®ö©êó

5
¡¾•Ã¹Éijìɼ¤Á¡ Bipolar Transistor

5.1 ກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກ ກກກກກ ກກກ ກກກກກກກ

Õ»ø® 5.1 ¦½Á©¤Ã¹À¹• ¡¾•Ã¹Ä³ìɼ¤ Á®®ê†«õ¡ªº¤ Áì½ Á®®®Ò«õ¡ªÉº¤ Á¡¸ö¤¥º•¢½
¹¨¾¨,Õ»ø® (a) ¦½Á©¤Ã¹»¸È¾ ¦•¨¾•¢¾ºº¡ ¢œ­¡ñ®¦ñກ¨¾•¢¾À¢í¾ «¾¹¾¡Ã¹Ä³ìɼ¤®Ò«¡ªº¤
¦¾´¾©¦½Á©¤ ùÉÀ¹ñ•¦•¨¾•ກກກ®É¼¸ (Distortion) Õ¢¾ºº¡§ˆກÀ»ö¾¥½À¹•Ã•»ø® (b) Áì½ (c)

(a) Linear operation

²¾¡¦È¸•»ø®(b)¦½Á©¤¢º®À¢©Ã•§È¸¤®¸¡¢º¤Á»¤ກກກ¢¾ºº¡ ກກກກກກກກ°ö•¢º¤¥÷©ê¿¤¾• dc
À¯ñ•¥÷© ªñ©Ã•»ø®(c)¦½Á©¤¢º®À¢©Ã•§È¸¤ìö®¢º¤Á»¤ກກກ¢¾ºº¡§ˆÁ´È•°•¢º¤¥÷©ê¿¤¾• dc
À¯ñ•¥÷©º†´ªö¸

+ ¡¾•¸òÀ£¾½À¦˜­ graph

Õ»ø® 5.2 (a) À¯•¡¾•Ã¹Ä³ìɼ¤©É¸¨¡¾•¯È¼•£È¾VCC Áì½V BB

,¢œ­¡ñ®£È¾¢º¤¡½Á¦
IB , IC , IE Áì½VCE À¦˜­ì¡ກ½-½¢¾ºº¡ê¢¾ Collector Ä©¦½Á©¤Ã¹À¹•Ã•»ø® 5.2 (b) Áì½À»ö¾
¥½Ã§À¦˜­ graph ¦½Á©¤À«ó¤°ö•¦½êɺ•Ã•¡¾•Ã¹Ä³ìɼ¤ dc À²ˆº¦½Á©¤Ã•»ø® 5.3
À»ö¾¥½¯È¼•£È¾¡½
Á¦ IB Á콦ñ¤À¡©À®¤ IC Áì½VCE À§†¤Àì´¥¾¡Á»¤ກກກ V BB
¯È¼•£È¾Ã¹ IB 200 A£õ»ø®
5.3(a) À§†¤
1
»¸È¾ IC dcIB ¦½­˜­¡½Á¦ IC ¥½Àꉾ¡® 20mA ÕÀ£ˆº¤¸ñ©Áê¡

V CE V CC IR
C C
10V 4V 6V

2
À´ñ© Q ¦½Á©¤ ÕÀ¦• graph ¢º¤»ø® 5.3(a) Á´È• Q ªÒįÀ»ö¾À²†œ´V BB
¢œ•À²ºÃ¹
1
IB=300uA, IC
¥½Àꉾ¡ñ® 30mA Áì½VCE 4V ©¤»ø® 5.3(b) À´ñ© Q ¦½Á©¤Ã•À¦˜­ graph Áì½
2
¥½Ï¾¨©É¸¨Q

¦÷©êɾ¨À»ö¾À²†´Á»¤ກກກ V BB I B
400 A; IC ¥½Àꉾ¡ñ®40mA Áì½VCE 2V
¢œ­À²ˆºÃ¹ ©„¤»ø®

5.3(c) À´ñ© Q ¦½Á©¤Ã•À¦˜­ graph ¥½Ï¾¨©É¸¨ Q 3

¦½­­ À»ö¾¥½Ä©À¦˜­­˜­ê÷¡ê¾¤ dc µøÈÕ»ø® 5.3 (d)

FIGURE 5 3
Opoint adjustments

3
 Dc load line
Q3
40 IB = 400 μA IB
Q2
30 = 300 μA IB
Q1 = 200 μA
20
10
VCE (v)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
(d)

À¦˜­®ñ­ê¡ DC (DC load Line)

À´ˆº IB À²†´¢œ IC ¡ÒÀ²†´¢­, VCE ¥½¹ù÷©ì¤, À´ˆôº ¹ù÷©ì IC VCE
- Á»¤ກກກ IB ö¤ ¡Ò¹ù÷©ì¤,

