‫ﺑﺴﻤﻪ ﺗﻌﺎﻟﻲ‬

‫‪This file created by Microsoft Office Visio 2003 Professional‬‬

‫ﻣﺴﺎﺋﻞ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ‪ 1‬ﻓﺼﻞ ‪ 1‬ﻣﻴﺮﻋﺸﻘﻲ‬

‫‪ .1‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻳﻚ ﺳﻴﻢ ﻣﺴﻲ ﺑﻪ ﻗﻄﺮ ‪ 1.03mm‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 2.14 × 10−4 Ω / cm‬اﺳﺖ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ‬
‫ﺑﺪاﻧﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد در ﻣﺲ ‪ 8.4 × 10 28 m −3‬اﺳﺖ و ﺑﺎ ﻓﺮض اﻳﻨﻜﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 2 × 106 A / m 2‬ﺑﺎﺷﺪ ﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ‪:‬‬
‫‪ -‬ﻣﻘﺪار ﺟﺮﻳﺎن‬
‫‪ -‬رﺳﺎﻧﺎﻳﻲ وﻳﮋه ﺳﻴﻢ‬
‫‪ -‬ﺳﺮﻋﺖ ﺣﺮﻛﺖ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد‬
‫‪ -‬ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﺗﺤﺮك اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد‬

