Aktivne poluvodičke VF i μW komponente : Schottky dioda ; PIN dioda ; Varikap (varaktor)

dioda ; Gunn dioda ; IMPATT; TRAPATT dioda ; Bipolarni tranzistor ; unipolarni tranzistor
(HEMT; MESFET )
Materijali: Si (silicij); Ge (germanij) ; GaAs (galij arsenid) ; InP (indij fosfit)
Kućišta: minijaturnih izvedbi radi što majih parazitnih induktiviteta i kapaciteta te što lakšeg
uklapanja u valovodnu; koaksijalnu ili mikrostrip izvedbu VF/mikrovalnog sklopa.
Schottky dioda
Primjena: detekcija signala ; mjerenje snage signala ; mješanje frekvencija ; umnažanje frekvencije
Ključni parametri: kapacitet spoja CJ ; serijski otpor RS ; RS i CJ određuju f MAX ; probojni napon ;
faktor šuma ; parazitni RLC kućišta

Giacolettov π model za Schottky diodu

PIN dioda
Naponski upravljiv otpor
Primjena: VF/μW sklopka ; modulacija signala (AM) ; naponski upravljivo slabljenje signala ;
naponski upravljivo zakretanje faze

Model PIN diode za niske frekvencije

Model PIN diode za visoke frekvencije

Varikap (varaktor) dioda

Naponski upravljiv kapacitet
Primjena: ugađanje frekvencije ; FM modulacija ; množenje frekvencije
Parametri: omjer CMAX /CMIN ; funkcija ovisnosti C(V); ABRUPT, HYPERABRUPT ; iznos RS ;
faktor dobrote “Q” ; paraziti kućišta

Nadomjesni sklop za varikap diodu

Simbol varikap diode

Gunn dioda
Izvor mikrovalnog signala
Primjena: oscilatori
Niska korisnost, 2-3%

Simbol Gunn diode

Statička I(U) karakteristika
Izlazna snaga u ovisnosti o SRT

IMPATT, TRAPATT diode

Značenje skraćenica : IMPATT - Impact Avalanche Transit Time
TRAPATT -Trapped Plasma Avalanche Transit Time
Izvor mikrovalnog signala Simbol
Pojačala mikrovalnog signala
Karakteristika negativnog otpora
Primjena: oscilator ; pojačalo
Bolja korisnost od Gunn diode, veće izlazne snage

VF i μW tranzistori
HEMT: High Electron Mobility Transistor
MESFET: Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor
HBT: Heterojunction bipolar transistor
pHEMT: Pseudomorphic HEMT
Materijali: Si (silicij), Ge (germanij), GaAs (galij arsenid); InP (indij fosfit)

MAG: MaximumAvailable Gain, za K>1

MSG: Maximum Stable Gain, za K<=1

Pojačanje i faktor šuma kao funkcija frekvencije MAG; MSG kao funkcija frekvencije
MIMIC
MIMIC: Microwave Monolitic Integrated Circuit
Planarna izvedba svih elemenata sklopa na monolitu
GaAs (galij arsenid), InPh (indij fosfit) kao supstrat
Visoka dielektrična konstanta > male dimenzije sklopa
Primjena : niskošumna pojačala; pojačala snage; mješači; detektori; množila frekvencije
Frekvencije do 100 GHz

Elektronske cijevi
Koaksijalna trioda – oscilator, pojačalo
Refleksni klistron - oscilator
Klistron – VF pojačalo
TWT -Cijev s putujućim valom, pojačalo
Najpovoljniji odnos: pojačanja, širine opsega i izlazne snage