoru koriste}i ih kao „prevozno sredstvo“ do elektrode (slika
10.6.a).
SLOBODNI ANKER
MEDIJATOR
VANJSKA ELEKTRODA
EN
e
ZI
M
RELATIVNO
SLOBODNI
ELEKTRODA
MEDIJATOR
M
VANJSKA
ZI
N
MEDIJATOR NA
E
SLOBODNOJ
ÊSTICI
a)
MEDIJATOR
FIKSIRAN U
ENZIMU
ELEKTRODA
VANJSKA
MEDIJATOR
FIKSIRAN U
POLIMERSKOJ
MRE@I
b)
KOMPOZITNA ELEKTRODA
PROVODNA
MATRICA
e
ELEKTRODA
VANJSKA
c)
DIREKTNI
KONTAKT
e
PROVODNI
ELEKTRODA
POLIMERI
VANJSKA
d) e)
Slika 10.6. Medijatori − prenos naelektrisanja: mobilni, fiksirani, c) provodna

matrica, d) provodni polimer, e) direktni
Pokretljivost medijatora moè biti ograni~ena. Medijator je tada

pri~vr{}en za elektrodu sa dovoljno dugom i fleksibilnom vezom koja
mu omogu}ava slobodno kretanje − takvo da moè da dosegne enzim,
10. BIOSENZORI 261
preuzme naelektrisanje i da ga prenese do elektrode. Isti efekat

postiè se kada je medijator pri~vr{}en na enzimu (slika 10.6.a).
Fiksirani medijatori se primenjuju u pastama i gelovima koji
se nanose kao enzimska podloga na povr{ini elektrode. Najpoznatiji
medijator takvog tipa je ferocen (organski poluprovodnik), koji je
dovoljno hidrofoban da se moè uklju~iti u karbonske paste i
adsorbovati na povr{ini grafitne elektrode. Njegov oksidovani oblik,
ferocinijum jon, je relativno rastvorljiv u vodi i zato se elektroda sa
ferocenom ne sme dugo dràti u rastvoru.
Medijatori su fiksirani naj~e{}e u polimerskoj mreì gde
formiraju lance za prenos naelektrisanja po sistemu „elektronskih
releja“. Prenos naelektrisanja po ovom principu odvija se i u slu~aju
kada je enzim u direktnom spoju sa elektrodom a medijatori
u~estvuju u modifikaciji enzima (slika 10.6.b).
Provodna matrica dobija se pomo}u organskih soli u
polimeru. Najpoznatije soli dobijaju se iz N-metil fenazina (NMP+),
tetracijanokvinodimetana (TCNQ−) i tetratijafulvalena (TTF+). Pose-
ban tip provodne matrice ima se kod kompozitne elektrode na kojoj
se nalazi pasta sa enzimom i ~esticama ugljenika kao medijatorom
(slika 10.6.c)
Provodni polimeri formiraju duge lan~ane strukture koje
podse}aju na ì~ani provodnik (slika 10.6.d). Odatle je i nastao
naziv molekulsko oì~enje za prenos naelektrisanja pomo}u
medijatora.
Direktni prenos naelektrisanja dobija se kada je enzim nanet
direktno na elektrodu. Elektron koji se prenosi je ili iz aktivnog
centra enzima sa metalom M ili iz dela enzima C koji je doìveo
promenu koja mu omogu}ava da transportuje elektron od centra M
do elektrode (slika 10.6.e).
10.2.3. Transmembransko prepoznavanje

Membrane imaju veliki zna~aj za ìve }elije jer uklju~uju
mnoge biomolekularne funkcije. Pojedine funkcije pokazale su se
korisne u gradnji biosenzora. Upotrebljavaju se prirodne membrane
od agara (gel od morskih algi) ili kalogena (vezivna ìvotinjska
tkiva), a tako|e i membrane od ve{ta~kih materijala namenjenih za
dijalizu i filtraciju.
Selektivna svojstva membrane bitna za molekularno

prepoznavanje ogledaju se u razli~itim mehanizmima propu{tanja
supstrata − odatle je i nastao naziv trensmembransko prepoznavanje.
Enzimi u kanalima membrane deluju na jedan od tri slede}a na~ina
(slika 10.7.a):
• transportuju odre|ene supstrate kroz kanal;
• vezuju analit na povr{ini membrane i propu{taju samo odre-
|eni supstrat;
• reaguju sa analitom i propu{taju produkte reakcije.
TRANSPORT ZADR@AVANJE I REAKCIJA I +
TRANSPORT TRANSPORT H ISTOVREMENI
LAKTOZA TRANSPORT
LAKTOZE
LAKTOZ− I PROTONA
PERMEAZA KROZ MEMBRANU
400 nm
PROSTOR U 200 nm
KOME SE MENJA pH
OSNOVA pH-SENZOR
TRANSDJUSER IZLAZ
a) b)
Slika 10.7. Transmembransko prepoznavanje: a) principi, b) merenje
koncentracije laktoz-permeaze na osnovu faktora pH
Simultani transport laktoze i protona vodonika H+ primer je

reagovanja sa analitom i propu{tanja produkta reakcije (slika 10.7.b).
Laktoza i protoni H+ prolaze kroz kanale dvoslojne membrane
debljine 450 nm gde deluje enzim laktoz-permeaza. Odnos laktoze i
protona H+ na ulazu je 1:1, a nakon prolaska kroz membranu i
reakcije u kanalu taj se odnos menja. Koncentracija laktoze u
prostoru izme|u membrane i transdjusera meri se detekcijom faktora
pH u tom prostoru. Kao transdjuser moè da posluì pogodna
mikroelektroda ili tranzistor ISFET.
10.2.4. ]elije i organizmi

Prepoznavanje molekula velike molekulske teìne (otrovi,
droge, lekovi) pomo}u celih }elija, ìvotinjskih i biljnih tkiva,
neuroreceptora i hemireceptora zasniva se na specifi~nim
10. BIOSENZORI 263
biohemijskim i metaboli~kim reakcijama koje se u njima odvijaju.

Razmere centra prepoznavanja ovde su najmanje 10 µm − to je mnogo
vi{e od 10 nm kolika je veli~ina centara na bazi bioafiniteta, enzimskog
ili transmembranskog prepoznavanja. Osim toga, veza izme|u ovako
velikih funkcionalnih jedinica i osnove na kojoj se pravi elektroda
(transdjuser) je nestabilna, {to je ograni~avaju}i faktor za ve}u
primenu.
Tipi~ne reakcije bitne za prepoznavanje su transformacija i
vezivanje supstrata (slika 10.8.a). Poseban problem detekcije trans-
membranskog signala izvan }elije je vezivanje }elije hemijskim
vezama za osnovu. Osnovni elementi koji u~estvuju u formiranju
veze prikazani su na slici 10.8.b.
ANALIT
UNUTRA[NJOST
]ELIJE
MEMBRANA SA
ENZIMSKIM
RECEPTORIMA (10 nm)
PROTEINSKI
LANCI ZA
TRANSFORMACIJA POVEZIVANJ (100 nm)
SUPSTRATA VEZIVANJE
SUPSTRATA VEZIVNI
AGENSI (100 µm)
SLOJ Pt, Ir ILI Au (100 nm)
OSNOVA SLOJ SiO2 (500 nm)
VISOKODOPIRANI SILICIJUM,
ELEKTRODNA OSNOVA (300 µ m)
TRANSDJUSER
a) b)
Slika 10.8. ]elijski biosenzor: a) princip, b) vezivanje }elije za osnovu
10.3. ENZIMSKI BIOSENZORI

10.3.1. Osobine enzima
Kataliti~ke osobine enzima bitne za funkcionisanje biosenzora
razmatrane su u prethodnim poglavljima. Zato }e ovde biti re~i o
drugim, tako|e va`nim osobinama enzima.
Klasifikacija. Enzimi se grupi{u u {est familija, zavisno od
tipa reakcije koju kataliziraju:
• oksidoreduktaze, katalizuju redoks-reakcije;

• transferaze, katalizuju reakcije prenosa oksidnih grupa sa
jedne supstance na drugu;
• hidrolaze, katalizuju hidroliti~ke reakcije;
• lijaze, katalizuju razgradnju;
• izomeraze, katalizuju reakcije izomerizacije, tj. intermole-
kulsko preure|ivanje;
• ligaze, katalizuju sinteti~ke reakcije.
Osnovne grupe enzima koje se primenjuju u gradnji biosenzora
date su tabeli 10.2.
ENZIM REAKCIJA TIPI^NI SUPSTRAT

OKSIDOREDUKTAZA PROIZVODNJA H2O2 GLUKOZA, FRUKTOZA,
ALKOHOL, HOLESTEROL
DEHIDROGENAZA POTRO[NJA NADH ALKOHOL, GLUKOZA,
LAKTAT, MALAT,
GLUTAMAT, ALDEHIDI
DEAMINAZA PROIZVODNJA NH4− UREA, AMINI, AMINO
KISELINA
Tabela 10.2. Tipi~ni enzimi u gradnji biosenzora
Imenovanje. Pojedini enzimi dobijaju ime koje se sastoji od

dva dela: imena supstrata i imena enzimske grupe koji ukazuje na
prirodu reakcije. Na primer, enzim koji katalizuje oksidaciju glukoze
naziva se glukoz-oksidaza (GOD) i ima molekulsku masu 186 000.
Faktori koji uti~u na aktivnost enzima su koncentracija
vodonikovih jona, temperatura, vla`nost, jonizuju}e zra~enje i
hemijska delovanja.
Eksperimentalno je utvr|eno da svi enzimi imaju maksimalnu
aktivnost pri odre|enoj vrednosti pH supstrata. Ve}ina enzima ima
pH-optimum u neutralnom ili slabo kiselom podru~ju, sa manje ili
vi{e izraènim maksimumom, sa uìm ili {irim intervalom vrednosti
pH u kome je aktivnost maksimalna (slika 10.9.a).
Sa porastom temperature pove}ava se kineti~ka energija mole-
kula, pa se enzimske reakcije ubrzavaju. Pove}anje aktivnosti enzima
ide do odre|enog maksimuma, a sa daljim porastom temperature
(iznad 40 − 50 °C) aktivnost opada zbog denaturacije − promene
10. BIOSENZORI 265
prirode enzima. Niske temperature, ispod 10 °C, uti~u na smanjivanje

brzine enzimskih reakcija, a ispod 0 °C enzimska aktivnost u pravilu
sasvim prestaje. Proizvo|a~i biosenzora preporu~uju rad biosenzora u
okolini radne temperature 25−30 °C.
Jonizuju}a zra~enja dezaktiviraju enzim, zavisno od vrste i
primljene doze zra~enja. Istovremeno delovanje jonizuju}eg zra~enja i
smanjenje temperature ve}e je od sume njihovih parcijalnih
delovanja.
Delovanje vla`nosti je raznoliko jer je pona{anje enzima u
suvim i vla`nim uslovima potpuno razli~ito. Mogu}e je da vlaga
deluje razaraju}e na suvi enzim, ali mogu}e je i da ga ba{ vlaga {titi
od o{te}enja. U tom smislu potrebno je konsultovati uputstvo
proizvo|a~a.
Reagovanje supstrata sa pojedinim komponentama ili
produktima u analitu uti~e na ta~nost merenja. êsta je pojava da
pojedini joni u analitu vezuju metal koji se nalazi u molekulu enzima.
Ovo ireverzibilno smanjenje aktivnosti ozna~ava se kao trovanje,
inhibicija enzima. Na primer, jon HSO3− ili SO3− blokira prakti~no
sve enzime (odli~an konzervans). Suprotan efekat imaju aktivatori,
komponente analita koje pove}avaju aktivnost enzima.
SAHARAZA TRANSDJUSER MRTVA ZONA
1 [S]0 [S]0 [P] K=[S]0
RELATIVNA AKTIVNOST
TRIPSIN
[S] [P]K
TRANSDJUSER
[P]
UZORAK UZORAK
0,5
[P] [S]K
[S]
0
[S]K=0
1 4 7 10 14 [P]0 [P]0
KISELOST, pH MEMBRANA SA ENZIMOM MEMBRANA SA ENZIMOM
NISKE AKTIVNOSTI VISOKE AKTIVNOSTI
a) b) c)
Slika 10.9. Aktivnost enzima: a) uticaj faktora pH, b) promena koncentracije
supstrata i produkta sa enzimom niske aktivnosti, c) promena koncentracije
supstrata i produkta sa enzimom visoke aktivnosti
Uticaj aktivatora i inhibitora moè se otkloniti pove}anjem

koncentracije enzima u aktivnom sloju. Ova pojava moè lako da se
objasni pra}enjem profila koncentracije supstrata [S] i koncentracije
produkta [P]. Kada enzim u membranskom sloju koji se nalazi na
povr{ini transdjusera ima malu aktivnost, tada po~etna koncentracija
supstrata [S]0 postepeno opada kako supstrat difundira prema
transdjuseru a raste koncentracija produkta (slika 10.9.b). Na
kontaktnoj povr{ini sa transdjuserom ove koncentracije imaju

vrednost [S]K, odnosno [P]K. U svakoj ta~ki sloja je [S]+[P]=[S]0, a na
kontaktnoj povr{ini koncentracija produkta je uvek manja od po~etne
koncentracije supstrata, [P]K <[S]0, jer sav supstrat nije transformisan
u produkt: [S]K≠0.
Kada aktivni sloj membrane sadrì imobilizirane enzime visoke
aktivnosti, tj. pove}ane koncentracije, tada se supstrat vrlo brzo u
celosti pretvori u produkt na delu sloja ~ija je debljina manja od
ukupne debljine membrane (slika 10.9.c). Ostatak sloja je „mrtva
zona“ za koju je karakteristi~no [S]K=0 i [P]K=[S]0=const, pa
inhibitori ili aktivatori u tom delu vi{e nemaju uticaja. Prema tome,
pove}anjem koncentracije enzima moè se otkloniti neèljeni uticaj
inhibitora.
10.3.2. Tehnike imobilizacije enzima

