Unidad No. 3 4 Lenportench Rooate portanda axle polarizactoh mun dispaihus,civevite osisiema electremico, Anlecedente: EGid) a Ja velacion gre existe entre loa corentes sutemas eintemas amon transis tor ? & Canter con Jon comfiquracionss at un bransislor ? Gadler son Jascurven coracteristicas Be) Jronsi shor? é Que’ an polartanr ? A Union PN + © N ec Se RP es Crrabal ew eqpsli- oie arizotion Uridin PN. Rolarraaiion divecia Palen 200g vavatsa, is Ip (ened (Mayorsdenios) yy 4 ty =| Ca ——. Is CA),Modelo si\ewdlico ==> . ve we Vp diode veal Diode ideal ) Motels gratice: Toma Trina) Le Vote 4 Yo Grew) ir = wo Tp(n) Modelo omclogon elechice SSeS Yo Rp Le Set bw Me t DH mi — Yo (rnd) % " (a ” & Union NPN: = S S UPD: Unio Dolorre 0d « Dieed Transistor Nypp—-P yp oN erst tinier Tes es simon Yee Je= Tee +Te Tes Jee Keo Teo: keeo ae Lueae eontonces Va veloc 3 Seo gue nan, onde los orion ter nkemnan yey Wenas Te-lee-Seo wrath Bs Je: Jerde Je-leer tec, Je-lee-eo, le-Jec +heo3 Simbsle_de\ Sonistor: - e c (ik ‘in pot ve 7 Te T| Ve Je th = 1 Senbida conventional = de \as comentes PNP NPN + Conhiquiaconen del tronsisdor: Ser Icongy: sel) OA- og AES SFT Teelec +t a e=Fe FT yeomg les ders deo ™ i p x: dake al, lagenan an oncommenle a2k@C a =I, shes Ty ems ABE teaser Teo Ble ’ + Ko -Ve29, earstencia shia oo eo ca : dees: ANB | Neonslenito ainda oat eles Tec+ Teo 1, X= es Le. dle + Teo] + Sage hman las weyionss dar Gale Selvravioh 4 ta eign chait 4 Tie ke Vee [_ a5 Gavon Coraclerisvicas Curven Corach, ot Solrada Od Ss)ida Conbiguracign Ec, whee > Cowen aceite dg amiiaa sla orion B-C. polarieada, ime samente. 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Je=o Jertec ako», tece BTes.", Tez Biees Teo como: Jg= Lee -Teo anion TeaxFe+tco Jigs Bisco +Ico Te 2 BTe x Teo (eH)e Comde Ipeo, Jez (Br Teo .Comparande los curves caraclenskicon Axsclida de los configuyarionn BC y EC cumdy ‘JesGA> 2D JezTeo yervondo Is=0A a (Bisco, wapectivamente § pot lo tame Veote < Vea ee yo que me) EC, Je b> mnyor fp») que mn el 8, + Se efinen un las cvruan carackeevsdicns Se soRAe las regione, Cotte, Aebrus 4 de Se vracion. Cont guracicin Glechr Comin, C.C Como |e Unies BE siempre B46 Polanzada Avclawmnls whe Foniihin de evar as ipua® e le omike & rvrver aswrmda Corune coracterish. Conon cavacteris. lo ronhovracicn Eo 5 poe to que cos deemhada — dca ae seid, Tew! Conbauracion °C. €. 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El hromshstor eaart svempis hrebajemdy am In QEESON ACT- IVA; milo 2s: Union B-E polorizaan anectamend y le Dnidn B-C, polan2adka mverrannmr 2 Para lon en conrgure row la onda 2s lamnisme ; 29 ARG, Urisn BE polan2nra durchammbeys tntoncn begin vim oy 2 des comenteveros , dota Hane un cvambo equi volente enna doy y- eS ¢hice como el} A gprdeatle p> » ® Ae—bL]nm—ok Grevih equi volete oa uns unio PN polavizndn dyer le COrevits equi volavte ae ont. pace law wen com Avra eon Bz Rengecls = lon cower caraclerss}ico ascQide ote lea ea combiaveacrorn 22 cbhent ec) Atal eguivelarte 9 CD a los Bmentaniod yeolechuT>, xemarromco: ase Comin Tez ale + Ico Emaisor Comum: Jez Pie (Edo Coleclor Com dn "eens aie +(e: ico (\as eurvos cararveris bcos dt mheada wW sorida, Son lor mismar qye lan dele tom penivoh EC) Le Le wlasume cu dor Componerila. por Jo gue @\ Firevily equivelele oo ak va—Ic8 Reva dar wpuerla o wla slhimea prgmte, soclkene e) devily equoe- lle combinomde los svrevi tos equivalerta deombnda, said ssloeewalindl ele ae | BASE Comun: 2s se e cael tLe ‘be Ve 7 [lie o_o 36, 6 te 4 Nec Vee (ee) kee 2 \ Cacuidy equfvolenis 0 cD Crervils equivalents CD aie ora. un Seanaslor NPN- BC porn. un Hansistor EMISOR COmpN: bp & Le ae £ Citevito equivolonte cD Yualmie a CD Orvito equivele nice ase fora un }ransisor NPN- ECCOLECTOR cOMUN: Cucvilo equivalente « CD Cirevily equ? valent o oo. para unrransislor NPN-C.C, para un browsister PNP-C-C Delos civevilos equ? valevitin a CD amleriown, Sobemos AVE! el enema” prima aX & los semicon duciors 22 le lam pembrr wy se ceserva cuaks son los parcmelos atalcos oo CD BR Aronststor que drpondem ae Ste, Voz Vee, B, Teo 4 Ivy Aibseos han ancontredo Ave: Nee —+ venosion ack v0 Ve ie B-# AB = vanacich xe & Alco— vanaridn Re Sco. Nee = -2mV/"c . ot Ap: Bu OT AT Nleo. Leoresees 2 StEjemplo: a)- Utilizando el manual del transistor BC547A, Tabla 3.2, determinar el valor de los parémetros del modelo andlogo - eléctrico a CD, b).