Professional Documents
Culture Documents
第3章(课件)MOS器件2004年9月22日 PDF
第3章(课件)MOS器件2004年9月22日 PDF
n+ n+
G G
S S
G B G B
S S
衬底费米势 注入
表面电荷
耗尽层电荷
衬偏(体)效应
功函数差
0.9
0.85
衬偏效应系数 0.8
0.75
0.7
V (V)
0.65
T
0.6
0.55
0.5
0.45
0.4
-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
V (V)
BS
其中
工艺跨导参数
电阻区 饱和区
4
VGS= 2.0 V
ID (A)
3 平方关系
VDS = VGS - VT
2
VGS= 1.5 V
1
VGS= 1.0 V
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
V DS (V)
N 阱电阻
P 源端
N 阱电阻
P 衬底电阻 P 衬底 N 源端
P 衬底电阻
(2)沟宽方向上的边缘场使耗尽电荷增加
Vth
(绝对值)
窄沟(W)
短沟窄沟对
阈值电压的
影响 短沟(L)
L, W
迁移率
(1)影响迁移率的因素 温度
1. 载流子的类型
2. 随掺杂浓度增加而减小
3. 随温度增加而减小
垂直电场强度
4. 随沟道纵向、横向
载流子速度
电场增加而减小
Vmax
(2)迁移率的纵向电场退化
(3)迁移率的横向电场退化
横向电场
2004-9-22 清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德 第3章 第9页
(4)速度饱和
速度并不总是与(横向)电场强度成正比
迁移率在高电场强度时减小:
υ n (m/s)
载流子速度 V :
υsat = 105
速度为常数
迁移率为常数 (斜率= µ)
ξc = 1.5 ξ (V/µm)
2004-9-22 清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德 第 3 章 第 10 页
饱和速度 V 的计算:
BSIMv3 取精确的 n 值并采用台劳级数
逐段线性近似:
n 为 2 时不易求解 E
手工计算时可取 n = 1(足够精确)
载流子速度
考虑两个区域连续时:
线性关系
VGS= 2.5 V
提前饱和
2
VGS= 2.0 V
1.5
线性关系
ID (A)
VGS= 1.5 V
1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
VDS (V)
ID
长沟器件
VGS = VDD
短沟器件
5
2
线性关系
4
平方关系 1.5
ID (A)
ID (A)
1
2
0.5
1
平方关系
0 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5
VGS(V) VGS(V)
长沟器件 短沟器件
-4 -4
x 10 x 10
6 2.5
VGS= 2.5 V
VGS= 2.5 V
5
2
电阻区 饱和区 VGS= 2.0 V
4
VGS= 2.0 V 1.5
ID (A)
ID (A)
3
VDS = VGS - VT 1 VGS= 1.5 V
2
VGS= 1.5 V
0.5 VGS= 1.0 V
1
VGS= 1.0 V
0 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5
VDS(V) VDS(V)
长沟器件 短沟器件
统一(手工)计算模型
S D
B
当
其中:
VDS=VDSAT
2
1.5
速度饱和区
ID (A)
1 线性区
0.5
VDSAT=VGT
VDS=VGT 饱和区
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
VDS (V)
所有变量取负值
-0.6
VGS = -2.0V
-0.8
VGS = -2.5V
-1
-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
VDS (V)
Vds = 0
Vds > 0
L
V DS 增加会使源端势垒下降 沟道长度缩短会使源端势垒下降
I 4 : GIDL
(栅极感应漏端漏电)
I 5 : Punchthrough
(源漏穿通)
I 6 :窄宽度效应
I 7 :栅氧隧穿
I 8 :热电子注入
