VISOKA TEHNIČKA ŠKOLA STRUKOVNIH STUDIJA U

ZRENJANINU

Karakteristike Mosfet Trinzistora

-Završni rad-

Bojan Bajić Mentor:

Br.indeksa 37/14-r Dr Lazo Manojlović
Zrenjanin,2018.god
 Sadržaj
Uvod ................................................................................................................................................................... 1
1.Istorijski razvoj tranzistor ............................................................................................................................... 2
2.Vrste Mos Tranzistora ..................................................................................................................................... 3
3.Princip Rada mosfet tranzistora ...................................................................................................................... 6
3.1 Struktura MOSFET-a ................................................................................................................................. 9
3.2 MOS tranzistor kao prekidač: Napon praga ........................................................................................... 11
3.3. MOSFET kao naponski-kontrolisani strujni izvor: Mehanizmi strujnog zasićenja ................................. 21
3.4. Izlazne karakteristike mos tranzistore .................................................................................................. 25
3.5. Prenosne karakteristike mos tranzistora .............................................................................................. 33
4. Osnovne elektronske klase mosfet tranzistora ............................................................................................ 35
4.1. Princip rada NMOS tranzistora ............................................................................................................. 35
4.2.PMOS tranzistor i komplementarni MOS (CMOS) ................................................................................. 37
5.Primena tranzistora....................................................................................................................................... 38
6.Zakljucak........................................................................................................................................................ 39
Literatura:......................................................................................................................................................... 40
 Uvod

MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor, MOS tranzistor sa efektom polja) bio

je prvi put proizveden 1960. godine, samo godinu dana nakon početka ere integrisanih kola 1959.
godine.
MOSFET je postao osnovna izgradjivačka jedinica savremenih VLSI (very large-scale integration)
integrisanih kola i, prema tome, postao je najvažnija mikroelektronska komponenta. Velika ulaganja
su bila učinjena u ono što je poznato kao CMOS tehnologija, tehnologija koja se koristi za izradu
integrisanih kola sačinjenih od komplementarnih parova MOS tranzistora.
Ta ulaganja, budući da su bila sasvim podsticajna, dovela su do rapidnog napretka u kompjuterskim
i komunikacionim integrisanim kolima što smo i videli u toku poslednjih dekada.
U ovom diplomskom radu biće objašnjeni principi i karakteristike MOS tranzistora, biće uvedene
MOSFET tehnologije, i opisani modeli i parametri MOS tranzistora koji se koriste u simulatorima
integrisanih kola.

S D
G
w
SiO2 metal

N+ N kanal N+

L
P (osnova ili substrat)

B
Slika 1.Struktura MOS trenzistora

1
 1.Istorijski razvoj tranzistor

Razvoj elektronike počinje tek krajem 19. i početkom 20. veka i vezana je za razvoj vakumskih cevi.
Džon Ambrouz Fleming je 1904 razvio kenotron kasnije poznat kao diode koja dozvoljava električnoj
struji da teče samo u jednom pravcu.
Lee De Forest je 1906 postavio tzv. rešetku, treću elektrodu kojom je kontrolisao jačinu struju koja
protiče između anode i katode. On je svoj uređaj nazvao Audion, a kasnije je postao poznat kao trioda.
Ovu komponentu je upotrebio da bi napravio pojačavač signala kod radio prijemnika i predajnika što
se može smatrati za prvi elektronski uređaj.
Iako su još početkom 20. veka poluprovodni materijali iskorišćeni za detektor signala u radio prenosu
pošto je taj uređaj imao lošije karakteristike od vakumskih cevi poluprovodnici su zaboravljeni sve
do 1947. kada je u Belovim laboratorijama napravljen prvi transistor načinjen od kristala
Germanijuma (Ge) i od tog trenutka poluprovodničke komponente postepeno preuzimaju primat od
vakumskih cevi zato što su poluprovodničke komponente mnogo pouzdanije, energetski efikasnije,
brže i manjih dimenzija od elektrnskih cevi. Sledeći važan događaj u razvoju elektronike je razvoj
integrisanih kola.
Prvo integrisano kolo patentirao je Jack Kilbv 1959 godine. Ono se praktično sastojalo od dva
tranzistora na jednom kristalu germanijuma. Složenost integrisanih kola je u narednim godinama
munjevito rasla da bi od dva integrisna tranzistora 1959. godine danas 50 godina posle, dostigli
integrisana kola sa više od milion tranzistora. Ovaj trend se i dalje nastavlja. Elektronika u današnjem
svetu je ušla u sva polja ljudske delatnosti od zabave, preko proizvodnje do medicine.
U najnovije vreme vrše se velika istraživanja u cilju upotrebe sintetičkih materijala sa specijalnim
svojstvima za izradu elektronskih komponenti, kao što su neki polimeri (plastika) koji imaju
poluprovodna svojstva, a takođe se vrše istraživanja u cilju povezivanja elektronike sa takozvanim
biočipovima.

2
 2.Vrste Mos Tranzistora

Kao što je rečeno, u procesu provođenja električne struje u normalnom radnom režimu učestvuje samo
jedna vrsta nosilaca nelektrisanja.
U zavisnosti od toga koja vrsta nosilaca učestvuje u provođenju, MOS tranzistori se dele na n-kanalne
i p-kanalne,(Slika 2.)

Sl. 2. n-kanalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja)
kanala.

Već u samom nazivu o tipu MOS tranzistora pominje se „kanalni“, što ukazuje na to da u
strukturi MOS tranzistora postoji neki kanal. Naime, reč je o kanalu koji se formira u supstratu
između sorsa i drejna, i koji, praktično, uspostavlja električnu vezu između te dve oblasti, odno-
sno omogućava da protiče električna struja između sorsa i drejna, sl.2 i sl. 3

3
Sl. 3. p-kamalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja) kanala.

4
 Kanal može biti ugrađen (na primer difuzijom ili implantacijom primesa) ili, što je
mno- go češći slučaj, indukovan. Kod MOS tranzistora sa indukovanim kanalom, kanal se
formira električnim poljem koje nastaje usled primene odgovarajućeg napona na gejtu.
MOS tranzistor je osnovna komponenta integrisanih kola (IC) vrlo visoke gustine pako-
vanja. U praktičnim izvođenjima danas dominiraju CMOS IC. CMOS kao osnovnu jedinicu
imaju komplementarni par sastavljen od po jednog n- kanalnog i p-kanalnog MOS tranzistora.
Na sl. 4 prikazano je označavanje MOS tranzistora u električnim šemama. Napominje
se da se srednje oznake na pomenutoj slici koriste kod tranzistora kod kojih supstrat nije na po-
tencijalu sorsa, već se on priključuje na poseban izvor napona.

Sl. 4. Označavanje MOS tranzistora.

