UNIVERZITET U NOVOM SADU

PRIRODNOMATEMATIČKI
FAKULTET
DEPARTMAN ZA FIZIKU

Poluprovodničke nanostrukture. Kvantne tačke,

kvantne žice, jednoelektronski tranzistor i
nanospojevi. Softveri za modelovanje
elektronske strukture materijala.
- seminarski rad -

Mentor: Kandidat:
prof. dr Srđan Rakić Jelena Timarac

Novi Sad, 2019.

1. Poluprovodnički nanomaterijali

Poluprovodnici su materijali čija se specifična električna provodnost kreće u intervalu od 10 7

do 10 4  -1 m -1 , odnosno čija se specifična električna otpornost kreće od 10 4 do 10 7 m . Po
svojim osobinama, poluprovodnici se nalaze između metala (provodnika) i izolatora
(dielektrika). Od provodnika se razlikuju po popunjenosti valentne zone na apsolutnoj nuli.
Naime, kod provodnika valentna zona, na apsolutnoj nuli, je djelimično popunjena elektronima,
a kod poluprovodnika je potpuno popunjena. Takođe, nosioci naelektrisanja kod provodnika su
isključivo elektroni, a kod poluprovodnika i elektroni i šupljine. Poluprovodnici se od izolatora
razlikuju po širini energetskog procjepa (gepa). Kod njih je širina energetskog procjepa  1 eV ,
dok je kod izolatora  3 eV .

Slika 1.1. Šematski prikaz energijskih zona kod metalnih provodnika, poluprovodnika i
izolatora. Slika preuzeta iz [1].

Sa prethodne slike se vidi da su valentna i provodna zona metala gotovo preklopljene. Da bi

elektroni prešli iz valentne u provodnu zonu, dovoljna im je ona količina termalne energije koju
imaju na sobnoj temperaturi i zato se ovi materijali svrstavaju u provodnike. Da bi elektroni
prešli iz valentne u provodnu zonu u slučaju izolatora, potrebna im je energija  3 eV , što
otežava prelazak i zato se ovi materijali smatraju neprovodnim. Kod poluprovodnika, na
temperaturi apsolutne nule, valentna zona je potpuno popunjena elektronima, dok je provodna
zona potpuno prazna. Pri povećanju temperature, pojedini elektroni stiču dovoljno energije da
preskoče energijski gep i pređu u provodnu zonu ostavljajući za sobom šupljine, koje su nosioci
pozitivnog naelektrisanja. Ovako nastala naelektrisanja zajedno predstavljaju par elektron –
šupljina ili eksciton.
Po hemijskom sastavu poluprovodnici mogu biti:

1. Čisti (sopstveni) poluprovodnici, čiji su tipični predstavnici silicijum Si i germanijum

Ge kao elementi IV grupe. U čiste poluprovodnike spadaju i jedinjenja elemenata III i V
grupe, kao npr. GaAs , InAs i InSb , kao i jedinjenja II i VI grupe, npr. CdS .
 Pretpostavljamo da su ovi poluprovodnici čisti, tj. da ne sadrže neke strane atome
namjerno ili slučajno, kao ni defekte u rešetki.

2. Primjesni poluprovodnici, koji se dobijaju dodavanjem primjesnih atoma elemenata III ili
V grupe u npr. silicijum i germanijum.

Provodnost poluprovodnika je vrlo osjetljiva na temperaturu, ali i na prisustvo primjesa

(nečistoća). Dodavanjem primjesa provodnost uzorka se može značajno promijeniti, što
omogućava značajnu primjenu primjesnih poluprovodnika u elektronici. Na primjer, ako se
koncentracija antimona u germanijumu poveća 10 3 puta, provodnost germanijuma postaje veća
za dvanaest redova veličine. Takođe, apsolutno čist silicijum bi trebao imati električni otpor
2000 m , a kada on sadrži primjese u iznosu od 10 9 % njegov električni otpor iznosi 1 m .
Kako se povećava temperatura, sve više elektrona ima dovoljno energije da raskine veze i
pređu u provodnu zonu, čime se povećava provodljivost poluprovodnika.

