Chapter 24

半導體雷射簡介
Semiconductor lasers

24.1 實驗目的
• 了解二極體雷射雷射的機制與驅動方法，認識Power Meter、OSA的使用方法。

• 量測雷射Power-Supply Current特性曲線，並找。觀察雷射頻譜變化。

24.2 器材清單
器材清單如表24.1。

Table 24.1: 器材清單

項目 器材名稱 數量 重點規格
1 Fabry-Perot 雷射 FP Laser 1 850nm
2 DFB 雷射 DFB Laser 1 1310nm
垂直共振腔面射
3 VCSEL Laser 1 1550nm
型雷射
4 光功率計 Powermeter 1 FPM-300
Optical Spectral
5 光頻譜儀 1
Analyzer，OSA
三用電錶(電流
6 Multimeter 1
計)
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24.3. 預習問題 SEMICONDUCTOR LASERS

24.3 預習問題
1. 簡述產生雷射的條件，並解釋何謂「居量反轉 (population inversion) 」。並說明
目前公認世界第一台雷射 (Mr. Maiman 做出) 之架構及其使用的能級系統？

2. 半導體雷射的結構與氣態雷射類似，不同的是增益介質或 pumping 的方式。有一

台 He-Ne 雷射 (λ = 632.8 nm)，光學共振腔兩端平面鏡距 0.5m (兩平面鏡光學共
振腔，實際上就是 FP 干涉儀)。假設典型的 Ne 632.8 nm 光譜線的自發輻射線寬
為 0.0016 nm，請估算此雷射是在一個縱模下工作? 或是多個縱模，有幾個?

3. 本實驗中要量測雷射光的 Power，會使用 Power Meter，量得的光量單位為W、dB、dBm。

請說明這三者差別。

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24.4. 實驗原理 SEMICONDUCTOR LASERS

Figure 24.1: 雷射基本結構示意圖

24.4 實驗原理
24.4.1 雷射原理簡介
雷射 (LASER) 是由Light Amplication by Stimulated Emission of Radiation縮寫而成，
意指經由幅射的受激發射而達到光放大。而達成雷射有三個最基本的要素：共振腔
(Resonator)、增益介質 (Gain medium)、泵浦 (Pump)，如圖24.1所示。
共振腔的目的在提供受激輻射的反射，減少損耗而達到雷射條件 (損耗=增益)，同
時它也決定了雷射的輸出縱向模態；
增益介質則是提供居量反轉 (Population inversion 的環境，讓光子經過可以引發受
激發射而放大；最後，
泵浦則是提供產生居量反轉的能量來源，泵浦的形式可能是電子(電激發)或是另一
道光束(光激發)。

24.4.2 半導體雷射簡介
半導體雷射是以半導體為增益介質的一種雷射，其中最常見的架構為二極體，又稱為
二極體雷射。它的優點在於體積小、重量輕、可靠性高等優點。半導體雷射從結構上
來看，可以簡單分為同質二極體雷射 (Homo-junction diode laser) 以及異質二極體雷射
(Hetero-junction diode laser)。

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24.4. 實驗原理 SEMICONDUCTOR LASERS

而目前市售的半導體雷射元件，通常附帶與一個光電二極體(Photodiode，PD)做
在一起。PD可轉換LD發出的光強度，將光強度轉換為光電流。藉由監測PD的光電
流，可知LD光強是否產生變化，若搭配外部回授控制電路，做成APC (Auto Power
Control) 電路，可確保LD發出的光能量，為一穩定的值。

同質半導體雷射

同質半導體雷射利用相同直接能隙的半導體P-N接面，注入電子而發光，如圖24.2a。
接合面區為發光區，通常稱作主動區(Active layer)。同質結構也要許多的缺點，載子在
通過主動區時的複合效率不佳，光場分布太過發散，這些都導致臨界電流過大。