Imobilizacija. Enzimi su u prirodnim uslovima, u }eliji, na
nekoj podlozi i odvojeni me|usobno polupropusnim membranama.
Kada su enzimi izdvojeni iz }elije ili kada su u pitanju ve{ta~ki
enzimi, oni se obi~no nalaze u odre|enom rastvoru gde se me{aju i
tako postaju nestabilni. Metode imobilizacije omogu}avaju rastvo-
renim enzimima da budu {to bliè prirodnim uslovima tako {to se
njihovi molekuli u~vrste za nerastvorljivu podlogu i zadràvaju u
ograni~enom prostoru. Podloga treba da je nerastvorljiva, da ne
reaguje sa analitom, da je temperaturno stabilna i mehani~ki
izdr`ljiva. Podloga i metoda imobilizacije biraju se u zavisnosti od
karakteristika enzima.
Smatra se da je kriti~na ta~ka u gradnji biosenzora proizvodnja
dovoljno ~vrste membranske podloge sa imobiliziranim enzimom i
njena adhezija na povr{inu transdjusera.
Fizi~ka adsorpcija je reverzibilno vezivanje enzima za ~vrste
podloge kao {to su staklo, kvarc, kaolinit, silika-gel, karbonska pasta
od ugljene pra{ine i dr. (slika 10.10.a). Ovom metodom dobijaju se
relativno slabe veze izme|u enzima i podloge.
Fizi~ko uklapanje (physical entrapment) velikih molekula
enzima u poliakrilamidne gelove onemogu}ava njihovu difuziju u
rastvor, ali zato mali molekuli supstrata lako dolaze do enzima (slika
10.10.b). Prvi put ovaj metod je primenjen u gradnji enzimske
elektrode: u tanki sloj poliakrilamidnog gela stavljen je enzim glukoz-
10. BIOSENZORI 267
-oksidaza i onda ovako pripremljen sloj pri~vr{}en za plasti~nu

membranu kiseoni~ne elektrode.
SUPSTRAT
ÊSTICE
UGLJENIKA
ENZIM
PRODUKT
TRANSDJUSER TRANSDJUSER TRANSDJUSER
a) b) c)
Slika 10.10. Imobilizacija enzima: a) adsorpcija, b) uklapanje, c) kovalentno
vezivanje
Metoda fizi~kog uklapanja je relativno jednostavna: rastvor

enzima i rastvor monomera dobro se izme{aju da se dobije
ravnomeran koagulat, zatim se izvr{i polimerizacija u prisustvu
odre|enog rastvora za umreàvanje i na kraju se obave filtracija i
su{enje. Prakti~ni problemi u primeni ove metode javljaju se zbog
reakcije enzima sa organskim rastvara~em ili koagulatorom polimera,
pa enzim menja svoju prirodu ili aktivnost. U tom smislu razvijene
su razli~ite modifikacije metode. Na primer, mnogo bolji rezultati
dobijaju se pomo}u celuloznog triacetata 3−7% koji se potopi u
rastvor odgovaraju}eg polimera. Kao rastvara~ primenjuju se mravlja
kiselina i voda u omeru 90:10. Polimerski rastvor se zatim izdvoji na
staklenu podlogu i izvr{i koagulacija potapanjem u vodi na sobnoj
temperaturi. Tako formirana èlatinasta membrana debljine
200−500 µm odvaja se od stakla i potapa u vodeni rastvor odgovara-
ju}eg enzima na temperaturi od 5 °C. U toku 48 h enzim difundira u
membranu, a onda se vr{i brzo su{enje u vakuumu. Osu{ena
membrana se pre upotrebe opere rastvorom fosfata da bi se
odstranili molekuli enzima adsorbovani na povr{ini, tj. molekuli koji
se nisu uklopili u strukturu membrane.
Interesantna modifikacija fizi~kog uklapanja je inkapsulacija.
To je postupak kojim se mikroskopska kapljica rastvorenog enzima
oklapa tankom polupropusnom membranom u organskom rastva-
ru~u. Mikrokapsule se mogu povezivati me|usobno ili za podlogu
tako da se dobije potrebna mreàsta struktura.
Popre~no spajanje je proces u kome se pomo}u bifunkci-

onalnog ili vi{efunkcionalnog agensa stvara veza izme|u istih ili
razli~itih enzima i proteina, tako da se dobija netopljivi spoj znatno
ve}e molekulske mase.
Najpoznatiji dvofunkcionalni agens je glutaraldehid pomo}u

kojeg se mogu imobilizirati mnogi enzimi i proteini. Glutaraldehid
OCH−(CH2)3−CHO ima na svojim krajevima dve aldehidne grupe
CHO koje reaguju sa amino grupom NH2 enzima E ili proteina P.
Rezultat reakcije su derivati analogni [ifovim (Schiff) bazama:
E NH2 + OCH−(CH2)3−CHO + H2N P (10.3)
E N=CH−(CH2)3−CH=N P (10.4)
Kovalentna imobilizacija enzima je hemijska metoda

vezivanja enzima za ~vrstu polimersku podlogu (slika 10.10.c). Prvo
se elektrohemijskim postupkom deponuje sloj provodnog polimera,
naj~e{}e polipirola. Ovaj polimer se posredstvom odabranog agensa
modifikuje tako da stvara stabilne kovalentne veze sa enzimom, na
sli~an na~in kao {to se stvaraju popre~ne veze izme|u enzima.
Elektromagnetska imobilizacija enzima na ~vrstu podlogu

transdjusera vr{i se pomo}u elektromagnetskog polja. Magnetske
~estice koje nose, na primer, enzim glukoz-oksidazu imobiliziraju se
na membrani kiseoni~ne elektrode primenom elektromagnetskog
polja odre|ene ja~ine. Polje se generi{e u solenoidu ~ija se struja
reguli{e tako da se dobije homogena distribucija magnetskih ~estica
na povr{ini membrane. Homogenizacija je zavr{ena ~im prestane
haoti~no kretanje ~estica, tj. ~im se stabilizuju magnetske veze.
Fizi~ko uklapanje enzima pomo}u elektromagnetskog polja ima
zna~ajne prednosti jer se isklju~ivanjem polja enzim odvaja i na iste
~estice kao nosioce vezuje se drugi enzim.
10.3.3. Principi rada

Enzimski senzor je kombinacija transdjusera i enzimskog
sloja prilago|enog za merenje koncentracije odre|enog supstrata
Enzimska reakcija transformi{e supstrat u produkt: S+E ' ES→
10. BIOSENZORI 269
→P+E, koji se detektuje pomo}u odgovaraju}eg transdjusera. U

skladu sa ovom definicijom struktura i rad enzimskog senzora u
op{tem slu~aju {ematski se moè predstaviti kao na slici 10.11.a,b.
Inhibicija enzima. U {irem smislu definicija enzimskog
senzora podrazumeva da se moè meriti koncentracija bilo koje
supstance koja uti~e na brzinu enzimske reakcije. Ovo se posebno
odnosi na inhibitore, supstance koje ko~e enzimsku aktivnost. Na~in
delovanja inhibitora bitan je za rad senzora.
KONVEKCIJA
DIFUZIJA I
ANALIT b) OSNOVNA P
S
ENZIMSKA
REAKCIJA
+ S S +
E E P
c) KOMPETITIVNA S
INHIBICIJA
DIFUZIJA
ENZIM E
S P I
d) NEKOMPETITIVNA
INHIBICIJA
S I
E
S
S
e) NONKOMPETITIVNA I
TRANSDJUSER INHIBICIJA E
I E
S
I
a) E
Slika 10.11. Princip rada enzimskog senzora: a) {ema, b) osnovna, noninhibi-

cijska enzimska reakcija, c) kompetitivna inhibicija, d) nekompetitivna inhibicija,
e) nonkompetitivna inhibicija
Kompetitivna (konkurentna) inhibicija ozna~ava da inhibitor I

reaguje sa aktivnim centrom enzima E u konkurenciji sa supstratom
S, {to se moè predstaviti {ematski kao na slici 10.11.c, odnosno
zapisati na slede}i na~in:
E + S ' ES E+ P
+
I
(10.5)
(
EI
U ovoj konkurenciji preovla|uje S ili I, zavisno od toga ~ija je

koncentracija ve}a. Me|utim, kada je [S]>>[I], tada je ~esto [S] po
apsolutnoj vrednosti suvi{e veliko, pa se postavlja pitanje merenja
malih koncentracija supstrata.
Nekompetitivna inhibicija se javlja kada inhibitor ne reaguje sa
supstratom S ve} sa kompleksom ES, kao {to je predstavljeno na slici
10.11.d, odnosno zapisano u obliku:
E + S ' ES E+ P
+ (10.6)
I
(
ESI
Nekompetitivna (nekonkurentna) inhibicija deluje slabo pri
malim koncentracijama supstrata jer je tada i koncentracija
kompleksa ES mala. Kada je [S] ve}e, tada je i [ES] ve}e, pa je
delovanje I izrazitije.
Nonkompetitivna inhibicija nastaje kada se inhibitor I ravno-
pravno vezuje za enzim E i kompleks ES. To zna~i da izme|u I i
S nema konkurencije u reakciji sa E, pa je tada delovanje inhibitora
pribli`no isto za male i za velike koncentracije [S]. Treba uo~iti da
u ovom slu~aju nastaju tri kompleksa (ES, EI, ESI) od kojih
samo ES daje produkt enzimske reakcije. Ovo je predstavljeno na
slici 10.11.e, odnosno zapisuje se u obliku:
E + S ' ES E+ P
+ + (10.7)
I I
( (
EI+S ESI
10.3.4. Potenciometrijski enzimski senzori

Enzimska elektroda je biosenzor koji je napravljen od
elektrohemijskog senzora (transdjusera) na kome se nalazi
bioreceptorski sloj sa imobiliziranim enzimom. Reakcija supstrata i
enzima stvara produkt koji se meri potenciometrijskom ili
amperometrijskom metodom.
10. BIOSENZORI 271
Potenciometrijska metoda se zasniva na merenju razlike

potencijala izme|u radne i referentne elektrode, pri ~emu je ta
razlika u funkciji merene koncentracije odre|enog supstrata. Ta~nije,
ta razlika je proporcionalna logaritmu koncentracije − saglasno
Nernstovom zakonu. Potenciometrijski biosenzori primenjuju se za
merenje koncentracije slede}ih organskih jedinjenja: uree, glukoze,
amino-kiselina, glutaminata (mi{i}na belan~evina), malata (so
jabukove kiseline), tirosina (proizvod tiroidne `lezde), penicilina,
adenosina (proizvod odre|enih `lezda prilikom upale), acetilholina
(neurotransmiter), te{kih metala (kobalt, srebro, ìva) hidrogen-
-peroksida i razli~itih otrovnih reagenasa.
Konstrukcija svih potenciometrijskih enzimskih senzora
sli~na je senzoru uree koji }e detaljno biti razmotren. Su{tina je da se
za dati analit odabere najpovoljniji materijal za izradu membrane, da
se u membrani imobilizira enzim koji }e da podràva reakciju tog
analita, te da se tako pripremljena enzimska membrana aplicira na
vrh potenciometrijske elektrode. Koja }e to elektroda biti zavisi od
produkta kataliti~ke reakcije koji se prati, a ~ija je koncentracija
proporcionalna analitu. Naj~e{}i produkti reakcije su kiseline, ~ije se
koncentracije mere pH-elektrodom ili gasovi CO2, NH3, NH4 i H2O2,
~ije se koncentracije mere elektrodama pCO2 , pNH3 , pNH 4 i pF .
Potenciometrijski senzor uree jedan je od prvih enzimskih

senzora uop{te. Urea je mokra}na kiselina O=C(NH2)2 koja nastaje
kao metaboli~ki proizvod azotnih jedinjenja. Ova kiselina i njene soli
su nerastvorljive u vodi, a nalaze se u krvi i mokra}i. U medicini je
mjerenje koncentracije uree veoma va`no jer se time indicira
taloènje njenih soli u obliku kamenca u bubrezima ili na zidovima
krvnih sudova.
Urea se pomo}u enzima ureaze raspada na CO2 i NH3:
O = C(NH2 )2 + H2O ureaza
 → CO2 + NH3 . (10.8)
Aktivna oblast enzima je pH≈7, tako da produkti enzimske

reakcije (10.8) disosuju:
CO 2 + H 2 O ' HCO -3 + H + (10.9)
NH 3 + H 2 O ' NH +4 + OH − , (10.10)
odakle proizilazi da se koncentracija uree moè odrediti pomo}u

potenciometrijskih gasnih elektroda, pCO2 , pNH3 , pH ili pO2 .
Na primeru biosenzora uree moè se uo~iti da u reakciji

u~estvuje uvek isti enzim (ureaza) ali da ima vi{e razli~itih
produkata, pa je mogu}nost izbora elektrode ve}a.
Potenciometrijski senzor uree sa enzimskom CO2-
-elektrodom je kombinacija bioreceptorskog sloja sa imobiliziranom
ureazom i Klarkove, odnosno Soveringhausove CO2-elektrode (slika
10.12.a). CO2-elektroda se zasniva na svojstvu ugljendioksida CO2 da
formira ugljenu kiselinu H2CO3 koja disosuje: CO2+H2O ' H2CO3 '
− +
'HCO3 +H , tako da je u ravnote`nom stanju parcijalni pritisak
pCO2 proporcionalan koncentraciji H+, odnosno pH-faktoru. Kada se
elektroda prekrije enzimskim slojem, CO2 koji je nastao u enzimskoj
reakciji difundira kroz hidrofobnu membranu od ve{ta~ke gume ili
teflona, gde zatim disosuje u internom (pufer) rastvoru NaHCO3.
Rezultuju}a promena pH detektuje se pomo}u staklene elektrode.
Stati~ka karakteristika pO2 utvr|uje se kalibracijom − njen linearni
deo je u oblasti 3⋅10−4−10−2 M uree. Na slici 10.12.b vidi se da pove-
}anje koncentracije imobilizirane ureaze doprinosi ve}oj osetljivosti
enzimske elektrode.
3
Pa 105 10 mg/cm
2
3
6 mg/cm
PARCIJALNI PRITISAK pCO
4 3
10 4 mg/cm
3
10
INTERNI
RASTVOR
2
ENZIMSKA 10
MEMBRANA HIDROFOBNA ELEKTROLIT -4 −3 −2 −1
MEMBRANA 10 10 10 10
KONCENTRACIJA UREE cUREA M
a) b)
Slika 10.12. Enzimska pCO2-elektroda: a) konstrukcija, b) stati~ka karakteristika,
sa koncentracijom enzima kao parametrom
Potenciometrijski senzor uree sa enzimskom NH3-

-elektrodom. Elektroda za merenje pNH3 istovetna je po
konstrukciji sa CO2-elektrodom, s tim {to se umesto NaHCO3 kao
interni rastvor upotrebljava NH4Cl. Ureaza je ovde vezana direktno
10. BIOSENZORI 273
za hidrofobnu membranu pomo}u glutaraldehida ~ime se smanjuje

vreme odziva do 1,5 min.
Potenciometrijski senzor uree sa enzimskom pH-
-elektrodom. Na vrh klasi~ne staklene pH-elektrode osetljive na
jone H+ stavlja se gel od poliakrilamidnog polimera ili
metaakrilamid-poliakrilamidnog kopolimera (slika 10.13.a). Upotre-
bljavaju se i metalne, antimonske elektrode, koje su poznate po
malim dimenzijama, sa vrhom na kome se nalazi membrana sa
imobiliziranom ureazom (slika 10.13.b). Za ovu namenu tako|e se
primenjuju mikroelektrode za merenje pH napravljene u tehnici
tankog filma.
Potenciometrijski senzor uree sa enzimskom NH4-
-elektrodom. Ureaza je imobilizirana fizi~kim uklapanjem u
poliakrilamidni gel koji se u tankom sloju stavlja na vrh staklene jon-
-selektivne elektrode osetljive na jone NH4−. Kod ovakvih elektroda
mogu} je uticaj jednovalentnih jona H+, K+ i Na+ na ta~nost, te se
stoga posebna pa`nja posve}uje izboru internog rastvora.
Na kraju, u vezi sa potenciometrijskim senzorima eree moè se
ista}i da gasne elektrode pCO2 i pNH3 omogu}avaju direktno merenje
koncentracije uree zahvaljuju}i hidrofobnoj membrani koja je
propustljiva samo za te gasove, za razliku od staklenih elektroda pH i
pNH4 koje su osetljive na uticaj jednovalentnih jona.
TELO Ag AgCl ELEKTROLIT UREAZA pH-OSETLJIVO