5
 3.Princip Rada mosfet tranzistora

Nadalje će biti reči samo o najčešće korišćenim MOS tranzistorima, a to su MOS tranzi- stori sa
indukovanim kanalom i sa uzemljenim sorsom i supstratom (supstrat i sors su kratko- spojeni).
Takvi tranzistori, sa potrebnim polarizacijama, prikazani su na slikama 3 i 4

Sl. 5. n-kanalni MOS tranzistor sa relevantnim podacima za analizu njegovog rada.

Kao što je već pomenuto, na površini, između sorsa i drejna a jednim delom i iznad njih, nalazi se
tanak sloj oksida (SiO2, Si3N4), koji služi kao dielektrik, sl. 5. Preko oksida nalazi se gejt
(upravljačka elektroda), kojeg čini tanak sloj aluminijuma (kod MOS tranzistora sa alumini-
jumskim gejtom) ili polikristalnog silicijuma (kod tranzistora sa polisilicijumskim gejtom). S
obzirom da su i sors i drejn oblasti suprotne provodnosti od provodnosti supstrata, to se u oblasti
sorsa i drejna u supstratu (zato što je koncentracija primesa u supstratu znatno niža nego u sorsu i
drejnu) formiraju prelazne oblasti p-n spojeva, koje se, zbog toga što su sors i drejn veoma blizu
(L je reda m), spajaju (sl. 6). U daljem razmatranju načina rada MOS tranzistora ove pre- lazne
oblasti se neće analizirati, a biće pomenute samo kada je to neophodno.

6
 Sl. 6. Priključivanjem pozitivnog napona na gejt u odnosu na p-supstrat indukuje se n-kanal.

MOS tranzistori koriste efekat poprečnog polja (normalnog na površinu), kojim se

ostva- ruje inverzija tipa provodnosti površinskog sloja poluprovodnika ispod gejta i na taj
način formi- ra kanal između sorsa i drejna. Naime, ako se, na primer, kod n-kanalnog MOS
tranzistora gejt priključi na pozitivan napon u odnosu na p-supstrat, pri čemu su i sors i drejn
uzemljeni, sl. 6, u supstratu će se neposredno ispod oksida na njegovoj površi, usled Kulonove
sile, indukovati negativno naelektrisanje i to tako što će se šupljine iz površinskog sloja udaljiti
i ostaviti nekom- penzovane negativno naelektrisane akceptorske jone. Povećavanjem
pozitivnog napona na gejtu sve više se udaljavaju šupljine, a iz zapreminskog dela supstrata ka
povšini kreću manjinski ele- ktroni sve dok, pri određenom naponu na gejtu, ne nastupi
inverzija tipa provodnosti supstrata.
Drugim rečima, pri jednoj vrednosti napona na gejtu, koji se zove napon praga i
obeležava sa VT, površinski sloj p-supstrata ispod oksida gejta, a između sorsa i drejna, ponaša
se kao n-tip poluprovodnika. Stoga se ta oblast ponaša kao kanal od sorsa do drejna (sors i
drejn su istog tipa provodnosti kao indukovani kanal, sl. 6), tj. ako se u tim uslovima dovede
pozitivan napon na drejn u odnosu na sors, elektroni iz sorsa kroz kanal mogu driftovski da
dođu do drejna, odnosno u tom slučaju između sorsa i drejna će proticati struja drejna, sl. 2.
Ukoliko je napon na gejtu veći, utoliko je „jača“ inverzija tipa, odnosno utoliko je veći broj
elektrona u kanalu.

7
Kada je reč o p-kanalnom MOS tranzistoru inverzija tipa n-supstrata ostvaruje se negativnim
naponom na gejtu u odnosu na supstrat, a u indukovanom kanalu se „skupljaju“ šupljine.
Kao što je rečeno, napon na gejtu VT potreban da se stvori kanal od sorsa do drejna je na- pon
praga.
Tačno definisanje napona praga je veoma teško.
Zbog toga se za napon praga uslovno može prihvatiti definicija da je to onaj napon između
upravljačke elektrode (gejta) i supstrata pri kome koncentracija manjinskih nosilaca na površini
postaje jednaka koncentraciji većinskih no- silaca u unutrašnjosti supstrata.

8
 3.1 Struktura MOSFET-a

Kao što je gore napomenuto, MOSFET (MOS tranzistor) razvio se od MOS kondenzatora. Napon
primenjen na gejt MOS kondenzatora (Sl. 5) kontroliše stanje površine silicijuma ispod oksida
(ovo je P-tip medju površine Si-SiO2 na Sl. 6).
Negativni naponi na gejtu privlače šupljine iz silicijuma Ptipa prema površini (akumulacija), dok
pozitivni naponi veći od napona praga stvaraju sloj elektrona na površini silicijuma (inverzija).
Ova dva stanja MOS kondenzatora mogu biti iskorišćena za izradu naponski kontrolisanog
prekidača. Da bi se ovo postiglo, sloj elektrona na površini silicijuma kontaktira se na krajevima
sa N+ oblastima koje se nazivaju sors (source = izvor) i drejn (drain = odvod), kao što je
ilustrovano na Sl. 7a. Postojanje sloja elektrona, koji se takodje naziva kanal, odgovara uključenom
stanju prekidača, pošto kanal od elektrona virtuelno kratkospaja oblasti sorsa i drejna, koje se
koriste kao krajevi prekidača.
Kada je napon na gejtu ispod napona praga, sloj elektrona (kanal) isčezava sa površine silicijuma,
i N+ oblasti sorsa i drejna su izolovane supstratom P-tipa. Ovo je isključeno stanje prekidača. Ista
struktura, prikazana na Sl. 7. može biti iskorišćena za formiranje naponski kontrolisanog strujnog
izvora. Ovo je moguće jer pri većim naponima izmedju drejna i sorsa struja koja teče kroz kanal
(uključeno stanje) ne raste linearno sa naponom drejn-sors, već saturira (ulazi u zasićenje).
Mehanizmi strujnog zasićenja biće objašnjeni detaljno u odeljku
Pošto je struja zasićenja nezavisna od pada napona izmedju sorsa i drejna, komponenta se ponaša
kao strujni izvor. Pored toga, moguće je menjati vrednost ove struje naponom na gejtu, prevodeći
MOS tranzistor izmedju stanja potpunog uključenja (maksimalna struja) i stanja isključenja (struja
jednaka nuli). Prema tome, MOS tranzistor se ponaša kao naponski kontrolisani strujni izvor pri
većim naponima izmedju drejna i sorsa. Očigledno je sa Sl. 7 da je MOS tranzistor u suštini
komponenta sa četiri izvoda. Tačno četiri izvoda su sledeća: silicijumski supstrat ili balk (B), gejt
(G), sors (S) i drejn (D).
Na Sl. 7a prikazani su metalni kontakti za sors, drejn i balk (S, D i B, respektivno).
Metalni kontakt za gejt je napravljen iza kontakata sorsa i drejna, i ne može se videti na poprečnom
preseku prikazanom na Sl. 7a.

