ign de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccién (es decir desacti- vado). Los MOSFET de potencia se uilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estin “isponibies en una especificacion de relatlvamemte poca pouencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los diferentes MOSFET de potencia de distin tas tamafios aparecen en ta figura 8-21. Ls [GBT son transistores de potencia controladas par voltaje. Por naturaleza, son mas répidos que los BIT, pero atin no tan rapidos como los MOSFET. Sin embargo, oftecen caracteristicas de excitacién y de salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son adecuados para alios volajes, alias corrientes y frecuencias de hasta 20 KHz. Los IQBT estén disponibles hasta 1200 V, 400 A. Un SIT es un dispositive de alta potencia y de ata frecuencia. Es, en esencia, la versién en estado s6lido del tubo de vacfo triodo. y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de ‘bajo ruido, baja distorsidn y alta frecuencia de audio. Los tiempos de activaciGn y desactivacién son muy cortos,tipicamente de 0.25 ys. La caracteristica de normalmente activo y la alta caida de voltae limitan sus aplicaciones para conversiones de energia de uso general. La especificacign de uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200 V, 300 A, y la velocidad de interrupeiéa ppuede ser tan alta como 100 kHz. Los SIT son adecundos para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia (es decir audio, VHF/UHF, y amplificadores de microondas). Las especificaciones de Jos dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla 1.2, donde el voliaje activo es ta caida del voltje de estado activo del dispositive a la coriente especi- ficada. En la tabla 1.3 aparecen las caracteristicas vi y los simbolos de los dispostivos semicon ductores de potencia cominmente utilizados. TABLA 1.2 ESPECIFICACIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Especificacion Alu Tiempo de Resistencia en Ge voltaje/ frecuencia conmutacién estado activo Tipo corriente a) us) @ Diedoe Uso genera oun V/s000 A 1k 100 16m ‘At veloc $3000 v/io00 & to 2s Im Schouky 30 Vi5 A 20k 033 10m Tirstores desacivador De blaqueoinverso S000 V/S000A tk 200 025m ‘forma forma Alta valocidad 1200 v/1s00 & toe 20 Oat Bloqueo inverso 2500 V/400 A Sk 40 216m Conduceiéninversn 2500,V/1000 A 5k «0 2m carr. 1200 VH00 4 20k . 224m Disparo luminico 6000 ViSOOA 400, 200-400 053m TRIAC 1200 Vi500 A 400 200-400 357m Thinenes desseivadin GTO 4500 ¥70000 4 1 18 25m ‘utométicamente SITE 000 V/2200A 20k 65 575m ‘Transstres de Individual, 400 ¥7250 A 20k 9 4n ptencia 400 ¥/40 A 20k 6 sim 630 V/50 A 25k 17 15m Dartington 1200 Vi400 A, 1 30 1m sir 1200 ¥7300 & 1008 055 12 MOSFET depotencia Individual 500 V8.6, 100% 07 06 1000 V8.7 A. 100K 09 2 500 ¥/30 A 100% 06 On 16a Individual 1200 V/400 4 20k 23 6m McT. Individual 600 V0 A 20k 22 18m Fuente: Re 3 Introduccion Cap.TABLA13_ CARACTERISTICAS Y SIMBOLOS DE ALGUNOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Dispostvos simbolos caractevticas r) Ab « , code = | A py 7 m ie z wy aeeareare & Z Tistor on ay a = Vac € smu ac « 6 say Dra decompuers u cto — pe Mee t0 ja x 7% M | A x Pa se To “menos oa Lee Disparo de te 7 Baba de comuar as P Z Lasont - 4 vac 7 3 Newest ‘cer Te . Vasa> Vest sl ee Dts a a B e mosrer aie vest e | os Voss oooh ss A. A vee Voy ® Vass = OV. st Vest © Vesa Veen s oeLas hojas de datos para un diodo, SCR, GTO, BJT, MOSFET, IGBT y MCT se dan en el apéndice G. En la figura 1-6 se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los dispo- sitivos de potencia, Un superdispositivo de potencia deberia (1) tener un voltae activo igual a ce- 10, @) sopoiat un voliaje fucta de conductiGn infinite, 3) mancjar una vouienteinfinita, y (4) “activarse” y “desactivarse” en un tiempo cero, teniendo por lo tanto una velocidad de conmutae ign infiita, od r] E.. SRE — er Copscidad (VAD J =a Frecuencia de operacién (He) 1K eK ie Figura 1-6 Aplicaciones de los dispositives de potencia. (Contesia de Powerex, Inc.) 1-4 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Los dispositivos semiconductores de poteneia se pucden opsrar como interruptores mediante la apliacién de sefales de conten!» la terminal de compuiceta de tos tiristores (y a la hase de. Jos ‘ransistores bipolares). La sala requerida se obtiene mediante la variacién del tiempo de conduc- cin de estos dispositivos de conmutacién. En la figura 1-7 se muestran los voltajes de salida y las ccaracterisicas de control de los dispositivos de interrupeién de potencia de uso comin, Una vez ‘que un tiristor esté en modo de conduccién, la sefal de la compuerta ya sea positiva 0 negativa no tione efecto; esto aparece on la figura 1 7a, Cuando un dispositive semiconductor de potencia esté fen modo de conduccidn normal, existe una pequela cafda de valtaje a través del mismo. En las formas de onda de voltae de salida de la figura 1-7, estas caidas de votaje se consideran des ciables y, a menos que se especifique lo contrario, esta suposicién se conservard a través de los capitulos siguientes 10 Tatroduccion Cap. 7isor IM ATK a wet, (a) Titer inten cupin (b} Interruptor GTO/MCTISITH (an ol caso de MCT, n T la polaridad de V, se invierte como se muestra) te * Q os 5 el L-4. 7 o Vv. fs ‘ - . —" terrptor t 7 T 7 1 +, (o)nterruptor MOSFETAGET Figura 1-7 Csracteristcas de contol de los dispositive de interupsin de potencia See Ta Caractaristioas da antral de loa diapaeiives de potencia 7"