- Calcular el valor de los parémetros para T = 50°. Del manual se determina que es un transistor NPN y que sus parémetros estén dados para una Configuracién Emisor comin a una temperatura de T=25°C. eso = Ico )< 5uA (Ig =0; Veg =20V; T,=125°C) Vac =(550a700)mV (Ic =2mA; Vee =5V) Vee<770MV; (Ie =10MA; Vee =5V) Veerisico =620MV hrerico = Peorico=180; Mp >110 pero <220 (Ic =2mA; Vee =5V) Como el valor de Ico esta dado a 125°C, se procede a su calculo a una temperatura ambiente (25°C). ar Teo(125°)= Ie (25°C)2 *¢ ; para este caso AT =125°C -25°C =100°C,, Teq(125°C) 5uA 0c) = keolt25°C)__SyA = Teo(25° C) = “sis” = 193983,853 ~ 18PA = Toeo Por lo tanto, se han obtenido los siguientes valores tipicos del transistor Teo=48PA—Vapeagi¢)=0-62V5—Beeiagre) =180 seh el valor de la resistencia estatica del diodo, su valor, se obtiene haciendo AVpe _(0.77-0.5: 2A 3 =27.50, em Alc (10-2)mA Los valores de estos parémetros se sustituyen en el circuito equivalente. b)- Ahora se procede a calcular los pardmetros del circuito equivalente a CD a 50°C. Esto es, un incremento de temperatura sobre el ambiente de; AT = 50°C - 25°C = 25°C. Sabemos que, conforme la temperatura se incrementa el voltaje base-emisor disminuye por al factor: = -2mv «252° = -50mv ag 7 50m! por lo que: Vy =V, =0.620-0.05V =-0.57V Respecto al parémetro fi se tiene que su valor se incrementa por el la siguiente consideracién: Ry = aT 25°C factor: AB = = 180 « “© = 56.25 ;por lo que: # = 25 =236.25 factor: AP = Ay gooq = 180% src 5 ;por lo que: # =180+56.2 Para la corriente de fuga, se tiene: (425-50)? , ee. SwA Sua Teguaste) =Fco(50°C)2 PF 5 Teo esg8¢) = ase = 5792.62 =0.8632A . 26 Por lo tanto, se tiene: 25°C 50°C Tezo_[_8.70A_|_204nA Vee | _0.62V_ | 0.57V Pre 180 236.25De todo lo anterior se procede ahora hacer un resumen: Se tiene la relacién de corrientes internas y externas del transistor, conocemos las tres configuraciones del transistor polarizadas en su “regién activa” y para cada una de estas configuraciones se obtuvieron las curvas caracteristicas de entrada y salida y de estas familias de curvas, se obtuvo el circuito equivalente a CD del transistor y de éste, se concluye cudles son los parémetros estaticos 0 a CD que caracterizan al transistor y que sus valores estan en funcién del “punto de operacién” y de la temperatura. Observando las variables; I, V, que se grafican en las curvas caracteristicas de entrada y salida y de la configuracién del transistor que se analiza, llegamos a la conclusién que se debe seleccionar un “punto de operacién” dentro de la “regién activa” llamando a esta accién POLARIZACION y del punto de operacién seleccionado se calcula el valor de los pardmetros estéticos o a CD del transistor; recordando ademés, que estos pardmetros dependen de la temperatura équé debemos interpreter, que éstos dependan de la temperatura? que el punto de operacidn seleccionado 0 polarizacién, va a variar cuando varie ésta. Una vez seleccionado la configuracién del transistor y su punto de operacién (dentro de la regién activa), nos podemos preguntar écémo “fijamos” esos valores de I y V2, la respuesta es calculando una “red de polarizacién” o sea las resistencias que nos dardn esos valores de I y de V. Entonces, Polarizar es fijar el punto de operacién sobre las curvas caracteristicas Gel transistor a través de una red de polarizacién; por lo que ahora procede es hacer un Anélisis y Disefio. El andlisis implica utilizar el circuito equivalente a CD del transistor para el punto de operacién seleccionado.y encontrar las “formulas” que definen las coordenadas de ese punto de operacién considerando la variacién por temperatura, El disefio implica el cdlculo de la red de polarizacién que fija al punto de operacién, Pero ya considerando la variacién por temperatura. Girevito b oe polavizacion, cop ® vnc Jescep Carcvi do eguiualerte acd del CBP En lamolla de enhada En la mala at solide Delo maria desohda : Jex Ble +(Baidco Veo: SeRe + Vee Schemes ave: Je= Je+Je lez Bie» (BAN5: . ¢ rte de akindeponctionte” a la _ ola Je mn dpendionie aevervi lo oo — aww at ole Je ga dspendionte Belo poxorns AWonsis totEjemplo c).