Analogna elektronika

2. OSNOVNI ELEMENTI ANALOGNE ELEKTRONIKE

Uvod

8
Analogna elektronika
2.0. Dioda

Slika 2.2. Izgled dioda

Dioda je elektronska
komponenta koja
dozvoljava protok
električne struje u jednom
smjeru bez otpora (ili uz
veoma mali otpor) dok u
suprotnom smjeru
predstavlja beskonačan (ili
bar veoma veliki) otpor.
Zato se za diodu kaže da
postoji provodni i
neprovodni smjer. Može se
smatrati da za proticanje
struje u provodnom
smijeru dioda ima
otpornost koliko i žica
provodnika (nula), a za
neprovodni smjer se može
posmatrati kao prekid
provodnika (beskonačno).

Diode se proizvode,
uglavnom, od
poluprovodničkih materijala kao što su silicijum ili germanijum. Međutim, još uvek postoje i
diode sa termojonskom emisijom, nekada popularne elektronske cijevi.

Vakuumske i kristalne diode su otkrivene skoro u isto vrijeme. Princip rada termojonske diode
je otkrio Frederik Gutri 1873. godine. Princip rada kristalne diode je otkrio 1874. godine
njemački naučnik Karl Ferdinand Braun.

Međutim, princip rada termojonske diode je ponovo otkrio Tomas Edison 13. februara 1880.
godine, za šta je priznat patent 1883. godine.

Prve diode su elektronske cijevi (poznate kao termojonske vakuumske cijevi), kod kojih su
elektrode okružene vakuumom u staklenom balonu, slično sijalicama sa užarenim vlaknom.
Pronalazač ovakve konstrukcije diode je Džon Ambroz Fleming, naučni savjetnik u kompaniji
Markoni, koji je 1904 godine na osnovu radova Tomasa Edisona uspješno demonstrirao ovu
čudnu spravu, a patentirao je novembra 1905. godine.

Izraz je smislio Viljem Henri Ekls 1919, godine grčko-latinskom kombinacijom riječi di-dva,
ode-puta.

9
Analogna elektronika

Slika 2.3. Simbol vakuumske cijevi

Kao i sijalice sa užarenim vlaknom, tako i vakuumske cijevi imaju nit koja se užari kada kroz
nju teče električna struja. Nit užarena u vakuumu emituje elektrone, a potom električni napon,
razlika potencijala, između elektroda, pokreće elektrone od užarene elektrode ka drugoj,
hladnoj. Tako tok (negativnog) elektrona od užarene niti kroz vakuum do druge (pozitivne,
hladne) elektrode predstavlja protok električne struje. Usijana elektroda, izvor elektrona, se
naziva anoda, a hladna se zove katoda. Neuporedivo manje elektrona može ići u suprotnom
smijeru, čak i ako je katoda negativno naelektrisana, jer ne postoji termojonska emisija
elektrona koja se izaziva usijavanjem.

Zapravo, tok elektrona se odvija od anode ka katodi, ali pošto je elektron nosilac negativnog
naelektrisanja, struja se označava tako da teče od katode ka anodi. To je provodni smjer diode.

Mada se vakuumske cijevi, diode, koriste još u par specijalizovanih primjena, većina
savremenih dioda je zasnovana na poluprovodničkim p-n spojevima. Kod poluprovodničkih
dioda struja teče od p-strane (anoda) ka n-strani (katoda), isto kao i kod vakuumske cijevi ali
ne i u suprotnom smjeru. U slučaju obrnute polarizacije diode dolazi do uklanjanja nosilaca
naelektrisanja iz oblasti spoja i stvaranja prelazne oblasti. Način nastanka i objašnjenje rada
ovog čudno nazvanog otkrovenja je povezan sa kvantnim efektom prelaska elektrona preko
potencijalne barijere ali postoje i jednostavnija objašnjenja.

2.1. Fizikalno objašnjenje ponašanja poluprovodničke diode

Slika 2.4. Simbol poluprovodničke diode

Diоdа је elektronska komponenta sa dvije elektrode koja posjeduje usmjerivačko svojstvo tj.
može da provodi struju u samo jednom smjeru.
U elektrotehnici se najčešće koriste poluprovodničke diode koje su napravljene od
poluprovodnika P i N tipa.
Fizički izgled PN spoja dat je na slici:

10
Analogna elektronika

Slika 2.5a. Fizički izgled PN spoja

2.1.1. pn spoj bez djelovanja prednapona

Posmatra se ponašanje kristala u okolini pn spoja neposredno nakon spajanja p i n područja.

Budući je u p području koncentracija šupljina vrlo visoka, u blizini spoja dolazi do njihovog
difuznog širenja preko spoja i spajanja sa slobodnim elektronima n područja. Spajanjem se
poništava naboj određenog broja elektrona u blizini spoja i otkrivaju vezani pozitivni naboji n
područja. Slično tome, određeni broj elektrona iz n područja postupkom difuzije se širi u p
područje i u blizini spoja se poništava sa šupljinama te otkriva vezane negativne naboje.
Ukupna struja širenja (difuzije) jednaka je zbiru struje šupljina i struje elektrona i usmjerena
je od strane n područja prema strani p područja. Kako većinski nositelji naboja difundiraju
preko spoja i otkrivaju sve više i više vezanih naboja, u okolišu spoja razvija se područje
osiromašenog broja većinskih nositelja. Područje se naziva osiromašenim područjem. Radi
uspostavljanja razlike naboja, preko spoja u osiromašenom području postoji električno polje i
potencijal U0. Napon, nazvan kontaktnim potencijalom ili naponom barijere, djeluje tako da
smanji difuziju većinskih nositelja.