Kada se dimenzije poluprovodnika smanje na nanometarsku skalu, njihove fizičke i hemijske

osobine se drastično promijene, što rezultuje veoma jedinstvenim svojstvima. Nanomaterijali se
po svojim osobinama nalaze između kompaktnih materijala i atoma/molekula.
Struktura površine poluprovodnika se u izvjesnoj mjeri razlikuje od strukturne uređenosti
unutar same kristalne rešetke. Kako se veličina poluprovodničkog materijala smanjuje, dolazi do
povećanja broja atoma na površini, što dovodi do povećanja broja nezasićenih veza i do pojave
tzv. površinskih stanja. Nezasićene veze predstavljaju vezu između poluprovodnika i okoline, jer
mogu reagovati sa reaktivnim vrstama iz okruženja. Na taj način, zahvaljujući površinskim
stanjima i nezasićenim vezama, povećava se reaktivnost poluprovodničkih sistema. Ovako
nastala stanja na površini dovode do stvaranja odgovarajućih energetskih nivoa unutar energetsk
og gepa poluprovodnika i posljedično do “savijanja“ energetskih zona na površini. Površinska
stanja koja potiču od nezasićenih veza atoma na površini su poznata kao Tamova stanja i njihova
gustina je reda veličine 1011 stanja/cm 2 . Energetski nivoi površinskih stanja su smješteni
između provodne i valentne zone.
Ukratko, smanjivanjem veličine čestica dolazi do povećanja udjela površinskog broja
atoma u odnosu na ukupan broj atoma. Kao rezultat toga, dolazi do povećanja ukupne površinske
energije, a samim tim i do povećanja reaktivnosti ovih materijala. Na sljedećoj slici prikazana je
zavisnost procenta površinskih atoma od veličine čestica.
 Slika 1.2. Zavisnost procenta površinskih atoma od veličine čestica. Slika je preuzeta iz [1].

Različita energetska stanja poluprovodničkih nanomaterijala dovode do razlike u osobinama ovih

materijala u odnosu na kompaktne materijale i molekulske sisteme. Raspodjela energetskih
stanja unutar ovih sistema prikazana je na sljedećoj slici.

Slika 1.3. Raspodjela energetskih stanja unutar kompaktnih poluprovodničkih materijala,

nanomaterijala i atoma/molekula. Slika preuzeta iz [1].

Na prethodnoj slici možemo primijetiti da kako se veličina čestica poluprovodnika smanjuje,

dolazi do povećanja energetskog gepa i do postepene konverzije energetskih zona u diskretne
molekulske energetske nivoe. Kada veličina čestica postane uporediva sa De Broljevom
talasnom dužinom nosioca naelektrisanja (Louis de Broglie, 1891-1987), dolazi do pojave
kvantizacionog efekta. Kod kompaktnih materijala ne postoji kvantizacija prostornih dimenzija,
što dovodi do delokalizacije nosilaca naelektrisanja duž sve tri ose kristalne rešetke (Slika 1.4.
a).

Slika 1.4. Gustina stanja kod: a) kompaktnog materijala, b) dvodimenzionalnih sistema, c)

jednodimenzionalnih sistema i d) nultidimenzionalnih sistema. Slika preuzeta iz [1].

U zavisnosti od toga koliko je prostornih dimenzija kvantizirano u nanočestici možemo govoriti

o dvodimenzionalnim, jednodimenzionalnim i nultidimenzionalnim sistemima.

- Dvodimenzionalni (2D) sistemi: kod ovih sistema, jedna dimenzija se nalazi u

nanometarskom režimu, dok druge dvije mogu biti veće. Karakteristika 2D sistema je
kvantizacija energetskih nivoa duž samo jednog pravca i to onog koji posjeduje
nanometarske dimenzije. Gustina energetskih stanja je prikazana na Slici 1.4. U ove
sisteme spadaju tanki filmovi i slojevi, s tim da se treba naglasiti da je njihovo dobijanje
teže nego dobijanje 0D i 1D sistema. Naime, 2D strukture obično rastu samo pod
posebnim i kontrolisanim eksperimentalnim uslovima [2].