- Determinar el punto de operacién para el circuito mostrado en la figura, a una temperatura ambiente. Se emplea el transistor BC 547A, d).- Calcular el corrimiento del punto de operacién, cuando la temperatura aumenta a 50°C, veess0v Rena 7K0, Roessoxee we vente Circuito de basico de polarizacién. Del resultado del inciso “a” y “b” del problema anterior 25°C | 50°C Tego | 8.7nA | 204nA Voz | 0.62V | 0.57V 180 | 236.25 ¢) .- Sustituyendo el valor de los pardmetros estaticos a 25°C . 1 = Pee ~Vo) + Leo(B +3)fRe + Ro] . Rg + Ro(B +1) 1, -180(10- 0.62) + 8.7 x10°9[560K"+0.0275K] a 560KQ + 0.027181 1688.4v _ , Te “Tea 564.977KR ~ *98™: Ves Veg “Veo Te Re = OV ~2.7KQx2.98mA=1.93V d) .- Sustituyendo el valor de los pardmetros estaticos a 50°C, 1, =236(10 - 0.57)V +204 x 10°[560K"+0.0275K] 2225.48V__ 3 o3ma lc =i dow =3: 560KA + 0.0275(237) 566.5175KQ Vee =Vec~ eRe = 10V -2.7K2.x3.93MA Se observa que el valor de Icaumenta y el de Vce disminuye interpreténdose que el punto de operacién al aumentar la temperatura el transistor se va hacia saturacién, es decir, sale de la regién activa. =~ 0.638.Ahora calcularemos el porciento de variacién de la corriente de colector como la variacién de la Alc=3.93mA-2.98mA=0.94mA; entre la Ic, Ale _ 0.942 Al. endo; SS = 2:42 _ gitle. o37 | obteniendo; “F£=>iggq 0-315: vend, x76 =31.5 Se concluye que el circuito de polarizacién no tiene buena estabilizacion del punto de operacién. Como ae puede observer o& le dotmula pare Ic; ata sn en Suneen RB) Nee=Vo, 2 Ico. por logue si calealarnes |e vernocioin de Se, Bk, Aebida Unicomente « la varracion dy Vee, See, than te viendo consort a Pelco, se cbtieme: Tc, Woe -Voe)s LoL ban teste) le + @o (e+) Ak. Ove . BAec e+ Ro (B41) ° [fe + end Bde _ & Bee GY] 2, fenil De In aprox ymacien an lerior Q al 2 Ro pore gue le varnarton Be Se, bo) g* ens foe epegvete con vagecwe be | le Qo deve wee BX ( ——_ cae he) Yo vanacian de bee , XN Lek Jencia aieflire 0 & No wor. Gmo sobemos Ld zole vess sacar ayo Grn TE eo vedo CD gal dra da de wnion BE golanzado Ayeciamer Mande Bk 0.0. y buxeamo> queel po sa conslevk © NALA a lasvaTinwown & fe demaere ra, (ve lo ye No s2 deye & varia Sv Valoc (dr Ro), Le SOLUCION sm gue pats que fo (2p coment poem bemente, Se conscle Mm Sous ne llesss\encie Ry come Qs wmlema ol Hrrsislor ovmerbare sta Conachonate gs lo Mm’ de Emisor aR Nomandole Re, Eke sclucior how a la red he pola m2aciok rdefendione du (on variacuonm a ABE ., obseniendo:Red de polarizacién del transistor para minimizar la Alc debido a cambios de AVpg = AVp, 0 Red de Polarizacién (con Re) Haciendo un andlisis similar al anterior, se obtiene para la red de polarizacién (com Re) y considermmndo que Rorle > tle, se cb. Wa Vo) +1co(B+ ERs + Rel. y= Vee (Re + Re Vl, Tc R, +R, (B+ ¢ Vee = Vec-(Re + Rec = Vep = TalRe + Re(B +1)]+ Leo(B + 1)Re + Vo De estas ecuaciones se puede ver que la variacién del punto de operacién se debe a: variaciones de voltaje en las fuentes de alimentacién, de la tolerancia de los valores de las componentes, asi como también en la variacién por temperatura de los parémetros estéticos del transistor Vp, 8, € Ico» Comentorio Un conceple gue zoloemos monnands Syecvenlemenlr 20: Porta mala dt enbrada Floyen das covvientany me sf evden de los WA (Je) y lo cha val orden ax los mA (Je), por wave por re mala o Flume Ip o Fluye Je | (ero no om bor Qor lo gue e! Somseplo gue mame \aat anos Cyeonendements 3 gue (ox Yama Sia Ae meds Ilona Ipxke ¢ biw Je woe) ative cou Se AIR ReS\eionde la Qe hana ls bose opel Pegweacko tasg se Rick (sSteonda