BÖLÜM 2.

FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak

temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile
aydınlatılması durumunda bu iki malzeme arasında oluşan elektriksel
potansiyel olarak tanımlanabilir.

Yeterli enerjiye sahip fotonlar yarı iletken malzemelerde delik-elektron

çifti oluşturur. {Delik→ + yüklü; elektron→(-) yüklü}

Fotonlar dalga boylarıyla, frekanslarıyla ve enerjileri ile karakterize

edilebilirler.

c → Işık hızı (3.108 m/s); f → Frekans (hz); λ → Dalga

boyu (m)

Foton enerjisi ise;

E → Fotan enerjisi (j); h → Plank sabiti (6,626 .10-34 j.s)

Örnek: Silikon’da bir delik-elektron çifti oluşturabilecek bir fotonun

maksimum dalga boyu ne olmalıdır. Bu durumdaki minimum frekansı
bulunuz. (Not: silikonun bant genişliği: 1,12eV ve 1eV=1.6x10-19 j’dur)

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 1 

 9.0
SİLİKON

Gerekli enerjiden Yetersiz enerjili

daha yüksek enerjili fotonlar
fotonlar

5.0

Kayıp enerji,
hv > Eg

Kayıp enerji,
hv < Eg
Eg = 1.12

0.0
0.0 1.11 2.0
Faydalı (kullanılabilir)
enerji Dalga boyu (mikro-metre)

Şekilde görüleceği üzere dalga boyu 1.11μm’den küçük olan fotonlar 1

elektronu uyarmak için gerekli enerjiden daha fazla enerjiye sahiptir. Bu
durumda fazla enerji fotovoltaik hücre üzerinde ısı olarak açığa çıkar.

p-n jonksiyonlu diyot:

p-n diyota ilişkin akım-gerilim karakteristiği:

Vd Vd

Vd

Id→iletim yönündeki diyot akımı (A) q→elektron yükü (1,602x10-19 C)

Vd→ p-n diyot uçları yönünde oluşan gerilim (V) k→Boltzman sabiti (1.381x10-23 j/k)
I0→Ters doyma akımı (A) T→ Kelvin olarak jonksiyon sıcaklığı

25oC jonksiyon sıcaklığı için katsayısı düzenlenirse;

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 2 

 (25oC ’de)

Örnek: Ters doyma akımı 10-9 A olan p-n diyotu boyunca oluşan gerilim
düşümünü 25 ˚C jonksiyon sıcaklığında aşağıdaki akım durumları için
hesaplayınız.

a) Sıfır akımda (açık devre gerilimi), b) 1A, c) 10A

Çözüm:

PV HÜCRELERİNİN YAPISI VE ÇALIŞMA PRENSİBİ

Bir PV hücresinin çalışma prensibi klasik p-n jonksiyonlu diyot ile

çok benzerdir. Işık jonksiyon tarafından absorbe edilince, absorbe
edilmiş foton enerjisi malzemenin elektron yapısına aktarılır ve jonksiyon
civarında oluşan boşluk bölgesinde, ayrışan yük taşıyıcıların oluşmasına
neden olur.

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 3 

 e

(+ )
}

Jonksiyon bölgesindeki elektrik yükü taşıyıcıları bir potansiyel oluşturur

ve harici bir devre üzerinde akım sirkülâsyonu olur. I2.Rdevre elektrik
enerjisine dönüşen güç olup, geriye kalan ve elektrik enerjisine
dönüşmeyen foton gücü PV hücrenin sıcaklığını arttırır.

Dış devreye bağlanan iletkenler delikleri iletemeyeceğinden dolayı

sadece elektronlar dış devre boyunca akar. n kontağı üzerinde biriken
elektronlar n-den p’ye doğru ve yüzeyinde deliklerle birleşerek devreyi
yamamlar.

Bir PV hücresinin basit yapısı aşağıdaki şekilde gösterilmiştir. Foto

akımlarını toplamak için jonksiyonun her iki tarafına metal kontaklar
yerleştirilmiştir. Hücrenin ön yüzü, yansıtmayı minimum seviyede tutacak
ve mümkün mertebe çok miktarda ışığı yutacak anti yansıtıcı bir
kaplama ile kaplıdır. Ayrıca mekanik koruma için en dış yüzeyi
koruyucu bir cam ile kapalı olup, bu cam saydam bir yapıştırıcı ile
sisteme tutturulmuştur.

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 4 

PV HÜCRENİN BASİT EŞDEĞER DEVRESİ

Bir PV hücresinin basit elektriksel eşdeğer modeli aşağıdaki gibidir.

