DIGITALNI INTEGRIRANI KRUGOVI

1.1 Klasifikacija digitalni integriranih krugova

Digitalni integrirani krugovi se prema tehnologiji proizvodnje dijele na:

- Monolitni integrirani krugovi,
- Hibridni integrirani krugovi.
Osnovni poluprovodnički materijal za izradu digitalnih integriranih krugova je silicijum zbog
svojih prednosti nad ostalim poluprovodničkim materijalima, prije svega zastupljenosti u
prirodi i niske cijene.
Na slici 1.1 prikazan je jedan mogući pregled podjele integriranih krugova, baziran na
tehnologijama proizvodnje.

Digitalni Integrirani
krugovi
Monolitni Hibridni

Bipolarni Unipolarni Sa tankim film Sa debelim film.

p-n Diele Izolaci MOS JFET

izola- k. -ja vaz. FET
cija Izola- raspo
cija rom

sl 1.1 Podjela digitalnih inegriranih krugova

Postoji više kriterijuma za podjelu digitalni integriranih krugova. Jedan od njih je, prethodno
prikazana tehnologija proizvodnje. Digitalni integrirani krugovi se, kako je već ranije rečeno
proizvode u monolitnoj i hibridnoj tehnologiji. U ovom poglavlju biće riječi o obje ove
tehnologije u mjeri koliko je dovoljno da se razumiju tehnološki procesi.
Monolitni integrirani krugovi mogu biti proizvedeni u: i) bipolarnoj tehnologiji ii)
unipolarnoj tehnologiji i iii) kobinovanoj bipolarno-unipolarnoj tehnologiji (BiCMOS)
tehnologiji. Hibridni integrirani krugovi se proizvode u tehnologiji tankog i tehnologiji
debelog filma. U daljiim razmatranjima i detaljnijim analizama biće riječ samo o monolitnim
integriranim krugovima

Prema vrsti signala koji obrađuju, inegrirani krugovi mogu biti i) analogni, obrađuju
analogne (kontinualne) signale i ii) digitanli (prekidački), obrađuju digitalne signale sa dva, ili
više logičkih nivoa U daljim analizama biće govora samo o digitalnim integriranim
krugovima, koji obrađuju digitalne signale sa dva logička nivoa, visoki logički nivo, odnosno
nivo logičke jedinice („1“- HLL-high logic level) i niski logički nivo, odnosno nivo logičke
nule („0“-LLL – low logic level).
Prema načinu sprege osnovnih elemenata (tranzistora) u digitalnom integriranom kolu u
bipolarnoj tehnologiji postoje slijedeće tehnologije-logike:

 Direktno spregnuta tranzistorska logika (Direct coupled Transistor Logic) -

DCTL
Svi kolektori tranzistora u integralnom kolu su direktno spojeni, također i svi emiteri
 Otporničko tranzistorska logika (Resistor Transistor Logic) – RTL
Tranzistori unutar integralnog kola su međusobno spojeni otpornicima
 Diodno- tranzistorska logika (Diod-Transistor Logic) - DTL
Tranzistori osnovne ćelije digitalnog integriranog kola – NI (NAND) su međusobno
povezani diodama.
 Tranzistorsko tranzistorska logika (Transistor-Transistor Logic) – TTL
Ulazni i izlazni tranzistori u osnovnoj ćeliji digitalnog integralnog kola – NI (NAND)
su povezani također tranzistorima.
 Emitersko spregnuta logika(Emiter coupled Logic) – ECL
Svi emiteri tranzistora u osnovnoj ćeliji - ILI/NILI (OR/NOR) su međusobno
spregnuti i svi tranzistori rade u linearnom režimu
 Integrirana injekciona logika (Integrated – Injection Logic) – IIL/I2L
Osnovnu ćeliju (invertor) ćini jedan tranzistor sa više izlaza (kolektora) i vertikalno
inektirani strujni izvor (p-n-p tranzistor), koji omogućava struju u bazu invertora.

