190

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

6. AMPLIFIKATORËT THEMELOR ME TRANSISTOR

BIPOLAR (BJT)

6.0 HYRJE
Në kapitullin 4 është analizuar mënyra e veprimit të transistorit bipolar me kontakt
dhe puna e qarqeve që përmbajnë këta komponentë, për tensione njëkahore. Në këtë kapitull
do të analizohet shfrytëzimi i transistorit bipolar në qarqet e amplifikatorëve linear.

Do të analizohen vetitë e tre amplifikatorëve themelor me një transistor ose një stad
(shkallë). Këto tri qarqe janë: amplifikatori në konfiguracion me emiter të përbashkët, me
kolektor të përbashkët dhe me bazë të përbashkët. Këto konfiguracione formojnë blloqet
themelore ndërtuese për amplifikatorë më kompleks, të cilët do të përpunohen në kapitujt në
vijim.

Por, para se të analizohen qarqet e amplifikatorëve të lartpërmendur, do të nxjerrën

qarqet ekuivalente të transistorit bipolar për sinjale të vogla dhe frekuenca të ulëta. Që do të
thotë se puna e transistorit do të jetë në regjionin aktiv dhe se në frekuenca të ulëta nuk do të
merren parasysh kapacitetet parazitare të kontakteve pn.

6.1 QARKU EKUIVALENT I TRANSISTORIT BIPOLAR PËR

SINJALE TË VOGLA
Në kapitullin 4. kemi zhvilluar skemën ekuivalente të qarkut për sinjale
alternative. Tani duhet ta zhvillojmë skemën ekuivalente për sinjale të vogla të vet
transistorit. Do t’i zhvillojmë dy modele kryesore të transistorit bipolar: modelin hibrid – π
dhe modelin me parametra –h.
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 191

6.1.1 Qarku ekuivalent hibrid – π i transistorit bipolar për sinjale të vogla

Modeli hibrid – π është një model i qarkut ekuivalent të transistorit bipolar i cili
është lidhur ngushtë me fizikalitetin e transistorit. Transistorin bipolar mund ta trajtojmë si
një qark dypolar si në Fig.6.1.
ic C

ib +
B
+ vce
vbe
- -
E
Fig. 6.1 Transistori bipolar si qark dypolar

Një element të qarkut ekuivalent të modelit hibrid–π është përshkruar më parë. Në

Fig. 6.2 është paraqitur rryma e bazës në funksion të tensionit bazë-emiter me një tension të
vogël sinusoidal të superponuar në pikën Q.

Pjerrtësia

Koha

Koha

Fig. 6.2 Rryma e bazës në varshmëri nga tensioni bazë-emiter me sinjalin sinusoidal
të superponuar

Pasi që sinjalet sinusoidale janë të vogla, pjerrtësia e lakores së rrymës në pikën Q

mund të trajtohet si konstantë që ka njësinë e përçueshmërisë. Vlera reciproke e kësaj
përçueshmërie paraqet rezistencën e definuar si rπ. Prandaj rrymën e bazës mund ta lidhim
me tensionin e hyrjes me shprehjen

vbe  ib r (6.1)

ku 1/rπ është e barabartë me pjerrtësinë e lakores iB – uBE, siç shihet në Fig. 6.2. Atëherë këtë
rezistencë mund ta gjejmë nga
192
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

1 i   IS  v 
 B   exp  BE   (6.2)
r vBE Q
vBE 1    VT   Q

ose
1 1  IS  v  I BQ
  exp  BE    (6.3)
r VT 1    VT   Q VT
atëherë
vBE V V
 r  T  T (6.4)
iB I BQ ICQ

Rezistenca rπ quhet rezistenca hyrëse bazë-emiter ose rezistenca e difuzionit dhe

është funksion i parametrave të pikës së punës Q.

Tani i shqyrtojmë karakteristikat e terminaleve dalëse të transistorit. Nëse

konsiderojmë se rryma e kolektorit është e pavarur nga tensioni kolektor-emiter dhe se kjo
rrymë është vetëm funksion i tensionit bazë-emiter, mund të shkruajmë

iC
iC   vBE (6.5)
vBe Q

ose
iC
iC   vBE (6.6)
vBe Q

Nga ana tjetër rryma iC, nga kapitulli 3, mund të shkruhet si

v 
iC   I S exp  BE  (6.7)
 VT 
Atëherë
iC 1 v  I CQ
   I S exp  BE   (6.8)
vBe Q
VT  VT  Q VT

v 
Anëtari  I S exp  BE  paraqet rrymën e kolektorit në pikën Q. Anëtari ICQ/VT paraqet
 VT 
përçueshmëri. Pasi që kjo përçueshmëri lidh rrymën e kolektorit dhe tensionin B-E,
parametri quhet transkonduktansa (përçueshmëria kalimtare) dhe shprehet me

I CQ
gm  (6.9)
VT

Transkonduktansa është gjithashtu funksion i parametrave të pikës së punës dhe

është proporcionale me rrymën e polarizimit njëkahor.
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 193

Duke i shfrytëzuar këta parametra të ri, mund ta zhvillojmë qarkun e thjeshtuar

ekuivalent për transistorin bipolar me modelin hibrid -, siç është paraqitur në Fig. 6.3.

ib(Ib) ic(Ic)
B C
+ +
gmvbe
r
(gmVbe)
vbe(Vbe) vce(Vce)

ie(Ie)
- -
E
Fig. 6.3 Qarku i thjeshtuar ekuivalent i transistorin bipolar npn me modelin hibrid - 

Ky qark ekuivalent mund ta zëvendësoj transistorin në Fig. 6.4(a). Në qarkun

ekuivalent, përveç vlerave momentale, në kllapa janë dhënë edhe vlerat efektive të rrymave
dhe tensioneve. Ky qark ekuivalent mund të insertohet në qarkun e amplifikatorit si në Fig.
6.4(b).

(a)

RB B ic C
+ + +
ib
r
vI + E gmvbe
- vbe vce RC vO

- -

(b)

Fig. 6.4 (a) Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët; (b) skema ekuivalente
194
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Qarku ekuivalent i daljes mund të zhvillohet edhe në një formë tjetër. Ne mund ta
vendosim korrelacionin në mes të rrymës së kolektorit për sinjale të vogla dhe rrymës së
bazës. Pra mund të shkruhet

iC
iC   iB (6.10)
iB
Q

ose

iC
iC   iB (6.11)
iB
Q

ku

iC
 (6.12)
iB
Q

Dhe ky parametër quhet rritja ose përforcimi i rrymës për emiter të përbashkët. Prandaj
mund të shkruhet

iC   iB (6.13)

Në skemën ekuivalente të transistorit bipolar në Fig. 6.5 është shfrytëzuar ky

parametër. Ky qark gjithashtu mund të insertohet në qarkun ekuivalenti në Fig. 6.4.

ib(Ib) ic(Ic)
B C
+ +
r ib
(b)
vbe(Vbe) vce(Vce)

ie(Ie)
- -
E

Fig. 6.5 Skema ekuivalente e transistorit bipolar për sinjale të vogla me përforcim të
rrymës

Këtu do të diskutojmë pak lidhjen në mes të F dhe dallimi ne mes këtyre dy

termeve është ilustruar në Fig. 6.6. Termi F është herësi në mes të rrymës njëkahore (dc) të
kolektorit dhe rrymës njëkahore të bazës. Ndërsa termi është herësi në mes të ndryshimit
të rritjes së rrymës së kolektorit dhe ndryshimit të rritjes së rrymës së bazës. Te transistori
bipolar idealkëta dy terma janë identik.
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 195

Gjatë derivimit të rdhe gm është supozuar varëshmëria ideale eksponenciale në mes

të rrymës dhe tensionit bazë-emiter, dhe se F nuk varet nga ndryshimi i rrymës së
kolektorit. Prandaj nëse shumëzojmë rdhe gm do të gjejmë

 V   I CQ 
r g m   F T
 I CQ      F   (6.14)
   VT 

Në përgjithësi tani e tutje do të konsiderojmë se këto dy terme janë ekuivalente.

Megjithatë duhet të mbahet parasysh se këto terme mund të ndryshojnë prej një komponenti
në tjetrin dhe se  ndryshon me rrymën e kolektorit. Ky ndryshim me rrymën e kolektorit
zakonisht specifikohet në të dhënat e prodhuesit për transistorët specifik.

Modi aktiv
Modi i ngopjes

iC { I C
Q
IBQ
} iB

V CE
Modi i bllokimit Q

Fig. 6.6 Karakteristikat e transistorit ku janë paraqitur definicionet e F dhe 

Përforcimi i tensionit për sinjale të vogla, Av  Vo / VI , është i definuar si herësi në

mes të tensionit të sinjalit në dalje dhe tensionit të sinjalit në hyrje. Rryma e gjeneratorit të
varur të tensionit gmVbe rrjedhë përmes RC, duke krijuar tension negativ kolektor-emiter, ose

VO  Vce  ( g mVbe ) RC (6.15)

dhe nga pjesa e hyrjes së qarkut do të gjejmë

 r 
Vbe      VI (6.16)
 r  RB 

Përforcimi i tensionit për sinjale të vogla është

 196
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

VO  r 
Av   ( g m RC )     (6.17)
VI  r  RB 

Gjatë analizës së gjertanishme të qarkut ekuivalent për sinjale të vogla, ne kemi

supozuar se rryma e kolektorit nuk varet nga tensioni kolektor-emiter, që nuk është
plotësisht e saktë. Sepse kjo rrymë varet në disa raste nga ky tension (efekti Early) sipas
relacionit

 v    vCE 
iC   I S exp  BE    1   (6.18)
  VT    VA 

ku VA është tensioni i Early-it. Pasojë e këtij efekti është ekzistenca e një rezistence
ekuivalente në dalje të transistorit e definuar si

vCE
ro  (6.19)
iC
Q

Duke i shfrytëzuar ekuacionet e fundit mund të shkruajmë

1 i  
   vBE    vCE 
 I CQ
 C   I S exp     1    (6.20)
ro vCE vCE
Q

   V T    VA 
 VA

atëherë

VA
ro  (6.21)
I CQ

dhe quhet rezistenca dalëse e transistorit për sinjale të vogla. Kjo rezistencë mund të
paramendohet si një rezistencë ekuivalente e Norton-it e lidhur paralel me gjeneratorin e
varur të rrymës. Në Fig. 6.7(a) dhe (b) janë paraqitur qarqet e modifikuara të transistorit
bipolar me rezistencën dalëse.