9
 metal (Al)

Si
N+ N+ P+

P-type substrate (bulk)

GATE
Source Drain

Bulk

Slika 7 (a) Poprečni presek tipičnog N-kanalnog MOS tranzistora iz integrisanog kola,
(b) [tematska reprezentacija koja se koristi u ovom poglavlju, (c) simbol tranzistora

Veoma često balk i sors su spojeni zajedno, tako da se kontrolni napon koji se primenjuje na gejt
i upravljački napon koji se primenjuje na drejn, mogu izraziti u odnosu na zajednički referentni
potencijal kratko spojenog sorsa i balka. U ovom slučaju tri efektivna izvoda MOS tranzistora,
gejt, drejn i sors, mogu se direktno odnositi na izvode G, D i S, generičkog tranzistora iz poglavlja
4. Ponekad balk i sors ne mogu biti kratkospojeni, ili je napon izmedju balka i sorsa namerno
primenjen. Efekat napona izmedju balka i sorsa na ponašanje MOS tranzistora naziva se body
effect (efekat tela) i biće objašnjen u slici 7.
Slika 7. ilustruje jedan tip MOS tranzistora koji se naziva N-kanalni MOSFET, budući da se
provodjenje struje izmedju sorsa i drejna obezbedjuje nosiocima N-tipa (elektronima). Moguće je
napraviti komplementarni tranzistor, korišćenjem supstrata N-tipa i oblasti sorsa i drejna P+ tipa.
U ovom slučaju potreban je negativan napon na gejtu da formira na površini kanal od šupljina;
zbog toga se ovakav MOS tranzistor naziva P-kanalni MOSFET.
Kao što je napred objašnjeno, i N-kanalni i P-kanalni MOS tranzistori su u isključenom stanju
kada na gejt nije primenjen napon - normalno isključeni MOS tranzistori. N-kanalni MOS
tranzistor se dovodi u stanje uključenja pozitivnim naponima na gejtu, a P-kanalni MOS
tranzistori zahtevaju negativne napone na gejtu. Medjutim, MOS tranzistori se mogu načiniti
normalno uključenim tehnološki, tj. ugradjivanjem kanala. Prema tome, postoje četiri tipa MOS
tranzistora, što će biti objašnjeno detaljnije u slici 7.

10
 3.2 MOS tranzistor kao prekidač: Napon praga

Ovaj i naredni odeljci opisuju principe rada MOS tranzistora mnogo detaljnije. Ponovo ćemo
koristiti model energetskih zona za razjašnjavanje odgovora elektrona i šupljina na spoljašnje
primenjene napone.
Treba napomenuti da se efekti kod MOS tranzistora moraju razmatrati u dve dimenzije.
Prva dimenzija je neophodna da se izraze efekti koji se odnose na napon na gejtu, koja je zato
usmerena od površine silicijuma prema silicijumskom balku (označena kao x-pravac).
Druga dimenzija je neophodna da bi se izrazili efekti koji se odnose na napon izmedju sorsa i
drejna, zbog toga je ona duž površine silicijuma (označena kao y-pravac). Energetske zone zato
moraju biti prikazane u obe dimenzije x i y. Kao konvenciju, uzećemo da se energetske zone u x-
pravcu crtaju na levoj strani, a energetske zone u y-pravcu crtaju na desnoj strani na slikama koje
su predstavljene u ovom poglavlju. Da bi se napravila njihova veza što je moguće očiglednijom,
na većini grafika biće obezbedjen dvodimenzionalan dijagram energetskih zona na sredini.
U ovom odeljku MOS tranzistor se razmatra kao prekidač da bi se objasnila stanja uključenja i
isključenja MOSFETa. To znači da će se koncept napona praga razmatrati detaljnije.
Body effect (efekat napona izmedju balka i sorsa) biće takodje objašnjen u ovom odeljku.

11
Nulti efektivni napon (Ravne zone)

Kao što je već napomenuto, stanja uključenosti i isključenosti MOS tranzistora kontrolisana su
naponom na gejtu, koji direktno odredjuje potencijal na površini silicijuma. Kao u ovom delu ,
potencijal na površini poluprovodnika u odnosu na njegov balk biće označen sa S. Prirodno se
javlja potreba da se uzme nulti površinski potencijal kao referentna tačka kada se razmatraju
različiti uslovi površine silicijuma (indukovani različitim naponima na gejtu). Uslov nultog
površinskog potencijala je takodje poznat kao uslov ravnih zona, pošto su u tom slučaju linije
električnog potencijala i prema tome linije potencijalne energije na dijagramu energetskih zona
ravne. U ovom delu bilo je objašnjeno da se ravne zone tipično ne pojavljuju pri nultom naponu
na gejtu usled efekata razlike izlaznih radova i naelektrisanja u oksidu. Napon na gejtu neophodan
da dovede površinu silicijuma u uslove ravnih zona naziva se napon ravnih zona.
Sl. 8. ilustruje MOS tranzistor u uslovima ravnih zona. Napomenimo da su sors i balk
kratkospojeni i uzeti kao referentni potencijal, kao i da izmedju drejna i sorsa nije primenjen napon
(VDS=0). Leva strana i desna strana u prvoj vrsti na dijagramu ilustruju poprečni presek MOS
tranzistora u x- i y-pravcu, respektivno. Centar dijagrama ilustruje MOSFET u tri dimenzije.
MOSFET je pozicioniran tako da se x- i y-pravci poklapaju sa x- i y-pravcima na dijagramima
energetskih zona, prikazanim u drugoj vrsti na slici 8. Još jednom, leva strana i desna strana
predstavljaju dijagrame energetskih zona duž x- i y-pravca, respektivno, dok je centralna slika
dvodimenzionalni prikaz provodne zone (valentna zona je izostavljena radi pojednostavljenja
dijagrama). Dijagram energetskih zona u x-pravcu (donji levi ugao) jasno ilustruje uslov ravnih
zona. Ovaj dijagram je analogan dijagramu datom na Sl. 8d.
Dijagram energetskih zona u y-pravcu (donji desni ugao) prikazan je po prvi put. Bez obzira na to,
on jednostavno može biti izveden iz dijagrama energetskih zona N-P spoja, datog na Sl. 8b i 6a.
Napomenimo da se površinska struktura MOS tranzistora (duž` y-pravca) može predstaviti
pomoću dva P-N spoja sa medjusobno spojenim P-oblastima. Prema tome, N+-P-N+ struktura
može biti podeljena na N+-P i P-N+ strukture gde su P-oblasti medjusobno spojene. Primećujući
da N+ označava samo da je nivo dopiranja u N+-oblastima veliki, dijagram energetskih zona N+-
tipa sorsa i P-tipa supstrata (duž y- pravca) je konstruisan na isti način kao i dijagram energetskih
zona P-N spoja, prikazan na Sl. 6b i 4a. Preostali deo dijagrama (P-tip supstrata i N+-tip drejna)
predstavlja lik u ogledalu prethodnog dijagrama sors-supstrat, i konačno dijagram energetskih
zona je kompletiran likom u ogledalu dijagrama zona N-P spoja.