異質半導體雷射

圖24.2b為雙異質結構半導體雷射示意圖 (Double hetero-structure，DH)元件示意圖。

以GaAs雷射為例，會使用AlGaAs作為外層的pn，p-GaAs作為主動層。AlGaAs之
能隙約為2eV、GaAs則是約1.4eV。，當加上足夠大順向偏壓時，電流可通過二極體，
此時，p-GaAs為很薄的主動區，大多的載子會被限制在此區，使得注入至p-GaAs之電
子濃度可以很快地隨順向電流適度地增加而增加，有效地降低居量反轉的臨界電流。
並且因AlGaAs之折射率較GaAs低，這樣相對折射係數的改變正好可以形成光的介電波
導層，將光子有效地限制在主動區內，降低損耗並提高光子濃度。使異質半導體雷射
可以降低其臨界電流大小。

臨 界 電流 Threshold current

圖24.3是雷射輸出光強度與二極體電流之關係，注入電流高於臨界電流(Threshold
current)時，光\會形成同調發射，此時可定義雷射的
斜度效率(Slope eciency)
∆P
ηs = (24.1)
∆I
對半導體雷射而言，斜度效率通常在0.2 ~0.8 mW/mA。 它利用晶體兩端的劈裂面
作為反射鏡而產生共振腔

24.4.3 Fabry-Perot Laser (FP)

雷射的輸出頻譜取決於兩個因素，光增益曲線與共振腔特性。若共振腔只是簡單地由
兩個反射鏡構成，則此為Fabry-Perot(FP)共振腔，參考圖24.4 ，此種共振腔的特性可
以另外參考Fabry-Perot相關實驗。在FP共振腔內可以滿足雷射振盪條件的模態(或者說
是波長)是離散的，而增益曲線有一定的分佈寬度，使得FP雷射是種多模雷射，其模態
間距由兩面反射鏡間距決定，而雷射的模態總數則增益曲線寬度決定。

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24.4. 實驗原理 SEMICONDUCTOR LASERS

(a) 同質半導體雷射結構 (b) 異質半導體雷射結構

Figure 24.2: 半導體雷射結構

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24.4. 實驗原理 SEMICONDUCTOR LASERS

Figure 24.3: 光輸出功率與輸入電流

Figure 24.4: Fabry-Perot Laser

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24.4. 實驗原理 SEMICONDUCTOR LASERS

Figure 24.5: DFB雷射結構

24.4.4 Distributed Feedback Laser (DFB)

雷射光常常需要單一波長的雷射，也就是單一模態。其中一種能達到此目的的元件為
分布式回饋雷射(Distributed feedback，DFB)雷射，如圖24.5所示，除了FP雷射原有的
架構外，在臨近主動區有一個布拉格(Bragg)光柵式的波導層，它乃是利用介質折射係
數週期性的變化所產生。在折射率變化處能產生部分光子的反射，而造成相反方向行
進光之間的耦合(Couple)，只有在一個往返行程後之相位改變為2π才會形成駐波，使
得DFB輸出為單一模態。

24.4.5 Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)

VCSEL之光共振腔軸與注入電流之方向平行，而非傳統半導體雷射之垂直電流方向，
相較之下，VCSEL的主動區要短得多。共振腔兩端的反射鏡則由交換之高低相對折射
率之介質鏡面(Dielectric mirror)構成，就像是光柵一般。與傳統雷射相比，VCSEL有
較低的臨界電流、較高的耦合效率以及容易封裝、測試等優點。

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24.4. 實驗原理 SEMICONDUCTOR LASERS

Figure 24.6: 簡化VCSEL示意圖

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24.5. 實驗步驟 SEMICONDUCTOR LASERS

(a) FP & DFB 雷射腳位 (b) VCSEL腳位

Figure 24.7: 雷射腳位

24.5 實驗步驟
1. 觀察三種半導體雷射上的編號，並依編號翻閱規格書 Datasheet ，分辨何種雷射
為VCSEL、FP、DFB。

2. 特別注意：接觸雷射之前請戴上靜電環

3. 參考圖24.7來判斷腳位。

24.5.1 Fabry-Perot Laser

1. 將雷射置於麵包板上 DC Current Supply接上LD，PD接上電流計。雷射腳位參考

規格書。

2. 觀察電流計數值的正負，說
說明 流 過 PD 的 電 流 方 向。

3. 在開始供應電流之前，先設定Current supply的上限 (VCSEL: 15 mA；FP & DFB:

35 mA)。

4. 將光纖接於光功率，並設定至目前使用的雷射波長。慢慢增加電流，同時紀
紀錄 光
功 率 值 與 電 流 計 讀 值 ，直到電流上限為止。以
以剛 剛 量 測 的 P-I曲 線 ， 概 略 求 出 臨
界電流，以及斜率效率。

