Fakultet elektrotehnike i računarstva

Zavod za elektroniku,
elektroniku mikroelektroniku,
mikroelektroniku
računalne i inteligentne sustave

El kt ik 1
Elektronika
Ž. Butković, J. Divković Pukšec, A. Barić

7 Bipolarni tranzistori
7.
Bipolarni tranzistor

Aktivni element s tri priključka

‰ ulazni,
ulazni izlazni i zajednički priključak

‰ pobuda u ulaznom krugu upravlja signalom u izlaznom krugu

‰ naziv bipolarni – rad se temelji na vođenju struje obaju tipova

nosilaca (engl. Bipolar Junction Transistor – BJT)

‰ primjena: pojačalo, sklopka

7. Bipolarni tranzistori 2
Shematski prikaz i
električki simbol

Troslojna struktura
Dva tipa
npn pnp
Priključci
‰ emiter → E
‰ baza
b →B
‰ kolektor → C

Dva pn-spoja
‰ emiter-baza
‰ kolektor-baza

7. Bipolarni tranzistori 3
Struktura

u kolektoru - dva sloja

‰ p-baza
‰ n+-emiter
diskretni tranzistor –
podloga je područje
kolektora
integrirani tranzistor – u
zajedničkoj
j jp
podlozi
za sve elemente
dominantni tok struje –
od emitera,, kroz bazu
u kolektor →
intrinzični tranzistor

7. Bipolarni tranzistori 4
Izgled diskretnog tranzistora

7. Bipolarni tranzistori 5
Opis rada

Polarizacija pn-spojeva: komponente struja:

emiter-baza → propusno,
kolektor baza → zaporno →
kolektor-baza iinjekcija
j k ij preko
k spojaj emiter-
it
normalno aktivno područje baza → struje InE i IpE

rekombinacija elektrona u bazi

→ struja IR

prolaz elektrona kroz spoj

kolektor-baza → InC

struja zasićenja spoja

kolektor-baza → ICBO

7. Bipolarni tranzistori 6
Energetski dijagram

U bazi elektroni su manjinski nosioci

Dio elektrona u bazi rekombinira sa šupljinama
Veći dio prelazi spoj kolektor-baza → za manjinske elektrone ne
postoji energetska barijera tog spoja

7. Bipolarni tranzistori 7
Vanjske struje tranzistora

definicija: struje su pozitivne

ako ulaze u element

I E + I B + IC = 0

− I E = I nE + I pE
I C = I nC + I CBO

I B = I pE + I R − I CBO struje: IE < 0, IB > 0, IC > 0,

I R = I nE − I nC

7. Bipolarni tranzistori 8
Faktor injekcije,
transportni faktor baze

Dobar tranzistor – što veći dio emiterske struje stiže do kolektora

Faktor injekcije ili efikasnost emitera

I nE I
γ= = nE
I nE + I pE − I E
dobar tranzistor – u struji IE prevladava struja InE; γ → 1

Transportni faktor baze

I I
β * = nC = 1 − R
I nE I nE

dobar tranzistor – veći dio struje InE ulazi u kolektor kao struja InC; mala
rekombinacija u bazi; β* → 1

7. Bipolarni tranzistori 9
Faktor strujnog pojačanja u
spoju zajedničke baze
Izlazna je struja kolektora IC, ulazne je struja emitera IE
→ spoj zajedničke baze

I C = − γ β * I E + I CBO
Svojstvo tranzistora - propusno polariziranim spojem emiter-baza upravlja se
velikom strujom kroz bliski zaporno polarizirani spoj kolektor-baza

α = γ β*
I C = − α I E + I CBO

Zanemarenjem struje zasićenja ICBO

I
α= C
− IE
α ≡ statički faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze
p
tipični iznosi od 0,98
, do 0,995
,

7. Bipolarni tranzistori 10
Primjer 7.1

Bipolarni npn tranzistor radi u normalnom aktivnom području. Na svakih 200

elektrona koji iz emitera prijeđu u bazu 1 šupljina prijeđe iz baze u emiter
emiter.
Od 400 elektrona koji su iz emiter ušli u bazu njih 399 stigne do kolektora.
Izračunati faktor strujnog pojačanja ovog tranzistora za spoj zajedničke
baze α.

