ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.

HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN VIỄN THÔNG
---------------o0o---------------

LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC

THIẾT KẾ ANTEN BĂNG X

GVHD: Thầy Trần Thành Ngôn

TS. Huỳnh Phú Minh Cường
SVTH: Kpuih Cư
MSSV: 41200408

TP. HỒ CHÍ MINH, THÁNG 1 NĂM 2017

ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA Độc lập – Tự do – Hạnh phúc.
-----✩----- -----✩-----
Số: ______ /BKĐT
Khoa: Điện – Điện tử
Bộ Môn: Viễn Thông

NHIỆM VỤ LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP

1. HỌ VÀ TÊN: KPUIH CƯ MSSV: 41200408

2. NGÀNH: ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG LỚP : DD12DV1

3. Đề tài: Thiết kế anten băng X
4. Nhiệm vụ (Yêu cầu về nội dung và số liệu ban đầu):
Thiết kế mảng anten băng X cho Ra-đa tầm ngắn
- Băng thông: 4 Ghz..........................................................................................................
- Độ lợi: 15->20dB............................................................................................................
- Hệ số phản xạ ngõ vào S11< -10dB................................................................................
5. Ngày giao nhiệm vụ luận văn: .....04/09/2016........................
6. Ngày hoàn thành nhiệm vụ: ...................................
7. Họ và tên người hướng dẫn: Phần hướng dẫn
TS. Huỳnh Phú Minh Cường Định hướng đề tài và vạch ra công việc cơ bản cần làm
Thầy Trần Thành Ngôn Hướng dẫn chi tiết từng bước quá trình thiết kế
Nội dung và yêu cầu LVTN đã được thông qua Bộ Môn.

Tp.HCM, ngày…... tháng….. năm 2017

CHỦ NHIỆM BỘ MÔN NGƯỜI HƯỚNG DẪN CHÍNH

PHẦN DÀNH CHO KHOA, BỘ MÔN:

Người duyệt (chấm sơ bộ):.......................
Đơn vị:......................................................
Ngày bảo vệ : ...........................................
Điểm tổng kết: .........................................
Nơi lưu trữ luận văn: ...............................
Lời cảm ơn

LỜI CẢM ƠN

Để hoàn thành công việc Luận văn tốt nghiệp này, trước hết tôi xin cảm ơn
thầy Trần Thành Ngôn – người hướng dẫn chi tiết, tận tình cho tôi trong quá trình
làm luận văn tốt nghiệp Đại học này.

Tôi xin cảm ơn thầy Huỳnh Phú Minh Cường đã định hướng đề tài và tạo điều kiện
tốt nhất cho tôi.

Ngoài ra tôi xin cảm ơn bạn bè và người thân đã tạo động lực, niềm tin cho tôi theo
đuổi mục tiêu của mình.

Tp. Hồ Chí Minh, ngày 1 tháng 1 năm 2017 .

Sinh viên

KPUIH CƯ

ii
Lời cảm ơn

ii
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

TÓM TẮT LUẬN VĂN

Luận văn này trình bày về thiết kế và mô phỏng anten băng X cho Ra-đa tầm ngắn. Công
cụ thiết kế và mô phỏng là HFSS(High frequency structural simulator) phiên bản 13 để mô
phỏng anten thành phần và dãy anten, dùng ADS(Advanced design system) mô phỏng mạch
chia công suất Wilkinson để kích thích cho các anten thành phần trong dãy.
Thứ tự công việc chính đã làm: tìm cấu trúc anten phù hợp có trong các bài báo, tạp chí
trên IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers). Thiết kế và mô phỏng kết quả
rồi so sánh với bài báo. Điều chỉnh các thông số để có kết quả hệ số phản xạ ngõ vào (Return
loss) phù hợp với yêu cầu anten cần thiết kế. Cuối cùng, dùng cấu trúc anten đã thiết kế tạo
thành mảng anten vi dải có độ lợi và độ rộng bim phù hợp với yều cầu. Vì mạch chia công
suất và anten làm ở hai bo khác nhau nên cuối cùng dùng ADS để mô phỏng S11 của mảng
anten khi đã có mạch chia công suất bằng cách thay các port 50 Ohm bằng file thông số S của
mảng anten đã mô phỏng trên HFSS.
Để thiết kế mảng anten, việc đầu tiên của người thiết kế là tìm ra cấu rúc anten thành phần
phù hợp với yêu cầu thiết kế, anten vi dải được chọn do chúng có cấu trúc phẳng, dễ xếp
thành mảng, anten bức xạ định hướng. Trong luận văn này cấu trúc được chọn là anten cộng
hưởng điện môi DRA (Dielectric resonator antenna), đây là cấu trúc mới được áp dụng cho
thiết kế mảng anten vi dải trong nhưng năm gần đây.

iii
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

MỤC LỤC

CHƯƠNG 1. GIỚI THIỆU ........................................................................................................ 1

1.1 Tổng quan .................................................................................................................... 1

1.2 Tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước .................................................................. 2

1.3 Nhiệm vụ luận văn ....................................................................................................... 2

CHƯƠNG 2. LÝ THUYẾT........................................................................................................ 4

2.1.Anten cộng hưởng điện môi DRA………………………………………………………4

2.2. Kích thích cho các anten…… ………..………………………………………………6

2.2.1.Kích thích bằng đường truyền vi dải…………………………………… ……….7

2.2.2.Kích thích bằng coax………………………………………………… ………….7

2.2.3.Kích thích aperture coupling…………………………………………… ……….8

2.2.4.Kích thích Co-planar………………………………………………… ………….8

2.2.5.Mạch chia công suất………………………………………………… …………..9

2.3.Dãy anten ……………………………………………………………………..………10

CHƯƠNG 3.THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG ............................................................................. 15

3.1. Yêu cầu thiết kế……..……………………………………………………………….. 15

3.2. Phân tích……………..………………………………………………………………..15

3.3. Thiết kế……………………..…………………...…………………………………….16

3.3.1. Thiết kế và mô phỏng lại anten trong bài báo bằng HFSS……………… ……16

3.3.2. Thiết kế dãy anten…………….…………………………………… …………27

3.3.3. Thiết kế mạch chia công suất ………………………….………………………31

CHƯƠNG 4.KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN .......................................................... 40

4.1 Kết luận ...................................................................................................................... 40

4.2 Hướng phát triển ........................................................................................................ 40

iv
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

TÀI LIỆU THAM KHẢO ................................................................................................. 41

PHỤ LỤC .......................................................................................................................... 42

Các loại anten (vi dải) phân chia theo độ rộng băng thông………………………….……42

Anten băng thông hẹp……………………………………………………….……42

Anten băng thông rộng………………………………………….…………….......43

Anten băng thông rất rộng (Ultra wideband)……………………………….…….43

Một số giải pháp tăng băng thông…………………………..……………………….…….44

Tạo khe hình chữ U, E, H trên mặt anten hình chữ nhật hoặc vuông……….……44

Dùng kích thích Aperture coupling….………………………….…………….......44

Tạo khe cộng hưởng hoặc thay đổi kích thước mặt phẳng đất, cắt cạnh anten.….45

Một số anten vi dải dùng cho thiết kế anten băng X……………………………………....46

Patch antenna………………………….…………………………………………..46

Anten vivaldi……………………………….……………………………………..47

v
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

DANH SÁCH HÌNH MINH HỌA

Hình 1.1 Ra-đa tầm ngắn ........................................................................................................... 2

Hình 2.1 Các loại cấu trúc cộng hưởng điện môi ....................................................................... 4

Hình 2.2 Mô hình DRA hình hộp chữ nhật ................................................................................ 5

Hình 2.3 Đồ thị hàm F theo kích thước DRA............................................................................. 5

Hình 2.4 Cấu trúc anten DRA thiết kế........................................................................................ 6

Hình 2.5 Mô hình anten dùng kích thích đường truyền vi dải ................................................... 7

Hình 2.6 Mô hình anten dùng kích thích coax ........................................................................... 7

Hình 2.7 Mô hình anten dùng kích thích aperture coupling ....................................................... 8

Hình 2.8 Mô hình anten dùng kích thích co-planar .................................................................... 8

Hình 2.9 Cac mạch chia công suất ............................................................................................. 9

Hình 2.10 Dãy anten đơn hướng .............................................................................................. 11

Hình 2.11 Dãy planar MxN ...................................................................................................... 12

Hình 2.12 Độ rộng bim theo góc quét ...................................................................................... 13

Hình 2.13 Grating lobe và main lobe .......................................................................................... 14

Hình 3.0 Cấu trúc anten trong bài báo ....................................................................................... 17

Hình 3.1 Anten thiết kế trên HFSS ........................................................................................... 18

Hình 3.2 Đáp ứng S11 mô phỏng ................................................................................................ 18

Hình 3.3 Đáp ứng S11 trong bài báo............................................................................................ 18

Hình 3.4 Đáp ứng S11 theo d ...................................................................................................... 18

Hình 3.5 Đáp ứng S11 theo h2 .................................................................................................... 20

Hình 3.6 Đáp ứng S11 theo L ...................................................................................................... 20

Hình 3.7 Cấu trúc anten sau khi thay đổi ..................................................................................... 20

Hình 3.8 Đáp ứng S11 kiểu kích thích microstrip .......................................................................... 21

Hình 3.9 Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo d ...................................................................... 21

vi
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 3.10 Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo h2 .................................................................. 22

Hình 3.11 Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo L .................................................................... 22

Hình 3.12 Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo Wi .................................................................. 23

Hình 3.13 Anten thiết kế dùng kích thích coax ............................................................................. 23

Hình 3.14 Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe .............................................................................. 23

Hình 3.15 Độ lợi và đồ thị bức xạ của anten với kiểu thích thích probe ......................................... 24

Hình 3.16 Đáp ứng S11 khi patch anten đặt ở gần trung tâm DRA ................................................ 24

