Professional Documents
Culture Documents
Chapter4 BJT GT
Chapter4 BJT GT
95
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
96
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
phát TE và thu TC đều ở trạng thái cân bằng và dòng điện ở các cực của transistor
bằng 0. Phân tích hình 4.5, các điện tử tự do trong vùng N sẽ khuếch tán sang vùng
P và ngược lại các lỗ trống trong vùng P sẽ khuếch tán sang vùng N. Kết quả là tại
hai bên của tiếp xúc TE và TC, bên vùng N là các ion dương, bên vùng P là các ion
âm để tạo thành hai vùng hiếm (vùng điện tích không gian). Hai vùng hiếm này tạo
thành rào điện thế ngăn cản sự khuếch tán của các điện tử và lỗ trống tự do qua hai
tiếp xúc, nên không có dòng điện ở các cực của transistor.
Hình 4.5: Phân cực transistor (NPN & PNP) ở chế độ tích cực
Để transistor hoạt động ta phải cung cấp cho các cực của nó một điện áp một
chiều thích hợp tuỳ thuộc vào kiểu chế độ hoạt động, được gọi là phân cực tĩnh.
Có ba chế độ làm việc chính của transistor: chế độ tích cực (hay chế độ
khuếch đại), chế độ ngắt và chế độ dẫn bão hòa.
Chế độ tích cực:
Ở chế độ này, ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực của
transistor sao cho tiếp xúc phát TE phân cực thuận và tiếp xúc thu TC phân
cực ngược.
Chế độ này thường được dùng để khuếch đại tín hiệu dòng điện, điện áp
hay công suất.
Chế độ ngắt:
Để transistor ngưng dẫn, ta cung cấp điện thế một chiều tại các cực của
transistor sao cho hai tiếp xúc P-N đều phân cực ngược.
Chế độ này thường được dùng để điều khiển ngắt thiết bị, relay…
Chế độ bão hoà:
Đặt điện thế tại các cực của transistor để hai tiếp xúc P-N đều được phân
cực thuận. Đây là chế độ thường được sử dụng trong mạch xung, điều khiển
97
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
98
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
𝑉𝐸𝐵 𝑉𝐶𝐵
𝑣à 𝐼𝐶 =∝𝐹 𝐼𝑆𝐸 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) − 𝐼𝑆𝐶 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (4.15)
Hai phương trình (4.14) và (4.15) được gọi là các phương trình Ebers-
Moll (EM). Bốn tham số của mô hình EM có mối liên hệ:
∝𝐹 𝐼𝑆𝐸 =∝𝑅 𝐼𝑆𝐶 (4.16)
Phương trình (4.16) được gọi là điều kiện đảo lẫn nhau của transistor.
Chuyển đổi giữa hai phương trình (4.16) và (4.15), ta được:
𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐸 =∝𝑅 𝐼𝐶 + (1 −∝𝑅 ∝𝐹 )𝐼𝑆𝐸 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (4.17)
Đặt 𝐼𝐸0 = (1 −∝𝑅 ∝𝐹 )𝐼𝑆𝐸 , gọi là dòng phát bão hoà ngược.
𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐸 =∝𝑅 𝐼𝐶 + 𝐼𝐸0 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) (4.18)
Tương tự, ta có:
𝑉𝐶𝐵
𝐼𝐶 =∝𝐹 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶0 (𝑒 𝑉𝑇 − 1) (4.19)
trong đó 𝐼𝐶0 = (1 −∝𝑅 ∝𝐹 )𝐼𝑆𝐶 (4.20)
Hình 4.7: phân cực transistor (NPN & PNP) ở chế độ tích cực
99
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Hình 4.8: phân cực thực tế transistor NPN ở chế độ tích cực
Khi phân cực cho transistor như hình 4.8, vì TE được phân cực thuận nên vùng
hiếm thu hẹp lại và TC được phân cực ngược nên vùng hiếm được mở rộng ra.