Prema izlaznoj funkciji digitalna integrirana kola možemo podijeliti u dvije skupine
- Kombinaciona (logička) «I» (AND), «ILI» (OR), «NI» (NAND), «NILI» (NOR).
- Sekvencijalna (memorijska) flip-flopovi, registri, brojači, memorije...
Kod kombinacionih (logičkih) integralnih kola izlazna funkcija zavisi od kombinacije ulaznih
logičkihvrijednosti, dok kod sekvencijalnih (memorijskih) integralnih kola izlazna funkcija
zavisi od kombinacije ulaznih logičkih vrijednosti i od prethodnog stanja (sekvenca) izlaza.

Prema stepenu integracije, odnosno broju tranzistora na čipu digitalna integralna kola se
mogu podijeliti u četri grupe::
- Mali nivo integracije (Small-Scale Integration) – SSI, (do 100 osnovnih ćelija-
tranzistora po čipu)
- Srednji nivo integracije (Medium-Scale Integration) – MSI, (do 1000 osnovnih
ćelija-tranzistora po čipu)
- Visok nivo integracije (Large-Scale Integration) – LSI, (do 10000 osnovnih ćelija-
tranzistora po čipu)
- Veoma visok nivo integracije (Very arge Scale Integration) - VLSI, (100000 i
više osnovnih ćelija -tranzistora po čipu, mikroprocesori, memorije,...)
 Sl. 3.1 razvoj VLSI tehnologije

Na dijagramu 3.1 prikazan je razvoj VLSI tehnologije sa aspekta:

- povećanja broja integriranih tranzistora po čipu,
- smanjenja rastojanja i
- smanjenja disipacije
Moguće su i druge podjele integriranih krugova.

1.2 Monolitni digitalni integrirani krugovi

Monolitni integrirani krugovi su implementirani na kristalu silicijuma, ili nekog drugog
poluprovodničkog materijala i ovisno od tehnologije implementacije dijele se na:

a) bipolarni monolitni digitalni integrirani krugovi (bazirani na bipolarnoj tehnologiji sa

osnovnom komponentom bipolarnim tranzistorom BJT npn tipa, vrlo rijetko pnp tipa). Sa
aspekta načina izolacije prostora na kristalu silicijuma za implementacijubipolarnih
tranzistora, bipolarni integrirani krugovi se mogu podijeliti u tri skupine i to sa:
-inverzno polariziranim p-n izolacionim slojem
-dielektričnom izolacijom
-izolacijom vazdušnim rasporom
Danas se za proizvodnju bipolarnih integrisanih krugova gotovo isključivo koristi inverzno
polarizirani pn spoj za izolaciju prostora na kristalu silicijuma za iplementaciju bipolarnog
tranzistora.
b) unipolarni monolitni digitalni integrirani krugovi (bazirani na unipolarnoj tehnologiji)
sa osnovnom ćelijom:

- MOS-FET, n i p tipa,
- CMOS

1.3 Bipolarni monolitni digitalni integrirani krugovi

Postupci i detalji obrade monolitnog kristala poluprovodnika zavise od:
-potrebnih tehničkih karakteristika
-načina električne izolacije elemenata kruga
-izbor tipa tranzistora (p-n-p ili n-p-n)
Na slisi 1.2. predstavljen je postupak izolacije bipolarnog integriranog kruga (na bazi Si
kristala) pomoću inverzno polariziranog p-n spoja.
 sl 1.2.

1.3.1 Planarni proces proizvodnje bipolarnih integriranih krugova

Planarna tehnologija za proizvodnju bipolarnih digitalnih integriranih krugova razvijena je

još za proizvodnju diskretnih poluprovodničkih komponenti dioda i tranzistora.
Planarni proces proizvodnje bipolarnih digitalnih inegriranih krugova podrazumijeva
implementaciju osnovnih ćelija na površini kristala poluprovodnika (silicijuma).
Ključni postupci planarnog procesa su:
- -epitaksijalni rast,
- -oksidacija silicijeve površine,
- -fotolitografski postupak,
- -difuzija primjesa,
- -metalizacija.
Prikaz planarnog procesaq dat je na slici 1.3.