Hình 3.17 S11 theo kích thước b của DRA ................................................................................... 25

Hình 3.18 S11 theo kích thước a của DRA.................................................................................... 25

Hình 3.19 S11 theo kích thước h3 của DRA ................................................................................. 26

Hình 3.20 Anten thành phần cho thiết kế dãy anten .................................................................... 26

Hình 3.21 S11 của anten thành phần .......................................................................................... 26

Hình 3.22 Độ lợi và đồ thị bức xạ của anten thành phần .............................................................. 27

Hình 3.23 S11 theo khoảng cách giữa các anten ......................................................................... 27

Hình 3.24 Dãy anten 2x2, 3x3, 4x4 .............................................................................................. 28

Hình 3.25 Đáp ứng dãy anten 2x2 ............................................................................................... 28

Hình 3.26 Đáp ứng dãy anten 3x3 ............................................................................................... 29

Hình 3.27 Cấu trúc anten DRA thiết kế.................................................................................... 29

Hình 3.28 Đáp ứng dãy anten 4x4 ............................................................................................... 30

Hình 3.29 Bảng thông số chuẩn của bo RT/duroid 5880 ............................................................... 30

Hình 3.30 Định nghĩa bo dùng cho mạch chia công suất ............................................................... 31

Hình 3.31 Công cụ tính linecalc trên ADS..................................................................................... 31

Hình 3.32 Layout mạch chia 1:2 .................................................................................................. 32

Hình 3.33 Đáp ứng S11 của mạch chia Wilkinson 1:2 ................................................................... 32

Hình 3.34 Layout mạch chia 1:16 ................................................................................................ 33

Hình 3.35 Đáp ứng S11 của mạch 1:16 ........................................................................................ 34

vii
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 3.36 Cấu trúc anten sau khi thay đổi ............................................................................... 34

Hình 3.37 Giao diện export file thông số S................................................................................... 35

Hình 3.38 Đáp ứng S11,S22…S1616 của dãy 4x4 .......................................................................... 36

Hình 3.39 Đáp ứng các thông số còn lại của dãy 4x4 .................................................................... 36

Hình 3.40 Sơ đồ kết nối mạch chia công suất với dãy anten ........................................................ 37

Hình 3.41 Đáp ứng S11 .............................................................................................................. 37

Hình 3.42 Đáp ứng S11 của dãy 4x4 ............................................................................................ 38

Hình 3.43 Độ lợi và đồ thị bức xạ dãy 4x4 ................................................................................... 38

Hình 4.1 Một vài patch antenna ............................................................................................... 39

Hình 4.2 Một số cấu trúc anten băng rất rộng .......................................................................... 42

Hình 4.3 Anten tạo khe hình chữ E, H và U ............................................................................. 44

Hình 4.4 Kích thích Aperture coupling .................................................................................... 44

Hình 4.5 Tạo khe cộng hưởng trên mặt ground........................................................................ 45

Hình 4.6 Thay đổi bề rộng mặt ground .................................................................................... 45

Hình 4.7 Cắt cạnh anten ........................................................................................................... 45

Hình 4.8 Anten DRA ................................................................................................................ 46

Hình 4.9 Anten vivaldi ............................................................................................................. 46

viii
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

DANH SÁCH BẢNG SỐ LIỆU

Bảng 1 So sánh các mạch chia công suất thụ động .................................................................. 10

Bảng 2 Kết quả mô phỏng độ lợi, độ rộng bim ........................................................................ 31

ix
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU

1.1 Tổng quan

Anten là thành phần không thể thiếu trong truyền thông vô tuyến, từ những anten có
kích thước to lớn dần nhỏ lại rất nhiều lần so với trước đây nhờ sự phát triển của khoa học
công nghệ, có những anten được tích hợp trong những con chip có kích thước rất nhỏ. Việc
thiết kế anten phù hợp với từng ứng dụng, mục tiêu sử dụng đòi hỏi nhiều thách thức cho
người thiết kế. Mục đích của luận văn này là thiết kế anten cho ứng dụng Ra-đa tầm ngắn,
trước đây anten dùng cho Ra-đa là anten parabol, anten loa…mặc dù những anten đó cho độ
lợi rất cao, độ định hướng tốt nhưng lại có kích thước rất lớn, khối lượng nặng. Điều này
không phù hợp cho những ứng dụng cần sự gọn nhẹ, kích thước nhỏ ví dụ như ứng dụng lắp
trên chiếc điện thoại di động, trên máy bay…Với những yêu cầu đó những anten có kích
thước nhỏ, gọn nhẹ được nghiên cứu, trong đó anten vi dải là anten được dùng đến nhiều
nhất, những năm gần đây chúng có cấu trúc phức tạp hơn nhưng vẫn dựa trên công nghệ bo
mạch in. Anten vi dải mặc dù có ưu điểm là gọn nhẹ, dễ chế tạo…nhưng bất lợi chính là độ
lợi rất thấp, hiệu suất thấp. Với mục tiêu là thiết kế anten cho Ra-đa thì anten cần phải có đặc
điểm độ lợi cao, độ rộng bim nhỏ để có thể quét bim.

Do đó dãy anten vi dải là sự lựa chọn tốt nhất cho đề tài.

Anten vi dảỉ cũng là xu hướng của nhiều ứng dụng cần tính nhỏ gọn, tích hợp cao, chẳng hạn
như anten dùng trong điện thoại di động, anten lắp trên những máy bay hoặc vệ tinh…

Anten vi dải là cái tên dùng chung cho các anten có kích thước nhỏ gọn, khối lượng nhẹ và
được chế tạo dựa trên công nghệ bo mạch in. Công nghệ này giúp tạo ra nhiều hình dạng, cấu
trúc anten nằm trên mặt phẳng in khi mà phương pháp khác rất khó tạo nên.

Anten cộng hưởng điện môi thuộc một trong số các loại anten vi dải, thay vì năng lượng được
bức xạ ra môi trường từ vật dẫn kim loại thì anten cộng hưởng điện môi lại bức xạ thông qua
khối cộng hưởng điện môi, so với anten bức xạ nhờ vật dẫn kim loại thì anten này có hiệu
suất bức xạ tốt hơn (trên 90%).

1
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
1.2 Tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước
Anten cộng hưởng điện môi đã xuất hiện rất nhiều trong những ứng dụng Ra-đa, vệ
tinh…Với những yêu cầu đặt ra, anten có cấu trúc ngày càng phức tạp hơn. Hiện nay ở nhiều
nước trên thế giới ngoài việc anten được nghiên cứu trong các trường đại học, chúng còn
được chế tạo rộng rãi để đáp ứng yêu cầu cho những ứng dụng cần anten có đặc điểm như
anten cộng hưởng điện môi. Về cấu trúc khối cộng hưởng điện môi thì phổ biến là khối hộp
chữ nhật, khối nửa quả cầu, khối trụ…
Mặc dù ở ngoài nước anten này rất phổ biến, tuy nhiên trong nước hầu như chưa có nơi
nào thực sự nghiên cứu hay chế tạo anten này, phần lớn chúng chỉ được tìm hiểu trong rất ít
trường đại học, còn về chế tạo ra thì hầu như không có.
Việc nghiên cứu anten này là điều kiện rất tốt để học hỏi được nhiều thứ từ việc thiết kế và
mô phỏng anten.

1.3 Nhiệm vụ luận văn

 Yêu cầu :
- Thiết kế mảng anten vi dải hoạt động ở băng tần X (8-12Ghz) cho ứng dụng Ra-đa tầm
ngắn, độ lợi lớn nhất có thể, do bị giới hạn về thời gian, bộ nhớ RAM máy tính nên chỉ
mô phỏng tới dãy 4x4.
- Mảng anten thiết kế cần có kích thước nhỏ gọn để khi lắp với bộ điều khiển thì bộ Ra-
đa và anten sẽ có kích thước nhỏ gọn. Ra-đa tầm ngắn được nhắc đến là Ra-đa có sẵn
trong phòng Lab bộ môn viễn thông.

Hình 1.1: Ra-đa tầm ngắn

2
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
 Kết quả cần đạt :
- Băng thông : 4Ghz
- Độ lợi: 15->20dB
- Hệ số phản xạ ngõ vào: S11<=-10dB.
 Giới hạn của đề tài :
Do hạn chế về mặt thời gian và cấu hình máy tính mô phỏng nên công việc thiết kế
dừng lại ở dãy 4x4 và chưa thể làm phần cứng để so sánh kết quả đo đạc thực tế với mô
phỏng, tuy nhiên vì kết quả mô phỏng được thực hiện trên phần mềm HFSS cho thiết kế
anten và các ứng dụng cao tần, bên cạnh đó nhiều bài báo, luận văn cũng đã thiết kế rồi
làm phần cứng trên phần mềm đang dùng.
Trong luận văn này chỉ thiết kế dãy anten vi dải để có độ lợi thỏa yêu cầu đặt ra, độ
rộng bim nhỏ hơn nhiều so với độ rộng bim của anten thành phần, hướng bim chính cố
định. Việc dùng bộ Phase shifter để điều khiển quét bim sẽ không đề cập ở đây.

3
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT

2.1. Anten cộng hưởng điện môi DRA

Trong nhiều năm trước, cộng hưởng điện môi được sử dụng trong bộ dao động, bộ lọc
có trong các hệ thống siêu cao tần. Tuy nhiên ý tưởng sử dụng cộng hưởng điện môi như một
anten bức xạ mới được xem xét sau năm 1982 khi cuốn sách Dielectric resonator antenna
được viết ra thì anten mới được nghiên cứu đến, hiện nay có nhiều anten DRA có hình dạng
điện môi khác nhau. Nhưng phổ biến là khối điện môi hình chữ nhật, hình trụ, hình nửa quả
cầu…ứng với từng khối khác nhau thì sẽ có tần số cộng hưởng khác nhau, trường bức xạ
cũng khác nhau.