Napon barijere ima suprotan učinak na manjinske nositelje. Električno polje u osiromašenom
području usmjerava manjinske nositelje, koje u n području čine šupljine, u p područje. Slično
tome, manjinski nositelji p područja (elektroni) su usmjeravani u n područje. Zbroj struja
manjinskih nositelja daje struju pomaka (drifta) koja je usmjerena od n područja prema p
području kristala. Struje posmaka i širenja su suprotnog smjera i u ravnoteži jednakog iznosa.
Jednakost iznosa struje pomaka i širenja je posljedica nezatvorenosti strujnog kruga, tj. ne
postoji vanjski put kojim bi tekla struja.

2.1.2 pn spoj pod djelovanjem prednapona

Ako se na kristal dovede vanjski napon ud, često puta nazivan prednaponom, tako da p
područje bude pozitivnije od n područja, spoj je propusno polariziran. Premda mala slova
označavaju ukupne vrijednosti (istosmjerne i vremenski promjenljive komponente) napona i
struje, u opisu ponašanja diode označavat će samo istosmjerne vrijednosti. U tom slučaju, kao
što je prikazano na slici 2.5a., napon barijere se smanjuje za dovedeni napon ud. Rezultat toga
je usmjereno kretanje difuzione struje većinskih nositelja (šupljina od p u n područje i
elektrona iz n u p područje). Intenzitet struje se pojačava eksponencijalno s naponom ud i ima
značajnu vrijednost i kada je ud neznatno iznad 0.6 V za silicij.

11
Analogna elektronika

Slika 2.5b. (a)

Propusno
polarizirani pn
spoj, (b)
nepropusno
polarizirani pn
spoj

U slučaju kada je vanjski napon suprotno polariziran, slika 2.5b., napon barijere se podiže,
struja većinskih nositelja naglo (eksponencijalno) postaje neznatna i vodeću struju čine
manjinski nositelji (elektroni koji se kreću od p u n područje i šupljine iz n u p područje). Ta
struja pomaka brzo dolazi u zasićenje (postaje stalna) kod niske razine napona, budući se
manjinski nositelji proizvode toplinskim pokretanjem i kod uobičajenih radnih temperatura se
nalaze u malom broju. Slaba struja koja teče se naziva reverznom strujom zasičenja, I0, a za
pn spoj koji je uzrokuje, kaže se da je nepropusno polariziran.

2.2. Statička karakteristika diode

Statička karakteristika diode je dijagram zavisnosti jačine struje kroz diodu od napona na
njenim krajevima pri određenoj konstantnoj temperaturi okoline.

Matematički izraz za ovu zavisnost je:

Mjerenje se vrši slijedećim kolom, sa promjenljivim naponom izvora.

Slika 2.6. Kolo za mjerenje statičke karakteristike diode

U-I karakteristika diode se može aproksimirati u dvije odvojene oblasti djelovanja. Ispod
izvjesne vrijednosti razlike potencijala između izvoda diode, oblast potencijalne barijere ima
značajnu širinu, a dioda se može smatrati otvorenim vodom odnosno prekidom električnog
kola. Kako se razlika potencijala povećava, dolazi do stanja kada dioda postaje provodna i
naelektrisanje protiče što se može smatrati kratkim spojem (realno postoji izvestan mali
otpor). Precizno nacrtano, funkcija prenosa je logaritamska, ali sa veoma oštrim zavojem
krive tako da podsjeća na prijelom.

12
Analogna elektronika
Šoklijeva jednačina idealne diode (nazvana po Viljemu Bredfordu Šokliju) može se
upotrijebiti za aproksimaciju U-I karakteristike p-n diode.

gde je

I- struja diode,
IS - se zove struja zasićenja,
q- naelektrisanje elektrona,
k - Bolcmanova konstanta,
T - apsolutna temperatura p-n spoja i
VD - napon na diodi.
Izraz kT/q je termalni napon, ponekad kraće zapisano kao VT, i približno iznosi 26 mV na
sobnoj temperaturi.
n (ponekad izostavljeno) je koeficijent emisije, koji varira između 1 i 2 zavisno od procesa
proizvodnje i poluprovodnog materijala.

Slika 2.7. U-I karakteristika diode

Moguće je upotrebiti kraći izraz. Stavljajući da je

i n = 1 jednačina za struju diode postaje:

13
Analogna elektronika

gde je Vγ = 25mV (na sobnoj temperaturi) konstanta.

Kod običnih silicijumskih dioda, pri uobičajenim strujama pad napona u provodnoj diodi
iznosi približno 0.6 do 0.7 V. Vrijednost je različita za razne tipove dioda: kod Šotki dioda je
taj napon oko 0.2 V, a kod svjetlećih dioda (LED) može biti 1.4 V ili više, zavisno od struje.

2.2.1 Radni pravac

Na slici 2.8. prikazan je jednostavni strujni krug u kojem je potrebno odrediti iznose napona
ud i struje id diode. Iz jednadžbe za napon u serijskom strujnom krugu slijedi

(1)

Kada se nacrta u koordinatnom sistemu (ud, id), izraz (1) je prikazan pravcem nagiba -1/RT,
slika 2.8b. Nacrtani pravac se naziva pravcem opterećenja ili radnim pravcem. Bilo koja tačka
na pravcu s koordinatama (ud, id) zadovoljava izraz. Međutim, budući trenutno može postojati
samo jedna vrijednost napona i struje koja se nalazi na pravcu i koja zadovoljava izraz (1) za
potpuno rješenje naponsko strujnih prilika u strujnom krugu potrebno je znati karakteristiku
diode, odnosno jednadžbu struje diode id. Stvarne vrijednosti napona ud i struje id moraju
istovremeno zadovoljavati jednadžbu pravca i jednadžbu struje diode. Rješenje se dobije u
tački presjeka radnog pravca i krive diode. Tačka presjeka se naziva radnom tačkom, Q, i u
njoj vrijedi ud = uQ, a id = iQ.