Ib Ic Ib Ic
B C B C
+ + + + + +
Vbe V r b ro vce Vbe V r gmV ro vce

- - E - - - E -
(a) (b)

Fig. 6.7 Modeli i zgjeruar i transistorit bipolar për sinjale të vogla (a) me parametrin e
përforcimit të rrymës dhe (b) me parametrin e transkonduktansës

Modeli hibrid-i transistorit bipolarështë emërtuar sipas natyrës së parametrave.

Katër parametrat e qarkut ekuivalent të paraqitura në Fig. 6.7(a) dhe (b) janë: rezistenca
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 197

hyrëse r (), përforcimi i rrymës  (pa dimension), rezistenca dalëse ro () dhe
transkonduktansa gm (-1).

Deri tani kemi analizuar vetëm qarqet me transistor bipolar npn. Por, analiza e njëjtë
themelore dhe qarqet ekuivalente zbatohen edhe te transistorët pnp. Në Fig. 6.8(a) është
paraqitur qarku i cili përmban një transistor pnp. Këtu përsëri mund të vërehet ndërrimi i
kaheve të rrymave dhe polaritetit të tensioneve në krahasim me qarkun me transistor npn.
Fig. 6.8(b) paraqet qarkun ekuivalent alternativ (ac), ku burimet e tensioneve njëkahore janë
zëvendësuar me lidhje të shkurta, dhe të gjitha rrymat dhe tensionet e treguara janë vetëm
komponentët sinusoidal.

-VC

RC
ic
RB - vo RB - vo
+ vEC vec
+
- -
vEB + veb + RC
+ vI + vI ib
- -
-
+ VBB

(a) (b)

Fig. 6.8 (a) Qarku me emiter të përbashkët me transistor pnp; (b) qarku gjegjës ekuivalent

Transistori në Fig. 6.8(b) mund të zëvendësohet me njërën nga qarqet ekuivalente

hibride- siç është paraqitur në Fig. 6.9. Qarku ekuivalent hibrid- i transistorit pnp është i
njëjtë me atë të komponentit npn, përveç që përsëri të gjitha kahet e rrymave dhe polaritetet
tensioneve janë të kundërta. Parametrat hibrid- caktohen duke shfrytëzuar ekuacionet njëjta
si për komponentin npn.

Ib Ic Ib Ic
C B C
B - - -
- - -
V r gm V vce
Vbe V r b ro vce Vbe ro

+ + E + + + E +
(a) (b)

Fig. 6.9 Modeli hibrid- i transistorit pnp me (a) parametrin e përforcimit të rrymës dhe (b)me
parametrin e transkonduktansës

Nëse modelin hibrid të transistorit pnp e zëvendësojmë në Fig. 6.9(b), fitojmë qarkun
ekuivalent për sinjale të vogla të paraqitur në Fig. 6.10. Tensioni dalës është dhënë me
shprehjen

Vo  ( g mV )(ro RC ) (6.22)

198
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Tensioni Vp mund të shprehet përmes tensionit hyrës VI si

VI r
V   (6.23)
RB  r

RB Ic
Vo
Ib -
VI + r gm V ro RC
- V

Fig. 6.10 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla me transistor pnp me emiter të
përbashkët

Amplifikimi (përforcimi) i tensionit për sinjale të vogla është

VO  g m r 
AV   (ro RC )  (ro RC ) (6.24)
VI RB  r RB  r

Shprehja për përforcimin e tensionit për sinjale të vogla për qarkun i cili përmban
transistor bipolar pnp është plotësisht e njëjtë me atë të qarkut me transistor npn. Nëse
kihen parasysh kahet rrymave dhe polaritetet e tensioneve, amplifikimi i tensionit edhe në
këtë rast ka parashenjën negative që tregon shfazim për 180o në mes të sinjalit hyrës dhe
dalës.

Shembulli 6.1

Për qarkun e amplifikatorit një stadesh me BJT npn në Fig. 6.11, paraqitni modelin për sinjale të
vogla me parametra hibrid  dhe gjeni përforcimin e tensionit Au = vo/vi.
Janë të njohura:  = 100, r = 500, Ri = 1kΩ, RE = 1kΩ, ndërsa ro të mos merret në konsideratë.

Fig. 6.11
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 199

Zgjidhje

Nga skema ekuivalente e transistorit bipolar për sinjale të vogla (Fig. 6.5), qarku i mësipërm me
parametra hibrid për sinjale të vogla është si më poshtë:

Nga Ligji i Parë i Kirkofit mund të shkruajmë:

ie  ib    ib  (1   )  ib

Rënja e tensionit në dalje (në rezistencën RE) është:

vo  (1   )ib  RE

Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën hyrëse është:

vo  ib  ( R i  r )  vi

vi  ib  ( Ri  r  (1   ) RE )
uo
Amplifikimi i tensionit llogaritet: Au 
ui
ib  (1   ) RE
Au   0,985
ib  ( Ri  r  (1   ) RE )

Shembulli 6.2

Llogaritni përforcimin e tensionit për sinjale të vogla në qarkun me transistor në Fig. 6.12. Parametrat
e qarkut janë: β = 100. VCC = 12 V, VBE = 0.7 V, RC = 6 kΩ, RB = 50 kΩ, dhe VBB = 1.2 V.

Fig. 6.12
200
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Zgjidhje

Zgjidhja DC: Supozojmë se BJT punon në modin aktiv. E gjejmë pikën e punës në modin DC, duke
lidhur shkurt gjeneratorin e sinjaleve, ndërsa kondensatorët paraqesin qark të hapur. Në shembullin
tonë nuk ka kondensatorë.

VBB  VBE 1.2  0.7

I BQ    10 A
RB 50

Kështu që:
ICQ   I BQ  100 10 A  1mA

Atëherë,

VCEQ  VCC  RC ICQ  12  1 6  6V

Nga zgjidhja e fituar, konstatojmë se supozimi ishte me vend sepse transitori është në modin aktiv të
punës sepse VBE > 0 dhe VBC < 0

Zgjidhja AC: Parametrat hibrid π për sinjale të vogla janë nga relacioni (6.4) dhe (6.9) janë:

VT 26 mV
r    2.6 k 
I BQ 10  A
ICQ 1mA
gm    38.5 mA / V
VT 26 103V
Përforcimi tensionit për sinjale të vogla caktohet nga qarku ekuivalent në Fig. 6.13, ashtu që në modin
AC burimet e tensionit njëkahorë lidhen shkurt.

Fig. 6.13

Nga qarku i daljes dh i hyrjes, në pajtim me relacionet kemi relacionet (6.15), (6.16) dhe (6.17),
nxjerrim përfundimisht që:

Vo r
Av    ( gm  RC )  11.4
Vs r  RB

Koment: Nga rezultati i fundit shihet që amplituda e tensionit sinusoidal në dalje është 11.4 herë
amplitude e tensionit sinusoidal në hyrje.
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 201

6.1.2 Qarku ekuivalent i transistorit bipolar për sinjale të vogla me

parametra hibrid – h

Një model tjetër i qarkut ekuivalent të transistorit bipolar për sinjale të vogla, i cili
zbatohet më shpesh, shfrytëzon parametrat –h, të cilët lidhin rrymat dhe tensionet e
terminaleve të qarkut dypolar. Këta parametra zakonisht i japin prodhuesit e transistorëve në
tabelën e të dhënave dhe janë të përshtatshëm sepse mund të caktohen eksperimentalisht në
frekuenca të ulëta.

Në Fig. 6.14(a) janë paraqitur rrymat dhe tensionet e terminaleve të transistorit në

konfiguracion me emiter të përbashkët.

ib hie ic
B
ib +
+
C
+
vce
+
vbe vbe hrevce +
- hfeib 1/hoe vce
- - - E -

(a) (b)

Fig. 6.14 (a) Transistori me emiter të përbashkët dhe (b) modeli me parametra – h i
transistorit bipolar me emiter të përbashkët

Nëse supozojmë se transistori është i polarizuar në pikën e punës Q në regjionin

aktiv, varësitë lineare në mes të rrymave dhe tensioneve të terminaleve për sinjale të vogla
mund të shkruhen si

Vbe  hie I b  hreVce (6.25(a))

Ic  hfe Ib  hoeVce (6.25(b))

Këto janë ekuacionet definuese të parametrave –h për emiter të përbashkët, ku

indekset janë: i për hyrje (angl. input), r për revers, f për përparmë (angl. forëard) o për dalje
(angl. output) dhe e për emiter të përbashkët. Këto ekuacione mund të shfrytëzohen për
gjenerimin e qarkut ekuivalent për sinjale të vogla me parametra –h, siç është paraqitur në
Fig. 6.14(b). Ekuacioni 6.25(a) paraqet ligjin e Kirchhoff-it për tensione (ligji i dytë i
Kirchhoff-it) në hyrje, dhe rezistenca hie është në seri me burimin e varur të tensionit hreVce.
Ekuacioni 6.25(b) paraqet ligjin e Kirchhoff-it për rryma (ligji i parë i Kirchhoff-it) në dalje
dhe përçueshmëria hoe është paralel me burimin e varur të rrymës hfeIb.

Pasi që edhe parametrat hibrid- edhe parametrat-h mund të shfrytëzohen për

modelimin e karakteristikave të transistorit të njëjtë, këta parametra nuk janë të pavarur në
mes veti. Relacionet në mes të parametrave hibrid- dhe parametrave –h mund të nxjerrën
nga qarku ekuivalent në Fig. 6.8(b). Rezistenca hyrëse për sinjale të vogla hie, nga
ekuacioni 6. 25(a) mund të shkruhet si
202
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Vbe
hie  Vce  0 (6.26)
Ib

ku tensioni i vogël C-E mbahet zero. Me tensioni C-E të barabartë me zero, qarku nga Fig.
6.8(b) mund të transformohet në qarkun në Fig. 6.14. Nga kjo figurë shihet se

hie  r (6.27)

Parametri hfe është përforcimi i rrymës për sinjale të vogla. Nga ekuacioni 6.25(b),
ky parametër mund të shkruhet si

Ic
h fe  Vce  0 (6.28)
Ib
B C

Ib + Ic
Vbe +
V r gmV ro
-
-

E
Fig. 6.15 Qarku ekuivalent me lidhje të shkurtë në dalje

Pasi që tensioni kolektor–emiter është përsëri zero, nga Fig. 6.15 rryma e kolektorit është

I c  g mV (6.29)

dhe

V  I b r (6.30)

prandaj parametri hfe është

Ic
h fe  Vce  0  g m r   (6.31)
Ib

Pra, në frekuenca të ulëta, përforcimi i rrymës për sinjale të vogla në shumicën e rasteve
është i barabartë me .