À²†´¢œ­, VBB ¥½¯®¢­ Íìö¤, ¥÷©ê¿¤¾• DC ¢º¤ê¾•§ó¦Àª¥½¨É¾¨Ä¯ª¾´

©„¤­˜­Á»¤ກກກ

À¦˜­§ Àº• ¸È¾: À¦˜­®ñ­ê÷¡ê¾¤ DC (DC load Line) §ˆÍ¾¨À´©Ã•À¦­ load £È¾¢º¤ IB ,
IC Áì½ VCE ¦¾´¾©ÁªÉ´À¯•À¦˜­ graph £ô»ø® 5.4

IC (mA)
Saturation

50 Q1 IB = 400 A
40 Q2

30 IB = 300 A
Q3
20 IB = 200 A
10 ICBO 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Vcc

Cutoff (Ic=ICBO)

À¦˜­®ñ­ê÷¡ DC À²†´¢œ­, VCE µøúê 10V µ®Èº•¥÷© VCE 꾕§ó¦ÀªÀ¯ñ•¥÷©ªñ

Á¡È•À¦˜­ =VCC ©

¨Éº•¸È¾ IC Áì½ IB Àꉾ¡® 0 ÕÀ¸ì¾­š¥½´ó²¼¤Áª¡½Á¦»‰¸Ä¹ù²¼¤Àìñ¡-ɺ¨(-ûº¨ê¦©)§

:

¤§ó®º¡Ã¹»¸È¾¥÷©ªñ© (Cut Off) VCE ¹ù÷©ìö¤¥¾¡ 10 V À¦-®-ê÷¡ DC À²†´¢­ í

Áì½À´ˆº

4
Á¡È•À¦˜­ IC µê 50mA ê¾­§ó¦ÀªµÃ•¥÷©ºˆ´ªö¸ ¨º­¸È¾ IC Á´È•¥÷©¦ø¤¦÷© ÕÀ´ˆº VCE
=0
VCE
Áì½ I C Áª£¸¾´¥ó¤¥½´óÁ»¤Ä³ VCE (Sat) Îûº¨­¤ê꾕§ó¦Àª Áì½ IC (Sat) ¥½
RC

µøȹù÷© 50mA ìö¤´¾ £õ¦½Á©¤Ã•»ø® 5.4

5
¡¾•ê¿¤¾•Ã•À¦˜­§ˆ (linear operation)
¢º®À¢©¢º¤À¦­®­ê÷¡ Á´È• ¥÷©êñ¤Ïö© ꆵ Õ콹ȸ¾¤ ¥÷©ºˆ´ªö¸ ¹¾ ¥÷©ªñ©
À¯•¡¾•À¡ó©
¢œ­ ¥¾¡¡¾•ê¿¤¾•¢º¤ê¾•§ó¦Àª Õ¢º®À¢©À¦˜­§ Á»¤ກກກ¢¾ºº¡ À¯ñ•Ä¯ª¾´Á»¤ກກກ¢¾À¢í¾,
Õ
ªö¸µÈ¾¤ VB B ¦ø¤¦÷©À»ñ©Ã¹¡½Á¦ µì½¹È¸¾¤ 100 ꆴ󡾕¯È¼•Á¯¤
ù£œ­Á»¤ກກກ IB À®œº¤Àêò¤

Áì½ À®œº¤ì´ §¤À»ö¾»¸È¾À´ñ© Q ´ó£È¾¡½Á¦ ¯½´¾• ¡½Á¦ IC ¥½¯È¼•Á¯¤

300 À®œº¤Àêò¤

Áì½ À®œº¤ì÷ú´ 10 §ˆ¤À´© Q ¥½µÃ• 30 mA Á»¤ກກກ ¯È¼•Á¯¤À®œº¤Àêò¤ Áì½

VCE À®œº¤ì÷È´ 2V

¦È¸•»ø® Q µøÈê 4V £õ¦½Á©¤Ã•»ø® 5.5 À´ñ© A ÕÀ¦˜­®­ê¡ À¯•®¸¡ ¢º¤£œ­ sine Áì½ À´© B À¯•
À®œº¤ì® Áì½ À´ñ© Q À¯•¥÷©¦ø• ¢º¤¦•¨¾•£­ Sine Á»¤ກກກ VCE Q Á콡½Á¦ IC Q À¯ñ•£È¾¢º¤
À´ñ© Q §¤®´¦ñ•¨¾•¯º•

IC (max)
A
400 A
40
200 Q 300 A
30
IC Q
20 40 200 A
10 V
B
30
10 K
20
3.7V
VCE(V)

VCEQ

FIGURE 5-5
Vanations in collector current and collector-to-emitter voltage as a result of a vanation in base
current.

