TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN CƠ KHÍ
BỘ MÔN CƠ SỞ THIẾT KẾ MÁY VÀ RÔBỐT

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
ĐỀ TÀI:
THIẾT KẾ, TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG
SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO KIỂU ĐIỆN DUNG

Giáo viên hướng dẫn : TS. PHẠM HỒNG PHÚC

ThS. NGUYỄN ANH TUẤN
Sinh viên thực hiện : BÙI VĂN HUY
LÃ XUÂN HÙNG
Lớp : Cơ điện Tử 2 - K50

Hà Nội, 6/2010
NỘI DUNG ĐỒ ÁN

TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ MEMS

CẤU TRÚC VÀ XÂY DỰNG CÔNG THỨC

TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC

KẾT LUẬN
 TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ MEMS
● Khái niệm về vi cơ điện tử - MEMS

Hệ thống vi cơ điện tử-MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) là hệ thống

tích hợp các phần tử cơ khí, cảm biến, bộ kích hoạt và các cấu kiện điện tử, được
sản xuất bằng công nghệ micro.

Hai dòng sản phẩm chính của công nghệ MEMS là cảm biến (sensor) và bộ kích
hoạt (actuator).
Sensor tực Actuator nhiệt

Actuator áp điện
Sensor gia tốc
Sensor Actuator
Sensor vận tốc góc Actuator tĩnh điện

Sensor nhiệt Actuator hợp kim

 TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ MEMS
● Ứng dụng của MEMS

M
E
M
● Điện S
tử gia
dụng

● Vũ trụ, ● Lĩnh
quốc vực
phòng giao
● Ứng
thông
dụng
y sinh
 TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ MEMS
● Định hướng phát triển MEMS

Công

Sử

Chuyển

Tích
 TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ MEMS
● Vi cảm biến cơ học- Micromechanical Sensor
Ø Định nghĩa
Cảm biến vi cơ là một thiết bị tiếp nhận một tín hiệu đầu vào cơ năng và
chuyển đổi thành tín hiệu điện.
Ø Phân loại

Cảm

Cảm

Cảm
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
• Lý Thuyết Tĩnh Điện

Ø Điện dung của bản tụ song song:

A.ε .ε 0
C= (2.1)
x
Ø Lực pháp tuyến trên bản cực di
động:
1 ∂C ( x) 2 A.ε .ε 0 2 Bản cực cố định
Fn = . .V = − .V (2.2) Bản cực di động
2 ∂ ( x) 2. x 2

Trong đó: A là diện tích của bản tụ

ε là hằng số điện môi của chất điện môi giữa hai bản tụ
ε0 =8,854x10-12 là hằng số điện môi của chân không
x khoảng cách giữa hai bản tụ
V điện áp đặt vào
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
Ø Lực tiếp tuyến trên bản cực di động

Bản cực di động

h.εε. 0
Ft = V. 2
(2.3)
2. g 0

Trong đó: h là chiều rộng của bản tụ

g0 là khe hở giữa hai bản tụ
V là điện áp đặt vào Bản cực cố định

Từ phương trình (2.2) và (2.3) ta có:

Fn y
= 0
Ft g 0
Trong đó: y0 là khoảng chồng lên nhau tại thời điểm đang xét.
Nhận xét: Fn ≥ Ft do y0 ≥ g0
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
Ø Chuyển vị pháp
Phương trình xác định độ chuyển vị cua dầm:
tuyến
A.ε .ε 0 .V 2
− k.x = 0 (2.4)
2( g 0 − x )2
Trong đó: V là điện áp giữa 2 bản cực
g0 là khe hở ban đầu
k là độ cứng của hệ dầm
Điều kiện trạng thái ổn định: ∂F 1
< 0⇒<x . g 0
∂x 3
Ø Chuyển vị góc V
d
Công thức tính điện dung theo chuyển vị góc