Slika 2.8a. Jednostavni strujni krug s diodom

14
Analogna elektronika

Slika 2.8b. Određivanje radne tačke

Navedeni postupak za određivanje radne tačke koristi se u većem broju primjena. Radni
pravac ne zavisi o karakteristici nelinearnog elementa i crta se samostalno. Kada se u
koordinatni sistem doda karakteristika nelinearnog elementa radna tačka se dobiva u tački
presjeka radnog pravca i karakteristike elementa.

2.3. Vrste poluprovodničkih dioda

Svjetleća Zener Šotki

Dioda
dioda dioda dioda

Slika 2.9. Simboli raznih vrsta dioda

Najveći broj današnjih dioda su poluprovodničke diode bazirane na PN spojevima.

Postoji nekoliko vrsta dioda sa poluprovodničkim spojem:

Obične (p-n) diode

Rade na način kako je prethodno opisano. Proizvode se od monokristalnog silicijuma
(rijeđe germanijuma) uz male primjese 3-valentnih i 5-valentnih elemenata. Prije
savremenih silicijumskih dioda za ispravljanje napona su se koristile diode sa
bakaroksidom ili selenijumom. Međutim mala efikasnost je bila razlog velikog pada
napona po diodi od 1.4-1.7V, što je u slučaju potrebe ispravljanja visokih napona i
upotrebe višestruko na red vezanih dioda stvarao veliki pad napona, zbog čega je bilo
potrebno imati velike hladnjake, značajno veće nego što je to danas slučaj kod
silicijumskih dioda istih strujnih karakteristika.

15
Analogna elektronika
Zener diode
Ove diode se nekad nazivaju i probojne diode. Posebna osobina ovih dioda je da mogu
provesti u suprotnom smjeru. Ovaj efekat, nazvan Zenerov proboj, javlja se na
precizno određenoj vrijednosti inverznog napona što je osobina značajna za
konstrukciju referentnog naponskog izvora ili u kolima za stabilizaciju i ograničenje
napona. Princip rada se zasniva na pojavi tunelovanja elektrona kroz tanku
potencijalnu barijeru spoja. Usled ovoga je probojni napon kod ovih dioda relativno
mali, od 2 do 6 V. Probojne diode mogu biti silicijumske i germanijumske, ali su
silicijumske bolje zbog oštrijeg koljena karakteristike pri prelazu u oblast proboja.
Ove diode imaju negativan temperaturni koeficijent probojnog napona.
Diode sa lavinskim efektom
To su diode koje provedu u inverznom smjeru kada napon polarizacije izazove
lavinsko umnožavanje slobodnih nosilaca elektriciteta usljed dostizanja velikih brzina
pri kretanju kroz jako električno polje prelazne oblasti. Ovaj princip je prisutan kod
visokih vrijednosti nepropusne polarizacije, preko 6.2 V do 1500 V. Ove diode imaju
pozitivan temperaturni koeficijent probojnog napona, što se ublažava rednim
dodavanjem obične diode polarisane u propusnom smijeru i ima negativni
temperaturni koeficijent.
Svjetleća dioda (LED)
LED, odnosno svjetleća dioda (engl. LED; Light-emiting diode) je posebna vrsta
poluprovodničke diode koja emituje svjetlost kada je propusno polarisana, tj. kada
kroz nju teče struja.

Slika 2.10a. Crvena, plava i zelena svjetleća dioda

Fotoni svejtla se emituje prilikom rekombinacije para elektron-šupljina. Takvo

svojstvo imaju poluprovodnici:

 galijum-fosfid (GaP),
 galijum-arsenid (GaAs), galijum-nitrid (GaN), galijum-arsenid-fosfid (GaAsP),
cink-selenid (ZnSe),
 dijamant (C),
 aluminijum-nitrid (AlN),
 safir (Al2O3),
 silicijum-karbid (SiC), itd.

Dioda svijetli odnosno emituje fotone kada elektroni prolaze kroz spoj, tj kada se stavi
pod napon. Većina dioda emituje zračenje, ali ono ne napušta poluprovodnik i nalazi
se u frekventnom opsegu infracrvenog zračenja. Međutim, izborom odgovarajućeg
materijala i geometrije svjetlost postaje vidljiva. Napon potencijalne barijere dioda
određuje boju svjetlosti. Različiti materijali ili neuobičajeni poluprovodnici se koriste
u tu svrhu. Crvenoj boji odgovara napon od 1.2 V, a napon od 2.4 odgovara ljubičastoj.

16
Analogna elektronika
Danas postoje diode i za ultraljubičastu svjetlost. Prve svjetleće diode su bile crvene i
žute, a druge su nastale kasnije.
Fotodioda
Fotodioda ili foto-dioda je dioda sa PN spojem koji je pristupačan svjetlosti. Pri padu
svjetlosti na PN spoj dolazi do toka elektrona. Zbog te osobine, nalazi primjenu kao
elektronski senzor (osjetilo). Bitna osobina fotodiode je da vrši samo (izuzetno brzu)
detekciju, a ne vrši ulogu pojačavača, za razliku od fototranzistora. Fotodioda je
načinjena od puluprovodnog materijala kao i obična dioda. Zbog brze reakcije na
svjetlosni nivo, koriste se za primjene u optoelektronici, gdje je brzina rada najvažnija.
Primjer upotrebe su optički izolacioni parovi (optokapleri), senzori pozicije
(enkoderi), veoma brze komunikacije preko optičkog kabla i drugi.