12
Slika 8. MOSFET u oblasti zatočenja: (a) Ilustracija dijagrama
energetskih zona na poprečnim presecima i (b) Izlazne karakteristike
(puna linija)

13
Pri ilustraciji pojave pokretnih elektrona i šupljina, važno je setiti se da se koncentracije elektrona
i šupljina izražavaju položajem Fermijevog nivoa (linija crta-tačka-crta) u odnosu na energetske
zone. U dijagramu energetskih zona duž x-pravca (donji levi ugao), Fermijev nivo je blizu vrha
valentne zone, što znači da su mesta šupljina u valentnoj zoni u stvari zauzeta šupljinama (prazni
kružići). Ovo je slučaj u poluprovodniku P-tipa koji je supstrat MOS tranzistora. Ista situacija se
može videti izmedju sorsa i drejna i na dijagramu energetskih zona duž y-pravca (donji desni
ugao). Medjutim, u N+-oblastima sorsa i drejna Fermijev nivo je veoma blizu dna provodne zone,
što znači da je veliki broj elektronskih mesta u provodnoj zoni zaista zauzet elektronima (puni
kružići). Fermijev nivo duž` y-pravca je konstantan, što izražava ~činjenicu da izmedju drejna i
sorsa nije primenjen napon (vlada termička ravnoteža).
Dijagram energetskih zona duž` y-pravca (donji desni ugao) ilustruje postojanje energetske
barijere koja razdvaja elektrone izmedju sorsa i drejna. Ukoliko barijere ne bi bilo, i ukoliko bi
dno provodne zone na drejnu bilo sniženo, elektroni bi počeli da teku izmedju sorsa i drejna.1
Sve dok postoji energetska barijera izmedju sorsa i drejna, primena napona izmedju drejna i sorsa
(VDS) neće proizvesti nikakvo proticanje struje elektrona. Za MOSFET se kaže da je u oblasti
zatočenja (cutoff).
Ovo je izra`eno punom linijom na Sl. 8b, koja pokazuje da je struja drejna ID jednaka nuli za bilo
koji napon VDS. Dijagram energetskih zona na Sl. 8a je nacrtan za poseban slučaj kada je VDS=0,
{to je prikazano na izlaznoj karakteristici sa Sl. 8b pozicioniranjem ta~ke Q pri VDS=0.

14
 Jaka inverzija

Da bi se MOSFET doveo u uključeno stanje, treba smanjiti barijeru potencijalne energije

izmedju sorsa i drejna. Ovo se postiže primenom pozitivnog napona izmedju gejta i
balka/sorsa. Jedan deo ovog primenjenog napona pašće na oksidu gejta, dok će se drugi
deo pojaviti kao površinski potencijal S. Pojava pozitivnog površinskog potencijala S
vidljiva je na dijagramu energetskih zona kao krivljenje zona nadole u odnosu na
referentni nivo u balku (potsetimo se činjenice da je potencija ln a energija   q 
elektricni potencijal ). Ovo znači da će energetska barijera na površ{ini biti redukovana,
kao što se može videti sa Sl. 9a.
Koliko treba smanjiti energetsku barijeru da bi elektroni mogli po~eti da
teku izmedju sorsa i drejna?
Da bismo odgovorili na ovo veoma važno pitanje, razmatrajmo položaj Fermijevog nivoa
na površini silicijuma. Da bismo imali značajnu koncentraciju elektrona na površini
silicijuma, tako da dodje do povezivanja sorsa i drejna kanalom od elektrona, Fermijev
nivo treba da bude bliži dnu provodne zone nego vrhu valentne zone. Normalno, u
poluprovodniku P-tipa Fermijev nivo je bliži vrhu valentne zone2. Medjutim, pošto su
zone iskrivljene na površini silicijuma, vrh valentne zone se udaljava od Fermijevog
nivoa, a dno provodne zone se približava Fermijevom nivou (odnosi se na donji levi
dijagram energetskih zona na Sl. 9a).
Kada Fermijev nivo postane bliži dnu provodne zone, zauzetost elektronskih stanja u
provodnoj zoni je mnogo veća od zauzetosti šupljinskih stanja u valentnoj zoni, pa
koncentracija elektrona postaje veća od koncentracije šupljina. Pod tim uslovima kažemo
da je formiran inverzni sloj (kanal od elektrona). Medjutim, koncentracija elektrona nije
značajna pre nego što površinski potencijal dostigne vrednost 2F (uslov jake inverzije).
Iza te tačke, krivljenje zona se rapidno usporava i skoro da saturira, kao što je ilustrovano
na Sl. 9.
Na svaki dalji porast napona na gejtu VG brzo se odgovori adekvatnim porastom
koncentracije elektrona, koja dovede do toga da se gotovo celokupan porast napona VG
pojavi kao pad napona na oksidu, ostavljajući površinski potencijal prividno
nepromenjenim.

15
Slika 9. MOSFET u jakoj inverziji - formiran je kanal od elektrona: (a) Ilustracija
dijagrama energetskih zona na poprečnim presecima i (b) Radna tačka Q je na nultoj
struji drejna jer nije primenjen upravljački napon (VDS=0)
Površinski potencijal u jakoj inverziji zamrznut je na vrednost

 S  2F
gde je F Fermijev potencijal,

16
Napon na gejtu koji je potreban da dovede površinski potencija do ove vrednosti naziva se napon
praga.

Slika 9b.Zavisnost površinskog potencijala od efektivnog napona

na gejtu

Da bismo analizirali napon praga, razumno je pretpostaviti da je koncentracija elektrona u kanalu

jednaka nuli ispod napona praga, kao i da raste linearno sa svakim porastom napona iza napona
praga.
Medjutim, to ne znači da ne postoji naelektrisanje na oblogama MOS kondenzatora na pocket jake
inverzije (𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑇 )
Kada se na gejt primeni pozitivan efektivni napon 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐹𝐵 , dolazi do potiskivanja
šupljina sa povrsine silicijuma, ostavljajući za sobom nekompenzovane negativne akceptorske
jone.
Ovo naelektrisanje naziva se naelektrisanje osiromašenog sloja.

17
Gustina ovog naelektrisanja, Qd, izra`ava se u C/m2.
Ako se gustina naelektrisanja na oblogama kondenzatora (𝑄𝑑 u ovom slucaju)
podeli kapacitivnošću po jedinici površine (kapacitivnost oksida gejta Cox u ovom slučaju)
dobija se efektivni pad napona na dielektriku kondenzatora.
Prema tome,
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐹𝐵
⏟ −𝜑𝑠 = 𝐶𝑄𝑜𝑥𝑑 (𝑧𝑎 𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑇 )

Korišćenjem činjenice da je na početku jake inverzije (VGS=VT) povrdinski potencijal

 S  2 F ,
dobija se sledeća jednačina

Qd

VT  VFB  2 F Cox
što dovodi do sledećeg izraza za napon praga:

gustina naelektrisanja osiromašenog sloja može izračunati kao

gde je
wd -širina osiromašenog sloja koju treba odrediti iz Poisson-ove jednačine.