Parametri hre quhet herësi i riveprimit të tensionit, dhe mund të shkruhet si

Vbe
hre  Ib  0 (6.32)
Vce

Pasi që rryma e sinjalit të bazës është zero, qarku nga Fig. 6.7(b) transformohet në qarkun në
Fig. 6.16, nga i cili mund të shihet se
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 203

Vbe  0 (6.33)

Prandaj

Vbe
hre  Ib  0 0 (6.34)
Vce

dhe ky parametër praktikisht është zero dhe zakonisht mund të mos përfillet.

Parametri i katërt është admitanca dalëse për sinjale të vogla hoe. Nga ekuacioni
6.25(b) mund të shkruhet

Ic
hoe  Ib  0 (6.35)
Vce

B C

Ib =0 + Ic
r gmV +
V ro -
Vce
-

Fig. 6.16 Qarku ekuivalent hibrid- me qark të hapur në hyrje

Pasi që sinjali i rrymës së bazës në hyrje është përsëri zero, ekuacioni i ligjit të Kichhoff-it
për rrymë në nyjën dalëse jep

Vce
I c  g mV  (6.36)
ro

Pasi që anëtari i parë në shprehjen e fundit është zero, parametri hoe është

Ic 1
hoe  Ib  0  (6.37)
Vce ro

Parametrat-h për transistorin pnp definohen në mënyrën e njëjtë si ato për

komponentin npn. Gjithashtu edhe skema ekuivalente për sinjale të vogla për transistorin
pnp me parametra-h është identike me atë të komponentit npn, përveç që kahet e rrymave
dhe polaritetet e tensioneve janë të kundërta.

Në vazhdim janë dhënë të dhënat për një transistor në formën standarde që i japin
prodhuesit e komponentëve elektronik.
204
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Fig. 6.17 Tabela e të dhënave themelore për transistorin bipolar 2N2222 të prodhuesit
National Semiconductor
6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 205

Fig. 7.15 Vazhdim i Fig. 7.14

Fig. 6.18 Vazhdim i Fig. 6.17
206
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

6.2 KONFIGURACIONET THEMELORE TË AMPLIFIKATORIT

ME TRANSISTOR

Siç u diskutua në kapitujt paraprak, transistori është komponent me tri terminale. Tri
konfiguracionet themelore të amplifikatorit me një transistor mund të formohen varësisht
nga ajo se cili nga terminalet e transistorit është shfrytëzuar për tokëzim të sinjalit. Këto
konfiguracione themelore quhen me emiter të përbashkët, me kolektor të përbashkët dhe
me bazë të përbashkët. Se cili konfiguracion ose amplifikator do të shfrytëzohet në
zbatime të veçanta, varet se a është sinjali hyrës tension apo rrymë dhe nga tensioni i
dëshiruar në dalje që gjithashtu mund të jetë tension ose rrymë.
RS

+
vS _ iS RS

(a) (b)
Fig. 6.19 Burimi i sinjalit hyrës i modeluar si (a) qark ekuivalent i Thevenin-it dhe (b) qark
ekuivalent i Norton-it

Tabela 6.1 Qarqet ekuivalente

Tipi Qarku ekuivalent Vetitë përforcuese
Amplifikator i tensionit Ro io Tensioni dalës
proporcional me
+ + tensionin hyrës

vi + Avovi vo
Ri _

- -

Amplifikator i rrymës ii io Rryma dalëse

proporcionale me
+ rrymën hyrëse

Ri Aisii Ro vo

Amplifikator i io Rryma dalëse

transkonduktansës proporcionale me
+ + tesnionin hyrës

vi Ri GmSvi Ro vo

- -

Amplifikator i Tesnioni dalës

ii Ro io
transrezistencës proporcional me
+ rrymën hyrëse

Ri + Rmoii vo
_
-
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 207

Burimi i sinjalit në hyrje mund të modelohet si qark ekuivalent i Thevenin-it ose i

Norton-it. Në Fig. 6.19(a) është paraqitur burimi ekuivalent i Thevenin-it i cili mund të
paraqet sinjal të tensionit, si p.sh. dalja e mikrofonit. Burimi i tensionit vS paraqet tensionin e
gjeneruar nga mikrofoni. Rezistenca RS quhet rezistenca dalëse e burimit dhe merret
parasysh në ndryshimin e tensionit në dalje kur burimi furnizon me rrymë. Fig. 16.16(b)
paraqet burimin ekuivalent të Norton-it i cili është sinjal i rrymës, si p.sh. dalja e një
fotodiode. Burimi i rrymës iS paraqet rrymën e gjeneruar nga fotodiode dhe rezistenca RS
është rezistenca dalëse e burimit të sinjalit.

Secili nga tre amplifikatorët themelor me transistor mund të modelohet si qark me dy

porta si në njërën nga katër konfiguracionet të paraqitura në Tabelën 6.1. ne do t’i
përcaktojmë parametrat e përforcimit si Avo, Aio, Gmo dhe Rmo, për secilin nga tri llojet e
amplifikatorëve me transistor. Këta parametra janë të rëndësishëm sepse ata caktojnë
amplifikimin e amplifikatorit. Ndërkaq, do të shohim se edhe rezistenca hyrëse dhe dalëse Ri
dhe Ro janë gjithashtu të rëndësishme në projektimin e këtyre amplifikatorëve.

RS Ro
+ +
vS +_ vi Ri + Avovi vo RL
_

- -

Qarku ekuivalent i Qarku ekuivalent i Qarku ekuivalent i

mikrofonit amplifikatorit ngarkesës

Fig. 6.20 Qarku ekuivalent i paraamplifikatorit

Nëse dëshirojmë të projektojmë amplifikator të tensionit (paraamplifikator) ashtu që

p.sh të amplifikohet tensioni i daljes së mikrofonit, qarku i përgjithshëm ekuivalent mund të
dukej si Fig. 16.20 tensioni në hyrje të amplifikatorit është i dhënë me

Ri
vin   vS (6.38)
Ri  RS

Në përgjithësi, ne do të dëshironim që tensioni hyrës i amplifikatorit të jetë sa është e

mundur më afër vlerës së tensionit të burimit vS. Kjo do të thotë, nga ekuacioni i fundit, se
duhet të projektohet amplifikatori i tillë që rezistenca hyrëse Ri të jetë shumë më e madhe se
rezistenca dalëse e burimit të sinjalit RS. (Rezistenca dalëse e burimit ideal të tensionit është
zero, por nuk është zero për shumicën e burimeve praktike të tensionit) për të siguruar një
përforcim të caktuar të tensionit, amplifikatori duhet të ketë një parametër të përforcimit Avo
me vlerë të gjegjëse.

Tensioni dalës që i do dorëzohet ngarkesës (ku ngarkesa mund të jetë stadi i dytë i
amplifikatorit të fuqisë) është

RL
vo   Avovin (6.39)
RL  Ro
208
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Është e dëshirueshme që tensioni dalës në ngarkesë të jetë i barabartë me tensionin

ekuivalent të Thevenin-it të gjeneruar nga amplifikatori. Kjo do të thotë se na duhet
Ro RL për amplifikator të tensionit. Prandaj për amplifikator të tensionit rezistenca dalëse
duhet të jetë shumë e vogël.

Për amplifikator të rrymës, kërkohet që të jetë Ri RS dhe Ro RL . Duhet të

theksohet se këtu do të shfrytëzohen qarqet me dy porta nga Tabela 6.1 për modelimin e
amplifikatorëve me një transistor. Por, këto qarqe ekuivalente gjithashtu shfrytëzohen për
modelimin e qarqeve me shumë transistorë.

6.3 AMPLIFIKATORI NË KONFIGURACION ME EMITER TË

PËRBASHKËT

Në këtë seksion do të analizohet amplifikatori i parë nga tre amplifikatorët themelor

– qarku me emiter të përbashkët. Gjatë analizës do të shfrytëzohet qarku ekuivalent i
transistorit të cilin e kemi zhvilluar më parë. Në përgjithësi, do të shfrytëzohet modeli
hibrid-si më i përshtatshëm.

6.3.1 Qarku themelor i amplifikatorit me emiter të përbashkët

Në Fig. 6.21 është paraqitur qarku themelor me emiter të përbashkët me polarizim
me ndarës të tensionit.

Fig. 6.21 Qarku themelor me emiter të përbashkët me polarizim me ndarës të tensionit dhe
me një kapacitet të kuplimit

Nga figura shihet se emiteri është përtokësuar prej nga edhe vjen emri me emiter të
përbashkët. Sinjali nga burimi i sinjalit është lidhur në bazë përmes kapacitetit të kuplimit
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 209

CC, i cili siguron izolim për komponentët njëkahore në mes amplifikatorit dhe burimit të
sinjalit. Polarizimi njëkahor i transistorit është siguruar me R1 dhe R2, dhe ky polarizim nuk
trazohet kur burimi i sinjalit lidhet përmes kapacitetit në amplifikator.

Nëse sinjali i burimit është tension sinusoidal me frekuencë f, atëherë moduli i

impedancës së kapacitetit është ZC  [1/ 2 fCC ] . P.sh. nëse është CC =10 F dhe f = 2 kHz,
do të kemi

1 1
ZC    8      
2 fCC 2 (2 x10 )(10 x106 )
3

Moduli i kësaj impedance është më i vogël se rezistenca ekuivalente e Thevenin-it

në terminalet e kapacitetit, e cila në këtë rast është R1 R2 r . Prandaj mund të përvetësojmë
se kapaciteti, në esencë, paraqet lidhje të shkurtë për sinjalet me frekuencë më të lartë se 2
kHz. Ne gjithashtu nuk kemi përfillur asnjë efekt brenda transistorit. Me këto përvetësime,
në këtë kapitull do të supozojmë se frekuenca e sinjalit është mjaftë e lartë ashtu që çfarëdo
kapaciteti i kuplimit do të veprojë si lidhje e shkurtë, dhe është gjithashtu nga ana tjetër
mjaftë e ulët që kapacitetet e brendshme të transistorit të mos përfillen. Frekuencat e tilla
janë frekuencat e mesme ose thjeshtë frekuencat në brezin e mesëm frekuence të
amplifikatorit. Qarku ekuivalent për sinjale të vogla kur kapaciteti i kuplimit paraqet lidhje
të shkurtë është paraqitur në Fig. 6.22.

Fig. 6.22 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla, kur kapaciteti i kuplimit paraqet lidhje të
shkurtë

Shembulli 6.3

Për qarkun në Fig. 6.21 të caktohet përforcimi i tensionit për sinjale të vogla, rezistenca hyrëse dhe
rezistenca dalwse e amplifikatorit. Të përvetësohen parametrat e transistorit: VBE(on) = 0.7 V
dhe VA = 100 V.