Sl.1.3. Prikaz planarnog procesa

Epitaksijalni rast je proces nanošenja epitaksijalnog n-sloja atoma Si i atoma primjesa na p-
tip podloge . Proces se odvija na tempraturi od oko 1000C° u posebnim uređajima. Debljina
epitaksijalnog sloja je reda 3-10  m. Implementacija svih komponenti: pasivnih (otpornika i
veoma rijetko kondenzatora), aktivnih (tranzistora i dioda) i veza za međusobno povezivanje
komponenti unutar digitalnog integriranog kruga vrši se u epitaksijalnom sloju.

Oksidacija silicijeve površine je termički proces formiranja silicijum dioksida (SiO2) na

epitaksijalnoj površini radi zaštite. Do oksidacije dolazi tokom procesa narastanja
epitaksijalnog sloja. Zaštita se može izvršiti nanošenjem i drugih dielektričnih materijala.
Debljina oksidnog sloga je reda 30 do 100 nm

Fotolitografski postupak je proces fomiranja otvora u oksidnom sloju da bi se izvršila

difuzija primjesa u epitaksijalni sloj ili u silicijumovu baznu podlogu.
Fotolitografski postupak je prikazan na slici 1.4.

sl.1.4.
Difuzijski proces je postupak unošenja primjesa «p», ili, «n» tipa u epitaksijalni sloj ili
silicijunovu podlogu. Odvija se na temperaturi od 950-1300 C°u posebnim uređajima.
Difuzijski postupak prikazan je na slici 1.5
 Sl.1.5
Postoje dva tipa difuzije primjesa:
- difuzija iz neograničenog izvora
- difuzija iz ograničenog izvora

Kod difuzije iz neograničenog izvora konstantna je koncentracija atoma primjesa uz površinu

epitaksijalnog sloja sl.1.6
Kod difuzije iz ograničenog izvora konstanta je ukupna količina atoma primjesa, sl.1.6a

Sl.1.6 Difuzija iz neograničenog izvora Sl.1.6a Difuzija iz ograničenog izvora

Proces difuzije može se opisati Fickovim zakonima:

N ( x, t )
f ( x, t )   D - Prvi Fickov zakon,
x
N ( x, t )  2 N ( x, t )
D - Drugi Fickov zakon, gdje su:
x x 2
- f (x, t)-broj atoma primjesa koji prođu u 1 s kroz 1cm2 površine
 - D-difuzijski koeficijent (zavisi od temperature)
- N (x, t) –koncentracija difundiranih atoma primjesa na udaljenosti x od površine
poluprovodnika, nakon vremena t od početka difuzije.

Prikaz proizvodnje monolitnog integriranog n-p-n tranzistora dat je na slici 1.7

Sl.1.7 Prikaz proizvodnje n-p-n tranzistora

Kao što se sa sl.1.7 može vidjeti za izradu tranzistora potrebno je šest maski:

- prva maska za difuziju potkolektorskog n+ sloja,

- druga maska za izolaciju p+ difundiranih otoka,
- treća maska za implementaciju bazne p difuzije,
- četvrta maska za implementaciju kolektorske i emiterske n+ difuzije,
- peta maska za pripremu otvora za kontakte u silicijum dioksidu,
- šesta maska za iplementaciju kontakata-metalizacija