ELEKTRODE STAKLO
a) 0,5mm
KABL IZOLATOR KONTAKTNI ELEKTRODA Pd UREAZA

SPOJ PREKRIVENA SA PdO
b) =0,25mm
Slika 10.13. Potenciometrijski senzor uree: a) konstrukcija sa pH-elektrodom,

b) konstrukcija sa metalnom elektrodom
Potenciometrijski biosenzor te{kih metala. Prisustvo

te{kih metala M dovodi do izdvajanja proteina iz enzima E i njegove
denaturacije. Pri malim koncentracijama ovi metali vezuju se u
enzimu za karbolne grupe =C=O ili tiolne grupe −SH i na taj na~in
smanjuju aktivnost enzima, tj. deluju kao inhibitori. Na primer,
stvaranje kompleksa prilikom vezivanja metala za tiolnu grupu moè
se prikazati kao reakcija:
E−SH + M+ ' E−SM + H+, (10.11)
odakle se vidi da je fiksiranje te{kog metala u funkciji pH.
Na slici 10.14.a prikazan je vremenski odziv sa imobiliziranom
ureazom. Senzor je najpre potopljen u rastvor bez prisustva te{kih
metala, tj. kada je koncentracija inhibitora nula: [I]=0. Zatim je
elektroda redom potapana u rastvor sa odre|enom koncentracijom
[Co2+], [Ag+] i [Hg2+]. Vreme odziva je relativno brzo, 1−2 min, ali je
vreme deaktivacije (regeneracije) enzima veoma sporo. Zato se posle
svakog merenja senzor potapa u rastvor specifi~nog deaktivatora − u
ovom slu~aju to su KI, (NH4)2S i etilen-diamin-tetraacetatna kiselina
(EDTA). Nakon regeneracije enzima senzor je spreman za novo
merenje. Treba primetiti da senzor daje sumarni odziv kada je u
rastvoru istovremeno prisutno vi{e te{kih metala.
[I]=0
mV 100 % 100
EDTA
80 80
80
T
PA
IO
60 60
OT
N
IZLAZNI NAPON, ∆E
IO
EK
(NH 4)2S 2+ AT
[Hg ] AL
M
40 40
I ON
AT
INHIBICIJA
AR
-P
20 KI 20 IL
+ ET
[Ag ] M
2+
[Co ]
0 0
−8 −7 −6 −5
0 2 4 6 8 10 10 10 10 10
VREME, t min KONCENTRACIJA, c M
a) b)
Slika 10.14. Karakteristike potenciometrijskih biosenzora: a) vremenski odziv na
te{ke metale, b) stati~ke karakteristike za tri pesticida
Potenciometrijski biosenzori pesticida. Pesticidi su sinte-

ti~ka hemijska sredstva kojima se uni{tavaju biljne i ìvotinjske
{teto~ine. Primena pesticida, naro~ito onih koji sadrè fosfatna
jedinjenja, ima i velikih nedostataka jer deluju otrovno na ljude i
ìvotinje. Organofosforna jedinjenja reaguju kao inhibitori na enzim
acetilholinesterazu (AChE) ili butirilholinesterazu (BuChE) i
10. BIOSENZORI 275
formiraju kompleks fosforil-enzim, a promena faktora pH koja rada

nastaje moè da se uzme kao mera koncentracije pesticida.
Jedan te isti senzor moè da meri prisustvo razli~itih pesticida,
a za svaki se utvr|uje odgovaraju}a ba`darna karakteristika (slika
10.14.b). Karakteristika je prikazana u procentima inhibicije: ve}a
koncentracija pesticida vi{e inhibira enzim i smanjuje izlazni napon.
Deaktivacija enzima je spora, sli~no kao i kod senzora kojima se
prati prisustvo te{kih metala, pa se primenjuju posebni regeneratori.
Iz tih razloga automatski sistemi koji analiziraju koncentraciju
pesticida u otpadnim vodama ili u zemlji{tu u su{tini rade diskonti-
nuirano. Tako|e, senzor daje sumarni izlaz kada je prisutno vi{e
razli~itih pesticida.
Na sli~an na~in rade i potenciometrijski biosenzori koji mere
ukupnu koncentraciju toksi~nih reagenasa. Izlaz senzora predstavlja
sumarni efekat reagenasa na jedan te isti enzim, na primer AChE,
imobiliziran u membrani senzora.
10.3.5. Amperometrijski enzimski senzori

Amperometrijska metoda zasniva se na merenju ja~ine
struje u elektrohemijskoj }eliji (transdjuseru) pri konstantnom
naponu napajanja, pri ~emu je ja~ina struje proporcionalna koncen-
traciji elektroaktivnih ~estica oksidovanih ili redukovanih na radnoj
elektrodi. Druga elektroda je referentna.
Kada se na vrh elektrohemijske }elije stavi enzimska membra-
na, dobija se amperometrijski biosenzor. Za njih je karakteristi~no da
postoji potro{nja produkta kataliti~ke reakcije. Produkt P se kre}e
difuzijom prema povr{ini elektrode gde je [P]=0, kada je struja
izme|u dveju elektroda najve}a, tj. osetljivost merenja maksimalna.
Difuzija, protok produkta moè se ograni~iti polupropusnom
membranom ili delovanjem enzima. U prvom slu~aju slabo propusna
membrana omogu}ava merenje visokih koncentracija, odnosno jako
propusna membrana omogu}ava merenje slabih koncentracija. U
drugom slu~aju membrana moè biti izrazito propusna, ali je difuzija
ograni~ena kataliti~kom reakcijom u enzimskom sloju.
Amperometrijsko merenje podrazumeva da je supstrat
elektroaktivan, tj. da moè da oksiduje ili da redukuje. Osnovna
funkcija enzima E je da omogu}i da se elektrohemijski neaktivan
supstrat S transformi{e u aktivni produkt P:
S + E ' SE → P + E i P + ne −' Q (10.12)
U redoks-reakciji znak + ozna~ava redukciju, a − oksidaciju

produkta. Broj elektrona n uklju~enih u redoks-proces predstavlja
promenu stanja od vrednosti u stacionarnom stanju, koja je rezultat
provodnosti produkta u tom stanju i priklju~enog napona izme|u
radne i referentne elektrode. Ova promena direktno je proporci-
onalna koli~ini disosovanih ~estica produkta na povr{ini radne
elektrode. Konstanta proporcionalnosti odre|uje se kalibracijom. Da
bi se o~uvala neutralnost produkta, o~igledno je da predavanje
elektrona na jednoj elektrodi (redukcija) mora biti pra}eno
primanjem elektrona (oksidacijom) na drugoj elektrodi.
Enzim moè biti imobiliziran u membrani, sli~no kao kod
potenciometrijskih senzora, ili direktno na povr{ini elektrode gde
deluje kao „elektrokatalizator“ koji omogu}ava razmenu elektrona na
poluprovodni~koj elektrodi.
Amperometrijski biosen-
zor glukoze je genere~ki senzor GLUKOZA
ovog tipa. Ima veliku primenu u
medicini pri odre|ivanju nivoa GLUKONSKA
{e}era u krvi pacijenata. Enzim LISELINA
GOD
GOD, glukoz-oksidaza, je imobilizi- H2O2
ran na povr{ini elektrode u akril-

e
amidnom gelu debljine 25−50 µm. O2
Njegova namena je da kataliti~ki

podràva oksidaciju glukoze u
ANALIT ENZIMSKA MEMBRANA ELEKTRODA
glukonsku kiselinu i vodonik-
Slika 10.15. Principijelna {ema
-peroksid H2O2 (slika 10.15): amperometrijskog senzora glukoze
glukoza + O 2 + H 2 O GOD
→ glukonska kiselina + H 2 O (10.13)
Koncentracija glukoze moè da se meri:

• amperometrijski, pra}enjem potro{nje kiseonika koja je
proporcionalna brzini enzimske reakcije ili pra}enjem kon-
centracije vodonik-peroksida (H2O2);
• potenciometrijski, pra}enjem glukozne kiseline kao produkta
~ija prisutnost funkcija pH.
10. BIOSENZORI 277
Amperometrijski senzor glukoze sa pO 2-elektrodom.

Kiseonik u enzimskom sloju je neutralan, a ne u jonizovanom obliku.
Me|utim, pri konstantnom potencijalu koji je jednak redukcionom
potencijalu od 600 mV/SCE (u odnosu na standardnu kalomelovu
elektrodu) de{ava se reakcija
O 2 + 2H 2 O + 4e - → 4OH − , (10.14)
koja omogu}ava da se parcijalni pritisak kiseonika prati kao funkcija
struje u vanjskom kolu.
kPa 1000
+ Ag- ANODA
−
pO2
Pt-KATODA
PARCIJALNI PRITISAK KISEONIKA,

750
500
STAKLO
POLIURETANSKI 250
OKLOP
MEMBRANA+ GOD 0
0 1 2 3
-2
0,7 mm GLUKOZA, c 10 M
a) b)
Slika 10.16. Amperometrijski biosenzor glukoze sa pO2-elektrodom: a) igli~asta
konstrukcija, b) kalibracione krive
Za merenje parcijalnog pritiska kiseonika primenjuju se

minijaturne elektrode pO2 , Klarkove elektrode sa Pt-katodom i
AgIAgCl-anodom (slika 10.16.a). Na dnu se nalazi membrana sa
imobiliziranim enzimom GOD. Hidrofobna membrana propu{ta
kiseonik i zadràva sve druge elektroaktivne ~estice spre~avaju}i
njihov uticaj na elektrodni potencijal. Elektrodni potencijal na katodi
redukuje kiseonik i koncentracija kiseonika unutar }elije pada. Sa
vanjske strane membrane, u analitu, parcijalni pritisak kiseonika je
konstantan, pa se uspostavlja gradijent koji podràva tok kiseonika
prema katodi. Taj tok proporcionalan je gradijentu, odnosno
koncentraciji kiseonika u analitu. Tok ima malu vrednost jer je
ograni~en difuzionim procesom, pa je stoga i vremenska konstanta
merenja relativno velika − oko jedne minute.
Imobilizacijom glukoz-oksidaze u membrani jedan deo
kiseonika se tro{i u enzimskoj reakciji oksidacije glukoze, a drugi deo
difundira kroz membranu do katode gde se redukuje. Kako je
povr{ina katode mala, moè se zaklju~iti da se kiseonik najvi{e tro{i

u enzimskoj reakciji. Brzina ove reakcije je funkcija koncentracije, tj.
parcijalnog pritiska kiseonika i zato od njegove po~etne vrednosti u
analitu zavisi odziv senzora. Time se ujedno obja{njava pojava da se
pove}ava detekcija glukoze sa pove}anjem parcijalnog pritiska
kiseonika (slika 10.16.b).
Ograni~avanje potro{nje kiseonika. Za pravilno merenje bilo bi
neophodno da se osigura konstantna vrednost parcijalnog pritiska
uzimanjem uzorka ve}e zapremine. To ~esto nije mogu}e, pa se
ograni~avanje prekomerne potro{nje kiseonika, tj. odràvanje
konstantne vrednosti njegovog parcijalnog pritiska, naj~e{}e postiè
istovremenom imobilizacijom dva enzima: glukoz−oksidaze i katalaze.
Kataliti~ka reakcija glukoze tada je:
glukoza + O 2 + H 2 O GOD
 → glukonska kiselina + H 2 O 2
H 2 O 2 katalaza
  → H 2O + 1/2O 2
(10.15)
Da bi se spre~ilo prekomerno oduzimanje kiseonika u analitu,
Pt-katoda pravi se od ìce pre~nika 10−25 µm. Enzimska dekompo-
zicija vodonik-peroksida vra}a polovinu kiseonika nazad u analit, pa
je njegova potro{nja tako dvaput manja. Dobra strana primene
katalaze nije samo smanjenje NAJLONSKA GEL + GEL
potro{nje kiseonika ve} i potpuna MRE@ICA ENZIM
TEFLONSKA
eliminacija H2O2 koji postepeno MEMBRANA
degradira GOD. GUMENI

PRSTEN
Diferencijalni spoj. Da bi izlaz
senzora glukoze zavisio samo od
ELEKTROLIT
potro{nje kiseonika usled enzimske 0,1M KCL
reakcije, a ne i od elektrohemijske
reakcije kiseonika na katodi, prime- ZA[TITNI
OKLOP
njuje se diferencijalni spoj dveju
jednakih pO2 -elektroda, s tim da je u
membrani jedne imobiliziran enzim a Ag*AgCl Pt-KATODE
ANODA
druga je bez enzima (slika 10.17. Slika 10.17. Diferencijalni spoj
Kada bi obe elektrode bile bez enzima,
10. BIOSENZORI 279
njihovi izlazi bili bi jednaki: i1=i2. Zbog prisustva glukoze dolazi do

enzimske reakcije na aktivnoj elektrodi, pa je koli~ina kiseonika koja
stiè do njene katode manja. Diferencijalni izlaz:
∆i = (i1 − iE ) − i2 = −iE , (10.16)
zavisi samo od potro{nje kiseonika usled enzimske reakcije koja je
proporcionalna koncentraciji glukoze. Princip diferencijalnog
merenja sa uspehom se primenjuje kod merenja razli~itih supstrata.
Senzor glukoze sa merenjem koncentracije H2O2 zasniva
se na elektrodi koja ima sli~nu konstrukciju kao p O 2 -elektroda
prikazana na slici 10.16.a. Razlika je {to se umesto hidrofobne
membrane koristi hidrofilna koja propu{ta H2O2 do Pt-elektrode na
kojoj H2O2 elektrohemijski oksiduje:
H 2 O 2 ' O 2 + 2H + + 2e − . (10.17)
Ovde je Pt anoda jer se nalazi na pozitivnom potencijalu
+0,6V/SCE u odnosu na standardnu kalomelovu elektrodu.
Poseban problem kod merenja koncentracije glukoze na osnovu
H2O2 je osetljivost na kiseonik koji je rezultat enzimske reakcije, ali i
degradiraju}e delovanje H2O2 na enzim GOD.
Direktna oksidacija oksidaze − primena kofaktora. Jedan
od na~ina eliminacije uticaja kiseonika na ta~nost merenja je
upotreba kofaktora, kao {to je FAD (flavin-adenalindinukleoid), koji
se vezuje za aktivni centar enzima GOD. Posle oksidacije FAD
egzistira u redukovanom obliku FADH2 i vra}a se ponovo u
oksidovani oblik FAD u prisustvu kiseonika:
glukonska
glukoza + GOD(FAD) → + GOD(FADH 2 ) (10.18)
kiselina
GOD (FADH 2 ) + O 2 → GOD (FAD ) + H 2 O 2 . (10.19)
Koncentracija glukoze proporcionalna je samo glukonskoj

kiselini, tj. faktoru pH, jer je zavisnost od O2 eliminisana zahvaljuju}i
reoksidaciji FADH2.
Direktna oksidacija oksidaze − primena medijatora. U
amperometrijskom na~inu rada elektron kofaktora prenosi se na
elektrodu ako je enzim rastvorljiv. Tada kofaktor, na primer FAD,
moè da ostvari kontakt sa elektrodom. Me|utim, kako je kofaktor

vezan za aktivni deo imobiliziranog enzima, naj~e{}e je potreban
most za prenos naelektrisanja − mobilni medijator. Medijator M je
molekul manje molekulske teìne od enzima i zato moè u
oksidovanom obliku Moks da prodre u unutra{njost enzima gde mu
kofaktor predaje elektron i redukuje ga u oblik Mred. Medijator Mred
prenosi ovo naelektrisanje do elektrode i poprima ponovo oblik Moks.
Ove dve reakcije zapisuju se na slede}i na~in:
GOD(FADH 2 ) + 2M oks → GOD(FAD) + 2H + + M oks (10.20)
 → M oks + 2e − .
M red  anoda (10.21)
Kao {to je poznato, za prenos elektrona naj~e{}e se koristi
kiseonik. Me|utim, zbog varijacija parcijalnog pritiska kiseonika u
analitu moè do}i do gre{aka u merenju koncentracije glukoze u krvi.
Koncentracija glukoze u krvi zdravog ~oveka je 4−6 mM, ali moè da
bude i ve}a od 30 mM. S druge strane, parcijalni pritisak kiseonika u
krvi je oko 2,2 mM i nedovoljan je da oksiduje svu glukozu u krvi.
Pomo}u medijatora ovi problemi uspe{no se re{avaju. Tipi~ni
medijatori su heksacijanoferat(III), derivati kvinona, derivati
ferocena i fenacinijum joni. Oksidovani oblik ferocena je ferocinijum
jon.
Direktna oksidacija oksidaze na elektrodi. Primena
medijatora kao akceptora je relativno jednostavna, ali postoje
zna~ajna ograni~enja jer medijatori deluju toksi~no na enzim i lako
prelaze u analit po{to nisu fiksirani za membranu. Danas se mnogo
eksperimenti{e sa direktnim prenosom elektrona sa enzima na
elektrodu. Su{tina je da se u enzimsku membranu stavljaju provodne
soli donorsko/akceptorskog tipa kao {to je TFT/TCNQ (tetratija-
fulvalinijum/tetracijanokvinodimetanoid). To su jedva rastvorljive
soli, ali dovoljno da se uspostavi posredovanje u prenosu naelek-
trisanja (slika 10.18.a).
Amperometrijski senzor glukoze pravi se od paste TTF/TCNQ i