7. Bipolarni tranzistori 11
Raspodjele manjinskih nosilaca

Rubne koncentracije nosilaca

⎛U ⎞ ⎛ U BC ⎞
nB 0 = n0 B exp ⎜ BE ⎟ nBw
B = n0B exp ⎜ ⎟
⎝ UT ⎠ ⎝ UT ⎠
⎛U ⎞ ⎛U ⎞
pE 0 = p0 E exp ⎜ BE ⎟ pC 0 = p0C exp ⎜ BC ⎟
⎝ UT ⎠ ⎝ UT ⎠

7. Bipolarni tranzistori 12
Faktor injekcije
Komponente InE i IpE → difuzijske struje
nB 0 − nBw n ni2
I nE = − I Dn x =0
= q S DnB ≈ q S DnB B 0 n0 B =
B wB wB N AB
pE 0 − p0 E pE 0 ni2
I pE = − I Dp xE = 0
= q S D pE ≈ q S D pE p0 E =
L ppE L ppE N DE

I nE 1 1
γ= = =
I nE + I pE 1 + I pE / I nE D pE wB N AB
1+
DnB L pE N DE

za uski emiter: umjesto LpE → wE

Faktor γ biti će to bliži jedinici što je emiter jače dopiran od baze.

7. Bipolarni tranzistori 13
Transportni faktor baze
Odstupanje raspodjele manjinskih elektrona u bazi od linearne aproksimacije

Za wB << LnB
2
1⎛ w ⎞
β* ≈1− ⎜ B ⎟
2 ⎝ LnB ⎠

wB - efektivna širina baze

Faktor β* je to je bliže jedinici što je širina wB manja od difuzijske duljine LnB.

7. Bipolarni tranzistori 14
Naboj manjinskih nosilaca u bazi

nB 0 wB
QnB ≈ q S
2

QnB wB2
= = ttr ttr → vrijeme proleta nosilaca kroz bazu
I nE 2 DnB
nB0 wB
I R = I nE − I nC = I nE (1 − β * ) = q S
2τ nB
QnB
= τ nB
IR

7. Bipolarni tranzistori 15
Primjer 7.2

Silicijski npn tranzistor ima homogene koncentracije primjesa u emiteru i bazi

iznosa NDE = 2·1017 cm−33 i NAB = 1016 cm−33. Efektivna širina baze je 1 μm, dok
su širine emitera i kolektora puno veće od difuzijskih duljina manjinskih
nosilaca. Površina tranzistora je 1 mm2, a struja zasićenja ICBO = 0,45 pA.
Parametri manjinskih nosilaca su u emiteru DpE = 8 cm2/s i LpE = 20 μm i u
bazi DnB = 10 cm2/s i LnB = 15 μm. Temperatura je T = 300K. Izračunati sve
komponente struja, i ukupne struje emitera, baze i kolektora uz napone
a) UBE = 0,55 V i UCB = 5 V,
b) UBE = 0,55 V i UCB = 0.

7. Bipolarni tranzistori 16
Primjer 7.3

Za tranzistor iz primjera 7.2 odrediti faktor strujnog pojačanja α. Koliko

bi iznosio faktor strujnog pojačanja kada bi širina emitera bila
wE = 3 μm << LpE.

7. Bipolarni tranzistori 17
pnp tranzistor (1)
U odnosu na npn tranzistor razlikuje se po predznacima napona i smjerovima
struja
I E = I pE + I nE

I C = − I pC + I CBO
I B = − I nE − I R − I CBO

I R = I pE − I pC
I pE I
γ= = pE
I pE + I nE I E
I ppC I
β* = =1− R
I pE I pE
struje: IE > 0, IB < 0, IC < 0,
ICBO < 0 I C = − α I E + I CBO

7. Bipolarni tranzistori 18
pnp tranzistor (2)
1 2
γ= 1 ⎛ wB ⎞
D w N β ≈ 1 − ⎜⎜
* ⎟
1 + nE B DB 2 ⎝ LpB ⎟⎠
DpB LnE N AE

pB0 wB pB0
QpB ≈ q S I pE ≈ q S DpB
2 wB

pB 0 wB
I R = I pE − I pC = I pE (1 − β * ) = q S
2τ pB

QpB wB2 Q pB
= = ttr = τ pB
I pE 2 DpB IR

7. Bipolarni tranzistori 19
Primjer 7.4

Bipolarni pnp tranzistor radi u normalnom aktivnom području sa strujom

emitera od 10 mA. Faktor injekcije je 0,99
0 99, a transportni faktor baze 0,998
0 998.
Izračunati sve komponente struja, te struje baze i kolektora. Zanemariti
struju ICBO.