1.3.2 Integrirani krugovi na bazi Schottky-jevog tranzistora

Kod realizacije integriranih krugova osim p-n ispravljačkog spoja koristi se i spoj metal-
poluprovodnik u ispravljačkom režimu rada (Schottky-jeva barijera).
Ispravljački režim rada spoja metal-poluprovodnik uspostavljen je kada je površinska
koncentracija donora u poluprovodniku majna od neke granične.
Simbol i presjek Schottky-jevog tranzistora prikazan je na slici 1.7a
Schottky-jeva dioda je spojena između baze i kolektora n-p-n tranzistora i ćini je spoj metal-
n-n+ tip poluprovodnika (kolektor) na slici 1.7a, b.
Schottky-eva dioda ima malo vrijeme kašnjenja (0,1ns) zbog većinskih nosilaca u metalu
prilikom direktne polarizacije. Napon vođenjaSchottky-eve diode je 0,3V do 0,4V, tako da
napon u kolektoru tranzistora u zasičenju bude o,4V do 0,5V što sprjećava da tranzistor ode u
duboko zasičenje ćime se povečava njegova brzina rada. Digitalni integrirani krugovi na bazi
Schottky-evog tranzistora su znatno brži od digitalnih integriranih krugova na bazi
standardnog BJT, o čemu će biti detaljnije govora u kasnijim poglavljima.

Sl.1.7a

1.3.3 Princip stapanja ili superintegracije

Stapanje ili superintegracija podrazumjeva višestruko korištenje dijela poluprovodničkog
materijala. Isto poluprovodničko područje pripada većem broju komponenata kruga.
Na slici 1.8 a data je šema , a na slikama 1.8 b) i c) dat je primjer stapanja kod
Darlingtonovog spoja dva n-p-n tranzistora. Kolektori oba tranzistora zauzimaju isto područje
(površinu) na kristalu silicijuma kao zajednički kolektor)

Sl.1.8 Primjer stapanja kod Darlingtonovog spoja

Prikaz integracije jednostavnog sklopa na kristalu silicijuma u bipolarnoj tehnologiji dat je na

slici 1.9
 Sl.1.9

2
1.4 Integrirana injekcijska - IIL tehnologija (I L)

IIL (Integrated Inection Logic-I2L) tehnologija pretstavlja karakterističan primjer stapanja

komponenti kod izrade bipolarnih monolitnih integriranih krugova. Šematski prikaz osnovne
I2L ćelije (invertor) dat je na slici 1.10

Sl. 1.10 Osnovna I2L ćelija

I2L logika, zbog jednostavne strukture osnovne ćelije i mogućnosti stapanja pojedinih dijelova
ćelije omogućava proizvodnju LSI i VLSI integriranih krugova u bipolarnoj tehnologiji
Zahtjevi kod realizacije LSI i VLSI integriranih krugova su:
- što veća gustoća pakovanja elemenata po čipu,
- što jednostavniji tehnološki proces,
- što jednostavnija osnovna logička ćelija,
- što manja disipacija snage po ćeliji,
- što manje kašnjenje
Ovi zahtijevi su međusobno suprotstavljeni, pa se problem dizajna LSI i VLSI integriranih
krugova svodi na optimizaciju pojedinačnih zahtijeva u cilju što boljeg konačnog rješenja
Presjek I2L integriranog kruga sa dvije ćelije prikazano je na slici 1.11)
Osnovna I2L ćelija se sastoji od jednog višekolektorskog latralnog n-p-n tranzistora i jednog
vertikalnog p-n-p tranzistora. Vertikalni p-n-p tranzistor ima ulogu strujnog izvora, a lateralni
n-p-n tranzistor je invertor. P-n-p tranzistor je stopljen sa strukturom n-p-n tranzistora, osim
injektorskog emitera Ep . Injektorski tranzistor je stalno propusno polariziran i daje konstantnu
struju koja se može ograničiti vanjskim otpornikom. Izborom vrijednosti ove struje definira se
brzina rada I2L invertora.
Standardno I2L kolo prikazano na slici 1.11, realizovana je na n+ podlozi.

Sl. 1.11 Presjek I2L ćelije

I2L krugove moguće je realizovati u kombinaciji sa standardnim bipolarnim krugovima na p

podlozi, ali je taj postupak nešto složeniji, zahtjeva sedam maski i pet difuzija.