PVC sa dodatkom organskog rastvara~a THF (tetrahidrofuran), koja
se deponuje na Pt-elektrodu u obliku diska (slika 10.18.b). Ovako
pripremljen senzor potapa se u rastvor GOD i drì izvesno vreme dok
se ne postigne imobilizacija. Posle evaporacije organskog rastvara~a,
na vrhu senzora dobija se tanka jon-osetljiva membrana.
10. BIOSENZORI 281
Cu−@ICA
S S +
+
TTF = TEFLON
S S Pt−DISK
TTF/TCNQ
+
CN CN - EPOKSI
− +
TCNQ =
ENZIM
CN CN
a) b)
Slika 10.18. Direktna oksidacija enzima GOD: a) joni TTF-/TCNQ+, b)

konstrukcija elektrode
Mikroglukozni senzori u tehnici tankog sloja prave se kao

kombinacija amperometrijskog H2O2 transdjusera i membrane sa
imobiliziranim enzimom. Po~etna osnova je standardni Si-vafer
debljine 300 µm i otpornosti 5 Ω (slika 10.19.a). Oksidacijom na
temperaturi 1 000 °C u atmosferi suvog kiseonika na njemu se
formira izolacioni sloj SiO2 debljine 1 µm. Postoksidaciono u~vr{}i-
vanje SiO2 provodi se na temperaturi 1 000 °C u atmosferi azota u
trajanju od 10 min. Zatim se deponuje pasivni sloj silicijum-nitrida
(Si3N4) debljine 0,1 µm ~ija je namena da {titi osnovu od hemijskog
procesa kojim se nanose Au-kontakti. Radi pobolj{anja adhezije
elektroda za podlogu prvo se na temperaturi od 250 °C u vakuumskoj
komori deponuje sloj hroma ili titanijuma debljine 20 nm, pa tek
onda sloj zlata debljine 60 nm. Ovako tanke Cr−Au elektrode
podlo`ne su delaminaciji i prekomernom zagrevanju usled Dùlovog
efekta, pa se zato deponuju ne{to deblje elektrode: oko 1 µm. @eljeni
oblik elektroda postiè se litografskim postupkom, nagrizanjem
pomo}u rastvora KI/I2 (KI:I2:H2O=20:5:22). Izme|u elektroda depo-
nuje se sloj negativnog fotorezista Ta2O5 koji podràva razmenu
elektrona sa vodonikom.
Opisana struktura radi kao senzor H2O2. Zaista, na eksperi-
mentalno odre|enom cikli~nom voltamogramu uo~ava se da za
priklju~eni napon od 1,1 V izlaz raste i dostiè stacionarnu vrednost
od 0,3 µA, pribli`no za jedan minut.
Nakon {to se Au-kontakti o~iste acetonom od tragova
fotorezista, nanosi se tanki sloj polimera. Polimer se formira
elektrohemijskom polimerizacijom, tj. cikli~nom promenom napona

izme|u elektroda, na primer od −0,2 V do +0,8 V. Tipi~ni polimeri su
polianilin i polipirol. Ovako pripremljen senzor H2O2 sa formiranom
membranom potapa se u rastvor enzima GOD. Enzim se imobilizira
elektrohemijski cikli~nom promenom napona ili se nakon odre|enog
vremena senzor vadi iz rastvora i su{i.
Au−KONTAKTI
OSNOVA
S3N4 0,1 µm
SiO2 1 µm
REFERENTNI SENZOR
300 µm SENZOR GLUKOZE
Si
SENZOR SENZOR
UREE TRIGLICERIDA
I[µA]
3
1
−1,5 0 +1,5
U[V]
−1
−2
KONTAKTNE STOPICE
−3
a) (b)
Slika 10.19. Tehnologija tankog filma: a) transdjuser H2O2 za senzor glukoze,
b) senzorski niz
Na slici 10.19.b prikazan je biosenzor za istovremeno merenje

koncentracije glukoze, uree i triglicerida. Sva tri senzora napravljena
su tehnikom tankih slojeva, na sli~an na~in kao {to je detaljno
obja{njeno za senzor glukoze. Elektrode su interdigitalne („~e{alj u
~e{alj“). êtvrti senzor sluì kao referentna elektroda. Ukupne
dimenzije ovog multisenzora su 7×5 mm.
10. BIOSENZORI 283
10.4. SENZORI SA
ELEKTROLITI^KIM GEJTOM
10.4.1. Princip rada
Strukture EOS. Ako se metalni gejt MOS-komponente
izostavi i omogu}i kontakt sa elektrolitom, dobijaju se senzori sa
strukturom elektrolit-oksid-poluprovodnik (EOS). Oksid je naj~e{}e
SiO2 i sluì kao izolator izme|u elektrolita i poluprovodnika.
Prema debljini oksidnog sloja razlikuju se strukture EIS
(d>5 nm) i EiS (d<5 nm). Naelektrisanje jona na kontaktu
elektrolit−oksid deluje na elektri~ne karakteristike poluprovodnika.
Mogu}e je da se oksid sasvim izostavi i tada je poluprovodnik u
direktnom kontaktu sa elektrolitom (d=0), odnosno dobija se senzor
sa strukturom ES.
Izme|u elektrolita i oksida dodaje se jon-osetljivi sloj na kome u
zavisnosti od koncentracije odre|enih jona u elektrolitu nastaje
potencijal koji uti~e na elektri~no polje u poluprovodniku. Uglavnom
se radi o jonima vodonika H+, kalijuma K+ i natrijuma Na+, odnosno
re~ je o merenju pH, pK ili pNa. Razvijeni su i slojevi osetljivi na jone
sloènih organskih spojeva.
Potencijal jon-selektivnog sloja meri se u kombinaciji sa
elektronskim komponentama na bazi efekta polja. Tako su nastali
senzori ISFET (ion sensitive FET), kondenzator EISCAP ili ICD (ion
controlled diode) i dr.
Standardni tranzistor sa efektom polja (FET, field-effect
transistor) napravljen je na supstratu p-Si tako da na gornjoj strani
ima dve zone sa ja~e dopiranim poluprovodnikom n+-tipa. Ove dve
zone ozna~avaju se sa sors (S, source) i drejn (D, drain). Struktura je
prekrivena izolacionim slojem SiO2 na kome je naparivanjem naneta
tankoslojna alumijumska elektroda koja se ozna~ava sa gejt (G, gate).
Gejt je deponovan na povr{ini izme|u sorsa i drejna. Preko sorsa i
drejna tako|e su napareni metalni kontakti (slika 10.20.a). Na taj
na~in gejt i poluprovodni~ki supstrat sa izolatorom izme|u njih
formiraju kondenzator sa upravljivom kapacitivno{}u. Zato se ovaj
tip tranzistora FET ozna~ava kao MOSFET (metal−oxide−semicon-
conductor FET) ili IGFET (isolated gate FET).
Supstrat i sors su spojeni na masu, a gejt−sors i drejn−sors

naponi ozna~eni su sa VG i VD. Kada se na gejt priklju~i pozitivni
napon VG u odnosu na sors, elektroni koji su manjinski nosioci
naelektrisanja u supstratu bivaju privu~eni prema granici sa izola-
torom gde postaju ve}inski nosioci. Ova inverzija tipa poluprovodnika
izme|u sorsa i drejna manifestuje se u jednoj uskoj zoni, n-kanalu.
Napon VG svojim poljem deluje na {irinu kanala i menja njegovu
provodnost upravljaju}i tako strujom kroz tranzistor ID. MOSFET
moè da se pravi i na osnovi od n-Si − tada su sors i drejn p+-tipa a
kanal p-tipa.
VG VD mA 20
− + + − VG=VT+4
VG=VT+3
ID
STRUJA DREJNA, ID
S D 10
G
SiO 2 VG=VT+2
n+ n+
VG=VT+1
p−Si
0
0 1 2 3 4 5
NAPON GEJTA,VG V
a) b)
Slika 10.20. MOSFET: a) struktura, b) stati~ke karakteristike
Izlazna struja. Osnova za uspostavljanje zavisnosti izme|u

struje ID i napona VG i VD je prora~un gustine pokretnih elektrona
kao prenosilaca naelektrisanja u n-kanalu. U nezasi}enom podru~ju
(VD<VG − VT, ili alternativno: VG>VD+VT) struja se opisuje jedna~inom
oblika:
W  1 2
I D = µCOX
L (VG − VT )VD − 2 VD  , (10.22)
 
gde je µ pokretljivost elektrona u kanalu, COX kapacitivnost
izolatora (oksida) po jedinici povr{ine, W/L odnos {irine i duìne
kanala, a VT napon praga (threshold voltage) koji je funkcija
napona izravnavanja VFB (flat-band voltage), naelektrisanja QB u
kanalu i razlike potencijala ϕF u Fermijevim nivoima dopiranog i
~istog silicijuma:
10. BIOSENZORI 285
QB
VT = VFB − + 2ϕ F . (10.23)
C OX
U zasi}enom podru~ju (VD>VG − VT, ili alternativno: VG<VD+VT)

struja ostaje konstantna i ima vrednost:
1 W
ID = µ COX (VG − VT )2 . (10.24)
2 L
Zasi}eno i nezasi}eno podru~je tranzistora MOSFET (IGFET)
prikazani su na na slici 10.20.b u funkciji parametra VG koji se
sukcesivno pove}ava za 1 V po~ev od VG = VT+1 do VG = VT+4 .
MOSFET kao senzor moè da se upotrebi na razli~ite na~ine
za merenje koncentracije, zavisno od toga koji se parametar u
jedna~ini (10.22) ili u (10.23) menja. Takvi senzori ozna~avaju se kao
CHEMFET, hemijski osetljivi FET-ovi.
Kada se preko oksida stavi jon-selektivni sloj, dobija se ISFET,
a kada je u tom sloju enzim kao katalizator dobija se ENFET,
enzimski FET. Karakteristi~no je da ovi senzori imaju odvojen gejt
od oksidnog sloja tako da je omogu}en kontakt sa elektrolitom. Iz tih
razloga elektronsko kolo na slici 10.20.a mora biti zatvoreno pomo}u
referentne elektrode.
Op{ta strukturna {ema senzora sa elektroliti~kim gejtom moè
se predstaviti slede}om principijelnom {emom (slika 10.21):
EOS−KOMPONENTA JON-OSETLJIVI ELEKTROLIT REFERENTNA

SLOJ ELEKTRODA
mV
Slika 10.21. Principijelna {ema selektivnog EOS senzora
Metalni kontakt referentne elektrode moè da se tretira kao

gejt kod standardnog MOSFET-a, odnosno jedna~ine (10.22)−(10.24)
mogu se upotrebiti za opisivanje rada CHEMFET senzora. Ipak, za
ta~niji prora~un treba uneti izvesne modifikacije jer napon izravna-
vanja VFB zavisi od potencijala ϕ0 koji nastaje na kontaktu elektrolita
i oksida a menja se saglasno Nernstovoj jedna~ini.
10.4.2. ISFET sa klasi~nom membranom

Klasi~na mebrana. Od 1970. kada je prvi put napravljen,
nastale su mnogobrojne varijacije ISFET-a koje se razlikuju prema
tipu jon-selektivnog sloja. Jon-selektivni sloj u najprostijem slu~aju
pravi se kao membrana, kompaktni tankoslojni prekriva~ preko SiO2
izolatora (slika 10.22.a). Obi~no je od poroznog stakla ili posebno
prepariranog PVC-a, sa odre|enom porozno{}u, sli~no kao kod
konvencionalne jon-selektivne elektrode. Debljina membrane je
1−100 µm, a potencijal ima pribli`no Nernstov odziv.
REFERENTNA
VG ELEKTRODA VD
µΑ 120 V 300
− + VGS=−80 mV
− +
200
80 VGS=20 mV
ANALIT ID
pH
NAPON GEJT-SORS, VGS
S D
V/
MEMBRANA
m
100
STRUJA DREJNA, ID
SiO2
,37
VGS=150 mV
n n
59
+ +
40
VGS=250 mV 0
p−Si
0 −100
0,5 1 0 5 10
NAPON DREJNA, VD V FAKTOR pH pH
a) b) c)
Slika 10.22. ISFET: a) struktura, b) karakteristika IDS (VDS ), c) karakteristika
VGS (pH)
Potencijal se meri FET-om koji radi u oblasti zasi}enja (slika

10.22.b). Stati~ka karakteristika zavisi od geometrije i strukture
kanala sors−drejn, materijala od kojeg je napravljen jon-selektivni
sloj i procesnih uslova. Pri konstantnom priklju~enom naponu na
gejtu VG = const ukupni napon gejt−sors VGS menja se samo usled
elektrohemijskog povr{inskog potencijala na gejtu ψ0, koji zavisi od
vrednosti pH elektrolita. Prema tome, kao stati~ke karakteristike
mogu se uzeti IDS(VDS) sa VGS kao parametrom ili VGS(pH) (slika
10.21.b,c).
Vreme odziva t5−90% klasi~nog ISFET senzora je relativno veli-
ko. Na primer, za pNa-ISFET sa membranom od natrijum-alumini-
jum-silikatnog stakla (10−11%Na2O + 10−20%Al2O3 + 70−80%SiO2)
vreme odziva je 50−10 ms, a za pCa-ISFET ~ak 300 s.
10. BIOSENZORI 287
10.4.3. ISFET sa dielektri~nom membranom