Slika 2.10b. Fotodioda

Od materijala zavisi osjetljivost u određenom dijelu elektromagnetskog spektra.

Materijal Talasna dužina (nm)

Silicijum 190–1100

Germanijum 400–1700

Simbol fotodiode je prikazan na slici 8.

Slika 2.11. Simbol fotodiode

Prednosti su niska cijena i veoma brz rad (u odnosu na foto-otpornik i fototranzistor). Mana je
odsustvo pojačanja, osim kod lavinske fotodiode

Laserske diode - Poluprovodnički laseri

17
Analogna elektronika
Poluprovodnički laser je uređaj za oscilaciju ili pojačanje optičkog talasa baziran na
stimulisanoj emisiji fotona pri prelazima elektrona u poluprovodniku pod uslovima
inverzne naseljenosti.

Slika 2.12a. Izgled upakovanih crvenih laserskih dioda male snage

Slika 2.12b. čipa poluprovodničkog lasera, prikazanog na vrhu igle

Ideja o poluprovodničkim laserima predložena je 1957. godine od strane ruskog naučnika N.

Basova. Uskoro, krajem 1962. godine, prateći teoretske analize i predlog Basova i Dumkea u
roku od trideset dana radnici u četri laboratorije u SAD nezavisno demonstriraju svoje verzije
poluprovodničkih lasera.

 Prvi realizovani poluprovodnički laseri su radili na niskim temperaturama u impulsnom

režimu, da bi se godinu dana kasnije proizveli za rad u kontinualnom režimu.

Danas, poluprovodnički laseri predstavljaju praktično jednu od najbitnijih optoelektronskih

naprava: optičke fiber komunikacije i optičko skadištenje podataka, a isto tako su široko
rasprostranjeni u nizu aplikacija u mnogim oblastima.

Postoje dva tipa poluprovodničkih laserskih naprava, (edge emitting) ivično emitujući i
(surface emitting) površinsko emitujući laseri.

Poluprovodnički laseri su bazirani na jednom od četri tipa materijala, u zavisnosti od talasne

dužine regiona od interesa. Tri tipa materijala predstavljaju jedinjenja elemenata III-V grupe
periodične tabele elemenata.

Lista nekoliko jedninjenja (sa energijama procjepa) data je u tabeli

18
Analogna elektronika

Formula Talasne
Materijal Energetski procep
jedinjenja dužine

III-V jedinjenja Eg(eV) na 300K λ(nm)

Aluminijum-Arsenid AlAs 2.16 2678.1

Aluminijum-Fosfid AlP 2.45 3037.6

Aluminijum-Antimonid AlSb 1.58 1959.0

Galijum-Arsenid GaAs 1.42 1760.6

Galijum-Nitrid GaN 3.36 4165.9

Poluprovodnički laseri se danas koriste u velikom broju aplikacija. Navodimo samo neke od
bitnijih primjera. Laseri male snage (crveni laseri), sa visoko kvalitetnim snopom koriste se
prilikom optičkog skladištenja i iščitavanja podataka. (Compact disc) CD plejeri koriste
AlGaAs tip lasera sa snopom talasne dužine 780nm, u mogućnosti su da postignu skladištenje
650MB podataka na površinu jednog diska. Nešto modernija tehnologija, DVD uređaji,
koriste lasere tipa AlGaInP sa zračenjem na talasnoj dužini od 640nm, i time postižu nešto
veću rezoluciju i mogućnost skladištenja veće količine informacija. Crveni laseri se još koriste
kao nivelari, markeri ili indikatori. Neke od primjena lasera su:

 skladištenje podataka
 optičke fiber komunikacije

 laserski indikatori (laser pointers)

 mjerači razdaljina
 upotreba u laserskim štampačima, skenerima i bar kod čitačima.
 neke vrste hirurgije i dermatologije

2.4. Dioda kao ispravljač

19
Analogna elektronika

Slika 2.13. Prikaz napona ispravljača: AC, poluvalno ispravljani napon i ponovalno
ispravljeni napon

Ispravljač je elektronički sklop koji služi za pretvaranje izmjenične struje (napona) u

istosmjernu. Najčešće se u ispravljačima koriste poluvodičke diode kao glavni elektronički
elementi kojima se vrši ispravljanje. Pod ispravljanjem izmjenične struje (napona) u
istosmjernu često se podrazumjeva i glađenje (filtraciju, smanjivanje valovitosti) izlaznog
napona, te stabiliziranje napona. Često se u sklopu ispravljača nalazi i transformator koji
smanjuje napon na pogodnu vrijednost (npr. mrežnih 230V na 15V).

2.4.1. Poluvalni ispravljač

Poluvalni ispravljač je sklop koji se služi za propuštanje samo jedne poluperiode

izmjeničnog napona. Tipičan predstavnik poluvalnih ispravljača je samo jedna dioda spojena
serijski s trošilom. Budući da propušta samo jednu poluperiodu ulaznog izmjeničnog napona,
učinkovitost ovakvog sklopa je manje od 50%.