Rešenje Poisson-ove jednačine omogućava da se član Qd/Cox transformiše u

18
gde je
𝛾-tehnološka konstanta koja se naziva faktor tela (body factor). Prema tome, jedna~ina za napon
praga napisana je u sledećem obliku:

VFB, F i  su sve tehnološki parametri, pa je prema tome i napon praga tehnološki parametar.

Napon praga predstavlja vrednost napona na gejtu koja je potrebna da se površina

silicijuma dovede na početak jake inverzije.

1.Gustina nosilaca u kanalu QI zanemarljiva je za napone VGS  VT , sve dok se ne

dostigne uslov jake inverzije
2.Gustina nosilaca u kanalu u oblasti jake inverzije odredjena je vrednošću napona na
drejnu koja premašuje napon praga (VGS  VT ) i kapacitivnošću oksida gejta

Kako nije primenjen napon izmedju sorsa i drejna, dno provodne zone u kanalu je ravno
u y-pravcu.
Kao posledica toga, nema proticanja elektrona i struja drejna ID jednaka je nuli. Pozicija
mirne tačke, prikazane na izlaznoj karakteristici sa Sl. 9b izražava činjenicu da je struja
drejna jednaka nuli za VDS=0 iako je MOSFET u stanju uključenja.
Ako se dno provodne zone u drejnu snizi u odnosu na sors, energetske zone u oblasti
kanala biće nagnute i elektroni u kanalu će početi da se kotrljaju prema drejnu, kao što je
ilustrovano na Sl.10. Snižavanje dna provodne zone u drejnu postiže se spoljašnjim
primenjenim naponom VDS.
Donji desni dijagram energetskih zona na Sl. 10a pokazuje da je enrgetska razlika izmedju
sorsa i drejna tačno qVDS.
Dva va`na faktora koji utiču na vrednost struje drejna ID su nagib energetskih zona i
gustina elektrona u kanalu.
Kako je nagib direktno proporcionalan naponu VDS, a gustina elektrona u kanalu je data
jednačinom , struja drejna može biti izražena kao:

19
Slika 10. MOSFET u linearnoj oblasti: (a) Ilustracija dijagrama energetskih zona na
poprečnim presecima i (b) izlazne karakteristike

20
3.3. MOSFET kao naponski-kontrolisani strujni izvor:
Mehanizmi strujnog zasićenja

Kada MOSFET radi kao zatvoreni prekidač (VGS>VT i VDS<VDSsat) normalno električno
polje od napona na gejtu VGS drži elektrone u kanalu inverznog sloja, dok ih lateralno
električno polje usled napona izmedju drejna i sorsa VDS kotrlja prema drejnu. Kanal od
elektrona se proteže duž celog puta od sorsa do drejna, a njegova otpornost odredjuje
nagib linearne ID-VDS karakteristike.
Da bismo koristili MOSFET kao izvor struje, ID treba da postane nezavisno od VDS. Ovo
se dešava pri velikim naponima drejn-sors (VDS>VDSsat), a efekat se naziva zasićenje struje
drejna. Postoje dva različita mehanizma koji mogu da izazovu zasićenje struje drejna u
MOSFET-ovima. Ova dva mehanizma razmatraće se u tekstu koji sledi.

Prekid kanala (Pinch-off)

Kako se napon drejn-sors VDS povećava, povećava se takodje i lateralno električno polje
u kanalu, i može postati jače od vertikalnog električnog polja koje potiče od napona na
gejtu. Ovo će se najpre desiti na kraju kanala kod drejna. U ovoj situaciji, vertikalno
električno polje nije u stanju da drži elektrone na kraju kanala kod drejna jer ih lateralno
električno polje prebacuje u drejn. Kanal se zbog toga prekida kod drejna. Napon drejn-
sors pri kome se ovo dešava naziva se napon zasićenja VDSsat.
Povećanje napona VDS iza VDSsat proširuje oblast u kojoj je lateralno električno polje
jače od vertikalnog polja u kanalu, efektivno pomerajući tačku prekida kanala bliže prema
sorsu. Ovo je ilustrovano na poprečnom preseku MOSFET-a duž y-ose, prikazanom na
Sl. 11a (gornji desni ugao). Oblast formirana izmedju tačke prekida kanala (pinch-off) i
drejna je ustvari osiromašeni sloj na inverzno polarisanom P-N spoju drejn-supstrat.
Napomenimo da mi razmatramo površinsku oblast spoja, koja je pod uticajem napona na
gejtu. Prema tome, površinska oblast P-N spoja nije u stanju inverzne polarizacije sve dok
napon na drejnu ne dostigne VDSsat. Ovo je različito od balkovske oblasti P-N spoja koja
je u stanju inverzne polarizacije za bilo koju vrednost napona VDS.
Pad napona na površinskom delu osiromašene oblasti (inverzna polarizacija) je VDS-
VDSsat, što je zapravo porast napona iza VDSsat.

21
Preostali deo napona drejn-sors, koji iznosi VDSsat, pada izmedju pinch-off tačke i sorsa. U ovoj
oblasti vertikalno električno polje je jače od lateralnog polja, i inverzni sloj (kanal od elektrona)
još uvek postoji. Ovo je ustvari onaj deo oblasti sors-drejn, označen kao kanal na Sl. 11a, koji
odredjuje vrednost struje drejna.
Pad napona duž kanala od elektrona je fiksiran na VDSsat za VDS>VDSsat. Kao posledica toga,
struja drejna ostaje fiksirana na vrednost koja odgovara VDSsat. Ovaj efekat se naziva zasićenje
struje drejna, i za VDS>VDSsat ta oblast rada MOSFET-a se naziva oblast zasi}enja.
Dijagram energetskih zona MOSFET-a duž y-ose (donji desni dijagram na Sl. 11a)
obezbedjuje jasnije shvatanje efekta zasićenja struje usled prekida kanala. On pokazuje
veoma strme energetske zone u osiromašenoj oblasti, što predstavlja situaciju veoma
jakog lateralnog električnog polja u toj oblasti. Elektroni ne troše mnogo vremena na
ovom veoma strmom delu dna provodne zone; oni se veoma brzo skotrljaju u drejn. Ovaj
deo oblasti sors-drejn nudi malu otpornost elektronima. Iako porast napona VDS iza VDSsat
nastavlja da snižava položaj provodne zone u drejnu, Sl. 11a ilustruje da ovo ne povećava
struju drejna. Elektroni se na ovom obliku energetskih zona mogu uporediti sa
vodopadom: vodeni tok zavisi od količine vode pre pada (kanal) a ne od visine samog
vodopada (qVDS- qVDSsat).

