Sete etont SS Salvador Martinez Garcia Juan Andrés.Gualda Gil Electronica ekew eyaey oles) OUT Ua as, topologias Ve Ly esPARANINFO ELECTRONICA DE POTENCIA. COMPONETES, TOPOLOGIAS Y EQUIPOS SALVADOR MARTINEZ GARCIA Y JUAN GUALDA GIL Gerente Editorial Area Universitaria. Isabel Capelia Hierro Editora de Produccion Clara M* de la Fuente Rojo Consuelo Garcia Asensio Olga MP Vicente Crespo COPYRIGHT © 2006 International ‘Thamson Ediciones Paranino, S.A Magallanes 25; 26015 Madrid, ESPANA Teléfono: 902 995 240 Fax: 914 456.218 clientes@paraninto, wo paraninio.es Inmpreso en Espana Printed in Spain ISBN: £4:9732-397-1 Depésito legal: M-5.640-2008, (0127559) Raservados los derechos para todos los paises de lengua espa- fla. De conformidad can lo die: puesto en el articlo 270 del Cot {90 Penal vigente, podrén ser cast- ‘gades con penas de muita y priva- ‘dn de libertad quienes reprodu- Jeren © plagiaren, en todo o en parte, una obra iteraria,artistice 0 ‘entifica fiada en cualquier tipo {de soporte sin la preceptiva auto- rieacién. Ninguna parte de esta publcaci6n, incido el dsefio de Ia cubierta, puede ser reproduc da, almacenada o transmitda de hinguna forma, ni por ningun me dio, sea éste electronica, quimico, mecinico, electro-éptic, graba- ‘én, fotocopia © cualquier otro, sin la previa autoriaacion esorta por parte de la Editorial Disefo de cubierta: Digrat Pre impresion: Copibook Impresién: Closas Orcoyen.S.L. Polig.igarsa Naves 21, 22, 23, y 24 Paracuellos de jarama (Madrid).Contenido INDICE GENERAL ALDORES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA inpice GeNenat. SonRE Los AUTORES PROLOG RECONO PARTE I, INTRODUCCION Capitulo 1 INtwopucci6N a1. EL LL Grxenatapapes: ‘CARACTER MULTIDISCIPLINAR DE SUS RECURSOS FUNCIONES BASICAS ¥ CAMPO DE APLICACION METODO DE ANALISIS DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA. INTEGRACION DE LAS ECUACIONES DIFERENCIALES - . 1.5.1 Aplicacién del método temporal a las ecniaciones de primer orden 1.5.2 Aplicacién del métoco temporal a las ecuaciones de seg 1.5.3 Aplicacién del eélenlo operacional 15.4 Integracién numérica 1.6 REPASO SOBRE LAS FORMAS DE ONDA PERIODICAS 1.6.1 Valores caracteristicos de una onda 1.6.2 El desarrollo en serie de Fourier 1.6.3 Potencia 1.7 BREVES APUNTES. 18 Ta 1.9 TABLA Amt 1.10 PROBLEMAS LIL REPERENCIAS ndo orden STORICOS. JADA DE TRANSFORMADAS DE LAPLAC PARTE I. COMPONENTES Capitulo 2. Diovos bE PorENcIA DENTES DEL DIODO DE FOTENCIA PASTILLA (CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL DIODO DE UNION . 19 19 23 27 33 35 40 4 45 46 © 1TRS-Paraninfo viiContenide 23.1 Diodo en estado de bloqueo 23.2 Diodo en estado de conduccién 24 CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO DE UNION, 24.1 Recuperacidn inversa y directa 24.2 Diodos lentos y 2.4.3 Sobrecargas transitorias 244 Diodos de avalancha controlada 25 Diopos SCHOTTKY DE POTENCIA 2.6 DIODOS ZENER DE POTENCIA 2.7 GAMA, CARACTERISTICAS ¥ CAPSULAS DE LOS DIODOS DE FO} 2.8 HOJAS DE CARACTERISTICAS DE DIODOS DE POTENCIA TIPICOS 2.9 PROBLEMAS 2.10 REFERENCIAS Capitulo 3 THANststones DE PorENcIA 3.1 PRECEDENTES ¥ PANORAMICA ACTUAL DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA 3.2 TRANSISTORES DE UNION RIPOLAR DE POTENCIA, CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 32.1 Transistor de unién en corte y en saluracién 32.2 Caraeterist 3.23. Avalancha secu 32.4 Proteceién del tr 32, 33 FI 33.1 EL FET en corte y en saturacién 33.2 Caracteristicas dinémicas del FET .. 33.3 Excitacién del FET de potencia 34 EL IGBT. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA, 34.1 ELIGBT en corte y en saluracién 34.2. Caraeteristicas dinimicas del [GBT 343 Excitacién del IGBT de potencia 3.5 OTROS TRANSISTORES DE POTENCIA, TENDE 3.5.1 Otras teenologias en transistores de potencia . 3.5.2. Médulos transistores de potencia imteligentes (Smart power) el desarrollo de transistores de potencia . ICAS Y CAPSULAS DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA. - SHICAS DE TRANSISTONES DE POTENCIA TIPICOS as dindmieas del transistor de unién daria. Area de operuci6n segura (SOAR) . istor en la conmutacién Excitacién del transistor de uni n bipolar de potencia DE. POTENCIA. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA cus 36 3 3.8 PRORLEMAS 3.9 RErERENCIAS Capitulo 4 "Tm1stOR UNIDIRECCIONAL. ESTADOS DE BLOQUEO ¥ CONDUCCION 4.1 GENERALIDADES. ConsTRUCCION 4.1.1 Estructura de la pastilla semiconductors 4.1.2 Eneapsulado 4.2 ESTADO DE BLOQUEO DEL TIRE 42.1 Fens n bloqueo directo 42.2 Fenémenos internos en bloguieo inverso 423 Caraeteristicas eléetrieas en bloqueo. Pérdidas 4.3. ESTADO DE CONDUCCION DEI, TIRISTOR 13.1 Fend 43.2 Caracteristicas eléelricas, Parimettos de intensidad 433 Pérdidas on conduced 44 PROBLEMAS: 45 REFERENCIAS yenos internos en conduecién viii © r785-Paraninfo 95 100 lol lol 102 103 103 105 106 107 10 19. 121Capitulo 5 Tiristor UNipIRECCIONAL. Disrano ¥ BLOQUEO 5.1 FORMAS DE DIseAKo 5.1.1 Disparo por tensién excesiva 5.1.2 Disparo por derivada de tension 5.1.3 Disparo por impulso de puert 5.2 ‘TIEMPOS DE DISEARO ven 52.1 Disparo de un tiristor en cirenito res 52.2 Disparo de un tiristor en cirenito inductive 3 CARACTERISTICAS DE PUERTA 54 MODOS INTERNOS DE BLOQUEO DEL TIRISTOR 5A. Bloqneo estitica 5A.2 Bloqueo dinimico : 5.5 PROCEDIMIENTOS EXTERIORES DE BLOQUEO DEL TIRISTOR 5.5.1 Bloqueo por fitente inversa de tensién (FIT) 5.5.2 Bloqueo por fuente inversa de intensidad (FID) 5.6 GAMA DE CARACTERISTICAS ¥ CAPSULAS DE LOS TINISTORES UNIDINE 5.7 HOJAS DE CARACTERISTICAS DE TIRISTORES UNIDIRECCIONALES TIPICOS 5.8 PROBLEMAS .. 5.9 REFERENCIAS JONALES. Capitulo 6 OTROS COMPONENTES ACTIVOS DE POTENCIA 61 TInISTOR ASIMETRICO (ASCR) 6.2 EL TInIsToR BLOQUEADO Por PUERTA (GTO) 62.1 Estructura interna del GTO 62.2 Excitacién y bloqueo del GTO 62.8 Gama de caructeristicas y edpsulas de los GTO 6.3 EL TIRISTOR BIDINECCIONAL, TRIAC ¥ ALTERNISTOR 63.1 Modos de conducei6u y de disparo del triae y alternistor seen 63.2 Pastilla semiconductors, sande caters y pin de lriues y allernistores. 6A Ornos TnISTORES. TENDENCIAS G..1 El tiristor folosensible de pequefia y gran poteneia 6A.2 Otros tiristores pequetios (SCS) 6.4.8 Tendencias en el desarrollo de tiristores 64.4 Mapa de aplicacién de los semiconduetores activos de potencia 65 LAS VALVULAS DE VACIO Y DE GAS EN LA ELDCTRONICA DE POTENCIA 1 Valvulas rectificadoras no controladas 6.5.2 Valvulas de gas controladas. Tiratrén © ignitrén 6.6 Hoyas DE CARACTERISTICAS DE COMPONENTES TiPICos, 6.7 PROBLEMAS 6s Capitulo 7 ProrecciON, ASOCIACION Y REFRIGERACION DE SEMICONDUCTORES DE. POTENCIA 7.1 PROTECCION DE SEMICONDUCTORES 7.1.1 Proteccién pasiva contra sobretensiones. Redes RC y upresores 7.1.2 Proteceidn activa contra sobretensiones 7.1.3 Proteccién contra derivadas de tensin 7.14 Proteceién pasiva contra sobreintensidades, Pusibles ullrarripidos 7.1.5 Proteceién en equipos 1 te fusibles ultrarrspidos iltimodulares medi 7.1.6 Proteccién ica y eleclrénica contra sobreinteusidades Contenido 139 140 140 4d 43 M4 M45 45 146 M8 148 18 150 150 152 14 158 161 163 165 166 167 167 168 a7 171 472 173 174 m4 178 179 181 182 182 184 187 189 191 193 194 194 200 201 202 207 210 © 115-Panninfo ixContenide 7.1.7 Proteccién contra derivadas de intensidad 7.2 ASOCIACION DE SEMICONDUCTORES 72.1 Diodos en serie y en paralelo ......- . 7.2.2 Transistores en serie y en paralelo. Excitaciéi 7.23 Tiristores en serie y en paralelo. 7.3. REFRIGERACION DE SEMICONDUCTORES. 73.1 Principios de refrigeracién 73.2. Régimen estacionario en la rofrigeracién 733 Régimen transitorio en la refrigera« 734 Refrigeracién 7A HOJAS DE CARACTERISTICAS DE PROTECTORES ¥ REFRIGERADORES DE 7.5 PROBLEMAS 7.6 REFERENCIAS natural y forzada Capitulo 8 CoMPONENTES Pasivos DE PoTENCIA SL RESISTENCIAS «4... 8.1.1 Resistencias de pelienla 8.12 Resistencias devanadas 8.1.3. Resistencias para cargas de pruebas 8.2 CONDENSADORES 82.1 Tipos de condensadores y aproximaci 82.2 Condensadores no polarizados dle baja frecuencia y de conmutacién 823 Condensadores:polarizados : 82.4 Factor de calidad y vida de los condensadores 8.3 BATERIAS ... cieseeteees 83.1 Conceptos bisicos sobre baterfas ...... 83.2 Tipos de bate 8.4 Boninas . 84.1 Bobinas con nvicleo magi 84.2 Bobinas eon 5.5 TRANSFORMADORES 855.1 Transformadores de a 852 853 Autotransformadores 8.6 PROBLEMAS 8.7 RernneNens PARTE IIL. FUNCIONES BASICAS Y TOPOLOGIAS Capitulo 9 INTERRUPTORES EstAticos 8.1 CLASIFICACION BASICA DE TOPOLOGIAS DE INTERRUPTORES ESTATICOS 92 {RUPTORES ESTATICOS, CARACTERISTICAS CENERALES 9.3 INTERRUFTONES ESTATICOS DEC. CON THRISTORES 9.3.1 Bloqueo por condensador en paralelo 932 Bloqueo con bobina en serie con la carga 94 INTERRUFTORES FSTATICOS DE C.C. CON TRANSISTORES 9.5. INTERRUFTORES ESTATICOS DE C.A. CON TIRISTORES 9.5.1 Intermptores monofisicos de bloqueo natural 95.2 Intermuplores trffisicos de bloqueo natural... na las baterias ieleo de ai lamiento monofisicos rransformadores de Lo tifisieos x © MES-Paraninfo {CONDUCTORES au 215 215 219 224 227 228 232 233 237 250 256Contenido 953 Intermnptores de c.a. de blogeo forzada . cee 836 9.6 INTERKUPTORES ESTATICOS DE C.\. CON TRANSISTORES 1 339 9.6.1 Interruptores de esa, monokisioos se. ceeeveeesee cecceteenieeeneee 339 0.6.2 Interruptores de 6. trifisieos eo. ese : se 30 9.7 MICRORRELES ESTATICOS CON TRANSISTORES, Een 9.8 CIRCUFTOS DE CONTROL, PARA INTERRUPTORES ESTATICOS 3H 9.9 HOAs DE CARACTERISTICAS DE MICROINTERRUPTORES ESTATICOS COMERCIALIZADOS ... 343 9.10 PROBLEMAS . aa 9.11 REFERENCIAS : 45 Capitulo 10 ReGvLapones DE C.C. at 10.1 CLASIFICACION BASICA DE TOPOLOGIAS DE REGULADORES DE Ce. 3s 10.2 RECULADORES DEC. DISIPATIVOS (FUENTES DE CC. DISIPATIVAS) 349 10.3. REGULADORES DECC. SIN FILTRO Y CON CARGA RESISTIVA, so... cevvecrie. 350 10.4, REGULADORES DECC. SIN FILTRO Y CON CARGA INDUCTIVA os csecsceessecsesseeseees B81 105 C. REDUCTORES CON TIRISTORES 353 ia variable, Autobloqueo por LC ceancrasness S8P 10.5.2. Cirenito de Morgan 355 10.5.3 Circuitos con tiempo de conduceién variable. Blaqqieo por condensador expel scanners ee 105.4 Circuito de Jones 360 105.5 Troceador de ec. bloqueadlo por fuente inversa de intensidad (FI) 361 10.6 REGULADORES DE C.C. NEDUCTORES CON TRANSISTORES (BUCK) + 362 10,7 REGULADORES DE G.C. ELEVADORES (BOOST) co..cscesccsscseiceeiseessteeesiceenens 368 10.8 RECULADORES DE C.C. CON AISLAMIENTO 364 10.8.1 Regulador reductor-elevador con aislamicnto (forward) 365 10.82 Regulador elevador con aiskamiento ((lyback) caassc vo 368; 10.9 CIRCUTTOS DE CONTROL. PARA REGLIADORES DE CE. ... : 37 10.9.1 Circuito de control genérico. Esquema de blagues vee 871 10.9.2 jemplo de control para troceador de ec. con tristores 371 10.10 Promtstas . : 373 10.L1 REFERENCIAS eevee 3 + 3T5 Capitulo 11 REGULADORKS DE C.A. «2... sees sees OTT 11.L CLASIFICACION BASICA DE PROCEDIMIENTOS DE REGULACION DIREGTA DE GA... 378 11.2 REGULADORES DE GA. DISIPsTIVOS 379 11.3 RECULADOR DE C.A. POR BOBINA SATURABLE POLARIZADA. 381 LA ESTABILIZADOR DE Ca. POR FERRORRESONANCIA DEL TRANSFORMADOR (ESTABILIZADOR FERRORRESONANTE) rs . 383 11.5 RECULADORES DE CAA. FOR TROCEO (TROCEADORES DE CA) 385 115.1 Troceadores de c.a. matriciales 387 11.5.2 Estabilizador de ea. por troceo diferencial eon conmutacién seminatural ....... 300 11.6 RECULADORES DE C.A. DE TIRISTORES CON BLOQUEO NATURAL, CONTROL INTEGRAL YCONTROL DE FASE «s+ svvtias se 97 11.6. Chasifiacién y ondas. Regulador de ca. integral sesecscsssssssssee. se 397 11.6.2. Regulidor total monofisica con control de fase y carga induetiva. cee ceeeees 300 11.6.3 Reguladores totales trifisicos con control de fase y carga resistiva vescescceeseee 401 11.7 REGULADORES DE-C.A. POR CAMBIO DE TOMAS EN EL TRANSFORMADOR (ESTABILIZADORES POR CAMBIO DE TOMAS EN CARGA) 402 LLT.1 Antecedentes meesnicos de los establizadores de tomas 403 © r78s-Poraninfo xiContenide 1s 19 11.7.2 Topologias directa y con transformador compensador en los estabilizadores de tomas. - _ 1.7.8 Procedimientos de conmutacién en los estabilizadores de tomas ... PROBLEMAS REFERENCIAS Capitulo 12 RECTIFICADORES NO CONTROLADOS 12 Be 123 14 135 12.6 12,7 12.8 29 GENERALIDADES, MONTAJES DE RECTIFICADORES NO CONTROLADOS MONTAJES DE MEDIA ONDA NO CONTROLADOS 122.1 Tensiones en media onda 122.2 Intensidades en media onda 1223 © 12.2.4 Rendimiento en media onda cocteeeeeeees MONTAJES DE ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN ESTRELLA, 12.3.1 Tensiones en estrella y onda completa 12.3.2 Intensidades en estrella y onda completa ... 12.3.3 Cafdas de ten: 1234 Rendimi MONTAJES DE. ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN POLI 12.4.1 Tensiones en poligono 124.2 Intensidades en poligono 12.4.3 Gafdas de tensién en po ASOCIACION DE RECTIFICADORES. en estrella y onda completa 125.1 Asociacidn de rectifieadores en serie 1252 Asociaeisn de reetifieadores en paralelo FILTKOS PARA RECTIFICADORES NO CONTROLADOS. ‘TABLA COMPARATIVA DE RECTIFIADORES NO CONTROLADOS, PRonLEMAS: REFERENCIAS Capitulo 13 RECTIFICADORES CONTROLADOS CON TIRISTORES . 1B 138 133 134 135 136 137 Capitulo 14 CicLocoxvenripore: Ma 148 © res Paronnjo GENERALIDADES. MONTAJES DE KECTIFICADORES CONTROLADOS MONTAJES DE MEDIA ONDA CONTROLADOS ‘i 13.2.1 Tensiones en montajes de media onda controlados 13.2.2 Intensidades en montajes de media onda controlados . 13.2.3 Caidas de tensién en montajes de media onda controlados MONTAJES DE ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN ESTRELLA CONTROLADOS 133.1 Montajes de onda completa en estrella totalmente controlados 13.3.2 Montajes de onda completa en estrella semicontrolados MONTAJES DE ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN POLIGONO CONTROLADOS 13.4.1 Montajes de onda completa eu poligone lotalmente controlados ... 13.4.2 Montajes de onda completa en poligono semicontrolados FILTROS PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS PROBLEMAS REFERENCIAS CONCEPTO ¥ ALCANCE DE LOS CICLOCONVERTIDORES EL CONVERTIDOR DE CUATRO CUADRANTES M21 Fi 1422 Fi neionamiento sin intensidad eireulatoria ueionamiento con intensidad cireulatoria 403 413 424 497 428 430 432 34 436 438 438, 440 440 4d 443 443 443 445 447 448 448 449 452 453 453 459 461 462 462 464 465 465 466 467 468 470 470 a7 a7143 BL crctonvenripon 143.2 Funeionam 144 CiRcUFTOS PRACTICOS 1MA.1 Cirenitos simétricos 14.4.2 Gircuitos en V 14.4.3. Giteuitos en A 14.5 PROBLEMAS 146 REFERENCIAS Capitulo 15 INVERsORES. ToroLocias 15.1 INFRODUCCION A LOS INVERSORES 15.2 CONFIGURACION DEL CIRCUITO DE POTENCIA DE LOS INVERSORES. 15.2.1 Configuracién inversora con transformador de toma media 15.2.2 Configuracién inversora con baterfa de toma met 15.2.3 Configuracién inversora en puente monofisico 15.2.4 Configuracién inversora en puente trifisico EL INVERSOR COMO FUENTE DE INTENSIDAD REGULACION DE LA TENSION DE SALIDA DE UN INVERSOR : 154.1 Regulacién de salida de un inversor por variaciéu de la tensién de entrada . 15.4.2 Regulacién de salida de un inversor por control de ancho de impulso 154.3 Regulacién de salida de un inversor por modulacidn de impulsos de alta freciteneia PILTRADO DE LAY 15.5.1 Fillro monofisico con onda rectan: variable SION DE SALIDA DE UN INVERSOR lar alterna de frecuencia fija y ancho REFERENCIAS Capitulo 16 INVERSORES CON TRANSISTORES 16.1 INrRopvec 16.2 INVERSORES CON TRANSISTORES AUTOEXCITADOS 16.3. INVERSORES CON TRANSISTORES ¥ ENCITACION INDEPENDIENTE 163.1 Inversor con transistores en puente : : 16.3.2 Inversor com trunsistores y dos transformadores de toma media 16.33 Inversor con transistores, nn transformador de toma media ¥ transistor 16.3.4 Inversor con transistores, dos transformadores de toma media y transistor 163.5 Inversor con transistores, dos ansformadores de toma media y onda bidireceional cesses : 163.6 Tnversor con transistors en prente conmmtad en alta freenencia 163.7 Inversor con transistores, transformador de toma media y transistor en serie conmutado en alta freenencia 16.3.8 Amplificador de potencia en elase B como inversor .. 16.3.9 Inversor ferrorresonante 163.10 Tabla comparativa de inversores con transistores 164 PROBLEMAS 16.5 REFERENCIAS sueneia fija y ancho variable Contenido 484 485 486 486 487 489 489 490 491 505; 506 508 Bul 513. 515 518. 519 520 520 523. 525, 526 529 530 532 532 533 534 536 538) © MES Parainfo xiContenide Capitulo 17 INVERSORES CON TinIsTORES —_ 339 17.1 INTRODUCCION A 10S INVERSORES CON TIRISTORES .......00cse0seeseseeeseneee 540 17.2 INVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO NATURAL, CIRCUITO DE MAPHAM 00.00. 54l 17.3 INVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO FORZADO EN FUENTE INVERSA DE TENSION... Sid 173.1 El inversor con tiristores en FIT de Wagner 345 17.8.2 El inversor con tirstores en FIT de Thorborg . : 548 174. LNVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO FORZADO EN FUENTE INVERSA DE INTENSIDAD . 17.4.1 Tnyersor con tiristores en FIT de MeMurray 174.2. Variantes topolégicas del inversor en FIL de MeMurray 17.5. ‘TABLA DE CLASIFICACION DE INVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO FORZADO 557 17.6 PRoneEMAs 362 177 REFERENCIAS 564 PARTE IV. CIRCUITOS DE CONTROL Capitulo 18 Cimcurtos DE CONTROL PARA ELECTRONICA DE POTENCIA 569 18.1 SiMBIOsIS POTENCIA.CONTKO ‘ sacwereiensnees 370 18.2. DEVENIR DE LOS CIRCUITOS DE CONTROL. EVOLUCION DE SUS FUNCIONES 570 18.3 CIRCUITOS EXCITADORES. COMPONENTES FSPECIFICOS 37 18.3.1 Transistores mononnién cs 183.2 Bl diac ss... 374 183.3 Optoacopladores 5 18.34 Transformadores de impulsos « 377 1835 Girenitos integrados y médulos espeeificos para excitacién y control 581 184 CONTROL EN CADENA ABIERTA Y EN CADENA CERRADA 585 18.5 MobOS DE CAMBIO DE LA VARIABLE DE SALIDA, 388 18.5.1 Control todo-nada cagsorrurpanaeiasgwncrrarceceermessiaNNN 588 185.2 Cambio de estados discretos . 