Chương 4

Máy thu quang

OPTICAL RECEIVERS

Fiber-Optic Communications Systems, Third Edition.

Govind P. Agrawal

4/14/2020 1
 Nội dung của chương 4
❖ Đặc điểm chung của máy thu quang
❖ Cấu tạo và nguyên lí hoạt động của photodiode PIN
❖ Các vật liệu chế tạo photodiode
❖ Hệ số chuyển đổi quang-điện, hiệu suất lượng tử, tốc độ đáp ứng
và băng thông của photodiode
❖ Cấu tạo và nguyên lí hoạt động của photodiode thác APD
❖ So sánh các thông số cơ bản của các loại photodiode
❖ Tỉ số lỗi bit (BER) trong máy thu quang
❖ Tính toán tỉ số tín hiệu trên nhiễu điện (eSNR) trong máy thu
quang

4/14/2020 2
 Đặc điểm chung của máy thu quang

Mạch điện tử

Tín hiệu Tín hiệu

quang điện
(vào) (ra)
Bộ giải
Bộ ghép Photodiode điều chế

Sơ đồ khối tổng quát của máy thu quang

4/14/2020 3
 Đặc điểm chung của máy thu quang
Có nhiệm vụ chuyển đổi tín hiệu quang nhận được tại đầu ra của
sợi quang thành tín hiệu điện ban đầu
Bộ ghép tập trung tín hiệu quang vào bộ tách sóng quang
Việc thiết kế của bộ giải điều chế phụ thuộc vào dạng điều chế
của tín hiệu ở máy phát. Hầu hết các hệ thống thông tin sợi quang
hiện này đều sử dụng phương pháp điều chế cường độ-tách sóng
trực tiếp (IM-DD).
Bộ tách sóng trong trường hợp này được thực hiện bởi mạch
quyết định nhằm phát hiện bít 1 hay bít 0 dựa vào biên độ tín
hiệu đến.

4/14/2020 4
 Đặc điểm chung của máy thu quang

▪ Tính chính xác của mạch quyết định phụ thuộc vào tỉ số tín hiệu
trên nhiễu SNR của tín hiệu điện thu được từ bọ tách sóng quang.
▪ Một số hệ thống thông tin sợi quang yêu cầu BER <10-14
▪ Độ nhạy được định nghĩa là công suất quang trung bình nhỏ nhất
đến máy thu sao cho máy thu vẫn làm việc bình thường nghĩa là
thoả mãn tỉ số BER cho trước ứng với tốc độ bít nhất định.
▪ Độ nhạy phụ thuộc tỉ số tín hiệu trên nhiễu, nghĩa là phụ thuộc
vào các loại nguồn nhiễu khác nhau tác động vào máy thu

4/14/2020 5
 Độ nhạy của máy thu quang

4/14/2020 6
 Receiver Sensitivity vs. Bit Rate

10−9
4/14/2020 7
 Photodiode PIN

_
+

Sơ đồ vùng năng lượng của Photođiốt PIN

4/14/2020 8
 Photodiode PIN (tt)

Một phô ton đến có năng lượng lớn hơn hoặc bằng năng lượng vùng
cấm thì mới có thể kích thích một điện tử từ vùng hoá trị nhảy lên
vùng dẫn.
hc
h =
hc
 Eg  
 Eg

Gọi là bước sóng cắt mà tại đó photon có năng lượng đúng bằng năng
hc
lượng vùng cấm, nghĩa là C = .
Eg
Do đó, mỗi một photodiode có một dải bước sóng làm việc nhất định,
nếu ánh sáng đến có bước sóng dài hơn bước sóng cắt của photodiode
thì nó không làm việc được.

4/14/2020 9
 Các vật liệu chế tạo photodiode

Dải bước sóng hoạt động của một số loại photodiode phổ biến

Năng lượng Bước sóng Dải bước sóng

Vật liệu vùng cấm, cắt [nm] làm việc [nm]
[eV]
Silicon (Si) 1,17 1060 400-1060

Germanium (Ge) 0,775 1600 600-1600

Gallium Arsenide 1,424 870 650-870

(GaAs)
InGaAs 0,73 1700 900-1700

InGaAsP 0,75-1,35 1650-920 800-1650

4/14/2020 10
 Photodiode APD

n+

P+

Cấu trúc Photodiode thác và điện trường trong vùng trôi.

4/14/2020 11
 Hiệu suất lượng tử
IP / q
=
P0 / h
Trong các photodiode thực tế, cứ 100 photon đến thì có thể tạo
được từ 30 đến 90 cặp điện tử lỗ trống, nghĩa là hiệu suất
lượng tử:

 = 30% − 90%
Một số photodiode hiện nay đạt được hiệu suất lượng tử cao
hơn

4/14/2020 12
 Hệ số chuyển đổi quang-điện
Ip q
R= =
P0 h

4/14/2020 13
 Các thông số cơ bản của các loại photodiode PIN
Các thông số cơ bản của các loại photodiode PIN

Ký hiệu Đơn vị Si Ge InGaAs

Thông số
Dải bước sóng nm 400-1100 800-1650 1100-1700
Hệ số chuyển R A/W 0,4-0,6 0,4-0,5 0,4-0,75
đổi quang-
điện

Dòng tối ID nA 1-10 50-500 0,5-2

Thời gian lên tr ns 0,5-1 0,1-0,5 0,05-0,5
Băng thông BW GHz 0,3-0,7 0,5-3 1-2
Điện áp phân VB V 5 5-10 5
cực

