654 PROPIEDADES ELECTRICAS Figura 19.31 Orientaciones de los dipolos para (a) una polaridad de un campo eléctrico alterno y (b) para ‘a polaridad inversa. (Richard A. Flinn y Paul K. Trojan, Engineering Materials and! heir Applications, 4" edicién. Copyright de Houghton Mifflin Company. Adap- ado con permiso.) @ 0) Es posible que una 0 mas de estas contribuciones a la polarizaci6n total sea nula o bien despreciable con respecto a las otras. Por ejemplo, la polari- zaci6n inica no existiré en materiales con enlace covalente, en los cuales no existen iones, 19.20 DEPENDENCIA DE LA CONSTANTE DIELECTRICA RESPECTO DE LA FRECUENCIA En muchas situaciones précticas la corriente es alterna (ac); es decir, el vol- taje aplicado o el campo eléctrico cambia continuamente de direccién con el tiempo, tal como se indica en la Figura 19.214. Consideremos un material dieléetrico que esté sometido a poiarizacién por un campo eléctrico fluc- tuante, Con cada inversién de la direcci6n, los dipolos intentan reorientarse con el campo, tal como se ilustra en la Figura 19.31, un proceso que requiere un tiempo finito. Para cada tipo de polarizacién, existe un tiempo mfnimo para la reorientacién, el cual depende de la facilidad con la cual los dipalos son capaces de realinearse. La frecuencia de relajacién es el reciproco de este tiempo minimo de reorientacién. Un dipolo no puede cambiar continuamente de orientacién cuando la frecuencia del campo elécirico aplicado excede a su frecuencia de relajacién, y, por tanto, no contribuye a la constante dieléctrica. La dependencia de e, respecto de la frecuencia del campo se representa esquematicamente en la Figura 19.32 para un medio dieléctrico que presenta los tres tipos de polari- zacién: nétese que en el eje de frecuencia tenemos una escala logaritmica. Tal como se indica en al Figura 19.32, cuando un mecanismo de polarizacién cesa de funcionar, se produce una disminucién brusca en la constante dieléc- trica; en caso contrario, ¢, es virtualmente independiente de la frecuencia, En la Tabla 19.4 los valores de la constante dieléctrica son para 60 Hz y 1 MHz; estos valores dan una indicacién de esta dependencia de la frecuencia en el extremo bajo del espectro de frecuencias. La absorcién de energia eléctrica por un material dieléctrico que es so- metido a un campo eléctrico alterno se denomina pérdida dieléctrica, Esta pérdida puede ser importante a frecuencias del campo eléctrico en la vecin- dad de la frecuencia de relajacién de cada uno de los tipos de dipolos opera tivos para un material especifico. A la frecuencia que se utiliza se desea que tenga una pérdida dieléctrica pequefta,= Orientacién 8 Electronica Liisi Lug 1 4 1 10 108 io? 10% Frecuencia (H2) 19.21 RIGIDEZ DIELECTRICA Al aplicar un campo eléctrico muy alto a través de los materiales dieléctri- cos, gran admero de electrones stibitamente pueden ser excitados a energias dentro de la banda de conduccién. Como resultado, la corriente a través del dieléctrico por el movimiento de estos electrones aumenta drdsticamente; a veces la fusidn localizada, quemadura o bien la vaporizaci6n produce la de- gradacién irreversible y quizds incluso la rotura del material. Este fenémeno es conocido como ruptura dieléctrica. La rigidez dieléctrica represeata la magnitud del campo eléctrico necesario para producir ta ruptura dieléctrica, La Tabla 19.4 presenta los valores de rigiciez dieléctrica de varios materiales, 19.22 MATERIALES DIELECTRICOS Varios tipos de cerémicas y polimeros se utilizan como aisladores y/o en con- densadores. Muchas cerémicas, incluyendo vidrio, porcelana, esteatita y mi- a, tienen constantes dieléctricas cuyos valores oscilan entre 6 y 10 (Tabla 19.4). Estos materiales también tienen un alto grado de estabilidad dimen- sional y resistencia a la tracciGn. Aplicaciones tipicas incluyen aislamiento de lineas de potencia y aislamiento eléctrico, bases de interruptores, receptécu- los de luz. La titania (TiO) y las cerdmicas basadas en él titanato, tales como el titanato de bario (BaTiOs), pueden elaborarse con constantes dieléctricas ‘muy altas, lo cual las hace muy utiles para aplicaciones en condensadores, ‘La magnitud de la constante dieléctrica de muchos polimeros es menor que la de las cerdmicas, porque estas tiltimas tienen momentos dipolares ma- yores; los valores de ¢, para los polimeros generalmente estan comprendidos entre 2y 5, Estos materiales son comunmente ilizados para el aislamiento de hilos conductores, cables, motores, generadores y otras aplicaciones simi- lares, asf como en algunos condensadores. 655 19.21 RIGIDEZ DIELECTRICA Figura 19.32. Variacion de la constante: dieléctrica con Ia frecuencia del campo. eléctrico aplicado. Se indican las contr buciones a la constante dieléctrica pro venientes de la polarizacién electrénica, ionica y de orientacién.656 PROPIEDADES, Figura 19.33 Celdilia unidad de! ita rato de bario BaTiO,) (a) proyeccién isométrica y (b) vista perpendicular a una cara mostrando los desplazamientos de los iones de Ti** y OF desde el centro de 0,403 am OD = OTRAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS MATERIALES Otras dos caracteristicas eléctricas relativamente importantes que se en- cuentran en algunos materiales y que merecen una mencién breve son la fe- rroelectricidad y la piezoelectricidad. 