588 1E5S Nedibeisn conlima: eeveneniscnacmancmetmenn BOO 18.6 TW0s DE SOFONTE ELECTRONICO DEL CONTROL. NIVELES DE INTEGRAC FOTENCIA-CONTHOL, « ER SE TUNE NTA TSE APEC 598 186.1 Control con componentes discretos 5H 18.62 Control con cireuilos integrados genérieos de bajo nivel crac ‘SOL 186.3 Control con dispositivos programables (microprocesadores, microcontroladores DSP, PLD, FPGA) 395 18.64 Niveles de integracién del soporte poteneia-eontrol 601 18.7 MEDIDA DE. VARIABLES sara TSInERNETENTE ENTER RIENCE 602 18.7.1 Sensores ss . is 602 18.7.2 Acondicionamiento de sefial .....+ = : 609 18.8 ALGUNAS FUNCIONES AVANZADAS DE. L08 CIRCUITOS DE CONTHOL 610 18.8.1 Proteceién global jerarquizada .......sscsessecsessssessetsnserseessesees 610 D859) AIRES cera ceranv satires siARaBewSNaRS e12 1883 Autodiagndstico . 3 : 612 18.8.4 Control, supervisién y mantenimiento remotos ..... 614 18.9 HOJAS DE CARACTERISTICAS DE COMPONENTES PARA CONTROL 617 18.10 PROBLEMAS 627 18.11 REFERENCIAS 630 xiv © MES ParaninfoPARTE V. FIABILIDAD Y RUIDO Capitulo 19 Fiastuapap ¥ Ruipo 19.1 Frapmapan 19.1.1 Teoria de la fiabilidad 19.12 Tablas de datos de fabilidad de eomponentes 19.1.3 Ejemplos de fiabilidad 19.2 Ruwo ELicrnico 19.2.1 Rudo eléctrico conducid y radiado 19.22 Normas antirmuido communes 19.3 PRORLEMAS 194 REFERENCIAS PARTE VI. APLICACIONES Capitulo 20. APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA 20.1 INTERRUPTORES ESTATICOS 20.2 CONTROL DE TEMPERATURA . 20,3. SOLDADURA FOR RESISTENCIA 1 20.4 ESTABILIZADORES DE CORKIENTE ALTERNA 20.4.1 Cambiadores de tomas en carga (CTEC 0 OLTC) 20.4.2 Estabilizadores de regulacién continua 20.5 FUENTES DE ALIMENTACION DE CORRIENTE CONTINUA 20.5.1 Regulador reduetor-elevador con aislamiento (forward) y devanado reeuperalor separado 20.5.2 Reguladores e. 10. computestos de inversor y reetificador . Regulador c/e.e. con inversor con transformadar de toma media (push-pull) Regulador c.c./e.c. con inversor de medio puente lor c.c,/exe. con inversor en puente completo « 20.5.3 Aspectos priclicos de las fuentes de corriente contimia. Salidas méliples. « 20.5.4 Tabla general de reguladores y convertidores para fuentes de ec. 20.5.5 Fuentes de alimentacién de c.. con intensidad de red corregida 20.6 EQUIFOS CARGADORES DE BATERIAS 20.6.1. Limitacion por resistencia 20.6.2 Limilacién por bobina en baja y en alta free 20.7 DORES PAA GALVANOPLASTIA 20.8 DORES PARA ELECTROPILTROS 20.9. RECTIFICADORES PARA PROTECCION CATODICA 20.10 'TRANSMISION DE CORRIENTE CONTINUA EN ALTA TENSION (ICCA 0 HVDC) 20.11 CONTROL DE ILUMINACION 20.12 CALDEO POR INDUCCION . cesses 20.13 REGULADORES DE VELOCIDAD DE MoTORES ss de motores de corriente continua ss de motores de corriente alterna asineronos 0.13.3 Arruncadores estiticos de motores de corriente alterna 0.13.4 Reguladores de micromotores integrudos 20.14 SISTEMAS DE ALIMENTACION ININTERRUMPIDA (SAL © UPS) . 20.15 ACONDICIONADO! 1EA Y FILTROS ACTIVOS. 20.16 ELECTRONICA DE FOTENCIA EN EL FERROCARRIL, 635, 636 636 610 610 ou on 646. 650 654 659 660 661 662, 663 664 664 668, 669 670 670 672 673. 674 er 678. 681 682, 682, 885, 686 686 687 688. 689 691 691 692, 693, 694 695, 698, 02 Contenido © 1TeS-Paraninfo xvContenide 20.17 ELECTRONICA DE POTENCIA EN EL AUTOMOVIL 20,18 CONVERTIDORES PARA ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA 20.19 HoyAs DE CARA 20.20 PROBLEMAS . RISTICAS. Anexo A NonMas RELACIONADAS CON EL, AMBITO DE LA ELECTRON} DE PorENcIA a7 Anexo B_ NOMENCLATURA Y NOTACION PARA ELECTRONICA DE POTENCIA . 731 Amexo CUNIDADES FiSICAS, EQUIVALENCIAS, CONSTANTES 7a Indice de autores Indice anafitico 751 xvi © TES ParaninfoSOBRE LOS AUTORES Salvador Martinez Garcia Dr. Ingeniero Industrial por la ETSI de la UPM (1969) y Dr. en Filosofia por la UCM (2004). Ha sido Jofe de Diseito Electrénico en Isodel-Sprecher, CDE Electrénica y Cons- ‘rucciones Aeronduticas S.A. Investiga desde 1966 en convertidores estiticos y temas afines Es autor o coautor de mis de veinte libros, cuarenta articulos, treinta y cinco ponencias de congresos y veinticineo patentes. Es revisor en diversas revistas y organismos tGenicos. Ha dirigido 0 participado en més de treinta proyectos de colaboracién Universidad-Empresi 0 entre Universidades. Ha sido miembro del Comité de Convertidores Estiticos del Grupo Enropeo del IEEE-IAS desde su fundaeién en 1994 hasta el 2000. Es Catedritieo de Tecno- Jogia lectréniea de lt UNED. Juan Andrés Gualda Gil Dr. Ingeniero Industrial por la ETSI de kt UPM (1981) y Diplomado en P de Empresas por la UPM (1979). Es autor de numerosos articulos y coautor de varios libros y patentes sobre Electréniea de Poteneia y otvos temas téenicos. Obtuvo sendos accésit en los Premios Mundo Electronica al “Mejor articulo de Electrénica Profesional” en 1976 1978. Ha dedicado en la empresa privada once aos « la investigaci6n y disofto de equipo clectrinicos, dle avidniea y espaciales, habiendo sido Ingeniero de Diserio Electr Isodel-Sprecher y en CDE Bleetréniea, y Jefe de Disefio Blectrénico en Construcciones “Aeronititicas $A. Es Profesor Tutor de la UNED y Jefe del Servicio de Energia y Medio Ambiente de la Diputacién de Albacete. © s0E5-Paraninfo xviiPROLOGO Los libros generales de la diseiplina hey conocida como Eleetrénica de Potencia comen- zaron a editarse hacia finales de los alios setenta y primeros ochenta. Hasta entonces los ingenieros dedicados a esta disciplina aprendian de las notas téenicas de las firmas pioneras sobre desarrollo de componentes, de los catélogos de estos, de los mannales de aplicacién y de las escasas monografias que algunos fabricantes de componentes y de equipes, y pocos centros de desarrollo, editaban. Algunos de sus temas, como la rectificacién de potencia, eran conocidos desde la inveneién de los primeros diodos reetifieadores de vacio y de gas, de los reetificadores de selenio y de las primeras vélvulas de potencia controladas, los tira- trones e ignitrones. Si bien estas invenciones, que transcurren entre 1904 y 1940 aproxima- damente, permiten ya separar la Blectréniea de Poteneia de la Electréniea de Sciial y de la Electrotecnia, no seri hasta la aparicién de los semiconduetores de potencia eando la nueva disciplina tome verdadero cuerpo, debido, entre otros motives, a la dificultad de realizacién prictiea y efiefente de muchos eircuitos tedricamente conocidos, eansada por la gran eaida de tensién que las vilvulas presentan en conduceién (puede eitarse como ejemplo el inversor con transformador de toma media, ideado y probado inicialmente con tiatrones y abandona- do Incgo hasta la legada del SCR en 1957), Son los tristores los primeros semieonduetores de poteneia desarrollados de forma am- pliay, de entre ellos, el reetificador controkado de silicio, o SCR, es el que induce la prolife- racién de multitud de cireuitos y equipos prietieas tales como rectificadores eontrolados, interruptores estiticos, inversores, ete. Puede decirse que en la década de los setenta ya es- tin consolidados la mayor parte de los eireuitos de la Eleetrénica de Potencia en ewanto a si topologia general mediante diodos y tristores, y ya se han publicado numerosas ediciones de rmannales de aplicaeién de los mismos. Sin embargo la madurez de la diseiplina viene de la ano del transistor de potencia y, mas especificamente, del desarrallo de los [GBT de miles de voltios y amperios ocurrida en la década de los noventa. Este componente se acerca mu- cho a un interruptor ideal, pues presenta baja caida de tensién en eonduceién, poca corrien- te de fugas en corte, alta velocidad de conmntueién y exige poca energia para ser controlado y pasar desde cl estado de corte al de conduceidn y vieeversa. Su Hegada permite simplificar rmutchos eirenitas realizados antes con SCR (como les inversores, que quiedan liberados de los cirenitos especificos de bloqueo de este componente SCR) y abordar topologias para fnn- cionar a freeuencias elevadas con gran economia en los componentes reactivos. Entre los nuevos equipos posbilitados estin los reetficadores sineronos sin distorsién de corriente so- licitada y los filtros activos de alta frecueneia para mejorar la calidad de la red eléetriea, que se han inchuido en la obra © E5-torninfo xixlego xx © TES -turannfo Aunque el IGBT ha reducido el empleo de tiristores en la prictica, la obra da también cabida a circuitos clisicos con tiristores por si inherente robustez y et papel didéetico que algunos de ellos aportan en la operacién de bloqueo forzado. No se olvide que el problema de eliminar répidamente una corriente elevada en una rama de un circuito, controlando las sobretensiones y otras perturbaciones que puedan producirse, es un problema central de la Electrénica de Potencia con independencia de que se lleve a cabo con tiristores o con tran- sistores, y son Tos eqnipos con tiristores de bloqueo forzado los que primero y més amplia- mente han prestado atenciém al mismo. Es seguro que el desarrollo de los semiconductores de potencia continuari y se aleanza- rin mejores aproximaciones al interruptor ideal, sobre todo en cuanto a la elevacién de la tensién soportada en bloqueo y a la temperatura de trabajo, lo que fucilitars previsiblemente la construceién de los convertidores de gran potencia para media y alta tensin. Sin embar- g0, no es esperable que ello promueva una innovacién en las topologias tan amplia como la habida con el paso de las vilvulas a los semiconductores. Ello es debido a que, con las carae- teristicas de rapidez de conmutacién y bajas pérdidas de operacién alcanzadas en los semi condhctores de hoy (10 kHz en los IGBT), los limites tGenicos de muchos equipos los mar- can més los componentes parisitos asociados a la aplieacién que los propios interruptores. Asi ocurrirfa, por ejemplo, en los cambiadores de tomas répidos con IGBT en aplicacio- nes de mis de 1 MVA, putes las inductancias parisitas asociadas al cableado habrian de limi- tar el tiempo de conmutacién, Por otra parte, la emisién clectromagnética impone un limite natural al intento de elevar la frecuencia de la conmutacién en altas potencias, pues tales equipos electronieos se van aproximando inevitablemente a una emisora de ruido radiado no deseada. De loanterior se colige que, en el estado de desarrollo actual de la Electrica de Poten- cia, merece la pena prestar ateneién no s6lo a la descripeién de los mumerosos equipos, sino también a la sistematizacién de las topologias y a la compat de sus ventajas ¢ inconve- nientes. Es algo que los autores se han propuesto, entre otras cosas, en esta obra, sin preten- der, ni mucho menos, aleanzar uma exposicién definitiva. La cuestién es importante no solo desde un punto de vista didietico de la diseiplina sino como preludio para intentar ka optim: zaci6n sistemstiea de los disetios. Los equipos electrénicos de poteneia selen ser caros y voluminosos, debido al tamaiio de los componentes reaetivos empleados (bobinas y eonden- sadores) y a los propios intermptores electrénicos, cireuitos de proteccién y de maniobra. Un desarrollo cuidado de un nuevo disefio debe estar acompaiiado de un elevado grado de seguridad de que la eleceién adoptada es adecnada y dificilmente mejorable econdmica- ‘mente para las prestaciones especificadas. Una topologfa apropiada del circuito de poteneia suele ser la clave del éxito y su eleccién requiere inevitablemente un conocimiento sistema- tico de las altornativas Los eireuitos de proteceidn y de control forman parte de un equipo de poteneia no ya solamente en cuanto a la eonsecucidn de unas determinadas earactersticas, sino también en cuanto a la propia seguridad del funcionamiento hasico. El empleo cada vez mayor de los transistores de potencia en sus diversas variantes da mas peso a esta aseveracién, pues wn transistor puede ser ficilmente destruido por un pico de potencia generada en su pastlla si no se asegiira adeeuaddamente la eliminaeién de tal posibilidad (dicen los especialistas que no hay transistor seguro sin apropiada exeitacién, vigilaneia y proteceién). Los tiristores, contra- riamente, son interruptores mds rabustos en este sentido pues su modo de conduccién auto- rregenerativo tiende a impedir que coexistan en su pastilla tensiones y corrientes elevadas, E| libro presta ateneién a lo especifico de la excitaeién de cada familia de componentes en sus eapitulos correspondientes y, en el Capitulo 18, ofrece uma visién general de los sistemas de control y de sus soportes, La Parte III y central, dedicada a las funciones bisicas y topologias de los convertidores de potencia, asf como la Parte VI, dedicada a sus aplicaciones, se han extendido hasta lo razonable en ina obra de caricter general. Aunquie se ha aleanzado uma variedad por eneima de lo usual en los libros de este género, ha sido inevitable limitar algunos campos y trata rientos,Se hu intentado dar a la obra un tinte teGrico-prietio, y no solo didetieo, salpiedndoka de ejemplos que se han derivado muchas veces, con las debidas preeaueiones de modifica ién para no conculear derechos ajenos, de equipos reales euyo desarrollo en la industria ha servido en algunos easos a los autores para fundamentar la teoria, No debe olvidarse que es Ja ordenacién del uso —en un principio eastico— y la mencién de sus reglas, acordadas con el conovimiento previo, lo que produee la teoria. Se recomienda al lector vsitar la pina web de la editorial www.thomsonparaninfo.com para consultar nuevos materiales asoviados la obra, Damos las gracias a las firmas que han cedido material grifico, eatilogos y diseiios, las cenales han sido oportunamente citadas. Aunque también hemos citado expresamente a los nds importantes, damos asimismo las gracias a todos los eolegas que nos han inspirado en la seleccién de alginas partes de la obra, en la eleceién de su enfoque, en la eonsceucién de informacién complementaria y en su revisin Los autores © E5-torninfo PrSlogo xxiRECONOCIMIENTOS No es posible recordar todas las personas y organizaefones que de alguna manera han contribuido a la claboracién de esta obra, Hemos tratado de resaltar las ayudas més signifiea- tivas en el lugar del libro donde se han cristalizado, Incluyendo aqui de nuevo a sus antores, queremos expresar nuestro agradecimiento a las siguientes personas y entidades, ordenadas alfabéticamente Allredo Alvarez Garcia ~ EI de Badajoz, Universidad de Extremadura Jordi Joan Argemi Payré ~ Rectificadores Guasch, S.A., Barcelona José Luis Aparicio Marzo ~ ETSI, Universidad Politéeniea de Madtid Juan Antonio Barba Garefa ~ ETSI de la UNED Eduardo Baqyicano Tarragona ~ Eleetrolumen 8.A.L., Burlada, Navarra Manuel Barbero Heredia — ADIF (Administrador de Infraestructuras Ferroviarias) Fermin Barrero Gonzalez — BI de Badajoz, Universidad de Extremadura Susana Borromeo Lopez ~ ESCET, Universidad Rey Juan Carlos de Madrid Carlos Cagigal Olay ~ Doetorando de la ETSI de la UNED José Cambronero Garefa ~ TORYTRANS S.L., Almagro, Ciudad Real Juan Carlos Campo Rodriguez ~ EPS de Gijén, Universidad de Oviedo José Luis Caramés Casal — FEM, Universidad Complutense de Madrid Manuel Castro Gil - ETSI de la UNED Enrique Juan Dede Garefa-Santamaria - GH Blectrotermia .A., San Antonio de Bena- géher, Valencia Luis Donaire Pacheco ~ TESAL, Moraleja de Enmedio, Madrid Joan Escolar Aranda ~ DIODE Espaiia $.4., Madrid Luis Manuel Ferreira Gordillo ~ EI de Badajoz, Universidad de Extremadura José Marfa Ferrero Corral ~ ETSII y LIB, Universidad Politécnica de Valeneia José Fullea Garcia - Instituto Eduardo Torroja, C.S.LC., Madrid Julio Garcia Mayordomo ~ ETSI, Universidad Politéenica de Madrid Oscar Gareia Suérez ~ ETSIL, Universidad Politéeniea de Madrid José Luis Guerrero Lopez ~ Departamento de Infraestructuras, Teatro Real de Madrid Araceli Herndndez Bayo ~ ETSIL, Universidad Politéeniea de Madrid Toms Hernandez Gémez — Luis Molina Acedo $.4., Madrid Francesc Hervera Torres ~ Salieri S.A., Santa M.