Nhiều điện tử từ cực âm của nguồn VEE đi vào vùng phát và khuếch tán sang vùng
gốc. Mặt khác, vùng gốc được pha tạp chất ít và rất hẹp nên số có số hạt lỗ trống
không nhiều, do đó lượng lỗ trống khuếch tán sang vùng phát không đáng kể. Vì
vậy, chỉ có một lượng nhỏ điện tử khuếch tán từ vùng phát qua tái hợp với lỗ trống
của vùng gốc, hầu hết các điện tử này khuếch tán thẳng qua vùng thu và bị hút về
cực dương của nguồn VCC.
Các điện tử tự do của vùng phát như vậy tạo nên dòng điện cực phát IE chạy từ
cực phát E. Các điện tử từ vùng thu chạy về cực dương của nguồn VCC tạo ra dòng
điện thu IC chạy vào vùng thu.
Mặt khác, một số ít điện tử là hạt điện thiểu số của vùng gốc chạy về cực
dương của nguồn VEE tạo nên dòng điện IB rất nhỏ (so với IC) chạy vào cực B.
Như vậy, dòng điện ở cực phát là tổng của dòng điện ở cực nền và cực thu.
Tức là:
IE = IB + IC. (4.1)
Quan hệ giữa các dòng IB, IC và IE:
IC = .IE. (4.2)
IC = .IB. (4.3)
𝐼𝐶 𝛽
∝= = (4.4)
𝐼𝐸 𝛽+1
100
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
𝐼𝐶 ∝
𝛽= = (4.5)
𝐼𝐵 1− ∝
với được gọi là hệ số khuếch đại dòng điện cực phát (hay hệ số truyền đạt dòng
điện cực phát). Nó có giá trị :
= 0,9 ÷ 0,999 (4.6)
và được gọi là hệ số khuếch đại dòng điện của transistor (hệ số khuếch đại dòng
điện cực nền), nó có giá trị từ vài chục đến vài trăm.
Ngoài ra, qua tiếp xúc TC còn có thành phần dòng điện ngược ICB0 (dòng điện
rỉ) do TC phân cực ngược. Đây là dòng của hạt thiểu số của vùng gốc chuyển động
dưới tác động của điện trường. Dòng ICB0 có giá trị rất nhỏ và phụ thuộc vào nhiệt
độ của tiếp xúc TC. Như vậy, phương trình (4.1) được biểu diễn đầy đủ như sau:
IE = IB + IC + ICB0. (4.7)
Trong tính toán gần đúng, vì dòng IB << IC nên ta có thể chọn:
IC IE. (4.8)
4.4.2 Chế độ ngắt (chế độ ngưng dẫn)
a) b)
Hình 4.9: phân cực transistor NPN ở chế độ ngắt và mô hình tương đương
Đối với transistor NPN, muốn phân cực ngược TE và TC thì điện áp đặt lên các
cực của nó sao cho VB < VE < VC như hình 4.9a. Hệ quả, điện trở của transistor rất
lớn và qua nó chỉ có dòng điện ngược rất nhỏ của tiếp xúc thu là ICB0. Do dòng điện
ngược của tiếp xúc phát IEB0 nhỏ hơn nhiều so với ICB0 nên mạch cực E coi như hở.
Ở chế độ này, transistor có mô hình tương đương như hình 4.9b.
101
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Transistor hoạt động bão hoà có mô hình tương đương như hình 4.9b.
VCC
RC ICS
ICS
B . . C
. E
a) b)
Hình 4.10: phân cực transistor NPN ở chế độ bão hoà và mô hình tương đương
Ngoài 3 chế độ hoạt động riêng lẻ trên, khi transistor hoạt động vừa ở chế độ
ngắt và chế độ bão hoà, được gọi là chế độ chuyển mạch. Lúc này, transistor có vai
trò như một chuyển mạch điện tử, khi đóng chuyển mạch thì transistor dẫn bão hoà,
ngược lại khi ngắt chuyển mạch thì transistor ngưng dẫn. Hình 4.11 mô tả đặc tuyến
truyền đạt của transistor tương ứng với 3 chế độ hoạt động.