6
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ (Distortion of the output)
ກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກ Q ກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກ ກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ 5-6 (a) ກກກກ (b)
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກ ກກກກກກກກກກກກ Q
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກ ກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກ 5-6 (c)
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກ ກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ (ກກກກກກກກກກກກກ)
ກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກ VCC ກກກກກ 0.95 VCC ກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກ 0.05 VCC
IBQ IBQ
IC

IC
satturation

ICQ ICQ
Q Q

Cutoff VCE
0 VCC
VCE
0 VCC Cutoff

satturation
VCQ VCQ
(a) Transistor driven into saturation (b) Transistor driven into cutoff

7
 IBQ

IC

saturation

ICQ
Q

VCE
Cutoff 0 VCC

Cutoff
saturation

VCQ
(c) Transistor driven into saturation and cutoff

FIGURE 5-6

Graphical liiustration of saturation and cutoff

8
ກກກກກກກ 5.1 ກກກກກກກກກກກກກ Q ກກກກກ 5-7 ກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກ base ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ dc 200
FIGURE 5-7
RC
330
+
RB 20 v
-
47 k

10 v

ກກກ: ກກກກ Q ກກກກກກກກກກກກກກ IC ກກກ VCE

VBB VBE 10v 0.7v
IB 198 A
RB 47k
IC dc IB 200 198 A
39.6mA VCE VCC IC RC 20v
13.07v
6.93v

ກກກກ Q IC 39.6mA ກກ VCE ກກກ IC(cutoff ) 0 ກກກກກກກກກ IC(sat)

ກກກກ ກ 6.93v ກ ູູ

ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກ collector

VCC 20v
IC(sat) 60.6mA
RC 330

ກກກກກກກກກກກກກກກກ dc ກກກກກກກກກກກກກກ 5-8 ກກກກກກກກກກກກກກກ

ກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກ IC ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
IC(sat) ICQ 60.6mA 39.6mA 21mA
FIGURE 5-8 IC (mA)

60.6
Q
39.6

VCE (V)
0 6.93 v 20

ກກກກກກກກກກກກກກກກ IC ກກກກກກກກກກກກ 39.6 mA ກກກກກກກກກກກກກກກກ

ກກກກກກ ກກກກກກກກ Q ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ.
ກກກກກກກກກກກ VCE(sat)
ກກກກກກກກກກກ ກກກ. ກກກກກກກກກກກກກກກກ base ກກກກກກກກກກກ
I 21mA
9
 C ( peak )
I
B( peak ) 105 A
dc 200

1
0
5.2 ¡¾•Ã¹Ä³ìɼ¤¢¾ Base(Base Bias)
À»ö¾Ä©Ä§ V BB
À¯ñ•Á»¤Ä³ìɼ¤Á¡»º¨ª B_E.Áª®ö©­šÀ»ö¾Ã§ÉÁ»¤Ä³VCC
®Èº•©¼¸À¯ñ•®Èº•Ã¹
ijìɼ¤£õ¦½Á©¤Ã•»ø® 5.9(a) Áì½À»ö¾¦¾´¾©¸¤¥º•£õ»ø®5.9(b)
À»ö¾¦¾´¾©¸òÀ£¾½¸ö¤¥º•»ø®5.9
ª¾´À¦­§©„¤­š:
VCC

FIGURE 5-9
Base bias

RB RB

RB RB
+
VCC

-
(b)
(a)

Á»¤Ä³ê†ªö¡µ RB Á´È• VCC V BE

À²¾½¦½­˜­

V CC V
I B
................(5.1)
BE

R B

Áì½®Ò•®¡½Á¦»‰¸ÄÍ I
CBO

I C
dcIB ................................(5.2) Á»¤Ä³Cmittor
¥½Àꉾ¡®Á»¤Ä³ìɼ¤ìö®Ã¹Á»¤Ä³ê†ªö¡µ RC

V CE V CC IRC C
....................(5.3)
ç dc I B
Áê• I C

V CE V CC
dc IB RC ...............(5.4)

+ °ö•¢º¤ dcÕÀ´ñ©Q

¦ö´°• 5.2 Áì½ 5.4 ¥½´ó dc»È¸´µ©É¸¨.¡¾•¯È¼•Á¯¤Ã• dcÀ¯ñ•À¹©Ã¹ IC Áì½VCE ¯È¼•

Á¯¤. À§†¤¡¾•¯È¼•Á¯¤À´© Q ¢º¤ Transistor ¢œ­¡®¡¾•Ã¹Ä³ìɼ¤ê†¢¾ Base À¸í¾Ä©¸È¾
dc¯È¼•
Á¯¤Ä¯ª¾´º÷­¹½²´. §¤Ã•¡¾•Ã§©ö••¾•Á콧½•ò©¢º¤º¯½¡º•
ªö¸µÈ¾¤ :5.2
VCC Õ»ø®5.10 À¯ñ•¸ö¤¥º•Ã¹Ä³ìɼ¤ê†¢¾ Base ¡¾•À²†´¢­¢º¤º÷•¹½²´
¥¾¡25°CÀ«ó¤75°C; «É¾¹¾¡ dc=100 µê†25°CÁì½150µê†75°C
¥‰¤
¡¿•©¡¾•¯È¼•Á¯¤¢º¤À´ñ©Q .( IC Áì½VCE ) . ª¾´À¯À§ñ• Transistor
RB
§½•©Silicon
RB
 (b)