Slika 2.14. Poluvalni ispravljač

2.4.2. Punovalni ispravljač

Punovalni ispravljač je sklop koji se služi za propuštanje obje poluperiode izmjeničnog

napona, ali tako da pozitivnu poluperiodu propusti, a negativnu fazno pomakne za 180° tj.
promijeni joj predznak napona.

20
Analogna elektronika

Slika 2.15. Punovalni ispravljač sa 2 diode

Punovalni ispravljač može biti realiziran s dvije diode i transformatorom s dva sekundarna
namotaja. Prilikom pozitivne poluperiode, na gornjem namotu je također pozitivna
poluperioda, pa vodi dioda D1, dok u drugom slučaju, kada je negativna poluperioda, voditi
će dioda D2. Tako se osigurava punovalno ispravljanje izmjeničnog napona.

Radi poboljšanja energetske učinkovitosti, često se za ispravljač koristi mosni ili Graetzov
spoj dioda. Kod mosnog spoja uvijek vode dvije diode.

Slika 2.16. Punovalni ispravljač sa 4 diode-Graetzov spoj

2.4.3. Glađenje (filtracija) izlaznog napona

Filtracija izlaznog napona se izvodi s raznim spojevima kondenzatora i zavojnica.

Najjednostavnija filtracija je provedena s jednim kondenzatorom paralelno spojenim na izlaz
ispravljača, dok se za bolje karakteristike ispravljača mogu koristiti npr. L, pi, ili T LC
spojevi. Osnovne karakteristike ovakvih spojeva jest da su oni niskopropusni filtri, tako da se
kondenzatori uvijek spajaju paralelno, a zavojnice serijski.

2.4.4. Valovitost

Prilikom ispravljanja i filtriranja napona, nije u moguće u potpunosti potisnuti komponente

izmjeničnog napona, tj. nije moguće dobiti idealni istosmjerni napon, već on ima neku
valovitost. Valovitost je osciliranje vrijednosti napona oko srednje vrijednosti i definira se kao
omjer vrijednosti između dva vrha i srednjeg napona. Valovitost ovisi o tipu ispravljača (bolja
je, naravno, za punovalne), upotrebljenom filtru, te opterećenju ispravljača.

Valovitost za ispravljač s kondenzatorom C za glađenje i opterećen s otporom R:

Gdje su:

f - frekvencija izmjeničnog napona

21
Analogna elektronika
n = 1 za poluvalni, 2 za punovalni ispravljač

Slika 2.17. Kućišta Greatzovog (mosnog) spoja dioda

Klasične primjene ispravljača su za ispravljanje izmjeničnog mrežnog napona za elektroničke

uređaje koji za svoj rad zahtjevaju istosmjerni napon. Ispravljač obično predstavlja drugi
stupanj u realizaciji klasičnih istosmjernih napajanja - iza transformatora, a prije stabilizatora.
Ispravljači se nalaze i kao samostalni uređaj, poznat pod nazivom adapter (AC/DC pretvarač).

2.5. Tranzistor

Slika 2.18. Fizički izgled tranzistora kao diskretnih elementata

Tranzistor je poluprovodnički elektronički element. Koristi se za pojačavanje, kao sklopka,

za stabilizaciju napona, modulaciju signala i mnoge druge primjene. Osnovni je sastavni
element mnogih elektroničkih sklopova, integriranih krugova i elektroničkih računala.

22
Analogna elektronika
Tranzistori se prema načinu rada dijele u dvije glavne grupe:

 unipolarni (eng. FET - Field Effect Transistor) kod kojih vodljivost zavisi samo o
većinskim nositeljima električnog naboja (elektronima u N-kanalnom ili šupljinama u
P-kanalnom tipu) i
 bipolarni (eng. BJT - Bipolar Junction Transistor) kod kojih vodljivost zavisi i o
manjinskim nositeljima (elektronima u NPN ili šupljinama u PNP tipu).

2.5.1. Bipolarni tranzistori

Slika 2.19. Bipolarni tranzistori

Bipolarni tranzistori su građeni tako da dopiranjem čistog poluprovodnika, npr. silicija ili
germanija, nastaje struktura u kojoj se između dva područja istog tipa vodljivosti (P ili N)
nalazi područje suprotnog tipa vodljivosti (N ili P). Zavisno o tome moguća su dva tipa
bipolarnih tranzistora koji se označavaju kao:

 PNP(pozitivno-negativno-pozitivno)
 NPN(negativno-pozitivno-negativno)

Nazivi dijelova bipolarnih tranzistora:

 baza [B]
 emiter [E]
 kolektor [C]

i na njih su spojeni izvodi pomoću kojih se tranzistor spaja u vanjski električni krug.

Baza je uvijek srednja elektroda. Emiter je vanjska elektroda koja s bazom tvori PN-spoj koji
je u normalnom aktivnom načinu rada polariziran u propusnom smjeru. Kolektor s bazom
tvori PN-spoj koji je u normalnom aktivnom načinu rada nepropusno polariziran.

2.5.2. Unipolarni tranzistori

23
Analogna elektronika
Kod unipolarnih tranzistora, za razliku od bipolarnih, u vođenju struje sudjeluje samo jedna
vrsta električnog naboja (ili elektroni ili šupljine). Nazivaju se tranzistori sa efektom polja
(engl. Field-effect transistor, skraćeno FET, a njem. Feldeffekt Transistor). Svojstvo im je da
imaju vrlo veliki ulazni otpor pa ne zahtjevaju ulaznu struju.
Vrste:
 Spojni (engl. Junction field-effect transistor, skraćeno JFET, a njem. Sperrschicht-
FET)
 S izoliranim zasunom (engl. Insulated gate FET, skraćeno IGFET ili metal oxide
semiconductor FET, skraćeno MOSFET, a njem. Isolierschicht-FET).
 S obzirom na tip poluvodiča obadvije vrste mogu biti n-kanalne ili p-kanalne.
 Osim sto ih možemo podijeliti na n ili p-kanalne, MFET tranzistore možemo podijeliti
na obogaćeni ili osiromašeni tip.