102
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
103
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
IE IC
. .
IB
. .
Hình 4.13: dạng mạch mắc cực nền chung
Chức năng các thành phần trong hình 4.13:
Nguồn phân cực VEE kết hợp với điện trở RE để phân cực tiếp xúc TE.
Nguồn phân cực VCC kết hợp với điện trở RC để phân cực tiếp xúc TC.
Tụ C1 va C2 là tụ liên lạc để dẫn tín hiệu vào và tín hiệu ra.
Các đặc điểm của mạch mắc CB:
Tín hiệu vào và tín hiệu ra đồng pha nhau.
Trở kháng vào 𝑍𝑉 nhỏ khoảng vài chục đến vài trăm Ω.
Trở kháng ra lớn.
Hệ số khuếch đại dòng điện cực phát:
𝐼𝐶
∝= <1 (∝≈ 0,95 ÷ 0,999)
𝐼𝐸
Như vậy, trong mạch mắc kiểu CB không có khuếch đại dòng điện.
Hệ số khuếch đại điện áp lớn:
∆𝑉
𝐴𝑣 = ∆𝑉 𝑟𝑎
𝑣à𝑜
104
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
VCB
VCB
VCB
Hình 4.14: đặc tuyến ngõ vào của transistor NPN (Ge) trong mạch mắc CB
105
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
VCC
RC
IC
Tín hiệu ra
IB
Tín hiệu vào C1 C2
RB
IE
VBB
VCC
RC
IC Tín hiệu ra
C1 IB
Tín hiệu vào C2
RB
IE
VBB
106
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
𝑉𝐵𝐸 = 𝑓(𝐼𝐵 ) |𝑉
𝐶𝐸 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
VCE = 10V
0,4
VCE = 5V
0,3
VCE = 2V
0,2
VCE = 0V
0,1
0 VBE (V)
0,2 0,4 0,6
Hình 4.19: đặc tuyến ngõ vào của transistor NPN (Ge) trong mạch mắc CE
107
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) |𝐼
𝐵 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
𝐼𝐶 = 𝛽 𝐼𝐵 + (1 + 𝛽)𝐼𝐶𝐵0 (4.24)
Hình 4.20 biểu diễn đặc tuyến ngõ ra khi VCC = 10V, RC = 500Ω và hoạt
động ở nhiệt độ 250C. Ta thấy dòng điện IC có giá trị cực tiểu khi cả hai
tiếp xúc phát TE và tiếp xúc thu TC đều phân cực ngược, dòng điện IB = -
ICB0 nên IC = ICB0, vì vậy transistor hoạt động trong vùng ngắt.
Hình 4.20: đặc tuyến ngõ ra của transistor NPN (Ge) trong mạch mắc CE
4.5.3 Kiểu cực thu chung (CC)
Transistor mắc kiểu cực thu hay còn gọi là kiểu lặp cực phát, có tín hiệu đi vào
cực nền và tín hiệu ra ở cực phát như hình 4.21. Hình 4.22 là một mạch thực tế mắc
kiểu cực thu chung.
108
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Mạch mắc cực thu chung không có khuếch đại điện áp, thường chọn giá trị
Av1.
109
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Ở chế độ ngắt, ta chỉ cần các điện áp phân cực tại các cực của transistor sao
cho hai tiếp xúc P-N của transistor đều phân cực ngược. Ở chế độ bão hòa, cấp điện
sao cho hai tiếp xúc P-N đều phân cực thuận để điện áp VCE có giá trị trong khoảng
từ 0,2V đến 0,4V. Đối với chế độ tích cực, phân cực cho transistor có phức tạp hơn.