* de Palautordera, Barcelona Nicokis Herreros Buroja ~ SEPSA, Pinto, Madrid Alfonso Iharaibal Segura ~ INCOESA, Vedia, Vizeaya Manuel Ladrin de Cegama Siinchez ~ ENERTRON S.L.U., Coslada, Madrid © s0E5-Paraninfo xxiii‘Reconocimientos xxiv © /2E5-Paraninfo onio Lizaro Blanco ~ ETSI y'T de la Universidad Garlos IIT de Madrid Cristobal Losana Ruiz ~ CUADRELEC S.A. Antonio Lumbreras Azanza — ETSI y T, Universidad Priblica de Navarra Antonio Luque Lépez ~ Instituto de Energfa Solar, Universidad Politéenica de Madrid Pedro Maria Martinez Cid ~ Direccién de Innovaeién, Calidad y Medio Ambiente de IBERDROLA S.A. Pedro Manuel Martinez Martinez - ETSI, Universidad Politéenica de Madrid Franciseo Marzo Guillem ~ Grupo CENER, Madrid José Luis Molina Casla ~ Sistemas Electrénicos de Poteneia S.A., Pinto, Madrid Cristobal Molloja Melgar ~ Montajes Delsaz, Paracuollos del Jarama, Madrid Santiago Monteso Fernindez ~ Sistemas Electronieos de Poteneia S.A. Pinto, Madrid Miguel Angel Muriel Ferndndez ~ ETTSIT, Universidad Politéeniea de Madrid Salvador Ollero Velasco ~ Chloride Espaiia, $.A.U. Daniel Payeras Traba ~ Valdepinto S.L., Pinto, Madrid Juan Peire Aroba — ETSI de la UNED. Juan Manuel Pérez Ventura ~ Grupo CENER, Madrid Engenio Rey Veiga ~ Mundo Electrénico, Cetisa Editores S.A., Barcelona Mamie! Rico Secades ~ EPS de Gijén, Universidad de Ovieda Isabel Rodriguez Larumbe - DIODE Espatia $.., Madrid Miguel Angel Rodriguez Pando - RECMAK S.A., Fuenlabrada, Madrid Carlos Rodriguez Sinchez ~ Metra de Madrid 8... Javier Scbastiin Ziiniga — EPS de Gijén, Universidad de Oviedo Eloy Segovia Bermejo ~ ADIF (Administrador de Infraestricturas Ferroviarias) Vicente Torralbo Luque ~ Sirtronic 2000 S.L., Aleali de Henares, Madrid José Luis Val Porroche ~ Sociedad Espaiola del Acumulador Tudor (grupo EXIDE- Technologies), La Cartnja Baja, Zaragoza Antonio Valladolid Alonso ~ L.C.0.E., Universidad Politéenica de Madrid Joaquin Vaquero Lépez ~ Sistemas Electrénicos de Potencia $.A., Pinto, Madrid Juan Carlos Viera Pérez ~ EPS de Gijén, Universidad de Oviedo ‘Carlos Viesea Espinosa de los Monteros ~ Ingenieria Viesea S.L. Mamuel Visiors Guixot - ENERTRON S.L.U,, Coslada, Madrid Fernando Yeves Gutiérrez ~ ETSI de la UNED Ramén Zamorano Menefas ~ ETSI de la UNED José Ramén Zirate Arnal ~ Bobinados ZAREL S.A., Vitoria ‘Gunnar Zetterberg ~ ADtranz, Electrical Division, Visteris, Suecia Agradecemos a nuestro profesor Peco Manuel Martinez Martinez sus muy tempranos y ordenadlos textos sobre Electronica Industrial, que han sido guia de escritura pulera y clegante “Agrudecemos a Copibook 8. L. el extremo enidado puesto en la maqueta de edicién y en Ja ejeencién del libro. Agradeccmos a los editores Andrés Otero Reguera e Isabel Capellé Hierro su bucna dis- 1 hacia nuestras sugerencias Finalmente agradecemos nvestras familias su comprensidn y pacieneia por el tiempo dedicado a esta obra. posiPARTE I. INTRODUCCIONINTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTE! 1 La Electrénica de Potencia trata del manejo de la energia eletrica, mediante compo- nentes controladores de la corrente, buscando algén tipo de transformacién en su modo de presentacién, y siempre que la principal limitacién al proceso sea la de un rendimiento tenergético adecuado. Se distingve as de la Electrénica de Sefal, en l que se busca antes la fidelidad informativa que ls sefleseléctricasHevan asociadas, ya sea en codifcaciones analégicaso digitales. Esta distineién, como cualquier otra es difisa,y se ve pes n tala de julio por bas wpliacSoesx que poea parecido empoio en lk delided de Jas formas y en el rendimiento. La Electronica de Potencia apicaa ala ea elétrica es un buen ejemplo, En esta modem dseiplia tanto importa redicir pérdidas (Gor el ahorro ex la explotacién que comports) como oblonsr ondas de corrientey tensién limpias,fieles al patrén senoidal que se espera en una red cvidada En ella son frecnentes equipos alentos a eae hibridackin de eiterios do re i ins representatives, estén los filtos activos basados en convertidores de alla frecuencia y Capitulo jr sremons prs oenaors rango de potencia que llega a manejar este arte ingenieril ha erevido notablemente desde sus inicios con las vvulas de vacio (1904) y de gas (1914) y los primeros semicon dluctores de potenea (fos cinctenta). Recuérdese que lo que distingue a ingenieriaelec- trénica de la elgctria, en cuanto a sis medio, es que aquella utiliza dispositivos ampli dores hasados en el control de la comente actuando sabre mn fnjo de eleetrones, mientras aque lasoginda emplea generadores, motores, transformacdres, hohinas atuadors (con tores, elés) y otras componentes electromagnétics. Pues bi los aos ochenta se dispoxia ya de tiristores eapaces de manejar miles de voltos de amperios, en los primeros ais del silo XXI se ha dispuesto de transitores IGBT (con mayor eapacidad de contol {qu los tiristores) de 8.600 A y 6500 V, lo que ha abierto « poteneias elevaas la posi de la hibridacion antedicha rendimiento-fdelidad, No debe terminarse esa intro cn téenias de investigacién dentro de la ingenieri electrénica de poteneia relativas a cla fesctin de lopologias, hs métodcs de su explora dos, asi como a ls procedimientos de simulacin, Ambos campos, la exploraciu rela y la simulscién fable, allinan enormemente el desarrollo de esta disciplina en la que, por rmanejarse componentes grandes y coslosos y requerir a veeesinstalaciones de prcha mi- llonaras, todo avance en la seguridad y rapide de hs fases de investigaciGn y prueba pro- poreiona formidables beneficios eeondmieos. contrariamente, idadl de la red dimiento y de fdelidad, y, entre los tar cl avance habida desde los och mediante andlisis y sintesis euidae CoNnTENIDO LL GENERALIDADES .....¢..csseseessssesseeseesenseeseevens 4 1.2 CARACTER MULTIDISCIPLINAR DE SUS RECURSOS 5 13. FUNCIONES BASICAS ¥ CAMPO DE APLICACION 6 14 METODO DE ANALISIS DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS DE FOTENCIA 9 1.5 INTEGRACION DE LAS ECUACIONES DIFERENCIALES RETA 10 1.5.1 Aplicacién del método temporal a las eenaciones de primer orden nl 1.5.2 Aplicacién del métoda temporal a las ectuaciones de segundo orden 12 1.53 Aplicacidn del célenlo operacion u 15.4 Integracién numérica ........++ ionavecniowrenn - 7 1.6 REPASO SOBRE LAS FORMAS DE ONDA PERIODICAS . 19 1.6.1 Valores caracteristicos de una onda 19 1.6.2 El desarrollo en serie de Fourier 19 1.6. Potencia ..... i 23 BREVES APUNTES HISTORICOS 2 . " a7 TABLA ABREVIADA DE DERIVADAS E INTEGRALES ....0000.cc0csccesceeeesssesteereees 38 TAMLA ABREVIADA DE TRANSFORMADAS DE LAPLAC 35, PROBLEMAS 40 © res renninfo 3Parte 1. Introduccion 4 © 185-taraninfo 1.1 GeNERALIDADES La Eleetrénica de Potenecia es wna téenica relativamente nueva que se ha desarrollado a partir de la Eleetrotecnia y de la Electrénica gracias al avance teenoldgica en la fabrieacién de los semiconductores de potencia, prineipalmente. Puede definirse como la técnica de las modificaciones de la presentacién de la energia eléctrica conducida, mediante controladores de la corriente actuantes sobre un flujo de electrones, que busca en primer lugar rendiniento elevado y on segundo lugar fidelidad a las formas de onda buscadas. Cada vez son mis nu- merosos los equipos y sistemas en este campo que afiaden a las especificaciones tradiciona- les, relativas al rendimiento energético, otras dedicadas a limitar la distorsién de las ondas generadas (caso de los estabilizadores, filtros activos, inversores, y otras familias destinadas a Ja calidad de la alimentacion en corriente alterna). Distintamente a lo que ocurre en la Electrénica de Sefil, en la que se da prioridad a la fidelidad y a la ganancia, la earacterfstica mas importante en la Electrénica de Potencia es habitualmente el rendimiento, Si en aquella, enando se dedica a sefales analégieas, se mo- dula la caida de tension en los dispositivos amplifieadores (que trabajan en la zona activa) para modifiear o ampliar la sefial de entrada, en la que nos oeupa dichos dispositivos trabajan casi siempre en es decir, alternando los estados de corte y de saturaeién a fin de minimizar las pérdidas (lo mismo ocurre en la Electrdnica de Sefal digital). Ast pues, cuando el semiconductor esti cortado (bloqueado el paso de corriente) y sometido a uma ten- sién alta, es preciso que la corriente de fugas sea despreciable, y cuando conduce (permi- tiendo el paso de corriente) ha de ser despreciable su caida de tensién, ha de estar saturado. Desde un punto de vista funcional, el dispositivo amplificador debe comportarse lo més pa- recidamente posible im interruptor mevinico. tese que en Ja definieién propuesta para la Eleetréniea de Potencia, ast como en la desoripeidn de la Eleetréniea de Seial, no se ha hecho meneién al valor enantitativo de las potencias manejadas, tratando deliberadamente de distanciarlas de aquelhas definieiones que Jas dseribfan, respectivamente, como electrinica de las corrientes fuertes y electrénica de las corrientes débiles. Las aplicaciones aetuales de ambas abarcan tal multitud de campos y nive- les de potencias imbricados que resulta més adecuado para definirlas reeurrir, como se ha hecho, a aspectos fimeionales gonerales més que euantitativos y de finalidad eonereta, Para justifiear esta decision, compartida por muchos expertos"™, no bay mas que considerar, por ;plo, que debido al eonsnmo eada vez menor de los ordenadores (piénsese en los portiti- les de sobremesa y de bolsillo) sus fuentes de alimentacién —algo que siempre seri consie derado como Bleetrénica de Potencia— manejan eada vez menores potencias, ya algunas veces por debajo del vatio. Y por el lado opuesto considérese que por muy grande que sea la potencia de una emisora de radio o TV, la etapa amplificadora final, que puede sobrepasar cientos de kilovatios, seré siempre considerada como Electr es la fidelidad, evidentemente acompaiiada de tna enorme puede ser Electronica de Potencia Conviene tomar perspectiva aqui sobre el hecho de que cualquier manifestacién misiea © energética puede tener para el ser humano wn doble aspeeto, Por wn lado el de cantidad de Sefal, pues su prioridad inte de alimentacién que si 75 Aggndecsas ol cab de inpreones al reapcia cone posse J: Scbesiin del Univerided de OvidCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia fisica y por otro el de significado mental. Asi, un kilo de polvo-tinta para impresoras kiser, 0 ‘ner, pede considerarse como simple masa que podria componer parte del laste (algo ex 1p, por cierto) de un globo aerostitieo, pero convenientemente distribuida en hojas de papel sirve para imprimir varios ejemplares del Quijote. De la mistna forma, un kilovatio hora de energia elgetrica puede servir para cocinar un guiso, pero inteligentemente dosilicado y co dificado puede servir para enviar por la red telefnica multitad de mensajes, Pues bien, pe de interpretarse que la Electréniea de Potencia se dedica a manejar con mis ahinco el earie ter cuantitativo de la energia eléetrien que el cualitativo, aunque este siltimo, como ya se ha visto antes, eada vez le es menos ajeno. La Eleetrénica de Seial, por el contrario, atiende inds al cardctor significativo de la energfa eléctrica sin menospreciar, obviamente, el cu lativo. Un equipo eleetrénico de potencia eonsta findamentalmente (Figura 1-1) des 4) Un cireuito de potencia, compuesto por semiconductores de potencia y elementos pasivos (transformadores, bobinas, condensadores, resistencias, ete.), que relaciona ka fuente de energia con la carga. b) Un eireuito de control, que elabora informacién para comandar adeeuadamente al primeto a partir de consignas propias y de seiiales reeibidas de la fuente, del propio cireuito de potencia y de la carga, proporeionando finalmente unas seviales de excita- cién que determinan la secuencia de conduecién y corte de los semiconductores con- trolados (tiristores, transistores; eadla vez menos se emplean vilvulas de vaeio © de ‘05). Dada la gran amplificacién de estos (cociente entre la poteneia mancjada por el componente y la potencia necesaria para su exeitacién), la patencia consumida por el cireuito de control es despreciable normalmente frente a las pérdidas en el eireuito de potencia. El circuito de control esti asociado a veces con un sistema de comuni- caciones que permite la supervisién remota del equipo con fines de mantenimiento y de gestion (véase el Apartado 18.8.4). Fuente ened Salida ‘Je pe! CIRCUITO DE POTENCIA ovargla Tefalne do txctaeon EXCITADORES (DRIVERS) ¥ [ADAPTADORES DE SERAL | remcin Contos srctacn, CONTROL Triommacion PROPIAMENTEDICHO | crwagassaleta Informacién (7 SROUTODE cONTROL Ficurs 1-1 Diagrama de bloques de un equipo electinieo de potencia. Adaplado de S, Montesoy J. L- Molina, “Desurallo de proyectos en Electrica de Potenea” 1-26) 1.2. CARACTER MULTIDISCIPLINAR DE SUS RECURSOS La Electréniea de Poteneia es un arte comprometido, en el que los fallos son earos y piblicos, por lo que muchas veces suele ser evitada, Cuando en el eurso de un desarrollo se estropeun decenas de semigonduetores que pueden costar cientos de euros eada uno la noticia llega a la direccién del ente investigador. Y si se produce una explosién como consecuencia © es xerninfo 5Parte 1. Introduccion 6 © 1E5-tarannfo del cortocirenito de un condensador de potencia, por ejemplo, el fillo resulta notorio para todo el personal presente en lt nave de ensayo. Es comprensible que muchos ingenieros prefieran el anonimato que proporeiona lidiar en el retiro de su pupitre con un cirenito elee- trénico de seial donde los componentes tienen un coste despreciable frente a las horas de desarrollo, o bien con programas informaticos aplicados @ la ingenieria, en los que los errores ceultos suelen trascender con mucho rotraso, Adems, los fallos en los equipos de poteneia pueden causar accidentes sino se toman las preeaticiones nevesarias, y no son pocos los que abandonan el campo al primer susto. La Blectréniea de Poteneia es una profesién esforzada en la que todo debe estar planilicado [1-26] y realizado con euidado: las especilieaciones de un nuevo equipo, su disofio, la evaluacién del caste, sus pruebas en fibriea y en campo, su homologacion final, su puesta en produccién y sus ajustes y verificaciones. Ademas del atractivo que este reto metodolégico de la Eleetrénica de Potencia eomporta, no es menor el del caricter multidisciplinar de sus recursos. En un equipo electrénico de potencia complejo se dan cita, ademés del principal problema de la adecuada eleceién y di. seiio eléctrico del cirevito de potencia, su refrigeracion, la limitaeion de su emision electro- magnética al propio control, ka limitacién del ruido eléctrico generado conducido y emitido, la limitacién del ruido actistico, el disefio de un cirenito de control a veces muy complejo (que puede a su vez comportar circnitos analégicos y digitales), el desarrollo de programas asociados al cirenito de control de complejidad nada desdefiable y la reduccién de la sus- ceptibilidad al rnido emitido 0 conducido. Ademas, es necesario recordar que el diseitio de Jos transformadores y bobinas especiales que muchos de estos equipos disponen exige un buen conocimiento de las méquinas eléctricas. Asimismo, el conocimiento de la tecnolo- sia de construceién de otros componentes pasivos de poteneia (grandes condensadores y resistencias, contactores, ete.) es decisive para realizar elecciones que no comprometan la fiabilidad. Esta seguridad de funcionamiento, finalmente, es otro aspecto esencial en casi todo eq po electrénico de potencia, pes como suelen estar destinados a cumplir funciones de filtra- do y alimentacién de instalaciones muchas veces criticas (piénsese en un sistema de alimen: tacién ininterrumpida que proporcione energia eléetrica al servicio de control de wuelos o al de reserva de billetes de un aeropuerto), la seguridad de operacién debe estudiarse y prede- cirse con todos los recursos que aporta hoy la cieneia de la fiabilidad. En definitiva, como contrapartida a sus exigencias para su cornecto desarrollo, la Eleetré- nica de Potencia ofrece a sus ficles la posibilidad de conocer y eonjugar um niimero de di plinas notable, que solo es sobrepasado por pocos campos ingenicriles (como la robstica) Ademsis de las posibilidades que ofrece al ingeniero para obtener un desarrollo profesional ampli y satisfaetorio, hay que sefalar la facilidad de cambio de actividad que esa amplitud proporciona, algo nada desdefiable hoy dia. No asf al contrario, pues es raro el easo de inge- nieros de seftal y programas que se aventuren en la poteneia. La amplitud de este atractivo caricter multidisciplinar de la Electrénica de Potencia queda corroborada en la préctica por el hecho de que la mayorfa de los profesionales con iuchos afios de experieneia mantienen un cierto grado de especializacion en alguno de los aspectos del disefio (lopologia de la potencia, cirenitos de control, programas para estos, compatibilidad eleetromagnética, etc.), siendo pocos los individuos que dominan plenamente todos ellos. Aun asf, la necesidad de conocer minimamente todos los aspectos del equipo, aseguta en cierto grado la trascendencia al cultivador del antedicho earseter multidiseiplinar de este eultivo. 1.3. FUNCIONES BASICAS Y CAMPO DE APLICACION Entre todas las formas de energia, la eléctrica se ha impuesto en un sinfin de aplicaeio- nes. Pocos de los grandes campos del uso de la energia, como la traccién en carretera y la calefuceién en sus diversis variantes, escapan a sus ventajas, entre las que abe citar la limpieza de su uso, la seneillez y seguridad de su transporte, la facilidad de su gestién y kaCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia versatilidad a la hora de ser transformada en otras formas de energia (meesnica mediante motores y electroimanes, caldrica mediante resistencias, lnminosa mediante Kimparas le diver- s0s tipos, quimica mediante batios electroliticns y otros dispositivos, ete.) y de ser modificada para ejercer de vehiculo significative en los instrumentos electronicos, y en los equipos de comunicaciones ¢ informiticos que invaden nuestra vida. Sélo el almacenamiento en grandes cantidades y durante largo tiempo constituye una desventaja evidente para la energia elétrica A pesar de los avances en las décadas de los ochenta y noventa, los actmuladores eléetricos (supereondensadores y nuevas baterfas) distan todavia de ser aceptables para dicha aplicacion La energia eléetrica se utiliza en dos formas principales: como corriente continna (cc), con sentido de cireulacién constante en les elementos del circuito, y como corriente alterna (ca), con sentido cambiante con una periodicidad normalmente mantenida, En los iniefos de si generacién masiva mediante méquinas rotativas en grandes centrales y distribucién me- diante Ifneas a los usuarios, ambas formas se disputaron la supremacfa, pues las dos presen- tan ventajas e inconvenientes. Hoy se emplea casi exchisivamente la generacién, transporte y distribucién en c.a. de frecuencia y tensién constantes, esta iiltima con niveles distintos adecuados a la potencia manejada. La ce. es més dificil de generar, pues necesita de dinamos con colectores de delgas y escobillas que reetifiquen las ondas alternas qne de un modo espontineo tienden a originar las maquinas rotativas. Estos dispositivos tienen desgaste y necesitan 1m mantenimiento im- portante. Ademas la distribucién y consumo en c.c. tienen los inconvenientes de que los interruptores deben forzarse para que su intensidad se extinga y de que la transformacién del nivel de tensién al més adecuado a cada uso especifico no es sencilla. Sin embargo la c.c. tiene las ventajas, en lineas de transporte de gran longitud, de que la inductancia asociada a estas no ocasiona caida de tensién que limite la potencia transmisible y de que los cables y aisladores aprovechan mejor sus propiedades conduetoras y dieléctricas. La ca. se produce directamente mediante generadores rotativos sineronos sin escobillas. El transporte y la distribucién en ca. tier aja de que los interruptores actian més ficilmente que en e.c. debido a los pasos por cero espontineos de la corriente cada medio ciclo de su onda. Ademis, se cuenta con los sencillos y robustos transformadores para ade~ cuar el nivel de la tensién a la poteneia en cada tramo de la red eléctrica (tipicamente, 20 kV en la generacién, 400 KV en las lineas de transporte de alta tensién, 34,5 KV en lineas de media tensién y 400 V en las Tineas de distribucién locales y en las instalaciones ordinarias de consumo; en estas ‘iltimas la tensidn fase-neutro es 230 V) de forma que las corrientes resultantes sean manejables, y para elegir la tensién de trabajo dentro de los aparatos y equi- pos finales. Ademés, los transformadores de ea. proporcionan la ventaja aitadida del aish- mmiento entre primario y secundario facilitando el empleo seguro y la proteecién de las lineas y de los equipos. Sin embargo, en las lineas de transporte de c.a. muy largas (por encima de 1,000 km en las aéreas y de 60 kin en las submarinas) la induetaneia asoeiada limita la poten= cia transmitida debido a la caida de tensién que origina, prefiriéndose en dichos casos la transmisién en c.c. en alta tensién (véase la Seceién 20.10). Aunque, como se ha visto, la generacién, transporte y distribucién local de la energia eléctrica se realiza casi siempre en ca y la mayoria de las aplicaciones la utilizan directa- mente, muchas requieren tensién continua (ferrocarril eléctrico en c.c., baiios electroliticos, motores de 6. para diversas aplicaciones, focos luminosos de gran potencia mediante elee- trodos, equipos de soldadura eléctrica en c.c., alimentacién de instrumentos electrénicos y de equipos de comunieaciones ¢ informéticos, ete.) que suele generarse mediante rectifiea- dores a partir de la c.a, de la red. Visto el panorama antes dibujado de generacién, distribucién y uso de la energfa eléetri- ca, se impone de forma natural que la Electrénica de Potencia, al servicio del control y la rogulacién de aquella, tiene como finciones bisicas las que se derivan de interrumpir la energia en los eireuitos de ec. y de cat, la de regularla y modificarla sin cambiar su forma findamental, cc. y ca, y la de transformarla de una a otra de estas formas. Por tanto, los circuitos fimdamentales son los siguientes: © es xerninfo 7Parte 1. Introduccion 8 © 11E5-taraninfo 4a) Interruptores estitioos de ce. y de ca, que permiten abrie y cerrar eitenitos eon tiempos de operacidn y sobretensiones controlados, b)- Reguladores de tensién conta, que permiten varia la poteneia entregada a la eur= 11 por una fuente de c.c, En los easos extremos en que esa potencia sea la méxima 0 aula, el regulador se comporta como un interruptor estatico de c.c. Entre ellos se encuentran los: — Reguladores de c.