7. Bipolarni tranzistori 20
Primjer 7.5

Silicijski pnp tranzistor radi u normalnom aktivnom području. U nekoj radnoj

točki nakrcani naboj manjinskih nosilaca u bazi je 50 pAs, faktor injekcije
je γ = 0,995, vrijeme proleta manjinskih nosilaca kroz bazu je ttr = 12,5 ns, a
njihovo vrijeme života u bazi je τB = 2 μs. Struja zasićenja ICBO = 0.
Izračunati sve komponente struja u zadanoj točki.

7. Bipolarni tranzistori 21
Spojevi bipolarnog tranzistora

spoj ulazna ulazna ulazni izlazna izlazna izlazni

priključnica struja napon priključnica struja napon

zajednička emiter kolektor

IE U EB IC U CB
baza
zajednički baza kolektor
emiter IB U BE IC U CE

zajednički baza emiter

kolektor IB U BC IE U EC

7. Bipolarni tranzistori 22
Spoj zajedničke baze

I C = − α I E + I CBO

uz zanemarenje struje ICBO

IC
α=
− IE

Faktor α manji je od 1 → izlazna struja IC manja je u uz ulazne

struje IE

7. Bipolarni tranzistori 23
Spoj zajedničkog emitera
Polarizacije pn-spojeva i odnosi struja
emitera IE, baze IB i kolektora IC ostaju
isti kao u spoju zajedničke baze

I C = − α I E + I CBO = − α ( − I B − I C ) + I CBO
α I
IC = I B + CBO = β I B + I CEO
1−α 1−α
IC
β=
IB
β ≡ statički faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera
ti ič i iiznosii od
tipični d 50 do
d 200
α
β=
1−α

7. Bipolarni tranzistori 24
Spoj zajedničkog kolektora

I E = − I C − I B = − ( β + 1) I B − I CEO

− IE
β +1=
IB

Izlazna struja emitera IE veća je β + 1 puta od ulazne struje baze IB

7. Bipolarni tranzistori 25
Struje zasićenja
I C = − α I E + I CBO I C = β I B + I CEO
I CBO = I C uz IE = 0 I CEO = I C uz IB = 0

ICBO ≡ struja zasićenja spoja kolektor-baza uz odspojeni emiter

ICEO ≡ struja
j zasićenja
j spoja
p j kolektor-baza uz odspojenu
p j bazu

I CBO
I CEO = = (1 + β ) I CBO
1−α

7. Bipolarni tranzistori 26
Primjer 7.6

Koliki je faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera za tranzistor na

slici?

7. Bipolarni tranzistori 27
Područja rada bipolarnog
tranzistora
Područja rada:
‰ normalno aktivno područje (engl. active region),
‰ inverzno
i aktivno
kti područje
d čj (engl.
( l reverse active
ti region),
i )
‰ područje zasićenja (engl. saturation region) i
‰ područje zapiranja (eng. cutoff region)

polarizacije emiter-baza
pn-spojeva propusno zaporno

propusno zasićenje inverzno-aktivno

kolektor
-baza zaporno normalno-aktivno zapiranje

7. Bipolarni tranzistori 28
Raspodjele manjinskih elektrona
u bazi sa sva područja rada

7. Bipolarni tranzistori 29
Normalno aktivno područje
Spoj emiter-baza propusno je polariziran.
Emiter injektira nosioce u bazu.
Manji dio nosioca rekombinira u bazi, a najveći dio preko zaporno polariziranog
spoja kolektor-baza prolazi u kolektor.
Struja kolektora ovisi o struji emitera,
emitera odnosno o naponu propusno
polariziranog spoja emiter-baza, dok je ovisnost o naponu zaporno
polariziranog spoja kolektor-baza zanemariva.
S kolektorskog priključka tranzistor se ponaša kao idealni strujni izvor upravljan
ulaznom strujom.
U normalnom aktivnom području tranzistor posjeduje svojstvo pojačanja i
koristi se u pojačalima.

7. Bipolarni tranzistori 30
Inverzno aktivno područje
Normalno aktivno područje uz zamjenu uloga emitera i kolektora.
Propusno polarizirani spoj kolektor-baza injektira nosioce u bazu, a emiter
sakuplja
k lj didio manjinskih
ji kih nosilaca
il iiz b
baze.
U inverznom aktivnom području tranzistor se ponaša kvalitativno isto kao i u
normalnom aktivnom području.

IE IE αI
αI = βI = =
− IC IB 1 − αI

Tranzistor nije simetričan → faktori pojačanja αI i βI su loši; βI tipično 1 do 10.