le le Nada el ewisory por onve ame) pnt Plover pocle mela Les Te yen Mande Pluie got lame wmiyede Le gCvme sa Fle Ma ReIs mah Mee dete Yee els, Seeds Te — pk, ke: ple Je porto que: JisterBle, Je: (Ie Rete. Qe (aadTe. poy lo gue: be Tambien Ie = es Vee! Oat Yee 7 Te) few Pele. o* Reb lejnnae lo Re ie acta In Base Nez ag) 4% Refleyerte lo Me houa 2) mor One vee deleride [a (ea ove Polarizerion (con Me), proeeeremos o conocer como uarre la Tey Bic) 2m Sune ax lar varia cvonn de Vor, A¥eE; GB, OB, tho, Mle. , J. _ B(Vew - Yee) + Teo lee) - Res Qe (Be) Votiotion dt Te, OTe on funiich ax Jo uairacion on Vee, Yee monlentende consionles a Be Teo, Alc. POV ___ Ake, By Mier Pere(ae) Re if® (Bony es porlo et) Ale Oe (4) Lien =" Teh VSI A diene» ambos Lerminos enh Te Bic BNE, csle\lormnel Morvorbs & vanarth ge” Tel, ” Bslacomenk as Colrctor % Adc. _ Nee Seo” Sle NeeOtro factor importante es Factor de Estabilidad, S, debido a Vge =Vp, definido como la variacién de I, respecto a la variacién de Vy, obteniendo, Meg, | 2 i ae alte oval} Variacién del punto de operacién debidos a cambios Unicamente en f, para este caso consideramos constantes los términos que constituyen la ecuacion de Ic, eS decir Vp =Vge € Ico + T= Plo —Yo)* Teo B+1)(Re + Re) Ry+Re(81) Vp + Ren +1) Vea Vo. +Re(in +0)” Re eno” La variacién en Ic, es: Seely be teal =; ules ~ Vo) Ry + Re(Du Boies Re + ReBy +1) desarrollando y simplificando se obtiene: a 48) Ton BuPu endonde AS=2y-By AB. érmi fi Re. Se puede observar'que ij @s un término pequefio y que 1+ 2; 1B %e es el control de la variacién de I-debido a 8, requiriéndose que Fe sea % pequefio. El porciento de variacién de I,, es independiente de I.. El Factor de Estabilidad con respecto a f, es: Al, I, R, 1S eae ay ae a}Variacién del punto de operacién debido a cambios en Ico Analizando el cambio de Ic (Alc), debido Unicamente al cambio en Ico, se tiene: BlWep = Vo) + Ico( B +1)(Re + Re) Ry+Re(B +1) Ale (B+DR,+ Be) B+IKR +R) Reg gy Ales Ry+RB+1) al(&)-@-0] ts Ale _(B+1KRy + Re) in Ry Ales” (B+DR, Stew bto( 14 } El contro! del cambio de I. se logra con la relacién 8¢ y el Factor de e Estabilidad es: Alc Alco Re Re = Sy. 21+ Comentarios: - La variacién del punto de operacién en funcién de la variacién por temperatura, depende de £,V e Ico- ~ El control de la variacién de Ic debido a V,,, se logra mediante la eleccién adecuada de V, - Mientras que, el control de I; debido a # ¢ Ic, se logra mediante la relacién de 3 La variacién total de I-es: ‘le 5 Mo, 88 {fh To Ve BuBm Re y en términos de los factores de estabilidad. AP” Pub \* Re Alc 4, Re witha. ae ese en donde: Vp =Vou—Vomi Alico =Icon—Icomi 4B=Pw-Bmi Tom=Te @ 25°C.Disefio del circuito de la red de polarizacién. El disefio del circuito de la red de polarizacién se refiere a calcular Re, Rev Re ¥ Ves Y lograr un punto de operacién estabilizado; es decir independiente de las variaciones de temperatura. Las ecuaciones de disefio se obtuvieron a partir del andlisis del circuito, por lo que se plantean los siguientes métodos. 1. Método rapido: +e ff" T { Polarizacién por el método répido. a) Suponer el V; =4V y de aqui se calcula el valor de Re por lo que: V, R = = b) Se considera que: a. 10 y se calcula R, 7 . Veo - Vee c). Calcular el valor de R.: Ro = 73 -Re fe d) Calcular el valor de Vag: Re Vos = To}Re + 523} +Vo + Ico(8 + 1)Re 2. Método de minima distorsin: Polarizacién por el método de minima distorsién.a). Dividir el valor de Vcc en tres partes de la siguiente manera: Vcc = Calida de tensién en Re 5 Vee =Caida de tensién entre colector-emisor Ve =Calda de tensién en Re 1Vce . #Ia" b). Calcular el valor de Re 1 Ve = 3Veci Re = Re =Re Rp =10Re c) Calcular el valor de Vg 3. Division de efectos: ove £ veo ror Polarizacién por el método de divisién de efectos. Se refiere a dividir el efecto de las variaciones de f, Vo, € Ico- Dividir el ye (porciento de variacién de la corriente de colector) en lc dos 0 dividir la variacién de la corriente de colector en dos y distribuirlas asi: a) 1 1 . 