¢. disipativas, evando la regulacién se basa en transistores eon cafda de tensién variable. — Reguladores de c.¢. no disipativos, cuando la regulacién se basa en dispositivos activos trabajando en corte y en saturacién, con posterior filtrado o sin él ©) Reguladores de tensién alterna sin cambio de frecuencia, de fmcién idéntica a la an- terior, pero en ca, Ademis de los reguladores disipativos y no disipativos, sem tes a los anteriores, la naturaleza altemante de la tensién permite la existencia de cirouitos no disipativos basados en: — Transformadores con cambiadores de tomas en carga. — Reguladores de ¢.a. por inductancia variable polarizada. — Transformadores estabilizados por ferrorresonancia d) Reguladores de tensién alterna y de frecuencia, 0 cicloconvertidores. ©) Rectificadores 0 convertidores e.a.jec., que pueden ser: — No controlados cuando estin formados exclusivamente por diodos, La relacién entre la tensién de c.a. entrante y la de cc. saliente es constante. — Controlados cuando hay tiristores transistores de poteneia, La relacién entre la tensién de ca. y de cc. es variable. El montaje es reversible, es decir, puede tomar potencia de la salida de ec para entrogarla a la fuente de energia en e.a. de la entrada. Se dice entonees que funefona como inversor no auténomo, J) Incersores, 0 convertidores e.c.fea, aulénomos, que a expensas de una fuente de continua proporcionan una alterna de frecuencia fija o variable. La relaci6n entre la tensién de ec. y la de ca. puede ser variable, Por combinacién de algunos de estos montajes findamentales pueden conseguirse algn- nas de las fimeiones anteriores con caracteristicas adieionales, si bien el rendimiento dismi: nye pues la poteneia es tratada més de una ver. Por ejemplo, la conversién e.a.fe.a. de dis- tinta frecuencia puede lograrse mediante un reetficador seguido de un inversor anténomo, y Ja conversidn e.,/e.e. pnede conseguirse mediante 1mn inversor antnomo seguido de un ree- tificador (véase la Seccién 20.5). Por su parte, la Blectrotcenia logra resolver las interrupeiones mediante componen- tes clectromagnéticos (relés, contactores), y algunas de las demas transformaciones listadas sracias a las maquinas estéticas, o transformadores, y rotativas, siendo a veces dificil estable- cer la frontera entre equipo clectrénico y eleetrotéenico. De hecho, los estubilizadores por ferrorresonancia citados en ¢) son equipas electrotéenicos. —salvo en los dispositives de deteccién de sobrecomiente y sobretemperatura que puedan ineluir— lo mismo que los transformacores eon cambiadores de tomas cuando sus conmtadores son meeéinicos. Ejem- plo de equipo fronterizo, electrotéenico y electrénico, puedan eonsiderarse el estabilizador por divisor inductico deserito en la Seceién 20.4. Entre las transformaciones electrotéenica- mente conseguidas con méquinas rotativas estin la reetifieacién controlada mediante el con- junto motor asfnerono-dinamo y Ia inversién mediante el conjunto motor de c.c.altemador La Electrénica de Potencia suele proporcionar frente a la Electrotecnia equipos con las siguientes ventajas: — Mejores caracteristieas eléetrieas (respuesta mis ripida, mejor estabilidad, mayores posibilidades de vigilaneia y control, ete. — Auseneia de vibracionesCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia — Menor muntenimiento, al no haber partes méviles que se desgasten, — Mayor fabilidad y vida, eon algunas exeepciones como los estabilizadores de ea, fe- rrorresonantes, normalmente mis fubles que sus homélogos electrénicos — Auseneia de arco eléetrico, evitindose todos los inconvenientes a que da Ingar (des- gaste de contactos, generaeidn de ruido electromaguético, peligro de explosién en de- terminadas atmésfera, ete) ¥y con los siguiente inconvenientes: — Menor robuster eléetrica, es decir, menor eapacidad para soportar kis sobretensiones y las sobreintensidades, Esto exige el estudio exhaustive del eireuito de poteneia y la dleterminacién de las condiciones mis desfavorables de fincionamiento (incluyendo en To posible las accidentales) para cada equipo en particular. Con estas premisas se procede a la adeeuada inelusién de redes de proteceién y de elementos limitadores que hagan cl fineionamiento mis seguro. — Allgunos montajes son més caros; no obstante, este inconveniente lo es eada vez mi nos a medida que se avanza en la tecnologia de fabricacién y en la comercializa masiva de los semieonduetores de poten én Por todo ello, la Electrénica de Potencia se introduce cada vez mis ampliamente en la industria (interruptores estiticos, control de temperatura, estabilizadores de c.a., variadores de velocidad de motores eléctricos, carga de baterfas, convertidores auxiliares para ferroca- rril, electrénica del automévil, ete.), en la oficina (sistemas de alimentacién ininterrumpida, fiventes de alimentacién de equipos informaticos, ete.) y en el hogar (control de suminacién, cocinas de induceién, control de pequeiios motores, etc). 1.4 METODO DE ANALISIS DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICS DE POTENCIA Casi todos los cireuitos en Electronica de Potencia fincionan con sus semiconduetores 0 valvulas alternando estados de conduccién en saturacién y en corte. Es muy atil y no intro- duce un error apreciable considerarlos como ideales, es decir, cuando conducen, como un cortocinenito, y enando estén bloqueados, como un citevito abierto. Cada vez que un sem conductor cambia de estado, el esquema equivalente del circuito se altera y, por consiguien- te, tiene lugar un fenémeno transitorio en el sistema, Resulta asi que el réginien permanente de funcionamiento esté constituido por una sucesién periédica de regimenes transitorios. Los intervalos de tiempo en los enales no cambia el esqema equivalente del cirenito se denomi- nan simplemente intervalos. ‘A modo de ejemplo, en la Figura 1-2 se da un circuito rectificador con la forma de onda de Ia intensidad en R. El poriodo es T =f, ~ toy consta de tres intervalos. Encl intervalo 1 ambos semiconduetores estin bloqueados, puesto que, aunque el tiris- tor esti polarizado directamente, su puerta no ha sido exeitada. Esto ocurre en el instante dando origen al intervalo 2. Bn el intervalo 3 solo conduce D Para estudiar un montaje es necesario primero describir su funcionamiento, es decir, ‘maginar la evohicién de las diversas funciones. —tensiones e intensidades en Tos elementos del cirenito— durante eada intervalo. La variable independiente es el tiempo. El tratamien- to-matemitico comporta los pasos siguientes: a) Para el primer intervalo se escriben las ecuaciones diferenciales del cireuito equiva- lente, 1b). Estas ecuaciones se integran introdnciendo las constantes de integracién necesarias, 6) Con las expresiones analitcas obtenidas se determina el instante en que aeaba el intervalo, porque dejan de cumplirse las condiciones para las que es valido su esque- sma equivalente, Se provede de igual forma con el intervalo siguiente y asi con todos los dems hasta el fin del periodo. © es xerninfo 9Parte 1. Introduccion ye Sefiales de exetacion de T Ficurs 1-2 Interalos de fimeionamionto en un crit rctifcor. Las condiciones de contorno para hallar las constantes introducidas son las siguientes: 4) Giertas funeiones no pueden variar bruscamente. —la tensién en un condensador y la intonsidad en una bobina— y, por tanto, al principio de un intervalo tendrin el tnismo valor que al final del intervalo inmediato anterior. ) Dada la periodicidad de fimeionamiento, cada fneién tiene igual valor al prineipio y al final del periodo. En realidad esta condieién esta ineluida en la anterior Con objeto de estar familiarizados con el tratamiento analitico es conveniente repasar algunos temas de la Teoria de Cirenitos, lo cual se hace a continuacién 1.5 INTEGRACION DE LAS ECUACIONES DIFERENCIALES Para eada intervalo de fincionamiento el eireuito queda definido por um sistema de ee ciones algebraicas y diferenciales, ls euales es preciso integrar. Sea x la funcién en ene 10 © s2e5-2araninfoCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia que te es la intensidad o la tensign de iniembro de ka eiacin aparece ka funeién y sus derivadas y en La solucién eonsta de: rama, En el prim sgundo la perturbacion, 4) La solueién de la eenacién homogénea, es decir, con el segunda miembro nulo, Co- rresponde al régimen transitorio o régimen libre, x, en el cual la perturbacién es cero, b) Una solucién particular de la ecuacicn completa, que puede ser la correspondiente al régimen permanente o régimen forzado, x» As plies, ran tay (uu) El niimero de constantes de integracién es igual al orden de la eenacisn y sus valores se obtienen de las condiciones de contorno, 1.5.1 Aplicacién del método temporal a las ecuaciones dle primer orden Sea luecnacién a(ds/dt) + br = f(0), siendo xy el valor de la funeida y x, el del término forzado, ambos en el instante inicial t= 0. La sohicion libre tiene la forma x, = Ke y, eomo x =a; +29, se tiene en el ins- lunte inicial x, = K +5, y, por consigniente, la solneién general es x= (9 ~aJe MY + 25 (1.2) Alvalor t= a/b se lo denomina constante de tiempo del cireuito, Su inv ciente de amortiguamiento, «= bia. En el caso de que el intervalo comience en el instante = fy en vex de en el supnesto 0, en el exponente de la eenaeién aparece (¢ ~ 4) en ver det Como ejemplo de aplicacién vamos a resolver el eirenito de la Figura 1-3. Se trata de un reetificador en que la carga es resistiva, el filo es una inductancia y la fuente de energia tiene nula su impedancia interna y genera una tensién senoidal e = E,senal. Se va a calevlar la intensidad en la carga ss el coef Intercalo 1 el diodo se polariza directa- an la fuente, Ly R, y su ecuacién ‘Tan pronto como en el instante inieial ¢ se hace posit mente y conduce. En el esquema equivalente solo apare diferencial es di LG + R= E, sent (13) Enel régimen permanente —o forzado—, es decir, cuando ha desaparecido el régimen transitorio, es sabido que se verifiea que el valor de pieo de la intensidad esté dado por EZ, siendo Z= JR? +0°L? y que la intensidad esté retrasada respecto de la tensién de la fuente un éngulo g = aretg@L/R. Por tanto, i= (E,/Z):sen(on ~ 9), cuyo valor inicial es eng (a) El valor inicial de la intensidad es iy =0, puesto que ese era su valor inmediatamente antes de empezar a conducir D y no puede haber discontinuidad por la presencia de L. La solucién general es entonces E, ME, sen ge t+ —sen(at — 15) 78 7 sen let — 9) (15) El intervalo acaba cuando se modifica el esquema equivalente, cosa que ocurre evando se anula l intensidad y D se bloquea, El instante final, f, se ealeu con ka condién senge |" +sen(at, ~ 9) =0 (1.6) © res-Paraninfo 1Parte 1. Introduccion 12 © s285-2araninfo Ficus 13 Circuito de primer orden Intercalo 2: Comienza en t, y en el esquema equivalente D aparece como un citenito abierto. La tensidn del diodo es igual a la de la fnente. El intervalo acaba cuando e se hace positiva y el diodo se polariza directamente, completindose asi el ciclo. E] periodo de la intensidad coincide con el de la fuente. 152 Aplicacién del método temporal a las eeuaciones de segundo orden Sea la eenacién a(d?x/dr®) + b(dx/d) + ex =f, siendo xy y x4 los valores de la funeiion y de su derivada y x, yj, ls valores del término forzado y de su derivada, todos ellos en el instante inicial t= 0, La solueién libre esx, = racteristica ss de la eonacién eae ye + Ky-e, siendo ry y ry las aa eet as) og Ve a El valor 2=b/2a se denomina covfiviente de amortiguamiento, a @, = /ela, pulsa: cin de resonancia, y a @)= fa? ~ 22, pulsacion natural. Ambas pulsa cuando no hay amortiguamiento.Capitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia nhus raiees son reales y el régimen libre es aperiédico, La solueién es r=Ke"+ Kg" +y (9) ralto — te) — (4) (110) rio ~ Ry) ~ a — 4) ‘ie ~ se) ~ Go — #4) ten) Para el amortiguamiento eritico es 1 =u, y hay una rafz doble. La solucién es =e "(K, + Ky) +2; (ag) Kane (aus) 2 = (ty — x4) + aly — xq) (1.4) Para 1 < @, las raices son complejas y el régimen libre es subamortiguado dando Iigar a ‘na forma de onda sinusoidal amortiguada 4K, cos eat + Kysen on!) + xy (1.5) (1.16) (a7 Este tercer caso es el que se da con mayor frecuencia en los cireuitos electrénicos. Como ejemplo vamos a resolver el cirenito de la Figura 1-4, muy usado en la conmuta- jal tiene Ingar con el disparo de Ty los valores U,ei = 0. Alentrar T en conduceién las eevaciones que rigen el circito ee (118) weg ws ot Lay 4 a oa) Ficuea I Citenito de segundo orden © 115 terninfo 13Parte 1. Introduccion 14 © s285-Paraninfo y sustituyendo la segunda en la primera udu Loge t RC tu=0 (1.20) De ella R a=— y ©, = (21) D Jie El valor de R esta determinado por las pérdidas del circuito (en E, en T, en el eableado) yes muy pequefo, de manera que se cumple que # <«, y estamos en el tercer caso. Esta condicion significa que R-<2,/1IC. El régimen permanente no existe porque no hay perturbacién: uy = 0. Calenlemos las constantes de integracién tty = U; (1.22) ul,= (1.23) como uj =0, también ug u, (1.24) “ K,=—U, (1.25) a y la solucién es. a 4 = Ue Moosay + vena) (1.26) La intensidad esté dada por de azz) a Ambas formas de onda estin representadas en la propia Figura 1-4, El intervalo acaba euando se anula la intensidad y T se bloquea. A partir de este instante Ja intensidad es cero y la tensién de C polariza inversamente al tristor. El instante ¢, se ealeula con la eondicion i= 0 sen et ose, == (1.28) y la tension del condensador es u(t,) = -Ue-™ (1.29) ceuyo valor absoluto es inferior al valor U, de partida debido al amortignamiento, En la Seceién 1-8 se da una tabla abreviada de derivadas e integeales que puede ayudar en este método de eéleulo, 15.3 Aplicacién del eéleulo operacional En los dos apartados anteriores se ha usado ol método temporal para la resolu de kas ectuaciones. Cuando los cirenitos poseen varias mallas es preciso resolver un sistema de cenaciones diferenciales y la complicaeién puede ser extraordinaria, Es mis fieil, en mayor parte de los casos, acudir al edleulo operacional, el eual permite la transformacién de las ectaciones dierenciales en ecnaciones algebraicas normales desapareciendl la variable tiempo fy apareciendo la variable freenencia eompleja s. Este tipo de transformacion tiene ademés la virtud de considerar explicitamente las condiciones iniciales del problema.Capitulo 1. Introduciin a fa Electronica de Potencia Se puede emplear para ello kt transformacién de John Remington Carson (Laboratorios Bell), definida por la integral Fs i Sire" (a0) y la translormacién de Pierre Simon Laplace (1749-1827), definida por la integral FG) f fi-e*-dt (1.31) rueho més extendida. Le fineién del tiempo f() se llama transformada inversa, o antitrans- formada, de Ms). A veces se escribe con el operador £1[], de modo que puede eseribirse la transformacidn inversa de este modo: si) = £-1F(s)] (1.32) La esenein de estas geniales herramientas consiste en que permiten obtener resfimenes intemporales (en el dominio de la frecuencia compleja) de evoluciones temporales, para ope rar en 1m plano mii arquetipico en el que la expresién de las relaciones y la de su solueidn Asi, los productos en el dominio del tiempo pasan a sumas en el de la fre- ju, los cocientes a rests, las integrales a productos y las derivadas a cocien- tes. Obtenida la solucién en el dominio de la frecuencia compleja, se devuelve al dominio del tiempo con ayuda de una tabla de antitransformadas y las condiciones de contorno'*. El detalle del procedimiento de cdleulo con la transformada de Laplace es como sigue Después de establecer las eenacion vrenciales temporales que ligan los valores de las distintas variables del sistema, los diferentes términos se transforman uno a uno y se obtiene FOO6RARA H1 Fee Sian Lape (14 axsanjuio de;peuaciones aleshralcas qa. sts pouanioogs sa enielvensigcireiameniny, ister ale aceee se despeja la transformada Fs) de la funcién buscada, La expresién se denomina soluciin Sse Unt ‘operacional, La solucidn temporal deseada f() se obtiene entonces simplemente hallando la antitransformada de esa solucién operacional en unas tablas. (Véase la Seccién 1.9. Pueden encontrarse ejemplos de antitranslormadas de Laplace en [1-14],) A titulo de ejemplo se va a resolver el interesante circuito de la Figura 1-5 de tan fre- cuente aplicacién en la Electrénica de Potencia. En el instante inicial la tensién del condensador es U La resistoncia R representa las pérdidas del cireuito, euy Q = @,LUR, siendo ©, la pulsacidn de resonancia, La ecuacién difereneial es y la intensidad en la bobina es Jy factor de calidad esti dado por (1.33) WO)= 4 AO)=4 Ficues 15 Circuito bision RLC. is dele de a tenor de ey desis propiedades en [114], pp 180-20, © sEs-Paraninfo 15Parte 1. Introduccion io) =1, asd) Su transformada de Laplace es E 1 t= SG He) + Holl) 1) + RAG) (35) Despejando, E-u, Aa eT (0.36) TL te cuya antitransformada es, suponiendo el easo oscilatorio, dado el bajo valor de R, =F acon out — 1, ee toen(ad - 9) (1.37) Bae Maamand he ten (od — 9 31) siondo 1 one y deat (0.38) Vic o marci (1.39) Puesto que las pérdidas son relativamente pequefias, es 0, >> ay pueden hacerse las s- {uientes aproximaciones: > 0, (1.40) x ons oy yeomo 4=—* se tiene para la intensidad 1-5 pa Hacienda X oC senot + a (an) AX se la denomina impedancia caracteristia del cireuito La expresién de la tensién en el condensador se halla de manera similar. La ecuaeién integral es le wats fiw (1.42) y su transformada de Laplace vo) = 24 Lay =2 wee) (1.43) L* "1c cuya antitransformada es a, ~E-Ure (sen aagt + @) + * sen cod (1.44) 16 © s245-ParaninfoCapitulo 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia aque con las aprosimaciones (1:40) resulta E + [Xhsenaf ~(E ~ U)cosaf]-e (920! (1.45) 1.5.4 Integracién numérica Hay ocasiones en que, por la complejidad o caracteristieas del eircnito, no es posible © ‘no interesa hallar la solucién analitica de las ecnaciones diferenciales que lo definen. La inte- sracién numérica con Los procedimientos numéricos proporeionan punto a punto el valor aproximado de las fineiones intograles buscadas, siendo inherente a todos ellos la presencia de error, Canto :nis simples sean los fleulos y evanto menor sea el error que impliquen, que deber’ acotar- se en cada caso, tanto més ventajoso seré el procedimiento adoptado. Hay un gran niimero de métodos (de Leonhard Euler, de Thomas Simpson, de Carle Runge, ete.