- Jednodimenzionalni (1D) sistemi: kod ovih sistema, dvije dimenzije se nalaze u

nanometarskom režimu. Kretanje nosilaca naelektrisanja je kvantizirano duž dva pravca,
dok je duž trećeg pravca, koji nije u nanometarskom režimu, kontinuirano (Slika 1.4.). u
ove strukture spadaju nanožice, nanotube, nanoštapići, itd. Kada se prečnik nanotuba ili
nanožica smanji, dolazi do značajne promjene njihovih svojstava u odnosu na kompaktne
 materijale, a čak i u odnosu na 2D sisteme. Odličan primjer je nanožica od bizmuta, koja
postaje poluprovodnik, kako se njen prečnik smanjuje [2].

- Nultidimenzionalni (0D) sistemi: kod ovih sistema, sve tri dimenzije se nalaze u
nanometarskom režimu. Kao posljedica toga, nosioci naelektrisanja su kvantizirani duž
sva tri pravca i njihovo kretanje je ograničeno u okviru tih pravaca. Oni mogu zauzimati
samo stanja diskretnih energija (Slika 1.4.). U ove sisteme spadaju kvantne tačke, sfere i
klasteri.

Na osnovu grupe u Periodnom sistemu elemenata u kojoj se nalaze njihove komponente,

razlikujemo II-VI, III-V ili IV-VI poluprovodničke nanomaterijale. Na primjer, silikon i
germanijum se nalaze u IV grupi. GaN, GaP, GaAs, InP i InAs su III-V poluprovodnici, dok su
ZnO, ZnS, CdS, CdSe i CdTe II-VI poluprovodnici.
Poluprovodnički nanomaterijali su još uvijek u fazi istraživanja i razvoja, ali već se nazire
njihova široka primjena u mnogim područjima, kao što su npr. solarne ćelije, elektronički
nanouređaji, laserska tehnologija, biosenzori, itd. Daljim razvojem nanotehnologije postići će se
značajan napredak u industriji poluprovodnika.
2. Kvantne tačke

Kvantne tačke predstavljaju poluprovodničke nanokristale, čiji se dijametar kreće do nekoliko

nanometara, najčešće od 2 do 8 nm. One su 60 miliona puta manje od teniske loptice i 10 hiljada
puta uže od vlasi ljudske kose. Posebna optička i električna svojstva koja proizlaze iz kvantnog
ograničenja, čine ih jedinstvenim i privlačnim za upotrebu u raznim oblastima, kao što su mikro-
displeji, medicinsko snimanje i laseri.
Kvantne tačke su “foto-aktivne“, što ustvari znači da one apsorbuju, a zatim reemituju
svjetlost čistih boja. Kada kvantna tačka apsorbuje foton, dolazi do stvaranja para elektron –
šupljina, koji se nakon nekon vremena rekombinuje pri čemu se emituje novi foton. Ključno je
da boja novog emitovanog fotona zavisi od veličine kvantne tačke. Veće tačke emituju veće
talasne dužine, bliske crvenom dijelu spektra (620 do 750 nm), dok manje tačke emituju manje
talasne dužine, bliže ljubičastom dijelu spektra (380 do 450 nm).
Takva zavisnost je jedinstvena za kvantne tačke. Kod drugih materijala koji emituju
svjetlost, talasna dužina emitovanog fotona je fiksna osobina tog materijala koja ne zavisi od
dimenzija materijala. Na osnovu ovoga se dolazi do zaključka da nije potrebno koristiti različite
materijale kako bi dobili svjetlost različitih boja, već je samo potrebno mijenjati veličinu
kvantnih tačaka.

Slika 2.1. Zavisnost boje emitovanih fotona (svjetlosti) od veličine kvantnih tačaka [3].

Prethodno opisana karakteristika kvantnih tačaka se koristi najviše u tehnologiji displeja. Danas
veliku pažnju javnosti privlače tzv. QLED displeji (eng. Quantum Light Emitting Diode) koji se
odlikuju velikom bistrinom slike, dobrim kontrastom, veličinom ekrana, pristupačnim cijenama,
ali i velikim životnim vijekom (tj. boje ne blijede s vremenom).

Literatura:
[1] M. B. Radoičić: “Nanokompoziti na bazi polianilina i titan (IV)-oksida: sinteza,
karakterizacija i primena u fotokatalizi“, doktorska disertacija – Fakultet za fizičku hemiju,
Beograd (2013);
[2] http://article.sapub.org/10.5923.j.nn.20130303.06.html#Sec3;
[3] https://www.nanosysinc.com/quantum-dot-basics/;

Izvori:
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html (04.01.2012.)