2.6. Princip rada bipolarnog tranzistora

Bipolarni tranzistor je elaktronska komponenta sa pojačavačkim i prekidačkim osobinama,

vrsta tranzistora. Ovaj uređaj je aktivna komponenta sa tri izvoda, a napravljen je od
dopiranog poluprovodnog materijala, može da pojača ili prekida električne signale kola.
Bipolarni tranzistori su dobili svoje ime zato što su glavni nosioci naelektrisanja i elektroni i
šupljine, za razliku od unipolarnih (tranzistora sa efektom polja) kod koga su nosioci
naelektrisanja elektroni ili šupljine.

Slika 2.20. Presjek KSY34 NPN tranzistora za visoke učestanosti

Bipolarni tranzistori su prvi put napravljeni u Belovim laboratorijama i tridesetak godina su

bili najbolje komponente za pravljenje diskretnih ili integrisanih kola. Danas, upotreba
bipolarnih tranzistora je potisnuta u korist CMOS tehnologije u dizajnu integrisanih kola.
Ipak, bipolarni tranzistori ostaju uređaj koji je bolji u nekim kolima, kao što su diskretna kola,
zbog velikog izbora tipova bipolarnih tranzistora i znanja o njihovim karakteristikama. Oni su
takođe koriste za analogna kola, bilo diskretna ili integrisana. Ovo se posebno odnosi na
primjene na visokim učestanostima, kao što su kola na radio-učestanostima za bežične mreže.
Bipolarni tranzistori se mogu kombinovati sa MOSFET tranzistorima u integrisano kolo
koristeći BiCMOS proces da se dobije novo kolo koje će uzeti najbolje karakteristike oba tipa
tranzistora.

Bipolarni tranzistor se sastoji iz tri različito dopiranih poluprovodničkih dijelova: emiterskog,

baznog i kolektorskog. Ovi dijelovi su, redom: P tipa, N tipa i P tipa u PNP tranzistorima i N
tipa, P tipa i N tipa u NPN. Svaki poluprovodni dio je priključen na izvod, propisno označen:
emiter (E), baza (B) i kolektor(C).

Baza je fizički smještena između emitera i kolektora i napravljena je od slabo dopiranog,

visokootpornog materijala. Kolektor okružuje emiterski dio i skoro onemogućava da elektroni
ili šupljine injektovani u bazu izbjegnu da budu skupljeni, čineći tako da rezultantna

24
Analogna elektronika
vrijednost odnosa struja emitera i kolektora α bude vrlo blizu jedinici i tako dajući tranzistoru
veliko strujno pojačanje β. Poprečni presjek kroz bipolarni tranzistor pokazuje da je spoj
kolektor-baza veći od spoja emiter-baza.

Bipolarni tranzistor, za razliku od ostalih tranzistora, nije simetričan uređaj. Ovo znači da
zamjena između kolektora i emitera dovodi da tranzistor počinje da radi u inverznom režimu.
Zbog toga što je unutrašnja struktura tranzistora obično optimizovana za rad u direktnom
režimu, zamjena emitera i kolektora čini vrijednosti α i β manjim u inverznom režimu nego u
direktnom režimu. Obično, α u inverzom modu je manje od 0,5.

Male promjene u naponu priključenim na spoj emiter-baza izaziva da se struja koja teče
između kolektora i emitera značajno promjeni. Ovaj efekat se može koristiti da se poveća
ulazna struja. Bipolarni tranzistori se mogu smatrati kao naponki kontrolisanim strujnim
izvorima, ali se obično karakterišu kao strujni pojačavači zbog male impedanse u bazi. Prvi
tranzistori su bili napravljeni od germanijuma, ali su moderni bipolarni trantistori napravljeni
od silicijuma.

Slika 2.21. Tok

nositelja
naboja kod
tranzistora
npn tipa

Bipolarni
tranzistor se
može
posmatrati kao
dvije diode povezne anoda na anodu. U normalnom radu, spoj emiter-baza je direktno
polarisan, a spoj baza-kolektor je inverzno polarisan. Na primjeru NPN tranzistora, kada je
pozitivan napon doveden na spoj baza-emiter, ravnoteža između termički stvorenih nosioca i
odbojnog električnog polja zone prostornog naelektrisanja postaje narušena, dozvoljavajući
termički pobuđenim elektronima da se injektuju u bazu. Ovi elektroni se kreću (difunduju)
kroz bazu od dijela visoke koncentracije blizu emitera prema dijelu manje koncentracije blizu
kolektora. Ovi elektroni u bazi se zovu manjinski nosioci jer je baza pozitivno dotirana što
čini šupljine većinskim nosiocima u bazi (ovo se ne bi trebalo shvatiti da je broj injektovanih
elektrona mali). Ključna osobina dizajna bipolarnih tranzistora je da se baza napravi vrlo
tanka tako da elektroni provode malo vremena u bazi; većina elektrona se difunduje do
kolektora prije nego što se rekombinuju sa šupljinama u bazi. Spoj baza-kolektor je inverzno
polarisan tako da se ne vrši injektovanje elektrona iz kolektora u bazu, ali elektroni koji se
difundiju iz baze prema kolektoru su ubačeni u kolektor posredstvom električnog polja u zoni
prostornog naelektrisanja spoja baza-kolektor. Odnos elektrona koji mogu da prođu kroz bazu
i stignu do kolektora je mjera efikasnosti bipolarnih tranzistora. Visko dopiran emiterski
region i slabo dopiran bazni region izaziva da mnogo više elektrona pređe iz emitera u bazu
nego šupljina iz baze u emiter. Struja baze je suma šupljina ubačenih u emiter i elektrona koji
se rekombinuju u bazi – obje su u maloj srazmjeri u odnosu na struje emitera i kolektora.
Odatle mala promjena struje baze može da utiče na veliku promjenu toka elektrona između
emitera i kolektora. Odnos ovih struja Ic/Ib se naziva strujno pojačanje i označava se sa β ili
hfe i obično je 100 ili više.