FIGURE 5-10 8
ªº® : µê 25°C
V CC V BE 12V
113 A
I R
0,7V

B
B
100K
IC dcIC 100 113 A 11,3mA
VCE VCC IC RC 12V (11,3mA 560 )
= 5,76V
µê†75°C
I B
113 A

I C
dc I B
16,95mA
(150 113 A)

V CE V CC I R C C
12V (16,95mA 560 )

=2,51V
À¯À§û•¡¾•¯È¼•Á¯¤¡½Á¦ IC
I C
(75 C) I C
% I C
(25 C)
100%

IC (25 C)
16,95mA
11,3mA
= 100%
11,3mA
= 50%(À²†´¢­)
À¯À§ñ•¡¾•¯È¼•Á¯¤Á»¤Ä³VCE
V CE
(75 C) V CE
% V CE
(25 C)
100%

V CE
(25 C)

2,51V
5,67V
= 100%
5,67V
= 55,7 (Í©ìö¤)
À»ö¾À¹ñ•¸È¾À´ñ©Q¢œ­¡® dc, ¦½•˜­Base Bias ¥ˆ¤®Ò¦¾ÏÔ¦½ÀÏó;

#
¦†¤¯½¡º®ºˆ­Åê†À»ñ©Ã¹É¡¾•Ã¹Ä³ìɼ¤´ó¯½¦ò©ªò²¾
®
+VCC
9
 Õ꾤®¸¡ê†¯È¼•Á¯¤Ã• dc¥÷©Ã¹Ä³ìɼ¤À¯ñ•°ö•Ã•¡¾•¯È¼•Á¯¤
RC
V BE
Áì½ ICBO . V BE
¥½Í©ì¤©É¸¨¡¾­À²´¢œ­¢º¤º­¹½²´.£õ¦¤
V CC V BE
ICBO I V BE
«É¾¹¾¡
-VBB
À»ö¾¥½ì½À쨡¾•¯È¼•Á¯¤¢º¤
B
R B

¸È¾VCC V BE .
ICBORE
# ¡½Á¦»‰¸ÄÍ IBIO ´ó°ö•Ã•¡½Á¦BaseÍЩìö¤Áì½Á»¤Ä³BaseÀ²†´
FIGURE 5-
11 ¢œ­.´ñ­À»ñ©Ã¹¡½Á¦Ä³ª¡µ RB £õ»ø®5.11¯½¥÷®ñ•­ Transistor ´¡½
Effect of ICBO
Á¦»‰¸ÄÍ•º¨¦÷©(nA)À»ö¾¥½ì½Àì¨Ä©«É¾¹¾¡

10
5.3 ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ (Emitter Bias)
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກ ກກກກກກກກກກກກກກ 5-12
ກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກກ 0v. ກກກ ກກກກກກ -VEE
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ Base-Emitter ກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກ ກກກກກກກກກກກ

VB 0v ................(5.5)
VE VBE ...........(5.6)
VE VEE
IE ..........(5.7)
RE

IC I E ...........(5.8)
VC VCC IC ......(5.9)
RC ........(5.10)
VCE VC VE

FRGURE 5-12
An npn transistor wit emitter bias +VCC

RC

RB

VC
VB RE
VE

-VEE

ກກກກກກກ 5.3 ກກກກກກກກກ IE,IC,VCE ກກກກກ 5-13

+10
ກກກ:
VE VBE 0.7v
1k RC

FRGURE
RB 5-13

47 k

4.7 k
RE

11
-10 CRC
I
E 10v 1.98mA 1k 8.02v
V VCE VC VE
B
E 8.02v ( 0.7v) 8.72v

V
E
E
R
E

0.
7v

(
10v
)
4
.
7
k

1.
98
mA
I
C

I
E

1
.
9
8
m
A
V
C

V
C
C

I
12
ກກກກກກກກກກກກກກກກກ Q ກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກ dc
ກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກ 5-14 ກກກກກກກກກກກກກກກກ Collector ກກກກກກກກກກກກກກກ
VCC ( VEE ) 20v
IC(set) 3.5mA
R R 5.7k
C E

ກກກກກ collector-emitter ກກກກກກ Cutoff ກກກກ

VCC ( VEE ) 10v ( 10v) 20v
ກກກກກກກກກກກກກກ dc ກກກກກກກກກກ 5-14ກ IC ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
IC(sat) ICQ 3.5mA 1.98mA 1.52mA
ກກກກກກກກກກກກກກກ IC ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ 1.52mA
ກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກ 1.98mA ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ 5-14
IC

IC(sat) = 3.5 mA

1.98mA Q

VCE

0 8.72 v VCC-(-VEE) = 20 v

# ກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກ ກກ Emitter (Stability of Emitter Bias)

ກກກກກກກກກ Kirchhoff ກກກກກກກກກກກ 5-12 ກກກກກກກກກກກກກກກກກ 5-
15 ກກກກ ກກກກກ.