B ε ε ( d + ϕ a) (2.5)
a
Bε ε0 dx
C (ϕ ) = ∫ (d − ϕ x )
−a
= 0 ln
ϕ ( d )− aϕ - O a X
ϕ 0)
∂2 E (=
a
Điều kiện trạng thái ổn định: >0
∂ϕ2
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
● Mục Đích Của Đề Tài
Ø Thiết kế, tính toán, mô phỏng micro sensor đo lực 3 bậc tự do sử dụng
hiệu ứng tĩnh điện.
Ø Nguyên lý hoạt động của micro sensor đo lực dựa vào hiệu ứng tĩnh
điện. Lực tác dụng làm thay đổi điện dung giữa các điện cực điện dung
thay đổi làm điện áp thay đổi, xác định giá trị điện áp thay đổi tính ngược
lại lực tác dụng.
Ø Dựa vào mục đích và nguyên lý trên em đưa ra một số thiết kế sensor đo
lực 3 bậc tự do.
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
● Cấu trúc sensor phương án 1

Cố định
Ưu điểm:
- Kết cấu đơn giản.
Dầm thẳng
Bản cực trên

Bản cực dưới

Nhược điểm:
- Chuyển vị góc khi đo Mx (My)
nhỏ => sự thay đổi điện dung nhỏ
=> độ nhạy của sensor thấp.
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
● Cấu trúc sensor phương án 2

Dầm càng cua

Ưu điểm: Răng lược cố định
Cùng một giá trị chuyển vị điện
dung thay đổi lớn hơn rất nhiều.

Nhược điểm:
Khi đo Mx khó xác định được sự Răng lược di trượt
thay đổi của điện dung theo góc
xoay φ
Khi đo Fx, Fy 2 đoạn của dầm
càng cua đều bị uốn nên tín hiệu
đo bị nhiễu.
Cố định
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
● Cấu trúc sensor phương án 3

Bản cực trên

Ưu điểm:
- Kết cấu đơn giản.
- Điện dung thay đổi lớn
theo chuyển vị của dầm và dễ
dàng xác định được.

Nhược điểm:
- Khi đo Fz điện dung thay đổi
bị giới hạn bởi điều kiện ổn định Bản cực trên
giữa 2 bản cực : y < (1/3)d0 Dầm càng cua

Chọn cấu trúc này do có nhiều ưu điểm nhất

 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
● Mạch điện đo giá trị thay đổi điện dung

2(VP − VF )(C S −C R )
V0 = (2.6) CS
CS + CR +2 C P
Với: CS;CR;CP : điện dung của biến tụ, tụ tham chiếu và điện dung trở khí.
VP;VF;V0: điện áp điều khiển, rơi trên diode, giữa điểm A và B xuất hiện khi Cs≠Cr.

A RF

+V Cc
Cf
p D1
C CS CR D D3
D2 D4
-Vp Cp Cp Cf
Cc B

RF
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
Ø Tính cho trường hợp đo Mx
Áp dụng (2.4) điện dung giữa 2 bản cực
khi khối nặng xoay góc φx là:
− a1 a
bε ε0 2
b εε
Cx (ϕ x )= ∫− a (d − ϕ x y )
dy + ∫
a
(d
0
x y− ϕ)
dy
2 1

= 2C0 + ϕNx 2 +M x 4 ϕ (2.7)

Trong đó:

2C0 (a21 + a1 a2 + a22 )

N=
3d 2
2C0 (a41 + a31 a2 + a21 a22 +a1 a32 a+42 )
M=
5d 4
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH

Độ biến thiên điện dung:

∆ C =C(ϕ ) C−
bd N2x= ϕ M4x + ϕ (2.7)
Từ (2.5) và (2.7) ta có φx là nghiệm của phương trình:

(2.8)
M ϕx 4 +Nϕ x 2 = C sx
Mx= kx (2.9)

ØTính My ϕx
Tương tự ta có φy là nghiệm của phương trình:

My =ky.φy
Nϕ 4
y+Mϕ y
2
= C sy
 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC SENSOR VÀ CÔNG THỨC TÍNH
Ø Tính Fz
Fz=kz∆d (2.10)
Trong đó:
kz hệ số chống uốn của hệ dầm, xác định bằng mô phỏng cấu trúc.
∆d chuyển vị của dầm:
C − C0 ∆C. d0
∆d = d − d0 = . d0 =
C0 C0
(2.11)

d0 là khoảng cách ban đầu giữa 2 bản cực.

Aε ε0
C =
d là0 khoảng cách sau khi tác dụng lực Fz.
d
∆C là giá trị thay đổi điện dung xác định bằng mạch điện.

điện dung ban đầu.