Vì vậy, nội dung trong phần này, sẽ chỉ tập trung phân tích phân cực dc cho
transistor hoạt động ở chế độ tích cực, qua đó biết cách xây dựng đường tải tĩnh
(còn gọi là đường tải một chiều; DCLL: DC Load Line) và lựa chọn điểm làm việc
tĩnh Q (Quiescent point) hợp lý.
Đường tải tĩnh là đoạn thẳng chứa các điểm đặc tả quá trình hoạt động của
transistor. Ta sẽ tìm điểm Q trên đường tải tĩnh mà tại đó transistor hoạt động tuyến
tính, tín hiệu xoay chiều được transistor khuếch đại sẽ đạt được biên độ cực đại mà
vẫn đồng dạng so với tín hiệu đưa vào.
Ví dụ có đặc tuyến như trong hình 4.23, có 4 điểm hoạt động A, B, C, D. Ta sẽ
chọn điểm nào để transistor hoạt động khuếch đại tốt nhất. Tại điểm A, do có dòng
IC = 0mA nên transistor ở chế độ ngắt. Tại điểm C, transistor có khuếch đại nhưng
tín hiệu được khuếch đại có biên độ đỉnh-đỉnh bị giới hạn (do ở gần giá trị VCE = 0V
và IC = 0mA) hoặc sẽ bị méo dạng. Tại D, transistor hoạt động gần như có điện áp
và công suất lớn nhất, biên độ áp đỉnh dương của tín hiệu được khuếch đại sẽ bị giới
hạn. Tại B, ta thấy nó nằm ở khoảng giữa vùng tích cực. Vì vậy, tại điểm hoạt động
B, tín hiệu khuếch đại có thể sẽ đạt giá trị đỉnh-đỉnh lớn nhất mà không bị méo
dạng.
Như vậy, khi thiết kế phân cực cho transistor, ta sẽ chọn điểm làm việc tĩnh
giống điểm B trong hình 4.23.
110
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Hình 4.23: các điểm hoạt động khác nhau trong đặc tuyến của transistor
4.6.1 Phân cực bằng dòng cố định
111
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
⟹ 𝐼𝐵 = (4.26)
𝑅𝐵
112
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
IC (mA)
5,45
2,35
.Q
0
6,83 12 (V)
113
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
IC (mA)
.Q IBQ = 40µA
VCE IBQ
0
20 (V)
25 0,1 50 0,65
100 20 80 0,48
114
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
25 1 55 0,2
175 32 90 0,1
Trong chế độ tích cực, mối quan hệ cơ bản giữa 𝐼𝐶 và 𝐼𝐵 được cho bởi công
thức:
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵𝑜
Nếu lấy đạo hàm công thức trên theo IC và xem xét β là hằng số theo 𝐼𝐶 , thì
ta có:
𝛽+1 𝑑𝐼𝐵
1= +𝛽
𝑆 𝑑𝐼𝐶
1+𝛽
𝑆= 𝑑𝐼
1−𝛽( 𝐵 )
𝑑𝐼𝐶
Đối với mạch phân cực bằng dòng cố định, IB không phụ thuộc vào IC, nên
hệ số ổn định được tính:
S = β+1 (4.34)
Giá trị S càng lớn có nghĩa là mạch càng không ổn định về nhiệt. Muốn duy
trì sự ổn định điểm làm việc tĩnh Q ta phải giữ cho dòng điện ICQ và điện áp VCEQ
không đổi. Kỹ thuật thường được sử dụng để ổn định điểm làm việc tĩnh có thể
phân chia thành 2 loại:
+ Kỹ thuật ổn định: Sử dụng các mạch phân cực điện trở mà ở đó cho phép IB
thay đổi sao cho vẫn giữ được IC không đổi một cách tương đối với sự thay đổi
của ICB0, β và VBE.