+VCC
VEE I B RB VBE IE RE 0v
RC VEE I B RB VBE IE RE

RB IE
I
ກກກກ B

dc

+ ກກກກກກກ
IB VEE -
IE
R I R V V
B E E BE EE
dc
RE
IE
VEE

13
FRGURE 5-15
Kirchhoff’s volltage law applies
around the base-emitter loop.

14
 I E
vB
R E V V EE
BE

dc

¦ñ®¯ú¼• V BE
Áì½Á¡É¦¿ìñ® I E

V V
EE BE
I 5.110
R R
E
B
E

dc

«É¾¸ R ¦ö´°ö•¡¾¨À¯ñ•
E
Ⱦ R B
dc

V EE V 5.12
I E

BE

R E

À»ö¾¦¾´¾©À»ñ©Ã¹É´ñ••Éº¨ìö¤ V EE V BE
Ä©É«¾

V EE
I E
R
5.13
E

¦½Á©¤Ã¹ÉÀ¹ñ•¸È¾ ¸ö¤¥º•Ä³ìɼ¤ºó´óÀª¦¾´¾© À¯ñ•ºò©¦½ì½¥¾¡ dc Áì½Á»¤Ä³

V BE
§ˆ¤À¤ˆº­Ä¢¢û¾¤Àêó¤­šÀ¯ñ­¦ò¤ÀϾ½¦´ À´ñ© Q ®¯È¼•Á¯¤Ã•£È¾
Palameter ¡¾• ùÉijìɼ¤¢¾ Emeter ¥½¦¾´¾©¡¿­©Éijìɼ¤ ù£¤ê

ªö¸µÈ¾¤: 5.4 ¥‰¤¡¿­ö©À´ñ© Q Õ»ø® 5.16 ¥½¯È¼­º÷È­¹½²´ê À²†´¢œ­¥¾¡

dc

50 ¹¾ 100 Áì½ V BE
¹ì÷©ì¤¥¾¡ 0.7 v À¯ñ• 0.6 v

ªº®: ¦¿ìñ® 50 Áì½

dc

+20 v V BE
0.7 V

V EE V BE
R4.7
Ck
IC I E
R B
RB
10 k R E
dc

-20 v

RE
10k
V E V EE IR
E E

15
 20V 0.7V K
50
1
= 1 .892 mA
0
K V V
C CC IR
C C

20V 1.892mA 4.7K 11.11 V

1 20 V 1.892mA 10K
0 1.08 V
©„¤­­ V CE V V
C E
11.11 V 1.08V 12.19 V 100 Áì½V BE
0.6 V
dc
¦¿ìñ®

16
 V EE V 20V 0.6V
IC IE BE

R E RB
1.921mA
10K
10K
dc 100
V V C CC IR
C C
20V 1.921mA 4.7 10.97 V

V E V EE I R 20V E E
1.921m 10 0.79 V
¦½À²¾½-- V 10.97V
CE
0.79V 11.76 V À¯óÀ§ñ•¡¾•¯È¼•Á¯¤ I C
§ˆ¤
dc

1.921mA
1.892mA
¯È¼•¥¾¡ 50 ¹¾ 100 Á´È• 100% 1.53%
1.892mA
11.76V
12.19V
À¯óÀ§ñ•¯È¼•Á¯¤ V CE
100% 3.53%
12.19
Á´È• V

À¹ñ•¸È¾´ó¡¾•¯È¼•Á¯¤Àì¡ÎȺ¨Ã•À´ñ© Q

¡¾•Ã¹Éijìɼ¤¢¾ Emeter §½•ò© PNP Emiter_ BiasedPNP

»ø® 5.17 Á´È•¡¾•Ã¹Ä³ìɼ¤Á¡ Transister §½•©
FIGURE 5-17 -VCC
Emitter-Base pnp PNP ¦È¸•Ã¹È¨Á´•£¡ñ® NPN ºñ-êÁª¡ªÈ¾¤¡-
transistor RC
²œ­«¾­Á´È­ ¡¾­Ã¹Éijìɼ¤ê¾¤¯­ í꾤¯½ª®©

RB Á콸òÀ£¾½¡•ÁìɸÁ´È•£õ¡ñ® NPN

RE

+VEE

ªö¸µÈ¾¤: 5.5 V ,V
C E
Áì½ VCE Õ»ø® 5.18 ¦ö´´÷©Ã¹
¥‰¤¡¿­©Á»¤Ä³

100 ¦ñ¤À¡©À¹•¹¸¾ Transister ¥½«õ¡ªÉº¤

dc

ªº®:
V EE V BE 20V 0.7V
VEE
IC VCC
22K
R E RB
FIGURE 5-18 20v
18K
100
IE RE dc
IB 18k
I C
1.06mA
RB
22k
I RC
C
VCC
6.8k
-20v