19.23 FERROELECTRICIDAD El grupo de materiales dieléctricas denominados ferroeléctricos presentan polarizacién espontanea, 0 sea, polarizacién en ausencia de un campo eléc- trico. Son la analogia dieléctrica de los materiales ferromagnéticos, los cuales tienen un momento magnético permanente. En los materiales ferroeléctricos existen dipolos cléctricos permanentes, cuyo origen se explica para el titana- to de bario, uno de los ferroeléctricos mas comunes. La polarizacién espon- ténea es una consecuencia de las posiciones de los iones Ba’*, Ti** y 0 dentro de la celdilla unidad, tal como se representa en la Figura 19.33. Los iones de Ba”* estén situados en los vértices de la celdilla unidad, la cual tiene simetria tetragonal (un cubo que ha sido alargado ligeramente ex una direc- ci6n). El momento dipolar resulta de los desplazamientos relativos de losio- nes Oy Ti** de sus posiciones simétricas tal como se muestra en la vista lateral de la celdilla unidad. Los iones O* estan colocados cerca, pero lige- ramente por debajo, de los centros de cada una de las seis caras, mientras que los iones Ti** estan desplazados hacia arriba respecto del centro de la celdilla unidad. Por tanto, un momento iGnico dipolar permanente est aso- ciado con cada celdilla unidad. Sin embargo, cuando el titanato de batio se calienta por encima de la temperatura de Curie [120°C (250°F)], la celdilla unidad se lace etibica, y todos los iones adoptan posiciones simétricas dentro de la celdilla unidad; el material tiene ahora la estructura cristalina de la pe- rouskita (Seccidn 13.2), y cesa eb comportamiento ferroeléctricoLa polarizacion esponténea de este grupo de materiales resulta como consectencia de las interacciones entre los dipolos permanentes, fos cuales se alinean mutuamente, todos en fa misma direccién. Por ejemplo, en el tita- rato de batio, los desplazamientos relativos de los iones Oy Ti** estén en la misma direcci6n en todas las celdillas unidad dentro del volumen de una regiGn de la muestra, Entre otros materiales que presentan ferroelectricidad cabe citar la sal de Rochelle (NaKC,H,Og - 4,0), fosfato monopotasico (KH,PO,), niobato de potasio (KNbOs) y titanato-cireonato de plomo (Pb[ZrO5, TiO3)). Los ferroeléctricos tienen constantes dieléctricas muy ele- vadas a relativamente bajas frecuencias del campo aplicado; por ejemplo, a temperatura ambiente, ¢, para el titanato de bario puede alcanzar valores de 5000. En consecuencia, los condensadores fabricados con estos materiales pueden ser significativamente mas pequefios que [os condensadores hechos con otros dieiéetricos, 19.24 PIEZOELECTRICIDAD Una propiedad inusual que presentan algunos materiales cerémicos es la piezoelectricidad, o sea, literalmente presi6n-electricidad: se induce la pola- rizaci6n y se establece un campo eléctrico a través de la muestra mediante la aplicacién de fuerzas externas. Invirtiendo el signo de la fuerza externa (0 sea, de tensiGn a compresisn) se invierte la direccién del campo. El efecto piezoeléctrico se muestra en la Figura 19.34. Los materiales piezoekéctricos se utilizan en los transductores: dispositi- vos que convierten energia eléctrica en deformaciones mecénicas 0 vicever- sa. Algunas aplicaciones familiares que emplean piezoeléctricos son las, agujas de tocadiscos, los micréfonos, los generadores de ultrasonidos, las galgas extensométrica y los detectores sonar. En el cabezal de un tocadiscos, medida que la aguja pasa por los surcos de un disco, transmite una varia- ci6n de presién a un material piezoeléctrico localizado en el cabezal; de este modo la variacién de presién se transforma en una sefial eléctrica que es am- plificada antes de ir al altavoz Los materiales piezoeléctricos incluyen los titanatos de bario y plomo, et cireonato de plomo (PbZr0;,), el fosfato monoaménico (NHyH:PO,) y el cuarzo. Esta propiedad es caracteristica de los materiales que tienen estruc- turas cristalinas complicadas con un bajo grado de simetria, El comporta- mento piezoeléctrico de una muestra policristalina puede ser mejorada calenténdolo por encima de su temperatura de Curie y después enfridndolo 2 temperatura ambiente en un campo eléctrico fuerte. Figura 19.34 (2) Dipolos dentro de un material piezoeléctrico. (b) Se origina un voltaje cuando el material «5 sometido a un esfuerzo de compresiOn, (Adaptado de Lawrence H. Van Viack, Elements of Materials Science and Engineering, 6" edicién. Copyright 1989 Addison-Wesley Publishing Company, Inc. Reproducido con permiso del editor)658 PROPIEDADES ELECTRICAS RESUMEN La facilidad con la cual un material es capaz de transmitic una corriente elée- trica se expresa en términos de la conductividad eléctrica o bien su reefpro- co, la resistividad. Basdndose en su conductividad, un material s6lido puede ser ciasificado como un metal, un semiconductor, o bien un aislador. En la mayorfa de 1os materiales la corriente eléctrica se origina por el mo- vimiento de electrones libres, los cuales son acelerados en respuesta a un campo eléctrico. E] ntimero de estos electrones libres depende de la estruc- tura de bandas de energfa electrénicas del material. Una banda electrénica es una serie de estados electrénicos discretos pero muy préximos entre sf con respecto a la energia. Puede existir una de estas bandas por cada subnivel electrénico del atomo aislado. Por "estructura de bandas de energia de los electrones” se quiere indicar la manera como las bandas mas externas se dis- tribuyen una con respecto a otra y la manera como se llenan con electrones El tipo de estructura de bandas es distinto para metales, semiconduetores y aisladores. Un clectrén se convierte en libre cuando es excitado desde un es- tado lleao de una banda, hasta otro estado vacio por encima de la energia de Fermi, Para la excitacién de los electrones en los metales se requiere muy poca energfa, de manera que se origina un gran miimero de electrones libres. Las energias necesarias para excitar los electrones en los semiconductores y en los aisladores son mucho mayores, lo cual explica la baja concentracién de electrones y los bajos valores de conductividad. Los electrones libres sobre los cuales acttia el campo eléctrico son disper- sados por las imperfecciones de la red. La magnitud de la movilidad de los electrones es tna indicacién de la frecuencia de estos sucesos de dispersidn, En muchos materiales, !a conductividad eléctrica es proporcional al produc- to de la concentracién electronica y la movilidad. En los materiales metélicos la resistividad eléctrica aumenta con la tempe- ‘ratura, con el contenido de impurezas y con la deformacién plastica. La con- tribucién de cada wno de estos pardmetros a la resistividad total es aditiva Los semiconductores pueden ser elementos (Si y Ge). 