‫‪ .2‬ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺗﻌﺪاد اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد در ﻳﻚ ﻣﺘﺮ ﻣﻜﻌﺐ ﻳﻚ ﻓﻠﺰ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ ﺑﺎ ‪:‬‬
‫‪dv‬‬ ‫‪A ×103 dv‬‬
‫=‪n‬‬ ‫‪= 0‬‬
‫‪AM‬‬ ‫‪A‬‬
‫ﻛﻪ در آن ‪ d‬ﺟﺮم ﺣﺠﻤﻲ ‪ kg / m 3‬و ‪ v‬ﻇﺮﻓﻴﺖ )ﺗﻌﺪاد اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد در ﻫﺮ اﺗﻢ( و ‪A‬‬
‫وزن اﺗﻤﻲ )‪ (g‬و ‪ M‬ﺑﺎ وزن اﺗﻤﻲ واﺣﺪ )‪ (kg‬و ‪ A 0‬ﻋﺪد آووﮔﺎدرو اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ .3‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻳﻚ ﻣﻴﻠﻪ از ﺟﻨﺲ ﺳﻴﻠﺴﻜﻦ ﺑﻪ ﻃﻮل ‪ 5cm‬و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ‪ 8mm 2‬را ﺑﻪ دﺳﺖ‬
‫آورﻳﺪ‬
‫‪ .4‬ﺑﻪ ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي ﻫﻢ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬و ﻫﻢ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ P‬ﺗﺰرﻳﻖ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫اﮔﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻫﺎ ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ N D = 2 × 1012 cm −3 , N A = 5 × 1011cm −3‬ﺑﺎﺷﻨﺪ‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ )‪ (p‬و ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد )‪ (n‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي‬
‫ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺧﺎﻟﺺ ‪ n i = 3 ×1011cm −3‬ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‬
‫‪ .5‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ و اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬ﺑﺮاي ﺑﻠﻮرﻫﺎي زﻳﺮﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫ﻛﻨﻴﺪ‪:‬‬
‫‪ -‬ژرﻣﺎﻧﻴﻢ ﻧﻮع ‪ p‬ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ‪0.02Ω-cm‬‬
‫‪ -‬ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﻧﻮع ‪ N‬ﺑﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ‪20Ω-cm‬‬
‫‪ .6‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ و اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را ﺑﺮاي ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﺑﺎ‬
‫‪ N D = 1.874 × 1013 cm −3 , N A = 3.748 × 1013 cm −3‬ﺑﻪ دﺳﺖ آورﻳﺪ‪.‬‬
 ‫‪ .7‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ) ‪ ( ρ = σ −1‬ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﺧﺎﻟﺺ در در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬ﺑﻪ دﺳﺖ آورﻳﺪ‪ .‬در‬
‫ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺗﺎ ﺣﺪ ‪ 9.6Ω-cm‬ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﺑﺪ ﻧﺴﺒﺖ‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺗﻢ ﻫﺎي ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺑﻪ اﺗﻢ ﻫﺎي ‪ Si‬را در واﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ .8‬در ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ﺣﺎوي ﻧﻮع ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻫﺎي ﻧﻮع ‪ N‬و ‪ P‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ‪ 100‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬
‫اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد اﺳﺖ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺑﺮاي اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ‪ n i = 1011cm −3‬ﺑﺎﺷﺪ ﭼﻪ ﻣﻘﺪار‬
‫ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬در ﻳﻚ واﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ آن اﺿﺎﻓﻪ ﻧﻤﻮد ﺗﺎ ﺑﻪ ﺑﻠﻮر ﺧﺎﻟﺺ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬
‫ﺷﻮد؟‬
‫‪ .9‬ﺑﻪ ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ﻧﻮع ‪ P‬آﻧﻘﺪر ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬اﺿﺎﻓﻪ ﻛﺮده اﻳﻢ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺑﻠﻮر ﺧﺎﻟﺺ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺷﺪه‬
‫اﺳﺖ‪ .‬اﻛﻨﻮن اﻛﺮ ﺑﺨﻮاﻫﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را ﺑﻪ ‪ 100‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ‬
‫ﺑﺮﺳﺎﻧﻴﻢ ﭼﻪ ﻣﻘﺪار ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬در واﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ آن اﺿﺎﻓﻪ ﻛﻨﻴﻢ‬
‫‪n i = 1012 cm −3‬‬
‫‪ .10‬در ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ‪ 5‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﺑﺎ ﺗﺰرﻳﻖ‬
‫ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را ﺗﺎ ‪ 3‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺑﻠﻮر ﺑﺎ ﭼﻪ ﻧﺴﺒﺘﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ؟ ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ‪µ n = 3µ p‬‬
‫‪ .11‬در ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ژرﻣﺎﻧﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪ N‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 1014 cm −3‬و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﻧﻮع ‪P‬‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 7 × 1013 cm −3‬اﺳﺖ‪ .‬در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه زرﻣﺎﻧﻴﻢ ﺧﺎﻟﺺ ﺑﺮاﺑﺮ ‪60Ω-‬‬
‫‪ cm‬اﺳﺖ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺟﺮﻳﺎن ﻫﺪاﻳﺘﻲ ﻛﻞ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 52.3mA / cm 2‬ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺷﺪت‬
‫ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬
‫‪ .12‬ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ﻧﻮع ‪ P‬ﺑﺎ ‪ N A = 6 × 1014 cm −3‬در اﺧﺘﻴﺎر دارﻳﻢ‪ .‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﻪ ﻃﻮر‬
‫ﻳﻜﻨﻮاﺧﺖ ﻣﻘﺪاري ﻓﺴﻔﺮ اﺿﺎﻓﻪ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪ .‬ﭼﮕﺎﻟﻲ اﺗﻢ ﻫﺎي ﻓﺴﻔﺮ را ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻳﻚ از ﺣﺎﻻت‬
‫زﻳﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﻨﻴﺪ‪:‬‬
‫‪ -‬ﭼﮕﺎﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎي آزاد را در ﺑﻠﻮر ﺣﺎﺻﻞ ‪ 106‬ﺑﺮاﺑﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ﺷﻮد‬
‫‪( n i = 2.5 × 1011cm −3‬‬
‫‪µn‬‬
‫ﺟﻮاب را ﺑﻪ‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺑﻠﻮر ﺣﺎﺻﻞ ‪ K‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻠﻮر اوﻟﻴﻪ ﺷﻮد‪ .‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ‪= b‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪µp‬‬
‫ﺻﻮرت ﭘﺎراﻣﺘﺮي ﺑﻴﺎن ﻛﻨﻴﺪ و در ﺻﻮرت اﻣﻜﺎن در ﻣﻮرد ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﻨﺎﺳﺐ ‪ K‬ﺑﺤﺚ ﻛﻨﻴﺪ‬
‫‪ .13‬ﺑﻪ ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي از ﺟﻨﺲ ژرﻣﺎﻧﻴﻮم در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ اﺗﻢ ﻫﺎي ﺧﺎﻟﺺ ﭘﺬﻳﺮﻧﺪه‬
‫اﺿﺎﻓﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬اﮔﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻛﻞ ﻗﻄﻌﻪ داراي ﻃﻮل ﻳﻚ ﺳﺎﻧﺘﻲ ﻣﺘﺮ و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ‪20‬‬
‫ﻣﻴﻠﻲ ﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ اﺳﺖ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 40‬اﻫﻢ ﺑﺎﺷﺪ‬
‫‪ -‬ﻣﻴﺰان ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ‪ N A‬اﺿﺎﻓﻪ ﺷﺪه ﺑﻪ ﻗﻄﻌﻪ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
 ‫‪ -‬اﮔﺮ ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻗﻄﻌﻪ ﻋﻼوه ﺑﺮ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﭘﺬﻳﺮﻧﺪه ﺑﻨﺪ اﻟﻒ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ ﺑﺨﺸﻨﺪه ﻧﻴﺰ ﺑﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ‬
‫‪ N D = 3 × 1014 cm −3‬اﺿﺎﻓﻪ ﺷﻮد ﻣﻘﺪار ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺟﺪﻳﺪ ﻗﻄﻌﻪ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ .14‬رواﺑﻂ ‪ 1-27‬و ‪ 1-28‬ﻣﺘﻦ ﻛﺘﺎب را اﺛﺒﺎت ﻛﻨﻴﺪ‬
‫‪ .15‬دو ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ‪ Si‬در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻳﻜﻲ از ﻧﻮع ‪ N‬ﺑﺎ ‪ N D = 1016 cm −3‬ودﻳﮕﺮي از ﻧﻮع‬
‫‪ P‬ﺑﺎ ‪ N A = 1014 cm −3‬ﻣﻮﺟﻮدﻧﺪ‬
‫‪ -‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻣﻞ ﻫﺎي اﻗﻠﻴﺖ و ﺣﺎﻣﻞ ﻫﺎي اﻛﺜﺮﻳﺖ را در ﻫﺮ ﻳﻚ از ﻗﻄﻌﻪ ﻫﺎ ﺣﺴﺎب ﻛﻨﻴﺪ‬
‫‪ -‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ اﻳﻦ دو ﻗﻄﻌﻪ داراي ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﻨﺪ اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺗﻤﺎس‬
‫ﻧﺎﺷﻲ از ﭘﻴﻮﻧﺪ آن ﻫﺎ ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد؟‬
‫‪ -‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ و ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﮕﻲ آن را در ﻫﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ .16‬در ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ N D = 1013cm −3 , N A = 1017 cm −3 P-N‬اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﭘﻴﻮﻧﺪ را در دﻣﺎي‬
‫ﻣﻌﻤﻮﻟﻴﺒﻪ ﻳﻚ وﻟﺘﺎژ ﺧﺎرﺟﻲ ‪ 5‬وﻟﺘﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺑﺎﻳﺎس ﻣﻌﻜﻮس وﺻﻞ ﻣﻲ‬
‫ﻛﻨﻴﻢ ‪ε = 1.1× 10−12 F / m , n i = 1.5 × 1013 cm −3‬‬
‫‪ -‬ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﮕﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ را در ﻫﺮ ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ)‪ (W‬ﭼﻘﺪر ﻣﻲ ﺷﻮد؟‬
‫‪ .17‬در ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬از ﺟﻨﺲ ‪ Si‬دارﻳﻢ ‪N D = 3 × 1016 cm −3‬‬
‫‪ N A -‬را ﻃﻮري ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ ﻛﻪ اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺗﻤﺎس ‪ V 0‬در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ‪0.7‬‬
‫وﻟﺖ ﺷﻮد ‪n i = 2.5 × 1010 cm −3‬‬
‫‪ -‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ)‪ (W‬و ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﮕﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ را در ﻫﺮ ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ .18‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ در ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﻴﻤﻪ ﻫﺎدي ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﻜﻞ زﻳﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ -‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﻫﻴﭻ ﮔﻮﻧﻪ ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺧﺎرﺟﻲ اﻋﻤﺎل ﻧﺸﻮد ﻋﺒﺎرت ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺟﺮﻳﺎن‬
‫) ‪ J p (x‬را ﺑﺪﺳﺖ آورده و آن را رﺳﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ -‬ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ داﺧﻠﻲ )‪ E(x‬ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ وﺟﻮد داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ ﺗﻮزﻳﻊ ﺣﻔﺮه ﻧﺸﺎن داده‬
‫ﺷﺪه در ﺷﻜﻞ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﻫﻴﭽﮕﻮﻧﻪ ﺟﺮﻳﺎن اﻧﺘﺸﺎري ﺣﻔﺮه ﻧﺸﻮد را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬ﺑﺎ ﻓﺮض ‪ P (0) / P0 = 103‬اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺑﻴﻦ ﻧﻘﺎط ‪ x = 0‬و ‪ x = W‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ‬
 ‫)‪P(x‬‬