7. Bipolarni tranzistori 31
Područje zasićenja
Oba pn-spoja propusno su polarizirana i injektiraju elektrone u bazu.
Struja elektrona InE jednaka je razlici struje elektrona koje emiter injektira u bazu
i st
struje
uje e
elektrona
e t o a koji
oj do e
emitera
te a st
stižuu iz kolektora.
o e to a SSlično
č o je sa st
strujom
ujo InC.
Rad tranzistora može se opisati kao superpozicija rada u normalnom i
inverznom aktivnom području.

7. Bipolarni tranzistori 32
Područje zapiranja
U području zapiranja oba pn-spoja tranzistora su zaporno polarizirana.
U tranzistoru teku male struje zasićenja zaporno polariziranih spojeva
emiter-baza
it b IEBO i kkolektor-baza
l kt b ICBO.
U područjima zasićenja i zapiranja tranzistor ne pokazuje svojstvo pojačanja.
U području zasićenja naponi u tranzistoru su mali i oba kruga
kruga, ulazni i izlazni
izlazni,
imaju mali otpor. U području zapiranja struje su male tranzistora, a otpori su
veliki.
Prelaskom iz područja zapiranja u područje zasićenja i obrnuto tranzistor
ponaša kao sklopka.

7. Bipolarni tranzistori 33
Strujno-naponske karakteristike
Uz tri priključka na tranzistoru se mogu mjeriti tri struje (IE, IB i IC) i tri napona
(UBE, UBC i UCE). Od svih kombinacija najčešće se kao strujno-naponske
karakteristike koriste
‰ ulazne karakteristike i
‰ izlazne karakteristike.

Karakteristike se crtaju za dva spoja

‰ spoj zajedničke baze i
‰ spoj zajedničkog emitera.

7. Bipolarni tranzistori 34
Modulacija širine baze –
Earlyjev efekt

Porastom napona zaporne polarizacije spoja kolektor-baza UCB, povećava se i

g sloja
širina osiromašenog j i sužava baza.
Uz konstantan napon UBE povećava se gradijent koncentracije elektrona u bazi
(rastu struje InE i InC) i smanjuje nagomilani naboj (smanjuje se struja IR)

7. Bipolarni tranzistori 35
Spoj zajedničke baze

Ulazne karakteristike:
I E = f (U EB )UCB

Izlazne karakteristike:
IC = f (UCB ) I E

7. Bipolarni tranzistori 36
Ulazne karakteristike
spoja zajedničke baze

Karakteristike propusno polariziranog

spoja emiter-baza
Pomak
P k kkarakteristika
kt i tik s naponom UCB
→ Earlyjev efekt → uz konstantan
UEB struja IE raste zbog porasta
gradijenta nosilaca u bazi

7. Bipolarni tranzistori 37
Izlazne karakteristike
spoja zajedničke baze

u normalnom aktivnom području

I C = − α I E + I CBO
porast struje → Earlyjev efekt;
smanjuje se struja IR i raste struja IC

granica normalnog aktivnog područja i područja zasićenja → UCB = 0

7. Bipolarni tranzistori 38
Spoj zajedničkog emitera

Ulazne karakteristike:
I B = f (U BE )UCE

Izlazne karakteristike:
IC = f (U CE ) I B

7. Bipolarni tranzistori 39
Ulazne karakteristike
spoja zajedničkog emitera

Karakteristike
K kt i tik propusno polariziranog
l i i
spoja emiter-baza
Pomak
o a karakteristika
a a e s a s naponom
apo o UCE
→ Earlyjev efekt → uz konstantan
UEB struja IB se smanjuje, jer se
smanjuje
j j nabojb jubbazii

7. Bipolarni tranzistori 40
Izlazne karakteristike
spoja zajedničkog emitera

u normalnom aktivnom području

I C = β I B + I CEO
porast struje → Earlyjev efekt;
povećava se gradijent i raste struja IC

granica normalnog aktivnog područja i područja zasićenja → UCE = UBE

7. Bipolarni tranzistori 41
Primjer 7.7
Bipolarni npn tranzistor ima faktor strujnog pojačanja α = 0,99 i struju zasićenja
spoja kolektor-baza ICBO = 1 nA. Tranzistor radi u normalnom aktivnom
području sa strujom baze IB = 100 μA. Napon između kolektora i baze je 5 V.
Nacrtati izlaznu karakteristiku i označiti radnu točku ako tranzistor radi:
a) u spoju zajedničke baze,
b) u spoju zajedničkog emitera.