Presjek standardne I2L ćelije na p podlozi zajedno sa n-p-n tranzistorom prikazan je na slici
1.12
Za izradu digitalnog ingeriranog kola u I2L logici na p podlozi potrebne su sljedeće maske:
- prva maska za difuziju podkolektorskih n+ slojeva,
- druga maska za izolaciju između npn tranzistora i I2L invertora - p-difuzija,
- treća maska za izolaciju n+ difuzija,
- četvrta maska za za difuziju svih p područja u epitaksijalni sloj,
- peta maska za difuziju n+ područja višekolektorskih lateralnih n-p-n tranzistora,
- šesta maska za definiranje otvora u izolacionom SiO2 sloju za kontakte,
- sedma maska za izvedbu kontakata - metalizacija.
 Sl.1.12 Presjek I2L ćelije i n-p-n tranzistora

Kod I2L n-p-n tranzistora (sl.1.12 )) struja između emitera i kolektora teće u suprotnom
smjeru u odnosu na struju između emitera i kolektora kod standardnog n-p-n tranzistora, što
znači da I2L invertor radi u inverznom režimu, pa mu je pojačanje malo.

1.5 Osobine bipolarnih digitalnih integriranih krugova

Osobine bipolarnih digitalnih integriranih krugova zavise od tipa logike, međutim za sve
tipove logika neke osobine su tajedničke:
- istovremena obrada više elemenata
- jednostavnost obrade
- proizvodnja raznih uređaja primjenom istih fotografskih maski
- korištenje malog broja različitih materijala
- faktor površine je određen strukturom n-p-n, odnosno p-n-p tarnzistora
- inverzna ekonomika
Disipacija kao važna karakteristika bipolarnih integriranih krugova zavisi od tehnologije
proizvodnje integriranih krugova, materijala od koga je napravljeno kučište i naćina
pakovanja. O ovoj karakteristici bipolarnih integriranih krugova biće riječi kasnije.
U tabeli 1 navedene su neke uporedne karakteristike bipolarnih integriranih krugova i
disketnih krugova.
 Bipolarni integrirani krugovi
Prednosti:
- viši napon zasičenja,
- manja disipacija,
- niža cijena i za male i za velike
količine,
- dobro prilagođenje komponenti,
- male dimenzije i težina,
- najpovoljniji za visokoserijsku
proizvodnju,
- inherentnost na parazitne kap.,
- rješenja treba da koriste aktivne
komponente gdje god je moguće
Nedostatci:
-ograničene vrijednosti komponenti,
- ograničene visokofrekventne
Karakteristike,,
- visoka cijena prvog rješenja,
- potrebna izolacije između
Komponenti (inverzna (p-n izolacija),
-ograničenje na male probojne
napone,
- inherentnost na parazitne kap.,
-zabranjena upotreba induktiviteta,
- vrijednost inegrisanih otpora manja od 20
K,
- tolerancije otporničkih vrijednosti reda20%
- nelinearni kapaciteti
Tab 1 Uporedne karakteristike bipolarnih digitalnih integriranih krugova i digitalnih kola u
diskretnoj tehnologiji
Diskretni krugovi
Prednosti:
-veća fleksibilnost konstrukcije,
- mogu se dobiti proizvoljnie vrijednosti
prametara komponente (npr. Strujno
pojačanje),
- najbolji visokofrekventni odziv,
- komponente su izolovane razmakom.
- niža cijena prvog rješenja,
- viši probojni naponi,
- postoje sve vrste komponenti
- uske tolerancije komponenti,
- može se koristiti bilo koja vrijednost
kapaciteta i otpra,
Nedostatci:
-viša cijena cijelog sistema,
- veća disipacija,
- manja pouzdanost,
- komponente nisu inherentno prilagođene,
- velike dimenzije i težina