+ Kỹ thuật bù: Sử dụng các linh kiện nhạy nhiệt như điôt, transistor, nhiệt trở, ...
Các linh kiện này cung cấp một điện áp bù và dòng điện bù để giữ cho điểm
làm việc ổn định.
115
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Vì vậy, để nâng độ ổn định cho mạch hình 4.24, ta mắc thêm điện trở RE
như hình 4.27.
Hình 4.27: phân cực dòng cố định kết hợp điện trở cực phát
(4.38) là phương trình đường tải tĩnh của mạch hình 4.27.
116
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
117
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Gía trị này nhỏ hơn ở trường hợp phân cực bằng dòng cố định, như vậy sẽ
tăng độ ổn định hơn. Tuy nhiên, điện trở RB trong hình 4.28 là đường dẫn hồi tiếp
không những cho thành phần điện áp một chiều mà cả thành phần tín hiệu xoay
chiều được đưa về lại ngõ vào cực nền (hồi tiếp âm điện áp) nên làm giảm hệ số
khuếch đại của mạch.
Ví dụ 4.4: mạch hình 4.28 có RB = 680 kΩ, RC = 4,7 kΩ, VCC = 20 V và BJT có hệ
số = 120.
a) Xác định ICQ và VCEQ.
b) Tìm các giá trị VB, VC.
Giải:
a) Dòng tĩnh ở cực nền:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20𝑉− 0,7𝑉
𝐼𝐵𝑄 = = = 15,51 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽+1).𝑅𝐶 680𝑘Ω+ (120).(4,7𝑘Ω)
118
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Từ nguồn cung cấp VCC với RB1 và RB2 được biến đổi tương đương Thevenin
thành nguồn VBB và điện trở RB có công thức tính như sau:
𝐵2𝑅
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 .
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
{ 𝑅𝐵1 .𝑅𝐵2 (4.44)
𝑅𝐵 = 𝑅𝐵1 //𝑅𝐵2 =
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
với IC = .IB.
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
⟹ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐵 (4.48)
+ 𝑅𝐸
𝛽
(4.49) là phương trình đường tải tĩnh, đường tải này có độ dốc là [-1/(RC+RE)].
119
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Từ công thức (4.50), giá trị RB càng nhỏ thì độ ổn định càng cao.
Các vấn đề cần lưu ý khi thiết kế phân cực bằng cầu phân áp :
- Do dòng IC phụ thuộc vào giá trị , mà là thông số phụ thuộc vào nhiệt độ.
Nên để mạch hoạt động ổn định, điện trở RE phải thoả điều kiện:
10.𝑅𝐵
𝑅𝐸 ≥ (4.51)
𝛽
- Nếu biết được các giá trị RB, VBB và VCC trong hình 4.29b, ta có thể tìm ngược
lại được RB1 và RB2 trong hình 4.29a như sau:
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐵1 = 𝑅𝐵 .
𝑉𝐵𝐵
{ 𝑅𝐵 (4.52)
𝑅𝐵2 = 𝑉
1− 𝐵𝐵
𝑉𝐶𝐶
Ví dụ 4.5: cho mạch khuếch đại như hình 4.29. Biết RB1 = 39kΩ, RB2 = 3,9kΩ, RC =
10kΩ, RE = 1,5kΩ, VCC = 22V và BJT có = 140. Xác định dòng ICQ và VCEQ.
Kiểm tra điều kiện trở RE.
Giải:
Điện trở tương đương và nguồn áp tương đương Thevenin:
𝑅𝐵1 .𝑅𝐵2 (39).(3,9)
𝑅𝐵 = = = 3,55 𝑘Ω
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2 39+3,9
𝑅𝐵2 (22).(3,9)
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 . = =2𝑉
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2 39+3,9
120
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Như vậy, giá trị RE đã cho trong mạch thoả điều kiện ổn định.