‫)‪P(0‬‬

‫‪P0‬‬

‫‪0‬‬ ‫‪X‬‬
‫‪W‬‬

‫‪ .19‬در ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﺑﻠﻮر ﻧﻴﻢ ﻫﺎدي ﺗﻮزﻳﻊ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﻔﺮه ﻫﺎ ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﻜﻞ م‪ 19-‬اﺳﺖ‬
‫‪ -‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﻫﻴﭻ ﻣﻴﺪان ﺧﺎرﺟﻲ اﻋﻤﺎل ﻧﺸﻮد ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺟﺮﻳﺎن اﻧﺘﺸﺎري ﺣﻔﺮه ﻫﺎ را ﺑﺪﺳﺖ‬
‫آورﻳﺪ )ﺑﺼﻮرت ﭘﺎراﻣﺘﺮي( و ﺗﺮﺳﻴﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ -‬ﭼﻪ ﻳﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ داﺧﻠﻲ ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲ آﻳﺪ؟ﻋﺒﺎرت آن را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ و ﺗﺮﺳﻴﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ -‬اﮔﺮ ‪ P (W ) / P (0) = 104‬ﺑﺎﺷﺪ اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻞ ﺑﻴﻦ ﻧﻘﺎط ‪ x = 0‬و ‪ x = L‬ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬

‫‪ -20‬ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺑﺎﻟﺮ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬در ﺷﻜﻞ م ‪20-‬‬
‫آﻣﺪه اﺳﺖ‬
 ‫‪ -‬ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻃﻮل اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ و آن را رﺳﻢ‬
‫ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ -‬ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻃﻮل ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ را ﺑﺪﺳﺖ آورده و آن را رﺳﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫ﺑﻴﻦ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ‪ x p , x N‬ﭼﻪ راﺑﻄﻪ اي ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ؟‬

