11/18/2016 11–17 GHz Reconfigurable Stacked Power Amplifier Using Matched Slant Microstrip Line for Ku Band Application | SpringerLink

11–17 GHz Reconfigurable Stacked Power
Amplifier Using Matched Slant Microstrip
Line for Ku Band Application
Wireless Personal Communications
pp 1–15

Authors Authors and a iliations

Sandeep Kumar, Binod Kumar Kanaujia, Santanu Dwari, Ganga Prasad Pandey, 
Dinesh Kumar Singh

Article
First Online: 24 August 2016
DOI (Digital Object Identifier): 10.1007/s11277-016-3633-x

Cite this article as:

Kumar, S., Kanaujia, B.K., Dwari, S. et al. Wireless Pers Commun (2016).
doi:10.1007/s11277-016-3633-x

29

Downloads

Abstract

In this paper, a reconfigurable stacked CMOS power amplifier using matched
microstrip slant line for Ku­band application is proposed. This work is mainly
focused on a matching component which is microstrip line and it is slanted at
45°. This component is applied in stacked power amplifiers which provide a
higher output power and enhanced power added efficiency (PAE), improved
impedance matching and wide impedance bandwidth. Two, three and four
stacked power amplifiers with matched microstrip slant lines are designed,
analyzed and compared. First demonstration uses a single microstrip slant line
that covers a frequency range of operation from 7 to 15.9 GHz with impedance
bandwidth of 8.9 GHz. This impedance bandwidth can be enhanced using
proposed two or more stacks of microstrip slant lines and exhibits greater than
20 GHz impedance bandwidth with reconfigure band of operation. Two, three
and four stacked power amplifiers are designed and simulated in the advanced
design system using 45 nm predictive technology model process. As per the
results of PAs, effective four stacked power amplifier design achieves maximum
PAE of 57 % while a saturated output power of 20 dBm. The forward gain of
17.5 dB is obtained within frequency range of 11–17 GHz.

Keywords
http://link.springer.com/article/10.1007/s11277­016­3633­x 1/4
11/18/2016 11–17 GHz Reconfigurable Stacked Power Amplifier Using Matched Slant Microstrip Line for Ku Band Application | SpringerLink
Keywords

Reconfigurable Power amplifier Slanted Microstrip line Stacked

References

1. Rezaei, S., Belostotski, L., Ghannouchi, F., & Aflaki, P. (2013). Integrated design of
a class­J power amplifier. IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, 61, 1639–1647.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/TMTT.2013.2247618)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Integrated%20design%20of%20a%20class­
J%20power%20amplifier&author=S.%20Rezaei&author=L.%20Belostotski&author=F.%20Ghannouchi&author=P.%20Aflaki&
1647&publication_year=2013)

2. Grebennikov, A., & Wong, J. (2012). A dual­band parallel Doherty power amplifier
for wireless applications. IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, 60, 3214–3222.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/TMTT.2012.2210906)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?title=A%20dual­
band%20parallel%20Doherty%20power%20amplifier%20for%20wireless%20applications&author=A.%20Grebennikov&autho
3222&publication_year=2012)

3. Dabag, H., Hanafi, B., Golcuk, F., Agah, A., Buckwalter, J., & Asbeck, P. (2013).
Analysis and design of stacked­FET millimeter­wave poweramplifiers. IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, 99, 1543–1556.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/TMTT.2013.2247698)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Analysis%20and%20design%20of%20stacked­FET%20millim
wave%20poweramplifiers&author=H.%20Dabag&author=B.%20Hanafi&author=F.%20Golcuk&author=A.%20Agah&author=J
1556&publication_year=2013)

4. Rezaei, S., Belostotski, L., Ghannouchi, F. M., & Aflaki, P. (2013). Integrated design
of a class­J power amplifier. IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, 61, 1639–1647.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/TMTT.2013.2247618)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Integrated%20design%20of%20a%20class­
J%20power%20amplifier&author=S.%20Rezaei&author=L.%20Belostotski&author=FM.%20Ghannouchi&author=P.%20Aflak
1647&publication_year=2013)

5. Shifrin, M., Ayasli, Y., & Katzin, P. (1992). A new power amplifier topology with
series biasing and power combining of transistors. In IEEE microwave millimetre
wave monolithic circuits Symposium (Vol. 41, pp. 39–41).

6. Sowlati, T., & Leenaerts, D. M. W. (2003). A 2.4 GHz 0.18 µm CMOS self­biased
cascode power amplifier. IEEE Journal of Solid­State Circuits, 38, 1318–1324.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/JSSC.2003.814417)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?title=A%202.4%C2%A0GHz%200.18%C2%A0%C2%B5m%20CMO
biased%20cascode%20power%20amplifier&author=T.%20Sowlati&author=DMW.%20Leenaerts&journal=IEEE%20Journal%
State%20Circuits&volume=38&pages=1318­1324&publication_year=2003)

7. Ezzeddine, A. K. & Huang, H. C. (2003). The high voltage/high power FET (HiVP).
In Proceedings of IEEE radio frequency integrated circuits symposium (Vol. 61,
pp. 215–218).

8. Pornpromlikit, S., Dabag, H. T., Hanafi, B., Kim, J., Larson, L. E., Buckwalter, J. F.
et al. (2011). A­band amplifier implemented with stacked 45­nm CMOS FETs. In
Proceedings of IEEE compound semiconductors integrated circuit symposium
http://link.springer.com/article/10.1007/s11277­016­3633­x 2/4
11/18/2016 11–17 GHz Reconfigurable Stacked Power Amplifier Using Matched Slant Microstrip Line for Ku Band Application | SpringerLink
Proceedings of IEEE compound semiconductors integrated circuit symposium
(Vol. 41, pp. 175–178).

9. Fritsche, D., Wolf, R., & Ellinger, F. (2012). Analysis and design of a stacked power
amplifier with very high bandwidth. IEEE Transactions on Microwave Theory
and Techniques, 60, 3223–3231.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/TMTT.2012.2209439)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?
title=Analysis%20and%20design%20of%20a%20stacked%20power%20amplifier%20with%20very%20high%20bandwidth&au
3231&publication_year=2012)

10. McRory, J. G., Rabjohn, G. G., & Johnston, R. H. (1999). Transformer coupled
stacked FET power amplifiers. IEEE Journal of Solid­State Circuits, 34, 157–161.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/4.743760)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?
title=Transformer%20coupled%20stacked%20FET%20power%20amplifiers&author=JG.%20McRory&author=GG.%20Rabjoh
State%20Circuits&volume=34&pages=157­161&publication_year=1999)

11. Lei, M. F., Tsai, Z. M., Lin, K. Y., & Wang, H. (2007). Design and analysis of stacked
power amplifier in series­input and series­output configuration. IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, 55, 2802–2812.
CrossRef  (http://dx.doi.org/10.1109/TMTT.2007.909147)
Google Scholar  (http://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Design%20and%20analysis%20of%20stacked%20power%20a
output%20configuration&author=MF.%20Lei&author=ZM.%20Tsai&author=KY.%20Lin&author=H.%20Wang&journal=IEEE
2812&publication_year=2007)

12 . Gupta, K. C., Garg, R., Bahl, I., & Bhatia, P. (1996). Microstrip lines and slotlines
(2nd ed.)  Artech House Publishers, US

Copyright information

© Springer Science+Business Media New York 2016

About this article

Print ISSN
0929-6212

Online ISSN
1572-834X

Publisher Name
Springer US

About this journal

Reprints and Permissions

© 2016 Springer International Publishing AG. Part of Springer Nature.

Not logged in · Not aㄐiliated · 14.139.122.139
http://link.springer.com/article/10.1007/s11277­016­3633­x 3/4
11/18/2016 11–17 GHz Reconfigurable Stacked Power Amplifier Using Matched Slant Microstrip Line for Ku Band Application | SpringerLink
Not logged in · Not aㄐiliated · 14.139.122.139

http://link.springer.com/article/10.1007/s11277­016­3633­x 4/4