17
V 20VV
C CC IR
C C

1.06mA 18K

V C
12.8 V

V E V EE IR C C

20V
1.06mA 18K

V E
0.92 V

¦½-- V CE V C V
E
12.8v 0.92V
13.72v

18
5.4 . ¡¾•Á®È¤Á»¤Ä³ìɼ¤ ( Voltage divider bias ).
Á»¤Ä³ìɼ¤ dc ꆢ¾ base ¢º¤ê뾕§ກÀª ĩɲ©ê½•¾ ©¨Ã§ ªö¸ªÉ¾•ê¾• R1 Áì½ R2
À¯ñ•ªö¸Á®È¤Á»¤Ä³ £õ¦½Á©¤Ã•»ø® 5.19. Õ¥÷© A ´ 2 ¡½Á¦ì¤ ground £õ: ¦È¸­ê 1 °È¾• R2 Áì½
¦È¸­ê 2 °È¾•»º¨ª BŒE ¢º¤êë¾­§ກÀª. «É¾¡½Á¦ B ´ó£È¾•Éº¨¡È¸¾¡½Á¦ ꆰȾ- R2 ;¨. ¡¾•
ùÉijìɼ¤Ã•¸ö¤¥º• ¦¾´¾©À®¤Ä©¥¾¡ ¡¾•Á®¤¥¾¡ R1 Áì½ R2 §ˆ¤¦½Á©¤Ã­»ø® 5.20(a).
«É¾ IB
¹¾¡®Ò•Éº¨Í¾¨À¡•Ä¯ À´ˆºê¼®Ã¦¡½Á¦ ꆰȾ­ R2 £¸¾´ªÉ¾­ê¾­¢º¤ dc ꆢ¾À¢í¾ Rin(base) À®†¤ê
¢¾À¢í¾ base ¢º¤ê¾•§©Àªó¥½²ò¥¾ì½•¾ Rin(base) ê¼®¢½Î¾•¡® R2 £õ¦½Á©¤Ã•»ø® 5.20(b).

Figure 5_19 Voltage divider bias. Figure 5_20 Simplified Voltage divider

# £¸¾´ªÉ¾­ê¾­¢¾À¢í¾ê†base( Input resistance at the base )

À²ˆºÃ¹À¢í¾Ã¥¦¿ì®£¸¾´ªÉ¾•ê¾•ê¾¤ dc ກກກກກກ¢¾À¢í¾ base
¢º¤ê»¾•§ó©ÀªóÀ»ö¤Ä©¦½Á©¤Ã•
»ø® 5.21.

Figure 5_21 DC input resistance is /

19
Á»¤Ä³¢¾À¢í¾ Vin µøÈÕ콹¸È¾¤ ¢¾ base ¹¾ ground Áì½ Iin Á´È• ¡½Á¦ê†À¢í¾Ä¯¹¾¢¾
base
¦½Á©¤©¸É¨ ¡©À¡• ohm ¥½Ä©

Rin(base) = .....................(5.14) Õ¡©¢º¤

kirchhoff ¸ö¤¥º­ Base Œ Emitter ¥½Ä©
Vin = VBE + IERE
¦ö´´©¸È¾VBE << IERE

À»ö¾¥½Ä©¦ö´°ö• Vin IERE

§ˆ¤ IE Ic = dc IB

Vin dc IBRE
§ˆ¤¡½Á¦¢¾À¢í¾ Á´È•¡½Á¦ê†¢¾ base ( Iin = IB ) •¿Ã§¦ö´°ö• 5.14 À»ö¾¥½Ä©

Rin(base) =
¦½-- Rin(base) = dc. RE ....................(5.15)

ªö¸µÈ¾¤ : 5Œ6 ¥‰¤¡¿•ö©Ã¹ªö¸ªÉ¾•ê¾• dc 꾤¢¾À¢í¾µê†¢¾base ¢º¤ê뾕§ó©Àªó»ø® 5.22

§ˆ¤ dc = 125

Figure 5_22

+ ¡¾•¸òÀ£¾½¸ö¤¥º•¡¾•Á®È¤Á»¤Ä³ìɼ¤ (Analysis of a voltage divider bias circuit)

¡¾•Á®¤Á»¤Ä³ Á¡ê뾕§ò©Àª NPN Ä©¦½
FIGURE 5_23
Á©¤Ã•»ø® 5.23
An NPN transistor with voltage
À»ö¾Àìš´¸òÀ£¾½©¸É¨¡¾•
divider bias.
¡¿•© Á»¤ກກກꆢ¾ base ©¨Ã§Í¡¡¾•
Á®È¤ Á»¤Ä³ §ˆ¤À»ö¾£ò©Ä쩸ɨ
Rin(base)= dcRE