Dodatni sloj izolatora. Kada se na izolator gejta od oksida
SiO2 tehnikom evaporacije, raspr{ivanja ili hemijskim deponovanjem
nanese dodatni izolator (silicijum-nitrit Si3N4, tantal-pentoksid Ta2O5
ili aluminijum-trioksid Al2O3), dobija se jon-osetljivi sloj debljine
40−200 nm. ISFET sa ovakvim slojem postaje senzor osetljiv na jone
vodonika sa odli~nim karakteristikama: osetljivost 40−60 mV po
dekadi, stabilan rad (drift 0,1−1 mV/dan), velika brzina odziva
(t5−90%=10−15 ms za pH-ISFET sa Si3N4, odnosno t5−90%=2−5 ms za
pH−ISFET sa slojem Ta2O5.
ZA[TITNA
GUMA
Al-KONTAKTI
SiO2
Si3N4 Si3N4
SiO2 SiO2
+ + + +
p p p p
n n
a) b)
Slika 10.23. ISFET sa dodatnim slojem od Si3N4 : a) pogled odozgo i presek,
b) gumena izolacija od elektrolita
Prakti~na realizacija. Na slici 10.23 prikazan je ISFET na

poluprovodni~koj osnovi od n-Si, sa slojem oksida SiO2 (35 nm) u zoni
gejta preko kojeg je stavljen dodatni sloj od Si3N4 (40 nm). Kontakti
su napravljeni od aluminijuma, a celi ~ip − osim otvora na gejtu −
za{ti}en je gumom od elektrolita.
Priklju~ci sa prednje strane senzora moraju biti izolovani
od elektrolita. Pokazalo se da to nije jednostavno napraviti jer
te~nost prodire do elektronskih delova senzora kroz pore izolatora
od epoksida ili silikonske gume ili kroz pore na adhezionom sastavu
izolatora i senzora. Smatra se da upravo neadekvatna tehnika
za{tite ograni~ava brì razvoj i primenu ISFET senzora.
DREJN
GEJT
REFERENTNA
SORS ELEKTRODA
MEMBRANA SA
PIJEZOREZISTORIMA
PREDNJA
STRANA
a)
ZADNJA
PREDNJA
STRANA
STRANA
Al2O3
TiSi2 POROZNA MEMBRANA
STAKLENA SENZORA
MEMBRANA PRITISKA
p
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
p+ n+ n+ p+ p+
p
KCl
n n n n n
Ag/AgCl
OSNOVA
Al-KONTAKT
pH− ISFET REFERENTNA SENZOR PRITISKA

pH− ELEKTRODA
ZADNJA STRANA
b)
Slika 10.24. Senzor pH+p: a) vanjski izgled, b) konstrukcija
Jedan od na~ina re{avanja ovog problema je pravljenje

kontakata sa sorsom i drejnom sa zadnje strane senzora − kroz
telo senzora (slika 10.24). Senzor je izveden u CMOS tehnici, sa
osnovom od n-Si i aluminijumskim priklju~cima deponovanim u
p+-oblasti. Elektri~na veza od sorsa (n+) i drejna (n+) ostvarena je
pomo}u tankoslojnog provodnika TiSi2. Preko njega je deponovan
hemijski pasivan niskotemperaturni oksid SiO2, a onda osetljivi
pH-sloj od Al2O3. Pored merne elektrode na prednjoj strani
senzora je porozna membrana minijaturne referentne pH-
10. BIOSENZORI 289
elektrode od AgIAgCl ìce. Interni rastvor KCl sasvim male

zapremine, svega 1 µl, omogu}ava dvonedeljni rad senzora u
mernoj sredini. Za primenu u biomedicinskim merenjima razvijen
je kateter koji pored opisane pH-}elije ima i senzor pritiska sa ~etiri
pijezorezistora spojena u puni merni most. Na slici 10.24 prika-
zani su izgled i konstrukcija takvog katetera. Ukupan broj
priklju~aka na kateteru je sedam: ~etiri su za senzor pritiska, dva
za pH-ISFET i jedan za referentnu pH-elektrodu.
10.4.4. ISFET sa hemijski modifikovanom membranom

Silanizacija. Direktnim hemijskim promenama na oksidu,
odnosno na membrani, postiù se sjajni rezultati u pogledu
stabilnosti i selektivnosti senzora. Primena hemijske metode usko
je povezana sa razvojem novih materijala.
Jedan od naj~e{}ih postupaka hemijske modifikacije izolatora
gejta SiO2 provodi se silanizacijom, tj. kalemljenjem silana na SiO2.
Silan je spoj u kome su atomi silicijuma povezani sa organskim
grupama. U pripremnoj fazi SiO2 se hidrati{e, impregnira vodom da
bi se na povr{ini dobile hidroksilne grupe OH. Glavna faza je
dodavanje monofunkcionalnog reagensa koji sa OH-grupama stvara
siloksan veze ≡Si−O−Si≡, {to se moè zapisati na slede}i na~in:
Na povr{ini nakalemljenog silana je grupa X od koje zavise

selektivna svojstva membrane. Grupa X reaguje sa katjonima K+,
Ni2+, sa katjonima te{kih metala (Cd2+, Ag+, Hg2+), a ispituju se i
mogu}nosti interakcije sa anjonima. Na primer, koncentracija Ag+
meri se zahvaljuju}i njihovoj reakciji sa CN-grupama γ-cijanopro-
pilendimetila(dimetilamina):
10.4.5. ISFET sa polimerskom membranom

pH-osetljivost. Osnovni problem u primeni ISFET senzora sa
hemijski modifikovanim oksidom u zoni gejta je {to pored osetljivosti
na merene jone postoji i osetljivost na jone vodonika. To je zbog toga
{to silanizacija nije obuhvatila sve hidroksilne jone, koji u
elektrohemijskoj reakciji generi{u dominantni potencijal u pore|enju
sa potencijalom X-grupa u nakalemljenom silanu. Kada se gejt
presvu~e tankom polimerskom membranom (∼100 nm), pH-osetljivost
se smanjuje. Na primer, tipi~na karakteristika ISFET-a sa peri-
lenskim gejtom ima osetljivost 28 mv/pH za pH<4 (slika 10.25.a). Za
pH>4 osetljivost je svega 1,5−3 mV/pH i u tom podru~ju ISFET je
prakti~no referentna elektroda (REFET).
PREDNJA STRANA
mV 150
GEJT ISFET DREJN SORS
PROMENA NAPONA GEJT-SORS, ∆V
28 mV/pH 1,4mm
100
2 mV/pH
REFET KONTAKTNA OMSKI
STOPICA KONTAKT SA
SUPSTRATOM
50 ZADNJA STRANA
6 12 PSEUDOREFERENTNA
FAKTOR pH ELEKTRODA (Au)
a) b)
Slika 10.25. ISFET sa perilenskim gejtom: a) tipi~na karakteristika,
b) integrisani pH-senzor ISFET/REFET
Konstrukcija. Zbog malih dimenzija REFET moè da se

napravi na istom supstratu kao i pH-osetljivi ISFET. Tako su nastali
integrisani pH-senzori kao kombinacija ISFET/REFET (slika 10.25.b).
Ova kombinacija je u diferencijalnom spoju radi eliminacije tempera-
ture. Senzor nema vanjsku referentnu elektrodu − elektri~ni kontakt
sa elektrolitom ostvaruje se posredstvom tzv. pseudoreferentne
elektrode od plemenitog metala, naj~e{}e od zlata.
Priprema membrane. Za razliku od tradicionalne PVC-

-membrane (gejta), polimerska se pravi fotohemijskom ili termi~kom
obradom in situ, tj. u toku gradnje senzora na licu mesta. Posle
10. BIOSENZORI 291
zavr{ene silanizacije dodaje se monomer koji prilikom fotopo-

limerizacije naraste, reaguje sa povr{inskom grupom X i veè se
kovalentnom vezom za silan:
MEMBRANA SA OH
NAKALEMLJENIM
SILANOM
OH + (CH3O)3Si−CH2CH2CH2−X (10.27)
OH
DODAVANJE
O MONOMER
MONOMERA
FOTOPLIMERI−
O −Si−CH2CH2CH2−X hν
(10.28)
ZACIJOM O
MEMBRANA SA
O
O −Si−CH2CH2CH2−POLIMER (10.29)
(
POLIMEROM
Dodavanjem specijalnih spojeva, naj~e{}e makrocikli~kih etera

~iji molekuli sluè kao jonofori, polimerska membrana postaje
osetljiva na odre|enu vrstu jona. U porozni polimer jonofori se
utiskuju po nekom rasporedu, kao u matricu (slika 10.26.a). Kako je
na spoju polimera i SiO2 zaostalo nereagovanih hidroksilnih grupa,
senzor ima i izvesnu pH-osetljivost. Kada se na to mesto stavi
me|usloj od hidrogela, spre~ava se difuzni prolaz gasova i smanjuje
neèljena pH-osetljivost.
Hemijska modifikacija. Jon-neosetljiva membrana od perilena
i sli~nih materijala sluì kao osnova za hemijsku modifikaciju i
dobijanje dosad najboljih ISFET senzora u pogledu selektivnosti i
osetljivosti. Na slici 10.26.b prikazan je pK-ISFET osetljiv na jone
kalijuma (K+), napravljen sa perilenom i molekulima makrocikli~kog
etera (benzo−18−kruna−6). Procedura deponovanja perilenskog sloja
na Si3N4 sli~na je kao kod pravljenja pH-REFET-a. Modifikacija
perilena provodi se u dve etape. Prvo se povr{inske karboksilne
grupe hlori{u:
PERILEN
SOCl 2
COOH COCl (10.30)
HLORISANJE
Hlorisanje se provodi radi efikasnije imobilizacije etera pomo}u

amidske veze:
CO Cl + CO N (10.31)
O H2N
O H
Debljina jon-selektivnog sloja odre|ena je dimenzijama

makrocikli~kih molekula pri~vr{}enih kovalentnom vezom za perilen,
pa ISFET ima male dimenzije (do 1 µm), brz odziv (0,1 s), malu
nestabilnost (0,1−1 mV/dan za prvih deset dana, a naredni mesec
dana nula), te dobru osetljivost (30−50 mV/pK).
- -
POLIMERSKA MATRICA Cl Cl
P
X P−POLIMERSKA GRUPA
X−POVR[INSKA GRUPA
I
P
P I−JONOFOR + +
K K
N H N H
C O C O
HIDROGEL
PERILEN
SiO2 Si3N4
+ +
n n SiO2
SORS KANAL DREJN
p−Si
a) b)
Slika 10.26. Perilenski gejt: a) jonofori utisnuti u perilensku matricu, b) jonofori
nakalemljeni na povr{ini perilena
10.4.6. ENFET
Kada je u membrani tranzistora FET imobiliziran enzim,
dobija se ENFET − enzimski FET. U membrani se odvija enzimska
reakcija, a zatim joni produkta formiraju elektri~no polje koje se
detektuje pomo}u ISFET-a na kome je aplicirana enzimska
membrana.
Kada je enzimska membrana primenjena na potenciometrijskoj
elektrodi, tada se potencijal mora meriti pomo}u kola ~ija je ulazna
impedansa (∼1012 Ω) mnogo ve}a od velike impedanse membrane.
10. BIOSENZORI 293
Kod ISFET, odnosno ENFET senzora unutra{nji elektrolit i

unutra{nju elektrodu zamenjuje poluprovodni~ki kontakt (kanal
FET-a) na kome je osetljivi element, tj. membrana. Ovaj kontakt ima
malu impedansu i integrisan je u odgovaraju}e kolo za o~itanje
potencijala.
10.4.7. Merne {eme sa ISFET senzorima

Integracija savremenih hemijskih senzora sa analognim
mernim kolima omogu}ila je razvoj mikroelektronskih hemijskih
senzora koji su u odnosu na klasi~ne prethodnike izdr`ljiviji, manji i
pogodniji za masovnu proizvodnju i primenu. Dobijeni su i bolji
metrolo{ki parametri zbog temperaturne kompenzacije, linearizacije
i impedantne prilago|enosti izlaznog signala. Na izlaz senzora
mogu}e je dodati kola za brzo multipleksiranje i uz minimalani
porast cene ko{tanja ostvariti sloèna obrada signala (elektronski nos
i jezik).
Integrisani ISFET. Prva integrisana elektronska {ema
napravljena je za par REFET/ISFET prikazan na slici 10.25.b. U
{emi nema vanjske referentne elektrode jer je kontakt sa
elektrolitom ostvaren pomo}u elektrode od plemenitog metala (slika
10.27.a). Par REFET/ISFET radi u diferencijalnom spoju i izlazni
signal je:
E 0 = R( I 1 − I 2 ) . (10.32)
Potpuno integrisani mikroelektronski hemijski senzor
proizveden je 1985. i nosio je oznaku Eµ358A (slika 10.27.b).
Elektronska {ema projektovana je tako da par ISFET i FET3 radi u
identi~nim termi~kim i elektri~nim uslovima. Sors tranzistora FET1
i sors FET2 spojeni su na diferencijalni poja~ava~ A1, a njegov izlaz
na poja~ava~ A2. Ako je ukupno naponsko poja~anje poja~ava~a A,
tada je izlazni napon:
E 0 = A(V − V3 ) , (10.33)
gde su V i V3 ekvivalentni naponi gejta za ISFET i FET3. Izlazni
napon E0 je povratnom spregom doveden na gejt FET3, E0, pa je
V3=E0, odnosno izlaz (10.33) ima oblik:
A
E0 = V. (10.34)
A +1
Ako je ukupno poja~anje A dovoljno veliko (A>100), {to nije

te{ko ostvariti, posle smirivanja prelaznog procesa izlazni napon je
proporcionalan merenoj koncentraciji jona. Tada su naponi na
gejtovima posmatranog para ISFET i FET3 jednaki: V=V3, a to zna~i
da su i njihove struje drejna jednake. Prema tome, svaka nesta-
bilnost, uklju~uju}i i temperaturnu, koja se pojavi u ovim strujama
bi}e potisnuta diferencijalnom poja~ava~kom {emom kao zajedni~ka
jednosmerna komponenta, a rezultat je da izlaz ne zavisi od
temperaturnih varijacija ve} samo od elektrohemijskih pojava u
elektrolitu. Na primer, kada se ~ip izloì cikli~koj promeni
temperature 22 °C→72 °C→22 °C, temperaturna nestabilnost je svega
25 µV/°C.
+VD
FET1 FET2
ISFET
REFET Au ISFET
+ IZLAZ
. -
A1 A2 E0
I1 R I2
R V3
-
A1 - FET3
+ A2
+
E0 V4
FET4 Eµ358A
−VS
a) b)
Slika 10.27. Integrisani hemijski senzor: a) REFET/ISFET u diferencijalnom
spoju, b) principijelna {ema ~ipa Eµ358A
10.4.8. Senzori sa minimalnim slojem oksida