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24.5. 實驗步驟 SEMICONDUCTOR LASERS

5. 使用TE cooler 升溫，觀

觀 察 此 時 的 Power 有 什 麼 變 化 ？ 並 記 錄 。 請 說 明 升 溫
時，功率的改變的原因。

6. 以OSA觀 察 雷 射 光 頻 譜 ， 比 較 接 近 臨 界 電 流 前 、 後 ， 以 及 高 功 率 輸 出(接 近 所
設 定 電 流 上 限 時 ) 的 頻 譜 ， 拍 照 存 檔 。 紀 錄 各 「 峰 -峰 」 的 差 異 值 ， 估 計 雷 射 的
共振腔長

24.5.2 Distributed Feedback Laser

1. 將雷射置於麵包板上 DC Current Supply接上LD，PD接上電流計。雷射腳位參考

規格書。

2. 觀察電流計數值的正負，說
說明 流 過 PD 的 電 流 方 向。

3. 在開始供應電流之前，先設定Current supply的上限 (VCSEL: 15 mA；FP & DFB:

35 mA)。

4. 將光纖接於光功率，並設定至目前使用的雷射波長。慢慢增加電流，同時紀
紀錄 光
功 率 值 與 電 流 計 讀 值 ，直到電流上限為止。以
以剛 剛 量 測 的 P-I曲 線 ， 概 略 求 出 臨
界電流，以及斜率效率。

5. 使用TE cooler 升溫，觀

觀 察 此 時 的 Power 有 什 麼 變 化 ？ 並 記 錄 。 請 說 明 升 溫
時，功率的改變的原因。

6. 以OSA觀 察 雷 射 光 頻 譜 ， 比 較 接 近 臨 界 電 流 前 、 後 ， 以 及 高 功 率 輸 出(接 近 所
設 定 電 流 上 限 時 )的 頻 譜 ， 拍 照 存 檔 。

24.5.3 Vertical Cavity Surface Emitting Laser

1. 將雷射置於麵包板上 DC Current Supply接上LD，PD接上電流計。雷射腳位參考

規格書。

2. 觀察電流計數值的正負，說
說明流 過 PD 的電 流 方 向 。

3. 在開始供應電流之前，先設定Current supply的上限 (VCSEL: 15 mA；FP & DFB:

35 mA)。

4. 將光纖接於光功率，並設定至目前使用的雷射波長。慢慢增加電流，同時紀
紀錄 光
功 率 值 與 電 流 計 讀 值 ，直到電流上限為止。1 ，以
以 剛 剛 量 測 的P-I曲 線 ， 概 略 求
出臨界電流，以及斜率效率。

5. 使用TE cooler 升溫，觀

觀 察 此 時 的 Power 有 什 麼 變 化 ？ 並 記 錄 。 請 說 明 升 溫
時，功率的改變的原因。
1 對於 VCSEL，臨界電流較低，請仔細調整電流量測P-I，電流增幅控制在0.2~0.3 mA間

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24.5. 實驗步驟 SEMICONDUCTOR LASERS

6. 以OSA觀 察 雷 射 光 頻 譜 ， 比 較 接 近 臨 界 電 流 前 、 後 ， 以 及 高 功 率 輸 出(接 近 所
設 定 電 流 上 限 時 ) 的 頻 譜 ， 拍 照 存 檔 。 紀 錄 各 「 峰 -峰 」 的 差 異 值 ， 估 計 雷 射 的
共振腔長。

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24.6. 問題與討論 SEMICONDUCTOR LASERS

24.6 問題與討論
1. 從實驗的結果，包括臨界電流、頻譜、斜率效率等，比較三種雷射的差異，並試
著解釋可能原因。

2. 半導體雷射規格上，通常標示著 Single mode 或 Multi mode 雷射，請問這個 mode

是代什麼意義? FP、DFB、VCSEL 結構的半導體雷射光分別為何種 mode？

3. 請搭配相關資源說明OSA(Optical Spectral Analyzer)的工作原理。

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24.7. 參考書目及補充資料 SEMICONDUCTOR LASERS

24.7 參考書目及補充資料

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