4/14/2020 14
Các thông số cơ bản của các loại photodiode APD

Các thông số cơ bản của các loại photodiode APD

Ký hiệu Đơn vị Si Ge InGaAs

Thông số
Dải bước nm 400-1100 800-1650 1100-1700
sóng
Hệ số nhân M lần 20-400 10-200 10-40
Dòng tối ID nA 0,1-1 50-500 10-50 tại
M=10
Thời gian lên tr ns 0,1-2 0,5-0,8 0,1-0,5
Hệ số khuếch MxB GHz 100-400 2-10 20-250
đại x Băng
thông
Điện áp phân VB V 150-400 20-40 20-30
cực

4/14/2020 15
 Nhiễu trong máy thu quang
+ Các loại nhiễu chính trong máy thu quang: nhiễu lượng tử (hay
còn gọi là nhiễu bắn), nhiễu dòng tối và nhiễu nhiệt (hay còn gọi
là nhiễu mạch). Nhiễu lượng tử và nhiễu dòng tối liên quan đến
photodiode, nhiễu nhiệt liên quan đến các mạch điện tử.
+ Nhiễu bắn (Shot noise) biểu thị bản chất ngẫu nhiên (có tính
xác suất) của ánh sáng (dưới dạng hạt) tác động vào photodiode.
Đồng thời, phản ánh đặc tính cơ bản của quá trình tách sóng là sự
thăng giáng (biến thiên) của hạt mang photo được tạo ra trong
photodiode.

4/14/2020 16
 Nhiễu trong máy thu quang (tt)

+Nhiễu dòng tối liên quan đến các điện tử và lỗ trống được tạo
ra do nhiệt tại mối nối pn của photodiode. Chúng di chuyển theo
điện áp phân cực bên ngoài, tạo ra dòng tối, khi không có ánh
sáng tác động vào photodiode.

+Nhiễu nhiệt được tạo ra từ chuyển động nhiệt ngẫu nhiên của
các điện tử ở một nhiệt độ nhất định.

4/14/2020 17
 Tính eSNR
Trường hợp máy thu dùng photodiode lý tưởng
Công suất của tín hiệu trên điện trở tải RL là:
S signal = RL I P2 = RL R 2 PRX
2

Công suất nhiễu lượng tử (nhiễu bắn) được tính theo biểu
thức: N Q = 2 RL qI P Be = 2 RL qRPRX Be
RLR, Be, :lần lượt là điện trở tải, hệ số chuyển đổi quang-điện và
độ rộng băng tần điện của máy thu. Từ đó ta có tỉ số S/N trong
trường hợp lý tưởng:
RL R 2 PRX
2
RPRX
eSNR = =
2 RL qRPRX Be 2qBe
RPRX
2qBe = giới hạn nhiễu lượng tử
4/14/2020 18
 Trường hợp máy thu dùng photodiode PIN
Nhiễu dòng tối được biểu diễn theo biểu thức:
N D = N DB + N DS = 2 RL q( I DB + I DS ) Be

Nhiễu nhiệt phụ thuộc vào nhiệt độ tuyệt đối, băng thông
điện và biểu diễn dưới dạng:
N T = 4 KTBe
Với K là hằng số Boltzmann và T là nhiệt độ tuyệt đối (độ K )
Do đó tỉ số eSNR trong trường hợp tách sóng trực tiếp sử
dụng photodiode PIN cho bởi :
S signal RL R 2 PRX
2
eSNRPIN − DD = =
N Q + N DB + N DS + N T 4 KT
[(2qRPRX + 2q( I DB + I DS ) + ) RL Be ]
RL
4/14/2020 19
 Trường hợp sử dụng photodiode APD
Dòng điện tại đầu ra của photodiode:
I P = MRPRX
Với M: hệ số nhân của photodiode APD .
Công suất tín hiệu trên trên điện trở tải RL:
S signal = RL I P2 = RL M 2 R 2 PRX2
Công suất nhiễu lượng tử :
N Q = 2RL qI P MBe F (M ) = 2RL qI P M 1+  Be = 2RL qRPRX M 2+  Be

Trong đó F(M) là hệ số nhiễu (Noise Figure) liên quan đến bản

chất ngẫu nhiên của quá trình thác . Từ thực nghiệm người ta đã
tìm thấy nó có giá trị xấp xĩ . Với x là hệ số nhiễu quá mức. Đối
với diode silic x = 0,3 - 0,5, diode Ge thì x gần bằng 1, còn đối
với diode từ các vật liệu InGAsP, GaAlAsSb thì x gần bằng 0,7 .
4/14/2020 20
 Trường hợp sử dụng photodiode APD (tt)
Công suất nhiễu dòng tối :

N D = N DB + N DS = 2 RL q( I DB M 2+  + I DS ) Be
Vì sự tăng ích thác là một hiệu ứng khối nên ta bỏ qua nhiễu
dòng tối bề mặt trong trường hợp này.
Công suất nhiễu nhiệt cũng được tính như trên. Do đó tỉ số eSNR
trong trường hợp dùng photodiode APD được tính theo biểu thức :
S signal
eSNR APD − DD = =
N Q + N DB + N DS + N T
R 2 PRX2 M 2
=
2+ X 4 KT
[{2q ( I P + I DB ) M + }Be ]
RL
4/14/2020 21
 Kết thúc chương 4

4/14/2020 22