Zgjidhje

Së pari duhet të kryhet analiza njëkahore (dc) për caktimin e vlerave të pikës Q. Qarku ekuivalent për
analizën njëkahore është paraqitur në Fig. 6.23, prej nga caktohen tensioni ekuivalent i Thevenin-t
dhe rezistenca ekuivalente.
210
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

R2 12.2
VBB  VCC  10  1.78V dhe
R1  R2 56  12.2

R1R2 12.2  56
RB    10k 
R1  R2 12.2  56

IC
Rc Rc
R1 IB

+
+ + VCE +
_ VCC VBE _ VCC
R1 R2 - -

R2
VBB +
_

Fig. 6.23 Skema ekuivalente për analizën njëkahore

Tensioni VCE caktohet nga kontura në dalje të qarkut dhe është:

VCEQ  VCC  Rc ICQ

Rryma e kolektorit në pikën e qetë të punës Q është

ICQ   I BQ

Rryma e bazës caktohet nga kontura në hyrje të qarkut si

VBB  VBE 1.78  0.7

I BQ    0.108 mA
RB 10

Me zëvendësimin e vlerave të dhëna numerike fitohen këto vlera për koordinatat e pikës Q

ICQ  10.8 mA dhe VCEQ  1.36V

që tregojnë se transistori është polarizuar në brezin aktiv të punës.

Pasi të jetë caktuar pika e punës së transistorit, për analizën e qarkut për kushte alternative (ac) duhet
të caktohet skema ekuivalente me parametrat gjegjës (Fig. 6.22), parametrat e të cilit janë:

VT  (0.025)(100)
r    231.5  
I CQ 10.8 mA

ICQ 10.8 mA VA 100

 gm    432  dhe ro    9.26 k  
VT 0.025 V I CQ 10.8

 Duke u bazuar në skemen ekuavalente (ac) Fig. 6.22, tensioni në dalje është
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 211

vo  ( g mV )(ro RC )

Rryma e varur e gjeneratorit rrymor g mv rrjedh përmes lidhjes paralele të ro dhe RC, por në kah që
krijon tension negativ në dalje. Tensioni v mund të shprehet përmes tensionit hyrës si

 R1 R2 r 
v   v
 R1 R2 r  RS  S
 

Përforcimi i tensionit për sinjale të vogla është

vo  R1 R2 r 
Av    gm   (r R )
vS  R1 R2 r  RS  o C
 

Nga qarku në Fig. 6.22 mund të llogaritet edhe rezistenca hyrëse e amplifikatorit. Shihet se

Ri  R1 R2 r 

 Rezistenca dalëse Ro gjendet duke lidhur shkurt burimin e pavarur vS. Në këtë rast nuk ka ngacmim
në pjesën hyrëse të qarkut, prandaj v  0 , që implikon se edhe g m v  0 (qark i hapur). Rezistenca
dalëse e shikuar nga terminalet e daljes atëherë është:

Ro  ro RC 

6.3.2 Qarku me rezistencë të emiterit

Për qarkun në Fig. 6.21, rezistencat e polarizimit R1 dhe R2 me tensionin VCC krijojnë
rrymën e bazës prej 108 µA dhe rrymën e kolektorit prej 10.8 mA, kur tensioni i kyçjes B-E
është supozuar të jetë 0.7 V. Nëse ndonje element rezistiv i qarkut ndryshon, apo përdoret
ndonje transistor tjetër, atëherë rryma rezultuese e bazës mund të ndryshojë dhe transistori
nga modi aktiv mund të kaloj nga modi aktiv në ngopje. Prandaj, ky qark nuk është praktik
sepse lehtë i ndryshojnë kushtet njëkahore të punës. Për ta përmirësuar këtë të metë, për
realizimin e polarizimit lidhet edhe një rezistencë në qarkun e emiterit si në Fig. 6.24.
212
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Fig. 6.24 Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët me rezistencë të emiterit

Me supozimin se CC paraqet lidhje të shkurtë, në Fig. 6.25 është paraqitur skema

ekuivalente hibride -për sinjale të vogla, ku nuk është marrë parasysh rezistenca dalëse e
transistorit ro. Tensioni dalës është

vo  (  ib ) RC

Për gjetjen e përforcimit për sinjale të vogla, më e përshtatshme është të caktohet së

pari rezistenca hyrëse. Rezistenca Rib është rezistenca hyrëse e shikuar nga baza e
transistorit. Për konturën e bazës mund të shkruhet ky ekuacion

vin  ib r  (ib   ib ) RE

Rezistenca Rib e definuar si

Fig. 6.25 Qarku ekuivalent me një rezistencë të emiterit

vin
Rib   r  (1   ) RE
ib
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 213

Te konfiguracioni me emiter të përbashkët me rezistencë të emiterit, rezistenca hyrëse për

sinjale të vogla shikuar nga baza e transistorit është rplus rezistenca e emiterit e shumëzuar
me faktorin (1+Ky efekt quhet rregulla e reflektimit (pasqyrimit) të rezistencës. Këtë
rezultat do ta shfrytëzojmë më tutje gjatë analizave pa derivim.

Rezistenca hyrëse e amplifikatorit është

Ri  R1 R2 Rib

Përsëri mund të shprehet vin përmes ndarësit të tensionit si

 Ri 
vin     vS
 Ri  RS 

Duke kombinuar ekuacionet e fundit gjejmë se përforcimi i tensionit për sinjale të vogla
është

vo (  ib ) RC v  1 
Av      RC  in    vS 
vS vS  Rb   

ose

  RC  Ri 
Av   
r  (1   ) RE  Ri  RS 

Nga ky ekuacion shohim se, nëse Ri RS dhe (1   ) RE r , atëherë përforcimi për

sinjale të vogla është përafërsisht

 RC R
Av   C
(1   ) RE RE

Nga shprehjet për përforcimin e tensionit shihet se ky përforcim tani më pak varet
nga  se në rastin kur nuk kishim rezistencë të emiterit, që do të thotë se do të ketë
ndryshime të vogla në amplifikimin e tensionit me ndryshimin e faktorit të amplifikimit
transistorit por kjo përparësi shkon në llogari të amplifikimit më të vogël.

6.3.3 Qarku me kapacitet të urëzimit të emiterit

Ka raste kur rezistenca e emiterit duhet të jetë shumë e madhe për nevoja të
projektimit të kushteve njëkahore, por kjo e degradon dukshëm përforcimin e tensionit për
sinjale të vogla. Prandaj për evitimin e humbjeve të panevojshme të sinjaleve alternative,
rezistenca e emiterit pjesërisht ose në tërësi mund të urëzohet me një kapacitet siç është
paraqitur në Fig. 6.26. Rezistencat RE1 dhe RE2 janë faktorë për kushtet njëkahore të punës së
214
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

transistorit, por vetëm RE1 është pjesë e qarkut ekuivalent për sinjale alternative, sepse RE2
është i lidhur shkurt në masë përmes kapacitetit CE.

V+=+5 V

RC

RS

CC
RB
RE1

RE2 CE

V-= -5 V

Fig. 6.26 Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët me kapacitet të emiterit për urëzim
të rezistencës së emiterit

6.4 ANALIZA E DREJTËZËS ALTERNATIVE TË PUNËS

Drejtëza njëkahore e punës (dc) tregon mënyrën e vizuelizimit të lidhjes në mes të
pikës së punës Q dhe karakteristikave të transistorit. Kur në qarkun e transistorit janë të
lidhura edhe kapacitetet, do të kemi drejtëz të re efektive të punës, e cila quhet drejtëza
alternative e punës (ac). Kjo drejtëz ndihmon në vizuelizimin e lidhjes në mes të përgjigjes
së qarkut për sinjale të vogla dhe karakteristikave të transistorit. Regjioni i punës për sinjale
alternative tani është në drejtëzën alternative.

6.4.1 Drejtëza alternative e punës

Qarku në Fig. 6.27 ka rezistenca të emiterit dhe kapacitet të urëzimit të emiterit.

Drejtëza njëkahore e punës gjendet me ligjin e Kirchhoff-it për tensione në konturën C-E si
V   IC RC  VCE  I E ( RE1  RE 2 )  V 
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 215

V+=+5 V

RC

RS

CC
RB
RE1

RE2 CE

V-= -5 V

Fig. 6.27 Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët me kapacitet të emiterit për urëzim
të rezistencës së emiterit

Nëse marrim parasysh se I E  [(1   ) /  ]I C , ekuacioni i fundit mund të shkruhet si

  1   
VCE  (V   V  )  I C  RC    ( RE1  RE 2 ) 
    
dhe paraqet ekuacionin e drejtëzës njëkahore të punës e cila është paraqitur në Fig. 6.28 me
kushtin që  1 .
1
Drejtëza njëkahore e punës, pjerrtësia 
RC  RE1  RE 2
1
Drejtëza alternative e punës, pjerrtësia 
RC  RE1

Koha

Koha

Koha

Fig. 6.28 Drejtëza njëkahore dhe alternative e punës për amplifikatorin me emiter të
përbashkët

Për analizën e qarkut për sinjale të vogla do të përdoret skema ekuivalente e

paraqitur në Fig. 6.29, ku impedansat e kapaciteteve janë trajtuar si lidhje të shkurta dhe
janë lidhur shkurtë burimet e tensioneve njëkahore të furnizimit.
216
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

RS +
+ vo
+
v
_ ce
ic

+ vbe _
vS _
ib

ie RE1 RC

Fig. 6.29 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla

Për këtë qark, ekuacioni i ligjit të Kirchhoff-it për tensione në konturën C-E jep

ic RC  vce  ie RE1  0

Ose, nëse merret se ic  ie , atëherë

vce  ic ( RC  RE1 )

Ky ekuacion paraqet drejtëzën alternative të punës. Pjerrtësia e kësaj drejtëze është

1
Pjerrtësia 
RC  RE1

Drejtëza alternative e punës është paraqitur gjithashtu në Fig. 6.28. Kur vce  ic  0 ,
qarku është në pikën e qetë të punës Q. Kur janë prezentë edhe sinjalet alternative, pika e
punës devijon rreth kësaj pike në drejtëzën alternative.

Pjerrtësia e drejtëzës alternative të punës ndryshon nga ajo e drejtëzës njëkahore

sepse rezistenca e emiteri është lidhur shkurtë për sinjale të vogla. Në këtë rast tensioni C-E
dhe rryma e kolektorit janë vetëm funksione të RC dhe RE1.

Kur në hyrje të amplifikatorit zbatohet tensioni simetrik sinusoidal, në dalje do të

gjenerohet tension sinusoidal simetrik për derisa veprimi i amplifikatorit mbetet linear. Me
drejtëzën alternative të punës caktohet zhvendosja maksimale simetrike e daljes. Nëse
dalja e tejkalon këtë zhvendosje, një pjesë e sinjalit në dalje do të prehet dhe do të paraqitet
shtrembërimi i sinjalit.