2004-9-22 清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德 第 3 章 第 22 页
亚阈值漏电 qVGS
⎛ qV
− DS ⎞
I D = I 0e nkT ⎜1 − e kT ⎟(1 + λ ⋅ VDS )
⎜ ⎟
⎝ ⎠
线性
平方
指数
亚阈值斜率系数 S为使电流下降10倍( ID2/ID1 =10)时
所需电压的下降∆VGS
源漏电流
源漏电压
源漏电阻取决于:
1. 源漏区 PN 结电阻
2. 接触孔电阻
C OX
ΦS
C ch
Vss
浅注入
X(纵向)
(1)体电荷效应
(2)耗尽层宽度不均匀引起阈值电压沿沟道分布不均匀
(3)参数随几何尺寸变化
(4)参数取决于源漏电压
2004-9-22 清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德 第 3 章 第 32 页
第三节 MOS器件模型
建立MOS模型的目的和要求
建立模型的目的与意义
为减少设计时间和制造成本,需有效、精确的模型
对模型的要求:
(1)精确:适合全工作范围,电流及其它小信号参数
(2)有物理基础: 全面理解物理过程,能预测器件性能
(3)可扩展性:能预见不同尺寸器件的性能
(4)高效率: 收敛,连续,减少迭代次数和模拟时间
(2)考虑以下效应:
1.横向扩散(有效沟道长度)
2.沟道长度调制系数 λ
3.衬偏效应
(1)BSIM1、BSIM2集中解决精度和简化公式,
引入大量参数以提高精度。而BSIM3着重物理机制。
考虑尺寸及工艺参数影响,力求可预测, 并尽可能
减少参数。
(2)采用统一的电流-电压模型:
1. 统一的沟道电荷密度公式
2. 统一的迁移率公式
3. 统一的线性区电流公式
4. 统一的饱和电压公式
5. 统一的饱和区电流公式
6. 所有工作区电流公式
参考书: 杨之廉、申明:
《超大规模集成电路设计方法学导论》(第二版)
清华大学出版社,1999.3
考虑了新的物理效应的影响:
(1)栅极感应漏端漏电(Gate Induced Drain Leakage )
(2) 栅极直接隧穿漏电(Gate Direct Tunneling Leakage)
(3) 反型层量子效应(Inversion Layer Quantization)
(4) 有限电荷层效应(Finite Charge Layer Effect)
(5) MOSFET 寄生参数的 HF 影响
(6) 源端和漏端电阻的不对称性
进一步研究在 BSIM3v3 中已考虑过的一些物理效应,
提高了模型精度
V DS
W/L = 1的等效电阻:
(考虑整个过渡区)
VDD/2 VDD
MOSFET 开关
(Ohm)
4
沟道等效电阻
eq
3
R
2
0
0.5 1 1.5 2 2.5
V (V)
DD
多晶硅栅
G 漏接触
contact
VGS,eff LD
S D
W
RS RD
⎛ ε sio ε 0 ⎞
表面 表面积累:C gb = C 0 = ⎜ 2
⎟A
表面 表面 ⎝ t ox ⎠
积累 耗尽 反型
低频 表面耗尽: C gb = C 0 与 C dep 串联
1.0
V gs =
ε si ε 0 A
Cgb C dep
d
C0
表面反型:
0.2 高频 低频 C gb = C 0
高频 C gb ≈ C 0 与 C dep (max) 串联
V gs
VT
2004-9-22 清华大学微电子所《 数字大规模集成电路》 周润德 第 3 章 第 49 页
MOSFET 晶体管电容模型
栅源 = 栅源沟道+栅源覆盖 栅漏 = 栅漏沟道+栅漏覆盖
源扩散 漏扩散
栅体 = 栅体沟道
源 漏
W
n+ xd xd n+
Ld
栅沟道电容 顶视图
栅-体覆盖电容
栅氧
tox
n+ L n+
截面图
S D
多晶栅 栅-体覆盖
Gate-bulk overlap
源 漏
W
n+ xd xd n+
Ld
源扩散
CSB = Csdiff ; 侧壁
漏扩散 W
源
ND
CDB = CDdiff
底面
xj 侧壁
沟道
LS
衬底 N A
Cjo : 零偏置(VD = 0 )
时的电容
VD : 结电压
φ 0 : 内建结电势
~ 0.6V
m : 0.3(渐变结),
0.5(突变结)
结电容的线性化:用大信号等效线性电容代替非线性结电容
条件:在所关注的电压摆动范围位移相等的电荷
非线性电容
(1)需要通过模拟来获取实际的等效电容
(2)非线性电容的线性近似只在一定工作范围内成立
(3)对 H-L 和 L-H 过渡以及不同功耗,电容会不同
(4)当有负载电容时,漏端电容的非线性能得到一定
补偿,但这随 FanOut(扇出) 而变