}, pero sin lugar a dudas el més usado es el de Runge-Kutta (Martin) (de 4." or- den), que se describe a continuacién, Sea la ecnacién diferencial ye entonees tna potente herramienta alternativa de eéleulo, & 1.46 qa ft) (aa) siendo x =x, para t=, Para un instante h posterior (At =, A) se caleulan los siguientes inerementos corregidos: ky =hf(t, 2) (147) ky = hflt, + 0.5h, x, + 05k) (148) Af (i + O.5h, x, + 0.5k3) (1.49) Df, +h, xy + hy) (1.50) yeel valor de la funcién en el instante f, es ajay =a + (ky + ky + ky + KYB (151) La fimeién se va asi obteni desde el instan ido por puntos (cada uno a partir de suv inmediato anterior) © inicial fg (el subindice é vale cero) en el que el valor de la fiuneidn es conoci- do, 4 Esto método da un error de quinto orden, siendo la aproximacién conseg mayor euanto menor se elijah Las ceuaciones difereneiales de orden superior pueden igualmente integrarse numériea- mente de manera eémoda, puesto que una cenacién diferencial de orden n equivale a un sistema de n ccuaciones diferenciales de primer orden. En este caso, cada uno de los inere- rmentos corregidos de cada fimeién se caleulan simultineamente, Por ejemplo, considérese el sistema de dos ecnaciones siguiente: da tanto cs (152) Gohths a) 52 a ile (1.53) a Fomuerasa 12 Leow fier (0.7, tn in fess less ramice Cone Anon Une, © 115 eeraninfo 17Parte 1. Introduccion 18 © s2E5-2araninfo mentos corregidos son WS.ly x0 0) (154) (1.55) (1.56) (157) ky. = fill + O5h, x; + Oks, 4s + O.5ksy) (158) ky, = Afulls + O5h, x, + O5k,,. y, + 05k.) (1.59) WG + by 8, + hays as + hy) (1.60) Kay = fills + ha ay + Kay th + an) (1.61) yel valor de las funciones en el instante siguiente: sient iat Bes + 2k, + bi (1.62) Yer = Yt ky + Bkyy + ey, + hy iO (1.63) Un cireuito formado por n, condensadores, ns inductancias y ny resistencias esti definido por im sistema de my +n ec Los métodos de integracién mumérica son extremadamente ficiles de apliear con la ayu- da del ordenador, el cual puede suministrar los resultados tabulados 0, lo que es mas intuit vo, dibujar las formas de onda. Se prestan como herramienta ideal para el estudio de los regi Ja Figura 1-6 se da la intensidad de orden de la Figura 15-13, integrada numéricamente, cu Jar alterna u (dato), teniendo conectada a la salida una determinada carga, En un cierto ins- tante la salida se cortocireuita y la onda rectangular alterna, eon un pequeio retardo, se es- trecha considerabl Como conseenencia se produce un pico en li intensidad de entrada, siendo su evolueisn posterior més sinusoidal 20ms heosms Instanta do produceén ‘el cortocruto FicuRs 16 Intensdad de entrada aun fil de ca. abtenida por integaciin numéricaCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia 1.6 REPASO SOBRE LAS FORMAS DE ONDA PERIODICAS En régimen estacionario de fineionamiento la tensiones ¢ intensidades que aparecen en Jos cireuitos electrénicos son de naturaleza periédica. Si se trata de uma intensidad, por ejemplo, se verifiea que iQ) = it + 1), siendo T el periodo. Eneste apartado se tratard de los valores caracteristicos de una onda, del desarrollo en serie de Fourier y de la potenei 16.1 Valores caracteristicos de una onda Todos ellos se representan con mayiisculas. Tenemos primero el valor de pica, ly (supo- nemos que se trata de una intensidad), que se define como el valor maximo de la onda recti- ficada fi. El calor eficaz, Lo 1., se define como la rafe enadrada de su cuadrado medio fr. 6 El valor medio viene dado por r de id 1.65) | "id (1.65) anngne, generalmente, por él se entiende el valor reetificado medio definido por if lide (1.66) Para dar wna idea de la forma de la onda se da su factor de forma asn y su factor de pico (2.88) 1.6.2 El desarrollo en serie de Fourier Las fneiones periddicas, cumplidas ciertas c ; , pueden ser descompiestas en uina sma que consta de 4) Un término constante, que es la componente continua. 1b) Un término sinusoidal lamado componente fundamental, que es de la misma fre- ceencia que la fimeién que se analiza. ¢) Una serie de términos cenyas frecuencias son mi imusoidales lamados componentes arménicas 0 arménicos, tiplos de la findamental Es decir, - is (78 J) = 2+ A,cosnat + B,sennat) (1.69). stot eames 7 det ie oie ases con Crs een ri feed Snil at pose Seay ea Ter lies kr fcosnotd, — n=0,1, 2,3, LT) Seago a nae ale © 1185-Paraninfo 19Parte 1. Introduccion Fan 17 Spi Sid pa) 1 queef on adn tae srs G28 de epi en ie ease tate rane Ho: iam en arte ee en eee ‘ana repute. 20 © 1145 Poraninfo [°°" fasennardl, n= 1,23, az) siendo ¢, cualquier instante y @ = 22/T, La magnitud de un arménico puede tener signo positivo 0 negativo, estando en fase o en contrafase con la onda fundamental en los pasos por cero, respectivamente (véase Fignra 1-7). E] término constante Ap/2 es el valor medio de la funcién. Los términos A,, B, son los valores de pico de las componentes sinusoidales, Como para cada arménico (0 para la fanda- rental) las dos componentes A, y B,, estin desfasadas 90°, la amplitud de cada arménico 0 de la fundamental) viene dada por /A2 +B El desarrollo queda notablemente simplifieado gracias a las simetrias de la funeién, las enales pueden ser evideneiadas en ocasiones gracias a una adeenada colocacién de los ejes de coordenadas — Caso de funeién par, f(t) Carece de (“9 términos en senos y los otros pueden ealenlarse de manera simpliieada a fn | ® F()cosmat dt (72) — Caso de fncién impar, (0 = —f(—) Solo tiene términos en senos, que pueden calenlarse asi B,=> | ‘fit)senneot dt (1.73) — Caso de fimneién alternada, f(t) = fl + 72) El término Ay es nulo y también los arménicos pares. Los impares pueden caleularse simplificadamente asi Agger -; [' SlQcos(2k + lord, k= 0,1, 2,3... (1.74) (son(2k + Nord, —k =0,1,2,3, (1.75) Es de notar que hay funciones que presentan a la vez varias simetfas, ‘Vamos a ver a continnaeién la relacién que existe entre el valor efieaz de wna onda y si desarrollo en serie. Supongamos que se trata de una intensidad, i= 4), Se demuestra fi- cilmente que T= fe Pdi= T +S ALY BD + = (1.76) yeomo 1, = \/A® + B2/./2 es el valor efiewz del arménieo n, resulta (PaPaBtosPaw IJ tht hte tht (77Capitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia Onda Valerrecifeado | Valor efcaz Fector de trma Factor de pico sent 2 “ a2 % a = * z sane teosa | ap (fens Nie pottcone | Ap feen2e 2 ad = | a2 ieee sont 2a a [sen 20° «= 006 a= cos a 2° 10 een tate ie Gag enters Roorreerrd 2 tesa farsa + FSdS me hae : oAp me | Sh AN. not | Pe lente toe fe “ ler . th (Contin) © 1Es-Paraninfo 21Parte 1. Introduccion Onda ‘Valor recicado Valor efeaz Factor deforma | Factor de pico toh % al- ‘Sls Taste 1-1 Valores asoeios a ondas periieasusules,(Ampliado por R. Zamorano, ETSIL, UNED, a paste de {1-14} Para dar una idea de e6mo se asemeja kt componente alterna de una onda periddica @ tuna senoide o, lo que es lo mismo, para saber su contenido de arménicos, se da la distorsion de la onda. La distorsién de un arménico eualquiera se define como el valor eficaz de ese arménico dividido por el valor eficaz de la fundamental (1.78) La distorsin arméuica total se define, en conseeuencia, como el eociente entre el valor cicaz de la onda formada por el conjunto de arménicos exeepto el primero, o fundamental, y cl valor efiewz de la fundamental JE+R+— +E + 79) 22 © 045-turaninfoCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia Es obvio que Vit DE + + DEF (1.80) yaqne P=E,+ FO +0) (181) 1.6.3 Potencia La potencia consumida por un receptor que bajo la tensién u es recorrido por la intensi- dad i, es el valor medio de la potencia instantinea wi: 1 poet zi wie (1.82) ‘Su nidad es el vatio, W. La potencia aparente se define como el produeto de los valores eficaces de la tensién y de ls intensidad P, (1.83) Su unidad es el voltamperio, VA. Al cociente entre ambas se lo denomina factor de potencia f she al efecto de trerecia de resiseacaente ol ccitode entrada ye desi, sendo tna abrevatura de ionfer reso, Se debe «JR Pleee, quien lo propo dante una reuin ent oficina de N. Brain algunos meses dexpiés dl tamienl del digestive [1-10 p. 598] Forwctsa 4 Dts sli seta ean pore cicada. Cad tind, Forwcra 178. Set (190189, su fca el eda sit eT. xs Laban Bal st aba fo Bt y Bain cedcees air decors {21 Jen elpcen anoiesén eins, vel ass de in had 15, Nel een 8 Cae side trae Cana Forucea 4 J Buri 381) vin fans die jr Unies scr fi Tas pos 2 wil god eats silo stom Bal as 5). ‘ron ton asic epee Cac ob Bene 1 y 12 Cana eben © 1185-Paraninfo 29Parte 1. Introduccion retilica de contacto, Un paso contacto fine el empleo de una de tension, Tras el ésito del transistor de punto de contacto se enfocaron los esfuterzos al control de portadores minortarios, base real cel efecto de transistor, y tras repetidos fallos se aleanz6 la fértil y simple idea de que los portadores mayoritarios inyeetados por una unin P-N pasan al otro lado como minoritarios. La base de la teorfa del transistor de unién NPN, como hoy es eonocida, vio la huz en el enaderno de notas de Shockley el 23 de enero de 1948. El cami- no posterior a su construceién no fe fcil, y el propio inventor sefiala las etapas siguientes: nportante en la consecucién de este primer transistor de én P-N inversamente polarizada para conseguir ganancia 26 de junio de 1948; Hasta entonces se dedica Shockley a patentar estructuras ca paces de inyeceién de minoritarios y efecto transistor. “aulaLbntvistdl dae Segunda mitad del 48; Pruebas fisicas de la inyeceién de portadores. isd aks nitsoc Abril de 1949 Primer experimento con amplificacién de poteneia mediante eae. un dispositive con dos uniones P-N, una para el emisor y otra Chl Gy Nita ceo para el eolector. ata ols Oy, 1950: Se fabrican uniones P-N de calidad por eristales crecidos en baiio de impurezas controladas realizadas por G. K. Teal, M. Sparks y E. Buchler. En abril se prucban estructuras N-P-N erecidas y el dia 20 se demnestra na de ellas eon muy buen acuerdo con la teoria. La respuesta en frecuencia es muy po- bre debido al elevado espesor de la base, 1951 El interés de Shockley por usar prictieamente el transistor y la confianza de R. L. Vallace en el dispositivo si se consegu reducir el espesor de la base llevan a repetir la construccién con resultados sufieientemente buenos, en potencias de mi- crovatios, para impulsar el desarrollo prictico posterior. Posteriormente se desarrollarian diversas téenicas de fabricacion de la unién: por alea- cidn, por unién erecida y por difusién, 1951-aiios 70 Transistor bipolar de poten Transistor Darlington Ya en la década de los eincuenta se inicia el desarrollo de transistores de unin de poten- cia, consiguiéndose pronto componentes de decenas de amperios y voltios en efpsulas meti- licas. A partir dle los setenta se Hevan a eabo esfierzos notables por ampliar la potencia y la frecuencia del transistor de unién que en los ochenta alcanzan los 200 A y 2.000 V. La prin- cipal desventaja del transistor bipolar de poteneia, su redueida ganancia de intensidad (de alrededor de 10 a la corriente maxima), se ha contrarrestado con el montaje de Sydney Dar- Jington (1906-1997), de los Laboratorios Bell, en 1951 combinando dos o mis dispositives en cascada (aleanzando ganancia de intensidad a la corriente maxima superiores a 100) aunque a Foreeusa Pagettanscog ie costa de tina reduccién notable de la freenencia Kite de operacién. Aumque el montaje fui, de tests ein arlington se ha utlizado tempranamente combinando transistores bipolares simples, se ha Sere esc mee Cen ervializado en epeuls con dos dispostivos en cascada, primero, y con tres dispositives ids tarde durante los aitos se Lambda, Motorola y Thomson han desa- rrolkido excelentes gamas de transistores Darlington [1-9] 1957 Diodo tinel Es una variante de diodo de alta velocidad de transicin entre los estados de corte y conduccién, empleada en circuitos digitales rapidos y en eizeuitos de potencia de frecuencia alla y tensién de alimentacién muy baja, Se eonsigue dopando los semiconduetores mucho sameente que en los diodos normales. Fue inventado por Leo Esaki (1925), fisico dle Sony, dentro de su tesis doctoral sobre uniones P-N muy dopadas [1-7]. El eoncepto de 30 © s085-uraninfoCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia cleeto tinel es easi tan viejo como la propia mecinica eudntica y se habia usado eon éxito diverso para explicar algunos efectos fsieos eomo la emisién electrénica de metals frios, kt ruptura de dieléetrics y el efecto Zener. En el curso de la investigacién, Esaki enconteé un auticulo de A. G, Chimoweth y K. G. Me Kay [1-2] que alirmaba haber verifieado el efecto tiinel en uniones de silicio, Trabajando a partir de uniones aleadas, obtuvo un diodo operat vo de germanio en 1957, y en el aiio siguiente se pudo fabricar uno de silicio con la misma tecnologia. 1957 Rectificador controlado de silicio o SCR; 1966 TRIAC; —aiios 70 GTO. La compaiifa General Electric desarrolla en 1957 un dispositivo de silicio de euatro capas y tres uniones P-N capaz de bloqueo de tensién en ambos sentidos y de conduceién satnrada regenerativa en uno de ellos, eon control del paso a conduecién mediante un electrodo de puerta. La puerta no tiene aceién sobre el paso'a bloqueo, que debe hacerse por extincién de |k corriente por medios externos. Pronto otras compaiias como Westinghouse, Westeode, ASEA, SIEMENS, etc. so adentran en la investigacién de este y otros dispositivos multi- unin derivados (DIAG, TRIAC, SCS, GTO, LASCR) y englobados bajo el nombre genérieo de tiristores (en inglés thyristors), algunos de los euales alcanzan en pocos aiios a manejar varios miles de amperios y de valtios. De entre ellos, los de mis ineideneia en la Electrénica de Potencia, ademas del SCR, han sido el TRIAG (Triode AC semiconductor, tvistor de ini- ciacién a la conduceién controlada en dos sentidos), patentado por William F. Gutawiller, de General Electric, en 1966 y el GTO (Gate Turn-Off switch, tiristor de bloqueo eontrolade por puerta), probado en los sesenta e introchcido comercialmente en los setenta La Electronica de Potencia aleanza suv madurez en enanto a potencia manejada gracias a estos dispositives, que permitirin la realizacién de convertidores de hasta miles de megava- tios (sistemas de transmisién de c.. en alta tensién, vase et Capftulo 20) con buen rendi- riento, ya que la relacién entre tensién en conduceién y tensién en blogueo es ya muy baja (del orden de 0,0005) y menor que en los ignitrones (del orden de 0,001). Queda en esta familia de semiconductores de potencia, no obstante, la desventaja de no poder ser bloquea- dos por puerta (como los SCR y los TRIAC) o necesitar una corriente elevada para conseguir dicho bloqueo (coma en los GTO), lo que impide o difienlta emplearlos en aplicaciones de alta freeueneia 1958 Cireuito integrado El circuito integrado es ejemplo de desarrollo compartido. Jack St. Clair Kilby (1923-), a quien suele atribuirse su paternidad junto con Robert Norton Noyce (1927-1990), dice [1-8] “Este progreso no es el trabajo de un solo individuo, o de un grupo pequeiio de individuos. Ha sido posible gracias ala eontribucién de miles de ingenieros y cientficos de laboratorios y fiibricas de todo el mundo”. La electrénica con valvulas de los afios cuarenta, pesada y voluminosa (un bombardero B-52 necesitaba easi mil valvulas y diez mil componentes pasivos), empuyjo a los militares norteamericanos a la biisqueda de soportes mas pequefios. Tras diversos intentos, la intro- duceién del transistor supuso tna ayuda importante en la miniaturizacién. Entre los trabajos que inspird destaca el de G. W. A. Dummer, de la Royal Radar Establishment, Inglaterra, {quien supo prever agudamente las posibilidades de construceién de miiltiples dispositives y de su intereonexi6n que offeeian los cristales semiconductores, aunque hiego fracasara en si puesta en prictica con uniones crecidas. Kilby inicié su andadura en miniaturizacién en Centralab y pasé en 1958 a Texas Instruments, donde puso en funeionamiento un flip-flop a base de semiconductores de un tinico material, atmque no integrado en su estructura, el 28 de agosto, Entre el 12 y el 19 de septiembre loges probar un osciludor de desplazamiento de fase y un flip-flop con estructura integrada a partir de una oblea de germanio, Los circuitos ante- riores estaban construidos a partir de estructuras para obtener transistores diseretos. Enseghi- da se ampli la téeniea a la fabricacién de otros componentes con estabilidad suficiente, como condensadlores mediante capas de dxido en el silico y resistencias mediante difision © ses-Paraninfo 31Parte 1. Introduccion 32 © s045-uraninfo De forma independiente a Kilby, Noyce (eofindador de la empresa Fairchild Sem ductors en 1957) desarrollé una estructura semiconductora integrada algo mis prietica, bos obtuvieron su propia patente en 1959. 