6.5 AMPLIFIKATORI ME KOLEKTOR TË PËRBASHKËT

(EMITTER-FOLLOWER)
Tipi i dytë i amplifikatorit me transistor është qarku me kolektor të përbashkët. Një
shembull i këtij qarku është paraqitur në Fig. 6.30 . Nga figura mund të shihet se sinjali
dalës merret nga emiteri dhe kolektori është i kyçur direkt në VCC. Pasi që tensioni i burimit
VCC lidhet në masë te qarku ekuivalent alternativ, qarku quhet me kolektor të përbashkët.
Por ky qark shumë shpesh quhet edhe emitter follower. Arsyen për këtë do ta shohim nga
analiza në vazhdim.
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 217

Fig. 6.30 Qarku i amplifikatorit me kolektor të përbashkët

6.5.1 Amplifikimi i tensionit

Analiza njëkahore është plotësisht e njëjtë siç e kemi parë më parë, prandaj do të
ndalemi vetë te analiza për sinjale të vogla alternative dhe do të përdoret modeli hibrid- .
me supozimin se CC vepron si lidhje e shkurtë, në Fig. 6.31 është paraqitur skema
ekuivalente e qarkut nga Fig. 6.30 për sinjale të vogla. Terminali i kolektorit është në masë
dhe rezistenca dalëse e transistorit ro është paralel me burimin e varur të rrymës.

Fig. 6.31 Qarku ekuivalent i amplifikatorit me kolektor të përbashkët për sinjale të vogla

Në Fig. 6.32 është dhënë qarku i njëjtë ekuivalent i aranzhuar asisoj që të masat e
sinjaleve janë lidhur në pikë të njëjtë.
218
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Ri Rib Ro
RS B r E

+ + v

- io ie
vo
+ ii ib
vS _ vin ib ro RE
R1 R2
- C

Fig. 6.32 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla e amplifikatorit me kolektor të përbashkët

Nga qarku i fundit shihet se

io  (1   )ib

ashtu që tensioni dalës mund të shkruhet si

vo  ib (1   )(ro RE )

Nëse shkruajmë ligjin e Kirchhoff-it për konturën B-E do të fitohet

vin  ib [r  (1   )(ro RE )]

ose

vin
Rib   r  (1   )(ro RE )
ib

Gjithashtu mund të shkruhet

 Ri 
vin     vS , ku Ri  R1 R2 Rib .
 Ri  RS 

Amplifikimi i tensionit gjendet me kombinimin e ekuacioneve të fundit si

vo (1   )(ro RE )  Ri 
Av    
vS r  (1   )(ro RE )  Ri  RS 

Nëse analizohet shprehja për amplifikimin e tensionit shohim se ky amplifikim është

diç më e vogël se 1 dhe se është pozitiv. Kjo do të thotë se sinjali i tensionit dalës në emiter
është në fazë me sinjalin e tensionit hyrës, prandaj edhe ky amplifikator quhet edhe emitter
folloëer. Tensioni në dalje është pothuajse i njëjtë me tensionin hyrës. Në shikim të parë,
amplifikatori i këtillë me përforcim të tensionit rreth 1 duket se nuk paraqet ndonjë vlerë të
posaçme. Por, karakteristikat e rezistencës hyrëse dhe dalëse e bëjnë këtë qark
jashtëzakonisht të dobishëm në shumë zbatime, siç do të tregohet në seksionin në vijim.
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 219

6.5.2 Impedanca hyrëse dhe dalëse

Impedanca hyrëse, ose rezistenca hyrëse për sinjale të vogla, e amplifikatorit me

kolektor të përbashkët caktohet në mënyrë të njëjtë si për qarkun me emiter të përbashkët.
Për qarkun nga 6.31, rezistenca hyrëse e shikuar nga baza është shënuar me Rib dhe është
paraqitur në Fig. 6.32, dhe kjo rezistencë është e barabartë me

Rib  r  (1   )(ro RE )

Pasi që rryma e emiteri është (1+) herë rryma e bazës, impedanca efektive në
emiter është e shumëzuar me (1+). Efekti i njëjtë është vërejtur edhe kur është lidhur
rezistenca në emiter te qarku me emiter të përbashkët. Ky shumëzim me (1+) edhe në këtë
rast quhet rregulla e pasqyrimit të rezistencës.

Qarku në Fig. 6.33 mund të shfrytëzohet për gjetjen e rezistencës dalëse të

amplifikatorit me kolektor të përbashkët i shikuar nga terminalet e daljes. Burimi i pavarur i
tensionit barazohet me zero ( vS  0 ), që do të thotë se vs vepron si lidhje e shkurtë. Në
terminalet dalëse zbatohet një tension test vx dhe rryma rezultuese është ix. Rezistenca
v
dalëse, Ro, është e definuar si Ro  x
ix

Ro
RS B r E

+ v

- ix
gmv ro RE +
_ vx
R1 R2
C

Fig. 6.33 Qarku ekuivalent i amplifikatorit me kolektor të përbashkët për llogaritjen e

rezistencës dalëse

Në këtë rast tensioni v nuk është zero, por është funksion i sinjalit vx. Gjatë kësaj analize
duhet të merret edhe burimi i varur i rrymës gmv. Nëse mblidhen rrymat në nyjën e daljes,
do të kemi:

vx v vx
ix  g m v   x 
RE ro r  R1 R2 RS

Tensioni v mund të shprehet përmes tensionit vx si

 r 
v    v
 r  R R R  x
  1 2 S 

Rryma ix është
220
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

 g m r  v v vx
ix   v  x  x 
 r  R R R  x R ro r  R1 R2 RS
  1 2 S  E

Nëse rikujtohemi se g m r   , do të gjejmë

ix 1 1  1 1
    ose
vx Ro r  R1 R2 RS RE ro

 r  R1 R2 RS 
Ro     RE ro
 1   

Ekuacioni i fundit tregon se rezistenca dalëse e shikuar nga terminalet e daljes është
rezistenca efektive në emiter, RE ro , paralel me rezistencën e emiterit shikuar nga ana e
hyrjes së qarkut. Nga ana tjetër, rezistenca nga ana e emiterit është rezistenca e tërësishme e
qarkut të bazës e pjesëtuar me (1+). Ky rezultat është shumë i rëndësishëm dhe është e
kundërta e rregullit të pasqyrimit të rezistencës shikuar nga baza.

Impedanca hyrëse e amplifikatorit me kolektor të përbashkët e shikuar nga ana e

bazës është dukshëm më e madhe se qarkut me emiter të përbashkët për shkak të faktorit
(1+). Kjo është një përparësi e qarkut me kolektor të përbashkët. Ndërkaq, në këtë rast
rezistenca hyrëse e shikuar nga burimi i sinjalit, dominohet nga rezistencat e polarizimit R1
dhe R2. Për tu siguruar rezistenca e lartë hyrëse e qarkut me kolektor të përbashkët gjatë
projektimit rezistencat e polarizimit duhet të merren me vlera sa më të mëdha.

Amplifikatori me kolektor të përbashkët ndonjëherë quhet edhe transformator i

impedancës, sepse impedanca hyrëse është e lartë, ndërsa ajo dalëse e ulët. Rezistenca
shumë e ulët dalëse bënë që ky amplifikator të sillet si një burim ideal i tensionit. Për këtë
arsye amplifikatori me kolektor të përbashkët shpesh përdoret si stad dalës i amplifikatorëve
shumë stadesh.

6.5.3 Amplifikimi i rrymës

Amplifikimi i rrymës për sinjale të vogla te amplifikatori me kolektor të përbashkët
mund të caktohet duke shfrytëzuar rezistencën hyrëse dhe konceptin e ndarësit të rrymës.
Amplifikimi i rrymës, nga Fig. 6.34 është

ie
Ai 
ii

ku ie dhe ii janë rryma dalëse gjegjësisht ajo hyrëse.

 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 221

Ri Rib Ro
RS B r E

+ + v

- io ie
vo
+ ii ib
vS _ vin ib ro RE
R1 R2
- C

Fig. 6.34 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla e amplifikatorit me kolektor të përbashkët

Duke shfrytëzuar ekuacionin e ndarësit të rrymës, rryma e bazës mund të shprehet

përmes rrymës së hyrjes si

 R1 R2 
ib  
 R R  R  i
i
 1 2 ib 

Pasi që g m v   ib , atëherë

 R1 R2 
io  (1   )ib  (1   ) 
 R R  R  i
i
 1 2 ib 

Nëse rryma e ngarkesës shprehet përmes rrymës së daljes fitohet

 ro 
ie    io
 ro  RE 

Me kombinimin e dy ekuacioneve të fundit fitohet amplifikimi i rrymës për sinjale të vogla

si

ie  R1 R2   ro 
Ai   (1   ) 
 R R  R   r  R 
ii  1 2 ib   o E 

Nëse është R1 R2 Rib dhe ro RE , atëherë

Ai  (1   )

Pra, amplifikimi i rrymës te ky konfiguracion i amplifikatorit është i njëjtë me amplifikimin

e rrymës të vet transistorit.

Derisa amplifikimi i tensionit te amplifikatori me kolektor të përbashkët është më i

vogël se 1, amplifikimi i rrymës është më i madh se 1. Por, te ky qark amplifikimi i fuqisë
është i vogël.
222
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Edhe pse te amplifikatori me emiter të përbashkët nuk është llogaritur në mënyrë

eksplicite amplifikimi i rrymës, kjo analizë është e njëjtë si te qarku me kolektor të
përbashkët dhe në përgjithësi është më lartë se 1.

6.6 AMPLIFIKATORI ME BAZË TË PËRBASHKËT

Qarku i tretë i amplifikatorit është qarku me bazë të përbashkët. Për ta caktuar

amplifikimin e tensionit dhe të rrymës si dhe rezistencës hyrëse dhe dalëse, do të
shfrytëzohet qarku i njëjtë ekuivalent me modelin hibrid- i transistorit që është shfrytëzuar
në rastet paraprake. Analiza njëkahore e qarkut me bazë të përbashkët është e njëjtë me atë
të qarkut me emiter të përbashkët.

6.6.1 Amplifikimi i rrymës dhe i tensionit për sinjale të vogla

Në Fig. 6.35 është paraqitur qarku me bazë të përbashkët, ky baza është e lidhur në
masë dhe sinjali hyrës zbatohet në emiter. Ngarkesa është e lidhur në dalje të qarkut përmes
kapacitetit të kuplimit CC2.