£¸¾´ª¾•ê¾• ¥¾¡¢¾ base ¹¾ ground

Á´È•

20
 R2// dcRE

21
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ base ກກ groud ກກກ
R2
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ.
R2 // bdcRE
VB Vcc........................................................... 5 16
R1 2
//bdcRE
R

ກກກກກກ dcRE>> R2 ກກກກກກກກກ

R 2
VB Vcc................................ 5 17
R1 R2

ກກກກກກກກກກກກກກກ 21basc, ກກກກກກກກEmitter ກກກກVB - VBE

VE VB VBE ........................................................................... 5 18

ກກກກກກກກກກກກກ Emitter ກກກກກກກກກກກກ

VE
IE .......................................................................................... 5 19
RE

ກກກກກກກ IE ກກກກ,ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ

C E

VC VCC C RC

VCE VC VE

VCE ກກກກກກກກກກກ IE ກກກກກກກກ C

VCE VCC RC R
VCE VCC RC R

ກກກກກກກ 5-7 ກກກກກກກກກກກກກກກກກກ VCE ກກກ ກກກກ IC ກກກກກ 5-24

ກກກກກກກ

dc
100 ກກກsilicon transistor
ກກກ Rin base dcRE 100 560 56k
VCC
+10v
ກກກກກກກກກກກກກກກRin base ກກກກກກກກກ R2

R1 RC ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ10ກກກກກ
10k 1k
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກ (5-17)
ກກກກກກກກກກກກກVB

R2 RE R2 5.6K
560 V
22
 Vcc 10V 3.59V
5.6k B 15.6K
R R

1 2

VE VB VBE 3.59 0.7V 2.89V

FIGURE 5-24 ກກກກກກ VE 2.89

5.16mA
E
RE V
560

23
ກກກກກກກກ C 5.16mA
ກກ

ກກກກກກກVCE =Vcc-
IE(RC+RE) =10v-5.16mA(1k+560)=1.95v

ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
(stability of voltage divider bias)
ກກກກກ ກກກກກກກກກ ກກກກກກ ກກກກກກກກ Base-Emitter ກກກກກກ ກກກ 5-
23
ກກກກກກກກກກ Thevenin ກກກກກ ກກກກກກກ Base ກກກກກກກກກ ກກກກ
ກກກກກກກກກກ 5-
25(a) ກກກກກກກກກກThevenin ກກກກກກກກກກກກກ A ກກກກກກ ກກກກກກກກກກ
R1 R2 R2
R ກກກ V
V
TH TH CE
R1 R2 R R
1 2

ກກກກກກກກກກກກກກ Thevenin ກກກກກກກກກກກກກກ 5-25 (b)

ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ Kirchhoff ກກກກກກກກກ
VTH B RTH VBE E RE

ກກກກກກກ IE dc BI
ກກກກ

VTH RE RTH / Bdc

E VBE
VTH VBE
ກກກ E ............................................................................ 5 21
RE

FIGURE 5-25 +VCC +VCC

Thevenizing the bias cicuit.

RC

R1 +VTH RTH
+VCC

RTH R1 // R2
R2

R2 RE
V V
TH CC
R1 R 2

(a) (b)

ກກກກກ IE ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ βdc (ກກກກກ βdc

ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ) ກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກ ກກກກກ
24
ກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກ RE ກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ

ກກກກກກກກກກກກກກກກ PNP (Voltage-divider biased

PNP)

25
 ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ PNP
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ npn ກກກກກກກ
ກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກ collcctor
ກກກກກກກກກກກກກກ 5-26 (a) ກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກ Enitter ກກກກກກກກກກກກກກ 5-26(b)
ກກກກກກກກກກກກກກກ(ກກກກກກ) ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
5-27 ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ NPN

26
 VCC
- VCC

R1 RC R1 RC R1 RC

R2 RE R2 RE R2 RE

VEE
(a) Negative supply voltage (b) Positive supply voltage

FIGURE 5-27
FIGURE 5-26

ກກກກກກກກ dc RE R2 , ກກກກກກກກກກ Base ກກກກ:

ກ
R
V 1
V ….(5-22)

B EE
R1 R2
ກກ VE VB ….(5-23)
ກ VBE
E
VEE VE
ກກກກກກກ I ….(5-24)
ກ RE

ກກ VC IC RC ….(5-25)
ກ
VEC VE ….(5-26)
VC

ກກກກກກກ 5.8 ກກກກກກກກກກກກ IC ກກກ VEE ກກກກກ 5-28.