1. Osiromašena oblast ima mali uticaj na struju drejna

2. Vrednost struje drejna ograničena je brojem elektrona koji se
pojavljuju na ivici osiromašene oblasti (u tački pinch-off)

3. Broj elektrona u kanalu, i prema tome i u pinch-off tački,

kontrolisan je naponom na gejtu, a ne naponom na drejnu
4. Kao posledica toga, struja drejna je kontrolisana naponom na gejtu
i nezavisna je od napona na drejnu
5. MOSFET se ponaša kao naponski kontrolisan izvor struje.

22
Slika 11 MOSFET u oblasti zasi}enja: (a) ilustracija popre~nih preseka i dijagrami
energetskih zona, (b) izlazne karakteristike, i (c) prenosna karakteristika
ID-VDS karakteristike prikazane na Sl. 11b ilustruju efekat zasićenja struje drejna. Puna
linija pokazuje kompletnu ID-VDS zavisnost u jakoj inverziji za fiksirani napon na gejtu
VGS (u primeru na Sl. 11b je VGS=5V).
Karakteristika je linearna za male napone na drejnu VDS. Kako povećanje napona VDS
počinje da osiromašuje kanal elektronima na kraju koji je blizu drejna, ova karakteristika
počinje da odstupa od linearne zavisnosti. Vrednost napona drejn-sors koja prekida kanal
kod drejna naziva se napon zasićenja VDSsat.

23
Oblast napona drejn-sors izmedju nule i napona zasićenja ( 0  VDS  VDSsat ) naziva se triodna
oblast.
Isprekidane linije na Sl. 11b i ID-VGS karakteristika na Sl. 11c (prenosna karakteristika) ilustruje
efekat napona na gejtu.
Očigledno je da struja zavisi od napona na gejtu čak i u oblasti zasićenja. To je zbog toga što napon
na gejtu odredjuje broj elektrona u kanalu (u jakoj inverziji), koji u prevodu direktno odredjuje
struju. Ovo je korisna karakteristika jer omogućava da strujni izvor (a to je MOSFET u oblasti
zasićenja) bude kontrolisan naponom. Slika 11b takodje pokazuje da je napon zasićenja VDSsat
različit za različite napone VGS.
Ovo je posledica činjenice da je mnogo manji napon drejn-sors potreban da nadvlada efekat
manjeg napona na gejtu i prekine kanal kod drejna.

Zasićenje driftovske brzine

Da bi se povećala gustina pakovanja i brzina savremenih integrisanih kola, konstantno se smanjuju
minimalne lateralne i vertikalne dimenzije MOSFET-ova.
Ovakvi MOSFET-ovi nazivaju se kratkokanalni MOSFET-ovi. Radni naponi VDS ne mogu biti
proporcionalno smanjeni jer maksimalni radni napon mora biti zadržan znatno iznad napona praga
MOSFET-a.
Kao posledica toga, kratkokanalni MOSFET-ovi rade sa znatno povećanim lateralnim i
vertikalnim električnim poljima u kanalu. Iako je relativni odnos lateralnog i vertikalnog
električnog polja grubo ostao isti, ovi MOSFET-ovi mogu pokazati drugačiji oblik zasićenja struje
drejna.
Može se desiti da struja udje u zasićenje pri naponu drejn-sors manjem od napona koji bi izazvao
prekid kanala kod drejna

24
 3.4. Izlazne karakteristike mos tranzistore

Uspostavljanje kanala između sorsa i drejna omogućuje proticanje struje od sorsa do drej- na kada
se priključi odgovarajući napon na drejn.
Izlazne karakteristike MOS tranzistora predstavljaju zavisnosti struje drejna ID od napona na
drejnu VD.

Sl. 12. Proticanje struje drejna u n-kanalnom MOS tranzistoru pri malim naponima na drejnu.

Pri veoma malim naponina na drejnu kanal se može predstaviti kao otpornik, tako da je struja
drejna u jednom delu ID-VD karakteristike približno linearno proporcionalna naponu na drejnu;
to je tkzv. linearna oblast rada MOS tranzistora (sl. 14).
Nakon linearne oblasti, a pri naponima VD < VG  VT, struja drejna sporije raste sa
povećavanjem napona na drejnu, sl.
15.
To je, stoga, što se kanal u okolini drejna sužava, sl. 13a, kao posledica povećavnja širine prelazne
oblasti p-n spoja drejn-supstrat (sl. 12), koji je inverzno polarisan. Ta oblast, zajedno sa linearnom
oblašću, sve do napona na drejnu VD = VG  VT zove se triodna oblast, sl. 15 (zato što podseća
na sličnu oblast na strujno-naponskoj karateristici triode).

25
 Sl. 13. n-kanalni MOS tranzistor u: (a)  linearnoj oblasti rada (mali napon na drejnu);
(b)  na ivici zasićenja i (c)  u zasićenju

Sl. 14. ID-VD karakteristike n-kanalnog MOS tranzistora u linearnoj oblasti rada.

Kada u tački y = L debljina kanala postane jednaka nuli, dolazi do prekida kanala (sl. 13b) i to se
dešava pri naponu na drejnu VD = VG  VT.

26
Napon drejna pri kome nastaje prekid kanala zove se napon zasićenja (saturacije) VDsat. Sa daljim
povećanjem napona na drejnu (sl. 13), tj. pri VD > VG  VT, dužina kanala se smanjuje sa L na L'
(sl. 13c).
Na prvi pogled može se pomisliti da će struja drejna prestati da teče.
Međutim, ona i dalje protiče i sa povećanjem napona na drejnu ostaje konstantna, sl. 15. To znači
da broj nosilaca naelektrisanja koji sa sorsa stižu u tačku y = L' ostaje nepromenjen, a s obzirom
da su oni zahvaćeni poljem osiromašene oblasti drejna, bivaju prebačeni u drejn, tako da struja
drejna ostaje, takođe, nepromenjena i konstantna.
Zbog toga se oblast rada MOS tranzistora pri naponima VD  VDsat zove oblast zasićenja (sl. 15).

Sl. 15. Izlazne (ID-VD) karakteristike n-kanalnog MOS tranzistora.

27
Sl. 16 Struja između sorsa i drejna ne prestaje i kada se kanal prekine, jer se MOS tranzistor ponaša
kao bipolarni tranzistor u stanju prodiranja

Da struja drejna ostaje konstantna nakon prekida kanala može se protumačiti i uz pomoć sl. 16.
Naime, u pogledu rasporeda p- i n-oblasti n-kanalni MOS odgovara strukturi NPN tranzistora (za
p-kanalni MOS ova struktura će biti PNP tranzistor). Sors sa kanalom je emitor, drejn je kolektor,
a supstrat MOS tranzistora je baza. Prelazna oblast širine w prostire se od drej- na do kanala (sl.
16).
Ovo u potpunosti odgovara slučaju kod bipolarnog tranzistora kada se prelazna oblast
kolektorskog spoja prostire od kolektora do emitora, pa kod bipolarnog tranzisto- ra nastaje proboj
(dostignut je tkzv. napon prodiranja). Dakle, kod MOS tranzistora proboj na- staje između kanala
i drejna i struju drejna ograničava samo otpornost preostalog dela kanala L'.
Da bismo izveli zavisnost struje drejna od napona na njemu, kao i od napona na gejtu, posmatrajmo
ponovo sliku 15, sa naznačenim koordinatnim sistemom na njoj.