Hình 2.1: Các loại cấu trúc cộng hưởng điện môi.

Tùy vào hình dạng, kích thước mà anten DRA có tần số cộng hưởng khác nhau giống
như hộp cộng hưởng tần số, trong luận văn này do điện môi được chọn có hình hộp chữ nhật
nên ở đây chỉ đề cập về cấu trúc này. Với những ứng dụng cần anten có kích thước nhỏ gọn
thì để giảm kích thước khối cộng hưởng điện môi, cần chọn  r càng lớn càng tốt vì bước
0
sóng gảm theo biểu thức   , thường thì giá trị được chọn nằm trong khoảng từ 10 –
r
100. Ngoài ra tùy vào nục tiêu của ứng dụng mà lựa chọn loại substrate phù hợp để hạn chế
sự suy hao, mất mát công suất. Đối với những ứng dụng băng X thì phần lớn vật liệu được
chọn là RT/duroid như RT/duroid 5880, RT/duroid 6010...

4
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 2.2: Mô hình DRA hình hộp chữ nhật

Với điện môi có cấu trúc hình hộp chữ nhật, tần số cộng hưởng tính theo công thức:

2 af 0  r
F (2.1)
c

Trong đó: F là hệ số phụ thuộc vào kích thước DR

 r là hằng số điện môi

c là vận tốc ánh sang
fo là tần số cộng hưởng
d là chiều dài khối điên môi
b là chiều cao khối điên môi
a là chiều rộng khối điên môi

Trong đó F là một hàm phụ thuộc vào kích thước khối cộng hưởng điện môi.

Hình 2.3: Đồ thị hàm F theo kích thước DRA

5
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Anten thiết kế dựa trên bài báo số [1] trong phần TÀI LIỆU THAM KHẢO:

Hình 2.4: Cấu trúc anten DRA thiết kế

Phần patch anten được nối trực tiếp với đường truyền vi dải 50 Ohm để kích thích cho
anten, phần này cộng hưởng tại một tần số trong khoảng từ 8-9Ghz phụ thuộc với cấu trúc
patch anten và tần số thiết kế trung tâm mà người thiết kế chọn, khối điện môi DRA có tần số
cộng hưởng gần 11Ghz cho mode sóng TE111 được tính toán theo công thức (2.1).

Lớp điện môi ở giữa dùng để phân cách giữa khối cộng hưởng điện môi với phần vật dẫn
bức xạ nhằm tạo không gian bức xạ, nhờ vậy có thể điều chỉnh được đáp ứng trở kháng vào
của anten. Hằng số điện môi của lớp giữa được chọn nhỏ hơn nhiều so với khối cộng hưởng
điện môi. Trong bài báo này khối điện môi có  r =10.2, còn lớp điện môi ở giữa là  r =2.2.

Bằng cách thay đổi các thông số thiết kế đã chỉ ra trên hình vẽ 2.4, đáp ứng trở kháng vào của
anten sẽ bị thay đổi.

2.2. Kích thích cho các anten

Hiệu suất bức xạ của dãy anten phụ thuộc vào công suất bức xạ của các anten thành
phần và ảnh hưởng giữa các anten thành phần vơi nhau, do đó kĩ thuật kích thích cho các
anten giữ vai trò rất quan trọng vì chúng ảnh hưởng đến công suất bức xạ của dãy anten.
Trong những anten thiết kế gần đây, người ta cũng lợi dụng cách kích thích cho anten để mở
rộng băng thông, tăng hiệu suất bức xạ. Có rất nhiều cách kích thích cho anten, nhưng phổ
biến và sử dụng nhiều nhất thì có bốn cách.

6
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Bốn cách kích thích thường gặp:

2.2.1. Kích thích bằng đường truyền vi dải

Hình 2.5: Mô hình anten dùng kích thích đường truyền vi dải

Kích thích này dùng đường truyền vi dải nối trực tiếp với patch anten, có hai dạng phổ biến là
nối với cạnh patch mà không tạo khe trên patch và một dạng là tạo khe trên patch như hình
2.5.

Ưu điểm: dễ chế tạo, cấu trúc đơn giản nhất do phần kích thích và phần bức xạ nằm trên cùng
một mặt phẳng.

Nhược điểm: công suất bị mất mát khi truyền trên đường truyền vi dải, băng thông hẹp 2-5%,
không phù hợp cho ứng dụng băng rộng.

2.2.2. Kích thích bằng coax

Hình 2.6: Mô hình anten dùng kích thích coax

Kích thích này dùng thanh dẫn hình trụ có kích thước phù hợp để nối phần patch với phần
ground theo chiều dọc như mặt cắt chỉ ra trên hình 2.6.

Ưu điểm: dễ chế tạo, phối hợp trở kháng ngõ vào tốt, bức xạ bề mặt thấp, có thể kích tại bất
cứ vị trí nào trên bề mặt vật dẫn bức xạ.

7
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Nhược điểm: băng thông hẹp, yêu cầu khoan lỗ xuyên qua lớp điện môi do đó sẽ khó làm với
anten có cấu trúc phức tạp, nhiều lớp điện môi.

2.2.3. Kích thích aperture coupling

Hình 2.7: Mô hình anten dùng kích thích aperture coupling

Kích thích này dùng đường truyền vi dải kích thích gián tiếp cho patch anten thông qua khe
tạo trên mặt ground, tùy vào hình dạng, vị trí của khe mà có bề rộng băng thông và tần số
cộng hưởng khác nhau.

Ưu điểm: làm tăng hiệu suất và băng thông của anten, hạn chế tối thiểu sự ảnh hưởng bức xạ
giữa phần kích thích và phần bức xạ.

Nhược điểm: khó chế tạo, cần nhiều lớp. Nếu có sai sót nhỏ trong tính toán kích thước hoặc
trong chế tạo sẽ ảnh hưởng đến kết quả.

2.2.4. Kích thích co-planar

Hình 2.8: Mô hình anten dùng kích thích co-planar

8
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Đây là cách kích thích dùng đường truyền vi dải, kiểu kích thích này ít dùng hơn so với các
kiểu kích thích đã nêu ở trên.

Điểm khác biệt so với các kiểu kích thích ở trên nằm ở chỗ mặt phẳng đất và phần kích thích
nằm trên cùng một mặt phẳng, giữa chúng cách nhau bởi khe đủ rộng, còn mặt còn lại của
lớp điện môi thì không có bất kì vật dẫn nào.

2.2.5. Mạch chia công suất.

Từ một nguồn tín hiệu đầu vào muốn kích thích cho nhiều anten thành phần khác thì
yêu cầu cần phải có mạch chia công suất.

Có ba kiểu mạch chia công suất: mạch hình T, mạch dùng điện trở và mạch chia Wilkinson
Tuy nhiên mạch hình T và Wilkinson hay dùng trong thiết kế dãy anten vi dải. Mạch hinh T
có đặc điểm là gọn, dễ làm nhưng đáp ứng hẹp, không tốt cho ứng dụng băng rộng và một bất
lợi nữa là phải phối hợp trở kháng tại các đầu cuối của mạch chia công suất. Ngược lại mạch
chia Wilkinson thì có đáp ứng rộng, đầu cuối phối hợp với trở kháng 50 Ohm. Vì vậy mạch
chia Wilkinson được dùng trong việc thiết kế này do ưu điểm là không cần phải phối hợp trở
kháng 50Ohm tại đầu cuối, ngoài ra đáp ứng của mạch chia tốt hơn mạch hình chữ T. Mạch
dùng điện trở cũng có thể phối hợp tại các đầu ra nhưng mất mát công suất lớn do bị hấp thụ
bởi các điện trở.

(a) Mạch chia dùng điện trở (b) Mạch chia hình T

(c) Mạch chia Wikinson

Hình 2.9: Các mô hình mạch chia công suất

9
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Ở nhiều ứng dụng đã được làm thực tế của mạch chia công suất Wilkinson thì phần đoạn
đường truyền phần tư sóng có nhiều kiểu làm khác nhau như hình cung tròn, hình chữ nhật,
hình zíc zắc…Miễn là chiều dài vẫn đảm bảo là phần tư sóng. Tại đầu cuối của đường truyền
phần tư sóng có gắn điện trở cách ly có giá trị gấp 2 lần giá trị trở kháng đầu vào.

Phần chứng minh kết quả, đáp ứng của mạch được trình bày rất rõ ở trang 328 trong cuốn
sách Microwave Engineering của tác giả David M.Pozar.

Bảng 1: So sánh các mạch chia công suất thụ động.

Các loại mạch chia công suất Ưu điểm Nhược điểm

Mạch hình T  Mất mát công suất ít
Mạc điện trở  Có thể phối hợp trở
kháng tại tất cả các
đầu vào và ra
Mạch Wilkinson  Mất mát ít(nếu phối
hợp trở kháng tại các
đầu vào và ra)
 Tính cô lập cao
 Không thể phối hợp
trở kháng tại tất cả
các đầu vào và ra
 Không có sự cô lập
giữa các đầu ra
 Không có sự cô lập
giữa các đầu ra
 Mất mát công suất,
suy hao
 Công suất phản xạ bị
tiêu tán nếu điện trở
cách ly phối hợp trở
kháng không tốt

2.3. Dãy anten

Anten thành phần có hướng bức xạ rộng, độ rộng bim lớn và độ lợi thấp, hiệu suất không cao.

Trong truyền thông vô tuyến đòi hỏi anten cần có độ lợi cao, độ định hướng tốt (đặc biệt
trong ứng dụng Ra-đa) cho nên dãy anten được thiết kế để đáp ứng yêu cầu này.