I

+
ID

Devredeki ideal akım kaynağı maruz kaldığı güneş akısı ile doğru
orantılı olarak akım verir. Gerçek bir PV hücresinde temel olarak iki
özellik ile ilgilenilir:
(i) Kısa devre akımı (ISC)
(ii) Açık devre gerilimi (VOC)

V =0 I =0
+

I = I SC
V = VOC

Yukarıdaki eşdeğer devre modeli kullanılarak (ŞEKİL B) matematiksel

model elde edilebilir

Id diyot akımı yerine yazılırsa;

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 5 

Yukarıdaki denklem kullanılarak bir PV hücreye ilişkin akım-gerilim ilişkisi
çizilebilir.

Akım (A)

Örnek: 100 cm2 alana sahip bir PV hücresinin ters yönde doyma akımı
I0=10-12 A/cm2 dir. Tam güneş ışığı altında ve 25 °C’de 40 mA/cm2’lik
kısa devre Isc akımı oluşturan PV hücreye ilişkin tam ve %50 güneş ışığı
altındaki açık devre gerilimini hesaplayınız ve akımla değişimini çiziniz

Çözüm:

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 6 

PV HÜCRELERİNİN DETAYLI EŞDEĞER DEVRESİ

Daha kompleks bir eşdeğer devre için aynı kol üzerinde seri bağlı
hücrelerden birinin gölgelenme etkisine maruz kaldığını düşünelim
(gölgelenmiş hücre I=0 A üretir).
I =0
+

Bu basitleştirilmiş modele
Id = 0
göre yük üzerinden
I sc = 0 akacak akım I=0 ‘dır.
Çünkü diyotlar doyma
akımı dışında akım
geçirmeyeceğinden
yük akımı sıfır olur.
Hâlbuki bu gerçekte
doğru değildir. Bu
nedenle daha doğru bir
modele ihtiyacımız var.

Aşağıda PV hücre modeline paralel bir kaçak direnci (şönt kaçak

direnci) ilave edilmiştir.
I

+
ID I rp
Isc

Rp V

Bu durumda PV’nin vereceği akım

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 7 

Bir PV hücrede paralel kaçak direnci dolayısıyla ile oluşacak kayıpların
küçük olması için; olmalıdır.

Dikkat edilirse paralel direnç eklenmesi ile hücrenin sağlayacağı akım

basit model akımından kadar daha azdır. Bu durumda PV için ideal
V-I eğrisi aşağıdaki gibi değişir.

R p = ∞, Rs = 0
R p ≠ ∞, Rs = 0

V
ΔI =
Rp

Basit modele yarı iletken iç direnci kontak ve bağlantı dirençlerini

temsilen seri bir RS direnci bağlanırsa

Vd Rs I
+
ID
Isc

Modelden : olarak yazılır. Bu durumda PV hücrede akım

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 8 

 Bu durumda PV için orijinal V-I eğrisi aşağıdaki gibi değişir;

R p = ∞, Rs = 0

R p = ∞, Rs ≠ 0 ΔV = IRs

Yine kayıpların küçük olması için RS direnci; olmalıdır.

En son olarak seri ve paralel bağlı dirençler tek bir model üzerinde
birleştirilir ise;
V
+

+ V Rs I Vd
Rs I
I +
Vd Id I rp
I SC

I sc Ip Rp Rp V

I −
I
−
−

Bu durumda akım gerilim arasındaki matematiksel ilişki;

Hücre sıcaklığının 25oC kabul edildiği standart kabuller altında;

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 9 

Görüleceği üzere bu denklemin nonlineer yapısı vardır ve I, V çözümleri
için genel olarak bir hesaplama cetveli oluşturulmalı tavsiye edilir. Bu
çözüm yaklaşımına göre Vd değeri için I ve V değerleri kolaylıkla
hesaplanır. Örneğin modeli Kirşof’un akım yasasına uygulanırsa,

Shockley diyot denklemi denklemde yerine yazılırsa ve I çekilirse,

Görüleceği üzere belirli bir Vd diyot gerilimi için I akımı kolaylıkla

hesaplanabilir. Hesaplanan I akımı kullanılarak ’den V
gerilimi hesaplanabilir. Örneğin, RS=0,05 Ω ve RP=1 Ω alınırsa elde
edilecek grafik aşağıdaki gibi olur;

R p = ∞, Rs = 0

R p = 1.0
Rs = 0.05

0124730 - Rüzgâr ve Güneş Enerjili Güç Sistemleri Ders Notu   Sayfa 10