 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
● Cho một ví dụ sensor có các thông số mạch điện như sau:
CR=0,32 pF, CP=0,15pF, VP=1,5V, VF=0,5V, C0=CR=0,32 pF
Ø Điều kiện ổn định:
|∆C| < 1/3C0= 0,107 pF
Chọn |∆C|max =0,1pF
Ø Tính toán cho trường hợp ∆C =|∆C|max =0,1pF
Cs= CR+∆C =0,42pF. Áp dụng công thức (2.5): V0 =0,19V

A RF

+V Cc
Cf
p D1
C CS CR D D3
D2 D4
-Vp Cp Cp Cf
Cc B

RF
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
● Xác định sơ bộ kích thước hình học của sensor
Yêu cầu đề tài: Thiết kế sensor kiểu điện dung có kích thước bao 3×3mm2.

Sơ bộ thông số hình học của sensor lực 3 bậc tự do kiểu điện dung (μm)

d0 h a a1 a2 w c lx ly b fix1 fix2
10 30 300 300 600 150 100 1000 200 10 250 800
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
● Xác định các hệ số cứng của dầm
Ø Xác định kφx

kφx: được xác định bằng mô phỏng cấu trúc

Đặt momen Mx= 1µNm vào khối nặng
Khối nặng bị xoay 1 góc φ0x:

φ0x= a tan(U x max ) = a tan(117 )

4w 600
=0,1926 rad
Trong đó:
Uymax: là chuyển vị lớn nhất
của khối nặng. Xác định
bằng Ansys Uxmax= 117µm

kφx = 1/ φ0x =5,2 µNm/ rad

 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
ØXác định kφy
kφy: được xác định bằng mô phỏng cấu trúc
Đặt momen My= 1µNm vào khối nặng
Khối nặng bị xoay 1 góc φ0y:
U x max 54
φ0y=a tan( ) = a tan( )
4w 600
=0,09 rad
Trong đó:
Uymax: là chuyển vị lớn nhất
của khối nặng. Xác định
bằng Ansys Uxmax= 54µm

kφy = 1/ φ0y =11,1 µNm/rad

 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
Ø Xác định kz
kz: được xác định bằng mô
phỏng cấu trúc
Đặt lực Fz= 1µN vào khối nặng
Khối nặng chuyển vị Uzmax
Xác định bằng Ansys
Uzmax= 0,015µm
kz = 1/ Uzmax =66,67 µN/µm
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO

Ø Tính Mx
Ta có: Cs =0,42pF
2ε ε0 a (a32 − a31 )
N= 4
344= pF
3d
2εε 0 a( a25 −a15)
M= 6
= 800366pF
5d
Theo (2.51) ta có:
kφmin =N.V2=0,00075 (μNm/rad)
Giải phương trình (2.8) ta có:
Chuyển vị của bản cực trên ứng với Mx=0,074µNm
φx = ± 0,0143rad
Mx = kφx.φx = ±0,074µNm
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
Ø Tính My
Tương tự ta có:
φy = ± 0,0143rad
My = kφy.φy = ±0,159µNm

Chuyển vị của bản cực trên ứng với My=0,159µNm

 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO

Ø Tính Fz
Chuyển vị của sensor

∆C.d 0
∆d = d − d 0 = = 3,125( µm )
C0

Fz =kz .∆d =208,36μN

Chuyển vị của bản cực trên ứng với Fz=208,3µN

 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
● Đề xuất bộ thông số hình học của Sensor
Bằng mô phỏng bài toán cấu trúc đã xác định được các hệ số cứng.
Để tìm được kích thước hợp lí ta thay đổi
Đồ thị liên hệ giữa các độ cứng và chiều dài ly như sau:

Đồ thị liên hệ giữa momen kz và ly

 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO

Nhận xét:
+ Dựa vào đồ thị ta có:
•Giảm ly thì kφx giảm và kφy tăng.
•Tăng ly thì kφx tăng và kφy giảm.
•Tăng ly thì kz giảm.
+ Theo đồ thị ta có tại ly=330μm
kφx= kφy và tương đối nhỏ.
+ Điều kiện ổn định:
kφ>kφmin
Theo đồ thị ta có kφ ≥ kφmin Đồ thị liên hệ giữa momen kφx (kφy) và ly
→Tăng độ nhạy của sensor bằng
cách giảm chiều rộng b của dầm.
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO

Bộ thông số hình học của sensor lực 3 bậc tự do kiểu điện dung (μm)

d0 h a a1 a2 w c lx ly b fix1 fix2
10 30 300 300 600 150 100 1000 200 10 250 800
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
● Xác định tần số riêng của hệ dầm
Mục đích: để tránh tần số dao động riêng của hệ dầm bằng với tần số của ngoại
lực tác dụng gây ra hiện tượng cộng hưởng phá hủy cấu trúc.
Tần số dao động riêng
Theo phương x.
Kết quả mô phỏng:
fx=8330Hz.