0 bien compuestos con enlaces covalentes. En el proceso de conduccién que ocurre en estos ma- teriales, ademés de electrones, también pueden participar huecos (electro- nes ausentes en la capa de valencia). Segtin su comportamiento eléctrico, los semiiconductores se clasifican en intrinsecos 0 extrinsecos. En el comporta- miento intrinseco, 1as propiedades eléctricas son inherentes al material puro, y las concentraciones de los eleetrones y huecos son iguales. El comporta- miento eléctrico de los semiconductores extrinsecos esté determinado por las impurezas. Los semiconductores extrinsecos pueden ser de tipo n 0 de tipo p, dependiendo de silos transportadores de carga mayoritarios son elec- ixones o huecos, respectivamente. Las impurezas donadoras introducen un exceso de electrones; las impurezas aceptoras tienen huecos en exceso. La conductividad eléctrica de los materiales semiconductores es particu- larmente sensible al tipo y contenido de impurezas, asf como a la temperatu- ra, La adicién de incluso concentraciones muy pequefas de algunas impurezas aumenta drasticamente la conductividad. Ademés, al aumentar la temperatura, la conductividad intrinseca experimenta un aumento expo- nencial. La conductividad extrinseca puede también aumentar con la tempe- ratura,= Ciertos dispositivos semiconductores emplean las caracteristicas eléctri- cas tinicas de estos materiales para realizar operaciones electrénicas especi- ficas. Entre éstos se incluyen todas las uniones rectificadoras p-n y los transistores de unién y MOSFET. Los transistores se usan para amplificar sefiales eléctricas y también como dispositives de conmutaci6n en los circui- tos de computadoras. Los materiales dieléctricos son aisladores eléctricos, pero susceptibles a Ja polarizacion en presencia de un campo eléctrico, Este fendmeno de pola- rizaci6n explica la aptitud del dieléctrico para aumentar la capacidad de al- | macenamiento de carga de los condensadores, cuya eficiencia se expresa en términos de la constante dieléctrica. La polarizacién se origina por la induc- cién de dipolos atémicos o moleculares, o bien por Ja orientacién de estos di- polos en la direccién del campo eléctrico, Se dice que existe un dipolo cuando hay una separacién neta de las cargas positivas y negativas, Los dis- {intos tipos de polarizacién son: electrénica, i6nica y de orientacion; no es necesario que todos los tipos de polarizacién estén presentes en un determi nado material dieléctrico. En el caso de campos eléctricos alternos, la contri- bucién de un determinado tipo de polarizacién a la polarizacién total y a la constante dieléctrica depende de la frecuencia; cada mecanismo de polariza- cidn cesa de operar cuando la frecuencia del campo excede a su frecuencia de relajacién, Este capitulo concluyé con una breve descripcién de otros dos fenéme- nos eléctricos, Los materiales ferroeléctricos son aquellos que pueden pre sentan polarizacién esponténea, o sea, sin que exista ningtin campo eléctrico. Finalmente, la piezoelectricidad es el fendmeno por el cual la polarizacién es inducida en un material por fa imposicién de fuerzas externas. TERMINOS Y CONCEPTOS IMPORTANTES. Aislador Electr6n libre Polarizacién Bunda de condvecién Energia de Fermi Polarizacion de Banda de energiade Estado aceptor orientacion los electrones Estado donador PolarizaciGn electronica Banda de valencia Ferroeléetrico Polarizacisn ionica Capactdad. Frecuencia de reiajacién Resisteavia eléctrica Circuito integrado Hueco Resistividad eléctrica Conduccién iénica Intervalo prohibido Rigidaz dieléctrica Conductividad eléctrica de energfa Polaridad directa Constante dieWetrica Ley de Matthiessen Polaridad inversa Despiazamiento Ley de Ohm Semiconductor dieléctrico Metal Semiconductor extrinseco Dieléetrico MOSFET Semiconductor intrinseco Dipolo eléctrico Movilidad ‘Transistor de unign Dopado Permitividad Union rectificadora Efecto Hall Piezolectrizidad BIBLIOGRAFIA ADLER, R.B., A. C. SotTH, y R. L, LONGINT, Introduction to Semiconductor Physics, John Wiley & Sons, New York, 1964. Avarort, L. V, y I. J, BROPHY, Electronic Processes in Materials, McGraw-Hill Book Company, New York, 1963. Capitulos 6-12. 659 19.24 PIEZOELECTRICIDADBuse, R. H., Electronics in Solids, 3rd edition, Academic Press, San Diego, 1992, BYLANDER, E. G., Materials for Semiconductor Functions, Hayden Book Compa New York, 1971. Good Fundamental treatment of the physics of semiconductors and various semiconducting devices. Cuaupitart, P., “Electronic and Magnetic Materials,” Scientific American, Vol. 255, No. 4, October 1986, pp. 136-144. EHRENREICH, H., “The Electrical Properties of Materials, 217, No. 3, September 1967. pp. 194-204. HuMMeL, R.'E., Elecironic Properties of Materials, 2nd edition, Springer-Verlag New York, Inc., New York, 1992 KINGERY, W. D., H. K. BOWEN, y D. R. UHLMANN, Iniroduction to Ceramics, 2nd edition, John Wiley & Sons, New York, 1976. Capitulos 17 y 18. Kirret, C., Introduction to Solid State Physics, 6th edition, John Wiley & Sons, Inc. New York, 1986, Nivel avanzado, MeIDL, J. D., “Microelectronic Circuit Elements,” Scientific American, Vol. 237. No. 3, September 1977. pp. 70-81 NAvoN, D. H., Electronic Materials and De ices, Houghton Mifflin Company. Boston, 1975. Destaca los diodos y los transistores bipolares y de efecto de campo. Noyce, R. N., “Microelectronics,” Scientific American, Vol. 237, No.3, September 1977, pp. 62-69, OLDHAM, W. G., “The Fabrication of Microelectronics Circuits,” Scientific American, Vol. 