EiS senzori imaju strukturu elektrolit−oksid−poluprovodnik, a
dobijaju se kada je debljina sloja oksida d<5 nm (slika 10.28.a).
Poluprovodnik se bira zavisno od jona ~ija se koncentracija meri. Na
primer za jone vodonika primenjuju se silicijum, oksid cinka (ZnO),
oksid talijuma (Ta2O5) i oksid iridijuma (IrxOy), a za jone HS−
kadmijum-sulfid (CdS). Tipi~na osetljivost merenja pH je −32 mV/pH.
ES senzori imaju strukturu elektrolit−poluprovodnik jer je
kod njih oksid potpuno izostavljen (slika 10.28.b). Time je omogu}en
10. BIOSENZORI 295
neposredan kontakt sa analitom. Osetljivost na merenje pH je

−59 mV/pH.
Senzori EiS i ES imaju dobru osetljivost, ali im je karakte-
ristika dosta nestabilna. To je glavni ograni~avaju}i faktor za
primenu ovih jednostavnih senzora.
REFERENTNA REFERENTNA
ELEKTRODA ELEKTRODA
ANALIT ANALIT
SiO2
p−Si p−Si
a) b)
Slika 10.28. Manje upotrebljavani senzori sa elektroliti~kim gejtom: struktura
EiS, b) struktura ES
10.5. MIKROBIOLO[KI SENZORI

10.5.1. Uvod
Mikroorganizmi (bakterije, gljivice, virusi) su znatno ve}i od
enzima i zato se mogu bez o{te}enja i relativno jednostavno
imobilizirati fizi~kim uklapanjem u pore membrane. Tipi~an primer
su mikrobi (bakterije) koji se uklapaju u membranu od gela (agar,
poliakrilamid) ili filterske i dijalizne materijale sa porama ~iji je
pre~nik oko 0,2 µm. Posle razvoja bakterija na odre|enoj hranljivoj
podlozi, }elije se sakupljaju i ispiraju u pufer rastvorima da bi se
eliminisali sastojci koji su sluìli za rast mikroorganizama. Fizi~ko
uklapanje provodi se me{anjem sa gelom, odnosno vakuumskim
usisavanjem u pore mikroporoznih membrana. Tako pripremljena
membrana se odràva u odre|enom rastvoru na niskoj temperaturi
(∼4 °C) da bi se o~uvala enzimska aktivnost bakterija.
Fabrikacija mikrobiolo{kog senzora dovr{ava se neposredno
pre primene: membrana se aplicira na transdjuser kojim se prati
koncentracija komponente koja u~estvuje u metaboli~kim reakcijama.
Tipi~an primer su bakteriolo{ki senzori kod kojih se gasovi CO2, NH3
ili O2 nastali kao rezultat metaboli~kih reakcija izme|u ispitivanog
supstrata i odre|ene bakterije mere potenciometrijskom ili
amperometrijskom elektrodom pH, pO2 , pNH 3 ili pNH 4 . Elektrode

pCO 2 , pNH 3 i pO2 su pogodnije za primenu u rastvorima jer ve} imaju
teflonsku hidrofobnu membranu (slika 10.29.a).
Metaboli~ke reakcije mikroorganizama osnova su merenja
koncentracije holesterola, etanola, fenola, nikotinske kiseline nista-
tina i dr.
Primena mikrobilo{kih senzora ograni~ena je zbog nedo-

voljne pouzdanosti i slabe reproducibilnosti. Osim toga, mikroorga-
nizmi sadrè ve}i broj razli~itih enzima koji podràvaju razli~ite
reakcije, pa je analiti~ka interpretacija rezultata veoma te{ka.
10.5.2. Tehnika bakteriolo{kh senzora

Bakteriolo{ki senzori primenjuju se za merenje etanola
(bakterija Acetobacter xylinium imobilizirana u celulozi), etanol-
-metanola (bakterija Trichosporon brassicae adsorbovana na
celuloznoj membrani), fenola (bakterija Trichosporon cutaneum
imobilizirana u dijaliznoj membrani), glukoze (bakterija Escherichia
coli imobilizirana u agaru) i dr.
Bakteriolo{ki senzor etanola zasniva se na oksidaciji koja
nastaje u metaboli~koj reakciji bakterije Acetobacter xilynium:
Acetobacter xilynium
CH 3 CH 2 OH + O 2   → CH 3 COOH + H 2 O . (10.35)
Ova oksidacija prati se pomo}u elektrode pO2 . Vreme odziva

senzora je 2 min, a opseg merenja 0,1−3 mM.
Bakteriolo{ki senzor cisteina zasniva se na konverziji
cisteina u piruvat i gasove NH3 i H2S, pri ~emu je konverzija rezultat
enzimskog potencijala bakterije Proteus morganii koja sadrì enzim
cistein−desulfidrazu:
cistein cistein
 -desulfidra
  za
→ piruvat + NH 3 + H 2S . (10.36)
Bakteriolo{ki senzor naftalena. Policikli~ni aromati~ni

ugljovodonici predstavljaju najve}u grupu kancerogenih spojeva koji
se dugo zadràvaju u povr{inskom sloju zemlje i zaga|uju okolinu.
Izvesne bakterije imaju sposobnost da degradiraju ove opasne
10. BIOSENZORI 297
materije. Degradaciju prati respiratorna aktivnost bakterija i

potro{nja kiseonika, {to se detektuje pomo}u O2-elektrode. Naftalen
(C10H8) je kancerogeni spoj dobro rastvorljiv u vodi (do 30 mg/l) i
uvek prisutan u zaga|enom zemlji{tu. Bakterije Sphingomonas i
Pseudomonas fluorescens razgra|uju naftalen.
a) b)
nA 15
Sphingomonas
PROMENA STRUJE, ∆I
10
Pt Pseudomonas
fluorescens
Ag AgCl 5
0
M1 M2 NAFTALEN 0 1 2 3 4 5
O2 KONCENTRACIJA NAFTALENA, c mg/l
BAKTERIJE
Slika 10.29. Bakteriolo{ki senzor naftalena: a) struktura, b) kalibracione krive
Bakteriolo{ki senzor naftalena je amperometrijski senzor na

bazi bakterije Sphingomonas ili Pseudomonas fluorescens koje su
imobilizirane u poliuretanski hidrogel kao matricu. Na amperome-
trijsku O2-elektrodu koja se sastoji od Pt-katode pre~nika 0,5 mm i
AgAgCl referentne anode najpre se stavlja membrana M2 sa
imobiliziranim bakterijama (slika 10.29). Preko ove membrane
stavljena je tanka kapilarna membrana M1 debljine 10 µm i sa
porama pre~nika 0,6 µm. Takva membrana propu{ta gasove, ali
zadràva vodu. Promena struje meri se pri konstantnom naponu od
−0,8 V u odnosu na AgAgCl. Senzor ima osetljivost od 3 nA/mg⋅l u
opsegu 0,01−3 mg/l, brzinu odziva 3−5 min i rok trajanja senzora oko
20 dana.
10.6. IMUNOSOENZORI
10.6.1. Uvod
Imunosenzori rade na principu biomolekularnog prepozna-
vanja koje proizilazi iz specifi~nih veza izme|u antitela i antigena.
Imunolo{ke reakcije su specifi~ne jer je promena potencijala veoma
mala, nema oslobo|enih produkata i nema potro{nje supstrata. Ove

promene potencijala detektuju se odgovaraju}im transdjuserom.
Pomo}u imobiliziranog antigena meri se koncentracija antitela u
analitu, a moè da bude i obrnuto: pomo}u imobiliziranog antitela
detektuje se antigen.
Najva`nija karakteristika imunosenzora je kapacitet konti-
nualne detekcije. To je sposobnost senzora da u brzim ciklusima
obnavlja veze sa analitom, ili sposobnost da prati promene u analitu
u duèm vremenskom periodu bez regeneracije bioreceptora.
Imobilizacija antitela. Antitela su robusni proteini koji se
imobiliziraju kovalentnim vezama. Direktna imobilizacija primenjuje
se na grafitnoj elektrodi. Takva elektroda se najpre elektrohemijski
oksiduje u rastvoru azotne kiseline i kalijum-bihromata da bi se
dobile hidroksilne grupe na koje se onda vezuju antitela preko
karbamida. Razli~ite varijante direktne imobilizacije ostvarene su
fizi~kom adsorpcijom antitela na tankoslojnim elektrodama od zlata i
srebra.
Tehnika imobilizacije antitela u acetilceluloznim membranama
sli~na je imobilizaciji enzima u perilensku membranu ISFET-a, koji
je prikazan na slici 10.26. Na primer, membrana od brom-cetilceluloze
potopi se u rastvor heksametilen-diamina (NH2(CH2)6NH2), a onda u
rastvor diepoksi-butadiena:
H2C−CH−CH−CH2,
O O
da bi se dobile epoksi-grupe =C−C= , koje reaguju sa antitelom
O
preko veznog agensa, amino-grupe −NH2 (slika 10.30.a). Na kraju
se membrana opere u rastvoru etanolamina koji blokira nereagovane
epoksi-grupe.
Imobilizacija antigena. Antigeni se imobiliziraju na sli~an
na~in kao enzimi i antitela kada imaju proteinsku strukturu.
Antigeni koji nemaju proteinsku strukturu koriste jonofore − nosioce
jona za spajanje sa elektrodom. Tipi~an primer je klasi~na Pt-
-elektroda preko koje je nanet sloj epoksi-smole pome{an sa grafitom
koji ima ulogu internog rastvora. Na vrhu imunosenzora je smesa
PVC-a rastvorenog u tetrahidrofuranu, 10mg/ml antigena DNP
(dinitrofenol) i 15% trioktil-acetata (slika 10.30.b).
10. BIOSENZORI 299
PVC
O−C−CH2Br+NH2(CH2)6NH2 OKLOP
NH(CH2)6NH2 +H2C−CH−CH−CH2
O O
PLATINA
NH−CH2−CH−CH−CH2 +H2N−antitelo
GRAFITNI PRAH
OH O +
EPOKSI
CH2− NH−antitelo DNP+PVC
a) b)
Slika 10.30. Imunosenzor: a) imobilizacija antitela u membrani, b) imobilizacija
antigena
Imobilizacija smese sa bioafinitetom provodi se na membra-

nama od polimera. Na primer, kopolimerizacijom 1,8-diamino-40-
-amino-metiloktana sa triacetatom celuloze dobija se polimerska
membrana koja se potapa u rastvor smese ovalbumina i 2[(4-
-hidroksilfenol)azo]benzoatna kiselina (HABA). Smesa se kovalentno
vezuje za membranu pomo}u karbamida.
10.6.2. Tehnika imunosenzora

Imunolo{ke veze nastaju u reakcijama izme|u antitela i
antigena. Kao {to je istaknuto, to su specifi~ne reakcije jer je
promena potencijala mala, nema stvaranja produkta niti potro{nje
supstrata. Mali potencijal te{ko se meri direktno, pa se pribegava
namernom izazivanju hemijskih reakcija koje }e taj potencijal
poja~ati, omogu}iti stvaranje merljivog produkta ili potro{nju
supstrata.
Najpoznatije su metode enzimskog ozna~avanja, odnosno
stvaranja sprege imobiliziranog imunoagensa i enzima koji katalizira
komplementarnu reakciju imunolo{koj. Takva enzimska reakcija daje
ve}i potencijal, osloba|a produkt ili tro{i supstrat. Zato se ovaj
mehanizam ponekad ozna~ava kao enzimsko poja~avanje. Druga
grupa metoda posrednog pra}enja imunolo{kih reakcija zasniva se na
primeni prenosilaca jona (jonofora) kao medijatora izme|u imuno-
lo{kih i elektrohemijskih reakcija.
Zavisno od tipa transdjusera koji se koristi za detekciju

promena u namerno izazvanoj hemijskoj reakciji postoje razli~iti
tipovi imunosenzora: elektrohemijski, optoelektronski, polupro-
vodni~ki, ultrazvu~ni i dr.
Elektrohemijski imunosenzori su potenciometrijskog ili
amperometrijskog tipa. Kod potenciometrijskih meri se razlika
potencijala izme|u imunoreaktivne i referentne elektrode (struja
izme|u elektroda jednaka je nuli), a kod amperometrijskih meri se
struja izme|u ove dve elektrode kada je na njih priklju~en
konstantan napon. Mereni napon i merena struja proporcionalni su
imunohemijskoj reakciji izme|u antitela i antigena.
Na primer, kada se elektroda od titanijumske ìce na kojoj je
direktno imobilizirano antitelo anti-HCG (humani gonadotropin
zametka) potopi u rastvor HCG, 3,3 µg/ml, dobija se napon od 3 mV u
odnosu na referentnu elektrodu.
Optoelektronski imunosenzori zasnivaju se na opti~koj
detekciji interakcije antitelo−antigen. Imunoagens se imobilizira na
pogodnom delu opti~kog kabla gde je omogu}ena interakcija
antitelo−antigen, tako da se mogu pratiti promene koje nastaju.
Naj~e{}e se primenjuje imobilizacija antitela na vrhu opti~kog kabla
kojim se dovodi opti~ki zrak iz izvora. U interakciji sa fluorescentnim
antigenom menja se intenzitet zra~enja koje se povratnim opti~kim
vlaknom dovodi na fotoprijemnik. Mogu}e strukture senzora prika-
zane su na slici 9.5 i 9.6.
Na ovaj na~in napravljen je senzor za merenje koncentracije
benzopirena. Benzopiren ima svojstvo da pod delovanjem
fluorescentnog zra~enja daje fluorescentni produkt − antigen
benzopirentetraol (BPT). Antigen BPT reaguje sa antitelom
anti−BPT koje je imobilizirano na vrhu opti~kog kabla. U toj reakciji
nastaje kompleks antitelo−antigen i {to god je vi{e antigena vezano
bi}e ve}i intenzitet fluorescentne svetlosti koja se detektuje na
fotoprijemniku.
Poluprovodni~ki imunosenzori su kombinacija bioreceptora
sa imunoagensima i poluprovodni~kog senzora, naj~e{}e tranzistora
FET. Tako se dobija IMFET (immuno-FET).
Jedan od prvih senzora ovoga tipa napravljen je za merenje
koncentracije antitela VDRL (venereal disease research laboratory)
Najpre se antigen kardiolipin imobilizira u tanku PVC membranu
10. BIOSENZORI 301
koja se onda stavlja na metalni gejt FET-a. Antitelo VDRL je protein

sa izvesnim naelektrisanjem koji se prenosi na kompleks antigen−
−antitelo {to se detektuje pomo}u FET-a.
Pijezoelektri~ni imunosenzori. Usled formiranja komple-

ksa Ag−Ab pove}ava se masa pijezokristala, odnosno smanjuje se
njegova rezonantna frekvencija. Za kvarcni pijezokristal u te~nosti
promena frekvencije ima oblik:
∆f = − f 0 3 / 2 (ηρ πµ Q ρ Q ) , (10.37)
gde su: f0 frekvencija oscilovanja suvog kristala, η i ρ viskoznost i