1 Ale _ AVp Me = & AVg; ee calcular Re b) ladle _ a8 fel = 1 ; calcular R, 2h aa Re ° ° 1gCircuito practico de polarizacién, El circuito basico de polarizacién con R- no constituye un circuito practico Porque hay dos fuentes Vsp ¥ Vec. Sin embargo, a partir de él puede analizarse para obtener. a). Polarizacién por divisor de voltaje: Ry = Rays Van = Vie conocido Ry y Vs, se determina R, y Ry V, Ve =n, Le; ey ee 3 "Ver Voc Vin Ejemplo: Calcular el circuito de polarizacién con divisor de voltaje para el transistor BC547A con Ieq =10MA; Veeg =: Alc V; Voc =15V. Considere también 10% Para este punto de operacién, del manual, se tiene: Voem=580MV; Vgc =760MV; Veey =670MV Prey =222; Mem =143; Mpey =286 Tego < 5wA a 125°C = Con respecto a Icgq se tiene que: Teao(asec) = 48PA Tego ga%c) =0-8637Anv I n-258 —seomv 670m 760m D—) oO ° »)-80°C 530 mv 620mv 710 mv Variacién por manufactura De la figura (a), se obtiene la variacién del parémetro por manufactura: Vp = 760mV -580mV = 180mV Variacién por temperatura 9 0 AVgg =-2mV ve } AT=50°C-25°C=25°C; Vag =-2mVx ae =-50mv Si se restan los 50mV a cada valor del parémetro se obtiene la variacién por temperatura, figura (b): AVp = 710mV -530mV = 180mV De la figura (a) y (b), se obtiene la variacién del parémetro para el peor caso, tomando el valor del extremo superior e inferior, respectivamente (consiste en abrir la posibilidad de encontrar el valor més probable del pardmetro en cuestién), para obtener: AVp = 760mV -530mV = 230mV Para hye 25°C a) 143 222 286 506 >) 212.37 2913 365.37 De la figura a, se obtiene la variacién por manufactura: Af =286 -143= 143 Para la variacién por temperatura se obtiene de la figura b: AB = Ay GAT = 222» 226 = 69.37; 4=355.37 -212.37=143 De la figura a y b, se obtiene el llamado peor caso: Af =355-143=21225°C 50°C Tess 8.77A_| 204nA Vii 0.67V_ | 0.62V Pre 222 291.37 Polarizacién por divisor de efectos: 1 Ale _ AV. ar. = 10% Ie = 10% X10MA = 1mA 2 Ic” Ve a LAde _ “oma 2 Te “ae j Vp peor caso: (0.76 -0.53)V = 0.23V Ve _ 4.6V _ =4.6V por lo que: Re =f = 1 = fe bale fo fds} 2 Ie Biba Re peorcaso AP = fy, ~ B,, = 355-143 = 212.37 15~ 52 nal 355x143 |” 460, Rr 005, RB 460 4.17x10°" 460 R 4600 Re = 4700 =11.97-1 0.974602 = 50472. ° R 5047 Tg nicl a tere ~10ma{ 404 |sosrasavr 13s¥ RaeR= 49 508702 = 137892 = 15KQ Veg” 5 Yoo 1sv = Rye Voc—Vag” 15V-5.4V Von =V, lov = Fee Ker _p, = IP _ 4799 = 5300 & I *10mA El circuito de polarizacién es: R 50479 = 79610 =8.2KQ.++Vee=15V RiessKa S Re=s600 R2=8.2KQ —BC547 to 549 AF. SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS: [NPM tranatatera i plastic TO-F2 variant. ‘Toe BCS4T te primarily tended or ein river sages of audio amplifiers and m ig~ (hi proceanngelreita of tlevinin ecetvers. ‘The bobtn ie eytable for a mute of tow voltage aplication e.g. driver wager oF ties presampltiers and tc signal procenangelrestn af wlevalon Fecelvers- ‘The Be309 te primarily ntende for low boat Laput sages ln ape recorsera, Mf am- pliers end oer alo frequency equipment. Tg t2ma: Wop aS Veer Me ‘Trmaiton frequency af +38 Me isgeetie se ‘ Sen cte Scouse , mite : ‘Tossa veriaatBC547 to 549 [RATINGS Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System GECI3) voltage Bos4ny pos4sy nos49 CCellector-base voltage (open emitter) CCollegeor-eminter voltage (Vpe = 0) Colleetor-emitter voltage (open base) Emimer-hase voltage (open collector) Current Collector current (d.e.) Collector current (peak value) Emitter curcent (peak value) ‘ase current (peak value) Power desiption = “Toal power disipatin upto Ten #75 °C mx, 0 aw ‘Temperature ‘Storage temperature Vay roti % eto temperature 1 max 10% “THERMAL RESISTANCE . From justin to amblent i fee ale Rape 0.28 Sym From juetion to ease Rate 0.17 *o/mwBC547 to 549 ig * U: Veg * 20 Vi) « 128 knwo < 5 seecgraner time) a ig= BmAiVou"5¥ ve Be! le +10 Ven *$¥ ‘<7 Sarva mages 2) ie Wma fy =0.8 ma Ver 2 Vows 700 e+ 100mA:lg+ Sma Yoru: 2 22 Yorn 9p 90 es 3 ig 10 mAs lg = vole for wich : eiitenatcr stv vene 30 Vere r Veer Collector capacience at f= 1 Miz Ig “le “0; Veg *10V