Ví dụ 4.6: cho mạch khuếch đại như hình 4.29. Biết RB2 = 18 kΩ, RE = 1,2 kΩ, VCC
= 18 V và mạch hoạt động có ICQ = 2 mA, VCEQ = 10 V. Xác định RB1 và RC.
Giải:
Dòng cực thu:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐵 (1*)
+ 𝑅𝐸
𝛽
121
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
giá mạch nhanh, dễ thiết kế, thì việc hoàn chỉnh mạch thiết kế có thể thực hiện bằng
thực nghiệm.
Trong phần này sẽ trình bày các mô hình tương đương của BJT khi hoạt động
ở chế độ tín hiệu nhỏ và tần số thấp, thường sử dụng mô hình tham số h như hình
4.30.
i1 i2
+ +
v1 hi hfi1 v2
- . . -
122
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
ib ic
+ +
- . . -
𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸
với 𝐼𝐵 = 𝐼0 (𝑒 𝑉𝑇
− 1) ≈ 𝐼0 𝑒 𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸
diB 1 iB IBQ
⟹
dvBE Q
| =
VT
𝐼0 𝑒 𝑉𝑇 | =
VT Q
| =
VT
Q
VT VT VT
⇒ hie = = ICQ = hfe (4.56)
IBQ ICQ
hfe
-ie ic
+ +
- . . -
dvBE 1 dvBE
⇒ hib = | = |
d[(1+hfe )iB ] Q 1+hfe diB Q
123
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
1
⇒ hib = hie (4.58)
1+hfe
hfe VT VT
⇒ hib = . ≈ (4.59)
1+hfe ICQ ICQ
∆iC
hoc = − | (4.61)
∆vCE I =const
B
124
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
V2 V2 − VBE
IB =
R1
2.7 V 20 µA
4.7 V 40 µA
6.7 V 60 µA
8.7 V 80 µA
10.7 V 100 µA
125
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
- Nhấn Run và sẽ cho kết quả đặc tuyến ngõ ra như hình 4.37.
126
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Chọn kiểu phân tích là Bias Point nhấn OK. Sau đó, chọn biểu tượng cho
phép hiển thị dòng và áp phân cực và nhấn Run để thực hiện mô phỏng. Kết quả đo
được các thông số như hình 4.39.
127
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Hình 4.43: mạch bài tập 5 Hình 4.44: mạch bài tập 6
128
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
6) Trong mạch hình 4.44, BJT (Si) có = 80 và hoạt động ở chế độ tích cực.
Tìm các dòng điện tại các cực của BJT.
7) Cho mạch hoạt động ở chế độ tích cực như hình 4.45, hãy xác định:
a. Dòng IBQ.
b. Dòng ICQ.
c. VCEQ.
d. Vẽ đường tải tĩnh.
.
.
Hình 4.45: mạch bài tập 7 Hình 4.46: mạch bài tập 8
+
- .
Hình 4.47: mạch bài tập 9 Hình 4.48: mạch bài tập 10
129
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
Hình 4.49: mạch bài tập 11 Hình 4.50: mạch bài tập 12
12) Cho mạch hình 4.50, xác định:
a. Dòng IB và IC.
b. Công suất tiêu tán của BJT.
c. BJT đang hoạt động ở chế độ nào.
d. Hệ số ổn định S.
13) Trong hình 4.51 cho điện thế VB = 4 V. Hãy tính:
a. VE.
b. VC.
c. IC.
Hình 4.51: mạch bài tập 13 Hình 4.52: mạch bài tập 14
130
Chương 4: transistor lưỡng cực (BJT)
15) Hãy tính các đại lượng sau của mạch phân cực bằng
cầu phân áp hình 4.53:
a. IB và IC.
b. VCE.
c. Công suất tiêu tán của BJT.
d. Vẽ đường tải tĩnh.
e. Kiểm tra điều kiện ổn định của RE.
Hình 4.53: mạch BT 15
131