Có hai kiểu dãy anten điển hình, dãy anten kích thích cùng biên độ và dãy anten kích
thích khác biên độ. Với kiểu kích thích cùng biên độ thì độ định hướng tốt, búp chính hẹp,
mức búp phụ thấp nhưng không điều chỉnh được. Việc điều chỉnh mức búp phụ có thể dùng
bộ lọc cửa sổ hoặc dùng kiểu kích thích khác biên độ, có hai kỹ thuật được dùng cho kích
thích khác biên độ, đó là dùng nhị thức và dùng Dolph-Tschebyscheff.

Nếu mức búp phụ lớn thì ảnh hưởng của chúng không thể bỏ qua. Với anten bên phát thì
chúng làm nhiễu các thiết bị khác được đặt ở những vị trí không nằm trên hướng bức xạ
chính. Với anten bên thu thì chúng làm tăng nhiễu tín hiễu lên thiết bị thu.

Một vấn đề quan trọng khi thiết kế dãy anten là khoảng cách giữa các anten thành phần.
Nếu khoảng cách không phù hợp thì sẽ ảnh hưởng đến tính bức xạ, trở kháng vào cũng như
độ lợi chung của dãy anten, ngoài ra nếu khoảng cách giữa các anten lớn hơn nhiều so với
nửa bước sóng thì sẽ xuất hiện grating lobe là búp có cùng biên độ với búp chính nhưng bề

10
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
rộng bim có thể khác với búp chính, nó làm giảm độ lợi và tính định hướng của dãy anten.
Trong nhiều thiết kế thì để hạn chế sự ảnh hưởng giữa các anten thi khoảng cách được chọn
là nửa bước sóng.

Hệ số ghép dãy anten là một thông số quan trọng mà người thiết kế cần quan tâm khi thiết
kế dãy anten, thông qua hệ số này người thiết kế có thể xác định định tính độ định hướng, độ
lợi, độ rộng bim…của dãy anten nhờ cách ước lượng bằng công thức .

Nhắc lại về dãy anten được bố trí theo một chiều:

Hình 2.10: Dãy anten đơn hướng

Với dãy anten được bố trí như hình .thì hệ số ghép dãy xác đinh theo công thức:

N
sin( )
AF  2 (2.2)

sin( )
2

2
Trong đó   kd cos   với k  , d: khoảng cách giữa các anten thành phần,  : pha

kích thích cho các anten.

   
0   m  cos 1 
  m (   m ) 
Vị trí điểm max: 2  2 d  (2.3)
m  0,1, 2...

11
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

   
Vị trí búp chính:  m  cos 1 
 2 d 

N N   2n 
sin( )  0   0  n   n  cos 1  (    ) 
Vị trí điểm null: 2 2  2 d N  (2.4)
n  1, 2,3....n  N , 2 N ,3N ...

Bây giờ anten được sắp xếp theo cả hai chiều thì các công thức cũng được xây dựng tương tự
từ công thức (2.2).

Xét dãy anten ma trận MxN (dãy planar), khoảng cách giữa các anten theo trục x là dx và
khoảng cách giữa các anten theo trục y là dy:

Hình 2.11: Dãy planar MxN

Đối với dãy tuyến tính ma trận MxN, các anten thành phần được kích thích cùng biên độ
thì hệ số ghép dãy chuẩn hóa được xác định theo công thức:

 M x   N y 
1 sin( ) 
 1 sin( )

AFn ( ,  )   2
 
2
 (2.5)
 M sin( x )   N sin( y ) 
 2   2  

Trong đó:  x  kd x sin  cos   x , y  kd y sin  sin    y

Xem xét trong hệ trục tọa độ để tính độ rộng bim của dãy plannar

12
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 2.12: Độ rộng bim theo góc quét

Độ rộng bim được xác định theo công thức:

1
h 
cos  0   cos 0   y2 sin 2 0 
2 2
x
2

(2.6)
1
h 
 x2 sin 2 0   y2cos 20

Trong đó:

(0 , 0 ) : Giá trị góc theo hướng bức xạ của bim chính.

 x : Độ rộng bim của dãy anten M phần tử kiểu broadside được đặt dọc theo trục x.

 y : Độ rộng bim của dãy anten N phần tử kiểu broadside được đặt dọc theo trục y.

Từ đó rút ra với trường hợp đặc biệt là dãy anten ma trận vuông M=N thì:

x y
h  
cos 0 cos 0 (2.7)
h   x   y

Có thể phân tích từ công thức (2.7) như sau:

Đối với dãy ma trận vuông thì h giống với độ rộng bim của dãy anten có M phần tử bố
trí dọc theo trục x hoặc độ rộng bim của dãy anten có N phần tử bố trí dọc theo trục y (lưu ý
là M=N).  h thì phụ thuộc vào hướng bức xạ chính  0 của búp chính, hướng quét càng lệch
nhiều so với hướng bức xạ chính thì  h càng lớn. Nhưng đó là trên lý thuyết, mặc dù M=N
nhưng chưa chắc  x   y do hướng bức xạ của anten thành phần không đồng đều hay
không đối xứng qua hướng bức xạ chính dẫn đến ảnh hưởng giữa các anten theo trục x khác
theo trục y. Do vậy khi thiết kế cần cố gắng tìm cách làm cho đồ thị bức xạ đề trên cả hai
hướng x và y.

13
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Một lưu ý quan trọng nữa là khoảng cách giữa các anten thành phần. Búp phụ (side lobe) và
grating lobe là hai vấn đề cần giải quyết khi xác định khoảng cách phù hợp giữa các anten, để
có độ rộng bim hẹp nhất thì khoảng cách giữa các anten càng xa càng tốt, nhưng nếu vượt
qua mức giới hạn nào đó thì sẽ làm tăng búp phụ, grating lobe sẽ xuất hiện. Khi đó làm giảm
tính đính hướng cũng như độ lợi của dãy anten.

Hình 2.13: Grating lobe và main lobe

Để không xuất hiện grating lobe, khoảng cách d giữa các anten phải thỏa:

d 1 d 1
   (2.8)
0 1  sin  max 0 2

Trong đó  max là góc quét lớn nhất, lưu ý max  90o .

Tronh nhiều trường hợp nếu chọn d thỏa biểu thức trên thì sẽ làm cho vùng quét bị hẹp hơn
nên có thể chọn d 0.50 (thường chọn lớn hơn nửa bước sóng).

14
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG

3.1. Yêu cầu thiết kế

Tùy vào mục đích sử dụng của ứng dụng mà người thiết kế có thể vạch ra những yêu cầu,
mục đích thiết kế phù hợp, trong luận văn này thì đối tượng là Ra-đa tầm ngắn nên yêu cầu
băng tần phải là băng X hoặc Ku, do mong muốn anten thiết kế cần nhỏ gọn, nhẹ nên anten
vi dải được chọn, bất cứ Ra-đa nào cũng cần quét bim do vậy yều cầu bim hẹp cũng cần thiết,
tuy nhiên trong luận văn này do bị giới hạn về điều kiện nên dừng lại ở dãy 4x4 với kết quả
độ rộng bim vào khoảng 18.9o, ngoài ra có thể vạch ra những yêu cầu thiết kế khác.

Tóm tắt yêu cầu cần thiết kế là:

- Băng tần hoạt động: băng X (8-12Ghz)

- Băng thông: 4Ghz
- Khối lượng nhẹ, kích thước nhỏ gọn, mất mát ít
- Phân cực tuyến tính
- Độ lợi: 15 -> 20dB
- Hệ số phản xạ ngõ vào: S11<=-10dB

3.2. Phân tích

Anten thành phần là yếu tố đâu tiên cần được thiết kế để thiết kế dãy anten.

Trong luận văn này, tôi đã mất nhiều thời gian để chọn ra cấu trúc anten sẽ dùng cho
thiết kế. Ban đầu patch anten trong phần PHỤ LỤC được sử dụng, tuy nhiên băng
thông rất hẹp nên tôi đã tìm cách tăng băng thông bằng các cách được nêu trong phần
PHỤ LỤC, kết quả băng thông tăng lên nhưng không quá 2 Ghz và cuối cùng tôi chọn
cách tìm anten có cấu trúc khác, với sự hướng dẫn của thầy là tìm anten được sử dụng
trong các bài báo nổi tiếng thì tôi đã chọn anten cộng hưởng điện môi làm anten
nguyên tố cho thiết kế dãy anten.

Với cấu trúc có sẵn trong bài báo thì yêu cầu về băng tần hoạt động, băng thông và
kiểu phân cực đã nêu ở phần tóm tắt yêu cầu của mục 3.1 được thỏa mãn.

Vì đây là anten vi dải nên yêu cầu khối lượng nhẹ, kích thước nhỏ gọn là điều hiển
nhiên. Còn về mất mát ít thì anten cộng hưởng điện môi này là sự lựa chọn tốt vì nó
không suy hao, mất mát như những anten dùng vật dẫn kim loại để tạo trường bức xạ.

15
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Với yêu cầu bim nhỏ nhất thì bị ràng buộc vì nó phụ thuộc vào số lượng và cách bố trí
các anten trong dãy anten. Trong luận văn này dãy thiết kế là 4x4, từ phần lý thuyết có
thể thấy để bề rộng bim theo trục x hoặc y có thể thay đổi bằng cách thay đổi  x ,  y ,

đối với dãy anten sắp xếp theo một chiều thì để giảm độ rộng bim chính thì cần đặt
khoảng cách giữa anten thành phần càng xa càng tốt nhưng không được vượt quá mức
giới hạn vì khi đó sẽ làm tăng mức và độ rộng búp phụ, ngoài ra cũng sẽ làm xuất hiện
grating lobe. Đối với bề rộng bim theo trục z thì có thể chỉnh điều chỉnh được.

x y
h  
cos 0 cos 0
h   x   y

Theo trục z, để có bim nhỏ nhất thì cần cos0  1 hay 0  00 . Tức là cần thiết kế sao

cho hướng bức xạ chính là 0  00 (trùng với trục z)

Vì ở đây không thiết kế lại từ đầu anten thành phần thỏa yêu cầu đặt ra mà chọn
anten đã có sẵn trong bài báo nổi tiếng để áp dụng cho đề tài nên công việc đầu tiên
của người thiết kế là tìm ra anten thành phần đã thỏa yêu cầu, sau đó tùy vào yêu cầu
phát sinh mà thay đổi cấu trúc anten so với cấu trúc ban đầu. Với yêu cầu thiết kế tốt
cần S11<=-10dB (10% phản xạ về, 90% truyền tới anten bức xạ), ngoài ra góc quét
rộng cần anten thành phần có độ rộng bim rộng, độ rộng bim của dãy anten càng hẹp
càng tốt.