1960 Transistores FET y MOSFET modernos; aiios 70 VMOS, 0 MOSFET de potencia Mucho antes de la invencién de este transistor, el efecto de campo, es decir, el cambio de conductancia en un solide inducido por eampo eléetrico transversal, ue objeto de intenso estudio por parte de muchos investigadores. Recnérdense los trabajos antedichos de Lilien- fold y Heil. Reenérdese también eémo el transistor de unién pnede eonsiderarse wn resultae do colateral de la brisqueda de un transistor FET eficiente. Las miiltiples investigaciones habidas se centraban siempre en la biisqueda de una modulacién eficiente de la cond taneia del material base con la minima tensién aplicada al elemento inductor del eampo eh trico, Ello implica la necesidad de un material aislante muy delgado capaz de soportar gra- dientes de potencial del orden de 10° V/em, para enya consecucién se emplearon diversas téenieas. En 1955 I. M. Ross propuso la induecién electrostitica del eanal mediante un elee- trodo emplazado en la veeindad de la zona de base y aislada de esta, idea que results verda- deramente prictica varios aios més tarde, cuando D. Kabng y M. M. Atalht consiguieron nn material aislante adecuado, basado en el 6xido de silieio (de ahi el nombre de Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor, o MOSFET). El trabajo se presenté en junio de 1960 [1-3] La obtencién de transistores MOSFET de potencia, manteniendo la ventaja de control por tensiin de puerta, choes con la necesidad de una geometria en la que el flujo de porta- ores se hiciera de forma axial en la pastilla semieonductora y no transversal, de modo que se obtuviera el méximo de corriente de surtidor con la mfnima resistencia. Una solueién aveptable al problema vino de la mano de los transistores VMOS euyo nombre deriva de la forma en V de su estructura para conseguir cl eitado flujo axial (0 vertical) de cargas. Fue introducido eomereialmente por la firma Siliconix en los setenta. De esta estructura primera derivaron otras basadas en la combinacion de celdillas con la estructura bisiea antedicha que recibieron diversos nombres comerciales (HEXFET, 0 DMOS, de International Reetifie, SIPMOS de Siemens, ZMOS de Intersil, por ejemplo) 1-9} 1971 Microprocesador Intel comereializa cl microprocesador 4004 que contenfa 2.300 transistores y ejeentaba 60.000 operaciones por segundo, con una frecueneia de reloj de 108 kHz. Su potencia de cleulo se asemeja a la del primer ordenador de valvulas, cl ENIAC. Muchos cireuitos de con- trol de la moderna Electronica de Potencia serfan imposibles sin estos y otros dispositives para el procesamiento de sefiales de alto nivel de integracién (microcontroladores, FPGA o Pield Programmable Gate Array, DSP 0 Digital Signal Processors, RTS 0 Real Time Systems, ete.) Afios 70-1988 ICBT La biisqueda del interruptor de estado solido de poteneia ideal (capaz, de bloquear alta tensién con hajas pérdidas de corriente, de condueir alta corriente y de pasar del estado de bloqueo a eonduceién, y viceversa, con poco gasto energético en wn terminal de control y manejando haja carga de almacenamiento entre los terminales princi- pales) no ces6 con el transistor bipolar de potencia ni con los tristores, cuyas prineipales desventajas han sido glosadas brevemente. Las compaiias mis potentes de semiconductores hhan buseado y busean dispositives mejores, siendo hoy los materiales mis prometedores para conseguirles el arseniuro de galio, el carburo de silicio y el diamante, con los que se espera conseguir interruptores en el rango de miles de amperios, decenas de miles de voltios y con mayores temperatiras de trabajo. Hoy dia el dispositivo més cereano al ideal es el LGBT (Ineulated Gate Bipolar Transis- tor), una combinacién de transistor bipolar en su estructura principal y de FET en su region de puerta que combina ya el control de alginos miles de amperios, tension de bloquico deCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia hasta nos 6,000 ¥, frecuencia de trabajo de varios klohercios y bujas necesidades de excita cién de puerta, Los primeros IGBT, desurrollados por General Electric, datan de los ios sotenta y se popularizan en 1988 con Fuji. Hacia 2004 EUPEG y otros extienden la gama hasta 3.600 A y 6.500 V (véase para mas detalle la Seccién 3.1), Aiios 80 y posteriores Interruptores inteligentes de potencia La ntilizaciin fable de cualquier semiconductor de poteneia, y con mayor razén ta de un transistor de cualquier indole, pasa por su adecuada excitacin,vigilancia y proteecién, Des- de la década de los ochenta los transistores y otros interruptores de potencia se comerciali- zan a veevs integrando en la misma cipsula ia pastilla de poteneia y otras destinadas a ful tar las funeiones antedichas, de forma que el empleo del interruptor queda enormemente facilitado y asegurado, Tales semiconduetores de potencia se denominan interruptores o se icondnetores de poteneia inteligentes (Smart power en inglés). En semiconduetores actives de potencia elevada y alto precio se da a veces por supuesta la integracién dentro de la esp sala de los eirentos adieionalos mencionacdos sin que se eite expresamente ln denominueién de dispositivo inteligente 1.8 TABLA ABREVIADA DE DERIVADAS E INTEGRALES'? DERIVADAS ELEMENTALES 1 a | our nari dt dt 3 4 5 pare @> 0021 6 d du TY Gjeenu = eosu 8 |S cosu = ~senu dt de 9 |e teu = scot dt dt 10 | 4 cotgu = ~cosee de ur |S seou = seoutgu ae ad ‘ans oa bla de deride enol Capita 4 de [14] y ene Capitulo VIL de [1-1]. Vase otras alas de iter lesen el Capita 5 de [1] yen el Capel VII de (1-14). © 1185-Paraninfo 33Parte 1. Introduccion 34 © s5-uraninfo DERIVADAS ELEMENTALES » fe seu Spcoseeu = ~coscoucotgu a fe _ Sparesonu = d 4 | Sarecosu = au slo wetere 2 i ee Te at we |S wccotee a re acl dup + par w>1 “yas Tdt| ~ para w< 1 d para u>T 18 | arecoseeu = [; eet TNTEGRALES ELEMIENTALES 1 [rca aeuo x 2 |» du= "5 +K pia ne 3 [ara “4K pam @>0a¥1 J 4a 4 6 |ocnua —cosu +K 7 | | cosuda = senu +x 8 | tgudu = Infsecu] + K = —Infeosul + K 9 | feoteu du = Infenal +Capitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia INTEGRALES ELEMENTALES [sca = Infscew + tgu| + K= ‘ um o || me 3) +K n [eoeouda = = Infeoseeu ~ cotgu) + K 1 12 | | sentudu edu +K 13 { w= 242 + feostude=5 + jst hk 6 7 coscet du = —cotgu + K 6 = = senu — ueosu +K 1.9 TABLA ABREVIADA DE TRANSFORMADAS DE LAPLACE!* ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE Funciones potenciales de s Ne Fs) fo) Comentarios 1 1 it) Funeién impulsién o de Dirac 2 s 5@ Funci6n impulsi6n derivada a] sm=1393.) | ome Funeién impulsién de orden n +1 ams nas Ublas mis cimpltas en el Apéadice B de [1-6] y en Capitulo VIE de [114] Agpadecemas a J. dea Fardlad de Cieains Malemtias dela UCC. cuaborcsn en las randirmades con esos ilies © 108s-Paraninfo 3BParte 1. Introduccion 36 © s045-turaninfo ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE, Funciones racionales de s 7 4 1 Funeién eseal6n unitario 0 . ‘ 1 Exporonial oeaciene 1 en 6 Ltr a H 7 ‘ t Funcién tampa wnitaria ‘hig Seiden 8 sent 9 tee 10 senhat I u = (et) ‘xponendal recent oF 1 1 ose 12 l-et ite) 13 tet uM 7 1 ? lab) 16 : TF ast + bs)Capitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia “TRANSFORMADAS DE LAPLACE Funciones racionales de s ct faz para dy ~ <0 senh at 4 4 " araay~ > 0 wan fa, 2 Para ay oot 1 + Qhas + 0% A=0 iL para one 18 | para a? <1 4¢sen(@y/1 para A’ te para A? > 1 et genh (wo /A® — 10) aths 19 ath 20 cos aot tee a |S Pte 2 |= coshat 3B ceoshat + — b b 4 “iter a a © s0Es-Paraninfo. 37Parte 1. Introduccion “THANSFORMADAS DE LAFLACE Funciones racionales de s oy | hte pelo aed lean pina 26 (tape a fo + (a + bltle » | ‘ate at asP a 29 btes (i+ as? 30 |—~— ae -5 ai etd ae 5) 3% | Grea thy “la — by ctds ac~d + be-d t x3 |e __ a et Tra th) — lao "he : seroieanerigada 2 ® 2 ue |— e-senat Crate tte 3 |—“— e-*cosax @tarta® 38 © s45-uraninfoCapitule 1. Introduccién a Ca Electrica de Potencia ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE Funciones racionales des P tas ta, @ a Z>0 para ay a> siendo r = are t 36 an 2 araay~ F< 0 parady P< siendo r= are tgh ~ 37 38 #F2has +a para =0 cost para A? <1 sot sen(ory/ 39 siendo r = are tg para A? = 1 (1 = ae para A?>1 sen (wo /A siendo r= are tgh Ao © 1185-Paraninfo 39Parte 1. Introduccion ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE, Funciones racionales de s asth Ptas tay para a} — day > 0 go | perwat — 40, =0 act +(b pera a! —de, <0 oes +( Js siendo = fay 1.10 PRopLemas P 1-1 | Hallar la formula que da el fctor de potencia en el caso general en que tanto la tensién como la intensidad no sean seuoidales, suponiendo nulas sus componentes continuas La potencia apatente es el producto de los valores eficaces dle la tensidn e intensidad Solucién Py = U-1=U, 14 Diy hy/1# DR ana) siendo Dy, Dy las distorsiones totales de las ondas de tensién e intensidad, respect ‘Camo las eomponenteseontinuas son aula, segtin la Expresin (1.87) resulta: P= Uhcosg, += + Ul, 084 ++ = Ushy(c0s 9) + + DyyDincosQy +) (L113) siendo Dy, y Da lis dstorsiones de los arménicos de orden n de tensidn ¢ intensidad, respectivamente, El factor de potencia, por tant, es: P_ cosy + DusDigcosgs + = + DinDincosQy + oy I+ DR, JTF DR fe uy «que depende de los dngulos de desfase entre los arménieos de tensién ¢ intensidad del mismo orden (componente fimdamental ineluida) y de ls distorsiones de los arménicos de tensi6n e intensidad. Como se vaa ver a lo largo de esta obra, hay equipos electrénicos de poteneia que absorben de la fuente de energia que los alimenta una intensidad con una clevada distorsién. En el supuesto ideal de que la fente de energia tenga ina impedancia interna mula, st onda de tensién no va a resultarceformada por los arménicos de Ja intensidad, y si, ademés, dicha tensi6n es senoidal pura (componentes armdnicas nulas), Ja formula anterior queda asi 08 0) f sy V1+Dh expresién que solo depende del desfase entre la tensién y Ia componente fundamental de la intensidad, y de ka distorsign total de esta. En el Apartado 20.55 se valvers sobre este tema. ‘Veamos ahora el easo en que la tensiin y la intensidad tie siones de sus arménieos del mismo orden) y su desfase es verifea q J misma forma de onda (son iguales las distor- lo (este caso se ca para carga resstiva pura). Se ° 6) =O 40 © 1145 PorainfoCapitulo 1. Introducciéin a fa Electronica de Potencia Haviendo D, = Dy, _¥ sustityendo en (L114) se ene: 1+ Dpto + DR + See I (17) Vit Dit tit 1+ DES + DEF cs decir, el factor de potencia es la unidad si ambas formas de onda son iguales (independientemente de la distor. sin que tengan) y estin en fase, 1.1. REFERENCIAS" Libros y articulos [IAI]. 8. Fave, “Wink, blind- nnd scheinleistung in elekrischen stromkreisen mit nichisinnsfirmigem verlanf von strom und spanning”, E72, Bd. 53, pp. 595-599, 23, Juni 1952. (1.6.3) 1-2] A. G. Comsowens, KG. McK, “Internal ld emission in silicon pou juntions”, Phys. Ter, vol. 106, 1n.°3, pp. 418-426, May 1957. (1.7) [1.3] D. Kano, M. M. ATALLA, “Silcon-silicon dioxide field induced deviees", IRE-AIEE Soli Res, Con, Carnegie Inst. OF Technol, Pitsburg, Pennsylvania, USA, June 1960, (1.7} [i] R. Avses Ja, Eeuaciones diferenciales, México, McGraw-Hill, (ed. original 1952) 1969. (Nota [1-5] M. R. SrIECEL, Galrulo superior. Teoréa y problemas, Panamé-México-New York, MeGraw-Hill, Serie Schaum, 1969. (15) 1-5] MR. Smipcst, Transformadas de Laplace, Panamé-Mésico-New York, McGraw-Hill, 1970, {1.53 Nola 1-8} [1-7] _L. Esaki, “Discovery of the tunnel diode”, IEEE Trans, Elecron Devices, vol. ED-23, n.°7, pp. 644-647, July 1976. 1.7} [1-8] J. 8. KiLeY, “Invention of the integrated cirew 1n.°7, pp. 618-654, July 1976, {1.7} [1-9] _S. MastiNe2, La tprgraa !wloptal para mencioma hs distints Bras comerles no st mica pars apronimat l moa com cada na pefier enter cr ss docmenton Las referencias de Horo arts © ordenancronkigcamente, Las de docimetoxydrciones del we, por den allio de sito estamento generado, qe apree a prin, Por iid de lelzacin y de sued inverse, a vees wna min efeenci se repiteen dint eaptuls, sobe ado ena tac com card temas recon con cada rio de ello, © res-Paraninfo ALParte 1. Introduccion M, DEFENBROCK, H. CH, SKUDELNY, “Dynamic compensation of non-active power using the FDB met- Iod-hasie properties demonstrated by benchmark examples”, ETEP, vol. 4, n.°5, pp. 351-388, Sept /Oct. 1904, {1.63} [1-16] _M. Derexsrock, D. A. Maisnata, J. D. Was, “Formulating reqnirements for an mnversally applicable power theory as control algorithm in power compensators”, ETEP, vol 4, n.”6, pp. 445455, Nov./Dee. 1994. 1.63) [1-17] D.C, ROBERTSON, O. 1. Camps, J. S. MavER, W. B. GIsi, “Wavelets and electromagnetic power system transients”, IEEE Trans. Power Delivery, vol. U1, n° pp. 1050-1058, Apr. 1996. {1.633} [1-18] W. K, Yoos, M. J. Devavey, “Power measurements nsing the wavelet transform”, IEEE Trans, Instru- ‘mentation and Measurement, vol. 47, n.” 8, pp. 1205-1200, Oct. 1998. {1.63} [19] F. Mon, ¥. G&RDENas, J. VAguenO, S. MARTINEZ, “Phase synchronization and! measurement digital sys tems of ac. mains for power converters”, IEEE International Power Electonics Conference, CIEP 98, Morelia, Mésico, pp. 188-195, 12-15, Oct. 1998, {1.53} [1-20] M. CARDENAS, “Fills activos hibrides para compensacin a de potencia en sistemas trifisieos”, tosis doctoral drigida por S. Horta yS. Martinez, eenidel, Cnemmavaca, México, mayo 1999, {Nota 1-4} [1-21] F. Banneno, S. Mantivez, F. Veves, P.M, Mantivez, “Active power filer for line conditioning”, IEEE Trans. Power Delivery, vol. 15, n:" 1, pp. 319-325, Jan. 2000, (1.53) [1-22] A. Henvinnz, “Media y evalnacion en of dominio de la freevencia del parpadeo (flicker) producide por Ihomos de arco y anélisis de su propagaeién en la red” tesis doctoral dirigida por J. Garcia, ETSI de la UPM, Madrid, mayo 2000, {Nota 1-3} [1-23] F. Banneno, S. Martinez, F. Yeves, F. Mun, P.M, Manriniz, “Universal and reconfigurable to UPS active power filer for line conditioning”, IEEE Trans. Power Delivery, vol. 18, n." 1, pp. 283-200, Jan, 2003, (2.6.3) T. G. WILSON, “The Evolution of Power Electronies”, IEEE Trans. Power Electronics, vol. 15, n.° 3, pp. 439-446, May 2000, (1.7) F. DITIMANY, “The development of power electronics in Europe”, Nixdorf Museums Forum, Paderborn, Germany, 2002. {1.7} [1-26] 5. MONTESO, J. L. MOLINA, “Desurollo de proyectos en Elect 4c rama estudiantil IEEE-UNED, tic. 2004. {Fig, -1: 12) nica de corriente y correceién de factor view de Potencia”, Boletin electrinico de Documentos y psiginas web [1.27] EE CIRCLE, Communications & Signale-Symbolic inverse Laplace transform applet (subprogeat: fa intorative) {1.7} [1-28] IEEE, History Center: (1.7) [1-29] LUCENT TECHNOLOGIES, The exciting world of Bell Labs, 2002 - (17) (1-30) J.J. O°CoNNon, F. F. Rosextson, L. Euler biography, Sch. of Math. and Stat, Univ. St, Andrews, Seo- land, Dee. 1996) < {1.5.4} [31] J.J. O°CoNNo8, F. F. RoBERTSON, M. W. Kutta biography, Sch. of Math, and Sta, Univ. St. Andrews, Scotland, Dec. 1906 - (1.5.4) [1-32] J. J. OCoNNoR, F. F, ROBERTSON, P. S. Laplace, Sch, Math. and Stat, Univ. St. An Jan. 1998: < {1.53} [1-33] J. ].O°CONNOR, F. F. ROBERTSON, C. Runge biography, Sch. Math, and Stal, Univ. SU. Andrews, Scotland, Dec. 1996: {1.5.4} [1-34] J. J. O'CONNOR, F. F. ROBERTSON, T. Simpson biography, Sch. Math. and Stat, Univ, St. Andrews, Scotland, Dee. 1996: < (1.5.4) [1-35] D. J. Rawsey, A brief history of electronie: - (1.7} s, Scotland, 42 © 1145 PoraninfoPARTE I. COMPONENTESCapitulo Diopos pe roreNcia, Se inicia aqui la parte dedicada a los componentes espeificos empleados en la Electr nica de Poteneia, Aun evando mn cierto componente, ya sea ativo © pasvo, no eanbia en sus bases fisieas por lt potencia de operacén para la que estédiseiao, silo hace en ale sas de sus pecibardades construtvasy funionales yen la forma de defini. Lam: ria de ls vlvulas y semiconduetores empleados en potencia tienen que normalmente los han precedido en su uso. Ast genre con el tiratrén, el dio y el Ueansisor de unin bipolar y el BET. Sin embargo otros, como los trstres (salvo excep- clones) el IGBT y el iguittén, son componentes desarolados ab tito para ser empleados exchisivamente en el dibito de la poteneia, de modo que, aunque se supone que el lector «qe ubordla una obra de esta indole conoce la Electrica Genera, est ustieaa la neces dad de propor Electréniea de Pot Se ha preferido comenzat la exposieién por ls semiconduetores y vélvulas, por ser los mis cance 11s homslogos en sefal warle una visin sulci ate del mundo de los componentes aplicados a ht sticos, y terminar por los componentes pasivos. Dentro de los semiconducto- res se antepone el estudio del diodo de potencia aungne no sea este in componente activo ce el sentido de proporcionar amplificacisn y control libre de un proceso de coneuceidn, Si es un componente allamente alineal euyo eouocimiento interne sieve de antes al de los tiristores y al de los transistores de potencia, CoNnTENIDO 2.1 PRECEDENTES DEL DIODO DE POTENCIA. .....0... cues 2.2 DioDo DE UNION BIPOLAR, CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 2.3 CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL DIODO DE UNION . 