237, No. 3, September 1977, pp. 110-128, Rose, R. M., L. A. SHEPARD, y J. WOLFF, The Structure and Properties of Materials. Vol. LV, Electronics Properties, John Wiley & Sons, New York, 1966. Capitulos 1,2,4-8,y 12 Werr, C. A. y R. M. THOMSON, Physics of Solids, 2nd edition, MeGraw-Hill Book Company, New York, 1970. Capitulos 9 y 11-19, Scientific American, Vol. PROBLEMAS Y CUESTIONES 19.1 (a) Calcule la conductividad etéctrica de una nuestra de silicio de 7 mm de did- metro y 55,1 mm de longitud a través de ta cual pasa una corriente de 0,25 A en la direccién axial. Se mide un voltaje de 24 V entre dos puntos que estin separados 44,5 mm. (b) Calcule la resistencia de toda la probeta 19.2. Unhilo conductor de aluminio de 10 m de largo debe experimentar una caida de voltaje inferior a 1 voltio cuando pasa una corriente de 5 A. Utilizando los datos de la Tabla 19.1 calcule el dismetro minimo del hilo 19.3 Uncable de acero al carbono de 3 mm de didmetro no debe presentar una re sistencia mayor que 20 Q. Utilizando los datos de la Tabla 19.1, calcule la maxima longitud del cable. 19.4 Demuestre que las dos expresiones de Ia ley de Ohm de las Ecuaciones 19.1 y 19.5 son equivalentes. 19.5 (a) Utilizando Jos datos de la tabla 19.1, caleule la resistencia de un cable de aluminio de 5 mm de didmetro y 5 m de longitud.(b) {Que intensidad de co rriente circula sila caida de potencial entre los extremos es 0,04 V2(c) {Cudn- to vale Ia densidad de corriente?(d) ,Cusl es la magnitud del campo eléctrico entre los extremos del cable? 19.6 {Qué diferencia existe entre conduccién idnica y conducci6n electronica? 19.7 {Cual es la diferencia entre la estructura electrénica de un étomo aislado y 1a correspondiente al material s6lido? 19.8 En términos de la estructura de bandas de energia electrénicas, analice las ra- zones de las diferencias en la conductivited elécttica de metales, semiconduc- tores y aisladores.19.9 19.10 19.11 19.42 19.13 19.14 19.15 19.16 19.17 19.18 19.19 19.20 19.21 Siun material metélico es enfriado @ una temperatura inferior a su tempera- tura de fusi6n a una velocidad de enfriamiento muy répida, se formaré un material sélido no cristalino (es decir, visti metélico). La conductividad eléctrica del meta! no cristalino, cser4 mayor © menor que la del material cris- talino? {Por qué? Explique brevemente qué se entiendle por velocidad de arrastre y movilidad de un electrén libre (a) Calcule la velocidad de arrasire de los electrones en el silicio a temperatu- ra ambiente cuando la magnitud del campo eléctrico es 500 Vim. (b} En estas circunstancias, cewéato tiempo invierte un electrén en recorrer una distancia de 25,4 mm? Unsemiconductor de tipo m tiene una concentracién de electrones de 5x10" mr Sila velocidad de arrastre de los electrones es 350 més en un campo elée- trico de 1000 Vim, calcule la conductividad de este material. A temperatura ambiente la conductividad eléctrica y Ja movilidad electrdnica para el alumtinio son 3,8 x 107 (Q-m)" y 0,0012 m? /V-s, respectivamente. (a) Calcule el ntimero de electrones libres por metro cibico de aluminio a tem- peratura ambiente. (b) {Cudl es el ntimero de electrones libres por étomo de aluminio? Suponga una densidad de 2,7 gfem? {@) Calcule el niimero de electrones libres por metro cubico para la plata su- poniendo que existen 1.3 electrones libres por étomo de plata. La conducti dad elgcttica y [a densidad de la plata son 68 x 107 (Q-m)"" y 1055 glem’, respectivamente.(b) Calcule ahora la movilidad electrénica de la plata, A pattir de la Figura 19.9, estime el valor de A en la Ecuacién 19.11 para el ‘ine como impureza en las aleaciones cobre-cine. (a) Utilizando los datos de la Figura 19.8 determine los valores de pp ya de la Ecuacidn 19.10 para el cobre puro. Considere que la temperatura viene dada en grados centigrados. (b) Determine el valor de A en la Ecuacién 19.11 para el niquel como impureza en el cobre usando los resultados de la Figura 19.8 (© Utilizando los resultados de las partes a y b,estime la resistividad eléctrica del cobre que contiene 2,50 Yat de Ni a 120°C. Se sabe que una aleacién de 90% en peso Cu - 10% en peso Ni tiene una re- sistencia eléctrica de 1,90 x 10"? Q-m a temperatura ambiente (25°C). Calcule {a composicién de una aleacién de cobre nique! que tiene una resistividad a temperatura ambiente de 1,35 x 107 Q-m, La resistividad a temperatura am- bieme del cobre puro puede ealcularse a partir de la Tabla 19.1; suponga que el cobre y el niquel forman una solucién solida. Usando la informacion contenida en las Figuras 19.8 y 19.9, determine la con- ductividad eléctrica de una aleacién 85% en peso Cuy 15% en peso Zn a =100°C, GEs posible alear el cobre con zinc para alcanzar una resistencia minima a la traccién de 300 MPa y mantener todavia una conductividad eléctrica de 1,8 x 10? (Q-m)"!? Justifique su respuesta. Si su respuesta es positiva, calcule la concentracién de zine que se necesitaria. Puede necesitar consultar la Figu- ra 7.16a, Determine la conductividad eléctrica de uns aleacion de Cu-Zn que tiene una dureza de 50 HIRF. La Figura 7.16 puede ser util. El bronce de estailo tiene una composicién, en peso, de 89% Cuy 11% Sny contiene dos fases a temperatura ambiente: una fase a que €s Cobre con una pequefia cantidad de estafio en solucién sélida, y una fase ¢, que consiste en aproximadamente 37 % en peso de Sn. Caicute fa conductividad a tempera- tura ambiente de esta aleacién conociendo los datos de la siguiente tabla: 661 ~~ PROBLEMAS ¥ CUESTIONES662 PROPIEDADES €LECTRICAS 19.22 19.23 19.24 19.25 19.26 19.27 19.28 19.29 49.30 Resistvidad | elécirica Densidad Fase (am) (gem) t - 8 a 188 x 108 8,92 € 5,32 x 107 843 Un hilo cilindrico metlico de 3 mm de dismetro tiene que transportar una corriemte de 12 A con una caida de voltaje inferior a 0,01 V por cada 305 mm de longitud. Qué metales y aleaciones de los indicados en la Tabla 19.1 son posibles candidatos? (a) Calcule el niimero de electrones libres y huecos en el germanio inteinseco a temperatura ambiente usando los datos de la Tabla 19.2. (b) Ahora deter mine el ntimero de electrones libres por stomo para el germanio y para el si licio (Problema resuelto 19.1). (c) Explique la diferencia. Se necesitarsn las densidades del Ge y Si, que son 5,32 y 2:33 glem®, respectivamente, En Jos semiconductores intrinsecos, tanto la concentracién de electrones como la de huecos dependen de la temperatura segiin la relacién: (_ =) n. peer oh Pe exr- 5) (1938) © bien, tomando logaritmos neperianos, Ee Tnngta po exp ~ 57 Por consiguiente, representando In n (0 bien, In p) en funcién de 1/7 {kK}! se debe obtener una linea recta con una pendiente igual a —E.y2k. Con esta in formaciGn y consultando la Figura 19.16 determine el intervalo prohibido de cenergfa para el silcio. Corapate este valor con el que se da en la Tabla 19.2. Defina los siguientes términos relacionados con les materiales semiconducto- res: intrfnseco, extrinseco, compuesto, elemental. Ponga un ejempla de cada uno. GEs posible que los semiconductotes compuestos presenten comportamiento intrinseco? Explique so respuesta Para cada uno de los siguientes pares de semivonductores diga cudl tiene un menor intervalo prohibido de energia y explique la raz6n: (a) C (diamante) y Ge,(b) AIP y InSb, (c) GaAs y ZnSe, (d) ZnSe y CdTe, ye) CdS y NaCl. (a) En sus propias palabras, explique c6mo las impurezas donadoras en los se- miconductores proporcionan electrones libres en un niimero superior a los generados por excitaciones entre las bandas de valencia y conducci6n. (b) También explique cOmo las impurezas aceptoras dan origen a un ntimero de hhuecos superior a los generados por excitaciones entre las bandas de vatenci&. yconduccién, (a) Explique por qué no se generan huecos debido a la excitacién de los elec- trones de los étomos de impurezas donadoras. (b) Explique por qué no se ge- neran electrones libres por las excitaciones en que esté involucrado un étomo de impureza aceptora, Cada uno de los siguientes elementos, zactuariin como donadoras 0 como aceptores cuando sean afiadidos a los materiales semiconductores indicados? Suponga que las impurezas son sustitucionales,19.31 19.32 19.33 19.34 19.35 19.36 19.37 19.38 19.39 19.40 Impureca | Semiconductor Al si P Ge ca Gans Ss AIP Sb ‘ZnSe In cate a) {En qué posicién se encuentra aproximadamente el nivel de energia de Fermi de un semiconductor intrinseco? (b) De forma aproximada, ,2 qué ni- vel se encuentra la energia de Fermi de un semiconductor de tipo n? (e) Di- buje un esquema de la energia de Fermi en funcién de la temperacara para un semiconductor de tipo n hasta la temperatura 2 la cual se convierte en intrin- seco. Seflale también en este diagrame las posiciones de las energias corres- pondientes al maximo de la banda de valencia y al minimo de la banda de conduccién. (@) La conductividad eléctrica del silicio a temperatura ambiente de una muestra de silicio es 500 (@-m)-1. La concentracién de electrones se sabe que €s igual 2,0 x 10m”, Utilizando los datos de las movilidades de los elec- trones y de los huecos para el silicio de la Tabla 19.2, calcule la concentracién de huecos. (b) En base al resultado de la parte a, ,e8 la muestra intrinseca, ex- trinseea de tipo n,o bien extrinseca de tipo p? Por qué? Utilizando los datos de la Tabla 19.2, calcule las concentraciones de electro- nes y huecos para el GaAs a temperature ambiente. El germanio con 5 x 10°? m’? étomos de Sb es un semiconductor extrinseco a temperatura ambiente, y virtualmente todos los étomos de Sb se puede con- siderar que han sido ionizados (sea, existe un transportador por cada étomo de Sb). (a) , Es el material de tipo m 0 de tipo p? (b) Calcule la conductividad eléctrica de este material suponiendo que las movilidades de los electrones y de los huecos son 0,1 y 0,05 m? /V-s, respectivamente, Se han determinado las siguientes caracteristicas para e! antimoniuro de galio (GaSb) a temperatura ambiente, tanto para ef semiconductor intrinseco como para el extrinseco de tipo p: Tam)? | ar) | nim) Intrinseco 89x 108 | 7x 108 | 87x10 Extriaseco (tipop) | 23x10° | 7.6% 102 | 1,0 10% Calcule las movilidades de electrones y huecos. ‘Compare la dependencia de la conductividad de los metales y de los semicon. ductores intrinsecos respecto de la temperatura, Explique brevemente la di- ferencia en el comportamiento. Utilizando los datos de lo Tabla 192, estime la conductividad eléctrica del GaAsa 150°C (423K). Explique brevemente la presencia del factor2en el denominador del segundo término del segundo miembro de la Ecuacién 19.19. Utilizando los datos de la Tabla 19.2 estime la temperatura a Is cual la con- ductividad eléctrica intrinseca del InSb es 4 x 10° (Q-m)". Las conductividades eléctricas intrinsecas de ur semiconductor a 20 y 200°C son 3x 10 y 160 (O-m)", respectivamente. Determine aproximadamente el intervalo prohibido de energta para este material. 663 PROBLEMAS ¥ CUESTIONES ‘UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA BIBLIOTECA CENTRALECTRICAS 19.41 19.42 19.43 19.44 19.45 19.46 19.47 19.48 19.49 19.50 19.51 19.52 19.53 19.54 A continuacién se indican las conductividades eigetricas de un semiconductor a las tres temperaturas: TK) Om)" 350 172 400 sid 500 nT (a) Determine el intervalo prohibido de energia (en eV) para este material tb) Estime la conductividad eléctrica a 300 K (27°C). La pendiente de las porciones extrinsecas de {as conductividades eléctricas de las curvas de la Figura 19.16 esté relacionada con las posiciones de tos niveles aceptores en el intervalo prohibido de energia (Figura 19.14). Escriba una ex- presién para la dependencia de p respecto de la posicién de este nivel ‘Describa brevemente los movimientos de electrones y hueeos en una unién ‘ep para las polaridades directa e invetsa: explique como se produce la recti- ficacion {Como se disipa la energia en la reaccién descrita en la Ecuaci6n 19.24? Qué dos funciones desemperia un transistor en un circuito electrénico? Esperaria que un aumento de temperatura influyera en la aperacién de las tuniones rectificadoras n-p y de Yos wransistares? Cite las diferencias de operacién y de aplicaciones entre los transistores de unién y los de efecto de campo. A temperaturas entre S40°C y 727°C, la energia de activacién y el término pre-exponencial del coeficiente de difusién del Na* en el NaCI son 173 000 Jimol y 4,0 x 10 mis, respectivamente, Calcule la movilidad para el jon dé Na* a 600°C. Un condensador de placas paratelas con dimensiones 38,1 mm por 63,5 mm tiene una ¢, de 2,2 y una separacién entre placas de 2 mm. Si se utiliza otro ‘material con una constante dieléctrica de 3,7 y la capacidad no debe cambiar, {cual debe ser la nueva sepatacién entre las placas? Un condensador de placas paralelas con dimensiones 38,1 por 63,5 mm y una separaci6n entre placas de 1,3 mm debe tener una capacidad minima de 70 pF cuando se aplica un potencialalterno de 1000 V a una frecuencia de 1 MHz {Cul de los materiales citados en la Tabla 19.4 son posibles candidatos? ,Por qué? Considere un condensador de placas paralelas con un érea de 3225 mm? y una separacién entre placas de 1,0mm ycon un material entre las placas que tiene una constante dieléctrica de 3,5. (a) ;Cuail es la capacidad de este condensa- dor? (b) Calcul el campo eléctrico que debe ser aplicado para que se alma cene una carga de 2x 10-8 Cen cada placa Con sus propias palabras, explique el mecanismo por el cual se puede aumen- tar la capacidad de almacenar carga mediante la insercidn de un material die- léctrico entre las placas del condensador. Para el CaO, los radios iénicos de! Ca?* yO son 0,100 y 0,140 nm, respecti- vamente, Si un campo eléctrico externamente aplicado produce una dilata- ion de la red del 5%, calcule et momextto dipolar de cada par Ca? ~O” Suponga que este material esté completamente no polarizado en ausencia de tun campo eléetrico. La polarizacién P de un material dieléctrico entre las placas de un condensa ‘dor tiene que ser igual a 4,0 x 10° Clm?. (a) ,Cudnto debe valer la constante dieléctrica sise aplica un campo eléctrico de 10° V/m? (b) ;Cuanto vale el des- plazamiento dieléctrico D?19.55 19.56 19.57 19.58 19.59 19.60 Tiene que almacenarse una targa de 2,0 10" C sobre cada placa de un con- densador de placas paralelas de drea igual a 650 mm? y de separacién igual a 4.0mm, (@) {Qué voltaje se requiere si entre las placas se coloca un material con una constante dieléctrica de 3,5? (b) gQué voltaje se requeriria si se utilizara el vacfo? (© {Cuénto valen las capacidades para las partes ay b? (d) Calcule el desplazamiento dieléctrico pata la parte a. (©) Calcule la polarizaci6n para la parte a (@) Para cada uno de los tres tipos de polarizacién, describa brevemente el ‘mecanismo por el cual se inducen dipotos y son orientados por la accién de ‘un campo eiéctrico aplicado.(b) Para el arg6n gas, el LiF sdlido, el HO liqui- do y el Si s6lido, ,qué tipo de polarizacion es posible? {Por qué? La constante dieléctrica de un vidrio de sosa y cal medida a frecuencias muy altas (del orden de 10!5 Hz) es aproximadamente igual a 2,3. ,Qué fraccién de la constante dieléctrica a frecuencias relativamente bajas (1 MHz) es atri- buible a la polarizacién iénica? Desprecie cualquier contribucién provenien- te de la orientacién, Calcule la magnitud del momento dipolar asociado con cada celdilla unidad del BaTiO,, tal como se ilustra en la Figura 19.33, Enplique brevemente por qué cess el comportamiento ferroeléctrico del BaTiO, por encima de la temperatura de Curie. Esperaria que tas dimensiones fisicas de un material piezoeléctrico tal como €1 BaTiO; cambiaran cuando es sometido a un campo eléctrico? Por qué? PROBLEMAS V CUFSTIONES2 0 PROPIEDADES sb OAS ay le ple A “5 a | aN 2668 PROPIEDADES TERMICAS 20.1 INTRODUCCION Por "propiedad térmica” se entiende la respuesta de un material al ser calen- tado. A medida que un sélido absorbe energfa en forma de calor, su tempe- ralura y sus dimensiones aumentan. La energia puede transportarse a las regiones més frias de la muestra si existe un gradiente de temperatura y, fi nalmente, la muestra puede fundirse. La capacidad calorffica, la ditatacién térmica y la conductividad térmica son propiedades muy importantes en la utilizacién practica de los s6lidos. 20.2. CAPACIDAD CALORIFICA Cuando se calienta un material sélido, éste experimenta un aumento de tem. perattira, indicando con ello que absorbe energfa. La capacidad calorifica es una propiedad que indica la capacidad de un material de absorber calor de su entorno; representa la cantidad de energia necesaria para aumentar la temperatura en una unidad. En términos matemdticos, la capacidad calorifi- ca C puede expresarse como: aQ Cae (20.1) donde dQ es la energia necesaria para producir un cambio dT en la tempe- ratura, Normalmente, la capacidad calorifica se expresa por mol de material (por ejemplo, Jimol-K, calmol-K). A. veces se utiliza el calor especifico (a menudo representado por c); éste representa la capacidad calorifica por uni- dad de masa y tiene varias unidades (J/kg- K, cal/g-K) Existen dos métodos para medir esta propiedad, segin cudles sean las condiciones del medio en que se realiza la transferencia de calor. Uno es me- dir la capacidad calorifica mientras se mantiene la muestra a volumen cons- $0 se representa por C, ; el otro es bajo presién constante y se representa por C,. La magnitud de C, es siempre mayor que C, bargo, esta diferencia es muy pequeia para la mayoria de los materiales s6- lidos a temperatura ambiente ¢ inferiores. lante, en este sin em- nal 20.2.1 Capacidad calorifica vibraci En la mayoria de los s6lidos el modo principal con que se absorbe la energi térmica es mediante el aumento en la energia vibracional de los étomos. Los 4tomos en los sélidos estan vibrando constantemente a frecuencias muy al- tas y con amplitudes relativamente pequefas. Las vibraciones no son inde- pendientes unas de otras, sino que las vibraciones de étomos adyacentes estdn acopladas en virtud del enlace quimico. Estas vibraciones estan coor- dinadas de tal manera que se producen ondas viajeras, un fenémeno repre- sentado en la Figura 20.1. Se puede imaginar que estas ondas son como ondas cldsticas 0 simplemente como ondas de sonido que se propagan a tra- vés del cristal a la velocidad del sonido. La energia térmica vibracional de un material consiste en una serie de estas ondas eldsticas, que tienen un inter- valo de distribuciones y frecuencias. Solamente ciertos valores de energfa es- tén permitidos (se dice que la energia esté cuantizada) y un cuanto de energfa vibracional se denomina fonén. (Un fondn es andlogo al cuanto de@ Posicionesnormales de los dtonos en la ved © Poxiciones desplaradasdebido a las vibraciones Figura 20.1 Representaci6n esquematica de la generacién de ondas de la red en un cristal por medio de vibractones atémicas. (Adaptado de "The Thermal Properties of Materials" de |. Ziman, Copyright © 1967 de Scientific American, Inc. Todos los derechos reservados.) radiacién electromagnética, el fotén). Ocasionalmente, las propias ondas vi- bracionales también se denominan fonones. La dispersién térmica de electrones libres durante la conduccién electro- nica (Secci6n 19.7) se deben a estas ondas vibracionales, y estas ondas elis- icas también participan en el transporte de energia durante la conduccion térmica (véase la Seccién 20.4). 20.2.2 Dependencia de la capacidad calorifica respecto de la temperatura La variacién con la temperatura de la contribucién vibracional al calor espe- cifico a volumen constante para muchos s6lidos cristalinos simples se mues- tra en la Figura 20.2. La C, es cero a 0 K, pero aumenta rapidamente con la temperatura. A bajas temperaturas la relaci6n entre C, y la temperatura ab- soluta T es: donde A es una constante independiente de fa temperatura. Por encima de la denominada temperatura de Debye ®, C, se estabiliza haciéndose practi- camente independiente de la temperatura y aleanza un valor igual a apro» madamente 3R, siendo R la constante de los gases. Por consiguiente, atin cuando la energia total del material aumenta con la temperatura, la cantidad670 PROPIEDADES TERMICAS Figura 20.2 _Dependencia de la capa cidad calorfica a volumen constarte respecto de la temperatura By la term peratura de Debye, ~ Capacidad calor 8% Temperatura (K necesaria para aumentar la temperatura en un grado permanece constante, Para muchos materiales sdlidos @p es inferior a la temperatura ambiente, siendo 25 J/mol-K (6cal/mol-K) una aproximacién razonable para C, a tem- peratura ambiente. Fn la Tabla 20.1 se dan los calores especiticos experi- mentales para diversos materiales. 20.2.3 Otras contribuciones a la capacidad calorifica ‘También existen otros mecanismos de absorcién de energia que pueden con: tribuir a la capacidad calorifica de un s6lido. En muchos casos, sin embargo, esta contribucién es minima comparada con la contribucién vibracional. Existe una contiibucién electrénica puesto que los electrones absorben energia aumentando su energia cinética. Sin embargo, esto s6lo es posible en el caso de electrones libres, es decir: aquellos que han sido excitados desde los estados ocupadosa los estados vacios por encima del nivel de Fermi (Si cién 19.6). En los metales, solamente los electrones en estados muy cercanos a la energia de Fermi pueden sutrir estas transiciones, y esto representa tini- camente una fracci6n muy pequefia de! nimero total. Una fraccién atin me- nor de electrones experimentan excitaciones en los materiales aisladores 0 semiconductores. Por tanto, esta contribucién electronica es generalmente insignificante, excepto a temperaturas cereanas a 0K. Ademis, en algunos materiales ocurren otros procesos de absorcién de energia a temperaturas especificas, por ejemplo, la aleatorizacién de los es- pines en un material ferromagnético a medida que es calentado hasta su temperatura de Curie. 20.3 DILATACION TERMICA, La mayoria de los materiales s6lidos se expanden cuando son calentados y se contraen cuando son enfriados. E! cambio de longitud con la temperatura para un material solido puede expresarse de la manera siguiente: (20.3a)Tabla 20, Material ‘Aluminio 900 Cobre 386 Oro 130 Hierre 48 Niquel 43 Plata B Tungsteno a2 ‘Acero 1025 486 Acero inoxidable 316 302 Latén (70Cu-30Zn) 375 | Altimina(Al,O,) TiS Oxido de beritio (BeO) 050° Magnesia(MgO) 940 Espinela(MgA!,0.) 790 Sitice vitrea (SiO2) 740 Vidrio de sosa y cal 840 Polimeros Polietileno 2100) 60-220 038 Polipropileno 1880 80-100 0.2 Poliestireno 1360 50-85 0.5 Politetrafluoretileno 1050 135-150 0.25 (Tefion) Feno\formaldehido 1650 68 ous (Baquelita) Nil6n 66 1670 80-90 024 [Poliisopreno - 2200 oa « Para converti a calg-K, multipliquese por 2.9104 ® paca convertr a (F)-1, multipliquese por 0.56 «Para converte a ealis-em-K, rautipliguese por 2,39 104 4 Valor medida 300 °C © Valor medio tomado sobre el intervalo de temperatura 0-1000 °C. obien, Al a 20. c OAT (20.3b) donde lp y I; representan, respectivamente, las longitudes iniciales y finales al cambiar la temperatura desde Ty a Ty. El parametro a; se denomina coefi- ciente lineal de dilataci6n térmica; es una propiedad que indica el grado de dilataciéa de un material cuando es calentado y tiene unidades del reciproco de la temperatura ((°C)"]. Desde luego, el calentamiento o el enfriamiento afecta a todas las dimensiones del cuerpo lo cual produce un cambio de vo- umen. Los cambios de volumen con la temperatura pueden calcularse @ partir de:672 PROPIEDADES TERMICAS Figura 20.3 (a) Gratico de la enersia potencial frente a la distancia interat ‘mica, mostrando el aumento en la sepa acién ineratémica al aumentar fa temperatura. Al calentar, la separacion interatémica aumenta desde m2 r; y de aqui a % y asi sucesivamente, tb) Para tuna curva simétrica energie potencial-se pparacl6n interatémica, no hay aumento fen la sepatacidn interatimica al aumen- tar la temperature (es decir, , = r= A) (Adaptado de R. M. Rose, L.A. Shepard y J. Wolff, The Structure and Propenies of Materiak, Vol 4, Electronic Properies. Copyright © 1966 de John Wiley & Sons, New York. Reproducido con permiso de John Wiley & Sons Inc.) AVL i OAT (20.4) donde AV y Vj sor el cambio de volumen y el volumen inicial, respectiva- mente, y @, simboliza el coeficiente de volumen de la dilatacién térmica. En muchos materiales, el valor de @, es anisotrépico; es decir, depende de la di- recci6n cristalogrética a lo largo de la cual es medido. Para muchos materia. les en que la dilatacién térmica es isotrépica, a, es aproximadamente igual a 30y. Desde el punto de vista atémico, la dilatacién térmica se refleja en un au- mento en la distancia media de separacidn entre los étomos. Este fenémeno se entiende mejor consultando la curva de energia potencial frente a la sepa- racién interatémica para un material sélido, que fue introducida previamen- te (Figura 2.8b) y que reproduce en la Figura 20.3a. La curva tiene forma de un pozo de energia potencial, y la distancia interatémica de equilibrio a0 K, Fo, corresponde al minimo del pozo. Calentando sucesivamente a tempera- turas més altas (7), T>, T3, etc.) aumenta la energia vibracional desde F, has- ta Ey y Es, y asi sucesivamente. La amplitud media de la energia vibracional de un étomo corresponde @ la anchura del pozo a cada temperatura y el es- paciado interatémico se representa por la posicién media, la cual aumenta con la temperatura desde rp ry yr, ¥ asf sucesivamente, La dilatacién térmica se debe realmente a la asimetria de la curva de este pozo de energfa potencial, mas que al aumento de las amplitudes de vibra- cién con la temperatura. Sila curva de energfa potencial fuera simétrica (Fi- gura 20.3), no existirfa un cambio neto en la separaci6n interatémica y, en consecuencia, no existirfa dilatacién térmica. Para cada clase de materiales (metales, ceramicas y polimeros), cuanto mayor es la energia del enlace interatémico, mas profundo y estrecho es el pozo de energfa potencial. Por consiguiente, el aumento en la separacién in- teratémica debido a un determinado aumento de temperatura sera menor y tendré un valor de a menor. La Tabla 20.1 indica los coeficientes lineales de dilatacién térmica de varios materiales. Con respecto a la dependencia de Distancia interatémica—~ ° _I 1 ' a Bar Be 8 cy ia) b)la temperatura, la magnitud del coeficiente de dilatacién aumenta al aumen- tar la temperatura, y este aumento es especialmente notable alrededor de 0 K. Los valores dados en la Tabla 20.1 se refieren a temperatura ambiente a menos que s¢ indique lo contrario. 20.3.1 Metales ‘Tal como se establece en la Tabla 20-1, los coeficientes lineales de dilatacién térmica de los metales mas comunes estin entre 5 x 10-* y 25 x 10° (°C). En algunas aplicaciones es necesario un alto grado de estabilidad dimensio- nal con respecto a las fluctuaciones de temperatura. Esto ha dado lugar al desarrollo de una familia de aleaciones hierro-niquel y hierro-cobalto que tienen valores de a del orden de 1 x 10° (°C). Una de estas aleaciones ha sido desarrollada de manera que tuviera el mismo coeficiente de dil que el vidrio Pyrex; de esta manera se evitan las tensiones térmicas y la ro- tura en la unin cuando esté unida con Pyrex y es sometida a variaciones de temperatura. 20.3.2 Cerdmicas En muchos materiales cerdmicos los enlaces son relativamente fuertes, como se refleja en los coeficientes de dilatacién relativamente bajos; los va- lores se encuentran tipicamente en ef intervalo entre 0,5 x 10° y 15 x 10° (°C)*. En el caso de ceramicas no cristalinas y también aquellas con estruc- tura cristalina ciibica, a es isotrépico. En caso contrario, es anisotrépico; € incliso algunas cerdmicas pueden contraerse en una determinada direccién al ser calentadas mientras ocurre Io contrario en otras direcciones. En los vi- drios inorgdnicos e} coeficiente de dilatacin depende de la composicién. La silice vitrea (vidrio de SiO, de alta pureza) tiene un coeficiente de dilatacién pequeito, 0,5 x 10° (°C). Esto se explica debido a una densidad de empa- quetamiento pequefia de manera que cl cambio en la distancia interatémica produce un pequefio cambio dimensional macroseépico. Afiadiendo impu- rezas a la silice vitrea se aumenta el coeficiente de dilataci6n, Los materiales cerémicos sometidos a cambios de temperatura deben te- ner coeficientes de dilatacién térmica relativamente bajos y, ademds, deben ser isotrépicos. En caso contratio, estos materiales fragiles pueden experi ‘mentar fractura como consecuencia de los cambios dimensionales no unifor- mes, lo cual Se denomina choque térmico, tal como se trata més adelante en este capitulo. 20.3.3 Polimeros Algunos materiales polimeros experimentan dilataciones térmicas muy ele- vadas al ser calentados tal como es de esperar por los altos coeficientes de latacién que van desde aproximadamente 50 x 10 hasta 300 x 10°6 (°C). Los valores més altos de oy se encuentran en los polimeros lineales y ramiti- cados debido a que los enlaces intermoleculares son débiles y el entrecruza- do es mfnimo, Al aumentar el entrecruzamiento, la magnitud del coeficiente de dilatacién disminuye; los coeficientes menores se encuentran en los poli- meros termoestables tales como la baquelita,en donde el enlace es casi com- pletamente covalente. 673 20.3 DILATACIGN TERMICA