‫)‪Ρ(x‬‬

‫‪+ρ1‬‬

‫‪+‬‬
‫‪-xp‬‬ ‫_‬ ‫‪xN‬‬

‫‪-ρ2‬‬

‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ﻓﺼﻞ ‪2‬‬

‫‪ .1‬اﻟﻒ( ﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ‪ I S ,η‬ﺑﺮاي ﻳﻚ دﻳﻮد ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻛﻪ در وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ‬
‫‪ 0.7‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن ‪ 1mA‬و در وﻟﺘﺎژ ‪ 0.8‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن ‪ 10mA‬از آن ﻋﺒﻮر ﻧﻤﺎﻳﺪ‬
‫ب( ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻲ اﻳﻦ دﻳﻮد در وﻟﺘﺎژ ﻫﺎي ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪ 0.7‬و ‪ 0.8‬وﻟﺖ ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬
‫‪ .2‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﭘﻴﻮﻧﺪي در ﻳﻚ ﻣﺪار ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺟﺮﻳﺎن ‪ I‬ﺗﻐﺬﻳﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬اﮔﺮ اﻳﻦ دﻳﻮد‬
‫ﺑﺎ ﻳﻚ دﻳﻮد ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺧﻮد ﻣﻮازي ﺷﻮد وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ دو ﺳﺮ آن ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮي ﻣﻲ ﻛﻨﺪ؟‬
‫‪ .3‬ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس دﻳﻮدي ﺑﻪ ازاي ﻫﺮ ‪ 10ºC‬اﻓﺰاﻳﺶ دﻣﺎ دو ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻲ ﺷﻮد‬
‫‪ -‬ﭼﻪ اﻓﺰاﻳﺶ دﻣﺎﻳﻲ اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن را ﺗﺎ ‪ 30‬ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻘﺪار اوﻟﻴﻪ اش در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﺎﻻ ﻣﻲ‬
‫ﺑﺮد؟‬
‫‪ -‬ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮي در دﻣﺎ )ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ‪ (25ºC‬ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﺗﺎ ﺳﻄﺢ ‪0.1‬‬
‫وﻟﺖ ﻣﻘﺪار اوﻟﻴﻪ اش در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻣﻲ ﺷﻮد؟‬
‫‪ .4‬اﻟﻒ ( در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ در ﭼﻪ وﻟﺘﺎژي ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻮﻧﻲ ﺑﻪ‬
‫‪ 95‬درﺻﺪ ﻣﻘﺪار اﺷﺒﺎع آن ﻣﻲ رﺳﺪ؟‬
 ‫ب( ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪ 0.1‬وﻟﺖ را ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﺎ ﻫﻤﺎن ﻣﻘﺪار وﻟﺘﺎژ‬
‫ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ؟‬
‫ج( ﺑﺎ ﻓﺮض ‪ I S = 10nA‬ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد را ﺑﺮاي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ‪ 0.5‬و ‪ 0.6‬و ‪ 0.7‬وﻟﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ .5‬اﻟﻒ( در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﻳﻚ دﻳﻮد ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 1nA‬ﺑﺎﺷﺪ ﺑﻪ ازاي ﭼﻪ‬
‫وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﻲ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 0.5µ A‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ؟‬
‫ب( ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ وﻟﺘﺎژ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺷﺪه در ﺑﻨﺪ اﻟﻒ را ﺑﻪ ﻳﻚ دﻳﻮد ژرﻣﺎﻧﻴﻮم در ﺟﻬﺖ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ اﻋﻤﺎل‬
‫ﻛﻨﻴﻢ ﭼﻪ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ از آن ﻋﺒﻮر ﺧﻮاﻫﺪ ﻛﺮد؟ )ﻓﺮض ‪( I s = 20µ A :‬‬
‫‪ .6‬از ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬و در وﻟﺘﺎژ ‪ 0.7‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن ‪ 5mA‬ﻋﺒﻮر ﻣﻲ‬
‫ﻛﻨﺪ‪ .‬ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ وﻟﺘﺎژ را ﺗﺎ ﺣﺪ ‪ 0.8‬وﻟﺖ اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﻢ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ؟ ﺑﺮاي‬
‫اﻳﻦ دﻳﻮد ‪ I S‬ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬
‫‪ .7‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ در وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪ 0.7‬وﻟﺖ در ﺣﺎل ﻛﺎر اﺳﺖ‪ .‬ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ دﻣﺎ از ‪25ºC‬‬
‫) ‪ ( V T = 26m V‬ﺑﻪ ‪ -55ºC‬ﻛﺎﻫﺶ ﻳﺎﺑﺪ ﺟﺮﻳﺎن دﻳﻮد ﺑﻪ ﭼﻪ ﻣﻴﺰاﻧﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﻛﺮد؟‬
‫) ‪(η = 1‬‬
‫‪ .8‬ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ در ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬آﻟﻴﺎژي )ﺑﺎ ‪ ( N A << N D‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ از راﺑﻄﻪ‬
‫زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲ آﻳﺪ‪:‬‬
‫‪2εµ pV j‬‬ ‫‪1‬‬
‫(= ‪W‬‬ ‫‪)2‬‬
‫‪σp‬‬
‫ﻛﻪ در آن ‪ V j‬اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﭘﻴﻮﻧﺪ ﺑﺎ وﺟﻮد وﻟﺘﺎژ ﺧﺎرﺟﻲ ‪ V d‬اﺳﺖ‬
‫‪ .9‬ﺑﺮاي ﻳﻚ دﻳﻮد در دﻣﺎي ‪ 125ºC‬ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 0.1µ A‬اﺳﺖ‬
‫‪ -‬در دﻣﺎي ‪ 105ºC‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻲ را در وﻟﺘﺎژ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪0.8‬وﻟﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬در ﻫﻤﺎن دﻣﺎ ﻣﻘﺎوﻣﺖ دﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻲ را در وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﻜﻮس ‪ 0.8‬وﻟﺖ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ .10‬راﺑﻄﻪ ‪ 11-2‬را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ .11‬ﺑﺮاي ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ ‪ N D = 1015 cm −3 , N A >> N D ,V 0 = 0.5v‬اﺳﺖ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ‬
‫ﺑﻪ اﻳﻦ دﻳﻮد وﻟﺘﺎژ ﻣﻌﻜﻮس ‪ 10‬وﻟﺘﻲ اﻋﻤﺎل ﺷﻮد ﻣﻄﻠﻮب اﺳﺖ ‪:‬‬
‫‪ -‬ﻋﺮض ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ )‪(W‬‬
‫‪ -‬ﻣﻘﺪار ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻣﺤﻞ ﭘﻴﻮﻧﺪ‬
‫‪ -‬ﻣﻘﺪار ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺧﺎزﻧﻲ در ﺳﺎﻧﺘﻲ ﻣﺘﻨﺮ ﻣﺮﺑﻊ‬
 ‫‪ .12‬اﻟﻒ( ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ آﻟﻴﺎژي ‪ P-N‬از ﺟﻨﺲ ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ ﺑﺎ ‪N A << N D‬‬
‫ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺧﺎزﻧﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ‪ C T‬ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﭘﻴﻜﻮ ﻓﺎراد ﺑﺮ ﺳﺎﻧﺘﻲ ﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ‬
‫ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲ ﺷﻮد‪:‬‬
‫‪N A 12‬‬
‫( ‪C T = 2.913 × 10−4‬‬ ‫)‬
‫‪Vj‬‬
‫ب( در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ‪ ρ‬ﺑﻠﻮر ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 4Ω-cm‬اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺗﻤﺎس ‪ V 0‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪0.3‬‬
‫وﻟﺖ وﻟﺘﺎژ ﺧﺎرﺟﻲ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ‪ 4‬وﻟﺖ و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ داﻳﺮه اي ﺑﻪ ﻗﻄﺮ ‪ 1.25 mm‬ﺑﺎﺷﺪ‬
‫ﻣﻘﺪار ‪ C T‬را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ .13‬در ﺷﻜﻞ م‪ 13-‬ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس دو دﻳﻮد ‪ 1‬و ‪ 2‬ﻣﻴﻜﺮوآﻣﭙﺮ اﺳﺖ‪ .‬وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دو‬
‫دﻳﻮد ﻣﺴﺎوي و ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 100‬وﻟﺖ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ -‬ﺟﺮﻳﺎن و وﻟﺘﺎژ ﻫﺮ دﻳﻮد را ﺑﺮااي وﻟﺘﺎژﻫﺎي ورودي ‪ 80‬و ‪ 120‬وﻟﺖ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬ﺑﺮاي ﺣﺎﻟﺘﻲ ﻛﻪ ﻫﺮ دو دﻳﻮد ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ 8MΩ‬ﻣﻮازي ﺷﻮﻧﺪ ﺑﻨﺪ اﻟﻒ را ﺣﻞ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬

‫‪ .14‬ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺧﺎزﻧﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪ ‪ P-N‬زرﻣﺎﻧﻴﻢ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ‪ 0.25mm 2‬و ﻋﺮض‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻬﻲ ‪ 3 × 10−4 cm‬را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ .15‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 15-‬دﻳﻮد زرﻣﺎﻧﻴﻢ در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ داراي ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس‬
‫‪ 10 µ A‬وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ ‪ 100V‬و ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻫﻤﻲ ﻧﺎﭼﻴﺰ اﺳﺖ‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺪار را در ﺣﺎﻟﺖ‬
‫ﻫﺎي زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‪:‬‬
‫‪ -‬دﻳﻮد ﺑﻄﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﺎﻳﺎس ﺷﺪه ﺑﺎﺷﺪ‬
‫‪ -‬دﻳﻮد ﺑﻄﻮر ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺎﻳﺎس ﺷﺪه ﺑﺎﺷﺪ‬
‫‪ .16‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ 10MΩ‬ﺳﺮي ﺷﺪه اﺳﺖ و ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ ‪1‬‬
‫وﻟﺘﻲ ﺑﺼﻮرت ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺎﻳﺎس ﺷﺪه اﺳﺖ‬
‫‪ -‬وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ دﻳﻮد را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬در ﺻﻮرﺗﻴﻜﻪ ﺟﺎي ﻗﻄﺐ ﻫﺎي ﻣﻨﺒﻊ وﻟﺘﺎژ را ﻋﻮض ﻛﻨﻴﻢ وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ دﻳﻮد ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ‬
‫ﺷﺪ؟‬
‫‪ .17‬ﻳﻚ دﻳﻮد ﺳﻴﻠﻴﻜﻨﻲ در دﻣﺎي ‪ 300ºK‬و در وﻟﺘﺎژ ‪ 0.7‬وﻟﺖ داراي ﺟﺮﻳﺎن ‪ 5mA‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ -‬ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫‪ -‬اﮔﺮ وﻟﺘﺎژ ﺑﻪ ‪ 0.8‬وﻟﺖ ﺑﺮﺳﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ؟‬
‫‪ -‬ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮي در وﻟﺘﺎژ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻫﺪاﻳﺖ ﺑﺎﻋﺚ ‪ 10‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺪن ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻲ ﺷﻮد؟ )در‬
‫دﻣﺎي‪(300ºK‬‬
‫‪ .18‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 18-‬دﻳﻮد ﻫﺎ ﻣﺸﺎﺑﻪ از ﻧﻮع ﺳﻴﻠﻴﻜﻦ و داراي ‪ I S = 10nA‬ﻣﻲ ﺑﺎﺷﻨﺪ‬
‫‪ -‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دﻳﻮد ﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 10‬وﻟﺖ ﺑﺎﺷﺪ ﺟﺮﻳﺎن ‪ I‬ﻣﺪار و وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ‬
‫ﻫﺮ دﻳﻮد را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬ﺑﺎ ﻓﺮض اﻳﻨﻜﻪ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دﻳﻮد ﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 5‬وﻟﺖ ﺑﺎﺷﺪ ﺟﺮﻳﺎن ‪ I‬ﻣﺪار و وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ ﻫﺮ‬
‫دﻳﻮد ﭼﻘﺪر ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد؟‬
 ‫‪I‬‬