Na osnovu izraza za gustinu driftovske struje:

struja drejna kroz kanal (pretpostavlja se da koncentracija nosilaca ne zavisi od z) je:

28
 gde su:
S  površina kanala normalna na smer struje,
Ky  električno polje u smeru y,
W  širina kanala (sl. 10.6),
n  efektivna pokretljivost elektrona u kanalu.

Kako koncentracija elektrona opada sa udaljavanjem od površine po složenom zakonu,

integral u relativno je teško izračunati. Stoga se vrši aproksimacija kojom se vrednost po-
menutog integrala izjednačava sa ukupnom količinom naelektrisanja po jedinici površine
kanala (površine gejta), koja zavisi od električnog polja u oksidu:

pri čemu su:

Q  količina naelektrisanja na površini Sx gejta,
Dx  dielektrični pomeraj,
ox  dielektrična konstanta oksida i
Kx  električno polje normalno na površinu gejta.

Prema tome, iz sledi:

Električno polje u pravcu kanala je:

29
 Električno polje u oksidu, koje utiče na provodnost kanala, zavisi od efektivnog napona
na gejtu (VGeff = VG  VT) i potencijala tačke y na kanalu. Smatrajući da je oksid homogen i bez
prostornog naelektrisanja, debljine tox, biće:

Zamenom vrednosti Ky i Kx dobija se:

Iz jednačine , razdvajanjem promenljivih i integraljenjem duž kanala, sledi:

Granice za promenljivu y su početak (0) i kraj (L) kanala, a za promenljivu Vy napon kod sorsa,
Vy(0) = 0, i napon kod drejna, Vy(L) = VD. Posle integraljenja i sređivanja dobija se:

gde je

Jednačina za struju drejna važi samo za VG  VT  VD, odnosno u triodnoj oblasti, sl. 18. Za male
napone na drejnu drugi član u srednjim zagradama se može zane- mariti u odnosu na prvi član, pa
je tada struja drejna:

30
gde je Ron otpornost kanala pri malim naponima na drejnu:

Vidi se da za vrlo mele napone na drejnu struja drejna linearno zavisi od napona drejna, tj. tada
se MOS tranzistor nalazi u linearnoj (omskoj) oblasti rada, sl. 17. Drugim rečima, tada se MOS
tranzistor ponaša kao otpornik čija je otpornost kontrolisana naponom između gejta i sorsa.

Sa druge strane, kada se uvrsti VG  VT = VD, dobija se izraz za struju drejna

koji reprezentuje parabolu koja deli triodnu oblast od oblasti zasićenja na izlaznim karakteristi-
kama MOS tranzistora, sl. 17.
Realna struja drejna će, ipak, rasti sa porastom napona na drejnu, posebno kod MOS tran- zistora
sa kratkim kanalima.

Ovaj efekat se najjednostavnije može opisati izrazom:

gde je VA tkzv. Erlijev napon, čije se značenje vidi na sl. 18

31
Sl. 17. Realna struja drejna ipak raste sa porastom napona na drejnu.

Sl. 18. Uz objašnjenje definicije Erlijevog napona.

32
 3.5. Prenosne karakteristike mos tranzistora

Prenosne karakteristike MOS tranzistora predstavljaju zavisnost struje drejna od napona na gejtu,
tj. ID = f(VG) pri VD = const.

One se mogu dobiti iz jedn. za triodnu oblast i iz jedn. za oblast zasićenja, stavljajući VD = const.

Sl. 19. Grafička konstrukcija prenosnih karakteristika n-kanalnog MOS

tranzistora iz datih izlaznih karakteristika.

Drugi način dobijanja prenosnih karakteristika je grafički, sl. 19. Izabere se vrednost napona VD =
const. na izlaznim karakteristikama MOS tranzistora i povuče vertikala, koja prese- ca
karakteristike VG = const. u tačkama A, B, C, D, E. U koordinatnom sistemu ID-VG koji se nacrta
levo od izlaznih karakteristika povuku se vertikalne prave za odgovarajuće VG.
Horizon- talne linije povučene iz tačaka A, B, C, D i E su odgovarajuće struje drejna za napone VG
= 3 V, 4 V, 5 V, 6 V i 7 V na sl. 10.14.

Na preseku odgovarajućih horizontalnih i vertikalnih linija dobi- jamo tačke A', B', C', D' i E', koje
leže na prenosnoj karakteristici. Kada ih spojimo, dobijamo prenosnu karakteristiku MOS

33
tranzistora za izabranu vrednost napona na drejnu. Presek ove ka- rakteristike sa VG-osom daje
vrednost napona praga VT (na sl. 19 je VT = 3 V).

34
 4. Osnovne elektronske klase mosfet tranzistora

Do sada smo razmatrali samo jedan tip MOSFET-a, koji koristi supstrat (balk) P-tipa i slojeve
sorsa i drejna N+ tipa, i koji zahteva pozitivne napone na gejtu da bi uklju~ili MOSFET stvaranjem
kanala od elektrona izmedju sorsa i drejna. Po{to ovaj tip MOSFET-a radi sa kanalom N-tipa
(elektronima) on se naziva N-kanalni MOSFET. Mogu}e je realizovati komplementarni MOSFET
kori{}enjem supstrata (balka) N-tipa i oblasti sorsa i drejna P+ tipa.
U ovom tipu MOSFET-a, kanal koji povezuje sors i drejn u uklju~enom stanju treba da bude
formiran od {upljina (nosilaca P-tipa), pa se zbog toga on naziva Pkanalni MOSFET. Nazivi N-
kanalni i P-kanalni MOSFET-ovi ~esto se zamenjuju kra}im nazivima NMOS i PMOS.