25
Analogna elektronika
Dakle, princip rada tranzistora se zasniva na injekciji manjinskih nosilaca iz emitera u bazu i
njihovom transportu do kolektora. Kako je napon na spoju baza-emiter manji od napona na
spoju kolektor-baza, a također je i struja koja teče u bazu manja od struja emitera i kolektora
znači da tranzistor omogućuje upravljanje potrošnjom u krugu veće snage pomoću kruga u
kojem se troši manja snaga. Ovisno o tome koja je elektroda za oba kruga zajednička
tranzistor se može koristiti u tri različita spoja.

U spoju sa zajedničkom bazom ostvaruje se samo pojačanje napona, u spoju sa zajedničkim

kolektorom samo pojačanje struje, a spoju sa zajedničkim emiterom pojačava se i napon i
struja, pa je pojačanje snage najveće.

Za učinkovit rad tranzistora je bitno da struja koja teče u bazu bude što manja. Dva faktora
koja na to utiču su faktor injekcije i transportni faktor. Faktor injekcije zavisi o odnosu broja
nosilaca koji se injektiraju iz emitera u bazu prema broju nosilaca koji se injektiraju iz baze u
emiter. Povoljan se odnos postiže kada je emiter znatno više dopiran od baze.

Transportni faktor zavisi o broju injektiranih nosilaca koji se rekombiniraju u bazi, a za njega
je bitno da baza bude dovoljno tanka kako bi nosioci stigli do kolektorskog spoja prije nego
što se rekombiniraju.

Bilo da se radi o PNP ili NPN tipu tranzistora oba obavljaju istu funkciju. Razlika je u
polaritetima vanjskih napona i struja, te u vrsti nosilaca električne struje. U PNP tipu
tranzistora glavni su nosioci električne struje šupljine, a u NPN tipu tranzistora su to elektroni.

Izlaganje tranzistora jonizujućem zračenju izaziva razaranje zbog radijacije. Radijacija izaziva
nastanak defekata u bazi koji se ponašaju kao centri za rekombinaciju. Ovo izaziva postepeni
pad funkcionalnog rada tranzistora.

Slika 2.22a. Simbol NPN tranzistora

Slika 2.22b. Simbol PNP tranzistora

2.7. Karakteristike tranzistora

Može se pokazati da su struje u tranzistoru određene sljedećim zakonitostima

(1)

26
Analogna elektronika

(2)

(3)

pri čemu je ISE reverzna struja zasićenja spoja baza-emiter, parametar α označava strujno
pojačanje zajedničke baze i predstavlja dio struje iE koji doprinosi ukupnoj kolektorskoj struji,
ICBO je reverzna struja zasićenja spoja kolektor-baza u slučaju odspojenog emitera, a UT je
toplinski napon određen izrazom

(4)

Napon UT predstavlja naponski ekvivalent temperature i kod temperature od 300 K ima

vrijednost 25.861x 10-3 V.

Drugi važan parametar tranzistora je strujno pojačanje zajedničkog emitera izraženo kao

(5)

Vrijednost parametra α je približno stalna i blizu je, ali uvijek manja od 1. Najčešća vrijednost
parametra α je u rasponu od 0.9 do 0.988, tako da je vrijednost parametra β u rasponu od 9 do
500. Promjene parametra β su usko vezane s promjenama parmetra α.

Prethodno navedeni modeli i jednadžbe vrijede u slučaju idealnog tranzistora. Modeli i

jednadžbe u slučaju realnog tranzistora odstupaju od idealnih i najbolje se ogledaju u
statičkim karakteristikama tranzistora. Statičke karakteristike zamišljenog npn tranzistora
prikazuje slika 2.23. Emiterske karakteristike, slika 2.23(a), prikazuju zavisnost emiterske
struje iE o naponu propusne polarizacije emitera uBE za nekoliko vrijednosti napona uCB.
Vidljiva je zavisnost krivulje iE-uBE o naponu uCE. Zavisnost je manja za napone uCE veće od
nekoliko volti. Krivulja iE-uBE pokazuje i temperaturnu zavisnost, pa tako kod silicijevog
tranzistora, uz stalni iznos struje iE, napon uBE opada za 2 mV kod porasta temperature za 1 K.