3.3. Thiết kế
3.3.1. Thiết kế và mô phỏng lại cấu trúc anten trong bài báo bằng HFSS

Dựa vào các thông số và cấu trúc anten trong bài báo số [1], anten được thiết kế lại
trên HFSS để so sánh kết quả mô phỏng với kết quả trong bài báo.

16
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 3.0: Cấu trúc anten trong bài báo

Với: W=1.2 mm, L=26.5 mm, Ls=2 mm, Ws=5 mm, Ls1=1 mm, Ws1=7.5 mm, Wi=30 mm,
h1=1.27 mm, c=1.27 mm, h2=0.8 mm, d=2.15 mm và a=b=10.4 mm.

DRA và subtrate h1 làm từ vật liệu điện môi RT/duroid 6010 có  r  10.2 , còn lớp substrate

h2 làm từ RT/duroid 3060 có  r  2.2 . Để ý rằng trong thư viện HFSS v13 và trong trang
web của Rogers Corporation không có vật liệu RT/duroid 3060. Tuy nhiên có thể thay thế
bằng RT/duroid 5880 vì chúng có cúng giá trị hằng số điện môi  r .

Vật liệu dẫn điện có thể tự chọn là đồng, có bề dày phổ biến được dùng là 35um.

17
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Thiết kế trên HFSS:

Hình 3.1: Anten thiết kế trên HFSS

Kết quả mô phỏng:

Hình 3.2: Đáp ứng S11 mô phỏng

Kết quả từ bài báo:

Hình 3.3: Đáp ứng S11 trong bài báo

18
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Có thể thấy hai kết quả hình 3.2 và 3.3 gần giống nhau, tuy nhiên kết quả mô phỏng còn
chưa tốt tại tần trong trong khoảng từ 8-9 Ghz và 10-11Ghz vì đáp ứng còn phần bị nâng lên
trên -10 dB, đây là một trong số lí do mà tôi sẽ thay đổi lại vài thông số để có đáp ứng S11 tốt
hơn.

Hình 3.3 là Đáp ứng S11 trong bài báo, tác giả sử dụng phần mềm CST microwave để mô
phỏng. Có thể giải thích sự khác nhau về kết quả là do hai phần mềm HFSS và CST
microwave sử dụng hai thuật toán khác nhau để mô phỏng điện từ trường của anten hoặc
cách cài đặt vùng biên, nguồn kích thích có sự khác biệt (do tác giả không đề cập phần này
trong bài báo). Hiện tại đây là hai phần mềm tốt nhất cho thiết kế anten.

Trong quá trình thiết kế và mô phỏng, do kết quả S11 mô phỏng chưa tốt và có những yều
cầu mới đặt ra để phù hợp cho thiết kế dãy anten và để có đáp ứng S11 tốt nên cấu trúc anten
thay đổi dần so với ban đầu. Dưới đây là quá trình tôi đã thực hiện để từ anten trong bài báo
trở thành anten phù hợp với yêu cầu thiết kế của đề tài.

Đầu tiên, xuất phát từ đáp ứng S11 chưa tốt đã chỉ ra hình 3.2, khoảng trống giữa các
anten thành phần trong dãy hơi nhỏ (với tần số thiết kế trung tầm là 10Ghz thì khoảng cách
đó là 0 / 2 =15mm) nên rất khó để đặt mạch chia công suất và anten nằm trên cùng một mặt
nên tôi đã thay đổi các thông số của anten:

 Kích thước lớp nền RT/duroid 5880 (phần nằm giữa DRA và lớp substrate) được
chọn bằng với kích thước DRA để hạn chế sự ảnh hưởng của nó tới đường kích thích
(đường truyền vi dải) và khoảng không gian giữa các anten thành phần trong dãy
anten được rộng hơn.

19
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
 Thay đổi d:

Hình 3.4: Đáp ứng S11 theo d

d = 0mm được chọn (phần đường màu đỏ)
 Thay đổi h2 ( chiều cao lớp nền giữa) :

Hình 3.5: Đáp ứng S11 theo h2

h2 = 0.8mm được chọn (phần đường màu xanh đậm)
 Thay đổi L (chiều dài đường kích thích 50Ohm) :

Hình 3.6: Đáp ứng S11 theo L

L = 9 mm được chọn (phần đường màu tím)

20
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Cấu trúc anten sau những thay đổi:

Hình 3.7: Cấu trúc anten sau khi thay đổi

Đáp ứng S11 của anten:

Hình 3.8: Đáp ứng S11 kiểu kích thích microstrip

Kết quả tốt hơn nhiều so với kết quả mô phỏng lại cấu trúc ban đầu.

Tiếp theo, mặc dù kích thước anten đã giảm, nhưng vẫn không thể đặt mạch chia công
suất và anten trên cùng một mặt do khoảng cách giữa các anten không đủ rộng đề đặt mạch
chia vào khoảng trống giữa các anten vì nếu khoảng cách giữa các anten là 15mm mà khoảng
trống thực tế chỉ là 15 – 10.4 = 4.6 mm, trong khi đó L = 9mm nên khoảng trống không đủ
rộng, bên cạnh đó nếu đặt mạch chia công suất và anten trên cùng một mặt thì trường bức xạ
của anten sẽ bị ảnh hưởng bởi đường truyền microstrip và khó đặt chip phase shifter để điều
khiển quét bim. Ý tưởng giải quyết là đặt anten và mạch chia công suất trên 2 mặt khác nhau
hoặc trên 2 bo khác. Do đó anten với kiểu kích thích probe được dùng, giống như anten gốc
trong bài báo thì do S11 chưa tốt nên tiếp tục thay đổi các thông số để có S11 tốt nhất có thể.

21
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Khi dùng kiểu kích thích này, cấu trúc anten đã thay đổi rất nhiều so với ban đầu, lúc đầu tôi
nghĩ rằng chỉ cần thay lump port kích thích cho anten thông qua đường truyền vi dải bằng
wave port kích thích thông qua coax là được, tuy nhiên đáp ứng S11 bị thay đổi rất nhiều,
toàn bộ đáp ứng bị dâng lên trên 5dB và băng thông rất hẹp. Cuối cùng tôi quyết định thay
đôi rất nhiều thông số đã tìm được phần kết quả mô phỏng nhưng với ràng buộc là không
thay đổi phần patch anten, kích thước DRA và lớp substrate có chiều cao h1, vì nếu thay đổi
chúng thì patch anten sẽ có kích thước hoàn toàn khác và như vậy sẽ mất rất nhiều thời giản
để tìm ra.

Dưới đây là kết quả mô phỏng để tìm ra thông số của anten với kích thích probe.

 Thay đổi d:

Hình 3.9: Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo d
d = 0mm được chọn (phần đường màu xanh đỏ).
 Thay đổi h2 :

Hình 3.10: Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo h2
h2=0.8mm được chọn (phần đường màu xanh đậm)

22
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
 Thay đổi L :

Hình 3.11: Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo L
L=0.5mm được chọn (phần đường màu tím)
 Thay đổi Wi (bề rộng lớp substrate giữa) :

Hình 3.12: Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe theo Wi
Kích thước 11.5x11.5mm2 thay cho kích thước 10.4x10.4mm2 được chọn

Anten thành phần có được:

Hình 3.13: Anten thiết kế dùng kích thích coax

23
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Đáp ứng S11, độ lợi, đồ thị bức xạ của anten:

Hình 3.14: Đáp ứng S11 kiểu kích thích probe

Độ lợi và đồ thị bức xạ:

Hình 3.15: Độ lợi và đồ thị bức xạ của anten với kiểu thích thích probe

Nhận xét:

Đáp ứng S11 khá tốt nhưng đồ thị bức xạ không tốt vì hướng bức xạ chính không phải là
hướng của trục z mà hướng bị lệch đi 600 theo mặt phẳng E so với trục z, ngoài ra đồ thị bức
xạ không đều trên cả hai mặt phẳng E và H.

Với yêu cầu bim hẹp nhất thì cần hướng bức xạ chính là hướng z, đồ thì bức xạ không đề sẽ
làm cho búp phụ ở hai bên búp chính sẽ có mức dB khác nhau.

Xuất phát từ trường bức xạ của anten để giải thích cho đồ thị bức xạ 3D:

24
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 3.15: Trường bức xạ của anten với kiểu thích thích probe

Nhận xét: anten bức xạ nhiều về phía phần có DRA lớn hơn, đây chính là nguyên nhân
làm cho đồ thị bực xạ 3D bị lệch về một phía. Do vậy tôi điều chỉnh cho patch anten nằm ở
gần giữa DRA mà giữ nguyên kích thước DRA, kết quả S11 như sau:

Hình 3.16: Đáp ứng S11 khi patch anten đặt ở gần trung tâm DRA

Kết quả S11 không tốt.