2.3.1 Diodo en estado de bloqueo 2.8.2 Diodo en estado de eonduceiin 2... 2.4 CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO DE UNION 2.4.1 Reeuperacién inversa y direct 242 Diodos lentos y ripidos 2433 Sobrocargas transitorias 244 Diodos de avalancha controlada 25 Diopos SCHOTTKY DE FOTENCIA 2.6 DioDos ZENER DE POTENCIA 5 - : 2.7 GAMA, CARACTERISTICAS ¥ CAPSULAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA «.. : 61 2.8 HOJAS DE CARAGTERISTICAS DE DIODOS DE POTENCIA TiPICOS : 63 2.9 PROBLEMAS 2.10 REFERENCIAS © 115 eeraninfo 45‘Parte 11, Componentes 2.1 PRECEDENTES DEL DIODO DE POTENCIA, Como ya se ha dicho brevemente en la Seccién 1.7, los primeros diodos o elementos reetifieadores fueron los de punta metilica sobre sulfuro metilico y los de vaefo, ambos ¢ pleados inicialmente en el entorno de la deteccién de ondas de la primitiva radio. Los pri meros, descubiertos por K. F. Bran, munca Hlegaron a aleanzar una corriente ni tensién ele- vadas debido a su débil estructura, manteniéndose en el rango de muy pocos miliamperios y inos voltios. El diodo de vaeio de J. A. Fleming, en sus variantes de més potencia, ha gado a manejar intensidades del orden de decenas de amperios y a bloquear cientos de vol- tios, usindose ampliamente en las etapas de deteceién de los receptores de radio con vilvulas yen la fuente de generacién de continua de los reeeptores y emisores con vilvulas, La notable caida de tensin tipica en conduccién (dle varias decenas de voltios)y el gasto de energia para el calentamiento del citodo han desechado estos componentes, salvo excepciones, tras la apari- cién de los diodos semiconductores, cuya caida de tensién es del orden del voltio y no necesi- tan calentamiento adicional. Véase [2-13] Un precedente mas préximo en el tiempo y en su fimcionamiento a los actuales diodos semiconductores es el diodo de selenio (véanse la Seccién 17 y la Fotografia 1-5). Con tal dispositivo se legaba a rectificar corrientes de decenas de amperios, soportando tensi versa de unos 15 V en un principio. Bl hallazgo y constenceién fie puramente experimental - y respond a la Figura 2-1. Sobre una placa soporte que hace de dnodo, normalmente de aluminio, se deposita selenio impurificado con un halégeno. Sobre ella se apoya otra placa, Pee vee tien tee que sera el edtodo, de una aleacién de cadmio y estafio. Entre ambas placas se forma uma esspypeicass capa delgada de seleniuro de eadmio en la que se basa el proceso de reetificacion. La depu- racién de la téeniea permitié elevar la tensién inversa soportada hasta unos 50 V y la der dad de eorriente en las placas desde unos 50 mA/em? a I Afem?. Para trabajar con tensiones mayores se apilaban varios diodos en serie. La baja caida de tensién en conduecién de cada dodo (del orden de 1 V) da hugar a una caida total sumna no exeesiva, En bloqueo, ka reativa ‘mente alta intensidad de fiigas asegura un buen reparto de la tensién entre los diodos asoeia- ein i impurificado eo orate IN| | ol onaecrn i oe Anodo Qo bial ea @ D @ oo Aluminio. Q ——— seleniure fc a a = raetlore a Ficurs 3-1) Constraecn esuuematizada de un diodo de selenio. Adaptado de (1-13), 1) Plaas eomponentes de un diodo de seleni prietico. Crtesia de Condi 46 © s145-Porainfodos (véase 7.2.1). Estos diodos se montabun inicialmente sobre un vstagy roseado que atra- vesaba y sujetaba his placas (Fotografia 1-5), intercakindose terminales elgetrieos que permi- tian conseguir asociaciones mis 0 menos complejas (dable diodo unido por el extodo, priente de cuatro diodos, ete). Mas tarde se han empleado masivamente, husta la aparicién de los diodos de silicio, en pequeiias intensidades y tensiones de hasta varies cientos de voltios, encapsnlados como indica la Fotografia 2-2 eon diversas configuruciones internas. Han re presentado la solucidn habitnal para reetifieadores de poca potenecia en fuentes de alimes iin y otras aplicaciones. 2.2 DIODO DE UNION BIPOLAR. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA Las caract sticas eléctricas deseables en los diodos de potencia son prineipalmente: — Capacidad para soportar gran intensidad con pequefia caida de tensién en el estado de conduceién o de polarizacién directa, — Capacidad para soportar elevada tensién con peqne’ tado de bloqueo o de polarizacién inversa — Recuperacién ripida del estado de bloqueo, con baja intensidad inversa, tras el es- tado de conduecién, Esta caracteristica es deseable en los eirenitos que trabajan en alta frecuencia de conmntacidn, es decir, de paso del estado de conduccién al de blo- intensidad de fugas en el es- queo y vicoversa. Los diodos modernos a base de semiconduetores han venido a proporcionar ala industria cleetréniea unos elementos asi ideales atendiendo a las exigencias antedichas. Los antiguos diodo de gas y de selenio han sido casi totalmente desplazados dehido a la elevada eaida de tensién en conduceién del primero (unos 18 V) y a la elevada intensidad de figs y baja tensin inversa soportada del segundo, Los diodos de dxido de cobre, desarrollados experimentalmente a la par que los de sele- nio, se siguen utilizando tradicionalmente en los rectificadores de los aparatos de medida debido a su baja eafda de tensién en condueeién directa. No tienen ni han tenido aplieacién importante en ki Blectrénica de Potencia, salvo como medidores de tensidn ausiliares De los dos tipos de semiconduetores empleados normalmente, el de germanio (Ge) y el de silicio (Si), el primero presenta la ventaja de una caida de tensién en conduecicn més baja, de 0,5 V, frente a 1 V en el de silico. Sin embargo, este puede soportar una temperati- rade trabajo en la unién de hasta 190°C y elovada tensién inversa, mientras que el diodo de germanio pede funeionar hasta mos 110°C como maximo y soporta menos tensién inversa. EI diodo de silicio es el més empleado hoy, reservindose el de germanio para aplicaciones en que se manejan bajas tensiones e interesa redueit al minimo la eafda de tension en con- duccién. La Tabla 2-1 relleja las prineipales earucteristieas de los distintos tipos de diodos y Jos valores de sus parimetros. Molernamente se investiga en diodos de poteneia con otros materiales como el arseniuro de galio (2-4), el nitruro de galio (2-3), el earburo de silicio [2-14] y el diamante, buseando menor tiempo de recuperacién, mayor tensién inversa y mas alta temperatura de trabajo. Hoy se dispone comereialmente de diodos Schottky (véase 2-5) realizados eon los tres pri- eros materiales Las téenicas dle construceién de los semieonductores de potenecia de germanio y silicio han llegado a un grado de perfeccién extremada, consiguiéndose componentes de largoisima vida si trabajan dentro de las condiciones especificadas. Una de las mis utilizadas es la de difusion que, aplicada a la fabricacién de diodos, consiste basicamento en el proceso siguiente: Se parte de un cilindro monocristalino del elemento semiconductor (Ge o Si) dopado con impnrezas tipo N (donadoras de eleetrones) que ha sido fabrieado por crecimiento de un cristal semilla en un baiio de semiconductor fundido. El cilindro, que puede tener uno o mis metros de diimetro y varios de largo, se corta en discos mediante una sierra de hilo finisimo de tungsteno. El espesor del disco es de 1 mm aprosimadamente y depende de la tonsién inversa méxima que desee obtenerse Capitulo 2. Diodos de potencia © 115 terninfo 47‘Parte 11, Componentes 48 © s85-uraninfo Tatensidad Factor de Temperatura the | imetn a tude de | Conte | Denied | ES maxima’ tension | defugas "re" | mixima a) (WaU) ov to Noaplca Op enla De vio 10 | 1000 | soap | por cura | Bain | paca sao ei eit entra Ypordeneevs | som | nom | as | oom | oe [ff an | Mer | tae 7 Selenio so | Mp | Toe ome | alta 1 150 Grido desire | 10 | 08 | 0m | alw H 7 Geman. a0 | sw) os | opnnmas [Bae | i00 0 Silico som | 600 | 1 | ooo | Muybaw | 100 190 Arseniro de iio | — 4 7 {en diodos Schottky) 6 a0 La oonse Media m0 10 Carburo de siico os 5 (en diados Schottky) » 1200 * noa08 Baja 0 6 ‘Tua 2-1 Comparacin de los dindos de potencia en feién de sx material de base. El e- tor de caida de tnsinreflej el minimo dela pérdidas por eonduceiin que puede obtencrse cela reetifcaein, eypresidasen tanto por mid. Es na cifa de mévto importante enapleae canes de potenia, El disco de material N se introduce en un homo con atmésfera inerte en la que se ha inyeetado una determina eantidad de impurezas acepladoras, tales eomo étomos de indi, intenso y de poca penetracién por la misma eara que el anterior, par ir la resistencia clgetrica de la soldadura al terminal de énodo. En la Figura 2-2 se ruestra el perfil de concentraciones en sentido axial antes y después de la difisi ‘iméstera dopacora irate . © Antes del dopado a © ; 4 © Zz 1 Bh, ® iy 8 OTF Deepa cl eps o"" bo ‘Capa anédica ‘Capa catéciea i 2—tLels tor 7 Ficutn 2-2 Dopido en un dio dela patil 0 sustrato por difusin. Perl de eoncentracion de impsrezas.Capitulo 2. Diodos de potencia Forocraris 23 Horos de dfs de obless de semiconductore. Cores de Labortoros Bell Otra t6eniea de menor precision es la de wnién erecida. Consiste en dopar alternativa- mente con impurezas P y N el bafio de semiconductor fundido durante el proceso de ereci- miento del eristal semilla (Figura 2-3). La barra de semiconductor monceristalino obtenida se sierra posteriormente para separar cada pastilla y esta se encapsula, Vecio © Ee ottve 2s norte y extractor | crit! somite | bode Bobi de Inauecen py eee Gratto — Ficuns 23 Fabricacin de diodos por unin erucd La téenica que permite controlar de forma mis exacta el espesor de la pastlla y grado del dopado es la de crecimiento epitaxial. Sobre una lamina de cristal semiconductor puro o sustrato se depositan nuevos itomos procedentes de una fase gaseosa, Este gas puede im- purifiearse con étomos de donadores o aceptadores que sustituyen algunos tomos de la red Cristalina, La reaccién quimica principal es la reduceién del tetracloruro de silicio 0 de ger- manio Sicl, +2 W225 si+4clH En la Figura 244 se representa grficamente la deposieién de una eapa tipo N mediante Ja adicién de boro. © 1185-Paraninfo 49‘Parte 11, Componentes 50 © st rerninfo e ® 9g" © & 8 en 4 ® ® + PY ©®GS®O8OO98 ©@O9O9O9O®8 0,8, 8.8,8.8| Sus | see etaiton ©@®O9@9O08 ®@®@ee0080 Ficus 2-4 Creacn dela unkn den diodo por ereemiento epitasial Las bordes del disco o pastilla semiconductora suelen contener muchas imperfeeciones en la red cristalina e impurezas depositadas a lo largo del proceso de fabricacién qne darian origen a zonas débiles para soportar la tensin inversa. Por ello el borde es desbastado y biselado como indica la Figura 2-5, obtenigndose también de esta forma un menor gradiente de potencial en el mismo y mayor tensién inversa soportada. Supercies equpotenciales Ficura 25° Bisehdo de los bordes de ls pastily de wn did, Dis ‘equipotencies, uciin de supericies 2.3 CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL DIODO DE UNION Los fenémenos intemos que rigen el fimcionamiento de los diodos de potencia de silicio y germanio son exactamente ignales a los descritos en obras de Electrénica Basiea para los diodos semiconductores en general. En el caso que nos ocupa, el érea de la pastilla es apre- ciable y las corrientes manejadas son altas. Esta es la difereneia fimdamental con un diodo de unién para peqnefias corrientes, 23.1 Diodo en estado de bloqueo Aplicando una tensién inversa Ey a los terminales de un diodo de forma que la capa anédi- ca P sea mas negativa que la eatédica N, los portadores mayoritarios de ambas son atraidos hacia los extremos de la pastilla, ensanchéndose la zona de carga espacial y vaciéndose de por- tadores. Aparece una barrera de potencial en la unién, del mismo valor aproximadamente que |a tensicn inversa aplicada exteriormente, que suele sor muchas veces superior al poteneial de ‘unin U,, La eorriente de mayoritarios I; cesa préeticamente y la de minoritaris 1, aumenta respecto del valor que tiene con la unin en equilibrio hasta el que le permite la concentracién de los mismos, que es prieticamente independiente de la tensién aplicada pero erece con la temperatura, Esta corriente inversa de suturaciin o corrionte de figs es muy pequeia, espe- cialmente en el silicio, y puede decirse que el diodo no eonduce o esti bloqueado.E extremos del diodo cortoci Figura 2.6 se hun representado las distibucion en sentido axial en el interior del e cnitados, en de carga espacial y de potencial I. Las lineas de puntos indican la sitnacién eon los 1yo caso ambas distribuciones se modifiean ligera- aente hacia los extremos del cristal respecto de lis curvas obtenidas en equilibrio (termina les del diodo en eizeuito abierto) para dar una carga neta y un salto de poteneial nulos en toda la pastlla, Por claridad se ha representado U, no mucho menor que Ey, Ue rte Ue pea ineo Ue peo repel Ue abaio carga eepacial 100 wa (150°C) THAGE'C) 4 Diforenca de potencial Circuito equivalent ‘aproxmade es de carga y de pencil, Caracteriatic ‘euge ~ i Circuito equvalente, Definieiin de lensiones eateries. Puede verse en la caracteristica gc ~ iy que la intensidad inversa es muy pequeta (la a 2.6 puede corresponder a un diodo de silicio de 100A y 1.000 V) y que anmenta Juertemente con la temperatura. El fabricante suele definir en la zona préxima a la avalancha cuatro tensiones caracterfsticas del diodo que orientan al usuario para emplearlo correcta- mente, a saber Tensién incersa de trabajo: Puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de calentamiento por avalancha, Tensién inversa de pico repetitivo: Puede ser soportada en picos de 1 ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido, Capitulo 2. Diodos de potencia © s85-Paraninfo 51‘Parte 11, Componentes 52 © s045-turaninfo Tensién inverea de pico dnico: Puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos © mas, con duracién del pico de 10 ms. Tensiin de ruptura: Si es aleanzacla, aunque sea por una vez y eon duraeién de 10 ms. 6 menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caracteristicas eléctrieas (salvo en los diodos de avalancha eontrolada operando dentro de sus limites) Hay que decir que no existe una norma universalmente aceptada para definir estos pari- metros y aqui se ha expuesto el critetio mis corriente entre los fabricantes. Lay peérdidas de potencia en blogueo son extremadamente bajas porque son iguales al producto de la tension inversa soportada por la intensidad de fugas y esta es muy peque’ia sobre todo en el siieio, aunque aquella pueda ser grande. Normalmente sueclen despreciarse frente a las pérdidas en conduccion (véase el Problema 2-1, pregunta 4). Si se quieren tener en cuenta, se puede emplear la Formula (4.1) justificada para el tiristor en blogueo al final del Apartado 4.2.3, pues los fenémenos eléctricos son muy parecidos. El cireuito equivalente de un diodo en estado de bloqueo puede aproximarse para la mayo- rfa de los casos pricticos a un circuito abierto, aunque seria mis correcto desde un punto de vista teérico asimilarlo a una fuente de intensidad muy baja dependiente de la temperatura. 23.2 Diodo en estado de conduceién Si se aplica a los terminales del diodo una tensi6n directa, los portadores mayoritarios son empujados desde los extremos de la pastilla hacia la unién y pasan a la capa opuesta como minoritarios. Esta corriente 1, aumenta enormemente respeeto del valor que tiene en cequilibrio, de forma que la de minoritarios en sus capas de origen I, en sentido contrario es inte, Ademds, esta disminuye ligeramente respecto del valor de equilibrio porque in que la favorece se reduce, debido a que la abundancia de mayoritarios d de carga en las proximidades de la unin, Estos fenémenos estin deseritos en la Figura 2-7, en la que aparecen las enrvas de den- sidad de carga espacial y de potencial. De puntos se han dibujado, como contrast, las eurvas con los extremos del diodo cortocircuitados. En la eurva de potencial se aprecia que la cireu- Jacion de una intensidad en las zonas P y N produce una pequetia eafda de tension debido a |a resistividad del semiconductor. La diferencia de poteneial total uc es la difereneia de las caidas resistivas y del poteneial de unién, que es de sentido contratio. Aquellas son aproxi- rmadamente proporcionales a la intensidad directa y esta disminuye ligeramente con ella, de forma que el potencial total 4c, es de 1 V aproximadamente en los diodos de silicio para 1a intensidad ignal a la nominal, Para los de germanio suele estar alrededor de los 0,5 V. Notese que en la Figura 2-7 se resalta el soporte de la corriente I, en los portadores mayoritarios de suis capas de origen, huecos en la P’y eleetrones en la N. Sin embargo se dice a veces en el argot de los semiconductores que los diodos de unidn basan su conduceién en portadores 1minoritarios, contrariamente a lo que sucede en los diodos. Hay que hacer notar que en el estado de conduccién el diodo no sucle ser el responsable de limitar la intensidad establecida en el eirewito. De ello se encargan normalmente los come ponentes pasivos, que en la Figura 2-7 se han reducido a la resistencia R. La caracteristica eléctrica u,- — i, refleja los fenémenos internos antes explicados. A temperatura de la unién elevada (150°C) la eaida de tensién es menor porque los pares extra generados térmicamente reducen el potencial de unién y aumentan la conduetividad del se- miconduetor. De esta forma la potencia generada en la pastilla disminuye con la temperatura para una determinada int il, pudiéndose considerar este hecho favorable como una es- pecie de autodefensa del diodo contra el calentamiento. Sin embargo, el efecto es contrario para intensidades mucho mis allas que la nominal y en tales eondieiones anmenta la poten cia disipada, Igual que para la tensién, el fabricante define intensidades caracterist usuario: ts que orienten al Intensidad media nominal: Es el valor medio de la mi senoidales de 180° (Figura 2 determinada temperatura (110 ima intensidad de impulsos 3) que e diodo puede soportar con la cépsnla mantenida a > normalmente).Capitulo 2. Diodos de potencia Aye q ® | BC 150°C 38 1.600 ~ eo tnco sol 1400 repetvo 100] Iveia 5 a 1a . 