7. Bipolarni tranzistori 42
Faktor strujnog pojačanja

β = f(IC)
‰ pad pri malim strujama → rekombinacija
u osiromašenom sloju spoja emiter-baza
‰ p pad p pri većim strujama
j → visoka injekcija
j j

β raste s temperaturom → posljedica: porast

struje kolektora IC i disipacije snage
PT = IC UCE

7. Bipolarni tranzistori 43
Proboj

lavinski proboj zaporno polariziranog spoja

kolektor-baza

probojj kolektor-emiter
p
U CB ( PR )
U CE ( PR ) = n β

7. Bipolarni tranzistori 44
Dinamički otpori – definicija i
očitavanje iz karakteristika
ulazni dinamički otpor izlazni dinamički otpor

d uBE ube
rbe = = b
d uCE uce
d iB ib rce = =
uCE = konst uce = 0 d iC ic
iB = konst ib = 0

7. Bipolarni tranzistori 45
Ulazni dinamički otpor
ukupni otpor rbe → rbe = rbb' + rb'e
‰ serijski otpor baze rbb' →

‰ dinamički otpor spoja emiter-baza rb'e

p0 E ⎛u ⎞ w n ⎛u ⎞
iB = iPE + iR = q S D pE exp ⎜⎜ B′E ⎟⎟ + q S B 0 B exp ⎜⎜ B′E ⎟⎟
L pE ⎝ UT ⎠ 2τ nB ⎝ UT ⎠
1 di i
= B = B
rb 'e du B′E U T
UT
u radnoj točki: rb 'e =
IB

7. Bipolarni tranzistori 46
Izlazni dinamički otpor
model nagiba izlaznih karakteristika u
području zasićenja

⎛ u ⎞
iC = β iB ⎜⎜1 + CE ⎟⎟
⎝ UA ⎠

1 di iC
= C =
rce duCE uCE + U A

U CE + U A U A
rce = ≈
IC IC
UA ≡ Earlyjev napon

7. Bipolarni tranzistori 47
Dinamički faktor strujnog pojačanja
u spoju zajedničkog emitera

opisuje pojačanje tranzistora

očitavanje iz izlaznih karakteristika
d iC ic
h fe = =
d iB uCE = konst
ib uce = 0

h fe ≈ β

Δ iC ΔiC
h fe = =
Δ iB uCE = konst
I B 2 − I B1 uCE = konst

7. Bipolarni tranzistori 48
Strmina bipolarnog tranzistora

drugi parametar koji opisuje pojačanje tranzistora

d iC ic
gm = =
d u B′E uCE = konst
ub′e uce = 0

d iC d i d iB h fe
gm = = C =
d u B′E d iB d u B′E rb′e

β IC
u radnoj točki: gm ≈ =
UT / I B UT

7. Bipolarni tranzistori 49
Hibridni π-model

Visokofrekvencijski hibridni π-model

Kapaciteti:
Cb'e → kapacitet spoja emiter-baza; difuzijski kapacitet
Cb'c → kapacitet spoja kolektor-baza; kapacitet osiromašenog sloja

7. Bipolarni tranzistori 50
Niskofrekvencijski modeli

M d l sa strminom
Model t i gm

Model s faktorom
strujnog pojačanja hfe

7. Bipolarni tranzistori 51
Primjer 7.8

U izlaznim karakteristikama npn tranzistora mjerenjem su očitane vrijednosti u

točke. U točki A dobivene su vrijednosti IBA = 50 μA, ICA = 8 mA
dvije radne točke
i UCEA = 5 V, a na istoj izlaznoj karakteristici u točki B ICB = 8,1 mA i
UCEB = 10 V. Odrediti dinamičke parametre rb'e, rce, hfe i gm u točki A. Koliki
je Earlyjev napon UA tog tranzistora? Temperatura je sobna, UT = 25 mV.

7. Bipolarni tranzistori 52
Pregled bitnih jednadžbi (1)
Faktor injekcije
1 1
γ= ili γ =
D w N D w N
1+ E B B 1+ E B B
DB LE N E DB wE N E

Transportni faktor baze

2
1⎛ w ⎞
β* ≈1− ⎜ B ⎟
2 ⎝ LB ⎠

Naboj manjinskih nosilaca u bazi

wB2
QB = ttr γ I E = τ B I R ttr =
2 DB

7. Bipolarni tranzistori 53
Pregled bitnih jednadžbi (2)
Dinamički parametri
ulazni dinamički otpor
UT
rb ' e =
IB
izlazni dinamički otpor

⎛ u ⎞ U +UA
iC = β iB ⎜1 + CE ⎟ → rce = CE
⎝ UA ⎠ IC

strmina
I C h fe
gm = =
U T rb′e

7. Bipolarni tranzistori 54