Tôi quyết định thay đổi kích thước DRA và trong mỗi lần thay đổi thì sẽ chỉnh cho patch
anten nằm ở phần gần trung tâm DRA để có đồ thị bức xạ đều quanh trục z, đầu tiên là thay
đổi kích thước b của DRA ( phần theo trục y), kết quả:

Hình 3.17: S11 theo kích thước b của DRA

Giá trị được chọn: b=17mm, d=5.5mm.

25
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Thay đổi a:

Hình 3.18: S11 theo kích thước a của DRA

Giá trị được chọn: a=10.4mm

Thay đổi h3=2c (chiều cao DRA):

Hình 3.19: S11 theo kích thước h3 của DRA

Giá trị được chọn: h=2c=2.54mm

Cuối cùng, anten thành phần được dùng cho thiết kế dãy anten có cấu trúc như sau:

Hình 3.20: Anten thành phần cho thiết kế dãy anten

26
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Đáp ứng S11:

Hình 3.21: S11 của anten thành phần

Độ lợi và đồ thị bức xạ:

Hình 3.22: Độ lợi và đồ thị bức xạ của anten thành phần

3.3.2. Thiết kế dãy anten

Trong luận văn này, các dãy anten 2x2, 3x3, 4x4 và 8x8 được thiết kế và mô phỏng để
khảo sát độ lợi, độ rộng bim sao cho phù hợp với yêu cầu của người thiết kế.

Do bị giới hạn về bộ nhớ RAM máy tính (mặc dù máy tính trong phòng Lab dùng cho mô
phỏng có bộ nhớ RAM khá lớn: 16GB) đang có nên dãy 8x8 không được khảo sát, tuy nhiên
người thiết ké có thể dựa vào kết quả tính toán và mô phỏng của dãy 2x2, 3x3, 4x4 để tính
giá độ lợi, độ rộng bim. Từ đó, xuất phát từ yều cầu của độ rộng bim, người thiết kế có thể
ước tính được số lượng anten tối thiểu cần có để đáp ứng yêu cầu độ rộng bim.

27
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Như trong phần lý thuyết đã trình bày thì để không xuất hiện grating lobe thì khoảng cách
giữa các anten thành phần nên là nửa bước sóng. Để chọn ra khoảng cách phù hợp thì tôi
khảo sát ảnh hưởng khoảng cách giữa các anten tới đáp ứng S11:

Hình 3.23: S11 theo khoảng cách giữa các anten

Kết quả khoảng cách 20mm được chọn. Có thể giải thích kỹ lại lí do chọn giả trị 20mm như
sau: khoảng cách theo trục x (hướng nằm dọc) chọn là 20mm vì cho đáp ứng S11 tốt nhất.
Khoảng cách theo trục y (hướng nằm ngang) chọn là 20mm vì cần có khoảng trống giữa các
anten 20mm-17mm=3mm, hơn nữa nếu khoảng cách dx=dy thì bim quét sẽ đều hơn. Nguyên
nhân không chọn khoảng cách lớn hớn 20mm là vì càng xa o / 2  15mm thì grating lobe sẽ
xuất hiện, ngoài ra mức búp phụ cũng tăng lên.

Hình 3.24: Dãy anten 8x8

28
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Dãy anten 2x2, 3x3, 4x4 trên HFSS:

Hình 3.25: Dãy anten 2x2, 3x3, 4x4

Kết quả mô phỏng cho thấy khi số phần tử anten càng lớn thì độ rộng bim chính hẹp đi, mức
búp phụ giảm xuống. Độ lợi của dãy anten bị ảnh hưởng nhiều bởi sự ảnh hưởng giữa các
anten, có thể ước tính độ lợi của dãy anten thông qua kết quả mô phỏng anten thành phần như
sau: nếu coi độ lợi của anten thành phần là 6.1dB, xét trường hợp lí tưởng thì tăng số anten
lên 2 lần thì độ lợi tăng thêm 3dB. Ta có công thức tổng quát để tính độ lợi lí tưởng như sau:

G  Ge *10*log( N ) với G: độ lợi lí tưởng dãy anten, N: số phần tử anten và Ge: độ lợi
anten thành phần. Với dãy 2x2, 3x3 và 4x4 thì G tương ứng là 12.1dB, 15.6dB và 18.1dB.

So với kết quả ước lượng thì kết quả mô phỏng xấp xỉ bằng nhau.

Kết quả độ lợi, độ rộng bim của dãy:

 Dãy 2x2:

Hình 3.26: Đáp ứng dãy anten 2x2

29
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
 Dãy 3x3:

Hình 3.27: Đáp ứng dãy anten 3x3

 Dãy 4x4:

Hình 3.28: Đáp ứng dãy anten 4x4

30
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Bảng 2: Kết quả mô phỏng độ lợi, độ rộng bim:

Dãy MxM Độ lợi Độ rộng bim

M=1 6.1dB 92.2o

M=2 11.8dB 37.9o
M=3 15.3dB 24.8o
M=4 17.5dB 18.9o
M=8
3.3.3. Thiết kế mạch chia công suất

Như đã giới thiệu trong phần lý thuyết, do ưu điểm của mạch chia Wilkinson là đáp
ứng tốt cho những thiết kế băng rộng nên mạch chia Wilkinson được chọn.

Vật liệu làm substrate là RT/duroid 5880, người thiết kế có thể tham khảo kích thước có sẵn
do nhà sản xuất làm sẵn tại www.rogerscorp.com

Dựa vào datasheet do nhà sản xuất cung cấp, ở dây tôi chọn chiều cao là h = 0.38mm.

Hình 3.29: Bảng thông số chuẩn của bo RT/duroid 5880

Mạch chia công suất được làm trên vật liệu bo đồng 2 lớp với bề dày lớp đồng
là 35um, lớp substrate làm bằng vật liệu RT/duroid 5880 với  r = 2.2, bề dày
h=0.38mm. Định nghĩa substrate trên ADS:

Hình 3.30: Định nghĩa bo dùng cho mạch chia công suất
Sử dụng công cụ linecalc trên ADS để tính bề rộng, chiều dài các đường truyền vi dải
có trở kháng như mong muốn, ví dụ cho trở kháng 50  .

31
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 3.31: Công cụ tính linecalc trên ADS

 Mạch chia công suất 1:2
Dựa vào phần lý thuyết đã trình bày ở mục 2, mạch chia công suất được thiết
kế và mô phỏng đáp ứng S11 trên phần mềm ADS, phần đường truyền có bề rộng lớn
hơn phần cung tròn là đường truyền 50  có bề rộng 1.13mm, phần cung tròn có bề
rộng nhỏ hơn là đường truyền 70.7  có bê rộng 0.63mm, chiều dài tổng cộng trên
một nhánh của đường truyền 70.7  xấp xỉ bằng  / 4  5.5mm .
Mô phỏng EM mạch chia công suất 1:2:
MSub Term
Term3
MSUB
Num=3
MSub1 Z=50 Ohm
H=0.38 mm
Er=2.2
Mur=1
Cond=5.8e+7
Hu=1.0e+033 mm
T=0.035 mm
TanD=0.002
Rough=0 mm
Bbase=
Dpeaks=

S-PARAMETERS

S_Param
SP1 R
Start=6 GHz R1
Stop=14 GHz R=100 Ohm
Step=0.05 GHz

Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm

Term
Term1
1To2 Num=1
Layout_1to2 Z=50 Ohm

Hình 3.32: Layout mạch chia 1:2

32
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Đáp ứng S11 của mạch chia công suất 1:2.

m2
freq=12.00GHz
dB(Layout_1to2.SP1.SP.S(1,1))=-20.496

m1
freq=8.000GHz
dB(Layout_1to2.SP1.SP.S(1,1))=-19.611

-10
dB(Layout_1to2.SP1.SP.S(1,1))
-15
m1 m2
-20

-25

-30

-35

-40
6 7 8 9 10 11 12 13 14

freq, GHz

Hình 3.33: Đáp ứng S11 của mạch chia Wilkinson 1:2
 Mạch chia công suất 1:16
Bằng cách dùng mạch chia 1:2 ghép lại với nhau và đảm bảo khoảng cách giữa các
port giống với khoảng cách giữa các port kích thích cho các anten thành phần trên
HFSS, cuối cùng mạch chia công suất 1:16 được tạo nên.
Do tất cả các chiều dài tính toán đều lấy gần đúng, phối hợp trở kháng tại các nhánh
chưa tốt nên kết quả tần số cộng hưởng bị trôi đi, để có đáp ứng tốt thì tôi điều chỉnh
chiều dài đường truyền 50 Ohm, khi đó vẫn đảm bảo khoảng cách giữa các port
nhưng phần kích thích ở chính giữa bị lệch một ít so với trung tâm của mạch, có thể
thấy rất rõ ở phần layout ở dưới sơ đồ mạch này.
Sơ đồ mạch chia 1:16 với đầu cuối nối với các port 50 Ohm:

33
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Term M LIN M LIN Term

Term 2 TL7 TL13 Term 6 Term M LIN M LIN Term
Term 10 TL79 TL57 Term 14
Num =2 Num =6
Z=50 Ohm Z=50 Ohm Num =10 Num =14
Z=50 Ohm Z=50 Ohm
M CURVE
M SABND_M DS M CURVE M CURVE
Bend3 Curv e2 Curv e7 M SABND_M DS M CURVE
Bend19 Curv e41 Curv e34
R R
M CURVE M CURVE M SABND_M DS R R
R1
M LIN M LIN Curv e6 M LIN M LIN R2 M CURVE
R=100
TL5 Ohm TL3 Curv e4 M SABND_M DS TL10 TL9 R=100
Bend4 Ohm R9
M LIN M LIN M CURVE Curv e35 M LIN M LIN R11
M SABND_M DS
R=100
TL77 Ohm TL76 Curv e44 M SABND_M DS TL60 TL61 Bend23Ohm
R=100
M LIN Bend7 M LIN Bend21
M CURVETL16 M LIN M LIN
M LIN M LINTL15 M CURVE M SABND_M DS
M CURVETL73 TL52 M SABND_M DS
Curv e3 R M SABND_M DS Bend5 M LIN
M LIN M LIN TL20 TL17
Bend6 Curv e5 M LIN M LIN Curv e43 R MMSABND_M
LIN DS M CURVE Bend22
TL4 TL2 R3 TL11 TL12 M LIN M LIN TL72 TL53
Bend20 Curv e36 M LIN M LIN
MMSABND_M
LIN DS R=100 Ohm M CURVE M LIN
M LIN TL74 TL75 R10 TL59 TL58 M LIN
TL6 M CURVE TL14 M SABND_M DS R=100 Ohm M CURVE
Bend2 Curv e8 TL78 M CURVE TL56
Curv e1 Bend18 Curv e33
M LIN M LIN Curv e42
TL19 TL18 M LIN M LIN
TL84 TL54
Term Term
Term Term
Term 3 Term 7
Num =3 Num =7 Term 11 Term 15
M CURVE Num =11 Num =15
Z=50 Ohm Curv e9 Z=50 Ohm M CURVE
Z=50 Ohm Curv e45 Z=50 Ohm

M CURVE
M CURVE M CURVE
CurvCurv
e10 e11 M CURVE
Curv e46
Curv e47
M LIN
TL21 M CURVE M LIN
Curv e12 TL55 M CURVE
Curv e48

M CURVE
M SABND_M DS
Curv e16 M CURVE
Bend8
Curv e51
R
R4
M LIN M LIN M CURVE M CURVE R
Curv e13 M SABND_M DS M LIN M LIN R12
M SABND_M DS
R=100
TL23 Ohm TL24 Curv e50 Bend24Ohm
Bend32 TL82 TL83 R=100
M LIN M LIN
M CURVE TL50 TL51
Curv e14 M LIN MMSABND_M
LIN DS M SABND_M DS
M LIN M LIN R
TL94 TL97 M CURVE
Bend33 Curv e49 M LIN M LIN Bend25
R16
M LIN TL26 TL25
R=100 Ohm TL81 TL80
M SABND_M DS M CURVE M LIN
TL22
Bend9 M CURVE
Curv e15 Curv e52 TL71
M LIN M LIN
TL95 TL96
M CURVE
Curv e22 M CURVE
Curv e58

M CURVE M CURVE
M CURVE Curv e61 M CURVE
Curv e21
Curv e24 M CURVE
Curv e57
Curv e60
M CURVE
M LIN MMCURVE
LIN M CURVE
TL42 TL28 CurvCurv
e62 e63 M LIN MMCURVE
LIN
Curv e23 TL87 TL69
Term M LIN M LIN Term M LIN Curv e59
Term M LIN M LIN Term
Term 4 TL36 TL34 Term 8 TL1 M CURVE
Num =4 Num =8 Curv e64 Term 12 TL93 TL63 Term 16
M LIN M LIN Num =12 Num =16
Z=50 Ohm TL43 TL27 Z=50 Ohm M LIN M LIN
Z=50 Ohm TL86 TL70 Z=50 Ohm
M SABND_M DS M CURVE M CURVE Term
Curv e17 M SABND_M DS M CURVE M CURVE
Bend11 Curv e26 Term 1 Curv e53
Num =1 Bend27 Curv e39
R M SABND_M DS
M CURVE R
R5
M LIN M LIN M CURVE R Bend12 M LIN M LIN R7
M SABND_M DS Z=50 Ohm R M SABND_M DS
M CURVE R
Curv e20 R6 Curv e27 Bend15Ohm R13
M LIN M LIN M CURVE R Bend28 M LIN M LIN R15
M SABND_M DS
R=100
TL38 Ohm TL39 TL31 TL30 R=100 R14 Curv e38
R=100 Ohm R=100
TL91 Ohm TL90 Curv e56 TL66 TL67 R=100
Bend31Ohm
M LIN M SABND_M DS M LIN R=100 Ohm
M CURVETL44 Bend13 TL29 M SABND_M DS M LIN M SABND_M DS M LIN
M CURVE M CURVETL85 Bend29 TL68 M SABND_M DS
M LIN M LIN Curv e19 Curv e28 M LIN M LIN Bend14 M CURVE
Curv e55 Bend30
M LIN M LIN Curv e37 M LIN M LIN
M LINTL41 TL40 TL32 TL33 M LIN TL88 TL89 TL65 TL64
M SABND_M DS M CURVE
TL37
Bend10 M CURVE Curv e25 TL35 MMSABND_M
LIN DS M CURVE M LIN
Curv e18 TL92 M CURVE TL62
Bend26 Curv e54 Curv e40

Term Term
Term 5 Term 9 Term Term
Term 13 Term 17
Num =5 Num =9
Z=50 Ohm Z=50 Ohm Num =13 Num =17
Z=50 Ohm Z=50 Ohm

Hình 3.34: Sơ đồ mạch chia 1:16

Sơ đồ mô phỏng EM của mạch chia:

Term Term Term Term

Term10 Term11 Term12 Term13
Num=10 Num=11 Num=12 Num=13
Z=50 Ohm Z=50 Ohm Z=50 Ohm Z=50 Ohm

R R R R
R6 R13 R12 R11
R=50 Ohm R=50 Ohm R=50 Ohm R=50 Ohm

R R
R1 R4
R=50 Ohm R=50 Ohm

Term Term Term Term

Term4 Term5 Term9 Term8
Num=4 Num=5 Num=9 Num=8
Z=50 Ohm Z=50 Ohm Z=50 Ohm Z=50 Ohm

R R
R14 R15
R=50 Ohm R=50 Ohm

R
R5
R=50 Ohm

Term Term Term Term

Term14 Term15 Term16 Term17
Num=14 Num=15 Num=16 Num=17
Z=50 Ohm Z=50 Ohm Z=50 Ohm Z=50 Ohm

R R R R
R7 R R8 R9 R R10
R=50 Ohm R2 R=50 Ohm R=50 Ohm R3 R=50 Ohm
R=50 Ohm R=50 Ohm

Term Term Term Term

Term3 Term2 Term Term6 Term7
Wilkin Num=3 Num=2 Term1 Num=6 Num=7
I__51 Z=50 Ohm Z=50 Ohm Num=1 Z=50 Ohm Z=50 Ohm
Z=50 Ohm

Hình 3.35: Layout mạch chia 1:16

34
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Đáp ứng S11 của mạch (các đầu cuối nối với port 50 Ohm):

-5

-10

-15

dB(S(1,1)) -20

-25

-30

-35

-40

-45
6 7 8 9 10 11 12 13 14

freq, GHz

Hình 3.36: Đáp ứng S11 của mạch 1:16

3.4. Kết quả mô phỏng

Đáp ứng của mạch chia công suất ở trên có được khi các đầu cuối của mạch chia được
nối với port 50 Ohm lí tưởng. Điều này không thực tế vì trở kháng của anten có thể bị thay
đổi theo tần số mang không giữ một giá trị cố định khi tần số thay đổi, để xem đáp ứng của
mạch chia khi đầu cuối của mạch nối với từng anten thành phần thì chỉ cần thay port 50 Ohm
bằng file thông số S của dãy anten 16 phần tử (file .s16p) có được bằng cách Export từ HFSS,
sau đó dùng file đó để mô phỏng, cách Export file như sau:
Vào HFSS - > Results - > Solution Data…..
Giao diện mới sẽ mở ra, đánh dấu tích vào Display All Freqs và S Matrix.
Sau đó kích vào Export Matrix Data…

35
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 3.37: Giao diện export file thông số S

Lưu file S parameter với một cái tên, dùng file này import vào ADS.
Kết quả đáp ứng file thông số S của dãy anten 4x4:

Hình 3.38: Đáp ứng S11,S22…S1616 của dãy 4x4

Phần đường gần như bằng phẳng trên đoạn từ 7 – 13 Ghz là đáp ứng S11, S22…S1616 tại
đầu vào của từng phần tử anten.

36
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Hình 3.39: Đáp ứng các thông số còn lại của dãy 4x4
Có thể rút ra nhận xét từ kết quả trên như sau:
Trở kháng vào của từng anten tại miền tần số 7 – 13 Ghz gần như giống nhau vì có đáp thông
số S xấp xỉ bằng nhau (xấp xỉ -10dB).
ảnh hưởng giữa các anten có sự khác biệt, điều này cũng dễ hiểu vì các anten đều được kích
thích bằng cùng một giá trị nguồn, anten có cấu trúc giống nhau do vậy anten càng gần nhau
thì sẽ ảnh hưởng lớn ví dụ như anten số 1 với số 2, số 5, với anten ở rất xa nhau thì sẽ ảnh
hưởng rất nhỏ ví dụ như anten số 1 với anten số 16.
Mạch mô phỏng khi nối dãy anten với mạch chia công suất:

Hình 3.40: Sơ đồ kết nối mạch chia công suất với dãy anten

37
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Kết quả đáp ứng thông số S11 (phần đường màu đỏ):

Hình 3.41: Đáp ứng S11

Đường màu đỏ: S11 của dãy 4x4
Đường màu xanh: Đáp ứng của mạch khi các port đầu cuối là 50 Ohm
Từ kết quả ở trên có thể nhận ra, trở kháng vào của anten không còn là giá trị gần 50 Ohm do
khoảng cách giữa đường màu đỏ và màu xanh ở rất xa nhau.
Tóm lại các kết quả mô phỏng của dãy 4x4 được tổng hợp lại như sau:
Đáp ứng trở kháng ngõ vào S11:

Hình 3.42: Đáp ứng S11 của dãy 4x4

38
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

Độ lợi và Đồ thị bức xạ trong hệ tọa độ cực và độ rộng bim:

Hình 3.43: Độ lợi và đồ thị bức xạ dãy 4x4

39
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN

4.1 Kết luận

Qua kết quả mô phỏng có thể thấy anten thiết kế có S11 thỏa yêu cầu đặt ra vì băng
thông từ 6.7 – 14Ghz, tức là băng thông bao gồm cả tần số băng X (8-12Ghz).