ce [Emiter capacitance at f* 1 Miz ie rte * 0: Vgg * 0.5 ¥ a is ‘Teanution trequeney at f= 38 Miz ie" 10 mA; Vou *SV ge Se TyVpe decreases by about 2 mV/0C with increasing temperature 2) Vpttat decreases by about 1.7 mV/9C with Increasing temperature. $+ ——_—- 1) + 25 86 wolowe ohurwine specified un my mv av ow av mv av av 22 200 Ne\s3 BCS47 to 549 (CHARACTERISTICS (continue) Ty +28 unten etherwine specie ‘Salt signal cuerom gata a C1 Ae Ig 2ma: Vog* SV We Noise gure at Rg 42.9 “Ter diveA: Vou SV (0 Me 118 ate ® vate; 200 He e D.C. current gain 1p" 1Oua: Vee = SV one Ig 2mAi Veg +3 hee ‘parameters a +1 Ae ommon miter) fg =2mA: Vos +3 a2 trp mpesunce Ne 45 3 averse voluge tanaer atlo ee 2 > 20 ‘Smal signal current gun Me ye. aaa | 330 2” 0 | Soo ut adminance ta ew |Bis BCS47 to 549 Tw te vent “Typill behavioe of caller current verte electors voltage * : - fesse] ie Lr ae ‘plea braviour ot cllectar current Basevemervaltge versa elo vere cllectorseminer valage ‘alee earrestBC547 to 549 ee err laa ie ov 1 0 See Base current verse collector current —S ee jwBCS47 to 549 o 1 0 ww wt ‘Base current versus collector current 3 eSBC547 to 549 Te oarBC547 to 549 ate 3 a se ° o 7 1 80 ‘Typical behaviour of bane current vereus junction temperatureBC547 to 549 “= Youn haste ‘a Se 2 oD Cia ae oon, Soo facsus) Tes 7m] =] vv! an1% BCS47 to 549 o ‘ E 0 oF 0 haa ‘Curves of constant noise figure er + 0 oF = Curves of constant noise gure a i Ww RA) 10BC547 to 549 ‘o % mal a oF on | gr 1g ima ey[ieee whe = totov lsinae fiezsre BC547 to 549\e INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA DEPTO. INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA ACADEMIA DE ELECTRONICA LABORATORIO DE ELECTRONICA LINEAL ° PRACTICA No. 3 POLARIZACION GRUPO: No. DE EQUIPO.. . AREA: NOMBRE DEL PROFESOR:. NOMBRE DEL PROFESOR: CALIFICACION: FECHA DE INICIO: FECHA DE TERMINACION: FECHA DE ENTRAGA: a i ai baPRACTICA B POLARIZACION CON TRANSISTORES BIPOLARES oBJeETIVos | “El estudiante calculara los circuitos: basico de _polarizacién, i polarizacién por divisor de voltaje y por retroalimentacién, dadas las i especificaciones del punto de operacién (voltaje colector-emisor, corriente de colector), y las varlaciones maximas permitidas para este, -€1 estudiante construird el circuito que ha calculado y mediré los voltajes y corrientes necesarios para determinar el punto de operacién y Su estabilidad con respecto a variaciones de temperatura y por sustitucién de elementos, -El estudiante hard ajustes experimentales ai circuito, en caso de ser necesario. ENUNCIADO DEL PROBLEMA ~Calcular los circultos de polarizacién: bésico, por divisor de voltaje y por retroalimentacién, mostrados en las figuras 1a, 1b y 1c; respectivamente. + Vee Figura 1.- 1a.- circulto basico de polarizacién 1b.- circuito de polarizacién por divisor de voltaje 1c.- circuito de polarizacién por retroalimentacion8C557 to 559 AF. SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PAN-P transistors in « plastic TO-92 variant. ‘The BCSS7 ls a high voltage type and primarily intended for use in driver stages of audio amplifiers and ta signal processing circuits of television receivers. ‘The BCS58 la sultable for « muitizude of low voltage applications e.g. driver stages or studio preamplifiers and in signal processing circuits of television receivers. ‘The BCSS9 ts primarily intended for low noise inpux stages In tape recorders, bi-fi am~ plifters and other audio frequency equipment. UNG REFERENCE DATA S57, 5300559 canner weg = 191 wo] | =v Steer ene cap ooeont s| 3] 2 ¥ aloes crernt Geet ls) = am | 20 | 2m ma Taaiprerdanmtinspi ant" 75°% at mens 30 | So | 30 Sv w Sx is|is|is & > | | as Se 2 ao so | 300 typ. 180 150 Mite sMooya: “tos =8¥ {Stes ws pO 1 (1:8 = 20 a [MECHANICAL DATA, Dimensions is mamLABORATORIO DE ELECTRONICA LINEAL PRACTICA No, 2 Datos para el célculo -De T, yT;, deben ser del tipo NPN y T; del tipo PNP. sla ,corriente de colector deberé estar entre: (5 212) Fi y el voltaje colector-emisor entre: QSy y 38 . EI circulto