‫‪+‬‬
‫‪V1‬‬
‫‪-‬‬
‫‪6V‬‬
‫‪-‬‬
‫‪V2‬‬
‫‪+‬‬

‫‪ .19‬ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 19-‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﻓﺮض ‪I S 1 = I S 2 = 15nA , I S 4 = 2I S 3 = 40nA‬‬

‫وﻟﺘﺎژ ﻫﺎ و ﺟﺮﻳﺎن ﻫﺎي دﻳﻮد ﻫﺎ را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬

‫‪+‬‬
‫‪+‬‬
‫‪D1‬‬ ‫‪D2‬‬

‫‪-‬‬
‫‪-‬‬

‫‪20V‬‬

‫‪+‬‬
‫‪+‬‬
‫‪D3‬‬
‫‪D4‬‬
‫‪-‬‬
‫‪-‬‬

‫‪ .20‬در دﻳﻮد ژرﻣﺎﻧﻴﻢ ﭘﺪﻳﺪه ﺷﻜﺴﺖ زﻧﺮي در ‪ E Z = 2 × 107‬وﻟﺖ ﺑﺮ ﻧﺘﺮ اﺗﻔﺎق ﻣﻲ اﻓﺘﺪ‪.‬‬
‫ﻧﺸﺎن دﻫﻴﺪ ‪ V z = 50.93ρ p‬اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ‪ ρ p‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ وﻳﮋه ﺑﻠﻮر ژﻣﺎﻧﻴﻢ ﻧﻮع ‪ P‬ﻣﻲ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ‪N A << N D‬‬
‫‪ .21‬در ﻣﺪار ﺷﻜﻞ م‪ 21-‬دﻳﻮد ﻫﺎ ﻣﺸﺎﺑﻪ و از ﺟﻨﺲ ژرﻣﺎﻧﻴﻮم ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮ از ‪5‬‬
‫وﻟﺖ ﻫﺴﺘﻨﺪ‬
‫‪ -‬وﻟﺘﺎژ دو ﺳﺮ ﻫﺮ دﻳﻮد را در دﻣﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ دﻳﻮد ﻫﺎ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 4.9‬وﻟﺖ و ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ﺑﺮاﺑﺮ ‪5‬‬
‫ﻣﻴﻜﺮوآﻣﭙﺮ ﺑﺎﺷﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺪار را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ -‬ﺑﺎ ﻓﺮض وﻟﺘﺎژ ﺷﻜﺴﺖ ‪ 2‬وﻟﺖ ﺟﺮﻳﺎن اﺷﺒﺎع ﻣﻌﻜﻮس ‪ 5‬ﻣﻴﻜﺮوآﻣﭙﺮ و اﺿﺎﻓﻪ ﻛﺮدن‬
‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ‪ 100‬اﻫﻢ ﺑﺼﻮرت ﺳﺮي در ﻧﺪار ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺪار را ﺑﺪﺳﺖ آورﻳﺪ‬
‫‪ – 22‬ﺛﺎﺑﺖ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ در ﻳﻚ دﻳﻮد زﻧﺮ ﻛﻪ در آن ‪ N A >> N D‬اﺳﺖ وﻟﺘﺎژ زﻧﺮ ‪ V Z‬از راﺑﻄﻪ‬
‫زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲ آﻳﺪ‪:‬‬
‫‪εEZ 2‬‬
‫= ‪VZ‬‬
‫‪2qN D‬‬
‫ﻛﻪ در آن ‪ E Z‬ﻣﻴﺪان ﻻزم ﺑﺮاي ﺷﻜﺴﺖ زﻧﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫راﻫﻨﻤﺎﻳﻲ ‪ :‬از راﺑﻄﻪ ‪ V 0‬ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ‪ W‬و ﻧﻴﺰ رواﺑﻂ ‪ E 0‬اﺳﺘﻔﺎده ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬

‫‪http://ml.blogfa.com‬‬