Tần số dao động riêng của hệ bản cực trên theo phương x
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
ØTần số dao động riêng theo phương y

Kết quả mô phỏng:

fy=2204Hz.

Tần số dao động riêng của hệ bản cực trên theo phương y
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
Ø Tần số dao động riêng theo phương z
Kết quả mô phỏng:
fz=4917Hz
 dao động riêng theo
phương y là nguy hiểm nhất.

Tần số dao động riêng của hệ bản cực trên theo phương y
 TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG SENSOR LỰC 3 BẬC TỰ DO
Ø Tính tần số dao động riêng theo công thức thực nghiệm
Mục đích: tính tần số dao động riêng theo phương có tần số dao động riêng nhỏ
nhất bằng công thức lý thuyết so sánh với kết quả mô phỏng.
Theo công thức tính khối lượng quy đổi của phần di động [11]:
m = M p +0,3714.M

Trong đó:
Mp – khối lượng phần di động.
M – khối lượng dầm.
Sau khi tính toán ta có: m= 4,4.10-8kg
Đặt lực Fy =1μN ta đi1 tìmKchuyển
1 vị theo25phương y bằng Ansys, kết quả là:
fr = z
= = 2191
Uy=0,12μm →2πky =1/Uy=8,3
m 2π 3.4,4 .10 -8
μN/μm
Tần số dao động riêng của hệ:
 QUY TRÌNH CÔNG NGHỆ GIA CÔNG SENSOR LỰC
● Các phương pháp vi gia công
- Đơn giản, dễ gia
công chế tạo, giá
thành thấp.
Gia công vi cơ khối - Không gia công
( Bulk micromachining)
được màng quá
mỏng hoặc quá dầy.

Vi gia công Gia công vi bề mặt - Là phương pháp

(Micromachine) ( Surface micromachining) đơn giản
- Giá thành cao.

- Gia công được

Công nghệ Liga màng mỏng hoặc dày,
độ chính xác cao.
- Giá thành cao, cần
chú ý an toàn.

Chọn phương pháp gia công vi cơ khối.

QUY TRÌNH CÔNG NGHỆ GIA CÔNG SENSOR LỰC

Mô hình của sensor lực 3 bậc tự do kiểu điện dung

 QUY TRÌNH CÔNG NGHỆ GIA CÔNG SENSOR LỰC
● Các bước gia công
(a) Chuẩn bị Lớp Silicon mỏng (10 μm)
(d)Phủ điện cực cho đế thủy tinh

Lớp SiO2 (4 μm)

Lớp Silicon nền (100 μm)

(b) Quá trình gia công bề mặt trên (e) Quá trình dán - Anodic Bonding

(c) Quá trình gia công bề mặt đáy (f) Ăn mòn bằng hơi HF đỗi với lớp SiO2
 KẾT LUẬN
• Đồ án đã trình bày được các vấn đề sau:
* Tìm hiểu tổng quát về công nghệ MEMS, Vi cảm biến cơ học.
* Tìm hiểu lý thuyết tĩnh điện.(cơ sở căn cứ để nghiên cứu nguyên lý
hoạt động của sensor kiểu điện dung).
* Thiết lập công thức tính lực cho sensor lực 3 bậc tự do kiểu điện dung
(cấu trúc hình chữ thập dầm càng cua).
* Sử dụng phần mềm Ansys:
+ Giải bài toán cấu trúc để đạt độ chính xác cao nhất.
+ Xác định tần số dao động riêng để tránh gây cộng hưởng.
* Đưa ra chip kích thước 3x3mm sử dụng làm sensor.
* Đề xuất các bước trong qui trình công nghệ gia công sensor.
Chúng em xin chân thành cám ơn
các thầy và các bạn đã lắng nghe !