podré operar entre la temperatura ambiente y 50 °C, con una variacién maxima de la corriente de colector menor que el 20%. -La fuente de alimentacién disponible en el laboratorio es la HM2220, 1A. Nota: en este y en todos los demés experimentos, deben utilizarse los valores comerciales mas cercanos a los calculados teéricamente ino calculado! DESARROLLO DE LA PRACTICA 1. Construir (antes de ir al laboratorlo), el circuito basico de polarizacién que ha calculado. Haga las mediciones de voltaje colector- emisor Vce, voltaje de base Vp y corriente de colector I<, tanto a la temperatura ambiente como @ una temperatura superior (aproximadamente 50 °C). Con estas mediciones se esta en condiciones de llenar la tabla I. . J TEPERATURA |Vee(V) |Va(V) | %4¥or |Ie(mA) | 941. 25°c 50°C 1 Tabla L.-Valores experimentales para el circuito basico de polartzacién 2.- Construir el circulto de polarizacién por divisor de voltaje que ha calculado. Haga las mediciones del voltaje de colector Vc, voltaje de emisor V,, voltaje colector-emisor Vee, y corriente de colector ILABORATORIO DE ELECTRONICA LINEAL PRACTICA No. 2 b Tanto a temperatura ambiente como a una temperatura superior. Con, estas mediciones llenar la tabla II. TEPERATURA | Ve(V) | Va(V) | Vext¥) | %a%q | i(may | AT, | 25°C 50°C | ia II.- Valores experimentales para el circuito de polarizacién por divisor de voltaje 3.- Para el circuito de polarizacién por divisor de voltaje, sustituir Rc por otra distinta de la calculada (el valor comercial cercano en un 20% aproximadamente). Con el circuito en estas condiciones realice las mediciones necesarias para llenar la tabla III. TEPERATURA | Va(V) | Ve-(V) | VeetV) | %4%iy [ic(may[ a7] « wee . 4 50°C 4 Tabla Iil,-Valores experimentales para él circuito de polarizacién por divisor de voltaje con R." vagada 4. Construir (antes de ir al laboratorio), el circuito de polarizacién por retroalimentaclén que ha calculado. Haga las meditiones necesarias para llenar la tabla IV. TEPERATURA | Wav) | VeV) | Wee(V) | %A¥ig T c(ma)| Al | 25°C | 50°C ‘Tabla IV,-Valores experimentales para el circuito de polarizacién por retroalimentacin 5.- Para el circuito de polarizacién por retroalimentacién, sustituya la resistencia de colector por otra distinta de la calculada (en un 20% aproximadamente). Con el circulto en estas condiciones realizar las mediciones necesarias para lienar la tabla V. a —- jLABORATORIO DE ELECTRONICA LINEAL PRACTICA No. 2 TEPERATURA |" Ve(V) | Vo--(V) | Vee(v) | % AV cp ‘<(mA) | %AT, | 25°C 50°C Tabla V.-Valores experimentales para el circuito de polarizacién por retroalimentacién con Re variada. VALORES TEORICOS Con los valores calculados anteriormente lienar las tablas siguientes VetV) ] VatV) | %A¥ er] Te(ma) | %A7. TEPERATURA 25°C - m°C~ ‘Tabla Vi.-Valores tedricos para el circulto basico de polarizacién TEPERATURA | VV) | Ve(V) fekV) | %A¥, | Te(mnA) | AT, ae 50°C t Tabla VII.-Valores tedricos para el circulto de polarizacién por divis6r de cTe(mA) | AT. | voltaje TEPERATURA | Vc(V) | VaV) | Vee() | %A7us 25°C 50°C Tabla VIII.-Valores tedricos para el circuito de polarizacién por retroalimentaciénLABORATORIO DE ELECTRONICA LINEAL PRACTICA No. 2 SUGERENCIAS DE MEDICION = Medicién del voltaje colector-emisor. Para estas mediciones usar cualquiera de los siguientes instrumentos: = Multimetro digital.- Culdar que el selector de funcién este en la posicién de c.d. (v c.d.). = Multimetro analdgico.- Cuidar que uno de los selectores este en el selector de funcién adecuado y el otro en la escala adecuada, ~ Osciloscopio.