Fig. 6.35 Qarku themelor me bazë të përbashkët

Fig. 6.36 (a) modeli i thjeshtuar i transistorit npn dhe (b) qarku ekuivalent për sinjale të
vogla i amplifikatorit me bazë të përbashkët

Në Fig. 6.36(a) është paraqitur përsëri modeli hibrid-i transistorit npn, ku

rezistenca dalëse transistorit ro është konsideruar të jetë e pafundme. Në Fig. 6.36(b) është
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 223

paraqitur qarku ekuivalent i amplifikatorit me bazë të përbashkët me modelin hibrid- të

transistorit. Për shkak të konfiguracionit me bazë të përbashkët, modeli hibrid- në qarkun
ekuivalent mund të duket pak i çuditshëm.

Tensioni dalës është

vo  ( g mv )( RC RL )

Nga ligji i Kirchhoff-it për rryma në nyjën e emiterit fitohet

v v vS  (v )
gmv    0
r RE RS

Pasi që g m v   ib , atëherë

1  1 1  vS
v    
 r RE RS  RS

dhe

vS  r  
v     RE RS 
RS  1    

Duke e zëvendësuar ekuacionin e fundit në shprehjen për tensionin dalës, amplifikimi i

tensionit fitohet si

vo  R R   r  
Av    g m  C L     RE RS 
vS  RS   1    

Mund të tregohet se kur RS i afrohet zeros, amplifikimi i tensionit bëhet

Av  gm ( RC RL )

Fig. 6.36(b) mund të shfrytëzohet gjithashtu edhe për caktimin e amplifikimit të rrymës të
definuar si Ai  io / ii . Sipas ligjit të Kirchhoff-it për rryma në nyjën e emiterit do të kemi

v v
ii   g m v    0
r RE

Prej nga fitohet tensioni v si

 r  
v  ii    RE 
 1    

Rryma e ngarkesës është e dhënë me

224
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

 RC 
io  ( g m v )  
 RC  RL 

Duke i kombinuar dy ekuacionet e fundit, fitohet shprehja për amplifikimin e rrymës në

formën
i  RC   r  
Ai  o  g m     RE 
ii  RC  RL   1    

Nëse e marrim rastin kufitar kur RE merr vlerë të pafundme dhe RL i afrohet vlerës zero,
atëherë amplifikimi i rrymës bëhet amplifikimi i rrymës për lidhje të shkurtë i dhënë me

g m r 
Aio   
1  1 

ku është amplifikimi i rrymës së transistorit me bazë të përbashkët

Nga ekuacionet e nxjerra për amplifikimin e tensionit dhe të rrymës përfundohet se

amplifikimi i tensionit është më i madh se 1 ndërsa amplifikimi i rrymës më i vogël se 1.
Zbatimet qarkut me bazë të përbashkët kanë përparësi në karakteristikat e rezistencës
hyrëse dhe dalëse.

6.6.2 Impedanca hyrëse dhe dalëse

Në Fig. 6.37 është paraqitur qarku ekuivalent i konfiguracionit me bazë të
përbashkët i shikuar nga ana e emiterit. Në këtë qark, vetëm për lehtësim të analizës, e kemi
investuar polaritetin e tensionit vi cili pastaj e ndryshon edhe kahun e burimit të varur të
rrymës.

Fig. 6.37 Qarku ekuivalent për llogaritje të rezistencës hyrëse

Rezistenca hyrëse e shikuar nga emiteri është

v
Rie 
ii
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 225

Sipas ligjit të Kirchhoff-it për rryma në hyrje do të kemi

v 1  
ii  ib  g m v   g m v  v  
r  r 

prandaj

v r
Rie     re
ii 1  

Rezistenca e shikuar nga emiteri, me bazë të përtokëzuar, zakonisht definohet si re dhe është
mjaftë e vogël, siç është treguar te analiza e qarkut me emiter të përbashkët. Nëse sinjali
hyrës është burim i rrymës, atëherë është e dëshirueshme rezistenca e vogël hyrëse.

Fig. 6.38 Qarku ekuivalent për llogaritje të rezistencës dalëse të amplifikatorit me bazë të
përbashkët

Në Fig. 6.38 është paraqitur qarku ekuivalent për llogaritjen e rezistencës dalëse.
Burimi i pavarur i tensionit vS është barazuar me zero dhe kjo implikon që v  0 . Sipas
ligjit të Kirchhoff-it për rryma në emiter gjendet

v v v
g m v    0
r RE RS i

Pasi që v  0 , rezistenca dalëse e shikuar nga terminalet e daljes është

Ro  RC

Pasi që kemi supozuar se ro ka vlerë të pafundme, rezistenca dalëse e shikuar nga

terminali i kolektorit është e pafundme, që do të thotë se qarku me bazë të përbashkët sillet
si një burim ideal i rrymës, dhe ky qark është shumë i dobishëm kur sinjali hyrës është
rrymë.
226
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Shembulli 6.4

Për përforcuesin në Fig. 6.41 janë të njohura: UCC = 15 V, Rg = 500 Ω, R1 = 27 kΩ, R2 = 15 kΩ, RC =
2.7kΩ, RE = 2.2 kΩ dhe Rsh = 2 kΩ. Parametrat e transistorit NPN janë β ≈ hfe = 120, UBE = 0.7 V dhe
UA = 220 V. Ekuivalenti temperaturor i tensionit është UT = 25 mV. Gjeni:
a) Au  uo / ui b) Ai  io / ii c) Avg  uo / ug d) Ri

Fig. 6.41

Zgjidhje

Që të gjejmë parametrat e skemës ekuivalente të BJT-së së pari duhet të gjejmë pikën e punës.
Skema ekuivalente e qarkut në modin DC është si më poshtë:

Ku janë:
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 227

R2 R1  R2
U BB   UCC  5.36 V dhe RB  R1 || R2   9.64 k
R1  R2 R1  R2
Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën e bazës është:

U BB  U BE  RB  I B  (  1) RE  I B

Nga ekuacioni i fundit gjejmë rrymën e bazës në pikën e punës

U BB  U BE
IB   16.88 A
RB  (  1) RE

Rryma e kolektorit është:

I CQ    I BQ  120  16,88  A  2.03 mA

Ndërsa,

UT 25 mV
r    1.48 k 
I BQ 16.88  A
UA 220
ro    108.374 k 
I CQ 2.03 103
h fe 120
gm    81.08 mA / V
r 1.48 103

a) Llogaritja e amplifikimit të tensionit Au = Uo / Ui

Pasi kondensatorët në modin AC paraqesin lidhje të shkurta, rezistenca emiteriale do të lidhet

shkurtë. Skema ekuivalente do të jetë si më poshtë:

uo   gm  ube  ro || Rc || Rsh , Pasi ui  ube

uo  g m  ube  ro || Rc || Rsh
AV     g m  ro || Rc || Rsh
ui ube
AV  81,08  10 3  2,7  103 || 2  103  93.155

ro nuk e morëm në konsideratë pasi ka vlerë dukshëm më të madhe se RC dhe Rsh dhe nuk ndikon në
rezultatin final në ketë lidhje paralele!
228
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

io
b) Llogaritja e amplifikimit të rrymës Ai 
ii
uo ui
io  , ndërsa ii 
Rsh RB || r
uo
i Rsh u R || r
Ai  o   o  B   93.15  0.64   59.61
ii ui ui Rsh
RB || r
c) Llogaritja e amplifikimit Avg

uo uo ui
AVg   
u g ui u g
RB || r
ui  ug 
RB || r  Rg
RB || r
ug 
uo ui RB || r  Rg RB || r
AVg    AV   AV    67
ui u g ug RB || r  Rg

d) Llogaritja e rezistencës hyrëse

ui 9.64  1.48
Ri   RB || r   1.28 k
ii 9.64  1.48

Shembulli 6.5

Për qarkun me emiter të përbashkët në Fig. 6.42 janë të njohura: hfe = 100, rπ = 100 Ω, RF = 150 kΩ si
dhe RC = RL = 2 kΩ . Gjeni:
a) Amplifikimin e tensionit Av  vo / vs
b) Amplifikimin e rrymës Ai  io / is
c) Rezistencën hyrëse Ri  vs / is
d) Rezistencën dalëse Ro
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 229

Fig. 6.42

Zgjidhje

Skema ekuivalente

a) Amplifikimi i tensionit: Au = uo/us

vs  r  ib  0.1 k  ib

Ligji i Parë i Kirkofit për nyjën C është: i2  iF  hfe  ib (*)

Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën e jashtme është: vs  RF iF  RC || RL  i2  0

Prandaj, nga ekuacioni i fundit mund të shkruajmë:

0.1k  ib  150  iF  1k  (iF  100  ib )  0  iF  0.663  ib

Nga relacioni (*) mund të shkruajmë:

i2  0.663  ib  100  ib   99.337  ib ,

Nga skema AC gjejmë vo

vo  RC || RL  i2   99.337k  ib
230
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

uo 99.337k  ib
Au    993.37
us 0.1k  ib

b) Amplifikimi i rrymës: Ai = io / is

uo 99.337k  ib
io     49.6685  ib
RL 2k

is  ib  iF  1.663  ib

io io 49.6685  ib
Ai      29.86
is is 1.663  ib

c) Rezistencën hyrëse e gjejmë nga raporti i mëposhtëm:

io
Ai i i v i v 1 vs 1 A 1
 s  o s  o s     Ri  i   Ri
Au uo is vo is RL  io RL is RL Au RL
us

Ai  29.86
Pra, Ri  RL   2000   60.11
Av 993.37
d)Rezistencën dalëse e gjejmë kur sinjalin e lidhim shkurt, ndërsa në dalje kyçim gjeneratorin
test(fiktiv) siç është treguar në fig. në vazhdim.

Çka me burimin e varur të rrymës hfe ib ? Hapi i parë është ta “shkëputim” këtë burim të rrymës dhe të
veshtrojmë a ekziston rryma ib (figura në vijim).
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 231

Nga qarku i mësipërm shihet që rryma ib = 0, sepse gjeneratori i sinjalit po e lidh shkurt. Kjo
nënkupton që burimi i rrymës hfe ib nuk ekziston. Prandaj, shifet qe rezistenca në dalje është:
Ro = Rc||RF

Shembulli 6.6

Për përforcuesin e dhënë në Fig. 6.43 janë të njohura: Ucc = 15V, Rg = 500 Ω, R1 = 220 kΩ, R2 = 33
kΩ, RC = 6.8 kΩ , RE = 1kΩ dhe Rsh = 5.6 kΩ. Parametrat e transistorit npn bipolar janë β = hfe = 100,
UBE = 0.7 V. Ekuivalenti temeperaturorë i tensionit UT = 25 mV. Gjeni:
a) Au = uo /ui b) Ai = i0 / ii c) Avg = uo / ug d) Rezistencën hyrëse dhe atë dalëse

Fig. 6.43

Zgjidhje

Pasi parametrat dinamik të transistorit nuk janë të njohur, atëherë kur kërkohet të gjenden përforcimi i
tensionit/rrymës si dhe rezistenca hyrëse/dalëse është e nevojshme të gjendet pika statike e punës. Me
rastin e llogaritjes së pikës statike të punës të gjithë kondensatorët kanë reaktancë pakufi të madhe,
kështu që skema zëvendësuese DC duket si më poshtë:
232
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

ose pas ekuivalentimit

R2 U CC 33 15 R R
Ku janë: U BB    1.96V dhe RB  1 2  28.695 k 
R1  R2 220  33 R1  R2

Ligji i II-të i Kirkofit për qarkun e bazës është:

U BB  RB  I B  U BE  RE ( I B  I C )  RB  I B  U BE  RE (1   ) I B

U BB  U 1.956  0.7 1.256

IB     0.0097 mA
RB  RE (   1) 28.695  101 129.695

UT 25
ICQ    I B  100  0.009684  0.9684 mA prej nga r    2.58 k 
I BQ 0.009684

Parametrat tjerë hibrid gjatë analizës dinamike nuk do i marrim në konsideratë. Gjatë analizës
dinamike, të gjithë kondensatorët kanë rezistencë të vogël dhe konsiderojmë që paraqesin lidhje të
shkurtë.