gustina te~nog analita, µQ i ρQ modul elasti~nosti i gustina kvarca.
Na povr{ini kvarca imobilizira se antitelo u tankom sloju
poliakrilamida. Tako se, na primer, imobilizira anti-IgG. Opadanje
rezonantne frekvencije detektuje se ~im se injektuje rastvor koji
sadrì antigen IgG (imunoglobulin G). Na sli~an na~in mogu}e je
detektovati i izvesne mikroorganizme: pijezokristal sa imobiliziranim
antitelima anti-Candida smanjuje svoju rezonantnu frekvenciju u
prisustvu patogenog mikroba Candida albicans kada je njegova
koncenteracija u intervalu 106−5⋅108 }elija/cm3.
SAW imunosenzori zasnivaju se na modifikaciji ultrazvu~nog
senzora sa povr{inskim talasima SAW (slika 10.31). Osnova je od
pijezokeramike LiTaO3 na kojoj su dve tankoslojne staze za ka{njenje
(1,4×3 mm): merna i referentna. Tankoslojne elektrode ultrazvu~nog
predajnika i prijemnika nanete su naparivanjem hroma (15 nm) i
zlata (85 nm). Oblik elektroda je „~e{alj u ~e{alj“. Izme|u staza je
deponovan sloj platine koji sluì kao otporni~ki senzor temperature.
Kontakti i oì~enje senzora izolovani su silikonskom gumom zbog
provodnosti analita.
Usled adsorpcije mase na mernoj stazi menja se vreme preleta
ultrazvu~nog signala u odnosu na vreme preleta istog takvog signala
u referentnoj stazi. Razlika je vreme ka{njenja τ koje iznosi svega
nekoliko nanosekundi, pa se meri posredno preko faznog pomaka
φ=2πfτ, pri konstantnoj i visokoj rezonantnoj frekvenciji f (115 MHz).
Jedan od prvih senzora ovoga tipa razvijen je za merenje
koncentracije antigena IgG (imunoglobulina). U povr{inskom sloju
merne i referentne staze imobilizirana su antitela anti-IgG pomo}u
proteina A na zlatnoj podlozi. Analit se injektuje u pufer-rastvor koji
u zatvorenom sistemu cirkuli{e sa konstantnim protokom
(0,5 mL/min) preko kontaktne povr{ine senzora. Pove}anje mase

usled spajanja antitela i antigena daje fazni pomeraj od ∼10° prilikom
ubacivanja analita koncentracije od 2 µg/µL. Naredne injekcije
analita mogu}e su sve do potpunog zasi}enja senzorskog sloja, a
zatim je neophodna regeneracija. Sli~an senzor napravljen je za
merenje koncentracije humanog seruma albuminuma (HSA) na bazi
veze HSA/anti-HAS.
SILIKONSKA SPOJNE
GUMA @ICE
LiTaO3
Si-OSNOVA
Slika 31. SAW imunosenzor
Enzimsko ozna~avanje je povezivanje imobiliziranog

imunoagensa i enzima. Prvi korak je da se imobilizira antitelo na
membrani transdjusera koji moè da prati reakciju enzima sa kojim
je ozna~en antigen. Imunosenzor se zatim potapa u rastvor u kome je
poznata koncentracija enzimski ozna~enog antigena a nepoznata
koncentracija slobodnog, neozna~enog antigena.
Izme|u ozna~enog i neozna~enog antigena postoji konkurencija
kada je u pitanju povezivanje sa antitelom. Kada bi u analitu bio
samo ozna~eni antigen, on bi popunio sve veze sa antitelima,
enzimska aktivnost bila bi najve}a i prouzrokovala najve}e
generisanje kiseonika ~ija se koncentracija prati pO2-elektrodom
(slika 10.32.a). Me|utim, neozna~eni antigen, zavisno od svoje
koncentracije, formira kompleks Ab−Ag i smanjuje aktivnost enzima
(slika 10.32.b). Zato je kod svih imunosenzora sa kompetitivnim
na~inom rada izlaz obrnuto proporcionalan koncentraciji merenog
analita.
10. BIOSENZORI 303
Da bi se izmerila koncentracija vezanog, enzimski ozna~enog

antigena, neophodno je da se senzor prvo opere i onda doda supstrat
sa kojim reaguje enzim i osloba|a odre|enu koli~inu kiseonika.
Imunosenzor na ovoj etapi radi ustvari kao enzimska elektroda. Za
novo merenje senzor je spreman nakon regeneracije u pufer rastvoru
koji razgra|uje kompleks Ab−Ag.
p p
O2 O2
ELEKTRODA ELEKTRODA
+
NEOZNAÊNI
ANTIGEN E E
(ANALIT)
MEMBRANA
IMOBILIZIRANO
ANTITELO
ANTIGEN
OZNAÊN
ENZIMOM
E E E E 1/2 O2
H2O2
H2O
a) b)
Slika 10.32. Imunosenzor: a) elektroda sa imobiliziranim antitelima spregnutim
sa ozna~enim antigenima, b) kompetitivno formiranje kompleksa Ab−Ag
Primer imunosenzora sa kompetitivnim na~inom rada je senzor
albumina, belan~evine u krvi. Kod ovog senzora je u membrani
imobilizirano antitelo anti-HSV (humani serum albuminum).
Antigen albumin ozna~en je katalazom, enzimom ~ije se delovanje
detektuje pomo}u pO2-elektrode. Ozna~eni i neozna~eni albumin
kompetitivno reaguju sa anti-HSV, pa je izlaz inverzno
proporcionalan merenoj koncentraciji albumina. Na sli~an na~in
napravljeni su imunosenzori za dijagnozu trudno}e na bazi merenja
koncentracije humanog gonadotropina zametka (HCG), imunosenzor
za dijagnozu kancerogenih oboljenja na bazi merenja koncentracije
alfa-fotoproteina i dr.
Imunosenzor sa magnetskim transdjuserom. Imunoagensi
koji sadrè feromagnetske elemente (gvo`|e, nikal, gadolinijum)
imaju feromagnetska svojstva. Merenje magnetske permeabilnosti
takvih imunoagenasa moè se realizovati direktno, stavljanjem
analita u kalem koji je uklju~en u Maksvelov most (slika 10.33.a).
Bilnji protein konkanavalin koristi se kao centar prepoznavanja jer
se za njega vezuje analit po principu bioafiniteta, odnosno uklapanja
bez razmene elektrona. Zato se konkanavalin imobilizira na nosiocu

od sefarina koji sluì kao izmenjiva~ jona.
CENTAR
PREPOZNA- M
VANJA
C1
.
ANALIT
R6
KALEM
NOSILAC R1 R2 R5
a)
.
R3 R4
. -
+
A .
R5
CENTAR R6
PREPOZNA-
VANJA MARKER M L4
ANALIT
KALEM
NOSILAC
ISPRAVLJA^
b) IZLAZ
UZORAK
ANALITA R1=2 860 Ω C1=1 nF
CENTAR ANALIT
PREPOZNA- R2=180 Ω L4=4,9 µΗ
VANJA R3=27 Ω
R4=0,44 Ω
R5=47 kΩ
M R6=100 kΩ
ANALIT L4
KALEM NOSILAC
c) d)
Slika 10.33. Biosenzor sa merenjem magnetske permeabilnosti: a) direktno
merenje, b) princip markiranja, c) kompetitivno merenje, e) konstrukcija senzora
Imunoagensi koji nisu feromagnetski tako|e mogu da se

detektuju pomo}u magnetskog transdjusera. Potrebno je da se
analit ozna~i feromagnetskim markerom, tako da se prilikom
spajanja sa imobiliziranim centrom formira sendvi~ centar−
−analit−marker (slika 10.33.b). Mogu}e je primeniti i kompetitivni
na~in detekcije izme|u neferomagnetskog analita i feromagnetske
komponente, koja je takva po svojoj prirodi ili je ozna~ena
pomo}u magnetskog markera (slika 10.33.c).
Magnetski transdjuser je Maksvelov most koji meri
induktivnost kalema L sa velikim faktorom dobrote, Q=ωL/R>10,
(slika 10.33.d). Kada je u kalemu analit relativne magnetske
permeabilnosti µr, induktivnost kalema menja se na slede}i na~in:
AN 2
L = µ r µ0 , (10.38)
l
gde su: µ0=4π⋅10−7 H/m magnetska permeabilnost vakuuma, A
povr{ina popre~nog preseka kalema, N broj navoja i l duìna kalema.
Most se napaja iz oscilatora naponom od 2 Vpp, frekvencije 200 kHz,
10. BIOSENZORI 305
a balansiranje se postiè pomo}u potenciometara R1=10 kΩ i

R3=100 Ω. Kalem ima duìnu 11 mm, pre~nik 10 mm i 30 navoja.
Vrednosti svih elemenata dati su na slici. Kada je most u ravnoteì,
tada su L4=R2R3C1 i R4=R2R3/R1, a izlazni napon se preko diferen-
cijalnog poja~ava~a i ispravlja~a vodi na finalnu obradu.
LITERATURA
1. T.M.Canh: „Biosensors“, Chapman&Hall, London, 1993.
2. T.Matsuo, H.Nakajima: „Parylene-gate ISFET and chemical modification of

its surface with crown ether compounds“, Sensors&Actuators, Vol.9, No.2
(115−123), 1986.
3. E.J.R.Sudhölfer, P.D. van der Wall, M.Skowronska-Ptasinska, A. van der

Berg, D.N.Reinhoudt: „Ion-sensing field-effect transistor“, Sensors&
Actuators, Vol.17, No.1&2 (189−194), 1989.
4. P.BataiUard, P.Clechet, N.Jaffrezic-Renault, X.G.Kang: „The preparation of

CHEMFET selective gates by thin silica layer grafting and their behaviour“,
5. W.Göpel: „Ultimate limits in the miniaturization of chemical sensors“,

6. P.Bergveld: „Exploiting the dynamic properties of FET-based chemical

sensors“, Journal of Physics E, Scientific Instrumentation, No.22 (678−683),
1989.
7. P.Bergveld: „Sensors and actuators, Twente“, Sensors&Actuators, Vol.17,

Nos.1&2 (203−208), 1989.
8. P.Bergvald: „The future of biosensors“,Sensors & Actuators, Vol.56, No.1−2,

(65−73), 1996.
9. P.Bergvald, A.van den Berg, P.D.van deder Wal, M.Skowronska-Ptasinska,
E.J.Sudhölter, D.N.Reinhoudt: „How electrical and chemical requirements
for REFETs may coincide“, Sensors & Actuators, Vol.18, No.3&4 (309−329),
1989.
10. H.Huang, P.K.Dasgupta, Z.Genfa: „A pulse amperometric sensor for the

measurement of atmospheric hydrogen peroxide“, Analytical Cehemistry,
Vol.68 (2062−2066), 1996.

12. L.S.W.Birch, A.P.F.Turner, R.E.Ashby: „An inexpensive on-line alcohol

sensor for fermentation monitoring and control“, Process and Biochemistry,
april 1987 (37−42), 1987.
13. H.Sangodkar, S.Sukeerthi, R.S.Srinivasa, R.Lai, Q.Contractor: „A biosensor

array based on polyianiline“, Analitytical Chemistry, Vol.68., No.5
(779−5783), 1996.
14. A.König, C.Zaborosch, A.Muscat, K.D.Vorlop, F.Spener: „Microbial sensors

for naphtaline using Sphingomonas sp. B1 or Pseudomonas fluorescens
WW4“, Applied Microbiology and Bitechnology, No.45 (844−850), 1996.
15. W.Welsch, C.Klein, M. von Schickfus, S.Hunklinger: „Development of a

surface acoustic wave immunosensor“, Analytical Chemistry, Vol.68, No.13
(2000−2004), 1996.
16. C.B.Kriz, K.Radevik, D.Kriz: „Magnetic permeability measuremenrt in

bioanalysis and biosensors“, Analytical Chemistry, Vol.68, No.11
(1966−1970), 1996.
17. S.S.M.Hassan, N.M.H.Rizk: „Miniaturized graphite sensors doped with

metal-bathophenanthroline complexes for the selective potenciometric
determination of uric acid in biological fluids“, Analyst, Vol.122 (815−819),
1997.
18. M.Behizad, R.H.Cumming, F.J.Rowell, T.T.Salsbury, I.W.Stewart: „Safety in

biotechnology: The use of biosensors for the detection of hazardous
biochemical in air“, Process and Biochemistry, august 1989 (126−132), 1989.
19. E.Kempe, W.Schallenberger: „Measuring and control of fermentation

processes, part I“, Process and Biochemistry, december 1983 (7−12), 1983.
20. M.M.Meyerhoff, B.Fu, E.Bakker, J.H.Yun, V.C.Yang: „Polyion-sensitive

membrane“, Analytical Chemistry News & Features, march 1996 (168−175),
1996.
21. L.Campanella, M.Tomassetti, M.P.Sammaritano: „Enzyme-entraping

membranes for enzyme sensors“, Sensors & Actuators, Vol.16, No.3
(235−247), 1989.
22. E.Tamiya, I.Karube, S.Hattori, M.Suzuki, K.Yokoyama: „Micro glucose

sensors using electron mediators immobilized on a polypyrrole-modified
electrode“, Sensors & Actuators, Vol.18, No.3/4 (297−307), 1989.
23. H.ElYamani, C.T.Minh, M.A.Abdul, D: „Automated system for pesticide

detection“, Sensors & Actuators, Vol.15, No.2 (193−198), 1988.
24. B.Liu, R.Hu, J.Deng: „Fabrication of an amperometric biosensor based on

the immobilization of glucoze oxidase in a modified molecular sieve
matratix“, Analyst, Vol.122. (821−826), 1997.
25. Biosenzori: http://www.cranfield.ac.uk/biotech/chinap.htm

www.drexel.edu/academics/coe/ce/web_books/EngBio/Hidden/sensr/tocsenf.HTM
26. Rprincipi rada i konstrukcije tranzistora ISFET:

http://www.ch.pw.edu.pl/~dybko/csrg/papers/ele/paper2.htm
http://www.sentron.nl/info/isfetgen.htm
INDEKS POJMOVA 307
INDEKS POJMOVA
A
adsorbcija 25, 81, 147, 148 boja ~estica 63
aktivaciona energija 158 brzina
ADFET 233 reakcije 144
adsorpciona izoterma 149, 158 hemisorpcije 169
afinitet 157
aktivitet jona 99
amperometrija 126
C
CHEMFET 285
analiza 33, 34
ciklotron 67
analiti~ka }elija 19
cirkonijumov elektrolit 212
analizatori 11, 36, 49, 70, 72, 74, 88
analizatori vi{ekomponentnih smesa 78
antimonska elektroda 118
]
}elijski organizmi 253
amperometrijski senzori 207
}elije i organizmi 262
amperometrijski enzimski senzori 275
}elijski biosenzor 263
antimonska elektroda 118
apoenzim 257
apsorbansa 50 D
apsorpcioni analizatori 49 Danijelova }elija 102
dehidrator 25
aspirator 21, 24
dehidrogenacija 222
automstski analizatori 12
derivativni polarograf 131
klasifikacija 15
detekcija kiseonika 170
struktura 17
diferencijalna analiza 34
priklju~ivanje 19, 20 diferencijalni
refraktometar 59
SAW senzor 240
B SAW imunosenzor 301
bakteriolo{ki senzori 253, 296
difuzioni analizator 42
etanola 296
direktna imobilizacija 298
cisteina 296
direktno
naftalena 296
merenje 95
beskontaktni konduktometri 95
priklju~ivanje 20
binarne smese 30, 32, 37
diskontinuirani gejt 223
bioafinitet 256
disperzija 56
biokatalizatori 147
disperzioni analizator 56, 57
biopolimer 250,
dozator 19, 84
biosenzori 249
dvostrani odnosi 31
bioreceptori 251
308 INDEKS POJMOVA
E adsorpcija 147, 152