- Después de verificar la calibracién; colocar el selector de acoplamiento “de-gnd-ca” en la posicién de gnd y desplazer verticalmente el trazo hasta una posicién de referencia. Seleccionar una escala adecuada de volts por divisién para que la lectura pueda ‘observarse dentro de la pantalla. Pasar el selector de acoplamiento a la posicién de cd, al hacer la medicién de la diferencia de posicién del trazo a la referencia, multiplicada por la sensitividad en volts/divisién, da el valor del voltaje. - Las mediciones de voltaje se hacen con referencia a la tierra del circuito. El voltaje de emisor Ve, es medido del terminal de emisor a tierra, andlogamente el voltaje de colector V-, es medido del terminal de colector a tierra. Con las mediciones anteriores podemos calcular el voltaje colector-emisor: Vee = Ve - Ve - Medicién de fa corriente de colector. Para estas mediciones puede usar algunas de las formas siguientes: - Para el circuito basico de polarizacién y para el circuito de polarizacién por divisor de voltaje se puede medir la caida de voltaje de cd en Re y conociendo el valor de Re calcular la corriente de colector Iz: > Vee = Ve Fan Moet . - Para estos dos circuitos, también puede emplearse un amperimetro de cd en serie con R. para medir directamente la corriente de colector Ic, el efecto de carga del amperimetro puede despreciarse ya que la corriente de colector es independiente de la resistencia de colector Re dentro de cierto rango. ~ Para el circuito de polarizacién por retroalimentacién puede medirse la caida de voltaje en Re y de aqui calcular el valor de la corriente de emisor Ie. nok Ic8C557 to 559 AF. SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PAN-P transistors in « plastic TO-92 variant. ‘The BCSS7 ls a high voltage type and primarily intended for use in driver stages of audio amplifiers and ta signal processing circuits of television receivers. ‘The BCS58 la sultable for « muitizude of low voltage applications e.g. driver stages or studio preamplifiers and in signal processing circuits of television receivers. ‘The BCSS9 ts primarily intended for low noise inpux stages In tape recorders, bi-fi am~ plifters and other audio frequency equipment. UNG REFERENCE DATA S57, 5300559 canner weg = 191 wo] | =v Steer ene cap ooeont s| 3] 2 ¥ aloes crernt Geet ls) = am | 20 | 2m ma Taaiprerdanmtinspi ant" 75°% at mens 30 | So | 30 Sv w Sx is|is|is & > | | as Se 2 ao so | 300 typ. 180 150 Mite sMooya: “tos =8¥ {Stes ws pO 1 (1:8 = 20 a [MECHANICAL DATA, Dimensions is mam2he 4 BC557 to 559 Youage (Coltector base voltage (open emer) (Catactor emitter voltage (+¥gg = 1 V) Collector -emirer votuge (open base) ‘Bimiter-base voltage (open elletor) (Collector current (2.¢.) ‘Collector eurret (peak valve) Emiser cucreat (peak valve) ‘Base current (peak valve) Power dissipation, ‘Total power dleipation upto Tomo" 7°C Peat ax, 00 mw ‘Temperures Storage temperature tin 65 10 +180 ction temperature y max, 10 8c ‘THERMAL RESISTANCE From junction toambleat iefreeair Rey ya 0.25 Sc /mw Prom jnetion to case Raye * * 017 mwBC557 to 559 cuaRacrenismics 115°C unless ehervie apctod ops OV Ty = 285 oso ss y= 138% 0 ya ‘Base-emitter & ea op 650 mv Sane ee “ee 0 wo 750 rig #0: Yop =5¥ a ‘Saturation voltages 2) . a 8 av ig = 10 mA; iy 0.5 mk jon PE “Yonat yp. 700 wY 50 mv le = 100 ah; iy = 5 ma “a. 2 BS : eee 7. 8 mV Knee vohage . ig = 10 mAs iy = vlan fer which 0 my Elena cent “ox 2 oy . . Catestor capacitance a 1 te p= le=0; Mog =10 Sm As oF ‘Tranation froquncy at {+25 Mile ig = 10 mAs “Woe «8 om 180 te 1) =Vpe decreases by about 2 mV/°C with increasing temperature. 2) ~Vateat decreases by sbox 1.7 mV/9C with Increasing temperacure. afroBC557 to 559 (CHARACTERISTICS (contin) ‘Sat eign) curnen pin at = 1 Mts nig + Bima: “Vou *5V Nowe gure at Rg + 2 At “ic * 200A: -Vex = SV f= W He to 15 tte 1 kta; B= 200 He D.C. current gain wig * 2mA; “Voge * SV ‘Small signa current gala at (+1 te -ig + 2mA: Yop = SVWe “ec no BCS57 to 559 \e 5[r0BC557 to 559 “ oer 5 rie 20 }- 100 ects: hetabd am 7 So ‘7 cial is ro50 tho BC557 to 559 ” wa 108) " 1 "00 ° 705 TP) 00 ‘Typical behaviour of base current: ‘etvan jueton temperature aeBCS557 to 559 ah 4 °BC557 to 559 Curves of constant noise figure a te okt 1 0 a oF wo AKA Curves of constant nolse figureohio BC557 to 559 wt Types! valves a wees3 este “ eces901 TI] Te 25"c ” ‘Bessa 6 ‘ wl : Li} 0 + cia + -Tetmal 10 wv er he totune c riaasre 300) cs | scssea| 200 * V0 | 140 | te | ar + ogtmal 1 fe ima) 10