Skema ekuivalente për sinjale të vogla do jetë si më poshtë:

uo
a) Amplifikimi i tensionit Au 
ui
tensioni në dalje është: uo  h fe  ib  Rc || Rsh , ndërsa në hyrje ui  r  ib
Prandaj, amplifiki i tensionit është:
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 233

h fe  Rc || Rsh RC || Rsh
Au   100   118.9
r r
ui
b) Rezistenca hyrëse Ri 
ii
u r r
ii  iRE  ie  i  iE =  ib  (1  h fe )ib = (   1  h fe )ib
Re Re Re

Nga skema e mësipërme shihet që: iE  ib  h fe  ib  0

 iE  (1  h fe )ib
r
Ri   25.18 
r
 1  h fe
Re
uo
i R R u R u
c) Amplifikimi i rrymës Ai  o  sh  i o  i  o  0.5
ii ui Rsh  ui Rsh ui
Ri
u u u u
d) Avg  o  o  i  Au  i
u g ui u g ug
Rg
ug  Rg  ii  ui  0  ug  ui  Rg  ii  ui   ui  (1  Rg / Ri )  ui
Ri
ui 1
  0.0479 , Prandaj, amplifikimi Aug do jetë:
u g 1  Rg / Ri

ui
Aug  Au   118.9  0.0479  5.69
ug

c) Te llogaritja e rezistencës në dalje të gjitha burimet e pavarura duhet të fiken (burimet e tensionit lidhen
shkurt, ndërsa burimet e rrymës largohen nga qarku). Burimi varur ekziston nëse ekziston tensioni ose rryma
prej të cilës varet. Shpenzuesi zëvëndësohet me ketë rast me burim të tensionit i cili jep rrymën i.
u
Rezistenca në dalje është: Ro 
i

Çka me burimin e varur të rrymës hfe ib ? Hapi i parë është ta “shkëputim” këtë burim të rrymës dhe të
veshtrojmë a ekziston rryma ib (figura në vijim).
234
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Nga qarku i mësipërm shihet që rryma ib = 0, kjo nënkupton që burimi i rrymës hfe ib nuk ekziston. Prandaj,
shifet qe rezistenca në dalje është Ro = Rc

Shembulli 6.7

Për qarkun amplifikues me BJT në Fig. 6.44 përcaktoni amplifikimin Av = Vo/Vs. Janë të njohura
VEB(on) = 0.7 V, β = 150 dhe VA = ∞. Gjeni amplifikimin e tensionit vo/vs.

Fig. 6.44

Zgjidhje

Caktojmë së pari pikën e punës së transistorit meqë parametrat dinamik të transistorit nuk dihen.

Për të përcaktuar pikën e punës Q shkruajmë Ligjin e Dytë të Kirkofit për qarkun B-E

V   RE (1   ) I BQ  VEB (on)  RB I BQ  0 , prej nga

V   VEB (on) 10  0.7

I BQ    5.96  A
RB  (1   ) RE 50  15110
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 235

I CQ   I BQ  150  5.96  A  0.894 mA

I EQ  (1   ) I BQ  0.90 mA

VECQ  (V   V  )  RC I CQ  RE I EQ  10  (10)  5  0.894  10  0.90  6.53V

b) Skema ekuivalente e qarkut për sinjale të vogla (duke pas parasysh faktin që të gjithë
kondensatorët sillen si lidhje të shkurta) është si në vijim:

Ku janë:

VT VT   0.026 150 I 0.894

r     4.36 k  , gm  CQ   34.4 mA / V
I BQ I CQ 0.894 VT 0.026

VA 
ro     , e cila në fakt paraqet qark të hapur
I CQ I CQ

Vërejmë që: vo  vce  ( g m v )( RC || RL )

v R
vs  ( RS   v )  ( S  1)v
RB || r RB || r

g m  RC || RL 49,1232
Au     40
(
RS
 1) 1.25
RB || r

Shembulli 6.8

Për amplifikatorin me tranzistor në Fig. 6.45 janë të e njohura β = 100, UT = 25 mV dhe UBE(on) = 0.7 V.
Paraqitni skemën ekuivalente AC dhe gjeni: a) Au = uo/ui , b) Avg = uo/ug , c) Ai = io/ii
236
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Fig. 6.45

Zgjidhje

Qarku ne modin DC:

Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën e jashtme është:

12  10  (   1) I B  200  I B  V BE 0.1(   1) I B  0

12  0.7 11.3 11.3

IB     0.00926 mA
10 101  0.1 101 1010  200  10.1 1220.1

Rryma e kolektorit është: I C  100  I B  0.926 mA

UT
r   2.69k 
IB

Në modin AC:
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 237

ui  r  ib  0.1(   1)  ib  (2.69  0.1101)  ib  12.79  ib (1)

ui  12.79  ib

Ligji i Parë i Kirkofit për nyjën C është: ix  100  ib  i1

Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën e specifikuar në skemën ekuivalente AC është:

ui  200  i1  uo  0 12.79  ib  200  i1  10 || 5  ix  0 

(1)
12.79  ib  200  i1  10 || 5  (100  ib  i1 )  0

Prej nga i1  1.7  ib

Tensioni në dalje uo është:

uo  10 || 5  ix  3.33  100  ib  1.7  ib   327.336  ib (2)

Nga Ligji i I-rë i Kirkofit për nyjën B fitojmë

ii  2.7  ib

a) Amplifikimi i tensionit është:

uo 327.336  ib
Au    25.6
ui 12.79  ib

b) Amplifikimi i tensionit Avg është:

uo uo ui u
Avg     Av  i
ug ui ug ug

ug  0.6  ii  ui  0.6  (ib  i1 )  ui  1.62  ib  12.79  ib  14.41 ib

uo uo ui u 12.79  ib
Avg     Av  i  25.6   22.7
ug ui ug ug 14.41 ib
238
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

c) Amplifikimi i rrymës Ai është:

uo
io
Ai   5  24.24
ii 2.7  ib

Shembulli 6.9

Për transistorin në Fig. 6.46 janë të njohura: β = 100, VBE = 0.7 V, VT = 26 mV, VA = ∞, Rg = 6kΩ, R1 = R2
dhe R3 = 10kΩ.
a) Të dizajnohet qarku nëse pika e punës Q (VCEQ, IEQ = 1mA) është në qendër të drejtëzës njëkahore
të punës.
b) Paraqitni drejtëzën statike të punës
c) Llogaritni amplifikimin e tensionit Avg = Vo/Vg

+10 V
Vcc = +5 V
R1

Rg
vo
R3
Vg R2 R4

Fig. 6.46

Zgjidhje

Skema në modin DC (kondensatorët paraqesin qark të hapur)

+10 V Vcc = +5 V
Vcc = +5 V
R1

R3
R4
R3 R4
R2 RB

VB

R1  R2 R1 10  R2
Ku janë: RB   ,VB   5V
R1  R2 2 R1  R2
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 239

5  VCEQ 5  2.5
Nga L.II. K. 5  VCEQ  R4  I EQ  0  R4    2.5 k 
I EQ 1 mA
Pasi pika e punës është në qëndër të drejtëzes së punës, kjo nënkupton që
VCEQ  VCC / 2  2.5 V (vërehet nga trekëndshi që formohet me drejtëzen e punës dhe sistemet
koordinative).
Nga L.II.K për qarkun e bazës fitojmë: VB  ( RB  R3 ) I B  VBE  R4 I E  0
VB  VBE  R4 I E V  VBE  R4 I E
 RB  R3  B  RB  R3
IB IE
 1
5  0.7  2.5 1 R1
  10  R1  343.6 k 
1/100 2

 VT 100  26 mV
r    2.62 k 
I CQ 0.99 mA

b) Drejtëza statike punës është:

 1
5  VCE  R4  I E  0  5  VCE  R4  I  0  5  V CE 2.525  I C  0
 C
5  V CE 2.525  I C  0

d) Skema ekuivalente në modin AC

240
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

r
ii  (ib  i3 )  (ib   ib )  2.262  ib
R3

vo  ( R1 || R2 || R4 )(i3  ib   ib )  2.46 102.262  251.56  ib

vg  Rg  ii  r  ib  vo  (6  2.262  2.62  251.56)  ib  267.75  ib

vo 267.75
Av    1.06
vi 251.56

Shembulli 6.10

Për transistorin BJT në qarkun në Fig. 6.47 është e njohur β = 100. Gjeni:
a) Amplifikimin e rrymës Ai = io/is
b) Rezistencën Ris të shënuar në qark.

Fig. 6.47

Zgjidhje

Në modin DC kondensatorët paraqesin qark të hapur.

