SMR 固態體聲波元件

SMR 理論

1965 年由Newell 所提出，其基本結構是將壓電層構製於布拉格反射層上，利

用反射層反射聲波的原理，於所設定之頻率達到共振作用。反射層是由交替沉

積之高低聲阻抗材料所構成，利用此堆疊結構，可以建立極大或極小之聲阻抗

反射面，而其每一層聲阻抗材料的厚度均須符合四分之一波長之條件，圖1 為

諧振器共振時的示意圖；聲波能量在多層反射層間形成駐波，使得能量不會散
逸到下方的基板，製程中需精準地控制反射層的厚度以符合共振條件，同時亦

需要求平整的薄膜表面，以減少聲波能量之散射。

1 特點
○

不需背部蝕刻窗口，所以其元件大小比薄膜型元件小，因此有較強健的結構，

所以製程的良率也可得到提升，SMR 因需沈積多層薄膜，在材料參數和薄膜應

力的控制上。此外，還可藉由反射層的層數調變、阻抗比值和排列順序選擇，達

到所期望布拉格反射器的反射率、諧振器元件的響應和界面的形式(自由面或箝

制面)。其中，層數的增減可以單一層為單位，而不需以 1 對為單位。

2 設計
○

在 SMR 的結構中，壓電層的上部一般為空氣或真空界面，而底部則是堆疊在

基板上的反射層。依照反射層的結構，其與壓電層界面的阻抗可轉換成高阻抗

或低阻抗的界面 。
3 SMR 的參數性質
○

在體聲波元件中，壓電層的厚度、有效機電耦合係數（ kt2,eff ） 和品質因數

(Quality factor, Q)會決定諧振器的諧振頻率、頻寬 （Bandwidth）和插入損失

（Insertion loss），可用來判斷諧振器的優劣。因此，沉積高機電耦合係數和低

聲波損失的薄膜是很重要的。

重要參數

機電偶合係數 品質因數
（K t２） （Quality factor）
主要有兩個原因會造成聲波的損失：第
機電耦合係數的定義為機械能和電能互 一是薄膜本身品質的好壞；一般來說，
相轉換的能力，機電耦合係數越高，壓 成長品質不好的薄膜會有高應力、高密
電效應會越明顯，包含正壓電效應和逆 度的晶界以及大量的缺陷和雜質，這些
壓電效應。此外，濾波器的頻寬為並聯 缺陷皆會造成聲波的散射，因而減低品
諧振頻率和串聯諧振頻率的差( f p - fs )， 質因素。而高聲波波速的材料，由於聲
因此諧振器的有效機電耦合係數越大， 波在傳遞時不易被吸收，因此有較高的
以此諧振器組成的濾波器頻寬也就越大 品質因素。第二是薄膜的表面粗糙度；
[1]。其公式如下： 電極和壓電薄膜表面粗糙大，會造成聲
波的散射損失 以及電極的電損失，而
造成品質因素的降低。計算方式如下：

4 梯型濾波器(Ladder type filter)原理

○
微型化、低插入損失的薄膜型的體聲波(BAW)濾波器在高頻的操作範圍(0.8-10

GHz)將會扮演越來越重要的關鍵零組件，而常用的體聲波濾波器有梯型(Ladder)

及晶格型(Lattice) [49]。而本研究所採用的梯型濾波器(Ladder type filter)是由一個

串聯共振器(Series resonator, S)與一個並聯共振器(Parallel resonator, P)所組合成，

如圖2-10 所示是ㄧ個一階梯型濾波器(One-section ladder type filter)。濾波器的頻

寬是由共振器的共振頻率(Resonance Frequency, fr) 及反共振頻率(Anti-resonance

frequency, fa) 決定的；當濾波器的串聯共振頻率(fr_s)等於並聯反共振頻率(fa_p)

時， 則會有最大的訊號由輸入端傳輸至輸出端。而當濾波器的串聯反共振頻率

(fa_s)的傳輸被截止(Blocked)，則濾波器的並聯共振頻率(fr_p)輸入就形成接地

(Ground)，所以濾波器的信號傳輸即會截止於此頻率，最後形成一帶通濾波器

(Band-pass filter) ， 其 S12 如 圖 2-10 所 示 。 由 此 可 知 可 由 共 振 器 組 成 多 階

(Multiple-stage)或半階(Half-stage)的梯型濾波器。

SMR 的製作

SMR 的製作主要分成反射層和壓電層兩部分；反射層以直流/射頻磁控濺鍍系

統交替沉積高聲阻抗的鉬和低聲阻抗的二氧化矽，其材料的聲波基本特性參數
如表六；上、下電極也以直流磁控濺鍍系統沉積金屬鉬，壓電層則以射頻磁控

濺鍍系統沈沉氮化鋁。

布拉格反射器

反射層厚度的計算方式如下：

v= f f  4dr
個別代入材料波速以及所設定之諧振頻率就可得到反射層之厚度。

其中，壓電層厚度的計算方式如下：

λ/2 mode，壓電層厚度計算公式:

v = f   = f  2d p

λ/4 mode，壓電層厚度計算公式:

v = f   = f  4d p

個別代入材料波速以及所設定之諧振頻率，就可得到壓電層之厚度。