EiS senzori 294 modifikacija 291
elektrohemijski hemijski
analizatori 88 afinitet 17
imunosenzori 300 osetljivi sloj 244
elektrode senzor 137
druge vrste 104 hemilumuniscentni analizatori 70
prve vrste 97 hemireceptor 254
sa homogenom membranom 114 hidrofobne veze 254
sa te~nom membranom 115 higrometar 212
elektrolit 88 higrometrija 188
elektriliti~ki senzori gasova 198 hromatograf 80
elektromagnetska imobilizacija 268 hromatografija 80
elektromagnetsko zra~enje 15 hromatogram 85
elektronska provodnost 151 hrominentnost 64
elektronski
afinitet 153 I
poluprovodnici 151 IC apsorpcioni analizatori 54
amperometrijski imobilizacija 266
enzimski senzori 275 antigena 298
biosenzor glukoze 276 antitela 298
energija aktivacije 144, 151, 162 enzima 267, 268
energetski dijagram 153 mikroorganizama 253
spoja metal-poluprovodnik 230 smese 299
adsorpcije vodonika 218 impulsni maseni spektrometar 67
ENFET 285, 292 imunolo{ke veze 299
enzimi 147, 257 imunosenzori 253, 297
enzimski biosenzori 252, 263, 268 inhibicija enzima 269
enzimsko ozna~avanje 299, 302 inhibitori 265, 269
EOS senzori 285 inkapsulacija 267
ES senzori 294 interni rastvor 120
interpretacija hromatograma 86
ISFET 249, 283, 285
F izlazni rad 153
faktori korekcije 31
izmenjiva~ toplote 23
filter 22
fizi~ka adsorpcija 148, 266
fizi~ko uklapanje 266 J
fluorescentni senzori 247 jonizacioni analizatori 72
formator izlaza 19 jonofori 253, 291, 298, 269
Frojndlihova izoterma 149 jon−selektivna membrana 104
ftalocijanini 138, 195 jonska provodnost 161
G K
galvanska }elija 102, 106 kalibracija
geometrija kontakata 176 elektrode 122
hromatografa 86
kalomel elektroda 119
H katalizatori 143
hemijska kataliti~ki gejt 216
INDEKS POJMOVA 309
katarometri 42 merenje
kauzalnost 139 pCO2 124
kavezna struktura 257 pO2 127
kerami~ki SnO2 senzori 182 sa transformacijom smese 79
kiseonik kao paramagnetik 45 merna }elija 117
kiseoni~na elektroda 127 merne elektrode 112
kiseini~ne {upljine 163, 166 merni most 93
Klarkova elektroda 127 merljivost 255
klasifikacija me{oviti elektroliti 165
automatskih analizatora 13 me{ovita provodnost 165
biosenzora 251 mikrobiolo{ki senzori 295
kofaktor 279 mikroelektrode 120, 130
kolona hromatografa 84 mikroglukozni senzori 281
kolorimetri 63 mikroorganizmi 253
kolorimetrija 63 molarni
kombinovani senzori 213 koncept 116
kompleks odnos 31
antitelo-antigen 300 molarna koncentracija 30
enzim-supstrat 258 molekularno prepoznavanje 256, 259
fosforil-enzim 274 MOS senzori 228
koncentracija 30 MOSFET senzor gasa 220
koncentracijska }elija 106
konduktivna amerna }elija 92 N
konduktometri 88, 95 napon izravnavanja 157, 218
kontakti i detekcija 176 nefelometar 57
kontaktna elektroda 165 Nernstova jedna~ina 98, 100, 117
kontrola kvaliteta 11 neselektivna analiza 33
kovalentna imobilizacija 268 niskotemperaturni
kovalentne veze 257 senzori 169
O2 senzor 210
L niz/matrica 224
lambda senzori 186 nosilac 83
linija
ka{njenja 240 O
za transport 19, 26 O2 senzor 45, 47
OGFET 233
M oksimetrija 126
magnetski omski kontakt 166
senzori 44 opti~ka gustina 50
transdjuser 304 optoelektronska elektroda 245
magnetodinami~ki O2 senzor 45 optoelektronski
maseni imunosenzori 300
odnos 31 senzori 243
spektrometar 65 organski izmenjiva~i jona 146
masena koncentracija 30 oscilatorni SAW senzor 242
maseni senzori 236 osetljivost 139
materijali 138 merenja koncentracije kiseonika 173
medijatori 259, 279 osnovi hemijske detekcije 137
membrane 261 otporni~ki senzori gasova 169
310 INDEKS POJMOVA
P radna temperatura 181

paramagnetski gasovi 45 ravnote`na adsorpcija 148
paste 175 gasova
pijezoelektri~ni senzori 236 te~nosti 150
plameni fotometar 71 razdvajanje komponenata 80
plameni jonizacioni analizator 72 redoks-potencijal 98, 101
polarimetar 61 referentna
polarimetrija 61 polu}elija 110
polarograf 128, 131 elektroda 106
polipirol 195 REFET 290
poluprovodni~ki REFET/ISFET 293
elektroliti 161, 163 refraktometri 58
imunosenzori 300 relativna vla`nost 188
ponovljivost 14 rendgenski spektrometri 68
popre~no spajanje 268 rezonantni senzor vla`nosti 238
potencijal
elektrode S
prve vrste 97 SAW
druge vrste 104 imunosenzori 301
difuzije 101 senzor 240
jon-selektivne membrane 104 selektivna analiza 34
potenciometrijski selektivnost 254
biosenzori 270 senzora 139
pesticida 274 razdvajanja 82
te{kih metala 273 senzor
uree 271 glukoze 279
senzor 199 kiseonika 169, 226
kiseonika 200 redukcionih gasova 177
vodonika 206 sagorevanja 185
uree 272 od kompozitne keramike 183
povr{inska provodnost 151, 156 sa efektom polja 216
prag detekcije 14 sa otvorenim gejtom 232
prekida~ki senzori 228 vla`nosti 187
prepoznavanje 140 vodonika 205
proporcionalnost 254 senzorski
prosteti~ke grupe 257 niz 196
prostorno modeliranje 256 niz/matrica 224
protonski elektrolit 205 separator 25
provodna matrica 261 sistem za uzorkovanje 19, 22
provodnici sjajnost 64
kalijuma 165 slobodna energija 145
kiseonika 163 sonda 22
natrijuma 164 spektar 49
prozra~nost 50 spektralni analizatori 49
pseudobinarna smese 35 spektrometri 49, 63, 65, 68
pumpanje gasa 208 spontanost reakcije 145
srebrohloridna referentna elektroda 108
R srebrohloridna elektroda 111
radioaktivni jonizacaioni analizator 72 staklena membrana 114
stati~ka karakteristika 39, 42, 272
INDEKS POJMOVA 311
stehiometrija 160 titrimetrija 13

stepen disocijacije 88 totalna refleksija 61
struja ograni~ena difuzijom 207 transdjuser 251
struktura transmembransko prepoznavanje 261
biosenzora 250 transmitansa 50
automatskih analizatora 17 tristimulusni kolorimetri 63
hemijskih senzora 140 trofazni kontakt 189
hromatografa 82 turbidimetar 57
turbiditet 57
[
[otkijeva dioda 143, 232
[otkijev kontakt 230 U
udeo komponente 31
T ultraljubi~asti apsorpcioni analizatori 52
tankoslojne elektrode 132 unutra{nja provodnost 159
tankoslojni unutra{nji defekti 159
senzori 172, 195, 204 upotreba biosenzora 250
SnO2 senzor 180 uzorak 17
te~na membrana 115 uzorkovanje 22, 27
tehni~ke karakteristike 13, 41, 48, 139
tehnika
amperometrijskih senzora 209 V
bakteriolo{kih senzora 296 vakuum pumpe 24
imunosenzora 299 vanjski ispust 21, 26
MOS kondenzatora 225 visokotemperaturni senzori 173
MOSFET senzora 220 vlagometrija 187
paste 175 vodoni~na elektroda 108
potenciometrijskih senzora 203 volumenska koncentracija 30
zelenih traka 174, 204 volumenski odnos 31
tehnike vreme
analize 69 ka{njenja 14
merenja pH 117 odziva 14
molekularnog prepoznavanja 256 porasta 14
temperaturna kompenzacija 123 vremenska konstanta
termohemijski analizatori 74 analizatora 18
termomagnetski O2 senzor 47
termoprovodni analizatori 36 Z
standardni 37 zelene trake 174, 204
difuzioni 42
OD ISTOG AUTORA
SENZORI I MERENJA
U knjizi „Senzori i merenja“ obrađene su metode i inženjerski
postupci merenja fizičkih veličina. Opisani su načini gradnje
senzora i ukazano na mogućnosti njihove primene. Pored
standardnih senzora koji se upotrebaljavaju u inženjerskim
merenjima neelektričnih veličina, posebna pažnja posvećena
je i specijalnim izvedbama, koje zasad imaju manju
zastupljenost.
Knjiga ima 496 strana, 32 tabele, 299 slika, 144 pitanja za
samostalnu proveru i bibliografiju sa ukupno 199 referenci.
Izdavač: Viša elektrotehnička škola, Beograd
1992, 1994, 2000
SENZORI U ROBOTICI
U knjizi „Senzori u robotici“ je dat pregled današnjeg stanja u
tehnologiji izrade senzora u robotici i perspektive razvoja.
Opisani su principi rada, konstrukcija i obrada signala senzora
koji su razvijeni u okviru robotike: senzori blizine, senzori sile
i momenta, taktilni senzori, senzori ultrazvučne vizije,
senzori vizije.
Knjiga ima 235 strana, 120 slika i bibliografija sa 97
referenci.
1966
LABORATORIJSKI PRAKTIKUM IZ
ELEKTROMETROLOGIJE
Laboratorijski praktikum nastao je kao rezultat potrebe da se poboljša
kvalitet laboratorijskih vežbi iz predmeta Elektrometrologija na Višoj
Elektrotehničkoj.
Svaka vežba sadrži cilj, zadatak, merne šeme sa kratkim objašnjenjem
rada, specifikaciju merne opreme i materijala, te tabele i dijsgrame
pripremljene za obradu i prezentaciju rezultata merenja. Vežbe su
koncipirane tako da kod studenata razviju smisao za praktičan i
samostalan rad.
http://www.vets.edu.yu/elektrometrologija/html/praktikum/menu.htm
1997, 1999, 2001

Senzori Tecnosti I Gasova DR Mladen Popovic (Full Permission) PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Senzori Tecnosti I Gasova DR Mladen Popovic (Full Permission) PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

DR MLADEN POPOVI]

SENZORI TE^NOSTI I GASOVA

Izdava~: Zavod za ud`benike i nastavna sredstva

Tehni~ka obrada: autor

CIP − Каталогизација у публикацији

Beograd, april 2002. Autor

3. ANALIZATORI VI[EKOMPONENTNIH SMESA.....................................76

4. ELEKTROHEMIJSKI ANALIZATORI ........................................................88

II DEO: HEMIJSKI I BIOHEMIJSKI SENZORI

5. OSNOVI HEMIJSKE DETEKCIJE............................................................ 137

7. ELEKTROLITI^KI SENZORI GASOVA .................................................. 198

8. SENZORI SA EFEKTOM POLJA.............................................................. 216

9. SPECIJALNI SENZORI ............................................................................... 236

10. BIOSENZORI ................................................................................................ 249

INDEKS POJMOVA .............................................................................. 307

1.1. PRINCIPI RADA

Upravljanje kvalitetom se u obadva slu~aja odvija po principu

1.1.2. Analizatori za upravljanje u realnom vremenu

rastvorljive u vodi. Za kvalitativnu analizu organskih supstanci

• Prag detekcije − najmanja vrednost merenog svojstva

atomskim vezama, infracrveno ( λ =0,76−50 µm) i mikrotalasno

IZVOR VANJSKE ELEKTROMAG- Interakcija elektromagnetskog zra~enja i uzorka.

HEMIJSKI Interakcija uzorka i drugih materijala (reagensa)

Tabela 1.1. Klasifikacija automatskih analizatora

Hemijski afinitet ozna~ava silu sa kojom se spajaju hemijski

1.3. STRUKTURA AUTOMATSKIH

Za ~vrste materijale uzorak se uzima u tankom sloju dovoljne

Za te~nosti i gasove uzorak mo`e da se uzima kontinualno samo

SONDA ZA PRIMARNA LINIJA ZA

Slika 1.2. Strukturna blok-{ema automatskog analizatora

Sistem za uzorkovanje sastoji se od cevaste sonde za

ANALIZATOR ANALIZATOR ANALIZATOR

Direktno priklju~ivanje podrazumeva da je senzor anali-

diferencijalni pritisak na prigu{nici mali i ne bi mogao da odr`i

FILTER ANALIZATOR FILTER ANALIZATOR

Priklju~ivanje sa vanjskim ispustom primenjuje se kada je

REDUKTOR REGULATOR ANALIZATOR

1.5. SISTEM ZA UZORKOVANJE

Unutra{nji filter se ugra|uje na ulaznom delu sonde ~ime se

Vanjski filteri prave se od papira, drvene pilotine, azbesta,

obi~no upotrebljava voda, a za grejanje topla voda ili vodena para

Aspiratori i vakuum pumpe slu`e za usisavanje gasa koji je

Umesto vode mogu da se upotrebe komprimirani vazduh ili

PREMA GAS + GAS GAS

Adsorpcija je fizi~ki postupak vezivanja vode na povr{ini

adsorbenti su amorfni silicijum silika-gel sa potencijalom adsorpcije

HEMIJSKI DA ODSTRANJIVANJE POSLE SEPARACAIJE

ADSORPCIJA DA REGENERACIJA POSLE SEPARACAIJE

DIFUZIJA   PRE SEPARACIJE

Tabela 1.2. Metode separacije

Difuzija je postupak separacije pomo}u polupropusnih mem-

elemenata i na~in izrade zavisi od konkretnih uslova primene. S tim

UZORAK RETKI O2 SO2 UGLJOVO- CO Cl2 NO H2S

+ preporu~uje se; − ne preporu~uje se; • mo`e se upotrebiti pod odre|enim uslovima

Uzorkovanje u vi{e ta~aka primenjuje se kada se zbog

Slika 1.9. Priklju~ivanje analizatora na vi{ekanalni pisač

Slika 1.10. Uzorkovanje u vi{e ta~aka pomo}u razvodnika i pumpe

1. D.H.Considine: „Process instruments and controls handbook“, McGraw Hill,

6. M.Medenica, D. Male{ev: „Eksperimentalna fizi~ka hemija i instrumentalne

7. N.G.Farzane, L.V.Iljasov, A.J.Azim-zade: „Tehnologi~eskie izmerenija i

8. D.A.Skog, F.J.Holler, T.A.Neiman: „Instrumental Analysis“, (5th ed), Sanders

9. „Cole-Parmer Instrument Company 97−98“, catalog, Vernon Hills, Il., USA,

10. Laboratorijski instrumenti: http://www.techlabservices.com/