4.1. Princip rada NMOS tranzistora

Kada na gejt nije priključen nikakav napon, između sorsa i drejna su vezane dve diode na red.
Jednu diodu čine podloga i n+ oblast sorsa, a drugu diodu podloga i n+ oblast drejna. Ove dve
diode sprečavaju protok struje od drejna do sorsa kada se primeni napon DS v . Izneđu sorsa i
drejna postoji velika otpornost, reda 10 Ω.
Pretpostavimo sada da su sors i drejn vezani na masu, a da je na gejt doveden pozitivan napon Vgs
.
Ovaj pozitivni napon odbija šupljine, koje su većinski nosioci u podlozi, dalje od područja ispod
gejta i ostavlja nepokretne, negativno naelektrisane akceptorske atome. Dakle, ispod gejta se stvara
oblast u kojoj ima malo pokretnih nosilaca, koja se naziva osiromašena oblast.
Međutim, dovoljno veliki pozitivni napon na gejtu može da privuče slobodne elektrone iz n+
oblasti sorsa i drejna. Ovi slobodni elektroni se grupišu u podlozi neposredno ispod gejta i stvaraju
provodnu n oblast koja se naziva kanal. Ako se između drejna i sorsa primeni neki napon Vds ,
kroz kanal će proteći struja. Dakle, pozitivan napon na gejtu izaziva stvaranje ili indukciju kanala,
tako da se ova vrsta MOS tranzistora naziva tranzistor sa indukovanim n kanalom.
S obzirom da su slobodni nosioci u kanalu elektroni, ovaj tranzistor se naziva i NMOS tranzistor
sa indukovanim kanalom. Takođe, treba primetiti da se celokupna struja sastoji od kretanja
elektrona, a da šupljine nemaju nikakav uticaj.
Zbog toga što u formiranju struje učestvuje samo jedan tip nosilaca (suprotan od tipa podloge),
ovakvi tranzistori se nazivaju i unipolarni tranzistori. Minimalni napon između gejta i sorsa koji
obezbeđuje formiranje kanala naziva se napon praga provođenja i obeležava sa Vt . Vrednosti
ovog napona zavise od proizvodnog procesa i tipično se nalaze u opsegu od 1 V do 3 V.

35
Metalna elektroda gejta, oksid između gejta i podloge i podloga formiraju kondenzator. Kada se
dovede napon na gejt, u dielektriku kondenzatora se pojavljuje električno polje.
To električno polje kontroliše broj slobodnih nosilaca u kanalu, odnosno provodnost kanala. Zato
se MOS tranzistori svrstavaju u grupu tranzistora sa efektom polja, jer se električnim poljem
reguliše struja kroz kanal kada se primeni napon Vds .
Konstrukcija NMOS tranzistora prikazana je na slici

Slika20.Konstrukcija NMOS tranzistora

Oblast rada NMOS tranzistora u režimu malih napona Vds naziva se linearna oblast (jer se MOS
tranzistor ponaša kao otpornik) ili triodna oblast (po sličnosti karakteristika sa davno korišćenom
elektronskom cevi triodom).
Pri većim naponima Vds , napon između gejta i sorsa neće biti približno jednak naponu između
gejta i drejna. Zbog toga će se napon između gejta i kanala menjati od Vgs na strani sorsa do Vgs
-Vds na strani drejna.

36
4.2.PMOS tranzistor i komplementarni MOS (CMOS)

MOS tranzistor sa p kanalom se pravi na podlozi n tipa sa p+ oblastima za sors i drejn. Princip
rada mu je potpuno isti kao kod NMOS tranzistora, jedino se polaritet svih napona i struja
razlikuje.
Dakle, naponi Vgs , Vds i Vt su negativni, a struja drejna Di ima smer prema sorsu i izlazi iz
drejna. U izrazima za struju umesto pokretljivosti elektrona μn figuriše pokretljivost šupljina μp
.
Tehnologija izrade PMOS tranzistora je starija od tehnologije izrade NMOS tranzistora i nekada
je bila dominantna. Međutim, danas su dominantni NMOS tranzistori. Razlog za to su njihove
bolje karakteristike.
Pošto je pokretljivost elektrona μn oko 2.5 puta veća od pokretljivosti šupljina, struja NMOS
tranzistora je oko 2.5 veća pri istim uslovima od struje istog PMOS tranzistora. Zbog toga NMOS
tranzistori mogu biti manji i raditi sa manjim naponima napajanja. Pa ipak, PMOS tranzistori se
još uvek koriste kao diskretni tranzistori, a u integrisanim kolima u okviru komplementarnih
MOS ili CMOS kola.
Komplementarna MOS ili CMOS kola sadrže tranzistore oba tipa.
Iako su komplikovanija za proizvodnju od NMOS kola, CMOS kola su najkorisnija savremena
MOS kola i koriste se u realizaciji i digitalnih i analognih kola.
Poprečni presek kroz jedno CMOS kolo je prikazan na slici 9.3. NMOS tranzistor se realizuje
direktno na podlozi p tipa, dok se PMOS tranzistor realizuje u posebno napravljenoj n oblasti,
koja predstavlja njegovu podlogu. Oba tranzistora su međusobno izolovana debelim slojem
oksida.

Slika 21.Struktura CMOS kola

37
 5.Primena tranzistora
Osnovna primena tranzistora je kao pojačavačke komponente u pojačavačkim kolima i prekidačke
komponente u prekidačkim kolima.
Kao što je rečeno, pored primene kao pojačavačke komponente u pojačavačkim kolima, tranzistor
se koristi i kao prekidačka komponenta u prekidačkim kolima. Naime, ako se tranzistor dovede u
stanje zakočenja, a to je kad je bazna struja IB = 0 (tada radna prava preseca u I-V karakteristikama
pravu koja se odnosi na IB = 0,), tada tranzistor ne vodi (kroz njega ne protiče struja, tj. IC = 0) i
može se tretirati kao otvoren prekidač,. Napon na kolektoru, koji je tada približno jednak naponu
napajanja VCC može se tretirati kao logička jedinica („1“), što se može da iskoristi u digitalnim
logičkim kolima. Naprotiv, kada napon između kolektora i emitora opadne na VCEsat (kaže se
„tranzistor je u zasićenju“), kroz njega protiče maksimalna kolektorska struja, tj. IC(sat), i
tranzistor se tada ponaša kao zatvoren prekidač, sl. 17b; u tom slučaju napon između kolektora i
emitora je majmanji i to može da bude logička nula u digitalnim kolima.
U cilju uspešnog projektovanja nekog elektronskog kola (uključujući i integrisana kola), pogodno
je raspolagati električnim modelom tranzistora koji se koriste u različitim simulatorima rada
elektonskih kola. Osnovni model se zove Ebers-Molov model, koji su Ebers i Mol razvili na bazi
poznavanja fizike rada samih bipolarnih tranzistora. Prikazan je uprošćen ovaj električni model i
to samo kada je emitorski spoj direktno, a kolektorski inverzno polarisan.

38
 6.Zaključak

Tranzistor se smatra za jedan od najvecih izuma u istoriji covecanstva.

On je sastavni deo skoro svih danasnjih elektricnih uredjaja gde igra klucnu ulogu aktivne
komponente
Danas se tranzistor proizvode u ogromnim kolicinama u visoko automatizovanim procesima po
niskim cenama
Niske cene tranzistora i univerzalna primenlivost ga cini skoro idealnim gradivnim elementom
svakog elektronskog kola
Znaci mos tranzistor je primaran u savremenoj elektronici zbog velikegustine
pakovanja,kontrolisane potrosnje energije i pre svega kao sto je vec receno niske cene izrade.

39
 Literatura:
1. Dr Miodrag Popovic „Osnovi Elektornike“,Elektortehnicki fakultet,Beograd 2004
2. Stojan Ristic“Elektricne Komponente“,Elektronski fakultet,Nis ,2011
3. Dr Predrag Popovic „Impulsna i digitalna elektronika“ Cacak,2005
4. Fizicka elektronika,predavanja,Beograd 2010

40