ກກກ: ກກກກກກກກກກກກກກກກກ Rin(base)
+10v
FIGURE 5-28 Rin(base) dc RE 150 1k 150k
R1 RE ກກກກ 150 kΩ ກກກກກກກກ R2 ກກກກກກກກກກກກ
10 kO 1 kO

dc RE R2
R2 RC Rin(base) ກກກກກກກກກກກກກກກກກ
22 kO 2.2 kO

ກກກກກກກກກກກກ:
R 22k
V 1
V 10v 6.88v
B EE
R1 R2 32k

VE VB VBE 6.88v 0.7v 7.58v

27
 VEE VE 10v 7.58v
IE 2.42mA
RE 1k
ກກກ IE ກກກກກກກກກ IC ກກກ VEC ກກກກກກກ:
IC IE 2.42mA
ກກ VC IC RC 2.42mA 2.2k 5.32v
ກ

ກກກກກກກກກກ
VEC VE VC 7.58v 5.32v 2.26v

28
ກກກກກກກ 5.9: ກກກກກກກກກ IC ກກກ VCE ກກກກກ 5-26(a)ກກກ:
R1 68k , R2 47k , RC 1.8k , RE 2.2k ,VCC 6v, dc 75
ກກກ: Rin dc RE 75 2.2k 165k
ກກກກ Rin ກກກກກກກກກກກ R2
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
R // R 47k // 165k
2 in (base )
V V
B CC
R 1 R 2 // in(base) 68k 47k //165k
R

36.6k
6v 2.1v
68k 366k
VE VB VBE 2.1v 0.7v 1.4v
VE 1.4v
IE 0.636mA
RE 2.2k
IC IE 0.636mA
VC VCC IC RC 6v 0.636mA 1.8k 4.86v
VCE 4.86v 1.4v 3.46v
5.5 ກກກກກກກກກກກກກກກກກກ C (Collector-feedbcck bias)
+VCC ກກກກກ 5-29 ກກກກກກກກກກ RB ກກກກກກກກກກກ
Collector ກກ base ກກກກກກກກກກກກກກກ VCC
RC
ກກກກກກກກກ ກກກກກກກ ກກກກກ collector
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກ B- E
RB ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
FIGURE 5-29 ກກ βdc
ກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກ, IC
ກກກກກກກກກກກກກ
Collector-feedback Bias
ກກກກກກກກກກກ IC ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ RC
ກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກ VC ກກກກກກກ
ກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ IC ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ.
ກກກກກກກກກກກກ ກກກກກ ກກກ IC ກກກກກກ ກກກ ກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກ Q ກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກ
ກກກກກກກກກກ 5-30 ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກ.

29
 +VCC
+VCC

RC RC
+ - + -
IC IC

T1
RB RB T2

+ VCE - + -
VCE

+ - + -
IB βdc IB βdc

(a) Stabilized at initial temperature (b) Initial response to temperature rise

30
 +VCC
+VCC

RC RC
+ - + -
IC IC

T2

RB RB

+ VCE - + -
VCE

+ IB - + -
ßdc IB ßdc
+VCC

( c ) Stabilized at higher RC (d) Initial response to temperature drop

temperature
+ -
IC

RB

+ -
V CE T3

+ -
IB ßdc

(e) Stabilized at lower temperature

FIGURE 5-30
Collector-feedback stabilization over temperature changes.

# ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ Collector (Analysis of Collector-

feedback)
ກກກກກກກກກ Ohm ກກກກ IB ກກກກກ:
VC VBE
IB .................(5 27)
RB

ກກກກກກກກກກ collector VC VCC ICRC

ກກກ I IC ກກກກກກກ
B
ກ
dc

IC VCC IC RC VBE
dc RB
IC R B
V I R V
CC C C BE
dc

IC R B
I C RC VCC VBE
dc

RB
IC RC V
CC V
BE
dc

VCC VBE
........................(5 28)
IC R

B
RC
dc

ກກກກກກກ 5.10: ກກກກກກກກກກກກກກ Q (ກກກກກກ IC ກກກ VCE) ກກກກກ 5-

31
31
FIGURE 5-31 +10v ກກກ: ກກກກກກກກກ 5-28

10 k
VCC VBE 10v 0.7v
I 0.845mA
C
RB 100k
R 10k
C
dc 100
ßdc =100

100 k ກກກກກ VCE VC VCC IC RC 10v

0.845mA 10k 1.55v

32
# ກກກກກກກກກກກກກ ( system Application )
ກກກກກ 5-36 ກກກກກກກກກກກ ກກກກກ ກກກກກກ ກກກກກກກກ ກກກກກກ
ກກກກກກກ ກກກກກກກກກ ( Closed-loop feed back) ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
50cc + 1 cc. ກກກ ກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກ ກກກກ
thermistor. ກກກກ ກກກກກ ກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກ.
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກ ກກກ Thermistor
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກ ກກກກກກກກ ກກກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກ ກກກ thermistor ກກກກກກກກກກ
ກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກກ
ກກກ.

Temperature
Figure 5-36 senseor Thermistor

Continuously Temperature
Ajudtable Control detector circuit
Valve

Fuel Flou
Analog to Digital
Burner
Convaeter

Valve Innterface Digital to Analog Digital Controler

circuite Converter

R1
VCC
R2
Q1
Out

R3
Thermistor probe GND

FIGURE 5-37

33