27
Analogna elektronika

Slika 2.23. Statičke karakteristike zamišljenog tranzistora u spoju zajedničke baze (a)
karakteristike emitera i (b) karakteristike kolektora

Kolektorske karakteristike, slika 2.23(b), pokazuju zavisnost kolektorske struje iC prema

naponu kolektor-baza uCB uz različite stalne iznose struje iE. Kao što je i za očekivati iz izraza
(2), slijedi da je kolektorska struja iC u aktivnom području gotovo nezavisna o kolektorskom
naponu i zavisi samo o struji iE. U idealnom slučaju, kada bi α bilo jednako jedinici,
kolektorska struja bi bila jednaka emiterskoj struji, iC = iE. U slučaju realnog tranzistora iC ≈ iE
i krivulja ima mali nagib koji označava slabu zavisnost o naponu uCB. Za veće vrijednosti
napona uCB, zavisnost se pojačava, te se u tehničkom podacima o tranzistoru navodi i napon
proboja UCBO iznad kojega tranzistor ne može raditi. Kod toga napona iznos struje iC naglo
poraste. Ako se ne prekorače dozvoljeni iznosi struja i temperature, tranzistor može raditi u
području proboja.

Slijedi opis rada tranzistora u režimu zapiranja i zasićenja, prema slici 2.23(b). U aktivnom
režimu rada, zbog održavanja nepropusne polarizacije spoja kolektor baza, napon uCB > 0.
Međutim, kada je uCB < 0, spoj kolektor-baza postaje propusno usmjerenim, kod uCB = -0.6 V,
struja koju daje emiter je smanjena te se smanjuje i iC. U tom slučaju spoj kolektor-baza
djeluje kao obična spojna dioda i struja može poprimiti negativnu vrijednost. Opisani rad,
kada je uCB < -0.6 V, odgovara radu tranzistora u području zasićenja. Tranzistor pak radi u
režimu zapiranja kada je iE = 0, uz uCB > -0.6 V, čemu odgovara iC = ICBO ≈ 0 i spoj baza-emiter
ne vodi.

U nekim električnim krugovima tranzistor radi kao dvopolni element, s ulaznim i izlaznim
stezaljkama, pri čemu baza tvori zajedničku stezaljku. U spoju zajedničke baze, karakteristike
prikazane na slici 2.23 (a) i (b) se nazivaju ulaznim, odnosno izlaznim karakteristikama.

28
Analogna elektronika

Slika 2.24. Kolektorske karakteristike bipolarnog tranzistora npn tipa s naponom baza-emiter
kao parametrom

Najčešća primjena tranzistora je u spoju zajedničkog emitera, pri čemu za ulaz signala služi
baza, a izlaz kolektor. U slučaju kada je ulazni napon jednak naponu baza-emiter, izgled
izlaznih karakteristika prikazuje slika 2.24. Kada su krivulje približno linearne do točke
prekida, aktivno područje odgovara naponu uCE između 0.6 do 0.8 V. Ako se linearne krivulje
ekstrapoliraju u suprotnu stranu pozitivne osi uCE, sastaju se u točki -UA koja se naziva Early-
jevim naponom. Tipična vrijednost napona UA se kod bipolarnih spojnih tranzistora kreče u
rasponu od 50 do 100 V. Early-jev efekt dovodi do pozitivnog nagiba krivulja, a rezultat je
širenja osiromašenog sloja spoja kolektor-baza i smanjenja djelatne širine baze, pri porastu
napona uBE. Iz toga proizlazi i obrnuta proporcionalnost struje ISE u odnosu na širinu baze (1),
što rezultira porastom struje iC prema izrazu (2). Povećanje struje iC se opisuje dodavanjem
posebnog faktora struji ISE, te izraz za iC glasi

(6)

Ponašanje spoja zajedničkog-emitera zamišljenog npn silicijskog tranzistora prikazuje slika

2.25. Ulazne karakteristike na slici 2.25(a) opisuju zavisnost iB-uBE. Uočljiva je zavisnost o
naponu kolektor-emiter, uCE. Izlazne karakteristike, slika 2.25(b), su slične krivuljama na slici
2.23, osim što stalni parametar pojedine krivulje umjesto napona predstavlja struja baze.
Uzrok pojave napona proboja u spoju zajedničkog emitera je složeniji negoli kod spoja
zajedničke baze. Napon iznad kojega tranzistor u spoju zajedničkog emitera ne može pravilno
raditi naziva se naponom zadržavanja, UCEO, i otprilike iznosi polovicu vrijednosti napona
proboja tranzistora u spoju zajedničke baze UCBO.

29
Analogna elektronika

Slika 2.25. Statičke karakteristike zamišljenog tranzistora u spoju zajedničkog emitera (a)
ulazne karakteristike i (b) izlazne karakteristike

2.8. Tiristor

Slika 2.26. Tiristor na hladnjaku

Tiristor je poluprovodnički elektronički element koji ima svojstvo okidačke sklopke jer
prelazi u provodno stanje kada se na upravljačku elektrodu dovede impuls struje i to stanje
održava sve dok je struja tereta dovoljno velika.

U uobičajenom značenju to je tzv. reverzno blokirajući tiristor koji može poslužiti i kao
ispravljač, pa od toga dolazi engleski naziv Silicon Controlled Rectifier.

U širem smislu se u tiristore ubrajaju svi poluprovodnički elementi koji provodno stanje
održavaju pomoću unutrašnje regeneracije (pozitivne povratne veze), kao npr. trijak i
Shockleyeva dioda.

30
Analogna elektronika
Da bi se postigla ova struktura potrebna su barem četiri sloja poluprovodnika. Tiristor se
može prikazati kao dva komplementarna tranzistora povezana međusobno bazama na
kolektore.

Kako faktor strujnog pojačanja tranzistora zavisi od struje kolektora, postoji vrijednost struje
iznad koje takva struktura sama sebe održava u provodljivom stanju, a da bi se dovela u
provodno stanje potrebno je dovesti struju na jednu od baza, povećati napon iznad probojne
vrijednosti ili ga povećavati dovoljno velikom brzinom.

31