 RB I B  VBE  RE I E  6  0
RB I B  RE (   1) I B  6  VBE

6  0.7
IB   0.0169 mA
10k   101  3k 

ICQ    I B  100  0.0169 mA  1.69 mA

 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 241

Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën Kolektore

16  RC I C  VCE  RE  (   1) I B  6  0

Me zëvendësimin e vlerave numerike fitojmë: VCE  5.35V

Pra, pika e punës së transistorit është: (5.35 V, 1.69 mA)

a) Skema ekuivalente në modin AC (frekuenca të ulëta, sinjale të vogla) është:

UT 25 mV
r    1.47 k 
I B 0.0169 mA
vo  ( RC || RL )   ib  340  ib
v 340 k  ib r  RE (   1)
io  o    50  ib ndërsa, is  i1  ib    ib  ib  31.45  ib
RL 6.8 k  RB
i 50  ib
Atëherë amplifikimi i rrymës është: Ai  o   1.589
is 31.45  ib

b) Rezistenca hyrëse në bazë të shënimeve në qarkun bazë është:

vs Rs  is  [r  RE (   1)]
Ris    10.68 k 
is is

Shembulli 6.11

Për qarkun përforcues në Fig. 6.48 janë të njohura: β =150 , VBE (on) = 0.7 V, VA = ∞ si dhe
elementet e qarkut RS = RL = 10 kΩ. Gjeni amplifikimin e tensionit Av = Vo/Vi

Fig. 6.48
242
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Zgjidhje

a) Për të përcaktuar pikën e punës Q shkruajmë Ligjin e Dytë të Kirkofit për qarkun B-E
RB I BQ  VBE (on)  RE (  1) I BQ  10  0 , prej nga

10  0.7 9.3
I BQ    0.00577 mA
RB  RE (  1) 100  1510

ICQ    I B  150  0.0065 mA  0.8655 mA

Tensioni UCEQ për qarkun C-E

10  RC  I C  U CEQ  RE  (   1) I B  10  0
U CEQ  20  10  0.8655  10 151  0, 00577  2.63V

b) Skema ekuivalente e qarkut për sinjale të vogla (duke pas parasysh faktin që të gjithë
kondensatorët sillen si lidhje të shkurta) është si në vijim:

VT  26 150
r    4,51 k 
I CQ 0,8655

Vërejmë që: vo  ( RE || RL )(1   )ib , ndërsa vi  [r  ( RE || RL )(1   )]ib

( RE || RL )(1   )
Av 
r  ( RE || RL )(1   )
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 243

Shembulli 6.12

Determine the dc and ac load lines for the circuit shown in Figure 6.49. Assume the transistor parameters are:
VEB(on) = 0.7 V, β = 150, and VA = ∞.

Fig. 6.49

Shembulli 6.13

Për amplifikatorin me BJT janë të njohura β = 120 dhe VA = ∞. Përcaktoni rezistencën dalëse Ro

Fig. 6.50

Zgjidhje:
a) Rezistenca e Tevenenit dhe burimi i tensionit të Tevenenit është:
R2 10 10 10
RTH  R12  R1 || R2  10 ||10  5 k , VTH    5V
R1  R2 20

Ligji i Dytë i Kirkofit për qarkun ekuivalent të bazës, figura në vazhdim është:
244
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

VTH  RTH  I B  VBE  RE (1   ) I B  10  0

5  0.7  10 4.3
IB    0.0174 mA , prej nga ICQ    I B  2.088 mA , I EQ  2.11mA
5  121  2 247

Nga Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën Kolektore:  RC  ICQ  VCEQ  RE  I EQ  10  0

VCEQ  10 1 2.088  2  2.11  3.69V

Pra, pika e punës së transistorit është: ( ICQ ,VCEQ )  (2.088 mA,3.69V )

 VT 120  0.026

r    1.49 k 
I CQ 2.088
b) Te llogaritja e rezistencës në dalje të gjitha burimet e pavarura duhet të fiken (burimi i sinjalit- tensionit lidhet
shkurt, ndërsa burimet e rrymës largohen nga qarku). Burimi varur ekziston (nuk largohet nga qarku) nëse
ekziston tensioni ose rryma prej të cilës varet. Shpenzuesi zëvëndësohet me ketë rast me burim të tensionit i cili
jep rrymën ix.
ux
Rezistenca në dalje është: Ro 
ix

Çka me burimin e varur të rrymës β ib ?

Hapi i parë është ta “shkëputim” këtë burim të rrymës dhe të veshtrojmë a ekziston rryma ib . Nga qarku i
mësipërm shihet që rryma ib ekziston edhe kur burimi i varur i rrymës β ib e nuk ekziston. Prandaj, me rastin e
llogaritejs se rezistencës dalëse nuk largohet.
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 245

vx
i1 
RE
vx
i1  ix  (   1)ib  ix   (   1)ib  1.995  ib  121 ib  122.99  ib
RE
vx  (r  RS || R12 )  ib  (1.49  2.5)  ib  3.99  ib , prej nga

Vx 3.99
Ro    32.44 
ix 122.99

Shembulli 6.14

Për qarkun në figurë (boot-strapped follower), është e njohur β=100. Gjeni:

a) Potencialin në Bazë dhe Emiter në kushte stacionare

b) Amplifikimin e tensionit në frekuenca të ulëta kur C 1 është i kyçur Au1  u0 / vsig

c) Amplifikimin e tensionit në frekuenca të ulëta kur C 1 është i shkyçur Au 2  uo / vsig
Au1 / Au 2
d) Raportin

Zgjidhje
a) Skema ekuivalente në regjimin DC është si më poshtë:
20  9 20  20
Pas ekuivalentimit U BB   4.5V dhe RB   10  20k 
40 40
4.5  0.7
IE   1.73mA
10  10
2
101
Potenciali i Bazës, respektivisht Emiterit është:

VB  VBE  RE  I E  0.7  2 1.73  4.16V

VE  RE  I E  2 1.73  3.46V
246
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

b) Kur kondensatori C1 është i kyçur, skema AC në frekuenca të ulëta është si më poshtë

10  2
Le të shënojmë RE   1.66 k  , ndërsa vlera e r  1.517k
12

r r
uo  RE  (   iB  iB   iB )  RE  (   1   )  iB
10 10

r
usig  10  (iB   iB )  u0  0 
10
r r R r
usig  [10  (1   )  RE  (   1   )]  iB  (10  r    r  RE  E  )iB
10 10 10

r
RE  (   1  )
uo 10
Au1    0.93
usig (10  r  R  (   1  r )
 E
10

b) Kur kondensatori C1 është i shkyçur, skema AC në frekuenca të ulëta është si më poshtë

uo'  2(  1)iB  202  iB

 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 247

u BE  uo r  202
usig  10(iB  )  u BE  uo  0  usig  [10(1   )  r  202]  iB ,
20 20
u' 202
Au 2  o   0.64
usig 10(1  r  202 )  r  202

20

Au1 0.93
d) Raporti   1.45
Au 2 0.64
248
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

66..22 D
DEETTY
YRRA
A PPËËR
R PPU
UNNËË TTËË PPA
AVVA
ARRU
URR_______________________________________

1. Për përforcuesin një stadesh me BJT:

a) Gjeni IEQ, ICQ, IBQ, UCEQ, hie dhe gm
b) Paraqitni skemën zëvendësuese për analizën dinamike
c) Llogaritni rezistencën hyrëse Ri
d) Llogaritni përforcimin Av dhe Avg
Janë të njohura: UCC = 20V, UEE = 10V, RC = RE = RP = 1kΩ, RB = RG = 10kΩ, β ≈ hfe = 200.

Zgjidhje:
a) IEQ= 8.86mA, ICQ= 8.815 mA, IBQ = 44 μA, UCEQ = 12.325V, hie = 1.14 kΩ, gm= 176.3 mA/V
d) Av = -87.7, Avg = -8.12

2. Për qarkun e treguar në Fig 2. janë dhënë: β = 100,UBE = 0,6V, RE = 2.7k, RC = RT = 3.3k, RG =
1kΩ, UDD = 12V, UEE = 6 V, UT = 25 mV.
a) Gjeni IEQ, ICQ, UCEQ dhe gm në pikën e punës
b) Paraqitni skemën zëvendësuese dhe llogaritni rezistencën hyrëse, përforcimin AV dhe AVg.

Zgjidhje:

a) IEQ=2 mA, ICQ=1,98 mA, UCEQ=6,066 V, gm=39,6 mA/V; b) Rh =24,77 , AV=65.34, AVg=1.579
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 249

3. Për qarkun me BJT (emitter-follower) përdoret transistor me β=40. Gjeni:

a) IE, VE dhe VB
b) rezistencën hyrëse
c) përforcimin e tensionit v0/vsig

Zgjidhje:
a) Nga figura e mësipërme në regjimin DC vlen:
9  0.7
IE   2.41mA
1  100  (   1)

VE  1  2.41  2.41V
VB  2.41  0.7  3.11V

vo
b) Ri = 17.3 kΩ , c) Au   0.62
vsig

PASQYRË PYETJESH

6.1 Defino parametrat – h për një transistor. Pse këta parametra quhen hibrid? Cilat
janë njësitë e tyre?

6.2 Prej katër parametrave – h, dy janë më të rëndësishmit. Cilët janë ata dhe pse dy
parametrat tjerë kanë më pak rëndësi?

6.3 Pse parametrat hibrid π janë më superior se parametrat – h?

6.4 Amplifikatori me bazë të përbashkët ka aplikime të kufizuara. Pse?

6.5 Prej të gjithë amplifikatorëve me BJT, amplifikatori me emiter të përbashkët është

më i favorizuari? Jepni arsyet?

6.7 Çka është konfiguracioni emitter folloëer? Diskuto aplikimin kryesor të tij.

6.8...
250
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

Detyra shtese

1.

Parametrat e transistorit për qarkun në Fig. X janë β = 180 dhe VA = ∞.

(a) Gjeni ICQ dhe VCEQ.
(b) Vizatoni drejtëzen e punës (vijën e ngarkesës) DC dhe AC.
(c) Kalkuloni gainin e tensionit për sinjale të vogla
(d) Përcaktoni rezistencën hyrëse Rib dhe dalse Ro.

Zgjidhje

a) Për analizë njëkahore, kondensatorët CC1 dhe CC2 paraqesin qark të hapur
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 251

(b) The dc load line is given by:

The ac load line is given by:

252
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

(c)

The small-signal parameters are:

The small-signal ac equivalent circuit becomes:

 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 253

(d)

The input resistance Rib is:

To calculate the output resistance Ro, the signal source vs is short-circuited and the folloëing
equations can be ëritten by KCL at node vo and node vb:
254
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

2. Për qarkun në Fig. 1 njihen: VCC = 5 V, RL = 4 kΩ, RE = 3 kΩ, R1 = 60 kΩ, and R2 = 40

kΩ. Parametrat e transistorit janë: β = 50 dhe VA = 80 V.
a) Përcaktoni ICQ dhe VECQ.
b) Parqitni drejtëzën DC dhe AC te punës (vijen e ngarkesës).
c) Llogaritni Av = vo / vs dhe Ai = io / is.
d) Llogaritni Rib dhe Ro.
Vërejtje: Në analizën

Solution:

(a) For dc analysis, the capacitors CC1 and CC2 act as open circuit.

(b) The dc load line is given by:

The ac load line is given by:

 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 255

The small-signal parameters are:

The small-signal ac equivalent circuit becomes:

256
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

1
 6. Amplifikatorët themelor me transistor bipolar (BJT)_version punues 257

(d)

The input resistance Rib is:

To calculate the output resistance Ro, the signal source vs is short-circuited and the following
equations can be written by KCL at node vo: