Innovative  Entrepreneurial  Global

CHAPTER 2: 
FIELD‐EFFECT TRANSISTORS

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FET Organization Chart

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 Practical Application

● Three‐Channel Audio Mixer

● Silent Switching

● Phase Shift Networks

● Motion Detection System

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 Introduction
● FETs are much like BJTs. 

● Similarities:
– Amplifiers
– Switching devices
– Impedance matching circuits

● Differences:
– FETs are voltage controlled devices whereas BJTs are current 
controlled devices.
– FETs also have a higher input impedance, but BJTs have higher gains.
– FETs are less sensitive to temperature variations and because of their 
construction they are more easily integrated on ICs.
– FETs are also generally more static sensitive than BJTs.

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 FET Types

● JFET –– Junction Field‐Effect Transistor.

● MOSFET –– Metal‐Oxide Semiconductor Field‐Effect       
Transistor.

– D‐MOSFET –– Depletion Type MOSFET.

– E‐MOSFET –– Enhancement Type MOSFET

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 D‐MOSFET Construction

● There are two types of D‐MOFFET.
– n‐channel
– p‐channel
● The n‐channel is more widely used.
● The drain (D) and source (S) connect to the n‐
doped regions. 
● These n‐doped regions are connected via an n‐
channel. 
● This n‐channel is connected to the gate (G) via a 
thin insulating layer of SiO2. 
● The n‐doped material lies on a p‐doped substrate 
that may have an additional terminal connection 
called substrate (SS).

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 Basic Operation of a D‐MOSFET

A depletion‐type MOSFET can operate in two modes:
• Depletion mode
• Enhancement mode

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 D‐MOSFET in Depletion Mode

The characteristics are similar to a JFET.
• When VGS = 0V, ID = IDSS
• When VGS < 0V, ID < IDSS
• The formula used to plot the transfer curve still 
applies (Shockley Equation):  

2
 V 
ID  IDSS  1  GS 
 VP 

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 D‐MOSFET in Enhancement Mode

• VGS > 0V
• ID increases above IDSS
• The formula used to 
plot the transfer curve 
still applies:

2
 V 
ID  IDSS  1  GS 
 VP 

Note that VGS is now a positive polarity.

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p‐Channel D‐MOSFET

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Specification Sheet

Maximum Ratings

more…

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Specification Sheet
Electrical Characteristics

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D‐MOSFET AC Equivalent Circuit

1
Symbol
gm  y fs , rd 
y os
Hybrid‐ model

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 Mathematical Definitions of gm

2
 V   V 
ID  IDSS  1  GS  g m  g m0 1  GS 
 VP   VP 
 ID
gm 
 VGS VGS ID
Where 1 
2I DSS  VGS  VP IDSS
gm  1  
VP  VP 
 V  ID
g m  g m0  1  GS   g m0
Where VGS =0V VP IDSS
 
2I DSS
g m0 
VP

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 E‐MOSFET Construction

• The drain (D) and source (S) connect to 

the n‐doped regions. These n‐doped 
regions are connected via an n‐channel.

• The gate (G) connects to the p‐doped 
substrate via a thin insulating layer of 
SiO2.

• There is no channel.

• The n‐doped material lies on a p‐doped 
substrate that may have an additional 
terminal connection called the substrate
(SS).

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 Basic Operation of an E‐MOSFET

The E‐MOSFET only operates in the enhancement mode.
• VGS is always positive.

• As VGS increases, ID
increases.

• As VGS is kept constant 
and VDS is increased, then 
ID saturates (IDSS) and the 
saturation level, VDS(sat) is 
reached.

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 E‐MOSFET Transfer Curve

To determine ID given VGS:

ID  k(VGS  VTh )2
Where: 
VT = threshold voltage or 
voltage at which the 
MOSFET turns on.

k = constant found in the 
specification sheet.
k can also be determined by  VDS(sat) can be calculated by:
using values at a specific point by 
the formula: VDS(sat)  VGS  VTh
ID(ON)
k
(VGS(ON)  VTh ) 2

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 p‐Channel E‐MOSFETs

The p‐channel E‐MOSFET is similar to the n‐channel, except that the voltage 
polarities and current directions are reversed.

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Specification Sheet

Maximum Ratings

more…

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Specification Sheet
Electrical Characteristics

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E‐MOSFET AC Equivalent Circuit

For pMOS, the arrow

of the dependent
source must pointing
upward and also
change the polarity
Symbol Hybrid‐ model
of vgs to vsg

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Mathematical Definitions of gm

ID  k VGS  VTh 
2

 ID
gm 
 VGS

g m  2k VGS  VTh 
ID
Where VGS  VTh  
k
ID
g m  2k  2 kI D
k

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 Handling MOSFETs

MOSFETs are very static sensitive.  Because of the very thin SiO2 layer 
between the external terminals and the layers of the device, any small 
electrical discharge can create an unwanted conduction.

Protection

• Always transport in a static sensitive bag.
• Always wear a static strap when handling MOSFETS.
• Apply voltage limiting devices between the gate and source, such as 
back‐to‐back zeners to limit any transient voltage.

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Summary Table for DC Biasing

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 Exercise

For the circuit shown below, given IDSS = 8 mA and VGS(off) = VP = 4 V. 

Determine IDQ and VGSQ by graphical method.
{3.28 mA,  1.44V }

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Common‐Source E‐MOSFET With Drain Feedback Bias

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With Drain Feedback Bias AC Equivalent Circuit

vo
I i  g m v gs 
(rd R D )
vi - vo
v gs  v i and Ii 
RF

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 AC Analysis

vo Input Impedance:
I i  g m v gs 
(rd R D ) RF  (rd RD )
Zi 
vi - vo 1 gm (rd RD )
v gs  v i and Ii  RF
RF Zi  RF rd RD ,rd 10R D
1 gmRD

Output Impedance:
Voltage Gain:
Z o  RF rd RD A v  gm (RF rd RD )
Z o  RD RF rd ||RD ,rd 10R D A v  gmRD RF rd RD ,rd 10RD

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With Voltage Divider Bias

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AC Equivalent Circuit

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 AC Analysis

Input Impedance:
Z i R 1 R 2

Output Impedance:
Z o  rd R D

Zo  RD rd  10R D

Voltage Gain:
A v  gm (rd RD )
A v  gmRD rd 10RD

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Summary

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chapter 2: (continue)
Amplifier Frequency Response

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Common‐Source Amplifier

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AC Equivalent Circuit At Low Frequency

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 AC Analysis At Low Frequency

 Low cutoff frequency due to coupling capacitors CC1 and CC2:
1
fL1 
2 π R sig  Z i C C1

1
fL2 
2 π R L  Z o C C2
 Input and output impedances:

Zi  RG and Zo  RD

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 AC Analysis At Low Frequency

 Low cutoff frequency due to bypass capacitor CS:
1
fLS 
2 π R THCS
RS
R TH  ,   With rd
 R S 1  gm rd  
1   

 rd  RD RL 
1
R TH  RS ,   Without rd (rd = )
gm

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AC Analysis At High Frequency

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 AC Analysis At Low Frequency

 Miller Capacitances:
 A v  1
CMi  Cgd 1 A V  , CMo  Cgd  
 AV 
 AV is a mid‐band voltage gain

 Where
Ci  C wi  Cgs  CMi ,R THi  R sig R G

Co  C wo  Cds  CMo ,R THo  RD RL

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 AC Analysis At Low Frequency

 Higher cut‐off frequencies:

1
fHi 
2 π R THiCi

1
fHo 
2 π R THo Co

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 Exercise
 Given IDSS = 8mA, VGS(OFF) = VP = 4V and rd = , determine:‐
(i) VGSQ and IDQ by graphical method.
(ii) Draw a mid‐band AC equivalent circuit.
(iii) Mid‐band voltage gain, Avs = vo/ES in dB.
(iv) Mid‐band current gain, Ais = iL/isig in dB.
-5V

RD
6.8k
R1 iL
180k
Rsig C1 C2 +
60 5 F RL
isig 10 F vO
1k
-

R2
Es 4.7k CS
RS
5 F
1.8k

+3V

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 Exercise
 Given k = 0.5 mA/V2, VGS(Th) = VTh = 2V and rd = , determine:‐
(i) VGSQ and IDQ by graphical method.
(ii) Draw a mid‐band AC equivalent circuit.
(iii) Impedances, Zi and ZO.
(iv) Mid‐band voltage gain, AV = vO/vi in dB.
+18V

RD
2.2k
R1
4.7M
C1
5 F C2 +
RL
10 F vO
1k
-

R2
vi
2.2M
CS
RS
5 F
500

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 Exercise

ID(on) = 6 mA
VGS(on) = 8 V
VGS(Th) = VTh = 3 V
rd = 50 kΩ,

(a) Determine IDQ and VGSQ by graphical method.

(b) Draw a mid‐band AC equivalent circuit.
(c) Determine Zi and Zo.
(d) Determine the mid‐band voltage gain, AV = vO/vi in dB.

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 Exercise

kN = 0.4 mA/V2 , VTN = VGS(th) = 3 V,

Cds = ∞, Cgs = 2 pF, Cgd = 4 pF,
Cwi = 3 pF, Cwo = 5 pF,
VGSQ = 4.8 V and rd = ∞.

(a) Draw the small‐signal ac equivalent circuit at middle frequency.
(b) Determine gm, Zi and Zo.
(c) Determine AV = vO/vi in dB.
(d) Determine the dominant high cut‐off frequency, fH .

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THE END

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