3 1 2v 3v © 3 1 Creo eauvaerte Mayortaies =e |e 4 ‘vent e 6 ‘ Mooitaies ea at 3S isin uyc ~ fy Creo o Intensidad de pico repetitico: Puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracién del pieo de 1 ms a determinada temperatura de la edpsul. Intensided de pico tinico: Es el mximo pico de intensidad apl 10 minutos o mis, eon duracién del pieo de 10 ms AAlgunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz en lugar de darla en valor medio, algo a tener en cuenta cuando se comparan diodos de distinta marea. El cirenito equivalente en conduceiéin pede representarse muy aproximadamente por una pila ideal de tensién U, igual al potencial de unién del semiconductor de que se trate, en serie con una pequelia resistencia r igual a la pendiente promedio de Ia caracteristica *° as pérdidas en conducciin directa’ estin expresadas por ier Pama =z | taciadt @ul para tna onda de intensidad determinada con periodo de repeticién 7, Para un eéleulo aproximado podria snstituirse la tensiin énodo-eétodo por Ia que aparecerfa en cl circuito equivalente, resultando yr (Wy + righigdt = Uday, + 01% (2.9) siendo 1, el valor medio de i, ¢ 1, el valor efieaz, Un eflenlo mis exucto exigirfa una ecua- ién ugg lia) Con mis términos o un eélenlo grifico con aynda de la enrva earucteristica © 118s-Paraninfo 53‘Parte 11, Componentes te proporeiona, para facilitar las costs, kas eurvas que aparecen en la Fig ra 2-8 para corrientes pulsantes senoidales de 50 Hz, que son las més normales en los e pos de poteneia, y para diversos dngulos de conduecién. Al tomarse como variable el valor medio, resulta que las pérdidas anmentan para menores éngulos de conduecién para un mo valor de la intensidad porque el valor efiewz de la corriente aumenta. También suele dar- se una familia de cnrvas similar para impulsos reetangulares de corriente. Si las formas de las ondas reales de intensidad no son senoidales ni rectangulares pueden asimikese « ellis con ciertas precauciones y seguir utiizando las curvas citadas para deducir las pérdidas en con- duecién por aproximacin, Perdis W co 060" 0° 100 Corts continua 2s 54 © s45-turaninfo 1 iecta mecia 40 eo 8100 “ Ficus 28 Pérdidas en conduc, Con objeto de hacer todavia més fieil la eleeeién de un diodo y su disipador, los eati- Jogos suelen incluir enrvas de intensidad méxima para una temperatura determinada de la cpsila, También sucle darse la intensidad méxima para una temperatura dada del aire de eracién con una combinacién diodo-disipador determinada. 2.4 CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO DE UNION Los pasos del estado de corte al estado de conduceién y viceversa no se prodircen en los diodos de forma instantinea. Es necesario 1m tiempo de adaptacién de la distribueién de portadores en las capas semiconductoras de un estado al siguiente. Esto implica estados intermedios normalmente no descables porque en ellos eoinciden intonsidades y tonsiones clevadas que conllevan puntas de potencia disipada altas aunque cortas. Si un diode funeio- naa nna frecuencia de conmntacién (niimero de veces por segundo que pasa de conduceién corte y viceversi) elevada, es necesario prostar ateneién al moclo en que realiza dicha con- utacién, es decir, a sus caracteristicas dindmicas y asegurarse de quie no merman sustan- cialmente la fimeiGn y la efiefencia energética del cirenito al que sirven 24.1 Recuperacién inversa y directa Se llama recuperacién inversa al proceso por el que un diodo en conduecién adquiere, tras ser sometido a una tensién inversa, las propiedades de bloqueo estitieo. Si un diodo conduce en sentido directo una intensidad J, la zona central de la unin esti saturada de rmayoritarios con tanta mayor densidad euanto mayor sea I.Capitulo 2. Diodos de potencia Sil cirenito exterior fuerza la anulacién de Ia corriente previa I con eferta velocidad di,/at para llevar al diodo al estado de bloqueo aplicindosele una tension inversa, resultard que después del paso por cero de la corriente existe en la unin una cierta cantidad de por- {adores que eambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzea tempo ralmente en sentido contrario al ordinario, La tensién inversa entre énodo y eétodo no se establece hasta después de un tiempo llamado tiempo de almacenamiento, t,, en que los por- tudores empiezan a escasear y aparece en la unién la zona de carga espacial. Le intensiad todavia tarda un tiempo t,o tiempo de caida en descender a un valor despreciable a medida que va desapareciendo el exceso de portadores por recombinacién con cargas de signo con- rari. En la Figura 29 se ilustra la forma més habitual de definir exactamente f, y f,- La suma de ambos se llama tiempo de recuperacién inversa, t, y la carga eléetrica desplazada, carga de recuperacién, q,; la intensidad de pico en sentido inverso aleanzada en el proceso se Hama intensidad de reeuperacién, I, Todos los parimetros definidos anteriormente dependen de la intensidad directa I de partida, de su derivada dig/d al pasar a recuperacién y, en menor medida, de Ja tensién inversa final U,,, como se detalland en 2.4.2. ' aq : rH an ute ‘ wv 4 eee U—-». BH the eo Fieve 2.9 Recuperacién inversa de un diodo de unin, La reenperaeién inversa abrupta es un fenémeno indeseable que puede casa proble- ‘mas en circuitos de alta frecuencia, Por una parte puede calentarse excesivamente el diodo, que es sometido a una punta de potencia euando se establece Ja tensién inversa simultinea- ‘mente con la intensidad j,. Por otra parte, la circulacién de intensidad en sentido inverso resta efieacia a muchas operaciones de los eirenites eleetrénieos de potencia, © 11Es-Paraninfo 5B‘Parte 11, Componentes 56 © s045-turaninfo Recuperacién inversa suave o natural Si el ciruito reduce lentamente la corriente directa del diodo, la pastilla Mega al instante de inversién de la tensién tac con pocos portadores, pies estos se han ido redueiendo al aulaptarse a las necesidades de corriente. En tal easo tanto la carga q, como la intensidad 1, de reeuperacién son muy bajas y no suelen ocasionar problemas en el circuit, aun cuando se empleen diodos lentos. Recuperacién directa Otto fensmeno de retardo parecido pero de menor importancia tiene Ingar enando el dliodo pasa de bloqueo a conduecién, Se necesita cierto tiempo para que los mayoritarios de ambas eapas inunden la zona de earga espacial y se establezea en esta el potencial de en conduceién U,, Mientras tanto aparece un potencial postivo entre énodo y estodo provo- ado por el eireuito exterior que tiende a poner el diodo en conduecién. Dicho potencial puede ser de bastantes voltios y es tanto mayor euanto més altaes la devivada de intensidad y el valor final de la misma. En la Figura 2-10 se describe este fendmeno llamado de recupe- racién directa y se define el tiempo de recuperacién directa t,, como el que transcurre entre of instante en que la tensién énodo-cttodo se hace positiva y aquel en que dicha tensién se establece defintivamente en el valor normal de condueeién U,. Este tiempo es bastante me nor que el de reeuperacién inversa y no suele producir pérdidas de poteneia ni trastornos de funcionamiento apreciables. La tensidn directa méxima aleanzada en el proceso se llama ten- sidn de recuperaciin directa, U,. Ficura 240 Reeuperacin directa de un iodo de ni. En la Figura 2-11 se ha representado la corriente en un diodo lento de un rectificador con 180° tedricos de conduccién, Funcionando a 50 Hz la intensidad y el tiempo de recupe- racién inversa son despreciables, mientras que a 50 kHz y con la misma intensidad directa de pico dichos parametros se hacen importantes de forma que el valor medio de la corriente rectificada es bastante inferior al tedrico. La recuperaeién directa se ha despreciado en am- bos casos. 24.2 Diodos lentos y rapidos Se llaman diodos lentos u ordinarios aquellos en cua fubrieacidn no se han tomado espe- s precaticiones para minimizar los fenémenos de reeuperacién inversa y directa. En electiicaion en baja frecuencia (50 Hz) “en en ‘fa frecuencia (50 Ka) Ficuna 2-11 _Influrncia de la recperacin inversa de mn diz lento en la retin: de precable con feeweneia de 5 Ha (arriba; inadmisble con 50 KHz (aba) caso de diodos ordinarios de silicio, los mis hahitnales, el tiempo de reeuperacién tfpico sue- le ser de una o varias decenas de microsegundos. Como se ha ilustrado en la Figura 2-11, estos valores del tiempo de reeuperacién no afeetan a aplicaciones de baja frecuencia, pero pueden hacer inviable la aplicacién del diodo en euestin a cireuitos de alta frecuencia, Para tales aplicaciones se fabrican diodos que acumnlan poca carga de minoritarios en condutceién y presentan, por tanto, tiempos de recuperacién hajos. Suele llamirseles diodas rapidos. La carga acumulada en conduccién es proporcional, entre otras cosas, al espesor de la pastilla, por lo que los procesos de fabricacién mas interesantes para obtener diodos ripidos son los que mejor controlan el gratiente de dopado y, por tanto, menor espesor de pastlla exigen para soportar una determinada tensién inversa, En general son mejores los diodos epitasiales (Figura 2-4) que los de difusién (Fotografia 2-3) y estos mejores que los de unién erecida (Figura 2-3), Por otra parte, la difusién de stomes de oro y platino en la pastilla propicia durante la reenperaeién inversa una recombinacién mas rapida de los minoritarios responsa- bles de la condueein y, por tanto, un menor tiempo de reeuperacién. Dado que It gama de Freeneneias de trabajo en los eqnipos electednieos de poteneia es muy amp més de 300 kHz}, los tiempos de recuperacién de los diodos répidos comerciales (que suelen darso en ns) son muy variables y van desde 25 ns a 5.000 ns. La carga de reenperacién inversa q, (yuélvase a la Figura 2-9) anmenta con la intensidad directa previa al bloqueo I y con la derivada de intensidad di,/dt con que el cireuito lo fuerza, Sin embargo, para una determinada q,, una derivada de intensidad elevada ayuda a vaciar antes la pastilla de portadores acortando t,. El tiempo de caida #, depende de la carga de recuperacién almacenada q,, de las caracteristicas constructivas del diodo (como la presen- cia, ya mencionada, de iones de oro, platino, ete., aceleradores de la recombinacién de porta dores) y resulta algo acortada con valores altos de la tensién inversa reaplicada U,,. De estas influencias entre parimetros resulta que, en las posibles aplicaciones de un diodo conereto, es as dependiente del modo de operacién del cireuito el tiempo de reeuperacidn f, ie lx carga de reeuperacién q,, por lo que algunos fabricantes prefieren suministrar este segundo parame- tro al primero para caracterizar la reeupera cersi. En tal caso, ya partir del valor de q, (suministrado por el fabricante para tina cierta gama de valores de 'y di,/dt), el disefiador puede deducir ficilmente 4, ¢ f, para nn determinado valor de la derivada de intensidad, En efecto, y aun respetando un minimo la complejidad del fendmeno de recuperacion inversa, se pueden realizar algunas simplificaciones que ayudan en la utilizaeién del parame~ tro q, de los diodos rapidos. En primer higar puede suponerse triangular la evalucidn de la corriente inversa durante la reenperacién (Grea rayada en la Figura 2-9), con lo que ante (23) Capitulo 2. Diodos de potencia © 115 terninfo 37‘Parte 11, Componentes 5S © s45-turaninfo Ademés, expresando 1, como produeto de la derivada di,/d, supuesta eonstante, por el tiempo de almacenamiento f,, resulta (dif) a) y si, como suele ocurrir, el tiempo de caida t, es despreciable frente al de almacenamiento t,, puede sustituirse en la tiltima expresién ¢, por f,, y, a partir de ambas expresiones, puede formularse el tiempo y la intensidad de reenperacién como (25) (26) ‘Como se ha dicho, los valores de Ly de la derivada de intensidad di,/dt los debe dedu- cir el disefiador del andlisis del eircnito y el parimetro q, lo proporciona el fabricante en cl catélogo para diversas combinaciones de aquellos. Otros fabricantes, no obstante, prefieren dar directamente el valor de ¢, para una gama de condieiones tipicas de operacién. Es dificil, por el origen del ferndmeno de recuperaeién ya explicado, eombinar en un dio- do alta intensidad, alta tensién y bajo tiempo de reeuperacién, por lo que en cack aplicacién debe utilizarse por razones econémicas el diodo mas lento (y por tanto mis barato) compa- tible con la operacién del cireuito. Contrariamente a la escasez de tipos ripidos en los 1705 aiios de los diodos de silicio de potencia (lo que limitaba kx frecuencia de ope- n en algunas aplicaciones), existe hoy una gama amplia y en continuo crecimiento. Hay, por ejemplo, diodos de poteneia répidos que combinan 1.835 A, 2.500 V y 2.000 ns (el 'SD1553C25S20K de IR) v en menor corriente y tensién hay variedades de diodos ultrarrdpi- dos que combinan 60 A, 600 V y 34 ns (el GOAPUO6 de TR). 24.3 Sobrecargas transitorias Lo mismo que otros semiconductores de potencia, el diodo puede funcionar de forma transitoria por eneima de la intensidad fijada por el fabricante para trabajo continuo. Para que estas sobrecargas transitorias que elevan la temperatura de la unién por encima del va- Jor maximo continio no deterioren el diodo: — Se deben produeir un nimero limitado de veces a lo largo de su vida. — El ritmo de sueesién debe ser lo suficientemente bajo para permitir a la unién ene friarse al menos hasta la temperatura maxima en régimen continuo, — El grado y duracién de la sobrecarga debe estar siempre por debajo de lo especifieae do en catilogo. En la Figura 2-12 se reproduce la curva caraeteristica de sobrecarga para un diodo de 150 A. Es similar a la segunda figura de la euarta pigina faesimil de caracteristicas del diodo 95PE(R) de la Seccién 2. Estas curvas suelen llegar hasta un tiempo mfnimo de 8.0 10 ms, que es la duracién de un semiciclo de una onda de 60 0 50 Hz. Para puntas de corriente més cortas Ja pastilla semicondhictora no tiene medios de rofrigeraciOn apreciables y debe absorber la energfa ge- nerada sin elevar su temperatura peligrosamente mediante el puro almacenamiento de calor que permite su masa y calor especilico (véase el Problema 2-3), como se verd que también jcurre con kas puntas de corriente inversa en los diodos de avalancha eontrolada, 244 Diodos de avalancha controlada Se ha visto al final de ka Seccién 2.2 emo se desbasta y bisela el borde de la pastilla semiconductora de un diodo de potencia para climinar las imperfeeciones en el mismo, pues2 teeta seers see a 4 6810) Ficura 2:12 Sobrentensdads trnsitrias admistblesen vn diodo de nos 150 8 nominal ‘adios con intensidad senoidal de mia ona y 50 Hz estas son zonas que toleran mal lt tens y asf también disminnir el gradiente de potencial, Con ello se anmenta la tensién inverse Soportada por el diodo sin entrar en el proceso de avalancha y se propicia que cuando esta se produzca lo haga en el interior de la pastilla y en uma buena parte de su area. Pues bien, se llaman diodos de avalancha controla- da de potencia los que se fabrican llevando esas precauciones al extremo, de modo que ante un aumento de la tensién inversa entran Finalmente en avalancha en casi toda kt pastill al rnisino tiempo pudiendo absorber 1na punta de energia notable sin fini el material semi- conductor ni aleanzar una temperatura tal que degrade sus propiedades. Esa energfa se ge- nera de forma repartida en la pastilla, por lo que la temperatura del punto mas caliente no es ‘urcho mayor que la temperatura promedio. Este tipo de diodo es, por lo demis, similar al resto de los diodos de potencia y se suele recurrir a él ciiando en un diseio el riesgo de que el componente quede sometida a sobre- tensiones inversas es alto querigndose prevenir su destruccién por esta causa, y también cuando el propio disefio somete al diodo a una sobretensién inversa elevada pero esporidica. Asimismo se emplea como elemento protector contra sobretensiones de otros componentes, disponiéndose normalmente en paralelo con ellos, a veees sin ninguna otra funcién, de tal manera que en caso de sobretensién en el componente protegido, esta quede limitada al valor de la tensién de avalancha del diodo protector (véase el Apartado 7.1.1). Aetéia en este caso como diodo Zener de elevada tensién Zener y por tiempo corto, Su dimensionado se Dasa en asegurar que durante la sobretensi6n, limitada eomo se ha dicho por la tensién de avalancha, la corriente que el cirenito obliga a pasar por el diodo produce tna energfa en ka pastilla que no es eapaz de elevarla a una temperatura peligrosa para su degradacion (como en el caso de las sobrecargas transitorias vistas al final de 2.4.3). El fabricante suele ilustrar esta capacidad dando la potencia absorbible durante wn tiempo tipieo de sobrecarga. Asi, en las hojas del diodo ejemplo 5SDA 06D5007 de Ia Seecién 2.8 se da una poteneia absorbible menor o igual a 70 KW durante 20 ps con la union a 45; 2.5 DIoDOs SCHOTTKY DE POTENCIA Asi como la necesidad de diodos de sefal de muy alta velocidad ha levado al desarrollo de dliodos Schottky con tiempos de recuperacién del orden de los 0,1 ns, en la Electréniea de Potencia las frentes conmntadas de alta corriente y baja tensin, principalmente, han impnlsa- do la biisqueda de diodos que aiinen baja caida de tensién en conduccidn y reeuperacidn répi- da, habiéndose desarrollado para ello diodos Schottky que Hogan a 160 A y 100 V con 800 pF de capacidad entre terminales (el DSS 2x160-01" de IXYS [2-11)) con silicio y a 20 Ay 1.200 V con 61 nC de carga eapacitiva (el CSD20120 de Cree [2-6)) con earburo de silicio. Capitulo 2. Diodos de potencia © 115 terninfo 59