Trong đề tài này tôi nhận thấy những công việc mà tôi đã làm được và chưa làm được,
cũng như ưu và khuyết điểm như sau: thiết kế được dãy anten băng X thỏa yêu cầu độ lợi,
dãy anten thiết kế có đáp ứng hệ số phản xạ ngõ vào nhỏ hơn -10dB trên băng tần X, độ rộng
băng thông trên 7.3Ghz(6.7-14 Ghz) và độ lợi lớn nhất 17.5dB, so với anten trong bài báo thì
độ rộng băng thông thiết kế rộng hơn. Tuy nhiên anten thiết kế còn có mức búp phụ còn lớn
so với búp chính, vẫn chưa tìm hiểu và thiết kế thêm vị trí lắp bộ phase shifter để điều khiển
quét bim.

Thông qua việc tìm hiểu và thiết kế anten băng X, tôi học hỏi được nhiều điều: có khả
năng áp dụng kiến thức học được trong sách vở, tài liệu tham khảo và sự hướng dẫn của giáo
viên để thiết kế ra một ứng dụng mang tính thực tế. Ngoài ra cũng học hỏi thêm cách sử dụng
những phần mềm chuyên dụng cho thiết kế anten và những ứng dụng trong hệ thống siêu cao
tần. Bên cạnh đó cũng học thêm được cách phân chia công việc trong từng giai đoạn để giải
quyết một vấn đề cần nhiều thời gian giải quyết.

4.2 Hướng phát triển

 Hướng phát triển: tùy vào yêu cầu của ứng dụng, độ rộng bim hoặc độ lợi mà thiết kế
anten có kích thước, số lượng anten phù hợp. Có thể thấy búp phụ trong kết quả mô
phỏng còn lớn do vậy cần thiết kế thêm cửa sổ lọc hoặc dùng các kỹ thuật khác để
giảm mức búp phụ, ngoài ra người thiết kế có thể lắp thêm bộ phase shifter ở trên
phần mạch chia công suất để đáp ứng yêu cầu điều khiển quét bim cho những ứng
dụng giám sát vật thể trong vùng rộng.
 Ưng dụng của đề tài: dãy anten này có thể dùng cho những ứng dụng cần anten có
kích thước anten nhỏ gọn, hiệu suất bức xạ cao, độ lợi lớn và có khả năng điều khiển
hướng bim chính giống như Ra-đa phát hiện vật thể, truyền tín hiệu bằng tần số băng
X với khoảng cách gần.

40
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Yacouba Coulibaly, Tayeb A. Denidni and Halim Boutayeb,” Broadband Microstrip-Fed
Dielectric Resonator Antenna for X-Band Applications,” IEEE antennas and wireless
propagation letters, vol. 7, 2008.
[2] M. M. Bilgic and K. Yegin,” Wideband Offset Slot-Coupled Patch Antenna Array
for X/Ku-Band Multimode Radars,” IEEE antennas and wireless propagation letters,
vol.13, 2014.
[3] Daniel D. Harty, “Novel design of a wideband ribcage-dipole array and its feeding
network”, thesis.
[4] Kwai-Man Luk, Kwork-Wa Leung, “Dielectric Resonator Antennas”, Copyright © 2002,
by Research Studies Press Ltd.
[5] Constantine A.Balanis, “Antenna theory analysis and design (third edition)”, Copyright
© 2005 by John Wiley & Sons, IncAltera Corp.
[6] Robert J. Mailloux, “Phased Array Antenna Handbook (second edition)”, Cover design
by Leslie Genser © 2005 ARTECH HOUSE, INC. 685 Canton Street Norwood,
MA02062
[7] David M.Pozar, “Microwave engineering (fourth edition)”, Copyright © 2012, 2005,
1998 by John Wiley & Sons, Inc.
[8] Ahmed Kishk, “Advancement in microstrip antennas with recent applications”,
Copyright © 2012 InTech.
[9] Merrill i. skolnik, “Radar handbook”, copyright © 2008 by the McGraw-Hill companies,
pp.597 - 666.

41
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học

PHỤ LỤC

Các loại anten (vi dải) phân chia theo độ rộng băng thông

 Anten băng thông hẹp.

Đối với những ứng dụng cần anten băng hẹp như wifi, điện thoại…thì anten này là sự
lựa chọn tốt nhất vì vừa đáp ứng được tần số cần thiết kế trung tâm vừa đảm bảo về mặt độ
lợi. Đáp ứng S11 của anten rất tốt (khoảng <-30dB), do đặc điểm của anten vi dải nên độ lợi
không cao, hướng bức xạ rộng. Một số anten vi dải băng hẹp thường gặp:

Nguồn hình ảnh lấy từ Tools Antenna kit design của HFSS.

Hình 4.1: Mọt vài patch anten

42
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
 Anten băng thông rộng

Loại anten này có độ rộng băng thông từ 40-50%, đây cũng chính là kiểu anten sẽ
được dùng cho việc thiết kế vì băng thông cần thiết kế thuộc khoảng này.

Loại anten này có được từ việc mở rộng băng thông của anten băng hẹp bằng những giải
pháp sẽ trình bày ở phần sau.

 Anten băng thông rất rộng (Ultra wideband)

Băng thông của anten trải từ 3 – 13 Ghz, khi thiết kế với kiểu anten này thì chấp nhận độ lợi
thấp vì độ lợi giảm khi băng thông tăng. Một vài anten băng rộng:

Hinh 4.2: Một số cấu trúc anten băng rất rộng

43
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Một số giải pháp tăng băng thông
 Tạo khe hình chữ U, E, H trên mặt anten hình chữ nhật hoặc vuông

Hình 4.3: Anten tạo khe hình chữ E, H và U.

Bản chất của phương pháp này là khắc hình chữ U, E, H lên mặt lớp dẫn sao cho phần còn lại
của lớp dẫn còn miếng dẫn, còn phần chữ được khắc lên thì không còn lớp dẫn.

Cách này có thể áp dụng cho thiết kế dãy anten được. Nhưng khó kiểm soát việc kích thích
cho từng anten thành phần trong dãy vì các anten thành phần dùng chung lớp dẫn.

 Dùng kích thích Aperture coupling:

Hình 4.4: Kích thích Aperture coupling

Phương pháp này vừa đảm bảo tăng băng thông, nâng cao hiệu suất của anten
thiết kế. Tuy nhiên vì cấu trúc phức tạp hơn, nhiều lớp substrate nên sẽ khó thực
hiện, ghép giữa các lớp đòi hỏi độ chính xác cao và tất nhiên chi phí sẽ cao hơn
cách khác.

44
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
 Tạo khe cộng hưởng hoặc thay đổi kích thước mặt phẳng đất, cắt cạnh anten.

Hình 4.5: Tạo khe cộng hưởng trên mặt ground

Hình 4.6: Thay đổi bề rộng mặt ground

Hai cách vừa trên chỉ áp dụng cho những cấu trúc đơn giản, bo gồm 3 mặt lớp vật dẫn, với
những cấu trúc khác thì cách này không áp dụng được, phương pháp thứ hai chỉ áp dụng cho
một anten, với thiết kế dãy anten thì cách này không áp dụng được.

Hình 4.7: Cắt cạnh anten

45
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
Cách này có thể áp dụng cho những anten có cấu trúc khác nhau và nhiều anten trên cùng một
mặt (giống như dãy anten).

Anten vi dải thường dùng cho thiết kế anten băng X.

 Patch Anten.

Hình 4.8: Patch anten

Anten này cho hiệu suất thấp, băng thông hẹp, để mở rộng băng thông hay hiệu suất
thì người thiết kế thường sử dụng kích thích thông qua tạo khe nằm trên mặt ground, đường
kích thích vi dải nằm ở mặt dưới mặt ground. Thực chất của việc kích thích đó là dùng trường
bức xạ từ anten khe để kích thích cho các thành phần bức xạ khác như tấm vật dẫn, khối cộng
hưởng điện môi… từ đó tạo nên sự cộng hưởng tần số tại nhiều tần số khác nhau, nhờ vậy mà
băng thông được mở rộng.

Một sự lựa chọn khác là có thể dùng anten cộng hưởng điện môi để thay cho anten ở
trên vì anten cộng hưởng điện môi cho hiệu suất bức xạ rất cao (khoảng trên 90%).

Hình 4.9: Anten DRA

46
SVTH: Kpuih Cư
GVHD: Trần Thành Ngôn và TS.Huỳnh Phú Minh Cường Luận văn tốt nghiệp đại học
 Anten Vivaldi

Hình 4.10: Anten vivaldi

Loại anten này thường dùng cho những ứng dụng như Ra-đa, vệ tinh…tuy nhiên kích
thước thường không nhỏ gọn, chi phí sản xuất cũng cao, do vậy anten này không được xem
xét trong luận văn này, lí do chủ yếu ở tính nhỏ gọn. Nhưng ít ra anten Vivaldi cũng có kích
thước nhỏ hơn nhiếu so với anten được dùng rất phổ biến trong Ra-đa, vệ tinh. Đó là anten
parabol, anten loa. Đồ thị bức xạ của anten Vivaldi tốt hơn anten cộng hưởng điện môi nên
độ lợi của nó thường cao hơn nhưng nếu xét về hiệu suất thì anten Vivaldi không bằng vì
trường bức xạ của anten Vivaldi do vật dẫn kim loại tạo nên do vậy một phần công suất bị
mất mát do bị tiêu tán trên vật dẫn này, ngược lại thì anten cộng hưởng điện môi không bị
mất mát công suất ở phần này.

47